氮化硅涂层沉积设备

用于制备多晶硅太阳电池的氮化硅涂层沉积设备 MVSSilicon Nitride Coating Systems for Multi-crystalline Silicon Solar CellsThroughput: 475 wafers/hrSiNx uniformity: ?5%产率：475硅片/小时。氮化硅膜不均匀性： 5%。

用于制备多晶硅太阳电池的氮化硅涂层沉积设备 MVSSilicon Nitride Coating Systems for Multi-crystalline Silicon Solar CellsThroughput: 475 wafers/hrSiNx uniformity: ?5%产率：475硅片/小时。氮化硅膜不均匀性： 5%。

联系我们：X射线透射显微成像/能谱(同步辐射)用氮化硅薄膜窗口 产品概述： X-射线薄膜窗能够实现软X-射线(如真空紫外线)的最大透射率。主要用于同步辐射X射线透射显微成像时承载样品。 X-射线越软(能量越低)，穿透能力越差，所需氮化硅薄膜窗越薄。特别在“离轴”状态工作(即薄膜与光束成一定角度)时，也需要较薄的薄膜窗口，便于X射线更好地穿透。 氮化硅薄膜窗口是利用现代MEMS技术制备而成，由于此种氮化硅窗口选用低应力氮化硅(0-250MP)薄膜，因此比计量式和ST氮化硅薄膜更坚固耐用。提供的氮化硅薄膜窗口非常适合应用于透射成像和透射能谱等广泛的科学研究领域，例如，X-射线(上海光源透射成像/能谱线站)、TEM、SEM、IR、UV等。 现在提供X-射线显微成像/能谱(同步辐射)用氮化硅薄膜窗系列产品，规格如下： 外框尺寸 (4种标准规格): 5 mm x 5 mm (窗口尺寸：1.0 mm或和 1.5 mm 方形) 7.5 mm x 7.5 mm (窗口尺寸：2.0 mm或 2.5 mm) 10 mm x 10 mm (窗口尺寸：3.0 mm或 5 mm 方形) 边框厚度： 200µ m、381µ m、525µ m。 Si3N4薄膜厚度：50、100、150和200nm 我们也可以为用户定制产品(30-500nm)，但要100片起订。 本产品为一次性产品，不建议用户重复使用，本产品不能进行超声清洗，适合化学清洗、辉光放电和等离子体清洗。 技术指标： 透光度： 对于X射线用窗口，500nm厚的氮化硅薄膜有很好的X光穿透效果，对于软X射线(例如碳边吸收谱)，100-200nm厚的氮化硅薄膜窗口是用户首选。 真空适用性： 真空适用性数据如下：　 薄膜厚度 窗口面积 压力差 ≥50 nm ≤1.0 x 1.0 mm 1 atm ≥100 nm ≤1.5 x 1.5 mm 1 atm ≥200 nm ≤2.5 x 2.5 mm 1 atm 表面平整度： 氮化硅薄膜窗口产品的表面平整性很稳定(粗糙度小于1nm)，对于X射线应用没有任何影响。 温度特性： 氮化硅薄膜窗口产品是耐高温产品，能够承受1000度高温，非常适合在其表面利用CVD方法生长各种纳米材料。 化学特性： 氮化硅薄膜窗口是惰性衬底。 应用简介和优点： 1、同步辐射X射线(紫外或极紫外)透射成像或透射能谱应用中是不可或缺的样品承载体。 2、耐高温、惰性衬底，适应各种聚合物、纳米材料、半导体材料、光学晶体材料和功能薄膜材料的制备环境，利于制备理想的用于X射线表征用的自组装单层薄膜或薄膜(薄膜直接沉积在窗口上)。 3、生物和湿细胞样本的理想承载体。特别是在等离子体处理后，窗口具有很好的亲水性。 4、耐高温、惰性衬底，也可以用于化学反应和退火效应的原位表征。 5、适合做为胶体、气凝胶、有机材料和纳米颗粒等的表征实验承载体。 氮化硅薄膜窗口系列 SN-LDE-505-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：50nm SN-LDE-510-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：100nm SN-LDE-515-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：150nm SN-LDE-520-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：200nm SN-LDE-705-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：50nm SN-LDE-710-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：100nm SN-LDE-715-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：150nm SN-LDE-720-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：200nm SN-LDE-105-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：50nm SN-LDE-110-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：100nm SN-LDE-115-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：150nm SN-LDE-120-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：200nm 氮化硅薄膜窗口阵列系列 SN-AR-522-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，2×2阵列，膜厚：50nm SN-AR-733-15 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3阵列；膜厚：50nm SN-AR-1044-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：100nm 氧化硅薄膜窗口系列 SO-505-15 氧化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：50nm SO-510-15 氧化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：100nm SO-520-15 氧化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：150nm SO-705-25 氧化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3阵列，膜厚：50nm SO-710-25 氧化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3阵列，膜厚：100nm SO-720-25 氧化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3阵列，膜厚：200nm 氮化硅薄膜窗口系列 SN-1010-2-AU10 氮化硅基底框架：10×10mm，窗口：2×2mm，膜厚：100nm，金膜厚度：10nm SN-1020-2-AU10 氮化硅基底框架：10×10mm，窗口：2×2mm，膜厚：200nm，金膜厚度：10nm SN-710-2-AU10 氮化硅基底框架：7.5×7.5mm，窗口：2×2mm，膜厚：100nm，金膜厚度：10nm SN-720-2-AU10 氮化硅基底框架：7.5×7.5mm，窗口：2×2mm，膜厚：200nm，金膜厚度：10nm 特殊定制产品 SN-5H5-15 氮化硅基底框架：5×5mm，硅片厚度：200um，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：500nm SN-5H10-15 氮化硅基底框架：5×5mm，硅片厚度：200um，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：1000nm SN-LDE-4-10 氮化硅片100nm-4英寸整张，10×10mm切片 衬底厚度：200um 温度范围：1000℃ 真空适应：1个大气压 厚度可以选择：200um，381um，525um，需要提前说明。联系我们：

SHNTI的X-射线薄膜窗能够实现软X-射线(如真空紫外线)的最大透射率。主要用于同步辐射X射线透射显微成像时承载样品。 X-射线越软(能量越低)，穿透能力越差，所需氮化硅薄膜窗越薄。特别在“离轴”状态工作（即薄膜与光束成一定角度）时，也需要较薄的薄膜窗口，便于X射线更好地穿透。SHNTI提供的氮化硅薄膜窗口是利用现代MEMS技术制备而成，由于此种氮化硅窗口选用低应力氮化硅（0-250MP）薄膜，因此比计量式和ST氮化硅薄膜更坚固耐用。SHNTI提供的氮化硅薄膜窗口非常适合应用于透射成像和透射能谱等广泛的科学研究领域，例如，X-射线（上海光源透射成像/能谱线站）、TEM、SEM、IR、UV等。现在SHNTI可以提供X-射线显微成像/能谱（同步辐射）用氮化硅薄膜窗系列产品，规格如下：外框尺寸 (4种标准规格):5 mm x 5 mm (窗口尺寸：1.0 mm 或和 1.5 mm 方形)7.5 mm x 7.5 mm (窗口尺寸：2.0 mm 或 2.5 mm)10 mm x 10 mm (窗口尺寸：3.0 mm 或 5 mm 方形)边框厚度： 200μm、381μm、525μm。Si3N4薄膜厚度：50、100、150和200nmSHNTI也可以为用户定制产品（30-500nm），但要100片起订。本产品为一次性产品，SHNTI不建议用户重复使用，本产品不能进行超声清洗，适合化学清洗、辉光放电和等离子体清洗。与X射线用氮化硅窗口类似，透射电镜（TEM）用氮化硅薄膜窗口也使用低应力氮化硅薄膜基底。但整体尺度更小，适合TEM装样的要求。窗口有单窗口和多窗口阵列等不同规格。同时SHNTI也定制多孔氮化硅薄膜窗口。现在SHNTI可以提供透射电镜（TEM）用氮化硅薄膜窗系列产品，规格如下：外框尺寸:3 mm x 3 mm (窗口尺寸：0.5 mm，薄膜厚度：50 nm) 3 mm x 3 mm (窗口尺寸：1.0 mm，薄膜厚度：50 nm) 3 mm x 3 mm (窗口尺寸：1.0 mm，薄膜厚度：100 nm) 边框厚度： 200μm、381μm。Si3N4薄膜厚度： 50nm、100nmSHNTI也可以为用户定制产品(30-200nm)，但要100片起订。本产品为一次性产品，SHNTI不建议用户重复使用，本产品不能进行超声清洗，适合化学清洗、辉光放电和等离子体清洗。 技术指标：表面平整度：我们认为薄膜与其下的硅片同样平整， TEM用氮化硅薄膜窗口的表面粗糙度为：0.6-2nm。完全适用于TEM表征。亲水性该窗格呈疏水性，如果样品取自水悬浮液，悬浮微粒则不能均匀地分布在薄膜上。用等离子蚀刻机对薄膜进行亲水处理，可暂时获得亲水效果。虽然没有对其使用寿命进行过测试，但预期可以获得与同样处理的镀碳TEM网格相当的寿命。我们可以生产此种蚀刻窗格，但无法保证其使用寿命。如果实验室有蚀刻工具也可对其进行相应的处理提高其亲水性能。温度特性：氮化硅薄膜窗口产品是耐高温产品，能够承受1000度高温，非常适合在其表面利用CVD方法生长各种纳米材料。化学特性：氮化硅薄膜窗口是惰性衬底。应用简介和优点：1、 适合TEM、SEM、AFM、XPS、EDX等的对同一区域的交叉配对表征。2、 大窗口尺寸，适合TEM大角度转动观察。3、 无碳、无杂质的清洁TEM观测平台。4、 背景氮化硅无定形、无特征。5、 耐高温、惰性衬底，适应各种聚合物、纳米材料、半导体材料、光学晶体材料和功能薄膜材料的制备环境，（薄膜直接沉积在窗口上）。6、 生物和湿细胞样本的理想承载体。特别是在等离子体处理后，窗口具有很好的亲水性。。7、 耐高温、惰性衬底，也可以用于化学反应和退火效应的原位表征。8、 适合做为胶体、气凝胶、有机材料和纳米颗粒等的表征实验承载体。氮化硅薄膜应用范围非常广，甚至有时使不可能变为可能，但所有应用都有无氮要求（因样本中有氮存在）：惰性基片可用于高温环境下，通过TEM、SEM或AFM（某些情况下）对反应进行动态观察。作为耐用基片，首先在TEM下，然后在SEM下对同一区域进行“匹配”。作为耐用匹配基片，对AFM和TEM图像进行比较。聚焦离子束（FIB）样本的装载，我们推荐使用多孔薄膜，而非不间断薄膜。许多研究纳米微粒，特别是含氮纳米微粒的人员发现此种薄膜窗格在他们实验中不可缺少。气凝胶和干凝胶的基本组成微粒尺寸极小，此项研究人员也同样会发现氧化硅薄膜窗格的价值。优点：&bull SEM应用中，薄膜背景不呈现任何结构和特点。&bull x-射线显微镜中，装载多个分析样的唯一方法。&bull 无氮高温应用，氮化硅薄膜在1000°C高温下仍能保持稳定的性能。使用前清洁：氮化硅薄膜窗格在使用前不需进行额外清洁。有时薄膜表面边角处会散落个别氧化物或氮化物碎片。由于单片网格需要从整个硅片中分离，并对外框进行打磨，因此这些微小碎片不可避免。尽管如此，我们相信这些碎片微粒不会对您的实验产生任何影响。如果用户确实需要对这些碎片进行清理，我们建议用H2SO4 : H2O2 (1:1)溶液清洁有机物，用H2O:HCl: H2O2 (5:3:3)溶液清洁金属。通常不能用超声波清洗器清洁薄膜，因超声波可能使其粉碎性破裂。详细情况，您可以与我们取得联系。我们为您一一解答。

SG系列原位芯片生产的TEM氮化硅膜窗格SG系列由先进的微电子工艺打造，可用于微纳米样品高分辨电镜观测。此款窗格为3mm外径的八边形，适用于所有TEM样品杆，为适用于多种实验条件，原位芯片为科研人员提供了单窗格，多窗格及微孔窗格三种标准产品。氮化硅膜采用低应力技术（250MPa），化硅膜薄透且不易破损，非常适合于前沿的生物、材料、物理、化学等方面的研究。 产品应用• 搭载TEM、SEM、AFM、拉曼和XRD等设备的样品。超薄的氮化硅膜可以为您提供稳定的样品观测平台；• 可适用于需要加热处理的样品观测，本产品可耐受约1000℃高温；• 可适用于需要化学处理的样品观测，可以耐受盐酸、硫酸和强碱的腐蚀；• 可用于生物样品观测，氮化硅薄膜具有良好的生物亲和性；• 可适用于需要避C/Cu等元素的样品观测，载网表面无碳元素薄膜；• 可用于TEM、SEM、AFM、拉曼、XRD和同步辐射等设备的单一以及联合交叉检测。 技术参数SG同步辐射氮化硅薄膜窗口外框项目参数外框参数材料N/P 型硅片 电阻率1~10Q*cm氮化硅项目 参数 氮化硅项目 参数材料 LPCVD 氮化硅 应力250MPa介电常数6-7介电强度10 (106V/cm）电阻率1016Ω*cm粗糙度（Ra)0.28±5% nm杨氏模量270Gpa 粗糙度(Rms)0.40±5% nm 产品型号产品编号膜厚窗口尺寸SG010Z10nm0.10×0.10mmSG015Z10nm0.15×0.15mmSG025Z10nm0.25×0.25mmSG050Z10nm0.50×0.50mmSG025A15nm0.25x0.25mmSG050A15nm0.5x0.5mmSG100A15nm1x1mmSG025B30nm0.25x0.25mmSG050B30nm0.5x0.5mmSG100B30nm1x1mmSG025C50nm0.25x0.25mmSG050C50nm0.5x0.5mmSG100C50nm1x1mmSG050D100nm0.5x0.5mmSG025E200nm0.25x0.25mmSG050E200nm0.5x0.5mm每盒包含10枚芯片

芬兰PICOSUN公司是ALD技术发明人Tuomo Suntola创立的，与Picosun专家队伍被称为ALD的梦之队。Suntola于1974年发明ALD技术，因此获得半导体行业European SEMI 2004奖。PICOSUN公司凭借其杰出的生产型与科研型产品，于2022年6月加入美国应用材料公司。PICOSUN产品分为科研型与生产型。科研型产品有：标准型PICOSUN™ R-200 Standard，只有热法原子层沉积系统高级型PICOSUN™ R-200 Advanced，有热法原子层沉积系统与等离子体增强原子层沉积系统高级型ALD可以添加前沿的微波等离子体辅助增强模块Microwave Plasma, 这种微波等离子体增强原子层沉积系统在颗粒、薄膜致密性表现更好，同时有可能沉积具有挑战性的一些氮化物薄膜，如氮化硅等。请搜索我司网站联系我们！

氮化硅弹珠可提高胰腺消化效率，同时防止胰腺与腔室系统同步移动。 这些弹珠还能够增加胰腺组织在腔室系统内的分散程度。 弹珠尺寸：直径15.875mm 9个/包，无菌包装，供一次性使用。

宜兴精刚陶瓷科技有限公司 是一家专业制造特种陶瓷的厂家。主体业务分为两大块，（电热耐火材料产品及工业特种陶瓷产品） 氮化硅结合的碳化硅是一种新型的耐火材料。用途广泛，使用温度1400℃，有较好的热稳定性，热震性能好于普通耐火材料和重结晶SiC，耐酸碱，耐磨，并具有较高的抗折强度。在铝（Al）、铅（Pb）、锌（Zn）、铜（Cu）等熔融金属中耐侵蚀、耐冲刷、不污染、导热快等特点。 1、热电偶保护管：直径Ф12-80mm，长度1600 mm，用于高温窑炉及各种气氛中使用，也可直接用于熔融液体中。 2、升液管、加热套、保护管：用于铝液及玻璃液中，它有较好的导热系数，耐腐 蚀，耐压力，寿命长等特点。 3、滚道管：用于地面砖窑炉上，直径Ф30-80mm，长度1600 mm以内，耐高温，不变形，强度高。 4、窑具：氮化硅结合的碳化硅制作的梁材，用于隧道窑、梭式窑、倒焰窑，具有良好的承载能力，为增加窑炉产量充分利用窑炉空间，是比较理想的窑具，同时可选用立柱作支撑架，使用温度可达1400℃。 5、匣钵：匣钵用来烧制耐火材料，稀有金属，粉末冶金，电子元件及各种松散料。制造的匣钵可做成筒状，长方形等。 6、各种耐火件：具有耐冲恻、耐高温、耐磨、耐急变性能好等特点，适合换热器、冷风管、烧嘴、坩锅等。

TE系列：原位芯片X-Ray氮化硅薄膜窗口TE系列，为满足科研人员对样品的观测需求，苏州原位芯片采用先进的微电子工艺，设计并制造了专门用于同步辐射线站及扫描电子显微镜(SEM)的标准氮化硅膜窗格。苏州原位芯片氮化硅膜窗格具有高洁净度，高X-射线透射性，低应力，高强度且膜厚均匀一致的特性，适用于高温(～1000℃)实验以及不同压力环境的测试。目前我们的产品已被全球范围内的科研人员广泛认可且用于其生物、材料、物理、化学等方面的研究。 产品应用纳米材料，半导体材料，光学晶体材料，功能薄膜材料胶体，气凝胶，有机材料和纳米颗粒的表征实验含碳样品分析（光阻剂，聚合物，食品，油品，燃料等)用于化学反应及退火效应的原位表征作为生物、细胞载体技术参数TE同步辐射氮化硅薄膜窗口外框项目参数外框参数材料N/P 型硅片 电阻率1~10Q*cm氮化硅项目 参数 氮化硅项目 参数材料 LPCVD 氮化硅 应力250MPa介电常数6-7介电强度10 (106V/cm）电阻率1016Ω*cm粗糙度（Ra)0.28±5% nm折射率@630nm2.15-2.17 粗糙度(Rms)0.40±5% nm 产品型号产品编号膜厚窗口尺寸框架大小TE025Z10nm0.25x0.25mm5x5mmTE050Z10nm0.5x0.5mm5x5mmTE025Y20nm0.25x0.25mm5x5mmTE050Y20nm0.5x0.5mm5x5mmTE025A30nm0.25x0.25mm5x5mmTE050A30nm0.5x0.5mm5x5mmTE100A30nm1x1mm5x5mmTE025B50nm0.25x0.25mm5x5mmTE050B50nm0.5x0.5mm5x5mmTE100B50nm1x1mm5x5mmTE150B50nm1.5x1.5mm5x5mmTE200B50nm2x2mm5x5mmTE025C100nm0.25x0.25mm5x5mmTE050C100nm0.5x0.5mm5x5mmTE100C100nm1x1mm5x5mmTE150C100nm1.5x1.5mm5x5mmTE200C100nm2x2mm5x5mmTE75050C100nm0.5x0.5mm7.5x7.5mmTE75200C100nm2x2mm7.5x7.5mmTE100300C(5pcs)100nm3x3mm10x10mmTE100500C(5pcs)100nm5x5mm10x10mmTE010D200nm0.1x0.1mm5x5mmTE025D200nm0.25x0.25mm5x5mmTE050D200nm0.5x0.5mm5x5mmTE100D200nm1x1mm5x5mmTE150D200nm1.5x1.5mm5x5mmTE200D200nm2x2mm5x5mmTE250D200nm2.5x2.5mm5x5mm每盒包含10枚芯片

一个多功能平台，旨在结合围绕“摩擦学”耐磨性的各种沉积技术，其中包括类金刚石碳（DLC）等低摩擦涂层。这种DLC摩擦沉积系统还可以沉积CrN，TaC，TiC，TiN，MoS2和WC-C，这只是许多行业中用于功能性涂料的几种常见材料，包括航空航天，汽车，国防，医疗器械，发电，石油和天然气等。这种多用途设备可以提供的沉积技术包括：高功率脉冲磁控溅射 （HIPIMS）反应式磁控溅射电感耦合等离子体源 （ICP）等离子体增强化学气相沉积 （PECVD）高功率脉冲磁控溅射 （HIPIMS）高功率脉冲磁控溅射（HIPIMS）是一种技术，它允许电离一部分溅射靶材，并通过简单地添加HIPIMS电源来控制地增加电离物质的能量。这是通过在很短的时间内向磁控管施加极高的功率（数百千瓦到兆瓦）来实现的。以这种方式施加功率会产生极高的电子（等离子体）密度，在溅射物质离开靶材后将其电离。相比之下，当使用直流或脉冲直流溅射时，只有一小部分（5%）溅射靶材被电离。通过适当调整脉冲参数，可以实现 5 – 100% 的电离水平。铜等材料可以完全电离，甚至可以维持不使用氩气的“自溅射”状态。大多数其他材料仍然需要一些惰性的溅射气体来维持放电。在负溅射脉冲中添加相邻的正脉冲可以“调整”溅射离子加速向基板的能量。因此，可以轻松控制涂层特性，如密度、电阻率和应力。由于离子的能量可以直接从靶标控制，因此可以消除对底物偏置的需求。这为在低温下和非导电基材（如聚合物和玻璃）上创建致密、粘附良好的涂层打开了大门。此外，三维结构，如沟槽和柱子，可以保形涂层。HIPIMS电源可用于驱动此DLC摩擦学系统，使用小至2“圆形磁控管以及长达1m或更长的大型平面或可旋转磁控管。反应式磁控溅射反应磁控溅射是一种用于从金属靶材沉积材料的氧化物、氮化物和碳化物的工艺。传统上，陶瓷是用射频功率溅射的，这具有极低的沉积速率，并且需要在镀膜系统中“包含”射频功率。在某些情况下，陶瓷涂层可以用脉冲直流功率沉积，带有“中毒”靶材，其中反应气体与靶材表面反应以形成“中毒或陶瓷层”，但沉积速率也非常低，涂层性能可能不是最佳的。在反应溅射工艺中，反应气体分压的控制方式使靶材保持“半金属”状态，这允许高沉积速率，而基板上产生的涂层是化学计量陶瓷。对于反应溅射，控制系统中反应气体的分压是关键。这可以通过间接测量、目标电压/电流或光学发射光谱法或直接通过分压测量来实现。然而，哪种技术最合适，产生最稳定和可重复的工艺取决于要沉积的材料和系统设计。例如，如果要将SiO2沉积到聚合物网上，可以使用电压/电流或直接光发射进行控制。但是，如果要将TiN沉积到批量涂布机行星夹具上的切削工具上，则无法进行电压/电流控制，远程光发射监测是最合适的。反应溅射目前应用广泛。它可以与HIPIMS技术结合使用，以拓宽金属氮化物和氧化物沉积的工艺窗口。光学和透明导电氧化物（TCO）涂层可以以高速率沉积。电感耦合等离子体源 （ICP）等离子体源已用于蚀刻、离子辅助沉积和等离子体增强化学气相沉积（PECVD）多年。但是，大多数来源适用于上述一个或两个过程，但不是所有上述过程。此外，传统源的可扩展性由于其操作和物理结构的物理特性而受到限制。已经开发出电感耦合等离子体（ICP）源技术，该技术克服了污染，中和器组件磨损和可扩展性等问题。此类光源有圆形、矩形和环形光源。它们可以在很宽的压力范围内（10e-4 至 10e-2 mbar）运行，并且可以在低能量 （15 eV） 或更高能量下运行，具体取决于工艺要求。由于它们基本上没有要“磨损”的内部部件，因此它们易于维护，并且对于长期生产活动非常坚固。由于ICP以相对较低的能量获得高等离子体密度，因此它们适用于温度感性基板（聚合物）的等离子体功能化以及“损坏”敏感基板或结构。介电材料可以高速率从气体前体沉积，用于光学镀膜（SiO2、TiO2）以及非晶硅和类金刚石碳（DLC）镀膜的沉积等应用。这些光源也适用于使用电子束蒸发或磁控溅射和金属氮化物/碳化物的光学镀膜的“离子辅助”沉积。氟、氯和硅烷等腐蚀性气体也与这些来源相容。圆形光源的直径从 4“ 到 12” 不等，矩形光源的长度可达 1.3 m。环形源的独特之处在于基板可以直接通过源。这允许在基材的两侧或外径上进行表面功能化或涂层。什么是DLC涂层？类金刚石碳涂层是地球上最坚韧的涂层之一。DLC是一类无定形碳涂层，可以具有钻石的硬度，但具有石墨的光滑度 - 两者都由碳制成。该涂层是纳米晶金刚石和纳米晶碳化硅层的基体，使金刚石沉积具有极高的硬度和摩擦磨损的长期耐久性。DLC涂层是一种环保工艺，可在极端条件下抵抗磨损，从高性能汽车和航空航天部件到手表，珠宝和厨具上的装饰涂层，将美观与耐腐蚀和耐刮擦性相结合。DLC的显微硬度和光滑度使其成为一种久经考验的生物相容性涂料，是各种医疗植入物应用的理想选择。沉积可以配置为改变电流，使其表现得像半导体或绝缘体，这为医疗技术的重要和令人兴奋的新进步做出了贡献。防止磨料磨损的出色摩擦学特性使其通常用于发动机凸轮和轴承、金属切割和钻孔设备以及剃须刀片等应用。DLC涂层设备是一项相对较新的技术，已迅速成为广泛用途的首选应用，为您提供了一个多功能的多用途平台，使您能够结合摩擦磨损性的各种沉积技术。我们是全球领先的电子、光学、太阳能、医疗、军事和相关高科技行业溅射设备供应商。

1. 产品概述PD-2201LC 是一种盒式装载等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 设备，能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。该系统在节省空间的提下提供了PECVD的所有标准功能。可在直径220毫米的区域内沉积具有优异厚度均匀性和应力控制的薄膜，并具有优异的稳定性和可重复性。用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储。该系统是大规模生产用薄膜沉积的理想选择，具有优异的重复性。2. 设备用途/原理SiH4-SiNx、SiH4-SiO2、液体驱体(SN-2)SiNx、TEOS-SiO2。3. 设备特点大加工范围：ø 220 mm (ø 3" x 5, ø 4" x 3, ø 8" x 1)。优异的均匀性和应力控制。卓越的工艺稳定性和可重复性。坚固的系统，低的运行/维护成本。用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储。PD-2201LC设计时尚、节省空间，只需小的洁净室空间。双频(13.56 MHz + 400 kHz)PECVD，用于卓越的过程控制。

在以前，实验室使用电子显微镜观测样品做实验使用的耗材，这些氮化硅薄膜观测窗口基本都是从国外进口。耗材成本先不说，就购买的时间成本是非常长的。如果实验数据不是很理想，还要花时间和费用去购买耗材，非常不便捷。 为了打破这种垄断，在电镜氮化硅薄膜观测窗口的国产化上，国内科研人员也是花费了时间和精力去开发和生产。目前，原位芯片提供的显微镜氮化硅薄膜观测窗口已经可以取代进口，广泛用于高校、科研机构，也远销国外，成为实验室“好帮手”。原位芯片可以提供多种电镜氮化硅薄膜观测窗口，其中微孔氮化硅薄膜窗口主要是ME/NE系列。 ME/NE系列原位芯片生产的微孔/纳米孔氮化硅薄膜窗口均在百级洁净环境中制备，在窗口薄膜上利用MEMS工艺制备不同孔径大小的阵列，方便研究人员用于特殊样品观测。目前苏州原位芯片已推出以下标准微孔/纳米孔氮化硅薄膜窗口，如客户有其他微孔/纳米孔薄膜窗口需求，原位芯片可提供开发定制。 定制服务原位芯片拥有一支超过10年MEMS工艺经验的团队，拥有完整的设计，制造和测试能力。如您的实验需要更多定制化，高质量，高可靠性的氮化硅薄膜窗口，欢迎随时联系我们。为什么要选择原位芯片定制服务

氮化硅浆料是一种由氮化硅粉末和有机胶粘剂混合而成的浆料。氮化硅是一种耐高温、耐腐蚀和高机械强度的陶瓷材料，具有优异的绝缘性能和导热性能，在电子、光电、航空航天等领域有广泛应用。氮化硅浆料常用于制备氮化硅陶瓷部件，如氮化硅保护管、氮化硅密封件、氮化硅电子封装等。浆料的特点是可塑性好，可通过注浆、喷涂等工艺形成复杂形状的氮化硅零件，并在高温下烧结成致密的氮化硅陶瓷材料。氮化硅浆料亲和性分析仪产品简介：氮化硅浆料亲和性分析仪，配有专业的测试软件，方便快捷，人性化的软件操作确保高效的测试效率。 氮化硅浆料亲和性分析仪在外观设计、硬件配置、软件操作方面融合了先进的技术并不断升级，确保了卓越的产品性能与友好的客户体验的完美结合。 氮化硅浆料亲和性分析仪产品功能：1. 悬浮液体系颗粒湿式比表面积2. 粒子分散性、稳定性评估3. 颗粒与介质之间亲和性评价4. 粉体质量控制、分散工艺、研磨工艺研究5. 表面活性剂含量分析6. 顺磁铁磁性杂质识别7. 颗粒改性增强效果评价氮化硅浆料亲和性分析仪应用领域：1）制陶术：湿式制程、加工工艺改善, 分散性的质控和研发2）纳米科技：纳米粒子表面的化学状态, 如: 吸附和脱附作用, 比表面积的变化 等3）电子材料：浓稠状浆料和研磨液 (CMP) 的开发及品管4）墨水：碳黑、颜料分散, 最适研磨条件, 表面亲和性及化学和物理状态5）能源：电池, 太阳能板等的碳黑, 纳米碳管和浆料的分散, 粒子表面的化学和物理状态6）制药：API湿润性、亲和性及吸水性的差异7）其他: 全部的浓稠分散悬浊液体, 纳米纤维, 纳米碳等氮化硅浆料亲和性分析仪性能优势：1. 制样简单，无有毒溶剂 2. 快速 3. 非光学方法，可测不透光样品 4. 具有统计意义的结果 5. 样品可重复测量 6. 由未经培训的人员进行测量 7. 可现场测试 氮化硅浆料亲和性分析仪应用案例：斜率越大亲和性越强

原位芯片是目前全球为数不多的有能力制造原位液体芯片的制造商。原位芯片目前可以提供用于透射电子显微镜的原位液体芯片TL-400，同步辐射及扫描电子显微镜的原位液体芯片:TBL500，此外，原位芯片也可根据实际实验条件及要求进行定制。 TEM原位液体芯片TL-400液体芯片可以实现高分辨原位TEM液体观测，分辨率可以达到1nm以上。液体芯片中间有40 x 40 x 0.1um的氮化硅薄膜观察窗口，芯片左右两侧各有一个液体滴加口和一个负压吸液口。 原位实验时首先在液体滴加口滴入待测液体，利用配套的负压装置，通过负压将待测液体吸入液体腔室中，再使用环氧树脂密封两个液体滴加窗口，待胶固化后即可进行原位液体观测。TL-400可应用于以下研究分析： • TEM、SEM和拉曼等设备的液体环境样品观测和分析；• 原位化学反应观测、晶体生长和腐蚀原位研究；• 观测研究液态环境中的活细菌和细胞等生物样品。 同步辐射/SEM原位液体芯片TBL-500液体芯片可以实现高分辨原位同步辐射和SEM液体（兼容扫描透射模式）观测。液体芯片中间有400 x 800 x 1um的大型耐真空氮化硅薄膜观察窗口，芯片左右两侧各有一个液体滴加口和一个负压吸液口。 原位实验时首先在液体滴加口滴入待测液体，利用配套的负压装置，通过负压将待测液体吸入液体腔室中，再使用环氧树脂密封两个液体滴加窗口，待胶固化后即可进行原位液体观测。TBL-500可用于： • 同步辐射、SEM和拉曼等设备的液体环境样品观测和分析；• 原位化学反应观测、晶体生长和腐蚀原位研究；• 观测研究液态环境中的活细菌和细胞等生物样品。

8英寸等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备1. 产品概述Shale® A系列等离子体增强化学气相沉积设备（PECVD）是一款先进的薄膜沉积设备，旨在满足半导体制造和相关领域对于高质量薄膜沉积的需求。该设备采用了平行电容板电场放电技术，有效地产生等离子体，这种等离子体环境使得各种薄膜材料的沉积过程更加高效和精准。在操作温度方面，Shale® A系列设备能够在400°C及以下的条件下，实现较为致密且均匀性极佳的薄膜沉积。这一特性使其成为沉积多种材料的理想选择，包括氧化硅、TEOS（四乙氧基硅烷）、BPSG（掺铝的硅玻璃），以及氮化硅、氮氧化硅、非晶硅、非晶碳和非晶碳化硅等多种高性能薄膜材料。此外，Shale® A系列设备在设计和制造过程中，充分考虑了国际市场的标准，采用了符合SEMI（美国半导体设备与材料国际协会）标准的通用零部件，确保设备在全球范围内的兼容性和可用性。同时，该设备经过了一系列严格的稳定性和可靠性测试，验证其能够在实际生产中保持优异的性能表现，从而为用户提供了一个可信赖的沉积解决方案。这使得Shale® A系列PECVD设备不仅适用于高技术要求的半导体行业，还能够确保在各种应用场景中的稳定运行。2. 系统特性可提供基于硅烷（SiH4）体系的薄膜沉积方案，还可选正硅酸乙酯（TEOS）体系的沉积方案可提供双频设备，使氮化硅（SiNx）的应力可调，范围从压应力-1.6GPa到张应力+0.7GPa可提供n/p型掺杂，满足磷硅玻璃（PSG）和硼磷硅玻璃（BPSG）等掺杂氧化硅工艺的需求8/6英寸兼容

1. 产品概述EPEE系列 等离子化学气相沉积系统，单片和多片式架构。2. 设备用途/原理EPEE系列 等离子化学气相沉积系统。先进的单片和多片式架构，满足量产和研发客户需求。高效传输系统，智能软件调度算法。高效远程等离子体清洗系统，优异的颗粒控制。支持气态硅烷、液态 TEOS 和碳膜等工艺。支持在线膜厚和清洗终点实时监测。3. 设备特点晶圆尺寸 4/6/8 英寸兼容，适用材料 氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅、非晶碳。适用工艺 氧化硅图形化衬底层、钝化层、绝缘层、掩膜层。适用域 科研、化合物半导体、新兴应用、集成电路。

用于沉积纳米级薄膜、纳米粉末包覆、长深孔样品镀膜 具有Thermal-ALD、PEALD、Particle-ALD和生产型ALD 具备近100种膜层工艺。应用领域： 芯片封装、半导体High-k介电层、纳米涂层、3D涂层、锂电池、催化剂、太阳能电池、5G通讯（SAW器件）、生物医学仿生、荧光材料、OLED显示、有机材料、电子电路、光学膜等，细分及对应膜层如下： -High-K介电材料(Al2O3,HfO2,ZrO2,PrAlO,Ta2O5,La2O3) -导电门电极 (Ir, Pt, Ru, TiN) -金属互联结构 (Cu WN,TaN,Ru,Ir) -催化材料 (Pt,Ir,Fe,Co,TiO2,V2O5) -纳米结构 (All ALD Material) -生物医学涂层 (TiN,ZrN,TiAlN,AlTiN) -金属 (Ru,Pd,Ir,Pt,Rh,Co,Cu,Fe,Ni) -压电层 (ZnO,AlN,ZnS) -透明电学导体 (ZnO:Al,ITO) -紫外阻挡层 (ZnO,TiO2) -光子晶体 (ZnO,ZnS:Mn,TiO2,Ta3N5) -防反射滤光(Al2O3,ZnS,SnO2,Ta2O5) -电致发光器件(SrS:Cu,ZnS:Mn,ZnS:Tb,SrS:Ce) -工艺层如蚀刻栅栏、离子扩散栅栏等 (Al2O3,ZrO2) -光学应用如太阳能电池、激光器、光学涂层、纳米光子等 (AlTiO,SnO2,ZnO) -传感器 (SnO2,Ta2O5) -磨损润滑剂、腐蚀阻挡层 (Al2O3,ZrO2,WS2) -OLED钝化层 (Al2O3)功能特点：-采用热法和等离子法制备原子层纳米级薄膜-一个循环周期小于2秒钟-可以沉积有机高分子材料，实现表面亲疏水性-可以在纳米粉末或纳米颗粒上沉积薄膜-可以在三维、不规则体、带有长深孔（深宽比2500：1）样品上沉积薄膜-可以沉积低饱和蒸汽压材料-可增加在线椭偏仪和QCM检测-可增加等离子体装置-可扩展臭氧产生器-可集成手套箱设备-可增加Load-lock自动上下载片装置可沉积膜层： 氧化物氮化物硫化物 金属/碲化物

请联系：张先生等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是通过将活性气体变成等离子体状态，在目标基材上产生活性自由基和离子，使目标基材发生化学反应而形成薄膜的技术。在化合物半导体和硅半导体的制造过程中，用于沉积作为钝化膜的氮化硅薄膜（SiN）和作为层间绝缘膜的氧化硅薄膜（SiO₂ ）。PD-220NL 是一种负载锁定等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 系统，能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。该系统以非常紧凑的占地面积提供了PECVD的所有标准功能。可在直径220毫米的区域内沉积具有优异厚度均匀性和应力控制的薄膜，并具有优异的稳定性和可重复性。用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储。该系统是研发用薄膜沉积以及试生产的理想选择。主要特点和优点最大加工范围：ø 220 mm (ø 3" x 5, ø 4" x 3, ø 8" x 1)优异的均匀性和应力控制卓越的工艺稳定性和可重复性坚固的系统，低的运行/维护成本用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储。PD-220NL设计时尚、紧凑，只需很小的洁净室空间。双频(13.56 MHz + 400 kHz)PECVD，用于卓越的过程控制。应用SiH4-SiNxSiH4-SiO2液体前驱体(SN-2)SiNx。TEOS-SiO2

1. 产品概述PD-220NL 是一种负载锁定等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 系统，能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。该系统以非常紧凑的占地面积提供了PECVD的所有标准功能。可在直径220毫米的区域内沉积具有优异厚度均匀性和应力控制的薄膜，并具有优异的稳定性和可重复性。用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储。该系统是研发用薄膜沉积以及试生产的理想选择。2. 设备用途/原理SiH4-SiNx。SiH4-SiO2。液体驱体(SN-2)SiNx。TEOS-SiO2。3. 设备特点 大加工范围：ø 220 mm (ø 3" x 5, ø 4" x 3, ø 8" x 1)。优异的均匀性和应力控制。卓越的工艺稳定性和可重复性。坚固的系统，低的运行/维护成本。用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储。PD-220NL设计时尚、紧凑，只需小的洁净室空间。双频(13.56 MHz + 400 kHz)PECVD，用于卓越的过程控制。

1. 产品概述PD-3800L是一种能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）的锁载等离子体增强化学气相沉积（PECVD）系统。该系统由于采用了大型反应室，并通过载盘装载多片晶圆进行批量处理，因此产量较高。在直径360mm的区域内可以沉积出具有优异的厚度均匀性和应力控制的薄膜，具有优异的稳定性和可重复性。用户友好的触摸屏界面用于参数控制和配方存储。该系统是大规模生产用薄膜沉积的理想选择，具有优异的重复性。2. 设备用途/原理SiH4-SiNx。SiH4-SiO2。液体驱体(SN-2)SiNx。TEOS-SiO2。3. 设备特点 大加工范围：ø 360 mm (ø 3" x 9, ø 4" x 6, ø 6" x 3)，优异的均匀性和应力控制，卓越的工艺稳定性和可重复性，坚固的系统，低的运行/维护成本，用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储。

等离子体增强化学气相沉积PECVD主要用于在洁净真空环境下进行氮化硅和氧化硅的薄膜生长；采用单频或双频等离子增强型化学气相沉积技术，是沉积高质量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工艺设备。设备用途和功能特点1、该设备是高真空单频或双频等离子增强化学气相沉积PECVD薄膜设备，主要用于制备氮化硅和氧化硅薄膜。2、设备保护功能强，具备真空系统检测与保护、水压检测与保护、相序检测与保护、温度检测与保护。3、 配置尾气处理装置。设备安全性设计1、电力系统的检测与保护2、设置真空检测与报警保护功能3、温度检测与报警保护4、冷却循环水系统的压力检测和流量检测与报警保护设备技术指标类型参数样片尺寸≤φ6英寸(或3片2英寸)样片加热台加热温度室温~600℃±0.1℃真空室极限真空≤7×10-5Pa工作背景真空≤8×10-4Pa设备总体漏放率停泵12小时后，真空度≤10Pa样品、电极间距5mm~50mm在线可调工作控制压强10Pa~1500Pa气体控制回路根据工艺要求配置单频电源的频率13.56MHz双频电源的频率13.56MHz/400KHz工作条件类型参数供电三相五线制 AC 380V工作环境温度10℃~40℃气体阀门供气压力0.5MPa~0.7MPa质量流量控制器输入压力0.05MPa~0.2MPa冷却水循环量0.6m3/h 水温18°C~25℃设备总功率7kW设备占地面积2.0m~2.0mPECVD及太阳能薄膜电池设备单室PECVD设备/控制系统五室PECVD设备六室太阳能薄膜电池设备PECVD+磁控溅射关于鹏城半导体 鹏城半导体技术（深圳）有限公司（简称：鹏城半导体），由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）|OLED中试设备（G1、G2.5）|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备（PECVD+磁控溅射）团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年 与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。

PlasmaPro 100系列刻蚀和沉积设备可安装多种衬底电极，能够在很宽的温度范围内进行工艺，具有200mm单晶圆和多晶圆批处理能力，该工艺模块可提供具有高度均匀，高产量和高精度的工艺。电极的适用温度范围宽，-150°C至400°C兼容200mm以下所有尺寸的晶圆快速更换到不同尺寸的晶圆工艺购置成本低且易于维护紧密的设计，布局灵活实时清洗和终点监测我们的设备和工艺已通过充分验证，正常运转时间可达90%以上，一旦设备安装完毕，可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市场应用广，包括但不限于： MEMS和传感器，光电子，分立元器件和纳米技术。它具有研究和开发需要的灵活性， 同时具备量产所需要的质量可靠性。特征牛津仪器的PlasmaPro 100系列具有200mm单晶圆和多晶圆批处理能力。该工艺模式可提供出色的均匀性，高产量和高精度的工艺。通过均匀的高导通路径连接的腔室，将反应粒子输送到衬底 - 在维持低气压的同时，允许使用较高的气体通量高度可变的下电极 - 充分利用等离子体的三维特性，在适合的高度条件下，衬底厚度最大可达10mm电极的温度范围宽（-150°C至+ 400°C），可通过液氮，液体循环制冷机或电阻丝加热 - 可选的吹排及液体更换单元可自动进行模式切换由再循环制冷机单元供给的液体控温的电极 - 出色的衬底温度控制射频功率加载在喷头上，同时优化气体输送 - 提供具有低频/射频切换功能的均匀的等离子体工艺，可精确控制薄膜应力ICP源尺寸为65mm，180mm，300mm - 确保最大200mm晶圆的工艺均匀性高抽气能力 - 提供了更宽的工艺气压窗口晶圆压盘与背氦制冷 - 更适合的晶片温度控制应用III-V族材料的刻蚀工艺固体激光器InP刻蚀VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀射频器件低损伤GaN刻蚀硅 Bosch和超低温刻蚀工艺类金刚石（DLC）沉积二氧化硅和石英刻蚀用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖工艺，可处理封装好的芯片、 裸晶片以及200mm晶圆沉积高质量的PECVD氮化硅和二氧化硅薄膜，用于光子学、电介质层、钝化等诸多其它用途用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀

1 产品概述: 低压化学气相沉积系统（LPCVD）是一种在低压条件下，通过加热使气态化合物在基片表面反应并沉积形成稳定固体薄膜的技术。该系统在半导体制造、电力电子、光电子及MEMS等领域具有广泛应用。LPCVD系统通过精确控制温度、压力及气体流量等参数，能够在基片表面形成均匀性良好的薄膜，满足各种工艺需求。2 设备用途：LPCVD系统的主要用途包括：薄膜沉积：用于淀积多种薄膜材料，如Poly-Si（多晶硅）、Si3N4（氮化硅）、SiO2（二氧化硅）、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅及难熔金属硅化物等。这些薄膜在半导体器件、电力电子器件、光电子器件及MEMS结构中起着关键作用。半导体制造：在半导体集成电路制造过程中，LPCVD系统用于形成栅极氧化物、表面钝化层、氮化物应力缓冲层、牺牲氧化物层及阻挡氧化物层等关键结构。光电子应用：在光电子领域，LPCVD系统用于制备光波导、可变折射率层、抗反射层等光学薄膜，提升器件性能。3 设备特点LPCVD系统具有以下特点：低压环境：在低压条件下进行沉积，有助于减少气体分子的碰撞和散射，提高薄膜的均匀性和质量。高精度控制：系统采用先进的温度、压力及气体流量控制技术，能够精确控制沉积过程中的各项参数，确保薄膜的精确性和一致性。多用途性：能够沉积多种薄膜材料，满足不同工艺需求，具有广泛的适用性。高效性：由于工作压力低，气体分子的平均自由程和扩散系数大，可采用密集装片方式提高生产率。 4 技术参数和特点：1. 满足石墨烯和碳纳米管研究的高温和快速冷却要求2. 直径200毫米的石英室3. 内部石英管的设计便于拆卸和清洗4. 基片尺寸可达直径150毫米 5. 三区电阻炉，150毫米的均匀温度区6. 温度高可达1000°C7. 使用节流型VAT蝶形阀下游压力控制在50 mTorr到500 mTorr之间 8. 8立方英尺/分的Ebara ESA25-D干式真空泵 - 两干式真空

1. 产品概述PD-220N是用于沉积各种硅薄膜（SiO2、Si3N4等）的等离子体CVD系统。 PD-220N在提供薄膜沉积所需的全部功能的同时，占地面积比本公司的传统系统小40%。 从尖端研究到半大规模生产，它的应用范围很广。2. 设备用途/原理各种硅基薄膜的形成，可形成氮化硅膜、氧化硅膜、非晶硅膜。3. 设备特点可在ø 8英寸晶圆上沉积，尽管设计紧凑，但该系统能够在5块ø 3英寸晶圆、3块ø 4英寸晶圆和1块ø 8英寸晶圆上同时沉积。TEOS-SiO2成膜系统可扩展，可增加TEOS等温室装置。

快速热化学气相沉积系统 (RTCVD)生产商：韩国Ecopia RTCVD快速热化学气相沉积设备广泛用于多晶硅、氧化硅、氮化硅等常见半导体薄膜的沉积和制备。 性能和特点：- 温度范围：室温 ~ 1500°C - 升温速度：200°C/s - 气体混合能力(带有质量流量计) - 真空度：~10-6Torr

产品详情美国Trion 反应式离子刻蚀(RIE/ICP)系统及沉积(PECVD)系统:Orion III,Oracle III,Minilock-Orion III,Phantom III,Minilock-Phantom III,SirueT2Trion始于一九八九年的等离子刻蚀与沉积系统制造商，Trion为化合物半导体、MEMS(微机电系统)、光电器件以及其他半导体市场提供多种设备。我们的产品在业内以系统占地面积最小、成本低而著称，且设备及工艺的可靠性和稳定性久经考验。从整套的批量生产用设备，到简单的实验室研发用系统，尽在Trion。 Trion提供升级及回收方案给现有Matrix客户。 批量生产用设备:去胶系统- 低损伤去胶系统 新式去胶系统的成本已攀升到不合理水平，但Trion已通过两套价格低廉、紧凑的多功能系统使这一关键问题得到解决：Gemini和Apollo。利用ICP(电感耦合等离子)、微波和射频偏置功率，可以在低温条件下将难于消除的光刻胶去除。根据应用要求，每套系统可以结合SST-Lightning 微波源(既可靠又没有任何常见的微波调谐问题) 或ICP 技术。• 刻蚀速率高达6微米/分 • 高产量• 等离子损伤低 • 自动匹配单元• 适用于100mm 到300mm 基片 • 设备占地面积小• 价格具竞争性 刻蚀/沉积Titan是一套用于半导体生产的十分紧凑、全自动化、带预真空室的等离子系统。Titan具有反应离子刻蚀(RIE)配置、高密度电感耦合等离子沉积(HDICP)或等离子增强型化学汽相沉积(PECVD)配置。可对单个基片或带承片盘的基片(3”-300mm)进行处理。它还具有多尺寸批量处理功能。价格适宜且占地面积小。 刻蚀应用范围： 砷化镓、砷化铝镓、氮化镓、磷化镓、磷化铟、铝、硅化物、铬以及其他要求腐蚀性和非腐蚀性化学刻蚀的材料。 沉积应用范围：二氧化硅、氮化硅、氮氧化物和其他各种材料。 具有ICP选件的Titan系统Oracle III由中央真空传输系统(CVT)、真空盒升降机和最多四个工艺反应室构成。这些工艺反应室与中央负载锁对接，既能够以生产模式运行，也能够作为单个系统独立作业。 Oracle III是市场上最灵活的系统，既可以为实验室环境进行配置(使用单基片装卸)，也可以为批量生产进行配置(使用真空盒升降机进行基片传送)。 由于Oracle III 最多可容纳四个独立的工艺室，其可以有多种不同的工艺组合，其中包括RIE/ICP (反应离子刻蚀机/电感耦合等离子)刻蚀和PECVD 沉积。多个室可以同时工作。鉴于所有工艺室均有真空负载锁，工艺运行安全且没有大气污染。 Oracle III是市场上最小的批量生产用集成系统。 深硅刻蚀:- 5μm/min的刻蚀速率- 小于6%的不均匀性- 刻蚀深度可达300μm- 相对于光刻胶15:1的选择率- 垂直光滑的壁面- 纵横比可达12:15 um wide Si trench etch200um Si trench etch120um Si Trench etch40um wide x 320um deepSlope approx. 88 degreesEtching of GaAs/AlGaAs HeterostructuresInP Lens Etch 5.2 micron lens height with PR maskGaN LED Etch 2.6 micron depth with PR 小批量生产用设备: 沉积 (PECVD)Minilock-Orion III是一套最先进的等离子增强型化学汽相沉积(PECVD)系统。 系统的下电极尺寸可为200mm或300mm，且根据电极配置，可以处理单个基片或带承片盘的基片(3” - 300mm尺寸)，或者多尺寸批量处理基片(4x3” 3x4” 7x2”)。可沉积的薄膜包括：氧化物、氮氧化物、无定形硅和碳化硅。可以使用的反应气体包括：100%硅烷、氨、TEOS、二乙基硅烷、氧化亚氮、氧、氮、三甲基硅烷和甲烷。该系统可选配一个三极管(Triode)或电感耦合等离子(ICP)源。其中三极管使得用户可以创建高密度等离子，从而控制薄膜应力。基片通过预真空室装入工艺室，其避免了与工艺室以及任意残余沉积副产品接触，从而提高了用户的安全性。预真空室还使得工艺室始终保持在真空下，从而保持反应室与大气隔绝。 Minilock-Orion III PECVD 刻蚀 (RIE)Minilock-Phantom III 具有预真空室的反应离子刻蚀机。适用于单个基片或带承片盘的基片(3” - 300mm尺寸)，为实验室和试制线生产环境提供最先进的刻蚀能力。它也具有多尺寸批量处理(4x3” 3x4” 7x2”)。系统有多达七种工艺气体可以用于刻蚀各种薄膜，如氧化硅、氮化硅、多晶硅、铝、砷化镓、铬、铜、磷化铟和钛。该反应室还可以用于去除光刻胶和有机材料。可选配静电吸盘(E-chuck)，以便更有效地在刻蚀工艺中让基片保持冷却。该E-chuck使用氦压力控制器，及在基片背面保持一个氦冷却层，从而达到控制基片温度的作用。该设备可选配一个电感耦合等离子(ICP)源，其使得用户可以创建高密度等离子，从而提高刻蚀速率和各向异性等刻蚀性能。 Minilock-Phantom III具有ICP(感应耦合等离子)选项的刻蚀系统 实验室/研发/芯片失效分析用设备: 沉积Orion III 等离子增强型化学汽相沉积(PECVD)系统适用于单个基片、碎片或带承片盘的基片(2” - 300mm尺寸)，为实验室和试制线生产提供最先进的沉积能力。Orion III系统用于非发火PECVD工艺。沉积薄膜：氧化物、氮氧化物、氮化物和无定形硅。工艺气体 ：20% 硅烷、氨、TEOS、二乙基硅烷、氧化亚氮、氧和氮。该设备可选配一个ICP或三极管(Triode)源。 Orion III 刻蚀Phantom III反应离子蚀刻(RIE)系统适用于单个基片、碎片或带承片盘的基片300mm尺寸，为实验室和试制线生产提供最先进的等离子蚀刻能力。系统有多达七种工艺气体可以用于蚀刻氮化物、氧化物以及任何需要氟基化学刻蚀的薄膜或基片(如碳、环氧树脂、石墨、铟、钼、氮氧化物、聚酰亚胺、石英、硅、氧化物、氮化物、钽、氮化钽、氮化钛、钨以及钨钛) Phantom III Sirus T2 台面式反应离子刻蚀机(RIE)可用于介质以及其它要求氟化基化学的薄膜刻蚀。用於对矽、 二氧化矽、 氮化矽、石英、聚亚醯胺、钽、钨、钨钛以及其他要求特徵控制，高度选择性和良好一致性的材料进行蚀刻。 本机包含200mm下电极, 系统控制器(含电脑主机及触控介面)，13.56MHz, 300/600W 射频发生器及自动调谐，最大四路/六路工艺气体及自动压力控制模块等。占地面积小且坚固耐用，非常适合用於研发，实验室环境及失效分析。 Sirus T2 - 台面式反应离子刻蚀机

1. 产品概述等离子增强化学气相沉积PECVD2. 应用方向高质量PECVD沉积氮化硅和二氧化硅，用于光子学、电介质层、钝化以及诸多其它用途；用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀3. 技术参数(1) 电阻丝加热电极，最高温度可达400°C或1200°C(2) 实时监测清洗工艺， 并且可自动停止工艺(3) 晶圆最大可达200mm，可快速更换硬件以适用于不同尺寸的晶圆(4) 高导通的径向（轴对称）抽气结构：确保提升了工艺均匀性和速率(5) 增加了500毫秒的数据记录功能：可追溯腔室和工艺条件的历史记录(6) 通过前端软件进行设备故障诊断，故障诊断速度快(7) 用干涉法进行激光终点监测：在透明材料的反射面上测量刻蚀深度 (例如硅上的氧化物)，或者用反射法来确定非透明材料 (如金属) 的边界(8) 用发射光谱（OES）实现较大样品或批量工艺的终点监测：监测刻蚀副产物或反应气体的消耗量的变化，以及用于腔室清洗的终点监测4. 企业简介深圳市矢量科学仪器有限公司是集半导体仪器装备代理及技术服务的高新技术企业。致力于提供半导体制程工艺装备、后道封装装备、半导体分析测试设备、半导体光电测试仪表及相关仪器装备维护、保养、售后技术支持及实验室整体服务。公司已授实用新型权利 29 项，软件著作权 14 项，是创新型中小企业、科技型中小企业、规模以上工业企业。

产品详情牛津ICP等离子沉积机PlasmaPro 80 ICPCVD PlasmaPro 80是一种结构紧凑且使用方便的小型直开式系统，可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案。 它易于放置，便于使用，且能够确保工艺性能。直开式设计可实现快速晶圆装卸，是科学研究、原型设计和小批量生产的理想选择。 它通过优化的电极冷却和出色的衬底温度控制来实现高性能工艺。 。直开式设计允许快速装卸晶圆。出色的刻蚀控制和速率测定。出色的晶圆温度均匀性。晶圆最大可达200mm。购置成本低。符合半导体行业 S2 / S8标准 应用: III-V族刻蚀工艺 硅 Bosch和超低温刻蚀工艺 类金刚石 类金刚石（DLC）沉积 二氧化硅和石英刻蚀 用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖逆工艺，可处理封装好的芯片, 裸晶片，以及200mm晶圆 高质量PECVD沉积氮化硅和二氧化硅，用于光子学、电介质层、钝化以及诸多其它用途 用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀 系统特点: 小型系统——易于安置 优化了的电极冷却——衬底温度控制 高导通的径向（轴对称）抽气结构—— 确保提升了工艺均匀性和速率 增加500毫秒的数据记录功能——可追溯腔室和工艺条件的历史记录 近距离耦合涡轮泵——提供优越的泵送速度加快气体的流动速度 关键部件容易触及——系统维护变得直接简单 X20控制系统——大幅提高了数据信息恢复功能， 同时可以实现更快更可重复的匹配 通过前端软件进行设备故障诊断——故障诊断速度快 用干涉法进行激光终点监测——在透明材料的反射面上测量刻蚀深度 (例如硅上的氧化物)，或者用反射法来确定非透明材料 (如金属) 的边界 用发射光谱（OES）实现较大样品或批量工艺的终点监测—— 监测刻蚀副产物或反应气体的消耗量的变化，以及用于腔室清洗的终点监测

1. 产品概述：Super-SPECTROS&trade 200 是一套先进的有机薄膜沉积和金属化系统，针对有机材料沉积进行了优化。它能够实现精确的薄膜沉积控制，可沉积多种材料，如氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、非晶硅等硅基薄膜，以及各种金属薄膜，在半导体、光电等领域有广泛应用。 2. 设备应用： 半导体领域：用于半导体芯片制造过程中的薄膜沉积，如制作晶体管的栅极绝缘层、金属互连层等，对提高芯片性能和集成度至关重要。例如在先进的逻辑芯片制造中，精确沉积的绝缘薄膜可确保晶体管之间的电隔离，金属薄膜则用于实现芯片内的电路连接。 光电领域：在有机发光二极管（OLED）制造中，可沉积有机发光材料和电极材料等，对于实现高质量的发光显示效果意义重大。比如在 OLED 屏幕生产中，通过该系统精确控制有机薄膜的沉积，能保证发光层的均匀性和稳定性，提升显示品质。 科研领域：为高校和科研机构的材料研究、新型器件研发等提供了强大的实验手段，助力科研人员探索新的材料体系和器件结构，推动相关领域的技术创新和发展。3. 设备特点： 多源配置灵活：多达 12 个 LTE 信号源，并且有 1cc、10cc 或 35cc 等不同容量可供选择，还配备多达 4 个热蒸发源，可满足多种材料和复杂结构的沉积需求，能实现对不同材料的精确控制沉积，为制备多功能、高性能的薄膜器件提供了基础。 精确的沉积控制：具有自动基板、掩膜存储和更换功能，以及基板快门，可确保在沉积过程中对基板的精准操作和保护，实现高质量、均匀性良好的薄膜沉积。例如在制备高精度的光学薄膜时，能保证薄膜厚度和光学性能的一致性。 工艺参数监控与调节：通过高温计端口实时监测沉积过程中的温度等参数，结合 KJLCEKLIPSE&trade 控制软件，实现基于配方的基于 PC 的系统控制，且速率控制分辨率可达 0.05 &angst /s，能够精确控制薄膜的生长速率和厚度等参数，满足不同应用场景对薄膜性能的严格要求。 高效的真空系统：采用低温泵高真空泵和 2 位闸阀，确保系统具有高真空度环境，有效减少杂质和气体对沉积过程的影响，提高薄膜的质量和纯度。例如在制备对纯度要求极高的半导体薄膜时，高真空环境可保证薄膜的电学性能和稳定性。 创新的双楔工具：KJC 双楔工具可将单个基材转换为多个基材，而无需打破真空或进行复杂的掩膜操作。这种方式减少了昂贵且长时间的研究时间，允许在几天而不是几个月内完成大量的基材变化。此外，结合基板的旋转 / 取向操作，可实现多种材料和厚度的组合沉积，极大地拓展了系统的应用灵活性和功能性。 4. 产品参数： 晶圆尺寸：可支持多种规格晶圆，具体支持情况未详细说明，但通常能够满足常见的半导体晶圆尺寸需求。 源的类型和数量：多达 12 个 LTE 信号源，有不同容量选择；多达 4 个热蒸发源。 沉积速率控制：速率控制分辨率为 0.05 &angst /s。 真空系统：配备低温泵高真空泵，确保高真空度环境；采用 2 位闸阀。 温度监测与控制：具有高温计端口，可实时监测温度，但具体的温度控制范围未给出。 软件控制系统：采用 KJLCEKLIPSE&trade 控制软件，基于配方的基于 PC 的系统控制，方便用户进行参数设置和工艺管理。 双楔工具特性：可实现单个基材到多个基材的转换，且能与基板旋转 / 取向结合，实现多种复杂的沉积组合，但关于具体的尺寸、角度等参数未详细说明。 实际参数可能会因设备的具体配置和定制需求而有所不同。

1. 产品概述：高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积（PECVD）系统是一种先进的材料制备技术，广泛应用于物理学、化学、材料科学等多个领域。该系统通过在高真空环境下利用射频、微波等能量源将反应气体激发成等离子体状态，进而在基片表面发生化学反应，沉积出所需的薄膜材料。这种技术具有沉积温度低、沉积速率快、薄膜质量高等优点，能够制备出多种功能性薄膜，如氧化硅、氮化硅、碳化硅、多晶硅等。2 设备用途/原理：半导体工业：用于制备集成电路中的钝化层、介电层等关键薄膜，提高器件的可靠性和性能。光伏产业：在太阳能电池制造中，PECVD系统被广泛应用于制备透明导电氧化物（TCO）薄膜、减反射膜等，以提高光电转换效率。平板显示：在液晶显示器（LCD）和有机发光二极管（OLED）等平板显示器件的制造中，PECVD系统用于制备薄膜晶体管（TFT）的栅极绝缘层、钝化层等关键薄膜。微电子与纳米技术：在微纳电子器件、纳米传感器等领域，PECVD系统能够制备出具有优异性能的薄膜材料，如抗腐蚀层、绝缘层等。3. 设备特点1 高真空环境：PECVD系统通常配备有高真空泵组，以确保反应室内的真空度达到较高水平，从而减少杂质对薄膜质量的影响。 2 等离子体增强：通过射频或微波等能量源将反应气体激发成等离子体，使气体分子高度活化，降低反应温度，提高沉积速率和薄膜质量。 3 精确控制：系统配备有精密的控制系统，可以对反应气体的流量、压力、温度以及射频功率等参数进行精确控制，从而实现对薄膜厚度、成分和结构的精确调控。 4 多功能性：PECVD系统具有广泛的应用范围，可以制备出多种不同成分和结构的薄膜材料，满足不同领域的需求。真空室结构:1个中央传输室：蝶形结构；3个沉积室：方形结构； 1个进样室：方形结构真空室尺寸:中央传输室：Φ1000×280mm ； 沉积室：260×260×280mm ；进样室：300×300×300mm限真空度:中央传输室：6.67E-4 Pa；沉积室：6.67E-6 Pa ；进样室：6.67 Pa沉积源:设计待定样品尺寸，温度:114X114X3mm， 加热温度350度，机械手传递样品占地面积（长x宽x高）:约13米x9米x2.3米（设计待定）电控描述:全自动控制工艺:在80X80mm范围内硅膜的厚度均匀性优于±5%特色参数:共有8路工作气体