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扫描四点探针测试仪

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扫描四点探针测试仪相关的仪器

  • FPP扫描四点探针测试仪 产品性能 设计:可与同一仪器中的其他测量结合使用(参见TLM-SCAN++)易于清洁的玻璃真空吸盘关闭盖子时自动开始测量 PROBE HEADS:在几秒钟内改变由软件认可碳化钨针尖端半径:0.25 mm 软件:显示的映射具有可选择的颜色方案和数据标记以及缩放,直方图,线扫描等功能单击图像重新测量单个点电流电压扫描测试线性度自动编号 规格:10 x 10MAP的持续时间: 4 分钟。最大 测试电流: 30毫安重量: 16公斤L′W′H厘米: 36 ′ 48 ′ 24 用途光伏测试 包装泡沫纸箱售后服务保修一年,一个月内包换
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  • 四探针 四点探针 四探针测试仪 四探针太阳能硅片电阻率测试仪光伏测试专用美国ResMap四点探针CDE ResMap的特点如简述如下: * 高速稳定及专利自动决定范围量测与传送,THROUGHPUT高 * 数字方式及每点高达4000笔数据搜集,表现良好重复性及再现性 * Windows 操作接口及软件操作简单 * 新制程表现佳(铜制程低电阻率1.67m&Omega -cm及Implant高电阻2K&Omega /□以上,皆可达成高精确度及重复性) * 体积小,占无尘室面积少 * 校正简单,且校正周期长 * 可配合客户需求,增强功能与适用性 * 300mm 机种可以装2~4个量测头,并且可以Recipe设定更换CDE ResMap&ndash CDE 公司生产之电阻值测试系统是以四探针的工艺,以配合各半导体成光伏生产厂家进出之生产品质监控,超卓可靠又简易操作的设备是半导体及光伏生产厂家不可缺少的。 主要特点: 测量范围广,精度高,稳定性好,功能齐全强大,软件好用,维修成本低,服务好,配件齐全...美国进口四探针电阻率测试仪(4PP)/方块电阻测试仪/太阳能光伏扩散薄层电阻测试仪(Four point probe(4PP))设备名称: 四点探针电阻仪 (CDE ResMap)主机厂牌、型号与附件: CDE ResMap规格:1. Pin material: Tungsten Carbide.2. Pin compression force Typically 100 gm to 200 gm.3. 样品尺寸: 2吋至6吋晶圆 (表面须为平整的导电薄膜,半导体材料)设备用途: 导电薄膜的电阻值分布测量,半导体,光伏特点:1)针尖压力一致2)适用于各种基底材料3)友好的用户界面4)快速测量5)数据可存储 应用:1)方块电阻2)薄片电阻3)掺杂浓度4)金属层厚度5)P/N类型6)I/V测试
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  • CDE 四探针电阻率电导率测试仪 Resmap168Resmap168型四点探针测试仪是专门为光伏电池生产企业设计的一款产品。提供可靠,准确和重复性好的四点探针测试技术。168型带自动传送功能,从提高了产品的产量,从而降低导电材料产品的成本。提供NIST标准片6片!产品特点:操作简单、快速精确电阻测量范围:1 mΩ/方块 - 5 MΩ/方块典型应用:非晶硅/微晶硅和导电膜电阻率测量;选择性发射极扩散片;表面钝化片;交叉指样PN结扩散片;新型电极设计,如电镀铜电阻测量等美国CDE专利技术: 可针对材料(不同材料、软硬薄膜或离子植入深或浅等条件,对下针状况最佳化。而此功能是可由软见操作,可有0.01mm 的分辨率,而非麻烦的硬件调整。美国CDE专利技术: 可针对材料(不同材料、软硬薄膜或离子植入深或浅等条件,对下针状况最佳化。而此功能是可由软见操作,可有0.01mm 的分辨率,而非麻烦的硬件调整。Resmap168测试性能指标:探针材料 WC探头寿命 500W次测量: 168,178和273的区别:成功案例-美国CDE四探针测试仪感谢以下客户购买美国美国CDE四探针测试仪作为半导体行业四探针测试仪测试标准之一,购买美国CDE 四探针测试仪的单位非常多。 最近购买用户 科研客户:清华大学,天津大学,浙江大学 中山大学 浙江师范大学 ?复旦大学 北京师范大学 河北大学 。。。。。。 企业客户:上海超日太阳能 卡姆丹克太阳能 南玻光伏 荣马新能源 山东润峰电力 江苏腾晖电力 晶澳太阳能 海润光伏 常州比太 苏州阿特斯 西安隆基 高佳太阳能 江西旭阳雷迪 无锡尚德 武汉珈伟光伏 苏州中导光电 常州天合 。。。。。。
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  • CDE 四探针电阻率电导率测试仪 Resmap168Resmap168型四点探针测试仪是专门为光伏电池生产企业设计的一款产品。提供可靠,准确和重复性好的四点探针测试技术。168型带自动传送功能,从提高了产品的产量,从而降低导电材料产品的成本。提供NIST标准片6片!产品特点:操作简单、快速精确电阻测量范围:1 mΩ/方块 - 5 MΩ/方块典型应用:非晶硅/微晶硅和导电膜电阻率测量;选择性发射极扩散片;表面钝化片;交叉指样PN结扩散片;新型电极设计,如电镀铜电阻测量等美国CDE专利技术: 可针对材料(不同材料、软硬薄膜或离子植入深或浅等条件,对下针状况最佳化。而此功能是可由软见操作,可有0.01mm 的分辨率,而非麻烦的硬件调整。美国CDE专利技术: 可针对材料(不同材料、软硬薄膜或离子植入深或浅等条件,对下针状况最佳化。而此功能是可由软见操作,可有0.01mm 的分辨率,而非麻烦的硬件调整。Resmap168测试性能指标:探针材料 WC探头寿命 500W次测量: 168,178和273的区别:成功案例-美国CDE四探针测试仪感谢以下客户购买美国美国CDE四探针测试仪作为半导体行业四探针测试仪测试标准之一,购买美国CDE 四探针测试仪的单位非常多。 最近购买用户 科研客户:清华大学,天津大学,浙江大学 中山大学 浙江师范大学 ?复旦大学 北京师范大学 河北大学 。。。。。。 企业客户:上海超日太阳能 卡姆丹克太阳能 南玻光伏 荣马新能源 山东润峰电力 江苏腾晖电力 晶澳太阳能 海润光伏 常州比太 苏州阿特斯 西安隆基 高佳太阳能 江西旭阳雷迪 无锡尚德 武汉珈伟光伏 苏州中导光电 常州天合 。。。。。。
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  • Resmap 273 在178型的技术基础上,ResMap273是半导体行业首款30毫米桌面四点探针仪。273型扩展了ResMap原来一些产品的性能,实现了太阳能对210毫米大型衬底的要求。外形小巧,坚固耐用,准确性和重复性好。提供NIST标准片6片!产品特点:操作简单、快速精确电阻测量范围:1 mΩ/?? - 5 MΩ/??典型应用:非晶硅/微晶硅和导电膜电阻率测量;选择性发射极扩散片;表面钝化片;交叉指样PN结扩散片;新型电极设计,如电镀铜电阻测量等美国CDE专利技术: 可针对材料(不同材料、软硬薄膜或离子植入深或浅等条件,对下针状况最佳化。而此功能是可由软见操作,可有0.01mm 的分辨率,而非麻烦的硬件调整。美国CDE专利技术: 可针对材料(不同材料、软硬薄膜或离子植入深或浅等条件,对下针状况最佳化。而此功能是可由软见操作,可有0.01mm 的分辨率,而非麻烦的硬件调整。测试性能指标:探针材料 WC探头寿命 500W次Resmap168,178,273区别:四探针法测量电阻率有个非常大的优点,它不需要较准;有时用其它方法测量电阻率时还用四探针法较准。与四探针法相比,传统的二探针法更方便些,因为它只需要操作两个探针,但是处理二探针法得到的数据却很复杂。如图一,电阻两端有两个探针接触,每个接触点既测量电阻两端的电流值,也测量了电阻两端的电压值。我们希望确定所测量的电阻器的电阻值,总电阻值: RT = V/I = 2RW + 2RC + RDUT;其中RW是导线电阻,RC是接触电阻,RDUT是所要测量的电阻器的电阻,显然用这种方法不能确定RDUT的值。矫正的办法就是使用四点接触法,即四探针法。如图二,电流的路径与图一中相同,但是测量电压使用的是另外两个接触点。尽管电压计测量的电压也包含了导线电压和接触电压,但由于电压计的内阻很大,通过电压计的电流非常小,因此,导线电压与接触电压可以忽略不计,测量的电压值基本上等于电阻器两端的电压值。四探针法通过采用四探针法取代二探针法,尽管电流所走的路径是一样的,但由于消除掉了寄生压降,使得测量变得精确了。四探针法在Lord Kelvin使用之后,变得十分普及,命名为四探针法。成功案例-美国CDE四探针测试仪感谢以下客户购买美国美国CDE四探针测试仪作为半导体行业四探针测试仪测试标准之一,购买美国CDE 四探针测试仪的单位非常多。 最近购买用户 科研客户:清华大学,天津大学,浙江大学 中山大学 浙江师范大学 ?复旦大学 北京师范大学 河北大学 。。。。。。 企业客户:上海超日太阳能 卡姆丹克太阳能 南玻光伏 荣马新能源 山东润峰电力 江苏腾晖电力 晶澳太阳能 海润光伏 常州比太 苏州阿特斯 西安隆基 高佳太阳能 江西旭阳雷迪 无锡尚德 武汉珈伟光伏 苏州中导光电 常州天合 。。。。。。不能一一列举敬请谅解
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  • FT-3110系列全自动四探针测试仪一.功能描述:四点探针法,全自动化运行测量系统,PC软件采集和数据处理;参照A.S.T.M 标准方法测试半导体材料电阻率和方块电阻;可设定探针压力值、测试点数、多种测量模式选择;真空环境,可显示:方阻、电阻率、显示2D,3D扫描/数值图、温湿度值、提供标准校准电阻件. 报表输出数据统计分析.FT-3110系列全自动四探针测试仪二.适用范围晶圆、非晶硅/微晶硅和导电膜电阻率测量;选择性发射极扩散片;表面钝化片;交叉指样PN结扩散片;新型电极设计,如电镀铜电阻测量等;半导体材料分析,铁电材料,纳米材料,太阳能电池,LCD,OLED,触摸屏等. FT-3110系列全自动四探针测试仪三.技术参数: 规格型号FT-3110AFT-3110B1.电阻10^-5~2×10^5Ω10^-6~2×10^5Ω2.方块电阻 10^-5~2×10^5Ω/□10^-6~2×10^5Ω/□3.电阻率 10^-6~2×10^6Ω-cm10-7~2×106Ω-cm4.测试电流 0.1μA.μA.0μA,100μA,1mA, 10mA,100mA1A、100mA、10mA、1mA、100uA、10uA、1uA、0.1uA5.电流精度 ±0.1% 6.电阻精度 ≤0.3%7.PC软件操作PC软件界面:电阻、电阻率、电导率、方阻、温度、单位换算、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、2D、3D图谱、压力、报表生成等8.压力范围:探针压力可调范围:软件控制,100-500g可调9.探针针间绝缘电阻:≥1000MΩ;机械游移率:≤0.3%圆头铜镀金材质,探针间距1mm;2mm;3mm选配,其他规格可定制10.可测晶片尺寸选购 晶圆尺寸:2-12寸(6寸150mm,12寸300mm);方形片:大至156mm X 156mm 或125mm X 125mm11.分析模式单点、五点、九点、多点、直径扫描、面扫描等模式的自动测试12.加压方式测量重复性:重复性≤3% 13.安全防护具有限位量程和压力保护 误操作和急停防护 异常警报14.测试环境真空15.电源输入: AC 220V±10%.50Hz 功 耗:100W 16.选购项目电脑和打印机
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  • 50多项国际四探针测试仪领域的专利,保证业内技术领先!1.业界最高重复性,重复性≤ ±0.02% (静态或者标准电阻) 2.扫描速度最快的四探针电阻率测试仪:一分钟49个测量点 3.最小边缘修正:即片子边缘1.5mm以内区域都能测量 美国Creative Design Engineering, 简称“CDE”,成立于1995年,位于美国加州硅谷的库比蒂诺 - Cupertino, CDE公司专注于四探针设备的生产和销售,累计销量达1000台以上,遍布世界各大半导体Fab, 太阳能光伏企业,大学及科研机构,“CDE”是四探针领域的领导品牌。CDE的使命是开发和制造生产高价值的,高性能,成本低为半导体制计量产品及相关行业CDE已制造并交付了超过1000 套resmap电阻率测试系统,大约24%用于 300mm测量。最近,该公司已交付的太阳能电池的开发和生产支持多个单位。CDE是位于硅谷的心脏地带,提供世界范围内的销售和服务代表网络支持。特点简述:CDE ResMap的特点如简述如下: * 高速稳定及专利自动决定范围量测与传送,通过性高 * 数字测量方式及每点高达4000笔数据搜集,表现良好重复性及再现性 * Windows 操作接口及软件操作简单 * 新制程表现佳(铜制程低电阻率1.67mΩ-cm及Implant高电阻2KΩ/□以上,皆可达成高精确度及重复性) * 体积小,占无尘室面积少 * 校正简单,且校正周期长 * 可配合客户需求,增强功能与适用性 * 300mm 机种可以装2~4个量测头,并且可以Recipe设定更换.CDE 提供自动计算机量测的四点探针阻值量测机台。快速,精确与软件控制下针、软件功能可最佳化下针压力,即使薄片量测也不易破裂。自动清针(Probe Conditioning) 动作,双针头切换。太阳能使用可支持自动Loader,300mm 机台可使用Front End,最多扩充3个量测单元,支持Semi标准接口。CDE ResMap–CDE 公司生产之电阻值测试系统是以四探针的工艺,以配合各半导体成光伏生产厂家进出之生产品质监控,超卓可靠又简易操作的设备是半导体及光伏生产厂家不可缺少的。美国CDE公司的四探针/方块电阻/电阻率测试设备:178(最普及型号) 测量尺寸:晶圆尺寸:2-8寸(273系列可测量大至12寸晶圆,575系列可测量大至450mm 18寸晶圆)世界首款! 方形片:大至156mm X 156mm 或125mm X 125mm 测量范围: 0.001欧姆/平方 至 500000欧姆/平方(标准型) 测量方式: 电脑程序自动测量,或不连电脑单测量主机也可实现测量和数据显示,此时非常适合测试不规整样片单点测量,适合实际研究需要。 测量的数据: 方块电阻/电阻率/薄膜厚度,根据具体应用可以设置不同测量程序。 测量的点数: 程序编排任意测量点位置及测量点数量,对应不同客户不同测量要求任意编程测量点位置与数量。 测量的精确度:0.1% (标准模阻); 测量重复性:重复性≤ ±0.02% (静态或者标准电阻) 测量速度:49点/分钟; 测量数据处理:根据需要显示2D,3D数值图,或按要求统计并输出Excel格式文件; 边缘修正:具有边缘修正功能,即片子边缘1.5mm以内区域都能测量; 软件控制下针:快速,精确与软件控制下针、软件功能可最佳化下针压力,即使薄片量测也不易破裂。自动清针(Probe Conditioning) 动作,双针头切换。 探针压力可调范围:软件控制,90-200克之间可调; 可供选择的探头类型:根据测试不同工艺要求有A, B,K, M, N等相关型号探头选择,另外还可提供专门为客户定制的应用特殊要求的探针. 太阳能使用可支持自动Loader,300mm 机台可使用Front End,最多扩充3个量测单元,支持Semi标准接口。 设备应用:IC FAB/FP dispaly/LED:扩散,离子注入等掺杂工艺监控调试,薄膜电阻率或厚度测量等工序,如Apple ADL Engineering, Inc.ADL Engineering, Inc.Air ProductsAixtron, Inc.AmkorAmkor Technology Singapore Holding Pte. LtdApplied Materials, Inc.ASEASM Microchemistry Ltd.ATMIAtotechAvantor Performance MaterialsBeijing NMC Co., Ltd.ChipBond ChipMOS Clarkson UniversityFujimi CorporationISMI Giraffe Microelectronics Co. Ltd. (Qinghua University)Hionix Hynix IBM Inter molecularJiangSu Lam Research Lam Research SEZ/AusLeading Precision, Inc Maxim Integrated ProductsMEMC Northrop Grumman PacTechPowertech Technology Inc. Siltronic Samsung Wafer Pte. Ltd.Siltronic Spansion SPIL SUMCO TEL NEXX, Inc.TSMC University of CaliforniaIntel,IBM,Motorola,TSMC,CSMC,Applied Materials,Sematech,Linear Technology,Tokyo Electronics,Delco Electronics,Lite-On Power,Goldstar,Korea Electronics,Posco Huls,SGS-Thomson,CarborundumCodeon,TRW Space&Electronics,Dynamic Research,EKC Technology,Hughes Aircraft,International Rectifier,LG Display,Semitech,Winbond,,Osram,...中国购买用户:科研客户:清华大学 北京大学 上海交通大学 天津大学 浙江大学 中山大学 浙江师范大学 ?复旦大学 北京师范大学 河北大学 。。。。。。Resmap178Resmap178型四点探针测试仪是专门为光伏电池生产企业设计的一款产品。提供可靠,准确和重复性好的四点探针测试技术。Resmap178已经在太阳能电池衬底和导电薄膜上证明了其测试电阻率的可靠能力。 提供NIST标准片6片!产品特点:操作简单、快速精确电阻测量范围:1 mΩ/ - 5 MΩ/典型应用:非晶硅/微晶硅和导电膜电阻率测量;选择性发射极扩散片;表面钝化片;交叉指样PN结扩散片;新型电极设计,如电镀铜电阻测量等美国CDE专利技术: 可针对材料(不同材料、软硬薄膜或离子植入深或浅等条件,对下针状况最佳化。而此功能是可由软见操作,可有0.01mm 的分辨率,而非麻烦的硬件调整。美国CDE专利技术: 可针对材料(不同材料、软硬薄膜或离子植入深或浅等条件,对下针状况最佳化。而此功能是可由软见操作,可有0.01mm 的分辨率,而非麻烦的硬件调整。测试性能指标:探针材料 WC探头寿命 500W次测量:电阻率面扫描2D,3D图: 成功案例-美国CDE四探针测试仪感谢以下客户购买美国美国CDE四探针测试仪作为半导体行业四探针测试仪测试标准之一,购买美国CDE 四探针测试仪的单位非常多。 最近购买用户 科研客户:清华大学,天津大学,浙江大学 中山大学 浙江师范大学 复旦大学 北京师范大学 河北大学 。。。。。。 企业客户:上海超日太阳能 卡姆丹克太阳能 南玻光伏 荣马新能源 山东润峰电力 江苏腾晖电力 晶澳太阳能 海润光伏 常州比太 苏州阿特斯 西安隆基 高佳太阳能 江西旭阳雷迪 无锡尚德 武汉珈伟光伏 苏州中导光电 常州天合 。。。。。。不能一一列举敬请谅解
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  • 50多项国际四探针测试仪领域的专利,保证业内技术领先!1.业界最高重复性,重复性≤ ±0.02% (静态或者标准电阻) 2.扫描速度最快的四探针电阻率测试仪:一分钟49个测量点 3.最小边缘修正:即片子边缘1.5mm以内区域都能测量 美国Creative Design Engineering, 简称“CDE”,成立于1995年,位于美国加州硅谷的库比蒂诺 - Cupertino, CDE公司专注于四探针设备的生产和销售,累计销量达1000台以上,遍布世界各大半导体Fab, 太阳能光伏企业,大学及科研机构,“CDE”是四探针领域的领导品牌。CDE的使命是开发和制造生产高价值的,高性能,成本低为半导体制计量产品及相关行业CDE已制造并交付了超过1000 套resmap电阻率测试系统,大约24%用于 300mm测量。最近,该公司已交付的太阳能电池的开发和生产支持多个单位。CDE是位于硅谷的心脏地带,提供世界范围内的销售和服务代表网络支持。特点简述:CDE ResMap的特点如简述如下: * 高速稳定及专利自动决定范围量测与传送,通过性高 * 数字测量方式及每点高达4000笔数据搜集,表现良好重复性及再现性 * Windows 操作接口及软件操作简单 * 新制程表现佳(铜制程低电阻率1.67mΩ-cm及Implant高电阻2KΩ/□以上,皆可达成高精确度及重复性) * 体积小,占无尘室面积少 * 校正简单,且校正周期长 * 可配合客户需求,增强功能与适用性 * 300mm 机种可以装2~4个量测头,并且可以Recipe设定更换.CDE 提供自动计算机量测的四点探针阻值量测机台。快速,精确与软件控制下针、软件功能可最佳化下针压力,即使薄片量测也不易破裂。自动清针(Probe Conditioning) 动作,双针头切换。太阳能使用可支持自动Loader,300mm 机台可使用Front End,最多扩充3个量测单元,支持Semi标准接口。CDE ResMap–CDE 公司生产之电阻值测试系统是以四探针的工艺,以配合各半导体成光伏生产厂家进出之生产品质监控,超卓可靠又简易操作的设备是半导体及光伏生产厂家不可缺少的。美国CDE公司的四探针/方块电阻/电阻率测试设备:178(最普及型号) 测量尺寸:晶圆尺寸:2-8寸(273系列可测量大至12寸晶圆,575系列可测量大至450mm 18寸晶圆)世界首款! 方形片:大至156mm X 156mm 或125mm X 125mm 测量范围: 0.001欧姆/平方 至 500000欧姆/平方(标准型) 测量方式: 电脑程序自动测量,或不连电脑单测量主机也可实现测量和数据显示,此时非常适合测试不规整样片单点测量,适合实际研究需要。 测量的数据: 方块电阻/电阻率/薄膜厚度,根据具体应用可以设置不同测量程序。 测量的点数: 程序编排任意测量点位置及测量点数量,对应不同客户不同测量要求任意编程测量点位置与数量。 测量的精确度:0.1% (标准模阻); 测量重复性:重复性≤ ±0.02% (静态或者标准电阻) 测量速度:49点/分钟; 测量数据处理:根据需要显示2D,3D数值图,或按要求统计并输出Excel格式文件; 边缘修正:具有边缘修正功能,即片子边缘1.5mm以内区域都能测量; 软件控制下针:快速,精确与软件控制下针、软件功能可最佳化下针压力,即使薄片量测也不易破裂。自动清针(Probe Conditioning) 动作,双针头切换。 探针压力可调范围:软件控制,90-200克之间可调; 可供选择的探头类型:根据测试不同工艺要求有A, B,K, M, N等相关型号探头选择,另外还可提供专门为客户定制的应用特殊要求的探针. 太阳能使用可支持自动Loader,300mm 机台可使用Front End,最多扩充3个量测单元,支持Semi标准接口。 设备应用:IC FAB/FP dispaly/LED:扩散,离子注入等掺杂工艺监控调试,薄膜电阻率或厚度测量等工序,如Apple ADL Engineering, Inc.ADL Engineering, Inc.Air ProductsAixtron, Inc.AmkorAmkor Technology Singapore Holding Pte. LtdApplied Materials, Inc.ASEASM Microchemistry Ltd.ATMIAtotechAvantor Performance MaterialsBeijing NMC Co., Ltd.ChipBond ChipMOS Clarkson UniversityFujimi CorporationISMI Giraffe Microelectronics Co. Ltd. (Qinghua University)Hionix Hynix IBM Inter molecularJiangSu Lam Research Lam Research SEZ/AusLeading Precision, Inc Maxim Integrated ProductsMEMC Northrop Grumman PacTechPowertech Technology Inc. Siltronic Samsung Wafer Pte. Ltd.Siltronic Spansion SPIL SUMCO TEL NEXX, Inc.TSMC University of CaliforniaIntel,IBM,Motorola,TSMC,CSMC,Applied Materials,Sematech,Linear Technology,Tokyo Electronics,Delco Electronics,Lite-On Power,Goldstar,Korea Electronics,Posco Huls,SGS-Thomson,CarborundumCodeon,TRW Space&Electronics,Dynamic Research,EKC Technology,Hughes Aircraft,International Rectifier,LG Display,Semitech,Winbond,,Osram,...中国购买用户:科研客户:清华大学 北京大学 上海交通大学 天津大学 浙江大学 中山大学 浙江师范大学 ?复旦大学 北京师范大学 河北大学 。。。。。。Resmap178Resmap178型四点探针测试仪是专门为光伏电池生产企业设计的一款产品。提供可靠,准确和重复性好的四点探针测试技术。Resmap178已经在太阳能电池衬底和导电薄膜上证明了其测试电阻率的可靠能力。 提供NIST标准片6片!产品特点:操作简单、快速精确电阻测量范围:1 mΩ/ - 5 MΩ/典型应用:非晶硅/微晶硅和导电膜电阻率测量;选择性发射极扩散片;表面钝化片;交叉指样PN结扩散片;新型电极设计,如电镀铜电阻测量等美国CDE专利技术: 可针对材料(不同材料、软硬薄膜或离子植入深或浅等条件,对下针状况最佳化。而此功能是可由软见操作,可有0.01mm 的分辨率,而非麻烦的硬件调整。美国CDE专利技术: 可针对材料(不同材料、软硬薄膜或离子植入深或浅等条件,对下针状况最佳化。而此功能是可由软见操作,可有0.01mm 的分辨率,而非麻烦的硬件调整。测试性能指标:探针材料 WC探头寿命 500W次测量:电阻率面扫描2D,3D图: 成功案例-美国CDE四探针测试仪感谢以下客户购买美国美国CDE四探针测试仪作为半导体行业四探针测试仪测试标准之一,购买美国CDE 四探针测试仪的单位非常多。 最近购买用户 科研客户:清华大学,天津大学,浙江大学 中山大学 浙江师范大学 复旦大学 北京师范大学 河北大学 。。。。。。 企业客户:上海超日太阳能 卡姆丹克太阳能 南玻光伏 荣马新能源 山东润峰电力 江苏腾晖电力 晶澳太阳能 海润光伏 常州比太 苏州阿特斯 西安隆基 高佳太阳能 江西旭阳雷迪 无锡尚德 武汉珈伟光伏 苏州中导光电 常州天合 。。。。。。不能一一列举敬请谅解
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  • FT-340系列双电测电四探针方阻电阻率测试仪应用说明:覆盖膜 导电高分子膜,高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层,电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料,其他半导体材料、薄膜材料方阻测试硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻 半导体材料/晶圆、太阳能电池、电子元器件,导电薄膜(ITO导电膜玻璃等),金属膜,导电漆膜,蒸发铝膜,PCB铜箔膜,EMI涂层等物质的薄层电阻与电阻率 导电性油漆,导电性糊状物,导电性塑料,导电性橡胶,导电性薄膜,金属薄膜, EMI 防护材料,导电性纤维,导电性陶瓷等,提供中文或英文两种语言操作界面选择,二.描述:采用四探针组合双电测量方法,液晶显示,自动测量,自动量程,自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出;选配:PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换,进行两次电测量,对数据进行双电测分析,解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响 规格型号FT-341FT-342FT-343FT-345FT-346FT-3471.方块电阻 10-5~2×105Ω/□10-4~2×105Ω/□10-3~2×105Ω/□10-3~2×104Ω /□10-2~2×105Ω/□10-2~2×104Ω/□2.电阻率 10-6~2×106Ω-cm10-5~2×106Ω-cm10-4~2×106Ω-cm10-4~2×105Ω-cm10-3~2×106Ω-cm10-3~2×106Ω-cm3.测试电流 0.1μA.μA.0μA,100μA,1mA,10mA,100mA1μA,10μA,100μA,1mA,10mA,100mA0.1μA.μA,10μA,100μA,1mA,10mA,100 mA1μA,10μA,100μA,1mA,10mA,100mA0.1μA、1μA、10μA,100μA,1mA,10mA,100mA1μA,10μA,100μA,1mA,10mA,100mA4.电流精度 ±0.1% ±0.2% ±0.2% ±0.3% ±0.3% ±0.3% 5.电阻精度 ≤0.3% ≤0.3% ≤0.3% ≤0.5% ≤0.5% ≤0.5% 6.显示读数屏液晶显示:电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式双电测量8.电源输入: AC 220V±10%.50Hz 功 耗:30W 9.误差≤3%(标准样片结果)10.选购功能选购1.pc软件; 选购2.方形探头; 选购3.直线形探头; 选购4.测试平台;5.标准电阻.111.测试探头探针间距选购:1mm;2mm;3mm三种规格 探针材质选购:碳化钨针 白钢针;镀金磷铜半球形针
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  • FT-3110系列全自动四探针测试仪一.功能描述:四点探针法,全自动化运行测量系统,PC软件采集和数据处理;参照A.S.T.M 标准方法测试半导体材料电阻率和方块电阻;可设定探针压力值、测试点数、多种测量模式选择;真空环境,可显示:方阻、电阻率、显示2D,3D扫描/数值图、温湿度值、提供标准校准电阻件. 报表输出数据统计分析.二.适用范围晶圆、非晶硅/微晶硅和导电膜电阻率测量;选择性发射极扩散片;表面钝化片;交叉指样PN结扩散片;新型电极设计,如电镀铜电阻测量等;半导体材料分析,铁电材料,纳米材料,太阳能电池,LCD,OLED,触摸屏等. 三.技术参数: 规格型号FT-3110AFT-3110B1.电阻10^-5~2×10^5Ω10^-6~2×10^5Ω2.方块电阻 10^-5~2×10^5Ω/□10^-6~2×10^5Ω/□3.电阻率 10^-6~2×10^6Ω-cm10-7~2×106Ω-cm4.测试电流 0.1μA.μA.0μA,100μA,1mA, 10mA,100mA1A、100mA、10mA、1mA、100uA、10uA、1uA、0.1uA5.电流精度 ±0.1% 6.电阻精度 ≤0.3%7.PC软件操作PC软件界面:电阻、电阻率、电导率、方阻、温度、单位换算、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、2D、3D图谱、压力、报表生成等8.压力范围:探针压力可调范围:软件控制,100-500g可调9.探针针间绝缘电阻:≥1000MΩ;机械游移率:≤0.3%圆头铜镀金材质,探针间距1mm;2mm;3mm选配,其他规格可定制10.可测晶片尺寸选购 晶圆尺寸:2-12寸(6寸150mm,12寸300mm);方形片:大至156mm X 156mm 或125mm X 125mm11.分析模式单点、五点、九点、多点、直径扫描、面扫描等模式的自动测试12.加压方式测量重复性:重复性≤3% 13.安全防护具有限位量程和压力保护 误操作和急停防护 异常警报14.测试环境真空15.电源输入: AC 220V±10%.50Hz 功 耗:100W 16.选购项目电脑和打印机
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  • FT-3110系列全自动四探针测试仪一.功能描述:四点探针法,全自动化运行测量系统,PC软件采集和数据处理;参照A.S.T.M 标准方法测试半导体材料电阻率和方块电阻;可设定探针压力值、测试点数、多种测量模式选择;真空环境,可显示:方阻、电阻率、显示2D,3D扫描/数值图、温湿度值、提供标准校准电阻件. 报表输出数据统计分析.二.适用范围晶圆、非晶硅/微晶硅和导电膜电阻率测量;选择性发射极扩散片;表面钝化片;交叉指样PN结扩散片;新型电极设计,如电镀铜电阻测量等;半导体材料分析,铁电材料,纳米材料,太阳能电池,LCD,OLED,触摸屏等. 三.技术参数: 规格型号FT-3110AFT-3110B1.电阻10^-5~2×10^5Ω10^-6~2×10^5Ω2.方块电阻 10^-5~2×10^5Ω/□10^-6~2×10^5Ω/□3.电阻率 10^-6~2×10^6Ω-cm10-7~2×106Ω-cm4.测试电流 0.1μA.μA.0μA,100μA,1mA, 10mA,100mA1A、100mA、10mA、1mA、100uA、10uA、1uA、0.1uA5.电流精度 ±0.1% 6.电阻精度 ≤0.3%7.PC软件操作PC软件界面:电阻、电阻率、电导率、方阻、温度、单位换算、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、2D、3D图谱、压力、报表生成等8.压力范围:探针压力可调范围:软件控制,100-500g可调9.探针针间绝缘电阻:≥1000MΩ;机械游移率:≤0.3%圆头铜镀金材质,探针间距1mm;2mm;3mm选配,其他规格可定制10.可测晶片尺寸选购 晶圆尺寸:2-12寸(6寸150mm,12寸300mm);方形片:大至156mm X 156mm 或125mm X 125mm11.分析模式单点、五点、九点、多点、直径扫描、面扫描等模式的自动测试12.加压方式测量重复性:重复性≤3% 13.安全防护具有限位量程和压力保护 误操作和急停防护 异常警报14.测试环境真空15.电源输入: AC 220V±10%.50Hz 功 耗:100W 16.选购项目电脑和打印机
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  • 四探针,四探针测试仪,表面电阻测试仪,电阻率测试仪,方阻计,方阻仪,FT-361超低阻双电四探针测试仪一、概述:本品为解决四探针法测试超低阻材料方阻及电阻率,最小可以测试到1uΩ方阻值,是目前同行业中能测量到的最小值,采用高精度AD芯片控制,恒流输出,结构合理、质量轻便,运输安全、使用方便;适用于生产企业、高等院校、科研部门,是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示,无需人工计算,并带有温度补偿功能,电阻率单位自动选择,仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程,无需人工多次和重复设置。选配:配备软件可以由电脑操控,并保存和打印数据,自动生成报表;本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示,同时显示液晶显示:电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率,配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换,进行两次电测量,对数据进行双电测分析,自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响,它与单电测直线或方形四探针相比,大大提高精确度,特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。选购:本机还可以配合各类环境温度试验箱体使用,通过不同的测量治具满足不同环境温度下测量方阻和电阻率的需求.二、广泛用于:覆盖膜 导电高分子膜,高、低温电热膜 隔热、防辐射导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层,电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料,其他半导体材料、薄膜材料方阻测试硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻 半导体材料/晶圆、太阳能电池、电子元器件,导电薄膜(ITO导电膜玻璃等),金属膜,导电漆膜,蒸发铝膜,PCB铜箔膜,EMI涂层等物质的薄层电阻与电阻率 导电性油漆,导电性糊状物,导电性塑料,导电性橡胶,导电性薄膜,金属薄膜,抗静电材料, EMI 防护材料,导电性纤维,导电性陶瓷等 三、参数资料1.方块电阻范围:10-6~2×102Ω/□2.电阻率范围:10-7~2×103Ω-cm3.测试电流范围:0.1μA ,1μA,10μA,100μA.4.电流精度:±0.1%读数5.电阻精度:≤0.3%6.显示读数:液晶显示:电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率.7.测试方式: 双电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗:30W9.整机不确定性误差: ≤4%(标准样片结果)10.选购功能: 选购1.pc软件; 2.方形探头; 3.直线形探头; 4.测试平台11.测试探头: 探针间距选购:1mm;2mm;3mm三种规格 探针材质选购:碳化钨针 白钢针;镀金磷铜半球形针ROOKO/瑞柯品牌,来自瑞柯仪器公司,一个专注于改变人们生活方式和品质的企业. 专业与精致并重;优秀与智慧之原
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  • 多功能四探针测试仪,数字式四探针测试仪FT-341双电测电四探针方阻电阻率测试仪本仪器本仪器采用四探针双电测量方法,适用于生产企业、高等院校、科研部门,是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示,无需人工计算,并带有温度补偿功能,电阻率单位自动选择,仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程,无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制,恒流输出,结构合理、质量轻便,运输安全、使用方便;选配:配备软件可以由电脑操控,并保存和打印数据,自动生成报表;本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示,同时显示液晶显示:电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率,配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换,进行两次电测量,对数据进行双电测分析,自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响,它与单电测直线或方形四探针相比,大大提高精确度,特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。参数资料1.方块电阻范围:10-5~2×105Ω/□2.电阻率范围:10-5~2×106Ω-cm3.测试电流范围:0.1μA ,1μA,10μA,100μA,1mA,10mA,100 mA4.电流精度:±0.1%读数5.电阻精度:≤0.3%6.显示读数:液晶显示:电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式: 双电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗:30W9.整机不确定性误差: ≤4%(标准样片结果)10.选购功能: 选购1.pc软件;选购2.方形探头; 选购3.直线形探头; 选购4.测试平台11.测试探头: 探针间距选购:1mm;2mm;3mm三种规格 探针材质选购:碳化钨针 白钢针;镀金磷铜半球形针ROOKO/瑞柯品牌,来自瑞柯仪器公司,一个专注于改变人们生活方式和品质的企业. 专业与精致并重;优秀与智慧之原 FT-342双电测电四探针方阻电阻率测试仪本仪器本仪器采用四探针双电测量方法,适用于生产企业、高等院校、科研部门,是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示,无需人工计算,并带有温度补偿功能,电阻率单位自动选择,仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程,无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制,恒流输出,结构合理、质量轻便,运输安全、使用方便;选配:配备软件可以由电脑操控,并保存和打印数据,自动生成报表;本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示,同时显示液晶显示:电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率,配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换,进行两次电测量,对数据进行双电测分析,自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响,它与单电测直线或方形四探针相比,大大提高精确度,特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。参数资料1.方块电阻范围:10-4~2×103Ω/□2.电阻率范围:10-5~2×104Ω-cm3.测试电流范围:10μA,100μA,1mA,10mA,100 mA4.电流精度:±0.2%读数5.电阻精度:≤0.3%6.显示读数:液晶显示:电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式: 双电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗:30W9.整机不确定性误差: ≤4%(标准样片结果)10.选购功能: 选购1.pc软件;选购2.方形探头; 选购3.直线形探头; 选购4.测试平台11.测试探头: 探针间距选购:1mm;2mm;3mm三种规格 探针材质选购:碳化钨针 白钢针;镀金磷铜半球形针ROOKO/瑞柯品牌,来自瑞柯仪器公司,一个专注于改变人们生活方式和品质的企业. 专业与精致并重;优秀与智慧之原
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  • 双电测电四探针方阻电阻率测试仪环境要求环境温度为23℃±1℃,相对湿度不大于65%。干扰因素光照可能严重影响观察电阻率,特别是近似本征材料。因此,所有测试应在暗室进行,除非是待测样品对周围的光不敏感。3.2当仪器放置在高频于扰源附近时,测试回路中会引入虚假电流,因此仪器要有电磁屏蔽。3.3试样中电场强度不能过大,以避免少数载流子注入。如果使用的电流适当,则用该电流的两倍或一半时,引起电阻率的变化应小于0.5%。3.4由于电阻率受温度影响,一般测试适用温度为23℃±1 ℃.3.5对于厚度对测试的影响,仲裁测量要求厚度按本方法的6.3规定测量,一般测量用户可以根据实际需要确定厚度的要求偏差。3.6由于探针压力对测量结果有影响,测量时应选择合适的探针压力。3.7仲裁测量时选择探针间距为1.59mm,非仲裁测量可选择其他探针间距。4方法提要直排四探针测量示意图5测量仪器5.1探针装置由以下几部分组成。5.1.1探针用钨,碳化钨或高速钢等金属制成,针尖呈尽可能使用非导电的工作桌工作台。操作人员和待测物之间不得使用任何金属。操作人员的位置不得有跨越待测物去操作或调整测试仪器的现象。测试场所必须随时保持整齐、干净,不得杂乱无章。测试站及其周边之空气中不能含有可燃气体或在易燃物质。4.3.4人员资格本仪器为精密仪器,必须由训练合格的人员使用和操作。4.3.5安全守则操作人员必须随时给予教育和训练,使其了解各种操作规则的重要性,并依安全规则操作。圆锥型,夹角为45°~150*,尖端初始标称半径为25 μm~50 μm。5.1.2探针压力,每根探针压力为1.75 N士0.25 N或4.0N±0.5N,分别用于硅单晶棒的电阻率测量,也可选择其他合适的探针压力。5.1.3绝缘性,一探针(包括连接弹簧和外部引线)与任何其他探针或装置任一部分之间绝缘电阻大于10’Ω.5.1.4探针排列和间距,四根探针的尖端应成等间距直线排列。仲裁测量时,探针间距(相邻探针之间的距离)标称值应为1.59mm。其他标称间距如1.00mm和0.6mm用于非仲裁测量,探针间距按7.2测定。5.1.5探针架,能在针尖几乎无横向移动的情况下使探针下降到试样表面.双电测电四探针方阻电阻率测试仪技术参数:1.电阻率:10-5~2×106Ω-cm2.电 阻:10-5~2×106Ω3.电导率:5×10-6~105ms/cm4.分辨率: 小0.1μΩ测量误差±(0.05%读数±5字)5.测量电压量程: 2mV 20mV 200mV 2V 测量精度±(0.1%读数)6.分辨率: 0.1uV 1uV 10uV 100uV7.电流输出:直流电流 0~1000mA 连续可调,由交流电源供电。量程:1μA,10μA,100µ A,1mA,10mA,1000mA, 误差:±0.2%读数±2字8.显示方式:液晶显示电阻值、电阻率、电导率值、温度、压强值、单位自动换算9.传感器压力:200kg (其他规格可以定制)10.粉末测量装置 模具:内径10mm;高:25mm;加压方式:手动液压加压/自动加压方式11.电源:220±10% 50HZ/60HZ12.主机外形尺寸:330mm*350mm*120mm双电测电四探针方阻电阻率测试仪安全要点● 非合格的操作人员和不相关的人员应远离测试区。● 万一发生问题,请立即关闭电源并及时处理故障原因。双电测电四探针方阻电阻率测试仪衣着规定操作人员不可穿有金属装饰的衣服或戴金属手饰和手表等,这些金属饰物很容易造成意外的感电。4.3.7医学规定绝对不能让有心脏病或配戴心律调整器的人员操作。4.4测试安全程序规定 一定要按照规定程序操作。操作人员必须确定能够完全自主掌控各部位的控制开关和功能。双电测电四探针方阻电阻率测试仪操作流程和测试步骤1.使用前期准备--测试前准备工作:1.1.开机预热:将220V电源插头插入电源插座,打开电源开关,让仪器预热15分钟,保证测试数据稳定。若测试仪无法正常启动,请按以下步骤检查:①检查电源线是否接触良好;②检查后面板上的电源开关是否已经打开③检查保险丝是否熔断,如有必要,请更换保险丝④_x0001_ 如经上述检查无误后,测试仪仍未正常启动,请联系本公司进行解决。
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  • 操作流程和测试步骤1.使用前期准备--测试前准备工作:1.1.开机预热:将220V电源插头插入电源插座,打开电源开关,让仪器预热15分钟,保证测试数据稳定。若测试仪无法正常启动,请按以下步骤检查:①检查电源线是否接触良好;②检查后面板上的电源开关是否已经打开③检查保险丝是否熔断,如有必要,请更换保险丝④ 如经上述检查无误后,测试仪仍未正常启动,请联系本公司进行解决。1.2.准备好被测物,链接好测试探头,把测试探头接口与主机接口相连接,并锁定,防止松动或接触不良而对测试结果造成影响.1.3.接通电源,开启电源开关,待仪器液晶显示屏上显示出厂家和产品信息后,如图3,按“显示”键进入,1.4.进入测试功能界面如图4、图5;如测试方阻时,请选择液晶显示屏又侧对应 的功能按键“方阻”,则进入方阻测试界面;如测试其他材料时,请选择“材料”则进入材料电阻,电阻率,电导率测试仪界面。1.5.设置好被测物所需之参数,把被测物放于测试治具平台上操作,测试完毕直接显示测试数据。如配置软件,软件操作说明书同安装软件在一起,请注意查看操作步骤.1.双电测四探针法测试薄层样品方阻计算和测试原理如下:直线四探针测试布局如图8,相邻针距分别为S1、S2、S3,根据物理基础和电学原理:当电流通过1、4探针,2、3探针测试电压时计算如下:四探针测试结构当电流通过1、2探针,4、3探针测试电压时计算如下:从以上计算公式可以看出:方阻RS只取决于R1和R2,与探针间距无关.针距相等与否对RS的结果无任何影响,本公司所生产之探针头全部采用等距,偏差微小,对测试结果更加精准。
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  • 操作流程和测试步骤1.使用前期准备--测试前准备工作:1.1.开机预热:将220V电源插头插入电源插座,打开电源开关,让仪器预热15分钟,保证测试数据稳定。若测试仪无法正常启动,请按以下步骤检查:①检查电源线是否接触良好;②检查后面板上的电源开关是否已经打开③检查保险丝是否熔断,如有必要,请更换保险丝④ 如经上述检查无误后,测试仪仍未正常启动,请联系本公司进行解决。1.2.准备好被测物,链接好测试探头,把测试探头接口与主机接口相连接,并锁定,防止松动或接触不良而对测试结果造成影响.1.3.接通电源,开启电源开关,待仪器液晶显示屏上显示出厂家和产品信息后,如图3,按“显示”键进入,1.4.进入测试功能界面如图4、图5;如测试方阻时,请选择液晶显示屏又侧对应 的功能按键“方阻”,则进入方阻测试界面;如测试其他材料时,请选择“材料”则进入材料电阻,电阻率,电导率测试仪界面。1.5.设置好被测物所需之参数,把被测物放于测试治具平台上操作,测试完毕直接显示测试数据。如配置软件,软件操作说明书同安装软件在一起,请注意查看操作步骤.以下分别讲解方阻和材料测试的设置四探针双电方阻测试步骤上述步骤中1项,使用前期准备把被测物测试所需要之参数数据设定:依据不同之测试样品,选择被测试电流,电流设置:按方向键移动光标至“电流”功能,按“设置”键进入;再按“左右”方向键选择电流数据,选择完毕后按“确定”键进行确认。按照以上步骤和方法选择电压、长度单位、探针形状设定、温度.探针间距数据的输入,探针间距出厂时已经标定,无需再次测量,探针头上有详细的探针数据资料,探针间距的设置:将光标移动至“探针间距”按“设置”键进入,通过面板上面的“数字”按键输入数据按“确定”键进行确认;按照以上方法和步骤设定”厚度“,注意厚度和探针间距修正系数表已经设置在仪器程序中,自动修正,无需再次输入和查询表格。
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  • 四探针双电方阻测试步骤上述步骤中1项,使用前期准备把被测物测试所需要之参数数据设定:依据不同之测试样品,选择被测试电流,电流设置:按方向键移动光标至“电流”功能,按“设置”键进入;再按“左右”方向键选择电流数据,选择完毕后按“确定”键进行确认。按照以上步骤和方法选择电压、长度单位、探针形状设定、温度.探针间距数据的输入,探针间距出厂时已经标定,无需再次测量,探针头上有详细的探针数据资料,探针间距的设置:将光标移动至“探针间距”按“设置”键进入,通过面板上面的“数字”按键输入数据按“确定”键进行确认;按照以上方法和步骤设定”厚度“,注意厚度和探针间距修正系数表已经设置在仪器程序中,自动修正,无需再次输入和查询表格。操作流程和测试步骤1.使用前期准备--测试前准备工作:1.1.开机预热:将220V电源插头插入电源插座,打开电源开关,让仪器预热15分钟,保证测试数据稳定。若测试仪无法正常启动,请按以下步骤检查:①检查电源线是否接触良好;②检查后面板上的电源开关是否已经打开③检查保险丝是否熔断,如有必要,请更换保险丝④ 如经上述检查无误后,测试仪仍未正常启动,请联系本公司进行解决。1.2.准备好被测物,链接好测试探头,把测试探头接口与主机接口相连接,并锁定,防止松动或接触不良而对测试结果造成影响.1.3.接通电源,开启电源开关,待仪器液晶显示屏上显示出厂家和产品信息后,如图3,按“显示”键进入,1.4.进入测试功能界面如图4、图5;如测试方阻时,请选择液晶显示屏又侧对应 的功能按键“方阻”,则进入方阻测试界面;如测试其他材料时,请选择“材料”则进入材料电阻,电阻率,电导率测试仪界面。1.5.设置好被测物所需之参数,把被测物放于测试治具平台上操作,测试完毕直接显示测试数据。如配置软件,软件操作说明书同安装软件在一起,请注意查看操作步骤.
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  • FT-346双电测电四探针方阻电阻率测试仪本仪器本仪器采用四探针双电测量方法,适用于生产企业、高等院校、科研部门,是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示,无需人工计算,并带有温度补偿功能,电阻率单位自动选择,仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程,无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制,恒流输出,结构合理、质量轻便,运输安全、使用方便;选配:配备软件可以由电脑操控,并保存和打印数据,自动生成报表;本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示,同时显示液晶显示:电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率,配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换,进行两次电测量,对数据进行双电测分析,自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响,它与单电测直线或方形四探针相比,大大提高精确度,特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。参数资料1.方块电阻范围:10-2~2×105Ω/□2.电阻率范围:10-3~2×106Ω-cm3.测试电流范围:0.1μA,1μA,10μA,100μA,1mA,10mA,100 mA4.电流精度:±0.3%读数5.电阻精度:≤0.5%6.显示读数:液晶显示:电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式: 双电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗:30W9.整机不确定性误差: ≤4%(标准样片结果)10.选购功能: 选购1.pc软件;选购2.方形探头; 选购3.直线形探头; 选购4.测试平台11.测试探头: 探针间距选购:1mm;2mm;3mm三种规格 探针材质选购:碳化钨针 白钢针;镀金磷铜半球形针
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  • 四探针测试仪FT-330系列普通四探针方阻电阻率测试仪按照硅片电阻率测量的国际标准(ASTM F84)及国家标准设计制造该仪器设计符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国 A.S.T.M 标准,本机配置232电脑接口及USB两种接口,本机采用范德堡测量原理能改善样品因几何尺寸、边界效应、探针不等距和机械游移等外部因素对测量结果的影响及误差,比市场上其他普通的四探针测试方法更加完善和进步,特别是方块电阻值较小的产品测量,更加准确.本仪器本仪器采用四探针单电测量法适用于生产企业、高等院校、科研部门,是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示,无需人工计算,并带有温度补偿功能,电阻率单位自动选择,仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程,无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制,恒流输出,结构合理、质量轻便,运输安全、使用方便;选配:配备软件可以由电脑操控,并保存和打印数据,自动生成报表;本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示,同时显示液晶显示:电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率,配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购. 规格型号FT-331FT-332FT-333FT-334FT-335FT-3361.方块电阻范围10-5~2×105Ω/□10-4~2×103Ω/□10-3~2×105Ω/□10-3~2×103Ω/□10-2~2×105Ω/□10-2~2×103Ω/□2.电阻率范围10-6×106Ω-cm10-5×104Ω-cm10-4~2×106Ω-cm10-4~2×104-cm10-3~2×106Ω-cm10-3~2×104-cm3.测试电流范围0.1μA ,1μA,10μA,100μA,1mA,10mA,100 mA10μA,100μA,1mA,10mA,100 mA0.1μA ,1μA,10μA,100μA,1mA,10mA,100 mA10μA,100μA,1mA,10mA,100 mA0.1μA,1μA,10μA,100μA,1mA,10mA,100 mA1μA,10μA,100μA,1mA,10mA,100 mA4.电流精度±0.1%读数±0.2%读数±0.2%读数±0.3%读数±0.3%读数±0.3%读数5.电阻精度≤0.3%≤0.3%≤0.3%≤0.5%≤0.5%≤0.5%6.显示读数液晶显示:电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式普通单电测量8.工作电源输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗:30W 9.整机不确定性误差≤4%(标准样片结果)10.选购功能选购1.pc软件; 选购2.方形探头; 选购3.直线形探头; 选购4.测试平台11.测试探头探针间距选购:1mm;2mm;3mm三种规格 探针材质选购:碳化钨针 白钢针;镀金磷铜半球形针ROOKO/瑞柯品牌,来自瑞柯仪器公司,一个专注于改变人们生活方式和品质的企业. 专业与精致并重;与智慧之原 四探针测试仪四探针测试仪
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  • 超高真空低温四探针扫描探针显微镜美国RHK Technology 成立于1981 年。作为SPM 工业中的领军仪器制造商,RHK-Technology 始终保持着鲜明的特色:创新性、可靠性、产品设计的开放性与的客户支持。凭借着其优异的系统设计、精良的制造工艺、再加上与著名科学家的紧密合作,二十多年来RHK Technology 源源不断地向全科学家们输送着先进的、高精度的科学分析仪器。变温QuadraProbe UHV 4-探针SPM系统是RHK公司生产的多探针UHV SPM系统中的一种,该系统提供了多种分析功能、配备了多个超高真空室和相应的电子控制单元与软件,可以大地满足客户全面的研究应用需要。基本系统中提供了低温4探针扫描隧道显微镜(SPM),扫描电子显微镜(SEM),样品准备室和用于传输样品和针的快速进样室。其他的设备如扫描俄歇显微镜(SAM)也可选配以满足客户特别的研究需要。技术参数:- 样品温度:10K(LHe); 80K(LN2)- 扫描范围:1.5μm(300K);500nm (10K)- X,Y,Z粗进针:±1.5mm/step motion- 样品定位精度:±1.5mm- STM分辨率:四个探针均可实现HOPG的原子分辨- SEM分辨率:小于20nm- 针材料:钨或者铂、金等金属修饰的钨针。 主要特点:- 四个探针都能实现原子分辨;- 真正的样品和针低温操作(10K),得到佳的高分辨谱图;- 探针与样品立地传输与准备;- 所有探针具有先进的控制操作;- 用户可编程控制的开放性控制环境;- 制冷采用Bath Cryostat构造,大地减少了液氦的消耗;- 可升到非接触式AFM;- 样品台处配有可选择的超导磁体;- 通过光纤实现样品的光学激发。
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  • RM150A 扫描四探针测试仪 RM150A是专为科学研究设计的扫描四探针电阻测试仪,可以对不超过150mm的样品(或6英寸晶圆)进行快速、自动的扫描,获得样品不同位置的方阻/电阻率分布信息。探针头借鉴了机械钟表机芯制造工艺,使用红宝石轴承引导碳化钨探针,确保高机械精度和长使用寿命。动态测试重复性(接近真实场景)可达0.2%,为行业前沿水平1 μΩ~1MΩ的超宽测量范围可涵盖绝大部分应用场景,可广泛适用于光伏、半导体、合金、陶瓷等诸多领域。 ● 特性 * 全自动多点扫描:多种测试方案供选择,也可以自定义测试方案 * 手动任意点测量:只需提供坐标,一键测量 * 精密探针头:镶嵌红宝石轴套的探针头,保证测量的机械精度、稳定性和寿命 * 超宽测量范围:1 μΩ~1 MΩ * 样品尺寸: 150 mm*150 mm*5 mm * 测量速度: 2 秒/点 * 测量精度: ±1% * 重复性(1σ): ±0.2% (ITO标样动态测试) * 数据可视化: 彩色编码图 * 数据自动存储:存储为EXCEL文本格式,便于后期数据分析 ● 应用 * 半导体及太阳能电池(单晶硅、多晶硅、非晶硅、钙钛矿) * 液晶面板(ITO/AZO) * 功能材料(热电材料、碳纳米管、石墨烯、银纳米线、导电纤维布) * 半导体工艺(金属层/离子注入/扩散层) ● 定位精度 * 绝对定位精度:50 μm * 重复定位精度: 5 μm * 位移分辨率: 1 μm ● 探针头参数 * 探针间距:1.00 mm * 探针材料:碳化钨 * 探针压力(可选):4 N(±1N) * 机械游移: 0.3% * 宝石轴承内孔与探针间距: 6 μm ● 重复性测试 ● 外观尺寸(长*宽*高)552mm * 520 mm * 300 mm
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  • 四探针测试仪产品名称:四探针测试仪产品型号:HCTZ-2S品牌:北京华测 一、产品介绍HCTZ-2S四探针测试仪器是运用四探针测量原理的多用途综合测量设备。用于测试半导体材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)的专用仪器。仪器由主机、测试台、四探针探头、计算机等部分组成,测量数据既可由主机直接显示,亦可由计算机控制测试采集测试数据到计算机中加以分析,然后以表格,图形方式统计分析显示测试结果。HCTZ-2S双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器利用电流探针、电压探针的变换,采用两次电测量,对数据进行双电测分析,自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响,它与单电测直线或方形四探针相比,大大提高精确度,也可应用于产品检测以及新材料电学性能研究等用途。四探针软件测试系统是一个运行在计算机上拥有友好测试界面的用户程序,通过此测试程序辅助使用户简便地进行各项测试及获得测试数据并对测试数据进行统计分析。测试程序控制四探针测试仪进行测量并采集测试数据,把采集到的数据在计算机中加以分析,然后把测试数据以表格,图形直观地记录、显示出来。用户可对采集到的数据在电脑中保存或者打印以备日后参考和查看,还可以把采集到的数据输出到Excel中,让用户对数据进行各种数据分析。二、四探针测试探头1、使用几何尺寸十分精确的红宝石轴承,量具精度的硬质合金探针,在宝石导孔内运动,持久耐磨,测量精度高、重复性好。A.探头间距1.00㎜B.探针机械游率:±0.3%C.探针直径0.5㎜ D.探针材料:碳化钨,常温不生锈E探针间及探针与其他部分之间的绝缘电阻大于109欧姆。 2、手动测试架手动测试架探头上下由手动操作,可以用作断面单晶棒和硅片测试,探针头可上下移动距离:120mm,测试台面200x200(mm)。 三、产品应用HCTZ-2S四探针测试仪器采用四探针双电测量方法,适用于生产企业、高等院校、科研部门,是检验和分析导体材料和半导体材料在高温、真空及气氛条件下测量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示,无需人工计算,并带有温度补偿功能。采用高精度AD芯片控制,恒流输出,结构合理、质量轻便,配备10英寸触摸屏,软件可保存和打印数据,自动生成报表;本仪器可显示电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度、电导率,配备不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购。四、产品特点 1.TVS瞬间抑制防护技术:光耦与隔离无非是提高仪器的采集的抗干扰处理,对于闪络放电过程中的浪涌对控制系统的防护起不到作用。华测的TVS瞬间抑制防护技术,将起到对控制系统的jue对防护。 2.本仪器的特点是主机配置三个数字表,在测量电阻率的同时,一块数字表适时监测全程的电流变化,及时掌控测量电流,一块显示2、3探针间的测量电压,另一块是显示当前1、4探针测量使用的电压,可以适当调整测量电压避免材料耐压不够而电压击穿被测材料。 3.主机还提供精度为0.05%的恒流源,使测量电流高度稳定。本机配有恒流源开关,在测量某些薄层材料时,可免除探针尖与被测材料之间接触火花的发生,更好地保护薄膜。采用低通滤波电流检测技术以保证采集电流的有效值,以及电流抗干扰的屏蔽。 4.探针采用碳化钨硬质合金,硬度高、常温不生锈,探针游移率在0.1~0.2%。保证了仪器测量电阻率的重复性和准确度。本机如加配测量软件,测量硅片时可自动进行厚度、直径、探针间距的修正,并计算、打印出硅片电阻率、径向电阻率的zui大百分变化、平均百分变化、径向电阻率不均匀度,给测量带来很大方便。软件平台5.HCTZ-800系统搭配Labview系统开发的hcpro软件,具备弹性的自定义功能,可进行电压、电流。6.仪器通过USB转RS232连接线与电脑连接,软件可对四探针电阻率测量数据进行处理并修正测量数据,特定数据存储格式,显示变化曲线,兼容性:适用于通用电脑7.测试系统的软件平台hcpro,采用labview系统开发,符合导体、半导体材料的各项测试需求,具备强大的稳定性和安全性,并具备断电资料的保存功能,图像资料可保存恢复。兼容XP、win7、win10系统。五、软件功能具有试验电压设置功能;可选择试验标准可选择是否自定义或自动试验截止条件:时间/电压/电流 语音提示:可选择是否语音提示功能。统计报告:可自定报表格式可生出PDF、CSV、XLS文件格式分析功能:可对测试的数据进行统计。zui大/最小值、平均值等。 六、技术参数测量范围电 阻:1×10-4~2×105Ω, 分辨率:1×10-5~1×102Ω电阻率:1×10-4~2×105Ω-cm, 分辨率:1×10-5~2×102Ω-cm方 阻:5×10-4~2×105Ω/□, 分辨率:5×10-5~1×102Ω/□数字电压表量程:20.00mV~2000mV误差:±0.1%读数±2字数控恒流源量程:0.1μA,1μA,10μA,100μA,1mA,10mA,100mA,1A误差:±0.1%读数±2字四探针探头碳化钨探针:Ф0.5mm,直流探针间距1.0mm,探针压力:0~2kg可调薄膜方阻探针:Ф0.7mm,直流或方形探针间距2.0mm,探针压力:0~0.6kg可调 七、注意事项1、仪器操作前请您仔细阅读使用说明书,规范操作2、轻拿轻放,避免仪器震动,水平放置,垂直测量3、仪器不使用时请切断电源,连接线无需经常拔下,避免灰尘进入航空插引起短接等现象4、探针笔测试结束,套好护套,避免人为断针
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  • FT-3120 系列半自动四探针测试仪一.功能描述:四点探针标准测试方法,采用步进系统自动控制探头与样品接触,减少人为因素对测试结果的影响;参照A.S.T.M 标准;测量方块电阻、电阻率、电导率数据、PC软件采集和数据处理实现自动点测模式或手动点测模式,同一位置的重复测试或多点的面电阻测量,报表输出数据统计分析;提供标准校准电阻件.二.适用范围:晶圆、非晶硅/微晶硅和导电膜电阻率测量;选择性发射极扩散片;表面钝化片;交叉指样PN结扩散片;新型电极设计,如电镀铜电阻测量等;半导体材料分析,铁电材料,纳米材料,太阳能电池,LCD,OLED,触摸屏等. 三.技术参数: 规格型号FT-3120AFT-3120BFT-3120CFT-3120D1.电阻10^-3~2×10^4Ω10^-5~2×10^5Ω10^-6~2×10^5Ω10-4~1×107Ω2.方块电阻 10^-3~2×10^4Ω/□10^-5~2×10^5Ω/□10^-6~2×10^5Ω/□10-4~1×107Ω/□3.电阻率 10^-4~2×10^5Ω-cm10^-6~2×10^6Ω-cm10-7~2×106Ω-cm10-5~2×108Ω-cm4.测试电流 0.1μA.μA.0μA,100μA,1mA, 10mA,100mA1A、100mA、10mA、1mA、100uA、10uA、1uA、0.1uA10mA ---200pA5.电流精度 ±0.1%±2%6.电阻精度 ≤0.3%≤10%7.PC软件操作PC软件界面:电阻、电阻率、电导率、方阻、温度、单位换算、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、数据管理分析:过程数据,大、小值,均值,方差,变异系数,样品编号,测试点数统计报表生成等8.探针范围:探针压力为100-550g;依据样品接触需要手动调节9.探针针间绝缘电阻:≥1000MΩ;机械游移率:≤0.3%圆头铜镀金材质,探针间距1mm;2mm;3mm选配,其他规格可定制10.可测晶片尺寸选购 晶圆尺寸:2-12寸(6寸150mm,12寸300mm);方形片:大至156mm X 156mm 或125mm X 125mm11.分析模式自动或手动单点模式12.加压方式测量重复性:重复性≤3% 13.安全防护具有限位量程和压力保护 误操作和急停防护 异常警报14.测试环境实验室环境15.电源输入: AC 220V±10%.50Hz 功 耗:100W 16.选购项目电脑和打印机
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  • 电阻率测试仪,四探针方阻电阻率测试仪, 适用范围Widely used:1.覆盖膜 导电高分子膜,高、低温电热膜 隔热、防辐射导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层,电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料,其他半导体材料、薄膜材料方阻测试2.硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻 半导体材料/晶圆、太阳能电池、电子元器件,导电薄膜(ITO导电膜玻璃等),金属膜,导电漆膜,蒸发铝膜,PCB铜箔膜,3.EMI涂层等物质的薄层电阻与电阻率 导电性油漆,导电性糊状物,导电性塑料,导电性橡胶,导电性薄膜,金属薄膜,4.抗静电材料, EMI 防护材料,导电性纤维,导电性陶瓷等, 功能描述Description:四探针单电测量方法液晶显示,自动测量,自动量程,自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出.选配:PC软件进行数据管理和处理.提供中文或英文两种语言操作界面选择 满足标准:1.硅片电阻率测量的国际标准(ASTM F84).2.GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》.3.GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》.4.GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》. FT-343双电测电四探针方阻电阻率测试仪本仪器本仪器采用四探针双电测量方法,适用于生产企业、高等院校、科研部门,是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示,无需人工计算,并带有温度补偿功能,电阻率单位自动选择,仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程,无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制,恒流输出,结构合理、质量轻便,运输安全、使用方便;选配:配备软件可以由电脑操控,并保存和打印数据,自动生成报表;本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示,同时显示液晶显示:电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率,配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换,进行两次电测量,对数据进行双电测分析,自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响,它与单电测直线或方形四探针相比,大大提高精确度,特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。参数资料1.方块电阻范围:10-3~2×105Ω/□2.电阻率范围:10-4~2×106Ω-cm3.测试电流范围:0.1μA ,1μA,10μA,100μA,1mA,10mA,100 mA4.电流精度:±0.2%读数5.电阻精度:≤0.3%6.显示读数:液晶显示:电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式: 双电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗:30W9.整机不确定性误差: ≤4%(标准样片结果)10.选购功能: 选购1.pc软件;选购2.方形探头; 选购3.直线形探头; 选购4.测试平台11.测试探头: 探针间距选购:1mm;2mm;3mm三种规格 探针材质选购:碳化钨针 白钢针;镀金磷铜半球形针 FT-345双电测电四探针方阻电阻率测试仪本仪器本仪器采用四探针双电测量方法,适用于生产企业、高等院校、科研部门,是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示,无需人工计算,并带有温度补偿功能,电阻率单位自动选择,仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程,无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制,恒流输出,结构合理、质量轻便,运输安全、使用方便;选配:配备软件可以由电脑操控,并保存和打印数据,自动生成报表;本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示,同时显示液晶显示:电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率,配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换,进行两次电测量,对数据进行双电测分析,自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响,它与单电测直线或方形四探针相比,大大提高精确度,特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试参数资料1.方块电阻范围:10-3~2×103Ω/□2.电阻率范围:10-4~2×104Ω-cm3.测试电流范围:10μA,100μA,1mA,10mA,100 mA4.电流精度:±0.3%读数5.电阻精度:≤0.5%6.显示读数:液晶显示:电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式: 双电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗:30W9.整机不确定性误差: ≤4%(标准样片结果)10.选购功能: 选购1.pc软件;选购2.方形探头; 选购3.直线形探头; 选购4.测试平台11.测试探头: 探针间距选购:1mm;2mm;3mm三种规格 探针材质选购:碳化钨针 白钢针;镀金磷铜半球形针 四探针电阻率/方阻测试仪,四探针测量仪,探针测试仪,导体电阻,体积电阻测试仪,四探针法测电阻,方块电阻测试仪,薄膜或涂层方块电阻测试仪
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  • 高温四探针测试仪 HGTZ-800型号高温四探针测试仪器采用四探针双电测量方法,适用于生产企业、高等院校、科研部门,是检验和分析导体材料和半导体材料在高温、真空及气氛条件下测量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示,无需人工计算,并带有温度补偿功能。采用高精度AD芯片控制,恒流输出,结构合理、质量轻便,配备10英寸触摸屏,软件可保存和打印数据,自动生成报表;本仪器可显示电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电 流、电压、探针形状、探针间距、厚度、电导 率,配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购。双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器利用电流探针、电压探针的变换,进行两次电测量,对数据进行双电测分析,自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响,它与单电测直线或方形四探针相比,大大提高精确度,也可应用于产品检测以及新材料电学性能研究等用途。 HGTZ-800型号系列采用电子护系统,设备的安全性;选用热电偶保定温度的采集有效值、采用SPWM 电子升压技术,电压输出稳定性好。配备高精度电压、电流传感器以保证试验数据的有效性。 HGTZ-800型号系統搭配Labview系统开发的hcpro软件,具备弹性的自定义功能,可进行电压、电 流、温度、时间等设置,符合导体、半导体材料与其它新材料测试多样化的需求。高精度的输出与测量规格,保障检测结果的品质,适用于新材料数据的检测。例如:多晶硅材料、石墨烯材料、导电功能薄膜材料、半导体材料,也可做为科研院所新材料的耐电弧性材料的性能测试。针探针测试仪做了多项安全设计,测试过程中有过电压、过电流、超温等异常情况以保证测试过程的安全;资料保存机制:当遇到电脑异常瞬时断电可将资料保存于控制器中,不丢失试验数所新开启动后可恢复原有试验数据。 应用领域: █ 多晶硅材料█ 石墨烯材料 █ 石墨功能材料 █ 半导体材料 █ 导电功能薄膜材料 █ 锗类功能材料 █ 导电玻璃(ito)材料 █ 柔性透明导电薄膜 █ 其它导电材料等 系统功能: █ 电压、电流、温度实时显示 █ 自动升压功能 █ 循环自动测试 █ 升温速度可控 █ 自动试验报表 █ 过压、过流、超温报警 █ 软件自动升级 █ 试验电压、电流可调 █ 电极方便更换 █ 在线设备诊断 系统特点: 多功能真空加热炉,一体炉膛设计、可实现、高温、真空、气氛环境下进行测试 █ 采用铂材料作为导线、以减少信号衰减、提高测试精度, █ 可以测量半导体薄膜材、薄片材料的方块电阻、电阻率; █ 可实现常温、变温、恒温条件的I-V、R-T、R-t等测量功能 █ 温度传感器、PID自动温度控制,使测量温度更准确; █ 仪器可自动计算试样的电阻率pv █ 10寸触摸屏设计,一体化设计机械结构,稳定、可靠; █ 程控电子升压技术,纹波低、TVS防护系统,保证仪器安 █ 99氧化铝陶瓷绝缘、碳化钨探针; █ huace pro 强大的控制分析软件。
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  • 硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层,方块电阻的测量范围为10A-5000n.该方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量,但其测量准确度尚未评估。使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外探件,测量两内操针之间的电位差,引人与试样几何形软有关的修正因子,计算出薄层电阻。覆盖膜 导电高分子膜,高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层,电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料,其他半导体材料、薄膜材料方阻测试采用四探针组合双电测量方法,液晶显示,自动测量,自动量程,自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出;选配:PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换,进行两次电测量,对数据进行双电测分析,解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.采用四探针组合双电测量方法,液晶显示,自动测量,自动量程,自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出;选配:PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换,进行两次电测量,对数据进行双电测分析,解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.导体材料电阻率测试仪GB/T 11073硅片径向电阻率变化的测量方法提要探针与试样压力分为小于0.3N及0.3 N¯ 0.8N两种。以下文件中的条款通过本标准的引用商成为本标准的条款。但凡注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括订正的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的新版本。但凡不注日期的引用文件,其新版本适用于本标准。GB/T 1552硅、储单晶电阻率测定直排四探针法样品台和操针架样品台和探针架应符合GB/T152 中的规定。样品台上应具有旋转360"的装置。其误差不大于士5",测量装置测量装置的典型电路叉图1,范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。
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  • 四探针电阻测试仪 400-860-5168转6231
    导体材料电阻率测试仪GB/T 11073硅片径向电阻率变化的测量方法提要探针与试样压力分为小于0.3N及0.3 N¯ 0.8N两种。以下文件中的条款通过本标准的引用商成为本标准的条款。但凡注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括订正的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的新版本。但凡不注日期的引用文件,其新版本适用于本标准。GB/T 1552硅、储单晶电阻率测定直排四探针法样品台和操针架样品台和探针架应符合GB/T152 中的规定。样品台上应具有旋转360"的装置。其误差不大于士5",测量装置测量装置的典型电路叉图1,范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层,方块电阻的测量范围为10A-5000n.该方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量,但其测量准确度尚未评估。使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外探件,测量两内操针之间的电位差,引人与试样几何形软有关的修正因子,计算出薄层电阻。覆盖膜 导电高分子膜,高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层,电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料,其他半导体材料、薄膜材料方阻测试采用四探针组合双电测量方法,液晶显示,自动测量,自动量程,自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出;选配:PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换,进行两次电测量,对数据进行双电测分析,解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.采用四探针组合双电测量方法,液晶显示,自动测量,自动量程,自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出;选配:PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换,进行两次电测量,对数据进行双电测分析,解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.
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  • 四探针方阻测试仪,四探针电导率测试仪,双电测四探针测试仪FT-334普通四探针电阻率方阻测试仪按照硅片电阻率测量的国际标准(ASTM F84)及国家标准设计制造该仪器设计符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国 A.S.T.M 标准,本机配置232电脑接口及USB两种接口,本机结合采用范德堡测量原理能改善样品因几何尺寸、边界效应、探针不等距和机械游移等外部因素对测量结果的影响及误差,比市场上其他普通的四探针测试方法更加完善和进步,特别是方块电阻值较小的产品测量,更加准确.本仪器本仪器采用四探针单电测量法适用于生产企业、高等院校、科研部门,是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示,无需人工计算,并带有温度补偿功能,电阻率单位自动选择,仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程,无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制,恒流输出,结构合理、质量轻便,运输安全、使用方便;选配:配备软件可以由电脑操控,并保存和打印数据,自动生成报表;本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示,同时显示液晶显示:电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率,配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.参数资料1.方块电阻范围:10-3~2×103Ω/□2.电阻率范围:10-4~2×104Ω-cm3.测试电流范围:10μA,100μA,1mA,10mA,100 mA4.电流精度:±0.3%读数5.电阻精度:≤0.5%6.显示读数:液晶显示:电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式: 普通单电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗:30W9.整机不确定性误差: ≤4%(标准样片结果)10.选购功能: 选购1.pc软件; 选购2.方形探头; 选购3.直线形探头; 选购4.测试平台11.测试探头: 探针间距选购:1mm;2mm;3mm三种规格 探针材质选购:碳化钨针 白钢针;镀金磷铜半球形针
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