纳米结构高速直写机

高端炭基材料高剪切乳化机，环保水性纳米碳材高速乳化机，碳纳米管材料高剪切乳化机，碳纳米管浆液高剪切乳化机混合机，碳纳米复合母胶高剪切乳化机，液体黄金复合母胶高剪切乳化机混合机设备，超导电纳米碳材高速自吸粉混合机乳化机，炭黑高速自吸粉混合机设备 碳纳米管是一维的纳米材料，在工程材料域，碳管以其优异的物理机械性能成为聚合材料理想的填料。具有优异的力学性能、导电、导热性能，因而被认为是聚合物基复合材料理想的力学强化和功能改性材料，采用碳纳米管制成的复合材料表现出良好强度、弹性和抗疲劳性，碳纳米管也逐渐用于橡胶制品、轮胎、塑料等工业中。 但是，碳纳米管的呈纳米纤维状，自身易团聚和缠结，且碳纳米管表面为规整的石墨晶片结构，表面惰性大，与聚合物基体亲和性差，导致碳纳米管在橡胶基质中的分散性差，而且成本也高，这些限制了碳纳米管在橡胶中的规模化应用。 在橡胶工业中，将碳纳米管填充到各种橡胶基体以提高橡胶基体的性能成为研究高端橡胶产品的理想共混复合材料之一，但碳纳米管自身有着很高的表面自由能，易发生团聚现象，碳纳米管与基体间的相互作用是另一个难题，碳管表面没有任何反应官能图，碳管的惰性使其与聚合物基体间化学界面作用弱，碳纳米管对聚合物基体的改善效果难达到预期，因此制备出尺寸均匀，分散好，性能稳定的碳纳米管及其复合材料是拓展其应用域的需要。 目，在碳管的分散性及其复合材料研究中已经取得许多进展。常用的方法中是将采用表面活性剂对碳管表面改性，将其悬浮液与胶乳复合制得复合母胶，该技术在一定程度解决了碳纳米管的分散，但由于表面活性剂中其它基团的加入会降低复合母胶的性能；因此需要提供一种避免活性剂的加入影响碳纳米管与聚合物间结合的技术方案。 针对现阶段技术中存在的问题，在碳纳米管分散均匀的基础上在其表面引入羧基、羟基等官能团，避免偶联剂的加入影响碳纳米管与胶乳之间的结合。一种高分散碳纳米复合母胶的制备方法，包括以下步骤：1、将碳纳米管在分散液中剪切，制得短切碳纳米管悬浮液；2、通入氧化气体对短切碳管悬浮液氧化，制得短切碳纳米管氧化液；3、将补强材料加入短切碳纳米管氧化液，制得碳纳米管浆液；4、在碳纳米管浆液中加入偶联剂，制得复合浆液；5、将天然橡胶胶乳分散于复合浆液中，制得碳纳米管-天然橡胶复合材料；6、将碳纳米管-天然橡胶复合材料凝固、干燥制得高分散碳纳米复合母胶。 上海依肯根据市场技术需求结合多年来积累的成功案例经验特别推出ERS2000系列高剪切乳化机（混合机），ERS2000在线式高速高剪切乳化机，主要用于微乳液及超细悬浮液的生产。由于工作腔体内三组乳化分散头(定子+转子)同时工作，乳液经过高剪切后，液滴更细腻，粒径分布更窄，因而生成的混合液稳定性更好。三组乳化分散头均易于更换，适合不同的工艺应用。该系列中不同型号的机器都有相同的线速度和剪切率，非常易于扩大规模化生产。 上海依肯ERS2000系列高剪切乳化机（混合机）设备参数选型表：型号 标准流量L/H输出转速rpm标准线速度m/s马达功率KW进口尺寸出口尺寸ERS 2000/4300-100014000442.2DN25DN15ERS 2000/5300010500447.5DN40DN32ERS 2000/10800073004415DN50DN50ERS 2000/202000049004437DN80DN65ERS 2000/304000028504455DN150DN125ERS 2000/407000020004490DN150DN125高端炭基材料高剪切乳化机，环保水性纳米碳材高速乳化机，碳纳米管材料高剪切乳化机，碳纳米复合母胶高剪切乳化机，液体黄金复合母胶高剪切乳化机混合机设备，超导电纳米碳材高速自吸粉混合机乳化机，炭黑高速自吸粉混合机设备。。。需要了解更多详情请致电上海依肯机械设备有限公司 销售工程师 徐蒙蒙 182-0189-1183，公司有样机可以免费为客户进行测试验证实验。

影响医药中间体胶体磨研磨效果的因素其实很简单，医药中间体高速胶体磨，医药中间体湿法超微粉碎机，医药中间体湿磨机，医药高速纳米研磨机 ，化工原料高剪切胶体磨，原料药高速纳米胶体磨，头孢类抗生素纳米胶体磨 所谓医药中间体，实际上是一些用于药品合成工艺过程中的一些化工原料或化工产品。这种化工产品，不需要药品的生产许可证，在普通的化工厂即可生产，只要达到一些的别，即可用于药品的合成。 我国每年约需与化工配套的原料和中间体2000多种，需求量达250万吨以上。经过30多年的发展，我国医药生产所需的化工原料和中间体基本能够配套，只有少部分需要进口。而且由于我国资源比较丰富，原材料价格较低，有许多中间体实现了大量出口。那么，我国医药中间体域面临哪些发展机遇呢？我国β－内酰胺类抗生素经过近50年的发展，已经形成了完整的生产体系。2012年几乎所有的β－内酰胺类抗生素（除利期内的品种外）我国都能生产，而且成本很低，青霉素产量居位，大量出口供应国际市场；头孢类抗生素基本能够自给自足，还能争取一部分出口。2012年，与β－内酰胺类抗生素配套的中间体我国全部能够自己生产，除了半合成抗生素的母核7－ACA和7－ADCA需要部分进口外，所有的侧链中间体均可生产，而且大量出口。 以β－内酰胺类抗生素的主要配套中间体苯乙酸为例，我国现有苯乙酸生产厂家近30家，总年产能力约2万吨。但多数企业规模偏小，大的年产2000吨，其他大多年产数百吨。2003年国内苯乙酸总需求量约1.4万吨，消费结构为：青霉素G占85%，其他医药占4%，香料占7%，农药及其他域占4%。随着国内香料、医药、农药等行业的发展，苯乙酸需求量将进一步增加。预计到2005年，我国医药工业将消耗苯乙酸约1.4万吨，农药行业将消费500吨，香料行业约消费2000吨。再加上其他域的消费量，预计2005年国内苯乙酸总需求量将达1.8万吨。 所以上海依肯机械设备有限公司根据日益增长的市场需求结合多年来积累的丰富的行业经验以及成功案例特别推出医药中间体CMD2000系列胶体磨突破传统意义上的粉碎机，是技术上的进一步革新。好的粉碎效果源自硬质刀具的表面结构，三组分散刀头，表面含有不同粒度大小的金属颗粒，这保证了物料在通过各刀头后达到理想的细化效果。该锥体磨独特的锥形设计，增大了冷却表面积，更利于长时间工作。 产品说明：锥体磨CMD2000是CM2000的更进一步。通过减少颗粒粒度和湿磨，可获得更细悬浮液，技术更创新。这是通过将锥形刀具间的间隙调节至小来完成的。间隙可进行无调节。好的粉碎效果亦源于硬质刀具的表面结构。刀具表面含高质材料。 第1由具有精细度递升的三锯齿突起和凹槽。定子可以无限制的被调整到所需要的与转子之间的距离。在增强的流体湍流下，凹槽在每都可以改变方向。 第2由转定子组成。分散头的设计也很好地满足不同粘度的物质以及颗粒粒径的需要。在线式的定子和转子（乳化头）和批次式机器的工作头设计的不同主要是因为在对输送性的要求方面，特别要引起注意的是：在粗精度、中等精度、细精度和其他一些工作头类型之间的区别不光是转子齿的排列，还有一个很重要的区别是不同工作头的几何学特征不一样。狭槽数、狭槽宽度以及其他几何学特征都能改变定子和转子工作头的不同功能。根据以往的惯例，依据以的经验特制工作头来满足一个具体的应用。医药中间体CMD2000系列胶体磨（研磨分散机）的特点：① 线速度很高，剪切间隙非常小，当物料经过的时候，形成的摩擦力就比较剧烈，结果就是通常所说的湿磨② 定转子被制成圆椎形，具有精细度递升的三锯齿突起和凹槽。③ 定子可以无限制的被调整到所需要的与转子之间的距离④ 在增强的流体湍流下，凹槽在每都可以改变方向。⑤ 高质量的表面抛光和结构材料，可以满足不同行业的多种要求。医药中间体CMD2000系列胶体磨设备参数选型表高速胶体磨流量*输出线速度功率入口/出口连接类型l/hrpmm/skWCMD 2000/470014000404DN25/DN15CMD 2000/55,00010,5004011DN40/DN32CMD 2000/1010,0007,3004022DN50/DN50CMD 2000/2030,0004,9004045DN80/DN65CMD 2000/3060,0002,8504075DN150/DN125CMD 2000/501000002,00040160DN200/DN150*流量取决于设置的间隙和被处理物料的特性，同时流量可以被调节到大允许量的10%。影响医药中间体胶体磨研磨效果的因素其实很简单，医药中间体高速胶体磨，医药中间体湿法超微粉碎机，医药中间体湿磨机，医药高速纳米研磨机 ，化工原料高剪切胶体磨，原料药高速纳米胶体磨，头孢类抗生素纳米胶体磨

碳纳米管浆料高剪切研磨分散机，超高速碳纳米管浆料高剪切研磨分散机设备厂家，碳纳米管浆料研磨分散机,锂电池浆料研磨分散机,导电浆料研磨分散机,锂电池研磨分散设备IKN研磨分散机,锂电池浆料分散难点,研磨分散机在锂电池浆料分散中的优势。 碳纳米管导电浆料主要由碳纳米管、其他导电填料、分散助剂、和溶剂组成其质量百分比组成为:碳纳米管:0.5-15%其他导电物质0.1-2%,分散剂:0.1-5%,其余为溶剂。 该碳纳米管导电浆料制备方法为:先将分散助剂溶解在溶剂中然后在搅拌条件下加入碳纳米管和其他导电填料,待碳纳米管和其他导电填料充分浸润后,采用IKN研磨分散机对浆料进行研磨分散几小时后即可得到稳定分散的碳纳米管导电浆料。本发明方法简单不破坏碳纳米管结构和导电性,所制得的碳纳米管导电浆料具有优良的导电性,且性质稳定均一,静置3个月后,浆料稳定性 90%。对于碳纳米管浆料以及其他锂电池浆料的研磨分散普遍存在着2个难以解决的问题:1、研磨的细度,传统的设备研磨设备是通过刀头去磨细，这样经常会破坏碳纳米管结构和导电性,使物料变性。而IKN研磨分散机.细化物料更多的是通过物料与物料直接的撞击来完成研磨细化的功能，不会破坏物料结构。2、容易形成二团聚体在碳纳米管粒径细化之后，由于分子之间的作用力，小的物料又会二次团聚从而影响zui终产品的物料粒径以及分散的效果。IKN研磨分散机很好的克服了二团聚的现象 IKN研磨分散机是研磨机和分散机-体化的设备,在碳纳米管浆料粒径细化后瞬间通过分散工作腔进行分散避免二次团聚的现象。 超高速碳纳米管浆料高剪切研磨分散机设备厂家CMD2000系列研磨分散设备是IKN(上海)公司经过研究刚刚研发出来的一款新型产品,该机特别适合于需要研磨分散乳化均质一步到位的物料。 我们将三高剪切均质乳化机进行改装我们将三变跟为一然后在乳化头上面加配了胶体磨磨头,使物料可以先经过胶体磨细化物料,然后再经过乳化机将物料分散乳化均质。胶体磨可根据物料要求进行更换(我们提供了2P,2G,4M,6F,8SF等五种乳化头供客户选择)。 碳纳米管浆料研磨式分散机是由锥体磨,分散机组合而成的高科技产品。第1由具有精细度递升的三锯齿突起和凹槽。定子可以无限制的被调整到所需要的与转子之间的距离。在增强的流体湍流下凹槽在每都可以改变方向 第二由转定子组成， 分散头的设计也很好地满足不同粘度的物质以及颗粒粒径的需要。碳纳米管浆料研磨分散机的特点：①线速度很高剪切间隙非常小当物料经过的时候形成的摩擦力就比较剧烈结果就是通常所说的湿磨。②定转子被制成圆椎形具有精细度递升的三锯齿突起和凹槽。③定子可以无限制的被调整到所需要的与转子之间的距离④在增强的流体湍流下凹槽在每都可以改变方向。⑤高质量的表面抛光和结构材料,可以满足不同行业的多种要求。碳纳米管浆料研磨分散机,锂电池浆料研磨分散机导电浆料研磨分散机,锂电池研磨分散设备锂电池浆料分散难点研磨分散机在锂电池浆料分散中的优势。

更快更成熟的培养细胞和组织纳米仿生拓扑结构培养皿建构培养细胞和组织，以提高生理相关性。 与在常规培养皿中培养的细胞相比，在纳米仿生培养皿中培养的细胞表现出增强的结构和表型发育。纳米仿生地形诱导细胞骨架重组和细胞对齐。 NanoSurface仿生培养皿沿用标准的应用于高质量成像的1.5号玻璃底。单皿 35mm Ø dish (20mm Ø pattern area)6孔板 35mm Ø wells (20mm Ø pattern area)24孔板 20mm Ø wells (full well area patterned)96孔板 5mm Ø wells (full well area patterned)No. 1.5 玻片NanoSurface纳米仿生拓扑培养皿快速建构和成熟以下众多细胞类型。骨骼肌细胞平滑肌细胞内皮细胞人类胚胎干细胞诱导多功能干细胞间充质干细胞成纤维细胞上皮细胞癌细胞如果没有仿生表面形貌，心肌细胞在常规培养表面上呈现随机取向，紊乱的收缩模式和不成熟的功能表型。仿生纳米级表面形貌模仿天然细胞外基质的对齐结构。纳米表面拓扑图案培养表面提供模拟天然细胞外基质的排列结构的细胞微环境，促进细胞结构和功能发育原生心肌的基础基质具有对齐的结构 (标尺 10 µ m)。

上海屹持光电技术有限公司专业提供各种微纳结构加工服务典型案例： FIB加工微纳结构 紫外光刻微纳结构单晶硅反应离子刻蚀图片 ICP刻蚀微纳结构纳米压印点线图微流控细胞打印EBL 刻写微纳阵列FIB用于器件电极沉积激光直写图案激光直写器件微纳结构加工主要设备1，电子束曝光系统；2，聚焦离子束/ 扫描电子显微镜双束系统；3，双面对准接触式紫外光刻机；4，单面对准紫外光刻机；5，金属高密度等离子体刻蚀机；6，硅刻蚀高密度等离子体刻蚀机；7，反应等离子体刻蚀机；8，纳米压印机。

秒激光直写光刻系统配件是专业为微纳结构的激光蚀刻而设计的激光直写光刻机，基于多光子聚合技术，适合市场上的各种光刻胶，能够以纳米精度和分辨率微纳加工各种三维结构。秒激光直写光刻系统配件特点激光光刻机3D模型制备直写光刻机直接激光刻划 激光光刻机整套系统到货即可使用激光光刻机提供100nm-10um的分辨率直写光刻机超小尺寸 激光光刻机3D模型的制备 这套三维光刻机由激光微加工系统软件控制，简单的3D模型通过这种软件即可生成，对于比较复杂的3D模型，用户可以通过Autodesk, AutoCAD等软件制作，然后导入到三维光刻机的软件中，这个软件支持.stl, dxf等格式的文件用于3D结构的制造。 激光光刻机激光直接读写 这套激光光刻机由飞秒激光光源，精密的3轴定位台和扫描镜组成。首先，待刻录的图形通过激光光刻机精密的激光聚焦系统直接从CAD设计中导入到光刻胶上。聚合物的双光子或多光子吸收用于形成高质量表面的3D结构。，这套激光蚀刻机提供纳米尺度分辨率和对聚合物的广泛选择，从而可以适合微纳光学,微流体,MEMS,功能表面制作等各种应用. 与CAD设计等同的3D结构形成后，未固化的光刻胶剩余物由有机溶剂洗掉,这样只留下蚀刻的微纳结构呈现在基板上。 激光光刻机后续工序： 在所需的微纳结构形成后，它被浸入到几种不同的溶剂中，以除去蚀刻过程中留下的液态聚合物。激光光刻机全部过程都是自动化的，重要参数可以根据要求而设定：浸入时间,温度等.对于特殊的样品或加工对象，可以使用紫外光或干燥机处理。秒激光直写光刻系统配件应用 ?激光光刻机用于纳米光子器件（三维光子晶体） ? 三维光刻机用于微流控芯片 ? 三维光刻机用于微光学（光学端面微结构制作） ? 激光光刻机制作机微机械 ?激光蚀刻机制作微型光机电系统 ? 激光光刻机,三维光刻机用于生物医学

孚光精仪品牌的多功能纳米硬度计配件通过扫描材料表面实现对材料力学性能的纳米尺度的高精度测量，精确给出硬度，弹性模量，杨氏模量等材料力学性能。多功能纳米硬度计配件特色具备原子力显微镜和纳米压痕仪的功能实现静态压痕和动态压痕测量以及测量最高位移测量能力可达300mkm, 最高负载科大100mN。采用模块化设计，可广泛集成原子力显微镜，光学显微镜，激光干涉仪器等尖端材料表面测量仪器，为用户提供综合性材料微观力学测试方案。多功能纳米硬度计配件选型4D紧凑型纳米硬度计4D紧凑型是全球结构最为紧凑小巧的纳米硬度测试仪，它采用纳米压痕法测量材料硬度和弹性模量（杨氏模量），负载高达2N,广泛用于材料力学性能测量研究。也非常适合大学或研究单位的纳米压痕仪测量硬度的教学或演示教学。4D标准型纳米硬度计4D标准型具有测量材料硬度，弹性模量和其它力学性能的功能。它采用静态和动态纳米压痕技术以及sclerometry方法测量材料性能。并且可以接触式或半接触式地测量材料表面形貌，采用光学显微镜高精度地对压头和样品进行精确互动性定位。纳米硬度计4D标准型还可以接入另外的传感器或测量模块，实现对材料表面进行其它测量。4D+增强型纳米硬度计4D+增强型配置是全球功能最多的多功能纳米硬度测量仪器。它具有纳米压痕仪和原子力显微镜的功能，具备了所有的物理和力学性能测量能力。它具有原子力显微镜测量模块，能够以纳米级分辨率研究压痕后留下的表面痕迹和图像，并能够全自动测量，可以批量处理分析测量结果。

纳米位移平台,真空纳米位移台由中国领先的进口光学精密仪器旗舰型服务商-孚光精仪进口销售,先后为北京大学,中科院上海光机所,中国工程物理研究院,航天3院,哈工大,南开,山东大学等单位提供优质进口的纳米位移平台,真空纳米位移台,纳米位移台.这款纳米位移平台是美国进口的高速高精度真空纳米位移台,它采用先进技术设计, 具有单轴或精密的双轴配置两种选择, 适合高真空环境和非磁性定位应用.美国进口高精度低价格系列纳米定位台，采用了陶瓷伺服电机驱动，非常适合要求精度达到纳米或压纳米的高精度和高重复精度的应用，例如：精密生命科学仪器、显微成像、纳米准直、微纳加工、光学精确定位等。X-TRIM 系列纳米位移台特色 10nm分辨率非接触线性编码系统双驱动任选:线性伺服或压电驱动高密度滚珠传导增加稳定性超紧凑的单轴或双轴纳米位移台紧凑型封装可真空使用超强工作能力，大吞吐量采用无铁芯直接驱动直线电机,驱动轴位于纳米位移台的中心线, 这种设计消除了非中心驱动导致的偏航,空回等问题.纳米位移台集成了一个高分辨率(12.5nm)非接触式线性编码器,它为闭环的伺服系统工作操作提供了精密反馈, 它的标准配置就可以提供纳米精度的定位.纳米位移平台使用能够了精密的滚珠导向系统确保了位移平台高精度性能和严格的轨迹控制。纳米位移平台也适合OEM使用,它具有较低抛面和较小尺寸，采用模块化设计，用户可堆叠使用创建多轴多部件系统。这款纳米位移平台使用了非接触式直接驱动技术，提供坚固，精确，高速的定位，满足高频率大工作量的需要。纳米定位平台使用了先进的无铁直线电机直接确定技术，确保最优异的纳米级定位性能。这款纳米定位台提供了高速度，高精度，高分辨率，高性能的卓越表现。它与传统的丝杠驱动或压电驱动相比，具有更大的工作效率和吞吐量。参数行程(mm): 25和50mm(单轴或双轴)驱动系统: 无铁芯直线电机或陶瓷伺服电机最大加速度: 由负载决定最大速度: 200mm/s (无负载时)最大推力: 24N最大负载: 2Kg精度: +/-1um/25mmTTL分辨率: 1-100nm/脉冲构造材料: 铝合金主体, 灰色氧化镀膜重复精度: 5倍精度XT 25XT 50XT 2525XT 5050Travel Length (mm)25 mm50 mm25 x 25 mm50x 50 mmTrajectory ControlAccuracyLinear Encoder± 1.0 &mu m± 2.0 &mu m± 2.0 &mu m± 4.0 &mu mStraightness/Flatness± 1.0 &mu m± 1.0 &mu m± 2.0 &mu m± 2.0 &mu mYaw/Pitch/Roll5 arc-sec5 arc-sec10 arc-sec10 arc-sec2 axis systemOrthogonalityStandard GradeNANA5 arc-sec5 arc-secHigh PrecisionNANA2 arc-sec2 arc-secExtra High PrecisionNANA1 arc-sec1 arc-sec

在扫描电镜、聚焦离子束和双束 系统上进行纳米操纵和测量的最 佳方案. 主要应用 纳米结构的电学测量和表征 纳米结构的力学测量和表征 微米纳米尺度组装 透射电镜、拉曼和其它分析仪器 的样品制备 表面科学实验和研究 纳米连接技术研发 原位纳米尺度样品定位

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更快更成熟的培养细胞和组织纳米仿生拓扑结构培养皿建构培养细胞和组织，以提高生理相关性。 与在常规培养皿中培养的细胞相比，在纳米仿生培养皿中培养的细胞表现出增强的结构和表型发育。纳米仿生地形诱导细胞骨架重组和细胞对齐。 NanoSurface仿生培养皿沿用标准的应用于高质量成像的1.5号玻璃底。单皿 35mm Ø dish (20mm Ø pattern area)6孔板 35mm Ø wells (20mm Ø pattern area)24孔板 20mm Ø wells (full well area patterned)96孔板 5mm Ø wells (full well area patterned)No. 1.5 玻片NanoSurface纳米仿生拓扑培养皿快速建构和成熟以下众多细胞类型。骨骼肌细胞平滑肌细胞内皮细胞人类胚胎干细胞诱导多功能干细胞间充质干细胞成纤维细胞上皮细胞癌细胞如果没有仿生表面形貌，心肌细胞在常规培养表面上呈现随机取向，紊乱的收缩模式和不成熟的功能表型。仿生纳米级表面形貌模仿天然细胞外基质的对齐结构。纳米表面拓扑图案培养表面提供模拟天然细胞外基质的排列结构的细胞微环境，促进细胞结构和功能发育原生心肌的基础基质具有对齐的结构 (标尺 10 µ m)。

本品利用&ldquo 绿色&rdquo 合成法，采用高稳定性半导体纳米晶及复合纳米 晶进行大规模合成制备。性能稳定，特点为CdSe及CdSe/ZnS核- 壳结构，不含有机磷，获得与传统合成工艺同样的效果。可广泛的 应用于发光二极管，太阳能电池，激射材料，生物映像，传感器件 等领域。上图为具有不同发射波长的CdSe/ZnS核-壳结构纳米晶的紫外- 可见吸收光谱和荧光光谱. 其荧光峰位分别为: (a) 517 nm (b) 527 nm (c) 572 nm (d) 615 nm. 图中照片为相应产品在365 nm紫外灯 照射下的实物照片。

纳米 cHiPLC 色谱柱纳米 cHiPLC 色谱柱仅限研究使用，不可用于诊断程序。SCIEX 纳米 cHiPLC 色谱柱旨在实现耐用性和易用性。 我们的制造流程采用独特的溢流口结构，可以将固定相微粒保留在色谱柱中。这些堰的重现性更高，而其死体积几乎为 0 (~13 pL)。相比于 nanoLC 色谱柱（采用熔融石英管制造而成，再加上由烧结的固定相微粒制成的筛板），cHiPLC 色谱柱更加耐用，而且更加容易操作和连接，不会产生死体积。简单：即插即用型芯片提升了简易性，并具备纳米柱的性能可扩展：在多用户实验室内快速切换工作流程和项目的灵活性每次：每天、柱间以及实验室间的结果均可重现色谱柱设计我们精心设计了捕集器-芯片和分析色谱柱-芯片，旨在实现相当于甚至优于填充毛细管的分离效果。利用熔融石英，可以使用圆柱形通道填充 nanoLC 色谱柱和捕集器。我们的 cHiPLC 色谱柱采用独特的堰结构，而非由熔融固定相微粒制成的传统筛板，可以将固定相微粒保留在色谱柱中。这些堰的重现性更高，而其死体积几乎为 0 (~13 pL)。此外，筛板材料上可能发生的样品组分吸收在这些类型的结构上并不会出现。获得专利的连接系统与每块芯片之间的连接通过获得专利的连接系统实现，该连接系统可以连接七个通往外部的通道，且死体积小于 1 nl。用于连接芯片的力为预设，因此用户每次更换芯片时，都能实现专门的防泄漏连接，无需用户进行任何调整。提升的柱间重现性除了在短短几秒内更换 nanoLC 色谱柱或捕集器的简易性外，使用我们的 cHiPLC 色谱柱也可提升柱间重现性。所有芯片均完全一样，而且我们的填充程序可以确保在 nanoLC 内实现最佳的柱间重现性。对于需要在多个色谱柱间长期保证保留时间稳定性的应用中，这一点非常重要。示例应用包括，结合使用保留时间与精确质量进行肽/蛋白质鉴定，以及使用编程 MRM 在生物标记物验证中进行肽定量。订货信息：纳米 cHiPLC 色谱柱和捕集柱具有多种固体相和柱长可选。cHiPLC 色谱柱部件号纳米 cHiPLC 色谱柱 75μm x 15cm ChromXP C18-CL 3μm 120A804-00001纳米 cHiPLC 色谱柱 75μm x 15cm ChromXP C18-CL 3μm 300A804-00003纳米 cHiPLC 色谱柱 75μm x 15cm ChromXP C18-CL 5μm 120A804-00002纳米 cHiPLC 色谱柱 75μm x 15cm ChromXP C18-CL 5μm 300A804-00004纳米 cHiPLC 色谱柱 75μm x 15cm ReproSil-Pur C18-AQ 3μm 120A804-00011纳米 cHiPLC 色谱柱 75μm x 15cm ChromXP C8-CL 3μm 120A804-00005纳米 cHiPLC 色谱柱 75μm x 15cm ChromXP C4-CL 5μm 300A804-00018纳米 cHiPLC 色谱柱 75μm x 15cm 石墨化碳 3μm 250A804-00020纳米 cHiPLC 色谱柱 75μm x 15cm HALO HILIC804-00022捕集柱部件号纳米 cHiPLC 捕集柱 200μm x 0.5mm ChromXP C18-CL 3μm 120A804-00006纳米 cHiPLC 捕集柱 200μm x 0.5mm ChromXP C18-CL 3μm 300A804-00008纳米 cHiPLC 捕集柱 200μm x 0.5mm ChromXP C18-CL 5μm 120A804-00007纳米 cHiPLC 捕集柱 200μm x 0.5mm ChromXP C18-CL 5μm 300A804-00009纳米 cHiPLC 捕集柱 200μm x 0.5mm ReproSil-Pur C18-AQ 3μm 120A804-00016纳米 cHiPLC 捕集柱 200μm x 0.5mm ChromXP C8-CL 3μm 120A804-00010纳米 cHiPLC 捕集柱 200μm x 0.5mm ChromXP C4-CL 5μm 300A804-00019纳米 cHiPLC 捕集柱 200μm x 0.5mm 石墨化碳 3μm 250A804-00021纳米 cHiPLC 捕集柱 200μm x 0.5mm HALO HILIC804-00023基于芯片的微粒捕集器（堰）（位于自动进样器和 cHiPLC nanoflex 之间）800-00354跨接器芯片部件号直接进样跨接器芯片800-00408捕集-洗脱跨接器芯片800-00389双柱跨接器芯片800-00421

300-900纳米铌酸锂单晶薄膜300-900纳米 铌酸锂单晶薄膜顶层器件层尺寸3, 4, (6) 英寸切向X, Z, Y切等材料铌酸锂厚度300-900 纳米掺杂（可选）掺镁埋层材料二氧化硅厚度1000-4000 纳米基底材料硅、铌酸锂、石英、熔融石英等厚度400-500 微米电极层（可选）材料铂金，金，铬厚度100-400 纳米位置在顶层器件层与埋层之间或埋层与基底之间铌酸锂单晶薄膜二氧化硅硅、铌酸锂、石英或熔融石英基底铌酸锂单晶薄膜金电极或铂金电极铌酸锂基底二氧化硅铌酸锂单晶薄膜金电极或铂金电极铌酸锂基底二氧化硅掺镁铌酸锂单晶薄膜铌酸锂基底二氧化硅首页 - 产品300-900纳米钽酸锂单晶薄膜300-900 纳米 钽酸锂单晶薄膜顶层器件层尺寸3, 4, 6 英寸切向 Y-42, Y-46.3, Z切等材料钽酸锂厚度300-900 纳米埋层材料二氧化硅厚度300-4000 纳米基底材料硅厚度400-500 微米钽酸锂单晶薄膜二氧化硅硅基底5-50微米硅基钽酸锂、铌酸锂、石英薄膜5-50微米 硅基钽酸锂、铌酸锂及石英薄膜顶层器件层尺寸3, 4, 6 英寸切向X, Z, Y-42, Y-46.3切等材料钽酸锂、铌酸锂、石英等厚度5-50 微米基底材料硅厚度230-500 微米钽酸锂单晶薄膜硅基底铌酸锂单晶薄膜硅基底石英薄膜硅基底自支持超薄晶片、超平晶片自支持超薄、超平晶片尺寸3, 4 英寸切向X, Y, Z, AT切等厚度10-60 微米材料铌酸锂、钽酸锂、石英、硅等表面双抛或单抛铌酸锂单晶薄膜钽酸锂单晶薄膜石英薄膜特殊定制薄膜特殊定制铌酸锂、钽酸锂、石英薄膜顶层/ 详情基底层顶层薄膜层多层结构图形电极&波导结构异质材料 (二氧化硅/硅,硅, 蓝宝石, 石英等)周期性极化反转铌酸锂PPLN特殊尺寸电极 (金, 铂金,铬, 铝等)切向 (与体材料相同 )掺杂 (镁, 铁, 铒, 铥等)100-1000 纳米铌酸锂√√√√√√√√100-1500 纳米 钽酸锂√√√√√√√5-50 微米铌酸锂√√√√5-50 微米钽酸锂√√√√5-50 微米石英√√√300-900纳米铌酸锂单晶薄膜300-900纳米 铌酸锂单晶薄膜顶层器件层尺寸3, 4, (6) 英寸切向X, Z, Y切等材料铌酸锂厚度300-900 纳米掺杂（可选）掺镁埋层材料二氧化硅厚度1000-4000 纳米基底材料硅、铌酸锂、石英、熔融石英等厚度400-500 微米电极层（可选）材料铂金，金，铬厚度100-400 纳米位置在顶层器件层与埋层之间或埋层与基底之间铌酸锂单晶薄膜二氧化硅硅、铌酸锂、石英或熔融石英基底铌酸锂单晶薄膜金电极或铂金电极铌酸锂基底二氧化硅铌酸锂单晶薄膜金电极或铂金电极铌酸锂基底二氧化硅掺镁铌酸锂单晶薄膜铌酸锂基底二氧化硅首页 - 产品300-900纳米钽酸锂单晶薄膜300-900 纳米 钽酸锂单晶薄膜顶层器件层尺寸3, 4, 6 英寸切向 Y-42, Y-46.3, Z切等材料钽酸锂厚度300-900 纳米埋层材料二氧化硅厚度300-4000 纳米基底材料硅厚度400-500 微米钽酸锂单晶薄膜二氧化硅硅基底5-50微米硅基钽酸锂、铌酸锂、石英薄膜5-50微米 硅基钽酸锂、铌酸锂及石英薄膜顶层器件层尺寸3, 4, 6 英寸切向X, Z, Y-42, Y-46.3切等材料钽酸锂、铌酸锂、石英等厚度5-50 微米基底材料硅厚度230-500 微米钽酸锂单晶薄膜硅基底铌酸锂单晶薄膜硅基底石英薄膜硅基底自支持超薄晶片、超平晶片自支持超薄、超平晶片尺寸3, 4 英寸切向X, Y, Z, AT切等厚度10-60 微米材料铌酸锂、钽酸锂、石英、硅等表面双抛或单抛铌酸锂单晶薄膜钽酸锂单晶薄膜石英薄膜特殊定制薄膜特殊定制铌酸锂、钽酸锂、石英薄膜顶层/ 详情基底层顶层薄膜层多层结构图形电极&波导结构异质材料 (二氧化硅/硅,硅, 蓝宝石, 石英等)周期性极化反转铌酸锂PPLN特殊尺寸电极 (金, 铂金,铬, 铝等)切向 (与体材料相同 )掺杂 (镁, 铁, 铒, 铥等)100-1000 纳米铌酸锂√√√√√√√√100-1500 纳米 钽酸锂√√√√√√√5-50 微米铌酸锂√√√√5-50 微米钽酸锂√√√√5-50 微米石英√√√铌酸锂单晶薄膜、钽酸锂单晶薄膜300-900纳米，5-50微米

产品特点：GATTA-AFM纳米标尺具有准确、高度平行的结构，可以完美地用于检测或优化原子力显微镜。在实际环境中测试原子力显微镜可以达到的分辨率非常重要，不仅可以测出原子力显微镜达到产品标称分辨率的可能性，还可以测出实际使用时可达到的极限。如今GATTA也提供适合测试的GATTA-AFM纳米标尺，现在，有了GATTA原子力显微镜纳米标尺之后，就有了足够的测试样品，这些样本用DNA做成，呈现70nm*90nm*2nm（高）的长方体形状。纳米标尺，AFM纳米标尺，原子力显微镜纳米标尺，共聚焦显微镜纳米标尺，超高分辨显微镜纳米标尺，SIM纳米标尺，STED纳米标尺，STORM纳米标尺，电镜纳米螺旋标尺，金纳米螺旋标尺，显微镜亮度灵敏度标尺，显微镜纳米标尺技术参数：

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微纳米图形的制作已成为半导体器件、微机电系统和纳米科学等研究中的基本手段。但传统设备昂贵、庞大，NanoPattern图形发生器可以利用电子束/离子束/探针具有容易控制和分辨率高的特点方便地获得微纳米图形。而且不像普通光刻机需要先制作掩膜，并且有更高的分辨率和灵活性。NanoPattern图形发生器可利用扫描电镜/聚焦离子束/扫描透射电镜的外接扫描口、束流测量装置和二次电子检测输出等而使其升级获得微纳米图形制作的功能并且不损失电镜原来的任何功能。结合扫描电镜/聚焦离子束/扫描透射电镜上的其他功能如电子

产品特点：GATTA-SIM系列的纳米标尺可以用于检测您的SIM系统的分辨率。该纳米标尺带有两个荧光标记，这些荧光标记都是来自于密集排列的高量子效率的染料分子。两个荧光标记之间的距离固定，尺寸包括120nm，140nm和160nm。我们为您提供带有以下颜色的不同尺寸的纳米标尺，包括：红色（ATTO 647N），黄色（Alexa Fluor 568）或蓝色（Alexa Fluor 488）。纳米标尺，AFM纳米标尺，原子力显微镜纳米标尺，共聚焦显微镜纳米标尺，超高分辨显微镜纳米标尺，SIM纳米标尺，STED纳米标尺，STORM纳米标尺，电镜纳米螺旋标尺，金纳米螺旋标尺，显微镜亮度灵敏度标尺，显微镜纳米标尺技术参数：

纳米单晶硅衬底2D线性纳米棒LIGHTSMYTH屹持光电提供各种纳米单晶硅衬底2D线性纳米棒，为工业和科研提供低成本的纳米光子学研究。基板可用于光学、生物学、化学、物理学（例如中子散射）、聚合物研究、纳米压印、微流体等各种应用。如果需要，可以用金属或介电涂层涂覆基底。大多数表面特征具有略微梯形的横截面轮廓，具有直平行台面和沟槽。也可以使用格状结构。提供多种特征尺寸和沟槽深度。可以在发货之前拍摄基板的SEM图像以验证确切的轮廓。表中显示的尺寸代表目标值。周期的精度优于0.5％，而沟槽深度和线和空间的宽度可能与目标值相差15％。SEM用于说明目的。可定制更精确尺寸信息。纳米单晶硅衬底2D线性纳米棒LIGHTSMYTH规格描述值基材宽度和高度公差标准公差±0.2 mm通光孔径（CA）距基板边缘0.5 mm（图案可延伸至基板边缘）基材厚度0.675±0.050mmCA表面质量P / N “-P”：60/40，最高20/10CA表面质量P / N “-S”：80/100CA外表面质量无要求材料单晶硅，反应离子蚀刻1、线性纳米棒（线+间隔）P/N周期（nm）凹槽深度（nm）工作周期1线宽度2（nm尺寸3（mm）SNS-C72-1212-50-P1395050％69.512.5×12.5×0.7SNS-C72-2525-50-P1395050％69.525×25×0.75SNS-C36-1212-110-P27811050％13912.5×12.5×0.7SNS-C24-1212-110-P416.611050％20812.5×12.5×0.7SNS-C20-0808-150-D45-P50015044％2208×8.3×0.7SNS-C20-0808-350-D45-P50035044％2208×8.3×0.7SNS-C20-0808-150-D60-P50015060％3008×8.3×0.7SNS-C20-0808-350-D60-P50035060％3008×8.3×0.7SNS-C18-2009-110-D50-P555.511050％27820×9×0.7SNS-C18-2009-140-D50-P555.514050％27820×9×0.7SNS-C18-2009-110-D29-P555.511029％15820×9×0.7SNS-C18-2009-140-D29-P555.514029％15820×9×0.7SNS-C16.7-0808-150-D45-P60015043％2608×8.3×0.7SNS-C16.7-0808-350-D45-P60035043％2608×8.3×0.7SNS-C16.7-0808-150-D55-P60015055％3308×8.3×0.7SNS-C16.7-0808-350-D55-P60035055％3308×8.3×0.7SNS-C16.5-2912-190-P60619050％30329×12×0.7SNS-C16.5-2912-190-S460619050％30329×12×0.7SNS-C16.5-2924-190-P60619050％30329×24.2×0.75SNS-C14.8-2410-170-P67517032％21824×10×0.7SNS-C14.8-2430-170-P67517032％21824×30.4×0.75SNS-C14.3-0808-150-D45-P70015047％3308×8.3×0.7SNS-C14.3-0808-350-D45-P70035047％3308×8.3×0.7SNS-C14.3-0808-150-D55-P70015055％3758×8.3×0.7SNS-C14.3-0808-150-D55-P70015055％3758×8.3×0.7SNS-C12-1212-200-P833.320050％41612.5×12.5×0.7SNS-C12-2525-200-P833.320050％41625×25×0.75SNS-C11.7-1212-200-P85520050％42812.5×12.5×0.7SNS-C11.7-2525-200-P85520050％42825×25×0.75纳米单晶硅衬底2D线性纳米棒LIGHTSMYTH1 占空比表示线（台面）宽度与周期的比率。2 表示台面的宽度值。3 第二维对应于凹槽长度。4 以“-S”结尾的是“科研”等级。它至少有80％的可用面积。可能存在高达80/100表面质量值。5 可提供更大的自定义尺寸2、2D纳米图案（矩形和六边形网格）P/N周期（nm）格子类型凹槽深度特征宽度（nm）尺寸（mm）S2D-24B3-0808-150-P700矩形1502608×8.3×0.7S2D-24B3-0808-350-P700矩形3502608×8.3×0.7S2D-18B3-0808-150-P700矩形1503508×8.3×0.7S2D-18B3-0808-350-P700矩形3503508×8.3×0.7S2D-24C2-0808-150-P600六角1501658×8.3×0.7S2D-24C2-0808-350-P600六角3501658×8.3×0.7S2D-18C2-0808-150-P600六角1502408×8.3×0.7S2D-18C2-0808-350-P600六角3502408×8.3×0.7S2D-24C3-0808-150-P700六角1502208×8.3×0.7S2D-24C3-0808-350-P700六角3502208×8.3×0.7S2D-18C3-0808-150-P700六角1502908×8.3×0.7S2D-18C3-0808-350-P700六角3502908×8.3×0.7S2D-24D2-0808-150-P600六角孔1501808×8.3×0.7S2D-24D2-0808-350-P600六角孔3501808×8.3×0.7S2D-18D3-0808-150-P700六角孔1502008×8.3×0.7S2D-18D3-0808-350-P700六角孔3502008×8.3×0.7S2D-24D3-0808-150-P700六角孔1502908×8.3×0.7S2D-24D3-0808-350-P700六角孔3502908×8.3×0.7rect posthex posthex hole相关产品：脉冲压缩透射光栅高功率光束组合光谱衍射光栅光通信透射衍射光栅纳米单晶硅衬底2D线性纳米棒

纳米级微球颗粒标准品（Particle-Size Standards）直径大小高度均一，具有NBS 的NIST认证，属于Duke Scientific公司荣誉出品Nanosphere Size Standards?系列产品中的聚合体微球标准品（苯乙烯单体聚合而成）。纳米级微球颗粒标准品应用广泛，电子显微镜领域、气液相微粒研究、色谱柱、激光散射研究等等，20-1000nm范围内的微球颗粒可以用来测量细菌、病毒、核糖体和细胞亚显微结构的大小。该产品以水溶液瓶装形式出售。聚合体密度为1.05g/ml；Refractive index of 1.58 @ 589 nm (25°C)。订购信息：货号正常直径Certified Mean Dia.Size UniformityStd. Dev.&C.V固体百分比7088120nm19nm+/-1.5nmNA1%7088350nm50nm+/-2.0nmNA1%70885100nm102nm+/-3.0nm7.6nm (7.5%)1%70886200nm204nm+/-3.1nm3.1nm (1.5%)1%70887300nm304nm+/-6.0nm4.5nm (1.5%)1%70888400nm404nm+/-4.0nm5.9nm (1.5%)1%70889500nm486nm+/-5.0nm5.4nm (1.1%)1%70890600nm600nm+/-5.0nm6.6nm (1.1%)1%70891700nm701nm+/-6.0nm9.0nm (1.3%)1%70892800nm802nm+/-6.0nm9.6nm (1.2%)1%70893900nm895nm+/-8.0nm9.1nm (1.0%)1%下面推荐的是最高级别测量标准品，对直径1-40um的颗粒来说，以下产品极具竞争力。订购信息：货号Nominal diameterCertifiedMean Dia.Size UniformityStd. Dev.&C.V.SolidsContent708941.0μm0.993+/-0.0210.010μm (1.0%)1.0%708952.0μm2.013+/-0.0250.022μm (1.1%)0.5%708963.0μm3.063+/-0.0270.03μm (1.0%)0.5%708975.0μm4.991+/-0.0350.06μm (1.2%0.3%7089810.0μm9.975+/-0.0610.09μm (0.09%)0.2%

石墨烯纳米薄片（2~10nm） Graphene Nanoplatelets体积特性外观：黑色和灰色粉末碳含量：＞99.5%体积密度：0.10克/毫升水含量：0.5 wt%残留杂质：0.5 wt%物理性质直径：5微米厚度：2-10 nm比表面积：20-40平方米/克电导率：80000秒/平方米拉伸强度：5 GPa结构特点：层状结构与石墨晶体相同产品名称厚度直径规格石墨烯纳米片（2~10nm）2~10nm~5um50g/500g石墨烯纳米片（1~2mm）1~2mm5~10um500mg石墨烯纳米片（1~5mm）1~5mm~5um1g/5g/10gGraphene nanoplatelets consist of stacks of multi-layer graphene sheets in a platelet morphology?with a high aspect ratio (width–to-thickness).True density: 2.3g/cm3

碳纳米管碳纳米管又称巴基管，作为一堆纳米材料，碳纳米管具有非常优异的力学、电学、化学性能且质量轻、韧性好。可用于碳纤维材料，复合材料的增强剂、场效应晶体管材料，电子发射源，化学传感器等。

产品特点：作为第一个超高分辨率显微技术的STED方法彻底改变了光学显微镜。适用于STED的校准探针--GATTA-STED纳米标尺也终于面世。标尺带有高量子效率的荧光标记染料ATTO 647N。两个荧光分子之间的距离固定，我们提供的尺寸包括：30nm，50nm，70nm和90nm。纳米标尺，AFM纳米标尺，原子力显微镜纳米标尺，共聚焦显微镜纳米标尺，超高分辨显微镜纳米标尺，SIM纳米标尺，STED纳米标尺，STORM纳米标尺，电镜纳米螺旋标尺，金纳米螺旋标尺，显微镜亮度灵敏度标尺，显微镜纳米标尺产品参数：

参数：Agnws-120平均直径/纳米：120平均长度/微米：20银纯度（%）：99.5浓度（毫克/毫升）：20Agnws-200平均直径/纳米：200平均长度/微米：25银纯度（%）：99.5浓度（毫克/毫升）：20Agnws-300平均直径/纳米：300平均长度/微米：30银纯度（%）：99.5浓度（毫克/毫升）：20Agnws-400平均直径/纳米：400平均长度/微米：30银纯度（%）：99.5浓度（毫克/毫升）：20Parameter:Agnws-120Average Diameter/nm：120Average Length/um：20Silver Purity (%)：99.5Concentration (mg/ml)：20Agnws-200Average Diameter/nm：200Average Length/um：25Silver Purity (%)：~99.5Concentration (mg/ml)：20Agnws-300Average Diameter/nm：300Average Length/um：30Silver Purity (%)：~99.5Concentration (mg/ml)：20Agnws-400Average Diameter/nm：400Average Length/um：30Silver Purity (%)：~99.5Concentration (mg/ml)：20

LightSmyth提供了大量的纳米加工单晶硅衬底，为工业和学术机构提供了一个低成本的纳米光子学研究入口。基底可用于光学、光子学、生物学、化学、物理学（如中子散射）、聚合物研究、纳米印迹、微流体学等领域。如果需要，基板可以涂上金属或介质涂层。大多数地表特征具有略微梯形的横截面轮廓，具有直线平行的台地和沟渠。晶格状结构也可用。提供了许多特征尺寸和沟槽深度。基板的扫描电镜图像可以在装运前拍摄，以验证准确的轮廓。产品特点Nanopatterned Silicon StampsII-VI offers a large variety of nanomachined single crystal silicon substrates providing a low-cost entry into nanophotonics research for industry and academic institutions. The substrates may be used in a variety of applications in optics, photonics, biology, chemistry, physics (e.g. neutron scattering), polymer research, nanoimprinting, microfluidics and others. If desired, the substrates can be coated with metallic or dielectric coating. Most of the surface features have slightly trapezoidal cross-section profiles with straight parallel mesas and trenches. Lattice-like structures are available as well. A number of feature sizes and trench depth is available. SEM images of the substrates may be taken prior to shipment to verify the exact profile.Dimensions shown in the table represent target value. Period has accuracy better than 0.5% while groove depth and the width of line and space may differ from the target values by 15%. SEM are given for illustration purposes. If more precise dimensional information is required, we may provide an SEM of the specific piece of nanostamp you order as an optional service通用参数(LightSmyth Nanopatterned Silicon Stamps 纳米图案硅片)描述数据基材宽度高度误差标准公差±0.2 mm净孔径（CA）距基板边缘0.5 mm（图案可延伸至基板边缘）基底厚度0.675 ± 0.050 mmCA的表面质量P／N以“p”结尾：划痕/挖：最大划痕宽度，最大最大直径。可提供高达20/10的规格CA的表面质量P/N以“-S”结尾：由于表面质量而打折的等级。至少有80%的可用面积。可能出现80/100划痕/挖痕/颗粒和不规则基底形状CA外表面质量无要求Material材料单晶硅，反应离子刻蚀2D NanostampsPart Number周期Period(nm)晶体类型Lattice Type槽深Groove Depth(nm)特征宽度Feature Width(nm)Size(mm)S2D-18B2-0808-350-P600Rect Post3502758.0 x 8.3S2D-18B3-0808-350-P700Rect Post3503508.0 x 8.3S2D-18C2-0808-350-P600Hex Post3502408.0 x 8.3S2D-18C3-0808-150-P700Hex Post1502908.0 x 8.3S2D-18C3-0808-350-P700Hex Post3502908.0 x 8.3S2D-18D3-0808-350-P700Hex Hole3502008.0 x 8.3S2D-24B2-0808-150-P600Rect Post 1501958.0 x 8.3S2D-24B2-0808-350-P600Rect Post 3501958.0 x 8.3S2D-24B3-0808-150-P700Rect Post 1502608.0 x 8.3S2D-24B3-0808-350-P700Rect Post 3502608.0 x 8.3S2D-24C2-0808-150-P600Hex Post1501658.0 x 8.3S2D-24C2-0808-350-P600Hex Post3501658.0 x 8.3S2D-24C3-0808-150-P700Hex Post1502208.0 x 8.3S2D-24D2-0808-150-P600Hex Hole1501808.0 x 8.3S2D-24D2-0808-350-P600Hex Hole3501808.0 x 8.3S2D-24D3-0808-150-P700Hex Hole1502908.0 x 8.3S2D-24D3-0808-350-P700Hex Hole3502908.0 x 8.3

上转换发光纳米粒子主要是由氧化物、氟化物、卤氧化物等基质掺杂三价稀土离子（如Er3+ , Eu3+ , Yb3+ , Tm3+ , Ho3+等）得到，通过多光子机制将红外光转换成可见光，为反Stokes发光；具有发射谱线窄，寿命长，发光稳定性好，不易受环境影响，生物毒性低，化学稳定性高等优点；广泛应用于生物荧光标记和成像、激光器、太阳能电池、防伪技术等领域。成分：NaYF4(Er/Tm, Yb)/NaYF4核壳结构激发波长：980 nm/ 808 nm发射峰：365 nm、475 nm、545 nm、655 nm、800 nm半峰宽：10 nm溶剂：溶于有机溶剂或水我们可根据客户需求，提供不同质量、膜尺寸的上转换高分子复合膜。由于此款产品为定制款，标价为参考价，具体价格请联系在线客服发射峰 & 吸收峰TEM测试图

碳具有 的特性： 按照质量，碳是宇宙中第4丰富的元素，也是 化学活性的元素之一。碳不仅能与其他元素结合，而且可与自身结合，形成最坚硬的金刚石和最软的石墨。碳还是有机化学和所有已知生命的根基。碳有几乎无限的应用。近年来，包括石墨烯（碳的二维形式）和单壁碳纳米管（主要为柱状石墨烯）在内的形态表现出非凡的属性，鼓舞着世界各地的科学家寻找各种用途。与石墨烯一样，单壁碳纳米管的属性充满前途，甚至有可能改变全球产业的面貌。与石墨烯不同的是，2014 年开始就有大量单壁碳纳米管在全球范围内供货。TUBALL由单壁碳纳米管构成，“成品”杂质含量极低（SWCNT含量≥75％），且在大多数应用中无需进一步的纯化。TUBALL具有独特的物理属性，可提高大多数材料的强度、导电性和/或导热性，包括聚合物复合材料、橡胶、金属和许多其他材料。与多壁碳纳米管、碳纤维和大多数类型的碳黑不同，TUBALL在添加 0.001％-0.1％ 的重量后即可显著改善材料属性。产品特点：填料重量含量达到 0.001％ 时开始展现功效同时提高材料属性（机械强度、导电性和导热性）各种潜在应用： 聚合物复合材料、橡胶、金属和许多其他材料高质量的SWCNT含量（数量 ≥ 75％，G/D大于50）无定形碳含量小（低于 1％）铁 (Fe) 催化剂颗粒包封在碳外壳中在大多数应用中，无需对生产过程做任何额外更改市场价格比具有同类质量和属性的所有其他产品低50倍技术参数规格计量单位数值评价方法碳含量wt.%85TGA, EDXCNTwt.%≥75TEM, TGA碳纳米管的层数单位1-2TEM碳纳米管的平均外径nm1.8±0.4拉曼光谱, TEMCNT长度um5AFM金属杂质wt.%EDX, TGA根据特定客户的要求，可对任何所需数量的TUBALL进一步纯化与功能化，从而达到以下规格：

产品特点:该方法STORM或dSTORM是在光学显微镜中最常用的超分辨率技术之一。GATTA-STORM系列的纳米标尺是现在这项技术的理想校准探针。为了模拟你的STORM或dSTORM测量值作为传真尽可能标尺携带常用染料的AlexaFluor 647.我们提供的尺寸标记到标记距离30nm，50nm和94nm。纳米标尺，AFM纳米标尺，原子力显微镜纳米标尺，共聚焦显微镜纳米标尺，超高分辨显微镜纳米标尺，SIM纳米标尺，STED纳米标尺，STORM纳米标尺，电镜纳米螺旋标尺，金纳米螺旋标尺，显微镜亮度灵敏度标尺，显微镜纳米标尺技术参数：

纳米颗粒分析仪配件用于观测和分析液体中的微小颗粒的布朗运动速率与尺寸分布相关，采用纳米颗粒跟踪分析（NTA）技术，通过激光散射装置（纳米观测）与超显微镜ultra-microscope和NTA软件的相结合，生成纳米颗粒图像，是全球领先的纳米粒度分析仪。纳米颗粒分析仪配件 纳米观测原理纳米颗粒分析仪使用纳米透视Nano-Insight 激光散射模块，可以通过顶眼超显微镜观测到液体中的纳米粒子。采用不同激光散射颗粒在矩阵中表现为模糊点。模糊点根据其各自的布朗运动而移动。液体中有不同的布朗运动粒子。小粒子比大粒子受到相邻粒子的影响更少。因此，在超显微图像中，较大的粒子有大的模糊外观。 NTA能够追踪粒子的相应路径。纳米观测模块纳米观测模块的设计，可以使其安装在超显微镜，顶眼纳米的底板。可以通过Mishell软件来控制该模块。Mishell软件控制着纳米观测模块以及照相机。根据应用决定在纳米观测模块装备一个或多个激光器。激光器以一种特殊的方式排列。左侧图片上展示的是纳米观测图。较小的粒子比较大的粒子移动更快。我们用摄像机同时跟踪每个粒子。顶眼超显微镜顶眼超显微镜将进入模糊点的散射光可视化。用适当的时间分辨跟踪，模糊云可被分配并与各自的粒径相关。粒子的布朗运动图像是唯一的。下面将给出例子。每个模糊点代表单个粒子。NTA 软件上图展示的是NTA分析的典型图像。散射激光被捕获到模糊点，要根据时间函数跟踪模糊点。我们跟踪每个模糊点。跟踪每个粒子的方法，得到的技术结果是高分辨率。我们正在寻找与图像相关的量，当我们知道相关的量后，我们就可以极其精确地确定各种粒子的浓度。该技术将会带起许多可能的应用。例如，可能也可以使用荧光激光器。使用荧光激光器，可以瞄准复杂的基质里的一个粒子。该技术带来的好处是，用户可以在视觉上检查并且通过观察相应图像验证所有可能的应用。MiNan是Mishell® 内的一个模块- 扩展图像分析软件包，被认为是市场上最先进的图像分析软件。MiNan是一个子程序，可以进行Morphious纳米粒子分析的全部描述。MiNan是自带Morphious纳米系统的软件，研发用于纳米粒子的可视化以及纳米粒子的大小、形状（形态）和浓度的测量。每个粒子是一个个体，但通过观测扩散同时被分析。这种一个粒子后接一个粒子的方法产生高分辨率的结果，即粒子的尺寸分布和浓度分辨率高，同时视觉验证让用户对数据有了额外的信心。当荧光模式检测标记粒子时，粒子尺寸和浓度，蛋白质聚集和粘度都可以被分析。纳米颗粒分析仪配件应用?在制药或复合产业研发药物?用于病毒筛查?用于开发纳米生物标记物或毒物筛查?用于蛋白质聚集的动力学模型研究?用于通过膜泡的表征研究疾病?用于促进纳米复合材料的发展纳米颗粒分析仪配件特色?在同一时间多粒子高通量表征?实时视觉展示粒子，允许用户评估试验，无需额外复杂性?方便和易于使用的软件，允许用户通过宏设置任何实验?添加像高通量自动采样器，泵或加热和制冷配件?自适应模块化系统构建任何复杂的应用程序，操作轻松舒适?超级高效和购买成本低?该系统提供高分辨率的粒度特性来研究复杂的多分散矩阵?激光波长可选择?通过给过滤器添加电动轮，得到自适应荧光分析纳米颗粒分析仪配件参数?尺寸10 nm - 2000 nm*?浓度 106 - 109 粒子/ mL?荧光检测纳米颗粒分析仪配件规格温度范围15-40 °C电源230V AC/115V AC, 50/60 Hz摄像机USB3 CMOS分辨率：1936x1216 161帧/秒，像素尺寸5.86μm：颜色校准模块功耗18W激光波长405nm（紫色），488nm（蓝），532nm（绿），642nm（红色）尺寸范围从10 nm到2000 nm (取决于材料)焦点电脑控制电动调焦个人计算机SDD亿康II SDSSDHII-120G-G25HDD西数蓝WD10EZEX1 TB|主板千兆字节GA-Z97X-UD3H|内存金士顿骇客神条怒黑| HX318C10FBK2/1616 GB DDR3-RAM处理器英特尔® 酷睿™ i7 i7-4790K四核4×4.0 GHz显卡 PNY VCQK2200-PB 4GB电源 酷冷至尊G750M 750w机箱 酷冷至尊黑软件Windows® ＆（或更高）.由Mishell® 供电Mishell是Microptik BV公司的注册商标。Windows是微软公司的注册商标。MiNan尖端程序在Mishell下运行，以充分体现由Morphious纳米获得的纳米粒子尺寸（长×宽×高）20 x 18 x 30 cm重量10.5 kg

纳米显微操纵仪由微操纵仪、控制器、控制电源及操纵杆组成，微操纵仪的驱动是由压电陶瓷构成的纳米马达来实现的，从而保证能够进行纳米级精确移动。整个微操纵装置体积非常小，即使是操作精度高达几纳米也不会产生后座力及漂移。微操纵仪可直接在样品室内接触、操纵样品，从而使对样品的物性分析成为可能，而且多个操纵仪的联合使用可从事微纳尺度的样品的加工和组装。操纵仪有以下型号以适用于不同的环境：MM3A-LMP用于光镜；MM3A-EM用于电镜；MM3A-UHV用于超高真空环境；MM3A-LT用于低温环境。