分子束外延

700005234WatersASSY, SEAT PORT, .004 IDACQUITY 密封圈外延管路

热解氮化硼坩埚 热解氮化硼（PBN）是特种陶瓷材料，是本公司在特殊设备上用化学气相沉积的工艺制得的。热解氮化硼的沉积过程，宛如“落雪”：氮化硼的六角型小雪片，一片一片的平行地落在石墨基体材料上，达到一定厚度后，最终冷却脱模而制成。 主要特点： ●　产品颜色在牙白至橙棕，无毒、无孔隙、易加工。●　纯度高达99.99％，表面致密，气密性好。●　耐高温，强度随温度升高，2200℃达到最大值。●　耐酸、碱、盐及有机试剂，高温与绝大多数熔融金属、半导体等材料不湿润、不反应。●　抗热震性好，热导性好，热膨胀系数低。●　电阻高，介电强度高，介电常数小，磁损耗角正切低，并具有良好的透微波和红外线性能。●　在力学、热学、电学等等性能上有着明显的各向异性。 产品应用1.半导体单晶及III－V族化合物合成用的坩埚、基座：原位合成GaAs 、InP 、GaP单晶的LEC系列坩埚。分子束外延用的MBE系列坩埚。 VGF、VB法系列坩埚。2.电子束源用的系列坩埚，金属熔炼蒸发坩埚等3.石英坩埚及舟皿等石墨器具上的涂层，MOCVD绝缘板。

太赫兹时域光谱系统BATOP GmbH是一家创新型公司，从事的专业领域包括：低温分子束外延技术，介质溅射镀膜，晶圆加工和芯片安装技术。BATOP的一个主要产品系列是用于太赫兹发射和探测的太赫兹光电导天线(PCA)。BATOP不仅提供单带隙天线，还包括整合了微透镜的高能大狭缝交叉天线阵列和整套的太赫兹光谱仪。?TDS10XX台式太赫兹时域光谱仪 产品特性： 光谱范围最高可至3.5THz 带透射测试样品仓，可充氮气 针对小样品可选聚焦太赫兹光束 有额外端口，适用于外部光纤耦合测试 可选x-y-z样品位移台，用于3D扫描透反射测试 T3DS软件支持?FC TDS 1550nm光纤耦合太赫兹时域光谱系统 主要参数： ?FS TDS 1060nm自由空间太赫兹时域光谱系统产品特性： 光谱范围最高可至2.5THz 太赫兹发射和探测模块 780nm自由空间可选 T3DS软件支持主要参数：

Pfeiffer 涡轮分子泵 HiPace 400上海伯东销售维修德国普发 Pfeiffer 分子泵 HiPace 400, 抽速可达到 355 l/s 紧凑有力的涡轮分子泵, 进气法兰 DN 100, 涡轮分子泵通过保护等级 IP54, 半导体 S2, UL / CSA 认证. 紧凑设计保证分子泵最佳性能. 涡轮分子泵 HiPace 400 高抽速和最大压缩比, 集成驱动电路, 工业环境和实验研究的理想选择. 通过分子泵控制器监控运算数据保证分子泵的最大安全性. 涡轮分子泵 HiPace 400 可选风冷或水冷.涡轮分子泵 HiPace 400 技术参数分子泵型号接口 DN 抽速 l/s压缩比最高启动压强mbar极限压力全转速气体流量hPa l/s启动时间重量进气口 排气口氮气N2氦气He氢气 H2氮气N2氮气N2hPa氮气N2minkgHiPace 400HiPace 400 P10025355470445 1X101111 1X10–76.5211.6 – 17.5HiPace P 系列, 因其能抵抗工业粉尘和微小粒子而广泛应用于工业领域Pfeiffer 涡轮分子泵 HiPace 400 入门套件:此型号我们提供完整的套装供您选择, 包含一台 HiPace 400 分子泵主机和控制电源等,选择分子泵套件满足基本的应用,可以安装在所有情况下并轻松调试涡轮分子泵. 套件内配置如下:DCU 400, 显示控制单元,含电源用于供电,检查和操作带集成电源可完美匹配 TC 400 的分子泵 HiPace 400-800 和配置 TM 700 的 Hipace 300-800M可与 Pfeiffer 真空规 ActiveLine 系列连接 分子泵电源与控制器连接线风冷适用于分子泵 HiPace 400/700/800电子驱动单元 TC 400/ TM 700/ TCP 350电气连接 M12 分子泵应用 HiPace 400: 广泛应用于各个真空行业镀膜: 光伏, CD/ DVD/ PVD, 光学镀膜, 硬质涂层工业: 医学技术, 工业检漏, 电子束焊接, 隔离真空, 热处理, 灯管制造研发: 核研究, 等离子研究, 粒子加速器, 冷冻研究, 纳米技术, 生物技术分析仪器: 小型质谱, 表面分析, 残余气体分析半导体: PVD, CVD, Beamline, Inspection, MBE, Loard-Locks上海伯东客户分子泵应用一：HiPace 80, HiPace 400 用于分子束外延 MBE, 主要针对金属薄膜及材料器件的氧化物外延生长.涡轮分子泵 HiPace 400 对不同气体的抽速:涡轮分子泵 HiPace 400 尺寸图：涡轮分子泵 HiPace 400 目前在售型号:分子泵 HiPace 400，TC 400，DN 100 ISO-K分子泵 HiPace 400，TC 400，DN 100 CF-F分子泵 HiPace 400，TC 400，DN 100 ISO-F分子泵 HiPace 400，TCP 350，DN 100 ISO-K分子泵 HiPace 400，TCP 350，DN 100 CF-F分子泵 HiPace 400，TCP 350，DN 100 ISO-F分子泵 HiPace 400，TC 400，Profibus，DN 100 ISO-K分子泵 HiPace 400，TC 400，Profibus，DN 100 CF-F分子泵 HiPace 400，TC 400，Profibus，DN 100 ISO-F分子泵 HiPace 400 P，TC 400，DN 100 ISO-K分子泵 HiPace 400 P，TC 400，DN 100 CF-F分子泵 HiPace 400 P，TC 400，DN 100 ISO-F其他热销款普发分子泵推荐分子泵组 Hicube 80分子泵 HiPace 80分子泵 HiPace 300上海伯东 Pfeiffer 涡轮分子泵抽速范围 10 至 2700 L/S, 转速最高 90,000 rpm, 极限真空最大 1E-11 mbar, 对小分子气体具有更高的压缩比, 实践证明 Pfeiffer 涡轮分子泵运行时间可以达到 100,000 小时! 普发分子泵提供复合轴承分子泵和五轴全磁浮分子泵二大系列满足不同应用, 推荐搭配 Pfeiffer 旋片泵和干泵共同使用. 推荐分子泵典型应用 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请联络上海伯东罗先生伯东版权所有, 翻拷必究!

Tydex公司专业订制生产THz光学镜片，可以提供太赫兹专用离轴抛物镜、滤波片、偏振片、窗片、透镜、棱镜、波片、分束片、反射镜和菲涅尔透镜等，同时还提供太赫兹衰减器、太赫兹宽带相位变换器。BATOP从事的专业领域包括：低温分子束外延技术，介质溅射镀膜，晶圆加工和芯片安装技术。在过去几年里， BATOP 已成为一个用于被动锁模激光器的可饱和吸收体的世界领先的供应商。可饱和吸收产品集合了各式各样的不同的器件，从可饱和吸收镜(SAM&trade )，到可饱和输出镜(SOC)和用于透过应用的可饱和吸收体(SA)。迄今为止，可饱和吸收产品已经覆盖了800nm2.6µ m的常用激光波长范围。另一个产品系列是用于太赫兹发射和探测的太赫兹光电导天线(PCA)。BATOP不仅提供单带隙天线，还包括整合了微透镜的高能大狭缝交叉天线阵列和整套的太赫兹光谱仪。 本公司为您提供太赫兹光源、太赫兹探测器及各种太赫兹元器件： 01、太赫兹探测器 THz Golay cell 02、太赫兹低通滤波片 THz Low Pass Filter 03、太赫兹带通滤波片 THz Band Pass Filters 04、太赫兹偏振片 THz Polarizers 05、太赫兹衰减器 THz Attenuators 06、太赫兹窗片 THz Windows 07、太赫兹透镜 THz Lenses 08、太赫兹棱镜 THz Prisms 09、太赫兹波片 THz Waveplates 10、太赫兹宽带相位变换器 THz Board-band Phase Transformers 11、太赫兹光谱分光片 THz Spectral Splitters 12、太赫兹分束镜 THz Beam Splitters 13、太赫兹平面反射镜 THz Mirrors 14、太赫兹衍射光学器件THz Diffractive Optical Elements 15、太赫兹增透镀膜 THz AR Coatings 16、离轴抛物镜 OAP 17、太赫兹晶体 ZnTe 18、太赫兹光电导天线 PCA

BATOP GmbH成立于2003年，是一家隶属于德国耶拿大学的私人创新型公司。BATOP从事的专业领域包括：低温分子束外延技术，介质溅射镀膜，晶圆加工和芯片安装技术。在过去几年里， BATOP 已成为一个用于被动锁模激光器的可饱和吸收体的世界领先的供应商。可饱和吸收产品集合了各式各样的不同的器件，从可饱和吸收镜(SAM&trade )，到可饱和输出镜(SOC)和用于透过应用的可饱和吸收体(SA)。迄今为止，可饱和吸收产品已经覆盖了800nm到2.6µ m的常用激光波长范围。另一个产品系列是用于太赫兹发射和探测的太赫兹光电导天线(PCA)。BATOP不仅提供单带隙天线，还包括整合了微透镜的高能大狭缝交叉天线阵列和整套的太赫兹光谱仪。 太赫兹光电导天线的激发波长为800nm到1550nm之间。BATOP借助强大的研发能力来不断提高自己的产品， 我们始终和客户在一起，最好的满足他们的需求。MC - Microchip in reflection modeThe Nd:YVO4 laser crystal is bonded with a saturable absorber mirror (SAM).The laser output beam is in the reverse direction of the pump beam and must be separated from pump light by using a dichroitic mirror.The laser output is linear polarized with the polarization direction perpendicular to the groove in the copper heat sink.MCT - Microchip in transmission modeThe Nd:YVO4 laser crystal is bonded with a saturable output coupler (SOC).The laser output beam is in the same direction as the pump beam.The laser output is linear polarized.

? BATOP GmbH成立于2003年，是一家隶属于德国耶拿大学的私人创新型公司。BATOP从事的专业领域包括：低温分子束外延技术，介质溅射镀膜，晶圆加工和芯片安装技术。在过去几年里， BATOP 已成为一个用于被动锁模激光器的可饱和吸收体的世界领先的供应商。可饱和吸收产品集合了各式各样的不同的器件，从可饱和吸收镜(SAM&trade )，到可饱和输出镜(SOC)和用于透过应用的可饱和吸收体(SA)。迄今为止，可饱和吸收产品已经覆盖了800nm到2.6µ m的常用激光波长范围。另一个产品系列是用于太赫兹发射和探测的太赫兹光电导天线(PCA)。BATOP不仅提供单带隙天线，还包括整合了微透镜的高能大狭缝交叉天线阵列和整套的太赫兹光谱仪。 太赫兹光电导天线的激发波长为800nm到1550nm之间。BATOP借助强大的研发能力来不断提高自己的产品， 我们始终和客户在一起，最好的满足他们的需求。RSAM&trade - 共振饱和吸收体的镜子RSAM 信息1、SAM的目的被动锁模技术由于便于组装，操作简单等优点，已被人们广泛的应用于各类激光腔中来产生超短脉冲串。被动锁模器件：可饱和吸收镜（SAM），可被安装在宽谱激光腔中进行模式锁定。通过可饱和吸收体的损耗机制，连续激光器中杂乱的多脉冲可以被调制成有规律的超短脉冲串。可饱和吸收体在强光下被漂白，可以使大部分腔内能量通过可饱和吸收体到达反射镜，并再次反射回激光腔中；在弱光下，表现为吸收未饱和的特性，吸收掉所有入射光，有效的把这部分弱光从激光腔中去除掉，表现了调Q锁模的抑制作用。而且由于吸收掉了脉冲前沿部分，脉冲宽度在反射过程中会逐渐变窄。2、参数一块SAM包含一个布拉格反射镜（Bragg-mirror）生长在基底上（如GaAs晶圆），然后可饱和吸收层做在布拉格反射镜上。尽管半导体可饱和吸收镜已经被广泛的用于各种激光腔中进行模式锁定，但是SAM的应用还是要根据具体情况被精确地设计，如不同的激光器具有不同损耗，增益谱，腔内功率等等，可饱和吸收体的参数都需要跟这些参数相匹配。 对于一块SAM，其最重要的参数如下：l 吸收率: Al 调制深度： △Rl 弛豫时间： τl 饱和通量： Fsatl 反射带宽以及吸收带宽3、吸收 SAM属于非线性光学元件。所以其对光的吸收率A1和光能量F相关。如果脉冲宽度τp 4、调制深度 饱和吸收镜（SAM）的反射比R取决于材料的吸收率A即R=1-A。调制深度△R小于小信号吸收率A0，这是由于非饱和损耗所造成的 Ans：△R=A0-Ans。引起非饱和损耗的主要原因有晶体缺陷，这些缺陷可以保证超快的载流子恢复速度。调制深度会随着载流子弛豫时间τ的增加而增加。 5、弛豫时间 饱和吸收层包括一块直接带隙略低于光子能量的半导体材料。光照被吸收时，薄膜内产生电子-空穴对。载流子的弛豫时间会比脉冲宽度略长一些。这种情况下，脉冲后沿是不被吸收的，然而经过两相邻脉冲之间的一个周期时间后，饱和吸收体又会恢复到非饱和状态对下一个脉冲进行同样的调制。 6、饱和通量饱和通量依赖于半导体的材料参数以及SAM的光学设计。为了预防SAM在强光下不被损伤且功能不会减退，饱和通量一定要比较低才行。为了得到一个小的饱和通量值，一般半导体吸收层的厚度在10nm左右。这种情况下，垂直于SAM吸收层会发生电子能量和动量的量子化现象，这也会造成它的态密度比常规紧凑半导体低的结果。所以SAM中的饱和吸收层可以看作是一个带隙比两边小的量子阱。如果SAM需要一个更大的吸收光通量，那么可以通过增加量子阱的数量达到此目的，而非用一块厚度大的单个吸收层。SAM中布拉格反射镜前面的电场强度是一个周期性的函数，拥有节点和腹点。吸收层量子阱的位置一般处于腹点处从而可以获得一个低的饱和通量值。布拉格反射镜和半导体-空气界面的菲涅尔反射一起构成了一个类似于法布里-珀罗的谐振器，其中包含有量子阱。这两个反射层之间的半导体厚度决定了腔内会形成谐振或者反谐振。由于腔内场的增强，谐振情况下SAM的饱和通量比反谐振时要低。7、吸收体温度饱和吸收体将一部分入射光能量转化为热能。这部分热能在脉冲经过时快速将饱和吸收体内温度升高，然后热量经过基底传输到基底后面的散热器上。如GaAs基底，它具有非常良好的热导率，即使微不足道的热量也能很快散到空气里。

太赫兹光电导天线太赫兹天线THz antennas PCA产品简介 光电导天线是目前THz时域光谱仪中常用的THz产生与探测器件，生产工艺已经趋于成熟。上世纪 80 年代，太赫兹之父 D．Grischkowsky 等人利用光电导天线产生了 THz 辐射。这种方法发展到现在，已经成为一种较为普遍的实验方法。如下图，偶极天线结构被制作在低温生长的GaAs 上，利用光子能量大于 GaAs 禁带宽度的超短脉冲激发天线装置，是半导体内部产生电子-空穴对，这些载流子再外加电场的作用下将会加速运动形成一个瞬态电流，从而辐射出 THz 脉冲。Batop公司简介 BATOP GmbH成立于2003年，是一家曾隶属于德国耶拿大学的私人创新型公司。BATOP从事的专业领域包括：低温分子束外延技术，介质溅射镀膜，晶圆加工和芯片安装技术。Batop的一个主要的产品系列是用于太赫兹发射和探测的太赫兹光电导天线(PCA)。BATOP不仅提供单带隙天线，还包括整合了微透镜的高能大狭缝交叉天线阵列和整套的太赫兹时域光谱仪。 太赫兹光电导天线的激发波长为800nm到1550nm之间。BATOP借助强大的研发能力来不断提高自己的产品， 我们始终和客户在一起，很好的满足他们的需求。 光电导天线选型推荐天线类型 发射探测低频段高频段低激发光强高激发光强蝴碟形天线++ ++ +--+平行形天线+ ++-+ ++-领结形天线++ +++ +-天线阵列+ ++ + -+ +-+ +领结指间形天线 +++++ +-螺旋形天线+ ++ ++ +-+-PCA 产品列表激发光波长 530 nm ... 860 nm激发光波长 800 nm ... 1100 nm激发光波长 1000 nm ... 1550 nm光导天线封装形式以及相关附件：

美国 HVA 标准周期真空闸阀 11000 系列 美国 HVA 标准周期真空闸阀 11000 系列满足高真空和超高真空应用。清洁和高密封性保证 HVA 进口阀门与低温泵、涡轮分子泵，离子泵等完美联用。HVA 标准周期真空闸阀 11000 系列产品特点 HVA 11000 系列真空闸阀有正面锁定的中心装置或一个软封的气动闸（可选择的），阀门保持关闭状态以防空气压力损失。11000 系列真空闸阀独特的气缸设计保证最低的冲击和振动，因此特别适合应用于半导体制造和其他要求低振动的敏感加工工业。HVA不锈钢真空阀门提供了业界最小的内部接口。阀体和所有内部部件都是在1100 ℃，1x10E-6 Torr的真空炉中一体钎焊完成，确保了阀门的最大完整性，有效消除了虚漏和缺陷部分，避免阀体变形。 阀门手动、气动三种驱动方式可选，标准或定制法兰满足不同应用。HVA 标准周期真空闸阀 11000 系列可任意位置安装。 HVA 标准周期真空闸阀 11000 系列技术参数阀门材质：阀门主体304 不锈钢焊接波纹管轴封AM-350阀门密封方式：高真空氟橡胶超高真空 铜垫圈/氟橡胶真空：压力范围高真空1x10-9 mbar 超高真空 1x10-10 mbar 漏率 2x10-9 mbar l/S差压关闭1 bar (任意位置) 开启前最大压力≤ 30 mbar烘烤温度（不含电磁阀）：佛橡胶密封150 °c铜垫圈密封阀门关闭 200 °c 阀门打开 150 °c驱动方式手动 60 °c 气动 60 °c使用寿命：100,000启闭次数公称通径：DN16-1000 mmHVA 标准周期真空闸阀应用案例 上海伯东客户某大学自主搭建分子束外延与扫描隧道显微镜系统，采用美国 HVA 真空闸阀 11000系列并搭配 Pfeiffer 分子泵 Hipace 300 和涡轮分子泵 Hipace 80 成功分析生长晶体表面结构。* 鉴于信息保密，更详细的应用案例欢迎致电.HVA标准周期真空闸阀11000 系列产品部件 美国 HVA 真空阀门-美国最大真空阀门制造商。美国 HVA 原装进口真空阀门，超过50年的高真空和超高真空阀门设计与制造。主营高真空闸阀，高真空角阀广泛应用于半导体、镀膜、激光、科研、工业等领域。上海伯东是美国 HVA 真空阀门在中国地区唯一指定总代理商。若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请联络上海伯东罗先生伯东版权所有, 翻拷必究!

Pfeiffer 涡轮分子泵 HiPace 80上海伯东德国普发涡轮分子泵 Pfeiffer HiPace 80 抽速可达到 71 l/s 高性能涡轮分子泵. HiPace 80 对所有气体的高抽速和极高压缩比使其广泛应用于真空行业. 集成驱动电路, 适用于工业环境, 通过保护等级 IP54, 半导体 S2, UL / CSA 认证. 通过控制器监控运算数据保证分子泵的最高安全性. 涡轮分子泵 HiPace 80 可以任意位置安装. 自然风冷, 多种配件可选满足广泛应用.涡轮分子泵 HiPace 80 技术参数分子泵型号接口 DN 抽速 l/s压缩比最高启动压强mbar极限压力全转速气体流量hPa l/s启动时间重量进气口排气口氮气N2氦气He氢气 H2氮气N2氮气N2hPa氮气N2minkgHiPace 806316675848 1X101122 1X10–71.31.752.4Pfeiffer 涡轮分子泵 HiPace 80 入门套件:此型号我们提供完整的套装供您选择, 包含一台 HiPace 80 分子泵主机和控制电源等, 选择分子泵套件满足基本的应用, 可以安装在所有情况下并轻松调试涡轮分子泵. 套件内配置如下: DCU 110, 显示控制单元, 含电源 用于供电, 检查和操作 带集成电源 适用于 HiPace 10/60 P, HiPace 80 和 SplitFlow 50/80 可与 Pfeiffer 真空规 ActiveLine 系列连接 分子泵电源与控制器连接线 风冷 适用于分子泵 HiPace 60 P, HiPace 80 和 SplitFlow 50/80（配置 TC 110/120） 控制电压 24 V DC 电子驱动单元 TC 110/120,TCP 350 电气连接 M8分子泵应用 HiPace 80分析仪器: 电子显微镜, 检漏, 小型质谱, 表面分析, 残余气体分析半导体: PVD, inspection, bonding, MBE, load-locks工业: 医学技术, 工业检漏, 隔离真空, 灯管制造研发: 核研究, 等离子研究, 粒子加速器, 冷冻研究, 纳米技术, 生物技术上海伯东客户分子泵应用一：HiPace 80, HiPace 400 用于分子束外延 MBE, 主要针对金属薄膜及材料器件的氧化物外延生长.上海伯东客户分子泵应用二：HiPace 80, HiPace 300 用于SPECS 近常压光电子能谱仪设备上海伯东客户分子泵应用三: HiPace 80, HiPace 300 用于自主搭建真空腔体分子泵抽速 HiPace 80 对不同气体的抽速:涡轮分子泵 HiPace 80 尺寸图:涡轮分子泵 HiPace 80 目前在售型号：分子泵 HiPace 80 TC 110 DN 63 ISO-K分子泵 HiPace 80 TC 110 DN 63 CF-F分子泵 HiPace 80 TC 110 DN 40 ISO-F分子泵 HiPace 80 TCP 350 DN 63 ISO-K分子泵 HiPace 80 TCP 350 DN 63 CF-F分子泵 HiPace 80 TCP 350 DN 40 ISO-KF分子泵 HiPace 80 TC 110 Profibus DN 63 ISO-K分子泵 HiPace 80 TC 110 Profibus DN 63 CF-F分子泵 HiPace 80 TC 110 Profibus DN 40 ISO-KF分子泵 HiPace 80 TC 110 电源 OPS 70 DN 63 ISO-K分子泵 HiPace 80 TC 110 电源 OPS 70 DN 63 CF-F分子泵 HiPace 80 TC 110 电源 OPS 70 DN 40 ISO-KF分子泵 HiPace 80 TC 110 电源 OPS 70 Profibus DN 63 ISO-K分子泵 HiPace 80 TC 110 电源 OPS 70 Profibus DN 63 CF-F分子泵 HiPace 80 TC 110 电源 OPS 70 Profibus DN 40 ISO-KF分子泵 HiPace 80 TC 110 E74 DN 63 ISO-K分子泵 HiPace 80 TC 110 E74 DN 63 CF-F分子泵 HiPace 80 TC 110 E74 DN 40 ISO-KF分子泵 HiPace 80 TC 110 E74 电源 OPS 70 DN 63 ISO-K分子泵 HiPace 80 TC 110 E74 电源 OPS 70 DN 63 CF-F分子泵 HiPace 80 TC 110 E74 电源 OPS 70 DN 40 ISO-KF其他热销款普发分子泵推荐分子泵组 Hicube 80分子泵 HiPace 60 P分子泵 HiPace 300上海伯东 Pfeiffer 涡轮分子泵抽速范围 10 至 2700 L/S, 转速最高 90,000 rpm, 极限真空最大 1E-11 mbar, 对小分子气体具有更高的压缩比, 实践证明 Pfeiffer 涡轮分子泵运行时间可以达到 100,000 小时! 普发分子泵提供复合轴承分子泵和五轴全磁浮分子泵二大系列满足不同应用, 推荐搭配 Pfeiffer 旋片泵和干泵共同使用. 推荐分子泵典型应用 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请联络上海伯东罗先生伯东版权所有, 翻拷必究!

BATOP GmbH成立于2003年，是一家隶属于德国耶拿大学的私人创新型公司。BATOP从事的专业领域包括：低温分子束外延技术，介质溅射镀膜，晶圆加工和芯片安装技术。在过去几年里， BATOP 已成为一个用于被动锁模激光器的可饱和吸收体的世界领先的供应商。可饱和吸收产品集合了各式各样的不同的器件，从可饱和吸收镜(SAM&trade )，到可饱和输出镜(SOC)和用于透过应用的可饱和吸收体(SA)。迄今为止，可饱和吸收产品已经覆盖了800nm到2.6µ m的常用激光波长范围。另一个产品系列是用于太赫兹发射和探测的太赫兹光电导天线(PCA)。BATOP不仅提供单带隙天线，还包括整合了微透镜的高能大狭缝交叉天线阵列和整套的太赫兹光谱仪。 太赫兹光电导天线的激发波长为800nm到1550nm之间。BATOP借助强大的研发能力来不断提高自己的产品， 我们始终和客户在一起，最好的满足他们的需求。PCA - Photoconductive antenna for Terahertz waves- see poster: "PCA survey" (2 MB) (pdf), "Photomixing" (pdf) "THz antenna mounting options" (pdf),PCA product listWavelength region 530 nm ... 860 nm:Wavelength region 800 nm ... 1100 nm:Wavelength region 1000 nm ... 1550 nm:PCA - Photoconductive antenna as terahertz transmitterA photoconductive antenna, consisting of a low temperature grown GaAs or InGaAs film covered with metallic contacts can be used as an optical excited broadband terahertz emitter for time domain measurements or as photomixer. Typically an alternating voltage is supplied to the electrical contacts of the transmitter antenna to allow a lock-in measurement. There are at least two important antenna parameters: the length l and the gap distance g. The length l determines the prefered emitted frequency at theresonance condition. The gap of the transmitter antenna between the metallic contacts can be larger than the laser spot diameter.The PCA can be accomplished with a hyperhemispherical or an aspheric silicon substrate lens to increase the extraction efficiency for THz waves.PCA terahertz receiver The PCA receiver has the same design as the transmitter. The optimal gap between the metallic contacts is about equal to the laser spot diameter. A current amplifier connected to the antenna contacts delivers a signal proportional to the terahertz electric field strength.iPCA - large area interdigital photoconductive antenna The iPCA is designated as high power THz transmitter, but can be used also as sensitive large area THz receiver. The interdigital antenna with a proprietary lens arrayconverts high power laser pulses up to mean power levels of 5 W with a high power conversion efficiency of ~ 10-4 into broadband THz pulses. More about iPCA ...Trademark iPCA&trade iPCA is a trademark of BATOP GmbH registered underthe number 30 2008 027 538 at the Deutsches Patent- und Markenamt in Germany.Recommended use of PCAsType of antennaemitterdetectorlow THz frequenyhigh THz frequenylow optical powerhigh optical power PCA1 - butterfly antenna + ++ ++ - - + PCA2 - parallel line antenna ++ + - ++ + - PCA3 - bow-tie antenna + ++ + + + - iPCA - large area interdigital array ++ ++ - ++ - ++ PCA - finger gap antenna + + + + ++ - SPCA - logarithmic spiral antenna ++ ++ ++ - + - http://www.batop.de/products/terahertz/photoconductive-antenna/photoconductive-terahertz-antenna.html筱晓（上海）光子技术有限公司Micro photons (Shanghai)Technology Co., LTDEmail：info@microphotons.com上海总部:电话：021－64149583地址：上海市闵行区春都路358弄27号楼504，201108

ASSY, SEAT PORT, .004 ID ACQUITY 密封圈外延管路

线型光束感烟探测器滤光片减光片 减光片： 减光值为0.9db和10db。 检查方法： 确认线型光束感烟火灾探测器与火灾报警控制器连接并接通电源，处于正常监视状态。将减光值为0.9dB的滤光片置于线型光束感烟火灾探测器的光路中并尽可能靠近接收器，观察火灾报警控制器的显示状态和线型光束感烟火灾探测器的报警确认灯状态。如果30s内发出火灾报警信号，记录其响应阈值小于1.0dB，结束试验。 如果30s内未发出火灾报警信号，继续试验，将减光值为10dB的滤光片置于线型光束感烟火灾探测器的光路中并尽可能靠近接收器，观察火灾报警控制器的显示状态和线型光束感烟火灾探测器的报警确认灯状态。如果30s内未发出火灾报警信号，记录其响应阈值大于10.0dB。 判断标准： 探测器的响应阈值应不小于1.0db，不大于10db. 规格 单位 厂价 25mL 支 1200.00 50mL 支 1600.00 100mL 支 2000.00

这款硅漂移探测器(SDD,Silicon Drift Detector)专业为XRF光谱仪和SEM扫描电镜EDS能谱仪探测器应用而设计，提供窗口材料的选择，从铍（8μm）到薄型聚合物（用于轻型X射线透射），并提供10mm2至60mm2的传感器有源区域。 此外，所有或我们的SEM SDD版本都是无振动的。硅漂移探测器在与创新的基于以太网的数字脉冲处理器相结合时得到优化。 具体配置给每个客户，SDD硅漂移探测器在广泛的输入计数率下提供卓越和稳定的性能，以产生快速X射线图。硅漂移探测器规格 SDD探测器典型特征 传感器区域 窗口选项 分辨率eV（Mn K / C） 10mm2 光元件（AP3.3）或8μmBe ≤123-133 30mm2 光元件（AP3.3）或8μmBe ≤126-133 60mm2 光元件（AP3.3）或8μmBe ≤126-133 100mm2 光元件（AP3.3）或8μmBe ≤128-133

水果蔬菜检验分拣系统配件是采用德国技术定制研发的水果蔬菜检验系统和水果蔬菜分拣系统。可以识别腐烂的水果。水果蔬菜检验分拣系统配件应用： 对于水果和蔬菜产业，我们有一个符合大多数的工业标准的模块分析仪概念。在果蔬行业，挑选出不新鲜产品是至关重要的。一个腐烂的水果很容易毁掉整批水果，因此会造成严重的经济损失，孚光精仪公司与德国精密光学系统供应商合作，开发一个简单易用的水果蔬菜质量分析系统，帮助易商和物流公司管理鲜果的分类，运输和储存，该分析技术采用图像和头部空间分析的组合来告知管理者哪些水果蔬菜存在腐烂。 我们鼓励新鲜水果和蔬菜的商业客户联系我们，根据具体需求定制水果蔬菜检验分拣系统。

现货供应日本GASTEC 113LL异丙醇检测管，操作步骤，检测原理，简介：检测范围20-200 ppm200-400 ppm抽气次数21修正系数12.2取样时间3 分钟/次检测限度5 ppm (n=2)颜色变化粉色 →浅蓝色反应原理CH3CH(OH)CH3 + Cr6++ H2SO4 → Cr3+误差15% ( 20-60 ppm), 10% ( 60-200 ppm)有效期2 年温湿度修正需温度修正阴凉干燥处保存干扰及影响物质浓度影响本身变化醇+浅蓝酯，酮无无脂肪烃无无芳香烃无无可以检测的其他物质物质修正系数抽气次数检测范围乙烯乙二醇 MEE0.76215.2 - 152 ppm1-甲氧基2-丙醇0.76215.2 -152 ppm丙醇0.68213.6 - 136 ppm乙烯基乙二醇 MBE1.15223- 230 ppm乙烯基乙二醇MME1220- 200 ppm

无锡吉致电子25年研发生产——蓝宝石研磨液/蓝宝石LED衬底抛光液/Sapphire Slurry/CMP化学机械抛光/液蓝宝石A向抛光液/蓝宝石C向抛光液/半导体抛光液/吉致蓝宝石抛光液/蓝宝石研磨液厂家/蓝宝石抛光液厂家/JEEZ蓝宝石抛光液/蓝宝石CMP集成电路抛光液/蓝宝石slurry/蓝宝石Lapping研磨抛光液产品简介：为半导体行业/光学行业调配的蓝宝石研磨液/蓝宝石LED衬底抛光液/Sapphire Slurry组合浆料，适用于蓝宝石基片、外延片、LED的平坦化加工。设计满足从研磨到CMP的衬底制造的各个工艺阶段的规范，在蓝宝石基片抛光应用中提供了可靠的解决方案。吉致电子蓝宝石LED抛光液/Sapphire Slurry抛光液储存方法：1.贮存时应避免曝晒，贮存温度为5-35℃2.低于0℃以上储存，防止结冰，在无度以下因产生不可再分散结块而失效。3.避免敞口长期与空气接触。吉致电子CMP抛光液/Slurry抛光液价格：吉致电子的CMP金属抛光液生产技术是引进国外生产技术和设备，特殊化学配方制备而成。吉致电子抛光液品质可以媲美进口同类产品。 本土化生产使得吉致电子CMP抛光液产品交货周期快，品质好，抛光液价格亲民。吉致电子CMP抛光耗材适用范围吉致电子科技有限公司拥有成熟的加工工艺，为不锈钢、铜、铝、塑胶、陶瓷、导光板、五金产品、蓝宝石、光学玻璃等各类抛光加工服务。为您提供可靠的抛光解决方案！

四点探针头是用于方阻测试设备上的精密零件，我公司生产的探头能适配到国内外所有的方阻测试设备上，稳定性和一致性十分优秀；无缝替代由国外生产的探头JANDEL、CDE等国外品牌，打破国外技术垄断和封锁。探针的针尖材料一般是用碳化钨。每一种探头的主要选择配置参数： A，探头主体材料及外形尺寸 B，针尖半径 C，针头的间隔 D，针头的负载 E，针头排列，线型，或者正方形。 F，连接方式： 连接器，或导线联接及长度主要的应用领域： 硅片电阻率的测量。 晶圆的电阻率的4点测量。 外延、离子注入层的4点电阻测量。 金属薄膜和其他薄膜的4点电阻测量。

现货供应日本GASTEC 113L异丙醇检测管，操作步骤，检测原理，简介：检测范围25- 50 ppm50-800 ppm抽气次数21修正系数1/21取样时间3 分钟/次检测限度5 ppm (n=2)颜色变化粉色 → 浅蓝色反应原理C2H5OH + Cr6++ H2SO4 →Cr3+误差15% ( 50- 200 ppm), 10% ( 200 -800 ppm)有效期3 年温湿度修正需温度修正阴凉干燥处保存干扰及影响物质浓度影响本身变化醇+相似颜色变化可以检测的其他物质物质浓度抽气次数检测范围联乙烯甲氧基硅烷0.0522.5-40 ppm乙二醇MEE1.25262.5 -1000 ppm乙二醇MEEAc0.1236- 96 ppm1-甲氧基2-丙醇1450 -800 ppm丙醇1.3165- 1040 ppm乙烯基三甲氧基硅烷0.0522.5- 40 ppm乙二醇 MBE按修正表230- 1000 ppm乙二醇 MME按修正表215 to 900 ppm乙二醇l MMEAc按修正表2,420 -1300 ppm

产品名称：三氧化二铝(Al2O3)晶体基片产品简介：Al2O3单晶（Sapphire,又称白宝石，蓝宝石）有着很好的热特性，极好的电气特性和介电特性，并且防化学腐蚀，它耐高温，导热好，硬度高，透红外，化学稳定性好。广泛用于耐高温红外窗口材料和III-V族氮化物及多种外延薄膜基片材料，为满足日益增长的蓝、紫、白光发光二极管（LED）和蓝光激光器（LD）的需要，科晶公司专业生产高质量的蓝宝石晶体和外延抛光基片，将为您提供大量高质量低价格的单晶和基片。 技术参数： 晶体结构六方 a =4.758 ? c= 12.992 ?结晶方向(11-20 ) - a plane: 2.379 ? (1-102) - r plane: 1.740 ?(10-10) - m plane: 1.375 ? (0001) - c plane: 2.165 ? 单晶纯度 99.99% 熔点2040 oC 密度3.98 g/cm3 硬度9 ( mohs)热膨胀7.5 (x10-6/ oC) 热容0.10( cal / oC) 热导46.06 @ 0 oC 25.12 @ 100 oC, 12.56 @ 400 oC ( W/(m.K) )介电常数~ 9.4 @300K at A axis ~ 11.58@ 300K at C axis正切损耗 2x10-5 at A axis , 5 x10-5 at C axis产品规格： C, A, M, R 公差：±0.5度dia3"x0.5mm, dia2"x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm单抛或双抛，Ra5A 注：可按客户需求定制相应的方向和尺寸。标准包装：1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装

矿用电缆负载燃烧实验装置 5000A GB3836.1-2000、MT386-2011产品介绍：煤矿用电缆在过去20多年的实践过程中，经历了由非阻燃到阻燃的革新，尤其是在煤矿用阻燃电缆阻燃性的试验方法和判定规则(MT 386-1995、MT386-2011)颁布实施以来，使得煤矿用电缆的阻燃性能得到有效的控制和提高。泰思泰克煤矿用电缆负载燃烧试验机是根据MT 386-1995《煤矿用阻燃电缆阻燃性的试验方法和判定规则》标准制造，用于检验MT 818-2009《煤矿用电缆》在过载条件下的燃烧特性而设计制造。试验箱外壳用不锈钢板制成,色泽美观牢度高。试验仓与电器控制系统上下结构式方便操作。适用于煤矿用阻燃电缆、阻燃电缆接头等阻燃性试验在大电流运行状态下，电缆线芯达到204℃时，对电缆施加一定强度、一定时间的火焰，来判定电缆护套和绝缘材料在此状态下的阻燃、材料抗高温性能等指标而研制的设备。 标准 MT386-2011，GB3836.1-2000 型号：TTech-GBT3836-1 结构特点：1、 箱体为钣金喷漆处理，美观大方、耐腐蚀；超大透明观察窗；2、 内部工装夹具均为SUB304不锈钢材质，美观耐腐蚀；3、 燃烧器内径为￠9.5±0.5mm的黄铜燃烧器，长约102mm，有空气调节孔 4、 喷灯高度可调，喷灯角度：90°；5、 燃烧箱配备排风装置及排烟口；实验结束后排出烟气；燃烧系统：1、 电子高压自动点火；自动控制燃气关断；2、 火焰高度：可调；3、 针阀精确控制气体流量及火焰高度。内焰高度75±5mm,外延125±10mm 4、 压力调节阀精确控制燃气压力；5、 喷灯可精确控制火焰高度及燃烧热量；电气控制系统：1、 系统自动切断通过试件的电流；2、 手动控制负载开断；3、 试验时间提醒装置；提醒实验者在燃烧1min时撤离喷灯。4、 负载电流：10～5000A。手柄手动设定电流；5、 计时器范围：0~9999s（标准要求4min）温度达到204℃时，发出提示因并自动断气熄灭火焰； 规格1、 工作电压： AC 220V和380V±10% 50HZ；2、 重量：300公斤3、 使用环境温度：-15~45℃ 相对湿度：（30~80）%RH4、 燃气： 含量≥95％以上甲烷气；客户自备

硅晶圆片随着半导体、微电子行业的发展，硅片的用途越来越广泛。比如半导体芯片领域、X射线晶体分析、磁控溅射样品生长、原子力、红外光谱测试分析、PVD/CVD镀膜衬底等。我们提供各种不同直径、厚度、电阻、级别和应用场景的硅片，请将您的参数要求发给我们，如有疑难，也请联系我们。哪里可以快速买到硅片作为基片，当然是这里！我们主要为国内的科研院所、高校提供高品质的硅片衬底，高纯抛光的硅基底也能够提供。选型指导：特性产品描述常规硅片直径1"、2"、3"、4"、5"、6"、8"、10"、12"厚度50um至10000um超薄硅片直径5mm、10mm、25mm、50mm、75mm、100mm超薄硅片厚度2um至50um，公差±0.5μm、±1.0μm、±1.5μm表面粗糙度Prime Grade wafer Ra5? .掺杂类型P型、N型、无掺杂晶向〈100〉± 0.5° 〈110〉±0.5° 〈111〉± 0.5°，〈100〉± 1°，〈110〉±1°表面处理抛光、刻蚀、ASCUT；单面/双面处理电阻率0~至 20000 (Ωcm)级别Mechanical Grade、Test Grade、Prime Grade、SEMI Prime Grade 产品举例：产品描述尺寸举例规格多孔硅晶圆，Porous silicon wafer76.2mm10片无掺杂硅晶圆，undoped silicon wafer100mm10片氮化硅膜硅晶圆，Silicon Nitride Wafer LPCVD PECVD100mm10片FZ区硅晶圆片，Float Zone Silicon Wafer25.4mm10片热氧化处理硅晶圆片Thermal Oxide Wafer76.2mm25片超平硅片Ultra-Flat or MEMS wafers6″5片太阳能硅晶片，Solar Silicon Cells6″，5″25片外延硅片，Epitaxial Silicon Wafer100mm10片N型硅晶圆片，N-Type Silicon Substrates100mm100片各种硅晶片 我们致力于为客户提供全面的硅片（Silicon Wafer）解决方案，从测试级硅片（Test Wafer）到产品级硅片（Prime Wafer），以及特殊硅片氧化硅片（Oxide）、氮化硅片(Si3N4)、镀铝硅片、镀铜硅片、SOI Wafer、MEMS Glass、定制超厚、超平硅片等，尺寸覆盖50mm-300mm。对于2D材料的研究，软光刻硅片，直接放射性核电实验，等离子体刻蚀硅片，以及微流控芯片平台的建立，我们均有成功的经验。 小常识：将某一特定晶向的硅种子(种子,通常为一小的晶棒)棒插入熔融液态硅,并慢慢向上拉起晶棒,一根和种子相同晶向的晶柱就被生产出来。将晶柱切割成多个一定厚度的圆片片,通常称呼的wafer就被制造出来了。初步切割出来的wafer表面，通常比较粗糙,无法用作晶圆生产，因而通常都在后续工艺中进行抛光，抛光片的名词就由此而来。针对不同晶圆制造要求，通常需要向粗制晶圆内掺杂一些杂质，如P、B等，以改变其电阻值,因而就有了低阻、高阻、重掺等名词。镀膜片可以理解为外延片Epi，是针对特定要求的半导体装置而制定的wafer,通常是在高端IC和特殊IC上使用，如绝缘体上Si(SOI)等。用Czochralski(CZ)晶体生长法或浮区（floatzone）（FZ）生长法生成单晶硅。超大规模集成电路应用更多采用Czochmlski硅，因为它比FZ材料有更多的耐热应力能力，而且它能提供一种内部吸杂的机械装置，该装置能从硅片表面上的器件结构中去除不需要的杂质。因为是在不与任何容器或坩埚接触的情况下制成，所以FZ硅比CZ硅有更高的纯度（从而有更高的电阻率）。器件和电路所需的高纯起始材料（如高压，高功率器件）一般都用FZ硅。我们的低应力PECVD氮化是一个单面膜，已优化为晶圆需要最小的热处理。因为低应力PECVD氮化物是在低温下沉积的，它提供了更大的灵活性，可以沉积在任何其他薄膜上。我们提供独立式超薄超平硅片，厚度从5μm到100μm不等，直径从5毫米到6英寸。薄硅片是真正的镜面光洁度DSP，良好的表面平整度，无雾，无空洞，表面RMS低(典型1-2 nm)，超低值TTV通常小于+/-1μm。我们的单晶太阳能硅片的效率高达19.5%。什么是太阳能效率，阳光光子击中太阳能晶片在一个特定的空间的百分比。更高的效率意味着发电所需的比表面积更小。因此，小型屋顶将希望使用更高的效率面板，以弥补较小的表面积。

用于FMCW LiDAR的高线性DFB激光二极管NLM 高线性度DFB激光二极管结合了高相干长度和线性频率调制响应特性。这种单片DFB设计用于承受高电流调制带宽，并表现出惊人的线性频率响应。除了比标准DFB激光二极管好50倍的原生线性度之外，TeraXion DFB 独特的载波调制响应还通过驱动电流补偿方法实现了令人印象深刻的线性增强。集成多波长激光引擎DFB/SiP用于FMCW LiDAR的高线性DFB激光二极管NLM模块 下一代高级驾驶辅助 (ADAS) 和自动驾驶 (AD) 系统将依赖于提供远程和高分辨率功能的3D传感器。虽然各种FMCW LiDAR概念已经证明了这种性能，但LiDAR在将解决方案扩展到大规模生产要求方面仍然面临着传感器尺寸、复杂性、功率和成本方面的重大挑战。TeraXion 的 DFB 激光二极管的主要优势：- 小尺寸单片激光器，利用基于标准半导体材料的独特外延设计，并与低成本批量生产工艺兼容。- 低噪声和高线性度性能，无需依赖外腔、复杂的激光驱动器方案或外部频率调制器。- 直流调制进一步有助于降低LiDAR系统的复杂性和功耗。这些特性使 TeraXion的DFB激光二极管成为克服汽车LiDAR行业面临的剩余挑战的重要催化剂。TeraXion 将高线性DFB激光二极管集成到NLM激光模块中，以实现快速FMCW LiDAR原型设计和概念验证计划。典型应用：- 用于高级驾驶辅助系统 (ADAS) 和自动驾驶 (AD) 的汽 LiDAR，级别L2至L5- 用于高性能LiDAR三维 (3D) 城市测绘和过道测绘前5大特性- 高线性度：高线性度DFB 激光二极管在几千兆赫频率偏移内表现出小于0.3% 的残余非线性。 - 高相干长度：高线性度DFB 激光二极管表现出典型的 60 kHz 线宽，相干长度约为 2km。- 超紧凑和稳定：高线性度DFB 激光二极管是一种小于 2 mm2 的单片设计，不依赖外腔来提供高相干长度。 - 简单有效调制：高线性度DFB 激光二极管的直流调制代表了一种简单且节能的方法。- 可扩展性高线性度DFB 激光二极管外延设计允许高产量的激光晶圆生产工艺。关键技术规格参数规格输出功率典型1550 nm线宽 0.3%调频偏移 1 MHz 时的相对强度噪声 -155 dBc/Hz

低维材料在线商城可为客户订制不同参数的二氧化硅氧化片，质量优良；氧化层厚度、致密性、均匀性和电阻率晶向等参数均按照国标执行。热氧化物表面形成二氧化硅层。在氧化剂的存在下在升高的温度下，给过程称为热氧化。通常生长热氧化层的在水平管式炉中。温度范围控制在900到1200摄氏度，使用湿法或者干法的生长方法。热氧化物是一种生长的氧化物层。相对于CVD法沉积的氧化物层，它具有较高的均匀性和更高的介电强度。这是一个极好的作为绝缘体的介电层。大多数硅为基础的设备中，热氧化层都扮演着非常重要的角色，以安抚硅片表面。作为掺杂障碍和表面电介质。应用范围：1，刻蚀率测定2，金属打线测试3，金属晶圆4，电性绝缘层产品名称：4英寸二氧化硅抛光硅片 （SiO2）生长方式：直拉单晶（CZ） 热氧化工艺直径与公差：100±0.4mm掺杂类型：N型(掺磷、砷、锑) P型（掺硼）晶向：111\100电阻率：0.001-50(Ω?cm) 可按客户要求定制工艺数据：平整度TIR:3μm 、 翘曲度TTV: 10μm 、弯曲度BOW 10μm 、粗糙度0.5nm、颗粒度 10 (for size 0.3μm)现有规格：50nm 100nm 200nm 300nm 500nm 1000nm 2000nm用途介绍：用于工艺等同步辐射样品载体、PVD/CVD镀膜做衬底、磁控溅射生长样品、XRD、SEM、原子力、红外光谱、荧光光谱等分析测试基底、分子束外延生长的基底、X射线分析晶体半导体 类型1英寸2英寸3英寸4英寸5英寸6英寸8英寸单面抛光片1英寸2英寸3英寸4英寸5英寸6英寸8英寸双面抛光片可定制2英寸3英寸4英寸5英寸6英寸8英寸二氧化硅片（SiO2）不可定制2英寸3英寸4英寸5英寸6英寸可定制切割片、研磨片可定制2英寸3英寸4英寸5英寸6英寸不可定制区熔本征高阻不掺杂硅片可定制2英寸3英寸4英寸5英寸6英寸不可定制单晶硅棒1英寸2英寸3英寸4英寸5英寸6英寸不可定制注：本商城提供多系列多规格的硅片，标价仅为一种规格，如需多种规格请与客服联系。

光束分离器： 将单个激光束分割成几个光束的衍射光学元件，每个光束具有原始光束的特征（除了功率和传播角度）。根据元件上的衍射图案，光束分离器可以产生1维光束阵列（1xN）或2维光束矩阵（MxN）。 HOLO / OR除了标准光束分离器之外还提供了斑点数量及其位置选择的可能性。

北京绿百草现货提供卫生检验微生物检验干粉培养基（细菌总数，大肠菌数，粪大肠菌群，大肠杆菌） 关键词：培养基，北京绿百草，微生物检验 北京绿百草现货提供卫生检验微生物检验干粉培养基常用品种（细菌总数，大肠菌数，粪大肠菌群，大肠杆菌）：伊红美蓝琼脂（EMB），麦康凯琼脂培养基，双料乳糖胆盐胨水，乳糖胆盐发酵培养基，乳糖胆盐发酵管，三糖铁琼脂，乳糖复发酵胨水，月桂基硫酸盐胰蛋白胨肉汤（LST）,平板计数琼脂，EE增菌肉汤培养基，中国蓝琼脂，品红亚硫酸钠琼脂等。 需要详细信息请联系北京绿百草：010-51659766. 登录网站获得更多产品信息: www.greenherbs.com.cn

消色差延迟器,菲涅尔菱体由中国领先的进口光学精密仪器旗舰型 服务商进口销售,孚光精仪精通光学,服务科学,为中科院上海光机所,安徽光机所,西安光机所,中国工程物理研究院等单位提供进口的相位延迟器,消色差延迟器这款消色差延迟器是一款采用菲涅尔菱体的高级相位延迟器，消色差延迟器安装有保护外壳,其中菲涅尔菱体它由BK7玻璃或紫外熔炉石英制造而成。单个菲涅尔菱体产生90度的相位位移，因为光在它的两个表面上发生全内反射。双菲涅尔菱体产生180位移差。消色差延迟器的保护外壳是圆柱体的。相位延迟器的端面与旋转轴正交。更多相位延迟器,消色差延迟器,菲涅尔菱体 相位延迟器规格和参数材料：BK7或UVFS光束偏移：=10arcsec镀膜：增透镀膜波长范围：260-400nm (UV), 400-700nm (VIS), 700-1300nm(NIR1),1300 - 1600 nm(NIR2)ModelRetardationwavelenght range, nmL, mml, mm1single (λ/4)700-130039.523.52single (λ/4)1300-160039.523.53single (λ/4)260-40033.517.54single (λ/4)400-70039.523.55double (λ/2)700-130062466double (λ/2)1300-160062467double (λ/2)260-40050348double (λ/2)400-7006246消色差延迟器是采用菲涅尔菱体的高级相位延迟器,其中单个菲涅尔菱体产生90度的相位位移,双菲涅尔菱体产生180位移差.中国领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪！

准直光束整形器 准直波束成形器模块是Holo / Or针对需要宽工作距离范围或扩大焦深的应用的定制解决方案。使用准直光束成形器模块，均匀强度光束在延长的工作距离范围内保持高保真度，功率均匀性和恒定尺寸/形状。适用于诸如工业表面处理的应用，其中工作表面可以位于与激光输送系统不同的距离处。

1、特点： 新一代走纸温度记录仪，走纸温度记录仪展示了最好的解决办法，坚固性和紧凑外壳，弹性的笔使更换记录纸和记录笔更加方便，9V备用电池。LCD数字显示温度。 DICKSON走纸温度记录仪KT802 2、KT802型走纸温度记录仪的技术参数： 温度范围：0~+100° F/C，-50~+50° F/C，0~+250° F/C，0~+500° F/C可调 记录周期：24小时，7天或31天可调 温度精度：± 1.8° F (± 1° C) 仅记录 分辨率：0.1° C 温度探头：4寸焊接线K型热电偶 探头：特氟龙材料(最适合气体，液体&半固体) 探头长度：K热电偶缆线长4&rsquo (121cm)可用外延缆线 环境操作条件：+32~+122° F (0~+50° C)，0~95% RH (非冷凝) 温度显示：3.5 数字LCD显示当前温度 显示屏尺寸：2.0" x 1.375" 电源：120V AC国际通用适配器 电力状态指示：LED 显示 电源线：6寸/2米 电池：9V电池或者4节AA电池备用 电池寿命：平均72小时 外壳：坚固性黑色ABS 温度记录仪外型尺寸：9.2" x 9.2" x 3.1" (23.4cm x 23.4cm x 7.9cm) 记录纸尺寸：直径8寸(图表需另购) 重量：1.8kg IP 等级：IP20 校准：标准Dickson的校准证书 零点时间校准 认证：CE 保修：12个月 配件：包括220V AC 适配器，记录笔，4节AA电池和4寸K型热电偶探头 3、KT802型走纸温度记录仪的记录纸型号： C408 8寸圆形记录纸 0~500 31天 C459 8寸圆形记录纸 0~500 7天 C428 8寸圆形记录纸 0~500 24小时 C407 8寸圆形记录纸 0~250F/C or 0~0.25 31天 C439 8寸圆形记录纸 0~250 or 0~0.25 7天 C432 8寸圆形记录纸 0~250 or 0~0.25 24小时 C406 8寸圆形记录纸 -50~+50F/C 31天 C414 8寸圆形记录纸 -50~+50 7天 C411 8寸圆形记录纸 -50~+50 24小时 C409 8寸圆形记录纸 0~100 31天 C412 8寸圆形记录纸 0~100 7天 C410 8寸圆形记录纸 0~100 24小时

光束采样器：应用于大功率激光器。激光束采样器允许高功率光束（零级）沿着光轴不受干扰地传播，产生具有低能量的两个侧光束。 这两个样本波束位于主波束的左侧和右侧（-1和+1个阶），并且其特征在于它们之间的分离角和采样功率比。