纳米多层沉积自动机

瑞士Swiss Cluster公司介绍：Swiss Cluster起源于EMPA瑞士联邦材料科学与技术实验室孵化的高科技公司, 通过特有技术开发出全Qiu 首台ALD和PVD原位多层复合薄膜沉积系统, 并取得了非凡的成就和成熟的应用案例 其位于瑞士EMPA的工厂集合了具有薄膜沉积背景的专业人士, 包括物理学、机械工程、软件工程、材料科学、自动化等, 优秀专业团队加之核心技术和瑞士高品质优良工艺保障了给客户提供行业内下一代尖端的先进的薄膜沉积设备 Swiss Cluster凭借其特有的原位集成ALD+PVD+PECVD工艺可以将传统ALD应用扩展到更深层次和更高维度, 使科学家轻松创造具有新结构和新性能的创新材料, 原位复合超多层纳米薄膜等.传统复合薄膜需不同腔室真空互联, 流程复杂且成本高昂, 因样品需在不同腔室移动因此工艺繁琐操作耗时且无法原位制备多层复合薄膜 而Swiss Cluster突破常规, 无需多个腔室和输送臂等昂贵互联部件,极大减少互联设备成本和占地面积, 其腔体垂直布置且中部巧妙设计一个自动化闸阀从而实现在无需破坏真空时将ALD和PVD两工艺无缝原位组合, 且不同工艺切换时样品一直保持原位固定, 结合实时原位计量学可以轻松高效低成本实现超高质量数十到数百个ALD/PVD/PECVD多层复合纳米薄膜 ALD+PVD原位复合薄膜沉积技术介绍：ALD原位复合多层纳米薄膜应用案例---1：ALD原位复合多层纳米薄膜应用案例---2：ALD原位复合多层纳米薄膜应用案例---3：产品型号介绍：可选具有功能优势的配件：

气溶胶纳米喷印纳米印刷是柔性电子领域重要的区域性沉积技术， VSP-P1 采用独家的气溶胶冲压沉积技术，将原材料通过火花烧蚀的方式转变成纳米级气溶胶颗粒，并在真空系统配合下实现图案的绘制。该方法避免了传统喷墨打印需要导电油墨以及后续热处理去除油墨的弊端，保证图案的纳米结构最大程度的保留，避免产生气孔等缺陷。运行原理气溶胶颗粒会通过火花烧蚀的方式在前端产生，颗粒经由惰性气体带动运输至喷嘴处，经过真空系统作用，腔室的气压会保持在 10mbar 以下，而经由喷嘴喷出的气溶胶会在基底表面冲压沉积。而利用 XYZ 轴控制喷嘴的移动，即可实现图案的绘制。利用该方法，可轻松实现：1. 金属，合金，氧化物颗粒的印刷沉积2. 无添加剂，无废液3. 一步沉积，设备模块化，前端的气溶胶发生器可独立拆卸工作，进行其它方向的纳米研究4. 颗粒初始粒径可保持在 0-20nm 之间，形成多孔结构应用领域 高通量合金催化剂的筛选利用气溶胶喷印在多个通道打印沉积比例不同的合金催化剂，从而快速考查电催化性能。该方法可用于在工业相关电流密度下的流体力学条件下制备和筛选电极材料，可用于确定最佳催化剂和催化剂制备的稳健性。Ni / Fe 的复合电极被用于进行验证，64 个不同比例的催化阳极电极在快速筛选后可得到反应电位的变化。SERS表面增强拉曼光谱需要精细的 Au, Ag 等纳米结构，从而实现对低信号量化学物质的灵敏检测。利用气溶胶喷印技术在基底表面快速绘制纳米图案，进行拉曼光谱检测。这种方法避免添加剂对检测的干扰，在较低的温度处理后便可进行后续检测。纳米印刷结构在对罗丹明 6G，PMBA，三聚氰胺的检测中，标准基片表现出了优异的信号增强性能。气体传感器 金属氧化物 (MOX) 气体传感器通过半导体金属氧化物薄膜的电阻变化来检测气体，但氧化物涂层需要温和的沉积，故而常用的 PVD 与 CVD 手段均不适用。现有方法为利用溶胶凝胶法结合丝网印刷实现区域的沉积。利用气溶胶喷印直写可以实现精准的印刷沉积，避免热处理。

l纳米团簇束流沉积系统由纳米团簇源、质量选择器、沉积系统构成。 l可以用于基于纳米粒子的器件加工，可在结构、化学组分、封装等不同环节上对纳米结构单元进行操纵。l可用于纳米粒子膜的大规模工业化制备。l工艺过程高效、快速和低成本。v创新的镀膜、沉积设备 v新型的纳米颗粒制备设备 纳米粒子源通过气相聚集过程及差分束流系统形成纳米团簇束流，由质量选择器进行筛选，然后在高真空下以声速（低能）或被加速（高能）沉积于基底上。1、纳米团簇束流沉积系统——纳米团簇源l纳米粒子的平均直径：0.5～35nm（1 ～ 106个）可调。 l纳米粒子的尺寸分布（FWHM）：2～5nm。 l可选用多靶套件。 l可选用粒子弯头，实现多种团簇沉积或取样。 l相比传统磁控溅射系统，节约大约50%氩气。 l靶材可以是金属（包括碱金属、贵金属和特高熔点金属，例如：锇、钨）、非金属（常温常压下固态非金属单质和化合物）、半导体（例如硅、锗）、能在真空存在的固态有机材料等。2、纳米团簇束流沉积系统——质量选择器l基于德国科学家的时间飞行法对小团簇进行原子数级的质量选择，可以从“白”束流中分选出pA-nA流量的单原子数组分束流，质量选择精度为0.5 ～2%。 l1-200单原子可控。l尺寸选择精度：亚纳米级。 l通量：1010/s ～ 1011/s(1-10nA)。l选择后束流原子数在1 ～10000之间，选择精度优于20，可达200。3、纳米团簇束流沉积系统——沉积系统l纳米薄膜沉积速度可监控，并在0.05 ～2nm/s连续可调。 l标准纳米束流直径：0.5 ～25mm可调，可选配样品X-Y扫描器，制备150×150mm以上样品。 l可实现加速动能为1 ～40keV的荷能纳米粒子沉积。 l系统背景真空度可达10-9Torr。 l控制沉积速度（声速）并配合控温台（选配）实现沉积过程不升温。 l可选配快速降温组件，实现退火，得到一些特殊相。 l可用于制备纳米颗粒。

瑞士Swiss Cluster公司介绍：Swiss Cluster起源于EMPA瑞士联邦材料科学与技术实验室孵化的高科技公司, 通过特有技术开发出全Qiu 首台ALD和PVD原位多层复合薄膜沉积系统, 并取得了非凡的成就和成熟的应用案例 其位于瑞士EMPA的工厂集合了具有薄膜沉积背景的专业人士, 包括物理学、机械工程、软件工程、材料科学、自动化等, 优秀专业团队加之核心技术和瑞士高品质优良工艺保障了给客户提供行业内下一代尖端的先进的薄膜沉积设备 Swiss Cluster凭借其特有的原位集成ALD+PVD+PECVD工艺可以将传统ALD应用扩展到更深层次和更高维度, 使科学家轻松创造具有新结构和新性能的创新材料, 原位复合超多层纳米薄膜等.传统复合薄膜需不同腔室真空互联, 流程复杂且成本高昂, 因样品需在不同腔室移动因此工艺繁琐操作耗时且无法原位制备多层复合薄膜 而Swiss Cluster突破常规, 无需多个腔室和输送臂等昂贵互联部件,极大减少互联设备成本和占地面积, 其腔体垂直布置且中部巧妙设计一个自动化闸阀从而实现在无需破坏真空时将ALD和PVD两工艺无缝原位组合, 且不同工艺切换时样品一直保持原位固定, 结合实时原位计量学可以轻松高效低成本实现超高质量数十到数百个ALD/PVD/PECVD多层复合纳米薄膜 ALD+PVD原位复合薄膜沉积技术介绍：ALD原位复合多层纳米薄膜应用案例---1：ALD原位复合多层纳米薄膜应用案例---2：ALD原位复合多层纳米薄膜应用案例---3：产品型号介绍：可选具有功能优势的配件：

瑞士Swiss Cluster公司介绍：Swiss Cluster起源于EMPA瑞士联邦材料科学与技术实验室孵化的高科技公司, 通过特有技术开发出全Qiu 首台ALD和PVD原位多层复合薄膜沉积系统, 并取得了非凡的成就和成熟的应用案例 其位于瑞士EMPA的工厂集合了具有薄膜沉积背景的专业人士, 包括物理学、机械工程、软件工程、材料科学、自动化等, 优秀专业团队加之核心技术和瑞士高品质优良工艺保障了给客户提供行业内下一代尖端的先进的薄膜沉积设备 Swiss Cluster凭借其特有的原位集成ALD+PVD+PECVD工艺可以将传统ALD应用扩展到更深层次和更高维度, 使科学家轻松创造具有新结构和新性能的创新材料, 原位复合超多层纳米薄膜等.传统复合薄膜需不同腔室真空互联, 流程复杂且成本高昂, 因样品需在不同腔室移动因此工艺繁琐操作耗时且无法原位制备多层复合薄膜 而Swiss Cluster突破常规, 无需多个腔室和输送臂等昂贵互联部件,极大减少互联设备成本和占地面积, 其腔体垂直布置且中部巧妙设计一个自动化闸阀从而实现在无需破坏真空时将ALD和PVD两工艺无缝原位组合, 且不同工艺切换时样品一直保持原位固定, 结合实时原位计量学可以轻松高效低成本实现超高质量数十到数百个ALD/PVD/PECVD多层复合纳米薄膜 ALD+PVD原位复合薄膜沉积技术介绍：ALD原位复合多层纳米薄膜应用案例---1：ALD原位复合多层纳米薄膜应用案例---2：ALD原位复合多层纳米薄膜应用案例---3：产品型号介绍：可选具有功能优势的配件：

设备规格衬底尺寸：标准尺寸：200mm Dia (8 inch）（可定制)工艺温度：温度范围：RT~500°C （可定制）前驱体路数：最大支持6路前驱体气路（可定制)，包含固、液态前驱体源瓶加热系统：可加热温度范围：RT~150℃反应物路数：支持2路反应物气路（可定制）载气：标准：N2, MFC 流量控制（可定制）压力监测：双薄膜规组合（耐腐蚀)，0.005Torr - 1000Torr本底真空度：5x10-3 Torr真空系统：标准油泵控制系统：19寸显示器，支持触控工业级嵌入式工控机，高可靠性，支持扩展操作系统：Win7 操作系统工业级可编程逻辑控制器，支持现场总线与实时多任务处理操作高温加热模块：独立的源瓶加热模块，可支持RT~200℃预留模块：预留等离子体系统接口，无需更换腔体即可直接升级至等离子体系统（PEALD），实现Thermal-ALD与PEALD的双模式切换 工艺可沉积薄膜种类和应用场景包括：&bull High-K介电材料 (Al2O3, H2O, ZrO2, PrA1Q, Ta2O5, La2O3) &bull 金属互联结构 (Cu, WN, TaN, Ru, In) &bull 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2):&bull 生物医学涂层 (TiN, ZrN, TiAIN, AlTIN) &bull 金属(Ru, Pd, Ir Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni &bull 压电层 (ZnO, AIN, ZnS) &bull 透明电学导体 (ZnO:Al, ITO) &bull 光子晶体(ZnO, TiO2, Ta3N5) 机架&bull 框架采用进口铝材搭建，重量轻、承载能力强，散热性好&bull 外壳采用碳钢烤漆及圆角处理，轻便美观，拆卸方便，符合人体工学&bull 显示屏360度自由旋转，可调视距、视角、自由悬停 控制系统&bull 控制系统采用 PLC+工控机+19 寸触摸屏方式实现，系统通过高速以太网进行通讯。&bull 采用 PLC 对设备进行实时控制，同时实现基于Windows7 操作系统的人机界面互动，支持历史数据、工艺配方、报警及日志的储存和导入导出的功能&bull 设备支持“一键沉积”功能，点击运行按键即可自动完成真空抽取、升温、材料沉积、降温等一系列步骤。实现单一或多层材料的沉积；提供独立的手动操作页面，支持手动开关阀门的操作，人机交互同时支持鼠标、键盘和触摸的输入方式&bull 设备运行软件提供用户权限管理功能，可根据用户级别设定使用权限，防止误操作，保证设备和人身安全&bull 设备运行软件提供逻辑互锁功能，防止用户误操作，并弹出信息对话框进行提示&bull 设备运行软件集成安全及参数配置、IO互锁列表信息功能 真空系统 真空测量采用双真空压力计组合方式，工艺数据更真实，更迅速，更精确，为工艺人员提供井真的数据采集来源，为工艺的可重复性提供了可靠的保障应用领域1.纳米材料：ALD 技术沉积参数高度可控，可在各种尺寸的复杂三维微纳结构基底上，实现原子级精度的薄膜形成和生长，可制备出高均匀性、高精度、高保形的纳米级薄膜。ALD具有高致密性以及高纵宽比结构均匀性，为MEMS机械耐磨损层、抗腐蚀层、介电层、憎水涂层、生物相容性涂层、刻蚀掩膜层等提供优质解决方案。ALD技术沉积参数高度可控，可通过精准控制循环数来控制MTJ所需达到的各项参数，是适用于MTJ制造的最佳工艺方案之一。ALD技术可通过表面修饰，改善纳米孔的生物相容性，同时提升抗菌抑菌和促进细胞合成。2.太阳能电池：ALD基材料在c-Si太阳能电池中的应用始于Al2O3，Al2O3是一种非常有效的表面钝化层，被发现可以显着提高c-Si太阳能电池的效率并应用于大规模产业化中。此后的研究中，ALD的应用研究从表面钝化层扩展到载流子传输材料[8]。3.催化：ALD技术很容易地控制纳米颗粒的大小、孔隙结构、含量和分散，有效设计出核壳结构、氧化物/金属倒载结构、氧化物限域结构、具有多金属管套结构和多层结构，且独特的自限制特性可实现催化材料在高比表面材料上的均匀和可控沉积，实现一步步和“自底向上”的方式在原子层面上构建复杂结构的异质催化剂材料而得到广泛研究。利用ALD技术具有饱和自限制的表面反应特性，有效抑制金属有机化合物、配体的空间位置效应，天然的将金属中心原子互相隔离开，抑制金属原子聚集，合成单原子催化剂。利用ALD技术有效调控金属与载体间的相互作用的特性，可获得单金属催化剂，如Ru、Pt、Pd等贵金属。利用ALD技术能调控两种金属元素生长顺序、循环周期数的特性来精准得到双金属纳米催化剂，合成原子级精准的超细金属团簇，如PtPd、PtRu、PdRu等双金属纳米颗粒。利用ALD技术制备金属氧化物，不仅可以制备性能更加优良的多相催化剂，而且可以对负载型催化剂进行改性，达到修饰、保护催化剂的目的。4.锂电池：ALD在锂离子电池中的应用特点：（1）电极材料的制备和改性；（2）阴极材料上的保护镀膜；（3）阳极材料上的人造固体电解质相间（SEI）；（4）锂金属阳极钝化和防止枝晶生长；（5）ALD作用的固态电解质（SSE）；（6）隔离膜上的保护涂层原速科技ALD技术在锂电池领域的应用主要有以下几个方面：a、锂电池PP/PE隔膜包覆，改善隔膜的浸润性，耐压性，热收缩性能b、锂电池正极包覆，改善电池的倍率性能，循环性能等c、锂电池负极包覆，改善电池的倍率性能，循环性能以及安全性能5.光学镀膜：ALD薄膜以饱和吸附的layer-by-layer生长模式，可在结构复杂的几何表面，如大曲面及高纵深比深孔结构，大面积形成高均匀性薄膜，且膜层相较于PVD膜更为致密，在界面处的结合力更强，更适用于未来工业界先进精密光学器件的制造。6.生物医疗：ALD可以通过低温沉积形成非常致密的保护膜，由于是纳米级别的膜厚其本身对医疗设备也不会造成影响，沉积ALD涂层后可以大幅度增加植入设备的寿命以及安全性，也有可能有效的减少更换手术的频率；同时ALD有多种材料都具有生物相容性，这种涂层对人体组织是没有任何细胞毒性的，这使得在再生医学领域中，用于对细胞构建生物相容性底物的制备时，ALD沉积表面涂层能满足对新型生物相容性材料的需求；在药物方面，ALD涂层可以有效的保护颗粒不受周围空气和水分的影响，从而大幅度的延长药物的保质期。7.OLED：几十纳米厚度的ALD封装膜甚至可媲美传统OLED封装技术的阻隔效果，同时具有良好的透光率、热导率、机械强度、耐腐蚀性及与基底的粘结性等性质；ALD封装薄膜因其纳米级的膜厚，可以实现很大程度上的弯曲并保持封装效果不变，这一特性可完美兼容柔性OLED器件封装，真正做到显示屏的可折叠、卷曲；ALD薄膜优异的保型性使其在一些复杂形貌和三维纳米结构的LED表面实现出色的钝化保护层，有效地起到阻隔水氧的作用，提高性能；用ALD在LED表面沉积钝化膜还可以很好地修补被等离子刻蚀造成的破坏性表面，可有效降低漏电流，显著提高LED效率。

设备规格衬底尺寸：标准尺寸：300mm Dia (12 inch）（可定制)工艺温度：温度范围：RT~500°C 精度：土1°C（可定制）前驱体路数：最大支持6路前驱体气路（可定制)，包含固、液态前驱体源瓶加热系统：可加热温度范围：RT~150℃反应物路数：支持2路反应物气路（可定制）载气：标准：N2, MFC 流量控制（可定制）压力监测：双薄膜规组合（耐腐蚀)，0.005Torr - 1000Torr本底真空度：5x10-3 Torr真空系统：标准油泵控制系统：19寸显示器，支持触控工业级嵌入式工控机，高可靠性，支持扩展操作系统：Win7 操作系统，工业级可编程逻辑控制器，支持现场总线与实时多任务处理操作 工艺 可沉积薄膜种类和应用场景包括：&bull High-K介电材料 (Al2O3, H2O, ZrO2, PrA1Q, Ta2O5, La2O3) &bull 金属互联结构 (Cu, WN, TaN, Ru, In) &bull 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2):&bull 生物医学涂层 (TiN, ZrN, TiAIN, AlTIN) &bull 金属(Ru, Pd, Ir Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni) &bull 压电层 (ZnO, AIN, ZnS) &bull 透明电学导体 (ZnO:Al, ITO) &bull 光子晶体(ZnO, TiO2, Ta3N5) 等 机架&bull 框架采用进口铝材搭建，重量轻、承载能力强，散热性好&bull 外壳采用碳钢烤漆及圆角处理，轻便美观，拆卸方便，符合人体工学&bull 显示屏360度自由旋转，可调视距、视角、自由悬停 控制系统&bull 控制系统采用 PLC+工控机+19 寸触摸屏方式实现，系统通过高速以太网进行通讯。&bull 采用 PLC 对设备进行实时控制，同时实现基于Windows7 操作系统的人机界面互动，支持历史数据、工艺配方、报警及日志的储存和导入导出的功能&bull 设备支持“一键沉积”功能，点击运行按键即可自动完成真空抽取、升温、材料沉积、降温等一系列步骤。实现单一或多层材料的沉积；提供独立的手动操作页面，支持手动开关阀门的操作，人机交互同时支持鼠标、键盘和触摸的输入方式&bull 设备运行软件提供用户权限管理功能，可根据用户级别设定使用权限，防止误操作，保证设备和人身安全&bull 设备运行软件提供逻辑互锁功能，防止用户误操作，并弹出信息对话框进行提示&bull 设备运行软件集成安全及参数配置、IO互锁列表信息功能 真空系统 真空测量采用双真空压力计组合方式，工艺数据更真实，更迅速，更精确，为工艺人员提供井真的数据采集来源，为工艺的可重复性提供了可靠的保障应用领域1.纳米材料：ALD 技术沉积参数高度可控，可在各种尺寸的复杂三维微纳结构基底上，实现原子级精度的薄膜形成和生长，可制备出高均匀性、高精度、高保形的纳米级薄膜。ALD具有高致密性以及高纵宽比结构均匀性，为MEMS机械耐磨损层、抗腐蚀层、介电层、憎水涂层、生物相容性涂层、刻蚀掩膜层等提供优质解决方案。ALD技术沉积参数高度可控，可通过精准控制循环数来控制MTJ所需达到的各项参数，是适用于MTJ制造的最佳工艺方案之一。ALD技术可通过表面修饰，改善纳米孔的生物相容性，同时提升抗菌抑菌和促进细胞合成。2.太阳能电池：ALD基材料在c-Si太阳能电池中的应用始于Al2O3，Al2O3是一种非常有效的表面钝化层，被发现可以显着提高c-Si太阳能电池的效率并应用于大规模产业化中。此后的研究中，ALD的应用研究从表面钝化层扩展到载流子传输材料[8]。3.催化：ALD技术很容易地控制纳米颗粒的大小、孔隙结构、含量和分散，有效设计出核壳结构、氧化物/金属倒载结构、氧化物限域结构、具有多金属管套结构和多层结构，且独特的自限制特性可实现催化材料在高比表面材料上的均匀和可控沉积，实现一步步和“自底向上”的方式在原子层面上构建复杂结构的异质催化剂材料而得到广泛研究。利用ALD技术具有饱和自限制的表面反应特性，有效抑制金属有机化合物、配体的空间位置效应，天然的将金属中心原子互相隔离开，抑制金属原子聚集，合成单原子催化剂。利用ALD技术有效调控金属与载体间的相互作用的特性，可获得单金属催化剂，如Ru、Pt、Pd等贵金属。利用ALD技术能调控两种金属元素生长顺序、循环周期数的特性来精准得到双金属纳米催化剂，合成原子级精准的超细金属团簇，如PtPd、PtRu、PdRu等双金属纳米颗粒。利用ALD技术制备金属氧化物，不仅可以制备性能更加优良的多相催化剂，而且可以对负载型催化剂进行改性，达到修饰、保护催化剂的目的。4.锂电池：ALD在锂离子电池中的应用特点：（1）电极材料的制备和改性；（2）阴极材料上的保护镀膜；（3）阳极材料上的人造固体电解质相间（SEI）；（4）锂金属阳极钝化和防止枝晶生长；（5）ALD作用的固态电解质（SSE）；（6）隔离膜上的保护涂层原速科技ALD技术在锂电池领域的应用主要有以下几个方面：a、锂电池PP/PE隔膜包覆，改善隔膜的浸润性，耐压性，热收缩性能b、锂电池正极包覆，改善电池的倍率性能，循环性能等c、锂电池负极包覆，改善电池的倍率性能，循环性能以及安全性能5.光学镀膜：ALD薄膜以饱和吸附的layer-by-layer生长模式，可在结构复杂的几何表面，如大曲面及高纵深比深孔结构，大面积形成高均匀性薄膜，且膜层相较于PVD膜更为致密，在界面处的结合力更强，更适用于未来工业界先进精密光学器件的制造。6.生物医疗：ALD可以通过低温沉积形成非常致密的保护膜，由于是纳米级别的膜厚其本身对医疗设备也不会造成影响，沉积ALD涂层后可以大幅度增加植入设备的寿命以及安全性，也有可能有效的减少更换手术的频率；同时ALD有多种材料都具有生物相容性，这种涂层对人体组织是没有任何细胞毒性的，这使得在再生医学领域中，用于对细胞构建生物相容性底物的制备时，ALD沉积表面涂层能满足对新型生物相容性材料的需求；在药物方面，ALD涂层可以有效的保护颗粒不受周围空气和水分的影响，从而大幅度的延长药物的保质期。7.OLED：几十纳米厚度的ALD封装膜甚至可媲美传统OLED封装技术的阻隔效果，同时具有良好的透光率、热导率、机械强度、耐腐蚀性及与基底的粘结性等性质；ALD封装薄膜因其纳米级的膜厚，可以实现很大程度上的弯曲并保持封装效果不变，这一特性可完美兼容柔性OLED器件封装，真正做到显示屏的可折叠、卷曲；ALD薄膜优异的保型性使其在一些复杂形貌和三维纳米结构的LED表面实现出色的钝化保护层，有效地起到阻隔水氧的作用，提高性能；用ALD在LED表面沉积钝化膜还可以很好地修补被等离子刻蚀造成的破坏性表面，可有效降低漏电流，显著提高LED效率。

设备规格衬底尺寸：标准尺寸：200mm Dia (8 inch）（可定制)工艺温度：温度范围：RT~500°C （可定制）前驱体路数：最大支持6路前驱体气路（可定制)，包含固、液态前驱体源瓶加热系统：可加热温度范围：RT~150℃反应物路数：支持2路反应物气路（可定制）载气：标准：N2, MFC 流量控制（可定制）等离子体系统：支持4路等离子体气体（可定制）射频功率：0~1000W压力监测：双薄膜规组合（耐腐蚀)，0.005Torr - 1000Torr本底真空度：5x10-3 Torr真空系统：标准油泵控制系统：19寸显示器，支持触控工业级嵌入式工控机，高可靠性，支持扩展操作系统：Win7 操作系统，工业级可编程逻辑控制器，支持现场总线与实时多任务处理操作高温加热模块：独立的源瓶加热模块，可支持RT~200℃ 工艺可沉积薄膜种类和应用场景包括：&bull High-K介电材料 (Al2O3, H2O, ZrO2, PrA1Q, Ta2O5, La2O3) &bull 金属互联结构 (Cu, WN, TaN, Ru, In) &bull 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2):&bull 生物医学涂层 (TiN, ZrN, TiAIN, AlTIN) &bull 金属(Ru, Pd, Ir Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni &bull 压电层 (ZnO, AIN, ZnS) &bull 透明电学导体 (ZnO:Al, ITO) &bull 光子晶体(ZnO, TiO2, Ta3N5) 等 机架&bull 框架采用进口铝材搭建，重量轻、承载能力强，散热性好&bull 外壳采用碳钢烤漆及圆角处理，轻便美观，拆卸方便，符合人体工学&bull 显示屏360度自由旋转，可调视距、视角、自由悬停 控制系统&bull 控制系统采用 PLC+工控机+19 寸触摸屏方式实现，系统通过高速以太网进行通讯。&bull 采用 PLC 对设备进行实时控制，同时实现基于Windows7 操作系统的人机界面互动，支持历史数据、工艺配方、报警及日志的储存和导入导出的功能&bull 设备支持“一键沉积”功能，点击运行按键即可自动完成真空抽取、升温、材料沉积、降温等一系列步骤。实现单一或多层材料的沉积；提供独立的手动操作页面，支持手动开关阀门的操作，人机交互同时支持鼠标、键盘和触摸的输入方式&bull 设备运行软件提供用户权限管理功能，可根据用户级别设定使用权限，防止误操作，保证设备和人身安全&bull 设备运行软件提供逻辑互锁功能，防止用户误操作，并弹出信息对话框进行提示&bull 设备运行软件集成安全及参数配置、IO互锁列表信息功能 真空系统 真空测量采用双真空压力计组合方式，工艺数据更真实，更迅速，更精确，为工艺人员提供井真的数据采集来源，为工艺的可重复性提供了可靠的保障应用领域1.纳米材料：ALD 技术沉积参数高度可控，可在各种尺寸的复杂三维微纳结构基底上，实现原子级精度的薄膜形成和生长，可制备出高均匀性、高精度、高保形的纳米级薄膜。ALD具有高致密性以及高纵宽比结构均匀性，为MEMS机械耐磨损层、抗腐蚀层、介电层、憎水涂层、生物相容性涂层、刻蚀掩膜层等提供优质解决方案。ALD技术沉积参数高度可控，可通过精准控制循环数来控制MTJ所需达到的各项参数，是适用于MTJ制造的最佳工艺方案之一。ALD技术可通过表面修饰，改善纳米孔的生物相容性，同时提升抗菌抑菌和促进细胞合成。2.太阳能电池：ALD基材料在c-Si太阳能电池中的应用始于Al2O3，Al2O3是一种非常有效的表面钝化层，被发现可以显着提高c-Si太阳能电池的效率并应用于大规模产业化中。此后的研究中，ALD的应用研究从表面钝化层扩展到载流子传输材料[8]。3.催化：ALD技术很容易地控制纳米颗粒的大小、孔隙结构、含量和分散，有效设计出核壳结构、氧化物/金属倒载结构、氧化物限域结构、具有多金属管套结构和多层结构，且独特的自限制特性可实现催化材料在高比表面材料上的均匀和可控沉积，实现一步步和“自底向上”的方式在原子层面上构建复杂结构的异质催化剂材料而得到广泛研究。利用ALD技术具有饱和自限制的表面反应特性，有效抑制金属有机化合物、配体的空间位置效应，天然的将金属中心原子互相隔离开，抑制金属原子聚集，合成单原子催化剂。利用ALD技术有效调控金属与载体间的相互作用的特性，可获得单金属催化剂，如Ru、Pt、Pd等贵金属。利用ALD技术能调控两种金属元素生长顺序、循环周期数的特性来精准得到双金属纳米催化剂，合成原子级精准的超细金属团簇，如PtPd、PtRu、PdRu等双金属纳米颗粒。利用ALD技术制备金属氧化物，不仅可以制备性能更加优良的多相催化剂，而且可以对负载型催化剂进行改性，达到修饰、保护催化剂的目的。4.锂电池：ALD在锂离子电池中的应用特点：（1）电极材料的制备和改性；（2）阴极材料上的保护镀膜；（3）阳极材料上的人造固体电解质相间（SEI）；（4）锂金属阳极钝化和防止枝晶生长；（5）ALD作用的固态电解质（SSE）；（6）隔离膜上的保护涂层原速科技ALD技术在锂电池领域的应用主要有以下几个方面：a、锂电池PP/PE隔膜包覆，改善隔膜的浸润性，耐压性，热收缩性能b、锂电池正极包覆，改善电池的倍率性能，循环性能等c、锂电池负极包覆，改善电池的倍率性能，循环性能以及安全性能5.光学镀膜：ALD薄膜以饱和吸附的layer-by-layer生长模式，可在结构复杂的几何表面，如大曲面及高纵深比深孔结构，大面积形成高均匀性薄膜，且膜层相较于PVD膜更为致密，在界面处的结合力更强，更适用于未来工业界先进精密光学器件的制造。6.生物医疗：ALD可以通过低温沉积形成非常致密的保护膜，由于是纳米级别的膜厚其本身对医疗设备也不会造成影响，沉积ALD涂层后可以大幅度增加植入设备的寿命以及安全性，也有可能有效的减少更换手术的频率；同时ALD有多种材料都具有生物相容性，这种涂层对人体组织是没有任何细胞毒性的，这使得在再生医学领域中，用于对细胞构建生物相容性底物的制备时，ALD沉积表面涂层能满足对新型生物相容性材料的需求；在药物方面，ALD涂层可以有效的保护颗粒不受周围空气和水分的影响，从而大幅度的延长药物的保质期。7.OLED：几十纳米厚度的ALD封装膜甚至可媲美传统OLED封装技术的阻隔效果，同时具有良好的透光率、热导率、机械强度、耐腐蚀性及与基底的粘结性等性质；ALD封装薄膜因其纳米级的膜厚，可以实现很大程度上的弯曲并保持封装效果不变，这一特性可完美兼容柔性OLED器件封装，真正做到显示屏的可折叠、卷曲；ALD薄膜优异的保型性使其在一些复杂形貌和三维纳米结构的LED表面实现出色的钝化保护层，有效地起到阻隔水氧的作用，提高性能；用ALD在LED表面沉积钝化膜还可以很好地修补被等离子刻蚀造成的破坏性表面，可有效降低漏电流，显著提高LED效率。

设备规格衬底尺寸：标准尺寸：200mm Dia (8 inch）（可定制)工艺温度：温度范围：RT~500°C （可定制）前驱体路数：最大支持6路前驱体气路（可定制)，包含固、液态前驱体源瓶加热系统：可加热温度范围：RT~150℃反应物路数：支持2路反应物气路（可定制）载气：标准：N2, MFC 流量控制（可定制）等离子体系统：支持4路等离子体气体（可定制）射频功率：0~1000W压力监测：双薄膜规组合（耐腐蚀)，0.005Torr - 1000Torr本底真空度：5x10-3 Torr真空系统：标准油泵控制系统：19寸显示器，支持触控工业级嵌入式工控机，高可靠性，支持扩展操作系统：Win7 操作系统，工业级可编程逻辑控制器，支持现场总线与实时多任务处理操作高温加热模块：独立的源瓶加热模块，可支持RT~200℃手套箱系统：设备集成手套箱，标准可支持双手套，单工位（可定制） 工艺可沉积薄膜种类和应用场景包括：&bull High-K介电材料 (A,O, H1O, ZrO PrA1Q, Ta, 0s. 1a,0) &bull 金属互联结构 (Cu, WN, TaN, Ru, In) &bull 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO, V,0g):&bull 生物医学涂层 (TiN, ZIN, TiAIN, AITIN) &bull 金属(Ru, Pd, Ir Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni) &bull 压电层 (ZnO, AIN, ZnS) &bull 透明电学导体 (ZnO:Al, ITO) &bull 光子晶体(ZnO,ZnSIMn, Ti0, Ta,N.) 等。 机架&bull 框架采用进口铝材搭建，重量轻、承载能力强，散热性好&bull 外壳采用碳钢烤漆及圆角处理，轻便美观，拆卸方便，符合人体工学&bull 显示屏360度自由旋转，可调视距、视角、自由悬停 控制系统&bull 控制系统采用 PLC+工控机+19 寸触摸屏方式实现，系统通过高速以太网进行通讯。&bull 采用 PLC 对设备进行实时控制，同时实现基于Windows7 操作系统的人机界面互动，支持历史数据、工艺配方、报警及日志的储存和导入导出的功能&bull 设备支持“一键沉积”功能，点击运行按键即可自动完成真空抽取、升温、材料沉积、降温等一系列步骤。实现单一或多层材料的沉积；提供独立的手动操作页面，支持手动开关阀门的操作，人机交互同时支持鼠标、键盘和触摸的输入方式&bull 设备运行软件提供用户权限管理功能，可根据用户级别设定使用权限，防止误操作，保证设备和人身安全&bull 设备运行软件提供逻辑互锁功能，防止用户误操作，并弹出信息对话框进行提示&bull 设备运行软件集成安全及参数配置、IO互锁列表信息功能 真空系统 真空测量采用双真空压力计组合方式，工艺数据更真实，更迅速，更精确，为工艺人员提供井真的数据采集来源，为工艺的可重复性提供了可靠的保障应用领域1.纳米材料：ALD 技术沉积参数高度可控，可在各种尺寸的复杂三维微纳结构基底上，实现原子级精度的薄膜形成和生长，可制备出高均匀性、高精度、高保形的纳米级薄膜。ALD具有高致密性以及高纵宽比结构均匀性，为MEMS机械耐磨损层、抗腐蚀层、介电层、憎水涂层、生物相容性涂层、刻蚀掩膜层等提供优质解决方案。ALD技术沉积参数高度可控，可通过精准控制循环数来控制MTJ所需达到的各项参数，是适用于MTJ制造的最佳工艺方案之一。ALD技术可通过表面修饰，改善纳米孔的生物相容性，同时提升抗菌抑菌和促进细胞合成。2.太阳能电池：ALD基材料在c-Si太阳能电池中的应用始于Al2O3，Al2O3是一种非常有效的表面钝化层，被发现可以显着提高c-Si太阳能电池的效率并应用于大规模产业化中。此后的研究中，ALD的应用研究从表面钝化层扩展到载流子传输材料[8]。3.催化：ALD技术很容易地控制纳米颗粒的大小、孔隙结构、含量和分散，有效设计出核壳结构、氧化物/金属倒载结构、氧化物限域结构、具有多金属管套结构和多层结构，且独特的自限制特性可实现催化材料在高比表面材料上的均匀和可控沉积，实现一步步和“自底向上”的方式在原子层面上构建复杂结构的异质催化剂材料而得到广泛研究。利用ALD技术具有饱和自限制的表面反应特性，有效抑制金属有机化合物、配体的空间位置效应，天然的将金属中心原子互相隔离开，抑制金属原子聚集，合成单原子催化剂。利用ALD技术有效调控金属与载体间的相互作用的特性，可获得单金属催化剂，如Ru、Pt、Pd等贵金属。利用ALD技术能调控两种金属元素生长顺序、循环周期数的特性来精准得到双金属纳米催化剂，合成原子级精准的超细金属团簇，如PtPd、PtRu、PdRu等双金属纳米颗粒。利用ALD技术制备金属氧化物，不仅可以制备性能更加优良的多相催化剂，而且可以对负载型催化剂进行改性，达到修饰、保护催化剂的目的。4.锂电池：ALD在锂离子电池中的应用特点：（1）电极材料的制备和改性；（2）阴极材料上的保护镀膜；（3）阳极材料上的人造固体电解质相间（SEI）；（4）锂金属阳极钝化和防止枝晶生长；（5）ALD作用的固态电解质（SSE）；（6）隔离膜上的保护涂层原速科技ALD技术在锂电池领域的应用主要有以下几个方面：a、锂电池PP/PE隔膜包覆，改善隔膜的浸润性，耐压性，热收缩性能b、锂电池正极包覆，改善电池的倍率性能，循环性能等c、锂电池负极包覆，改善电池的倍率性能，循环性能以及安全性能5.光学镀膜：ALD薄膜以饱和吸附的layer-by-layer生长模式，可在结构复杂的几何表面，如大曲面及高纵深比深孔结构，大面积形成高均匀性薄膜，且膜层相较于PVD膜更为致密，在界面处的结合力更强，更适用于未来工业界先进精密光学器件的制造。6.生物医疗：ALD可以通过低温沉积形成非常致密的保护膜，由于是纳米级别的膜厚其本身对医疗设备也不会造成影响，沉积ALD涂层后可以大幅度增加植入设备的寿命以及安全性，也有可能有效的减少更换手术的频率；同时ALD有多种材料都具有生物相容性，这种涂层对人体组织是没有任何细胞毒性的，这使得在再生医学领域中，用于对细胞构建生物相容性底物的制备时，ALD沉积表面涂层能满足对新型生物相容性材料的需求；在药物方面，ALD涂层可以有效的保护颗粒不受周围空气和水分的影响，从而大幅度的延长药物的保质期。7.OLED：几十纳米厚度的ALD封装膜甚至可媲美传统OLED封装技术的阻隔效果，同时具有良好的透光率、热导率、机械强度、耐腐蚀性及与基底的粘结性等性质；ALD封装薄膜因其纳米级的膜厚，可以实现很大程度上的弯曲并保持封装效果不变，这一特性可完美兼容柔性OLED器件封装，真正做到显示屏的可折叠、卷曲；ALD薄膜优异的保型性使其在一些复杂形貌和三维纳米结构的LED表面实现出色的钝化保护层，有效地起到阻隔水氧的作用，提高性能；用ALD在LED表面沉积钝化膜还可以很好地修补被等离子刻蚀造成的破坏性表面，可有效降低漏电流，显著提高LED效率。

设备规格衬底尺寸：标准尺寸：100mm Dia (4 inch）（可定制)工艺温度：温度范围：RT~400°C 精度：土1°C（可定制）前驱体路数：最大支持6路前驱体气路（可定制)，包含固、液态前驱体源瓶加热系统：可加热温度范围：RT~150℃反应物路数：支持2路反应物气路（可定制）载气：标准：N2, MFC 流量控制（可定制）高真空系统：高性能分子泵，支持对高真空的真空度需求控制系统：19寸显示器，支持触控工业级嵌入式工控机，高可靠性，支持扩展操作系统：Win7 操作系统，工业级可编程逻辑控制器，支持现场总线与实时多任务处理操作传片系统：手动磁力杆传片，配置专用传片腔体、门阀以及真空系统（可定制） 工艺可沉积薄膜种类和应用场景包括：&bull High-K介电材料 (Al2O3, H2O, ZrO2, PrA1Q, Ta2O5, La2O3) &bull 金属互联结构 (Cu, WN, TaN, Ru, In) &bull 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2):&bull 生物医学涂层 (TiN, ZrN, TiAIN, AlTIN) &bull 金属(Ru, Pd, Ir Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni &bull 压电层 (ZnO, AIN, ZnS) &bull 透明电学导体 (ZnO:Al, ITO) &bull 光子晶体(ZnO, TiO2, Ta3N5) 等 机架&bull 框架采用进口铝材搭建，重量轻、承载能力强，散热性好&bull 外壳采用碳钢烤漆及圆角处理，轻便美观，拆卸方便，符合人体工学&bull 显示屏360度自由旋转，可调视距、视角、自由悬停控制系统&bull 控制系统采用 PLC+工控机+19 寸触摸屏方式实现，系统通过高速以太网进行通讯。&bull 采用 PLC 对设备进行实时控制，同时实现基于Windows7 操作系统的人机界面互动，支持历史数据、工艺配方、报警及日志的储存和导入导出的功能&bull 设备支持“一键沉积”功能，点击运行按键即可自动完成真空抽取、升温、材料沉积、降温等一系列步骤。实现单一或多层材料的沉积；提供独立的手动操作页面，支持手动开关阀门的操作，人机交互同时支持鼠标、键盘和触摸的输入方式&bull 设备运行软件提供用户权限管理功能，可根据用户级别设定使用权限，防止误操作，保证设备和人身安全&bull 设备运行软件提供逻辑互锁功能，防止用户误操作，并弹出信息对话框进行提示&bull 设备运行软件集成安全及参数配置、IO互锁列表信息功能应用领域1.纳米材料：ALD 技术沉积参数高度可控，可在各种尺寸的复杂三维微纳结构基底上，实现原子级精度的薄膜形成和生长，可制备出高均匀性、高精度、高保形的纳米级薄膜。ALD具有高致密性以及高纵宽比结构均匀性，为MEMS机械耐磨损层、抗腐蚀层、介电层、憎水涂层、生物相容性涂层、刻蚀掩膜层等提供优质解决方案。ALD技术沉积参数高度可控，可通过精准控制循环数来控制MTJ所需达到的各项参数，是适用于MTJ制造的最佳工艺方案之一。ALD技术可通过表面修饰，改善纳米孔的生物相容性，同时提升抗菌抑菌和促进细胞合成。2.太阳能电池：ALD基材料在c-Si太阳能电池中的应用始于Al2O3，Al2O3是一种非常有效的表面钝化层，被发现可以显着提高c-Si太阳能电池的效率并应用于大规模产业化中。此后的研究中，ALD的应用研究从表面钝化层扩展到载流子传输材料[8]。3.催化：ALD技术很容易地控制纳米颗粒的大小、孔隙结构、含量和分散，有效设计出核壳结构、氧化物/金属倒载结构、氧化物限域结构、具有多金属管套结构和多层结构，且独特的自限制特性可实现催化材料在高比表面材料上的均匀和可控沉积，实现一步步和“自底向上”的方式在原子层面上构建复杂结构的异质催化剂材料而得到广泛研究。利用ALD技术具有饱和自限制的表面反应特性，有效抑制金属有机化合物、配体的空间位置效应，天然的将金属中心原子互相隔离开，抑制金属原子聚集，合成单原子催化剂。利用ALD技术有效调控金属与载体间的相互作用的特性，可获得单金属催化剂，如Ru、Pt、Pd等贵金属。利用ALD技术能调控两种金属元素生长顺序、循环周期数的特性来精准得到双金属纳米催化剂，合成原子级精准的超细金属团簇，如PtPd、PtRu、PdRu等双金属纳米颗粒。利用ALD技术制备金属氧化物，不仅可以制备性能更加优良的多相催化剂，而且可以对负载型催化剂进行改性，达到修饰、保护催化剂的目的。4.锂电池：ALD在锂离子电池中的应用特点：（1）电极材料的制备和改性；（2）阴极材料上的保护镀膜；（3）阳极材料上的人造固体电解质相间（SEI）；（4）锂金属阳极钝化和防止枝晶生长；（5）ALD作用的固态电解质（SSE）；（6）隔离膜上的保护涂层原速科技ALD技术在锂电池领域的应用主要有以下几个方面：a、锂电池PP/PE隔膜包覆，改善隔膜的浸润性，耐压性，热收缩性能b、锂电池正极包覆，改善电池的倍率性能，循环性能等c、锂电池负极包覆，改善电池的倍率性能，循环性能以及安全性能5.光学镀膜：ALD薄膜以饱和吸附的layer-by-layer生长模式，可在结构复杂的几何表面，如大曲面及高纵深比深孔结构，大面积形成高均匀性薄膜，且膜层相较于PVD膜更为致密，在界面处的结合力更强，更适用于未来工业界先进精密光学器件的制造。6.生物医疗：ALD可以通过低温沉积形成非常致密的保护膜，由于是纳米级别的膜厚其本身对医疗设备也不会造成影响，沉积ALD涂层后可以大幅度增加植入设备的寿命以及安全性，也有可能有效的减少更换手术的频率；同时ALD有多种材料都具有生物相容性，这种涂层对人体组织是没有任何细胞毒性的，这使得在再生医学领域中，用于对细胞构建生物相容性底物的制备时，ALD沉积表面涂层能满足对新型生物相容性材料的需求；在药物方面，ALD涂层可以有效的保护颗粒不受周围空气和水分的影响，从而大幅度的延长药物的保质期。7.OLED：几十纳米厚度的ALD封装膜甚至可媲美传统OLED封装技术的阻隔效果，同时具有良好的透光率、热导率、机械强度、耐腐蚀性及与基底的粘结性等性质；ALD封装薄膜因其纳米级的膜厚，可以实现很大程度上的弯曲并保持封装效果不变，这一特性可完美兼容柔性OLED器件封装，真正做到显示屏的可折叠、卷曲；ALD薄膜优异的保型性使其在一些复杂形貌和三维纳米结构的LED表面实现出色的钝化保护层，有效地起到阻隔水氧的作用，提高性能；用ALD在LED表面沉积钝化膜还可以很好地修补被等离子刻蚀造成的破坏性表面，可有效降低漏电流，显著提高LED效率。

设备规格可处理样品量：克级工艺温度：温度范围：RT~450°C前驱体路数：最大支持4路前驱体气路（可定制)，包含固、液态前驱体源瓶加热系统：可加热温度范围：RT~150℃反应物路数：支持2路反应物气路（可定制）载气：标准：N2, MFC 流量控制（可定制）压力监测：三薄膜规组合（耐腐蚀)，0.005Torr - 1000Torr本底真空度：5x10-3 Torr真空系统：标准油泵控制系统：19寸显示器，支持触控工业级嵌入式工控机，高可靠性，支持扩展操作系统：Win7 操作系统，工业级可编程逻辑控制器，支持现场总线与实时多任务处理操作 工艺 可沉积薄膜种类和应用场景包括：&bull High-K介电材料 (Al2O3, H2O, ZrO2, PrA1Q, Ta2O5, La2O3) &bull 金属互联结构 (Cu, WN, TaN, Ru, In) &bull 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2):&bull 生物医学涂层 (TiN, ZrN, TiAIN, AlTIN) &bull 金属(Ru, Pd, Ir Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni） &bull 压电层 (ZnO, AIN, ZnS) &bull 透明电学导体 (ZnO:Al, ITO) &bull 光子晶体(ZnO, TiO2, Ta3N5) 等 机架&bull 框架采用进口铝材搭建，重量轻、承载能力强，散热性好&bull 外壳采用碳钢烤漆及圆角处理，轻便美观，拆卸方便，符合人体工学&bull 显示屏360度自由旋转，可调视距、视角、自由悬停 控制系统&bull 控制系统采用 PLC+工控机+19 寸触摸屏方式实现，系统通过高速以太网进行通讯。&bull 采用 PLC 对设备进行实时控制，同时实现基于Windows7 操作系统的人机界面互动，支持历史数据、工艺配方、报警及日志的储存和导入导出的功能&bull 设备支持“一键沉积”功能，点击运行按键即可自动完成真空抽取、升温、材料沉积、降温等一系列步骤。实现单一或多层材料的沉积；提供独立的手动操作页面，支持手动开关阀门的操作，人机交互同时支持鼠标、键盘和触摸的输入方式&bull 设备运行软件提供用户权限管理功能，可根据用户级别设定使用权限，防止误操作，保证设备和人身安全&bull 设备运行软件提供逻辑互锁功能，防止用户误操作，并弹出信息对话框进行提示&bull 设备运行软件集成安全及参数配置、IO互锁列表信息功能 真空系统 真空测量采用多真空压力计组合方式，工艺数据更真实，更迅速，更精确，为工艺人员提供井真的数据采集来源，为工艺的可重复性提供了可靠的保障应用领域1.纳米材料：ALD 技术沉积参数高度可控，可在各种尺寸的复杂三维微纳结构基底上，实现原子级精度的薄膜形成和生长，可制备出高均匀性、高精度、高保形的纳米级薄膜。ALD具有高致密性以及高纵宽比结构均匀性，为MEMS机械耐磨损层、抗腐蚀层、介电层、憎水涂层、生物相容性涂层、刻蚀掩膜层等提供优质解决方案。ALD技术沉积参数高度可控，可通过精准控制循环数来控制MTJ所需达到的各项参数，是适用于MTJ制造的最佳工艺方案之一。ALD技术可通过表面修饰，改善纳米孔的生物相容性，同时提升抗菌抑菌和促进细胞合成。2.太阳能电池：ALD基材料在c-Si太阳能电池中的应用始于Al2O3，Al2O3是一种非常有效的表面钝化层，被发现可以显着提高c-Si太阳能电池的效率并应用于大规模产业化中。此后的研究中，ALD的应用研究从表面钝化层扩展到载流子传输材料[8]。3.催化：ALD技术很容易地控制纳米颗粒的大小、孔隙结构、含量和分散，有效设计出核壳结构、氧化物/金属倒载结构、氧化物限域结构、具有多金属管套结构和多层结构，且独特的自限制特性可实现催化材料在高比表面材料上的均匀和可控沉积，实现一步步和“自底向上”的方式在原子层面上构建复杂结构的异质催化剂材料而得到广泛研究。利用ALD技术具有饱和自限制的表面反应特性，有效抑制金属有机化合物、配体的空间位置效应，天然的将金属中心原子互相隔离开，抑制金属原子聚集，合成单原子催化剂。利用ALD技术有效调控金属与载体间的相互作用的特性，可获得单金属催化剂，如Ru、Pt、Pd等贵金属。利用ALD技术能调控两种金属元素生长顺序、循环周期数的特性来精准得到双金属纳米催化剂，合成原子级精准的超细金属团簇，如PtPd、PtRu、PdRu等双金属纳米颗粒。利用ALD技术制备金属氧化物，不仅可以制备性能更加优良的多相催化剂，而且可以对负载型催化剂进行改性，达到修饰、保护催化剂的目的。4.锂电池：ALD在锂离子电池中的应用特点：（1）电极材料的制备和改性；（2）阴极材料上的保护镀膜；（3）阳极材料上的人造固体电解质相间（SEI）；（4）锂金属阳极钝化和防止枝晶生长；（5）ALD作用的固态电解质（SSE）；（6）隔离膜上的保护涂层原速科技ALD技术在锂电池领域的应用主要有以下几个方面：a、锂电池PP/PE隔膜包覆，改善隔膜的浸润性，耐压性，热收缩性能b、锂电池正极包覆，改善电池的倍率性能，循环性能等c、锂电池负极包覆，改善电池的倍率性能，循环性能以及安全性能5.光学镀膜：ALD薄膜以饱和吸附的layer-by-layer生长模式，可在结构复杂的几何表面，如大曲面及高纵深比深孔结构，大面积形成高均匀性薄膜，且膜层相较于PVD膜更为致密，在界面处的结合力更强，更适用于未来工业界先进精密光学器件的制造。6.生物医疗：ALD可以通过低温沉积形成非常致密的保护膜，由于是纳米级别的膜厚其本身对医疗设备也不会造成影响，沉积ALD涂层后可以大幅度增加植入设备的寿命以及安全性，也有可能有效的减少更换手术的频率；同时ALD有多种材料都具有生物相容性，这种涂层对人体组织是没有任何细胞毒性的，这使得在再生医学领域中，用于对细胞构建生物相容性底物的制备时，ALD沉积表面涂层能满足对新型生物相容性材料的需求；在药物方面，ALD涂层可以有效的保护颗粒不受周围空气和水分的影响，从而大幅度的延长药物的保质期。7.OLED：几十纳米厚度的ALD封装膜甚至可媲美传统OLED封装技术的阻隔效果，同时具有良好的透光率、热导率、机械强度、耐腐蚀性及与基底的粘结性等性质；ALD封装薄膜因其纳米级的膜厚，可以实现很大程度上的弯曲并保持封装效果不变，这一特性可完美兼容柔性OLED器件封装，真正做到显示屏的可折叠、卷曲；ALD薄膜优异的保型性使其在一些复杂形貌和三维纳米结构的LED表面实现出色的钝化保护层，有效地起到阻隔水氧的作用，提高性能；用ALD在LED表面沉积钝化膜还可以很好地修补被等离子刻蚀造成的破坏性表面，可有效降低漏电流，显著提高LED效率。

原子层沉积系统（Atomic Layer Deposition System，ALD)产地：美国 主要产品系列：1.ALD (传统的热原子层沉积)；2.PEALD (等离子增强原子层沉积)；3.Powder ALD (粉末样品的原子层沉积)； 仪器简介：原子层沉积（Atomic Layer Deposition，ALD），也称为原子层外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE），或原子层化学气相沉积（Atomic Layer Chemical Vapor Deposition，ALCVD）。原子层沉积是在一个加热反应的衬底上连续引入至少两种气相前驱体源，化学吸附至表面饱和时自动终止，适当的过程温度阻碍了分子在表面的物理吸附。一个基本的原子层沉积循环包括四个步骤：脉冲A，清洗A，脉冲B和清洗B。沉积循环不断重复直至获得所需的薄膜厚度，是制作纳米结构从而形成纳米器件极佳的工具。ALD的优点包括：1. 可以通过控制反应周期数精确控制薄膜的厚度，从而达到原子层厚度精度的薄膜；2. 由于前驱体是饱和化学吸附，保证生成大面积均匀性的薄膜； 3. 可生成极好的三维保形性化学计量薄膜，作为台阶覆盖和纳米孔材料的涂层；4. 可以沉积多组份纳米薄层和混合氧化物；5. 薄膜生长可在低温下进行（室温到400度以下）；6. 可广泛适用于各种形状的衬底；7. 原子层沉积生长的金属氧化物薄膜可用于栅极电介质、电致发光显示器绝缘体、电容器电介质和MEMS器件，生长的金属氮化物薄膜适合于扩散势垒。 技术参数：基片尺寸：6英寸、8英寸、12英寸；加热温度：25℃—400℃（可选配更高）；均匀性： 2%；前驱体数：4路（可选配6路）；兼容性： 可兼容100级超净室；尺寸：950mm x 700mm；ALD及PE-ALD技术； 原子层沉积ALD的应用包括：1) High-K介电材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3)；2) 导电门电极 (Ir, Pt, Ru, TiN)；3) 金属互联结构 (Cu, WN, TaN,Ru, Ir)；4) 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5)；5) 纳米结构 (All ALD Material)；6) 生物医学涂层 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN)；7) ALD金属 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni)；8) 压电层 (ZnO, AlN, ZnS)；9) 透明电学导体 (ZnO:Al, ITO) 10) 紫外阻挡层 (ZnO, TiO2) 11) OLED钝化层 (Al2O3) 12) 光子晶体 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5) 13) 防反射滤光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5)；14) 电致发光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce) 15) 工艺层如蚀刻栅栏、离子扩散栅栏等 (Al2O3, ZrO2) 16) 光学应用如太阳能电池、激光器、光学涂层、纳米光子等 (AlTiO, SnO2, ZnO) 17) 传感器 (SnO2, Ta2O5) 18) 磨损润滑剂、腐蚀阻挡层 (Al2O3, ZrO2, WS2)； 目前可以沉积的材料包括：1） 氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...2） 氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ... 3） 氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...4） 金属: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ... 5） 碳化物: TiC, NbC, TaC, ... 6） 复合结构材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ... 7） 硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...

德国Microdrop Technologies专注于为研发和工业应用领域的微液滴喷墨技术将近30年，是欧洲提供微纳米油墨高精确微量分配供应商,已成功应用到生命科学、材料科学和微纳加工制造等领域，并获得广泛的商业和学术认可，用户包括瑞士洛桑联邦理工学院、澳大利亚联邦科学与工业研究组织、德国耶拿大学和马克斯-普朗克研究所等，企业用户有罗氏诊断、巴斯夫、拜耳、杜邦和康宁等, 国内用户包括清华大学、上海大学、常州大学、中科院长春应化所、香港理工大学、香港城市大学和台湾工业技术研究院等。Microdrop以高分配准确度、多系列喷头、全面自动化、模块化组装和应用导向适应性为特点,可用于pl至μl级的微纳米材料高精确微量打印,是微纳米材料沉积及其它诸多领域的理想工具。产品包括括基于喷墨打印的Autodrop Compact实验级别，Autodrop Gantry II专业级及产业化级别和Autodrop Gantry流水线级别，AD系列,MD系列和基于阀技术的Nanojet系列。应用领域包括柔性印刷电子、有机OLED,QLED显示、传感器技术、皮升级量润滑、聚合物电子、微机械、光学和微量点样及生物医学系统.Materials Science Applications材料科学应用：Bio Medicine Science Applications生命医学领域应用：德国Microdrop产品系列：高精确定位沉积及倾斜自动补偿校准：高通量材料筛选制备工艺：样品制备是高通量材料筛选关键的一步，而采用喷墨打印技术进行高通量样品制备则更具挑战，德国Microdrop公司精密压电喷墨打印技术能稳定地分配微量液滴且适用于多种不同材料，同时创新的将压电喷印技术整合于移液管式喷头之中，能对基于96和384微孔板中的溶液进行全自动地吸取，打印，回收等操作。其配置高精度的定位系统及采用行进中点样模式，能对多种溶液进行精确，快速打印，从而制备高通量样品.Microdrop全系统可选喷头种类:Microdrop 喷头-除Nanojet外-使用与喷墨打印机同样的压电驱动技术用于非接触式分配，在喷嘴形成微细液滴，高速（约2m/s）从喷头分离。只有高惰性的材料如玻璃，PTFE（聚四氟乙烯）和PEEK（聚醚醚酮）与液体直接接触。不仅可用于分配室温下粘度从20mPas至10000mPas的蜡状材料也可通过加热将粘度降低至20mPas或更低，再进行分配，喷头的部分型号具有加热功能可完成此操作.Microdrop 喷头无机械移动部件，因此无损耗无需维护。Microdrop喷头MD-K-…能通过microdrop驱动电子设备 (MD-E-…) 或与Autodrop系统(AD-E-…)组合进行驱动。

用于沉积纳米级薄膜、纳米粉末包覆、长深孔样品镀膜 具有Thermal-ALD、PEALD、Particle-ALD和生产型ALD 具备近100种膜层工艺。应用领域：芯片封装、半导体High-k介电层、纳米涂层、3D涂层、锂电池、催化剂、太阳能电池、5G通讯（SAW器件）、生物医学仿生、荧光材料、OLED显示、有机材料、电子电路、光学膜等，细分及对应膜层如下：-High-K介电材料(Al2O3,HfO2,ZrO2,PrAlO,Ta2O5,La2O3)-导电门电极 (Ir, Pt, Ru, TiN)-金属互联结构 (Cu WN,TaN,Ru,Ir)-催化材料 (Pt,Ir,Fe,Co,TiO2,V2O5)-纳米结构 (All ALD Material)-生物医学涂层 (TiN,ZrN,TiAlN,AlTiN)-金属 (Ru,Pd,Ir,Pt,Rh,Co,Cu,Fe,Ni)-压电层 (ZnO,AlN,ZnS)-透明电学导体 (ZnO:Al,ITO)-紫外阻挡层 (ZnO,TiO2)-光子晶体 (ZnO,ZnS:Mn,TiO2,Ta3N5)-防反射滤光(Al2O3,ZnS,SnO2,Ta2O5)-电致发光器件(SrS:Cu,ZnS:Mn,ZnS:Tb,SrS:Ce)-工艺层如蚀刻栅栏、离子扩散栅栏等 (Al2O3,ZrO2)-光学应用如太阳能电池、激光器、光学涂层、纳米光子等 (AlTiO,SnO2,ZnO)-传感器 (SnO2,Ta2O5)-磨损润滑剂、腐蚀阻挡层 (Al2O3,ZrO2,WS2)-OLED钝化层 (Al2O3)功能特点：-采用热法和等离子法制备原子层纳米级薄膜-一个循环周期小于2秒钟-可以沉积有机高分子材料，实现表面亲疏水性-可以在纳米粉末或纳米颗粒上沉积薄膜-可以在三维、不规则体、带有长深孔（深宽比2500：1）样品上沉积薄膜-可以沉积低饱和蒸汽压材料-可增加在线椭偏仪和QCM检测-可增加等离子体装置-可扩展臭氧产生器-可集成手套箱设备-可增加Load-lock自动上下载片装置可沉积膜层：氧化物氮化物硫化物金属/碲化物

用于沉积纳米级薄膜、纳米粉末包覆、长深孔样品镀膜 具有Thermal-ALD、PEALD、Particle-ALD和生产型ALD 具备近100种膜层工艺。应用领域： 芯片封装、半导体High-k介电层、纳米涂层、3D涂层、锂电池、催化剂、太阳能电池、5G通讯（SAW器件）、生物医学仿生、荧光材料、OLED显示、有机材料、电子电路、光学膜等，细分及对应膜层如下： -High-K介电材料(Al2O3,HfO2,ZrO2,PrAlO,Ta2O5,La2O3) -导电门电极 (Ir, Pt, Ru, TiN) -金属互联结构 (Cu WN,TaN,Ru,Ir) -催化材料 (Pt,Ir,Fe,Co,TiO2,V2O5) -纳米结构 (All ALD Material) -生物医学涂层 (TiN,ZrN,TiAlN,AlTiN) -金属 (Ru,Pd,Ir,Pt,Rh,Co,Cu,Fe,Ni) -压电层 (ZnO,AlN,ZnS) -透明电学导体 (ZnO:Al,ITO) -紫外阻挡层 (ZnO,TiO2) -光子晶体 (ZnO,ZnS:Mn,TiO2,Ta3N5) -防反射滤光(Al2O3,ZnS,SnO2,Ta2O5) -电致发光器件(SrS:Cu,ZnS:Mn,ZnS:Tb,SrS:Ce) -工艺层如蚀刻栅栏、离子扩散栅栏等 (Al2O3,ZrO2) -光学应用如太阳能电池、激光器、光学涂层、纳米光子等 (AlTiO,SnO2,ZnO) -传感器 (SnO2,Ta2O5) -磨损润滑剂、腐蚀阻挡层 (Al2O3,ZrO2,WS2) -OLED钝化层 (Al2O3)功能特点：-采用热法和等离子法制备原子层纳米级薄膜-一个循环周期小于2秒钟-可以沉积有机高分子材料，实现表面亲疏水性-可以在纳米粉末或纳米颗粒上沉积薄膜-可以在三维、不规则体、带有长深孔（深宽比2500：1）样品上沉积薄膜-可以沉积低饱和蒸汽压材料-可增加在线椭偏仪和QCM检测-可增加等离子体装置-可扩展臭氧产生器-可集成手套箱设备-可增加Load-lock自动上下载片装置可沉积膜层： 氧化物氮化物硫化物 金属/碲化物

台式三维原子层沉积系统ALD原子层沉积（Atomic layer deposition, ALD）是通过将气相前驱体脉冲交替的通入反应器，化学吸附在沉积衬底上并反应形成沉积膜的一种方法，是一种可以将物质以单原子膜形式逐层的镀在衬底表面的方法。因此，它是一种真正的纳米技术，以控制方式实现纳米的超薄薄膜沉积。由于ALD利用的是饱和化学吸附的特性，因此可以确保对大面积、多空、管状、粉末或其他复杂形状基体的高保形的均匀沉积。 美国ARRADIANCE公司的GEMStar XT系列台式 ALD系统，在小巧的机身（78 x56 x28 cm）中集成了原子层沉积所需的所有功能，可多容纳9片8英寸基片同时沉积。GEMStar XT全系配备热壁，结合前驱体瓶加热，管路加热，横向喷头等设计， 使温度均匀性高达99.9%，气流对温度影响减少到0.03%以下。高温度稳定度的设计不仅实现在 8英寸基体上膜厚的不均匀性小于1%，而且更适合对超高长径比的孔径结构等3D结构实现均匀薄膜覆盖，可实现对高达1500：1长径比微纳深孔内部的均匀沉积。GEMStar XT 产品特点：■ 300℃ 铝合金热壁，对流式温度控制■ 175℃ 温控150ml前驱体瓶，200℃ 控输运支管■ 可容纳多片4，6，8英寸样品同时沉积■ 可容纳1.25英寸/32mm厚度的基体■ 标准CF-40接口■ 可安装原位测量或粉末沉积模块等选件■ 等离子体辅助ALD插件■ 多种配件可供选择GEMStar XT 产品型号：GEMStar -4 XT：■ 大4英寸/100 mm基片沉积■ 单路前驱体输运支管， 4路前驱体瓶接口■ 不可升为等离子体增强ALDGEMStar -6/8 XT：■ 大6英寸(150mm)/8英寸(200mm)基片沉积■ 双路前驱体输运支管， 8路前驱体瓶和CF-40接口■ 可升为等离子体增强ALDGEMStar -8 XT-P：■ 大8英寸/200mm基片沉积■ 双路前驱体输运支管， 8路前驱体瓶和CF-40接口■ 装备高性能ICP等离子发生器13.56 MHz 的等离子源非常紧凑，只需风冷，高运行功率达300W。■ 标配３组气流质量控制计（MFC）控制的等离子气源线，和一条MFC控制的运载气体线，使难以沉积的氧化物、氮化物、金属也可以实现均匀沉积。GEMStar NanoCUBE：* 大100 mm 立方体样品 沉积* 单路前驱体输运支管， 2路前驱体瓶接口* 主要用于3D多孔材料，以及厚样品的沉积丰富配件：多样品托盘：* 多样品夹具，样品尺寸（8", 6", 4"）向下兼容。* 多基片夹具，多同时容纳9片基片。 温控热托盘：* 可加热样品托盘，高温度500℃，可实现热盘-热壁复合加热方式。粉末沉积盘： 臭氧发生器： 真空进样器（Load Lock） 晶振测厚仪 前驱体瓶： 前驱体加热套：

美国SonoPlot是柔性印刷电子行业内畅销的高品质微纳米材料沉积喷墨打印系统(又名高分辨毛细作用直写打印系统)，广泛用于制备可控电极薄膜、聚合物光电器件、碳纳米管石墨烯器件、微电子器件 、不同材料的多重构筑以及定位定量微纳修补等应用领域。创新的超声谐振释放机制可以完美解决传统压电式喷墨打印技术线宽限制问题，打印不连续，打印材料受限，不能打印一维二维材料，薄膜不均匀，无法定位以及更换喷头昂贵的诸多技术瓶颈。

美国SonoPlot是柔性印刷电子行业内畅销的高品质微纳米材料沉积喷墨打印系统(又名高分辨毛细作用直写打印系统)，广泛用于制备可控电极薄膜、聚合物光电器件、碳纳米管石墨烯器件、微电子器件 、不同材料的多重构筑以及定位定量微纳修补等应用领域。创新的超声谐振释放机制可以完美解决传统压电式喷墨打印技术线宽限制问题，打印不连续，打印材料受限，不能打印一维二维材料，薄膜不均匀，无法定位以及更换喷头昂贵的诸多技术瓶颈。

原子层沉积技术NLD-4000（A）全自动原子层沉积系统概述：原子层沉积是一项沉积薄膜的重要技术，具有广泛的应用。ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。NLD-4000（A）全自动原子层沉积系统特点：NLD-4000（A）是一款全自动独立的PC计算机控制的ALD原子层沉积系统，带Labview软件，具备四级密码控制的用户授权保护功能。系统为全自动的安全互锁设计，并提供了强大的灵活性，可以用于沉积多种薄膜（如：AL2O3, AlN, TiN, ZrO2, LaO2, HfO2,等等）。应用领域包含半导体、光伏、MEMS等。NLD-4000（A）系统提供12”的铝质反应腔体，带有加热腔壁和气动升降顶盖，非常方便腔体的访问和清洁。该系统拥有一个载气舱包含多达7个50ml的加热汽缸，用于前驱体以及反应物，同时带有N2或者Ar作为运载气体的快脉冲加热传输阀。NLD-4000（A）全自动原子层沉积系统选配：NLD-4000（A）系统的选配项包含，ICP离子源(用于等离子增强的PEALD)，臭氧发生器，等等。NLD-4000（A）全自动原子层沉积系统应用：Oxides氧化物: Al203, HfO2, La2O3, SiO2, TiO ZnO, In2O3，etcNitrides氮化物: AlN, TiN, TaN, etc..Photovoltaic and MEMS applications光伏及MEMS应用.Nano laminates纳米复合材料

原子层沉积技术NLD-3500（A）全自动原子层沉积系统概述：原子层沉积是一项沉积薄膜的重要技术，具有广泛的应用。ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。NLD-3500（A）全自动原子层沉积系统特点：NLD-3500（A）是一款全自动独立的PC计算机控制的ALD原子层沉积系统，带Labview软件，具备四级密码控制的用户授权保护功能。系统为全自动的安全互锁设计，并提供了强大的灵活性，可以用于沉积多种薄膜（如：AL2O3, AlN, TiN, ZrO2, LaO2, HfO2,等等）。应用领域包含半导体、光伏、MEMS等。NLD-3500（A）系统提供12”的铝质反应腔体，带有加热腔壁和气动升降顶盖，非常方便腔体的访问和清洁。该系统拥有一个载气舱包含多达7个50ml的加热汽缸，用于前驱体以及反应物，同时带有N2或者Ar作为运载气体的快脉冲加热传输阀。NLD-3500（A）全自动原子层沉积系统选配：NLD-3500（A）系统的选配项包含，ICP离子源(用于等离子增强的PEALD)，臭氧发生器，等等。NLD-3500（A）全自动原子层沉积系统应用：Oxides氧化物: Al203, HfO2, La2O3, SiO2, TiO ZnO, In2O3，etcNitrides氮化物: AlN, TiN, TaN, etc..Photovoltaic and MEMS applications光伏及MEMS应用.Nano laminates纳米复合材料

NLD-3500（A）全自动原子层沉积系统概述：原子层沉积是一项沉积薄膜的重要技术，具有广泛的应用。ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。NLD-3500（A）全自动原子层沉积系统特点：NLD-3500（A）是一款全自动独立的PC计算机控制的ALD原子层沉积系统，带Labview软件，具备四级密码控制的用户授权保护功能。系统为全自动的安全互锁设计，并提供了强大的灵活性，可以用于沉积多种薄膜（如：AL2O3, AlN, TiN, ZrO2, LaO2, HfO2,等等）。应用领域包含半导体、光伏、MEMS等。NLD-3500（A）系统提供12”的铝质反应腔体，带有加热腔壁和气动升降顶盖，非常方便腔体的访问和清洁。该系统拥有一个载气舱包含多达7个50ml的加热汽缸，用于前驱体以及反应物，同时带有N2或者Ar作为运载气体的快脉冲加热传输阀。NLD-3500（A）全自动原子层沉积系统选配：NLD-3500（A）系统的选配项包含，ICP离子源(用于等离子增强的PEALD)，臭氧发生器，等等。NLD-3500（A）全自动原子层沉积系统应用：Oxides氧化物: Al203, HfO2, La2O3, SiO2, TiO ZnO, In2O3，etcNitrides氮化物: AlN, TiN, TaN, etc..Photovoltaic and MEMS applications光伏及MEMS应用.Nano laminates纳米复合材料

请通过我们的联系我们！分子层沉积系统MLD (Molecular Layer Deposition)是一种高级的有机聚合物薄膜与有机无机杂化膜制备技术，可以实现每个循环沉积一个分子层，精确控制厚度，在科研和工业界有非常好的发展前景。分子层沉积系统MLD相对于传统的有机聚合物薄膜沉积工艺（旋涂，热蒸发）而言，薄膜厚度精确可控（控制循环数），厚度更均匀、阶梯覆盖率和保型性更好、重复性更可靠。分子层沉积系统MLD：通过将两种反应气体（或者蒸汽）以气体脉冲形式交替地引入反应器，依靠留在基底表面的吸附分子（如羟基或氨基）进行反应而生成薄膜。由于每次参与反应的反应物局限于化学吸附于基底表面的分子，这使得 MLD 具有自限制生长特征。分子层沉积系统MLD目前可沉积的薄膜有： 有机聚合物物薄膜：Polyimide聚酰亚胺（热解可得到碳膜），Polyurea聚脲，Polyamide（聚酰胺（尼龙66），Polyimide–amide聚酰亚胺-酰胺，Polyurethane聚氨酯，Polythiurea聚硫脲，Polyester聚酯，聚乙二醇（PEG）等。 有机无机杂化薄膜：Al、Ti、Zn、Fe 的有机-无机杂化膜… 设备沉积部分薄膜均匀性数据：材料基片大小均匀性Al-EG(HQ, alucone)6”﹤1%Ti-EG(HQ, Tincone)6”﹤1%Zn-EG(HQ, zincone)6”﹤1%聚酰胺(polyamide)6”﹤3%聚酰亚胺(Polyimide)6”﹤3%聚脲(polyurea)6”﹤3%分子层沉积系统MLD应用领域：MLD沉积的有机聚合物薄膜、有机无机杂化薄膜、有机无机纳米叠层薄膜，可以用于微电子，MEMS， 薄膜封装、生物芯片，润滑，耐磨，耐腐蚀，防静电，阻燃，耐高温 防潮，防水保护层，药片薄膜衣等领域。MLD可实现单层、亚单层、埃级别的精确厚度控制，在分子水平上控制薄膜的形成和生长，并对形貌无特殊要求，能够在平面、粒子、纤维、多孔以及复杂结构上沉积薄膜。Polyimide聚亚酰胺与Ta2O5纳米叠层的介电常数与纳米力学性能：介电常数随Ta2O5含量增加而增加。薄膜的柔软度、弹性、塑性随Polyimide聚酰亚胺的增加而增加分子层沉积系统MLD沉积聚酰亚胺，热解成炭膜Al2O3/TMA+EG纳米叠层防水层：作为气体阻挡层，比单纯的氧化铝薄膜要好，WVTR值可达0.021 g/(m2day)，而氧化铝本身值为0.037 g/(m2day)，测试条件：85 °C，相对湿度85%。PEG薄膜作为防污薄膜-用于生物芯片MLD沉积PEG薄膜，可以提供厚度精确可控，高质量，防污的薄膜，使生物芯片具有高的选择性、稳定、可产业化。技术参数：反应器尺寸：4-8 英寸反应器温度：室温~400 oC前驱体源：4-6 路液/固源，2-3 路气源 MLD可与气相色谱、固定床/高压反应釜联用MLD 可与红外光谱仪联用以上类型 MLD，均可配备实验全程控制与监测系统、尾气处理等

Anric Technologies是由哈佛大学的研究人员创立的，旨在解决台式ALD工具市场的空白，专门致力于为小样品和低预算设计和优化的。Anric 已经开发了几种新的薄膜工艺，包括最近获得专利的用于生长二氧化硅薄膜的混合ALD工艺。AT-410 设计灵感来自哈佛大学从事各种沉积工艺和设备应用时的观察。技术参数：基片尺寸：4英寸；加热温度：25℃~350℃；温度均匀性：±1℃；前体温度范围：从室温至150℃，±2℃；可选择加热套；前驱体数：一次同时可处理多达 5 个 ALD 前体源；PLC 控制系统：7英寸16 位彩色触摸屏控制；模拟压力控制器：用于快速压力检测和脉冲监测样品上载：将样品夹具从边上拉出即可；压力控制装置：压力控制范围从0.1~1.5Torr两个氧化剂/还原剂源，如水，氧气或氨气；在样品上没有大气污染物，因为在沉积区的附近或上游处无 Elestamor O 型圈出现 氧化铝催化剂处理能力：6-10 次/分钟或高达 1.2 纳米/ 分钟高纵横比沉积，具有良好的共形性曝光控制，用于在 3D 结构上实现所需的共形性；预置有经验证过的 3D 和 2D 沉积的优化配方；简单便捷的系统维护及安全联锁；目前市面上占地小，可兼容各类洁净室要求的系统；可以为非标准样品而订制的夹具，如 SEM / TEM 短截线 原子层沉积ALD的应用包括：1) High-K介电材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3)；2)导电门电极 (Ir, Pt, Ru, TiN)；3)金属互联结构 (Cu, WN, TaN,Ru, Ir)；4)催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5)；5)纳米结构 (All ALD Material)；6)生物医学涂层 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN)；7) ALD金属 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni)；8)压电层 (ZnO, AlN, ZnS)；9)透明电学导体 (ZnO:Al, ITO) 10)紫外阻挡层 (ZnO, TiO2) 11) OLED钝化层 (Al2O3) 12)光子晶体 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5) 13)防反射滤光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5)；14)电致发光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce) 15)工艺层如蚀刻栅栏、离子扩散栅栏等 (Al2O3, ZrO2) 16)光学应用如太阳能电池、激光器、光学涂层、纳米光子等 (AlTiO, SnO2, ZnO) 17)传感器 (SnO2, Ta2O5) 18)磨损润滑剂、腐蚀阻挡层 (Al2O3, ZrO2, WS2)；

原子层沉积系统（Atomic Layer Deposition System，ALD)产地：美国Angstrom 主要产品系列：1.ALD (传统的热原子层沉积)；2.PEALD (等离子增强原子层沉积)；3.Powder ALD (粉末样品的原子层沉积)； 仪器简介：原子层沉积（Atomic Layer Deposition，ALD），也称为原子层外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE），或原子层化学气相沉积（Atomic Layer Chemical Vapor Deposition，ALCVD）。原子层沉积是在一个加热反应的衬底上连续引入至少两种气相前驱体源，化学吸附至表面饱和时自动终止，适当的过程温度阻碍了分子在表面的物理吸附。一个基本的原子层沉积循环包括四个步骤：脉冲A，清洗A，脉冲B和清洗B。沉积循环不断重复直至获得所需的薄膜厚度，是制作纳米结构从而形成纳米器件极佳的工具。ALD的优点包括：1. 可以通过控制反应周期数精确控制薄膜的厚度，从而达到原子层厚度精度的薄膜；2. 由于前驱体是饱和化学吸附，保证生成大面积均匀性的薄膜；3. 可生成极好的三维保形性化学计量薄膜，作为台阶覆盖和纳米孔材料的涂层；4. 可以沉积多组份纳米薄层和混合氧化物；5. 薄膜生长可在低温下进行（室温到400度以下）；6. 可广泛适用于各种形状的衬底；7. 原子层沉积生长的金属氧化物薄膜可用于栅极电介质、电致发光显示器绝缘体、电容器电介质和MEMS器件，生长的金属氮化物薄膜适合于扩散势垒。 技术参数：基片尺寸：4英寸、6英寸、8英寸、12英寸；加热温度：25℃—400℃（可选配更高）；均匀性： 1%；前驱体数：4路（可选配6路）；兼容性： 可兼容100级超净室；尺寸：950mm x 700mm；ALD，PE-ALD，粉末ALD技术； 原子层沉积ALD的应用包括：1) High-K介电材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3)；2) 导电门电极 (Ir, Pt, Ru, TiN)；3) 金属互联结构 (Cu, WN, TaN,Ru, Ir)；4) 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5)；5) 纳米结构 (All ALD Material)；6) 生物医学涂层 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN)；7) ALD金属 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni)；8) 压电层 (ZnO, AlN, ZnS)；9) 透明电学导体 (ZnO:Al, ITO) 10) 紫外阻挡层 (ZnO, TiO2) 11) OLED钝化层 (Al2O3) 12) 光子晶体 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5) 13) 防反射滤光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5)；14) 电致发光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce) 15) 工艺层如蚀刻栅栏、离子扩散栅栏等 (Al2O3, ZrO2) 16) 光学应用如太阳能电池、激光器、光学涂层、纳米光子等 (AlTiO, SnO2, ZnO) 17) 传感器 (SnO2, Ta2O5) 18) 磨损润滑剂、腐蚀阻挡层 (Al2O3, ZrO2, WS2)； 目前可以沉积的材料包括：1） 氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...2） 氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...3） 氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...4） 金属: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...5） 碳化物: TiC, NbC, TaC, ...6） 复合结构材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...7） 硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...

超小型桌面式平片原子层沉积系统原子层沉积（Atomic layer deposition)是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应腔体内并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种技术，具有自限性和自饱和。原子层沉积技术主要应用是在各种尺寸和形状的基底上沉积高精度、无针孔、高保形的纳米薄膜。 产品描述厦门韫茂科技公司研发的超小型桌式 ALD 原子层沉积设备是先进材料研究的有力设备之一，它可以在4寸晶元（向下兼容）和微纳米粉体上实现均匀可控的原子层沉积，具有广泛的应用领域，设各配有独立控制的300℃完整加热反应腔室系统，保证工艺温度均匀，该系统具有专利粉末样品桶、晶元載盘，全自动温控制、 ALD 前驱体源钢瓶、自动温度控制阀、工业级安全控制，以及现场 RGA 、 QCM 、臭氧发生器、手套箱等设计选项，是先进能源材料、催化剂材料、新型纳米材料研究与应用的最佳研发工具主要技术参数Mini Desktop ALD 技术参数 Technical Specifications （HfO2, ZnO, Al2O3, TiO2等制备）特色 Feature结构紧凑，世界上极小尺寸的桌式ALD World Smallest Footprint Desktop ALD功能 Function高端制造，功能强大，操作简易，维护方便样品最大尺寸Ф100mm (其他尺寸可定制）硅片或几克粉末样品反应温度 HeatingRT-450℃前驱体 Max Precursor最大可4组液态或固态反应前驱体, Max 4 Liquid/Solid Precursors，可定制 Can Be Customized 前驱体加热最高温度 Max Precursor Heating RT-200℃包覆均一性 Uniformity1% (Al2O3)成膜速率 Deposition Rate1A/Cycle (Al2O3)臭氧发生器Ozone Generator可选配，生产效率15g/h人机界面 HMI全自动化人机操作界面安全Safety工业标准安全互锁Industry Safety Interlock，报警Alarm，EMO

主要产品系列：1.ALD (传统的热原子层沉积)；2.PEALD (等离子增强原子层沉积)；3.Powder ALD (粉末样品的原子层沉积)；仪器简介：原子层沉积（Atomic Layer Deposition，ALD），也称为原子层外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE），或原子层化学气相沉积（Atomic Layer Chemical Vapor Deposition，ALCVD）。原子层沉积是在一个加热反应的衬底上连续引入至少两种气相前驱体源，化学吸附至表面饱和时自动终止，适当的过程温度阻碍了分子在表面的物理吸附。一个基本的原子层沉积循环包括四个步骤：脉冲A，清洗A，脉冲B和清洗B。沉积循环不断重复直至获得所需的薄膜厚度，是制作纳米结构从而形成纳米器件极佳的工具。ALD的优点包括：1. 可以通过控制反应周期数精确控制薄膜的厚度，从而达到原子层厚度精度的薄膜；2. 由于前驱体是饱和化学吸附，保证生成大面积均匀性的薄膜；3. 可生成极好的三维保形性化学计量薄膜，作为台阶覆盖和纳米孔材料的涂层；4. 可以沉积多组份纳米薄层和混合氧化物；5. 薄膜生长可在低温下进行（室温到400度以下）；6. 可广泛适用于各种形状的衬底；7. 原子层沉积生长的金属氧化物薄膜可用于栅极电介质、电致发光显示器绝缘体、电容器电介质和MEMS器件，生长的金属氮化物薄膜适合于扩散势垒。技术参数：基片尺寸：6英寸、8英寸、12英寸；加热温度：25℃—400℃（可选配更高）；均匀性： 2%；前驱体数：4路（可选配6路）；兼容性： 可兼容100级超净室；尺寸：950mm x 700mm；ALD及PE-ALD技术；原子层沉积ALD的应用包括：1) High-K介电材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3)；2) 导电门电极 (Ir, Pt, Ru, TiN)；3) 金属互联结构 (Cu, WN, TaN,Ru, Ir)；4) 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5)；5) 纳米结构 (All ALD Material)；6) 生物医学涂层 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN)；7) ALD金属 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni)；8) 压电层 (ZnO, AlN, ZnS)；9) 透明电学导体 (ZnO:Al, ITO) 10) 紫外阻挡层 (ZnO, TiO2) 11) OLED钝化层 (Al2O3) 12) 光子晶体 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5) 13) 防反射滤光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5)；14) 电致发光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce) 15) 工艺层如蚀刻栅栏、离子扩散栅栏等 (Al2O3, ZrO2) 16) 光学应用如太阳能电池、激光器、光学涂层、纳米光子等 (AlTiO, SnO2, ZnO) 17) 传感器 (SnO2, Ta2O5) 18) 磨损润滑剂、腐蚀阻挡层 (Al2O3, ZrO2, WS2)；目前可以沉积的材料包括：1） 氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...2） 氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...3） 氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...4） 金属: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...5） 碳化物: TiC, NbC, TaC, ...6） 复合结构材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...7） 硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...

国内高端粉末式原子层沉积系统 GM系列 原子层沉积（Atomic layer deposition)是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应腔体内并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种技术，具有自限性和自饱和。原子层沉积技术主要应用是在各种尺寸和形状的基底上沉积高精度、无针孔、高保形的纳米薄膜。 产品描述厦门韫茂科技公司的GM系列自动粉末原子层沉积设备它可以在微纳米粉体上实现均匀可控的原子层沉积或分子层沉积生长，GM1000的反应室可自动运行ALD(原子层沉积)或MLD(分子层沉积)，设备配有独立控制的300℃完整加热反应腔室系统，保证工艺温度均匀。该系统具有专利粉末样品桶、动态粉末流化机构、全自动温度控制、ALD前驱体源钢瓶、自动温度控制阀、工业级安全控制，以及现场RGA、QCM、臭氧发生器、手套箱等设计选项。是先进能源材料、催化剂材料、新型纳米材料研究与应用的最佳研发工具。主要技术参数G100 Powder ALD 技术参数 Technical Specifications (ZrO2, LiNbO3, Al2O3, LPT, LiS等制备）样品最大装载量 Capacity100g(可根据需求定制, 也可放置3D基体及多片平片样品反应温度 HeatingRT-300℃前驱体 Max Precursor最大可包括2组反应气体 8组液态或固态反应前驱体, Max 2 Gas and 8 Liquid/Solid Precursors 前驱体加热最高温度 Max Precursor Heating RT-200℃包覆均一性 Uniformity3%成膜速率 Deposition Rate1-2A/Cycle (Al2O3)臭氧发生器Ozone Generator可选配，生产效率15g/h人机界面 HMI全自动化人机操作界面安全Safety工业标准安全互锁Industry Safety Interlock，报警Alarm，EMOG1000 Powder ALD 技术参数 Technical Specifications (ZrO2, LiNbO3, Al2O3, LPT, LiS等制备）样品最大装载量 Capacity1000g(可根据需求定制, 也可放置3D基体及多片平片样品反应温度 HeatingRT-300℃前驱体 Max Precursor最大可包括2组反应气体 8组液态或固态反应前驱体, Max 2 Gas and 8 Liquid/Solid Precursors 前驱体加热最高温度 Max Precursor Heating RT-300℃包覆均一性 Uniformity3%成膜速率 Deposition Rate1-2A/Cycle (Al2O3)臭氧发生器Ozone Generator可选配，生产效率15g/h人机界面 HMI全自动化人机操作界面安全Safety工业标准安全互锁Industry Safety Interlock，报警Alarm，EMO

仪器简介：桌面型原子层沉积系统由哈佛大学纳米科学中心薄膜沉积工艺研究首席科学家Dr. Philippe de Rouffignac设计，基于多年纳米薄膜制备的丰富经验以及对科研工作者切实研究需要的了解，推出了此桌面型、高性能的原子层沉积系统。首台设备自2015年在CNS安装以来，到目前为止已有超过1500人次使用，人性化的设计、便捷的操作和优质的成膜工艺，赢得了众多科研工作者的赞誉。原子层沉积技术可沉积材料：氧化物: Al2O3, ZrO2, HfO2, Ta2O5, SnO2, RuO2, ZnO, SrTiO3等氮化物: TiN, NbN, TaN, Ta3N5, MoN, WN, TiSiN, SiN等 单一物质: Si, Ge, Cu, Mo, W, Ta, Ru等 半导体材料: GaAs, Si, InAs, InP, GaP, InGaP等原子层沉积系统可以广泛应用于: 半导体领域：晶体管栅极电介质层（高k材料），光电元件的涂层，晶体管中的扩散势垒层和互联势垒层（阻止掺杂剂的迁移），有机发光显示器的反湿涂层和薄膜电致发光(TFEL)元件，集成电路中的互连种子层，DRAM和MRAM中的电介质层，集成电路中嵌入电容器的电介质层，电磁记录头的涂层，集成电路中金属-绝缘层-金属（MIM）电容器涂层。 纳米技术领域：中空纳米管，隧道势垒层，光电电池性能的提高，纳米孔道尺寸的控制，高高宽比纳米图形，微机电系统（MEMS）的反静态阻力涂层和憎水涂层的种子层，纳米晶体，ZnSe涂层，纳米结构，中空纳米碗，存储硅量子点涂层，纳米颗粒的涂层，纳米孔内部的涂层，纳米线的涂层。技术参数：1. 腔室专为R&D设计和优化，样品尺寸达直径4’’,支持扩展6‘’；2. 反应腔温度可控范围：RT-350℃；3. 前驱体源温度可控范围：RT-150℃；4. 腔室处理压力可控范围：0.1-1.5 torr；5. 源扩展多达5个；6. 快速循环处理功能；7. 气路优化设计、腔体小型化设计；8. 一分钟多达6-10；9. 成熟的薄膜Recipes内置程序；10. 触屏PLC控制；11. 可配套手套箱使用；12. 可配备臭氧发生器；具体规格，欢迎与我公司联系。

等离子体强化的ALD设备 AD-230LP卓越的重复性和稳定性概要AD-230LP是一种原子层沉积（ALD）系统，能够在原子水平上控制薄膜厚度。有机金属原料和氧化剂交替供给反应室，仅通过表面反应进行薄膜沉积。该系统具有负载锁定室，且不向大气开放反应室，因此能够实现薄膜沉积的优良再现性。主要特点和优点可以在原子层水平上实现均匀的层控制。可实现高纵横比结构的共形沉积。具有优良的平面内均匀性和再现性，实现了稳定的工艺。采用独特的反应室结构，优化了原料的气路和气体流，抑制了粒子。通过采用电容耦合等离子体(CCP)系统，使反应室体积最小化，缩短了气体吹扫时间，加快了一个循环的速度。应用氮化膜（AlN、SiN）的形成和低温形成的氧化膜（AlOx、SiO2）。电子设备的闸门绝缘子半导体、有机EL等的钝化膜。半导体激光器的反射面在MEMS等3D结构上的沉积石墨烯上的沉积碳纳米管保护膜粉末涂层

原子层沉积技术可沉积材料：氧化物: Al2O3, ZrO2, HfO2, Ta2O5, SnO2, RuO2, ZnO, SrTiO3等氮化物: TiN, NbN, TaN, Ta3N5, MoN, WN, TiSiN, SiN等 单一物质: Si, Ge, Cu, Mo, W, Ta, Ru等 半导体材料: GaAs, Si, InAs, InP, GaP, InGaP等原子层沉积系统可以广泛应用于: 半导体领域：晶体管栅极电介质层（高k材料），光电元件的涂层，晶体管中的扩散势垒层和互联势垒层（阻止掺杂剂的迁移），有机发光显示器的反湿涂层和薄膜电致发光(TFEL)元件，集成电路中的互连种子层，DRAM和MRAM中的电介质层，集成电路中嵌入电容器的电介质层，电磁记录头的涂层，集成电路中金属-绝缘层-金属（MIM）电容器涂层。 纳米技术领域：中空纳米管，隧道势垒层，光电电池性能的提高，纳米孔道尺寸的控制，高高宽比纳米图形，微机电系统（MEMS）的反静态阻力涂层和憎水涂层的种子层，纳米晶体，ZnSe涂层，纳米结构，中空纳米碗，存储硅量子点涂层，纳米颗粒的涂层，纳米孔内部的涂层，纳米线的涂层。技术参数：1. 腔室专为R&D设计和优化，样品尺寸达直径4’’,支持扩展6‘’；2. 反应腔温度可控范围：RT-350℃；3. 前驱体源温度可控范围：RT-150℃；4. 腔室处理压力可控范围：0.1-1.5 torr；5. 源扩展多达5个；6. 快速循环处理功能；7. 气路最优化设计、腔体小型化设计；8. 一分钟多达6-10；9. 成熟的薄膜Recipes内置程序；10. 触屏PLC控制；11. 可配套手套箱使用；12. 可配备臭氧发生器；