磷化镓晶体GaP晶体太赫兹晶体
磷化镓晶体GaP晶体太赫兹晶体产品简介 磷化镓是一种人工合成的化合物半导体材料。外观:橙红色透明晶体。磷化镓是一种由n从族元素镓(Ga)与vA族元素磷(P)人工合成的m- V族化合物半导体材料。磷化镓的晶体结构为闪锌矿型,晶格常数5.447±0.06埃,化学键是以共价键为主的混合键,其离子键成分约为20%,300K时能隙为2.26eV,属间接跃迁型半导体。磷化镓与其他大带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如GaAS、 InP)相同,可通过引入深中心使费米能级接近带隙中部,如掺入铬、铁、氧等杂质元素可成为半绝缘材料。目前尚未得到非掺杂半绝缘材料。 (110)晶向的GaP晶体常常被用在太赫兹时域光谱仪中作为探测晶体,其横光学支声子线在11THz。通常可探测的频谱宽度在0.1-6.5THz。中文名:磷化镓外文名:Gallium phosphide分子式:GaP分子量:100.6968实验结果图为40fs钛蓝宝石激光泵浦宽谱光电导天线,400um厚GaP晶体探测的结果GaP磷化镓晶体产品GaP 磷化镓晶体基本规格(a)Description1 GaP (110), 10x10x4 mm,2 sides polished. 2GaP (110), 10x10x2 mm,2 sides polished.. 3GaP (110), 10x10x0.5 mm,2 sides polished.. 4GaP (110), 10x10x0.4 mm,2 sides polished.. 5GaP (110), 10x10x0.2 mm,2 sides polished.. 6GaP (110), 10x10x0.1 mm,2 sides polished..(a)其他规格要求可以定制