液氮制冷红外探测器

液氮制冷型红外探测器(IR Detectors with Dewar) ---KOLMAR TECHNOLOGIES■ KV104 Series HgCdTe Photodiodes ◆ High D* at high frequencies◆ Sizes 2.0 mm to 0.05 mm◆ Wavelength cutoff: 11.5, 8, 4.5 &mu m◆ Linear◆ Custom configurations available Model*Wavelength (µ m)Peak/ CutoffSize(mm)Bandwidth(Hz) D*(60FOV)(Jones,typ)Responsivity(Amps/Watt)KV104-1-A-3/1110.5 /11.51 x 120M3.00E+104KV104-1-A-3/1211 /12.31 x 120M3.00E+104KV104-1-A-3/109/ 101 x 120M5.00E+104KV104-0.5-A-3/1110.5/ 11.50.5 x 0.550M3.00E+104KV104-0.25-A-1/1110.5/ 11.50.25x0.25100M3.00E+104KV104-0.1-1-E/1110.5 /11.50.1 x 0.1500M3.00E+104KV104-0.5-A-2/87.2 /80.5 x 0.530M7.00E+103KV104-1-A-7/11/TS10.5 /11.51 x 120M3.00E+104KV104-1-A-5/11/TS10.5 /11.51 x 120M3.00E+104■ KLD Series Linear Response MCT Detectors ◆Linear responsivity◆High D*◆Sizes 2.0 mm to 0.5 mm◆Integral amplifier for optimum linearization◆Spectral range 2 m m to 12 m m◆Amplifiers matched for power range◆Custom configurations available Model *Wavelength (&mu m)Peak / CutoffSize(mm dia.)Bandwidth(Hz) D*(60FOV)(Jones,typ) Responsivity(Volts/mWatt)KLD-1-J1-3/1110.5 / 11.512M4.00E+1040KLD-1-J1-3/97.6 / 8.512M6.00E+1032KLD-0.5-J1-3/10/DC9 /100.5x0.5DC - 5M8.00E+1040KLD-0.5-J1-3/11/DC10 / 11.50.5x0.5DC - 5M4.00E+1040KLD-2-J1-3/11/DC10.5 / 11.52DC - 1M4.00E+1040■ MCT Photodiodes with Integral Amplifiers◆High D* at high frequencies◆Bandwidth to 100 MHz◆Fast risetime: 3.5 ns◆Sizes 2.0 mm to 0.1 mm◆Wavelength cutoff: 11.5, 8, 4.5 &mu m◆Linear◆Custom configurations available Model *Wavelength (&mu m )Peak / CutoffSize(mm dia.)Bandwidth (Hz)AC DCD*(60FOV)(Jones,typ)Responsivity(Volts/mWatt)KMPV11-1-J1/AC10.5 / 11.51100-20M3.00E+1040KMPV11-1-J1/DC10.5/ 11.51DC - 20M3.00E+1040KMPV11-1-J210.5/ 11.51100-20M DC - 20M3.00E+1040DC + 80ACKMPV8-0.5-J2/50 7.2 / 80.5 x 0.5100-50M DC - 50M6.00E+1016DC + 32ACKMPV8-0.5-J1/DC50 7.2 / 80.5 x 0.5DC - 50M6.00E+1016KMPV11-0.5-J1/DC10.5 / 11.50.5 x 0.5DC - 20M3.00E+1040KMPV8-0.5-J1/DC 7.2 / 80.5 x 0.5DC - 20M6.00E+1040KMPV11-0.1-J1/DC100 10.1 / 110.1 x 0.1DC - 100M2.00E+1016■ Series KISD InSb Photodiodes◆With or without integral low noise amplifiers◆Fast rise times: 25 ns, 7 ns◆Linear response with power◆High detectivity◆Custom configurations availableModel*Size(mm dia.)Bandwidth (Hz)AC DCD*(60FOV)(Jones, typ)Responsivitynominal KISD-1-A-61　1.50E+113 A/WKISD -2-A-62　1.50E+113 A/WKISD-0.5-A-60.5　1.50E+113 A/WKISDP-1-J1/AC1100-15M1.50E+113 x 104 V/WKISDP-1-J1/DC1 15M1.50E+113 x 104 V/WKISDP-1-J21100-15M , 15M1.50E+113 x 104 V/WKISDP-1-J2/E51100-1.5M , 1.5M1.50E+113 x 105 V/WKISDP-1-J2/E61100-200k, 200k1.50E+113 x 106 V/WKISDP-1-J1/E61 200k1.50E+113 x 106 V/W

■ K5P10-1-J2 Two Color Detector-- Hybrid InSb Photodiode On MCT Photodiode◆Top detector 1mm x1mm InSb photodiode# Amplifier DC to 1MHz BW 40,000 V/A transimpedance# D* 1.0 E11 Jones◆Bottom Detector 1mm x1mm HgCdTe photodiode Amplifier DC to 1MHz BW and 10,000 V/A transimpedance# D* 3 E10 Jones# Cutoff wavelength 11um■ Series KMPC MCT Photoconductive Infrared Detectors◆Nominal bandwidth 1MHz◆350 ns rise time◆Extended spectral range to 20 mm◆Convenient integral amplifier◆Low noise: 1.5dB NF◆Custom configurations available Model *Wavelength(&mu m)Peak CutoffSize(mm)Bandwidth(Hz)D*(60FOV)(Jones, typ)Responsivity(Volts/mWatt)KMPCP11-1-J111 121 x 11M2.00E+10500 with amplifierKMPC12-2-A12 132 x 2　2.00E+101KMPC12-1-A12 131 x 1　2.00E+103KMPC14-1-A14 151 x 1　2.00E+102KMPC16-1-A16 201 x 1　1.00E+101■ Amplifiers for KV104 series HgCdTe photodiodes Model Type Gain Bandwidth OutputKA020-A1A TIA + bias 1E4 V/A 100 Hz 20MHz 20V p-pKA020-A1 TIA + bias 1E4 V/A DC 20 MHz 20 V p-pKA050-A1 TIA + bias 4E3 V/A DC 50 MHz 20 V p-pKA100-A1 TIA + bias 4E3 V/A DC 100 MHz 8 V p-p■ Amplifiers for KMPC series HgCdTe photoconductors Model Type Gain Bandwidth OutputKA-S3 TIA + bias 1E4/Rd V/V 20 Hz 300 kHz 20 V rmsKA-S4 TIA + bias 1E4/Rd V/V 20 Hz 500 kHz 20 V rmsKA-S5 TIA + bias 1E4/Rd V/V 20 Hz 1 MHz 20 V rms■ Amplifiers for KISD series InSb photodiodesModel Type Gain Bandwidth OutputKA020-C1 TIA + bias 1E4 V/A DC 10 MHz 20 V p-pKA05-C1 TIA + bias 5E4 V/A DC 5 MHz 20 V p-pKA03-C1 TIA + bias 1E5 V/A DC 3 MHz 20 V p-pKA01-E6-AG Adj. gain1-2-5-10 step+bias1E5 1E7 V/A DC 1 MHz 20 V p-p■ Post Amplifiers: Gain and Line Drivers Model Type Gain Bandwidth OutputKA100-E1 Buffer 1 V/V DC 100 MHz* 20 V p-pKA100-E2 Buffer 20 V/V DC 100 MHz* 20 V p-pKA100-E3 Buffer 2 V/V DC 100 Hz* 20 V p-p*AC coupled 100 Hz 100 MHz (optional)

仪器简介：■ 锑化铟探测器（InSb）&mdash &mdash &mdash 液氮制冷型红外探测器，波长范围：1～5.5&mu m技术参数：型号列表及主要技术指标：型号/参数 DInSb5-De01光敏面尺寸(mm) &Phi 1波长范围(&mu m) 1-5.5峰值响应度(A/W) 3峰值响应度(V/W) -响应时间(ns) -D*(@&lambda peak,1KHz)cm Hz1/2W-1 1 x 1011NEP(@&lambda peak,1KHz)pW/Hz1/2 0.8暗电流(&mu A) 7前置放大器 选配信号输出模式 电流输出信号极性 正（P）主要特点：■ 锑化铟探测器（InSb）&mdash &mdash &mdash 液氮制冷型红外探测器，波长范围：1～5.5&mu m有DInSb5-De(x)和DInSb5-HS两种类型，其中：◆ DInSb5-De(x)为液氮制冷型，x-01/ 02/ 04/ 07，四种光敏面尺寸可选，适合一般测量，须选配前置放大器◆ DInSb5-HS为液氮制冷高速响应型，集成前置放大器，响应时间小于25ns◆ 探测器元件均封装于DEC-(x)系列探测器室内，用于与光谱仪狭缝连接

仪器简介：■ 碲镉汞探测器（HgCdTe）&mdash &mdash &mdash 液氮制冷型红外探测器，波长范围：2~22&mu m。技术参数：■ 碲镉汞探测器（HgCdTe）型号/参数 DMCT12-De01 DMCT14-De01 DMCT16-De01 DMCT22-De01 DMCT12-HS光敏面尺寸(mm) 1× 1 1× 1 1× 1 1× 1 1× 1波长范围(&mu m) 2-12 2-14 2-16 2-22 2-12峰值响应度(V/W) 3x103 1x103 900 150 4x104响应时间(ns) 　 　 　 　 25D*(@&lambda peak,1KHz)cm Hz1/2W-1,最小值 3 x 1010 3 x 1010 2.5 x 1010 5 x 109 3 x 1010前置放大器 ZPA-101 ZPA-101 ZPA-101 ZPA-101 集成信号输出模式 电压 电压 电压 电压 电压输出信号极性 正（P） 正（P） 正（P） 正（P） 正（P）主要特点：■ 碲镉汞探测器（HgCdTe）&mdash &mdash &mdash 液氮制冷型红外探测器，波长范围：2~22&mu m。有DMCT(x)-De和 DMCT11-HS两种类型，其中：◆ DMCT(x)-De为液氮制冷型，x-12/ 14/ 16/ 22，四种截止波长可选，适合一般测量，须选配前置放大器；◆ DMCT12-HS为液氮制冷高速响应型，集成前置放大器，响应时间小于50ns；◆ 探测器元件均封装于DEC-(x)系列探测器室内，用于与光谱仪狭缝连接。

主要特点：◆ InGaAs有效象元数256和512可选◆ 象元尺寸：50µ m× 500µ m◆ 象元间距：50µ m◆ 芯片采用TE制冷方式◆ 制冷温度：5℃（在24℃室温环境下）◆ 14bit USB传输接口或12bit PCI卡传输接口◆ 坏点校正功能◆ 可提供控制软件及二次开发控件包◆ 可提供LabView驱动 InGaAs线阵探测器主要技术规格表　IRA- 256IRA- 512光谱响应范围(nm)800-1700800-1700象元尺寸(&mu m)50× 50050× 500阵列长度(mm)12.825.6坏点无6 (无相邻坏点)　高灵敏度模式高动态范围模式高灵敏度模式高动态范围模式满阱容量(e, 典型值)5× 106130× 1065× 106130× 106读出噪声(e, rms, 典型值)80010k80010k动态范围6.25× 10313× 1036.25× 10313× 103暗信号(e/s, rms, 典型值）190k182.2k190k182.2k1s暗噪声(e, rms, 典型值）436426436426积分时间(s)0.01-100.01-10模拟输出信号范围(V)0-100-10芯片工作温度(℃，室温下)＋5＋5实时模式采谱速度(spectra/s) 20 20A/D转换USB 14 bit, PCI 12 bitUSB 14 bit, PCI 12 bit InGaAs线阵探测器选型表InGaAs线阵探测器　256象元数512象元数　光谱适用范围800-1700nm800-1700nmIRA-USBUSB 14bitD7282D7286IRA-PCIPCI 12bitD7283D7287【配置说明】：配置中已包含制冷型线阵探测器，数据线，温控器，电源以及 D7401 SpectraArray基本版软件软件选项D7404SpectraSolveAdvanced spectroscopic applications software for WindowsD7421OEM Developers kitWith C++ and VC++ examplesD7422LabView driversWith Vis (virtual instruments) for LabView Version 5 or laterInGaAs线阵探测器尺寸图

仪器简介：DSR100系列探测器光谱响应度测量系统，是适应不断增长的材料科学对检测设备的需求而诞生的。它结合了北京卓立汉光仪器有限公司给多家科研单位定制的探测器光谱响应测量系统的特点和经验，采用国家标准计量方法进行测试，是光电探测器、器件、光电转换材料科研和检验的必备工具。技术参数：型号 DSR100UV-A DSR100UV-B DSR100IR-A DSR100IR-B波长范围 200~2500nm 1~14&mu m测试光斑\光斑模式 均匀平行光斑 汇聚光斑 均匀平行光斑 汇聚光斑尺寸 Ф2~20mm Ф0.3~3mm Ф2~20mm Ф0.3~3mm 光源 光源 氘灯/溴钨灯复合光源 溴钨灯/碳化硅复合光源光强稳定性 &le 0.8% &le 2%光源切换方式 软件自动切换 软件自动切换三光栅单色仪 光 谱分辨率 ＜0.1nm（435.8nm@1200g/mm光栅） ＜2.5nm (2615nm@75g/mm光栅)扫描间隔 最小可至0.005nm输出波长带宽 ＜5nm ＜10nm多级光谱滤除装置 根据波长自动选择滤光片，消除多级光谱杂散光 　光调制频率 4~400Hz数据采集装置灵敏度 锁相放大器 2nV；直流数据采集可选标准探测器 标准硅探测器 （标定200~1100nm） 标准热释电探测器（标定1~14mm）光谱响应度测量重复性* &le ± 1.5% &le ± 5%光路中心高 305mm仪器尺寸 1500mm× 1200mm× 560mm控制机柜 标准4U控制柜，含计算机主要特点：◆ 宽光谱范围（200~2500nm或1~14&mu m可选），适用面广宽光谱范围意味着适用于各种不同样品，如响应在日盲区的深紫外探测器、响应在可见光的太阳能电池、响应在近红外的光纤传感器、响应在中远红外的红外光电传感器，都可以在DSR100上测量光谱响应度。◆ 开机即用的Turnkey系统设计，维护简单系统采用替代法的测量原理，设计成开机即用的turnkey模式，用户不需要在实验前对系统进行复杂的调试，日常维护也十分简单。◆ 调制法测量技术，提升测量结果信噪比DSR100系统采用调制法测量技术。调制法是目前国家计量单位采用的标准方法，通过选频放大的技术，可以大幅度抑制杂散光或环境噪声对测量精度带来的负面影响。DSR100系统针对弱信号采集专门设计了独特的前置放大电路，同时采用高性能的锁相放大器进行调制法测量。锁相放大器测量灵敏度达到2nV，动态范围达到100dB。通过提高测量灵敏度并且抑制噪声，DSR100系统可以从背景噪声中提取非常微弱的光电探测器响应信号。◆ 全反射光路设计，优化光斑质量由于各种光电探测器的光谱响应范围不同，因此好的探测器光谱响应度测量系统应该是宽光谱范围的，这样才能具备较强的通用性。在宽光谱范围的光学设计中，采用反射式的光路设计要比透射式得到更高品质的光束质量和均匀光斑。在透射式的光学系统中，影响光束质量和光斑品质的重要因素是色差，色差源自于不同波长的单色光在光学材料中的折射率不同，波长范围越宽，色差越明显。而在反射式的光学系统中，由于根本不涉及折射，所以不存在色差的问题。因此采用反射式光路，成像质量大大优于透射式光路，从而可以得到更高均匀度的平行光斑，或者更小尺寸的汇聚光斑。◆ 高稳定性光源，降低背景噪声影响尽管采用调制法可以降低系统杂散光和背景噪声对测量的影响，但光源本身的波动依然无法消除。因此，在采用调制法的系统中，光源稳定性反而成为系统噪声的主要来源。DSR100采用高稳定性的光源来保证系统的高重复性。右图是典型的光源相对强度的稳定度测量数据。◆ 全自动测量流程1)自动化测量流程得到高重复性样品的重复定位精度很大程度上决定了测量重复性，电动平移台重复定位精度10um，远远高于手动样品定位2)自动化测量流程降低了操作人员的要求按软件文字提示即可正确操作系统进行测量，不需要对操作人员进行复杂的培训，特别适合工业客户做检测用3)自动化测量流程提高时间利用率系统在预设方案后即自动运行测量流程，可提高操作人员时间利用率◆ 大空间样品仓，四壁可拆卸，方便系统调试特别设计的四壁方便拆卸的样品仓，给实验人员足够大的空间进行样品安装和调试。同时，也能容纳一些特殊体积的探测器，比如液氮制冷的探测器、条纹变相管等。实验人员的可操作性大大增强。◆ 激光监视光路选项，CCD图像监控，可对极小面积的光电探测器进行精确定位◆ 标准测量软件，数据导出格式支持第三方软件DSR100系统的软件保存所有测试第一手原始数据，可供实验人员导出成txt、xls等常见格式的文档，以便后期分析处理。

PyLoN-IR系列线阵型液氮制冷近红外探测器PyLon-IR InGaAs 线阵型探测器是高性能，近红外光谱探测的理想选择。PyLon-IR有两种型号，光谱响应可覆盖800到2200纳米的范围。分别为800nm-1.7μm和1μm -2.2μm。InGaAs 线阵型探测器拥有16位模数转换器以提供杰出的灵敏度，zui快的采谱速度(可达6600条谱线/秒)，zui低的系统读出噪声，软件可选的高灵敏度和高信噪比前置放大器。典型的应用包括近红外拉曼光谱，红外发射/吸收光谱。-100°C深度制冷最小化暗噪声以满足长时间曝光的要求。应用• 近红外拉曼光谱• 光致发光• 量子点荧光测试优势• zui低的读出噪音和zui高的灵敏度以及zui大的动态响应范围。 • 光谱采集速率zui高可达6600条光谱/秒 (2MHz ADC rate & 8MHz pixel scan rate)。• du有的-100°C的低温制冷为您带来业界zui低的暗电流和满足您实验长时间曝光的要求，超低温可以极大的降低暗背景对信号产生的影响• GigE 高速介面，随插即用，并用于50m远程操作的光纤介面。• Indium金属封装可使杜瓦瓶真空度维持更久。• PyLoN-IR du有的低温屏蔽设计可使环境热辐射和反射光最小化，大大降低背景噪音。型号PyLoN-IR:1024-1.7PyLoN-IR:1024 - 2.2光谱范围0.8 - 1.7 um1.0 - 2.2 um分辨率1024 x 1 pixels1024 x 1 pixels阵列尺寸25 x 500 um25 x 250 um峰值(QE)88%70%读出噪声Low gain : 5000 e-High gain: 400 e-Low gain : 8000 e-High gain: 650 e-暗电流Low gain : 2.3 Ke-/p/sHigh gain: 3.2 Ke-/p/sLow gain : 1.2 Me-/p/sHigh gain: 1.5 Me-/p/s

InfraRed Associates K508 制冷红外探测器InfraRed Associates公司成立于1976年，多年来公司致力于各种红外探测器的研制开发，可以提供制冷的InSb探测器，液氮制冷/斯特林制冷和热电制冷的HgCdTe探测器，以及非制冷的HgCdTe外探测器。InfraRed Associates可以根据客户的要求,定制满足客户要求的产品，有多种标准的碲镉汞和锑化铟红外探测器，以及覆盖的波长范围从1到25微米的定制器件。此外，也提供从2至128个元素的多元件阵列。InSb/碲镉汞双色红外检测器，用于商业和军事应用。这些检测器可以成为不同红外光谱但相邻区域相应。典型应用：辐射测量，热成像，背景区分，FTIR光谱和红外显微镜InfraRed Associates的独特结构允许两个元件在相同的焦点上。InSb/HgCdTe二色检测器居庸InSb原件特性，能对1um至5.5um范围相应。用于MCT(HgCdTe)探测器的前置放大器MCT-1000是专门设计，用于光导碲镉汞探测器上使用。再加上精确恒定电压偏置的低噪音和高增益方面，提供了HgCdTe探测器一种理想的补充。MCT-1000前置放大器提供了MCT探测器所有需要的操作接口电路。不需要外部偏置和负债电阻。

Stirling Cooled斯特林制冷探测器Infrared可以提供三种不同封装的斯特林制冷探测器，三种不同设计允许操作降到75K。此选项无需液氮制冷，是理想的远程或无人操作选项。1. K508 Integral Stirling Micro IDDCA:该K508 Microcooler设计模型是基于坚实的整体直接探测理念：探测安装在散热器的冷手指（cooler’s cold finger），和冷却器和杜瓦封套的整体结构。操作整体的Stirling microcooler，由DC无刷马达驱动时，是干净的，无声的且高度可靠。型号K508自1994年来一直在服务。该散热器在许多商业设备中被广泛使用。Micro IDCA模型K508包含一个板上温度控制器，它提供了待机，远程关机和过温/过电流保护功能。通过采用不同类型的杜瓦瓶封套，该microcooler能满足**先进的红外探测器的冷却需求。2）K561整体 Stirling 低功率Micro IDCA：该模型被专门开发以满足手持式热成像仪的应用需求，其紧凑性，低输入功率和冷却器轻量化是重要的参数。3）K549 split Stirling Cryocooler：本冷却器结合了著名的可靠性和我们的microcooler产品系统的刚性与紧凑性和更好的控制散热和振动的分割配置。冷手指/杜瓦组件相同，与模型K508可互换。内置电子模块包含闭环温度控制器和各种选项电动机定子配置电机的电压和配件

Cougar是采用液氮制冷技术的短波近红外相机，包括液氮制冷装置，FPA探测器及Camera Link接口几个主要部门组成。为了尽可能地减少暗电流，芯片处于真空环境中，并且使用液氮制冷。这样可以保证芯片温度维持在80k，排除电子制冷带来的噪声、暗电流以及震动的干扰。从而可以控制暗电流到10个电子甚至更低。因此可以实现长时间的积分，具有很高的信噪比.“点击具体型号查看产品详细介绍、相关下载以及应用案例！”产品列表型号水平分辨率垂直分辨率数据接口帧频/行频Cougar-640640512CameraLink1.4fps典型应用：微光成像光谱；拉曼光谱, 荧光；Photo- & 电致发光；细胞显微成像；纳米成像；材料分析；非线性光学。

高纯锗液氮回凝制冷 仍采用液氮制冷，但采用斯特林压缩机使其在相当长周期内保持液氮水平，从而维系探测器在低温下工作断电情况下可靠液氮维系制冷，工作的连续性得到更好保障减少液氮填充的材料与人力消耗成本控制/显示电路与电源同杜瓦分离而不会受到液氮影响28升液氮罐，不断电情况下可连续工作近两年可匹配垂直或水平冷指自带感应与控制元件，以文字或数字形式显示如下信息：制冷状态：是否在液氮循环状态；在当前制冷状态下所能维持的制冷时长（以小时数显示）；液氮水平在制冷维系时长为48小时前发出提示与报警 外形尺寸66.5cm高x 44.1cm直径（不含探测器）功耗典型值125W，最大300W工作环境0 - 40℃，相对湿度20%至90%（无冷凝）噪声1m处小于60分贝日常维护每月清洗或更换一次空气滤网

液氮制冷红外Cougar系列Cougar系列是XenICs短波红外产品中的深度液氮制冷系列，为了尽可能地减少暗电流，芯片处于真空环境中，并且使用液氮制冷。这样可以保证芯片温度维持在80k，排除电子制冷带来的噪声、暗电流以及震动的干扰。从而可以控制暗电流到10个电子甚至更低。因此可以实现长时间的积分，具有很高的信噪比。Cougar系列特点：1、InGaAs材料，像素有效性＞98%；2、液氮制冷温度达77K；3、极低的暗电流＜10e-/s/pixel，极低的噪声15e-，可长时间积分；4、冷却罩能够小化地降低外部环境中的短波近红外的干扰；5、限制F光圈的大小（f/1.4）,减少了背景噪声，总体更低的暗电流和噪声；6、ITR和RWI两种读出方式；7、3通道输出、125kHz像素时钟；8、ROI功能；9、24 ADC；XenICs公司：XenICs公司是全球的红外相机和探测器的提供商,具有自主的InGaAs 材料芯片设计与ROIC 读出电路设计能力，能根据客户需求进行产品定制。凌云公司作为其战略合作伙伴，凭借丰富的项目经验能为客户制定专业、灵活的解决方案。XenICs公司产品线齐全，覆盖可见光、近红外、短波、中波、长波；同时具有线阵和面阵相机，具有多种制冷方式。“点击具体型号查看产品详细介绍、相关下载以及应用案例！”液氮制冷红外Cougar系列产品列表型号水平分辨率垂直分辨率数据接口彩色/黑白帧频/行频Cougar-640640512CameraLink1.4fps液氮制冷红外Cougar系列典型应用短波红外相机的应用：工业检测半导体故障分析—发光检测：现如今对于半导体材料的可靠性要求越来越高，普通的半导体检测对于部分隐形缺陷无法识别。光致发光是检测和表征半导体缺陷的有效方法，尤其是一些宽禁带半导体材料，而电致发光的检测方法通过观察半导体的发光图像，可以发现通常难以识别的隐性缺陷，如黑片、断栅和隐裂等。科研光谱研究：利用不同材料的红外光谱特性不同，可应用于材料分析。另外可用于研究微光成像光谱、拉曼光谱和纳米管荧光现象等。其他：细胞显微成像、纳米成像和非线性光学等。航拍：下图就是应用Cougar-640相机航拍的迪拜图片，可以获得地理上的更多数据

红外探测器 探测灵敏度在高于1μm波长的探测器。认真选择材料组合，可以实现多种类型，涵盖宽光谱范围。欢迎您登陆滨松中国全新中文网站 查看该产品更多详细信息！热电堆探测器 为了满足多种应用的需求，我们的产品涵盖了单象元型、多象元型以及线阵、面阵型等多种类型。硫化铅光导探测器 硫化铅光导探测器是一种光谱响应范围在1到3.2 um波段的红外探测器。这种探测器可以在室温下应用于多种领域，比如辐射热度计和火焰监控器硒化铅光导探测器 硒化铅光导探测器光导探测器是一种光谱范围在1.5到5.2 um的红外探测器。这种探测器在室温下具有高灵敏度和高速响应特性。我公司还提供制冷类型，具有更高的信噪比，广泛应用于分析仪器、辐射热计和其他精密光度测定产品中。砷化铟光伏探测器 砷化铟光伏探测器是一种高速、低噪声的红外探测器，可以探测波长达约3.5 um的红外光。铟砷锑光伏探测器 铟砷锑光伏探测器使用了我公司独特的晶体生长技术，在 5 um波段具有高灵敏度。锑化铟光导探测器 热电制冷锑化铟光导探测器能够高灵敏、高速探测6 um左右的红外光。锑化铟光伏探测器 锑化铟光伏探测器是一种高度、低噪声红外探测器，在 3 um和5 um大气窗口波段具有高灵敏度。它可以在以峰值灵敏度和高速响应探测 5 um波段红外光。有两种制冷类型：液氮金属杜瓦型制冷和无需液氮的斯特林制冷型。碲镉汞光导探测器 碲镉汞光导探测器是一种在红外光照射下电阻变小的传感器，光谱范围分散在2到22 um之间。碲镉汞光伏探测器 碲镉汞光伏探测器在红外光找射线会产生光电流。宽光谱（双色）探测器 这种探测器将两种不同光传感器结合使用，沿着统一光轴，一个传感器安装在另一个传感器上方。该种探测器光谱范围宽，为两个光传感器所涵盖的光谱范围。光子牵引探测器 由于其在10.6um波段的灵敏性，光子牵引探测器是探测CO2激光的理想选择。铟镓砷探测器 铟镓砷光电二极管在宽光谱范围上都具有灵敏度，可制成图像传感器、线阵面阵以及光电二极管—放大器组合器件等。

仪器简介：锗红外探测器，覆盖光谱范围800nm-1800nm，不同探测面积及制冷温度可选，包括非制冷、半导体制冷及液氮制冷技术参数：Model Number Active Size Shunt Resist. Dark Current Max. Reverse Volt. Typical Capacitance Cutoff Freq. (dia.) RD@ VR = 10mV ID@ Max. VR 　 NEP@ lpeak CD @ Max. VR 　 　 　 　 　 　 and 300Hz @ VR = 0V and RL = 50W 　 (KW) (µ A) VR 　 　 　 　 (mm) Min. Typ. Typ. Max. (V) (pW/Hz1/2) (nF) (MHz) LOW CAPACITANCE OPTION ("HS") J16-18A-R250U-HS 0.25 400 600 0.1 3 10 0.15 0.02 400 J16-18A-R500U-HS 0.5 200 300 0.3 5 10 0.2 0.03 250 J16-18A-R01M-HS 1 100 200 1 5 10 0.3 0.15 50 J16-5SP-R02M-HS 2 25 50 4 10 5 0.6 0.6 12 J16-5SP-R03M-HS 3 15 30 7 20 5 0.8 1 8 J16-8SP-R05M-HS 5 10 15 10 40 5 1 3 2.5 J16-P1-R10M-HS 10 1 2 100 400 2 4 12 0.6 HIGH SHUNT RESISTANCE OPTION ("SC") J16-18A-R250U-SC 0.25 1400 2400 0.03 0.05 0.25 0.1 0.14 40 J16-18A-R500U-SC 0.5 700 1200 0.05 0.1 0.25 0.1 0.5 10 J16-18A-R01M-SC 1 250 350 0.1 0.2 0.25 0.2 2 2 J16-5SP-R02M-SC 2 80 120 0.2 1 0.25 0.4 8 0.5 J16-5SP-R03M-SC 3 35 60 0.5 5 0.25 0.6 14 0.2 J16-8SP-R05M-SC 5 14 20 1.5 10 0.25 1 36 0.1 J16-P1-R10M-SC 10 3 5 25 50 0.25 2 120 0.03 J16-P1-R13M-SC 13 1.5 2.5 50 100 0.25 3 200 0.02 STANDARD J16-18A-R01M 1 100 200 1 5 5 0.3 1 15 J16-5SP-R02M 2 25 50 4 10 5 0.6 4 4 J16-5SP-R03M 3 15 30 7 30 5 0.8 7 2 J16-8SP-R05M 5 10 15 15 50 5 1.4 18 0.8 J16-P1-R10M 10 1 2 100 400 2 3 60 0.1 J16-P1-R13M 13 0.5 1 250 800 2 4.5 100 0.07主要特点：在选择探测器时，主要考虑制冷温度以及探测面积两个主要因素： 1.制冷功能会降低暗噪声，但同时会造成阻抗的增加 2.较大探测面积会减小阻抗，但会增加暗噪声 对于低噪声要求比较苛刻的应用，可以选择小面积的探测器，同时为了增加感光的灵敏度，最好能够增加光学聚焦系统，用于光信号的收集。 除了以下常规温度的锗红外探测器，还可以提供标准半导体TE或液氮制冷的标准产品。

高纯锗液氮回凝制冷装置 仍采用液氮制冷，但采用斯特林压缩机使其在相当长周期内保持液氮水平，从而维系探测器在低温下工作断电情况下可靠液氮维系制冷，工作的连续性得到更好保障减少液氮填充的材料与人力消耗成本控制/显示电路与电源同杜瓦分离而不会受到液氮影响28升液氮罐，不断电情况下可连续工作近两年可匹配垂直或水平冷指自带感应与控制元件，以文字或数字形式显示如下信息：制冷状态：是否在液氮循环状态；在当前制冷状态下所能维持的制冷时长（以小时数显示）；液氮水平在制冷维系时长为48小时前发出提示与报警 外形尺寸66.5cm高x 44.1cm直径（不含探测器）功耗典型值125W，最大300W工作环境0 - 40℃，相对湿度20%至90%（无冷凝）噪声1m处小于60分贝日常维护每月清洗或更换一次空气滤网

■ K5P10-1-J2 Two Color Detector-- Hybrid InSb Photodiode On MCT Photodiode◆Top detector 1mm x1mm InSb photodiode# Amplifier DC to 1MHz BW 40,000 V/A transimpedance# D* 1.0 E11 Jones◆Bottom Detector 1mm x1mm HgCdTe photodiode Amplifier DC to 1MHz BW and 10,000 V/A transimpedance# D* 3 E10 Jones# Cutoff wavelength 11um■ Series KMPC MCT Photoconductive Infrared Detectors◆Nominal bandwidth 1MHz◆350 ns rise time◆Extended spectral range to 20 mm◆Convenient integral amplifier◆Low noise: 1.5dB NF◆Custom configurations available Model *Wavelength(&mu m)Peak CutoffSize(mm)Bandwidth(Hz)D*(60FOV)(Jones, typ)Responsivity(Volts/mWatt)KMPCP11-1-J111 121 x 11M2.00E+10500 with amplifierKMPC12-2-A12 132 x 2　2.00E+101KMPC12-1-A12 131 x 1　2.00E+103KMPC14-1-A14 151 x 1　2.00E+102KMPC16-1-A16 201 x 1　1.00E+101■ Amplifiers for KV104 series HgCdTe photodiodes Model Type Gain Bandwidth OutputKA020-A1A TIA + bias 1E4 V/A 100 Hz 20MHz 20V p-pKA020-A1 TIA + bias 1E4 V/A DC 20 MHz 20 V p-pKA050-A1 TIA + bias 4E3 V/A DC 50 MHz 20 V p-pKA100-A1 TIA + bias 4E3 V/A DC 100 MHz 8 V p-p■ Amplifiers for KMPC series HgCdTe photoconductors Model Type Gain Bandwidth OutputKA-S3 TIA + bias 1E4/Rd V/V 20 Hz 300 kHz 20 V rmsKA-S4 TIA + bias 1E4/Rd V/V 20 Hz 500 kHz 20 V rmsKA-S5 TIA + bias 1E4/Rd V/V 20 Hz 1 MHz 20 V rms■ Amplifiers for KISD series InSb photodiodesModel Type Gain Bandwidth OutputKA020-C1 TIA + bias 1E4 V/A DC 10 MHz 20 V p-pKA05-C1 TIA + bias 5E4 V/A DC 5 MHz 20 V p-pKA03-C1 TIA + bias 1E5 V/A DC 3 MHz 20 V p-pKA01-E6-AG Adj. gain1-2-5-10 step+bias1E5 1E7 V/A DC 1 MHz 20 V p-p■ Post Amplifiers: Gain and Line Drivers Model Type Gain Bandwidth OutputKA100-E1 Buffer 1 V/V DC 100 MHz* 20 V p-pKA100-E2 Buffer 20 V/V DC 100 MHz* 20 V p-pKA100-E3 Buffer 2 V/V DC 100 Hz* 20 V p-p*AC coupled 100 Hz 100 MHz (optional)

武汉东隆科技为德国PicoQuant的中国区独家代理，欢迎您来电垂询！制冷型单光子PMT探测器PMA Hybrid系列 混合式光电倍增管模块制冷型单光子PMT探测器Hybrid系列是一种紧凑型单光子探测器，它内含来自滨松的R10467型快速混合型光电倍增管，以及珀尔帖制冷模块用于降低暗计数。该产品拥有两个信号输出端口，一个负电平的NIM信号输出端口，用于计时和计数。另一个模拟信号输出端口，电平值为正值，可以连接到诸如模数转换器等设备上。探测器由高压供电模块，带有过载保护的前置放大器，和一个过曝保护快门组成。 特点：计时分辨率最低50 ps(FWHM，根据阴极情况而定)探测效率最高45%(根据阴极情况而定)自动过载保护感应区域直径最大可达6 mm超低后脉冲效应模拟信号输出端口，输出正电平信号-07和-42型号，探测波长范围220 nm到870 nm，探测效率最高25%应用：单光子PMT探测器Hybrid系列拥有较大的感光面积，高探测效率，以及良好的时间分辨率，可被应用于众多场合，如：时间分辨荧光荧光寿命成像(FLIM)磷光寿命成像(PLIM)荧光相关光谱(FCS)荧光寿命相关光谱(FLCS)荧光共振能量转移(FRET)超分辨显微(STED)双聚焦荧光相关光谱(2fFCS)脉冲交错激发(PIE)时间分辨磷光(TRPL)TRPL成像镧化物上转换Bunch纯度测量激光测距扩散光学层析成像参数：电学参数阴极型号-06-07-40-40 mod-42-50探测波长范围220 nm -650 nm220 nm -850 nm300 nm -720 nm300 nm -720 nm300 nm -870 nm380 nm -890 nm暗计数 (制冷后的典型值) 7 cps 90 cps 80 cps 4000 cps 110 cps 250 cps渡越时间宽度 (FWHM典型值) 50 ps 50 ps 120 ps 120 ps 130 ps 160 ps过载保护阈值连续光模式下80 MHz, 其他情况下更低单电子响应时间 (典型值)600 ps输出信号上升/下降沿宽度(典型值)400 ps输出信号(数字)接口类型SMA母头阻抗50 Ohms极性负信号输出(模拟)接口类型SMA母头阻抗 1000 Ohms极性正最大输出电压+10 V (50 Mcps计数率)放大器时间常量20 µ s能耗输入12 V DC最大电流0.8 A其他感应区域直径6 mm6 mm3 mm5 mm3 mm3 mm外壳尺寸(w × d × h)60 × 175.3 × 114.5 mm光学接口C-mount单光子PMT探测器PMA Hybrid系列典型探测效率曲线图：

InSb中红外探测器基于锑化铟单晶制成的中红外光伏探测器（液氮制冷型）波长范围：1-5.5um典型光谱响应曲线InSb中红外探测器型号及主要参数型号有效区域面积 (mm)D*(cmHz1/2W-1)响应度(λp)电阻(Rd)(Ω)电容 (Cd)(pF)短路电流 Isc (µ A开路电压 Vcc (mV)工作温度.(K)标准封装.（制冷设备）标准窗口IS-0.25OD0.25/.25x.25 1.0E11 3 A/W1000K700.980to12577MSL-8MSL-12orMDL-8MDL-12蓝宝石IS-0.5OD.5/.5x.5500K1002IS-1.0OD1/1x1300K3508IS-2.0OD2/2x2100K150030备注：MSL-8侧视金属杜瓦瓶——8小时保温时间 MSL-12侧视金属杜瓦瓶——12小时保温时间MDL-8俯视金属杜瓦瓶——8小时保温时间 MDL-12俯视金属杜瓦瓶——12小时保温时间匹配前置放大器INSB-1000是专门为使用光伏铟锑探测器而设计的。低噪声和高增益方面，加上零伏偏置，为InSb探测器的使用提供了理想的补充。INSB-1000前置放大器为InSb探测器提供了所需的所有接口电路。不需要外部偏置或负载电阻器。前置放大器受检测器噪声限制。InSb探测器通过通常随探测器提供的SMA-BNC电缆连接到输入BNC连接器。需要具有至少100mA输出的正极和负极15伏直流电源。电气带宽在内部设置为1.5HZ至150KHz。还提供其他带宽（Max 5MHz）。 可调增益提供可变的信号幅度，通常为5到100倍。InSb中红外探测器主要应用医用热成像 热成像 红外光谱学 放射测量学 IR显微镜等更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。

MOBIUS液氮回凝制冷器仍采用液氮制冷，但采用Sun Power斯特林压缩机使其在相当长周期内保持液氮水平，从而维系探测器在低温下工作；断电情况下可靠液氮维系制冷，工作的连续性得到更好保障；减少液氮填充的材料与人力消耗成本；控制/显示电路与电源同杜瓦分离而不会受到液氮影响；28升液氮罐，不断电情况下可连续工作近两年；可匹配垂直或水平冷指。自带感应与控制元件，以文字或数字形式显示如下信息：制冷状态：是否在液氮循环状态；在当前制冷状态下所能维持的制冷时长（以小时数显示）。制冷维系时长为48小时时，给出提示，并报警。外形尺寸66.5cm高x 44.1cm直径（不含探测器）功耗典型值125W，最大300W工作环境0 - 40℃，相对湿度20%至90%（无冷凝）噪声1m处小于60分贝日常维护每月清洗或更换一次空气滤网

高纯锗液氮回凝制冷 仍采用液氮制冷，但采用斯特林压缩机使其在相当长周期内保持液氮水平，从而维系探测器在低温下工作断电情况下可靠液氮维系制冷，工作的连续性得到更好保障减少液氮填充的材料与人力消耗成本控制/显示电路与电源同杜瓦分离而不会受到液氮影响28升液氮罐，不断电情况下可连续工作近两年可匹配垂直或水平冷指自带感应与控制元件，以文字或数字形式显示如下信息：制冷状态：是否在液氮循环状态；在当前制冷状态下所能维持的制冷时长（以小时数显示）；液氮水平在制冷维系时长为48小时前发出提示与报警外形尺寸66.5cm高x 44.1cm直径（不含探测器）功耗典型值125W，最大300W工作环境0 - 40℃，相对湿度20%至90%（无冷凝）噪声1m处小于60分贝日常维护每月清洗或更换一次空气滤网

仪器介绍 HORIBA科学仪器部InGaAs阵列探测器，是近红外NIR弱信号探测的理想选择，拥有可以测量到0.8-1.7&mu m和1-2.2&mu m的两种类型，制冷可以采用TE制冷或者液氮制冷的方式。可以与HORIBA Jobin Yvon光谱仪完美结合，为近红外光谱提供高灵敏度探测。 主要特点：1、 液氮制冷：可制冷到-103℃以降低暗噪声；2、 高信号线性度：在整个动态范围内均可以获得高准确性的数据；3、 采集模式可选：通过软件可选择高灵敏度模式和高动态范围模式，以优化探测器获得好的信噪比；4、 灵活的软件选择：与功能强大的SynerJY 软件连接，可进行探测器和光谱仪的控制和数据采集。对更多的定制实验，可与软件开发工具包（SDK）或者LabVIEW VIs结合，对探测器和测量过程各个方面的完全控制。 规格芯片规格像素尺寸光谱范围制冷方式512x125&mu m x 500&mu m800-1700nm@25℃TE制冷512x150&mu m x 500&mu m800-1700nm@25℃TE制冷1024x125&mu m x 500&mu m800-1700nm@25℃TE制冷512x125&mu m x 500&mu m800-1700nm@25℃液氮制冷512x150&mu m x 500&mu m800-1700nm@25℃液氮制冷1024x125&mu m x 500&mu m800-1700nm@25℃液氮制冷512x125&mu m x 250&mu m1000-2200nm@25℃TE制冷512x150&mu m x 250&mu m1000-2200nm@25℃TE制冷1024x125&mu m x 250&mu m1000-2200nm@25℃TE制冷512x125&mu m x 250&mu m1000-2200nm@25℃液氮制冷512x150&mu m x 250&mu m1000-2200nm@25℃液氮制冷1024x125&mu m x 250&mu m1000-2200nm@25℃液氮制冷

总览HOT T2SL VOCs冷却红外探测器是一种长寿命冷却探测器，包括T2SL和HOT技术。与普通冷却探测器相比，T2SL HOT冷却寿命可延长几乎两倍。但探测器的售价可以降低。长寿命制冷型VOCs气体探测器,长寿命制冷型VOCs气体探测器通用参数产品特点：优秀的HOT MWIR T2SL技术高灵敏度，高性能低功耗，小型260g（微型版）320x256分辨率，30µ m螺距（T3Mm-330H）640X512分辨率，1 Sµ m螺距（T6Mm-330H）制冷机使用寿命两年技术参数规格版本小型( SWaP )版本标准版本型号T3Mm-330HT6Mm-330HT3M-330HT6M-330H分辨率320X256640X512320X256640X512像素间距30µ m1 5µ m30µ m15µ m光谱响应范围3.2µ m -3.5µ m稳态功耗≤4w≤5w≤6w≤8w探测类型HOT MWIR T2SLNEDT(噪声等效温差)≤15mk≤20mk≤15mk≤20mk可操作性99%冷却方式斯特林冷却器电源12VDC/24VDC冷却时间5 min.重量 260g 550g帧频50HzF数F/1.2（配3.3μm 冷屏滤光片），其他F#也可用尺寸（mm）76x39x57.5mm137x70X60mm工作温度-40- +60 ° C存储温度-50- +70 ° C 电压冷却OGI探测器用电子板：电子板选择表代理板显示板电源板XB-AXB-BVBPWBTCQ-1 voes冷却OGI探测器镜头镜头的选择表 参数指标参数指标焦距35mm焦距55mm光圈1.2光圈2.0水平视场15.6°水平视场10°垂直视场12.5°垂直视场7.5°波长范围3.0-3.6 µ m波长范围3.0-5.0 µ m 对于其他气体类型：窄带滤光片典型的可检测气体类型3.3µ m甲烷丁烷，辛烷，二甲苯，苯，丙烯和其他voes气体4.3µ m二氧化碳（CO2）和其他气体4.6µ m一氧化碳（CO）和其他气体6.1µ m氮氧化物（NOx）和其他气体8.3µ m氟烷、制冷剂和其他气体10.55µ m六氟化硫（SF6）、氨（NH3）、溴甲烷和其他气体

仪器简介：■ 锑化铟探测器（InSb）&mdash &mdash &mdash 液氮制冷型红外探测器，波长范围：1～5.5&mu m技术参数：型号列表及主要技术指标：型号/参数 DInSb5-De01光敏面尺寸(mm) &Phi 1波长范围(&mu m) 1-5.5峰值响应度(A/W) 3峰值响应度(V/W) -响应时间(ns) -D*(@&lambda peak,1KHz)cm Hz1/2W-1 1 x 1011NEP(@&lambda peak,1KHz)pW/Hz1/2 0.8暗电流(&mu A) 7前置放大器 选配信号输出模式 电流输出信号极性 正（P）主要特点：■ 锑化铟探测器（InSb）&mdash &mdash &mdash 液氮制冷型红外探测器，波长范围：1～5.5&mu m有DInSb5-De(x)和DInSb5-HS两种类型，其中：◆ DInSb5-De(x)为液氮制冷型，x-01/ 02/ 04/ 07，四种光敏面尺寸可选，适合一般测量，须选配前置放大器◆ DInSb5-HS为液氮制冷高速响应型，集成前置放大器，响应时间小于25ns◆ 探测器元件均封装于DEC-(x)系列探测器室内，用于与光谱仪狭缝连接

仪器简介：■ 碲镉汞探测器（HgCdTe）&mdash &mdash &mdash 液氮制冷型红外探测器，波长范围：2~22&mu m。技术参数：■ 碲镉汞探测器（HgCdTe）型号/参数 DMCT12-De01 DMCT14-De01 DMCT16-De01 DMCT22-De01 DMCT12-HS光敏面尺寸(mm) 1× 1 1× 1 1× 1 1× 1 1× 1波长范围(&mu m) 2-12 2-14 2-16 2-22 2-12峰值响应度(V/W) 3x103 1x103 900 150 4x104响应时间(ns) 　 　 　 　 25D*(@&lambda peak,1KHz)cm Hz1/2W-1,最小值 3 x 1010 3 x 1010 2.5 x 1010 5 x 109 3 x 1010前置放大器 ZPA-101 ZPA-101 ZPA-101 ZPA-101 集成信号输出模式 电压 电压 电压 电压 电压输出信号极性 正（P） 正（P） 正（P） 正（P） 正（P）主要特点：■ 碲镉汞探测器（HgCdTe）&mdash &mdash &mdash 液氮制冷型红外探测器，波长范围：2~22&mu m。有DMCT(x)-De和 DMCT11-HS两种类型，其中：◆ DMCT(x)-De为液氮制冷型，x-12/ 14/ 16/ 22，四种截止波长可选，适合一般测量，须选配前置放大器；◆ DMCT12-HS为液氮制冷高速响应型，集成前置放大器，响应时间小于50ns；◆ 探测器元件均封装于DEC-(x)系列探测器室内，用于与光谱仪狭缝连接。

PhaseTech 中红外探测器 2DMCTPhaseTech 中红外探测器 2DMCT是用于中红外的下一代碲化汞镉（MCT）探测器。具有128×128像素、高灵敏度和极低噪声的电子器件。PhaseTech 中红外探测器 2DMCT功能和特点：&bull 16384个高品质MCT像素&bull 非常低的暗噪声&bull 杜瓦温度读数&bull QuickShape快速扫描电子设备&bull 控制软件和LabVIEWTM驱动程序PhaseTech 中红外探测器 2DMCT主要应用：&bull 瞬态红外光谱&bull 二维红外光谱&bull 中红外成像&bull 二维红外成像PhaseTech 中红外探测器 2DMCT主要参数：像素128×128或64×64光谱范围2-12.3µ m像素尺寸40 x 40µ m最大全帧速率1.5 kHz最大窗口帧速率4 kHz（请联系PhaseTech了解更高的帧速率）比检测率（D*）4 x 1011 cm Hz1/2 W-1垂直分辨率14位动态范围~1300:1典型的暗噪声（1σ）*10次计数，超过1000次近似尺寸8.5 x 4 x 10.2英寸（21.6 x 10.2 x 25.9厘米） 低噪声中红外探测器 2DMCT是一种非常低噪声的探测器更好的激光器意味着探测器的噪声很重要典型的暗噪声小于10个计数（1000次拍摄时为1σ）垂直装仓进一步降低噪音 漂亮的测试数据高分辨率、高质量的光谱与传统探测器相比，信噪比相似或更好 覆盖面广2至12.3微米的良好灵敏度 尺寸小采集电子设备的尺寸只有几英寸，直接连接到探测器上直接连接意味着更少的电子噪音 特殊优势可编程偏移使其易于根据不同的信号强度进行调整内置杜瓦瓶温度读数消除了对液氮水平的担忧 软件友好用于设置、控制和采集的用户友好型软件包括偏移、设置感兴趣的区域、显示各种切片LabViewTM驱动程序，可轻松整合到现有代码中 PT_2DMCT_Datasheet.pdf

MCT（汞-镉-碲化物）红外探测器模块是一种热电探测器元件和前置放大器套件，经过优化设计，可用于 LaserTune 量子级联激光器 (QCL)中采集光谱数据。此 MCT 探测器模块不能作为独立产品出售，只能与 Block 的 LaserTune 产品配合使用。借助该模块，用户可以通过多种方式配置光谱仪以用于红外显微镜等应用。 在 LaserTune 应用软件中可直接采集和查看光谱数据，无需额外的数据收集或处理设备。该模块还针对 LaserTune QCL的发射曲线和快速扫描速率进行了优化。 由于该模块代替了完全集成的 LaserScan 光谱仪系统中的硬件，因此用户可以在不牺牲系统性能的情况下获得较大的多功能性。 与其他商用 MCT 探测器不同，MCT 红外探测器模块无需液氮即可运行。LaserTune 的宽调谐范围、灵活的调谐模式和良好的光束质量使其成为高性能实验室应用的理想选择，其紧凑的尺寸可轻松集成到任何系统或仪器中。更多MCT红外探测器模块相关信息以及应用需求，请联系我们。

主要特点：◆ InGaAs有效象元数256和512可选◆ 象元尺寸：50µ m× 500µ m◆ 象元间距：50µ m◆ 芯片采用TE制冷方式◆ 制冷温度：5℃（在24℃室温环境下）◆ 14bit USB传输接口或12bit PCI卡传输接口◆ 坏点校正功能◆ 可提供控制软件及二次开发控件包◆ 可提供LabView驱动 InGaAs线阵探测器主要技术规格表　IRA- 256IRA- 512光谱响应范围(nm)800-1700800-1700象元尺寸(&mu m)50× 50050× 500阵列长度(mm)12.825.6坏点无6 (无相邻坏点)　高灵敏度模式高动态范围模式高灵敏度模式高动态范围模式满阱容量(e, 典型值)5× 106130× 1065× 106130× 106读出噪声(e, rms, 典型值)80010k80010k动态范围6.25× 10313× 1036.25× 10313× 103暗信号(e/s, rms, 典型值）190k182.2k190k182.2k1s暗噪声(e, rms, 典型值）436426436426积分时间(s)0.01-100.01-10模拟输出信号范围(V)0-100-10芯片工作温度(℃，室温下)＋5＋5实时模式采谱速度(spectra/s) 20 20A/D转换USB 14 bit, PCI 12 bitUSB 14 bit, PCI 12 bit InGaAs线阵探测器选型表InGaAs线阵探测器　256象元数512象元数　光谱适用范围800-1700nm800-1700nmIRA-USBUSB 14bitD7282D7286IRA-PCIPCI 12bitD7283D7287【配置说明】：配置中已包含制冷型线阵探测器，数据线，温控器，电源以及 D7401 SpectraArray基本版软件软件选项D7404SpectraSolveAdvanced spectroscopic applications software for WindowsD7421OEM Developers kitWith C++ and VC++ examplesD7422LabView driversWith Vis (virtual instruments) for LabView Version 5 or laterInGaAs线阵探测器尺寸图

Arrays阵列探测器 InfraRed提供多元素碲镉汞光导阵列MCT探测器,最大可以提供的阵列是128×2,波段范围2-16 m.可以提供各种封装: 液氮制冷,斯特林制冷和热电点制冷.像元大小: 25 m x 25 m, 像元间隙:12  m典型应用:热成像激光光谱学（PPM）傅立叶红外光谱仪气体分析

红外探测器制造厂商: 美国 Infrared Associates有各种标准的碲化汞和锑化铟红外探测器，以及覆盖1至25微米波长范围的定制设备 红外探测器(Infrared Detector)是将入射的红外辐射信号转变成电信号输出的器件。红外辐射是波长介于可见光与微波之间的电磁波，人眼察觉不到。要察觉这种辐射的存在并测量其强弱，必须把它转变成可以察觉和测量的其他物理量。一般说来，红外辐射照射物体所引起的任何效应，只要效果可以测量而且足够灵敏，均可用来度量红外辐射的强弱。现代红外探测器所利用的主要是红外热效应和光电效应。这些效应的输出大都是电量，或者可用适当的方法转变成电量。红外探测器的基本原理是，将入射的红外辐射信号转变成电信号输出的器件。红外辐射是波长介于可见光与微波之间的电磁波，人眼察觉不到。要察觉这种辐射的存在并测量其强弱，把它转变成可以察觉和测量的其他物理量。一般说来，红外辐射照射物体所引起的任何效应，只要效果可以测量而且足够灵敏，均可用来度量红外辐射的强弱。这些HgCdTe和InSb探测器提供多种冷却方案，包括：液氮、斯特林闭式循环和热电冷却器。 InfraRed Associates还提供一整套配件，以补充探测器。InfraRed Associates 产品1.锑化铟探测器—InSb Detectors2.碲镉汞–HgCdTe (MCT) 探测器3.热电冷却导碲镉汞探测器–Thermoelectric Cooled HgCdTe (MCT)4.液氮冷却的碲镉汞探测器–LN2 Cooled HgCdTe Detectors5.常温碲镉汞探测器–Room Temperature HgCdTe6.锑化铟/碲镉汞双色红外探测– InSb/HgCdTe 2-color7.阵列—Arrays8.象限阵列碲镉汞–Quadrant Arrays HgCdTe9.标准包10.斯特林冷却探测器–Stirling Cooled Detectors11.前置放大器— Pre-Amplifiers 12.配件

BOLOMETER探测器Bolometer是用于测量入射红外辐射的探测器。Bolometer探测器对热辐射非常敏感，主要用于10至5000μm（30THz至60GHz）的红外光谱。探测器核心是一个非常灵敏的热敏电阻，进行深度制冷以降低热背景。任何入射到探测器的热辐射都会引起温度变化，这将导致电阻变化并转化为电压差而被放大测量。因为Bolometer测量的是温度的变化，所以入射辐射必须经过调制，这允许Bolometer被能量激发和释放，从而进行与入射辐射的能量相对应的电阻变化的测量。Bolometer探测器对这种温度变化作出反应的速度取决于几个因素，如果需要，这些参数可以在系统订购时改变。所有复合硅Bolometer系统都安装在IRLabs的HDL-5型号液氦杜瓦瓶中，带有液氮冷却辐射屏蔽。4.2K系统的标准灌装间隔时间大于20小时，1.6K型号的标准灌装时间大于10小时。Bolometer探测器配有红外光收集锥组件、真空密封楔形窗、视场挡板和低噪声电子设备。并且，Bolometer系统可配红外截止滤光片或手动操作的2或3位置滤光片转轮。远红外长波通截止型滤波器，波长范围从10um到285μm。如果您的应用需要更长的保持时间、双探测器或更多的滤波器位置等，我们可以提供定制设计的系统，以满足您的个人需求。欢迎对定制设计提出特殊要求。应用领域：■ 傅里叶变换红外光谱 ■ 分子束光谱 ■ 强磁场研究 ■ 太赫兹探测关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。