射线光硅漂移探测器

XR-100SDD型X射线硅漂移探测器125eV的能量分辨率！采用电冷技术 无需液氮！图1. XR-100型硅漂移探测器及配套电源PX5 图2. 硅漂移探头元件示意图 XR-100SDD系列产品由新型高性能X射线硅漂移探头，前置放大器（前放）和致冷系统组成。采用热电致冷技术保持硅漂移探头(SDD)的低温工作环境，而在两级热电致冷器上亦安装了输入场效应管(FET)和新型温度反馈控制电路，这样探头组件的温度保持在约零下55摄氏度左右，并通过组件上的温度传感器显示实时温度。探头采用TO-8封装，并利用不透光和不透气（真空封装适用）的薄铍(Be)窗以实现封装后的软X射线探测。 XR-100SDD系列产品无需采用昂贵的低温制冷系统即可获得非常优越的性能，它标志着X射线探测器生产技术上的一个突破。产品特性：1. 高计数率：500,000 CPS(每秒计数, counts per second)；2. 能量分辨率：125eV（半高全宽，FWHM，对应峰值为5.9keV的情况）；3. 高峰本比：20，000:1“(ratio of counts from 5.9 keV to 1 keV) (typical)” ；4. 面积25mm2，厚度500µ m；5. 内置多层准直器；6. 不需要液氮制冷。应用范围：1. X射线荧光分析；2. 用于RoHS/WEEE标准检测的X射线荧光谱仪；3. OEM和其他专业应用；4. 生产工艺流程反馈控制；5. 高校和科研院所实验室研究；产品参数：本产品可以适应于用户不同应用时的参数需求。I. 高能量分辨应用： 1. 超高能量分辨率：125eV（对应峰值为5.9keV的情况）； 2. 峰化时间(Peaking time)：11.2µ s； 3. 计数率：100,000 CPS； 4. 峰本比：,20，000:1；II. 快速峰化应用： 1. 能量分辨率：155eV（对应峰值为5.9keV的情况）； 2. 峰化时间(Peaking time)：0.8µ s； 3. 计数率：500,000 CPS；III. 手持设备应用： 1. 能量分辨率：150eV（对应峰值为5.9keV的情况）； 2. 峰化时间(Peaking time)：3.2µ s； 3. 探测器探头温度保持在250K（-24oC） 4. 计数率：200,000 CPS；XRF设备由此开始 ... ...图3. Amptek硅漂移探测器(SDD)测得的55Fe能谱 产品说明 XR-100SDD型硅漂移探测器（SDD）是Amptek公司出品的一款新型X射线探测器，它标志着X射线探测器生产工艺的变革。XR-100SDD因其体积小，性能优越且价格便宜等特点，是OEM手持式和台式X射线荧光谱仪设备的理想选择；而且它在保证优异的能量分辨的同时还能达到相当高的计数率，可以满足各种参数需求；另外封装采用和Amptek出品的其他探测器一样的T0-8型外壳，方便用户升级现有系统以及和其他Amptek产品配套。 硅漂移探测器工作原理和硅PIN(Si-PIN)光电二极管类似，但它利用单电极结构大大提升了性能。Amptek公司专门为X射线能谱测量应用优化了其所有硅漂移探测器产品。 同样的探头面积下，硅漂移探测器电容比传统硅PIN探测器电容低很多，则所需成型时间变短，电子学噪声也会大大降低。因此硅漂移探测器可以相同（较高）的计数率下得到比传统探测器好的能量分辨率。另外为引导电子移动到相当小的低电容阳极上，探测器中的电极结构是特制的。 产品参数常规参数探头类型硅漂移探测器(SDD)探头尺寸25mm2硅晶体厚度500μm准直器内置多层准直器(ML)能量分辨率(@55Fe, 5.9keV峰)125-140eV FWHM (11.2μs峰化时间)峰本比(Peak to Background)20，000:1 (5.9keV,1keV计数比)典型的铍(Be)窗厚度0.5mil (12.5μm)电荷敏感型前置放大器Amptek定制可复位放大器增益稳定性（温飘）20ppm/ oC (一般情况下)外壳尺寸3 x 1.75 x 1.13 inch, 7.6 x 4.4 x 2.9 cm重量4.4 ounces (125g)总功率1W保修期一年产品寿命五到十年，因具体应用而异环境温度0~+50oC仓储和物流要求长时间仓储：干燥条件下存放十年以上仓储/物流需求：-20到+50 oC，10%到90%湿度（无冷凝器）TUV CertificationCertificate #: CU 72072412 02Tested to: UL 61010-1: 2004 R7 .05CAN/CSA-C22.2 61010-1: 2004输出参数前置放大器电源电压正负8到9V，电流15mA，噪声峰峰值小于50mV探头电源电压-90到-150V，电流25μA；输入需要非常稳定：0.1%的波动。制冷器电源最大电压3.5V，最大电流350mA，噪声峰峰值小于100mV；注意：XR-100SDD探测器自身包含温度控制器输出参数前置放大器灵敏度一般为1mV/keV（不同探测器可能略有不同）前置放大器极性正脉冲信号输出（最大负载为1k欧姆）前端放大器反馈复位温度显示灵敏度利用PX5/X-123等直接读取温度（单位：开尔文）可选配置或配件X-123SDD 硅漂移探测器（SDD）也有对应的X-123SDD谱仪配置。该集成化配置包含了X射线探头，前置放大器，DP5数字脉冲处理和多道分析模块，以及PC5电源模块。而用户仅需提供+5V的直流输入和到您的电脑的USB/RS232/以太网连接。包含硅漂移探测器的X-123SDD谱仪产品真空配件和所有Amptek真空配件兼容OEM和所有Amptek OEM配件兼容注意事项：1. 硅漂移探测器需要负高压，而前放输出为正脉冲。这和标准Si-PIN探测器所要求的正高压，而前方输出为负脉冲正好相反；2. PX5电源模块可以输出正或负的高压。若您为XR100SDD配套订购了PX5模块，则PX5必须设置为负高压输出。在使用XR-100CR探测器时，因错误设定PX5为负高压输出导致的探测器损坏不在保修范围之内。而使用XR-100SDD探测器时，因设定PX5为正高压输出导致的探测器损坏亦不在保修范围之内。准直器的使用 为提高能谱测量的质量，绝大部分Amptek生产的探测器都带有内部准直器。 探测器有效面元(active volume)边缘部分和X射线的相互作用会因不完全电荷收集产生一些小脉冲信号，进而影响测得的能谱数据。而且这些信号可能正处在用户所关心的元素所在的能量范围，降低了信噪比。而内部准直器则可以限制X射线只能打到有效面元内，这就避免了噪声信号的产生。 不同类型的探测器中准直器的应用各有优点：提高峰本比（P/B）；消除边界效应；消除假尖峰信号。真空环境中的应用 XR-100SDD型产品可以工作在10-8托的真空环境到大气压下工作，而真空环境应用有如下两种方案： 1) XR-100SDD的探头和前放均置于真空室内部： a. 为保证XR-100SDD的正常工作，需避免器件过热，并做好输入的1W功率的良好导热；即利用XR-100SDD封装上的四个安装孔，根据具体真空室位形设计散热，将器件热量传导到真空室壁上； b. 在CF（Conflat Flange）刀口法兰上利用可选的真空馈通端子（如9DVF型，九接口）连接XR-100SDD和真空室外的PX5电源。 2) XR-100SDD全部置于真空室外：需利用可选的真空探测器延长组件（如EXV9型加长管，长9英寸）和标准CF刀口法兰窗口（通过O圈密封）配套。图4. 真空条件使用中可选的延长组件图5. 高采样率X射线束线系统中Amptek高性能SDD的应用（定制法兰，4个SDD探测器）其他系统说明及性能曲线图6. SDD的能量分辨率和峰化时间曲线图7. Si-PIN和SDD探测器的分辨率-峰化/成形时间曲线对比图8. 对应不同峰化时间的能量分辨率和输入计数率曲线（SDD配套DP5使用） 该图也表示了最大输出计数率曲线（黑色虚线）。而系统工作参数在该曲线右边区域时，尽管输入计数率很高，但输出计数率仍会小于最大值，具体情况见下图9。 图9. 不同峰化时间下SDD的输入计数率和输出计数率曲线（输出效率） 由于SDD探测器具有更小的电容，在成型放大器中较短的成形时间即可保证较好的能量分辨率。通常使用9.6μs或更小的成形时间，这极大提高了系统的输出效率。 图10. 使用SDD得到的55Fe能谱 图11. 不同峰化时间下SDD探测器的能量分辨率和对应能量峰值曲线 图12. 综合考虑铍窗（及保护膜）的传输效率及和Si晶体的相互作用效率后不同能量的传输率曲线。 曲线的低能量部分由铍窗厚度决定（0.3mil/8μm或0.5mil/12.5μm），而高能量部分则由Si晶体有效厚度决定：500μm。传输效率文件：包含传输效率方面系数和常见问题解答的.zip格式文件，仅提供基本信息，不能作为定量分析依据。SDD应用中的各种能谱图利用高性能硅漂移探测器（Super SDD）和Mini-X型X射线管测得的不同样品的荧光能谱:图13. SS316型不锈钢图14. PVC样品（RoHS/WEEE标准）图15. CaCl2溶液（800ppm Ca, 1200 ppm Cl）图16. 含有少量KCl的原油（1100ppm）中的S元素图17. 汽车催化剂图18. 铂金(Pt)戒指 完整的X射线荧光谱仪（XRF）系统图19. 安装于MP1型平板上的XR100SDD探测器和Mini-X发生器 完整的XRF系统包括：1. XR-100SDD型硅漂移探测器；2. PX5型数字脉冲处理器，多道分析器及电源；3. Mini-X型USB控制X射线管；4. XRF-FP定量分析软件；5. MP1型XRF系统安装平台。

XR-100SDD型X射线硅漂移探测器125eV的能量分辨率！采用电冷技术 无需液氮！图1. XR-100型硅漂移探测器及配套电源PX5 图2. 硅漂移探头元件示意图 XR-100SDD系列产品由新型高性能X射线硅漂移探头，前置放大器（前放）和致冷系统组成。采用热电致冷技术保持硅漂移探头(SDD)的低温工作环境，而在两级热电致冷器上亦安装了输入场效应管(FET)和新型温度反馈控制电路，这样探头组件的温度保持在约零下55摄氏度左右，并通过组件上的温度传感器显示实时温度。探头采用TO-8封装，并利用不透光和不透气（真空封装适用）的薄铍(Be)窗以实现封装后的软X射线探测。 XR-100SDD系列产品无需采用昂贵的低温制冷系统即可获得非常优越的性能，它标志着X射线探测器生产技术上的一个突破。产品特性：1. 高计数率：500,000 CPS(每秒计数, counts per second)；2. 能量分辨率：125eV（半高全宽，FWHM，对应峰值为5.9keV的情况）；3. 高峰本比：20，000:1&ldquo (ratio of counts from 5.9 keV to 1 keV) (typical)&rdquo ；4. 面积25mm2，厚度500µ m；5. 内置多层准直器；6. 不需要液氮制冷。应用范围：1. X射线荧光分析；2. 用于RoHS/WEEE标准检测的X射线荧光谱仪；3. OEM和其他专业应用；4. 生产工艺流程反馈控制；5. 高校和科研院所实验室研究；产品参数：本产品可以适应于用户不同应用时的参数需求。I. 高能量分辨应用： 1. 超高能量分辨率：125eV（对应峰值为5.9keV的情况）； 2. 峰化时间(Peaking time)：11.2µ s； 3. 计数率：100,000 CPS； 4. 峰本比：,20，000:1；II. 快速峰化应用： 1. 能量分辨率：155eV（对应峰值为5.9keV的情况）； 2. 峰化时间(Peaking time)：0.8µ s； 3. 计数率：500,000 CPS；III. 手持设备应用： 1. 能量分辨率：150eV（对应峰值为5.9keV的情况）； 2. 峰化时间(Peaking time)：3.2µ s； 3. 探测器探头温度保持在250K（-24oC） 4. 计数率：200,000 CPS；XRF设备由此开始 ... ...图3. Amptek硅漂移探测器(SDD)测得的55Fe能谱 产品说明 XR-100SDD型硅漂移探测器（SDD）是Amptek公司出品的一款新型X射线探测器，它标志着X射线探测器生产工艺的变革。XR-100SDD因其体积小，性能优越且价格便宜等特点，是OEM手持式和台式X射线荧光谱仪设备的理想选择；而且它在保证优异的能量分辨的同时还能达到相当高的计数率，可以满足各种参数需求；另外封装采用和Amptek出品的其他探测器一样的T0-8型外壳，方便用户升级现有系统以及和其他Amptek产品配套。 硅漂移探测器工作原理和硅PIN(Si-PIN)光电二极管类似，但它利用单电极结构大大提升了性能。Amptek公司专门为X射线能谱测量应用优化了其所有硅漂移探测器产品。 同样的探头面积下，硅漂移探测器电容比传统硅PIN探测器电容低很多，则所需成型时间变短，电子学噪声也会大大降低。因此硅漂移探测器可以相同（较高）的计数率下得到比传统探测器好的能量分辨率。另外为引导电子移动到相当小的低电容阳极上，探测器中的电极结构是特制的。 产品参数常规参数探头类型硅漂移探测器(SDD)探头尺寸25mm2硅晶体厚度500&mu m准直器内置多层准直器(ML)能量分辨率(@55Fe, 5.9keV峰)125-140eV FWHM (11.2&mu s峰化时间)峰本比(Peak to Background)20，000:1 (5.9keV,1keV计数比)典型的铍(Be)窗厚度0.5mil (12.5&mu m)电荷敏感型前置放大器Amptek定制可复位放大器增益稳定性（温飘）20ppm/ oC (一般情况下)外壳尺寸3 x 1.75 x 1.13 inch, 7.6 x 4.4 x 2.9 cm重量4.4 ounces (125g)总功率1W保修期一年产品寿命五到十年，因具体应用而异环境温度0~+50oC仓储和物流要求长时间仓储：干燥条件下存放十年以上仓储/物流需求：-20到+50 oC，10%到90%湿度（无冷凝器）TUV CertificationCertificate #: CU 72072412 02Tested to: UL 61010-1: 2004 R7 .05CAN/CSA-C22.2 61010-1: 2004输出参数前置放大器电源电压正负8到9V，电流15mA，噪声峰峰值小于50mV探头电源电压-90到-150V，电流25&mu A；输入需要非常稳定：0.1%的波动。制冷器电源最大电压3.5V，最大电流350mA，噪声峰峰值小于100mV；注意：XR-100SDD探测器自身包含温度控制器输出参数前置放大器灵敏度一般为1mV/keV（不同探测器可能略有不同）前置放大器极性正脉冲信号输出（最大负载为1k欧姆）前端放大器反馈复位温度显示灵敏度利用PX5/X-123等直接读取温度（单位：开尔文）可选配置或配件X-123SDD 硅漂移探测器（SDD）也有对应的X-123SDD谱仪配置。该集成化配置包含了X射线探头，前置放大器，DP5数字脉冲处理和多道分析模块，以及PC5电源模块。而用户仅需提供+5V的直流输入和到您的电脑的USB/RS232/以太网连接。包含硅漂移探测器的X-123SDD谱仪产品真空配件和所有Amptek真空配件兼容OEM和所有Amptek OEM配件兼容注意事项：1. 硅漂移探测器需要负高压，而前放输出为正脉冲。这和标准Si-PIN探测器所要求的正高压，而前方输出为负脉冲正好相反；2. PX5电源模块可以输出正或负的高压。若您为XR100SDD配套订购了PX5模块，则PX5必须设置为负高压输出。在使用XR-100CR探测器时，因错误设定PX5为负高压输出导致的探测器损坏不在保修范围之内。而使用XR-100SDD探测器时，因设定PX5为正高压输出导致的探测器损坏亦不在保修范围之内。准直器的使用 为提高能谱测量的质量，绝大部分Amptek生产的探测器都带有内部准直器。 探测器有效面元(active volume)边缘部分和X射线的相互作用会因不完全电荷收集产生一些小脉冲信号，进而影响测得的能谱数据。而且这些信号可能正处在用户所关心的元素所在的能量范围，降低了信噪比。而内部准直器则可以限制X射线只能打到有效面元内，这就避免了噪声信号的产生。 不同类型的探测器中准直器的应用各有优点：提高峰本比（P/B）；消除边界效应；消除假尖峰信号。真空环境中的应用 XR-100SDD型产品可以工作在10-8托的真空环境到大气压下工作，而真空环境应用有如下两种方案： 1) XR-100SDD的探头和前放均置于真空室内部： a. 为保证XR-100SDD的正常工作，需避免器件过热，并做好输入的1W功率的良好导热；即利用XR-100SDD封装上的四个安装孔，根据具体真空室位形设计散热，将器件热量传导到真空室壁上； b. 在CF（Conflat Flange）刀口法兰上利用可选的真空馈通端子（如9DVF型，九接口）连接XR-100SDD和真空室外的PX5电源。 2) XR-100SDD全部置于真空室外：需利用可选的真空探测器延长组件（如EXV9型加长管，长9英寸）和标准CF刀口法兰窗口（通过O圈密封）配套。图4. 真空条件使用中可选的延长组件图5. 高采样率X射线束线系统中Amptek高性能SDD的应用（定制法兰，4个SDD探测器）其他系统说明及性能曲线图6. SDD的能量分辨率和峰化时间曲线图7. Si-PIN和SDD探测器的分辨率-峰化/成形时间曲线对比图8. 对应不同峰化时间的能量分辨率和输入计数率曲线（SDD配套DP5使用） 该图也表示了最大输出计数率曲线（黑色虚线）。而系统工作参数在该曲线右边区域时，尽管输入计数率很高，但输出计数率仍会小于最大值，具体情况见下图9。 图9. 不同峰化时间下SDD的输入计数率和输出计数率曲线（输出效率） 由于SDD探测器具有更小的电容，在成型放大器中较短的成形时间即可保证较好的能量分辨率。通常使用9.6&mu s或更小的成形时间，这极大提高了系统的输出效率。 图10. 使用SDD得到的55Fe能谱 图11. 不同峰化时间下SDD探测器的能量分辨率和对应能量峰值曲线 图12. 综合考虑铍窗（及保护膜）的传输效率及和Si晶体的相互作用效率后不同能量的传输率曲线。 曲线的低能量部分由铍窗厚度决定（0.3mil/8&mu m或0.5mil/12.5&mu m），而高能量部分则由Si晶体有效厚度决定：500&mu m。传输效率文件：包含传输效率方面系数和常见问题解答的.zip格式文件，仅提供基本信息，不能作为定量分析依据。SDD应用中的各种能谱图利用高性能硅漂移探测器（Super SDD）和Mini-X型X射线管测得的不同样品的荧光能谱:图13. SS316型不锈钢图14. PVC样品（RoHS/WEEE标准）图15. CaCl2溶液（800ppm Ca, 1200 ppm Cl）图16. 含有少量KCl的原油（1100ppm）中的S元素图17. 汽车催化剂图18. 铂金(Pt)戒指 完整的X射线荧光谱仪（XRF）系统图19. 安装于MP1型平板上的XR100SDD探测器和Mini-X发生器 完整的XRF系统包括：1. XR-100SDD型硅漂移探测器；2. PX5型数字脉冲处理器，多道分析器及电源；3. Mini-X型USB控制X射线管；4. XRF-FP定量分析软件；5. MP1型XRF系统安装平台。 更多信息请关注AMPTEK英文官方网站：。

下一代硅漂移探测器 (Next Generation SDD)超快型硅漂移探测器 (Super Fast SDD) 10倍通量 & 不损失任何分辨率 能量分辨率（FWHM,[eV]）峰化时间（微秒）125813511450.2图1. 能量分辨率和峰化时间曲线图2. 不同峰化时间条件下超快型硅漂移探测器的输出计数率和输入计数率的关系 图3. 不同峰化时间条件下超快型硅漂移探测器的能量分辨率和输入计数率的关系 图4. 一秒钟采集结果的定量分析1（样品为316型不锈钢-NIST 3155） 而以下表格则显示了图4中数据的定量分析结果。 元素合格浓度Super SDD仅需1秒V0.050.16±0.28Cr18.4518.32±0.80Mn1.630.0±0.55Fe64.5165.89±1.64Co0.10.00±0.40Ni12.1812.56±0.47Cu0.170.19±0.02Mo2.382.34±0.08 图5. 1.2Mcps输入计数率（ICR）情况下测量锰（Mn）样品 图6. 一秒钟采集结果的定量分析2（样品为焊锡）

下一代硅漂移探测器 (Next Generation SDD)超快型硅漂移探测器 (Super Fast SDD) 10倍通量 & 不损失任何分辨率 能量分辨率（FWHM,[eV]）峰化时间（微秒）125813511450.2图1. 能量分辨率和峰化时间曲线图2. 不同峰化时间条件下超快型硅漂移探测器的输出计数率和输入计数率的关系 图3. 不同峰化时间条件下超快型硅漂移探测器的能量分辨率和输入计数率的关系 图4. 一秒钟采集结果的定量分析1（样品为316型不锈钢-NIST 3155） 而以下表格则显示了图4中数据的定量分析结果。 元素合格浓度Super SDD仅需1秒V0.050.16± 0.28Cr18.4518.32± 0.80Mn1.630.0± 0.55Fe64.5165.89± 1.64Co0.10.00± 0.40Ni12.1812.56± 0.47Cu0.170.19± 0.02Mo2.382.34± 0.08 图5. 1.2Mcps输入计数率（ICR）情况下测量锰（Mn）样品 图6. 一秒钟采集结果的定量分析2（样品为焊锡）更多信息请关注AMPTEK英文官方网站：。

仪器简介：软X射线探测器分为AXUV系列，SXUV系列 ，UVG系列 这三个系列，其中AXUV系列适用于真空紫外、极紫外和软X射线探测器。SXUV系列探测器是专门为高通量的光子探测设计的，如配合使用在第三和第四代同步加速器和准分子激光器。该系列二极管由超大规模集成电路制造而成。UVG系列PN结光电探测器可以实现100%的光生载流子收集效率，所以被使用在近紫外和真空紫外（600--160nm）。技术参数：AXUV系列 AXUV系列适用于真空紫外、极紫外和软X射线探测器，由于不同于常见的pn结二极管，这些二极管没有掺杂死区，加之零表面复合处理，可以在紫外/极紫外范围内，达到理想化的100%内部量子效率转化。 IRD还提供与Cr,W,Au,Fe,Al等滤光片耦合的探测器，可以达到探测指定波长的效果。 SXUV系列 由于在硅PN结光电二极管前耦合铂硅化物入射窗，使得探测器可以探测超紫外光子（能量范围4ev&mdash 12KeV）。这些探测器是专门为高通量的光子探测设计的，如配合使用在第三和第四代同步加速器和准分子激光器。该系列二极管由超大规模集成电路制造而成。 IRD还提供与Zr，Si3N4,Si,SiC,Mo,Al滤光片耦合的探测器，可以达到探测指定波长的效果。 当脉冲能量超过20mJ,IRD还开发了带衰减器的探测器，以减少UV/EUV脉冲射线对探测器的冲击。 UVG系列 UVG系列PN结光电探测器可以实现100%的光生载流子收集效率，所以被使用在近紫外和真空紫外（600--160nm）。与传统的二极管不同的是，这些二极管没有掺杂死区，加之零表面复合处理，可以在紫外/极紫外范围内，达到理想化的100%内部量子效率转化主要特点：1.软X射线可直接照射探测器，无需闪烁晶体做转换 2.按可检测X射线能量范围不同及应用的需要，分为AXUV,UVG和SXUV三大产品系列，最低可检测0.04nm的软X射线 3.快速响应的探测器，响应速度达到ps量级 4.多元阵列，积分放大电路，并可根据需要集成带通滤光片 5.四象限位置传感器（Quadrant PSD）

XR-100CR是一种新的高性能X射线探测器，包括前置放大器和制冷系统，通过热电法冷却的Si-PIN光电二极管作为X射线探测器。在二级制冷系统上还装有输入场效应管和一个新型的反馈电路。这些组件大约-55的环境下工作，其温度由一个内置的温度传感器控制。探测器的密封TO-8包装有一个钵薄膜窗口，用于软X射线探测。XR-100T-CdTe 代表在X-射线探测器技术的一个突破，可提供"现成的"结果，而以前则只能从昂贵的低温冷却系统得到。另外XR-100T-CdTe还适用于伽马射线的测量。 X射线荧光 ROHS/WEEE标准 便携式仪器 原始设备制造 核医学成像 教学研究文物考古 程控 穆斯堡尔谱仪 空间物理和天文学 环境X射线检测 有毒物垃圾场监测 粒子诱发X射线荧光分析 XR-100CR ◇149eV的分辨率，全固态无液氮设计 ◇SI-PIN光敏二极管，二级热电冷却器 ◇内置温度控制监测检测器，密封的铍检测窗 ◇检测范围广，操作简单 XR-100SDD ◇高计数率&mdash &mdash 5000，000 CPS ◇对峰值5.9keV的分辨率为139eV ◇High Peak-to-Background Ratio - 6500:1 ◇规格为：7 mm2 * 500 µ m ◇无液氮 XR-100CdTe ◇CdTe二极管探测器，热电冷却器（Peltier） ◇FET冷却，温度监控器 ◇铍检测窗，密封包装（TO-8） AXAS 系统 AXAS系统集成了记录计数率在1.000.000 计数/s以上的超快MCA和SDD （硅漂泊二极管）。利用MCDWIN MCA 软件，AXASMCA可以成为非常小的完全分光计，从而使获取光谱变得很容易。它还可以通过USB接口读取数据，因此该系统可以通过便携式计算机在任何地点工作。＆#61548 XR-100CR详细参数探测器类型：硅针探测器（Si-PIN）探测器尺寸：5 mm2---25 mm2硅厚度：300µ m，500µ m，680µ m能量分辨率（5.9kev,55Fe）:半峰宽145eV-230eV(取决于探测器种类和形成时间常数)背景记数：〈3*10-3/s,2KeV-150KeV(针对7mm2/300um探测器)探测器铍窗厚度：1mil(25µ m)或0.5mil(12.5µ m)电荷敏感前置放大器：用户定制设计增益稳定性：〈20PPM/（典型）尺寸：3.75*1.75*1.13in(9.5*4.4*2.9cm)重量：4.9盎司（139克）总功率：〈1瓦器件寿命：5-10年操作环境：0-40认证：TUV前置放大器功率：正负8-9V，15mV(不超过50mV的蜂噪音)探测器功率： 100V-200V，1µ A（取决与探测器类型），非常稳定，偏差〈0.1%制冷器功率：电流最大值为350mA,电压最大值为4V（峰噪音〈100mV,）前置放大器灵敏度：典型值1mV/KeV(对于不同的探测器可能有差异)前置放大器极性：负信号输出（最大负载1K欧姆）前置放大器反馈：通过探测器电容进行重置温度监控灵敏度：PX4通过软件直接读取开尔文温度

DR是Digital Radiograph（便携式DR成像系统）的缩写。由平板探测器、X射线机、X射线机同步控制单元、控制模块、交流电缆线、数据线、接口盒、便携式电脑和软件等组成。平板探测器主要特点： 1、采用优质高效的HSG+闪烁体材料，闪烁体层厚度按照工业使用需求专门设计，使得探测器具有更好的光子捕获能力，获得更高的信噪比。2、优异的成像质量：选用成像质量稳定的DDA非晶硅成像板，采用140μm像素TFT工艺，使得空间分辨率和光子俘获效率均达到了最适合工业使用的均衡。3、成像板具有低散射及高灵敏度的特点，使成像系统具有高成像解析度及信噪比，16bit高动态范围图像灰度值范围大、厚度宽容度高、层次丰富、便于调节观看。4、超薄设计：特殊设计的超薄平板探测器厚度，可以插入排管缝隙、墙边管线等狭小空间，超窄边框成像盲区小于3mm，使管道弯头焊缝等位置也可以布置拍摄。5、远程操作：探测器内置无线模块的同时也配置有外部快装式高性能天线，无需外部放大模块就能满足大于100米的野外使用距离，现场使用更具便携性。6、在没有交流电源的野外，平板探测器可以采用内置电池供电，单电池工作时间持续6小时以上（标配两块电池）7、在固定场所作业时，可通过DC端口持续供电，免于频繁充电和更换电池。8、存储：探测器内部含有存储单元，可脱离工作站独立工作，可存储图像不少于200幅。9、校正：探测器内置校正文件，可便于现场校正使用。10、预览方式：无需专用软件即可通过手机、平板电脑的通用网络浏览器预览并共享图像。11、防护等级：可达IP67（提供第三方测试报告）12、图像软件可一键自动控制标配射线机与平板探测器的同步工作，可匹配主流品牌型号的脉冲射线机和高频恒压射线机，手动控制曝光。13、同时具备有线与无线通讯功能，成像板可由用户任意选择无线或有线连接电脑。14、具有多次曝光叠加降噪功能，叠加合成图片，消除随机噪声，提高图像信噪比 。15、具有能量融合、局部增强、腐蚀测量、多档灰度对比度预置一键调整图像等优化功能。16、软件支持用户二次开发不同应用。平板探测器技术参数：图片 型号PIXX3543N传感器非晶硅闪烁体硫氧化钆 GOS像素矩阵2560*3072像素区域350mm*427mm像素间距140μm能量范围40-300kvp动态范围16bit触发方式软件触发、AED自动触发、连续触发图像捕获时间3-5秒数据传输时间小于1秒尺寸420.5 x 461 x 15mm重量≤4.2kg外壳碳纤维/铝合金供电锂离子聚合物电池、DC直流防护等级IP67 rated无线标准Gigatit WIFI 802.11AC有线标准千兆以太网、RJ45端口便携移动双侧把手位应用：电力耐张线夹检测，电力GIS设备检测，无损检测，安检排爆，考古等领域。

Amptek FAST SDD&trade C2 窗口针对SEM应用开发图1，X -123快速SDD&trade C2窗口光谱仪结合真空装置 图3，在真空环境下使用快速SDD&trade 配C2窗口，碳(C)元素光谱图图4，使用快速SDD&trade 测试Fe55光谱图4，Amptek低能量C2系列窗口对比 聚合物窗口 效能图 Amptek FAST SDD&trade C2 窗口针对SEM应用开发图1，X -123快速SDD&trade C2窗口光谱仪结合真空装置Amptek推出全新SDD探测器，针对扫描电镜能谱仪客户应用（EDS SEM）利用全新技术&ldquo C&rdquo 系列X射线窗口(Si3N4)，能够对低能量区域元素快速响应，新Amptek SDD&trade 可以很好的测试元素碳(C)，高效率快速SDD&trade 是EDS光谱仪最理想的方案。 图2, C2窗口传输效能图元素C2窗口效能B19.7%C43.9%N59.2%O62%f69%Ne72.9%Na75.1%Mg77.3%Al80.3%Si81.8%图3，在真空环境下使用C2窗口快速SDD&trade ，碳(C)元素光谱图图4，使用快速SDD&trade 测试Fe55光谱图4，Amptek低能量C2系列窗口对比 聚合物窗口 效能对比图

简单介绍采用光纤锥耦合X射线探测器，最大限度的提高了光通量，用1：1的光纤面板，耦合效率可达到70%，大大提高了相机的探测能力。图像不失真，不需要对影像进行较正，可以让系统的软件变得更简单X射线探测器 的详细介绍 高耦合效率，降低设备X光源的投入影像不失真，让系统软件变得更简单 采用光纤锥耦合的X射线探测器，最大限度的提高了光通量，用1：1的光纤面板，耦合效率可达到70%，大大提高了相机的探测能力。图像不失真，不需要对影像进行较正，可以让系统的软件变得更简单。此相机广泛的应用于工业无损检测，如铸件和焊接检测、PCB板检测、工业CT等。 BGA检查 IC焊脚检查 二极管质量检查 金线检查 产品规格： 标准产品有以下三个型号，根据X光源不同，要求分辨率以及目标物的厚度不同，有可能需要改变荧光屏材料和厚度。我们向您提供完美的解决方案。 产品型号HR-25-X-RayHR-40-X-RayHR-75-X-RayCCD芯片2/3’’芯片，752*5822/3’’芯片，1392*10401.2’’芯片，2048*2048像素尺寸11.6um*11.2um6.45um*6.45um7.4um*7.4um输出格式标准CCIR模拟型号输出8bit或12bit数字信号输出8bit或12bit数字信号输出帧速视频速度17帧或30帧15帧计算机接口无1394或以太网接口以太网接口视场20mm*15mm（其它可选）32mm*24mm（其它可选）45um*45um荧光屏镀膜P43(其它可选)P43(其它可选)P43(其它可选)X光响应范围20kev-100kev20kev-100kev20kev-100kev入射光窗0.5mm厚铝膜（其它可选）0.5mm厚铝膜（其它可选）0.5mm厚铝膜（其它可选）分辨率50um≤50um，10lp/mm≤50um,11 lp/mm HR-75-X-Ray400万像素高分辨率；选用75:25的光纤锥耦合，视野可达到45mm X 45mm. HR-40-X-Ray140万像素高分辨率；选用40:11的光纤锥耦合，视野可达到32mm X 24mm. HR-25-X-Ray体积小巧，直径仅55mm,长68mm,易于安装；分辨率高；动态范围好。 量子效率曲线图（P43荧光屏（25mg/cm2）, 厚度：55um） 定制产品： 我们可根据客户的需求定制X-Ray相机 荧光屏类型和厚度附加层（如Alu,ITO）输入窗口类型和厚度相机电子部分（如计算机接口）制冷（针对于部分型号）真空接口视野大小空间分辨率 应用领域 医学成像设备：牙科X光成像眼科成像X射线断层成像局部骨骼成像 工业检测设备：PCB或BGA 检查半导体缺陷检查食品安全检查X光光斑成像无损探伤电线检查 安防设备：紫外线导弹预警距离选通激光雷达夜视相机爆炸物探测指纹获取火灾探测

BrillianSe非晶硒高分辨X射线探测器 加拿大KA Imaging推出了其专有的无定形硒（a-Se,非晶硒）BrillianSe&trade X射线探测器，用于高亮度成像。这款混合a-Se/CMOS的探测器采用具有高固有空间分辨率的a-Se光导体，可直接将X射线光子转换为电荷。然后，低噪声CMOS有源像素传感器（APS）读取电子信号。无需首先将X射线光子转换为可见光（这在间接闪烁体方法中是必需的），因此不需要减薄转换层以减少光学散射。BrillianSe非晶硒高分辨X射线探测器提供了一种独特的组合，使用8微米像素实现高空间分辨率，以及具有高达120 keV的能量的高探测量子效率（DQE）。这种组合可实现在低通量和高能量条件下进行高效成像，并可进行基于传播的（无光栅）相位对比增强，以提高低密度材料成像时的灵敏度。BrillianSe&trade X射线检测器具有1600万的像素（16M）。主要应用✔ 低密度材料相差对比边缘增强✔ 单光子灵敏度(50 keV)✔ 同步加速器、微纳CT等X射线探测系统，替换其原有探测器或搭建系统✔ 高能量(50 keV)布拉格相干衍射成像 技术介绍BrillianSe非晶硒高分辨X射线探测器直接转换技术允许使用厚转换层，并以100%填充因子运行，以获得高 DQE。在60kVp（2mm铝滤波）下，BrillianSe&trade 具有市场领先的高 DQE（10 cycles/mm时为36%）和小点扩散函数（PSF）（1.1 像素）的组合。这有助于低通量应用成像，例如X射线衍射、剂量敏感的蛋白晶体学以及对有和无相位对比的材料进行受通量限制的成像。在63keV 时，MTF在 Nyquist（奈奎斯特）频率下为10%。此外，在低能量（21 keV）下，使用透射条形靶标样可展示8微米的分辨率。JIMA空间分辨率标样(21kev)的BrillianSe图像。数字表示以微米为单位的条宽。左侧为横截面8μm的图案应用案例BrillianSe非晶硒高分辨X射线探测器具有16M像素，采用直接转换专有技术，对样品进行“吸收衬度+相位衬度”成像，大幅度提高样品中的低密度成分成像时的灵敏度，可用于硬x射线包括同步加速器线束。探测样品案例，如：芳纶等复合材料（Kevlar）、脑支架、硅通孔(TSV)、牙签、甜椒种子、药物胶囊、轻质骨料（混凝土）等。甜椒种子有相衬成像和无相衬成像（仅吸收衬度，无相位衬度）之对比采用BrillianSe非晶硒高分辨X射线探测器的X射线探测系统应用场景举例✔ 表征材料微观结构✔ 对现有零件几何形状进行逆向工程✔ 验证或校准仿真工作流✔ 应用到NDT(无损检测)和GD&T(几何尺寸和公差)检验方案✔ 监控生产过程✔ 确定问题的根本原因

1、产品特点： 在DECTRIS公司所有应用于实验室的探测器产品系列中，Eiger2R系列探测器结合了所有混合光子计数探测器的最先进技术。 它所具有的双能量识别有助于在微弱信号和长时间曝光的条件下进行背景抑制和提高信噪比。其优越的计数率性能可以准确地测量极高强度的X射线。利用该系列探测器的巨大动态范围，可以在零死时间同步读/写的状态下进行长时间曝光。由于具备可选择的真空兼容性，从而使空气和窗口所产生的吸收和散射最小化。小尺寸像素与X射线直接探测相结合，提高了空间分辨率和角度分辨率，可以进行精细地测量样品并具有宽泛的倒易空间。可以在三种不同的型号中进行选择以满足您的需求。2、核心优势： – 双能识别有助于抑制低能量和高能量的背景 – 由于零背景噪音和同时读写，所以具有很高的动态范围 – 小尺寸像素和优秀的点扩散函数有助于获得高的空间分辨率 – 可定制在真空环境下使用； – 免维护3、应用领域： - 小角X射线散射和广角X射线散射(SAXS/WAXS）； - 大分子晶体学（MX）； - 化学结晶学； - 单晶衍射（SCD）； - 粉末衍射（PD）； - X射线成像； - 表面衍射； - 漫散射。4、技术参数：EIGER2 R500K1M4M探测器模块数量11 x 22 x 4有效面积：宽x高 [mm2]77.2 x 38.677.2 x 79.9155.2 X 162.5像素大小 [μm2]75 x 75点扩散函数1 pixel能量阈值2阈值范围（KeV）4-113.5-30 3.5-30最大计数率（cps/mm2）3.6×108计数器深度（bit/threshold）2×16采集模式同时读/写，死区时间为零图像位深度（bit）32可选真空兼容Yes冷却方式 风冷水冷水冷尺寸（WHD）[mm3]100 x 140 x 93114 x 133 x 240235 x 235 x 372重量 [kg]1.83.915

1、产品特点： 在DECTRIS公司所有应用于实验室的探测器产品系列中，Eiger2R系列探测器结合了所有混合光子计数探测器的最先进技术。 它所具有的双能量识别有助于在微弱信号和长时间曝光的条件下进行背景抑制和提高信噪比。其优越的计数率性能可以准确地测量极高强度的X射线。利用该系列探测器的巨大动态范围，可以在零死时间同步读/写的状态下进行长时间曝光。由于具备可选择的真空兼容性，从而使空气和窗口所产生的吸收和散射最小化。小尺寸像素与X射线直接探测相结合，提高了空间分辨率和角度分辨率，可以进行精细地测量样品并具有宽泛的倒易空间。可以在三种不同的型号中进行选择以满足您的需求。2、核心优势： – 双能识别有助于抑制低能量和高能量的背景 – 由于零背景噪音和同时读写，所以具有很高的动态范围 – 小尺寸像素和优秀的点扩散函数有助于获得高的空间分辨率 – 可定制在真空环境下使用； – 免维护3、应用领域： - 小角X射线散射和广角X射线散射(SAXS/WAXS）； - 大分子晶体学（MX）； - 化学结晶学； - 单晶衍射（SCD）； - 粉末衍射（PD）； - X射线成像； - 表面衍射； - 漫散射。4、技术参数：EIGER2 R500K1M4M探测器模块数量11 x 22 x 4有效面积：宽x高 [mm2]77.2 x 38.677.2 x 79.9155.2 X 162.5像素大小 [μm2]75 x 75点扩散函数1 pixel能量阈值2阈值范围（KeV）4-113.5-30 3.5-30最大计数率（cps/mm2）3.6×108计数器深度（bit/threshold）2×16采集模式同时读/写，死区时间为零图像位深度（bit）32可选真空兼容Yes冷却方式 风冷水冷水冷尺寸（WHD）[mm3]100 x 140 x 93114 x 133 x 240235 x 235 x 372重量 [kg]1.83.915

X射线衍射仪线阵光子计数X射线探测器应力分析仪X射线线阵探测器1、产品特点： MYTHEN系列微带探测器充分利用了混合光子计数（HPC）技术的所有优势：如无噪音、高速采集、耐辐射性能优越等，并以 此带来了最佳的实验室应用体验。MYTHEN2 R系列探测器有两种不同的尺寸：MYTHEN2 R 1K(含1280条微带）和 MYTHEN2 R 1D（含640条微带）。MYTHEN2 R 系列探测器结构紧凑，传感器位置对称， 适用于从便携式仪器到大型系统等各种不同 的衍射仪构造。DCS4探测器控制系统支持多模块系统组合， 能够获取更宽的角 度覆盖范围，最多可支持 4 台探测器同时工作。 MYTHEN2传感器微带宽度为50μm，具有三种可选厚度，分别为 320、450 和 1000 μm。同时微带分为两种长度： 4 mm长微带在低能X射线下有最佳的信噪比及极短的读出时间，因此可用于以钛靶光源进行测试的场合，特别适合原位残余应力分析；标准 8 mm 长微带具有最宽的有效面积和和最佳的分辨率，适用于所有X射线分析场合：与 1000μm 传感器共同使用时，可在实验室进行原本只能用同步辐射光源开展的PDF分析。2、核心优势： - 短微带，适用于钛靶及铬靶高产出测量场合； - 厚传感器，适用于银靶光源进行PDF测量； - 结构紧凑体积小，适用于各种尺寸的衍射仪和不同的预算； - 可实现多模块系统组合，覆盖更广的角度范围； - 无需维护及耗材。 3、应用领域： -X-射线粉末衍射和散射技术； - 残余应力测量； - 薄膜和织构分析； - PDF分析； - SAXS、WAXS、GISAXS； - 色散荧光光谱学 。4、技术参数 ：MYTHEN2 R 1K 1D微带数量1280640传感器厚度 [μm]320,450,1000微带宽度 [μm]50微带长度 [mm]8 and 4 (320 μm only)有效面积（宽*高）[mm2] 64 x 832 x 8 , 32 x 4动态范围 [bit]24能量范围 [KeV]4-40*读出时间 [μs]89帧频 [Hz]25点扩散函数 [strip]1能量分辨率2（r m s）[ev]687+5冷却方式风冷模块尺寸（WHD）[mm3]70 x 62 x 2238 x 62 x 22模块重量[g]180100DCS4尺寸（WHD）[mm3]110 x 30 x 160DCS4重量 [g]400 *低于4KeV的X-ray能量仅适用于320μm x 4mm的传感器。 注：所有规格如有变更，不做另行通知。

X射线探测器姓名：王工（Karl） 电话： 邮箱：X射线探测器以热电冷却的Si-Pin光电二极管作为X射线探测元器件，根据不同探测器类型和峰化时间，55Fe的5.9KeV峰值分辨率可达145eV FAST SDD 探测器峰值分辨率更可达122eV，为业界领先指标。XR-100系列探测器型号探测器材料探测器面积探测器厚度铍(Be)窗 厚度备注XY-FSG32MD-G3SPSi-PIN6 mm2500 μm1 mil有内置准直器XY-FS432MD-G3SPSi-PIN13mm2500 μm1 mil有内置准直器XY-FSJ32MD-G3SPSi-PIN25mm2500 μm1 mil有内置准直器XY-FSG32MD-G2SPSi-PIN6mm2500 μm0.5mil有内置准直器XY-GSH3AMD-G2SPSDD25mm2500 μm0.5mil有内置准直器XY-GSH3AMD-E1SPSDD25mm2500 μm0.3mil有内置准直器XY-GSH3AMD-UOEASDD25mm2500 μmC1 Window有内置准直器XY-GSH3AMD-E6EASDD25mm2500 μmC2 Window有内置准直器XY-HSH3AMD-G2SFAST SDD25mm2500 μm0.5mil有内置准直器XY-HSH3AMD-G1SFAST SDD25mm2500 μm0.3mil有内置准直器XY-HSH3AMD-U0EAFAST SDD25mm2500 μmC1 Window有内置准直器XY-HSH3AMD-E6EAFAST SDD25mm2500 μmC2 Window有内置准直器** Silicon Drift Detector (SDD) uses a junction gate field-effect transistor (JFET) inside the hermetically sealed TO-8 package, along with an external preamplifier. FAST SDD uses a complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) preamplifier inside the TO-8 package, and replaces the JFET with a metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET).

X射线衍射仪线阵光子计数X射线探测器1、产品特点： MYTHEN系列微带探测器充分利用了混合光子计数（HPC）技术的所有优势：如无噪音、高速采集、耐辐射性能优越等，并以 此带来了最佳的实验室应用体验。MYTHEN2 R系列探测器有两种不同的尺寸：MYTHEN2 R 1K(含1280条微带）和 MYTHEN2 R 1D（含640条微带）。MYTHEN2 R 系列探测器结构紧凑，传感器位置对称， 适用于从便携式仪器到大型系统等各种不同 的衍射仪构造。DCS4探测器控制系统支持多模块系统组合， 能够获取更宽的角 度覆盖范围，最多可支持 4 台探测器同时工作。 MYTHEN2传感器微带宽度为50μm，具有三种可选厚度，分别为 320、450 和 1000 μm。同时微带分为两种长度： 4 mm长微带在低能X射线下有最佳的信噪比及极短的读出时间，因此可用于以钛靶光源进行测试的场合，特别适合原位残余应力分析；标准 8 mm 长微带具有最宽的有效面积和和最佳的分辨率，适用于所有X射线分析场合：与 1000μm 传感器共同使用时，可在实验室进行原本只能用同步辐射光源开展的PDF分析。2、核心优势： - 短微带，适用于钛靶及铬靶高产出测量场合； - 厚传感器，适用于银靶光源进行PDF测量； - 结构紧凑体积小，适用于各种尺寸的衍射仪和不同的预算； - 可实现多模块系统组合，覆盖更广的角度范围； - 无需维护及耗材。 3、应用领域： -X-射线粉末衍射和散射技术； - 残余应力测量； - 薄膜和织构分析； - PDF分析； - SAXS、WAXS、GISAXS； - 色散荧光光谱学 。4、技术参数 ：MYTHEN2 R 1K 1D微带数量1280640传感器厚度 [μm]320,450,1000微带宽度 [μm]50微带长度 [mm]8 and 4 (320 μm only)有效面积（宽*高）[mm2] 64 x 832 x 8 , 32 x 4动态范围 [bit]24能量范围 [KeV]4-40*读出时间 [μs]89帧频 [Hz]25点扩散函数 [strip]1能量分辨率2（r m s）[ev]687+5冷却方式风冷模块尺寸（WHD）[mm3]70 x 62 x 2238 x 62 x 22模块重量[g]180100DCS4尺寸（WHD）[mm3]110 x 30 x 160DCS4重量 [g]400 *低于4KeV的X-ray能量仅适用于320μm x 4mm的传感器。 注：所有规格如有变更，不做另行通知。

?X射线探测器X射线探测器由CCD或者光电二极管阵列光学耦合在闪烁体上组成。产品图像产品型号产品名称图像尺寸像素尺寸像素间距总像素数封装闪烁体类型帧率（典型值） S8658-01CCD面阵图像传感器73.728 x 6.144 nm73.728 x 6.144 nm48 μm4608×128陶瓷CsI (+FOP)15 frames/s S8658-01FCCD面阵图像传感器73.728 x 6.144 nm48 x 48 μm48 μm4608×128陶瓷无15 frames/sS8658-01 CCD面阵图像传感器：用于X射线成像的长窄型感光面图像传感器（FOP型）S8658-01是一款FFT-CCD面阵图像传感器，专为X射线成像而设计。由于芯片上安装了FOS（带闪烁体的光纤平板）将X射线转换为可见光，捕获的X射线图像有很高的细节。三个CCD芯片线性放置，彼此紧靠形成了长窄型传感器形式。每个感光面的有效像素是73.728 (H) × 6.144 (V) mm^2，因此总的像素长度为220mm。每个CCD芯片有1536×128个像素，像素尺寸是48×48μm。这款CCD传感器的特色是可以在TDI模式下操作，可以捕获运动物体的X射线图像。因此次传感器是传送带上无损检测的理想选择。特色-1536×128（×3个芯片）-3个CCD芯片排在一起，形成220mm的图像-TDI操作-100%填充因子-宽动态范围-低暗电流-MPP操作详细参数 图像尺寸 73.728 x 6.144 nm 像素尺寸 73.728 x 6.144 nm 像素间距 48 μm 总像素数 4608×128 封装 陶瓷 闪烁体类型 CsI (+FOP) 帧率（典型值） 15 frames/sS8658-01F CCD面阵图像传感器：用于X射线成像的长窄型感光面图像传感器（FOP型，不带闪烁体）特色-1536×128（×3个芯片）-3个CCD芯片排在一起，形成220mm的图像-TDI操作-100%填充因子-宽动态范围-低暗电流-MPP操作注意：在使用该产品做X射线探测时，使用者需要将磷板等黏贴到FOP上。详细参数 图像尺寸 73.728 x 6.144 nm 像素尺寸 48 x 48 μm 像素间距 48 μm 总像素数 4608×128 封装 陶瓷 闪烁体类型 无 帧率（典型值） 15 frames/s

大面阵x射线sCMOS探测器单模组有效尺寸：22.5*22.5 到95.5*95.5mm，多模阵列尺寸：134x134mm, 268x67mm，191x191mm, 382x95.5mm闪烁体： Gadox:Tb：1-55 keVCSI： 20-300KeV 完美的集成/读出 同步，100%占空比采集可提供OEM 客户定制版本型号4MP系列探测器16MP系列探测器sCMOS_4MP_32sCMOS_4MP_68sCMOS_4MP_95sCMOS_16MP_52sCMOS_16MP_95sCMOS_16MP_135像素阵列2048 x 20484096 x 4096有效像元尺寸(μm)11 x 1123.4 x 23.432.8 x 32.89 x 916.4 x 16.423.3 x 23.3有效探测面尺寸(mm)22.5 x 22.548 x 4867.2 x 67.236.7 x 36.767 x 6795.5 x 95.5帧率18fps @ 全幅4.5fps @ 全幅；18fps@ binning 2x2满阱电子容量80,000e-70,000 e- @ 全幅；150,000 e- @ binning 2 x 2读出噪声1.8 e- rms 4.4e- rms @ binning 1*1；10 e- rms@ binning 2x2暗电流1 e/pix/s1 e/pix/s峰值QE58%@闪烁体发射波长（无微型透镜）58%@闪烁体发射波长（无微型透镜）曝光时间50μs~1min50μs~1min芯片温度-20 °C 水冷-20 °C 水冷位宽16bit16bit动态范围20,000:115,000:1闪烁体能量范围Gadox:Tb ：1keV-55keV ；CSI ：20keV-300keVGadox:Tb ：1keV-55keV ；CSI ：20keV-300keV空间分辨率Gadox:Tb(25lp/mm)CsI(20 lp/mm)CsI(15 lp/mm)Gadox:Tb (30lp/mm)CsI(20lp/mm)CsI(151p/mm)探测器接口兼容千兆以太网 /Genicam接口（相机通用接口）兼容千兆以太网 /Genicam接口（相机通用接口） 大面阵x射线sCMOS探测器典型应用：l X射线微断层扫描l X射线PCB测试l 相衬成像l X射线源评定l X光射线摄影l X射线相干衍射成象 髂骨活检，1um 分辨率，45KV,55uA 石墨球： 1um 分辨率，FDS 蜘蛛腿， 5μm脉冲液体射流源,50 kv, 0.8 mA,放大倍数：左x1，右x4, 4k*4k分辨率9um 像素

1、产品特点： 在DECTRIS公司所有应用于实验室的探测器产品系列中，Eiger2R系列探测器结合了所有混合光子计数探测器的最先进技术。 它所具有的双能量识别有助于在微弱信号和长时间曝光的条件下进行背景抑制和提高信噪比。其优越的计数率性能可以准确地测量极高强度的X射线。利用该系列探测器的巨大动态范围，可以在零死时间同步读/写的状态下进行长时间曝光。由于具备可选择的真空兼容性，从而使空气和窗口所产生的吸收和散射最小化。小尺寸像素与X射线直接探测相结合，提高了空间分辨率和角度分辨率，可以进行精细地测量样品并具有宽泛的倒易空间。可以在三种不同的型号中进行选择以满足您的需求。2、核心优势： – 双能识别有助于抑制低能量和高能量的背景 – 由于零背景噪音和同时读写，所以具有很高的动态范围 – 小尺寸像素和优秀的点扩散函数有助于获得高的空间分辨率 – 可定制在真空环境下使用； – 免维护3、应用领域： - 小角X射线散射和广角X射线散射(SAXS/WAXS）； - 大分子晶体学（MX）； - 化学结晶学； - 单晶衍射（SCD）； - 粉末衍射（PD）； - X射线成像； - 表面衍射； - 漫散射。4、技术参数：EIGER2 R500K1M4M探测器模块数量11 x 22 x 4有效面积：宽x高 [mm2]77.2 x 38.677.2 x 79.9155.2 X 162.5像素大小 [μm2]75 x 75点扩散函数1 pixel能量阈值2阈值范围（KeV）4-113.5-30 3.5-30最大计数率（cps/mm2）3.6×108计数器深度（bit/threshold）2×16采集模式同时读/写，死区时间为零图像位深度（bit）32可选真空兼容Yes冷却方式 风冷水冷水冷尺寸（WHD）[mm3]100 x 140 x 93114 x 133 x 240235 x 235 x 372重量 [kg]1.83.915

X射线平板探测器 X线平板探测器（X-ray Flat Panel Sensor）是一种新发展的数字化X线图像传感器，它适用于要求高灵敏度和高图像质量的X线无损检测、数字化X光照相术、以及其他实时X线图像应用等领域。平板探测器是由一块传感器板和一块电路控制板组成，其特点是结构紧凑、重量轻、集成度高。 欢迎您登陆滨松中国全新中文网站 查看更加详细信息！ X射线平板探测器将世界上最大的CMOS图像传感器与一个FOS（带闪烁体的光纤板）结合起来，它与使用无定形材料的平板相比，具有更高的信噪比，更高的速度以及更宽的动态范围。放射线用 专为数字放射照相与衍射等应用而优化的平板探测器。无损检测用 X射线数字成像器件具有先进的特性，例如高速、高分辨率、宽动态范围、小尺寸以及无畸变。相关配件 我公司提供图像采集卡用的电缆作为平板探测器的相关配件。 采用平行视频输出的平板探测器需要一款图像采集卡电缆，用来将数字图像数据传输到安装在PC上的图像采集卡。

X射线衍射仪线阵光子计数X射线探测器1、产品特点： MYTHEN系列微带探测器充分利用了混合光子计数（HPC）技术的所有优势：如无噪音、高速采集、耐辐射性能优越等，并以 此带来了最佳的实验室应用体验。MYTHEN2 R系列探测器有两种不同的尺寸：MYTHEN2 R 1K(含1280条微带）和 MYTHEN2 R 1D（含640条微带）。MYTHEN2 R 系列探测器结构紧凑，传感器位置对称， 适用于从便携式仪器到大型系统等各种不同 的衍射仪构造。DCS4探测器控制系统支持多模块系统组合， 能够获取更宽的角 度覆盖范围，最多可支持 4 台探测器同时工作。 MYTHEN2传感器微带宽度为50μm，具有三种可选厚度，分别为 320、450 和 1000 μm。同时微带分为两种长度： 4 mm长微带在低能X射线下有最佳的信噪比及极短的读出时间，因此可用于以钛靶光源进行测试的场合，特别适合原位残余应力分析；标准 8 mm 长微带具有最宽的有效面积和和最佳的分辨率，适用于所有X射线分析场合：与 1000μm 传感器共同使用时，可在实验室进行原本只能用同步辐射光源开展的PDF分析。2、核心优势： - 短微带，适用于钛靶及铬靶高产出测量场合； - 厚传感器，适用于银靶光源进行PDF测量； - 结构紧凑体积小，适用于各种尺寸的衍射仪和不同的预算； - 可实现多模块系统组合，覆盖更广的角度范围； - 无需维护及耗材。 3、应用领域： -X-射线粉末衍射和散射技术； - 残余应力测量； - 薄膜和织构分析； - PDF分析； - SAXS、WAXS、GISAXS； - 色散荧光光谱学 。4、技术参数 ：MYTHEN2 R 1K 1D微带数量1280640传感器厚度 [μm]320,450,1000微带宽度 [μm]50微带长度 [mm]8 and 4 (320 μm only)有效面积（宽*高）[mm2] 64 x 832 x 8 , 32 x 4动态范围 [bit]24能量范围 [KeV]4-40*读出时间 [μs]89帧频 [Hz]25点扩散函数 [strip]1能量分辨率2（r m s）[ev]687+5冷却方式风冷模块尺寸（WHD）[mm3]70 x 62 x 2238 x 62 x 22模块重量[g]180100DCS4尺寸（WHD）[mm3]110 x 30 x 160DCS4重量 [g]400 *低于4KeV的X-ray能量仅适用于320μm x 4mm的传感器。 注：所有规格如有变更，不做另行通知。

LynX T3 or M3光子计数型相机_X射线探测器LynX系列混合像素X射线探测器ASI公司出品的 LynX T3 or M3光子计数型相机_X射线探测器为混合像素区域探测器，55μm像素间距，适用范围广。在每个512×512像素(262K像素点)中，LynX探测器辨别或测量X射线能量的能力，为X射线探测、成像和断层扫描等应用提供了前所未有的可能性。LynX传感器（硅，砷化镓，碲化镉）被设计成一个像素阵列，并通过凸块接合(bump-bonds球)连接到集成在传感器下面的芯片的读出电路，将传感器的信号转换为电信号。每一个像素点都能够进行待测物体的计量、统计光子能量或计算出检测到量子的时间。LynX 120是基于Timepix ASIC（专用芯片）的一款多功能光子计数型探测器。每个像素要么计数被检测事件，测量沉积在像素中的能量值，要么测量探测光子的到达时间。读出速率高达120帧/秒。LynX 1800基于Medipix3RX ASIC，速度已改进。在连续读出模式下，可记录高达1800帧/秒的信号，死时间为零。在电荷累加模式下，可提高光谱性能，避免了像素间的电荷分配所造成的能量损失。此外，还可提供也基于Medipix3RX但带有每110μM凸块布置的LynX 1800s。在电荷累加模式下，它有4个能量阈值，允许在单个测量中计数不同能量窗口的X射线。特点和优点：直接、单光子探测优越的点扩展函数零噪音、高信噪比和宽动态范围短的读出时间和高的帧扫描速率模块化探测器，更大活性区域可选用高Z传感器材料，以便提高高能量效率主要应用：相衬成像（ptychography，光栅干涉）扫描SAXS / WAXS成像，小角X射线散射表面衍射时间分辨实验X射线和医学成像大分子晶体学断层摄影术能量分辨X射线计算机断层扫描快速生产线X射线检查电子显微镜质谱仪型号及配置：荷兰ASI公司(Amsterdam Scientific Instruments B.V.)出品的LynX T3 or M3光子计数型相机_X射线探测器有多种型号及配置可选：1）可选型号：LynX 120（Timepix技术，ToT、ToA等应用，帧频120f/s，阈值数1个）；LynX 1800（Medipix3RX技术，CSM&SPM模式等应用，帧频1800f/s，阈值数1或2个）；LynX 1800s（Medipix3RX技术，CSM&SPM模式等应用，帧频1800f/s，阈值数4或8个）；LynXT3（Timepix3技术，ToT、ToA、光子时间戳、速度映射成像和符合成像等应用，可与同步加速器或自由电子激光等配套，时间分辨率1.6纳秒，超高速帧频500 MHz，阈值数1个）等。2）可选传感器材料类型：Si, GaAs, CdTe, ... 常用硅，可选砷化镓（高能量用途），碲化镉（更高能量用途）。也可与中子转换器或微通道板(MCP,多通道电子倍增器)配套使用。3）可选传感器厚度：300um/500um/1000um（标配300um，高能量应用请选较厚的厚度）4）可选像素数：65k、262k、524k、1M、2M等不同活区面积。上述总有一款及其配置适合您的X射线检测和成像应用，欢迎选购！

产品介绍：标准的MINIPIX设备配备了单个的Timepix探测器（256 x 256 ，像素大小55 μm），硅传感器厚度300μm。采用USB2.0的接口读出速率为30帧/秒（曝光时间为1ms）。能量敏感成像内置了一个小的装置，可用于新维度的辐射成像。小型化的MINIPIX可内置于用于难以成像的管道或受限的空间里。MINIPIX 可以匹配针孔或X射线镜片。系统可用于成像（X射线，中子，离子），辐射监测并识别单个颗粒（X射线，电子，α粒子等），能量检测是其应用的优势。通过USB界面来操控MINIPIX，相机通过PIXET LITE(supports MS Windows, Mac OS and LINUX)软件控制运行。可选择性购买PIXET 或Pixelman软件。这款设备的主要应用在识别单个颗粒并检测它们的能量，同样可用于成像（如X射线或中子成像） 产品特点：高空间分辨能力（55μm）超高的动态范围（无暗电流）能量敏感（能谱成像） 技术参数：主要应用：混合光子计数探测器MiniPIX在XRD分析领域的创新应用与进展快速射线成像（X射线，中子）粒子探测X射线衍射仪X射线应力仪

EIGER2 R混合像素光子计数X射线探测器进口二维双能阵列光子计数衍射仪X射线探测器1、产品特点： 在DECTRIS公司所有应用于实验室的探测器产品系列中，Eiger2R系列探测器结合了所有混合光子计数探测器的最先进技术。 它所具有的双能量识别有助于在微弱信号和长时间曝光的条件下进行背景抑制和提高信噪比。其优越的计数率性能可以准确地测量极高强度的X射线。利用该系列探测器的巨大动态范围，可以在零死时间同步读/写的状态下进行长时间曝光。由于具备可选择的真空兼容性，从而使空气和窗口所产生的吸收和散射最小化。小尺寸像素与X射线直接探测相结合，提高了空间分辨率和角度分辨率，可以进行精细地测量样品并具有宽泛的倒易空间。可以在三种不同的型号中进行选择以满足您的需求。2、核心优势： – 双能识别有助于抑制低能量和高能量的背景 – 由于零背景噪音和同时读写，所以具有很高的动态范围 – 小尺寸像素和优秀的点扩散函数有助于获得高的空间分辨率 – 可定制在真空环境下使用； – 免维护3、应用领域： - 小角X射线散射和广角X射线散射(SAXS/WAXS）； - 大分子晶体学（MX）； - 化学结晶学； - 单晶衍射（SCD）； - 粉末衍射（PD）； - X射线成像； - 表面衍射； - 漫散射。4、技术参数：EIGER2 R250K500K1M4M探测器模块数量111 x 22 x 4有效面积：宽x高 [mm2]38.4 x 38.477.2 x 38.677.1 x 79.7155.1 X 162.2像素大小 [μm2]75 x 75点扩散函数1 pixel能量阈值2阈值范围（KeV）3.5-30最大计数率（cps/mm2）6.9×108计数器深度（bit/threshold）2×16最大帧速率 [Hz]505010020采集模式同时读/写，死区时间为零图像位深度（bit）32可选真空兼容Yes冷却方式 风冷 风冷水冷水冷尺寸（WHD）[mm3]100 x 140 x 93100 x 140 x 93114 x 133 x 240235 x 235 x 372重量 [kg]1.81.84.715

产品详情德国YXLON 高分辨率Ｘ射线检测设备 Y.Cougar SMT 平板探测器（标配） Y.Cheetah 高速平板探测器（标配） Feinfocus作为高分辨率X光检测设备研发、设计和制造系统供应商。 是一九八二年最早成立于德国的系统供应商，现有超过2,800台Feinfocus的X射线设备在全球范围内被投入使用。 Feinfocus拥有目前世界上最先进的X射线设计理念和制造技术，Open Tube专利技术，原厂设计的更全面、更多功能的操作平台，整个系统完全是德国原厂制造 微焦、纳焦的发明者，拥有多项专利。 多年来Feinfocus的产品广泛用于PCBA、Semi、Package、 后段封装和非破损性检测(NDT)等领域的检测设备。 Feinfocus以领先检测技术、 丰富经验、 客户以先的应用为用户提供及时技术支持。 透过双嬴联手:1） 2004年，Feinfocus并入瑞士COMET集团，成为COMET的一个事业部；2） 2006年，另一家工业X射线制造商YXLON International也并入COMET集团；3） 2007年，YXLON和Feinfocus合并为YXLON International GmbH，成为COMET的一个成员，是航空、汽车、工业和电子领域最大的X光管和系统供应商； Y. Cheetah (μHD) - 高分辨率、高放大倍数X射线检测系统全新推出的Y.μHD功能模块，是专为TSV，Flipchip， Copper Pillar，高分辨率CT开发的功能模块，利用该功能模块，可以获得最佳的检测结果。• 一键操作，获得最好的图像• 几何放大倍数高达3000倍，系统放大倍数高达25,500倍• 高分辨率检测系统，检测TSV，Filpchip，Copper Pillar的理想工具• 自动产生检测报告及具备检测历史追踪功能• 独有的64位 Windows 7 操作系统,检测速度更快(可选)• 独有的64位 Y.Quickscan，一分钟完成CT扫描• 独有的Y. μHD功能模块，获得高分辨率的性能(可选) 其它选件: 1. 开放式多焦点X射线球管，具有3种焦点模式：• 微焦点分辨率＜1.0μm；• 纳焦点模式分辨率＜0.3μm；• 高功率模式分辨率小于＜3.0μm2. FGUI 扩展软件：自动BGA检测与测量；自动气泡检测与测量；检测过程录影3. 旋转工作台4. 高功率靶材，特别适用于密度低和很厚的非电子产品5. μCT模块，三维检测和实验室失效分析的得力助手 最佳铜线高速检测方案： 。 使用Feinfocus X光检测系统，配置高速平板探测器，实现铜线实时检测。 。相对于配置传统探测器的X光检测系统，效率提高数倍，图像效果更加。 性能特点 平台化设计，实现产品客户订制化- 使用開放式X射线管及平板数字探测器，領先業界的清晰图像提供者- 射线管的靶功率高达15瓦，几何放大倍数达3,000倍，应用范围更广- 独有的样品旋转及倾斜模块，是失效分析的强而有力的工具- 专利的TXI技术，确保任何时候检测图像质量稳定- 专利的AIM技术，确保观察检测位置处于图像中心- 全新FGUI軟件可提供CNC自動檢測，全自动完成BGA检测与Void检测- 设备可直接升级到CT三维断层扫描系统，节约成本- 独有1分钟快速CT扫描技术，是实验室失效分析的最强大助手- 独有的高功率靶，靶功率达7瓦时不散焦，标准检测分辨率＜1.0μm Y. Cougar Quick Scan μCT - 系统 的3分钟内完成一次CT :- 用于产品质量分析和工艺流程控制的μCT技术- 3分钟内完成3D图象和电子切片工作- 使大批量产品的CT检测成为现实

XR-100CR型X射线硅漂移探测器145eV的能量分辨率！全固态设计！热电致冷技术——无需液氮！ XR-100CR型硅PIN探测器及配套电源PX5 XR-100在火星探测器上的应用 XR-100探头组件示意图 XR-100CR系列产品由高性能X射线探头，前置放大器（前放）和致冷系统组成，首次采用热电致冷技术保持硅PIN光电二极管的低温工作环境，另外在两级热电致冷器上还安装了输入场效应管(FET)和新型温度反馈控制电路，这样探头组件的温度可保持在约零下55摄氏度左右，并可通过组件内置的温度传感器显示实时温度。探头采用TO-8封装，并利用不透光和不透气（真空封装适用）的薄铍(Be)窗以实现封装后的软X射线探测。 XR-100CR系列产品无需采用昂贵的低温制冷系统即可获得非常优越的性能，它标志着X射线探测器生产技术上的一个突破。产品特性：1. 硅PIN光电二极管探头；2. 两级热电致冷器；3. 探头温度实时显示；4. 铍（Be）窗；5. 多层准直器；6. 密封封装（TO-8）；7. 检测范围宽，适于多种应用；8. 操作简单，易上手。应用范围：1. X射线荧光分析；2. RoHS/WEE标准检测；3. 便携式设备；4. OEM应用；5. 核医疗学；6. 高校和科研院所教学研究；7. 艺术和考古学；8. 生产过程监控；9. 穆斯堡尔谱仪；10. 航空及宇航应用；11. 核电站辐射监控；12. 有毒物垃圾场检测；13. 粒子诱发X射线荧光分析（PIXE）。配件：1. MP1型X射线荧光分析系统装配平台2. 真空应用相关配件；3. 准直套装（高通量应用）；4. 实验室XRF开发套装；XRF设备由此开始 ... ...图1. 6mm2/500μm尺寸硅PIN探测器测得的55Fe能谱 利用硅PIN探测器测量55Fe（5.9keV的峰）能谱时的能量分辨率为145eV到230eV不等（半高全宽，FWHM），具体分辨率和探测器类型以及成形时间（shaping time）常数有关。 简要理论说明 入射的X射线会和硅原子相互作用，X射线能量每损失3.62eV就会在硅晶体产生一个电子-空穴对。随着入射能量的不同，能量损失或以光电效应为主，或以康普顿散射(Compton scattering)为主。而探测器吸收X射线能量并产生电子-空穴对的几率（即探测效率）随着硅的厚度增大而变大。 为提高电子-空穴队收集效率，需要在硅晶体上加约100到200伏的电压，而具体大小则取决于硅的厚度。在室温下工作时，该偏压对半导体而言过高，很可能漏电甚至击穿硅晶体。但在XR-100CR型探测器中首次应用了热电制冷技术，保证探头在低温下工作，这样漏电流大大减少，从而可以实现在高偏压下的正常工作。另外高偏压还能降低探测器的电容，进而降低系统噪声。 热电制冷器同时对硅探测器以及场效应晶体管（为电荷敏感前置放大器提供输入）进行冷却。对场效应管的冷却能减少它的漏电流，同时能增加跨导（transconductance），二者都能减少系统的电子学噪声。 实际上光电二极管探测器无法直接光学自复位，因此XR-100CR系列产品应用一种新颖的反馈控制方法来实现电荷敏感前置放大器的自复位。没有继续采用传统产品中的复位晶体管，而是通过发射一个精确的电荷脉冲到场效应管中来实现自复位，其中利用了到探测器的高压连接和探测器电容。该方法避免了自复位晶体管的噪声问题，系统的能量分辨率进一步提高。 利用热电制冷的探测器内部元件的温度会随着室温的变化而改变，故为即时监控这些元件的温度，在硅基底上还安装了一个用于温度监控的二极管芯片。低于-20oC的情况下，XR-100CR的性能在几摄氏度的范围内都不会有明显变化，故在通常室温条件下使用时无需采用闭合环路的温度反馈控制电路，但在OEM手持式X射线荧光谱仪设备应用中则强烈推荐使用温度反馈控制电路。主动温度控制（ATC）模块在PX2CR中是可选的，而在PX5中是默认标配的。 产品参数常规参数探头类型硅PIN探测器(Si-PIN)硅基底尺寸6-25mm2硅基底厚度300或500μm准直器多层准直器能量分辨率(@55Fe, 5.9keV峰)145-230eV FWHM (取决于探测器类型和成形时间常数)本底计数3x10-3/s,（对应2-150keV峰值,7mm2/300μm探测器） 铍(Be)窗厚度1mil (25μm)或0.5mil (12.5μm)电荷敏感型前置放大器Amptek定制设计（通过高压连接复位）增益稳定性（温飘）20ppm/ oC (一般情况下)外壳尺寸3 x 1.75 x 1.13 inch, 7.6 x 4.4 x 2.9 cm重量4.9 ounces (139g)总功率1W保修期一年产品寿命五到十年，因具体应用而异环境温度0~+40oC仓储和物流要求长时间仓储：干燥条件下存放十年以上一般仓储/物流：-20到+50 oC，10%到90%湿度（无冷凝器）TUV CertificationCertificate #: CU 72072412 01Tested to: UL 61010-1: 2004 R7 .05CAN/CSA-C22.2 61010-1: 2004输入参数前置放大器电源电压正负8到9V，电流15mA，噪声峰峰值小于50mV探头电源电压100到200V，电流1μA（因探头种类而异）；输入需要非常稳定：0.1%的波动。制冷器电源最大电压4V，噪声峰峰值小于100mV，最大电流350mA注意：XR-100CR探测器自身包含温度控制器输出参数复位输出波形XR100CR的输出在+5和-5V之间；复位周期会随探测器类型和计数率不同而变化。前置放大器灵敏度一般为1mV/keV（不同探测器可能略有不同）前置放大器极性负脉冲信号输出（最大负载为1k欧姆）前端放大器反馈经过探测器电容复位温度显示灵敏度PX2CR中770mV相当于-50 oC；利用PX5可通过软件直接读取温度（单位：开尔文）。 XR-100CR 连接器接口前置放大器输出同轴电缆BNC接头功率和信号六针雷莫（LEMO）接头（Part# ERA.1S.306.CLL）互连电缆单独使用XR100CR：六针雷莫接头（Part# FFA.1S.306.CLAC57）到九针D型接口；配套使用PX5：六针雷莫到六针雷莫接头；长均五英尺。六针LEMO接头针脚输出针脚1温度监控二极管针脚2探测器正偏压（高压），最大为+100~200V针脚3前置放大器-9V电源针脚4前置放大器+9V电源针脚5致冷器电源返回针脚6致冷器电源输入（电压范围：0~+4V，电流350mA）外壳接地和屏蔽 选配组件1. 其他厚度的Be窗可特别订购（0.3mil到7.5um）；2. 高通量应用时候的准直器套件；3. 真空应用相关配件；4. OEM应用；5. X-123配置。图2a. X-123配置，包含探测器，前置放大器，数字处理器及电源的一体化设计。图2b. 探测器，前置放大器及封装。图3. XR100CR探测器加长选项XR100CR的数字脉冲处理器和电源模块 XR-100CR系列产品的电源由PX5(数字脉冲处理器和电源模块组合)提供，而PX5自身的直流输入来源于交流电适配器。PX5提供了数字脉冲处理放大器（0.2~100us峰化时间），多道分析功能以及探测器所需的所有电源。 XR-100CR/PX5的组合系统能确保开机1分钟后稳定工作。图4. 采用XR100CR和PX5搭建的典型系统的框图。 AMPTEK公司能提供不同的探测器和前置放大器配置以满足不同需要，其对应的针脚输出和电压类型不一样。 图5. 硅PIN和硅漂移探测器的分辨率和峰化/成形时间关系曲线图6. 不同峰化时间下探测器能量分辨率和输入计数率（ICR）关系，对应XR100CR和PX5情况图7. 不同峰化时间下的PX5输出能力准直器的使用 为提高能谱测量的质量，绝大部分Amptek生产的探测器都带有内部准直器。 探测器有效面元(active volume)边缘部分和X射线的相互作用会因不完全电荷收集产生一些小脉冲信号，进而影响测得的能谱数据。而且这些信号可能正处在用户所关心的元素所在的能量范围，降低了信噪比。而内部准直器则可以限制X射线只能打到有效面元内，这就避免了噪声信号的产生。 不同类型的探测器中准直器的应用各有优点：提高峰本比（P/B）；消除边界效应；消除假尖峰信号。真空环境中的应用 XR-100CR型产品可以工作在10-8托的真空环境到大气压下工作，而真空环境应用有如下两种方案： 1) XR-100CR的探头和前放均置于真空室内部： a. 为保证XR-100CR的正常工作，需避免器件过热，并做好输入的1W功率的良好导热；即利用XR-100CR封装上的四个安装孔，根据具体真空室位形设计散热，将器件热量传导到真空室壁上； b. 在CF（Conflat Flange）刀口法兰上利用可选的真空馈通端子（如9DVF型，九接口）连接XR-100CR和真空室外的PX5电源。 2) XR-100CR全部置于真空室外：需利用可选的真空探测器延长组件（如EXV9型，长9英寸）和标准CF刀口法兰窗口（通过O型金属环密封）配套。效率曲线图8（线性坐标）. XR-100CR型探测器的对应完全能量沉积的内禀探测效率。 该效率对应X射线能进入该探测器前端并通过光电效应沉积所有能量到探测器上的概率。图9（对数坐标）. 考虑各种效应后的收集效率，其中也包含了光电效应的概率影响。 光电效应在低能段主导，而该效应对应了能量的完全沉积，但在超过40keV后，康普顿（Compton）散射效应逐渐显著，不是所有能量均沉积在探测器上。 上面两图同时考虑了铍窗（包括保护层）对X射线透过率的影响以及光子与硅探测器之间的相互作用。曲线的低能部分由铍窗的厚度决定，而高能部分则取决于硅探测器的有效探测厚度。选用特定的铍窗，可使90%的能量为2到3keV的入射光子到达探测器；选用特定的探测器，可接收到90%的9到12keV 的光子。传输效率文件：包含传输效率方面系数和常见问题解答的.zip格式文件，仅提供基本信息，不能作为定量分析依据。XR-100在探路者（PathFinder）计划中在火星着陆！！！ 得益于该系列产品的独特设计和可靠性，XR-100在探路者计划中被选中，用于岩石和土壤成分分析。 来自火星的第一个岩石元素成分能谱图10. 承蒙芝加哥大学提供。完整的XRF系统图11. 完整的X射线荧光谱仪系统图12. XR100CR和Mini-X安装在MP1平台上示意图完整的X射线荧光谱仪系统包括：1. XR-100CR型X射线探测器；2. PX5型数字脉冲处理器，多道分析模块和电源；3. Mini-X型USB控制X射线管；4. XRF-FP定量分析软件；5. MP1型XRF系统装配平台。

XR-100CR型X射线硅漂移探测器145eV的能量分辨率！全固态设计！热电致冷技术&mdash &mdash 无需液氮！ XR-100CR型硅PIN探测器及配套电源PX5 XR-100在火星探测器上的应用 XR-100探头组件示意图 XR-100CR系列产品由高性能X射线探头，前置放大器（前放）和致冷系统组成，首次采用热电致冷技术保持硅PIN光电二极管的低温工作环境，另外在两级热电致冷器上还安装了输入场效应管(FET)和新型温度反馈控制电路，这样探头组件的温度可保持在约零下55摄氏度左右，并可通过组件内置的温度传感器显示实时温度。探头采用TO-8封装，并利用不透光和不透气（真空封装适用）的薄铍(Be)窗以实现封装后的软X射线探测。 XR-100CR系列产品无需采用昂贵的低温制冷系统即可获得非常优越的性能，它标志着X射线探测器生产技术上的一个突破。产品特性：1. 硅PIN光电二极管探头；2. 两级热电致冷器；3. 探头温度实时显示；4. 铍（Be）窗；5. 多层准直器；6. 密封封装（TO-8）；7. 检测范围宽，适于多种应用；8. 操作简单，易上手。应用范围：1. X射线荧光分析；2. RoHS/WEE标准检测；3. 便携式设备；4. OEM应用；5. 核医疗学；6. 高校和科研院所教学研究；7. 艺术和考古学；8. 生产过程监控；9. 穆斯堡尔谱仪；10. 航空及宇航应用；11. 核电站辐射监控；12. 有毒物垃圾场检测；13. 粒子诱发X射线荧光分析（PIXE）。配件：1. MP1型X射线荧光分析系统装配平台2. 真空应用相关配件；3. 准直套装（高通量应用）；4. 实验室XRF开发套装；XRF设备由此开始 ... ...图1. 6mm2/500&mu m尺寸硅PIN探测器测得的55Fe能谱 利用硅PIN探测器测量55Fe（5.9keV的峰）能谱时的能量分辨率为145eV到230eV不等（半高全宽，FWHM），具体分辨率和探测器类型以及成形时间（shaping time）常数有关，详情可参见选购指南。 简要理论说明 入射的X射线会和硅原子相互作用，X射线能量每损失3.62eV就会在硅晶体产生一个电子-空穴对。随着入射能量的不同，能量损失或以光电效应为主，或以康普顿散射(Compton scattering)为主。而探测器吸收X射线能量并产生电子-空穴对的几率（即探测效率）随着硅的厚度增大而变大。 为提高电子-空穴队收集效率，需要在硅晶体上加约100到200伏的电压，而具体大小则取决于硅的厚度。在室温下工作时，该偏压对半导体而言过高，很可能漏电甚至击穿硅晶体。但在XR-100CR型探测器中首次应用了热电制冷技术，保证探头在低温下工作，这样漏电流大大减少，从而可以实现在高偏压下的正常工作。另外高偏压还能降低探测器的电容，进而降低系统噪声。 热电制冷器同时对硅探测器以及场效应晶体管（为电荷敏感前置放大器提供输入）进行冷却。对场效应管的冷却能减少它的漏电流，同时能增加跨导（transconductance），二者都能减少系统的电子学噪声。 实际上光电二极管探测器无法直接光学自复位，因此XR-100CR系列产品应用一种新颖的反馈控制方法来实现电荷敏感前置放大器的自复位。没有继续采用传统产品中的复位晶体管，而是通过发射一个精确的电荷脉冲到场效应管中来实现自复位，其中利用了到探测器的高压连接和探测器电容。该方法避免了自复位晶体管的噪声问题，系统的能量分辨率进一步提高。 利用热电制冷的探测器内部元件的温度会随着室温的变化而改变，故为即时监控这些元件的温度，在硅基底上还安装了一个用于温度监控的二极管芯片。低于-20oC的情况下，XR-100CR的性能在几摄氏度的范围内都不会有明显变化，故在通常室温条件下使用时无需采用闭合环路的温度反馈控制电路，但在OEM手持式X射线荧光谱仪设备应用中则强烈推荐使用温度反馈控制电路。主动温度控制（ATC）模块在PX2CR中是可选的，而在PX5中是默认标配的。 产品参数常规参数探头类型硅PIN探测器(Si-PIN)硅基底尺寸6-25mm2硅基底厚度300或500&mu m准直器多层准直器能量分辨率(@55Fe, 5.9keV峰)145-230eV FWHM (取决于探测器类型和成形时间常数)本底计数3x10-3/s,（对应2-150keV峰值,7mm2/300&mu m探测器） 铍(Be)窗厚度1mil (25&mu m)或0.5mil (12.5&mu m)电荷敏感型前置放大器Amptek定制设计（通过高压连接复位）增益稳定性（温飘）20ppm/ oC (一般情况下)外壳尺寸3 x 1.75 x 1.13 inch, 7.6 x 4.4 x 2.9 cm重量4.9 ounces (139g)总功率1W保修期一年产品寿命五到十年，因具体应用而异环境温度0~+40oC仓储和物流要求长时间仓储：干燥条件下存放十年以上一般仓储/物流：-20到+50 oC，10%到90%湿度（无冷凝器）TUV CertificationCertificate #: CU 72072412 01Tested to: UL 61010-1: 2004 R7 .05CAN/CSA-C22.2 61010-1: 2004输入参数前置放大器电源电压正负8到9V，电流15mA，噪声峰峰值小于50mV探头电源电压100到200V，电流1&mu A（因探头种类而异）；输入需要非常稳定：0.1%的波动。制冷器电源最大电压4V，噪声峰峰值小于100mV，最大电流350mA注意：XR-100CR探测器自身包含温度控制器输出参数复位输出波形XR100CR的输出在+5和-5V之间；复位周期会随探测器类型和计数率不同而变化。前置放大器灵敏度一般为1mV/keV（不同探测器可能略有不同）前置放大器极性负脉冲信号输出（最大负载为1k欧姆）前端放大器反馈经过探测器电容复位温度显示灵敏度PX2CR中770mV相当于-50 oC；利用PX5可通过软件直接读取温度（单位：开尔文）。 XR-100CR 连接器接口前置放大器输出同轴电缆BNC接头功率和信号六针雷莫（LEMO）接头（Part# ERA.1S.306.CLL）互连电缆单独使用XR100CR：六针雷莫接头（Part# FFA.1S.306.CLAC57）到九针D型接口；配套使用PX5：六针雷莫到六针雷莫接头；长均五英尺。六针LEMO接头针脚输出针脚1温度监控二极管针脚2探测器正偏压（高压），最大为+100~200V针脚3前置放大器-9V电源针脚4前置放大器+9V电源针脚5致冷器电源返回针脚6致冷器电源输入（电压范围：0~+4V，电流350mA）外壳接地和屏蔽 选配组件1. 其他厚度的Be窗可特别订购（0.3mil到7.5um）；2. 高通量应用时候的准直器套件；3. 真空应用相关配件；4. OEM应用；5. X-123配置。图2a. X-123配置，包含探测器，前置放大器，数字处理器及电源的一体化设计。图2b. 探测器，前置放大器及封装。图3. XR100CR探测器加长选项XR100CR的数字脉冲处理器和电源模块 XR-100CR系列产品的电源由PX5(数字脉冲处理器和电源模块组合)提供，而PX5自身的直流输入来源于交流电适配器。PX5提供了数字脉冲处理放大器（0.2~100us峰化时间），多道分析功能以及探测器所需的所有电源。 XR-100CR/PX5的组合系统能确保开机1分钟后稳定工作。图4. 采用XR100CR和PX5搭建的典型系统的框图。 AMPTEK公司能提供不同的探测器和前置放大器配置以满足不同需要，其对应的针脚输出和电压类型不一样。 图5. 硅PIN和硅漂移探测器的分辨率和峰化/成形时间关系曲线图6. 不同峰化时间下探测器能量分辨率和输入计数率（ICR）关系，对应XR100CR和PX5情况图7. 不同峰化时间下的PX5输出能力准直器的使用 为提高能谱测量的质量，绝大部分Amptek生产的探测器都带有内部准直器。 探测器有效面元(active volume)边缘部分和X射线的相互作用会因不完全电荷收集产生一些小脉冲信号，进而影响测得的能谱数据。而且这些信号可能正处在用户所关心的元素所在的能量范围，降低了信噪比。而内部准直器则可以限制X射线只能打到有效面元内，这就避免了噪声信号的产生。 不同类型的探测器中准直器的应用各有优点：提高峰本比（P/B）；消除边界效应；消除假尖峰信号。真空环境中的应用 XR-100CR型产品可以工作在10-8托的真空环境到大气压下工作，而真空环境应用有如下两种方案： 1) XR-100CR的探头和前放均置于真空室内部： a. 为保证XR-100CR的正常工作，需避免器件过热，并做好输入的1W功率的良好导热；即利用XR-100CR封装上的四个安装孔，根据具体真空室位形设计散热，将器件热量传导到真空室壁上； b. 在CF（Conflat Flange）刀口法兰上利用可选的真空馈通端子（如9DVF型，九接口）连接XR-100CR和真空室外的PX5电源。 2) XR-100CR全部置于真空室外：需利用可选的真空探测器延长组件（如EXV9型，长9英寸）和标准CF刀口法兰窗口（通过O型金属环密封）配套。效率曲线图8（线性坐标）. XR-100CR型探测器的对应完全能量沉积的内禀探测效率。 该效率对应X射线能进入该探测器前端并通过光电效应沉积所有能量到探测器上的概率。图9（对数坐标）. 考虑各种效应后的收集效率，其中也包含了光电效应的概率影响。 光电效应在低能段主导，而该效应对应了能量的完全沉积，但在超过40keV后，康普顿（Compton）散射效应逐渐显著，不是所有能量均沉积在探测器上。 上面两图同时考虑了铍窗（包括保护层）对X射线透过率的影响以及光子与硅探测器之间的相互作用。曲线的低能部分由铍窗的厚度决定，而高能部分则取决于硅探测器的有效探测厚度。选用特定的铍窗，可使90%的能量为2到3keV的入射光子到达探测器；选用特定的探测器，可接收到90%的9到12keV 的光子。传输效率文件：包含传输效率方面系数和常见问题解答的.zip格式文件，仅提供基本信息，不能作为定量分析依据。XR-100在探路者（PathFinder）计划中在火星着陆！！！ 得益于该系列产品的独特设计和可靠性，XR-100在探路者计划中被选中，用于岩石和土壤成分分析。 来自火星的第一个岩石元素成分能谱图10. 承蒙芝加哥大学提供。完整的XRF系统图11. 完整的X射线荧光谱仪系统图12. XR100CR和Mini-X安装在MP1平台上示意图完整的X射线荧光谱仪系统包括：1. XR-100CR型X射线探测器；2. PX5型数字脉冲处理器，多道分析模块和电源；3. Mini-X型USB控制X射线管；4. XRF-FP定量分析软件；5. MP1型XRF系统装配平台。 更多信息请关注AMPTEK英文官方网站：。

DECTRIS混合像素光子X射线探测器PILATUS3 S1、产品特点： PILATUS3 混合像素探测器可以为要求最苛刻的同步辐射应用提供极致的探测表现。在最新一代产品中，PILATUS系列X射线探测器已经达到了最高水平的成熟度和稳定性。改进的PILATUS3系列探测器采用互补金属氧化物半导体（CMOS）读出集成电路（ASIC）即时再触发技术，其可以避免瘫痪性误计数，同时其可以增强高计数率情况下的表现，减少读出时间，并获得更准确的计数率。PILATUS3即时再触发技术客服了以前的光子计数探测器固有的计数率低的限制。PILATUS3系列光子计数探测器是我们一直以来不断完善单光子计数探测器的努力结晶。卓越的数据质量和快速的数据采集是PILATUS探测器系统的主要优点。卓越的数据质量是通过各种独特的特征来实现的：不存在读出噪声和暗电流，尖锐的点扩散函数，并且高达20比特（~100万个计数）的高动态范围和计数器深度。目前最先进的互补金属氧化物半导体（CMOS）集成电路（ASIC）和读出电子学设计能够保证快速的数据获取。PILATUS3现在的标准配置为450微米的硅传感器，以此提高量子效率。所有PILATUS3 M系统出了包括探测服务器之外，还包含一台高性能计算机，以此确保高速率稳定的数据采集而不需要用户额外增加计算机系统。 2、核心优势： –计数率高达每像素每秒1千万计数 –帧速率高达50Hz，即每秒钟可以采集500张图像 –读出时间仅为0.95毫秒 –单光子计数模式中的直接探测X射线 –无读出噪声 –无暗电流 –优秀的点扩散函数 –20位无溢出计数器 3、应用领域： –生物大分子晶体学（MX） –单晶衍射（SCD） –表面衍射 –连贯的X射线成像 –时间分辨实验 –小角散射与广角散射（SAXS/WAXS） –X射线衍射（XRPD） 4、技术参数：PILATUS3 S1M2M6M探测器模块数量2 x 53 x 85 x 12有效面积：宽x高 [mm2]168.7 x 179.4253.7 x 288.8423.6 x 434.6像素大小 [μm2]172x172总像素数量：水平x垂直981 x 10431475 x 16792463 x 2527间隙宽度, 水平/垂直（像素）7/17非灵敏区 [ % ]7.28.08.5缺陷像素0.03%最大帧频 [Hz]25读出时间 [ms]2.03点扩散函数1 pixel（FWHM）阈值能量 [kev]2.7 - 18计数器深度20 bits（ 1,048,576 counts）功耗 [W]165250580尺寸（WHD）[mm3]265 x 286 x 455384 x 424 x 456590 x 603 x 455重量 [kg]254692模块冷却水冷电子冷却风冷标准配置450微米的硅传感器、探测器、探测器的服务器、水冷却装置探测器选择1000微米的硅传感器、PPUmini，L or XL PILATUS3 S探测器可用最少的停机时间现场升级为X系列探测器。 这使得相应的PILATUS3 X探测器的全部性能和特点得以实现。

实验内容 1.放射性探测的统计规律实验，验证原子核衰变及放射性计数的统计规律，了解统计误差的意义，掌握计算统计误差的方法，掌握对测量精度的要求，合理选择测量时间的方法。 2.闪烁体探测器与γ射线吸收实验，学习对γ谱仪的刻度，测定γ谱仪的能量分辨律以及能量线性；验证γ射线通过物质时强度减弱遵循指数规律，测量γ射线在不同物质中的吸收系数。仪器组成 模拟探测器支架、模拟探测器、模拟放射源、模拟吸收片、多功能数字多道 用户自备电脑一台(Win7以上 64位系统)

1、产品特点： 我们一直持续致力于不断地探索研究、突破技术壁垒，以获得更为高效的测试过程及测试装置，使测试性能趋于完美。目前我们在同步辐射仪器及科学研究领域所取得的巨大成就已充分证明了这一点。 新型的EIGER X 系列探测器可以为要求极为苛刻的同步辐射应用提供极致的探测性能。具有连续读数能力以及千赫兹帧速率的成像能力为时间分辨类实验和XPCS提供了一种全新的手段，使得像ptychography类的慢速扫描成像技术成为可能。高分辨率和连续的衍射实验受益于较小的成像尺寸，通过X射线的直接转换可以获得卓越的点扩散函数。在理想情况下每单位面积的最高计数速率可以与持续增加的波束线亮度相匹配。 2、核心优势： - 混合成像计数：单光子成像计数模式下的X射线直接转换能力 - 千赫帧速率占空比 99% - 3μs时间下的连续采集模式 - 5μm像素尺寸的高空间分辨率 - 优秀的点扩散函数 - 计数速率高达每平方毫米每秒5亿次 - 无读出噪声和暗电流 - 极其紧凑的外壳 3、应用领域： -X射线光子相关光谱(XPCS) - Ptychography(叠层衍射)成像技术 - 时间分辨实验 - 大分子晶体学(MX) - 单晶衍射(SCD) - 粉末衍射(PD) - 表面衍射- 小广角/X光散射(粉煤灰/蜡)- X射线成像 4、技术参数：EIGER X 500K 1M4M9M16M探测器模块数量11 x 22 x 43 x 64 x 8有效面积：宽x高 [mm2]77.2 x 38.677.2 X 79.9155.2 x 162.5233.2 x 245.2311.2 x 327.8像素大小 [μm2]75 x 75总像素数量1030x514=529,4201030x1065=1,096,9502070 x 2167=4,485,6903110 x 3269=10,166,5904150X4371=18,139,650间隙宽度, 水平/垂直（像素）-/--/3710 / 3710 / 3710 / 37非灵敏区 [ % ]03.55.66.36.6缺陷像素0.03%最大帧频* [Hz]3000,4500**,9000**3000750238133计数器深度 [ bit ]12, 8, 412121212读出时间连续读数，3μs死区时间，工作循环99%***点扩散函数1 pixel探测器厚度 [μm]450阈值能量 [keV]2.7-18最大计数率 [phts/s/mm2]5• 108动态范围 [bit]16 或32数据格式HDF5 / NeXus尺寸（WHD）[mm3]114 x 92 x 242114 x 133 x 240235 x 237 x 372340 x 370 x 500400 x 430 x 500重量 [kg]3.33.9154155功耗 [w]70753007501200

产品介绍：ADVACAM MiniPIX系列迎来了新成员MiniPIX TPX3。这是一款掌上型的光子计数辐射成像或粒子追迹装置。它以数字方式记录每个电离粒子(如 x射线光子)的位置、能量、到达时间和轨迹。它也可以作为MiniPIX升级款x射线相机使用。虽然体积小，但它的功能极其强大: ARM处理器与FPGA的结合，实现测量、通信和数据采集，通过USB与PC端连接。支持ADVACAM已推出的所有主要传感器类型: 硅100μm,300μm,500μm和碲化镉 1mm (2mm可定制)。最小能量阈值约为2kev，空间分辨率为55μm，时间分辨率为1.5ns。可应用于: 标准x射线成像、x射线能谱成像(XRF、XRD、SAXS、WAXS)、伽马相机、康普顿相机、辐射监测(识别粒子类型、能量、光谱)、飞行时间测量等等。技术参数：Sensor Material:Si or CdTeSensor Thickness:100 μm, 300 μm and 500 μm for Si 1 mm CdTeSensitive Area:14 mm x 14 mmTime Resolution:1.6 nsReadout Speed:2.35 Million hits/sFrame rate:16 fpsNumber of Pixels:256 x 256Pixel Pitch:55 μmEnergy Resolution:0.5-1 keV (Si) and 1.1-3.6 (CdTe)Min Detectable Energy:3 keV (Si) and 5 keV (CdTe)Readout Chip:Timepix3Pixel Mode of Operation:Time-over-Threshold, Time-of -ArrivalConnectivity:μUSB 2.0Weight:30 gDimensions:80 mm x 21 mm x 14 mmSoftware:Pixet Pro主要应用：混合光子计数探测器MiniPIX在XRD分析领域的创新应用与进展辐射粒子监测X射线衍射仪，X射线应力仪无损检测公司介绍：Advacam S.R.O.源至捷克技术大学实验及应用物理研究所，致力在多学科交叉业务领域提供硅传感器制造、微包装、电子产品设计和X射线成像解决方案。Advacam最核心的技术特点是其X射线探测器（应用Timepix芯片）没有缝隙(No Gap)，因此在无损检测、生物医学、地质采矿、艺术及中子成像方面有极其突出的表现。Advacam同NASA（美国航空航天局）及ESA（欧洲航空航天局）保持很好的项目合作关系，其产品及方案也应用于航空航天领域。