电子半导体

SPM300系列半导体参数测试仪设备概览基于拉曼光谱法的半导体参数测试仪，具有非接触、无损检测、特异性高的优点。可以对半导体材料进行微区分析，空间分辨率＜ 800nm （典型值），也可以对样品进行扫描从而对整个面进行均匀性分析。设备具有智能化的软件，可对数据进行拟合计算，直接将载流子浓度、晶化率、应力大小或者分布等结果直观的展现给用户。系统稳定，重复性好，可用于实验室检验或者产线监测。① 光路接口盒：内置常用激光器及激光片组，拓展激光器包含自由光及单模光纤输入；② 光路转向控制：光路转向控制可向下或向左，与原子力、低温、探针台等设备连用，可升级振镜选项③ 明视场相机：明视场相机代替目镜④ 显微镜：正置科研级金相显微镜，标配落射式明暗场照明，其它照明方式可升级⑤ 电动位移台：75mm*50mm 行程高精度电动载物台，1μm 定位精度⑥ 光纤共聚焦耦合：光纤共聚焦耦合为可选项，提高空间分辨率⑦ CCD- 狭缝共聚焦耦合：标配CCD- 狭缝耦合方式，可使用光谱仪成像模式，高光通量⑧ 光谱CCD：背照式深耗尽型光谱CCD相机， 200-1100nm 工作波段，峰值QE ＞ 90%⑨ 320mm 光谱仪：F/4.2高光通量影像校正光谱仪， 1*10-5 杂散光抑制比SPM300系列半导体参数测试仪主要应用SPM300系列半导体参数测试仪选型表型号描述SPM300-mini基础款半导体参数分析仪，只含一路532nm 激光器，常规正置显微镜，光谱仪，高精度XYZ 位移台SPM300-SMS532多功能型半导体参数分析仪，含532nm 激光器，常规正置显微镜，光谱仪，高精度XYZ 位移台，可升级耦合最多4 路激光器SPM300-OM532开放式半导体参数测试仪，含532nm 激光器，定制开放式显微镜，光谱仪，高精度XYZ 位移台，可升级耦合最多4 路激光器系统参数项目详细技术规格光源标配532nm，100mW 激光器，其他激光可选，最多耦合4 路激光，可电动切换，功率可调节光谱仪320mm 焦距影像校正光谱仪，光谱范围90-9000cm-1,光谱分辨率2cm-1空间分辨率1μm样品扫描范围标配75mm*50mm，最大300mm*300mm显微镜正置显微镜，明场或者暗场观察，带10X,50X,100X 三颗物镜；开放式显微镜可选载流子浓度分析测试范围测试范围1017 ~ 1020 cm-3，重复性误差5%应力测试可直观给出应力属性（拉力/ 张力），针对特种样品，可直接计算应力大小，应力均匀性分析（需额外配置电动位移台）, 应力解析精度0.002cm-1晶化率测试可自动分峰，自动拟合，自动计算出晶化率，并且自动计算晶粒大小和应力大小测试案例举例

半导体晶圆拉曼光谱测试系统R1——应力、组分、载流子浓度 面向半导体晶圆检测的拉曼光谱测试系统主要功能：&bull 光穿过介质时被原子和分子散射的光发生频率变化，该现象称为拉曼散射。&bull 拉曼光谱的强度、频移、线宽、特征峰数目以及退偏度与分子的振动能态、转动能态、对称性等紧密相关&bull 广泛地应用于半导体材料的质量监控、失效分析。仪器架构：性能参数： 拉曼激发和收集模块激光波长532 nm激光功率100 mW自动对焦&bull 在全扫描范围自动聚焦和实时表面跟踪&bull 对焦精度0.2微米显微镜&bull 用于样品定位和成像&bull 100x，半复消色差物镜&bull 空间分辨率2微米拉曼频移范围80-9000 cm-1样品移动和扫描平台平移台&bull 扫描范围大于300x300mm。&bull 最小分辨率1微米。样品台&bull 8寸吸气台（12寸可定制）&bull 可兼容2、4、6、8寸晶圆片光谱仪和探测器光谱仪&bull 320 mm焦长单色仪，接面阵探测器。&bull 分辨率2.0 cm-1。软件控制软件&bull 可选择区域或指定点位自动进行逐点光谱采集Mapping数据分析软件&bull 可对光谱峰位、峰高和半高宽等进行拟合。&bull 可自动拟合并计算应力、晶化率、载流子浓度等信息，样品数据库可定制。&bull 将拟合结果以二维图像方式显示。 晶圆Mapping软件界面数据分析软件界面应力检测—GaN晶圆片利用拉曼光谱568 cm-1位置的特征峰位移动，可以检测GaN晶圆表面应力分布。类似方法还可应用于表征Si/SiC/GaAs等多种半导体。载流子浓度检测——SiC晶圆片组分检测——结晶硅薄膜晶化率测试结晶率指晶态硅与晶界占非晶态、晶态、晶界总和的质量百分比或体积百分比，是评价结晶硅薄膜晶化效果的一项重要指标。晶化率𝛸 𝛸 𝑐 𝑐 可通过拟合拉曼光谱分峰后定量计算。多层复杂晶圆质量检测——AlGaN/GaNHEMT&bull 氮化镓高电子迁移率晶体管则凭借其良好的高频特性在移动电话、卫星电视和雷达中应用广泛。&bull 晶圆片包含Si/AlGaN/GaN多层薄膜结构。&bull 拉曼光谱可给出多层结构的指纹峰，并对其应力、组分、载流子浓度等进行分析。AlGaN/GaN晶圆，直径6英寸面向半导体晶圆检测的拉曼光谱测试系统仪器订购样品委托测试

高真空电子束蒸发镀膜机（电子束蒸镀机是在高真空条件下，采用电子束轰击材料加热蒸发的方法，在衬底上镀制各种金属、氧化物、导电薄膜、光学薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、超硬膜等；可镀制混合物单层膜、多层膜或掺杂膜；可镀各种高熔点材料。可用于生产、科学实验及教学，可根据用户要求专门订制。可根据用户使用要求，选配石英晶体膜厚自动控制及光学膜厚自动控制两种方式, 通过PLC 和工控机联合实现对整个镀膜过程的全程自动控制, 包括真空系统、烘烤系统、蒸发过程和膜层厚度的监控功能等，从而提高了工作效率和保证产品质量的一致性和稳定性。设备特点设备具有真空度高、抽速快、基片装卸方便的特点，配备 E 型电子束蒸发源和电阻蒸发源。PID自动控温，具有成膜均匀、放气量小和温度均匀的优点。可根据用户使用要求，选配石英晶体膜厚自动控制及光学膜厚自动控制两种方式,通过PLC和工控机联合实现对整个镀膜过程的全程自动控制,包括真空系统、烘烤系统、蒸发过程和膜层厚度的监控功能等，从而提高了工作效率和保证产品质量的一致性和稳定性。真空性能极限真空：7×10-5Pa～7×10-6Pa设备总体漏放率：关机12小时，≤10Pa恢复工作真空时间短，大气至7×10-4Pa≤30分钟；设备构成E 型电子束蒸发枪、电阻热蒸发源组件（可选配）、样品掩膜挡板系统、真空获得系统及真空测量系统、分子泵真空机组或低温泵真空机组、旋转基片加热台、工作气路、样品传递机构，膜厚控制系统、电控系统、恒温冷却水系统等组成。可选件：膜厚监控仪，恒温制冷水箱。热蒸发源种类及配置 E 型电子束蒸发系统 1套 功率 6kW～10kW 其它功率(可根据用户要求选配） 坩埚 1～8只 （可根据用户要求选配） 电阻热蒸发源组件 1～4套 （可根据用户要求配装）电阻热蒸发源种类-钽（钨或钼）金属舟热蒸发源组件-石英舟热蒸发源组件-钨极或钨蓝热蒸发源组件-钽炉热蒸发源组件（配氮化硼坩埚或陶瓷坩埚）-束源炉热蒸发组件（配石英坩埚或氮化硼坩埚）操作方式手动、半自动关于鹏城半导体鹏城半导体技术（深圳）有限公司（简称：鹏城半导体），由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）|OLED中试设备（G1、G2.5）|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备（PECVD+磁控溅射）团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年 与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。

产品简介：电子半导体图像法清洁度分析系统是普勒新世纪实验按照普洛帝分析仪器事业部的规划，于2001年推向市场的成熟系统仪器；观察颗粒形貌，还可以得到粒度分布、数量、大小、平均长径比以及长径比分布等，为科研、生产领域增添了一种新的粒度测试手段；电子半导体图像法清洁度分析系统为一种图像法粒度分布测试以及颗粒型貌分析等多功能颗粒分析系统，该系统包括光学显微镜、图像测试 CCD 摄像头、三维立体载物平台、图像法颗粒分析系统软件、电脑、打印机等部分组成；为科研、生产领域增添了一种新的粒度测试手段。产品优势：测试软件具有审计追踪、权限管控、电子记录、测试标准、计量验证、报告模板、图像存储、颗粒追踪、报告输出、清洁度分析等功能；全面自动标准选择、颗粒尺寸设定、颗粒计数，或按用户设定范围计数，自动显示分析结果，并按照相关标准确定产品等级；将传统的显微测量方法与现代的图像处理技术结合的产物；软件控制分析过程，手动对焦，手动光强（颗粒清洁度测试必须人为干预进行），自动扫描，自动摄入，自动分析；专用数字摄像机将显微镜的图像拍摄及扫描；全自动膜片扫描系统，无缝拼接，数字化显微镜分析系统；R232接口数据传输方式将颗粒图像传输到分析系统；颗粒图像分析软件及平台对图像进行处理与分析；引入3D遥感三维调控技术，快速定位，快速聚焦，体验极速无卡顿测试。显示器及打印机输出分析结果；直观、形象、准确、测试范围宽以及自动识别、自动统计、自动标定等特点；避免激光法的产品缺陷，扩展检测范围；现实NAS、ISO等国际标准方法的认可；提供行业独有的“OIL17服务星”签约式服务；产品应用：航空、航天、电力、石油、化工、交通、港口、冶金、机械、汽车制造、制冷、电子、半导体、工程机械、液压系统等领域；对各类固体粉末、各类液体中的固体颗粒（非连续相测试）。执行标准：0.1~3000μm的超宽范围、超高分辨率。可根据客户要求，植入相应“图像法颗粒度”测试和评判标准。技术参数：产品型号：PLD-MPCS2.0订制要求：各类液体检测要求；测试范围: 1μm-500μm放大倍数：40X～l000X倍 zui大分辨：0.1μm显微镜误差：0.02（不包含样品制备因素造成的误差）重复性误差： 5%（不包含样品制备因素造成的误差）数字摄像头(CCD)：500万~1800万像素分析项目：粒度分布、长径比分布、圆形度分布等自动分割速度： 1秒分割成功率： 93%软件运行环境：Windows 10接口方式：RS232或USB方式精 确 度：±3% 典型值；重合精度：10000粒/mL（5%重合误差）；分 辨 率：95%售后服务：普洛帝中国服务中心/普研检测。

BPZ电子半导体元件专用干燥箱用途概述：本产品适用于电子产品生产过程的脱泡，脱水，硬化和洗净处理后的干燥等真空状态下的热处理，广泛用于锂离子电池、LED光电元件、晶振等电子产品生产工艺的真空干燥处理，可同时满足不同试验条件下的实验对比，为用户节省试验时间提高效率。产品特点：工作室采用不锈钢板制成，确保产品经久耐用，外箱体可选配全不锈钢SUS304材料，便于清洁。长方形真空室，使用容积大，能充分利用空间。弹性双层钢化玻璃门观察工作室内物体，一目了然。箱门闭合松紧可调节，整体成型的合成硅橡胶门封圈，确保箱内高真空度。增设超温保护温控口，有效的防止温度失控等安全问题。 （选配）每层箱体可独立加温、独立抽真空、独立注氮气，互不干扰。低噪声进口真空泵，真空控制稳定可靠。（带“B”为进口真空泵）可增配置多层隔板（选配）可增配LED照明（选配）程序控制(选配) 程序控制操作，可根据工艺需求设定加热、真空保持和氮气保持时间，确保每批次烘烤一致性，降低产品的烘烤差异性。技术参数：型号多箱真空干燥箱BPZ-6090-2BPZ-6090-2B（二箱）BPZ-6120-2BPZ-6120-2B（二箱）BPZ-6210-2BPZ-6210-2B（二箱）BPZ-6140-3BPZ-6140-3B （三箱）电源电压AC220V 50HZ输入功率2200W3350W3550W3100W控温范围RT+10～200℃温度分辨率/波动度0.1℃ /±1℃达到真空度133Pa真空表机械指针式工作环境温度＋5～40℃内胆尺寸(mm)W×D×H450×450×450（单层）500×500×500（单层）600×600×600（单层）380×600×620（单层）外形尺寸(mm)W×D×H740×810×1470790×860×1570880×960×1770880×980×1910搁板2块(独立控温)×23块(独立控温)×23块(独立控温)×22块(独立控温)×3工作室材料不锈钢304 (1Cr～18Ni9Ti) / 静电喷塑工艺真空表进口真空表价格RMB41900RMB51900RMB56000RMB66000RMB69000RMB79000RMB89000RMB99000注：1、带“B”为进口真空泵。 2、BPZ系列真空干燥箱配真空泵和干燥罐

快速检测，快速行动微电子和半导体检查系统 DM3 XL检测速度在微电子和半导体行业的检查、过程控制或缺陷和故障分析中至关重要。您发现缺陷的速度越快，您可以做出更快的反应。大视野——视野增加30％DM3 XL检测系统视野开阔，可让您的团队更快地发现缺陷并提高合格率。利用独特的宏观物镜增加的30％视野。 视野更大，效率更高看到更多意味着更快地工作。为了快速扫描6英寸以下的大型组件，DM3 XL提供了独特的微距物镜。放大倍数为0.7倍，它可以立即捕获35.7毫米的视场-比其他常规扫描物镜大30％。有了宏观目标，缺陷就没有机会了：提高产量可靠地检测到晶圆边缘或中心的显影不足检测不均匀的径向膜厚度 LED适用于所有对比方法DM3 XL将LED照明用于所有对比方法。LED照明提供恒定的色温，并提供所有强度级别的真实彩色成像。 在所有强度级别上逼真的彩色成像免调整无需更换灯泡-无需停机可重复的结果由于使用寿命长且功耗低，LED还具有巨大的成本节省潜力。 光学高性能使用DM3 XL，您可以以可承受的价格享受卓越的光学效果。用倾斜照明检查侧面，边缘或碎片：从不同角度照亮样品，这是可视化地形图的简便有效方法。通过深入的暗场对比度检测样品下层中的微小划痕或小颗粒。灵敏度和分辨率的急剧提高会让您震惊。 各种样品–可变台插入无论您要检查哪种样品大小和样品类型，都可以从各种载物台中进行选择：载物台尺寸：150毫米x 150毫米舞台插件：金属插件，晶圆支架或掩模支架快速粗台或精台定位 舒适直观地工作彩色编码膜片助手（CCDA）简化了分辨率，对比度和景深的基本设置，有助于加快工作速度并减少操作错误。简单直观的功能使您的团队可以更快地提供可靠的结果。借助易于触及的控件，可在切换对比度或照明时将手放在显微镜上，将眼睛放在样品上用右手轻松操作光强度控制器使用可变的ErgoTubes和聚焦旋钮将显微镜调整到不同的身高

快速检测，快速行动微电子和半导体检查系统 DM3 XL检测速度在微电子和半导体行业的检查、过程控制或缺陷和故障分析中至关重要。您发现缺陷的速度越快，您可以做出更快的反应。大视野——视野增加30％DM3 XL检测系统视野开阔，可让您的团队更快地发现缺陷并提高合格率。利用独特的宏观物镜增加的30％视野。 视野更大，效率更高看到更多意味着更快地工作。为了快速扫描6英寸以下的大型组件，DM3 XL提供了独特的微距物镜。放大倍数为0.7倍，它可以立即捕获35.7毫米的视场-比其他常规扫描物镜大30％。有了宏观目标，缺陷就没有机会了：提高产量可靠地检测到晶圆边缘或中心的显影不足检测不均匀的径向膜厚度 LED适用于所有对比方法DM3 XL将LED照明用于所有对比方法。LED照明提供恒定的色温，并提供所有强度级别的真实彩色成像。 在所有强度级别上逼真的彩色成像免调整无需更换灯泡-无需停机可重复的结果由于使用寿命长且功耗低，LED还具有巨大的成本节省潜力。 光学高性能使用DM3 XL，您可以以可承受的价格享受卓越的光学效果。用倾斜照明检查侧面，边缘或碎片：从不同角度照亮样品，这是可视化地形图的简便有效方法。通过深入的暗场对比度检测样品下层中的微小划痕或小颗粒。灵敏度和分辨率的急剧提高会让您震惊。 各种样品–可变台插入无论您要检查哪种样品大小和样品类型，都可以从各种载物台中进行选择：载物台尺寸：150毫米x 150毫米舞台插件：金属插件，晶圆支架或掩模支架快速粗台或精台定位 舒适直观地工作彩色编码膜片助手（CCDA）简化了分辨率，对比度和景深的基本设置，有助于加快工作速度并减少操作错误。简单直观的功能使您的团队可以更快地提供可靠的结果。借助易于触及的控件，可在切换对比度或照明时将手放在显微镜上，将眼睛放在样品上用右手轻松操作光强度控制器使用可变的ErgoTubes和聚焦旋钮将显微镜调整到不同的身高

电子半导体行业净化瓶专 有 技术：清洁工艺-高频超声原位冲洗清洁（CIP系统）；灭菌工艺-超高低温紫外复合灭菌（UHTU系统）；烘干工艺-千万级真空清洁密封融合烘干（TMVSD系统）；检测工艺-采用颗粒计数器批次抽样监测、在线逐一检测（PC&OPC系统；包装工艺-结合的无菌包装厂商产品确保每一个独立产品的安全（SVP系统）。制 造 工艺：高质量的原位清洗（CIP）有助于维持卓越和一致的产品质量，避免因生产受污染及原料浪费所带来的风险与费用。超高温灭菌处理是一种科技灭菌的高温处理技术。UHT英文全称为Ultra High Temperature，意即超高温。细菌等微生物在很短的时间内（2至10秒）被137至140摄氏度的高温杀死。监 测 工艺：逐一检测批次抽检法是目前最为重苛刻的监督检测方法，生产中每一个产品需通过跟踪检测，再从成品中进行批次抽检，达到合格率。目前为PULUODY/普洛帝特有监测手段。产 品 应用：高纯水、电子纯试剂、光刻胶、硅晶片洗液、电子级清洗剂、液晶液、电路板洗液等等的取样。适合各类水液或油液的不溶性微粒检测。执 行 标准：GB 50073-2001洁净厂房设计规范JIS B9925-1997 液体中の粒子の大きさ及び数を測定する光散乱式自動粒子計数器JIS?K0554-1995超純水中の微粒子測定方法ISO 3722Fluid sample containers -- Qualifying and controlling cleaning methodsISO14644-1Cleanrooms and associated controlled environments—Part1:Classification of air cleanlinessGB/T 17484流体样品容器 鉴定和控制清洗方法可根据要求，进行各种粒径的清洗订制。技 术 参数：订制要求：各种粒径、颗粒数量、容积的订制粒径范围：0.1μm；0.3μm；0.5μm；1.0μm；2.0μm；5.0μm；取样容积：100ml、120ml、150ml、220ml、250ml、300ml、500ml、1000ml瓶体材质：PP、PE、PEFT、PEEK、PFAD、高硅硼等平均检出质量极限AOQL：0.5%洁净等级：RCL＜15个/100mL等级评判：CLASS 1 ~ 9级电子级PP瓶：编号容量ml口内径×瓶直径×高（mm）数量86-8011-PP-01广口100φ25×φ47×981箱（5个/袋×2袋）86-8011-PP-02广口250φ32×φ62×1301箱（5个/袋×2袋）86-8011-PP-03广口500φ42×φ76×1621箱（2个/袋×5袋）86-8011-PP-04广口1000φ48×φ92×1981箱（1个/袋×5袋）86-8011-PPS-01细口100φ47×φ16×1001箱（5个/袋×2袋）86-8011-PPS-02细口250φ62×φ16×1331箱（5个/袋×2袋）86-8011-PPS-03细口500φ76×φ20×1671箱（2个/袋×5袋）电子级PFA瓶：编号容量口内径×瓶直径×高×盖外径（mm）数量86-8011-PFA-01细口100φ16.7×φ47×94×301箱（1个/袋×5袋）86-8011-PFA-02细口250φ16.7×φ60×133×301箱（1个/袋×5袋）86-8011-PFA-03细口500φ26.7×φ77×158×401箱（1个/袋×5袋）86-8011-PFA-05广口100φ26.7×φ47×94×401箱（1个/袋×5袋）86-8011-PFA-06广口250φ33.8×φ60×133×501箱（1个/袋×5袋）86-8011-PFA-07广口500φ43.6×φ77×158×601箱（1个/袋×5袋）86-8011-PFA-08广口1000φ43.6×φ94×200×601箱（1个/袋×5袋）电子级玻璃瓶：编号容量瓶直径×高（mm）数量86-8011-HSG-0150φ38×681箱（10个/袋×8袋）86-8011-HSG-02110φ48×871箱（10个/袋×5袋）86-8011-HSG-03200φ58×1151箱（5个/袋×10袋）86-8011-HSG-04250φ65×1271箱（3个/袋×10袋）86-8011-HSG-05500φ84×1551箱（2个/袋×12袋）电子级PP无菌瓶：编号容量ml口内径×瓶直径×高（mm）数量86-8011-PPST-01细口100φ47×φ16×1001箱（5个/袋×2袋）86-8011-PPST-02细口250φ62×φ16×1331箱（5个/袋×2袋）86-8011-PPST-03细口500φ76×φ20×1671箱（2个/袋×5袋）86-8011-PPST-04广口100φ25×φ47×981箱（5个/袋×2袋）86-8011-PPST-05广口250φ32×φ62×1301箱（5个/袋×2袋）86-8011-PPST-06广口500φ42×φ76×1621箱（2个/袋×5袋）选型实例： 型号 等级 包装 数量86-8011-PFA-07 CLASS 2 2包 1只选型规格：86-8011-PFA-07-CLASS 2-2-1

普泰克主要经营恒温循环器/冷水机/低温恒温器/低温冷却液循环泵/（生物）低温恒温循环泵/超低温恒温器/超高温恒温器/工业级冷水机 /冷却水循环器 /超高温工艺过程恒温器/工艺过程恒温器/冷却水循环机/大功率循环冷却器/高低温动态温度控制系统/加热制冷循环器/动态温度控制系统/油浴循环器/低温恒温器 /加热制冷循环器/工艺过程恒温系统/高精度恒温器/TCU温度控制/实验室冷阱/投入式制冷器/动态温度控制系统/工业级冷水机 /半导体温控/反应釜温控/汽车温控/加热制冷恒温器 /制冷加热一体机/制冷加热循环装置/制冷加热设备/制冷加热循环机/高低温循环泵价格 /密闭高低温一体机/高品质低温冷冻机 /优质密闭低温冷冻机/低温冷冻机产品参数/精准控温高低温循环器/全封闭小型高低温循环装置 /微型高低温冷却循环器 /低温制冷循环器/加热循环器/制冷加热控温系统/低温冰机价格/半导体晶圆温度控制/样品冷热台高低温设备/冷热恒温一体机/高精度动态温度控制系统/半导体冷却加热恒温一体机/冷热源动态恒温控制系统/动态温度控制恒温循环器/精密冷水机/精密型冷水机/双温半导体冷水机/半导体冷水机/半导体冷却一体机/半导体制冷冷水机/半导体风冷式冷水机/半导体芯片测试冷水机/芯片半导体专用冷水机/恒温恒流恒压冷水机/半导体致冷冷水机/SMC国产替代水冷机/气体冷却机/气体温控设备/气体温度控制设备/冷气制冷机/气体冷却器/晶圆气体冷却设备/半导体测试国产替代温控设备/汽车行业温控设备/新能源行业温控设备/测试分选机高低温设备/电源模块及组件测试台/汽车冷却液循环泵(CCP)性能测试台/ECP电子元件性能试验台/新能源电池性能测试台/汽车热管理系统温度控制单元/汽车热管理系统温度控制系统/喷油器性能测试台/转换器 / 逆变器性能测试台/汽车无线电充系统性能测试台/液体冷却设备/液体冷却器/外部温度控制循环器/高低温一体机加热制冷温控系统/超低温气体制冷机/医疗设备气体制冷机/医用恒温、恒压、恒流功能制冷机/制冷型低温制冷机/冷水机厂家/半导体温控厂家/汽车温控厂家

产品概要：FS-Pro 半导体参数测试系统是一款功能全面、配置灵活的半导体器件电学特性分析设备，在一个系统中实现了电流电压(IV) 测试、电容电压(CV)测试、脉冲式 IV 测试、高速时域信号采集以及低频噪声测试能力。一套设备可完成半导体器件的全部低频特性表征，其强大而全面的测试分析能力极大地加速了半导体器件与工艺的研发评估进程，可无缝地与 9812 噪声测试系统集成，其快速 DC 测试能力进一步提升了 9812 系列产品的噪声测试效率。基本信息：软件功能：FS-Pro 系列内置 LabExpress 测量软件具有强大的测试和分析功能，该软件提供友好的图形化用户使用界面和灵活的设定，具有下列主要功能 :1、完整支持直流，脉冲，瞬态，电容和噪声测试功能2、内置的常见器件测试预设可大大提高测试设置效率，帮助新手操作者快速完成测试3、强大的自定义设定功能可以灵活编辑电信号4、内置强大数据处理能力可测试后直接展开器件特性分析5、多种数据保存方式，导出数据可供用户后续分析研究也可直接导入建模软件 BSIMProPlus 和 MeQLab 进行模型提取和特性分析6、LabExpress 专业版支持对主流半自动探针台和矩阵开关设备的控制，支持晶圆映射、并行测试实现自动测试功能，进一步提升测试效率IV电流电压测试CV电容电压测试1/f噪声测试 IVT测试采用工业通用的 PXI 模块化硬件结构，配合自主开发的测试软件 LabExpress，FS-Pro 在半导体工业产线测试与科研应用方面都具有优秀的性能表现，可广泛应用于各种半导体器件、 LED 材料、二维材料器件、金属材料、新型先进材料与器件测试等。LabExpress 为用户提供了丰富的测试预设和强大的测试功能，可实现非常友好的用户即插即用体验； 该系统还可支持多通道并行测试，进一步提升测试效率。技术优势：1、同时具备高速高精度直流测试和脉冲测试能力2、量程范围宽、测试速度快3、支持小于1us采样时间的高速时域信号采集4、高达10万点的数据量可以精细描绘信号随时间变化特性5、低频噪声(1/f noise,flicker noise)测试能力特别是RTN(随机电报噪声)测试能力与对准能力6、使用方式简单灵活，无需编程即可实现自由的波形发生或电压同步与跟随7、支持并行测试，内置功能强大的测试软件和算法，支持多通道并行测试成倍提升测试效率8、系统架构，PXI标准机箱，可扩展架构,支持通过多机箱扩展SMU卡数量应用方向：被半导体工业界和众多知名大学及科研机构采用作为标准测试仪器。

半导体分立器件特性参数测试是对待测器件（DUT）施加电压或电流，然后测试其对激励做出的响应；通常半导体分立器件特性参数测试需要几台仪器完成，如数字表、电压源、电流源等。然而由数台仪器组成的系统需要分别进行编程、同步、连接、测量和分析，过程既复杂又耗时，还占用过多测试台的空间。而且使用单一功能的测试仪器和激励源还存在复杂的相互间触发操作，有更大的不确定度及更慢的总线传输速度等缺点。 实施特性参数分析的最佳工具之一是数字源表（SMU）。普赛斯历时多年打造了高精度、大动态范围、率先国产化的源表系列产品，集电压、电流的输入输出及测量等功能于一体。可作为独立的恒压源或恒流源、伏特计、安培计和欧姆表，还可用作精密电子负载。其高性能架构还允许将其用作脉冲发生器，波形发生器和自动电流-电压(I-V)特性分析系统，支持四象限工作。普赛斯“五合一”高精度数字源表（SMU）可为高校科研工作者、器件测试工程师及功率模块设计工程师提供测量所需的工具。不论使用者对源表、电桥、曲线跟踪仪、半导体参数分析仪或示波器是否熟悉，都能简单而迅速地得到精确的结果。 普赛斯“五合一”高精度数字源表 普赛斯源表轻松实现二极管特性参数分析 二极管是一种使用半导体材料制作而成的单向导 电性元器件，产品结构一般为单个PN结结构，只允许电流从单一方向流过。发展至今，已陆续发展出整流二 极管、肖特基二极管、快恢复二极管、PIN二极管、光电 二极管等，具有安全可靠等特性，广泛应用于整流、稳压、保护等电路中，是电子工程上用途最广泛的电子元器件之一。IV特性是表征半导体二极管PN结制备性能的主要参数之一，二极管IV特性主要指正向特性和反向特性等； 普赛斯S系列、P系列源表简化场效应MOS管I-V特性分析 MOSFET(金属—氧化物半导体场效应晶体管)是 一种利用电场效应来控制其电流大小的常见半导体器件，可以广泛应用在模拟电路和数字电路当中，MOSFET可以由硅制作，也可以由石墨烯，碳纳米管 等材料制作，是材料及器件研究的热点。主要参数有输入/输出特性曲线、阈值电压 VGS(th)、漏电流IGSS、 IDSS，击穿电压VDSS、低频互导gm、输出电阻RDS等。 普赛斯数字源表快速、准确进行三极管BJT特性分析 三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体 基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块 半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射 区和集电区。设计电路中常常会关注的参数有电流放大系数β、极间反向电流ICBO、ICEO、集电极最大允许电流ICM、反向击穿电压VEBO、VCBO、VCEO以及三极管的输入输出特性曲线等参数。 普赛斯五合一高精度数字源表（SMU）在半导体IV特性测试方面拥有丰富的行业经验，为半导体分立器件电性能参数测试提供全面的解决方案，包括二极管、MOS管、BJT、IGBT、二极管电阻器及晶闸管等。此外，普赛斯仪表还提供适当的电缆辅件和测试夹具，实现安全、精确和可靠的测试。欲了解更多半导体分立器件测试系统的信息，欢迎随时来电咨询普赛斯仪表！

半导体TEC温控平台及设备产品介绍本系列的“半导体温控平台、设备”是建立在半导体制冷片(热电制冷片)基础上设计的高性能温度控制系统，其特点是高精度和高稳定度、长寿命、体积小、无噪声、无磨损、无振动、无污染、既可制冷又可加热等优点，是真正的绿色产品。本系列产品带有完美的PID控制软件，智能无级控温，既可加热又可制冷。可用于控制激光器件、医疗器件、半导体器件、红外探测器、光电倍增管、或其它任何需要温度控制的地方。该产品采用现代电力电子器件和高速微处理器(MPU)程序控制技术，以及PWM调制、双向电源、PID调节技术，具有优良的电压、电流输出特性，开关机时无过冲、反冲、浪涌现象，并带有过流、过压、过温、欠温等保护电路，以及RS232或RS485远程控制接口注：为了获到的精度、线性度、定度等,本产品采用标准日本进口NTC（热敏电阻）作为温度采样元件。产品特点 智能无级调温，双向温度控制 温度控制精度为±0.1度或0.01度 工作温度可任意设置(常规在-60℃～300℃之间选择，其它范围可定制) 工作温度超过上限/下限(软件设定)时报警 用户可以修改温度PID反馈参数 恒温模式：双向冷热恒温 具有过流、过压、过热等保护 具有硬件过温、欠温等保护电路 高稳定,高抗干扰,完全消除温度采样通道中的50/60Hz工频干扰 点阵液晶或触摸屏控制 友好的人机界面和故障诊断功能(在操作不当或电源故障时,电源将给出故障号提示) 模块尺寸：根据产品型号不同，具体参见产品手册 接受定制：可根据客户需要定制温控平台，夹具平台、恒温盒、恒温箱产品应用 半导体激光器、激光晶体，激光倍频晶体温度控制 固体温度控制、实验、科研温度控制 高低温实验等平台产品选型型号参数 TLT-FB120-30 TLT-FB120-50 TLT-WB120-80 TLT-WB120-120 TLT-WB120-200 TLT-WB120-300输入电压（VAC） AC220V±15%制冷功率（V） 30W 50W 80W 120W 200W 300W冷却方式 风冷 水冷控温精度 ±0.1℃或±0.01℃控温范围 -10℃~150℃ -60℃~100℃温度传感器 NTC（25℃-10K）平台体积 120*120*100mm温控仪体积 450×300×133mm 450×400×133mm远程接口 RS232或RS485显示 字符点阵液晶或真彩触摸屏4.3寸

半导体TEC温控仪产品介绍本系列的“半导体制冷控制器”是专门为驱动半导体制冷片(热电制冷片)而设计的高性能温度控制系统(风冷)，其特点是高精度和高稳定度。输出负载为半导体制冷片(热电制冷片)。半导体制冷是利用帕尔帖效应原理工作的，具有高精度、长寿命、体积小、无噪声、无磨损、无振动、无污染、既可制冷又可加热等优点，是真正的绿色产品。本系列产品带有完美的PID控制软件，智能无级控温，既可加热又可制冷。可用于控制激光器件、医疗器件、半导体器件、红外探测器、光电倍增管、或其它任何需要温度控制的地方。该产品采用现代新电力电子器件和高速微处理器(MPU)程序控制技术，以及PWM调制、双向电源、PID调节技术，具有优良的电压、电流输出特性，开关机时无过冲、反冲、浪涌现象，并带有过流、过压、过温、欠温等保护电路，以及RS232或RS485远程控制接口注：为了获到好的精度、线性度、定度等,本产品采用标准日本进口NTC（热敏电阻）作为温度采样元件。产品特点 智能无级调温，双向温度控制 温度控制精度为±0.1℃、0.01℃、0.005℃、0.001℃ 工作温度可任意设置(常规在-40℃～100℃之间选择，其它范围可定制) 工作温度超过上限/下限(软件设定)时报警 用户可以修改温度PID反馈参数 恒温模式：双向冷热恒温 具有过流、过压、过热等保护 具有硬件过温、欠温等保护电路 高稳定,高抗干扰,完全消除温度采样通道中的50/60Hz工频干扰 触摸屏控制接口 友好的人机界面和故障诊断功能(在操作不当或电源故障时,电源将给出故障号提示) 模块尺寸：W×L×H＝450×300×133mm 接受定制：可根据客户需要定制温控电源，定制夹具平台等 同时提供各种温控模块产品选择产品应用 半导体激光器、激光晶体，激光倍频晶体温度控制 固体温度控制、实验、科研温度控制 高低温实验等产品选型型号参数 TLTP-TEC0510 TLTP-TEC1210 TLTP-TEC2410 TLTP-TEC2420 TLTP-TEC3610 TLTP-TEC4810输入电压（VAC） AC220V±15%输出电压（V） 1~5V(可调节) 3.6~12V(可调节) 7.2~24V(可调节) 7.2~24V(可调节) 10.8~32V(可调节) 15~45V(可调节)输出电流（A） -10A~10A -10A~10A -10A~10A -20A~20A -10A~10A -10A~10A通道数 1到60通道可选控温精度 ±0.1℃或±0.01℃或±0.005℃或±0.001℃控温范围 -40℃~100℃温度传感器 NTC（25℃-10K）模块体积 450×300×133mm或450×400×133mm远程接口 RS232或RS485显示 字符点阵液晶或真彩触摸屏4.3寸

有机半导体层的光电特性在有机光伏(OPV)和有机发光二极管(OLED)的应用中具有重要意义，T4000有机半导体参数测试系统基于LED光源和高速测量电子学进行各种实验，以获得载流子迁移率等特性参数。- TPV/TPC- 线性升压电荷提取/暗/光电荷提取- 瞬态电致发光- I-V特性/阻抗谱/电容电压(C-V)。- IMVS & IMPS

产品名称：半导体制冷片温度控制半导体激光器温度控制产品介绍本系列的“半导体温控平台、设备”是建立在半导体制冷片(热电制冷片)基础上设计的高性能温度控制系统，其特点是高精度和高稳定度、长寿命、体积小、无噪声、无磨损、无振动、无污染、既可制冷又可加热等优点，是真正的绿色产品。本系列产品带有完美的PID控制软件，智能无级控温，既可加热又可制冷。可用于控制激光器件、医疗器件、半导体器件、红外探测器、光电倍增管、或其它任何需要温度控制的地方。该产品采用现代电力电子器件和高速微处理器(MPU)程序控制技术，以及PWM调制、双向电源、PID调节技术，具有优良的电压、电流输出特性，开关机时无过冲、反冲、浪涌现象，并带有过流、过压、过温、欠温等保护电路，以及RS232或RS485远程控制接口注：为了获到的精度、线性度、定度等,本产品采用标准日本进口NTC（热敏电阻）作为温度采样元件。产品特点 智能无级调温，双向温度控制 温度控制精度为±0.1度或0.01度 工作温度可任意设置(常规在-60℃～300℃之间选择，其它范围可定制) 工作温度超过上限/下限(软件设定)时报警 用户可以修改温度PID反馈参数 恒温模式：双向冷热恒温 具有过流、过压、过热等保护 具有硬件过温、欠温等保护电路 高稳定,高抗干扰,完全消除温度采样通道中的50/60Hz工频干扰 点阵液晶或触摸屏控制 友好的人机界面和故障诊断功能(在操作不当或电源故障时,电源将给出故障号提示) 模块尺寸：根据产品型号不同，具体参见产品手册 接受定制：可根据客户需要定制温控平台，夹具平台、恒温盒、恒温箱等产品应用 半导体激光器、激光晶体，激光倍频晶体温度控制 固体温度控制、实验、科研温度控制 高低温实验等平台产品选型型号参数 TLT-FB120-30 TLT-FB120-50 TLT-WB120-80 TLT-WB120-120 TLT-WB120-200 TLT-WB120-300输入电压（VAC） AC220V±15%制冷功率（V） 30W 50W 80W 120W 200W 300W冷却方式 风冷 水冷控温精度 ±0.1℃或±0.01℃控温范围 -10℃~150℃ -60℃~100℃温度传感器 NTC（25℃-10K）平台体积 120*120*100mm温控仪体积 450×300×133mm 450×400×133mm远程接口 RS232或RS485显示 字符点阵液晶或真彩触摸屏4.3寸

半导体TEC温控平台及设备产品介绍本系列的“半导体温控平台、设备”是建立在半导体制冷片(热电制冷片)基础上设计的高性能温度控制系统，其特点是高精度和高稳定度、长寿命、体积小、无噪声、无磨损、无振动、无污染、既可制冷又可加热等优点，是真正的绿色产品。本系列产品带有完美的PID控制软件，智能无级控温，既可加热又可制冷。可用于控制激光器件、医疗器件、半导体器件、红外探测器、光电倍增管、或其它任何需要温度控制的地方。该产品采用现代电力电子器件和高速微处理器(MPU)程序控制技术，以及PWM调制、双向电源、PID调节技术，具有优良的电压、电流输出特性，开关机时无过冲、反冲、浪涌现象，并带有过流、过压、过温、欠温等保护电路，以及RS232或RS485远程控制接口注：为了获到的精度、线性度、定度等,本产品采用标准日本进口NTC（热敏电阻）作为温度采样元件。产品特点 智能无级调温，双向温度控制 温度控制精度为±0.1度或0.01度 工作温度可任意设置(常规在-60℃～300℃之间选择，其它范围可定制) 工作温度超过上限/下限(软件设定)时报警 用户可以修改温度PID反馈参数 恒温模式：双向冷热恒温 具有过流、过压、过热等保护 具有硬件过温、欠温等保护电路 高稳定,高抗干扰,完全消除温度采样通道中的50/60Hz工频干扰 点阵液晶或触摸屏控制 友好的人机界面和故障诊断功能(在操作不当或电源故障时,电源将给出故障号提示) 模块尺寸：根据产品型号不同，具体参见产品手册 接受定制：可根据客户需要定制温控平台，夹具平台、恒温盒、恒温箱产品应用 半导体激光器、激光晶体，激光倍频晶体温度控制 固体温度控制、实验、科研温度控制 高低温实验等平台产品选型型号参数 TLT-FB120-30 TLT-FB120-50 TLT-WB120-80 TLT-WB120-120 TLT-WB120-200 TLT-WB120-300输入电压（VAC） AC220V±15%制冷功率（V） 30W 50W 80W 120W 200W 300W冷却方式 风冷 水冷控温精度 ±0.1℃或±0.01℃控温范围 -10℃~150℃ -60℃~100℃温度传感器 NTC（25℃-10K）平台体积 120*120*100mm温控仪体积 450×300×133mm 450×400×133mm远程接口 RS232或RS485显示 字符点阵液晶或真彩触摸屏4.3寸

半导体TEC温控平台及设备产品介绍本系列的“半导体温控平台、设备”是建立在半导体制冷片(热电制冷片)基础上设计的高性能温度控制系统，其特点是高精度和高稳定度、长寿命、体积小、无噪声、无磨损、无振动、无污染、既可制冷又可加热等优点，是真正的绿色产品。本系列产品带有完美的PID控制软件，智能无级控温，既可加热又可制冷。可用于控制激光器件、医疗器件、半导体器件、红外探测器、光电倍增管、或其它任何需要温度控制的地方。该产品采用现代电力电子器件和高速微处理器(MPU)程序控制技术，以及PWM调制、双向电源、PID调节技术，具有优良的电压、电流输出特性，开关机时无过冲、反冲、浪涌现象，并带有过流、过压、过温、欠温等保护电路，以及RS232或RS485远程控制接口注：为了获到的精度、线性度、定度等,本产品采用标准日本进口NTC（热敏电阻）作为温度采样元件。产品特点 智能无级调温，双向温度控制 温度控制精度为±0.1度或0.01度 工作温度可任意设置(常规在-60℃～300℃之间选择，其它范围可定制) 工作温度超过上限/下限(软件设定)时报警 用户可以修改温度PID反馈参数 恒温模式：双向冷热恒温 具有过流、过压、过热等保护 具有硬件过温、欠温等保护电路 高稳定,高抗干扰,完全消除温度采样通道中的50/60Hz工频干扰 点阵液晶或触摸屏控制 友好的人机界面和故障诊断功能(在操作不当或电源故障时,电源将给出故障号提示) 模块尺寸：根据产品型号不同，具体参见产品手册 接受定制：可根据客户需要定制温控平台，夹具平台、恒温盒、恒温箱产品应用 半导体激光器、激光晶体，激光倍频晶体温度控制 固体温度控制、实验、科研温度控制 高低温实验等平台产品选型型号参数 TLT-FB120-30 TLT-FB120-50 TLT-WB120-80 TLT-WB120-120 TLT-WB120-200 TLT-WB120-300输入电压（VAC） AC220V±15%制冷功率（V） 30W 50W 80W 120W 200W 300W冷却方式 风冷 水冷控温精度 ±0.1℃或±0.01℃控温范围 -10℃~150℃ -60℃~100℃温度传感器 NTC（25℃-10K）平台体积 120*120*100mm温控仪体积 450×300×133mm 450×400×133mm远程接口 RS232或RS485显示 字符点阵液晶或真彩触摸屏4.3寸

分子束外延系统MBE 可以在某些衬底上实现外延生长工艺，实现分子自组装、超晶格、量子阱、一维纳米线等。可以进行第二代半导体和第三代半导体的工艺验证和外延片的生长制造。 分子束外延系统MBE在薄膜外延生长时具有超高的真空环境，是在理想的环境下进行薄膜外延生长，它可以排除在薄膜生长时的各种干扰因素，得到理想的高精度薄膜。我公司设计制造的分子束外延薄膜生长实验设备，分实验型和生产型两种 ，配置合理，结构简单，操作方便，技术先进，性能可靠，用途多，实用性强，价格相对较低，可供各大学的实验室及科研机构作为分子束外延方面的教学实验、科学研究及工艺实验之用。生产型MBE可用于小批量外延片的制备。功能特点本项目于2005年在国内率先完成了成套MBE的全国产化研发设计和制造，做到自主可控。自主设计MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、RHEED原位实时在线监控仪、直线型电子枪、高温束源炉、束源炉电源、高温样品台、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）等核心部件。可实现第二代半导体（如砷化镓等）和第三代半导体（如碳化硅和氮化镓）的外延生长。设备组成与主要技术指标设备的组成进样室该室用于样品的进出仓，并配置有多样片储存功能。样品库可放六片基片。预处理室该室用于样品在进入外延室之前进行真空等离子剥离式清洗和真空高温除气，及其他前期工艺处理。还用于对外延后的样片进行后工艺处理，如高温退火等等。外延室超高真空洁净真空室，实现分子束外延工艺。主要技术指标进样室极限真空：5.0×10-5Pa样品装载数量：6片（φ2 英寸～φ4 英寸，带样品载具）预处理室极限真空：5×10-7Pa样品台加热温度：室温～ 850℃±1℃（PID 控制）离子清洗源：Φ60；100 ～ 500eV外延室 项目 参数 极限真空 离子泵 8.0×10-9Pa（冷阱辅助） 样品台加热温度 室温～ 1200℃±1℃（PID 控制） 样品自转速度 2 ～ 20 转 / 每分钟（无级可调） 气态离化源 1～3套（氮） 固态束源炉 3 ～ 8 套（根据用户需求配置） Rheed 1套*工艺室部分部件根据客户需求不同，所配置不同。实验型MBE设备组件超高真空直线型电子枪自主研发直线型电子枪，满足超高真空和束源炉法兰接口及安装尺寸的要求；可用于高温难融材料的加热蒸发。超高真空直线型电子枪高能衍射枪及电源束斑0.6mm，高压25kV。光斑在荧光屏上可衍射图像经CCD 相机采集后由计算机进行图像处理。生产型MBE工艺实现使用鹏城半导体自主研发的分子束外延设备生长的Bi2-xSbxTe3。关于鹏城半导体鹏城半导体技术（深圳）有限公司（鹏城半导体），由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）|OLED中试设备（G1、G2.5）|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备（PECVD+磁控溅射）团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年 与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。

随着半导体技术的不断发展，半导体清洗设备在微电子制造领域扮演着至关重要的角色。其中，PFA直通穿板接头作为半导体清洗设备的关键配件，其性能与品质直接影响到整个设备的清洗效果和运行稳定性。　　PFA直通穿板接头以其独特的材质特性和设计优势，在半导体清洗设备中得到了广泛应用。它采用高纯度PFA材料制造，具有出色的耐腐蚀性和耐高温性，能够在各种恶劣环境下稳定运行。同时，其直通式设计使得流体在接头内部流动更加顺畅，降低了流体阻力，提高了清洗效率。　　此外，PFA直通穿板接头还具有优良的密封性能。接头内部采用精密的螺纹设计和高质量的密封材料，确保在高压、高温条件下仍能保持良好的密封效果，有效防止了清洗液泄漏的问题。这不仅保证了清洗过程的稳定性，也降低了对周围环境的污染风险。　　在半导体清洗设备中，PFA直通穿板接头通常用于连接清洗设备的各个部件，如清洗槽、过滤器、泵等。它能够在不同部件之间建立稳定、可靠的流体通道，保证清洗液在设备内部循环流动，实现对半导体产品的有效清洗。　　然而，随着半导体技术的不断进步，对清洗设备的要求也越来越高。为了满足更高的清洗效果和更严格的品质要求，PFA直通穿板接头也在不断地进行技术创新和升级。例如，通过优化接头设计、提高材料纯度、加强密封性能等方面的改进，可以进一步提升接头的性能和使用寿命。　　总的来说，PFA直通穿板接头作为半导体清洗设备的关键配件，其重要性不言而喻。在未来，随着半导体技术的持续发展，我们有理由相信，PFA直通穿板接头将在半导体清洗设备中发挥更加重要的作用，为微电子制造领域的发展贡献更多的力量。

4156C 是安捷伦的半导体参数分析仪。半导体参数分析仪是用于各种测量功能的多合一工具。半导体参数分析仪可以测量和分析多种电子设备、材料、有源或无源元件、半导体或任何其他类型的电子设备的电气特性。工程师使用这台测试设备来监测不同类型设备中的电流和电压响应。大量二手仪器仪表，欢迎咨询主要特性与指标用于高级器件表征的高精度实验室台式参数分析仪4x 高分辨率 SMU、2xVSU 和 2xVMU前面板填空操作包括用于基于 PC 的 GUI 仪器控制的 Desktop EasyEXPERT 软件测量能力1 飞安和 0.2 微伏测量分辨率QSCV、压力模式、旋钮扫描、待机功能+/- 200 伏特和 +/- 1 安培大功率 SMU，可选 41501B 提供脉冲发生器功能桌面 EasyEXPERT 软件B1500A 半导体器件分析仪的相同测试和测量环境直观、面向任务的参数测试方法配备 80 多个预定义的、用户可修改的应用程序测试自动将数据保存到硬盘驱动器或任何网络驱动器通过 Desktop EasyEXPERT 软件进行离线数据分析和应用测试开发

HT系列高精度半导体恒温试验冷台，采用先进高效的半导体恒温技术，具有体积小、重量轻、无污染、无噪声、无振动、无磨损、恒温快、寿命长，可连续工作等特点，并采用高精度全自动智能PID双向功率控制系统，无触点电子控温，变频调节，升降温自动转换，可达到任意温度点的精确恒温，使测试结果更精确。双数码显示，既可显示实测温度又可显示设定温度，清晰直观。仪器还可选配远程控制接口、温度实时打印输出、程序控温、变送输入输出、设定值外部给定等功能。仪器台面可为平板式或带有凹槽式，冷台材料有铝和紫铜可供选择，也可增加其它结构，可选配上盖。仪器常用温度范围：-65至100度，精度0.1度，还有两位小数的产品可供选择。 该产品是电子、通讯、化工、生物、医疗、环境、材料、科研、教育等领域广泛使用的高效恒温试验仪器。一、 工作原理：该产品采用半导体温差电手焊铜板致冷器件为冷源，不需要任何致冷剂，并配有专供致冷器使用的电源，致冷器件接通直流电流后，通过能量转换来达到致冷的目的。本仪器控温采用PID方法，控制快速平稳。二、 主要技术指标：1、 外接电源：单相交流电220V ±10% 50HZ2、 控温方式：最低温度 -??55℃，控温精度±0.1℃3、 主机消耗功率： ≤1200VA4、 仪器使用环境温度：0℃ - 30℃5、 冷却液：无水乙醇6、 冷台铜表面净尺寸：?110x20mm（也可定制）7、 冷台净高度： 150mm（含20mm支撑底脚）8、 主机尺寸：宽470x厚500x高590mm9、 冷台尺寸：宽360x厚260x高150mm三、 使用及注意事项：1、开机前必需先加入无水乙醇，注意：首次联接冷却液务必联接正确，否则没有电流输出。2、打开电源开关，然后再打开前面板上的“工作”开关，控温仪温度调至所需的温度上（仪器出厂前以将温度设定在-50℃，如不需改变就可以直接使用即可）仪器进入工作状态。当温度降到设定温度后，便自动恒温。3、控温仪表的调整和使用请参照控温仪表使用说明书。4、如冷阱内实测温度与控温仪显示温度不符可调整控温仪的过程值偏置（PU-b）.三、 保修：本仪器自出厂之日起，凡属质量问题，一年之内本公司免费为用户维修。若因用户使用不当或运输等原因造成的维修，需酌情收取工本费。注：随着产品性能改善，有些参数将要发生一些变化请留意。感谢您使用本公司的产品，在使用中如有问题请与本公司联系。

TC WAFER 晶圆测温系统 半导体晶圆温度测温TC-Wafer是将高精度温度传感器镶嵌在晶圆表面，对晶圆表面的温度进行实时测量。通过晶圆的测温点了解特定位置晶圆的真实温度，以及晶圆整体的温度分布，同还可以监控半导体设备控温过程中晶圆发生的温度变化，获得升温、降温以及恒温过程期间的温度温度数据，从而了解半导体设备的温度均匀度。- 传输通道数量可定制 - 优异的软件功能，可用图形及颜色显示温度分布状况 - 数据可储存调用 - 可提供温度曲线图，方便直观的看到温度变化趋势- 真空环境下，温度传感器保持高精度和良好的稳定性TC-Wafer晶圆温度测量系统应用于许多行业，包括快速热处理 (RTP)、快速热退火 (RTA)、曝光后烘烤 (PEB)、化学气相沉积 (CVD)、物理气相沉积 (PVD)、ION 等应用注入、太阳能电池和许多其他热驱动工艺。智测电子具有高精度温度测量与控制技术和经验，支持产品定制智测电子TC-WAFER晶圆测温系统是专为高低温晶圆探针台设计的，测量精度可达到mk级别，确保了测量结果的准确性和可靠性。系统不仅能够实现对晶圆特定位置温度真实值的多区测量，还能够精准描绘晶圆整体的温度分布情况，让您对晶圆温度变化一目了然，以便及时采取相应的措施。同时，智测电子TC-WAFER晶圆测温系统还具备监控半导体设备控温过程中晶圆发生的温度变化的功能，确保了制造过程的稳定性。特别适用于半导体制造厂Fab、PVD/CVD 部门、RTP部门等场合，让您能够实时了解晶圆的温度情况，提高生产效率，降低不良品率。

PMT-2半导体化学品液体颗粒计数器，采用英国普洛帝核心技术创新型的第八代双激光窄光颗粒检测传感器，双精准流量控制-精密计量柱塞泵和超精密流量电磁控制系统，可以对清洗剂、半导体、超纯水、电子产品、平板玻璃、硅晶片等产品的在线或离线颗粒监测和分析，目前是英国普洛帝分析测试集团向水质领域及微纳米检测领域的重要产品。 产品优势：应用：创新性、多用途、多模块条件；技术：第八代双激光窄光检测技术应用；软件：分析测试和校准计量相分离消除干扰；输出：IPAD数据采集技术使用；在线优势：清洗剂、半导体、超纯水、电子产品、平板玻璃、硅晶片等产品的在线颗粒监测和分析，都是PMT-2微纳米监测仪的经典应用场所，并为生产线上的重要组成部分。在线、实时、连续取样、报警提示，能够即时掌握颗粒污染诊断和趋势。离线优势：移动测量和固定测量颗粒大小及多少双模式，解决连续跟踪监测的生产过程难题，无论您是即时测量还是清洁跟踪监测，都会为您提供完善的测试方案，让您的测试更加快捷。应用范围：可以对清洗剂、半导体、超纯水、电子产品、平板玻璃、硅晶片、手机零部件、纯水机、纳米过滤、微米过滤等领域进行固体颗粒污染度检测，及对有机液体、聚合物溶液进行不溶性微粒的检测。技术参数：订制要求：各类液体检测要求；传感器：第八代双激光窄光检测器；测试软件：V8.3分析测试软件集成版&PC版；测试标定：JJG1061或乳胶球或ISO21501；操作方式：彩色液晶触摸屏操作&无线键鼠组合；检测范围：0.1-0.5um、0.1-1.0um；特殊检测：自定义1~100μm或者4~70µ m（c）微粒，0.1μm或者0.1µ m（c）任意检测；取样方式：精准计量泵；进样精度：±1%精确度：±3%典型值；重合精度：1000粒/mL（2.5%重合误差）；模拟输出：4mA～20mA接口；并带超标报警功能（可定制）； 报告方法：颗粒数/ml及污染度等级；输入电压：100V～265V,50Hz～60Hz；售后服务：普洛帝服务中心/中特计量检测研究院。

多功能磁控溅射仪（ 高真空磁控溅射镀膜机）是用磁控溅射的方法，制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等；适用于镀制各种单层膜、多层膜、掺杂膜系及合金膜；可镀制磁性材料和非磁性材料。设备关键技术特点秉承设备为工艺实现提供实现手段的理念，我们做了如下设计和工程实现，实际运行效果良好，为用户的专用工艺实现提供了精*准的工艺设备方案。靶材背面和溅射靶表面的结合处理-靶材和靶面直接做到面接触是很难的，如果做不到面接触，接触电阻将增大，导致离化电场的幅值不够（接触电阻增大，接触面的电场分压增大），导致镀膜效果不好；电阻增大导致靶材发热升温，降低镀膜质量。-靶材和靶面接触不良，导致水冷效果不好，降低镀膜质量。-增加一层特殊导电导热的软薄的物质，保证面接触。采用计算机＋PLC 两级控制系统角度、距离可调磁控溅射靶头可调角度，以便针对不同尺寸基片的均匀性，做精*准调控。基片和靶材之间的距离可调整，以适应不同靶材的成膜工艺的距离要求。 集成一体化柜式结构一体化柜式结构优点：安全性好（操作者不会触碰到高压部件和旋转部件）占地面积小，尺寸约为：长1100mm×宽780mm（标准办公室门是800mm宽）（传统设备大约为2200mm×1000mm），相同面积的工作场地，可以放两台设备。安全性-电力系统的检测与保护-设置真空检测与报警保护功能-温度检测与报警保护-冷却循环水系统的压力检测和流量-检测与报警保护匀气技术工艺气体采用匀气技术，气场更均匀，镀膜更均匀。基片加热技术采用铠装加热丝，由于通电加热的金属丝不暴露在真空室内，所以高温加热过程中不释放杂质物质，保证薄膜的纯净度。铠装加热丝放入均温器里，保证温常的均匀，然后再对基片加热。真空度更高、抽速更快真空室内外，全部电化学抛光，完全去除表面微观毛刺丛林（在显微镜下可见），没有微观藏污纳垢的地方，腔体内表面积减少一倍以上，镀膜更纯净，真空度更高，抽速更快。高真空磁控溅射仪（磁控溅射镀膜机）设备详情设备结构及性能1、单镀膜室、双镀膜室、单镀膜室＋进样室、镀膜室+手套箱2、磁控溅射靶数量及类型：1 ～ 6 靶，圆形平面靶、矩形靶3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装4、磁控溅射靶：射频、中频、直流脉冲、直流兼容5、基片可旋转、可加热6、通入反应气体，可进行反应溅射镀膜7、操作方式：手动、半自动、全自动7、样品传递采用折叠式超高真空机械手工作条件类型 参数 备注 供电 ～ 380V 三相五线制 功率 根据设备规模配置 冷却水循环根据设备规模配置 水压 1.5 ～ 2.5×105Pa 制冷量 根据扇热量配置 水温 18～25℃ 气动部件供气压力 0.5～0.7MPa 质量流量控制器供气压力 0.05～0.2MPa 工作环境温度 10℃～40℃ 工作湿度 ≤50%设备主要技术指标-基片托架：根据供件大小配置。-基片加热器温度：根据用户供应要求配置，温度可用电脑编程控制，可控可调。-基片架公转速度 ：2 ～100 转 / 分钟，可控可调；基片自转速度：2 ～20 转 / 分钟。-基片架可加热、可旋转、可升降。-靶面到基片距离： 30 ～ 140mm 可调。-Φ2 ～Φ4 英寸平面圆形靶 2 ～ 3 支，配气动靶控板，靶可摆头调角度。-镀膜室的极限真空：6X10-5Pa~6X10-6Pa，恢复工作背景真空 7X10-4Pa ，30 分钟左右（新设备充干燥氮气）。-设备总体漏放率：关机 12 小时真空度≤10Pa。关于鹏城半导体鹏城半导体技术（深圳）有限公司（简称：鹏城半导体），由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）|OLED中试设备（G1、G2.5）|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备（PECVD+磁控溅射）团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年 与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。

半导体推拉力试验机主要用于各种金属、非金属及复合材料的拉伸、压缩、弯曲、剪切、剥离、撕裂等力学性能指标的测试。系统采用微机闭环控制，具有宽广准确的加载速度和测力范围，对载荷、位移的测量和控制有较高的精度和灵敏度。该设备适用于金属材料、复合材料、胶粘剂、管材、型材、复合材料、石油化工、防水卷材、电线电缆、纺织、纤维、橡胶、陶瓷、食品、包装材料、土工布、薄膜、木材、纸张等制造业以及各级产品质量监督部门，同时还适用于大中专院校进行教学演示工作。试验机主机的设计具有外形美观、操作方便、性能稳定可靠的特点，无污染、噪音低、效率高。符合标准：GB 13022、GB 8808、GB 1040、GB 4850、GB 7753、GB 7754、GB 453、GB/T 17200、GB/T 16578、GB/T 7122、GB/T 2790、GB/T 2791、GB/T 2792、ASTM E4、ASTM D828、ASTM D882、ASTM D1938、ASTM D3330、ASTM F88、ASTM F904、ISO 37、JIS P8113、QB/T 2358、QB/T 1130半导体推拉力试验机技术参数：1、 规格：QJ2102、 精度等级：0.5级3、 负荷：2500N(2500N以内力值任意换)；4、 有效测力范围：0.2/100-100 5、 试验力分辨率，负荷50万码；内外不分档，且全程分辨率不变。6、 有效试验宽度：150mm7、 有效试验空间：300mm8、 试验速度:0.01~1000mm/min（标准为300mm）9、 速度精度：示值的±0.5%以内；10、位移测量精度：示值的±0.5%以内；11、变形测量精度：示值的±0.5%以内；12、试台升降装置：快/慢两种速度控制，可点动；13、试台安全装置：电子限位保护14、试台返回：手动可以速度返回试验初始位置，自动可在试验结束后自动返回；15、超载保护：超过负荷10%时自动保护；16、电机： 200W17、尺寸：长430×宽315×高855mm18、主机重量：40kg三、公司承诺：1.购机前，我们专门派技术人员为您设计的流程和方案2.常年供应设备的易损件及耗品，确保试验机能长期使用3.购机后，将免费指派技术人员为您调试安装4.整机保修一年，产品终身维护

一.机型称号：半导体感光材料研磨混合机，药物研磨混合机，毫微米研磨混合机，超飞快研磨混合机，水管式研磨混合机，3级研磨混合机，高剪切研磨混合机。二.研磨机：机型19款，处理量50到8*10000KG/小时，旋转1100到1.4*10000转/分钟，线速度23到44m/秒，电滚功耗1.5到160kW，磨头胶体磨&锥体磨。三.研磨分散机：机型6款，处理量50到6*1000KG/小时，旋转1100到9*1000转/分钟，线速度23m/秒，电滚功耗2.2到150kW，磨头胶体磨。四.小型分散乳化机：机型30款，处理量0.2克到10KG/小时，旋转50到3*10000转/分钟，线速度3到33m/秒，电滚功耗0.3到0.8kW。五.真空分散乳化机：机型32款，处理量5到2*10000KG/小时，旋转14到1.4*10000转/分钟，线速度44m/秒，电滚功耗0.18到120kW。六.均质匀浆机：机型4款，处理量0.2到150克/小时，旋转3500到8*1000转/分钟，线速度3到10m/秒，电滚功耗0.145到0.18kW。七.多效用分散乳化均质机：机型27款，处理量150到12.5*10000KG/小时，旋转960到1.4*10000转/分钟，线速度10到44m/秒，电滚功耗1.5到160kW。八.混合机：机型I6款，处理量300到12.5*10000KG/小时，旋转1100到9*1000转/分钟，线速度20到23m/秒，电滚功耗1.5到160kW。九.实用物料种类：胶粘溶胶，巨粒子固态液体悬空液乳剂，不包溶等。十.终级粒径：主腔内有叁组定转子，每组粗齿、中齿、细齿、超细齿。调动定转子间隙，加工后地终级粒径在10微纳米之下。十一.胚料配件：百分之八十以上进ロ海内外公司。十二.技艺出处：引荐德国技艺，立发明加工，备有专利。十三.工作方式：有在线式，批次式，内外循环式，水管式，可倒式，若干效用式。十四.机型合成：靠预加工锅、搅动锅、泵、液压系统、倒料系统、电力调动系统、主腔等部件合成。十五.智力化：CIP冲洗系统，液压升降松盖，包括配料给料吸料安装。十六.磨头好处：研磨头可调5款模版，6款分散头，20多款工作头。十七.锥磨好处：锥磨转子外层包含金属碳化物跟不一样粒子地陶瓷镀层等高上材料，提防毁伤腐蚀。十八.机型材料：统统接碰物料地材料皆是进口耐酸钢，主腔跟管路内乃亮面抛光三百EMSH（卫生级），无死角。十九.密封好处：博格曼双机械密封，液压平稳系统（可以担当16atm重压），软密封。?.翻搅形式：可定刮壁式/锚杆式/熔解式/页片式。?.产品特点：产品采取上边同轴3重装翻搅器，回路管路，出口阀。?.操控柜长处：不单可以控制电动调速，气温减温加温（经过电力，热气，油水回路，可承担负40—250度），压强，酸碱值，黏度。更可以设定不相同功用模板，表现互相配得各个参量，可线性变大大量出产。?.可抉选：参观窗，硅氟酸玻璃参观，电导率计，二层绝缘保护，稳定夹，作业台，底盘，图案解析多功用显微硬度仪（测量界线1—4千维氏硬度），管路式测量电炉（测量界线zui高1350度），传送泵/转子泵/气动隔膜泵/锚杆泵/离心泵（产量850—4.3万升/H），反应翻搅单罐/多罐（500—3千升/H），反渗入/全自动纯净装备（0.5—3千升/H)，超氧产生器，过流式紫外光灭菌器等。?.别的特长：整体立方小，电耗低，分贝低，可每日不断出产。?.访客垂访：按照访客实况必要恰当抉选！别的可订制非标和生产线！假若是非常情况，比方超温，超压，易烧易炸，侵蚀性，可产品升级！?.物料测量：得到访客物料后当即投入测量，瞧可否到达要求&答复测量进程&成果。?.方案价格：断定好产品功用后当即策画方案，包含2D部署图，总安装出产线表示图，立体成果图，&呈上本该得价格单子！?.结语：我们是出产厂家，详尽信息可以企业查看，因此分外恭候访客去垂访&更深一步长谈！以上信息不容坊造，非常道谢！扩展内容可不看：半导体（semiconductor）是指常温下电导率介于导体和绝缘体之间的材料。半导体应用于集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域。 例如，二极管是由半导体制成的器件。无论从技术还是经济发展的角度来看，半导体的重要性都非常。 大多数电子产品的核心单元，如电脑、手机或数码录音机，都与半导体息息相关。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，硅是各种半导体材料应用中影响大的一种。物质以各种形式存在，如固体、液体、气体、等离子体等。 我们通常将导电性较差的材料，如煤、人造水晶、琥珀、陶瓷等称为绝缘体。 而导电性较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。 介于导体和绝缘体之间的材料可以简单地称为半导体。 与导体和绝缘体相比，半导体材料的发现是新的。 半导体是指具有可控导电性的材料，范围从绝缘体到导体。 从科学技术和经济发展的角度来看，半导体影响着人们的日常工作和生活，而这种材料直到 1930 年代材料的提纯技术进步，才得到学术界的认可。

透射电子显微镜半导体的Themis SS / TEM佳图像分辨率和高分析效率的完美结合Themis SS / TEM是80-200kV扫描/透射电子显微镜（S / TEM），用于半导体器件的高速成像和分析。作为行业标准Themis系列的新成员，Themis S TEM继承了佳空间分辨率高效化学分析的独特组合。半导体的Themis SS / TEM优势包括：高分辨率和高通量分析的佳组合。镜头配置使此功能仅在Themis列上可用。它提供了佳的图像分辨率以及的EDS效率。得信赖的测量精度。当测量不确定度≤2％时，关键尺寸测量是可信赖的，可重复的和一致的。高的多功能性。光学，化学检测，宽间隙极靴和独特的应用软件的结合确保了平台涵盖的广泛应用。快的数据记录时间Themis SS / TEM通过结合使用压电平台和漂移校正框架积分（DCFI）来补偿快的数据采集时间，以补偿可能的样品漂移。这使得在样品加载后仅几分钟就可以在TEM和STEM模式下获取高质量的高分辨率图像。优化生产力为了优化生产率，Themis SS / TEM使用双线圈定焦镜来大程度地减少热漂移并大化系统吞吐量。当在模式之间切换时，例如从低倍率模式更改为特征搜索而从高倍率模式更改为成像时，这种设计消除了镜头中的热量变化。 特色文件Themis S TEM数据表Themis S TEM具有亚?分辨率，快的能量色散X射线光谱（EDS）收集能力，并能够灵活地应对其他关键的半导体用例，例如应变测量和低剂量，高对比度成像（iDPC） 。Themis S TEM解决了需要高通量，高质量和多功能性的材料分析实验室的需求，特别是在20nm以下技术节点工作的半导体故障分析实验室。合作、共赢！美国热电：直读光谱仪ARL8860、XRF、XRD ICP、电镜、电子能谱仪德国徕卡：金相显微镜、体视显微镜、电镜制样设备英斯特朗：疲劳试验机、万能试验机； 摆锤冲击试验机、落锤冲击试验机东京精密：圆度仪、轮廓仪、粗糙度仪、三坐标美国法如：激光跟踪仪、关节臂及扫描 日本奥林巴斯手持光谱仪 德国帕马斯颗粒计数器租赁检测：便携式三坐标、激光跟踪仪、3D扫描仪为客户提供专业的检测服务，帮客户挖掘新的赢利空间！上海澳信检测技术有限公司青岛澳信仪器有限公司青岛澳信质量技术服务有限公司联系地址：青岛市城阳区山河路702号上海地址：上海浦东新区川沙路1098号新美测（青岛）测试科技有限公司提供测试服务：静态力学测试主要包括拉伸、压缩、弯曲、剪切等；动态疲劳测试主要包括：拉拉疲劳、拉压疲劳、压压疲劳、裂纹扩展速率等

高真空电子束蒸发镀膜机是在高真空条件下，采用电子束轰击材料加热蒸发的方法，在衬底上镀制各种金属、氧化物、导电薄膜、光学薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、超硬膜等；可镀制混合物单层膜、多层膜或掺杂膜；可镀各种高熔点材料。可用于生产、科学实验及教学，可根据用户要求专门订制。可根据用户使用要求，选配石英晶体膜厚自动控制及光学膜厚自动控制两种方式, 通过PLC 和工控机联合实现对整个镀膜过程的全程自动控制, 包括真空系统、烘烤系统、蒸发过程和膜层厚度的监控功能等，从而提高了工作效率和保证产品质量的一致性和稳定性。设备特点设备具有真空度高、抽速快、基片装卸方便的特点，配备 E 型电子束蒸发源和电阻蒸发源。PID自动控温，具有成膜均匀、放气量小和温度均匀的优点。可根据用户使用要求，选配石英晶体膜厚自动控制及光学膜厚自动控制两种方式,通过PLC和工控机联合实现对整个镀膜过程的全程自动控制,包括真空系统、烘烤系统、蒸发过程和膜层厚度的监控功能等，从而提高了工作效率和保证产品质量的一致性和稳定性。真空性能极限真空：7×10-^5Pa～7×10^-6Pa设备总体漏放率：关机12小时，≤10Pa恢复工作真空时间短，大气至7×10-4Pa≤30分钟；设备构成E 型电子束蒸发枪、电阻热蒸发源组件（可选配）、样品掩膜挡板系统、真空获得系统及真空测量系统、分子泵真空机组或低温泵真空机组、旋转基片加热台、工作气路、样品传递机构，膜厚控制系统、电控系统、恒温冷却水系统等组成。可选件：膜厚监控仪，恒温制冷水箱。热蒸发源种类及配置 E 型电子束蒸发系统 1套 功率 6kW～10kW 其它功率(可根据用户要求选配） 坩埚 1～8只 可根据用户要求选配 电阻热蒸发源组件 1～4套 （可根据用户要求配装）电阻热蒸发源种类-钽（钨或钼）金属舟热蒸发源组件-石英舟热蒸发源组件-钨极或钨蓝热蒸发源组件-钽炉热蒸发源组件（配氮化硼坩埚或陶瓷坩埚）-束源炉热蒸发组件（配石英坩埚或氮化硼坩埚）操作方式手动、半自动

TEC1-4425半导体制冷片本公司引进先进制造技术的基础上按照国家标准生产的致冷片，可广泛用于表面机械、电子、医疗、半导体、钟表首饰、光学、石油、化工、建筑、电力、船舶、冶金、纺织印染行业、其他行业等。TEC1系列陶瓷平板半导体致冷片型号电流(A)电压(V)温度(℃)产冷量（W）外形尺寸（mm）TEC1-127033.314.5-352740×40×4.8TEC1-127054.515.4-354640×40×4.0TEC1-12708813.8-357340×40×3.5TEC1-127101012-368650×50×4.5TEC1-4425254.5-378053×53×7.0BC系列大功率手焊半导体致冷器型号电流(A)电压(V)温度(℃)产冷量（W）外形尺寸（mm）技术特性BC-4423234.2-357375×55×20配散热器BC-8823238.5-35145135×74×20配散热器BC-132232313-35218170×74×20配散热器BC-112232311-50 135×74×32配散热器BC-124232312-68 135×74×38配散热器BC3-168232315-68 170×74×38配散热器BC-11825 大三级BC-10525 大二级BC-8125 大一级BC-9622 二级BC-6025 小一级BC-7825 小二级BC-9625 小三级BC-1825 小二级盖BC-3625 小三级盖BC-2425 大二级盖BC-3625 大三级盖此系列是公司传统产品，应用于军工、电讯、交通、电脑、医疗、红外、激光等领域，特点是致冷功率大，性能稳定，使用寿命长，

产品简介“半导体恒温箱”是专门为高低温环境提供高精度和高稳定度的温控产品。平台采用半导体TEC作为控温器件，半导体制冷是利用帕尔帖效应原理工作的，具有高精度、长寿命、体积小、无噪声、无磨损、无污染、既可制冷又可加热等特点，是可持续发展的绿色产品。产品智能无级控温，既可加热又可制冷。可用于控制激光器件、医疗器件、半导体器件、光电倍增管、或其它任何需要温度控制的地方。产品配置完善、性能稳定、性价比高，在国内外同类产品中处于先进地位。非常适合对温度的精度和稳定度要求高的各类厂家、公司、大学、科研机构、个人等。应用方向 实验、科研温度控制高低温实验等液体 控温（特殊定制）非标定制 产品选型表 产品尺寸图