半导体电学特性分析测试系统

半导体晶圆拉曼光谱测试系统R1——应力、组分、载流子浓度 面向半导体晶圆检测的拉曼光谱测试系统主要功能：&bull 光穿过介质时被原子和分子散射的光发生频率变化，该现象称为拉曼散射。&bull 拉曼光谱的强度、频移、线宽、特征峰数目以及退偏度与分子的振动能态、转动能态、对称性等紧密相关&bull 广泛地应用于半导体材料的质量监控、失效分析。仪器架构：性能参数： 拉曼激发和收集模块激光波长532 nm激光功率100 mW自动对焦&bull 在全扫描范围自动聚焦和实时表面跟踪&bull 对焦精度0.2微米显微镜&bull 用于样品定位和成像&bull 100x，半复消色差物镜&bull 空间分辨率2微米拉曼频移范围80-9000 cm-1样品移动和扫描平台平移台&bull 扫描范围大于300x300mm。&bull 最小分辨率1微米。样品台&bull 8寸吸气台（12寸可定制）&bull 可兼容2、4、6、8寸晶圆片光谱仪和探测器光谱仪&bull 320 mm焦长单色仪，接面阵探测器。&bull 分辨率2.0 cm-1。软件控制软件&bull 可选择区域或指定点位自动进行逐点光谱采集Mapping数据分析软件&bull 可对光谱峰位、峰高和半高宽等进行拟合。&bull 可自动拟合并计算应力、晶化率、载流子浓度等信息，样品数据库可定制。&bull 将拟合结果以二维图像方式显示。 晶圆Mapping软件界面数据分析软件界面应力检测—GaN晶圆片利用拉曼光谱568 cm-1位置的特征峰位移动，可以检测GaN晶圆表面应力分布。类似方法还可应用于表征Si/SiC/GaAs等多种半导体。载流子浓度检测——SiC晶圆片组分检测——结晶硅薄膜晶化率测试结晶率指晶态硅与晶界占非晶态、晶态、晶界总和的质量百分比或体积百分比，是评价结晶硅薄膜晶化效果的一项重要指标。晶化率𝛸 𝛸 𝑐 𝑐 可通过拟合拉曼光谱分峰后定量计算。多层复杂晶圆质量检测——AlGaN/GaNHEMT&bull 氮化镓高电子迁移率晶体管则凭借其良好的高频特性在移动电话、卫星电视和雷达中应用广泛。&bull 晶圆片包含Si/AlGaN/GaN多层薄膜结构。&bull 拉曼光谱可给出多层结构的指纹峰，并对其应力、组分、载流子浓度等进行分析。AlGaN/GaN晶圆，直径6英寸面向半导体晶圆检测的拉曼光谱测试系统仪器订购样品委托测试

SPM600 系列半导体参数分析仪是一款专用于半导体材料光电测试的系统。其功能全面，提供多种重要参数测试。系统集成高精度光谱扫描，光电流扫描以及光响应速率测试。40μm 探测光斑，实现百微米级探测器的绝对光谱响应度测量。超高稳定性光源支持长时间的连续测试，丰富的光源选择以及多层光学光路设计可扩展多路光源，例如超连续白光激光器，皮秒脉冲激光器，半导体激光器，卤素灯，氙灯等，满足不同探测器测试功能的要求。是半导体微纳器件研究的优选。功能：■ 光谱响应度■ 单色光/变功率IV；■ 不同辐照度IT曲线（分辨率200ms）■ 不同偏压下的IT曲线■ LBIC，Mapping■ 线性度测试■ 响应速率测试■ 瞬态光电压（载流 子迁移率）■ 瞬态光电流（载流子扩散长度）光源选项卓立汉光根据样品光谱相应范围选择适合的光源，如EQ 光源，氙灯光源，氙灯溴钨灯复合光源。EQ光源特点：■ 光谱范围宽：190-1700nm宽光谱范围；■ 光源本身发光点小，百微米级别；■ 紫外波段亮度高；■ 寿命长，理论寿命可达9000h；■ 体积小，重量轻；散热好；氙灯光源特点：■ 光谱范围宽：250-1700nm宽光谱范围；■ 光源本身发光点较小，mm级别；■ 总功率大，亮度高；适合紫外-可见-近红外光谱测试；■ 灯泡更换简单，成本低；氙灯卤素灯双光源特点：■ 光谱范围：250-2500nm■ 适合紫外、可见、近红外，且可见、近红外波段光谱平滑■ 灯泡更换简单，成本低。数采选项测试案例

SPM300系列半导体参数测试仪设备概览基于拉曼光谱法的半导体参数测试仪，具有非接触、无损检测、特异性高的优点。可以对半导体材料进行微区分析，空间分辨率＜ 800nm （典型值），也可以对样品进行扫描从而对整个面进行均匀性分析。设备具有智能化的软件，可对数据进行拟合计算，直接将载流子浓度、晶化率、应力大小或者分布等结果直观的展现给用户。系统稳定，重复性好，可用于实验室检验或者产线监测。① 光路接口盒：内置常用激光器及激光片组，拓展激光器包含自由光及单模光纤输入；② 光路转向控制：光路转向控制可向下或向左，与原子力、低温、探针台等设备连用，可升级振镜选项③ 明视场相机：明视场相机代替目镜④ 显微镜：正置科研级金相显微镜，标配落射式明暗场照明，其它照明方式可升级⑤ 电动位移台：75mm*50mm 行程高精度电动载物台，1μm 定位精度⑥ 光纤共聚焦耦合：光纤共聚焦耦合为可选项，提高空间分辨率⑦ CCD- 狭缝共聚焦耦合：标配CCD- 狭缝耦合方式，可使用光谱仪成像模式，高光通量⑧ 光谱CCD：背照式深耗尽型光谱CCD相机， 200-1100nm 工作波段，峰值QE ＞ 90%⑨ 320mm 光谱仪：F/4.2高光通量影像校正光谱仪， 1*10-5 杂散光抑制比SPM300系列半导体参数测试仪主要应用SPM300系列半导体参数测试仪选型表型号描述SPM300-mini基础款半导体参数分析仪，只含一路532nm 激光器，常规正置显微镜，光谱仪，高精度XYZ 位移台SPM300-SMS532多功能型半导体参数分析仪，含532nm 激光器，常规正置显微镜，光谱仪，高精度XYZ 位移台，可升级耦合最多4 路激光器SPM300-OM532开放式半导体参数测试仪，含532nm 激光器，定制开放式显微镜，光谱仪，高精度XYZ 位移台，可升级耦合最多4 路激光器系统参数项目详细技术规格光源标配532nm，100mW 激光器，其他激光可选，最多耦合4 路激光，可电动切换，功率可调节光谱仪320mm 焦距影像校正光谱仪，光谱范围90-9000cm-1,光谱分辨率2cm-1空间分辨率1μm样品扫描范围标配75mm*50mm，最大300mm*300mm显微镜正置显微镜，明场或者暗场观察，带10X,50X,100X 三颗物镜；开放式显微镜可选载流子浓度分析测试范围测试范围1017 ~ 1020 cm-3，重复性误差5%应力测试可直观给出应力属性（拉力/ 张力），针对特种样品，可直接计算应力大小，应力均匀性分析（需额外配置电动位移台）, 应力解析精度0.002cm-1晶化率测试可自动分峰，自动拟合，自动计算出晶化率，并且自动计算晶粒大小和应力大小测试案例举例

面向半导体晶圆检测的光谱测试系统 荧光测试荧光光谱的峰值波长、光谱半宽、积分光强、峰强度、荧光寿命与电子/空穴多种形式的辐射复合相关，杂质或缺陷浓度、组分等密切相关膜厚&反射率&翘曲度通过白光干涉技术测量外延片的薄膜厚度（Thickness）、反射率(PR)以及晶片翘曲度荧光光谱系统特点面向半导体晶圆检测的光谱测试系统光路结构示意图自动扫描台：兼容2寸、4寸、8寸晶圆可升级紫外测量模块、翘曲度测量模块侧面收集模组：用于AlGaN样品（发光波段200-380 nm），因为AlGaN轻重空穴带反转使其荧光发光角度为侧面出光，因此需要特殊设计的侧面收光模块。翘曲度测量模块翘曲度测量模块集成在显微镜模组中，利用晶圆表面反射回的375nm激光，利用离焦量补偿实现表面高度的测量，对晶圆片的高度扫描后获得晶圆形貌，从而计算翘曲度的数值。该模块不仅可以测量晶圆的形貌和翘曲度，同时还可以起到激光自动对焦的作用，使得晶圆片大范围移动时，用于激发荧光的激光光斑在晶圆表面始终保持最佳的聚焦状态，从而极大的提供荧光收集的效率和分辨率。物镜5xNA=0.2820xNA=0.40100xNA=0.8离焦量z分辨率 1 μm 0.5 μm 0.06 μm激光光斑尺寸（焦点处）~2 μm~2 μm~1 μm测量时间（刷新频率） 20 ms(50 Hz），可调节最高100 Hz紫外测量模块紫外测量模块的功能主要由集成在显微镜模组中的5x紫外物镜和侧面收集模块实现。可选择213nm或266nm的激光进行激发，聚焦光斑约10微米，可选择通过该物镜收集正面发射的荧光，通过单色仪入口1进行收集和测量。针对AlGaN的发光波段（200-380nm），尤其是Al组分较大（70%）的AlGaN由于轻重空穴带反转，其荧光发光角度为侧面出光，因此设置侧面收集模组，将侧面发出的荧光通过一个单独倾斜60度角的物镜收集后，通过光纤传入单色仪入口2进行收集和测量。可通过翘曲度模块对晶圆片形貌进行测量后，再进行紫外荧光测量时，根据记录的形貌高度，Z轴移动实现晶圆片高度方向的离焦量补偿，使得晶圆片大范围移动时，激光光斑在晶圆表面始终保持最佳的聚焦状态，从而极大的提供荧光收集的效率和分辨率。软件界面晶圆Mapping软件界面数据分析软件界面应用案例6英寸AlGaN晶圆测试随着AlGaN中Al所占比例的增加，可看到发光峰位出现了蓝移，当Al的含量占到70%的时候，峰位已经蓝移至238nm。对AlGaN晶圆进行Al组分比例面扫描，可以看到晶圆中Al的组分分布情况。MicroLED微区PL荧光光谱MappingMicroLED微盘，直径40微米。图（A）：荧光PL Mapping图像，成像区域45×45微米；图（B）：图（A）所示红线，m0-m11点，典型荧光光谱。MicroLED微盘的荧光强度3D成像 2英寸绿光InGaN晶圆荧光光谱测试从InGaN的峰强分布来看，在晶圆上峰强分布非常不均匀，最强发光大约位于P2点附近，而有些位置几乎不发光。发光峰位在500-530nm之间，分布也很不均匀。波长在510nm（P2位置）发光最强。波长越靠近530nm（P1位置），发光越弱。2英寸绿光InGaN晶圆荧光寿命测试从以上荧光寿命成像得到，绿光InGaN荧光寿命在4ns-12ns之间。沿着P1-P3白线，荧光寿命减小。从晶圆上分布看，荧光寿命与荧光强度成像的趋势大致相符，而且峰位有明显关联。即沿着峰位蓝移方向（蓝移至500nm），荧光发光强度增强而且寿命增加，说明辐射复合占据主要比例。而沿着峰位红移的方向（蓝移至530nm），发光强度减弱，同时寿命减小，说明非辐射复合占据主要比例。 面向半导体晶圆检测的光谱测试系统性能参数：荧光激发和收集模块激光波长213/266/375 nm激光功率213nm激光器，峰值功率＞2.5kw@1KHZ，266nm激光器，输出功率2-12mw可调自动对焦&bull 在全扫描范围自动聚焦和实时表面跟踪&bull 对焦精度0.2微米 显微镜&bull 用于样品定位和成像&bull 近紫外物镜，100X/20X，用于375nm激光器,波长范围355-700 nm&bull 紫外物镜, 5X,用于213 nm/266nm的紫外激发, 200-700 nm 样品移动和扫描平台平移台&bull 扫描范围大于300x300mm。&bull 最小分辨率1微米。 样品台&bull 8寸吸气台（12寸可定制）&bull 可兼容2、4、6、8寸晶圆片 光谱仪探测器 光谱仪&bull 320 mm焦长单色仪，可接面阵探测器。&bull 光谱分辨率：优于0.2nm@1200g/mm 可升级模块翘曲度测量模块重复测量外延片统计结果的翘曲度偏差±5um紫外测量模块5X紫外物镜，波长范围200-700 nm。应用于213 nm、266nm的紫外激发和侧面收集实现AlGaN紫外荧光的测量膜厚测试模块重复测量外延片Mapping统计结果的膜厚偏差±0.1um荧光寿命测试模块荧光寿命测试精度8 ps，测试范围50 ps-1 ms软件控制软件可选择区域或指定点位自动进行逐点光谱采集Mapping数据分析软件&bull 可对光谱峰位、峰高、半高宽等进行拟合。&bull 可计算荧光寿命、薄膜厚度、翘曲度等。&bull 将拟合结果以二维图像方式显示。 面向半导体晶圆检测的光谱测试系统仪器订购样品委托测试

半导体参数分析仪概述：SPA-6100半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材料研究、半导体芯片器件设计以及先进工艺的开发，具有桌越的测量效率与可靠性。基于模块化的体系结构设计，SPA-6100半导体参数分析仪可以帮助用户根据测试需要，灵活选配测量单元进行升级。产品支持Z高1200V电压、100A大电流、1pA小电流分辨率的测量，同时检测10kHz至1MHz范围内的多频AC电容测量。SPA-6100半导体参数分析仪搭载普赛斯自主开发的专用半导体参数测试软件,支持交互式手动操作或结合探针台的自动操作,能够从测量设置、执行、结果分析到数据管理的整个过程，实现高效和可重复的器件表征 也可与高低温箱、温控模块等搭配使用，满足高低温测试需求。产品特点：30μV-1200V；1pA-100A宽量程测试能力；测量精度高，全量程下可达0.03%精度；内置标准器件测试程序，直接调用测试简便；自动实时参数提取，数据绘图、分析函数；在CV和IV测量之间快速切换而无需重新布线；提供灵活的夹具定制方案，兼容性强；免费提供上位机软件及SCPI指令集；典型应用：纳米、柔性等材料特性分析；二极管；MOSFET、BJT、晶体管、IGBT；第三代半导体材料/器件；有机OFET器件；LED、OLED、光电器件；半导体电阻式等传感器；EEL、VCSEL、PD、APD等激光二极管；电阻率系数和霍尔效应测量；太阳能电池；非易失性存储设备；失效分析；系统技术规格半导体电学特性测试系统CV+IV测试仪订货信息模块化构成：低压直流I-V源测量单元-精度0.1%或0.03%可选-直流工作模式-Z大电压300V，Z大直流1A或3A可选-最小电流分辨率10pA-四象限工作区间-支持二线，四线制测试模式-支持GUARD保护低压脉冲I-V源测量单元-精度0.1%或0.03%可选-直流、脉冲工作模式-Z大电压300V,Z大直流1A或3A可选，Z大脉冲电流10A或30A可选-最小电流分辨率1pA-最小脉宽200μs-四象限工作区间.-支持二线，四线制测试模式-支持GUARD保护高压I-V源测量单元-精度0.1% -Z大电压1200V,Z大直流100mA-最小电流分辨率100pA-一、三象限工作区间-支持二线、四线制测试模式-支持GUARD保护高流I-V源测量单元-精度0.1%-直流、脉冲工作模式.-Z大电压100V，Z大直流30A,Z大脉冲电流100A-最小电流分辨率10pA-最小脉宽80μs-四象限工作区间支持二线、四线制测试模式-支持GUARD保护电压电容C-V测量单元-基本精度0.5%-测试频率10hZ~1MHz，可选配至10MHz-支持高压DC偏置，Z大偏置电压1200V-多功能AC性能测试，C-V、 C-f、 C-t硬件指标-IV测试半导体材料以及器件的参数表征，往往包括电特性参数测试。绝大多数半导体材料以及器件的参数测试，都包括电流-电压(I-V)测量。源测量单元(SMU)，具有四象限，多量程，支持四线测量等功能，可用于输出与检测高精度、微弱电信号，是半导体|-V特性测试的重要工具之-。SPA-6100配置有多种不同规格的SMU,如低压直流SMU,低压脉冲SMU,大电流SMU。用户可根据测试需求灵活配置不同规格,以及不同数量的搭配，实现测试测试效率与开支的平衡。灵活可定制化的夹具方案 针对市面上不同封装类型的半导体器件产品,普赛斯提供整套夹具解决方案。夹具具有低阻抗、安装简单、种类丰富等特点，可用于二极管、三极管、场效应晶体管、IGBT、SiC MOS、GaN等单管，模组类产品的测试 也可与探针台连接，实现晶圆级芯片测试。探针台连接示意图

SCD-1500型半导体C-V特性分析仪关键词：半导体，C-V特性，集成电路 SCD-1500型半导体C-V特性分析仪创新性地采用了双CPU架构、Linux底层系统、10.1英寸电容式触摸屏、中英文操作界面、内置使用说明及帮助等新一代技术，适用于生产线快速分选、自动化集成测试及满足实验室研发及分析。半导体C-V特性分析仪测试频率为10kHz-2MHz，VGS电压可达±40V，足以满足二极管、三极管、MOS管及IGBT等半导体件CV特性测试分析。一、主要应用范围：半导体元件/功率元件二极管、三极管、MOSFET、IGBT、晶闸管、集成电路、光电子芯片等寄生电容测试、C-V特性分析半导体材料晶圆、C-V特性分析液晶材料弹性常数分析二、性能特点：通道：2（可扩展至6）高偏置：VGS：0 - ±40V，VDS：0–200V,1500V,3000V双CPU架构，最短积分时间0.56ms（1800次/秒）10.1英寸电容式触摸屏，分辨率1280*800，Linux系统点测、列表扫描、图形扫描(选件)三种测试方式四寄生参数（Ciss、Coss、Crss、Rg）同屏显示快速导通测试Cont一体化设计：LCR+高压源+继电器矩阵快速充电，缩短电容充电时间，实现快速测试自动延时设置10档分选三、功能特点A.单点测试，10.1英寸大屏，四种寄生参数同屏显示，让细节一览无遗10.1英寸触摸屏、1280*800分辨率，Linux系统、中英文操作界面，支持键盘、鼠标、LAN接口，带来了无以伦比的操作便捷性。MOSFET最重要的四个寄生参数：Ciss、Coss、Crss、Rg在同一个界面直接显示测量结果，并将四个参数测试等效电路图同时显示，一目了然。多至6个通道测量参数可快速调用，分选结果在同一界面直接显示。B.列表测试，灵活组合SCD-1500型半导体C-V特性分析仪支持最多6个通道、4个测量参数的测试及分析，列表扫描模式支持不同通道、不同参数、不同测量条件任意组合，并可设置极限范围，并显示测量结果 。C.曲线扫描功能（选件）SCD-1500型半导体C-V特性分析仪支持C-V特性曲线分析，可以对数、线性两种方式实现曲线扫描，可同时显示多条曲线：同一参数、不同Vg的多条曲线；同一Vg、不同参数多条曲线 。。C.曲线扫描功能（选件）SCD-1500型半导体C-V特性分析仪支持C-V特性曲线分析，可以对数、线性两种方式实现曲线扫描，可同时显示多条曲线：同一参数、不同Vg的多条曲线；同一Vg、不同参数多条曲线 。D.简单快捷设置E.10档分选及可编程HANDLER接口仪器提供了10档分选，为客户产品质量分级提供了可能，分选结果直接输出至HANDLER接口。在与自动化设备连接时，怎么配置HANDLER接口输出，一直是自动化客户的难题，TH510系列将HANDLER接口脚位、输入输出方式、对应信号、应答方式等完全可视化，让自动化连接更简单。F.支持定制化，智能固件升级方式SCD-1500型半导体C-V特性分析仪客户而言是开放的，仪器所有接口、指令集均为开放设计，客户可自行编程集成或进行功能定制，定制功能若无硬件更改，可直接通过固件升级方式更新。仪器本身功能完善、BUG解决、功能升级等，都可以通过升级固件(Firmware)来进行更新，而无需返厂进行。固件升级非常智能，可以通过系统设置界面或者文件管理界面进行，智能搜索仪器内存、外接优盘甚至是局域网内升级包，并自动进行升级G.半导体元件寄生电容知识在高频电路中，半导体器件的寄生电容往往会影响半导体的动态特性，所以在设计半导体元件时需要考虑下列因数在高频电路设计中往往需要考虑二极管结电容带来的影响；MOS管的寄生电容会影响管子的动作时间、驱动能力和开关损耗等多方面特性；寄生电容的电压依赖性在电路设计中也是至关重要，以MOSFET为例。 技术参数1、 通道：2通道（可扩展6通道）2、 显示：液晶显示，触摸屏3、 测量参数：C、L、X、B、R、G、D、Q、ESR、Rp、θ、|Z|、|Y|4、 测试频率：10kHz-2MHz5、 精度：0.01%6、 分辨率：10mHz 1.00000kHz-9.99999kHz7、 电压范围：5mVrms-2Vrms8、 精度：±（10%×设定值+2mV）9、 VGS电压： ±40V，准确度：1%×设定电压+8Mv,分辨率 1mV(0V-±10V)10、 VDS电压：0 - 200V11、 精度：1%×设定电压+100mV12、 1%×设定电压+100mV13、 输出阻抗：100Ω，±2%@1kHz14、 软件：C-V特性曲线分析，对数、线性两种方式实现曲线扫描

产品概要：FS-Pro 半导体参数测试系统是一款功能全面、配置灵活的半导体器件电学特性分析设备，在一个系统中实现了电流电压(IV) 测试、电容电压(CV)测试、脉冲式 IV 测试、高速时域信号采集以及低频噪声测试能力。一套设备可完成半导体器件的全部低频特性表征，其强大而全面的测试分析能力极大地加速了半导体器件与工艺的研发评估进程，可无缝地与 9812 噪声测试系统集成，其快速 DC 测试能力进一步提升了 9812 系列产品的噪声测试效率。基本信息：软件功能：FS-Pro 系列内置 LabExpress 测量软件具有强大的测试和分析功能，该软件提供友好的图形化用户使用界面和灵活的设定，具有下列主要功能 :1、完整支持直流，脉冲，瞬态，电容和噪声测试功能2、内置的常见器件测试预设可大大提高测试设置效率，帮助新手操作者快速完成测试3、强大的自定义设定功能可以灵活编辑电信号4、内置强大数据处理能力可测试后直接展开器件特性分析5、多种数据保存方式，导出数据可供用户后续分析研究也可直接导入建模软件 BSIMProPlus 和 MeQLab 进行模型提取和特性分析6、LabExpress 专业版支持对主流半自动探针台和矩阵开关设备的控制，支持晶圆映射、并行测试实现自动测试功能，进一步提升测试效率IV电流电压测试CV电容电压测试1/f噪声测试 IVT测试采用工业通用的 PXI 模块化硬件结构，配合自主开发的测试软件 LabExpress，FS-Pro 在半导体工业产线测试与科研应用方面都具有优秀的性能表现，可广泛应用于各种半导体器件、 LED 材料、二维材料器件、金属材料、新型先进材料与器件测试等。LabExpress 为用户提供了丰富的测试预设和强大的测试功能，可实现非常友好的用户即插即用体验； 该系统还可支持多通道并行测试，进一步提升测试效率。技术优势：1、同时具备高速高精度直流测试和脉冲测试能力2、量程范围宽、测试速度快3、支持小于1us采样时间的高速时域信号采集4、高达10万点的数据量可以精细描绘信号随时间变化特性5、低频噪声(1/f noise,flicker noise)测试能力特别是RTN(随机电报噪声)测试能力与对准能力6、使用方式简单灵活，无需编程即可实现自由的波形发生或电压同步与跟随7、支持并行测试，内置功能强大的测试软件和算法，支持多通道并行测试成倍提升测试效率8、系统架构，PXI标准机箱，可扩展架构,支持通过多机箱扩展SMU卡数量应用方向：被半导体工业界和众多知名大学及科研机构采用作为标准测试仪器。

使用 4200A-SCS参数分析仪（参数测试仪）加快各类材料、半导体器件和先进工艺的开发，完成制程控制、可靠性分析和故障分析。4200A-SCS是业内性能领先电学特性参数分析仪，提供同步电流电压曲线测试 (I-V曲线测试)、电容-电压曲线测试 (C-V曲线测试) 和超快脉冲 I-V曲线测量。

半导体器件新型光电传感器特性分析仪PD-QE新世代光电探测器 (PD) 的完整解决方案传统的量子效率系统在新型光电探测器面临许多测试方法挑战。如：偏置电压无法超过 12V：传统量子效率系统使用锁相放大器，其承受直流电压无法过大，因此在一般的量子效率测试仪，电偏压无法施加超过 12V。无法做噪声频率分析。无法直接测得 NEP 与 D*。光焱科技针对新世代的光电探测器 (PD) 提供了完整解决方案~命名为 PD-QE。半导体器件新型光电传感器特性分析仪PD-QE 特色：PD-QE 系统是光焱科技在过去十年的小光斑 (power mode) 基础上，进化开发完成。可应用在 PV 的 EQE 量子效率测试、新型光传感器的研究。在全新的软件平台 SW-XQE 上，具有便捷的扩展性：可测试标准 EQE 外，更可整合多种 SMU 的控制，并量测IV曲线。同时具备各种分析功能，如 D*、NEP、频率噪声图。半导体器件新型光电传感器特性分析仪PD-QE 规格:PD-QE 有不同的模块，偏置电压也可由 20 V 到 1000 V。同时，可测量高分辨率的光电流，分辨率最高可达 10-16 A。波长扩充可达 1800 nm。可选配软件升级控制 Kiethley 4200 SMU半导体器件新型光电传感器特性分析仪PD-QE 应用有机光传感器 (OPD, Organic Photodiode)钙钛矿光传感器 (PPD, Perovskite Photodiode)量子点光传感器 (QDPD, Quantum Dots Photodiode)新型材料光传感器实证：PD-QE 已整合 Keithley 与 Keysight 出产的多种 SMU，进行多种的 IV 曲线扫描。用户无需另外寻找或是自行整合 IV 曲线测试。图中显示 PD-QE 测试不同样品的 IV 曲线，并进行多图显示。PD-QE 凭借先进数字讯号采集与处理技术，直接可测试各种探测器在不同频率下的噪声电流图。用户无需在额外购买、整合频谱分析仪进行测种测试！并且软件可以进行多种频段的特性分析，如 Shot Noise、Johnson Noise、1/f Noise 等。PD-QE 是针对新世代 PD 测试的完整解决方案。

半导体分立器件特性参数测试是对待测器件（DUT）施加电压或电流，然后测试其对激励做出的响应；通常半导体分立器件特性参数测试需要几台仪器完成，如数字表、电压源、电流源等。然而由数台仪器组成的系统需要分别进行编程、同步、连接、测量和分析，过程既复杂又耗时，还占用过多测试台的空间。而且使用单一功能的测试仪器和激励源还存在复杂的相互间触发操作，有更大的不确定度及更慢的总线传输速度等缺点。 实施特性参数分析的最佳工具之一是数字源表（SMU）。普赛斯历时多年打造了高精度、大动态范围、率先国产化的源表系列产品，集电压、电流的输入输出及测量等功能于一体。可作为独立的恒压源或恒流源、伏特计、安培计和欧姆表，还可用作精密电子负载。其高性能架构还允许将其用作脉冲发生器，波形发生器和自动电流-电压(I-V)特性分析系统，支持四象限工作。普赛斯“五合一”高精度数字源表（SMU）可为高校科研工作者、器件测试工程师及功率模块设计工程师提供测量所需的工具。不论使用者对源表、电桥、曲线跟踪仪、半导体参数分析仪或示波器是否熟悉，都能简单而迅速地得到精确的结果。 普赛斯“五合一”高精度数字源表 普赛斯源表轻松实现二极管特性参数分析 二极管是一种使用半导体材料制作而成的单向导 电性元器件，产品结构一般为单个PN结结构，只允许电流从单一方向流过。发展至今，已陆续发展出整流二 极管、肖特基二极管、快恢复二极管、PIN二极管、光电 二极管等，具有安全可靠等特性，广泛应用于整流、稳压、保护等电路中，是电子工程上用途最广泛的电子元器件之一。IV特性是表征半导体二极管PN结制备性能的主要参数之一，二极管IV特性主要指正向特性和反向特性等； 普赛斯S系列、P系列源表简化场效应MOS管I-V特性分析 MOSFET(金属—氧化物半导体场效应晶体管)是 一种利用电场效应来控制其电流大小的常见半导体器件，可以广泛应用在模拟电路和数字电路当中，MOSFET可以由硅制作，也可以由石墨烯，碳纳米管 等材料制作，是材料及器件研究的热点。主要参数有输入/输出特性曲线、阈值电压 VGS(th)、漏电流IGSS、 IDSS，击穿电压VDSS、低频互导gm、输出电阻RDS等。 普赛斯数字源表快速、准确进行三极管BJT特性分析 三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体 基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块 半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射 区和集电区。设计电路中常常会关注的参数有电流放大系数β、极间反向电流ICBO、ICEO、集电极最大允许电流ICM、反向击穿电压VEBO、VCBO、VCEO以及三极管的输入输出特性曲线等参数。 普赛斯五合一高精度数字源表（SMU）在半导体IV特性测试方面拥有丰富的行业经验，为半导体分立器件电性能参数测试提供全面的解决方案，包括二极管、MOS管、BJT、IGBT、二极管电阻器及晶闸管等。此外，普赛斯仪表还提供适当的电缆辅件和测试夹具，实现安全、精确和可靠的测试。欲了解更多半导体分立器件测试系统的信息，欢迎随时来电咨询普赛斯仪表！

产品概要：4200A-SCS 是一种可以量身定制、全面集成的半导体参数分析仪，可以同步查看电流电压 (I-V)、电容电压 (C-V) 和超快速脉冲式 I-V 特性。作为性能很高的参数分析仪，4200A-SCS加快了半导体、材料和工艺开发速度。基本信息：使用强大的 Clarius 软件，可以更加快速的完成 I-V, C-V 和脉冲 I-V 测试，结果清晰。 I-V 源测量单元 (SMU) ● ± 210 V/100 mA 或 ± 210 V/1 A 模块● 100 fA 测量分辨率● 选配前端放大器提供了 0.1 fA 测量分辨率● 10 mHz - 10 Hz 超低频率电容测量● 四象限操作● 2 线或 4 线连接C-V 多频率电容单元 (CVU)● AC 阻抗测量 (C-V, C-f, C-t)● 1 kHz - 10 MHz 频率范围● ± 30 V (60V差分)内置 DC 偏置源，可以扩展到 ± 210 V(420 V 差分 )● 选配 CVIV 多功能开关，在 I-V 测量和 C-V 测量之间简便切换脉冲式 I-V 超快速脉冲测量单元 (PMU)● 两个独立的或同步的高速脉冲 I-V 源和测量通道● 200 MSa/s，5 ns 采样率● ±40 V (80 V p-p)，±800 mA● 瞬态波形捕获模式● 任意波形发生器Segment ARB模式，支持多电平脉冲波形，10ns可编程分辨率高压脉冲发生器单元 (PGU)● 两个高速脉冲电压源通道● ±40 V (80 V p-p)，± 800 mA● 任意波形发生器Segment ARB模式，支持多电平脉冲波形，10ns可编程分辨率-V/C-V 多开关模块 (CVIV)I● 在 I-V 测量和 C-V 测量之间简便切换，无需重新布线或 抬起探针● 把 C-V 测量移动到任意端子，无需重新布线或抬起探针远程前端放大器 / 开关模块 (RPM)● 在 I-V 测量、C-V 测量和超快速脉冲 I-V 测量之间自动切换● 把 4225-PMU 的电流灵敏度扩展到数十皮安● 降低电缆电容效应 技术优势：1、随时可以投入使用、可以修改的应用测试、项目和器件，缩短测试开发时间2、内置测量视频的仪器，测试视频由全球应用工程师提供，分为4种语言，缩短学习周期3、pin to pad接触检查，确保测量可靠4、多种测量功能5、数据显示、分析和代数运算功能6、专家视频，降低特性分析复杂度，观看吉时利全球应用工程师制作的内置视频，迅速掌握应用，缩短学习周期。数小时的专家测量专业帮助，在发生意想不到的结果或对怎样设置测试存在疑问时，将为您提供指引。Clarius Software短专家视频支持四种语言(英语、中文、日语和韩语)，可以迅速让你洞察先机。7、大量随时可以使用的应用测试可供选择，通过Clarius库中装备的450多项应用测试，您=可以选择或修改预先定义的应用测试，加快特性分析速度，或从一开始简便地创建自定义测试。只需三步，Clarius Software就可以引导新用户像专家一样完成参数分析。8、实时结果和参数，自动数据显示、算法分析和实时参数提取功能，加快获得所需信息的速度。不必担心数据丢失，因为所有历史数据都会保存下来。9、无需示波器检验脉冲测量，脉冲定时预览模式可以简便地查看脉冲定时参数，确认脉冲式I-V测试按希望的方式执行。使用瞬态I-V或波形捕获模式，进行基于时间的电流或电压测量，而无需使用外部示波器。应用方向：MOSFET, BJT 晶体管；材料特性分析；非易失性存储设备；电阻率系数和霍尔效应测量；NBTI/PBTI；III-V 族器件；失效分析；纳米器件；二极管和 pn 联结；太阳能电池；传感器；MEMS器件；电化学；LED和OLED。

有机半导体层的光电特性在有机光伏(OPV)和有机发光二极管(OLED)的应用中具有重要意义，T4000有机半导体参数测试系统基于LED光源和高速测量电子学进行各种实验，以获得载流子迁移率等特性参数。- TPV/TPC- 线性升压电荷提取/暗/光电荷提取- 瞬态电致发光- I-V特性/阻抗谱/电容电压(C-V)。- IMVS & IMPS

该测试方案可适用于多数半导体器件的测试，以五种器件为例：场效应晶体管式传感器、电阻型二极管式传感器、电阻式存储器、生物器件脉冲式和电容测试。其他要求为系统漏电小于10-13（100fA）。测试需求整体可以归纳为微纳传感器件的IV、脉冲IV 和CV测试，漏电需求为100fA。整体系统组成为微纳器件测试探针台和半导体参数分析仪。可测器件器件1：场效应晶体管式传感器器件2：电阻型二极管式传感器器件3：电阻式存储器器件4：脉冲式（输入脉冲电压，测量电流值）器件5：电容测试欢迎与我司联系了解详情，可按需定制系统。

半导体材料能带测试,亚带隙测量系统 该系统采用恒定光电流法分析半导体薄膜和各种光导材料的带隙结构，是评价非晶硅和各种非晶半导体的理想方法。规格：原理:恒流法(CPM)光源:氙灯或卤素灯工作范围:约4小时，13 - 0.59 ev (300 - 2100 nm)辐照面积:6 x6mm辐照强度:2 nw-2mw

产品简介：电子半导体图像法清洁度分析系统是普勒新世纪实验按照普洛帝分析仪器事业部的规划，于2001年推向市场的成熟系统仪器；观察颗粒形貌，还可以得到粒度分布、数量、大小、平均长径比以及长径比分布等，为科研、生产领域增添了一种新的粒度测试手段；电子半导体图像法清洁度分析系统为一种图像法粒度分布测试以及颗粒型貌分析等多功能颗粒分析系统，该系统包括光学显微镜、图像测试 CCD 摄像头、三维立体载物平台、图像法颗粒分析系统软件、电脑、打印机等部分组成；为科研、生产领域增添了一种新的粒度测试手段。产品优势：测试软件具有审计追踪、权限管控、电子记录、测试标准、计量验证、报告模板、图像存储、颗粒追踪、报告输出、清洁度分析等功能；全面自动标准选择、颗粒尺寸设定、颗粒计数，或按用户设定范围计数，自动显示分析结果，并按照相关标准确定产品等级；将传统的显微测量方法与现代的图像处理技术结合的产物；软件控制分析过程，手动对焦，手动光强（颗粒清洁度测试必须人为干预进行），自动扫描，自动摄入，自动分析；专用数字摄像机将显微镜的图像拍摄及扫描；全自动膜片扫描系统，无缝拼接，数字化显微镜分析系统；R232接口数据传输方式将颗粒图像传输到分析系统；颗粒图像分析软件及平台对图像进行处理与分析；引入3D遥感三维调控技术，快速定位，快速聚焦，体验极速无卡顿测试。显示器及打印机输出分析结果；直观、形象、准确、测试范围宽以及自动识别、自动统计、自动标定等特点；避免激光法的产品缺陷，扩展检测范围；现实NAS、ISO等国际标准方法的认可；提供行业独有的“OIL17服务星”签约式服务；产品应用：航空、航天、电力、石油、化工、交通、港口、冶金、机械、汽车制造、制冷、电子、半导体、工程机械、液压系统等领域；对各类固体粉末、各类液体中的固体颗粒（非连续相测试）。执行标准：0.1~3000μm的超宽范围、超高分辨率。可根据客户要求，植入相应“图像法颗粒度”测试和评判标准。技术参数：产品型号：PLD-MPCS2.0订制要求：各类液体检测要求；测试范围: 1μm-500μm放大倍数：40X～l000X倍 zui大分辨：0.1μm显微镜误差：0.02（不包含样品制备因素造成的误差）重复性误差： 5%（不包含样品制备因素造成的误差）数字摄像头(CCD)：500万~1800万像素分析项目：粒度分布、长径比分布、圆形度分布等自动分割速度： 1秒分割成功率： 93%软件运行环境：Windows 10接口方式：RS232或USB方式精 确 度：±3% 典型值；重合精度：10000粒/mL（5%重合误差）；分 辨 率：95%售后服务：普洛帝中国服务中心/普研检测。

4156C 是安捷伦的半导体参数分析仪。半导体参数分析仪是用于各种测量功能的多合一工具。半导体参数分析仪可以测量和分析多种电子设备、材料、有源或无源元件、半导体或任何其他类型的电子设备的电气特性。工程师使用这台测试设备来监测不同类型设备中的电流和电压响应。大量二手仪器仪表，欢迎咨询主要特性与指标用于高级器件表征的高精度实验室台式参数分析仪4x 高分辨率 SMU、2xVSU 和 2xVMU前面板填空操作包括用于基于 PC 的 GUI 仪器控制的 Desktop EasyEXPERT 软件测量能力1 飞安和 0.2 微伏测量分辨率QSCV、压力模式、旋钮扫描、待机功能+/- 200 伏特和 +/- 1 安培大功率 SMU，可选 41501B 提供脉冲发生器功能桌面 EasyEXPERT 软件B1500A 半导体器件分析仪的相同测试和测量环境直观、面向任务的参数测试方法配备 80 多个预定义的、用户可修改的应用程序测试自动将数据保存到硬盘驱动器或任何网络驱动器通过 Desktop EasyEXPERT 软件进行离线数据分析和应用测试开发

半导体参数分析仪RTM2-霍尔源测系统昊量光电全新推出的半导体参数分析仪RTM2-霍尔源测系统。利用半导体参数分析仪RTM2的集成开关矩阵实现无限的精度和稳定性用于片状、霍尔和电阻张量的测量。半导体参数分析仪RTM2主要功能：&bull 半导体参数分析仪RTM2专为自动精密测量电阻和相关量而设计。半导体参数分析仪RTM2将直流和交流测量与独特的集成开关矩阵结合在一起。&bull 半导体参数分析仪RTM2具有锁定放大器的低噪、具有高端万用表 8 位以上的动态范围和无与伦比的稳定性，可研究 ppb 级效应。nΩ研究变得前所未有的简单。&bull 创新的连接器设计允许传统的 BNC 操作与被动屏蔽或主动防护屏蔽。这将直流阻抗上限扩展到了 Tera-Ohm 范围，并将交流带宽提高了约两个数量级，以测试MΩ器件。&bull 半导体参数分析仪RTM2只需一台设备就能自动记录完整的电阻张量（Rx、Ry、RH），即使是在无图案的薄膜上。&bull 半导体参数分析仪RTM2 可用于材料研究、薄膜表征以及传感器、晶片和设备测试。在快速多路复用设置中进行交流测试的独特能力，可在现场生产过程中实现更严格的元件分选。半导体参数分析仪RTM2开关矩阵的优点：&bull 万用表或锁相放大 器等传统精密设备依赖于与被测设备（DUT）静态连接的四线电阻测量方法。这种方法不可避免地会受到来自被测设备和测量设备本身的各种干扰影响。&bull 惠斯通电桥或平版印刷霍尔条图案等测量安排可用于减少某些干扰的影响，但它们都依赖于实际电阻器或蚀刻图案的精确和稳定的对称性，这在实践中是无法实现的。&bull 相比之下，矩阵开关可以在时域中分离干扰的影响。其中一个例子是van-der-Pauw范德堡方法，它可以精确区分纵向和横向电阻，即使是在没有光刻图案的不规则形状样品上也是如此。&bull 另一个例子是某些直流仪表采用的 "自动归零（auto-zeroing）"，以补偿偏移漂移。但这还不够。半导体参数分析仪RTM2的全矩阵切换功能及其与紧密多路交流测量的完全兼容性为我们带来了无限可能。&bull 可以对偏移和增益漂移进行补偿，从而实现无限的稳定性。这里的 "无限 "是字面意思：可实现的精度不是 7、8 或 10 位数，而是您愿意等待的位数。在自己的实验室里进入计量圈子吧！&bull 还可以对整个仪器的复合非线性进行补偿。这样就可以测试亚ppm 级的 I-V 非线性，从而在较低和较温和的电流密度下看到更高阶的传输物理。半导体参数分析仪RTM2突出亮点&bull 基于集成开关矩阵的可重构设备架构&bull 8 个用户自定义端口（BNC 连接器），功能（输入、输出和/或参考）可自由确定&bull BNC 屏蔽可配置为无源接地或有源屏蔽&bull 使用固定连接（开尔文或霍尔几何）进行传统的交流和直流 4 线测量&bull 交替连接的交流和直流测量（电阻张量测量、范-德-波测量或电阻率测量）&bull 同时测量薄膜纵向和横向电阻的精确绝对值，无需光刻图案&bull 常用测量模式的软件预设，可指定任何用户特定的切换序列&bull 基于 TCP 的通信，可轻松集成到任何环境中（如 Labview、C、Python）半导体参数分析仪RTM2主要的优势：&bull 可替代所有用于电气特性测量的标准设备(例如锁定放大器、SMU、DMM）&bull 通过集成的矩阵开关克服了静态 4 点测量的局限性&bull 提供范-德-波测量和电阻张量测量的预设值，并允许用户进行全面配置&bull 无需进行复杂的样品制备（如平版印刷）。&bull 可轻松连接多种不同的测量装置（如探针台 、低温 恒温器、真空系统等）&bull 节省测量时间，提高样品吞吐量半导体参数分析仪RTM2主要的应用领域&bull 材料研究与表征&bull 固体物理 &bull 半导体物理&bull 磁性器件 &bull 柔性电子器件&bull 自旋电子学 &bull 新型功能电子材料和器件工业研发和晶片/设备测试&bull 微电子设备 &bull 存储器&bull 晶体管、二极管 &bull LED/OLED &bull 太阳能电池 &bull 显示器、TCO &bull 传感器半导体参数分析仪RTM2典型测试示例：&bull 在标准几何结构（开尔文和霍尔布局）中进行超低噪声、高稳定性交流和直流 4 线测量&bull 对不规则、无结构薄膜样品进行范德保开关连接 4 线测量&bull 基础物理学和计量学中的亚ppm 相对变化和非线性测量&bull 零偏移霍尔 4 线测量（即使是非结构化样品，也能准确分离纵向电阻和横向电阻）&bull 比率电阻测量，消除样品和设备漂移&bull 高驱动谐波失真测量&bull 脉冲和测量例程半导体参数分析仪RTM2规格参数：产品详细信息可联系我们或下载数据资料！关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是国内知名光电产品专业代理商，代理品牌均处于相关领域的发展前沿；产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、精密光学元件等，涉及应用领域涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防及更细分的前沿市场如量子光学 、生物显微、物联传感、精密加工、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等优质服务。

高电压大电流功率半导体器件测试系统解决方案 为应对各行各业对功率器件的测试需求，武汉普赛斯正向设计、精益打造了一款高精密电压-电流的功率半导体器件测试系统，可提供IV、CV、跨导等丰富功能的综合测试，具有高精度、宽测量范围、模块化设计、轻松升级扩展等优势，旨在全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGBT到宽禁带半导体SiC、GaN等晶圆、芯片、器件及模块的静态参数表征和测试需求。系统采用模块化集成的设计结构，为用户后续灵活添加或升级测量模块提供了极大便捷和优性价比，提高测试效率以及产线UPH。 功率半导体器件测试系统支持交互式手动操作或结合探针台的自动操作，能够在从测量设置和执行到结果分析和数据管理的整个表征过程中实现高效和可重复的器件表征。也可与高低温箱、温控模块等搭配使用，满足高低温测试需求。 功率半导体器件测试系统主机内部采用的电压、电流测量单元，均采用多量程设计，测试精度为0.1%。其中，栅极-发射极，Z大支持30V@10A脉冲电流输出与测试，可测试低至pA漏电流；集电极-发射极，Z大支持6000A高速脉冲电流，典型上升时间为15μs，且具备电压高速同步采样功能；Z高支持 3500V(可扩展至10kV)电压输出，且自带漏电流测量功能。电容特性测试，包括输入电容，输出电容，以及反向传输电容测试，频率Z高支持1MHz，可灵活选配。 系统优势/Feature PART 01 IGBT等大功率器件由于其功率特点极易产生大量热量，施加应力时间长，温度迅速上升，严重时会使器件损坏，且不符合器件工作特性。普赛斯高压模块建立的时间小于5ms，在测试过程中能够减少待测物加电时间的发热。 PART 02 高压下漏电流的测试能力，测试覆盖率优于国际品牌。市面上绝大多数器件的规格书显示，小模块在高温测试时漏电流一般大于5mA，而车规级三相半桥高温下漏电大于50mA。以HITACH Spec.No.IGBT-SP-05015 R3规格书为例：3300V，125℃测试条件下ICES典型值14mA，Z大40mA。普赛斯静态系统高压模块测试几乎可以W美应对所有类型器件的漏电流测试需求。PART 03 此外，VCE(sat)测试是表征 IGBT 导通功耗的主要参数，对开关功耗也有一定的影响。需要使用高速窄脉冲电流源，脉冲上升沿速度要足够快时才能减小器件发热，同时设备需要有同步采样电压功能。 IGBT静态测试系统大电流模块：50us—500us 的可调电流脉宽，上升边沿在 15us(典型值)，减少待测物在测试过程中的发热，使测试结果更加准确。下图为 1000A 波形： PART 04 快速灵活的客制化夹具解决方案：强大的测试夹具解决方案对于保证操作人员安全和支持各种功率器件封装类型极为重要。不论器件的大小或形状如何，普赛斯均可以快速响应用户需求，提供灵活的客制化夹具方案。夹具具有低阻抗、安装简单、种类丰富等特点，可用于二极管、三极管、场效应晶体管、IGBT、SiC MOS、GaN等单管，模组类产品的测试。 结束语 功率半导体器件测试系统作为J端产品，以往在国际市场上只被少数企业掌握。全球半导体产业的发展以及先进半导体制造设备保有国出口管制的升级，对国产设备厂家来说既是挑战也是机遇。未来，武汉普赛斯将充分发挥自身的技术和创新优势，持续推动J端产品落地应用，真正做到以技术创造更多价值

激光二极管光电特性测试分析系统 / 半导体芯片测试系统短脉冲大电流测试系统-LIV100LIV系列是专门用于激光二极管光电特性测量的系统，测试样品无论封装的还是裸芯片形式，均可在极短的时间内完成全部LIV测量。LIV测试对象：LIV100是用于激光二极管（chip, bar以及submount）光电特性分析的短脉冲测试系统。主要特点：l 上升时间：50ns (F-version)；500ns (L-version)；1μs (XL-version)l 最大电流：250mA-600A，最大电流阶跃数：4000l 只适用于脉冲测量l USB接口控制，同步光谱测量l 处理能力：1s/每器件（典型）LIV100提供三种不同测试速度和脉冲长度的版本：l LIV100-Fxxx（短脉冲版）：上升时间50ns，脉冲宽度范围150ns-10μs。l LIV100-Lxxx（长脉冲版）：上升时间500ns，脉冲宽度范围2μs-100μs。l LIV100-XLxxx（超长脉冲版）：上升时间1μs，脉冲宽度范围5μs-2000μs。 应用领域应用范围包括激光二极管半封装或封装前后的特性分析，来料检测以及OEM。软件支持一键生成测试样品完整的PDF数据表。LIV100的短脉冲性能可以确保测试样品可以在忽略热负荷的情况下进行测量。运行原理LIV100系统通过USB接口控制，实现自动测量。从控制计算机上传一个命令集，执行开始命令后，LIVs会按自动按照测量序列执行测量。快速的数据采集提供了高测量效率。附件：l 积分球l 光谱仪l 带状（针状）连接器l 真空卡盘l TEC和TEC驱动器 注意：标准型LIV100不具备CW测量模式。如有需要，可以按要求定制具备CW测量的LIV100如果需要CW和脉冲两种测量模式，请考虑LIV120系列，脉冲宽度： 1001μs-CW。 脉冲/QCW/CW测试系统LIV120LIV120是一款功能强大的用于实验室以及OEM应用的激光二极管测试系统。适用于脉冲/QCW/CW测量以及老化测试，测量周期通常少于1秒。主要特点：l 最大电流：250mA-1200Al 最大电流阶跃数：4000l USB接口控制，同步光谱测量l 波长范围：250-1100nm 400-1650nml 测量光功率，电压，电流，监测电流等 运行原理命令集上传到LIV120后，LIV120按命令集驱动测试样品，并进行数据采集和存储。便捷/强大的处理软件：LIV120有CW和脉冲两种工作模式： CW-LIV模式 脉冲burst模式 CW-burst模式 脉冲LIV模式 LIV120可以运行所谓 “软脉冲”模式。也就是脉冲模式下，如果用户设置最小电流值，电流脉冲就不会掉落至零。请注意非常清晰的方形电流脉冲。 电流输出（min=0） 电流输出（min ≠0） 激光二极管驱动器LDD100 LDD100是一款强大的激光二极管驱动器，适用于实验室以及OEM。例如：激光二极管LIV测试以及老化测试。特点：最大200A电流，50ns-3s脉宽，25ns上升/下降时间（无过冲）。LDD100采用数字可编程模拟平台对电流进行灵活精确控制。USB接口直接控制，可实现自动测量。所有参数可以通过图形化软件或集成键盘和LCD输入显示。支持带状线定制服务 LDD100-F40（40A脉冲）输出脉冲波形 欲了解产品详细信息，请联系公司销售人员。

石墨烯/二维材料电学性质非接触快速测量系统西班牙Das Nano公司成立于2012年，是一家提供高安全别打印设备，太赫兹无损检测设备以及个人身份安全验证设备的高科技公司。ONYX是其在全球范围内推出的一款针对石墨烯、半导体薄膜和其他二维材料大面积太赫兹无损表征的测量设备。ONYX采用先进的脉冲太赫兹时域光谱技术，实现了从科研及到工业的大面积石墨烯及二维材料的无损和高分辨，快速的电学性质测量，为石墨烯和二维材料科研和产业化研究提供了强大的支持。与传统四探针测量法相比，ONYX无损测量样品质量空间分布与拉曼，AFM，SEM相比，ONYX能够快速表征超大面积样品背景介绍太赫兹辐射( T射线)通常指的是频率在0. 1～10THz、波长在30μm-3mm之间的电磁波，其波段在微波和红外之间，属于远红外和亚毫米波范畴。该频段是宏观经典理论向微观量子理论的过度区，也是电子学向光子学的过渡区。在20世纪80年代中期以前，由于缺乏有效的产生方法和探测手段，科学家对于该波段电磁辐射性质的了解和研究非常有限，在相当长的一段时期,很少有人问津。电磁波谱中的这一波段(如下图) ，以至于形成远红外和亚毫米波空白区,也就是太赫兹空白区（THz gap）。太赫兹波段显著的特点是能够穿透大多数介电材料（如塑料、陶瓷、药品、缘体、纺织品或木材），这为无损检测（NDT）开辟了一个可能的新。同时，许多材料在太赫兹频率上呈现出可识别的频率指纹特性，使得太赫兹波段能够实现对许多材料的定性和定量研究。太赫兹波的这两个特性结合在一起，使其成为一种全新的材料研究手段。而且其光子能量低，不会引起电离，可以做到真正的无损检测。 ONYX工作原理 ONYX是一套实现石墨烯、半导体薄膜和其他二维材料全面积无损表征的测量系统，能够满足测试面积从科研（mm2）到晶元（cm2）以及工业（m2）的不同要求。与其他大面积样品的测量方法（如四探针法）相比，ONYX能够直观得到样品导电性能的空间分布。与拉曼、扫描电镜和透射电镜等微观方法相比，微米的空间分辨率能够实现对大面积样品的快速表征。ONYX采用先进的脉冲太赫兹时域光谱THz-TDS技术，产生皮秒量的短脉太赫兹冲辐射。穿透性强的太赫兹辐射穿透进样品达到各个界面，均会产生一个小反射波可以被探测器捕获，获得太赫兹脉冲的电场强度的时域波形。对太赫兹时域波形进行傅里叶变换,就可以得到太赫兹脉冲的频谱。分别测量通过试样前后(或直接从试样激发的)太赫兹脉冲波形,并对其频谱进行分析和处理,就可获得被测样品介电常数，吸收吸收以及载流子浓度等物理信息。再利用步进电机完成其扫描成像，得到其二维的电学测量结果。ONYX主要参数及特点样品大小: 10x10mm-200x200mm 全面的电导率和电阻率分析样品100%全覆盖测量高分辨率：50μm完全非接触无损无需样品制备载流子迁移率, 散射时间, 浓度分析 可定制样品测量面积(m2量)超快测量速度： 12cm2/min软件功能丰富，界面友好全自动操作图1 太赫兹光谱范围及信噪比ONYX主要功能→ 直流电导率（σDC）→ 载流子迁移率, μdrift→ 直流电阻率, RDC→ 载流子浓度, Ns→ 载流子散射时间，τsc→ 表面均匀性ONYX应用方向石墨烯材料：→ 单层/多层石墨烯 → 石墨烯溶液→ 掺杂石墨烯→ 石墨烯粉末→ 氧化石墨烯→ SiC外延石墨烯其他二维材料： → PEDOT→ Carbon Nanotubes→ ITO→ NbC→ IZO→ ALD-ZnO石墨烯光伏薄膜材料半导体薄膜电子器件PEDOT钨纳米线GaN颗粒Ag 纳米线ONYX测试数据1. 10x10mm CVD制备的石墨烯在不同分辨率下的电导率结果 2.10 x10mm CVD制备的石墨烯不同电学参数测量结果 3.利用ONYX测量ALD沉积在硅基底上的TiN电导率测量结果 应用案例■ 全球《石墨烯电学测量方法标准化指导手册》近期，欧洲计量创新与研究计划（EMPIR）的项目 “GRACE-石墨烯电学特性测量的新方法”发布了全球关于石墨烯电学特性测量方法的标准化指导手册。“GRACE-石墨烯电学特性测量新方法”项目是由英国实验室(NPL)主导，与意大利计量研究所、西班牙Das-nano 公司等合作，旨在开发石墨烯电学特性的新型测量方法，以及未来石墨烯电学测量的标准化制定。 图一 石墨烯电学测量方法标准化指导手册(发送邮件至info@qd-china.com获取完整版资料) 石墨烯由于其特优异的电学特性，在未来有望成为大规模应用于电子工业及能源领域的新材料。但是，目前受限于：1）如何制备大面积高质量石墨烯，且具有均匀和可重复的电气和电子性能；2）无论是作为科研用的实验样品还是在生产线中的批量化生产，对其电学性质的准确且可重复的表征方法目前尚不完善，缺乏正确实施此类测量方法的指导手册及测量标准。针对目前面临的问题和挑战，EMPIR 的“石墨烯电学特性测量新方法”项目对现有测量方法进行了总结和规范指导，更重要的是开发了石墨烯电学特性的快速高通量，非接触测量的新方法，并用现有技术对其进行了验证，取得了很好的一致性。 西班牙Das-Nano公司参与了“GRACE-石墨烯电学特性测量新方法”项目中基于THz-TDS的全新非接触测量方法的开发及测量标准的制定。基于该技术，Das-Nano推出了一款可以实现大面积（8英寸wafer）石墨烯和其他二维材料的100%全区域无损非接触快速电学测量系统-ONYX。ONYX采用一体化的反射式太赫兹时域光谱技术（THz-TDS）弥补了传统接触测量方法（如四探针法- Four-probe Method，范德堡法-Van Der Pauw和电阻层析成像法-Electrical Resistance Tomography）及显微方法（原子力显微镜-AFM, 共聚焦拉曼-Raman，扫描电子显微镜-SEM以及透射电子显微镜-TEM）之间的不足和空白。ONYX可以快速测量从0.5 mm2到~m2的石墨烯及其他二维材料的电学特性，为科研和工业化提供了一种颠覆性的检测手段[1,2]。更多详细信息请点击：欧洲计量创新与研究计划（EMPIR）发布全球《石墨烯电学测量方法标准化指导手册》参考文献：[1] Cultrera, A., Serazio, D., Zurutuza, A. et al. Mapping the conductivity of graphene with Electrical Resistance Tomography. Sci Rep 9, 10655 (2019).[2] Melios, C., Huang, N., Callegaro, L. et al. Towards standardisation of contact and contactless electrical measurements of CVD graphene at the macro-, micro- and nano-scale. Sci Rep 10, 3223 (2020). ONYX发表文章1. P Bogild et al. Mapping the electrical properties of large-area graphene. 2D Mater. 4 (2017) 042003.2. S Fernández et al. Advanced Graphene-Based Transparent Conductive Electrodes for Photovoltaic Applications. Micromachines 2019, 10, 402.3. David M. A. Mackenzie et al. Quality assessment of terahertz time-domain spectroscopy transmission and reflection modes for graphene conductivity mapping. OPTICS EXPRESS 9220, Vol. 26, No. 7, 2 Apr 2018. 4. A Cultrera et al. Mapping the conductivity of graphene with Electrical Resistance Tomography. Scientific Reports , (2019) 9:10655.ONYX用户单位重要客户合作伙伴参与项目

产品简介:FS-Pro系列是业内的人工智能驱动的一体化半导体参数测试系统，单台设备具备IV, CV 与 1/f noise 测试能力，内建的AI算法加速技术全面提升测试效率。业界低频噪声测试黄金系统9812DX和 FS-Pro 的融合使两个产品不但功能更加完整，性能也都有大幅提升。FS-Pro可广泛应用于半导体典型器件、LED材料、二维器件、金属材料、新型先进材料与器件测试。FS-Pro可支持达上百个通道。内置测量软件提供数百个预定义的测试模板和功能，实现即插即用体验。基于在产线测试与科研应用方面的优异表现，FS-Pro不仅被多家全球先进的设计公司和半导体代工厂，IDM和设计公司采用，在学术界也受到广泛认可，已被数十所大学及研究机构所采用。 张先生 产品优势一体化: 集成IV测试、CV测试、低频噪音(1/f noise)于单台仪器中，无需换线和更新连接即可完成全部低频参数化表征。超快速：FS-Pro系列较传统半导体参数测试系统，其测试速度高达10倍，业界首创AI测试加速卡，体验强大速度提升，同时保持测试精度。模块化架构：PXI模块化架构，可轻松扩展支持生产测试（如 WAT），辅以其高速和完整特性，可以大幅加速量产测试。操作便捷：内置测量控制软件LabExpress™ ，拥有直观的用户图形界面，仅需点击几下鼠标就可以完成强大的器件特性分析功能。可选工业级测试软件FastLab, 支持自动探针台，第三方仪器和SRAM，可靠性测试等工业测试需求。宽量程：高达200V，1A（脉冲3A），0.1fA的灵敏度。建模仿真：可选内置器件建模与仿真软件（BSIMProPlus/MeQLab/NanoSpice），形成测试，建模仿真系统。产品应用可应用于半导体典型器件、LED材料、二维器件、金属材料、新型先进材料与器件测试。FS-Pro可支持达上百个通道。内置测量软件提供数百个预定义的测试模板和功能，实现即插即用体验。IV电流电压测试。CV电容电压测试。1/f noise低频噪音测试。Pulse脉冲生成。高采样率的IV-T模式。 产品指标IV电流电压测试高精度参数测量 ，电压200V, 分辨率0.1fA，电流测量精度30fA，直流电流1A，脉冲电流3A。高采样率的IV-T模式FS-Pro的SMU的I-T采样率指标，最小设定1e-6s（1us），数据存储达10万个点，目前在业界已经验证。CV电容电压测试内建CV频率范围10Hz~10kHz，最小可测电容20fF，直流偏置电压200V。外置LCR提供高精度（10fF@2MHz，内建直流偏置40V）和高带宽（8MHz）两个选项，同时软件支持第三方工业主流LCR，如E4980A，428x系列等。1/f noise低频噪音测试 带宽：0.001Hz-100KHz 噪音分辨率： 2e-28A2/Hz 测量速度： 10秒钟/偏置（f0.5Hz）DUT最小阻抗：500欧姆 DUT直流偏置和电流：200V, 1A Pulse脉冲生成功能 电压范围±200V, 最小脉宽50us，最小分辨率100nV张先生 FS-Pro支持与MPI、Cascade厂家的半自动,全自动探针台连用,已于国内外大型半导体厂、科研院所等有着广泛的合作。

产品概要：瞬态热阻测试仪是一种用于材料科学领域的仪器。基本信息：技术优势：1、温控设备参数：冷媒：硅油；温度范围：-20°C ~ 150°C；温度误差：≤0.1°C；显示分辨率：0.01°C；支持所有工位同时测量2、标定控制：自动温度稳定判断；自动样品电压稳定判断；支持用户设定稳定容判据；支持迟滞消除；支持用户设定标定点数；支持所有测量通道同时标定3、历史数据保存：保存标定过程数据&bull 设定温度VS时间&bull 实际温度VS时间&bull 样品电压VS时间；通过历史数据记录可4、输出结果： K系数标定数据（电压VS温度）；包括NTC/PTC的拟合结果；支持多种数据拟合方式；各个K系数拟合度R2值；支持多个K系数曲线对比5、支持全测量通道同步温度系数标定：可对样品芯片电压温度特性进行标定；可对样品模块中的NTC/PTC进行标定；完整记录测试过程中所有采集参数应用方向：主要应用于半导体器件、LED光电器件等热学分析、测试，具体包括：测试该器件的热阻、结温、同一封装器件不同封装材料的热阻（积分、微分曲线结构函数等）。

SPM600 系列半导体参数分析仪是一款专用于半导体材料光电测试的系统。其功能全面，提供多种重要参数测试。系统集成高精度光谱扫描，光电流扫描以及光响应速率测试。40μm 探测光斑，实现百微米级探测器的绝对光谱响应度测量。超高稳定性光源支持长时间的连续测试，丰富的光源选择以及多层光学光路设计可扩展多路光源，例如超连续白光激光器，皮秒脉冲激光器，半导体激光器，卤素灯，氙灯等，满足不同探测器测试功能的要求。是半导体微纳器件研究的优选。功能：■ 光谱响应度■ 单色光/变功率IV；■ 不同辐照度IT曲线（分辨率200ms）■ 不同偏压下的IT曲线■ LBIC，Mapping■ 线性度测试■ 响应速率测试■ 瞬态光电压（载流 子迁移率）■ 瞬态光电流（载流子扩散长度）光源选项卓立汉光根据样品光谱相应范围选择适合的光源，如EQ 光源，氙灯光源，氙灯溴钨灯复合光源。EQ光源特点：■ 光谱范围宽：190-1700nm宽光谱范围；■ 光源本身发光点小，百微米级别；■ 紫外波段亮度高；■ 寿命长，理论寿命可达9000h；■ 体积小，重量轻；散热好；氙灯光源特点：■ 光谱范围宽：250-1700nm宽光谱范围；■ 光源本身发光点较小，mm级别；■ 总功率大，亮度高；适合紫外-可见-近红外光谱测试；■ 灯泡更换简单，成本低；氙灯卤素灯双光源特点：■ 光谱范围：250-2500nm■ 适合紫外、可见、近红外，且可见、近红外波段光谱平滑■ 灯泡更换简单，成本低。数采选项测试案例

透射电镜原位电学分析系统——纳米尺度原位电学成像分析解决方案透射电镜原位电学分析系统在先进材料科学、纳米技术开发、半导体器件开发及失效分析中发挥着至关重要的作用，能够为研究纳米尺度材料及器件提供电学性能分析支撑。该系统能够适配所有具备外部扫描控制接口的透射电镜，通过深度集成的硬件及软件协同，能够实现对所有电学信号的放大、获取及分析，每个信号均能够实现自动量化，覆盖µ A/nA/pA等电流范围。该系统主要技术优势・ 采集系统兼容所有带有外部扫描接口的透射电镜(与EDS或EELS类似)・ 所有放大和采集设置均由软件控制・ 信号自动量化并以电流值(µ A, nA, pA)显示硬件设备特点・ 快速放大优化成像・ 宽增益范围，以适应所有技术・ 小型化的固定式电子设备・ 自动信号路由为透射电镜原位电学样品杆设计的低噪声前置电流放大器 主要技术优势：・ 最靠近原始信号的初级放大，能大幅降低信号噪音・ 内置电压偏压和电流补偿・ 自动信号路由，避免放电为透射电镜配备的电学分析放大器 主要技术优势：・ 第二级放大以达到最大范围・ 出厂精确校准的增益和偏移・ 可选锁定配置电学分析成像仪(DISS6) 主要技术优势：・ 集成扫描发生器和图像采集・ 像素分辨率高，扫描速度快・ 高位深电学分析模数转换・ 同时输入明场, 高角环形暗场和电学分析信号软件设备特点：DISS6 -控制和采集应用程序 主要技术优势：・ 电学分析放大器控制・ 电学分析, 高角环形暗场和明场图像采集・ 自动定量到µ A…fA・ 电流-电压扫描工具・ 实时图像颜色混合工具・ 标准文件格式DIPS6 -数据处理程序 主要技术参数：・ 完整的图像和元数据查看器・ 自动定量到µ A…fA・ 基于梯度的变色效果・ 用于可视化的信号颜色混合・ 导出定量像素值 应用案例图一. STEM-EBIC技术:・ 非弹性损失诱导了片层中的电子-空穴对・ 内部电场将电子-空穴对分开・ 电流被数字化以获得电子束诱生电流(EBIC) STEM图像图二. 揭示内部电场:・ 分析器件中的接点和触点・ 根据设计验证掺杂分布・ 与设备模型和参数相关联图三. 研究每一层结构中的电学性能：・ 定位重组活性增加的位点・ 区分有/没有电学活动的缺陷・ 使用高分辨率技术图四. 基本物理参数测定:・ 少数载流子的扩散长度・ 位错的复合强度图五. FIB/SEM薄片制备:・ 应用标准FIB工作流程进行原位偏压・ 利用扫描电镜中的电学分析视场选择目标・ 在扫描电镜中筛选薄片以观察制备过程中的损伤

SPM300系列半导体参数测试仪设备概览基于拉曼光谱法的半导体参数测试仪，具有非接触、无损检测、特异性高的优点。可以对半导体材料进行微区分析，空间分辨率＜ 800nm （典型值），也可以对样品进行扫描从而对整个面进行均匀性分析。设备具有智能化的软件，可对数据进行拟合计算，直接将载流子浓度、晶化率、应力大小或者分布等结果直观的展现给用户。系统稳定，重复性好，可用于实验室检验或者产线监测。① 光路接口盒：内置常用激光器及激光片组，拓展激光器包含自由光及单模光纤输入；② 光路转向控制：光路转向控制可向下或向左，与原子力、低温、探针台等设备连用，可升级振镜选项③ 明视场相机：明视场相机代替目镜④ 显微镜：正置科研级金相显微镜，标配落射式明暗场照明，其它照明方式可升级⑤ 电动位移台：75mm*50mm 行程高精度电动载物台，1μm 定位精度⑥ 光纤共聚焦耦合：光纤共聚焦耦合为可选项，提高空间分辨率⑦ CCD- 狭缝共聚焦耦合：标配CCD- 狭缝耦合方式，可使用光谱仪成像模式，高光通量⑧ 光谱CCD：背照式深耗尽型光谱CCD相机， 200-1100nm 工作波段，峰值QE ＞ 90%⑨ 320mm 光谱仪：F/4.2高光通量影像校正光谱仪， 1*10-5 杂散光抑制比SPM300系列半导体参数测试仪主要应用SPM300系列半导体参数测试仪选型表型号描述SPM300-mini基础款半导体参数分析仪，只含一路532nm 激光器，常规正置显微镜，光谱仪，高精度XYZ 位移台SPM300-SMS532多功能型半导体参数分析仪，含532nm 激光器，常规正置显微镜，光谱仪，高精度XYZ 位移台，可升级耦合最多4 路激光器SPM300-OM532开放式半导体参数测试仪，含532nm 激光器，定制开放式显微镜，光谱仪，高精度XYZ 位移台，可升级耦合最多4 路激光器系统参数项目详细技术规格光源标配532nm，100mW 激光器，其他激光可选，最多耦合4 路激光，可电动切换，功率可调节光谱仪320mm 焦距影像校正光谱仪，光谱范围90-9000cm-1,光谱分辨率2cm-1空间分辨率1μm样品扫描范围标配75mm*50mm，最大300mm*300mm显微镜正置显微镜，明场或者暗场观察，带10X,50X,100X 三颗物镜；开放式显微镜可选载流子浓度分析测试范围测试范围1017 ~ 1020 cm-3，重复性误差5%应力测试可直观给出应力属性（拉力/ 张力），针对特种样品，可直接计算应力大小，应力均匀性分析（需额外配置电动位移台）, 应力解析精度0.002cm-1晶化率测试可自动分峰，自动拟合，自动计算出晶化率，并且自动计算晶粒大小和应力大小测试案例举例

4156B 安捷伦半导体参数分析仪　　41568 是安捷伦的半导体参数分析仪。半导体参数分析仪是用于各种测量功能的多合一工具。半导体参数分析仪可以测量和分析多种电子设备、材料、有源或无源元件、半导体或任何其他类型的电子设备的电气特性。工程师使用这台测试设备来监测不同类型设备中的电流和电压响应。附加的功能:　　高分辨率/准确度和宽范围。I:1 fA 至1A(20 fA 偏移精度),V:1μV 至 200 V采用直流或脉冲模式的全自动 I 扫描测量，可扩展至 6个 SMU同步应力/测量功能，两个高压脉冲发生器单元(±40 V)时域测量:60us-可变间隔，多 10,001 个点　　易于使用:类似于曲线跟踪器的旋钮扫描，自动分析功能自动化:内置 HP Instrument BASIC、触发 //O 功能设置测量和/感压力条件控制测量和/或压力执行　　执行算术计算　　在 LCD 显示屏上显示测量和计算结果　　执行图形分析　　存储和调用测量设置，以及测量和图形显示数据　　转储到打印机或绘图仪以进行硬拷贝输出　　使用内置的 HP Instrument BASIC 执行测量和分析　　自检、自动校准　　Agilent HP 4156B 是下一代精密半导体参数分析仪。您将获得好的数字扫描参数分析仪、可靠性测试仪、功能强大的故障分析工具和自动进货检测站，所有这些都集成在一台仪器中。这个新系列经过明确设计，旨在为评估您的亚微米几何器件提供的精度和功能。使用一台灵活的仪器，您可以从材料评估和器件表征一直到终封装部件检查和现场故障分析，提高您的半导体质量。　　Agilent HP 4156B 提供四个内置电源/监控器单元 (SMU)、两个电压源单元 (VSU)和两个电压监控器单元 (VMU)。　　Agilent HP 41568 将电流分辨率扩展至 1fA,准确度扩展至 20 fA。HP 4156B 在每个 SMU 上使用全开尔文遥感。　　您可以随时添加配备 0V/1.6 A 接地装置的 Agilent HP 4150 1B SMU 和脉冲发生器扩展器。扩展器接受两个 10 0mA/100 VSMU 或一个 1A/200V SMU,以及两个特别同步的 40V/200 mA/1 us 脉冲发生器。　　设置和测量　　Agilent HP 41568 可以使用许多测量单元(包括 Agilent HP 415018 中的单元)执行阶梯和脉冲扫描测量以及采样(时域)测量，而无需更改连接。此外，您可以轻松地执行应力测量循环测试以进行可靠性评估,例如热载流子注入和闪存 EEPROM 测试。　　设置和测量是通过设置页面并从前面板按键、键盘或 GPIB(SCPI命令)填写空白来进行的。您还可以使用类似于曲线跟踪器操作的旋钮扫描功能即时测量和查找设置条件。　　显示和分析　　测量和分析结果显示在彩色液晶显示屏上，您可以将四个图形存储器中存储的图形叠加起来进行比较。许多强大的图形分析工具可以轻松分析和提取许多参数，例如 hFE 和 Vth。　　-旦找到参数提取条件，就可以使用自动分析功能自动获取参数。　　输出和存储　　设置、测量和分析数据可以通过 GPIB、并行或网络接口 10 Base-TLAN 输出到彩色绘图仪和打印机。您还可以通过网络将数据以 MS-DOS 或 LIF 格式保存到磁盘或 3.5 英寸磁盘上。图形(HP-GL、PCL 或 TIF)输出文件允许您将图形传输到桌面出版软件。　　重复和自动化测试　　HP 4156B 中内置的 Agilent HP Instrument BASIC 控制器可以使用外部仪器构建自动测量系统,而无需控制器。Agilent HP 4156B 可以通过多功能触发 I/0 功能与外部仪器同步　　公司主营产品还有：　　射频微波测试仪器：频谱分析仪，网络分析仪，信号发生器，射频功率计，5G综测试仪；　　光通信测试仪器：光谱分析仪，光源，光功率计及模块，光采样示波器及模块，光波长计，光衰减器，消光比测试仪，误码分析仪，光可调滤波器，空间光调制器，偏振控制器，色散分析仪，光通信测试系统，激光二极管驱动器，光纤应变分布测试仪，光时域反射仪，光开关，光纤熔接机，端面检查仪；　　通用基础仪表：数字源表，皮安表，通用电源，电子负载，实时示波器，万用表...　　主要品牌：　　安捷伦、是德、横河、惠普、罗德与施瓦茨安立、爱德万、吉时利、泰克、德天（DESKY）唯亚威（VIAVI）、捷迪迅...　　※销售、维修、租赁、回收都可咨询　　※有意者可联系王先生

SPM600 系列半导体参数分析仪是一款专用于半导体材料光电测试的系统。其功能全面，提供多种重要参数测试。系统集成高精度光谱扫描，光电流扫描以及光响应速率测试。40μm 探测光斑，实现百微米级探测器的绝对光谱响应度测量。超高稳定性光源支持长时间的连续测试，丰富的光源选择以及多层光学光路设计可扩展多路光源，例如超连续白光激光器，皮秒脉冲激光器，半导体激光器，卤素灯，氙灯等，满足不同探测器测试功能的要求。是半导体微纳器件研究的优选。功能：■ 光谱响应度■ 单色光/变功率IV；■ 不同辐照度IT曲线（分辨率200ms）■ 不同偏压下的IT曲线■ LBIC，Mapping■ 线性度测试■ 响应速率测试■ 瞬态光电压（载流 子迁移率）■ 瞬态光电流（载流子扩散长度）光源选项卓立汉光根据样品光谱相应范围选择适合的光源，如EQ 光源，氙灯光源，氙灯溴钨灯复合光源。EQ光源特点：■ 光谱范围宽：190-1700nm宽光谱范围；■ 光源本身发光点小，百微米级别；■ 紫外波段亮度高；■ 寿命长，理论寿命可达9000h；■ 体积小，重量轻；散热好；氙灯光源特点：■ 光谱范围宽：250-1700nm宽光谱范围；■ 光源本身发光点较小，mm级别；■ 总功率大，亮度高；适合紫外-可见-近红外光谱测试；■ 灯泡更换简单，成本低；氙灯卤素灯双光源特点：■ 光谱范围：250-2500nm■ 适合紫外、可见、近红外，且可见、近红外波段光谱平滑■ 灯泡更换简单，成本低。数采选项测试案例

LED光学热学和电学性能分析系统 Illumia pro LED光学热学和电学性能分析系统方便用户对LED、LED模块及阵列的电特性准确测量并同时测量光学和热学特性。 LED制造商、集成商以及用户非常关注LED的热学和电学特性，因为结温的变化将影响LED的颜色、光通量、寿命、光效及线性特性。Labsphere的 Illumia pro系统积分球尺寸从0.5米到2米可选，每个系统都兼容2&pi 和4&pi 测量方法。基本系统包含光测量积分球、一个高分辨率CCD光谱仪、电控温控片及温度控制器、辅助灯和精密可变电流源以及 Illumia pro 测量软件。特性 完整的热学，光学和电学特性分析系统 自动数据采集和分析 待测物的TEC温度控制及监控 测量温度及操作电流情况下的光学特性 可选择多种尺寸积分球（0.5米、1米、1.65米及2米） 满足IESNA LM-79和LM-80标准的测量结构 可实现环境温度控制（可选） 测量参数电学：I，V，电功率 光学：光辐射功率、光通量、颜色、光效 热学：载体温度与电学及光学参数关系 应用领域 封装的LED LED模组及阵列 显示屏背光模块

自动检定套装(ACS)软件、ACS基本版、ACS晶圆级可靠性选项自动检定套装(ACS)软件自动在器件级、晶圆级或组件级进行半导体器件检定。与吉时利各种源端测量仪器或S500集成测试系统相结合，基于ACS的解决方案填补了基于实验室的设置与高速生产测试系统之间的空白。 产品特点●ACS是一种灵活的交互软件测试环境，支持许多吉时利仪器和参数测试系统●ModelACS-2600-RTM选项及Series2600B 系统源表仪器提供了晶圆级可靠性解决方案。●ACSBasic是为元器件和离散器件测试优化的。

产品简介本系列的“半导体SFP光模块高低测试系统”是建立在半导体制冷片基础上设计的高性能温度控制系统，其特点是高精度和高稳定度、长寿命、体积小、无噪声、无磨损、无振动、无污染、既可制冷又可加热等优点，是真正的绿色产品。设计为便于与各种系统无缝集成，半导体SFP光模块高低测试系统的标准化接口使其成为多种应用场合的理想选择，模块体积小 重量轻广泛应用于对温度的精度和稳定度要求较高的各类厂家、公司、大学、科研机构、个人等。应用方向 SFP光模块高低温测试 实验、科研温控源 高低温实验 非标定制 产品选型表 产品尺寸图