电子半导体

为宣传和贯彻获准发布的9项半导体照明行业标准，中国电子技术标准化研究所、工业和信息化部半导体照明技术标准工作组定于2010年1月24-25日在广东省江门市举行2010年全国半导体照明电子行业标准发布及宣贯大会。本次大会得到工业和信息化部、广东省经济和信息化委员会、江门市人民政府及国内外上中下游厂商的大力支持。出席本次大会的领导有工业与信息化部科技司韩俊副司长、电子信息司丁文武副司长、关白玉副巡视员、广东省经济和信息化委员会彭平副主任，中国电子技术标准化研究所张宏图副所长、江门市人民政府常务副市长吴紫骊、副市长易中强等领导，共汇集了国内外上中下游重要厂商、研究机构、行业协会以及政府机构等代表400多人报名参会。 此次大会发布的标准包括《SJ/T 11393-2009 半导体光电子器件功率发光二极管空白详细规范》、《SJ/T 11394-2009半导体发光二极管测试方法》、《SJ/T 11396-2009 氮化镓基发光二极管用蓝宝石衬底片》、《SJ/T 11397-2009 半导体发光二极管用荧光粉》、《SJ/T 11398-2009 功率半导体发光二极管芯片技术规范》、《SJ/T 11399-2009半导体发光二极管芯片测试方法》、《SJ/T 11400-2009 半导体光电子器件小功率发光二极管空白详细规范》、《SJ/T 11401-2009半导体发光二极管产品系列型谱》以及《SJ/T 11395-2009半导体照明术语》共9项，涵盖LED材料、芯片、器件及相关检验测试方法等领域。 大会邀请了工业和信息化部半导体照明技术标准工作组各项标准起草专家分别对9项电子行业标准进行详细讲解，主要讲师包括中国光电协会副秘书长胡爱华、中电十三所张万生教授、浙大三色董事长牟同升、深圳淼浩总经理李明远、有研稀土研发主任庄卫东等，他们现场讲解标准的技术内容、测试方法操作时应注意的问题以及产品规范类标准编写实例等。

各位大侠:谁有《半导体光电化学》这本电子书啊？？？能不能麻烦上传以下，或者给小弟我发到邮箱里，邮箱是 vvxd@hotmail.com ，麻烦了~~急用，谢谢

本人现在急需美国半导体行业标准，关于电子级硅烷的。标准号：SEMI3.54或许和这个号差不多的，实在惭愧，没有找到确定的号。那位老师能帮忙，先谢谢了。我的邮箱：songzf1981@163.com感激不尽。

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图解半导体制程概论来自：《电子技术应用》博客 作者：光子http://blog.chinaaet.com/detail/17334.html介绍：基本介绍了所有的电子元器件的工作原理和工作特性。对电路的理解非常有帮助。 【半导体】具有处于如铜或铁等容易导电的【导体】、与如橡胶或玻璃等不导电的【绝缘体】中间的电阻系数、该电阻比会受到下列的因素而变化。如： 杂质的添加·温度 光的照射·原子结合的缺陷 http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9058894285301.jpg █ 半导体的材料 硅(Si)与锗(Ge)为众所周知的半导体材料.这些无素属于元素周期素中的第IV族,其最外壳(最外层的轨道)具有四个电子.半导体除以硅与锗的单一元素构成之处,也广泛使用两种以上之元素的化合物半导体. ●硅、锗半导体 （Si、Ge Semiconductor) 单结晶的硅、其各个原子与所邻接的原子共价电子（共有结合、共有化）且排列得井井有条。利用如此的单结晶，就可产生微观性的量子力学效果，而构成半导体器件。 ●化合物半导体 (Compound Semiconductor) 除硅（Si)之外，第III族与第V族的元素化合物，或者与第IV族元素组成的化合物也可用于半导体材料。 例如，GaAs（砷化镓）、 Gap（磷化砷）、 AlGaAs（砷化镓铝）、 GaN（氮化镓） SiC（碳化硅） SiGe（锗化硅）等均是由2个以上元素所构成的半导体。 http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9059051067700.jpg http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9059206133119.jpg http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9059290682905.jpg █ 本征半导体与自由电子及空穴 我们将第IV族（最外层轨道有四个电子）的元素（Si、Ge等），以及和第IV族等价的化合物（GaAs、GaN等），且掺杂极少杂质的半导体的结晶，称之为本征半导体（intrinsic semiconductor）。 ●本征半导体（intrinsic semiconductor） 当温度十分低的时候，在其原子的最外侧的轨道上的电子（束缚电子（bound electrons）用于结合所邻接的原子，因此在本征半导体内几乎没有自由载子，所以本征半导体具有高电阻比。 http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9059490838355.jpg ●自由电子（free electrons） 束缚电子若以热或光加以激发时就成为自由电子，其可在结晶内自由移动。 ●空穴（hole） 在束缚电子成为自由电子后而缺少电子的地方，就有电子从邻接的Si原子移动过来，同时在邻接的Si原子新发生缺少电子的地方，就会有电子从其所邻接的Si原子移动过来。在这种情况下，其与自由电子相异，即以逐次移动在一个邻接原子间。缺少电子地方的移动，刚好同肯有正电荷的粒子以反方向作移动的动作，并且产生具有正电荷载子（空穴）的效力。 http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9059632324179.jpg █ 添加掺杂物质的逆流地导体与电子及空穴 将第V族的元素（最外层的轨道有五个电子）添加在第IV族的元素的结晶，即会形成1个自由电子且成为N型半导体。 将第Ⅲ族的元素（最外层的轨道有三个电子）添加在第IV族的元素的结晶，即会产生缺少一个电子的地方且成为P型半导体。 ●N型半导体（N type Semiconductor） N型半导体中，自由电子电成为电流的主流（多数载了），并将产生自由电子的原子，称为“施体（donor）“。施体将带正电而成为固定电荷。不过也会存在极少的空穴（少数载子）。 作为N型掺杂物质使用的元素有：P 磷；As 砷；sb 锑 ●P型半导体（P type Semiconductor） 在P型半导体中，空穴成为电流的主流（多数载子），并将产生空穴的原子，称为“受体（acceptor）”。受体将带负电而成为固定电荷。不过也会存在极少的自由电子（少数载子）。 作为P型掺杂物质使用的元素有：B 硼；in 锌 http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9059887851531.jpg http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9059983012447.jpg █ 漂移电流及扩散电流 流动于半导体体中的电流有两种：漂移电流与扩散电流。MOS型半导体中漂移电流起着很重要的作用，而双极型半导体中扩散电流的作用很重要。 ●漂移电流（drift current） 与电阻体（哭）相同，由于外加电压所产生的电场，因电子和空穴的电性相吸引而流动所产生的电流。场效应管（FET）内流动的电流称为漂移电流。 http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9060152592260.jpg ●扩散电流（diffusion current） 将P型半导体与N型半导体接合且加电压。如电子从N型半导体注入到P型半导体，而空穴从P型半导体注入到N型半导体，即电子和空穴因热运动而平均地从密度浓密的注入处移动到密度稀薄的地方。以这样的结构所流动的电流称为扩散电流。在双极性（双载子）晶体管或PN接合二极管，扩散电流为主体。 http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9060288624919.jpg █ PN接合和势垒 在接合前，由于P型半导体存在与受体（负离子化原子）同数的空穴，而N型半导体存在与施体（正离子化原子）同数的电子，并在电性上成为电中性。将这样的P型半导体和N型半导体接合就会产生势垒。 ●接合前为中性状态 接合前，在P型半导体存在着与受体（负离子化原子）同数的空穴，而N型半导体即存在着与施体（正离子化原子）同数的电子，并在电性上成为电中性。 http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9060451806881.jpg ●空乏层与势垒（depletion layer＆potential barrier） 将P型与N型半导体接合时，由于P型与N型范围的空穴及电子就相互开始向对方散。因此在接合处附近，电子和空穴再接合后就仅剩下不能移动的受体与施体。该层称为“空乏层”。由于该空乏层会在PN接合部会产生能差，故将该能差称为“势垒”。 http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9062912097902.jpg █ PN接合面的电压及电流特性 如外加电压到PN接合处，使电流按照外加电压的方向（正负极）流通或不流通。这是二极管基本特性。 ●外加正相电压到PN接合面 从外部在减弱扩散电位的方向（正极在P型而负极在N型）外加电压时，PN接合面的势垒就被破坏了，空穴流从P型半导体注入N型半导体，电子流则从N型半导体注入P型半导体，而扩散电流得以继续流动。电流流动的方向就称为“正向”。 http://files.china

1．什么是导体、绝缘体、半导体？ 容易导电的物质叫导体，如：金属、石墨、人体、大地以及各种酸、碱、盐的水溶液等都是导体。 不容易导电的物质叫做绝缘体，如：橡胶、塑料、玻璃、云母、陶瓷、纯水、油、空气等都是绝缘体。 所谓半导体是指导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。如：硅、锗、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅等。半导体大体上可以分为两类，即本征半导体和杂质半导体。本征半导体是指纯净的半导体，这里的纯净包括两个意思，一是指半导体材料中只含有一种元素的原子；二是指原子与原子之间的排列是有一定规律的。本征半导体的特点是导电能力极弱，且随温度变化导电能力有显著变化。杂质半导体是指人为地在本征半导体中掺入微量其他元素（称杂质）所形成的半导体。杂质半导体有两类：N型半导体和P型半导体。2．半导体材料的特征有哪些？ （1） 导电能力介于导体和绝缘体之间。 （2） 当其纯度较高时，电导率的温度系数为正值，随温度升高电导率增大；金属导体则相反，电导率的温度系数为负值。 （3） 有两种载流子参加导电，具有两种导电类型：一种是电子，另一种是空穴。同一种半导体材料，既可形成以电子为主的导电，也可以形成以空穴为主的导电。 （4） 晶体的各向异性。

一、 中国半导体器件型号命名方法 　　半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：　　第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管　　第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。　　第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F3MHz Pc1W)、A-高频大功率管（f3MHz Pc1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。　　第四部分：用数字表示序号　　第五部分：用汉语拼音字母表示规格号。例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管　　二、日本半导体分立器件型号命名方法　　日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：　　第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。　　第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。　　第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。　　第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。第五部分： 用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。　　三、美国半导体分立器件型号命名方法　　美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：　　第一部分：用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品。　　第二部分：用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。　　第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。　　第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。　　第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA 注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。　　四、 国际电子联合会半导体器件型号命名方法　　德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：　　第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV 如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg1.3eV 如砷化镓、D-器件使用材料的Eg0.6eV 如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料　　第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。　　第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。　　第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下：　　1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。　　2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。　　3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。　　五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法　　欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法。　　第一部分：O-表示半导体器件　　第二部分：A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。　　第三部分：多位数字-表示器件的登记序号。　　第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。

半导体芯片失效分析实验室汇总随着半导体技术的发展，芯片已经成为现代电子产品中不可缺少的部分。然而，芯片在长时间运行后可能会出现失效或故障，这将导致电子产品无法正常使用。为了解决这个问题，半导体芯片失效分析实验室应运而生。半导体芯片失效分析实验室是一种专门用于分析芯片故障原因和找出解决方案的实验室。它主要由多种设备和技术组成，包括光学显微镜、扫描电子显微镜、离子注入系统、穿透电子显微镜、电子束刻蚀机等。半导体芯片失效分析实验室可以用于以下方面的分析：1.失效分析如果芯片出现了故障，失效分析可以用来找出导致问题的原因。分析的过程通常包括对芯片进行非常规测试，如X射线衍射、扫描探针显微镜和热分析等，以找出故障根源，如堆积缺陷、擦除缺陷、漏电等。2.质量控制半导体芯片失效分析实验室也可以用于质量控制，以确保每个芯片都符合准确的规格和标准。质量控制分析通常包括对芯片进行成品检验，如外观检查、电性能测量和可靠性测试等。半导体芯片失效分析实验室汇总1.北京软件产品质量检测检验中心芯片失效分析实验室（简称：北软检测）成立于2002 年7月。北软芯片失效分析实验室可以进行全流程的失效分析，可靠性测试，安全验证等。主要包括点针工作站（Probe Station）、反应离子刻蚀（RIE）、微漏电侦测系统（EMMI）、X-Ray检测（2D X-ray，3D X-ray）、超声波扫描显微就（SAT）、缺陷切割观察系统（FIB系统）、体式显微镜、金相显微镜、研磨台（定点研磨，非定点研磨，封装研磨）、激光黑胶层取出系统（自动decap，laser decap）、自动曲线追踪仪（IV）、切割制样模块、扫描电镜（SEM）、能谱成分分析（EDX）、交变温湿度试验箱、高温储存试验、低温存储试验、温湿度存储试验等。通讯地址：北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园3A楼联系人：赵工?2.南京微电子技术研究所半导体芯片失效分析实验室南京微电子技术研究所半导体芯片失效分析实验室是国内最早成立的芯片失效分析实验室之一。实验室配备有先进的设备和技术，可对芯片的物理结构、器件参数、芯片性能、线路连接等方面进行全面的分析和测试。3.上海半导体研究所失效分析实验室上海半导体研究所失效分析实验室成立于2005年，是一家具备IC生产能力的高新技术企业。实验室在芯片失效分析领域积累了丰富的经验和成果，并不断引入先进的设备和技术，为客户提供高水平的技术支持和服务。4.北京中科微电子有限公司失效分析实验室北京中科微电子有限公司是一家专业从事半导体封装测试与分析的公司。实验室配备有一批优秀的专业技术人员和一流的设备，能够为客户提供全面、高效的失效分析服务。5.惠州半导体失效分析中心惠州半导体失效分析中心是惠州市政府支持的创新创业平台，依托留学海归、国内外知名院校科研机构等优势资源，致力于半导体失效分析领域的研发和服务。6.中国电子科技集团公司第十四研究所该实验室成立于20世纪80年代，针对集成电路芯片的失效问题，建立了先进的实验室设备和完整的芯片失效分析技术流程。这些技术流程包括非常规样品处理、样品制备、分析测试和故障分析定位等。该实验室能够对各种类型的芯片进行失效分析，如DRAM、NOR FLASH、SRAM、Flip Chip等。7.中国电子科技集团公司第五十五研究所该实验室成立于20世纪90年代，主要研究领域是空间电子电路可靠性和失效分析。在芯片失效分析方面，该实验室研究了很多芯片失效的根本原因和解决办法。例如，该实验室率先提出了在高温下检测集成电路失效的方法，推出了系列失效分析和故障定位技术。8.中国航天科工集团有限公司第六十所该实验室成立于20世纪90年代初期，由中国第一位半导体芯片设计师胡启恒教授领导，主要研究集成电路的失效分析和检测。该实验室在失效分析方面的主要技术包括侵入式和非侵入式技术、信号分析、快速失效分析以及优化分析等。此外，该实验室还开创了集成电路失效分析的新技术领域。9.南京微米尺度材料分析与应用国家级实验室该实验室拥有完整的半导体芯片失效分析实验平台及技术团队，能够进行芯片性能评估、芯片分析、缺陷定位和失效机理研究等多方面的工作，可为企业提供完整的半导体芯片失效分析服务。10.北京微电子所半导体芯片失效分析实验室该实验室依托于北京微电子所，能够利用所拥有的半导体芯片分析技术和完善的实验平台，提供专业的半导体芯片失效分析服务，包括芯片失效原因分析、失效机理研究、失效模拟与验证等多方面的服务。11.武汉微纳电子制造国家工程研究中心半导体芯片失效分析实验室武汉微纳电子制造国家工程研究中心依托于华中科技大学，其半导体芯片失效分析实验室拥有全套高端的半导体芯片失效分析仪器，为企业提供完整的半导体芯片失效分析服务，涉及芯片失效原因分析、失效机理研究、失效模拟与验证等多方面的服务。12.上海微电子设备有限公司半导体芯片失效分析实验室该实验室作为上海微电子设备有限公司的技术支持，结合上海微电子设备有限公司的芯片检测与分析设备，可为企业提供完整的半导体芯片失效分析服务，包括芯片失效原因分析、失效机理研究、失效模拟与验证等多方面的服务。以上仅是部分中国半导体芯片失效分析实验室，随着技术的不断更新和进步，相信未来将会涌现更多实验室，并且实验室之间也将进行更多的协作与交流，加速半导体芯片失效分析技术的发展和普及。国内较为知名的半导体芯片失效分析实验室还有中芯国际、台积电、联芯科技等。这些实验室拥有一流的实验设备和技术人才，可以开展多种类型的半导体芯片失效分析工作，并为客户提供专业的技术支持和服务。此外，在国际上也有多家著名的半导体芯片失效分析实验室，如SiliconExpert、IEEE Components Partitioning and Analysis Center等。这些实验室不仅具备高水平的技术装备和技术人才，还通过与多家知名公司合作，积累了丰富的经验和数据资源。同时，这些实验室还开展了大量的研究工作，不断推动半导体芯片失效分析领域的发展。总之，半导体芯片失效分析实验室在提高半导体芯片可靠性方面起着至关重要的作用。希望通过本文的介绍，可以帮助大家了解半导体芯片失效分析实验室的相关情况，为半导体芯片失效分析工作提供参考和支持。[img]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/05/202305240713065889_2888_3233403_3.png[/img]

半导体行业，主要是做形貌观察和成份分析的用什么电镜好？ 日本电子排除，谢谢！

随着硅半导体技术的发展，全球知名半导体厂商也开始向医疗领域进军。医疗电子器件和技术的革新，不仅是医疗电子领域的一次大发展，也为患者带来新的体验。看看半导体厂商给医疗领域带来了哪些革新。 德州仪器在医疗领域的新成果，包括病人监护仪、消费者健身设备、可移植脊髓调节器等。德州仪器新开发的病人监护仪不同于传统监护仪，该仪器具有远距离可移植的系统。而消费者健身设备则嵌入了身体质量指数仪，能够精确测试出肥胖百分比。可移植脊髓调节器能够有效减轻患者背部疼痛，并对帕金森症患者有一定的治疗效果。 基于德州仪器芯片，GoWear便携医疗仪器被开发出来，主要用于测量人体生命体征健康和体重，同时这些数据将能够传输到手表等期间上，让你随时了解自己身体信息。比利时微电子研究中心则最新研发出了大脑电波无线检测器，特别之处是该检测器可以由耳机充当。通过八通道模拟ASIC芯片和EEG传感器，该耳机能够帮助癫痫患者实现交流，让其用大脑意念控制键盘。 一次性有源电子医疗电子器件也在飞速增长，而内置了8位微控制器驱动和血糖仪的一次性注射筒OmniPod就属于此类。Onyx II血氧计是Nonin的新品，能够对人体血氧含量进行检测并通过蓝牙传输将数据传输到手机等进行报告。ADI公司集成了模拟前端前沿的医疗产品就是——ADAS1000，该仪器能够对五组心电图系统数据和呼吸进行监测。 事实上，半导体厂商将技术应用于医疗领域的，远不止上面介绍的这些。包括飞思卡尔半导体等也在向该领域进军，开发出一系列医疗仪器。医疗电子器件和技术的革新，带来医疗领域的新发展。

【序号】：1【作者】：刘恩科 ( 必须是刘恩科等编的 )【题名】：半导体物理学 【期刊】：【年、卷、期、起止页码】：国防工业出版社，1994年，第4版【全文链接】：

有关于半导体激光打标机寿命的问题，具体都没有明确的时间。如果是打单个的你说的那样的图案，如雾灯。半导体激光打标机寿命在1年半到2年半之间，与激光机的整体品质及使用与维护有关，打标一个汽车按键，打文字需要1--6秒之间， 打标的图案2-18秒，与图案填充密度有关。激光打标机里面的一个激光模块，理想使用寿命是1W小时（此数据是由激光器生产厂家提供），按照每天正常上班时间的话基本可以用个3 4年，至于半导体激光打标机其他部件都是电子器件集成，使用寿命视你具体使用情况而定，电子器件都会随时间及你的使用慢慢老化！如果设备保养好的话也许用个上10多年都没什么问题。至于激光打标机寿命有多长，取决于个人保养。

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[img]http://www.instrument.com.cn/bbs/images/affix.gif[/img][url=http://www.instrument.com.cn/bbs/download.asp?ID=95448]《电子工业污染物排放标准 半导体器件》（征求意见稿）[/url]

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2023年，全球半导体行业仍处于周期底部，导致上游半导体设备产业市场需求出现小幅萎缩，但在国产替代的黄金浪潮推动下，北方华创预计2023年营收为209.7亿至231亿元，成为首家闯入全球TOP 10的中国半导体设备厂商。根据各半导体设备公司公布的财报数据及营收预测，笔者整理了全球前十大半导体设备供应商的销售数据及排名显示，荷兰光刻机巨头荷兰阿斯麦（ASML）2023年营收增长30%，以276亿欧元的销售额，超越美国应用材料（AMAT）排名第一；美国应用材料以265.2亿美元（截至2023年10月29日）的收入排名第二；美国泛林（LAM）以143.17亿美元（截止2023年12月24日）的营收排名第三；日本东京电子（TEL）预估今年度（2023年4月-2024年3月）合并营收目标为1.73万亿日元，排名第四；美国科磊（KLA）预计营收为96亿美元排名第五。[align=center][img=,500,305]https://img1.17img.cn/17img/images/202402/uepic/ed0a3679-2e74-40c4-a72d-bbbb8cee571e.jpg[/img][/align]注：（1）鉴于汇率的变化，以及各半导体企业的财报统计的起止时间上有差异，笔者尽量统计各大企业2023年自然年度的营收，难以拆分的数据则为2022/23年的总营收。（2）上述企业财务数据为整体业务收入，并未拆分出半导体设备业务收入，且部分厂商为预测数据，取中位数计算。因此，上述数据难以详尽，仅供大家参考。从上述数据来看，在业务体量方面，尽管除ASML大幅增长和应用材料小幅增长外，泛林、东京电子、科磊都出现了不同程度的下滑，但上述Top 5的地位基本难以撼动，门槛接近百亿美元的范畴。而排在第六位的日本迪恩士（Screen）预计2023财年销售额为5000亿日元，换算为美元仅科磊的三分之一，日本爱德万（Advantest）预计2023财年销售额为4700亿日元，排名第七。排名第八至第十的分别为中国北方华创、荷兰ASMI和美国泰瑞达（Teradyne）。值得注意的是，得益于国内旺盛的市场需求，北方华创预计2023年营收为209.7亿至231亿元，其增长幅度达42.77%至57.27%，远超其他半导体设备企业，也是首次闯入全球TOP 10的中国半导体设备厂商。由上可知，进入全球前十大半导体设备企业的营收门槛约为26.7亿美元。另外，从前十大半导体设备厂商总部的所属地区来看，美国占4家；日本占3家；荷兰2家；中国大陆1家。由此也可以看出，美国、日本、荷兰在半导体设备领域的强势地位，而中国大陆企业正在逐步突围。[来源：集微网][align=right][/align]

[img]http://www.instrument.com.cn/bbs/images/affix.gif[/img][url=http://www.instrument.com.cn/bbs/download.asp?ID=188264]电子工业污染物排放标准 半导体器件（征求意见稿）.pdf[/url]

不知道我对书名的翻译恰当否，请大家拍砖！其实应该还有小标题——过程和器件(processes and devices)。全书是由John Mchardy & Frank Ludwig编辑而成的，共375页，其中正文356页。本书大致从7个方面介绍电化学在半导体和电子学方面的应用和研究，并且自然地分为7章。这7章分别是：第一章，半导体的电化学沉积；第二章，化学刻蚀：机理和应用；第三章，碲的电化学钝化；第四章，半导体的光电化学处理；第五章，光电化学表征；第六章，电化学迁移；第七章，电化学电容。需要说明的是每章都由一个或多个在该领域有影响的作者书写，最后经John Mchardy & Frank Ludwig汇总编辑成书。本书将对电化学专业人士，以及从事与电化学、半导体和电子学相交叉的研究人员有很大的帮助。[img]http://www.instrument.com.cn/bbs/images/affix.gif[/img][url=http://www.instrument.com.cn/bbs/download.asp?ID=21564]Electrochemistry of semiconductors and electronics[/url]

4月17日，日本财务省公布的统计数据显示，因汽车以及半导体等电子零部件出口增长，带动了日本今年3月份出口额同比增长7.3%至94,696亿日元，连续第4个月呈现增长，创下历史新高，并实现3,665亿日元贸易顺差额（2023年4月为逆差7,508亿日元），也是近3个月来首度出现贸易顺差。据路透社报道称，市场原先预期日本3月贸易顺差额为2,999亿日元，日本财务省公布的顺差额高于市场预期。[align=center][img=f75e1e4515b32e22904c76acc4fac2d2.jpg,500,402]https://img1.17img.cn/17img/images/202404/uepic/68ed7740-f00c-466d-8727-70c41706e938.jpg[/img][/align]从日本对各区域的贸易动向来看，3月份日本对美国的出口额较去年同月增加8.5%至18,199亿日元，连续第30个月呈现增长、出口额创下历年同月历史新高纪录；对美国进口额增加3.7%至10732亿日元，连续第3个月呈现增长，进口额创历年同月历史新高。日本当月对美国贸易顺差额较去年同月大增16.3%至7,467亿日元，为连续第14个月增加。3月份日本对中国大陆的贸易逆差额为765亿日元，连续第36个月陷入逆差。日本于3月对中国的出口额大增12.6%至17,475亿日元，连续第4个月增长，出口额创下历年同月历史新高纪录；对中国的进口额同比减少13.9%至18,240亿日元，3个月来第2度陷入萎缩。3月日本对欧盟（EU）的出口额成长3.0%至9,027亿日元（连续第4个月增加），逆差额为900亿日元，连续第2个月陷入逆差。3月日本对亚洲（不含中国）的出口额增加6.6%至50,055亿日元（连4个月增加），顺差额为8,699亿日元，连续第2个月呈现顺差。从具体的出口产品品类来看，今年3月份，日本汽车出口金额同比增加7.1%、半导体等电子零件出口金额同比增长11.3%、船舶出口金额同比大幅增长36.0%。其中，3月份日本对中国的半导体等制造设备出口额较去年同比暴增82.4%。[color=#000000]基于此，[/color][color=#000000]仪器信息网联合电子工业出版社于[/color][b]5月9-10日[/b][color=#000000]组织召开[/color][b]第三届“半导体工艺及封装检测新技术”[/b][color=#000000]主题网络研讨会。会议旨在邀请领域内专家围绕半导体产业常用的工艺与封装检测技术，从各种半导体制造工艺及封装检测技术等方面带来精彩报告，依托成熟的网络会议平台，为半导体产业从事研发、教学、生产的工作人员提供一个突破时间地域限制的免费学习、交流平台，让大家足不出户便能聆听到精彩的报告，[b]点击下方图片[/b]即可报名参加。[/color][url=https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/semicon2024/][img=b645d5bb-fd92-4891-a14e-28e0db3dde1e.png]https://img1.17img.cn/17img/images/202404/uepic/8e9fd03d-ed71-460c-b3c3-275ed57bc9cf.jpg[/img][/url][来源：芯智讯][align=right][/align]