大光敏面光电探测器

DPe系列为常温型热释电探测器，适合经济型的测量，专门用于红外波段的光谱测量。热电元件由独特的薄膜热释电PZT材料组成，允许红外辐射被有源区域高效吸收。具有更高的灵敏度、更低的噪声、更好的频率响应以及更好的温度稳定性。热释电探测器使用建议：DPe系列热释电探测器必须配合锁相放大器，推荐使用DCS500PA。DPe系列热释电探测器的响应率与调制频率成反比，最优工作频率在低频（10HZ左右）区域。DPe系列热释电探测器为全波段响应的探测器，实际工作波长受窗口材料限制，可根据实际需要来选择合适的窗口。 频率响应曲线： 窗口透过率曲线： 光谱响应曲线： 常温型热释电探测器型号列表及主要技术指标：型号/参数DPe16DPe22工作区域面积（㎜2）1.65×1.651.65×1.65光敏面直径尺寸（㎜2）3.73.7窗口材料类型A4A3波长范围（μm）2-162-22信号输出模式电压电压响应率（V/W）12.75×1052.75×105典型值D* [cmHz1/2W-1] 14.32×1084.32×108NEP（W/Hz1/2）13.82×10-103.82×10-10反馈电阻（GOhm）1010反馈电容（fF）200±50 200±50 工作电压（V）±2.2～±8±2.2～±8环境温度（℃）-10～+50-10～+50输出信号极性正（P）正（P）备注125℃，10Hz，带宽1Hz黑体T = 500K；E = 38 W / m2不含窗口材料

仪器简介：热释电探测器&mdash 常温型红外探测器，波长范围：0.5-22um技术参数：技术指标型号/参数 DPe22光敏面尺寸(mm) 0.5× 2窗口材料 ZnSe（标配）波长范围(nm) 0.5-22响应率R(500,12.5)(V/W) 2× 105D*(500,12.5,1(cm Hz1/2 W-1) 1× 109NEP(500,12.5,1))W/Hz 9× 1011允许最大入射功率(&mu W) 1最大输出电压(V) 4信号输出模式 电压输出信号极性 正（P）主要特点：&mdash &mdash &mdash 常温型红外探测器，波长范围：0.5-22um◆ DPe22为常温型热释电探测器，适合经济型的测量，集成前置放大器，由LATGS晶体制成，仿热电偶结构，专门用于红外波段的光谱测量热释电探测器使用建议：● DPe22热释电探测器为全波段响应的探测器，实际工作波长范围受到窗口材料限制，可根据实际需要来选择合适的窗口● DPe22热释电探测器使用时必须配合锁相放大器,推荐使用SR830或Model 420（Page97-98）● 热释电探测器的响应率与调制频率成反比，所以需工作在低频（70Hz左右）条件下

仪器简介：硅光电探测器（Si）&mdash &mdash &mdash 室温型探测器，波长范围：200-1100nm技术参数：型号列表及主要技术指标：技术指标＼型号名称 DSi200 紫敏硅探测器 DSi300 硅探测器 进口紫外增强型 国产低暗电流型有效接收面积(mm2) 100(&Phi 11.28) 100(10× 10)波长范围(nm) 200-1100 300-1100峰值波长(nm) ------- 800± 20峰值波长响应度(A/W) 0.52 0.4254nm的响应度(A/W) 0.14(0.09) -------响应时间(&mu s) 5.9 -------工作温度范围(℃) -10～+60 -------储存温度范围(℃) -20～+70 -------分流电阻RSH(M&Omega ) 10(5) -------等效噪声功率NEP (W/&radic Hz) 4.5× 10-13 -------暗电流(25℃；-1V) ------- 1X10-8&mdash 5× 10-11 A结电容(pf) 4500 3000(-10V)信号输出模式 电流 电流输出信号极性 正（P） 正（P）主要特点：■ DSi200/DSi300硅光电探测器硅光电探测器（Si）&mdash &mdash &mdash 室温型探测器，波长范围：200-1100nm两种型号的探测器室的外观相同，其中：◆ DSi200型内装进口紫敏硅光电探测器◆ DSi300型内装国产低暗电流硅光电探测器◆ 推荐配合I-V放大器（型号：ZAMP）使用 硅光电探测器使用建议：◆ DSi200/DSi300均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZAMP（Page85做为前级放大并转换为电压信号，标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度；◆ DSi200/DSi300配合DCS103数据采集系统（Page95）使用时，建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度；◆ DSi200/DSi300配合DCS300PA数据采集系统（Page95）使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器。

DPE12系列热释电探测器常温型红外探测器, 波长范围：2-12μm 热释电探测器使用建议：■ DPE12 热释电探测器为常温型中远红外探测器，内置前置放大器，建议配合锁相放大器使用，推荐使用 SR830 型或 DCS500PA 型； DPE12系列热释电探测器型号列表及主要技术指标： DPE12光敏面尺寸 mm2×2波长范围 ｵ m1.5～12响应度 V/W≥80000电阻 RdMΩ0.1-0.3D*cm8 （Hz）1/2/W≥3×108温度℃-20~55驱动电压3V频率响应范围 Hz5—100（推荐 10Hz）信号输出模式电压D*随频率变化曲线光谱响应度曲线响应度随频率变化曲线DPe12尺寸图DPe12-MS尺寸图

仪器简介：■ 锑化铟探测器（InSb）&mdash &mdash &mdash 液氮制冷型红外探测器，波长范围：1～5.5&mu m技术参数：型号列表及主要技术指标：型号/参数 DInSb5-De01光敏面尺寸(mm) &Phi 1波长范围(&mu m) 1-5.5峰值响应度(A/W) 3峰值响应度(V/W) -响应时间(ns) -D*(@&lambda peak,1KHz)cm Hz1/2W-1 1 x 1011NEP(@&lambda peak,1KHz)pW/Hz1/2 0.8暗电流(&mu A) 7前置放大器 选配信号输出模式 电流输出信号极性 正（P）主要特点：■ 锑化铟探测器（InSb）&mdash &mdash &mdash 液氮制冷型红外探测器，波长范围：1～5.5&mu m有DInSb5-De(x)和DInSb5-HS两种类型，其中：◆ DInSb5-De(x)为液氮制冷型，x-01/ 02/ 04/ 07，四种光敏面尺寸可选，适合一般测量，须选配前置放大器◆ DInSb5-HS为液氮制冷高速响应型，集成前置放大器，响应时间小于25ns◆ 探测器元件均封装于DEC-(x)系列探测器室内，用于与光谱仪狭缝连接

仪器简介：■ 砷化铟探测器（InAs）&mdash &mdash &mdash 近红外探测器 波长范围：1-3.8&mu m技术参数：主要技术指标型号/参数 DInAs3800 DInAs3800-TE光敏面直径(mm) 2 2波长范围(&mu m) 1-3.8 1-3.8峰值响应度(A/W) 0.8 1.5D*(@&lambda peak, 1KHz)cm Hz1/2W-1 2.5× 109 9.1× 1012NEP(@&lambda peak,1KHz)pW/Hz1/ 2 71 4.4温控器型号 - ZTC-2探测器温度(℃) 室温 -40温度稳定度(℃) - ± 0.5信号输出模式 电流 电流输出信号极性 正（P） 正（P）制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC）推荐使用前置放大器型号：ZAMP主要特点：■ 砷化铟探测器（InAs）&mdash &mdash &mdash 近红外探测器 波长范围：1-3.8&mu mDInAs3800和DInAs3800-TE两种型号，其中：◆ DInAs3800内装进口常温型探测元件；◆ DInAs3800-TE内装进口TE制冷型探测元件。砷化铟探测器使用建议：● DInAs3800和DInAs3800-TE均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZAMP（Page85做为前级放大并转换为电压信号，标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度；● DInAs3800和DInAs3800-TE配合DCS103数据采集系统（Page95）使用时，建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度；● DInAs3800和DInAs3800-TE配合DCS300PA数据采集系统（Page95）使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器；● 制冷型DInAs3800-TE砷化铟探测器，在制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC）进行降温控制。

仪器简介：DSR100系列探测器光谱响应度测量系统，是适应不断增长的材料科学对检测设备的需求而诞生的。它结合了北京卓立汉光仪器有限公司给多家科研单位定制的探测器光谱响应测量系统的特点和经验，采用国家标准计量方法进行测试，是光电探测器、器件、光电转换材料科研和检验的必备工具。技术参数：型号 DSR100UV-A DSR100UV-B DSR100IR-A DSR100IR-B波长范围 200~2500nm 1~14&mu m测试光斑\光斑模式 均匀平行光斑 汇聚光斑 均匀平行光斑 汇聚光斑尺寸 Ф2~20mm Ф0.3~3mm Ф2~20mm Ф0.3~3mm 光源 光源 氘灯/溴钨灯复合光源 溴钨灯/碳化硅复合光源光强稳定性 &le 0.8% &le 2%光源切换方式 软件自动切换 软件自动切换三光栅单色仪 光 谱分辨率 ＜0.1nm（435.8nm@1200g/mm光栅） ＜2.5nm (2615nm@75g/mm光栅)扫描间隔 最小可至0.005nm输出波长带宽 ＜5nm ＜10nm多级光谱滤除装置 根据波长自动选择滤光片，消除多级光谱杂散光 　光调制频率 4~400Hz数据采集装置灵敏度 锁相放大器 2nV；直流数据采集可选标准探测器 标准硅探测器 （标定200~1100nm） 标准热释电探测器（标定1~14mm）光谱响应度测量重复性* &le ± 1.5% &le ± 5%光路中心高 305mm仪器尺寸 1500mm× 1200mm× 560mm控制机柜 标准4U控制柜，含计算机主要特点：◆ 宽光谱范围（200~2500nm或1~14&mu m可选），适用面广宽光谱范围意味着适用于各种不同样品，如响应在日盲区的深紫外探测器、响应在可见光的太阳能电池、响应在近红外的光纤传感器、响应在中远红外的红外光电传感器，都可以在DSR100上测量光谱响应度。◆ 开机即用的Turnkey系统设计，维护简单系统采用替代法的测量原理，设计成开机即用的turnkey模式，用户不需要在实验前对系统进行复杂的调试，日常维护也十分简单。◆ 调制法测量技术，提升测量结果信噪比DSR100系统采用调制法测量技术。调制法是目前国家计量单位采用的标准方法，通过选频放大的技术，可以大幅度抑制杂散光或环境噪声对测量精度带来的负面影响。DSR100系统针对弱信号采集专门设计了独特的前置放大电路，同时采用高性能的锁相放大器进行调制法测量。锁相放大器测量灵敏度达到2nV，动态范围达到100dB。通过提高测量灵敏度并且抑制噪声，DSR100系统可以从背景噪声中提取非常微弱的光电探测器响应信号。◆ 全反射光路设计，优化光斑质量由于各种光电探测器的光谱响应范围不同，因此好的探测器光谱响应度测量系统应该是宽光谱范围的，这样才能具备较强的通用性。在宽光谱范围的光学设计中，采用反射式的光路设计要比透射式得到更高品质的光束质量和均匀光斑。在透射式的光学系统中，影响光束质量和光斑品质的重要因素是色差，色差源自于不同波长的单色光在光学材料中的折射率不同，波长范围越宽，色差越明显。而在反射式的光学系统中，由于根本不涉及折射，所以不存在色差的问题。因此采用反射式光路，成像质量大大优于透射式光路，从而可以得到更高均匀度的平行光斑，或者更小尺寸的汇聚光斑。◆ 高稳定性光源，降低背景噪声影响尽管采用调制法可以降低系统杂散光和背景噪声对测量的影响，但光源本身的波动依然无法消除。因此，在采用调制法的系统中，光源稳定性反而成为系统噪声的主要来源。DSR100采用高稳定性的光源来保证系统的高重复性。右图是典型的光源相对强度的稳定度测量数据。◆ 全自动测量流程1)自动化测量流程得到高重复性样品的重复定位精度很大程度上决定了测量重复性，电动平移台重复定位精度10um，远远高于手动样品定位2)自动化测量流程降低了操作人员的要求按软件文字提示即可正确操作系统进行测量，不需要对操作人员进行复杂的培训，特别适合工业客户做检测用3)自动化测量流程提高时间利用率系统在预设方案后即自动运行测量流程，可提高操作人员时间利用率◆ 大空间样品仓，四壁可拆卸，方便系统调试特别设计的四壁方便拆卸的样品仓，给实验人员足够大的空间进行样品安装和调试。同时，也能容纳一些特殊体积的探测器，比如液氮制冷的探测器、条纹变相管等。实验人员的可操作性大大增强。◆ 激光监视光路选项，CCD图像监控，可对极小面积的光电探测器进行精确定位◆ 标准测量软件，数据导出格式支持第三方软件DSR100系统的软件保存所有测试第一手原始数据，可供实验人员导出成txt、xls等常见格式的文档，以便后期分析处理。

仪器简介：■ 硫化铅探测器（PbS）&mdash &mdash &mdash 常温型红外探测器,波长范围：0.8-3.2&mu m技术参数： DPbs2900 DPbs3200光敏面尺寸 mm 1× 5 6× 6波长范围 &mu m 0.8～2.9 0.8～3.2峰值波长 &mu m &ge 2.2 &ge 2.1响应Su V/W &ge 3× 104 &ge 300电阻Rd M&Omega 0.2-2 0.1-0.3D* cm(Hz) 1/2/W &ge 5× 108 &ge 1× 108时间常数 &mu s &le 200 &le 400放大倍数 × 1，× 10，× 100输入端失调电压 µ V ＜± 1前放输入端的漂移 µ V ± 1频率响应范围 Hz 100&mdash 1000 （推荐400Hz）信号输出模式 电压 电压输出信号极性 正（P） 正（P）主要特点：■ 硫化铅探测器（PbS）&mdash &mdash &mdash 常温型红外探测器,波长范围：0.8-3.2&mu mDPbS2900/3200两种型号，两种探测器室的外观相同（内带前置放大器），其中：◆ DPbS2900内装进口硫化铅探测器（光谱响应度曲线参考图1）◆ DPbS3200内装国产硫化铅探测器（光谱响应度曲线参考图2）硫化铅探测器使用建议：● DPbS2900和DPbS3200硫化铅探测器为光导型红外探测器，使用时必须配合锁相放大器，推荐使用SR830型（Page98）或Model 420型（Page97）；● DPbS2900和DPbS3200硫化铅探测器集成了前置放大器，输出信号模式为电压模式，在与DCS103或DCS300PA数据采集系统（Page95）配合使用时，需要选择电压信号采样模式。

仪器简介：■ 碲镉汞探测器（HgCdTe）&mdash &mdash &mdash 液氮制冷型红外探测器，波长范围：2~22&mu m。技术参数：■ 碲镉汞探测器（HgCdTe）型号/参数 DMCT12-De01 DMCT14-De01 DMCT16-De01 DMCT22-De01 DMCT12-HS光敏面尺寸(mm) 1× 1 1× 1 1× 1 1× 1 1× 1波长范围(&mu m) 2-12 2-14 2-16 2-22 2-12峰值响应度(V/W) 3x103 1x103 900 150 4x104响应时间(ns) 　 　 　 　 25D*(@&lambda peak,1KHz)cm Hz1/2W-1,最小值 3 x 1010 3 x 1010 2.5 x 1010 5 x 109 3 x 1010前置放大器 ZPA-101 ZPA-101 ZPA-101 ZPA-101 集成信号输出模式 电压 电压 电压 电压 电压输出信号极性 正（P） 正（P） 正（P） 正（P） 正（P）主要特点：■ 碲镉汞探测器（HgCdTe）&mdash &mdash &mdash 液氮制冷型红外探测器，波长范围：2~22&mu m。有DMCT(x)-De和 DMCT11-HS两种类型，其中：◆ DMCT(x)-De为液氮制冷型，x-12/ 14/ 16/ 22，四种截止波长可选，适合一般测量，须选配前置放大器；◆ DMCT12-HS为液氮制冷高速响应型，集成前置放大器，响应时间小于50ns；◆ 探测器元件均封装于DEC-(x)系列探测器室内，用于与光谱仪狭缝连接。

总览器件是N型硅象限探测器，当光辐射到器件各个象限的辐射通量相等时，则各个象限输出的光电流相等。而当目标发生偏移时，由于象限间辐射通量的变化，引起各个象限的输出光电流的变化，由此可测出物体的方位，从而起到跟踪、制导的作用。硅 Si 大光敏面四象限探测器 1064nm,硅 Si 大光敏面四象限探测器 1064nm产品特点● 标低暗电流● 高均匀性、高对称性 ● 高可靠性 ● 盲区小产品应用● 激光瞄准、制导跟踪及探索装置● 激光微定位、位移监控等精密测量系统技术参数特性参数符号测试条件（除另有规定外，TA=22℃±3℃）参数值单位最小值最大值响应度(交流)(象限)Spiλ=1.064μmVR=135 V脉宽20 ns、Pin=2 mW0.25—A/W响应度(直流)(象限)Rei直流、Pin=1μw0.30—响应度变化量(直流) (象限)a响应度变化量(交流) (象限)aΔReiTA=-45 ℃±2 ℃—50%暗电流(象限)IDiVR=135VPin=0μwTA=22℃±3℃—1μATA=70℃±3℃—10暗电流(环)IDTA=22℃±3℃—10TA=70℃±3℃—100结电容（象限）CjiVR=135V，f=1MHz—15pF光敏面直径φ1016mm等效噪声功率NEPiλ=1.064 μm，VR=135 V ,脉宽20 ns—5×10-12W/HZ1/2击穿电压（象限、环）VBRIR=10μA200—V象元间灵敏度非均匀性Rfλ=1.064 μm，VR=135 V ，脉宽20 ns；Pin=2mW—5%象元内灵敏度非均匀性Rfnλ=1.064 μm，VR=135 V ，脉宽20 ns；Pin=2mW—5%象元间窜扰因子SLiλ=1.064 μm，VR=135 V ，脉宽20 ns；Pin=2mW—5%通用参数外形结构TO型气密性封装。外形结构见图1，外形尺寸见表1。表1、外形尺寸（单位为毫米）尺寸符号φD1ΦD2ΦD3ΦD4ΦD5ΦdAL1L2L3e最小值30.5527.803.0027.91522.600.987.033.021.852.7018.00最大值30.6528.003.0627.9423.401.027.203.101.953.0018.05引出端排列器件的引出端排列见图2，引出端功能应符合表2的规定。表2、引出端功能表管脚功能电压极性1象限1正2公共P极负3象限4正4环极正5象限3正6壳体地7象限2正

总览PL3000系列是一个全色PIN光电二极管，截止波长高达2700nm。它使用的是InGaAs材料，三元化合物半导体InGaAs材料用于制作各种光电器件，材料本身性能稳定。本系列的设计可以用于环境气体检测应用，测量CO或者CO2，它提供优良的并联电阻与响应在宽谱范围内，此外，我们可以读引脚改为TO-46,to-18，TO-5可选。铟镓砷 InGaAs PIN光电二极管（2.7um扩展型,大光敏面),铟镓砷 InGaAs PIN光电二极管（2.7um扩展型,大光敏面)产品特点● 有效面积（0.3-3mm）● 更长的截止波长2.7um● 高分流电阻● 多镜头选择（双凸，平凸，球透镜）● 多种封装结构可供选择（TO46；TO8；TO5）产品应用● 气体传感检测● 火焰/火花检测● FTIR● 短波红外光电探测技术参数2.7um扩展型响应电特性@25℃±2℃性能规格单位PLC300/2.6PLC500/2.6PLC1000/2.6PLC2000/2.6PLC3000/2.6响应直径mm0.30.5123峰值波长（典型）um2.2±0.12.2±0.12.2±0.12.2±0.12.2±0.1截止波长（50%）um2.6±0.12.6±0.12.6±0.12.6±0.12.6±0.1响应度@λP（min/typ）A/W0.9/1.00.9/1.00.9/1.00.9/1.00.9/1.0分流电阻（min/typ）Ω16K/25K5K/8K2K/4K0.5K/1.5K0.2K/0.5K暗电流（max）uA13@1V20@0.5V80@0.5V320@0.5V500@0.5V电容@0VpF1002701000440010000带宽 W/50Ω@0VMHz32163.20.80.35上升时间 W/50Ω@0Vns11221104401000NEP@λPEAKW/Hz1/281×10-14143×10-14203×10-14331×10-14574×10-14线性度（±0.2dB@0v）dBm66666封装规格-TO-8TO-8TO-8TO-5TO-5最大额定值性能规格单位PLC300/2.6PLC500/2.6PLC1000/2.6PLC2000/2.6PLC3000/2.6存储温度℃-40-125-40-125-40-125-40-125-40-125工作温度℃-40-85-40-85-40-85-40-85-40-85反向击穿电压V20.50.50.50.5反向击穿电流mA1010101010正向电流mA1010101010最大承受功率mW5050505050光谱响应响应温度系数Ⅰ响应温度系数Ⅱ电容和备用电压暗电流与暗电流备用电压分流阻力的比较温度型号及订购PLC-□-□□-W□□□□-XX□---探测器的材料A：Si PDB：InGaAs PDC：Si APDD：InGaAs APDE：Si Quadrant APDF：InGaAs Quadrant APD□□---光感应光敏面直径300：0.3mm500：0.5mm1000：1mm2000：2mm3000：3mmW□□□□---截止波长W2.6：2.6umXX: 探测器封装类型T46W=TO46 WindowT18W=TO18 WindowT5W=TO5 WindowT46L=TO46 LensT18L=TO18 LensT5L=TO5 LensT46W=TO46 WindowT46W=TO46 WindowSA=SMF-28E+ FC/APCSP=SMF-28E+ FC/PCPA=PM Fiber+ FC/APCPP=PM Fiber+ FC/PC

仪器简介：雪崩光电探测器（APD） 产品特性： 高速响应达GHz 封装尺寸小：50 x 50 x 45 mm 400-1000 nm /850-1650 nm波长可选 增益连续可调：1x to 100x (ADP210) 1x to 10x (ADP310) SM05适配器 光电倍增管Photomultiplier Modules 产品特性： 两种波段可选：280 - 630 nm 或 280 - 850 nm 可提供倍增管接口组件 具有防静电和消磁作用 变换增益：阳极电流1 V/&mu A 链构型环形电极 封装与SM1螺纹匹配 封装含4个螺纹孔，与ER系列笼杆匹配 支杆可安装于3种不同组件 120V电源供应（230V可选） SMA输出技术参数：高速探测器Biased Detectors 产品特性： 宽光谱150 nm to 2.6 &mu m 高速响应1 ns~220ns 大面积光敏面Ø 1.0 mm~Ø 9.8 mm 可选的光纤适配器，方便光纤耦合输入 标准的BNC输出接口 内装A23 12V电池，使用方便，还可外接电源 带放大电路探测器Amplified Detectors 产品特性: 宽光谱150 nm to 4.8 &mu m 带宽高达150MHz 放大增益可固定，亦可调 0-10V电信号输出 大面积光敏面Ø 1.0 mm~Ø 9.8 mm 可选的光纤适配器，方便光纤耦合输出 标准的BNC输出接口 提供230 VAC外接电源主要特点：光纤耦合探测器Fiber Optic Detectors 产品特性： 宽光谱320 nm to 1700nm ps级高速响应，带宽1-8GHz 可提供带放大电路 FC/PC光纤接口，方便光纤耦合输入 标准的BNC输出接口 内装A23 12V电池，使用方便，可外接电源 平衡探测器Balanced Detectors 产品特性： 宽光谱320nm-1700nm 高带宽DC-350MHz 超低噪音 探测器类型：Si & InGaAs 可提供带放大电路 自由空间或尾纤输入 直接的探测器监视输出 含外接电源 增益可调和增益固定可选 应用： 光谱与波谱学: 外差检测 OCT系统 光学延迟测量 THz检测

一,Ge 锗 超大光敏PIN光电二极管（800-1800nm 直径 10mm）总览筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD)，包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。我们有高速硅光电二极管。也有在900到2600 nm的范围内具有高响应率，其探测波长超过典型铟镓砷光电二极管的1800 nm。双波段光电二极管，它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上，铟镓砷基底在下)，组合波长范围从400到1700 nm。为了丰富我们的光电二极管产品线，我们提供已安装的光电二极管便于客户供电即用，探测器有效面积边缘的不均匀性可能引起不必要的电容电阻效应，从而扭曲光电二极管的时域响应。因此，我们建议使光入射在有效面积中心。为此，可以在探测器前放置聚焦透镜或者针孔。Ge 锗 超大光敏PIN光电二极管（800-1800nm 直径 10mm）,Ge 锗 超大光敏PIN光电二极管（800-1800nm 直径 10mm）技术参数产品特点● 小光敏面大光敏面可选 (100µ m to 25mm)● 800nm to 1800nm 光谱响应● 高线性 10 dBm● 可以定制透镜组合(Biconvex, Planoconvex, or Ball)● 封装方式可选(TO-46, TO-18, TO-5, TO-8, TO-9 or BNC)引脚定义产品应用● 激光功率计● LED/LD老化诊断● 光谱学● LED/LD特性● 眼睛安全激光检测传感器产品规格探测材料Ge响应波长800 - 1800 nm峰值波长1550 nm (Typ.)响应度0.85 A/W (Typ.)光敏面直径78.5 mm2 (Ø 10mm)上升/下降沿时间 (RL = 50 Ohms, 10 V)500 ns / 500 ns (Typ.)NEP, Typical (1550 nm)4.0 x 10-12 W/Hz1/2 (Typ.)暗电流 (5 V)60 µ A (Max.)电容(10 V) 电容(0 V)1800 pF (Max.) 16000 pF (Max.)分流电阻4000 Ohm (Typ.)封装形式TO-9最大额定值最大击穿打压10 V操作温度-55 to 60 °C存储温度-55 to 60 °C备注：1、典型值；RL = 50 Ω，除非另有说明 2、NEP指Ding在光伏模式下光谱响应曲线：二,铟镓砷 InGaAs 超大光敏面光电二极管(10mm ) 900-1700nm 近红外波长总览筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD)，包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。我们有高速硅光电二极管。也有在900到2600 nm的范围内具有高响应率，其探测波长超过典型铟镓砷光电二极管的1800 nm。双波段光电二极管，它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上，铟镓砷基底在下)，组合波长范围从400到1700 nm。为了丰富我们的光电二极管产品线，我们提供已安装的光电二极管便于客户供电即用，探测器有效面积边缘的不均匀性可能引起不必要的电容电阻效应，从而扭曲光电二极管的时域响应。因此，我们建议使光入射在有效面积中心。为此，可以在探测器前放置聚焦透镜或者针孔。铟镓砷 InGaAs 超大光敏面光电二极管(10mm ) 900-1700nm 近红外波长,铟镓砷 InGaAs 超大光敏面光电二极管(10mm ) 900-1700nm 近红外波长产品特点● 10mm超大光敏面● 900nm to 1700nm 光谱响应● 高线性 10 dBm● —正照平面型芯片结构 ● 光敏面积大、低暗电流产品应用● 激光功率计● LED/LD老化诊断● 光谱学● LED/LD特性● 眼睛安全激光检测传感器通用参数技术参数特性参数符号测试条件最小典型最大单位光谱响应范围λ—900～1700nm光敏面直径φ—10mm响应度 ReVR=5V,λ=1.31μm,φe=100μw0.85——A/WVR=5V,λ=1.55μm,φe=100μw0.95——响应时间tSVR=5V,RL=50Ω,f=2KHz—820μs总电容CVR=5V,f=1KHz—310nF暗电流IDVR=5V,φe=0—25100nA分流阻抗RshVR=10mV10——MΩ光谱响应曲线封装及尺寸极限值参数名称符号额定值单位工作温度TC-40～+85℃贮存温度TSTG-55～+125℃正向电流IF10mA反向电流IR5mA焊接温度（时间）St260℃（10s）-

仪器简介：热释电探测器&mdash 常温型红外探测器，波长范围：0.5-22um技术参数：技术指标型号/参数 DPe22光敏面尺寸(mm) 0.5× 2窗口材料 ZnSe（标配）波长范围(nm) 0.5-22响应率R(500,12.5)(V/W) 2× 105D*(500,12.5,1(cm Hz1/2 W-1) 1× 109NEP(500,12.5,1))W/Hz 9× 1011允许最大入射功率(&mu W) 1最大输出电压(V) 4信号输出模式 电压输出信号极性 正（P）主要特点：&mdash &mdash &mdash 常温型红外探测器，波长范围：0.5-22um◆ DPe22为常温型热释电探测器，适合经济型的测量，集成前置放大器，由LATGS晶体制成，仿热电偶结构，专门用于红外波段的光谱测量热释电探测器使用建议：● DPe22热释电探测器为全波段响应的探测器，实际工作波长范围受到窗口材料限制，可根据实际需要来选择合适的窗口● DPe22热释电探测器使用时必须配合锁相放大器,推荐使用SR830或Model 420（Page97-98）● 热释电探测器的响应率与调制频率成反比，所以需工作在低频（70Hz左右）条件下

位敏探测器(PSD) 新势力光电供应位敏探测器(PSD)，是根据横向光电效应(电压和电流信号随着光斑位置变化而变换的现象)的半导体敏感元件，将照射在光敏面上的光斑强度和位移量转换为电信号，以实现位置探测。Position sensitive diodes (up to 20mm measuring range in two directions)Type No.Active areaRise time DimensionsChipPackageSizeArea865nm 10V 50&Omega mmmm2nsOD3.5-6SO83.5× 13.5200singleOD3.5-6SMD3.5× 13.5200singleOD6-6SO166× 16200singleOD6-6SMD6× 16200singleDL16-7CERpin4× 416500dual a× isDL16-7CERsmd4× 416500dual a× isDL16-7LCC10G4× 416500dual a× isDL100-7CERpin10× 101004000dual a× isDL100-7CERsmd10× 101004000dual a× isDL100-7LCC10G10× 101004000dual a× isDL400-7CERpin20× 204004000dual a× isDL400-7CERsmd20× 204004000dual a× is相关商品雪崩二极管(APD) 光电二极管(PIN) 四象限探测器(QP) 光电二极管模块

仪器简介：硅光电探测器（Si）&mdash &mdash &mdash 室温型探测器，波长范围：200-1100nm技术参数：型号列表及主要技术指标：技术指标＼型号名称 DSi200 紫敏硅探测器 DSi300 硅探测器 进口紫外增强型 国产低暗电流型有效接收面积(mm2) 100(&Phi 11.28) 100(10× 10)波长范围(nm) 200-1100 300-1100峰值波长(nm) ------- 800± 20峰值波长响应度(A/W) 0.52 0.4254nm的响应度(A/W) 0.14(0.09) -------响应时间(&mu s) 5.9 -------工作温度范围(℃) -10～+60 -------储存温度范围(℃) -20～+70 -------分流电阻RSH(M&Omega ) 10(5) -------等效噪声功率NEP (W/&radic Hz) 4.5× 10-13 -------暗电流(25℃；-1V) ------- 1X10-8&mdash 5× 10-11 A结电容(pf) 4500 3000(-10V)信号输出模式 电流 电流输出信号极性 正（P） 正（P）主要特点：■ DSi200/DSi300硅光电探测器硅光电探测器（Si）&mdash &mdash &mdash 室温型探测器，波长范围：200-1100nm两种型号的探测器室的外观相同，其中：◆ DSi200型内装进口紫敏硅光电探测器◆ DSi300型内装国产低暗电流硅光电探测器◆ 推荐配合I-V放大器（型号：ZAMP）使用 硅光电探测器使用建议：◆ DSi200/DSi300均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZAMP（Page85做为前级放大并转换为电压信号，标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度；◆ DSi200/DSi300配合DCS103数据采集系统（Page95）使用时，建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度；◆ DSi200/DSi300配合DCS300PA数据采集系统（Page95）使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器。

DPE12系列热释电探测器常温型红外探测器, 波长范围：2-12μm 热释电探测器使用建议：■ DPE12 热释电探测器为常温型中远红外探测器，内置前置放大器，建议配合锁相放大器使用，推荐使用 SR830 型或 DCS500PA 型； DPE12系列热释电探测器型号列表及主要技术指标： DPE12光敏面尺寸 mm2×2波长范围 ｵ m1.5～12响应度 V/W≥80000电阻 RdMΩ0.1-0.3D*cm8 （Hz）1/2/W≥3×108温度℃-20~55驱动电压3V频率响应范围 Hz5—100（推荐 10Hz）信号输出模式电压D*随频率变化曲线光谱响应度曲线响应度随频率变化曲线DPe12尺寸图DPe12-MS尺寸图

Standa高速光纤输入光电探测器产品特点：●只使用GHz带宽部件●使用阻抗匹配的微带线连接二极管输出到输出连接器●使用微波级SMA电磁波发射器将信号耦合到示波器●每个探测器使用20GHz取样示波器测试，只有由于振荡造成峰峰失真4%才合格型号11HSP-V211HSP-IR6波长范围320-1100nm900-1650nm探测器材料SiInGaAs探测器直径0.4mm0.08mm带宽2GHz~6GHz上升下降时间150ps70ps脉冲后振荡（最大值百分比）20%光纤输入接口FC输出阻抗50Ohms最大安全输出2V电池电压20V电池寿命~5年探测器尺寸25x25x38mm

5 um波段高速响应高灵敏度的热电制冷红外探测器，不需要液氮P11120-201由于使用了我公司独特的晶体生长技术，在5 um波段具有高灵敏度。铟砷锑光伏探测器有PN结，保证了高速响应和高可靠性。典型应用包括CO2, SOx, CO和NOx等气体分析。 与P11120-901金属杜瓦型探测器不同，该探测器使用了紧凑封装（TO-8），不需要液氮，因此更易于使用。特性-高速响应- 高灵敏度- 高可靠性- 紧凑型热电制冷TO-8封装- InAsSb材料，环境友好- 与QCL可以安装进模块中详细参数光敏面积φ1 mm象元数1封装类型TO-8封装Metal制冷Two-stage TE-cooled截止波长（典型值）5.9 μm峰值灵敏度波长（典型值）4.9 μm光敏度（典型值）1.6 A/W检测率D *（典型值）5.0 x 109 cm?Hz1/2/W上升时间（典型值）0.4 μs测量条件Td=-30℃, Detectivity D*: λ=λp, fc=1200 Hz, Δf=1 Hz光谱响应外形尺寸（单位：mm）

Thorlabs硅光电探测器 PDA100A2激光产品特性波长范围：200到1100 nm 固定或可调增益的低噪声放大器负载阻抗：50 Ω或以上(带宽≥3 kHz的版本)自由空间光学输入我们提供多种硅(Si)自由空间型带放大的光电探测器，光灵敏范围从紫外到近红外。Thorlabs带放大的光电探测器内置低噪声跨阻放大器(TIA)或低噪声TIA后接电压放大器。Menlo Systems的FPD系列带放大光电探测器内置射频(RF)放大器或跨阻放大器。我们提供固定增益和可调增益的版本，前者具有固定的zui 大带宽和总跨阻增益，后者提供两个或八个增益设置。Thorlabs光电探测器能够满足多种要求，380 MHz的PDA015A固定增益探测器具有1 ns脉冲响应，高灵敏PDF10A2具有最小3.0 fW/Hz1/2噪声等效功率(NEP)，可调增益的PDA100A2具有八种可调的zui 大增益(带宽)组合，范围从1.51 kV/A (11 MHz)到4.75 MV/A(3 kHz)。具有飞瓦灵敏度的PDF10A2为低频器件，只能端接高阻抗(Hi-Z)负载，而其它所有带放大的硅光电探测器都能够驱动从50 Ω到Hi-Z的负载。Click to EnlargePDA10A2与附带的±12 V电源。更换用的电源在下方出售。 每个探测器都有SM05 (0.535"-40)内螺纹与SM1 (1.035"-40)外螺纹。除了有些特定的探测器，所有装置外壳上都有8-32螺孔 (-EC和/M型号为M4螺孔)。PDA10A2、PDA8A2、PDA36A2、PDA100A2和PDF10A2使用新外壳，具有兼容8-32和M4的通用螺孔。Menlo Systems的FPD系列探测器具有易用的光电二极管封装，集成高增益、低噪声RF放大器(FPD310-FS-VIS)或跨阻放大器(FPD510-FS-VIS和FPD610-FS-VIS) 。FPD310-FS-VIS非常适合需要高带宽和超短上升时间( 1 ns)的应用，它能以0和20 dB两种步长调节增益。FPD510-FS-VIS和FPD610-FS-VIS具有固定增益，能够在探测低水平光学拍频信号时提供zui 高信噪比，zui 高探测频率分别为250 MHz和600 MHz。FPD510-FS-VIS上升时间为2 ns，而FPD610-FS-VIS上升时间为1 ns。这些是直流耦合器件，FPD510-FS-VIS的3 dB带宽为200 MHz，而FPD610-FS-VIS为500 MHz。FPD探测器设计紧凑，便于OEM集成。每个Menlo探测器外壳上有一个用于安装接杆的M4螺孔。

仪器简介：■ 锑化铟探测器（InSb）&mdash &mdash &mdash 液氮制冷型红外探测器，波长范围：1～5.5&mu m技术参数：型号列表及主要技术指标：型号/参数 DInSb5-De01光敏面尺寸(mm) &Phi 1波长范围(&mu m) 1-5.5峰值响应度(A/W) 3峰值响应度(V/W) -响应时间(ns) -D*(@&lambda peak,1KHz)cm Hz1/2W-1 1 x 1011NEP(@&lambda peak,1KHz)pW/Hz1/2 0.8暗电流(&mu A) 7前置放大器 选配信号输出模式 电流输出信号极性 正（P）主要特点：■ 锑化铟探测器（InSb）&mdash &mdash &mdash 液氮制冷型红外探测器，波长范围：1～5.5&mu m有DInSb5-De(x)和DInSb5-HS两种类型，其中：◆ DInSb5-De(x)为液氮制冷型，x-01/ 02/ 04/ 07，四种光敏面尺寸可选，适合一般测量，须选配前置放大器◆ DInSb5-HS为液氮制冷高速响应型，集成前置放大器，响应时间小于25ns◆ 探测器元件均封装于DEC-(x)系列探测器室内，用于与光谱仪狭缝连接

高速光电探测器 Related Products 特性9种型号涵盖150纳米到2.6微米的波长范围上升时间快达1纳秒超薄机身能在狭窄空间进行测量容易使用、结构紧凑和多功能SM05（0.535英寸-40）和SM1（1.035英寸-40）螺纹是光纤耦合或安装中性密度滤光片的理想选择内部A23偏压电池（附带）Thorlabs提供9种型号的偏压光电探测器，涵盖了紫外到中红外（150纳米到2.6微米）的波长范围，与之前的光电探测器型号相比，它们具有更宽的带宽和更好的NEP（噪声等效功率）性能。其纤薄的外壳能让光学探测器嵌入到狭窄的装置中。每个型号都配备有快速的PIN光电二极管和以坚固铝制外壳包装好的外部偏压电池。通过宽带宽的直流耦合输出，这些探测器是用于监测快速脉冲激光和直流光源的理想选择。每个DET都有T型偏置电路，将高频交流信号和直流信号结合起来，作为单一的输出。侧面板的BNC上提供了直接的光电二极管阳极电流。通过一个终端电阻可以很容易地将该输出转换为正电压。至于高速信号，Thorlabs推荐使用一个50欧姆负载电阻。对于低带宽的应用，使用本公司的可变端接器可节省很多时间。 所有的连接和控制都已经移到远离光路的位置，这样就简化了我们的探测器在封闭空间内的集成。DET探测器外壳上的SM1、SM05和8-32（M4）螺纹使其可以安装在笼式共轴系统、透镜套管系统，或TR系列接杆上。关于如何将DET系列光电探测器嵌入到光学装置的更多细节请参看安装选项 标签。每个DET都配有安装好的12伏的直流偏压电池。由于电池是一种噪音极低的电源，所以将它作为电压源。当允许信号噪声由于线电压中的噪声产生小幅度增长或不能接受电池的有限寿命时，可以用DET1B电源适配器替换该电池。A23电池是目前DET系列光电探测器的更换电池，而本公司的旧型号中（即 DET1-SI和DET2-SI）则使用T505更换电池。请注意，由于不同制造商生产的电池的正极端子之间可能会存在细微差别，针对DET系列光电探测器，Thorlabs公司只推荐使用Energizer电池。磷化镓探测器&mdash 紫外波长Zoom型号#有效面积波长范围上升（下降）时间NEP（W/vHz）暗电流结电容*DET25K4.8 mm2 (2.2 x 2.2 mm)150 - 550 nm1 ns (140 ns)1.6 x 10-1440 nA40 pF*典型值，RL = 50欧姆硅探测器－可见光波长Zoom型号#有效面积波长范围上升时间NEP（W/vHz）暗电流结电容*DET10A0.8 mm2 (Ø 1.0 mm)200 - 1100 nm1 ns1.9 x 10-140.3 nA (2 nA Max)6 pFDET36A13 mm2 (3.6 x 3.6 mm)350 - 1100 nm14 ns1.6 x 10-140.35 nA (6 nA Max)40 pFDET100A75.4 mm2(Ø 9.8 mm)400 - 1100 nm43 ns5.5 x 10-14600 nA Max300 pF *典型值，RL = 50欧姆锗探测器&mdash 近红外光波长ZoomItem #Active AreaWavelengthRangeRiseTimeNEP(W/Hz1/2)Dark CurrentJunctionCapacitance*DET50B19.6 mm2 (Ø 5.0 mm)800 - 1800 nm440 ns4 x 10-1280 µ A4000 pF (Max)DET30B7.1 mm2(Ø 3.0 mm)800 - 1800 nm600 ns1.0 x 10-120.8 µ A (1.0 µ A Max)4000 pF (Max)*典型值，RL = 50欧姆铟镓砷探测器－近红外到红外波长ZoomItem #Active AreaWavelengthRangeRise TimeNEP(W/vHz)Dark CurrentJunctionCapacitance*DET10C0.8 mm2(Ø 1.0 mm)700 - 1800 nm10 ns1.6 x 10-141 nA (25 nA Max)40 pFDET20C3.1 mm2(Ø 2.0 mm)800 - 1800 nm25 ns0.03 x 10-1255 nA (70 nA Max)100 pFDET10D0.8 mm2(Ø 1.0 mm)1200 - 2600 nm25 ns2 x 10-1215 µ A (75 µ A Max)175 pF*典型值，RL = 50欧姆DET交流电源适配器ZoomDET1B交流电源适配器可替代本公司的DET系列探测器所使用的电池。该适配器套件使DET探测器能与附带的外部交流LDS2电源配合使用。使用时，只需要简单地将电池盖卸下，取出电池，然后装上附带的DET1A，并插上电源即可。我们同时还可以单独出售适配器或电源，可供需要的用户选择购买。用于DET系列的电池ZoomA23电池是现有DET系列光电探测器的更换电池。T505更换电池则用于我们老式、已停产的探测器系列。SBP20更换电池用于SV2-FC、SIR5-FC和SUV7-FC光纤探测器包。 BNC接头Zoom当光电二极管加上反向偏压，例如工作在光导模式下，将会由于光子吸收产生光电流。通常，使用一个50欧姆的电阻来增加带宽。但是，常常需要更简单高效的方法测量信号，当对准光电二极管时可是使用较大的势差。可调接头使得用户可以在光束对准时增大电阻，然后降低电阻以获取最大的带宽。相对于固定接头来说，可调接头有绝对的优势。Thorlabs供应两款接头：VT1可调电阻接头和T4119型50欧姆固定电阻接头。 VT1可调接头提供7个离散电阻供用户设置，用户可以很容易的通过外部的旋转筒进行选择。VT1提供以下7个电阻值：50欧姆，100欧姆，500欧姆，1千欧姆，5千欧姆，10千欧姆和50千欧姆。 T4119是一个50欧姆的转接型接头，应用在DET系列探测器中，可以获得最大的带宽。

PDA100A2硅光电探测器，带放大，可调增益特性波长范围：200到1100 nm 固定或可调增益的低噪声放大器负载阻抗：50 Ω或以上(带宽≥3 kHz的版本)自由空间光学输入我们提供多种硅(Si)自由空间型带放大的光电探测器，光灵敏范围从紫外到近红外。Thorlabs带放大的光电探测器内置低噪声跨阻放大器(TIA)或低噪声TIA后接电压放大器。Menlo Systems的FPD系列带放大光电探测器内置射频(RF)放大器或跨阻放大器。我们提供固定增益和可调增益的版本，前者具有固定的最大带宽和总跨阻增益，后者提供两个或八个增益设置。Thorlabs光电探测器能够满足多种要求，380 MHz的PDA015A固定增益探测器具有1 ns脉冲响应，高灵敏PDF10A2具有最小3.0 fW/Hz1/2噪声等效功率(NEP)，可调增益的PDA100A2具有八种可调的最大增益(带宽)组合，范围从1.51 kV/A (11 MHz)到4.75 MV/A(3 kHz)。具有飞瓦灵敏度的PDF10A2为低频器件，只能端接高阻抗(Hi-Z)负载，而其它所有带放大的硅光电探测器都能够驱动从50 Ω到Hi-Z的负载。每个探测器都有SM05 (0.535"-40)内螺纹与SM1 (1.035"-40)外螺纹。除了有些特定的探测器，所有装置外壳上都有8-32螺孔 (-EC和/M型号为M4螺孔)。PDA10A2、PDA8A2、PDA36A2、PDA100A2和PDF10A2使用新外壳，具有兼容8-32和M4的通用螺孔。关于安装孔位置及如何安装的详细信息，请看外壳特性和安装选项标签。Menlo Systems的FPD系列探测器具有易用的光电二极管封装，集成高增益、低噪声RF放大器(FPD310-FS-VIS)或跨阻放大器(FPD510-FS-VIS和FPD610-FS-VIS) 。FPD310-FS-VIS非常适合需要高带宽和超短上升时间( 1 ns)的应用，它能以0和20 dB两种步长调节增益。FPD510-FS-VIS和FPD610-FS-VIS具有固定增益，能够在探测低水平光学拍频信号时提供最高信噪比，最高探测频率分别为250 MHz和600 MHz。FPD510-FS-VIS上升时间为2 ns，而FPD610-FS-VIS上升时间为1 ns。这些是直流耦合器件，FPD510-FS-VIS的3 dB带宽为200 MHz，而FPD610-FS-VIS为500 MHz。FPD探测器设计紧凑，便于OEM集成。每个Menlo探测器外壳上有一个用于安装接杆的M4螺孔。更多有关外壳的信息，请看外壳特性标签。如需带FC/PC输入端的探测器，请看光纤耦合型带放大的硅探测器。电源每个带放大的光电探测器都附带一个±12 V的线性电源，支持100、120和230 VAC输入电压。更换用的电源在下方出售。将电源连接到线路之前，请确保电源模块上的线性电压开关已经设定在正确的电压范围。请始终使用电源上的电源开关来给电源通电。建议装置不要热插拔。

Thorlabs 锗跨阻光电探测器 PDA50B2其它通用分析特性探测范围：800 - 1800 nm低噪声、宽带放大器带宽范围从DC到510 kHz或从DC到590 kHz0到10伏输出兼容SM1(1.035"-40)系列和一些SM05(0.535"-40)系列产品附带线性电源Thorlabs基于Ge的跨阻放大光电探测器具有可调节的增益设置和紧凑的低剖面外壳。这些探测器对800 nm到1800 nm近红外光谱波段的光波比较敏感。低剖面封装可以用于空间有限的光路中。将探测器集成到装置时，所有的连接接口和控制按键都与光路垂直，以增大可操作性。能够驱动50 Ω负载的低噪声跨阻放大器提供了放大功能。信号通过BNC接头输出。这些光电探测器可与Thorlabs的无源低通滤波器一起使用；这些滤波器具有50 Ω的输入和高阻抗输出，可以直接安装到高阻抗测量装置，比如示波器。Thorlabs提供各种BNC、BNC转SMA和SMC电线，以及各种BNC、SMA和SMC转接件。每个外壳都有SM1(1.035"-40)外螺纹、SM05(0.535"-40)内螺纹和两个兼容8-32和M4螺纹的通用安装孔，允许竖直或水平安装接杆。此外，还附带SM1T1 SM1内螺纹耦合器和SM1RR卡环，以便安装兼容SM1的配件、光学元件和笼式系统组装配件。外壳上的SM1(1.035"-40)螺纹非常适合在探测器元件的前部安装Ø 1英寸的聚焦透镜或针孔。SM05内螺纹只适合匹配SM05外螺纹的透镜套筒(光纤转接件等部件不能装配到SM05螺纹上)。大多数SM1螺纹光纤转接件兼容这些探测器。但是S120-FC SM1内螺纹光纤转接件不兼容，因为它会与光电二极管发生机械冲突。SM1外螺纹转接件应该和附带的SM1内螺纹转接件相匹配，而SM1内螺纹转接件则可以直接安装到外壳上。探测器的有源区域与外壳前部齐平，简化了光机系统内部的对准。探测器有源区边缘部分的不均匀性会产生不需要的电容和电阻效应，从而使光电探测器输出的时域响应失真。因此，Thorlabs建议入射到光电探测器的光应聚焦在有源区域的中心。电源每个带放大的光电探测器都附带一个±12 V线性电源，单独提供。电源有一个三通开关，可以插入任意50 - 60 Hz、100 V / 120 V / 230 V的电源插座。将电源连接到插座或探测器之前，请确认电源和探测器上的电源开关处于关闭状态。不建议对探测器进行热插拔。

KT-PR 系列 前置运放模拟光电探测模块kongtum.com KT-集成了高速响应PIN探测器和低噪声放大器，光纤或自由空间耦合，SMA连接器输出，具有高增益、高灵敏度、增益平坦等特点，提供200KHz~2GHz多个频段范围，主要应用于模拟光信号接收及光纤传感系统等领域。产品特点：&bull 光谱范围：320-1000、850-1650nm&bull 3dB带宽: DC~2GHz 可选&bull 低噪声&bull 高增益&bull 光纤、空间耦合输入可选应用领域：&bull 弱光信号探测&bull 外差探测 产品型号：型号参数KT-PR-200KKT-PR-10MKT-PR-200MKT-PR-500MKT-PR-1GKT-PR-2G-3dB带宽DC-200KHzDC-10MHzDC-200MHzDC-500MHz100K-1GHz100K-2GHz上升时间1.5us30ns1.5ns0.6ns0.3ns0.15ns订货信息：KTPRXXXXXXX光探测模块-3dB 带宽：工作波长：输入类型：耦合类型：Photoreceiver200K---200KHzA---850~1650nmFC光纤耦合空---DC 耦合10M---10MHzB---320~1000nmFSFree spaceAC---AC 耦合200M---200MHz500M---500MHz1G---1GHz2G---2GHz性能参数：型号参数KT -PR-200K-AKT-PR-200K-B光谱响应范围850~1650nm320~1000nm材料类型InGaAsSi光输入光纤自由空间光纤自由空间光敏面直径-75um-200um-3dB带宽200KHz200KHz上升时间30ns30ns响应度0.9A/W@1550nm0.5A/W@700nm增益1×107V/W0.5×107V/W噪声等效功率NEP0.9pw/√Hz1.8pw/√Hz饱和光功率0.4µ W0.8µ W型号参数KT-PR-10M-AKT-PR-10M-B光谱响应范围850~1650nm320~1000nm材料类型InGaAsSi光输入光纤自由空间光纤自由空间光敏面直径-75um-200um-3dB带宽10MHz10MHz上升时间30ns30ns响应度0.9A/W@1550nm0.5A/W@700nm增益2×105V/W1×105V/W最小探测光功率-44dBm-41dBm噪声等效功率NEP1.5pw/√Hz5pw/√Hz饱和光功率3.5µ W7µ W型号参数KT-PR-200M-AKT-PR-200M-B光谱响应范围850~1650nm320~1000nm材料类型InGaAsSi光输入光纤自由空间光纤自由空间光敏面直径-75um-200um-3dB带宽200MHz200MHz上升时间1.5ns1.5ns响应度0.9A/W@1550nm0.5A/W@700nm增益1.4×104V/W0.7×104V/W最小探测光功率-39dBm-36dBm噪声等效功率NEP10pw/√Hz20pw/√Hz饱和光功率320µ W640µ W性能参数：型号参数KT-PR-500M-AKT-PR-500M-B光谱响应范围850~1650nm320~1000nm材料类型InGaAsSi光输入光纤自由空间光纤自由空间光敏面直径-75um-200um-3dB带宽500MHz500MHz上升时间0.6ns0.6ns响应度0.9A/W@1550nm0.5A/W@700nm增益5×103V/W2.5×103V/W噪声等效功率NEP18pw/√Hz36pw/√Hz饱和光功率800µ W1.6mW型号参数KT-PR-1G-AKT-PR-1G-B光谱响应范围850~1650nm320~1000nm材料类型InGaAsSi光输入光纤自由空间光纤自由空间光敏面直径-75um-200um-3dB带宽AC端100K~1GHz100K~1GHzDC端DC-100KHzDC-100KHz上升时间0.35ns0.35ns响应度0.9A/W@1550nm0.5A/W@700nm增益1.6×103V/W0.8×103V/W最小探测光功率-29dBm-26dBm噪声等效功率NEP25pw/√Hz50pw/√Hz饱和光功率1.2mW2.4mW型号参数KT-PR-2G-AKT -PR-2G-B光谱响应范围850~1650nm320~1000nm材料类型InGaAsSi光输入光纤自由空间光纤自由空间光敏面直径-75um-200um-3dB带宽AC端100K~2GHz100K~2GHzDC端DC-100KHzDC-100KHz上升时间0.18ns0.18ns响应度0.9A/W@1550nm0.5A/W@700nm增益0.8×103V/W0.4×103V/W最小探测光功率-25dBm-23dBm噪声等效功率NEP32pw/√Hz65pw/√Hz饱和光功率1.2mW2.4mW通用参数： 参数数值工作电压DC ±15V工作电流80mA输入接头FC / Free Space输出接头SMA(f)输出阻抗50Ω输出耦合方式DC (KG-PR-1G,KG-PR-2G: AC耦合)外形尺寸 （mm）76.0 × 72.6 × 44.0极限条件：参数符号单位最小值典型值最大值输入光功率PinmW10工作电压VopV±13.5±15±16.5工作温度Topº C-1060储存温度Tstº C-4085湿度RH%590特性曲线： 光谱响应曲线（A型） 光谱响应曲线（B型）原理框图： 封装尺寸：

一,中红外量子阱QWIP超快探测器 5um 26.5GHzMIR QWIP是基于先进的QWIP技术而研发的一款超快速中红外探测器。它的响应速度高达数十GHz，是市场上最快的检测器。它是表征QCL频率梳、构建外差仪器、开发中红外高带宽光学通信链路的完美工具。QWIP的技术是卡洛瑟托里教授在Pierre Aigrain实验室研发的。我们对包装和设备进行了优化，以适应低温下的超高速运行。同时，我们开发并优化专用偏置器和宽带射频放大器，以匹配设备的高端性能。技术参数产品特点市面上最快的中红外探测器响应速度至少 26.5 GHz基于QWIP技术工作温度77K波长:5 μm响应速度高达数十GHz高响应度专用和优化偏置器即插即用产品应用:QCL频率梳外差仪器高速中红外光学链路二,中红外量子级联超快光电探测器 20GHz 4.65 µ m这是一款超快中红外光电探测器，响应带宽超过20GHz (-3 dB)。它无偏压工作，不需要冷却，因此不需要外部电源。安装过程只需两个简单步骤:将SMA装置连接到测量仪器(示波器等)，并将入射光定向到内部聚焦透镜。中红外量子级联超快光电探测器 20GHz 4.65 µ m,中红外量子级联超快光电探测器 20GHz 4.65 µ m技术参数特征响应超过20GHz的超快中红外光电探测器频率响应范围 (-3 dB): 直流到 20 GHz敏感波长峰值: 4.65 µ m光敏性: 1 mA/W (典型值)无需冷却，无需偏置操作应用 外差检波高频/高时间分辨测量 一般参数参数描述单位连接器类型SMA—冷却非冷却—镜头聚焦透镜 *1—光圈4.5mm偏振方向在机身有标记 *2—*1入射光必须准直。*2 见 "表 4" 绝对最大额定值参数符号值单位工作温度*1Topr-10 至 +50°C储存温度*1Tstg-10 至 +50°C入射光水平Pmax1W/cm2*1 无凝结* 无需偏置操作* 环境温度: Ta=25 °C 电气和光学特性参数符号条件最小值典型值最大值单位敏感波长峰值P—4.604.654.70µ m光敏性Sλ=λp, f0=1200 Hz, Δf=1 Hz0.51.0—mA/W探测率D*λ=λp, f0=1200 Hz, Δf=1 Hz8.0 × 1081.5 × 109—cmHz1/2/W噪声等效功率NEP λ=λp, f0=1200 Hz—3.0 × 10-101.0 × 10-9W/Hz1/2截止频率fc-3 dB down, Zi=5Ω 1820—GHz终端电容Ctf=1 MHz—1.11.5pF并联电阻RshVmeas=10 mV7090110k * 环境温度: Ta=25 °C

铟镓砷（InGaAs）放大型光电探测器PDA20A6B4G-NIRPDA20A6B4G-NIR光电探测器是一种额定带宽，固定增益的光电探测器，用于检测光信号。光信号从光电sensor感应面输入，输出通过BNC以电压形式输出。本产品能测量800nm到1700nm波长范围的光信号。具体性能参数数据参考附录表格。PDA20A6B4G-NIR光电探测器外壳带有英制1/4"-20螺纹的安装孔，可以方便的安装固定。外壳部分还附带两种不同尺寸的螺纹接圈，这两种螺纹接圈分别适合于工业应用和科研应用，可以方便适配外部光学部件，如滤光片，衰减片，镜头，FC光纤转接盘等。该产品包含一个塑料防尘盖。具体安装请参考阅读第三章节。每个光电探测器都配有一个输出±9V的直流线性电源，该直流电源的输入额定电压为220VAC/50HZ。 工作原理PDA系类主要可以用来测试脉冲光信号或者连续光波信号。内部包括一个反向偏置的光电二极管与固定增益的跨组放大器相匹配。光信号由光电二极管与匹配的固定增益的跨组放大器转换为微弱的电压信号。后级放大将小信号电压放大输出。系统中包含了一个固定调偏的电路，保证在无光的情况下系统输出的偏置电压接近0V。PDA20A6B4G-NIR光电探测器经过调偏电路后，暗偏置电压（在无光的情况下输出的偏置电压）可以控制在±5mV以内。系统内部同样集成了功率驱动电路，用以驱动BNC转接线以及50Ω阻抗适配器，保证宽电压输出的线性度。当输出载荷为高阻态时，线性输出电压可以达到6V。当输出载荷为50欧姆阻抗匹配时，线性输出电压可以达到2.5V。 电气参数光谱灵敏度交流传输特性

PVM-2TE系列是基于复杂的HgCdTe异质结构的两级TE冷却红外多结光电探测器，具有优秀的性能和稳定性。探测器在λopt入射时性能佳。它们在2 ~ 12 μm光谱范围内工作的大型有源区域探测器中效率很高。3°楔状硒化锌抗反射涂层(wZnSeAR)窗口，防止不必要的干扰效应。MCT中红外 两级TE冷却 多结光伏探测器 PVM-2TE系列 10.6μm,MCT中红外 两级TE冷却 多结光伏探测器 PVM-2TE系列 10.6μm光谱响应2.0-12um技术参数产品特点● 含有两级TE制冷以提高探测器性能● 可探测中红外波长范围2-12μm● 可配专用前置放大器● 带有抗反射涂层窗口镜产品应用● 医学热成像● 红外光谱分析● 中红外气体吸收检测● 中红外激光探测参数探测器型号PVM-2TE-8PVM-2TE-10.6有源元件材料外延MCT异质结构zui佳波长λopt（μm）810.6相对响应强度D* (λpeak),cmHz1/2/W≥6×108≥2×108相对响应强度D* (λopt),cmHz1/2/W≥3×108≥1×108电流响应度-光敏面长度乘积Ri(λopt)L,Amm/W≥0.015≥0.01时间常数T，ns≤4≤4电阻R,Ω150-120090-350元件工作温度Tdet,K~230感光面尺寸A,mm×mm1×1,2×2,3×3封装TO8，TO66接收角Φ～70°窗口wZnSeARTO8型封装外形尺寸图2TE-TO8引脚定义功能PIN号探测器1,3反向偏压（可选）1（-）,3（+）热敏电阻7,9TE冷却器供应2（+），8（-）底板接地11未使用4，5，6，10，122TE-TO66封装尺寸图2TE-TO66引脚定义功能PIN号探测器7，8反向偏压（可选）7（-）,8（+）热敏电阻5,6TE冷却器供应1（+），9（-）未使用2，3，4探测器光谱响应特性曲线热敏电阻特性曲线两级TE冷却参数表参量数值Tdet , K~230Vmax , V1.3Imax , A1.2Qmax , W0.36抗反射涂层窗口光谱透过率曲线