全自动原子层沉积系统

原子层沉积技术NLD-4000（A）全自动原子层沉积系统概述：原子层沉积是一项沉积薄膜的重要技术，具有广泛的应用。ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。NLD-4000（A）全自动原子层沉积系统特点：NLD-4000（A）是一款全自动独立的PC计算机控制的ALD原子层沉积系统，带Labview软件，具备四级密码控制的用户授权保护功能。系统为全自动的安全互锁设计，并提供了强大的灵活性，可以用于沉积多种薄膜（如：AL2O3, AlN, TiN, ZrO2, LaO2, HfO2,等等）。应用领域包含半导体、光伏、MEMS等。NLD-4000（A）系统提供12”的铝质反应腔体，带有加热腔壁和气动升降顶盖，非常方便腔体的访问和清洁。该系统拥有一个载气舱包含多达7个50ml的加热汽缸，用于前驱体以及反应物，同时带有N2或者Ar作为运载气体的快脉冲加热传输阀。NLD-4000（A）全自动原子层沉积系统选配：NLD-4000（A）系统的选配项包含，ICP离子源(用于等离子增强的PEALD)，臭氧发生器，等等。NLD-4000（A）全自动原子层沉积系统应用：Oxides氧化物: Al203, HfO2, La2O3, SiO2, TiO ZnO, In2O3，etcNitrides氮化物: AlN, TiN, TaN, etc..Photovoltaic and MEMS applications光伏及MEMS应用.Nano laminates纳米复合材料

原子层沉积技术NLD-3500（A）全自动原子层沉积系统概述：原子层沉积是一项沉积薄膜的重要技术，具有广泛的应用。ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。NLD-3500（A）全自动原子层沉积系统特点：NLD-3500（A）是一款全自动独立的PC计算机控制的ALD原子层沉积系统，带Labview软件，具备四级密码控制的用户授权保护功能。系统为全自动的安全互锁设计，并提供了强大的灵活性，可以用于沉积多种薄膜（如：AL2O3, AlN, TiN, ZrO2, LaO2, HfO2,等等）。应用领域包含半导体、光伏、MEMS等。NLD-3500（A）系统提供12”的铝质反应腔体，带有加热腔壁和气动升降顶盖，非常方便腔体的访问和清洁。该系统拥有一个载气舱包含多达7个50ml的加热汽缸，用于前驱体以及反应物，同时带有N2或者Ar作为运载气体的快脉冲加热传输阀。NLD-3500（A）全自动原子层沉积系统选配：NLD-3500（A）系统的选配项包含，ICP离子源(用于等离子增强的PEALD)，臭氧发生器，等等。NLD-3500（A）全自动原子层沉积系统应用：Oxides氧化物: Al203, HfO2, La2O3, SiO2, TiO ZnO, In2O3，etcNitrides氮化物: AlN, TiN, TaN, etc..Photovoltaic and MEMS applications光伏及MEMS应用.Nano laminates纳米复合材料

NLD-3500（A）全自动原子层沉积系统概述：原子层沉积是一项沉积薄膜的重要技术，具有广泛的应用。ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。NLD-3500（A）全自动原子层沉积系统特点：NLD-3500（A）是一款全自动独立的PC计算机控制的ALD原子层沉积系统，带Labview软件，具备四级密码控制的用户授权保护功能。系统为全自动的安全互锁设计，并提供了强大的灵活性，可以用于沉积多种薄膜（如：AL2O3, AlN, TiN, ZrO2, LaO2, HfO2,等等）。应用领域包含半导体、光伏、MEMS等。NLD-3500（A）系统提供12”的铝质反应腔体，带有加热腔壁和气动升降顶盖，非常方便腔体的访问和清洁。该系统拥有一个载气舱包含多达7个50ml的加热汽缸，用于前驱体以及反应物，同时带有N2或者Ar作为运载气体的快脉冲加热传输阀。NLD-3500（A）全自动原子层沉积系统选配：NLD-3500（A）系统的选配项包含，ICP离子源(用于等离子增强的PEALD)，臭氧发生器，等等。NLD-3500（A）全自动原子层沉积系统应用：Oxides氧化物: Al203, HfO2, La2O3, SiO2, TiO ZnO, In2O3，etcNitrides氮化物: AlN, TiN, TaN, etc..Photovoltaic and MEMS applications光伏及MEMS应用.Nano laminates纳米复合材料

超小型桌面式平片原子层沉积系统原子层沉积（Atomic layer deposition)是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应腔体内并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种技术，具有自限性和自饱和。原子层沉积技术主要应用是在各种尺寸和形状的基底上沉积高精度、无针孔、高保形的纳米薄膜。 产品描述厦门韫茂科技公司研发的超小型桌式 ALD 原子层沉积设备是先进材料研究的有力设备之一，它可以在4寸晶元（向下兼容）和微纳米粉体上实现均匀可控的原子层沉积，具有广泛的应用领域，设各配有独立控制的300℃完整加热反应腔室系统，保证工艺温度均匀，该系统具有专利粉末样品桶、晶元載盘，全自动温控制、 ALD 前驱体源钢瓶、自动温度控制阀、工业级安全控制，以及现场 RGA 、 QCM 、臭氧发生器、手套箱等设计选项，是先进能源材料、催化剂材料、新型纳米材料研究与应用的最佳研发工具主要技术参数Mini Desktop ALD 技术参数 Technical Specifications （HfO2, ZnO, Al2O3, TiO2等制备）特色 Feature结构紧凑，世界上极小尺寸的桌式ALD World Smallest Footprint Desktop ALD功能 Function高端制造，功能强大，操作简易，维护方便样品最大尺寸Ф100mm (其他尺寸可定制）硅片或几克粉末样品反应温度 HeatingRT-450℃前驱体 Max Precursor最大可4组液态或固态反应前驱体, Max 4 Liquid/Solid Precursors，可定制 Can Be Customized 前驱体加热最高温度 Max Precursor Heating RT-200℃包覆均一性 Uniformity1% (Al2O3)成膜速率 Deposition Rate1A/Cycle (Al2O3)臭氧发生器Ozone Generator可选配，生产效率15g/h人机界面 HMI全自动化人机操作界面安全Safety工业标准安全互锁Industry Safety Interlock，报警Alarm，EMO

原子层沉积技术NLD-4000（M）原子层沉积系统概述：原子层沉积是一项沉积薄膜的重要技术，具有广泛的应用。ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。NLD-4000（M）原子层沉积系统特点：NLD-4000是一款独立的PC计算机控制的ALD原子层沉积系统，带Labview软件，具备四级密码控制的用户授权保护功能。系统为全自动的安全互锁设计，并提供了强大的灵活性，可以用于沉积多种薄膜（如：AL2O3, AlN, TiN, ZrO2, LaO2, HfO2,等等）。应用领域包含半导体、光伏、MEMS等。NLD-4000系统提供12”的铝质反应腔体，带有加热腔壁和气动升降顶盖，非常方便腔体的访问和清洁。该系统拥有一个载气舱包含多达7个50ml的加热汽缸，用于前驱体以及反应物，同时带有N2或者Ar作为运载气体的快脉冲加热传输阀。NLD-4000（M）原子层沉积系统选配：NLD-4000系统的选配项包含自动L/UL上下载(用于6”基片)，ICP离子源(用于等离子增强的PEALD)，臭氧发生器，等等。NLD-4000（M）原子层沉积系统应用：Oxides氧化物: Al203, HfO2, La2O3, SiO2, TiO ZnO, In2O3，etcNitrides氮化物: AlN, TiN, TaN, etc..Photovoltaic and MEMS applications光伏及MEMS应用.Nano laminates纳米复合材料

ALD原子层沉积技术NLD-3500（M）原子层沉积系统概述：原子层沉积是一项沉积薄膜的重要技术，具有广泛的应用。ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。NLD-3500（M）原子层沉积系统特点：NLD-3500是一款紧凑型独立的PC计算机控制的ALD原子层沉积系统，带Labview软件，具备四级密码控制的用户授权保护功能。系统为全自动的安全互锁设计，并提供了强大的灵活性，可以用于沉积多种薄膜（如：AL2O3, AlN, TiN, ZrO2, LaO2, HfO2,等等）。应用领域包含半导体、光伏、MEMS等。NLD-3500系统提供12”的铝质反应腔体，带有加热腔壁和气动升降顶盖，非常方便腔体的访问和清洁。该系统拥有一个载气舱包含多达7个50ml的加热汽缸，用于前驱体以及反应物，同时带有N2或者Ar作为运载气体的快脉冲加热传输阀。NLD-3500（M）原子层沉积系统选配：NLD-3500系统的选配项包含自动L/UL上下载(用于6”基片)，ICP离子源(用于等离子增强的PEALD)，臭氧发生器，等等。NLD-3500（M）原子层沉积系统应用：Oxides氧化物: Al203, HfO2, La2O3, SiO2, TiO ZnO, In2O3，etcNitrides氮化物: AlN, TiN, TaN, etc..Photovoltaic and MEMS applications光伏及MEMS应用.Nano laminates纳米复合材料

原子层沉积技术NLD-3000原子层沉积系统概述：原子层沉积是一项沉积薄膜的重要技术，具有广泛的应用。ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。NLD-3000原子层沉积系统特点：NLD-3000是一款独立的PC计算机控制的ALD原子层沉积系统，带Labview软件，具备四级密码控制的用户授权保护功能。系统为全自动的安全互锁设计，并提供了强大的灵活性，可以用于沉积多种薄膜（如：AL2O3, AlN, TiN, ZrO2, LaO2, HfO2,等等）。应用领域包含半导体、光伏、MEMS等。NLD-3000系统提供12”的铝质反应腔体，带有加热腔壁和气动升降顶盖，非常方便腔体的访问和清洁。该系统拥有一个载气舱包含多达7个50ml的加热汽缸，用于前驱体以及反应物，同时带有N2或者Ar作为运载气体的快脉冲加热传输阀。NLD-3000原子层沉积系统选配：NLD-3000系统的选配项包含自动L/UL上下载(用于6”基片)，ICP离子源(用于等离子增强的PEALD)，臭氧发生器，等等。NLD-3000原子层沉积系统应用：Oxides氧化物: Al203, HfO2, La2O3, SiO2, TiO ZnO, In2O3，etcNitrides氮化物: AlN, TiN, TaN, etc..Photovoltaic and MEMS applications光伏及MEMS应用.Nano laminates纳米复合材料

Veeco(之前称之为Cambridge Nanotech)已经有15年以上的ALD研发生产经验。2003年Cambridge Nanotech成立于哈佛大学，05年搬到Boston并生产出Thermal ALD - Savannah, 之后生产出Plasam ALD - Fuji、批量生产ALD-Phoenix。2017年被Veeco收购，并更新了Batch HVM ALD - Firebird。至今为止，Veeco在ALD设备已有15年多的经验，全球已安装五百多台ALD设备。 方式: Thermal batch ALD优势:完全自动化的批量生产系统，最强生产能力（每月最多40000片），成本低，产量高，极优的一致性针对脆弱/温度敏感的衬底解决方案，包括LNO/LTO/玻璃模块化热管理，以实现最强工艺灵活性和产量薄膜: 氧化物薄膜，包含封装层、光学涂层氧化物薄膜，包含封装层、光学涂层反应腔体大小: 无缝晶片尺寸转换能力高达300mm

原子层沉积技术原子层沉积系统：原子层沉积是一项沉积薄膜的重要技术，具有广泛的应用。ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。原子层沉积系统应用：高介电薄膜疏水涂层钝化层 深硅刻蚀铜互连阻挡层薄膜微流控台阶涂层用于催化剂层的单金属涂层的燃料电池ALD-4000原子层沉积系统特点：独立的PC计算机控制的ALD原子层沉积系统Labview软件，具备四级密码控制的用户授权保护功能 安全互锁设计，强大的灵活性，可以用于沉积多种薄膜（如：AL2O3, AlN, TiN, ZrO2, LaO2, HfO2,等等）12”的铝质反应腔体，带有加热腔壁和气动升降顶盖最多7个50ml的加热汽缸，用于前驱体以及反应物，同时带有N2或者Ar作为运载气体的快脉冲加热传输阀ALD-4000原子层沉积系统选配项：NLD-4000系统的选配项包含自动L/UL上下载(用于6”基片)ICP离子源(用于等离子增强的PEALD)臭氧发生器 等等客户定制选项 案例：6”晶圆片上的均匀性数据

原子层沉积系统（Atomic Layer Deposition System，ALD)产地：美国 主要产品系列：1.ALD (传统的热原子层沉积)；2.PEALD (等离子增强原子层沉积)；3.Powder ALD (粉末样品的原子层沉积)； 仪器简介：原子层沉积（Atomic Layer Deposition，ALD），也称为原子层外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE），或原子层化学气相沉积（Atomic Layer Chemical Vapor Deposition，ALCVD）。原子层沉积是在一个加热反应的衬底上连续引入至少两种气相前驱体源，化学吸附至表面饱和时自动终止，适当的过程温度阻碍了分子在表面的物理吸附。一个基本的原子层沉积循环包括四个步骤：脉冲A，清洗A，脉冲B和清洗B。沉积循环不断重复直至获得所需的薄膜厚度，是制作纳米结构从而形成纳米器件极佳的工具。ALD的优点包括：1. 可以通过控制反应周期数精确控制薄膜的厚度，从而达到原子层厚度精度的薄膜；2. 由于前驱体是饱和化学吸附，保证生成大面积均匀性的薄膜； 3. 可生成极好的三维保形性化学计量薄膜，作为台阶覆盖和纳米孔材料的涂层；4. 可以沉积多组份纳米薄层和混合氧化物；5. 薄膜生长可在低温下进行（室温到400度以下）；6. 可广泛适用于各种形状的衬底；7. 原子层沉积生长的金属氧化物薄膜可用于栅极电介质、电致发光显示器绝缘体、电容器电介质和MEMS器件，生长的金属氮化物薄膜适合于扩散势垒。 技术参数：基片尺寸：6英寸、8英寸、12英寸；加热温度：25℃—400℃（可选配更高）；均匀性： 2%；前驱体数：4路（可选配6路）；兼容性： 可兼容100级超净室；尺寸：950mm x 700mm；ALD及PE-ALD技术； 原子层沉积ALD的应用包括：1) High-K介电材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3)；2) 导电门电极 (Ir, Pt, Ru, TiN)；3) 金属互联结构 (Cu, WN, TaN,Ru, Ir)；4) 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5)；5) 纳米结构 (All ALD Material)；6) 生物医学涂层 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN)；7) ALD金属 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni)；8) 压电层 (ZnO, AlN, ZnS)；9) 透明电学导体 (ZnO:Al, ITO) 10) 紫外阻挡层 (ZnO, TiO2) 11) OLED钝化层 (Al2O3) 12) 光子晶体 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5) 13) 防反射滤光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5)；14) 电致发光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce) 15) 工艺层如蚀刻栅栏、离子扩散栅栏等 (Al2O3, ZrO2) 16) 光学应用如太阳能电池、激光器、光学涂层、纳米光子等 (AlTiO, SnO2, ZnO) 17) 传感器 (SnO2, Ta2O5) 18) 磨损润滑剂、腐蚀阻挡层 (Al2O3, ZrO2, WS2)； 目前可以沉积的材料包括：1） 氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...2） 氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ... 3） 氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...4） 金属: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ... 5） 碳化物: TiC, NbC, TaC, ... 6） 复合结构材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ... 7） 硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...

PICOSUN原子层沉积系统ALD R-1000 Pro（PICOSUN™ ALD ALD P-1000 Pro） 名称：原子层沉积系统 产地：芬兰 Picosun简介Picosun是一家全球公司，Picosun的总部位于芬兰的Espoo，其生产设施位于芬兰的Masala（Kirkkonummi）。PICOSUNALD设备专为高产量和高产量而设计，并且不断发展以提高效率。Picosun适应性强其客户包括zui 大的电子制造商，小型的创新型挑战者以及全球ling先的大学。 Picosun的组织机构和种类繁多的ALD解决方案都可以满足每个客户的需求。PICOSUN研发工具具有独特的内置可扩展性，可确保将研究结果平稳过渡到大批量工业制造中，而不会出现技术差距。Picosun的热情在于创新。当您想与设备制造商共同创建定制的ALD解决方案，从而引ling行业发展时，Picosun是您的合作伙伴。 型号：PICOSUN™ ALD ALD P-1000 ProPICOSUN™ P系列量产ALD系统定义了高产量ALD的新时代。我们全自动化、真空集群与产线兼容的P系列ALD确保了最大的产出效率，并且具有世界级的工艺纯度和薄膜均匀性，甚至能完全满足具有最严格要求的半导体行业标准。PICOSUN™ P系列ALD高效紧凑的设计节约了昂贵的场地成本，系统的易维护性减少了停工期。ALD技术可以覆盖各种形状、各种表面的样品，可以覆盖最细小的地方，最难到达的地方。具有高度的保形性、均一性及100%无针孔。这使得ALD可以应用于各种行业里，实现各种表面的保护。ALD薄膜可以附着在各种表面上，例如金属，玻璃，塑料，乃至纤维及粉末。作为气相、低温的沉积技术，ALD薄膜可以生长在非常敏感的表面上，例如聚合物薄膜。 技术指标 衬底尺寸和类型156 mm x 156 mm硅片800～1000片/批次（双面/背对背）高达400 mm x 600 mm玻璃基板30～50片/批次（双面/背对背）大批量的3D产品（例如：钟表部件，珠宝，硬币，医疗植入部件，机械部件等）多孔，通孔，高深宽比（HAR）样品工艺温度50 - 500 °C基片传送选件气动升降（手动装载，带叉车forklift cart）全自动转载，用工业机器人实现前驱体液态、固态、气态、臭氧源前驱源余量传感器，并提供清洗和装源服务8根独立源管线，最多加载12个前驱体源重量2000 kg尺寸(W x H x D)230 cm x 270 cm x 125 cm选件PICOFLOW™ 扩散增强器，N2发生器，尾气处理器，定制设计，与工厂软件连接服务。 应用领域Picosun的ALD技术应用在钟表部件、珠宝、硬币上进行防着色，防腐蚀的装饰涂层。在生物植入医疗部件上的生物兼容、生物活性涂层。致密、惰性、密封、弹性、透明的ALD薄膜技术挑战传统的膜生长方式。在PCB防腐蚀保护、防摩损等领域，ALD层大大提升了部件的质量、可靠性及寿命。ALD工业领域及应用产品ALD应用医疗植入（牙科，连接技术）植物活性层， 用来提高骨融手术固定器合，生物兼容的包覆层植入医疗器件生物兼容包覆层（心脏起搏器，耳蜗植入）收藏性硬币防着色涂层钟表部件防着色层或装饰层珠宝防着色层或装饰层PCB防锡晶须及腐蚀

芬兰PICOSUN公司是ALD技术发明人Tuomo Suntola创立的，与Picosun专家队伍被称为ALD的梦之队。Suntola于1974年发明ALD技术，因此获得半导体行业European SEMI 2004奖。PICOSUN公司凭借其杰出的生产型与科研型产品，于2022年6月加入美国应用材料公司。PICOSUN产品分为科研型与生产型。科研型产品有：标准型PICOSUN™ R-200 Standard，只有热法原子层沉积系统高级型PICOSUN™ R-200 Advanced，有热法原子层沉积系统与等离子体增强原子层沉积系统高级型ALD可以添加前沿的微波等离子体辅助增强模块Microwave Plasma, 这种微波等离子体增强原子层沉积系统在颗粒、薄膜致密性表现更好，同时有可能沉积具有挑战性的一些氮化物薄膜，如氮化硅等。请搜索我司网站联系我们！

台式三维原子层沉积系统ALD原子层沉积（Atomic layer deposition, ALD）是通过将气相前驱体脉冲交替的通入反应器，化学吸附在沉积衬底上并反应形成沉积膜的一种方法，是一种可以将物质以单原子膜形式逐层的镀在衬底表面的方法。因此，它是一种真正的纳米技术，以控制方式实现纳米的超薄薄膜沉积。由于ALD利用的是饱和化学吸附的特性，因此可以确保对大面积、多空、管状、粉末或其他复杂形状基体的高保形的均匀沉积。 美国ARRADIANCE公司的GEMStar XT系列台式 ALD系统，在小巧的机身（78 x56 x28 cm）中集成了原子层沉积所需的所有功能，可多容纳9片8英寸基片同时沉积。GEMStar XT全系配备热壁，结合前驱体瓶加热，管路加热，横向喷头等设计， 使温度均匀性高达99.9%，气流对温度影响减少到0.03%以下。高温度稳定度的设计不仅实现在 8英寸基体上膜厚的不均匀性小于1%，而且更适合对超高长径比的孔径结构等3D结构实现均匀薄膜覆盖，可实现对高达1500：1长径比微纳深孔内部的均匀沉积。GEMStar XT 产品特点：■ 300℃ 铝合金热壁，对流式温度控制■ 175℃ 温控150ml前驱体瓶，200℃ 控输运支管■ 可容纳多片4，6，8英寸样品同时沉积■ 可容纳1.25英寸/32mm厚度的基体■ 标准CF-40接口■ 可安装原位测量或粉末沉积模块等选件■ 等离子体辅助ALD插件■ 多种配件可供选择GEMStar XT 产品型号：GEMStar -4 XT：■ 大4英寸/100 mm基片沉积■ 单路前驱体输运支管， 4路前驱体瓶接口■ 不可升为等离子体增强ALDGEMStar -6/8 XT：■ 大6英寸(150mm)/8英寸(200mm)基片沉积■ 双路前驱体输运支管， 8路前驱体瓶和CF-40接口■ 可升为等离子体增强ALDGEMStar -8 XT-P：■ 大8英寸/200mm基片沉积■ 双路前驱体输运支管， 8路前驱体瓶和CF-40接口■ 装备高性能ICP等离子发生器13.56 MHz 的等离子源非常紧凑，只需风冷，高运行功率达300W。■ 标配３组气流质量控制计（MFC）控制的等离子气源线，和一条MFC控制的运载气体线，使难以沉积的氧化物、氮化物、金属也可以实现均匀沉积。GEMStar NanoCUBE：* 大100 mm 立方体样品 沉积* 单路前驱体输运支管， 2路前驱体瓶接口* 主要用于3D多孔材料，以及厚样品的沉积丰富配件：多样品托盘：* 多样品夹具，样品尺寸（8", 6", 4"）向下兼容。* 多基片夹具，多同时容纳9片基片。 温控热托盘：* 可加热样品托盘，高温度500℃，可实现热盘-热壁复合加热方式。粉末沉积盘： 臭氧发生器： 真空进样器（Load Lock） 晶振测厚仪 前驱体瓶： 前驱体加热套：

PICOSUN原子层沉积系统ALD R-300高级版（PICOSUN™ ALD P-300 Advanced） 名称：原子层沉积系统 产地：芬兰 Picosun简介Picosun是yi家全球公司，Picosun的总部位于芬兰的Espoo，其生产设施位于芬兰的Masala（Kirkkonummi）。PICOSUNALD设备专为高产量和高产量而设计，并且不断发展以提高效率。Picosun适应性强其客户包括zui 大的电子制造商，小型的创新型挑战者以及全球ling先的大学。 Picosun的组织机构和种类繁多的ALD解决方案都可以满足每个客户的需求。PICOSUN研发工具具有独特的内置可扩展性，可确保将研究结果平稳过渡到大批量工业制造中，而不会出现技术差距。Picosun的热情在于创新。当您想与设备制造商共同创建定制的ALD解决方案，从而引ling行业发展时，Picosun是您的合作伙伴。 PICOSUN™ R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术，并在各种各样的衬底上都表现ji 佳的均匀性，包括zui具挑战性的通孔的、超高深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的更高级的，易更换的前驱源系统，能够在晶圆、3D样品和各种纳米特性的样品上生长颗粒度zui小的薄膜层。在zui基本的PICOSUN™ R系列配置中可以选择多个独立的，完全分离的源入口匹配多种类型的前驱源。PICOSUN™ R系列独特的扩展性使ALD工艺可以从研究环境直接过渡到生产环境的PICOSUN™ P系列ALD系统。由于研发型与生产型PICOSUN™ 反应腔室核心设计特点都是相同的,这消除了实验室与制造车间之间的鸿沟。对大学来说,突破创新的技术转化到生产中，就会吸引到企业投资。 PICOSUNR-300高级Picosun™ 300mm生产线上的产品是300mm以下晶圆的自动化、高产量的工业ALD加工设备。包括PICOSUN™ P系列Pro和Advanced ALD设备。该工具可以独立工作，也可以集成到PICOPLATFORM™ 300真空集群系统以达到更高的产量和自动化水平。为了节约昂贵的设施空间，所有PICOSUN™ 的ALD系统有着紧凑、高效的设计。集成的专业机柜，装载着前驱体和电子元件，保证了快速简便的维护和zui短的停机时间。PICOSUN™ P系列工具保证了zui大产能以及zui节约成本的情况下得到you 秀的ALD工艺质量，并履行严格的现代半导体产业的生产力和安全要求。工艺咨询和开发，产能提升，维护保养流程和系统及工艺的故障排除，我们客户化定制的PICOSUPPORT™ 综合解决方案24小时快速响应，随时待命。在购买之前，我们的演示服务保证了设备可以百分百满足客户zui苛刻的产线需求。 技术指标 衬底尺寸和类型156 mm x 156 mm硅片50～100片/批次（双面/背对背）高达300 mm x 300 mm玻璃基板10～20片/批次（双面/背对背）大批量的3D产品（例如：钟表部件，珠宝，硬币，医疗植入部件，机械部件等）粉末与颗粒Roll-to-roll, 衬底zui大宽 300 mm多孔，通孔，与高深宽比（HAR）样品工艺温度50-500℃基片传送选件气动升降（手动装载）半自动装载，用线性装载器实现全自动转载，用工业机器人实现前驱体液态、固态、气态、臭氧源前驱源余量传感器，并提供清洗和装源服务4根独立源管线，zui多加载6个前驱体源重量400 + 300 kg尺寸 (W x H x D)149 cm x 191 cm x 111 cm选件PICOFLOW™ 扩散增强器，N2发生器，尾气处理器，定制设计，与工厂软件连接服务。验收标准标准设备验收标准为 Al2O3 工艺 应用领域客户使用PICOSUN™ R系列ALD 设备在150mm和200mm（6“和8”）晶圆上所沉积薄膜厚度均匀性数据。 材料非均匀性(1σ)AI2O3 (batch)0.13%SiO2 (batch)0.77%TiO20.28%HfO20.47%ZnO0.94%Ta2O51.00%TiN1.10%CeO21.52%Pt3.41%

双腔体等离子体原子层沉积系统 QBT-T原子层沉积（Atomic layer deposition)是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应腔体内并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种技术，具有自限性和自饱和。原子层沉积技术主要应用是在各种尺寸和形状的基底上沉积高精度、无针孔、高保形的纳米薄膜。 产品描述厦门韫茂科技公司的双腔体等离子体原子层沉积系统（QBT-T），设备采用双腔体设计，腔体之间可实现独立控制，双倍产出。腔体分别为PEALD腔室，粉末ALD腔室。由于双腔体双功能的独特设计，使设备可以在平片上实现等离子体ALD的生长工艺以及粉末ALD包覆工艺，设备配有独立控制的300℃完整加热反应腔室系统，保证工艺温度均匀。该系统具有专利粉末样品桶、晶圆载盘、全自动温度控制、ALD前驱体源钢瓶、自动温度控制阀、工业级安全控制，以及现场RGA、QCM、臭氧发生器、手套箱、极片架等设计选项。是先进能源材料、催化剂材料、新型纳米材料,半导体领域研究与应用的最佳研发工具之一。主要技术参数QBT-T 技术参数 Technical Specifications （TiN, ZnO, Al2O3, TiO2等制备）腔体双腔体设计（1个硅片PEALD腔室，1个粉末ALD腔室），每个腔体独立控制，双倍产出等离子体 Plasma最大3kW RF自匹配电源最大基板尺寸Max Wafer SizeФ150mm (可定制）高精准样品加热控制 Wafer HeatingRT-300±1℃前驱体 Max Precursor最大可包括3组等离子体反应气体 8组液态或固态反应前驱体, Max 3 Gas and 8 Liquid/Solid Precursors 臭氧发生器Ozone Generator可选配，生产效率15g/h人机界面 HMI全自动化人机操作界面安全Safety工业标准安全互锁Industry Safety Interlock，报警Alarm，EMO

设备规格衬底尺寸：标准尺寸：200mm Dia (8 inch）（可定制)工艺温度：温度范围：RT~500°C （可定制）前驱体路数：最大支持6路前驱体气路（可定制)，包含固、液态前驱体源瓶加热系统：可加热温度范围：RT~150℃反应物路数：支持2路反应物气路（可定制）载气：标准：N2, MFC 流量控制（可定制）压力监测：双薄膜规组合（耐腐蚀)，0.005Torr - 1000Torr本底真空度：5x10-3 Torr真空系统：标准油泵控制系统：19寸显示器，支持触控工业级嵌入式工控机，高可靠性，支持扩展操作系统：Win7 操作系统工业级可编程逻辑控制器，支持现场总线与实时多任务处理操作高温加热模块：独立的源瓶加热模块，可支持RT~200℃预留模块：预留等离子体系统接口，无需更换腔体即可直接升级至等离子体系统（PEALD），实现Thermal-ALD与PEALD的双模式切换 工艺可沉积薄膜种类和应用场景包括：&bull High-K介电材料 (Al2O3, H2O, ZrO2, PrA1Q, Ta2O5, La2O3) &bull 金属互联结构 (Cu, WN, TaN, Ru, In) &bull 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2):&bull 生物医学涂层 (TiN, ZrN, TiAIN, AlTIN) &bull 金属(Ru, Pd, Ir Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni &bull 压电层 (ZnO, AIN, ZnS) &bull 透明电学导体 (ZnO:Al, ITO) &bull 光子晶体(ZnO, TiO2, Ta3N5) 机架&bull 框架采用进口铝材搭建，重量轻、承载能力强，散热性好&bull 外壳采用碳钢烤漆及圆角处理，轻便美观，拆卸方便，符合人体工学&bull 显示屏360度自由旋转，可调视距、视角、自由悬停 控制系统&bull 控制系统采用 PLC+工控机+19 寸触摸屏方式实现，系统通过高速以太网进行通讯。&bull 采用 PLC 对设备进行实时控制，同时实现基于Windows7 操作系统的人机界面互动，支持历史数据、工艺配方、报警及日志的储存和导入导出的功能&bull 设备支持“一键沉积”功能，点击运行按键即可自动完成真空抽取、升温、材料沉积、降温等一系列步骤。实现单一或多层材料的沉积；提供独立的手动操作页面，支持手动开关阀门的操作，人机交互同时支持鼠标、键盘和触摸的输入方式&bull 设备运行软件提供用户权限管理功能，可根据用户级别设定使用权限，防止误操作，保证设备和人身安全&bull 设备运行软件提供逻辑互锁功能，防止用户误操作，并弹出信息对话框进行提示&bull 设备运行软件集成安全及参数配置、IO互锁列表信息功能 真空系统 真空测量采用双真空压力计组合方式，工艺数据更真实，更迅速，更精确，为工艺人员提供井真的数据采集来源，为工艺的可重复性提供了可靠的保障应用领域1.纳米材料：ALD 技术沉积参数高度可控，可在各种尺寸的复杂三维微纳结构基底上，实现原子级精度的薄膜形成和生长，可制备出高均匀性、高精度、高保形的纳米级薄膜。ALD具有高致密性以及高纵宽比结构均匀性，为MEMS机械耐磨损层、抗腐蚀层、介电层、憎水涂层、生物相容性涂层、刻蚀掩膜层等提供优质解决方案。ALD技术沉积参数高度可控，可通过精准控制循环数来控制MTJ所需达到的各项参数，是适用于MTJ制造的最佳工艺方案之一。ALD技术可通过表面修饰，改善纳米孔的生物相容性，同时提升抗菌抑菌和促进细胞合成。2.太阳能电池：ALD基材料在c-Si太阳能电池中的应用始于Al2O3，Al2O3是一种非常有效的表面钝化层，被发现可以显着提高c-Si太阳能电池的效率并应用于大规模产业化中。此后的研究中，ALD的应用研究从表面钝化层扩展到载流子传输材料[8]。3.催化：ALD技术很容易地控制纳米颗粒的大小、孔隙结构、含量和分散，有效设计出核壳结构、氧化物/金属倒载结构、氧化物限域结构、具有多金属管套结构和多层结构，且独特的自限制特性可实现催化材料在高比表面材料上的均匀和可控沉积，实现一步步和“自底向上”的方式在原子层面上构建复杂结构的异质催化剂材料而得到广泛研究。利用ALD技术具有饱和自限制的表面反应特性，有效抑制金属有机化合物、配体的空间位置效应，天然的将金属中心原子互相隔离开，抑制金属原子聚集，合成单原子催化剂。利用ALD技术有效调控金属与载体间的相互作用的特性，可获得单金属催化剂，如Ru、Pt、Pd等贵金属。利用ALD技术能调控两种金属元素生长顺序、循环周期数的特性来精准得到双金属纳米催化剂，合成原子级精准的超细金属团簇，如PtPd、PtRu、PdRu等双金属纳米颗粒。利用ALD技术制备金属氧化物，不仅可以制备性能更加优良的多相催化剂，而且可以对负载型催化剂进行改性，达到修饰、保护催化剂的目的。4.锂电池：ALD在锂离子电池中的应用特点：（1）电极材料的制备和改性；（2）阴极材料上的保护镀膜；（3）阳极材料上的人造固体电解质相间（SEI）；（4）锂金属阳极钝化和防止枝晶生长；（5）ALD作用的固态电解质（SSE）；（6）隔离膜上的保护涂层原速科技ALD技术在锂电池领域的应用主要有以下几个方面：a、锂电池PP/PE隔膜包覆，改善隔膜的浸润性，耐压性，热收缩性能b、锂电池正极包覆，改善电池的倍率性能，循环性能等c、锂电池负极包覆，改善电池的倍率性能，循环性能以及安全性能5.光学镀膜：ALD薄膜以饱和吸附的layer-by-layer生长模式，可在结构复杂的几何表面，如大曲面及高纵深比深孔结构，大面积形成高均匀性薄膜，且膜层相较于PVD膜更为致密，在界面处的结合力更强，更适用于未来工业界先进精密光学器件的制造。6.生物医疗：ALD可以通过低温沉积形成非常致密的保护膜，由于是纳米级别的膜厚其本身对医疗设备也不会造成影响，沉积ALD涂层后可以大幅度增加植入设备的寿命以及安全性，也有可能有效的减少更换手术的频率；同时ALD有多种材料都具有生物相容性，这种涂层对人体组织是没有任何细胞毒性的，这使得在再生医学领域中，用于对细胞构建生物相容性底物的制备时，ALD沉积表面涂层能满足对新型生物相容性材料的需求；在药物方面，ALD涂层可以有效的保护颗粒不受周围空气和水分的影响，从而大幅度的延长药物的保质期。7.OLED：几十纳米厚度的ALD封装膜甚至可媲美传统OLED封装技术的阻隔效果，同时具有良好的透光率、热导率、机械强度、耐腐蚀性及与基底的粘结性等性质；ALD封装薄膜因其纳米级的膜厚，可以实现很大程度上的弯曲并保持封装效果不变，这一特性可完美兼容柔性OLED器件封装，真正做到显示屏的可折叠、卷曲；ALD薄膜优异的保型性使其在一些复杂形貌和三维纳米结构的LED表面实现出色的钝化保护层，有效地起到阻隔水氧的作用，提高性能；用ALD在LED表面沉积钝化膜还可以很好地修补被等离子刻蚀造成的破坏性表面，可有效降低漏电流，显著提高LED效率。

Veeco(之前称之为Cambridge Nanotech)已经有15年以上的ALD研发生产经验。2003年Cambridge Nanotech成立于哈佛大学，05年搬到Boston并生产出Thermal ALD - Savannah, 之后生产出Plasam ALD - Fuji、批量生产ALD-Phoenix。2017年被Veeco收购，并更新了Batch HVM ALD - Firebird。至今为止，Veeco在ALD设备已有15年多的经验，全球已安装五百多台ALD设备。方式: Thermal batch ALD优势: 大批量热ALD镀膜，可靠成熟，设计灵活，易于使用，并具有许多操作界面，许多内置安全功能薄膜: 高达370 mm x 470 mm (Gen 2.5 Panels) / 100mm 晶片 - 240 to 360 / 150mm 晶片 - 80 to 160 / 200mm 晶片 - 80 to 100 / 300 mm 晶片 - up to 40 / 其它3D 对象自定义支架设备尺寸: 900 mm x 1370 mm x 1700 mm功率: 208 VAC 3 Phase, 8500 W (包含泵)最强温度: 可达285°C沉积均一性: Al2O3 晶片1.5% / Al2O3批量1% 前驱体源瓶: 3.1 l 源瓶或 600 ml载气/排气: N2 or Ar MFC flow control原位分析选项: 臭氧发生器, LVPD,集成手套箱, 半自动负载自动负载, SECS/GEM 界面

PICOSUN原子层沉积系统ALD R-300 Pro（PICOSUN™ ALD ALD P-300 Pro） 名称：原子层沉积系统 产地：芬兰 Picosun简介Picosun是zui家全球公司，Picosun的总部位于芬兰的Espoo，其生产设施位于芬兰的Masala（Kirkkonummi）。PICOSUNALD设备专为高产量和高产量而设计，并且不断发展以提高效率。Picosun适应性强其客户包括zui 大的电子制造商，小型的创新型挑战者以及全球ling先的大学。 Picosun的组织机构和种类繁多的ALD解决方案都可以满足每个客户的需求。PICOSUN研发工具具有独特的内置可扩展性，可确保将研究结果平稳过渡到大批量工业制造中，而不会出现技术差距。Picosun的热情在于创新。当您想与设备制造商共同创建定制的ALD解决方案，从而引ling行业发展时，Picosun是您的合作伙伴。 PICOSUN™ ALD P-300 Pro：Picosun™ 300mm生产线上的产品是300mm以下晶圆的自动化、高产量的工业ALD加工设备。包括PICOSUN™ P系列Pro和Advanced ALD设备。该工具可以独立工作，也可以集成到PICOPLATFORM™ 300真空集群系统以达到更高的产量和自动化水平。为了节约昂贵的设施空间，所有PICOSUN™ 的ALD系统有着紧凑、高效的设计。集成的专业机柜，装载着前驱体和电子元件，保证了快速简便的维护和zui短的停机时间。PICOSUN™ P系列工具保证了zui大产能以及zui节约成本的情况下得到you 秀的ALD工艺质量，并履行严格的现代半导体产业的生产力和安全要求。工艺咨询和开发，产能提升，维护保养流程和系统及工艺的故障排除，我们客户化定制的PICOSUPPORT™ 综合解决方案24小时快速响应，随时待命。在购买之前，我们的演示服务保证了设备可以百分百满足客户zui苛刻的产线需求。技术指标 衬底尺寸和类型zui大300mm晶圆/单片工艺温度50 - 500 °C基片传送选件半自动装载，用单片Load lock与磁力操纵杆实现25片晶圆盒对盒式全自动装载（cassette-to-cassette），用PICOPLATFORM™ 300集群系统实现标准SEMI S2认证前驱体液态，固态，气态，臭氧源等离子体（仅供200mm晶圆使用，zui多4路气体）前驱源余量传感器，并提供清洗和装源服务6条独立源管线,zui多加载8个前驱体源（zui多12个前驱体源，加上plasma管路共7根独立源管线）重量820 kg尺寸(W x H x D)160 cm x 80 cm x 240 cm选件集群工具，PICOFLOW™ 扩散增强，N2发生器，尾气处理，定制设计，与工厂软件连接服务。验收标准标准设备验收标准为Al2O3工艺，其他工艺可具体协商：其他工艺、应用具体验收标准如：--不均匀性--颗粒物含量--重金属污染--电学性能 应用领域PICOSUN™ 300 mm 生产线应用案例集成电路组件微机电系统 氧化物间隔层 扩散阻挡层 间聚介质 耐磨涂层 高K栅介质 电荷耗散层 隧穿氧化物薄膜 导热层 氧化物阻挡层 导电种子层 钝化层 刻蚀阻挡层 间隙填充层 电绝缘层 覆盖层 防摩擦层 铜阻挡层和阻挡层 防粘着层 粘附层 光学薄膜 扩散阻挡层 生物兼容层 点极 密封层 金属化 纳米孔封堵层其他显示 晶体管 钝化 电容层 透明导电薄膜 存储器 绝缘层 读写磁头

Veeco(之前称之为Cambridge Nanotech)已经有15年以上的ALD研发生产经验。2003年Cambridge Nanotech成立于哈佛大学，05年搬到Boston并生产出Thermal ALD - Savannah, 之后生产出Plasam ALD - Fuji、批量生产ALD-Phoenix。2017年被Veeco收购，并更新了Batch HVM ALD - Firebird。至今为止，Veeco在ALD设备已有15年多的经验，全球已安装五百多台ALD设备。方式: Thermal ALD (plasma option)优势: 性能强，成本小，易于操作和维护薄膜: 氧化物Al2O3, HfO2, La2O3, Li2O, Li7La3Zr2O12, LiFePO4, SIO2, TiO2, ZnO, ZrO2, Ta2O5, In2O3, SnO2, Fe2O3, MnOx, Nb2O5, MgO, Er2O3, WOx, MoO3, V2O3 硫化物ZnS, SnS, Cu2S, In2S3, Cu2ZnSnS4,PbS, CoS等反应腔体大小: S100: 可达100 mm / S200: 可达200 mm / S300: 可达300 mm设备尺寸: S100: 585 x 560 x 980 mm / S200: 585 x 560 x 980 mm / S300: 686 x 560 x 980 mm操作模式: 连续模式(高速) / 曝光模式(超高深宽比)功率: 115 VAC / 220 VAC,1900 W (不包含泵) (S300 2000W)最强温度: S100: RT - 400 °C / S200: RT - 350 °C / S300: RT - 350 °C沉积均一性: Al2O3：1% (1σ)循环时间: 2s per cycle with Al2O3 at 200°C兼容: 标准二端口，可增加至六端口。每一个源瓶均可放固态/液态/气态前驱体，可独立加热至200°C阀门: 高速ALD阀门，10ms响应前驱体源瓶: 独立可加热50ml不锈钢气瓶，可选择更大容量载气/排气: N2，100SCCM原位分析选项: 原位QCM, 原位椭便仪, 残余气体分析, LVPD, 批量生产, 集成手套箱等, 臭氧发生器, 批量生产, 自组装单层膜(SAMs)颗粒镀膜, 等离子体加强

原子层沉积系统（Atomic Layer Deposition System，ALD)产地：美国Angstrom 主要产品系列：1.ALD (传统的热原子层沉积)；2.PEALD (等离子增强原子层沉积)；3.Powder ALD (粉末样品的原子层沉积)； 仪器简介：原子层沉积（Atomic Layer Deposition，ALD），也称为原子层外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE），或原子层化学气相沉积（Atomic Layer Chemical Vapor Deposition，ALCVD）。原子层沉积是在一个加热反应的衬底上连续引入至少两种气相前驱体源，化学吸附至表面饱和时自动终止，适当的过程温度阻碍了分子在表面的物理吸附。一个基本的原子层沉积循环包括四个步骤：脉冲A，清洗A，脉冲B和清洗B。沉积循环不断重复直至获得所需的薄膜厚度，是制作纳米结构从而形成纳米器件极佳的工具。ALD的优点包括：1. 可以通过控制反应周期数精确控制薄膜的厚度，从而达到原子层厚度精度的薄膜；2. 由于前驱体是饱和化学吸附，保证生成大面积均匀性的薄膜；3. 可生成极好的三维保形性化学计量薄膜，作为台阶覆盖和纳米孔材料的涂层；4. 可以沉积多组份纳米薄层和混合氧化物；5. 薄膜生长可在低温下进行（室温到400度以下）；6. 可广泛适用于各种形状的衬底；7. 原子层沉积生长的金属氧化物薄膜可用于栅极电介质、电致发光显示器绝缘体、电容器电介质和MEMS器件，生长的金属氮化物薄膜适合于扩散势垒。 技术参数：基片尺寸：4英寸、6英寸、8英寸、12英寸；加热温度：25℃—400℃（可选配更高）；均匀性： 1%；前驱体数：4路（可选配6路）；兼容性： 可兼容100级超净室；尺寸：950mm x 700mm；ALD，PE-ALD，粉末ALD技术； 原子层沉积ALD的应用包括：1) High-K介电材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3)；2) 导电门电极 (Ir, Pt, Ru, TiN)；3) 金属互联结构 (Cu, WN, TaN,Ru, Ir)；4) 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5)；5) 纳米结构 (All ALD Material)；6) 生物医学涂层 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN)；7) ALD金属 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni)；8) 压电层 (ZnO, AlN, ZnS)；9) 透明电学导体 (ZnO:Al, ITO) 10) 紫外阻挡层 (ZnO, TiO2) 11) OLED钝化层 (Al2O3) 12) 光子晶体 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5) 13) 防反射滤光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5)；14) 电致发光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce) 15) 工艺层如蚀刻栅栏、离子扩散栅栏等 (Al2O3, ZrO2) 16)光学应用如太阳能电池、激光器、光学涂层、纳米光子等 (AlTiO, SnO2, ZnO) 17) 传感器 (SnO2, Ta2O5) 18) 磨损润滑剂、腐蚀阻挡层 (Al2O3, ZrO2, WS2)； 目前可以沉积的材料包括：1） 氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...2） 氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...3） 氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...4） 金属: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...5） 碳化物: TiC, NbC, TaC, ...6） 复合结构材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...7） 硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...

Veeco(之前称之为Cambridge Nanotech)已经有15年以上的ALD研发生产经验。2003年Cambridge Nanotech成立于哈佛大学，05年搬到Boston并生产出Thermal ALD - Savannah, 之后生产出Plasam ALD - Fuji、批量生产ALD-Phoenix。2017年被Veeco收购，并更新了Batch HVM ALD - Firebird。至今为止，Veeco在ALD设备已有15年多的经验，全球已安装五百多台ALD设备。 方式: Plasma & Thermal ALD优势: 标准自动加载锁定集成、加热、薄箔ALD trap薄膜: 氮化物AlN, Hf3N4, SiN, TiN, GaN, InN, AlGaN, BN, NbN, NbTiN, VN, TiVN, WN, WCN, TaN, CoN 金属Ni, Pt, Ru 氧化物Al2O3, HfO2 , Nb2O5, NiO, SiO2, Ta2O5, TiO2, ZnO, ZrO2, Li2O, LiPON, La2O3, SnO2, In2O3, ITO, Ga2O3, MgO, MgxZn1-xO 硫化物ZnS, SnS, Cu2S, In2S3, Cu2ZnSnS4,PbS, CoS, ZnOS等反应腔体大小: 可达200 mm设备尺寸: 1845 x 715 x 1920 mm操作模式: 连续模式(传统Thermal ALD) 曝光模式(超高深宽比) 等离子体模式(等离子体加强ALD)功率: 220-240 VAC, 4200 W per reactor (不包含泵)最强温度: 标准200mm衬底加热至500°C / 可选100mm衬底加热至800°C沉积均一性: 1σ均一性 / Thermal Al2O3 -1.5%, Plasma Al2O3 -1.5%循环时间: 2s per cycle with Al2O3 at 200°C兼容: 标准四端口，可增加至六端口。每一个源瓶均可放固态/液态/气态前驱体，可独立加热至200°C阀门: 工业标准ALD阀门(最小响应10ms)前驱体源瓶: 50cc(最多填充25ml)不锈钢气瓶载气/排气: 100 sccmAr precursor carrier gas MFC / 500 sccmAr Plasma gas MFC / 100 sccm N2 plasma gas MFC / 100 sc100 sccm H2 plasma gas MFC / cm O2 plasma gas MFC原位分析选项: H2S兼容配件, 原位QCM, 原位椭便仪, RGA端口, 光发射光谱仪, 样品高度高达57mm的晶圆臭氧发生器, LVPD, 集成手套箱, 衬底偏压

1. 产品概述Scaler HK430 热原子层沉积系统，填孔能力以及良好的薄膜均匀性。2. 设备用途/原理Scaler HK430 热原子层沉积系统，填孔能力以及良好的薄膜均匀性，腔室结构设计，具备良好的防酸腐蚀能力，优化机台结构，缩小占地面积。友好的人机交互和安全性设计保障系统稳定、安全、高效。3. 设备特点晶圆尺寸 12 英寸，适用材料 氧化铪、氧化锆、氧化铝，适用工艺 栅介质层、介质层、钝化层，适用域 科研、集成电路、先进封装。

原子层沉积技术NLD-4000（ICPM）PEALD系统概述：原子层沉积是一项沉积薄膜的重要技术，具有广泛的应用。ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。NLD-4000（ICPM）PEALD系统特点：NLD-4000（ICPM）是一款紧凑型独立的PC计算机控制的ALD原子层沉积系统，带Labview软件，具备四级密码控制的用户授权保护功能。系统为全自动的安全互锁设计，并提供了强大的灵活性，可以用于沉积多种薄膜（如：AL2O3, AlN, TiN, ZrO2, LaO2, HfO2,等等）。应用领域包含半导体、光伏、MEMS等。NLD-4000（ICPM）系统提供12”的铝质反应腔体，带有加热腔壁和气动升降顶盖，非常方便腔体的访问和清洁。该系统拥有一个载气舱包含多达7个50ml的加热汽缸，用于前驱体以及反应物，同时带有N2或者Ar作为运载气体的快脉冲加热传输阀。NLD-4000（ICPM）PEALD系统选配：NLD-4000（ICPM）系统的选配项包含自动L/UL上下载(用于6”基片)，臭氧发生器，等等。NLD-4000（ICPM）PEALD系统应用：Oxides氧化物: Al203, HfO2, La2O3, SiO2, TiO ZnO, In2O3，etcNitrides氮化物: AlN, TiN, TaN, etc..Photovoltaic and MEMS applications光伏及MEMS应用.Nano laminates纳米复合材料NLD-4000在6”晶圆片上的均匀性数据周期：100个周期(TMA + H2O)均匀度：0.36%温度：200°C折射率：1.68周期：300个周期（TMA + H2O）均匀度：0.27%温度：200°C折射率：1.67

原子层沉积系统Atomic Layer Deposition System 产地：美国Angstrom；型号：Angstrom Dep II, Angstrom Dep III； 原子层沉积技术（Atomic Layer Deposition）是一种原子尺度的薄膜制备技术，它可以沉积均匀一致、厚度可控、成分可调的超薄薄膜。随着纳米技术和半导体微电子技术的发展，器件和材料的尺寸要求不断地降低，同时器件结构中的宽深比不断增加，这样就要求所使用材料的厚度降低至十几纳米到几个纳米数量级。因此原子层沉积技术逐渐成为了相关制造领域不可替代的技术，其优势决定了它具有巨大的发展潜力和更加广阔的应用空间。 主要型号：- Angstrom Dep II: 热型原子层沉积系统 (T-ALD) - Angstrom Dep III: 等离子体增强原子层沉积系统 (PEALD) - Angstrom Dep I: 粉末原子层沉积系统 (Powder ALD) 技术规格特点：- 基底尺寸：3英寸，4英寸，6英寸，8英寸，12英寸；- 基底加热温度：25℃~450℃(选配：650℃)；- ALD沉积均匀性：1% (AL2O3@4”晶圆衬底)；- 前驱体源路：4路 / 6路 / 8路，可选；- 源瓶容量/温度：100cc，常温 / 150℃ / 200℃ / 250℃可选；- ALD阀门：Swagelok高温ALD阀，150℃ / 200℃ / 250℃可选；- 载气：氮气或者氩气；- 真空获得系统：阿尔卡特真空机械泵，也可选配普发分子泵或高速干泵；- 其他可选模块： Load-Lock样品传输腔室，手套箱，冷阱，臭氧发生器，等离子体源、粉末沉积腔，各种原位监测模块，尾气处理系统等； ALD可沉积材料分类：- 氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...- 氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...- 硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...- 氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...- 碳化物: TiC, NbC, TaC, ...- 金属单质：Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...- 复合结构材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...等等… 参考用户：中科院化学所，中科院大连化物所，中科院长春光机所，北京大学，北京工大，北京科大，电子科大，上海理工大学…

原子层沉积系统Atomic Layer Deposition System 产地：美国Angstrom；型号：Angstrom Dep II, Angstrom Dep III； 原子层沉积技术（Atomic Layer Deposition）是一种原子尺度的薄膜制备技术，它可以沉积均匀一致、厚度可控、成分可调的超薄薄膜。随着纳米技术和半导体微电子技术的发展，器件和材料的尺寸要求不断地降低，同时器件结构中的宽深比不断增加，这样就要求所使用材料的厚度降低至十几纳米到几个纳米数量级。因此原子层沉积技术逐渐成为了相关制造领域不可替代的技术，其优势决定了它具有巨大的发展潜力和更加广阔的应用空间。 主要型号：- Angstrom Dep II: 热型原子层沉积系统 (T-ALD) - Angstrom Dep III: 等离子体增强原子层沉积系统 (PEALD) - Angstrom Dep I: 粉末原子层沉积系统 (Powder ALD) 技术规格特点：- 基底尺寸：3英寸，4英寸，6英寸，8英寸，12英寸；- 基底加热温度：25℃~450℃(选配：650℃)；- ALD沉积均匀性：1% (AL2O3@4”晶圆衬底)；- 前驱体源路：4路 / 6路 / 8路，可选；- 源瓶容量/温度：100cc，常温 / 150℃ / 200℃ / 250℃可选；- ALD阀门：Swagelok高温ALD阀，150℃ / 200℃ / 250℃可选；- 载气：氮气或者氩气；- 真空获得系统：阿尔卡特真空机械泵，也可选配普发分子泵或高速干泵；- 其他可选模块： Load-Lock样品传输腔室，手套箱，冷阱，臭氧发生器，等离子体源、粉末沉积腔，各种原位监测模块，尾气处理系统等； ALD可沉积材料分类：- 氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...- 氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...- 硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...- 氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...- 碳化物: TiC, NbC, TaC, ...- 金属单质：Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...- 复合结构材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...等等… 参考用户：中科院化学所，中科院大连化物所，中科院长春光机所，北京大学，北京工大，北京科大，电子科大，上海理工大学…

仪器简介：此产品广泛应用于：半导体、纳米材料、钠米科技、薄膜材料、薄膜沉积以及航空航天领域。 PICOSUN公司是一个国际化的设备制造商，在全球有销售和服务机构.我们开发和制造原子层沉积反应器用于微米和纳米技术应用。PICOSUN为客户提供用户友好，可靠及多产的ALD工艺工具，提供从研发到生产的工业放大。PICOSUN基地在芬兰的espoo，美国总部在Detroit。SUNALE型ALD工艺工具被用于欧州、美国及亚洲前沿的科学机构、公司。 PICOSUN拥有30多年在芬兰ALD反应器制造而得到的专业技术。Tuomo Suntola博士，于1974年发明了ALD技术，是PICOSUN董事会的成员。我们的首席技术官SVEN LINDFORS从1975年开始连续的设计ALD系统。综合起来讲，PICOSUN拥有了200多年的ALD经验并贡献了100多项ALD专利。我们悠久的历史和广泛的背景使PICOSUN成为ALD技术优质的合作伙伴。技术参数： 技术指标 SUNALE&trade R系列技术特点 基本特点： 晶片尺寸 2-6&rdquo , 50-150 mm (8&rsquo &rsquo = 200 mm on request) 工艺温度 Up to 500° C 反应室体积 小型、中型、大型 反应室材料 316 SS, Ti, Ni, Al (quartz) 前驱体 2-6 气体 / 气体 / 固体 基片装载 气体升降 尺寸： 尺寸 27.6 x 41.3 x 36.4&rsquo &rsquo , 70 x 105 x 92.5 cm (W x H x D) 重量 200 kg 工况： 电源 100-240 V, 50/60 Hz, 1- or 3-phase, 3.7 kW Vac 真空泵 30-80 m3/h 载气 99.999 % N2 / Ar, min. 2 slm 压缩空气 4-5.5 bar 过压 冷却水 反应器不需要 排气 为真空泵及源橱柜配备 样品装载选项： Picoloader&trade 手动样品装载系统，带一个预真空室和闸阀主要特点：特点 多功能的反应器设计 全套的服务

PICOSUN原子层沉积系统ALD PICOSUNMorpherPICOSUNMorpher ALD产品平台旨在颠覆Beyond和超越摩尔技术中的200毫米晶圆产业。它以领先的过程质量，可靠性和操作敏捷性，实现了MEMS，传感器，LED，激光器，功率电子器件，光学器件和5G组件的快速，全自动，高通量生产。从公司研发到生产和铸造制造的所有业务领域，Morpher都能适应您行业不断变化的需求和客户的需求。基质材料，基质和批量大小方面的领先多功能性以及广泛的工艺范围，使Morpher真正成为可转变的，包罗万象的制造设施，使您始终引领行业。PICOSUNMorpher设计用于结合行业标准的单晶圆真空集群平台来全自动处理晶圆批次。的获得专利的晶圆批量翻转机制使该系统能够与半导体生产线集成，在该生产线中，大多数处理都是在水平几何结构中进行的，并且SEMI S2 / S8认证可确保该系统与业界zui严格的标准兼容。PICOSUNMorpher ALD系统可通过SECS / GEM协议集成到工厂自动化中，而zui先进的软件可通过直观，精简的图形用户界面为系统提供简单，安全和无故障的操作。凭借我们获得专利的双室，热壁反应器设计以及完全分离的前驱体导管和入口，我们可以创造出zui高质量的ALD膜，具有优异的产率，低颗粒水平以及出色的电学和光学性能。紧凑的，符合人体工程学的设计以及便捷的维护，确保了系统停机时间zui少，市场拥有成本zui低。

美Nano-master ALD/PEALD原子层沉积：NLD-4000 独立式ALD系统NLD-3500 紧凑型独立式ALD系统NLD-3000 台式ALD系统NLD-4000是一款独立式计算机控制的ALD系统，全自动工艺控制并包含完整的安全连锁功能，能够沉积半导体应用中的氧化物和氮化物（比如AlN, GaN, TaN, TiN, Al2O3, ZrO2, LaO2, HfO2），支持太阳能和MEMS等众多领域的应用。 系统包含一个13”的铝质反应腔体，具有加热腔壁和气动升降顶盖，可一键式实现顶盖的开启/闭合，便于放取片。随系统配套手套箱，可以支持最多七路加热或冷却的50cc容器用于前驱体或者反应物，并集成了快速脉冲传输阀用于气体脉冲输出。没有反应掉的前驱体将被加热过滤器所捕捉，该过滤器安装在腔体排风口。 工艺程序、温度设定值、气体流量、抽真空卸真空工序，以及传输管路的吹扫均通过LabView软件全自动控制。 选配项包含自动上下片（系统占地面积不变）、远程平面ICP等离子源用于等离子增强ALD（平面ICP的构造确保小的反应腔体容积，这实现更快的循环时间），以及涡轮分子泵用于更低的极限真空。特点：** 低于1Å的均匀度** 优化的13”阳极氧化铝腔体** 小反应腔体容积确保快速的循环时间并提高产能** 最大可支持8”的基片** 400°C基片加热器** 随系统配套前驱体手套箱** 做多支持七路50cc前驱体容器** 300L/Sec抽速的磁悬浮分子泵组** 极限真空可达5x10-7Torr** 快速脉冲气体传输阀** 大面积过滤器用于捕捉未反应的前驱体** 高深宽比结构的涂覆** 全自动计算机控制，菜单驱动** LabVIEW友好用户界面** EMO和安全互锁** 占地面积仅24”x44”带封闭面板的柜体对超净间很理想选配：** 下游式平面ICP远程等离子源用于PE-ALD工艺** RF离子源用于无需要求超高密度的PE-ALD工艺** 自动上下片** 增加额外的前驱体应用：** 高K介质** 疏水性涂覆** 钝化层** 高深宽比扩散阻挡层的铜连接** 微流控应用的保形性涂覆** 燃料电池中诸如催化层的单金属涂覆

PICOSUN原子层沉积系统ALD PICOSUNP-300SPICOSUNP-300S ALD系统是专门为生产IC组件（例如微处理器，存储器和硬盘驱动器）而设计的，并且还适用于MEMS设备（例如打印头，传感器和麦克风）。PICOSUNP-300 ALD系统已成为大批量ALD制造中的新标准。通过将我们的专利热墙设计与完全分开的入口集成在yi起，我们可以生产出具有优异产量，低颗粒水平以及卓越的电学和光学性能的zui高质量的ALD膜。灵活的设计以及易于快速的维护，确保了系统停机时间zui少，市场拥有成本zui低。我们专有的Picoflow™ 扩散增强剂技术可通过经过生产验证的工艺，在超高深宽比的基材上实现高度保形的涂层。PICOSUNP-300S ALD系统代表了工业ALD的尖端。该系统旨在与行业标准真空集群平台结合使用，对单个晶圆进行全自动处理。可以通过SECS / GEM选件将SEMI S2 / S8认证的P-300S ALD系统集成到工厂自动化中，它们可以满足半导体行业zui严格的清洁度要求。PICOSUNP-300S是IC创新驱动行业的首选ALD系统。

原子层沉积系统Atomic Layer Deposition System 产地：美国Angstrom；型号：Angstrom Dep II, Angstrom Dep II； 原子层沉积技术（Atomic Layer Deposition）是一种原子尺度的薄膜制备技术，它可以沉积均匀一致、厚度可控、成分可调的超薄薄膜。随着纳米技术和半导体微电子技术的发展，器件和材料的尺寸要求不断地降低，同时器件结构中的宽深比不断增加，这样就要求所使用材料的厚度降低至十几纳米到几个纳米数量级。因此原子层沉积技术逐渐成为了相关制造领域不可替代的技术，其优势决定了它具有巨大的发展潜力和更加广阔的应用空间。 主要型号：- Angstrom Dep II: 热型原子层沉积系统 (T-ALD) - Angstrom Dep III: 等离子体增强原子层沉积系统 (PEALD) - Angstrom Dep I: 粉末原子层沉积系统 (Powder ALD) 技术规格特点：- 基底尺寸：3英寸，4英寸，6英寸，8英寸，12英寸；- 基底加热温度：25℃~450℃(选配：650℃)；- ALD沉积均匀性：1% (AL2O3@4”晶圆衬底)；- 前驱体源路：4路 / 6路 / 8路，可选；- 源瓶容量/温度：100cc，常温 / 150℃ / 200℃ / 250℃可选；- ALD阀门：Swagelok高温ALD阀，150℃ / 200℃ / 250℃可选；- 载气：氮气或者氩气；- 真空获得系统：阿尔卡特真空机械泵，也可选配普发分子泵或高速干泵；- 其他可选模块： Load-Lock样品传输腔室，手套箱，冷阱，臭氧发生器，等离子体源、粉末沉积腔，各种原位监测模块，尾气处理系统等； ALD可沉积材料分类：- 氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...- 氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...- 硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...- 氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...- 碳化物: TiC, NbC, TaC, ...- 金属单质：Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...- 复合结构材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...等等… 参考用户：中科院化学所，中科院大连化物所，中科院长春光机所，北京大学，北京工大，北京科大，电子科大，上海理工大学…