原子层沉积(ALD)
原子层沉积(ALD)是一项真正意义上的纳米技术,使纳米超薄薄膜以一种精确控制的方式沉积。原子层沉积ALD有两个特征 自限性原子分层技术增长和高保形涂层。这些特征在半导体工程、微机电系统和其他纳米技术的应用程序使用方面展现许多优势。原子层沉积的优势原子层沉积的过程正是每个周期中单个原子层沉积的过程,完全控制的沉积是一个获得纳米尺度的过程:保形涂层即使在高深宽比和复杂的结构中也可以实现可实现针孔和无颗粒沉积一个非常广泛的材料与原子层沉积是可能的,例如:氧化物:Al2O3, HfO2, SiO2, TiO2, SrTiO3, Ta2O5, Gd2O3, ZrO2, Ga2O3, V2O5, Co3O4, ZnO, ZnO:Al, ZnO:B, In2O3:H, WO3, MoO3, Nb2O5, NiO, MgO, RuO2氟化物:MgF2, AlF3有机杂化材料:Alucone氮化物:TiN, TaN, Si3N4, AlN, GaN, WN, HfN, NbN, GdN, VN, ZrN金属:Pt, Ru, Pd, Ni, W硫化物:ZnSALD工具比较Feature功能OpALFlexAL基板**200毫米晶圆**200毫米晶圆液体和固体的前驅物**4路+水、臭氧和气体**8路+水,臭氧和气体**前驅物温度200oC200oC拥有快速传递系统Mfc控制下的气体管道:1)热气体的前体(例如,NH3, O2)2)等离子气体(例如,O2, N2,H2)2个内部结构。多达8个外部安装气路多达10个外部安装气路等离子体选择/現地升级选项載片开腔闭锁或片匣可集群其他流程模块不可可以- 第三方公司MESC模块作为特殊选择载盘温度范围25oC – 400oC25oC – 400oC (部分550oC)椭偏仪接口可以可以快速脉冲ALD阀门接头套管10 ms可以可以原子层沉积系统包括FlexAL和OpAL 兩款。