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碘化钠晶体碘化探测器

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碘化钠晶体碘化探测器相关的资讯

  • 捷克Georadis公司与北京泰坤建立RT-50碘化钠NaI(TI)放射性伽马γ 能谱仪的中国市场的合作
    2018年10月18日北京泰坤工业设备有限公司和捷克Georadis公司建立合作关系,在中国市场独家销售RT-50实验室碘化钠NaI(TI)放射性伽马γ能谱仪。 该仪器高集成一体化设计,性能稳定,检测时间迅速,使用方便,成为国际市场上公认的标准化仪器,该仪器在放射性核素的检测和分析行业中处于国际领导地位。 Georadis RT-50在钢铁,地矿,食品,医药,卫生检疫,建材,环保,科研等领域有广泛的应用。
  • 监测核辐射危害!生态环境部发布关于公开征求国家生态环境标准《固定式碘化钠γ谱仪连续监测技术规范(征求意见稿)》意见的通知
    近日,生态环境部办公厅发布关于公开征求国家生态环境标准《固定式碘化钠γ谱仪连续监测技术规范(征求意见稿)》意见的通知。为贯彻落实《中华人民共和国环境保护法》《中华人民共和国放射性污染防治法》《中华人民共和国核安全法》,规范辐射环境监测工作,我部组织编制了国家生态环境标准《固定式碘化钠γ谱仪连续监测技术规范(征求意见稿)》,现公开征求意见。标准相关资料可登录我部网站(http://www.mee.gov.cn/)“意见征集”栏目检索查阅。本标准分为 11 个部分,包括前言、适用范围、规范性引用文件、术语和定义、测量系统、空气吸收剂量率测量、放射性核素测量、测量要求、数据报送、质量控制、附录和参考文献。前言部分明确了编制目的,阐述了内容;第 1 章规定了标准适用的范围;第 2 章列出了本标准所引用的标准或文献资料;第 3 章阐述了相关术语和定义;第 4 章描述了碘化钠γ谱仪测量系统的组成和功能,提出了技术指标要求;第 5 章 提出了用于空气吸收剂量率测量时的要求;第 6 章提出了用于放射性核素测量时 的要求;第 7 章规定了其他测量要求;第 8 章提出了数据报送要求;第 9 章提出 了仪器校准、期间核查等质量控制要求;附录部分给出了常用γ放射性核素数据 表、剥谱法参考资料、数据报送格式(详情见附件)。附件征求意见单位名单.pdf《固定式碘化钠γ谱仪连续监测技术规范(征求意见稿)》编制说明.pdf固定式碘化钠γ谱仪连续监测技术规范(征求意见稿).pdf
  • 生态环境部公开征求国家生态环境标准《固定式碘化钠γ谱仪连续监测技术规范(征求意见稿)》意见
    为贯彻落实《中华人民共和国环境保护法》《中华人民共和国放射性污染防治法》《中华人民共和国核安全法》,规范辐射环境监测工作,我部组织编制了国家生态环境标准《固定式碘化钠γ谱仪连续监测技术规范(征求意见稿)》,现公开征求意见。标准相关资料可登录我部网站(http://www.mee.gov.cn/)“意见征集”栏目检索查阅。  各机关团体、企事业单位和个人均可提出意见和建议。请于2023年11月10日前将书面意见反馈我部,意见电子版请发送至联系人邮箱。  联系人:生态环境部核设施安全监管司李飒、马磊  电话:(010)65646036、65646035  传真:(010)65646904  邮箱:lisa@chinansc.cn  地址:北京市东城区东安门大街82号  邮编:100006  附件:  1.征求意见单位名单  2.固定式碘化钠γ谱仪连续监测技术规范(征求意见稿)  3.《固定式碘化钠γ谱仪连续监测技术规范(征求意见稿)》编制说明  生态环境部办公厅  2023年9月28日  (此件社会公开)  抄送:生态环境部辐射环境监测技术中心。
  • 基于光电晶体管架构的X射线直接探测器研发成功
    中国科学院深圳先进技术研究院先进材料科学与工程研究所材料界面研究中心副研究员李佳团队,中科院院士、西北工业大学教授黄维团队,以及深圳先进院生物医学与健康工程研究所生物医学成像研究中心合作,首次将具有内部信号增益效应的异质结光电晶体管用于X射线直接探测器,实现了超灵敏、超低辐射剂量、超高成像分辨的X射线直接探测。相关研究成果以Ultrathin and Ultrasensitive Direct X-ray Detector Based on Heterojunction Phototransistors为题,发表在Advanced Materials上。   当前,X射线直接探测器多采用反向偏置二极管结构(图1a)。这类器件普遍缺乏内部信号增益效应或增益较低,这意味着没有足够的信号补偿方案来补充载流子复合过程中湮灭的电子-空穴对。因此,这类设备的光-电转化效率较低,且需要使用高质量和高度均匀的X射线光电导材料(Photoconductor)以保证有效的电子-空穴的产生和传输,这对探测器性能的进一步提升设定了难以突破的上限,也增加了材料、器件制备的复杂性和成本。   科研团队在前期研究的基础上(Advanced Materials, 31,1900763,2019),提出异质结X射线光电晶体管(Heterojunction X-ray Phototransistor)这一新型器件概念,首次将具有内部信号增益效应的异质结光电晶体管引入X射线直接探测。光电晶体管是三电极型光电探测器,其沟道载流子密度可通过调控栅压和入射光子进行有效调制,从而结合了晶体管和光电导的综合增益效应,如图1b所示。将这种高增益机制引入X射线探测器可以对光生电流进行放大,并使外量子效率远超过100%,进而实现超灵敏的X射线直接探测。本工作中,研究团队设计了由钙钛矿光电导材料与有机半导体沟道材料组成的异质结光电晶体管,实现了高效的X射线吸收,获得了快速的载流子再注入与循环,导致高效的载流子产生、输运与巨大的信号增益效应,使X射线直接探测灵敏度达到109μCGyair-1cm-2(图2c),最低可检测剂量率低至1 nGyair s-1。同时,探测器具有较高的成像分辨率(图2e)——X射线成像调制传递函数(MTF)在20%值下显示每毫米11.2线对(lp mm-1),成像分辨率高于目前基于CsI:Tl的X射线探测器。   高增益异质结X射线光电晶体管为高性能X射线直接探测与成像开辟了新机遇,并体现出超灵敏、超低检测限、高成像分辨率、轻量、柔性(图2d)、低成本等优点,在医学影像、工业检测、安检安防、科学设备等领域具有广阔的应用前景。该成果将激发科研人员开发各种高增益器件以实现直接探测不同类型高能辐射的研究动力。   研究工作得到国家自然科学基金、深圳市科技计划等的资助。图1.a、传统X射线探测器中,间接探测(左)使用闪烁体材料与光电二极管可见光探测器相互集成,X射线通过闪烁体材料转换为可见光,可见光由光电二极管探测器探测;直接探测(右)使用如非晶硒等半导体材料,半导体吸收X射线后直接产生电子-孔穴对,在半导体材料上施加高电场,分离和收集电子-空穴对;b、X射线光电晶体管结构,异质结中电子-空穴对产生(1)、分离(2)、电子捕获/空穴注入(3)和空穴再循环(4)产生高增益效应的过程图示图2.a、X射线光电晶体管器件结构;b、X射线探测的时间响应;c、X射线辐照下探测器灵敏度随栅压的变化关系;d、柔性X射线光电晶体管器件;e、金属光栅的光学显微照片(上)与X射线成像图(下),scale-bar为200微米;f、X射线光电晶体管的MTF曲线
  • AMPTEK携“1000um”晶体探测器新品亮相BCEIA2021
    仪器信息网讯 2021年9月27日,第十九届北京分析测试学术报告会暨展览会(BCEIA2021)在北京中国国际展览中心(天竺新馆)正式拉开了帷幕,各大仪器厂商纷纷携重磅产品盛装亮相,此次展览会展出面积达53000 m2,集中展示了国内外先进的分析测试新方法、新技术、新仪器设备、新的解决方案等。AMPTEK展位(E2馆,2401)此次BCEIA展会,有众多知名国外仪器公司相关人员携新品和主推产品也来到了现场,美国AMPTEK公司就是其中之一。AMPTEK是一家成立于1977年的高科技公司,致力于设计并制造各种尖端探测器等,在该领域也一直处于世界领先水平,在OEM厂商中占有非常高的使用率和良好的信用度。值此BCEIA展览会召开之际,仪器信息网特别来到了AMPTEK展位(E2馆,2401),采访到了AMPTEK亚太区经理蒋小虎(英文名:Jerry),并由他向我们介绍了此次AMPTEK带来的产品:包括 X-123Si-pin,X-123FASTSDD(160mm2, 1mm晶体),CdTe,Mini-X2光管和数字多道处理器 PX5,DP5 or DP5-X。AMPTEK亚太区经理蒋小虎(英文名:Jerry)碳化硼(B4C)新窗口碳化硼(B4C)新窗口产品特点和优势• 无Be(对环境无害), 新材料硼化碳,Al涂膜隔绝有色光 • 相对8um的Be窗厚度,轻元素透过效能好• 新材料采用半导体工艺,厚度均匀,不易漏气目前AMPTEK新窗口已经经受过客户现场真空测试,且主流产品之间都可无缝切换。1000um 晶体探测器AMPTEK从2010年就开始研发超薄晶体探测器了,其间迭代了数代,直到去年(2020年)才真正突破技术发展瓶颈!推出了这款1000um 晶体探测器(以下简称1000um),而在此之前研发的500um晶体探测器(以下简称500um)的性能一直未能满足需求。虽然1000um较500um晶体厚度增加了一倍,但是信噪比却仍能保持一致,并且在15keV以上的透过性能提高了一倍;结合光路设计,让EDXRF能谱仪分析下限从1ppm级别降低到1ppb级别。AMPTEK希望,1000um未来能广泛地应用在稀土元素,土壤,水质重金属元素,半导体晶圆镀层厚度,晶圆面扫描等众多领域。蒋小虎提到了“All technical in House”,这是AMPTEK公司内部的说法,指的是探测器所有的关键材料和工艺都能自主生产。AMPTEK拥有强大的研发团队和独家技术,以“市场和解决客户需求”为核心,致力于提高探测器分辨率达到122eV,而目前研发的产品中分辨率最高已接近理论值119eV。因此,AMPTEK又将研发重心转变为“更大面积”和“更厚晶体”,更大面积探测器产品有70mm2和160mm2,分别可以提高2倍和6倍的计数率;更厚晶体指的就是从500um增加到1000um,5keV能量转换效率提高了一倍。然而,更大更厚的硅偏移探测器,意味会产生更大的暗电流、更强的拖尾、更加复杂的噪音,那么,用什么工艺和新材料去保证新产品的成品率就变成了探测器研发的难点。蒋小虎还分享了目前探测器的研发形势:国外大部分集中在更大面积和阵列硅漂移探测器,国内还处于追赶的初级阶段,仅有2-3家研究机构和企业在做合作开发的工作。目前看,工业探测器领域的竞争对手主要来自德国和美国,但其产品相对单一。而AMPTEK是每年发布新品最多的公司,产品丰富包括SI-PIN、SDD、FASTSDD、CdTe等,还有多样的OEM解决方案,AMPTEK自主开发的数字处理器。AMPTEK公司还拥有经验丰富的本土技术团队,可实现所有的服务如售前,售后和商务活动等。AMPTEK展位产品
  • 深圳先进院等开发出基于光电晶体管架构的X射线直接探测器
    中国科学院深圳先进技术研究院先进材料科学与工程研究所材料界面研究中心副研究员李佳团队,中科院院士、西北工业大学教授黄维团队,以及深圳先进院生物医学与健康工程研究所生物医学成像研究中心合作,首次将具有内部信号增益效应的异质结光电晶体管用于X射线直接探测器,实现了超灵敏、超低辐射剂量、超高成像分辨的X射线直接探测。相关研究成果以Ultrathin and Ultrasensitive Direct X-ray Detector Based on Heterojunction Phototransistors为题,发表在Advanced Materials上。当前,X射线直接探测器多采用反向偏置二极管结构(图1a)。这类器件普遍缺乏内部信号增益效应或增益较低,这意味着没有足够的信号补偿方案来补充载流子复合过程中湮灭的电子-空穴对。因此,这类设备的光-电转化效率较低,且需要使用高质量和高度均匀的X射线光电导材料(Photoconductor)以保证有效的电子-空穴的产生和传输,这对探测器性能的进一步提升设定了难以突破的上限,也增加了材料、器件制备的复杂性和成本。科研团队在前期研究的基础上(Advanced Materials, 31,1900763,2019),提出异质结X射线光电晶体管(Heterojunction X-ray Phototransistor)这一新型器件概念,首次将具有内部信号增益效应的异质结光电晶体管引入X射线直接探测。光电晶体管是三电极型光电探测器,其沟道载流子密度可通过调控栅压和入射光子进行有效调制,从而结合了晶体管和光电导的综合增益效应,如图1b所示。将这种高增益机制引入X射线探测器可以对光生电流进行放大,并使外量子效率远超过100%,进而实现超灵敏的X射线直接探测。本工作中,研究团队设计了由钙钛矿光电导材料与有机半导体沟道材料组成的异质结光电晶体管,实现了高效的X射线吸收,获得了快速的载流子再注入与循环,导致高效的载流子产生、输运与巨大的信号增益效应,使X射线直接探测灵敏度达到109μCGyair-1cm-2(图2c),最低可检测剂量率低至1 nGyair s-1。同时,探测器具有较高的成像分辨率(图2e)——X射线成像调制传递函数(MTF)在20%值下显示每毫米11.2线对(lp mm-1),成像分辨率高于目前基于CsI:Tl的X射线探测器。高增益异质结X射线光电晶体管为高性能X射线直接探测与成像开辟了新机遇,并体现出超灵敏、超低检测限、高成像分辨率、轻量、柔性(图2d)、低成本等优点,在医学影像、工业检测、安检安防、科学设备等领域具有广阔的应用前景。该成果将激发科研人员开发各种高增益器件以实现直接探测不同类型高能辐射的研究动力。研究工作得到国家自然科学基金、深圳市科技计划等的资助。
  • 石墨烯-钙钛矿新型X射线探测器问世
    据物理学家组织网17日消息,瑞士洛桑联邦理工学院的研究人员通过使用3D气溶胶喷射打印,开发了一种生产高效X射线探测器的新方法。这种新型探测器可以很容易地集成到标准微电子设备中,从而大大提高了医疗成像设备的性能。研究成果发表在美国化学学会科学月刊《ACS Nano》上。  这种新型探测器是由洛桑联邦理工学院基础科学学院福罗带领的研究小组研发的,其由石墨烯和钙钛矿组成。利用瑞士电子学与微电子科技中心的气溶胶喷射打印设备,研究人员在石墨烯基底上3D打印钙钛矿层。其想法是,在设备中,钙钛矿充当光子探测器和电子放电器,而石墨烯则放大输出的电信号。  此外,报道称,研究人员使用了甲基碘化铅钙钛矿,由于其引人入胜的光电性能以及低廉的制造成本,最近这种钙钛矿备受关注。  该研究小组的化学家恩德雷霍瓦特说:“这种钙钛矿含有重原子,这为光子提供了高散射截面,因此使其成为X射线探测的完美候选材料。”  结果表明,这种方法生产的X射线探测器具有破纪录的高灵敏度——比同类最佳医学成像设备提高了4倍。  “通过使用带有石墨烯的光伏钙钛矿,对X射线的响应大大增加。”福罗说,“这意味着,如果我们在X射线成像中使用这两者的组合材料,成像所需的X射线剂量可以减少1000多倍,从而降低这种高能电离辐射对人体健康的危害。”  福罗说,钙钛矿-石墨烯探测器的另一个优点是它不需要精密的光电倍增管或复杂的电子设备,因此它让医学成像变得很简单。  报道称,该项研究中使用的气溶胶喷射打印技术是一种相当新颖的技术,可用于制造3D打印的电子元件,如电阻、电容、天线、传感器和薄膜晶体管,甚至还可在特定基材上打印电子产品,如手机外壳。  除了X光照片外,X射线医疗用途还包括透视、癌症放射治疗和电子计算机断层扫描。而这种新型探测器易于合成,应用领域更加前沿,可广泛应用于太阳能电池、LED灯、激光器和光电探测器等。  总编辑圈点  钙钛矿为人们熟知的应用是制造超高效光伏电池,有时也在晶体管和LED照明等方面发挥优势。不过,其还拥有一项非凡潜力——作为X射线探测器的材料。这是其优异的载流子输运特性和重原子组成架构决定的,相比现有的X射线成像仪,基于钙钛矿化合物的探测器更灵敏且功耗更低,它出色的电荷输运特性以及结构特性,已经被证明是实现直接X射线转换的理想选择。可以预料,在进一步优化后,未来X射线探测器的灵敏度更将轻松上升一个量级。
  • ORTEC发布ORTEC Detective 便携式高纯锗新品
    综述: 随着非动力核技术广泛的应用在各行各业。对于人们来说,放射性核素再也不是遥不可及的神秘物质。近年来,核与辐射事故频发,核反恐形势不断加剧,高性能手持式核素识别仪器成了各领域的需求热点。 在应用需求的推动下,手持式核素识别仪器技术领域有了突飞猛进的发展。尤其高纯锗核素识别仪器(HPGe)的小型化,彻底改变了放射性核数识别长期依赖碘化钠(NaI)探测器的局面。使得基于高纯锗的核素识别成为该类型设备的黄金标准“Golden standard”。 作为放射性物质扩散及国土安全防护的重要职能部门——出入境检验检疫,国家辐射管理部门等。对设备也提出了更高的要求。基于HPGe的手持式核素识别仪,在小型化,电制冷化方便的不断发展,完全克服了传统HPGe谱仪使用上的限制。真真正正的成为了一种巡查利器,使得过去的不可能变成了现在的可能。核素识别的基本原理: 不同的放射性核素衰变时,产生具有“指纹”特征的Gamma射线。核数识别仪通过对发射出的Gamma射线进行测量,数据获取。最终形成能谱,通过对能谱的分析,根据能谱中所展示的特征能量与核素库(核素指纹库)中的能量进行对比,从而准确识别出对应的放射性核素。面临的问题:环境水平下的低活度有害放射性物质筛查带有伪装的特殊核材料走私“脏弹”威胁重大集会的核反恐 核材料扩散等 放射性核辐射因为其看不见,摸不着的特性。手持式核素识别仪成了唯一能够发现威胁的核心设备。但在面对这些不确定的,复杂的威胁的时候。传统的基于闪烁体探测器(NaI,Labr)的手持式核素识别仪,因为较差的核素识别能力,通过一些简单的手段就能够被有效欺骗。所以传统的基于闪烁体探测器的手持式核素识别仪已经远远的不能应付我们需要面对的威胁。核心性能—核素识别能力: 作为该类仪器最重要的性能指标——能量分辨率(FWHM:全能峰半高宽),它表征了 探测器对于不同能量射线的分辨能力,也代表了核素识别的准确性。是基于能谱分析核素识别仪器最重要的性能指标。对于目前广泛采用的探测器类型来讲:LaBr(溴化镧)闪烁体探测器分辨率好于NaI(碘化钠)探测器,提升分辨率一倍。HPGe(高纯锗)探测器分辨率好于LaBr探测器,提升20倍以上。因为HPGe探测器无与伦比的分辨率性能,使其成为手持式核素识别仪器的黄金标准“Golden Standard“。性能的提升: 以Ba133为例,Ba133是一种较为常见的工业用放射性核素。如果我们用NaI谱仪和HPGe谱仪去测量Ba133核素发射的射线,我们可以得到如右图所示的两个能谱,采用NaI谱仪时,只能看到两个峰,而HPGe可以将所有能峰清晰展示。使我们可以准确的分辨目标核素为Ba133. 做为特殊核材料走私的惯用手段之一,对特殊核材料进行伪装,已达到欺骗识别设备的目的。我们在Ba133放射性核素中混入需要携带会运输的特殊核材料Pu。用同样的设备进行测量时,我们会得到下图的两个能谱。 从图中所探测器到的能谱来判断的话,基于NaI的手持式设备只能给出Ba133的识别结果。 而基于HPGe的核素识别仪可以精确 的识别高风险材料Pu。真真正正的做到让任何威胁都无处遁形。设备应该具备的特性:精准的核素识别能力(超高的能量分辨率)高灵敏度体积小巧,重量轻可独立工作,无需任何外部辅助优秀先进的自动分析能力,对操作人员无要求能够适应各种环境及应用的要求Detective 100——手持式放射性核素识别仪: 大晶体: 直径65mm,厚度50mm晶体类型:P型同轴高纯锗晶体强大的通讯能力 — 支持802.11 a/b/g无线网络,USBHe3中子探测器选项支持大容量存储卡可完全脱离计算机工作工作温度范围:-10度 到 40度开机自动运行运行模式:搜寻模式特殊核材料识别模式核素识别模式谱测量模式创新点:1、创新的使用了最新型号的高效斯特林制冷机2、在最小的空间内高度集成了整套谱仪系统所需的全部部件3、采用了独有的光纤式探测器进行中子测量ORTEC Detective 便携式高纯锗
  • 华南理工研制新型有机半导体红外光电探测器,性能超越传统近红外探测器
    随着近红外(NIR)和短波红外(SWIR)光谱在人工智能驱动技术(如机器人、自动驾驶汽车、增强现实/虚拟现实以及3D人脸识别)中的广泛应用,市场对高计数、低成本焦平面阵列的需求日益增长。传统短波红外光电二极管主要基于InGaAs或锗(Ge)晶体,其制造工艺复杂、器件暗电流大。有机半导体是一种可行的替代品,其制造工艺更简单且光学特性可调谐。据麦姆斯咨询报道,近日,华南理工大学的研究团队研制出基于有机半导体的新型红外光电探测器。这项技术有望彻底改变成像技术,该有机光电二极管在近紫外到短波红外的宽波段内均优于传统无机探测器。这项研究成果以“Infrared Photodetectors and Image Arrays Made with Organic Semiconductors”为题发表在Chinese Journal of Polymer Science期刊上。研究团队采用窄带隙聚合物半导体制造薄膜光电二极管,该器件探测范围涵盖红外波段。这种新技术的成本仅为传统无机光电探测器的一小部分,但其性能可与传统无机光电探测器(如InGaAs光电探测器)相媲美。研究人员将更大的杂原子、不规则的骨架与侧链上更长的分支位置结合起来,创造出光谱响应范围涵盖近紫外到短波红外波段的聚合物半导体(PPCPD),并制造出基于PPCPD的光电探测器,相关性能结果如图1所示。图1 基于PPCPD的光电探测器性能在特定探测率方面,该器件与基于InGaAs的探测器相比具有竞争力,在1.15 μm波长上的探测率可达5.55 × 10¹² Jones。该有机光电探测器的显著特征是,当其集成到高像素密度图像传感器阵列时,无需在传感层中进行像素级图案化。这种集成制造工艺显著简化了制备流程,大幅降低了成本。图2 短波红外成像系统及成像示例华南理工大学教授、发光材料与器件国家重点实验室副主任黄飞教授表示:“我们开发的有机光电探测器标志着高性价比、高性能的红外成像技术的发展向前迈出了关键的一步。与传统无机光电二极管相比,有机器件具有适应性和可扩展性,其潜在应用范围还包括工业机器人和医疗诊断领域。”该新型有机光电探测器有望对各行各业产生重大影响。它们为监控和安全领域的成像系统提供了更为经济的选择。未来,基于有机技术的医疗成像设备有望更加普及,价格也会更加合理,从而在医疗环境中实现更全面的应用。该器件的适应性和可扩展性还为尖端机器人和人工智能等领域的应用铺平道路。这项研究得到了国家自然科学基金(编号:U21A6002和51933003)和广东省基础与应用基础研究重大项目(编号:2019B030302007)的资助。论文链接:https://doi.org/10.1007/s10118-023-2973-8
  • 跨向理想X射线探测器的一小步-高分辨、非晶硒X射线探测器及其应用
    “对于相干衍射成像(CDI),微米级像素的非晶硒CMOS探测器将专门解决大体积晶体材料中纳米级晶格畸变在能量高于50 keV的高分辨率成像。目前可用的像素相对较大的(〜55μm像素),基于medipix3芯片光子计数、像素化、直接探测技术无法轻易支持高能布拉格条纹的分辨率,从而使衍射数据不适用于小晶体的3D重建。” 美国阿贡国家实验室先进物理光子源探测器物理小组负责人Antonino Miceli博士讲到。相干X射线衍射成像作为新兴的高分辨显微成像方法,CDI方法摆脱了由成像元件所带来的对成像分辨率的限制,其成像分辨率理论上仅受限于X射线的波长。利用第三代同步辐射光源或X射线自由电子激光,可实现样品高空间分辨率、高衬度、原位、定量的二维或三维成像,该技术在材料学、生物学及物理学等领域中具有重要的应用前景。作为一种无透镜高分辨、无损成像技术,CDI对探测器提出了较高的要求:需要探测器有单光子灵敏度、高的探测效率和高的动态范围。目前基于软X射线的相干衍射成像研究工作开展得比较多,在这种情况下科研工作者通常选用是的基于全帧芯片的软X射线直接探测相机。将CDI技术拓展到硬X射线领域(50keV)以获得更高成像分辨率是目前很多科研工作者正在尝试的,同时也对探测器和同步辐射光源提出了更好的要求。如上文提到,KAimaging公司开发了一款非晶硒、高分辨X射线探测器(BrillianSe)很好的解决的这一问题。下面我们来重点看一下BrillianSe的几个主要参数1. 高探测效率 如上图,间接探测器需要通过闪烁体将X射线转为可见光, 只有部分可见光会被光电二极管阵列,CCD或CMOS芯片接收,造成了有效信号的丢失。而BrillianSe选用了具有较高原子序数的Se作为传感器材料,可以将大部分入射的X射线直接转为光电子,并被后端电路处理。在硬X射线探测效率远高于间接探测方式。BrillianSe在60KV (2mm filtration)的探测效率为:36% at 10 cycles/mm22% at 45 cycles/mm10% at 64 cycles/mm非晶硒吸收效率(K-edge=12.26 KeV)BrillianSe在60KV with 2 mm Al filtration的探测效率,之前报到15 μm GADOX 9 μm pixel 间接探测器QE 为13%。Larsson et al., Scientific Reports 6, 20162. 高空间分辨BrillianSe的像素尺寸为8 µm x8 µm,在60KeV的点扩散为1.1 倍像素。如下是在美国ANL APS 1-BM光束线测试实验室布局使用JIMA RT RC-05测试卡,在21keV光束下测试3. 高动态范围75dB由于采用了100微米厚的非晶硒作为传感器材料。它具有较大满井为877,000 e-非晶硒材料,不同入射光子能量光子产生一个电子空穴对所需要电离能BrillianSe主要应用:高能(50KeV)布拉格相干衍射成像低密度相衬成像同步辐射微纳CT表型基因组学领域要求X射线显微CT等成像工具具有更好的可视化能力。此外需要更高的空间分辨率,活体成像的关键挑战在于限制受试者接收到的电离辐射,由于诱导的生物学效应,辐射剂量显着地限制了长期研究。可用于X射线吸收成像衬度低的物体,如生物组织的相衬X射线显微断层照相术也存在类似的挑战。此外,增加成像系统的剂量效率将可以使用低亮度X射线源,从而减少了对在同步辐射光源的依赖。在不损害生物系统的情况下,在常规实验室环境中一台低成本、紧凑型的活体成像设备,对于加速生物工程研究至关重要。同时对X射线探测器提出了更高的要求。KAimaging公司基于独家开发的、专利的高空间分辨率非晶硒(a-Se)探测器技术,开发了一套桌面高效率、高分辨的微米CT系统(inCiTe™ )。可以从inCiTe™ 中受益的应用:• 无损检测• 增材制造• 电子工业• 农学• 地质学• 临床医学• 标本射线照相 基于相衬成像技术获得优异的相位衬度相衬成像是吸收对比(常规)X射线成像的补充。 使用常规X射线成像技术,X射线吸收弱的材料自然会导致较低的图像对比度。 在这种情况下,X射线相位变化具有更高的灵敏度。因为 inCiTe™ micro-CT可以将物体引起的相位变化转为为探测器的强度变化,所以它可以直接获取自由空间传播X射线束相位衬度。 同轴法相衬X射线成像可将X射线吸收较弱的特征的可检测性提高几个数量级。 下图展示了相衬可以更好地显示甜椒种子细节特征不含相衬信息 含相衬信息 低密度材料具有更好的成像质量钛植入样品图像显示了整形外科的钛植入物,可用于不同的应用,即检查骨-植入物的界面。 注意,相衬改善了骨骼结构的可视化。不含相衬信息 含相衬信息 生物样品inCiTe™ 显微CT可实现软组织高衬度呈现电子样品凯夫拉Kevlar复合材料样品我们使用探测器在几秒钟内快速获取了凯夫拉复合材料的相衬图像。可以清楚看到单根纤维形态(左图)和纤维分层情况(右图)。凯夫拉尔复合物3维透视图 KA Imaging KA Imaging源自滑铁卢大学,成立于2015年。作为一家专门开发x射线成像技术和系统的公司,KA Imaging以创新为导向,致力于利用其先进的X射线技术为医疗、兽医学和无损检测工业市场提供最佳解决方案。公司拥有独家开发并自有专利的高空间高分辨率非晶硒(a-Se)X射线探测器BrillianSeTM,并基于此推出了商业化X射线桌面相衬微米CT inCiTe™ 。我们有幸在此宣布,经过双方密切的交流与探讨,众星已与KA Imaging落实并达成了合作协议。众星联恒将作为KA Imaging在中国地区的独家代理,全面负责BrillianSe™ 及inCiTe™ 在中国市场的产品售前咨询,销售以及售后业务。KA Imaging将对众星联恒提供全面、深度的技术培训和支持,以便更好地服务于中国客户。众星联恒及我们来自全球高科技领域的合作伙伴们将继续为中国广大科研用户及工业用户带来更多创新技术及前沿资讯!
  • 【新书推荐】宽禁带半导体紫外光电探测器
    基于宽禁带半导体的固态紫外探测技术是继红外、可见光和激光探测技术之后发展起来的新型光电探测技术,是对传统紫外探测技术的创新发展,具有体积小、重量轻、耐高温、功耗低、量子效率高和易于集成等优点,对紫外信息资源的开发和利用起着重大推动作用,在国防技术、信息科技、能源技术、环境监测和公共卫生等领域具有极其广阔的应用前景,成为当前国际研发的热点和各主要国家之间竞争的焦点。我国迫切要求在宽禁带半导体紫外探测技术领域取得新的突破,以适应信息技术发展和国家安全的重大需要。本书是作者团队近几年来的最新研究成果的总结,是一本专门介绍宽禁带紫外光电探测器的科技专著。本书的出版可以对我国宽禁带半导体光电材料和紫外探测器的研发及相关高新技术的发展起到促进作用。本书从材料的基本物性和光电探测器工作原理入手,重点讨论宽禁带半导体紫外探测材料的制备、外延生长的缺陷抑制和掺杂技术、紫外探测器件与成像芯片的结构设计和制备工艺、紫外单光子探测与读出电路技术等;并深入探讨紫外探测器件的漏电机理、光生载流子的倍增和输运规律、能带调控方法、以及不同类型缺陷对器件性能的具体影响等,展望新型结构器件的发展和技术难点;同时,介绍紫外探测器产业化应用和发展,为工程领域提供参考,促进产业的发展。本书作者都是长年工作在宽禁带半导体材料与器件领域第一线、在国内外有影响的著名学者。本书主编南京大学陆海教授是国内紫外光电探测领域的代表性专家,曾研制出多种性能先进的紫外探测芯片;张荣教授多年来一直从事宽禁带半导体材料、器件和物理研究,成果卓著;参与本书编写的陈敦军、单崇新、叶建东教授和周幸叶研究员也均是在宽禁带半导体领域取得丰硕成果的年轻学者。本书所述内容多来自作者及其团队在该领域的长期系统性研究成果总结,并广泛地参照了国际主要相关研究成果和进展。作者团队:中国科学院郑有炓院士撰写推荐语时表示:“本书系统论述了宽禁带半导体紫外探测材料和器件的发展现状和趋势,对面临的关键科学技术问题进行了探讨,对未来发展进行了展望。目前国内尚没有一本专门针对宽禁带半导体紫外探测器的科研参考书,本书的出版填补了这一空白,将会对我国第三代半导体紫外探测技术的研发起到重要的推动作用。”目前市面上还没有专门讲述宽禁带半导体紫外探测器的科研参考书,该书的出版可以填补该领域的空白。本书可为从事宽禁带半导体紫外光电材料和器件研发、生产的科技工作者、企业工程技术人员和研究生提供一本有价值的科研参考书,也可供从事该领域科研和高技术产业管理的政府官员和企业家学习参考。详见本书目录:本书目录:第1章 半导体紫外光电探测器概述1.1 引言1.2 宽禁带半导体紫外光电探测器的技术优势1.3 紫外光电探测器产业发展现状1.4 本书的章节安排参考文献第2章 紫外光电探测器的基础知识2.1 半导体光电效应的基本原理2.2 紫外光电探测器的基本分类和工作原理2.2.1 P-N/P-I-N结型探测器2.2.2 肖特基势垒探测器2.2.3 光电导探测器2.2.4 雪崩光电二极管2.3 紫外光电探测器的主要性能指标2.3.1 光电探测器的性能参数2.3.2 雪崩光电二极管的性能参数参考文献第3章 氮化物半导体紫外光电探测器3.1 引言3.2 氮化物半导体材料的基本特性3.2.1 晶体结构3.2.2 能带结构3.2.3 极化效应3.3 高Al组分AlGaN材料的制备与P型掺杂3.3.1 高Al组分AlGaN材料的制备3.3.2 高Al组分AlGaN材料的P型掺杂3.4 GaN基光电探测器及焦平面阵列成像3.4.1 GaN基半导体的金属接触3.4.2 GaN基光电探测器3.4.3 焦平面阵列成像3.5 日盲紫外雪崩光电二极管的设计与制备3.5.1 P-I-N结GaN基APD3.5.2 SAM结构GaN基APD3.5.3 极化和能带工程在雪崩光电二极管中的应用3.6 InGaN光电探测器的制备及应用3.6.1 材料外延3.6.2 器件制备3.7 波长可调超窄带日盲紫外探测器参考文献第4章 SiC紫外光电探测器4.1 SiC材料的基本物理特性4.1.1 SiC晶型与能带结构4.1.2 SiC外延材料与缺陷4.1.3 SiC的电学特性4.1.4 SiC的光学特性4.2 SiC紫外光电探测器的常用制备工艺4.2.1 清洗工艺4.2.2 台面制备4.2.3 电极制备4.2.4 器件钝化4.2.5 其他工艺4.3 常规类型SiC紫外光电探测器4.3.1 肖特基型紫外光电探测器4.3.2 P-I-N型紫外光电探测器4.4 SiC紫外雪崩光电探测器4.4.1 新型结构SiC紫外雪崩光电探测器4.4.2 SiC APD的高温特性4.4.3 材料缺陷对SiC APD性能的影响4.4.4 SiC APD的雪崩均匀性研究4.4.5 SiC紫外雪崩光电探测器的焦平面成像阵列4.5 SiC紫外光电探测器的产业化应用4.6 SiC紫外光电探测器的发展前景参考文献第5章 氧化镓基紫外光电探测器5.1 引言5.2 超宽禁带氧化镓基半导体5.2.1 超宽禁带氧化镓基半导体材料的制备5.2.2 超宽禁带氧化镓基半导体光电探测器的基本器件工艺5.3 氧化镓基日盲探测器5.3.1 基于氧化镓单晶及外延薄膜的日盲探测器5.3.2 基于氧化镓纳米结构的日盲探测器5.3.3 基于非晶氧化镓的柔性日盲探测器5.3.4 基于氧化镓异质结构的日盲探测器5.3.5 氧化镓基光电导增益物理机制5.3.6 新型结构氧化镓基日盲探测器5.4 辐照效应对宽禁带氧化物半导体性能的影响5.5 氧化镓基紫外光电探测器的发展前景参考文献第6章 ZnO基紫外光电探测器6.1 ZnO材料的性质6.2 ZnO紫外光电探测器6.2.1 光电导型探测器6.2.2 肖特基光电二极管6.2.3 MSM结构探测器6.2.4 同质结探测器6.2.5 异质结探测器6.2.6 压电效应改善ZnO基紫外光电探测器6.3 MgZnO深紫外光电探测器6.3.1 光导型探测器6.3.2 肖特基探测器6.3.3 MSM结构探测器6.3.4 P-N结探测器6.4 ZnO基紫外光电探测器的发展前景参考文献第7章 金刚石紫外光电探测器7.1 引言7.2 金刚石的合成7.3 金刚石光电探测器的类型7.3.1 光电导型光电探测器7.3.2 MSM光电探测器7.3.3 肖特基势垒光电探测器7.3.4 P-I-N和P-N结光电探测器7.3.5 异质结光电探测器7.3.6 光电晶体管7.4 金刚石基光电探测器的应用参考文献第8章 真空紫外光电探测器8.1 真空紫外探测及其应用8.1.1 真空紫外探测的应用8.1.2 真空紫外光的特性8.2 真空紫外光电探测器的类型和工作原理8.2.1 极浅P-N结光电探测器8.2.2 肖特基结构光电探测器8.2.3 MSM结构光电探测器8.3 真空紫外光电探测器的研究进展8.3.1 极浅P-N结光电探测器的研究进展8.3.2 肖特基结构光电探测器的研究进展8.3.3 MSM结构光电探测器的研究进展
  • 多家仪器企业承担开发项目通过鉴定
    2013年4月24日, 北京市科委发布“关于公示2013年第一批北京市企业研究开发项目鉴定结果的通知”,其中有关仪器的项目如下:72北京爱万提斯科技有限公司地物光谱仪300北京滨松光子技术股份有限公司ATP荧光检测仪301                    PET探测器模块302SPECT改进(单探头、固定角双探头)303半导体探测器304测光探测器305低噪声快速光电倍增管306碘化钠(NaI)闪烁体307碘化铯(CsI)闪烁体308端窗高量子效率光电倍增管309多碱端窗光电倍增管310高温光电倍增管311光源引进312三探头SPECT313闪烁探测器及其附件314双碱光电倍增管315水质毒性检测系统316塑料闪烁体317随钻测井探测器318特种玻璃制备及加工技术319钨酸镉(CdWO4)闪烁体320溴化铊(TlBr)晶体1210北京检测仪器有限公司  高精度易维护热球式风速计1211通风速度检定仪1212智能微生物采样器2012北京普立泰科仪器有限公司 全自动样品净化系统2013无机消解系统功能改进与应用范围扩展的研究2038北京勤邦生物技术有限公司     呋喃西林代谢物快速检测试纸条2039T-2毒素ELISA检测试剂盒2040孔雀石绿ELISA检测试剂盒2041邻苯二甲酸二丁酯(DBP)ELISA检测试剂盒2042邻苯二甲酸二丁酯(DBP)化学发光检测试剂盒2043玉米赤霉烯酮ELISA检测试剂盒2399北京市六一仪器厂   IEF等电聚焦电泳仪电源研发2400SDS-PAGE电泳仪电源研发2401六板胶垂直电泳仪研发2402双板垂直测序电泳仪研发原文通知:关于公示2013年第一批北京市企业研究开发项目鉴定结果的通知
  • 高载流子迁移率胶体量子点红外探测器
    短波红外和中波红外波段是两个重要的大气窗口。在该波段范围内,碲化汞胶体量子点表现出良好的光响应。此外,胶体量子点具有易于液相加工制备以及与硅基工艺兼容等优势,因此有望显著降低红外光电探测器的成本。然而,目前胶体量子点红外光电探测器在比探测率、响应度等核心性能方面与传统块体半导体红外探测器相比仍存在一定差距。有效地调控掺杂和迁移率等输运性质是提升量子点红外光电探测器性能的关键。据麦姆斯咨询报道,近期,北京理工大学光电学院和北京理工大学长三角研究院的科研团队在《光学学报》期刊上发表了以“高载流子迁移率胶体量子点红外探测器”为主题的文章。该文章第一作者为薛晓梦,通讯作者为陈梦璐和郝群。在本项工作中,采用混相配体交换的方法将载流子迁移率提升,并且实现了N型、本征型、P型等多种掺杂类型的调控。在此基础之上,进一步研究了输运性质对探测器性能的影响。与光导型探测器相比,光伏型探测器不需要额外施加偏置电压,没有散粒噪声,拥有更高的理论灵敏度,因此是本项工作的研究重点。同时,使用高载流子迁移率的本征型碲化汞量子点薄膜制备了短波及中波红外光伏型光电探测器。实验过程材料的合成:Te前驱体的制备在氮气环境下,称量1.276 g(1 mmol)碲颗粒置于玻璃瓶中,并加入10 ml的三正辛基膦(TOP)中,均匀搅拌至溶解,得到透明浅黄色的溶液,即为TOP Te溶液。碲化汞胶体量子点的合成在氮气环境下,称量0.1088 g(0.4 mmol,氮气环境下储存)氯化汞粉末置于玻璃瓶中,并加入16 ml油胺(OAM),均匀搅拌并加热至氯化汞粉末全部溶解。本工作中合成短波红外和中波红外碲化汞胶体量子点的反应温度分别为65℃和95℃。使用移液枪取0.4 mL的TOP Te溶液,快速注入到溶于油胺的氯化汞溶液中,反应时间分别为4 min和6 min。反应结束后加入20 ml无水四氯乙烯(TCE)作为淬火溶液。碲化银纳米晶体颗粒的合成在氮气环境下,称量0.068 g(0.4 mmol)硝酸,并加入1 mL油酸(OA)和10 mL油胺(OAM)中,均匀搅拌30 min。溶解后,注入1 mL TOP,快速加热至160℃并持续30-45 min。然后向反应溶液中注入0.2 mL TOP Te(0.2 mmol),反应时间为10 min。碲化汞胶体量子点的混相配体交换混相配体交换过程包括液相配体交换和固相配体交换。选择溴化双十二烷基二甲基铵(DDAB)作为催化剂,将碲化汞胶体量子点溶在正己烷中,取4 ml混合溶液与160 μL β-巯基乙醇(β-ME)和8 mg DDAB在N,N-二甲基甲酰胺(DMF)中混合。之后向溶液中加入异丙醇(IPA)进行离心,倒掉上清液,将沉淀物重新溶解在60μL DMF中。固相配体交换是在制备量子点薄膜后,用1,2-乙二硫醇(EDT)、盐酸(HCL)和IPA(体积比为1:1:20)溶液对已成膜的碲化汞胶体量子点表面进行处理。碲化汞胶体量子点的掺杂调控在调控碲化汞胶体量子点的掺杂方面,Hg²⁺可以通过表面偶极子稳定量子点中的电子,所以选择汞盐(HgCl₂)来调控量子点的掺杂状态。在液相配体交换结束后,向溶于DMF的碲化汞胶体量子点溶液中加入10 mg HgCl₂得到本征型碲化汞胶体量子点,加入20 mg HgCl₂得到N型碲化汞胶体量子点。材料表征采用混相配体交换的方法不仅可以提高载流子迁移率还可以通过表面偶极子调控碲化汞胶体量子点的掺杂密度。液相配体交换前后中波红外碲化汞胶体量子点的TEM图像如图1(a)所示,可以看到,进行液相配体交换后的碲化汞胶体量子点之间的间距明显减小,排列更加紧密。致密的排列可以提高碲化汞胶体量子点对光的吸收率。混相配体交换后的短波红外和中波红外碲化汞胶体量子点的吸收光谱如图1(b)所示,从图1(b)可以看出,短波红外和中波红外碲化汞胶体量子点的吸收峰分别为5250 cm⁻¹和2700 cm⁻¹。利用场效应晶体管(FET)对碲化汞胶体量子点的迁移率和薄膜的掺杂状态进行测量,把碲化汞胶体量子点沉积在表面有一层薄的SiO₂作为绝缘层的Si基底上,基底两侧的金电极分别作为漏极和源极,Si作为栅极,器件结构如图1(c)所示。通过控制栅极的极性和电压大小,可以使场效应晶体管分别处于截止或导通状态。图1(d)是N型、本征型和P型中波红外碲化汞胶体量子点的场效应晶体管转移曲线。利用FET传输曲线的斜率计算了载流子的迁移率μFET。图1 (a)混相配体交换前后碲化汞胶体量子点的透射电镜图;(b)短波红外和中波红外碲化汞胶体量子点的吸收光谱;(c)碲化汞胶体量子点薄膜场效应晶体管测量原理图;(d)在300K时N型、本征型和P型中波红外碲化汞胶体量子点的场效应晶体管转移曲线测试结果。分析与讨论碲化汞胶体量子点光电探测器的制备光伏型探测器不需要施加额外的偏置电压,没有散粒噪声,理论上会具有更好的性能,借鉴之前文献中的报告,器件结构设计为Al₂O₃/ITO/HgTe/Ag₂Te/Au,制备方法如下:第一步,在蓝宝石基底上磁控溅射沉积50 nm ITO,ITO的功函数在4.5~4.7 eV之间。第二步,制备约470 nm的本征型碲化汞胶体量子点薄膜。第三步,取50 μL碲化银纳米晶体溶液以3000 r/min转速旋转30 s,然后用HgCl₂/MEOH(10 mmol/L)溶液静置10 s后以3000 r/min转速旋转30 s,重复上述步骤两次。在这里,Ag⁺作为P型掺杂层,与本征型碲化汞胶体量子点层形成P-I异质结。最后,将器件移至蒸发镀膜机中,在真空环境(5×10⁻⁴ Pa)下蒸镀50 nm Au作为顶层的电极。高迁移率光伏型探测器的结构图和横截面扫描电镜图如图2(a)所示。能级图如图2(b)所示。制备好的探测器的面积为0.2 mm × 0.2 mm。图2 (a)高迁移率碲化汞胶体量子点P-I异质结结构示意图及扫描电镜截面图 (b)碲化汞胶体量子点P-I异质结能带图。器件性能表征为了探究高载流子迁移率短波红外和中波红外光伏型探测器的光电特性,我们测试了器件的I-V曲线以及响应光谱。图3(a)和(b)分别是高迁移率短波红外和中波红外器件的I-V特性曲线,可以看到短波红外和中波红外探测器的开路电压分别为140 mV和80 mV,这表明PI结中形成了较强的内建电场。此外,在零偏置下,高迁移率短波红外和中波红外器件的光电流分别为0.27 μA和5.5 μA。图3(d)和(e)分别为1.9 μm(300 K) ~ 2.03 μm(80 K)的短波红外器件的响应光谱和3.5 μm(300 K) ~ 4.2 μm(80 K)的中波红外器件的响应光谱。比探测率D*和响应度R是表征光电探测器性能的重要参数。R是探测器的响应度,用来描述器件光电转换能力的物理量,即输出信号光电流与输入光信号功率之比。图3 (a)300 K时短波红外I-V曲线;(b)80 K时中波红外I-V曲线;(c)短波红外及中波红外器件的比探测率随温度的变化;(d)短波红外器件在80 K和300 K时的光谱响应;(e)中波红外器件在80 K和300 K时的光谱响应;(f)短波红外和中波红外器件的响应度随温度的变化。图3(e)和(f)给出了探测器的比探测率D*和响应度R随温度的变化。可以看到,短波红外器件在所有被测温度下,D*都可以达到1×10¹¹ Jones以上,中波红外器件在110 K下的D*达到了1.2×10¹¹ Jones。应用此外,本工作验证高载流子迁移率的短波红外和中波红外量子点光电探测器在实际应用,如光谱仪和红外相机。光谱仪实验装置示意图如图4(a)所示,其内部主要是一个迈克尔逊干涉仪。图4(b)和(c)为使用短波红外和中波红外量子点器件探测时有样品和没有样品的光谱响应结果。图4(e)和图4(f)为样品在短波红外和中波红外波段的透过率曲线。对于短波红外波段,选择了CBZ、DDT、BA和TCE这四种样品,它们在可见光下都是透明的,肉眼无法进行区分,但在短波红外的光谱响应和透过率不同。对于中波红外波段,选择了PP和PVC这两个样品。在可见光下它们都是白色的塑料,但在中波红外光谱响应和透过率不同。图4(d)为自制短波红外和中波红外单点相机的扫描成像。,短波相机成像可以给出材质信息。中波红外相机成像则是反应热信息。以烙铁的中波红外成像为例,我们可以清楚地了解烙铁内部的温度分布。在可见光下,硅片呈现不透明的状态使用自制的短波红外相机成像后硅片呈现半透明的状态。图4 (a)利用高载流子迁移率探测器进行响应光谱测量的原理示意图;(b)和(c)分别是在有样品和没有样品两种模式下用自制探测器所探测到的光谱响应;(d)自制短波红外和中波红外光电探测器的单像素扫描成像结果图;(e)TCE、BA、DDT和CBZ在短波红外模式下的透光率,插图为四种样品的可见光图像;(f)PVC和PP在中波红外模式下的透光率,插图为两种样品的可见光图像。结论综上所述,采用混相配体交换的方法,将量子点薄膜中的载流子迁移率提升到了1 cm²/Vs,相较于之前的研究提升了2个量级。并且通过加入汞盐实现了对量子点薄膜的掺杂调控,分别实现了P型、本征型以及N型多种类型的量子点薄膜。同时,基于本征型高迁移率量子点制备了短波红外和中波红外波段的光伏型光电探测器。测试结果表明,提升量子点的输运性质,有效的提升了探测器的响应率、比探测率等核心性能,并且实现了光谱仪和红外相机等应用。本项工作促进了低成本、高性能量子点红外光电探测器的发展。这项研究获得国家自然科学基金(NSFC No.U22A2081、No.62105022)、中国科学技术协会青年托举工程(No.YESS20210142)和北京市科技新星计划(No.Z211100002121069)的资助和支持。论文链接:https://link.cnki.net/urlid/31. 1 252.o4.20230925.0923.016
  • 石墨烯-钙钛矿新型X射线探测器问世,灵敏度比同类最佳医学成像设备提高四倍
    近日,瑞士洛桑联邦理工学院的研究人员通过使用3D气溶胶喷射打印,开发了一种生产高效X射线探测器的新方法。这种新型探测器可以很容易地集成到标准微电子设备中,从而大大提高了医疗成像设备的性能。研究成果发表在美国化学学会科学月刊《ACS Nano》上。这种新型探测器是由洛桑联邦理工学院基础科学学院福罗带领的研究小组研发的,其由石墨烯和钙钛矿组成。利用瑞士电子学与微电子科技中心的气溶胶喷射打印设备,研究人员在石墨烯基底上3D打印钙钛矿层。其想法是,在设备中,钙钛矿充当光子探测器和电子放电器,而石墨烯则放大输出的电信号。研究中开发的气溶胶喷墨打印方法的示意图(图片来源:物理学家组织网)此外,报道称,研究人员使用了甲基碘化铅钙钛矿,由于其引人入胜的光电性能以及低廉的制造成本,最近这种钙钛矿备受关注。该研究小组的化学家恩德雷霍瓦特说:“这种钙钛矿含有重原子,这为光子提供了高散射截面,因此使其成为X射线探测的完美候选材料。”结果表明,这种方法生产的X射线探测器具有破记录的高灵敏度——比同类最佳医学成像设备提高了4倍。“通过使用带有石墨烯的光伏钙钛矿,对X射线的响应大大增加。”福罗说,“这意味着,如果我们在X射线成像中使用这两者的组合材料,成像所需的X射线剂量可以减少1000多倍,从而降低这种高能电离辐射对人体健康的危害。”福罗说,钙钛矿-石墨烯探测器的另一个优点是它不需要精密的光电倍增管或复杂的电子设备,因此它让医学成像变得很简单。报道称,该项研究中使用的气溶胶喷射打印技术是一种相当新颖的技术,可用于制造3D打印的电子元件,如电阻、电容、天线、传感器和薄膜晶体管,甚至还可在特定基材上打印电子产品,如手机外壳。除了X光照片外,X射线医疗用途还包括透视、癌症放射治疗和电子计算机断层扫描。而这种新型探测器易于合成,应用领域更加前沿,可广泛应用于太阳能电池、LED灯、激光器和光电探测器等。
  • 电镜学堂丨扫描电子显微镜的结构(二) - 探测器系统
    这里是TESCAN电镜学堂第五期,将继续为大家连载《扫描电子显微镜及微区分析技术》(本书简介请至文末查看),帮助广大电镜工作者深入了解电镜相关技术的原理、结构以及最新发展状况,将电镜在材料研究中发挥出更加优秀的性能!第二节 探测器系统扫描电镜除了需要高质量的电子束,还需要高质量的探测器。上一章中已经详细讲述了各种信号和衬度的关系,所以电镜需要各种信号收集和处理系统,用于区分和采集二次电子和背散射电子,并将SE、BSE产额信号进行放大和调制,转变为直观的图像。不同厂商以及不同型号的电镜在收集SE、BSE的探测器上都有各自独特的技术,不过旁置式电子探测器和极靴下背散射电子检测器却较为普遍,获得了广泛的应用。§1. 旁置式电子探测器(ETD)① ETD的结构和原理旁置式电子探测器几乎是任意扫描电镜(部分台式电镜除外)都具备的探测器,不过其名称叫法很多,有的称为二次电子探测器(SE)、有的称为下位式探测器(SEL)等。虽然名称不同,但其工作原理几乎完全一致。这里我们将其统一称为Everhart Thornley电子探测器,简称为ETD。二次电子能量较小,很容易受到其它电场的影响而产生偏转,利用二次电子的这个特性可以对它进行区分和收集,如图3-25。在探测器的前端有一个金属网(称为法拉第笼),当它加上电压之前,SE向四周散射,只有朝向探测器方向的少部分SE会被接收到;当金属纱网加上+250V~350V的电压时,各个方向散射的二次电子都受到电场的吸引而改变原来的轨迹,这样大部分的二次电子都能被探测器所接收。图3-25 ETD的外貌旁置式电子探测器主要由闪烁体、光电管、光电倍增管和放大器组成,实物图如图3-26,结构图如图3-27。从试样出来的电子,受到电场的吸引而打到闪烁体上(表面通常有10kV的高压)产生光子,光子再通过光导管传送到光电倍增管上,光电倍增管再将信号送至放大器,放大成为有足够功率的输出信号,而后可直接调制阴极射线管的电位,这样便获得了一幅图像。图3-26 旁置式电子探测器的工作原理图3-27 Everhart-Thornley电子探测器的结构图一般电镜的ETD探测器的闪烁体部分都使用磷屏,成本相对较低,不过其缺点是在长时间使用后,磷材质会逐步老化,导致电镜ETD的图像信噪比越来越弱,对于操作者来说非常疲劳,所以发生了信噪比严重下降的时候需要更换闪烁体。而TESCAN全系所有电镜的ETD探测器的闪烁体都采用了钇铝石榴石(YAG)晶体作为基材,相比磷材质来说具有信噪比高、响应速度快、无限使用寿命、性能不衰减等特点。② 阴影效应ETD由于在极靴的一侧,而非全部环形对称,这样的几何位置也决定了其成像有一些特点,比如会产生较强的阴影效应。ETD通过加电场来改变SE的轨迹,而当样品表面凹凸较大,背向探测器的“阴面”所产生的二次电子的轨迹不足以绕过试样而最终被试样所吸收。在这些区域,探测器采集不到电子信号,而最终在图像上呈现更暗的灰度。而在朝向探测器的阳面,产生的信号没有任何遮挡,呈现出更亮灰度,这就是阴影效应。如图3-28,A和B区域倾斜度相同,按照倾斜角和产额的理论两者的二次电子产额相同。但是A区域的电子可被探测器无遮挡接收,而B区域则有一部分电子要被试样隆起的部分吸收掉,从而造成ETD实际收集到的电子产额不同,显示在图像上明暗不同。图3-28 ETD的阴影效应阴影效应既是优点也是缺点,阴影效应给图像形成了强烈的立体感,但有时也会使得我们对一些衬度和形貌难以做出准确的判断。如图3-29,左右两者图仅仅是图像旋转了180度,但试样表面究竟是球形凸起还是凹坑,一时难以判断,可能会给人视觉上的错觉。图3-29 球状突起物还是球状凹坑不过遇到这样的视觉错觉也并非无计可施,我们可以利用阴影效应对图像的形貌做出准确的判断。首先将图像旋转至特定的几何方向,将ETD作为图像的“北”方向,电子束从左往右进行扫描。如果形貌表面是凸起,电子束从上扫到下,先是经过阳面然后经过阴面,表现在图像上则应该是特征区域朝上的部分更亮。反之,如果表面是凹坑,则图像上朝上的部分显得更暗。由此,我们可以非常快速而准确的知道样品表面实际的起伏情况。(后面还将介绍其它判断起伏的方法)图3-30 利用阴影效应进行形貌的判断③ ETD的衬度在以前很多地方都把ETD称之为SE检测器,这种叫法其实不完全正确。ETD除了能使得SE偏转而接收二次电子,也能接收原来就向探测器方向散射的背散射电子。所以在加上正偏压的情况下,ETD接收到的是SE和BSE的混合电子。据一些报道称,其中BSE约占10-15%左右。如果将ETD的偏压调小,探测器吸引SE的能力变弱,而对BSE几乎没有什么影响。所以可以通过改变ETD的偏压来调节其接收到的SE和BSE的比例。如果将ETD的偏压改为较大的负电压,由于SE的能量小于50eV,受到电场的斥力,不能达到探测器位置,而朝向探测器方向散射的BSE因为能量较高不易受电场影响而被探测器接收,此时ETD接收到的完全是背散射电子信号。如图3-31,铜包铝导线截面试样在ETD偏压不同下的图像,左图主要为SE,呈现更多的形貌衬度;右图全部BSE,呈现更多的成分衬度。图3-31 ETD偏压对衬度的影响所以不能把使用ETD获得的图像等同于SE像,更不能等同于形貌衬度。这也是为什么作者更倾向于用ETD来称呼此探测器,而不把它叫做二次电子探测器。④ ETD的缺点ETD是一种主动式加电场吸引电子的工作方式,它不但能影响二次电子的轨迹,同时也会对入射电子产生影响。在入射电子能量较高时,这种影响较弱,但随着入射电子能量的降低,这种影响越来越大,所以ETD在低电压情况下,图像质量会显著下降。此外,ETD能接收到的信号相对比较杂乱,除了我们希望的SE1外,还接收了到了SE2、SE3和BSE,如图3-32。而后面三种相对来说分辨率都较SE1低很多,尤其SE3,更是无用的背底信号,这也使得ETD的分辨率相对其它镜筒内探测器来说要偏低。图3-32 ETD实际接收的信号§2. 极靴下固体背散射探测器背散射电子能量较高,接近原始电子的能量,所以受其它电场力的作用相对较小,难以像ETD探测器一样通过加电场的方式进行采集。极靴下固体背散射电子探测器是目前通用的、被各厂商广泛采纳的技术。极靴下固体背散射电子探测器一般采用半导体材料,位置放置在极靴下方,中间开一个圆孔,让入射电子束能入射到试样上,如图3-33。原始电子束产生的二次电子和背散射电子虽然都能达到探测器表面,不过由于探测器表面采用半导体材质,半导体具有一定的能隙,能量低的二次电子不足以让半导体的电子产生跃迁而形成电流,所以二次电子对探测器无法产生任何信号。而背散射电子能量高,能够激发半导体电子跃迁而产生电信号,经过放大器和调制器等获得最终的背散射电子图像,如图3-34。图3-33 极靴下背散射电子信号采集示意图图3-34 半导体式固体背散射电子探测器极靴下固体背散射电子探测器属于完全被动式收集,利用半导体的能带隙,将二次电子和背散射电子自然区分开。探测器本身无需加任何电场或磁场,对入射电子束也不会有什么影响,因此这种采集方式得到了广泛运用。有的固体背散射电子探测器被分割成多个象限,通过信号加减运算,可以实现形貌模式、成分模式和阴影模式等,有关这个技术和应用将在后面的章节中进行介绍。极靴下固体背散射电子探测器除了使用半导体材质外,还有使用闪烁体晶体的,比如YAG晶体。闪烁体型的工作原理和半导体式类似,如图3-36。能量低的二次电子达到背散射电子探测器后不会有任何反应,而能量高的背散射电子却能引起闪烁体的发光。产生的光经过光导管后,在经过光电倍增管,信号经过放大和调制后转变为BSE图像。闪烁体相比半导体式的固体背散射电子探测器来说,拥有更好的灵敏度、信噪比和更低的能带宽度,见图3-35。图3-35 不同材质BSE探测器的灵敏度图3-36 YAG晶体式固体背散射电子探测器一般常规半导体二极管材质的灵敏度约为4~6kV,也就说对于加速电压效应5kV时,BSE的能量也小于5kV。此时常规的半导体背散射电子探测器的成像质量就要受到很大的影响,甚至没有信号。后来半导体二极管材质表面进行了一定的处理,将灵敏度提高到1~2kV左右,对低电压的背散射电子成像质量有了很大的提升。而YAG晶体等闪烁体的灵敏度通常在500V~1kV左右。特别是在2015年03月,TESCAN推出了最新的闪烁体背散射电子探测器LE-BSE,更是将灵敏度推向到200V的新高度,可以在200V的超低电压下直接进行BSE成像。因为现在低电压成像越来越受到重视和应用,但是以往只是针对SE图像;而现在BSE图像也实现了超低电压下的高分辨成像,尤其对生命科学有极大的帮助,如图3-37。图3-37 LE-BSE探测器的超低电压成像:1.5kV(左上)、750V(右上)、400V(左下)、200V(右下)§3. 镜筒内探测器前面已经说到ETD因为接收到SE1、SE2、SE3和部分BSE信号,所以分辨率相对较低,为了进一步提高电镜的分辨率,各个厂商都开发了镜筒内电子探测器。由于特殊的几何关系,降低分辨率的SE2、SE3和低角BSE无法进入镜筒内部,只有分辨率高的SE1和高角BSE才能进入镜筒,因此镜筒内的电子探测器相对镜筒外探测器分辨率有了较大的提高。不过各个厂家或者不同型号的镜筒内探测器相对来说不像镜筒外的比较类似,技术差别较大,这里不再进行一一的介绍,这里主要针对TESCAN的电镜进行介绍。TESCAN的MIRA和MAIA场发射电镜都可以配备镜筒内的SE、BSE探测器,如图3-38。图3-38 TESCAN场发射电镜的镜筒内电子探测器值得注意的是InBeam SE和InBeam BSE是两个独立的硬件,这和部分电镜用一个镜筒内探测器来实现SE和BSE模式是截然不同的。InBeam SE探测器设计在物镜的上方斜侧,可以高效的捕捉SE1电子,InBeam BSE探测器设计在镜筒内位置较高的顶端,中心开口让电子束通过,形状为环形探测器,可以高效的捕捉高角BSE。镜筒内的两个探测器都采用了闪烁体材质,具有良好的信噪比和灵敏度,而且各自的位置都根据SE和BSE的能量大小和飞行轨迹,做了最好的优化。而且两个独立的硬件可以实现同时工作、互不干扰,所以TESCAN的场发射电镜可以实现镜筒内探测器SE和BSE的同时采集,而一个探测器两种模式的设计则不能实现SE和BSE的同时扫描,需要转换模式然后分别扫描。§4. 镜筒内探测器和物镜技术的配合镜筒内电子探测器分辨率比镜筒外探测器高不仅仅是由于其只采集SE1和高角BSE电子,往往是镜筒内探测器还配了各家特有的一些技术,尤其是物镜技术。TESCAN和FEI的半磁浸没模式、日立的磁浸没式物镜和E×B技术,蔡司的复合式物镜等,这里我们也不一一进行介绍,主要针对使用相对较多半磁浸没式透镜技术与探测器的配合做简单的介绍。常规无磁场透镜和ETD的配合前面已经做了详细介绍,如图3-39左。几乎所有扫描电镜都有这样的设计。而在半磁浸没式物镜下(如MAIA的Resolution模式),向各个方向散射的二次电子和角度偏高的背散射电子会在磁透镜的洛伦兹力作用下,全部飞向镜筒内。二次电子因为能量低所以焦距短,在物镜附近盘旋上升并快速聚焦,如图3-39中。因此只要在物镜附近上方的侧面放置一个类似ETD的探测器,只需要很小的偏压,就能将已经聚焦到一处的二次电子全部收集起来,同时又不会对原始电子束产生影响。所以镜筒内二次电子探测器与半浸没式物镜融为一体、相辅相成,提升了电镜的分辨率,尤其是低电压下的分辨率。背散射电子因为能量高,焦距较长,相对高角的背散射电子能够聚焦到镜筒内,在物镜附近聚焦后继续向上方发散飞行。此时在这部分背散射电子的必经之路上放置一个环形闪烁体,就可以将高角BSE全部采集,如图3-39右。图3-39 常规无磁场物镜和ETD(左)、半浸没式物镜和镜筒内探测器(中、右)§5. 扫描透射探测器(STEM)当样品很薄的时候,电子束可以穿透样品形成透射电子,因此只要在样品下方放置一个探测器就能接收到透射电子信号。一般STEM探测器有两种,一种是可伸缩式,一种是固定式,如图3-40。固定式的STEM探测器是将样品台与探测器融合在了一起,样品必须为标准的φ3铜网或者制成这样的形状(和TEM要求一样)。图3-40 可伸缩式STEM(左)与固定式STEM(右)STEM探测器和背散射电子探测器类似,一般也采用半导体材质,并分割为好几块,如图3-41。其中一块位于样品的正下方,主要用于接收正透过样品的透射电子,即所谓的明场模式;还有的位于明场探测器的周围,接收经过散射的透射电子,即所谓的暗场模式。有的STEM探测器在暗场外围还有一圈探测器,接收更大散射角的透射电子,即所谓的HAADF模式。不过即使没有HAADF也没关系,只要样品离可伸缩STEM的距离足够近,暗场探测器也能接收到足够大角度散射的透射电子,得到的图像也类似HAADF效果。图3-41 STEM探测器结构§6. 其它探测器除了电子信号探测器外,扫描电镜还可以配备很多其它信号的探测器,比如X射线探测器、荧光探测器、电流探测器等。不过电镜厂家相对来说只专注于电子探测器,而TESCAN相对来说比较全面,除了X射线外,其它信号均有自己的探测器。X射线探测器将在能谱部分中做详细的介绍。① 荧光探测器TESCAN的荧光探测器按照几何位置分为标准型和紧凑型两种,如图3-42。标准型荧光探测器类似极靴下背散射电子探测器,接收信号的立体角度较大,信号更强,不过和极靴下背散射电子探测器会有位置冲突;而紧凑型荧光探测器类似能谱仪,从极靴斜上方插入过来,和背散射探测器可以同时使用,不过接收信号的立体角相对较小。图3-42 标准型(左)和紧凑型(右)荧光探测器如果按照性能来分,荧光探测器又分为单色和彩色两类,如图3-43。单色荧光将接收到的荧光信号经过聚光系统进行放大,不分波长直接调制成图像;彩色荧光信号经过聚光系统后,再经过红绿蓝三原色滤镜后,分别进行放大处理,再利用色彩的三原色叠加原理产生彩色的荧光图像。黑白荧光和彩色荧光和黑白胶片及数码彩色CCD原理极其类似。一般单色型探测器由于不需要滤镜,所以有着比彩色型更好的灵敏度;而彩色型区分波长,有着更丰富的信息。为了结合两者的优势,TESCAN又开发了特有的Rainbow CL探测器。在普通彩色荧光探测器的基础上增加了一个无需滤镜的通道,具有四通道,将单色型和彩色型整合在了一起,兼顾了灵敏度和信息量。图3-43 黑白荧光和彩色荧光探测器阴极荧光因为其极好的检出限,对能谱仪/波谱仪等附件有着很好的补充作用,不过目前扫描电镜中配备了阴极荧光探测器的还不多。图3-44含CRY18(蓝)和YAG-Ce(黄)的阴极荧光(左)与二次电子(右)图像② EBIC探测器EBIC探测器结构很简单,主要由一个可以加载偏压的单元和一个精密的皮安计组成。甚至EBIC可以和纳米机械手进行配合,将纳米机械手像万用表的两极一样,对样品特定的区域进行伏安特性的测试,如图3-45。图3-45 EBIC探测器与纳米机械手配合检测伏安特性 第三节、真空系统和样品室内(台)电子束很容易被散射,所以SEM电镜必须保证从电子束产生到聚焦到入射到试样表面,再到产生的SE、BSE被接收检测,整个过程必须是在高真空下进行。真空系统就是要保证电子枪、聚光镜镜筒、样品室等各个部位有较高的真空度。高真空度能减少电子的能量损失,提高灯丝寿命,并减少了电子光路的污染。钨灯丝扫描电镜的电子源真空度一般优于10-4Pa,通常使用机械泵—涡轮分子泵,不过一些较早型号的电镜还采用油扩散泵。场发射扫描电镜电子源要求的真空度更高,一般热场发射为10-7Pa,冷场发射为10-8Pa。场发射SEM的真空系统主要由两个离子泵(部分冷场有三个离子泵)、扩散泵或者涡轮分子泵、机械泵组成。而对于样品室的真空度,钨灯丝和欧美系热场的要求将对较低,一般优于2×10-2Pa即可开启电子枪,所以换样抽真空的时间比较短;而日系热场电镜或者冷场电镜则要达到更高的真空度,如9×10-4Pa才能开启电子枪。为了保证换样时间,日系电镜一般都需要额外的交换室,在换样的时候,利用交换室进行,不破坏样品室的真空。而欧美系电镜普遍采用抽屉式大开门的样品室设计。两种设计各有利弊,抽屉式设计一般样品室较大,可以放置更大更多的样品,效率高。或者对于有些特殊的原位观察要求,大开门设计才可能放进各种体积较大的功能样品台,如加热台、拉伸台;交换室相对来说更有利于保护样品室的洁净度,减少污染。不过大开门式设计也可以加装交换室,如图3-46,达到相同的效果,自由度更高。图3-46 大开门试样品室加装手动(左)和自动(右)交换室而且一些采用了低真空(LV-SEM)和环境扫描(ESEM)技术的扫描电镜的样品室真空可分别达到几百帕和接近三千帕。具备低真空技术的电镜相对来说真空系统更为复杂,一般也都会具备高低真空两个模式。在低真空模式下一般需要在极靴下插入压差光阑,以保证样品室处于低真空而镜筒处于高真空的状态下。不过加入了压差光阑后,会使得电镜的视场范围大幅度减小,这对看清样品全貌以及寻找样品起到了负面作用。样品室越大,电镜的接口数量也越多,电镜的可扩展性越强,不过抽放真空的时间会相对延长。TESCAN电镜的样品室都是采用一体化切割而成,没有任何焊缝,稳定性更好;而一般相对低廉的工艺则是采用模具铸造。电镜的样品台一般有机械式和压电式两种,一般有X、Y、Z三个方向的平移、绕Z的旋转R和倾斜t五个维度。当然不同型号的电镜由于定位或者其它原因,五个轴的行程范围有很大区别。一般来说机械马达的样品台稳定性好、承重能力强、但是精度和重复性相对较低;压电陶瓷样品台的精度和重复性都很好,但是承重能力比较弱。样品台一般又有真中央样品台和优中心样品台之分。样品台在进行倾转时都有一个倾转中心,样品台绕该中心进行倾转。如果样品观察的位置恰好处于倾转中心,那么倾转之后电镜的视场不变;但如果样品不在倾转中心,倾转后视场将会发生较大变化。特别是在做FIB切割或者EBSD时,样品需要经过五十几度和七十度左右的大角度倾转,电镜视场变化太大,往往会找不到原来的观察区域。在大角度倾转的情况下如果进行移动的话,此时样品会在高度方向上也发生移动,不注意容易碰撞到极靴或者其它探测器造成故障,这对操作者来说是危险之举。而优中心样品台则不一样,只要将电子束合焦好,电镜会准确的知道观察区域离极靴的距离,在倾转后观察区域偏离后,样品台能自动进行Y方向的平移进行补偿,保持观察的视野不变,如图3-47。图3-47 真中央样品台与优中心样品台【福利时间】每期文章末尾小编都会留1个题目,大家可以在留言区回答问题,小编会在答对的朋友中选出点赞数最高的两位送出本书的印刷版。【本期问题】半导体材质的探测器和YAG晶体材质的探测器哪个更有利于在低加速电压下成像,为什么?(快关注微信回答问题领取奖品吧→)简介《扫描电子显微镜及微区分析技术》是由业内资深的技术专家李威老师(原上海交通大学扫描电镜专家,现任TESCAN技术专家)、焦汇胜博士(英国伯明翰大学材料科学博士,现任TESCAN技术专家)、李香庭教授(电子探针领域专家,兼任全国微束分析标委会委员、上海电镜学会理事)编著,并于2015年由东北师范大学出版社出版发行。本书编者都是非常资深的电镜工作者,在科研领域工作多年,李香庭教授在电子探针领域有几十年的工作经验,对扫描电子显微镜、能谱和波谱分析都有很深
  • 分析仪器的“眼睛”:半导体光探测器——访日本滨松光子学株式会社专务取缔役兼固体事业部部长山本晃永先生
    一般而言,分析仪器的发展可分为两种:一是分析仪器本身、内部的发展,二是分析仪器相关器件的发展所带动的分析仪器的发展。光探测器是光谱类科学仪器的“眼睛”,是搜集信号、进行信号转换的核心、关键部件,其发展对分析仪器产业的发展起着巨大的推动作用。  光电倍增管是大家熟知的光探测器,广泛应用于各类光谱仪器中。但近年来,一些国际仪器生产厂家已开始将ICP、光电直读光谱仪等仪器中采用的光电倍增管逐渐换成了半导体光探测器,其中使用较多的是CCD(Charge-Coupled Devices,电荷耦合检测器)。那么,半导体光探测器能否取代光电倍增管?半导体光探测器技术发展现状与趋势如何?日本滨松公司未来将如何发展半导体光探测技术?该公司是如何看待中国仪器行业?未来将如何拓展中国市场?本文将逐一为大家解答。  日本滨松光子学株式会社(以下简称“日本滨松公司”)是光子技术和光电探测器的世界知名企业,其主要产品有光电倍增管、光电二极管、图像传感器、各种光源、大功率半导体激光器等光器件。该公司固体事业部主要研发、生产各种半导体光电器件及其模块化产品。  2010年9月1日,日本滨松公司固体事业部在北京举办“2010 HAMAMATSU光半导体技术交流会之专家交流会”。日本滨松公司专务取缔役兼固体事业部部长山本晃永先生亲临现场。以此为契机,仪器信息网编辑在专家交流会现场就半导体光探测器的技术发展现状和趋势、日本滨松固体事业部未来的发展方向采访了山本晃永先生。日本滨松公司专务取缔役兼固体事业部部长山本晃永先生半导体光探测器的发展现状与趋势  “Photon is Our Business”,日本滨松公司最初是靠光电倍增管起家,主要用该产品来探测肉眼看不见的光子。该公司致力于了解光子以及光子与其他物质的相互作用,将相关技术转化为产品并使其产业化。经过几十年的发展,日本滨松公司不仅不断改良真空管探测器,同时也大力发展了半导体光探测器。  该公司固体事业部多年来一直从事半导体光探测器相关技术的研究。近几年,固体事业部非常重视图像传感器的研发,并在半导体光探测器的集成化、模块化上取得了较大进展。山本晃永先生详细地阐述了滨松的研究成果以及他对半导体光探测器技术发展的看法。日本滨松公司固体事业部的主要产品  (1)在光探测器领域,从真空管技术到半导体技术是大势所趋  山本晃永先生认为,从真空管技术到半导体技术是大势所趋,日本滨松公司不能逆流而上。光电倍增管虽然是高性能的探测器,公司也对真空管探测器进行了一些改进,如增强其量子效率、使其小型化等,但仍残留一些难以解决的问题,比如操作上玻璃材料的繁难性、高电压的必须性等,这些难题限制了光电倍增管的使用。  但光电倍增管拥有光子探测灵敏度高的固有优势,半导体光探测器不可能完全取而代之,但后者的市场主导优势将日益明显。目前在日本滨松内部,固体事业部的销售额已超过了生产光电倍增管的电子管事业部,占据滨松所有产品总销售额的半壁江山。  日本滨松公司在继续研究真空管技术和半导体技术的基础上,将专心致力于相关模块和系统的开发。总之,所有与光子相关的技术,日本滨松公司都将采取积极的态度。  (2)CCD已发展得比较成熟  随着技术的进步,用于分光光度计、近红外光谱、拉曼光谱等光谱仪器的CCD已发展得比较成熟,其性能已有了很大改进。  日本滨松公司研发出的背面入射(Back-illuminated)CCD图像传感器,能减少CCD的Etaloning Effect(注:Etaloning Effect是存在于非常薄的CCD芯片中,入射光线因为在芯片前、后表面发生光反射而产生干涉,导致CCD分光灵敏度曲线在900nm附近凹凸不平的现象),从而能显著提高图像传感器的灵敏度、量子效率、响应时间以及信噪比。通过拼接技术,滨松将许多CCD加以拼接,使其面积增大。目前最大的CCD平板图像传感器大小可达2mX2m,量子效率非常高,同时对近红外长波的探测能力也大幅提高,可用于天文和宇宙探测领域。目前,全世界大部分的天文望远镜、人造卫星都在使用日本滨松的半导体光探测器产品。 各类CCD图像传感器  (3)CMOS发展前景看好,日本滨松公司力求让其取代CCD  山本晃永先生说到,CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导体)图像传感器与CCD在生产工艺上有许多相似之处,因其在集成化、生产成本、响应时间、使用方便、耗电量等方面的优势,发展尤为迅速,甚至可能比CCD图像传感器发展更为快速。目前,CMOS和CCD各有所长,CMOS还不能完全取代CCD,但是未来在很多领域CCD会被CMOS所取代。  日本滨松非常看好CMOS的发展前景,在CMOS上倾注很大精力,不断加大该产品的研发力度,力求让CMOS取代CCD。公司针对CMOS的缺点进行了一些改进,引入背面入射技术(back-illuminated)的同时,采用碘化铯作为转化晶体,提高探测器的灵敏度与效率。经过改造之后,APS(Active Pixel Sensor,有源像素传感器,是CMOS的一种)的性能几乎可以做得与CCD一样好。  近期日本滨松推出了多款大小不一、功能各异的CMOS新产品。例如用于牙科检查的CMOS,形状小巧、适合人的嘴型,且可以一次成像 而用于乳腺癌检测的CMOS平板检测器具有面积大、探测速度快、解析度高、低剂量的特点,能避免X射线对人体的伤害。日本滨松生产的各类CMOS图像传感器  (4)MOEMS、MEMS促成了半导体光探测器的模块化、小型化  MOEMS(Micro-Opto-Electro-Mechanical System,微光机电系统)是在MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems,微机电系统)基础上发展起来的新技术,该系统把微光学元件、微电子和微机械装置有机地集成在一起,能够充分发挥三者的综合性能,可实现光学元件间的自对准,可用于光学器件和装置的制造。  日本滨松公司不仅生产各类半导体探测器,还生产与各种探测器相关的信号处理电路、数据采集卡以及模块产品。固体事业部充分利用MOEMS与MEMS技术,在光电二极管、雪崩二极管、图像传感器等产品的基础上,生产出了光电二极管电路及模块、硅雪崩二极管模块、图像传感器模块等模块化产品。以CMOS图像传感器为例,采用MOEMS技术可将图像传感器、光栅、后续电路加工在同一块硅片上,这样实现了元器件的集成化、小型化,同时也方便用户的使用。小型分光计系列产品拇指大小的超小型分光计  近期研发出来的超小型分光计,采用了MEMS的纳米压印(NanoTechnology)技术,只有拇指大小,敏感波长范围为340-750nm。从产品到产品模块、系统,这将是日本滨松公司固体事业部以后所要坚持的方向。  随着时代的发展,人们对于小型、可携带的东西的需求将增加。在日本,一些测试化妆品美白效果的小仪器很流行,类似的小型仪器在美国也很受欢迎。分析仪器、医疗仪器要走进寻常百姓家,就必然要求其小型化,而仪器小型化必然要求其器件也小型化。半导体技术就是满足这种需求的有效手段,其目前发展的重要主题是MEMS,而NanoTechnology(纳米技术)应该是关键。  从真空管技术到半导体技术、MEMS、纳米技术,这是滨松技术的变迁。未来几年,日本滨松公司仍要彻底地钻研这些技术,这是不变的方针。而唯一要改变的是各项技术的开发速度。技术开发得越早,日本滨松的产品在技术上就越有竞争力,这是很重要的。与会滨松高层  (日本滨松光子学株式会社专务取缔役兼固体事业部部长山本晃永先生(右二)、北京滨松光子技术股份有限公司总经理席与霖先生(左二)、北京滨松光子股份有限公司总经理助理兼第一事业部部长段鸿滨先生(左一)、日本滨松光子学株式会固体事业部伊藤伸治先生(右一))与会专家  (从左到右依次为:中国仪器仪表行业协会朱明凯副理事长、国家地质测试实验中心杨啸涛研究员、中科科仪原董事长金鹤鸣先生、中国分析测试协会汪正范研究员)滨松将加大半导体光探测器在中国市场的推广力度  采访中,山本晃永先生表达了对中国科学仪器行业发展情况的看法:中国科学仪器行业正蓬勃发展,虽然目前日本滨松的半导体光探测器在中国的用户并不是很多,但公司更重视中国市场,将把最新的产品和技术推广到中国来。  (1)中国科学仪器行业必将崛起,其市场容量巨大  回顾过往,手机、计算机在中国发展都很快,下一步中国的仪器仪表行业一定也会快速发展。医疗仪器、分析仪器都与人们的健康密切相关。中国人口是日本的十倍,这意味着如果中国仪器行业发展起来,那么其市场容量可能会是日本的10倍。而跟科学仪器发展密切相关的就是仪器探测器件的发展。  满足用户的需求始终是日本滨松公司努力的方向。作为仪器元器件的供应商,日本滨松公司一定要领先市场一步,这样才能提供市场需要的产品。虽然中国科学仪器行业可能还需要十年、二十年才能发展起来,但日本滨松对此非常有耐心,会非常关注中国市场需要什么样的技术和产品,也会不断地研发新产品去满足这些需求。  (2)加大半导体光探测器在中国分析仪器行业的推广力度  山本晃永先生介绍了日本滨松中国用户的一些情况。滨松固体事业部生产的各式各样的半导体探测器有50%销往国外,其余在日本国内销售。许多国际知名的仪器生产商都在使用滨松的探测器。但在中国,虽有仪器企业也使用滨松的半导体探测器,但是数量较少。  日本滨松公司固体事业部的约50%的产品都应用于医疗仪器,这个领域仍然是其非常重视的领域。同时,因为医疗仪器与分析仪器存在许多相似之处,所以日本滨松公司打算将在医疗仪器领域的优势发展到分析仪器等领域。  同时,该公司将加强与中国用户的沟通与交流,加大市场推广力度,把固体事业部的半导体光电器件的新技术、新产品介绍给中国用户,同时也要告诉他们如何选择、使用和应用滨松的产品,希望能为中国仪器行业的发展尽一份力。采访现场 后记  在采访过程中,笔者仔细聆听山本晃永先生对仪器企业发展的一些看法,他提到:“小规模的科学仪器企业若没有特色,就没有发展潜力与市场竞争力。岛津、贝克曼等国际知名企业都是由有特色的小企业发展起来的。企业规模小并不可怕,可怕的是小企业没有自己的特色、随波逐流,只知模仿重复,不知发明创造,最终导致价格竞争,互相残杀。日本滨松公司虽然是一家小公司,但一直很努力地研发光子相关的各种技术与产品,希望能够通过公司的产品来促进科学仪器行业的发展。”  也许,日本滨松公司能够发展壮大就在于它五十余年来一直坚持自己的特色,将主要精力集中在自己优势的光探测器领域,因而能在仪器光电元器件市场上占有其他公司不可替代的一席之地。然而相比之下,目前国内科学仪器企业总体“大不够大,小不够专”,仪器元器件企业发展更是缓慢,这些客观因素决定中国仪器行业短时间内或不会有较大改观。同时, 中国仪器生产企业不仅只盯着整机仪器的研发,也不能忽视仪器元器件的开发。  采访编辑:杨丹丹  附录1:山本晃永先生简介  1970年3月毕业于静冈大学研究生院工学部应用化学专业  1970年3月入职日本滨松公司  1985年1月就任日本滨松公司固体事业部部长至今  1985年12月就任取缔役  1987年12月就任常务取缔役  2004年12月就任专务取缔役  2005年7月就任代表取缔役专务取缔役  附录2:日本滨松光子学株式会社  http://www.hamamatsu.com/  附录3:北京滨松光子技术股份有限公司  http://www.bhphoton.com/
  • 四川“新型数字平板探测器”填补国内空白
    成都天马微电子有限公司联合高校科研单位,自主研发了新型光电转换材料及相关工艺平台,突破了国外在数字平板探测器技术上的垄断,在器件设计、材料制备、信号链路等核心关键环节均拥有自主知识产权。产品克服了第一代CsI-a-Si间接转换平板探测器的光杂散,图像分辨率低,X射线能量和剂量高的缺点,以及第二代a-Se直接转换型器件的吸收效率低,使用环境要求苛刻及易失效等不足。该公司研发的新型数字平板探测器,采用高性能的碘化铅多晶厚膜光电转换材料,显著降低了X射线能量和剂量需求,提高了器件成像性能和图像质量。产品制造工艺与平台与现有成熟TFT面板生产平台兼容,可确保器件优良性能和产品良率,量产后可显著降低生产成本,对促进数字化X射线影像技术发展具有重要意义。  该产品的研发和产业化,填补了国内在数字平板探测器技术和制造的空白,成为首个将基于碘化铅光电导层的直接转换型数字X射线平板探测器进行产业化的企业,产品和相关技术能够大量出口并替代进口。目前,已授权1项实用新型专利,3项发明专利已进入实质审查阶段。预计2015年将新申请6项技术专利,并获得1项质量体系认证证书 ,2014年预计全年实现产值11亿元。
  • 近红外双模式单光子探测器----单光子探测主力量子通讯
    一. 近红外双模式单光子探测器介绍SPD_NIR为900nm至1700 nm的近红外范围内的单光子检测带来了重大突破。 SPD_NIR建立在冷却的InGaAs / InP盖革模式单光子雪崩光电二极管技术上,是NIR单光子检测器的第一代产品,可同时执行同步“门控”(GM)和异步“自由运行”(FR )检测模式。 用户通过提供的软件界面选择检测模式。冠jun级别的器件具有低至800 cps的超低噪声,高达30%的高校准量子效率,100 ns最小死区,100 MHz外部触发,150 ps的快速成帧分辨率和极低的脉冲 。 当需要光子耦合时,标准等级可提供非常有价值且经济高效的解决方案。基于工业设计,该设备齐全的探测器不需要任何额外的笨重的冷却系统和控制单元。 经过精心设计的紧凑性及其现代接口使SPD_NIR非常易于集成到最苛刻的分析仪器和Quantum系统中。OEM紧凑型 多通道控制器软件界面二. 近红外双模式单光子探测器原理TPS_1550_type_II是基于远程波长自发下变频的双光子源。TPS_1550_type_II采用波导周期性极化铌酸锂(WG-ppln)晶体,用于产生光子对。波导- ppln的转换效率比任何块状晶体都高2到3个数量级,并确保与单模光纤的高效耦合。0型和II型双光子的产生三. 近红外双模式单光子探测器应用特点特点: ▪ 自由模式 & 门模式▪ 集成电子计数▪ 校准后 QE可达 30%▪ TTL和NIM信号兼容▪ 暗记数 800 cps▪ 软件可远程控制▪ 最小死时间 100 ns▪ 冷却板兼容欧盟/美国▪ 外部触发频率:可达100 MHz▪ DLL 文件库 : Python, C++, LabVIEW应用方向:▪ 量子通信▪ 盖革模式激光雷达▪ 量子密钥分发▪ 高分辨率OTDR▪ 光子源特性▪ FLIM 成像▪ 符合测试▪ 光纤传感四. 近红外双模式单光子探测器技术规格五. Aura 介绍AUREA Technology是法国一家知名的探测器供应商,公司致力于尖端技术的研发,基于先进的单光子雪崩光电二极管,超快激光二极管和快速定时电子设备,设计和制造了新一代高性能,功能齐全的近红外探测器。作为全球技术领导者之一,AUREA技术提供盖革模式单光子计数,皮秒激光源,快速时间关联和光纤传感仪器。此外,AUREA Technology直接或通过其在北美,欧洲和亚洲的专业分销渠道为200多个全球客户提供一流的专业支持。并与客户紧密合作,以应对当今和未来在量子安全,生命科学,纳米技术,汽车,医疗和国防领域的挑战。昊量光电作为法国AUREA公司在中国区域的独家代理商,全权负责法国Aurea公司在中国的销售、售后与技术支持工作。AUREA技术提供了新一代的光学仪器,使科学家和工程师实现卓越的测量结果。奥瑞亚科技与全球的客户和合作伙伴紧密合作,共同应对量子光学、生命科学、纳米技术、化学、生物医学、航空和半导体等行业的当前和未来挑战双光子是展示量子物理原理的关键元素,并实现新的量子应用。例如,双光子使量子密钥分发技术得以发展,以确保数百公里范围内的数据网络安全。在生物成像应用中,双光子光源产生原始的无色散测量。 更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电:上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商,产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等,涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等;可为客户提供完整的设备安装,培训,硬件开发,软件开发,系统集成等服务。
  • 硒镓钡晶体 助力实现中红外高灵敏探测
    记者从中国科学院沈阳自动化研究所(以下简称沈阳自动化所)获悉,该所太赫兹研究团队在红外探测领域取得关键技术突破,实现了基于硒镓钡晶体的3—8微米中红外高灵敏探测,对纳秒脉冲的探测灵敏度指标达到国际先进水平。这项技术将为我国在生物、医疗、化工等领域开展前沿科学研究提供强有力的探测工具。相关成果于1月20日刊发在《光学》上。  相对于传统的可见光近红外波段,中红外光与分子之间的共振现象可大幅度提高光谱测量的信噪比,进而实现对物质成分的有效识别。中红外探测技术对于推动生命科学、物性分析等科学探索,以及环保、化工行业、医学诊断等实际应用具有重要意义。当前的中红外探测主要采用热探测和光电探测两种直接探测手段,难以满足科学家们对微量物质的精准检测的需求,探测灵敏度已成为中红外系统的瓶颈问题。  针对当前中红外探测的瓶颈问题,研究团队提出了基于激光频率变换技术的解决方案,设计并搭建了实验系统。研究团队负责人、沈阳自动化所研究员祁峰介绍,该方案的工作原理是将弱中红外信号高效率地转换为近红外信号,近红外光携带了中红外光的信息且易于探测,通过这种间接探测的方式可大幅度提高中红外信号的探测灵敏度。  经过深入分析研究多种晶体的光学特性,科研团队将目标锁定在硒镓钡晶体,该晶体由中国科学院理化技术研究所姚吉勇团队研制。祁峰介绍,硒镓钡晶体通常是作为波源使用,研究人员大胆尝试,将它作为探测系统的一部分,在掌握其光学特性的基础上设计了高性能光参量振荡器,优化了相位匹配条件,解决了弱信号环境下的强背景噪声抑制等问题,从而实现了收发一体的中红外系统。
  • 二维X射线探测器的研制项目通过验收
    6月7日,中国科学院计划财务局组织专家对高能物理研究所承担的院重大科研装备研制项目“二维X射线探测器的研制”进行了现场验收。  二维X射线探测设备采用200mm×200mm气体电子倍增器膜(GEM)为主要探测部件,项目组经过多年潜心研究,开发了相关探测器的制作工艺,解决了电极结构设计的关键技术问题,研制了多路快读出前端电子学及高速数据获取系统。  该设备的特点是:有效探测面积大、位置分辨好、计数率高,具有同步辐射晶体衍射和二维成像功能,现已在北京同步辐射大分子实验站进行了晶体衍射实验,实现了X射线的高计数率、高分辨率探测,可以满足同步辐射的使用需求,有望在X射线衍射、小角散射和成像等方面开展广泛的应用研究。  验收专家组听取了项目负责人陈元柏的研制工作和使用报告、财务报告及测试专家组的测试报告,现场核查了研制设备的运行情况,审核了相关的文件档案及财务账目。专家组对该项目研制做出了高度评价,认为各项技术指标达到或优于实施方案规定的要求,实现了X射线探测的二维精确定位,填补了国内高计数率X射线气体成像探测器的技术空白 技术档案齐全,经费使用合理,单位自筹资金到位,一致同意通过验收。鉴于该成果具有广阔的应用前景,专家组建议该项目的研究特别是小型化研究要不停顿地进行下去,促进项目成果的应用和推广。验收会现场测试现场二维X射线探测设备
  • 综述:锑化物超晶格红外探测器研究进展与发展趋势
    锑化物超晶格红外探测器具有均匀性好、暗电流低和量子效率较高等优点,其探测波长灵活可调,可以覆盖短波至甚长波整个红外谱段,是实现高均匀大面阵、长波、甚长波及双色红外探测器的优选技术,得到了国内外相关研究机构的关注和重视,近年来取得了突破性的进展。中国科学院上海技术物理研究所科研团队介绍了InAs/GaSb超晶格红外探测器的技术特点和发展历程,并对后续发展趋势作了初步的展望和探讨。相关研究内容以“锑化物超晶格红外探测器研究进展与发展趋势”为题发表在《红外与激光工程》期刊上。InAs/GaSb超晶格红外探测器的技术原理和特点超晶格是由两种晶格匹配良好的半导体材料交替重复生长而形成的周期性结构,每一层的厚度通常在纳米尺度。根据组成材料相互间能带排列特点,超晶格一般分为I类超晶格和II类超晶格。在III-V族化合物半导体中,InAs、GaSb、AlSb之间可组成不同类别的能带排列,GaSb/AlSb组成I类能带排列,InAs/GaSb、InAs/AlSb组成II类能带排列。特别的,InAs导带底能量比GaSb价带顶能量低约150 meV,当InAs和GaSb结合时,两者形成“破隙型”II类能带排列,电子被限制在InAs层中,而空穴被限制在GaSb层中。当两者组成超晶格时,相邻InAs和GaSb层中电子和空穴会由于相互作用分别形成电子微带和空穴微带,如图1所示。图1 InAs/GaSb超晶格能带简图电子微带与空穴微带的能量差即为超晶格的有效禁带宽度,随着InAs层和GaSb层厚度的改变而改变。对InAs/GaSb II类超晶格的能带结构进行计算和模拟,可以获得超晶格材料光电特性等信息。图2是InAs/GaSb超晶格的截止波长随InAs厚度变化关系,通过改变InAs层的厚度,可以调节超晶格的截止波长,实现短波红外、中波红外和长波红外等不同谱段的红外探测。图2 InAs/GaSb II类超晶格截止波长随InAs厚度变化关系(GaSb厚度为2.1 nm)总体来说,InAs/GaSb超晶格红外探测技术具有如下特点:1)改变周期厚度可以调节InAs/GaSb超晶格的禁带宽带(响应截止波长),因此,可以通过结构设计来灵活调节超晶格探测器的光电响应特性,响应波段可以覆盖短波至甚长波的整个红外谱段,并实现多色探测。2)InAs/GaSb超晶格结构可以吸收垂直入射光。理论计算表明,InAs/GaSb超晶格可达到与HgCdTe材料相当的吸收系数,因此具有较高的量子效率。3)在InAs/GaSb超晶格结构中,由于轻、重空穴带的分离,抑制了Auger复合速率。在理论上,InAs/GaSb超晶格比HgCdTe具有更高的探测率。4)相比HgCdTe材料,InAs/GaSb超晶格有更大的有效质量,有助于抑制长波探测器的隧穿暗电流。5)现代材料生长技术,如分子束外延技术,可以在单原子层精度上控制材料的生长,十分有利于材料性能的可控性、稳定性和可重复性。6)InAs/GaSb超晶格是III-V族化合物半导体材料,材料生长与器件工艺较为成熟,有利于实现大规格、高均匀性焦平面器件。锑化物超晶格焦平面探测器发展历程技术孕育阶段(20世纪80年代—21世纪初)该阶段主要是超晶格红外探测技术概念的提出、超晶格探测器性能的理论计算分析、超晶格材料外延生长和基本光电特性研究,初步证实了超晶格材料具有优良的红外探测性能。超晶格概念是20世纪70年代美国国际商用机器(IBM)公司的江琦、朱兆详等人提出的,指出电子在沿超晶格材料生长方向运动将受到超晶格周期势的影响,形成与自然界材料性能迥异的特性,分子束外延技术的发展又允许人们生长出高质量的超晶格材料。1977年,江琦、朱兆祥等人又提出了锑化物(InAs/GaSb)II类超晶格的概念。技术突破阶段(21世纪初—2010年)该阶段主要聚焦于突破高性能焦平面器件制备的关键技术。采用先进的异质结构抑制超晶格长波探测器的暗电流;研究超晶格材料的刻蚀和侧壁钝化技术,制备出超晶格面阵器件。长波探测是超晶格技术发展的一个重要方向,而降低暗电流是长波红外探测器研究工作的一个重要内容。对于锑化物超晶格探测器,利用其灵活的能带结构调节能力以及分子束外延低维材料生长能力,国外各研究机构设计、制备出了多种宽禁带势垒的探测器结构来抑制暗电流,如pπMn结构、CBIRD结构、nBn结构等。上述不同结构的基本思想是利用宽禁带势垒层与吸收区形成异质结,从而达到抑制产生-复合电流的效果。像元台面刻蚀与侧壁钝化是超晶格焦平面制备研究的一个重要内容。在台面侧壁,由于半导体周期性晶格结构的突然中断,会引起能带在表面的弯曲,从而使得接近表面的半导体层内形成电荷累积,甚至引起表面反型,这会导致在表面形成导电通道。另外,在刻蚀等工艺过程中产生的损伤、沾污或者氧化物等也可能引起表面势能的变化,在带隙内形成载流子陷阱,增加隧穿电流。随着超晶格探测器结构的不断优化,器件制备工艺水平的提升,基于高质量分子束外延超晶格材料,结合前期建立的红外焦平面技术(如读出电路、铟柱混成互联等),相关研究机构相继研制出了320×256、640×512、1024×1024等不同规格的超晶格红外焦平面。双色或多色探测器具备多谱段探测能力,可显著提升识别距离、抗红外干扰与抗伪装能力,是新一代焦平面探测器重点发展方向之一。锑化物超晶格材料能带灵活可调及宽谱响应的特性,使得其成为制备双色、多色探测领域的优选技术。各研究机构先后报道了基于该材料体系的中/中波、中/长波、长/长波双色焦平面探测器。技术发展阶段(2010年—至今)超晶格焦平面制备能力的提升在相关政府机构的支持下,西方技术先进国家突破了超晶格结构设计、材料生长、芯片制备工艺等关键技术,多家研发机构先后获得高性能的超晶格长波大面阵器件和双色焦平面器件。这些成果的取得也使人们充分认识到超晶格技术在红外探测领域的意义和价值。在此基础上,2011年,美国启动了“重要红外传感器技术加速计划(VISTA)”,这是一个由政府主导的,包括JPL、MIT林肯实验室、Sandia国家实验室、海军实验室等研究结构,以及休斯实验室、洛克-马丁公司、L3辛辛那提电子公司等行业领先公司的联合体,技术链涵盖了衬底制备、超晶格材料外延生长、焦平面芯片制备工艺、读出电路设计、超晶格组件集成等。在5年时间内,VISTA计划在高性能长波、中长波双色、超大面阵焦平面、高温工作(HOT)焦平面器件等多方面获得了进一步的发展。图3 (a)超晶格5 μm像元尺寸的SEM照片,(b)超晶格中波红外焦平面在160 K和170 K工作温度下成像示意图,(c)超晶格中长波双色野外成像图超晶格焦平面的工程应用随着制备能力和探测器性能的不断提高,超晶格红外焦平面开始了应用试验。2005年,德国IAF和AIM公司研制的中/中波超晶格双色焦平面探测器应用于欧洲大型运输机Airbus A400 M的多色红外预警系统(MIRAS)。图4 非洲某地区的可见(来源谷歌地图)和CTI红外成像图片(来自美国NASA国际空间站拍摄),Band 1为中波红外图像,Band 2为长波红外图像锑化物超晶格探测器的展望与思考碲镉汞是当前最成功的红外探测材料,其响应波段可以覆盖短波至甚长波的整个红外谱段,具有高的吸收系数和量子效率。由于碲镉汞非常低的肖特基-里德-霍尔(SRH)复合速率,少子寿命长,暗电流低,可以实现高性能红外探测器。碲镉汞的挑战主要来自于材料生长、芯片制备工艺等方面难度大及由此而带来的成品率和制备成本等问题。InAs/GaSb超晶格在谱段覆盖性方面和碲镉汞一样可以在短波至甚长波整个红外谱段内调节。与碲镉汞相比,超晶格红外探测器在量子效率和少子寿命还需要进一步的提升。但另一方面,InAs/GaSb超晶格属于III-V族化合物半导体,其物理化学性质较为稳定,超晶格焦平面在空间均匀性、时间稳定性等方面具有优势,同时,超晶格在材料、芯片的制备技术方面也具备更好的可控性。近年来,InAs/GaSb超晶格红外探测器取得了飞速的发展。在国外,超大规格、高像元密度、高温工作中波焦平面、高性能长波红外焦平面及双色焦平面等已先后获得突破,超晶格探测器也已初步获得航天应用。国内自“十二五”布局开展锑化物超晶格红外探测技术研究,相关研究单位先后在超晶格长波焦平面技术、双色焦平面技术等方面取得突破,初步形成了超晶格材料外延生长、芯片制备等技术能力和平台。后续,超晶格红外探测技术将在进一步提升材料基本性能(量子效率、少子寿命)的基础上,发展大规格和超大规格红外焦平面,高像元密度焦平面,甚长波和双色、多色探测器,高工作温度红外焦平面等。提升超晶格材料基本性能在少子寿命方面,在超晶格中,轻、重空穴带的分离抑制了俄歇复合过程,因此,理论上超晶格的少子寿命可以比碲镉汞更长。但目前InAs/GaSb超晶格的少子寿命一般小于100 ns,与碲镉汞相比有很大的差距,这主要是由于超晶格材料存在较强的SRH复合。InAs/InAsSb超晶格因表现出了更长的载流子寿命而颇受关注,但对于相同的探测波长,InAs/InAsSb超晶格的吸收系数较小;同时,InAs/InAsSb超晶格的空穴迁移率和扩散长度也较小。另一种新型超晶格材料——晶格匹配 InAs/GaAsSb超晶格展现出了优良的光电性能,计算表明,对于相同的探测波长,InAs/GaAsSb超晶格具有与InAs/GaSb超晶格相似的吸收系数。在量子效率方面,由于在超晶格中电子和空穴分别位于InAs和GaSb层中,吸收系数的大小与电子波函数和空穴波函数的交叠积分相关,从而导致器件的量子效率随波长增大而下降。目前中波红外超晶格探测器的量子效率可以实现70%~80%,长波器件的量子效率约30%~40%。提升长波、甚长波超晶格焦平面器件的量子效率是一个重要的研究课题。近年来,采用超表面微纳光子结构提升器件量子效率成为一个有效途径。与探测器集成的微纳光子结构主要包括一维、二维光子晶体、光栅、汇聚透镜、微腔结构等。近年来,美国麻省理工学院、空军实验室、JPL等在该方面开展研究并取得了较好的成果。超晶格红外焦平面发展趋势展望在焦平面器件发展趋势方面,将充分利用超晶格自身技术优势,发展高像元密度大面阵探测器、甚长波探测器、双色和多色探测器、高工作温度探测器及新型雪崩探测器等。在高像元密度大面阵器件发展方面,国际上超晶格外延材料尺寸已经达到6 in(1 in=2.54 cm),正向更大晶圆发展;像元尺寸已缩小至5 μm,最大规格达到6 K×4 K。国内已具备4~6 in超晶格外延材料生长和锑化物半导体探测器芯片制备能力,在小像元尺寸的台面芯片制备方面也具有技术基础。在甚长波红外探测器方面,关键在于降低器件暗电流,红外探测器的暗电流与少子寿命密切相关。因此,提升超晶格材料的少子寿命是一个重要的研究课题。晶格匹配InAs/GaAsSb新型超晶格材料有助于降低材料的深能级缺陷,从而提升少子寿命。降低器件暗电流的另一途径是运用InAs、GaSb、AlSb等材料间多样的能带排列方式,灵活设计出先进的抑制暗电流器件结构。最近,国外报道了14 μm超晶格甚长波焦平面探测器,采用先进势垒设计结构,大大地抑制了器件的暗电流。在实现高温工作超晶格红外探测器的研究方面,主要集中在设计和制备各种具有暗电流抑制功能的异质势垒结构器件。国外研究机构采用nBn等异质势垒结构,很好地将超晶格中波红外探测器的工作温度提升至150 K以上。在国外,高温工作的超晶格中波红外焦平面已经显示出了替代传统InSb器件的趋势。实现双色或多色探测是超晶格发展的一个重要发展方向。超晶格主要采用改变材料周期厚度来调节响应波长,采用分子束外延技术,只要改变InAs、GaSb单层的生长时间(改变层厚)就可以获得不同响应波长的超晶格材料,因此非常容易在一次外延生长过程中集成两个甚至多个响应不同波长的探测器材料结构。近期研究结果也表明,超晶格是实现双色或多色探测的优先技术。在新型探测器方面,锑化物超晶格雪崩探测器(APD)近年来也备受关注。美国伊利诺斯大学研究发现,InAs/GaSb超晶格的空穴/电子碰撞电离系数比可以近似为零,研制的电子雪崩型器件的增益为300时,过剩噪声因子小于1.2。该团队与美国雷神公司合作研制的电子雪崩型超晶格APD,在增益为500时,过剩噪声因子仍旧保持在接近于1的水平,表现出了极低的雪崩噪声特性。结论这项研究简要介绍了锑化物超晶格红外探测技术的技术特点、发展历程及其发展趋势。自InAs/GaSb超晶格红外探测器的设想被提出后,30多年来,通过结构设计优化和制备技术提升,国内外研究结构先后获得了一系列的大面阵、高温工作、长波、多色红外探测器,超晶格红外焦平面也表现出了高均匀性、高稳定性、高制备可控性等优势,并且在红外遥感成像等航空航天领域得到应用。今后,超晶格红外焦平面将向着更高的像素密度、更大的规格、更高的工作温度、甚长波、双色(多色)、雪崩器件等方向发展。
  • 国内首个室温太赫兹自混频探测器问世
    记者日前从中科院苏州纳米所获悉,该所成功研制出在室温下工作的太赫兹自混频探测器,从而填补了该类探测器的国内空白。  据了解,作为人类尚未大规模使用的一段电磁频谱资源,太赫兹波有着极为丰富的电磁波与物质间的相互作用效应,不仅在基础研究领域,而且在安检成像、雷达、通信、天文、大气观测和生物医学等众多技术领域有着广阔的应用前景。目前,室温微型的固态太赫兹光源和检测器技术尚未成熟,众多太赫兹发射&mdash 探测应用还处于原理演示和研究阶段。室温、高速、高灵敏度的固态太赫兹探测器技术是太赫兹核心器件研究的重要方向之一。  自2009年起,苏州纳米所秦华、张宝顺、吴东岷课题组就致力于太赫兹波&mdash 低维等离子体波相互作用及其调控研究。该团队在2009年年底取得突破性进展,在GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管的基础上研制成室温工作的高灵敏度高速太赫兹探测器,首次实现了对1000GHz的太赫兹波的灵敏检测。  经过3年多的技术攻关,研究团队进一步突破了太赫兹天线、场效应混频和器件模型等关键技术,掌握了完整的场效应自混频太赫兹探测器技术。  目前,苏州纳米所研制的太赫兹探测器探测频率达到800~1100GHz,电流响应度大于70mA/W,电压响应度大于3.6kV/W,等效噪声功率小于40pW/Hz0.5,综合指标达到国际上商业化的肖特基二极管检测器指标,并成功演示了太赫兹扫描透视成像和对快速调制太赫兹波的检测。  据介绍,该项技术可进一步发展成大规模的太赫兹焦平面成像阵列和超高灵敏度的外差式太赫兹接收机技术,为发展我国的太赫兹成像、通信等应用技术提供核心器件与部件。
  • 科学家成功研制目前最薄X射线探测器
    澳大利亚科学家使用硫化锡(SnS)纳米片制造了迄今最薄的X射线探测器。新探测器厚度不到10纳米,具有灵敏度高、响应速度快的特点,有助于实现细胞生物学的实时成像。  SnS已经在光伏、场效应晶体管和催化等领域显示出巨大的应用前景。澳大利亚莫纳什大学、澳大利亚研究理事会(ARC)激子科学卓越中心的研究人员此次证明,SnS纳米片也是用作超薄软X射线探测器的极佳候选材料。这项发表在《先进功能材料》杂志上的研究表明,SnS纳米片具有很高的光子吸收系数,它比另一种新兴候选材料金属卤化物钙钛矿更灵敏,响应时间更短,只需几毫秒,并且可以调节整个软X射线区域的灵敏度。  X射线大致可分为两种:“硬”X射线可用以扫描身体观察是否存在骨折和其他疾病;“软”X射线具有较低的光子能量,可用于研究湿态蛋白质和活细胞,这是细胞生物学的关键组成部分。水窗是指软X射线的波长范围在2.34—4.4纳米之间的区域,在此范围内,水对软X射线是透明的,X射线会被氮原子和其他构成生物机体的元素吸收,因此,该波长可用于对活体生物样本进行X射线显微。  SnS X射线探测器厚度不到10纳米。相比之下,一张纸的厚度大约为10万纳米,人的指甲每秒大约长出1纳米。此前制造出的最薄X射线探测器厚度在20—50纳米之间。  研究人员称,未来这种X射线探测器或可用来观察细胞相互作用的过程,不仅能产生静态图像,还能看到蛋白质和细胞的变化和移动。  研究人员称,SnS纳米片的灵敏度和效率在很大程度上取决于它们的厚度和横向尺寸,而这些都不可能通过传统的制造方法来控制。使用基于液态金属的剥离方法,研究人员生产出高质量、大面积的厚度可控的薄片,这种薄片可以有效地探测水域中的软X射线光子,通过堆叠超薄层的过程,可进一步提高它们的灵敏度。与现有的直接软X射线探测器相比,它们在灵敏度和响应时间方面有了重大改进。  研究人员希望,该发现将为研制基于超薄材料的下一代高灵敏度X射线探测器开辟新途径。
  • 迄今最灵敏声波探测器问世 能检测量子水平声波
    据美国物理学家组织网2月7日报道,瑞典查尔姆斯理工大学的科学家开发出迄今世界上最灵敏的新式声波探测器,能检测到量子水平的声波。该研究有望带来一种将声子和电子结合在一起的量子电路,为量子物理开辟新的研究方向。相关论文发表在最近出版的《自然物理学》上。  这种“量子麦克”探测器是一种压电耦合单电子晶体管,这种晶体管中通过电流时,一次只过一个电子。研究小组模拟了卵石投入池塘形成的涟漪,并让这种声波在微晶片的表面而不是在空气中传播。这种声波波长仅3微米,但声波传过来时,探测器能迅速感知到。  他们还在芯片表面制作了一种3毫米长的回音腔,这样即使声音在晶体上传播的速度是其在空气中的10倍,探测器也能够极灵敏地追踪声波脉冲在回音腔壁之间来回反射,由此能清晰检出声波的性质。  研究人员指出,这种表面声波探测对波峰高度只有质子直径的百分之几的声波敏感,探测灵敏度在单个声子水平,频率为932兆赫兹。如此轻微的声音遵从量子力学法则而不是经典力学法则,其性质更像是光。  “该实验是用经典声波来做的,但我们把各项准备工作就绪,却发现研究的是标准的量子声波,此前还没有人做过这样的实验。”论文第一作者、博士生马丁古斯塔夫森说。  “量子麦克”探测器能检测的声波不仅极其轻微,其频率几乎达到了1千兆赫,比一组A音高21个八度。这种音调对人类听觉而言是太高了。研究人员还指出,他们的项目将表面声波的独特性和量子电路紧密结合在一起,为研究开辟了新方向,如声子—声子的相互作用、声波结合超导量子比特研究等。
  • 石墨烯太赫兹外差混频探测器研究获重大进展
    p  中国电子科技集团有限公司第十三研究所专用集成电路国家级重点实验室与中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、中国科学院纳米器件与应用重点实验室再次合作,在高灵敏度石墨烯场效应晶体管(G-FET)太赫兹自混频(Homodyne mixing)探测器的基础上,实现了外差混频(Heterodyne mixing)和分谐波混频(Sub-harmonic mixing)探测,最高探测频率达到650 GHz,利用自混频探测的响应度对外差混频和分谐波混频的效率进行了校准,该结果近期发表在碳材料杂志Carbon上(Carbon 121, 235-241 (2017))。/pp  频率介于红外和毫米波之间的太赫兹波(Terahertz wave)在成像、雷达和通信等技术领域具有广阔的应用前景,太赫兹波与物质的相互作用研究具有重要的科学意义。高灵敏度太赫兹波探测器是发展太赫兹应用技术的核心器件,是开展太赫兹科学研究的重要手段与主要内容之一。太赫兹波探测可分为直接探测和外差探测两种方式:直接探测仅获得太赫兹波的强度或功率信息 而外差探测可同时获得太赫兹波的幅度、相位和频率信息,是太赫兹雷达、通信和波谱成像应用必需的核心器件。外差探测器通过被测太赫兹信号与低噪声本地相干太赫兹信号的混频,将被测信号下转换为微波射频波段的中频信号后进行检测。与直接探测相比,外差探测通常具备更高的响应速度和灵敏度,但是探测器结构与电路更加复杂,对混频的机制、效率和材料提出了更高的要求。/pp  天线耦合的场效应晶体管支持在频率远高于其截止频率的太赫兹波段进行自混频探测和外差混频探测。前者是直接探测的一种有效方法,可形成规模化的阵列探测器,也是实现基于场效应晶体管的外差混频探测的基础。目前,国际上基于CMOS晶体管实现了本振频率为213 GHz的2次(426 GHz)和3次(639 GHz)分谐波混频探测,但其高阻特性限制了工作频率和中频带宽的提升。/pp  石墨烯场效应晶体管因其高电子迁移率、高可调谐的费米能、双极型载流子及其非线性输运等特性为实现高灵敏度的太赫兹波自混频和外差混频探测提供了新途径。前期,双方重点实验室秦华团队和冯志红团队合作成功获得了室温工作的低阻抗高灵敏度石墨烯太赫兹探测器,其工作频率(340 GHz)和灵敏度(~50 pW/Hz1/2)达到了同类探测器中的最高水平(Carbon 116, 760-765 (2017))。此次合作进一步使工作频率提高至650 GHz,并实现了外差混频探测。/pp  如图1所示,工作在650 GHz的G-FET太赫兹探测器通过集成超半球硅透镜,首先通过216、432和650 GHz的自混频探测,验证了探测器响应特性与设计预期一致,并对自混频探测的响应度和太赫兹波功率进行了测试定标。在此基础上,实现了本振为216 GHz和648 GHz的外差混频探测,实现了本振为216 GHz的2次分谐波(432 GHz)和3次分谐波(648 GHz)混频探测。混频损耗分别在38.4 dB和57.9 dB,对应的噪声等效功率分别为13 fW/Hz和2 pW/Hz。2次分谐波混频损耗比216 GHz外差混频损耗高约8 dB。/pp  此次获得混频频率已远高于国际上已报道的石墨烯外差探测的最高工作频率(~200 GHz),但中频信号带宽小于2 GHz,低于国际上报道最高中频带宽(15 GHz)。总体上,目前G-FET外差混频探测器性能尚不及肖特基二极管混频器。但是,无论在材料质量还是在器件设计与工艺技术上,都有很大的优化提升空间。根据Andersson等人预测,G-FET的混频转换效率可降低至23.5 dB,如何达到并超越肖特基二极管混频探测器的性能指标是未来需要重点攻关的关键问题。/pp  图3所示为基于432 GHz的直接探测以及二次谐波探测的透射成像图对比,分谐波探测时的透射成像显现出比直接探测更高的动态范围,可达40 dB。/pp  该研制工作得到了国家自然科学基金项目(No. 61271157, 61401456, 61401297等)、国家重点研发计划(2016YFF0100501, 2014CB339800)、中科院青促会(2017372)、中科院苏州纳米所纳米加工平台、测试分析平台和南京大学超导电子学研究所的大力支持。/pp style="text-align: center "img src="http://img1.17img.cn/17img/images/201706/insimg/c73fe96e-7527-4de4-8f95-ff4e6c2935aa.jpg" title="1.jpg"/ /pp style="text-align: center "图1:650 GHz天线耦合的G-FET太赫兹外差混频探测器br//pp style="text-align: center "img src="http://img1.17img.cn/17img/images/201706/insimg/70869861-507f-4a27-91dc-64a7cf6c6185.jpg" title="2.jpg"//pp style="text-align: center "图2:(a)准光耦合的外差混频探测系统示意图 (b)216 GHz外差混频探测的中频频谱br//pp style="text-align: center "img src="http://img1.17img.cn/17img/images/201706/insimg/15463ac0-04f0-4c63-9091-fee1013ca466.jpg" title="3.jpg"//pp style="text-align: center "图3:(a)分别采用432 GHz直接探测和本振为216 GHz的2次分谐波探测对树叶进行的透射成像效果对比 (b)采用本振为216 GHz的2次分谐波探测对柠檬片的透视成像。/p
  • 赛默飞发布新型UltraDry硅漂移(电制冷)探测器
    -- 为NORAN System 7微区分析系统提供最优的探测器尺寸、分析速度和分辨率中国上海,2012年8月10日 &mdash &mdash 7月30日,科学服务领域的世界领导者赛默飞世尔科技(以下简称:赛默飞)在2012显微镜学和微区分析大会上发布新型赛默飞UltraDry硅漂移(电制冷)X射线探测器。该探测器为同类最优,为金属和矿物、先进材料和半导体等行业应用提供更快速、准确的(微区)X射线分析。它进一步提升了广受赞誉的赛默飞NORAN System 7 X射线微区分析系统的性能。赛默飞副总裁兼分子光谱和微区分析产品总经理John Sos指出:&ldquo 我们的UltraDry硅漂移(电制冷)探测器在超高的采集速率下具有优异的分辨率,这在当今的纳米技术和先进材料应用分析中是至关重要的!我们对该探测器的卓越改进使我们NORAN System 7系统整体能以最快的速度获得最多的数据。加之使用我们独有的高级数据处理工具 &mdash &mdash COMPASS软件和直接倒相软件,用户可以满怀信心地将其EDS分析结果提升至全新的水平。&rdquo UltraDry硅漂移(电制冷)探测器性能的提升是其设计和技术工艺改进的直接成果。该探测器提升了能量分辨率的界限,在Mn-K&alpha 的能谱谱峰分辨率高达123eV。采用尺寸较小先进的场效应晶体管(FET)与晶体一体化的卓越设计在最大程度上减小了导致电噪声的分布电容。UltraDry探测器能够高效地操控脉冲堆积处理,使其在高速处理中具有最佳的分辨率和最小的死时间比率。无需外部附属设备或液氮制冷。新型的UltraDry探测器提供宽范围的晶体有效面积选择(10mm2,30mm2,60mm2 和100mm2),并具有先进的窗口工艺技术和独一无二的可分析至元素铍的轻元素完整的分析算法。其他关键特征包括:&bull 旨在使样品至探测器距离最小化和探测器立体角最大化的用户定制设计&bull 独有的旨在创造最大工作距离范围的垂直开槽的准直器&bull 操作环境温度至35° CNORAN System 7是非常适用于金属和采矿、先进材料、学术研究、半导体和微电子、失效分析、缺陷审查等材料电子显微微区应用分析的卓越平台!欲了解更多有关NORAN System 7和UltraDry(电制冷)探测器的信息,请访问网站www.thermoscientific.com。关于赛默飞世尔科技赛默飞世尔科技(纽约证交所代码: TMO)是科学服务领域的世界领导者。我们的使命是帮助客户使世界更健康、更清洁、更安全。公司年销售额120亿美元,员工约39,000人。主要客户类型包括:医药和生物技术公司、医院和临床诊断实验室、大学、科研院所和政府机构,以及环境与过程控制行业。借助于Thermo Scientific、Fisher Scientific和Unity&trade Lab Services三个首要品牌,我们将创新技术、便捷采购方案和实验室运营管理的整体解决方案相结合,为客户、股东和员工创造价值。我们的产品和服务帮助客户解决在分析领域所遇到的复杂问题与挑战,促进医疗诊断发展、提高实验室生产力。欲了解更多信息,请浏览公司网站:www.thermofisher.com关于赛默飞中国赛默飞世尔科技进入中国发展已有30年,在中国的总部设于上海,并在北京、广州、香港、成都、沈阳等地设立了分公司,目前已有超过1900名员工、6家生产工厂、5个应用开发中心、2个客户体验中心以及1个技术中心,成为中国分析科学领域最大的外资企业。赛默飞的产品主要包括分析仪器、实验室设备、试剂、耗材和软件等,提供实验室综合解决方案,为各行各业的客户服务。为了满足中国市场的需求,目前国内已有6家工厂运营,苏州在建的大规模工厂2012年也将投产。赛默飞在北京和上海共设立了5个应用开发中心,将世界级的前沿技术和产品带给国内客户,并提供应用开发与培训等多项服务;位于上海的中国技术中心结合国内市场的需求和国外先进技术,研发适合中国的技术和产品;遍布全国的维修服务网点和特别成立的维修服务中心,旨在提高售后服务的质量和效率。我们致力于帮助客户使世界更健康、更清洁、更安全。欲了解更多信息,请登录www.thermofisher.cn
  • 科尔康便携式气体检测仪Gas-Pro再次入选火山环境考察探险队专用探测器
    对于“全球变暖”这个词,我们都不陌生,经常可以看到关于它对地球的潜在影响的统计数据。其中一个预测是:到本世纪末,全球气温将上升0.8至4摄氏度。许多人可能不知道,火山爆发这一完全自然的现象,会向我们的大气排放大量气体。而这些气体目前尚未被纳入世界气候模型,这意味着可能存在很大的误差。然而,这种情况即将发生改变。灵感四射的法国火山学家Yves Moussallam在Rolex和2019年Rolex企业奖的支持下,肩负起研究火山及其对地球的影响的使命。他冒险进入这些极具危险的环境中进行测量,为科学家和气候学家提供了用以改进预测模型的数据。通过观察火山并收集这些重要数据,他正在推动世界了解火山对气候变化的影响。Yves对火山探险并不陌生。2015年,他曾带领一个小团队来到南美洲的纳斯卡俯冲带。此次探险的任务是对几种挥发性气体的流量进行精确的大规模估算。 极端的工作条件意味着气体探测器是这支科考队所需装备的重要部分。为了保证团队的安全,Yves选择采用科尔康(Crowcon)检测设备,并对科尔康便携式气体检测仪Gasman和Gas-Pro的小巧、自清洁和安全功能感到满意。科尔康Gas-Pro便携式气体探测器(此次选用的是扩散式)用于监测CO2、H2S、CO、SO2等气体的危险等级,并向小组成员发送警报。同时,探测器还可以监测气体平均暴露等级,以保障长期暴露在低等级危险气体中的小组成员安全。Gas-Pro探测器的数据记录存储功能也为科考队提供了额外的信息。 现在,Yves带着一支新探险队再次归来,并再次选择了科尔康。这一次,Yves将前往意大利的美拉尼西亚地区。跟踪火山活动的卫星显示该地区的火山气体排放量约占全球的三分之一。他的探险队将攀登这些火山,并直接在火山烟流中进行测量。测量火山气体的方法主要有两种。第一种方法是通过卫星从太空拍摄图像。第二种是直接进入现场,测量由爆发源释放的气体。专家们认为,直接在现场工作的方法是最准确的,因为它的位置离爆发源更近,出错的风险更低。要进行这些测量,需要使用具备经过试验、测试的可靠设备。鉴于科尔康一贯的可靠性,Yves再次将目光投向了科尔康复合式气体检测仪Gas-Pro。科尔康的Gas-Pro具备机载数据记录功能,提供一个额外数据行以及平均曝光量,这对于时间跨度较长的探险非常重要。该设备重量很轻,对于需要携带笨重装备的团队来说大有帮助。科尔康的每名成员都希望Yves在安全的情况下成功探险,我们也希望他能够为我们带来新的数据,帮助我们了解火山对全球的影响。关于科尔康:英国科尔康检测仪器有限公司是安全和环境监测产品领域的领导者,专门从事开发、制造和销售创新、可靠并具有成本效益的易燃和有毒气体检测仪器。公司成立于1970年,总部位于英国牛津的阿宾登,并在荷兰、美国、新加坡、印度、中东和中国设有分公司。科尔康的产品远销世界各地,服务于石油、天然气、石化、公用市政、水清洁与污水处理、消防、建筑等其他因气体或蒸汽意外泄漏有可能产生爆炸或威胁毒气的行业。请访问科尔康中文官网www.crowcon.com.cn,了解更多资料。 市场合作请联系:Ms. Kate Li电话:010-67870335-104邮箱:kate.li@crowcon.com官网:www.crowcon.com.cn / www.crowcon.com
  • Timepix3 |易于集成的多功能直接探测电子探测器
    混合像素探测器技术最初是为了满足欧洲核子中心-CERN大型强子对撞机LHC的粒子跟踪需求而开发的。来自欧洲核子中心-CERN 和一些外部合作小组的研究人员看到了将混合像素探测器技术转移到高能物理领域以外的应用的机会。于是Medipix1 Collaboration 诞生了。Medipix系列是由Medipix Collaborations 开发的一系列用于粒子成像和检测的像素探测器读出芯片。Timepix系列是从 Medipix系列开发演变而来的。其中Timepix芯片更针对于单个粒子的探测以获得时间、轨迹、能量等信息。 目前基于Timepix和Timepix3的探测器,由于其单电子灵敏、高动态范围及独特的事件驱动模式被广泛地应用于电子背散射(EBSD),4维电子显微(4D SEM)等领域。捷克Advacam公司是一家涵盖传感器制造、微电子封装、混合像素探测器(Timepix,Medipix)及解决方案的全产业链公司,致力于为工业和学术需求开发成像解决方案。ADVAPIX TPX3F与 MINIPIX TPX3F系列是基于Timepix3芯片的多功能探测器,其探测器与读出采用软排线连接,整个设计非常小巧,性价比高,非常适用于电子显微镜厂家将其二次开发并集成到现有系统中,以提升系统性能。▲ MINIPIX TPX3F探测器实物展示▲ ADVAPIX TPX3F探测器实物展示▲ 使用MINIPIX TPX3F探测器鉴别电子、质子,Alpha粒子及μ介子ADVAPIX TPX3F与MINIPIX TPX3F主要规格参数MINIPIX TPX3FADVAPIX TPX3F芯片类型Timepix3像素尺寸55 x 55 μm分辨率256 x 256 pixels传感器100µm,300µm,500µm硅,1mm CdTe 暗噪声无暗噪声接口高速USB 2.0超高速USB 3.0事件驱动模式最大读出速度*2.35 x 10^6 hits/s40 x 10^6 hits / s帧模式速率16fps30fps事件时间分辨能力1.6ns1.6ns*受限于Flex软排线实际长度测量模式类型模式范围描述帧读出模式(曝光后读出所有像素信息)Event+iToT10 bit + 14 bit每次曝光输出两帧数据:1. Events:每个像素中的事件数量2. iToT:每个像素中所有事件的过阈总时间iToT14 bit输出一帧:每个像素中所有事件的过阈总时间ToA18 bit输出一帧:ToA+FToA3 =第一个到达像素事件的到达时间像素/事件驱动模式(在曝光过程中,连续读出被击中像素信息)ToT+ToA10 bit + 18 bit每个像素的每个事件可同时获得: Position, ToT, ToA and FToAToA18 bit每个像素的每个事件可同时获得: Position, ToA and FToA.Only ToT10 bit每个像素的每个事件可同时获得: Position and ToTADVAPIX TPX3F与MINIPIX TPX3F像素/事件驱动模式最大读出速率测试:主要特点单电子灵敏零噪声耐辐射高动态范围无读出死时间主要应用(4D)STEM in SEM/TEMµED(microelectron diffraction)EBSDEELSPtychography应用案例ThermoScientific' s™ Helios™ 5 UX DualBeam采用了Advacam的探测技术新一代 Thermo Scientific Helios 5 DualBeam 具有 Helios DualBeam 产品系列领先业界的高性能成像和分析性能。经过精心设计,它可满足材料科学研究人员和工程师对各种聚焦离子束扫描电子显微镜 (FIB-SEM) 的需求—即使是最具挑战性的样品。 Helios 5 DualBeam 重新定义了高分辨率成像的标准:高材料对比度、快速、简单和精确的高质量样品制备(用于 S/TEM 成像和原子探针断层扫描 (APT))以及高质量的亚表面和3D 表征。新一代 Helios 5 DualBeam 在 Helios DualBeam 系列成熟功能的基础上改进优化,旨在确保系统于手动或自动工作流程下的最佳运行状态。参考发表文章Jannis, Daen, et al. "Event driven 4D STEM acquisition with a Timepix3 detector: microsecond dwell time and faster scans for high precision and low dose applications." Ultramicroscopy 233 (2022): 113423.Foden, Alex, Alessandro Previero, and Thomas Benjamin Britton. "Advances in electron backscatter diffraction." arXiv preprint arXiv:1908.04860 (2019).Gohl, S., and F. Němec. "A New Method for Separation of Electrons and Protons in a Space Radiation Field Developed for a Timepix3 Based Radiation Monitor."Mingard, K. P., et al. "Practical application of direct electron detectors to EBSD mapping in 2D and 3D." Ultramicroscopy 184 (2018): 242-251.ADVACAMAdvacam S.R.O.源自捷克技术大学实验及应用物理研究所,致力在多学科交叉业务领域提供硅传感器制造、微电子封装、辐射成像相机和X射线成像解决方案。Advacam最核心的技术特点是其X射线探测器(应用Timepix芯片)、没有拼接缝隙(No Gap),因此在无损检测、生物医学、地质采矿、艺术及中子成像方面有极其突出的表现。Advacam同NASA(美国航空航天局)及ESA(欧洲航空航天局)保持很好的项目合作关系, 其产品及方案也应用于航空航天领域。北京众星联恒科技有限公司作为捷克Advacam公司在中国区的总代理,也在积极探索和推广光子计数X射线探测技术在中国市场的应用,目前已有众多客户将Minipix、Advapix和Widepix成功应用于空间辐射探测、X射线小角散射、X射线光谱学、X射线应力分析和X射线能谱成像等领域。同时我们也在国内有数台Minipix样机,Widepix 1*5 CdTe的样机可免费借用,我们也非常期待对我们探测器感兴趣或基于探测器应用有新的idea的老师联系我们,我们可以一起尝试做更多的事情。
  • 西班牙同步辐射光源的新 MYTHEN2 探测器
    在2021年的夏天,我们客户支持团队访问了西班牙同步辐射光源(ALBA)的材料科学和粉末衍射(MSPD) 实验线站,并对其新购入的MYTHEN2 X 8K探测器进行了验收检测。这样该线站的旧探测器就可以正式退役,新的探测器将踏上新的征程。新的MYTHEN2 X 8K 能够在2θ内覆盖了60°的角度范围,可提供高达1000赫兹的速度,并维持动态范围在24比特。我们采访了MSPD线站的负责科学家Francois Fauth博士,来听听看他对新探测器的想法,尤其是应用在粉末X射线衍射(PXRD)和对分布函数(PDF)中。 在MSPD线站上的MYTHEN2 X 8K 配置:八个模块和两个DCS4,用于高角度覆盖和速度。图片由ALBA同步辐射光源提供DECTRIS:与旧的 MYTHEN 探测器说告别,会不会很不舍? MSPD 线站负责科学家 Francois Fauth 博士:通常来说,评价一个线站是否成功有很多方法:比如说借助该线站发表的论文数量或者再次前来实验室做实验的用户数量。MSPD线站同时在这两方面取得了成功,这让我们感到自豪与高兴。 当然,退役的MYTHEN探测器是成功的关键一环:该探测器与我们一起工作了近十年,在这十年里,我们线站85%的标准粉末衍射实验都是使用这个探测器进行的。这台探测器让我们可以进行原位、操作中, 标准PXRD探测以及PDF研究。我们现在把退役的探测器系统安装在另一个新的实验线站里,并用于补充其X射线吸收数据的收集。 DECTRIS:旧的MYTHEN检测器仍在良好运行。是什么让你想到购买新的探测器? Francois Fauth 博士:有两个原因。实际的原因是,退役的MYTHEN依赖于一个探测器控制系统(DCS)。该系统是由Paul Scherrer研究所研发的,但是这个DCS已不再支持售后。另一个原因是科学上的:我们的线站在5-40KeV的范围内运行,我们希望有一个新的探测器来将我们推向更高X射线能量下的实验。当然,对于PDF来说,我们在采集速度上无法与使用二维探测器的高能线站竞争,比如ESRF的ID22。 与旧的MYTHEN相比,新的MYTHEN有更多的模块,传感器的厚度为1毫米,这意味着更高的角度覆盖和更高的量子效率。对于PDF,旧的设置通常需要四次45分钟的采集。新系统更大,效率更高,所以也可以探索一些现场的PDF测量。 DECTRIS:改用新的探测器,对操作层面的用户会有什么影响? Francois Fauth 博士:我们的大多数用户来自学术界,他们通常不需要DECTRIS探测器系统所提供的非常快的时间分辨率能力。他们中的大多数人对电池和能源相关的材料感兴趣,他们经常进行操作性研究,或研究晶体结构随温度变化的情况。 对于高级用户来说,更换探测器应该不成问题,因为许多程序将保持不变。事实上,我们已经开始和我们的用户一起收集PXRD和PDF数据了! 我们也有工业用户,线站科学家通常协助他们进行检测。 DECTRIS:你可以用MYTHEN2来根据自己的需求设计多模块系统. 这是如何做到的? Francois Fauth 博士:是的,使用单个模块,我们可以自由选择曲率半径和模块在支架上的排列。但是,还有另一个灵活性的问题。通常情况下,当你购买一个探测器时,没有改变或升级的可能,但对于MYTHEN2,几乎在任何时候都有可能增加或重新安排模块。 关于 Francois Fauth 博士Francois Fauth是瑞士人,在苏黎世联邦理工学院研读物理学,然后在保罗-舍勒研究所凭借中子散射技术完成博士学位。他的科学生涯完全是在大型实验设施中度过的:特别是ILL、PSI、ESRF和ALBA,在那里他承担了衍射或散射仪器的线站科学家职责务。 他于1999年加入了瑞士光源,迈出了进入同步辐射光源的第一步,在那里他参与了MS粉末衍射站的设计,该站集成了第一个MYTHEN探测器。自2011年以来,Francois Fauth一直负责MSPD光束线;他还负责ALBA的化学和材料科学部分,其中包括衍射、散射和硬X射线吸收光束线和技术。 About ALBAALBA是位于西班牙的第三代同步辐射源。它由Consortium for the Construction, Equipping, and Exploitation of the Synchrotron Light Source (CELLS) 管理,并由西班牙政府和加泰罗尼亚自治区政府资助。 ALBA目前有10条最先进的实验线站正在运营,包括软X射线和硬X射线,主要用于生物科学、凝聚态物质(磁性和电子特性、纳米科学)和材料科学。此外,还有三条光束线站正在建设中(用于大分子晶体学的微焦点、快速X射线断层扫描和放射学以及光学特性分析)。ALBA现在正在升级,以转变为第四代同步辐射光源,即ALBA II。
  • 借一双“慧眼”,将黑洞看得真切
    黑洞,这个词对于大部分人来讲并不陌生。许多以时空、宇宙为题材的电影作品,都出现过它的名号。30名研究人员耗时一年,用数千台计算机联网进行精确模拟,终于在《星际穿越》中大胆勾勒了黑洞的样子图源:sina.com 虽然是荧幕中的常客,事实上,我们对黑洞还知之甚微。它难以言喻的神秘、强大而诡异的美感,不光只是艺术创作的灵感源泉,更是人类智慧进步的驱动力。一点一点掀开它的面纱,或许会使我们对宇宙、生命产生完全不同的认知。 引力的神秘孩子:黑洞和中子星 一颗苹果的落地为人类带来了“引力”的概念,而也正是它,在极端宇宙中孕育了各种神奇的天体。 当一颗大质量恒星以绚烂的超新星爆炸结束自己的生命后,残留质量如超过了太阳的1.4倍,就难以抵抗自身引力的拉扯,坍缩成了体积小、质量大、密度高的中子星。如果超过了太阳的3-4倍呢?那就厉害了!引力将狂暴地席卷一切,彻底坍缩为“黑洞”。中子星和黑洞。一颗中子星可能只有一个小城市那么大(典型直径20km),但质量却可能是地球的几十万倍以上。图源:《活捉黑洞:中国慧眼看到极端宇宙》 1783年,英国剑桥大学的学监约翰米歇尔开了个清奇的脑洞,利牛顿公式他计算了逃离地球和太阳引力的速度,并推论如果一个质量足够大且足够紧致的恒星,其强大的引力场会使星体上的光都无法逃脱,也无法观测。十余年后,法国数学家拉普拉斯也得出了类似的推论,并将其命名为“暗星”(Black Star)。这就是200多年前,我们对“黑洞”最初的认识。 这个概念直到爱因斯坦发表广义相对论,有了引力对光的协调影响的理论,才开始被世界接受。从此,它在科学家们的演算纸中,以数学模型的形式成长了起来,逐渐具有了更丰富的物理内涵。 上世纪60年代脉冲星(以均匀时间间隔辐射脉冲的中子星)的发现,证实了中子星的存在。原来一颗恒星真的可以坍缩至如此小!那拥有更大质量的恒星更剧烈的坍缩也不是不可能的了。这也大为振奋了深信“黑洞”(Black Hole,脉冲星发现后不久,就被一位美国科学家正式命名了)存在的科学家们。 第一颗脉冲星的发现者乔斯林贝尔脉冲星的发现被誉为20世纪60年代天文学“四大发现”之一图源:iflscience.com被称为“宇宙灯塔”的脉冲星示意图图源:ech.qq.com 很快,世界第一颗X射线天文卫星乌呼鲁(Uhuru,原意是“自由”)在1971年为人类带来了“黑洞”存在的证据。它捕捉到的一个强X射线源,是一个不可见的、质量是太阳约10倍的致密天体——天鹅座X-1。如此庞大的质量,让科学家们认定它为黑洞无疑。 世界第一颗X射线天文卫星“乌呼鲁(Uhuru)”图源:baike.baidu.com 经过几百年的努力,我们已经将极端宇宙大门推开了一丝缝隙,感受到了门后世界的浩大和无尽神奇。理解“黑洞”,可能将左右人类对宇宙未来的认识和预测;而中子星作为天然的高能加速器,也可帮助我们进行无法在地球上的加速器开展的研究。不过,所有对于它们这样那样的推论和猜想,都需要用“看”到的实际证据来验证。 迢迢黑洞,一“线”牵 黑洞在宇宙中设下了“引力陷阱”,连光都会闷不吭声地掉进去,这样决心低调到骨子里的天体,叫人怎么能“看”清楚呢? 引导我们走近它的关键,就是X射线。 用一个比较简单易懂的说法:长期在宇宙中“岁月静好”的黑洞却有一个天生的习惯,那就“贪吃”。当它旁边有物质存在时,霸道的引力会将这些物质统统“吃掉”。大快朵颐期间,由于它“嚼”得实在是太激烈了(毕竟引力技能满点!),带电粒子会在这样的高温、高密度、强磁场、强引力场等极端物理条件下产生高能辐射,这个时候黑洞就“亮”了! 不过发出的光并不是可见的光,而是比其高能成千上万倍的X射线,甚至是γ射线。一般意义上,辐射出的X射线能量越高就意味着越靠近黑洞。贪吃的黑洞图源:《活捉黑洞:中国慧眼看到极端宇宙》 不同物理条件的天体,发出的电磁辐射的性质不尽相同。正因如此,通过研究宇宙X射线可帮助我们反推黑洞的物理状态。鉴于地球大气会将这些高能X射线吸收,所以卫星成为了最重要的观测工具。 1962年,美籍意大利裔天文学家里卡尔多贾科尼利用探空火箭,意外发现了除太阳以外的第一个宇宙X射线源——天蝎座X-1,从此开启了X射线天文学。在“乌呼鲁”正式树立起里程碑后,从20世纪七十年代始,包括英国、美国、荷兰、日本等多个国家,都相继发射了一系列的X射线天文卫星,迈向了深空。 第一个探测宇宙X射线的实验Giacconi et al., Phys. Rev. Lett., 9, 439 (1962)图源:ihep.cas.cn 《仰望星空—探索黑洞的历程》 而之前被送往宇宙的诸多卫星,大多都“专情”于波长较长、能量相对较低(0.1 keV-10keV)的软X射线波段。虽拥有很高的灵敏度,却容易饱和,较擅长观测“安静”的黑洞。而那些迸射出波长较短、能量相对较高(10 keV -1000 keV)硬X射线的“暴躁”黑洞,容易被它们所错过。 和软X射线观测相比,硬X射线观测可以摆脱热辐射的影响;和γ射线观测相比,由于光子的流强足够高,更易于被观测,可用于黑洞附近区域的物理性质及变化的详细研究,这也让其也成为了X射线天文观测发展的一个重要方向。而最新的一颗同时拥有高灵敏度和分辨率的硬X射线望远镜卫星HXMT,就是在中国诞生的。 (本图为仅为示意) 终得“慧眼”,开启一场伟大的宇宙探索 20世纪80年代,李惕碚、顾逸东、吴枚等第一批推动我国空间天文和其他空间科学探测的科学家出现了。通过不懈努力,并在著名核物理学家何泽慧先生的大力支持下,中国第一个用于空间高能天文观测的硬X射线望远镜,由高空气球“HAPI-1”送入了33千米的高空,飞行了8小时,实现了平流层高度上的天体X射线观测。 何泽慧先生在香河气球发放场图源:ihep.ac.cn 不过X射线,特别是硬X射线,波长极短、能量极高,如是普通的光学天文望远镜,射线会直接撞击或者穿透镜面,无法发生反射和折射,进而无法成像。虽然编码孔径成像技术和掠射式镜面技术解决了这个问题,但运用这两种方法制造的望远镜都十分复杂和昂贵,对于当时中国的工业和科技水平来讲都非常困难。 困局在1992年被打破了。李惕碚院士和吴枚研究员创新性的提出了直接调制成像方法,这种新的算法即使无法实现聚焦,仍可有效地将调制后的信号还原成图像。结合扫描探测技术,基于直接解调制成像法的硬X射线调制望远镜(Hard X-ray Modulation Telescope,HXMT)的建议于1993正式提出。但由于太过“神奇”,经过了长达18年艰辛的理论、实验和数据分析工作,终于于2011年迎来了立项。遗憾的是,同年何泽慧先生与世长辞,为纪念先生,HXMT升空后被赋予了另一个名字——“慧眼”。左:球载硬X射线望远镜HAPI-4,对直接调制成像方法进行了验证右:1994年9月HXMT的项目建议书 HXMT卫星首席科学家张双南研究员曾介绍到,十八年间,科学前沿以及X射线探测技术都有了较大的变化。所以,对这颗卫星的研究目标和手段也进行了调整,能区范围已经扩大到了1~250keV。不同能段的观测任务被分别分配到了高、中、低能望远上,其中最为受到关注的,则是高能望远镜上的18个主探测器。 “慧眼”的18个主要探测器 这18个主探测器每个直径19cm,总面积高达5000cm2,是目前世界上面积最大的空间X射线探测器阵列。它担任着高能能区,也就是硬X射线波段的探测任务,为我们捕捉光子的能量和时间等信息。之所以它可以敏锐的“看到”硬X射线,其核心部件——碘化钠和碘化铯的复合晶体可谓是功不可没。 碘化钠和碘化铯是两种对X射线非常敏感的晶体,它可以将“高深”的X射线“语言”转化为探测器可以读懂的“语言”(荧光信号)。然而,想将这样大面积且将多种厚度不同的晶体光导材料进行高质量的耦合,并实现在良好的抗震性能和密封性的基础上,达到世界一流的分辨率,是十分困难的。可以说,探测器是否优越和稳定,最终取决于封装工艺。 满足机械抗震指标是基础,实现高分辨率是核心,这需要拥有雄厚的技术功底。虽面临着国外技术和产品的“封杀”。但最终在负责HXMT高能望远镜的中科院高能物理研究所研制团队和北京滨松光子技术股份有限公司的共同努力下,经历了一系列艰辛的过程后(29轮试制,制作了30多个样品),终于解决了同时满足整体性能及抗震指标的大面积复合晶体封装问题,达到了国际同类产品先进水平。滨松5英寸光电倍增管HXMT高能望远镜的主探测器(右下:复合晶体)。探测器读出端采用的是滨松公司的5英寸端窗式光电倍增管,除了良好的工作稳定性,抗震性能也是核心指标。为了保证产品整体性能达标,滨松公司也专门成立了抗震性能研发小组,在有限时间内,保质保量完成了供货,并额外提供了样品,保障了项目的顺利进行。同时滨松公司生产的硅光电倍增管(MPPC)也被使用在了慧眼卫星的轨标定探测器中。这是硅光电倍增管在世界范围内首次被用于卫星项目中,也验证了其在空间使用的可靠性。滨松MPPC产品(部分)当然,历经艰难的不止只有高能团队,中能、低能望远镜及地面等团队都经受了巨大的考验,每一步的进展都伴随着起起伏伏,一条长征路走得艰辛,却也是单单一个“艰辛”所无法去涵盖和形容的。终于,伴随着HXMT的正式诞生,几代中国空间天文学研究者的梦想开出了珍贵的花朵。硬X射线调制望远镜(Hard X-ray Modulation Telescope,HXMT)——“慧眼” 2017年6月15日,HXMT卫星在酒泉火箭发射中心顺利升空,在轨测试期间,通过多天区的扫描成像观测和特定天区的定点观测,以及伽马射线暴监测等测试,各项功能和性能都得到了验证,并取得了银道面扫描监测、黑洞及中子星双星观测、伽马射线暴、引力波电磁对应体探测、太阳耀发、特殊空间环境事件等初步科学成果。 其中,最为引人注目的,则是2017年8月对引力波GW170817事件电磁对应体的成功监测,这也让人类在引力波观测中终于变得“耳聪目明”,慧眼卫星对其高能段的辐射给出了严格的限制,为全面理解该引力波事件和引力波闪的物理机制做出了重要贡献。慧眼卫星团队反应迅速,在全球70多个团队中,中国慧眼望远镜是第七个报告成果的,在本次引力波事件最重要的发现论文的正文部分有‘慧眼’的观测结果。此外,“慧眼”的详细分析结果以独立论文的形式于2017年10月16日同步发表在《中国科学:物理学力学天文学》杂志英文版的网页版。 HXMT卫星成为了中国空间X射线天文的开端,实现了宽波段、高灵敏度、高空间分辨率X射线巡天、定点和小天区观测,在世界现有X射线天文卫星中,具有先进的暗弱变源巡天能力、独特的多波段快速光变观测能力等优势,也将中国正式推上了世界空间天文的大舞台。2018年1月30日,HXMT卫星正式完成了在轨交付,如今它也正翱翔于宇宙,以一双“慧眼”,以期为人类探寻黑洞,以及更多的深空奥秘做出贡献。载梦翱翔于宇宙的“慧眼”卫星 参考文献:硬X射线调制望远镜卫星:巡天监测,刷新人类认知极限,倪伟波,《科学新闻》空间科学先导专项特刊;仰望星空——探索黑洞的历程,李惕碚,中国科学院高能物理研究所官网;透视宇宙的眼睛——“硬X射线调制望远镜”,卢方军,中国科学院高能物理研究所,《国际太空》2009年第12期;“黑洞,我来啦!”:“慧眼”空间X射线天文卫星自述,熊少林,中国科学院高能物理研究所,科学大院公众号荔枝网转载;“慧眼”硬X射线调制望远镜到底能做什么?,杭添仁,知乎;【人民日报海外版】人类首次“看到”引力波事件 中国“慧眼”做出重要贡献,吴月辉,中国科学院高能物理研究所;《中国科学报》 (2017-11-06 第5版 创新周刊) 探测引力波事件的“中国身影”,高雅丽。
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