高速输入光电探测器

仪器简介：硅光电探测器（Si）&mdash &mdash &mdash 室温型探测器，波长范围：200-1100nm技术参数：型号列表及主要技术指标：技术指标＼型号名称 DSi200 紫敏硅探测器 DSi300 硅探测器 进口紫外增强型 国产低暗电流型有效接收面积(mm2) 100(&Phi 11.28) 100(10× 10)波长范围(nm) 200-1100 300-1100峰值波长(nm) ------- 800± 20峰值波长响应度(A/W) 0.52 0.4254nm的响应度(A/W) 0.14(0.09) -------响应时间(&mu s) 5.9 -------工作温度范围(℃) -10～+60 -------储存温度范围(℃) -20～+70 -------分流电阻RSH(M&Omega ) 10(5) -------等效噪声功率NEP (W/&radic Hz) 4.5× 10-13 -------暗电流(25℃；-1V) ------- 1X10-8&mdash 5× 10-11 A结电容(pf) 4500 3000(-10V)信号输出模式 电流 电流输出信号极性 正（P） 正（P）主要特点：■ DSi200/DSi300硅光电探测器硅光电探测器（Si）&mdash &mdash &mdash 室温型探测器，波长范围：200-1100nm两种型号的探测器室的外观相同，其中：◆ DSi200型内装进口紫敏硅光电探测器◆ DSi300型内装国产低暗电流硅光电探测器◆ 推荐配合I-V放大器（型号：ZAMP）使用 硅光电探测器使用建议：◆ DSi200/DSi300均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZAMP（Page85做为前级放大并转换为电压信号，标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度；◆ DSi200/DSi300配合DCS103数据采集系统（Page95）使用时，建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度；◆ DSi200/DSi300配合DCS300PA数据采集系统（Page95）使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器。

DPe系列为常温型热释电探测器，适合经济型的测量，专门用于红外波段的光谱测量。热电元件由独特的薄膜热释电PZT材料组成，允许红外辐射被有源区域高效吸收。具有更高的灵敏度、更低的噪声、更好的频率响应以及更好的温度稳定性。热释电探测器使用建议：DPe系列热释电探测器必须配合锁相放大器，推荐使用DCS500PA。DPe系列热释电探测器的响应率与调制频率成反比，最优工作频率在低频（10HZ左右）区域。DPe系列热释电探测器为全波段响应的探测器，实际工作波长受窗口材料限制，可根据实际需要来选择合适的窗口。 频率响应曲线： 窗口透过率曲线： 光谱响应曲线： 常温型热释电探测器型号列表及主要技术指标：型号/参数DPe16DPe22工作区域面积（㎜2）1.65×1.651.65×1.65光敏面直径尺寸（㎜2）3.73.7窗口材料类型A4A3波长范围（μm）2-162-22信号输出模式电压电压响应率（V/W）12.75×1052.75×105典型值D* [cmHz1/2W-1] 14.32×1084.32×108NEP（W/Hz1/2）13.82×10-103.82×10-10反馈电阻（GOhm）1010反馈电容（fF）200±50 200±50 工作电压（V）±2.2～±8±2.2～±8环境温度（℃）-10～+50-10～+50输出信号极性正（P）正（P）备注125℃，10Hz，带宽1Hz黑体T = 500K；E = 38 W / m2不含窗口材料

Standa高速光纤输入光电探测器产品特点：●只使用GHz带宽部件●使用阻抗匹配的微带线连接二极管输出到输出连接器●使用微波级SMA电磁波发射器将信号耦合到示波器●每个探测器使用20GHz取样示波器测试，只有由于振荡造成峰峰失真4%才合格型号11HSP-V211HSP-IR6波长范围320-1100nm900-1650nm探测器材料SiInGaAs探测器直径0.4mm0.08mm带宽2GHz~6GHz上升下降时间150ps70ps脉冲后振荡（最大值百分比）20%光纤输入接口FC输出阻抗50Ohms最大安全输出2V电池电压20V电池寿命~5年探测器尺寸25x25x38mm

高速光电探测器 Related Products 特性9种型号涵盖150纳米到2.6微米的波长范围上升时间快达1纳秒超薄机身能在狭窄空间进行测量容易使用、结构紧凑和多功能SM05（0.535英寸-40）和SM1（1.035英寸-40）螺纹是光纤耦合或安装中性密度滤光片的理想选择内部A23偏压电池（附带）Thorlabs提供9种型号的偏压光电探测器，涵盖了紫外到中红外（150纳米到2.6微米）的波长范围，与之前的光电探测器型号相比，它们具有更宽的带宽和更好的NEP（噪声等效功率）性能。其纤薄的外壳能让光学探测器嵌入到狭窄的装置中。每个型号都配备有快速的PIN光电二极管和以坚固铝制外壳包装好的外部偏压电池。通过宽带宽的直流耦合输出，这些探测器是用于监测快速脉冲激光和直流光源的理想选择。每个DET都有T型偏置电路，将高频交流信号和直流信号结合起来，作为单一的输出。侧面板的BNC上提供了直接的光电二极管阳极电流。通过一个终端电阻可以很容易地将该输出转换为正电压。至于高速信号，Thorlabs推荐使用一个50欧姆负载电阻。对于低带宽的应用，使用本公司的可变端接器可节省很多时间。 所有的连接和控制都已经移到远离光路的位置，这样就简化了我们的探测器在封闭空间内的集成。DET探测器外壳上的SM1、SM05和8-32（M4）螺纹使其可以安装在笼式共轴系统、透镜套管系统，或TR系列接杆上。关于如何将DET系列光电探测器嵌入到光学装置的更多细节请参看安装选项 标签。每个DET都配有安装好的12伏的直流偏压电池。由于电池是一种噪音极低的电源，所以将它作为电压源。当允许信号噪声由于线电压中的噪声产生小幅度增长或不能接受电池的有限寿命时，可以用DET1B电源适配器替换该电池。A23电池是目前DET系列光电探测器的更换电池，而本公司的旧型号中（即 DET1-SI和DET2-SI）则使用T505更换电池。请注意，由于不同制造商生产的电池的正极端子之间可能会存在细微差别，针对DET系列光电探测器，Thorlabs公司只推荐使用Energizer电池。磷化镓探测器&mdash 紫外波长Zoom型号#有效面积波长范围上升（下降）时间NEP（W/vHz）暗电流结电容*DET25K4.8 mm2 (2.2 x 2.2 mm)150 - 550 nm1 ns (140 ns)1.6 x 10-1440 nA40 pF*典型值，RL = 50欧姆硅探测器－可见光波长Zoom型号#有效面积波长范围上升时间NEP（W/vHz）暗电流结电容*DET10A0.8 mm2 (Ø 1.0 mm)200 - 1100 nm1 ns1.9 x 10-140.3 nA (2 nA Max)6 pFDET36A13 mm2 (3.6 x 3.6 mm)350 - 1100 nm14 ns1.6 x 10-140.35 nA (6 nA Max)40 pFDET100A75.4 mm2(Ø 9.8 mm)400 - 1100 nm43 ns5.5 x 10-14600 nA Max300 pF *典型值，RL = 50欧姆锗探测器&mdash 近红外光波长ZoomItem #Active AreaWavelengthRangeRiseTimeNEP(W/Hz1/2)Dark CurrentJunctionCapacitance*DET50B19.6 mm2 (Ø 5.0 mm)800 - 1800 nm440 ns4 x 10-1280 µ A4000 pF (Max)DET30B7.1 mm2(Ø 3.0 mm)800 - 1800 nm600 ns1.0 x 10-120.8 µ A (1.0 µ A Max)4000 pF (Max)*典型值，RL = 50欧姆铟镓砷探测器－近红外到红外波长ZoomItem #Active AreaWavelengthRangeRise TimeNEP(W/vHz)Dark CurrentJunctionCapacitance*DET10C0.8 mm2(Ø 1.0 mm)700 - 1800 nm10 ns1.6 x 10-141 nA (25 nA Max)40 pFDET20C3.1 mm2(Ø 2.0 mm)800 - 1800 nm25 ns0.03 x 10-1255 nA (70 nA Max)100 pFDET10D0.8 mm2(Ø 1.0 mm)1200 - 2600 nm25 ns2 x 10-1215 µ A (75 µ A Max)175 pF*典型值，RL = 50欧姆DET交流电源适配器ZoomDET1B交流电源适配器可替代本公司的DET系列探测器所使用的电池。该适配器套件使DET探测器能与附带的外部交流LDS2电源配合使用。使用时，只需要简单地将电池盖卸下，取出电池，然后装上附带的DET1A，并插上电源即可。我们同时还可以单独出售适配器或电源，可供需要的用户选择购买。用于DET系列的电池ZoomA23电池是现有DET系列光电探测器的更换电池。T505更换电池则用于我们老式、已停产的探测器系列。SBP20更换电池用于SV2-FC、SIR5-FC和SUV7-FC光纤探测器包。 BNC接头Zoom当光电二极管加上反向偏压，例如工作在光导模式下，将会由于光子吸收产生光电流。通常，使用一个50欧姆的电阻来增加带宽。但是，常常需要更简单高效的方法测量信号，当对准光电二极管时可是使用较大的势差。可调接头使得用户可以在光束对准时增大电阻，然后降低电阻以获取最大的带宽。相对于固定接头来说，可调接头有绝对的优势。Thorlabs供应两款接头：VT1可调电阻接头和T4119型50欧姆固定电阻接头。 VT1可调接头提供7个离散电阻供用户设置，用户可以很容易的通过外部的旋转筒进行选择。VT1提供以下7个电阻值：50欧姆，100欧姆，500欧姆，1千欧姆，5千欧姆，10千欧姆和50千欧姆。 T4119是一个50欧姆的转接型接头，应用在DET系列探测器中，可以获得最大的带宽。

高速自由空间光电探测器11HSP-FSx是高速光信号探测器系列，适用于测量脉宽在几个纳秒或更长光脉冲或脉冲形状监控。11HSP-FS1也可以用在CW激光器10Hz-300MHz之间的强度噪声测量，11HSP-FS2有更大的灵敏区域。光电探测器可以集成到系统中产生触发脉冲。建议外部偏置电压30-50V。典型应用：●脉冲形状测量●脉宽测量●精密同步●模式拍频监测●外差测量型号11HSP-FS111HSP-FS2波长范围，nm400-1100400-1100上升时间110光谱灵敏度（@850nm）0.62 A/W0.62 A/W脉宽FWHM，ns110NEP，（W/√Hz）2.9 10-144 10-14电容VR=5OV，pF2.220材质SiSi暗电流，nA110灵敏区域，mm217.5

仪器简介：雪崩光电探测器（APD） 产品特性： 高速响应达GHz 封装尺寸小：50 x 50 x 45 mm 400-1000 nm /850-1650 nm波长可选 增益连续可调：1x to 100x (ADP210) 1x to 10x (ADP310) SM05适配器 光电倍增管Photomultiplier Modules 产品特性： 两种波段可选：280 - 630 nm 或 280 - 850 nm 可提供倍增管接口组件 具有防静电和消磁作用 变换增益：阳极电流1 V/&mu A 链构型环形电极 封装与SM1螺纹匹配 封装含4个螺纹孔，与ER系列笼杆匹配 支杆可安装于3种不同组件 120V电源供应（230V可选） SMA输出技术参数：高速探测器Biased Detectors 产品特性： 宽光谱150 nm to 2.6 &mu m 高速响应1 ns~220ns 大面积光敏面Ø 1.0 mm~Ø 9.8 mm 可选的光纤适配器，方便光纤耦合输入 标准的BNC输出接口 内装A23 12V电池，使用方便，还可外接电源 带放大电路探测器Amplified Detectors 产品特性: 宽光谱150 nm to 4.8 &mu m 带宽高达150MHz 放大增益可固定，亦可调 0-10V电信号输出 大面积光敏面Ø 1.0 mm~Ø 9.8 mm 可选的光纤适配器，方便光纤耦合输出 标准的BNC输出接口 提供230 VAC外接电源主要特点：光纤耦合探测器Fiber Optic Detectors 产品特性： 宽光谱320 nm to 1700nm ps级高速响应，带宽1-8GHz 可提供带放大电路 FC/PC光纤接口，方便光纤耦合输入 标准的BNC输出接口 内装A23 12V电池，使用方便，可外接电源 平衡探测器Balanced Detectors 产品特性： 宽光谱320nm-1700nm 高带宽DC-350MHz 超低噪音 探测器类型：Si & InGaAs 可提供带放大电路 自由空间或尾纤输入 直接的探测器监视输出 含外接电源 增益可调和增益固定可选 应用： 光谱与波谱学: 外差检测 OCT系统 光学延迟测量 THz检测

光电探测作为您光电实验和电子仪器的常用应用，是提取和保存你的实验结果是至关重要的设备。我们努力使光电探测变得更简单（即插即用），同时尽可能提供最低的噪声和最快速的响应。 New Focus™ 被Newport公司收购之后，如今拥有一系列高速光子接收器和探测器模块，以满足大多数测量需求。这些高速探测器在测试和测量各种快速光信号上有着广泛的应用。New Focus 产品线包括高达45 GHz的低噪声光子探测器，高增益，低噪声光子接收器，自由空间和光纤耦合，交流或直流耦合的探测器等等。818 - BB系列探测器是偏置的探测器和交流耦合的光子接收器，可应用于一般科研应用。特点:具创新意义，性能卓越选择广泛，产品线全面即插即用设计产品覆盖红外到紫外光波段非放大型光电接收器型号上升沿时间(psec)带宽 (-3 dB) (GHz)波长范围 (nm)1014945 GHz950-16501004940 GHz400-9001024 (Time Domain)1226 GHz950-16501481-S(-50)1522 GHz400-8701434, 14371425 GHz550-13301414, 14171425 GHz800-16301454 (Time Domain)1920 GHz550-13301444 (Time Domain)1920 GHz800-16301480-S2513 GHz400-870818-BB-35(F)2512.5 GHz818-BB-45(F)3012.5 GHz818-BB-50(F)3510 GHz818-BB-301752 GHz818-BB-203001.2 GHz818-BB-312251.5 GHz818-BB-213001.2 GHz放大型探测器/光电接收器型号上升沿时间(psec)带宽 (-3 dB) (GHz)波长范围 (nm)1014945 GHz950-16501554-A3410 kHz to 12 GHz550-13301544-A3410 kHz to 12 GHz800-16501580-B34DC-12 GHz (DC), 10 KHz-12 GHz (AC)400-8701554-B34DC-12 GHz (DC), 10 KHz-12 GHz (AC)500-16501544-B34DC-12 GHz (DC), 10 KHz-12 GHz (AC)800-16501577-A3410 kHz to 12 GHz500-16501567-A3410 kHz to 12 GHz800-1650818-BB-35A(F)4010.7 GHz818-BB-45A(F)4010.7 GHz1591NF95DC to 4.5 GHz450-8701592NF115DC to 3.5 GHz950-1630818-BB-30A4001.5 GHz818-BB-21A5001.2 GHz1647 (APD)25015 kHz to 1.1 GHz800-16501611FC-AC,1611FS-AC40030 kHz to 1 GHz900-17001601FC-AC,1601FS-AC40030 kHz to 1 GHz320-1000

德国Alphalas公司创建于1997年，主要是激光器及激光设备供应商。主要产品有：分秒、皮秒和亚纳秒脉冲激光器，超快光电探测器等。 UPD系列超快光电探测器适合从DC到25GHz的光学波形测量。多种型号的上升时间低至15皮秒，光谱范围从170到2600纳米。所有光电探测器都是封装在坚固紧凑的铝制外壳中，使用电池或者外部电源偏置。硅光电探测器的紫外扩展版本是一个可覆盖170到1100纳米光谱范围的商用产品。紫外灵敏的InGaAs光电探测器的另一种类型可以探测350到1700纳米的激光脉冲，因此是商用上可选的很宽的波长范围和很高的探测速度。理想的阻抗匹配和先进的微波技术确保了无需振铃或人为操作就能测量脉冲波形。客户可以使用50Ω终端电阻完成超快速工作，或者使用高阻抗负载获得大信号。这个特点保证超大的灵活性，能用于多种应用。UPD系列高速光电探测器是激光和光子学研究必不可少的工具。 光电探测器特点 应用超快工作速度上升沿时间: 15 ps带宽: 上限 25 GHz光谱范围: 170 - 2600 nm (UV to IR)紧凑式设计外部电源和电池自由光束/ FC-PC接口/尾纤式脉冲测量脉冲间隔测量精确的同步模拍频监控外差振荡测量超快光电探测器 (UPD Series) - Available ModelsUPD系列：可选型号 型号上升时间 (ps)带宽(GHz)光谱范围 (nm)峰值量子效率 感光面积直径μm / mm2)噪声等效功率 (W/√Hz)暗电流 (nA)材料光输入窗口类型RF输出接头类型UPD-15-IR2-FC 15 25800 - 170075%Fiber, 9 μm1.0 × 10-1?0.1InGaAsFiber w. FC/APC ??SMAUPD-30-VSG-P 30 10320 - 90040%200×200 / 0.043.0 × 10-1?0.1GaAsPolished, glassSMAUPD-35-IR2-P 35 10800 -170080%55 / 0.00241.0 × 10-1?0.3InGaAsPolished, glassSMAUPD-35-IR2-D 35 10800 -170080%55 / 0.00241.0 × 10-1?0.3InGaAsDiffuse, quartzSMAUPD-35-IR2-FR 35 10800 -170080%55 / 0.00241.0 × 10-1?0.3InGaAsFC/PC receptacle ??SMAUPD-35-IR2-FC 35 10800 -170080%Fiber, 9 μm1.0 × 10-1?0.3InGaAsFiber w. FC/APC ??SMAUPD-35-UVIR-P 35 10350 -170080%55 / 0.00241.0 × 10-1?0.3InGaAs ??Polished, MgF?SMAUPD-35-UVIR-D 35 10350 -170080%55 / 0.00241.0 × 10-1?0.3InGaAs ??Diffuse, quartzSMAUPD-40-VSI-P 40 8.5500 - 169040%200×200 / 0.043.0 × 10-1?5000InGaAsPolished, glassSMAUPD-40-IR2-P 40 8.5800 - 170080%60 / 0.00281.1 × 10-1?0.5InGaAsPolished, glassSMAUPD-40-IR2-D 40 8.5800 - 170080%60 / 0.00281.1 × 10-1?0.5InGaAsDiffuse, quartzSMAUPD-40-IR2-FR 40 8.5800 - 170080%60 / 0.00281.1 × 10-1?0.5InGaAsFC/PC receptacle ??SMAUPD-40-IR2-FC 40 8.5800 - 170080%Fiber, 9 μm1.1 × 10-1?0.5InGaAsFiber w. FC/APC ??SMAUPD-40-UVIR-P 40 8.5350 - 170080%60 / 0.00281.1 × 10-1?0.5InGaAs ??Polished, MgF?SMAUPD-40-UVIR-D 40 8.5350 - 170080%60 / 0.00281.1 × 10-1?0.5InGaAs ??Diffuse, quartzSMAUPD-50-SP 50 7.0320 - 110045%100 / 0.00791.2 × 10-1?0.001SiPolished, glassSMAUPD-50-SD 50 7.0320 - 110045%100 / 0.00791.2 × 10-1?0.001SiDiffuse, quartzSMAUPD-50-UP 50 7.0170 - 110045%100 / 0.00791.2 × 10-1?0.001Si ??Polished, MgF?SMAUPD-50-UD 50 7.0170 - 110045%100 / 0.00791.2 × 10-1?0.001Si ??Diffuse, quartzSMAUPD-70-IR2-P 70 5.0800 - 170080%80 / 0.0052.0 × 10-1?0.8InGaAsPolished, glassSMAUPD-70-IR2-D 70 5.0800 - 170080%80 / 0.0052.0 × 10-1?0.8InGaAsDiffuse, quartzSMAUPD-70-IR2-FR 70 5.0800 - 170080%80 / 0.0052.0 × 10-1?0.8InGaAsFC/PC receptacle ??SMAUPD-70-IR2-FC 70 5.0800 - 170080%Fiber, 9 μm2.0 × 10-1?0.8InGaAsFiber w. FC/APC ??SMAUPD-70-UVIR-P 70 5.0350 - 170080%80 / 0.0052.0 × 10-1?0.8InGaAs ??Polished, MgF?SMAUPD-70-UVIR-D 70 5.0350 - 170080%80 / 0.0052.0 × 10-1?0.8InGaAs ??Diffuse, quartzSMAUPD-100-IR1-P 2? 100 3.0400 - 200080%80 / 0.0053.0 × 10-13700GePolished, glassSMAUPD-200-SP 175 2.0320 - 110085%400 / 0.1261.5 ×10-1?0.001SiPolished, glassBNCUPD-200-SD 175 2.0320 - 110085%400 / 0.1261.5 ×10-1?0.001SiDiffuse, quartzBNCUPD-200-UP 175 2.0170 - 110085%400 / 0.1261.5 ×10-1?0.001Si ??Polished, MgF?BNCUPD-200-UD 175 2.0170 - 110085%400 / 0.1261.5 ×10-1?0.001Si ??Diffuse, quartzBNCUPD-300-SP 300 1.0320 - 110090%600 / 0.2833.0 ×10-1?0.01SiPolished, glassBNCUPD-300-SD 300 1.0320 - 110090%600 / 0.2833.0 ×10-1?0.01SiDiffuse, quartzBNCUPD-300-UP 300 1.0170 - 110090%600 / 0.2833.0 ×10-1?0.01Si ??Polished, MgF?BNCUPD-300-UD 300 1.0170 - 110090%600 / 0.2833.0 ×10-1?0.01Si ??Diffuse, quartzBNCUPD-500-SP 500 0.6320 - 110090%800 / 0.53.5 ×10-1?0.01SiPolished, glassBNCUPD-500-SD 500 0.6320 - 110090%800 / 0.53.5 ×10-1?0.01SiDiffuse, quartzBNCUPD-500-UP 500 0.6170 - 110090%800 / 0.53.5 ×10-1?0.01Si ??Polished, MgF?BNCUPD-500-UD 500 0.6170 - 110090%800 / 0.53.5 ×10-1?0.01Si ??Diffuse, quartzBNCUPD-3N-IR2-P 150 ?? 0.4 ??800 - 210075%300 / 0.071.5 × 10-1390InGaAsPolished, glassBNCUPD-5N-IR2-P 200 ?? 0.3 ??800 - 260070%300 / 0.077.0 ×10-132000InGaAsPolished, glassBNCUPD-2M-IR2-P 75000 0.004900 - 170080%2000 / 3.144.0 ×10-1?5InGaAsPolished, glassBNCUPD-2M-IR2-P-1TEC 3? 75000 0.004900 - 170075%2000 / 3.141.0 ×10-1?0.3InGaAsPolished, glassBNC备注 1. 漫反射窗口降低定位精度并以降低灵敏度3到5倍来增大损伤阈值。仅推荐用于高峰值功率激光器。2. 该型号输出为负。所有其它型号默认都是正输出，可根据要求定制负输出。3. TEC冷却模式，非标准外壳。4. 改性材料增加蓝光/紫外灵敏度。5. 不兼容可选配的滤波片架。6. 可显著改善性能。

高速光电探测器 The UPD series of ultrafast photo-detectors are best suited for mea-surement of optical waveforms from DC to 25 GHz. Various models feature rise times as short as 15 ps and cover the spectral range from 170 to 2600 nm. All photodetectors are enclosed in compact and solid aluminum hous-ings and can be biased with a battery or an external power supply. The UV-extended versions of the silicon type photodetectors are the only commercial products that cover the spectral range from 170 to 1100 nm. Another type of unique UV-sensitive InGaAs photodetectors can be used for detecting laser pulses in the range from 350 to 1700 nm, thus having the widest spectral range and the highest speed commercially available. Perfect impedance matching and state-of-the-art microwave technology assure pulse form measurements without any ringing or artefacts. The customer is free to use a 50 &Omega terminating resistor for highest speed operation, or a high impedance load for obtaining large signals. This guarantees maximum flexibility for diverse applications. In combination with our BBA series of wideband high-gain amplifiers, the high-speed photodetectors are an advantageous alternative to the expensive and cumbersome avalanche photodiodes. The UPD series high-speed photodetectors are indispensable tools for laser and photonics research. Features of the Photodiodes Applications of the PhotodiodesUltra High-Speed OperationRise Times: starting from 15 psBandwidths: up to 25 GHzSpectral Ranges: 170 - 2600 nm (UV to IR)Compact DesignBattery or External Power SupplyModels for Free-Space Beam,or with FC/PC Receptacleor Pigtailed with FiberPulse Form MeasurementsPulse Duration MeasurementsPrecise SynchronizationMode Beating MonitoringHeterodyne Measurements Notes: ¹ ⁾ The diffuse window reduces the positioning accuracy requirements and increases the damage threshold at the costof a reduced sensitivity by a factor of approx. three to five. Recommended for high peak power lasers only.² ⁾ This model has negative output. All other models have positive output by default but may be orderedwith negative output if required.³ ⁾ With TEC cooling module, non-standard housing.⁴ ⁾ Modified material with increased blue / UV sensitivity. DET10A 纳秒级光电探测器

EOT高速光电探测器适用于脉宽测量和脉冲绘制等应用。ET系列探测器使用了PIN光电二极管和反向偏压装置。所有的探测器自带BNC或SMA输出接头，大部分EOT光电探测器备有FC光纤连接头，可以直接与光纤尾纤连接。探测器的频率响应度从2GHz到10GHz不等。应用：? 可测量脉宽或观察调Q激光器的脉冲波形 ? 监测锁模激光器的输出情况 ? 观察快调制半导体激光器和外调制连续激光器的脉冲 ? 便于寻找和对准连续或脉冲激光器的光束 ? 大面积光电探测器可用作光功率计

量青光电代理美国GPD公司全线产品 成立于1973年的GPD公司，一直致力于高速锗晶体和光电探测器的研发和生产，为用户提供用于辐射探测和电信应用的Ge，p-n，APD和InGaAs p-i-n高速和大面积光电探测器。 GPD维护符合MIL-I-45208的检查系统。 光电二极管要符合Telcordia的测试要求（TA-NWT-00093），MIL-STD-883测试方法和/或客户要求。 主要产品包括：温馨提示：点击产品名称，自动跳转到详情页。更多信息可联系我们。低偏振相关损耗铟镓砷探测器Low Polarization Dependent Loss (PDL) InGaAs Photodiodes线性阵列式探测器 Linear Arrays铟镓砷象限探测器 InGaAs Quadrant Photodiodes含制冷铟镓砷光电探测器铟镓砷光电探测器 InGaAs Avalanche Photodiodes1.9-2.6μm铟镓砷探测器Extended InGaAs Photodiodes大面积铟镓砷探测器Large Area InGaAs Photodiodes高速铟镓砷探测器High Speed InGaAs Photodiodes锗雪崩探测器Ge Avalanche Photodiodes锗探测器Ge Photodiodes

,名称型号货号 描述参数 铟镓砷 InGaAs ET-3010 光电探测器 2 GHz 美国EOT [PDF] ET-3010E800406014 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜１７５pｓ／＜１７５ｐｓ； 响应度：０.９Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 带宽：＞２ＧＨｚ； 有效面积直径：１００ｕｍ； 输出连接：BNC带宽(Hz): 2 GHz 铟镓砷 InGaAs ET-3000 InGaAs 铟镓砷光电探测器 2 GHz 美国EOT [PDF] ET-3000E800406020 材料：铟镓砷 上升／下降时间：＜１７５pｓ／＜１７５ｐｓ； 响应度：０.９Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 带宽：＞２ＧＨｚ； 有效面积直径：１００ｕｍ； 输出连接：BNC带宽(Hz): 2 GHz 硅 Silicon ET-2070 - 硅光电探测器 118 MHz 美国EOT [PDF] ET-2070E800406150 材料：Silicon； 上升／下降时间：＜3ns／＜3ns； 响应度：0.56A／Ｗ＠830ｎｍ； 带宽：＞118MHz； 有效面积直径：2.55ｍｍ； 输出连接：BNC带宽(Hz): 118 MHz 硅 Silicon ET-2060 - 硅光电探测器 1.1 GHz 美国EOT [PDF] ET-2060E800406160 材料：Silicon 上升／下降时间：＜３２０ｐｓ／＜３２０ｐｓ； 响应度：０．４７Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ； 带宽：＞１．１ＧＨｚ； 有效面积直径：０．４ｍｍ； 输出连接：BNC带宽(Hz): 1.1 GHz 硅 Silicon ET-2040 硅光电探测器 ＞25MＨz 美国EOT [PDF] ET-2040E800406170 材料：Silicon 上升／下降时间：＜３０nｓ／＜３０nｓ； 响应度：０.６Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ； 带宽：＞２５ＭＨｚ； 有效面积直径：４.５７ｍｍ； 输出连接：BNC带宽(Hz): 25 MHz 铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000F, 10 GHz 美国EOT [PDF] ET-5000FE800406030 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜２８pｓ／＜２８ｐｓ； 响应度：0.9Ａ／Ｗ＠２０００ｎｍ； 带宽：＞１０ＧＨｚ； 有效面积直径：４０ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ 光纤连接；FC/UPC带宽(Hz): ＞10 GHz 铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000, 10 GHz 美 国EOT [PDF] ET-5000E800406040 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜２８pｓ／＜２８ｐｓ； 响应度：１．３Ａ／Ｗ＠２０００ｎｍ； 带宽：＞１０ＧＨｚ； 有效面积直径：４０ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ 光纤连接；不适用带宽(Hz): ＞10 GHz 砷化鎵 GaAs 高速光电探测器 ET-4000F, 12.5 GHz 美国EOT [PDF] ET-4000FE800406050 材料：GaAs 上升／下降时间：＜３０pｓ／＜３０ｐｓ； 响应度：０.３８Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ； 带宽：＞１２．５ＧＨｚ； 有效面积直径：６０ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ 光纤连接 FC/UPC、SMF28e带宽(Hz): ＞12.5 GHz 砷化镓 GaAs 高速光电探测器 ET-4000, 12.5 GHz 美国EOT [PDF] ET-4000E800406200 材料：GaAs 上升／下降时间：＜３０pｓ／＜３０ｐｓ； 响应度：０.５３Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ； 带宽：＞１２．５ＧＨｚ； 有效面积直径：６０ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ 光纤连接c 不适用带宽(Hz): ＞12.5 GHz 铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3600F, 22 GHz 美国EOT [PDF] ET-3600FE800406060 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜16pｓ／＜16ｐｓ； 响应度：０.7Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 带宽：＞22ＧＨｚ； 有效面积直径：20ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ 光纤连接 FC/UPC、SMF28e带宽(Hz): 22 GHz 铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3600, 22 GHz 美国EOT [PDF] ET-3600E800406070 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜16pｓ／＜16ｐｓ； 响应度：０.7Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 带宽：＞22ＧＨｚ； 有效面积直径：20ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ 光纤连接 不适用带宽(Hz): 22 GHz 铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3500F, 15 GHz 美国EOT [PDF] ET-3500FE800406082 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜２５pｓ／＜２５ｐｓ； 响应度：０.６５Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 带宽：＞１５ＧＨｚ； 有效面积直径：３２ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ 光纤连接 FC/UPC；SMF28e带宽(Hz): ＞15 GHz 铟镓砷 InGaAs 带放大光电探测器 ET-3500AF 美国EOT(已停产下架) [PDF] [有备注]ET-3500AFE800406090 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ； 转换增益：1620 V/W ＠1310 nm 带宽：20 kHz to 10 GHz 有效面积直径：３２ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ带宽(Hz): 20 kHz-10 GHz 砷化镓 GaAs 带放大光电探测器 ET-4000AF美国EOT [PDF] ET-4000AFE800406210 材料：GaAs 上升／下降时间：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ； 转换增益：９７０V/W ＠ 850 nm 带宽：20 kHz to 10 GHz 有效面积直径：６０ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ带宽(Hz): 20 kHz-10 GHz 铟镓砷 InGaAs 带放大光电探测器 ET-5000AF 砷化镓 (已停产下架) [PDF] ET-5000AFE800406100 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ； 转换增益：２３５０ V/W ＠2000 nm 带宽：20 kHz to 10 GHz 有效面积直径：４０ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ带宽(Hz): 20 kHz-10 GHz 砷化镓 GaAs 带放大光电探测器 ET-4000A 美国EOT [PDF] ET-4000AE800406220 材料：GaAs 上升／下降时间：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ； 转换增益：1340 V/W ＠ 850 nm 带宽：20 kHz to 10 GHz 有效面积直径：６０ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ带宽(Hz): 20 kHz-10 GHz 铟镓砷 InGaAs 带放大光电探测器 ET-5000A 10 GHz 美国EOT [PDF] ET-5000AE800406110 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ； 转换增益：3250 V/W ＠2000 nm 带宽：20 kHz to 10 GHz 有效面积直径：４０ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ带宽(Hz): 20 kHz-10 GHz 铟镓砷 InGaAs 带放大光电探测器 ET-3500A 美国EOT [PDF] ET-3500AE800406120 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜35ps／＜35ps； 带宽：20 kHz 至 10 GHz； 有效面积直径：３２ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ带宽(Hz): ＞15 GHz 铟镓砷 InGaAs 放大光电探测器 ET-3000A 美国EOT [PDF] ET-3000AE800406130 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜４００pｓ／＜４００ｐｓ； 转换增益：900 V/W ＠1300 nm 带宽：30 kHz to １.５GHz 有效面积直径：１００ｕｍ； 输出连接：ＢＮＣ带宽(Hz): 30 kHz-１.５GHz 硅 Silicon 带放大高速光电探测器 ET-2030A 美国EOT [PDF] ET-2030AE800406182 材料：Silicon硅 上升／下降时间：＜５００pｓ／＜５００ｐｓ； 转换增益：450 V/W ＠830 nm 带宽：30 kHz to 1.2 GHz 有效面积直径：４００ｕｍ； 输出连接：ＢＮＣ带宽(Hz): 30 kHz-１.2 GHz 铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3500, 15 GHz 美国EOT [PDF] ET-3500E800406141 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜２５pｓ／＜２５ｐｓ； 响应度：０.９Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 带宽：＞１５ＧＨｚ； 有效面积直径：３２ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ 光纤连接 不适用带宽(Hz): ＞15 GHz 硅 Silicon ET-2030 高速 硅光电探测器 ＞１.２ＧＨｚ 美国EOT [PDF] ET-2030E800406190 材料：Silicon 上升／下降时间：＜３００ｐｓ／＜３００ｐｓ； 响应度：０.４７Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ； 带宽：＞１.２ＧＨｚ； 有效面积直径：０.４ｍｍ； 输出连接：BNC带宽(Hz): 1.2 GHz

一,铟镓砷 InGaAs 直流耦合低噪声光电探测器 200MHz WL-DPD200MADPD200MA是InGaAs的一款直流耦合高速差分 (“双平衡”)光接收器。它具有高跨阻增益、低噪声和大于200MHz的-3dB带宽。可以通过两个专用显示输出独立测量两个光接收器的功率。DPD200MA采用坚固的铝制外壳，配有两个光纤接收器和一个5050 Ω SMA输出。它采用11–15 V DC单电源供电。铟镓砷 InGaAs 直流耦合低噪声光电探测器 200MHz WL-DPD200MA,铟镓砷 InGaAs 直流耦合低噪声光电探测器 200MHz WL-DPD200MA技术参数特征高跨阻增益:7500 V/W (1550nm)带宽:200 MHz 直流耦合2个显示器输出(未校准)波长范围:1000nm至1700nm光纤耦合:光纤通道接收器输出: 50 Ω SMA插头 宽范围单电源:11至15 V典型应用干涉测量法光学相干断层成像激光雷达可单端使用机械性能光纤耦合: 适用于FC/PC和FC/APC连接器的FC插座射频和显示器输出:SMA电源电压输入:推挽式LEMO插头(包括二极管)小尺寸:80×60×20mm安装:底部4 x M2.5螺纹孔(螺钉长度4mm)电连接器 positive supply supply ground 电源连接器(前视图)。外壳接地。供电电缆有两种，一种是2线，一种是5线。这些电缆对应的配色方案是:参数条件最小值典型值最大值单位直流电输入电源电压(VS)电源电流111210015160VmA主射频输出-3dB带宽240265290MHz输出阻抗50Ω 输出电压范围 噪声频谱密度50 Ω 100MHz -131±4±2VVdBm/Hz100–1000MHz-128dBm/Hz 1GHz -150dBm/HzpW/√Hz噪声等效功率0 MHz–100MHz，1550nm7光学特性输入波长范围10001700nm跨阻增益波长1550nm15 000v/Wopic跨阻增益7 500v/Wopic共模抑制比2030dB最大输入功率(损坏阈值)15mW监控输出3dB带宽150kHz输出阻抗2kΩ 最大值输出电压8VSV责任1(请具体说明)1550nm0.40.520V/mWopt二,12GHz模拟带宽光接收器 高速高增益 InGaAs PIN 光电探测器PD-12D 是一款高速高增益InGaAs PIN 光电探测器，适合用于光传输系统和其他光电转换。模拟带宽12GHz，支持数据接收速率达10.7Gb/s，光电增益1.0A/W，上升沿时间响应18ps，采用背照式PIN，响应带宽覆盖1200~1650nm波长。采用SMA口的RF输出，便于与射频测试设备连接。12GHz模拟带宽光接收器 高速高增益 InGaAs PIN 光电探测器,12GHz模拟带宽光接收器 高速高增益 InGaAs PIN 光电探测器产品特点高带宽SMA 连接器输出DC 耦合输出通用参数参数单位zui小值典型值zui大值中心波长nm12001650光平均功率输入范围dBm-103上升沿时间ps1820光电响应A/W1.0回损dB-37输出阻抗Ω-3dB高频截止频率GHz12低频截止kHz0灵敏度dBm-34供电V DC内置电池尺寸mm90×60×15工作温度℃-40+85存储温度℃-40+85光纤接口FC/PC频谱响应和脉冲上升沿时间

Alphalas超快光电探测器UPD系列超快光电探测器系列适用于从直流到25GHz的空间光波形的测量。可提供检测最短为15ps上升时间的光脉冲信号，覆盖从170至2600nm的光谱范围。所有探测器都由紧凑坚实的过氧极化铝外壳封装，供电方式可以采用电池或外接电源。是可提供从170到1100 nm扩展到紫外光谱范围高速硅探测器商业产品。另一种类型独特的紫外线敏感的InGaAs 探测器，可用于检测从350到1700纳米范围内的激光脉冲，因此具有最宽的光谱范围和highest的响应速度。Alphalas超快光电探测器UPD阻抗匹配和微波技术结合，确保测量的脉冲波形的保真度。用户可以自由使用50Ω的匹配电阻，进行highest响应速度的检测。或为获得大的信号响应曲线，加入高阻抗负载。保证了UPD产品为不同的应用提供max的灵活性。 结合BBA系列宽带高增益放大器，高速光探测器对于取代昂贵和繁琐的雪崩光电二极管是一个选择。UPD的系列高速光电探测器是激光和光子学研究的不可缺少的工具。特点：1.Alphalas超快光电探测器UPD可超高速运行2.上升时间：15 ps - 500ps3.带宽：highest达25 GHz4.光谱范围：170 - 2600纳米5.紧凑封装6.电池或外部电源7.自由空间光入射或FC/PC型8.接头或光纤尾纤应用：1.脉冲形式测量2.脉冲宽度测量3.精确的同步4.模式变化监控5.外差测量新的UPD型号：快速的上升时间及更宽的光谱范围1.UPD-15-IR2-FC: 超快InGaAs光电探测器，上升时间15ps，带宽25 GHz，光谱范围800 - 1700 nm, 光纤耦合输入， FC/APC口。2.UPD-35-IR2-P, UPD-35-IR2-D: 超快 InGaAs 光电探测器,上升时间 35 ps, 带宽 10 GHz, 光谱范围 800 - 1700 nm, 光面或漫反射的入射窗。3.UPD-35-UVIR-P, UPD-35-UVIR-D: 超快 InGaAs PIN 光电探测器, 上升时间 35 ps, 带宽 10 GHz, 光谱范围 350 - 1700 nm, 光面或漫反射的入射窗。4.UPD-50-SP, UPD-50-SD, UPD-50-UD, UPD-50-UP: 超快 Si 光电探测器, 上升时间 50 ps, 下降时间 50 ps, 带宽 7 GHz, 光谱范围 170 - 1100 nm or 320 - 1100 nm, 光面或漫反射的入射窗。5.UPD-100-IR1-P: 超快 Ge 光电探测器, 上升时间 100 ps, 脉宽 (FWHM) 300 ps, 光谱范围 400 - 2000 nm。6.UPD-3N-IR2-P: 超快 InGaAs 光电探测器, 延伸到 2.1 μm, 上升时间 150 ps。7.UPD-5N-IR2-P: 超快 InGaAs 光电探测器, 延伸到2.6 μm,上升时间 200 ps。其他UPD型号及详细参数，请联系德国Alphalas代理商武汉能带科技有限公司咨询。

MSM超快光电探测器UltraFastUltraFast系列MSM超快光电探测器，探测带宽可达35GHz，探测波长范围400~1600nm。经过优化设计，探测器脉冲拖尾降至最低，并可无震荡脉冲响应工作。所采用的MSM结构（金属－半导体－金属）具有电容低、串联阻抗低和感应面积大等内在优点，这些优点使得探测器具有优良的性能。特殊的结构和掺杂，也提高了探测器的响应度，降低了电噪声。MSM探测器是测定高速光源和光波系统的时频特性的理想选择。 两种型号：UltraFast-20 (Bandwidth DC – 20 GHz)UltraFast-35 (Bandwidth DC – 35 GHz) 技术参数：可选：附件：UltraFast探测器测试图例 UltraFast 20: 20 GHz时域测量曲线所用光源：单光子激光器，5 ps脉冲序列，重复频率20 GHzUltraFast 20: 响应度-波长曲线UltraFast 20: 眼图比特率：20 Gb/s使用德国SHF Design GmbH公司的函数发生器 “SHF BPG 20 GIG”测量UltraFast 35：脉冲响应光源：A.L.S PiLas PlL081Q，波长810nm，脉宽12ps探测器偏置电压6 V，50 GHz示波器UltraFast探测器UltraFast 20/35 SM探测器标准结构UltraFast 20/35 FS自由空间探测器，带聚焦镜以避免过充

UPD超快光电探测器(Ultrafast_Photodetectors)品牌：ALPHLAS UPD产品简介： ALPHLAS UPD系列自由空间入射超快光电探测器系列最适合用于从直流到25GHz的空间光波形的测量。可提供检测最短为15ps上升时间的光脉冲信号，覆盖从170至2600nm的光谱范围。 所有探测器都由紧凑坚实的过氧极化铝外壳封装，供电方式可以采用电池或外接电源。 是唯一可提供从170到1100 nm扩展到紫外光谱范围高速硅探测器商业产品。 另一种类型独特的紫外线敏感的InGaAs 探测器，可用于检测从350到1700纳米范围内的激光脉冲，因此具有最宽的光谱范围和最高的响应速度。完美的阻抗匹配和最先进的微波技术，确保测量的脉冲波形的保真度。用户可以自由使用50Ω的匹配电阻，进行最高响应速度的检测。或为获得大的信号响应曲线，加入高阻抗负载。保证了UPD产品为不同的应用提供最大的灵活性。 结合BBA系列宽带高增益放大器，高速光探测器对于取代昂贵和繁琐的雪崩光电二极管是一个极好的选择。UPD的系列高速光电探测器是激光和光子学研究的不可缺少的工具。产品图片：特点： 超高速运行 上升时间：15 ps - 500ps 带宽：最高达25 GHz 光谱范围：170 - 2600纳米 紧凑封装 电池或外部电源 自由空间光入射或FC/PC型接头或光纤尾纤应用： 脉冲形式测量 脉冲宽度测量 精确的同步 模式变化监控 外差测量 UPD系列：Photodetector ModelRise Time(ps)Band-width(GHz)Spectral Range(nm)Quantum Efficiency@ PeakSensitiveArea (Dia. μm/mm2)Noise Equiv. Power (W/√Hz)DarkCurrent (nA)MaterialOptical Input / Window Type 1)RF Output Connec-tor UPD-15-IR2-FC 15 25800 - 170075%Fiber, 9 μm1.0 × 10-150.1InGaAsFiber w. FC/APC 5)SMA UPD-30-VSG-P 30 10320 - 90040%200x200/0.043.0 × 10-150.1GaAsPolished, glassSMA UPD-35-IR2-P 35 10800 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAsPolished, glassSMA UPD-35-IR2-D 35 10800 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAsDiffuse, quartzSMA UPD-35-IR2-FR 35 10800 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAsFC/PC receptacle5)SMA UPD-35-IR2-FC 35 10800 - 170080%Fiber, 9 μm1.0 × 10-150.3InGaAsFiber w. FC/APC 5)SMA UPD-35-UVIR-P 35 10350 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAs4)Polished, MgF2SMA UPD-35-UVIR-D 35 10350 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAs4)Diffuse, quartzSMA UPD-40-VSI-P 40 8.5500 - 169040%200x200/0.043.0 × 10-105000InGaAsPolished, glassSMA UPD-40-IR2-P 40 8.5800 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAsPolished, glassSMA UPD-40-IR2-D 40 8.5800 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAsDiffuse, quartzSMA UPD-40-IR2-FR 40 8.5800 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAsFC/PC receptacle5)SMA UPD-40-IR2-FC 40 8.5800 - 170080%Fiber, 9 μm1.1 × 10-150.5InGaAsFiber w. FC/APC 5)SMA UPD-40-UVIR-P 40 8.5350 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAs4)Polished, MgF2SMA UPD-40-UVIR-D 40 8.5350 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAs4)Diffuse, quartzSMA UPD-50-SP 50 7.0320 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001SiPolished, glassSMA UPD-50-SD 50 7.0320 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001SiDiffuse, quartzSMA UPD-50-UP 50 7.0170 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001Si 4)Polished, MgF2SMA UPD-50-UD 50 7.0170 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001Si 4)Diffuse, quartzSMA UPD-70-IR2-P 70 5.0800 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAsPolished, glassSMA UPD-70-IR2-D 70 5.0800 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAsDiffuse, quartzSMA UPD-70-IR2-FR 70 5.0800 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAsFC/PC receptacle5)SMA UPD-70-IR2-FC 70 5.0800 - 170080%Fiber, 9 μm2.0 × 10-150.8InGaAsFiber w. FC/APC 5)SMA UPD-70-UVIR-P 70 5.0350 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAs4)Polished, MgF2SMA UPD-70-UVIR-D 70 5.0350 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAs4)Diffuse, quartzSMA UPD-100-IR1-P 100 3.0400 - 200080%80/0.0053.0 × 10-13700GePolished, glassSMA UPD-200-SP 175 2.0320 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001SiPolished, glassBNC UPD-200-SD 175 2.0320 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001SiDiffuse, quartzBNC UPD-200-UP 175 2.0170 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001Si 4)Polished, MgF2BNC UPD-200-UD 175 2.0170 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001Si 4)Diffuse, quartzBNC UPD-300-SP 300 1.0320 - 110090%600/0.2833.0 × 10-150.01SiPolished, glassBNC UPD-300-SD 300 1.0320 - 110090%600/0.2833.0 × 10-150.01SiDiffuse, quartzBNC UPD-300-UP 300 1.0170 - 110090%600/0.2833.0 × 10-150.01Si 4)Polished, MgF2BNC UPD-300-UD 300 1.0170 - 110090%600/0.2833.0 × 10-150.01Si 4)Diffuse, quartzBNC UPD-500-SP 500 0.6320 - 110090%800/0.53.5 × 10-150.01SiPolished, glassBNC UPD-500-SD 500 0.6320 - 110090%800/0.53.5 × 10-150.01SiDiffuse, quartzBNC UPD-500-UP 500 0.6170 - 110090%800/0.53.5 × 10-150.01Si 4)Polished, MgF2BNC UPD-500-UD 500 0.6170 - 110090%800/0.53.5 × 10-150.01Si 4)Diffuse, quartzBNC UPD-3N-IR2-P 1506) 0.46)800 - 210075%300/0.071.5 × 10-1390InGaAsPolished, glassBNC UPD-5N-IR2-P 2006) 0.36)800 - 260070%300/0.077.0 × 10-132000InGaAsPolished, glassBNC UPD-2M-IR2-P 75000 0.004900 - 170080%2000/3.144.0 × 10-145InGaAsPolished, glassBNC UPD-2M-IR2-P-1TEC 3) 75000 0.004900 - 170075%2000/3.141.0 × 10-140.3InGaAsPolished, glassBNC MSM超快光电探测器UltraFast产品简介：UltraFast系列MSM超快光电探测器，探测带宽可达35GHz，探测波长范围400~1600nm。经过优化设计，探测器脉冲拖尾降至最低，并可无震荡脉冲响应工作。所采用的MSM结构（金属－半导体－金属）具有电容低、串联阻抗低和感应面积大等内在优点，这些优点使得探测器具有优良的性能。特殊的结构和掺杂，提高了探测器的响应度，降低了电噪声。MSM探测器是测定高速光源和光波系统的时频特性的理想选择。两种型号：UltraFast-20 (Bandwidth DC – 20 GHz)UltraFast-35 (Bandwidth DC – 35 GHz)技术参数： UltraFast-20-xx UltraFast-35-xx 探测器类型MSM (Metal – Semiconductor – Metal)感应材料InGaAs带宽 (-3 dB)DC – 20 GHzDC – 35 GHz上升时间 (10% - 90%) 12 ps 11 ps脉宽 (FWHM) 20 ps 18 ps波长范围400 nm – 1.6 μm最大响应度*0.24 A/W @ 810 nm 0.19 A/W @ 1.3 μm 0.12 A/W @ 1.5 μm0.12 A/W @ 810 nm 0.1 A/W @ 1.3 μm 0.06 A/W @ 1.5 μm偏置电压2 V – 9 V偏置输入接口SMC male标准射频信号输出口K-Type female* 跟耦合结构有关，响应度值可能会降低。 上海尖丰光电技术有限公司AOE TECH CO.,LTD 地址：上海市闵行区元江路3599号328室 邮编： 201109电话：传真：E-mail： 网址:

InGaAs APD光电探测器800~1700nm光电探测器主要特性DC-250MHz带宽低噪声高增益22KV/A全金属外壳，屏蔽性能优良支持更大带宽定制800~1700nm光电探测器应用探测连续光或脉冲激光器之间的拍频信号探测超弱光信号探测快速激光脉冲水下光通信无损检测800~1700nm光电探测器性能指标要求（25℃）参数符号典型值单位波长范围λ800~1700nm带宽BWDC/AC-250MHz探测器直径φ75um响应率Re(Vr=0V,λ=1310nm)0.85mA/mWRe(Vr=0V,λ=1550nm)0.9mA/mW跨阻增益22KV/A输出阻抗50 Ω光输入接口FC/APC电输出接口SMA工作电压(单电源输入)9~12V工作电流＜100mA工作温度-40~+85℃存储温度-50~+100℃800~1700nm光电探测器响应曲线 800~1700nm光电探测器结构尺寸更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。

应用：可监测高重复率的外调制连续激光器可监测1mw的激光功率特点：内置互阻放大器光纤输入可选 EOT 10GHz放大光电探测器内置的PIN光电二极管，通过光伏效应将光功率转换成电流。固定增益的互阻放大器可以测量1mw的功率输入。当通过50欧姆电阻连接到示波器时，可以测量激光器的脉宽。当通过50欧姆电阻连接到光谱分析仪时，可以测量激光器的频率响应。EOT 10GHz放大光电探测器采用外接电源。通过一根同轴电缆连接光电探测器的BNC输出口，并通过50欧姆电阻连接示波器或光谱分析仪，就足以运行。

铟镓砷（InGaAs）放大型光电探测器PDA20A6B4G-NIRPDA20A6B4G-NIR光电探测器是一种额定带宽，固定增益的光电探测器，用于检测光信号。光信号从光电sensor感应面输入，输出通过BNC以电压形式输出。本产品能测量800nm到1700nm波长范围的光信号。具体性能参数数据参考附录表格。PDA20A6B4G-NIR光电探测器外壳带有英制1/4"-20螺纹的安装孔，可以方便的安装固定。外壳部分还附带两种不同尺寸的螺纹接圈，这两种螺纹接圈分别适合于工业应用和科研应用，可以方便适配外部光学部件，如滤光片，衰减片，镜头，FC光纤转接盘等。该产品包含一个塑料防尘盖。具体安装请参考阅读第三章节。每个光电探测器都配有一个输出±9V的直流线性电源，该直流电源的输入额定电压为220VAC/50HZ。 工作原理PDA系类主要可以用来测试脉冲光信号或者连续光波信号。内部包括一个反向偏置的光电二极管与固定增益的跨组放大器相匹配。光信号由光电二极管与匹配的固定增益的跨组放大器转换为微弱的电压信号。后级放大将小信号电压放大输出。系统中包含了一个固定调偏的电路，保证在无光的情况下系统输出的偏置电压接近0V。PDA20A6B4G-NIR光电探测器经过调偏电路后，暗偏置电压（在无光的情况下输出的偏置电压）可以控制在±5mV以内。系统内部同样集成了功率驱动电路，用以驱动BNC转接线以及50Ω阻抗适配器，保证宽电压输出的线性度。当输出载荷为高阻态时，线性输出电压可以达到6V。当输出载荷为50欧姆阻抗匹配时，线性输出电压可以达到2.5V。 电气参数光谱灵敏度交流传输特性

EOT 22GHz (25GHz) InGaAs光电探测器内置PIN光电二极管，通过光伏效应将光功率转换成电流。当通过50欧姆电阻连接到示波器时，可以测量激光器的脉宽。当通过50欧姆电阻连接到光谱分析仪时，可以测量激光器的频率响应。EOT 22GHz InGaAs光电探测器采用内置偏压电源，锂电池寿命很长。通过一根同轴电缆连接光电探测器的BNC输入口，并通过50欧姆电阻连接示波器或光谱分析仪，就足以运行。 应用：监视超快激光器的输出监视锁模激光器的输出高重频外差应用时域与频域响应测试Specificationsa120-10140-0001(ET-3600)120-10142-0001(ET-3600F)Detector MaterialInGaAsInGaAsRise Time/Fall Time16ps/16s16ps/16psResponsivityb0.70A/W at 1300nm0.70A/W at 1300nmPower Supply3VDC3VDCBandwidth22GHz22GHzActive Area Diameter 20μm20μmDark Current1nA1nAAcceptance Angle (1/2 angle)15°N/ANoise Equivalent Powerc26pW/√Hz at 1300nm26pW/√Hz at 1300nmMaximum Linear CW Power10mW10mWMounting (Tapped Holes)8-32 or M48-32 or M4Output ConnectorSMASMAFiber Optic ConnectionN/AFC/UPC, SMF28eaAll specifications apply for a 50Ω termination unless otherwise noted.bPhotodetectors have an internal 50Ω termination. Responsivity data applicable to diode only.cNoise Equivalent Power (NEP) is determined via open circuit output.

一、产品简介EOT成立于1987年，始终保持与客户合作，提供创新、高质量、可实现的激光组件。在性能、可靠性和交付方面表现出最佳价值。 EOT公司制造的快速探测器，为世界知名厂家提供种类多、质量稳定、高性价比的产品。二、产品参数型号ET-3500ET-3500FET-4000ET-4000FET-5000ET-500FET-3600ET-3600F探测器类型InGaAsInGaAsGaAsGaAsInGaAsInGaAsInGaAsInGaAs上升/下降时间＜25ps＜25ps＜30ps＜30ps28ps28ps16ps16ps响应度＞0.90A/W@1300nm＞0.65A/W@1300nm＞0.53A/W@830nm＞0.38A/W@830nm1.3A/W@2000nm0.95A/W@2000nm＞0.70A/W@1300nm带宽＞15GHz＞12.5GHz＞10GHz＞22GHz有效尺寸32um32um60um60um40um40um20um20um暗电流＜3nA＜3nA＜0.5nA＜0.5nA＜1uA＜1uA＜1nA＜1nA可接受角度15°NA15°NA20°NA15°NA最大线性额定值10mW10mW10mW10mW3mA3mW10mW10mW输出接口SMASMASMASMASMASMASMASMA光纤NAFC/UPCNAFC/UPCNAFC/UPCNAFC/UPC如有其它需求，请联系我们。

一、产品简介EOT成立于1987年，始终保持与客户合作，提供创新、高质量、可实现的激光组件。在性能、可靠性和交付方面表现出最佳价值。 EOT公司制造的快速探测器，为世界知名厂家提供种类多、质量稳定、高性价比的产品。二、产品参数型号ET-2030ET-2040ET-2060ET-2070ET-3000ET-3010探测器类型SiliconSiliconSiliconSiliconInGaAsInGaAs上升/下降时间＜300ps＜30ns＜320ps3ns＜175ps＜175ps响应度0.47A/W@830nm0.6A/W@830nm0.47A/W@830nm0.56A/W@830nm0.9A/W@1300nm带宽＞1.2GHz＞25MHz＞1.1GHz＞118MHz＞2GHz有效尺寸0.4mm4.57mm0.4mm2.55mm100um暗电流＜0.1nA＜10nA＜0.1nA＜10nA＜2nA＜3nA可接受角度10°60°NA50°20°NA最大线性额定值CW:3mAPulse:3mACW:2mAOptical:3mACW:3mAOptical:3mACW:2.5mAPulse:15mACW:5mACW:5mA输出接口BNCBNCBNCBNCBNCBNC

12GHz模拟带宽光接收机/光电探测器PD-12D是一款高速高增益InGaAs PIN光电探测器，适合用于光传输系统和其他光电转换。模拟带宽12GHz，支持数据接收速率达10.7Gb/s，光电增益1.0A/W，上升沿时间响应18ps，采用背照式PIN，响应带宽覆盖1200~1650nm波长。采用SMA口的RF输出，便于与射频测试设备连接。特性ü高带宽üSMA连接器输出üDC耦合输出参数指标参数单位最小值典型值最大值中心波长nm12001650光平均功率输入范围dBm-103上升沿时间ps1820光电响应A/W1.0回损dB-37输出阻抗Ω-3dB高频截止频率GHz12低频截止kHz0灵敏度dBm-34供电V DC内置电池尺寸mm90×60×15工作温度℃-40+85存储温度℃-40+85光纤接口FC/PC

应用：监测调Q激光器的输出监测锁模激光器的输出 监测外调制连续激光器的输出时域和频率响应测试特色：内置或外接电源可选光学光纤输入可选 EOT 12.5GHz放大光电探测器内置的PIN光电二极管，通过光伏效应将光功率转换成电流。当通过50欧姆电阻连接到示波器时，可以测量激光器的脉宽。当通过50欧姆电阻连接到光谱分析仪时，可以测量激光器的频率响应。EOT 12.5GHz放大光电探测器采用内置偏压电源，锂电池寿命很长。通过一根同轴电缆连接光电探测器的SMA输出口，并通过50欧姆电阻连接示波器或光谱分析仪，就足以运行。

天津瑞利光电科技有限公司优势经销美国THORLABS光电探测器DET10A2产品型号：DET10A2产品介绍：探测器还配有内部偏压电池，封装在坚固的铝壳中。我们的偏压光电探测器兼容我们的台式光电二极管放大器和PMT跨阻放大器。这些探测器具有宽带直流耦合输出，非常适合监测快速脉冲激光和直流光源。侧面的BNC接头提供直接的光电二极管阳极电流。通过一个终端电阻将该输出转换为正电压。如果查看高速信号，Thorlabs 使用50Ω负载电阻。对于较低带宽应用，利用我们的可变终端或固定短样式终端能够快速调节测量电压。下方探测器没有放大器或内置增益，因此工作速度一般比我们的PDA系列放大光电探测器要快；对于需要增益或可更换滤光片的应用，PDA放大光电探测器可能更为合适。所有的连接端和控制按钮都不在光路上，简化了探测器在封闭空间内的集成。每个探测器具有SM05(0.535"-40)内螺纹和SM1(1.035"-40)外螺纹。每个DET外壳包含一个可拆卸的Ø 1英寸光学元件安装座(SM1T1)，用于沿光轴安装Ø 1英寸元件，比如滤光片和透镜。每个DET探测器也可安装在笼式系统、透镜套管或Ø 1/2英寸接杆上。每个探测器的外壳都有两个通用安装孔，兼容8-32和M4螺纹。每个探测器都由装在外壳中的A23 12 VDC电池提供反向偏置电压。外壳上还有一个红色的按钮，按住这个按钮时，电池的电压将加到外部负载上。对于高Z负载，电池的电压将高于BNC，因此方便判断是否需要更换电池，而不必将电池取出。如果电池连接到一个50 Ω的负载上测试，串联的限流电阻可保护电池不被快速放电。请注意，由于不同制造商生产的电池的正 子之间可能会存在细微差别，Thorlabs只建议在我们的DET系列光电探测器中使用Energizer电池。由于电池是一种噪声低的电源，所以将它作为反向偏压电源。如果不能接受电池的使用寿命有限，则可以用DET2B电源套件替换该电池。请注意，在探测器有源区边缘的不均匀性可能产生有害的电容和电阻效应，从而扭曲光电二极管输出的时域响应。因此，Thorlabs建议将入射光正对有源区 。外壳上的SM1(1.035"-40)螺纹非常适合将Ø 1英寸聚焦透镜或针孔安装在探测元件前面。Thorlabs也提供高速自由空间型探测器和高速光纤耦合型探测器，用于400 - 1700 nm的波长范围。性能特点上升时间1 ns紧凑型外壳，用于狭窄空间的测量兼容SM05透镜套筒、SM1透镜套筒、笼式系统和Ø 1/2英寸接杆包含内置A23 12 V偏压电池下方提供可选用的电源适配器和电源可以通过SM1内螺纹和外螺纹光纤转接件进行光纤耦合参数：探测器：硅有效区域：Ø 1.0 mm (0.8mm2)波长范围λ：200至1100 nm峰值波长λp：730 nm（典型值）峰值响应(λp) ：0.44 A/W（典型值）结电容 CJ：6 pF（典型值）上升时间tr：1 ns（典型值）NEP (λp) ：5.0 x 10-14 W/√Hz（典型值）偏置电压VR：10 V暗电流ID：0.3 nA（典型值）2.5 nA（max.）输出电流IOUT：0至10 mA开/关开关：滑动电池检查开关：瞬时按钮输出：BNC（直流耦合）包装尺寸：2.79" x 1.96" x 0.89"（70.9 mmx 49.8 mm x 22.5 mm）PD 表面深度：0.09" (2.2 mm)重量：0.10 kg配件：SM1T1 耦合器SM1RR 挡圈储存温度：-20 至 70 °C工作温度：10 至 50 °C电池：A23, 12 VDC, 40 mAh输出电压（高阻抗）：~9V输出电压 (50 Ω) ：~170 mV 天津瑞利光电科技有限公司于2016年成立，坐落于渤海之滨天津，地理位置得天独厚，交通运输便利，进出口贸易发达。凭借着欧洲的采购中心，我们始终为客户提供欧美工业技术、高新科技等发达国原装进口的光电设备、光学仪器、机电设备及配件、电气成套设备、工业自动化控制设备产品，同时拥有多个品牌的授权经销和代理权。

描述BIM-71系列光电探测器采用DB15接口，需要连接BIM-7001光功率计仪表，可在仪表上进行数据读取、数据存储和功率监控等。此外，BIM-7001光功率计仪表上预留了一个USB通讯接口，可拓展将BIM-71系列光电探测器上采集到的数据上传至电脑端的BPM光功率计软件中进行数据采集与分析。数字通讯探测器完成了数据的采集与处理，采用数字方式与光功率表头之间通讯，降低外部干扰。可用于自由空间及光纤接头(FC,SMA)的测量探测器允许用户对自由空间光进行测量，同时也可使用我们的光纤接头适配器对通过光纤传送的激光进行测量。根据您的激光器波长及功率，可选择合适光电探测器配合您的应用。我们将持续开发新的探测器，以满足不断涌现的新激光产品对测量的要求。可配衰减片通过选择10/100/1000 倍的衰减片，可拓展您的功率测量范围。校准数据校准数据以电子方式存储在对应的探测器中。 对应的校准报告将连同探测器在发货时一起提供给客户。该报告列出了在对应的波长范围内，以10nm为间隔，探测器的波长与光谱的响应关系。如果你额外选配了衰减器，电子存储及校准报告中也会包含另外一组对应校准数据。定制服务我们可根据用户要求提供客户定制服务。技术参数型号（DB15接口）BIM-7101BIM-7102BIM-7103探测器材料SiSi-UVInGaAs波长范围380nm-1100nm200nm-1100nm800nm-1650nm功率测量范围（不带衰减器）100pW-10mW-70dBm±10dBm100pW-1mW-70dBm-0dBm100pW-10mW-70dBm±10dBm最大平均功率密度（不带衰减器）10mW/cm21mW/cm210mW/cm2NEP2.0E-13W/√HZ2.0E-14W/√HZ2.0E-13W/√HZ响应时间2us5.9us0.2us有效探测直径1.128cm1.128cm0.3cm有效探测面积1cm21cm20.071cm2不确定度±5%±5%±5%线性度±0.5%±0.5%±0.5%均匀性±2%±2%±2%连接线1.5m1.5m1.5m固定孔通用8-32/M4通用8-32/M4通用8-32/M4外形（直径D/高度H）φ38 mm x28mmφ38 mm x28mmφ38 mm x28mm重量105 g105 g105 g工作温度, 相对湿度5℃ — 50℃ ，70% RH5℃ — 50℃ ，70% RH5℃ — 50℃ ，70% RH紫外增强型硅探测器响应曲线（BIM-7102）在波长254nm处测量得到

适用于 OPD（有机光电传感器）,钙钛矿光电探测器，2D 材料光电探测器...等传感器件的寿命测试.可选配测试不同波段（UV~VIS~NIR~IR）的光电探测器件.该系统可提供单通道测试，也可提供多通道测试.

杭州谱镭光电技术有限公司(HangzhouSPL Photonics Co.,Ltd)是一家专业的光电类科研仪器代理商，致力于服务于国内科研院所、高等院校实验室、企业研发部门。我们代理的产品涉及光电子、激光、光通讯、物理、化学、材料、环保、食品、农业和生物等领域，可广泛应用于教学、科研及产品开发。 我们主要代理的产品有：微型光纤光谱仪、中红外光谱仪、积分球及系统、光谱仪附件、飞秒/皮秒光纤激光器、KHz皮秒固体激光器、超窄线宽光纤激光器、超连续宽带激光器、He-Ne激光器、激光器附件及激光测量仪器、光学元器件、精密机械位移调整架、光纤、光学仪器、光源和太赫兹元器件、高性能大口径瞬态（脉冲）激光波前畸变检测干涉仪（用于流场、波前等分析）、高性能光滑表面缺陷分析仪、大口径近红外平行光管、Semrock公司的高品质生物用滤波片以及Meos公司的光学教学仪器等。 热线电话： / 传真：+86571 8807 7926网址： /邮箱： 杭州谱镭SPL-PM-IR 低功率数字型光电探测器 杭州谱镭SPL-PM-IR系列光电探测器与同类产品相比，其优点在于探测器内部完成了数据的采集与处理，并且与SPL-PM系列光功率计仪表之间采用数字通讯，使外部干扰降到最小，保证了数据的准确性。该系列探测器集成了校准数据存储功能，提供了紫外增强型硅、硅、砷化铟镓（InGaAs）等光电探测器，覆盖200nm到1700nm波段，可选配10/100/1000倍衰减片，扩大测量范围。SPL-PM-IR02 特 点 1.数字型光电探测器 2.多波长测量 3.集成的校准数据存储功能 4.可选配10/100/1000 倍的衰减片，扩大测量范围 技术参数 杭州谱镭光电技术有限公司(HangzhouSPL Photonics Co.,Ltd)是一家专业的光电类科研仪器代理商，致力于服务于国内科研院所、高等院校实验室、企业研发部门。我们代理的产品涉及光电子、激光、光通讯、物理、化学、材料、环保、食品、农业和生物等领域，可广泛应用于教学、科研及产品开发。 我们主要代理的产品有：微型光纤光谱仪、中红外光谱仪、积分球及系统、光谱仪附件、飞秒/皮秒光纤激光器、KHz皮秒固体激光器、超窄线宽光纤激光器、超连续宽带激光器、He-Ne激光器、激光器附件及激光测量仪器、光学元器件、精密机械位移调整架、光纤、光学仪器、光源和太赫兹元器件、高性能大口径瞬态（脉冲）激光波前畸变检测干涉仪（用于流场、波前等分析）、高性能光滑表面缺陷分析仪、大口径近红外平行光管、Semrock公司的高品质生物用滤波片以及Meos公司的光学教学仪器等。热线电话： / 传真：+86571 8807 7926网址： /邮箱：

探测器Thorlabs提供一系列光学探测器产品，能够探测整个紫外、可见、近红外、红外以及太赫兹光谱区域内的光源。根据所选择的传感器可以测量不同参数，如强度、功率、强度分布、波前形状、能量和波长。未安装的光电二极管 校准过的光电二极管 已安装的无偏压的光电二极管 带尾纤的光电二极管 偏压探测器 放大探测器 位置传感探测器 积分球 平衡放大探测器 单光子计数器 光电倍增管模块 多通道光电倍增管模块 雪崩探测器 光纤耦合PMT模块 太赫兹 CCD / CMOS Cameras 光电二极管放大器 激光观察卡 光电二极管 Related Products 概述 Thorlabs提供一系列分立光电二极管和经过校准的光电二极管。其中包括铟镓砷（InGaAs）光电二极管，磷化镓 （GaP）光电二极管，硅（Si）光电二极管， 和锗（Ge）光电二极管。我们也提供一些专用的光电二极管。例如DSD2双波段光电二极管，它在一个包装内同时提供硅光电二极管和铟砷化镓光电二极管，两者结合起来可以达到400到1700纳米的波长范围。FGA20是一个具有高响应率的铟镓砷光电二极管，波长范围从1200到2600纳米，能够探测到的波长范围比典型的铟镓砷光电二极管的1800纳米要高。我们也提供FGAP71，它是一种磷化镓（GaP）光电二极管，它的波长范围是我们所提供的光电二极管中最短的，从150纳米到550纳米。已校准的光电二极管 Related Products 概述 Thorlabs公司提供5种NIST可追溯校准的光电二极管，有库存随时发货，包括一种铟镓砷（InGaAs）、两种硅（Si）和两种锗（Ge）光电二极管。校准特性：在光电二极管的整个光谱范围内，每隔10纳米测量响应度测量不确定度± 5%NIST可追溯每个光电二极管都附带响应度与波长的关系的数据表和图。不同批次的光电二极管之间的响应度不一样。因此，您收到的光电二极管的响应也许与下面描述的会有轻微的差异，但是仍将附带有校准数据。右图显示了不同FDS1010光电二极管之间的响应特性有多显著。这些数据是从104个光电二极管中采集的。在每个数据点都计算了最小、平均和最大响应度，并给出了曲线。 点击放大已封装的光电二极管 Related Products 概述 SM05PD和SM1PD系列光电二极管包含安装在方便的SM05（Ø 0.535英寸-40）和SM1（Ø 1.035英寸-40）外螺纹套管的铟镓砷、锗、硅或磷化镓光电二极管。光电二极管的电信号输出是通过一个能快速连接到测量电路上的标准SMA接头（SM05PD系列）或BNC接头（SM1PD系列）提供的。该光电二极管可分为A型（阴极接地）或B型（阳极接地）布置。所有的型号都是测量脉冲和CW光源的理想选择。主体上的绝缘外螺纹能使这些光电二极管与Thorlabs公司的所有SM05和SM1安装适配器兼容。 带尾纤光电二极管 Related Products 概述 特性适用于610-770纳米和780-970纳米的单模型号多模型号高速宽带特性低偏置电压增强型光纤典型应用光通信高速光度测定监测Thorlabs 的FDSP系列带尾纤光电二极管是高速带尾纤硅PIN光电二极管，设计用于可见到近红外范围的光探测。这些光电二极管具有在低偏置电压下的宽带特性，是光通信、高速光度测定和监测等应用的理想选择。FDSP系列的外壳为不锈钢套管，用来实现光纤到光电二极管的主动耦合。光纤用一个900微米的松套管外保护和橡胶护套进行强化，以便于减少光纤的弯曲应力。 提供两种型号的单模光纤和一种型号的多模光纤：FDSP780 Nufern的780-HP单模光纤，780-970纳米，芯径5微米，数值孔径0.13FDSP660 Nufern的630-HP，单模光纤，610-770纳米，芯径4微米，数值孔径0.13FDSP625 梯度折射率多模光纤，320-1000纳米，芯径62.5微米，数值孔径0.27单模光纤的型号设计用于低背反射，同时单模光纤也能抑制模式干扰（也称为MPI－多路径干扰），是基于光纤的干涉仪的信号探测中的基本组件。根据需要，可提供带工业标准光纤接头的连接。偏压探测器该页面是我们的各种偏压探测器。我们提供自由空间型和光纤耦合型两种类型。可通过转接件将光纤和自由空间探测器耦合起来。偏压探测器 光纤耦合探测器 放大探测器Thorlabs提供一系列自由空间型和光纤耦合型放大探测器。此外，光纤转接件可用于本公司的自由空间探测器，以获得更多的功能和灵活性。放大探测器 飞瓦光电探测器 TEC HgCdTe 探测器 光纤耦合探测器 Menlo Systems快速PIN光电探测器 雪崩探测器 位置传感器 Related Products 横向效应位置传感器概述 特性2D横向效应位置传感探测器对光斑形状和功率密度不敏感SM05镜筒兼容结构紧凑Item #PDP90AWavelength Range320 to 1100 nmResolution, @ 635 nm0.68 µ m @ 100 µ W,6.8 µ m @ 10 µ WNoise2.25 µ mpp, 340 nmrmsRecommended Spot SizeØ 0.2 &ndash 7 mm PDP90A位置传感器利用针垫横向传感器来精确测量入射光与校准中心之间的位移。这些器件适用于测量光线的移动，传播的距离或者作为对准系统的反馈。 大的探测表面允许光束直径9毫米，然而，我们推荐光束直径范围在0.2到7 毫米。与象限传感器需要所有象限均有覆盖不同，横向传感器可以提供在探测区域内任何点的位置信息，与光斑形状，尺寸和能量分布无关。PDP90A的噪声很小2毫伏峰峰值（300微伏有效电压），对应的探测误差为0.675微伏有效电压。分辨率与输入光功率直接相关，表示为以下方程，这里，&Delta R是分辨率，Lx是探测器长度，9毫米，en是输出噪声电压，300微伏有效电压，Vo是总输出电压水平，4伏特最大值因此，对于最高功率水平，分辨率将达到0.675微米。更多详细技术信息参见技术信息标签。每个PDP90A象限探测器与一个8-32到M4适配器一同包装，提供与英制或者公制安装接杆的兼容性。 下表中阴影区域显示最小和最大输入光强水平与波长的关系。确保输入光功率与最大水平接近来获得最佳的分辨率和噪声系数。超过最大水平传感器将饱和，结果将会有误差。 积分球Thorlabs提供已定标的（NIST标定）和未标定的积分球。已定标的积分球有一个接口，能连接自由空间光源或光纤光源。它能与本公司的所有C系列接头的功率计兼容。未定标的积分球有三到四个接口，这些接口可以连接多种探测器和输入转接件。多端口积分球 校准的积分球功率传感器 平衡探测器这里介绍了Thorlabs的平衡探测器。根据这个模型，硅或者InGaAs探测器可以用于320-1000纳米、800-1700纳米或者1270-1350纳米范围内。偏振非敏感平衡探测器 偏振相关平衡探测器 带高速输出监测的平衡放大光电探测器 平衡放大探测器 单光子计数器 Related Products 概述 Item #SPCM20ASPCM20A/MSPCM50ASPCM50A/MDetector TypeSi Avalanche PhotodetectorWavelength Range350 - 900 nmActive Detector Diameter20 µ m50 µ mTypical Max Responsivity35% @ 500 nmDark Count Rate Typical60 Hz Max (25 Hz Typical)200 Hz Max(150 Hz Typical)Max Count Rate *28 MHz22 MHz* 对于脉冲光特点低暗计数 SPCM20A(/M): 25赫兹 (常规值)SPCM50A(/M): 150赫兹(常规值l)两种探头面积 SPCM20A(/M): Ø 20微米 有效面积SPCM50A(/M): Ø 50微米 有效面积有源抑制温度稳定USB接口脉冲输出TTL 开启/触发 输入体积小: 68毫米x 85毫米x 25毫米应用单分子的光谱学研究光谱-光度计测量流式细胞计光子相关谱法激光雷达图 1: 光子探测几率作为其波长的函数如图显示。SPCM仅在白框区域内对光子有感应。Thorlabs的光子计数器模块使用雪崩硅光电二极管探测单光子。SPCM计数器对发出的光子在350至900纳米范围内敏感，最高灵敏度在500纳米（见图1）。其工作原理是用光电探头将接收的光子转换成一个TTL脉冲，然后由内部的31位计数器计数。另有一个额外的USB接头可直接输出脉冲信号，可以输出到示波器查看或连接到外部计数器模块。这个光子计数器的功能的详细信息，请参阅&ldquo 教程&rdquo 选项。用一个集成的Peltier元件来稳定二极管的温度，使之降低到环境温度以下，那么低暗计数率也就降低了。有两种型号供选择，SPCM20A 和 SPCM50A，其典型的低暗计数率分别为25赫兹和150赫兹，能够探测到的功率低至0.4飞瓦。SPCM中的二极管集成了有源抑制电路，从而能获得高计数率。它的高速性能让用户每35-45 ns计数一个光子，取决于不同的型号。 SPCM20A提供的有效探测面积为Ø 20微米，而SPCM50A为Ø 50微米。软件SPCM包括一个GUI 软件包来进行暗箱操作。以下操作模式可以通过软件设置：手动模式 用于手动操作自由运行时间计数器用于计数一定&ldquo 时间块长度&rdquo 内的入射光子数量外部触发时间计数器用于触发时间器开始计算一定周期内的入射光子数量外部触发计数器通过一个外部触发来开启或关闭计数器外部启动 用于外部激活计数器和 雪崩光电二极管如需获得更多关于软件和它的操作方法的信息，请见&ldquo 软件 &rdquo 选项光电倍增管模块 Related Products 概述 特性提供两种光谱范围：280&ndash 630纳米，或280&ndash 850纳米端窗型光电倍增管结构静电和磁屏蔽转换增益：阳极电流1伏/微安圆形打拿极链配置外壳有SM1螺纹外壳有4个螺纹孔，用于ER系列笼式支杆可以三种不同方式接杆安装附带120和230伏插接适配器的电源SMA输出无需高压电源需要可变（0-1.8伏直流）电源（不包括）Thorlabs提供两种光电倍增管模块，结合了一个端窗型光电倍增管（PMT），外壳，以及高增益、直流耦合的跨阻抗放大器：PMM01用于280 &ndash 630纳米光谱范围，PMM02用于280 &ndash 850纳米光谱范围。PMM01具有一个半透明的双碱光电阴极，与PMM02（点击规格标签了解详细信息）相比，它具有更高的增益，&lambda 500纳米时更高的量子效率，和更低的暗电流，但是它适用的光谱范围较窄。由于灵敏度与最常用的闪烁体材料非常匹配，双碱光电阴极在闪烁光探测方面具有广泛应用。相比之下，PMM02具有半透明的多碱（S20型）光电阴极，具有&lambda 500纳米时更高的量子效率，和更宽的光谱范围。多碱光电阴极常用于宽带分光光度计和光子计数应用。Thorlabs的PMT模块具有内置高压电路，消除了PMT运行时通常对外部高压电源的需要。通过将高压电路加入PMT模块，Thorlabs的PMT降低了成本和设备的大小，以及触电的风险。此外，该PMT模块由± 12伏直流电源（包括120伏和230伏插接适配器）和0&ndash 1.8伏的可变直流电源（不包括在内）供电。两种模块都配备有3个8-32螺纹，可在不同方向接杆安装。附带1个公制兼容的AS4M8E（8-32至M4）适配器。此外，在该模块的正面有4个4-40螺纹孔，使其与我们的30毫米笼式共轴系统 （点击笼式兼容性标签了解更多信息）兼容。这些部件与PMT孔径上的保护盖一起发货。一旦去除保护盖，该模块带有的SM1兼容内孔，可与我们一系列的SM1透镜套管兼容。因此，成像光学元件和滤光片可便捷地安装并位于PMT光电阴极的中心。此外，使用透镜管可阻止杂散光和散射光到达探测器，这对探测弱光或噪声信号非常有利。光电倍增管模块 Related Products 概述 特性极其适合用于激光扫描显微应用兼容Thorlabs公司的激光扫描必备套件光电倍增管模块可以扩展到最多8个通道附带双通道模块 两个多碱光电倍增管可替换荧光滤光片立方SM1螺纹光电倍增管安装座用于安装滤光片模块我们还提供单体多碱光电倍增管宽带光谱响应：185 - 900纳米 点击了解详情 Thorlabs公司的光电倍增管（PMT）模块设计使成像系统，如我们的激光扫描必备套件，更容易集成PMT探测功能。PMTSS2双通道PMT模块包含两个多碱标准灵敏度的PMT、一个DFMT1滤光片立方插件、和一个底座。该模块中的两个多碱PMT能够进行高效探测，并具有185 -900纳米的宽带光谱响应范围。模块的底座装备有一个MDFB滤光片立方和一些插槽，这些插槽可以用来安装英制或公制光学平台、面包板的配件。其滤光片模块的输入端口带有SM1（1.035英寸-40）螺纹，可以直接兼容Thorlabs公司的各种SM1透镜套筒和光纤准直适配器。PMT已经经过准直，可以和附带的滤光片立方插件配合使用，该滤光片立方插件可以轻松替换进行分色镜/发射滤光套件。通过购买额外的单通道附加模块（PMTSS2-SCM），该双通道PMT模块可以最多被扩展为8个探测通道。这些PMT模块在我们的C共聚焦激光扫描显微系统中有专题介绍。对于只需要购买PMT的用户，我们提供不带滤光片模块和底座的PMTSS系列的多碱PMT探测器。该探测器带有C安装座内螺纹，可以直接兼容常用显微镜相机接口。这些PMT探测器附带一根电源线，用于连接用户自备的± 15伏电压和0.25 - 1伏的增益控制。探测器数据输出则由BNC接头输出。将一个PMTSS2双通道模块与额外的PMTSS2-SCM单通道模块相结合可以实现三通道探测。附带的滤光片模块可以实现荧光滤光片套件的简易插入和替换。雪崩探测器Thorlabs提供两种雪崩探测器。第一种是由Thorlabs的合作公司Menlo系统设计和制造的，该探测器能探测最高1GHz频率的信号。第二种是由本公司自己设计和制造的。两种探测器的探测波长范围从400纳米到1700纳米可选。Menlo Systems雪崩探测器 雪崩探测器 用于共聚焦荧光成像的光电倍增管 Related Products 概述 特性设计用于VCM-F共聚焦基础系统有单PMT和双PMT单元可供选择低噪声高灵敏度的镓砷磷PMT或标准灵敏度的多碱PMT选项光谱响应 300-720纳米，高灵敏度型号185-900纳米，标准灵敏度型号软件控制在附带的三种发射滤光片之间选择 带通：440 ± 40纳米带通：525 ± 50纳米长通：600纳米 Thorlabs提供两种不同的光电倍增管（PMT）单元，用于VCM-F共聚焦基础系统。PCU2A包含两个宽带，标准灵敏度的PMT模块。 PCUxB系列包含一个（PCU1B）或者两个（PCU2B）高灵敏度低噪声PMT模块（详细信息请看表格）。双PMT单元（PCU2A或者PCU2B）是使用基于VCM-F共聚焦基础系统进行多通道荧光成像的理想选择，因为它们可用ThorVCM软件完全控制。每个双PMT单元标配三种发射滤光片，能通过软件控制进行选择。用户可以在440/40带通滤光片和525/50带通滤光片之间，或者525/50带通滤光片和600纳米长通滤光片之间切换。需要其他发射滤光片，请联系我们的技术支持询问具体信息和价格。太赫兹该指南介绍了Thorlabs的太赫兹系列产品。我们目前提供的产品有THz天线/接收器安装座、THz天线和THz套件。太赫兹套装 太赫兹天线 太赫兹接收器安装座 CCD/CMOS相机Thorlabs提供一系列结构紧凑的CCD和CMOS面阵列相机，以及CCD线阵列相机。我们的CCD面阵列相机属于高端设备，提供外部触发输入。而对于不需要外部触发的应用，我们的CMOS相机是高性价比的替代方案。CCD和CMOS面阵列相机都有黑白或者彩色版本。这些相机与Thorlabs的MVL系列C接口相机镜头兼容。CCD线阵列相机提供外部触发输入，可用于自制光谱仪等应用中。CMOS相机，C形安装 CCD相机，C形安装 线性CCD相机 C形安装相机镜头 台式光电二极管放大器 Related Products 概述 特性阻抗光电流放大器整个动态范围内噪声极低分辨率高达10皮安的5位数字显示支持单点功率校准支持两种光电二极管极性（CG和AG）偏压可调输入放大器及光电二极管暗电流偏移补偿符合RoHS标准PDA200C型光电二极管放大器适用于很小光电二极管电流的超低噪声放大。可以提供从100纳安到10毫安满量程的六种电流范围，以及最10pA大的显示分辨率。该设备同时支持阴极接地（CG）以及阳极接地（AG）光电二极管。这种放大器可以在光伏或光导模式下工作。可调节的偏压提供更好的响应线性度和增强的频率响应。利用升级的PDA200C系列，我们的光电流放大器符合RoHS标准，此外，还改变了电流测量范围。其余的特性与以前的PDA200系列几乎相同。

Thorlabs硅光电探测器，光纤耦合型，带放大探测波长在400 nm - 1000 nm的光易于使用的OEM封装，带有FC/PC光纤耦合输入集成低噪声放大器附带电源应用FPD310-FC-VISFPD510-FC-VIS & FPD610-FC-VIS探测快速激光脉冲探测弱光信号激光光源的射频和脉冲形状提取外差激光拍频信号探测光学拍频信号的高效零差和外差提取探测弱光信号脉冲调制光源表征探测斩波光源Menlo Systems的高灵敏度PIN硅(Si)光电探测器使用方便，集成了高增益、低噪声的RF放大器(FPD310-FC-VIS)或跨阻放大器(FPD510-FC-VIS和FPD610-FC-VIS)。FPD310-FC-VIS光电探测器经过优化，具有高增益、高带宽、超短上升时间和高信噪比。它还有两种增益设置以供切换，在许多应用中可实现最佳性能。此AC耦合装置的3 dB带宽为5 - 1000 MHz。FPD510-FC-VIS和FPD610-FC-VIS光电探测器针对信噪比最大值进行了优化，分别适用于探测频率最高不超过250 MHz和600 MHz的低电平光学拍频信号和脉冲形状。两种光电探测器都具有固定增益。FPD510-FC-VIS的上升时间为2 ns，而FPD610-FC-VIS的上升时间为1 ns。FPD510-FC-VIS的3 dB带宽为200 MHz，而FPD610-FC-VIS的为500 MHz。这些探测器设计紧凑，易于OEM集成。它们还有一个FC/PC输入端，用于光纤耦合应用，且附带一个电源，具有通用AC输入。规格图：