[b]SANTIS 0804双能、多能混合光子计数X射线探测器[/b]目前市场有极少数量的双能X射线探测器,多能X射线探测器刚刚进入中国市场,下面是我推荐的一款多能探测器,请同行们指导,多提宝贵建议。[b][img]http://img1.17img.cn/17img/images/201801/uepic/6f25d67a-b728-49cd-88e9-f0780582d383.jpg[/img][/b] SANTIS 0804多能X射线探测器是由DECTRIS公司设计和生产的双能、多能混合光子计数(HPC)探测器。该探测器的无噪声、无暗电流和高计数能力给一切用户提供无与伦比的的成像效果 SANTIS 0804多能X射线探测器和传统探测器相比,SANTIS 0804图像质量更高、帧速率更高、探测能力更强。同时,SANTIS 0804可以实现双能和多能状态下的优质图像信息。 [b]测器技术参数:[/b][table=578][tr][td=1,1,125][b]版本[/b][/td][td=1,1,217][b]高分辨率(HR)[/b][/td][td=1,1,236][b]多能量(ME)[/b][/td][/tr][tr][td=1,1,125]传感器[/td][td=1,1,217]碘化铬 0.75 mm[/td][td=1,1,236]碘化铬 1.0 mm[/td][/tr][tr][td=1,1,125]有效面积[/td][td=1,1,217]8 x 4 cm[sup]2[/sup][/td][td=1,1,236]8 x 4 cm[sup]2[/sup][/td][/tr][tr][td=1,1,125]像素矩阵[/td][td=1,1,217]1030 x 514[/td][td=1,1,236]515 x 257[/td][/tr][tr][td=1,1,125]像素尺寸[/td][td=1,1,217]75 μ㎡[/td][td=1,1,236]150 μ㎡[/td][/tr][tr][td=1,1,125]MTF在1 IP /毫米[/td][td=1,1,217] 90%[/td][td=1,1,236] 90%[/td][/tr][tr][td=1,1,125]能量范围[/td][td=1,1,217]最大至 120 kVp[/td][td=1,1,236]最大至160 kVp[/td][/tr][tr][td=1,1,125]阈值能量的数量[/td][td=1,1,217]2[/td][td=1,1,236]4[/td][/tr][tr][td=1,1,125]能量分辨率[/td][td=1,1,217]1.9 at 22 keV (FWHM)[/td][td=1,1,236]1.9 at 22 keV (FWHM)[/td][/tr][tr][td=1,1,125]填充因子[/td][td=1,1,217]100%[/td][td=1,1,236]100%[/td][/tr][tr][td=1,1,125]动态范围[/td][td=1,1,217]32 bit[/td][td=1,1,236]32 bit[/td][/tr][tr][td=1,1,125]帧速率[/td][td=1,1,217]up to 40 Hz[/td][td=1,1,236]up to 40 Hz[/td][/tr][tr][td=1,1,125]最大输入计数率[/td][td=1,1,217]1.5 * 10[sup]9[/sup] photons/s/mm2[/td][td=1,1,236]0.4 * 10[sup]9[/sup] photons/s/ mm2[/td][/tr][tr][td=3,1,578]所有规格如有变更,恕不另行通知。[/td][/tr][/table]
http://b.hiphotos.baidu.com/baike/w%3D268/sign=27a70225acaf2eddd4f14eefb5110102/2cf5e0fe9925bc310dce7dbb5edf8db1cb137005.jpg请问图中半导体探测器是在什么行业中应用的呢,这个探测器可以进行元素分析吗,这个探测器与常用的Si-Pin SDD有什么区别。另外X射线荧光用的探测器与X射线辐射剂量检测用的探测器有什么区别?
请问X射线荧光半导体探测器谁家的产品比较好,国内的国外的都可以,要常温,无需冷却的,可以探测铝,铜,铁元素的
X射线荧光探测器与质谱探测器有什么异同?
各位大侠 小妹有一个困惑 X射线探测器的铍窗很容易就破损了 为了更好的保护他 我想应该用一种高透明 机械性能好的薄膜吧 大侠们能告推荐一下吗 或者有什么更好的办法
新手一枚,想做利用能散型X射线荧光光谱分析矿物中Al、Si含量大致范围,领导让买XRF探测器和X光管,让我选产品。看文献大家都用的是国外的,像Varian、COMET、牛津的光管,还有AmpTek、Moxtek的探测器。但是不知道实际价位和性能如何,实在不会选了。请问各位大神能不能给说明一下详细情况(价位、性价比)?我该怎么选?还有没有国内的比较好的品牌?另外多通道脉冲幅度分析器是不是都和XRF探测器集成在一起了?单买的话有什么合适的品牌?还有是不是探测器现在都是配有相应分析软件的啊?从来没接触过光学相关技术,实在头疼,小女子在此谢过各位了,拜托拜托~
求GB/T 7167-2008 锗γ射线探测器测试方法 谢谢各位。[em0901]
正比计数器proportional counter 用气体作为工作物质,输出脉冲幅度与初始电离有正比关系的粒子探测器,可以用来计数单个粒子,并根据输出信号的脉冲高度来确定入射辐射的能量。这种探测器的结构大多采用圆柱形,中心是阳极细丝,圆柱筒外壳是阴极,工作气体一般是隋性气体和少量负电性气体的混合物。入射粒子与筒内气体原子碰撞使原子电离,产生电子和正离子。在电场作用下,电子向中心阳极丝运动,正离子以比电子慢得多的速度向阴极漂移。电子在阳极丝附近受强电场作用加速获得能量可使原子再电离。从阳极丝引出的输出脉冲幅度较大,且与初始电离成正比。正比计数器具有较好的能量分辨率和能量线性响应,探测效率高,寿命长,广泛应用于核物理和粒子物理实验。 1-50keV的X射线经常用正比计数器进行探测。要求是具有较薄的入射窗口,以获得较低的低能端探测下限,较大的观测面积,以及良好的气密性。常用的是铍窗正比计数器。当代X射线探测器多采用正比计数器阵列和装有多根阳极丝和阴极丝的多丝正比室,以获得更大的有效观测面积。 近年来制作的气体闪烁正比计数器,能量分辨率比一般气态正比计数器约高一倍。为了观测较弱的X射线源,需要高灵敏度的探测器,为此制作了大面积窗口正比计数器,如小型天文卫星-A携带的窗口面积为840厘米的铍窗正比计数器,采用的是正比计数器组合的方法。此外,确定X射线源的位置需要有高分辨率的探测器;而为了制造这种探测器,就相应地需要制作对测定位置灵敏度高的正比计数器。
X射线荧光光谱仪的探测器气体如何采购,从哪购买,用多大纯度的?
最近单位采购,一直纠结于某款热场电镜和冷场电镜。热场电镜的景深十分出色,但分辨率较为一般,除二次电子探测器(低位和高位)外,还配了单独的背散射电子探测器、主流能谱仪、五轴马达台、红外CCD相机。。。冷场电镜的景深也不错,分辨率十分出色,出二次电子探测器外,背散射电子的探测功能通过高位探测器改变偏压实现,不是那么主流的能谱仪、三轴马达台。。。价格估计两家都做得蛮拼的。各位前辈有没有什么建议?
请问X射线能谱仪(EDS)固体探测器的发展状况和最新动态?
[size=18px]在平时工作中,身边总是有人在问波长色散分析仪的探测器用的是什么检测器?是什么原理?有的为啥还有需要气体的,搞的好麻烦,气体爆炸怎么办……今天我们就来聊聊[b]波长色散分析仪的检测器[/b]。波长色散的x荧光光谱仪由于要使用分光晶体,从而使得待测元素的分析仪谱线可以较好的分离,故通常使用分辨率不那么高的流气式正比计数器和NaI闪烁计数器作为光谱仪的探测器。主要说说流气式正比计数器[b]气体正比计数器又可以分为封闭式和流气式正比计数器[/b],由于封闭式正比例计数器分辨率太低,而且温差电冷能量探测器已经实用化,所以封闭式正比例计数器将会慢慢被淘汰。我们主要来说说流气式正比例计数器,一般情况下,流气式正比计数器为一个直径2cm住状体,中间有一根20-30μm的金属丝,用作前放信号和外部高压的接头,筒状体内部充入惰性气体和淬灭气体,通常为90%的氩气和10%的甲烷气体混合器,并在金属丝和柱壳间施加1400V~1800V的电压。当流气式正比计数器中的探测气体收到X射线的照射时,或产生大量的负电子和正电性氩离子组成的离子对。假设入射X射线的光子能量为E,产生离子对的有效电离能 为V,由入射X射线光子产生的平均离子对数n与入射X射线光子的能量成正比,与离子对的有效电离能成反比:n=E/V产生的电子在电压作用下会逐渐加速飞向样机金属丝,并引发进一步的氩原子电离,这一效应被称为电离增益,流气正比探测器的电离增益一般为6*10四次方。。。。经放大后的电流由电容收集,产生的脉冲电压与入射光子的能量成正比。在这里需要注意的是,脉冲高度和强度的区别。[b]脉冲高度:[/b]指由单个X射线产生的单个脉冲电压幅度。[b]X射线强度:[/b]指每秒钟测得的脉冲数。重点来了,[b]探测器的分辨率一般定义为峰高一半处所对应的谱峰宽度,简称谱峰半高宽。[/b]流气式正比计数器一般适用于较长波长的X射线探测,通常用于0.15~5nm波长的X射线探测,对于0.15以下的波长,探测的灵敏度很低,这也就是为什么目前很多的X荧光分析仪会设置有多个检测器的原因。希望这样的小知识普及能够让大家明白什么是流气式正比计数器,并且知道他的原理,这样见到这类型的分析仪就不会在这边面有疑问啦![/size]
最近在学习EDS,EDS原理是Si(Li)半导体检测器检测到不同能量的X射线,激发出不同数量(与XS射线能量成正比)的电子空穴对,经过前置放大器变成电流脉冲,再由主放大器转变成电压脉冲,经多道脉冲分析器成谱图(电压脉冲强度属于哪一通道,谱图横坐标能量就确定了,而有几个这样的电压脉冲,对应着谱图纵坐标的信号强度)。有个问题就是电子束打到样品上,瞬间产生的X射线肯定是各种能量的都有的,各种能量的X射线肯定一起到达探测器上的,他们怎么一个一个分别在检测器上产生电子空穴对的?(如果好多能量的X射线一起到探测器上,结果就有类似加峰的感觉)还有就是零峰的作用,好像上面的EDS谱图的获得和零峰没什么关系呀?为什么会有一个零峰呢?好像零峰又叫噪音峰,为啥呀?我看了一个fengyonghe专家的解释([font=Arial, Helvetica, sans-serif][size=16px][color=#333333]零峰(也称零选通脉冲、零开关),是能量为0eV附近的虚拟峰。用于监测能量刻度的起始点,谱仪的分辨率和活时间)但是还是不明白呀,就是能量为0 的位置为什么会有一个这么强的峰呢?[/color][/size][/font][font=Arial, Helvetica, sans-serif][size=16px][color=#333333][/color][/size][/font][font=Arial, Helvetica, sans-serif][size=16px][color=#333333]跪求各位大佬解答,感谢![/color][/size][/font]
各位老师: 我想买一个X射线辐射剂量探测的仪器,我的X射线能量在5keV~30keV,剂量不是很大,不知道现阶段有没有哪款探测器能够进行剂量监测的?望大家给点建议啊.先谢过了
最近因为实验室要买XRF做调研,顺便就了解了一下关键器件的一些知识,发现一个问题向大家请教一下。就是关于探测器和X射线管的Be窗的问题。探测器和射线管的Be有什么不一样吗?为什么探测器的那么薄?(很多厂家上面说的甚至有几个微米) 而射线管我看到最低的就是75微米。如果这些数据都是真实的话,那为什么不用做探测器的Be窗来做X射线管呢?是个新手,什么都不大懂,希望有大虾帮我解释一下。
公司想做一台X射线荧光设备,用于检测铜元素,使用AMPTEK探测器,请问如何通过VC++调用AMPTEK探测器探测到的光谱数据?另外,光谱分析的算法是怎样的呢,可以使用matlab仿真吗?
[color=#333333]全二维面探测器残余应力仪与传统一维点,线探测器残余应力仪比较区别:[/color][color=#333333](1)传统一维点,线探测器残余应力仪——sin2Ψ 1)通过测量应力引起的衍射角偏移,从而算出应力大小。测量时需要多次(一般5-7次)变X射线的入射角,并且调整一维探测器的位置找到相应入射角的衍射角 2)施加应力后,通过测角仪得到衍射角发生变化的角度,从而计算得到应力数据(2)圆形全二维面探测器残余应力仪——基于cosα方法 1)单角度一次入射后,利用二维探测器获得完整德拜环。通过比较没有应力时的德拜环和有应力状态下的变形德拜环的差别来计算应力下晶面间距的变化以及对应的应力 2)施加应力后,分析单次入射前后德拜环的变化,即可获得全部残余应力信息 世界首款基于二维探测器和cosα分析方法的新一代X射线残余应力分析仪,将利用X射线研究残余应力的测量速度和精度推到了一个全新的高度,总体说来它比传统方法具有如下优点:1,圆形全二维面探测器残余应力仪优点: 更快: 二维探测器获取完整德拜环,单角度一次入射测量即可完成测量,全过程平均约90秒 更精确:一次测量最多可获得500个数据点,用于拟合计算应力。无应力铁粉残余应力测定的精度为±2MPa(欧美标准无应力铁粉残余应力测定的精度要求为正常±6.9MPa,最大±14MPa.) 更轻松:无需测角仪,单角度一次入射即可,复杂形状和狭窄空间的测量不再困难 更方便:测量精度高, 无需冷却水、野外工作无需外部供电 更强大:有区域应力分布测量成像(Mapping)功能,软件有晶粒大小、材料织构、残余奥氏体信息分析功能2,传统一维点,线探测器残余应力仪: 1,设备笨重,不适合检测比较大的工件或设备 2,需要测角仪,每次摄入,要多点d-sin2Ψ曝光模式,互相关法计算峰位移。增加仪器成本 3,需要水冷系统,冷却液温度过高或其它流动不畅通时机器不能工作,增加仪器使用成本。 4,操作复杂,必须专业长时间培训或有经验的人员才能操作。检测时间长,每次测量必须转角,人工误差大。 5,设备故障率高,不管是,测角仪,冷却系统或测角角度有一处故障,设备就不能正常工作。 6,价格昂贵,测角仪和冷却系统大大增加了设备成本,维修费用及高。[/color]
半导体探测器(semiconductor detector)是以半导体材料为探测介质的辐射探测器。最通用的半导体材料是锗和硅,其基本原理与气体电离室相类似。半导体探测器发现较晚,1949年麦凯(K.G.McKay)首次用α 射线照射PN结二极管观察到输出信号。5O年代初由于晶体管问世后,晶体管电子学的发展促进了半导体技术的发展。半导体探测器有两个电极,加有一定的偏压。当入射粒子进入半导体探测器的灵敏区时,即产生电子-空穴对。在两极加上电压后,电荷载流子就向两极作漂移运动﹐收集电极上会感应出电荷,从而在外电路形成信号脉冲。但在半导体探测器中,入射粒子产生一个电子-空穴对所需消耗的平均能量为气体电离室产生一个离子对所需消耗的十分之一左右,因此半导体探测器比闪烁计数器和气体电离探测器的能量分辨率好得多。半导体探测器的灵敏区应是接近理想的半导体材料,而实际上一般的半导体材料都有较高的杂质浓度,必须对杂质进行补偿或提高半导体单晶的纯度。通常使用的半导体探测器主要有结型、面垒型、锂漂移型和高纯锗等几种类型(下图由左至右)。金硅面垒型探测器1958年首次出现,锂漂移型探测器60年代初研制成功,同轴型高纯锗(HPGe)探测器和高阻硅探测器等主要用于能量测量和时间的探测器陆续投入使用,半导体探测器得到迅速的发展和广泛应用。[img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2009/12/200912291643_192752_1615922_3.jpg[/img]
新手一枚导师想买XRF探测器,让我看看产品在看KETEK的产品,但是不知道其价位和参数怎么样请问这里有大神买过KETEK的探测器没?用起来怎么样?
能量色散 使用半导体探测器测低原子序数元素 是不是 效果会非常不好???
一.事由2012年8月7日《北京青年报》A4版《今日焦点》熬过恐怖7分钟,〝好奇〞号火星探测器于8月6日成功着落火星表面,并传回照片。《北京青年报》说,〝好奇〞号有〝十种武器〞:1.桅杆相机(略)2.化学与摄像机仪化学与摄像机仪最远可向约9米外的火星岩石或土壤发射激光,使其表面薄层汽化,而后分析汽化的成分,它包含一个可以确认受激原子类型的光谱仪和一个可以捕捉激光照射区域详细图像的望远镜。3.阿尔法粒子X射线光谱仪阿尔法粒子X射线光谱仪安装在〝好奇〞号机械末端,这一仪器与样本接触后,能发射X射线和氦核,将样本元素中的电子轰出原子核轨道,进而产生X射线。根据放射出的X射线特征,科学家能够确定遭轰击元素的类型。4.火星手持透镜成像仪(略)5.化学与矿物学分析仪化学与矿物学分析仪可通过X射线衍射分析〝好奇〞号机械臂搜集的粉末状岩石和土壤样本,确定其中的矿物晶体结构。X射线衍射在火星上还从未使用过。6.火星样本分析仪火星样本分析仪是〝好奇〞号的心脏,重约38公斤,约占〝好奇〞号科学仪器总重量的一半。它由3个独立的仪器构成:质谱仪,气相色谱仪和激光光谱仪。这些仪器负责搜寻构成生命的要素-碳化合物。它们还将搜寻与地球上生命攸关的氢、氧和氮等元素,评估某些元素不同同位素的比例,寻找行星变化的线索。7.火星车环境监测站它能够评估火星表面风速、风向、气压、相对湿度、地面湿度、紫外线辐射程度等。8.辐射评估探测器(略)9.动态中子反照率探测器(略)10.火星降落成像仪(略)二.我认为1.〝好奇〞号的〝十种武器〞,分析仪器占相当比例,也就是说,与分析化学工作者有关,机遇来了。2.据说,某公司的质谱仪的生产是采用国外的重要部件。这种方法的优点是有利於所生产仪器的质量,但利润率会下降。不过,也是一种合适的选择。但这也反映,我国生产高品质分析仪器,在研发能力上尚存在差距。3.如果我国的航天事业继续高速发展,中国的〝神舟〞号月球探测器谁来制造?
近年来国内X射线探测技术发展的也相当迅猛,在日本核泄漏的事故后大家更加的重视了辐射、安全。下面我给大家分享一下我们代理的X射线探测器看看大家是否熟悉:X-123 是一个完整的X 射线探测系统,它整合于可放在手中的小盒子里。X-123 标志着Amptek 14 年的X 射线探测器研发成果。我们一直致力于开发小型、低功率、高性能、易操作的仪器。X-123 是我们这一宗旨的一个例子,它提供一个套装的XR100 X 射线探测器和电荷敏感前置放大器, DP4 数字脉冲处理器和脉冲整形器、多通道分析器及数据接口、以及 PC4-3 电源。你只需要一个5 伏的直流电源和一根USB 或RS232 接线与你的计算机相连。包括:1. X-射线探测器和前置放大器;2. 数字脉冲处理器和MCA 多通道分析器;3. 电源和PC 接口特点:• 小巧的完整系统• 易操作• 尺寸小 (2.7*3.9*1 英寸(7 * 10 *2.5 厘米)• 功率低(1.2W)• 重量轻-180g(6.3 盎司)• USB 和RS232 连接• 跟所有类型的 Amptek 探测器匹配应用:• X 射线荧光探测 (XRF)• 符合 RoHS/WEE 标准的仪器• 程控• 文物和考古• X-123 演示 探测器:• Si-PIN X 射线探测器;• 两级热电制冷.• 面积: 5 至 25 mm2• 厚度: 300 至 680 μm主要指标:• 分辨率: 峰值5.9 keV 时为145 至260 eV 半峰宽• 最佳能量范围: 1 keV 至 40 keV• 最大计数率: 最高2 × 105 cps工作原理和配置:Amptek 擅长于生产小型化、低功耗、高性能和易于操作的X 射线光谱仪。X123 在一个容器内整合了Amptek 公司标准化、高性能的X 射线光谱分析元件,其中包括XR100CR 探测器和前置放大器、DP4数字脉冲处理器和MCA 多通道分析器、以及PC4-3 电源,成为可以握在手中的集成化完整系统。而其它厂家的系统,仅前置放大器就比X123 更大、更重且更耗能。其它所需只是两根连线:一个5V 直流电源和一根USB 或RS-232 数据线。通过X123,可以很快得到高质量的[/s
电离室ionization chamber 由处于不同电位的电极和限定在电极之间的气体组成,通过收集因辐射在气体中产生的电子或离子运动而产生的电讯号来定量测量电离辐射的探测器。 分为脉冲电离室和电流电离室,前者可记录单个辐射粒子的电离辐射,主要用于重带电粒子的能量和注量或注量率的测量,后者则用来记录大量辐射产生的平均效应,用于测量X射线,γ光子束,β射线和中子束的注量、注量率和剂量。 是一种核辐射探测元件。一般为圆柱形,电离室中间有一个柱状电极,它与外壳构成一个电容器。在电离室的两极加上电压,可以收集放射性射线作用产生的电离电流。根据电离电流的大小可以确定放射性活度。按照被测射线种类不同,电离室可分为α电离室、β电离室和γ电离室。[1] 一种最早的测量核辐射的气体电离探测器之一,早在191—1914年间,就用它成功地发现了宇宙线.最简单的电离室由两块平行板构成,一块接几百至几千伏正高压,一块通过电阻接地.当带电粒子经过时,使两板之间气体电离,正离子飞向阴极,电子飞向阳极.两板上产生感应电荷,在接地的电阻上就形成一脉冲信号.由于电子飞行速度比离子要大三个量级,电子将快速到达阳极,在到达前,由于是正反离子对共同贡献,脉冲上升,随着电子减少和离子被阴极吸收,脉冲慢慢下降,直到正离子被吸收.由此可见,电离室相当于简单的放电线路,不同的电离室就是选择不同的值iPiP设计出来的.如果离子收集时间为+(约为103C秒),电子的]收集时间为-(约为106+C秒),当取时,为离子脉冲H]iP]电离室,它收集了全部电子和离子,可以用它来测量带电粒子的能量.当取-<<+时为电子电离室,它比较快,可]iP]以用来测量带电粒子的强度.但由于它的脉冲辐度与离子对产生地点有关,不能直接用它来测能量.为了把电离室做得又快又能测能量,人们把它改进成屏栅电离室,可以在重离子物理中测量重带电粒子能量并鉴别粒子,也可改进为圆柱形脉冲电离室,既可测能量,又可作记数器.[编辑本段]正文 一、电离室工作原理 电离室是一种探测电离辐射的气体探测器。 气体探测器的原理是,当探测器受到射线照射时,射线与气体中的分子作用,产生由一个电子和一个正离子组成的离子对。这些离子向周围区域自由扩散。扩散过程中,电子和正离子可以复合重新形成中性分子。但是,若在构成气体探测器的收集极和高压极上加直流的极化电压V,形成电场,那么电子和正离子就会分别被拉向正负两极,并被收集。随着极化电压V逐渐增加,气体探测器的工作状态就会从复合区、饱和区、正比区、有限正比区、盖革区(G - M区)一直变化到连续放电区。 所谓电离室即工作在饱和区的气体探测器,因而饱和区又称电离室区。如图11-1所示,在该区内,如果选择了适当的极化电压,复合效应便可忽略,也没有碰撞放大产生,此时可认为射线产生的初始离子对N0恰好全部被收集,形成电离电流。该电离电流正比于N0,因而正比于射线强度。加速器的监测探测器一般均采用电离室。标准剂量计也用电离室作为测量元件。电离室的电流可以用一台灵敏度很高的静电计测量。 不难看出,电离室主要由收集极和高压极组成,收集极和高压极之间是气体。与其他气体探测器不同的是,电离室一般以一个大气压左右的空气为灵敏体积,该部分可以与外界完全连通,也可以处于封闭状态。其周围是由导电的空气等效材料或组织等效材料构成的电极,中心是收集电极,二极间加一定的极化电压形成电场。为了使收集到的电离离子全部形成电离电流,减少漏电损失,在收集极和高压极之间需要增加保护极。 当X射线、γ射线照射电离室,光子与电离室材料发生相互作用,主要在电离室室壁产生次级电子。次级电子使电离室内的空气电离,电离离子在电场的作用下向收集极运动,到达收集极的离子被收集,形成电离电流信号输出给测量单元。 二、电离室的主要性能 (一) 电离室的灵敏度 一般说来,电离室的灵敏度取决于电离室内的空[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/bp][color=#3333ff]气质[/color][/url]量。由于电离室内的气压近似为一个大气压,那么,也可以说其灵敏度正比于空气体积,因而这个体积又称“灵敏体积”,对于测量照射量(空气比释动能)的电离室,其电流服从下式的规律 或者写为: 式中 SC — 电离室的灵敏度(灵敏因子) [url=https://insevent.instrument.com.cn/t/3p][color=#3333ff]IC[/color][/url] — 电离室的电离电流A — 照射量率Ckg s(Akg) V — 电离室的灵敏体积 a — 常数,与电离室的材料和空气密度有关,对于空气等效电离室α≈1.2×10 因此随着电离室体积增大,灵敏度增高。 (二) 电离室的能量响应 如上所述,电离室的响应(灵敏度)正比于空气比释动能率(照射量率),而不受其他影响,例如不应随能量的变化而变化,不应随温度的变化而变化等。但是由于电离室本身不能完全由空气制作,不能完全等同于空气,当辐射的能量改变后,电离室的响应(灵敏度)也随之改变,这种特性称之为能量响应。 对于剂量测量的电离室,能量响应是极为重要的性能参数:而对于剂量监测的电离室虽然也关心能量响应,但不是非常重要。 (三) 电子平衡 在加速器辐射和空气的相互作用中,加速器的光子不能直接引起电离,而是通过光电吸收、康普顿散射和电子对生成作用损失能量,产生次级电子。加速器的初级电子虽然引起电离,但是引起空气电离的主要还是次级电子。加速器光子或初级电子在与物质的作用中首先产生次级电子,而作为电离室,进入电离室空气空腔的次级电子主要在电离室的壁中产生的。由于壁的材料的密度比空气大得多,产生的电子也多,因此随着壁厚的增加,进入电离室空气灵敏体积的次级电子增加,当电离室壁厚增加到一定程度,电离室壁对次级电子的阻挡作用开始明显,并最终使得进入灵敏体积的次级电子和逃出灵敏体积的次级电子相等,我们便称这种状态为“电子平衡”,或称“电子建成”。广义的说,所谓电子平衡,是指进入测量体积元的次级电子能量等于离开该体积元的次级电子能量。当射线的能量高时,次级电子的能量也高,穿透的材料厚度增大,达到电子平衡的厚度也增大。 一般来说,只要包围收集体积空气的材料的厚度大于次级电子最大射程,电子平衡条件就可基本满足。我们稍微详细点分析。
美探索用反物质造伽马射线激光器 可对非常微小的空间进行探测 科技日报讯 传统激光器的操作光波可从红外线到X射线一网打尽,而伽马射线激光器则依靠比X射线更短的光波来运行,这就使其能产生波长仅为X射线千分之一的光波,从而能对非常微小的空间进行探测,并在医学成像领域大展拳脚。不过,长期以来,建造伽马激光器一直是个难题。现在,美国科学家让一类名为“电子偶素(positronium)”的物质—反物质混合物作为增益介质,将普通光变成了激光束。 据美国趣味科学网站5月8日报道,在最新一期的《物理评论·原子分子物理》杂志上,马里兰大学联合量子研究所的王逸新(音译)、布兰登·安德森以及查尔斯·克拉克撰文表示,他们发现,当向电子偶素提供特定能量,它将产生在其他能量下无法制造出的激光;而且,要制造出激光束,这种电子偶素必须处于玻色—爱因斯坦凝聚态下。 克拉克解释道,这种奇怪的效应与电子偶素的“性格”有关。每个电子偶素“原子”实际上是一个普通的电子和一个正电子(电子的反物质)。正电子和电子分别带正负电荷。当它们相遇时,会相互湮灭并释放出两个高能光子,这两个光子位于伽马射线范围内,反向移动。 有时,电子和正电子会围绕对方旋转,就像电子围绕着质子旋转组成原子一样。然而,正电子比质子轻,因此电子偶素并不稳定,在不到十亿分之一秒内,电子和正电子会相互碰撞并发生湮灭。 为了制造出伽马射线激光器,科学家们需要使电子偶素的温度非常低,接近绝对零度(零下273摄氏度)。这一冷却过程会让电子偶素进入波色—爱因斯坦凝聚态,这种状态下物质内的所有原子,也就是电子—正电子对,进入同样的量子状态,一举一动整齐划一。 量子状态的一个方面是自旋。电子偶素的自旋数要么为1,要么为0。一束远红外线光脉冲能让电子偶素的自旋数为0。自旋为零的电子偶素会湮灭并产生双方向相干的伽马射线束—激光束。研究人员表示,能做到这一点是因为所有电子偶素“原子”拥有同样的自旋数。如果是自旋为0和自旋为1的电子偶素随机组合,那么,光会朝各个方向散射。 研究人员也计算出,为了让一台伽马射线工作,每立方厘米大约需要1018个电子偶素原子,听起来有点多,但与空气的密度相比还是少很多,同样体积的空气大约有2.5×1019个原子。 在1994年首次提出伽马射线激光器这一概念的贝尔实验室的艾伦·米尔斯表示,研究人员可以借用数学方法,让制造这种激光器所需要的环境更加精确。(刘霞)来源:中国科技网-科技日报 2014年05月10日
X射线是表面残余应力测定技术中为数不多的无损检测法之一,是根据材料或制品晶面间距的变化测定应力的,至今仍然是研究得最为广泛、深入、成熟的内应力测量方法,被广泛的应用于科学研究和工业生产的各领域。然而长期以来,大家使用的都是基于一维探测器的测量方法。Pulstec公司开发出世界首款基于全二维探测器技术的新一代X射线残余应力分析仪——μ-X360n,将利用X射线研究残余应力的测量速度和精度推到了一个全新的高度,设备推出不久便得到业界的广泛好评。 相较于传统的X射线残余应力测定仪,新一代μ-X360n具有以下优点: 更快:二维探测器一次性采集获取完整德拜环,单角度一次入射即可完成测量,全过程平均约90秒。 更精确:一次测量可获得500个数据点进行残余应力数据拟合,结果更精确。 更轻松:无需测角仪,单角度一次入射即可,复杂形状和狭窄空间的测量不再困难。 更方便:测量精度高,无需冷却水,野外工作无需外部供电。 更强大:具备区域应力分布测量成像(Mapping)功能,晶粒大小、材料织构、残余奥氏体分析等功能。应用领域: 1. 机械加工领域:测量机床、焊接、铸造、锻压、裂纹等构件的残余应力。 2. 冶金行业:测量热压、冷压、炼铁、炼钢、炼铸等工业生产构件的残余应力。 3. 各种零配件制造:测量电站汽轮机制造、发动机制造、油缸、压力容器、管道、陶瓷、装配、螺栓、弹簧、齿轮、轴承、轧辊、曲轴、活塞销、万向节、机轴、叶片、刀具等工业产品的残余应力。 4. 表面改性处理:测量渗氮、渗碳、碳氮共渗、淬火、硬化处理、喷丸、振动冲击、挤压、滚压、金刚石碾压、切削、磨削、车(铣)、机械抛光、电抛光等工艺处理后构件中的残余应力。 5. 民生基础建设领域: (1)海洋领域 :测量船舶、海洋、石油、化工、起重、运输、港口等领域设备和设施的残余应力 (2)能源领域:测量核工业、电力(水利水电、热电核电)、水利工程、天然气工程等领域的设备和设施的残余应力。 (3)基础建设工程领域:测量挖掘、桥梁、汽车、铁路、航空航天、交通、钢结构等工程领域所用材料、构件及其它相关设备设施的残余应力。 6. 国防军工领域:测量武器装备、重型装备等军工产品的残余应力。http://sciaps.gz01.bdysite.com/upload/201703/1490338019181409.jpg传统的点/线探测器技术 全二维面探测器技术——通过测量应力引起的衍射角偏移,从而算出应力大小。测量时需要多次(一般5-7次)改变X射线的入射角,并且调整一维探测器的位置找到相应入射角的衍射角——施加应力后,通过测角仪得到衍射角发生变化的角度,从而计算得到应力数据——单角度一次入射后,利用二维探测器获得完整德拜环。通过比较没有应力时的德拜环和有应力状态下的变形德拜环的差别来计算应力下晶面间距的变化以及对应的应力——施加应力后,分析单次入射前后德拜环的变化,即可获得全部残余应力信息http://sciaps.gz01.bdysite.com/upload/201703/1490338058206908.gif应用软件:http://sciaps.gz01.bdysite.com/upload/201703/1490338117148580.gif二维探测器获取完整德拜环,单角度入射,一次测量 全自动软件测量残余应力,半峰宽,残余奥氏体等数据内在定位标记和CCD相机方便样品定位,操作极其简单快捷快捷进入预设各种材料测量条件,一键执行测量
最近在学习XRF SDD探测器的原理,有1个问题一直想不通,请教一下大家。如果2个不同能量的X射线光子(假设100ev,200ev)同时进入探测器,探测器是如何区分开来而并没有判定为一个(300ev)呢?
[size=4] photoconductive detector 利用半导体材料的光电导效应制成的一种光探测器件。所谓光电导效应,是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象。光电导探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等;在红外波段主要用于导弹制导、红外热成像、红外遥感等方面。光电导体的另一应用是用它做摄像管靶面。为了避免光生载流子扩散引起图像模糊,连续薄膜靶面都用高阻多晶材料,如PbS-PbO、Sb2S3等。其他材料可采取镶嵌靶面的方法,整个靶面由约10万个单独探测器组成。 1873年,英国W.史密斯发现硒的光电导效应,但是这种效应长期处于探索研究阶段,未获实际应用。第二次世界大战以后,随着半导体的发展,各种新的光电导材料不断出现。在可见光波段方面,到50年代中期,性能良好的硫化镉、硒化镉光敏电阻和红外波段的硫化铅光电探测器都已投入使用。60年代初,中远红外波段灵敏的Ge、Si掺杂光电导探测器研制成功,典型的例子是工作在3~5微米和8~14微米波段的Ge:Au(锗掺金)和Ge:Hg光电导探测器。60年代末以后,HgCdTe、PbSnTe等可变禁带宽度的三元系材料的研究取得进展。 工作原理和特性 光电导效应是内光电效应的一种。当照射的光子能量hv等于或大于半导体的禁带宽度Eg时,光子能够将价带中的电子激发到导带,从而产生导电的电子、空穴对,这就是本征光电导效应。这里h是普朗克常数,v是光子频率,Eg是材料的禁带宽度(单位为电子伏)。因此,本征光电导体的响应长波限λc为 λc=hc/Eg=1.24/Eg (μm) 式中 c为光速。本征光电导材料的长波限受禁带宽度的限制。在60年代初以前还没有研制出适用的窄禁带宽度的半导体材料,因而人们利用非本征光电导效应。Ge、Si等材料的禁带中存在各种深度的杂质能级,照射的光子能量只要等于或大于杂质能级的离化能,就能够产生光生自由电子或自由空穴。非本征光电导体的响应长波限λ由下式求得 λc=1.24/Ei 式中Ei代表杂质能级的离化能。到60年代中后期,Hg1-xCdxTe、PbxSn1-xTe、PbxSn1-xSe等三元系半导体材料研制成功,并进入实用阶段。它们的禁带宽度随组分x值而改变,例如x=0.2的HG0.8Cd0.2Te材料,可以制成响应波长为 8~14微米大气窗口的红外探测器。它与工作在同样波段的Ge:Hg探测器相比有如下优点:①工作温度高(高于77K),使用方便,而Ge:Hg工作温度为38K。②本征吸收系数大,样品尺寸小。③易于制造多元器件。表1和表2分别列出部分半导体材料的Eg、Ei和λc值。 通常,凡禁带宽度或杂质离化能合适的半导体材料都具有光电效应。但是制造实用性器件还要考虑性能、工艺、价格等因素。常用的光电导探测器材料在射线和可见光波段有:CdS、CdSe、CdTe、Si、Ge等 在近红外波段有:PbS、PbSe、InSb、Hg0.75Cd0.25Te等 在长于8微米波段有:Hg1-xCdxTe、PbxSn1-x、Te、Si掺杂、Ge掺杂等;CdS、CdSe、PbS等材料可以由多晶薄膜形式制成光电导探测器。 可见光波段的光电导探测器 CdS、CdSe、CdTe 的响应波段都在可见光或近红外区域,通常称为光敏电阻。它们具有很宽的禁带宽度(远大于1电子伏),可以在室温下工作,因此器件结构比较简单,一般采用半密封式的胶木外壳,前面加一透光窗口,后面引出两根管脚作为电极。高温、高湿环境应用的光电导探测器可采用金属全密封型结构,玻璃窗口与可伐金属外壳熔封。 器件灵敏度用一定偏压下每流明辐照所产生的光电流的大小来表示。例如一种CdS光敏电阻,当偏压为70伏时,暗电流为10-6~10-8安,光照灵敏度为3~10安/流明。CdSe光敏电阻的灵敏度一般比 CdS高。光敏电阻另一个重要参数是时间常数 τ,它表示器件对光照反应速度的大小。光照突然去除以后,光电流下降到最大值的 1/e(约为37%)所需的时间为时间常数 τ。也有按光电流下降到最大值的10%计算τ的 各种光敏电阻的时间常数差别很大。CdS的时间常数比较大(毫秒量级)。 红外波段的光电导探测器 PbS、Hg1-xCdxTe 的常用响应波段在 1~3微米、3~5微米、8~14微米三个大气透过窗口。由于它们的禁带宽度很窄,因此在室温下,热激发足以使导带中有大量的自由载流子,这就大大降低了对辐射的灵敏度。响应波长越长的光,电导体这种情况越显著,其中1~3微米波段的探测器可以在室温工作(灵敏度略有下降)。3~5微米波段的探测器分三种情况:①在室温下工作,但灵敏度大大下降,探测度一般只有1~7×108厘米瓦-1赫;②热电致冷温度下工作(约-60℃),探测度约为109厘米瓦-1赫 ③77K或更低温度下工作,探测度可达1010厘米瓦-1赫以上。8~14微米波段的探测器必须在低温下工作,因此光电导体要保持在真空杜瓦瓶中,冷却方式有灌注液氮和用微型制冷器两种。 红外探测器的时间常数比光敏电阻小得多,PbS探测器的时间常数一般为50~500微秒,HgCdTe探测器的时间常数在10-6~10-8秒量级。红外探测器有时要探测非常微弱的辐射信号,例如10-14 瓦;输出的电信号也非常小,因此要有专门的前置放大器。[/size]
公司有布鲁克的D8 X射线衍射仪,现在探测器坏了,想买个新的探测器,打电话给布鲁克他们推荐新一代的探测器叫LynxEyeTM 林克斯一维阵列探测器,不知论坛里有没该探测器的用户,讨教下使用体验。
高速响应的中波红外探测器在自由空间光通信和频率梳光谱学等新兴领域的需求逐渐增加。中长波XB?n势垒型红外光探测器对暗电流等散粒噪声具有抑制作用。近期,由中国科学院半导体研究所、昆明物理研究所、中国科学院大学和陆装驻重庆军代局驻昆明地区第一军代室组成的科研团队在《红外与毫米波学报》期刊上发表了以“非制冷势垒型InAsSb基高速中波红外探测器”为主题的文章。该文章第一作者为贾春阳,通讯作者为赵俊总工程师和张逸韵研究员。本工作制备了不同直径的nBn和pBn结构的中波InAsSb/AlAsSb红外接地-信号-接地(GSG)探测器。对制备的探测器进行了变温暗电流特性,结电容特性和室温射频响应特性的表征。[align=center][size=18px][back=#ffff00][b]材料生长、器件制备和测试[/b][/back][/size][/align]通过固态源分子束外延装置在2英寸的n型Te-GaSb衬底上外延生长nBn和pBn器件。势垒型器件的生长过程如下所示:先在衬底上生长GaSb缓冲层来平整表面以及减少应力和位错,接着生长重掺杂(101? cm?3)n型InAsSb接触层,然后生长2.5 μm厚的非故意掺杂(101? cm?3)InAsSb体材料吸收层。之后生长了150 nm厚的AlAsSb/AlSb数字合金电子势垒层,通过插入超薄的AlSb层实现了吸收区和势垒层的价带偏移的显著减少,有助于空穴向接触电极的传输,同时有效阻止电子以减小暗电流。最后分别生长300 nm厚的重掺杂(101? cm?3)n型InAsSb和p型GaSb接触层用于形成nBn和pBn器件结构。其中,Si和Be分别被用作n型和p型掺杂源。生长后,通过原子力显微镜(D3100,Veeco,USA)和高分辨X射线衍射仪(Bede D1,United Kingdom)对晶片进行表征以确保获得高质量的材料质量。通过激光划片将2英寸的外延片划裂为1×1 cm2的样片。样片经过标准工艺处理,包括台面定义、钝化和金属蒸镀工艺,制成直径从10 μm到100 μm的圆形台面单管探测器。台面定义工艺包括通过电感耦合等离子体(ICP)和柠檬酸基混合溶液进行的干法刻蚀和湿法腐蚀工艺,以去除器件侧壁上的离子诱导损伤和表面态。器件的金属电极需要与射频探针进行耦合来测试器件的射频响应特性,因此包括三个电极分别为Ground(接地)、Signal(信号)和Ground,其中两个Ground电极相连,与下接触层形成欧姆接触,Signal电极与上接触层形成欧姆接触,如图1(c)和(f)所示。通过低温探针台和半导体参数分析仪(Keithley 4200,America)测试器件77 K-300 K范围的电学特性。器件的光学响应特性在之前的工作中介绍过,在300 K下光电探测器截止波长约为4.8 μm,与InAsSb吸收层的带隙一致。在300 K和反向偏置为450 mV时,饱和量子效率在55%-60%。通过探针台和频率响应范围10 MHz-67 GHz的矢量网络分析仪(Keysight PNA-XN5247B,America)对器件进行射频响应特性测试。[align=center][size=18px][back=#ffff00][b]结果与讨论[/b][/back][/size][/align][b]材料质量表征[/b]图1(a)和(d)的X射线衍射谱结果显示,从左到右的谱线峰分别对应于InAsSb吸收层和GaSb缓冲层/衬底。其中,nBn和pBn外延片的InAsSb吸收区的峰值分别出现在60.69度和60.67度,GaSb衬底的峰值则出现在60.72度。因此,InAsSb吸收层与GaSb 衬底的晶格失配分别为-108 acsec和-180 acsec,符合预期,表明nBn和pBn器件的InAsSb吸收区和GaSb衬底几乎是晶格匹配的生长条件。因此,nBn和pBn外延片都具有良好的材料质量。原子力显微镜扫描的结果在图1的(b)和(e)中,显示出生长后的nBn和pBn外延片具有良好的表面形貌。在一个5×5 μm2的区域内,nBn和pBn外延片的均方根粗糙度分别为1.7 ?和2.1 ?。[align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/92230b98-4dac-4ee0-aeaa-282dcd342995.jpg[/img][/align][align=center][color=#0070c0]图1 (a)和(a)分别为nBn和pBn外延片的X射线衍射谱;(b)和(e)分别为nBn和pBn外延片的原子力显微扫描图;(c)和(f)分别为制备的圆形GSG探测器的光学照片和扫描电子照片[/color][/align][b]器件的变温暗电流特性[/b]图2(a)显示了器件直径90 μm的nBn和pBn探测器单管芯片的温度依赖暗电流密度-电压曲线,通过在连接到Keithley 4200半导体参数分析仪的低温探针台上进行测量。图2(b)显示了件直径90 μm的nBn和pBn探测器在77 K-300 K下的微分电阻和器件面积的乘积R?A随反向偏压的变化曲线,温度下降的梯度(STEP)为25 K。图2(c)显示了在400 mV反向偏压下,nBn和pBn探测器表现出的从77 K到300 K的R?A与温度倒数(1000/T)之间的关系,温度变化的梯度(STEP)为25 K。[align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/a8f8001f-cd03-42f4-a32f-8b1acc94131d.jpg[/img][/align][align=center][color=#0070c0]图2 从77K到300K温度下直径90 μm的nBn和pBn探测器单管芯片(a)暗电流密度-电压曲线;(b)微分电阻和器件面积的乘积R?A随反向偏压的变化曲线;(c)R?A随温度倒数变化曲线[/color][/align][b]器件暗电流的尺寸效应[/b]由于势垒型红外探测器对于体内暗电流可以起到较好的抑制作用,因此研究人员关注与台面周长和面积有关的表面泄露暗电流,进一步抑制表面漏电流可以进一步提高探测器的工作性能。图3(a)显示了从20 μm到100 μm直径的nBn和pBn器件于室温工作的暗电流密度和电压关系,尺寸变化的梯度(STEP)为10 μm。图3(b)显示从20 μm-100 μm的nBn和pBn探测器的微分电阻和台面面积的乘积R?A随反向偏压的变化曲线。图3(d)中pBn器件的相对平缓的拟合曲线说明了具有较高的侧壁电阻率,根据斜率的倒数计算出约为1.7×10? Ωcm。[align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/e7fba8aa-eabe-40a4-a863-6ebcdd264744.jpg[/img][/align][align=center][color=#0070c0]图3 从20 μm到100 μm直径的nBn和pBn器件于室温下的(a)暗电流密度和电压变化曲线和(b)R?A随反向偏压的变化曲线;(c)在400 mV反偏时,pBn和nBn器件R?A随台面直径的变化;(d)(R?A)?1与周长对面积(P/A)变化曲线[/color][/align][b]器件的结电容[/b]图4(a)显示了使用Keithley 4200 CV模块在室温下不同直径的nBn和pBn探测器的结电容随反向偏压的变化曲线,器件直径从20 μm到100 μm按照10 μm梯度(STEP)变化。对于势垒层完全耗尽的pBn探测器,预期器件电容将由AlAsSb/AlSb势垒层电容和InAsSb吸收区耗尽层电容的串联组合给出,其中包括势垒层和上接触层侧的InAsSb耗尽区。[align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/c09b63df-6442-42f2-b548-df4f539db6eb.jpg[/img][/align][align=center][color=#0070c0]图4 (a)在室温下不同直径的nBn和pBn探测器的结电容随反向偏压的变化曲线;(b)反偏400 mV下结电容与台面直径的变化曲线。[/color][/align][b]器件的射频响应特性[/b]通过Keysight PNA-X N5247B矢量网络分析仪、探针台和飞秒激光光源,在室温和0-3 V反向偏压下,对不同尺寸的nBn和pBn探测器在10 MHz至67 GHz之间进行了射频响应特性测试。根据图5推算出在3V反向偏压下的40 μm、50 μm、70 μm、80 μm、90 μm、100 μm直径的圆形nBn和pBn红外探测器的3 dB截止频率(f3dB)。势垒型探测器内部载流子输运过程类似光电导探测器,表面载流子寿命对响应速度会产生影响。[align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/95acbbf7-8557-4619-b4cd-5829d636aced.jpg[/img][/align][align=center][color=#0070c0]图5 在300 K下施加-3V偏压的40 μm、50 μm、70 μm、80 μm、90 μm、100 μm直径的nBn和pBn探测器的归一化频率响应图[/color][/align][align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/541829b0-a336-4b7e-a75b-0a15f8dfd06a.jpg[/img][/align][align=center][color=#0070c0]图6 不同尺寸的nBn和pBn探测器(a)3 dB截止频率随反向偏压变化曲线;(b)在3 V反向偏压下的3 dB截止频率随台面直径变化曲线[/color][/align]图6(a)展示了对不同尺寸的nBn和pBn探测器,在0-3 V反向偏压范围内的3 dB截止频率的结果。随着反向偏压的增大,不同尺寸的器件的3 dB带宽也随之增大。因此,在图6(a)中观察到在低反向偏压下nBn和pBn器件的响应较慢,nBn探测器的截止频率落在60 MHz-320 MHz之间而pBn探测器的截止频率落在70 MHz-750 MHz之间;随着施加偏压的增加,截止频率增加,nBn和pBn器件最高可以达到反向偏压3V下的2.02 GHz和2.62 GHz。pBn器件的响应速度相较于nBn器件提升了约29.7%。[align=center][size=18px][back=#ffff00][b]结论[/b][/back][/size][/align]通过分子束外延法在锑化镓衬底上生长了两种势垒型结构nBn和pBn的InAsSb/AlAsSb/AlSb基中波红外光探测器,经过台面定义、工艺钝化工艺和金属蒸镀工艺制备了可用于射频响应特性测试的GSG探测器。XRD和AFM的结果表示两种结构的外延片都具有较好的晶体质量。探测器的暗电流测试结果表明,在室温和反向偏压400 mV工作时,直径90 μm的pBn器件相较于nBn器件表现出更低的暗电流密度0.145 A/cm2,说明了该器件在室温非制冷环境下表现出低噪声。不同台面直径的探测器的暗电流测试表明,pBn器件的表面电阻率约为1.7×10? Ωcm,对照的nBn器件的表面电阻率为3.1×103 Ωcm,而pBn和nBn的R?A体积项的贡献分别为16.60 Ωcm2和5.27 Ωcm2。探测器的电容测试结果表明,可零偏压工作的pBn探测器具有完全耗尽的势垒层和部分耗尽的吸收区,nBn的吸收区也存在部分耗尽。探测器的射频响应特性表明,直径90 μm的pBn器件的响应速度在室温和3 V反向偏压下可达2.62 GHz,对照的nBn器件的响应速度仅为2.02 GHz,相比提升了约29.7%。初步实现了在中红外波段下可快速探测的室温非制冷势垒型光探测器,对室温中波高速红外探测器及光通讯模块提供技术路线参考。[b]论文链接:[/b][url]http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/article/abstract/2023157[/url][来源:MEMS][align=right][/align]
in-lens,EsB,AsB,SE2分别指哪些?据我所知,1.Inlens SE是镜内环形二次电子探测器(必然会混合一部分背散射电子)2. EsB是带走filter grid的 HA BSE(成份像),可以通过调节去控制混入的二次电子信号量3. AsB是LA BSE(应该会混入部分SE Singal?),主要是背散射电子的形貌衬度。4. SE2在这里是指什么呢?谢谢各位大神