程序控温蒸发镀膜仪

产品简介： GSL-1700X-SPC-2小型程序控温蒸发镀膜仪可对程序进行设定，并准确控制温度在200oC-1500oC（或者1200oC-~1700oC）的范围内进行变化，可蒸镀直径长达2"的薄膜样品，在对样品进行蒸发镀膜的过程中，样品台可进行旋转旋转，以获得更均匀的薄膜。控温蒸发镀膜仪应用范围广，可制备各种金属薄膜和有机物薄膜，因此被广泛用于电极的制备和有机物发光LED的制备。控温蒸发镀膜仪体积小巧，可有效节约实验室空间；操作简单，对不同材料的适应性强，因此被广泛应用于各大高校和科研院所的实验室当中。 产品型号GSL-1700X-SPC-2小型程序控温蒸发镀膜仪主要特点1、已通过CE认证。2、采用石英腔体，易于清洁和样品的放入。3、样品台可旋转，能够使所制薄膜达到更好的均匀性。4、采用钨丝作为发热源，温度可达到1700℃，并配有的氧化铝舟装载样品（仅1600oC以下使用，若蒸发温度大于1600oC，样品应直接放在钨丝篮中）。　　5、热电偶安装在坩埚底部，以便于温度测量和控制。6、可将设备转换到手动调节状态，内部不安装热电偶，直接采用手动调节输出电流大小，发热源温度可达2000oC，可达到对样品镀碳等实验要求。7、可向真空腔体中通入惰性气体，对腔体进行清洗，也可通入反应气体，进行反应蒸发镀膜。8、进气口配有针阀，用于调节进气流量。技术参数1、电压：AC 208V-220V 50Hz/60Hz 单相2、功率：500W，电流顶峰为30A3、真空腔体：石英腔体，直径?6"4、样品台：直径?50mm；可旋转，转速5rpm；与蒸发源间距可调，调节范围60mm-100mm5、温度：1700oC6、热电偶：S型热偶，工作温度200oC-1500oC（可选用B型热偶，工作温度1200oC-1700oC）7、控温精度：±1oC，数显温度控制器，可设置30段升降温程序8、钨丝篮：2个9、真空接口：KF4010、真空计：数显防腐真空计PCG554，测量范围3.8×10-5-1125torr11、进气接口：1/4NPS产品规格尺寸：440mm×330mm×630mm可选配件1、机械泵（带油污过滤器）（真空度10-2torr，可以蒸发贵金属，如Au、Ag）2、分子泵（可获得高真空，真空度10-5torr，蒸发易氧化材料，如Al、Mg、Li等）3、低真空系统4、高真空系统5、等离子清洗机（镀膜前对基片进行清洗，可获得更好的薄膜强度）

产品简介：GSL-1700X-SPC-2小型程序控温蒸发镀膜仪可设定程序，并精确控制温度200oC-1500oC（或者1200oC-1700oC），最大可蒸镀直径2"的薄膜样品，样品台可旋转，以获得更均匀的薄膜。可制备各种金属薄膜和有机物薄膜，广泛用于电极的制备和有机物发光LED。GSL-1700X-SPC-2小型程序控温蒸发镀膜仪?操作视频 产品型号GSL-1700X-SPC-2小型程序控温蒸发镀膜仪主要特点1、已通过CE认证。2、采用石英腔体，易于清洁和样品的放入。3、样品台可旋转，能够使所制薄膜达到更好的均匀性。4、采用钨丝作为发热源，最高温度可达到1700℃，并配有专用的氧化铝舟装载样品（仅1600oC以下使用，若蒸发温度大于1600oC，样品应直接放在钨丝篮中）。5、热电偶安装在坩埚底部，以便于温度测量和控制。6、可将设备转换到手动调节状态，内部不安装热电偶，直接采用手动调节输出电流大小，发热源温度可达2000oC，可达到对样品镀碳等实验要求。7、可向真空腔体中通入惰性气体，对腔体进行清洗，也可通入反应气体，进行反应蒸发镀膜。8、进气口配有针阀，用于调节进气流量。技术参数1、电压：AC 208V-220V 50Hz/60Hz 单相2、最大功率：500W，最大电流为30A3、真空腔体：石英腔体，直径?6"4、样品台：直径?50mm；可旋转，转速5rpm；与蒸发源间距可调，调节范围60mm-100mm5、最高温度：1700oC6、热电偶：S型热偶，工作温度200oC-1500oC（可选用B型热偶，工作温度1200oC-1700oC）7、控温精度：±1oC，数显温度控制器，可设置30段升降温程序8、钨丝篮：2个9、真空接口：KF4010、真空计：数显防腐真空计PCG554，测量范围3.8×10-5-1125torr11、进气接口：1/4NPS产品规格尺寸：440mm×330mm×630mm可选配件1、机械泵（带油污过滤器）（真空度10-2torr，可以蒸发贵金属，如Au、Ag）2、分子泵（可获得高真空，真空度10-5torr，蒸发易氧化材料，如Al、Mg、Li等）3、低真空系统4、高真空系统5、等离子清洗机（镀膜前对基片进行清洗，可获得更好的薄膜强度）

磁控溅射蒸发镀膜仪VTC-1RF-SPC是一套可实现射频磁控溅射和蒸发镀膜功能的系统，包含射频电源、温控型蒸发镀膜模块、真空系统，水冷设备，磁控溅射靶头，不锈钢腔室等。产品名称VTC-1RF-SPC磁控溅射蒸发镀膜仪产品型号VTC-1RF-SPC主要参数 电源：AC380V/50HZ 额定功率：4.2KW外形尺寸：长840*宽750*高1900mm重量：约310KG不锈钢腔室 内径φ250*高度360mm 腔体前部带有一个CF100的真空密封法兰，密封法兰上面安装了一个石英观察窗口； 腔体右侧带有一个从CF60法兰接口，用于和分子泵进行连接 腔室上部有一个LF250法兰接口，法兰端盖上部固定有溅射靶头和样品台； 腔体左侧带有一个KF63法兰接头，用于连接蒸发模块； 腔体右侧带有一个CF35法兰接口，用于连接薄膜测厚仪； 腔体后部带有两个精密调节针阀，用于控制进气量，通过调节进气量的大小，实现腔体内不同真空度的溅射； 腔体后部预留一个1/16英寸的卡套接口，用于客户后期连接质谱仪的检测管道。腔室真空度： 冷态下，用VRD-48机械泵抽30分钟，≤1Pa 冷态下，用FF-160/700分子泵抽30分钟，≤8*10-4Pa溅射靶头磁控溅射靶头固定在上法兰端盖上，通过焊接波纹管密封，方向朝上，和样品台形成45度夹角 标配1英寸的磁控溅射靶头，内部嵌有冷却水管，可以通水冷实现对磁钢和靶材的冷却，从而能够可以长时间进行溅射； 配有一手动操作的挡板，当第一次溅射清除靶材表面的氧化层和污物层，挡住基片，防止污染基片； 样品台和靶头之间的距离可以调节，调节范围：60-100mm。 磁控溅射靶头和法兰端盖可以电动升降 （可选配2英寸磁控溅射靶头）样品台样品台固定在腔体上法兰端盖上，方向垂直朝下样品台通过磁流体密封，可实现样品台旋转样品台旋转速度：0.5-5r/min可调样品台尺寸：φ100mm，通过螺旋压盖固定样品，可选配≤φ100mm的各种尺寸掩膜版，以实现对不同样品尺寸的镀膜制备样品台最高温度可达700度（≤30min），长期使用温度500度，样品台加热系统通过一程序温控系统进行控制，可实现30段程序控温，通过PTD调节实现精确控温，控温精度±3℃。样品台和法兰端盖可以电动升降蒸发模块 从腔室右端采用KF50快接法兰与不锈钢腔体进行连接，保证腔室的真空度 采用钨丝作为发热源，并且配有专用的氧化铝坩埚，热电偶安装在坩埚底部，以便于温度测量和控制 标配采用S型热电偶，蒸发工作温度为200-1300度 蒸发模块加热系统通过一程序温控系统进行控制，可实现30段程序控温，通过PID调节实现精确控温，控温精度±3℃。 蒸发模块和样品台之间的距离为：60mm 蒸发模块坩埚尺寸：外径φ19.6*内径φ15.4*高度24mm,可选配其它材质坩埚，如不锈钢坩埚等。控制面板控制面板采用一个7寸触摸屏实现集成控制 可在触摸屏上操作真空系统，显示真空度 可在触摸屏上进行样品台加热温控程序的设定和蒸发模块温控系统的设定 可控制样品台的旋转并设置样品台旋转速度 控制电动插板阀的启动和关闭射频电源 输入电源：220V 输出功率：0-300W 输出频率：13.56 MHZ 冷却方式：设备内部的冷却方式为风冷 尺寸：132（长）*442（宽）*405mm（高）（可根据溅射靶材不同选配直流电源）分子泵 分子泵型号：FF-160/700 抽气速率：700L/S 极限压强：6*10-7Pa（不带负载） 启动时间：＜4min 额定转速：36000 R/min 冷却方式：风冷加水冷 抽气口接口尺寸：CF160 带电动插板阀：可在触摸屏中控制电动阀的启动和关闭分子泵控制器 型号：TCP-II 电压：AC220V/50HZ 输出功率：750W 加速时间：5min 输出频率：0-1300HZ复合真空计 型号：ZDF-III 工作电压：AC220V 50/60HZ 电阻规阻值：约85欧 自动保护（电离）＞10Pa 电阻规测量范围：105-10-1Pa 电离规测量范围：100-10-5Pa前级机械泵（选配） 抽真空接口为KF40接口 真空泵：VRD-48，抽速48M3/H(13.3L/S) 电机功率：1500W 电机电源：AC380V/50HZ 极限真空：4*10-2Pa(不带负载) 真空计：ZDZ-52T V01型电阻真空计水冷设备（选配） 型号：KJ-5000 工作电流：1.4-2.1A 制冷量：2361Btu/h 尺寸：55×28×43cm（长×宽×高）膜厚检测仪（选配） 一个精密的石英振动薄膜测厚仪安装在仪器上，可实时监测薄膜的厚度，分别率为0.10 &angst LED显示屏显示，同时也输入所制作薄膜的相关数据

产品简介： GSL-1800X-ZF2蒸发镀膜仪主要应用于大专院校、科研机构、企业实验室及进行微小产品真空镀膜工艺研究、样板试制、操作培训和生产的单位。镀膜仪在蒸发镀膜过程中样品台可以进行旋转，使蒸发的薄膜材料在样品表面均匀分布。配有两组蒸发单元，一个钨舟，一个钨丝篮；钨舟中可以放粉末状的薄膜材料，钨丝篮中可以放条状或块状薄膜材料。控制屏采用7英寸TFT显示屏显示操作界面，TFT式显示器具有高响应度、高亮度、高对比度等优点，触屏操作，实现全图形化界面，易用易懂。镀膜仪使高真空的蒸发镀膜设备，真空度可达3.0×10-4torr。 产品型号 GSL-1800X-ZF2蒸发镀膜仪安装条件本设备要求在海拔1000m以下，温度25℃±15℃，湿度55%Rh±10%Rh下使用。1、电：AC220V 50Hz，必须有良好接地2、工作台：落地式，占地面积2m2以上3、通风装置：需要主要特点 1、采用桌面小型一体化结构，将真空腔体、镀膜电源及控制系统进行整合设计，体积与一台A3打印机相仿。 2、采用电阻式双蒸发源结构，可快速实现蒸发源的转换。蒸发单元中装有两组蒸发电极可安装不同的蒸发源，适应相应的镀膜材料。 3、配有0.1%精度蒸发电源，并具有恒流输出功能，对蒸发舟能起到很好的保护作用。 4、可选配石英晶体膜厚控制仪，在镀膜过程中对镀膜速率和膜层厚度进行控制。 5、可将采集到的镀膜数据保存到U盘，便于用户分析控制（选配）。 6、本机将所有功能设计成标准化模块，根据用户不同的需求对相应模块进行组合，以达到优化的镀膜环境，并便于用户维修与维护。 7、操作控制采用7英寸TFT显示屏显示操作界面，触屏操作，实现全图形化界面，易用易懂。技术参数 1、电源：AC220V 1500W 2、蒸发电源功率：1000W 5V 200A 3、蒸发电极有效距离：44mm 4、样品台：?120mm（可旋转） 5、膜厚测量精度：0.1?或0.01?（可选配高精度型） 6、外接真空机组：扩散泵机组（可选配国产110机组或进口机组）（不建议使用扩散泵） 7、极限真空度：3.0×10-3torr（扩散泵）、3.0×10-4torr（分子泵）（不建议使用扩散泵） 8、工作真空度：5.0×10-3torr 9、真空接口：KF40 10、使用环境：温度35℃，湿度75%（相对湿度）不结露，海拔1500m产品规格　尺寸：440mm×240mm×260mm（不包括真空机组）；重量：约47kg（不包括真空泵）

产品简介： GSL-1800X-ZF4蒸发镀膜仪是一款高真空的镀膜仪，特别适合蒸镀对氧较敏感的金属膜（如Ti、Al 、Au等）和小分子的有机物。本机设有4个蒸镀加热舟，每个加热舟都可独立进行蒸镀，加热舟上方有一个可旋转挡板，当其中一个加热舟进行蒸镀时挡板将其它三个钨舟遮住，以防蒸镀材料之间相互污染。若更改部分配置也可实现对有机材料的蒸发镀膜，可满足发光器件及有机太阳能电池方面的研究要求，是一款镀膜效果理想且性价比较高的实验设备。GSL-1800X-ZF4镀膜仪腔底部配有5个水冷电极，在工作过程中可有效保护电极温度不会因温度过高而熔化，进而损坏电极。该机采用金属腔室，具有极高的真空度，真空度可达到5.0×10-7torr，样品台可对样品进行加热，加热温度为室温-500℃，是进行高真空蒸发镀膜的设备。产品名称GSL-1800X-ZF4蒸发镀膜仪产品型号GSL-1800X-ZF4安装条件本设备要求在海拔1000m以下，温度25℃±15℃，湿度55%Rh±10%Rh下使用。1、水：设备配有自循环冷却水机（加注纯净水或者去离子水）2、电：AC220V 50Hz，必须有良好接地3、工作台：落地式，占地面积2m2以上。4、通风装置：需要主要特点1、真空控制单元全部集合在一个控制盒内。2、采用独立的蒸镀电流控制器，操作方便快捷。3、真空腔体设有1个KF40旁抽阀（直接与前级机械泵相连，提高效率）、1个CF150闸板阀（直接与分子泵相连）、1个KF16法兰（安装电阻规）、6个CF35法兰（1个安装电离规，1个安装2芯电极，1个安装膜厚仪）3个备用。4、在腔体底部配有5个水冷电极，可支持4个蒸镀加热舟。5、样品台安装在腔体的顶部。6、腔内可装高分辨率的薄膜测厚仪，膜厚测量分辨率（铝）为0.1?。7、可使用循环水冷机。技术参数1、输入：单相AC220V，50Hz/60Hz，功率2.16KW（不含真空泵）2、蒸发输出：电压AC 0-8V连续可调，极限蒸发电流200A，极限蒸发功率1.6KW3、真空腔：?300mm（内径）×400mm，不锈钢，内壁经电抛光处理4、观察窗：?100mm，采用密封圈密封5、真空泵：高抽速涡轮分子泵，抽速600L/s6、真空度：8.0x10-4Pa7、极限真空8.0x10-5Pa8、漏率：6.7×10-8PaL/S9、样品台：φ12010、蒸发舟与样品台间距：150-210mm11、冷却水需量：15L/min产品规格尺寸：900mm×1100mm×1800mm；重量：230kg

n产品简介 HEX型PVD镀膜系统采用模块化的设计理念，一套系统可同时进行磁控溅射镀膜，热蒸发镀膜及电子束蒸发镀膜，并且可以兼容手套箱使用，特别适用于科研客户高质量镀膜应用。 n产品特性：- 模块化设计，可根据用户应用需求更换，真空腔体也可以模块化组合- 兼容磁控溅射，电子束蒸发，热蒸发多种沉积技术- 适用于科研用户- 可与手套箱集成- 占地面积小n主要指标：- 模块化设计，由快速可拆换的六块独立板面形成真空腔室 (盲板、可视窗口、溅射源窗口、QCM窗口)- 四种溅射源：磁控溅射；电子束蒸发源 、热蒸发、有机物蒸发源- 抽真空速度快 (20分钟内达到 5*10-6Torr)- 适用于6英寸及以下尺寸样品- 多种工作台可选，可选配 2-20 rpm旋转台、500℃加热台，水冷台、直流偏压等- 可集成膜厚测量功能，- 兼容手套箱系统- 可配备快速进样腔（选配）- 可配备原位监测选件：热成像，原位等离子体谱，石英晶振- 系统占地空间小，约1m2n主要应用- 化学催化- 电极薄膜制备- 金属半导体薄膜制备- 磁性薄膜制备- 微纳米器件- 光学器件PVD热源简介（1）FISSION磁控溅射源- 靶材尺寸：50mm（2”）- 最大靶材膜厚：6mm（1mm厚强磁体）- 直流电源：780W（600V，1.3A）- 射频电源：300W（13.56MHz）- 气体补偿：通过内置气罩- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（2）TAU电子束蒸发器- 工艺腔热源数：4个- 工艺腔单个热源最大功率：250W- 蒸发材料：圆棒（最大直径4mm）或置于坩埚中- 是否支持同时蒸镀：支持- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（3）ORCA有机材料沉积源- 坩埚容积：15cc- 温度范围：50-600℃- 热电偶：K型- 电源：直流- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（4）TES舟型热蒸发源- 舟型载体容积：1cc-5cc- 温度范围：50℃-2200℃- 电源：直流（1.2kW）

n产品简介 HEX型PVD镀膜系统采用模块化的设计理念，一套系统可同时进行磁控溅射镀膜，热蒸发镀膜及电子束蒸发镀膜，并且可以兼容手套箱使用，特别适用于科研客户高质量镀膜应用。 n产品特性：- 模块化设计，可根据用户应用需求更换，真空腔体也可以模块化组合- 兼容磁控溅射，电子束蒸发，热蒸发多种沉积技术- 适用于科研用户- 可与手套箱集成- 占地面积小n主要指标：- 模块化设计，由快速可拆换的六块独立板面形成真空腔室 (盲板、可视窗口、溅射源窗口、QCM窗口)- 四种溅射源：磁控溅射；电子束蒸发源 、热蒸发、有机物蒸发源- 抽真空速度快 (20分钟内达到 5*10-6Torr)- 适用于6英寸及以下尺寸样品- 多种工作台可选，可选配 2-20 rpm旋转台、500℃加热台，水冷台、直流偏压等- 可集成膜厚测量功能，- 兼容手套箱系统- 可配备快速进样腔（选配）- 可配备原位监测选件：热成像，原位等离子体谱，石英晶振- 系统占地空间小，约1m2n主要应用- 化学催化- 电极薄膜制备- 金属半导体薄膜制备- 磁性薄膜制备- 微纳米器件- 光学器件PVD热源简介（1）FISSION磁控溅射源- 靶材尺寸：50mm（2”）- 最大靶材膜厚：6mm（1mm厚强磁体）- 直流电源：780W（600V，1.3A）- 射频电源：300W（13.56MHz）- 气体补偿：通过内置气罩- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（2）TAU电子束蒸发器- 工艺腔热源数：4个- 工艺腔单个热源最大功率：250W- 蒸发材料：圆棒（最大直径4mm）或置于坩埚中- 是否支持同时蒸镀：支持- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（3）ORCA有机材料沉积源- 坩埚容积：15cc- 温度范围：50-600℃- 热电偶：K型- 电源：直流- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（4）TES舟型热蒸发源- 舟型载体容积：1cc-5cc- 温度范围：50℃-2200℃- 电源：直流（1.2kW）

n产品简介 HEX型PVD镀膜系统采用模块化的设计理念，一套系统可同时进行磁控溅射镀膜，热蒸发镀膜及电子束蒸发镀膜，并且可以兼容手套箱使用，特别适用于科研客户高质量镀膜应用。 n产品特性：- 模块化设计，可根据用户应用需求更换，真空腔体也可以模块化组合- 兼容磁控溅射，电子束蒸发，热蒸发多种沉积技术- 适用于科研用户- 可与手套箱集成- 占地面积小n主要指标：- 模块化设计，由快速可拆换的六块独立板面形成真空腔室 (盲板、可视窗口、溅射源窗口、QCM窗口)- 四种溅射源：磁控溅射；电子束蒸发源 、热蒸发、有机物蒸发源- 抽真空速度快 (20分钟内达到 5*10-6Torr)- 适用于6英寸及以下尺寸样品- 多种工作台可选，可选配 2-20 rpm旋转台、500℃加热台，水冷台、直流偏压等- 可集成膜厚测量功能，- 兼容手套箱系统- 可配备快速进样腔（选配）- 可配备原位监测选件：热成像，原位等离子体谱，石英晶振- 系统占地空间小，约1m2n主要应用- 化学催化- 电极薄膜制备- 金属半导体薄膜制备- 磁性薄膜制备- 微纳米器件- 光学器件PVD热源简介（1）FISSION磁控溅射源- 靶材尺寸：50mm（2”）- 最大靶材膜厚：6mm（1mm厚强磁体）- 直流电源：780W（600V，1.3A）- 射频电源：300W（13.56MHz）- 气体补偿：通过内置气罩- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（2）TAU电子束蒸发器- 工艺腔热源数：4个- 工艺腔单个热源最大功率：250W- 蒸发材料：圆棒（最大直径4mm）或置于坩埚中- 是否支持同时蒸镀：支持- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（3）ORCA有机材料沉积源- 坩埚容积：15cc- 温度范围：50-600℃- 热电偶：K型- 电源：直流- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（4）TES舟型热蒸发源- 舟型载体容积：1cc-5cc- 温度范围：50℃-2200℃- 电源：直流（1.2kW）

小型高真空不锈钢腔体热蒸发镀膜仪CY-EVP180G-HV本仪器是一款高真空紧凑型热蒸发镀膜仪，蒸发温度从200℃到1700℃，采用钨丝篮作为蒸发源，蒸发源外套高纯氧化铝坩埚。上盖装有可旋转的样品台，能够有效提高成膜的均匀度。仪器拥有高精度的温度控制系统，采用循环加热方式，能够稳定蒸发金属及有机物。采用不锈钢高真空腔体设计，配高精度分子泵，能够达到高真空要求，较高的真空度能够有效提升蒸发镀膜的效率及质量小型高真空热蒸发镀膜仪用途： 本仪器适用于蒸发涂覆大多数金属和某些有机材料薄膜。

六源有机无机联合蒸发镀膜设备适用于制备金属单质薄膜、半导体薄膜、氧化物薄膜、有机薄膜等，可用于科研单位进行新材料、新工艺薄膜研究工作，也可用于大批量生产前的试验工作。OPV系列真空蒸发镀膜与手套箱联合系统的用户群体为科研院所及实验室，将真空蒸发系统工作室置于Glove box无水、无氧、无尘的超纯环境中，PVD与Glove box硬件无缝对接，操控融合一体，广泛应用于有机、无机、钙钛矿薄膜太阳能电池、OLED等研究领域。产品型号六源有机无机联合蒸发镀膜设备主要特点1、样品在镀膜过程中，带有烘烤加热功能，最高烘烤加热温度为：室温～180℃，测温控温。2、设备带有断水断电连锁保护报警装置、防误操作保护报警装置。技术参数1、镀膜室：镀膜腔室尺寸约为600×450×450mm，不锈钢材料，方形前后开门结构，内带有防污板。2、抽气系统：采用分子泵+机械泵抽气系统： 真空度：镀膜室的极限真空≤6×10-4Pa； 系统漏率≤1×10-7PaL/s。3、蒸发源系统： 有机源蒸发源4个，容积5ml，2台蒸发电源，可测温控温，加热温度400℃，功率0.5Kw； 挡板：蒸发源挡板采用自动磁力控制方式，控制其开启； 安装：蒸发源安装在真空室的下底上。4、样品架系统：样品架可放置大小为Φ120mm的样品，载玻片；样品架可旋转，旋转速度为：0～30转/分；安装：样品安装在真空室的上盖上，蒸发源安装在真空室的下盖上，向上蒸发镀膜，蒸发源都带有挡板装置。7、 5、无机蒸发源2套、容积5ml，2台蒸发电源，加热电流300A，功率3.2Kw；8、 6、石英晶振膜厚控制仪：膜厚测量范围0-999999?。

产品型号：ei-501 本设备是用于在半导体或特种材料基板上进行金属、ITO等材料蒸镀的批处理式高真空蒸发镀膜设备。可通过触摸屏进行集中操作控制，自动完成从真空排气至镀膜的所有过程。适用于半导体、LED、电力电子等行业芯片的科研及小批量生产。 ※产品优点 ※产品用途◆占地面积小 ◆Power device ◆易操作&易管理 ◆LED，LD行业◆高生产量 ◆研究开发◆设备构造简洁，便于安装维护 ◆电力电子行业 ※产品特征 ◆可以搭载多种蒸发源(EB，RH、EB+RH等) ◆可以搭载多种夹具，对应不同工艺(lift-off, planetary,satellite 等). ◆可以搭载多种基板 基板尺寸从2寸到6寸，基板材料为硅，玻璃 ◆等可以通过LCD 触摸屏进行操作 ◆PC控制系统以及各种功能(工艺参数，记录数据，维护保养) ※内部结构 ※产品配置

热蒸发镀膜机 - 极高性价比！型号：EasyDEP产地：韩国原装进口 仪器特点：1/ 沉积材料：金属；2/ 膜厚均匀性：≤ ± 5 % (4英寸基底)；3/ 沉积方式：热蒸发舟；4/ 极限真空：5.0 x 10 -6 Torr； 技术规格：1/ 最大样品尺寸：6英寸；2/ 基底旋转：0~10rpm；3/ 不锈钢腔体，ID250 x H300 mm；4/ 真空泵：机械泵，150L/Min；扩散泵，215L/Sec；5/ 薄膜厚度监控：石英振荡传感器实时厚度控制；6/ 厚度精度：0.5%；7/ 热蒸发源：4英寸热蒸发舟，交流电源；

SD-800C型热蒸发镀膜仪把待镀膜的基片或工件置于真空室内，通过对镀膜材料加热使其蒸发气化而沉积与基体或工件表面并形成薄膜或涂层的工艺过程。通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表面，称为热蒸发镀膜，热蒸发镀膜技术是历史最悠久的镀膜技术之一。SD-800C型热蒸发镀膜机一般主要用于蒸发碳。使用超纯的碳纤维绳为严格的高分辨扫描电镜、透射电镜、EBSD及探针分析提供高质量的镀膜处理。因为碳原子能够直接沉积在样品表面而不发生横向移动，所以碳能够形成小于1nm的颗粒。参数： 仪器尺寸 ： 340mm×390mm×300mm（W×D×H） 真空样品室： 硼硅酸盐玻璃 170mm×130mm（D×H） 蒸发材料: 碳纤维双丝可A\B分别选择 操作真空： 4×10-2mbar 工作电压： 0-30V /AC 蒸碳电流： 0-100A 蒸碳时间： 0-1s 真空泵： 2升两级机械旋转泵(国产飞越VRD-8)特点：1、简单、经济、可靠、外观精美。2、真空保护可避免真空过低造成设备短路。3、碳纤维绳更加细腻均匀、快速，更有利于分析材料结构。

一、 产品简介 KORVUS HEX系列PVD真空镀膜系统采用开放式架构，高度模块化，能够提供多种沉积选项。基于基础系统，通过配置不同的模块，可以在一台设备上同时实现真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜和真空离子镀膜。这种独特设计操作简单，易于安装，为科研人员提供了一个非常具有成本效益的解决方案。二、 产品特性：- 模块化设计，可根据用户应用需求更换，真空腔体也可以模块化组合- 兼容磁控溅射，电子束蒸发，热蒸发多种沉积技术- 适用于科研用户- 可与手套箱集成- 占地面积小三、 主要指标：- 模块化设计，由快速可拆换的六块独立板面形成真空腔室 (盲板、可视窗口、溅射源窗口、QCM窗口)- 四种溅射源：磁控溅射；电子束蒸发源 、热蒸发、有机物蒸发源- 抽真空速度快 (20分钟内达到 5*10-6Torr)- 适用于6英寸及以下尺寸样品- 多种工作台可选，可选配 2-20 rpm旋转台、500℃加热台，旋转加热台、水冷台、直流偏压等- 可集成膜厚测量功能，- 兼容手套箱系统- 可配备快速进样腔（选配）- 可配备原位监测选件：热成像，原位等离子体谱，石英晶振- 系统占地空间小，约1m2四、主要应用- 化学催化- 电极薄膜制备- 金属半导体薄膜制备- 磁性薄膜制备- 微纳米器件- 光学器件 五、 PVD热源简介（1） FISSION磁控溅射源 Fission磁控溅射源能够快速、无污染地沉积金属或介电薄膜。水冷和气体连接采用快速释放连接器，并消除了每次从腔室中移除源时排放冷却水的危险和不便。Fission 源可以在 DC 模式和 RF 模式下运行。可以引入气体，允许在靶材表面附近实现更高的分压，从而降低沉积过程中所需的整体腔室压力。磁控溅射可用于溅射所有（固体）金属、绝缘体和半导体。可以在一个系统中使用多个来源以生长多层或复合材料薄膜- 靶材尺寸：50mm（2”）- 最大靶材膜厚：6mm（1mm厚强磁体）- 直流电源：780W（600V，1.3A）- 射频电源：300W（13.56MHz）- 气体补偿：通过内置气罩- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（2）TAU电子束蒸发器 TAU 蒸发源非常小巧，无需使用光束弯曲的电磁铁。TAU可以直接轰击靶材棒，也可以轰击位于坩埚里金属材料。TAU 仅被推荐用于厚度从亚原子厚度到 200 纳米的金属薄膜蒸镀。- 工艺腔热源数：4个- 工艺腔单个热源最大功率：250W- 蒸发材料：圆棒（最大直径4mm）或置于坩埚中- 是否支持同时蒸镀：支持- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（3）ORCA有机材料沉积源 材料在低温 (50-600℃) 下的蒸发需要设计为在此范围内运行的专用热源。传统的蒸发源可在 1000℃ 的温度下最有效地运行，这要求将传导热损失保持在最低水平。在较低温度下，辐射损耗显着降低，传统电池中的控制回路会出现过冲和缓慢的温度变化。 ORCA 低温蒸发源采用主动冷却坩埚，以确保加热过程与强烈的反向冷却过程相平衡，从而实现出色的温度稳定性和控制。 坩埚由高导热材料制成，确保不会出现会影响蒸发速率的热点。可选地，可以使用氧化铝或石墨材料。移除/更换坩埚非常简单。 K 型热电偶插入坩埚主体，与典型的接触式布置相比，可提供更准确的读数。该沉积源可与电子束源、热蒸发源或溅射源结合使用。采用冷却的屏蔽帽将热串扰保持在最低限度。- 坩埚容积：15cc- 温度范围：50-600℃- 热电偶：K型- 电源：直流- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（4）TES舟型热蒸发源 热蒸发不需要工艺气体，因此该工艺可以在非常高的真空条件下进行，极少的杂质会被沉积到薄膜之中。热蒸发可以很方便补充要蒸发材料。材料可以是颗粒、粉末或涂层线圈/细丝的形式。蒸发皿和灯丝也可以轻松高效地进行更换。每个源都可以配备手动或自动快门。HEX 腔室最多可容纳三个源，HEX-L 最多可容纳六个。这些热源还可以与其他技术结合使用，例如溅射、电子束沉积和低温有机物沉积源。- 舟型载体容积：1cc-5cc- 温度范围：50℃-2200℃- 电源：直流（1.2kW） 六、 样品台简介 七、 操作软件简介 八、 快速降压及配件展示 九、 手套箱集成展示 Korvus Technology 在高真空和超高真空领域拥有 超过 20 年的经验。Korvus Technology 在全球安装 了 100 多个 HEX 系列系统，始终处于 PVD 行业的 前沿。Korvus 现在是 Judges Scientific 集团的一部 分，同时仍然是一家独立运营公司。这使得 Korvus 能够灵活应对客户的研究挑战，并延续其以客户为 中心的文化。

一、 产品简介 KORVUS HEX系列PVD真空镀膜系统采用开放式架构，高度模块化，能够提供多种沉积选项。基于基础系统，通过配置不同的模块，可以在一台设备上同时实现真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜和真空离子镀膜。这种独特设计操作简单，易于安装，为科研人员提供了一个非常具有成本效益的解决方案。二、 产品特性：- 模块化设计，可根据用户应用需求更换，真空腔体也可以模块化组合- 兼容磁控溅射，电子束蒸发，热蒸发多种沉积技术- 适用于科研用户- 可与手套箱集成- 占地面积小三、 主要指标：- 模块化设计，由快速可拆换的六块独立板面形成真空腔室 (盲板、可视窗口、溅射源窗口、QCM窗口)- 四种溅射源：磁控溅射；电子束蒸发源 、热蒸发、有机物蒸发源- 抽真空速度快 (20分钟内达到 5*10-6Torr)- 适用于6英寸及以下尺寸样品- 多种工作台可选，可选配 2-20 rpm旋转台、500℃加热台，旋转加热台、水冷台、直流偏压等- 可集成膜厚测量功能，- 兼容手套箱系统- 可配备快速进样腔（选配）- 可配备原位监测选件：热成像，原位等离子体谱，石英晶振- 系统占地空间小，约1m2四、主要应用- 化学催化- 电极薄膜制备- 金属半导体薄膜制备- 磁性薄膜制备- 微纳米器件- 光学器件 五、 PVD热源简介（1） FISSION磁控溅射源 Fission磁控溅射源能够快速、无污染地沉积金属或介电薄膜。水冷和气体连接采用快速释放连接器，并消除了每次从腔室中移除源时排放冷却水的危险和不便。Fission 源可以在 DC 模式和 RF 模式下运行。可以引入气体，允许在靶材表面附近实现更高的分压，从而降低沉积过程中所需的整体腔室压力。磁控溅射可用于溅射所有（固体）金属、绝缘体和半导体。可以在一个系统中使用多个来源以生长多层或复合材料薄膜- 靶材尺寸：50mm（2”）- 最大靶材膜厚：6mm（1mm厚强磁体）- 直流电源：780W（600V，1.3A）- 射频电源：300W（13.56MHz）- 气体补偿：通过内置气罩- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（2）TAU电子束蒸发器 TAU 蒸发源非常小巧，无需使用光束弯曲的电磁铁。TAU可以直接轰击靶材棒，也可以轰击位于坩埚里金属材料。TAU 仅被推荐用于厚度从亚原子厚度到 200 纳米的金属薄膜蒸镀。- 工艺腔热源数：4个- 工艺腔单个热源最大功率：250W- 蒸发材料：圆棒（最大直径4mm）或置于坩埚中- 是否支持同时蒸镀：支持- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（3）ORCA有机材料沉积源 材料在低温 (50-600℃) 下的蒸发需要设计为在此范围内运行的专用热源。传统的蒸发源可在 1000℃ 的温度下最有效地运行，这要求将传导热损失保持在最低水平。在较低温度下，辐射损耗显着降低，传统电池中的控制回路会出现过冲和缓慢的温度变化。 ORCA 低温蒸发源采用主动冷却坩埚，以确保加热过程与强烈的反向冷却过程相平衡，从而实现出色的温度稳定性和控制。 坩埚由高导热材料制成，确保不会出现会影响蒸发速率的热点。可选地，可以使用氧化铝或石墨材料。移除/更换坩埚非常简单。 K 型热电偶插入坩埚主体，与典型的接触式布置相比，可提供更准确的读数。该沉积源可与电子束源、热蒸发源或溅射源结合使用。采用冷却的屏蔽帽将热串扰保持在最低限度。- 坩埚容积：15cc- 温度范围：50-600℃- 热电偶：K型- 电源：直流- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（4）TES舟型热蒸发源 热蒸发不需要工艺气体，因此该工艺可以在非常高的真空条件下进行，极少的杂质会被沉积到薄膜之中。热蒸发可以很方便补充要蒸发材料。材料可以是颗粒、粉末或涂层线圈/细丝的形式。蒸发皿和灯丝也可以轻松高效地进行更换。每个源都可以配备手动或自动快门。HEX 腔室最多可容纳三个源，HEX-L 最多可容纳六个。这些热源还可以与其他技术结合使用，例如溅射、电子束沉积和低温有机物沉积源。- 舟型载体容积：1cc-5cc- 温度范围：50℃-2200℃- 电源：直流（1.2kW） 六、 样品台简介 七、 操作软件简介 八、 快速降压及配件展示 九、 手套箱集成展示 Korvus Technology 在高真空和超高真空领域拥有 超过 20 年的经验。Korvus Technology 在全球安装 了 100 多个 HEX 系列系统，始终处于 PVD 行业的 前沿。Korvus 现在是 Judges Scientific 集团的一部 分，同时仍然是一家独立运营公司。这使得 Korvus 能够灵活应对客户的研究挑战，并延续其以客户为 中心的文化。

一、 产品简介 KORVUS HEX系列PVD真空镀膜系统采用开放式架构，高度模块化，能够提供多种沉积选项。基于基础系统，通过配置不同的模块，可以在一台设备上同时实现真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜和真空离子镀膜。这种独特设计操作简单，易于安装，为科研人员提供了一个非常具有成本效益的解决方案。二、 产品特性：- 模块化设计，可根据用户应用需求更换，真空腔体也可以模块化组合- 兼容磁控溅射，电子束蒸发，热蒸发多种沉积技术- 适用于科研用户- 可与手套箱集成- 占地面积小三、 主要指标：- 模块化设计，由快速可拆换的六块独立板面形成真空腔室 (盲板、可视窗口、溅射源窗口、QCM窗口)- 四种溅射源：磁控溅射；电子束蒸发源 、热蒸发、有机物蒸发源- 抽真空速度快 (20分钟内达到 5*10-6Torr)- 适用于6英寸及以下尺寸样品- 多种工作台可选，可选配 2-20 rpm旋转台、500℃加热台，旋转加热台、水冷台、直流偏压等- 可集成膜厚测量功能，- 兼容手套箱系统- 可配备快速进样腔（选配）- 可配备原位监测选件：热成像，原位等离子体谱，石英晶振- 系统占地空间小，约1m2四、主要应用- 化学催化- 电极薄膜制备- 金属半导体薄膜制备- 磁性薄膜制备- 微纳米器件- 光学器件 五、 PVD热源简介（1） FISSION磁控溅射源 Fission磁控溅射源能够快速、无污染地沉积金属或介电薄膜。水冷和气体连接采用快速释放连接器，并消除了每次从腔室中移除源时排放冷却水的危险和不便。Fission 源可以在 DC 模式和 RF 模式下运行。可以引入气体，允许在靶材表面附近实现更高的分压，从而降低沉积过程中所需的整体腔室压力。磁控溅射可用于溅射所有（固体）金属、绝缘体和半导体。可以在一个系统中使用多个来源以生长多层或复合材料薄膜- 靶材尺寸：50mm（2”）- 最大靶材膜厚：6mm（1mm厚强磁体）- 直流电源：780W（600V，1.3A）- 射频电源：300W（13.56MHz）- 气体补偿：通过内置气罩- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（2）TAU电子束蒸发器 TAU 蒸发源非常小巧，无需使用光束弯曲的电磁铁。TAU可以直接轰击靶材棒，也可以轰击位于坩埚里金属材料。TAU 仅被推荐用于厚度从亚原子厚度到 200 纳米的金属薄膜蒸镀。- 工艺腔热源数：4个- 工艺腔单个热源最大功率：250W- 蒸发材料：圆棒（最大直径4mm）或置于坩埚中- 是否支持同时蒸镀：支持- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（3）ORCA有机材料沉积源 材料在低温 (50-600℃) 下的蒸发需要设计为在此范围内运行的专用热源。传统的蒸发源可在 1000℃ 的温度下最有效地运行，这要求将传导热损失保持在最低水平。在较低温度下，辐射损耗显着降低，传统电池中的控制回路会出现过冲和缓慢的温度变化。 ORCA 低温蒸发源采用主动冷却坩埚，以确保加热过程与强烈的反向冷却过程相平衡，从而实现出色的温度稳定性和控制。 坩埚由高导热材料制成，确保不会出现会影响蒸发速率的热点。可选地，可以使用氧化铝或石墨材料。移除/更换坩埚非常简单。 K 型热电偶插入坩埚主体，与典型的接触式布置相比，可提供更准确的读数。该沉积源可与电子束源、热蒸发源或溅射源结合使用。采用冷却的屏蔽帽将热串扰保持在最低限度。- 坩埚容积：15cc- 温度范围：50-600℃- 热电偶：K型- 电源：直流- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（4）TES舟型热蒸发源 热蒸发不需要工艺气体，因此该工艺可以在非常高的真空条件下进行，极少的杂质会被沉积到薄膜之中。热蒸发可以很方便补充要蒸发材料。材料可以是颗粒、粉末或涂层线圈/细丝的形式。蒸发皿和灯丝也可以轻松高效地进行更换。每个源都可以配备手动或自动快门。HEX 腔室最多可容纳三个源，HEX-L 最多可容纳六个。这些热源还可以与其他技术结合使用，例如溅射、电子束沉积和低温有机物沉积源。- 舟型载体容积：1cc-5cc- 温度范围：50℃-2200℃- 电源：直流（1.2kW） 六、 样品台简介 七、 操作软件简介 八、 快速降压及配件展示 九、 手套箱集成展示 Korvus Technology 在高真空和超高真空领域拥有 超过 20 年的经验。Korvus Technology 在全球安装 了 100 多个 HEX 系列系统，始终处于 PVD 行业的 前沿。Korvus 现在是 Judges Scientific 集团的一部 分，同时仍然是一家独立运营公司。这使得 Korvus 能够灵活应对客户的研究挑战，并延续其以客户为 中心的文化。

德国韦氏纳米系统专门为大学，研究机构提供了一系列高真空/超高真空桌面型热蒸发镀膜工艺平台。特征：All in One 桌面型紧凑设计模块化易于操作灵活性高满足不同的要求的薄膜工艺VapourStation 高真空型-高真空 可切换换源夹紧系统NanoSphere扩展型--超高真空PicoSphere加强型-近超高真空 我公司专业销售高真空/超高真空热蒸发镀膜仪产品，并提供产品的售前售后服务，如您对高真空/超高真空热蒸发镀膜仪产品感兴趣，欢迎前来咨询！

. 1适用于铟等金属材料的蒸发镀膜2. 由真空镀膜室、蒸发源、工件架、分子泵真空获得和测量系统、膜厚控制仪、机架及电气控制系统等组成3. 配置多组蒸发源，均有电动挡板，多个水冷电极，蒸发源交替使用4. 工件架可放置不同尺寸样品，镀膜均匀性良好，蒸发距离较远，转速连续可调，样品盘水冷

SHINCRON蒸发镀膜机请联系：张先生

该设备以电子束蒸发方式镀膜设备，主要用于制备各种导电薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、光学薄膜，微纳器件微加工，电镜样品预处理等，尤其适用蒸镀各种难熔金属材料。不仅可用于玻璃片、硅片等硬质衬底，也可用用于PDMS、PTFE、PI等柔性衬底上镀膜。 设备技术参数1、使用条件：环境温度5℃～40℃ 电源：三相380 V,功率：≤20 KW，水压：≤2.5bar2、真空室尺寸：蒸发室尺寸：φ500×H500(㎜)3、电子枪：新型电子枪1套，6穴坩埚4、样品转盘：样品尺寸：≤φ150mm，样品可旋转，也可上下升降调节样品到电子枪距离(样品托形状按用户要求设计),加热温度≤500℃5、系统真空度：? 极限真空：经12～24小时烘烤，连续抽气≤5x10-5Pa? 抽气速率：从大气开始40分钟内真空度≤5x10-4Pa? 系统漏率：整机漏率≤1×10-8Pa.L/s 停泵关机12小时后，测量真空室真空度≤10Pa6、抽真空系统：FB1200分子泵+机械泵(TRP-36)系统，并设置旁路抽气7、镀膜监测：采用SQM160膜厚仪进行监测。8、镀膜厚度的不均匀度≤6%

产品简介：450型电子束蒸发镀膜系统用于制备导电薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、光学薄膜等，广泛应用于大专院校、科研机构的科研及小批量生产。产品型号450型电子束蒸发镀膜系统技术参数系统主要由蒸发真空室、E型电子枪、热蒸发电极、旋转基片加热台、工作气路、抽气系统、真空测量、电控系统及安装机台等部分组成。　　技术指标：　　极限真空度：≤6.7×10 Pa　　恢复真空时间：从1×10 Pa抽至5×10 Pa≤20min　　系统漏率：6. 7×10-7Pa.L/S；　　真空室：真空室500x500 x600mm采用U型箱体前开门，后置抽气系统e型电子枪：阳极电压：6kv、8kv(1套)　　坩埚：水冷式坩埚，四穴设计，每个容量11ml　　功率：0-6KW可调　　电阻蒸发源(可选)　　电压：5、10V　　功率：电流300A，输出功率3Kw1套，可切换水冷电　　极3根，组成2个蒸发舟　　基片尺寸：可放置4″基片　　样品台：基片可连续回转，转速5-60转/分基片与蒸发源之间距离300-350mm加热温度 ≤800°C±1°C，可调手动控制样品挡板组件1套　　气路系统：质量流量控制器1路　　石英晶振膜厚控制仪：监测膜厚显示范围：0-99μ9999?

GSL-1800X-ZF4蒸发镀膜仪是一款高真空的蒸发镀膜仪，特别适合蒸镀对氧较敏感的金属膜（如Ti、Al 、Au等）和小分子的有机物。本机设有4个蒸镀加热舟，每个加热舟都可独立进行蒸镀，加热舟上方有一个可旋转挡板，当其中一个加热舟进行蒸镀时挡板将其它三个钨舟遮住，以防蒸镀材料之间相互污染。若更改部分配置也可实现对有机材料的蒸发镀膜，可满足发光器件及有机太阳能电池方面的研究要求，是一款镀膜效果理想且性价比较高的实验设备。GSL-1800X-ZF4蒸发镀膜仪腔底部配有5个水冷电极，在工作过程中可有效保护电极温度不会因温度过高而熔化，进而损坏电极。该机采用金属腔室，具有极高的真空度，真空度可达到5.0×10-7torr，样品台可对样品进行加热，加热温度为室温-500℃，是进行高真空蒸发镀膜的卓越设备。1、真空控制单元全部集合在一个控制盒内。2、采用独立的蒸镀电流控制器，操作方便快捷。3、真空腔体设有1个KF40旁抽阀（直接与前级机械泵相连，提高效率）、1个CF150闸板阀（直接与分子泵相连）、1个KF16法兰（安装电阻规）、6个CF35法兰（1个安装电离规，1个安装2芯电极，1个安装膜厚仪）3个备用。4、在腔体底部配有5个水冷电极，可支持4个蒸镀加热舟。5、样品台安装在腔体的顶部。6、腔内可装高分辨率的薄膜测厚仪，膜厚测量分辨率（铝）为0.1?。7、可使用循环水冷机。产品名称GSL-1800X-ZF4蒸发镀膜仪产品型号GSL-1800X-ZF4安装条件本设备要求在海拔1000m以下，温度25℃±15℃，湿度55%Rh±10%Rh下使用。1、水：设备配有自循环冷却水机（加注纯净水或者去离子水）2、电：AC220V 50Hz，必须有良好接地3、工作台：落地式，占地面积2m2以上。4、通风装置：需要主要参数1、输入：单相AC220V，50Hz/60Hz，功率2.16KW（不含真空泵）2、蒸发输出：电压AC 0-8V连续可调，极限蒸发电流200A，极限蒸发功率1.6KW3、真空腔：?300mm（内径）×400mm，不锈钢，内壁经电抛光处理4、观察窗：?100mm，采用专用密封圈密封5、真空泵：高抽速涡轮分子泵，抽速600L/s6、真空度：8.0x10-4Pa7、极限真空8.0x10-5Pa8、漏率：6.7×10-8PaL/S9、样品台：φ12010、蒸发舟与样品台间距：140-200mm11、冷却水需量：15L/min12、样品台加热温度：室温～500℃，可自动控温，测温产品规格尺寸：900mm×1100mm×1800mm；重量：230kg

GSL-1800X-ZF4蒸发镀膜仪是一款高真空的蒸发镀膜仪，特别适合蒸镀对氧较敏感的金属膜（如Ti、Al 、Au等）和小分子的有机物。本机设有4个蒸镀加热舟，每个加热舟都可独立进行蒸镀，加热舟上方有一个可旋转挡板，当其中一个加热舟进行蒸镀时挡板将其它三个钨舟遮住，以防蒸镀材料之间相互污染。若更改部分配置也可实现对有机材料的蒸发镀膜，可满足发光器件及有机太阳能电池方面的研究要求，是一款镀膜效果理想且性价比较高的实验设备。GSL-1800X-ZF4蒸发镀膜仪腔底部配有5个水冷电极，在工作过程中可有效保护电极温度不会因温度过高而熔化，进而损坏电极。该机采用金属腔室，具有极高的真空度，真空度可达到5.0×10-7torr，样品台可对样品进行加热，加热温度为室温-500℃，是进行高真空蒸发镀膜的卓越设备。1、真空控制单元全部集合在一个控制盒内。2、采用独立的蒸镀电流控制器，操作方便快捷。3、真空腔体设有1个KF40旁抽阀（直接与前级机械泵相连，提高效率）、1个CF150闸板阀（直接与分子泵相连）、1个KF16法兰（安装电阻规）、6个CF35法兰（1个安装电离规，1个安装2芯电极，1个安装膜厚仪）3个备用。4、在腔体底部配有5个水冷电极，可支持4个蒸镀加热舟。5、样品台安装在腔体的顶部。6、腔内可装高分辨率的薄膜测厚仪，膜厚测量分辨率（铝）为0.1?。7、可使用循环水冷机。产品名称GSL-1800X-ZF4蒸发镀膜仪产品型号GSL-1800X-ZF4安装条件本设备要求在海拔1000m以下，温度25℃±15℃，湿度55%Rh±10%Rh下使用。1、水：设备配有自循环冷却水机（加注纯净水或者去离子水）2、电：AC220V 50Hz，必须有良好接地3、工作台：落地式，占地面积2m2以上。4、通风装置：需要主要参数1、输入：单相AC220V，50Hz/60Hz，功率2.16KW（不含真空泵）2、蒸发输出：电压AC 0-8V连续可调，极限蒸发电流200A，极限蒸发功率1.6KW3、真空腔：?300mm（内径）×400mm，不锈钢，内壁经电抛光处理4、观察窗：?100mm，采用专用密封圈密封5、真空泵：高抽速涡轮分子泵，抽速600L/s6、真空度：8.0x10-4Pa7、极限真空8.0x10-5Pa8、漏率：6.7×10-8PaL/S9、样品台：φ12010、蒸发舟与样品台间距：140-200mm11、冷却水需量：15L/min12、样品台加热温度：室温～500℃，可自动控温，测温产品规格尺寸：900mm×1100mm×1800mm；重量：230kg

GSL-1800X-ZF4蒸发镀膜仪是一款高真空的蒸发镀膜仪，特别适合蒸镀对氧较敏感的金属膜（如Ti、Al 、Au等）和小分子的有机物。本机设有4个蒸镀加热舟，每个加热舟都可独立进行蒸镀，加热舟上方有一个可旋转挡板，当其中一个加热舟进行蒸镀时挡板将其它三个钨舟遮住，以防蒸镀材料之间相互污染。若更改部分配置也可实现对有机材料的蒸发镀膜，可满足发光器件及有机太阳能电池方面的研究要求，是一款镀膜效果理想且性价比较高的实验设备。GSL-1800X-ZF4蒸发镀膜仪腔底部配有5个水冷电极，在工作过程中可有效保护电极温度不会因温度过高而熔化，进而损坏电极。该机采用金属腔室，具有极高的真空度，真空度可达到5.0×10-7torr，样品台可对样品进行加热，加热温度为室温-500℃，是进行高真空蒸发镀膜的首选设备。1、真空控制单元全部集合在一个控制盒内。2、采用独立的蒸镀电流控制器，操作方便快捷。3、真空腔体设有1个KF40旁抽阀（直接与前级机械泵相连，提高效率）、1个CF150闸板阀（直接与分子泵相连）、1个KF16法兰（安装电阻规）、6个CF35法兰（1个安装电离规，1个安装2芯电极，1个安装膜厚仪）3个备用。4、在腔体底部配有5个水冷电极，可支持4个蒸镀加热舟。5、样品台安装在腔体的顶部。6、腔内可装高分辨率的薄膜测厚仪，膜厚测量分辨率（铝）为0.1&angst 。7、可使用循环水冷机。产品名称GSL-1800X-ZF4蒸发镀膜仪产品型号GSL-1800X-ZF4安装条件本设备要求在海拔1000m以下，温度25℃±15℃，湿度55%Rh±10%Rh下使用。1、水：设备配有自循环冷却水机（加注纯净水或者去离子水）2、电：AC220V 50Hz，必须有良好接地3、工作台：落地式，占地面积2m2以上。4、通风装置：需要主要参数1、输入：单相AC220V，50Hz/60Hz，功率2.16KW（不含真空泵）2、蒸发输出：电压AC 0-8V连续可调，极限蒸发电流200A，极限蒸发功率1.6KW3、真空腔：Ø 300mm（内径）×400mm，不锈钢，内壁经电抛光处理4、观察窗：Ø 100mm，采用专用密封圈密封5、真空泵：高抽速涡轮分子泵，抽速600L/s6、真空度：8.0x10-4Pa7、极限真空8.0x10-5Pa8、漏率：6.7×10-8PaL/S9、样品台：φ12010、蒸发舟与样品台间距：140-200mm11、冷却水需量：15L/min12、样品台加热温度：室温～500℃，可自动控温，测温产品规格尺寸：900mm×1100mm×1800mm；重量：230kg

v 设备用途：热蒸发是指把待镀膜的基片或工件置于真空室内，通过对镀膜材料加热使其蒸发气化而沉积于基体或工件表面并形成薄膜或涂层的工艺过程。可在高真空下蒸发高质量的不同厚度的金属薄膜。蒸镀薄膜种类：Au, Cr, Ag, Al, Cu, In,有机物等v 设备组成：有机/金属源蒸发沉积室、真空排气系统；真空测量系统；蒸发源；样品加热控温；电控系统；配气系统等部分组成v 最大样品尺寸：8inchv 沉积源/真空度：根据用户定制控制系统：手动、全自动

瑞士Safematic CCU-010 LV_CT热蒸发镀碳镀膜机紧凑型、模块化和智能化CCU-010 LV_CT热蒸发镀碳镀膜机为一款结构紧凑、全自动型的热蒸发镀碳仪，使用非常简便。采用独特的插入式设计，可选通过简单地变换镀膜头就可轻松配置为溅射设备。在镀膜之前和/或之后，可以进行等离子处理。模块化设计可轻松避免交叉污染。CCU-010系列镀膜仪标配膜厚监测装置。特点和优点✬ 高性能热蒸发镀碳和等离子处理✬ 专有的自动碳源卷送设计–多达数十次碳镀膜，无需用户干预✬ 独特的即插即用蒸碳镀膜模块✬ 一流的真空性能和快速抽真空✬ 结构紧凑、可靠且易于维修✬ 双位置膜厚监控装置，可兼容不同尺寸的样品巧妙的真空设计CCU-010 LV_CT-010精细真空镀膜系统专为SEM和EDX的常规高质量镀碳而设计。模块化的设计可将低真空单元后续很轻松地升级为高真空单元。特别选择和设计的材料、表面和形状可大大缩短抽真空时间。两个附加的标准真空法兰允许连接第三方设备。CT-010碳蒸发模块紧凑的插入式碳蒸发模块为镀碳树立了新标杆。将该头插入CCU-010 LV镀膜主体后，即可立即使用，适合SEM/EDS等需要高质量碳膜应用的场合。CT-010使用欧洲专有的、独特且技术领先的碳绳供给系统，可在一次真空下进行多达数十次涂层的镀膜，而无需更换碳源。除了易于使用外，自动供给系统还允许在一个镀膜循环内可控地沉积几乎任何厚度的碳膜。易于选择的镀膜模式可保障镀膜安全，从对温度敏感的样品进行温和的蒸镀薄碳膜到在中厚碳膜层应用时的高功率闪蒸镀碳。整合脉冲蒸发、自动启动挡板后除气及膜厚监控的智能电源控制提供了精确的碳膜厚度，并可避免火花引起的表面不均匀。GD-010辉光放电模块可选的GD-010辉光放电系统可快速安装，通过空气、氩气或其它专用气体进行表面处理，例如，使碳膜亲水。本机可按顺序进行碳镀膜和辉光放电处理，无需“破”真空或更换处理头，极大地简化了操作过程。本单元安装到CT-010，与所有样品台兼容。ET-010等离子刻蚀单元在对样品进行镀膜之前或镀膜之后，可以对样品进行等离子刻蚀处理。使用该附件，可以选择氩气、其它蚀刻气体或大气作为处理气体。这样可以在镀膜前清洁样品，增加薄膜的附着力。也可在样品镀碳后进行等离子处理，从而对碳膜表面进行改性。RC-010手套箱应用的远程控制软件◎基于window的远程控制软件◎创建和调用配方◎实时图表，包含导出功能（Excel、png等）◎自动连接到设备可选多种样品台CCU-010提供了一个直径不小于60mm的样品台，该样品台插入到高度可调且可倾斜的样品台支架上。可选其它专用的旋转样品台、行星台、载玻片样品台等。CCU-010 LV系列镀膜仪版本除了CCU-010 LV热蒸发镀碳仪之外，还可选择：CCU-010 LV磁控离子溅射镀膜仪；CCU-010 LV离子溅射和镀碳一体化镀膜仪；CCU-010 LV手套箱专用镀膜仪。所有CCU-010 LV系列镀膜仪均采用TFT 触摸屏操控，配方可编程，保证结果可重复；具有断电时系统自动排气功能，可防止系统被前级泵油污染。

GSL-1800X-ZF2蒸发镀膜仪主要应用于大专院校、科研机构、企业实验室及进行微小产品真空镀膜工艺研究、样板试制、操作培训和生产的单位。GSL-1800X-ZF2蒸发镀膜仪在蒸发镀膜过程中样品台可以进行旋转，使蒸发的薄膜材料在样品表面均匀分布。配有两组蒸发单元，一个钨舟，一个钨丝篮；钨舟中可以放粉末状的薄膜材料，钨丝篮中可以放条状或块状薄膜材料。控制屏采用7英寸TFT显示屏显示操作界面，TFT式显示屏具有高响应度、高亮度、高对比度等优点，触屏操作，实现全图形化界面，易用易懂。GSL-1800X-ZF2蒸发镀膜仪是高真空的蒸发镀膜设备，真空度可达3.0×10-4torr。1、采用桌面小型一体化结构，将真空腔体、镀膜电源及控制系统进行整合设计，体积与一台A3打印机相仿。2、采用电阻式双蒸发源结构，可快速实现蒸发源的转换。蒸发单元中装有两组蒸发电极可安装不同的蒸发源，适应相应的镀膜材料。3、配有0.1%精度蒸发电源，并具有恒流输出功能，对蒸发舟能起到很好的保护作用。4、可选配石英晶体膜厚控制仪，在镀膜过程中对镀膜速率和膜层厚度进行控制。5、可将采集到的镀膜数据保存到U盘，便于用户分析控制（选配）。6、本机将所有功能设计成标准化模块，根据用户不同的需求对相应模块进行组合，以达到良好的镀膜环境，并便于用户维修与维护。7、操作控制采用7英寸TFT显示屏显示操作界面，触屏操作，实现全图形化界面，易用易懂。产品名称GSL-1800X-ZF2蒸发镀膜仪产品型号GSL-1800X-ZF2安装条件本设备要求在海拔1000m以下，温度25℃±15℃，湿度55%Rh±10%Rh下使用。1、水：设备配有自循环冷却水机（加注纯净水或者去离子水）2、电：AC220V 50Hz，必须有良好接地3、工作台：落地式，占地面积2m2以上4、通风装置：需要主要参数1、电源：AC220V 1500W2、蒸发电源功率：1000W 5V 200A3、蒸发电极有效距离：44mm4、样品台：?120mm（可旋转）5、膜厚测量精度：0.1 ?或0.01?（可选配高精度型）6、外接真空机组：分子泵机组（可选配GZK-101机组或GZK-103D机组）7、极限真空度：3.0×10-4torr（分子泵）8、工作真空度：5.0×10-3torr9、真空接口：KF4010、使用环境：温度35℃，湿度75%（相对湿度）不结露，海拔1500m产品规格尺寸：440mm×240mm×260mm；重量：约47kg

可以用于蒸镀半导体、金属膜，纳米级单层及多层功能膜。1、真空室：1.1、真空室内腔尺寸：600×600×700mm3。1.2、真空室材料： 整个真空室采用钢铁 SUS304 不锈钢材料制造，内表面抛 光，外表面喷丸处理；极限真空度高。1.3、真空室结构：真空室四周配有不锈钢防污染屏蔽板（提供两套、一套 备用）；前开门后置抽气系统结构， 四壁壳体外壳水冷，采用不锈钢水冷槽通水冷却。1.4、观察窗： Φ100mm 观察窗 2 个，观察窗内有遮挡活动板，配有两套防辐 射射玻璃（一套备用）。1.5、CF35 陶瓷封接引线法兰：2 个（照明及内烘烤引线 1 个、预留空置 6 芯电极法兰 1 个）。1.6、晶振膜厚仪接口 1 个。2、工件架旋转与烘烤：2.1、采用调速电机调节转速、磁流体密封；3 到 60rpm 无级调速。2.2、样品托盘尺寸分别为：可放 4 片 6 英寸样片且样品可公转可自转 2.3、样品加热温度。2.4、基片与蒸发源之间距离 350～550mm 可调，由腔外电动波纹管调节机构 在线控制。3、电子束蒸发源：3.1、用超高真空 E 型电子枪；3.2、270 °E 型电子枪及高压电源，电子枪功率 0--10KW 可调； 3.3、电子枪阳极电压：4kv、10 kv；两挡；3.4、电子束可二维扫描调节，最大扫描正负 15mm（X，Y）；3.5、六工位水冷式电动坩埚；每穴容积 11-22ml；3.6、可调角度气动控制蒸发挡板，采用磁流体密封；3.7、电子枪配有触摸屏，可远控； 3.8、带有高压灭弧自动复位功能。 电阻式蒸发源；配备一套电阻蒸发源，含一套 3KW 数字式蒸发电源。 4、真空抽气系统4.1、低温泵： 可达 8.0×10-6Pa，真空漏率≤10-7Pa.l/s，真空室从大气到 抽到≤6.0×10-4Pa，小于 20min；4.2、低温泵与真空室连接采用 DN250 气动插板阀门； 4.3、机械泵和低温泵连接采用不锈钢金属波纹管；4.4 系统漏率：系统停泵关机 12 小时后，真空室的真空度≤10Pa。5、石英晶体测厚仪：采用石英晶体振荡膜厚监控仪◇用于监控镀膜蒸发速率及控制膜层物理厚度◇配单个水冷探头◇监测膜厚显示范围：0～99 μ9999&angst ◇厚度分辨率：0.01&angst ◇速率显示分辨率： 0～9999.9 &angst ◇控制精度： 0.01 &angst ◇监测时间显示范围：1 分～99 小时6、真空测量系统：莱宝 PTR90N 全量程真空计。7、水冷系统配备水冷循环系统：满足设备需求（功率大于 2kW）。8、其他：8.1 不锈钢紧固螺栓、螺母、垫片等；8.2 产品相关的金属密封铜圈及氟橡胶密封圈 1 套8.3 电子枪灯丝 58.4 坩埚 108.5 配一套质量流量计（0-100sccm），用来控制工艺气体通断。 二 主要技术性能指标。

高真空电阻热蒸发镀膜机（高真空镀膜机）采用电阻热蒸发技术，它是在高真空条件下，通过加热材料的方法，在衬底上沉积各种化合物、混合物单层或多层膜。可用于生产和科学实验，可根据用户要求专门订制；可用于材料的物理和化学研究；可用于制备金属导电电极；可用于有机材料的物理化学性能研究实验、有机半导体器件的原理研究实验、OLED实验研究及有机太阳能薄膜电池研究实验等。设备构成-单镀膜室-单镀膜室＋进样室-单镀膜室＋手套箱（可将镀膜室放在手套箱内）-单镀膜室＋进样室＋手套箱（可将镀膜室放在手套箱内）-多镀膜室＋样品传递室＋手套箱（组成团簇式结构，样品传递采用真空机械手）设备组成电阻热蒸发源组件、样品掩膜挡板系统、真空获得系统及真空测量系统、分子泵（或冷泵）真空机组、旋转基片加热台、工作气路、手套箱连接部件、样品传递机构，膜厚控制系统、电控系统、恒温冷却水系统等组成。热蒸发源类型和数量，可根据用户需要进行配置。可选件：膜厚监控仪，恒温制冷水箱。热蒸发源种类及配置电阻热蒸发源组件：数量：1～12套（可根据用户要求配装）；电阻热蒸发源种类：钽（钨或钼）金属舟热蒸发源组件、石英舟热蒸发源组件、钨极或钨蓝热蒸发源组件、钽炉热蒸发源组件（配氮化硼坩埚或陶瓷坩埚）、束源炉热蒸发组件（配石英坩埚或氮化硼坩埚）。高真空电阻热蒸发镀膜机（高真空镀膜机）工作条件（实验室应具备的设备工作条件）供电：4kW，三相五线制～ AC 380V工作环境湿度：10℃～ 40℃工作环境温度：≤50%冷却循环水：0.2m3/h，水温18℃～ 25℃水压：0.15MPa ～ 0.25MPa真空性能极限真空：7×10-5Pa～7×10-6Pa设备总体漏放率：关机12小时，≤10Pa操作方式手动、半自动关于鹏城半导体鹏城半导体技术（深圳）有限公司，由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）|OLED中试设备（G1、G2.5）|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备（PECVD+磁控溅射）团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年 与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。

ETD-80AF型热蒸发镀膜仪把待镀膜的基片或工件置于真空室内，通过对镀膜材料加热使其蒸发气化而沉积与基体或工件表面并形成薄膜或涂层的工艺过程。 配有高位定性的飞跃真空泵 ETD-80AF type thermal evaporation coating instrumentA process in which the substrate or workpiece is placed in a vacuum chamber to vaporized and vaporized by heating the coating material and deposited on the surface of the substrate or the workpiece to form a film or coating. Vacuum pump equipped with high quality 配套泵蒸发靶材蒸发电流操作真空样品仓尺寸样品台尺寸工作电压两升飞跃泵碳棒最大电流100A,工作电流0-80A2*10-2mbar直径 170，高120mm样品台尺寸直径150mm220V，50HZ 需要镀膜的样品 电子束敏感的样品非导电的样品新材料主要包括生物样品，塑料样品等。S EM中的电子束具有较高能量，在与样品的相互作用过程中，它以热的形式将部分能量传递给样品。如果样品是对电子束敏感的材料，那这种相互作用会破坏部分甚至整个样品结构。这种情况下，用一种非电子束敏感材料制备的表面镀层就可以起到保护层的作用，防止此类损伤；由于样品不导电，其表面带有“电子陷阱”，这种表面上的电子积累被称为“充电”。为了消除荷电效应，可在样品表面镀一层金属导电层，镀层作为一个导电通道，将充电电子从材料表面转移走，消除荷电效应。在扫描电镜成像时，溅射材料增加信噪比，从而获得更好的成像质量。非导电材料实验电极制作观察导电特性