反应离子刻蚀系统

光刻工艺光刻是用光刻胶、掩模和紫外光进行微制造 ,工艺如下 :(a)仔细地将基片洗净;(b)在干净的基片表面镀上一层阻挡层 ,例如铬、二氧化硅、氮化硅等;(c) 再用甩胶机在阻挡层上均匀地甩上一层几百 A厚的光敏材料——光刻胶。光刻胶的实际厚度与它的粘度有关 ,并与甩胶机的旋转速度的平方根成反比;(d) 在光掩模上制备所需的通道图案。将光掩模复盖在基片上,用紫外光照射涂有光刻胶的基片,光刻胶发生光化学反应;(e)用光刻胶配套显影液通过显影的化学方法除去经曝光的光刻胶。这样，可用制版的方法将底片上的二维几何图形精确地复制到光刻胶层上；(f) 烘干后 ,利用未曝光的光刻胶的保护作用 ,采用化学腐蚀的方法在阻挡层上精确腐蚀出底片上平面二维图形。掩模制备用光刻的方法加工微流控芯片时 ,必须首先制造光刻掩模。对掩模有如下要求：a.掩模的图形区和非图形区对光线的吸收或透射的反差要尽量大;b.掩模的缺陷如针孔、断条、桥连、脏点和线条的凹凸等要尽量少;c.掩模的图形精度要高。通常用于大规模集成电路的光刻掩模材料有涂有光胶的镀铬玻璃板或石英板。用计算机制图系统将掩模图形转化为数据文件，再通过专用接口电路控制图形发生器中的爆光光源、可变光阑、工作台和镜头，在掩模材料上刻出所需的图形。但由于设备昂贵，国内一般科研单位需通过外协解决，延迟了研究周期。由于微流控芯片的分辨率远低于大规模集成电路的要求，近来有报道使用简单的方法和设备制备掩模，用微机通过CAD软件将设计微通道的结构图转化为图象文件后，用高分辨率的打印机将图象打印到透明薄膜上，此透明薄膜可作为光刻用的掩模，基本能满足微流控分析芯片对掩模的要求。湿法刻蚀在光刻过的基片上可通过湿刻和干刻等方法将阻挡层上的平面二维图形加工成具有一定深度的立体结构。近年来，使用湿法刻蚀微细加工的报道较多，适用于硅、玻璃和石英等可被化学试剂腐蚀的基片。已广泛地用于电泳和色谱分离。湿法刻蚀的程序为 :(a) 利用阻挡层的保护作用，使用适当的蚀刻剂在基片上刻蚀所需的通道 ;(b) 刻蚀结束后 ,除去光胶和阻挡层，即可在基片上得到所需构型的微通道；(c)在基片的适当位置(一般为微通道的端头处)打孔，作为试剂、试样及缓冲液蓄池。刻有微通道的基片和相同材质的盖片清洗后，在适当的条件下键合在一起就得到微流控分析芯片。玻璃和石英湿法刻蚀时，只有含氢氟酸的蚀刻剂可用，如HF/HNO3，HF/ NH4。由于刻蚀发生在暴露的玻璃表面上，因此，通道刻的越深，通道二壁的不平行度越大 ,导至通道上宽下窄。这一现象限制了用湿法在玻璃上刻蚀高深宽比的通道。等离子体刻蚀等离子体刻蚀是一种以化学反应为主的干法刻蚀工艺，刻蚀气体分子在高频电场作用下，产生等离子体。等离子体中的游离基化学性质十分活泼，利用它和被刻蚀材料之间的化学反应，达到刻蚀微流控芯片的目的。等离子体刻蚀已应用于玻璃、石英和硅材料上加工微流控芯片 , 如石英毛细管电泳和色谱微芯片。先在石英基片上涂上一层正光胶 (爆光后脱落的光胶)，低温烘干后，放置好掩模，用紫外光照射后显影，在光胶上会产生微结构的图象。然后用活性CHF3等离子体刻蚀石英基片 ,基片上无光胶处会产生一定的深度通道或微结构。这样可产生高深宽比的微结构。近来，也有将等离子体刻蚀用于加工聚合物上的微通道的报道。http://www.whchip.com/upload/201610/1477271936108203.jpg

各位做过等离子刻蚀的同行们： 我是一个新手，在刻蚀聚苯乙烯小球的时候自己设置了几个参数，但是具体每个参数对实验结果的影响还不是很清楚，先列出来Icp（w）；RF（w）；Pressure（mT）等。希望大家给予指点，不胜感激

想用离子刻蚀制备EBSD样品，材料是碳含量为0.5%左右的珠光体钢。但是不知离子刻蚀的具体参数，所以想请了解这方面的给些建议。

作者：泛林集团 Semiverse Solutions 部门软件应用工程师 Pradeep Nanja介绍半导体行业一直专注于使用先进的刻蚀设备和技术来实现图形的微缩与先进技术的开发。随着半导体器件尺寸缩减、工艺复杂程度提升，制造工艺中刻蚀工艺波动的影响将变得明显。刻蚀终点探测用于确定刻蚀工艺是否完成、且没有剩余材料可供刻蚀。这类终点探测有助于最大限度地减少刻蚀速率波动的影响。刻蚀终点探测需要在刻蚀工艺中进行传感器和计量学测量。当出现特定的传感器测量结果或阈值时，可指示刻蚀设备停止刻蚀操作。如果已无材料可供刻蚀，底层材料（甚至整个器件或晶圆）就会遭受损坏，从而极大影响良率[1]，因此可靠的终点探测在刻蚀工艺中十分重要。半导体行业需要可以在刻蚀工艺中为工艺监测和控制提供关键信息的测量设备。目前，为了提升良率，晶圆刻蚀工艺使用独立测量设备和原位（内置）传感器测量。相比独立测量，原位测量可对刻蚀相关工艺（如刻蚀终点探测）进行实时监测和控制。使用 SEMulator3D工艺步骤进行刻蚀终点探测通过构建一系列包含虚拟刻蚀步骤、变量、流程和循环的“虚拟”工艺，可使用 SEMulator3D 模拟原位刻蚀终点探测。流程循环用于在固定时间内重复工艺步骤，加强工艺流程控制（如自动工艺控制）的灵活性[2]。为模拟控制流程，可使用 "For Loop" 或 "Until Loop"（就像计算机编程）设置一定数量的循环。在刻蚀终点探测中，可使用 "Until Loop"，因为它满足“已无材料可供刻蚀”的条件。在循环中，用户可以在循环索引的帮助下确认完成的循环数量。此外，SEMulator3D 能进行“虚拟测量”，帮助追踪并实时更新刻蚀工艺循环中的材料厚度。通过结合虚拟测量薄膜厚度估测和流程循环索引，用户可以在每个循环后准确获取原位材料刻蚀深度的测量结果。用 SEMulator3D 模拟刻蚀终点探测的示例初始设定在一个简单示例中，我们的布局图像显示处于密集区的四个鳍片和密集区右侧的隔离区（见图1）。我们想测量隔离区的材料完成刻蚀时密集区的刻蚀深度。我们将用于建模的区域用蓝框显示，其中有四个鳍片（红色显示）需要制造。此外，我们框出了黄色和绿色的测量区域，将在其中分别测量隔离区的薄膜厚度 (MEA_ISO_FT) 和沟槽区的刻蚀深度 (MEA_TRENCH_FT)。工艺流程的第一步是使用 20nm 厚的硅晶体层（红色）、30nm 的氧化物（浅蓝色）和 10nm 的光刻胶（紫色）进行晶圆设定（图2）。我们曝光鳍片图形，并对使用基本模型刻蚀对光刻胶进行刻蚀，使用特定等离子体角度分布的可视性刻蚀对氧化物材料进行刻蚀。氧化物对光刻胶的选择比是100比1。我们在 SEMulator3D 中使用可视性刻蚀模型来观察隔离区和有鳍片的密集区之间是否有厚度上的差异。[img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/a41bec0f-535e-420a-8a19-ed4282cd5c66.jpg[/img]图1：模型边界区域（蓝色），其中包含四个鳍片（红色）和用于测量隔离区（黄色）和沟槽区（绿色）薄膜厚度的两个测量区域[img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/630f2367-a619-4bc9-8608-09c532bef68f.jpg[/img]图2：SEMulator3D 模型，硅晶体（红色）、氧化物（浅蓝色）和在光刻胶中显影的四个鳍片（紫色）SEMulator3D 刻蚀终点探测循环SEMulator3D 的工艺流程使用 Until Loop 循环流程。我们将测量隔离区的材料厚度，并在隔离氧化物薄膜耗尽、即厚度为0时 (MEA_ISO_FT==0) 停止该工艺。在这个循环中，每个循环我们每隔 1nm 对氧化物材料进行1秒的刻蚀，并同时测量此时隔离区氧化物薄膜厚度。此外，我们将在每次循环后追踪两个鳍片间沟槽区的刻蚀深度。这个循环索引有助于追踪刻蚀循环的重复次数（图3）。[img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/5041079a-7da3-459f-907c-f62f1b6ac8c1.jpg[/img]图3：SEMulator3D 刻蚀终点探测模拟中的循环流程结果对隔离薄膜进行刻蚀，直至其剩余 20nm、10nm 和 0nm 深度的模拟结果如图4所示。模型中计算出隔离薄膜厚度的测量结果，以及两个鳍片间沟槽区的刻蚀深度。[img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/b5d9d13c-68e2-4389-80d1-b974c07afe99.jpg[/img]图4：隔离区薄膜厚度剩余 20nm、10nm 和 0nm 的工艺模拟流程，及相应从光刻胶底部开始的沟槽刻蚀深度我们对循环模型进行近30次重复后，观察到隔离区的薄膜厚度已经达到0，并能追踪到沟槽区氧化物的刻蚀深度（当隔离区被完全刻蚀时，密集区 30nm 的氧化物已被刻蚀 28.4nm）。结论SEMulator3D 可用来创建刻蚀终点探测工艺的虚拟模型。这项技术可用来确定哪些材料在刻蚀工艺中被完全去除，也可测量刻蚀后剩下的材料（取决于刻蚀类型）。使用这一方法可成功模拟原位刻蚀深度控制。使用类似方法，也可以进行其他类型的自动工艺控制，例如深度反应离子刻蚀 (DRIE) 或高密度等离子体化学[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp][color=#3333ff]气相[/color][/url]沉积 (HDP-CVD) 工艺控制。参考资料：[1] Derbyshire, Katherine. In Situ Metrology for Real-Time Process Control, Semiconductor Online, 10 July 1998, https://www.semiconductoronline.com/doc/in-situ-metrology-for-real-time-process-contr-0001.[2] SEMulator3D V10 Documentation: Sequences, Loops, Variables, etc.[来源：大半导体产业网][align=right][/align]

氩气注入的具体方法是什么，与氩离子刻蚀的区别是什么，求高手指教！

一般离子刻蚀样品（离子清洗样品）所用的枪为氩离子枪。主要清洗样品表面的粘污物和深度剖析时刻蚀样品。在电子能谱分析中常用离子刻蚀样品

目前我做的两万倍好像看不清楚刻蚀作用。

我比较熟的产品有MBE，磁控溅射，电子束蒸发，PLD，PECVD，等离子刻蚀RIE,ICP.如果大家在这方面有什么问题，非常愿意与大家交流，如果想采购这类产品和组件，或这方面的任何需求，我都可以向你推荐，可以发mail给我，lhm115011@gmail.com

在用AFM进行电刻蚀时，用导电铂针进行刻蚀。但是每次刻蚀完之后用半接触模式很难扫描出清晰的图像。。。。。有没有什么方法能用铂针搜出清晰图像。

如何用SEM做电子束刻蚀？有什么特殊装备吗？

我想用XPS刻蚀的方法测量高效减水剂在粉体材料上的吸附层厚度，应该如何制样，请各位高手请点！非常感谢！

我用的是日本精工的SPM,在对样品进行刻蚀的时侯，本来是想刻蚀出一条直线，为什么只刻蚀出几个点来，所加的刻蚀电压已经是最高了

当绝缘样品经过长时间的氩离子轰击后，可能会导致样品表面累积大量的正电荷，荷电位移可以高达一百多电子伏特。累积的正电荷会随时间逐渐转移走，荷电位移因此逐渐减少，但很长时间都不能够稳定。例如窄扫过程中扫第一个元素时位移50eV，扫最后一个元素时位移40eV。使得荷电校正非常困难。请教你们在实践中是否曾经遇到这个问题？如何避免该问题的发生？我们的离子枪型号时EX05。曾经尝试在样品表面覆盖金属网以提高样品的导电性，但是效果不明显。

超牛的纳米刻蚀技术http://simg.instrument.com.cn/bbs/images/brow/em09507.gifhttp://202.118.73.154/gongkewuli/Reading/R_stm/Images/STM12.JPG

有谁用AFM做过纳米刻蚀？效果怎么样？http://simg.instrument.com.cn/bbs/images/brow/em09507.gif可否分享下图片，让我们瞧瞧

特殊行业应用实例： 全氟化表面活性剂在半导体酸蚀刻溶液中起润湿剂的作用。酸蚀刻剂能够在二氧化硅材质上雕刻出细的划痕。在半导体的制作中，如果酸蚀刻剂的润湿性不好可能有气泡生成，这些气泡会附着在刻蚀表面，影响信号。可以通过增加少量的表面活性剂减少气泡的形成，从而提高溶液的润湿性。下载链接：http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100244/paperDetail.asp?ID=12249

雕花玻璃是用什么物质对玻璃进行刻蚀而制成的？

【树脂进行离子交换反应的性能和再生问题】 一、交换能力氢型阳离子交换树脂在水中可解离出氢离子（H+），当遇到金属离子或其它阳离子，就发生互相交换作用，但交换后的树脂，就不再是氢型树脂了。例如，当水中的阳离子如钙离子、镁离子的浓度相当大时，磺酸型的阳离子交换树脂中的氢离子，可和钙、镁离子进行交换，而形成「钙型」或「镁型」的阳离子交换树脂，如下式： 2R-SO3H ＋ Ca2+ → (R-SO3)2Ca ＋ 2H+ （钙型强酸性阳离子交换树脂） 2R-SO3H ＋ Mg2+ → (R-SO3)2Mg ＋ 2H+（镁型强酸性阳离子交换树脂） 氢型阳离子交换树脂的交换能力与被交换的阳离子的价数有密切关系。在常温下，低浓度水溶液中，交换能力随离子价数增加而增加，即价数越高的阳离子被交换的倾向越大。此外，若价数相同，离子半径越大的阳离子被交换的倾向也越大。如果以自来水中经常出现阳离子列为参考对象，则氢型阳离子交换树脂的交换能力顺序可表示如下： 强酸性：Fe3+＞Fe 2+＞Mn2+＞Ca2+＞Mg2+＞K+＞NH4+＞Na+＞H+ 弱酸性：H+＞Fe3+＞Fe 2+＞Mn2+＞Ca2+＞Mg2+＞K+＞NH4+＞Na+ 由上述交换能力顺序可知：强酸性与弱酸性阳离子交换树脂的母体，对阳离子交换能力顺序完全相同，唯一的差异是：两者对H+的交换能力不同，强酸性对氢离子的亲和力最弱，弱酸性对氢离子的亲和力最强，这个特性可能会深深影响它们在水草缸的作用与功能。 虽然氢型弱酸性阳离子交换树脂对氢离子的亲合力最强，但氢离子（H+）与氢氧离子（OH-）结合成水（H2O）的亲合力更强，所以在碱性水质中，弱酸性阳离子交换树脂中的H+会快速被OH-所消耗，OH-主要来自KH硬度（HCO3-）的水解反应： HCO3- ＋ H2O ←→ H2CO3 ＋ OH- H+所遗留之「活性位置」再改由其它阳离子如Fe3+＞Fe 2+＞Mn2+＞Ca2+＞Mg2+……等依序取代，一直持续到HCO3-完全被消除为止（KH＝0）。因此弱酸性阳离子交换树脂的主要作用区间是在于pH＝5 ~ 14的水质。由于HCO3-为暂时硬度的阴离子，因此当HCO3-完全被消除后，它的「当量阳离子」，如如钙、镁等离子也同时完全被取代，故能消除所有暂时硬度的「当量阳离子」。 氢型强酸性阳离子交换树脂对氢离子（H+）的亲合力最弱，使它在任何pH之下，它都具有交换能力，因此可以完全除去GH硬度（暂时硬度及永久硬度）。　　二、交换容量离子交换树脂进行离子的交换反应的性能，主要由「交换容量」表现出来。所谓交换容量是指每克干树脂所能交换离子的毫克当量数，以m mol/g为单位。当离子为一价时（如K+），其毫克当量数即为其毫克分子数，对于二价（如Ca2+）或更多价离子（如Fe3+），其毫克当量数即为其毫克分子数乘以其离子价数。交换容量又分为「总交换容量」、「操作交换容量」和「再生容量」等三种表示方法。「总交换容量」表示每克干树脂所能进行离子交换反应的化学基总量，属于理论性计量。「操作交换容量」表示每克干树脂在某一定条件下的离子交换能力，属于操作性计量，它与树脂种类、总交换容量，以及具体操作条件（如接触时间、温度）等因素有关，可用于显示操作效率。「再生容量」表示每克干树脂在一定的再生剂量条件下，所取得的再生树脂之交换容量，可用于显示树脂再生效率。由于树脂的结构不同（主要是活性基数目不同），强酸性与弱酸性阳离子交换树脂的交换容量也不相同。一般而言，弱酸性的活性基数目通常多于于强酸性，故总交换容量较高约7.0 ~ 10.5 m mol/g，相形之下，强酸性仅约3.2 ~ 4.5m mol/g而已，但在实际应用中，弱酸性的操作交换容量却不一定高于强酸性，例如，pH值低于5时，弱酸性的操作交换容量为零，根本无交换作用。在pH值为6.5时，两者的操作交换容量相似；但在碱性溶液中，弱酸性远高于强酸性。在再生容量方面，弱酸性则通常高于强酸性，故弱酸性的使用寿命会更长一些。　　三、再生离子相对浓度高低对树脂的交换性质会产生很大的影响。当水溶液中氢离子的浓度相当大时，钙型或镁型的阳离子交换树脂中的钙离子或镁离子，可与氢离子进行交换，重新成为氢型阳离子交换树脂。换言之，交换反应也可以反方向进行。由于离子交换过程是可逆的，因此当交换树脂交换了一定量的离子后，可用相对浓度较高的氢离子再取代下来，使之一再重复被循环使用，这种作用称为再生(regeneration)。其反应式如下： (R-SO3)2Ca ＋ 2H+ → 2R-SO3H ＋ Ca2+ (R-COO)2Ca ＋ 2H+ → 2R-COOH ＋ Ca2+ 当氢型树脂中的氢离子，都被其它硬度离子交换后，这些树脂就没有软化水质作用，此时之状态称为「饱和」状态。再生操作主要目的就是将已经达到「饱和」状态的树脂，利用「再生剂」洗出所交换来的阳离子，让树脂重新再回复到原有的交换容量，或所期望的容量程度，或原有的树脂型态等。无论是强酸性或弱酸性阳离子交换树脂，都可以使用稀硫酸或稀盐酸作为再生剂，但一般认为以稀硫酸作为再生剂，效果可能会好一些。因为树脂若吸附有机物的话，稀硫酸较稀盐酸更能解析出有机物，所以一般工艺多采用稀硫酸为再生剂。不过实际应用时，可能因为硫酸的取得较为困难，所以多使用盐酸作为再生剂居多。　　四、影响再生特性的主要因素氢型树脂的再生特性与它的类型和结构有密切关系，强酸性氢型树脂的再生比较困难，需要的再生酸液的剂量比理论值高许多，而且必须较长的接触时间。相形之下，弱酸性氢型树脂的再生则比较容易，需要的再生酸液的剂量仅比理论值高一些，也不需要长的接触时间。一般认为，在硫酸或盐酸的用量为其总交换容量的二倍时，每次再生树脂与再生酸液浸泡接触时间是：强酸性约30 ~ 60分；弱酸性约30 ~ 45分。此外，氢型树脂的再生特性也与它们的「交联度」有关。所谓交联度乃是定量树脂中所含的交联剂（如苯乙烯）的质量百分率。通常交联度低的树脂，其特征是聚合密度较低，内部空隙较多，网孔大，对水的溶胀性好，但对离子选择较弱，交换反应速度快，较易再生，因此每次再生树脂与再生酸液浸泡接触时间较短。反之，交联度高的树脂，则需要较长再生酸液与树脂接触的时间。无论强酸性或弱酸性氢型树脂的「交联度」均可以在制造时控制。由于氢型树脂的网孔不仅提供了良好的离子交换条件，而且也像活性碳一般，能产生分子吸附作用，也可能吸附各种有机物，因此容易受到有机物污染，而影响其操作效率，也使得其再生操作发生困难。如果树脂在使用过程中，吸附了有机物，特别是大分子有机物，再生接触时间必须更久，而且通常要提高温度（70 ~ 80℃）才能除去大部分有机物，以免其效能降低太快，同时在高温下操作，也可以加速再生反应时间，使浸泡接触时间得以因而缩短。在这方面应用的再生剂，以硫酸较佳，理由是硫酸在加热时相当安定，盐酸则可能会产生有毒的氯化氢气体。　　五、再生液浓度与再生效率的关系树脂再生的化学反应是它原先交换的逆反应，按化学反应的平衡原理，提高反应物浓度，可促进反应向另一边进行，故提高酸液浓度可加速再生反应速率，进而提高再生效率。但是，这并不表示酸液浓度越高越好，假如没有经过实验去评估交换树脂所需要的酸量，就会发生「过犹不及」的问题。虽然再生酸液浓度不足时，使树脂的再生率降低，将多少会影响后续的硬水软化功能。相反地，若所用酸液过多，平日浪费了酸液，增加了再生的成本，也是不划算的。为了让消费者了解再生酸液的剂量问题，有些服务较好的厂商，都会主动提供最适合的浓度供人参考。有，如果水还中酸液氢离子浓度超过1mol/l以上时，再生反应速率可能会受到网孔扩散作用的限制，因此网孔较小的树脂，不宜使用高浓度酸液再生，否则可能也会造成浪费酸液的现象。此外，尽管硫酸是很好的再生剂，但仍要防止被树脂吸收的钙离子与硫酸反应，而在树脂中生成硫酸钙沉淀物，若要避免此问题发生，可在第一次操作时，先倒入1 ~ 2﹪硫酸浸泡洗脱一次，在第二次操作时，再使用较高浓度硫酸处理。最后，如果打算仅使用「一次操作再生」即要完成再生作业，无妨斟酌提高酸液的操作浓度，以增加其再生效率。虽然这种操作方式最方便，但再生效率将不如将该相同剂量酸液稀释，分两二次或多次浸泡处理来得好。不过，要进行多次操作，还得考虑为了多增加一点再生效率，值不值得发花力气去处理。　　两种氢型阳离子交换树脂重要性质作一归纳：一般强酸性树脂可在所有pH值范围内操作，但其交换容量较小，而必须经常再生，此外又因再生效率较差，所需再生剂费较高，但可以除去所有硬度离子，或调节pH。弱酸性树脂具有较高的交换容量，再生效率较高，所需再生剂较少，但仅能在有限的pH值范围内操作，以及仅能除去暂时硬度离子。

中国科技网讯（记者常丽君）据物理学家组织网1月14日（北京时间）报道，一个由英国曼彻斯特大学和法国艾克斯—马赛大学人员组成的研究小组，开发出一种新型的等离子超介质探测设备，利用了奇点光学中超常相位拓扑的性质，能通过简单的光学系统就看到单个分子，并在几分钟内分析出它的成分，药物检测精确度提高了3个数量级，可用于人体药检、机场安检、爆炸物探测等。相关论文发表在最近出版的《自然·材料》上。 “该设备的总体设想是要通过一种简单的光学系统，如显微镜，来看到单个分子，真实地看到它们。”领导该研究的萨沙·格里乔科说。他提出了一种新的传感设备：一种具有黑暗拓扑性的人造材料。这种设备极其灵敏，而其灵敏性是来自它的光相位拓扑性能，即使附着一个小分子也能引起反应。 奇点相位的超常性质是研究许多重要物理现象的关键，通过控制光相位，人们能造出“扭曲的”光子流，如光涡流结；打断相位使之分离，就会产生奇点光场。而等离子超介质经过恰当设计就会显出一种拓扑性，从而在其附近产生突然的相位改变。利用这一性质能造出一种等离子共振传感器，从根本上提高探测的灵敏度。 为了测试该设备，研究人员给一种等离子超介质涂了一层石墨烯，然后将氢气导入石墨烯上面，利用可逆的石墨烯氢化反应来测试其灵敏度。“石墨烯是用于检测分子灵敏性的最佳材料之一，可以很容易地把氢分子以可控的方式附着在上面。”格里乔科说，他们证明了该设备能探测到单个生物分子水平。通过验血可以检测人体内的毒素或药物，几分钟就能出结果，精确度比现有设备高出3个数量级。 研究人员指出，这一概念性论证结果提供了一种更简单的、可升级的单分子免标记生物感测技术，使药物检测更加快捷精确，可用于检查运动员是否服用了违禁药物以及机场或机密要地的安检，预防恐怖分子藏匿爆炸物、不法商贩走私药物等，还可能探测人们感染了哪种病毒。 格里乔科说，奇点光学是一门新兴学科，研究的是光在超常相位的性质，他们的成果显示了这一学科在实际应用方面的巨大价值。这只是个开始，它可能对药物与病毒探测、安全检查等产生深远影响。 总编辑圈点： 童话《豌豆公主》里，隔着十二张床垫和二十张鸭绒被，公主仍然能感觉出一颗豌豆的凹凸。英、法科学家开发的新技术，让仪器也具备了这样的灵敏度——增加一个分子，仪器就能察觉出“凹凸”。超级材料石墨烯，相当于一张平滑的床垫，为检测提供了纯净的光学背景，使微小形状的干扰也变得很显著。依靠新开发的这种精密探测手段，今后的医学检测可能不必借助生化试剂，直接“看”到病毒的模样，这将大大方便医生的快速诊断。 《科技日报》2013-01-15（一版）

同样的操作参数我做ZnO膜刻蚀大约2nm/min,但是一个据说是几十nm厚的氧化亚铜层刻了将近100min也没刻完,不知是不是这种材料比较难于刻蚀呀?多谢

富阳精密仪器厂电话:0571-63253615 传真:0571-63259015地址：浙江富阳新登南四葛溪南路26号 邮编：311404联系人：温先生电话：13968165189Email:manbbb@sina.com网址：www.jingmiyiqi.net 石英管式微波等离子体装置是我厂专门为大学和研究机构设计的小型化产品，可用于薄膜材料的制备和等离子体物理等方面的研究工作，并且特别适宜于大中专学校的材料、化学工程与工艺、物理等专业的学生实验。该装置利用微波能激励稀薄气体放电在石英管中产生稳态等离子体，通过通入不同的工作气体，可进行功能薄膜材料的制备、化学合成、表面刻蚀、等离子体诊断等多方面的实验。1 主要配置 1. 2.45GHz，0~500W微波功率连续可调，可满足不同实验的要求； 2. ф50mm的石英管真空室，带有一个观察窗和一个诊断窗口，保证各种实验方便进行； 3. 石英管采用水冷却，可保证装置在高功率条件下安全运行； 4. 配置了3路气体管路，气体流量控制方便； 真空测量系统及控制阀门可保证真空室所需的真空环境。2 典型实验 1. 等离子体化学[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp]气相[/url]沉积 A（气）+B（气）→ C（固）+D（气） 反应气体A、B被激发为等离子体状态， 其活性基团发生反应生成所需要的固态物沉积在基片上，可广泛用于薄膜或纳米材料的合成。如金刚石薄膜氮化碳薄膜、碳纳米材料等。 2. 等离子体表面刻蚀 A（气）+B（固）→ C（气） 反应气体A 被激发为等离子体状态与固体B表面原子发生反应生成气态物C，可用于集成电路的刻蚀实验。 3. 等离子体催化反应 利用等离子体中丰富的活性成分，如紫外和可见光子、电子、离子、自由基；高反应性的中性成分，如活性原子，受激原子态，从而引发在常规化学反应中不能或很难实现的化学反应。 4. 等离子体表面改性 A（气）+B（固）→ C（固） 反应气体A 被激发为等离子体状态与固体B表面发生反应生成新的化合物从而达到改变B物质表面性质的目的。可广泛用于高分子材料、金属材料及生物医用材料的表面改性实验。[em28] [em28] [em28] [em28]

在制药化工行业中，反应釜温度控制系统是经常需要使用的，但是由于反应釜温度控制系统存在一定的空气、氢气、氮气、润滑油蒸汽等一些气体，这些气体是不利于反应釜温度控制系统运行的，那么到底是怎么一回事呢？反应釜温度控制系统中这些杂质气体是使制冷系统冷凝压力升高，从而使冷凝温度升高，压缩机排气温度升高，耗电量增加，制冷效率降低，同时由于排气温度过高可能导致润滑油碳化，影响润滑效果，严重时会烧毁制冷压缩机电机。反应釜温度控制系统中的这些气体产生可能是漏入的空气，可能是在充注制冷剂、加注润滑油的时候，外界空气趁机进入，或者反应釜温度控制系统密封性不严密导致空气进入系统内部。此外，冷冻油的分解、制冷剂不纯以及金属材料的腐蚀等原因也会产生气体。当然，无锡冠亚在反应釜温度控制系统上采用的是全密闭的循环系统，避免这些空气进入反应釜温度控制系统中。一般来说，反应釜温度控制系统中的气体表现在反应釜温度控制系统压缩机的排气压力和排气温度升高，冷凝器(或储液器)上的压力表指针剧烈摆动，压缩机缸头发烫，冷凝器壳体很热；反应釜温度控制系统蒸发器表面结霜不均匀，反应釜温度控制系统存在大量气体时，因装置的制冷量下降而使环境温度降不下来，压缩机运转时间长，甚至因高压继电器动作而使压缩机停车。反应釜温度控制系统是否存在这些气体的话，可以用压力表实测制冷系统的冷凝压力与当时环境气温下的饱和压力作比较。如果实测压力大于环境温度下的饱和压力，则说明该系统中含有气体了。如果发现了反应釜温度控制系统中存在上述的这些气体的话，就需要及时排除这些气体，及时解决故障。

制备了环氧树脂、聚己内酯及in situ生成的SiO2复合物，想通过SEM看清楚三者的分布情况，请问该如何使用化学刻蚀？需要指出的是，三者之间都有化学键作用。 或者介绍我其他表征方法也行。谢谢！

参考书上说，八级杆中用纯氦气碰撞模式可以减少反应池气体和分析物之间的副反应的发生，这样就可以利用屏蔽炬系统传递分布范围窄的离子能量。——————————————————————————1.屏蔽系统是指炬管外层的屏蔽圈吗？2.如果上述正确的话～～按照样品测试流程，屏蔽在碰撞池前，如何理解屏蔽系统传递分布范围窄的离子能量？3.对碰撞池，势能垒对不同元素设置的应该不一样，实际测量时如何动态设置呢？

反应釜加热冷却控温系统传统串通开槽控温装置的主要缺点是： 1 、油浴槽体积大 　　油浴槽主要作用有两个： 　　A.盛放导热介质 　　B.导热介质有热胀冷缩的物理特性，槽体相当于膨胀容器。 　　反应釜加热冷却控温系统开槽的系统控制外循环比如夹套反应的时候，反应釜的体积越大夹套的体积越大，整个系统的导热介质越多，加热和降温过程中浓缩变化越大，油浴，水浴槽体积要求越大。 整个系统的温度变化过程中的热量负载为整个系统导热油总量(主要)+反应釜体内的反应物，水浴，油浴槽的体积越大用于釜体内的有效功率越小，釜体内反应物升温和降温的速度响应及速率越慢。 反应釜的控温，是靠反应釜夹套的导热油的温度变化来控制釜体内的温度，系统导热介质越多，有效的功率用于釜体内的越少，控温的速度越慢。 2、 水汽的吸收 　　当低温反应时，开槽油浴的表面温度很低，很容易吸收空气中的水汽在压缩机的蒸发器表面结冰，冰是很好的绝热器，压缩机的蒸发器被绝热而无法导热，这样压缩机无法冷却导热介质从而无法降低釜体内的温度。 3、 油雾 　　当高温反应时，导热油会挥发到实验室的空气中而冷凝在家具的表面，堵塞通风橱的过滤器，由于导热油的闪点不同，有些可以引起燃烧和爆炸，导热油只能在闪点以下5度使用，所以导热油的使用温度范围比较有限，所以高温时需要一种介质，低温是需要更换另一种介质，另外高温时导热油很容易褐化和氧化。所以需要定期更换导热油，使用成本比较高。4、加热和冷却需要人工进行切换，容易出现误操作，出现事故。快速升降温系统产品实现了精确控制反应的温度：特点如下 1、配备加热冷却一体容器，换热面积大， 升温和降温的速率很快，导热油的需求量也比较小。2、可实现连续升降温，采用高温高压下运行压缩机技术，可从200度直接开启压缩机制冷，提高能效比。 3、整个循环是密闭的，高温时没有油雾挥发，导热油不会被氧化和褐化；低温时不会吸收空气中的水汽；延长了导热油的寿命。 4、具有自我诊断功能、冷冻机过载保护、高压压力开关、过载继电器、热保护装置等多种安全保障机能，充分保证使用安全；5、温度自适应控制 　 适应控制系统在控制工艺(如化学反应工艺)的过程中，持续不断的调节PID参数来给予工艺最好的控制温度和响应时间，这种过程是通过有效的多方位的测定温度，温度变化和温度变化的速率来实现的。 6、带有矫正外循环和内循环温度探头PT100的功能。 7、采用无CFC和HCFE制冷剂。8、 精确控制化学反应的速度。●　反应釜加热冷却控温系统整个系统的液体循环是密闭的，系统带有膨胀容器，膨胀容器和液体循环是绝热的，并不参与液体循环，只是机械的连接，不管液体循环的温度是高温还是低温膨胀容器中的介质低于60度 。 ●　反应釜加热冷却控温系统整个液体循环是密闭的系统，低温时没有水汽的吸收，高温时没有油雾的产生，导热油可以很广的工作温度；同一台机器，同一种导热介质可以实现-100度到200度的控温。 制冷量1KW～80KW 范围 ●　反应釜加热冷却控温系统整个循环系统中没有使用机械的和电子的阀。