直流磁控等离子溅射仪

产品简介：VTC-16-D小型直流磁控等离子溅射仪靶头尺寸为2英寸，且样品台的高度可以调节。此款镀膜仪设计主要是制作一些金属薄膜，最大制膜面积为4英寸。 产品型号VTC-16-D小型直流磁控等离子溅射仪 主要特点1、特别为SEM样品镀导电性薄膜设计。2、体积小巧，操作简单，容易上手。3、拥有小型磁控靶头，可以镀金银铂等金属。 技术参数1、输入电源：220V AC 50/60Hz2、功率：200W3、输出电压：500 VDC4、溅射电流：0-50 mA可调5、溅射时间：0-120S可调6、溅射腔体1）采用石英腔体，尺寸：166 mm OD x 150 mm ID x 150 mm H2）密封：采用不锈钢平法兰的O形密封圈7、溅射头&样品台l）溅射头可安装靶材直径为2英寸，厚度0.1 - 2.5mm 2）溅射时间1-120S可调3）仪器中安装有直径为50mm的不锈钢样品台，其与溅射头之间距离30-80mm可调。 4）可选购加热型样品台，其最高加热温度为500℃ 5）安装有一可手动操作的溅射挡板，可进行预溅射6）最大可制膜的直径为:4英寸（仅供参考，详情请点击） 8、真空系统l）安装有KF25真空接口2）数字真空压力表（Pa）3）此系统可通入气体运行4） 1.0E-2 Torr （采用机械泵）5） 1.0E-5 Torr（采用涡旋分子泵）9、进气l）设备上配1/4英寸进气口，方便连接气瓶 2）设备前面板上装有一气流调节旋钮，方便调节气流10、靶材 l）靶材尺寸要求：Φ50mm×(0.1 - 2.5) mm(厚度) 2）设备标配为铜靶11、产品外型尺寸L460 mm × W 330 mm × H 540 mm 净重：20 kg（不包括泵） 可选1、可在本公司选购各种靶材对于溅射各种金属靶材，需要摸索最理想的溅射参数，下表是本公司实验所设置的参数，欢迎您带料来科晶实验室摸索工艺（仅供参考）靶材种类真空度（Pa）溅射电流（mA） 时间 （s）溅射次数Au31-3328-301001Ag31281001 2、可在本公司选购各种真空泵 3、可在本公司选购薄膜测厚仪安装在溅射仪上 质量认证CE认证 质保期 一年保修，终身技术支持。特别提示：1.耗材部分如加热元件，石英管，样品坩埚等不包含在内。 2.因使用腐蚀性气体和酸性气体造成的损害不在保修范围内。 使用提示 l、有时为了达到理想的薄膜厚度，可能需要多次溅射镀膜2、在溅射镀膜前，确保溅射头、靶材、基片和样品台的洁净3、要达到薄膜与基底良好结合，请在溅射前清洁基材表面4、超声波清洗（详细参数点击下面图片）：（1）丙酮超声，（2）异丙醇超声-去除油脂，（3）吹氮气干燥，（4）真空烘箱除去水分。5、等离子清洗（详细参数点击下面图片）：可表面粗糙化，可激活表面化学键，可祛除额外的污染物。6、制造一个薄的缓冲层（5纳米左右）：如Gr，Ti，Mo，Ta，可以应用于改善金属和合金的附着力。7、请使用5N纯度氩气等离子体溅射8、溅射镀膜机可以放入Ar或N2气体手套箱中溅射9、由于能量低，该模型不适用于涂层的轻金属材料如Al，Mg，Zn，Ni。请考虑我们的磁控溅射镀膜机或热蒸发镀膜机。 超声波清洗机等离子清洗机大功率磁控溅射仪 蒸发镀膜仪 警告 注意：产品内部安装有高压元件，禁止私自拆装，带电移动机体。气瓶上应安装减压阀（不包括），保证气体的输出压力限制在0.02兆帕以下，以安全使用。溅射头连接到高电压。为了安全，操作者必须在关闭设备前装样和更换靶头。

VTC-5RF是一款5靶头的等离子射频磁控溅射仪，针对于高通量MGI（材料基因组计划）薄膜的研究。特别适合用于探索固态电解质材料，通过5种元素，按16种不同配比组合。 技术参数概念5个溅射头安装5种不同材料通过不同的溅射时间，5种材料可以溅射出不同组分的产物，选择5个等离子射频电源，可在同一时间溅射5种材料真空腔体中安装有旋转样品台，可以制作16个样品电源单相220 VAC, 50 / 60 Hz射频电源一个13.5MHz,300W自动匹配的射频电源安装在仪器上，并与靶头相连接一个旋转开关可一次激活一个溅射头。溅射头可以在真空或等离子体环境中自动切换可选购多个射频电源，同一时间溅射多个靶材。所有的溅射参数，都可由电脑设置直流电源（可选）可选购直流电源，来溅射金属靶材可配置5个直流或射频电源，来同时溅射5中靶材磁控溅射头 5个1英寸的磁控溅射头，带有水冷夹层可在本公司额外购买射频线电动挡板安装在溅射腔体内设备中配有一循环水冷机，水流量为10L/min (1) (2) (3) (4)溅射靶材所要求靶材尺寸：直径为25.4mm,最大厚度3mm溅射距离: 50 – 80 mm（可调）溅射角度: 0 – 25°（可调）配有铜靶和 Al2O3 靶，用于样品测试用可在本公司购买各种靶材实验时，需要将靶材和铜片粘合，可通过导电银浆粘合（可在本公司购买导电银浆）真空腔体 真空腔体采用304不锈钢制作腔体内部尺寸: 470mm L×445mm D×522mm H (~ 105 L)铰链式腔门，直径为Φ380mm,上面安装有Φ150mm的玻璃窗口真空度: 4E-5 torr （采用分子泵）样品台直径为150mm的样品台，上面覆盖一旋转台，带有10mm的孔洞，每次露出一个样品接收溅射成膜。样品台尺寸：Φ150mm,可通过程序控制来旋转，可制作16种不同组分的薄膜样品台可以加热，最高温度可达600℃真空泵设备中配有一小型涡旋分子泵真空泵接口为KF40石英振荡测厚仪（可选）可选购精密石英振荡测厚仪，安装在真空腔体内，实时测量薄膜的厚度，精确度为0.1 ?（需水冷）净重60kg质量认证CE认证质保一年质保期，终生维护应用注意事项此款设备设置主要是在单晶基片上制作氧化物薄膜，所以不需要高真空的环境所用气瓶上必须安装减压阀（可在本公司购买），所用Ar气纯度为5N为了得到较好质量的薄膜，可以对基片进行清洗用超声波清洗机，用丙酮或乙醇作为清洗介质，清除基片表面的油脂，然后在N2气或真空环境下对基片干燥等离子清洗机，可使基片表面粗糙化，改变基片表面化学活性，清除表面污染物可在基片表面镀上缓冲层，如Cr, Ti, Mo, Ta,，可改善金属或合金膜的粘附性溅射一些非导电靶材，其靶材背后必须附上铜垫片本公司实验室成功地在Al2O3基片上成功生长出ZnO外延膜因为溅射头连接着高电压，所以用户在放入样品或更换靶材时，必须切断电源不可用自来水作为冷却水，以防水垢堵塞水管。应该用等离子水，或专用冷却介质

直流磁控溅射仪，本仪器主要适用于扫描电子显微镜样品镀膜导电膜(金膜),仪器操作简单方便,配合中小型扫描电子显微镜制样的仪器离子溅射仪的工作原理是在一个较低真空的腔体内，将超过几百伏特的电压加载在负电极和正电极之间，使得辉光放电产生，使得正离子在电场的作用下对靶电极(负极)的轰击加速，造成靶中原子溅射，使得一层簿膜在样品上形成。10电子伏特为溅射原子的平均能量，因此会有非常大的热量产生，为了使样品不被灼伤，需要对被镀材料特性以及是否需要采取特殊的防护方法格外注意。。直流磁控溅射仪技术参数；控制方式7寸人机界面 手动 自动模式切换控制溅射电源直流溅射电源镀膜功能0-999秒5段可变换功率及挡板位和样品速度程序功率≤1000W输出电压电流电压≤1000V 电流≤1A真空机械泵 ≤5Pa（5分钟） 分子泵≤5*10^-3Pa溅射真空≤30Pa挡板类型电控真空腔室石英+不锈钢腔体φ160mm x 170mm样品台可旋转φ62 （可安装φ50基底）样品台转速8转/分钟样品溅射源调节距离40-105mm真空测量皮拉尼真空计（已安装 测量范围10E5Pa 1E-1Pa）预留真空接口KF25抽气口 KF16放气口 6mm卡套进气口

VTC-2RF是一款小型的射频（RF）等离子体磁控溅射镀膜仪系统，系统中包含了所有所需的配件，如300W（13.5MHz）的RF电源、2"的磁控溅射头、石英真空腔体、真空泵和温度控制器等。对于制作一些金属薄膜及非金属薄膜，它是一款物美价廉的实验帮手。我们用此设备得到择优取向的ZnO薄膜 技术参数输入电源220VAC 50/60Hz, 单相800W (包括真空泵）等离子源一个300W，13.5MHz的射频电源安装在移动柜内(点击图片查看详细资料）磁控溅射头一个 2英寸磁控溅射头（带有水冷夹层），采用快速接头与真空腔体相连接靶材尺寸: 直径为50mm,最大厚度6.35mm一个快速挡板安装在法兰上（手动操作，见图左3）溅射头所需冷却水：流速10L/min（仪器中配有一台流速为16L/min的循环水冷机）同时可选配1英寸溅射头真空腔体真空腔体：160 mm OD x 150 mm ID x 250mm H，采用高纯石英制作密封法兰:直径为165 mm . 采用金属铝制作，采用硅胶密封圈密封一个不锈钢网罩住整个石英腔体，以屏蔽等离子体真空度：10-3 Torr （采用双极旋片真空泵） 10-5 torr （采涡旋分子泵）载样台载样台可旋转（为了制膜更加均匀）并可加热载样台尺寸：直径50mm （最大可放置2英寸的基片）旋转速度：1 - 20 rpm样品的最高加热温度为700℃，(短期使用，恒温不超过1小时)，长期使用温度500℃控温精度+/- 10℃真空泵我公司有多种真空泵可选，请点击图片，或是致电我公司销售薄膜测厚仪一个精密的石英振动薄膜测厚仪安装在仪器上，可实时监控薄膜的厚度，分辨率为0.10 ? LED显示屏显示，同时也输入所制作薄膜的相关数据外形尺寸 质保和质量认证一年质保期，终生维护CE认证使用注意事项这款2英寸的射频溅射镀膜仪主要是用于在单晶基片上制备氧化物膜，所以并不需要太高的真空度为了较好地排出真空腔体中的氧气，建议用5%H2+95 %N2对真空腔体清洗2-3次，可有效减少真空腔体中的氧含量请用纯度大于5N的Ar来进行等离子溅射，甚至5N的Ar中也含有10- 100 ppm的氧和水，所以建议将钢瓶中的惰性气体通过净化系统过后，再导入到真空腔体内

三靶等离子溅射镀膜仪是我公司自主研发的一款高性价比等离子溅射镀膜设备，等离子溅射靶为2英寸的标准尺寸，客户可以根据需要选择1~3个靶的不同配置，以满足镀单层膜或者多种材料多层膜的不同实验需求。仪器所配电源为150W直流高压电源，可用于金属溅射镀膜，尤其适合金银铜等贵金属的镀膜。镀膜仪配有通气接口，可以通入保护性气体。仪器采用触摸屏控制，简单直观易于上手，能够一键实现镀膜启停、切换靶位、挡板旋转等操作，十分适合实验室选购。本镀膜仪标配为双极旋片真空泵，其具有体积小，抽真空快，操作简单的优势，若客户有进一步提升真空度的需要，可以联系技术人员选配分子泵组组成高真空系统。三靶等离子溅射镀膜仪适用范围： 可用于金属溅射镀膜，尤其适合金银铜等金属的镀膜。三靶等离子溅射镀膜仪技术参数：三靶等离子溅射镀膜仪样品台尺寸φ138mm控温精度±1℃加热温度*高500℃转速1-20rpm可调直流溅射头数量2"×1 （1~3个靶可选）真空腔体腔体尺寸φ180mm × 150mm观察窗口全向透明腔体材料高纯石英开启方式顶盖上翻式真空系统机械泵旋片泵抽气接口KF16真空测量电阻规排气接口KF16极限真空1.0E-1Pa供电电源AC 220V 50/60Hz抽气速率旋片泵：1.1L/S电源配置数量直流电源 x1*大输出功率150W其他供电电压AC220V,50Hz整机尺寸360mm × 300mm × 470mm整机功率800W整机重量40kg

产品简介：VTC-16-SM小型高能直流磁控溅射仪是一款桌面式等离子磁控溅射镀膜仪，包含一个2英寸水冷靶头（另有1英寸靶头可选）和可旋转样品台。水冷靶头使镀膜后的样品表面不会因镀膜温度过高而变形，甚至损坏样品；样品台可旋转，可以使样品边旋转边镀膜，使镀膜后的样品表面膜厚均匀。设备外形小巧，性价比高，是制作各种金属薄膜理想的镀膜设备，可选配各种金属靶材和真空泵搭配设备使用。VTC-16-SM小型高能直流磁控溅射仪采用PLC控制面板对设备进行控制，操作方便直观。 VTC-16-SM小型高能直流磁控溅射仪操作视频 产品型号VTC-16-SM小型高能直流磁控溅射仪技术参数1、输入电源：220VAC 50/60Hz2、溅射电流：0-150 mA可调3、功率：＜2KW4、输出电压：1600VDC（max）5、溅射腔体（1）.采用石英腔体，尺寸：166mm OD x 150mm ID x 290mm H（2）.密封：采用O形密封圈密封6、溅射头&样品台（1）.二英寸带水冷的磁控溅射头（注意：水冷机不是标配）另有1英寸靶头可选（2）.一个直径50mm不锈钢样品台，样品台可旋转，旋转速率0-5 RPM（3）.安装有一可手动操作的溅射挡板（4）.样品台和靶头之间的距离可以调节，调节范围：30-80mm（5）.靶头支架，可以在非溅射状态放置溅射靶头（6）.溅射面积：4英寸（max）7、控制面板6" PLC集成触摸屏控制面板，可控制真空、电流、靶材位置和基片加热温度8、真空系统（1）安装有KF25真空接口（2）数字真空压力表（Pa） （3）此系统运行需要Ar气，并且气瓶上安装有减压阀（设备中不包含）（4）采用机械泵 1.0E-2 Torr（5）采用涡旋分子泵 1.0E-5 Torr（6）可在本公司选购各种真空泵9、进气含一个控制进气的针阀和一个放气阀，本设备接气需要安装减压阀10、靶材（1）靶材尺寸要求：Φ50mmx(0.1-2.5) mm(厚度)（2）适合溅射Au,Ag,Cu,Al,Ti,等金属（可在我公司选购）产品规格1、产品外型尺寸：（L）460 mm × （W）330 mm × （H）520 mm2、净重：20 kg（不包含泵及水冷机）可选配件薄膜测厚仪加热样品台浮子流量计

单靶等离子溅射镀膜仪是我公司自主研发的一款高性价比等离子溅射镀膜设备，具有结构紧凑，简单易用，集成度高，设计感强的优势。等离子溅射靶为2英寸的标准尺寸，客户可以根据需要选择1~3个靶的不同配置，以满足镀单层膜或者多种材料多层膜的不同实验需求。仪器所配电源为150W直流高压电源，可用于金属溅射镀膜，尤其适合金银铜等贵金属的镀膜。镀膜仪配有通气接口，可以通入保护性气体，若客户需要通入混合气体，可以联系工作人员自行配置高精度质量流量计以满足实验需要。 单靶等离子溅射镀膜仪适用范围：可用于金属溅射镀膜，尤其适合金银铜等金属的镀膜。主要技术参数样品台尺寸Φ138mm加热温度最高500℃控温精度±1℃转速1-20rpm可调等离子溅射头1支2寸等离子靶真空腔体腔体尺寸Φ180mm×150mm 腔体材料高纯石英观察窗口全向透明开启方式顶盖拆卸式前极泵VRD-4抽气速率旋片泵：1.1L/S 极限真空1.0E-1Pa抽气接口KF16排气接口KF16真空测量数字真空计其他供电电压AC220V,50Hz整机功率800W溅射真空20Pa整机尺寸长360mm宽300mm高470mm整机重量30Kg

VTC-16-3HD 3靶等离子溅射仪是一款紧凑型的等离子薄膜溅射仪（直流普通型），控制面板采用触摸屏模式，基片极限尺寸为2″，放置样品的直径为?50mm，加热温度达500℃。VTC-16-3HD 3靶等离子溅射仪可溅射金、银、铜三种靶材，不可以溅射轻金属和碳。本机采用旋转式样品台，能够依次在同一样品上涂覆三层薄膜，适用于实验室制备复膜的样品。VTC-16-3HD 3靶等离子溅射仪采用PLC控制面板对设备进行控制，操作方便直观。该机设备小巧，占用实验室空间少，操作简单，应用广泛。因此被广泛应用于各大高校及科研院所的实验室中。1、PLC控制面板，4.3″触摸屏，PID控温方式。2、可控参数包括真空度、电流、靶材位置、基片加热温度。3、可与真空泵、不锈钢波纹管KFD25快速卸装卡箍连用。4、已通过CE认证。产品名称VTC-16-3HD 3靶等离子溅射仪产品型号VTC-16-3HD安装条件本设备要求在海拔1000m以下，温度25℃±15℃，湿度55%Rh±10%Rh下使用。1、水：不需要2、电：AC220V 50Hz，必须有良好接地3、气：设备腔室内需充注氩气（纯度99.99%以上），需自备氩气气瓶（带减压阀）4、工作台：尺寸600mm×600mm×700mm，,承重50kg以上5、通风装置：不需要主要参数1、输入功率：110V/220V通用 2000W（含真空泵）2、输出功率：1600VDC 50mA（最大电流）3、石英罩：?160mm×120mm4、样品台：?50mm（可选购加热型样品台，最高温度可到500℃；最长溅射时间不可超过5min）5、真空泵：120L/M旋片式真空泵6、进气口：装有精密可调针阀，以实现方便的调节进气量7、靶材：尺寸直径?47mm，厚度0.1mm-3mm；可溅射Au、Ag、Pt、Cr、Ni， 不可溅射氧化物、半导体、一些轻金属、Al、Zn、C等产品规格尺寸：360mm×350mm×3600mm；重量：50kg可选配件1、KF25真空接口、卡箍2、不锈钢波纹管（600mm）3、旋片式真空泵（120L/M）4、铂、银、锌等各种高纯度金属靶材5、加热型样品台

VTC-16-3HD 3靶等离子溅射仪是一款紧凑型的等离子薄膜溅射仪（直流普通型），控制面板采用触摸屏模式，基片极限尺寸为2″，放置样品的直径为Ø 50mm，加热温度达500℃。VTC-16-3HD 3靶等离子溅射仪可溅射金、银、铜三种靶材，不可以溅射轻金属和碳。本机采用旋转式样品台，能够依次在同一样品上涂覆三层薄膜，适用于实验室制备复膜的样品。VTC-16-3HD 3靶等离子溅射仪采用PLC控制面板对设备进行控制，操作方便直观。该机设备小巧，占用实验室空间少，操作简单，应用广泛。因此被广泛应用于各大高校及科研院所的实验室中。1、PLC控制面板，4.3″触摸屏，PID控温方式。2、可控参数包括真空度、电流、靶材位置、基片加热温度。3、可与真空泵、不锈钢波纹管KFD25快速卸装卡箍连用。4、已通过CE认证。产品名称VTC-16-3HD 3靶等离子溅射仪产品型号VTC-16-3HD安装条件本设备要求在海拔1000m以下，温度25℃±15℃，湿度55%Rh±10%Rh下使用。1、水：不需要2、电：AC220V 50Hz，必须有良好接地3、气：设备腔室内需充注氩气（纯度99.99%以上），需自备氩气气瓶（带减压阀）4、工作台：尺寸600mm×600mm×700mm，,承重50kg以上5、通风装置：不需要主要参数1、输入功率：110V/220V通用 2000W（含真空泵）2、输出功率：1600VDC 50mA（最大电流）3、石英罩：Ø 160mm×120mm4、样品台：Ø 50mm（可选购加热型样品台，最高温度可到500℃；最长溅射时间不可超过5min）5、真空泵：120L/M旋片式真空泵6、进气口：装有精密可调针阀，以实现方便的调节进气量7、靶材：尺寸直径Ø 47mm，厚度0.1mm-3mm；可溅射Au、Ag、Pt、Cr、Ni， 不可溅射氧化物、半导体、一些轻金属、Al、Zn、C等产品规格尺寸：360mm×350mm×3600mm；重量：50kg可选配件1、KF25真空接口、卡箍2、不锈钢波纹管（600mm）3、旋片式真空泵（120L/M）4、铂、银、锌等各种高纯度金属靶材5、加热型样品台

GSL-1100X-SPC-16-3等离子三靶溅射仪是依据二极（DC）直流溅射原理（直流二极溅射镀膜是指在真空环境中利用粒子轰击靶材产生的溅射效应，使得靶材原子或分子从固体表面射出，在基片上沉积形成薄膜的过程。属于物理 气相沉积（PVD）制备薄膜技术的一种。）设计而成的简单、可靠、经济的镀膜设备。GSL-1100X-SPC-16-3等离子三靶溅射仪特别之处是在一个真空室内安装了三个靶，旋转样品台可依次在同一样品上涂覆三种材料。因此，适用于实验室各种复合膜样品的制备，以及非导体材料实验电极的制作。该设备体积小，节省实验室空间，操作简单，尤其适合实验室使用。1、设有真空表、溅射电流表，可实时监控工作状态。2、通过调节溅射电流控制器、微型真空气阀，控制真空室压强、电离电流及选择所需要的电离气体，以获得最佳镀膜效果。3、钟罩边缘橡胶密封圈采用特殊设计，可保证长期使用不出现玻璃钟罩崩边现象。4、陶瓷密封高压电极接头比通常采用的橡胶密封更经久耐用。5、根据电场中气体电离特性，采用大容量溅射真空室和相应面积溅射靶，使溅射镀层更均匀纯净。6、已通过CE认证。产品名称GSL-1100X-SPC-16-3等离子三靶溅射仪产品型号GSL-1100X-SPC-16-3安装条件本设备要求在海拔1000m以下，温度25℃±15℃，湿度55%Rh±10%Rh下使用。1、水：不需要2、电：AC220V 50Hz，必须有良好接地3、气：设备腔室内需充注氩气（纯度99.99%以上），需自备氩气气瓶（带减压阀）4、工作台：尺寸600mm×600mm×700mm，,承重50kg以上5、通风装置：不需要主要参数1、靶：Ø 45mm2、真空室：Ø 160mm×120mm3、最高真空度：≤4×10-2mbar4、靶位：3个5、最大电流：50mA6、可设定最长时间：900s7、微型真空气阀：连接Ø 3mm软管8、最高电压：1600V DC9、机械泵：2L/s产品规格尺寸：400mm×300mm×400mm重量：30kg标准配件1、金靶材1个2、铜靶材1个3、铝靶材1个4、进气针阀1个5、保险丝2个可选配件金、铟、银、铂等各种靶材

仪器特点：腔体材料：不锈钢，铝，或者Bell Jar；分子泵：70，250，500 l/sec； 一级泵：机械泵或干泵；13.5MHz, 300-600W射频电源；1KW直流电源；QCM在线厚度测量，厚度分辨率0.1nm；带有观察窗的门，方便样品取放；Labview软件，PC控制；多重密码保护；全安全互锁设计； 选配功能：向上，向下，侧向溅射；射频，直流、脉冲直流溅射；共溅射，反应溅射；组合溅射；射频、直流偏置(1000V)；基底加热：不高于700摄氏度；厚度监控；基底射频等离子清洗；Load-Lock，以及自动样品取放； 不同型号选择：NSC系列，立式磁控溅射系统；NSC系列，立式紧凑磁控溅射系统；NSC系列，台式磁控溅射系统；双腔体系统，NSR系列，磁控溅射+反应离子刻蚀(RIE)；双腔体系统，NSP系列，磁控溅射+PECVD；双腔体系统，NST系列，磁控溅射+热蒸发；

磁控溅射技术NSC-4000（A）全自动磁控溅射系统概述：带有水冷或者加热(最高可加热到700度)功能，最大到6"旋转平台，最大可支持到4个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵，极限真空可达10-7 Torr，15分钟内可以达到10-6 Torr的真空。通过调整磁控管与基片之间的距离，可以获得想要的均匀度和沉积速度。NSC-4000（A）带有14”立方形不锈钢腔体，4个2”的磁控管，DC直流和RF射频电源。 在选配方面，350 l/s涡轮分子泵，额外的磁控管和衬底加热功能。NSC-4000（A）全自动磁控溅射系统产品特点：不锈钢腔体260l/s或350l/s的涡轮分子泵，串接机械泵或干泵13.56MHz，300-600W RF射频电源以及1KW DC直流电源晶振夹具具有的1 ?的厚度分辨率带观察视窗的腔门易于上下载片基于LabView软件的PC计算机控制带密码保护功能的多级访问控制完全的安全联锁功能预真空锁以及自动晶圆片上/下载片NSC-4000（A）全自动磁控溅射系统选配项：RF、DC溅射热蒸镀能力RF或DC偏压（1000V）样品台可加热到700°C膜厚监测仪基片的RF射频等离子清洗NSC-4000（A）全自动磁控溅射系统应用：晶圆片、陶瓷片、玻璃白片以及磁头等的金属以及介质涂覆光学以及ITO涂覆带高温样品台和脉冲DC电源的硬涂覆带RF射频等离子放电的反应溅射

磁控溅射技术NSC-3000（A）全自动磁控溅射系统概述：带有水冷或者加热(最高可加热到700度)功能，最大到6"旋转平台，最大可支持到3个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵，极限真空可达10-7 Torr，15分钟内可以达到10-6 Torr的真空。通过调整磁控管与基片之间的距离，可以获得想要的均匀度和沉积速度。NSC-3000（A）带有14”立方形铝质腔体，3个2”的磁控管，DC直流和RF射频电源。 在选配方面，我们提供不锈钢腔体，260 l/s涡轮分子泵，额外的磁控管和衬底加热功能。NSC-3000（A）全自动磁控溅射系统产品特点：不锈钢，铝质腔体或钟罩式耐热玻璃70或250l/s的涡轮分子泵，串接机械泵或干泵13.56MHz，300-600W RF射频电源以及1KW DC直流电源晶振夹具具有的1 ?的厚度分辨率带观察视窗的腔门易于上下载片基于LabView软件的PC计算机控制带密码保护功能的多级访问控制完全的安全联锁功能预真空锁以及自动晶圆片上/下载片NSC-3000（A）全自动磁控溅射系统选配项：不锈钢腔体RF、DC溅射RF或DC偏压（1000V）样品台可加热到700°C膜厚监测仪基片的RF射频等离子清洗NSC-3000（A）全自动磁控溅射系统应用： 晶圆片、陶瓷片、玻璃白片以及磁头等的金属以及介质涂覆光学以及ITO涂覆带高温样品台和脉冲DC电源的硬涂覆带RF射频等离子放电的反应溅射

GVC-2000P磁控离子溅射仪采用平面磁控溅射靶头进行靶材溅射，以确保工作过程样品不会发生热损伤；采用ARM作为处理器，全自主知识产权，扩展性好，可选配。一.GVC-2000P磁控离子溅射仪（镀金仪）主要特点1、一键操作，具备工作完成提示音；2、镀膜颗粒小，无热损伤；3、靶材更换非常简单；4、特殊密封结构，玻璃不易损坏；5、内置操作向导，无需培训即可熟练操作；二、GVC-2000P磁控离子溅射仪（镀金仪）技术参数外形尺寸420（L）×330（D）×335（H）溅射靶头平面磁控靶可用靶材Au、Pt、Ag、Cu等靶材尺寸φ57×0.12mm真空室高硅硼玻璃 ~φ200×130mm工作介质空气或氩气样品台φ125mm样品台转速4-20rpm可调真空泵旋片泵（可选配干泵）抽速1.1L/s真空测量皮拉尼式真空规管工作真空4-20Pa极限真空≤1Pa工作电流0-100mA连续可调显示屏7英寸 800×480 彩色触摸屏工作时间1-999s连续可调进气自动放气自动金颗粒尺寸（硅片喷金）电池隔膜10万倍（喷铂）三、GVC-2000P磁控离子溅射仪技术方案1、采用平面磁控溅射靶头进行靶材溅射，以确保工作过程样品不会发生热损伤；2、采用ARM作为处理器，全自主知识产权，扩展性好，可选配：（1）膜厚监控组件：可预设期望镀膜厚度，在工作过程中精确控制镀膜厚度；（2）样品台加热组件：可通过加热提高膜层的致密性以及与基地的结合力。3、7英寸触摸式液晶显示屏，分辨率为800×480，全数字显示。3.1）可设定：（1）溅射电流；（2）溅射时间；（3）靶材种类；（4）工作真空度；（5）工作气体；（6）屏幕亮度等参数；3.2）可显示：（1）溅射电流；（2）溅射剩余时间；（3）工作真空度；（4）靶材累计使用时间；（5）设备累计使用时间等参数。4、溅射电流：2-100mA连续可调，最小步长为1mA；5、溅射时长：1-999s连续可调，最小步长为1s 6.溅射真空：4-20Pa连续可调，最小步长为0.1Pa 7、溅射靶材：标配为高纯铂靶（纯度4N9），规格为φ57×0.12mm；也可使用金、银、铜、金钯合金等金属作为溅射靶材；8、真空室：采用高透光性的高硅硼玻璃，尺寸约为φ200×130mm；9、样品台：可自转的不锈钢样品台，直径为φ125mm，转速4-20rpm可调；10、靶材参数：系统提供金、铂、银、铜对于空气和氩气的工作参数，可直接使用。同时提供4种自定义靶材，用户可根据自己需求设定工作参数；11、预溅射：具有全自动控制的预溅射挡板，确保工作过程稳定可靠；12、一键操作：系统可自动完成抽气、充气、参数调整、预溅射、溅射镀膜等工作过程；溅射完成后，关闭真空泵，系统自动充气使真空室内外压力平衡；13、具备溅射电流和真空度双重互锁，安全可靠，任一条件触发，系统即可停止工作，防止因为误操作导致设备损坏；14、系统采用皮拉尼真空规作为真空测量元件；15、极限真空优于1Pa，真空泵抽速为1.1L/s；16、具备实时曲线显示溅射电流和真空度功能非常方便用户了解系统工作状态；17、采用独特的靶材更换结构，无需任何工具，即可实现快速更换靶材；18、仪器供电：AC220±10%V，额定功率500W、

采用旋片泵快速产生一个 2 Pa的真空压强，通常抽真空时间小于1 分钟。采用磁控溅射技术，以大幅度减少等离子体对样品的热影响和离子轰击损伤。特别适用于灯丝或台式SEM 电镜样品的喷金、喷铂等贵金属镀膜用途。外型紧凑，触摸屏控制，即插即用。 选配旋转/偏转样品台，适用于3D立体和空隙样品内/外表面均匀镀膜需求。

多功能磁控溅射仪（ 高真空磁控溅射镀膜机）是用磁控溅射的方法，制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等；适用于镀制各种单层膜、多层膜、掺杂膜系及合金膜；可镀制磁性材料和非磁性材料。设备关键技术特点秉承设备为工艺实现提供实现手段的理念，我们做了如下设计和工程实现，实际运行效果良好，为用户的专用工艺实现提供了精*准的工艺设备方案。靶材背面和溅射靶表面的结合处理-靶材和靶面直接做到面接触是很难的，如果做不到面接触，接触电阻将增大，导致离化电场的幅值不够（接触电阻增大，接触面的电场分压增大），导致镀膜效果不好；电阻增大导致靶材发热升温，降低镀膜质量。-靶材和靶面接触不良，导致水冷效果不好，降低镀膜质量。-增加一层特殊导电导热的软薄的物质，保证面接触。采用计算机＋PLC 两级控制系统角度、距离可调磁控溅射靶头可调角度，以便针对不同尺寸基片的均匀性，做精*准调控。基片和靶材之间的距离可调整，以适应不同靶材的成膜工艺的距离要求。 集成一体化柜式结构一体化柜式结构优点：安全性好（操作者不会触碰到高压部件和旋转部件）占地面积小，尺寸约为：长1100mm×宽780mm（标准办公室门是800mm宽）（传统设备大约为2200mm×1000mm），相同面积的工作场地，可以放两台设备。安全性-电力系统的检测与保护-设置真空检测与报警保护功能-温度检测与报警保护-冷却循环水系统的压力检测和流量-检测与报警保护匀气技术工艺气体采用匀气技术，气场更均匀，镀膜更均匀。基片加热技术采用铠装加热丝，由于通电加热的金属丝不暴露在真空室内，所以高温加热过程中不释放杂质物质，保证薄膜的纯净度。铠装加热丝放入均温器里，保证温常的均匀，然后再对基片加热。真空度更高、抽速更快真空室内外，全部电化学抛光，完全去除表面微观毛刺丛林（在显微镜下可见），没有微观藏污纳垢的地方，腔体内表面积减少一倍以上，镀膜更纯净，真空度更高，抽速更快。高真空磁控溅射仪（磁控溅射镀膜机）设备详情设备结构及性能1、单镀膜室、双镀膜室、单镀膜室＋进样室、镀膜室+手套箱2、磁控溅射靶数量及类型：1 ～ 6 靶，圆形平面靶、矩形靶3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装4、磁控溅射靶：射频、中频、直流脉冲、直流兼容5、基片可旋转、可加热6、通入反应气体，可进行反应溅射镀膜7、操作方式：手动、半自动、全自动7、样品传递采用折叠式超高真空机械手工作条件类型 参数 备注 供电 ～ 380V 三相五线制 功率 根据设备规模配置 冷却水循环根据设备规模配置 水压 1.5 ～ 2.5×105Pa 制冷量 根据扇热量配置 水温 18～25℃ 气动部件供气压力 0.5～0.7MPa 质量流量控制器供气压力 0.05～0.2MPa 工作环境温度 10℃～40℃ 工作湿度 ≤50%设备主要技术指标-基片托架：根据供件大小配置。-基片加热器温度：根据用户供应要求配置，温度可用电脑编程控制，可控可调。-基片架公转速度 ：2 ～100 转 / 分钟，可控可调；基片自转速度：2 ～20 转 / 分钟。-基片架可加热、可旋转、可升降。-靶面到基片距离： 30 ～ 140mm 可调。-Φ2 ～Φ4 英寸平面圆形靶 2 ～ 3 支，配气动靶控板，靶可摆头调角度。-镀膜室的极限真空：6X10-5Pa~6X10-6Pa，恢复工作背景真空 7X10-4Pa ，30 分钟左右（新设备充干燥氮气）。-设备总体漏放率：关机 12 小时真空度≤10Pa。关于鹏城半导体鹏城半导体技术（深圳）有限公司（简称：鹏城半导体），由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）|OLED中试设备（G1、G2.5）|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备（PECVD+磁控溅射）团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年 与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。

磁控溅射技术NSC-3000（M）磁控溅射系统概述：带有水冷或者加热(最高可加热到700度)功能，最大到6"旋转平台，最大可支持到3个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵，极限真空可达10-7 Torr，15分钟内可以达到10-6 Torr的真空。通过调整磁控管与基片之间的距离，可以获得想要的均匀度和沉积速度。NSC-3000带有12”派热克钟罩腔体，2个2”的磁控管，DC直流和RF射频电源。 在选配方面，我们提供不锈钢腔体，260 l/s涡轮分子泵，额外的磁控管和衬底加热功能。 NSC-3000（M）磁控溅射系统产品特点：不锈钢，铝质腔体或钟罩式耐热玻璃70，250或500 l/s的涡轮分子泵，串接机械泵或干泵13.56MHz，300-600W RF射频电源以及1KW DC直流电源晶振夹具具有的1 ?的厚度分辨率带观察视窗的腔门易于上下载片基于LabView软件的PC计算机控制带密码保护功能的多级访问控制完全的安全联锁功能NSC-3000（M）磁控溅射系统选配项：不锈钢腔体RF、DC溅射RF或DC偏压（1000V）样品台可加热到700°C膜厚监测仪基片的RF射频等离子清洗预真空锁以及自动晶圆片上/下载片 NSC-3000（M）磁控溅射系统应用：晶圆片、陶瓷片、玻璃白片以及磁头等的金属以及介质涂覆光学以及ITO涂覆带高温样品台和脉冲DC电源的硬涂覆带RF射频等离子放电的反应溅射

GVC-2000磁控离子溅射仪（镀金仪）特点1.基本无温升、样品表面无热损失 GVC-2000制样效果图 其他制样设备效果图上面两张图片为滤膜类样品的电镜图片，左侧图片为GVC-2000喷金后的电镜观测图，可以看出，样品形貌真实完整，右侧图片为其他设备喷金后的电镜观测图片，可以看出，热损伤严重，几乎无法识别为同种样品。2.颗粒更小，更适宜于高倍图像观测，适配场发射/高分辨场发射电镜 金颗粒尺寸：6~10nm 陶瓷膜，镀层材料Pt，10万倍图片，无颗粒感 滤膜材料，镀层材料Pt，20万倍图片，无颗粒感3.GVC-2000磁控离子溅射仪低压大电流溅射，效率更高。

等离子溅射和蒸发二合一镀膜仪配备了直流溅射靶和热蒸发组件，不但可以用于等离子溅射方式镀金属膜，也可以用蒸发的方式得到碳或者其他金属单质的薄膜。仪器元件高度集成化，在同一个腔体内即实现了两种镀膜功能；本镀膜仪采用304不锈钢腔体作真空腔体，镀膜过程完全可见。仪器标配双极旋片真空泵，能够快速达到1.0E-3Pa的真空度,极限真空度1.0E-5Pa，可满足大多数蒸发镀膜实验和二极溅射实验所需的真空环境。本仪器体积小，节省空间，能够置于试验台上使用，一机多用，性价比突出，非常适合各大高校及研究机构选用。离子溅射和蒸发二合一镀膜仪适用范围：扫描电镜样品表面喷金、蒸金喷碳等操作，以及非导体材料试验电极的制作等。 离子溅射和蒸发二合一镀膜仪技术参数：供电电压AC220V，60Hz最大功率1200W样品台直径φ65mm；与蒸发源间距可调，调节范围60mm-100mm真空腔体材质：304不锈钢 O.Dφ168mm x I.Dφ160mm x 210mm最高温度1700℃热电偶B型热电偶真空计电子式真空计真空系统前级泵：浦发MVP030 无油泵 抽速30L/min次级泵：莱宝TURBOVAC 90iX 抽速90L/s真空接口KF40进气接口1/4卡套接头整机尺寸500x350x400mm

VTC-3RF是一款小型台式3靶等离子溅射仪(射频磁控型)，配有三个1英寸的磁控等离子溅射头和射频（RF）等离子电源，此款设备主要用于制作非导电薄膜，特别是一些氧化物薄膜。对于新型非导电薄膜的探索，它是一款廉价并且高效的实验帮手。技术参数输入电源220VAC 50/60Hz, 单相800W (包括真空泵）等离子源配有一13.5MHz,100W的射频电源（采用手动匹配）可选配300W射频电源（自动匹配）注意：100W手动调节的RF（射频）电源价格较低，但是每一次对于不同的靶材，都需要手动设置参数才能产生等离子体，比较耗费时间。300W自动匹配的RF（射频）电源，价格较昂贵，但比较节约时间（点击图片查看详细资料）磁控溅射头三个1英寸磁控溅射头（带有水冷夹层），采用快速接头与真空腔体相连接靶材尺寸: 直径为25.4mm,最大厚度3mm一个快速挡板安装在法兰上溅射头所需冷却水：流速10L/min（仪器中配有一台流速为16L/min的循环水冷机） 真空腔体真空腔体：256mm OD x 250mm ID x 276mm H，采用高纯石英制作密封法兰:直径为274mm . 采用金属铝制作，采用硅胶密封圈密封一个不锈钢网罩住整个石英腔体，以屏蔽等离子体（如下图）真空度：1.0×10-2 Torr （采用双极旋片真空泵）,5×10-5 torr （采涡旋分子泵） 载样台载样台可旋转（为了制膜更加均匀）并可加热载样台尺寸：直径50mm （最大可放置2英寸的基片）旋转速度：0 - 20 rpm样品台的最高加热温度为700℃(短期使用，恒温不超过1小时)，长期使用温度500℃控温精度+/- 10℃真空泵我公司有多种真空泵可选，请点击图片，或是致电我公司销售薄膜测厚仪（可选） 一个精密的石英振动薄膜测厚仪安装在仪器上，可实时监测薄膜的厚度，分辨率为0.10 ? LED显示屏显示，同时也输入所制作薄膜的相关数据 质保和质量认证一年质保期，终生维护CE认证外形尺寸 使用注意事项这款1英寸的射频溅射镀膜仪主要是用于在单晶基片上制备氧化物膜，所以并不需要太高的真空度为了较好地排出真空腔体中的氧气，建议用5%H2+95 %N2对真空腔体清洗2-3次，可有效减少真空腔体中的氧含量请用纯度大于5N的Ar来进行等离子溅射，甚至5N的Ar中也含有10- 100 ppm的氧和水，所以建议将钢瓶中的惰性气体通过净化系统过后，再导入到真空腔体内

产品名称：等离子薄膜溅射仪 GSL-1100X-SPC-12产品简介：GSL-1100X-SPC-12型等离子薄膜溅射仪是为扫描电镜和电子探针等进行试样制备的设备，可进行真空蒸碳、真空镀膜和离子溅射，它也可以在高纯氩气的保护之下进行多种离子处理。用本设备处理的试样既可用于样品的外貌观察又可以进行成分分析，尤其是成分的定量分析更为适宜。本仪器装有分子泵，分子泵系统特别适用于对真空要求高、真空环境好的用户选用。 我公司供应的产品符合国家有关环保法律法规的规定（含采购商ISO14000环境体系要求），不会造成环境污染； 该产品符合采购商OHSMS18000职业安全健康管理体系标准的要求，不会对接触产品的人员健康造成损害！主要特点：抽速快，操作简便，真空度高，安全可靠技术参数：●试样处理室 （1）钟罩：内径250mm× 高度340mm （2）玻璃处理室： 玻璃罩 A：内径88mm× 高度140mm 玻璃罩 B：内径88mm× 高度57mm （3）试样台：直径40mm（最大） （4）试样旋转：电动 （5）挡板：电动 （6）蒸发加热器：可同时安装两个加热器 ●真空系统 （1）抽气系统：由分子泵、机械泵组成的高真空机组 （2）真空检测：热偶计、冷规 （3）常用真空度：1.3× 10-2 ~6× 10-3Pa （4）操作：手动 ●处理电源 （1）高压电源：DC3千伏10mA连续可变，用表指示。 （2）低压电源：AC10V100A连续可变，电流用表指示。 （3）电源要求：AC220V 50HZ 10A ●气体要求 氩气纯度99.9%（对样品有特殊要求时可使用） ●冷却要求 本系统采用F100/110F―普通轴承风冷涡轮分子泵，其冷却方式为风扇强制风冷和通水冷却两种，当工作环境低于32℃时，可采用风冷冷却，当工作环境温度高于32℃时，则必须采用水冷。重量：约150公斤 体积：L800mm× W560mm× H1340mm可选配件：氧化铝坩埚，石英坩埚，真空泵等具体信息请点击查看：

DISCOVERY 635/785 多耙直流/射频磁控溅射台 丹顿真空的Discovery系列在世界许多著名的研究机构得到广泛的应用，是业内公认的灵活、可靠的磁控溅射系统。从15年前开发以来，该系统已经销售超过100台，在国内销售12台。Discovery系列适合于研发及小批量生产。系统采用独特的共焦溅射结构，能够使用较小的磁控溅射靶枪在较大的面积的工件上得到较好的均匀性（例如：采用传统的垂直溅射方式，为了在6英寸工件上得到±5%的均匀性，需要使用8英寸直径靶枪，而采用共焦溅射方式，则可以采用3英寸磁控溅射靶枪，即可达到同样的均匀性指标）。因此在同样的要求下，采用的靶枪及电源相对较小，所以能够降低设备成本及运行成本，同时，丹顿真空也提供传统的垂直溅射方式系统。Discovery 系列都可以安装多个磁控溅射靶枪，可以实现多种溅射模式，包括直流/射频/脉冲溅射，共溅射，射频偏压溅射；可以实现三级加热，最高加热温度可以达到900 °C；可以配置进样室（单片或多片），最大可以处理的工件直径可以达到 250mm ；系统真空室规格从18英寸（457mm）到 35英寸（890mm）可选；高真空采用分子泵或低温泵获得；可以采用PLC触摸屏控制系统或计算机控制系统。 系统主要配置：※ 多耙直流/射频磁控溅射※ 旋转工作台（可以升级为射频偏压工件台）※ 上溅射或下溅射可选※ 不锈钢真空室，带观察窗

1.产品概述MS450多靶磁控溅射镀膜系统由沈阳科友仪器等制造商生产，是一款集高真空、多靶材、磁控溅射技术于一体的镀膜设备。该系统能够在所需基材上沉积多种类型的涂层，包括耐磨损涂层、自润滑涂层、抗腐蚀涂层、抗高温氧化涂层、透明导电涂层等，广泛应用于高校、科研院所的教学、科研实验及生产型企业期探索性实验及开发新产品等。2.产品组成MS450多靶磁控溅射镀膜系统主要由以下几个部分组成：真空室：提供高真空环境，确保镀膜过程中的气体分子干扰小化。溅射靶枪：内置多种靶材，如金属、陶瓷等，通过磁控溅射技术将靶材原子溅射到基材表面。溅射电源：提供稳定的电源供应，支持直流(DC)、中频(MF)、射频(RF)等多种溅射模式。加热样品台：用于加热基材，提高镀膜质量和附着力。流量控制系统：精确控制工艺气体的流量和压强，确保镀膜过程的稳定性和可控性。真空获得系统：包括真空泵等组件，用于将真空室抽至高真空状态。真空测量系统：实时监测真空室内的气体压力等参数。气路系统：用于向真空室内通入工艺气体，如氩气等。PLC+触摸屏自动控制系统：实现设备的自动化控制和操作，提高工作效率和镀膜质量。3.工作原理MS450多靶磁控溅射镀膜系统的工作原理基于磁控溅射技术。在镀膜过程中，电子在电场的作用下飞向基片，并与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子。Ar正离子在电场的作用下加速飞向阴靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。溅射出的靶原子或分子在基片表面沉积成膜。同时，二次电子在电场和磁场的作用下产生E×B漂移，被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，电离出更多的Ar正离子来轰击靶材，从而实现高的沉积速率。4.技术特点多靶材选择：支持多种靶材的溅射镀膜，满足不同材料的镀膜需求。高真空环境：提供高真空环境，确保镀膜过程的稳定性和镀膜质量。高精度控制：通过PLC+触摸屏自动控制系统实现设备的精确控制和操作。高沉积速率：利用磁控溅射技术实现高的沉积速率和均匀的膜层质量。广泛适用性：适用于金属、陶瓷、玻璃等多种基材的镀膜处理。5.应用域MS450多靶磁控溅射镀膜系统广泛应用于以下域：材料科学：用于开发纳米单层、多层及复合膜层等新型材料。电子工程：制备金属膜、合金膜、半导体膜等电子材料，应用于太阳能电池、OLED等域。工业生产：在汽车零部件、航空航天器件等域制备耐磨损、抗腐蚀等高性能涂层。综上所述，MS450多靶磁控溅射镀膜系统以其先进的技术特点和广泛的应用域，在材料科学和工业生产中发挥着重要作用。

磁控溅射系统：NSC-4000独立式磁控溅射系统，可支持共溅射等能力的扩展NSC-3500紧凑型独立式热蒸镀，可以支持金属材料的DC溅射，介质材料的RF溅射，以及脉冲DC溅射等应用。NSC-3000可支持最多4个靶的DC溅射或RF溅射NSC-1000单金靶靶材的台式溅射系统，不但可用于电镜制备，也可以用于常规的金属溅射特点：** 优化的14”立方电抛光不锈钢腔体10”圆柱形不锈钢腔体** 可以支持大尺寸基片或者批处理（腔体和靶枪均升级）** 涡轮分子泵组可达到5×10-7Torr的极限真空** 根据不同的靶尺寸可配套单个或多个靶枪** 可支持序列溅射或共溅射** 靶基距可调节** 1”-6”平面磁控管可选** 溅射源和基板挡板** 带不锈钢气体管路及气动截止阀的MFC** 带手动挡板的3英寸观察视窗** 晶振膜厚监控仪** 基片旋转功能** 全自动计算机控制，菜单驱动** LabVIEW友好用户界面** EMO和安全互锁选配：** 基板支持加热(最高可达800°C)或冷却** 支持旋转GLAD斜角入射沉积** 腔体尺寸可定制** 1.5-5KW脉冲之流电源用于ITO/ZnO等类似材料** 倾斜磁控枪** 射频偏压样品台** 离子源用于基片预清洗** 离子辅助溅射** 增加RF电源和DC电源用于共溅射** 增加热蒸发源和电子束蒸发源** 形成梯度的组合溅射** 对基片无轰击的等离子辅助反应溅射涂覆** 增加MFC用于反应溅射** 单片自动上下片，以及Cassette-to-Cassette自动上下片** 大尺寸基片溅射以及批处理溅射** 其它包含冷泵等的各种真空泵选配应用：** 光学涂覆和ITO涂覆** 硬涂层** 保护涂层** 微电子图案** 形成梯度的组合溅射** 对基片无轰击的等离子辅助反应溅射涂覆** OLED应用中的TCO透明导电薄膜

全自动知识产品没有热损伤，效率更高，颗粒度更细，更适合高分辨电镜镀金仪应用领域1、高分辨扫描电镜样品制备（实际放大倍数≥100K）2、电极制备-可制备各种金属电极、ITO电极高真空磁控离子溅射仪(镀金仪)配置与技术参数名称&型号高真空磁控离子溅射仪GVC-2000T真空系统涡轮分子泵（进口 ）：德国莱宝90i （单磁悬浮分子泵，抽速为90L/s）旋片式真空泵：浙江飞越VRD-4 （抽速为 1 .1L/s）真空测量全量程复合真空规（进口）：1.0E5Pa-1E-4Pa系统极限真空≤5E-3Pa溅射电源磁控溅射电源,最大功率150W可用靶材所有金属靶材，ITO靶材溅射电压300-600V,根据选择靶材、控制参数不同而变化溅射电流0-200mA连续可调,步长5mA溅射时间0-9999s, 连续可调步长1s操作界面7英寸TFT彩色液晶触摸屏,分辨率800×480操作方式一键操作抽气节拍＜15分钟控制方式只需设定溅射电流和时间即可，全自动控制具备预溅射挡板（预溅射时间可设定),全自动控制保护功能软硬件互锁、防止误操作，具备电流、真空保护等样品台直径φ125mm，可自转，可自动手动控制，转速4-40rpm可调真空室高硅硼玻璃，规格尺寸约φ200×130mm电源供电220V 50Hz 最大功率800W尺寸&重量重量 424（长) ×345（深) ×420mm（高）、 25 kg （净重)冷却方式内部风冷选配样品台选择、膜厚控制、温度监测等镀膜样品示例： 靶材-银 靶材-钨 靶材-铬 靶材-镍 靶材-钒 靶材-锡 靶材-铜 靶材-钽 靶材-贴 靶材-钛 靶材-铅 靶材-钼 靶材-铝 靶材-铂 靶材-金 靶材-锆 靶材-铒 靶材-ITO

●主要功能：多靶复合磁控溅射镀膜机，可满足合金膜、单层膜、多层膜、导电膜、非导电膜和反应溅射的需要，具有极高的实用性和通用性（三靶、垂直与共溅射合一、在线清洗基片等），能够提供高水平功能薄膜研制，特别适合于半导体、新能源、磁性材料、储氢材料、二维材料、超硬薄膜、固体润滑薄膜、自洁净薄膜、等领域前沿研究，同时可选配等离子刻蚀功能和辅助镀膜。1. 主体和腔室：全封闭框架结构，机柜和主机为一体式结构，骨架默认为白色，门板为白色，四只脚轮，可固定，可移动。真空腔室采用优质0Cr18Ni9不锈钢材质（SUS304），腔体尺寸不小于为：ø 450x500mm；真空室为前开门方式，采用铰链连接，自动锁紧，并配有门到位开关，彻底杜绝误操作；真空腔室设置DN100观察窗口，位置在真空腔体正前方。2. 真空系统：2.1 极限真空度≤Pa（空载、经充分烘烤除气并充干燥氮气）。2.2 真空配置。 前级泵为机械真空泵，抽速优于8L/S，超高分子泵一台，抽速1200L/S。2.3 真空测量：采用进口全量程真空计，优选德国莱宝与瑞士inficon。3. 工件盘系统：配备工件盘一套，可安装4英寸基片1片，选配高温工件盘＜800℃。4. 磁控溅射系统：配置三只2-4英寸溅射阴极，三只靶均能兼容直流和射频溅射，并可单独自由切换，磁控靶安装与真空室底部，向上溅射成膜。5.充气系统：二路分别配置MFC质量流量控制器，均为0-100SCCM，准确度±1%F.S，线性±0.5%F.S,重复精度±0.2%F.S。5. 其他：配置断水保护，配置冷水机组，冷水机制冷量为5000Kcal；设备配备小型静音空压机；保修期1年，维修响应时间不超过24小时。6. 操作系统及安全监控：采用人机界面+西门子PLC实现对设备集中自动控制；所有控制系统和电气安装均与主机集成在一起，避免控制柜与主机之间线路放在地上或从顶部引入带来的问题，模块化设计能确保社保维护维修的便捷性。

产品优势： 可制备各种金属、 单质、 无机非金属薄膜 不破真空情况下， 可实现多层复合膜制备 一键操作， 全自动控制， 智能化程度高 一致性、 重复性好 内置多重靶材工作参数， 无需摸索镀膜工艺 体积小， 结构紧凑， 非常节约空间 产品参数：外形尺寸（主机）424(L)×345(D)×420(H)输入电源220V/50Hz 1000W溅射靶头 1直流磁控溅射可用靶材金属靶材溅射靶头 2射频磁控溅射可用靶材无机非金属靶材真空系统涡轮分子泵+旋片式真空泵抽速90L/s + 1.1L/s真空测量复合式真空规量程范围1E-3 ~ 1E5Pa真空室φ 200×130mm 高硼硅玻璃抽气节拍10 分钟（≤5E-3Pa）样品台尺寸φ 90mm样品台切换自动控制溅射靶材尺寸φ 57mm（厚度 0.1-2mm）工作真空0.1-2Pa操作界面7 英寸 TFT 触摸式液晶屏操作语言中文（可选其它语言）冷水机小型台式制冷机冷水机功率180W预溅射挡板标配全自动控制预溅射挡板 膜厚仪（选配）可实时显示镀膜厚度，并通过设定来控制镀膜过程，测量精度 0.01nm，设定精度 0.1nm，单次设定范围 1-999nm温控组件（选配）样品台加热模块 300℃/500℃旋转组件（选配）倾斜旋转、行星旋转等小车（选配）将主机、射频电源、冷水机等组装在一起，整体性好安装环境220V/10A 三孔插座一个、纯度 4N 及以上的高纯氩气（出口压力 0.12MPa）

GSL-1100X-SPC-16单靶等离子溅射仪是一款紧凑型的等离子溅射仪，可进行金、铂、铟、银等多种金属的溅射镀膜，样品直径可达50mm，镀膜厚度可达300&angst ，特别适用于SEM样品表面的镀膜。GSL-1100X-SPC-16单靶等离子溅射仪配置有样品溅射室真空表和溅射电流表，用以指示、监控仪器状态； 特殊设计的钟罩边缘橡胶密封圈，可保证长期使用不会出现影响样品溅射室真空度的玻璃钟罩“崩边”现象；陶瓷密封高压头比通常采用橡胶密封的更经久耐用。GSL-1100X-SPC-16单靶等离子溅射仪体积小，操作简单，适合用于实验室中对小样品的镀膜使用。1、设有真空表、溅射电流表，可实时监控工作状态。2、通过调节溅射电流控制器、微型真空气阀，控制真空室压强、电离电流及选择所需要的电离气体，以获得极佳的镀膜效果。3、钟罩边缘橡胶密封圈采用特殊设计，可保证长期使用不出现玻璃钟罩崩边现象。4、陶瓷密封高压电极接头比通常采用的橡胶密封更经久耐用。5、根据电场中气体电离特性，采用大容量溅射真空室和相应面积溅射靶，使溅射镀层更均匀纯净。6、已通过CE认证。产品名称GSL-1100X-SPC-16单靶等离子溅射仪产品型号GSL-1100X-SPC-16安装条件本设备要求在海拔1000m以下，温度25℃±15℃，湿度55%Rh±10%Rh下使用。1、水：不需要2、电：AC220V 50Hz，必须有良好接地3、气：设备腔室内需充注氩气（纯度99.99%以上），需自备氩气气瓶（带减压阀）4、工作台：尺寸600mm×600mm×700mm，,承重50kg以上5、通风装置：不需要主要参数1、电源：220V2、总功率：2000W（包括真空泵）3、真空室：Ø 160mm×120mm4、样品台：Ø 50mm，且高度可调，可同时进行8个SEM样品的镀膜5、max均匀镀膜：Ø 45mm产品规格尺寸：400mm×300mm×400mm重量：30kg标准配件1、金靶材1个2、进气针阀1个3、保险丝2个可选配件金、铟、银、铂等各种靶材

采用旋片泵快速产生一个 2 Pa的真空压强，通常抽真空时间小于1 分钟。采用磁控溅射技术，以大幅度减少等离子体对样品的热影响和离子轰击损伤。特别适用于灯丝或台式SEM 电镜样品的喷金、喷铂等贵金属镀膜用途。外型紧凑，触摸屏控制，即插即用。 选配旋转/偏转样品台，适用于3D立体和空隙样品内/外表面均匀镀膜需求。

Angstrom Sciences ONYX-Φlux Control ONYX-Φlux 控制 磁控溅射靶材Angstrom Sciences ONYX-Φlux Control ONYX-Φlux 控制Angstrom Sciences 为磁控溅射应用带来的尖端技术而享誉国际。我们现在已经开发出一种方法来控制穿过靶材表面的等离子体。ONYX-Φlux 控制，（通量控制）为平面和圆形磁控管开发，允许用户最大化均匀性或目标利用率。控制均匀度磁场在目标表面上特定点的可编程停留时间。提供对电场和磁场交叉点的精确控制，以聚焦腐蚀轮廓并调整均匀性。 控制材料利用率以恒定速率将等离子体扫过目标表面。在厚度高达 1.4 英寸（35 毫米）的平面目标上可以实现高达 65% 的目标利用率，从而实现极长的运行时间。用户友好的软件直观的用户界面三种用户模式 - 运行、编辑、手动触摸屏技术等离子体的输入位置和停留时间