电弧等离子体沉积系统

日本Advance Riko 公司致力于电弧等离子体沉积系统（APD）利用脉冲电弧放电将电导材料离子化，产生高能离子并沉积在基底上，制备纳米级薄膜镀层或纳米颗粒。电弧等离子体沉积系统利用通过控制脉冲能量，可以在1.5nm到6nm范围内精确控制纳米颗粒直径，活性好，产量高。多种靶材同时制备可生成新化合物。金属/半导体制备同时控制腔体气氛，可以产生氧化物和氮化物薄膜。高能量等离子体可以沉积碳和相关单质体如非晶碳，纳米钻石，碳纳米管 形成新的纳米颗粒催化剂。 主要应用领域： 1、制备新金属化合物，或制备氧化物和氮化物薄膜（氧气和氮气氛围）；2、制备非晶碳，纳米钻石以及碳纳米管的纳米颗粒；3、形成新的纳米颗粒催化剂（废气催化剂，挥发性有机化合物分解催化剂，光催化剂，燃料电池电极催化剂，制氢催化剂）；4、用热电材料靶材制备热电效应薄膜。 技术原理：1、在触发电极上加载高电压后，电容中的电荷充到阴极（靶材）上；2、真空中的阳极和阴极（靶材）间，电子形成了蠕缓放电，并产生放电回路，靶材被加热并形成等离子体；3、通过磁场控制等离子体照射到基底上，形成薄膜或纳米颗粒。 材料适用性：APD适用于元素周期表中大部分高导电性金属，合金以及半导体。所用原料为直径10mmX17mm长圆柱体或管状体，且电阻率小于0.01 ohm.cm。下面的元素周期表显示了可制备的材料，绿色代表完全适用，黄色代表在一定条件下适用。 设备特点： 1. 系统可以通过调节放电电容选择纳米颗粒直径在1.5nm到6nm范围内。2. 只要靶材是导电材料，系统就可以将其等离子体化。（电阻率小于0.01ohm.cm）。3. 改变系统的气氛氛围，可以制备氧化物或氮化物。石墨在氢气中放电能产生超纳米微晶钻石。4. 用该系统制备的活性催化剂效果优于湿法制备。5. Model APD-P支持将纳米颗粒做成粉末。Model APD-S适合在2英寸基片上制备均匀薄膜。 APD制备的Fe-Co纳米颗粒的SEM和EDS图谱 系统参数： 1. 真空腔尺寸：400X400X300长宽高2. 抽空系统：分子泵450L/s3. 电弧等离子体源:标配一个，最多3个4. 沉积气压：真空或者低气压气体（N2， H2，O2，Ar）5. 靶材：导电材料，外径10mm，长17mm6. 靶材电阻率：小于0.01欧姆厘米7. 电容：360uF X5 （可选）8. 脉冲速度：1,2,3,4,5 Pulse/s9. 操作界面：触摸屏10. 放电电压：70V-400V （1800uF下最大150V） APD-P 粉末容器：直径95mm 高30mm形成粉末的速度：13-20cc （随颗粒尺寸和密度变化）旋转速度：1-50rpm

电弧等离子体沉积系统日本ADVANCE RIKO公司致力于电弧等离子体沉积系统（APD）利用脉冲电弧放电将电导材料离子化，产生高能离子并沉积在基底上，制备纳米薄膜镀层或纳米颗粒。电弧等离子体沉积系统利用通过控制脉冲能量，可以在1.5nm到6nm范围内控制纳米颗粒直径，活性好，产量高。多种靶材同时制备可生成新化合物。金属/半导体制备同时控制腔体气氛，可以产生氧化物和氮化物薄膜。高能量等离子体可以沉积碳和相关单质体如非晶碳，纳米钻石，碳纳米管 形成新的纳米颗粒催化剂。主要应用领域制备新金属化合物，或制备氧化物和氮化物薄膜（氧气和氮气氛围）制备非晶碳，纳米钻石以及碳纳米管的纳米颗粒形成新的纳米颗粒催化剂（废气催化剂，挥发性有机化合物分解催化剂，光催化剂，燃料电池电催化剂，制氢催化剂）用热电材料靶材制备热电效应薄膜技术原理在触发电上加载高电压后，电容中的电荷充到阴（靶材）上。真空中的阳和阴（靶材）间，电子形成了蠕缓放电，并产生放电回路，靶材被加热并形成等离子体。通过磁场控制等离子体照射到基底上，形成薄膜或纳米颗粒。适用性APD适用于元素周期表中大部分高导电性金属，合金以及半导体。所用原料为直径10mmX17mm长圆柱体或管状体，且电阻率小于0.01 ohm.cm。下面的元素周期表显示了可制备的材料，绿色代表完全适用，黄色代表在一定条件下适用。 产品特点1. 系统可以通过调节放电电容选择纳米颗粒直径在1.5nm到6nm范围内。2. 只要靶材是导电材料，系统就可以将其等离子体化。（电阻率小于0.01ohm.cm）3. 改变系统的气氛氛围，可以制备氧化物或氮化物。石墨在氢气中放电能产生超纳米微晶钻石。4. 用该系统制备的活性催化剂效果优于湿法制备。5. Model APD-P支持将纳米颗粒做成粉末。Model APD-S适合在2英寸基片上制备均匀薄膜。APD制备的Fe-Co纳米颗粒的SEM和EDS图谱系统参数1. 真空腔尺寸：400X400X300长宽高2. 抽空系统：分子泵450L/s3. 电弧等离子体源:标配一个，多3个4. 沉积气压：真空或者低气压气体（N2， H2，O2，Ar）5. 靶材：导电材料，外径10mm，长17mm6. 靶材电阻率：小于0.01欧姆厘米7. 电容：360uF X5 （可选）8. 脉冲速度：1,2,3,4,5 Pulse/s9. 操作界面：触摸屏10. 放电电压：70V-400V （1800uF下大150V） APD-P 粉末容器：直径95mm 高30mm形成粉末的速度：13-20cc （随颗粒尺寸和密度变化）旋转速度：1-50rpm 产品对比测试数据■ 利用APD制备氧化铁纳米颗粒图1 三种不同碳基支撑物表面获得的氧化铁颗粒的HAADF-STEM图像及粒径分布统计图表1 铁负载量、纳米颗粒粒径与电弧脉冲次数的关系引用资料：Yumi Ida, et al. A useful preparation of ultrasmall iron oxide particles by using arc plasma deposition. RSC Adv., 2020, 10, 41523.■ 利用APD制备Fe-Co纳米颗粒APD制备的Fe-Co纳米颗粒的SEM和EDS图谱发表文章20211. Kamal Prasad Sharma, Aliza Khaniya Sharma, Toru Asaka, Takahiro Maruyama. Transmissible Plasma-Evolved Suspended Graphene for TEM Observation Window. ACS Appl. Nano Mater. 2021, XXXX, XXX, XXX-XXX.2. Ai Misaki, Takahiro Saida, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama. Effect of growth temperature and ethanol flow rate on synthesis of single-walled carbon nanotube by alcohol catalytic chemical vapor deposition using Ir catalyst in hot-wall reactor. Jpn. J. Appl. Phys., 2021, 60, 015003. 2020 1. Yumi Ida, Atsushi Okazawa, Kazutaka Sonobe, Hisanori Muramatsu, Tetsuya Kambe, Takane Imaoka, Wang-Jae Chun, Makoto Tanabe, Kimihisa Yamamoto. A useful preparation of ultrasmall iron oxide particles by using arc plasma deposition. RSC Adv., 2020, 10, 41523.2. K Miyazawa, T Nagai, K Kimoto, M Yoshitake, Y. Tanaka. HRTEM-EELS cross-sectional characterization of HOPG substrate with platinum nanoparticles deposited using a coaxial arc plasma gun. Diam. Relat. Mater., 2020, 101, 107623.3. Xiao Zhao, Yutaka Hamamura, Yusuke Yoshida, Takuma Kaneko, Takao Gunji, Shinobu Takao, Kotaro Higashi, Tomoya Uruga, Yasuhiro Iwasawa. Plasma-Devised Pt/C Model Electrodes for Understanding the Doubly Beneficial Roles of a Nanoneedle-Carbon Morphology and Strong Pt-Carbon Interface in the Oxygen Reduction Reaction. ACS Appl. Energy Mater. 2020, 3, 6, 5542–5551.4. Naoto Todoroki, Shuntaro Takahashi, Kotaro Kawaguchi, Yusuke Fugane, Toshimasa Wadayama, Dry synthesis of single-nanometer-scale Ptsingle bondSi fine particles for electrocatalysis. J. Electroanal. Chem., 2020, 876, 114492.5. Hiroshi Yoshida, Yusuke Kuzuhara, Tomoyo Koide, Junya Ohyama, Masato Machida. Pt-modified nanometric Rh overlayer as an efficient three-way catalyst under lean conditions. Catal. Today, (On line, in press).6. Takahiro Maruyama, Takuya Okada, Kamal Prasad Sharma, Tomoko Suzuki, Takahiro Saida, Shigeya Naritsuka, Yoko Iizumi, Toshiya Okazaki, Sumi Iijima. Vertically aligned growth of small-diameter single-walled carbon nanotubes by alcohol catalytic chemical vapor deposition with Ir catalyst. Appl. Surf. Sci., 2020, 509, 145340.7. Teppei Ikehara, Zhiyun Noda, Junko Matsuda, Masamichi Nishihara, Akari Hayashi, Kazunari Sasaki. Porous Metal Support for Gas Diffusion Electrode of PEFCs. ECS Trans., 2020, 98, 573.8. D. Kawachino, M. Yasutake, Z. Noda, J. Matsuda, S. M. Lyth, A. Hayashi, K. Sasaki. Surface-Modified Titanium Fibers as Durable Carbon-Free Platinum Catalyst Supports for Polymer Electrolyte Fuel Cells. J. Electrochem. Soc., 2020, 167, 104513.9. Masahiro Yasutake, Daiki Kawachino, Zhiyun Noda, Junko Matsuda, Stephen M. Lyth, Kohei Ito, Akari Hayashi, Kazunari Sasaki. Catalyst-Integrated Gas Diffusion Electrodes for Polymer Electrolyte Membrane Water Electrolysis: Porous Titanium Sheets with Nanostructured TiO2 Surfaces Decorated with Ir Electrocatalysts. J. Electrochem. Soc., 2020, 167, 124523.用户单位北海道大学日本产业技术综合研究所东北大学（Tohoku University）韩国科学技术研究院九州大学京都大学大阪大学山梨大学东京理科大学东京工业大学

等离子体增强型CVD设备 PD-220N研究开发用等离子体CVD设备概要PD-220N是用于沉积各种硅薄膜（SiO2、Si3N4等）的等离子体CVD系统。 PD-220N在提供薄膜沉积所需的全部功能的同时，占地面积比本公司的传统系统小40%。 从尖端研究到半大规模生产，它的应用范围很广。主要特点和优点可在ø 8英寸晶圆上沉积尽管设计紧凑，但该系统能够在5块ø 3英寸晶圆、3块ø 4英寸晶圆和1块ø 8英寸晶圆上同时沉积。TEOS-SiO2成膜系统可扩展可增加TEOS等温室装置。 (这是一个选项)应用各种硅基薄膜的形成可形成氮化硅膜、氧化硅膜、非晶硅膜。选项可以增加形成TEOS-SiO2薄膜的TEOS等温室装置。

PECVD沉积技术NPE-4000（M） PECVD等离子体化学气相沉积系统概述：NANO-MASTER PECVD系统能够沉积高质量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到最大可达12” 直径的基片上.该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子，具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压。并可以支持加热和循环冷却水的冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，腔体可以达到低至10-7 torr的真空。标准配置包含1路惰性气体、3路活性气体管路和4个MFC.带有独一无二气体分布系统的平面中空阴极等离子源使得系统可以满足广大范围的要求，无论是等离子强度、均匀度，还是要分别激活某些活性组份，这样系统可以覆盖最广的可能性来获得各种沉积参数。NPE-4000（M） PECVD等离子体化学气相沉积系统应用：等离子诱导表面改性：就是通常所说的用等离子实现表面改性(如亲水性、疏水性等)等离子清洗：去除有机污染物等离子聚合：对材料表面产生聚合反应沉积二氧化硅、氮化硅、DLC(类金刚石)，以及其它薄膜CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长：在需要的位置生长CNT或石墨烯。NPE-4000（M） PECVD等离子体化学气相沉积系统特点：独立型立式系统不锈钢或铝制腔体极限真空可达10-7TorrRF淋浴头，HCD或微波等离子源高达12”(300mm)直径的样品台RF射频偏压样品台水冷样品台可加热到的800 °C样品台加热的气体管路加热的液体传送单元抗腐蚀的涡轮分子泵组1路载体气体以及3路反应气体，带MFC基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动，4级密码访问保护完整的安全联锁

Orion Proxima 高密度等离子体化学气相沉积系统1、优越的填孔能力以及高沉积速率 Excellent gap-fill capacity and high deposition rate 2、独特的温度场和 ICP 电磁场设计保证了低温高致密的膜质表现 Unique thermal field and ICP Electromagnetic field design enhancing performance of the high-density film quality at low temperature 3、优化机台结构，缩小占地面积 Optimized system architecture with minimized foot print 4、友好的人机交互和安全性设计保障系统稳定、安全、高效 User-friendly interface and security designed to ensure the system stability, safety and efficiency技术参数1、晶圆尺寸 12 英寸2、适用材料 氧化硅3、适用工艺 浅沟槽隔离、金属间介质层、钝化层4、适用领域 新兴应用、集成电路

双腔体等离子体原子层沉积系统 QBT-T原子层沉积（Atomic layer deposition)是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应腔体内并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种技术，具有自限性和自饱和。原子层沉积技术主要应用是在各种尺寸和形状的基底上沉积高精度、无针孔、高保形的纳米薄膜。 产品描述厦门韫茂科技公司的双腔体等离子体原子层沉积系统（QBT-T），设备采用双腔体设计，腔体之间可实现独立控制，双倍产出。腔体分别为PEALD腔室，粉末ALD腔室。由于双腔体双功能的独特设计，使设备可以在平片上实现等离子体ALD的生长工艺以及粉末ALD包覆工艺，设备配有独立控制的300℃完整加热反应腔室系统，保证工艺温度均匀。该系统具有专利粉末样品桶、晶圆载盘、全自动温度控制、ALD前驱体源钢瓶、自动温度控制阀、工业级安全控制，以及现场RGA、QCM、臭氧发生器、手套箱、极片架等设计选项。是先进能源材料、催化剂材料、新型纳米材料,半导体领域研究与应用的最佳研发工具之一。主要技术参数QBT-T 技术参数 Technical Specifications （TiN, ZnO, Al2O3, TiO2等制备）腔体双腔体设计（1个硅片PEALD腔室，1个粉末ALD腔室），每个腔体独立控制，双倍产出等离子体 Plasma最大3kW RF自匹配电源最大基板尺寸Max Wafer SizeФ150mm (可定制）高精准样品加热控制 Wafer HeatingRT-300±1℃前驱体 Max Precursor最大可包括3组等离子体反应气体 8组液态或固态反应前驱体, Max 3 Gas and 8 Liquid/Solid Precursors 臭氧发生器Ozone Generator可选配，生产效率15g/h人机界面 HMI全自动化人机操作界面安全Safety工业标准安全互锁Industry Safety Interlock，报警Alarm，EMO

Picosun等离子体增强原子层沉积（PEALD）系统 PICOPLASMA Picosun公司新型PICOPLASMA™ 等离子体增强原子层沉积（PEALD）系统是基于先进的自由离子远程等离子源设计的，其性能已经得到世界范围内的诸多ding 级研究团队的肯定。多种激发源（如氧、氢和氮等）配置能够zui大化拓展ALD的工艺范围，尤其是低温沉积金属和金属氮化物薄膜。由于远程等离子源所产生的等离子体束流中离子的含量低，因此即使是zui敏感的衬底，也不会出现等离子损伤，而等离子束流中含有高浓度的活性粒子，保证很快的生长速度。PICOPLASMA™ 源系统既可以安装在现有的PICOSUNTM ALD反应器上，也可以将整个PEALD组装为yi个整体。它具有占地面积小、易维护和低运行成本等优点。通过预真空系统，PICOPLASMA™ 集成在PICOPLATFORM™ 集群系统中后可实现自动化操作。 PICOPLASMA™ 远程等离子体系统技术参数 对衬底无等离子损伤 导电材料不会产生短路现象 无前驱源背扩散→ 等离子发生器无薄膜形成 等离子体点火期间无压力振荡→ 无颗粒形成 等离子体源与衬底之间无闸门阀→ 无颗粒形成 等离子体源材料无刻蚀→ 金属和氧化物薄膜低杂质 简单和快速服务并通过维护舱口改变腔室 无硬件修改使热ALD和等离子ALD工艺在同yi沉积腔室中进行成为可能 应用领域部分PEALD材料的薄膜均匀性的例子，采用PICOSUN™ 设备沉积。晶圆尺寸150/200 mm(6/8”)材料非均匀性(1σ)AI2O3 0.50%AlN0.62%In2O30.87%SiO2 (low-T)1.10%SiN (low-T)1.58%TiN2.16%ZnO2.64%TiAlN2.87%

PECVD沉积技术NPE-3000 PECVD等离子体化学气相沉积系统概述：NANO-MASTER PECVD系统能够沉积高质量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到最大可达12” 直径的基片上.该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子，具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压。并可以支持加热和循环冷却水的冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，腔体可以达到低至10-7 torr的真空。标准配置包含1路惰性气体、3路活性气体管路和4个MFC.带有独一无二气体分布系统的平面中空阴极等离子源使得系统可以满足广大范围的要求，无论是等离子强度、均匀度，还是要分别激活某些活性组份，这样系统可以覆盖最广的可能性来获得各种沉积参数。NPE-3000 PECVD等离子体化学气相沉积系统应用：等离子诱导表面改性：就是通常所说的用等离子实现表面改性(如亲水性、疏水性等)等离子清洗：去除有机污染物等离子聚合：对材料表面产生聚合反应沉积二氧化硅、氮化硅、DLC(类金刚石)，以及其它薄膜CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长：在需要的位置生长CNT或石墨烯。NPE-3000 PECVD等离子体化学气相沉积系统特点：台式系统不锈钢或铝制腔体极限真空可达10-7TorrRF淋浴头，HCD或微波等离子源高达12”(300mm)直径的样品台RF射频偏压样品台水冷样品台可加热到的800 °C样品台加热的气体管路加热的液体传送单元抗腐蚀的涡轮分子泵组1路载体气体以及3路反应气体，带MFC基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动，4级密码访问保护完整的安全联锁

PECVD沉积技术NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统概述：NANO-MASTER PECVD系统能够沉积高质量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到最大可达12” 直径的基片上.该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子，具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压。并可以支持加热和循环冷却水的冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，腔体可以达到低至10-7 torr的真空。标准配置包含1路惰性气体、3路活性气体管路和4个MFC.带有独一无二气体分布系统的平面中空阴极等离子源使得系统可以满足广大范围的要求，无论是等离子强度、均匀度，还是要分别激活某些活性组份，这样系统可以覆盖最广的可能性来获得各种沉积参数。NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统应用：等离子诱导表面改性：就是通常所说的用等离子实现表面改性(如亲水性、疏水性等)等离子清洗：去除有机污染物等离子聚合：对材料表面产生聚合反应沉积二氧化硅、氮化硅、DLC(类金刚石)，以及其它薄膜CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长：在需要的位置生长CNT或石墨烯。NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统特点：紧凑型独立式系统不锈钢或铝制腔体极限真空可达10-7TorrRF淋浴头，HCD或微波等离子源高达12”(300mm)直径的样品台RF射频偏压样品台水冷样品台可加热到的800 °C样品台加热的气体管路加热的液体传送单元抗腐蚀的涡轮分子泵组1路载体气体以及3路反应气体，带MFC基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动，4级密码访问保护完整的安全联锁

PECVD沉积技术NPE-4000（A）全自动PECVD等离子体化学气相沉积系统概述：NANO-MASTER PECVD系统能够沉积高质量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到最大可达6” 直径的基片上.该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子，具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压。并可以支持加热和循环冷却水的冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，腔体可以达到低至10-7 torr的真空。标准配置包含1路惰性气体、3路活性气体管路和4个MFC.带有独一无二气体分布系统的平面中空阴极等离子源使得系统可以满足广大范围的要求，无论是等离子强度、均匀度，还是要分别激活某些活性组份，这样系统可以覆盖最广的可能性来获得各种沉积参数。NPE-4000（A）全自动PECVD等离子体化学气相沉积系统应用：等离子诱导表面改性：就是通常所说的用等离子实现表面改性(如亲水性、疏水性等)等离子清洗：去除有机污染物等离子聚合：对材料表面产生聚合反应沉积二氧化硅、氮化硅、DLC(类金刚石)，以及其它薄膜CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长：在需要的位置生长CNT或石墨烯。NPE-4000（A）全自动PECVD等离子体化学气相沉积系统特点：立式系统自动上下载片，带预真空锁不锈钢或铝制腔体极限真空可达10-7TorrRF淋浴头，HCD或微波等离子源高达6”(150mm)直径的样品台RF射频偏压样品台水冷样品台可加热到的800 °C样品台加热的气体管路加热的液体传送单元抗腐蚀的涡轮分子泵组最大可支持到8MFC基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动，4级密码访问保护完整的安全联锁

ICPECVD沉积技术NPE-4000（ICPA）全自动ICPECVD等离子体化学气相沉积系统概述：NANO-MASTER ICPECVD系统能够沉积高质量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到最大可达6” 直径的基片上.该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子，具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压。并可以支持加热和循环冷却水的冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，腔体可以达到低至10-7 torr的真空。标准配置包含1路惰性气体、3路活性气体管路和4个MFC.带有独一无二气体分布系统的平面中空阴极等离子源使得系统可以满足广大范围的要求，无论是等离子强度、均匀度，还是要分别激活某些活性组份，这样系统可以覆盖最广的可能性来获得各种沉积参数。NPE-4000（ICPA）全自动ICPECVD等离子体化学气相沉积系统应用：等离子诱导表面改性：就是通常所说的用等离子实现表面改性(如亲水性、疏水性等)等离子清洗：去除有机污染物等离子聚合：对材料表面产生聚合反应沉积二氧化硅、氮化硅、DLC(类金刚石)，以及其它薄膜CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长：在需要的位置生长CNT或石墨烯。NPE-4000（ICPA）全自动ICPECVD等离子体化学气相沉积系统特点：立式ICPECVD系统不锈钢或铝制腔体极限真空可达10-7Torr全自动上下载片，带预真空锁ICP离子源高达6”(150mm)直径的样品台RF射频偏压样品台水冷样品台可加热到的800 °C样品台加热的气体管路加热的液体传送单元抗腐蚀的涡轮分子泵组最大可支持到8MFC基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动，4级密码访问保护完整的安全联锁

NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统概述：NANO-MASTER PECVD系统能够沉积高质量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到最大可达12” 直径的基片上.该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子，具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压。并可以支持加热和循环冷却水的冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，腔体可以达到低至10-7 torr的真空。标准配置包含1路惰性气体、3路活性气体管路和4个MFC.带有独一无二气体分布系统的平面中空阴极等离子源使得系统可以满足广大范围的要求，无论是等离子强度、均匀度，还是要分别激活某些活性组份，这样系统可以覆盖最广的可能性来获得各种沉积参数。NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统应用：等离子诱导表面改性：就是通常所说的用等离子实现表面改性(如亲水性、疏水性等)等离子清洗：去除有机污染物等离子聚合：对材料表面产生聚合反应沉积二氧化硅、氮化硅、DLC(类金刚石)，以及其它薄膜CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长：在需要的位置生长CNT或石墨烯。NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统特点：紧凑型独立式系统不锈钢或铝制腔体极限真空可达10-7TorrRF淋浴头，HCD或微波等离子源高达12”(300mm)直径的样品台RF射频偏压样品台水冷样品台可加热到的800 °C样品台加热的气体管路加热的液体传送单元抗腐蚀的涡轮分子泵组1路载体气体以及3路反应气体，带MFC基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动，4级密码访问保护

日本SAMCO PD-4800等离子体增强的化学气相沉积系统PD-4800是一种等离子体增强的化学气相沉积系统，能够沉积二氧化硅，氮化硅，和 非晶硅

等离子体增强原子层沉积系统（Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition System，PEALD)产地：美国埃米 主要产品系列：1.ALD (传统的热原子层沉积)；2.PEALD (等离子增强原子层沉积)；3.Powder ALD (粉末样品的原子层沉积)； 仪器简介：原子层沉积（Atomic Layer Deposition，ALD），也称为原子层外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE），或原子层化学气相沉积（Atomic Layer Chemical Vapor Deposition，ALCVD）。原子层沉积是在一个加热反应的衬底上连续引入至少两种气相前驱体源，化学吸附至表面饱和时自动终止，适当的过程温度阻碍了分子在表面的物理吸附。一个基本的原子层沉积循环包括四个步骤：脉冲A，清洗A，脉冲B和清洗B。沉积循环不断重复直至获得所需的薄膜厚度，是制作纳米结构从而形成纳米器件极佳的工具。ALD的优点包括：1. 可以通过控制反应周期数精确控制薄膜的厚度，从而达到原子层厚度精度的薄膜；2. 由于前驱体是饱和化学吸附，保证生成大面积均匀性的薄膜；3. 可生成极好的三维保形性化学计量薄膜，作为台阶覆盖和纳米孔材料的涂层；4. 可以沉积多组份纳米薄层和混合氧化物；5. 薄膜生长可在低温下进行（室温到400度以下）；6. 可广泛适用于各种形状的衬底；7. 原子层沉积生长的金属氧化物薄膜可用于栅极电介质、电致发光显示器绝缘体、电容器电介质和MEMS器件，生长的金属氮化物薄膜适合于扩散势垒。 技术参数：基片尺寸：4英寸、6英寸、8英寸、12英寸；加热温度：25℃—400℃（可选配更高）；均匀性： 1%；前驱体数：4路（可选配6路）；兼容性： 可兼容100级超净室；尺寸：950mm x 700mm；ALD及PE-ALD技术； 原子层沉积ALD的应用包括：1) High-K介电材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3)；2) 导电门电极 (Ir, Pt, Ru, TiN)；3) 金属互联结构 (Cu, WN, TaN,Ru, Ir)；4) 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5)；5) 纳米结构 (All ALD Material)；6) 生物医学涂层 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN)；7) ALD金属 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni)；8) 压电层 (ZnO, AlN, ZnS)；9) 透明电学导体 (ZnO:Al, ITO) 10) 紫外阻挡层 (ZnO, TiO2) 11) OLED钝化层 (Al2O3) 12) 光子晶体 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5) 13) 防反射滤光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5)；14) 电致发光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce) 15) 工艺层如蚀刻栅栏、离子扩散栅栏等 (Al2O3, ZrO2) 16) 光学应用如太阳能电池、激光器、光学涂层、纳米光子等 (AlTiO, SnO2, ZnO) 17) 传感器 (SnO2, Ta2O5) 18) 磨损润滑剂、腐蚀阻挡层 (Al2O3, ZrO2, WS2)； 目前可以沉积的材料包括：1） 氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...2） 氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...3） 氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...4） 金属: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...5） 碳化物: TiC, NbC, TaC, ...6） 复合结构材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...7） 硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...

法国Plassys微波等离子体化学气相沉积系统 SSDR 150 SSDR150 微波等离子体化学气相沉积系统专门用于合成 CVD 金刚石薄膜，能够制备高纯单晶(需高纯气源）、厚单晶、大单晶、多晶薄膜、光学级窗口。SSDR150 不断优化的微波及等离子体设计，是一款可靠的、稳定的、长时间运行的金刚石薄膜生长系统，能够完美地适用于高校科研和企业生产。 SSDR150 系统特点。 铝合金腔体+内置石英管反应室，支持长时间高功率下工作。工艺气压可达 350 mbar 或更高，可以高速率生长单晶。微波源为 2.45GHz、最大功率 6 kW，高耦合效率。标准配置 4 条气路，最多可增加至 7 条气路（掺杂气路）。2 英寸水冷样品台，高度电动可调、精度优于 10μm (可选)。双色红外高温计测试样品表面温度，范围 475-1475 °C。爱德华兹分子泵+ 干泵，最佳真空度≤ 3×10-7 mbar。高水平金刚石生长工艺培训及演示（内容根据应用而定）。全自动控制、半自动和手动可用，图形化操作界面（GUI）。多级用户设置和管理、远程诊断和维护、数据导出接口。多用途：高纯度单晶、厚单晶、大单晶、掺杂、光学窗口。设备维护少、安全、可靠、稳定、性价比高 应用领域。切削刀具、耐磨涂层、热沉材料、SAW。光学窗口、激光晶体、电化学电极、CNT。生物传感器、微机电系统、光电探测器。商用宝石、低压高温退火处理、量子计算 SSDR150 性能表现多晶金刚石:• 液氮温度下 PL 检测 无明显氮• 生长速率: 高达 10 μm/h, 取决于生长工艺 单晶金刚石: • 液氮温度下 PL 检测 无明显氮• EPR 测试氮浓度 : [Ns0] 1 ppb• 1332 cm-1 FWHM 金刚石拉曼谱线: 1.6 cm-1• 4000 – 10000 cm-1无红外波段吸收• 生长速率: 高达 20 μm/h, 取决于生长工艺条件

产品详情 德国Sentech等离子体沉积机PECVD Depolab 200 成本效益 PECVD等离子体沉积工具Depolab 200将平行板等离子体源设计与直接负载相结合。 可升级性 根据其模块化设计，depolab200可以升级为更大的抽油机、低频电源和额外的燃气管道。 SENTECH控制软件 用户友好功能强大的软件包括模拟GUI，参数窗口，食谱编辑器，数据日志，用户管理。 Depolab 200是由SENTECH公司开发的一种基本的等离子体增强化学沉积(PECVD)工具，它将用于均匀薄膜沉积的平行板电极设计与直接负载的经济有效设计相结合。从2英寸到8英寸的晶圆片和样品片上的标准应用开始，它可以逐步升级以适应复杂的加工。 Depolab 200的突出特点是系统的坚固性设计、可靠性和软硬件的灵活性。在这个系统上开发了不同的程序。用于高品质氮化硅和氧化硅层沉积。Depolab 200包括带有气箱、控制电子、计算机、背泵和主连接箱的反应器单元。 Depolab 200等离子体增强沉积工具可在400℃以下的温度范围内沉积SiO2、SiNx、SiONx和a- si薄膜。Depolab 200特别适用于蚀刻掩膜、膜、电隔离膜等介质薄膜的沉积。 Depolab 200由森泰克先进控制软件操作，使用远程现场总线技术和非常友好的通用用户界面。 Depolab 200 PECVD等离子体沉积工具打开盖子加载适用于200毫米晶圆基片温度可达400℃低应力薄膜可选低频混频干式抽油机占用空间小

AXIC基准800ICP蚀刻和沉积经济实惠的高性能驱动器和低温等离子体处理系统AXIC公司的基准800电感耦合等离子体(ICP)处理系统定义了深度反应离子蚀刻(DRIE)和低温低损伤等离子体增强化学气相沉积(ICP PECVD)等离子体处理的新概念。该系统基于模块化设计，从通用腔室和机柜单元开始，具有ICP蚀刻和沉积底部电极，可轻松安装到腔室单元中。我们相信您会发现基准800ICP的易用性，各种等离子工艺，可维护性和有吸引力的价格是市场上任何其他等离子产品所无法超越的。系统描述在等离子体加工的研究和发展中，一直非常需要一种高度通用和可靠的工具。随着等离子体研究需求的不断变化，所选择的系统必须提供最广泛的工艺参数和高度的可重复性，以进行工艺验证。它还必须易于修改以适应新的工艺要求。我们相信我们的基准800ICP蚀刻/沉积等离子体系统满足这些非常苛刻的要求。BenchMark 800ICP工具是一种等离子体工具，可用于研究，工艺开发或小批量生产，可在直径达8″的基板上进行精确蚀刻和沉积。该系统还可以容纳硅片。在设计基准800-IIIICP工具时，主要指令是创建一个系统，该系统结合了专用生产导向系统的质量，可靠性和过程控制能力，同时大大降低了成本，维护和占地面积要求。BenchMark 800ICP工具独特的机柜和电极设计使其易于安装在层流模块或洁净室中。经过验证的高质量组件，模块化组件，通用腔室和电极设计，紧凑的尺寸，自动化和现场验证的工艺配方使AXIC基准800ICP工具成为等离子工程师的“首选系统”。以上翻译结果来自有道神经网络翻译（YNMT） 通用场景

PE-CVD解决方案与典型CVD反应器相比，等离子体增强型化学气相沉积(PE-CVD)提供了一种可使用更低温度沉积各种薄膜的有效替代方案，同时不会降低薄膜质量。高质量的二氧化硅(SiO2)膜可以在300℃至350℃沉积，而CVD需要650℃至850℃的温度生产类似质量的镀膜。PE-CVD使用电能产生辉光放电(等离子体)，其中能量转移到气体混合物中。这将气体混合物转化成反应性自由基、离子、中性原子和分子，以及其他高活性物质。在PE-CVD中，气相和表面反应受到等离子体性质的强烈控制。代替热活化，气体混合物的电子碰撞电离驱动气相反应，能够在比常规CVD工艺低得多的温度下进行沉积。 对于PE-CVD，沉积速率通常不是基片温度的强函数，表面活化能通常很小。然而，薄膜性质，例如，组成、应力和形态，通常是基片温度的强函数。等离子体增强CVD的优点PE-CVD镀膜的一些理想性能包括，良好的粘附性、低针孔密度、良好的保形性，以及平面和三维表面上的均匀性。 PE-CVD的实用性和灵活性在于，其能够在从硅片到汽车部件的各种基材上沉积高质量的镀膜。此外，等离子体增强CVD系统比常规CVD提供更低的拥有成本。丹顿真空公司专门从事等离子增强CVD (PE-CVD)，沉积类金刚石(DLC)镀膜。DLC镀膜是一类无定形碳膜，表现出与金刚石相似的性能，例如，硬度、抗刮擦性和高导热性。此外，DLC镀膜由于其生物相容性、红外透明性和电绝缘性能，在商业方面极具价值。丹顿公司已经开发专有的能力，扩展DLC的特性范围，包括抗指纹和疏水性。我们的 Voyager PE-CVD解决方案提供低温溅射，具有高度均匀性

仪器简介：该系统中的PECVD可以沉积高质量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、类金刚石薄膜、硬质薄膜、光学薄膜等。标准配置射频(RF)，可选用空阴极高密度等离子体(HCD)源、感应耦合等离子体（ICP）源。最大沉积尺寸为8英寸。 使用花伞式的阴极射频等离子源，压盘可由射频或脉冲直流控制，电阻加热，循环水冷。标准配置由一路载气和两路反应气组成，也可以选配流量计。 设备规格： 计算机控制的高品质沉积设备； 射频花伞喷淋头等离子源； 最大可沉积8英寸直径的薄膜； RF偏压基底夹具； 水冷平台(water cooled platen)； 一路载气和两路反应气通过流量计控制流量； 分子涡轮泵； 基本真空度10-7 Torr，200L/sec涡轮分子泵； 空气控制阀；技术参数：PECVD参数： 平板尺寸(Platen size) 8英寸 源直径(Source diameter) 8英寸 气路数(No. of gas feeds) 4(2反应气，1载气，1排气) 源到平板距离(Source to platen distance) 2英寸或可以调节 最高平板温度(Max. platen temp.) 400℃ 射频电源(RF power supply source) 600瓦，13.5 MHz 射频偏置(RF bias) 300瓦，13.5 MHzRIE参数： 电脑控制，全能自锁 电极： 8” 电极冷却: 水冷 流量计MFC数量: 标配4个 RIE腔体：铝制，13”直径大小 工作压力： 0.02-500 mTorr, 动态压力控制 射频电源： 13.5 MHz, 600 W ，带自动调频， 真空度 : 10-7 Torr 以上，配涡沦分子泵, Baratron and WR 真空规 N2 吹扫: 整个腔体和气路 气体分散: 喷淋头式 硅片装载Wafer Load: 手动，气动式掀盖放置 等离子体源Plasma Sources: 台板射频偏压，可以产生-400V 偏压主要特点：柜式PECVD/ RIE系统，电脑Lab View软件控制 PECVD 等离子体源：平面喷淋头射频电极产生离子源 流量控制 :4个流量计（MFC） (针对 PECVD： NH3, 2%SiH4/Ar, O2, 和 N2O) PECVD样品台Platen : 8”不绣钢，可加热至300C，水冷，温度可控，可配射频偏压 （选配） PECVD沉积腔尺寸 : 14” x 14” x 14” ，不绣钢。真空度要求 5 x 10 - 7 Torr 以上 PECVD沉积腔前门可视窗口（5“直径），手动门（8”直径），和10“法兰，硅片在开门后手动放置 RIE腔体尺寸： 13” 直径，铝材质，掀盖式放置，气动式开门, 工作压力 : 0.02 to 1 Torr 铝质射频台，最大至8”硅片，水冷，（冷却器未包括，需要用户提供） 喷淋头式气体分散 配加热工作时使用Baratron真空计(用于RIE)和BOC Edwards 宽频真空计(用于RIE & PECVD) 3个流量计（MFC），用于RIE(C2,BCl3,and N2) 全自动过程压力控制 VCR接头和 Nupro阀门 , 氮气线吹扫，电脑控制质量流动控制器（MFC） 德国普发公司TPH261PC型200L/sec耐腐蚀涡轮分子泵和BOC公司RV12式机械泵组合使用 射频供电： 600 W，13.5MHz 带自动调频。接入电源 220 V, 3PVAC, 20 Amp/Phase, 50/60 Hz,

产品详情德国Sentech等离子体增强原子层沉积机PE-ALD 原子层沉积（ALD）是在3D结构上逐层沉积超薄薄膜的工艺方法。薄膜厚度和特性的精确控制通过在工艺循环过程中在真空腔室分步加入前置物实现。等离子增强原子层沉积（PEALD）是用等离子化的气态原子替代水作为氧化物来增强ALD性能的先进方法。 SENTECH基于多年研发制造PECVD和ICPECVD的经验，包括专有的PTSA技术，推出第一台PEALD设备。新的ALD设备应用SENTECH椭偏仪，使热辅助和等离子辅助的操作和沉积过程都能得到监控。 SENTECH使用激光椭偏仪和宽量程分光椭偏仪的前沿技术——超快在线椭偏仪来监控逐层膜生长。 第一台PEALD设备已经在布伦瑞克科技大学（TU Braunschweig）投入使用，用于生长超高均匀性和密度的氧化膜，如Al2O3和ZnO等。 在Al2O3沉积过程中，三甲基铝（TMA）等离子产生的氧原子反应，衬底温度为80到200℃。PEALD薄膜厚度均匀性高、折射率变化小的特点。 下图是ALD与PEALD的沉积结果对比

产品详情德国Sentech等离子体增强原子层沉积机PE-ALD 原子层沉积（ALD）是在3D结构上逐层沉积超薄薄膜的工艺方法。薄膜厚度和特性的精确控制通过在工艺循环过程中在真空腔室分步加入前置物实现。等离子增强原子层沉积（PEALD）是用等离子化的气态原子替代水作为氧化物来增强ALD性能的先进方法。 SENTECH基于多年研发制造PECVD和ICPECVD的经验，包括专有的PTSA技术，推出第一台PEALD设备。新的ALD设备应用SENTECH椭偏仪，使热辅助和等离子辅助的操作和沉积过程都能得到监控。 SENTECH使用激光椭偏仪和宽量程分光椭偏仪的前沿技术——超快在线椭偏仪来监控逐层膜生长。 第一台PEALD设备已经在布伦瑞克科技大学（TU Braunschweig）投入使用，用于生长超高均匀性和密度的氧化膜，如Al2O3和ZnO等。 在Al2O3沉积过程中，三甲基铝（TMA）等离子产生的氧原子反应，衬底温度为80到200℃。PEALD薄膜厚度均匀性高、折射率变化小的特点。

等离子体增强化学气相沉积PECVD主要用于在洁净真空环境下进行氮化硅和氧化硅的薄膜生长；采用单频或双频等离子增强型化学气相沉积技术，是沉积高质量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工艺设备。设备用途和功能特点1、该设备是高真空单频或双频等离子增强化学气相沉积PECVD薄膜设备，主要用于制备氮化硅和氧化硅薄膜。2、设备保护功能强，具备真空系统检测与保护、水压检测与保护、相序检测与保护、温度检测与保护。3、 配置尾气处理装置。设备安全性设计1、电力系统的检测与保护2、设置真空检测与报警保护功能3、温度检测与报警保护4、冷却循环水系统的压力检测和流量检测与报警保护设备技术指标类型参数样片尺寸≤φ6英寸(或3片2英寸)样片加热台加热温度室温~600℃±0.1℃真空室极限真空≤7×10-5Pa工作背景真空≤8×10-4Pa设备总体漏放率停泵12小时后，真空度≤10Pa样品、电极间距5mm~50mm在线可调工作控制压强10Pa~1500Pa气体控制回路根据工艺要求配置单频电源的频率13.56MHz双频电源的频率13.56MHz/400KHz工作条件类型参数供电三相五线制 AC 380V工作环境温度10℃~40℃气体阀门供气压力0.5MPa~0.7MPa质量流量控制器输入压力0.05MPa~0.2MPa冷却水循环量0.6m3/h 水温18°C~25℃设备总功率7kW设备占地面积2.0m~2.0mPECVD及太阳能薄膜电池设备单室PECVD设备/控制系统五室PECVD设备六室太阳能薄膜电池设备PECVD+磁控溅射关于鹏城半导体 鹏城半导体技术（深圳）有限公司（简称：鹏城半导体），由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）|OLED中试设备（G1、G2.5）|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备（PECVD+磁控溅射）团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年 与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。

微波等离子化学气相沉积系统-MPCVD微波等离子化学气相沉积技术（MPCVD）, 通过等离子增加前驱体的反应速率，降低反应温度。适合制备面积大、均匀性好、纯度高、结晶形态好的高质量硬质薄膜和晶体。 MPCVD是制备大尺寸单晶金刚石有效手段之一。德国iplas公司的 CYRANNUS 等离子技术解决了传统等离子技术的局限，可以在10mbar到室压范围内激发高稳定度的等离子团，减少了因气流、气压、气体成分、电压等因素波动引起的等离子体状态的变化，从而确保单晶生长的持续性，为合成大尺寸单晶金刚石提供有力保证。应用领域● 大尺寸宝石单晶钻石● 高取向度金刚石晶体● 纳米结晶金刚石● 碳纳米管/类金刚石碳（DLC）● MPCVD同样适用于其它硬质材料如Al2O3，c-BN的薄膜沉积和晶体合成。MPCVD等离子化学气相沉积设备特点 1.CYRANNUS技术无需在样品腔内安装内部电，在沉积腔内，没有工作气体以外的任何物质，洁净，无污染源。等离子发生器可以保持长寿命，并可以确保腔内的等离子体的均匀分布，进一步生成晶体的纯净度和生长周期。2.CYRANNUS技术的腔外多电设置，确保等离子团稳定生成于腔内中心位置，对腔壁、窗口等无侵蚀作用，减少杂质来源，提高晶体纯度。由CYRANNUS系统合成的金刚石，纯度均在VVS别以上。3.电子温度和离子温度对中性气体温度之比非常高，运载气体保持合适的温度，因此可使基底的温度不会过高。4.微波发生器稳定易控，能在从10 mbar到室压的高压强环境下维持等离子体，在气流、气压、气体成分、电压出现波动时，确保等离子体状态的稳定，保证单晶生长的过程不被上述干扰而中断，有利于获得大尺寸单晶金刚石。5.可以采用磁约束的方法，约束在等离子团在约定的空间内，微波结和磁路可以兼容。6.安全因素高。高压源和等离子体发生器互相隔离，微波泄漏小，容易达到辐射安全标准。7.可搭配多种功率微波源和不同尺寸腔体，满足从实验室小型设备到工业大型装置的不同需要。可以对直径达到300mm的衬底沉积金刚石薄膜。化学机理概要碳氢化合物：提供沉积材料氢气：生成sp3键氧：对石墨相/sp2键侵蚀惰性气体：缓冲气体，或生成纳米晶体。适用合成材料：大尺寸宝石单晶钻石高取向度金刚石晶体纳米结晶金刚石碳纳米管/类金刚石碳（DLC）金刚石薄膜宝石钻石vvs1,~1 carrat, E grade设备选件多种等离子发生器选择： 频率：2.45 GHz, 915 MHz 功率：1-2 kW, 1-3 kW, 3-6 kW,1-6 kW，5-30 kW 等离子团直径：70 mm, 145 mm, 250 mm, 400 mm 工作其他范围：0-1000 mBar 其他应用：MPCVD同样适用于平面基体，或曲面颗粒的其它硬质材料如Al2O3，c-BN的薄膜沉积和晶体合成。德国iplas公司凭借几十年在等离子技术领域的积累，可以为用户提供高度定制的设备，满足用户不同的应用需要。发表文章1. Use of optical spectroscopy methods to determine the solubility limit for nitrogen in diamond single crystals synthesized by chemical vapor deposition, Journal of Applied Spectroscopy, Vol. 82, No. 2, May, 2015 (Russian Original Vol. 82, No. 2, March–April, 2015).2. Large Area Deposition of Polycrystalline Diamond Coatings by Microwave Plasma CVD. Trans. Ind. Ceram. Soc., vol. 72, no. 4, pp. 225-232 (2013).用户单位中科院沈阳金属所吉林大学

等离子沉积设备SI 500 D 高密度等离子体SI 500 D具有优异的等离子体特性，如高密度，低离子能量和低压等离子沉积介质膜。平行板ICP等离子体源SENTECH专利特有的平行板三螺旋天线(PTSA)ICP等离子体源实现了低功率耦合。优异的沉积性能低刻蚀速率，高击穿电压，低应力、不损伤衬底以及在低于100°C的沉积温度下的低界面态密度，使得所沉积的薄膜具有优异的性能。动态温度控制动态温度控制结合氦气背冷的衬底电极，以及衬底背面温度传感在从室温到+350°C的广泛温度范围内提供了优异稳定工艺条件。 SI 500 D等离子沉积设备代表了等离子体增强化学气相沉积的前沿技术，如介质膜、a-Si、SiC和其他材料。它基于PTSA等离子体源、独立的反应气体进气口、动态温度控制衬底电极、全自动控制的真空系统、采用远程现场总线技术的先进SENTECH控制软件，以及操作SI 500 D的用户友好的通用用户界面。SI 500 D等离子沉积设备可以加工各种各样的衬底，从直径高达200 mm的晶片到装载在载片器上的零件。单晶片预真空室保证了稳定的工艺条件，并实现在不同工艺之间的便捷切换。SI 500 D等离子增强沉积设备用于在从室温到350℃的温度范围内沉积SiO2、SiNx、SiONx和a-Si薄膜。通过液态或气态前驱体，SI 500 D可以为TEOS, SiC,和其它材料的沉积提供解决方案。SI 500 D特别适用于在低温下在有机材料上沉积保护层和在既定的温度下无损伤地沉积钝化膜。SENTECH提供不同级别的自动化程度，从真空片盒载片到一个工艺腔室或六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，目标是高灵活性或高产量。SI 500 D也可用作多腔系统中的一个工艺模块。 SI 500 D ICPECVD等离子沉积设备 带预真空室 适用于200mm的晶片 衬底温度从室温到350?°C 激光终点检测 备选电极偏置

系统中的PECVD可以沉积高质量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、类金刚石薄膜、硬质薄膜、光学薄膜等。标准配置射频(RF)，可选用空阴极高密度等离子体(HCD)源、感应耦合等离子体（ICP）源。最大沉积尺寸为8英寸。 使用花伞式的阴极射频等离子源，压盘可由射频或脉冲直流控制，电阻加热，循环水冷。标准配置由一路载气和两路反应气组成，也可以选配流量计。 设备规格： 计算机控制的高品质沉积设备； 射频花伞喷淋头等离子源； 最大可沉积8英寸直径的薄膜； RF偏压基底夹具； 水冷平台(water cooled platen)； 一路载气和两路反应气通过流量计控制流量； 分子涡轮泵； 基本真空度10-7 Torr，200L/sec涡轮分子泵； 空气控制阀；技术参数：PECVD参数： 平板尺寸(Platen size) 8英寸 源直径(Source diameter) 8英寸 气路数(No. of gas feeds) 4(2反应气，1载气，1排气) 源到平板距离(Source to platen distance) 2英寸或可以调节 最高平板温度(Max. platen temp.) 400℃ 射频电源(RF power supply source) 600瓦，13.5 MHz 射频偏置(RF bias) 300瓦，13.5 MHzRIE参数： 电脑控制，全能自锁 电极： 8” 电极冷却: 水冷 流量计MFC数量: 标配4个 RIE腔体：铝制，13”直径大小 工作压力： 0.02-500 mTorr, 动态压力控制 射频电源： 13.5 MHz, 600 W ，带自动调频， 真空度 : 10-7 Torr 以上，配涡沦分子泵, Baratron and WR 真空规 N2 吹扫: 整个腔体和气路 气体分散: 喷淋头式 硅片装载Wafer Load: 手动，气动式掀盖放置 等离子体源Plasma Sources: 台板射频偏压，可以产生-400V 偏压主要特点：柜式PECVD/ RIE系统，电脑Lab View软件控制 PECVD 等离子体源：平面喷淋头射频电极产生离子源 流量控制 :4个流量计（MFC） (针对 PECVD： NH3, 2%SiH4/Ar, O2, 和 N2O) PECVD样品台Platen : 8”不绣钢，可加热至300C，水冷，温度可控，可配射频偏压 （选配） PECVD沉积腔尺寸 : 14” x 14” x 14” ，不绣钢。真空度要求 5 x 10 - 7 Torr 以上 PECVD沉积腔前门可视窗口（5“直径），手动门（8”直径），和10“法兰，硅片在开门后手动放置 RIE腔体尺寸： 13” 直径，铝材质，掀盖式放置，气动式开门, 工作压力 : 0.02 to 1 Torr 铝质射频台，最大至8”硅片，水冷，（冷却器未包括，需要用户提供） 喷淋头式气体分散 配加热工作时使用Baratron真空计(用于RIE)和BOC Edwards 宽频真空计(用于RIE & PECVD) 3个流量计（MFC），用于RIE(C2,BCl3,and N2) 全自动过程压力控制 VCR接头和 Nupro阀门 , 氮气线吹扫，电脑控制质量流动控制器（MFC） 德国普发公司TPH261PC型200L/sec耐腐蚀涡轮分子泵和BOC公司RV12式机械泵组合使用 射频供电： 600 W，13.5MHz 带自动调频。接入电源 220 V, 3PVAC, 20 Amp/Phase, 50/60 Hz,

EPEE系列 等离子化学气相沉积系统1、先进的单片和多片式架构，满足量产和研发客户需求 Advanced single-chip and multi-chip design, meet the needs of mass production and R&D 2、高效传输系统，智能软件调度算法 Efficient transport system, intelligent software scheduling 3、高效远程等离子体清洗系统，优异的颗粒控制 Efficient remote plasma cleaning system, superior particle control 4、支持气态硅烷、液态 TEOS 和碳膜等工艺 Supporting SiH4 base ,TEOS base deposition and Carbon process 5、支持在线膜厚和清洗终点实时监测 Supporting on-line film thickness and dry-clean endpoint detection技术参数1、晶圆尺寸 4/6/8 英寸兼容2、适用材料 氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅、非晶碳3、适用工艺 氧化硅图形化衬底层、钝化层、绝缘层、掩膜层4、适用领域 科研、化合物半导体、新兴应用、集成电路

EPEE系列 等离子化学气相沉积系统1、先进的单片和多片式架构，满足量产和研发客户需求 Advanced single-chip and multi-chip design, meet the needs of mass production and R&D 2、高效传输系统，智能软件调度算法 Efficient transport system, intelligent software scheduling 3、高效远程等离子体清洗系统，优异的颗粒控制 Efficient remote plasma cleaning system, superior particle control 4、支持气态硅烷、液态 TEOS 和碳膜等工艺 Supporting SiH4 base ,TEOS base deposition and Carbon process 5、支持在线膜厚和清洗终点实时监测 Supporting on-line film thickness and dry-clean endpoint detection技术参数1、晶圆尺寸 4/6/8 英寸兼容2、适用材料 氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅、非晶碳3、适用工艺 氧化硅图形化衬底层、钝化层、绝缘层、掩膜层4、适用领域 新兴应用、科研、化合物半导体、集成电路

产品详情德国 Sentech等离子沉积机 SI 500 D ： 超高密度等离子体SI 500d具有特殊的等离子体特性，如高密度、低离子能量和介质膜的低压沉积。 平面等离子体源森泰克专利的平面三螺旋天线(PTSA)等离子体源允许高效率低功率耦合。 杰出的沉积特性低腐蚀速率、高击穿电压、低应力、基体无损伤、界面状态密度极低，沉积温度小于100℃，使沉积薄膜具有优异的性能。 动态温度控制 采用动态温度控制的基片电极，结合He背面冷却和基片背面温度传感，在室温至+350℃的大范围温度范围内，提供优良的稳定工艺条件。 SI 500d代表了等离子体增强化学气相沉积介电薄膜、a-Si、SiC和其他材料的前沿。它基于PTSA等离子体源，反应气体分离气体入口，动态控温基片电极，全控真空系统，采用远程现场总线技术的先进森泰克控制软件，以及一个非常友好的通用用户界面来操作SI 500d。 从直径200毫米的晶圆片到负载在载体上的各种基板，都可以在SI 500 d中进行加工。 SI 500d等离子体增强沉积工具可在室温至350℃范围内沉积SiO2、SiNx、SiONx和a- SI薄膜。溶液可用来沉积TEOS、SiC和其他具有液体或气体前驱体的材料。s500d特别适用于有机材料在低温下沉积高效的保护屏障，以及在规定温度下无损伤沉积钝化膜。 森泰科提供不同的自动化水平，从真空盒式磁带加载到一个过程室，多达六个端口集群，具有不同的沉积和蚀刻模块，目标是高灵活性或高吞吐量。SI 500d也可以作为集群配置上的进程模块。 SI 500 DICPECVD等离子体沉积工具与真空loadlock高达200毫米晶圆衬底温度从RT到350℃激光端点检测可选的衬底偏置

高密度等离子体SI 500 D具有优异的等离子体特性，如高密度，低离子能量和低压等离子沉积介质膜。平行板ICP等离子体源SENTECH专利特有的平行板三螺旋天线(PTSA)ICP等离子体源实现了低功率耦合。优异的沉积性能低刻蚀速率，高击穿电压，低应力、不损伤衬底以及在低于100°C的沉积温度下的低界面态密度，使得所沉积的薄膜具有优异的性能。动态温度控制动态温度控制结合氦气背冷的衬底电极，以及衬底背面温度传感在从室温到+350°C的广泛温度范围内提供了优异稳定工艺条件。SI 500 D等离子沉积设备代表了等离子体增强化学气相沉积的前沿技术，如介质膜、a-Si、SiC和其他材料。它基于PTSA等离子体源、独立的反应气体进气口、动态温度控制衬底电极、全自动控制的真空系统、采用远程现场总线技术的先进SENTECH控制软件，以及操作SI 500 D的用户友好的通用用户界面。SI 500 D等离子沉积设备可以加工各种各样的衬底，从直径高达200 mm的晶片到装载在载片器上的零件。单晶片预真空室保证了稳定的工艺条件，并实现在不同工艺之间的便捷切换。SI 500 D等离子增强沉积设备用于在从室温到350℃的温度范围内沉积SiO2、SiNx、SiONx和a-Si薄膜。通过液态或气态前驱体，SI 500 D可以为TEOS, SiC,和其它材料的沉积提供解决方案。SI 500 D特别适用于在低温下在有机材料上沉积保护层和在既定的温度下无损伤地沉积钝化膜。SENTECH提供不同级别的自动化程度，从真空片盒载片到一个工艺腔室或六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，目标是高灵活性或高产量。SI 500 D也可用作多腔系统中的一个工艺模块。

产品详情德国 Sentech等离子沉积机SI 500 PPD 过程的灵活性PECVD沉积工具SI 500 PPD的使用方便沉淀SiO2、SiNx、SiOxNy的标准工艺，a- si在室温到350℃之间。真空loadlock SI 500 PPD的特点是真空加载锁定和干燥. 抽油机适用于无油、高产量和沉积过程的清洁度。 SENTECH控制软件用户友好的强大软件包括模拟GUI、参数窗口、食谱编辑器、数据日志和用户管理。SI 500 PPD是一种先进的等离子体增强化学气相沉积介质薄膜的工具，硅、碳化硅和其他材料。它是基于平面电容耦合等离子体源，真空加载锁定，控温基片电极，可选配低频混频，全控无油真空系统采用先进的森泰克控制软件，采用远程现场总线技术，具有非常友好的通用用户界面用于操作SI 500 PPD的用户界面。从直径200毫米的晶圆片到装载在载体上的各种基板，都可以在SI 500 PPD等离子体沉积仪。单片【真空负荷锁定】保证了稳定的工艺条件和可以方便地切换进程。SI 500 PPD等离子体增强沉积工具被配置成在a中沉积SiO2、SiNx、SiONx和a- SI薄膜温度范围从室温到350℃。解决方案可用于TEOS, SiC，以及其他具有液态或气态前体的物质。SI 500 PPD适用于介质的沉积用于蚀刻掩膜、薄膜、钝化膜、波导等的薄膜和非晶态硅。 SENTECH提供不同水平的自动化，从真空盒加载到一个过程室到六个端口集群，不同的沉积和蚀刻模块，以高灵活性或高吞吐量为目标。SI 500 PPD也可以作为集群配置上的进程模块。PECVD SI 500 PPDPECVD等离子体沉积工具与真空loadlock高达200毫米晶圆衬底温度从RT到350℃低应力薄膜可选低频混频TEOS和其他液体前驱体的来源干式抽油机