四探针方块电阻测试仪

四探针电阻率方块电阻测试仪便于查看的显示/直观的操作性：高亮度、超清晰4.3寸彩色LCD显示；操作易学，直观使用；基本设置操作简单，方阻、电阻、电阻率、电导率和分选结果；多种参数同时显示。精度高：电阻基本准确度： 0.05％；方阻基本准确度：3%；电阻率基本准确度：3%整机测量最大相对误差：≤±3%；整机测量标准不确定度：≤±3%四位半显示读数；八量程自动或手动测试；6. 测量范围宽： 电阻：10-4Ω～105Ω ；方阻：10-4Ω/□～105Ω/□；7. 正反向电流源修正测量电阻误差8. 恒流源：电流量程分为： 1uA、10uA、100uA、1mA、10mA 、100mA六档；仪器配有恒流源开关可有效保护被测件，即先让探针头压触在被测材料上，后开恒流源开关，避免接触瞬间打火。为了提高工作效率，如探针带电压触单晶对材料及测量并无影响时，恒流源开关可一直处于开的状态。9. 可配合多种探头进行测试；也可配合多种测试台进行测试。10. 校正功能：可手动或自动选择测试量程 全量程自动清零。11. 厚度可预设，自动修正样品的电阻率,无需查表即可计算出电阻率。12. 自动进行电流换向,并进行正反向电流下的电阻率(或方块电阻)测量,显示平均值.测薄片时,可自动进行厚度修正。13. 双电测测试模式，测量精度高、稳定性好.14. 具备温度补偿功能，修正被测材料温漂带来的测试结果偏差。15. 比较器判断灯直接显示，勿需查看屏幕，作业效率得以提高。3档分选功能：超上限，合格，超下限，可对被测件进行HI/LOW判断，可直接在LCD使用标志显示；也可通过USB接口、RS232接口输出更为详细的分选结果。16. 测试模式：可连接电脑测试、也可不连接电脑单机测试。17. 丰富的接口，Handler接口、RS232接口、USB HOST、USB DEVICE。实现远程控制。U盘可记录测试数据18. 软件功能（选配）：软件可记录、保存、各点的测试数据；可供用户对数据进行各种数据分析。标配：测试平台一套、主机一套、电源线数据线一套。四探针电阻率方块电阻测试仪GB/T 11073硅片径向电阻率变化的测量方法提要探针与试样压力分为小于0.3N及0.3 N¯ 0.8N两种。以下文件中的条款通过本标准的引用商成为本标准的条款。但凡注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括订正的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的新版本。但凡不注日期的引用文件，其新版本适用于本标准。GB/T 1552硅、储单晶电阻率测定直排四探针法样品台和操针架样品台和探针架应符合GB/T152 中的规定。样品台上应具有旋转360"的装置。其误差不大于士5"，测量装置测量装置的典型电路叉图1，范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10A-5000n.该方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量，但其测量准确度尚未评估。使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外探件，测量两内操针之间的电位差，引人与试样几何形软有关的修正因子，计算出薄层电阻。四探针电阻率方块电阻测试仪电位差计和电流计或数字电压表，量程为1mV¯ 100mV,分辨率为0.1%，直流输入阻抗不小250μm的半球形或半径为50 μm~125 μm的平的圆截面。探针(带有弹簧及外引线)之间或探针系统其他部分之间的绝缘电照至少为10°Ω.探针排列和间距，四探针应以等距离直线排列，探针阀距及针突状况应符合GB/T 552 中的规定。R=1(R +R, )…………………………(3)R2=与(R +R，)计算试样平均直径D与平均操针间距S之比，由表3中查出修正因子F，也可以见GB/T11073中规定的几何修正因子。 9.4计算几何修正因子F，见式(4)。对于薄层厚度小于3μm的试样，选用针尖半径为100μm250μm的半球形探针或针尖率径为50μm~125 pm平头探针，针尖与试样间压力为0.3 N¯ 0.8Ni对于薄层厚度不小于3μ的试样，选用针尖半径为35μm100 pm 半球形操针，针尖与试样间压力不大于 0.3 N.Rr=V R,/V=V/I,…… … R,=V,R,/V_=V,/I,-双刀双撑电位选择开关。四探针电阻率方块电阻测试仪规格型号 300c电阻10-7～2×107Ω2.电阻率范围10-8～2×108Ω-cm3.电导率5×10-8～108s/cm4.测试电流范围1μA，10μA，100µ A，1mA，10mA，1000mA5.测量电压量程 测量电压量程：2mV 20mV 200mV 2V测量精度:±（0.1%读数）分辨率： 0.1uV 1uV 10uV 100uV6.电流精度±0.1%读数7.电阻精度≤0.3% 8.显示读数 液晶显示：电阻值、电阻率、电导率值、温度、单位自动换算、横截面、高度、电流、电压等9.测试方式四端测量法10.测量装置（治具）选购1.标准方体和圆柱体测量装置：测试行程：L70mm*W：60mm2.定制治具11.工作电源 AC 220V±10%.50Hz功 耗：30WH12. 主机外形尺寸约330mm*350mm*120mm 13.净重量约6kgNet14.标配外选购 1.标准校准电阻1-5个；2.PC软件一套；3.电脑和打印机依据客户要求配置；4.计量证书1份四探针电阻率方块电阻测试仪定。欧娇表，能指示阻值高达10°日的漏电阻，温度针0℃-40℃，小刻度为0.1℃。光照、高频、需动、强电磁场及温醒度等测试环境会影响测试结果，甲醇、99.5%，干燥氮气。测量仪器探针系统操针为具有45"~150°角的圆罐形破化鸭振针，针实半径分别为35μm~100μm.100 μm…… … ………(5)电压表输入阻抗会引入测试误差，硅片几何形状，表面粘污等会影响测试结果，R(TD-R_xF式中:计算每一测量位置的平均电阻R.，见式(3).试剂优级纯，纯水，25℃时电阻率大于2MN.cm,s=号(二[R，(TD-瓦(7D羽yt ..计算每一测量位置在所测温度时的薄层电阻(可根据薄层电阻计算出对应的电阻率并修正到23℃，具体见表4)见式(5).用干净涂题颗子或吸笔将试样置于样品台上，试样放置的时间应足够长，到达热平衡时，试样温度为23 ℃±1℃.接通电流，令其任一方向为正向，调节电流大小见表1所给出的某一合适值，测量并记录所得数据，所有测试数据至少应取三位有效数字。改变电流方向，测量、记录数据。关断电流，抢起探针装置，对仲裁测量，探针间距为1.59

四探针方块电阻测试仪按照硅片电阻率测量的国际标准（ASTM F84）及国家标准设计制造该仪器设计符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国 A.S.T.M 标准，本机配置232电脑接口及USB两种接口，本机结合采用范德堡测量原理能改善样品因几何尺寸、边界效应、探针不等距和机械游移等外部因素对测量结果的影响及误差，比市场上其他普通的四探针测试方法更加完善和进步,特别是方块电阻值较小的产品测量，更加准确.本仪器本仪器采用四探针单电测量法适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.参数资料1.方块电阻范围：10-2～2×105Ω/□2.电阻率范围：10-3～2×106Ω-cm3.测试电流范围：0.1μA，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度：±0.3%读数5.电阻精度：≤0.5%6.显示读数：液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式: 普通单电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W9.整机不确定性误差: ≤4%（标准样片结果）10.选购功能: 选购1.pc软件；选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台11.测试探头： 探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针

广东熔炼方块电阻测试仪，烧结四探针软件测试系统涂覆电导率测试仪， 涂布层电阻测试仪 FT-361超低阻双电四探针测试仪 一、概述：本品为解决四探针法测试超低阻材料方阻及电阻率，最小可以测试到1uΩ方阻值，是目前同行业中能测量到的最小值，采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。选购：本机还可以配合各类环境温度试验箱体使用，通过不同的测量治具满足不同环境温度下测量方阻和电阻率的需求.二、广泛用于：覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、防辐射导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻 半导体材料/晶圆、太阳能电池、电子元器件，导电薄膜（ITO导电膜玻璃等），金属膜，导电漆膜，蒸发铝膜，PCB铜箔膜，EMI涂层等物质的薄层电阻与电阻率 导电性油漆，导电性糊状物，导电性塑料，导电性橡胶，导电性薄膜，金属薄膜，抗静电材料， EMI 防护材料，导电性纤维，导电性陶瓷等 三、参数资料1.方块电阻范围：10-6～2×102Ω/□2.电阻率范围：10-7～2×103Ω-cm3.测试电流范围：0.1μA ，1μA，10μA，100μA.4.电流精度：±0.1%读数5.电阻精度：≤0.3%6.显示读数：液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率.7.测试方式: 双电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W9.整机不确定性误差: ≤4%（标准样片结果）10.选购功能: 选购1.pc软件； 2.方形探头； 3.直线形探头； 4.测试平台11.测试探头： 探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针ROOKO/瑞柯品牌，来自瑞柯仪器公司，一个专注于改变人们生活方式和品质的企业.

美国Four Dimensions,Inc, 简称&ldquo 4D&rdquo ，成立于1978年，位于美国加州硅谷的Hayward, 4D公司专注于四探针设备和CV仪的生产和销售，累计销量达800台以上，遍布世界各大半导体Fab, 太阳能光伏企业，大学及科研机构。美国4D公司的四探针/方块电阻/电阻率测试设备：280SI （4D品牌中最普及的型号）测量尺寸：晶圆尺寸：2-8寸（333系列可测量大至12寸晶圆，1100系列可测量大至2160mmX2400mm平板系列） 方形片：大至156mm X 156mm；测量范围： 0.001欧姆/平方 至 800000欧姆/平方（标准型）； 可往下扩展至：0.0001欧姆/平方，往上扩展至8e9或8e11欧姆/平方。相对应的电阻率，薄膜厚度根据不同材料不同应用而不同，但都是以方块电阻作为基础设备自动计算得出，注意这是选项价格要高不少，建议客户按实际需求选择购买。测量方式： 电脑程序自动测量，或不连电脑单测量主机也可实现测量和数据显示，此时非常适合测试不规整样片单点测量，适合实际研究需要。测量的数据： 方块电阻/电阻率/薄膜厚度，根据具体应用可以设置不同测量程序。测量的点数： 程序编排任意测量点位置及测量点数量，对应不同客户不同测量要求任意编程测量点位置与数量。测量的精确度：0.1% （标准模阻）；测量重复性：0.2% （特定片子）；测量速度：45点/分钟；测量数据处理：根据需要显示2D,3D数值图，或按要求统计并输出Excel格式文件；边缘修正：具有边缘修正功能，即片子边缘3mm以内区域都能测量；探针材料：钨钢与硅片的接触电阻最小，且耐磨。另外每跟针的轴套采用非常耐磨蓝宝石材料，以确保长时间使用后间距的一致性；探针压力可调范围：90-200克之间可调；可供选择的探头类型：根据测试不同工艺要求有A, B,K, M, N等相关型号探头选择，另外还可提供专门为客户定制的应用特殊要求的探针，比如测试薄至30A的薄膜时需要使用MR型探头，这是四探针设备供应商少有能做到的。设备应用： IC FAB/FP dispaly/LED：扩散，离子注入等掺杂工艺监控调试，薄膜电阻率或厚度测量等工序，如Intel，IBM，Motorola，TSMC，CSMC,Applied Materials,Sematech,Linear Technology,Tokyo Electronics,Materials Research,RF Monolithics,Linear Technology,Perkin-Elmer Optoelectronics,Candescent Technology,Hewlett-Packard,SHE America/Japan/Europe,Flip Chip,Delco Electronics,Lite-On Power,Goldstar,Korea Electronics,Posco Huls,SGS-Thomson,CarborundumCodeon,TRW Space&Electronics,Dynamic Research,EKC Technology,Hughes Aircraft,International Rectifier,LG Display,Semitech,Winbond,RF Monolithic,Osram... 材料类研究：杜邦（中国），电力科学院，中科院，山东科学院，清华大学，北京大学，复旦大学，华师大，电子科大，国家标准化所，质检所，光伏科学与技术国家重点实验室,Applied Materials, Materials Research... 新能源：尚德，晶澳，英利，阿特斯，天合，LDK，海润，腾晖，鑫辉，东磁，向日葵，奥特斯维，尖山，晶科，力诺，韩华，神舟，光为，艾力克，吉阳，东营，中盛，First solar,Solar world... 客户群广：国内已经卖出近300台之多，全世界累计各种型号四探针设备近千台，四探针设备的优质品牌。 使用成本 4D公司所提供的探针质保次数是25万次，而实际从客户反馈的信息是寿命达到100万次以上，甚至150万次以上。同时4D还为客户提供探头的探针更换服务，大大降低客户的使用成本。 市场占有率高 国内行业内有几百台的占有率，公司品牌4D已经成为四探针的代名词； 服务有保证 本地化的齐全的备件储备（北京，上海分别设有服务中心），样机应急供给服务，及优质的售后服务团队；根据应用不同工艺要求对应的探针类型详细说明：测量数据电脑图（2D/3D）各类型四探针设备说明： 根据客户不同使用要求有更多选择 * 使用液体金属汞探针替代传统硬探针的四探针设备，如：M4PP 3093 * 针对III IV族化合物材料，应用&ldquo dynamic AC waveform&rdquo 克服测量的接触电阻问题，该型号为：680I； * 根据不同应用要求，可增加的功能有：温度控制/补偿，边缘修正，样品台定制，自动化要求定制，探头自动切换，通讯接口扩展，测量范围扩展等。 * 具体更详细的资料请浏览4D官网： 或来电咨询（联系信息如下）。 吴惟雨/Caven Wu 美国赛伦科技上海办事处/Saratoga Technology International 4D产品中国总代理服务商

操作流程和测试步骤1.使用前期准备--测试前准备工作：1.1.开机预热：将220V电源插头插入电源插座，打开电源开关，让仪器预热15分钟，保证测试数据稳定。若测试仪无法正常启动，请按以下步骤检查：①检查电源线是否接触良好；②检查后面板上的电源开关是否已经打开③检查保险丝是否熔断，如有必要，请更换保险丝④ 如经上述检查无误后，测试仪仍未正常启动，请联系本公司进行解决。本仪器本仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，压强 配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.

美国Four Dimensions,Inc, 简称&ldquo 4D&rdquo ，成立于1978年，位于美国加州硅谷的Hayward, 4D公司专注于四探针设备和CV仪的生产和销售，累计销量达800台以上，遍布世界各大半导体Fab, 太阳能光伏企业，大学及科研机构。美国4D公司的四探针/方块电阻/电阻率测试设备：280SI （4D品牌中最普及的型号）测量尺寸：晶圆尺寸：2-8寸（333系列可测量大至12寸晶圆，1100系列可测量大至2160mmX2400mm平板系列）方形片：大至156mm X 156mm；测量范围： 0.001欧姆/平方 至 800000欧姆/平方（标准型）；可往下扩展至：0.0001欧姆/平方，往上扩展至8e9或8e11欧姆/平方。相对应的电阻率，薄膜厚度根据不同材料不同应用而不同，但都是以方块电阻作为基础设备自动计算得出，注意这是选项价格要高不少，建议客户按实际需求选择购买。测量方式： 电脑程序自动测量，或不连电脑单测量主机也可实现测量和数据显示，此时非常适合测试不规整样片单点测量，适合实际研究需要。测量的数据： 方块电阻/电阻率/薄膜厚度，根据具体应用可以设置不同测量程序。测量的点数： 程序编排任意测量点位置及测量点数量，对应不同客户不同测量要求任意编程测量点位置与数量。测量的精确度：0.1% （标准模阻）；测量重复性：0.2% （特定片子）；测量速度：45点/分钟；测量数据处理：根据需要显示2D,3D数值图，或按要求统计并输出Excel格式文件；边缘修正：具有边缘修正功能，即片子边缘3mm以内区域都能测量；探针材料：钨钢与硅片的接触电阻最小，且耐磨。另外每跟针的轴套采用非常耐磨蓝宝石材料，以确保长时间使用后间距的一致性；探针压力可调范围：90-200克之间可调；可供选择的探头类型：根据测试不同工艺要求有A, B,K, M, N等相关型号探头选择，另外还可提供专门为客户定制的应用特殊要求的探针，比如测试薄至30A的薄膜时需要使用MR型探头，这是四探针设备供应商少有能做到的。设备应用：IC FAB/FP dispaly/LED：扩散，离子注入等掺杂工艺监控调试，薄膜电阻率或厚度测量等工序，如Intel，IBM，Motorola，TSMC，CSMC,Applied Materials,Sematech,Linear Technology,Tokyo Electronics,Materials Research,RF Monolithics,Linear Technology,Perkin-Elmer Optoelectronics,Candescent Technology,Hewlett-Packard,SHE America/Japan/Europe,Flip Chip,Delco Electronics,Lite-On Power,Goldstar,Korea Electronics,Posco Huls,SGS-Thomson,CarborundumCodeon,TRW Space&Electronics,Dynamic Research,EKC Technology,Hughes Aircraft,International Rectifier,LG Display,Semitech,Winbond,RF Monolithic,Osram...材料类研究：杜邦（中国），电力科学院，中科院，山东科学院，清华大学，北京大学，复旦大学，华师大，电子科大，国家标准化所，质检所，光伏科学与技术国家重点实验室,Applied Materials, Materials Research... 新能源：尚德，晶澳，英利，阿特斯，天合，LDK，海润，腾晖，鑫辉，东磁，向日葵，奥特斯维，尖山，晶科，力诺，韩华，神舟，光为，艾力克，吉阳，东营，中盛，First solar,Solar world... 客户群广：国内已经卖出近300台之多，全世界累计各种型号四探针设备近千台，四探针设备的优质品牌。使用成本4D公司所提供的探针质保次数是25万次，而实际从客户反馈的信息是寿命达到100万次以上，甚至150万次以上。同时4D还为客户提供探头的探针更换服务，大大降低客户的使用成本。

硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10A-5000n.该方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量，但其测量准确度尚未评估。使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外探件，测量两内操针之间的电位差，引人与试样几何形软有关的修正因子，计算出薄层电阻。覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.导体材料电阻率测试仪GB/T 11073硅片径向电阻率变化的测量方法提要探针与试样压力分为小于0.3N及0.3 N¯ 0.8N两种。以下文件中的条款通过本标准的引用商成为本标准的条款。但凡注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括订正的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的新版本。但凡不注日期的引用文件，其新版本适用于本标准。GB/T 1552硅、储单晶电阻率测定直排四探针法样品台和操针架样品台和探针架应符合GB/T152 中的规定。样品台上应具有旋转360"的装置。其误差不大于士5"，测量装置测量装置的典型电路叉图1，范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。

导体材料电阻率测试仪GB/T 11073硅片径向电阻率变化的测量方法提要探针与试样压力分为小于0.3N及0.3 N¯ 0.8N两种。以下文件中的条款通过本标准的引用商成为本标准的条款。但凡注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括订正的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的新版本。但凡不注日期的引用文件，其新版本适用于本标准。GB/T 1552硅、储单晶电阻率测定直排四探针法样品台和操针架样品台和探针架应符合GB/T152 中的规定。样品台上应具有旋转360"的装置。其误差不大于士5"，测量装置测量装置的典型电路叉图1，范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10A-5000n.该方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量，但其测量准确度尚未评估。使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外探件，测量两内操针之间的电位差，引人与试样几何形软有关的修正因子，计算出薄层电阻。覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.

电阻率测试仪,四探针方阻电阻率测试仪, 适用范围Widely used：1.覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、防辐射导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试2.硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻 半导体材料/晶圆、太阳能电池、电子元器件，导电薄膜（ITO导电膜玻璃等），金属膜，导电漆膜，蒸发铝膜，PCB铜箔膜，3.EMI涂层等物质的薄层电阻与电阻率 导电性油漆，导电性糊状物，导电性塑料，导电性橡胶，导电性薄膜，金属薄膜，4.抗静电材料， EMI 防护材料，导电性纤维，导电性陶瓷等， 功能描述Description：四探针单电测量方法液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出.选配：PC软件进行数据管理和处理.提供中文或英文两种语言操作界面选择 满足标准：1.硅片电阻率测量的国际标准（ASTM F84）.2.GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》.3.GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》.4.GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》. FT-343双电测电四探针方阻电阻率测试仪本仪器本仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。参数资料1.方块电阻范围：10-3～2×105Ω/□2.电阻率范围：10-4～2×106Ω-cm3.测试电流范围：0.1μA ，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度：±0.2%读数5.电阻精度：≤0.3%6.显示读数：液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式: 双电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W9.整机不确定性误差: ≤4%（标准样片结果）10.选购功能: 选购1.pc软件；选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台11.测试探头： 探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针 FT-345双电测电四探针方阻电阻率测试仪本仪器本仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试参数资料1.方块电阻范围：10-3～2×103Ω/□2.电阻率范围：10-4～2×104Ω-cm3.测试电流范围：10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度：±0.3%读数5.电阻精度：≤0.5%6.显示读数：液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式: 双电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W9.整机不确定性误差: ≤4%（标准样片结果）10.选购功能: 选购1.pc软件；选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台11.测试探头： 探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针 四探针电阻率/方阻测试仪,四探针测量仪,探针测试仪,导体电阻,体积电阻测试仪,四探针法测电阻,方块电阻测试仪,薄膜或涂层方块电阻测试仪

1:便携式四探针电阻率测试仪 四探针电阻率测试仪 四探针电阻率检测仪 四探针电阻率测定仪 型号：KDK-KDY-1A概述便携式电阻测度仪是用来测量硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻的小型仪器。本仪器按照半导体材料电阻率的际及家标准测试方法有关规定。它主要由电器测量份（主机）及四探头组成，需要时可加配测试架。为减小体积，本仪器用同块数字表测量电流及阻率。样品测试电流由宽的恒流源提供，随时可行校准，以确保电阻率测量的准确度。因此本仪器不仅可以用来分材料也可以用来作产品检测。对1～100&Omega &bull cm标准样片的测量瓿差不过± 3%，在此范围内达到家标准机的水平。测量范围：可测量 电阻率：0.01～199.9&Omega &bull cm。可测方块电阻：0.1～1999&Omega /口当被测材料电阻率&ge 200&Omega &bull cm数字表显示0.00。（2）恒流源：输出电流：DC 0.1mA～10mA分两档10mA量程：0.1～1mA 连续可调10mA量程：1mA ～10mA连续可调恒流度：各档均优于± 0.1%适合测量各种厚度的硅片（3） 直流数字电压表测量范围：0～199.9mv灵敏度：100&mu v准确度：0.2%（± 2个字）（4） 供电电源：AC：220V ± 10% 50/60HZ 率8W（5） 使用环境：相对湿度&le 80%（6） 重量、体积重量：2.2 公斤体积：宽210× 100× 深240（mm）（7）KD探针头压痕直径：30/50&mu m间距：1.00mm探针合力：8± 1N针材：TC2:· 数字式硅晶体少子寿命测试仪 型号：KDK-LT-100C为解决太阳能单晶、多晶少子寿命测量，特按照标GB/T1553及SEMI MF-1535用频光电导法研制出了数字式少子寿命测试仪。 该设备是按照家标准GB/T1553&ldquo 硅单晶少数载流子寿命测定的频光电导衰减法&rdquo 。频光电导衰减法在我半导体集成电路、晶体管、整流器件、核探测器行业已运用了三十多年，积累了丰富的使用经验，经过数次十多个单位巡回测试的考验，证明是种成熟可靠的测试方法，特别适合于硅块、硅棒研磨面的少子体寿命测量；也可对硅片行测量，给出相对寿命值。方法本身对样品表面的要求为研磨面，制样简便。 KDK-LT-100C数字式硅晶体少子寿命测试仪有以下特点：1、 可测量太阳能多晶硅块、单晶硅棒少数载流子体寿命。表面无需抛光，直接对切割面或研磨面行测量。同时可测量多晶硅检验棒及集成电路、整流器、晶体管硅单晶的少子寿命。2、 可测量太阳能单晶及多晶硅片少数载流子的相对寿命，表面无需抛光、钝化。3、配备软件的数字示波器，液晶屏上直接显示少子寿命值，同时显示动态光电导衰退波形，并可联用打印机及计算机。4、配置两种波长的红外光源：a、红外光源，光穿透硅晶体深度较深&ge 500&mu m，有利于准确测量晶体少数载流子体寿命。b、短波长红外脉冲激光器，光穿透硅晶体深度较浅&asymp 30&mu m，但光强较强，有利于测量低阻太阳能硅晶体。5、测量范围宽广测试仪可直接测量：a、研磨或切割面：电阻率&ge 0.3&Omega &bull ㎝的单晶硅棒、定向结晶多晶硅块少子体寿命，切割片的少子相对寿命。b、抛光面：电阻率在0.3～0.01&Omega &bull ㎝范围内的硅单晶、锗单晶抛光片。寿命可测范围 0.25&mu S&mdash 10ms 温馨提示：以上产品资料与图片相对应。

四探针电阻率测试仪/四探针电阻率仪/方阻测试仪/方阻仪/四探针电阻率测定仪（自动测试台+带软件） 型号：KDK-KDY-1四探针电阻率/方阻测试仪（以下简称电阻率测试仪）是用来测量半导体材料（主要是硅单晶、锗单晶、硅片）电阻率，以及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶方块电阻的测量仪器。它主要由电气测量份（简称：主机）、测试架及四探针头组成。本仪器的特点是主机配置双数字表，在测量电阻率的同时，另块数字表（以分之几的度）适时监测程的电流变化，免除了测量电流/测量电阻率的转换，更及时掌控测量电流。主机还提供度为0.05%的恒流源，使测量电流度稳定。本机配有恒流源开关，在测量某些箔层材料时，可免除探针尖与被测材料之间接触火花的发生，地保护箔膜。“小游移四探针头”，探针游移率在0.1～0.2%。保证了仪器测量电阻率的重复性和准确度。本机如加配HQ-710E数据处理器，测量硅片时可自动行厚度、直径、探针间距的修正，并计算、打印出硅片电阻率、径向电阻率的百分变化、平均百分变化、径向电阻率不均习庋。给测量带来很大方便。2、主机能数（1）测量范围：可测电阻率：0.0001～19000Ω?cm可测方块电阻：0.001～1900Ω?□（2）恒流源：输出电流：DC 0.001～100mA 五档连续可调量程：0.001～0.01mA0.01～0.10mA0.10～1.0mA1.0～10mA10～100mA恒流度：各档均低于±0.05%（3）直流数字电压表：测量范围：0～199.99mV灵敏度：10μV基本误差：±（0.004%读数+0.01%满度）输出电源：≥1000ΩM（4）供电电源：AC 220V±10% 50/60 Hz 率：12W（5）使用环境：温度：23±2℃ 相对湿度：≤65%无较强的电场干扰，无强光直接照射（6）重量、体积：主机重量：7.5kg体积：365×380×160（单位：mm 长度×宽度×度）备注：等测量时（测电阻率），度3%电气测量时（测电阻），度在0.3%以内 备注：仪器包括：主机台；测试架（包括台面）个；四探针头1个；软件

四探针方阻电阻率测试仪,四探针电阻率/方阻测试仪 FT-331普通四探针方阻电阻率测试仪广泛用于：覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、防辐射导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻 半导体材料/晶圆、太阳能电池、电子元器件，导电薄膜（ITO导电膜玻璃等），金属膜，导电漆膜，蒸发铝膜，PCB铜箔膜，EMI涂层等物质的薄层电阻与电阻率 导电性油漆，导电性糊状物，导电性塑料，导电性橡胶，导电性薄膜，金属薄膜，抗静电材料， EMI 防护材料，导电性纤维，导电性陶瓷等按照硅片电阻率测量的国际标准（ASTM F84）及国家标准设计制造该仪器设计符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国 A.S.T.M 标准，本机配置232电脑接口及USB两种接口，本机结合采用范德堡测量原理能改善样品因几何尺寸、边界效应、探针不等距和机械游移等外部因素对测量结果的影响及误差，比市场上其他普通的四探针测试方法更加完善和进步,特别是方块电阻值较小的产品测量，更加准确.提供中文或英文两种语言操作界面选择，满足国内及国外客户需求. 本仪器本仪器采用四探针单电测量法适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.参数资料1.方块电阻范围：10-5～2×105Ω/□2.电阻率范围：10-6～2×106Ω-cm 3.测试电流范围：0.1μA ，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度：±0.1%读数5.电阻精度：≤0.3%6.显示读数：液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式: 普通单电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W9.整机不确定性误差: ≤4%（标准样片结果）10.选购功能: 选购1.pc软件； 选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台11.测试探头： 探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针

该仪器设计符合单晶硅物理测试方法并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.导体材料电阻率测试仪GB/T 11073硅片径向电阻率变化的测量方法提要探针与试样压力分为小于0.3N及0.3 N¯ 0.8N两种。以下文件中的条款通过本标准的引用商成为本标准的条款。但凡注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括订正的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的新版本。但凡不注日期的引用文件，其新版本适用于本标准。GB/T 1552硅、储单晶电阻率测定直排四探针法样品台和操针架样品台和探针架应符合GB/T152 中的规定。样品台上应具有旋转360"的装置。其误差不大于士5"，测量装置测量装置的典型电路叉图1，范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10A-5000n.该方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量，但其测量准确度尚未评估。使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外探件，测量两内操针之间的电位差，引人与试样几何形软有关的修正因子，计算出薄层电阻。覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。

高温四探针电阻率测试仪一.概述：采用四探针双电组合测量方法测试方阻和电阻率系统与高温箱结合配置高温四探针测试探针治具与PC软件对数据的处理和测量控制，解决半导体材料的电导率对温度变化测量要求，软件实时绘制出温度与电阻，电阻率，电导率数据的变化曲线图谱，及过程数据值的报表分析.二.适用行业：:用于：企业、高等院校、科研部门对导电陶瓷、硅、锗单晶（棒料、晶片）电阻率、测定硅外延层、扩散层和离子注入层的方块电阻以及测量导电玻璃（ITO）和其它导电薄膜等新材料方块电阻、电阻率和电导率数据.双电测四探针仪是运用直线四探针双位测量。设计参照单晶硅物理测试方法并参考美国 A.S.T.M 标准。三.型号及参数：规格型号FT-351AFT-351BFT-351C1.方块电阻范围 10-5～2×105Ω/□10-6～2×105Ω/□10-4～1×107Ω/□2.电阻率范围10-6～2×106Ω-cm10-7～2×106Ω-cm10-5～2×108Ω-cm3.测试电流范围0.1μA.μA.0μA，100μA，1mA，10mA，100 mA1A、100mA、10mA、1mA、100uA、10uA、1uA、0.1uA10mA ---200pA4.电流精度±0.1%读数±0.1读数±2%5.电阻精度≤0.3%≤0.3%≤10%PC软件界面显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式双电测量8.四探针仪工作电源AC 220V±10%.50Hz 30W 9.误差≤3%（标准样片结果≤15%温度(选购) 常温 --400℃；600℃；800℃；1000℃；1200℃；1400℃；1600℃气氛保护（气体客户自备）常用气体如下：氦(He)、氖(Ne)、氩(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)、氡(Rn)，均为无色、无臭、气态的单原子分子温度精度冲温值：≤1-3℃；控温精度：±1°C升温速度：常温开始400℃--800℃需要15分钟；800℃-1200℃需要30分钟；1400℃-1600℃需要250分钟—300分钟高温材料采用复合陶瓷纤维材料，具有真空成型，高温不掉粉的特征PC软件 测试PC软件一套，USB通讯接口，软件界面同步显示、分析、保存和打印数据！ 电极材料 钨电极或钼电极 探针间距 直线型探针，探针中心间距：4mm；样品要求大于13mm直径标配外（选购）： 电脑和打印机1套；2.标准电阻1-5个 高温电源： 供电：400-1200℃ 电源220V，功率4KW；380V 1400℃-1600℃电源380V；功率9KW： 配套方案：解决各材料状态 --固态、液态、气态、颗粒状 电阻、电阻率、电导率测量

四探针电阻率测试仪FT-333普通四探针方阻电阻率测试仪按照硅片电阻率测量的国际标准（ASTM F84）及国家标准设计制造该仪器设计符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国 A.S.T.M 标准，本机配置232电脑接口及USB两种接口，本机结合采用范德堡测量原理能改善样品因几何尺寸、边界效应、探针不等距和机械游移等外部因素对测量结果的影响及误差，比市场上其他普通的四探针测试方法更加完善和进步,特别是方块电阻值较小的产品测量，更加准确.本仪器本仪器采用四探针单电测量法适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.参数资料1.方块电阻范围：10-3～2×105Ω/□2.电阻率范围：10-4～2×106Ω-cm3.测试电流范围：0.1μA ，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度：±0.2%读数5.电阻精度：≤0.3%6.显示读数：液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式: 普通单电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W9.整机不确定性误差: ≤4%（标准样片结果）10.选购功能: 选购1.pc软件；选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台11.测试探头： 探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针

四探针方阻电阻率测试仪,四探针电阻率/方阻测试仪四探针电阻率/方阻测试仪本仪器本仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。四探针电阻率/方阻测试仪 规格型号FT-341FT-342FT-343FT-345FT-346FT-3471.方块电阻范围10-5～2×105Ω/□10-4～2×103Ω/□10-3～2×105Ω/□10-3～2×103Ω/□10-2～2×105Ω/□10-2～2×103Ω/□2.电阻率范围10-6～2×106Ω-cm10-5～2×104-cm10-4～2×106Ω-cm10-4～2×104-cm10-3～2×106Ω-cm10-3～2×106Ω-cm3.测试电流范围0.1μA,μA,0μA，100μA，1mA，10mA，100 mA1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA0.1μA,μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA0.1μA，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度±0.1%读数±0.2%读数±0.2%读数±0.3%读数±0.3%读数±0.3%读数5.电阻精度≤0.3%≤0.3%≤0.3%≤0.5%≤0.5%≤0.5%6.显示读数大屏液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式双电测量8.工作电源输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W 9.整机不确定性误差≤3%（标准样片结果）10.选购功能选购1.pc软件； 选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台11.测试探头探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针 四探针电阻率/方阻测试仪四探针方阻电阻率测试仪,四探针电阻率/方阻测试仪

四探针 方阻 电阻率测试仪双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。FT-340系列双电测四探针方阻电阻率测试仪本仪器本仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。 四探针 方阻 电阻率测试仪规格型号FT-341FT-342FT-343FT-345FT-346FT-3471.方块电阻范围10-5～2×105Ω/□10-4～2×103Ω/□10-3～2×105Ω/□10-3～2×103Ω/□10-2～2×105Ω/□10-2～2×103Ω/□2.电阻率范围10-6～2×106Ω-cm10-5～2×104-cm10-4～2×106Ω-cm10-4～2×104-cm10-3～2×106Ω-cm10-3～2×106Ω-cm3.测试电流范围0.1μA,μA,0μA，100μA，1mA，10mA，100 mA1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA0.1μA,μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA0.1μA，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度±0.1%读数±0.2%读数±0.2%读数±0.3%读数±0.3%读数±0.3%读数5.电阻精度≤0.3%≤0.3%≤0.3%≤0.5%≤0.5%≤0.5%6.显示读数大屏液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式双电测量8.工作电源输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W 9.整机不确定性误差≤3%（标准样片结果）10.选购功能选购1.pc软件； 选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台11.测试探头探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针 四探针 方阻 电阻率测试仪FT-340系列双电测电四探针方阻电阻率测试仪FT-340 Series Double electric four-probe resistance ratio tester一.应用说明Widely used：覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻 半导体材料/晶圆、太阳能电池、电子元器件，导电薄膜（ITO导电膜玻璃等），金属膜，导电漆膜，蒸发铝膜，PCB铜箔膜，EMI涂层等物质的薄层电阻与电阻率 导电性油漆，导电性糊状物，导电性塑料，导电性橡胶，导电性薄膜，金属薄膜， EMI 防护材料，导电性纤维，导电性陶瓷等，提供中文或英文两种语言操作界面选择，二．描述Description：采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.规格型号/ modelFT-341 FT-342 FT-343FT-345 FT-346FT-3471.方块电阻sheet resistance 10-5～2×105Ω/□10-4～2×105Ω/□10-3～2×105Ω/□10-3～2×104Ω /□10-2～2×105Ω/□10-2～2×104Ω/□2.电阻率Resistivity 10-6～2×106Ω-cm10-5～2×106Ω-cm10-4～2×106Ω-cm10-4～2×105Ω-cm10-3～2×106Ω-cm10-3～2×106Ω-cm6.显示读数display屏液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率Large screen LCD: Resistance. resistivity. sheet resistance. temperature. unit conversion.temperature coefficient. current. voltage. probe shape. probe spacing. thickness. conductivityFT-330系列普通四探针方阻电阻率测试仪.型号及参数Models and technical parameters规格型modelFT-331FT-332FT-333FT-334FT-335FT-3361.方块电阻范围Sheet resistance 10-5～2×105Ω/□10-4～2×105Ω/□10-3～2×105Ω/□10-3～2×104Ω/□10-2～2×105Ω/□10-2～2×104Ω/□2.电阻率范围Resistivity 10-6～2×106Ω-cm10-5～2×106Ω-cm10-4～2×106Ω-cm10-4～2×105Ω-cm10-3～2×106Ω-cm10-3～2×105Ω-cm6.显示读数display液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率LCD: resistance. resistivity. sheet resistance. temperature. unit conversion.temperature coefficient. current. voltage. probe shape. probe spacing. thickness. conductivity7.测试方式test mode普通单电测量general single electrical measurement温馨提示：半导体材料测量，我们提供四探针法，低阻，高阻，双电组合法，普通单电法，以及高温电阻率测试仪系列，欢迎和我们保持联系---瑞柯仪器温馨提示：半导体材料的电导性能和均匀性通过四探针法来测试，四探针测试仪根据量程可以划分为，低阻四探针测试仪测到-6次方；高阻四探针测试仪测到7次方至9次方；，双电测四探针测试仪测到-5次方到5次方，单电测四探针测试仪-5次方到5次方，我们解决半导体材料电性能测量问题，上述都是我们产品，欢迎和我们交流—瑞柯仪器双电测四探针测试仪

1.双电测四探针法测试薄层样品方阻计算和测试原理如下：直线四探针测试布局如图8，相邻针距分别为S1、S2、S3,根据物理基础和电学原理：当电流通过1、4探针，2、3探针测试电压时计算如下：四探针测试结构当电流通过1、2探针，4、3探针测试电压时计算如下：从以上计算公式可以看出：方阻RS只取决于R1和R2，与探针间距无关．针距相等与否对RS的结果无任何影响，本公司所生产之探针头全部采用等距，偏差微小，对测试结果更加精准。操作流程和测试步骤1.使用前期准备--测试前准备工作：1.1.开机预热：将220V电源插头插入电源插座，打开电源开关，让仪器预热15分钟，保证测试数据稳定。若测试仪无法正常启动，请按以下步骤检查：①检查电源线是否接触良好；②检查后面板上的电源开关是否已经打开③检查保险丝是否熔断，如有必要，请更换保险丝④ 如经上述检查无误后，测试仪仍未正常启动，请联系本公司进行解决。1.2.准备好被测物，链接好测试探头，把测试探头接口与主机接口相连接，并锁定，防止松动或接触不良而对测试结果造成影响.1.3.接通电源，开启电源开关，待仪器液晶显示屏上显示出厂家和产品信息后，如图3，按“显示”键进入，1.4.进入测试功能界面如图4、图5；如测试方阻时，请选择液晶显示屏又侧对应 的功能按键“方阻”，则进入方阻测试界面；如测试其他材料时，请选择“材料”则进入材料电阻，电阻率，电导率测试仪界面。1.5.设置好被测物所需之参数，把被测物放于测试治具平台上操作，测试完毕直接显示测试数据。如配置软件，软件操作说明书同安装软件在一起，请注意查看操作步骤.以下分别讲解方阻和材料测试的设置四探针双电方阻测试步骤上述步骤中1项，使用前期准备把被测物测试所需要之参数数据设定：依据不同之测试样品，选择被测试电流，电流设置：按方向键移动光标至“电流”功能，按“设置”键进入；再按“左右”方向键选择电流数据，选择完毕后按“确定”键进行确认。按照以上步骤和方法选择电压、长度单位、探针形状设定、温度.探针间距数据的输入，探针间距出厂时已经标定，无需再次测量，探针头上有详细的探针数据资料，探针间距的设置：将光标移动至“探针间距”按“设置”键进入，通过面板上面的“数字”按键输入数据按“确定”键进行确认；按照以上方法和步骤设定”厚度“，注意厚度和探针间距修正系数表已经设置在仪器程序中，自动修正，无需再次输入和查询表格。2.3.测试探头和测试平台操作选配测试平台的将被测物放在测试平台上，调节探头探针与样品良好接触，探头有二种，一种是探针是弹簧针型，一种是硬针而探头内腔有弹簧；探头有方型和直线型两种结构；调节测试平台上的水平定位角，保证水平仪水准在中心位置；放置好被测物品，后压下探头至被测物，带数据稳定后读取方阻测试时，在测试时电流的选择也不同根据国标GB/T1552-1995和根据ASTM F374-84标准方法测量方块电阻所需要的电流值

FT-340系列双电测电四探针方阻电阻率测试仪应用说明：覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻 半导体材料/晶圆、太阳能电池、电子元器件，导电薄膜（ITO导电膜玻璃等），金属膜，导电漆膜，蒸发铝膜，PCB铜箔膜，EMI涂层等物质的薄层电阻与电阻率 导电性油漆，导电性糊状物，导电性塑料，导电性橡胶，导电性薄膜，金属薄膜， EMI 防护材料，导电性纤维，导电性陶瓷等，提供中文或英文两种语言操作界面选择，二．描述：采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响 规格型号FT-341FT-342FT-343FT-345FT-346FT-3471.方块电阻 10-5～2×105Ω/□10-4～2×105Ω/□10-3～2×105Ω/□10-3～2×104Ω /□10-2～2×105Ω/□10-2～2×104Ω/□2.电阻率 10-6～2×106Ω-cm10-5～2×106Ω-cm10-4～2×106Ω-cm10-4～2×105Ω-cm10-3～2×106Ω-cm10-3～2×106Ω-cm3.测试电流 0.1μA.μA.0μA，100μA，1mA，10mA，100mA1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100mA0.1μA.μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100mA0.1μA、1μA、10μA，100μA，1mA，10mA，100mA1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100mA4.电流精度 ±0.1% ±0.2% ±0.2% ±0.3% ±0.3% ±0.3% 5.电阻精度 ≤0.3% ≤0.3% ≤0.3% ≤0.5% ≤0.5% ≤0.5% 6.显示读数屏液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式双电测量8.电源输入: AC 220V±10%.50Hz 功 耗：30W 9.误差≤3%（标准样片结果）10.选购功能选购1.pc软件； 选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台；5.标准电阻.111.测试探头探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针

FT-346双电测电四探针方阻电阻率测试仪本仪器本仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。参数资料1.方块电阻范围：10-2～2×105Ω/□2.电阻率范围：10-3～2×106Ω-cm3.测试电流范围：0.1μA，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度：±0.3%读数5.电阻精度：≤0.5%6.显示读数：液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式: 双电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W9.整机不确定性误差: ≤4%（标准样片结果）10.选购功能: 选购1.pc软件；选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台11.测试探头： 探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针

ST2258C型多功能数字式电阻率、薄膜方阻测试仪简介一、结构特征 二、概述 2.1基本功能和依据标准：ST2258C型多功能数字式四探针测试仪是运用四探针测量原理测试材料电阻率/方块电阻的多用途、智能化综合测量仪器。该仪器设计符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》等并参考美国 A.S.T.M 标准。 2.2仪器成套组成：由ST2258C四探针主机、选配的四探针探头、选配四探针测试台等部分组成。2.3优势特征：1：本测试仪特赠设测试结果自动分类功能，可分类10类。2：可定制USB通讯接口，便于其拓展为集成化测试系统中的测试模块。3：8档位超宽量程。 同行一般为五到六档位。4:仪器小型化、手动/自动一体化。5:仪器操作简便、性能稳定，所有参数设定、功能转换全部采用数字化键盘输入，简便而且免除模拟定位器的不稳定。2.4探头选配：根据不同材料特性需要，探头可有多款选配。详情见《四探针探头型号规格特征选型参照表》1配高耐磨的碳化钨探针探头，如ST2253-F01型，以测试硅等半导体、金属、导电塑料类等硬质材料的电阻率/方阻；2配不伤膜的球形或平头镀金铜合金探针探头，如ST2558B-F01型，可测金属箔、碳纸等导电薄膜，也可测陶瓷、玻璃或PE膜等基底上导电涂层膜， 如金属镀膜、喷涂膜、ITO膜、电容卷积膜等材料的薄膜涂层电阻率/方阻。3配专用箔上涂层探头，如ST2558B-F02型，也可测试锂电池电池极片等箔上涂层电阻率/方阻。4换上四端子测试夹具，还可对电阻器的体电阻进行测量。。2.5测试台选配：根据不同材料特性需要，测试台可有多款选配。详情见《四探针测试台型号规格特征选型参照表》四探针法测试固体或薄膜材料选配SZT-A型或SZT-B型（电动）或SZT-C型（快速恒压）或SZT-F型（太阳能电池片）测试台。二探针法测试细长棒类材料选配SZT-K型测试台.平行四刀法测试橡塑材料选配SZT-G型测试台。 2.6适用范围：仪器适用于半导体材料厂器件厂、科研单位、高等院校四探针法对导体、半导体、类半导体材料的导电性能的测试三、基本技术参数 1.测量范围、分辨率（括号内为可向下拓展1个数量级）电 阻：10.0×10-6～ 200.0×103 Ω, 分辨率1.0×10-6～ 0.1×103 Ω（1.0×10-6～ 20.00×103 Ω, 分辨率0.1×10-6～ 0.01×103Ω）电 阻 率：10.0×10-6～ 200.0×103Ω-cm 分辨率1.0×10-6～ 0.1×103 Ω-cm（1.0×10-6～ 20.00×103Ω-cm 分辨率0.1×10-6 ～ 0.01×103Ω-cm）方块电阻：50.0×10-6～ 900.0×103Ω/□ 分辨率5.0×10-6～ 0.5×103 Ω/□（5.0×10-6～ 100.0×103Ω/□ 分辨率0.5×10-6～ 0.1×103 Ω/□）2.材料尺寸(由选配测试台和测试方式决定)直 径： SZT-B/C/F方测试台直接测试方式180mm×180mm，手持方式不限长(高)度： 测试台直接测试方式 H≤100mm, 手持方式不限.测量方位: 轴向、径向均可3.3量程划分及误差等级满度显示200.020.002.000200.020.002.000200.020.00测试电流0.1μA1.0μA10μA100μA1.0mA10mA100mA1.0A常规量程kΩ-cm/□kΩ-cm/□Ω-cm/□mΩ-cm/□基本误差±2%FSB±4LSB±1.5%FSB±4LSB±0.5%FSB±2LSB±1.0%FSB±4LSB3.4四探针探头（选配其一或加配全部）(1)碳化钨探针：Φ0.5mm，直线探针间距1.0mm，探针压力: 0～2kg 可调(2)薄膜方阻探针：Φ0.7mm，直线或方形探针间距2.0mm，探针压力: 0～0.6kg 可调3.5.电源输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：3.6.外形尺寸、重量：主 机： 220mm（长）×245 mm（宽）×100mm（高）， 净 重：≤2.5kg

1.2.准备好被测物，链接好测试探头，把测试探头接口与主机接口相连接，并锁定，防止松动或接触不良而对测试结果造成影响.1.3.接通电源，开启电源开关，待仪器液晶显示屏上显示出厂家和产品信息后，如图3，按“显示”键进入，1.4.进入测试功能界面如图4、图5；如测试方阻时，请选择液晶显示屏又侧对应 的功能按键“方阻”，则进入方阻测试界面；如测试其他材料时，请选择“材料”则进入材料电阻，电阻率，电导率测试仪界面。1.5.设置好被测物所需之参数，把被测物放于测试治具平台上操作，测试完毕直接显示测试数据。如配置软件，软件操作说明书同安装软件在一起，请注意查看操作步骤.以下分别讲解方阻和材料测试的设置四探针双电方阻测试步骤上述步骤中1项，使用前期准备把被测物测试所需要之参数数据设定：依据不同之测试样品，选择被测试电流，电流设置：按方向键移动光标至“电流”功能，按“设置”键进入；再按“左右”方向键选择电流数据，选择完毕后按“确定”键进行确认。按照以上步骤和方法选择电压、长度单位、探针形状设定、温度.探针间距数据的输入，探针间距出厂时已经标定，无需再次测量，探针头上有详细的探针数据资料，探针间距的设置：将光标移动至“探针间距”按“设置”键进入，通过面板上面的“数字”按键输入数据按“确定”键进行确认；按照以上方法和步骤设定”厚度“，注意厚度和探针间距修正系数表已经设置在仪器程序中，自动修正，无需再次输入和查询表格。2.3.测试探头和测试平台操作选配测试平台的将被测物放在测试平台上，调节探头探针与样品良好接触，探头有二种，一种是探针是弹簧针型，一种是硬针而探头内腔有弹簧；探头有方型和直线型两种结构；调节测试平台上的水平定位角，保证水平仪水准在中心位置；放置好被测物品，后压下探头至被测物，带数据稳定后读取方阻测试时，在测试时电流的选择也不同根据国标GB/T1552-1995和根据ASTM F374-84标准方法测量方块电阻所需要的电流值

一、适用范围四端测试法是目前较先进之测试方法，主要针对高精度要求之产品测试；本仪器广泛用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料之电导率。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电导率单位自动选择，BCD-310 材料电导率测试仪自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成图表和报表。本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示电阻值、电阻率、方阻、电导率值、温度、压强值、单位自动换算，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.8. 恒流源：电流量程分为： 1uA、10uA、100uA、1mA、10mA 、100mA六档；仪器配有恒流源开关可有效保护被测件，即先让探针头压触在被测材料上，后开恒流源开关，避免接触瞬间打火。为了提高工作效率，如探针带电压触单晶对材料及测量并无影响时，恒流源开关可一直处于开的状态。9. 可配合多种探头进行测试；也可配合多种测试台进行测试。10. 校正功能：可手动或自动选择测试量程 全量程自动清零。11. 厚度可预设，自动修正样品的电阻率,无需查表即可计算出电阻率。12. 自动进行电流换向,并进行正反向电流下的电阻率(或方块电阻)测量,显示平均值.测薄片时,可自动进行厚度修正。13. 双电测测试模式，测量精度高、稳定性好.14. 具备温度补偿功能，修正被测材料温漂带来的测试结果偏差。15. 比较器判断灯直接显示，勿需查看屏幕，作业效率得以提高。3档分选功能：超上限，合格，超下限，可对被测件进行HI/LOW判断，可直接在LCD使用标志显示；也可通过USB接口、RS232接口输出更为详细的分选结果。

四探针方阻测试仪,四探针电导率测试仪,双电测四探针测试仪FT-334普通四探针电阻率方阻测试仪按照硅片电阻率测量的国际标准（ASTM F84）及国家标准设计制造该仪器设计符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国 A.S.T.M 标准，本机配置232电脑接口及USB两种接口，本机结合采用范德堡测量原理能改善样品因几何尺寸、边界效应、探针不等距和机械游移等外部因素对测量结果的影响及误差，比市场上其他普通的四探针测试方法更加完善和进步,特别是方块电阻值较小的产品测量，更加准确.本仪器本仪器采用四探针单电测量法适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.参数资料1.方块电阻范围：10-3～2×103Ω/□2.电阻率范围：10-4～2×104Ω-cm3.测试电流范围：10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度：±0.3%读数5.电阻精度：≤0.5%6.显示读数：液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式: 普通单电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W9.整机不确定性误差: ≤4%（标准样片结果）10.选购功能: 选购1.pc软件； 选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台11.测试探头： 探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针

CDE 四探针电阻率电导率测试仪 Resmap168Resmap168型四点探针测试仪是专门为光伏电池生产企业设计的一款产品。提供可靠，准确和重复性好的四点探针测试技术。168型带自动传送功能，从提高了产品的产量，从而降低导电材料产品的成本。提供NIST标准片6片!产品特点：操作简单、快速精确电阻测量范围：1 mΩ/方块 - 5 MΩ/方块典型应用：非晶硅/微晶硅和导电膜电阻率测量；选择性发射极扩散片；表面钝化片；交叉指样PN结扩散片；新型电极设计，如电镀铜电阻测量等美国CDE专利技术: 可针对材料(不同材料、软硬薄膜或离子植入深或浅等条件，对下针状况最佳化。而此功能是可由软见操作，可有0.01mm 的分辨率，而非麻烦的硬件调整。美国CDE专利技术: 可针对材料(不同材料、软硬薄膜或离子植入深或浅等条件，对下针状况最佳化。而此功能是可由软见操作，可有0.01mm 的分辨率，而非麻烦的硬件调整。Resmap168测试性能指标：探针材料 WC探头寿命 500W次测量： 168，178和273的区别：成功案例-美国CDE四探针测试仪感谢以下客户购买美国美国CDE四探针测试仪作为半导体行业四探针测试仪测试标准之一，购买美国CDE 四探针测试仪的单位非常多。 最近购买用户 科研客户：清华大学,天津大学,浙江大学 中山大学 浙江师范大学 ?复旦大学 北京师范大学 河北大学 。。。。。。 企业客户：上海超日太阳能 卡姆丹克太阳能 南玻光伏 荣马新能源 山东润峰电力 江苏腾晖电力 晶澳太阳能 海润光伏 常州比太 苏州阿特斯 西安隆基 高佳太阳能 江西旭阳雷迪 无锡尚德 武汉珈伟光伏 苏州中导光电 常州天合 。。。。。。

CDE 四探针电阻率电导率测试仪 Resmap168Resmap168型四点探针测试仪是专门为光伏电池生产企业设计的一款产品。提供可靠，准确和重复性好的四点探针测试技术。168型带自动传送功能，从提高了产品的产量，从而降低导电材料产品的成本。提供NIST标准片6片!产品特点：操作简单、快速精确电阻测量范围：1 mΩ/方块 - 5 MΩ/方块典型应用：非晶硅/微晶硅和导电膜电阻率测量；选择性发射极扩散片；表面钝化片；交叉指样PN结扩散片；新型电极设计，如电镀铜电阻测量等美国CDE专利技术: 可针对材料(不同材料、软硬薄膜或离子植入深或浅等条件，对下针状况最佳化。而此功能是可由软见操作，可有0.01mm 的分辨率，而非麻烦的硬件调整。美国CDE专利技术: 可针对材料(不同材料、软硬薄膜或离子植入深或浅等条件，对下针状况最佳化。而此功能是可由软见操作，可有0.01mm 的分辨率，而非麻烦的硬件调整。Resmap168测试性能指标：探针材料 WC探头寿命 500W次测量： 168，178和273的区别：成功案例-美国CDE四探针测试仪感谢以下客户购买美国美国CDE四探针测试仪作为半导体行业四探针测试仪测试标准之一，购买美国CDE 四探针测试仪的单位非常多。 最近购买用户 科研客户：清华大学,天津大学,浙江大学 中山大学 浙江师范大学 ?复旦大学 北京师范大学 河北大学 。。。。。。 企业客户：上海超日太阳能 卡姆丹克太阳能 南玻光伏 荣马新能源 山东润峰电力 江苏腾晖电力 晶澳太阳能 海润光伏 常州比太 苏州阿特斯 西安隆基 高佳太阳能 江西旭阳雷迪 无锡尚德 武汉珈伟光伏 苏州中导光电 常州天合 。。。。。。

二、1. 便于查看的显示/直观的操作性：高亮度、超清晰4.3寸彩色LCD显示；操作易学，直观使用；2. 基本设置操作简单，方阻、电阻、电阻率、电导率和分选结果；多种参数同时显示。3. 精度高：电阻基本准确度： 0.05％；方阻基本准确度：3%；电阻率基本准确度：3%4. 整机测量最大相对误差：≤±3%；整机测量标准不确定度：≤±3%5. 四位半显示读数；八量程自动或手动测试；6. 测量范围宽： 电阻：10-4Ω～105Ω ；方阻：10-4Ω/□～105Ω/□；7. 正反向电流源修正测量电阻误差8. 恒流源：电流量程分为： 1uA、10uA、100uA、1mA、10mA 、100mA六档；仪器配有恒流源开关可有效保护被测件，即先让探针头压触在被测材料上，后开恒流源开关，避免接触瞬间打火。为了提高工作效率，如探针带电压触单晶对材料及测量并无影响时，恒流源开关可一直处于开的状态。9. 可配合多种探头进行测试；也可配合多种测试台进行测试。10. 校正功能：可手动或自动选择测试量程 全量程自动清零。11. 厚度可预设，自动修正样品的电阻率,无需查表即可计算出电阻率。12. 自动进行电流换向,并进行正反向电流下的电阻率(或方块电阻)测量,显示平均值.测薄片时,可自动进行厚度修正。13. 双电测测试模式，测量精度高、稳定性好.14. 具备温度补偿功能，修正被测材料温漂带来的测试结果偏差。15. 比较器判断灯直接显示，勿需查看屏幕，作业效率得以提高。3档分选功能：超上限，合格，超下限，可对被测件进行HI/LOW判断，可直接在LCD使用标志显示；也可通过USB接口、RS232接口输出更为详细的分选结果。

LST-331四探针方阻电阻率测试仪 一、LST-331四探针方阻电阻率测试仪描述：采用范德堡测量原理能解决样品因几何尺寸、边界效应、探针不等距和机械游移等外部因素对测量结果的影响及误差，提供通讯接口，PC软件数据处理及数据分析.中文或英文语言版本. 二.LST-331四探针方阻电阻率测试仪参照标准：硅片电阻率测量的标准（ASTM F84）及国标设计制造；GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》.三.适用范围：适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析半导体材料质量的工具；液晶显示，自动测量和系数补偿，并带有温度补偿功能，自动转换量程；采用芯片控制，恒流输出，选配：PC软件，保存和打印数据，生成报表用于：覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试等相关产品四、.型号及参数 规格型modelLST-3311.方块电阻范围10^-5～2×10^5Ω/□ 2.电阻率范围 10^-6～2×10^6Ω-cm测试电流范围0.1μA ，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100mA4.电流精度 ±0.1%5.电阻精度≤0.3%6.显示读数液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式普通单电测量 8.工作电源输入: AC 220V±10%.50Hz 功 耗：30W 9.误差≤4%（标准样片结果） 10.选购功能选购1.pc软件； 选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台；5.标准电阻.11.测试探头 探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针12.标准电阻（选购）规格：1mΩ、10mΩ、100mΩ、1Ω、10Ω、1kΩ、10kΩ、100kΩ、1MΩ 五、标准配置外订购明细：序号型号品名 单位数量备注1340-CSX测试线 套1209A标准电阻个 1-5选购规格和数量306A四探针测试平台套 1含探头1个406B四探针探头个 1方型或直线型选购5340-TTZ镀金弹簧铜针4根组14根为一组6340-WTZ弹簧钨针4根组14根为一组7340-RJ分析软件套1 8PC电脑+打印机套1依据客户要求配置9300-JL检测技术服务份1计量证书1份 10WDCGQ温度传感器套1常温-125度 331-YB延保服务 年1-3

FT-351高温四探针电阻率测试系统一、概述：采用由四探针双电测量方法测试方阻和电阻率系统与高温试验箱结合配置专用的高温测试探针治具，满足半导体材料因温度变化对电阻值变化的测量要求，通过先进的测控软件可以显示出温度与电阻，电阻率，电导率数据的变化曲线，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。二、适用行业：广泛用于：生产企业、高等院校、科研部门对导电陶瓷、硅、锗单晶（棒料、晶片）电阻率、测定硅外延层、扩散层和离子注入层的方块电阻以及测量导电玻璃（ITO）和其它导电薄膜的方块电阻、电阻率和电导率数据.三、功能介绍：液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。四、技术参数资料1.方块电阻范围：10-5～2×105Ω/□2.电阻率范围：10-6×106cm3.测试电流范围：0.1μA ，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度：±0.1%读数5.电阻精度：≤0.3%6.显示读数：液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式: 双电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W9.整机不确定性误差: ≤4%（标准样片结果）10. 温度： 1200℃可调节；冲温值：≤1-3℃；控温精度：±1°C11、升温速度：9999分钟以内自由设定,一般10分钟内即可升到900℃；功率：3kw.12、炉膛材料：采用复合陶瓷纤维材料，具有真空成型，高温不掉粉的特征。13.专用测试PC软件一套，USB通讯接口，软件界面同步显示、分析、保存和打印数据！14.选购：电脑和打印机还有如下相关产品：FT-351高温四探针电阻率测试系统；FT-352导体材料高温电阻率测试系统； FT-353绝缘材料高温表面和体积电阻率测试系统 ROOKO/瑞柯品牌，来自瑞柯仪器公司，一个专注于改变人们生活方式和品质的企业. 专业与精致并重；智慧之原

瑞柯仪器四探针低阻/接触电阻测试仪FT-541SJB一.概述：用于双极板材料本体电阻率和双极板与炭纸之间的接触电阻的测量和分析.通过PC软件操作界面运行，四探针低阻测量和接触电阻分析，自动生成报表，自动获得压力变化下电阻，电阻率和电导率的变化图谱，样品厚度测量，自动运算.统计分析，瑞柯仪器四探针低阻/接触电阻测试仪FT-541SJB二.参照标准：GB/T 20042.6-2011质子交换膜燃料电池 第6部分：双极板特性测试方法中四探针低阻测量和接触电阻测试方法及要求；三.参数资料1.方块电阻范围：10-5～2×105Ω/□ 2.电阻率范围：10-6～2×106Ω-cm3.测试电流范围：0.1μA ，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度：±0.1%读数5.电阻精度：≤0.3%瑞柯仪器四探针低阻/接触电阻测试仪FT-541SJB6.PC软件界面：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率、电阻率、压强等.7.测试方式: 四探针测量（体电阻率）和四端法（接触电阻测量）8.压力范围：0-1000kg（0-4MPa）.9. 样品形状为正方形（镀金电极为5cm×5cm)，面积为25cm2（其他规格定制）10.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W11. 加压方式：自动12. 样品高度量程和精度：高度测量范围：0.001-10.001mm，测量分辨率0.001mm13.温湿度范围：常温-50度；湿度：20%-98%14.恒压时间：0-99.9S15.标配标准件：a.标准校准电阻1个；b.标准高度校准件1个16. 工作电源：220±10% 50HZ/60HZ17.标配外选购：1）.电脑和打印机依据客户要求配置； 2）.计量证书1份 配套方案：解决各材料状态 --固态、液态、气态、颗粒状 电阻、电阻率、电导率测量 ROOKO瑞柯仪器------专注于新材料测量与分析仪器解决方案 ----解决材料：导体、半导体、绝缘材料常温及高温等环境下电性能分析. ----我们一直在做：研发、生产、销售研发、生产、销售、租赁、实验室样品分析及后延扩展服务.