反应离子刻蚀系统

美Nano-master RIE反应离子刻蚀系统NRR-4000 独立式双RIE或ICP刻蚀系统NRE-4000 独立式RIE或ICP系统NRE-3000 台式RIE系统NDR-4000 深硅刻蚀系统NANO-MASTER那诺-马斯特的NRE-4000型独立式RIE反应离子刻蚀系统，带有淋浴头气流分布和水冷射频样品台。该RIE反应离子刻蚀系统带不锈钢立柜和一个13”圆柱形铝制腔体，一键式实现顶盖升降便于放片取片。系统最大可支持8”（200毫米）晶圆，也可以支持更大基片刻蚀的定制。腔体包含两个端口，一个用于2”观察视窗，另一个预留用于比如终点监测等诊断装备。腔体为超净设计，腔体的极限真空可达到5×10-7Torr或更低，具体取决于真空泵系统，系统可以在20mTorr到8Torr之间的压力范围内工作。该系列RIE反应离子刻蚀系统的标准泵组包含260L/Sec抗腐蚀涡轮分子泵、滤网，和10cfm抽速的PFPE前机泵。600W，13.56MHz的射频电源，带自动调节器。基片直流偏压实时监控最高可达500V，这对各向异性刻蚀非常重要。系统通过计算机自动控制，菜单驱动，这给用户提供了最大的灵活性，同时保持了高度的重复性。系统可支持单晶圆或者Cassette-to-Cassette的自动上下片。NANO-MASTER那诺-马斯特的RIE反应离子刻蚀系统的型号包含NRE-3000台式RIE反应离子刻蚀系统，最多支持四路工艺气体，NRE-3500紧凑型独立式RIE反应离子刻蚀系统，可升级为ICP刻蚀系统，可支持6路气体。NRE-4000型独立式RIE反应离子刻蚀系统，具有更大的空间，可以支持自动上下片，最多到12路气体的扩展等众多能力选项。特点：** 13”硬质阳极氧化铝腔体** 淋浴头气流分布** 最大支持200毫米基片** 可支持更大尺寸基片刻蚀的定制** 带不锈钢气体管路和气动截止阀的MFC** 直流偏压：可达-500V自偏压，-1000V外偏压** 全自动压力控制** 带自动调节的600W 射频电源，带自动调谐器** 水冷或加热（最高可加热到400°C）样品台** 260L/Sec抗腐蚀涡轮分子泵，配套合适的前级泵** 基于计算机的全自动工艺控制，菜单驱动** LabVIEW友好用户界面** EMO及完整的安全联锁选配：** ICP高密度等离子源用于高速刻蚀** 用于各向同性刻蚀的等离子源** 带机械锁紧的背氦冷却用于DRIE** 增加MFC** 单片自动或Cassette-to-Cassette自动上下片** 分子泵组升级** 基片冷却到-20°C并加热到加热到200°** 光谱终点监测** 静电吸附托盘** 支持12”的晶圆腔体** 其它更大尺寸的基片刻蚀应用：** 复合半导体** GaAs传感器** 光子学** MEMS器件制造** 硅深槽刻蚀** 先进封装中的等离子切割** TSV制造中的通孔刻蚀** 高精度运动传感器** 纳米级刻蚀和微流控芯片** 其它需要RIE刻蚀的应用

RIE反应离子刻蚀 SI 591 反应离子刻蚀机SI 591采用模块化设计，可满足III/V半导体和Si加工工艺领域的的灵活应用。 SENTECH SI 591可应用于各种领域的蚀刻工艺中，能够完成多种刻蚀加工。主要特点: 高均匀性和优重复性的蚀刻工艺 预真空锁loadlock 电脑控制操作 SENTECH高级等离子设备操作软件 数据资料记录 穿墙式安装方式 刻蚀终点探测 系统配置:平行板式反应线圈，13.56 MHz (600 W) 喷淋头式进气 预真空锁loadlock， 带有取放机械手 绝缘、冷却和加热电极(-25℃至80℃)，基底4"-8"直径，基底托架可支持小片材料和多晶圆。 PLC控制, PC

RIE反应离子刻蚀 SI 591 反应离子刻蚀机SI 591采用模块化设计，可满足III/V半导体和Si加工工艺领域的的灵活应用。 SENTECH SI 591可应用于各种领域的蚀刻工艺中，能够完成多种刻蚀加工。主要特点: 高均匀性和优重复性的蚀刻工艺 预真空锁loadlock 电脑控制操作 SENTECH高级等离子设备操作软件 数据资料记录 穿墙式安装方式 刻蚀终点探测 系统配置:平行板式反应线圈，13.56 MHz (600 W) 喷淋头式进气 预真空锁loadlock， 带有取放机械手 绝缘、冷却和加热电极(-25℃至80℃)，基底4"-8"直径，基底托架可支持小片材料和多晶圆。 PLC控制, PC SENTECH高级等离子设备操作软件特性: 全自动/手动过程控制 Recipe控制刻蚀过程 智能过程控制，包括跳转、循环]调用recipe。 多用户权限设置 数据资料记录 LAN网络接口 Windows NT 操作软件选项: 增加气路 PE电极 外部反应腔加热 下电极温度控制(+20oC ... +80oC) 循环冷却器(5oC ... 40oC) CS化学尾气净化 Cassette到cassette操作方式 穿墙式安装 干涉式终点探测和刻蚀深度测量系统 在线椭偏测量(SE 401, SE 801)

RIE反应离子刻蚀机NRE-3500（M）RIE反应离子刻蚀机概述：独立式RIE反应离子刻蚀系统，淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品.具有不锈钢柜子以及13"的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2"的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持最大到12"的晶圆片。腔体为超净设计，并且根据配套的真空泵可以达到10-6 Torr 或更小的极限真空。该系统系统可以在20mTorr到8Torr之间的真空下工作。真空泵组包含一个节流阀,一个250l/s的涡轮分子泵,滤网过滤器,以及一个10cfm的机械泵(带Formblin泵油).RF射频功率通过600W,13.56MHz的电源和自动调谐器提供。系统将持续监控直流自偏压,该自偏压可以高达-500V.这对于各向异性的刻蚀至关重要。NRE-3500（M）RIE反应离子刻蚀机是基于PC控制的全自动系统.系统真空压力及DC直流偏压将以图形格式实时显示,流量及功率则以数字形式实时显示.系统提供密码保护的四级访问功能:操作员级、工程师级、工艺人员级,以及维护人员级.允许半自动模式(工程师模式)、写程序模式(工艺模式), 和全自动执行程序模式(操作模式)运行系统。基于全自动的控制，该系统具有高度的可重复性。NRE-3500（M）RIE反应离子刻蚀机产品特点：铝质腔体或不锈钢腔体不锈钢立柜能够刻蚀硅的化合物(~400? /min)以及金属典型的硅刻蚀速率，400 ?/min高达12"的阳极氧化铝RF样品台水冷及加热的RF样品台大的自偏压淋浴头气流分布极限真空5x10-7Torr，20分钟内可以达到10-6Torr级别涡轮分子泵最多支持5个MFC无绕曲气体管路自动下游压力控制双刻蚀能力：RIE以及PE刻蚀(可选)终点监测气动升降顶盖手动上下载片基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动，4级密码访问保护完全的安全联锁可选ICP离子源以及低温冷却样品台，用于深硅刻蚀NRE-3500（M）RIE反应离子刻蚀机产品型号：NRE-4000：基于PC计算机全自动控制的独立式系统，占地面积26“D x 44"WNRE-3500：基于PC计算机全自动控制的紧凑型独立式系统，占地面积26“D x 26"WNRE-3000：基于PC计算机全自动控制的台式系统，占地面积26“D x 26"WNRP-4000：RIE/PECVD双系统NDR-4000：深RIE刻蚀(深硅刻蚀)系统

RIE反应离子刻蚀机NRE-3000RIE反应离子刻蚀机概述：独立式RIE反应离子刻蚀系统，淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品.具有不锈钢柜子以及13"的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2"的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持最大到12"的晶圆片。腔体为超净设计，并且根据配套的真空泵可以达到10-6 Torr 或更小的极限真空。该系统系统可以在20mTorr到8Torr之间的真空下工作。真空泵组包含一个节流阀,一个250l/s的涡轮分子泵,滤网过滤器,以及一个10cfm的机械泵(带Formblin泵油).RF射频功率通过600W,13.56MHz的电源和自动调谐器提供。系统将持续监控直流自偏压,该自偏压可以高达-500V.这对于各向异性的刻蚀至关重要。NRE-3000RIE反应离子刻蚀机是基于PC控制的全自动系统.系统真空压力及DC直流偏压将以图形格式实时显示,流量及功率则以数字形式实时显示.系统提供密码保护的四级访问功能:操作员级、工程师级、工艺人员级,以及维护人员级.允许半自动模式(工程师模式)、写程序模式(工艺模式), 和全自动执行程序模式(操作模式)运行系统。基于全自动的控制，该系统具有高度的可重复性。NRE-3000RIE反应离子刻蚀机产品特点：铝质腔体或不锈钢腔体不锈钢立柜能够刻蚀硅的化合物(~400? /min)以及金属典型的硅刻蚀速率，400 ?/min高达12"的阳极氧化铝RF样品台水冷及加热的RF样品台大的自偏压淋浴头气流分布极限真空5x10-7Torr，20分钟内可以达到10-6Torr级别涡轮分子泵最多支持4个MFC无绕曲气体管路自动下游压力控制终点监测气动升降顶盖手动上下载片基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动，4级密码访问保护完全的安全联锁可选ICP离子源以及低温冷却样品台，用于深硅刻蚀NRE-3000RIE反应离子刻蚀机产品相关型号：NRE-4000：基于PC计算机全自动控制的独立式系统，占地面积26“D x 44"WNRE-3500：基于PC计算机全自动控制的紧凑型独立式系统，占地面积26“D x 26"WNRE-3000：基于PC计算机全自动控制的台式系统，占地面积26“D x 26"WNRP-4000：RIE/PECVD双系统NDR-4000：深RIE刻蚀(深硅刻蚀)系统

反应离子刻蚀NRE-4000（M）反应离子刻蚀概述：NRE-4000是一款独立式RIE反应离子刻蚀系统，配套有淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品.具有不锈钢柜子以及13"的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2"的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持最大到12”的晶圆片。腔体为超净设计，并且根据配套的真空泵可以达到10-6 Torr 或更小的极限真空。该系统系统可以在20mTorr到8Torr之间的真空下工作。真空泵组包含一个节流阀,一个250l/s的涡轮分子泵,滤网过滤器,以及一个10cfm的机械泵(带Formblin泵油).RF射频功率通过600W,13.56MHz的电源和自动调谐器提供。系统将持续监控直流自偏压,该自偏压可以高达-500V.这对于各向异性的刻蚀至关重要。该系统是基于PC控制的全自动系统.系统真空压力及DC直流偏压将以图形格式实时显示,流量及功率则以数字形式实时显示.系统提供密码保护的四级访问功能:操作员级、工程师级、工艺人员级,以及维护人员级.允许半自动模式(工程师模式)、写程序模式(工艺模式), 和全自动执行程序模式(操作模式)运行系统。基于全自动的控制，该系统具有高度的可重复性。NRE-4000（M）反应离子刻蚀产品特点：铝质腔体或不锈钢腔体不锈钢立柜能够刻蚀硅的化合物(~400? /min)以及金属典型的硅刻蚀速率，400 ?/min高达12”的阳极氧化铝RF样品台水冷及加热的RF样品台大自偏压淋浴头气流分布极限真空5x10-7Torr，20分钟内可以达到10-6Torr级别涡轮分子泵最多支持8个MFC无绕曲气体管路自动下游压力控制双刻蚀能力支持：RIE以及PE刻蚀（可选）终点监测气动升降顶盖手动上下载片基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动，4级密码访问保护完全的安全联锁可选ICP离子源以及低温冷却样品台，用于深硅刻蚀NRE-4000（M）反应离子刻蚀 Features：Aluminum or Stainless Steel ChamberStainless Steel CabinetCapable of etching Si compounds (~400 ? /min)and metalsTypical Si etch rate, 400 ?/minUp to 12“ Anodized RF PlatenWater Cooled and Heated RF PlatenLarge Self BiasShower Head gas distributionApproximately 10-6 Torr 20 minutes, ~ 5 x10-7 Torr base pressureTurbomolecular PumpUp to eight MFCsNo flexing of gas linesDown Stream Pressure ControlDual Etch capability: RIE and Plasma Etch（Option）End Point DetectionPneumatically Lifted TopManual loading/unloadingPC Controlled with LabVIEWRecipe Driven, Password ProtectedFully Safety Interlocked Optional ICP source and cryogenic cooling of the platen for deep Si etch

反应离子刻蚀NRE-4000（A）全自动反应离子刻蚀概述：NRE-4000是一款独立式RIE反应离子刻蚀系统，配套有淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品.具有不锈钢柜子以及13"的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2"的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持最大到12”的晶圆片。腔体为超净设计，并且根据配套的真空泵可以达到10-6 Torr 或更小的极限真空。该系统系统可以在20mTorr到8Torr之间的真空下工作。真空泵组包含一个节流阀,一个250l/s的涡轮分子泵,滤网过滤器,以及一个10cfm的机械泵(带Formblin泵油).RF射频功率通过600W,13.56MHz的电源和自动调谐器提供。系统将持续监控直流自偏压,该自偏压可以高达-500V.这对于各向异性的刻蚀至关重要。该系统是基于PC控制的全自动系统.系统真空压力及DC直流偏压将以图形格式实时显示,流量及功率则以数字形式实时显示.系统提供密码保护的四级访问功能:操作员级、工程师级、工艺人员级,以及维护人员级.允许半自动模式(工程师模式)、写程序模式(工艺模式), 和全自动执行程序模式(操作模式)运行系统。基于全自动的控制，该系统具有高度的可重复性。NRE-4000（A）全自动反应离子刻蚀产品特点：铝质腔体或不锈钢腔体不锈钢立柜能够刻蚀硅的化合物(~400? /min)以及金属典型的硅刻蚀速率，400 ?/min高达12”的阳极氧化铝RF样品台水冷及加热的RF样品台大自偏压淋浴头气流分布极限真空5x10-7Torr，20分钟内可以达到10-6Torr级别涡轮分子泵最多支持8个MFC无绕曲气体管路自动下游压力控制双刻蚀能力支持：RIE以及PE刻蚀（可选）终点监测气动升降顶盖自动上下载片预真空锁基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动，4级密码访问保护完全的安全联锁可选ICP离子源以及低温冷却样品台，用于深硅刻蚀NRE-4000（A）全自动反应离子刻蚀 Features：Aluminum or Stainless Steel ChamberStainless Steel CabinetCapable of etching Si compounds (~400 ? /min)and metalsTypical Si etch rate, 400 ?/minUp to 12“ Anodized RF PlatenWater Cooled and Heated RF PlatenLarge Self BiasShower Head gas distributionApproximately 10-6 Torr 20 minutes, ~ 5 x10-7 Torr base pressureTurbomolecular PumpUp to eight MFCsNo flexing of gas linesDown Stream Pressure ControlDual Etch capability: RIE and Plasma Etch（Option）End Point DetectionPneumatically Lifted TopAutomatic loading/unloadingLoad LockPC Controlled with LabVIEWRecipe Driven, Password Protectedully Safety Interlocked Optional ICP source and cryogenic cooling of the platen for deep Si etch

一、产品简介CIF推出RIE反应离子刻蚀机，采用RIE反应离子诱导激发方式，实现对材料表面各向异性的微结构刻蚀。特别适合于大学，科研院所、微电子、半导体企业实验室进行介质刻蚀、硅刻蚀、金属刻蚀等方面研究。使用成本低，性价比高，易维护，处理快速高效。适用于所有的基材及复杂的几何构形进行RIE反应离子刻蚀。具体包括：(1) 介电材料（SiO2、SiNx等）(2) 硅基材料（Si，a-Si，poly Si）(3) III-V材料（GaAs、InP、GaN等）(4) 溅射金属（Au、Pt、Ti、Ta、W等(5) 类金刚石（DLC）二、产品特点1. 7寸彩色触摸屏互动操作界面，图形化用户操作界面显示，自动监测工艺参数状态，20个配方程序，可存储、输出、追溯工艺数据，机器运行、停止提示。2. PLC工控机控制整个清洗过程，手动、自动两种工作模式。3. 真空舱体、全真空管路系统采用316不锈钢材质，耐腐蚀无污染。4. 采用防腐数字流量计，实现对气体输入精准控制。标配双路气体输送系统，可选多气路气体输送系统，气体分配均匀。可输入氧气、氩气、氮气、四氟化碳、氢气或混合气等气体。5. 采用花洒式多孔进气方式，改变传统等离子清洗机单孔进气不均匀问题。6. HEPA高效过滤，气体返填吹扫，防止二次污染。7. 符合人体功能学的60度倾角操作界面设计，操作方便，界面友好。8. 采用顶置真空仓，上开盖设计，下压式铰链开关方式。9. 上置式360度水平取放样品设计，符合人体功能学，操作更方便。10. 有效处理面积大，可处理最大直径200mm晶元硅片。11. 安全保护，仓门打开，自动关闭电源。三、技术参数型号RIE200RIE200plus舱体内尺寸H38xΦ260mmH38xΦ260mm舱体容积2L2L 射频电源40KHz13.56MHz电极不锈钢气浴RIE电极，Φ200mm不锈钢气浴RIE电极，Φ200mm匹配器自动匹配自动匹配刻蚀方式RIERIE射频功率10-300W可调（可选10-1000W）10-300W可调（可选10-600W）气体控制质量流量计（MFC）（标配双路，可选多路）流量范围0-500SCCM（可调）工艺气体Ar、N₂ 、O₂ 、H₂ 、CF4、CF4+ H2、CHF3或其他混合气体等（可选）最大处理尺寸≤Φ200mm时间设定1-99分59秒 真空泵抽速约8m3/h气体稳定时间1分钟极限真空≤1Pa电 源AC220V 50-60Hz，所有配线符合《低压配电设计规范 GB50054-95》、《低压配电装置及线路设计规范》等国标标准相关规定。

产品简介：PERI-RIE是韩国ULtech公司生产的一款基于反应离子刻蚀（RIE）技术的干法刻蚀系统。RIE是一项应用于精密加工的刻蚀技术，相比湿法刻蚀具有不同的优势。 主要参数：应用金属及介电材料刻蚀刻蚀材料SiO2, Si3N4, Si, Al, GaN, HfO2, Al2O3,石墨烯,…基底尺寸最大12英寸产能1 wafer/次源注入类型双离子束供电射频功率最大值2Kw@13.56MHz(带射频匹配网络)极限压力 5.0E-3 Torr压力控制自动压力控制(节流阀，气压计)气体输送SF6, CHF3, CF4, C4F8, BCl3,Cl2O2, Ar, He,…真空泵干泵或旋转泵控制器PC控制(UPRO软件)选项TMP,前置样品传送腔体（Loadlock chamber）系统尺寸(宽*深*高)800mm × 880mm × 1200mm 应用案例：Si3N4,Si,SiO2 etching Process data(RIE)

RIE，全称是Reactive Ion Etching，反应离子刻蚀，是一种微电子干法腐蚀工艺。RIE是干蚀刻的一种，这种蚀刻的原理是，当在平板电极之间施加10～100MHZ的高频电压（RF，radio frequency）时会产生数百微米厚的离子层（ion sheath），在其中放入试样，离子高速撞击试样而完成化学反应蚀刻，此即为RIE（Reactive Ion Etching）。因此为了得到高速而垂直的蚀刻面，经加速的多数离子不能与其他气体分子等碰撞，而直接向试样撞击。为达到此目的，必须对真空度，气体流量，离子加速电压等进行最佳调整，同时，为得到高密度的等离子体，需用磁控管施加磁场，以提高加工能力。我司提供多型号的RIE刻蚀系统，满足国内客户研究和生产的需要。 RIE 反应离子蚀刻设备参数: 1.铝材腔体或不锈钢腔体；2.不锈钢盒；3.可以刻蚀硅化物(~400 A/min)或金属； 典型硅刻蚀速率 400 A/min；4.射频源: 最大12”阳极化射频平板(RF)；5.真空度:大约20分钟内达到1E-6Torr,极限真空5E-7Torr；6.双刻蚀容量：RIE和等离子刻蚀；7.气动升降盖；8.手动/全自动装卸样品；9.预抽真空室；10.电脑控制11.选配ICP源和平台的低温冷却实现深硅刻蚀。 反应离子蚀刻系统可选配：1. 最高700W的高密度等离子源进行各向同性蚀刻(isotropic etching)；2. ICP等离子源，2KW射频电源及调谐器；3. 低温基底冷却(Cryogenic substrate cooling)；4. 终点探测(End point detection) ；5. 兰缪尔探针；6. 静电卡盘(Electrostatic chuck)；7. 附加MFC’s；8. 1KW射频电流源及调谐器；9. 低频电流源及调谐器； 深反应离子蚀刻系统(Deep Reactive Ion Etching System) RE系列反应离子蚀刻系统带有淋浴头式样的气体分配系统及水冷射频压盘，柜体为不锈钢材质。反应腔体为13英寸铝制、从顶端打开方便晶片装载取出，最大可进行8英寸直径样品实验，带有两个舱门：一个舱门带有2英寸视窗，另一个舱门用于终点探测及其他诊断。腔体可达到10-6 Torr压力或更高，自直流偏置连续监控、最大可达到500伏偏电压(各向异性蚀刻)。该反应离子蚀刻系统为完全由计算机控制的全自动设备。DRIE系列深反应离子蚀刻系统带有低温晶片冷却及偏置压盘，设备使用2kw 8英寸ICP源，使用500L/秒的涡轮泵，在10-3Torr压力范围运行。

RIE反应离子刻蚀机NRE-3500（A）全自动RIE反应离子刻蚀机概述：独立式RIE反应离子刻蚀系统，淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品.具有不锈钢柜子以及13"的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2"的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持最大到12"的晶圆片。腔体为超净设计，并且根据配套的真空泵可以达到10-6 Torr 或更小的极限真空。该系统系统可以在20mTorr到8Torr之间的真空下工作。真空泵组包含一个节流阀,一个250l/s的涡轮分子泵,滤网过滤器,以及一个10cfm的机械泵(带Formblin泵油).RF射频功率通过600W,13.56MHz的电源和自动调谐器提供。系统将持续监控直流自偏压,该自偏压可以高达-500V.这对于各向异性的刻蚀至关重要。NRE-3500（A）全自动RIE反应离子刻蚀机是基于PC控制的全自动系统.系统真空压力及DC直流偏压将以图形格式实时显示,流量及功率则以数字形式实时显示.系统提供密码保护的四级访问功能:操作员级、工程师级、工艺人员级,以及维护人员级.允许半自动模式(工程师模式)、写程序模式(工艺模式), 和全自动执行程序模式(操作模式)运行系统。基于全自动的控制，该系统具有高度的可重复性。NRE-3500（A）全自动RIE反应离子刻蚀机产品特点：铝质腔体或不锈钢腔体不锈钢立柜能够刻蚀硅的化合物(~400? /min)以及金属典型的硅刻蚀速率，400 ?/min高达12"的阳极氧化铝RF样品台水冷及加热的RF样品台大的自偏压淋浴头气流分布极限真空5x10-7Torr，20分钟内可以达到10-6Torr级别涡轮分子泵最多支持5个MFC无绕曲气体管路自动下游压力控制双刻蚀能力：RIE以及PE刻蚀(可选)终点监测气动升降顶盖自动上下载片预真空锁基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动，4级密码访问保护完全的安全联锁可选ICP离子源以及低温冷却样品台，用于深硅刻蚀NRE-3500（A）全自动RIE反应离子刻蚀机产品型号：NRE-4000：基于PC计算机全自动控制的独立式系统，占地面积26“D x 44"WNRE-3500：基于PC计算机全自动控制的紧凑型独立式系统，占地面积26“D x 26"WNRE-3000：基于PC计算机全自动控制的台式系统，占地面积26“D x 26"WNRP-4000：RIE/PECVD双系统NDR-4000：深RIE刻蚀(深硅刻蚀)系统

RIE反应离子刻蚀机NRE-3500（A）全自动RIE反应离子刻蚀机概述：独立式RIE反应离子刻蚀系统，淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品.具有不锈钢柜子以及13"的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2"的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持最大到12"的晶圆片。腔体为超净设计，并且根据配套的真空泵可以达到10-6 Torr 或更小的极限真空。该系统系统可以在20mTorr到8Torr之间的真空下工作。真空泵组包含一个节流阀,一个250l/s的涡轮分子泵,滤网过滤器,以及一个10cfm的机械泵(带Formblin泵油).RF射频功率通过600W,13.56MHz的电源和自动调谐器提供。系统将持续监控直流自偏压,该自偏压可以高达-500V.这对于各向异性的刻蚀至关重要。NRE-3500（A）全自动RIE反应离子刻蚀机是基于PC控制的全自动系统.系统真空压力及DC直流偏压将以图形格式实时显示,流量及功率则以数字形式实时显示.系统提供密码保护的四级访问功能:操作员级、工程师级、工艺人员级,以及维护人员级.允许半自动模式(工程师模式)、写程序模式(工艺模式), 和全自动执行程序模式(操作模式)运行系统。基于全自动的控制，该系统具有高度的可重复性。NRE-3500（A）全自动RIE反应离子刻蚀机产品特点：铝质腔体或不锈钢腔体不锈钢立柜能够刻蚀硅的化合物(~400? /min)以及金属典型的硅刻蚀速率，400 ?/min高达12"的阳极氧化铝RF样品台水冷及加热的RF样品台大的自偏压淋浴头气流分布极限真空5x10-7Torr，20分钟内可以达到10-6Torr级别涡轮分子泵最多支持5个MFC无绕曲气体管路自动下游压力控制双刻蚀能力：RIE以及PE刻蚀(可选)终点监测气动升降顶盖自动上下载片预真空锁基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动，4级密码访问保护完全的安全联锁可选ICP离子源以及低温冷却样品台，用于深硅刻蚀

DRIE深反应离子刻蚀NDR-4000（M）DRIE深反应离子刻蚀概述：是带低温晶圆片冷却和偏压样品台的深硅刻蚀系统，带8" ICP源。系统可以配套500L/S抽速的涡轮分子泵，可以使得工艺压力达到几mTorr的水平。在低温刻蚀的技术下，系统可以达到硅片的高深宽比刻蚀。NDR-4000（M）DRIE深反应离子刻蚀主要特点：基于PC控制的紧凑型立柜式百级DRIE深硅刻蚀系统，拥有高纵横比的刻蚀能力；配套Lab View软件，菜单驱动，自动记录数据；触摸屏监控；全自动系统，带安全联锁；四级权限，带密码保护；手动上下载片；He气背面冷却，-60摄氏度的低温样品夹具；高达-1000V的外部偏压；涡轮分子泵 + 涡旋干泵；可以支持DRIE和RIE两种刻蚀模式；实时显示真空、功率、反射功率图表，以及流量实时显示；NDR-4000（M）DRIE深反应离子刻蚀配置内容：外观尺寸：紧凑型立柜式设计，不锈钢腔体，外观尺寸为44”(W) x 26”(L) x62”(H)；等离子源：NM ICP平面等离子源，带淋浴头气体分布系统。等离子源安装在腔体顶部，通过ISO250的法兰连接；处理腔体：13”的圆柱形超净腔体，材质为阳极电镀铝。晶片通过气动顶盖装载，腔体带有上载安全锁，用户可以通过PC控制，最多可以装载8个小尺寸基片，最大可支持的晶圆尺寸为8”。腔体带有2”的观察窗口。腔体顶部的喷嘴式气流分配装置，提供8”区域的气体均匀分布。系统带暗区保护。样品台：6”的托盘夹具，能够支持6”的Wafer。可以冷却到-120摄氏度（包含LN2循环水冷系统），并采用He气实现背部冷却和自动锁紧，微精细地控制He气流量，包含气动截止阀；流量控制：支持5个或更多的MFC’s 用于硅的深度刻蚀，带气动截止阀，所有的慢/快通道采用电磁阀和气动阀控制，电抛光的不锈钢气体管路带有VCR和VCO(压控振荡器)配件，所有导管以尽可能短的导轨密封设计，从而减低空间浪费并达到快速的气路切换。所有处理气体的管路在处理结束后，采用N2自动冲洗。真空系统：泵组包含涡轮分子泵和旋叶真空泵。RF电源：13.56MHz，带自动调谐功能的1000W射频电源，作为ICP源。另外，带自动调谐功能的600W射频电源用于基台偏压。操作控制：整个系统通过预装的Lab View软件和触摸监控系统，实现PC全自动控制。MFC,阀和顶盖都是气动式的，都可PC控制。系统的实时压力和直流自偏压以图表格式显示，而流量和功率则以字母数字形式显示。系统提供密码和安全连锁机制的四级权限控制。

CIF 推出 RIE 反应离子刻蚀机，采用 RIE 反应离子诱导激发方式，实现对材料表面各向异性的微结构刻蚀。特别适合于大学、科研院所，微电子、半导体企业实验室进行介质刻蚀、硅刻蚀、金属刻蚀等方面研究。使用成本低，性价比高，易维护，处理快速高效。适用于所有的基材及复杂的几何构形进行 RIE 反应离子刻蚀。具体包括：◆ 介电材料（SiO2、SiNx 等）◆ 硅基材料（Si，a-Si，poly Si）◆ III-V 材料（GaAs、InP、GaN 等）◆ 溅射金属（Au、Pt、Ti、Ta、W 等）◆ 类金刚石（DLC）应用领域：主要用于微电子芯片、太阳能电池、生物芯片、显示器、光学、通讯等领域的器件研发和制造。产品特点◆ 7 寸彩色触摸屏中英文互动操作界面，自动控制监测工艺参数状态，20 个配方程序，工艺数据可存储追溯。◆ PLC 工控机控制整个清洗过程，手动、自动两种工作模式。◆ 真空舱体、全真空管路系统采用 316 不锈钢材质，耐腐蚀无污染。◆ 采用防腐数字流量计， 实现对气体输入精准控制。标配双路气体输送系统， 可选多气路气体输送系统， 可输入氧气、氩气、 氮气、四氟化碳、氢气或混合气等气体。◆ 采用花洒式多孔进气方式，改变单孔进气不均匀问题。◆ HEPA 高效过滤，气体返填吹扫，防止二次污染。◆ 符合人体功能学的 60 度倾角操作界面设计，操作方便，界面友好。◆ 采用顶置真空舱，上开盖设计，下压式铰链开关方式。◆ 上置式 360 度水平取放样品设计，符合人体功能学，操作更方便。◆ 有效处理面积大，可处理最大直径 154mm 晶元硅片。◆ 安全保护，舱门打开，自动关闭电源，机器运行、停止提示。技术参数型号RIE200RIE200plus舱体内尺寸H38xΦ260mmH38xΦ260mm舱体容积2L2L射频电源40KHz13.56MHz电极不锈钢气浴 RIE 电极， Φ200mm不锈钢气浴 RIE 电极， Φ200mm匹配器自动匹配自动匹配刻蚀方式RIERIE射频功率0-600W 可调（可选 0-1000W）0-300W 可调（可选 0-600W）气体控制质量流量计（MFC）（标配双路，可选多路）流量范围 0-500SCCM（可调）工艺气体Ar、N ₂ 、O ₂ 、H ₂ 、CF4、CF4+ H2、CHF3 或其他混合气体等（可选）最大处理尺寸Φ154mm产品尺寸L520xW600xH420mm包装尺寸L700xW580xH490mm时间设定9999 秒真空泵抽速约 8m³ /h气体稳定时间1 分钟极限真空≤1Pa电源AC220V 50-60Hz，802（1202）502（802）W 所有配线符合《低压配电设计规范GB50054-95》、《低压配电装置及线路设计规范》等国标标准相关规定。整机重量38kg 备注： 可选：1、冷却循环水器：温度控制范围 -20-100℃ 2、分子泵：分子泵抽速 85L/s（N2）极限真空：LF8*10-6Pa，CF8*10-7Pa。

DRIE深反应离子刻蚀NDR-4000（A）全自动DRIE深反应离子刻蚀概述：全自动上下载片，带低温晶圆片冷却和偏压样品台的深硅刻蚀系统，带8" ICP源。系统可以配套500L/S抽速的涡轮分子泵，可以使得工艺压力达到几mTorr的水平。在低温刻蚀的技术下，系统可以达到硅片的高深宽比刻蚀。NDR-4000（A）全自动DRIE深反应离子刻蚀主要特点：基于PC控制的紧凑型立柜式百级DRIE深硅刻蚀系统，拥有高纵横比的刻蚀能力；配套Lab View软件，菜单驱动，自动记录数据；触摸屏监控；全自动系统，带安全联锁；四级权限，带密码保护；自动上下载片；带Load Lock预真空锁；He气背面冷却，-60摄氏度的低温样品夹具；高达-1000V的外部偏压；涡轮分子泵 + 涡旋干泵；可以支持DRIE和RIE两种刻蚀模式；实时显示真空、功率、反射功率图表，以及流量实时显示；NDR-4000（A）全自动DRIE深反应离子刻蚀配置内容：外观尺寸：紧凑型立柜式设计，不锈钢腔体，外观尺寸为28”(W) x 42”(L) x64”(H)；等离子源：NM ICP平面等离子源，带淋浴头气体分布系统。等离子源安装在腔体顶部，通过ISO250的法兰连接；处理腔体：13”圆柱形铝质腔体，自动上下载片，最大支持6”（可以升级腔体支持更大基片）。腔体带有2”的观察窗口。腔体顶部的喷嘴式气流分配装置，提供8”区域的气体均匀分布。系统带暗区保护。样品台：6”的托盘夹具，能够支持6”的Wafer。可以冷却到-120摄氏度（包含LN2循环水冷系统），并采用He气实现背部冷却和自动锁紧，微精细地控制He气流量，包含气动截止阀；流量控制：支持5个或更多的MFC’s 用于硅的深度刻蚀，带气动截止阀，所有的慢/快通道采用电磁阀和气动阀控制，电抛光的不锈钢气体管路带有VCR和VCO(压控振荡器)配件，所有导管以尽可能短的导轨密封设计，从而减低空间浪费并达到快速的气路切换。所有处理气体的管路在处理结束后，采用N2自动冲洗。真空系统：泵组包含涡轮分子泵和旋叶真空泵。RF电源：13.56MHz，带自动调谐功能的1000W射频电源，作为ICP源。另外，带自动调谐功能的600W射频电源用于基台偏压。操作控制：整个系统通过预装的Lab View软件和触摸监控系统，实现PC全自动控制。MFC,阀和顶盖都是气动式的，都可PC控制。系统的实时压力和直流自偏压以图表格式显示，而流量和功率则以字母数字形式显示。系统提供密码和安全连锁机制的四级权限控制。

●本设备主要用于半导体刻蚀，能够兼容离子束刻蚀和反应离子刻蚀功能，使用气态化学刻蚀剂与材料产生反应来进行刻蚀，并形成可从衬底上移除的挥发性副产品，通过真空系统排出，特别适合刻蚀熔融石英、硅、光刻胶、聚酷亚胺( PI) 薄膜、金属等材料。

产品详情德国Sentech 经济型反应离子刻蚀机(可升级)Etchlab200 经济型等离子刻蚀设备EtchLab 200 具备低成本效益高的特点，并且支持揭盖直接放置样片。EtchLab 200 允许通过载片器，实现多片工艺样品的快速装载，也可以直接快速地把样品装载在电极上。RIE等离子体刻蚀设备具备占地面积小，模块化和灵活性等设计特点。 商品描述： 低成本效益高RIE等离子蚀刻机Etchlab 200结合平行板等离子体源设计与直接置片。 升级扩展性根据其模块化设计，等离子蚀刻机Etchlab 200可升级为更大的真空泵组，预真空室和更多的气路。 SENTECH控制软件该等离子刻蚀机配备了用户友好的强大软件，具有模拟图形用户界面，参数窗口，工艺编辑窗口，数据记录和用户管理。 Etchlab 200 RIE等离子刻蚀机代表了直接置片等离子刻蚀机家族，它结合了RIE的平行板电极设计和直接置片的成本效益设计的优点。Etchlab 200的特征是简单和快速的样品加载，从零件到直径为200mm或300mm的晶片直接加载到电极或载片器上。灵活性、模块性和占地面积小是Etchlab 200 的设计特点。位于顶部电极和反应腔体的诊断窗口可以方便地容纳SENTECH激光干涉仪或OES和RGA系统。椭偏仪端口可用于SENTECH原位椭偏仪进行原位监测。 Etchlab 200等离子蚀刻机可以配置成用于刻蚀直接加载的材料，包括但不限于硅和硅化合物，化合物半导体，介质和金属。 Etchlab 200通过先进的SENTECH控制软件操作，使用远程现场总线技术和用户友好的通用用户界面。 Etchlab 200 RIE等离子蚀刻机开盖设计适用于200mm的晶片用于激光干涉仪和OES的诊断窗口选配椭偏仪接口 带真空室的 Etchlab 200 带预真空室的RIE刻蚀机适用于4英寸到8英寸的晶片小片或碎片的载片器氯基刻蚀气体更大的真空泵组 Etchlab 200-300 RIE等离子蚀刻机开盖设计适用于300mm的晶片用于激光干涉仪和OES的诊断窗口

英国Oxford 反应离子刻蚀机PlasmaPro 800 RIE 概述：PlasmaPro 800系列是结构紧凑、且使用方便的直开式系统，该系统为大批量晶圆和300mm晶圆上的反应离子蚀刻（RIE）工艺提供了灵活的解决方案。大尺寸的晶圆平台能够处理量产级别的批量以及300mm晶圆的工艺。 高性能工艺准确的衬底温度控制准确的工艺控制成熟的300mm单晶圆失效分析工艺 选项PlasmaPro 800 PECVD旨在生产高质量的均匀介质薄膜。PECVD 中的应力控制是由可选的或者混合的高/低频等离子体源提供的, 使通过调整工艺得到具有张应力，压应力或者低应力的沉积薄膜成为可能。PlasmaPro 800 RIE/PE：在同一设备上结合了RIE的各向异性和 PE模式刻蚀的高选择性。PlasmaPro 800 RIE：成熟的干法刻蚀广泛应用于整个工业领域。 特征：为化合物半导体、光电子和光子学应用提供了大的工艺灵活性，PlasmaPro 800 可提供：大型下电极 - 低成本刻蚀终点监测 - 可靠性和可维护性俱佳通过激光干涉仪与/或发射光谱进行终点监测 - 增强刻蚀控制可选择带有4-、8-或12-条气路的气柜 - 可提供灵活的工艺和工艺气体，可以与主机分离，放置在远端服务区近距离耦合涡轮泵 - 提供优越的泵送速度加快气体的流动速度数据记录 - 追溯腔室的历史状态以及工艺条件液体冷却和/或电加热电极 - 出色的电极温度控制和稳定性 应用：使用我们的具有特殊配置的失效分析设备进行干法刻蚀解剖工艺 —— 具有RIE和 PE两种模式RIE／PE工艺涵盖了从封装好的芯片和裸芯片到整片300mm晶圆刻蚀高质量的PECVD 沉积的SiNx和SiO2薄膜 ，适用于光子学、介电层钝化和诸多其它领域SiO2，SiNx和石英刻蚀金属和聚酰亚胺有机物刻蚀用于高亮度LED生产的钝化沉积III-V族刻蚀工艺

产品详情美国Trion 反应式离子刻蚀(RIE/ICP)系统及沉积(PECVD)系统:Orion III,Oracle III,Minilock-Orion III,Phantom III,Minilock-Phantom III,SirueT2Trion始于一九八九年的等离子刻蚀与沉积系统制造商，Trion为化合物半导体、MEMS(微机电系统)、光电器件以及其他半导体市场提供多种设备。我们的产品在业内以系统占地面积最小、成本低而著称，且设备及工艺的可靠性和稳定性久经考验。从整套的批量生产用设备，到简单的实验室研发用系统，尽在Trion。 Trion提供升级及回收方案给现有Matrix客户。 批量生产用设备:去胶系统- 低损伤去胶系统 新式去胶系统的成本已攀升到不合理水平，但Trion已通过两套价格低廉、紧凑的多功能系统使这一关键问题得到解决：Gemini和Apollo。利用ICP(电感耦合等离子)、微波和射频偏置功率，可以在低温条件下将难于消除的光刻胶去除。根据应用要求，每套系统可以结合SST-Lightning 微波源(既可靠又没有任何常见的微波调谐问题) 或ICP 技术。• 刻蚀速率高达6微米/分 • 高产量• 等离子损伤低 • 自动匹配单元• 适用于100mm 到300mm 基片 • 设备占地面积小• 价格具竞争性 刻蚀/沉积Titan是一套用于半导体生产的十分紧凑、全自动化、带预真空室的等离子系统。Titan具有反应离子刻蚀(RIE)配置、高密度电感耦合等离子沉积(HDICP)或等离子增强型化学汽相沉积(PECVD)配置。可对单个基片或带承片盘的基片(3”-300mm)进行处理。它还具有多尺寸批量处理功能。价格适宜且占地面积小。 刻蚀应用范围： 砷化镓、砷化铝镓、氮化镓、磷化镓、磷化铟、铝、硅化物、铬以及其他要求腐蚀性和非腐蚀性化学刻蚀的材料。 沉积应用范围：二氧化硅、氮化硅、氮氧化物和其他各种材料。 具有ICP选件的Titan系统Oracle III由中央真空传输系统(CVT)、真空盒升降机和最多四个工艺反应室构成。这些工艺反应室与中央负载锁对接，既能够以生产模式运行，也能够作为单个系统独立作业。 Oracle III是市场上最灵活的系统，既可以为实验室环境进行配置(使用单基片装卸)，也可以为批量生产进行配置(使用真空盒升降机进行基片传送)。 由于Oracle III 最多可容纳四个独立的工艺室，其可以有多种不同的工艺组合，其中包括RIE/ICP (反应离子刻蚀机/电感耦合等离子)刻蚀和PECVD 沉积。多个室可以同时工作。鉴于所有工艺室均有真空负载锁，工艺运行安全且没有大气污染。 Oracle III是市场上最小的批量生产用集成系统。 深硅刻蚀:- 5μm/min的刻蚀速率- 小于6%的不均匀性- 刻蚀深度可达300μm- 相对于光刻胶15:1的选择率- 垂直光滑的壁面- 纵横比可达12:15 um wide Si trench etch200um Si trench etch120um Si Trench etch40um wide x 320um deepSlope approx. 88 degreesEtching of GaAs/AlGaAs HeterostructuresInP Lens Etch 5.2 micron lens height with PR maskGaN LED Etch 2.6 micron depth with PR 小批量生产用设备: 沉积 (PECVD)Minilock-Orion III是一套最先进的等离子增强型化学汽相沉积(PECVD)系统。 系统的下电极尺寸可为200mm或300mm，且根据电极配置，可以处理单个基片或带承片盘的基片(3” - 300mm尺寸)，或者多尺寸批量处理基片(4x3” 3x4” 7x2”)。可沉积的薄膜包括：氧化物、氮氧化物、无定形硅和碳化硅。可以使用的反应气体包括：100%硅烷、氨、TEOS、二乙基硅烷、氧化亚氮、氧、氮、三甲基硅烷和甲烷。该系统可选配一个三极管(Triode)或电感耦合等离子(ICP)源。其中三极管使得用户可以创建高密度等离子，从而控制薄膜应力。基片通过预真空室装入工艺室，其避免了与工艺室以及任意残余沉积副产品接触，从而提高了用户的安全性。预真空室还使得工艺室始终保持在真空下，从而保持反应室与大气隔绝。 Minilock-Orion III PECVD 刻蚀 (RIE)Minilock-Phantom III 具有预真空室的反应离子刻蚀机。适用于单个基片或带承片盘的基片(3” - 300mm尺寸)，为实验室和试制线生产环境提供最先进的刻蚀能力。它也具有多尺寸批量处理(4x3” 3x4” 7x2”)。系统有多达七种工艺气体可以用于刻蚀各种薄膜，如氧化硅、氮化硅、多晶硅、铝、砷化镓、铬、铜、磷化铟和钛。该反应室还可以用于去除光刻胶和有机材料。可选配静电吸盘(E-chuck)，以便更有效地在刻蚀工艺中让基片保持冷却。该E-chuck使用氦压力控制器，及在基片背面保持一个氦冷却层，从而达到控制基片温度的作用。该设备可选配一个电感耦合等离子(ICP)源，其使得用户可以创建高密度等离子，从而提高刻蚀速率和各向异性等刻蚀性能。 Minilock-Phantom III具有ICP(感应耦合等离子)选项的刻蚀系统 实验室/研发/芯片失效分析用设备: 沉积Orion III 等离子增强型化学汽相沉积(PECVD)系统适用于单个基片、碎片或带承片盘的基片(2” - 300mm尺寸)，为实验室和试制线生产提供最先进的沉积能力。Orion III系统用于非发火PECVD工艺。沉积薄膜：氧化物、氮氧化物、氮化物和无定形硅。工艺气体 ：20% 硅烷、氨、TEOS、二乙基硅烷、氧化亚氮、氧和氮。该设备可选配一个ICP或三极管(Triode)源。 Orion III 刻蚀Phantom III反应离子蚀刻(RIE)系统适用于单个基片、碎片或带承片盘的基片300mm尺寸，为实验室和试制线生产提供最先进的等离子蚀刻能力。系统有多达七种工艺气体可以用于蚀刻氮化物、氧化物以及任何需要氟基化学刻蚀的薄膜或基片(如碳、环氧树脂、石墨、铟、钼、氮氧化物、聚酰亚胺、石英、硅、氧化物、氮化物、钽、氮化钽、氮化钛、钨以及钨钛) Phantom III Sirus T2 台面式反应离子刻蚀机(RIE)可用于介质以及其它要求氟化基化学的薄膜刻蚀。用於对矽、 二氧化矽、 氮化矽、石英、聚亚醯胺、钽、钨、钨钛以及其他要求特徵控制，高度选择性和良好一致性的材料进行蚀刻。 本机包含200mm下电极, 系统控制器(含电脑主机及触控介面)，13.56MHz, 300/600W 射频发生器及自动调谐，最大四路/六路工艺气体及自动压力控制模块等。占地面积小且坚固耐用，非常适合用於研发，实验室环境及失效分析。 Sirus T2 - 台面式反应离子刻蚀机

Oxford RIE反应离子刻蚀机PlasmaPro 80 PlasmaPro 80是一种结构紧凑、小尺寸且使用方便的直开式系统，可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案。 它易于放置，便于使用，且能确保工艺性能。直开式设计可实现快速晶圆装卸，是研究和小批量生产的理想选择。 它通过优化的电极冷却和出色的衬底温度控制来实现高质量的工艺。● 直开式设计允许快速装卸晶圆● 出色的刻蚀控制和速率测定● 出色的晶圆温度均匀性 ● 晶圆最大可达200mm● 购置成本低● 符合半导体行业 S2 / S8标准 应 用 ● III-V族材料刻蚀工艺● 硅 Bosch和超低温刻蚀工艺● 类金刚石（DLC）沉积● 二氧化硅和石英刻蚀● 用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖工艺，可处理封装好的芯片, 裸晶片，以及200mm晶圆● 用于高亮度LED生产的硬掩模的刻蚀 系统特点 ● 小型系统 —— 易于安置● 优化的电极冷却系统 —— 衬底温度控制● 高导通的径向（轴对称）抽气结构 —— 确保能提升工艺均匀性和速率● 增加500毫秒的数据记录功能 —— 可追溯腔室和工艺条件的历史记录● 近距离耦合涡轮泵 —— 抽速高迅速达到所要求的低真空度● 关键部件容易触及 ——系统维护变得直接简单● X20控制系统——大幅提高了数据信息处理能力， 并且可以实现更快更可重复的匹配● 通过前端软件进行设备故障诊断 —— 故障诊断速度快● 用干涉法进行激光终点监测 —— 在透明材料的反射面上测量刻蚀深度 （例如硅上的氧化物），或者用反射法来确定非透明材料（如金属）的边界● 用发射光谱（OES）实现较大样品或批量工艺的终点监测 —— 监测刻蚀副产物或反应气体的消耗量的变化，以及用于腔室清洗的终点监测 RIE of InP waveguide 7 µ m polyimide feature RIESub µ m Si mesa etch Deep Si feature etch by ICP-RIEcryo process Failure analysis - fast metal layerexposure in the PlasmaPro FA ICP 新增: PTIQ软件 PTIQ是针对PlasmaPro和Ionfab工艺系统而开发的最新智能软件解决方案。● 对响应系统出色的控制水平● 最大化系统性能与工艺性能● 多级别软件配置以匹配用户需求 ● 全新的视觉布局与设计界面

Minilock-Phantom III具有预真空室的反应离子刻蚀机可适用于单个基片或带承片盘的基片(3”- 300mm尺寸)，为实验室和试制线生产环境提供最先进的刻蚀能力。它也具有多尺寸批处理功能(4x3” 3x4” 7x2”)。系统有多达七种工艺气体可以用于刻蚀各种薄膜，如氧化硅、氮化硅、多晶硅、铝、砷化镓、铬、铜、磷化铟和钛。该反应室还可以用于去除光刻胶和有机材料。可选配静电吸盘(E-chuck)，以便更有效地在刻蚀工艺中让基片保持冷却。该E-chuck使用氦压力控制器，及在基片背面保持一个氦冷却层，从而达到控制基片温度的作用。该设备可选配一个电感耦合等离子(ICP)源，其使得用户可以创建高密度等离子，从而提高刻蚀速率和各向异性等刻蚀性能。基片通过预真空室装入。其避免与工艺室以及任意残余刻蚀副产品接触，从而提高了用户安全性。预真空室还使得工艺室始终保持在真空下，从而隔绝外部湿气，防止反应室内可能发生的腐蚀。

技术/销售热线 吴先生 ICP-RIE SI 500 德国Sentech等离子刻蚀机 低损伤刻蚀由于离子能量低，离子能量分布带宽窄，因此可以用我们的等离子体刻蚀机SI 500进行低损伤刻蚀和纳米结构的刻蚀。 高速刻蚀对于具有高深宽比的高速硅基MEMS刻蚀，光滑的侧壁可以通过室温下气体切换工艺或低温工艺即可很容易地实现。 自主研发的ICP等离子源三螺旋平行板天线(PTSA)等离子源是SENTECH高端等离子体工艺设备的独特属性。PTSA源能生成具有高离子密度和低离子能量的均匀等离子体。它具有高耦合效率和非常好的起辉性能，非常适用于加工各种材料和结构。 动态温度控制在等离子体刻蚀过程中，衬底温度的设定和稳定性对于实现高质量蚀刻起着至关重要的作用。动态温度控制的ICP衬底电极结合氦气背冷和基板背面温度传感，可在-150°C至+400°C的广泛温度范围内提供了优良的工艺条件。 SI 500为研发和生产提供先进的电感耦合等离子体(ICP)工艺设备。它基于ICP等离子体源PTSA，动态温度控制的衬底电极，全自动控制的真空系统，使用远程现场总线技术的先进的SETECH控制软件和用于操作SI 500的用户友好的通用接口。灵活性和模块化是SI 500主要的设计特点。 SI 500 ICP等离子刻蚀机，可以用于加工各种各样的衬底，从直径高达200 mm的晶片到装载在载片器上的零件。单晶片预真空室保证稳定的工艺条件，并且切换工艺非常容易。 SI 500 ICP等离子刻蚀机，通过配置可用于刻蚀不同材料，包括但不仅限于例如三五族化合物半导体(GaAs, InP, GaN, InSb)，介质，石英，玻璃，硅和硅化合物(SiC, SiGe),还有金属等。SENTECH提供用户不同级别的自动化程度，从真空片盒载片到一个工艺腔室到六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，目标是高灵活性或高产量。SI 500 ICP等离子刻蚀机也可用作多腔系统中的工艺模块。 SI 500 ICP等离子刻蚀机 带预真空室适用于200mm的晶片衬底温度从-20?°C到300?°C SI 500 C 等温ICP等离子刻蚀机带传送腔和预真空室衬底温度从-150?°C到400?°C SI 500 IRE RIE等离子刻蚀机背面氦气冷却刻蚀的智能解决方案电容耦合等离子体源，可升级成ICP等离子体源PTS SI 500-300ICP等离子刻蚀机带预真空室适用于300mm晶片 SI 500为研发和小批量生产应用提供先进的ICP刻蚀工艺，具备高度的灵活性和模块化设计特点,可实现范围广泛的刻蚀工艺。包括刻蚀III-V化合物、II-VI化合物、介质、石英、玻璃、硅和硅化合物等。 SI 500C低温ICP刻蚀机，可在-100℃左右的低温下实现深硅刻蚀。优点是刻蚀后形成非常光滑的侧壁，尤其在光学应用上非常重要。同时低温刻蚀工艺的高刻蚀速率可实现刻穿样片。 SI 591 采用模块化设计、具有高度灵活性，适用于III-V 化合物、聚合物、金属盒硅刻蚀工艺，可配置为单反反应腔系统、或带预真空室或片盒站的多腔系统。特别适用于采用氟基气体的工艺，具有很高的工艺稳定性和重复性。 型号SI 500ICP刻蚀机-30~+200℃SI 500C低温ICP刻蚀机-150~+400℃SI 500-30ICP刻蚀机带预真空室最大12寸晶圆SI 591反应离子刻蚀机带预真空室Etchlab200反应离子刻蚀机不带预真空室SI500-RIE反应离子刻蚀机带预真空室带氦气背冷却系统

NIE-4000 离子束刻蚀系统 NIR-4000 IBE/RIE 双刻蚀系统通过加速的 Ar 离子进行物理刻蚀或铣削。对于硅的化合物也可以通过反应离子束刻蚀的方式提高刻蚀速率和深宽比。通常情况下，样品表面采用厚胶作掩模，刻蚀期间高能离子流将会对基片和光刻胶过加热，除非找到合适的方法移除热量，光刻胶将变得昂变得很难以去除。支持百级超净间使用。 NANO-MASTER 拥有成熟的技术能力可以使基片温度保持在50°C 以下。通过倾斜和旋转，深沟可以切成斜角，通过控制侧壁轮廓和径向可提高均匀度。对于大尺寸的基片，我们配置线性离子源，通过扫描的方式，可以实现均匀的离子束刻蚀或反应离子束刻蚀。不同的构造不同的应用可选择不同的选配项，若要刻蚀之后马上涂覆，可以增加溅射选项。对于标准的晶圆片，也可选择自动装载卸载晶圆片。 工艺过程通过触摸屏电脑和 LabView 软件，可实现全自动的 PC控制，具有高度的可重复性，且具有友好的用户界面。 系统具有完整的安全联锁，提供四级密码授权访问保护，防止使用者越权使用，含：。 操作者权限：运行程序。工艺师权限：添加/编辑和删除程序。工程师权限：可独立控制子系统，并开发程序。服务权限：NM 工程师故障诊断和排除 系统支持不限数量的工艺菜单，每套工艺菜单可根据需要支持 1到 100 个工艺工序（步骤），可实现简单操作完成复杂的工艺。 系统标准配置包含涡轮分子泵和机械泵，极限真空可达到10-7 Torr 量级(可升级到 10-8Torr 量级)。分子泵与腔体之间的直连设计，系统可获得最佳真空传导率，12 小时达到腔体极限真空。腔体压力调节通过 PC 自动控制涡轮速度而全自动调节，快速稳定。双真空计配置，可实现真空的全局测量和精确测量。 对标准晶圆可支持单片或 25 片 Cassette 的 Auto L/UL 升级，可自动进样、对准、出样，在不间断工艺真空情况下连续处理样片。Load Lock 腔体配套独立真空系统，通过 PC 全自动监控。 若离子铣工艺之后需要马上进行反应离子刻蚀处理，NMC 技术可以双腔体系统，在一个系统的两个腔体内完成两种不同的工艺，若加上自动传输，还可实现整个处理过程都不打破彼此真空状态，实现非常高效的工艺处理 典型应用： 。 三族和四族光学元件。激光光栅。高深宽比的光子晶体刻蚀。在二氧化硅、硅和金属上深沟刻蚀。 微流体传感器电极及测热式微流体传感器 设备特点：。 24”x60”x10”长方或 14.5”立方型不锈钢离子束腔体。24”Wx10”H 或 8”测开门，带 2 个 2”观察视窗。支持 600X600mm 的基片(可定做更大尺寸)。 倒装磁控无栅无灯丝准直 60cm 线性离子源(离子枪)，1500-2500V，并且高达 1000mA，无需中和器。。 离子源均匀性可达+/-2.5%，操作压力1mTorr。与带栅极离子源相比更可靠，更低维护，更少污染。。 离子枪电源：4KV 电源。配套 Ar 和 CF4 MFC，支持 IBE 和 RIBE 刻蚀应用。 反应性气体通过靶枪的长度方向引入，均匀分布。冷却水冷却（背氦冷却可选）。 步进电机控制离子枪扫描或样品台旋转/倾斜。 手动或自动(自动仅对标准晶圆)上下载晶圆片。 配套 1200L/Sec 涡轮分子泵，串接 2021C2 机械泵，带 Fomblin 泵油。 极限真空可达 7×10-7 Torr。下游压力通过 PC 对分子泵涡轮速度的控制自动调节。SiN4 磁控溅射保护被刻蚀金属表面以防氧化(选配)。 基于 LabVIEW 软件的计算机全自动工艺控制。菜单驱动，密码保护，完全的安全联锁。紧凑型设计，占地面积仅 26”Dx66”W,节省空间 系统可选：。光谱终点探测器。氦气背部冷却。更大尺寸的电镀方形腔体。 自动装载/卸载。 低温泵组。 附加反应气体质量流量控制器。 格状射频电感耦合等离子体。 用于钝化层沉积的溅射源

电容耦合等离子体刻蚀（CCP）设备1. 产品概述：CCP腔室适用于制造微纳结构的等离子刻蚀技术。在反应离子刻蚀过程中，等离子体中会包含大量的活性粒子，与表面原子产生化学反应，生成可挥发产物后，随真空抽气系统排出。鲁汶仪器的 Haasrode® Avior® A 在性价比和空间利用率上优点突出，可提供各种不同材料的刻蚀解决方案。单腔室电容耦合等离子体（CCP）机适用于光刻胶残胶去除（打底膜）、介质刻蚀等工艺可用于6英寸及以下晶圆2. 系统特性单腔室电容耦合等离子体（CCP）机台适用于光刻胶残胶去除（打底膜）、介质刻蚀等工艺可用于6英寸及以下晶圆

全自动离子刻蚀机 MEL 3100伯东公司日本原装进口全自动离子刻蚀机 MEL 3100, 蚀刻速率 10(nm/min), 均匀性 ≤±5%, 全自动化系统减少人工操作, 保证产品高稳定性和高质量. 有效减少因人工操作带来的损失！全自动离子刻蚀机 MEL 3100 特性 全自动化系统 清洁: 钛用于经常暴露于离子束的零件, 以产生低粒子. 晶圆输送盒采用高效空气过滤器.占地面积小, 方便维护10.4英寸触摸屏 配置美国 KRI 考夫曼离子源和德国 Pfeiffer 分子泵.全自动离子刻蚀机 MEL 3100 技术规格.型号MEL 3100样品数量尺寸3”φ-6”φ,1片晶圆输送盒1个, 25 片晶圆极限真空8x10-5 Pa均匀性≤±5%蚀刻速率10(nm/min) @SiO2Hakuto 日本原装设计制造离子刻蚀机 IBE, 提供微米级刻蚀, 满足所有材料的刻蚀, 即使对磁性材料,黄金 Au, 铂 Pt, 合金等金属及复合半导体材料, 这些难刻蚀的材料也能提供蚀刻. 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料. 自 1970年至今, Hakuto 伯东已累计交付约 500套离子蚀刻机. 蚀刻机可配置德国 Pfeiffer 涡轮分子泵和美国 KRI 考夫曼离子源!伯东公司超过 50年的刻蚀 IBE 市场经验, 拥有庞大的安装基础和经过市场验证的刻蚀技术! 若您需要进一步的了解离子蚀刻机详细信息, 请联络上海伯东叶女士

1.产品概述： PlasmaPro 80是一种结构紧凑、小尺寸且使用方便的直开式系统，可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案。它易于放置，便于使用，且能确保工艺性能。直开式设计可实现快速晶圆装卸，是研究和小批量生产的理想选择。 它通过优化的电冷却和出色的衬底温度控制来实现高质量的工艺。2.设备原理：利用气体放电产生的等离子体，在射频电源的作用下，使气体分子电离并形成离子，这些离子在电场的作用下加速并轰击被刻蚀材料的表面，从而实现材料的去除。RIE技术的关键在于，刻蚀过程中产生的化学反应与物理轰击相结合，既保证了刻蚀的均匀性，又提高了刻蚀的速率。3.特色参数：直开式设计允许快速装卸晶圆出色的刻蚀控制和速率测定出色的晶圆温度均匀性晶圆大可达200mm购置成本低符合半导体行业S2/S8标准小型系统——易于安置优化的电冷却系统——衬底温度控制高导通的径向（轴对称）抽气结构 —— 确保能提升工艺均匀性和速率增加500毫的数据记录功能—— 可追溯腔室和工艺条件的历史记录近距离耦合涡轮泵 —— 抽速高迅速达到所要求的低真空度 关键部件容易触及 ——系统维护变得直接简单X20控制系统——大幅提高了数据信息处理能力， 并且可以实现更快更可重复的匹配通过端软件进行设备故障诊断 —— 故障诊断速度快用干涉法进行激光终点监测 —— 在透明材料的反射面上测量刻蚀深度 （例如硅上的氧化物），或者用反射法来确定非透明材料（如金属）的边界用发射光谱（OES）实现较大样品或批量工艺的终点监测 —— 监测刻蚀副产物或反应气体的消耗量的变化，以及用于腔室清洗的终点监测

产品详情SENTECH RIE SI591 平板电容式反应离子刻蚀机 SI 591特别适用于采用氟基和氯基气体的工艺，可以通过预真空室和电脑控制的等离子工艺系统实现。SI 591的特点是占地空间小，高度灵活性，例如，SI 591可作为单一反应腔系统集成在多腔系统中。 工艺灵活性RIE蚀刻机SI 591 特别适用于氯基和氟基等离子蚀刻工艺 占地面积小且模块化程度高SI 591 可配置为单个反应腔或作为片盒到片盒装载的多腔设备。 SENTECH控制软件我们的等离子蚀刻设备包括用功能强大的用户友好软件与模拟图形用户界面，参数窗口，工艺窗口，数据记录和用户管理。 预真空室和计算机控制的等离子体刻蚀工艺条件，使得SI 591 具有优异的工艺再现性和等离子体蚀刻工艺灵活性。灵活性、模块性和占地面积小是SI 591的设计特点。样品直径大可达200mm，通过载片器加载。SI 591可以配置为穿墙式操作或具有更多选项的小占地面积操作。 位于顶部电极和反应腔体的更大诊断窗口可以轻易地容纳SENTECH激光干涉仪或OES和RGA系统。椭偏仪端口可用于SENTECH椭偏仪进行原位监测。 SI 591结合了计算机控制的RIE平行板电极设计的优点和预真空室系统。SI 591可配置用于各种材料的刻蚀。在SENTECH，我们提供不同级别的自动化程度，从真空片盒载片到一个工艺腔室或多六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，目标是高灵活性或高产量。SI 591也可用作多腔系统中的一个工艺模块。 SI 591 compact 可配置为至多6端口传输结合RIE, ICP-RIE和PECVD腔体手动预真空室置片或片盒装载用于研发和高产量的多腔系统SENTECH控制软件 SI 591 cluster可配置为至多6端口传输结合RIE, ICP-RIE和PECVD腔体手动预真空室置片或片盒装载用于研发和高产量的多腔系统SENTECH控制软件

1.产品概述： asmaPro 800系列是结构紧凑、且使用方便的直开式系统，该系统为大批量晶圆和300mm晶圆上的反应离子蚀刻（RIE）工艺提供了灵活的解决方案。大尺寸的晶圆平台能够处理量产别的批量以及300mm晶圆的工艺。2.产品特点：PlasmaPro 800系列是结构紧凑、且使用方便的直开式系统，该系统为大批量晶圆和300mm晶圆上的反应离子蚀刻（RIE）工艺提供了灵活的解决方案。大尺寸的晶圆平台能够处理量产别的批量以及300mm晶圆的工艺。PlasmaPro 800系列是结构紧凑、且使用方便的直开式系统，该系统为大批量晶圆和300mm晶圆上的反应离子蚀刻（RIE）工艺提供了灵活的解决方案。大尺寸的晶圆平台能够处理量产别的批量以及300mm晶圆的工艺。3.产品工艺：高性能工艺准确的衬底温度控制准确的工艺控制成熟的300mm单晶圆失效分析工艺大型下电 - 低成本刻蚀终点监测 - 可靠性和可维护性俱佳通过激光干涉仪与/或发射光谱进行终点监测 - 增强刻蚀控制可选择带有4-、8-或12-条气路的气柜 - 可提供灵活的工艺和工艺气体，可以与主机分离，放置在远端服务区近距离耦合涡轮泵 - 提供优秀的泵送速度加快气体的流动速度数据记录 - 追溯腔室的历史状态以及工艺条件 液体冷却和/或电加热电 - 出色的电温度控制和稳定性

RIE-210EH 是一种新型的低成本、高性能、实验性反应离子刻蚀系统，手动装载晶圆片，应用于单片晶圆刻蚀、残胶去除及表面清洗工艺，可满足小型晶圆厂、大学实验室、初创公司的使用需求。设备采用触摸屏+PLC全自动控制，凭借其时尚、紧凑的设计，只需占用很小的洁净室空间，使用维护简单方便。 产品特点： 可最大处理8寸晶圆 ø203 mm，也可兼容处理3寸、4寸和6寸晶圆 12寸触摸屏+PLC全自动控制，具有手动和自动两种模式 PID自动真空压力控制，可精确控制过程压力(±1pa)，不受气体流量的影响 独特工艺气体分配喷淋结构，使进气更均匀，去胶均匀度≤5% RIE水冷放电电极，刻蚀过程工艺可控(可选择加热功能) 产品应用： 晶圆刻蚀、光刻胶灰化、剥离和残胶去除 湿法蚀刻前的晶圆清洗、表面预处理 表面改性（润湿性和附着力的改善） 故障分析中的选择性层蚀刻 Si、SiO2、SiN、Poly-Si、GaAs、Pt、聚酰亚胺等各种材料的蚀刻

仪器简介：该系统中的PECVD可以沉积高质量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、类金刚石薄膜、硬质薄膜、光学薄膜等。标准配置射频(RF)，可选用空阴极高密度等离子体(HCD)源、感应耦合等离子体（ICP）源。最大沉积尺寸为8英寸。 使用花伞式的阴极射频等离子源，压盘可由射频或脉冲直流控制，电阻加热，循环水冷。标准配置由一路载气和两路反应气组成，也可以选配流量计。 设备规格： 计算机控制的高品质沉积设备； 射频花伞喷淋头等离子源； 最大可沉积8英寸直径的薄膜； RF偏压基底夹具； 水冷平台(water cooled platen)； 一路载气和两路反应气通过流量计控制流量； 分子涡轮泵； 基本真空度10-7 Torr，200L/sec涡轮分子泵； 空气控制阀；技术参数：PECVD参数： 平板尺寸(Platen size) 8英寸 源直径(Source diameter) 8英寸 气路数(No. of gas feeds) 4(2反应气，1载气，1排气) 源到平板距离(Source to platen distance) 2英寸或可以调节 最高平板温度(Max. platen temp.) 400℃ 射频电源(RF power supply source) 600瓦，13.5 MHz 射频偏置(RF bias) 300瓦，13.5 MHzRIE参数： 电脑控制，全能自锁 电极： 8” 电极冷却: 水冷 流量计MFC数量: 标配4个 RIE腔体：铝制，13”直径大小 工作压力： 0.02-500 mTorr, 动态压力控制 射频电源： 13.5 MHz, 600 W ，带自动调频， 真空度 : 10-7 Torr 以上，配涡沦分子泵, Baratron and WR 真空规 N2 吹扫: 整个腔体和气路 气体分散: 喷淋头式 硅片装载Wafer Load: 手动，气动式掀盖放置 等离子体源Plasma Sources: 台板射频偏压，可以产生-400V 偏压主要特点：柜式PECVD/ RIE系统，电脑Lab View软件控制 PECVD 等离子体源：平面喷淋头射频电极产生离子源 流量控制 :4个流量计（MFC） (针对 PECVD： NH3, 2%SiH4/Ar, O2, 和 N2O) PECVD样品台Platen : 8”不绣钢，可加热至300C，水冷，温度可控，可配射频偏压 （选配） PECVD沉积腔尺寸 : 14” x 14” x 14” ，不绣钢。真空度要求 5 x 10 - 7 Torr 以上 PECVD沉积腔前门可视窗口（5“直径），手动门（8”直径），和10“法兰，硅片在开门后手动放置 RIE腔体尺寸： 13” 直径，铝材质，掀盖式放置，气动式开门, 工作压力 : 0.02 to 1 Torr 铝质射频台，最大至8”硅片，水冷，（冷却器未包括，需要用户提供） 喷淋头式气体分散 配加热工作时使用Baratron真空计(用于RIE)和BOC Edwards 宽频真空计(用于RIE & PECVD) 3个流量计（MFC），用于RIE(C2,BCl3,and N2) 全自动过程压力控制 VCR接头和 Nupro阀门 , 氮气线吹扫，电脑控制质量流动控制器（MFC） 德国普发公司TPH261PC型200L/sec耐腐蚀涡轮分子泵和BOC公司RV12式机械泵组合使用 射频供电： 600 W，13.5MHz 带自动调频。接入电源 220 V, 3PVAC, 20 Amp/Phase, 50/60 Hz,