背感光制冷型探测器

主要特点：◆ AndorTM iDus系列DV-420A-BV型，选用科研级背感光CCD芯片◆ 光谱响应范围：300-1000nm◆ 采用AndorTM公司UltraVacTM真空封装技术◆ 在10,000级超净间中完成，达到军品级的品质◆ 象元数：1024× 256◆ TE制冷温度可达到-75℃◆ 峰值量子效率高达95%◆ USB2.0接口◆ 控制软件可配合卓立Omni-&lambda 500和Omni-&lambda 750系列谱王光谱仪Dus DV-420A-BV主要技术规格表型号/参数DV-420A-BV光谱范围(nm)300-1000有效像素1024× 256象元尺寸(&mu m)26× 26像面尺寸(mm)26.6× 6.7峰值量子效率95%最大制冷温度(℃)-75有效像素区域满阱容量(e, 典型值)510k寄存器最大容量(e, 典型值)1M最大光谱采样率(spectra/s)75读出噪声(e)4读出速率(MHz)0.1，0.05，0.033A/D 转换16 bit暗电流(e/pixel/s, @-70℃)0.002计算机接口USB 2.0iDus DV-420A-BV 尺寸图

主要特点：◆ InGaAs有效象元数256和512可选◆ 象元尺寸：50µ m× 500µ m◆ 象元间距：50µ m◆ 芯片采用TE制冷方式◆ 制冷温度：5℃（在24℃室温环境下）◆ 14bit USB传输接口或12bit PCI卡传输接口◆ 坏点校正功能◆ 可提供控制软件及二次开发控件包◆ 可提供LabView驱动 InGaAs线阵探测器主要技术规格表　IRA- 256IRA- 512光谱响应范围(nm)800-1700800-1700象元尺寸(&mu m)50× 50050× 500阵列长度(mm)12.825.6坏点无6 (无相邻坏点)　高灵敏度模式高动态范围模式高灵敏度模式高动态范围模式满阱容量(e, 典型值)5× 106130× 1065× 106130× 106读出噪声(e, rms, 典型值)80010k80010k动态范围6.25× 10313× 1036.25× 10313× 103暗信号(e/s, rms, 典型值）190k182.2k190k182.2k1s暗噪声(e, rms, 典型值）436426436426积分时间(s)0.01-100.01-10模拟输出信号范围(V)0-100-10芯片工作温度(℃，室温下)＋5＋5实时模式采谱速度(spectra/s) 20 20A/D转换USB 14 bit, PCI 12 bitUSB 14 bit, PCI 12 bit InGaAs线阵探测器选型表InGaAs线阵探测器　256象元数512象元数　光谱适用范围800-1700nm800-1700nmIRA-USBUSB 14bitD7282D7286IRA-PCIPCI 12bitD7283D7287【配置说明】：配置中已包含制冷型线阵探测器，数据线，温控器，电源以及 D7401 SpectraArray基本版软件软件选项D7404SpectraSolveAdvanced spectroscopic applications software for WindowsD7421OEM Developers kitWith C++ and VC++ examplesD7422LabView driversWith Vis (virtual instruments) for LabView Version 5 or laterInGaAs线阵探测器尺寸图

液氮制冷型红外探测器(IR Detectors with Dewar) ---KOLMAR TECHNOLOGIES■ KV104 Series HgCdTe Photodiodes ◆ High D* at high frequencies◆ Sizes 2.0 mm to 0.05 mm◆ Wavelength cutoff: 11.5, 8, 4.5 &mu m◆ Linear◆ Custom configurations available Model*Wavelength (µ m)Peak/ CutoffSize(mm)Bandwidth(Hz) D*(60FOV)(Jones,typ)Responsivity(Amps/Watt)KV104-1-A-3/1110.5 /11.51 x 120M3.00E+104KV104-1-A-3/1211 /12.31 x 120M3.00E+104KV104-1-A-3/109/ 101 x 120M5.00E+104KV104-0.5-A-3/1110.5/ 11.50.5 x 0.550M3.00E+104KV104-0.25-A-1/1110.5/ 11.50.25x0.25100M3.00E+104KV104-0.1-1-E/1110.5 /11.50.1 x 0.1500M3.00E+104KV104-0.5-A-2/87.2 /80.5 x 0.530M7.00E+103KV104-1-A-7/11/TS10.5 /11.51 x 120M3.00E+104KV104-1-A-5/11/TS10.5 /11.51 x 120M3.00E+104■ KLD Series Linear Response MCT Detectors ◆Linear responsivity◆High D*◆Sizes 2.0 mm to 0.5 mm◆Integral amplifier for optimum linearization◆Spectral range 2 m m to 12 m m◆Amplifiers matched for power range◆Custom configurations available Model *Wavelength (&mu m)Peak / CutoffSize(mm dia.)Bandwidth(Hz) D*(60FOV)(Jones,typ) Responsivity(Volts/mWatt)KLD-1-J1-3/1110.5 / 11.512M4.00E+1040KLD-1-J1-3/97.6 / 8.512M6.00E+1032KLD-0.5-J1-3/10/DC9 /100.5x0.5DC - 5M8.00E+1040KLD-0.5-J1-3/11/DC10 / 11.50.5x0.5DC - 5M4.00E+1040KLD-2-J1-3/11/DC10.5 / 11.52DC - 1M4.00E+1040■ MCT Photodiodes with Integral Amplifiers◆High D* at high frequencies◆Bandwidth to 100 MHz◆Fast risetime: 3.5 ns◆Sizes 2.0 mm to 0.1 mm◆Wavelength cutoff: 11.5, 8, 4.5 &mu m◆Linear◆Custom configurations available Model *Wavelength (&mu m )Peak / CutoffSize(mm dia.)Bandwidth (Hz)AC DCD*(60FOV)(Jones,typ)Responsivity(Volts/mWatt)KMPV11-1-J1/AC10.5 / 11.51100-20M3.00E+1040KMPV11-1-J1/DC10.5/ 11.51DC - 20M3.00E+1040KMPV11-1-J210.5/ 11.51100-20M DC - 20M3.00E+1040DC + 80ACKMPV8-0.5-J2/50 7.2 / 80.5 x 0.5100-50M DC - 50M6.00E+1016DC + 32ACKMPV8-0.5-J1/DC50 7.2 / 80.5 x 0.5DC - 50M6.00E+1016KMPV11-0.5-J1/DC10.5 / 11.50.5 x 0.5DC - 20M3.00E+1040KMPV8-0.5-J1/DC 7.2 / 80.5 x 0.5DC - 20M6.00E+1040KMPV11-0.1-J1/DC100 10.1 / 110.1 x 0.1DC - 100M2.00E+1016■ Series KISD InSb Photodiodes◆With or without integral low noise amplifiers◆Fast rise times: 25 ns, 7 ns◆Linear response with power◆High detectivity◆Custom configurations availableModel*Size(mm dia.)Bandwidth (Hz)AC DCD*(60FOV)(Jones, typ)Responsivitynominal KISD-1-A-61　1.50E+113 A/WKISD -2-A-62　1.50E+113 A/WKISD-0.5-A-60.5　1.50E+113 A/WKISDP-1-J1/AC1100-15M1.50E+113 x 104 V/WKISDP-1-J1/DC1 15M1.50E+113 x 104 V/WKISDP-1-J21100-15M , 15M1.50E+113 x 104 V/WKISDP-1-J2/E51100-1.5M , 1.5M1.50E+113 x 105 V/WKISDP-1-J2/E61100-200k, 200k1.50E+113 x 106 V/WKISDP-1-J1/E61 200k1.50E+113 x 106 V/W

仪器简介：■ 常温型铟镓砷探测器（InGaAs） ———常温型近红外探测器，波长范围：0.8-1.7μm ■ TE制冷型铟镓砷探测器（InGaAs） ——TE制冷型近红外探测器，波长范围：0.8-2.6μm TE制冷型铟镓砷探测器DInGaAs(x)-TE具有相同的外观设计，其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600，均采用进口二级TE制冷铟镓砷探测元件。技术参数：■ 常温型铟镓砷探测器（InGaAs） ———常温型近红外探测器，波长范围：0.8-1.7μm 三种常温型铟镓砷探测器DInGaAs1600/ DInGaAs1650/ DInGaAs1700具有相同的外观设计，其中： ◆ DInGaAs1600型内装国产小面积InGaAs探测元件（光谱响应度曲线参考图1） ◆ DInGaAs1650型内装国产大面积InGaAs探测元件（光谱响应度曲线参考图2） ◆ DInGaAs1700型内装进口大面积InGaAs探测元件（光谱响应度曲线参考图3）主要特点：■ 常温型铟镓砷探测器（InGaAs） ———常温型近红外探测器，波长范围：0.8-1.7μm ■ TE制冷型铟镓砷探测器（InGaAs） ——TE制冷型近红外探测器，波长范围：0.8-2.6μm TE制冷型铟镓砷探测器DInGaAs(x)-TE具有相同的外观设计，其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600，均采用进口二级TE制冷铟镓砷探测元件，光谱响应曲线参考图如下：铟镓砷探测器使用建议： ● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZAMP（Page85)做为前级放大并转换为电压信号；标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度； ● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS103数据采集系统（Page95）使用时，建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度； ● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS300PA数据采集系统（Page95）使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器； ● 制冷型DInGaAs-TE系列铟镓砷探测，在制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC）进行降温控制；

仪器简介：■ 砷化铟探测器（InAs）&mdash &mdash &mdash 近红外探测器 波长范围：1-3.8&mu m技术参数：主要技术指标型号/参数 DInAs3800 DInAs3800-TE光敏面直径(mm) 2 2波长范围(&mu m) 1-3.8 1-3.8峰值响应度(A/W) 0.8 1.5D*(@&lambda peak, 1KHz)cm Hz1/2W-1 2.5× 109 9.1× 1012NEP(@&lambda peak,1KHz)pW/Hz1/ 2 71 4.4温控器型号 - ZTC-2探测器温度(℃) 室温 -40温度稳定度(℃) - ± 0.5信号输出模式 电流 电流输出信号极性 正（P） 正（P）制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC）推荐使用前置放大器型号：ZAMP主要特点：■ 砷化铟探测器（InAs）&mdash &mdash &mdash 近红外探测器 波长范围：1-3.8&mu mDInAs3800和DInAs3800-TE两种型号，其中：◆ DInAs3800内装进口常温型探测元件；◆ DInAs3800-TE内装进口TE制冷型探测元件。砷化铟探测器使用建议：● DInAs3800和DInAs3800-TE均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZAMP（Page85做为前级放大并转换为电压信号，标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度；● DInAs3800和DInAs3800-TE配合DCS103数据采集系统（Page95）使用时，建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度；● DInAs3800和DInAs3800-TE配合DCS300PA数据采集系统（Page95）使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器；● 制冷型DInAs3800-TE砷化铟探测器，在制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC）进行降温控制。

仪器简介：■ 锑化铟探测器（InSb）&mdash &mdash &mdash 液氮制冷型红外探测器，波长范围：1～5.5&mu m技术参数：型号列表及主要技术指标：型号/参数 DInSb5-De01光敏面尺寸(mm) &Phi 1波长范围(&mu m) 1-5.5峰值响应度(A/W) 3峰值响应度(V/W) -响应时间(ns) -D*(@&lambda peak,1KHz)cm Hz1/2W-1 1 x 1011NEP(@&lambda peak,1KHz)pW/Hz1/2 0.8暗电流(&mu A) 7前置放大器 选配信号输出模式 电流输出信号极性 正（P）主要特点：■ 锑化铟探测器（InSb）&mdash &mdash &mdash 液氮制冷型红外探测器，波长范围：1～5.5&mu m有DInSb5-De(x)和DInSb5-HS两种类型，其中：◆ DInSb5-De(x)为液氮制冷型，x-01/ 02/ 04/ 07，四种光敏面尺寸可选，适合一般测量，须选配前置放大器◆ DInSb5-HS为液氮制冷高速响应型，集成前置放大器，响应时间小于25ns◆ 探测器元件均封装于DEC-(x)系列探测器室内，用于与光谱仪狭缝连接

武汉东隆科技为德国PicoQuant的中国区独家代理，欢迎您来电垂询！制冷型单光子PMT探测器PMA Hybrid系列 混合式光电倍增管模块制冷型单光子PMT探测器Hybrid系列是一种紧凑型单光子探测器，它内含来自滨松的R10467型快速混合型光电倍增管，以及珀尔帖制冷模块用于降低暗计数。该产品拥有两个信号输出端口，一个负电平的NIM信号输出端口，用于计时和计数。另一个模拟信号输出端口，电平值为正值，可以连接到诸如模数转换器等设备上。探测器由高压供电模块，带有过载保护的前置放大器，和一个过曝保护快门组成。 特点：计时分辨率最低50 ps(FWHM，根据阴极情况而定)探测效率最高45%(根据阴极情况而定)自动过载保护感应区域直径最大可达6 mm超低后脉冲效应模拟信号输出端口，输出正电平信号-07和-42型号，探测波长范围220 nm到870 nm，探测效率最高25%应用：单光子PMT探测器Hybrid系列拥有较大的感光面积，高探测效率，以及良好的时间分辨率，可被应用于众多场合，如：时间分辨荧光荧光寿命成像(FLIM)磷光寿命成像(PLIM)荧光相关光谱(FCS)荧光寿命相关光谱(FLCS)荧光共振能量转移(FRET)超分辨显微(STED)双聚焦荧光相关光谱(2fFCS)脉冲交错激发(PIE)时间分辨磷光(TRPL)TRPL成像镧化物上转换Bunch纯度测量激光测距扩散光学层析成像参数：电学参数阴极型号-06-07-40-40 mod-42-50探测波长范围220 nm -650 nm220 nm -850 nm300 nm -720 nm300 nm -720 nm300 nm -870 nm380 nm -890 nm暗计数 (制冷后的典型值) 7 cps 90 cps 80 cps 4000 cps 110 cps 250 cps渡越时间宽度 (FWHM典型值) 50 ps 50 ps 120 ps 120 ps 130 ps 160 ps过载保护阈值连续光模式下80 MHz, 其他情况下更低单电子响应时间 (典型值)600 ps输出信号上升/下降沿宽度(典型值)400 ps输出信号(数字)接口类型SMA母头阻抗50 Ohms极性负信号输出(模拟)接口类型SMA母头阻抗 1000 Ohms极性正最大输出电压+10 V (50 Mcps计数率)放大器时间常量20 µ s能耗输入12 V DC最大电流0.8 A其他感应区域直径6 mm6 mm3 mm5 mm3 mm3 mm外壳尺寸(w × d × h)60 × 175.3 × 114.5 mm光学接口C-mount单光子PMT探测器PMA Hybrid系列典型探测效率曲线图：

产品简介 非制冷型光电探测器是一种高灵敏度光电探测器，兼容Si（硅）、InGaAs（铟镓砷）、HgCdTe（碲镉汞，MCT）、铟砷锑等半导体光电二极管，对0.4~12um的光谱波段光波敏感。该探测器是直流耦合输出，含低噪声、宽带宽的前置运放，探测器外壳采用全铝合金材料，即可起到屏蔽环境电磁干扰，也具备良好的散热性能。产品详情注解1：具体参数根据选用不同型号的探测器芯片而不同硅探测器：0.4-1.7um铟镓砷探测器：0.8-1.7um/0.8-2.1um/0.8-2.6um碲镉汞探测器：4-12um铟砷锑探测器：4-12um型号规格例如：HPPD-A-D-S-02-10-10K该探测器规格为：硅探测器，一个感光面为1.0 mm2,前置放大器为直流耦合，波长2um，增益为10K的探测器注意事项：l 以上产品规格如有变更，恕不另行通知。l 建议在储存，运输和使用时采用合适的ESD保护措施。产品尺寸（单位：mm）

产品简介 MCT 红外探测器是一种HgCdTe（碲镉汞，MCT）材料制备的高灵敏度光电探测器，这种材料对2~12um的中红外光谱波段光波敏感。该探测器可以是直流或交流耦合输出。探测器与前置放大电路，半导体热电冷却器（TEC）控制器高度集成，通过反馈电路将探测器元件的温度控制在负四十摄氏度以下，从而将热噪声对输出信号的影响减小。探测器外壳采用全铝合金材料，既可起到屏蔽环境电磁干扰，也具备良好的散热性能。参数指标注解1：具体参数根据选用不同型号的探测器芯片而不同例如：HFPD-B-08-10-10K 该探测器规格为：一个感光面为1.0 mm2,截止波长为8um，前置放大器为交流耦合，增益为10K的集成TEC制冷驱动的MCT探测器 注意事项：l 以上产品规格如有变更，恕不另行通知。l 建议在储存，运输和使用时采用合适的ESD保护措施。

总览HOT T2SL VOCs冷却红外探测器是一种长寿命冷却探测器，包括T2SL和HOT技术。与普通冷却探测器相比，T2SL HOT冷却寿命可延长几乎两倍。但探测器的售价可以降低。长寿命制冷型VOCs气体探测器,长寿命制冷型VOCs气体探测器通用参数产品特点：优秀的HOT MWIR T2SL技术高灵敏度，高性能低功耗，小型260g（微型版）320x256分辨率，30µ m螺距（T3Mm-330H）640X512分辨率，1 Sµ m螺距（T6Mm-330H）制冷机使用寿命两年技术参数规格版本小型( SWaP )版本标准版本型号T3Mm-330HT6Mm-330HT3M-330HT6M-330H分辨率320X256640X512320X256640X512像素间距30µ m1 5µ m30µ m15µ m光谱响应范围3.2µ m -3.5µ m稳态功耗≤4w≤5w≤6w≤8w探测类型HOT MWIR T2SLNEDT(噪声等效温差)≤15mk≤20mk≤15mk≤20mk可操作性99%冷却方式斯特林冷却器电源12VDC/24VDC冷却时间5 min.重量 260g 550g帧频50HzF数F/1.2（配3.3μm 冷屏滤光片），其他F#也可用尺寸（mm）76x39x57.5mm137x70X60mm工作温度-40- +60 ° C存储温度-50- +70 ° C 电压冷却OGI探测器用电子板：电子板选择表代理板显示板电源板XB-AXB-BVBPWBTCQ-1 voes冷却OGI探测器镜头镜头的选择表 参数指标参数指标焦距35mm焦距55mm光圈1.2光圈2.0水平视场15.6°水平视场10°垂直视场12.5°垂直视场7.5°波长范围3.0-3.6 µ m波长范围3.0-5.0 µ m 对于其他气体类型：窄带滤光片典型的可检测气体类型3.3µ m甲烷丁烷，辛烷，二甲苯，苯，丙烯和其他voes气体4.3µ m二氧化碳（CO2）和其他气体4.6µ m一氧化碳（CO）和其他气体6.1µ m氮氧化物（NOx）和其他气体8.3µ m氟烷、制冷剂和其他气体10.55µ m六氟化硫（SF6）、氨（NH3）、溴甲烷和其他气体

主要特点：◆ InGaAs有效象元数256和512可选◆ 象元尺寸：50µ m× 500µ m◆ 象元间距：50µ m◆ 芯片采用TE制冷方式◆ 制冷温度：5℃（在24℃室温环境下）◆ 14bit USB传输接口或12bit PCI卡传输接口◆ 坏点校正功能◆ 可提供控制软件及二次开发控件包◆ 可提供LabView驱动 InGaAs线阵探测器主要技术规格表　IRA- 256IRA- 512光谱响应范围(nm)800-1700800-1700象元尺寸(&mu m)50× 50050× 500阵列长度(mm)12.825.6坏点无6 (无相邻坏点)　高灵敏度模式高动态范围模式高灵敏度模式高动态范围模式满阱容量(e, 典型值)5× 106130× 1065× 106130× 106读出噪声(e, rms, 典型值)80010k80010k动态范围6.25× 10313× 1036.25× 10313× 103暗信号(e/s, rms, 典型值）190k182.2k190k182.2k1s暗噪声(e, rms, 典型值）436426436426积分时间(s)0.01-100.01-10模拟输出信号范围(V)0-100-10芯片工作温度(℃，室温下)＋5＋5实时模式采谱速度(spectra/s) 20 20A/D转换USB 14 bit, PCI 12 bitUSB 14 bit, PCI 12 bit InGaAs线阵探测器选型表InGaAs线阵探测器　256象元数512象元数　光谱适用范围800-1700nm800-1700nmIRA-USBUSB 14bitD7282D7286IRA-PCIPCI 12bitD7283D7287【配置说明】：配置中已包含制冷型线阵探测器，数据线，温控器，电源以及 D7401 SpectraArray基本版软件软件选项D7404SpectraSolveAdvanced spectroscopic applications software for WindowsD7421OEM Developers kitWith C++ and VC++ examplesD7422LabView driversWith Vis (virtual instruments) for LabView Version 5 or laterInGaAs线阵探测器尺寸图

Stirling Cooled斯特林制冷探测器Infrared可以提供三种不同封装的斯特林制冷探测器，三种不同设计允许操作降到75K。此选项无需液氮制冷，是理想的远程或无人操作选项。1. K508 Integral Stirling Micro IDDCA:该K508 Microcooler设计模型是基于坚实的整体直接探测理念：探测安装在散热器的冷手指（cooler’s cold finger），和冷却器和杜瓦封套的整体结构。操作整体的Stirling microcooler，由DC无刷马达驱动时，是干净的，无声的且高度可靠。型号K508自1994年来一直在服务。该散热器在许多商业设备中被广泛使用。Micro IDCA模型K508包含一个板上温度控制器，它提供了待机，远程关机和过温/过电流保护功能。通过采用不同类型的杜瓦瓶封套，该microcooler能满足**先进的红外探测器的冷却需求。2）K561整体 Stirling 低功率Micro IDCA：该模型被专门开发以满足手持式热成像仪的应用需求，其紧凑性，低输入功率和冷却器轻量化是重要的参数。3）K549 split Stirling Cryocooler：本冷却器结合了著名的可靠性和我们的microcooler产品系统的刚性与紧凑性和更好的控制散热和振动的分割配置。冷手指/杜瓦组件相同，与模型K508可互换。内置电子模块包含闭环温度控制器和各种选项电动机定子配置电机的电压和配件

InfraRed Associates K508 制冷红外探测器InfraRed Associates公司成立于1976年，多年来公司致力于各种红外探测器的研制开发，可以提供制冷的InSb探测器，液氮制冷/斯特林制冷和热电制冷的HgCdTe探测器，以及非制冷的HgCdTe外探测器。InfraRed Associates可以根据客户的要求,定制满足客户要求的产品，有多种标准的碲镉汞和锑化铟红外探测器，以及覆盖的波长范围从1到25微米的定制器件。此外，也提供从2至128个元素的多元件阵列。InSb/碲镉汞双色红外检测器，用于商业和军事应用。这些检测器可以成为不同红外光谱但相邻区域相应。典型应用：辐射测量，热成像，背景区分，FTIR光谱和红外显微镜InfraRed Associates的独特结构允许两个元件在相同的焦点上。InSb/HgCdTe二色检测器居庸InSb原件特性，能对1um至5.5um范围相应。用于MCT(HgCdTe)探测器的前置放大器MCT-1000是专门设计，用于光导碲镉汞探测器上使用。再加上精确恒定电压偏置的低噪音和高增益方面，提供了HgCdTe探测器一种理想的补充。MCT-1000前置放大器提供了MCT探测器所有需要的操作接口电路。不需要外部偏置和负债电阻。

武汉东隆科技为德国PicoQuant的中国区独家代理，欢迎您来电垂询！光电倍增管制冷型单光子PMT探测器PMA系列PMA是一种光电倍增管原理的单光子探测器，拥有快速响应和低噪音的特点。探测器由高压供电模块，带有热电制冷的前置放大器组成。可选配过载自动保护功能。特点：计时分辨率180 ps(FWHM)量子效率最高40%(根据阴极情况而定)探测波长范围230 nm到920 nm可选热电制冷应用：PMA 系列单光子探测器拥有较大的感光面积、高探测效率以及良好的时间分辨率，可被应用于众多场合，如：时间分辨荧光荧光寿命成像(FLIM)磷光寿命成像(PLIM)荧光共振能量转移(FRET)脉冲交错激发(PIE)荧光各向异性(偏振)时间分辨磷光(TRPL)TRPL成像镧化物上转换Bunch纯度测量激光测距扩散光学层析成像参数：PMA 175 PMA 192 波长范围 230 - 700 nm 230 - 920 nm 暗计数 (非制冷模块的典型值) 50 cps 10000 cps** 暗计数 (制冷后的典型值) 50 cps 3000 cps** 渡越时间宽度 (FWHM典型值) 180 ps 建议最大计数率 5 MHz 单电子响应时间 1.5 ns 输出信号上升/下降沿宽度 750 ps 输出信号 接口类型 SMA母头阻抗 50 Ohms 极性 负能耗 输入 12 V DC 最大电流 (非制冷) 200 mA 最大电流 (制冷) 450 mA 外形尺寸 OEM版本 134 × 84 × 34 mm (w × d × h) PMA (非制冷) 72 × 84 × 84 mm (w × d × h) PMA-C (制冷) 120 × 84 × 110 mm (w × d × h) 感应区域直径 8 mmPMA系列典型探测效率曲线图：

液氮制冷型红外探测器(IR Detectors with Dewar) ---KOLMAR TECHNOLOGIES■ KV104 Series HgCdTe Photodiodes ◆ High D* at high frequencies◆ Sizes 2.0 mm to 0.05 mm◆ Wavelength cutoff: 11.5, 8, 4.5 &mu m◆ Linear◆ Custom configurations available Model*Wavelength (µ m)Peak/ CutoffSize(mm)Bandwidth(Hz) D*(60FOV)(Jones,typ)Responsivity(Amps/Watt)KV104-1-A-3/1110.5 /11.51 x 120M3.00E+104KV104-1-A-3/1211 /12.31 x 120M3.00E+104KV104-1-A-3/109/ 101 x 120M5.00E+104KV104-0.5-A-3/1110.5/ 11.50.5 x 0.550M3.00E+104KV104-0.25-A-1/1110.5/ 11.50.25x0.25100M3.00E+104KV104-0.1-1-E/1110.5 /11.50.1 x 0.1500M3.00E+104KV104-0.5-A-2/87.2 /80.5 x 0.530M7.00E+103KV104-1-A-7/11/TS10.5 /11.51 x 120M3.00E+104KV104-1-A-5/11/TS10.5 /11.51 x 120M3.00E+104■ KLD Series Linear Response MCT Detectors ◆Linear responsivity◆High D*◆Sizes 2.0 mm to 0.5 mm◆Integral amplifier for optimum linearization◆Spectral range 2 m m to 12 m m◆Amplifiers matched for power range◆Custom configurations available Model *Wavelength (&mu m)Peak / CutoffSize(mm dia.)Bandwidth(Hz) D*(60FOV)(Jones,typ) Responsivity(Volts/mWatt)KLD-1-J1-3/1110.5 / 11.512M4.00E+1040KLD-1-J1-3/97.6 / 8.512M6.00E+1032KLD-0.5-J1-3/10/DC9 /100.5x0.5DC - 5M8.00E+1040KLD-0.5-J1-3/11/DC10 / 11.50.5x0.5DC - 5M4.00E+1040KLD-2-J1-3/11/DC10.5 / 11.52DC - 1M4.00E+1040■ MCT Photodiodes with Integral Amplifiers◆High D* at high frequencies◆Bandwidth to 100 MHz◆Fast risetime: 3.5 ns◆Sizes 2.0 mm to 0.1 mm◆Wavelength cutoff: 11.5, 8, 4.5 &mu m◆Linear◆Custom configurations available Model *Wavelength (&mu m )Peak / CutoffSize(mm dia.)Bandwidth (Hz)AC DCD*(60FOV)(Jones,typ)Responsivity(Volts/mWatt)KMPV11-1-J1/AC10.5 / 11.51100-20M3.00E+1040KMPV11-1-J1/DC10.5/ 11.51DC - 20M3.00E+1040KMPV11-1-J210.5/ 11.51100-20M DC - 20M3.00E+1040DC + 80ACKMPV8-0.5-J2/50 7.2 / 80.5 x 0.5100-50M DC - 50M6.00E+1016DC + 32ACKMPV8-0.5-J1/DC50 7.2 / 80.5 x 0.5DC - 50M6.00E+1016KMPV11-0.5-J1/DC10.5 / 11.50.5 x 0.5DC - 20M3.00E+1040KMPV8-0.5-J1/DC 7.2 / 80.5 x 0.5DC - 20M6.00E+1040KMPV11-0.1-J1/DC100 10.1 / 110.1 x 0.1DC - 100M2.00E+1016■ Series KISD InSb Photodiodes◆With or without integral low noise amplifiers◆Fast rise times: 25 ns, 7 ns◆Linear response with power◆High detectivity◆Custom configurations availableModel*Size(mm dia.)Bandwidth (Hz)AC DCD*(60FOV)(Jones, typ)Responsivitynominal KISD-1-A-61　1.50E+113 A/WKISD -2-A-62　1.50E+113 A/WKISD-0.5-A-60.5　1.50E+113 A/WKISDP-1-J1/AC1100-15M1.50E+113 x 104 V/WKISDP-1-J1/DC1 15M1.50E+113 x 104 V/WKISDP-1-J21100-15M , 15M1.50E+113 x 104 V/WKISDP-1-J2/E51100-1.5M , 1.5M1.50E+113 x 105 V/WKISDP-1-J2/E61100-200k, 200k1.50E+113 x 106 V/WKISDP-1-J1/E61 200k1.50E+113 x 106 V/W

QE60%超导纳米线单光子 探测器量子效率60%,低暗计数10cps,高计数率70MHz，只要有制冷腔，就能轻松安装 俄罗斯Scontel 蕞新推出的超导纳米线单光子探测器，只要有制冷腔，就能轻松安装,并且价格低廉，但是功能毫不差劲。其在600nm-2300nm内达到量子效率60%，暗计数10cps，同时计数率高达70MHz，是目前市场上性能优良的超导纳米线单光子探测器的。此型号超导纳米线单光子探测器可提供蕞多16通道同时运行，针对不同应用提供匹配的产品，可多通道同时探测及低成本升级，且可以根据您的不同需求我们不仅有如下图中探测性能的设备，还有多模大面积探测器、超低噪声探测器、光子数分辨探测器供您选择。超导纳米线单光子探测器主要特点：&bull 超高性价比，有制冷腔的选择&bull 针对不同应用提供匹配的产品 &bull 可多通道同时探测及低成本升级 &bull 产品安装/培训/升级全程服务超导纳米线单光子探测器技术指标： 根据需求不同我们可提供以下探测性能的搭配也可根据您的参数要求进行定制：高效检测(HED) -高系统效率和时间分辨率、低噪声、中等带宽的蕞佳组合。 超高效检测(U-HED) -改进的HED版本，运行温度更低，因此在所有参数方面具有更好的综合性能。 宽带宽检测（Broadband）-虽系统效率略有下降。但优化的光学腔增加了带宽低噪声检测（Low noise）-应用可变滤波技术将设备的暗计数率降低到每秒10次,探测器的光谱响应窄得多。超导纳米线单光子探测器应用领域：&bull 量子计算 &bull 光子相关性测量&bull 量子密码和QKD&bull cmos 缺陷分析&bull α，β粒子探测&bull tcspc &bull 单分子荧光光谱&bull 弹道成像&bull 单等离子体检测&bull 自由空间通信&bull LIDAR&bull 时间分辨荧光测量&bull 单量子点荧光光谱&bull 量子光学 &bull 单线态/三线态氧荧光探测&bull 皮秒集成电路分析关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。

仪器介绍 Symphony系列CCD探测器是世界上光学光谱研究领先者HORIBA Jobin Yvon公司的一类阵列探测器。Symphony CCD探测器集高灵敏度、高速率、低噪音、坚固耐用，紧凑及高性价比于一体，该探测器是光谱探测方面一项巨大的变革，在各类光谱应用中也表现出卓越的性能。 HORIBA Jobin Yvon 提供一系列性能优越的应用在科研和光谱研究领域的Symphony CCD探测器。这个系列中的所有探测器都采用由大芯片厂商生产的高品质、全幅、科研级CCD传感器。HORIBA Jobin Yvon与这些芯片制造商强强联合，共同为科学研究和光谱应用量身设计制造理想的芯片。 如何选择适合的CCD探测系统取决于特殊应用需求。一般而言，CCD探测器的优选择遵循以下原则:· 所研究的波长范围。· 预计的信号或者光强水平。· 需要的光谱范围和分辨率。 这些参量反过来决定芯片的类型(佳量子效率，QE)、探测器的制冷方式、感光区域和单个像素点大小。除这些工作参数外， 其它重要的实验因素包括测量需要的动态范围和希望的数据采集速度。主要特点： Symphony CCD 探测器都可由Symphony控制器系列控制。该控制器主要特点包括：读取速率20KHz到1MHz的16位模数转换器(包括ADC升级能力)， 板载数据储存体和软件可选增益。快速的以太网接口提供100% 数据完整性，并保证无传输错误。 基于这些CCD系统包，HORIBA Jobin Yvon为积分时间从几毫秒到几小时的光谱测量提供好的探测器。 1、大量科研等级的CCD芯片供选择 2、高灵敏度 3、液氮制冷、低的噪声 4、高速率 5、简单的触发操作 6、兼容大多数光谱仪 7、专门为光谱研究而优化 8、SynerJY 软件实现全自动 9、LabVIEW VI 软件可用规格芯片规格类型液氮制冷1024x256OE正照射开放电是1024x256FIVS正照射可见增强是1024x256FIUV正照射紫外增强是1024x256BIVS背照射可见增强是1024x256BIUV背照射紫外增强是1024x256BIDD背照射深耗尽是2048x512FIVS正照射可见增强是2048x512FIUV正照射紫外增强是2048x512BIVS背照射可见增强是2048x512BIUV背照射紫气增强是

仪器介绍 Synapse CCD是现代光谱测量&mdash &mdash 从简单的吸收光谱到困难的拉曼或光致发光测量&mdash &mdash 完美的解决方案。这台紧凑型CCD 探测器可与所有HORIBA Jobin Yvon 光谱仪连接，为任何实验都提供高灵敏度的探测。 主要特点：1、高灵敏度和低噪音 Synapse CCD是探测电子行业的新一代产品，提供无与伦比的超高灵敏度和低噪声的CCD。低噪声放大器就放置在CCD感光元件旁边，以降低来自外部环境的任何噪声.2、高信号线性度 Synapse的电子线路经特殊设计，可在整个动态范围内都提供非常出色的信号线性度。这使得该探测器在各种信号水平上都提供更高的准确度和更好的测量结果。为了前述保证高性能，每个Synapse CCD出厂前都进行线性度、满井容量和读出噪音值的测试.3、半导体制冷 CCD探测器制冷的主要是为了降低暗电流。Synapse 采用半导体制冷的方式，冷却温度低至-75oC，这样无须液氮制冷所需的复杂装置就将暗电流水平降到较低水平。CCD传感器放置在一个密封的单窗口真空室中以保证大限度优化制冷性能并终生免于保养.4、辅助信号输入 Synapse CCD为PMT、硅光电二管或者InGaAs固态探测器提供一个单独的电压或电流信号输入通道，将光谱仪数据采集的灵活性带入了一个新阶段。这个额外的输入通道用途广泛，包括作为用于功率修正参照的自动参照探测器或者用InGaAs 探测器或锗光电二管来扩大您光谱仪的波长范围。在参照模式下，这个辅助的输入装置可以在CCD曝光的同时记录数据。作为一个独立的数据采集通道，该输入通道可通过光谱仪扫描硅探测器有效波长以外的NIR波段。只有HORIBA Jobin Yvon 在Synapse CCD中提供这种附加性能。5、USB 2.0 接口 Synapse CCD 采用高速USB 2.0接口，以实现与计算机快速而简单的连接。 它与我们功能强大的SynerJY 软件连接，来进行探测器和光谱仪的简易控制和数据采集。对更多的定制实验来说，Synapse CCD可以同我们的软件开发工具包（SDK）或者LabVIEW VIs结合，来提供对探测器和测量过程各个方面的完全控制.6、灵活的触发方式 Synapse CCD 有一套用于实验交互的可编程TTL边沿触发器。输入触发是用来启动数据采集过程，同时输出触发经过编程来作为曝光监控器或者读出监控器.7、内置快门驱动 作为光谱研究CCD， Synapse采用快门来控制曝光时间和光谱修正去背景噪声。与其它需要附加模块的CCD探测器不同，Synapse CCD 内置快门驱动电路，可快速连接到快门并从个数据开始进行自行纠正. 规格芯片规格 类型TE制冷1024x256 FIOP正照射开放电是1024x256 FIVS正照射可见增强是1024x256 FIUV正照射紫外增强是1024x256 BIVS背照射可见增强是1024x256 BIUV背照射紫外增强是1024x256 BIDD背照射深耗尽是2048x512 FIVS正照射可见增强是2048x512 FIUV正照射紫外增强是2048x512BIVS背照射可见增强是2048x512BIUV背照射紫气增强是512x512FIVS正照射可见增强是512x512BIVS背照射可见增强是512x512BIUV背照射紫气增强是

Synapse CCD是现代光谱测量——从简单的吸收光谱到最困难的拉曼或光致发光测量提供解决方案。这台紧凑型CCD 探测器可与所有HORIBA Jobin Yvon 光谱仪连接，为任何实验都提供高灵敏度的探测。 主要特点：1、高灵敏度和低噪音 Synapse CCD作为探测电子行业产品，可提供高灵敏度和极低噪声的CCD。低噪声放大器就放置在CCD感光元件旁边，以降低来自外部环境的任何噪声.2、高信号线性度 Synapse的电子线路经特殊设计，可在整个动态范围内都提供非常出色的信号线性度。这使得该探测器在各种信号水平上都提供更高的准确度和更好的测量结果。为了前述保证高性能，每个Synapse CCD出厂前都进行线性度、满井容量和读出噪音值的测试.3、半导体制冷 CCD探测器制冷的主要是为了降低暗电流。Synapse 采用半导体制冷的方式，冷却温度低至-75oC，这样无须液氮制冷所需的复杂装置就将暗电流水平降到较低水平。CCD传感器放置在一个密封的单窗口真空室中以保证制冷性能并免于保养.4、辅助信号输入 Synapse CCD为PMT、硅光电二极管或者InGaAs固态探测器提供一个单独的电压或电流信号输入通道，将光谱仪数据采集的灵活性带入了一个新阶段。这个额外的输入通道用途广泛，包括作为用于功率修正参照的自动参照探测器或者用InGaAs 探测器或锗光电二极管来扩大您光谱仪的波长范围。在参照模式下，这个辅助的输入装置可以在CCD曝光的同时记录数据。作为一个独立的数据采集通道，该输入通道可通过光谱仪扫描硅探测器有效波长以外的NIR波段。只有HORIBA Jobin Yvon 在Synapse CCD中提供这种附加性能。5、USB 2.0 接口 Synapse CCD 采用高速USB 2.0接口，以实现与计算机快速而简单的连接。 它与我们功能强大的SynerJY 软件连接，来进行探测器和光谱仪的简易控制和数据采集。对更多的定制实验来说，Synapse CCD可以同我们的软件开发工具包（SDK）或者LabVIEW VIs结合，来提供对探测器和测量过程各个方面的控制.6、灵活的触发方式 Synapse CCD 有一套用于实验交互的可编程TTL边沿触发器。输入触发是用来启动数据采集过程，同时输出触发经过编程来作为曝光监控器或者读出监控器.7、内置快门驱动 作为光谱研究CCD， Synapse采用快门来控制曝光时间和光谱修正去背景噪声。与其它需要附加模块的CCD探测器不同，Synapse CCD 内置快门驱动电路，可快速连接到快门并从起始数据开始进行自行纠正. 规格芯片规格 类型TE制冷1024x256 FIOP正照射开放电极是1024x256 FIVS正照射可见增强是1024x256 FIUV正照射紫外增强是1024x256 BIVS背照射可见增强是1024x256 BIUV背照射紫外增强是1024x256 BIDD背照射深耗尽是2048x512 FIVS正照射可见增强是2048x512 FIUV正照射紫外增强是2048x512BIVS背照射可见增强是2048x512BIUV背照射紫气增强是512x512FIVS正照射可见增强是512x512BIVS背照射可见增强是512x512BIUV背照射紫气增强是

仪器简介：锗红外探测器，覆盖光谱范围800nm-1800nm，不同探测面积及制冷温度可选，包括非制冷、半导体制冷及液氮制冷技术参数：Model Number Active Size Shunt Resist. Dark Current Max. Reverse Volt. Typical Capacitance Cutoff Freq. (dia.) RD@ VR = 10mV ID@ Max. VR 　 NEP@ lpeak CD @ Max. VR 　 　 　 　 　 　 and 300Hz @ VR = 0V and RL = 50W 　 (KW) (µ A) VR 　 　 　 　 (mm) Min. Typ. Typ. Max. (V) (pW/Hz1/2) (nF) (MHz) LOW CAPACITANCE OPTION ("HS") J16-18A-R250U-HS 0.25 400 600 0.1 3 10 0.15 0.02 400 J16-18A-R500U-HS 0.5 200 300 0.3 5 10 0.2 0.03 250 J16-18A-R01M-HS 1 100 200 1 5 10 0.3 0.15 50 J16-5SP-R02M-HS 2 25 50 4 10 5 0.6 0.6 12 J16-5SP-R03M-HS 3 15 30 7 20 5 0.8 1 8 J16-8SP-R05M-HS 5 10 15 10 40 5 1 3 2.5 J16-P1-R10M-HS 10 1 2 100 400 2 4 12 0.6 HIGH SHUNT RESISTANCE OPTION ("SC") J16-18A-R250U-SC 0.25 1400 2400 0.03 0.05 0.25 0.1 0.14 40 J16-18A-R500U-SC 0.5 700 1200 0.05 0.1 0.25 0.1 0.5 10 J16-18A-R01M-SC 1 250 350 0.1 0.2 0.25 0.2 2 2 J16-5SP-R02M-SC 2 80 120 0.2 1 0.25 0.4 8 0.5 J16-5SP-R03M-SC 3 35 60 0.5 5 0.25 0.6 14 0.2 J16-8SP-R05M-SC 5 14 20 1.5 10 0.25 1 36 0.1 J16-P1-R10M-SC 10 3 5 25 50 0.25 2 120 0.03 J16-P1-R13M-SC 13 1.5 2.5 50 100 0.25 3 200 0.02 STANDARD J16-18A-R01M 1 100 200 1 5 5 0.3 1 15 J16-5SP-R02M 2 25 50 4 10 5 0.6 4 4 J16-5SP-R03M 3 15 30 7 30 5 0.8 7 2 J16-8SP-R05M 5 10 15 15 50 5 1.4 18 0.8 J16-P1-R10M 10 1 2 100 400 2 3 60 0.1 J16-P1-R13M 13 0.5 1 250 800 2 4.5 100 0.07主要特点：在选择探测器时，主要考虑制冷温度以及探测面积两个主要因素： 1.制冷功能会降低暗噪声，但同时会造成阻抗的增加 2.较大探测面积会减小阻抗，但会增加暗噪声 对于低噪声要求比较苛刻的应用，可以选择小面积的探测器，同时为了增加感光的灵敏度，最好能够增加光学聚焦系统，用于光信号的收集。 除了以下常规温度的锗红外探测器，还可以提供标准半导体TE或液氮制冷的标准产品。

一、常温调制型：探测器室设计标准安装尺寸，可与我公司的相关产品配套使用含前置放大器前置放大器参数：等效输入噪声：≤1μV输入阻抗：≥3MΩ工作频率：20Hz≤f≤100KHz输入信号：30mV放大倍数：50 主要技术指标:型号名称7ID4321(国产芯片)7ID4302(进口芯片)感光面积6×61×5波长范围0.8-3.20.8-3.0峰值波长≥2.12.2响应度Re≥3003×104电阻Rd0.1-0.30.2-2比探测率D* (cm(Hz)1/2/W)≥1×1085×108时间常数(μs)≤400200重量0.27kg 0.27kg 二、制冷调制型：探测器室设计标准安装尺寸，可与我公司的相关产品配套使用，带前置放大器 前置放大器参数 输入噪声：1.5nVHz1/2 输入阻抗：50KΩ 带 宽：10KHz 输入信号：30mV 放大倍数：12-300 最大输出：10V（Vpp） 主要技术指标： 型号名称Model7ID4323T2(进口芯片)感光面积Active size (mm×mm)3×3波长范围Wavelength range (μm)0.8-3.2峰值波长wavelength λp(μm)2.6峰值响应度Responsivity λp(V/W)3x105（min）电阻Rd (MΩ)1-10比探测率D* (cm(Hz)1/2/W)2.5x1011时间常数Time constant (μs)700-1200工作温度Operating Temperature(K)243

EIGER2 R CdTe混合像素光子计数X射线探测器 1、产品特点： EIGER2 R CdTe 1M X 射线探测器将混合像素光子计数探测器的最新发展和碲化镉感光像素的高量子效率集合在一起。对于使用高能量 X 射线源或需要双阈值设置时， EIGER2 R CdTe 1M 是最优的选择。 DECTRIS 公司的专利即时触发技术使他们具有前所未有的高计数率能力，可以更精确地测量实验室X射线源 所能达到的最高强度。DECTRIS 公司的即时触发专利技术使 EIGER2 R CdTe 1M 探测器具有前所未有的高计 数率能力，可以更精确地测量实验室 X 射线光源所能达到的最高强度。EIGER2 R CdTe 1M 探测器具有两个能 量阈值，所以与上一代探测器相比，它在环境背景下拥有更低的暗电流和背景噪音。这大大提高了弱信号和长 时间曝光的信噪比，使得它在更短的测量时间下就能获得更好的数据质量。单光子计数与计数器连续读/写技术 相结合，克服了传统积分探测器容易饱和以及动态范围有限的问题。此外，感光像素直接将X射线转化为电信号 配合小到 75μm 的像素尺寸使得探测器具有更高的空间和角度分辨率。2、核心优势： – 最高的量子效率、更短的测试时间和更高质量的数据 – 即时触发技术使得计数率大幅度提高 – 双能阈值，可用于低背景和高背景的抑制 – 无读出噪音和暗电流，确保了最佳的信噪比 – 计数器具有同时读/写功能，确保了高动态范围和无饱和的图像3、应用领域： - 大分子晶体学（MX）； - 化学结晶学； - 小角X射线散射和广角X射线散射(SAXS/WAXS）； - μCT； - 其它； 4、技术参数：EIGER2 R CdTe500K1M4M探测器模块数量11 x 22 x 4有效面积：宽x高 [mm2]77.1 x 38.477.1 x 79.7155.1 X 162.2像素大小 [μm2]75 x 75点扩散函数1 pixel能量阈值2能量范围[KeV]8-24.2阈值范围[KeV]4-30最大计数率（cps/mm2）9.8×108计数器深度（bit/threshold）2×16采集模式同时读/写，死区时间为零图像位深度（bit）32可选真空兼容Yes冷却方式 水冷尺寸（WHD）[mm3]114 x 92 x 242114 x 133 x 242235 x 237 x 372重量 [kg]3.73.915

高速响应、高灵敏度非制冷型红外探测器，光谱最高可探测到5μm处 P13243系列光伏型红外探测器，使用滨松独特的晶体生长技术和工艺技术，在光谱最高到5 μm处非制冷条件下具有高灵敏度特性。 特性-高灵敏度-高速响应 -高分流电阻 -无需制冷，小型封装参数感光面积 0.7 × 0.7 mm 象元数 1 封装类型 塑料 制冷 非制冷 截止波长（典型值） 5.3 μm 光灵敏度（典型值） 3.5 μm 感光度 0.0045 A/W（typ.） 测试条件 Ta=25 ℃光谱响应范围外形尺寸（单位：mm）

高速响应、高灵敏度非制冷型红外探测器，光谱最高可探测到5μm处 P13243系列光伏型红外探测器，使用滨松独特的晶体生长技术和工艺技术，在光谱最高到5 μm处非制冷条件下具有高灵敏度特性。 特性-高灵敏度-高速响应 -高分流电阻 -无需制冷，小型封装参数感光面积 0.7 × 0.7 mm 象元数 1 封装类型 金属 制冷 非制冷 截止波长（典型值） 5.3 μm 光灵敏度（典型值） 3.5 μm 感光度 0.0045 A/W（typ.） 测试条件 Ta=25 ℃光谱响应范围外形尺寸（单位：mm）

8 um波段高速响应高灵敏度的热电制冷红外探测器，不需要液氮P12691-201由于使用了我公司独特的晶体生长技术，在8 um波段具有高灵敏度。铟砷锑光伏探测器有PN结，保证了高速响应和高可靠性。典型应用包括CO2, SOx, CO和NOx等气体分析。 与P11120-901金属杜瓦型探测器不同，该探测器使用了紧凑封装（TO-8），不需要液氮，因此更易于使用。特性- 高速响应- 高灵敏度- 高可靠性- 紧凑型热电制冷TO-8封装- InAsSb材料，环境友好- 与QCL可以安装进模块中详细参数 感光面积 φ1 mm 象元数 1 封装 Metal 封装类型 TO-8 制冷 二级TE制冷 截止波长（典型值） 8.3 μm 峰值波长（典型值） 6.7 μm 光灵敏度（典型值） 1.2 A/W 测试条件 Td=-30℃光谱响应外形图（单位：mm）

快速响应及高灵敏度的红外探测器，光谱范围延伸至11μm，非制冷型P13894系列光伏型红外探测器具备快速响应及高灵敏度的特性，光谱范围延伸至11μm。凭借滨松独有的晶体生长技术，造就了该产品紧凑小巧，易于使用的特性。 特征 -高灵敏度 -快速响应 -并联电阻 -非制冷 (P13894-011NA/-011MA)，封装紧凑详细参数感光面积 1 × 1 mm 象元数 1 封装 金属 封装类型 TO-5 制冷 非制冷 截止波长（典型值） 11 μm 峰值波长（典型值） 5.6 μm 光灵敏度（典型值） 0.002 A/W 测试条件 Ta=25℃光谱范围尺寸大小（单位：mm）

快速响应及高灵敏度的红外探测器，光谱范围延伸至11μmP13894系列光伏型红外探测器具备快速响应及高灵敏度的特性，光谱范围延伸至11μm。凭借滨松独有的晶体生长技术，造就了该产品紧凑小巧，易于使用的特性。 特征 -高灵敏度 -快速响应 -并联电阻 -非制冷 (P13894-011NA/-011MA)，封装紧凑详细参数感光面积 1 × 1 mm 象元数 1 封装 金属 封装类型 TO-5 制冷 非制冷 截止波长（典型值） 11 μm 峰值波长（典型值） 5.6 μm 光灵敏度（典型值） 0.0019 A/W 测试条件 Ta=25℃光谱范围尺寸大小

快速响应及高灵敏度的红外探测器，光谱范围延伸至11μmP13894系列光伏型红外探测器具备快速响应及高灵敏度的特性，光谱范围延伸至11μm。凭借滨松独有的晶体生长技术，造就了该产品紧凑小巧，易于使用的特性。 特征 -高灵敏度 -快速响应 -并联电阻 -非制冷 (P13894-011NA/-011MA)，封装紧凑详细参数感光面积 1 × 1 mm 象元数 1 封装 金属 封装类型 TO-8 制冷 二级TE制冷 截止波长（典型值） 10.2 μm 峰值波长（典型值） 5.6 μm 光灵敏度（典型值） 0.0038 A/W 测试条件 Ta=25℃光谱范围尺寸大小（单位：mm）

一、常温型特点：标准安装尺寸，探测器室设计标准安装尺寸，可与我公司的相关产品配套使用，之中7ID317和7ID3175采用进口芯片 技术参数： 产品型号7ID31617ID31627ID3177ID3175响应度Test ConditionMinTypMinTypMinTyp -------VR=0V l=850nm0.10.20.10.20.10.2 -------VR=0V l=1300nm0.80.850.80.850.80.90.85VR=0V l=1550nm -----0.85 -----0.85 -----0.950.9感光面积Φ2mmΦ3mmΦ5mmΦ5mm光谱响应范围850-1650nm850-1650nm800-1700nm900-1700nm重量0.18kg 光谱响应参考图： 二、制冷型 特点：标准安装尺寸，可与我公司相关产品配套使用，进口芯片，二级制冷（-40℃，温度稳定度±0.5℃），使用环境温度10-40℃） 技术参数： 型号Model7ID317T27ID319T27ID322T27ID324T2 7ID326T2感光直径Active Diameter(mm)3波长范围Response range(nm)800-1700800-1900800-2200800-2400800-2600峰值响应度Peak Response(A/W)0.951.01.11.151.2峰值比探测率Peak D*8.4E+13(typ)4.2E+13(min)9.1E+12(typ)6.4 E+12(min)1.9E+12(typ)1.3E+12(min)9.6E+11(typ)6.8E+11(min)4.9E+11(typ)3.4E+11(min)等效噪声功率NEP3.2E-15(typ)6.3E-15(max)2.9E-14(typ)4.1 E-14(max)1.4E-13(typ)2.0E-13(max)2.8E-13(typ)3.9E-13(max) 5.5E-13(typ)7.7E-13(max)电容(pF)@0V12009000900090009000 制冷型InGaAs探测器光谱响应图：

Symphony系列CCD探测器是HORIBA Jobin Yvon公司的一类阵列探测器。Symphony CCD探测器集高灵敏度、高速率、低噪音、坚固耐用，紧凑及高性价比于一体，该探测器是光谱探测方面一项巨大的变革，在各类光谱应用中也表现出卓越的性能。you' lia HORIBA Jobin Yvon 提供一系列应用在科研和光谱研究领域的Symphony CCD探测器。这个系列中的所有探测器都采用由大芯片厂商生产的高品质、全幅、科研级CCD传感器。HORIBA Jobin Yvon与这些芯片制造商强强联合，共同为科学研究和光谱应用量身设计制造最理想的芯片。 如何选择CCD探测系统取决于特殊应用需求。一般而言，CCD探测器选择遵循以下原则: 所研究的波长范围。 预计的信号或者光强水平。 需要的光谱范围和分辨率。 这些参量反过来决定芯片的类型(量子效率，QE)、探测器的制冷方式、感光区域和单个像素点大小。除这些工作参数外， 其它重要的实验因素包括测量需要的动态范围和希望的数据采集速度。主要特点： Symphony CCD 探测器都可由Symphony控制器系列控制。该控制器主要特点包括：读取速率20KHz到1MHz的16位模数转换器(包括ADC升级能力)， 板载数据储存体和软件可选增益。快速的以太网接口提供数据完整性，并保证无传输错误。 基于这些CCD系统包，HORIBA Jobin Yvon为提供的探测器满足积分时间从几毫秒到几小时的光谱测量 1、大量科研等级的CCD芯片可供选择 2、高灵敏度 3、液氮制冷、极低的噪声 4、高速率 5、简单的触发操作 6、兼容大多数光谱仪 7、专门为光谱研究而优化 8、SynerJY 软件实现全自动 9、LabVIEW VI 软件可用规格芯片规格类型液氮制冷1024x256OE正照射开放电极是1024x256FIVS正照射可见增强是1024x256FIUV正照射紫外增强是1024x256BIVS背照射可见增强是1024x256BIUV背照射紫外增强是1024x256BIDD背照射深耗尽是2048x512FIVS正照射可见增强是2048x512FIUV正照射紫外增强是2048x512BIVS背照射可见增强是2048x512BIUV背照射紫气增强是