激光分子束外延系统

优异的性能, PVD公司生产的脉冲激光沉积分子束外延系统在国内有较多用户，为众多老师开启薄膜外延制备的新篇章。欢迎前来参观咨询。主腔室，样品传输腔，1100度加热系统，样品旋转，PLD靶材操控器及光路，K-cell热蒸发源，电子束蒸发源，射频RF离子源PVD公司是美国主要制造商，是一家专业从事脉冲激光沉积分子束外延（PLD MBE）和超高真空薄膜沉积系统及组件的设计和制造的公司，提供超高真空薄膜沉积系统，应用于分子束外延、UHV溅射和脉冲激光沉积。产品主要集中在小型研究开发系统，其应用主要包括：用分子束外延进行半导体材料、ZnO、GaN、SiGe和金属/氧化物外延生长；UHV磁控溅射磁性薄膜；脉冲激光沉积超导薄膜、氧化物和陶瓷材料。脉冲激光沉积（PLD）系统通常使用聚焦脉冲准分子或Nd：YAG激光器在真空室中蒸发一小部分固体目标材料，以产生与原始目标材料具有相同化学成分的薄膜。PLD工艺能够在各种背景气体成分和压力下沉积许多复杂材料。此外，可以使用其他类型的激光器，包括ps和fs激光器，并且可以使用适当的激光器提供替代技术，例如矩阵辅助脉冲激光蒸发（MAPLE）和谐振红外脉冲激光蒸发系统。PVD 产品为尺寸从 5 mm 方形到 300 mm 的基板提供各种 PLD 系统。我们还可以为卷对卷应用提供PLD系统。PVD产品将很乐意协助您为您的特定应用选择合适的PLD工具。大多数系统完全由计算机控制，易于使用。应用主要包括：分子束外延系统（MBE）GaAs、InP和GaSb外延HgCdTe外延GaN、InN和AlN外延Ⅱ-Ⅵ族外延SiGe外延Si/金属/氧化物外延超高真空物理气相沉积（PVD）系统磁控溅射系统脉冲激光沉积（PLD）系统电子束蒸发系统离子束沉积系统热蒸发系统已经在全球范围内安装了超过100套的超高真空系统。绝大部分的产品都是针对用户定制设计复杂的沉积系统。在标准系统制造业中有着深厚的为用户定制设计的背景，在用户中具有很好的声誉。许多的标准系统最初都是起源于针对某些客户对沉积过程特殊需求的解决方案,与广大的中国用户开展更为广泛的交流与合作，为广大的中国用户提供国际顶尖PLD MBE和超高真空薄膜沉积系统制造商的产品和服务。

优异的性能, PVD公司生产的脉冲激光沉积分子束外延系统在国内有较多用户，为众多老师开启薄膜外延制备的新篇章。欢迎前来参观咨询。主腔室，样品传输腔，1100度加热系统，样品旋转，PLD靶材操控器及光路，K-cell热蒸发源，电子束蒸发源，射频RF离子源PVD公司是美国主要制造商，是一家专业从事脉冲激光沉积分子束外延（PLD MBE）和超高真空薄膜沉积系统及组件的设计和制造的公司，提供超高真空薄膜沉积系统，应用于分子束外延、UHV溅射和脉冲激光沉积。产品主要集中在小型研究开发系统，其应用主要包括：用分子束外延进行半导体材料、ZnO、GaN、SiGe和金属/氧化物外延生长；UHV磁控溅射磁性薄膜；脉冲激光沉积超导薄膜、氧化物和陶瓷材料。脉冲激光沉积（PLD）系统通常使用聚焦脉冲准分子或Nd：YAG激光器在真空室中蒸发一小部分固体目标材料，以产生与原始目标材料具有相同化学成分的薄膜。PLD工艺能够在各种背景气体成分和压力下沉积许多复杂材料。此外，可以使用其他类型的激光器，包括ps和fs激光器，并且可以使用适当的激光器提供替代技术，例如矩阵辅助脉冲激光蒸发（MAPLE）和谐振红外脉冲激光蒸发系统。PVD 产品为尺寸从 5 mm 方形到 300 mm 的基板提供各种 PLD 系统。我们还可以为卷对卷应用提供PLD系统。PVD产品将很乐意协助您为您的特定应用选择合适的PLD工具。大多数系统完全由计算机控制，易于使用。应用主要包括：分子束外延系统（MBE）GaAs、InP和GaSb外延HgCdTe外延GaN、InN和AlN外延Ⅱ-Ⅵ族外延SiGe外延Si/金属/氧化物外延超高真空物理气相沉积（PVD）系统磁控溅射系统脉冲激光沉积（PLD）系统电子束蒸发系统离子束沉积系统热蒸发系统已经在全球范围内安装了超过100套的超高真空系统。绝大部分的产品都是针对用户定制设计复杂的沉积系统。在标准系统制造业中有着深厚的为用户定制设计的背景，在用户中具有很好的声誉。许多的标准系统最初都是起源于针对某些客户对沉积过程特殊需求的解决方案,与广大的中国用户开展更为广泛的交流与合作，为广大的中国用户提供国际顶尖PLD MBE和超高真空薄膜沉积系统制造商的产品和服务。

产品详情脉冲激光沉积/激光分子束外延系统 产品描述：荷兰TSST公司提供专业的脉冲激光沉积系统和激光分子束外延系统。荷兰Twente Solid State Technology BV（TSST）公司专注于为用户提供定制化的脉冲激光沉积系统（PLD），以及相关薄膜制备解决方案，公司具有20多年研究与生产脉冲激光沉积系统的经验。TSST与世界最大的纳米与微系统技术研究中心之一荷兰Twente大学MESA+ Institute保持着密切合作，开发出各种脉冲激光沉积技术中需要使用的核心技术。 脉冲激光沉积原理：在真空环境下利用脉冲激光对靶材表面进行轰击，利用激光产生的局域热量将靶材物质轰击出来，再沉积在不同的衬底上，从而形成薄膜。 激光分子束外延系统（LMBE），是在PLD的基础上发展起来的外延薄膜生长技术。在高氧气压力环境下实现RHEED原位监控，曾是RHEED分析的一个重要难题，TSST第一个提出差分抽气的方式实现高压环境下RHEED原位监控---TorrRHEED，TSST是TorrRHEED的发明人，在系统制造和RHEED的使用，以及结果分析方面，有丰富的经验。 选件 脉冲激光沉积技术适合做的薄膜包括各种多元氧化物，氮化物，硫化物薄膜，金属薄膜，磁性材料等。 应用领域： 单晶薄膜外延（SrTiO3，LaAlO3）压电薄膜（PZT，AlN，BiFeO3，BaTiO3）铁电薄膜（BaTiO3，KH2PO4）热电薄膜（SrTiO3）金属和化合物薄膜电极（Ti，Ag，Au，Pt，Ni，Co，SrRuO3，LaNiO3，YZrO2，GdCeO2，LaSrCoFeO3）半导体薄膜（Zn(Mg)O，AlN，SrTiO3）高K介质薄膜（HfO2，CeO2，Al2O3，BaTiO3，SrTiO3，PbZrTiO3，LaAlO3，Ta2O5）超导薄膜（YBa2CuO7-x，BiSrCaCuO）光波导，光学薄膜（PZT，AlN，BaTiO3，Al2O3，ZrO2，TiO2）超疏水薄膜（PTFE）红外探测薄膜（V2O5，PZT）

Riber分子束外延系统MBE 6000-Multi 是一个多尺寸衬底兼容的生产系统，以下是其技术参数： 衬底尺寸：3 英寸、4 英寸、6 英寸、200 毫米 外延生长：可实现原子级的表面平整度且界面陡峭的超薄层沉积，以及合金组分或掺杂原子纵向浓度梯度可调等。 真空系统：提供高真空环境，减少杂质和污染，保证晶体沉积的纯度和质量。 温度控制：生长温度低，有效避免界面原子的互扩散。 MBE 6000-Multi 生产系统的应用非常广泛，主要包括以下几个方面： 半导体器件：如晶体管、二极管、激光器等。 光电子器件：如太阳能电池、LED、光电探测器等。 量子点：使用“量子点”，这是使用 MBE 创建和控制的中等体积的极纯半导体合金功能强大、性能稳定的分子束外延设备，广泛应用于半导体材料和器件的研究和生产。 超导金属：超导金属可以具有超精确的尺寸（原子尺度），电子在其中不受干扰地流动。 总的来说，Riber分子束外延系统 MBE 6000-Multi 生产系统是一款.

RIBER分子束外延薄膜沉积系统MBE 49 系列全自动生产机器为材料质量、产量、产量以及与操作和维护相关的成本设定了行业标准。超过55个这样的系统已经在全球范围内交付，他们为客户带来的成功使该系列反应器获得了广泛持有和当之无愧的声誉，因为它使新的化合物半导体器件技术的商业化能够在其他地方的范围和规模上实现商业化。RIBER分子束外延薄膜沉积系统MBE 49 有四个反应器，专门设计用于沉积砷化物、磷化物、氮化物和氧化物。机器具有 200 毫米、150 毫米、四个 4 英寸晶圆或五个 3 英寸晶圆的容量，并具有原位监测和预生长处理功能。RIBER 的 MBE 49是一个多尺寸衬底兼容的生产系统，以下是其技术参数：衬底尺寸：5×3英寸、4×4英寸、150毫米、200毫米外延生长：可实现原子级的表面平整度且界面陡峭的超薄层沉积，以及合金组分或掺杂原子纵向浓度梯度可调等。真空系统：提供高真空环境，减少杂质和污染，保证晶体沉积的纯度和质量。温度控制：生长温度低，有效避免界面原子的互扩散。MBE 49生产系统的应用非常广泛，主要包括以下几个方面：半导体器件：如晶体管、二极管、激光器等。光电子器件：如太阳能电池、LED、光电探测器等。量子点：使用“量子点”，这是使用MBE创建和控制的中等体积的极纯半导体合金。超导金属：超导金属可以具有超精确的尺寸（原子尺度），电子在其中不受干扰地流动。总的来说，RIBER 的 MBE 49生产系统是一款功能强大、性能稳定的分子束外延设备，广泛应用于半导体材料和器件的研究和生产。

激光分子束外延(Laser MBE)是上个世纪90年代发展起来的一种新型高精密制膜技术，它集PLD的制膜特点和传统MBE的超高真空精确控制原子尺度外延生长的原位实时监控为一体，除保持了PLD方法制备的膜系宽，还可以生长通常的半导体超晶格材料，特别适合生长多元素、高熔点、复杂层状结构的薄膜，如超导体、光学晶体、铁电体、压电体、铁磁体以及有机高分子等，同时还能进行其相应的激光与物质相互作用和成膜过程的物理、化学等方面的基础研究。日本Pascal公司一直致力于PLD和Laser MBE系统的研发工作，已经向世界上知名的高校或研究所提供了高性能、高稳定的设备。在Laser MBE中，使用脉冲激光源，而且与通过石英窗口和超高真空系统隔离。高能量密度的脉冲激光将靶材局部气化而产生激光焰，被剥蚀的粒子获得很高的动能，达到可以加热的衬底表面形成薄膜。薄膜的生长过程可由反射式高能电子衍射(RHEED)系统监控。RHEED的衍射条纹提供薄膜生长的晶体结构和表面形貌，强度振荡判断薄膜生长的机理。其强度振荡可由弹性散射模型进行解释。Pascal生产的Laser MBE系统具有如下的优势：1. 靶源易蒸发。即使是高熔点的材料，如氧化物，也很容易蒸发。2. 化学计量比准确。沉积的薄膜和靶材的化学组分几乎完全一样。3. 污染少。4. 激光脉冲的重复频率可进行薄膜厚度/生长速率的数字式或非连续性控制。5. 差分抽气结构，可在非常宽的气压范围内工作。6. 靶材的交换简单快捷，有利于实现异质外延和多层结构的生长。7. 结构紧凑，含有许多独特的技术，如衬底加热和样品或靶材的进样-自锁交换装置等。用于材料科学的组合(Combinatorial)技术一次合成一个样品，该样品描写了不同合成条件的组合结果，然后进行筛选产品，这整个过程是一种“组合化学”(Combinatorial Chemistry)。目前，这种技术在医学或药学的发展将显得非常必要。而且，由此产生的研究结果正在呈指数上升。为什么不在薄膜研究中引进该方案呢？从方案的初始阶段，我们就一直与学术界共同研发“组合式PLD系统”。我们丰富的经验将有助于薄膜的研究和开发。应用1.蓝光ZnO 和 GaN 新材料研发2.氧化物微奈米薄膜、STO 压电薄膜3.奈米磁性薄膜4.超导体材料5.高能材料6.新尖端组合材料 (Combinatorial Materials)新型薄膜和器件方面的应用我们设计的生长系统可用于多种薄膜的生长，包括GaN、有机薄膜以及结型器件的制备，如金刚石、富勒烯球碳和含有氧化物的Si结型器件等。

脉冲激光沉积、分子束外延薄膜制备系统美国BlueWave公司是半导体设备、材料生产商。BlueWave提供多种薄膜制备系统，包括脉冲激光沉积(PLD)、电子束蒸发、热蒸发、反应溅射、热丝化学气相沉积(HFCVD)、热化学气相沉积系统(TCVD)。这些系统是理想的薄膜与涂层合成设备。可制备的薄膜包括氮化物、氧化物、多层膜、钻石、石墨烯、碳纳米管、2D材料。Blue Wave还提供相关系统配件，例如基片加热装置、原位监测工具。此外，BlueWave还为您提供标准的薄膜以及材料涂层，例如氧化物涂层、导电薄膜、无定型或纳米晶Si/SiC、晶体AlN-GaN、聚合物、纳米钻石、HFCVD钻石涂层以及器件加工。1、脉冲激光沉积系统产品特点：◆ 电抛光多空不锈钢超高真空腔体◆ 可集成热蒸发源或溅射源◆ 可旋转的耐氧化基片加热台◆ 流量计或针阀控制气体流量◆ 标准真空计◆ 干泵与涡轮真空泵◆ 可选配不锈钢快速进样室 ◆ 可选配基片-靶材距离自动控制系统◆ 可制备：金属氧化物、氮化物、碳化物、金属纳米薄膜、多层膜、超晶格等。 2、物理气相沉积系统（Physical Vapor Deposition Plus）产品特点◆ 超高真空不锈钢腔体◆ 电子束、热蒸发、脉冲激光沉积可集成◆ 立衬底加热，可旋转◆ 多量程气体流量控制器◆ 标准气压计◆ 机械、分子、冷凝真空泵可选不锈钢快速进样室◆ 衬底和源距离可控◆ 可用于金属氧化物、氮化物、碳化物、金属薄膜 3、热化学气相沉积系统（TCVD）产品特点◆ 高温石英管反应器设计◆ 温度范围：室温到1100℃◆ 多路气体控制◆ 标准气压计◆ 易于操作◆ 可配机械泵实现低压TCVD◆ 可用于制备金属氧化物、氮化物、碳化物、金属薄膜◆ 液体前驱体喷头◆ 2英寸超大温度均匀区4、热丝化学气相沉积系统（HFCVD）产品特点：◆ 水冷不锈钢超高真空腔◆ 热丝易安装、更换 ◆ 4个不同量程气体控制器◆ 标准气压计◆ 衬底与热丝距离可调节◆ 2英寸衬底加热、可旋转 ◆ 制备金刚石和石墨烯

分子束外延系统MBE 可以在某些衬底上实现外延生长工艺，实现分子自组装、超晶格、量子阱、一维纳米线等。可以进行第二代半导体和第三代半导体的工艺验证和外延片的生长制造。 分子束外延系统MBE在薄膜外延生长时具有超高的真空环境，是在理想的环境下进行薄膜外延生长，它可以排除在薄膜生长时的各种干扰因素，得到理想的高精度薄膜。我公司设计制造的分子束外延薄膜生长实验设备，分实验型和生产型两种 ，配置合理，结构简单，操作方便，技术先进，性能可靠，用途多，实用性强，价格相对较低，可供各大学的实验室及科研机构作为分子束外延方面的教学实验、科学研究及工艺实验之用。生产型MBE可用于小批量外延片的制备。功能特点本项目于2005年在国内率先完成了成套MBE的全国产化研发设计和制造，做到自主可控。自主设计MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、RHEED原位实时在线监控仪、直线型电子枪、高温束源炉、束源炉电源、高温样品台、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）等核心部件。可实现第二代半导体（如砷化镓等）和第三代半导体（如碳化硅和氮化镓）的外延生长。设备组成与主要技术指标设备的组成进样室该室用于样品的进出仓，并配置有多样片储存功能。样品库可放六片基片。预处理室该室用于样品在进入外延室之前进行真空等离子剥离式清洗和真空高温除气，及其他前期工艺处理。还用于对外延后的样片进行后工艺处理，如高温退火等等。外延室超高真空洁净真空室，实现分子束外延工艺。主要技术指标进样室极限真空：5.0×10-5Pa样品装载数量：6片（φ2 英寸～φ4 英寸，带样品载具）预处理室极限真空：5×10-7Pa样品台加热温度：室温～ 850℃±1℃（PID 控制）离子清洗源：Φ60；100 ～ 500eV外延室 项目 参数 极限真空 离子泵 8.0×10-9Pa（冷阱辅助） 样品台加热温度 室温～ 1200℃±1℃（PID 控制） 样品自转速度 2 ～ 20 转 / 每分钟（无级可调） 气态离化源 1～3套（氮） 固态束源炉 3 ～ 8 套（根据用户需求配置） Rheed 1套*工艺室部分部件根据客户需求不同，所配置不同。实验型MBE设备组件超高真空直线型电子枪自主研发直线型电子枪，满足超高真空和束源炉法兰接口及安装尺寸的要求；可用于高温难融材料的加热蒸发。超高真空直线型电子枪高能衍射枪及电源束斑0.6mm，高压25kV。光斑在荧光屏上可衍射图像经CCD 相机采集后由计算机进行图像处理。生产型MBE工艺实现使用鹏城半导体自主研发的分子束外延设备生长的Bi2-xSbxTe3。关于鹏城半导体鹏城半导体技术（深圳）有限公司（鹏城半导体），由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）|OLED中试设备（G1、G2.5）|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备（PECVD+磁控溅射）团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年 与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。

分子束外延薄膜沉积系统MBE 8000系统旨在满足对高性能化合物半导体器件日益增长的需求。这种在超高压环境中使用超纯金属的 8×6ʺ 或 4×8ʺ 固源 MBE 系统在设计、温度均匀性和通量均匀性方面超出了基本预期。该系统能够培养 8 个 150 毫米（6 英寸）晶圆或 4 个 200 毫米（8 英寸）晶圆的批次，这些晶圆具有显着的均匀性（成分、厚度）和非常低的缺陷水平。该平台已经过 940 nm VCSEL（垂直腔面发射激光器）生长的评估。专家们在 2023 年的最终资格认证中验证了 MBE 8000 在工艺、系统稳健性、稳定性、人体工程学和控制方面的有效性。主要特点生产率是现有产品的两倍出色的均匀性成就一次又一次的高性能再现性规格保证规格超过 8×6 英寸压板缺陷密度≤ 50 /cm² 厚度均匀性 （InGaAs/GaAs）SL （DDX）± 1.5%成分均匀性 （InGaAs/GaAs）SL （DDX）± 1.5%厚度均匀性 （AlAs/GaAs）SL （DDX）± 1.5%Si掺杂标准差均匀性 3%谐振器的FP-Dip均匀性3纳米背景载流子密度7×1014厘米-3HEMT 电子迁移率6000 平方厘米伏-1 平方@RT120 000 平方厘米伏-1 平方尺@77K分子束外延薄膜沉积系统MBE 8000厚度均匀性 InGaAs/GaAs 在 8×6'' 压板上超晶格厚度298&angst +/- 2&angst 谐振器晶圆在 8×6 英寸压板上的 Fabry-Perot 浸渍均匀性波长变化3nm电子迁移率 – 标准基氮化镓 HEMT电子迁移率 @ 77K178 000 cm² V-1 s-1

RIBER 分子束外延紧凑型 21–3 英寸研究系统是一款在分子束外延（MBE）领域应用的设备。自新千年伊始推出以来，该系统已成为有史以来最成功的商业化 3 英寸 MBE 系统。它在各种配置（如 III-V、II-VI、gp IV、氧化物、金属、GSMBE 等）中都保留了核心的紧凑型 21 的 DNA，具有高度的通用性，在从基础研究到器件开发和优化等各个研究领域都有出色的表现。这款系统可容纳多达 12 个源端口，并且与电子枪兼容。它提供手动或全自动样品传输两种选择，整洁而强大的反应器能满足用户在 MBE 方面的各种需求。RIBER 是合格的分子束外延（MBE）产品及相关服务供应商，其 MBE 设备以通用性和精确性著称，能够在衬底上精确沉积极薄的材料层，用于设计和制造各种新型半导体结构，以实现最佳性能。该公司的 MBE 设备被广泛应用于全球主要的大学、材料科学研究所、化合物半导体代工厂或外延片供应商等。

Veeco 的 GEN200® MBE 系统是当今市场上最具成本效益和最高容量的多 4 英寸生产 MBE 系统。该系统在用于泵浦激光器、VCSEL 和 HBT 等设备的生长中提供卓越的吞吐量、长时间的加工周期和出色的晶圆质量。提供成本最低的 4 x 4“ 外延片生长与同类 MBE 系统相比，模块化架构的占用空间要小得多允许最多两个生长模块，从而提高产量或允许处理不相容的材料可选的隔板安装优化了洁净室空间集成了业界最具创新性、最可靠的系统硬件、源和组件

产品概述：系统由真空腔室（外延室、进样室）、样品传递机构、样品架、立式旋转靶台、基片加热台、抽气系统、真空测量、工作气路、电控系统、计算机控制等各部分组成。设备用途：脉冲激光沉积(Pulsed Laser DeposiTION，简称PLD)是新近发展起来的一项技术，继20世纪80年代末成功地制备出高临界温度的超导薄膜之后，它的优点和潜力逐渐被人们认识和重视。该项技术在生成复杂的化合物薄膜方面得到了非常好的结果。与常规的沉积技术相比，脉冲激光沉积的过程被认为是“化学计量”的过程，因为它是将靶的成分转换成沉积薄膜，非常适合于沉积氧化物之类的复杂结构材料。当前脉冲激光制备技术在难熔材料及多组分材料(如化合物半导体、电子陶瓷、超导材料)的精密薄膜，显示出了诱人的应用前景。真空室结构:球形前开门双室 真空室尺寸:镀膜室尺寸：Ф450mm ；进样室尺寸：Ф150x300mm极限真空度:镀膜室≤6.0E-8Pa；进样室：≤6.0E-5Pa沉积源:φ2英寸靶材，4个；或φ1英寸靶材，6个样品尺寸，温度:φ2英寸，1片，最高800℃占地面积（长x宽x高）:约2.8米x1.3米x1.9米电控描述: 部分电动控制工艺:特色参数 :配备高能电子衍射仪、氧等离子体发生器

美国SVT Laser MBE Laser MBE具备PLD和传统MBE的特性，可对薄膜的生长速率进行精确（原子层级别）控制。通过在MBE系统上增加激光烧蚀工艺，系统可以生长包括高熔点陶瓷以及多元素固体材料等。SVT有18年的MBE设备制造经验，我们擅于通过原位的监控测量仪器来提高薄膜生长的质量。其中原位测量仪器包括：温度测量、厚度测量、RHEED、束流监控等。如果您想了解更多这方面的信息，请联系我们。 应用： 可用于研究氧化物半导体， 高温超导材料，光学晶体，电光学薄膜，铁电以及铁磁材料等。 标准性能：超高真空（本底压强1E-10 Torr）；多种生长模式的源集成，包括：RF等离子体蒸发源电子束蒸发臭氧传送系统先进的原位监控仪（可选）原子吸收束流监控仪RHEED温度以及厚度监控仪6个可旋转PLD靶高功率准分子激光器提供合适的泵抽组合多种腔室配置以满足您的需求培训以及服务支持

美国SVT公司MBE分子束外延系统美国SVT公司是世界顶级的MBE供应商，具有20年的MBE设备制造经验。数位核心工程师拥有25年以上的MBE经验。占据美国主要科研市场的SVT分子束外延系统，以其专业化的超高真空技术和薄膜生长技术搏得了广大客户的青睐。SVT公司拥有独立的应用实验室，可以为客户提供完善的工艺技术服务。和客户之间建立共同研发及合作的技术平台。SVT公司建立完善的售后服务体系。在北京、香港、美国总部都有服务工程师。型 号应 用样 品 尺 寸35-4III-V, 或其他化合物半导体4’’35-N氮化物半导体4’’或3X2’’35-6III-V或II-VI 或其他化合物半导体4’’, 6’’或多片2’’35-G-4III-V化合物，SiGe4’’SM-6Si，Ge，金属4’’或6’’S-8Si，Ge，介质材料最大8’’可配集成腔室SVT-V化合物半导体，氮化物，氧化物，铁磁材料2’’或3’’35-D双生长腔室，III-V或II-VI 或其他化合物半导体，铁磁材料3’’或4’’35-VCIGS3’’或4’’NanoFabII-V，II-VI，II-氧化物，III-氮化物以及其他材料1’’或2’’UVD-02氧化物或其他介质材料4’’, 可配有液态源PLD-02氧化物半导体、高温超导材料、光学晶体材料、电光学薄膜、铁电以及铁磁材料等4’’, 激光/电子束沉积35V14化合物半导体，氮化物，氧化物，铁磁材料14’’或多个小尺寸SVT MBE系统是模块化设计，主要包括装载室模块，预备或分析室模块，主生长室模块。可配10个源，线性移动挡板。每个模块都有独立的抽气系统。模块间有闸板阀相互隔离，互不影响。Model 35-6 AlGaAs（或其他半导体材料）研究和生产型设备，样品尺寸可达6英寸。可容纳10个cell。真空度 1×10-10Torr。可配普通束流源，裂解源，RF源，电子束蒸发源。Model 35-N-V 标准4' ' 衬底MBE平台，用于生长高质量的氮化物半导体材料。可容纳10个cell。真空度 1×10-10Torr。设计考虑了严格的活性氮环境并配有高温衬底加热器。氮源的种类包括RF氮源和氨气入射源。26-O-V 氧化物MBE系统具有弹性配置。真空度 1×10-10Torr。此多元化MBE平台可以生长研究各种氧化物材料。该系统可以配备多坩埚电子束蒸发源以及10个热蒸发源或等离子源等。氧化物MBE还包括：26-O-C紧凑型氧化物MBE、26-O-6大样品氧化物MBE等各种型号。Model SM-6 SiGe系统用于生长高质量的Si/Ge及相关化合物。真空度 1×10-10Torr。可容纳9个普通源及1个电子束蒸发源，或6个普通源及2个电子束蒸发源。该系统集成了电子束蒸发和热源蒸发两种沉积技术，并通过传感器反馈控制技术实现薄膜制备的高度再现性。

GENxplor® R&D MBE系统获得了化合物半导体制造的CSindustry奖，采用Veeco成熟的3英寸生长室设计，并具有无与伦比的工艺灵活性，非常适合UV LED、高效太阳能电池和高温超导体等新兴技术的材料研究。其高效的单框架设计将所有真空硬件与机载电子设备相结合，使其比其他 MBE 系统小 40%，从而节省宝贵的实验室空间。由于手动系统集成在一个框架上，因此减少了安装时间。GENxplor的开放式架构设计还提高了易用性，提供了对积液池的便捷访问，并且与其他MBE系统相比，更容易进行维护。直径达 3 英寸的衬底上的高质量外延层极端电子束温度加热器（1850°C）独特的单帧架构提高了易用性，提供了便捷的源访问和增强的可服务性高效的一体化设计将手动系统与机载电子设备相结合，与其他 MBE 系统相比，可节省 40% 的实验室空间非常适合对各种材料进行前沿研究，包括砷化镓、氮化物和氧化物Molly® 软件集成了简单的配方编写、自动生长控制和始终在线的数据记录可选的 Nova&trade 超高温基板加热器，可在 1850° 下提供经过验证的性能可直接扩展到 GEN20&trade 、GEN200® 和 GEN2000® MBE 系统

v 分子束外延，是在超高真空系统中把所需要的结晶材料放入到喷射炉中，将喷射炉加热。使结晶材料形成分子束，从炉中喷出后，沉积在温度保持在几百度的单晶基片上。如果设置几个喷射炉，就可以制取多元半导体混晶，又可以同时进行掺杂。可以精确地控制结晶生长，进行沉积系统中结晶生长过程的研究v 12个源炉：镓、铟、铝、砷、锑、磷、铋、硅、镁、掺杂等v 衬底：最大4inch v 最高温度：1000°C 温度均匀性：≤±3°C（4inch）v 超高真空下全自动样品转移v 用于过程控制和分析的所有现代现场监控功能v 一个集群上最多7个超高真空功能单元：装载、储存、翻转、处理、排气、生长，外部腔室可连接其他分析设备或其他：ALD、PLD、PVD、金属化、STM......

RIBER分子束外延4 英寸中试生产系统是一款用于半导体制造中晶体沉积的先进设备。这款系统具有以下特点：高精度沉积：能够在衬底上精确沉积各种材料，实现原子层级的控制，确保薄膜的高质量和均匀性。多源端口设计：可配备多个源端口，以满足不同材料的沉积需求，有助于生长复杂的半导体结构。先进的真空系统：提供高真空环境，减少杂质和污染，保证晶体沉积的纯度和质量。可定制化：能根据具体的生产需求和工艺要求进行一定程度的定制和配置。性能稳定可靠：经过严格的测试和验证，确保在中试生产阶段的稳定性和可重复性。RIBER 分子束外延4 英寸中试生产系统适用于中试生产阶段，其目的是验证和优化在实验室小试阶段确定的工艺路线和技术参数，进一步考察工艺的稳定性、设备的可靠性以及产品的质量等，为后续的大规模工业化生产提供数据支持和技术依据。在中试过程中，该系统可以帮助解决从小试到工业化生产过程中可能出现的一系列问题，例如：规模放大带来的传热、传质差异，原料来源和品质的变化，设备材质和型号的选择，以及各步反应对工艺条件的具体要求等。然而，具体的技术参数、功能特点和应用优势可能会因设备的具体配置和客户的特定需求而有所不同。RIBER 作为用于半导体制造中晶体沉积的分子束外延（MBE）设备的主要供应商，在半导体领域发挥着重要作用。其提供专业和科学的帮助，维护设备并优化整体性能和输出范围，在各种客户应用的先进半导体系统的发展中，通过其实质性的技术设备，推动着从 5G 电信网络、OLED 屏幕等领域的技术进步。

Laser MBE具备PLD和传统MBE的特点，对薄膜的生长速率进行精确（原子层级别）控制。设备特点是在MBE系统上增加激光烧蚀工艺，系统可以生长包括高熔点陶瓷以及多元素固体材料等各种材料。SVT有20年的MBE设备制造经验，我们擅于通过在线监控薄膜生长来提高薄膜质量。所采用的在线监控仪器包括：温度测量仪、厚度测量仪、RHEED、束流监控仪等。如果您想了解更多这方面的信息，请联系我们。 应用 氧化物半导体、高温超导材料、光学晶体材料、电光学薄膜、铁电以及铁磁材料等 标准性能● 超高真空（本底压强1E-10 Torr）● 集成多种类型源，包括：- RF等离子体源- 热蒸发源- 电子束蒸发源- 臭氧传送系统● 先进的在线监控仪（可选）- 原子吸收束流监控仪- RHEED- 温度以及厚度测量仪● 6个可旋转PLD靶● 高功率准分子激光器● 提供合适的泵抽组合● 多种腔室配置以满足您的需求● 培训以及服务支持

屡获殊荣的新型 GENxcel&trade 系统是在 GENxplor 的基础上进行的扩展，GENxplor&trade 是自 2013 年 8 月推出以来最畅销的 MBE 系统，与 GENxplor 系统的 3“ 功能相比，在单个 4 英寸衬底上具有高质量的外延生长。GENxcel 系统具有易于使用的手动传输系统、12 个源端口和完全集成到单框架设计中的现代电子设备，可实现最大的实验室占地面积效率。在直径达 4 英寸的衬底上实现高质量外延层独特的单帧架构提高了易用性，提供了便捷的源访问和增强的可服务性高效的一体化设计将手动系统与机载电子设备相结合，与其他 MBE 系统相比，可节省 40% 的实验室空间非常适合对各种材料进行前沿研究，包括砷化镓、氮化物和氧化物Molly® 软件集成了简单的配方编写、自动生长控制和始终在线的数据记录可选的 Nova&trade 超高温基板加热器，可在 1850° 下提供经过验证的性能可直接扩展到 GEN20&trade 、GEN200® 和 GEN2000® MBE 系统

该设备可以在某些衬底材料上实现外延生长工艺，实现分子自组装、超晶格、量子阱、一维纳米线等。可以进行第二代半导体和第三代半导体的工艺验证和外延片的生长制造。分子束外延薄膜生长设备MBE在薄膜外延生长时具有超高的真空环境，是在理想的环境下进行薄膜外延生长，它可以排除在薄膜生长时的各种干扰因素，得到理想的高精度薄膜。我公司设计制造的分子束外延薄膜生长实验设备，分实验型和生产型两种 ，配置合理，结构简单，操作方便，技术先进，性能可靠，用途多，实用性强，价格相对较低，可供各大学的实验室及科研机构作为分子束外延方面的教学实验、科学研究及工艺实验之用。生产型MBE可用于小批量外延片的制备。功能特点本项目于2005年在国内率先完成了成套MBE的全国产化研发设计和制造，做到自主可控。自主设计MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、RHEED原位实时在线监控仪、直线型电子枪、高温束源炉、束源炉电源、高温样品台、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）等核心部件。可实现第二代半导体（如砷化镓等）和第三代半导体（如碳化硅和氮化镓）的外延生长。设备组成与主要技术指标设备的组成进样室该室用于样品的进出仓，并配置有多样片储存功能。样品库可放六片基片。预处理室该室用于样品在进入外延室之前进行真空等离子剥离式清洗和真空高温除气，及其他前期工艺处理。还用于对外延后的样片进行后工艺处理，如高温退火等等。外延室超高真空洁净真空室，实现分子束外延工艺。主要技术指标进样室极限真空：5.0×10^-5Pa样品装载数量：6片（φ2 英寸～φ4 英寸，带样品载具）预处理室极限真空：5×10^-7Pa样品台加热温度：室温～ 850℃±1℃（PID 控制）离子清洗源：Φ60；100 ～ 500eV外延室 极限真空 离子泵 2.0×10-8 Pa（冷阱辅助） 样品台加热温度 室温～ 1200℃±1℃（PID 控制） 样品自转速度 2 ～ 20 转 / 每分钟（无级可调） 气态离化源 1～3套（氮） 固态束源炉 3 ～ 8 套（根据用户需求配置） Rheed 1套*工艺室部分部件根据客户需求不同，所配置不同。实验型MBE设备组件超高真空直线型电子枪自主研发直线型电子枪，满足超高真空和束源炉法兰接口及安装尺寸的要求；可用于高温难融材料的加热蒸发。超高真空直线型电子枪高能衍射枪及电源束斑0.6mm，高压25kV。光斑在荧光屏上可衍射图像经CCD 相机采集后由计算机进行图像处理。生产型MBE工艺实现使用鹏城半导体自主研发的分子束外延设备生长的Bi2-xSbxTe3。

仪器简介：HALO 201 MBE 分子束外延残余气体分析四极质谱仪用于泄漏探测、趋势分析、真空诊断的过程监测和残余气体的精确分析。该分子束外延特定分析质谱仪由兼容性材料组成，并能在分子束外延环境中长期使用。 主要特点：钼铜布线增加MBE环境下系统的寿命 抗污染离子源护罩 双法拉第/ channelplate电子倍增器 技术规格：质量数范围： 1～300 amu 扫描速度： 100amu/s 最小扫描步阶：0.01amu 灵敏度： 0.1 ppm～1ppm 稳定性： 24h以上，峰高变化小于±0.5% 最小检测分压：2 x 10-13 mbar 最大工作压力：1 x 10-4 mbar Mass Spectrometers for Residual Gas Analysis - RGA (1.35 MB)

德国MBE-Komponenten 分子束外延系统OCTOPLUS 400OCTOPLUS 400分子束外延是一款通用型MBE系统，非常适合于III/V族， II/VI族，及其他复合半导体材料应用。兼容2-4英寸标准晶片。竖直分割式腔体设计，可以装配各种源炉，实现不同材料分子束外延生长。系统特点：● 用于研发的普适性MBE系统● 应用于III/V族， II/VI族材料外延生长● 适用于2-4英寸样品● 8个标准的CF法兰孔(根据要求可以拓展到10个)● 可以升级和选配实现系统扩展● 原位生长表征● 易于使用和方便维护可以根据所有客户的要求，提供不同种类的蒸发源，包括K-cell、电子束蒸发源、热裂解源、阀式裂解源、气体裂解源等。可以使用石英晶振，反射式高能电子衍射仪(RHEED)或者四极杆质谱仪实现样品生长的原位监测。 EpiSoft MBE软件可以精确控制所有的挡板，蒸发源源和样品台加热器温度。最大程度确保了操作的重复性。Octoplus 400的主要特点是极高的可靠性和普适性，以及其占地空间小。这些特点使得我们的系统非常适合于研发。标准的Octoplus 400有8个4.5’’(CF63)法兰口，可以根据需求拓展到10个法兰口。快速进样室(Loading Chamber)配有高精度磁力传输样品杆，可以在不破坏MBE腔室真空的前提下进行快速样品传输。

德国MBE-Komponenten 分子束外延 OCTOPLUS 500 系统 德国MBE-Komponenten 分子束外延系统 OCTOPLUS 500OCTOPLUS 500 系统是为了在6英寸衬底上生长高质量的III/V族或者II-VI族异质结构材料而研发的。样品台选用热解石墨加热或者钨、钽加热丝。OCTOPLUS 500 MBE系统是公认的非常适合于III/V族， II/VI族或其他异质结构材料生长应用研发与生产。OCTOPLUS 500 MBE系统的主要特点是极高的可靠性和普适性。标准的Octoplus 500有11个呈放射状分布的源孔，可以根据需要增选3个源孔。快速抽真空进样室配有水平磁力杆传输系统，可以在不破坏MBE腔室真空的前提下，简便地进行样品传输。 OCTOPLUS 500 MBE系统的的主要参数规格：● ID 550 mm● 应用于III/V族， II/VI族或其他异质结构材料● 最大6英寸晶片，或7x2英寸晶片● 进样室和缓冲腔室● 线性样品传输系统● 标准法兰孔数目(标准11个，可按要求增加3个)● 束流源，气体源，样品台● 抽真空系统(离子吸附泵，分子泵，低温泵等)● 原位表征能力● 软件/硬件控制系统● 额外要求可定制

Laser MBELaser MBE特点模块化概念，Laser MBE可以轻松升级到中央传输模块或其他模块UHV PLD主腔室、利用Load-lock实现衬底和靶材的UHV传输先进的工艺自动化功能，可实现超晶格生长温度测量准确的耐氧衬底加热器，最高1000 ℃，也可以选配激光加热靶台可以屏蔽交叉污染，传输整个carrousel而非单个靶材真空腔室利于系统升级（RHEED，等离子体源，OES/FTIR等）SURFACE激光能量密度控制选件，100%的结果可重复性全封闭光路，安全省事整套交付，先进的在线支持PLD/Laser MBE腔室PLD/Laser MBE腔室SURFACE的Laser MBE腔室专为科研而设计，并提供高级Laser MBE需要的所有特征。衬底和靶材的UHV传输冷壁设计防止沉积过程中腔壁放气原位分析窗口和法兰口（RHEED，OES或FTIR，质谱仪）沉积源和等离子体源备用法兰口先进的SURFACE衬底加热器或激光加热靶台最多可存贮5个1寸靶材激光能量密度控制激光能量密度控制Laser MBE可以选配SURFACE 激光能量密度控制功能。它可以确保薄膜沉积的重复性。在每一步沉积前，自动校准激光能量密度，脉冲能量随着时间推移而始终保持恒定。Load LockLoadlock腔室最多可同时装载5个样品和2个靶台carrousel。控制软件控制软件SURFACE的Laser MBE设备均是高度自动化的，可以自动控制整个沉积过程，从而确保设备易于操作。多个工艺步骤被合并到一个沉积程序中，直观的工艺过程可视化操作，高度灵活的数据记录和导出，优异的自我测试能力。升级到Cluster系统Cluster系统Laser MBE可以轻松升级为功能齐备的cluster系统。在PLD主腔室和Load-lock进样室中间插入中央cluster传输模块。模块化设计和轮式支架简化了升级过程，可根据需要和预算来升级系统。

美国SVT小型MBESVT 公司生产的SMART NanoFab MBE 具有体积小容量大的优点。可以多种生长模式集成于一个腔室。桌面大小的超高真空腔室包含了一系列沉积源以及工艺监控仪器的端口。装载室可以盛放多个样品，便于在超干净环境下操作样品。集成电子控制柜以及烘烤系统使操作系统非常简便。可容纳4或8个源。应用III-V，II-VI，II-Oxides，III-Nitrides以及其他材料；想使用MBE并需要其他薄膜生长模式生长的材料 沉积源和检测仪器蒸发源单坩埚以及多坩埚电子束蒸发源RF等离子体源激光器烧蚀源溅射源气体入射源RHEED以及RHEED分析软件AccuFlux 原位工艺监控仪QCM石英晶体速率监控仪线性束流监控仪

技术介绍 kSA ACE 是一种高灵敏度的在线原位原子束流监测设备，它利用原子吸收光谱的原理来测量对应原子种类的通量率。该设备可整合到MBE分子束外 延，磁控溅射系统、电子束/热蒸发系统和PLD脉冲激光沉积等设备上，实时原位检测原子束流密度、生长速率，实现对薄膜成分控制。 应用场景 kSA ACE 可以独立测量每种待测材料，在多源蒸发或共溅射过程中提供精确的特定材料束流通量监测控制。凭借其在连续操作下的灵敏度 和长期可重复性，可广泛应用于 III-V 和 II-VI 化合物、半导体器件、薄膜传感器、太阳能电池、光学涂层、X 射线光学器件、平板显示器等领域的 薄膜生长监控。 适用场景：&bull MBE（分子束外延） &bull 蒸发镀膜:电子束、离子束辅助、热蒸发等 &bull 溅射镀膜:RF/DC磁控,离子束等 &bull PLD（脉冲激光沉积） &bull 等离子体刻蚀 测量原理 kSA ACE 可将多达三个阴极灯 (HCL) 的发射光谱组合成一个共线光束，并且测量过程中光束被分成参考通道和信号通道。参考通道和信号通道均由 高灵敏度、高空间分辨率的光谱仪连续监测，该光谱仪可同时监测多达三个元素。 参考通道为 HCL 强度波动提供连续校正。信号光束通过光纤耦合 到处理腔室上的透镜单元，然后光束通过蒸发源束流，从而引起原子吸收特征谱线衰减，此衰减与信号通道光束体积内的原子密度成比例关系。此外 该系统还包括一个氙气闪光灯光源，以校正视口涂层对测量产生的影响。整个光学系统保持温度稳定，以确保设备长期运行的稳定性。 技术特点1. 通过特定元素的原子吸收光谱提供对原子束流通量的实时监测，每个系统最测量三种元素，可实时测量生长速率和束流通量密度。2. 提供与吸收率或生长速率成比例的 TCP/IP 模拟电压输出，用于过程控制。 3. 系统主要包括：kSA ACE 机架、光学配件、探测器、光源和 kSA ACE 软件等。

XBS三级滤过四极质谱(MBE Deposition Rate Monitoring / Control System)，适于精确的MBE分析，其他气体分析和科学实验使用。Windows™ 界面的MASsoft软件通过RS232、RS485 或以太网控制。 离子源控制，用于软离子化和表观电势质谱 灵敏度增强用于大质量数的传输，自动质量数范围列表 一级过滤处增加射频，抗污染物能力增强 内置UHV 兼容的水冷却罩 灵敏度高，检测范围： 100% 至5ppb 质量数范围： 0~ 510amu 长期稳定性： 24h以上，峰高变化小于±0.5%) 交叉离子源，束接收角同轴的横断面呈 ±35° 2mm 束接受孔，也可为特殊使用者配置 分子束研究中，检测极限低至30 ions/s 监测生长速率： 1? / min，或更低

GEN10&trade MBE 系统是成熟平台中最经济、最灵活的簇状工具系统，允许多达三个可配置的、特定于材料的生长模块。这使得系统利用率高，允许多个研究人员同时使用该系统，并在无人值守的情况下进行生长和校准。这与 Veeco 组件技术相结合，是 MBE 社区选择 GEN10&trade MBE 系统的关键因素，无论应用是什么。自动晶圆转移可实现高系统利用率，允许多名研究人员同时使用该系统，并在无人值守的情况下进行生长和校准经济地升级到其他增长模块的路径，最多三个集群架构中可配置的、特定于材料的生长模块可在一个真空系统中生长不相容的材料直接通往更大规模生产 MBE 系统的工艺路径

GEN2000® MBE 系统提供卓越的吞吐量、更长的活动周期、更小的占地面积和集群工具晶圆处理。它是 HBT 和 pHEMT 等无线通信设备大批量生产以及需要以低拥有成本生产 6 英寸的新兴应用的理想选择。提供业界最低的单片晶圆成本卓越的设计使占地面积比同类 MBE 系统小 40% 至 60%模块化架构允许最多两个生长模块，从而提高产量或允许处理不相容的材料易于维护，可最大限度地延长正常运行时间可选的隔板安装优化了洁净室空间集成了业界最具创新性、最可靠的系统硬件、源和组件

Veeco 的 GEN20&trade MBE 系统是一种超灵活的工具，其设计可针对 III-V 族和新兴材料进行配置，包括需要集成电子束技术的应用。该系统采用生产设计技术，允许可选的集群工具晶圆传输系统，以实现理想的实验室到晶圆厂迁移。材料研究和预生产环境的理想选择垂直源到基板方向，具有 12 个 MBE 源端口和添加电子束功能的选项手动或自动晶圆转移选项可配置的低温板、机械手、百叶窗和原位监测设备模块化设计允许最多两个增长模块