数字式晶体管测试仪

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数字式晶体管测试仪相关的厂商

  • 广州爱启提测试仪器有限公司
    HT ITALIA来自于美丽的欧洲小镇——意大利法恩莎，公司自1983年成立以来，产品年销售额超过4000万欧元。并在2009年在中国广州建立办事处，负责中国地区的产品销售和售后服务。 HT ITALIA公司设立专业的研发团队，在1992年研制生产出HT2038，1999年研制生产了世界上第一台带电能质量分析仪功能的便携式多功能电气安全测试仪——GENUIS 5080，在2001推出具有三相电能质量分析仪功能的多功能电气安全测试——GSC系列，刷新了便携式仪器的多功能之最。2007年HT公司开始涉及太阳能光伏系统测试,以提供太阳能光伏电站的现场测试仪表，HT可提供全面的太阳能光伏电站测试仪表：并网太阳能光伏电站性能验证测试SOLAR300N，太阳能电池I-V特性曲线分析测试仪I-V400，离网太阳能光伏电站性能验证测试SOLAR I-V等。近年来，HT公司又基于自身的设计现场测试理念，推出自主品牌的全新系列红外热像仪产品，以充分满足客户的个性化需求，HT品牌的红外热像仪家族包括：THT41/42/44的经济型系列，THT49的专业级红外热像仪和THT50专家型红外热像仪。现在HT公司拥有：红外热成像仪，电气安全测试仪（含：绝缘电阻测试仪，接地电阻测试仪，漏电保护开关-RCD测试仪，耐压测试仪和多功能电气安全测试仪）、电能质量分析仪、通用测试仪表（含：数字万用表，数字电流钳表，红外测温仪，数字测温仪，数字噪声计，激光测距仪等）、GEF专业绝缘工具（含：绝缘镙丝批，各种绝缘剪钳，各种型号的工具套包，工具箱等）等系列产品。
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  • 深圳市迪福伦斯科技有限公司
    深圳市迪福伦斯科技有限公司通过多年的努力，已成为国内有一定影响力的仪器仪表销售公司，多年来，公司凭借良好的信誉和有力技术支持，在激烈的市场竞争中不断的发展和完善，成为众多企业在生产、研发、品质检测等工作中的得力合作伙伴，让客户能够用最少的投入获得最大的收益。所售产品包括示波器、交直流电源、功率分析仪、数据采集器、电子负载、晶体管图示仪、安规测试仪器、 电能质量分析仪、数字源表、红外热成像仪、电源自动化测试系统等等。不一样的管理理念让我们主动深入了解电子制造、新能源、汽车电子、 半导体、云计算、无线通讯、科研院所等行业的测试要求， 而健全的产品线和技术能力使得我们能有机会帮助客户选择最适合的解决方案。特别是通过与Chroma公司的紧密合作，进一步拓展了公司的业务空间，使得我们能为更复杂要求的客户提供更完善的服务。
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  • 泰兴市和宸晶体科技有限公司
    泰兴市和宸晶体科技公司位于长江之滨泰兴市，距无锡常州苏州扬州泰州距离均在150公里以内，交通方便，公司主要产品有：蓝宝石精密光学窗口片保护片、蓝宝石精密部件、蓝宝石光学透镜棱镜等，其中高面型蓝宝石产品享誉市场。拥有技术研发团队和多年浸染光电加工行业的高素质技工团队，并采购了国内和国际顶尖水平的加工和检测设备。和宸晶体的蓝宝石产品已广泛应用于：深海探测、高铁监控监测、油田监测、航空航天等领域。热忱欢迎国内外客商莅临我公司参观指导！
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数字式晶体管测试仪相关的仪器

  • 晶体管图视仪
    泰克Tektronix370A 晶体管测试仪TEK370A 泰克Tektronix 370A 晶体管测试仪名称：泰克Tektronix 370A 晶体管测试仪主要参数:半导体器件高精度测量-上限达2000V或电流到10A的源（370A/B）-上限到3000V（371A）-上限到220W（370A/B）-上限到400A（371A）-1nA的测量分辨率-上限到3000W（371A）-上限到2mV的测量分辨率（370A/B）-波形对比-包络显示-波形平均-点光标（370A）-Kelvin传感测量-全程控-MS-DOS兼容的软盘，方便设置参孝存储和调用交互式程-所有交互式程控测量是通过有鲜明特点的前面板或GPIB来完成的。使用几种存储方式，调整和存储操作参数，包括370A的非易失存储器、内置的MS-DOS兼容的软盘或到外部控制器。测试夹具-测试夹具是标准附件，它提供被测器件安全防护，以保护测量人员的安全。测试夹具适应标准的A1001，中间通过Kelvin传感的A1005适配器、无Kelvin传感的3芯适配器和A1023、A1024表面封装适配器。程控特性曲线图示仪高分辨率特性曲线图示仪，可应用到许多场合。370A能完成晶体管、闸流管、二极管、可控硅、场效应管、光电元件、太阳能电池、固态显示和其它半导体器件的直流参数特性的测试。-在研发实验室，用370A来完成新器件、SPIEC参数的提取、失败分析和产生数据报告这些具体的测试工作。应用-手动或自动进行半导体高分辨率DC参数测量-来料检查-生产测试-过程监视及质量控制-数据报告的生成-元件配对-失效分析-工程测试370A.jpg标签泰克Tektronix 370A 晶体管测试仪，泰克Tektronix 370A 晶体管测试仪价格相关产品半导体测试仪半导体测试仪备注： 本公司十年专业销售、租赁、维修、回收二手仪器，公司货源广阔，绝大部分直接从国外引进，成色新，价格低，资金雄厚，库存充足，售前严格，售后快捷是我们的特点：致力于为客户提供更专业，方便，快捷的人性化服务是我们的宗旨；勇于创新，敢于探索是我们的优势；凡在我司购买的仪器免费送较准服务一年！-鹏庆电子
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    厂商： 东莞鹏庆电子科技有限公司
    品牌： 未知
    型号： TEK370A
    价格： 1000元
  • 晶体管光耦参数测试仪/直流参数测试/分立器件测试系统
    BW-3010B晶体管光耦参数测试仪（双功能版）品牌： 博微电通名称：晶体管光耦参数测试仪(光耦&光电传感器双功能版)型号： BW-3010B用途： BW-3010B型光藕参数测试仪是专为各种4脚三极管型的光电耦合器的功能和参数测试及参数”合格/不合格”(OK/NO)判断测试。 BW-3010B型光藕参数测试仪是专为各种4脚三极管型的光电耦合器和光电传感器的功能和参数测试及参数”合格/不合格”(OK/NO)判断测试，BW-3010B为各种三极管型4脚光藕提供了输入正向压降（VF）和输出反向耐(ICEO)、耐压BVCEO、传输比(CTR)等 。中文软件界面友好,简化了系统的操作和编程,提供了快速的一次测试条件和测试参数的设定,测试条件及数据同步存入EEPROM中，测试条件可以任意设置，测试正向压降和输出电流可达1A，操作简便，实用性强。广泛应用与半导体电子行业、新能源行业、封装测试、家电行业、科研教育等领域来料检验、产品选型等重要检测设备之一。产品电气参数：产品信息产品型号：BW-3022A产品名称：晶体管光耦参数测试仪；物理规格主机尺寸：深 305*宽 280*高 120(mm)主机重量：＜4.5Kg主机颜色：白色系电气环境主机功耗：＜75W环境要求：-20℃～60℃（储存）、5℃～50℃（工作）；相对湿度：≯85%；大气压力：86Kpa～106Kpa；防护条件：无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等；电网要求：AC220V、±10%、50Hz±1Hz；工作时间：连续；服务领域： 应用场景： ▶ 选型配对（在器件焊接至电路板之前进行全部测试，将测试数据比较一致的器件进行分类配对） ▶ 检验筛选（研究所及电子厂的质量部（IQC）对入厂器件进行抽检/全检，把控器件的良品率） 产品特点： ▶ 大屏幕液晶,中文操作界面,显示直观简洁,操作方面简单 ▶ 大容量EEPROM存储器,储存量可多达1000种设置型号数. ▶ 全部可编程的DUT恒流源和电压源. ▶ 内置继电器矩阵自动连接所需的测试电路,电压/电流源和测试回路. ▶ 高压测试电流分辨率1uA,测试电压可达1500V； ▶ 重复”回路”式测试解决了元件发热和间歇的问题； ▶ 软件自校准功能； ▶ 自动测试测DUT短路、开路或误接现象,如果发现,就立即停止测试； ▶ DUT的功能检测通过LCD显示出被测器件/DUT的类型，显示测试结果是否合格,并有声光提示； ▶ 两种工作模式：手动、自动测试模式。 BW-3010B主机和DUT的管脚对应关系型号类型P1 T1P2 T2P3T3P4T4光藕PC817AA测试端KK测试端EE测试端CC测试端 BW-3010B测试技术指标：1、光电传感器指标:输入正向压降(VF)测试范围分辨率精度测试条件0-2V2mV1%+2RD0-1000MA反向电流(Ir)测试范围分辨率精度测试条件0-200UA0.2UA2%+2RDVR:0-20V集电极电流(Ic)测试范围分辨率精度测试条件0-40mA0.2MA1%+2RDVCE:0-20V IF:0-40MA输出导通压降(VCE(sat))测试范围分辨率精度测试条件0-2.000V2mV1% +5RDIC：0-40mAIF:0-40mA输出漏电流(Iceo)测试范围分辨率精度测试条件0-2.000mA2UA2%+2RDVR:0-20V2、光电耦合器：耐压(VCEO)测试指标测试范围分辨率精度测试条件0-1400V1V2%+2RD0-2mA输入正向压降(VF)测试范围分辨率精度测试条件0-2V2mV1%+2RD0-1000MA反向漏电流(ICEO)测试范围分辨率精度测试条件0-2000uA1UA5% +5RDBVCE=25V反向漏电流(IR)测试范围分辨率精度测试条件0-2000uA1UA5% +5RDVR=0-20V电流传输比(CTR)测试范围分辨率精度测试条件0-99991%1% +5RDBVCE：0-20VIF:0-100MA输出导通压降(VCE(sat))测试范围分辨率精度测试条件0-2.000V2mV1% +5RDIC：0-1.000AIF:0-1.000A可分档位总数：10档 BW-3010B测试定义与规范：AKEC:表示引脚自左向右排列分别为 光耦的,A K E C极.VF:IF: 表示测试光耦输入正向VF压降时的测试电流.Vce:Bv:表示测试光耦输出端耐压BVCE时输入的测试电压.Vce:Ir: 表示测试光耦输出端耐压BVCE时输入的测试电流.CTR:IF:表示测试光耦传输比时输入端的测试电流。CTR:Vce:表示测试光耦传输比时输出端的测试电压。Vsat:IF:表示测试光耦输出导通压降时输入端的测试电流。Vsat:Ic:表示测试光耦输出导通压降时输出端的测试电流。
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    厂商： 陕西博微电通科技有限责任公司
    品牌： 4FD
    型号： BW-3010B
    价格： 面议
  • 晶体管正向偏置安全工作区测试系统
    产品系列晶体管图示仪半导体分立器件测试筛选系统静态测试（包括IGEs/VGE(th)/VCEsat/VF/ICEs/VCEs等）动态测试（包括Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等）环境老化测试（包括 HTRB/HTGB/H3TRB/Surge等）热特性测试（包括 PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等）可测试 Si/SiC/GaN 材料的IGBTs/MOSFETs/DIODEs/BJTs/SCRs等功率器件FBSOA1000Forward Bias Safe Operating Area 1000A晶体管正向偏置安全工作区测试系统Transistor Forward Bias Safe Operating Area Test System&bull 用于 Si , SiC , GaN , 材料的器件级和模块级的IGBT , MOS-FET的正向偏置安全工作区测试&bull FBSOA和对应的IV曲线&bull ICE电流0~1000A&bull VCE电压0~100V。&bull VGE驱动电压0~30V&bull vF热敏电压≤5V&bull Pmax最大功率100KW.&bull 脉宽10us~10ms，&bull 柜式结构，气动安全（支持手动式）工装柜，计算机全自动程控一、关于安全工作区晶体管的安全工作区，英文全称safe operating area，简称SOA。顾名思义，也就是说只要使用的条件（电压、电流、结温等）不超出SOA圈定的边界，晶体管必然能够按照电路设计正常运行，反之则死。所以，FBSOA是指全控型晶体管的门极电压VGE处于正向偏置（VGEVGEth）时，沟道处于导通状态时的安全工作区。FBSOA是全控型晶体管各种工作状态的集合，必须集合晶体管的其它特性去理解安全工作区的含义。失效器件送到原厂做FA分析，看到的字眼通常包含over voltage，over current，short circuit，EOS等，但是，其失效的深层原因与整机的应用环境和系统设计是密切相关的。整机产品里面包含的元器件数量少则几十，多则上万甚至更多，应用环境千奇百怪，元器件的失效就不可避免，作为工程师，能做的就是根据整机性能要求充分评估、测试元器件的各项关键参数，出现失效后，复盘设计，复现失效，找出根因，避免失效再次复现。二、FBSOA参数定义右图是简化的FBSOA曲线，本质上讲，FBSOA曲线划定了 四条电压-电流关系的边界线，分别由AB段，BC段，CD段，DE段构成。AB段规定了处于饱和导通状态下IGBT的最大工作电流，这个电流与IGBT的门极驱动电压幅值密切相关，从图4可以看出，IGBT的门极驱动电压幅值越高，饱和导通状态下的最大工作电流越大。BC段规定了IGBT的最大可重复电流ICpuls，这个电流是4倍的标称电流；FBSOA简化曲线CD段是最复杂的，需要结合IGBT的瞬态热阻来看。大家知道，IGBT有两个工作区，线性区和饱和区，跨越过AB段之后，其实IGBT就处于线性区了，也就是退出饱和导通区了，IGBT的损耗急剧上升，所以，这条边界体现了IGBT能承受的最大耗散功率Ptot。同时可以看出，集射极CE两端电压越高，IGBT所能承受的电流脉冲幅值越低，另外，电流脉冲宽度越大，IGBT所能承受的电流幅值也越低。从图可以看出，蓝色CD段各种脉冲宽度下的SOA，均是单脉冲安全工作区，非连续工作情况下的工作区，所以，必须参考上一页的右下角的IGBT瞬态热阻曲线，由公式（1）计算出在指定VCE条件下允许的电流IC的幅值和脉宽。DE段最容易理解，它规定了IGBT的集射极CE击穿电压，需要注意的是，IGBT的CE击穿电压是和结温正相关的，结温越低，CE击穿电压也越低。三、规格及环境要求&bull  设备尺寸∶800*800*1800mm（2组）∶&bull  设备质量∶800kg∶&bull  海拔高度∶海拔不超过4000m；  &bull 环境要求∶-20℃～60℃（储存）、5℃～45℃（工作）；&bull  相对湿度∶20%RH～75%RH（无凝露，湿球温度计温度45℃以下）；&bull  大气压力∶86Kpa～106Kpa；&bull  防护条件∶无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等；&bull  电网要求AC220V、±10%、50Hz±1Hz &bull  压缩空气∶根据配置；&bull  工作时间∶连续。四、产品特点&bull 测试规范：国际标准IEC60747-9、IEC60747-2、国家标准GB/T29332、GB/T4023&bull 测试工装有“手动式”“气动式”“电子开关式”供用户选择，针对不同的封装外观，通过更换“DUT适配器”即可&bull 高温测试，支持室温~200℃，±1℃@0.5℃&bull 计算机程控，测试数据可存储为 Excel 文件以及生成PDF格式，且内置多种通用文档模板供用户选择，还可自定义&bull 安全稳定（PLC 对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁）设备具有安全工作保护功能&bull 采用品牌工控机，具有抗电磁干扰能力强，排风量大等特点&bull 智能化，通过主控计算机进行操控及数据编辑，测试结果自动保存及上传指定局域网，支持MES系统和扫码枪连接&bull 安全性，防爆，防触电，防烫伤，短路保护等多重保护措施，确保操作人员、设备、数据及样品安全&bull 电压源电流源模块化设计，根据用户需求等级，自选搭配5. 部分配件清单&bull 系统主机：数量/1 套，品牌/天光测控，型号/SOA-1000，规格/?； &bull 高压电源：数量/1 套，品牌/顾伟，型号/PSW160-14.4，规格/电流0-14.4A 电压0-160V 功率720W 单输出多量程；&bull 驱动电源： 数量/1 套，品牌/顾伟，型号/GPP-2323，规格/双通道输出 电压32V 电流3A；&bull 工 控 机：数量/1 套，品牌/研华，型号/610L，规格/；CPU:酷睿i7.操作系统windows10&bull 机 柜：数量/1 套，品牌/天光测控，型号/SOA-A，规格/高≥2000mm 宽≤800mm 深≤800mm&bull 采集卡: 数量/1 套，品牌/阿尔泰，型号/USB8504，规格/ADC分辨率：14位 输入通道：4通道 采样率：40MS\s 存储深度2GB &bull 多功能数据卡: 数量/1 套，品牌/阿尔泰，型号/USB3132A，规格/操作系统win：XP.7.8.10 AI.AO输入分辨率:16位250K &bull 电压变送器: 数量/1 套，品牌/阿尔泰，型号/S1205，规格/输入-2~+2 输出-10V~+10V？&bull 霍尔电流传感器: 数量/1 套，品牌/深圳知用，型号/CTA1000，规格/连续直流电流1000A 有效电流707 传输比：1：1000 带宽：500KHZ&bull 探头: 数量/1 套，品牌/深圳知用，型号/P6251，规格/带宽：250MHZ 衰减比10：1 上升时间：1.4ns？&bull 柔性电流探头：品牌/深圳知用，型号/CP9120L，规格/灵敏度5mv/A 电流1.2KA低频带宽1dB 高频带宽10dB&bull 集成配套包、鼠标、电源线六、系统架构原理图七、局部示意图驱动模块气动工装示意图
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    厂商： 西安天光测控技术有限公司
    品牌： --
    型号： FBSOA1000
    价格： 65万元
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  • 已形成草案，电子五所牵头起草一项第三代半导体晶体管测试团体标准
    2022年7月18日，由工信部电子五所牵头起草的《用于硬开关电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法》团体标准形成委员会草案，该项标准委员会草案按照CASAS标准制定程序，反复斟酌、修改、编制而成。起草组召开了多次正式或非正式的专题研讨会，得到了很多CASAS正式成员的支持。T/CASAS 005—202X《用于硬开关电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法》基于GaN功率器件动态导通电阻测试的迫切需求，自2021年9月起，预提案单位工业和信息化部电子第五研究所、佛山市联动科技股份有限公司、东南大学、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、珠海镓未来科技有限公司等单位讨论确定启动标准制定的准备工作，一致认同基于硬开关电路的GaN HEMT电力电子器件动态电阻测试标准制定的必要性及迫切性；标准编制组于2021年9月~10月分别组织多次线上讨论会，修改完善标准提案所需材料：标准建议表、标准草案。2021年11月9日，来自工业和信息化部电子第五研究所、佛山市联动科技股份有限公司、东南大学、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、香港应科院、是德科技有限公司、泰科天润等单位的专家老师在线上（腾讯会议）召开了标准预提案讨论会，工业和信息化部电子第五研究所代表贺致远博士介绍了制定背景、GaN动态导通电阻测试现状、标准编制思路、草案内容以及测试实例。会议中对准备的文件进行了仔细深入的讨论。之后预提案单位形成提交给CSAS秘书处的项目提案材料。2021年11月9日，根据CASAS管理办法等管理文件，CASAS秘书处开展该项标准立项的程序性工作；于2月11日，经CASAS管理委员会投票通过，T/CASAS 005-202X《用于硬开关电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法》团体标准立项。2022年3月1日，组建起草组。起草组成员包括：工业和信息化部电子第五研究所、佛山市联动科技股份有限公司、东南大学、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、英诺赛科（珠海）科技有限公司、佛山市国星光电股份有限公司等。起草组根据前期的意见征求情况，全面修改并完善了标准草案，并于4月初形成了征求意见稿。2022年4月1日，秘书处面向全体成员单位发送征求意见的通知；2022年6月9日，针对征求意见阶段收集的意见，秘书处组织召开了委员会草案初稿的讨论，并定向邀请相关专家扩大了范围讨论；2022年6月22日，针对动态电阻测试如何判定为稳定，重点邀请了珠海镓未来创始人吴毅锋教授、浙江大学吴新科教授等就持续脉冲、持续双脉冲、周期双脉冲等做了重点交流，认为几个连续双脉冲后，保证DUT栅极关断并漏源高压反偏的工作条件，会持续电子被陷阱捕捉的状态，然后再次连续双脉冲，会有效避免器件自热对测试结果的影响。2022年7月18日形成委员会草案。T/CASAS 005—202X《用于硬开关电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法》规定了用于硬开关切换电路的GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）动态导通电阻测试方法。适用于进行GaN HEMT的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件：a) GaN增强型和耗尽型分立电力电子器件；b) GaN集成功率电路；c) 以上的晶圆级及封装级产品。
    时间： 2022-08-04
    作者： KPC
  • 最小耐高温的等离子体晶体管问世（图）
    美国犹他大学的研究人员研制了迄今为止最小的等离子体晶体管，其可承受核反应堆的高温和离子辐射环境条件，有助于研制在战场上收集医用X射线的智能手机、实时监测空气质量的设备、无需笨重的镜头和X射线光束整形装置的X射线光刻技术。　　这种晶体管有潜力开辟适用于核环境工作的新一类电子器件，能用于控制、指引机器人在核反应堆中执行任务，也能在出现问题时控制核反应堆，在核攻击事件中继续工作。　　作为当代电子设备的关键组成元件，硅基晶体管通过利用电场控制电荷的流动来实现晶体管的打开或关闭，当温度高于550华氏度时失效，这是核反应堆通常工作的温度。而此次美研究人员将利用传导离子和电子的等离子体空气间隙作为导电沟道，研制了可在极高温度下工作的等离子体晶体管。它的长度为1-6微米，为当前最先进的微型等离子体器件的1/500，工作电压是其六分之一，工作温度高达华氏1450度。核辐射可将气体电离成等离子体，因此这种极端的环境更易于等离子体器件工作。
    时间： 2014-05-05
    作者： 刘玉兰
  • 可在P型与N型间转换的新式晶体管问世
    据美国物理学家组织网12月21日(北京时间)报道，德国科学家研制出一种新式的通用晶体管，其既可当p型晶体管又可当n型晶体管使用，最新晶体管有望让电子设备更紧凑 科学家们也可用其设计出新式电路。相关研究发表在最新一期的《纳米快报》杂志上。　　目前，大部分电子设备都包含两类不同的场效应晶体管：使用电子作为载荷子的n型和使用空穴作为载荷子的p型。这两种晶体管一般不会相互转化。而德累斯顿工业大学和德奇梦达公司携手研制的新式晶体管可通过电信号对其编程，让其自我重新装配，游走于n型晶体管和p型晶体管之间。　　新晶体管由单条金属—半导体—金属结构组成的纳米线嵌于一个二氧化硅外壳中构成。从纳米线一端流出的电子或空穴通过两个门到达纳米线的另一端。这两个门采用不同方式控制电子或空穴的流动：一个门通过选择使用电子或空穴来控制晶体管的类型 另一个门则通过调谐纳米线的导电性来控制电子或空穴。　　传统晶体管通过在制造过程中掺杂不同元素来确定其是p型还是n型，而新式晶体管不需要在制造过程中掺杂任何元素，通过在一个门上施加外部电压即可重新配置晶体管的类型。施加的电压会使门附近的肖特基结阻止电子或空穴流过设备，如果电子被阻止，空穴能流动，那么，晶体管就是p型，反之则是n型。　　研究人员解释道，使这种再配置能起作用的关键是调谐分别通过肖特基结(每个门一个)的电子流动情况，模拟显示，纳米线的几何形状在这方面起关键作用。　　尽管该研究还处于初期阶段，但新式晶体管展示出了极佳的电学特性。比如，与传统纳米线场效应晶体管相比，其开/闭比更高，且漏电更少。该研究的领导者沃尔特韦伯表示：“除采用人造纳米线外，采用目前先进的硅半导体制造技术也可以制造出这种晶体管，还可以用到自对准技术，大大提高工作频率和速度。”　　接下来，科学家们计划通过改变材料的组成来改进新式晶体管的性能，并制造出由其运行的电路。他们表示，最大的挑战是，在将其与其他晶体管结合在一起时，如何将额外的门信号整合进来。
    时间： 2011-12-22
    作者： 秦丽娟
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  • 【原创】晶体管特性图示仪

    晶体管特性图示仪是一种可以检测晶体管的特性参数的电子测量仪器。晶体管特性图示仪操作简便，主要有六个旋钮，每个旋钮代表不同的功能作用。它们分别是用来测试调控电流开关、电压开关、峰值电压开关、功耗限制电阻、零电压、零电流开关。晶体管特性图示仪的工作原理大致是这样的：通过示波管的内刻度可直接读测半导体管的低频直流参数，通过摄影装置可记录所需的特性曲线；根据需要还可以测试隧道二极管、场效应管、VMOS管、达林顿管及可控硅等半导体材料制做的器件。晶体管特性图示仪可同时在示波器管荧光屏上显示两只同类型半导器件的特性曲线。晶体管特性图示仪的具体参数如下：集电极扫描电压0-500V 二端测试电压0-5KV、 集电极电流1μA-500mA/div 、具有脉冲阶梯信号。

  • 【资料】数字式仪表概述

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  • 晶体管知识简介

    晶体管知识简介

    晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2012/12/201212201403_414109_1841898_3.jpghttp://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2012/12/201212201403_414110_1841898_3.jpg

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