电容电感测试仪

R&S LCX系列的LCR表能够用于传统的阻抗测量以及针对特定元件类型的专门测量，并提供研发所需的高精度以及生产测试和质量保证所需的高速度。用于高精度阻抗测量的R&S LCX LCR测量仪。 　　罗德与施瓦茨推出的新款高性能通用阻抗测试仪系列能够覆盖广泛的应用领域。R&S LCX支持的频率范围为4Hz至10 MHz，不仅适用于大多数传统家用电源的50或60 Hz频率以及飞机电源的400 Hz频率，还适用于从低频震动传感器到工作在几兆赫的高功率通信电路的所有设备。 　　对于选择合适的电容、电感、电阻和模拟滤波器来匹配设备应用的工程师来说，R&S LCX提供了市场领先的高精度阻抗测量。与此同时，LCX还支持以生产使用精度进行更高速度的质量控制和监控测量。测试方案包含生产环境所需的所有基本软件和硬件，包括远程控制和结果记录，仪器的机架安装，以及用于全系列测试的夹具。 　　R&S LCX使用的自动平衡电桥技术通过测量被测设备的交流电压和电流(包括相移)来支持传统的阻抗测量。然后用该数据来计算任何给定工作点的复阻抗。作为一种通用LCR测量仪，R&S LCX涵盖了许多应用，如测量电解电容和直流连接电容的等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL)。 　　此外，除了全方位的阻抗测量之外，用户还可以测试变压器及测量直流电阻。为了研究元件的阻抗值在不同频率和电平下的变化，选配装置R&S LCX-K106能支持以频率、电压或电流作为扫描参数，进行动态阻抗测量。 　　R&S LCX系列推出两个型号：R&S LCX100的频率范围为4 Hz至300 kHz，R&S LCX200的基本配置频率范围为4 Hz至500 kHz，可选配覆盖高达 10 MHz 所有频率的选件。两种型号均配备出色的测量速度、精度和多种测量功能。包括：配备大型电容式触摸屏和虚拟键盘，支持所有主要测量工作的点击测试操作。 　　用户也可以使用旋钮设置电压、电流和频率值。不常用的功能则可以使用菜单操作。设置、结果和统计数据可以显示在屏幕上，还能导出以便进行自动后处理。用户最多可选择四个测量值并绘制成时间曲线，将最大值和最小值显示在屏幕上，一目了然地进行通过/失败分析。 　　罗德与施瓦茨的子公司Zurich Instruments AG生产的MFIA阻抗分析仪作为R&S LCX的完美补充，能够支持更多材料的阻抗研究。通过MFIA，研究人员可以表征半导体或进行材料研究，范围包括绝缘体、压电材料、陶瓷和复合材料，组织阻抗分析、细胞生长、食品研究、微流体和可穿戴传感器。

绝缘电阻测试仪测量常见的有哪些问题?1 为什么在测量同一物体时用不同的电阻量程有不同的读数？ 这是因为测量电阻时为防止过电压损坏仪器，如果出现过量程时仪器内保护电路开始工作，将测试电压降下来以保护机内放大器。在不同的电压下测量同一物体会有不同的结果。而且当测量电阻时若读数小于199，既只为三位数且di一位数为1 时，其准确度要下降。所以在测量电阻时当di一次读数从1 变为某一读数时，不应再往更高的量程扭开关以防对仪器造成过大的电流冲击。在实际使用时，即读数位数多的比读数位数少的准确度高。2为什么测量完毕时一定要将量程开关再拨到104档后才能关电源？ 这是因为在测量时被测物体及仪器输入端都有一定的电容，这个电容在测量时已被充电到测量电时的电压值，如果仪器不拨到104挡后关电源这个充电后的电容器会对仪器内的放大器放电而造成仪器损坏。当被测量物体电容越大，测试电压越高时，电容器所储藏的电能越大，更容易损坏仪器，特别是在电阻的高量程或电流的低量程时因仪器非常灵敏，仪器过载而损坏的可能性更大。所以一定要将量程开关再拨到104挡后才能关电源。3为什么测量时仪器的读数总是不稳？ 一般的材料其导电性不是严格像标准电阻样在一定的电压下有很稳定的电流，有很多材料特别是防静电材料其导电性不符合欧姆定律，所以在测量时其读数不稳。 这不是仪器的问题，而是被测量物体的性能决定的。有的标准规定以测量1分钟时间的读数为准。通常在测量高电阻或微电流时测量准确度因重复性不好，对测量读数只要求2位或3位。另外在测量大电阻时如果屏蔽不好也会因外界的电磁信号对仪器测量结果造成读数不稳。4为什么测量一些物体的电流时用不同的量程也会出现测出结果相差较大？ 这是因为一般物体输出的电流不是恒定流，而仪器有一定内阻，若在仪器上所选量程的内阻过大以至于在仪器上的电压降影响被测物体的输出电流时会造成测量误差。一般电流越小的量程内阻越高，所以在测量电流时应选用电流大的量程。在实际使用时即只要电流表有读数时，读数位数少的小的比读数位数多的准确度高。 5 为什么测量完毕要将电压量程开关再拨到10V档后关闭电源？ 这是因为机内的电容器充有很高的电压（zui高电压达1200V以上），这些电容器的所带的电能保持较长的时间，如果将电压量程开关再拨到10V档后关闭电源，则会将机内的高压电容器很快放电，不会在测量的高压端留有很危险的电压造成电击。如果仅拨电源线而不是将电压调至10V档，虽然断了电源，但机内高压电容器还有会因长时间保持很高的电压，将会对人员或其它物体造成电击或损坏。在仪器有问题时也不要随便打开机箱因机内高压造成电击，要将仪器找专业技术人员或寄回厂家修理。6为什么在测量电阻过程中不要改变对被测物的测试电压？ 在测量电阻过程中如果改变对被测物的测试电压，无论电压变高或变低时都将会产生大脉冲电流，这个大的电流很有可能使仪器过量程甚至更损坏仪器。另一方面如果电压突然变化也会通过被测量物体的（分布）电容放电或反向放电对测量仪器造成冲击而损坏仪器。有的物体的耐压较低，当您改变测量电压时有右能击穿而产生大电流损坏仪器。如果要改变测量电压，在确保被测量物体不会因电压过高击穿时，要先将量程开关拨到104档后关闭电源，再从仪器后面板调整到所要求的电压。有的材料是非线性的，即电压与电流是不符合欧姆定律，有改变电压时由于电流不是线性变化，所以测量的电阻也会变化。

项目编号：M4400000707015234001项目名称：手套箱与电流电压测试仪等设备采购(四次)采购方式：公开招标预算金额：2,128,500.00元采购需求：合同包1(金相显微镜探针台等设备采购):合同包预算金额：2,128,500.00元品目号品目名称采购标的数量（单位）技术规格、参数及要求品目预算(元)最高限价(元)1-1其他专用仪器仪表金相显微镜探针台1(套)详见采购文件199,000.00-1-2其他专用仪器仪表高温分析探针台1(套)详见采购文件158,000.00-1-3其他专用仪器仪表探针台5(套)详见采购文件245,000.00-1-4其他专用仪器仪表电容电压特性测试仪5(套)详见采购文件180,000.00-1-5其他专用仪器仪表电流电压测试仪10(套)详见采购文件500,000.00-1-6其他专用仪器仪表少子寿命测试仪5(套)详见采购文件150,000.00-1-7其他专用仪器仪表霍尔效应测试仪5(套)详见采购文件27,500.00-1-8其他专用仪器仪表四探针测试仪5(套)详见采购文件115,000.00-1-9其他专用仪器仪表晶体管图示仪5(套)详见采购文件45,000.00-1-10其他专用仪器仪表数字荧光示波器16(套)详见采购文件496,000.00-1-11其他专用仪器仪表万用表10(套)详见采购文件13,000.00-本合同包不接受联合体投标合同履行期限：自合同签订之日起至质保期满之日

当今时代，科技迅猛发展、芯片量呈几何倍数增长，芯片已经进入融合的时代。从无人驾驶到虚拟现实、从人工智能到云计算、从5G到物联网，一颗芯片上承载的功能越来越多，芯片工艺越来越复杂，新器件类型层出不穷，众多驱动因素的推动对半导体测试技术不断提出新的要求。行业需要更加面向未来需求的测试系统和方案，来打破传统仪器固有的不足和局限。以半导体器件测试来看，在先进器件研究过程中，新材料、新结构与新工艺的应用都可能带来未知的变化。研究者不但要关注精确的静态电流电压特性，更希望观察到细微快速的动态行为。同时随着半导体尺寸不断减小，一些现象需要在极短的时间内才能观察到，例如MOS器件的BTI效应，因此，对包括短脉冲测试(PIV)在内的新技术提出了要求。前不久，概伦电子与北京大学集成电路学院及上海交通大学电子信息与电气工程学院联合研发的新一代高精度快速波形发生与测量套件FS-Pro HP-FWGMK正式发布，填补了其半导体参数测试系统FS-Pro在短脉冲测试的空缺，同时也填补了国内短脉冲测试技术的空缺。高端测试仪器FS-Pro“如虎添翼”据了解，此次发布的最新一代高精度快速波形发生与测量套件FS-Pro HP-FWGMK由黄如院士在北京大学和上海交通大学的团队与概伦电子联合研发。作为短脉冲测试技术的先行者，黄如院士团队经过了十余年的努力，在实践过程中掌握了一整套短脉冲产生、测量以及分析技术。概伦电子基于其提供的包括测试方法、电路原型、方案框架、版图设计及PIV应用在内的指导意见继续精细开发，满足高增益与高带宽的同时，有效抑制放大电路的非线性失真，最终实现了最小脉宽130ns的高精度测量。概伦电子FS-Pro半导体参数测试系统（图源：概伦电子）概伦电子的半导体参数测试系统FS-Pro是一款功能全面、配置灵活的半导体器件电学特性分析设备，在一个系统中实现了电流电压(IV)测试、电容电压(CV)测试、脉冲式IV测试、任意线性波形发生与测量、高速时域信号釆集以及低频噪声测试能力。此次增加短脉冲IV(PIV)技术后，FS-Pro更是如虎添翼，几乎所有半导体器件的低频特性表征都可以在FS-Pro测试系统中完成，可广泛应用于各种半导体器件、LED材料、二维材料器件、金属材料、新型先进材料与器件测试等。其全面而强大的参数测试分析能力极大地加速了半导体器件与工艺的研发和评估进程，并可无缝的与概伦电子低频噪声测试系统9812系列集成。据了解，概伦电子噪声测试系统9812系列是全球半导体行业业内低频噪声测试的“ 黄金标准”，为半导体行业先进工艺研发、器件建模和高端电路设计提供了更加完整而又高效的低频噪声测试及分析解决方案，可以满足各种不同工艺平台下半导体器件和集成电路低频噪声测试的需求。FS-Pro快速的DC测试能力进一步提升了9812系列产品的噪声测试效率和吞吐量，性能相较同类型产品获得大幅度提升，并将在噪声测试的业内领先技术扩展到通用半导体参数测试。基于在产线测试与科研应用方面的优异表现，FS-Pro全面的测试能力在科研学术界受到了广泛关注和认可，已被数十所国内外高校及科研机构所选用，同时也被众多芯片设计公司、代工厂和IDM公司所釆用。国产高端测试仪器新突破纵观行业现状，测试测量仪器属于高端科研仪器设备，需要长时间积累，特别考验一个国家基础技术的厚度。由于国内本土测量仪器行业起步较晚，主营电子测试测量仪器的企业数量少，发展情况也不尽相同，目前我国的产品结构主要集中在中低端，大部分企业仍处于仿制研发的阶段，仅有小部分企业走向应用研发的转型之路。根据数据显示，中国电子测量仪器的市场规模由2016年的28.72亿美元增至2021年的50.39亿美元，预计2022年将进一步达到53.14亿美元。面对国内如此巨大的市场需求，以及受国外隐形技术壁垒等因素制约，国内市场仍被掌握在国外仪器仪表厂商手中，高端产品依赖进口，行业类第一梯队公司主要为是德科技（(Keysight）、泰克（Tektronix）、罗德与施瓦茨(R&S)等欧美企业。国内测量仪器与国际水平相比，在产品结构、高端产品的技术水平、市场占有率等方面存在较大差距，亟待国内本土企业填补高端仪器的技术和市场空白。在这种情况下，提高企业的研发力度成为了电子测量仪器行业发展的关键点之一。同时伴随着强烈的自主可控需求，国产高端测试测量仪器市场在近几年迎来高速增长。概伦电子的半导体参数测试系统FS-Pro作为高端测试仪器的代表之一，在先进器件和材料等领域的测试表现非常出色，集 IV、CV、1/f noise及PIV测试等于一体，高精度、低成本、综合的半导体器件表征分析能力灵活满足各种用户的不同测试需求，大大节省了测试设备采购开支。同时，工业标准的PXI模块化硬件结构，通用的软件平台，内置测量软件提供数百个预定义的测试模板和功能，实现即插即用体验，使FS-Pro成为了半导体器件与先进材料研究方面的得力助手，产品性能直接对标是德科技等行业巨头的高端测试仪器。近年来，随着半导体行业的快速发展，对测试测量仪器的需求在逐渐扩大。当前中国的半导体测试测量行业在飞速发展中，可以预见的是，复杂的国际关系背景和市场需求的双重驱动下，关键领域的国产化成为竞争焦点，自上而下的产业政策和企业突围将加速自主可控产业链的成长，国产半导体测量仪器迎风口。随着概伦电子在中高端产品领域取得突破，将会使其成为国内该行业的领头羊，有望引领该领域的国产化替代浪潮。概伦电子产品布局日臻完善半导体器件特性测试是对集成电路器件在不同工作状态和工作环境下的电流、电压、电容、电阻、低频噪声、可靠性等特性进行测量、数据采集和分析，以评估其是否达到设计指标。概伦电子半导体参数测试系统FS-Pro能够支持多种类型的半导体器件，具备精度高、测量速度快和可多任务并行处理等特点，能够满足晶圆厂和集成电路设计企业对测试数据多维度和高精度的要求。半导体器件特性测试仪器采集的数据是器件建模及验证EDA工具所需的数据来源，两者具有较强的协同效应。随着下游晶圆厂客户产能扩张，相关测试需求或将进一步释放。在制造类EDA工具方面，概伦电子的器件建模及验证EDA工具已经取得较高市场地位，被全球大部分领先的晶圆厂所采用和验证，主要客户包括台积电、三星电子、联电、格芯、中芯国际等，在其相关标准制造流程中占据重要地位。使用该EDA工具生成的器件模型通过国际领先的晶圆厂提供给其全球范围内的集成电路设计方客户使用，其全面性、精度和质量已得到业界的长期验证和广泛认可。在此基础上，通过半导体器件特性测试仪器与EDA工具的联动，能够打造以数据为驱动的EDA解决方案，紧密结合并形成业务链条，帮助晶圆厂客户有针对性的优化工艺平台的器件设计和制造工艺，不断拓展产品的覆盖面，进一步为概伦电子打造完整的制造EDA流程丰富了现有技术及解决方案。目前概伦电子主要产品及服务包括制造类EDA工具、设计类EDA工具、半导体器件特性测试仪器和半导体工程服务等。从其产品布局和发展历程来看，概伦电子在具备高价值的落地场景和应用需求的前提下，用相对较短的时间、较小的人员规模和投入，打造了全新的设计方法学和流程，逐渐形成了具有技术竞争力的EDA工具、测试产品和工程服务，并在国际主流市场获得产品验证机会，在多环节和维度上实现了对国际EDA巨头全流程垄断的突破。产学研模式新探索上文提到，此次FS-Pro HP-FWGMK套件的发布是概伦电子与北京大学集成电路学院及上海交通大学电子信息与电气工程学院联合研发的产物，在填补了半导体参数测试系统FS-Pro在短脉冲测试空缺的同时，也代表了国内产学研深度合作的典范。当前，在国产EDA的发展过程中，人才是关键，创新求变正在重塑新的核心竞争力。EDA核心技术的突破没有捷径可走，需要持续吸引各种人才、加强产学研合作和保持高研发投入，长期坚持技术沉淀，通过客户需求引导，才有可能形成新的突破。在当前行业背景和发展现状下，概伦电子正在探索以产教融合方式来培养项目和推动EDA技术和人才发展的新模式，携手各界通力合作，共同应对后摩尔时代技术与市场的双重挑战，构建中国EDA产业命运共同体，致力于突破困局并最终实现超越。

当今时代，科技迅猛发展、芯片量呈几何倍数增长，芯片已经进入融合的时代。从无人驾驶到虚拟现实、从人工智能到云计算、从5G到物联网，一颗芯片上承载的功能越来越多，芯片工艺越来越复杂，新器件类型层出不穷，众多驱动因素的推动对半导体测试技术不断提出新的要求。行业需要更加面向未来需求的测试系统和方案，来打破传统仪器固有的不足和局限。以半导体器件测试来看，在先进器件研究过程中，新材料、新结构与新工艺的应用都可能带来未知的变化。研究者不但要关注精确的静态电流电压特性，更希望观察到细微快速的动态行为。同时随着半导体尺寸不断减小，一些现象需要在极短的时间内才能观察到，例如MOS器件的BTI效应，因此，对包括短脉冲测试(PIV)在内的新技术提出了要求。前不久，概伦电子与北京大学集成电路学院及上海交通大学电子信息与电气工程学院联合研发的新一代高精度快速波形发生与测量套件FS-Pro HP-FWGMK正式发布，填补了其半导体参数测试系统FS-Pro在短脉冲测试的空缺，同时也填补了国内短脉冲测试技术的空缺。高端测试仪器FS-Pro“如虎添翼”据了解，此次发布的最新一代高精度快速波形发生与测量套件FS-Pro HP-FWGMK由黄如院士在北京大学和上海交通大学的团队与概伦电子联合研发。作为短脉冲测试技术的先行者，黄如院士团队经过了十余年的努力，在实践过程中掌握了一整套短脉冲产生、测量以及分析技术。概伦电子基于其提供的包括测试方法、电路原型、方案框架、版图设计及PIV应用在内的指导意见继续精细开发，满足高增益与高带宽的同时，有效抑制放大电路的非线性失真，最终实现了最小脉宽130ns的高精度测量。概伦电子FS-Pro半导体参数测试系统（图源：概伦电子）概伦电子的半导体参数测试系统FS-Pro是一款功能全面、配置灵活的半导体器件电学特性分析设备，在一个系统中实现了电流电压(IV)测试、电容电压(CV)测试、脉冲式IV测试、任意线性波形发生与测量、高速时域信号釆集以及低频噪声测试能力。此次增加短脉冲IV(PIV)技术后，FS-Pro更是如虎添翼，几乎所有半导体器件的低频特性表征都可以在FS-Pro测试系统中完成，可广泛应用于各种半导体器件、LED材料、二维材料器件、金属材料、新型先进材料与器件测试等。其全面而强大的参数测试分析能力极大地加速了半导体器件与工艺的研发和评估进程，并可无缝的与概伦电子低频噪声测试系统9812系列集成。据了解，概伦电子噪声测试系统9812系列是全球半导体行业业内低频噪声测试的“ 黄金标准”，为半导体行业先进工艺研发、器件建模和高端电路设计提供了更加完整而又高效的低频噪声测试及分析解决方案，可以满足各种不同工艺平台下半导体器件和集成电路低频噪声测试的需求。FS-Pro快速的DC测试能力进一步提升了9812系列产品的噪声测试效率和吞吐量，性能相较同类型产品获得大幅度提升，并将在噪声测试的业内领先技术扩展到通用半导体参数测试。基于在产线测试与科研应用方面的优异表现，FS-Pro全面的测试能力在科研学术界受到了广泛关注和认可，已被数十所国内外高校及科研机构所选用，同时也被众多芯片设计公司、代工厂和IDM公司所釆用。国产高端测试仪器新突破纵观行业现状，测试测量仪器属于高端科研仪器设备，需要长时间积累，特别考验一个国家基础技术的厚度。由于国内本土测量仪器行业起步较晚，主营电子测试测量仪器的企业数量少，发展情况也不尽相同，目前我国的产品结构主要集中在中低端，大部分企业仍处于仿制研发的阶段，仅有小部分企业走向应用研发的转型之路。根据数据显示，中国电子测量仪器的市场规模由2016年的28.72亿美元增至2021年的50.39亿美元，预计2022年将进一步达到53.14亿美元。面对国内如此巨大的市场需求，以及受国外隐形技术壁垒等因素制约，国内市场仍被掌握在国外仪器仪表厂商手中，高端产品依赖进口，行业类第一梯队公司主要为是德科技（Keysight）、泰克（Tektronix）、罗德与施瓦茨(R&S)等欧美企业。国内测量仪器与国际水平相比，在产品结构、高端产品的技术水平、市场占有率等方面存在较大差距，亟待国内本土企业填补高端仪器的技术和市场空白。在这种情况下，提高企业的研发力度成为了电子测量仪器行业发展的关键点之一。同时伴随着强烈的自主可控需求，国产高端测试测量仪器市场在近几年迎来高速增长。概伦电子的半导体参数测试系统FS-Pro作为高端测试仪器的代表之一，在先进器件和材料等领域的测试表现非常出色，集 IV、CV、1/f noise及PIV测试等于一体，高精度、低成本、综合的半导体器件表征分析能力灵活满足各种用户的不同测试需求，大大节省了测试设备采购开支。同时，工业标准的PXI模块化硬件结构，通用的软件平台，内置测量软件提供数百个预定义的测试模板和功能，实现即插即用体验，使FS-Pro成为了半导体器件与先进材料研究方面的得力助手，产品性能直接对标是德科技等行业巨头的高端测试仪器。近年来，随着半导体行业的快速发展，对测试测量仪器的需求在逐渐扩大。当前中国的半导体测试测量行业在飞速发展中，可以预见的是，复杂的国际关系背景和市场需求的双重驱动下，关键领域的国产化成为竞争焦点，自上而下的产业政策和企业突围将加速自主可控产业链的成长，国产半导体测量仪器迎风口。随着概伦电子在中高端产品领域取得突破，将会使其成为国内该行业的领头羊，有望引领该领域的国产化替代浪潮。概伦电子产品布局日臻完善半导体器件特性测试是对集成电路器件在不同工作状态和工作环境下的电流、电压、电容、电阻、低频噪声、可靠性等特性进行测量、数据采集和分析，以评估其是否达到设计指标。概伦电子半导体参数测试系统FS-Pro能够支持多种类型的半导体器件，具备精度高、测量速度快和可多任务并行处理等特点，能够满足晶圆厂和集成电路设计企业对测试数据多维度和高精度的要求。半导体器件特性测试仪器采集的数据是器件建模及验证EDA工具所需的数据来源，两者具有较强的协同效应。随着下游晶圆厂客户产能扩张，相关测试需求或将进一步释放。在制造类EDA工具方面，概伦电子的器件建模及验证EDA工具已经取得较高市场地位，被全球大部分领先的晶圆厂所采用和验证，主要客户包括台积电、三星电子、联电、格芯、中芯国际等，在其相关标准制造流程中占据重要地位。使用该EDA工具生成的器件模型通过国际领先的晶圆厂提供给其全球范围内的集成电路设计方客户使用，其全面性、精度和质量已得到业界的长期验证和广泛认可。在此基础上，通过半导体器件特性测试仪器与EDA工具的联动，能够打造以数据为驱动的EDA解决方案，紧密结合并形成业务链条，帮助晶圆厂客户有针对性的优化工艺平台的器件设计和制造工艺，不断拓展产品的覆盖面，进一步为概伦电子打造完整的制造EDA流程丰富了现有技术及解决方案。目前概伦电子主要产品及服务包括制造类EDA工具、设计类EDA工具、半导体器件特性测试仪器和半导体工程服务等。从其产品布局和发展历程来看，概伦电子在具备高价值的落地场景和应用需求的前提下，用相对较短的时间、较小的人员规模和投入，打造了全新的设计方法学和流程，逐渐形成了具有技术竞争力的EDA工具、测试产品和工程服务，并在国际主流市场获得产品验证机会，在多环节和维度上实现了对国际EDA巨头全流程垄断的突破。产学研模式新探索上文提到，此次FS-Pro HP-FWGMK套件的发布是概伦电子与北京大学集成电路学院及上海交通大学电子信息与电气工程学院联合研发的产物，在填补了半导体参数测试系统FS-Pro在短脉冲测试空缺的同时，也代表了国内产学研深度合作的典范。当前，在国产EDA的发展过程中，人才是关键，创新求变正在重塑新的核心竞争力。EDA核心技术的突破没有捷径可走，需要持续吸引各种人才、加强产学研合作和保持高研发投入，长期坚持技术沉淀，通过客户需求引导，才有可能形成新的突破。在当前行业背景和发展现状下，概伦电子正在探索以产教融合方式来培养项目和推动EDA技术和人才发展的新模式，携手各界通力合作，共同应对后摩尔时代技术与市场的双重挑战，构建中国EDA产业命运共同体，致力于突破困局并最终实现超越。

p　　安东帕近日宣布推出新型高温纳米压痕测试仪UNHT³ HTV。作为测量低载荷下纳米尺度机械性能的测试系统，UNHT³ HTV可用于测量温度在 800 ° C 以下的薄膜和涂层的硬度和弹性模量。其专利 UNHT 技术与独特的加热功能结合，可提供在任何温度下的高稳定性测量解决方案。/pp style="text-align: center"img src="http://img1.17img.cn/17img/images/201702/insimg/71016a8c-f6a0-4c09-81ab-e26ce87e40b8.jpg" title="UNHT3_HTV_w.jpg"//pp　　UNHT3 HTV的核心是基于非常成功和专利的超纳米压痕试验机(UNHT)。/pp　　测量头已针对高温操作进行了优化，并结合了正在申请专利的样品台，可以在工作范围内的任何温度下进行测量，并具有最高的热稳定性。这样的测量特性引发了研究人员的兴趣：/pp　　环境条件下最低热漂移 ( 0.5 nm/min) 和整个温度范围内最低热漂移 ( 3 nm/min)。/pp　　最高载荷框架刚度 ( 106 N/m) 和最低框架柔度 ( 0.1 nm/mN)：两套独立的位移和载荷传感器与高精度电容传感器结合，可选择“实际深度”和“载荷控制”模式。/pp　　高真空系统具有 5 轴磁悬浮涡轮泵和缓冲系统，允许在测量期间关闭初级泵，使泵振动降至最低。/pp　　独特的加热控制系统(3 项专利待批)，采用3 个红外 (IR) 加热器分别用于给压头、参比 压头和样品加热，以及 4 个热电偶用于将样品表面温度控制到 变化在0.1° C 内。/pp　　符合 ISO 14577 和 ASTM E2546 国际标准/ppbr//p

平沼株式会社（下简称平沼）自研制出第一台水分测试仪以来，不断提高产品的稳定性和精密度，将于近期开始销售库伦法水分测试仪MOICO-A19，该机型可实现高精度的水分测量。根据卡尔费休（下简称KF））滴定度的碘组分状态，有库伦法和电容法，在HIRANUMA，库伦法是AQ/MOICO系列，容量法是AQV/MOIVO系列可供选择。MOICO作为一款微量水分测试仪器（Coulometric KF Titrator MOICO-A19），可以通过增加KF滴定组件，实现库伦法/容量法的同时测定，功能更加丰富。过去在测试水分样品时，对于一些复杂样品，往往会对KF试剂产生干扰，导致测试准确度降低，针对此类复杂样品，平沼将蒸发炉细分为油品蒸发炉EV-2000L和固体蒸发炉EV-2000，更加有效的解决复杂样品中水分含量测试的问题。本产品的主要特点如下：1、 大尺寸彩色触摸屏8.4英寸大屏幕，可以在触摸面板上轻松录入信息，并可直接从屏幕菜单执行每个操作。2、 16级显示屏调节 为给每个使用者提供更佳的视角，我们可以将屏幕根据需要进行调整，调整后可进行角度锁定。3、 语音播报可通过语音通知您测定的过程，即使远离仪器，可能轻松掌握仪器运行情况4、 多种样品同时测定增加相应的测试单元，可实现多种类型的水分测定5、 内置热敏打印机，USB/LAN口，用户权限管理，三色LED状态显示，40挡转速可调，运行状态显示，单室电解池（无隔膜）双室电解池（有隔膜）可供选择6、 可搭配平沼蒸发炉使用公司介绍：日立科学仪器（北京）有限公司是世界500强日立集团旗下日立高新技术有限公司在北京设立的全资子公司。本公司秉承日立集团的使命、价值观和愿景，始终追寻“简化客户的高科技工艺”的企业理念,通过与客户的协同创新，积极为教育、科研、工业等领域的客户需求提供专业和优质的解决方案。 我们的主要产品包括：各类电子显微镜、原子力显微镜等表面科学仪器和前处理设备，以及各类色谱、光谱、电化学等分析仪器。为了更好地服务于中国广大的日立客户，公司目前在北京、上海、广州、西安、成都、武汉、沈阳等十几个主要城市设立有分公司、办事处或联络处等分支机构，直接为客户提供快速便捷的、专业优质的各类相关技术咨询、应用支持和售后技术服务，从而协助我们的客户实现其目标，共创美好未来。

p style="text-indent: 0em text-align: center "img src="https://img1.17img.cn/17img/images/202010/uepic/292673aa-e45e-4b57-a7c3-93a83223508b.jpg" title="1.jpg.png" alt="1.jpg.png" style="text-align: center max-width: 100% max-height: 100% "//pp style="text-align: center "span style="color: rgb(0, 176, 240) text-align: center text-indent: 0em " Hysitron PI 89 SEM PicoIndenter：提供卓越的范围和灵活性/span/pp style="text-indent: 2em "strong仪器信息网讯 /strong美国时间2020年10月14日，布鲁克纳米机械测试业务（Bruker Nanomechanical Testing business）宣布发布Hysitron PI 89 SEM PicoIndenter™ ，可在扫描电子显微镜（SEM）内提供比以往更大的负载和更极端环境提供纳米机械测试功能。将有助于研究人员进一步理解高强度材料的变形机理。新产品系统结合了布鲁克的高性能控制器、专有的电容式传感器和固有位移技术，以实现卓越的力和位移范围。/pp style="text-indent: 2em "PI 89 SEM PicoIndenter是第一台具有两种旋转和倾斜台配置的原位仪器。这使得样品可以灵活地朝向电子柱进行自顶向下的成像、向FIB柱倾斜进行铣削、主轴旋转进行晶体对准，并与多种检测器兼容以实现复杂材料的结构-性能相关性。/pp style="text-indent: 2em "“阿拉巴马大学很高兴成为布鲁克公司Hysitron PI 89 SEM PicoIndenter原位纳米机械测试装置的第一批用户，”span style="color: rgb(0, 112, 192) "阿拉巴马州分析研究中心主任Gregory Thompson博士/span表示。/pp style="text-indent: 2em "span style="color: rgb(0, 112, 192) "机械工程学教授Keivan Davami博士/span补充说：“该平台的先进功能，可以在达到极限温度的同时，同时施加负载，将提供前所未有的结构表征捕获，包括透射菊池衍射和电子背散射衍射，以支持多个研究项目。”/pp style="text-indent: 2em "span style="color: rgb(0, 112, 192) "布鲁克纳米机械测试业务总经理Oden Warren博士/span表示：“ Hysitron PI 89是我们用于电子显微镜原位纳米机械测试的PicoIndenter系列的有力补充。” “新平台具有出色的多功能性，易用性和刚度，可支持更高的负载，并拥有多项专利功能，可为客户在SEM中提供更广泛的测试灵活性和行业领先的性能。我们很高兴看到这个新一代仪器使新的研究成为可能。”span style="text-indent: 2em " /span/pp style="text-indent: 2em "span style="color: rgb(0, 112, 192) "strong关于Hysitron PI 89 SEM PicoIndenter/strong/span/pp style="text-indent: 2em "Hysitron PI 89系统是布鲁克知名的Hysitron PicoIndenter用于SEM的测试仪器系列。 PI 89以布鲁克最先进的电容换能器技术为基础，为研究人员提供了一种功能强大的先进仪器，具有卓越的性能和多功能性。它的功能包括自动纳米压痕、加速机械性能映射（XPM）、疲劳测试、纳米摩擦学、薄膜和纳米线的推拉（PTP）张力（已获得专利）、直接拉力、SPM成像、电特性模块、高温测试（已获得专利）、旋转和倾斜台（已获得专利），并与使用EBSD，EDS，CBD，TKD和STEM检测器的分析成像兼容。/pp style="text-indent: 2em "strongspan style="color: rgb(0, 112, 192) "关于Hysitron/span/strong/pp style="text-indent: 2em "2017年2月，布鲁克宣布收购纳米力学仪器制造商Hysitron(海思创)。该收购将Hysitron的创新纳米机械测试仪器添加到布鲁克已有的原子力显微镜(AFM)，表面轮廓仪，摩擦学和机械测试系统的产品组合中，大大提高了布鲁克在纳米材料研究市场的领先地位。/pp style="text-indent: 2em "Hysitron总部位于明尼苏达州的伊登普雷利，公司自1992年成立以来率先开发了用于测量纳米级材料的机械性能的解决方案。其领先的纳米压痕产品被学术界和工业研究人员用于材料科学、生命科学和半导体领域的应用。除纳米压痕和微压痕外，Hysitron的仪器产品还包括摩擦学、模量映射、动态机械分析、原位SEM(扫描电子)和TEM(透射电子)纳米机械测试。/ppbr//p

近日，国资委发布《中央企业科技创新成果推荐目录（2020年版）》，以促进科技成果向现实生产力转化，加快中央企业科技创新成果应用推广。在此次发布的央企科技创新成果中，其中有8项为分析测试仪器，包含电感耦合等离子体质谱仪、短波长X射线衍射仪、色度亮度计等，涉及单位包括中国电科、中国钢研、兵器工业集团等。中央企业科技创新成果推荐目录（2020年版 分析测试仪器）序号技术产品名称企业名称所属领域37分布式光纤传感系统航天科技分析测试仪器38全视角高精度三维测量仪航空工业集团分析测试仪器39色度亮度计兵器工业集团分析测试仪器40短波长X射线衍射仪兵器装备集团分析测试仪器414051系列信号/频谱分析仪中国电科分析测试仪器42汽车变速器齿轮试验测试装备机械总院集团分析测试仪器43电感耦合等离子体质谱仪中国钢研分析测试仪器44分布式高精度应变、温度、振动光纤传感测试仪中国信科分析测试仪器

天瑞仪器公司今天又迎来一大喜事――天瑞分析测试仪器研究院正式成立。 天瑞分析测试仪器研究院是天瑞仪器公司历时半年、经过精心策划、筹备、注入大量人才、资金后才正式挂牌成立的研究机构，前身是研发部。它的主要职责是：加快光谱、色谱、质谱三大类分析测试仪器的研究与开发，深化分析仪器在环保和资源方面的应用，消化吸收最新科技成果，自主创新，自我设计，努力实现关键核心技术的把握，形成一批拥有完全自主知识产权的中国仪器品牌。 天瑞分析测试仪器研究院院长由天瑞仪器公司董事长刘召贵博士兼任。刘召贵博士1990年毕业于清华大学核物理学专业，毕业以来，一直从事分析测试仪器尤其是X射线荧光光谱仪的研究和开发，其亲手创建的天瑞仪器公司经过十六年的飞速发展，已经跃居国内分析测试仪器行业前列，产品畅销全球50多个国家和地区，在世界仪器行业届享有较高的知名度。刘博士在国内外杂志发表论文十余篇，学术功底深厚，科研能力突出，一直担任天瑞仪器公司研发总设计师。他以先行者的气魄和严谨务实的科研精神推动天瑞仪器公司不断向前发展，目前的天瑞公司拥有江苏天瑞信息技术有限公司、北京邦鑫伟业技术开发有限公司、北京丰益求实仪器有限责任公司等数家子公司，拥有国内办事处50多个，国外代理商30多家。刘召贵博士现为昆山市博士联谊会副会长，中国仪器仪表学会分析仪器学会理事，昆山市首届科技功臣奖获得者，江苏省2008年度有突出贡献中青年专家。 天瑞分析测试仪器研究院将下设三个中心，分别为&ldquo 分析仪器研发中心&rdquo ，&ldquo 理化分析测试中心&rdquo 和&ldquo 分析测试技术应用开发中心&rdquo 。天瑞仪器公司的李胜辉高级工程师和张树龙博士负责&ldquo 分析仪器研发中心&rdquo ，李胜辉高工毕业于西安电子科技大学，从事分析仪器研发工作十五年，是XRF、ICP、AAS等仪器核心部件研发的高级人才。协助李胜辉工作的是张树龙博士，毕业于清华大学光学工程专业，现北京丰益求实仪器有限公司总经理。&ldquo 理化分析测试中心&rdquo 和&ldquo 分析测试技术应用开发中心&rdquo 由姚栋梁博士负责，姚毕业于清华大学工程物理系核电子学专业，从事分析仪器开发十六年，已有丰硕成果。天瑞分析测试仪器研究院日前人员构成是：院士1名（战略指导），博士11名，高级工程师13名，硕士17名，知名大学本科研发人员22名。 天瑞分析测试仪器研究院的近期规划有： 一、继续夯实公司在X射线荧光光谱仪、等离子体发射光谱仪、原子吸收分光光度计、气相色谱仪、液相色谱仪等分析仪器的研发工作，争取3至4项关键技术领先世界水平。加大公司理化分析的研究和实践，建立完整的RoHS检测、REACH服务、玩具检测、食品检测、药品检测、水质检测、无公害农产品检测等的检测线，力争获得中国合格评定国家认可委员会（CNAS）的认可。同时，积极探索现代分析测试技术的新应用和新方案，为客户创造新价值。 二、参加高规格的国际学术会议，汲取和借鉴世界知名仪器企业在原子荧光光谱仪、光电直读光谱仪、紫外分光光度计、质谱仪、气相色谱/质谱联用仪、液相色谱/质谱联用仪、电感偶合等离子体质谱仪上的研发经验，展开与国家级科研院所的合作，达成与资深专家进行合作开发的协议。 三、进一步引进高素质人才，包括国内外知名院校的博士、硕士，为它们提供良好的工作环境和生活环境。加大研发资金投入，建立了高规格专门研发实验室，配置了各项必要的研发设备，购置相关的研发资料，并为高难度、高水平的初创性实验提供充足的资金保障。建立严整的科研奖励机制，有效激发科研人员的潜能。 至此，天瑞仪器公司共设立了三个研究机构，它们分别是：&ldquo 苏州市分析仪器工程技术研究中心&rdquo ，&ldquo 天瑞技术研究中心&rdquo 和&ldquo 天瑞分析测试仪器研究院&rdquo 。

5月30日，国务院国资委确定并发布了《中央企业科技创新成果推荐目录（2020年版）》（以下简称《目录》）。本次《目录》发布的成果涉及22项核心电子元器件、14项关键零部件、8项分析测试仪器 、10项基础软件、41项关键材料、12项先进工艺、53项高端装备和18项其他类型成果，共计178项成果，相关成果主要来自54家央企。《目录》中涉及的8项分析测试仪器成果如下，37分布式光纤传感系统航天科技分析测试仪器38全视角高精度三维测量仪航空工业集团分析测试仪器39色度亮度计兵器工业集团分析测试仪器40短波长X射线衍射仪兵器装备集团分析测试仪器414051系列信号/频谱分析仪中国电科分析测试仪器42汽车变速器齿轮试验测试装备机械总院集团分析测试仪器43电感耦合等离子体质谱仪中国钢研分析测试仪器44分布式高精度应变、温度、振动光纤传感测试仪中国信科分析测试仪器据了解，航天科技的分布式光纤传感系统是一种集光、机、电、算于一体的高性能新型传感系统，可以实现对探测目标的连续不间断测量，并形成全面的、精细的、准确的数字化描述。分布式光纤传感系统利用光纤后向散射效应与光时域反射技术，实现对应变/温度场的连续测量与定位 传感光纤既是传感介质也是传输媒介,是一宗集待测物理量感知和信号传输于一体的传感手段。传感光纤本身无源、抗干扰、耐腐蚀，是一种本征安全的材料，并且在性能指标和产品功能上均优于传统的电学传感技术。分布式光纤传感系统特别适用于易燃易爆场合；典型的应用领域包括长输油气管线的安安防监测、基础设施的结构健康监测、火灾预警、电缆效率分析、地热开采分析等。井下温度分布测量应用场景（图源 国资委）航空工业集团的这款全视角高精度三维测量仪，针对大部件变形和大空间内运动体参数实时监控的迫切需求，突破大视场、超清晰、高精度光学测量关键技术，解决测量距离大、精度要求高、测量环境复杂等技术难点，研制全视角高精度三维测量仪，填补国内空白，并在航空、航天等领域进行了应用验证。全视角高精度三维测量仪（图源 国资委）亮度色度计采用三色值过滤的测定方法，可测定亮度、色度、色温cielab、cieluv、色差等，4个量测角度可以切换。可适用于需要小范围量度角度(0.1°/0.2°)的低亮度领域的测定场合，若作远距离量测可选用延长线将主机与感应器分开进行测量。仪器附加键盘（选配）可作多种功能使用，包括输入颜色系数和亮度偏差。另外，也可在计算机中的进行数据的存储、分析、打印，在照明工程、电影和电视、建筑等领域中有较为广泛的应用。而兵器工业集团的色度亮度计可测量亮度范围为（1～3000）cd/m2，亮度测量精度为±4%，色度测量精度为（x,y）≤±0.004（10cd/m2以上，标准A光源。色度亮度计（图源 国资委）短波长X射线衍射仪是拥有自主知识产权的短波长特征X射线衍射技术产品，首先解决了我国无损测定厘米级厚度工件内部（残余）应力、织构、物相、晶界缺陷及其分布的难题，填补了国内外无损检测分析内部衍射信息的小型化仪器设备空白。该仪器利用重金属靶X射线管作为辐射源，采用光量子能量分析的无强度衰减单色化、精密测量分析等技术，最大可测厚度达40mm铝当量，晶面间距测试误差小于±0.00006nm，内部（残余）应力测试误差小于±25MPa。可应用于先进材料、先进制造和基础研究领域，如预拉伸铝板、涡轮叶片、装配件、焊接件、热处理件等控形控性的加工工艺优化和制造，以及材料/工件内部应力及其分布等的演变规律研究。短波长X射线衍射仪（图源 国资委）4051系列信号/频谱分析仪重点突破了110GHz超宽频带、大带宽、高灵敏度接收技术以及宽带信号高速处理技术，实现了最高同轴测试频率110GHz、最大分析带宽550MHz、显示平均噪声电平≤-135dBm/Hz@110GHz等核心指标，且具有全频段信号预选能力，打破了国外技术封锁，总体性能达到国际先进水平，在高精尖测量仪器方面实现了自主可控和自主保障，在航空航天、通信、雷达、频谱监测等军民领域得到广泛应用，为我国“载人航天”、“探月工程”、“北斗导航”等国家重大工程做出了重要贡献，解决了宽带卫星通信系统功放模块数字预失真测试、新型预警和跟踪雷达脉冲信号测试、超宽频带频谱测量等测试难题。4051系列信号/频谱分析仪（图源 国资委）汽车变速器齿轮试验测试装备是国家重点支持的发展专项；测试技术含量和技术水平高，创新性强，属国内首创；突破了汽车变速器传递误差测试方面的技术壁垒，解决了汽车变速器急需解决的啸叫难题；扭转了汽车变速器测试台架主要依赖进口的局面。试验台既可实现单对齿轮又可以实现变速器总成传递误差的测量，可以模拟齿轮啮合错位量工况，使得传递误差测量结果更具实际意义，可以更有效指导齿轮修形设计，达到减振降噪目的。试验台角度测量精度1ʺ，加载扭矩最大20000Nm。汽车变速器齿轮试验测试装备（图源 国资委）ICP-MS技术是将ICP的高温电离特性与四极杆质谱计的灵敏快速扫描的优点相结合而形成一种新型的最强有力的元素分析、同位素分析和形态分析技术。该技术具有检出限低、动态线性范围宽、干扰少、分析精度高、速度快、可进行多元素同时测定等优异的分析性能，已从最初在地质科学研究的应用迅速发展到环境保护、半导体、生物、医学、冶金、石油、核材料分析等领域。电感耦合等离子体质谱仪（图源 国资委）分布式高精度应变、温度、振动光纤传感测试仪主要用途是为石油天然气管线、高速铁路、高速公路、电力输送线路等大型基础设施的状态监测与安全管理提供完整先进的分布式高精度应变、温度、振动光纤传感测试仪，显著提升相关大型基础设施的运营能力、安全管理水平与应急管理能力。其基于光栅阵列的新一代光纤传感技术具有网络容量大、探测精度高、传感距离长、响应速度快、可靠性好等方面的突出优点，可实现超大容量、超长距离、超高精度的应变、温度、振动传感监测。光纤分布式温度探测器（图源 国资委）附件：中央企业科技创新成果推荐目录（2020年版）.doc

项目编号：HBCT-230281-001项目名称：地质找矿及地质样品测试仪器装备购置预算金额：2000000最高限价（如有）：2000000采购需求：地质找矿及地质样品测试仪器装备购置，包括：电感耦合等离子体质谱仪 1台、恒温振荡器 2台、分光光度计1台、土壤筛组 10组、恒温油浴箱 2台、微波消解仪 1台、电导率仪 1台、马弗炉 1台、离子计 2台。合同履行期限：自合同签订之日起120日历日内完成本项目不接受联合体投标。获取招标文件时间：2023年03月08日至2023年03月15日,每天上午9:00至12:00,下午12:00至17:00（北京时间，法定节假日除外）地点：在河北省公共资源交易信息平台（http://www.hebpr.cn//）自主网上报名，下载招标文件及相关资料，并及时查看有无澄清和修改。方式：其它售价：0对本次招标提出询问，请按以下方式联系。1.采购人信息名 称：河北省地球物理勘查院（河北省浅层地热能研究中心）地 址：河北省廊坊市广阳区廊万路4号联系方式：0316-59089032.采购代理机构信息（如有）名 称：河北省成套招标有限公司地 址：石家庄市工农路486号联系方式：0311-830869783.项目联系方式项目联系人：翟晓旭电 话：0311-83086978

1. 研究背景及意义碳化硅(SiC)是一种宽带隙(WBG)的半导体材料，目前已经显示出有能力满足前述领域中不断发展的电力电子的更高性能要求。在过去，硅(Si)一直是最广泛使用的功率开关器件的半导体材料。然而，随着硅基功率器件已经接近其物理极限，进一步提高其性能正成为一个巨大的挑战。我们很难将它的阻断电压和工作温度分别限制在6.5kV和175℃，而且相对于碳化硅器件它的开关速度相对较慢。另一方面，由SiC制成的器件在过去几十年中已经从不成熟的实验室原型发展成为可行的商业产品，并且由于其高击穿电压、高工作电场、高工作温度、高开关频率和低损耗等优势被认为是Si基功率器件的替代品。除了这些性能上的改进，基于SiC器件的电力电子器件有望通过最大限度地减少冷却要求和无源元件要求来实现系统的体积缩小，有助于降低整个系统成本。SiC的这些优点与未来能源转换应用中的电力电子器件的要求和方向非常一致。尽管与硅基器件相比SiC器件的成本较高，但SiC器件能够带来的潜在系统优势足以抵消增加的器件成本。目前SiC器件和模块制造商的市场调查显示SiC器件的优势在最近的商业产品中很明显，例如SiC MOSFETs的导通电阻比Si IGBT的导通电阻小四倍，并且在每三年内呈现出-30%的下降趋势。与硅同类产品相比，SiC器件的开关能量小10-20倍，最大开关频率估计高20倍。由于这些优点，预计到2022年，SiC功率器件的总市场将增长到10亿美元，复合年增长率(CAGR)为28%，预计最大的创收应用是在混合动力和电动汽车、光伏逆变器和工业电机驱动中。然而，从器件的角度来看，挑战和问题仍然存在。随着SiC芯片有效面积的减少，短路耐久时间也趋于减少。这表明在稳定性、可靠性和芯片尺寸之间存在着冲突。而且SiC器件的现场可靠性并没有在各种应用领域得到证明，这些问题直接导致SiC器件在电力电子市场中的应用大打折扣。另一方面，生产高质量、低缺陷和较大的SiC晶圆是SiC器件制造的技术障碍。这种制造上的困难使得SiC MOSFET的每年平均销售价格比Si同类产品高4-5倍。尽管SiC材料的缺陷已经在很大程度上被克服，但制造工艺还需要改进，以使SiC器件的成本更加合理。最近几年大多数SiC器件制造大厂已经开始使用6英寸晶圆进行生产。硅代工公司X-fab已经升级了其制造资源去适应6英寸SiC晶圆，从而为诸如Monolith这类无晶圆厂的公司提供服务。这些积极的操作将导致SiC器件的整体成本降低。图1.1 SiC器件及其封装的发展图1.1展示了SiC功率器件及其封装的发展里程碑。第一个推向市场的SiC器件是英飞凌公司在2001年生产的肖特基二极管。此后，其他公司如Cree和Rohm继续发布各种额定值的SiC二极管。2008年，SemiSouth公司生产了第一个SiC结点栅场效应晶体管（JFET），在那个时间段左右，各公司开始将SiC肖特基二极管裸模集成到基于Si IGBT的功率模块中，生产混合SiC功率模块。从2010年到2011年，Rohm和Cree推出了第一个具有1200V额定值的分立封装的SiC MOSFET。随着SiC功率晶体管的商业化，Vincotech和Microsemi等公司在2011年开始使用SiC JFET和SiC二极管生产全SiC模块。2013年，Cree推出了使用SiC MOSFET和SiC二极管的全SiC模块。此后，其他器件供应商，包括三菱、赛米控、富士和英飞凌，自己也发布了全SiC模块。在大多数情况下，SiC器件最初是作为分立元件推出的，而将这些器件实现为模块封装是在最初发布的几年后开发的。这是因为到目前为止分立封装的制造过程比功率模块封装要简单得多。另一个原因也有可能是因为发布的模块已经通过了广泛的标准JEDEC可靠性测试资格认证，这代表器件可以通过2000万次循环而不发生故障，因此具有严格的功率循环功能。而且分离元件在设计系统时具有灵活性，成本较低，而模块的优势在于性能较高，一旦有了产品就容易集成。虽然SiC半导体技术一直在快速向前发展，但功率模块的封装技术似乎是在依赖过去的惯例，这是一个成熟的标准。然而，它并没有达到充分挖掘新器件的潜力的速度。SiC器件的封装大多是基于陶瓷基底上的线接合方法，这是形成多芯片模块（MCM）互连的标准方法，因为它易于使用且成本相对较低。然而，这种标准的封装方法由于其封装本身的局限性，已经被指出是向更高性能系统发展的技术障碍。首先，封装的电寄生效应太高，以至于在SiC器件的快速开关过程中会产生不必要的损失和噪音。第二，封装的热阻太高，而热容量太低，这限制了封装在稳态和瞬态的散热性能。第三，构成封装的材料和元件通常与高温操作（200℃）不兼容，在升高的操作温度下，热机械可靠性恶化。最后，对于即将到来的高压SiC器件，承受高电场的能力是不够的。这些挑战的细节将在第二节进一步阐述。总之，不是器件本身，而是功率模块的封装是主要的限制因素之一，它阻碍了封装充分发挥SiC元件的优势。因此，应尽最大努力了解未来SiC封装所需的特征，并相应地开发新型封装技术去解决其局限性。随着社会的发展，环保问题与能源问题愈发严重，为了提高电能的转化效率，人们对于用于电力变换和电力控制的功率器件需求强烈[1, 2]。碳化硅（SiC）材料作为第三代半导体材料，具有禁带宽度大，击穿场强高、电子饱和速度大、热导率高等优点[3]。与传统的Si器件相比，SiC器件的开关能耗要低十多倍[4]，开关频率最高提高20倍[5, 6]。SiC功率器件可以有效实现电力电子系统的高效率、小型化和轻量化。但是由于SiC器件工作频率高，而且结电容较小，栅极电荷低，这就导致器件开关时，电压和电流变化很大，寄生电感就极易产生电压过冲和振荡现象，造成器件电压应力、损耗的增加和电磁干扰问题[7, 8]。还要考虑极端条件下的可靠性问题。为了解决这些问题，除了器件本身加以改进，在封装工艺上也需要满足不同工况的特性要求。起先，电力电子中的SiC器件是作为分立器件生产的，这意味着封装也是分立的。然而SiC器件中电压或电流的限制，通常工作在低功耗水平。当需求功率达到100 kW或更高时，设备往往无法满足功率容量要求[9]。因此，需要在设备中连接和封装多个SiC芯片以解决这些问题，并称为功率模块封装[10, 11]。到目前为止，功率半导体的封装工艺中，铝（Al）引线键合封装方案一直是最优的封装结构[12]。传统封装方案的功率模块采用陶瓷覆铜板，陶瓷覆铜板（Direct Bonding Copper，DBC）是一种具有两层铜的陶瓷基板，其中一层图案化以形成电路[13]。功率半导体器件底部一般直接使用焊料连接到DBC上，顶部则使用铝引线键合。底板（Baseplate）的主要功能是为DBC提供支撑以及提供传导散热的功能，并与外部散热器连接。传统封装提供电气互连（通过Al引线与DBC上部的Cu电路键合）、电绝缘（使用DBC陶瓷基板）、器件保护（通过封装材料）和热管理（通过底部）。这种典型的封装结构用于目前制造的绝大多数电源模块[14]。传统的封装方法已经通过了严格的功率循环测试（2000万次无故障循环），并通过了JEDEC标准认证[15]。传统的封装工艺可以使用现有的设备进行，不需要额外开发投资设备。传统的功率模块封装由七个基本元素组成，即功率半导体芯片、绝缘基板、底板、粘合材料、功率互连、封装剂和塑料外壳，如图1.2所示。模块中的这些元素由不同的材料组成，从绝缘体、导体、半导体到有机物和无机物。由于这些不同的材料牢固地结合在一起，为每个元素选择适当的材料以形成一个坚固的封装是至关重要的。在本节中，将讨论七个基本元素中每个元素的作用和流行的选择以及它们的组装过程。图1.2标准功率模块结构的横截面功率半导体是功率模块中的重要元素，通过执行电气开/关开关将功率从源头转换到负载。标准功率模块中最常用的器件类型是MOSFETs、IGBTs、二极管和晶闸管。绝缘衬底在半导体元件和终端之间提供电气传导，与其他金属部件（如底板和散热器）进行电气隔离，并对元件产生的热量进行散热。直接键合铜（DBC）基材在传统的电源模块中被用作绝缘基材，因为它们具有优良的性能，不仅能满足电气和热的要求，而且还具有机械可靠性。在各种候选材料中，夹在两层铜之间的陶瓷层的流行材料是Al2O3，AlN，Si2N4和BeO。接合材料的主要功能是通过连接每个部件，在半导体、导体导线、端子、基材和电源模块的底板之间提供机械、热和电的联系。由于其与电子组装环境的兼容性，SnPb和SnAgCu作为焊料合金是最常用的芯片和基片连接材料。在选择用于功率模块的焊料合金时，需要注意的重要特征是：与使用温度有关的熔化温度，与功率芯片的金属化、绝缘衬底和底板的兼容性，高机械强度，低弹性模量，高抗蠕变性和高抗疲劳性，高导热性，匹配的热膨胀系数（CTE），成本和环境影响。底板的主要作用是为绝缘基板提供机械支持。它还从绝缘基板上吸收热量并将其传递给冷却系统。高导热性和低CTE（与绝缘基板相匹配）是对底板的重要特性要求。广泛使用的底板材料是Cu，AlSiC，CuMoCu和CuW。导线键合的主要作用是在模块的功率半导体、导体线路和输入/输出终端之间进行电气连接。器件的顶面连接最常用的材料是铝线。对于额定功率较高的功率模块，重铝线键合或带状键合用于连接功率器件的顶面和陶瓷基板的金属化，这样可以降低电阻和增强热能力。封装剂的主要目的是保护半导体设备和电线组装的组件免受恶劣环境条件的影响，如潮湿、化学品和气体。此外，封装剂不仅在电线和元件之间提供电绝缘，以抵御电压水平的提高，而且还可以作为一种热传播媒介。在电源模块中作为封装剂使用的材料有硅凝胶、硅胶、聚腊烯、丙烯酸、聚氨酯和环氧树脂。塑料外壳（包括盖子）可以保护模块免受机械冲击和环境影响。因为即使电源芯片和电线被嵌入到封装材料中，它们仍然可能因处理不当而被打破或损坏。同时外壳还能机械地支撑端子，并在端子之间提供隔离距离。热固性烯烃（DAP）、热固性环氧树脂和含有玻璃填料的热塑性聚酯（PBT）是塑料外壳的最佳选择。传统电源模块的制造过程开始于使用回流炉在准备好的DBC基片上焊接电源芯片。然后，许多这些附有模具的DBC基板也使用回流焊工艺焊接到一个底板上。在同一块底板上，用胶水或螺丝钉把装有端子的塑料外壳连接起来。然后，正如前面所讨论的那样，通过使用铝线进行电线连接，实现电源芯片的顶部、DBC的金属化和端子之间的连接。最后，用分配器将封装材料沉积在元件的顶部，并在高温下固化。前面所描述的结构、材料和一系列工艺被认为是功率模块封装技术的标准，在目前的实践中仍被广泛使用。尽管对新型封装方法的需求一直在持续，但技术变革或采用是渐进的。这种对新技术的缓慢接受可以用以下原因来解释。首先，人们对与新技术的制造有关的可靠性和可重复性与新制造工艺的结合表示担忧，这需要时间来解决。因此，考虑到及时的市场供应，模块制造商选择继续使用成熟的、广为人知的传统功率模块封装技术。第二个原因是传统电源模块的成本效益。由于传统电源模块的制造基础设施与其他电子器件封装环境兼容，因此不需要与开发新材料和设备有关的额外成本，这就大大降低了工艺成本。尽管有这些理由坚持使用标准的封装方法，但随着半导体趋势从硅基器件向碳化硅基器件的转变，它正显示出局限性并面临着根本性的挑战。使用SiC器件的最重要的优势之一是能够在高开关频率下工作。在功率转换器中推动更高的频率背后的主要机制是最大限度地减少整个系统的尺寸，并通过更高的开关频率带来的显著的无源尺寸减少来提高功率密度。然而，由于与高开关频率相关的损耗，大功率电子设备中基于硅的器件的开关频率通常被限制在几千赫兹。图1.3中给出的一个例子显示，随着频率的增加，使用Si-IGBT的功率转换器的效率下降，在20kHz时已经下降到73%。另一方面，在相同的频率下，SiC MOSFET的效率保持高达92%。从这个例子中可以看出，硅基器件在高频运行中显示出局限性，而SiC元件能够在更高频率下运行时处理高能量水平。尽管SiC器件在开关性能上优于Si器件对应产品，但如果要充分利用其快速开关的优势，还需要考虑到一些特殊的因素。快速开关的瞬态效应会导致器件和封装内部的电磁寄生效应，这正成为SiC功率模块作为高性能开关应用的最大障碍。图1.3 Si和SiC转换器在全额定功率和不同开关频率下的效率图1.4给出了一个半桥功率模块的电路原理图，该模块由高低两侧的开关和二极管对组成，如图1.4所示，其中有一组最关键的寄生电感，即主开关回路杂散电感(Lswitch)、栅极回路电感(Lgate)和公共源电感(Lsource)。主开关回路杂散电感同时存在于外部电源电路和内部封装互连中，而外部杂散电感对开关性能的影响可以通过去耦电容来消除。主开关回路杂散电感(Lswitch)是由直流+总线、续流二极管、MOSFET(或IGBT)和直流总线终端之间的等效串联电感构成的。它负责电压过冲，在关断期间由于电流下降而对器件造成严重的压力，负反馈干扰充电和向栅极源放电的电流而造成较慢的di/dt的开关损失，杂散电感和半导体器件的输出电容的共振而造成开关波形的振荡增加，从而导致EMI发射增加。栅极环路电感(Lgate)由栅极电流路径形成，即从驱动板到器件的栅极接触垫，以及器件的源极到驱动板的连接。它通过造成栅极-源极电压积累的延迟而降低了可实现的最大开关频率。它还与器件的栅极-源极电容发生共振，导致栅极信号的震荡。结果就是当我们并联多个功率芯片模块时，如果每个栅极环路的寄生电感不相同或者对称，那么在开关瞬间将产生电流失衡。共源电感(Lsource)来自主开关回路和栅极回路电感之间的耦合。当打开和关闭功率器件时，di/dt和这个电感上的电压在栅极电路中作为额外的（通常是相反的）电压源，导致di/dt的斜率下降，扭曲了栅极信号，并限制了开关速度。此外，共源电感可能会导致错误的触发事件，这可能会通过在错误的时间打开器件而损坏器件。这些寄生电感的影响在快速开关SiC器件中变得更加严重。在SiC器件的开关瞬态过程中会产生非常高的漏极电流斜率di/dt，而前面讨论的寄生电感的电压尖峰和下降也明显大于Si器件的。寄生电感的这些不良影响导致了开关能量损失的增加和可达到的最大开关频率的降低。开关瞬态的问题不仅来自于电流斜率di/dt，也来自于电压斜率dv/dt。这个dv/dt导致位移电流通过封装的寄生电容，也就是芯片和冷却系统之间的电容。图1.5显示了半桥模块和散热器之间存在的寄生电容的简化图。这种不需要的电流会导致对变频器供电的电机的可靠性产生不利影响。例如，汽车应用中由放电加工(EDM)引起的电机轴承缺陷会产生很大的噪声电流。在传统的硅基器件中，由于dv/dt较低，约为3 kV/µs，因此流经寄生电容的电流通常忽略不记。然而，SiC器件的dv/dt比Si器件的dv/dt高一个数量级，最高可达50 kV/µs，使通过封装电容的电流不再可以忽略。对Si和SiC器件产生的电磁干扰(EMI)的比较研究表明，由于SiC器件的快速开关速度，传导和辐射的EMI随着SiC器件的使用而增加。除了通过封装进入冷却系统的电流外，电容寄也会减缓电压瞬变，在开关期间产生过电流尖峰，并通过与寄生电感形成谐振电路而增加EMI发射，这是我们不希望看到的。未来的功率模块封装应考虑到SiC封装中的寄生和高频瞬变所带来的所有复杂问题和挑战。解决这些问题的主要封装级需要做到以下几点。第一，主开关回路的电感需要通过新的互连技术来最小化，以取代冗长的线束，并通过优化布局设计，使功率器件接近。第二，由于制造上的不兼容性和安全问题，栅极驱动电路通常被组装在与功率模块分开的基板上。应通过将栅极驱动电路与功率模块尽可能地接近使栅极环路电感最小化。另外，在平行芯片的情况下，布局应该是对称的，以避免电流不平衡。第三，需要通过将栅极环路电流与主开关环路电流分开来避免共源电感带来的问题。这可以通过提供一个额外的引脚来实现，例如开尔文源连接。第四，应通过减少输出端和接地散热器的电容耦合来减轻寄生电容中流动的电流，比如避免交流电位的金属痕迹的几何重叠。图1.4半桥模块的电路原理图。三个主要的寄生电感表示为Lswitch、Lgate和Lsource。图1.5半桥模块的电路原理图。封装和散热器之间有寄生电容。尽管目前的功率器件具有优良的功率转换效率，但在运行的功率模块中，这些器件产生的热量是不可避免的。功率器件的开关和传导损失在器件周围以及从芯片到冷却剂的整个热路径上产生高度集中的热通量密度。这种热通量导致功率器件的性能下降，以及器件和封装的热诱导可靠性问题。在这个从Si基器件向SiC基器件过渡的时期，功率模块封装面临着前所未有的散热挑战。图1.6根据额定电压和热阻计算出所需的总芯片面积在相同的电压和电流等级下，SiC器件的尺寸可以比Si器件小得多，这为更紧凑的功率模块设计提供了机会。根据芯片的热阻表达式，芯片尺寸的缩小，例如芯片边缘的长度，会导致热阻的二次方增加。这意味着SiC功率器件的模块化封装需要特别注意散热和冷却。图1.6展示了计算出所需的总芯片面积减少，这与芯片到冷却剂的热阻减少有关。换句话说，随着芯片面积的减少，SiC器件所需的热阻需要提高。然而，即使结合最先进的冷却策略，如直接冷却的冷板与针状翅片结构，假设应用一个70kVA的逆变器，基于DBC和线束的标准功率模块封装的单位面积热阻值通常在0.3至0.4 Kcm2/W之间。为了满足研究中预测的未来功率模块的性能和成本目标，该值需要低于0.2 Kcm2/W，这只能通过创新方法实现，比如双面冷却法。同时，小的芯片面积也使其难以放置足够数量的线束，这不仅限制了电流处理能力，也限制了热电容。以前对标准功率模块封装的热改进大多集中在稳态热阻上，这可能不能很好地代表开关功率模块的瞬态热行为。由于预计SiC器件具有快速功率脉冲的极其集中的热通量密度，因此不仅需要降低热阻，还需要改善热容量，以尽量减少这些快速脉冲导致的峰值温度上升。在未来的功率模块封装中，应解决因采用SiC器件而产生的热挑战。以下是未来SiC封装在散热方面应考虑的一些要求。第一，为了降低热阻，需要减少或消除热路中的一些封装层；第二，散热也需要从芯片的顶部完成以使模块的热阻达到极低水平，这可能需要改变互连方法，比如采用更大面积的接头；第三，封装层接口处的先进材料将有助于降低封装的热阻。例如，用于芯片连接和热扩散器的材料可以分别用更高的导热性接头和碳基复合材料代替。第四，喷射撞击、喷雾和微通道等先进的冷却方法可以用来提高散热能力。SiC器件有可能被用于预期温度范围极广的航空航天应用中。例如用于月球或火星任务的电子器件需要分别在-180℃至125℃和-120℃至85℃的广泛环境温度循环中生存。由于这些空间探索中的大多数电子器件都是基于类似地球的环境进行封装的，因此它们被保存在暖箱中，以保持它们在极低温度下的运行。由于SiC器件正在评估这些条件，因此需要开发与这些恶劣环境兼容的封装技术，而无需使用暖箱。与低温有关的最大挑战之一是热循环引起的大的CTE失配对芯片连接界面造成的巨大压力。另外，在室温下具有柔性和顺应性的材料，如硅凝胶，在-180℃时可能变得僵硬，在封装内产生巨大的应力水平。因此，SiC封装在航空应用中的未来方向首先是开发和评估与芯片的CTE密切匹配的基材，以尽量减少应力。其次，另一个方向应该是开发在极低温度下保持可塑性的芯片连接材料。在最近的研究活动中，在-180℃-125℃的极端温度范围内，对分别作为基材和芯片附件的SiN和Indium焊料的性能进行了评估和表征。为进一步推动我国能源战略的实施，提高我国在新能源领域技术、装备的国际竞争力，实现高可靠性碳化硅 MOSFET 器件中试生产技术研究，研制出满足移动储能变流器应用的多芯片并联大功率MOSFET 器件。本研究将通过寄生参数提取、建模、仿真及测试方式研究 DBC 布局、多栅极电阻等方式对芯片寄生电感与均流特性的影响，进一步提高我国碳化硅器件封装及测试能力。2. SiC MOSFET功率模块设计技术2.1 模块设计技术介绍在MOSFET模块设计中引入软件仿真环节，利用三维电磁仿真软件、三维温度场仿真软件、三维应力场仿真软件、寄生参数提取软件和变流系统仿真软件，对MOSFET模块设计中关注的电磁场分布、热分布、应力分布、均流特性、开关特性、引线寄生参数对模块电特性影响等问题进行仿真，减小研发周期、降低设计研发成本，保证设计的产品具备优良性能。在仿真基础上，结合项目团队多年从事电力电子器件设计所积累的经验，解决高压大功率MOSFET模块设计中存在的多片MOSFET芯片和FRD芯片的匹配与均流、DBC版图的设计与芯片排布设计、电极结构设计、MOSFET模块结构设计等一系列难题，最终完成模块产品的设计。高压大功率MOSFET模块设计流程如下：图2.1高压大功率MOSFET模块设计流程在MOSFET模块设计中，需要综合考虑很多问题，例如：散热问题、均流问题、场耦合问题、MOSFET模块结构优化设计问题等等。MOSFET芯片体积小，热流密度可以达到100W/cm2~250W/cm2。同时，基于硅基的MOSFET芯片最高工作温度为175℃左右。据统计，由于高温导致的失效占电力电子芯片所有失效类型的50%以上。随电力电子器件设备集成度和环境集成度的逐渐增加，MOSFET模块的最高温升限值急剧下降。因此，MOSFET模块的三维温度场仿真技术是高效率高功率密度MOSFET模块设计开发的首要问题。模块散热能力与众多因素有关：MOSFET模块所用材料的物理和化学性质、MOSFET芯片的布局、贴片的质量、焊接的工艺水平等。如果贴片质量差，有效散热面积小，芯片与DBC之间的热阻大，在模块运行时易造成模块局部过热而损坏。另外，芯片的排布对热分布影响也很大。下图4.2是采用有限元软件对模块内部的温度场进行分析的结果：图2.2 MOSFET模块散热分布分析在完成结构设计和材料选取后，采用ANSYS软件的热分析模块ICEPAK，建立包括铜基板、DBC、MOSFET芯片、二极管芯片以及包括铝质键合引线在内的相对完整的数值模拟模型。模拟实际工作条件，施加相应的载荷，得到MOSFET的温度场分布，根据温度场分布再对MOSFET内部结构和材料进行调整，直至达到设计要求范围内的最优。2.2 材料数据库对一个完整的焊接式MOSFET模块而言，从上往下为一个 8层结构：绝缘盖板、密封胶、键合、半导体芯片层、焊接层 1、DBC、焊接层 2、金属底板。MOSFET模块所涉及的主要材料可分为以下几种类型：导体、绝缘体、半导体、有机物和无机物。MOSFET模块的电、热、机械等性能与材料本身的电导率、热导率、热膨胀系数、介电常数、机械强度等密切相关。材料的选型非常重要，为此有必要建立起常用的材料库。2.3 芯片的仿真模型库所涉及的MOSFET芯片有多种规格，包括：1700V 75A/100A/125A；2500V/50A；3300V/50A/62.5A；600V/100A；1200V/100A；4500V/42A；6500V/32A。为便于合理地进行芯片选型（确定芯片规格及其数量），精确分析多芯片并联时的均流性能，首先为上述芯片建立等效电路模型。在此基础上，针对实际电力电子系统中的滤波器、电缆和电机负载模型，搭建一个系统及的仿真平台，从而对整个系统的电气性能进行分析预估。2.4 MOSFET模块的热管理MOSFET模块是一个含不同材料的密集封装的多层结构，其热流密度达到100W/cm2--250W/cm2，模块能长期安全可靠运行的首要因素是良好的散热能力。散热能力与众多因素有关：MOSFET模块所用材料的物理和化学性质、MOSFET芯片的布局、贴片的质量、焊接的工艺水平等。如果贴片质量差，有效散热面积小，芯片与DBC之间的热阻大，在模块运行时易造成模块局部过热而损坏。芯片可靠散热的另一重要因素是键合的长度和位置。假设散热底板的温度分布均匀，而每个MOSFET芯片对底板的热阻有差异，导致在相同工况时，每个MOSFET芯片的结温不同。下图是采用有限元软件对模块内部的温度场进行分析的结果。图2.3MOSFET模块热分布在模块完成封装后，采用FLOTHERM软件的热分析模块，建立包括铜基板、DBC、MOSFET芯片、二极管芯片以及包括铝质键合引线在内的相对完整的数值模拟模型。模拟实际工作条件，施加相应的载荷，得到MOSFET的温度场分布的数值解，为MOSFET温度场分布的测试提供一定的依据。2.5. 芯片布局与杂散参数提取根据MOSFET模块不同的电压和电流等级，MOSFET模块所使用芯片的规格不同，芯片之间的连接方式也不同。因此，详细的布局设计放在项目实施阶段去完成。对中低压MOSFET模块和高压MOSFET模块，布局阶段考虑的因素会有所不同，具体体现在DBC与散热底板之间的绝缘、DBC上铜线迹之间的绝缘以及键合之间的绝缘等。2.6 芯片互联的杂散参数提取MOSFET芯片并联应用时的电流分配不均衡主要有两种：静态电流不均衡和动态电流不均衡。静态电流不均衡主要由器件的饱和压降VCE（sat）不一致所引起；而动态电流不均衡则是由于器件的开关时间不同步引起的。此外，栅极驱动、电路的布局以及并联模块的温度等因素也会影响开关时刻的动态均流。回路寄生电感特别是射极引线电感的不同将会使器件开关时刻不同步；驱动电路输出阻抗的不一致将引起充放电时间不同；驱动电路的回路引线电感可能引起寄生振荡；以及温度不平衡会影响到并联器件动态均流。2.7 模块设计专家知识库通过不同规格MOSFET模块的设计－生产－测试－改进设计等一系列过程，可以获得丰富的设计经验，并对其进行归纳总结，提出任意一种电压电流等级的MOSFET模块的设计思路，形成具有自主知识产权的高压大功率MOSFET模块的系统化设计知识库。3. SiCMOSFET封装工艺3.1 封装常见工艺MOSFET模块封装工艺主要包括焊接工艺、键合工艺、外壳安装工艺、灌封工艺及测试等。3.1.1 焊接工艺焊接工艺在特定的环境下，使用焊料，通过加热和加压，使芯片与DBC基板、DBC基板与底板、DBC基板与电极达到结合的方法。目前国际上采用的是真空焊接技术，保证了芯片焊接的低空洞率。焊接要求焊接面沾润好，空洞率小，焊层均匀，焊接牢固。通常情况下．影响焊接质量的最主要因素是焊接“空洞”，产生焊接空洞的原因，一是焊接过程中，铅锡焊膏中助焊剂因升温蒸发或铅锡焊片熔化过程中包裹的气泡所造成的焊接空洞，真空环境可使空洞内部和焊接面外部形成高压差，压差能够克服焊料粘度，释放空洞。二是焊接面的不良加湿所造成的焊接空洞，一般情况下是由于被焊接面有轻微的氧化造成的，这包括了由于材料保管的不当造成的部件氧化和焊接过程中高温造成的氧化，即使真空技术也不能完全消除其影响。在焊接过程中适量的加人氨气或富含氢气的助焊气体可有效地去除氧化层，使被焊接面有良好的浸润性．加湿良好。“真空+气体保护”焊接工艺就是基于上述原理研究出来的，经过多年的研究改进，已成为高功率，大电流，多芯片的功率模块封装的最佳焊接工艺。虽然干式焊接工艺的焊接质量较高，但其对工艺条件的要求也较高，例如工艺设备条件，工艺环境的洁净程度，工艺气体的纯度．芯片，DBC基片等焊接表面的应无沾污和氧化情况．焊接过程中的压力大小及均匀性等。要根据实际需要和现场条件来选择合适的焊接工艺。3.1.2 键合工艺引线键合是当前最重要的微电子封装技术之一，目前90％以上的芯片均采用这种技术进行封装。超声键合原理是在超声能控制下，将芯片金属镀层和焊线表面的原子激活，同时产生塑性变形，芯片的金属镀层与焊线表面达到原子间的引力范围而形成焊接点，使得焊线与芯片金属镀层表面紧密接触。按照原理的不同，引线键合可以分为热压键合、超声键合和热压超声键合3种方式。根据键合点形状，又可分为球形键合和楔形键合。在功率器件及模块中，最常见的功率互连方法是引线键合法，大功率MOSFET模块采用了超声引线键合法对MOSFET芯片及FRD芯片进行互连。由于需要承载大电流，故采用楔形劈刀将粗铝线键合到芯片表面或DBC铜层表面，这种方法也称超声楔键合。外壳安装工艺：功率模块的封装外壳是根据其所用的不同材料和品种结构形式来研发的，常用散热性好的金属封装外壳、塑料封装外壳，按最终产品的电性能、热性能、应用场合、成本，设计选定其总体布局、封装形式、结构尺寸、材料及生产工艺。功率模块内部结构设计、布局与布线、热设计、分布电感量的控制、装配模具、可靠性试验工程、质量保证体系等的彼此和谐发展，促进封装技术更好地满足功率半导体器件的模块化和系统集成化的需求。外壳安装是通过特定的工艺过程完成外壳、顶盖与底板结构的固定连接，形成密闭空间。作用是提供模块机械支撑，保护模块内部组件，防止灌封材料外溢，保证绝缘能力。外壳、顶盖要求机械强度和绝缘强度高，耐高温，不易变形，防潮湿、防腐蚀等。3.1.3 灌封工艺灌封工艺用特定的灌封材料填充模块，将模块内组件与外部环境进行隔离保护。其作用是避免模块内部组件直接暴露于环境中，提高组件间的绝缘，提升抗冲击、振动能力。灌封材料要求化学特性稳定，无腐蚀，具有绝缘和散热能力，膨胀系数和收缩率小，粘度低，流动性好，灌封时容易达到模块内的各个缝隙，可将模块内部元件严密地封装起来，固化后能吸收震动和抗冲击。3.1.4 模块测试MOSFET模块测试包括过程测试及产品测试。其中过程测试通过平面度测试仪、推拉力测试仪、硬度测试仪、X射线测试仪、超声波扫描测试仪等，对产品的入厂和过程质量进行控制。产品测试通过平面度测试仪、动静态测试仪、绝缘/局部放电测试仪、高温阻断试验、栅极偏置试验、高低温循环试验、湿热试验，栅极电荷试验等进行例行和型式试验，确保模块的高可靠性。3.2 封装要求本项目的SiC MOSFET功率模块封装材料要求如下：（1）焊料选用需要可靠性要求和热阻要求。（2）外壳采用PBT材料，端子裸露部分表面镀镍或镀金。（3）内引线采用超声压接或铝丝键合（具体视装配图设计而定），功率芯片采用铝线键合。（4）灌封料满足可靠性要求，Tg150℃，能满足高低温存贮和温度循环等试验要求。（5）底板采用铜材料。（6）陶瓷覆铜板采用Si3N4材质。（7）镀层要求：需保证温度循环、盐雾、高压蒸煮等试验后满足外观要求。3.3 封装流程本模块采用既有模块进行封装，不对DBC结构进行调整。模块封装工艺流程如下图3.1所示。图3.1模块封装工艺流程（1）芯片CP测试：对芯片进行ICES、BVCES、IGES、VGETH等静态参数进行测试，将失效的芯片筛选出来，避免因芯片原因造成的封装浪费。（2）划片&划片清洗：将整片晶圆按芯片大小分割成单一的芯片，划片后可从晶圆上将芯片取下进行封装；划片后对金属颗粒进行清洗，保证芯片表面无污染，便于后续工艺操作。（3）丝网印刷：将焊接用的焊锡膏按照设计的图形涂敷在DBC基板上，使用丝网印刷机完成，通过工装钢网控制锡膏涂敷的图形。锡膏图形设计要充分考虑焊层厚度、焊接面积、焊接效果，经过验证后最终确定合适的图形。（4）芯片焊接：该步骤主要是完成芯片与 DBC 基板的焊接，采用相应的焊接工装，实现芯片、焊料和 DBC 基板的装配。使用真空焊接炉，采用真空焊接工艺，严格控制焊接炉的炉温、焊接气体环境、焊接时间、升降温速度等工艺技术参数，专用焊接工装完成焊接工艺，实现芯片、DBC 基板的无空洞焊接，要求芯片的焊接空洞率和焊接倾角在工艺标准内，芯片周围无焊球或堆焊，焊接质量稳定，一致性好。（5）助焊剂清洗：通过超声波清洗去除掉助焊剂。焊锡膏中一般加入助焊剂成分，在焊接过程中挥发并残留在焊层周围，因助焊剂表现为酸性，长期使用对焊层具有腐蚀性，影响焊接可靠性，因此需要将其清洗干净，保证产品焊接汉城自动气相清洗机采用全自动浸入式喷淋和汽相清洗相结合的方式进行子单元键合前清洗，去除芯片、DBC 表面的尘埃粒子、金属粒子、油渍、氧化物等有害杂质和污染物，保证子单元表面清洁。（6） X-RAY检测：芯片的焊接质量作为产品工艺控制的主要环节，直接影响着芯片的散热能力、功率损耗的大小以及键合的合格率。因此，使用 X-RAY 检测机对芯片焊接质量进行检查，通过调整产生 X 射线的电压值和电流值，对不同的焊接产品进行检查。要求 X 光检查后的芯片焊接空洞率工艺要求范围内。（7）芯片键合：通过键合铝线工艺，完成 DBC 和芯片的电气连接。使用铝线键合机完成芯片与 DBC 基板对应敷铜层之间的连接，从而实现芯片之间的并联和反并联。要求该工序结合芯片的厚度参数和表面金属层参数，通过调整键合压力，键合功率，键合时间等参数，并根据产品的绝缘要求和通流大小，设置合适的键合线弧高和间距，打线数量满足通流要求，保证子单元的键合质量。要求键合工艺参数设定合理、铝线键合质量牢固，键合弧度满足绝缘要求、键合点无脱落，满足键合铝线推拉力测试标准。（8）模块焊接：该工序实现子单元与电极、底板的二次焊接。首先进行子单元与电极、底板的焊接装配，使用真空焊接炉实现焊接，焊接过程中要求要求精确控制焊接设备的温度、真空度、气体浓度。焊接完成后要求子单元 DBC 基板和芯片无损伤、无焊料堆焊、电极焊脚之间无连焊虚焊、键合线无脱落或断裂等现象。（9）超声波检测：该工序通过超声波设备对模块 DBC 基板与底板之间的焊接质量进行检查，模块扫描后要求芯片、DBC 无损伤，焊接空洞率低于 5%。（10）外壳安装：使用涂胶设备进行模块外壳的涂胶，保证模块安装后的密封性，完成模块外壳的安装和紧固。安装后要求外壳安装方向正确，外壳与底板粘连处在灌封时不会出现硅凝胶渗漏现象。（11）端子键合&端子超声焊接：该工序通过键合铝线工艺，实现子单元与电极端子的电气连接，形成模块整体的电气拓扑结构；可以通过超声波焊接实现子单元与电极端子的连接，超声波焊接是利用高频振动波传递到两个需焊接的物体表面，在加压的情况下，使两个物体表面相互摩擦而形成分子层之间的熔合。超声波焊接具有高机械强度，较低的热应力、焊接质量高等优点，使得焊接具有更好的可靠性，在功率模块产品中应用越来越广泛。（12）硅凝胶灌封&固化：使用自动注胶机进行硅凝胶的灌封，实现模块的绝缘耐压能力。胶体填充到指定位置，完成硅凝胶的固化。要求胶体固化充分，胶体配比准确，胶体内不含气泡、无分层或断裂纹。4. 极端条件下的可靠性测试4.1 单脉冲雪崩能量试验目的：考察的是器件在使用过程中被关断时承受负载电感能量的能力。试验原理：器件在使用时经常连接的负载是感性的，或者电路中不可避免的也会存在寄生电感。当器件关断时，电路中电流会突然下降，变化的电流会在感性负载上产生一个应变电压，这部分电压会叠加电源电压一起加载在器件上，使器件在瞬间承受一个陡增的电压，这个过程伴随着电流的下降。图4.1 a）的雪崩能量测试电路就是测试这种工况的，被测器件上的电流电压变化情况如图4.1 b）。图4.1 a)雪崩能量测试电路图；b)雪崩能量被测器件的电流电压特性示意图这个过程中，电感上储存的能量瞬时全部转移到器件上，可知电流刚开始下降时，电感储存的能量为1/2*ID2*L，所以器件承受的雪崩能量也就是电感包含的所有能量，为1/2*ID2*L。试验目标：在正向电流ID = 20A下，器件单脉冲雪崩能量EAS1J试验步骤：将器件放入测试台，给器件施加导通电流为20A。设置测试台电感参数使其不断增加，直至器件的单脉冲雪崩能量超过1J。通过/失效标准：可靠性试验完成后，按照下表所列的顺序测试（有些测试会对后续测试有影响），符合下表要求的可认为通过。测试项目通过条件IGSS USLIDSS or IDSX USLVGS(off) or VGS(th)LSL USLVDS(on) USLrDS(on) USL (仅针对MOSFET)USL: upper specification limit, 最高上限值LSL: lower specification limit, 最低下限值4.2 抗短路能力试验目的：把样品暴露在空气干燥的恒温环境中，突然使器件通过大电流，观测元器件在大电流大电压下于给定时间长度内承受大电流的能力。试验原理：当器件工作于实际高压电路中时，电路会出现误导通现象，导致在短时间内有高于额定电流数倍的电流通过器件，器件承受这种大电流的能力称为器件的抗短路能力。为了保护整个系统不受误导通情况的损坏，系统中会设置保护电路，在出现短路情况时迅速切断电路。但是保护电路的反应需要一定的时长，需要器件能够在该段时间内不发生损坏，因此器件的抗短路能力对整个系统的可靠性尤为重要。器件的抗短路能力测试有三种方式，分别对应的是器件在不同的初始条件下因为电路突发短路（比如负载失效）而接受大电流大电压时的反应。抗短路测试方式一，也称为“硬短路”，是指IGBT从关断状态（栅压为负）直接开启进入到抗短路测试中；抗短路测试方式二，是指器件在已经导通有正常电流通过的状态下（此时栅压为正，漏源电压为正但较低），进入到抗短路测试中；抗短路测试方式三是指器件处于栅电压已经开启但漏源电压为负（与器件反并联的二极管处于续流状态，所以此时器件的漏源电压由于续流二极管的钳位在-0.7eV左右，，栅压为正），进入到抗短路测试中。可知，器件的抗短路测试都是对应于器件因为电路的突发短路而要承受电路中的大电流和大电压，只是因为器件的初始状态不同而会有不同的反应。抗短路测试方法一电路如图4.2，将器件直接加载在电源两端，器件初始状态为关断，此时器件承受耐压。当给器件栅电极施加一个脉冲，器件开启，从耐压状态直接开始承受一个大电流及大电压，考量器件的“硬”耐短路能力。图4.2 抗短路测试方法一的测试电路图抗短路测试方法二及三的测试电路图如图4.2，图中L_load为实际电路中的负载电感，L_par为电路寄生电感，L_sc为开关S1配套的寄生电感。当进行第二种抗短路方法测试时，将L_load下端连接到上母线（Vdc正极），这样就使L_sc支路与L_load支路并联。初态时，S1断开，DUT开通，电流从L_load和DUT器件上通过，开始测试时，S1闭合，L_load瞬时被短路，电流沿着L_sc和DUT路线中流动，此时电流通路中仅包含L_sc和L_par杂散电感，因此会有大电流会通过DUT，考察DUT在导通状态时承受大电流的能力。当进行第三种抗短路方法测试时，维持图4.2结构不变，先开通IGBT2并保持DUT关断，此时电流从Vdc+沿着IGBT2、L_load、Vdc-回路流通，接着关断IGBT2，那么D1会自动给L_load续流，在此状态下开启DUT栅压，DUT器件处于栅压开启，但漏源电压被截止状态，然后再闭合S1，大电流会通过L_sc支路涌向DUT。在此电路中IGBT2支路的存在主要是给D1提供续流的电流。图4.3 抗短路测试方法二和方法三的测试电路图1） 抗短路测试方法一：图4.2中Vdc及C1大电容提供持续稳定的大电压，给测试器件DUT栅极施加一定时间长度的脉冲，在被试器件被开启的时间内，器件开通期间处于短路状态，且承受了较高的耐压。器件在不损坏的情况下能够承受的最长开启时间定义为器件的短路时长（Tsc），Tsc越大，抗短路能力越强。在整个短路时长器件，器件所承受的能量，为器件的短路能量（Esc）。器件的抗短路测试考察了器件瞬时同时承受高压、高电流的能力，也是一种器件的复合应力测试方式。图4.2测试电路中的Vdc=600V，C1、C2、C3根据器件的抗短路性能能力决定，C1的要求是维持Vdc的稳定，C1的要求是测试过程中释放给被测器件的电能不能使C1两端的电压下降过大（5%之内可接受）。C2，C3主要用于给器件提供高频、中频电流，不要求储存能量过大。对C2、C3的要求是能够降低被测器件开通关断时造成的漏源电压振幅即可。图4.4 抗短路能力测试方法一的测试结果波形图4.4给出了某款SiC平面MOSFET在290K下，逐渐增大栅极脉冲宽度（PW）的抗短路能力测试结果。首先需要注意的是在测试过程中，每测量一个脉冲宽度的短路波形，需要间隔足够长的时间，以消除前一次短路测试带来的器件温度上升对后一次测试的器件初始温度的影响，保证每次测试初始温度的准确。从图中可以看出，Id峰值出现在1 μs和2 μs之间，随着开通时间的增加，Id呈现出先增加后减小的时间变化趋势。Id的上升阶段，是因为器件开启时有大电流经过器件，在高压的共同作用下，器件温度迅速上升，因为此时MOSFET的沟道电阻是一个负温度系数，所以MOSFET沟道电阻减小，Id则上升，在该过程中电流上升的速度由漏极电压、寄生电感以及栅漏电容的充电速度所决定；随着大电流的持续作用，器件整体温度进一步上升，器件此时的导通电阻变成正温度系数，器件的整体电阻将随温度增加逐渐增大，这时器件Id将逐渐减小。所以，整个抗短路能力测试期间，Id先增加后下降。此外，测试发现，当脉冲宽度增加到一定程度，Id在关断下降沿出现拖尾，即器件关断后漏极电流仍需要一定的时间才能恢复到0A。在研究中发现当Id拖尾到达约12A左右之后，进一步增大脉冲宽度，器件将损坏，并伴随器件封装爆裂。所以针对这款器件的抗短路测试，定义Tsc为器件关断时漏极电流下降沿拖尾到达10A时的脉冲时间长度。Tsc越长，代表器件的抗短路能力越强。测试发现，低温有助于器件抗短路能力的提升，原因是因为，低的初始温度意味着需要更多的时间才能使器件达到Id峰值。仿真发现，器件抗短路测试失效模式主要有两种：1、器件承受高压大电流的过程中，局部高温引起漏电流增加，触发了器件内部寄生BJT闩锁效应，栅极失去对沟道电流的控制能力，器件内部电流局部集中发生热失效，此时的表现主要是器件的Id电流突然上升，器件失效；2、器件温度缓慢上升时，导致器件内部材料性能恶化，比如栅极电极或者SiO2/Si界面处性能失效，主要表现为器件测试过程中Vgs陡降，此时，器件的Vds若未发生进一步损坏仍能承受耐压，只是器件Vgs耐压能力丧失。上述两种失效模式都是由于温度上升引起，所以要提升器件的抗短路能力就是要控制器件内部温度上升。仿真发现导通时最高温区域主要集中于高电流密度区域（沟道部分）及高电场区域（栅氧底部漂移区）。因此，要提升器件的抗短路能力，要着重从器件的沟道及栅氧下方漂移区的优化入手，降低电场峰值及电流密度，此外改善栅氧的质量将起到决定性的作用。2） 抗短路测试方法二：图4.5 抗短路能力测试方法二的测试结果波形如图4.5，抗短路测试方法二的测试过程中DUT器件会经历三个阶段：（1）漏源电压Vds低，Id电流上升：当负载被短路时，大电流涌向DUT器件，此时电路中仅包含L_sc和L_par杂散电感，DUT漏源电压较低，Vdc电压主要分布在杂散电感上，所以Id电流以di/dt=Vdc/（L_sc+L_par）的斜率开始上升。随着Id增加，因为DUT器件的漏源之间的寄生电容Cgd，会带动栅压上升，此时更加促进Id电流的增加，形成一个正循环，Id急剧上升。（2）Id上升变缓然后开始降低，漏源电压Vds上升：Id上升过程中，Vds漏源电压开始增加，导致Vdc分压到杂散电感上的电压降低，导致电流上升率di/dt减小，Id上升变缓，当越过Id峰值后，Id开始下降，-di/dt使杂散电感产生一个感应电压叠加在Vds上导致Vds出现一个峰值。Vds峰值在Id峰值之后。（3）Id、Vds下降并恢复：Id，Vds均下降恢复到抗短路测试一的高压高电流应力状态。综上所述，抗短路测试方法一的条件比方法一的更为严厉和苛刻。3） 抗短路测试方法三：图4.6 抗短路能力测试方法二的测试结果波形如图4.6，抗短路测试方法三的波形与方法二的波形几乎一致，仅仅是在Vds电压上升初期有一个小的电压峰（如图4.6中红圈），这是与器件发生抗短路时的初始状态相关的。因为方法三中器件初始状态出于栅压开启，Vds为反偏的状态，所以器件内部载流子是耗尽的。此时若器件Vds转为正向开通则必然发生一个载流子充入的过程，引发一个小小的电压峰，这个电压峰值是远小于后面的短路电压峰值的。除此以外，器件的后续状态与抗短路测试方法二的一致。一般来说，在电机驱动应用中，开关管的占空比一般比续流二极管高，所以是二极管续流结束后才会开启开关管的栅压，这种情况下，只需要考虑仅开关管开通时的抗短路模式，则第二种抗短路模式的可能性更大。然而，当一辆机车从山上开车下来，电动机被用作发电机，能量从车送到电网。续流二极管的占空比比开关管会更高一点，这种操作模式下，如果负载在二极管续流且开关管栅压开启时发生短路，则会进行抗短路测试模式三的情况。改进抗短路失效模式二及三的方法，是通过给开关器件增加一个栅极前钳位电路，在Id上升通过Cgd带动栅极电位上升时，钳位电路钳住栅极电压，就不会使器件的Id上升陷入正反馈而避免电流的进一步上升。试验目标：常温下，令Vdc=600V，通过控制Vgs控制SiC MOSFET的开通时间，从2μs开通时间开始以1μs为间隔不断增加器件的开通时间，直至器件损坏，测试过程中保留测试曲线。需要注意的是，在测试过程中，每测量一个脉冲宽度的短路波形，需要间隔足够长的时间，以消除前一次短路测试带来的器件温度上升对后一次测试的器件初始温度的影响，保证每次测试初始温度的准确。试验步骤：搭建抗短路能力测试电路。将器件安装与测试电路中，保持栅压为0。通过驱动电路设置器件的开通时间，给器件一个t0=2μs时间的栅源脉冲电压，使器件开通t0时间，观察器件上的电流电压曲线，判断器件是否能够承受2μs的短路开通并不损坏；如未损坏，等待足够长时间以确保器件降温至常温状态，设置驱动电路使器件栅源电压单脉冲时间增加1us，再次开通，观察器件是否能够承受3μs的短路开通并不损坏。循环反复直至器件发生损坏。试验标准：器件被打坏前最后一次脉冲时间长度即为器件的短路时长Tsc。整个短路时长期间，器件所承受的能量为器件的短路能量Esc。4.3 浪涌试验目的：把样品暴露在空气干燥的恒温环境中，对器件施加半正弦正向高电流脉冲，使器件在瞬间发生损坏，观测元器件在高电流密度下的耐受能力。试验原理：下面以SiC二极管为例，给出了器件承受浪涌电流测试时的器件内部机理。器件在浪涌应力下的瞬态功率由流过器件的电流和器件两端的电压降的乘积所决定，电流和压降越高，器件功率耗散就越高。已知浪涌应力对器件施加的电流信号是固定的，因此导通压降越小的器件瞬态功率越低，器件承受浪涌的能力越强。当器件处于浪涌电流应力下，电压降主要由器件内部寄生的串联电阻承担，因此我们可以通过降低器件在施加浪涌电流瞬间的导通电阻，减小器件功率、提升抗浪涌能力。a）给出了4H-SiC二极管实际浪涌电流测试的曲线，图4.7 a）曲线中显示器件的导通电压随着浪涌电流的上升和下降呈现出“回滞”的现象。图4.7 a）二极管浪涌电流的实测曲线； b）浪涌时温度仿真曲线浪涌过程中，器件的瞬态 I-V 曲线在回扫过程中出现了电压回滞，且浪涌电流越高，器件在电流下降和上升过程中的压降差越大，该电压回滞越明显。当浪涌电流增加到某一临界值时，I-V 曲线在最高压降处出现了一个尖峰，曲线斜率突变，器件发生了失效和损坏。器件失效后，瞬态 I-V 曲线在最高电流处出现突然增加的毛刺现象，电压回滞也减小。引起SiC JBS二极管瞬态 I-V 曲线回滞的原因是，在施加浪涌电流的过程中，SiC JBS 二极管的瞬态功率增加，但散热能力有限，所以浪涌过程中器件结温增加，SiC JBS 二极管压降也发生了变化，产生了回滞现象。在每次对器件施加浪涌电流过程中，随着电流的增加，器件的肖特基界面的结温会增加，当电流降低接近于0时结温才逐渐回落。在浪涌电流导通的过程中，结温是在积累的。由于电流上升和下降过程中的结温的差异，导致了器件在电流下降过程的导通电阻高于电流在上升过程中导通电阻。这使得电流下降过程 I-V 曲线压降更大，从而产生了在瞬态 I-V 特性曲线电压回滞现象。浪涌电流越高，器件的肖特基界面处的结温越高，因此导通电阻就越大，而回滞现象也就越明显。为了分析器件在 40 A 以上浪涌电流下的瞬态 I-V 特性变化剧烈的原因，使用仿真软件模拟了肖特基界面处温度随电流大小的变化曲线，如图4.7 b)所示，在 40 A 以上浪涌电流下，结温随浪涌电流变化非常剧烈。器件在 40 A 浪涌电流下，最高结温只有 358 K。但是当浪涌电流增加到60 A 时，最高结温已达1119 K，这个温度足以对器件破坏表面的肖特基金属，引起器件失效。图4.7 b)中还可以得出，浪涌电流越高，结温升高的变化程度就越大，56 A 和 60 A 浪涌电流仅相差 4 A，最高结温就相差 543 K，最高结温的升高速度远比浪涌电流的增加速度快。结温的快速升高导致了器件的导通电阻迅速增大，正向压降快速增加。因此，电流上升和下降过程中，器件的导通压降会更快速地升高和下降，使曲线斜率发生了突变。器件结温随着浪涌电流的增大而急剧增大，是因为它们之间围绕着器件导通电阻形成了正反馈。在浪涌过程中，随着浪涌电流的升高，二极管的功率增加，产生的焦耳热增加，导致了结温上升；另一方面，结温上升，导致器件的导通电阻增大，压降进一步升高。导通电压升高，导致功率进一步增加，使得结温进一步升高。因此器件的结温和电压形成了正反馈，致使结温和压降的增加速度远比浪涌电流的增加速度快。当浪涌电流增加到某一临界值时，触发这个正反馈，器件就会发生失效和损坏。长时间的重复浪涌电流会在外延层中引起堆垛层错生长，浪涌电流导致的自热效应会引起顶层金属熔融，使得电极和芯片之间短路，还会导致导通压降退化和峰值电流退化，并破坏器件的反向阻断能力。金属Al失效是大多数情况下浪涌失效的主要原因，应该使用鲁棒性更高的材料替代金属Al，以改善SiC器件的高温特性。目前MOS器件中，都没有给出浪涌电流的指标。而二极管、晶闸管器件中有这项指标。如果需要了解本项目研发的MOSFET器件的浪涌能力，也可以搭建电路实现。但是存在的问题是，MOS器件的导通压降跟它被施加的栅压是相关的，栅压越大，导通电阻越低，耐浪涌能力越强。如何确定浪涌测试时应该给MOSFET施加的栅压，是一个需要仔细探讨的问题。试验目标：我们已知浪涌耐受能力与器件的导通压降有关，但目前无法得到明确的定量关系。考虑到目标器件也没有这类指标的参考，建议测试时，在给定栅压下（必须确保器件能导通），对器件从低到高依次施加脉冲宽度为10ms或8.3ms半正弦电流波，直到器件发生损坏。试验步骤：器件安装在测试台上后，器件栅极在给定栅压下保持开启状态。通过测试台将导通电流设置成10ms或8.3ms半正弦电流波，施加在器件漏源极间。逐次增加正弦波的上限值，直至器件被打坏。试验标准：器件被打坏前的最后一次通过的浪涌值即为本器件在特定栅压下的浪涌指标值。以上内容给出了本项目研发器件在复合应力及极端条件下的可靠性测试方法，通过这些方法都是来自于以往国际工程经验和鉴定意见，可以对被测器件的可靠性有一个恰当的评估。但是，上述方法都是对测试条件和测试原理的阐述，如何通过测试结果来评估器件的使用寿命，并搭建可靠性测试条件与可靠性寿命之间的桥梁，就得通过可靠性寿命评估模型来实现。

2015年4月22日，中国科学仪器行业的&ldquo 达沃斯论坛&rdquo &mdash &mdash 2015 (第九届)中国科学仪器发展年会(ACCSI 2015)在北京京仪大酒店召开。&ldquo 2014年度科学仪器优秀新产品&rdquo 评选是历年中国科学仪器发展年会的重要活动之一。旨在将2014年在中国仪器市场上推出的、创新性突出的国内外仪器产品全面、公正、客观的展现给广大的国内用户。本次新品评选中，有253家国内外仪器厂商共587台仪器进行初评，依据仪器的创新点、市场前景、用户评价等评审，最终由166台仪器新品入围，入围几率约28.3%。入围名单进行10天公示后，邀请了超过60余位业内资深专家按照严格的评审程序进行网上评议，对入围的新品逐一进行打分、推荐并提交评审意见，最终评选出26台仪器新品获奖，获奖率约4.4%。 布鲁克公司的UMT-TriboLab机械性能与摩擦测试仪脱颖而出，获得了本次科学仪器优秀新品奖。布鲁克纳米表面仪器部TMT产品亚太区产品经理李念青先生出席了本次年会并代表纳米表面仪器部领取了优秀新产品奖。亚太区TMT产品经理李念青先生上台领奖公司网址：www.bruker.com/cn邮箱地址：sales.asia@bruker-nano.com联系电话：400 890-5666 【获奖产品介绍】UMT-TriboLab机械性能与摩擦测试仪§ 首次实现免工具更换功能模块及功能模块自动识别： 遵从模块化和通用性的效率原则，TriboLab可根据需要添加附件到标准驱动上，提供最大的灵活性。TriboLab通过更换模块即可实现几乎所有摩擦学测试，包括旋转、线性、往复及环块等运动方式，及温度、湿度、气氛和液体腔等环境控制。TriboLab通过专利的内置识别芯片，实现免工具驱动更换，自动匹配，TriboID组件自动识别的功能，极大提高使用效率和减小配置文件错误的可能。§ 新设计的高效TriboScrip可视化试验设计软件： TriboScript软件简化了测试脚本编写、数据分析和报告输出，提升了效率。通过与测试硬件上TriboID芯片的互动，TriboScript&ldquo 了解&rdquo 配置，优化菜单，在菜单上只显示活动的功能。与其它测试工具需要用户费力地编写脚本不同，TriboScript采用了一个简单的、可视化的用户界面。简单地将图标拖放到工作区，再将几个图标嵌套在一起，您就可得到一个完整的测试脚本。用户几乎不可能犯致命的错误，因为只有相互兼容的图标才可能连接在一起。另外，系统会提示任何所需的变量，例如速度或力。通过TriboScrip软件，可以使TriboLab成为最简单易用、最有效的实验机。§ 最低噪音水平的力学传感器及各种先进传感器提供了试验最全面的数据： &ldquo 黄金&rdquo 系列传感器具有业界领先的噪音水平，传感器的测量范围从1毫牛到2千牛，给客户提供高度准确、高度可重复的测试数据。仪器还预留了六个传感器端口集成到测试程序，可以实时监测并记录包括摩擦噪声、摩擦配副间电阻、摩擦配副的电容等信号。这些额外变量的测量，结合横向力的变化，可以帮助研究者更深地了解研究区域的动态变化。 请点击进入了解更多产品信息！

2019年3月16-17日，由榆林市化学化工学会主办的“2019年国产仪器展览暨分析测试仪器应用技术研讨会”在陕西榆林学院成功举办，聚光科技（杭州）股份有限公司（以下简称“聚光科技”）下属子公司北京吉天仪器有限公司（以下简称“吉天仪器”）应邀参加了本次展览会并在研讨会现场做会议报告。研讨会现场　　为期两天的研讨会中，吉天仪器的产品得到了特邀报告专家的青睐和肯定，并在报告中对吉天仪器的产品给予了高度称赞。特别是陕西省环境监测中心站的张宇工程师在《原子吸收法测定重金属元素的应用》报告中对吉天仪器在售的“ICP-5000电感耦合等离子体发射光谱仪”及“Expec 7000电感耦合等离子体质谱仪”评价颇高，他指出与进口仪器相比，吉天仪器在售的ICP-5000具有性能好，成本低、检测元素多等优势，特别是车载ICP-MS更是具有抗震性好，能快速应对突发检测等优势。陕西省出入境检验检疫局孔祥虹主任在《食品安全关键检测技术》的报告中对样品提取方法的种类选择上对吉天仪器在售的全自动样品消解工作站也不住称赞。陕西省环境监测中心站的张宇工程师做报告陕西省出入境检验检疫局孔祥虹主任做报告　　吉天仪器参会人员在研讨会上做了“最具规模的综合服务供应商-吉天仪器19年耕耘路”的专题报告。报告介绍吉天仪器与聚光科技的隶属关系，并就吉天仪器的六大产品线做了详细介绍，在场客户对吉天仪器及其产品线有了更深入的认识。报告中也着重强调了吉天仪器的售后服务介绍，指出吉天仪器是国内首家引入第三方服务评估体系的仪器厂商。由第三方专业评估机构对每一次售后服务工作进行用户满意度调查，使得用户满意度测评结果更加专业、更加真实。新的售后服务体系实行至今，售后服务部已经连续3年达到用户满意度＞95%的用户好评，吉天仪器完善的售后服务解决了用户的后顾之忧。吉天仪器参会人员做会议报告　　各位老师精彩的报告，吸引了众多与会嘉宾前往吉天仪器展台参观交流。现场展出的“Kylin(麒麟)系列原子荧光光度计、SA-50液相色谱-原子荧光联用仪（形态分析仪）、iFIA7全自动多参数流动注射分析仪”以及“Mars-400 Plus便携式气相色谱-质谱联用仪”获得了客户的一致好评，吉天仪器现场工程师也就仪器的原理和性能等与参会老师进行了深入交流。吉天仪器展台获与会专家客户的高度关注吉天仪器六大产品线　　吉天仪器竭诚为广大客户提供优质完备的售前和售后服务。愿与全国的广大客户共同努力，为建设创新型国家，发展我国的科学仪器贡献力量。同时也欢迎新老用户到吉天仪器参观交流！

1.塌陷温度Tc定义：塌陷温度 （Tc）是产品粘度降低到无法支撑自身的三维结构的临界温度。检测设备：冻干显微镜方法简介：冻干显微镜是一台“微型冷冻干燥机”，测量过程模拟冷冻干燥过程，在一个特殊的冷冻干燥阶段利用受控的低压条件，允许水蒸气从样品中升华。冻干显微镜是在光学显微镜下观察特定样品或制剂的结构。除了能够确定塌陷温度 （Tc），Biopharma Lyostat5 冻干显微镜还能够测定共晶熔化温度 (Tm)，识别结晶现象、表皮/结皮形成以及退火对冰晶生长的影响和溶质结构。 2.玻璃态转变温度（Tg’）定义：玻璃态转变温度（glasstransition temperature，Tg）是无定形的冻结混合物从脆性状态变为柔性状态的临界温度。检测设备：Lyotherm3冷冻状态分析仪（灵敏度更高）/DSC方法简介：Lyotherm是最新的分析技术、阻抗分析(Impedance analysis)与传统差热分析(Differential thermal analysis, DTA)的独特组合。该仪器可以识别样品中的电和热变化，通过结合差热分析 (DTA) 和阻抗分析来得到Tg' ，这使得研究者可以更完整地了解样品的热和电特性。这些技术使用两种不同的视角来增强分析数据，为分析提供额外的维度，从而允许使用者进行更详细和更准确的分析。● 电阻抗：阻抗（Zsinφ）是一个将电容、电感和电阻信息相结合，组成的与样品内分子迁移率相关的指标。阻抗的变化可以识别样品软化、稳定化、结晶、玻璃化转变、熔化和其他相变。● DTA：通过将比较样品温度与参考物温度来识别关键事件的热分析方法。对放热/吸热、玻璃化转变和熔化事件的识别收集了有关阻抗事件的更多信息。方法比较：聚合物在发生玻璃化转变时，力学性能、比热、比热容等发生变化, 因此玻璃转化温度可以通过差示扫描量热法（DSC）、调制差示扫描量热法（MDSC）、热机械分析法（TMA）、动态热机械分析（DMA）来检测 目前药物的Tg’常用DSC来进行检测，它测量的是伴随玻璃化转变的热容变化。但软化和等温相变，或非常小的热足迹的相变，就其性质而言用热分析技术很难看到。然而，大多数相变都伴随着分子迁移率的变化，这是由于物理或化学重新定向导致溶液中的电感、电容和电阻中的一种或多种产生大的波动。由于电阻和热技术的协作，Lyotherm可在复杂的解决方案中发现更多的事件，并且经常比DSC识别更多信息。3.固体玻璃态转变温度Tg定义：材料从硬脆的玻璃态转变为柔软的，类似橡胶的高弹态时的温度。检测设备：DSC方法简介：通过程序控制温度的变化，在温度变化的同时，测量试样和参比物的功率差(热流率)与温度的关系，进而得到测试材料的玻璃化转变温度。4.共晶温度Teu/共熔温度Tm定义：制品预冻过程中，对于结晶体系，随着温度降低，当制品达到冰点以下时，体系中形成冰核，冰核逐渐增长，其余溶液中溶质的浓度逐渐提高，并在达到过饱和时析出结晶，温度持续降低直至剩余溶液完全固化为冰和溶质的结晶混合体，此时的温度即为共晶点。制品干燥过程中，随温度逐渐升高，完全凝固的溶质和溶剂开始融化，此时温度即为共熔点。检测设备：1. DSC（常用）2.冷冻状态分析仪Lyotherm方法简介：1. 差示扫描量热法，通过程序控制温度的变化，在温度变化的同时，测量试样和参比物的功率差(热流率)与温度的关系，进而得到测试材料的共晶共熔温度。 冷冻状态分析仪Lyotherm采用差热分析法（DTA）法是利用制品在冻结（或融化）时，因放热（或吸热）而使其自身温度发生变化。根据物料的这种物理现象，测得制品的共晶点（共熔点）5.冻干饼/冻干珠机械强度检测检测设备：Micropress机械强度测试仪方法简介：MicroPress是一种可以原位定量测定冻干饼强度和物理特性的仪器。通过设置参数和分析方法，MicroPress将能够分析您的冻干饼和冻干珠机械强度。通过机械挤压样品，测得应力和应变数据，从而获得杨氏模量和破坏时的*应力。研究杨氏模量和破坏时的*应力的意义:● 冻干珠/冻干蛋糕在运输过程中保持完好。● 筛选合适的工艺条件(例如在冷冻过程中使用的冷却速度)。● 筛选合适的辅料成分，使蛋糕更坚固耐用。● 蛋糕属性的定量测量可以用于比较，批内/批间一致性。● 对技术转移和放大至关重要。● 为遵循QbD方法的法规文件提供丰富数据支持。 6.莱奥德创冻干课程关注“莱奥德创冻干工场”官方公众号，获取冻干讲堂线上培训课程。莱奥德创冻干工场上海莱奥德创生物科技有限公司由德祥科技有限公司创办，专注于提供先进的冻干设备应用和制剂开发相关服务。莱奥德创冻干工场专注于提供先进的冻干设备应用和制剂开发相关服务，致力于促进中国生物医药技术创新升级，助力中国大健康行业的持续发展。基于对于冻干研发的一些考量，莱奥德创创建了金字塔冻干培训平台：包含了从冻干理论基础，到配方和工艺开发，再到放大及生产，以及进阶的设备管理和线上线下专题培训课程。课程结合了来自Biopharma的冻干理论培训课程体系、来自于莱奥德创产品经理及应用工程师的实践经验总结及国内外专家的专题培训内容。课程获取方式Step 1：关注公众号搜索关注“莱奥德创冻干工厂”公众号Step 2：点击菜单栏“冻干讲堂” Step 3：点击你感兴趣的课程Banner Step 4：开始学习7、寻求冻干服务解决方案？莱奥德创还专注于提供先进的冻干设备应用和制剂开发相关服务。提供冻干前后产品性能测试，配方和工艺开发，冻干工艺优化，冻干工艺转移/放大，小批量冻干生产，金字塔冻干系统培训等全方位冻干相关服务。

前言： 粉体综合特性测试仪，作为粉体研究领域的得力助手，以其全面、准确的测试功能，为科研工作者提供了深入了解和掌握粉体特性的重要工具。下面，我们将从多个方面详细阐述粉体综合特性测试仪的作用。 产品链接https://www.instrument.com.cn/netshow/SH104275/C550224.htm 一、全面检测粉体特性 粉体综合特性测试仪能够全面检测粉体的各项特性，包括粒度分布、比表面积、堆积密度等关键参数。这些特性是粉体性能和应用效果的重要影响因素，通过全面检测，科研人员可以深入了解粉体的物理和化学性质，为材料研究和应用提供有力支持。 二、优化粉体加工过程 粉体综合特性测试仪能够准确评估粉体在加工过程中的性能表现，如流动性、分散性、压缩性等。这些数据可以帮助科研人员优化粉体的生产工艺，提高生产效率，同时保证产品质量。此外，测试仪还可以用于评估不同粉体之间的相容性，为混合和配方设计提供指导。 三、保障粉体应用安全 粉体综合特性测试仪在粉体应用安全方面发挥着重要作用。通过对粉体的毒性、易燃性、易爆性等安全性能的测试，可以确保粉体在储存、运输和使用过程中的安全。同时，测试仪还可以帮助科研人员及时发现潜在的安全风险，为预防和控制安全事故提供有力支持。 四、推动粉体领域发展 粉体综合特性测试仪的广泛应用，不仅提高了粉体研究和应用的水平，还推动了整个粉体领域的发展。通过不断深入研究粉体的特性和行为，科研人员可以开发出更多具有优异性能的新材料，拓展粉体在各个领域的应用范围。 总结： 粉体综合特性测试仪在粉体研究领域具有不可替代的作用。它能够全面检测粉体特性、优化加工过程、保障应用安全，并推动粉体领域的发展。随着科技的不断进步和应用的不断拓展，粉体综合特性测试仪将为粉体研究和应用带来更多的可能性。

纽扣撞击强度测试仪︳纽扣撞击强力测试仪︳标准集团品质供应︳咨询电话：13671843966纽扣撞击强度测试仪，又称纽扣撞击强力测试仪，是通过检测塑钮、胶钮的抗撞击阻力从而检测所有类型纽扣（直径10mm或以上）在服装制造或日常使用过程中对强拉或撞击的承载能力的仪器。标准集团（香港）有限公司自主研发的Gellwoen G289 纽扣撞击强度测试仪是严格符合ASTM D5171标准的纽扣测试仪器。测试时，将质量为0.84kg（29.5oz）重物从67mm（2.625英寸）或其他规定高度（至多200mm（8英寸））落下，以纽扣的破裂程度作为考核。该仪器包括一个轴承套，其内配合一个标准质量的冲击头，用于从指定高度下落以冲击纽扣试样。纽扣依据其莱尼尺寸放置于底座金属平台的中心位置，并用定位夹具夹持，冲击强度由重物的质量和下落的高度来评估。详情请访问：http://www.lalianniukou.com/product/2015/98.html 标准集团（香港）有限公司是一家提供材料测试仪器设备的综合供应商，成立于2003年，公司总部在中国香港，在上海设有分公司，在长沙、武汉、济南、沈阳、成都、杭州等地设有办事处及售后维修中心。上海泛标纺织品检测技术有限公司为标准集团上海分公司，全面负责中国大陆地区的销售和售后服务。一直以来，公司始终坚持引进国际最先进的产品，依赖专业高效的服务团队，整合技术和资源优势，为客户解决科研生产中遇到问题提供支持，从而带动国内科研及相关行业水平的提高。通过个性化的售前产品咨询，高效率的售后安装、维护和维修，专业级的技术支持及应用支持，标准集团正赢得越来越多制造商和客户的双重信赖。24小时服务热线：021-64208466、13671843966或登录：http://www.standard-groups.com/

在双面胶的初粘性测试中，滚球法初粘性测试仪和环形初粘性测试仪是两种常用的测试工具。尽管它们的最终目标都是为了评估双面胶的初粘性，但在测试原理、方法以及结果解读上却存在显著的区别。滚球法初粘性测试仪测试原理：滚球法初粘性测试仪通过在一定角度的斜面上滚动标准尺寸的钢球，以测量钢球在胶粘剂表面滚动时的粘附能力。测试时，钢球从斜面顶部释放，滚过涂有胶粘剂的测试表面，根据钢球滚动的距离来评估初粘性。特点：操作简单，测试速度快。测试结果受环境因素（如温度、湿度）影响较小。适用于各种类型的胶粘剂，包括双面胶。适用场景：适用于需要快速评估初粘性的生产环境。适用于胶粘剂的初步筛选和质量控制。环形初粘性测试仪测试原理：环形初粘性测试仪通过将一定直径的环形试样放置在胶粘剂表面，然后以一定速度提起试样，测量胶粘剂粘附环形试样所需的力。测试时，环形试样与胶粘剂接触，然后以恒定速度提起，直至环形试样脱离胶粘剂表面。特点：测试结果更精确，可以量化粘附力。适用于测量特定类型的胶粘剂，尤其是双面胶。测试过程可能受环境因素影响较大。适用场景：适用于需要精确测量粘附力的实验室环境。适用于双面胶的详细性能评估和研究。区别总结测试原理：滚球法侧重于通过钢球滚动的距离来评估初粘性，而环形法则通过测量提起环形试样所需的力来评估。操作复杂度：滚球法操作简单，环形法则可能需要更精确的操作和设备设置。测试速度：滚球法测试速度快，环形法可能需要更多时间来准备和执行测试。环境影响：滚球法结果受环境影响较小，环形法则可能更敏感于温度和湿度变化。结果精确度：环形法可以提供更精确的粘附力数值，而滚球法则提供相对的粘附性评估。适用性：滚球法适用于快速筛选和质量控制，环形法则适用于详细的性能评估和研究。测试成本：滚球法设备通常成本较低，环形法则可能需要更高级的设备。在选择测试双面胶初粘性的设备时，需要根据具体的测试需求、预算和测试环境来决定使用哪种测试仪。每种测试仪都有其优势和局限性，理解这些区别有助于选择最适合的测试方法。

近日，国家标准化管理委员会下达2020年第四批推荐性国家标准计划。本批计划共计524项，其中制定340项、修订184项，推荐性标准517项，指导性技术文件7项。本批524项国家标准计划中，涉及颗粒测试与无损检测仪器，以及试验机等物性测试仪器；色谱、质谱、光谱等多种分析仪器；汽车、半导体与集成电路、增材制造等行业。小编按分类整理如下：颗粒测试序号计划号项目名称标准性质制修订代替标准号采用国际标准项目周期（月）归口单位起草单位3220204663-T-491微细气泡技术 微细气泡使用和测量通则 第1 部分：术语推荐制定ISO 20480-1:201718全国微细气泡技术标准化技术委员会中国科学院过程工程研究所等25220204883-T-469颗粒 激光衍射粒度分析仪 通用技术要求推荐制定24全国颗粒表征与分检及筛网标准化技术委员会中国计量科学研究院等37120205002-Z-469Zeta 电位测量操作指导原则指导制定ISO/TR 19997:201812全国颗粒表征与分检及筛网标准化技术委员会上海第二工业大学、山东理工大学等41520205046-T-606离子交换树脂粒度、有效粒径和均一系数的测定推荐修订GB/T 5758-200118全国塑料标准化技术委员会江苏苏青水处理工程集团有限公司、西安热工研究院有限公司无损检测仪器序号计划号项目名称标准性质制修订代替标准号采用国际标准项目周期（月）归口单位起草单位5220204683-T-604无损检测仪器 相控阵超声设备的性能与检测 第3 部分：组合系统推荐制定ISO 18563-3:201518全国试验机标准化技术委员会汕头市超声仪器研究所有限公司、广东汕头超声电子股份有限公司超声仪器分公司5320204684-T-604无损检测仪器 相控阵超声设备的性能与检验 第2 部分：探头推荐制定ISO 18563-2:201718全国试验机标准化技术委员会广东汕头超声电子股份有限公司超声仪器分公司、汕头市超声仪器研究所有限公司5420204685-T-604无损检测仪器 相控阵超声设备的性能与检验 第1 部分：仪器推荐制定ISO 18563-1:201518全国试验机标准化技术委员会广东汕头超声电子股份有限公司超声仪器分公司、汕头市超声仪器研究所有限公司24820204879-T-469铸钢件 超声检测 第2部分：高承压铸钢件推荐修订GB/T7233.2-2010ISO 4992-2:202018全国铸造标准化技术委员会沈阳铸造研究所有限公司24920204880-T-469铸钢件 超声检测 第1部分：一般用途铸钢件推荐修订GB/T7233.1-2009ISO 4992-1:202018全国铸造标准化技术委员会沈阳铸造研究所有限公司30020204931-Z-469无损检测 自动超声检测总则指导制定ISO/TS 16829:201718全国无损检测标准化技术委员会武汉中科创新技术股份有限公司、上海材料研究所等30220204933-T-469筒形锻件内表面超声波检测方法推荐修订GB/T 22131-200818全国锻压标准化技术委员会北京机电研究所有限公司、二重（德阳）重型装备公司等试验机测试方法序号计划号项目名称标准性质制修订代替标准号采用国际标准项目周期（月）归口单位起草单位13720204768-T-605金属材料 蠕变及蠕变-疲劳裂纹扩展速率测定方法推荐制定24全国钢标准化技术委员会华东理工大学、钢研纳克检测技术股份有限公司等13820204769-T-605金属材料 疲劳试验 应变控制拉-扭热机械疲劳试验方法推荐制定24全国钢标准化技术委员会北京工业大学等20220204833-T-610铝合金断裂韧度试验方法推荐制定24全国有色金属标准化技术委员会西南铝业（集团）有限责任公司、国标（北京）检验认证有限公司等分析仪器检测方法序号计划号项目名称标准性质制修订代替标准号采用国际标准项目周期（月）归口单位起草单位3420204665-T-491纳米技术 表面增强拉曼固相基片均匀性测定 拉曼成像法推荐制定24全国纳米技术标准化技术委员会苏州天际创新纳米技术有限公司、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州大学等14820204779-T-605石墨材料 当量硼含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法推荐制定24全国钢标准化技术委员会中钢集团新型材料（浙江）有限公司、冶金工业信息标准研究院等14920204780-T-605石灰石及白云石化学分析方法 第12部分：氧化钾和氧化钠含量的测定 火焰原子吸收光谱法推荐制定24全国钢标准化技术委员会鞍钢股份有限公司15020204781-T-605钨铁钴、镍、铝含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法推荐制定24全国生铁及铁合金标准化技术委员会江西省钨与稀土产品质量监督检验中心、赣州江钨钨合金有限责任公司等15120204782-T-605锰铁、锰硅合金、氮化锰铁和金属锰 锰、硅、磷和铁含量的测定 波长色散X 射线荧光光谱法(熔铸玻璃片法)推荐制定24全国生铁及铁合金标准化技术委员会广东韶钢松山股份有限公司、武汉科技大学、冶金工业信息标准研究院15420204785-Z-605铁矿石 波长色散X 射线荧光光谱仪 精度的测定指导制定ISO/TR 18231:201618全国铁矿石与直接还原铁标准化技术委员会广州海关技术中心18720204818-T-609玻璃纤维及原料化学元素分析方法 电感耦合等离子体发射光谱（ICP-OES）法推荐制定24全国玻璃纤维标准化技术委员会南京玻璃纤维研究设计院有限公司18820204819-T-609玻璃纤维及原料化学元素的测定 X 射线荧光光谱法推荐制定24全国玻璃纤维标准化技术委员会南京玻璃纤维研究设计院有限公司35620204987-T-469金矿石化学分析方法 第15 部分：铜、铅、锌、银、铁、锰、镍、钴、铝、铬、镉、锑、铋、砷、汞、硒、钡和铍含量的测定 电感耦合等离子体质谱法推荐制定24全国黄金标准化技术委员会紫金矿业集团股份有限公司、长春黄金研究院有限公司等37920205010-T-607化妆品中功效组分虾青素的测定 高效液相色谱法推荐制定24全国香料香精化妆品标准化技术委员会北京市产品质量监督检验院39320205024-T-607皮革 化学试验 热老化条件下六价铬含量的测定推荐制定ISO 10195:201818全国皮革工业标准化技术委员会嘉兴市皮毛和制鞋工业研究所、中轻检验认证有限公司41420205045-T-606水处理剂分析方法 第1部分：磷含量的测定推荐制定24全国化学标准化技术委员会中国石油天然气股份有限公司乌鲁木齐石化分公司等47720205108-T-326土壤质量 土壤中22 种元素的测定 酸溶-电感耦合等离子体质谱法推荐制定18全国土壤质量标准化技术委员会中国科学院南京土壤研究所、中国环境科学研究院等48020205111-T-334珠宝玉石鉴定 红外光谱法推荐制定24全国珠宝玉石标准化技术委员会国家黄金钻石制品质量监督检验中心、国家珠宝玉石质量监督检验中心等48120205112-T-334珠宝玉石鉴定 紫外可见吸收光谱法推荐制定全国珠宝玉石标准化技术委员会自然资源部珠宝玉石首饰管理中心（国家珠宝玉石质量监督检验中心）汽车试验方法序号计划号项目名称标准性质制修订代替标准号采用国际标准项目周期（月）归口单位起草单位48920205120-T-339道路车辆 安全玻璃材料电加热玻璃试验方法推荐制定ISO 17449:201518全国汽车标准化技术委员会中国建材检验认证集团股份有限公司、福耀玻璃工业集团股份有限公司等49120205122-T-339汽车通过性试验方法推荐修订GB/T 12541-199018全国汽车标准化技术委员会中国人民解放军63969 部队、中国汽车研究中心有限公司等49320205124-T-339汽车列车性能要求及试验方法推荐修订GB/T 26778-201118全国汽车标准化技术委员会中国汽车技术研究中心有限公司、交通运输部公路科学研究院等49420205125-T-339乘用车后部交通穿行提示系统性能要求及试验方法推荐制定24全国汽车标准化技术委员会中国第一汽车股份有限公司、中国汽车技术研究中心有限公司等49520205126-T-339乘用车车门开启预警系统性能要求及试验方法推荐制定24全国汽车标准化技术委员会吉利汽车研究院有限公司、中国汽车技术研究中心有限公司半导体与集成电路序号计划号项目名称标准性质制修订代替标准号采用国际标准项目周期（月）归口单位起草单位20620204837-T-610半导体封装用键合金及金合金丝推荐修订GB/T 8750-201418全国有色金属标准化技术委员会北京达博有色金属焊料有限责任公司20820204839-T-339集成电路 电磁抗扰度测量 第4部分：射频功率直接注入法推荐制定IEC 62132-4:200618全国半导体器件标准化技术委员会中国电子技术标准化研究院、北京智芯微电子科技有限公司等20920204840-T-339静电放电敏感度试验 传输线脉冲 器件级推荐制定IEC 62615:201018全国半导体器件标准化技术委员会苏州泰思特电子科技有限公司、中国电子技术标准化研究院等21020204841-T-339集成电路 电磁发射测量第4部分：传导发射测量1Ω/150Ω直接耦合法推荐制定IEC 61967-4:200618全国半导体器件标准化技术委员会中国电子技术标准化研究院、北京智芯微电子科技有限公司等21520204846-T-339半导体器件 机械和气候试验方法 第37部分：使用加速度计进行板级跌落试验方法推荐制定IEC 60749-37:200818全国半导体器件标准化技术委员会中国电子科技集团公司第十三研究所等21620204847-T-339半导体器件 机械和气候试验方法 第40部分：采用应变仪的板级跌落试验方法推荐制定IEC 60749-40:201118全国半导体器件标准化技术委员会中国电子科技集团公司第十三研究所等26020204891-T-469硅片表面光泽度的测试方法推荐制定24全国半导体设备和材料标准化技术委员会浙江金瑞泓科技股份有限公司、天津中环领先材料技术有限公司等26120204892-T-469半导体单晶晶体质量的测试 X射线衍射法推荐制定24全国半导体设备和材料标准化技术委员会中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所等34020204971-T-469半导体器件 微机电器件第20部分：陀螺仪推荐制定IEC 62047-20:201418全国微机电技术标准化技术委员会苏州市质量和标准化院等34120204972-T-469硅基MEMS制造技术 微结构弯曲强度检测方法推荐制定24全国微机电技术标准化技术委员会北京大学等34220204973-T-469硅基MEMS制造技术 纳米厚度膜抗拉强度检测方法推荐制定24全国微机电技术标准化技术委员会北京大学等34320204974-T-469硅基MEMS制造技术 纳尺度结构冲击实验方法推荐制定24全国微机电技术标准化技术委员会北京大学等34420204975-T-469半导体器件 微机电器件第26部分：微沟槽和针结构的描述和测量方法推荐制定IEC 62047-26:201618全国微机电技术标准化技术委员会苏州市质量和标准化院等增材制造序号计划号项目名称标准性质制修订代替标准号采用国际标准项目周期（月）归口单位起草单位7520204706-T-604增材制造 工艺参数库构建规范推荐制定24全国增材制造标准化技术委员会南京理工大学、中机生产力促进中心等7620204707-T-604增材制造 定向能量沉积-铣削复合增材制造工艺规范推荐制定24全国增材制造标准化技术委员会华南理工大学、中机生产力促进中心等7720204708-T-604增材制造 材料挤出成形用丙烯腈-丁二烯-苯乙烯（ABS）丝材推荐制定24全国增材制造标准化技术委员会华中科技大学、中机生产力促进中心等7820204709-T-604增材制造 激光定向能量沉积用钛及钛合金粉末推荐制定24全国增材制造标准化技术委员会上海材料研究所、国合通用测试评价认证股份有限公司等20420204835-T-610增材制造用高熵合金粉推荐制定24全国有色金属标准化技术委员会江苏威拉里新材料科技有限公司、中国科学院兰州化学物理研究所

在探讨滚球法初粘性测试仪与环形初粘力测试仪是否检测同一种性能之前，我们首先需要深入理解这两种测试仪器的工作原理、应用场景以及它们各自所侧重测量的物理属性。通过对比分析，我们可以更清晰地认识到两者之间的异同点。一、测试原理与机制滚球法初粘性测试仪工作原理：滚球法初粘性测试仪，顾名思义，是通过观察特定重量的钢球在倾斜的试样表面滚落的最远距离，来评估材料的初粘性。测试时，将试样水平固定在测试台上，上方放置一定质量的钢球，并逐渐调整测试台的倾斜角度，直至钢球开始滚动并记录下滚动的最远距离。这个距离反映了材料表面对钢球的初始粘附能力，即初粘性。机制解析：此方法的核心在于模拟了材料在实际应用中，与轻小物体接触时产生的瞬间粘附效果。它侧重于测量材料表面的动态粘附特性，即在一定条件下，材料表面能够短暂保持接触物体不立即脱落的能力。环形初粘力测试仪工作原理：环形初粘力测试仪则采用了不同的测试原理。它利用一个特定形状和尺寸的环形压头，以恒定的速度或压力压在试样上，随后将环形压头与试样分离，通过测量分离过程中所需的最大力或能量，来量化材料的初粘力。这个过程模拟了材料在受到外力作用时，抵抗分离所需的力学性能。机制解析：环形初粘力测试仪更多地关注于材料表面在静态或准静态条件下的粘附强度，即材料表面与另一物体接触并尝试分离时，所展现出的抵抗分离的能力。这种测试方法对于评估材料的密封性、粘接强度等方面具有重要意义。二、检测性能的差异动态与静态的区分从上述原理可以看出，滚球法初粘性测试仪侧重于测量材料表面的动态粘附特性，即材料在受到外力作用（如倾斜角度变化导致的重力作用）时，表面能够短暂保持接触物体不脱落的能力。而环形初粘力测试仪则更侧重于评估材料在静态或准静态条件下的粘附强度，即抵抗分离所需的最大力或能量。应用场景的不同这两种测试方法的应用场景也因此而有所差异。滚球法初粘性测试仪因其简单快捷、易于操作的特点，广泛应用于胶带、不干胶、保护膜等材料的初粘性评估。它能够有效反映材料在实际使用过程中的粘附表现，为产品质量的控制提供重要依据。而环形初粘力测试仪则更适用于需要精确测量材料粘附强度的场合，如密封材料、粘合剂等领域的研发与质量控制。三、综合分析与结论综上所述，滚球法初粘性测试仪与环形初粘力测试仪虽然都涉及对材料初粘性能的测试，但它们所检测的具体性能并不完全相同。滚球法侧重于材料表面的动态粘附特性，而环形初粘力测试仪则更关注于静态或准静态条件下的粘附强度。因此，在选择测试方法时，应根据具体的应用场景和测试需求来确定使用哪种仪器，以确保测试结果的准确性和可靠性。此外，值得注意的是，随着科技的进步和测试技术的发展，新的测试方法和仪器不断涌现。在实际应用中，我们还可以结合多种测试手段，对材料的粘附性能进行全面、深入的评估，以更好地满足产品研发、质量控制以及市场应用的需求。总之，滚球法初粘性测试仪与环形初粘力测试仪各有其独特的测试原理和应用场景，它们共同构成了材料粘附性能测试领域的重要工具。通过科学合理地选择和使用这些工具，我们可以更加准确地了解材料的粘附性能，为相关领域的研发和创新提供有力支持。

纺织仪器是专门用于检测纺织品的性能的仪器。中国纺织测试仪器的发展历史离不开几家国内早期建立的大公司：温州大荣、宁波纺仪、上海千实。　　1965年，宁波纺织仪器厂成立于宁波，经过50年的发展历史，宁波纺仪成为生产销售纺织检测仪器、纺织实验室、恒温恒湿实验室、高温老化室(房)、洁净室、无菌室、计算机通讯机房等特殊环境工程的规划设计、施工、安装的综合厂家。　　1988年，温州大荣成立，大荣纺仪是一家座落于中国浙江温州的纺织检测仪器生产厂家，主要制造物理性能的纺织品检测仪器。　　温州大荣是GB标准起草单位、AATCC、ASTM等会员单位、中纺机械器材工业协会“常务理事单位”、浙江省“高新技术企业”、并被温州政府授予“科技创新示范单位”、“重点企业”、“先进单位”等。　　大荣仪器以价格合理取得重要的市场占有量，公司经过20多年的发展历史，在仪器的品种、生产、售后各方面拥有强大的综合实力。　　2009年，上海千实精密机电科技有限公司成立于上海，隶属于标准集团(香港)有限公司的子公司，千实专注于纺织检测仪器的研发生产。目前，上海千实在中国地区的总代理为标准集团(香港)有限公司，由其全面负责Qinsun旗下仪器在中国地区的销售业务。　　2009 成立上海千实精密机电科技有限公司，确定进入纺织测试仪器领域并提供相关解决方案。在标准集团的资金和资源支持下迅速崛起。上海千实，不仅可以独立研发生产色牢度、缩水率、耐静水压、纽扣强度、拉链测试、撕破强力、透气性、水平垂直燃烧、起毛起球、摩擦色牢度、耐褶皱、防钻绒、皮革弯曲性等产品，不断适用并跟进最新的标准，广泛适用于GB、ISO、 ASTM、AATCC、BS、EN、DIN、JIS等标准。　　2010 – 2011，招聘技术研发工程师硕士以上学历者达到10人以上，行业资深专家5人以上， 成功研发第一条完整的纺织品检测仪器产品线。　　2012 推出热阻湿阻测试仪和MMT液态水分管理性测试仪。　　2013年，上海千实的产品遍布国内纺织、质检、纤检、出入境检验检疫、第三方检测公司、大专院校等企事业单位、国内外大型的上市公司。　　2014年，逐步将Qinsun品牌推向国际市场。上海千实纺织品检测技术公司产品广泛畅销于越南、印度尼西亚、印度、美国、英国等40多个国家。　　2015年，上海千实纺织品检测技术有限公司重新整合资源，致力于提供材料测试方面的实验室整体解决方案，包括实验室设计、仪器配置、标准培训、实验室认证及售后服务。并为质量检测机构、企业及科研单位提供一流的测试仪器设备。　　综上所述：在中国纺织检测仪器的发展历史进程中，我国国产仪器从无到有，从有到全面，从产品模仿到独立创新，尽管2000年以后国内存在不少企业盲目的粗放性生产，但是我国纺织检测仪器设备的科技含量和检测标准的国际化已经取得了重大的进步。然而，在历史的长河中，宁波纺仪、温州大荣、上海千实qinsun发挥了重要的影响力和价值。　　更多纺织仪器行业新闻：http://www.standard-groups.com

国内标准针对起毛起球测试分类过细, 容易产生混淆 。如 GB/T 4802 . 3 —1997 适用于大多数织物, 仅注明毛针织最适宜 而 GB/ T 4802 . 2 —1997 和 GB/T4802 . 1 —1997 又适用各类纺织物 , 以致于企业在测试时无从选择哪个标准。　　测试原理及条件可以得知 , 翻箱式测试( 包括Orbitor 仪器) 可以在无压力条件下测试 ,而另外两种方法实际在轻微压力下测试, 显然结果是有差异的。　　对于纺织出口企业 , 面临贸易国的标准不同 , 对纺织品起毛起球问题测试实际困难更大 。从多数纺织品进口国的测试方法来看, 一般限于翻箱法和马丁代尔法 ,对于起毛起球性能要求高的纺织品采用后者测试为主,因为此法更接近于人们服用过程。　　国内的纺织品起毛起球测试仪器主要分为: 起球箱起球仪 、马丁代尔起球仪 、圆轨迹起球仪、乱翻式起毛球测试仪、圆轨迹法起毛起球仪、ICI钉锤式勾丝性测试仪6种。现以上海千实的几种起球仪作为参考：　　　　1.起球箱起球仪　　符合标准：BS 5811/8479，IWSTM 152，NEXT 19，M&S P18/P18A/P18B/P21A，GB/T 4802.3，BS EN ISO 12945.1　　适用范围：用于正常磨损而产生的起球或勾丝现象，配有独特的控制器，可选标准及其它多种测试转速进行测试，同时配有可编程的30rpm反转系统。　　技术参数：　　1.可配有4个起球箱；　　2.具有正反转功能；　　3.转速：20, 30, 40, 45, 50, 60, 65, 70 rpm可任意选择；　　4.液晶屏显示所有测试参数；　　5.配有实验结束报警功能；　　6.密封性好；　　7.马达保护功能：如有外力阻挡，能自动停机，并报警。　　　　2.马丁代尔起球仪　　符合标准：ASTM D4970，ISO 12945.2，GB/T 4802.2/13775/21196.1/21196.2，ASTM D4966，ISO 12947，FZ/T 20020，BS 3424-24/5690，ISO 12947.1/12947.2，M&S P17/P19/P19C，NEXT 18/18a/18b，ISO 5470-2，IWTO 40，JIS L1096 8.17.5 Method E，Woolmark TM 112/196，BS EN 388/530/13770，ISO 20344　　适用范围：　　可检测各种植物的耐磨性及起球性能。在一定的压力下，试样和指定的磨料进行持续换向摩擦，和标准参数对比进行磨损和起球程度评价。触摸屏控制，配备功能全面的编程器，可预编程批次及总计数，单独设置每个测试头的计数 可选择包括标准速度在内的4个速度。　　技术参数：　　1.工位数：9工位 　　2.计数范围：0～999999次　　3.最大动程：横向 60.5±0.5mm，纵向24±0.5mm　　4.加压物质量：　　a.夹持器：200±1g　　b.衣料试样重锤：395±2g　　c.家具装饰品试样重锤：594±2g　　d.不锈钢蝶片：260±1g　　5.磨块有效摩擦直径：　　A型 200g(1.96N)摩擦头(9kPa)￠28.8 -0.084mm　　B型 155g(1.52N)摩擦头(12kPa)￠90 -0.10mm　　6.夹持器与磨台相对运动速度：20-70r/min(可调)　　7.装样压锤质量：2385±10g　　　　3.圆轨迹起球仪　　符合标准：GB/T 4802.1 JIG 040　　适用标准：本仪器用于测试毛织物、化纤纯棉、混纺、针织、机织物的起毛气球状况，以鉴别产品质量和工艺效果。测试时织物与尼龙刷及磨料摩擦，或者仅在调湿状态下和磨料摩擦。　　技术特点：　　1.磨头与磨台平面接触间隙 ≤0.2mm　　2.磨头与磨台平行度 ≤0.3mm　　3.磨头与磨台相对运动轨迹 40±1mm　　4.尼龙刷面平齐，其高度差0.5mm　　5.磨台往复速度 60±1次/min　　6.磨头重量 490cN±1%　　7.大重锤重量 290cN±1%　　8.小重锤重量 100cN±1%　　9.次数选择 1～9999　　10.满足标准测试要求　　　　4、乱翻式起毛球测试仪：　　符合标准：　　ASTM D3512，GB/T 4802.4，ISO 12945.3，JIS L1076-D　　适用范围：　　用于检测织物的起毛起球性能。将105mm×105mm的样品分别放入测试箱中，在叶轮的旋转作用下，置物盒软木衬壁持续随机摩擦，将定时器设置到规定时间，到达设定时间后声响报警，提示试验结束。测试时测试室内会注入压缩空气，以增强翻转，气压可调。　　技术参数：　　1.样品测试室：4个 　　2.每个测试室配有旋转的不锈钢叶片 　　3.配备测试室要求密封性好 　　4.配备数字式电子计数器 　　5.配有实验终了报警装置 　　6.配有压力表及记时器。　　7.滚筒规格：146×152mm　　8.软木衬规格：452×146×1.5mm(L×W×H)　　9.搅棒规格：L=121mm　　10.转速：1200r/min　　11.压缩空气：0.014-0.021MPa　　　　5、圆轨迹法起毛起球仪　　符合标准：　　GB/T 4802.1 JIG 040　　适用标准：　　本仪器用于测试毛织物、化纤纯棉、混纺、针织、机织物的起毛气球状况，以鉴别产品质量和工艺效果。测试时织物与尼龙刷及磨料摩擦，或者仅在调湿状态下和磨料摩擦。　　技术特点：　　1.磨头与磨台平面接触间隙 ≤0.2mm　　2.磨头与磨台平行度 ≤0.3mm　　3.磨头与磨台相对运动轨迹 40±1mm　　4.尼龙刷面平齐，其高度差0.5mm　　5.磨台往复速度 60±1次/min　　6.磨头重量 490cN±1%　　7.大重锤重量 290cN±1%　　8.小重锤重量 100cN±1%　　9.次数选择 1～9999　　10.满足标准测试要求　　　　6、ICI钉锤式勾丝性测试仪　　符合标准：　　ASTM D3939，GB/T 11047，JIS L1058　　适用范围：　　ICI钉锤式勾丝性测试仪适用于检测外衣类针织物和机织物及其它易勾丝的织物，特别适用于化纤长丝及其变形纱织物的勾丝性能。可快速检测织物在正常穿着条件下产生勾丝现象的难易程度(即将纱线从织物中钩出)。　　产品详细：　　本仪器配有观测箱及不同织物结构的对比图样卡。配有4个测试辊(套上待测织物)，钉锤球为碳化钨头，并由预定的电子计数器控制。　　技术参数：　　1. 试验片尺寸：220mm×330mm 　　2. 转筒直径：82mm 　　3. 转筒长度：210mm 　　4. 钉锤球：碳化钨头 　　5. 钉锤直径：31.8 mm 　　6. 钉锤重量：135g 　　7. 钉锤突出长度：9.5 mm 　　8. 钉锤植针数：11根钨针 　　9. 钉针外露：10mm 　　10. 尖端半径：R0.13mm 　　11. 导杆工作宽度：125mm 　　12. 钉锤与导杆间距离：45mm 　　13. 测试工位：4工位 　　14. 测试速度：60rpm 　　15. 外形尺寸：1007×508×405mm(40×20×16英寸)(L×W×H) 　　16. 重量：约90kg 　　17. 电源：1∮，AC220V，50Hz，3A。 更多关于 起毛起球测试仪：http://www.qmqqy.com/productlist/list-5-1.html

药用PVC硬片的耐冲击性能检测是一个关键的质量控制步骤，以确保药品包装的完整性和保护药品免受运输和处理过程中的冲击。落镖冲击测试仪和落球冲击测试仪都是用于评估材料耐冲击性能的设备，但它们在设计和应用方面存在差异。落镖冲击测试仪落镖冲击测试仪通常用于评估软包装材料如薄膜、复合膜等的抗冲击穿透能力。它使用一个或多个特定重量和形状的落镖，从一定高度落下冲击试样。这种测试方法更多地侧重于材料的抗穿透性能，适用于检测软包装材料在实际使用中抵抗尖锐物体冲击的能力。落球冲击测试仪落球冲击测试仪则通常用于测试硬质塑料材料如药用PVC硬片的冲击强度。它使用一定质量的球体从预设高度自由落体，冲击试样，以此来模拟实际使用中可能遇到的冲击情况。落球冲击试验可以检测药用PVC硬片的耐用性、硬度、强度和韧性等性能。比较与选择在选择落镖冲击测试仪还是落球冲击测试仪时，需要考虑以下因素：材料特性：药用PVC硬片作为一种硬质塑料材料，更适合使用落球冲击测试仪进行测试。测试目的：如果测试目的是评估材料的耐冲击能力以及硬度和强度，落球冲击测试仪可能更为合适。标准遵循：应参考相关的医药包装材料测试标准或国际标准，如YBB00212005-2015等，这些标准可能指定了特定的测试方法。设备能力：确保所选设备能够满足药用PVC硬片的测试要求，包括试样尺寸、冲击高度和能量等。结论根据上述信息，对于药用PVC硬片的耐冲击性能检测，落球冲击测试仪 更为适合，因为它专门设计用于评估硬质塑料材料的冲击强度，并且符合药用PVC硬片的测试标准和要求。

1)目前的现状：　　中国测试仪器的普遍水平还停留在20世纪80年代初国际水平上 大型和高档仪器设备几乎全部依赖进口 许多急需的专用仪器还是空白 中低档产品保证质量上还有许多难关需要攻克。　　据海关统计，中国每年进口各类测试仪器总额接近中国测试仪器产业总产值50%。此外，在6000多家企业中，年销售收入超过1000万元的不足1000家，全行业经济效益低下。　　高档、大型仪器设备几乎全部依赖进口，同时国外公司还占有国内中档产品以及许多关键零部件市场60%以上的份额。科技创新及其产业化进展滞缓，是制约中国测试仪器产业发展的一个&ldquo 瓶颈&rdquo 。　　2) 差距存在的原因　　1、从业人员素质较低：　　仪器虽小，但是反映出从业人员素质，中国仪器行业绝多多数为私营企业，而此类私营业主，大多数文化水平较低，仪器有个最大的特点，在于标准的吻合度，而标准的解读，往往需要从业人员具备一定的文化素质，就和文章的读后感相似，不同的知识背景的人读一篇相同的文章，会得出截然不同的感受和理解，换而言之，不同的人去读标准，就会出现完全不同的理解，也就会制造出完全不同的测试仪器，以及得出不同的测试结果。　　2)工业化水平：　　就目前中国工业发展而言，我们的大工业，如高铁、军事等，绝对不输给大多数工业化国家，比如法国和英国等，但是在我们日常生活中所遇到的工业化程度就完全不同，这受国家的政策有着非常大的影响，因为国家政策本身就不惠及那些中小型的企业，这就造成了在我国去生产一台精密仪器的困难。作为生产企业，如果去买个温控器、买支热电偶等非常简易的产品，其实遍寻市场，你无法找到一个真正的国内的品牌，或是一个真正高质量的配件 再比如加工行业，国内手工加工作坊式企业非常多，那你拿着这些土枪土炮，又怎么能和人家那些武装到牙齿的生产装备去抗衡呢?　　3)国内市场因素：　　价格!价格!价格! 这个是买国产仪器的客户所最关心的问题，一般购买国产仪器的用户，主要是因为价格原因去购买国产仪器，极少是因为品牌导向或是自身的专业背景去做出采购决策的。其实用户本身也造成了国产仪器商之间进行了恶性的价格竞争，在恶性价格竞争的状态下，你又怎么能去要求你的供应商去保证他的产品质量呢? 现在的国产仪器，价格只有更低、没有最低，大家都为了生计去奔波，又有谁可以沉下心去搞研发工作和进行科技发展的投入呢? 而对比于进口仪器，价格竞争也是存在的，但是国内用户在价格方面对于进口仪器的宽容度是远远大于国产仪器的。一方面用户在抱怨国产仪器品质的低劣，另一方面，又不断成为打压国产仪器价格的推手。　　4)市场的诚信度以及浮躁情绪　　对于诚信度，比如技术指标，极少有供应商会因为撒谎而付出代价，这就造成了，说假话比说真话，有着更大的盈利，这在投标中是比比皆是的 供应商的短期思维，总想做下这个客户，赚到这笔钱为眼前最大事宜，而不顾及后期产品的使用结果 也就是说，没有人会因为自己制造了一台低劣的仪器而付出代价，也没有人为自己的谎言产生损失，其代价在短期是无法体现的，长远来看，如果市场中没有追求高品质的竞争对手出现的时候，那么他所有的谎言和浮躁，都是有利可图的。　　5)知识产权的保护　　对于大多数客户而言，购买了进口仪器后，其实极其不愿意国产仪器上去考察和抄袭，非常忌讳国内生产商去考察，你有这么好的意识，为啥不去打击国内的盗版呢?国外仪器行业毕竟发展多年，通过模仿和抄袭，可以极大的缩短研发的周期和投入，然后在国外同行业对手的基础上，再去改进他的某些缺点，慢慢去形成自我的风格和自己的技术，&ldquo 师夷长技以制夷&rdquo ，为何不将这些高端的进口仪器向你的同胞们去大胆的开放呢?　　另外，国内制造厂商之间的知识保护确又极差，大家互相抄袭成风，最终的结果，是谁也不敢去做技术上的革新以及创新。　　就笔者多年的经验而言，如欲打败国外同行，个人体会如下：　　1、多练习内功：　　在自己所从事的行业，多了解国外同行的产品特性、技术特点、操作的合理化等详细信息，必须知道对方的优点，以及自身的缺点，&ldquo 不以物喜，不以己悲&rdquo ，在充分了解竞争对手的情况下，找出自己的长处不断发扬，找到自己的缺点不断的修正，必须以十年磨一剑的心态去做产品，在自己产品的使用中，不断询问用户，让他们提出宝贵意见。　　2、专注于自己的行业：　　专注于自身所处的行业，不要这山看着那山高，只有专业才是长久之计，不要把自己变为一个杂货铺，什么都能干，什么都做不精。国外仪器制造商，比如安捷伦、瓦里安、英斯特朗，人家往往都是一招吃遍天下，而不是像我们这样，面面俱到的经营。　　3、价格的控制　　低价客户，其实就是低质量客户，当你将每天的精力放在那些低质量的客户身上，你不如多关注那些有着高品质追求的客户，他们才是你利润的来源，同时也是你提高产品质量和性能的最好的伙伴。当你在不断降价的同时，也是你不断降低质量，以及降低自我要求的开始。　　4、竞争对手的定位　　不要轻易降价，也不要去和你的同行打价格战，你的同行是激励你进步的动力，不是你的敌人，打败你的竞争对手最好的方式，就是制造出他不可以逾越的产品，试问，在中国，你见过几家仪器商是因为被竞争对手的低价给打垮的呢? 当你使用价格战术去打击对手的时候，其实伤害的是你们双方，当你用高性能的产品去攻击你的对手的时候，那么你才可以掌握住战斗的主动权。市场上最大的份额占有者是进口仪器及其代理商，他们才是真正的敌人。　　5、不要欺骗你的用户　　你可以选择不说，但是不可以选择欺骗，没有人愿意上当受骗，包括你自己在内。　　以上所述，为笔者从事仪器行业多年的体会，可能有所偏颇，但是借网站一发，供大家参考!欢迎就此话题进行探讨。　　莫帝斯燃烧技术(中国)有限公司全资子公司，成立于2008年，是一家年轻并极富创新性的国际化科技公司。　　已经为众多阻燃测试机构提供优质的燃烧测试仪器，如中国铁道科学研究院、公安部四川消防研究所、中国船级社远东防火检测中心、中国科学研究院力学研究所、桂林电器科学研究院、中国标准化研究院、中国纺织科学研究院、SGS 通标标准技术服务有限公司、INTERTEK 天祥质量技术服务有限公司、TUV 南德意志集团、TUV 莱茵、北京理工大学等国内知名检测机构及科研院所。　　更加详细信息可浏览网站：www.firetester.cn www.motis-tech.cm

肉类水分快速测试仪需要用检测试剂吗，肉类水分快速测试仪一般不需要使用检测试剂。这种仪器通常采用物理方法，如烘干法或电阻法等，来直接测量肉类的水分含量。在使用肉类水分快速测试仪时，用户需要将仪器的检测探头针状电极插入被测样品的肌肉中（避免插入脂肪、筋腱、骨头和空气中），然后按照仪器的操作步骤进行测量。测量过程中，仪器会自动计算出基准值并显示结果。然而，需要注意的是，不同的肉类水分快速测试仪可能具有不同的操作方法和测量原理，因此在使用前建议仔细阅读仪器的说明书，并遵循正确的操作步骤和注意事项。此外，还有一种肉类水分检测试纸盒的方法，这种方法需要使用检测试纸来间接判断肉类是否注水。这种方法虽然简便快速，但并不能直接测量肉类的水分含量。因此，如果需要准确测量肉类的水分含量，建议使用肉类水分快速测试仪。

据统计，测试仪器产业所占电子工业的产值大约只有不足2%，而电子工业的产值不过占世界总产值的2%左右，但依靠测试仪器拉动的新技术带来的附加价值却可以占全世界每年新增价值的70%～75%。作为一种应用遍及基础研究到生产线的基础性产品和技术，电子测试仪器行业的强大，完全可以拉动一个国家创新带动的新增价值。　　只是，在这样一个看似微小却影响巨大的行业里，中国一直充当着舞台上的配角。无论从国防还是民用需求，我们接触到的测试系统以及测试仪器，在高性能应用上无一例外都是进口品牌。　　在刚刚闭幕的第八届国防电子展会上，来自航天系统、军事院校和军方的一线测试系统研发、应用及计量研究的专家学者认为，作为一个高技术、资本密集、横跨多个学科并且强调多年技术积累的行业，我国在测试仪器方面与国外企业的差距是多方面的，不仅仅是技术、经验和资金不足，更重要的是在概念、标准和理念等方向的差距和在决策方面的不够重视。　　技术差距　　业内专家认为，对国产测试仪器而言，我们始终是跟着别人的脚步在学习，在追赶，这是技术方面存在的最大问题。例如近几年在军用测试方面，是各种总线技术的盛行，然而这些总线技术，都是外国定义研发的，这也就意味着，中国要应用这些总线技术，就逃不开他们定义的测试系统架构及测试方法，多数情况下我们不得不去购买他们的产品来满足国内的测试系统要求。　　如果说在这些系统级测试仪器方面，因为开放的总线，技术差距相对比较小，那么在台式仪器方面，国内外的差距几乎很难去估量。业内人士认为，对于基础的测试仪器而言，其架构和概念并不难理解，但到了具体的功能定义和产品的功能实现方面，我们就存在着较大的差距，这让中国的测试仪器开发和应用陷入的是一个尴尬的循环：我们无法跟踪先进的电子技术发展的前沿科技，就没有办法了解其测试需求，就自然无法去为此开发适合最新技术的测试仪器，那么更谈不上把握最新的测试市场脉搏和赚取最丰厚的那部分利润 而你做不来先进新技术的测试，新技术出现的时候你就抓不住，人家也不可能交给你去满足最初的测试需求，这样就无法了解最新的技术动向，也就无法将新技术应用到你的测试仪器中。　　据了解，在应用测试中，制约本土测试仪器应用一个更重要的问题来自于核心半导体器件的缺失：国内的测试仪器企业，无论是老牌国有研究所还是新兴的私有测试仪器企业，自身具备的芯片研发能力相比国际巨头有较大的差距。可以说，测试用的芯片因为其特殊的一些要求，在市场上是很难找到相关合适的产品，特别是在信号分析和信号采集方面，模拟前端技术和信号采集技术的不足，直接体现在国产的测试仪器无法捕获需要的一些特征信号，比如雷达和微波技术的绝大部分需求，商用芯片是无法满足其测试需求的，这样的结果是，国产的测试仪器厂商不是不知道怎么去满足，而是没有相关的半导体器件能够做出满足这些采样率、带宽需求的产品，而这两点，恰恰是实际应用中许多信号分析和信号处理的前提。　　观念差距　　“抹平技术上的差距，不是一蹴而就的事情。但比起技术上的差距，我们在测试仪器上存在的观念和思维的差距更大。”一位来自计量研究领域的专家说。　　据介绍，测试仪器是个资本密集型企业，企业的生产规模很重要，测试仪器又是一个市场比较小的行业，因为仪器种类繁多，所以单个仪器种类的市场注定不可能很大。这给中国企业迎头赶上增加了更大的难度，一方面，作为技术密集型和积累型行业，面对这么多已经领先很多的国外竞争对手，要把测试仪器做大做强，就要有足够多的投入，并且短期内不要指望回报，这一点无疑仅靠一些私企是很难有这么强大的财力去做支撑的。因此，必须要有国家战略高度的规划和相关资源的大力支撑，才有机会去不断缩小差距。　　另一方面，因为市场不大，所以就更要强调企业研发的连续性和专注性，而对于国内的私企来说，他们面临着生存的压力，而对于很多国有科研院所而言，他们也面临创收指标以及各种前沿课题的研究，无法专注于对一两类的产品进行精耕细作。　　再者，因为市场细分复杂，因此对测试仪器的架构和理念研究的短期意义很难体现，这就让一些原本从战略上国家支持其研究测试仪器架构和概念的研究机构不再愿意将精力集中于此，而是去追求短期利益更好的其他工作，从而造成只有各个仪器厂商去自己研发这些通用的基础理念，造成很多研发资源的重复浪费。　　一些来自航天领域的专家认为，国产仪器产业另一个欠缺是服务。可以说，作为一个毛利率超过50%的行业，很大部分的企业销售利润是用以提供优质的市场培育、售后服务和技术支持的。特别是在用户的测试体验和测试习惯培养方面，国内企业在意识上的差距与国际企业相比差得实在太远。　　某国内测试仪器生产企业表示，他们和国外竞争对手的产品性能类似，但用户界面和操作的通用性方面相差太远，而在用户中的宣传更是几乎为零。当用户有相应的测试需求时，即使两个产品的性价比等指标完全不同，用户也很难去选择他们的产品而放弃国外产品，原因只有一个：用户会用。　　“测试测量和仪器产业，是国内一些重要领域必须的保障，也是研发前沿科技的利器，同时更是任何电子技术都避不开的一个重要环节。”业内专家呼吁，测试仪器的问题虽然基础，但不是小问题，是国家在软件和硬件方面不足的集中体现，解决测试仪器的落后问题，需要的是国有科研机构和企业，以及民营和私营企业共同努力，需要从标准到架构到概念的一系列测试体系的逐步建立。《中国质量报》

1、前言从1876年贝尔发明电话机，到今天人手一部手机，实现随时随地视频通话。短短一百年来，通信产业呈指数性增长。测试技术与仪器仪表自通信产品的诞生起就成为通信产业中不可或缺的部分，与通信技术同步甚至超前发展。伟大的科学家门德列耶夫说过：“科学是从测量开始的，没有测量就没有科学”。钱学森同志说过：“新技术革命的关键是信息技术。信息技术由测量技术、计算技术、通信技术三部分组成。测量技术是关键和基础。”数据通信测试仪器主要泛指通信传输与网络测试仪器，是对通信终端设备和通信网络设备的科研、生产、试验和运营管理全寿命周期的各种定量、定性参数进行分析评定的手段和方法的总称，涉及语音、报文、数据、图像、视频的采集、信元和信道编码、传输媒质、信令与协议等设备和产品的测试与分析评估。本文简要介绍国内数据通信测试仪表的发展历程，展望面临的挑战。2、数字测试--数据通信测试仪器的昨天上世纪八十年代，从中国引进数字程控交换机进入数字化时代起，测试技术与产品得到发展。这一阶段通信主要以语音传输为主，涉及的测试技术主要有语音测试、传输测试和信令规程测试。相关的测试仪器主要有话路特性测试仪、传输分析仪、信令测试仪和规程测试仪等产品。语音测试主要测试话路语音质量测试，主要参数包括频率、电平、失真度等。话路特性测试仪是对语音模拟信号的较为全面测试，PCM测试仪则对话音通道的语音/数字编码转换和数字编码/语音转换进行测试，二者互为补充。传输测试是当时通信测试最重要的一项测试技术，主要对通信传输质量进行测量和评估，除最重要的误码率这个参数外，还有抖动、漂移等测试评估参数。这类仪器根据通信传输的线路不同可分为高速比特误码测试仪、PCM综合测试仪（2Mb/s）、PDH数字传输分析仪、PDH/SDH数字传输分析仪和电信/数据传输分析仪。高速比特误码测试仪速率一般在140Mb/s～15Gb/s连续可调，PDH数字传输分析仪用于PDH 1～４次群通信设备的研制、生产、通信建设和维修，主要测量误码和抖动。PDH/SDH数字传输分析仪用于STM-1/4/16/64/256等速率的SDH通信设备的测试，兼顾PDH测试。信令测试仪则用于程控交换机的控制平面测试，全面测试用户线信令和局间信令，可接入SS7、GSM、CDMA、V5、ISDN及中国一号信令等各级接口，完成协议的有效性与兼容性测试。测试分为信令监测与仿真测试二种。规程测试仪则主要完成相关数据通信接口测试，常见有V.11、V.24、V.35、X.21等，具备DTE与DCE测试能力，支持同步与异步测试，主要进行误码测量和误码性能分析。这一时期，网络产品稀少且较为初级，各生产厂家确保产品可用即可，主要进行功能测试。网络测试仪器较为简单，只是进行发送和接收测试。3、网络测试--数据通信测试仪器的今天随着集线器、交换机、路由器等产品的广泛运用，网络测试技术得到重视。网络测试技术包含内容有测试对象、测试方法、测试工具及测试经验等方面内容，逐渐形成以RFC相关规范为基础的测试方法标准化，如RFC1242规范了网络互联设备的基本术语，RFC2544规定了互联设备的基准测试方法，RFC2889规定了交换设备的测试方法等。测试内容覆盖了ISO二至七层。测试方法有主动测试与被动测试（监测）。在测试功能上除网络性能测试外，还具备网络业务测试，可对业务支持能力、业务性能、业务可靠性与安全性进行测试评估。在云网融合、算网一体等信息技术快速发展的大环境下，面向高速以太网、物联网、5G承载网、5G核心网等核心技术领域的需求，作为网际互联中的核心骨干组成部分，路由交换设备的发展在很大程度上决定了整个网络的性能瓶颈。网络接口复杂多样、电信级业务流量、接入用户指数级增长对于高速数据通信下的网络承载能力提出了进一步挑战。与此同时，我国新一代路由交换设备的迭代发展速度，迫切需要与之相匹配的数据通信测试仪器发展水平，这对数据通信测试仪器的发展提供了千载难逢的发展机遇，也对数据通信测试仪器的发展提出了更加严峻的挑战。经过20多年的艰苦努力，我国数据通信测试仪表取得了重要进展，基本解决了测试功能和速率覆盖的问题。在产品形态上，有手持式、便携式与机架式；在速率上，最高测试达到400Gbps；端口密度达到整机80个100Gbps端口，单板20个80个100Gbps端口；在协议方面，支持路由、接入、组播、数据中心等协议仿真，以及VxLAN、EVPN、SRv6等新协议测试；支持RFC2544等多种套件；同时支持自动化测试，可适配TCL、Python等自动化接口，满足网络设备从研发到生产各个环节的测试需求。4、面向下一代网络测试---数据通信测试仪器的明天随着5G/6G时期的到来，网络设备的不断革新、新兴协议的不断提出以及电信级网络应用业务升级，现有的仪器不论是测试端口密度、时延测量精度以及协议仿真覆盖率等核心指标，难以满足测试需求，必须跟踪最新网络技术发展。高速率、IPv6+、确定性网络、超融合等网络技术应用场景给数据通信网络测试仪器提出了新需求：1）高速率测试随着互联网和5G用户的增加以及来自人工智能、机器学习、物联网和虚拟现实流量的延迟敏感性流量激增，数据中心的带宽要求与日俱增，并且对低延迟有极高的要求，可以预见，在未来的人工智能应用中，800GE技术将发挥越来越重要的作用。测试仪器必须具备多达几十个端口的800GE测试能力。2）高精度测试现有的毫秒级的流量调度及采样结果统计不能满足TSN/TTE、无损以太网等高性能网络测试要求，网络测试仪必须实现微秒级的流量调试和纳秒级时钟同步精度。3）灵活智能的高性能软件架构平台随着新兴的数据网络架构及新协议、新业务的持续不断的出现，要求测试仪器能够快速满足新协议与新业务测试需求。这就要求测试仪器具备灵活、智能、弹性的高性能软件架构平台，解耦软件平台与硬件平台，集中主控运维管理，统一硬件驱动层，屏蔽硬件差异，支持多种速率与多种测试端口，支持快速迭代、增加新协议测试功能，满足车载网络、云网融合、算网一体等下一代数据网络测试需求。结束语当前，网络技术的迅速发展和市场需求是网络测试技术发展的驱动力，网络测试仪器前景看好。新技术的发展快于相关标准制定的速度，各国都在结合自身的具体情况制定适合本国发展需求的新网络架构与新协议。这对国内测试厂商是一次机遇，也是挑战。测试仪器厂家应积极参与未来网络技术研究，参与到相关标准制定工作中，将标准与产品体系进一步融合，提升产品的竞争力，为通信行业的发展提供保障。

本报讯 5月23日，由国家质检总局组织的国产棉花综合性能测试仪批量装备仪式在陕西省宝鸡市举行。经历10年研制及验证的国产棉花测试仪将批量装备到全国棉花仪器化检验实验室。国家质检总局副局长蒲长城出席仪式并讲话。　　蒲长城指出，国产棉花测试仪的批量装备，是棉花检验体制改革的又一项重要成果，结束了我国棉花仪器化检验长期依赖进口设备的局面，为今后我国棉花仪器化检验工作长期有效运作提供了重要技术保障。国产棉花测试仪的批量装备，也是科研面向产业发展，自主创新，产学研及政府职能部门相互协作的成果。国产棉花测试仪批量装备只是棉花检验仪器国产化的第一步，要努力创新，不断改进仪器性能，为全面提升棉花质量检验水平和实现棉花质量监督检验体制改革目标而努力。　　据介绍，研制装备国产棉花测试仪是2003年国务院批复的棉花质量检验体制改革的主要任务之一。棉花质检体制改革需要大量的棉花检测仪，而进口仪器设备价格高、零备件价格高、零备件供应周期长、本地维修质量不能保障、维修费用高。2003年10月，中国纤维检验局组织陕西长岭纺织机电科技有限公司开始进行棉花综合性能测试仪研制。长岭公司借鉴国内棉花单项指标测试仪器的研制经验，有效解决了颜色测试模块、大面积硅光电池、取样梳夹、指标算法和修正模型建立等关键技术。　　2008年初，首台国产棉花测试仪样机开始验证测试，又经应用改进，证明国产棉花测试仪达到同类进口设备水平。2010年，国产棉花测试仪通过国家质检总局的科研成果鉴定。截至2013年4月，各地配置的12台国产棉花测试仪已累计检验棉花10万吨。

在材料科学领域，离型纸剥离强度测试是评估材料性能的关键环节。剥离强度测试仪作为专业设备，能够准确测量离型纸在不同角度下的剥离强度，从而帮助科研人员和生产商更好地了解材料的性能特点。在选择剥离强度测试仪时，180度和90度是两种常见的测试角度，它们各有优缺点，适用于不同的测试需求。一、180度剥离强度测试的特点180度剥离强度测试是评估离型纸性能的一种常用方法。这种测试方法能够更全面地模拟实际使用中的剥离情况，尤其是在需要较大剥离角度的场合。180度剥离强度测试仪通过测量材料在180度剥离过程中的力值变化，能够更准确地反映材料的剥离性能。二、90度剥离强度测试的特点相比之下，90度剥离强度测试则更注重于材料在较小剥离角度下的性能表现。这种测试方法适用于对材料在特定角度下的剥离性能进行评估，例如在一些特定应用场景下，材料可能只需要在较小的角度下进行剥离。90度剥离强度测试仪能够更精确地测量这种情况下的剥离力值。三、选择180度还是90度剥离强度测试仪的考虑因素在选择剥离强度测试仪时，需要考虑多个因素。首先，测试需求是决定选择180度还是90度剥离强度测试仪的关键因素。如果需要对材料进行全面的性能评估，包括在不同角度下的剥离性能，那么180度剥离强度测试仪可能更适合。而如果只需要对材料在特定角度下的剥离性能进行评估，那么90度剥离强度测试仪可能更合适。此外，设备的精度和稳定性也是选择剥离强度测试仪时需要考虑的重要因素。高精度和高稳定性的设备能够提供更准确、可靠的测试结果，有助于科研人员和生产商做出更明智的决策。四、操作简便性与售后服务除了测试需求和设备性能外，操作简便性和售后服务也是选择剥离强度测试仪时需要考虑的因素。操作简便的设备能够降低操作难度，提高工作效率；而优质的售后服务则能够在使用过程中提供及时的技术支持和维修保障，确保设备的稳定运行。五、总结综上所述，选择180度还是90度剥离强度测试仪需要根据具体的测试需求来决定。在选择设备时，需要综合考虑设备的性能、精度、稳定性、操作简便性以及售后服务等因素，以确保选购到适合自身需求的剥离强度测试仪。