蝶形封装耦合探测器

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蝶形封装耦合探测器相关的厂商

  • 东莞市嘉乐仕金属探测设备有限公司
    东莞市嘉乐仕金属探测设备有限公司是一家专业金属探测器,金属探测仪,金属检测仪,金属检测器,食品金属探测器,金属分离器,x光机,x射线异物检测仪的集研发、生产、销售于一体的民营高科技企业.经过多年的经营发展和科技上的不断创新，已成为中国最大的金属探测器生产厂家之一，嘉乐仕凭借优质的产品，卓越的技术和完善的服务，产品遍及祖国各地，并远销美洲，欧洲，非洲，中东，东南亚等国际市场。 　　东莞市嘉乐仕金属探测设备有限公司以“诚信是我风格，质量是我生命“ 为宗旨，视用户为“上帝”，一贯秉承“质量第一、顾客满意，持续改进，争创一流”的方针，从产品的研发设计、生产制造到销售及售后服务全过程，已建立一套严谨的品质管理和质量保证体系，且采取有效的市场保护措施，确保为每个用户提供最优质的产品和最完善的服务。 　　展望未来，嘉乐仕将一如继往的秉承”敬业，诚信，融合，创新“的企业精神，研制出更好的产品，提供更好的服务，树立更好的形象，愿与各界新老朋友进行更广泛的合作，共创辉煌! 　　嘉乐仕热忱欢迎企事业单位前来参观考察，洽商合作，愿与您携手共创更辉煌的明天！ 联系人：卢生15907693763（微信同号）QQ:2777469253 欢迎来电咨询！官网：www.jls668.net
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  • 深圳市汇成探测科技有限公司
    深圳市汇成探测科技有限公司始建于2007年是一家专业从事金属探测器研发、生产、销售为一体的企业。公司严格依照ISO9001国际质量标准体系的要求，从产品的研发设计、生产制造到销售及售后服务全过程，已建立一套严谨的品质管理和保证体系。目前公司主营品种齐全有地下可视成像仪、可视地下金属探测器、远程地下金属探测器、探盘式地下金属探测器、手持金属探测器。品质彰显价值，服务缔造信誉。为广大客户提供更优质的服务，公司以“专业、信誉、质量第一、用户至上”为经营宗旨，以高品质的产品与服务满足客户的梦想。追求卓越是我公司致力追求的目标。我们更坚信：有了您的支持和我们不断的努力，我们与社会各界同仁携手并进，开拓创新，共创美好未来。
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  • 四川梓冠光电有限公司
    我司专业生产蝶形激光器，光纤激光器，光延迟线，光衰减器，光开关，光探测器，光源等光电设备、器件的生产厂家有十余年生产经营，全部产品接受定制，提供优质的产品和完善的售后服务。定制特殊波长：532nm、633nm、760nm、850nm、980nm、1064nm等?定制光纤类型：单模/多模/保偏/大芯径光纤?等
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蝶形封装耦合探测器相关的仪器

  • 铟镓砷 InGaAs 蝶形/程控增益可调/超低噪/雪崩/光电平衡探测器800-1700nm 400-860-5168转3429
    一 , InGaAs超低噪平衡探测器 UBD-A 800-1700nm总览UBD系系列超低噪平衡探测模块是原MBD系系列基础上升级产品，相比较原MBD系列在其他参数相同条件下其本底噪声显著降低，在相同带宽以及增益条件下，其本底噪声约为MBD系列模块三分之一，因此灵敏度更高，信噪比更高.InGaAs超低噪平衡探测器 UBD-A 800-1700nm,InGaAs超低噪平衡探测器 UBD-A 800-1700nm通用参数产品特点超低噪声高增益高带宽结构紧凑内置低噪隔离电源应用领域分布式光纤传感激光测风雷达光学相干层析光谱测量级光脉冲探测产品参数产品型号UBD-100M-AUBD-200M-AUBD-300M-AUBD-400M-AUBD-500M-AUBD-800M-AUBD-1G-AUBD-1.2G-AUBD-1.5G-AUBD-2G-AUBD-2.5G-A单位探测器类型InGaAs波长800~1700nm带宽100M200M300M400M500M800M1G1.2G1.5G2G2.5GHz探测器响应度0.950.950.950.950.950.950.950.950.950.950.95A/W@1550nm跨阻增益30K30K30K20K10K30K30K30K30K30K30KV/W最大输入光功率140140140210420140140140140140140μWNEP2.52.52.52.93.13.13.13.13.13.13.1pW/Sqrt(Hz)共模抑制比3030303030303030303030dB输出阻抗5050505050505050505050Ω输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCACACACACACAC供电电压55555121212121212V供电电流0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)A光学输入FC/APC（自由空间可选）射频输出SMA外形尺寸80*90*25mm测试结果300MHz带宽相应曲线超低噪平衡探测器与常规平衡探测器底噪对比八 , ULN-PDB 超低噪声平衡光电探测器 (直流耦合 100 MHz 增益3.9kV/A)ULN-PDB 模块是一种即插即用型超低噪声平衡光电探测器，封装紧凑，使用方便。它采用 InGaAs、Si 或 GaAs 光电二极管，在直流耦合版本中，带宽为 100 MHz，增益高达 3.9 kV/A。ULN-PDB 超低噪声平衡光电探测器 (直流耦合 100 MHz 增益3.9kV/A),ULN-PDB 超低噪声平衡光电探测器 (直流耦合 100 MHz 增益3.9kV/A)通用参数参数输出端数量2跨阻抗增益3.9 kV/A (x1) 和 39 kV/A (x10) 输出阻抗 50 Ω带宽100 MHz输出连接器SMA 母头输入连接器FC输出电压范围-3 V 至 +3 V输入插头P1J产品尺寸71 x 48 x 29 mm3产品重量约 300 克其它双色 LED 显示屏x1 通道和 500 µ W 光功率下输出的典型电压噪声功率谱密度：(受限于测量本底噪声）二,铟镓砷 InGaAs光电平衡探测器 MBD-A系列 800-1700nm总览高速低噪声光电平衡探测模块集成了两个匹配的低噪声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声电源。具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声、高共模抑制比等特点，可以有效的减少信号的共模噪声，提高系统的信噪比。铟镓砷 InGaAs光电平衡探测器 MBD-A系列 800-1700nm,铟镓砷 InGaAs光电平衡探测器 MBD-A系列 800-1700nm通用参数产品特点 噪声低 高增益 高带宽 结构紧凑 内置低噪隔离电源产品应用分布式光纤传感激光测风雷达光学相干层析光谱测量ns 级光脉冲探测产品参数产品型号MBD-100M-AMBD-200M-AMBD-300M-AMBD-400M-AMBD-500M-AMBD-800M-AMBD-1G-AMBD-1.5G-AMBD-2G-AMBD-2.5G-A单位探测器类型InGaAs波长800~1700nm带宽100M200M300M400M500M800M1G1.5G2G2.5GHz探测器响应度0.950.950.950.950.950.950.950.950.950.95A/W@1550nm跨阻增益30K30K30K10K5K30K30K30K15K15KV/A最大输入光功率140140140420840140140140280280μWNEP5557799999pW/Sqrt(Hz)输出阻抗50505050505050505050Ω输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCACACACACDC供电电压555551212121212V供电电流0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)A光学输入FC/APC（自由空间光可选）射频输出SMA外形尺寸62*47*2575*55*25mm测试结果相干探测分布式光纤传感三,铟镓砷 InGaAs 蝶形封装低噪声光电平衡探测器 1100~1700nm总览铟镓砷 InGaAs 蝶形封装低噪声光电平衡探测器 1100~1700nm铟镓砷 InGaAs 蝶形封装低噪声光电平衡探测器 1100~1700nm,铟镓砷 InGaAs 蝶形封装低噪声光电平衡探测器 1100~1700nm通用参数产品特点：蝶形封装高带宽 DC~400MHz高增益 60KV/A；低噪声应用领域： 分布式光纤传感 ,包含ψ-OTDR,C-OTDR,DAS等激光测风雷达光学相干层析其他应用参数表型号XBD-200M-60K-A参数范围单位波长1100~1700nm带宽200MHz探测器响应度0.95@1550nmAw探测器类型lnGaAs跨阻增益*160Kv/A饱和输入光功率60uwNEP5pW/Sqrt(Hz)输出阻抗50共模抑制比25dB输出耦合方式*2AC/DC供电电压5v供电电流0.2(max)A外形尺寸蝶形封装光学输入FC/APC射频输出MCX*1：表中给出的是常规放大倍数，其它放大倍数可以根据客户需求进行定制；*2：耦合方式可以根据客户需求来确定；外形尺寸图（单位：mm)四,铟镓砷 InGaAs 相干接收模块 集成光电平衡探测器光纤耦合器 800~1700nm总览筱晓光子针对光学相干检测应用研发了高速低噪声模拟相干接收模块。svdc power coherent receiver module模块内部集成了高速低噪声模拟光电平衡探测器以及高品质光纤耦合器。制作过程对耦合器分光比以及长度进行严格控制，从而进一步提高共模抑制比。在相干接收基础上，为进一步提高光学信噪比，高信噪比相干接收模块集成了一个低噪声小信号光纤放大器，用来放大微弱后向散射光信号。该模块适合于光纤传感、激光测风雷达等领域。包含 CRM-100M-A CRM-200M-A CRM-350M-A CRM-800M-A CRM-1.6G-A等型号铟镓砷 InGaAs 相干接收模块 集成光电平衡探测器光纤耦合器 800~1700nm,铟镓砷 InGaAs 相干接收模块 集成光电平衡探测器光纤耦合器 800~1700nm产品特点● 高宽带● 高增益● 低噪声● 内置低噪隔离电源产品应用● 光纤传感● 激光测风雷达● 光学相干层析● 光谱测量技术参数产品型号CRM-100M-ACRM-200M-ACRM-350M-ACRM-800M-ACRM-1.6G-A单位波长800~1700800~1700800~1700800~1700800~1700nm带宽DC-100MDC-200MDC-350MAC-800MAC-1.6GHZ探测器响应度0.95@1550nm0.95@1550nm0.95@1550nm0.95@1550nm0.95@1550nmA/W跨阻增益30k(60k)30k(60k)30k30k30kV/A光输入Local＜5＜5＜5＜5＜5mWSignal200300300300300uW供电电压5551212V供电电流0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)A光纤类型SMF-28(PM可选）光学输入FC/APC射频输出SMA外形尺寸80*80*30mm相关测试数据200MHz拍频信号（示波器数据）典型应用领域相干探测分布式光纤传感光纤上PZT振动点解调相位（1KHz）五,铟镓砷 InGaAs 程控增益可调平衡探测器 800-1700nm总览筱晓光子自主研发了目前市场上优秀的程控增益光电平衡探测器，该探测器通过软件方便快捷调节增益，增益调节范围高达31dB，最大增益高达60KV/A。在增益调节过程中，调节速度快，噪声低，输出信噪比以及信号带宽不受影响，特别适用于科研、设备集成。产品型号 ABD-100M-A ABD-200M-A ABD-350M-A ABD-800M-A ABD-1.6G-A铟镓砷 InGaAs 程控增益可调平衡探测器 800-1700nm,铟镓砷 InGaAs 程控增益可调平衡探测器 800-1700nm产品特点● 增益可调(软件调节)● 增益调节范围大(0~31dB)● 无信噪比劣化● 高增益(60KV/A)● 低噪声、高带宽● 操作方便产品应用● 分布式光纤传感● 激光测风雷达● 光学相干层析● 光谱测量● ns 级光脉冲探测技术参数产品型号ABD-100M-AABD-200M-AABD-350M-AABD-800M-AABD-1.6G-A单位波长800~1700800~1700800~1700800~1700800~1700nm带宽DC-100MDC-200MDC-350MAC-800MAC-1.6GHZ探测器响应度0.95@1550nm0.95@1550nm0.95@1550nm0.95@1550nm0.95@1550nmA/W增益调节范围0~310~310~310~310~31dB增益调节步进11111dB跨阻增益30k30k30k30k30kV/A饱和输入光功率100150150150150μWNEP55599pW/Sqrt(Hz)输出阻抗5050505050Ω输出耦合方式ACACACACAC供电电压5551212V供电电流0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)A光学输入FC/APCFC/APCFC/APCFC/APCFC/APC射频输出SMASMASMASMASMA外形尺寸80*80*3080*80*3080*80*3080*80*3080*80*30mm相关测试数据与国外Thorlabs公司产品底噪对标测试底噪10mVpp200MHz拍频信号（示波器数据）典型应用领域相干探测分布式光纤传感光纤上PZT振动点解调相位（1KHz）六,铟镓砷 InGaAs 光电平衡探测器 BPD系列 800-1700nm总览C3A-I1700LA1高速低噪声光电平衡探测模块集成了两个匹配的超低噪声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声电源。具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声、高共模抑制比等特点，可以有效的减少信号的共模噪声，提高系统的信噪比。产品型号 BPD-100M-A BPD-200M-A BPD-350M-A BPD-800M-A BPD-1.6G-A铟镓砷 InGaAs 光电平衡探测器800-1700nm,铟镓砷 InGaAs 光电平衡探测器800-1700nm通用参数产品特点● 噪声低● 高增益● 高带宽● 结构紧凑● 内置低噪隔离电源产品应用● 分布式光纤传感● 激光测风雷达● 光学相干层析● 光谱测量● ns 级光脉冲探测技术参数产品型号BPD-100M-ABPD-200M-ABPD-350M-ABPD-800M-ABPD-1.6G-A单位探测器类型InGaAs波长800~1700800~1700800~1700800~1700800~1700nm带宽DC-100MDC-200MDC-350MAC-800MAC-1.6GMHZ探测器响应度0.95@1550nm0.95@1550nm0.95@1550nm0.95@1550nm0.95@1550nmA/W跨阻增益60k(30可选)30k(60k可选)30k(60k可选)30k(700k可选)30k(700k可选)V/A饱和输入光功率100150150150/2000150/2000μWNEP55599pW/Sqrt(Hz)输出阻抗5050505050Ω输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACACAC供电电压5551212V供电电流0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)A光学输入FC/APCFC/APCFC/APCFC/APCFC/APC射频输出SMASMASMASMASMA外形尺寸62x47x2562x47x2562x47x2562x47x2562x47x25mm相关测试数据与国外Thorlabs公司产品底噪对标测试底噪10mVpp200MHz拍频信号（示波器数据）七,铟镓砷 InGaAs 雪崩平衡探测器 (800~1700nm)总览雪崩光电平衡探测模块集成了低噪声APD探测器、低噪声宽带 跨阻放大器、超低噪声隔离电源、高压电源、APD温度补偿；隔离 电源供电确保输出信号不受外部供电电源的影响；APD温度补偿提 高探测模块的稳定性。雪崩光电探测器具有高增益、高灵敏度、高 带宽、低噪声等特点。铟镓砷 InGaAs 雪崩平衡探测器 (800~1700nm) ,铟镓砷 InGaAs 雪崩平衡探测器 (800~1700nm)通用参数产品特点噪声低高增益内置高压电源APD温度补偿结构紧凑内置低噪隔离电源应用领域： 光纤传感光纤通信激光测距光谱测量产品参数产品型号BAPD-100M-ABAPD-200M-ABAPD-300M-ABAPD-400M-ABAPD-500M-ABAPD-600M-ABAPD-800M-ABAPD-1G-ABAPD-1.2G-ABAPD-1.5G-ABAPD-2G-ABAPD-2.5G-A单位探测器类型InGaAs波长800~1700nm带宽100M200M300M400M500M600M800M1G1.2G1.5G1.5G2.5GHz探测器响应度999999999999A/W@1550nm跨阻增益300K300K300K100K50K50K300K300K300K200K150K150KV/W饱和光功率131313397878131313202020uW输出阻抗505050505050505050505050ΩNEP0.460.460.460.460.460.460.460.460.460.460.460.46pW/√(Hz)输出耦合方式 DC/AC DC/AC DC/AC DC/AC DC AC AC AC AC AC AC AC供电电压555555121212121212V供电电流0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)A光学输入FC/APC(自由空间光可选)射频输出SMA外形尺寸80*90*25mm八,铟镓砷 InGaAs Koheron 100MHz 平衡探测器 900-1700nmKoheron PD100B是一款增益为39kV/A、带宽为100MHz、共模抑制比为35dB的放大平衡探测器。PD100B有交流和直流耦合版本，可安装InGaAs光电二极管或不安装光电二极管，是光学相干层析成像和激光探测等应用的理想选择。铟镓砷 InGaAs Koheron 100MHz 平衡探测器 900-1700nm, 铟镓砷 InGaAs Koheron 100MHz 平衡探测器 900-1700nm通用参数参数表PD100B-ACPD100B-DC探测器探测器类型InGaAs光电二极管InGaAs光电二极管波长范围900-1700nm900-1700nm输入光功率0 -1.5 mW0 -1.5 mW连接器类型FCFC光敏面直径300um300um峰值响应度0.9 A/W0.9 A/W跨阻放大器耦合方式ACDCDC截止频率160Hz小信号带宽（3dB,Cin=8pF)160 Hz to 100 MHz跨阻增益39 kV/A39 kV/A输出电压范围-3 V to 3 V-3 V to 3 V共模抑制比（CMRR at 1MHz）35 dB35 dB输入电流噪声强度（10MHz,Cin=8pF)8 pA/√Hz8 pA/√Hz输出阻抗50 Ω50 Ω输出连接器SMA female connectorSMA female connector电源正极电源电压5.5 V to 12 V, nom. 6 V5.5 V to 12 V, nom. 6 V负极电源电压-12 V to -5.5 V, nom. -6 V-12 V to -5.5 V, nom. -6 V每路静态电流25 mA25 mA每路Max. 电流120 mA120 mA其他外部尺寸63 mm x 38 mm x 14 mm63 mm x 38 mm x 14 mm工作温度0 °C to 50 °C0 °C to 50 °C重量21 g21 g机械细节与M6公制兼容面包板（25 mm间距）与M6公制兼容面包板（25 mm间距）功能图表征输出功率谱密度针对不同的入射光功率测量了 PD100B 输出的功率谱密度。指示功率是每个光电二极管的入射功率。光源为Koheron LD100 激光器，波长为 1550 nm。
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    厂商： 筱晓（上海）光子技术有限公司
    品牌： PD-LD
    型号： ABD-100M-A
    价格： 3001 - 9999元
  • 915nm单模光纤耦合14pin蝶形激光器 400-860-5168转3429
    915nm 单膜光纤耦合激光器14pin蝶形封装激光管产品特点： ■ Axcel-905nm/915nm单模激光器连续光输出功率可达300mw,有很强的稳定性和可靠性。产品应用：■ 主要应用于激光测距、光数据存储、制图等领域。
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    厂商： 筱晓（上海）光子技术有限公司
    品牌： 未知
    型号： BF-915-0110-P50
    价格： 1.78万元
  • Thorlabs硅光电探测器，光纤耦合型，带放大 400-860-5168转4131
    Thorlabs硅光电探测器，光纤耦合型，带放大探测波长在400 nm - 1000 nm的光易于使用的OEM封装，带有FC/PC光纤耦合输入集成低噪声放大器附带电源应用FPD310-FC-VISFPD510-FC-VIS & FPD610-FC-VIS探测快速激光脉冲探测弱光信号激光光源的射频和脉冲形状提取外差激光拍频信号探测光学拍频信号的高效零差和外差提取探测弱光信号脉冲调制光源表征探测斩波光源Menlo Systems的高灵敏度PIN硅(Si)光电探测器使用方便，集成了高增益、低噪声的RF放大器(FPD310-FC-VIS)或跨阻放大器(FPD510-FC-VIS和FPD610-FC-VIS)。FPD310-FC-VIS光电探测器经过优化，具有高增益、高带宽、超短上升时间和高信噪比。它还有两种增益设置以供切换，在许多应用中可实现最佳性能。此AC耦合装置的3 dB带宽为5 - 1000 MHz。FPD510-FC-VIS和FPD610-FC-VIS光电探测器针对信噪比最大值进行了优化，分别适用于探测频率最高不超过250 MHz和600 MHz的低电平光学拍频信号和脉冲形状。两种光电探测器都具有固定增益。FPD510-FC-VIS的上升时间为2 ns，而FPD610-FC-VIS的上升时间为1 ns。FPD510-FC-VIS的3 dB带宽为200 MHz，而FPD610-FC-VIS的为500 MHz。这些探测器设计紧凑，易于OEM集成。它们还有一个FC/PC输入端，用于光纤耦合应用，且附带一个电源，具有通用AC输入。规格图：
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    厂商： 青岛森泉光电有限公司
    品牌： Thorlabs
    型号： FPD310-FC-VIS
    价格： 面议
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  • 上海微系统所等研制出微纳光纤耦合超导纳米线单光子探测器
    style type="text/css".TRS_Editor P{margin-top:0px margin-bottom:12px line-height:1.8 font-family:宋体 font-size:10.5pt }.TRS_Editor DIV{margin-top:0px margin-bottom:12px line-height:1.8 font-family:宋体 font-size:10.5pt }.TRS_Editor TD{margin-top:0px margin-bottom:12px line-height:1.8 font-family:宋体 font-size:10.5pt }.TRS_Editor TH{margin-top:0px margin-bottom:12px line-height:1.8 font-family:宋体 font-size:10.5pt }.TRS_Editor SPAN{margin-top:0px margin-bottom:12px line-height:1.8 font-family:宋体 font-size:10.5pt }.TRS_Editor FONT{margin-top:0px margin-bottom:12px line-height:1.8 font-family:宋体 font-size:10.5pt }.TRS_Editor UL{margin-top:0px margin-bottom:12px line-height:1.8 font-family:宋体 font-size:10.5pt }.TRS_Editor LI{margin-top:0px margin-bottom:12px line-height:1.8 font-family:宋体 font-size:10.5pt }.TRS_Editor A{margin-top:0px margin-bottom:12px line-height:1.8 font-family:宋体 font-size:10.5pt }/stylestyle type="text/css".TRS_Editor P{margin-top:0px margin-bottom:12px line-height:1.8 font-family:宋体 font-size:10.5pt }.TRS_Editor DIV{margin-top:0px margin-bottom:12px line-height:1.8 font-family:宋体 font-size:10.5pt }.TRS_Editor TD{margin-top:0px margin-bottom:12px line-height:1.8 font-family:宋体 font-size:10.5pt }.TRS_Editor TH{margin-top:0px margin-bottom:12px line-height:1.8 font-family:宋体 font-size:10.5pt }.TRS_Editor SPAN{margin-top:0px margin-bottom:12px line-height:1.8 font-family:宋体 font-size:10.5pt }.TRS_Editor FONT{margin-top:0px margin-bottom:12px line-height:1.8 font-family:宋体 font-size:10.5pt }.TRS_Editor UL{margin-top:0px margin-bottom:12px line-height:1.8 font-family:宋体 font-size:10.5pt }.TRS_Editor LI{margin-top:0px margin-bottom:12px line-height:1.8 font-family:宋体 font-size:10.5pt }.TRS_Editor A{margin-top:0px margin-bottom:12px line-height:1.8 font-family:宋体 font-size:10.5pt }/stylep　　超导纳米线单光子探测器（SNSPD：Superconducting nanowire single-photon detector）作为一种高性能的单光子探测器，已广泛应用于量子信息、激光雷达、深空通信等领域，有力推动了相关领域的科技发展。/pp　　SNSPD器件主要有两种光耦合方式，一种是垂直光耦合方式，光纤端面平行于SNSPD光敏面，光子垂直入射到纳米线上，采用光学腔体或反射镜结构实现高效光耦合。利用该类耦合结构，中国科学院上海微系统与信息技术研究所已实现NbN基SNSPD系统探测效率超过90%，相关结果发表后受到国内外广泛关注。该光耦合结构的特点是，可以实现高光耦合效率，但受限于光耦合结构，工作波长范围受限。另一种光耦合方式是波导光耦合方式，将纳米线制备在光波导上，可实现高效的本征吸收。但光纤到波导的耦合效率较低，使这类器件仅能作为片上光子学的解决方案，无法作为独立单光子探测器使用。/pp　　上海微系统所/中国科学院超导电子学卓越创新中心尤立星研究员团队和浙江大学教授方伟、童利民团队合作，首次提出微纳光纤耦合的SNSPD器件结构。该结构将SNSPD器件置于微纳光纤的倏逝场内，实现纳米线对微纳光纤中传输的光子吸收。光学计算显示，该类结构有望实现高吸收效率的同时，保持很好地宽谱特性。经过上海微系统所巫博士君杰和浙江大学博士徐颖鑫等近3年实验探索，科研团队研制出微纳光纤耦合SNSPD器件。在1550nm/1064nm工作波长，系统探测效率分别达到20%/50%。相关成果近日发表在emOptics Express/em上，该结果有望在新型SNSPD器件及微纳光纤领域开辟新的研究方向。/pp　　研究工作得到了国家重点研发计划项目“高性能单光子探测技术”、中科院战略性先导科技专项（B）“超导电子器件应用基础研究”、自然科学基金以及上海市科委等的资助。/ppbr//pp style="text-align:center "img alt="" oldsrc="W020171213665024470514.jpg" src="http://img1.17img.cn/17img/images/201712/uepic/bc478657-1ca0-4a06-a7b0-fc3659b0aeca.jpg"//pp style="text-align: center "微纳光纤耦合超导纳米线单光子探测器原理示意图/p
    时间： 2017-12-14
    作者： 杨改霞
  • 物理所实现空气耦合的MHz频段高灵敏度超声波探测
    高灵敏度、小型化的超声探测器在诸多方面发挥着重要应用，例如医学诊断、光声成像、无损检测等。目前，商用的超声波探测器主要采用压电换能器，但为了实现较高的灵敏度，往往需要较大的尺寸，其传感器的典型尺寸一般为毫米到厘米。 　　近些年来，随着微纳光电技术的发展，在硅芯片上微加工制备得到的光学超声波探测器可同时实现较高的灵敏度和空间分辨率。其中，微腔光力系统由于其高灵敏度、宽带宽、低功耗和易于集成等优越特性，引起越来越多的关注。由于微腔光力系统中的较强光力相互作用，微腔的机械位移可以通过光学共振信号来敏感读出。由于机械共振增强了响应，且光学共振可增强读出灵敏度，因此微腔光力系统已被证实是位移、质量、力、加速度、磁场和声波等物理量的高灵敏探测理想平台。 　　前期工作中，研究人员已在各种体系的光学微腔中实现超声波/声波的探测，例如二氧化硅微腔、聚合物微腔、硅微腔等。多数超声波探测是在液体环境中实现的。而在空气环境中，由于超声波吸收损耗大，且声源/空气界面处的阻抗失配大，高灵敏度的超声波探测依然颇具挑战。前期工作中，空气耦合的超声波探测只在1 MHz以下频段实现。空气耦合的超声波探测在一些特定场景中具有重要应用，例如气体光声光谱和非接触式超声医学成像等。 　　为了提高空气耦合的超声波探测灵敏度，并拓展探测频率范围，近日，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心研究人员使用微芯圆环腔演示了在MHz频率范围内的空气耦合高灵敏度超声波探测。 在该工作中，研究人员通过光刻、氢氟酸腐蚀、氟化氙刻蚀、二氧化碳激光回流的微加工工艺，制备了带有较细的硅基座的微芯圆环腔，从而减少来自衬底的机械运动的约束，获得了在2.56 MHz的一阶拍动模式下约700的高机械品质因子，同时光学品质因子达到107以上。凭借较高的光学和机械品质因子，以及与超声波具有较大空间重叠的2.56 MHz的一阶拍动模式，他们在机械模式附近0.6 MHz的频率范围内实现了仅受热噪声限制的灵敏度，在0.25-3.2 MHz的频率范围内实现了46 μPa/Hz1/2-10 mPa/Hz1/2的灵敏度。此外，他们在机械共振频率下利用超声波驱动传感器时观察到了二阶和三阶机械边带，通过测量不同超声波压强(P)下的信噪比(SNR)，发现一阶、二阶和三阶机械边带的分别与P、P2和P3大致成正比，三个机械边带上的测量强度与理论结果一致。这种非线性转换提供了一种扩展位移传感动态范围的方法。　　该研究演示了一种基于微芯圆环腔的空气耦合高灵敏度MHz频段超声波探测方案，实现了宽带、高灵敏度超声检测。这项工作拓宽了使用微腔光力系统进行空气耦合的超声波探测的频率范围，并获得了较大频率范围的热噪声主导区域。相关研究成果以High-Sensitivity Air-Coupled Megahertz-Frequency Ultrasound Detection Using On-Chip Microcavities为题于近日发表在Physical Review Applied上。相关研究工作得到国家重点研发计划、国家自然科学基金委项目和中科院基础前沿科学研究计划的支持。图1 (a) 微芯圆环腔的光学显微镜图。(b) 模拟的回音壁模式的基模光场分布。(c) 1550 nm附近微腔的透过率谱。(d) 超声波探测实验装置的示意图。图2 (a) 微腔超声波探测器的噪声功率谱(黑色实线)与在2.56 MHz频率处施加了超声波信号的响应谱(绿色实线)，虚线为计算得到的理论噪声。(b) 微腔超声波探测器的系统响应，即微腔对不同频率的超声波的响应。(c) 微腔超声波探测器的压强(左轴)和力(右轴)灵敏度谱。图3 (a) 施加单频超声波后不同阶机械边带的响应。(b) 一阶、二阶、三阶机械边带的与超声波压强的关系。
    时间： 2022-10-27
    作者： 情绪波动
  • 国科大杭州高等研究院陈效双团队：基于六方氮化硼封装技术的钽镍硒非制冷红外光电探测器
    近日，国科大杭州高等研究院物理与光电工程学院陈效双研究员团队提出了一种通过六方氮化硼封装技术，实现从520 nm到4.6 μm工作波长的钽镍硒（Ta2NiSe5）非制冷红外光电探测器（PD）。该探测器在室温空气环境条件下具有较低的等效噪声功率（4.5 × 10−13W Hz−1/2）和较高的归一化探测率（3.5× 1010cm Hz1/2W−1），而且通过表征时间、偏置、功率和温度依赖等多方面因素，研究其不同波长辐射产生光电流的多重机制。此外，还展示了器件的偏振灵敏度和在不同的可见光、近红外、中波红外波长范围内的多功能成像应用。这些结果揭示了多功能的探测模式，为设计新型的纳米光电器件提供了一种新的思路。该成果以“H-BN-Encapsulated Uncooled Infrared Photodetectors Based on Tantalum Nickel Selenide”为题发表在期刊Advanced Functional Materials上（IF=19）。本工作也得到了国家自然科学基金委、上海市科委、中国科学院和浙江省自然科学基金委等项目的资助。本文利用干法转移堆叠，采用平面h-BN封装的金属-Ta2NiSe5-金属(源极和漏极)结构设计了Ta2NiSe5基PDs，如图1a所示。图1b的左侧面板显示了横截面透射电子显微镜图像，并证明原子堆中没有污染或无定形氧化物。图1d显示了在黑暗条件下和不同功率强度的激光照射（1550nm）下的I-V特性的比较，显示了近线性行为，表明Ta2NiSe5薄片和Cr/Au电极之间具有良好的欧姆接触。如图1e所示，对于窄带隙半导体Ta2NiSe5，光激发载流子的短瞬态寿命减少了电荷分离时间。Ta2NiSe5的高迁移率可以实现电场驱动的光生载流子的快速传输，降低复合的概率。520 nm至2 µm范围内的光响应机制被认为是光电导效应（PDE）。由于PDE，带间跃迁产生的电子-空穴对被施加的电场分离，并被图1h左侧面板中的电极收集。在可见光和近红外光谱中吸收光子，只要它们具有超过带隙的能量，就会触发电子-空穴（e-h）对的产生，从而调节材料的电导率。随后，这些产生的e-h对在外部电场的诱导下分离，产生光电流。基于Ta2NiSe5的PD在1550 nm处0 V和±1 V的扫描光电流映射（图1h）很好地验证了上述光电流起源的推测。图1. Ta2NiSe5基PD在大气环境中不同激光波长和功率下的光电特性。（a）基于Ta2NiSe5的PD的示意图。（b）Ta2NiSe5基PD的横截面TEM图像和相应的元素映射。（c）剥离的Ta2NiSe5纳米片的SEM图像和EDS元素图谱。（d）在1550 nm激光照射下，不同功率下的Iph-Vds曲线。（e）基于Ta2NiSe5的PD的单个响应过程，Vds为1V。（f）从具有绝对值的I-t曲线中提取的Vds和Plight相关光电流。（g）在1V偏压下基于Ta2NiSe5的PD下的光电流的线性功率和亚线性功率依赖性。（h）1550 nm激光照射下典型Ta2NiSe5基PD的扫描光电流图，以及−1、0和1 V偏压照射下从Ta2NiSe5到电极的光生载流子传输过程的说明。泡利阻塞抑制了在4.6 μm（0.27 eV）处产生电子-空穴对的直接光学跃迁。热效应机制被认为是控制MWIR区域光探测过程的潜在物理机制，如光热电效应和辐射热效应。对于辐射热效应的贡献，不需要外部偏置来产生光电流，如图2a所示，而不是依赖于自供电的工作模式。辐射热效应是指沟道材料由于吸收均匀的红外辐射而引起温度升高，从而导致电导率或光吸收等电学或光学性质变化。值得注意的是，辐射热效应需要外加电场。为了确定控制MWIR探测过程的主要机制，光响应被记录为功率和Vds的关系。光电流呈现负极性、零极性和正极性三个特征区域，分别对应图2a中的区域I、II和III。通过测量Ta2NiSe5基PDs电阻的温度依赖性（4-400 K），器件电阻的温度依赖性表现出典型的半导体热激发输运性质，表明热效应可以有效地增强器件电导（图2b）。电阻的温度系数（TCR）是辐射热效应的一个关键指标，在Vds=1 V时，Ta2NiSe5基PDs的TCR为-1.9% K-1。与快速的可见光-近红外光响应相反，在关闭光后漏极电流缓慢恢复，响应时间≈24 ms（图2c）。辐射热效应可以解释明显的光响应与缓慢的下降和上升时间，而不是光电导效应。该值是典型的辐射热特性（1-100 ms），因为吸收MWIR光子后热电子的能量转移到晶格，进一步改变沟道电导。此外，在传热和耗散过程中，h-BN利用极高的导热系数有效地消散探测器产生的热量。光电流的产生分为两种状态。首先，沟道材料在吸收MWIR光子后改变自身电导率，其次，通过驱动外电场产生光电流（图2d）。与PTE中取决于塞贝克系数的光电流符号不同，辐射热光电流的符号取决于外部电场。为了直观地揭示Ta2NiSe5基PDs的光响应机制，本文利用扫描光电流成像技术对光电流分布进行成像（图2e）。在0 V偏置照射下，几乎没有观察到光电流，而在±1 V的外偏置照射下，整个沟道的光电流相当均匀。诱导的电导变化可能是入射光下温度升高期间产生电流的载流子数量变化的结果。Ta2NiSe5基PDs具有独特的性能，它们可以在室温下工作而不会性能下降，这使得它们有希望用于辐射热探测应用。此外，该器件无需p-n结即可工作，简化了制造过程。图2. 基于Ta2NiSe5的PD在4.6 µm光照下的光响应。（a）从I-t曲线中提取的Vds和Plight相关光电流。（b）Ta2NiSe5纳米片电阻的温度依赖性。（c）Vds为1V的基于Ta2NiSe5的PD的单个响应过程。（d）基于Ta2NiSe5的器件在4.6 µm激光照射下的晶格加热的典型示意图。（e）4.6 µm激光照射下典型Ta2NiSe5基PD的扫描光电流图，以及−1、0和1 V偏压照射下测辐射热机制器件的能带对准。接下来，520 nm-4.6 µm波长范围内的光的光谱响应度如图3a（左纵轴）所示，在4.6 µm处峰值为0.86 A W−1。在图3a（右纵轴）中，在不同激发波长上进行的EQE测量表明，随着波长的增加，EQE逐渐下降。由入射光子和晶格振动之间的相互作用产生的有限的能量转换效率，以及两端电极的有限收集，通过阻碍入射光子到光生载流子的有效转换，降低了材料的量子效率。重要的是，从可见光到MWIR光谱范围（520 nm-4.6 µm）实现了0.23至82.22的EQE值。与许多传统报道的基于低维材料的PD相比，基于Ta2NiSe5的PD的EQE显著更高，如图3b所示。从1 Hz到10 kHz测量的电流噪声功率谱如图3c所示，然后将NEP计算为NEP=in/RI（图3d），其中在520 nm处获得的最小NEP≈0.45 pW Hz−1/2，在4.6 µm处获得的最低NEP≈18 pW Hz−1/2。基于Ta2NiSe5的PD的较低NEP证明了它们区分信号和噪声的优异能力。图3e显示了与传统大块材料和基于2D材料的PD相比，基于Ta2NiSe5的PD在不同偏压下的波长依赖性特异性检测。对于光电导和测辐射热计响应，D*显示出3.5×1010至8.75×108cm Hz1/2W−1的轻微波动。我们的PD的D*与最先进的商业PD相当，并且高于基于可见光到中红外区域的2D材料的PD。图3. 基于Ta2NiSe5的PD的可见光至MWIR区域的宽带光响应。（a）Vds＝1时RI（蓝色实心正方形）和EQE（红色实心圆）的波长依赖性。（b）基于Ta2NiSe5的PD与2D和块体材料PD的EQE的比较。（c）从1 Hz到10 kHz测量的电流噪声功率谱。（d）基于Ta2NiSe5的PD与以前的PD的NEP性能比较，插图显示了NEP的波长依赖性。（e）不同波长下的比探测率（D*）与基于2D材料的最先进的其他PD以及商用红外PD的比较。为了确定基于Ta2NiSe5的PD的偏振依赖性，我们进行了如图4a所示的实验。垂直入射光使用格兰泰勒棱镜进行偏振，通过旋转半波片同时保持恒定的激光功率来改变样品的激光偏振方向和b轴之间的关系。对最具代表性的638 nm激光偏振特性进行研究，图4b，c显示，随着极化角的变化，光电流表现出显著的周期性变化，最大值和最小值分别沿Ta2NiSe5纳米片的b轴和a轴方向获得。值得注意的是，图4c中的偏振依赖性光响应图显示了由于Ta2NiSe5晶体的[TaSe6]2链的潜在1D排列而导致的两片叶子的形状。最终结果显示，各向异性比（Iph-max/Iph-min）达到约1.47，表明基于Ta2NiSe5的PD的整体性能优于大多数其他报道的PD，如图4f所示，并为设计未来的多功能、空气稳定的光电子器件提供了广阔的前景。图4. 基于Ta2NiSe5的PD的偏振敏感光电检测。（a）利用Ta2NiSe5材料的基于纳米片的偏振敏感光电探测器的示意图。（b）在638 nm激光源下记录的光偏振方向为0°至360°的时间分辨光响应。（c）在638 nm偏振激光下，Vds为−1至0V的光电流中各向异性响应的各向异性响应图。（d）通过在638 nm激光下扫描Ta2NiSe5基PD获得的光电流图，偏振角从0°到180°不等。（e）创建极坐标图以显示在638 nm线性偏振激光照射下在40、36和17 nm厚度下产生的角度分辨光电流。（f）与其他常用的2D和1D材料相比，光电流各向异性比和光响应范围。为了充分探索基于Ta2NiSe5单元的PD在多应用成像中的潜力，如图5a所示构建了一个成像系统。采用逐点或逐像素覆盖整个物体区域，用聚焦的可检测光束照射物体，PD检测到的光电流信号由锁定放大器、前置放大器和计算机收集，计算机记录位置坐标生成高质量图像。为了测试基于Ta2NiSe5的PD的成像能力，将具有“HIAS”图案（15 cm×5 cm）的中空金属板放置在520 nm激光器前面，并以优于0.5 mm的高分辨率成功捕获了所产生的成像，如图5b所示。通过控制外部偏置，可以改变PD在638 nm照明下的响应，并成功实现物体成像清晰度，如图5c所示。在NIR范围内，在基于Ta2NiSe5的PD中获得了覆盖载玻片的钥匙锯齿状边缘的高对比度图像（图5d）。此外，基于Ta2NiSe5的设备在近红外和MWIR区域都表现出高度稳定的响应，确保了高对比度成像以智能识别宏观物体。为了证明这一特性，在1550 nm和3.2 μm处实现了复合物体（硅片和长尾夹）的双通道成像。如图5e所示，近红外光只能检测到一半的长尾夹，而MWIR辐射可以显示整个长尾夹。结果证明了基于Ta2NiSe5的PD在军事和民用应用中检测隐藏物体的潜力。图5. Ta2NiSe5基PD的光电成像应用。（a）使用PD作为成像像素的成像系统的示意图。（b）520 nm处的“HIAS”物体（上图）和相应的高分辨率成像图（下图）。（c）在638 nm处，Vds为0.05、0.1、0.5和1 V的“H”对象。（d）1550 nm覆盖载玻片的钥匙成像。（e）在1550 nm和3.2 µm处被硅片部分隐藏的长尾夹的成像。本文揭示了h-BN封装的Ta2NiSe5基PD在环境条件下在520 nm至4.6 µm的宽光谱范围内工作的特殊光电特性，受光电导和测辐射热效应的控制。光电探测器同时表现出宽带和快速的光电探测能力，具有显著的响应性，超过了现有商业室温探测器的性能。基于Ta2NiSe5的PD的室温响应度达到了34.44 AW−1（520 nm）、32.14 AW−1（638 nm）、29.81 AW−1（830 nm）、20.92 AW−1（1550 nm），16.58 AW−1（2 µm）和0.86 AW−1（4.6 µm）。基于Ta2NiSe5的PD的独特光学特性使其适合于各种应用，包括传感、成像和通信，并且它们与其它2D材料的集成可以进一步增强它们的性能和功能。因此，这项工作的研究为利用2D材料设计稳定的光电探测器铺平了道路，为推进下一代红外光电子研究的发展做出了贡献。论文链接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adfm.202305380
    时间： 2023-10-10
    作者： Sunshine
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    高速响应的中波红外探测器在自由空间光通信和频率梳光谱学等新兴领域的需求逐渐增加。中长波XB?n势垒型红外光探测器对暗电流等散粒噪声具有抑制作用。近期，由中国科学院半导体研究所、昆明物理研究所、中国科学院大学和陆装驻重庆军代局驻昆明地区第一军代室组成的科研团队在《红外与毫米波学报》期刊上发表了以“非制冷势垒型InAsSb基高速中波红外探测器”为主题的文章。该文章第一作者为贾春阳，通讯作者为赵俊总工程师和张逸韵研究员。本工作制备了不同直径的nBn和pBn结构的中波InAsSb/AlAsSb红外接地-信号-接地（GSG）探测器。对制备的探测器进行了变温暗电流特性，结电容特性和室温射频响应特性的表征。[align=center][size=18px][back=#ffff00][b]材料生长、器件制备和测试[/b][/back][/size][/align]通过固态源分子束外延装置在2英寸的n型Te-GaSb衬底上外延生长nBn和pBn器件。势垒型器件的生长过程如下所示：先在衬底上生长GaSb缓冲层来平整表面以及减少应力和位错，接着生长重掺杂（101? cm?3）n型InAsSb接触层，然后生长2.5 μm厚的非故意掺杂（101? cm?3）InAsSb体材料吸收层。之后生长了150 nm厚的AlAsSb/AlSb数字合金电子势垒层，通过插入超薄的AlSb层实现了吸收区和势垒层的价带偏移的显著减少，有助于空穴向接触电极的传输，同时有效阻止电子以减小暗电流。最后分别生长300 nm厚的重掺杂（101? cm?3）n型InAsSb和p型GaSb接触层用于形成nBn和pBn器件结构。其中，Si和Be分别被用作n型和p型掺杂源。生长后，通过原子力显微镜（D3100，Veeco，USA）和高分辨X射线衍射仪（Bede D1，United Kingdom）对晶片进行表征以确保获得高质量的材料质量。通过激光划片将2英寸的外延片划裂为1×1 cm2的样片。样片经过标准工艺处理，包括台面定义、钝化和金属蒸镀工艺，制成直径从10 μm到100 μm的圆形台面单管探测器。台面定义工艺包括通过电感耦合等离子体（ICP）和柠檬酸基混合溶液进行的干法刻蚀和湿法腐蚀工艺，以去除器件侧壁上的离子诱导损伤和表面态。器件的金属电极需要与射频探针进行耦合来测试器件的射频响应特性，因此包括三个电极分别为Ground（接地）、Signal（信号）和Ground，其中两个Ground电极相连，与下接触层形成欧姆接触，Signal电极与上接触层形成欧姆接触，如图1（c）和（f）所示。通过低温探针台和半导体参数分析仪（Keithley 4200，America）测试器件77 K-300 K范围的电学特性。器件的光学响应特性在之前的工作中介绍过，在300 K下光电探测器截止波长约为4.8 μm，与InAsSb吸收层的带隙一致。在300 K和反向偏置为450 mV时，饱和量子效率在55%-60%。通过探针台和频率响应范围10 MHz-67 GHz的矢量网络分析仪（Keysight PNA-XN5247B，America）对器件进行射频响应特性测试。[align=center][size=18px][back=#ffff00][b]结果与讨论[/b][/back][/size][/align][b]材料质量表征[/b]图1（a）和（d）的X射线衍射谱结果显示，从左到右的谱线峰分别对应于InAsSb吸收层和GaSb缓冲层/衬底。其中，nBn和pBn外延片的InAsSb吸收区的峰值分别出现在60.69度和60.67度，GaSb衬底的峰值则出现在60.72度。因此，InAsSb吸收层与GaSb 衬底的晶格失配分别为-108 acsec和-180 acsec，符合预期，表明nBn和pBn器件的InAsSb吸收区和GaSb衬底几乎是晶格匹配的生长条件。因此，nBn和pBn外延片都具有良好的材料质量。原子力显微镜扫描的结果在图1的（b）和（e）中，显示出生长后的nBn和pBn外延片具有良好的表面形貌。在一个5×5 μm2的区域内，nBn和pBn外延片的均方根粗糙度分别为1.7 ?和2.1 ?。[align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/92230b98-4dac-4ee0-aeaa-282dcd342995.jpg[/img][/align][align=center][color=#0070c0]图1 （a）和（a）分别为nBn和pBn外延片的X射线衍射谱；（b）和（e）分别为nBn和pBn外延片的原子力显微扫描图；（c）和（f）分别为制备的圆形GSG探测器的光学照片和扫描电子照片[/color][/align][b]器件的变温暗电流特性[/b]图2（a）显示了器件直径90 μm的nBn和pBn探测器单管芯片的温度依赖暗电流密度-电压曲线，通过在连接到Keithley 4200半导体参数分析仪的低温探针台上进行测量。图2（b）显示了件直径90 μm的nBn和pBn探测器在77 K-300 K下的微分电阻和器件面积的乘积R?A随反向偏压的变化曲线，温度下降的梯度（STEP）为25 K。图2（c）显示了在400 mV反向偏压下，nBn和pBn探测器表现出的从77 K到300 K的R?A与温度倒数（1000/T）之间的关系，温度变化的梯度（STEP）为25 K。[align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/a8f8001f-cd03-42f4-a32f-8b1acc94131d.jpg[/img][/align][align=center][color=#0070c0]图2 从77K到300K温度下直径90 μm的nBn和pBn探测器单管芯片（a）暗电流密度-电压曲线；（b）微分电阻和器件面积的乘积R?A随反向偏压的变化曲线；（c）R?A随温度倒数变化曲线[/color][/align][b]器件暗电流的尺寸效应[/b]由于势垒型红外探测器对于体内暗电流可以起到较好的抑制作用，因此研究人员关注与台面周长和面积有关的表面泄露暗电流，进一步抑制表面漏电流可以进一步提高探测器的工作性能。图3（a）显示了从20 μm到100 μm直径的nBn和pBn器件于室温工作的暗电流密度和电压关系，尺寸变化的梯度（STEP）为10 μm。图3（b）显示从20 μm-100 μm的nBn和pBn探测器的微分电阻和台面面积的乘积R?A随反向偏压的变化曲线。图3（d）中pBn器件的相对平缓的拟合曲线说明了具有较高的侧壁电阻率，根据斜率的倒数计算出约为1.7×10? Ωcm。[align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/e7fba8aa-eabe-40a4-a863-6ebcdd264744.jpg[/img][/align][align=center][color=#0070c0]图3 从20 μm到100 μm直径的nBn和pBn器件于室温下的（a）暗电流密度和电压变化曲线和（b）R?A随反向偏压的变化曲线；（c）在400 mV反偏时，pBn和nBn器件R?A随台面直径的变化；（d）（R?A）?1与周长对面积（P/A）变化曲线[/color][/align][b]器件的结电容[/b]图4（a）显示了使用Keithley 4200 CV模块在室温下不同直径的nBn和pBn探测器的结电容随反向偏压的变化曲线，器件直径从20 μm到100 μm按照10 μm梯度（STEP）变化。对于势垒层完全耗尽的pBn探测器，预期器件电容将由AlAsSb/AlSb势垒层电容和InAsSb吸收区耗尽层电容的串联组合给出，其中包括势垒层和上接触层侧的InAsSb耗尽区。[align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/c09b63df-6442-42f2-b548-df4f539db6eb.jpg[/img][/align][align=center][color=#0070c0]图4 （a）在室温下不同直径的nBn和pBn探测器的结电容随反向偏压的变化曲线；（b）反偏400 mV下结电容与台面直径的变化曲线。[/color][/align][b]器件的射频响应特性[/b]通过Keysight PNA-X N5247B矢量网络分析仪、探针台和飞秒激光光源，在室温和0-3 V反向偏压下，对不同尺寸的nBn和pBn探测器在10 MHz至67 GHz之间进行了射频响应特性测试。根据图5推算出在3V反向偏压下的40 μm、50 μm、70 μm、80 μm、90 μm、100 μm直径的圆形nBn和pBn红外探测器的3 dB截止频率（f3dB）。势垒型探测器内部载流子输运过程类似光电导探测器，表面载流子寿命对响应速度会产生影响。[align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/95acbbf7-8557-4619-b4cd-5829d636aced.jpg[/img][/align][align=center][color=#0070c0]图5 在300 K下施加-3V偏压的40 μm、50 μm、70 μm、80 μm、90 μm、100 μm直径的nBn和pBn探测器的归一化频率响应图[/color][/align][align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/541829b0-a336-4b7e-a75b-0a15f8dfd06a.jpg[/img][/align][align=center][color=#0070c0]图6 不同尺寸的nBn和pBn探测器（a）3 dB截止频率随反向偏压变化曲线；（b）在3 V反向偏压下的3 dB截止频率随台面直径变化曲线[/color][/align]图6（a）展示了对不同尺寸的nBn和pBn探测器，在0-3 V反向偏压范围内的3 dB截止频率的结果。随着反向偏压的增大，不同尺寸的器件的3 dB带宽也随之增大。因此，在图6（a）中观察到在低反向偏压下nBn和pBn器件的响应较慢，nBn探测器的截止频率落在60 MHz-320 MHz之间而pBn探测器的截止频率落在70 MHz-750 MHz之间；随着施加偏压的增加，截止频率增加，nBn和pBn器件最高可以达到反向偏压3V下的2.02 GHz和2.62 GHz。pBn器件的响应速度相较于nBn器件提升了约29.7%。[align=center][size=18px][back=#ffff00][b]结论[/b][/back][/size][/align]通过分子束外延法在锑化镓衬底上生长了两种势垒型结构nBn和pBn的InAsSb/AlAsSb/AlSb基中波红外光探测器，经过台面定义、工艺钝化工艺和金属蒸镀工艺制备了可用于射频响应特性测试的GSG探测器。XRD和AFM的结果表示两种结构的外延片都具有较好的晶体质量。探测器的暗电流测试结果表明，在室温和反向偏压400 mV工作时，直径90 μm的pBn器件相较于nBn器件表现出更低的暗电流密度0.145 A/cm2，说明了该器件在室温非制冷环境下表现出低噪声。不同台面直径的探测器的暗电流测试表明，pBn器件的表面电阻率约为1.7×10? Ωcm，对照的nBn器件的表面电阻率为3.1×103 Ωcm，而pBn和nBn的R?A体积项的贡献分别为16.60 Ωcm2和5.27 Ωcm2。探测器的电容测试结果表明，可零偏压工作的pBn探测器具有完全耗尽的势垒层和部分耗尽的吸收区，nBn的吸收区也存在部分耗尽。探测器的射频响应特性表明，直径90 μm的pBn器件的响应速度在室温和3 V反向偏压下可达2.62 GHz，对照的nBn器件的响应速度仅为2.02 GHz，相比提升了约29.7%。初步实现了在中红外波段下可快速探测的室温非制冷势垒型光探测器，对室温中波高速红外探测器及光通讯模块提供技术路线参考。[b]论文链接：[/b][url]http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/article/abstract/2023157[/url][来源：MEMS][align=right][/align]

  • 雷达式微波探测器小知识

    雷达式微波探测器是一种将微波收、发设备合置的探测器，工作原理基于多普勒效应。微波的波长很短，在1mm～1000mm之间，因此很容易被物体反射。微波信号遇到移动物体反射后会产生多普勒效应，即经 反射后的微波信号与发射波信号的频率会产生微小的偏移。此时可认为报警产生。 　　雷达式微波探测器采用多普勒雷达的原理，将微波发射天线与接收天线装在一起。使用体效应管作微波固态振荡源，通过与波导的组合，形成一个小型的发射微波信号的发射源。探头中的肖基特检波管与同一波导组成单管波导混频器作为接收机与发射源耦合回来的信号混频，从而得到一个频率差，再送到低频放大器处理后控制报警的输出。微波段的电磁波由于波长较短，穿透力强，玻璃、木板、砖墙等非金属材料都可穿透。所以在安装时不要面对室外，以免室外有人通过引起误报。金属物体对微波反射较强，在探测器防范区域内不要有大面积（或体积较大）物体存在，如铁柜等。否则在其后阴影部分会形成探测盲区，造成防范漏洞。多个微波探测器安装在一起时，发射频率应该有所差异，防止交叉干扰产生误报。另外，如日光灯、水银灯等气体放电光源产生的100Hz调制信号由于在闪烁灯内的电离气体容易成为微波的运动反射体而引起误报。使用微波入侵探测器灵敏度不要过高，调节到2/3时较为合适。过高误报会增多。与超声波一样家庭也可以使用。 雷达式微波探测器对警戒区域内活动目标的探测范围是一个立体防范空间，范围比较大，可以覆盖60°至90°的水平辐射角，控制面积可达几十到几百平方米。雷达式微波探测器的发射能图与所采用的天线结构有关，采用全向天线（如1/4波长的单极天线）可产生近乎圆球形或椭圆形的发射范围，这种能场适合保护大面积的房间或仓库等处。而采用定向天线（如喇叭天线）可以产生宽泪滴形或又窄又长的泪滴形能图，适合保护狭长的地点，如走廊或通道等。

  • 火焰探测器的工作原理与紫外线探测器的渊源

    火焰探测器的工作原理与紫外线探测器的渊源

    火焰探测器又称感光式火灾探测器，即探测火焰燃烧的光照强度和火焰的闪烁频率的一种火灾探测器。下面工采网小编给大家介绍一下火焰探测器工作原理。火焰燃烧过程释放紫外线、可见光、红外线，在特定波长、特定闪烁频率（0.5HZ-20HZ）具有典型特征，有别于其他干扰辐射，阳光、热物体、电灯等辐射出的紫外线、红外线没有闪烁特征。火焰探测器工作原理是通过检测火焰辐射出的特殊波长的紫外线、红外线及可见光等，同时配合对火焰特征闪烁频率来识别，来探测火焰。一般选用紫外光电二极管、紫外线探测器、紫外线传感器等作为探测元件。[img=,446,450]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2017/12/201712011704_01_3332482_3.jpg!w446x450.jpg[/img]紫外线探测器是将一种形式的电磁辐射信号转换成另一种易被接收处理信号形式的传感器，光电探测器利用光电效应，把光学辐射转化成电学信号。光电效应可分为外光电效应和内光电效应。外光电效应器件通常指光敏电真空器件，主要用于紫外、红外和近红外等波段。具有内增益的外光电效应器件包括光电敏倍增管、像增强器等光敏电真空器件，它们具有极高灵敏度，能将极微弱的光信号转换成电信号，可进行单光子检测，其灵敏度比内电光效应的半导体器件高几个量级。内光电效应分为光导效应和光伏效应。光导效应中，半导体吸收足够能量的光子后，把其中的一些电子或空穴从原来不导电的束缚状态激活到能导电的自由状态，导致半导体电导率增加、电路中电阻下降。光伏效应中，光生电荷在半导体内产生跨越结的P-N小势差。产生的光电压通过光电器件放大并可直接进行测量。根据光导效应和光伏效应制成的器件分别称为半导体光导探测器和光伏探测器。最后给大家介绍三款性能非常优秀的紫外线探测器和紫外线二极管，都是应用在火焰检测和防紫外辐射源等领域的顶尖产品。[b]德国SGLUX 紫外光电探测器 - TOCON_ABC1[img=,298,298]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2017/12/201712011705_01_3332482_3.jpg!w298x298.jpg[/img]基于碳化硅的宽频紫外光电探测器，带有集成放大器TOCON是5伏供电的紫外光电探测器，带有的集成放大器使紫外辐射转化成0~5V电压输出。TOCON的输出电压引脚可以直接连接到控制器，电压计或其他带有电压输入的数据分析装置。高度现代化的电子元件和带有紫外玻璃窗的密封金属外壳可消除封装内寄生电阻路径导致的噪声或电磁干扰。对各个工业紫外传感应用来说，TOCON 是完美的解决方案，从pW/cm2水平的火焰检测到W/cm2水平的紫外固化灯控制。十种不同的TOCONs覆盖了这13个数量级范围，它们的灵敏度有所不同。TOCONs生产为紫外宽频传感器或带有过滤器进行选择性测量。在恶劣环境和极低或极高的紫外辐射中，精密电子件使TOCON成为了一个可靠的元器件。但是sglux内部生产的SIC探测器芯片使TOCON成为了永存的准传感器，以PTB所报告的强抗辐射为特点。应用在紫外辐射和火焰检测领域。[b]紫外光电探测器TOCON_ABC1特性：[/b]基于碳化硅的宽频紫外光电探测器放于TO5 外壳中，带有集中器镜头盖0…5 V电压输出峰值波长是280 nm在峰值处最大辐射(饱和极限)是18 nW/cm2 ,最小辐射(分辨极限) 是1,8 pW/cm2[b]德国SGLUX 紫外光电探测器 - TOCON_ABC10[/b][img=,298,298]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2017/12/201712011705_01_3332482_3.jpg!w298x298.jpg[/img]TOCON是5伏供电的紫外光电探测器，带有的集成放大器使紫外辐射转化成0~5V电压输出。TOCON的输出电压引脚可以直接连接到控制器，电压计或其他带有电压输入的数据分析装置。高度现代化的电子元件和带有紫外玻璃窗的密封金属外壳可消除封装内寄生电阻路径导致的噪声或电磁干扰。对各个工业紫外传感应用来说，TOCON 是完美的解决方案，从pW/cm2水平的火焰检测到W/cm2水平的紫外固化灯控制。十种不同的TOCONs覆盖了这13个数量级范围，它们的灵敏度有所不同。TOCONs生产为紫外宽频传感器或带有过滤器进行选择性测量。在恶劣环境和极低或极高的紫外辐射中，精密电子件使TOCON成为了一个可靠的元器件。但是sglux内部生产的SIC探测器芯片使TOCON成为了永存的准传感器，以PTB所报告的强抗辐射为特点。应用在紫外辐射、淬火控制和火焰检测领域。[b]紫外光电探测器TOCON_ABC10特性：[/b]基于碳化硅的宽频紫外光电探测器放于TO5 外壳中，带有衰减器0…5 V 电压输出峰值波长是290 nm在峰值处最大辐射(饱和极限)是18 nW/cm2 ,最小辐射(分辨极限) 是1,8 mW/cm2[b]德国SGLUX 紫外光电二极管 - SG01D-5LENS[img=,394,291]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2017/12/201712011706_01_3332482_3.jpg!w394x291.jpg[/img]SiC 具有独特的特性，能承受高强度的辐射，对可见光几乎不敏感，产生的暗电流低，响应速度快和噪音低。这 些特性使SiC成为可见盲区半导体紫外探测器的最佳使用材料。SiC探测器可以一直工作于高达170°C(338°F)的温度中。信号（响应率）的温度系数也很低， 0,1%/K。由于噪音低(fA级的暗电流), 能够有效地检测到极低的紫外辐射强度。请注意这个装置需要配置相应的放大器。(参见第3页中的典型电路)。SiC光电二极管有七个不同的有效敏感面积可供选择，从0.06 mm2 到36 mm2。标准版本是宽频UVA-UVB-UVC。四个滤波版本导致更严格的感光范围。所有光电二极管都有密封的金属外壳（TO型），直径为5.5mm的TO18 外壳或9.2mm 的TO5外壳。进一步的选项是2只引脚（1绝缘，1接地）或3只引脚（2绝缘，1接地）。[b]德国SGLUX 紫外光电二极管 SG01D-5LENS 特点[/b]宽频UVA+UVB+UVC, PTB报道的芯片高稳定性, 用于火焰检测辐射敏感面积 A = 11,0 mm2TO5密封金属外壳和聚光镜, 1绝缘引脚和1接地引脚10μW/cm2 峰值辐射约产生350 nA电流[b]德国SGLUX 紫外光电二极管 SG01D-5LENS参数：[/b][b][img=,690,365]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2017/12/201712011706_02_3332482_3.jpg!w690x365.jpg[/img][/b][/b][/b]

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  • P97MXXT2系列 单元InGaAs探测器 1.7um SWIR 二级TEC TO封装
    总览P97MXXT2系列单元InGaAs探测器主要由P-I-N结构的InGaAs光敏芯片、过渡电极板、温度传感器以及二级热电致冷器（TEC）组成，采用TO封装形式。本使用手册仅针对该系列产品进行说明。P97MXXT2系列 单元InGaAs探测器 1.7um SWIR 二级TEC TO封装,P97MXXT2系列 单元InGaAs探测器 1.7um SWIR 二级TEC TO封装通用参数探测器主要参数结构参数产品型号封装制冷形式感光面积(μm)芯片尺寸(μm)电极尺寸(μm)P97M03T2-ATO封装二级制冷Φ300850×850140×180P97M05T2-AΦ5001000×1000140×180P97M10T2-AΦ10001410×1410140×180P97M20T2-AΦ20002560×2560280×360P97M30T2-AΦ30003560×3560320×480光电参数产品型号测试温度 Tch(℃)光谱响应范围 λ(μm)暗电流 ID(nA)结电容 C(f=1MHz，VR=0V)(pF)VR=1VVR=5VP97M03T2-A250.95±0.05至1.65±0.05峰值λP=1.550.10.550P97M05T2-A0.251100P97M10T2-A14300P97M20T2-A410800P97M30T2-A10402000产品型号峰值响应率S(A/W)结阻抗Rsh(VR=10mV)MΩ峰值探测率D*(cmHz1/2/W)噪声等效功率NEP(W/Hz1/2)P97M03T2-A1.035003×10128.9×10-15P97M05T2-A10001.5×10-14P97M10T2-A3003.0×10-14P97M20T2-A805.9×10-14P97M30T2-A408.9×10-14外形结构及电学接口该款探测器尺寸为φ15.3mm×10mm（不含针脚）；外壳底面上分布8根φ0.45mm针脚，针长13.5mm，用于TEC供电、温度传感器信号读取、探测器信号读出。感光面距离窗口下表面的设计值为2.3mm，距离安装面（即外壳底面）的设计值为6.2mm，窗口材料为蓝宝石，厚度为0.5mm，透光区域直径设计为φ9mm。感光面中心位于探测器中心，相对位置偏移响应光谱（典型值）热学参数使用环境指标名称典型值工作温度(℃)-45~+55存储温度(℃)-50~+60热电致冷器特性探测器内集成二级热电致冷器（TEC），散热面中心即为探测器下表面中心，散热面积应≥6mm×6mm，其性能参数如下表所示：性能指标数值Max. 热负载功率（Qmax/W）0.93W允许Max. 加载电流（ITEC-max/A）1A允许Max. 加载电压（VTEC-max/V）2V温度监测模块特性本款探测器采用热敏电阻作为温度监控模块，在工作温度内电阻阻值与温度对应关系如下表所示：温度（℃）阻值（kΩ）温度（℃）阻值（kΩ）-6594.270-156.909-6069.290-105.587-5551.500-54.549-5038.70003.729-4529.40053.075-4022.560102.55-3517.490152.126-3013.690201.782-2510.810251.5-208.608301.268热敏阻值与温度的对应关系如以下公式：T1：测试目标温度，单位：℃ T2：参考点温度，单位：℃，在-20~70℃内的参考温度典型值为10或40℃，应选取与目标温度相近的参考温度值 R1：T1对应的热敏电阻阻值，单位：kΩ R2：T2对应的热敏电阻阻值，单位：kΩ B：在-20~70℃内B10/40典型值为3019.6±60。注意事项：a)TEC安装过程中需注意外接电学结构引入的新增电阻，若新增电阻超过TEC电阻的10%，则需要对I-V曲线进行重新校对；b)建议采取连接电阻较小的方式接通TEC，如须进行焊接则需要进行短路接地保护，焊接温度应≤250℃、焊接时长应c)如需要在小范围温度区间内更高的测量精度，可根据要求自行计算B值；d)开启TEC前，必须确认温度监测模块正常工作，散热面与散热器接触充分，散热面不小于要求尺寸面积，且散热器正常工作，不得在未安装散热器或散热器未工作的条件下开启TEC；e)Shou次开启TEC时，应从0A或0V开始逐渐加载电流或电压，同时监控温度变化，直至达到预设温度；f)由于探测器性能受温度影响，应先开启TEC至温度稳定后再开启探测器，不建议探测器在温度变化环境下工作；g)探测器不工作时，应停止给TEC供电，以延长TEC的使用寿命；h)探测器的制冷效果与环境温度、电源性能、散热状态相关，建议根据自身使用环境以及对探测器性能要求进行散热系统的合理搭配。公司简介筱晓(上海)光子技术有限公司是一家被上海市评为高新技术企业和拥有上海市专精特新企业称号的专业光学服务公司，业务涵盖设备代理以及项目合作研发，公司位于大虹桥商务板块，拥有接近2000m² 的办公区域，建有500平先进的AOL(Advanced Optical Labs)光学实验室，为国内外客户提供专业技术支持服务。公司主要经营光学元件、激光光学测试设备、以及光学系统集成业务。依托专业、强大的技术支持，以及良好的商务支持团队，筱晓的业务范围正在逐年增长。目前业务覆盖国内外各著名高校、顶级科研机构及相关领域等诸多企事业单位。筱晓拥有一支核心的管理团队以及专业的研发实验室，奠定了我们在设备的拓展应用及自主研发领域坚实的基础。主要经营激光器/光源半导体激光器（DFB激光器、SLD激光器、量子级联激光器、FP激光器、VCSEL激光器）气体激光器（HENE激光器、氩离子激光器、氦镉激光器）光纤激光器（连续激光器、超短脉冲激光器）光学元件光纤光栅滤波器、光纤放大器、光学晶体、光纤隔离器/环形器、脉冲驱动板、光纤耦合器、气体吸收池、光纤准直器、光接收组件、激光控制驱动器等各种无源器件激光分析设备高精度光谱分析仪、自相关仪、偏振分析仪，激光波长计、红外相机、光束质量分析仪、红外观察镜等光纤处理设备光纤拉锥机、裸光纤研磨机
    供应商： 筱晓（上海）光子技术有限公司
    品牌： 筱晓光子
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