高能直流磁控溅射仪

产品简介：VTC-16-SM小型高能直流磁控溅射仪是一款桌面式等离子磁控溅射镀膜仪，包含一个2英寸水冷靶头（另有1英寸靶头可选）和可旋转样品台。水冷靶头使镀膜后的样品表面不会因镀膜温度过高而变形，甚至损坏样品；样品台可旋转，可以使样品边旋转边镀膜，使镀膜后的样品表面膜厚均匀。设备外形小巧，性价比高，是制作各种金属薄膜理想的镀膜设备，可选配各种金属靶材和真空泵搭配设备使用。VTC-16-SM小型高能直流磁控溅射仪采用PLC控制面板对设备进行控制，操作方便直观。 VTC-16-SM小型高能直流磁控溅射仪操作视频 产品型号VTC-16-SM小型高能直流磁控溅射仪技术参数1、输入电源：220VAC 50/60Hz2、溅射电流：0-150 mA可调3、功率：＜2KW4、输出电压：1600VDC（max）5、溅射腔体（1）.采用石英腔体，尺寸：166mm OD x 150mm ID x 290mm H（2）.密封：采用O形密封圈密封6、溅射头&样品台（1）.二英寸带水冷的磁控溅射头（注意：水冷机不是标配）另有1英寸靶头可选（2）.一个直径50mm不锈钢样品台，样品台可旋转，旋转速率0-5 RPM（3）.安装有一可手动操作的溅射挡板（4）.样品台和靶头之间的距离可以调节，调节范围：30-80mm（5）.靶头支架，可以在非溅射状态放置溅射靶头（6）.溅射面积：4英寸（max）7、控制面板6" PLC集成触摸屏控制面板，可控制真空、电流、靶材位置和基片加热温度8、真空系统（1）安装有KF25真空接口（2）数字真空压力表（Pa） （3）此系统运行需要Ar气，并且气瓶上安装有减压阀（设备中不包含）（4）采用机械泵 1.0E-2 Torr（5）采用涡旋分子泵 1.0E-5 Torr（6）可在本公司选购各种真空泵9、进气含一个控制进气的针阀和一个放气阀，本设备接气需要安装减压阀10、靶材（1）靶材尺寸要求：Φ50mmx(0.1-2.5) mm(厚度)（2）适合溅射Au,Ag,Cu,Al,Ti,等金属（可在我公司选购）产品规格1、产品外型尺寸：（L）460 mm × （W）330 mm × （H）520 mm2、净重：20 kg（不包含泵及水冷机）可选配件薄膜测厚仪加热样品台浮子流量计

直流磁控溅射仪，本仪器主要适用于扫描电子显微镜样品镀膜导电膜(金膜),仪器操作简单方便,配合中小型扫描电子显微镜制样的仪器离子溅射仪的工作原理是在一个较低真空的腔体内，将超过几百伏特的电压加载在负电极和正电极之间，使得辉光放电产生，使得正离子在电场的作用下对靶电极(负极)的轰击加速，造成靶中原子溅射，使得一层簿膜在样品上形成。10电子伏特为溅射原子的平均能量，因此会有非常大的热量产生，为了使样品不被灼伤，需要对被镀材料特性以及是否需要采取特殊的防护方法格外注意。。直流磁控溅射仪技术参数；控制方式7寸人机界面 手动 自动模式切换控制溅射电源直流溅射电源镀膜功能0-999秒5段可变换功率及挡板位和样品速度程序功率≤1000W输出电压电流电压≤1000V 电流≤1A真空机械泵 ≤5Pa（5分钟） 分子泵≤5*10^-3Pa溅射真空≤30Pa挡板类型电控真空腔室石英+不锈钢腔体φ160mm x 170mm样品台可旋转φ62 （可安装φ50基底）样品台转速8转/分钟样品溅射源调节距离40-105mm真空测量皮拉尼真空计（已安装 测量范围10E5Pa 1E-1Pa）预留真空接口KF25抽气口 KF16放气口 6mm卡套进气口

DISCOVERY 635/785 多耙直流/射频磁控溅射台 丹顿真空的Discovery系列在世界许多著名的研究机构得到广泛的应用，是业内公认的灵活、可靠的磁控溅射系统。从15年前开发以来，该系统已经销售超过100台，在国内销售12台。Discovery系列适合于研发及小批量生产。系统采用独特的共焦溅射结构，能够使用较小的磁控溅射靶枪在较大的面积的工件上得到较好的均匀性（例如：采用传统的垂直溅射方式，为了在6英寸工件上得到±5%的均匀性，需要使用8英寸直径靶枪，而采用共焦溅射方式，则可以采用3英寸磁控溅射靶枪，即可达到同样的均匀性指标）。因此在同样的要求下，采用的靶枪及电源相对较小，所以能够降低设备成本及运行成本，同时，丹顿真空也提供传统的垂直溅射方式系统。Discovery 系列都可以安装多个磁控溅射靶枪，可以实现多种溅射模式，包括直流/射频/脉冲溅射，共溅射，射频偏压溅射；可以实现三级加热，最高加热温度可以达到900 °C；可以配置进样室（单片或多片），最大可以处理的工件直径可以达到 250mm ；系统真空室规格从18英寸（457mm）到 35英寸（890mm）可选；高真空采用分子泵或低温泵获得；可以采用PLC触摸屏控制系统或计算机控制系统。 系统主要配置：※ 多耙直流/射频磁控溅射※ 旋转工作台（可以升级为射频偏压工件台）※ 上溅射或下溅射可选※ 不锈钢真空室，带观察窗

1.产品概述MS450多靶磁控溅射镀膜系统由沈阳科友仪器等制造商生产，是一款集高真空、多靶材、磁控溅射技术于一体的镀膜设备。该系统能够在所需基材上沉积多种类型的涂层，包括耐磨损涂层、自润滑涂层、抗腐蚀涂层、抗高温氧化涂层、透明导电涂层等，广泛应用于高校、科研院所的教学、科研实验及生产型企业期探索性实验及开发新产品等。2.产品组成MS450多靶磁控溅射镀膜系统主要由以下几个部分组成：真空室：提供高真空环境，确保镀膜过程中的气体分子干扰小化。溅射靶枪：内置多种靶材，如金属、陶瓷等，通过磁控溅射技术将靶材原子溅射到基材表面。溅射电源：提供稳定的电源供应，支持直流(DC)、中频(MF)、射频(RF)等多种溅射模式。加热样品台：用于加热基材，提高镀膜质量和附着力。流量控制系统：精确控制工艺气体的流量和压强，确保镀膜过程的稳定性和可控性。真空获得系统：包括真空泵等组件，用于将真空室抽至高真空状态。真空测量系统：实时监测真空室内的气体压力等参数。气路系统：用于向真空室内通入工艺气体，如氩气等。PLC+触摸屏自动控制系统：实现设备的自动化控制和操作，提高工作效率和镀膜质量。3.工作原理MS450多靶磁控溅射镀膜系统的工作原理基于磁控溅射技术。在镀膜过程中，电子在电场的作用下飞向基片，并与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子。Ar正离子在电场的作用下加速飞向阴靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。溅射出的靶原子或分子在基片表面沉积成膜。同时，二次电子在电场和磁场的作用下产生E×B漂移，被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，电离出更多的Ar正离子来轰击靶材，从而实现高的沉积速率。4.技术特点多靶材选择：支持多种靶材的溅射镀膜，满足不同材料的镀膜需求。高真空环境：提供高真空环境，确保镀膜过程的稳定性和镀膜质量。高精度控制：通过PLC+触摸屏自动控制系统实现设备的精确控制和操作。高沉积速率：利用磁控溅射技术实现高的沉积速率和均匀的膜层质量。广泛适用性：适用于金属、陶瓷、玻璃等多种基材的镀膜处理。5.应用域MS450多靶磁控溅射镀膜系统广泛应用于以下域：材料科学：用于开发纳米单层、多层及复合膜层等新型材料。电子工程：制备金属膜、合金膜、半导体膜等电子材料，应用于太阳能电池、OLED等域。工业生产：在汽车零部件、航空航天器件等域制备耐磨损、抗腐蚀等高性能涂层。综上所述，MS450多靶磁控溅射镀膜系统以其先进的技术特点和广泛的应用域，在材料科学和工业生产中发挥着重要作用。

多功能磁控溅射仪（ 高真空磁控溅射镀膜机）是用磁控溅射的方法，制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等；适用于镀制各种单层膜、多层膜、掺杂膜系及合金膜；可镀制磁性材料和非磁性材料。设备关键技术特点秉承设备为工艺实现提供实现手段的理念，我们做了如下设计和工程实现，实际运行效果良好，为用户的专用工艺实现提供了精*准的工艺设备方案。靶材背面和溅射靶表面的结合处理-靶材和靶面直接做到面接触是很难的，如果做不到面接触，接触电阻将增大，导致离化电场的幅值不够（接触电阻增大，接触面的电场分压增大），导致镀膜效果不好；电阻增大导致靶材发热升温，降低镀膜质量。-靶材和靶面接触不良，导致水冷效果不好，降低镀膜质量。-增加一层特殊导电导热的软薄的物质，保证面接触。采用计算机＋PLC 两级控制系统角度、距离可调磁控溅射靶头可调角度，以便针对不同尺寸基片的均匀性，做精*准调控。基片和靶材之间的距离可调整，以适应不同靶材的成膜工艺的距离要求。 集成一体化柜式结构一体化柜式结构优点：安全性好（操作者不会触碰到高压部件和旋转部件）占地面积小，尺寸约为：长1100mm×宽780mm（标准办公室门是800mm宽）（传统设备大约为2200mm×1000mm），相同面积的工作场地，可以放两台设备。安全性-电力系统的检测与保护-设置真空检测与报警保护功能-温度检测与报警保护-冷却循环水系统的压力检测和流量-检测与报警保护匀气技术工艺气体采用匀气技术，气场更均匀，镀膜更均匀。基片加热技术采用铠装加热丝，由于通电加热的金属丝不暴露在真空室内，所以高温加热过程中不释放杂质物质，保证薄膜的纯净度。铠装加热丝放入均温器里，保证温常的均匀，然后再对基片加热。真空度更高、抽速更快真空室内外，全部电化学抛光，完全去除表面微观毛刺丛林（在显微镜下可见），没有微观藏污纳垢的地方，腔体内表面积减少一倍以上，镀膜更纯净，真空度更高，抽速更快。高真空磁控溅射仪（磁控溅射镀膜机）设备详情设备结构及性能1、单镀膜室、双镀膜室、单镀膜室＋进样室、镀膜室+手套箱2、磁控溅射靶数量及类型：1 ～ 6 靶，圆形平面靶、矩形靶3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装4、磁控溅射靶：射频、中频、直流脉冲、直流兼容5、基片可旋转、可加热6、通入反应气体，可进行反应溅射镀膜7、操作方式：手动、半自动、全自动7、样品传递采用折叠式超高真空机械手工作条件类型 参数 备注 供电 ～ 380V 三相五线制 功率 根据设备规模配置 冷却水循环根据设备规模配置 水压 1.5 ～ 2.5×105Pa 制冷量 根据扇热量配置 水温 18～25℃ 气动部件供气压力 0.5～0.7MPa 质量流量控制器供气压力 0.05～0.2MPa 工作环境温度 10℃～40℃ 工作湿度 ≤50%设备主要技术指标-基片托架：根据供件大小配置。-基片加热器温度：根据用户供应要求配置，温度可用电脑编程控制，可控可调。-基片架公转速度 ：2 ～100 转 / 分钟，可控可调；基片自转速度：2 ～20 转 / 分钟。-基片架可加热、可旋转、可升降。-靶面到基片距离： 30 ～ 140mm 可调。-Φ2 ～Φ4 英寸平面圆形靶 2 ～ 3 支，配气动靶控板，靶可摆头调角度。-镀膜室的极限真空：6X10-5Pa~6X10-6Pa，恢复工作背景真空 7X10-4Pa ，30 分钟左右（新设备充干燥氮气）。-设备总体漏放率：关机 12 小时真空度≤10Pa。关于鹏城半导体鹏城半导体技术（深圳）有限公司（简称：鹏城半导体），由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）|OLED中试设备（G1、G2.5）|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备（PECVD+磁控溅射）团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年 与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。

●该设备用于纳米级单层或多层膜、类金刚石薄膜、金属膜、导电膜、半导体膜和非导电膜等功能薄膜的制备，可实现共溅射，直流、射频兼容，特别适于科研院所和企业进行功能薄膜研发、教学和新产品开发，同时可在微米级粉末或颗粒上沉积薄膜进而达到表面改性的功能。是替代钟罩式磁控溅射的理想选择。●主体结构：全封闭框架结构，机柜和主机为一体式机构。●极限真空度：≤６.６３×10－5Pa，压升率优于国家标准。 ●真空配置：高速直联旋片泵一台，配置尾气处理装置，超高分子泵一台。●真空测量：两路电阻规，一路电离规；电阻规和电离规均采用防爆型金属封结真空规。●工件架系统：行星工件盘与公转工件盘可选，垂直溅射与共溅射兼容，可配置１个加热台，采用PID控制可烘烤加热到700℃。●磁控溅射系统：配置３个Φ50mm可折叠磁控靶（可扩展至4靶机构），向上溅射成膜；靶基距可调；靶内均通入冷却水冷却。●电源：2套直流电源；1套全固态射频电源；一套200W直流偏压电源。●充气系统：配置三路供气，二路分别配置质量流量控制器，线性±0.5 % F.S，重复精度±0.2% F.S，0-5V输出，在触摸屏上设置流量。●电气控制系统：采用功能化模块设计，匹配西门子人机界面+西门子控制单元，溅射时间可以设定并倒计时，能够根据工艺需求自动溅射。●特别说明：根据用户不同的工况和工艺要求，公司愿与客户联合研发，共享知识产权，公司致力于工艺与设备的完美匹配，该设备为公司与电子科技大学联合研发。

直流磁控溅射仪，本仪器主要适用于扫描电子显微镜样品镀膜导电膜(金膜),仪器操作简单方便,配合中小型扫描电子显微镜制样的仪器离子溅射仪的工作原理是在一个较低真空的腔体内，将超过几百伏特的电压加载在负电极和正电极之间，使得辉光放电产生，使得正离子在电场的作用下对靶电极(负极)的轰击加速，造成靶中原子溅射，使得一层簿膜在样品上形成。10电子伏特为溅射原子的平均能量，因此会有非常大的热量产生，为了使样品不被灼伤，需要对被镀材料特性以及是否需要采取特殊的防护方法格外注意。。直流磁控溅射仪技术参数；控制方式7寸人机界面 手动 自动模式切换控制溅射电源直流溅射电源镀膜功能0-999秒5段可变换功率及挡板位和样品速度程序功率≤1000W输出电压电流电压≤1000V 电流≤1A真空机械泵 ≤5Pa（5分钟） 分子泵≤5*10^-3Pa溅射真空≤30Pa挡板类型电控真空腔室石英+不锈钢腔体φ160mm x 170mm样品台可旋转φ62 （可安装φ50基底）样品台转速8转/分钟样品溅射源调节距离40-105mm真空测量皮拉尼真空计（已安装 测量范围10E5Pa 1E-1Pa）预留真空接口KF25抽气口 KF16放气口 6mm卡套进气口

磁控溅射技术GSC-1000磁控溅射系统概述：带有水冷或者加热(最高可加热到700度)功能，最大到6"旋转平台，最大可支持到2个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵，极限真空可达10-7 Torr，15分钟内可以达到10-6 Torr的真空。通过调整磁控管与基片之间的距离，可以获得想要的均匀度和沉积速度。GSC-1000带有10"派热克钟罩腔体，2个2"的磁控管，DC直流电源用于溅射金属，并带有膜厚监测仪(选配)。产品特点：不锈钢，铝质腔体或钟罩式耐热玻璃腔70l/s的涡轮分子泵，串接机械泵或干泵1KW DC直流电源晶振夹具具有的1 ?的厚度分辨率带观察视窗的腔门易于上下载片基于LabView软件的PC计算机控制带密码保护功能的多级访问控制完全的安全联锁功能选配项：Thickness Monitor 膜厚监测应 用：SEM应用溅射金属，最大到6"的晶圆片

精益达明跃迁1KW直流磁控溅射镀膜电源商品编号：G541A54AA9D4C7商品重量：7000.000 克(g)货　　号：G541A54AA9D4C7品　　牌：跃迁计量单位：台外形尺寸： 400*95*370（mm ）输入电压： 220V冷却方式： 风冷使用行业： 工业认证： ISO9001和CE认证输出方式： 恒压调节精度： ≤1%效率： ≥90%绝缘等级： A是否可定制： 可定制市场价： ￥4000.00销售价： ￥4000.00主要技术参数产品名称 精益达明跃迁1KW直流磁控溅射镀膜电源产品型号 WT2产品品牌 跃迁电源类型 全数控智能电源输入电压：AC220±10%V输出功率:1KW输出电流:DC 0~1A输出电压:工作电压-200~ -800V,空载电压 -1KV输出波形: 单极直流输出方式：自定义恒压、恒流、恒功率调节精度：≤1%效率：≥90%功率因数：cosΦ≥0.9控制方式: 电源面板按键控制 模拟信号控制：TTL电平，可以控制工作停止，输出电压或输出电流或输出功率，外部开路保护（一般用于水流保护） 数字接口控制：485通讯。也可以定制232接口显示方式: 中英文液晶显示显示内容：工作状态，输出电压，输出电流，设定值输出保护：输出过压，输出过流，输出失调输入保护：输入过压，输入欠压，输入过流，缺相安全保护：接地保护，漏电保护，外控保护,防雷保护，过热绝缘等级：B级防护等级：IP20保护响应时间：1uS 输入/输出对外壳电阻：≥20MΩ 输入对外壳耐压：2000V/1min 输入对输出耐压：3500V/1min使用环境 温度：0～35℃ 湿度：≤80%冷却方式：风冷外形尺寸：400*95*370（mm ）特点 :体积小，重量轻，效率高，结构简单，操作简单，功能强大，稳定可靠独有的完善保护，使电源能够工作于各种复杂的环境，中英文提示功能，使问题清晰准确能够镀绝缘膜层，不产生电弧，负载适应范围宽备注：出厂默认为模拟接口和485数字接口故障提示智能故障检测分析,上限点故障报警，有参数设置出错,人为操作出错,电源内部因素的多级号报错序列。

SD-650MH高真空磁控溅射镀膜机博远微纳VPI镀膜设备优点：体积小，抽真空时间快，可做靶材种类多。特点：1、高真空磁控溅射仪要求稳定，安全可靠，操作简单便捷。适用于大专、科研院所的薄膜材料研究、制备。2、 高真空磁控溅射镀膜仪主要由溅射真空室、磁控溅射靶、旋转样品台、工作气路、抽气系统、真空测量及电控系统等部分组成。3、★高真空磁控溅射仪长610mm×宽420mm×高220mm（注：含腔体总高490mm） 可放于桌面，小巧不占空间。抽真空速度快，10分钟可进入工作状态。真空腔体采用直径260mm×高270mm的金属真空腔体，真空腔体上有多个备用标准接口，方便老师想进行其他实验研究接入设备，后期可直接配备射频溅射系统，方便老师后续想镀半导体等材料。4、前级机械泵抽速为 4L/s，带防返油电磁阀及油污过滤器 ，后级抗冲击涡轮分子泵采用抽速为300L/s。真空测量采用复合真空计监测真空，极限真空度: 5×10-5Pa。 5、★直流恒流电源输入电压为220V，输出电压为0-600v，输出电流为0-1.6A ，沉积速率为0-200nm/min。电控带锁系统，防止无关人士误操作。溅射定时保护装置，防止溅射时间过长引起的样品损坏。溅射磁控头直径为50mm。配备一块厚度不小于0.2mm厚的金靶，方便产品到货直接使用。基体温度较低，在不耐温材料上可以完成镀膜。6、 样品台采用旋转式样品台。直径尺寸可选，最大不能超过φ150mm。7、采用自循环冷却水机冷却靶头，保证靶头寿命。8、 真空腔室采用金属腔体，具备良好气密性，防止漏气，确保高真空度。尺寸直径260mm×高270mm（外尺寸 ），容积≥9300ml。适用更多样品。9、 样品台直径200mm，支持水平旋转、20度倾斜球形旋转。可放置≥12个标准SEM样品座。适用更多形状的样品，保证镀膜的均匀性。10、 溅射管头为双靶，配水冷。可支持磁控溅射、离子溅射，可溅射强磁性材料。11、 标配铜靶、铬靶各一块。直径50mm×3mm。其它可溅射靶材包括铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等12、 靶材均匀度直径50mm内，金属类膜厚均匀度可达±1%13、 可配直流恒流电源、射频电源（含匹配一体机）输入电压：220V输出电压：0-600v可调输出电流：0-1.6A可调14、 配置VPI液晶控制面板，可智能控制系统操作。操作简单，人机界面良好。15、 极限真空度5×10-5Pa，真空抽速300L/s。16、 标配自循环冷却水机一台。17、 气路可以通过电磁流量阀与手动阀联动控制。实现自动补气。18、可放置于桌面，减少占地空间。19、膜厚仪监控范围0～6000纳米。可监控速率0.001纳米/秒。与触摸屏程序操作相结合，可联动控制，监测膜厚。 原理： 溅射镀膜的原理是稀薄气体在异常辉光放电产生的等离子体在电场的作用下，对阴极靶材表面进行轰击，把靶材表面的分子、原子、离子及电子等溅射出来，被溅射出来的粒子带有一定的动能，沿一定的方向射向基体表面，在基体表面形成镀层。溅射时产生的快电子在正交的电磁场中作近似摆线运动，增加了电子行程，提高了气体的离化率，同时高能量粒子与气体碰撞后失去能量，基体温度较低，在不耐温材料上可以完成镀膜。SD-650MH高真空磁控溅射镀膜机博远微纳VPI镀膜设备指标品牌：北京博远微纳科技有限公司 型号：SD-650MH 仪器主机尺寸:长610mm×宽420mm×高220mm（注：含腔体总高490mm） 工作腔室尺寸：金属腔体：直径260mm×高270mm（外尺寸 ） 直径210mm×高270mm（内尺寸） 靶材尺寸： 直径50mm×厚3mm（因靶材材质不同厚度有所不同） 靶材料：标配一块直径50mm×0.3mm的铜靶（可溅射弱磁性金属膜） 靶枪冷却方式：水冷 真空系统： 抗冲击涡轮分子泵，抽速为 300L/s 前级机械泵： 抽速为 4L/s，带防返油电磁阀及油污过滤器 真空测量：采用复合真空计监测真空 极限真空度: 5×10-5Pa（10分钟可到5×10-4Pa） 电源：直流恒流电源： 输入电压：220V 输出电压：0-600v可调 输出电流（沉积电流）：0-1.6A可调 载样台： 旋转台等 工作气体： Ar等惰性气体） 气路：气路可以通过电磁流量阀与手动阀联动控制。实现自动补气。 沉积速率： 0-200nm 水冷： 自循环冷却水机 电源电压： 220V 50Hz 启动功率 ： 3KW 保修 ： 贰年 用途特点： 高真空磁控溅射镀膜仪主要由溅射真空室、磁控溅射靶、样品台、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。高真空溅射可用于金属等新型薄膜材料的制备，且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点，可广泛用于大专、科研院所的薄膜材料研究、制备。

仪器特点：腔体材料：不锈钢，铝，或者Bell Jar；分子泵：70，250，500 l/sec； 一级泵：机械泵或干泵；13.5MHz, 300-600W射频电源；1KW直流电源；QCM在线厚度测量，厚度分辨率0.1nm；带有观察窗的门，方便样品取放；Labview软件，PC控制；多重密码保护；全安全互锁设计； 选配功能：向上，向下，侧向溅射；射频，直流、脉冲直流溅射；共溅射，反应溅射；组合溅射；射频、直流偏置(1000V)；基底加热：不高于700摄氏度；厚度监控；基底射频等离子清洗；Load-Lock，以及自动样品取放； 不同型号选择：NSC系列，立式磁控溅射系统；NSC系列，立式紧凑磁控溅射系统；NSC系列，台式磁控溅射系统；双腔体系统，NSR系列，磁控溅射+反应离子刻蚀(RIE)；双腔体系统，NSP系列，磁控溅射+PECVD；双腔体系统，NST系列，磁控溅射+热蒸发；

VTC-5RF是一款5靶头的等离子射频磁控溅射仪，针对于高通量MGI（材料基因组计划）薄膜的研究。特别适合用于探索固态电解质材料，通过5种元素，按16种不同配比组合。 技术参数概念5个溅射头安装5种不同材料通过不同的溅射时间，5种材料可以溅射出不同组分的产物，选择5个等离子射频电源，可在同一时间溅射5种材料真空腔体中安装有旋转样品台，可以制作16个样品电源单相220 VAC, 50 / 60 Hz射频电源一个13.5MHz,300W自动匹配的射频电源安装在仪器上，并与靶头相连接一个旋转开关可一次激活一个溅射头。溅射头可以在真空或等离子体环境中自动切换可选购多个射频电源，同一时间溅射多个靶材。所有的溅射参数，都可由电脑设置直流电源（可选）可选购直流电源，来溅射金属靶材可配置5个直流或射频电源，来同时溅射5中靶材磁控溅射头 5个1英寸的磁控溅射头，带有水冷夹层可在本公司额外购买射频线电动挡板安装在溅射腔体内设备中配有一循环水冷机，水流量为10L/min (1) (2) (3) (4)溅射靶材所要求靶材尺寸：直径为25.4mm,最大厚度3mm溅射距离: 50 – 80 mm（可调）溅射角度: 0 – 25°（可调）配有铜靶和 Al2O3 靶，用于样品测试用可在本公司购买各种靶材实验时，需要将靶材和铜片粘合，可通过导电银浆粘合（可在本公司购买导电银浆）真空腔体 真空腔体采用304不锈钢制作腔体内部尺寸: 470mm L×445mm D×522mm H (~ 105 L)铰链式腔门，直径为Φ380mm,上面安装有Φ150mm的玻璃窗口真空度: 4E-5 torr （采用分子泵）样品台直径为150mm的样品台，上面覆盖一旋转台，带有10mm的孔洞，每次露出一个样品接收溅射成膜。样品台尺寸：Φ150mm,可通过程序控制来旋转，可制作16种不同组分的薄膜样品台可以加热，最高温度可达600℃真空泵设备中配有一小型涡旋分子泵真空泵接口为KF40石英振荡测厚仪（可选）可选购精密石英振荡测厚仪，安装在真空腔体内，实时测量薄膜的厚度，精确度为0.1 ?（需水冷）净重60kg质量认证CE认证质保一年质保期，终生维护应用注意事项此款设备设置主要是在单晶基片上制作氧化物薄膜，所以不需要高真空的环境所用气瓶上必须安装减压阀（可在本公司购买），所用Ar气纯度为5N为了得到较好质量的薄膜，可以对基片进行清洗用超声波清洗机，用丙酮或乙醇作为清洗介质，清除基片表面的油脂，然后在N2气或真空环境下对基片干燥等离子清洗机，可使基片表面粗糙化，改变基片表面化学活性，清除表面污染物可在基片表面镀上缓冲层，如Cr, Ti, Mo, Ta,，可改善金属或合金膜的粘附性溅射一些非导电靶材，其靶材背后必须附上铜垫片本公司实验室成功地在Al2O3基片上成功生长出ZnO外延膜因为溅射头连接着高电压，所以用户在放入样品或更换靶材时，必须切断电源不可用自来水作为冷却水，以防水垢堵塞水管。应该用等离子水，或专用冷却介质

VTC-600G高真空磁控溅射仪是新自主研制开发的镀膜设备，可用于制备单层或多层铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。VTC-600G高真空磁控溅射仪可选配多个靶枪，配套射频电源用于非导电靶材的溅射镀膜，配套直流电源用于导电性材料的溅射镀膜。与同类设备相比，其不仅应用广泛，且具有体积小便于操作的优点，是一款实验室制备材料薄膜的理想设备，特别适用于实验室研究固态电解质及OLED等。可选配多个靶枪，配套射频电源用于非导电靶材的溅射镀膜，配套直流电源用于导电性材料的溅射镀膜（靶枪可以根据客户需要任意调换）。可制备多种薄膜，应用广泛。体积小，操作简便。整机模块化设计，真空腔室、真空泵组、控制电源分体式设计，可根据用户实际需要调整。可根据用户实际需要选择电源，可以一个电源控制多个靶枪，也可多个电源单一控制靶枪。产品名称VTC-600G高真空磁控溅射仪产品型号VTC-600G主要参数1、结构：台式前开门结构，后置抽气系统。 2、极限真空：6.0X10-5Pa。 3、漏率：1h≤0.5Pa。 4、抽气时间大气至5.0X10-3约20分钟。 5、真空泵组：机械泵+分子泵。 6、样品台:φ140、室温-500℃、精度±1℃ （可根据实际需要提升温度） 自转5rpm-20rpm内可调。 可根据客户需求选配加装偏压功能， 以实现更高质量的镀膜。7、加气系统：质量流量计2路。 （氩气/氮气各一路） 8、靶头与样品台中轴线夹角为34° 9、靶头数量：3个（互成120°）。10、 靶枪冷却方式：水冷 11、靶材尺寸：φ2″，厚度0.1-5mm （因靶材材质不同厚度有所不同）12、产品规格：尺寸：整机尺寸：700mm×852mm×1529mm；序号名称数量图片链接1样品台挡板（可选）

磁控溅射技术NSC-1000磁控溅射系统概述：带有水冷或者加热(最高可加热到700度)功能，最大到6"旋转平台，最大可支持到2个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵，极限真空可达10-7 Torr，15分钟内可以达到10-6 Torr的真空。通过调整磁控管与基片之间的距离，可以获得想要的均匀度和沉积速度。NSC-1000带有10”派热克钟罩腔体，2个2”的磁控管，DC直流电源用于溅射金属，并带有膜厚监测仪(选配)。由于NSC-1000的空间有限，我们不能在NSC-1000系统上提供更多的电源和磁控管。我们可以提供我们的NSC-1000系统，用于SEM应用，也可以用于溅射金属到最大6”的晶圆片。NSC-1000磁控溅射系统产品特点：不锈钢，铝质腔体或钟罩式耐热玻璃腔70l/s的涡轮分子泵，串接机械泵或干泵1KW DC直流电源晶振夹具具有的1 ?的厚度分辨率带观察视窗的腔门易于上下载片基于LabView软件的PC计算机控制带密码保护功能的多级访问控制完全的安全联锁功能NSC-1000磁控溅射系统选配项：Thickness Monitor 膜厚监测NSC-1000磁控溅射系统应用：SEM应用溅射金属，最大到6"的晶圆片

一、产品应用： JS-600M小型磁控溅射仪采用二极（DC）直流溅射原理设计，带磁控靶头，有水冷功能。设备操作简单方便，适用于扫描电子显微镜（SEM）样品制备,非导体材料实验电极的制作。 磁控溅射为冷溅射，对样品表面的升温较低，适用对温度较敏感的薄膜样品。用户可以根据自己的需要自行选择不同的真空条件，溅射电流。大尺寸的真空腔体设计，满足大样品的溅射需求。标配一片金靶，纯度为99.999%，为获得高质量的金膜提供了良好的基础。二、配置及技术指标：1.水冷却磁控靶，靶面直径为50mm；冷却水接口：6*4mm快速插头。2.主机规格：L360mm*W300mm*H380mm3.靶（上部电极）：金：直径：50mm，厚度：0.1mm4.真空样品室：直径：160mm，高：110mm5.溅射面积：Ф50mm 6.工作真空：2×10-1—6×10-2 mbar7.离子电流表：0-100mA8.定时器：根据溅射习惯设定单次溅射时间。9.针阀： 配有进气口，微量充气调节，可连接φ4*2.5mm软管。10.工作室工作媒介气体：空气或氩气等多种气体11.溅射电压：-1600 DCV12. 飞跃真空泵（VRD-4）：1.1L/S三、 产品特点1. 轻便、溅射面积大2. 可以溅射铂、金及银等金属3. 溅射效率高，可水冷降温 备注：JS-600M小型磁控溅射仪可适用的靶材：金、铂、银

磁控溅射技术NSC-3000（A）全自动磁控溅射系统概述：带有水冷或者加热(最高可加热到700度)功能，最大到6"旋转平台，最大可支持到3个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵，极限真空可达10-7 Torr，15分钟内可以达到10-6 Torr的真空。通过调整磁控管与基片之间的距离，可以获得想要的均匀度和沉积速度。NSC-3000（A）带有14”立方形铝质腔体，3个2”的磁控管，DC直流和RF射频电源。 在选配方面，我们提供不锈钢腔体，260 l/s涡轮分子泵，额外的磁控管和衬底加热功能。NSC-3000（A）全自动磁控溅射系统产品特点：不锈钢，铝质腔体或钟罩式耐热玻璃70或250l/s的涡轮分子泵，串接机械泵或干泵13.56MHz，300-600W RF射频电源以及1KW DC直流电源晶振夹具具有的1 ?的厚度分辨率带观察视窗的腔门易于上下载片基于LabView软件的PC计算机控制带密码保护功能的多级访问控制完全的安全联锁功能预真空锁以及自动晶圆片上/下载片NSC-3000（A）全自动磁控溅射系统选配项：不锈钢腔体RF、DC溅射RF或DC偏压（1000V）样品台可加热到700°C膜厚监测仪基片的RF射频等离子清洗NSC-3000（A）全自动磁控溅射系统应用：晶圆片、陶瓷片、玻璃白片以及磁头等的金属以及介质涂覆光学以及ITO涂覆带高温样品台和脉冲DC电源的硬涂覆带RF射频等离子放电的反应溅射

磁控溅射技术NSC-4000（A）全自动磁控溅射系统概述：带有水冷或者加热(最高可加热到700度)功能，最大到6"旋转平台，最大可支持到4个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵，极限真空可达10-7 Torr，15分钟内可以达到10-6 Torr的真空。通过调整磁控管与基片之间的距离，可以获得想要的均匀度和沉积速度。NSC-4000（A）带有14”立方形不锈钢腔体，4个2”的磁控管，DC直流和RF射频电源。 在选配方面，350 l/s涡轮分子泵，额外的磁控管和衬底加热功能。NSC-4000（A）全自动磁控溅射系统产品特点：不锈钢腔体260l/s或350l/s的涡轮分子泵，串接机械泵或干泵13.56MHz，300-600W RF射频电源以及1KW DC直流电源晶振夹具具有的1 ?的厚度分辨率带观察视窗的腔门易于上下载片基于LabView软件的PC计算机控制带密码保护功能的多级访问控制完全的安全联锁功能预真空锁以及自动晶圆片上/下载片NSC-4000（A）全自动磁控溅射系统选配项：RF、DC溅射热蒸镀能力RF或DC偏压（1000V）样品台可加热到700°C膜厚监测仪基片的RF射频等离子清洗NSC-4000（A）全自动磁控溅射系统应用：晶圆片、陶瓷片、玻璃白片以及磁头等的金属以及介质涂覆光学以及ITO涂覆带高温样品台和脉冲DC电源的硬涂覆带RF射频等离子放电的反应溅射

磁控溅射技术NSC-3000（M）磁控溅射系统概述：带有水冷或者加热(最高可加热到700度)功能，最大到6"旋转平台，最大可支持到3个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵，极限真空可达10-7 Torr，15分钟内可以达到10-6 Torr的真空。通过调整磁控管与基片之间的距离，可以获得想要的均匀度和沉积速度。NSC-3000带有12”派热克钟罩腔体，2个2”的磁控管，DC直流和RF射频电源。 在选配方面，我们提供不锈钢腔体，260 l/s涡轮分子泵，额外的磁控管和衬底加热功能。NSC-3000（M）磁控溅射系统产品特点：不锈钢，铝质腔体或钟罩式耐热玻璃70，250或500 l/s的涡轮分子泵，串接机械泵或干泵13.56MHz，300-600W RF射频电源以及1KW DC直流电源晶振夹具具有的1 ?的厚度分辨率带观察视窗的腔门易于上下载片基于LabView软件的PC计算机控制带密码保护功能的多级访问控制完全的安全联锁功能NSC-3000（M）磁控溅射系统选配项：不锈钢腔体RF、DC溅射RF或DC偏压（1000V）样品台可加热到700°C膜厚监测仪基片的RF射频等离子清洗预真空锁以及自动晶圆片上/下载片NSC-3000（M）磁控溅射系统应用：晶圆片、陶瓷片、玻璃白片以及磁头等的金属以及介质涂覆光学以及ITO涂覆带高温样品台和脉冲DC电源的硬涂覆带RF射频等离子放电的反应溅射

磁控溅射镀膜机 - 紧凑，适合科研，极高性价比！型号：AP-MMS1产地：韩国原装进口 仪器特点：1/ 沉积材料：金属、氧化物等；2/ 膜厚均匀性：≤ ± 5 % (4英寸基底)；3/ 沉积方式：直流磁控溅射，射频磁控溅射；4/ 极限真空：5.0 x 10 -6 Torr； 技术规格：1/ 最大样品尺寸：6英寸；2/ 基底旋转：0~10rpm；3/ 不锈钢腔体，ID250 x H300 mm；4/ 真空泵：机械泵，150L/Min；5/ 靶枪：2英寸直径 (选配：3英寸)；6/ 直流电源：2KW(800V - 2.5A)；7/ 气体传输模块：MFC控制，氩气，100sccm；

产品简介：磁控溅射卷绕镀膜机是磁控溅射多用途卷绕镀膜设备，适用于在 PET 和无纺布上镀制金属膜（铜，铝等）功能性薄膜，设备采用先进的磁控溅射镀膜技术，配备直流、射频磁控溅射系统，适合镀制软磁合金膜、金属膜、导电膜、合金膜、介质膜等。技术参数卷膜条件镀膜材料：PET 和无纺布适用制膜：软磁合金膜、金属膜、导电膜、合金膜、介质膜等。基材厚度：125～300μm有效镀膜宽幅：≤800 mm最大卷绕直径：Φ400 mm卷绕芯轴内径：4 寸基材卷绕速度：1～2 m/min基材卷绕张力：30 ～ 200 N张力系统：交流伺服溅镀方式：单面真空条件极限真空（空载、洁净）：8×10-4Pa恢复真空时间（空载、清洁）：105Pa ～ 5×10-3Pa≤60 min系统真空漏率：1.0×10-10 Pa.m3/s磁控溅射阴极数量：3 个膜均匀性偏差：≤±10%

磁控溅射技术NSC-4000（M）磁控溅射系统概述： NANO-MASTER杰出的溅射系统可构建成多腔体和多蒸发源的配置，在介质上溅射金属和介质材料，最大可支持200mm的衬底。系统可以配置DC直流、RF射频和Pulse DC脉冲直流等电源来进行序列溅射或共溅射。 系统使用涡轮分子泵组，工艺腔极限真空可达5 x 10-7Torr。可以通过调节靶基距，实现所需要的均匀度和沉积速率的调节。旋转样品台可提供薄膜最优的均匀性。 自动膜厚监控仪可提供以目标膜厚为工艺终点条件的全自动工艺控制，达到目标膜厚时系统将自动停止工艺。样品台最高可加热到800度，并可提供射频偏压。NSC-4000（M）磁控溅射系统产品特点：电抛光14"立方体或21"x21"x22"不锈钢优化蒸镀腔体680 l/sec 涡轮分子泵，串接机械泵或干泵4x 15CC pocket电子枪电子束源和基片遮板 6KW开关电源，杰出的消弧性能自动Pocket索引以及可编程的扫描控制器膜厚监测，可设置目标膜厚作为工艺终点条件旋转样品台，提供高均匀性带观察视窗的腔门，便于放片/取片PC全自动控制，具有高度的可重复性Labview软件的计算机全自动工艺控制控多级密码保护的授权访问设计EMO保护以及完全的安全联锁NSC-4000（M）磁控溅射系统选配项：基板支持加热(最高可达800°C)或冷却支持旋转GLAD斜角入射沉积腔体尺寸可定制1.5-5KW脉冲之流电源用于ITO/ZnO等类似材料倾斜磁控枪射频偏压样品台离子源用于基片预清洗离子辅助溅射增加RF电源和DC电源用于共溅射增加热蒸发源和电子束蒸发源增加MFC用于反应溅射自动上下片其它包含冷泵等的各种真空泵选配NSC-4000（M）磁控溅射系统应用：晶圆片、陶瓷片、玻璃白片以及磁头等的金属以及介质涂覆光学涂覆和ITO涂覆保护涂层带高温样品台和脉冲DC电源的硬涂层微电子图案OLED应用中的TCO透明导电薄膜** 硬涂层

SD-900M 型离子溅射仪外观亮丽做工精致。可用于不耐高温的样品，对不耐温的样品起到保护作用。不至于产生形变等（如：薄膜类样品，树脂类等等） 磁控溅射是物理气相沉积的一种。 一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多材料，且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点， 磁控溅射法更是实现了高速、低温、低损伤。因为是在低气压下进行高速溅射，必须有效地提高气体的离化率。磁控溅射通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率。 经工程师测试3分钟内的工作温度约为60度。可升级为手套箱专用手套箱版图需要镀膜的样品1、电子束敏感的样品:主要包括生物样品，塑料样品等。SEM中的电子束具有较高能量，在与样品的相互作用过程中，它以热的形式将部分能量传递给样品。如果样品是对电子束敏感的材料，那这种相互作用会破坏部分甚至整个样品结构。这种情况下，用一种非电子束敏感材料制备的表面镀层就可以起到保护层的作用，防止此类损伤；2、非导电的样品:由于样品不导电，其表 面带有“电子陷阱”， 这种表面上的电子积累 被称为“充电”。为了 消除荷电效应，可在样 品表面镀一层金属导电 层，镀层作为一个导电 通道，将充电电子从材 料表面转移走，消除荷 电效应。在扫描电镜成 像时，溅射材料增加信 噪比，从而获得更好的成像质量。3、新材料:非导电材料和半导体材料原理： 在磁控溅射中，由于运动电子在磁场中受到洛仑兹力，它们的运动轨迹会发生弯曲甚至产生螺旋运动，其运动路径变长，因而增加了与工作气体分子碰撞的次数，使等离子体密度增大，从而磁控溅射速率得到很大的提高，而且可以在较低的溅射电压和气压下工作，降低薄膜污染的倾向；另一方面也提高了入射到衬底表面的原子的能量，因而可以在很大程度上改善薄膜的质量。同时，经过多次碰撞而丧失能量的电子到达阳极时，已变成低能电子，从而不会使基片过热。参数：主机规格：300mm×360mm×380mm（W×D×H）靶（上部电极）：金：50mm×0.1mm（D×H）靶材：Au（标配）也可根据实际情况配备银靶、铂靶等样品室：硼硅酸盐玻璃160mm×120mm（D×H）样品台：可安装直径50mm和直径70mm的样品台，也可根据自身要求定制样品台靶材尺寸：Ф50mm 真空指示表： 最高真空度：≤ 4X10-2 mbar离子电流表： 最大电流：100mA定时器：数码 最长时间：0-999S微型真空气阀：可连接φ3mm软管可通入气体： 多种最高电压： -1600 DCV机械泵：标准配置2L/S（国产VRD-8）输入电压：220V(可做110V),50HZ溅射速录：40nm/min特点：1、经济、可靠、外观精美。2、成膜速率高。3、基片温度低。4、膜的粘附性好。5、可实现大面积镀膜。6、可调节溅射电流和真空室压强以控制镀膜的速率和颗粒的大小。7、SETPLASMA手动启动按钮可预先设置好压强和溅射电流避免对膜造成不必要的损伤。8、真空保护可避免真空过低造成设备短路。

高纯度金靶材磁控溅射仪在不同的蒸发速率下沉积300nm的Au薄膜,研究蒸发速率对薄膜表面形貌和性能的影响。随着蒸发速率的提高,薄膜的结构变得致密,晶粒尺寸和表面粗糙度减小。金薄膜方阻随着蒸发速率提高无明显变化,而方阻均匀性变差,但在可接受的范围内。但蒸发速率过高会引起金属大颗粒增多。因此,选用适合的蒸发速率对Au膜质量有很大影响。高纯度金靶材应用领域：离子溅射仪在扫描电镜中应用十分广泛，通过向样品表面喷镀金、铂、钯及混合靶材等金属消除不导电样品的荷电现象，并提高观测效率，另外可以使用喷碳附件对样品进行蒸碳，实现不导电样品的能谱仪元素定性和半定量分析。高纯度金靶材磁控溅射仪KT-Z1650PVD厂家供应技术参数；控制方式7寸人机界面 手动 自动模式切换控制溅射电源直流溅射电源镀膜功能0-999秒5段可变换功率及挡板位和样品速度程序功率≤1000W输出电压电流电压≤1000V 电流≤1A真空机械泵 ≤5Pa（5分钟） 分子泵≤5*10^-3Pa溅射真空≤30Pa挡板类型电控真空腔室石英+不锈钢腔体φ160mm x 170mm样品台可旋转φ62 （可安装φ50基底）样品台转速8转/分钟样品溅射源调节距离40-105mm真空测量皮拉尼真空计（已安装 测量范围10E5Pa 1E-1Pa）预留真空接口KF25抽气口 KF16放气口 6mm卡套进气口

GVC-2000手套箱专用磁控溅射仪（手套箱专用离子溅射仪）自动化程序控制，一键式操作，让镀膜更加高效。该设备采用触摸控制，外置泵组设计，采用平面磁控溅射靶设计，从而使试样在热效应最小的条件下得到最有效的溅射效果，常用于锂电池电极防氧化研究中。一、手套箱专用离子溅射仪技术参数1、输入电压：AC220V±10%，50Hz2、工作电压：DC2400V3、最大功率（主机与机械泵）：500W4、工作原理：磁控溅射5、工作环境：温度 5～40℃，湿度60%6、存储环境：温度-10~60℃，湿度80%7、真空泵：两级直联旋片式真空泵 1L/s8、整机尺寸（长×宽×高）：424×271×255（mm）9、重量（主机）：11 kg10、真空腔：φ128×130mm11、样品杯：φ90×1 / φ25×4 / φ15×612、工作气体：Air / Ar13、保护功能：过流、真空双保护14、可选靶材：金、铂、银、铜、铝、铅等常用金属二、手套箱专用离子溅射仪主要特点1、可用于纯氩、纯氮环境，使样品免受氧气、水蒸气或其他污染。2、助力新型电池研究3、提供全套解决方案及交钥匙服务。

VTC-600-2HD双靶磁控溅射仪是我公司自主新研制开发的一款高真空镀膜设备，可用于制备单层或多层铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。VTC-600-2HD双靶磁控溅射仪配备有两个靶枪和两个电源，一个射频电源用于非导电材料的溅射镀膜，一个直流电源用于导电材料的溅射镀膜，可选配强磁靶用于铁磁性材料的溅射镀膜。与同类设备相比，且具有体积小便于操作的优点，且可使用的材料范围广，是一款实验室制备各类材料薄膜的理想设备。1、配置两个靶枪，一个配套射频电源用于非导电靶材的溅射镀膜，一个配套直流电源用于导电性材料的溅射镀膜。2、可制备多种薄膜，应用广泛。3、体积小，操作简便。产品名称VTC-600-2HD双靶磁控溅射仪产品型号VTC-600-2HD安装条件本设备要求在海拔1000m以下，温度25℃±15℃，湿度55%Rh±10%Rh下使用。1、水：设备配有自循环冷却水机（加注纯净水或者去离子水）2、电：AC220V 50Hz，必须有良好接地3、气：设备腔室内需充注氩气（纯度99.99%以上），需自备氩气气瓶（自带Ø 6mm双卡套接头）及减压阀4、工作台：尺寸1500mm×600mm×700mm，承重200kg以上5、通风装置：需要主要参数1、电源电压：220V 50Hz2、功率：900W3、腔体内径：Ø 300mm4、极限真空度：9.0×10-4Pa5、样品台加热温度：RT-500℃，精度±1℃（可根据实际需要提升温度）6、靶枪数量：2个（可选配其他数量）7、靶枪冷却方式：水冷8、靶材尺寸：Ø 2″，厚度0.1-5mm（因靶材材质不同厚度有所不同）9、直流溅射功率：500W；射频溅射功率：300W。（靶电源种类可选，可选择两个直流电源，也可选择两个射频电源，或选则一个直流一个射频电源）10、载样台：Ø 140mm，可根据客户需求选配加装偏压功能，以实现更高质量的镀膜。11、载样台转速：1rpm-20rpm内可调12、工作气体：Ar等惰性气体13、进气气路：质量流量计控制2路进气，一路为100SCCM，另一路为200SCCM。产品规格1、主机尺寸：500mm×560mm×660mm2、整机尺寸：1300mm×660mm×1200mm3、真空室规格：φ300×300mm4、重量：160kg标准配件1直流电源控制系统1套2射频电源控制系统1套3膜厚监测仪系统1套4分子泵（德国进口或者国产更大抽速）1台5冷水机1台6聚酯PU管（Ø 6mm）4m可选配件金、铟、银、铂等各种靶材可选配强磁靶用于铁磁性材料的溅射镀膜

高真空磁控溅射仪（ 高真空磁控溅射镀膜机）是用磁控溅射的方法，制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等；适用于镀制各种单层膜、多层膜、掺杂膜系及合金膜；可镀制磁性材料和非磁性材料。设备关键技术特点秉承设备为工艺实现提供实现手段的理念，我们做了如下设计和工程实现，实际运行效果良好，为用户的专用工艺实现提供了精*准的工艺设备方案。靶材背面和溅射靶表面的结合处理-靶材和靶面直接做到面接触是很难的，如果做不到面接触，接触电阻将增大，导致离化电场的幅值不够（接触电阻增大，接触面的电场分压增大），导致镀膜效果不好；电阻增大导致靶材发热升温，降低镀膜质量。-靶材和靶面接触不良，导致水冷效果不好，降低镀膜质量。-增加一层特殊导电导热的软薄的物质，保证面接触。距离可调整基片和靶材之间的距离可调整，以适应不同靶材的成膜工艺的距离要求。 角度可调磁控溅射靶头可调角度，以便针对不同尺寸基片的均匀性，做精*准调控。 集成一体化柜式结构一体化柜式结构优点：安全性好（操作者不会触碰到高压部件和旋转部件）占地面积小，尺寸约为：长1100mm×宽780mm（标准办公室门是800mm宽）（传统设备大约为2200mm×1000mm），相同面积的工作场地，可以放两台设备。控制系统采用计算机＋PLC两级控制系统安全性-电力系统的检测与保护-设置真空检测与报警保护功能-温度检测与报警保护-冷却循环水系统的压力检测和流量-检测与报警保护匀气技术工艺气体采用匀气技术，气场更均匀，镀膜更均匀。基片加热技术采用铠装加热丝，由于通电加热的金属丝不暴露在真空室内，所以高温加热过程中不释放杂质物质，保证薄膜的纯净度。铠装加热丝放入均温器里，保证温常的均匀，然后再对基片加热。真空度更高、抽速更快真空室内外，全部电化学抛光，完全去除表面微观毛刺丛林（在显微镜下可见），没有微观藏污纳垢的地方，腔体内表面积减少一倍以上，镀膜更纯净，真空度更高，抽速更快。高真空磁控溅射仪（磁控溅射镀膜机）设备详情设备结构及性能1、单镀膜室、双镀膜室、单镀膜室＋进样室、镀膜室+手套箱2、磁控溅射靶数量及类型：1 ～ 6 靶，圆形平面靶、矩形靶3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装4、磁控溅射靶：射频、中频、直流脉冲、直流兼容5、基片可旋转、可加热6、通入反应气体，可进行反应溅射镀膜7、操作方式：手动、半自动、全自动工作条件类型 参数 备注 供电 ～ 380V 三相五线制 功率 根据设备规模配置 冷却水循环根据设备规模配置 水压 1.5 ～ 2.5×10^5Pa 制冷量 根据扇热量配置 水温 18～25℃ 气动部件供气压力 0.5～0.7MPa 质量流量控制器供气压力 0.05～0.2MPa 工作环境温度 10℃～40℃ 工作湿度 ≤50%设备主要技术指标-基片托架：根据供件大小配置。-基片加热器温度：根据用户供应要求配置，温度可用电脑编程控制，可控可调。-基片架公转速度 ：2 ～100 转 / 分钟，可控可调；基片自转速度：2 ～20 转 / 分钟。-基片架可加热、可旋转、可升降。-靶面到基片距离： 30 ～ 140mm 可调。 -Φ2 ～Φ3 英寸平面圆形靶 2 ～ 3 支，配气动靶控板，靶可摆头调角度。-镀膜室的极限真空：6X10-5Pa，恢复工作背景真空 7X10-4Pa ，30 分钟左右（新设备充干燥氮气）。-设备总体漏放率：关机 12 小时真空度≤10Pa。

VTC-600-2HD双靶磁控溅射仪是我公司自主新研制开发的一款高真空镀膜设备，可用于制备单层或多层铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。VTC-600-2HD双靶磁控溅射仪配备有两个靶枪，一个弱磁靶用于非导电材料的溅射镀膜，一个强磁靶用于铁磁性材料的溅射镀膜。与同类设备相比，且具有体积小便于操作的优点，且可使用的材料范围广，是一款实验室制备各类材料薄膜的理想设备。1、配置两个靶枪，一个配套射频电源用于非导电靶材的溅射镀膜，一个配套直流电源用于导电性材料的溅射镀膜。2、可制备多种薄膜，应用广泛。3、体积小，操作简便。产品名称VTC-600-2HD双靶磁控溅射仪产品型号VTC-600-2HD安装条件本设备要求在海拔1000m以下，温度25℃±15℃，湿度55%Rh±10%Rh下使用。1、水：设备配有自循环冷却水机（加注纯净水或者去离子水）2、电：AC220V 50Hz，必须有良好接地3、气：设备腔室内需充注氩气（纯度99.99%以上），需自备氩气气瓶（自带?6mm双卡套接头）及减压阀4、工作台：尺寸1500mm×600mm×700mm，承重200kg以上5、通风装置：需要主要参数1、电源电压：220V 50Hz2、功率：2KW（不含真空泵）3、极限真空度：9.0×10-4Pa4、样品台加热温度：RT-500℃，精度±1℃（可根据实际需要提升温度）5、靶枪数量：2个（可选配其他数量）6、靶枪冷却方式：水冷7、靶材尺寸：?2″，厚度0.1-5mm（因靶材材质不同厚度有所不同）8、直流溅射功率：500W；射频溅射功率：300W。（靶电源种类可选，可选择两个直流电源，也可选择两个射频电源，或选则一个直流一个射频电源）9、载样台：?140mm，可根据客户需求选配加装偏压功能，以实现更高质量的镀膜。10、载样台转速：1rpm-20rpm内可调11、工作气体：Ar等惰性气体12、进气气路：质量流量计控制2路进气，一路为100SCCM，另一路为200SCCM。产品规格1、主机尺寸：500mm×560mm×660mm2、整机尺寸：1300mm×660mm×1200mm3、真空室规格：φ300×300mm4、重量：160kg标准配件1直流电源控制系统1套2射频电源控制系统1套3膜厚监测仪系统1套4分子泵（德国进口）1台5冷水机1台6冷却水管（?6mm）4根可选配件金、铟、银、铂等各种靶材

SD-650MHT双靶磁控溅射仪可用于制备单层或多层铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。与同类设备相比，其不仅应用广泛，且具有体积小便于操作的优点,是一款实验室制备材料薄膜的理想设备。双靶磁控溅射仪原理:　　磁控溅射的工作原理是指电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子；新电子飞向基片，Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜，而产生的二次电子会受到电场和磁场作用，产生E（电场）×B（磁场）所指的方向漂移，简称E×B漂移，其运动轨迹近似于一条摆线。若为环形磁场，则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动，它们的运动路径不仅很长，而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，并且在该区域中电离出大量的Ar 来轰击靶材，从而实现了高的沉积速率。随着碰撞次数的增加，二次电子的能量消耗殆尽，逐渐远离靶表面，并在电场E的作用下zui终沉积在基片上。由于该电子的能量很低，传递给基片的能量很小，致使基片温升较低。SD-650双靶磁控溅射镀膜机参数：品牌品牌 : 北京博远微纳科技有限公司 型号: SD-650MHT 仪器主机尺寸: 长610mm×宽420mm×高220mm（注：含腔体总高720mm） 工作腔室尺寸： 金属腔体：直径260mm×高500mm（外尺寸 ） 直径210mm×高270mm（内尺寸） 靶头：双靶 靶材尺寸：直径50mm×厚3mm（因靶材材质不同厚度有所不同） 靶材料：标配一块直径50mm×3mm的铜靶及直径50mm×3mm的铝靶 靶枪冷却方式： 水冷 极限真空度: 5×10-5Pa（10分钟可到5×10-3Pa） 电源：直流恒流电源：输入电压：220V 输出电压：0-600v 输出电流：0-1.6A 射频电源和匹配器：功率500W。 载样台： 直径200mm 工作气体：Ar等惰性气体（需自备气瓶及减压阀） 气路： 气路可以通过电磁流量阀与手动阀联动控制。 水冷： 自循环冷却水机 膜厚仪 : 实时监测，触摸屏控制 可镀材料： 铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等 电源电压： 220V 50Hz 启动功率 3KW 【SD-650MHT安装 / 使用 环境】选择一个合适的仪器摆放位置：1、放置SD-650MT高真空磁控镀膜仪在一个长130cm,宽60cm的平面桌子上（桌子的承重需要在200KG以上）；2，放置“外置 旋转机械真空泵”及“冷水机”在一个合适的位置（地面 / 靠近镀膜仪主机）；3，系统总重量（镀膜仪、电器柜、选装泵、冷水机）约为208~240KG（选配不同），请确保有4人一起移动 / 搬运仪器；4，仪器的使用 / 运行环境温度为15~25摄氏度，相对湿度不超过75%；5,为仪器提供一个220V，16A的空开。6，确保使用 / 运行环境有足够的通风，并且避免阳光直接照射到仪器。7，氩气和氩气瓶解压阀需自备。

VTC-600-2HD是一款带有两个靶头的磁控溅射镀膜仪，其中一个靶头采用直流（DC）溅射，可溅射金属靶材制备金属膜，另一个采用射频（RF）溅射，可溅射金属和氧化物靶材，制备金属或氧化物膜.设备上安装有薄膜测厚仪可以实时监测薄膜的厚度。此设备可制作各种单层或多层薄膜，如铁电、导电，合金，半导体，陶瓷，介电，光学，氧化物和PTFE薄膜等。而且设备体积较小操作方便，是一套理想的实验工具。技术参数结构（点击图片查看详细资料）输入电源220VAC 50/60Hz, 单相2000W (包括泵)溅射电源安装有两个溅射电源直流（DC）电源：500W，针对于制作金属膜射频（RF）电源：600W，可制作氧化物和金属膜同时可选配300W的射频电源 磁控溅射头仪器中安装有2个磁控溅射头，而且都带有水冷夹层，可通入冷却水对靶材降温其中一个溅射头与射频电源相连接，主要是溅射绝缘性靶材另一个溅射头与直流电源相连接，主要溅射导电性靶材靶材尺寸要求：金属靶：直径为50mm,最大厚度1.5mm 陶瓷靶：直径为50mm,最大厚度6mm仪器中标配一个不锈钢靶和氧化铝陶瓷靶溅射头所需冷却水：流速10ml/min（仪器中配有一台流速为16ml/min的循环水冷机） 也可以根据自己的要求选择2个射频溅射头或3个射频溅射头，订购前需于本公司销售人员联系真空腔体真空腔体：300 mm Dia x 300 mm h，采用不锈钢制作观察窗口： 100 mm腔体打开方式采用上顶开，使得换靶更加容易 载样台载样台尺寸：140mm （最大可放置4"的基底）载样台可以旋转，其速度为：1 - 20 rpm （可调）载样台最高可加热温度为500℃，控温精度为+/- 1.0 °C气体流量控制器仪器内部安装有2个质量流量计量程为：0-200sccm气体流量设置可以在6英寸的触摸屏上进行操作真空泵系统配有一套分子泵系统（德国制作），采用一键式操作 薄膜测厚仪一个精密的石英振动薄膜测厚仪安装在仪器上，可实时监测薄膜的厚度，分辨率为0.10 ? LED显示屏显示，同时也输入所制作薄膜的相关数据外形尺寸L1300mm× W660mm× H1200mm重量160 kg质保期一年质保期，终生维护

VTC-600-3HD三靶磁控溅射仪是新自主研制开发的镀膜设备，可用于制备单层或多层铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。VTC-600-3HD三靶磁控溅射仪配置三个靶枪，一个配套射频电源用于非导电靶材的溅射镀膜，两个配套直流电源用于导电性材料的溅射镀膜。与同类设备相比，其不仅应用广泛，且具有体积小便于操作的优点，是一款实验室制备材料薄膜的理想设备，特别适用于实验室研究固态电解质及OLED等。1、配置三个靶枪，一个配套射频电源用于非导电靶材的溅射镀膜，两个配套直流电源用于导电性材料的溅射镀膜（靶枪可以根据客户需要任意调换）。2、可制备多种薄膜，应用广泛。3、体积小，操作简便。4、整机模块化设计，真空腔室、真空泵组、控制电源分体式设计，可根据用户实际需要调整。5、可根据用户实际需要选择电源，可以一个电源控制多个靶枪，也可多个电源单一控制靶枪。产品名称VTC-600-3HD三靶磁控溅射仪产品型号VTC-600-3HD安装条件本设备要求在海拔1000m以下，温度25℃±15℃，湿度55%Rh±10%Rh下使用。1、水：设备配有自循环冷却水机（加注纯净水或者去离子水）2、电：AC220V 50Hz，必须有良好接地3、气：设备腔室内需充注氩气（纯度99.99%以上），需自备氩气气瓶（自带Ø 6mm双卡套接头）及减压阀4、工作台：尺寸1500mm×600mm×700mm，承重200kg以上5、通风装置：需要主要参数1、电源电压：220V 50Hz2、总功率：＜2.5KW3、腔体内径：Ø 300mm4、极限真空度： E-6mbar（配合本公司设备使用可达到 E-5mbar）5、工作温度：RT-500℃，精度±1℃（可根据实际需要提升温度）6、靶枪数量：3个7、靶枪冷却方式：水冷8、靶材尺寸：Ø 2″，厚度0.1mm-5mm（因靶材材质不同厚度有所不同）9、直流溅射功率：500W（可选）10、射频溅射功率：300W/500W（可选）11、载样台：Ø 140mm，可根据客户需求选配加装偏压功能，以实现更高质量的镀膜。12、载样台转速：1rpm-20rpm内可调13、保护气体：Ar、N2等惰性气体14、进气气路：质量流量计控制2路进气，1个流量为100 SCCM，1个流量为200 SCCM产品规格主机尺寸：500mm×560mm×660mm，整机尺寸：1300mm×660mm×1200mm；重量：160kg标准配件1直流电源控制系统2套2射频电源控制系统1套3膜厚监测仪系统1套4分子泵（德国进口或者国产更大抽速）1台5冷水机1台6聚酯PU管（Ø 6mm）4m可选配件金、铟、银、铂等各种靶材可选配强磁靶用于铁磁性材料的溅射镀膜掩膜版振动样品台