耐压击穿电压测试仪

近日，美国弗吉尼亚理工大学电力电子技术中心（CPES）和苏州晶湛半导体团队合作攻关，通过采用苏州晶湛新型多沟道AlGaN/GaN异质结构外延片，以及运用pGaN降低表面场技术（p- GaN reduced surface field (RESURF)制备的肖特基势垒二极管(SBD)，成功实现了超过10kV的超高击穿电压。这是迄今为止氮化镓功率器件报道实现的最高击穿电压值。相关研究成果已于2021年6月发表于IEEE Electron Device Letters期刊。图1：多沟道AlGaN/GaN SBD器件结构图（引用自IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, VOL. 42, NO. 6, JUNE 2021）实现这一新型器件所采用的氮化镓外延材料结构包括20nm p+GaN/350nm p-GaN 帽层以及23nm Al0.25Ga0.75N/100nm GaN本征层的5个沟道。该外延结构由苏州晶湛团队通过MOCVD方法在4吋蓝宝石衬底上单次连续外延实现，无需二次外延。基于此外延结构开发的氮化镓器件结构如图1所示，在刻蚀工艺中，通过仅保留2微米的p-GaN场板结构（或称为降低表面场（RESURF）结构），能够显著降低峰值电场。在此基础上制备的多沟道氮化镓肖特基势垒二极管（SBD），在实现10kV的超高击穿电压的同时，巴利加优值（Baliga’s figure of merit, FOM）高达2.8 ，而39 的低导通电阻率，也远低于同样10kV耐压的 SiC 结型肖特基势垒二极管。多沟道氮化镓器件由于采用廉价的蓝宝石衬底以及水平器件结构，其制备成本也远低于采用昂贵SiC衬底制备的SiC二极管。创新性的多沟道设计可以突破单沟道氮化镓器件的理论极限，进一步降低开态电阻和系统损耗，并能实现超高击穿电压，大大拓展GaN器件在高压电力电子应用中的前景。在“碳达峰+碳中和”的历史性能源变革背景下，氮化镓电力电子器件在电动汽车、充电桩，可再生能源发电，工业电机驱动器，电网和轨道交通等高压应用领域具有广阔的潜力。苏州晶湛半导体有限公司已于近日发布了面向中高压电力电子和射频应用的硅基，碳化硅基以及蓝宝石基的新型多沟道AlGaN/GaN异质结构外延片全系列产品，欢迎海内外新老客户与我们洽商合作，共同推动氮化镓电力电子技术和应用的新发展！

绝缘电阻测试仪测量常见的有哪些问题?1 为什么在测量同一物体时用不同的电阻量程有不同的读数？ 这是因为测量电阻时为防止过电压损坏仪器，如果出现过量程时仪器内保护电路开始工作，将测试电压降下来以保护机内放大器。在不同的电压下测量同一物体会有不同的结果。而且当测量电阻时若读数小于199，既只为三位数且di一位数为1 时，其准确度要下降。所以在测量电阻时当di一次读数从1 变为某一读数时，不应再往更高的量程扭开关以防对仪器造成过大的电流冲击。在实际使用时，即读数位数多的比读数位数少的准确度高。2为什么测量完毕时一定要将量程开关再拨到104档后才能关电源？ 这是因为在测量时被测物体及仪器输入端都有一定的电容，这个电容在测量时已被充电到测量电时的电压值，如果仪器不拨到104挡后关电源这个充电后的电容器会对仪器内的放大器放电而造成仪器损坏。当被测量物体电容越大，测试电压越高时，电容器所储藏的电能越大，更容易损坏仪器，特别是在电阻的高量程或电流的低量程时因仪器非常灵敏，仪器过载而损坏的可能性更大。所以一定要将量程开关再拨到104挡后才能关电源。3为什么测量时仪器的读数总是不稳？ 一般的材料其导电性不是严格像标准电阻样在一定的电压下有很稳定的电流，有很多材料特别是防静电材料其导电性不符合欧姆定律，所以在测量时其读数不稳。 这不是仪器的问题，而是被测量物体的性能决定的。有的标准规定以测量1分钟时间的读数为准。通常在测量高电阻或微电流时测量准确度因重复性不好，对测量读数只要求2位或3位。另外在测量大电阻时如果屏蔽不好也会因外界的电磁信号对仪器测量结果造成读数不稳。4为什么测量一些物体的电流时用不同的量程也会出现测出结果相差较大？ 这是因为一般物体输出的电流不是恒定流，而仪器有一定内阻，若在仪器上所选量程的内阻过大以至于在仪器上的电压降影响被测物体的输出电流时会造成测量误差。一般电流越小的量程内阻越高，所以在测量电流时应选用电流大的量程。在实际使用时即只要电流表有读数时，读数位数少的小的比读数位数多的准确度高。 5 为什么测量完毕要将电压量程开关再拨到10V档后关闭电源？ 这是因为机内的电容器充有很高的电压（zui高电压达1200V以上），这些电容器的所带的电能保持较长的时间，如果将电压量程开关再拨到10V档后关闭电源，则会将机内的高压电容器很快放电，不会在测量的高压端留有很危险的电压造成电击。如果仅拨电源线而不是将电压调至10V档，虽然断了电源，但机内高压电容器还有会因长时间保持很高的电压，将会对人员或其它物体造成电击或损坏。在仪器有问题时也不要随便打开机箱因机内高压造成电击，要将仪器找专业技术人员或寄回厂家修理。6为什么在测量电阻过程中不要改变对被测物的测试电压？ 在测量电阻过程中如果改变对被测物的测试电压，无论电压变高或变低时都将会产生大脉冲电流，这个大的电流很有可能使仪器过量程甚至更损坏仪器。另一方面如果电压突然变化也会通过被测量物体的（分布）电容放电或反向放电对测量仪器造成冲击而损坏仪器。有的物体的耐压较低，当您改变测量电压时有右能击穿而产生大电流损坏仪器。如果要改变测量电压，在确保被测量物体不会因电压过高击穿时，要先将量程开关拨到104档后关闭电源，再从仪器后面板调整到所要求的电压。有的材料是非线性的，即电压与电流是不符合欧姆定律，有改变电压时由于电流不是线性变化，所以测量的电阻也会变化。

苏州热工研究院验收我司100kv电压击穿试验仪和ATI-212电阻率测试仪，我司工程师上门安装调试，成功验收得到客户的好评，下面是客户调试现场

GJW-50kV计算机控制电压击穿试验仪一、适用范围 本机主要适用于固体绝缘材料如：绝缘漆、树脂和胶、浸渍纤维制品、云母及其制品、、陶瓷和玻璃等在工频电压下击穿电压，击穿强度和耐电压的测试，符合GB1408.1-2006标准常温状态下的测试。二、主要技术参数及精度1、输入电压： AC220V2、输出电压： 0～50KV（交直流）3、测量范围： 5kV～50kV4、高压分级及升压速率 1）0～5kV 升压速率 0.5kV/S 2）＞5kV 升压速率 1kV/S 3）升压速率连续可调5、耐压试验电压： 0~50KV连续可调整6、耐压时间： 0~4H7、功率： 5KVA8、电源： AC220V ± 10% 50-60HZ三、精度等级：1级四、主要功能该仪器采用计算机控制，能过人机对话方式，完成对、绝缘介质的工频电压击穿，工频耐压试验，主要适用于固体绝缘材料。并对实验过程中的各种数据快速、准确地进行采集、处理、存取、显示、打印。本仪器属我公司首创，国家专利批为我公司专利五、基 本 配 置1、主机2、试验台一个3、油箱一个4、试验电极三个5、试验软件6、清华同方计算机一套7、A4彩色喷墨打印机一台 公司名称：长春市智能仪器设备有限公司 地址：长春市经济开发区昆山路2755号联系电话：0431-848644218 13944864580 传真：0431-84642036 联系人：芮小姐Http://www.znyq.com. E-mail:rsm-72@163.com

随着输液治疗的普遍应用，输液用品由开始的从玻璃输液瓶到聚氯乙烯(PVC)软袋、到聚丙烯、聚乙烯(PP)硬塑料瓶，直至符合环保的非PVC复合膜软袋（TPE）。非PVC复合膜软袋在国外日益广用于输液包装，复合膜软袋的材料质量符合欧洲药典、日本药典及美国药典的标准，具有很低的透水性、透气性及迁移性，适用于绝大多数药物的包装。该软袋是由三层共挤膜制成，不使用黏合剂，膜的清洗、软袋的成型等均在100级洁净厂房中完成，无热原、无微粒。 聚丙烯/聚丙烯/聚丙烯三层共挤膜是指以聚丙烯为主体，采用共挤出工艺，不使用黏合剂所形成的三/五层等输液用膜。 袋是指由聚丙烯/聚丙烯/聚丙烯三/五层等共挤输液用膜通过热合方法制成的输液袋。 越来越多的客户去关注包装耐内压力方面的测试，YBB 00102005-2015里面也明确要求其测试项目：市场上普遍采用的是通过过模拟包装在仓储、运输等过程中的堆码、挤压损伤等行为，检测试样在试验前后性能的变化，对材料的耐压性能进行科学的量化分析和判断。 我们普创科技通过和客户反复沟通认为平常的耐压性不可以满足其测试性能，我们设计新品其检测口检测试样内部压强，则需要增加力值传感器检测设备对试样施加的压力。并通过验收其名称为：输液袋耐压性测试仪~SCT-A3内压力检测仪。 该设备由触摸式微电脑控制，通过电机控制使压板达到预期的压力,由微电脑进行计时、控制电机的换向，控制试样压板上下动作，观察试样在一定压强和时间 下的密封状况。设备具有自动恒温系统和自动注、放液功能。适用于包装生产企业，检测机构和制药企业。想了解更多的细节部分请多多关注我们！

A1160绝缘油介电强度测定仪符合GB/T507 、DL/T429.9标准，用于检验绝缘油被水和其他悬浮物质物理污染的程度。测定方法是将试油放在专业的设备内，经受一个按一定速度均匀升压的交变电场的作用直至油被击穿。可广泛应用于电力、石油、化工等行业。仪器特点1、采用双CPU微型计算机控制。2、升压、回零、搅拌、显示、计算、打印等一系列操作自动完成。3、具有过压、过流、自动回零保护装置，可靠。4、采用自动正弦波产生装置和无级调压方式加压，使测试电压稳定可靠。5、2KV/S和3KV/S两种加压速度供选择，适应性强。6、数据自动存储，并可随时调出和打印。7、采用干式变压器组合，具有体积小巧、重量轻、使用方便。技术参数升压速度：2.0～3.02KV/S可调准确度：2%测量范围：0～80KV分辨率：0.01KV试验次数：6次（1-9次可调）实验杯数：1杯显示方式：液晶显示搅拌时间：磁力搅拌静止时间：15分 (0～59分可调)间隔时间：3～5分 (0～9分可调)工作电源：AC220V±10%，50Hz环境温度：5℃～40℃ 环境湿度：≤85%外形尺寸：460mm×380mm×360mm重 量：30kg

润滑油作为机械设备的润滑剂，其电气性能对设备的正常运行至关重要。击穿电压作为评价润滑油电气性能的重要指标之一，能够帮助工程师判断润滑油的电气性能是否达到设备要求。下面我们就来具体了解一下击穿电压在润滑油行业中的应用。1. 润滑油电气性能的表征润滑油的电气性能主要包括介电常数、介质损耗因数、电阻率等参数。其中，介电常数反映了润滑油在电场作用下的极化能力，介质损耗因数反映了电流通过润滑油时所消耗的能量，电阻率则反映了润滑油的导电性能。而击穿电压则可以进一步评价润滑油的电气绝缘性能，即当电压达到某一数值时，润滑油内部将产生放电现象，导致电流突然增加，这一电压值就是击穿电压。2. 击穿电压在润滑油选择中的应用在选择润滑油时，需要根据设备的运行工况和润滑油厂商提供的产品手册来选择合适的润滑油牌号在。产品手册中，通常会提供不同牌号润滑油的介电常数、介质损耗因数、电阻率和击穿电压等电气性能参数。在选择润滑油时，需要综合考虑这些参数，尤其是击穿电压，以确保设备在正常运转时，润滑油的电气性能能够满足设备要求。3. 击穿电压在润滑油品质控制中的应用在润滑油的生产过程中，由于原材料、生产工艺等因素的影响，润滑油的电气性能会发生一定的变化。为了确保生产出的润滑油符合产品要求，需要对润滑油的电气性能进行检测和监控。其中，击穿电压作为一项重要的检测指标之一，可以用于评估润滑油品质的稳定性。通过定期检测润滑油的击穿电压，可以对生产工艺和原材料进行及时调整，以确保生产的润滑油具有良好的电气性能。

借助美国页岩气的大规模开采，北美新建或扩建乙烷裂解装置产能从2016年起开始逐步释放，预计2020年北美乙烯及下游衍生物净出口将从2015年550万吨增加到1400万吨，2025年将进一步增加至1800万吨以上。美国低成本页岩气开发将影响世界石化产品区域格局。（二）2020年新冠疫情对行业冲击明显，由于投资惯性难以迅速停止，预计全球石化产品产能整体供过于求的态势将会加剧。（三）世界经济环境“逆全球化”苗头显现，国际形势激烈变动，贸易环境复杂多变。根据中投产业研究院发布的《2021-2025年中国石油化工行业投资分析及前景预测报告》，我国目前仍是全球最主要的石化产品净**国之一，贸易逆差巨大，但同时又是下游纺织、轻功等制品全球最主要出口国，国际贸易环境变化及不确定性将带来石化行业发展格局的深刻变化。A1160绝缘油介电强度测定仪符合GB/T507 、DL/T429.9标准，用于检验绝缘油被水和其他悬浮物质物理污染的程度。测定方法是将试油放在专业的设备内，经受一个按一定速度均匀升压的交变电场的作用直至油被击穿。可广泛应用于电力、石油、化工等行业。仪器特点1、采用双CPU微型计算机控制。2、升压、回零、搅拌、显示、计算、打印等一系列操作自动完成。3、具有过压、过流、自动回零保护装置，安全可靠。4、采用自动正弦波产生装置和无级调压方式加压，使测试电压稳定可靠。5、2KV/S和3KV/S两种加压速度供选择，适应性更强。6、数据自动存储，并可随时调出和打印。7、采用先进的干式变压器组合，具有体积小巧、重量轻、使用方便。技术参数升压速度：2.0～3.02KV/S可调准确度：2%测量范围：0～80KV分辨率：0.01KV试验次数：6次（1-9次可调）实验杯数：1杯显示方式：液晶显示搅拌时间：磁力搅拌静止时间：15分 (0～59分可调)间隔时间：3～5分 (0～9分可调)工作电源：AC220V±10%，50Hz环境温度：5℃～40℃ 环境湿度：≤85%外形尺寸：460mm×380mm×360mm重 量：30kg

包装袋，特别是用于液体食品如牛奶的吸吸袋包装，需要具备一定的耐压性能以保证在运输和储存过程中的完整性。耐压试验机是用来测试这类包装材料耐压强度的设备，其压板尺寸和量程是影响测试结果准确性的重要因素。压板尺寸压板尺寸指的是耐压试验机上用于施加压力的平板的面积大小。压板尺寸的选择应基于以下几个考虑：样品尺寸：压板尺寸应足够大，以覆盖整个包装袋样品，确保均匀施加压力。测试标准：不同的测试标准可能对压板尺寸有具体要求，应遵循相应的行业标准或国家标准。压力分布：较大的压板可以更均匀地分布压力，减少测试过程中的局部应力集中。量程量程指的是耐压试验机能够施加的压力范围。选择合适的量程对于确保测试的准确性和有效性至关重要：最大压力：量程的最大值应高于预期的包装材料耐压强度，以确保可以测试到材料的极限。压力分辨率：量程的分辨率决定了压力测量的精度，高分辨率有助于获取更精确的测试数据。测试需求：不同的包装材料可能有不同的耐压要求，选择的量程应满足这些需求。技术讲解均匀压力分布：耐压试验机的压板设计应确保在测试过程中压力均匀分布，避免因压力不均导致的测试误差。压板材质：压板的材质需要坚硬且均匀，以保证在施加压力时不会发生形变，影响测试结果。传感器精度：试验机中的压力传感器需要具有高精度和高稳定性，以确保测量结果的准确性。测试速度控制：耐压试验机应能够控制施加压力的速度，以模拟实际使用中可能遇到的不同条件。数据记录与分析：现代耐压试验机通常配备有数据记录和分析软件，可以自动记录测试过程中的压力变化，并分析得出耐压强度。结论选择合适的耐压试验机，特别是压板尺寸和量程，对于准确地评估包装袋如牛奶吸吸袋的耐压性能至关重要。通过精确控制测试条件和详细记录测试数据，可以有效确保包装材料的质量和安全性，满足消费者和法规的要求。随着技术的发展，耐压试验机也在不断升级，以适应更广泛的测试需求和提供更精确的测试结果。

药用PVC硬片的耐冲击性能检测是一个关键的质量控制步骤，以确保药品包装的完整性和保护药品免受运输和处理过程中的冲击。落镖冲击测试仪和落球冲击测试仪都是用于评估材料耐冲击性能的设备，但它们在设计和应用方面存在差异。落镖冲击测试仪落镖冲击测试仪通常用于评估软包装材料如薄膜、复合膜等的抗冲击穿透能力。它使用一个或多个特定重量和形状的落镖，从一定高度落下冲击试样。这种测试方法更多地侧重于材料的抗穿透性能，适用于检测软包装材料在实际使用中抵抗尖锐物体冲击的能力。落球冲击测试仪落球冲击测试仪则通常用于测试硬质塑料材料如药用PVC硬片的冲击强度。它使用一定质量的球体从预设高度自由落体，冲击试样，以此来模拟实际使用中可能遇到的冲击情况。落球冲击试验可以检测药用PVC硬片的耐用性、硬度、强度和韧性等性能。比较与选择在选择落镖冲击测试仪还是落球冲击测试仪时，需要考虑以下因素：材料特性：药用PVC硬片作为一种硬质塑料材料，更适合使用落球冲击测试仪进行测试。测试目的：如果测试目的是评估材料的耐冲击能力以及硬度和强度，落球冲击测试仪可能更为合适。标准遵循：应参考相关的医药包装材料测试标准或国际标准，如YBB00212005-2015等，这些标准可能指定了特定的测试方法。设备能力：确保所选设备能够满足药用PVC硬片的测试要求，包括试样尺寸、冲击高度和能量等。结论根据上述信息，对于药用PVC硬片的耐冲击性能检测，落球冲击测试仪 更为适合，因为它专门设计用于评估硬质塑料材料的冲击强度，并且符合药用PVC硬片的测试标准和要求。

东京理化EYELA于2010年2月15号推出了耐压微波合成反应釜，釜体由金属镂空外套和PTFE内管组成，镂空金属外套既保证了微波能量的充分传导又保证了安全，反应在PTFE内管里进行，PTFE超强的化学惰性保证了任何化学组分都不会产生可觉察得到的腐蚀和污染。品名 微波合成用 耐压反应釜 型号 MWP-1000 / MWP-2000 货号 240180 / 240860 反应釜个数 1个 合成体积 5～10mL / 25～60mL 温度耐受范围 室温＋10～220℃ 最高耐受压力 2.5MPa（25kg） 搅拌方式 磁力搅拌（磁力搅拌器需另配） 接液部材料 PFA、PTFE 最长连续反应时间 4小时以内 / 2小时以内 容器外寸法（㎜） &phi 50× 130H / &phi 95× 136H

项目编号：M4400000707015234001项目名称：手套箱与电流电压测试仪等设备采购(四次)采购方式：公开招标预算金额：2,128,500.00元采购需求：合同包1(金相显微镜探针台等设备采购):合同包预算金额：2,128,500.00元品目号品目名称采购标的数量（单位）技术规格、参数及要求品目预算(元)最高限价(元)1-1其他专用仪器仪表金相显微镜探针台1(套)详见采购文件199,000.00-1-2其他专用仪器仪表高温分析探针台1(套)详见采购文件158,000.00-1-3其他专用仪器仪表探针台5(套)详见采购文件245,000.00-1-4其他专用仪器仪表电容电压特性测试仪5(套)详见采购文件180,000.00-1-5其他专用仪器仪表电流电压测试仪10(套)详见采购文件500,000.00-1-6其他专用仪器仪表少子寿命测试仪5(套)详见采购文件150,000.00-1-7其他专用仪器仪表霍尔效应测试仪5(套)详见采购文件27,500.00-1-8其他专用仪器仪表四探针测试仪5(套)详见采购文件115,000.00-1-9其他专用仪器仪表晶体管图示仪5(套)详见采购文件45,000.00-1-10其他专用仪器仪表数字荧光示波器16(套)详见采购文件496,000.00-1-11其他专用仪器仪表万用表10(套)详见采购文件13,000.00-本合同包不接受联合体投标合同履行期限：自合同签订之日起至质保期满之日

日立高新技术公司于2013年11月18日在中国发布了ChromasterUltra Rs超高效液相色谱仪。ChromasterUltra Rs具有目前世界最高的耐压水平：140 MPa，可真正实现超高速分析；新开发的色谱柱理论塔板数高达50,000以上，耐压高达140MPa，实现了真正的超高分辨分析；二极管阵列（DAD）检测器的65 mm流通池、新型光学系统可实现真正的超高灵敏度分析。 众所周知，药物和化学领域的研发部门对仪器性能、分辨和灵敏度的要求是非常高的,而ChromasterUltra Rs超高效液相色谱仪可完全满足这些用户的要求。现在典型的前沿分析，如：对化学性质相似物和合成化合物中的杂质进行高分辨分析，对跟日常生活密切相关的有害物质等杂质成分进行高灵敏度检测,这些都对仪器性能提出了很高的要求,而日立高新超高效液相色谱仪（UHPLC）可完全满足这些要求。特点 超高速分析 目前世界最高的耐压水平：140 MPa，可真正实现超高速分析。因系统耐压增强，有些会导致压力升高的流动相也可使用，这样扩大了可选分析方法的范围，非常适合复杂成分的检测和分析方法的开发。 高分辨分析 新开发的色谱柱（LaChromUltra II ODS C18，填料粒径1.9 µ m，长250 mm），理论塔板数高达50,000以上,耐压高达1 40MPa，实现了真正的超高分辨分析。新型二元泵配有冲程可变独立柱塞，除了日立特有的LBT*1技术，还标配低容量双螺纹混合器，这些都确保送液时的混合效果和稳定性更好。10 mm全反射型毛细管流通池，可有效减小柱外扩散，获得更高分辨。 高灵敏度分析 二极管阵列检测器的65 mm流通池（选配），灵敏度极高，对痕量物质的检测尤为突出。二极管阵列（DAD）检测器的新型光学系统有效地减小了噪音和漂移,保证了高灵敏度的分析结果。自动进样器配有多种清洗模式,标配进样口反冲功能，极大降低了样品残留。 模块产品线 二极管阵列（DAD）检测器系统紫外-可见（UV-VIS）检测器系统 应用例 水解蛋白的肽图法 新型色谱柱（250 mm长、填料粒径1.9 µ m）的理论塔板数和峰容量更高。该色谱柱可耐受的压力更高，与填料粒径5 µ m的色谱柱相比（即使长度相同），分析时间缩短一半，而峰容量提高了1.4倍。 色谱条件 流动相 （A）0.1％-TFA/H2O （B）0.1％-TFA/CH3CN 梯度 （1）5％ B（0 min）&rarr 45％ B（60 min） （2）5％ B（0 min）&rarr 45％ B（30 min） 流速 （1）1.0 mL/min （2）0.85 mL/min 柱温 40° C 检测波长 215 nm 进样量 （1）10 µ L（约 100 µ g） （2）5 µ L（约 50 µ g） *1：LBT：液体压缩技术更多详细信息请参考日立高新技术公司网站：http://www.hitachi-hitec.com/global/cn/zh/science/lc/chromasterultra.html 关于日立高新技术公司: 　　日立高新技术公司是一家全球雇员超过10,000人，有百余处经营网点的跨国公司。企业发展目标是&ldquo 成为独步全球的高新技术和解决方案提供商&rdquo ，即兼有掌握最先进技术水准的开发、设计、制造能力和满足企业不同需求的解决方案提供商身份的综合性高新技术公司。日立高新技术公司的生命科学系统本部，通过提供高端的科学仪器，提高了分析技术和工作效率，有力推进了生命科学领域的研究开发。我们衷心地希望通过所有的努力，为实现人类光明的未来贡献力量。　　更多信息请关注日立高新技术公司网站：http://www.hitachi-hitec.cn

食品包装企业在确保产品质量和安全方面扮演着至关重要的角色。薄膜拉力机、摩擦系数仪和密封性测试仪是品控过程中不可或缺的仪器，它们各自在包装材料的测试和质量控制中发挥着独特的作用：薄膜拉力机：薄膜拉力机用于测量包装材料（如塑料薄膜、复合材料等）的拉伸强度、断裂伸长率、弹性模量等力学性能。这些参数对于评估包装材料的耐用性、抗破损能力和在实际使用中的可靠性至关重要。通过拉力机测试，可以确保包装材料能够承受一定程度的物理冲击和拉伸，从而避免在运输和存储过程中出现破损。摩擦系数仪：摩擦系数仪用于测定包装材料的滑动摩擦系数，这对于评估包装材料在生产线上的运行特性非常重要。低摩擦系数可以减少包装过程中的磨损，提高生产线的效率，同时也可以降低包装材料在储存和运输过程中的粘连问题。适当的摩擦系数有助于确保自动包装机械的顺畅运作，减少停机时间和材料浪费。密封性测试仪：密封性测试仪用于检测包装的完整性和密封强度，这对于食品包装尤为重要，因为密封的可靠性直接关系到食品的保质期和卫生安全。通过密封性测试，可以确保包装无泄漏，防止外界污染物和微生物的侵入，保障食品的质量和安全。密封性测试也有助于检测包装材料的耐压性和耐穿刺性，特别是在包装易碎或易受外界环境影响的食品时。综上所述，薄膜拉力机、摩擦系数仪和密封性测试仪是食品包装企业品控的必备仪器，它们分别从材料的力学性能、生产线的运行效率和产品的安全密封性等方面，为保证食品包装质量提供了强有力的技术支持。通过这些仪器的严格测试和控制，食品包装企业能够提供更加可靠和安全的包装解决方案，满足消费者和法规的要求。更多相关产品信息、解决方案、行业动态可关注山东泉科瑞达仪器官网

1. 研究背景及意义碳化硅(SiC)是一种宽带隙(WBG)的半导体材料，目前已经显示出有能力满足前述领域中不断发展的电力电子的更高性能要求。在过去，硅(Si)一直是最广泛使用的功率开关器件的半导体材料。然而，随着硅基功率器件已经接近其物理极限，进一步提高其性能正成为一个巨大的挑战。我们很难将它的阻断电压和工作温度分别限制在6.5kV和175℃，而且相对于碳化硅器件它的开关速度相对较慢。另一方面，由SiC制成的器件在过去几十年中已经从不成熟的实验室原型发展成为可行的商业产品，并且由于其高击穿电压、高工作电场、高工作温度、高开关频率和低损耗等优势被认为是Si基功率器件的替代品。除了这些性能上的改进，基于SiC器件的电力电子器件有望通过最大限度地减少冷却要求和无源元件要求来实现系统的体积缩小，有助于降低整个系统成本。SiC的这些优点与未来能源转换应用中的电力电子器件的要求和方向非常一致。尽管与硅基器件相比SiC器件的成本较高，但SiC器件能够带来的潜在系统优势足以抵消增加的器件成本。目前SiC器件和模块制造商的市场调查显示SiC器件的优势在最近的商业产品中很明显，例如SiC MOSFETs的导通电阻比Si IGBT的导通电阻小四倍，并且在每三年内呈现出-30%的下降趋势。与硅同类产品相比，SiC器件的开关能量小10-20倍，最大开关频率估计高20倍。由于这些优点，预计到2022年，SiC功率器件的总市场将增长到10亿美元，复合年增长率(CAGR)为28%，预计最大的创收应用是在混合动力和电动汽车、光伏逆变器和工业电机驱动中。然而，从器件的角度来看，挑战和问题仍然存在。随着SiC芯片有效面积的减少，短路耐久时间也趋于减少。这表明在稳定性、可靠性和芯片尺寸之间存在着冲突。而且SiC器件的现场可靠性并没有在各种应用领域得到证明，这些问题直接导致SiC器件在电力电子市场中的应用大打折扣。另一方面，生产高质量、低缺陷和较大的SiC晶圆是SiC器件制造的技术障碍。这种制造上的困难使得SiC MOSFET的每年平均销售价格比Si同类产品高4-5倍。尽管SiC材料的缺陷已经在很大程度上被克服，但制造工艺还需要改进，以使SiC器件的成本更加合理。最近几年大多数SiC器件制造大厂已经开始使用6英寸晶圆进行生产。硅代工公司X-fab已经升级了其制造资源去适应6英寸SiC晶圆，从而为诸如Monolith这类无晶圆厂的公司提供服务。这些积极的操作将导致SiC器件的整体成本降低。图1.1 SiC器件及其封装的发展图1.1展示了SiC功率器件及其封装的发展里程碑。第一个推向市场的SiC器件是英飞凌公司在2001年生产的肖特基二极管。此后，其他公司如Cree和Rohm继续发布各种额定值的SiC二极管。2008年，SemiSouth公司生产了第一个SiC结点栅场效应晶体管（JFET），在那个时间段左右，各公司开始将SiC肖特基二极管裸模集成到基于Si IGBT的功率模块中，生产混合SiC功率模块。从2010年到2011年，Rohm和Cree推出了第一个具有1200V额定值的分立封装的SiC MOSFET。随着SiC功率晶体管的商业化，Vincotech和Microsemi等公司在2011年开始使用SiC JFET和SiC二极管生产全SiC模块。2013年，Cree推出了使用SiC MOSFET和SiC二极管的全SiC模块。此后，其他器件供应商，包括三菱、赛米控、富士和英飞凌，自己也发布了全SiC模块。在大多数情况下，SiC器件最初是作为分立元件推出的，而将这些器件实现为模块封装是在最初发布的几年后开发的。这是因为到目前为止分立封装的制造过程比功率模块封装要简单得多。另一个原因也有可能是因为发布的模块已经通过了广泛的标准JEDEC可靠性测试资格认证，这代表器件可以通过2000万次循环而不发生故障，因此具有严格的功率循环功能。而且分离元件在设计系统时具有灵活性，成本较低，而模块的优势在于性能较高，一旦有了产品就容易集成。虽然SiC半导体技术一直在快速向前发展，但功率模块的封装技术似乎是在依赖过去的惯例，这是一个成熟的标准。然而，它并没有达到充分挖掘新器件的潜力的速度。SiC器件的封装大多是基于陶瓷基底上的线接合方法，这是形成多芯片模块（MCM）互连的标准方法，因为它易于使用且成本相对较低。然而，这种标准的封装方法由于其封装本身的局限性，已经被指出是向更高性能系统发展的技术障碍。首先，封装的电寄生效应太高，以至于在SiC器件的快速开关过程中会产生不必要的损失和噪音。第二，封装的热阻太高，而热容量太低，这限制了封装在稳态和瞬态的散热性能。第三，构成封装的材料和元件通常与高温操作（200℃）不兼容，在升高的操作温度下，热机械可靠性恶化。最后，对于即将到来的高压SiC器件，承受高电场的能力是不够的。这些挑战的细节将在第二节进一步阐述。总之，不是器件本身，而是功率模块的封装是主要的限制因素之一，它阻碍了封装充分发挥SiC元件的优势。因此，应尽最大努力了解未来SiC封装所需的特征，并相应地开发新型封装技术去解决其局限性。随着社会的发展，环保问题与能源问题愈发严重，为了提高电能的转化效率，人们对于用于电力变换和电力控制的功率器件需求强烈[1, 2]。碳化硅（SiC）材料作为第三代半导体材料，具有禁带宽度大，击穿场强高、电子饱和速度大、热导率高等优点[3]。与传统的Si器件相比，SiC器件的开关能耗要低十多倍[4]，开关频率最高提高20倍[5, 6]。SiC功率器件可以有效实现电力电子系统的高效率、小型化和轻量化。但是由于SiC器件工作频率高，而且结电容较小，栅极电荷低，这就导致器件开关时，电压和电流变化很大，寄生电感就极易产生电压过冲和振荡现象，造成器件电压应力、损耗的增加和电磁干扰问题[7, 8]。还要考虑极端条件下的可靠性问题。为了解决这些问题，除了器件本身加以改进，在封装工艺上也需要满足不同工况的特性要求。起先，电力电子中的SiC器件是作为分立器件生产的，这意味着封装也是分立的。然而SiC器件中电压或电流的限制，通常工作在低功耗水平。当需求功率达到100 kW或更高时，设备往往无法满足功率容量要求[9]。因此，需要在设备中连接和封装多个SiC芯片以解决这些问题，并称为功率模块封装[10, 11]。到目前为止，功率半导体的封装工艺中，铝（Al）引线键合封装方案一直是最优的封装结构[12]。传统封装方案的功率模块采用陶瓷覆铜板，陶瓷覆铜板（Direct Bonding Copper，DBC）是一种具有两层铜的陶瓷基板，其中一层图案化以形成电路[13]。功率半导体器件底部一般直接使用焊料连接到DBC上，顶部则使用铝引线键合。底板（Baseplate）的主要功能是为DBC提供支撑以及提供传导散热的功能，并与外部散热器连接。传统封装提供电气互连（通过Al引线与DBC上部的Cu电路键合）、电绝缘（使用DBC陶瓷基板）、器件保护（通过封装材料）和热管理（通过底部）。这种典型的封装结构用于目前制造的绝大多数电源模块[14]。传统的封装方法已经通过了严格的功率循环测试（2000万次无故障循环），并通过了JEDEC标准认证[15]。传统的封装工艺可以使用现有的设备进行，不需要额外开发投资设备。传统的功率模块封装由七个基本元素组成，即功率半导体芯片、绝缘基板、底板、粘合材料、功率互连、封装剂和塑料外壳，如图1.2所示。模块中的这些元素由不同的材料组成，从绝缘体、导体、半导体到有机物和无机物。由于这些不同的材料牢固地结合在一起，为每个元素选择适当的材料以形成一个坚固的封装是至关重要的。在本节中，将讨论七个基本元素中每个元素的作用和流行的选择以及它们的组装过程。图1.2标准功率模块结构的横截面功率半导体是功率模块中的重要元素，通过执行电气开/关开关将功率从源头转换到负载。标准功率模块中最常用的器件类型是MOSFETs、IGBTs、二极管和晶闸管。绝缘衬底在半导体元件和终端之间提供电气传导，与其他金属部件（如底板和散热器）进行电气隔离，并对元件产生的热量进行散热。直接键合铜（DBC）基材在传统的电源模块中被用作绝缘基材，因为它们具有优良的性能，不仅能满足电气和热的要求，而且还具有机械可靠性。在各种候选材料中，夹在两层铜之间的陶瓷层的流行材料是Al2O3，AlN，Si2N4和BeO。接合材料的主要功能是通过连接每个部件，在半导体、导体导线、端子、基材和电源模块的底板之间提供机械、热和电的联系。由于其与电子组装环境的兼容性，SnPb和SnAgCu作为焊料合金是最常用的芯片和基片连接材料。在选择用于功率模块的焊料合金时，需要注意的重要特征是：与使用温度有关的熔化温度，与功率芯片的金属化、绝缘衬底和底板的兼容性，高机械强度，低弹性模量，高抗蠕变性和高抗疲劳性，高导热性，匹配的热膨胀系数（CTE），成本和环境影响。底板的主要作用是为绝缘基板提供机械支持。它还从绝缘基板上吸收热量并将其传递给冷却系统。高导热性和低CTE（与绝缘基板相匹配）是对底板的重要特性要求。广泛使用的底板材料是Cu，AlSiC，CuMoCu和CuW。导线键合的主要作用是在模块的功率半导体、导体线路和输入/输出终端之间进行电气连接。器件的顶面连接最常用的材料是铝线。对于额定功率较高的功率模块，重铝线键合或带状键合用于连接功率器件的顶面和陶瓷基板的金属化，这样可以降低电阻和增强热能力。封装剂的主要目的是保护半导体设备和电线组装的组件免受恶劣环境条件的影响，如潮湿、化学品和气体。此外，封装剂不仅在电线和元件之间提供电绝缘，以抵御电压水平的提高，而且还可以作为一种热传播媒介。在电源模块中作为封装剂使用的材料有硅凝胶、硅胶、聚腊烯、丙烯酸、聚氨酯和环氧树脂。塑料外壳（包括盖子）可以保护模块免受机械冲击和环境影响。因为即使电源芯片和电线被嵌入到封装材料中，它们仍然可能因处理不当而被打破或损坏。同时外壳还能机械地支撑端子，并在端子之间提供隔离距离。热固性烯烃（DAP）、热固性环氧树脂和含有玻璃填料的热塑性聚酯（PBT）是塑料外壳的最佳选择。传统电源模块的制造过程开始于使用回流炉在准备好的DBC基片上焊接电源芯片。然后，许多这些附有模具的DBC基板也使用回流焊工艺焊接到一个底板上。在同一块底板上，用胶水或螺丝钉把装有端子的塑料外壳连接起来。然后，正如前面所讨论的那样，通过使用铝线进行电线连接，实现电源芯片的顶部、DBC的金属化和端子之间的连接。最后，用分配器将封装材料沉积在元件的顶部，并在高温下固化。前面所描述的结构、材料和一系列工艺被认为是功率模块封装技术的标准，在目前的实践中仍被广泛使用。尽管对新型封装方法的需求一直在持续，但技术变革或采用是渐进的。这种对新技术的缓慢接受可以用以下原因来解释。首先，人们对与新技术的制造有关的可靠性和可重复性与新制造工艺的结合表示担忧，这需要时间来解决。因此，考虑到及时的市场供应，模块制造商选择继续使用成熟的、广为人知的传统功率模块封装技术。第二个原因是传统电源模块的成本效益。由于传统电源模块的制造基础设施与其他电子器件封装环境兼容，因此不需要与开发新材料和设备有关的额外成本，这就大大降低了工艺成本。尽管有这些理由坚持使用标准的封装方法，但随着半导体趋势从硅基器件向碳化硅基器件的转变，它正显示出局限性并面临着根本性的挑战。使用SiC器件的最重要的优势之一是能够在高开关频率下工作。在功率转换器中推动更高的频率背后的主要机制是最大限度地减少整个系统的尺寸，并通过更高的开关频率带来的显著的无源尺寸减少来提高功率密度。然而，由于与高开关频率相关的损耗，大功率电子设备中基于硅的器件的开关频率通常被限制在几千赫兹。图1.3中给出的一个例子显示，随着频率的增加，使用Si-IGBT的功率转换器的效率下降，在20kHz时已经下降到73%。另一方面，在相同的频率下，SiC MOSFET的效率保持高达92%。从这个例子中可以看出，硅基器件在高频运行中显示出局限性，而SiC元件能够在更高频率下运行时处理高能量水平。尽管SiC器件在开关性能上优于Si器件对应产品，但如果要充分利用其快速开关的优势，还需要考虑到一些特殊的因素。快速开关的瞬态效应会导致器件和封装内部的电磁寄生效应，这正成为SiC功率模块作为高性能开关应用的最大障碍。图1.3 Si和SiC转换器在全额定功率和不同开关频率下的效率图1.4给出了一个半桥功率模块的电路原理图，该模块由高低两侧的开关和二极管对组成，如图1.4所示，其中有一组最关键的寄生电感，即主开关回路杂散电感(Lswitch)、栅极回路电感(Lgate)和公共源电感(Lsource)。主开关回路杂散电感同时存在于外部电源电路和内部封装互连中，而外部杂散电感对开关性能的影响可以通过去耦电容来消除。主开关回路杂散电感(Lswitch)是由直流+总线、续流二极管、MOSFET(或IGBT)和直流总线终端之间的等效串联电感构成的。它负责电压过冲，在关断期间由于电流下降而对器件造成严重的压力，负反馈干扰充电和向栅极源放电的电流而造成较慢的di/dt的开关损失，杂散电感和半导体器件的输出电容的共振而造成开关波形的振荡增加，从而导致EMI发射增加。栅极环路电感(Lgate)由栅极电流路径形成，即从驱动板到器件的栅极接触垫，以及器件的源极到驱动板的连接。它通过造成栅极-源极电压积累的延迟而降低了可实现的最大开关频率。它还与器件的栅极-源极电容发生共振，导致栅极信号的震荡。结果就是当我们并联多个功率芯片模块时，如果每个栅极环路的寄生电感不相同或者对称，那么在开关瞬间将产生电流失衡。共源电感(Lsource)来自主开关回路和栅极回路电感之间的耦合。当打开和关闭功率器件时，di/dt和这个电感上的电压在栅极电路中作为额外的（通常是相反的）电压源，导致di/dt的斜率下降，扭曲了栅极信号，并限制了开关速度。此外，共源电感可能会导致错误的触发事件，这可能会通过在错误的时间打开器件而损坏器件。这些寄生电感的影响在快速开关SiC器件中变得更加严重。在SiC器件的开关瞬态过程中会产生非常高的漏极电流斜率di/dt，而前面讨论的寄生电感的电压尖峰和下降也明显大于Si器件的。寄生电感的这些不良影响导致了开关能量损失的增加和可达到的最大开关频率的降低。开关瞬态的问题不仅来自于电流斜率di/dt，也来自于电压斜率dv/dt。这个dv/dt导致位移电流通过封装的寄生电容，也就是芯片和冷却系统之间的电容。图1.5显示了半桥模块和散热器之间存在的寄生电容的简化图。这种不需要的电流会导致对变频器供电的电机的可靠性产生不利影响。例如，汽车应用中由放电加工(EDM)引起的电机轴承缺陷会产生很大的噪声电流。在传统的硅基器件中，由于dv/dt较低，约为3 kV/µs，因此流经寄生电容的电流通常忽略不记。然而，SiC器件的dv/dt比Si器件的dv/dt高一个数量级，最高可达50 kV/µs，使通过封装电容的电流不再可以忽略。对Si和SiC器件产生的电磁干扰(EMI)的比较研究表明，由于SiC器件的快速开关速度，传导和辐射的EMI随着SiC器件的使用而增加。除了通过封装进入冷却系统的电流外，电容寄也会减缓电压瞬变，在开关期间产生过电流尖峰，并通过与寄生电感形成谐振电路而增加EMI发射，这是我们不希望看到的。未来的功率模块封装应考虑到SiC封装中的寄生和高频瞬变所带来的所有复杂问题和挑战。解决这些问题的主要封装级需要做到以下几点。第一，主开关回路的电感需要通过新的互连技术来最小化，以取代冗长的线束，并通过优化布局设计，使功率器件接近。第二，由于制造上的不兼容性和安全问题，栅极驱动电路通常被组装在与功率模块分开的基板上。应通过将栅极驱动电路与功率模块尽可能地接近使栅极环路电感最小化。另外，在平行芯片的情况下，布局应该是对称的，以避免电流不平衡。第三，需要通过将栅极环路电流与主开关环路电流分开来避免共源电感带来的问题。这可以通过提供一个额外的引脚来实现，例如开尔文源连接。第四，应通过减少输出端和接地散热器的电容耦合来减轻寄生电容中流动的电流，比如避免交流电位的金属痕迹的几何重叠。图1.4半桥模块的电路原理图。三个主要的寄生电感表示为Lswitch、Lgate和Lsource。图1.5半桥模块的电路原理图。封装和散热器之间有寄生电容。尽管目前的功率器件具有优良的功率转换效率，但在运行的功率模块中，这些器件产生的热量是不可避免的。功率器件的开关和传导损失在器件周围以及从芯片到冷却剂的整个热路径上产生高度集中的热通量密度。这种热通量导致功率器件的性能下降，以及器件和封装的热诱导可靠性问题。在这个从Si基器件向SiC基器件过渡的时期，功率模块封装面临着前所未有的散热挑战。图1.6根据额定电压和热阻计算出所需的总芯片面积在相同的电压和电流等级下，SiC器件的尺寸可以比Si器件小得多，这为更紧凑的功率模块设计提供了机会。根据芯片的热阻表达式，芯片尺寸的缩小，例如芯片边缘的长度，会导致热阻的二次方增加。这意味着SiC功率器件的模块化封装需要特别注意散热和冷却。图1.6展示了计算出所需的总芯片面积减少，这与芯片到冷却剂的热阻减少有关。换句话说，随着芯片面积的减少，SiC器件所需的热阻需要提高。然而，即使结合最先进的冷却策略，如直接冷却的冷板与针状翅片结构，假设应用一个70kVA的逆变器，基于DBC和线束的标准功率模块封装的单位面积热阻值通常在0.3至0.4 Kcm2/W之间。为了满足研究中预测的未来功率模块的性能和成本目标，该值需要低于0.2 Kcm2/W，这只能通过创新方法实现，比如双面冷却法。同时，小的芯片面积也使其难以放置足够数量的线束，这不仅限制了电流处理能力，也限制了热电容。以前对标准功率模块封装的热改进大多集中在稳态热阻上，这可能不能很好地代表开关功率模块的瞬态热行为。由于预计SiC器件具有快速功率脉冲的极其集中的热通量密度，因此不仅需要降低热阻，还需要改善热容量，以尽量减少这些快速脉冲导致的峰值温度上升。在未来的功率模块封装中，应解决因采用SiC器件而产生的热挑战。以下是未来SiC封装在散热方面应考虑的一些要求。第一，为了降低热阻，需要减少或消除热路中的一些封装层；第二，散热也需要从芯片的顶部完成以使模块的热阻达到极低水平，这可能需要改变互连方法，比如采用更大面积的接头；第三，封装层接口处的先进材料将有助于降低封装的热阻。例如，用于芯片连接和热扩散器的材料可以分别用更高的导热性接头和碳基复合材料代替。第四，喷射撞击、喷雾和微通道等先进的冷却方法可以用来提高散热能力。SiC器件有可能被用于预期温度范围极广的航空航天应用中。例如用于月球或火星任务的电子器件需要分别在-180℃至125℃和-120℃至85℃的广泛环境温度循环中生存。由于这些空间探索中的大多数电子器件都是基于类似地球的环境进行封装的，因此它们被保存在暖箱中，以保持它们在极低温度下的运行。由于SiC器件正在评估这些条件，因此需要开发与这些恶劣环境兼容的封装技术，而无需使用暖箱。与低温有关的最大挑战之一是热循环引起的大的CTE失配对芯片连接界面造成的巨大压力。另外，在室温下具有柔性和顺应性的材料，如硅凝胶，在-180℃时可能变得僵硬，在封装内产生巨大的应力水平。因此，SiC封装在航空应用中的未来方向首先是开发和评估与芯片的CTE密切匹配的基材，以尽量减少应力。其次，另一个方向应该是开发在极低温度下保持可塑性的芯片连接材料。在最近的研究活动中，在-180℃-125℃的极端温度范围内，对分别作为基材和芯片附件的SiN和Indium焊料的性能进行了评估和表征。为进一步推动我国能源战略的实施，提高我国在新能源领域技术、装备的国际竞争力，实现高可靠性碳化硅 MOSFET 器件中试生产技术研究，研制出满足移动储能变流器应用的多芯片并联大功率MOSFET 器件。本研究将通过寄生参数提取、建模、仿真及测试方式研究 DBC 布局、多栅极电阻等方式对芯片寄生电感与均流特性的影响，进一步提高我国碳化硅器件封装及测试能力。2. SiC MOSFET功率模块设计技术2.1 模块设计技术介绍在MOSFET模块设计中引入软件仿真环节，利用三维电磁仿真软件、三维温度场仿真软件、三维应力场仿真软件、寄生参数提取软件和变流系统仿真软件，对MOSFET模块设计中关注的电磁场分布、热分布、应力分布、均流特性、开关特性、引线寄生参数对模块电特性影响等问题进行仿真，减小研发周期、降低设计研发成本，保证设计的产品具备优良性能。在仿真基础上，结合项目团队多年从事电力电子器件设计所积累的经验，解决高压大功率MOSFET模块设计中存在的多片MOSFET芯片和FRD芯片的匹配与均流、DBC版图的设计与芯片排布设计、电极结构设计、MOSFET模块结构设计等一系列难题，最终完成模块产品的设计。高压大功率MOSFET模块设计流程如下：图2.1高压大功率MOSFET模块设计流程在MOSFET模块设计中，需要综合考虑很多问题，例如：散热问题、均流问题、场耦合问题、MOSFET模块结构优化设计问题等等。MOSFET芯片体积小，热流密度可以达到100W/cm2~250W/cm2。同时，基于硅基的MOSFET芯片最高工作温度为175℃左右。据统计，由于高温导致的失效占电力电子芯片所有失效类型的50%以上。随电力电子器件设备集成度和环境集成度的逐渐增加，MOSFET模块的最高温升限值急剧下降。因此，MOSFET模块的三维温度场仿真技术是高效率高功率密度MOSFET模块设计开发的首要问题。模块散热能力与众多因素有关：MOSFET模块所用材料的物理和化学性质、MOSFET芯片的布局、贴片的质量、焊接的工艺水平等。如果贴片质量差，有效散热面积小，芯片与DBC之间的热阻大，在模块运行时易造成模块局部过热而损坏。另外，芯片的排布对热分布影响也很大。下图4.2是采用有限元软件对模块内部的温度场进行分析的结果：图2.2 MOSFET模块散热分布分析在完成结构设计和材料选取后，采用ANSYS软件的热分析模块ICEPAK，建立包括铜基板、DBC、MOSFET芯片、二极管芯片以及包括铝质键合引线在内的相对完整的数值模拟模型。模拟实际工作条件，施加相应的载荷，得到MOSFET的温度场分布，根据温度场分布再对MOSFET内部结构和材料进行调整，直至达到设计要求范围内的最优。2.2 材料数据库对一个完整的焊接式MOSFET模块而言，从上往下为一个 8层结构：绝缘盖板、密封胶、键合、半导体芯片层、焊接层 1、DBC、焊接层 2、金属底板。MOSFET模块所涉及的主要材料可分为以下几种类型：导体、绝缘体、半导体、有机物和无机物。MOSFET模块的电、热、机械等性能与材料本身的电导率、热导率、热膨胀系数、介电常数、机械强度等密切相关。材料的选型非常重要，为此有必要建立起常用的材料库。2.3 芯片的仿真模型库所涉及的MOSFET芯片有多种规格，包括：1700V 75A/100A/125A；2500V/50A；3300V/50A/62.5A；600V/100A；1200V/100A；4500V/42A；6500V/32A。为便于合理地进行芯片选型（确定芯片规格及其数量），精确分析多芯片并联时的均流性能，首先为上述芯片建立等效电路模型。在此基础上，针对实际电力电子系统中的滤波器、电缆和电机负载模型，搭建一个系统及的仿真平台，从而对整个系统的电气性能进行分析预估。2.4 MOSFET模块的热管理MOSFET模块是一个含不同材料的密集封装的多层结构，其热流密度达到100W/cm2--250W/cm2，模块能长期安全可靠运行的首要因素是良好的散热能力。散热能力与众多因素有关：MOSFET模块所用材料的物理和化学性质、MOSFET芯片的布局、贴片的质量、焊接的工艺水平等。如果贴片质量差，有效散热面积小，芯片与DBC之间的热阻大，在模块运行时易造成模块局部过热而损坏。芯片可靠散热的另一重要因素是键合的长度和位置。假设散热底板的温度分布均匀，而每个MOSFET芯片对底板的热阻有差异，导致在相同工况时，每个MOSFET芯片的结温不同。下图是采用有限元软件对模块内部的温度场进行分析的结果。图2.3MOSFET模块热分布在模块完成封装后，采用FLOTHERM软件的热分析模块，建立包括铜基板、DBC、MOSFET芯片、二极管芯片以及包括铝质键合引线在内的相对完整的数值模拟模型。模拟实际工作条件，施加相应的载荷，得到MOSFET的温度场分布的数值解，为MOSFET温度场分布的测试提供一定的依据。2.5. 芯片布局与杂散参数提取根据MOSFET模块不同的电压和电流等级，MOSFET模块所使用芯片的规格不同，芯片之间的连接方式也不同。因此，详细的布局设计放在项目实施阶段去完成。对中低压MOSFET模块和高压MOSFET模块，布局阶段考虑的因素会有所不同，具体体现在DBC与散热底板之间的绝缘、DBC上铜线迹之间的绝缘以及键合之间的绝缘等。2.6 芯片互联的杂散参数提取MOSFET芯片并联应用时的电流分配不均衡主要有两种：静态电流不均衡和动态电流不均衡。静态电流不均衡主要由器件的饱和压降VCE（sat）不一致所引起；而动态电流不均衡则是由于器件的开关时间不同步引起的。此外，栅极驱动、电路的布局以及并联模块的温度等因素也会影响开关时刻的动态均流。回路寄生电感特别是射极引线电感的不同将会使器件开关时刻不同步；驱动电路输出阻抗的不一致将引起充放电时间不同；驱动电路的回路引线电感可能引起寄生振荡；以及温度不平衡会影响到并联器件动态均流。2.7 模块设计专家知识库通过不同规格MOSFET模块的设计－生产－测试－改进设计等一系列过程，可以获得丰富的设计经验，并对其进行归纳总结，提出任意一种电压电流等级的MOSFET模块的设计思路，形成具有自主知识产权的高压大功率MOSFET模块的系统化设计知识库。3. SiCMOSFET封装工艺3.1 封装常见工艺MOSFET模块封装工艺主要包括焊接工艺、键合工艺、外壳安装工艺、灌封工艺及测试等。3.1.1 焊接工艺焊接工艺在特定的环境下，使用焊料，通过加热和加压，使芯片与DBC基板、DBC基板与底板、DBC基板与电极达到结合的方法。目前国际上采用的是真空焊接技术，保证了芯片焊接的低空洞率。焊接要求焊接面沾润好，空洞率小，焊层均匀，焊接牢固。通常情况下．影响焊接质量的最主要因素是焊接“空洞”，产生焊接空洞的原因，一是焊接过程中，铅锡焊膏中助焊剂因升温蒸发或铅锡焊片熔化过程中包裹的气泡所造成的焊接空洞，真空环境可使空洞内部和焊接面外部形成高压差，压差能够克服焊料粘度，释放空洞。二是焊接面的不良加湿所造成的焊接空洞，一般情况下是由于被焊接面有轻微的氧化造成的，这包括了由于材料保管的不当造成的部件氧化和焊接过程中高温造成的氧化，即使真空技术也不能完全消除其影响。在焊接过程中适量的加人氨气或富含氢气的助焊气体可有效地去除氧化层，使被焊接面有良好的浸润性．加湿良好。“真空+气体保护”焊接工艺就是基于上述原理研究出来的，经过多年的研究改进，已成为高功率，大电流，多芯片的功率模块封装的最佳焊接工艺。虽然干式焊接工艺的焊接质量较高，但其对工艺条件的要求也较高，例如工艺设备条件，工艺环境的洁净程度，工艺气体的纯度．芯片，DBC基片等焊接表面的应无沾污和氧化情况．焊接过程中的压力大小及均匀性等。要根据实际需要和现场条件来选择合适的焊接工艺。3.1.2 键合工艺引线键合是当前最重要的微电子封装技术之一，目前90％以上的芯片均采用这种技术进行封装。超声键合原理是在超声能控制下，将芯片金属镀层和焊线表面的原子激活，同时产生塑性变形，芯片的金属镀层与焊线表面达到原子间的引力范围而形成焊接点，使得焊线与芯片金属镀层表面紧密接触。按照原理的不同，引线键合可以分为热压键合、超声键合和热压超声键合3种方式。根据键合点形状，又可分为球形键合和楔形键合。在功率器件及模块中，最常见的功率互连方法是引线键合法，大功率MOSFET模块采用了超声引线键合法对MOSFET芯片及FRD芯片进行互连。由于需要承载大电流，故采用楔形劈刀将粗铝线键合到芯片表面或DBC铜层表面，这种方法也称超声楔键合。外壳安装工艺：功率模块的封装外壳是根据其所用的不同材料和品种结构形式来研发的，常用散热性好的金属封装外壳、塑料封装外壳，按最终产品的电性能、热性能、应用场合、成本，设计选定其总体布局、封装形式、结构尺寸、材料及生产工艺。功率模块内部结构设计、布局与布线、热设计、分布电感量的控制、装配模具、可靠性试验工程、质量保证体系等的彼此和谐发展，促进封装技术更好地满足功率半导体器件的模块化和系统集成化的需求。外壳安装是通过特定的工艺过程完成外壳、顶盖与底板结构的固定连接，形成密闭空间。作用是提供模块机械支撑，保护模块内部组件，防止灌封材料外溢，保证绝缘能力。外壳、顶盖要求机械强度和绝缘强度高，耐高温，不易变形，防潮湿、防腐蚀等。3.1.3 灌封工艺灌封工艺用特定的灌封材料填充模块，将模块内组件与外部环境进行隔离保护。其作用是避免模块内部组件直接暴露于环境中，提高组件间的绝缘，提升抗冲击、振动能力。灌封材料要求化学特性稳定，无腐蚀，具有绝缘和散热能力，膨胀系数和收缩率小，粘度低，流动性好，灌封时容易达到模块内的各个缝隙，可将模块内部元件严密地封装起来，固化后能吸收震动和抗冲击。3.1.4 模块测试MOSFET模块测试包括过程测试及产品测试。其中过程测试通过平面度测试仪、推拉力测试仪、硬度测试仪、X射线测试仪、超声波扫描测试仪等，对产品的入厂和过程质量进行控制。产品测试通过平面度测试仪、动静态测试仪、绝缘/局部放电测试仪、高温阻断试验、栅极偏置试验、高低温循环试验、湿热试验，栅极电荷试验等进行例行和型式试验，确保模块的高可靠性。3.2 封装要求本项目的SiC MOSFET功率模块封装材料要求如下：（1）焊料选用需要可靠性要求和热阻要求。（2）外壳采用PBT材料，端子裸露部分表面镀镍或镀金。（3）内引线采用超声压接或铝丝键合（具体视装配图设计而定），功率芯片采用铝线键合。（4）灌封料满足可靠性要求，Tg150℃，能满足高低温存贮和温度循环等试验要求。（5）底板采用铜材料。（6）陶瓷覆铜板采用Si3N4材质。（7）镀层要求：需保证温度循环、盐雾、高压蒸煮等试验后满足外观要求。3.3 封装流程本模块采用既有模块进行封装，不对DBC结构进行调整。模块封装工艺流程如下图3.1所示。图3.1模块封装工艺流程（1）芯片CP测试：对芯片进行ICES、BVCES、IGES、VGETH等静态参数进行测试，将失效的芯片筛选出来，避免因芯片原因造成的封装浪费。（2）划片&划片清洗：将整片晶圆按芯片大小分割成单一的芯片，划片后可从晶圆上将芯片取下进行封装；划片后对金属颗粒进行清洗，保证芯片表面无污染，便于后续工艺操作。（3）丝网印刷：将焊接用的焊锡膏按照设计的图形涂敷在DBC基板上，使用丝网印刷机完成，通过工装钢网控制锡膏涂敷的图形。锡膏图形设计要充分考虑焊层厚度、焊接面积、焊接效果，经过验证后最终确定合适的图形。（4）芯片焊接：该步骤主要是完成芯片与 DBC 基板的焊接，采用相应的焊接工装，实现芯片、焊料和 DBC 基板的装配。使用真空焊接炉，采用真空焊接工艺，严格控制焊接炉的炉温、焊接气体环境、焊接时间、升降温速度等工艺技术参数，专用焊接工装完成焊接工艺，实现芯片、DBC 基板的无空洞焊接，要求芯片的焊接空洞率和焊接倾角在工艺标准内，芯片周围无焊球或堆焊，焊接质量稳定，一致性好。（5）助焊剂清洗：通过超声波清洗去除掉助焊剂。焊锡膏中一般加入助焊剂成分，在焊接过程中挥发并残留在焊层周围，因助焊剂表现为酸性，长期使用对焊层具有腐蚀性，影响焊接可靠性，因此需要将其清洗干净，保证产品焊接汉城自动气相清洗机采用全自动浸入式喷淋和汽相清洗相结合的方式进行子单元键合前清洗，去除芯片、DBC 表面的尘埃粒子、金属粒子、油渍、氧化物等有害杂质和污染物，保证子单元表面清洁。（6） X-RAY检测：芯片的焊接质量作为产品工艺控制的主要环节，直接影响着芯片的散热能力、功率损耗的大小以及键合的合格率。因此，使用 X-RAY 检测机对芯片焊接质量进行检查，通过调整产生 X 射线的电压值和电流值，对不同的焊接产品进行检查。要求 X 光检查后的芯片焊接空洞率工艺要求范围内。（7）芯片键合：通过键合铝线工艺，完成 DBC 和芯片的电气连接。使用铝线键合机完成芯片与 DBC 基板对应敷铜层之间的连接，从而实现芯片之间的并联和反并联。要求该工序结合芯片的厚度参数和表面金属层参数，通过调整键合压力，键合功率，键合时间等参数，并根据产品的绝缘要求和通流大小，设置合适的键合线弧高和间距，打线数量满足通流要求，保证子单元的键合质量。要求键合工艺参数设定合理、铝线键合质量牢固，键合弧度满足绝缘要求、键合点无脱落，满足键合铝线推拉力测试标准。（8）模块焊接：该工序实现子单元与电极、底板的二次焊接。首先进行子单元与电极、底板的焊接装配，使用真空焊接炉实现焊接，焊接过程中要求要求精确控制焊接设备的温度、真空度、气体浓度。焊接完成后要求子单元 DBC 基板和芯片无损伤、无焊料堆焊、电极焊脚之间无连焊虚焊、键合线无脱落或断裂等现象。（9）超声波检测：该工序通过超声波设备对模块 DBC 基板与底板之间的焊接质量进行检查，模块扫描后要求芯片、DBC 无损伤，焊接空洞率低于 5%。（10）外壳安装：使用涂胶设备进行模块外壳的涂胶，保证模块安装后的密封性，完成模块外壳的安装和紧固。安装后要求外壳安装方向正确，外壳与底板粘连处在灌封时不会出现硅凝胶渗漏现象。（11）端子键合&端子超声焊接：该工序通过键合铝线工艺，实现子单元与电极端子的电气连接，形成模块整体的电气拓扑结构；可以通过超声波焊接实现子单元与电极端子的连接，超声波焊接是利用高频振动波传递到两个需焊接的物体表面，在加压的情况下，使两个物体表面相互摩擦而形成分子层之间的熔合。超声波焊接具有高机械强度，较低的热应力、焊接质量高等优点，使得焊接具有更好的可靠性，在功率模块产品中应用越来越广泛。（12）硅凝胶灌封&固化：使用自动注胶机进行硅凝胶的灌封，实现模块的绝缘耐压能力。胶体填充到指定位置，完成硅凝胶的固化。要求胶体固化充分，胶体配比准确，胶体内不含气泡、无分层或断裂纹。4. 极端条件下的可靠性测试4.1 单脉冲雪崩能量试验目的：考察的是器件在使用过程中被关断时承受负载电感能量的能力。试验原理：器件在使用时经常连接的负载是感性的，或者电路中不可避免的也会存在寄生电感。当器件关断时，电路中电流会突然下降，变化的电流会在感性负载上产生一个应变电压，这部分电压会叠加电源电压一起加载在器件上，使器件在瞬间承受一个陡增的电压，这个过程伴随着电流的下降。图4.1 a）的雪崩能量测试电路就是测试这种工况的，被测器件上的电流电压变化情况如图4.1 b）。图4.1 a)雪崩能量测试电路图；b)雪崩能量被测器件的电流电压特性示意图这个过程中，电感上储存的能量瞬时全部转移到器件上，可知电流刚开始下降时，电感储存的能量为1/2*ID2*L，所以器件承受的雪崩能量也就是电感包含的所有能量，为1/2*ID2*L。试验目标：在正向电流ID = 20A下，器件单脉冲雪崩能量EAS1J试验步骤：将器件放入测试台，给器件施加导通电流为20A。设置测试台电感参数使其不断增加，直至器件的单脉冲雪崩能量超过1J。通过/失效标准：可靠性试验完成后，按照下表所列的顺序测试（有些测试会对后续测试有影响），符合下表要求的可认为通过。测试项目通过条件IGSS USLIDSS or IDSX USLVGS(off) or VGS(th)LSL USLVDS(on) USLrDS(on) USL (仅针对MOSFET)USL: upper specification limit, 最高上限值LSL: lower specification limit, 最低下限值4.2 抗短路能力试验目的：把样品暴露在空气干燥的恒温环境中，突然使器件通过大电流，观测元器件在大电流大电压下于给定时间长度内承受大电流的能力。试验原理：当器件工作于实际高压电路中时，电路会出现误导通现象，导致在短时间内有高于额定电流数倍的电流通过器件，器件承受这种大电流的能力称为器件的抗短路能力。为了保护整个系统不受误导通情况的损坏，系统中会设置保护电路，在出现短路情况时迅速切断电路。但是保护电路的反应需要一定的时长，需要器件能够在该段时间内不发生损坏，因此器件的抗短路能力对整个系统的可靠性尤为重要。器件的抗短路能力测试有三种方式，分别对应的是器件在不同的初始条件下因为电路突发短路（比如负载失效）而接受大电流大电压时的反应。抗短路测试方式一，也称为“硬短路”，是指IGBT从关断状态（栅压为负）直接开启进入到抗短路测试中；抗短路测试方式二，是指器件在已经导通有正常电流通过的状态下（此时栅压为正，漏源电压为正但较低），进入到抗短路测试中；抗短路测试方式三是指器件处于栅电压已经开启但漏源电压为负（与器件反并联的二极管处于续流状态，所以此时器件的漏源电压由于续流二极管的钳位在-0.7eV左右，，栅压为正），进入到抗短路测试中。可知，器件的抗短路测试都是对应于器件因为电路的突发短路而要承受电路中的大电流和大电压，只是因为器件的初始状态不同而会有不同的反应。抗短路测试方法一电路如图4.2，将器件直接加载在电源两端，器件初始状态为关断，此时器件承受耐压。当给器件栅电极施加一个脉冲，器件开启，从耐压状态直接开始承受一个大电流及大电压，考量器件的“硬”耐短路能力。图4.2 抗短路测试方法一的测试电路图抗短路测试方法二及三的测试电路图如图4.2，图中L_load为实际电路中的负载电感，L_par为电路寄生电感，L_sc为开关S1配套的寄生电感。当进行第二种抗短路方法测试时，将L_load下端连接到上母线（Vdc正极），这样就使L_sc支路与L_load支路并联。初态时，S1断开，DUT开通，电流从L_load和DUT器件上通过，开始测试时，S1闭合，L_load瞬时被短路，电流沿着L_sc和DUT路线中流动，此时电流通路中仅包含L_sc和L_par杂散电感，因此会有大电流会通过DUT，考察DUT在导通状态时承受大电流的能力。当进行第三种抗短路方法测试时，维持图4.2结构不变，先开通IGBT2并保持DUT关断，此时电流从Vdc+沿着IGBT2、L_load、Vdc-回路流通，接着关断IGBT2，那么D1会自动给L_load续流，在此状态下开启DUT栅压，DUT器件处于栅压开启，但漏源电压被截止状态，然后再闭合S1，大电流会通过L_sc支路涌向DUT。在此电路中IGBT2支路的存在主要是给D1提供续流的电流。图4.3 抗短路测试方法二和方法三的测试电路图1） 抗短路测试方法一：图4.2中Vdc及C1大电容提供持续稳定的大电压，给测试器件DUT栅极施加一定时间长度的脉冲，在被试器件被开启的时间内，器件开通期间处于短路状态，且承受了较高的耐压。器件在不损坏的情况下能够承受的最长开启时间定义为器件的短路时长（Tsc），Tsc越大，抗短路能力越强。在整个短路时长器件，器件所承受的能量，为器件的短路能量（Esc）。器件的抗短路测试考察了器件瞬时同时承受高压、高电流的能力，也是一种器件的复合应力测试方式。图4.2测试电路中的Vdc=600V，C1、C2、C3根据器件的抗短路性能能力决定，C1的要求是维持Vdc的稳定，C1的要求是测试过程中释放给被测器件的电能不能使C1两端的电压下降过大（5%之内可接受）。C2，C3主要用于给器件提供高频、中频电流，不要求储存能量过大。对C2、C3的要求是能够降低被测器件开通关断时造成的漏源电压振幅即可。图4.4 抗短路能力测试方法一的测试结果波形图4.4给出了某款SiC平面MOSFET在290K下，逐渐增大栅极脉冲宽度（PW）的抗短路能力测试结果。首先需要注意的是在测试过程中，每测量一个脉冲宽度的短路波形，需要间隔足够长的时间，以消除前一次短路测试带来的器件温度上升对后一次测试的器件初始温度的影响，保证每次测试初始温度的准确。从图中可以看出，Id峰值出现在1 μs和2 μs之间，随着开通时间的增加，Id呈现出先增加后减小的时间变化趋势。Id的上升阶段，是因为器件开启时有大电流经过器件，在高压的共同作用下，器件温度迅速上升，因为此时MOSFET的沟道电阻是一个负温度系数，所以MOSFET沟道电阻减小，Id则上升，在该过程中电流上升的速度由漏极电压、寄生电感以及栅漏电容的充电速度所决定；随着大电流的持续作用，器件整体温度进一步上升，器件此时的导通电阻变成正温度系数，器件的整体电阻将随温度增加逐渐增大，这时器件Id将逐渐减小。所以，整个抗短路能力测试期间，Id先增加后下降。此外，测试发现，当脉冲宽度增加到一定程度，Id在关断下降沿出现拖尾，即器件关断后漏极电流仍需要一定的时间才能恢复到0A。在研究中发现当Id拖尾到达约12A左右之后，进一步增大脉冲宽度，器件将损坏，并伴随器件封装爆裂。所以针对这款器件的抗短路测试，定义Tsc为器件关断时漏极电流下降沿拖尾到达10A时的脉冲时间长度。Tsc越长，代表器件的抗短路能力越强。测试发现，低温有助于器件抗短路能力的提升，原因是因为，低的初始温度意味着需要更多的时间才能使器件达到Id峰值。仿真发现，器件抗短路测试失效模式主要有两种：1、器件承受高压大电流的过程中，局部高温引起漏电流增加，触发了器件内部寄生BJT闩锁效应，栅极失去对沟道电流的控制能力，器件内部电流局部集中发生热失效，此时的表现主要是器件的Id电流突然上升，器件失效；2、器件温度缓慢上升时，导致器件内部材料性能恶化，比如栅极电极或者SiO2/Si界面处性能失效，主要表现为器件测试过程中Vgs陡降，此时，器件的Vds若未发生进一步损坏仍能承受耐压，只是器件Vgs耐压能力丧失。上述两种失效模式都是由于温度上升引起，所以要提升器件的抗短路能力就是要控制器件内部温度上升。仿真发现导通时最高温区域主要集中于高电流密度区域（沟道部分）及高电场区域（栅氧底部漂移区）。因此，要提升器件的抗短路能力，要着重从器件的沟道及栅氧下方漂移区的优化入手，降低电场峰值及电流密度，此外改善栅氧的质量将起到决定性的作用。2） 抗短路测试方法二：图4.5 抗短路能力测试方法二的测试结果波形如图4.5，抗短路测试方法二的测试过程中DUT器件会经历三个阶段：（1）漏源电压Vds低，Id电流上升：当负载被短路时，大电流涌向DUT器件，此时电路中仅包含L_sc和L_par杂散电感，DUT漏源电压较低，Vdc电压主要分布在杂散电感上，所以Id电流以di/dt=Vdc/（L_sc+L_par）的斜率开始上升。随着Id增加，因为DUT器件的漏源之间的寄生电容Cgd，会带动栅压上升，此时更加促进Id电流的增加，形成一个正循环，Id急剧上升。（2）Id上升变缓然后开始降低，漏源电压Vds上升：Id上升过程中，Vds漏源电压开始增加，导致Vdc分压到杂散电感上的电压降低，导致电流上升率di/dt减小，Id上升变缓，当越过Id峰值后，Id开始下降，-di/dt使杂散电感产生一个感应电压叠加在Vds上导致Vds出现一个峰值。Vds峰值在Id峰值之后。（3）Id、Vds下降并恢复：Id，Vds均下降恢复到抗短路测试一的高压高电流应力状态。综上所述，抗短路测试方法一的条件比方法一的更为严厉和苛刻。3） 抗短路测试方法三：图4.6 抗短路能力测试方法二的测试结果波形如图4.6，抗短路测试方法三的波形与方法二的波形几乎一致，仅仅是在Vds电压上升初期有一个小的电压峰（如图4.6中红圈），这是与器件发生抗短路时的初始状态相关的。因为方法三中器件初始状态出于栅压开启，Vds为反偏的状态，所以器件内部载流子是耗尽的。此时若器件Vds转为正向开通则必然发生一个载流子充入的过程，引发一个小小的电压峰，这个电压峰值是远小于后面的短路电压峰值的。除此以外，器件的后续状态与抗短路测试方法二的一致。一般来说，在电机驱动应用中，开关管的占空比一般比续流二极管高，所以是二极管续流结束后才会开启开关管的栅压，这种情况下，只需要考虑仅开关管开通时的抗短路模式，则第二种抗短路模式的可能性更大。然而，当一辆机车从山上开车下来，电动机被用作发电机，能量从车送到电网。续流二极管的占空比比开关管会更高一点，这种操作模式下，如果负载在二极管续流且开关管栅压开启时发生短路，则会进行抗短路测试模式三的情况。改进抗短路失效模式二及三的方法，是通过给开关器件增加一个栅极前钳位电路，在Id上升通过Cgd带动栅极电位上升时，钳位电路钳住栅极电压，就不会使器件的Id上升陷入正反馈而避免电流的进一步上升。试验目标：常温下，令Vdc=600V，通过控制Vgs控制SiC MOSFET的开通时间，从2μs开通时间开始以1μs为间隔不断增加器件的开通时间，直至器件损坏，测试过程中保留测试曲线。需要注意的是，在测试过程中，每测量一个脉冲宽度的短路波形，需要间隔足够长的时间，以消除前一次短路测试带来的器件温度上升对后一次测试的器件初始温度的影响，保证每次测试初始温度的准确。试验步骤：搭建抗短路能力测试电路。将器件安装与测试电路中，保持栅压为0。通过驱动电路设置器件的开通时间，给器件一个t0=2μs时间的栅源脉冲电压，使器件开通t0时间，观察器件上的电流电压曲线，判断器件是否能够承受2μs的短路开通并不损坏；如未损坏，等待足够长时间以确保器件降温至常温状态，设置驱动电路使器件栅源电压单脉冲时间增加1us，再次开通，观察器件是否能够承受3μs的短路开通并不损坏。循环反复直至器件发生损坏。试验标准：器件被打坏前最后一次脉冲时间长度即为器件的短路时长Tsc。整个短路时长期间，器件所承受的能量为器件的短路能量Esc。4.3 浪涌试验目的：把样品暴露在空气干燥的恒温环境中，对器件施加半正弦正向高电流脉冲，使器件在瞬间发生损坏，观测元器件在高电流密度下的耐受能力。试验原理：下面以SiC二极管为例，给出了器件承受浪涌电流测试时的器件内部机理。器件在浪涌应力下的瞬态功率由流过器件的电流和器件两端的电压降的乘积所决定，电流和压降越高，器件功率耗散就越高。已知浪涌应力对器件施加的电流信号是固定的，因此导通压降越小的器件瞬态功率越低，器件承受浪涌的能力越强。当器件处于浪涌电流应力下，电压降主要由器件内部寄生的串联电阻承担，因此我们可以通过降低器件在施加浪涌电流瞬间的导通电阻，减小器件功率、提升抗浪涌能力。a）给出了4H-SiC二极管实际浪涌电流测试的曲线，图4.7 a）曲线中显示器件的导通电压随着浪涌电流的上升和下降呈现出“回滞”的现象。图4.7 a）二极管浪涌电流的实测曲线； b）浪涌时温度仿真曲线浪涌过程中，器件的瞬态 I-V 曲线在回扫过程中出现了电压回滞，且浪涌电流越高，器件在电流下降和上升过程中的压降差越大，该电压回滞越明显。当浪涌电流增加到某一临界值时，I-V 曲线在最高压降处出现了一个尖峰，曲线斜率突变，器件发生了失效和损坏。器件失效后，瞬态 I-V 曲线在最高电流处出现突然增加的毛刺现象，电压回滞也减小。引起SiC JBS二极管瞬态 I-V 曲线回滞的原因是，在施加浪涌电流的过程中，SiC JBS 二极管的瞬态功率增加，但散热能力有限，所以浪涌过程中器件结温增加，SiC JBS 二极管压降也发生了变化，产生了回滞现象。在每次对器件施加浪涌电流过程中，随着电流的增加，器件的肖特基界面的结温会增加，当电流降低接近于0时结温才逐渐回落。在浪涌电流导通的过程中，结温是在积累的。由于电流上升和下降过程中的结温的差异，导致了器件在电流下降过程的导通电阻高于电流在上升过程中导通电阻。这使得电流下降过程 I-V 曲线压降更大，从而产生了在瞬态 I-V 特性曲线电压回滞现象。浪涌电流越高，器件的肖特基界面处的结温越高，因此导通电阻就越大，而回滞现象也就越明显。为了分析器件在 40 A 以上浪涌电流下的瞬态 I-V 特性变化剧烈的原因，使用仿真软件模拟了肖特基界面处温度随电流大小的变化曲线，如图4.7 b)所示，在 40 A 以上浪涌电流下，结温随浪涌电流变化非常剧烈。器件在 40 A 浪涌电流下，最高结温只有 358 K。但是当浪涌电流增加到60 A 时，最高结温已达1119 K，这个温度足以对器件破坏表面的肖特基金属，引起器件失效。图4.7 b)中还可以得出，浪涌电流越高，结温升高的变化程度就越大，56 A 和 60 A 浪涌电流仅相差 4 A，最高结温就相差 543 K，最高结温的升高速度远比浪涌电流的增加速度快。结温的快速升高导致了器件的导通电阻迅速增大，正向压降快速增加。因此，电流上升和下降过程中，器件的导通压降会更快速地升高和下降，使曲线斜率发生了突变。器件结温随着浪涌电流的增大而急剧增大，是因为它们之间围绕着器件导通电阻形成了正反馈。在浪涌过程中，随着浪涌电流的升高，二极管的功率增加，产生的焦耳热增加，导致了结温上升；另一方面，结温上升，导致器件的导通电阻增大，压降进一步升高。导通电压升高，导致功率进一步增加，使得结温进一步升高。因此器件的结温和电压形成了正反馈，致使结温和压降的增加速度远比浪涌电流的增加速度快。当浪涌电流增加到某一临界值时，触发这个正反馈，器件就会发生失效和损坏。长时间的重复浪涌电流会在外延层中引起堆垛层错生长，浪涌电流导致的自热效应会引起顶层金属熔融，使得电极和芯片之间短路，还会导致导通压降退化和峰值电流退化，并破坏器件的反向阻断能力。金属Al失效是大多数情况下浪涌失效的主要原因，应该使用鲁棒性更高的材料替代金属Al，以改善SiC器件的高温特性。目前MOS器件中，都没有给出浪涌电流的指标。而二极管、晶闸管器件中有这项指标。如果需要了解本项目研发的MOSFET器件的浪涌能力，也可以搭建电路实现。但是存在的问题是，MOS器件的导通压降跟它被施加的栅压是相关的，栅压越大，导通电阻越低，耐浪涌能力越强。如何确定浪涌测试时应该给MOSFET施加的栅压，是一个需要仔细探讨的问题。试验目标：我们已知浪涌耐受能力与器件的导通压降有关，但目前无法得到明确的定量关系。考虑到目标器件也没有这类指标的参考，建议测试时，在给定栅压下（必须确保器件能导通），对器件从低到高依次施加脉冲宽度为10ms或8.3ms半正弦电流波，直到器件发生损坏。试验步骤：器件安装在测试台上后，器件栅极在给定栅压下保持开启状态。通过测试台将导通电流设置成10ms或8.3ms半正弦电流波，施加在器件漏源极间。逐次增加正弦波的上限值，直至器件被打坏。试验标准：器件被打坏前的最后一次通过的浪涌值即为本器件在特定栅压下的浪涌指标值。以上内容给出了本项目研发器件在复合应力及极端条件下的可靠性测试方法，通过这些方法都是来自于以往国际工程经验和鉴定意见，可以对被测器件的可靠性有一个恰当的评估。但是，上述方法都是对测试条件和测试原理的阐述，如何通过测试结果来评估器件的使用寿命，并搭建可靠性测试条件与可靠性寿命之间的桥梁，就得通过可靠性寿命评估模型来实现。

今年62岁的王玲，曾是辽宁省劳动模范和先进女工，现在仍在国网辽宁省电力有限公司&ldquo 工厂化&rdquo 检修基地从事六氟化硫和绝缘油化验分析工作。　　王玲把她的工作打了个比方：电气设备的油好比人体的血液，油务化验员就是给电气设备看病的医生。她对油务化验工作更是感慨万千：&ldquo 我干了30多年的油务化验工作，很幸运地见证了它从手工到智能的发展过程。&rdquo 　　1973年，辽阳电业局(现辽阳供电公司)开始组建油化验室。王玲听第一任班长张久菊介绍，当时条件有限，只有一台油耐压试验器，只能做击穿电压试验。1974年，油务化验室正式成立，先后引进了闪点仪、介损仪、微水测试仪、界面张力测试仪等，逐步扩展了油务化验的工作范围，并由浅入深地开展了油的简化分析、全分析、色谱分析等工作，还开展了地区油务监督管理及油处理的指导工作。1978年，王玲加入班组，主要负责油的色谱分析工作。　　王玲说：&ldquo 20世纪70年代，我们主要是做绝缘油的简化分析和色谱分析，就是根据谱图判断设备是否有故障。那时候我们都是纯手工干活儿。&rdquo 据她介绍，在测量色谱峰高时，是把钢卷尺剪断做成尺来测量，遇到故障气体时，峰高超过量程就得衰减档位重新测量。而主变压器等重要设备，需要两三个人反复用计算器计算分析结果，保证无差错。她曾大胆实践，解剖色谱仪的每个部件并动手填充色谱柱，清洗检测器等，解决了色谱柱易污染老化的问题，提高了色谱仪的灵敏度，为企业节省了几万元的维修资金。　　&ldquo 20世纪80年代，单位以建设500千伏变电站为契机，引进了含气量测试仪、抗氧化安全性测试仪。&rdquo 王玲说。当时规定220千伏主变需要每月一次色谱分析。在做220千伏灯塔变电站7500千伏安主变油色谱分析时，她发现该设备存在潜伏性故障。她立即向主管领导汇报，并缩短了试验周期，先是一个星期，后来压缩为3天，跟踪分析故障发展趋势。最终，生产部门根据测得的数据停止了该主变的运行，及时处理了故障，保证了设备的安全运行。王玲的班组荣获了当年该公司的集体三等功。　　1991年，王玲成为油化验班班长。每当春、秋检时，为了能够按时完成大量的色谱分析工作，有时她早上6点就去上班，晚上很晚才能回家。这是因为，色谱仪的操作复杂，开机后需要&ldquo 稳机&rdquo ，所以每天必须提前给气路、电路和点火升温。&ldquo 等色谱仪稳定下来一般需要两个小时，关机时需要等温度降到规定值。&rdquo 20世纪90年代，油化验相关设备已经有了很大进步。当时500千伏辽阳变电站先后安装了热导在线监测仪和色谱在线监测仪，可以直接连接设备自动取样，现场查看监测结果。王玲形容油务化验工作是苦尽甘来。　　进入2000年以后，色谱仪完全实现了智能化，色谱测试全部使用计算机。特别是在工厂化检修基地，王玲接触的都是更为先进与智能的仪器设备。&ldquo 现在的设备非常先进，工作效率高，而且工作环境干净，以前一天下来工作服都很埋汰。&rdquo 多年来，她的认真工作为企业避免了几十万元的经济损失。她对油务化验工作的感情也根深蒂固：&ldquo 这项工作让我实实在在为企业做了些事情。&rdquo

近日，千里马招标网显示，江苏百旺金属制品有限公司10万件电子测试仪器制造项目将于2月开工，竣工时间为12月。信息显示，该项目新增建筑面积3000平方米,项目需购置光谱仪、变压器综合测试台、激光切割机、耐压试验装置等128台（套），工艺流程：原料(生铸铁、金刚玉）→注塑成型→冷却→焊接→测试→组装→检验出货；项目建成后预计年新增10万件电子测量仪器。

项目概况广东省特检院云浮检测院2021年度仪器设备采购项目(三次)招标项目的潜在投标人应在广东省政府采购网https://gdgpo.czt.gd.gov.cn/获取招标文件，并于2021年11月10日 08时30分（北京时间）前递交投标文件。一、项目基本情况项目编号：GDXJ2021HGK2008项目名称：广东省特检院云浮检测院2021年度仪器设备采购项目(三次)采购方式：公开招标预算金额：2,366,880.00元采购需求：采购包1(广东省特检院云浮检测院2021年度仪器设备采购项目):采购包预算金额：2,366,880.00元品目号品目名称采购标的数量（单位）技术规格、参数及要求品目预算(元)最高限价(元)1-1其他仪器仪表便携式X射线数字成像系统DR1(台)详见采购文件1,300,000.001,300,000.001-2其他仪器仪表电梯定检/监检综合检测系统1(台)详见采购文件198,000.00198,000.001-3其他仪器仪表电梯曳引性能检测仪1(台)详见采购文件120,000.00120,000.001-4其他仪器仪表起重机疲劳裂纹监测仪1(台)详见采购文件98,000.0098,000.001-5其他仪器仪表全自动蒸馏测定仪1(台)详见采购文件98,000.0098,000.001-6其他仪器仪表笔式电磁超声测厚仪1(台)详见采购文件69,000.0069,000.001-7其他仪器仪表自动扶梯围裙板强度检测仪1(台)详见采购文件62,000.0062,000.001-8其他仪器仪表电梯层门强度检测仪1(台)详见采购文件62,000.0062,000.001-9其他仪器仪表机电类检验工具箱2(台)详见采购文件92,000.0092,000.001-10其他仪器仪表扶梯运行安全间隙检测仪1(台)详见采购文件45,000.0045,000.001-11其他仪器仪表耐压试验、气密性试验过程记录仪2(台)详见采购文件60,000.0060,000.001-12其他仪器仪表全自动石油产品密度测定仪1(台)详见采购文件26,000.0026,000.001-13其他仪器仪表可伸缩微型智能摄像仪4(台)详见采购文件79,200.0079,200.001-14其他仪器仪表快速马弗炉1(台)详见采购文件19,800.0019,800.001-15其他仪器仪表安全阀密封面成套研磨工具1(台)详见采购文件12,000.0012,000.001-16其他仪器仪表涂层测厚仪2(台)详见采购文件9,800.009,800.001-17其他仪器仪表探伤专用紫外线灯1(台)详见采购文件3,800.003,800.001-18其他仪器仪表电热恒温鼓风干燥箱1(台)详见采购文件3,300.003,300.001-19其他仪器仪表便携式大厚度超声波测厚仪2(台)详见采购文件6,000.006,000.001-20其他仪器仪表LED高亮观片灯1(台)详见采购文件2,980.002,980.00本采购包不接受联合体投标合同履行期限：签订合同后30日历天内安装完毕，进口产品要求60日历天内安装二、申请人的资格要求：1.投标供应商应具备《政府采购法》第二十二条规定的条件，提供下列材料：1）具有独立承担民事责任的能力：在中华人民共和国境内注册的法人， 投标时提交有效的营业执照（或事业法人登记证或身份证等相关证明） 副本复印件。2）有依法缴纳税收和社会保障资金的良好记录：提供2021年4月至今任意一个月的缴纳税收和社保的凭证。如依法免税或不需要缴纳社会保障资金的，应提供相应文件证明。3）具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度：供应商必须具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度（提供2019年、2020年度经审计的财务报告或提供基本开户银行出具的资信证明；投标人为新注册的，提供其中任意一个月的财务状况报表复印件（提供资产负债表、利润表、现金流量表）） 。4）履行合同所必须的设备和专业技术能力：履行合同所必须的设备及专业技术能力材料情况。5）参加采购活动前3年内，在经营活动中没有重大违法记录：参照投标（报价）函相关承诺格式内容。 重大违法记录，是指供应商因违法经营受到刑事处罚或者责令停产停业、吊销许可证或者执照、较大数额罚款等行政处罚。（较大数额罚款按照发出行政处罚决定书部门所在省级政府，或实行垂直领导的国务院有关行政主管部门制定的较大数额罚款标准，或罚款决定之前需要举行听证会的金额标准来认定）6）信用记录：供应商未被列入“信用中国”网站(www.creditchina.gov.cn)“记录失信被执行人或重大税收违法案件当事人名单”记录名单； 不处于中国政府采购网(www.ccgp.gov.cn)“政府采购严重违法失信行为信息记录”中的禁止参加政府采购活动期间。 （以采购代理机构于投标（响应） 截止时间当天在“信用中国”网站（www.creditchina.gov.cn） 及中国政府采购网（http://www.ccgp.gov.cn/） 查询结果为准， 如相关失信记录已失效， 供应商需提供相关证明资料） 。7）供应商必须符合法律、行政法规规定的其他条件：单位负责人为同一人或者存在直接控股、 管理关系的不同供应商，不得同时参加本采购项目（或采购包） 投标（响应）。 为本项目提供整体设计、 规范编制或者项目管理、 监理、 检测等服务的供应商， 不得再参与本项目投标（响应）。 投标（报价） 函相关承诺要求内容。2.落实政府采购政策需满足的资格要求： 无。三、获取招标文件时间：2021年10月20日至2021年10月27日，每天上午00:00:00至12:00:00，下午12:00:00至23:59:59（北京时间,法定节假日除外）地点：广东省政府采购网https://gdgpo.czt.gd.gov.cn/方式：在线获取售价：免费获取四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点2021年11月10日 08时30分00秒（北京时间）地点：广东省云浮市云城区城中路110号三楼五、公告期限自本公告发布之日起5个工作日。六、其他补充事宜1.本项目采用电子系统进行招投标，请在投标前详细阅读供应商操作手册，手册获取网址：https://gdgpo.czt.gd.gov.cn/help/transaction/download.html。投标供应商在使用过程中遇到涉及系统使用的问题，可通过400-1832-999进行咨询或通过广东政府采购智慧云平台运维服务说明中提供的其他服务方式获取帮助。2.供应商参加本项目投标，需要提前办理CA和电子签章，办理方式和注意事项详见供应商操作手册与CA办理指南，指南获取地址：https://gdgpo.czt.gd.gov.cn/help/problem/。3.如需缴纳保证金，供应商可通过"广东政府采购智慧云平台金融服务中心"(http://gdgpo.czt.gd.gov.cn/zcdservice/zcd/guangdong/)，申请办理投标（响应）担保函、保险（保证）保函。4.本项目支持电子保函，可通过登录项目采购电子交易系统跳转至电子保函系统进行在线办理。电子保函办理办法详见供应商操作手册。5.本项目采用电子评标，提交投标文件当天，供应商须携带CA至现场解锁电子投标文件。6.报名时供应商需提交如下资料：1）提供企业企业法人营业执照（或三证合一证明）复印件；2）法定代表人、被授权人身份证复印件、法定代表人资格证明书原件、法定代表人委托授权书原件；3）投标人未被列入“信用中国”网站(www.creditchina.gov.cn)以下任意记录名单之一：①记录失信被执行人；②重大税收违法案件当事人名单；③政府采购严重违法失信行为。同时，不处于中国政府采购网（www.ccgp.gov.cn）“政府采购严重违法失信行为信息记录”中的禁止参加政府采购活动期间；【说明：①由负责资格性审查人员于投标截止日在“信用中国”网站（www.creditchina.gov.cn）及中国政府采购网（www.ccgp.gov.cn）查询结果为准；②采购代理机构同时对信用信息查询记录和证据截图或下载存档；③如相关失信记录已失效，投标人须提供相关证明资料。】； 4）为采购项目提供整体设计、规范编制或者项目管理、监理、检测等服务的供应商，不得再参加该采购项目的其他采购活动（提供《声明函》格式自拟）；5）单位负责人为同一人或者存在直接控股、管理关系的不同供应商，不得参加同一合同项下的政府采购活动（提供《声明函》格式自拟）；以上提交的报名资料均须加盖供应商公章并形成扫描件发送至代理机构（邮箱地址：gdxj008@126.com），采购代理机构确认其报名资格，采购代理机构只接受提供完整报名资料的供应商的报名。上述报名资料原件须在递交投标文件时同时递交给代理机构备案。（备注：供应商获取了报名资格并非意味着满足了合格、有效投标人的基本条件，一切均以评标委员会共同评定确认的结果为准，以上资料须放入投标文件中。）七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。1.釆购人信息名 称：广东省特种设备检测研究院云浮检测院地 址：广东省云浮市云城区城北富善路联系方式：0766-8939378、联系人：谢先生2.釆购代理机构信息名 称：广东晓君招标采购代理有限公司地 址：云浮市云城区城中路110号三楼联系方式：0766-8399669、联系人：李小姐3.项目联系方式项目联系人：杨晓君电 话：0766-8399669、联系人：李小姐广东晓君招标采购代理有限公司2021年10月20日

11月13日，国家知识产权局和世界知识产权组织在北京隆重举行第十二届中国专利奖颁奖大会，表彰运用知识产权制度、为技术创新和经济社会发展做出突出贡献的发明人、设计人和专利权人。记者11月18日从安徽省质监局获悉，安徽的国家建筑节能产品质检中心(筹)、安徽省质检院自主研发的建筑节能科技专利成果——“建筑保温耐候测试仪”荣获第十二届中国专利奖优秀奖，是全国质检系统仅有的两项获奖成果之一。　　据了解，“建筑保温耐候测试仪”由安徽省质检院方明、邢献军、曹丽荣三名同志自主研发，主要应用于建筑领域的产品质量分析检验、质量安全监管、质量安全风险性分析与评价，在应用中能有效解决原有建筑保温材料耐候检测设备工位少、可控范围小、精度小等问题，对工程节能材料产品按照夏热冬冷地区的节能要求进行检测，确保保温材料系统耐候性能，实现了全过程质量控制，为政府实现50%—65%的建筑节能目标提供了有效的技术支持。目前该专利产品已大量应用于建筑外墙外保温系统的监督检测业务，取得了显著的经济和社会效益。　　中国专利奖是中国政府在专利领域颁发的最高奖项。历年来申报项目及参与的企事业单位数量较多，其评奖标准不仅强调项目的专利技术水平和创新高度，同时也注重其在市场转化过程中的运用情况，代表着该领域的最高水平。

2022年1月25日，上海国缆检测股份有限公司（简称“国缆检测”）首发申请获创业板上市委员会通过。据招股书显示，国缆检测拟公开发行人民币普通股不超过1,500.00万股，占发行后总股本的比例不低于25%；拟总募资约3亿元，用于超高压大容量试验及安全评估能力建设、高端装备用线缆检测能力建设、设立广东全资子公司、数字化检测能力建设4个项目，并列出了超2亿元的仪器设备购置清单。投资项目情况如下（单位：万元）：序号项目名称预计总投资预计投入募资建设周期1超高压大容量试验及安全评估能力建设项目12,02012,0202年2高端装备用线缆检测能力建设项目9,9109,9102年3设立广东全资子公司项目4,0154,0152年4数字化检测能力建设项目4,4704,4703年合计30,41530,415-国缆检测表示，本次募集资金投资项目均围绕主营业务进行，契合公司经营发展战略，是对公司现有主营业务的发展巩固，与公司现有业务模式、核心技术高度关联。募投项目投产后，将进一步拓宽公司检测服务内容，提高研发能力和管理效率，满足检测服务创新需求，增强公司可持续发展能力和综合竞争力。1、超高压大容量试验及安全评估能力建设项目国缆检测针对超高压远距离输电的直流电缆、超高压海上风电电缆及电力设备大容量电缆系统其类似产品的检测、工程模拟试验及安全运行评估进行能力建设。该项目建设超高压大容量实验室，重点针对±800kV及以下的直流电缆、500kV交流海上和陆上用电缆系统的检测及评估能力，可实现全套的型式试验、预鉴定试验、现场试验以及一些工程模拟试验，尤其是针对海底电缆深水区透水试验、张力弯曲等关键项目的检测能力的优化升级。国缆检测为该项目的实施主体，项目建设期为2年，计划总投资12,020万元，其中：建筑工程费160万元，安装工程费381.44万元，设备购置费9,536万元，工程建设其它费用417.56万元，预备费525万元，铺底流动资金1,000万元。国缆检测预计，项目建成达产后可新增销售收入4,500万元/年，净利润1,513万元/年，全部投资回收期7.14年，内部收益率14.19%（税后）。该项目拟新购仪器设备40台/套，购置费为9,456万元。设备投资明细如下：序号设备名称台数单价/万元总价/万元一、高压大厅1高压直流发生器42501,000235kV电缆振荡波测试系统170703TDR定位系统180804高压直流电缆全尺寸空间电荷测量系统11501505高压直流电缆温度控制系统21202406高压直流电缆泄漏电流测量装置145457见证试验用监控仪59458接触电阻率测试仪（阻水带电阻）210209高电压试验高速成像仪1707010高压大厅串联谐振试验系统220040011手持式电动压钳23.006.0012大容量突发试验系统16,0006,00013金具大电流试验系统自动化432.513014交流电阻测试系统110010015直流大电流源212024016现场竣工试验系统1600600小计31-9,196二、露天试验场1复合缆测试工装130302大力值冲击试验机120203特高压导线用振动台（2台）220404消振试验线路工装330.00905大型高压电缆弯曲试验机130306海底电缆张力弯曲试验机15050小计9260总计40-9,4562、高端装备用线缆检测能力建设项目国缆检测针对航天航空、工业互联网、新能源等领域的高端装备用线缆特定要求，提升实验室检测能力。该项目将搭建高端装备用特种电缆检测技术服务平台，建设先进航空线缆检测实验室、通信线缆检测实验室及新能源线缆检测实验室等高端装备用电缆专项实验室，跟踪国际、国内电缆技术发展，加强新产品、新应用的测试技术研究，为电缆行业技术创新和重大工程国产化应用提供准确、真实的数据和服务。国缆检测为该项目的实施主体，项目建设期为2年，计划总投资9,910万元，其中：建筑工程费450万元，安装工程费293.64万元，设备购置费7,341万元，工程建设其它费用401.07万元，预备费424.29万元，铺底流动资金1,000万元。国缆检测预计，项目建成达产后可新增销售收入4,300万元/年，净利润1,368.34万元/年，全部投资回收期6.35年，内部收益率17.19%（税后）。该项目拟新购仪器设备358台/套，购置费为6,961万元。设备投资明细如下：序号设备名称台数单价/万元总价/万元一、航空航天线缆检测实验室1防尘IP试验箱110102循环盐雾箱130303结合温湿度变化的振动台（X/Y/Z三方 向）12002004振动/冲击装置14.54.55无线温湿度测试仪13.23.26连接器性能测试系统15005007高低温冲击箱230608300 °C高温烘箱2582009500 °C高温烘箱202040010微欧计（进口）1252511左右弯曲耐久性试验装置15512扭曲耐久性试验装置15513微细线直径及镀层厚度测试15514材料微观形貌和结构分析1150150小计58-1,597.7二、通信线缆检测实验室1不平衡衰减测试仪19.59.52滚筒跌落试验箱1663电磁半波暗室140040045G线缆测试配套系统1200205台式精密多模光源12.52.56便携式精密单模光源1227台式精密单模光源2248便携式精密光功率计32694通道单模功率计431210单模光纤插回损仪1441150多模光纤插回损仪14.54.51262.5多模光纤插回损仪14.54.513光缆振动舞动机1202014光缆机械性能成套设备（拉压卷）1808015电弧设备1505016加压浸水装置16617耐电痕实验系统1303018高压冲击试验装置的检定系统25010019高压电磁屏蔽室屏蔽效能的测量系统13030小计26-971三、新能源线缆实验室1热循环回路自动测控系统16304802零序大电流发生器8054003高压极端低温环境系统13003004振动试验线路拉力控制系统11201205大电流直流电阻测试仪228566红外温度成像仪140407紫外放电成像仪150508无纸记录仪4531359高速无纸记录仪542010卡尔费休水分测量仪15511绝缘电阻测试仪531512大截面分割导体夹具15513微孔杂质智能测试系统1505014库伦法镀层测厚仪13315导线扭力矩测试仪1101016磁粉无损检测探伤仪1202017绞线扭转试验15518绞线轴向冲击试验110010019绞线模拟雨林气候载流试验11120精密恒温油槽13321进口绝缘电阻测试仪15522电能质量测试仪2204023电缆制样装备4156024电缆安全性能分级及评估测试系统180080025标准电阻20.61.226锥形量热仪120020027风力发电用高端电缆耐扭设备35015028交联样品切片机251029200度烘箱12230削片机15531热老化试验箱3026032天平51.57.533测厚仪50.31.534汽车线刮磨机1303035负载试验柜1151536虹吸试验设备15537汽车线单根试验设备1303038投影仪251039自动绝缘结构测试仪110010040高压试验台2102041高精度微欧计1303042微欧计15543绝缘电阻仪24844绝缘电阻仪ZC90G11145恒温水槽441646大截面电阻测试仪夹具1202047卤酸试验设备13348碳黑试验设备13349ph电导率仪10.50.550FTT烟密度试验箱110010051透光率试验仪18852UL燃烧试验仪1101053高低温湿热试验箱3185454氙灯试验箱1202055净水器23656臭氧试验箱1101057氧弹试验箱251058曲挠试验机291859升温法软化击穿仪1202060盐水针孔试验仪10.60.661焊锡试验仪12262耐溶剂试验仪11163击穿电压仪1202064试验数据采集终端120020065半导电电阻率测试系统2102066大型电缆导线收放系统120020067工程用线束及电缆三相载流量测试系统及工装1303068温度、电磁场软件系统113613669工程服务用通勤车23570小计274-4,392.3总计358-6,9613、设立广东全资子公司项目国缆检测拟在广东设立全资子公司，用于专项实验室、接待、办公、样品仓库等能力建设，以解决公司现有南方市场需要长途运输，检测时间周期长，运输费用高的状况，以满足未来发展的需要。项目建成后，国缆检测将扩大南方地区线缆检测的市场占有率，针对广东省及周边线缆产业基地展开就地化的高水平服务，同时围绕粤港澳大湾区的大规模汽车电子、电子电器产业拓展新的检测业务，并利用广东东莞的地缘优势，探索拓展国际检测认证市场。该项目建设期为2年，计划总投资4,015万元，其中：建筑工程费502.5万元，仪器设备购置费1,691.3万元，安装工程费42.7万元，工程建设其他费825.5万元，预备费153万元，流动资金800万元。国缆检测预计，项目建成达产后可新增销售收入2,500万元/年，净利润564.8万元/年，全部投资回收期6.74年，内部收益率16.19%（税后）。该项目拟新购仪器设备167台/套，拟新购仪器设备价格1,544.1万元。设备投资明细如下：序号设备名称台数预估单价/万元总价/万元一、布电线试验室1电子天平2242绝缘电阻测试仪2243拉力试验机2501004微欧计132325台式投影仪1556测厚仪40.150.67数字多用表10.370.378紫外吸收式臭氧分析器15.55.59电子万能试验机1303010数显千分尺40.020.0811钢直尺40.010.0212焊锡试验仪11.51.513耐刮磨试验机11.51.514电缆曲挠试验机18815耐磨试验机10.80.816低温试验箱291817低温冲击机10.580.5818静态曲挠试验装置10.50.519低温卷绕机10.650.6520低温拉伸试验装置13.43.421老化试验箱101010022电缆结构测试系统110010023纺纤编织层耐热试验装置11124三轮曲挠试验机15525电线弯曲试验机11.81.826电缆荷重断芯试验机10.470.4727橡皮电缆扭绞试验机15528热稳定性试验仪10.670.6729交流耐压试验系统1101030电梯电缆曲挠试验装置15531臭氧老化试验箱1121232高压试验台10.450.4533高温压力试验装置20.5134热冲击试验装置20.5135玻璃恒温水浴20.5136热延伸试验装置20.10.237氧弹空气弹老化试验仪14.64.638单根垂直燃烧试验装置1151539伸率尺60.010.0340哑铃刀20.20.441冲片机10.20.2小计73-481.32二、低压力缆试验室1SevenMulti多功能测试仪110102电子天平1223电导率仪10.40.44PHS-3F酸度计10.20.25国际橡胶硬度计10.80.86精密恒温油浴10.650.657数显小头外径千分尺40.20.88千分尺40.050.29钢直尺40.010.02106305型碳黑测定仪15511烟密度测量系统1202012热老化试验箱12213高压试验台15514恒温水浴11.121.1215CDY冲击电压发生器1404016电线电缆结构参数全自动测量系统1330小计25-118.19三、阻燃耐火电缆试验室1电子天平1222管式炉测试仪（TFT）110103ULTRMAT23气体分析仪130304NOX分析仪125255850IC离子色谱仪11001006环保设备1160160小计6-327四、通信电缆试验室1测厚仪20.150.32数字万用表10.370.373钢直尺20.010.014电子天平1225千分尺20.050.16高频网络分析仪11001007低频网络分析仪144.644.68游标卡尺20.040.08950kN电子万能试验机1303010直流电阻测试仪11.41.411高低温试验箱111.511.512电容耦合测试仪13.63.613对称数据电缆测试系统174.574.514LCR测试仪14.54.515磁阻法测厚仪10.350.3516伸长率试验仪11.41.417电缆弯曲试验机11.31.318耐磨试验机10.80.819扭转试验机11.51.520渗水试验装置10.20.221转移阻抗测量装置13434小计25-312.51五、电器附件1钢卷尺20.010.012钢直尺40.010.023电子秒表20.010.024交变湿热箱110105架盘天平10.050.056千分尺20.050.17电子数显卡尺20.040.088电源负载柜1449电源负载柜1410电源负载柜14411恒定湿热箱18812ul老化试验箱281613高精密高压电容电桥18814ul燃烧试验机16615材料烟密度箱110010016线芯折断试验机11.21.217极低温冲击试验机10.50.518刮磨试验机11.51.519弯曲试验机16620机械强度试验装置10.50.521磨耗测试仪11.21.222耐刮磨试验机1202023UL氙灯试验系统1404024氙灯气候试验箱1202025绝缘线芯印刷标志耐久性试验装置11.21.2小计33-252.38六、线束连接器试验室1电磁兼容测试系统128282台式万用表10.50.53多功能温升试验装置121214盐雾腐蚀试验箱11.61.65精密电阻测试仪11.61.6小计5-52.7合计167-1,544.14、数字化检测能力建设项目国缆检测将对部分检测试验的原有的设备、电力线路进行升级改造，配齐配全必要的数字化检测设备，围绕电线电缆检验检测建成一个先进的、高效的数字化线缆检测实验室。此外，通过建造一座智能化立体仓库，承担检测产品的储存与流通任务，实现产品入库、存放、保管、发放、核查等精细化、流程化的技术性管理，要做到实物取放与单据相符、单据录入及时、有效管理零散物料、追溯物料批次信息等。该项目建设期为3年，计划总投资4,470万元，其中：建筑工程费912万元，设备购置费2,958万元，安装工程费118.32万元，其他费用312.25万元，预备费169.43万元。该项目拟新购仪器设备128台/套，购置费为2,958.00万元。设备投资明细如下：序号设备名称及型号规格数量单价/万元小计/万元一、数字化实验室1机械手及夹具30309002门禁电脑80.32.43车载电脑100.554RFID电子标签系统（射频识别设 备）10111104.1RFID标签（库位、工装容器、栈 板等）20000.00124.2PDA手持机/扫描枪/作业平板120.67.24.3固定式门禁（读写器、天线、线缆、 红外感应器等）11.81.852吨背负式AGV小车10222206AGV无线充电位6167电脑50.428普通条码打印机50.84小计84-1,249.4二、智能化立体仓库1门禁电脑40.31.22车载电脑60.533电脑20.40.84普通条码打印机20.81.65便携式条形码打印机40.526RFID电子标签系统111117货架（重型钢架）14104107.1货位2500 个0.082007.2天地轨600米0.06367.3电缆600米0.04247.4钢制托盘（货箱）25000.061508AGV激光导航调度及控制系统1181892吨叉车式AGV小车63521010AGV无线充电位31311堆叠码垛系统28016012巷道堆垛机57035013输送机系统1787814仓储智能化软件系统112012015自动控制系统118018016无线网络1202017电子监控系统2204018信息安全系统18080小计44-1,688.6合计1282,958关于国缆检测国缆检测创建于2004年，总部位于上海市，是国内领先的电线电缆与光纤光缆及其组器件的独立第三方检验检测服务机构之一，主营业务为电线电缆及光纤光缆的检测、检验服务，涵盖相应的检验检测、设备计量、能力验证等，还包括相关的专业培训、检查监造、标准制定、工厂审查、应用评估等专业技术服务。国缆检测的控股股东是上海电缆所，2019年1月，上海市国资委下发《关于申能（集团）有限公司与上海电缆研究所有限公司联合重组的通知》，上海电缆所股权以划转的方式注入申能集团，上海电缆所成为申能集团控股子公司。申能集团直接持有国缆检测5%的股权，并通过上海电缆所间接控制国缆检测85%的股权，合计控制国缆检测90%的股权，是国缆检测的间接控股股东。上海市国有资产监督管理委员会持有申能集团100%股权，是公司的实际控制人。上海市国资委是根据上海市政府授权代表国家履行国有资产出资人职责的市政府直属特设机构。

政府对各种儿童衣物的安全规定非常严格，而且客户对优质儿童产品的要求亦不断提升，这就要求成衣制造商对儿童衣物进行非常谨慎的安全质量控制。作为锡莱亚太拉斯(SDL Atlas)通过测试提升人们对标准信心承诺的一部分，锡莱亚太拉斯推出了SnapRite自动钮扣测试仪，它是一款更加简单可靠地测试衣物或玩具上钮扣或按钮强度的设备。衣物上钮扣的抗拉力越强，就越能防止钮扣脱离成衣，从而避免造成婴儿吞服钮扣的危险。SnapRite是SafQ钮扣测试仪的自动版。SafQ钮扣测试仪由YKK设计并拥有专利权，已成为儿童及婴儿衣物安全测试的标准。耐克(Nike)、GAP及H&M等知名厂家已将其指定为专用测试仪，用于其整个供应链。这款新型的钮扣测试仪也是YKK的独家所有专利权，它比手动的测试仪具有更多的优点。SnapRite可以进行一致的测试从而保证更加可靠的测试结果。控制器、电动固定负载及测压元件的使用保证了在整个测试过程中的拉力达到最大程度的一致，而且可以在一定时间内精确地固定在指定负载量。这就减少了由于操作员疲劳而导致的失误造成测试偏差的可能性，尤其是当进行多个测试时。SnapRite的织物夹与钮扣夹也得到改进。经重新设计后的夹具可以更好地夹取衣物与钮扣而且不会使试样变形，从而使试样的安装更简单流畅。用户也可以为手动的SafQ钮扣测试仪单独采购这个功能来升级当前设备。SnapRite可以采用与手动钮扣测试仪相同的夹具与附件来提高其测试能力。它们包括按钮、牛仔钮扣、四孔钮扣及拉链、领结、嵌花、套索、挂钩与挂杆及D形环等衣服附件的夹具。SafQ系列安全测试设备由锡莱亚太拉斯制造与销售。锡莱亚太拉斯可以一站式提供最广泛的纺织测试设备、用品、耗材及服务。SafQ系列安全测试产品包括小部件试验筒、锐器测试仪、锐利边缘测试仪、钮扣冲击测试仪及试验指等。锡莱亚太拉斯与专家及全球合作伙伴合作，致力于通过测试来提升人们对标准的信心。有关更多详细信息，请访问我们的网站www.sdlatlas.com或联系SDL Atlas的解决方案专家。- (美国/欧洲) 电话: +1 803 329 2110 邮箱: info@sdlatlas.com - (香港) 电话: +852 3443 4888 邮箱: info@sdlatlas.com.cn - (中国) 电话: +86 755 2671 1168 邮箱: info@sdlatlas.com.cn

近日，在Pittcon 2014举行期间，TSI推出了一款坚固耐用的ChemLogix&trade 手持式激光诱导击穿光谱元素分析仪(LIBS)用于现场研究，质量控制和移动实验室的市场。　　该ChemLogix&trade 手持式激光诱导击穿光谱仪采用位于IR-B频段，Class 1级别的对人眼安全的激光源，可以除去样品表面的污染物。仪器使用不需要特殊的用户培训和个人防护装备。ChemLogix&trade 手持式激光诱导击穿光谱仪可以在几秒钟内完成分析，甚至是对轻元素的分析也可以在这么短的时间内完成。该仪器非常适合要求苛刻的领域，以及在线质量监测。　　TSI LIBS全球产品经理Phillip Tan说：&ldquo LIBS技术是一种行之有效的固体样品元素快速分析手段。该技术几乎不需要样品制备，并且甚至可以在短短一秒钟获得结果。利用我们的ChemReveal&trade 台式激光诱导击穿光谱元素分析仪，实验室研究人员已经意识到LIBS在元素分析方面的能力与优势。通过采用便携LIBS，我们的用户现在可以在现场或生产车间快速得到分析结果。&rdquo

近日，莫帝斯燃烧技术（中国）有限公司为公安部四川消防研究所国家防火建材质检中心提供百万阻燃测试仪器，包含铺地材料热辐射测试仪、IMO 热辐射测试仪、可燃性测试仪、建筑材料烟密度测试仪、不燃性测试炉、泡沫垂直燃烧测试仪、UL94 水平垂直燃烧仪、氧指数测定仪、纺织品多功能燃烧测试仪、水平燃烧测试仪、DIN 54837大型燃烧箱、氧弹量热仪、外保温材料灼热燃烧炉等阻燃测试仪器。此次合作，标志着莫帝斯燃烧技术（中国）有限公司正式进入建筑材料阻燃测试仪器领域，有信心为其他客户提供优质的建筑材料阻燃测试仪器。 同时莫帝斯也深深的知道自己的不足，在此次合作过程中，四川消防研究所的专家及学者，提出了大量的宝贵建议，同时将他们多年的测试经验积累，无私的传递给了我们，在不断的修订自身错误的过程中，让我们深深体会到做好一台仪器，其生长的土壤，不仅仅要有认真的态度、科学的方法，同时需要有一批专业、敬业、负责任的客户。&ldquo 不积硅步无以致千里,不积小流无以成江海&rdquo ，同时也让我们认识到，只有不断的思考、不断的学习、不断的优化，才能将看似简单的产品真正的做好。 再次，对那些给予我们无私帮助的人们，再次表示真挚的感谢！！！ 自2008年以来，莫帝斯专注于高铁阻燃材料测试仪器的发展，已经同国内众多知名高铁材料阻燃实验室保持着良好的合作关系，如TUV莱茵、TUV 南德、SGS 通标、中国铁道科学研究院、中国南车等，其研发的阻燃测试仪器填补了许多国内阻燃测试的空白，如独立研发德国高铁DIN 54837 大型燃烧箱、法国高铁铺地材料热辐射测试仪、法国高铁电线电缆燃烧测试仪、英国高铁BS 476 中表面火焰传播测试装置及火焰蔓延指数测试仪等,我们相信自己，有能力为各类测试领域提供高性价比的测试仪器。 客户介绍： 国家防火建筑材料质量监督检验中心（以下简称质检中心）是经公安部和原国家标准局批准建立，于1987年经原国家标准局正式验收并授权成为全国首批具有第三方公正性地位的、法定的国家级产品质量监督检验机构。质检中心行政上受公安部消防局领导，检验业务上受国家认证认可监督委员会和公安部消防局指导。质检中心成立二十多年来，特别注重实验室建设、人才培养和质量管理体系运行的持续有效。按照中国合格评定国家认可委员会《检测和校准实验室能力认可准则》和国家认监委《国家产品质检中心授权管理办法》的要求建立质量管理体系，并通过了国家认监委和中国合格评定国家认可委员会每三年一次的实验室认可、资质认定和计量认证的"三合一"复评审、监督评审和扩项评审及国家认监委的专项监督。2003年通过了中国船级社的评审，被授权成为船用耐火材料与耐火构件等产品质量验证检验机构。中心的组织机构为一科一部四室，即技术管理科、技术发展部、办公室、防火建材检验室、耐火建筑构（配）件检验室、阻燃电缆及防火涂料检验室），拥有建筑面积15000多平方米的试验场馆，仪器设备200多台套, 固定资产5000余万元。通过多年的建设和发展，目前质检中心已被国家认监委授权承担防火建筑材料及涂料、耐火建筑构（配）件、阻燃及耐火电缆、消防器材等四大类77余种产品的国家监督抽查、地方监督抽查、型式检验、仲裁检验、认证认可检验和委托检验等检验工作。质检中心除了承担检验任务外，还开展建筑材料燃烧性能、电线电缆燃烧性能、防火材料产品等标准的制定（修订）、检测技术的研究和检验设备的研究开发等工作。 www.motis-tech.comwww.firetester.cn

设备的功能实现：KS-61730B光伏组件可燃性测试仪依据标准BS_EN IEC61730?2:2018（MST24）、ISO11925-2-2010设计研发，适用于在没有外加辐射条件下，用小火焰直接冲击垂直放置的试样以测定光伏组件可燃性。该测试仪根据光伏电池产品的尺寸定制大型燃烧箱及试样工装夹具和废气排放系统。zui大试样尺寸1.4米宽，2.5米高，可从前门方便放入，并在试样固定装置上可90度旋转。设备的参数：1）控制系统：采用可编程控制器（PLC）+触摸屏智能控制系统，可做英文操作界面，测试报告可保存打印功能。2）试验环境风速：控制方式（可调）；需满足，距样品表面5 cm处的风速在垂直方向上不超过0.2 m / s，在水平方向上不超过0.1 m / s（设备配备风速调节装置配合德图 testo（425型）热敏式风速仪调整到目标风速）；3）燃烧箱内温度测量：温度测量范围0℃～150℃，精度0.1℃，可预置超温报警；配置烟气探测报警，配置声光报警（根据客户需求）；有气体的低压和高压报警关断功能，并配声光报警（根据客户需求）；4） 火焰施加时间计时：自动点火，自动计时；计时精度0.01s，到达设定燃烧时间后自动熄灭；5） 火焰高度：10-100mm连续可调；6）试样燃烧时间计时：手动按钮和到位自动控制计时；计时精度0.01s（燃烧器到位后会自动和手动按钮开始计时，当余焰熄灭时手动暂停计时）；7） 燃烧室内尺寸：宽2250×深2000×2850（mm）；8） 电源： 220VAC-15%～220VAC+10% 10A （单相三线制）具有漏电保护电流5mA。9） 试样夹具：可夹持试样zui大尺寸1400mmX2500mm，在宽度和长度方向上能调整，并可作90度旋转。10）燃气灯：A，满足ISO11925-2:2010标准中的4.3条款；B，可沿垂直轴线旋转0-90度并左右方向呈直线移动（速度和距离可调节控制），可0°和45°角倾斜；C，燃气灯总成可垂直方向作0-400mm行程升降调节，可以移动到距离样品底面40mm，可以燃烧样品底部，可以距离表面1.5mm。组件下部至少暴露30cm的宽度，以便火焰能后燃烧。11）燃气灯使用的燃气:丙烷气体（客户自配）12）具有燃气泄漏报警功能，燃气泄漏后报警并自动切断供气系统；13）照明：内置防爆灯照明；14）气体管道：设备气体管道配备防反截止装置，配置高精度针型阀及气体压力表，可在控制火焰高度；15）外形尺寸：宽2600mmX深2100mmX高3350mm（2mm304不锈钢桔形漆烤漆，燃烧室内侧亚光黑，豪华外开门：尺寸为1800mmX2300mm, 前面和右面安装观察窗,观察窗为耐热防爆玻璃）。设备的配置：1）主机 一台2） 风速仪一台（指定品牌：德图 testo；型号：425型热敏式风速仪）3） 托盘一个 样品下部放置不锈钢的托盘，收集样品垃圾4） 钢板尺（一把） 钢板尺量程600 mm以上，精度为1 mm5）固定装置采用双U型结构，材质采用不锈钢装置，可以满足5cm的厚度 两套（一套设备标配使用，一套备用） 6）稳压器电压可以满足240V（单向）或415V（三向）（出厂时间选配） 7）气体入口配置气压计，气压计可达到100Kpa8）急停开关，可关断气体的输入。 创新点：1、KS-61730B光伏组件可燃性测试仪采用一体结构式的设计理念，在外观上与市场上的同类产品相比更加美观，同时设备采用PLC数据处理系统可对试验数据采取准确的分析并自动保存。2、该测试仪与市面同来产品相比，配备了烟气净化装置以及烟气探测报警器，有利于试验之后烟气的排放。光伏组件可燃性测试仪

产品特点◎ 一键式操作、更简单便捷。增加玻璃片和水收集箱使用更方便灵活。◎ 设备测试功能全面，可根据国标要求分别进行增压和保压两种实验。便于用户对测试方法的选择。 ◎ 测试精度高，可测范围大，测试压力读数精确到0.01Mpa,可测试压力达6.00Mpa， 能满足用户较高水平的测试要求。◎ 测试速度快，每测试1个瓶子的升压时间不超过10秒钟，对于普通测试大约是4秒钟(终点压力为1.60Mpa)左右。有助于用户提高测试工作效率。◎ 设备自动化程度高，测试时具有自动增压、保压、测试结束自动泄压、设备使用故障自动报警提示等功能。◎ 备配有微型打印机，实验结束可打印测试的数据、结果以及日期，方便用户对测试结果的建档与保存。◎ 设备关键元器件均采用进口配置，可靠性高，亦大大增加了设备的使用寿命。测试原理通过设备由伺服电机带动的液压泵产生的压力经管道以等值方式分别传递到压力传感器和被测试的玻璃样品瓶内，设备控制器从压力传感器实时采集压力信号并根据压力信号值控制伺服电机带动液压泵使系统内压力变化按照标准以及ISO标准规定的要求进行线性增加直至达到预先设定值，在加压或保压过程中，如被测试样品瓶破裂，即为不合格，如测试结束系统自动泄压后，被测试样品瓶仍完好，既为合格。测试标准该仪器符合多项国家和国际标准：GB/T 4546-2008、YBB00172003-2015 应用领域基础应用用于各种啤酒瓶、饮料瓶、模制西林瓶、抗生素瓶等各类玻璃瓶耐内压力测试；输液瓶等各容量玻璃瓶保压试验和爆破压力试验要求。技术指标项目指标测定压力范围0.50-6Mpa压力分辨率0.01Mpa压力试验误差＜ 1.5%F.S每分钟测瓶数≈ 6～10件升压速率误差＜ 5%瓶口夹具直径Ф24～26(啤酒瓶标配其他规格需定制)环境温度范围0～40℃环境湿度范围小于95%相对湿度外形尺寸800mm(L)×500mm(W)×1000mm(H)电源电压范围220V,50Hz净重45kg仪器配置标准配置主机、微型打印机、夹具创新点：NYL-06玻璃瓶耐内压力测试仪适用于各种啤酒瓶、酒瓶、饮料瓶、输液瓶、抗生素西林瓶等各类玻璃瓶耐内压力测试，产品依据GB/T4546-2008（玻璃容器 耐内压力试验方法）标准中实验项目规定，全自动显示整个实验过程压力变化，能够满足各容量玻璃保压试验和爆破压力试验要求，玻璃瓶耐内压力测试机是各啤酒厂、玻璃瓶厂家、质检机构、制药生产企业必备检测仪器。

氮化镓（GaN）器件具有更高耐压，更快的开关频率，更小导通电阻等诸多优异的特性，在功率电子器件领域有着广泛的应用前景：从低功率段的消费电子领域，到中功率段的汽车电子领域，以及高功率段的工业电子领域。相比于横向器件，GaN纵向功率器件能提供更高的功率密度、更好的动态特性、更佳的热管理及更高的晶圆利用率，近些年已取得了重要的进展。而大尺寸、低成本的硅衬底GaN纵向功率器件更是吸引了国内外众多科研团队的目光。中科院苏州纳米所孙钱研究团队在读博士研究生郭小路及其他团队成员的合作攻关下，经过近三年时间的不懈努力，先后在高质量异质外延材料生长及掺杂精确调控、器件关态电子输运机制及高压击穿机制、高性能离子注入保护环的终端开发等核心技术上取得突破，该系列研究工作先后发表于电子器件领域国际专业学术期刊IEEE Electron Device Letters, vol. 42, no. 4, pp. 473-476, Apr 2021. Applied Physics Letters, vol. 118, no. 24, 2021, Art. no. 243501. IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 68, no. 11, pp. 5682-5686, 2021。团队成功研制出的高性能硅衬底GaN基垂直肖特基二极管，具有优异的正向导通性能（Ron=1.0 mΩcm2），开关比高达1011，理想因子低至1.06，正向输出电流1660A/cm2。器件的关态耐压达603V，器件的Baliga优值（衡量器件正反向电学性能的综合指标）为0.26GW/cm2。器件在175oC的高温及380V反向偏压下，开关性能仍未发生失效，综合实现了耐高温、耐高压等优异特性。硅衬底GaN基纵向功率二极管器件性能目前处于国际前列。上述系列工作的主要作者为中科院苏州纳米所在读博士研究生郭小路，团队特别研究助理钟耀宗博士和已毕业博士生何俊蕾等为相关工作作出了重要贡献，通讯作者为孙钱研究员和周宇副研究员。上述工作得到了国家自然科学重点基金项目、国家重点研发计划课题、中国科学院重点前沿科学研究计划、江苏省重点研发计划项目等资助。图1. GaN 水平器件与垂直器件的特点比较图2. GaN基纵向功率二极管的关态击穿电压与开态导通电阻（Ron,sp）的评价体系。国内外相关研究团队的自支撑衬底和硅衬底GaN基肖特基势垒二极管（SBD）,结势垒肖特基二极管（JBS），凹槽MOS型肖特基二极管（TMBS）器件性能的比较。图3.（a）硅基GaN纵向功率二极管的外延结构（b）外延材料的CLmapping（c）器件的结构示意图（d）制备器件的离子注入保护环。图4.（a）线性坐标下与（b）对数坐标下有、无离子注入保护环(GR)终端的硅基GaN纵向SBD的正向IV曲线（c）不同温度下硅基GaN纵向SBD的开态导通电阻（d）离子注入保护环个数对反向击穿耐压的影响。(e)有、无离子注入保护环对硅基GaN纵向SBD温度特性的影响。

产品简介ZR-3260型自动烟尘烟气综合测试仪（B款，小型化），用于固定污染源中颗粒物(含超低浓度) 的采集、SO2和NOX等有毒有害气体的测量、除尘脱硫效率的测定；烟道温度、动压、静压、含湿量测量及折算浓度、排放总量的计算等。适用范围：各种锅炉、工业炉窑的烟尘排放浓度、折算浓度和排放总量的测定；该仪器配合油烟采样管，可以进行油烟采样；选配沥青烟采样管，可以进行沥青烟采样；各类除尘设备效率的测定；烟道排气参数（动压、静压、温度、流速、标干流量等）的测定；烟气含氧量、空气过剩系数的测定；干、湿球温度的测定；烟气连续测量仪器准确度的评估和校准；各种锅炉、工业炉窑的SO2、NOx排放浓度、折算浓度和排放总量的测定及各类脱硫设备效率的测定（可选）；其它可应用的场合。执行标准HJ 57-2017 固定污染源废气 二氧化硫的测定定电位电解法GB/T 16157-1996 固定污染源排气中颗粒物测定与气态污染物采样方法HJ/T 48-1999 烟尘采样器技术条件HJ 693-2014 固定污染源废气 氮氧化物的测定 定电位电解法JJG 968-2002 烟气分析仪JJG 680-2007 烟尘采样器JJG 518-1998 皮托管检定规程Q/0212 ZRB014-2015 自动烟尘烟气综合测试仪HJ 973-2018 固定污染源废气 一氧化碳的测定定电位电解法工作条件工作电源： 交流220V±10%，50Hz；环境温度： (－20～ 45 )℃；环境湿度： 0% ～95%；适用环境： 非防爆场合；电源接地线应良好接地；野外工作时，应有防雨、雪、尘以及日光爆晒等侵袭的措施。 技术特点仪器具有CO对SO2的自动修正功能。修正功能开关可选，修正系数可通过干扰试验测定后输入修改。选择修正功能后仪器自动通过测得CO的浓度对所测SO2进行修正；烟气测试流量控制满足HJ/T 46 的要求；获得中国环境保护产品认证证书 经过生态环境部环境监测仪器质量监督检验中心检测认证检测合格（报告编号：质（认）字NO.2018-154） 具备烟道信息数据库，自动记忆烟道工况配置信息，支持汉字输入，可快速提取历史数据；同时支持触控和按键操作，5.0寸宽温高亮多角度翻转彩屏，耐高寒，视域广，汉字图形化显示，键盘采用防尘防水工业精密设计，适用于恶劣工况；内置自动排水泵，实现烟尘、烟气采样冷凝水自动排出功能，更适合高湿度工况，操作便利；板载大容量存储器，采样数据实现无限存储，支持SD卡、U盘等大容量存储介质，实现文件无限量存储；支持手机APP无线操控，支持蓝牙通信功能和外置蓝牙高速打印机；配备高负载低噪声大流量抽气泵，流量可达80L/min；准确的电子流量计控制，实时监测计温，计压，自动调节流量；交直流电压供电，支持外接电源箱供电或AC/DC桌面电源适配器供电，采用220V供电、充电，具有断电记忆功能，采样过程中，突然断电，自动保存工作数据，来电提示恢复继续采样；具备DC24V输入和DC24V输出接口，可外接电源使用，亦可为外部附件提供电源。具有大于AC250V过压保护功能，避免因接入电压过高而造成仪器损坏。加强过滤除湿以及静电、摔碰等的防护，整机更结实耐用。可选配无线通讯和定位，支持手机APP操作。预留2种湿度测量方法（阻容法和干湿球法）的接口。选配部分可扩展β射线吸收法和微振荡天平法测量的烟尘直读模块，以及可扩展直读称量单元，实现烟尘浓度现场自动测量；可配备阻容法含湿量测量仪，代替干湿球法独立测量湿度，无需外部动力抽取；烟气预处理器，可有效进行脱水、除尘， 增强烟气成分检测准确度；创新点：1、用于固定污染源中颗粒物(含超低浓度) 的采集、SO2和NOX等有毒有害气体的测量、除尘脱硫效率的测定；2、该仪器配合油烟采样管，可以进行油烟采样；选配沥青烟采样管，可以进行沥青烟采样；3、可扩展β 射线吸收法和微振荡天平法测量的烟尘直读模块，以及可扩展直读称量单元，实现烟尘浓度现场自动测量；4、可配备阻容法含湿量测量仪，代替干湿球法独立测量湿度，无需外部动力抽取；5、烟气预处理器，可有效进行脱水、除尘， 增强烟气成分检测准确度；ZR-3260型自动烟尘烟气综合测试仪（B款，小型化）

近日，武汉嘉仪通科技有限公司正式对外推出最新研发的【便携式泽贝克系数测试仪PTM】。该测试仪小巧轻便，可快速测量薄膜、块体等不同形态热电材料的Seebeck系数，能够应用于热电材料初选、均匀性测试、高通量实验、热电教学体验等与热电材料相关的各个环节，为热电材料科研及产业化提供了更专业、便携的测试新选择！便携式泽贝克系数测试仪该款设备是在中国热电材料领域老前辈的建议下，为实现我国热电材料产业化，打造“精品工程”，嘉仪通科技专项研发的便携式热电参数测试产品！一、核心特点1.材料初选可快速筛选薄膜、块体等热电材料样品，提高初选环节的效率，避免无用实验，极大节约实验成本；2.均匀性测试助力高通量实验，快速检测薄膜、块体等热电材料的均匀性，准确找到材料最优配比；3.教学体验完美适用于本科阶段热电材料相关原理教学、实验讲解等教学体验环节；4.企业精品工程打造有助于优化热电材料工艺设计，进一步提升热电产品质量和稳定性，助力企业打造具有优良品质的精品工程。 二、基本特点1.快速测样测试时间低至10s/次，测试结果自动呈现，极大提高团队的实验效率。2.准确测试采用稳定可靠的方法测量，操作简单，性能稳定，数据准确（中国计量院拿NIST标样进行对比测试，测试结果误差在7%以内）3.样品要求低直接测试热电材料的Seebeck系数，对样品形状无特殊要求。4.长时间续航大容量电池，可供全天（大于10h）持续不间断使用。5.小巧安全设备小巧轻便，易于携带，安全性能高三、技术参数型号PTM-2（企业版）PTM-3温差范围≤40K加热功率6 W泽贝克系数量程20~700 μV/K2~1000 μV/K泽贝克系数分辨率0.1μV/K测量误差±7%±7%充电电压220V/5V2A电池容量8000mAh续航时间12 h样品电阻≤1K Ω≤10K Ω样品尺寸薄膜：长≥10，宽≥5,单位mm块体：长≥1.5，宽≥1.5，高≥1.5,单位mm纤维样品：长≥20，直径≥0.2,单位mm四、测试实例碲化铋棒材截面均匀性测量结果 鹏南电子科技提供样品SEEBECK系数测试结果单位名称样品名称测试一(μV/K)测试二(μV/K)测试三(μV/K)平均值(μV/K)标准样品镍带-19.4-19.6-19.5-19.5清华大学热电薄膜16.516.716.616.7四川大学改性导电聚合物11.111.211.311.2太原理工大学硅化镁-102.9-103.1-103.0-103.0合肥工业大学硅化镁168.0168.0168.1168.0【便携式泽贝克系数测试仪PTM】一经推出，就受到了广大顾客的青睐。目前，已经有中国科学院化学研究所、西安耐司科学仪器有限公司、广东雷子克热电工程技术有限公司等三家科研单位和企业已经或正在采购该设备。此外，还有十余家高校、科研院所和企事业单位也非常有意向购买这款便携式设备。嘉仪通的此款新品，在第十次中国热电材料及应用学术会议（2018年5月6-9号，中国杭州）上首次公开展出，吸引了众多热电研究相关老师的注目。部分老师直接将样品带到大会现场进行测试，测试结果准确有效，得到了相关老师的一致好评。大会现场测样与此同时，嘉仪通科技一直非常注重产品的技术研发与换代升级。虽然此款【便携式泽贝克系数测试仪PTM】刚刚推出，但其升级版产品也正在紧锣密鼓的研发当中，将进一步提升产品各方面测试性能，为从事热电材料领域研究的广大客户提供更方便、更精准测试的好产品。

ZR-3260D型低浓度自动烟尘烟气综合测试仪（A款，小型化）产品简介：ZR-3260D型低浓度自动烟尘烟气综合测试仪（A款，小型化），用于固定污染源中颗粒物(含超低浓度) 的采集、SO2和NOX等有毒有害气体的测量、除尘脱硫效率的测定；烟道温度、动压、静压、含湿量测量及折算浓度、排放总量的计算等。适用范围：各种锅炉、工业炉窑的烟尘排放浓度、折算浓度和排放总量的测定；该仪器配合油烟采样管，可以进行油烟采样；选配沥青烟采样管，可以进行沥青烟采样；各类除尘设备效率的测定；烟道排气参数（动压、静压、温度、流速、标干流量等）的测定；烟气含氧量、空气过剩系数的测定；干、湿球温度的测定；烟气连续测量仪器准确度的评估和校准；各种锅炉、工业炉窑的SO2、NOx排放浓度、折算浓度和排放总量的测定及各类脱硫设备效率的测定（可选）；其它可应用的场合。工作条件工作电源： 交流220V±10%，50Hz；环境温度： (－20～ 45 )℃；环境湿度： 0% ～95%；适用环境： 非防爆场合；电源接地线应良好接地；野外工作时，应有防雨、雪、尘以及日光爆晒等侵袭的措施。 执行标准HJ 57-2017 固定污染源废气 二氧化硫的测定定电位电解法GB/T 16157-1996 固定污染源排气中颗粒物测定与气态污染物采样方法HJ 836-2017 固定污染源废气 低浓度颗粒物的测定 重量法HJ/T 48-1999 烟尘采样器技术条件HJ 693-2014 固定污染源废气 氮氧化物的测定 定电位电解法JJG 968-2002 烟气分析仪JJG 680-2007 烟尘采样器JJG 518-1998 皮托管检定规程Q/0212 ZRB014-2015 自动烟尘烟气综合测试仪HJ 973-2018 固定污染源废气 一氧化碳的测定定电位电解法 技术特点仪器具有CO对SO2的自动修正功能。修正功能开关可选，修正系数可通过干扰试验测定后输入修改。选择修正功能后仪器自动通过测得CO的浓度对所测SO2进行修正；烟气测试流量控制满足HJ/T 46 的要求；具备烟道信息数据库，自动记忆烟道工况配置信息，支持汉字输入，可快速提取历史数据；同时支持触控和按键操作，5.0寸宽温高亮多角度翻转彩屏，耐高寒，视域广，汉字图形化显示，键盘采用防尘防水工业精密设计，适用于恶劣工况；内置自动排水泵，实现烟尘、烟气采样冷凝水自动排出功能，更适合高湿度工况，操作便利；板载大容量存储器，采样数据实现无限存储，支持SD卡、U盘等大容量存储介质，实现文件无限量存储；支持手机APP无线操控，支持蓝牙通信功能和外置蓝牙高速打印机；准确电子流量计控制，实时监测计温，计压，自动调节流量；微电脑控制等速跟踪采样，专有调节方式，响应时间快；具备操作导航功能，引导用户快速完成整个采样过程；皮托管正负取压接嘴与连接管路进行颜色标识区分，便于操作；具备烟尘系统气密性和整机故障自检与报警功能，方便用户使用及维护；具有气路缓冲功能，实现真正防倒吸，保证采样数据的准确性；主机可视化优质尘滤芯、逃逸水陷阱一体化设计，有效滤尘且便于更换，进一步除水，保护气路及采样泵；具有断电记忆功能，采样过程中，突然断电，自动保存工作数据，来电提示恢复继续采样；标配电池25.9V 6AH,仪器功耗更低，20L/min，-8kPa负载时≥3小时 30L/min，-8kPa负载时≥2小时。可扩展备用电池输入。；具备DC24V输入和DC24V输出接口，可外接电源使用，亦可为外部附件提供电源。具有大于AC250V过压保护功能，避免因接入电压过高而造成仪器损坏。加强过滤除湿以及静电、摔碰等的防护，整机更结实耐用。可选配无线通讯和定位，支持手机APP操作。预留2种湿度测量方法（阻容法和干湿球法）的接口。选配部分可扩展β射线吸收法和微振荡天平法测量的烟尘直读模块，以及可扩展直读称量单元，实现烟尘浓度现场自动测量；可配备阻容法含湿量测量仪，代替干湿球法独立测量湿度，无需外部动力抽取；烟气预处理器，可有效进行脱水、除尘， 增强烟气成分检测准确度；创新点：1、仪器具有CO对SO2的自动修正功能。修正功能开关可选，修正系数可通过干扰试验测定后输入修改。选择修正功能后仪器自动通过测得CO的浓度对所测SO2进行修正2、便携性好，外形尺寸：(长275× 宽170× 高265)mm，重量6.8kg（含电池），相较于众瑞上代产品体积和重量减少40%以上。3、获得国家计量器具型式批准证书CPA；获得中国环境保护产品认证证书（编号：CCAEPI-EP-2018-640） 经过生态环境部环境监测仪器质量监督检验中心检测认证检测合格（报告编号：质（认）字NO.2018-154） 4、同时支持触控和按键操作，5.0寸宽温高亮多角度翻转彩屏，耐高寒，视域广，汉字图形化显示，键盘采用防尘防水工业精密设计，适用于恶劣工况；5、内置自动排水泵，实现烟尘、烟气采样冷凝水自动排出功能，更适合高湿度工况，操作便利高效；6、板载大容量存储器，采样数据实现无限存储，支持SD卡、U盘等大容量存储介质，实现文件无限量存储；7、烟气传感器类型、数量、维护日期动态管理，气体传感器自动配置，同时传感器供电无需更换电池，自动充电，增加传感器电池电量报警，提示用户注意，确保传感器处于安全状态；8、交直流电压供电，支持外接电源箱供电或AC/DC桌面电源适配器供电，采用220V供电、充电，具有断电记忆功能，采样过程中，突然断电，自动保存工作数据，来电提示恢复继续采样；9、标配电池25.9V 6AH,仪器功耗更低，20L/min，-8kPa负载时≥ 3小时 30L/min，-8kPa负载时≥ 2小时。可扩展备用电池输入。ZR-3260D型低浓度自动烟尘烟气综合测试仪

第四届亚洲激光诱导击穿光谱学术研讨会（ASLIBS 2021）会议通知“第四届亚洲激光诱导击穿光谱学术研讨会 (4th Asian Symposium on Laser Induced Breakdown Spectroscopy)”是由亚洲LIBS学会每两年为周期举办的专业型学术会议，自2015年在武汉由华中科技大学举办第一届会议以来，经过2017年第二届（日本 德岛）、2019年第三届（韩国 济州岛），第四届会议由中国海洋大学在青岛举办。“第四届亚洲激光诱导击穿光谱学术会议 (4th Asian Symposium on Laser Induced Breakdown Spectroscopy)”的举办旨在加深亚洲区LIBS技术的交流合作。本次会议内容将分为“LIBS技术基础 (LIBS fundamentals )”和“LIBS技术应用 (LIBS applications )”两大模块，采用线上、线下相结合的形式举办，报告分为“口头报告”和“海报展示”两类。ASLIBS2021同期联合清华大学还将举办第二届LIBS峰会(LIBS Summit)，邀请LIBS学界国际顶级专家，围绕LIBS关键问题和技术基础开展系列专题讲座。此外，中国LIBS学会(CSLIBS)十周年纪念活动也将在会议期间同时进行。一、会议时间2021年10月16日（周六）-- 2021年10月20日（周三）10月16日 14:00 ~19:00 会议预报到10月17日 09:00 ~21:00 会议报到、核酸检测10月17日 14:00 ~22:00 LIBS峰会（线上会议）10月18日 ~ 10月20日 ASLIBS 2021会议二、会议地点山东省青岛市崂山区东海东路88号 鲁商凯悦酒店三、会议组织单位1. 主办单位：中国光学工程学会 LIBS专委会2. 承办单位：中国海洋大学3. 协办单位：仪器信息网、清华大学、青岛海洋科学与技术试点国家实验室、山东省科学院海洋仪器仪表研究所、青岛大学四、会议组委会主席：郑荣儿 教授，中国海洋大学副主席：Sungho Jeong 教授, Gwangju Institute of Science & Technology, 韩国Yoshihiro Deguchi 教授, Tokushima University, 日本Tetsuo Sakka 教授, Kyoto University, 日本王 哲 教授, 清华大学五、报告形式1、口头报告：主旨报告（30分钟）、邀请报告（20分钟）、大会报告（15分钟）2、海报展示：120 cm (长) x 90 cm (宽)六、会议注册费学生1800元/人，非学生3000元/人七、会议规模国内学者约250人，国际学者约50人参展商约15家八、会议联系人秘书组，s ervice@aslibs2021.com 卢 渊，18253201226，l uyuan@ouc.edu.cn 会议官方网站：https://www.aslibs2021.com/