多功能离子束研磨仪

仪器简介：JIB-47000F是集成扫描电镜和聚焦离子束于一身高性能仪器。电子光学系统采用场发射电子枪，可以对进行实时研磨监控。该仪器又是一个微区观察、样品分析、微区研磨的集合体，应用范围广泛。技术参数：FIB 分辨率: 5nm, 30kV SEM分辨率: 1.2 nm（15 kV）1.6 nm（1KV） FIB束流：最大90nASEM束流：最大300nA气体输入系统 x1-3主要特点：监控、切割、组装和三维图像重构连续操作 2大束流，最大90nA 3.提供空前稳定的图像 4.气体注入系统用于刻蚀和沉积 5.最大装样 150 mm 6.气锁式样品交换 7.五轴全对中样品台 8.多个样品分析接口9.三维图像、能谱、EBSD

Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束专为自动化冷冻电子断层扫描成像样品的制备而设计。用户可以稳定地在原位制备厚度约为 200nm 或更薄的冷冻薄片，同时避免产生镓 (Ga) 离子注入效应。与目前市场上的其他 cryo-FIB-SEM 系统相比，Arctis Cryo-PFIB 可显著提高样品制备通量。与冷冻透射电镜和断层成像工作流程直接相连通过自动上样系统，Thermo Scientific&trade Arctis&trade Cryo-PFIB 可自动上样、自动处理样品并且可存储多达 12 个冷冻样品。与任何配备自动上样器的冷冻透射电镜（如 Thermo Scientific Krios&trade 或 Glacios&trade ）直接联用，省去了在 FIB-SEM 和透射电镜之间的手动操作载网和转移的步骤。为了满足冷冻聚焦离子束电镜与透射电镜应用的低污染要求，Arctis Cryo-PFIB 还采用了全新的高真空样品仓和经过改进的冷却/保护功能。Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束电镜的主要特点与光学显微镜术关联以及在透射电镜中重新定位"机载"集成宽场荧光显微镜 (iFLM) 支持使用光束、离子束或电子束对同一样品区域进行观察。 特别设计的 TomoGrids 确保从最初的铣削到高分辨率透射电镜成像过程中，冷冻薄片能与断层扫描倾斜轴始终正确对齐。iFLM 关联系统能够在电子束和离子束的汇聚点处进行荧光成像。无需移动载物台即可在 iFLM 靶向和离子铣削之间进行切换。CompuStage的180° 的倾转功能使得可以对样品的顶部和底部表面进行成像，有利于观察较厚的样品。TomoGrids 是针对冷冻断层扫描工作流程而特别设计的，其上下2面均是平面。这2个面可防止载样到冷冻透射电镜时出现对齐错误，并始终确保薄片轴相对于透射电镜倾斜轴的正确朝向。 利用 TomoGrids，整个可用薄片区域都可用于数据采集。厚度一致的高质量薄片Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束扫描电镜可在多日内保持超洁净的工作环境，确保制备一致的高质量薄片。等离子体离子束源可在氙离子、氧离子和氩离子间进行切换，有利于制备表面质量出色的极薄薄片。等离子体聚焦离子束技术适用于液态金属离子源 (LMIS) 聚焦离子束系统尚未涉及的应用。例如，可利用三种离子束的不同铣削特性制备高质量样品，同时避免镓注入效应。系统外壳的设计考虑到了生物安全，生物安全等级较高的实验室（如生物安全三级实验室）可选用高温消毒解决方案。Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束扫描电镜的紧凑型样品室专为冷冻操作而设计。由于缩小了样品室体积，操作环境异常干净，最大限度减少水凝结的发生。通过编织套管冷却样品及专用冻存盒屏蔽样品，进一步提升了设计带来的清洁度，确保了可以进行多日批量样品制备的工作环境。 自动化高通量样品制备和冷冻断层扫描连接性自动上样器可实现多达 12 个网格（TomoGrids 或 AutoGrids）的自动上下样，方便转移到冷冻透射电镜，同时最大限度降低样品损坏和污染风险。通过新的基于网络的用户界面加载的载网将首先被成像和观察。 随后，选择薄片位置并定义铣削参数。铣削工作将自动运行。根据样品情况，等离子体源可实现高铣削速率，以实现对大体积材料的快速去除。自动上样系统为易损的冷冻薄片样品提供了受保护的环境。在很大程度上避免了可能会损坏或污染样品的危险手动操作样品步骤。 自动上样器卡槽被载入到与自动上样器对接的胶囊中，可在 Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束扫描电镜和 Krios 或 Glacios 冷冻透射电镜之间互换。

日立ArBlade 5000离子研磨系统能够实现高产量，并制备广域横截面样品。　　离子研磨系统使用通过在表面上照射氩离子束引起的溅射效应来抛光样品的表面。样品预处理系统可以用于电子和先进材料等各个领域的研发和质量控制等。　　与机械抛光不同，离子研磨系统处理样品而不会变形或施加机械应力。因此，用于预处理样品的离子铣削系统的应用范围不断扩大，不仅包括扫描电子显微镜（SEM），还包括原子力显微镜（SPM / AFM）等。离子铣削系统应用范围广泛，日立高新收集了用户在各种领域提供的关键性建议和改进，并将它们纳入到最 新的设计平台。　　新推出的ArBlade 5000具有混合研磨功能，能够进行横截面研磨，是日立离子研磨系统的独 家标志。此功能使样品能够根据所需的目的和应用进行预处理。　　ArBlade 5000还具有PLUS II离子枪技术设计。这是一种新的氩离子枪，可以实现了1mm/hr以上的截面铣削速度（日立高新的IM4000Plus型号的两倍）。新系统使用户能够在比以前更短的时间内准备横截面，包括陶瓷和金属等硬质材料，这往往需要较长的加工时间。　　此外，日立高新开发了全新的宽区域横截面研磨，以实现横截面研磨，最 大研磨宽度为8mm，从而可以制备比以往更大的截面样品。通过与下一代氩离子枪的协同效应，新的ArBlade 5000可以与市场上可用的任何其他离子系统一起制备广域横截面样品。　　主要特点　　1.能够进行横截面和平面的混合研磨系统。　　2.通过PLUS II离子枪技术设计高速氩离子枪实现1mm/hr或更高的横截面研磨速度。　　3.通过使用广域横截面研磨，实现最 大宽度达8mm的广域加工。　　4.基于采用LCD触摸面板的全新控制系统，增强了可操作性。

高性能与高灵活性兼备“Ethos”采用日立高新的核心技术--全球领先的高亮度冷场发射电子枪及新研发的电磁复合透镜，不但可以在低加速电压下实现高分辨观察，还可以在FIB加工时实现实时观察。SEM镜筒内标配3个探测器，可同时观察到二次电子信号的形貌像以及背散射电子信号的成分衬度像；可非常方便的帮助FIB找寻到纳米尺度的目标物，对其观察以及加工分析。 另外，全新设计的超大样品仓设置了多个附件接口，可安装EDS*1和EBSD*2等各种分析仪器。而且NX5000标配超大防振样品台，可全面加工并观察最大直径为150mm的样品。 因此，它不仅可以用于半导体器件的检测，而且还可以用于从生物到钢铁磁性材料等各种样品的综合分析。*1Energy Dispersive x-ray Spectrometer（能谱仪（EDS））*2Electron Backscatter Diffraction（电子背散射衍射（EBSD）） 核心理念1. 搭载两种透镜模式的高性能SEM镜筒HR模式下可实现高分辨观察（半内透镜）FF模式下可实现高精度加工终点检测（Timesharing Mode）2. 高通量加工可通过高电流密度FIB实现快速加工（最大束流100nA）用户可根据自身需求设定加工步骤3. Micro Sampling System*3运用ACE技术（加工位置调整）抑制Curtaining效应控制离子束的入射角度，制备厚度均匀的薄膜样品4. 实现低损伤加工的Triple Beam System*3采用低加速（Ar/Xe）离子束，实现低损伤加工去除镓污染5. 样品仓与样品台适用于各种样品分析多接口样品仓（大小接口）超大防振样品台（150 mm□）*3选配

DB500拥有自主可控的场发射电子镜筒和“承影”离子镜筒，是一款优雅全能的纳米分析和制样工具。高压隧道技术（SuperTunnel）、低像差无漏磁物镜设计，低电压高分辨率成像，保证纳米分析能力。“承影”离子镜筒采用液态镓离子源，拥有高稳定、高质量的离子束流，保证纳米加工能力。集成式的纳米机械手、气体注入器、拥有24个扩展口，配置全面，自主可控，扩展性强，为您打造全能纳米分析和加工中心。产品优势高压隧道技术和无漏磁物镜的电子镜筒，高分辨率成像，兼容磁性样品“承影”离子镜筒，高稳定、高质量的离子束流，用于高质量纳米加工和TEM制样样品仓内压电陶瓷驱动的机械手，集成式控制方式，操作精准到位自主可控，扩展性强，集成化设计的离子源更换时间快，极致的售后服务，提供免费的三年质保无忧服务技术介绍离子镜筒"承影"技术特点分辨率：3 nm@30 kV探针电流：1 pA~50 nA加速电压范围：500 V~30 kV使用寿命：≥1000小时长时间稳定性：72小时不间断工作纳米机械手技术特点仓内安装方式三轴全压电驱动步进精度≤10nm最大移动速度2mm/s集成式控制方式气体注入器单气体注入多种气源可选伸缩距离≥35 mm重复定位精度≤10 um加热温度控制精度≤0.1℃加热温度范围：室温~90℃集成式控制方式离子束-电子束协同产品参数

三离子束切割仪 Leica EM TIC 3X 几乎任何材质样品都可获得高质量截面，在没有任何变形或损伤的情况下揭开样品内部最真实结构信息，在使用徕卡EM TIC3X之前，这类工作从未变得如此之简单。徕卡EM TIC 3X三离子束切割仪适宜处理软/硬复合、带有孔缝结构、热敏感性、脆性及非均质样品，获得样品截面，从而进行扫描电子显微镜（SEM），微区分析（EDS，WDS，Auger，EBSD）及原子力显微镜或扫描探针显微镜(AFM，SPM)检测。三离子束（分别独立控制），冷冻样品台及多样品台，确保离子束对样品处理高效，切割区域宽且深，从而获得高质量截面切割结果。三离子束技术 三离子束部件垂直于样品侧表面，因此在进行离子束轰击时样品（固定在样品托上）不需要做摆动运动以减少投影/遮挡效应，这又保证有效的热传导，减少样品在处理过程中受热变形。 三离子束汇聚于挡板边缘的中点，形成一个100°轰击扇面，切向暴露于挡板上方的样品（样品上端高出挡板约20-100μm），直到轰击到达样品内部目标区域。新型设计的离子枪可产生的离子束研磨速率达到150μm/h (Si10 kV，3.0 mA，50μm切割高度)。徕卡独特的三离子束系统，可获得优异的高质量切割截面，并且速率高，切割面宽且深，这可大大节约工作时间。通过这一独特技术可获得高质量切割截面，区域尺寸可达4×1mmLeica EM TIC 3X - 设计和操作方面的创新性特点高通量，提高成本收益可获得高质量切割截面，区域尺寸可达4×1mm多样品台设计可一次运行容纳三个样品离子研磨速率高，Si材料300μm/h，50μm切割高度，可满足实验室高通量要求可容 纳 最 大 样 品 尺 寸 为50×50×10mm可使用的样品载台多种多样简单易用，高精度可简易准确地完成将样品安装到载台上以及调节与挡板相对位置的校准工作通过触摸屏进行简单操控，不需要特别的操作技巧样品处理过程可实时监控，可以通过体视镜或HD-TV摄像头观察LED照明，便于观察样品和位置校准内置式，解耦合设计的真空泵系统，提供一个无振动的观察视野可在制备好的平整的切割截面上可再进行衬度增强作用，即离子束刻蚀处理。通过USB即可进行参数和程序的上传或下载几乎适用于任何材质样品使用冷冻样品台，挡板和样品温度可降至–150°C多种多样的样品载台几乎适合于各式尺寸样品，并适合于广泛用途。如用一个样品托，就可以完成前机械预制备（徕卡EM TXP）至离子束切割（徕卡EM TIC 3X），以及SEM镜检，然后再放入样品存储盒中以备后续检测。衬度增强在离子束切割之后，无需取下样品，用同样的样品载台还可对样品进行衬度 增强作用，可以强化样品内不同相之前的拓扑结构（如晶界）高精度现在，样品中越来越小的细节结构正逐步受到人们的关注。而通过切割获得截面，如获得很小的TSVia孔结构，已经变得轻而易举。所有样品台都设计达到±2μm的样品位置校准精度。不仅样品台的控制精度可以实现如此精确的目标定位校准工作，观察系统也可观察最小约3μm大小的样品细节，以便进行精确的目标定位。为帮助定位时更好地观察样品，4分割LED环形光源或LED同轴照明提供很大帮助，帮助使用者从体视镜或HD-TV摄像头中获得清晰的图像。由于将真空泵内置于仪器内部，因此不需要再单独腾出一个空间。得益于真空泵的解耦合设计，在样品制备过程中，观察视野不会受到真空泵产生的振动干扰。

日立新型FIB… 智能聚焦离子束系统 IM4050自1986年以来，通过多年的fIB经验，MI 4050被赋予了高度稳定的离子源，所建立的离子光学使锐利的光束剖面和高束电流能够成像各种功能。 DED功能涵盖对FIB的广泛需求，如气体化学MI 4050可以帮助您推进您的研究和开发。MI 4050特征经过验证的聚焦离子束技术既能实现高分辨率、高对比度的SIM成像，又能快速、大面积FIB铣削。良好的梁稳定性，级精度和控制软件允许高精度的自动铣削加工。微采样系统和低压FIB能力支持现场高质量TEM样品制备。大电流FIB使铣削面积更大，材料更坚硬，并且比以往任何时候都更高的吞吐量。高通量离子研磨有助于减少像树脂emb这样的样品准备步骤。 编辑和机械抛光。此外，也可以避免因抛光而产生的样品应变或分层。最大电流为90 nA的高性能FIB高分辨率、高对比度SIM成像。保证了4nm的高分辨率。高对比度SIM从低放大率成像到高放大率。自动切割的三维结构分析用微取样法制备现场高质量TEM样品微取样系统主要特点：1.高效率、高质量加工，二次离子分辨率：4nm@30kV2.高分辨、高衬度SIM成像3.全自动TEM样品制备4.大尺寸样品加工 应用领域：1.纳米材料微加工2.半导体及电子元器件材料3.生命科学

徕卡三离子束切割仪您是否需要制备硬的，软的，多孔，热敏感，脆性和/或非均质多相复合型材料，获得高质量样品表面，以适宜于扫描电子显微镜(SEM)分析和原子力显微镜(AFM)检测。 Leica EM TIC 3X 的宽场离子束研磨系统非常适合能谱分析EDS、波谱分析WDS、俄歇分析Auger、背散射电子衍射分析EBSD。离子束研磨技术是一个适用于任何材质样品，获得高质量切割截面或抛光平面的解决方案。使用该技术对样品进行处理，样品受到形变或损伤的可能性低，可暴露出样品内部真实的结构信息。徕卡三离子束切割仪 可以灵活选择多种样品台，不仅适用于高通量实验，也适合于特定制样需求实验室。依据您具体需求，每一台Leica EM TIC 3X都可装配多种可切换样品台，如标准样品台、三样品台、旋转样品台或冷冻样品台，应用于常规样品制备，高通量样品制备，以及某些高分子聚合物，橡胶或生物材料等温度极敏感样品制备。其与Leica EM VCT环境传输系统相连接，可以实现将冷冻的生物样品表面受保护地被真空冷冻传输进入镀膜仪或冷冻扫描电镜(Cryo-SEM中，或者应用于地质或工业材料样品，实现真空传输。操控性能方面创新特点：★★★ 可获得高质量切割截面，区域尺寸可达4x1mm★★★ 多样品台设计可一次运行容纳三个样品★★★ 可容纳大样品尺寸为50x50x10mm或直径38mm★★★ 可简易准确地完成将样品安装到载台上以及调节与挡板相对位置的校准工作★★★ 通过触摸屏进行简单操控，不需要特别的操作技巧★★★ 样品处理过程可实时监控，可以通过体视镜或HD-TV摄像头观察★★★ LED4分割照明，便于观察样品和位置校准★★★ 内置式，解耦合设计的真空泵系统，提供一个无振动的观察视野★★★ 可在制备好的平整的切割截面上可再进行衬度增强作用，即离子束刻蚀处理★★★ 几乎适用于任何材质样品，使用冷冻样品台，挡板和样品温度可降至-160℃★★★ 通过USB即可进行参数和程序的上传或下载★★★ 一体化解决方案，大大节约用户的干预时间高效所谓真正的高效是一台离子束研磨仪既可以获得高质量结果，又可高通量制样。除了散焦三离子束超越传统，使样品制备结果优化并有效缩减工作时间，我们将离子束研磨速率提高至原来的2倍。一次运行可容纳三个样品。使用一款样品台就既可实现离子束切割又可离子束抛光。一体化解决方案确保样品被安全而高效地转移至后续制备设备或分析仪器中。灵活：装配您的系统现在的科研实验室往往寻求快速简单的样品制备方法同时又不放弃高质量高标准要求。Leica EM TIC 3X三离子束切割仪的创新技术正为这一类有着高期望值的实验室提供解决方案，以实现你们的目标。根据应用需求，Leica EM TIC 3X可以由您装配用于标准类型样品制备，高通量样品制备以及特殊的热敏感型样品在低温下样品制备（如聚合物、橡胶，甚至生物材料等）。样品可被真空冷冻传输进入冷冻扫描电镜Cryo-SEM为满足个性化应用需求，共提供五种可切换样品台:★★ 旋转样品台 ★★ 三样品台 ★★ 标准样品台 ★★ 冷冻样品台 ★★ 真空冷冻传输对接台与制样流程的兼容性使用一款样品载台，样品可以从Leica EM TXP精研一体机中机械预制备，Leica EM TIC 3X中离子束研磨，再到SEM中检测都保持原位。另外，Leica EM TIC 3X可以用来制备环境敏感型样品，例如将Leica EM VCM放置于手套箱中，这类预制备好的样品可以不更换样品载台，通过Leica EM VCT传输舱被直接传输进入带有VCT接口的离子研磨仪Leica EM TIC 3X中。经过离子束加工后，样品可以不暴露到空气环境中，再直接被转移进入后续步骤技术手段。例如进Leica EM ACE600进行镀膜，和/或SEM检测。可复制的结果Leica EM TIC 3X 三离子束切割仪可制备横切面和抛光表面，用于扫描电子显微镜 (SEM)、微观结构分析 (EDS、WDS、Auger、EBSD) 和 AFM 科研工作。使用 Leica EM TIC 3X，您几乎可以在室温或冷冻条件下，对任何材料实现高品质的表面处理，尽可能显示样品近自然状态下的内部结构。

效率和灵活性三离子束切割仪 Leica EM TIC 3X——新版 EM TIC 3X 恪守我们的格言：与用户合作，使用户受益”，以注重实用性的方式将性能和灵活性理想融合。最新的 EM TIC 3X 切割速度翻倍，根据您的应用需求提供五种不同的载物台供您选择，实用性得到进一步提升。For research use onlyLeica EM TIC 3X ‐ Ion Beam Slope Cutter可复制的结果Leica EM TIC 3X 三离子束切割仪可制备横切面和抛光表面，用于扫描电子显微镜 (SEM)、微观结构分析 (EDS、WDS、Auger、EBSD) 和 AFM 科研工作。使用 Leica EM TIX 3X，您几乎可以在室温或冷冻条件下，对任何材料实现高品质的表面处理，尽可能显示样品近自然状态下的内部结构。带来前所未有的便利！1：SiC 研磨纸的横切面 l 2：胶合板的横切面 l 3：-120°C 条件下制备的同轴聚合物纤维 (溶于水) l 4：通过 Leica EM TIC 3X (配旋转载物台) 处理展现的油页岩 (纳米孔)，总样品直径为 25 mm效率对于离子束研磨机的效率来说，真正重要的是同时具备出色的品质结果和高产量。与前代版本相比，全新版本不仅切割速度提高了一倍，其独特的三离子束系统还优化了制备质量，并缩短了工作时间。一次可处理样品多达 3 个， 并可在同一个载物台上进行横切和抛光。工作流程解决方案可安全、高效地将样品传输至后续的制备仪器或分析系统。灵活的系统 — 随时满足您的需求凭借可灵活选择的载物台，Leica EM TIC 3X 不仅是进行高产量处理的理想设备，还适用于委托检测的实验室。根据您的需求，可选择以下可互换的载物台对 Leica EM TIC 3X 进行个性化配置：标准载物台多样品载物台旋转载物台冷却载物台或真空冷冻传输对接台用于制备标准样品、高产量处理，以及在低温条件下制备对高温异常敏感的样品，例如聚合物、橡胶或生物材料。环境控制型工作流程解决方案凭借与 Leica EM TIC 3X 配套的 VCT 对接台接口，可为易受环境影响的样品和/或低温样品提供出色的刨平工作流程，此类样品包括生物材料， 地质材料或工业材料。随后，这些样品会在惰性气体/真空/冷冻条件下，被传输至我们的镀膜系统 EM ACE600 或 EM ACE900 和/或 SEM 系统。标准的工作流程解决方案 — 与 Leica EM TXP 产生协同效应在使用 Leica EM TIC 3X 之前，通常需要进行机械准备工作，以便尽可能接近感兴趣区域。Leica EM TXP 是一种独特的标靶面抛光系统，开发用于样品的切割和抛光，为 Leica EM TIC 3X 等仪器进行后续技术处理做好充分准备Leica EM TXP 经专业设计，利用锯切、铣削、研磨和抛光技术对样品进行预制。 对于需要精准定位以及难以制备的挑战性样品，它能提供出色的结果，令处理变得轻松简单。

效率和灵活性三离子束切割仪 Leica EM TIC 3X——新版 EM TIC 3X 恪守我们的格言：与用户合作，使用户受益”，以注重实用性的方式将性能和灵活性理想融合。最新的 EM TIC 3X 切割速度翻倍，根据您的应用需求提供五种不同的载物台供您选择，实用性得到进一步提升。For research use onlyLeica EM TIC 3X ‐ Ion Beam Slope Cutter可复制的结果Leica EM TIC 3X 三离子束切割仪可制备横切面和抛光表面，用于扫描电子显微镜 (SEM)、微观结构分析 (EDS、WDS、Auger、EBSD) 和 AFM 科研工作。使用 Leica EM TIX 3X，您几乎可以在室温或冷冻条件下，对任何材料实现高品质的表面处理，尽可能显示样品近自然状态下的内部结构。带来前所未有的便利！1：SiC 研磨纸的横切面 l 2：胶合板的横切面 l 3：-120°C 条件下制备的同轴聚合物纤维 (溶于水) l 4：通过 Leica EM TIC 3X (配旋转载物台) 处理展现的油页岩 (纳米孔)，总样品直径为 25 mm效率对于离子束研磨机的效率来说，真正重要的是同时具备出色的品质结果和高产量。与前代版本相比，全新版本不仅切割速度提高了一倍，其独特的三离子束系统还优化了制备质量，并缩短了工作时间。一次可处理样品多达 3 个， 并可在同一个载物台上进行横切和抛光。工作流程解决方案可安全、高效地将样品传输至后续的制备仪器或分析系统。灵活的系统 — 随时满足您的需求凭借可灵活选择的载物台，Leica EM TIC 3X 不仅是进行高产量处理的理想设备，还适用于委托检测的实验室。根据您的需求，可选择以下可互换的载物台对 Leica EM TIC 3X 进行个性化配置：标准载物台多样品载物台旋转载物台冷却载物台或真空冷冻传输对接台用于制备标准样品、高产量处理，以及在低温条件下制备对高温异常敏感的样品，例如聚合物、橡胶或生物材料。环境控制型工作流程解决方案凭借与 Leica EM TIC 3X 配套的 VCT 对接台接口，可为易受环境影响的样品和/或低温样品提供出色的刨平工作流程，此类样品包括生物材料， 地质材料或工业材料。随后，这些样品会在惰性气体/真空/冷冻条件下，被传输至我们的镀膜系统 EM ACE600 或 EM ACE900 和/或 SEM 系统。标准的工作流程解决方案 — 与 Leica EM TXP 产生协同效应在使用 Leica EM TIC 3X 之前，通常需要进行机械准备工作，以便尽可能接近感兴趣区域。Leica EM TXP 是一种独特的标靶面抛光系统，开发用于样品的切割和抛光，为 Leica EM TIC 3X 等仪器进行后续技术处理做好充分准备Leica EM TXP 经专业设计，利用锯切、铣削、研磨和抛光技术对样品进行预制。 对于需要精准定位以及难以制备的挑战性样品，它能提供出色的结果，令处理变得轻松简单。

新版 EM TIC 3X 恪守我们的格言：与用户合作，使用户受益”，以注重实用性的方式将性能和灵活性理想融合。新版的 EM TIC 3X 切割速度翻倍，根据您的应用需求提供五种不同的载物台供您选择，实用性得到进一步提升。可复制的结果Leica EM TIC 3X 三离子束切割仪可制备横切面和抛光表面，用于扫描电子显微镜 (SEM)、微观结构分析 (EDS、WDS、Auger、EBSD) 和 AFM 科研工作。使用 Leica EM TIX 3X，您几乎可以在室温或冷冻条件下，对任何材料实现高品质的表面处理，尽可能显示样品近自然状态下的内部结构。1：SiC 研磨纸的横切面 l 2：胶合板的横切面 l 3：-120°C 条件下制备的同轴聚合物纤维 (溶于水) 4：通过 Leica EM TIC 3X (配旋转载物台) 处理展现的油页岩 (纳米孔)，总样品直径为 25 mm效率对于离子束研磨机的效率来说，真正重要的是同时具备出色的品质结果和高产量。与前代版本相比，全新版本不仅切割速度提高了一倍，其独特的三离子束系统还优化了制备质量，并缩短了工作时间。一次可处理样品多达 3 个， 并可在同一个载物台上进行横切和抛光。工作流程解决方案可安全、高效地将样品传输至后续的制备仪器或分析系统。灵活的系统 — 随时满足您的需求凭借可灵活选择的载物台，Leica EM TIC 3X 不仅是进行高产量处理的理想设备，还适用于委托检测的实验室。根据您的需求，可选择以下可互换的载物台对 Leica EM TIC 3X 进行个性化配置：● 标准载物台● 多样品载物台● 旋转载物台● 冷却载物台或● 真空冷冻传输对接台用于制备标准样品、高产量处理，以及在低温条件下制备对高温异常敏感的样品，例如聚合物、橡胶或生物材料。环境控制型工作流程解决方案凭借与 Leica EM TIC 3X 配套的 VCT 对接台接口，可为易受环境影响的样品和/或低温样品提供出色的刨平工作流程，此类样品包括● 生物材料， ● 地质材料● 或工业材料。随后，这些样品会在惰性气体/真空/冷冻条件下，被传输至我们的镀膜系统 EM ACE600 或 EM ACE900 和/或 SEM 系统。标准的工作流程解决方案 — 与 Leica EM TXP 产生协同效应在使用 Leica EM TIC 3X 之前，通常需要进行机械准备工作，以便尽可能接近感兴趣区域。Leica EM TXP 是一种独特的标靶面抛光系统，开发用于样品的切割和抛光，为 Leica EM TIC 3X 等仪器进行后续技术处理做好充分准备Leica EM TXP 经专业设计，利用锯切、铣削、研磨和抛光技术对样品进行预制。 对于需要精确定位以及难以制备的挑战性样品，它能提供出色的结果，令处理变得轻松简单。

三离子束切割仪 Leica EM TIC 3X 几乎任何材质样品都可获得高质量截面，在没有任何变形或损伤的情况下揭开样品内部最真实结构信息，在使用徕卡EM TIC3X之前，这类工作从未变得如此之简单。徕卡EM TIC 3X三离子束切割仪适宜处理软/硬复合、带有孔缝结构、热敏感性、脆性及非均质样品，获得样品截面，从而进行扫描电子显微镜（SEM），微区分析（EDS，WDS，Auger，EBSD）及原子力显微镜或扫描探针显微镜(AFM，SPM)检测。三离子束（分别独立控制），冷冻样品台及多样品台，确保离子束对样品处理高效，切割区域宽且深，从而获得高质量截面切割结果。三离子束技术三离子束部件垂直于样品侧表面，因此在进行离子束轰击时样品（固定在样品托上）不需要做摆动运动以减少投影/遮挡效应，这又保证有效的热传导，减少样品在处理过程中受热变形。技术三离子束汇聚于挡板边缘的中点，形成一个100°轰击扇面，切向暴露于挡板上方的样品（样品上端高出挡板约20-100μm），直到轰击到达样品内部目标区域。新型设计的离子枪可产生的离子束研磨速率达到150μm/h (Si10 kV，3.0 mA，50μm切割高度)。徕卡独特的三离子束系统，可获得优异的高质量切割截面，并且速率高，切割面宽且深，这可大大节约工作时间。通过这一独特技术可获得高质量切割截面，区域尺寸可达4×1mmLeica EM TIC 3X - 设计和操作方面的创新性特点高通量，提高成本收益??可获得高质量切割截面，区域尺寸可达4×1mm??多样品台设计可一次运行容纳三个样品??离子研磨速率高，Si材料300μm/h，50μm切割高度，可满足实验室高通量要求??可容 纳 最 大 样 品 尺 寸 为50×50×10mm??可使用的样品载台多种多样简单易用，高精度??可简易准确地完成将样品安装到载台上以及调节与挡板相对位置的校准工作??通过触摸屏进行简单操控，不需要特别的操作技巧??样品处理过程可实时监控，可以通过体视镜或HD-TV摄像头观察?? LED照明，便于观察样品和位置校准??内置式，解耦合设计的真空泵系统，提供一个无振动的观察视野??可在制备好的平整的切割截面上可再进行衬度增强作用，即离子束刻蚀处理。??通过USB即可进行参数和程序的上传或下载??几乎适用于任何材质样品??使用冷冻样品台，挡板和样品温度可降至–150°C多种多样的样品载台几乎适合于各式尺寸样品，并适合于广泛用途。如用一个样品托，就可以完成前机械预制备（徕卡EM TXP）至离子束切割（徕卡EM TIC 3X），以及SEM镜检，然后再放入样品存储盒中以备后续检测。衬度增强在离子束切割之后，无需取下样品，用同样的样品载台还可对样品进行衬度 增强作用，可以强化样品内不同相之前的拓扑结构（如晶界）高精度现在，样品中越来越小的细节结构正逐步受到人们的关注。而通过切割获得截面，如获得很小的TSVia孔结构，已经变得轻而易举。所有样品台都设计达到±2μm的样品位置校准精度。不仅样品台的控制精度可以实现如此精确的目标定位校准工作，观察系统也可观察最小约3μm大小的样品细节，以便进行精确的目标定位。为帮助定位时更好地观察样品，4分割LED环形光源或LED同轴照明提供很大帮助，帮助使用者从体视镜或HD-TV摄像头中获得清晰的图像。由于将真空泵内置于仪器内部，因此不需要再单独腾出一个空间。得益于真空泵的解耦合设计，在样品制备过程中，观察视野不会受到真空泵产生的振动干扰。

产品详情日本JEOL聚焦离子束加工观察系统JIB-4000 JIB-4000聚焦离子束加工观察系统配置了高性能的离子镜筒(单束FIB装置)。被加速了的镓离子束经聚焦照射样品后，就能对样品表面进行SIM观察 、研磨，沉积碳和钨等材料。还可以为TEM成像制备薄膜样品，为观察样品内部制备截面样品。通过与SEM像比较，SIM像能清楚地显示出归因于晶体取向不同的电子通道衬度差异，这些都非常适合于评估多层镀膜的截面及金属结构。 产品规格FIB离子源Ga （镓）液态金属离子源加速电压1～30ｋV（5 kV/步）放大倍率×60 （用于视场搜索）×200～×300,000图像分辨率5 nm (30 kV)最大束流60 nA (at 30 kV)可变光阑12 档(马达驱动)离子束加工形状矩形、线状、点状样品台块状样品用 5 轴测角样品台X:±11 mmY:±15 mmZ:0.5 ～ －23 mmT:－5 ～ ＋60°R:360°无限样品最大尺寸: 28 ｍｍφ（高度13 ｍｍ）、50 ｍｍφ（高度2 ｍｍ） 主要附件 气体注入系统 (IB-02100GIS2) 碳沉积圆筒 (IB-52110CDC2) 钨沉积圆筒(IB-52120WDC2) 白金沉积圆筒 (IB-52130WDC2) 侧插式测角样品台 (IB-01040SEG) 束流探测器 (IB-04010PCD) 操作面板(IB-05010OP) 样品台导航系统 (IB-01200SNS) FIB Tip-on(尖端上可以安装附件的)样品架(EM-02210) FIB 块状样品用样品架FIB (EM-02220) FIB 块状样品用样品架1(EM-02560FBSH1) FIB 块状样品用样品架2 (EM-02570FBSH2) FE-SEM 样品架适配器 (EM-02580FSHA) 穿梭移动夹头Shuttle Retainer EM-02280 (EM-02280) 原位样品提取系统 (EM-02230) 产品特点： JIB-4000聚焦离子束加工观察系统配置了高性能的离子镜筒(单束FIB装置)。被加速了的镓离子束经聚焦照射样品后，就能对样品表面进行SIM观察 、研磨，沉积碳和钨等材料。还可以为TEM成像制备薄膜样品，为观察样品内部制备截面样品。通过与SEM像比较，SIM像能清楚地显示出归因于晶体取向不同的电子通道衬度差异，这些都非常适合于评估多层镀膜的截面及金属结构。 高性能FIB镜筒 JIB-4000采用高性能的FIB镜筒，最大离子束流高达 60 nA，能进行快速研磨。大电流下的快速加工尤其适合于大面积的研磨，制备100 μｍ以上用来观察的截面非常轻松。 用户友好的FIB装置 JIB-4000高性能的 FIB镜筒具有出色的可操作性。用户友好的外观和GUI设计，建立了使用方便的FIB系统。即使不是FIB专家也能够轻松操作，此外，该装置小巧紧凑为业界最小体积，安装地点的选择范围很大。 双样品台 JIB-4000标配的块状样品马达驱动样品台可供块状样品使用，此外还可以增配侧插式测角台（TEM用Tip-on 样品架可以直接插入）。块状样品马达驱动样品台能观察整个表面为20 mm x 20 mm的块状样品，样品交换可以通过气锁式系统快速进行。侧插式测角台与JEOL的TEM系统使用的相同，因此Tip-on （尖端上可以安装附件的）样品架与JEOL的TEM系统可以通用，这样，FIB加工和TEM观察的反复交替就能很容易地进行。 丰富的附件 有各种附件可用来支持JIB-4000的操作。包括对电路修改应用特别有效的CAD导航系统，对特殊形状加工有效的矢量扫描系统等。通过给JIB-4000安装适当的附件，该系统可以支持样品制备以外的应用。

RIBE反应离子束刻蚀系统NIE-4000（R）RIBE反应离子束刻蚀产品概述：如铜和金等金属不含挥发性化合物，这些金属的刻蚀无法在RIE系统中完成。然而通过加速的Ar离子进行物理刻蚀则是可能的。通常情况下，样品表面采用厚胶作为掩模层，刻蚀期间富有能量的离子流会使得基片和光刻胶过热。除非可以找到有效的方式消除热量，否则光刻胶将变得非常难以去除。NANO-MASTER技术已经证明了可以把基片温度控制在50° C以内的同时，旋转晶圆片以达到想要的均匀度。NIE-4000（R）RIBE反应离子束刻蚀产品特点：14.5”不锈钢立体离子束腔体16cm DC离子枪1200eV,650mA, 气动不锈钢遮板离子束中和器氩气MFC6”水冷样品台晶片旋转速度3、10RPM，真空步进电机步进电机控制晶圆片倾斜自动/手动上下载晶圆片典型刻蚀速率：铜200 ?/min, 硅：500 ?/min6”范围内，刻蚀均匀度+/-3%极限真空5x10-7Torr，20分钟内可达到10-6Torr级别（配套500 l/s涡轮分子泵）配套1000 l/s涡轮分子泵，极限真空可达8x10-8Torr磁控溅射Si3N4以保护被刻蚀金属表面被氧化基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动，4级密码访问保护完整的安全联锁NIE-4000（R）RIBE反应离子束刻蚀 Features：14.5" SS Cube ion beam chamber16 cm DC Ion gun 1000V, 500 mA ,DC motor driven SS shuttersIon Beam neutralizerAr MFCChilled water cooled 6” substrate platenWafer rotation 3-10 RPM, Vacuum stepper motorWafer Tilt with a stepper motor through differentially pumped rotational sealManual/Auto wafer load/unloadTypical Etch Rates: 200 ?/min Cu, 500 ?/min Si+/-3% etch uniformity over 6“ area5x 10-6 Torr 20 minutes 2 x10-7 Torr (2 days) Base Pressure with 500 l/sec turbo8x10-8 Torr Base pressure with 1000 l/sec Turbo pumpMagnetron Sputtering of Si3N4 to protect etched metal surfaces from oxidationPC Controlled with LabVIEW SoftwareRecipe Driven, Password ProtectedFully Safety Interlocked

IBE离子束刻蚀系统NIE-4000（A）全自动IBE离子束刻蚀产品概述：如铜和金等金属不含挥发性化合物，这些金属的刻蚀无法在RIE系统中完成。然而通过加速的Ar离子进行物理刻蚀则是可能的。通常情况下，样品表面采用厚胶作为掩模层，刻蚀期间富有能量的离子流会使得基片和光刻胶过热。除非可以找到有效的方式消除热量，否则光刻胶将变得非常难以去除。NANO-MASTER技术已经证明了可以把基片温度控制在50° C以内的同时，旋转晶圆片以达到想要的均匀度。NIE-4000（A）全自动IBE离子束刻蚀产品特点：14.5”不锈钢立体离子束腔体16cm DC离子枪1200eV,650mA, 气动不锈钢遮板离子束中和器氩气MFC6”水冷样品台晶片旋转速度3、10RPM，真空步进电机步进电机控制晶圆片倾斜自动上下载晶圆片典型刻蚀速率：铜200 ?/min, 硅：500 ?/min6”范围内，刻蚀均匀度+/-3%极限真空5x10-7Torr，20分钟内可达到10-6Torr级别（配套500 l/s涡轮分子泵）配套1000 l/s涡轮分子泵，极限真空可达8x10-8Torr磁控溅射Si3N4以保护被刻蚀金属表面被氧化基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动，4级密码访问保护完整的安全联锁NIE-4000（A）全自动IBE离子束刻蚀 Features：14.5" SS Cube ion beam chamber16 cm DC Ion gun 1000V, 500 mA ,DC motor driven SS shuttersIon Beam neutralizerAr MFCChilled water cooled 6” substrate platenWafer rotation 3-10 RPM, Vacuum stepper motorWafer Tilt with a stepper motor through differentially pumped rotational sealManual wafer load/unloadTypical Etch Rates: 200 ?/min Cu, 500 ?/min Si+/-3% etch uniformity over 6“ area5x 10-6 Torr 20 minutes 2 x10-7 Torr (2 days) Base Pressure with 500 l/sec turbo8x10-8 Torr Base pressure with 1000 l/sec Turbo pumpMagnetron Sputtering of Si3N4 to protect etched metal surfaces from oxidationPC Controlled with LabVIEW SoftwareRecipe Driven, Password ProtectedFully Safety Interlocked

传统的机械研磨方式制备样品断面，断面不可避免的存在机械损伤和磨料嵌入样品引起的污染。使用氩离子束切割样品制备，可以制备出没有机械损伤和表面污染的平整断面，非常适用于 制备电池材料和部件的断面样品，从而进行扫 描电子显微镜结构表征分析。Thermo Scientific CleanMillTM 为电池断面样品提供了完善的氩离子束研磨方案，可实现对电子束敏感材料和空气敏感材料本真状态下的SEM成像和表征分析。 Thermo Scientific CleanMillTM 氩离子束断面研磨系统（BIB-CP）旨在为精确的表征提供优质高效的样品制备方案。其标配的 16 keV 超高能离子源在保证研磨质量下具有更强的溅射能力和更高的研磨效率。同时，低能量离子源可实现对具有精细结构和易受离子束辐照损伤样品的无损精抛和清洁。 诸多电池材料和部件具备电子束敏感和空气敏感的特性。Thermo Scientific CleanMillTM 与 CleanConnectTM 兼容，使得 Thermo Scientific IGST 工作流程完善。CleanConnect 样品转移系 统提供了一套超高性价比的集成化解决方案，允许样品在惰性气体 / 真空下快速转移至电子显微镜样品仓内。这种真空联锁解决方案采用直径达 25mm 的标准样品台，极大地简化了不同样品在 SEM/DualBeam 系统转移的工作。样品可在手套箱内装载至 CleanConnect 样品仓内，进而通过 CleanConnect 转移至 CleanMill 中进行断面样品制备。随后，将CleanMill中制备好的 断面样品采用CleanConnect 转移至 Thermo Scientific SEM 中进行微观结构表征。整个过程中样品都处于惰性气体保护状态以保证其断面完整性。该工作流程极大地简化了样品转移工作，提高 了结果获取速度，实现了在本真状态下对空气敏感材料的结构表征。 关键优势 高能量离子枪可实现快速研磨和抛光 采用专用90°样品台制备截面样品 自动化参数设置和操作，可实现样品旋转和摆动操作 可进行空气敏感材料的样品制备，使得赛默飞惰性气体样品转移工作流程（IGST）更为完善 配备高分辨CMOS相机和触控屏，可实时观察样品研磨过程 可选配低能量离子枪，实现对具有精细结构和易受辐照损伤样品的 无损精抛和清洁。 可选配冷台，在进行电子束敏感样品的冷冻研磨时可实现自动液氮加注 Thermo Scientific CleanMill 与 CleanConnect 和全套 IGST 工作流程兼容，实现对空气敏感材料在本真状态下的表征分析。规格参数 离子枪选择标配超高能量离子枪，加速电压连续可调 2 – 16 keV 离子束电流范围：20 – 500 A 溅射速率： 500 m/hr 选配低能量离子枪 加速电压：100 eV – 2 keV 自动化的离子源设置成像系统带有固定X10放大功能的高分辨CMOS相机，其数字放大功能可实 现连续调至X120样品台 样品倾斜：0°到180°，0.1°增量 样品旋转：面内旋转 360°样品摆动：面内摇摆，从±1°到 ±180°，1°/步样品托种类和可承载尺寸 标准型表面抛光样品托 承载样品尺寸Ø 30 mm x 15 mm CleanConnect兼容样品托： 表面抛光o 承载样品尺寸Ø 28 mm x 3 mmo 可互换样品托可承载样品尺寸Ø 20.5 mm x 8.5 mm 截面抛光o 90° 样品托：承载样品尺寸 10 mm (长) x 10 mm (宽) x 3 mm (高)真空系统 无油隔膜泵和涡轮分子泵，带（皮拉尼/潘宁）真空计气体供应体统 氩气 （纯度99.999%） 高精度气体流量控制系统计算机控制系统 易操作的触控屏图形用户界面（Touch GUI）o 系统设置o 研磨参数设置o 操作控制 Touch GUI采用Windows 11系统可选配件 带有自动加注功能的液氮制冷台，可实现无间断冷冻磨抛 样品调节定位装置 其他备件和易耗损件 适用于可加载CleanConnect的手套箱端口装置保修和培训 1年保修 设计简化，仅需简单培训 包含使用说明的用户手册安装要求 预留安装端口 (其他附件不能共用此端口) 环境：与普通显微镜的要求相同，见预安装手册 仪器右侧必须留有足够空间，以便使用CleanConnect转移杆 系统尺寸： 70 cm (宽) x 70 cm (深) x 61 cm (高) 由CleanMill制备的NMC阴极极片截面，采用Apreo 2S成像

使用徕卡 EM RES102，使您的样品具备高水平的灵活性，具有轻薄、清洁、抛光、切割的坡度和结构。独特的离子束研磨系统结合了在一个单工作台面单元上制备TEM、SEM和LM样品的特点。各种样品架可以进行多元化应用。除了高能量的离子铣工艺，徕卡EM RES102也可适于采用低离子能量处理非常柔软的样本。高效并节约成本● TEM，SEM和LM应用功能集于一体● SEM样品制备可达25mm样品直径● TEM样品制备获得的薄区大，有效提高了TEM样品制备效率● 局域网功能方便远程操控安全离子源和样品运动马达驱动，程序化控制，因而可获得重复性制样结果保持样品原生态LN2样品台使得温度敏感型样品可在优化条件下进行离子研磨操作简便● 内置应用参数库 ● 帮助文件帮助初学者以及对设备进行维护

GU-Al8000是可获得高质量平整面的离子研磨仪。无论是截面样品制备，亦或是大面积平面抛光，GU-Al8000均可以提供有效的解决方案，其可制备多种材料类型样品，包括金属样品、多孔样品、脆性样品、复合材料样品… … 适用于电子电器行业、新能源行业、汽车行业、地质行业等。‍产品优势降压快丶噪音低丶振动小进口无油隔膜泵，样品无污染内置双泵，不占用额外空间快速抽气，速率达0.8m³/h不带气镇的最终压力为510-1Pa分子泵极限压强（双级旋片泵做前级）为810-6Pa半导体制冷降温快、升温也快可达-25°C，降低样品加工中的热损伤无需配备液氮系统，即可应对多数热敏感的样品温控保护，防止误操作无磁聚集离子束，更大、更简单无磁聚集离子束可以制备磁性样品，不吸附金属污染物，易清洁，维护简单 大束斑离子束，切割面积、抛光面积均比一般离子束仪器大双离子源，每个离子源可单独由软件控制，同时使用可增大加工面积双离子源夹角90°、180°可调节，适于不同功能多端操控、远程控制具备局域网远程控制和监视功能支持移动设备、Windows、Mac等系统跨设备间远程连接，操作灵活便于售后远程进行软件维护功能多样大面积厘米级样品抛光，可去除机械研磨的应力损伤、表面轻微脏污等超高效截面样品切割，获得可进行微区分析的高质量平整断面多种夹具、挡板等附件，可应对不同的功能 减薄功能快速启动，获得可进行TEM分析的纳米级别薄区

NIE-4000 离子束刻蚀系统 NIR-4000 IBE/RIE 双刻蚀系统通过加速的 Ar 离子进行物理刻蚀或铣削。对于硅的化合物也可以通过反应离子束刻蚀的方式提高刻蚀速率和深宽比。通常情况下，样品表面采用厚胶作掩模，刻蚀期间高能离子流将会对基片和光刻胶过加热，除非找到合适的方法移除热量，光刻胶将变得昂变得很难以去除。支持百级超净间使用。 NANO-MASTER 拥有成熟的技术能力可以使基片温度保持在50°C 以下。通过倾斜和旋转，深沟可以切成斜角，通过控制侧壁轮廓和径向可提高均匀度。对于大尺寸的基片，我们配置线性离子源，通过扫描的方式，可以实现均匀的离子束刻蚀或反应离子束刻蚀。不同的构造不同的应用可选择不同的选配项，若要刻蚀之后马上涂覆，可以增加溅射选项。对于标准的晶圆片，也可选择自动装载卸载晶圆片。 工艺过程通过触摸屏电脑和 LabView 软件，可实现全自动的 PC控制，具有高度的可重复性，且具有友好的用户界面。 系统具有完整的安全联锁，提供四级密码授权访问保护，防止使用者越权使用，含：。 操作者权限：运行程序。工艺师权限：添加/编辑和删除程序。工程师权限：可独立控制子系统，并开发程序。服务权限：NM 工程师故障诊断和排除 系统支持不限数量的工艺菜单，每套工艺菜单可根据需要支持 1到 100 个工艺工序（步骤），可实现简单操作完成复杂的工艺。 系统标准配置包含涡轮分子泵和机械泵，极限真空可达到10-7 Torr 量级(可升级到 10-8Torr 量级)。分子泵与腔体之间的直连设计，系统可获得最佳真空传导率，12 小时达到腔体极限真空。腔体压力调节通过 PC 自动控制涡轮速度而全自动调节，快速稳定。双真空计配置，可实现真空的全局测量和精确测量。 对标准晶圆可支持单片或 25 片 Cassette 的 Auto L/UL 升级，可自动进样、对准、出样，在不间断工艺真空情况下连续处理样片。Load Lock 腔体配套独立真空系统，通过 PC 全自动监控。 若离子铣工艺之后需要马上进行反应离子刻蚀处理，NMC 技术可以双腔体系统，在一个系统的两个腔体内完成两种不同的工艺，若加上自动传输，还可实现整个处理过程都不打破彼此真空状态，实现非常高效的工艺处理 典型应用： 。 三族和四族光学元件。激光光栅。高深宽比的光子晶体刻蚀。在二氧化硅、硅和金属上深沟刻蚀。 微流体传感器电极及测热式微流体传感器 设备特点：。 24”x60”x10”长方或 14.5”立方型不锈钢离子束腔体。24”Wx10”H 或 8”测开门，带 2 个 2”观察视窗。支持 600X600mm 的基片(可定做更大尺寸)。 倒装磁控无栅无灯丝准直 60cm 线性离子源(离子枪)，1500-2500V，并且高达 1000mA，无需中和器。。 离子源均匀性可达+/-2.5%，操作压力1mTorr。与带栅极离子源相比更可靠，更低维护，更少污染。。 离子枪电源：4KV 电源。配套 Ar 和 CF4 MFC，支持 IBE 和 RIBE 刻蚀应用。 反应性气体通过靶枪的长度方向引入，均匀分布。冷却水冷却（背氦冷却可选）。 步进电机控制离子枪扫描或样品台旋转/倾斜。 手动或自动(自动仅对标准晶圆)上下载晶圆片。 配套 1200L/Sec 涡轮分子泵，串接 2021C2 机械泵，带 Fomblin 泵油。 极限真空可达 7×10-7 Torr。下游压力通过 PC 对分子泵涡轮速度的控制自动调节。SiN4 磁控溅射保护被刻蚀金属表面以防氧化(选配)。 基于 LabVIEW 软件的计算机全自动工艺控制。菜单驱动，密码保护，完全的安全联锁。紧凑型设计，占地面积仅 26”Dx66”W,节省空间 系统可选：。光谱终点探测器。氦气背部冷却。更大尺寸的电镀方形腔体。 自动装载/卸载。 低温泵组。 附加反应气体质量流量控制器。 格状射频电感耦合等离子体。 用于钝化层沉积的溅射源

v 为了对样品内部结构进行观察、分析，必须让样品内部结构显露出来，日立离子研磨装置使用大面积低能量的Ar离子束，加工出无应力损伤的截面，为SEM观察样品的内部多层结构、结晶状态、 异物解析、层厚测量等提供有效的前处理方法v 制成的低损伤的截面便于表层以下内部结构分析 v 适用样品：电子元件如IC芯片、PCB、LED等（多层、裂v 痕、孔洞分析）、金属（EBSD晶体结构、EDS元素分析、镀 层）、高分子材料、纸、陶瓷、玻璃、粉末等v 可移动的样品座可精确定位、实现对特定位置的研磨v 最大样品: 宽20 mm× 长12 mm× 厚7 mm联用样品台在机械研磨、离子研磨、SEM观察（Hitachi机型）之间不用更换样品台

价格货期电议KRI 考夫曼离子源典型应用 IBF 离子束抛光工艺 离子束抛光加工 Ion Beam Figuring, IBF 已逐渐成为光学零件表面超精加工常用的最后一道工艺, 离子源是离子束抛光机的核心部件. 上海伯东美国 KRI 直流电源式考夫曼离子源 KDC 系列成功应用于光学镀膜离子束抛光机 IBF Optical coating 及晶体硅片离子束抛光机 IBF Clrystalline )工艺.考夫曼离子源通过控制离子的强度及浓度, 使抛光刻蚀速率更快更准确, 抛光后的基材上获得更平坦, 均匀性更高的薄膜表面. KDC 考夫曼离子源内置型的设计更符合离子源于离子抛光机内部的移动运行. 上海伯东是美国 KRI 考夫曼离子源中国总代理.KRI 离子源离子束抛光实际案例一:1. 基材: 100 mm 光学镜片2. 离子源条件: Vb: 800 V ( 离子束电压 ), Ib: 84 mA ( 离子束电流 ) , Va: -160 V ( 离子束加速电压 ), Ar gas ( 氩气 ).离子束抛光前平坦度影像呈现图离子束抛光后平坦度影像呈现图KRI 离子源离子束抛光实际案例二:1. 基材: 300 mm 晶体硅片2. 离子源条件: Vb: 1000 V ( 离子束电压 ), Ib: 69 mA ( 离子束电流 ), Va: -200 V ( 离子束加速电压 ) Ar gas ( 氩气 )离子束抛光前平坦度影像呈现图离子束抛光后平坦度影像呈现图 KRI 离子源实际安装案例一: KDC 10 使用于光学镀膜离子束抛光机KRI 离子源实际安装案例二: KDC 40 使用于晶体硅片离子束抛光机上海伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 系列根据客户离子抛光工艺条件提供如下型号:型号KDC 10KDC 40KDC 75KDC 100KDC 160电压DC magnetic confinement- 阴极灯丝11222- 阳极电压0-100V DC电子束电子束- 栅极专用,自对准- 栅极直径1 cm4 cm7.5 cm12 cm16 cm 1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.若您需要进一步的了解 KRI 考夫曼离子源, 请查看官网或咨询叶女士上海伯东版权所有, 翻拷必究！

产品名称：离子束刻蚀系统品牌：Elionix型号：EIS-200关键词标签：离子束蚀刻，干法蚀刻，离子束轰击，离子束减薄简短描述：（40字）：利用ECR技术产生高能Ar+离子束，Ar+离子束通过电场加速，对样品进行物理的轰击达到刻蚀作用。一、简介EIS-200是Elionix推出的一款基于电子回旋共振技术（ECR）的小型离子束蚀刻系统，特别适合于科研用离子束刻蚀、减薄，清洗、镀膜等。EIS-200原理：利用ECR技术产生高能Ar+离子束，Ar+离子束通过电场加速到达样品表面，对样品进行物理的轰击达到刻蚀作用。EIS-200具有以下优点：? 方向性好，各向异性，陡直度高，侧向刻蚀少? 分辨率高? 不受刻蚀材料限制，可对石英等材料进行蚀刻? 可控制蚀刻Taper角? 可以设定多样的实验条件二、主要功能l 主要应用纳米级图案刻蚀高深宽比蚀刻表面清洁离子减薄l 技术能力离子枪ECR型离子枪离子化气体Ar、Xe等、惰性离子气体N2、O2、CF4等、活性离子气体加速电压100V～3000V 连续可变（高加速电压可选) (输出电流20mA MAX)离子束流密度Ar:1.5mA/cm2以上 (2kV加速時）O2:2.0mA/cm2以上 (2kV加速時）离子束有效直径Φ20mm（FWHM35mm)离子束稳定度±3％/2H大样品尺寸Φ4英寸三、应用纳米级图案刻蚀、高深宽比蚀刻、表面清洁、离子减薄等? SiO2 on Si substrate? Diamond Substrate（金刚石）? Quartz (Mask)? Oriented PET film

多功能离子减薄仪EM RES102Leica EM RES102 通过离子枪激发获得离子束，以一定入射角度对样品进行轰击，以去除样品表面原子，从而实现对样品的离子束加工。Leica EM RES102主要功能为：对无机薄片样品进行离子减薄，使得薄片样品可被透射电子穿过，从而适宜TEM透射电子显微镜观察；对无机块状样品进行离子束抛光、离子束刻蚀，样品表面离子清洗及斜坡切割，便于SEM扫描电子显微镜观察样品内部结构信息。* 具有2把离子枪，离子束能量为0.8keV-10keV，相对位置，可分别±45°倾斜，样品台倾斜角度-120°至 210°，离子束加工角度0°至90°，样品平面摆动角度360°， 垂直摆动距离±5mm。实际操作参数根据具体应用需要选择（系统备有参考参数，也可自行设置参数并存储）* 可选配样品台：TEM样品台（?3.0mm或?2.3mm），FIB样品清洗台，SEM样品台，斜坡切割样品台（对样品35°或90°斜坡切割）等* SEM样品台可容纳最大样品尺寸：直径25mm，高度12mm* 全无油真空系统，样品室带有预抽室，保证样品交换时间1分钟* 全电脑控制，触摸屏操作界面，内置视频观察系统，可实时观察样品处理过程

Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束专为自动化冷冻电子断层扫描成像样品的制备而设计。用户可以稳定地在原位制备厚度约为 200nm 或更薄的冷冻薄片，同时避免产生镓 (Ga) 离子注入效应。与目前市场上的其他 cryo-FIB-SEM 系统相比，Arctis Cryo-PFIB 可显著提高样品制备通量。与冷冻透射电镜和断层成像工作流程直接相连通过自动上样系统，Thermo Scientific&trade Arctis&trade Cryo-PFIB 可自动上样、自动处理样品并且可存储多达 12 个冷冻样品。与任何配备自动上样器的冷冻透射电镜（如 Thermo Scientific Krios&trade 或 Glacios&trade ）直接联用，省去了在 FIB-SEM 和透射电镜之间的手动操作载网和转移的步骤。为了满足冷冻聚焦离子束电镜与透射电镜应用的低污染要求，Arctis Cryo-PFIB 还采用了全新的高真空样品仓和经过改进的冷却/保护功能。Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束电镜的主要特点与光学显微镜术关联以及在透射电镜中重新定位"机载"集成宽场荧光显微镜 (iFLM) 支持使用光束、离子束或电子束对同一样品区域进行观察。 特别设计的 TomoGrids 确保从最初的铣削到高分辨率透射电镜成像过程中，冷冻薄片能与断层扫描倾斜轴始终正确对齐。iFLM 关联系统能够在电子束和离子束的汇聚点处进行荧光成像。无需移动载物台即可在 iFLM 靶向和离子铣削之间进行切换。CompuStage的180° 的倾转功能使得可以对样品的顶部和底部表面进行成像，有利于观察较厚的样品。TomoGrids 是针对冷冻断层扫描工作流程而特别设计的，其上下2面均是平面。这2个面可防止载样到冷冻透射电镜时出现对齐错误，并始终确保薄片轴相对于透射电镜倾斜轴的正确朝向。 利用 TomoGrids，整个可用薄片区域都可用于数据采集。厚度一致的高质量薄片Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束扫描电镜可在多日内保持超洁净的工作环境，确保制备一致的高质量薄片。等离子体离子束源可在氙离子、氧离子和氩离子间进行切换，有利于制备表面质量出色的极薄薄片。等离子体聚焦离子束技术适用于液态金属离子源 (LMIS) 聚焦离子束系统尚未涉及的应用。例如，可利用三种离子束的不同铣削特性制备高质量样品，同时避免镓注入效应。系统外壳的设计考虑到了生物安全，生物安全等级较高的实验室（如生物安全三级实验室）可选用高温消毒解决方案。Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束扫描电镜的紧凑型样品室专为冷冻操作而设计。由于缩小了样品室体积，操作环境异常干净，最大限度减少水凝结的发生。通过编织套管冷却样品及专用冻存盒屏蔽样品，进一步提升了设计带来的清洁度，确保了可以进行多日批量样品制备的工作环境。 自动化高通量样品制备和冷冻断层扫描连接性自动上样器可实现多达 12 个网格（TomoGrids 或 AutoGrids）的自动上下样，方便转移到冷冻透射电镜，同时最大限度降低样品损坏和污染风险。通过新的基于网络的用户界面加载的载网将首先被成像和观察。 随后，选择薄片位置并定义铣削参数。铣削工作将自动运行。根据样品情况，等离子体源可实现高铣削速率，以实现对大体积材料的快速去除。自动上样系统为易损的冷冻薄片样品提供了受保护的环境。在很大程度上避免了可能会损坏或污染样品的危险手动操作样品步骤。 自动上样器卡槽被载入到与自动上样器对接的胶囊中，可在 Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束扫描电镜和 Krios 或 Glacios 冷冻透射电镜之间互换。

IBE离子束刻蚀NIE-3500（M）IBE离子束刻蚀产品概述：该系统为计算机全自动实现工艺控制的紧凑型独立的立柜式离子束刻蚀系统，具有结构紧凑、功能强大、自动化程度高、模块化设计易于维护、低成本的优势。所有核心组件均为国际知名品牌。NIE-3500（M）IBE离子束刻蚀产品特点：低成本离子束：高达2KV/10mA离子电流密度100-360uA/cm2离子束直径：4",5",6"兼容反应及非反应气体(Ar, O2, CF4,Cl2)极限真空5x10-7Torr260l/s涡轮分子泵，串接500 l/min干泵14"不锈钢或铝质腔体水冷旋转/倾斜样品台(NIE-3500)自动上下载片（NIE-3500）基于LabView软件的PC计算机全自动控制占地面积30"x30"NIE-3500（M）IBE离子束刻蚀产品应用：表面清洗表面处理离子铣带活性气体的离子束刻蚀光栅刻蚀SiO2，Si和金属的深槽刻蚀NIE-3500（M）IBE离子束刻蚀Features：Low CostIon Beam: Up to 2KV/10mA Ion Current Density 100-360 μA/cm2 Ion Beam Size: 4”, 5”, 6”Compatible with Reactive and Non-Reactive Gases (Ar, O2, CF4,Cl2) Base Pressure 5x10-7 Torr 260 l/sec Corrosive Turbo Pump with 500 l/min Dry Scroll Pump14” SS or Al ChambersWater Cooled Rotating/Tilted Platen (NIE-3500)Auto Load and Unload (NIE-3500)PC Controlled with LabVIEW SoftwareFootprint 30”x30”NIE-3500（M）IBE离子束刻蚀Applications：Surface Cleaning Surface Treatment Ion Beam MillingIon Beam Etching with Reactive Gases: Grating Deep Trenches on SiO2, Si and metals

Ion Beam离子束清洗NIE-3000 (C) 离子束清洗系统产品概述：该系统为手动放片取片，但通过计算机全自动实现工艺控制的台式离子束刻蚀系统，系统具有结构紧凑、功能强大、自动化程度高、模块化设计易于维护、低成本的优势。该系统所配套的所有核心组件均为国际知名品牌。NIE-3000 (C) 离子束清洗系统产品特点：低成本离子束：高达2KV/10mA离子电流密度100-360uA/cm2离子束直径：4",5",6"兼容反应及非反应气体(Ar, O2, CF4,Cl2)极限真空5x10-7Torr260l/s涡轮分子泵，串接500 l/min干泵14"不锈钢或铝质腔体水冷旋转/倾斜样品台(NIE-3500)自动上下载片（NIE-3500）基于LabView软件的PC计算机全自动控制占地面积30"x30"NIE-3000 (C) 离子束清洗系统产品应用：表面处理离子铣表面清洗带活性气体的离子束刻蚀： 光栅刻蚀，以及SiO2，Si和金属的深槽刻蚀NIE-3000 (C) 离子束清洗系统 Features：Low CostIon Beam: Up to 2KV/10mA Ion Current Density 100-360 μA/cm2 Ion Beam Size: 4”, 5”, 6”Compatible with Reactive and Non-Reactive Gases (Ar, O2, CF4,Cl2) Base Pressure 5x10-7 Torr 260 l/sec Corrosive Turbo Pump with 500 l/min Dry Scroll Pump14” SS or Al ChambersWater Cooled Rotating/Tilted Platen (NIE-3500)Auto Load and Unload (NIE-3500)PC Controlled with LabVIEW SoftwareFootprint 30”x30”NIE-3000 (C) 离子束清洗系统 Applications：Surface Cleaning Surface Treatment Ion Beam MillingIon Beam Etching with Reactive Gases: Grating Deep Trenches on SiO2, Si and metals

双束聚焦离子束扫描电镜 LYRA 基于高分辨率肖特基FEG-SEM镜筒和高性能聚焦离子束镜筒，LYRA3 FIB-SEM是一款SEM与FIB良好结合的一体化系统，能够满足高要求客户的需要。新一代场发射扫描电子显微镜（LYRA3）给用户带来了新的技术优点，包括改进的高性能电子设备使成像速度更快，包含了静态和动态图像扭曲补偿技术的超快扫描系统，内置的编程软件等，都使LYRA3保持着很高的性价比。LYRA3系列的设计适用于各种各样的SEM应用及当今研究和工业的需求。大电子束流下的高分辨率有利于EDX、WDX、EBSD、3维断层扫描等分析应用。借助于高性能软件，TESCAN的FIB-SEM已成为适合电子束/离子束光刻、TEM样品制备等应用的强大工具。LYRA3聚焦离子束扫描电子显微镜配备了XM与GM两种样品室。现代电子光路 独特的大视野光路设计提供各种工作与显示模式 以电磁的方式改变物镜光阑——中间镜的作用如同“光阑转换器” 结合了完善的电子光学设计软件的实时电子束追踪（In-Flight Beam Tracing™ ），可模拟和优化电子束 全自动镜筒设置与对中 成像速度很快 3维电子束技术提供实时立体图像 可选的电子束遮没装置提供了电子束光刻技术高性能离子光路 高性能CANION FIB设备提供既快又精确的切片与TEM样品制备技术 可选的高分辨率COBRA-FIB离子束设备在成像与铣削过程中依然保持很高的分辨率聚焦离子束装置 装有两套差异泵的独特离子束装置使离子散射效应较更低 马达驱动高重复性光阑转换器 电子束遮没装置与法拉第筒作为标配 同时可以进行离子刻蚀/沉积与SEM成像 FIB的操作软件集成在SEM软件 软件工具栏包括了基本形状与可编程的参数 微/纳米加工 离子束光刻维修简单只需要很短的停机检修时间，就能使得电镜长期保持在优化的状态。每个细节设计得非常仔细，使得仪器的效率zui大化，操作zui简化。自动程序自动设置和许多其他的自动化操作是设备的特点之一。除此之外，电镜还有样品台自动导航与自动分析 程序，能明显减少操作员的操作时间。通过内置脚本语言 （Python）可进入操作软件的大多数功能，包括显微镜控制、样品台控制、图像采集、处理与分析。通过脚本语言用户还可以编程其自己的自动操作程序。用户界面友好的软件与软件工具 多用户和多语言操作界面 图像管理与报告生成 内置的系统检查与系统诊断 网络操作与远程进入/诊断 模块化的软件结构 标准的软件模块包括：自动离子束控制、电子束写入基本版、同时的FIB/SEM成像、预定义FIB工作模式等软件工具 可选软件包括了：颗粒度分析标准版/专家版、3维表面重建等模块 电子束写入软件使聚焦离子束扫描电子显微镜成为能进行电子束曝光、电子束沉积、电子束刻蚀、离子束沉积、离子束减薄的强大工具 可选的3D Tomography软件提供使用FIB时的全自动连续SEM图像，三维重构与三维可视化LYRA3 GMLYRA 3 GM是一款完全由计算机控制的聚焦离子束场发射扫描电子显微镜，可选配气体注入系统(GIS)， 有高真空和低真空两种模式，其具有突出的光学性能、清晰的数字化图像、成熟、用户界面友好的SEM/FIB/GIS操作软件等LYRA3 XMLYRA3 XM是一款完全由计算机控制的聚焦离子束场发射扫描电子显微镜，可选配气体注入系统(GIS)，有高真空和低真空两种模式，其具有突出的光学性能、清晰的数字化图像、成熟、用户界面友好的SEM/FIB/GIS操作软件等特点。基于Windows™ 平台的操作软件提供了简易的电镜操作和图像采集，可以保存标准文件格式的图片，可以对图像进行管理、处理和测量，实现了电镜的自动设置和许多其它自动操作。

双束聚焦离子束扫描电镜 LYRA 基于高分辨率肖特基FEG-SEM镜筒和高性能聚焦离子束镜筒，LYRA3 FIB-SEM是一款SEM与FIB良好结合的一体化系统，能够满足高要求客户的需要。新一代场发射扫描电子显微镜（LYRA3）给用户带来了新的技术优点，包括改进的高性能电子设备使成像速度更快，包含了静态和动态图像扭曲补偿技术的超快扫描系统，内置的编程软件等，都使LYRA3保持着很高的性价比。LYRA3系列的设计适用于各种各样的SEM应用及当今研究和工业的需求。大电子束流下的高分辨率有利于EDX、WDX、EBSD、3维断层扫描等分析应用。借助于高性能软件，TESCAN的FIB-SEM已成为适合电子束/离子束光刻、TEM样品制备等应用的强大工具。LYRA3聚焦离子束扫描电子显微镜配备了XM与GM两种样品室。现代电子光路 独特的大视野光路设计提供各种工作与显示模式 以电磁的方式改变物镜光阑——中间镜的作用如同“光阑转换器” 结合了完善的电子光学设计软件的实时电子束追踪（In-Flight Beam Tracing™ ），可模拟和优化电子束 全自动镜筒设置与对中 成像速度很快 3维电子束技术提供实时立体图像 可选的电子束遮没装置提供了电子束光刻技术高性能离子光路 高性能CANION FIB设备提供既快又精确的切片与TEM样品制备技术 可选的高分辨率COBRA-FIB离子束设备在成像与铣削过程中依然保持很高的分辨率聚焦离子束装置 装有两套差异泵的独特离子束装置使离子散射效应较更低 马达驱动高重复性光阑转换器 电子束遮没装置与法拉第筒作为标配 同时可以进行离子刻蚀/沉积与SEM成像 FIB的操作软件集成在SEM软件 软件工具栏包括了基本形状与可编程的参数 微/纳米加工 离子束光刻维修简单只需要很短的停机检修时间，就能使得电镜长期保持在优化的状态。每个细节设计得非常仔细，使得仪器的效率zui大化，操作zui简化。自动程序自动设置和许多其他的自动化操作是设备的特点之一。除此之外，电镜还有样品台自动导航与自动分析 程序，能明显减少操作员的操作时间。通过内置脚本语言 （Python）可进入操作软件的大多数功能，包括显微镜控制、样品台控制、图像采集、处理与分析。通过脚本语言用户还可以编程其自己的自动操作程序。用户界面友好的软件与软件工具 多用户和多语言操作界面 图像管理与报告生成 内置的系统检查与系统诊断 网络操作与远程进入/诊断 模块化的软件结构 标准的软件模块包括：自动离子束控制、电子束写入基本版、同时的FIB/SEM成像、预定义FIB工作模式等软件工具 可选软件包括了：颗粒度分析标准版/专家版、3维表面重建等模块 电子束写入软件使聚焦离子束扫描电子显微镜成为能进行电子束曝光、电子束沉积、电子束刻蚀、离子束沉积、离子束减薄的强大工具 可选的3D Tomography软件提供使用FIB时的全自动连续SEM图像，三维重构与三维可视化LYRA3 GMLYRA 3 GM是一款完全由计算机控制的聚焦离子束场发射扫描电子显微镜，可选配气体注入系统(GIS)， 有高真空和低真空两种模式，其具有突出的光学性能、清晰的数字化图像、成熟、用户界面友好的SEM/FIB/GIS操作软件等LYRA3 XMLYRA3 XM是一款完全由计算机控制的聚焦离子束场发射扫描电子显微镜，可选配气体注入系统(GIS)，有高真空和低真空两种模式，其具有突出的光学性能、清晰的数字化图像、成熟、用户界面友好的SEM/FIB/GIS操作软件等特点。基于Windows™ 平台的操作软件提供了简易的电镜操作和图像采集，可以保存标准文件格式的图片，可以对图像进行管理、处理和测量，实现了电镜的自动设置和许多其它自动操作。设备咨询电话：（微信同号）；QQ：；邮箱：欢迎您的来电咨询！

IKA多功能研磨机MultiDrive control*其他型号往下拉从2019年第三季第开始供应 Multidrive 多功能研磨机可兼容种类丰富的研磨杯，对于硬质、柔软、纤维样品或其它破碎任务，均能很好的实现粗粉碎或细粉碎效果。Multidrive 控制型可实现混匀、粉碎、均质功能，并兼容分散杯及可抛型样品杯。USB 接口可用于轻松保存各种参数文档。 性能优越 3,000 – 20,000 rpm 的可调转速及 1,000 W 的功率输出，确保了Multidrive 绝佳的破碎效果。 间歇操作 按键即可轻松开启间歇操作模式，此模式利于坚硬样品的粗破碎或进一步的混合。 冷却夹套 IKA研磨机的研磨杯带有一体式冷却夹套，可以实现间接散热，并避免了制冷剂与样品的接触。 TFT 显示屏 清晰的 TFT 显示屏确保用户友好型操作 温度监测 IKA多功能研磨机MultiDrive control 可实现温度监测及通过 RFID 芯片识别样品杯 型号。可以设定温度限制，适合于热敏性样品或避免特殊反应的 样品过热。 称重功能 MulitiDrive Control 内置称重功能。破碎之前称量样品杯，再加样 品，避免了样品的转移步骤。 多种样品杯（选配件） 对于每一种破碎任务，MultiDrive研磨机均可提供更有针对性的样品杯。主机包装内不包含样品杯，请单独选购您所需的配件。 技术参数工序类型分批处理工作原理剪切/冲击电机输入功率1000 W电机输出功率800 W速度范围3000 - 20000 rpm速度偏差5 ±%最大圆周速度80 m/s最大使用容积2000 ml最大给料硬度5 Mohs最大给料颗粒7 mm冲击/剪切刀头材料不锈钢1.4034研磨室材料不锈钢 1.4301材料(其他)PTFE工作时间 开5 min工作时间 关10 min研磨室，可用水冷却是研磨物料可在研磨室用干冰冷却是外形尺寸300 x 450 x 250 mm重量8.5 kg允许环境温度5 - 40 °C允许相对湿度80 %DIN EN 60529 保护方式IP 31USB接口是Bluetooth接口是电压220 - 240 / 100 - 120 / 100 - 115 V频率50/60 Hz仪器输入功率1000 W其他型号点击图片查看产品核心参数 型号MultiDrive basic图片详情

v FIB是将离子源产生的离子束经过离子枪加速，聚焦后作用于样品表面，应用于：产生二次电子信号取得电子像，此功能与SEM相似，用强电流离子束对表面原子进行剥离,以完成微、纳米级表面形貌加工，通常是以物理溅射的方式搭配化学气体反应，有选择性的剥除金属，氧化硅层或沉积金属层v 芯片领域应用：IC芯片电路修改，Cross-Section 截面分析，FIB透射电镜样品制备，材料鉴定v 液态金属离子源：分辨率3nm@30kv 120nm@1kv检测器：Inlens SE、Inlens EsB、VPSE(可变气压二次电子探测器)、SESI（二次电子二次离子探测器）、aSTEM（扫描透射电子探测器）、aBSD（背散射探测器）