纳米图像束曝光系统

【Gatan】697 Ilion II Datasheet 宽束氩离子抛光系统 品牌： GATAN 名称型号：氩离子抛光系统Ilion II 697制造商： GATAN公司经销商：欧波同有限公司产品综合介绍 产品功能介绍氩离子抛光系统是一个用于样品的截面制备及平面抛光的桌面型制样设备，以便样品在SEM及其它设备上进行检测分析。可利用IlionII进行抛光加工的材料种类十分广泛，包括由多元素组成的试样，以及具有不同的机械硬度、尺寸和物理特性的合金、半导体材料、聚合物和矿物等。如焊缝截面，集成电路焊点，多层薄膜截面，颗粒、纤维断面，复合材料、陶瓷、金属及合金、岩石矿物及其他无机非金属等各种材料的SEM、EBSD样品。品牌介绍美国Gatan公司成立于1964年并于70年代末进入中国市场。Gatan公司以其产品的高性能及技术的先进性在全球电镜界享有极高声誉。作为世界领先的设计和制造用于增强和拓展电子显微镜功能的附件厂商，其产品涵盖了从样品制备到成像、分析等所有步骤的需求。产品应用范围包括材料科学、生命科学、地球物理学、电子学，能源科学等领域， 客户范围涵盖全球的科研院所，高校，各类检测机构及大型工业企业实验室，并且在国际科学研究领域得到了广泛认同。经销商介绍欧波同有限公司是中国领先的微纳米技术服务供应商，是一家以外资企业作为投资背景的高新技术企业，总部位于香港，分别在北京、上海、辽宁、山东等地设有分公司和办事处。作为蔡司电子显微镜、Gatan扫描电子显微镜制样设备及附属分析设备在中国地区最重要的战略合作伙伴，公司秉承“打造国内最具影响力的仪器销售品牌”的经营理念，与蔡司，Gatan品牌强强联合，正在为数以万计的中国用户提供高品质的产品与国际尖端技术服务。 产品主要技术特点氩离子抛光系统采用两支具有低能聚集的小型潘宁离子枪，可提供快速柔和的抛光效果。低至100eV的离子束提供更柔和的抛削效果，用于样品的终极抛光。新型低能聚焦电极使得离子束的直径在几乎整个加速电压范围内都保持恒定。每个枪都可准确独立地将离子束对中在样品上，从而产生极高的离子抛光速率。在操作过程中，可随时改变枪的角度。通过控制气体流量可将枪电流变化范围控制在0~100mA之间。在触摸屏上通过手动或者自动方式调节气体流量使每个枪的工作电流得到最优化。 集成的10英寸彩色触摸屏计算机可对Ilion II的所有操作参数进行完全控制。此界面不仅可以设定所有参数并能够监控抛光过程。所有的操作参数还可以存为配方，调用配方可获得高精度重复实验。 涡轮分子泵搭配两级隔膜泵保证了超洁净环境。Gatan专利的气动控制Whisperlock技术能实现快速样品交换（ 1分钟），省去了换样过程中必须完全泄真空至大气的烦恼。1. 气锁装置实现快速样品交换、始终保持洁净的高真空状态2. 10英寸触摸屏可对系统进行完全控制与监测3. 配方模式的控制界面，用于一键操作4. 质量流量控制器提供精确和可重复的氩离子电流的控制5. 枪电压范围为100V到8000V的三元（阴极、阳极与聚焦极）构造潘宁离子枪6. 每个枪的抛光角度可调范围为-10度~10度，增量为0.1度7. 扇形抛光角度可变且可程序化，范围从10度~90度8. 离子枪无需零件更换，寿命超过30,000小时9. Gatan专利的样品/挡板配置，装样简单，再次抛光位置准确10. 独特的离子束调制功能，可进行扇形抛光和平面抛光11. 洁净的真空系统，分子泵与隔膜泵搭配12. 操作简单，维护方便 抛光前- 俯视SEM图CuInSe2样品 抛光90S后SEM 图 CuInSe样品 产品主要技术参数： 1、 离子枪：两个配有稀土磁铁的三元构造（阴极、阳极与聚焦极）潘宁离子枪，聚焦离子束设计,高性能无耗材2、 抛光角度： +10° 到 -10° ，每个离子枪可独立调节3、 离子束能量：100 V 到 8.0 kV4、 离子束流密度：10 mA/cm2 峰值5、 抛光速度：300 μm/h（8.0 kV条件下对于硅试样）4.2样品台6、 样品装载： Ilion专利的样品挡板, 装样简单，再次抛光位置准确，可重复使用，配合Sample Stub可直接转至SEM中观察 7、样品旋转：0.5到6 rpm连续可调8、束流调制：独特的离子束调制功能，可进行扇形截面抛光（扇形角度为10到90度可调）和平面抛光。9、样品观察：数码变焦显微镜，配有PC及Digital Micrograph软件采集图像，通过Gatan Digital Micrograph软件可进行实时成像（300x–2,200x）与图像存储和分析10、液氮冷台：配置液氮冷台，样品最低温度可达-120°C,有效减少离子束对样品造成的损伤 4.3真空系统11、干泵系统：两级隔膜泵支持80升/秒的涡轮分子泵12、压力：5x10-6 托基本压力，8.5x10-5托工作压力13、真空规：冷阴极型，用于主样品室；固体型，用于前级机械泵14、样品空气锁： 独特的Whisperlok设计，样品更换时间1Min，无需破样品室真空4.4用户界面15、10 英寸触摸屏： 操作简单，且能够完全程序化控制所有参数可进行配方操作。16、配方操作模式：自定义不同的加工参数组合，实现一键操作。 产品主要应用领域： EBSD样品制备截面样品制备金属材料（合金，镀层）石油地质岩石矿物光电材料化工高分子材料新能源电池材料电子半导体器件PCB电路版截面抛光SEM图镀锌钢板截面抛光Zn晶粒 Fe晶粒

基于改装SEM纳米图形电子束曝光机NPGS V9.2仪器简介：在过去的几年中，半导体器件和IC生产等微电子技术已发展到深亚微米阶段及纳米阶段。为了 追求晶片更高的运算速度与更高的效能，三十多年 来，半导体产业遵循著摩尔定律 （Moore’s Law）：每十八个月单一晶片上电晶体的数量倍增，持续地朝微小化努力 。为继续摩尔定律 ，在此期间，与微电子领域相关的微/纳加工技术得到了飞速发展，科学家提出各种解决方案如：图形曝光（光刻）技术、材料刻蚀技术、薄膜生成技术等。其中，图形曝光技术（微影术）是微电子制造技术发展的主要推动者，正是由于曝光图形的分辨率和套刻精度的不断提高，促使集成电路集成度不断提高和制备成本持续降低。 电子束曝光系统（electron beam lithography, EBL）是一种利用电子束在工件面上扫描直接产生图形的装置。由于SEM、STEM及FIB的工作方式与电子束曝光机十分相近，美国JC Nabity Lithography Systems公司成功研发了基于改造商品SEM、STEM或FIB的电子束曝光装置（Nanometer Pattern Generation System纳米图形发生系统，简称NPGS，又称电子束微影系统）。电子束曝光技术具有可直接刻画精细图案的优点，且高能电子束的波长短（ 1 nm），可避免绕射效应的困扰，是实验室制作微小纳米电子元件非常好的选择。相对于购买昂贵的专用电子束曝光机台，以既有的SEM等为基础，外加电子束控制系统，透过电脑介面控制电子显微镜中电子束之矢量扫描，以进行 直接刻画图案，在造价方面可大幅节省 ，且兼具原SEM 的观测功能，在功能与价格方面均具有优势。由于其具有高分辨率以及低成本等特点，在北美研究机构中，JC Nabity的NPGS是非常热销的配套于扫描电镜的电子束微影曝光系统，而且它的应用在世界各地越来越广泛。 NPGS的技术目标是提供一个功能强大的多样化简易操作系统，结合使用市面上已有的扫描电镜、扫描透射电镜或聚焦离子束装置，用来实现艺术级的电子束或离子束平版印刷技术。NPGS能成功满足这个目的，得到了当前众多用户的强烈推荐和一致肯定。 应用简述 基于改装SEM纳米图形电子束曝光机NPGS V9.2能够制备出具有高深宽比的微细结构纳米线条，从而为微电子领域如高精度掩模制作、微机电器件制造、新型IC研发等相关的微/纳加工技术提供了新的方法。NPGS系统作为制作纳米尺度的微小结构与电子元件的技术平台，以此为基础可与各种制程技术与应用结合。应用范围和领域取决于客户的现有资源，例如： NPGS电子束曝光系统可与等离子应用技术做非常有效的整合，进行 各项等离子制程应用的开发研究，简述如下： (一) 半导体元件制程 等离子制程已广泛应用于当前半导体元件制程，可视为电子束微影曝光技术的下游工程。例如： (1) 等离子刻蚀（plasma etching） (2) 等离子气相薄膜沉积（plasma-enhanced chemical vapor deposition, PECVD） (3) 溅镀（sputtering） (二) 微机电元件制程（Semiconductor Processing） 微机电元件在制程上与传统半导体元件制作有其差异性。就等离子相关制程而言，深刻蚀（deep etching）是主要的应用，其目标往往是完成深宽比达到102 等级的深沟刻蚀或晶圆穿透刻蚀。而为达成高深宽比，深刻蚀采用二种气体等离子交替的过程。刻蚀完成后可轻易 以氧等离子去除侧壁覆盖之高分子。在微机电元件制作上，深刻蚀可与电子束微影曝光技术密切 结合。电子束微影曝光技术在图案设计上之自由度 十分符合复杂多变化的微机电元件构图。一旦完成图案定义，将转由深刻蚀技术将图案转移到晶圆基板。技术参数：型号：NPGS V9.2最细线宽（μm）：根据SEM 最小束斑（μm）：根据SEM 扫描场：可调 加速电压：根据SEM，一般为0-40kV 速度：5MHzA. 硬件： 微影控制介面卡：NPGS PCIe-516A High Speed Lithography Board，high resolution (0.25%) 控制电脑：DELL或类似品牌主流配置电脑工作站皮可安培计：KEITHLEY 6485 Picoammeter B. 软件： 微影控制软件 NPGS V9.2 for Windows10图案设计软件 QCAD for Windows主要特点：技术描述： 为满足纳米级电子束曝光要求，JC Nabity出品的NPGS系统设计了一个纳米图形发生器和数模转换电路，并采用PC机控制。PC机通过图形发生器和数模转换电路去驱动SEM等仪器的扫描线圈，从而使电子束偏转并控制束闸的通断。通过NPGS可以对标准样片进行图像采集以及扫描场的校正。配合精密定位的工件台，还可以实现曝光场的拼接和套刻。利用配套软件也可以新建或导入多种通用格式的曝光图形。 (一) 电子源（Electron Source） 曝照所需电子束是由既有的SEM、STEM或FIB产生的电子束（离子束）提供。 (二) 电子束扫描控制（Beam Scanning Control） 电子射出后，受数千乃至数万伏特之加速电压驱动沿显微镜中轴向下移动，并受中轴周围磁透镜（magnetic lens）作用形成聚焦电子束而对样本表面进行 扫描与图案刻画。扫描方式可分为循序扫描（raster scan）与矢量扫描（vector scan）。 循序扫描是控制电子束在既定的扫描范围内进行 逐点逐行 的扫描，扫描的点距与行 距由程式控制，而当扫描到有微影图案的区域时，电子束开启进行 曝光，而当扫描到无图案区域时，电子束被阻断；矢量扫描则是直接将电子束移动到扫描范围内有图案的区域后开启电子束进行 曝光，所需时间较少。 扫描过程中，电子束的开启与阻断是由电子束阻断器（beam blanker）所控制。电子束阻断器通常安装在磁透镜组上方，其功效为产生一大偏转磁场使电子束完全偏离中轴而无法到达样本。 (三) 阻剂（光阻） 阻剂（resist）是转移电子束曝照图案的媒介。阻剂通常是以薄膜形式均匀覆盖于基材表面。高能电子束的照射会改变阻剂材料 的特性，再经过显影（development）后，曝照（负阻剂）或未曝照（正阻剂）的区域将会留 在基材表面，显出所设计的微影图案，而后续的制程将可进一步将此图案转移到阻剂以下的基材中。 PMMA（poly-methyl methacrylate）是电子束微影中非常常用的正阻剂，是由单体甲基丙烯酸甲酯（methyl methacrylate, MMA）经聚合反应而成。用在电子阻剂的PMMA 通常分子量在数万至数十万之间，受电子束照射的区域PMMA 分子量将变成数百至数千，在显影时低分子量与高分子量PMMA 溶解度 的对比非常大。 负阻剂方面，多半由聚合物的单体构成。在电子束曝照的过程中会产生聚合反应形成长链或交叉链结（crosslinking）聚合物，所产生的聚合物较不 易 被显影液溶解因而在显影后会留 在基板表面形成微影图案。目前常用的负阻剂为化学倍增式阻剂（chemically amplified resist），经电子束曝照后产生氢离子催化链结反应，具有高解析度 、高感度 ，且抗蚀刻性高。 (四) 基本工序 电子束微影曝光技术的基本工序与光微影曝光技术相似，从上阻、曝照到显影，各步骤的参数（如温度 、时间等等）均有赖于使用者视需要进行 校对与调整。

品牌：Elionix型号：ELS-F125/F100/HS50关键词标签：电子束曝光，电子束直写简短描述：（40字）：利用电子束在抗蚀剂上书写纳米级图案，通过ELB设备曝光和显影，可用于加工sub-10nm的精细结构。一、简介ELS-F125是Elionix推出的世界上最早的加速电压高达125KV的电子束曝光系统之一，其可加工线宽下限为5nm的精细图形。(以下参数基于ELS-F125)ELS-F125具有以下优点：l 超高书写精度- 5 nm 线宽精度 @ 125 kV- 1.7 nm 电子束直径&邻近效应最小化 @ 125 kVl 高通量、均匀性好- 超大视野书写:500um视场下10 nm线宽- 高束流下电子束直径依然很小，高通量而不影响分辨率，2 nm 电子束直径@ 1 nAl 界面用户友好基于Windows系统的CAD和SEM界面:-简单易用的图案设计功能-易于控制的电子束条件二、主要功能l 主要应用纳米器件的微结构集成光学器件，如光栅，光子晶体等NEMS结构，复杂精细结构光刻掩模板，压印模板l 技术能力型号ELS-F125ELS-F100ELS-HS50电子枪ZrO/W 热场发射枪ZrO/W 热场发射枪ZrO/W 热场发射枪加速电压125 kV, 75 kV, 25 kV100 kV, 50 kV, 25 kV50 kV, 20 kV最小束流直径Φ 1.7 nm (@ 125 kV)Φ 1.8 nm (@ 100 kV)Φ 2.8nm (@ 50 kV,1 nA)最小线宽5 nm or less (@125 kV)6 nm or less (@100 kV)20 nm (@ 50 kV, 2 nA)电子束束流5 pA to 100 nA20 pA to 100 nA1 nA to 1 μA视场范围Max. 3,000 μm ｘ 3,000 μmMax. 3,000 μm ｘ 3,000 μmMax. 3,000 μm ｘ 3,000 μmMin. 100 μm ｘ 100 μmMin. 100 μm ｘ 100 μmMin. 100 μm ｘ 100 μm束流定位Max. 1,000,000 ｘ 1,000,000 (20bit DAC)Max. 1,000,000 ｘ 1,000,000 (20bit DAC)Max. 1,000,000 ｘ 1,000,000 (20bit DAC)束流定位分辨率Min. 0.1 nmMin. 0.1 nmMin. 0.1 nm大样品尺寸8" wafer or 7" square mask8" wafer or 7" square mask8" wafer or 7" square mask三、应用

平行光曝光系统设计紧凑的平行光曝光系统。这种准直镜式平行光曝光系统使用一个超高压汞灯作为点光源。 主要部件由光源、吸式曝光台和面罩单元组成，曝光方式可以是真空接触（硬接触）曝光方式。 也可根据要求提供接近系统。对于曝光控制，安装了一个集成的测光表，以方便设置正确的曝光量。基本信息基本规格。工件尺寸：150毫米×150毫米，厚度约0.1 - 1.0毫米光学性能：超高压汞灯1KW（风冷），波长约300-470纳米（主波长365、405、436纳米）。紫外线照度约为40 mw/cm^2的初始值（@365 nm），照度分布为90% min。射线平行度：准直半角≤1.5°，倾角≤1.0°。曝光快门：用空气驱动的快门打开/关闭曝光控制：取决于集成测光表（控制波长为365纳米），20通道记忆面罩（基本）： □8英寸玻璃面罩，3.0毫米或5.0毫米厚曝光台：吸气台，前/后可移动，内置真空泵上层框架类型：专用玻璃罩框架或麦拉框架公用设施：电源3相200V 50/60 Hz，断路器开关30A，10.5KVA　　　　　　　压力空气约0.5 Mpa　　　　　　　废气：约8 m^3/min外部尺寸：(W)800mmx(D)1470mmx(H)1915mm

光刻机又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统，紫外曝光机等；美国公司为全球领先的半导体设备供应商，多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产，并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域；该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一，拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力；并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用；以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务，赢得了用户的青睐。3D SEM image mosaics stitched over large areas and in 3D with CAD shape extractionThe CHIPSCANNER combines high-resolution electron optics, multiple high-efficiency electron detectors, and ultra-precise Laser Interferometer Stage technology with unique software to deliver homogenous large-area image mosaics for each layer with minimum stitching errors and stable brightness/contrast values and CAD shape extraction. With features such as&bull Active focus control using laser height sensing&bull Highest position and beam accuracy and stability, and&bull A wide range of selectable electron detectors,the CHIPSCANNER produces the most accurate large-area, high-resolution image mosaics directly acquired by an SEM instrument. Since the absolute position of each pixel, even over cm² , is ultimately known to the accuracy provided by the laser interferometer stage and ultra-precise image calibrations, these images can be precisely stacked (3D-stitched).Various high-speed detectors, flexible working distance, parallel detector stream handling and a high-speed scan generator allow precise and flexible image acquisition that is also high throughput.Large-area, ultra-high-resolution 3D SEM imaging applications in chip reverse engineering, materials science, and life sciences (e.g. connectomics) require surfaces of up to cm² areas to be scanned with nm resolution and excellent layer to layer accuracy (‘3D stitching’) for layout and schematic extraction or 3D modeling. While traditional SEM instruments are inherently limited by small, uncalibrated fields of view (FOVs) and imprecise sample positioning, the CHIPSCANNER addresses these challenges by combining the resolution and flexibility of an SEM instrument with the accuracy, stability, and automation of an electron beam lithography (EBL) instrument – a core area of expertise at Raith. High-resolution, large-area image mosaics are created by capturing sequential SEM images and stitching them together for further analysis, while the laser interferometer stage and field-of-view calibration reduce overlap to an absolute minimum and thus reduce required computing. A true large-area 3D SEM!

介绍：1)显微镜 LED曝光系统 UTA系列，为不需使用光罩即可以完成Pattern曝光的投影式曝光设备。 2)使用金相显微镜和 LED 光源 DLP 光机，即可在涂布光阻的基板上进行数个微米 分辨率的曝光。 3)Pattern 形状可以使用计算机绘图自由制作。4)可在一般环境操作，样品外观及尺寸限制小，价格比一般电子束曝光机更便宜、方便性更高，可以大幅降低研发成本。特色： 使用显微镜和 DLP 组合之曝光系统，可比既有系统拥有更具竞争性之价格。 ‚ 软件操作简便，可以自由绘制曝光Pattern。 ƒ 透过物镜倍率选择，调整曝光范围大小与分辨率。 „ 可以制造微米等级尺寸的 Pattern 。使用案例：ü形成薄膜 FET 以及 Hole 效果量测用试料之电极。 üMo 原石取出薄片，形成原石特性评估的电极。

技术规格：Model 6020 型曝光系统曝光模式 真空接触 硬接触 软接触 渐近式接触（20μ）分辨率 ≤ 20μ 2.0-3.0μ 3.0 - 5.0μ 5.0μm先进的光束光学技术光束尺寸：12" - 20" 方形光源功率：1 Kw - 8 Kw均匀功性率：优于±3 至 5%相机：400 万像素双CCD校准系统模式识别：OAI 的增强模式识别软件对齐精度：.5μtopside 和 1.0μ with top to bottom optionalbackside 自动对齐：顶部到底部 顶部晶圆处理基板尺寸：12"----20"掩膜尺寸：14"----24"基板厚度：可达到1 mm薄片 可达到5000μm卡盘：可定制卡盘（选项）跳楔动形补效偿应：找平可用选项红外自动对焦、全光刻 SECS/Gem 软件的集成光刻机群非接触式找平

EZI UV Nanoimprint System PL600EZI 紫外曝光纳米压印系统EZ Imprinting推出了一款台式独立纳米压印系统：PL系列400/600.EZImprinting是一种超高产率（ 99％）纳米压印光刻系统，带有低于10纳米的分辨率和一步自动释放功能。特点：? 全晶圆压印 - PL600适用于6英寸晶圆处理, PL400适用于4英寸晶圆处理? 低于10纳米分辨率，产率高达99％? 一步自动释放功能，可防止分离过程中模具/基材损坏，使压印产量最大化? 支持各种类型的硬模和软模? 可变模具和基材尺寸，灵活方便? 可编程PLC，通过自定义参数进行过程控制，带触摸屏用户界面? 对准功能选项? 多种工艺，适用于各种应用光学器件，显示器，数据存储，生物医学器件，半导体IC，化学合成和先进材料等? 专有的紫外线固化纳米压印抗蚀剂对硬度或厚度没有限制，并且与传统的光刻工艺兼容PL600基材尺寸，6“标准（尺寸较小，形状不规则）印记区： 与晶圆尺寸相同。模板尺寸 6”,4” ,2” and 1”压印压力: 1 psi标准模具/基材自动释放: 包括 - 不需要特殊工具紫外线曝光时间:在95％强度水平下2-3分钟对准功能: x，y，z和theta（精度2um）

OAI 超过35年的历史按照您的具体规格设计和制造紫外线仪器和曝光系统在世界范围内亨有声誉无论复杂还是简单，OAI都有最聪明的解决方案。Model 800E 型正面和背面半自动掩模曝光系统提供了昂贵的自动化生产掩模对准器中最常见的先进功能和规格。随着这款掩模曝光系统的开发，OAI 通过专为研发和小批量生产而设计的新型掩模曝光系统来应对动态半导体和 MEMS 市场日益增长的挑战。Model 800E 基于 OAI 经过验证的模块化平台构建，是一款增强型、高性能、高分辨率光刻系统，能够以极具吸引力的价格提供一定水平的性能。该对准器系统采用 OAI 的先进光束光学器件，可提供卓越的均匀性。800E 型可使用 OAI 的精密光刻模块进行升级，是实验室或小批量生产中的高度通用工具。800E 型采用 Windows 7 PC 控制平台，具有大量配方存储容量。该系统还配备了操纵杆控制的对准和光学平台，并且可以配置非接触式、3 点楔形效应校正和自动对准功能。这些组合功能通常出现在自动化生产掩模对准系统中，但现在可以在 Model 800E 上以更实惠的价格获得。800E 型的独特之处在于它包含了 OAI 6000 型生产掩模对准器工具中的先进功能。通过利用经过验证的 OAI 模块化掩模对准器平台，我们能够采用更先进的工具中的技术，以更实惠的价格生产强大的系统。标准正面功能：双100万像素分辨率CCD相机最大8英寸的基板，掩膜尺寸9' X 9''Windows PC 控制，带配方储存功能调整和定位的电动操纵杆曝光模式：真空、硬软接触和接近模式自动楔形效应补偿标准背面功能：包含正面所有功能另外2个CCD相机数码变焦电动背面光学对焦

OAI 超过35年的历史 按照您的具体规格设计和制造紫外线仪器和曝光系统在世界范围内亨有声誉 无论复杂还是简单，OAI都有最聪明的解决方案。 6000 型建立在经过验证的 OAI 模块化平台上，具有完全自动化的正面和背面对准，具有亚微米印刷功能以及亚微米从上到下的正面对准精度，可提供任何价格都无法比拟的性能。选择顶部或可选的背面对齐，使用 OAI 定制的高级识别模式软件。这些掩模对准器采用 OAI 的先进光束光学器件，均匀性优于 ±3%，在第一掩模模式下每小时可处理 200 片晶圆，从而实现更高的良率。6000 系列可以处理各种晶圆，包括厚的粘合基板（最大 7000 微米）、翘曲晶圆（最大 7 毫米 - 10 毫米）、薄基板（最小 100 微米厚）和厚光刻胶。OAI 的增强型模式识别软件具有 +/- 0.5 微米的顶部对准，可提供可靠的可重复结果。对于背面对准，6000 型掩模对准机具有稳定的光学系统、长距离显微镜和先进的自动对准软件，可提供最可重复的正面到背面对准精度。6000 系列具有卓越的工艺重复性，是所有生产环境的完美解决方案。对于整个光刻工艺，Model 6000 可以与集群工具和 OAI 的自动掩模更换器无缝集成。OAI 的生产掩模对准器是完整的套件，也可配备 UV LED 光源。 标准正面功能： 双100万像素分辨率CCD相机 最大8英寸的基板，掩膜尺寸9' X 9'' Windows PC 控制，带配方储存功能 调整和定位的电动操纵杆 曝光模式：真空、硬软接触和接近模式 自动楔形效应补偿 标准背面功能： 包含正面所有功能 另外2个CCD相机 数码变焦 电动背面光学对焦

品牌：Elionix型号：ELS-F125/F100/HS50电子束曝光，电子束直写，电子束光刻用途：利用电子束在抗蚀剂上书写纳米级图案，通过ELB设备曝光和显影，可用于加工sub-10nm的精细结构。一、简介ELS-F125是Elionix推出的世界上最早的加速电压高达125KV的电子束曝光系统之一，其可加工线宽下限为5nm的精细图形。(以下参数基于ELS-F125)ELS-F125具有以下优点：l 超高书写精度- 5 nm 线宽精度 @ 125 kV- 1.7 nm 电子束直径&邻近效应最小化 @ 125 kVl 高通量、均匀性好- 超大视野书写:500um视场下10 nm线宽- 高束流下电子束直径依然很小，高通量而不影响分辨率，2 nm 电子束直径@ 1 nAl 界面用户友好基于Windows系统的CAD和SEM界面:-简单易用的图案设计功能-易于控制的电子束条件二、主要功能l 主要应用纳米器件的微结构集成光学器件，如光栅，光子晶体等NEMS结构，复杂精细结构光刻掩模板，压印模板l 技术能力型号ELS-F125ELS-F100ELS-HS50电子枪ZrO/W 热场发射枪ZrO/W 热场发射枪ZrO/W 热场发射枪加速电压125 kV, 75 kV, 25 kV100 kV, 50 kV, 25 kV50 kV, 20 kV最小束流直径Φ 1.7 nm (@ 125 kV)Φ 1.8 nm (@ 100 kV)Φ 2.8nm (@ 50 kV,1 nA)最小线宽5 nm or less (@125 kV)6 nm or less (@100 kV)20 nm (@ 50 kV, 2 nA)电子束束流5 pA to 100 nA20 pA to 100 nA1 nA to 1 μA视场范围Max. 3,000 μm ｘ 3,000 μmMax. 3,000 μm ｘ 3,000 μmMax. 3,000 μm ｘ 3,000 μmMin. 100 μm ｘ 100 μmMin. 100 μm ｘ 100 μmMin. 100 μm ｘ 100 μm束流定位Max. 1,000,000 ｘ 1,000,000 (20bit DAC)Max. 1,000,000 ｘ 1,000,000 (20bit DAC)Max. 1,000,000 ｘ 1,000,000 (20bit DAC)束流定位分辨率Min. 0.1 nmMin. 0.1 nmMin. 0.1 nm大样品尺寸8" wafer or 7" square mask8" wafer or 7" square mask8" wafer or 7" square mask三、应用

Idonus基于高功率LED和高档微透镜阵列的基础上提出了一个 GE MING性的紫外光照系统。这个产品应用于光刻胶曝光工艺，适用多种基材。光照质量保证了高的同质性的临界尺寸和整个面上的侧壁角。实际上，由于使用了一种完全远心的光学，我们的设计提供了完美的稳定光照条件，即整个表面的高同质性的强度和低的发散角。 可以根据用户需求进行产品开发定制，可以极大缩短您的想法变成产品的时间。 LED BENEFITS优点目前随着LED技术的发展，紫外LED表现出了比汞光源更大的优势。● 长寿命LED，测试不需要耗材● 不需要每天校准，即刻稳定光照● 有限的发热，这降低了空气冷却费用● 低功率消耗● 光源仅仅在曝光时开启（不需要快门）● 用户可以根据需求进行照射系统定制。也可以按照用户旧机器的尺寸设计照射系统，以替代旧的机器上的汞灯照射系统。TYPICAL PERFORMANCES 典型参数分辨率 ：0.5 μm光学功率 ：20 to 200 mW/cm2曝光区域 ：50x50 to 300x300 mm2光学辐照不均匀性 ： ±2%ZUI大发散角(FWHM) ：±1.5°to 3°波长 ：365 / 385 / 405 nm光谱半宽幅 ：12 nm设备尺寸 ： 65x30x30 cm3总功率 ：20 to 1200 WEXAMPLE SYSTEM SPECIFICATIONS 系统规格举例可能的曝光系统的不同配置如下表所示，系统可以根据您的需要设计。System Type 系统型号ABCResolution [um] 分辨率211Optical power [mW/cm2] 光学功率42152165Exposition area [mm2] 曝光面积80x80100x100300x300Optical irradiance inhomogeneity [%] 光照幅度不均匀性±2±2±2Max divergence angle [°] (Full Width Half Maximum)最大发散角（半宽幅）±2.5°±1.5°±1.5°Wavelength [nm] 波长405365385Spectrum half width [nm] 光谱半宽幅121212System size [cm] 系统尺寸65x30x3065x30x301100x60x60Power consumption [W] 功耗201801200

OAI 超过35年的历史按照您的具体规格设计和制造紫外线仪器和曝光系统在世界范围内亨有声誉无论复杂还是简单，OAI都有最聪明的解决方案。OAI 200型光刻机和紫外曝光系统 OAI系统可以处理各种常规和不规则形状的宽范围的基材。 高效光源在各种光谱上提供均匀的紫外线照射。. OAI 200型光刻机和紫外线曝光系统是一种经济高效的高性能工具，采用行业验证的模块化组件进行设计，使OAI成为MEMS，纳米技术和半导体设备行业的领先者。200型是台式机型，需要最小的洁净室空间。它为研发，试验或小批量生产提供了经济的替代方案。利用创新的空气轴承/真空卡盘校平系统，基板被快速和平缓地平整以用于平行光掩模对准和在接触暴露期间在晶片上的均匀接触。该系统具有微米分辨率和对准精度。对准模块具有掩模插入件组和快速更换晶片卡盘，其允许使用各种衬底和掩模，而不需要对机器重新设定。对准模块包含X，Y和θ轴（微米）。200型对准器可以广泛地安装进对准光学仪器，包括背面IR。 IR照明真空吸盘可以被配置用于整个或或部分晶片的对准。 OAI 200型可配置OAI纳米压印模块，使其成为最低成本的NIL工具。 OAI还提供了一个模块，设计用于使用液体光引物进行快速成型或生产微流体器件。 Model 200具有可靠的OAI光源，在近紫外或深紫外线下使用200至2000瓦功率的灯提供准直的紫外光。双传感器，光学反馈回路与恒定强度控制器相关联，以提供在所需强度的±2％内的曝光强度的控制。可以简单快速地改变UV波长。 型号200是一个高度灵活的， 经济的解决方 案，适合任何 入门级掩模对准和紫外线照射应用。 特点:&bull 高效，均匀，曝光系统与强度控制电源&bull 近，中，深紫外线能力可用&bull 亚微米套印和逐层校准&bull 易于互换的掩膜架和掩膜&bull 用户可设置，“基板到掩膜”间的压力&bull 软接触，硬接触，真空接触，接近曝光模式&bull 暴露可用时氮气N2吹扫&bull 超精确的卡盘运动&bull 可变速率电子操纵杆(可选)&bull 红外对准能力(型号200IR)(可选)&bull 顶部侧对齐以及背面对齐选项&bull 系统隔振具有四(4)象限独立调节(可选)&bull 高可靠性和低维护设计与优秀的文件应用MEMSNIL微流体纳米技术II-VI和III-V器件制造多级抗蚀剂处理LCD和FED显示器MCM’S薄膜器件太阳能电池SAW器件 选项提供单或双相机和屏幕（双相机/双屏版本如照片所示）可以安装NIL的Nano Imprint模块可安装微流体模块 OAI 200型台式光刻机和紫外线曝光系统 OAI 200型掩模对准器和UV曝光系统 特征 规格 体积小 基板平台 X, Y TravelZ TravelMicrometerGraduationsRotation ± 10mm 真空吸盘 1,500 microns.001" .0001"or .01mm .001mm± 3.5? 精密对准模块 可互换的面罩架和基板卡盘 掩膜 大小 Up to 14" x 14" 好处 光源 光束尺寸灯功率 Up to 12" square200, 350, 500, 1,000, and2,000 Watt NUV I 需要最小的洁净室空间 500, 1,000 and 2,000 Watt DUV I 对易碎基材材料造成损坏降至最低 快门定时器设施 定时器 0.1 to 99.0 sec. at 0.1second incrementsor 1 to 999 sec. at 1second increments I 精确对准至1微米 I 可轻松容纳各种基材和面罩 电压 110或220 / 400vac（或根据其他国家电源要求） I IR透明晶片的背面掩模对准，精度高达3-5微米 真空 20 - 28” Hg. I 高度准直，均匀的紫外线 空气和氮气 CDA at 60 PSI andN2at 40 PSI 排气 .35“至.5”水 I 快速更改UV光波长 I 曝光控制强度为±2％ 尺寸 高度宽度深度运输重量 37” (200mm), 45” (300mm)31” (200mm) , 60” (300mm)25” (200mm), 70” (300mm)250 Lbs. (200mm), 400lbs (300mm) I 可以配置为NIL的Nano Imprint工具

RAITH电子束曝光设备资料一、基本信息:品牌名称：RAITH主要设备：电子束曝光及成像系统、图形发射器。主要用途：在化合物半导体等领域加工线宽8-350纳米图形或掩膜板加工。 二、设备及应用:(一). 多功能电子束光刻设备Pioneer Two: Pioneer Two是一款高性价比的成套的电子束光刻设备，采用30kV Gemini电子束技术，应用于2英寸以下晶圆的纳米级光刻、高分辨成像及低压电子束光刻。 20keV下在HSQ胶上曝光亚8nm线条(二). 多功能电子束光刻设备eLine Plus: eLine Plus是一款集成了纳米操纵设备，如纳米探针、用于聚焦电子束诱导过程的气体注入系统等各种多功能选件的电子束光刻设备，广泛应用于学校和各大科研机构，采用30kV Gemini电子束技术，应用于4英寸以下基板的纳米级光刻、纳米工程、纳米操纵、纳米探测、纳米轮廓仪、聚焦电子束诱导和成像分析等。 HSQ胶上制作亚5nm线条(三). 专业型电子束光刻设备Raith150 Two: Raith150 Two是一款高分辨电子束光刻设备，采用30kV Gemini电子束技术，应用于8英寸以下基板（可曝光面积6英寸）的纳米级光刻、高分辨成像及低压电子束光刻，可实现亚5nm的曝光结构。 HSQ胶上制作亚4.5nm线条及PMMA胶上制作精细的11nm线条(四). 专业型电子束光刻设备Voyager: Voyager是一款高性价比采用创新的eWrite体系结构的电子束光刻设备，采用50kV eWrite 电子束技术，应用于8英寸以下基板（可曝光面积6英寸）的高速直写，适合衍射光学元件、防伪元件的加工及化合物半导体器件的高速加工。 HSQ胶上制作亚7nm线条(五). 专业型电子束光刻设备EBPG5150/5200: EBPG5150/5200是一款高自动化的电子束光刻设备，采用100kV EBPG 电子束技术，应用于8英寸以下基板（5150可曝光面积6英寸、5200可曝光面积8英寸）的高深宽比纳米结构曝光、高速电子束直写，适合防伪标识的加工及化合物半导体器件的高速加工。 制作GaAs T型器件及在化合物半导体上的应用(六). 纳米加工和纳米光刻升级配件Elphy: Elphy系列光刻升级配件可以将现有的SEM、SEM-FIB、HIM等聚焦离子束电子束系统升级为纳米光刻和纳米加工设备。

日本Elionix 微细加式电子束曝光电子束直写机ELS-F125/F100/HS50 ELS-F125是Elionix推出的世界上首台加速电压达125KV的电子束曝光系统，其可加工线宽下限为5nm的精细图形。(以下参数基于ELS-F125) ELS-F125具有以下优点： l 。超高书写精度- 5 nm 线宽精度 @125 kV- 1.7 nm 电子束直径&邻近效应小化 @125 kV 2. 大通量、均匀性好- 宽视野书写:500um视场下10 nm线宽- 高束流下电子束直径依然很小，大通量而不影响分辨率，2 nm电子束直径@1 nA 3. 界面用户友好基于Windows系统的CAD和SEM界面:-简单易用的图案设计功能-易于控制的电子束条件 二、主要功能 2.1 主要应用纳米器件的微结构集成光学器件，如光栅，光子晶体等NEMS结构，复杂精细结构光刻掩模板，压印模板 2.2 技术能力 三、应用

产品类型：1. 紫外光刻胶（Photoresist）各种工艺：喷涂专用胶，化学放大胶，lift-off胶，图形反转胶，高分辨率胶，LIGA用胶等。各种波长: 深紫外(Deep UV)、I线(i-line)、G线(g-line)、长波(longwave)曝光用光刻胶。各种厚度: 光刻胶厚度可从几十纳米到上百微米。 2. 电子束光刻胶（电子束抗蚀剂）（E-beam resist）电子束正胶：PMMA胶，PMMA/MA聚合物， LIGA用胶等。电子束负胶：高分辨率电子束负胶，化学放大胶（高灵敏度电子束胶）等。3. 特殊工艺用胶（Special manufacture/experimental sample）电子束曝光导电层，耐酸碱保护胶，全息光刻用胶，聚酰亚胺胶（耐高温保护胶）等特殊工艺用胶。4. 配套试剂（Process chemicals）显影液、除胶剂、稀释剂、增附剂（粘附剂）、定影液等。 产品特点1. 光刻胶种类齐全，可以满足多种工艺要求的用户。 产品种类包含：各种厚度的紫外光刻胶（正胶或负胶），lift-off工艺用胶，LIGA用胶，图形反转胶，化学放大胶，耐刻蚀保护胶，聚酰亚胺胶，全息曝光用胶，电子束光刻胶（包含PMMA胶、电子束负胶、三维曝光用胶（灰度曝光用胶）、混合曝光用胶等） 2. 光刻胶包装规格灵活多样，适合各种规模的生产、科研需求。 包装规格包含：250毫升、1升、2.5升等常规包装，还提供试验用小包装，如30毫升、100毫升等。 3. 交货时间短。 4. 可以提供高水准的技术咨询服务，具有为客户开发、定制特殊复杂工艺用光刻产品的能力。 5. 储存条件： 密闭储存在容器中并置于避光、干燥阴凉、通风良好之处。 储存在适当的温度下。详情请联系我们的销售人员。 光刻胶理论光刻胶定义 光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料，是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的英文名为resist，又翻译为抗蚀剂、光阻等。因为光刻胶的作用就是作为抗刻蚀层保护衬底表面。光刻胶只是一种形象的说法，因为光刻胶从外观上呈现为胶状液体。 光刻胶通常是以薄膜形式均匀覆盖于基材表面。当紫外光或电子束的照射时，光刻胶材料本身的特性会发生改变，经过显影液显影后，曝光的负性光刻胶或未曝光的正性光刻胶将会留在衬底表面，这样就将设计的微纳结构转移到了光刻胶上，而后续的刻蚀、沉积等工艺，就可进一步将此图案转移到光刻胶下面的衬底上，最后再使用除胶剂将光刻胶除去就可以了。 光刻胶按其形成图形的极性可以分为：正性光刻胶和负性光刻胶。正胶指的是聚合物的长链分子因光照而截断成短链分子；负胶指的是聚合物的短链分子因光照而交链长链分子。 短链分子聚合物可以被显影液溶解掉，因此正胶的曝光部分被去掉，而负胶的曝光部分被保留。 光刻胶一般由4部分组成：树脂型聚合物（resin/polymer），溶剂（solvent），光活性物质（photoactive compound，PAC），添加剂（Additive）。 其中，树脂型聚合物是光刻胶的主体，它使光刻胶具有耐刻蚀性能；溶剂使光刻胶处于液体状态，便于涂覆；光活性物质是控制光刻胶对某一特定波长光/电子束/离子束/X射线等感光，并发生相应的化学反应；添加剂是用以改变光刻胶的某些特性，如控制胶的光吸收率/溶解度等。 光刻胶的主要技术参数1. 灵敏度（Sensitivity） 灵敏度是衡量光刻胶曝光速度的指标。光刻胶的灵敏度越高，所需的曝光剂量越小。单位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。2．分辨率（resolution） 区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸（CD，Critical Dimension）来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。 光刻胶的分辨率是一个综合指标。影响该指标的因素通常有如下3个方面： （1）曝光系统的分辨率。 （2）光刻胶的对比度、胶厚、相对分子质量等。一般薄胶容易得到高分辨率图形。 （3）前烘、曝光、显影、后烘等工艺都会影响光刻胶的分辨率。3. 对比度（Contrast） 对比度指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。 对比度越好，越容易形成侧壁陡直的图形和较高的宽高比。4. 粘滞性/黏度 （Viscosity） 衡量光刻胶流动特性的参数。黏度通常可以使用光刻胶中聚合物的固体含量来控制。同一种光刻胶根据浓度不同可以有不同的黏度，而不同的黏度决定了该胶的不同的涂胶厚度。5. 抗蚀性（Anti-etching） 光刻胶必须保持它的粘附性，在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。6. 工艺宽容度（Process latitude） 光刻胶的的前后烘温度、曝光工艺、显影液浓度、显影时间等都会对最后的光刻胶图形产生影响。每一套工艺都有相应的最佳的工艺条件，当实际工艺条件偏离最佳值时要求光刻胶的性能变化尽量小，即有较大的工艺宽容度。 这样的光刻胶对工艺条件的控制就有一定的宽容性。 特殊光刻胶介绍1. 化学放大光刻胶（CAR，Chemical Amplified Resist） 化学放大胶中含有一种叫做“光酸酵母”（PAG, Photo Acid Generator）的物质。在光刻胶曝光过程中，PAG分解，首先产生少量的光酸。在曝光后与显影前经过适当温度的烘烤，即后烘（PEB, Post Exposure Baking）这些光酸分子又发连锁反应，产生更多的光酸分子。大量的光酸使光刻胶的曝光部分变成可溶（正胶）或不可溶（负胶）。 主要的化学反应是在后烘过程中发生的，只需要较低的曝光能量来产生初始的光酸，因此化学放大胶通常有很高的灵敏度。 光刻胶推荐： AR-N 4340，AR-N 4400，AR-N 7700等。2. 灰度曝光（Grey Scale Lithography） 灰度曝光可以产生曲面的光刻胶剖面，是制作三维浮雕结构的光学曝光技术之一。灰度曝光的关键在于灰度掩膜板的制作、灰度光刻胶工艺与光刻胶浮雕图形向衬底材料的转移。传统掩膜板只有透光区和不透光区，而灰度掩膜板的透光率则是以灰度等级来表示的。实现灰度掩膜板的方法是改变掩膜的透光点密度。 灰度曝光用胶的特点：光刻胶要有较大的黏度。光刻胶要有比较低的对比度。光刻胶的抗刻蚀比尽量和衬底材料的接近。 光刻胶推荐：AR-N 7720 3. LIGA技术 由厚胶曝光形成深结构的目的是进行电铸，使之转化为金属深结构，因为只有金属结构才是为系统器件所需要的功能结构。这种技术又称为LIGA技术。LIGA是德文Lithographie(LI) Galvanoformung(G) Abformung(A)，即“光刻、电镀、注塑复制”的缩写。 光刻胶推荐：AR-P 6510，AR-N 4400， PMMA等 4. lift-off工艺 溶脱剥离法（lift-off）是微纳加工中应用到的最普遍的图形转移技术之一。其基本原理是由光学或电子束曝光首先形成光刻胶的图形，在薄膜沉积之后将光刻胶用除胶剂等溶解清除，凡是没有被光刻胶覆盖的区域都留下了金属薄膜，实现了由光刻胶图形向金属薄膜图形的转移。 光刻胶推荐: AR-P 5350，AR-P 5400，AR-N 4240，AR-N 4340，AR-N 4400等 5. 电镀法（electroplating） 电镀法是转移较厚的金属结构时使用到的一种转移技术。其过程一般为3个步骤：首先，在衬底材料上制作一层金属导电薄膜作为电镀的起始衬底，然后通过光刻或电子束曝光形成光刻胶或抗蚀剂掩膜； 第二步是将制作有光刻胶图形的基片放在电镀液中与被镀金属电极连接成电流通路，金属电极在电解液作用下释放金属离子并在电场驱动下沉积到基片表面暴露的金属层上； 最后，将光刻胶去除，并腐蚀清除衬底表面其余的金属膜，便得到金属微结构图形。 光刻胶推荐： AR-P 3200, AR-N 4400等

科研用CNI v3.0是一种非常灵活的纳米压印机。它可提供加热型纳米压印、UV紫外纳米压印以及真空纳米压印。模块化系统可根据特定需求轻松配置，体积小，容易存放，最大可处理210mm(8英寸)圆形的任何尺寸印章和基材。该系统是手动装卸印章和模板，但所有处理器都是全自动的，专用软件用户可以完全控制压印过程。 纳米压印机特色：&bull 体积小巧，容易存放，桌面型；&bull 轻微复制微米和纳米级结构；&bull 热压印温度高达200℃；&bull 可选的高温模块，适用于250℃；&bull UV纳米压印，365nm曝光；&bull 可选的UV模块，适用于405nm曝光；&bull 真空纳米压印（腔室可抽真空至0.1mbar）；&bull 纳米压印压力高达11bar；&bull 温度分布均匀、读数精准；&bull 笔记本电脑全自动控制，工艺配方编辑简单，完全灵活控制，自动记录数据；&bull 直径最大210mm（圆形）腔室；&bull 腔室高度为20mm；&bull 即插即用&bull 使用简单直观&bull 专为研发而设计&bull 提供安装和操作教程视频

仪器简介：纳米压印的技术与工艺特点，独创性地设计和制备工作于低真空环境下，结合正负压可控调节并利用压缩空气作为压印驱动力的，通过压力传导装置、缓冲与匀压、压力调节控制装置等手段实现平稳可靠可控的压印过程，借助于多种灵活的自动调节装置的巧妙设计与运用，实现压印中的自动找平调控，以保证模板纳米图案均匀精确的大面积复制转移。技术参数：YPL-NIL-SI400纳米压印系统： 温度范围从室温到350摄氏度； 压力范围从0到20个PSI（在4英寸晶元上）； 紫外曝光系统； 真空范围从1个标准大气压到0.1帕； 水冷系统； 样品尺寸直径最大4英寸； PLC远程控制，带触摸屏； 手动装载样品和模板； 自带机器控制软件； 在软件控制下可实现自动增加和释放压力； 可定制更大样品尺寸或更大压力系统的纳米压印机。 YPL-NIL-SI400 NANOIMPRINT SYSTEM *Thermal ImprinterTemperature range of R.T. to 350℃ Pressure range of 0 to 20 atm *UV exposure system *Vacuum range of 1atm to 10-1 Pa * Sealed Bellows *Wafer/Mask Holders: maximum 4 inch dia. Samples: Smart Sample Holder for irregular shaped samples and piece parts. *Control electronics *PLC control and Touch Screen *Manual loading and unloading of wafers and masks *Proprietary Machine Control Software Including (A) SI400 nanoimprint system (B) training, Warranty, other, and (C) Options主要特点：该纳米压印机利用紫外曝光或者热压固化实现压印图案在压印高分子胶层中的复制，并通过各项功能与过程参量的优化与筛选，通过远程PLC控制系统结合触摸屏单元，实现纳米压印全过程的实时监控与全自动化控制。

纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是最好的方法之一。或称电子束直写（EBD）、电子束爆光系统。 超高分辨率的电子束光刻技术参数：加速电压：最高130keV单段加速能力达到130keV，尽量减少电子枪的长度超短电子枪长度，无微放电电子束直径＜1.6nm最小线宽＜7nm双热控制，实现超稳定直写能力

EZ Imprinting推出了一款台式独立纳米压印系统：PL系列400/600.EZImprinting是一种超高产率（ 99％）纳米压印光刻系统，带有低于10纳米的分辨率和一步自动释放功能。该平台提供具有微定位夹具的机械平台，用于安装纳米压印室，UV固化源和对准显微镜。它即可以作为纳米压印系统，也可以作为传统的掩模对准器，同时提供可编程的自动控制功能。EZI UV Nanoimprint System PL400特点：? 全晶圆压印 - PL600适用于6英寸晶圆处理, PL400适用于4英寸晶圆处理? 低于10纳米分辨率，产率高达99％? 一步自动释放功能，可防止分离过程中模具/基材损坏，使压印产量最大化? 支持各种类型的硬模和软模? 可变模具和基材尺寸，灵活方便? 可编程PLC，通过自定义参数进行过程控制，带触摸屏用户界面? 对准功能选项? 多种工艺，适用于各种应用光学器件，显示器，数据存储，生物医学器件，半导体IC，化学合成和先进材料等? 专有的紫外线固化纳米压印抗蚀剂对硬度或厚度没有限制，并且与传统的光刻工艺兼容EZ Imprinting处理器参数：基材尺寸: 4“标准（尺寸较小，形状不规则）印记区 : 与晶圆尺寸相同。模板尺寸 4”,2” and 1”

科研用CNI v4.0是一种非常灵活的纳米压印机。它可提供加热型纳米压印、UV紫外纳米压印以及真空纳米压印。模块化系统可根据特定需求轻松配置，体积小，容易存放，最大可处理210mm(8英寸)圆形的任何尺寸印章和基材。该系统是手动装卸印章和模板，但所有处理器都是全自动的，专用软件用户可以完全控制压印过程。 纳米压印机特色：&bull 体积小巧，容易存放，桌面型；&bull 轻微复制微米和纳米级结构；&bull 热压印温度高达200℃；&bull 可选的高温模块，适用于250℃；&bull UV纳米压印，365nm曝光；&bull 可选的UV模块，适用于405nm曝光；&bull 真空纳米压印（腔室可抽真空至0.1mbar）；&bull 纳米压印压力高达11bar；&bull 温度分布均匀、读数精准；&bull 笔记本电脑全自动控制，工艺配方编辑简单，完全灵活控制，自动记录数据；&bull 直径最大210mm（圆形）腔室；&bull 腔室高度为20mm；&bull 即插即用&bull 使用简单直观&bull 专为研发而设计&bull 提供安装和操作教程视频

仪器简介： 光刻机/紫外曝光机 (Mask Aligner) 原产国: 韩国MIDAS公司 型号：MDA-400M, MDA-400LJ，MDA-600S 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统，光刻机，紫外曝光机等；MIDAS为全球领先的半导体设备供应商，多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产，并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域；该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一，拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力；并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用；以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务，赢得了用户的青睐。 感谢南开大学，中科院半导体所,中科院长春应化所，中科院物理所，浙江师范大学使用此设备做课题研究！！ 此型号光刻机是所有进口设备中性能价格比最高的型号，达到欧美品牌的对准精度，CCD显示屏对准更为方便，液晶触摸屏操作，采用Ushio紫外灯或者LED光源，寿命长。整机效果皮实耐用，正常使用3年内不会出问题！！ 技术参数：项目 技术规格 曝光系统光源功率 350W 紫外光源及电源品牌：Ushio，使用寿命保证1000小时 *也可以采用LED光源，使用寿命保证10000小时 *以上两种光源需选择一种分辨率 - 真空接触模式 : 1um ( Thin PR@Si Wafer )- 硬接触模式 : 1um- 软接触模式 : 2um- 20um 渐进模式: 5um 最大光束尺寸*4.25×4.25 inch光束均匀性 *≤ 3% (4inch standard)光束强度 max 30mW/cm2 (365nm Intensity)曝光时间可调整0.1 to 999.9 sec对准系统对准精度0.5um对准间隙手动调节光刻模式真空,硬接触，软接触，渐进模式卡盘水平调节楔形错误补偿Wedge Error Compensation (专利技术)真空卡盘移动范围*X, Y: 10 mm, Theta: ±5°Z向移动范围*10mm接近调整步幅 1um整体对准移动*气动式，前后纵向移动显微镜及显示器 显微镜及显示器 CCD and Monitor*双CCD显微镜，Dual CCD zoom microscope 17寸LCD显示器 ，放大倍数 : 80x ~ 480x 样品尺寸大小2, 3, 4 inch掩模板尺寸4 and 5 inch安装要求真空 Vacuum -200 mbar (*包含进口无油真空泵)压缩空气 CDA 5Kg/cm2氮气 N23Kg/cm2电力 Electricity220V, 15A, 1Phase 1）高分辨光刻，至1um水平；2）可使用各种掩模板，小尺寸~4英寸均可用；再大尺寸，可以定制化服务。3）特殊的基底卡盘可定做；4）高精度对准台及显微镜操纵器；5）用于不同紫外曝光的高强度光学装置；6）用于楔形补偿的空气方位系统；7）所有部件均可接触；8）符合人体工程学操作；9）低成本，高品质；10） *两年保修主要特点：- 光源强度可控；- 紫外曝光，深紫外曝光(Option)；- 系统控制：手动、半自动和全自动控制；- 曝光模式：真空接触模式(接触力可调),Proximity接近模式, 投影模式；- 真空吸盘范围可调；- 专利技术：可双面对准，可双面光刻，具有IR和CCD模式- 两个CCD显微镜系统，最大放大1000倍，显示屏直接调节，比传统目镜对准更方便快捷，易于操作。- 特殊的基底卡盘可定做；- 具有楔形补偿功能；

光刻机又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统，紫外曝光机等；美国公司为全球领先的半导体设备供应商，多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产，并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域；该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一，拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力；并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用；以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务，赢得了用户的青睐。3D SEM image mosaics stitched over large areas and in 3D with CAD shape extractionThe CHIPSCANNER combines high-resolution electron optics, multiple high-efficiency electron detectors, and ultra-precise Laser Interferometer Stage technology with unique software to deliver homogenous large-area image mosaics for each layer with minimum stitching errors and stable brightness/contrast values and CAD shape extraction. With features such as&bull Active focus control using laser height sensing&bull Highest position and beam accuracy and stability, and&bull A wide range of selectable electron detectors,the CHIPSCANNER produces the most accurate large-area, high-resolution image mosaics directly acquired by an SEM instrument. Since the absolute position of each pixel, even over cm² , is ultimately known to the accuracy provided by the laser interferometer stage and ultra-precise image calibrations, these images can be precisely stacked (3D-stitched).Various high-speed detectors, flexible working distance, parallel detector stream handling and a high-speed scan generator allow precise and flexible image acquisition that is also high throughput.Large-area, ultra-high-resolution 3D SEM imaging applications in chip reverse engineering, materials science, and life sciences (e.g. connectomics) require surfaces of up to cm² areas to be scanned with nm resolution and excellent layer to layer accuracy (‘3D stitching’) for layout and schematic extraction or 3D modeling. While traditional SEM instruments are inherently limited by small, uncalibrated fields of view (FOVs) and imprecise sample positioning, the CHIPSCANNER addresses these challenges by combining the resolution and flexibility of an SEM instrument with the accuracy, stability, and automation of an electron beam lithography (EBL) instrument – a core area of expertise at Raith. High-resolution, large-area image mosaics are created by capturing sequential SEM images and stitching them together for further analysis, while the laser interferometer stage and field-of-view calibration reduce overlap to an absolute minimum and thus reduce required computing. A true large-area 3D SEM!

瑞士idonus提出了一种创新的紫外线照明系统，该系统基于大功率LED和高级微透镜阵列的使用。该产品可用于光致抗蚀剂曝光，适用于多种基材。我们完整的UV照明产品线可满足300 mm宽的掩模和晶圆的光刻需求。可以设计定制的解决方案来满足您的特定要求（例如，对掩模对准器进行改造，为将来的产品提供OEM）。LED的好处直到最近，水银弧光灯能够提供适合UV光刻曝光的高强度光的光源。由于LED技术的进步，UV-LED已成为耗能汞灯的极具吸引力的替代品。除了生态和安全方面，与传统的汞灯相比，UV-LED的技术优势众多，并且对光刻具有重要意义。UV-LED的最重要的优点是，它们具有稳定的发射性，使用寿命长。结果，不需要日常校准和维护。此外，通过提高能源效率，LED减少了发热量，从而大大简化了系统冷却。UV-LED技术的好处LED使用寿命长，这意味着不再需要消耗品无需每日校准，即时稳定的照明即时开启，光线仅在曝光期间开启，无需机械快门低功耗有限的加热，这意味着非常低的空气冷却成本没有维护费用紫外线LED曝光系统idonus已经推出了完整的UV-LED曝光产品线。我们的系统将市场上最有效的UV-LED与高级微透镜阵列集成在一起。它们完全组装并在内部进行控制。我们的设计采用全远心光学元件，可在整个曝光区域提供可重复且均匀的照明条件-即高度均匀且稳定的强度，并且发散角很小。这种光学器件可确保整个基板完全均匀地曝光，从而生产出具有笔直侧壁的固化光致抗蚀剂，并具有微米级。应用：光刻曝光纳米压印紫外固化优点：工艺稳定免校准，免维护即时开/关无有害物质，无特殊安全规定

光刻机又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统，紫外曝光机等；美国公司为全球领先的半导体设备供应商，多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产，并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域；该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一，拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力；并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用；以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务，赢得了用户的青睐。产地：美国；型号：M-150技术规格：- 掩模尺寸：最大7英寸；- 样品尺寸：最大6英寸；- 卡盘移动：X,Y,Z,Theta轴手动，楔形补偿调平；- 紫外光源：6.25" X 6.25"；- 光源功率：350瓦紫外灯；- 光源均匀性：+/-3%；- 光源365nm波长强度：最大30毫瓦；- 显微镜：双显微镜系统；- 显微镜移动：X,Y,Z轴手动调节；- 显微镜物镜空间：50-150mm；- 标配放大倍率：80X-400X；- 显示器：20" LCD；- 曝光时间：0.1-999秒；- 接触模式：真空接触，硬接触，软接触，接近接触(距离可调)；- 对准精度：1um (Vacuum Contact), 1.5um(Hard Contact), 3um(Soft Contact), 5um(Proximity Mode)；- 电源：220V，单相，15安培；主要特点:- 光源强度可控；- 紫外曝光，深紫外曝光(Option)；- 系统控制：手动、半自动和全自动控制；- 曝光模式：真空接触模式(接触力可调),Proximity接近模式, 投影模式；- 真空吸盘范围可调；- 专利技术：可双面对准，可双面光刻，具有IR和CCD模式- 双CCD显微镜系统，最大放大1000倍，显示屏直接调节，比传统目镜对准更方便快捷，易于操作。- 特殊的基底卡盘可定做；- 具有楔形补偿功能；

光刻机又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统，紫外曝光机等；美国公司为全球领先的半导体设备供应商，多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产，并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域；该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一，拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力；并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用；以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务，赢得了用户的青睐。产地：美国；型号：M-150技术规格：- 掩模尺寸：最大7英寸；- 样品尺寸：最大6英寸；- 卡盘移动：X,Y,Z,Theta轴手动，楔形补偿调平；- 紫外光源：6.25" X 6.25"；- 光源功率：350瓦紫外灯；- 光源均匀性：+/-3%；- 光源365nm波长强度：最大30毫瓦；- 显微镜：双显微镜系统；- 显微镜移动：X,Y,Z轴手动调节；- 显微镜物镜空间：50-150mm；- 标配放大倍率：80X-400X；- 显示器：20" LCD；- 曝光时间：0.1-999秒；- 接触模式：真空接触，硬接触，软接触，接近接触(距离可调)；- 对准精度：1um (Vacuum Contact), 1.5um(Hard Contact), 3um(Soft Contact), 5um(Proximity Mode)；- 电源：220V，单相，15安培；主要特点:- 光源强度可控；- 紫外曝光，深紫外曝光(Option)；- 系统控制：手动、半自动和全自动控制；- 曝光模式：真空接触模式(接触力可调),Proximity接近模式, 投影模式；- 真空吸盘范围可调；- 专利技术：可双面对准，可双面光刻，具有IR和CCD模式- 双CCD显微镜系统，最大放大1000倍，显示屏直接调节，比传统目镜对准更方便快捷，易于操作。- 特殊的基底卡盘可定做；- 具有楔形补偿功能；

仪器简介：光刻机/紫外曝光机 (Mask Aligner)原产国: 韩国，唯一能做到图形化蓝宝石衬底（PSS）光刻机，高性价比型号：KCMA-100；又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统，光刻机，紫外曝光机等；ECOPIA为全球领先的半导体设备供应商，多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产，并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域；该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一，拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力；并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用；以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务，赢得了用户的青睐。感谢南开大学，中科院半导体所,中科院长春应化所，中科院物理所，浙江师范大学使用此设备做课题研究！！此型号光刻机是所有进口设备中性能价格比最高的型号，达到欧美品牌的对准精度，CCD显示屏对准更为方便，液晶触摸屏操作，采用欧司朗紫外灯，寿命长。整机效果皮实耐用，正常使用3年内不会出问题！！目前，上海蓝光已采用该公司全自动型光刻机做LED量化生产，证明其品质达到LED产业标准要求！！而且已经成功提供图形化蓝宝石衬底（PSS）光刻工艺设备.技术参数：- 基片尺寸：4、6、8、12、25英寸，其他尺寸可定制；- 光束均匀性：±3%；- 曝光时间可调范围：0.1 to 999.9秒；- 对准精度：0.6-1微米- 分辨率：1微米；- 光束输出强度：15-25mW/cm2； 项目技术规格曝光系统(Exposure System)MDA-400M型光源功率350W UV Exposure Light source with Power supply分辨率- Vacuum Contact : 1um ( Thin PR@Si Wafer )- Hard Contact : 1um- Soft contact : 2um- 20um Proximity: 5um最大光束尺寸4.25×4.25 inch光束均匀性≤ ±3% (4inch standard)光束强度15~20mW/cm2 (365nm Intensity)曝光时间可调整0.1 to 999.9 sec对准系统(Alignment System)对准精度1um对准间隙手动调节(数字显示)光刻模式真空, 硬接触, 软接触，渐进（Proximity）卡盘水平调节楔形错误补偿Wedge Error Compensation真空卡盘移动X, Y: 10 mm, Theta: ±5°Z向移动范围10mm接近调整步幅1um样品(Sample)基底 Substrate2, 3, 4 inch掩模板尺寸4 and 5 inchUtilities真空 Vacuum -200 mbar (系统包含真空泵)压缩空气 CDA 5Kg/cm2氮气 N23Kg/cm2电源 Electricity220V, 15A, 1Phase显微镜及显示器CCD and MonitorDual CCD zoom microscope and LCD (17inch) monitor Magnification : 80x ~ 1000x 主要特点：- 光源强度可控；- 紫外曝光，深紫外曝光(Option)；- 系统控制：手动、半自动和全自动控制；- 曝光模式：真空接触模式(接触力可调),Proximity接近模式, 投影模式；- 真空吸盘范围可调；- 专利技术：可双面对准，可双面光刻，具有IR和CCD模式- 两个CCD显微镜系统，最大放大1000倍，显示屏直接调节，比传统目镜对准更方便快捷，易于操作。- 特殊的基底卡盘可定做；- 具有楔形补偿功能；

科研用CNI v4.0是一种非常灵活的纳米压印机。它可提供加热型纳米压印、UV紫外纳米压印以及真空纳米压印。模块化系统可根据特定需求轻松配置，体积小，容易存放，最大可处理210mm(8英寸)圆形的任何尺寸印章和基材。该系统是手动装卸印章和模板，但所有处理器都是全自动的，专用软件用户可以完全控制压印过程。 纳米压印机特色：&bull 体积小巧，容易存放，桌面型；&bull 轻微复制微米和纳米级结构；&bull 热压印温度高达200℃；&bull 可选的高温模块，适用于250℃；&bull UV纳米压印，365nm曝光；&bull 可选的UV模块，适用于405nm曝光；&bull 真空纳米压印（腔室可抽真空至0.1mbar）；&bull 纳米压印压力高达11bar；&bull 温度分布均匀、读数精准；&bull 笔记本电脑全自动控制，工艺配方编辑简单，完全灵活控制，自动记录数据；&bull 直径最大210mm（圆形）腔室；&bull 腔室高度为20mm；&bull 即插即用&bull 使用简单直观&bull 专为研发而设计&bull 提供安装和操作教程视频

Model 212 型大面积光罩校准器是一种经济高效的高性能光罩校准器，它采用 OAI 业经验证的组件进行设计，这些组件使 OAI 成为光罩校准器行业的领导者。Model 212 型是台式光罩校准器，只需最小的洁净室空间，并且只需最小的洁净室空间，并且为大面积基板、液晶显示器、薄膜晶体管、面板级封装和OLED。Model 212大面积掩膜对准器采用了OAI 紫外光源，可提供近紫外、中紫外或深紫外准直紫外光。灯管提供近紫外、中紫外或深紫外准直紫外光，功率从 200 瓦到 2000 瓦不等。恒定强度控制器相连，以控制曝光强度控制在所需强度的 ±2% 范围内。Model 212系统参数: Substrate SizeSubstrate StageX, Y Travel Z TravelUp to 12” square or 300mm±10mm 5mmMicrometer.001” .0001”Graduationsor .01mm .001mmRotation±3.5&ring MaskSizeUp to 14” x 14”LightsourceBeam SizeUp to 12” squareLamp Power200, 350, 500, 1,000, and2,000 Watt NUV500, 1,000 and 2,000 Watt DUVShutter TimerTimer0.1 to 99.0 sec. at 0.1 second incrementsor 1.0 to 999 sec. at 1.0 second incrementsFacilitiesElectrical110 or 220 vac(or other according to Power Supply requirementsand Country)Vacuum20 - 28” Hg.Air and N2 ExhaustCDA at 60 PSI and N2at 20 PSI 0.35” to 0.5” WaterDimensionsHeight42” (1067mm)Width60” (1524mm)Depth53” (1346mm)

科研用polypico UniA6是一种非常灵活的纳米压印机。它可提供加热型纳米压印、UV紫外纳米压印以及真空纳米压印。模块化系统可根据特定需求轻松配置，体积小，容易存放，最大可处理210mm(8英寸)圆形的任何尺寸印章和基材。该系统是手动装卸印章和模板，但所有处理器都是全自动的，专用软件用户可以完全控制压印过程。 纳米压印机特色：&bull 体积小巧，容易存放，桌面型；&bull 轻微复制微米和纳米级结构；&bull 热压印温度高达200℃；&bull 可选的高温模块，适用于250℃；&bull UV纳米压印，365nm曝光；&bull 可选的UV模块，适用于405nm曝光；&bull 真空纳米压印（腔室可抽真空至0.1mbar）；&bull 纳米压印压力高达11bar；&bull 温度分布均匀、读数精准；&bull 笔记本电脑全自动控制，工艺配方编辑简单，完全灵活控制，自动记录数据；&bull 直径最大210mm（圆形）腔室；&bull 腔室高度为20mm；&bull 即插即用&bull 使用简单直观&bull 专为研发而设计&bull 提供安装和操作教程视频