快速低制冷温度探测器

主要特点：◆ InGaAs有效象元数256和512可选◆ 象元尺寸：50µ m× 500µ m◆ 象元间距：50µ m◆ 芯片采用TE制冷方式◆ 制冷温度：5℃（在24℃室温环境下）◆ 14bit USB传输接口或12bit PCI卡传输接口◆ 坏点校正功能◆ 可提供控制软件及二次开发控件包◆ 可提供LabView驱动 InGaAs线阵探测器主要技术规格表　IRA- 256IRA- 512光谱响应范围(nm)800-1700800-1700象元尺寸(&mu m)50× 50050× 500阵列长度(mm)12.825.6坏点无6 (无相邻坏点)　高灵敏度模式高动态范围模式高灵敏度模式高动态范围模式满阱容量(e, 典型值)5× 106130× 1065× 106130× 106读出噪声(e, rms, 典型值)80010k80010k动态范围6.25× 10313× 1036.25× 10313× 103暗信号(e/s, rms, 典型值）190k182.2k190k182.2k1s暗噪声(e, rms, 典型值）436426436426积分时间(s)0.01-100.01-10模拟输出信号范围(V)0-100-10芯片工作温度(℃，室温下)＋5＋5实时模式采谱速度(spectra/s) 20 20A/D转换USB 14 bit, PCI 12 bitUSB 14 bit, PCI 12 bit InGaAs线阵探测器选型表InGaAs线阵探测器　256象元数512象元数　光谱适用范围800-1700nm800-1700nmIRA-USBUSB 14bitD7282D7286IRA-PCIPCI 12bitD7283D7287【配置说明】：配置中已包含制冷型线阵探测器，数据线，温控器，电源以及 D7401 SpectraArray基本版软件软件选项D7404SpectraSolveAdvanced spectroscopic applications software for WindowsD7421OEM Developers kitWith C++ and VC++ examplesD7422LabView driversWith Vis (virtual instruments) for LabView Version 5 or laterInGaAs线阵探测器尺寸图

液氮制冷型红外探测器(IR Detectors with Dewar) ---KOLMAR TECHNOLOGIES■ KV104 Series HgCdTe Photodiodes ◆ High D* at high frequencies◆ Sizes 2.0 mm to 0.05 mm◆ Wavelength cutoff: 11.5, 8, 4.5 &mu m◆ Linear◆ Custom configurations available Model*Wavelength (µ m)Peak/ CutoffSize(mm)Bandwidth(Hz) D*(60FOV)(Jones,typ)Responsivity(Amps/Watt)KV104-1-A-3/1110.5 /11.51 x 120M3.00E+104KV104-1-A-3/1211 /12.31 x 120M3.00E+104KV104-1-A-3/109/ 101 x 120M5.00E+104KV104-0.5-A-3/1110.5/ 11.50.5 x 0.550M3.00E+104KV104-0.25-A-1/1110.5/ 11.50.25x0.25100M3.00E+104KV104-0.1-1-E/1110.5 /11.50.1 x 0.1500M3.00E+104KV104-0.5-A-2/87.2 /80.5 x 0.530M7.00E+103KV104-1-A-7/11/TS10.5 /11.51 x 120M3.00E+104KV104-1-A-5/11/TS10.5 /11.51 x 120M3.00E+104■ KLD Series Linear Response MCT Detectors ◆Linear responsivity◆High D*◆Sizes 2.0 mm to 0.5 mm◆Integral amplifier for optimum linearization◆Spectral range 2 m m to 12 m m◆Amplifiers matched for power range◆Custom configurations available Model *Wavelength (&mu m)Peak / CutoffSize(mm dia.)Bandwidth(Hz) D*(60FOV)(Jones,typ) Responsivity(Volts/mWatt)KLD-1-J1-3/1110.5 / 11.512M4.00E+1040KLD-1-J1-3/97.6 / 8.512M6.00E+1032KLD-0.5-J1-3/10/DC9 /100.5x0.5DC - 5M8.00E+1040KLD-0.5-J1-3/11/DC10 / 11.50.5x0.5DC - 5M4.00E+1040KLD-2-J1-3/11/DC10.5 / 11.52DC - 1M4.00E+1040■ MCT Photodiodes with Integral Amplifiers◆High D* at high frequencies◆Bandwidth to 100 MHz◆Fast risetime: 3.5 ns◆Sizes 2.0 mm to 0.1 mm◆Wavelength cutoff: 11.5, 8, 4.5 &mu m◆Linear◆Custom configurations available Model *Wavelength (&mu m )Peak / CutoffSize(mm dia.)Bandwidth (Hz)AC DCD*(60FOV)(Jones,typ)Responsivity(Volts/mWatt)KMPV11-1-J1/AC10.5 / 11.51100-20M3.00E+1040KMPV11-1-J1/DC10.5/ 11.51DC - 20M3.00E+1040KMPV11-1-J210.5/ 11.51100-20M DC - 20M3.00E+1040DC + 80ACKMPV8-0.5-J2/50 7.2 / 80.5 x 0.5100-50M DC - 50M6.00E+1016DC + 32ACKMPV8-0.5-J1/DC50 7.2 / 80.5 x 0.5DC - 50M6.00E+1016KMPV11-0.5-J1/DC10.5 / 11.50.5 x 0.5DC - 20M3.00E+1040KMPV8-0.5-J1/DC 7.2 / 80.5 x 0.5DC - 20M6.00E+1040KMPV11-0.1-J1/DC100 10.1 / 110.1 x 0.1DC - 100M2.00E+1016■ Series KISD InSb Photodiodes◆With or without integral low noise amplifiers◆Fast rise times: 25 ns, 7 ns◆Linear response with power◆High detectivity◆Custom configurations availableModel*Size(mm dia.)Bandwidth (Hz)AC DCD*(60FOV)(Jones, typ)Responsivitynominal KISD-1-A-61　1.50E+113 A/WKISD -2-A-62　1.50E+113 A/WKISD-0.5-A-60.5　1.50E+113 A/WKISDP-1-J1/AC1100-15M1.50E+113 x 104 V/WKISDP-1-J1/DC1 15M1.50E+113 x 104 V/WKISDP-1-J21100-15M , 15M1.50E+113 x 104 V/WKISDP-1-J2/E51100-1.5M , 1.5M1.50E+113 x 105 V/WKISDP-1-J2/E61100-200k, 200k1.50E+113 x 106 V/WKISDP-1-J1/E61 200k1.50E+113 x 106 V/W

仪器简介：■ 碲镉汞探测器（HgCdTe）&mdash &mdash &mdash 液氮制冷型红外探测器，波长范围：2~22&mu m。技术参数：■ 碲镉汞探测器（HgCdTe）型号/参数 DMCT12-De01 DMCT14-De01 DMCT16-De01 DMCT22-De01 DMCT12-HS光敏面尺寸(mm) 1× 1 1× 1 1× 1 1× 1 1× 1波长范围(&mu m) 2-12 2-14 2-16 2-22 2-12峰值响应度(V/W) 3x103 1x103 900 150 4x104响应时间(ns) 　 　 　 　 25D*(@&lambda peak,1KHz)cm Hz1/2W-1,最小值 3 x 1010 3 x 1010 2.5 x 1010 5 x 109 3 x 1010前置放大器 ZPA-101 ZPA-101 ZPA-101 ZPA-101 集成信号输出模式 电压 电压 电压 电压 电压输出信号极性 正（P） 正（P） 正（P） 正（P） 正（P）主要特点：■ 碲镉汞探测器（HgCdTe）&mdash &mdash &mdash 液氮制冷型红外探测器，波长范围：2~22&mu m。有DMCT(x)-De和 DMCT11-HS两种类型，其中：◆ DMCT(x)-De为液氮制冷型，x-12/ 14/ 16/ 22，四种截止波长可选，适合一般测量，须选配前置放大器；◆ DMCT12-HS为液氮制冷高速响应型，集成前置放大器，响应时间小于50ns；◆ 探测器元件均封装于DEC-(x)系列探测器室内，用于与光谱仪狭缝连接。

仪器简介：■ 砷化铟探测器（InAs）&mdash &mdash &mdash 近红外探测器 波长范围：1-3.8&mu m技术参数：主要技术指标型号/参数 DInAs3800 DInAs3800-TE光敏面直径(mm) 2 2波长范围(&mu m) 1-3.8 1-3.8峰值响应度(A/W) 0.8 1.5D*(@&lambda peak, 1KHz)cm Hz1/2W-1 2.5× 109 9.1× 1012NEP(@&lambda peak,1KHz)pW/Hz1/ 2 71 4.4温控器型号 - ZTC-2探测器温度(℃) 室温 -40温度稳定度(℃) - ± 0.5信号输出模式 电流 电流输出信号极性 正（P） 正（P）制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC）推荐使用前置放大器型号：ZAMP主要特点：■ 砷化铟探测器（InAs）&mdash &mdash &mdash 近红外探测器 波长范围：1-3.8&mu mDInAs3800和DInAs3800-TE两种型号，其中：◆ DInAs3800内装进口常温型探测元件；◆ DInAs3800-TE内装进口TE制冷型探测元件。砷化铟探测器使用建议：● DInAs3800和DInAs3800-TE均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZAMP（Page85做为前级放大并转换为电压信号，标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度；● DInAs3800和DInAs3800-TE配合DCS103数据采集系统（Page95）使用时，建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度；● DInAs3800和DInAs3800-TE配合DCS300PA数据采集系统（Page95）使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器；● 制冷型DInAs3800-TE砷化铟探测器，在制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC）进行降温控制。

仪器简介：■ 锑化铟探测器（InSb）&mdash &mdash &mdash 液氮制冷型红外探测器，波长范围：1～5.5&mu m技术参数：型号列表及主要技术指标：型号/参数 DInSb5-De01光敏面尺寸(mm) &Phi 1波长范围(&mu m) 1-5.5峰值响应度(A/W) 3峰值响应度(V/W) -响应时间(ns) -D*(@&lambda peak,1KHz)cm Hz1/2W-1 1 x 1011NEP(@&lambda peak,1KHz)pW/Hz1/2 0.8暗电流(&mu A) 7前置放大器 选配信号输出模式 电流输出信号极性 正（P）主要特点：■ 锑化铟探测器（InSb）&mdash &mdash &mdash 液氮制冷型红外探测器，波长范围：1～5.5&mu m有DInSb5-De(x)和DInSb5-HS两种类型，其中：◆ DInSb5-De(x)为液氮制冷型，x-01/ 02/ 04/ 07，四种光敏面尺寸可选，适合一般测量，须选配前置放大器◆ DInSb5-HS为液氮制冷高速响应型，集成前置放大器，响应时间小于25ns◆ 探测器元件均封装于DEC-(x)系列探测器室内，用于与光谱仪狭缝连接

仪器简介：■ 常温型铟镓砷探测器（InGaAs） ———常温型近红外探测器，波长范围：0.8-1.7μm ■ TE制冷型铟镓砷探测器（InGaAs） ——TE制冷型近红外探测器，波长范围：0.8-2.6μm TE制冷型铟镓砷探测器DInGaAs(x)-TE具有相同的外观设计，其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600，均采用进口二级TE制冷铟镓砷探测元件。技术参数：■ 常温型铟镓砷探测器（InGaAs） ———常温型近红外探测器，波长范围：0.8-1.7μm 三种常温型铟镓砷探测器DInGaAs1600/ DInGaAs1650/ DInGaAs1700具有相同的外观设计，其中： ◆ DInGaAs1600型内装国产小面积InGaAs探测元件（光谱响应度曲线参考图1） ◆ DInGaAs1650型内装国产大面积InGaAs探测元件（光谱响应度曲线参考图2） ◆ DInGaAs1700型内装进口大面积InGaAs探测元件（光谱响应度曲线参考图3）主要特点：■ 常温型铟镓砷探测器（InGaAs） ———常温型近红外探测器，波长范围：0.8-1.7μm ■ TE制冷型铟镓砷探测器（InGaAs） ——TE制冷型近红外探测器，波长范围：0.8-2.6μm TE制冷型铟镓砷探测器DInGaAs(x)-TE具有相同的外观设计，其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600，均采用进口二级TE制冷铟镓砷探测元件，光谱响应曲线参考图如下：铟镓砷探测器使用建议： ● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZAMP（Page85)做为前级放大并转换为电压信号；标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度； ● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS103数据采集系统（Page95）使用时，建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度； ● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS300PA数据采集系统（Page95）使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器； ● 制冷型DInGaAs-TE系列铟镓砷探测，在制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC）进行降温控制；

主要特点：◆ AndorTM iDus系列DV-420A-BV型，选用科研级背感光CCD芯片◆ 光谱响应范围：300-1000nm◆ 采用AndorTM公司UltraVacTM真空封装技术◆ 在10,000级超净间中完成，达到军品级的品质◆ 象元数：1024× 256◆ TE制冷温度可达到-75℃◆ 峰值量子效率高达95%◆ USB2.0接口◆ 控制软件可配合卓立Omni-&lambda 500和Omni-&lambda 750系列谱王光谱仪Dus DV-420A-BV主要技术规格表型号/参数DV-420A-BV光谱范围(nm)300-1000有效像素1024× 256象元尺寸(&mu m)26× 26像面尺寸(mm)26.6× 6.7峰值量子效率95%最大制冷温度(℃)-75有效像素区域满阱容量(e, 典型值)510k寄存器最大容量(e, 典型值)1M最大光谱采样率(spectra/s)75读出噪声(e)4读出速率(MHz)0.1，0.05，0.033A/D 转换16 bit暗电流(e/pixel/s, @-70℃)0.002计算机接口USB 2.0iDus DV-420A-BV 尺寸图

Stirling Cooled斯特林制冷探测器Infrared可以提供三种不同封装的斯特林制冷探测器，三种不同设计允许操作降到75K。此选项无需液氮制冷，是理想的远程或无人操作选项。1. K508 Integral Stirling Micro IDDCA:该K508 Microcooler设计模型是基于坚实的整体直接探测理念：探测安装在散热器的冷手指（cooler’s cold finger），和冷却器和杜瓦封套的整体结构。操作整体的Stirling microcooler，由DC无刷马达驱动时，是干净的，无声的且高度可靠。型号K508自1994年来一直在服务。该散热器在许多商业设备中被广泛使用。Micro IDCA模型K508包含一个板上温度控制器，它提供了待机，远程关机和过温/过电流保护功能。通过采用不同类型的杜瓦瓶封套，该microcooler能满足**先进的红外探测器的冷却需求。2）K561整体 Stirling 低功率Micro IDCA：该模型被专门开发以满足手持式热成像仪的应用需求，其紧凑性，低输入功率和冷却器轻量化是重要的参数。3）K549 split Stirling Cryocooler：本冷却器结合了著名的可靠性和我们的microcooler产品系统的刚性与紧凑性和更好的控制散热和振动的分割配置。冷手指/杜瓦组件相同，与模型K508可互换。内置电子模块包含闭环温度控制器和各种选项电动机定子配置电机的电压和配件

产品特点 应用领域高灵敏度InGaAs焦平面探测器 工业检测640x512像素分辨率、15um像元尺寸 医疗、科学成像光谱响应范围0.9um~1.7um 高光谱成像20x2 pin金属真空封装 激光光斑成像量子效率≥70% 垃圾分拣有效像元率≥99% 搜救遥感内置TEC热电制冷 半导体检测 性能指标探测器类型铟镓砷光谱响应0.9μm ~ 1.7μm分辨率640 x 512像元尺寸15μm x 15μm像素可操作率≥99%量子效率≥70%响应非均匀性＜6%功能指标制冷方式 2级TEC热电制冷模拟输出范围1.8V（设计值）信号读出方式Snapshot；积分再读出（ITR）；积分同时读出（IWR）；CDS 模式工作系统时钟18MHz（典型值）帧频≥300Hz（八通道）开窗≥4x8@2路输出模式≥4×16@4路输出模式≥4×32@8路输出模式温度传感系数Gain: -0.6mV/KVTEMP=2.136V@27℃电荷转换增益HG:106uV/e-(1.5fF)MG:20uV/e-(8fF)LG:0.82uV/e-(196fF)电源特性电源3.3V/3.6V Analog CoreDigital I/O1.8V Digital Core物理特性芯片工作温度-40℃~+50℃封装形式40-pin DIP金属真空封装重量≤20g外形尺寸32.0mm x 23.5mm x 7.2mm结构尺寸图管脚定义图

武汉东隆科技为德国PicoQuant的中国区独家代理，欢迎您来电垂询！制冷型单光子PMT探测器PMA Hybrid系列 混合式光电倍增管模块制冷型单光子PMT探测器Hybrid系列是一种紧凑型单光子探测器，它内含来自滨松的R10467型快速混合型光电倍增管，以及珀尔帖制冷模块用于降低暗计数。该产品拥有两个信号输出端口，一个负电平的NIM信号输出端口，用于计时和计数。另一个模拟信号输出端口，电平值为正值，可以连接到诸如模数转换器等设备上。探测器由高压供电模块，带有过载保护的前置放大器，和一个过曝保护快门组成。 特点：计时分辨率最低50 ps(FWHM，根据阴极情况而定)探测效率最高45%(根据阴极情况而定)自动过载保护感应区域直径最大可达6 mm超低后脉冲效应模拟信号输出端口，输出正电平信号-07和-42型号，探测波长范围220 nm到870 nm，探测效率最高25%应用：单光子PMT探测器Hybrid系列拥有较大的感光面积，高探测效率，以及良好的时间分辨率，可被应用于众多场合，如：时间分辨荧光荧光寿命成像(FLIM)磷光寿命成像(PLIM)荧光相关光谱(FCS)荧光寿命相关光谱(FLCS)荧光共振能量转移(FRET)超分辨显微(STED)双聚焦荧光相关光谱(2fFCS)脉冲交错激发(PIE)时间分辨磷光(TRPL)TRPL成像镧化物上转换Bunch纯度测量激光测距扩散光学层析成像参数：电学参数阴极型号-06-07-40-40 mod-42-50探测波长范围220 nm -650 nm220 nm -850 nm300 nm -720 nm300 nm -720 nm300 nm -870 nm380 nm -890 nm暗计数 (制冷后的典型值) 7 cps 90 cps 80 cps 4000 cps 110 cps 250 cps渡越时间宽度 (FWHM典型值) 50 ps 50 ps 120 ps 120 ps 130 ps 160 ps过载保护阈值连续光模式下80 MHz, 其他情况下更低单电子响应时间 (典型值)600 ps输出信号上升/下降沿宽度(典型值)400 ps输出信号(数字)接口类型SMA母头阻抗50 Ohms极性负信号输出(模拟)接口类型SMA母头阻抗 1000 Ohms极性正最大输出电压+10 V (50 Mcps计数率)放大器时间常量20 µ s能耗输入12 V DC最大电流0.8 A其他感应区域直径6 mm6 mm3 mm5 mm3 mm3 mm外壳尺寸(w × d × h)60 × 175.3 × 114.5 mm光学接口C-mount单光子PMT探测器PMA Hybrid系列典型探测效率曲线图：

总览HOT T2SL VOCs冷却红外探测器是一种长寿命冷却探测器，包括T2SL和HOT技术。与普通冷却探测器相比，T2SL HOT冷却寿命可延长几乎两倍。但探测器的售价可以降低。长寿命制冷型VOCs气体探测器,长寿命制冷型VOCs气体探测器通用参数产品特点：优秀的HOT MWIR T2SL技术高灵敏度，高性能低功耗，小型260g（微型版）320x256分辨率，30µ m螺距（T3Mm-330H）640X512分辨率，1 Sµ m螺距（T6Mm-330H）制冷机使用寿命两年技术参数规格版本小型( SWaP )版本标准版本型号T3Mm-330HT6Mm-330HT3M-330HT6M-330H分辨率320X256640X512320X256640X512像素间距30µ m1 5µ m30µ m15µ m光谱响应范围3.2µ m -3.5µ m稳态功耗≤4w≤5w≤6w≤8w探测类型HOT MWIR T2SLNEDT(噪声等效温差)≤15mk≤20mk≤15mk≤20mk可操作性99%冷却方式斯特林冷却器电源12VDC/24VDC冷却时间5 min.重量 260g 550g帧频50HzF数F/1.2（配3.3μm 冷屏滤光片），其他F#也可用尺寸（mm）76x39x57.5mm137x70X60mm工作温度-40- +60 ° C存储温度-50- +70 ° C 电压冷却OGI探测器用电子板：电子板选择表代理板显示板电源板XB-AXB-BVBPWBTCQ-1 voes冷却OGI探测器镜头镜头的选择表 参数指标参数指标焦距35mm焦距55mm光圈1.2光圈2.0水平视场15.6°水平视场10°垂直视场12.5°垂直视场7.5°波长范围3.0-3.6 µ m波长范围3.0-5.0 µ m 对于其他气体类型：窄带滤光片典型的可检测气体类型3.3µ m甲烷丁烷，辛烷，二甲苯，苯，丙烯和其他voes气体4.3µ m二氧化碳（CO2）和其他气体4.6µ m一氧化碳（CO）和其他气体6.1µ m氮氧化物（NOx）和其他气体8.3µ m氟烷、制冷剂和其他气体10.55µ m六氟化硫（SF6）、氨（NH3）、溴甲烷和其他气体

产品简介 非制冷型光电探测器是一种高灵敏度光电探测器，兼容Si（硅）、InGaAs（铟镓砷）、HgCdTe（碲镉汞，MCT）、铟砷锑等半导体光电二极管，对0.4~12um的光谱波段光波敏感。该探测器是直流耦合输出，含低噪声、宽带宽的前置运放，探测器外壳采用全铝合金材料，即可起到屏蔽环境电磁干扰，也具备良好的散热性能。产品详情注解1：具体参数根据选用不同型号的探测器芯片而不同硅探测器：0.4-1.7um铟镓砷探测器：0.8-1.7um/0.8-2.1um/0.8-2.6um碲镉汞探测器：4-12um铟砷锑探测器：4-12um型号规格例如：HPPD-A-D-S-02-10-10K该探测器规格为：硅探测器，一个感光面为1.0 mm2,前置放大器为直流耦合，波长2um，增益为10K的探测器注意事项：l 以上产品规格如有变更，恕不另行通知。l 建议在储存，运输和使用时采用合适的ESD保护措施。产品尺寸（单位：mm）

InfraRed Associates K508 制冷红外探测器InfraRed Associates公司成立于1976年，多年来公司致力于各种红外探测器的研制开发，可以提供制冷的InSb探测器，液氮制冷/斯特林制冷和热电制冷的HgCdTe探测器，以及非制冷的HgCdTe外探测器。InfraRed Associates可以根据客户的要求,定制满足客户要求的产品，有多种标准的碲镉汞和锑化铟红外探测器，以及覆盖的波长范围从1到25微米的定制器件。此外，也提供从2至128个元素的多元件阵列。InSb/碲镉汞双色红外检测器，用于商业和军事应用。这些检测器可以成为不同红外光谱但相邻区域相应。典型应用：辐射测量，热成像，背景区分，FTIR光谱和红外显微镜InfraRed Associates的独特结构允许两个元件在相同的焦点上。InSb/HgCdTe二色检测器居庸InSb原件特性，能对1um至5.5um范围相应。用于MCT(HgCdTe)探测器的前置放大器MCT-1000是专门设计，用于光导碲镉汞探测器上使用。再加上精确恒定电压偏置的低噪音和高增益方面，提供了HgCdTe探测器一种理想的补充。MCT-1000前置放大器提供了MCT探测器所有需要的操作接口电路。不需要外部偏置和负债电阻。

QE60%超导纳米线单光子 探测器量子效率60%,低暗计数10cps,高计数率70MHz，只要有制冷腔，就能轻松安装 俄罗斯Scontel 蕞新推出的超导纳米线单光子探测器，只要有制冷腔，就能轻松安装,并且价格低廉，但是功能毫不差劲。其在600nm-2300nm内达到量子效率60%，暗计数10cps，同时计数率高达70MHz，是目前市场上性能优良的超导纳米线单光子探测器的。此型号超导纳米线单光子探测器可提供蕞多16通道同时运行，针对不同应用提供匹配的产品，可多通道同时探测及低成本升级，且可以根据您的不同需求我们不仅有如下图中探测性能的设备，还有多模大面积探测器、超低噪声探测器、光子数分辨探测器供您选择。超导纳米线单光子探测器主要特点：&bull 超高性价比，有制冷腔的选择&bull 针对不同应用提供匹配的产品 &bull 可多通道同时探测及低成本升级 &bull 产品安装/培训/升级全程服务超导纳米线单光子探测器技术指标： 根据需求不同我们可提供以下探测性能的搭配也可根据您的参数要求进行定制：高效检测(HED) -高系统效率和时间分辨率、低噪声、中等带宽的蕞佳组合。 超高效检测(U-HED) -改进的HED版本，运行温度更低，因此在所有参数方面具有更好的综合性能。 宽带宽检测（Broadband）-虽系统效率略有下降。但优化的光学腔增加了带宽低噪声检测（Low noise）-应用可变滤波技术将设备的暗计数率降低到每秒10次,探测器的光谱响应窄得多。超导纳米线单光子探测器应用领域：&bull 量子计算 &bull 光子相关性测量&bull 量子密码和QKD&bull cmos 缺陷分析&bull α，β粒子探测&bull tcspc &bull 单分子荧光光谱&bull 弹道成像&bull 单等离子体检测&bull 自由空间通信&bull LIDAR&bull 时间分辨荧光测量&bull 单量子点荧光光谱&bull 量子光学 &bull 单线态/三线态氧荧光探测&bull 皮秒集成电路分析关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。

产品简介 MCT 红外探测器是一种HgCdTe（碲镉汞，MCT）材料制备的高灵敏度光电探测器，这种材料对2~12um的中红外光谱波段光波敏感。该探测器可以是直流或交流耦合输出。探测器与前置放大电路，半导体热电冷却器（TEC）控制器高度集成，通过反馈电路将探测器元件的温度控制在负四十摄氏度以下，从而将热噪声对输出信号的影响减小。探测器外壳采用全铝合金材料，既可起到屏蔽环境电磁干扰，也具备良好的散热性能。参数指标注解1：具体参数根据选用不同型号的探测器芯片而不同例如：HFPD-B-08-10-10K 该探测器规格为：一个感光面为1.0 mm2,截止波长为8um，前置放大器为交流耦合，增益为10K的集成TEC制冷驱动的MCT探测器 注意事项：l 以上产品规格如有变更，恕不另行通知。l 建议在储存，运输和使用时采用合适的ESD保护措施。

液氮制冷型红外探测器(IR Detectors with Dewar) ---KOLMAR TECHNOLOGIES■ KV104 Series HgCdTe Photodiodes ◆ High D* at high frequencies◆ Sizes 2.0 mm to 0.05 mm◆ Wavelength cutoff: 11.5, 8, 4.5 &mu m◆ Linear◆ Custom configurations available Model*Wavelength (µ m)Peak/ CutoffSize(mm)Bandwidth(Hz) D*(60FOV)(Jones,typ)Responsivity(Amps/Watt)KV104-1-A-3/1110.5 /11.51 x 120M3.00E+104KV104-1-A-3/1211 /12.31 x 120M3.00E+104KV104-1-A-3/109/ 101 x 120M5.00E+104KV104-0.5-A-3/1110.5/ 11.50.5 x 0.550M3.00E+104KV104-0.25-A-1/1110.5/ 11.50.25x0.25100M3.00E+104KV104-0.1-1-E/1110.5 /11.50.1 x 0.1500M3.00E+104KV104-0.5-A-2/87.2 /80.5 x 0.530M7.00E+103KV104-1-A-7/11/TS10.5 /11.51 x 120M3.00E+104KV104-1-A-5/11/TS10.5 /11.51 x 120M3.00E+104■ KLD Series Linear Response MCT Detectors ◆Linear responsivity◆High D*◆Sizes 2.0 mm to 0.5 mm◆Integral amplifier for optimum linearization◆Spectral range 2 m m to 12 m m◆Amplifiers matched for power range◆Custom configurations available Model *Wavelength (&mu m)Peak / CutoffSize(mm dia.)Bandwidth(Hz) D*(60FOV)(Jones,typ) Responsivity(Volts/mWatt)KLD-1-J1-3/1110.5 / 11.512M4.00E+1040KLD-1-J1-3/97.6 / 8.512M6.00E+1032KLD-0.5-J1-3/10/DC9 /100.5x0.5DC - 5M8.00E+1040KLD-0.5-J1-3/11/DC10 / 11.50.5x0.5DC - 5M4.00E+1040KLD-2-J1-3/11/DC10.5 / 11.52DC - 1M4.00E+1040■ MCT Photodiodes with Integral Amplifiers◆High D* at high frequencies◆Bandwidth to 100 MHz◆Fast risetime: 3.5 ns◆Sizes 2.0 mm to 0.1 mm◆Wavelength cutoff: 11.5, 8, 4.5 &mu m◆Linear◆Custom configurations available Model *Wavelength (&mu m )Peak / CutoffSize(mm dia.)Bandwidth (Hz)AC DCD*(60FOV)(Jones,typ)Responsivity(Volts/mWatt)KMPV11-1-J1/AC10.5 / 11.51100-20M3.00E+1040KMPV11-1-J1/DC10.5/ 11.51DC - 20M3.00E+1040KMPV11-1-J210.5/ 11.51100-20M DC - 20M3.00E+1040DC + 80ACKMPV8-0.5-J2/50 7.2 / 80.5 x 0.5100-50M DC - 50M6.00E+1016DC + 32ACKMPV8-0.5-J1/DC50 7.2 / 80.5 x 0.5DC - 50M6.00E+1016KMPV11-0.5-J1/DC10.5 / 11.50.5 x 0.5DC - 20M3.00E+1040KMPV8-0.5-J1/DC 7.2 / 80.5 x 0.5DC - 20M6.00E+1040KMPV11-0.1-J1/DC100 10.1 / 110.1 x 0.1DC - 100M2.00E+1016■ Series KISD InSb Photodiodes◆With or without integral low noise amplifiers◆Fast rise times: 25 ns, 7 ns◆Linear response with power◆High detectivity◆Custom configurations availableModel*Size(mm dia.)Bandwidth (Hz)AC DCD*(60FOV)(Jones, typ)Responsivitynominal KISD-1-A-61　1.50E+113 A/WKISD -2-A-62　1.50E+113 A/WKISD-0.5-A-60.5　1.50E+113 A/WKISDP-1-J1/AC1100-15M1.50E+113 x 104 V/WKISDP-1-J1/DC1 15M1.50E+113 x 104 V/WKISDP-1-J21100-15M , 15M1.50E+113 x 104 V/WKISDP-1-J2/E51100-1.5M , 1.5M1.50E+113 x 105 V/WKISDP-1-J2/E61100-200k, 200k1.50E+113 x 106 V/WKISDP-1-J1/E61 200k1.50E+113 x 106 V/W

仪器简介：■ 碲镉汞探测器（HgCdTe）&mdash &mdash &mdash 液氮制冷型红外探测器，波长范围：2~22&mu m。技术参数：■ 碲镉汞探测器（HgCdTe）型号/参数 DMCT12-De01 DMCT14-De01 DMCT16-De01 DMCT22-De01 DMCT12-HS光敏面尺寸(mm) 1× 1 1× 1 1× 1 1× 1 1× 1波长范围(&mu m) 2-12 2-14 2-16 2-22 2-12峰值响应度(V/W) 3x103 1x103 900 150 4x104响应时间(ns) 　 　 　 　 25D*(@&lambda peak,1KHz)cm Hz1/2W-1,最小值 3 x 1010 3 x 1010 2.5 x 1010 5 x 109 3 x 1010前置放大器 ZPA-101 ZPA-101 ZPA-101 ZPA-101 集成信号输出模式 电压 电压 电压 电压 电压输出信号极性 正（P） 正（P） 正（P） 正（P） 正（P）主要特点：■ 碲镉汞探测器（HgCdTe）&mdash &mdash &mdash 液氮制冷型红外探测器，波长范围：2~22&mu m。有DMCT(x)-De和 DMCT11-HS两种类型，其中：◆ DMCT(x)-De为液氮制冷型，x-12/ 14/ 16/ 22，四种截止波长可选，适合一般测量，须选配前置放大器；◆ DMCT12-HS为液氮制冷高速响应型，集成前置放大器，响应时间小于50ns；◆ 探测器元件均封装于DEC-(x)系列探测器室内，用于与光谱仪狭缝连接。

HgCdTe/碲镉汞MCT探测器 Infrared为客户提供光电碲镉汞（HgCdTe）LN2液氮和TE制冷探测器的完整产品系列，波长响应可通过调整这种三元化合物的合金组成来改变。此外，还提供常温碲镉汞探测器。 要达到最高的信噪比，就必须使偏置电压达到最佳值。我们采用特殊的背景噪声限制使得探测器的性能达到了最佳。光谱响应曲线：TE制冷基本参数：Extended Range TE Cooled HgCdTe Detectors典型应用：医用热成像热成像光谱学分析仪器科学研究污染监测

仪器简介：砷化铟探测器提供不同级别半导体制冷，覆盖波长范围为1um-3.8um。砷化铟探测器还可提供优秀的脉冲响应，适合监控探测快速脉冲激光。技术参数：砷化铟探测器提供不同级别半导体制冷，覆盖波长范围为 1um-3.8um。不同于常规的光导型探测器，砷化铟为光伏型，不需要偏置电流主要特点：砷化铟探测器适用于直流或低频应用。砷化铟探测器还可提供优秀的脉冲响应，适合监控探测快速脉冲激光。主要应用包括： 激光预警 在线控制监测 温度传感器 脉冲激光监测 红外光谱 功率计

单光子计数模块|硅APD探测模块SPDSi|Si-APD单光子探测器 单光子计数模块SPDSi是基于Si-APD的超灵敏光电探测器。探测波段覆盖200 -1060 nm，可工作在线性模式和盖革模式。盖革模式下增益超过60 dB。SPDSi特有的高性能主动抑制电路，可以实现连续的单光子探测，并且可加载任意宽度和周期的探测门。该电路实现了大于20 dB的雪崩抑制，从而将Si APD的性能发挥到最佳状态。在700 nm波段的探测效率超过60%，暗计数200-2000 cps，死时间小于50 ns。SPDSi标准型号的有效光敏探测面积最高可达500 um，单光子计数信号在模块内部转化为数字TTL信号，并通过SMA接口送出。高度集成的模块化设计便于OEM应用和工业集成。APD通过模块内部制冷工作在-20 ℃的低温环境下，以获得最佳的信噪比。制冷模块由高效的TEC控制。控制精度可达±0.2 ℃。技术特点： 高探测效率：65%@700 nm500 um光敏面积TTL数字信号输出低暗计数低后脉冲低时间抖动 应用领域： 荧光测量 激光测距量子通信 光谱测量光子关联 自适应光学 Fig1. 量子效率 Fig2. Si单光子探测器 Fig3. Si单光子探测器结构图 产品参数：参数规格 参数值单位供电电压*122 -28V供电电流0.5A光谱响应范围200 ----1060nm探测效率@200 nm@700 nm@850 nm@1060 nm 265453%暗计数200 -2000cps死时间50ns后脉冲3 - 8%时间抖动300 - 500ps饱和计数率*210Mcps光敏面积500umAPD制冷温度-20℃工作温度-15 - +50℃输出信号电平LVTTL 输出信号脉宽530ns门脉冲输入电平Disable=LVTTL lowEnable=LVTTL high 0-0.42 -3.3V产品说明：1.不正确的电压可能损坏模块，应保证接入电源不高于28V，并可提供足够电流。2.APD属于高灵敏光电探测器件，在雪崩状态下应控制输入光信号强度，过高的光强可能损坏APD，这种损害可能降低APD的探测灵敏度，严重时甚至会造成二极管击穿。3.在特殊的应用场景下，应保证模块的工作温度不超过50 ℃，过高的温度可能导致APD工作温度上升，从而引起暗计数水平升高。4.SPDSi的默认死时间为50ns。死时间设定会影响模块的最大计数率，当死时间设定在50ns时，最大计数率为10Mcps，如您的应用对死时间设定有特别要求，请在订购时与我们联系。5.同样，输出信号的脉宽也会影响最大计数率，典型脉宽为30 ns，如您的应用对输出信号有特别要求，请在订购时与我们联系。6.SPDSi支持空间和光纤接口接入。单光子探测器选型：

仪器简介：锗红外探测器，覆盖光谱范围800nm-1800nm，不同探测面积及制冷温度可选，包括非制冷、半导体制冷及液氮制冷技术参数：Model Number Active Size Shunt Resist. Dark Current Max. Reverse Volt. Typical Capacitance Cutoff Freq. (dia.) RD@ VR = 10mV ID@ Max. VR 　 NEP@ lpeak CD @ Max. VR 　 　 　 　 　 　 and 300Hz @ VR = 0V and RL = 50W 　 (KW) (µ A) VR 　 　 　 　 (mm) Min. Typ. Typ. Max. (V) (pW/Hz1/2) (nF) (MHz) LOW CAPACITANCE OPTION ("HS") J16-18A-R250U-HS 0.25 400 600 0.1 3 10 0.15 0.02 400 J16-18A-R500U-HS 0.5 200 300 0.3 5 10 0.2 0.03 250 J16-18A-R01M-HS 1 100 200 1 5 10 0.3 0.15 50 J16-5SP-R02M-HS 2 25 50 4 10 5 0.6 0.6 12 J16-5SP-R03M-HS 3 15 30 7 20 5 0.8 1 8 J16-8SP-R05M-HS 5 10 15 10 40 5 1 3 2.5 J16-P1-R10M-HS 10 1 2 100 400 2 4 12 0.6 HIGH SHUNT RESISTANCE OPTION ("SC") J16-18A-R250U-SC 0.25 1400 2400 0.03 0.05 0.25 0.1 0.14 40 J16-18A-R500U-SC 0.5 700 1200 0.05 0.1 0.25 0.1 0.5 10 J16-18A-R01M-SC 1 250 350 0.1 0.2 0.25 0.2 2 2 J16-5SP-R02M-SC 2 80 120 0.2 1 0.25 0.4 8 0.5 J16-5SP-R03M-SC 3 35 60 0.5 5 0.25 0.6 14 0.2 J16-8SP-R05M-SC 5 14 20 1.5 10 0.25 1 36 0.1 J16-P1-R10M-SC 10 3 5 25 50 0.25 2 120 0.03 J16-P1-R13M-SC 13 1.5 2.5 50 100 0.25 3 200 0.02 STANDARD J16-18A-R01M 1 100 200 1 5 5 0.3 1 15 J16-5SP-R02M 2 25 50 4 10 5 0.6 4 4 J16-5SP-R03M 3 15 30 7 30 5 0.8 7 2 J16-8SP-R05M 5 10 15 15 50 5 1.4 18 0.8 J16-P1-R10M 10 1 2 100 400 2 3 60 0.1 J16-P1-R13M 13 0.5 1 250 800 2 4.5 100 0.07主要特点：在选择探测器时，主要考虑制冷温度以及探测面积两个主要因素： 1.制冷功能会降低暗噪声，但同时会造成阻抗的增加 2.较大探测面积会减小阻抗，但会增加暗噪声 对于低噪声要求比较苛刻的应用，可以选择小面积的探测器，同时为了增加感光的灵敏度，最好能够增加光学聚焦系统，用于光信号的收集。 除了以下常规温度的锗红外探测器，还可以提供标准半导体TE或液氮制冷的标准产品。

仪器简介：■ 砷化铟探测器（InAs）&mdash &mdash &mdash 近红外探测器 波长范围：1-3.8&mu m技术参数：主要技术指标型号/参数 DInAs3800 DInAs3800-TE光敏面直径(mm) 2 2波长范围(&mu m) 1-3.8 1-3.8峰值响应度(A/W) 0.8 1.5D*(@&lambda peak, 1KHz)cm Hz1/2W-1 2.5× 109 9.1× 1012NEP(@&lambda peak,1KHz)pW/Hz1/ 2 71 4.4温控器型号 - ZTC-2探测器温度(℃) 室温 -40温度稳定度(℃) - ± 0.5信号输出模式 电流 电流输出信号极性 正（P） 正（P）制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC）推荐使用前置放大器型号：ZAMP主要特点：■ 砷化铟探测器（InAs）&mdash &mdash &mdash 近红外探测器 波长范围：1-3.8&mu mDInAs3800和DInAs3800-TE两种型号，其中：◆ DInAs3800内装进口常温型探测元件；◆ DInAs3800-TE内装进口TE制冷型探测元件。砷化铟探测器使用建议：● DInAs3800和DInAs3800-TE均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZAMP（Page85做为前级放大并转换为电压信号，标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度；● DInAs3800和DInAs3800-TE配合DCS103数据采集系统（Page95）使用时，建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度；● DInAs3800和DInAs3800-TE配合DCS300PA数据采集系统（Page95）使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器；● 制冷型DInAs3800-TE砷化铟探测器，在制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC）进行降温控制。

Sofradir EC-红外探测器-SCORPIO LW产品型号：SCORPIO LW产品介绍：SOFRADIR-EC是为商业、太空和国防应用提供工程红外探测解决方案的领头者。为系统集成商（OEM）和终端用户提供制冷和非制冷红外探测器、定制/现成的子组件摄像机核心和夜视设备。Scorpio LW是一款低功耗的紧凑型高分辨率LWIR IDCA。这种IDCA提供了用于检测快速移动目标或提高灵敏度的高速操作。因此，它非常适合高性能和远程应用。Sofradir的MCT技术允许在LWIR波段操作，这是地面应用的良好解决方案。这种高性能IDCA充分利用了Sofradir先进的技术。性能特点：适用于长距离应用的高性能对灰尘和烟雾更灵敏适用于检测快速移动的目标参数：产地：美国是否进口：是性能：良好格式：640 x 512像素间距：15µ m x 15µ m探测器光谱响应：在80 K时为7.7µ m-9.3µ mFPA工作温度： 90 K电气动态范围：2.8 V像素输出速率：8000万像素/秒（每次输出2000万像素/s）帧速率： 210 Hz全帧速率

Quadrant Arrays HgCdTe象限阵列碲镉汞探测器HgCdTe探测器可以做成象限阵列探测器，用于跟踪和定位系统、扫描系统和夜视仪器。对象限阵列而言，在四个探测元件之间，无论X还是Y方向，都需要有一个公共端，为了控制各探测原件之间的偏流，它通常比最小间隙的距离宽一些。标准型号在2-12.5 m光谱响应范围的参数已经给出，不过我们可以根据客户的需要，在1-25 m光谱范围内定制不同的阵列、封装、制冷方式。基本参数：Standard HgCdTe Quadrant Array Detectors典型应用： 医学热成像 热成像 光谱学 辐射测量 科学研究 红外显微镜

仪器介绍 Synapse CCD是现代光谱测量&mdash &mdash 从简单的吸收光谱到困难的拉曼或光致发光测量&mdash &mdash 完美的解决方案。这台紧凑型CCD 探测器可与所有HORIBA Jobin Yvon 光谱仪连接，为任何实验都提供高灵敏度的探测。 主要特点：1、高灵敏度和低噪音 Synapse CCD是探测电子行业的新一代产品，提供无与伦比的超高灵敏度和低噪声的CCD。低噪声放大器就放置在CCD感光元件旁边，以降低来自外部环境的任何噪声.2、高信号线性度 Synapse的电子线路经特殊设计，可在整个动态范围内都提供非常出色的信号线性度。这使得该探测器在各种信号水平上都提供更高的准确度和更好的测量结果。为了前述保证高性能，每个Synapse CCD出厂前都进行线性度、满井容量和读出噪音值的测试.3、半导体制冷 CCD探测器制冷的主要是为了降低暗电流。Synapse 采用半导体制冷的方式，冷却温度低至-75oC，这样无须液氮制冷所需的复杂装置就将暗电流水平降到较低水平。CCD传感器放置在一个密封的单窗口真空室中以保证大限度优化制冷性能并终生免于保养.4、辅助信号输入 Synapse CCD为PMT、硅光电二管或者InGaAs固态探测器提供一个单独的电压或电流信号输入通道，将光谱仪数据采集的灵活性带入了一个新阶段。这个额外的输入通道用途广泛，包括作为用于功率修正参照的自动参照探测器或者用InGaAs 探测器或锗光电二管来扩大您光谱仪的波长范围。在参照模式下，这个辅助的输入装置可以在CCD曝光的同时记录数据。作为一个独立的数据采集通道，该输入通道可通过光谱仪扫描硅探测器有效波长以外的NIR波段。只有HORIBA Jobin Yvon 在Synapse CCD中提供这种附加性能。5、USB 2.0 接口 Synapse CCD 采用高速USB 2.0接口，以实现与计算机快速而简单的连接。 它与我们功能强大的SynerJY 软件连接，来进行探测器和光谱仪的简易控制和数据采集。对更多的定制实验来说，Synapse CCD可以同我们的软件开发工具包（SDK）或者LabVIEW VIs结合，来提供对探测器和测量过程各个方面的完全控制.6、灵活的触发方式 Synapse CCD 有一套用于实验交互的可编程TTL边沿触发器。输入触发是用来启动数据采集过程，同时输出触发经过编程来作为曝光监控器或者读出监控器.7、内置快门驱动 作为光谱研究CCD， Synapse采用快门来控制曝光时间和光谱修正去背景噪声。与其它需要附加模块的CCD探测器不同，Synapse CCD 内置快门驱动电路，可快速连接到快门并从个数据开始进行自行纠正. 规格芯片规格 类型TE制冷1024x256 FIOP正照射开放电是1024x256 FIVS正照射可见增强是1024x256 FIUV正照射紫外增强是1024x256 BIVS背照射可见增强是1024x256 BIUV背照射紫外增强是1024x256 BIDD背照射深耗尽是2048x512 FIVS正照射可见增强是2048x512 FIUV正照射紫外增强是2048x512BIVS背照射可见增强是2048x512BIUV背照射紫气增强是512x512FIVS正照射可见增强是512x512BIVS背照射可见增强是512x512BIUV背照射紫气增强是

Synapse CCD是现代光谱测量——从简单的吸收光谱到最困难的拉曼或光致发光测量提供解决方案。这台紧凑型CCD 探测器可与所有HORIBA Jobin Yvon 光谱仪连接，为任何实验都提供高灵敏度的探测。 主要特点：1、高灵敏度和低噪音 Synapse CCD作为探测电子行业产品，可提供高灵敏度和极低噪声的CCD。低噪声放大器就放置在CCD感光元件旁边，以降低来自外部环境的任何噪声.2、高信号线性度 Synapse的电子线路经特殊设计，可在整个动态范围内都提供非常出色的信号线性度。这使得该探测器在各种信号水平上都提供更高的准确度和更好的测量结果。为了前述保证高性能，每个Synapse CCD出厂前都进行线性度、满井容量和读出噪音值的测试.3、半导体制冷 CCD探测器制冷的主要是为了降低暗电流。Synapse 采用半导体制冷的方式，冷却温度低至-75oC，这样无须液氮制冷所需的复杂装置就将暗电流水平降到较低水平。CCD传感器放置在一个密封的单窗口真空室中以保证制冷性能并免于保养.4、辅助信号输入 Synapse CCD为PMT、硅光电二极管或者InGaAs固态探测器提供一个单独的电压或电流信号输入通道，将光谱仪数据采集的灵活性带入了一个新阶段。这个额外的输入通道用途广泛，包括作为用于功率修正参照的自动参照探测器或者用InGaAs 探测器或锗光电二极管来扩大您光谱仪的波长范围。在参照模式下，这个辅助的输入装置可以在CCD曝光的同时记录数据。作为一个独立的数据采集通道，该输入通道可通过光谱仪扫描硅探测器有效波长以外的NIR波段。只有HORIBA Jobin Yvon 在Synapse CCD中提供这种附加性能。5、USB 2.0 接口 Synapse CCD 采用高速USB 2.0接口，以实现与计算机快速而简单的连接。 它与我们功能强大的SynerJY 软件连接，来进行探测器和光谱仪的简易控制和数据采集。对更多的定制实验来说，Synapse CCD可以同我们的软件开发工具包（SDK）或者LabVIEW VIs结合，来提供对探测器和测量过程各个方面的控制.6、灵活的触发方式 Synapse CCD 有一套用于实验交互的可编程TTL边沿触发器。输入触发是用来启动数据采集过程，同时输出触发经过编程来作为曝光监控器或者读出监控器.7、内置快门驱动 作为光谱研究CCD， Synapse采用快门来控制曝光时间和光谱修正去背景噪声。与其它需要附加模块的CCD探测器不同，Synapse CCD 内置快门驱动电路，可快速连接到快门并从起始数据开始进行自行纠正. 规格芯片规格 类型TE制冷1024x256 FIOP正照射开放电极是1024x256 FIVS正照射可见增强是1024x256 FIUV正照射紫外增强是1024x256 BIVS背照射可见增强是1024x256 BIUV背照射紫外增强是1024x256 BIDD背照射深耗尽是2048x512 FIVS正照射可见增强是2048x512 FIUV正照射紫外增强是2048x512BIVS背照射可见增强是2048x512BIUV背照射紫气增强是512x512FIVS正照射可见增强是512x512BIVS背照射可见增强是512x512BIUV背照射紫气增强是

产品说明产品型号：DAPD 5×5+ PCB-1550-100品牌：Amplification Technologies离散放大光子探测器阵列包含一个带有 25 个前置放大器的印刷电路板、一个二级 TEC制冷 和一个热敏电阻，主要应用于激光雷达系统、三维成像和环境监测。 产品特点：950 至 1650 nm 的近红外光谱响应使用低功率两级热电冷却器，阵列温度可稳定冷却至-30°C，可在大范围的环境温度下工作对所有25个阵列元件使用单个SMA连接器，使用单一的直流偏置非常高的增益，大约每光子10万个电子低噪声，低抖动，50Ω，射频模拟前置放大板极低的探测器噪声系数 参数/规格（在阵列温度-35℃，封装环境温度为22℃的条件下）参数DAPDNIR 5x5 Array 1550 系列100 μm Pitch单位有效面积尺寸500 by 500μm2有效面积单像素90 by 90μm2像素数25-光子探测效率@1550nm (PDE)115%光谱响应范围 (λ)950 – 1650nm单光电子增益 (M)1x105-过量噪声系数1.05-暗计数率(单像素)4MHz工作偏压60V上升时间(10% - 90%)750ps单放大通道恢复时间（-35°C）50ns每脉冲线性范围(10kHz，重复频率，单像素)1200Photons/pulse（1）光子探测效率包括后脉冲。

红外探测器 探测灵敏度在高于1μm波长的探测器。认真选择材料组合，可以实现多种类型，涵盖宽光谱范围。欢迎您登陆滨松中国全新中文网站 查看该产品更多详细信息！热电堆探测器 为了满足多种应用的需求，我们的产品涵盖了单象元型、多象元型以及线阵、面阵型等多种类型。硫化铅光导探测器 硫化铅光导探测器是一种光谱响应范围在1到3.2 um波段的红外探测器。这种探测器可以在室温下应用于多种领域，比如辐射热度计和火焰监控器硒化铅光导探测器 硒化铅光导探测器光导探测器是一种光谱范围在1.5到5.2 um的红外探测器。这种探测器在室温下具有高灵敏度和高速响应特性。我公司还提供制冷类型，具有更高的信噪比，广泛应用于分析仪器、辐射热计和其他精密光度测定产品中。砷化铟光伏探测器 砷化铟光伏探测器是一种高速、低噪声的红外探测器，可以探测波长达约3.5 um的红外光。铟砷锑光伏探测器 铟砷锑光伏探测器使用了我公司独特的晶体生长技术，在 5 um波段具有高灵敏度。锑化铟光导探测器 热电制冷锑化铟光导探测器能够高灵敏、高速探测6 um左右的红外光。锑化铟光伏探测器 锑化铟光伏探测器是一种高度、低噪声红外探测器，在 3 um和5 um大气窗口波段具有高灵敏度。它可以在以峰值灵敏度和高速响应探测 5 um波段红外光。有两种制冷类型：液氮金属杜瓦型制冷和无需液氮的斯特林制冷型。碲镉汞光导探测器 碲镉汞光导探测器是一种在红外光照射下电阻变小的传感器，光谱范围分散在2到22 um之间。碲镉汞光伏探测器 碲镉汞光伏探测器在红外光找射线会产生光电流。宽光谱（双色）探测器 这种探测器将两种不同光传感器结合使用，沿着统一光轴，一个传感器安装在另一个传感器上方。该种探测器光谱范围宽，为两个光传感器所涵盖的光谱范围。光子牵引探测器 由于其在10.6um波段的灵敏性，光子牵引探测器是探测CO2激光的理想选择。铟镓砷探测器 铟镓砷光电二极管在宽光谱范围上都具有灵敏度，可制成图像传感器、线阵面阵以及光电二极管—放大器组合器件等。

武汉东隆科技为德国PicoQuant的中国区独家代理，欢迎您来电垂询！光电倍增管制冷型单光子PMT探测器PMA系列PMA是一种光电倍增管原理的单光子探测器，拥有快速响应和低噪音的特点。探测器由高压供电模块，带有热电制冷的前置放大器组成。可选配过载自动保护功能。特点：计时分辨率180 ps(FWHM)量子效率最高40%(根据阴极情况而定)探测波长范围230 nm到920 nm可选热电制冷应用：PMA 系列单光子探测器拥有较大的感光面积、高探测效率以及良好的时间分辨率，可被应用于众多场合，如：时间分辨荧光荧光寿命成像(FLIM)磷光寿命成像(PLIM)荧光共振能量转移(FRET)脉冲交错激发(PIE)荧光各向异性(偏振)时间分辨磷光(TRPL)TRPL成像镧化物上转换Bunch纯度测量激光测距扩散光学层析成像参数：PMA 175 PMA 192 波长范围 230 - 700 nm 230 - 920 nm 暗计数 (非制冷模块的典型值) 50 cps 10000 cps** 暗计数 (制冷后的典型值) 50 cps 3000 cps** 渡越时间宽度 (FWHM典型值) 180 ps 建议最大计数率 5 MHz 单电子响应时间 1.5 ns 输出信号上升/下降沿宽度 750 ps 输出信号 接口类型 SMA母头阻抗 50 Ohms 极性 负能耗 输入 12 V DC 最大电流 (非制冷) 200 mA 最大电流 (制冷) 450 mA 外形尺寸 OEM版本 134 × 84 × 34 mm (w × d × h) PMA (非制冷) 72 × 84 × 84 mm (w × d × h) PMA-C (制冷) 120 × 84 × 110 mm (w × d × h) 感应区域直径 8 mmPMA系列典型探测效率曲线图：

仪器简介：■ 锑化铟探测器（InSb）&mdash &mdash &mdash 液氮制冷型红外探测器，波长范围：1～5.5&mu m技术参数：型号列表及主要技术指标：型号/参数 DInSb5-De01光敏面尺寸(mm) &Phi 1波长范围(&mu m) 1-5.5峰值响应度(A/W) 3峰值响应度(V/W) -响应时间(ns) -D*(@&lambda peak,1KHz)cm Hz1/2W-1 1 x 1011NEP(@&lambda peak,1KHz)pW/Hz1/2 0.8暗电流(&mu A) 7前置放大器 选配信号输出模式 电流输出信号极性 正（P）主要特点：■ 锑化铟探测器（InSb）&mdash &mdash &mdash 液氮制冷型红外探测器，波长范围：1～5.5&mu m有DInSb5-De(x)和DInSb5-HS两种类型，其中：◆ DInSb5-De(x)为液氮制冷型，x-01/ 02/ 04/ 07，四种光敏面尺寸可选，适合一般测量，须选配前置放大器◆ DInSb5-HS为液氮制冷高速响应型，集成前置放大器，响应时间小于25ns◆ 探测器元件均封装于DEC-(x)系列探测器室内，用于与光谱仪狭缝连接