兆声大基片清洗系统

兆声清洗技术LSC-4000 (C) 兆声大基片清洗系统概述：最新技术的兆声和清洗技术的发展，对MEMS和半导体等领域的晶圆和掩模版清洗提供了最新的水平，可以帮助用户获得最干净的晶圆片和掩模版。NANO-MASTER提供兆声单晶圆&掩模清洗(SWC)系统，用于最先进的无损兆声清洗。可以适用于易受损的带图案或无图案的基片，包含带保护膜的掩模版。为了在确保不损伤基片的情况下达到最优化的清洗效果，兆声能量的密度必须保持在稍稍低于样片上任意位置上的损伤阈值。NANO-MASTER的专利技术确保了声波能量均匀分布到整个基片表面，通过分布能量的最大化支持最理想的清洗，同时保证在样片的损伤阈值范围内。SWC系统提供了可控的化学试剂滴胶能力，这使得颗粒从基片表面的去除能力得以进一步加强。SWC和LSC具备对点试剂滴胶系统，可以最大程度节省化学试剂的用量的。滴胶系统支持可编程的化学试剂混合能力，提供了可控的化学试剂在整个基片上的分布。通过联合使用化学试剂滴胶和NANO-MASTER的兆声清洗技术，系统去除颗粒的能力得到进一步优化。颗粒从表面被释放的能力也因此得到提升，从而被释放的颗粒在幅流的DI水作用下被扫除出去，而把回附的数量降到了最低水平。从基片表面被去除。如果没有使用幅流DI水的优势，最先进的静态可循环兆声清洗槽会有更大数量的颗粒回附，并且因此需要更多的去除这些颗粒。此外，NANO-MASTER的清洗机都还提供了一系列的选配功能。PVA软毛刷提供了机械的方式去除无图案基片上的污点和残胶。DI水臭氧化的选配项提供了有机物的去除，而无须腐蚀性的化学试剂。我们的氢化DI水系统跟兆声能量结合可以达到纳米级的颗粒去除。根据不同的应用，某些选配项将会进一步提高设备去除不想要的颗粒和残留物的能力。SWC系统能够就地实现热氮或异丙醇甩干。“干进干出” 一步工艺可以在我们的系统中以最低的投资和购置成本来实现。NANO-MASTER清洗机的工艺处理时间可以在3-5分钟内完成，具体是3分钟还是5分钟取决于基片的尺寸以及附加的清洗配件的使用情况。NANO-MASTER的技术也适用于清洗背部以及带保护膜掩模版前面的对准标记，降低这些掩模版的不必要去除和重做保护膜的几率。它也可以用于去除薄膜胶黏剂的黏附性并准备表面以便再次覆膜。此外，带薄膜掩模版的全部正面的兆声清洗以及旋转甩干可以做到无损并且对薄膜无渗漏。SWC是一款带有小占地面积的理想设备，并且很容易安装在空间有限的超净间中。该系列设备都具有出众的清洗能力，并可用于非常广泛的基片。LSC-4000 (C) 兆声大基片清洗系统应用：湿法刻蚀硅片蓝宝石片圆框架上的芯片显示面板ITO涂覆的显示屏带保护膜的分划版掩模版空白部位掩模版接触部位带图案/不带图案的掩模版LSC-4000 (C) 兆声大基片清洗系统的特点：支持450mm直径的圆片或15”x15”方片带兆声、DI、刷子、热DI、高压DI、热氮、化学试剂滴胶臂的大腔体带化学试剂滴胶的刷子转速可调节带LABVIEW软件的PC全自动控制触摸屏用户界面手动上下载片安全互锁及警报装置30”D x 26”W 的占地面积 LSC-4000 (C) 兆声大基片清洗系统选配项：化学试剂传输模块Piranha溶液清洗 臭氧化DI水（20ppm的O3）氢化的DI水高压DI水热DI水溶剂和酸分离排放IR红外加热DI水循环机耐火立柜机械手上下载片，带EFEM以及SMIF界面

兆声清洗技术LSC-5000 (AC) 全自动兆声大基片清洗系统概述：最新技术的兆声和清洗技术的发展，对MEMS和半导体等领域的晶圆和掩模版清洗提供了最新的水平，可以帮助用户获得最干净的晶圆片和掩模版。NANO-MASTER提供兆声单晶圆&掩模清洗(SWC)系统，用于最先进的无损兆声清洗。可以适用于易受损的带图案或无图案的基片，包含带保护膜的掩模版。为了在确保不损伤基片的情况下达到最优化的清洗效果，兆声能量的密度必须保持在稍稍低于样片上任意位置上的损伤阈值。NANO-MASTER的专利技术确保了声波能量均匀分布到整个基片表面，通过分布能量的最大化支持最理想的清洗，同时保证在样片的损伤阈值范围内。LSC系统提供了可控的化学试剂滴胶能力，这使得颗粒从基片表面的去除能力得以进一步加强。SWC和LSC具备对点试剂滴胶系统，可以最大程度节省化学试剂的用量的。滴胶系统支持可编程的化学试剂混合能力，提供了可控的化学试剂在整个基片上的分布。通过联合使用化学试剂滴胶和NANO-MASTER的兆声清洗技术，系统去除颗粒的能力得到进一步优化。颗粒从表面被释放的能力也因此得到提升，从而被释放的颗粒在幅流的DI水作用下被扫除出去，而把回附的数量降到了最低水平。从基片表面被去除。如果没有使用幅流DI水的优势，最先进的静态可循环兆声清洗槽会有更大数量的颗粒回附，并且因此需要更多的去除这些颗粒。此外，NANO-MASTER的清洗机都还提供了一系列的选配功能。PVA软毛刷提供了机械的方式去除无图案基片上的污点和残胶。DI水臭氧化的选配项提供了有机物的去除，而无须腐蚀性的化学试剂。我们的氢化DI水系统跟兆声能量结合可以达到纳米级的颗粒去除。根据不同的应用，某些选配项将会进一步提高设备去除不想要的颗粒和残留物的能力。LSC系统能够就地实现热氮或异丙醇甩干。“干进干出” 一步工艺可以在我们的系统中以最低的投资和购置成本来实现。NANO-MASTER清洗机的工艺处理时间可以在3-5分钟内完成，具体是3分钟还是5分钟取决于基片的尺寸以及附加的清洗配件的使用情况。NANO-MASTER的技术也适用于清洗背部以及带保护膜掩模版前面的对准标记，降低这些掩模版的不必要去除和重做保护膜的几率。它也可以用于去除薄膜胶黏剂的黏附性并准备表面以便再次覆膜。此外，带薄膜掩模版的全部正面的兆声清洗以及旋转甩干可以做到无损并且对薄膜无渗漏。LSC占地面积较小，并且很容易安装在空间有限的超净间中。该系列设备都具有出众的清洗能力，并可用于非常广泛的基片。LSC-5000 (AC) 全自动兆声大基片清洗系统应用：硅片蓝宝石片圆框架上的芯片显示面板ITO涂覆的显示屏带保护膜的分划版掩模版空白部位掩模版接触部位带保护膜/不带保护膜的掩模版LSC-5000 (AC)全自动兆声大基片清洗系统的特点：支持450mm直径的圆片或15”x15”方片带兆声、DI、刷子、热DI、高压DI、热氮、化学试剂滴胶臂的大腔体带化学试剂滴胶的刷子转速可调节带LABVIEW软件的PC全自动控制触摸屏用户界面机械手上下载片，带EFEM以及SMIF界面安全互锁及警报装置30”D x 26”W 的占地面积 LSC-5000 (AC)全自动兆声大基片清洗系统选配项：化学试剂传输模块Piranha溶液清洗 臭氧化DI水（20ppm的O3）氢化的DI水高压DI水热DI水溶剂和酸分离排放IR红外加热DI水循环机耐火立柜

兆声湿法去胶技术LSC-5000 (AD)全自动兆声大基片湿法去胶系统概述：最新技术的兆声和清洗技术的发展，对MEMS和半导体等领域的晶圆和掩模版清洗提供了最新的水平，可以帮助用户获得最干净的晶圆片和掩模版。NANO-MASTER提供兆声单晶圆&掩模清洗(LSC)系统，用于最先进的无损兆声清洗。可以适用于易受损的带图案或无图案的基片，包含带保护膜的掩模版。为了在确保不损伤基片的情况下达到最优化的清洗效果，兆声能量的密度必须保持在稍稍低于样片上任意位置上的损伤阈值。NANO-MASTER的专利技术确保了声波能量均匀分布到整个基片表面，通过分布能量的最大化支持最理想的清洗，同时保证在样片的损伤阈值范围内。LSC系统提供了可控的化学试剂滴胶能力，这使得颗粒从基片表面的去除能力得以进一步加强。LSC和SWC具备对点试剂滴胶系统，可以最大程度节省化学试剂的用量的。滴胶系统支持可编程的化学试剂混合能力，提供了可控的化学试剂在整个基片上的分布。通过联合使用化学试剂滴胶和NANO-MASTER的兆声清洗技术，系统去除颗粒的能力得到进一步优化。颗粒从表面被释放的能力也因此得到提升，从而被释放的颗粒在幅流的DI水作用下被扫除出去，而把回附的数量降到了最低水平。从基片表面被去除。如果没有使用幅流DI水的优势，最先进的静态可循环兆声清洗槽会有更大数量的颗粒回附，并且因此需要更多的去除这些颗粒。此外，NANO-MASTER的清洗机都还提供了一系列的选配功能。PVA软毛刷提供了机械的方式去除无图案基片上的污点和残胶。DI水臭氧化的选配项提供了有机物的去除，而无须腐蚀性的化学试剂。我们的氢化DI水系统跟兆声能量结合可以达到纳米级的颗粒去除。根据不同的应用，某些选配项将会进一步提高设备去除不想要的颗粒和残留物的能力。LSC系统能够就地实现热氮或异丙醇甩干。“干进干出” 一步工艺可以在我们的系统中以最低的投资和购置成本来实现。NANO-MASTER清洗机的工艺处理时间可以在3-5分钟内完成，具体是3分钟还是5分钟取决于基片的尺寸以及附加的清洗配件的使用情况。NANO-MASTER的技术也适用于清洗背部以及带保护膜掩模版前面的对准标记，降低这些掩模版的不必要去除和重做保护膜的几率。它也可以用于去除薄膜胶黏剂的黏附性并准备表面以便再次覆膜。此外，带薄膜掩模版的全部正面的兆声清洗以及旋转甩干可以做到无损并且对薄膜无渗漏。LSC是占地面积较小，并且很容易安装在空间有限的超净间中。该系列设备都具有出众的清洗能力，并可用于非常广泛的基片。LSC-5000 (AD)全自动兆声大基片湿法去胶系统应用：光刻胶去除/剥离硅片蓝宝石片圆框架上的芯片显示面板ITO涂覆的显示屏带保护膜的分划版掩模版空白部位掩模版接触部位带保护膜/不带保护膜的掩模版LSC-5000(AD)全自动兆声大基片湿法去胶系统的特点：支持450mm直径的圆片或15”x15”方片带兆声、DI、刷子、热DI、高压DI、热氮、化学试剂滴胶臂的大腔体带化学试剂滴胶的刷子转速可调节带LABVIEW软件的PC全自动控制触摸屏用户界面机械手上下载片，带EFEM以及SMIF界面安全互锁及警报装置30”D x 26”W 的占地面积 LSC-5000(AD)全自动兆声大基片湿法去胶系统选配项：化学试剂传输模块Piranha溶液清洗 臭氧化DI水（20ppm的O3）氢化的DI水高压DI水热DI水溶剂和酸分离排放IR红外加热DI水循环机耐火立柜

兆声湿法去胶技术LSC-4000 (D) 兆声大基片湿法去胶系统概述：最新技术的兆声和清洗技术的发展，对MEMS和半导体等领域的晶圆和掩模版清洗提供了最新的水平，可以帮助用户获得最干净的晶圆片和掩模版。NANO-MASTER提供兆声单晶圆&掩模清洗(SWC)系统，用于最先进的无损兆声清洗。可以适用于易受损的带图案或无图案的基片，包含带保护膜的掩模版。为了在确保不损伤基片的情况下达到最优化的清洗效果，兆声能量的密度必须保持在稍稍低于样片上任意位置上的损伤阈值。NANO-MASTER的专利技术确保了声波能量均匀分布到整个基片表面，通过分布能量的最大化支持最理想的清洗，同时保证在样片的损伤阈值范围内。SWC系统提供了可控的化学试剂滴胶能力，这使得颗粒从基片表面的去除能力得以进一步加强。SWC和LSC具备对点试剂滴胶系统，可以最大程度节省化学试剂的用量的。滴胶系统支持可编程的化学试剂混合能力，提供了可控的化学试剂在整个基片上的分布。通过联合使用化学试剂滴胶和NANO-MASTER的兆声清洗技术，系统去除颗粒的能力得到进一步优化。颗粒从表面被释放的能力也因此得到提升，从而被释放的颗粒在幅流的DI水作用下被扫除出去，而把回附的数量降到了最低水平。从基片表面被去除。如果没有使用幅流DI水的优势，最先进的静态可循环兆声清洗槽会有更大数量的颗粒回附，并且因此需要更多的去除这些颗粒。此外，NANO-MASTER的清洗机都还提供了一系列的选配功能。PVA软毛刷提供了机械的方式去除无图案基片上的污点和残胶。DI水臭氧化的选配项提供了有机物的去除，而无须腐蚀性的化学试剂。我们的氢化DI水系统跟兆声能量结合可以达到纳米级的颗粒去除。根据不同的应用，某些选配项将会进一步提高设备去除不想要的颗粒和残留物的能力。SWC系统能够就地实现热氮或异丙醇甩干。“干进干出” 一步工艺可以在我们的系统中以最低的投资和购置成本来实现。NANO-MASTER清洗机的工艺处理时间可以在3-5分钟内完成，具体是3分钟还是5分钟取决于基片的尺寸以及附加的清洗配件的使用情况。NANO-MASTER的技术也适用于清洗背部以及带保护膜掩模版前面的对准标记，降低这些掩模版的不必要去除和重做保护膜的几率。它也可以用于去除薄膜胶黏剂的黏附性并准备表面以便再次覆膜。此外，带薄膜掩模版的全部正面的兆声清洗以及旋转甩干可以做到无损并且对薄膜无渗漏。SWC是一款带有小占地面积的理想设备，并且很容易安装在空间有限的超净间中。该系列设备都具有出众的清洗能力，并可用于非常广泛的基片。LSC-4000 (D) 兆声大基片湿法去胶系统应用：光刻胶去除/剥离硅片蓝宝石片圆框架上的芯片显示面板ITO涂覆的显示屏带保护膜的分划版掩模版空白部位掩模版接触部位带图案/不带图案的掩模版LSC-4000 (D) 兆声大基片湿法去胶系统的特点：支持450mm直径的圆片或15”x15”方片带兆声、DI、刷子、热DI、高压DI、热氮、化学试剂滴胶臂的大腔体带化学试剂滴胶的刷子转速可调节带LABVIEW软件的PC全自动控制触摸屏用户界面手动上下载片安全互锁及警报装置30”D x 26”W 的占地面积 LSC-4000 (D) 兆声大基片湿法去胶系统选配项：化学试剂传输模块Piranha溶液清洗 臭氧化DI水（20ppm的O3）氢化的DI水高压DI水热DI水溶剂和酸分离排放IR红外加热DI水循环机耐火立柜机械手上下载片，带EFEM以及SMIF界面

LSC-5000 (AD)全自动兆声大基片湿法去胶系统应用：光刻胶去除/剥离硅片蓝宝石片圆框架上的芯片显示面板ITO涂覆的显示屏带保护膜的分划版掩模版空白部位掩模版接触部位带保护膜/不带保护膜的掩模版LSC-5000(AD)全自动兆声大基片湿法去胶系统的特点：支持450mm直径的圆片或15”x15”方片带兆声、DI、刷子、热DI、高压DI、热氮、化学试剂滴胶臂的大腔体带化学试剂滴胶的刷子转速可调节带LABVIEW软件的PC全自动控制触摸屏用户界面机械手上下载片，带EFEM以及SMIF界面安全互锁及警报装置30”D x 26”W 的占地面积 LSC-5000(AD)全自动兆声大基片湿法去胶系统选配项：化学试剂传输模块Piranha溶液清洗 臭氧化DI水（20ppm的O3）氢化的DI水高压DI水热DI水溶剂和酸分离排放IR红外加热DI水循环机耐火立柜

兆声清洗技术SWC-5000 (AC)全自动兆声清洗系统概述：最新技术的兆声和清洗技术的发展，对MEMS和半导体等领域的晶圆和掩模版清洗提供了最新的水平，可以帮助用户获得最干净的晶圆片和掩模版。NANO-MASTER提供兆声单晶圆&掩模清洗(SWC)系统，用于最先进的无损兆声清洗。可以适用于易受损的带图案或无图案的基片，包含带保护膜的掩模版。为了在确保不损伤基片的情况下达到最优化的清洗效果，兆声能量的密度必须保持在稍稍低于样片上任意位置上的损伤阈值。NANO-MASTER的专利技术确保了声波能量均匀分布到整个基片表面，通过分布能量的最大化支持最理想的清洗，同时保证在样片的损伤阈值范围内。SWC系统提供了可控的化学试剂滴胶能力，这使得颗粒从基片表面的去除能力得以进一步加强。SWC和LSC具备对点试剂滴胶系统，可以最大程度节省化学试剂的用量的。滴胶系统支持可编程的化学试剂混合能力，提供了可控的化学试剂在整个基片上的分布。通过联合使用化学试剂滴胶和NANO-MASTER的兆声清洗技术，系统去除颗粒的能力得到进一步优化。颗粒从表面被释放的能力也因此得到提升，从而被释放的颗粒在幅流的DI水作用下被扫除出去，而把回附的数量降到了最低水平。从基片表面被去除。如果没有使用幅流DI水的优势，最先进的静态可循环兆声清洗槽会有更大数量的颗粒回附，并且因此需要更多的去除这些颗粒。此外，NANO-MASTER的清洗机都还提供了一系列的选配功能。PVA软毛刷提供了机械的方式去除无图案基片上的污点和残胶。DI水臭氧化的选配项提供了有机物的去除，而无须腐蚀性的化学试剂。我们的氢化DI水系统跟兆声能量结合可以达到纳米级的颗粒去除。根据不同的应用，某些选配项将会进一步提高设备去除不想要的颗粒和残留物的能力。SWC系统能够就地实现热氮或异丙醇甩干。“干进干出” 一步工艺可以在我们的系统中以最低的投资和购置成本来实现。NANO-MASTER清洗机的工艺处理时间可以在3-5分钟内完成，具体是3分钟还是5分钟取决于基片的尺寸以及附加的清洗配件的使用情况。NANO-MASTER的技术也适用于清洗背部以及带保护膜掩模版前面的对准标记，降低这些掩模版的不必要去除和重做保护膜的几率。它也可以用于去除薄膜胶黏剂的黏附性并准备表面以便再次覆膜。此外，带薄膜掩模版的全部正面的兆声清洗以及旋转甩干可以做到无损并且对薄膜无渗漏。SWC是一款带有小占地面积的理想设备，并且很容易安装在空间有限的超净间中。该系列设备都具有出众的清洗能力，并可用于非常广泛的基片。SWC-5000 (AC)全自动兆声清洗系统应用：湿法刻蚀带图案或不带图案的掩模版和晶圆片Ge, GaAs以及InP晶圆片清洗CMP处理后的晶圆片清洗晶圆框架上的切粒芯片清洗等离子刻蚀或光刻胶剥离后的清洗带保护膜的分划版清洗掩模版空白部位或接触部位清洗X射线及极紫外掩模版清洗光学镜头清洗ITO涂覆的显示面板清洗兆声辅助的剥离工艺SWC-5000 (AC)全自动兆声清洗系统的特点：机械手全自动上下载片支持12”直径的圆片或9”x9”方片独立系统无损兆声,试剂，毛刷清洗及旋转甩干微处理机自动控制化学试剂滴胶单元溶剂与酸分离排废热氮30”D x 26”W 的占地面积SWC-5000 (AC)全自动兆声清洗系统选配项：多系统集成掩模板或晶圆片夹具臭氧清洗PVA软毛刷清洗高压DI清洗氮气离子发生器

兆声清洗技术SWC-4000 (C) 兆清洗系统概述：最新技术的兆声和清洗技术的发展，对MEMS和半导体等领域的晶圆和掩模版清洗提供了最新的水平，可以帮助用户获得最干净的晶圆片和掩模版。NANO-MASTER提供兆声单晶圆&掩模清洗(SWC)系统，用于最先进的无损兆声清洗。可以适用于易受损的带图案或无图案的基片，包含带保护膜的掩模版。为了在确保不损伤基片的情况下达到最优化的清洗效果，兆声能量的密度必须保持在稍稍低于样片上任意位置上的损伤阈值。NANO-MASTER的专利技术确保了声波能量均匀分布到整个基片表面，通过分布能量的最大化支持最理想的清洗，同时保证在样片的损伤阈值范围内。SWC系统提供了可控的化学试剂滴胶能力，这使得颗粒从基片表面的去除能力得以进一步加强。SWC和LSC具备对点试剂滴胶系统，可以最大程度节省化学试剂的用量的。滴胶系统支持可编程的化学试剂混合能力，提供了可控的化学试剂在整个基片上的分布。通过联合使用化学试剂滴胶和NANO-MASTER的兆声清洗技术，系统去除颗粒的能力得到进一步优化。颗粒从表面被释放的能力也因此得到提升，从而被释放的颗粒在幅流的DI水作用下被扫除出去，而把回附的数量降到了最低水平。从基片表面被去除。如果没有使用幅流DI水的优势，最先进的静态可循环兆声清洗槽会有更大数量的颗粒回附，并且因此需要更多的去除这些颗粒。此外，NANO-MASTER的清洗机都还提供了一系列的选配功能。PVA软毛刷提供了机械的方式去除无图案基片上的污点和残胶。DI水臭氧化的选配项提供了有机物的去除，而无须腐蚀性的化学试剂。我们的氢化DI水系统跟兆声能量结合可以达到纳米级的颗粒去除。根据不同的应用，某些选配项将会进一步提高设备去除不想要的颗粒和残留物的能力。SWC系统能够就地实现热氮或异丙醇甩干。“干进干出” 一步工艺可以在我们的系统中以最低的投资和购置成本来实现。NANO-MASTER清洗机的工艺处理时间可以在3-5分钟内完成，具体是3分钟还是5分钟取决于基片的尺寸以及附加的清洗配件的使用情况。NANO-MASTER的技术也适用于清洗背部以及带保护膜掩模版前面的对准标记，降低这些掩模版的不必要去除和重做保护膜的几率。它也可以用于去除薄膜胶黏剂的黏附性并准备表面以便再次覆膜。此外，带薄膜掩模版的全部正面的兆声清洗以及旋转甩干可以做到无损并且对薄膜无渗漏。SWC是一款带有小占地面积的理想设备，并且很容易安装在空间有限的超净间中。该系列设备都具有出众的清洗能力，并可用于非常广泛的基片。SWC-4000 (C) 兆清洗系统应用：带图案或不带图案的掩模版和晶圆片Ge, GaAs以及InP晶圆片清洗CMP处理后的晶圆片清洗晶圆框架上的切粒芯片清洗等离子刻蚀或光刻胶剥离后的清洗带保护膜的分划版清洗掩模版空白部位或接触部位清洗X射线及极紫外掩模版清洗光学镜头清洗ITO涂覆的显示面板清洗兆声辅助的剥离工艺SWC-4000 (C) 兆清洗系统的特点：支持12”直径的圆片或9”x9”方片独立系统无损兆声,试剂，毛刷清洗及旋转甩干微处理机自动控制化学试剂滴胶单元溶剂与酸分离排废热氮30”D x 26”W 的占地面积SWC-4000 (C) 兆清洗系统选配项：机械手自动上下载片掩模板或晶圆片夹具臭氧清洗PVA软毛刷清洗高压DI清洗氮气离子发生器

EVG300系列兆声清洗系统：EVG301 一、 简介 EVG公司成立于1980年，公司总部和制造厂位于奥地利，在美国、日本和台湾设有分公司，并在其他各地设有销售代理及售后服务部，产品和服务遍及世界各地。EVG公司是一家致力于半导体制造设备的全球供应商，其丰富的产品系列包括：涂胶和喷胶/显影机/热板/冷板、掩模版光刻/键合对准系统、基片热压键合/低温等离子键合系统、基片清洗机、基片检测系统、SOI 基片键合系统、基片临时键合/分离系统、纳米压印系统。目前已有数千台设备安装在世界各地，被广泛地应用于MEMS微机电系统/微流体器件，SOI基片制造，3D封装，纳米压印，化合物半导体器件和功率器件等领域。EVG300系列配备1MHz，30-60W的兆声波清洗头，能有效地去除亚微米(0.1um)颗粒。可与EVG键合机和对准机实现无缝衔接，以保证键合前硅片的洁净度，是实现SOI、Si-Si直接键合等工艺的必要手段。同时，EVG300系列也是高精度单片清洗工序的必备设备。二、应用范围EVG300系列是一款单晶片或掩膜板清洗系统，面向以研发和小批量生产为主的客户，广泛应用于光刻掩膜板清洗、硅片直接键合、SOI键合前处理和其它相关领域。 三、主要特点u 单片清洗，基片正面与背面间无交叉污染u 稀释的化学液体清洗，有效地节省了成本u 基片旋转甩干，最大转速可为3000转/分刷片清洗u 软件可编程控制刷头移动速度及基片旋转速度u 1MHz兆声清洗或兆声板式清洗（可选）u 单面刷洗（可选）u 其它选项- 带有IR检测的预对准台- 应对非SEMI标准的硅片夹具

美Nano-master 大基片清洗机 Large Substrate Cleaning :LSC-4000NANO-MASTER大基片清洗机（LSC）是一款独立式清洗机，使用计算机控制，最大可支持外径21”的基片。通过前方面板上的触摸屏和LabView用户界面，与SWC系统相比可以提供更强大的控制，并允许用户控制访问等级，比如操作者、工艺工程师和维护工程师。跟SWC一样，LSC集成了同样的专利技术的兆声技术和化学试剂分布。 LabView控制和更大工艺腔体的组合支持额外的选配项，诸如臭氧化去离子水、高压去离子水、带保护膜的分划板清洗、以及白骨化清洗。 单晶圆和Cassette-to-Cassette自动上下片可选。其中可以通过定制托盘一次放入多片小片实现批处理。特点：** 最大可支持21”外径，15”x15”方片和450mm的晶圆** 无损兆声清洗** 不同转速的PVA刷子** 带回吸阀的化学试剂分布** 双排放口用于酸和试剂的分开排放** 全自动计算机控制，菜单驱动** 基于LabVIEW的触摸屏友好用户界面** 手动上下片** 安全联锁和报警** 32”x28”的占地面积选配：** 带保护膜的分划板清洗** 双面刷子和兆声清洗** 化学试剂传输模块** 化学试剂瓶的泄漏检测传感器** 白骨化清洗** 臭氧化去离子水(20ppm O3)** 高压去离子水** 加热的去离子水** 氮离子发生器** 带去离子水电阻率监控的CO2注入** FM4910防火灾材料** 机械手上下片，带SMIF传送盒应用：** 硅晶圆及蓝宝石晶圆清洗** 晶圆框架上的切割芯片清洗** 显示面板清洗** ITO涂覆的显示屏** 带图案或不带图案的掩模板清洗** 掩模板光板清洗** 接触掩模版清洗

兆声清洗技术SWC-4000 (W) 兆声晶圆清洗机概述：最新技术的兆声和清洗技术的发展，对MEMS和半导体等领域的晶圆和掩模版清洗提供了最新的水平，可以帮助用户获得最干净的晶圆片和掩模版。NANO-MASTER提供兆声单晶圆&掩模清洗(SWC)系统，用于最先进的无损兆声清洗。可以适用于易受损的带图案或无图案的基片，包含带保护膜的掩模版。为了在确保不损伤基片的情况下达到最优化的清洗效果，兆声能量的密度必须保持在稍稍低于样片上任意位置上的损伤阈值。NANO-MASTER的专利技术确保了声波能量均匀分布到整个基片表面，通过分布能量的最大化支持最理想的清洗，同时保证在样片的损伤阈值范围内。SWC系统提供了可控的化学试剂滴胶能力，这使得颗粒从基片表面的去除能力得以进一步加强。SWC和LSC具备对点试剂滴胶系统，可以最大程度节省化学试剂的用量的。滴胶系统支持可编程的化学试剂混合能力，提供了可控的化学试剂在整个基片上的分布。通过联合使用化学试剂滴胶和NANO-MASTER的兆声清洗技术，系统去除颗粒的能力得到进一步优化。颗粒从表面被释放的能力也因此得到提升，从而被释放的颗粒在幅流的DI水作用下被扫除出去，而把回附的数量降到了最低水平。从基片表面被去除。如果没有使用幅流DI水的优势，最先进的静态可循环兆声清洗槽会有更大数量的颗粒回附，并且因此需要更多的去除这些颗粒。此外，NANO-MASTER的清洗机都还提供了一系列的选配功能。PVA软毛刷提供了机械的方式去除无图案基片上的污点和残胶。DI水臭氧化的选配项提供了有机物的去除，而无须腐蚀性的化学试剂。我们的氢化DI水系统跟兆声能量结合可以达到纳米级的颗粒去除。根据不同的应用，某些选配项将会进一步提高设备去除不想要的颗粒和残留物的能力。SWC系统能够就地实现热氮或异丙醇甩干。“干进干出” 一步工艺可以在我们的系统中以最低的投资和购置成本来实现。NANO-MASTER清洗机的工艺处理时间可以在3-5分钟内完成，具体是3分钟还是5分钟取决于基片的尺寸以及附加的清洗配件的使用情况。NANO-MASTER的技术也适用于清洗背部以及带保护膜掩模版前面的对准标记，降低这些掩模版的不必要去除和重做保护膜的几率。它也可以用于去除薄膜胶黏剂的黏附性并准备表面以便再次覆膜。此外，带薄膜掩模版的全部正面的兆声清洗以及旋转甩干可以做到无损并且对薄膜无渗漏。SWC是一款带有小占地面积的理想设备，并且很容易安装在空间有限的超净间中。该系列设备都具有出众的清洗能力，并可用于非常广泛的基片。SWC-4000 (W) 兆声晶圆清洗机应用：带图案或不带图案的掩模版和晶圆片Ge, GaAs以及InP晶圆片清洗CMP处理后的晶圆片清洗晶圆框架上的切粒芯片清洗等离子刻蚀或光刻胶剥离后的清洗带保护膜的分划版清洗掩模版空白部位或接触部位清洗X射线及极紫外掩模版清洗光学镜头清洗ITO涂覆的显示面板清洗兆声辅助的剥离工艺SWC-4000 (W) 兆声晶圆清洗机的特点：支持12”直径的圆片或9”x9”方片独立系统无损兆声,试剂，毛刷清洗及旋转甩干微处理机自动控制化学试剂滴胶单元溶剂与酸分离排废热氮30”D x 26”W 的占地面积 SWC-4000 (W) 兆声晶圆清洗机选配项：掩模板或晶圆片夹具臭氧清洗PVA软毛刷清洗高压DI清洗氮气离子发生器

兆声清洗技术SWC-3000 (W) 兆声晶圆清洗机概述：最新技术的兆声和清洗技术的发展，对MEMS和半导体等领域的晶圆和掩模版清洗提供了最新的水平，可以帮助用户获得最干净的晶圆片和掩模版。NANO-MASTER提供兆声单晶圆&掩模清洗(SWC)系统，用于最先进的无损兆声清洗。可以适用于易受损的带图案或无图案的基片，包含带保护膜的掩模版。为了在确保不损伤基片的情况下达到最优化的清洗效果，兆声能量的密度必须保持在稍稍低于样片上任意位置上的损伤阈值。NANO-MASTER的专利技术确保了声波能量均匀分布到整个基片表面，通过分布能量的最大化支持最理想的清洗，同时保证在样片的损伤阈值范围内。SWC系统提供了可控的化学试剂滴胶能力，这使得颗粒从基片表面的去除能力得以进一步加强。SWC和LSC具备对点试剂滴胶系统，可以最大程度节省化学试剂的用量的。滴胶系统支持可编程的化学试剂混合能力，提供了可控的化学试剂在整个基片上的分布。通过联合使用化学试剂滴胶和NANO-MASTER的兆声清洗技术，系统去除颗粒的能力得到进一步优化。颗粒从表面被释放的能力也因此得到提升，从而被释放的颗粒在幅流的DI水作用下被扫除出去，而把回附的数量降到了最低水平。从基片表面被去除。如果没有使用幅流DI水的优势，最先进的静态可循环兆声清洗槽会有更大数量的颗粒回附，并且因此需要更多的去除这些颗粒。此外，NANO-MASTER的清洗机都还提供了一系列的选配功能。PVA软毛刷提供了机械的方式去除无图案基片上的污点和残胶。DI水臭氧化的选配项提供了有机物的去除，而无须腐蚀性的化学试剂。我们的氢化DI水系统跟兆声能量结合可以达到纳米级的颗粒去除。根据不同的应用，某些选配项将会进一步提高设备去除不想要的颗粒和残留物的能力。SWC系统能够就地实现热氮或异丙醇甩干。“干进干出” 一步工艺可以在我们的系统中以最低的投资和购置成本来实现。NANO-MASTER清洗机的工艺处理时间可以在3-5分钟内完成，具体是3分钟还是5分钟取决于基片的尺寸以及附加的清洗配件的使用情况。NANO-MASTER的技术也适用于清洗背部以及带保护膜掩模版前面的对准标记，降低这些掩模版的不必要去除和重做保护膜的几率。它也可以用于去除薄膜胶黏剂的黏附性并准备表面以便再次覆膜。此外，带薄膜掩模版的全部正面的兆声清洗以及旋转甩干可以做到无损并且对薄膜无渗漏。SWC是一款带有小占地面积的理想设备，并且很容易安装在空间有限的超净间中。该系列设备都具有出众的清洗能力，并可用于非常广泛的基片。SWC-3000 (W) 兆声晶圆清洗机应用：带图案或不带图案的掩模版和晶圆片Ge, GaAs以及InP晶圆片清洗CMP处理后的晶圆片清洗晶圆框架上的切粒芯片清洗等离子刻蚀或光刻胶剥离后的清洗带保护膜的分划版清洗掩模版空白部位或接触部位清洗X射线及极紫外掩模版清洗光学镜头清洗ITO涂覆的显示面板清洗兆声辅助的剥离工艺SWC-3000 (W) 兆声晶圆清洗机的特点：台式系统无损兆声掩模版或晶圆片清洗及旋转甩干支持12”直径的圆片或9”x9”方片微处理机自动控制IR红外灯 SWC-3000 (W) 兆声晶圆清洗机选配项：掩模版或晶圆片夹具PVA软毛刷清洗化学试剂清洗(CDU)氮气离子发生器

兆声清洗技术SWC-4000 (M) 兆声掩模板清洗机概述：最新技术的兆声和清洗技术的发展，对MEMS和半导体等领域的晶圆和掩模版清洗提供了最新的水平，可以帮助用户获得最干净的晶圆片和掩模版。NANO-MASTER提供兆声单晶圆&掩模清洗(SWC)系统，用于最先进的无损兆声清洗。可以适用于易受损的带图案或无图案的基片，包含带保护膜的掩模版。为了在确保不损伤基片的情况下达到最优化的清洗效果，兆声能量的密度必须保持在稍稍低于样片上任意位置上的损伤阈值。NANO-MASTER的专利技术确保了声波能量均匀分布到整个基片表面，通过分布能量的最大化支持最理想的清洗，同时保证在样片的损伤阈值范围内。SWC系统提供了可控的化学试剂滴胶能力，这使得颗粒从基片表面的去除能力得以进一步加强。SWC和LSC具备对点试剂滴胶系统，可以最大程度节省化学试剂的用量的。滴胶系统支持可编程的化学试剂混合能力，提供了可控的化学试剂在整个基片上的分布。通过联合使用化学试剂滴胶和NANO-MASTER的兆声清洗技术，系统去除颗粒的能力得到进一步优化。颗粒从表面被释放的能力也因此得到提升，从而被释放的颗粒在幅流的DI水作用下被扫除出去，而把回附的数量降到了最低水平。从基片表面被去除。如果没有使用幅流DI水的优势，最先进的静态可循环兆声清洗槽会有更大数量的颗粒回附，并且因此需要更多的去除这些颗粒。此外，NANO-MASTER的清洗机都还提供了一系列的选配功能。PVA软毛刷提供了机械的方式去除无图案基片上的污点和残胶。DI水臭氧化的选配项提供了有机物的去除，而无须腐蚀性的化学试剂。我们的氢化DI水系统跟兆声能量结合可以达到纳米级的颗粒去除。根据不同的应用，某些选配项将会进一步提高设备去除不想要的颗粒和残留物的能力。SWC系统能够就地实现热氮或异丙醇甩干。“干进干出” 一步工艺可以在我们的系统中以最低的投资和购置成本来实现。NANO-MASTER清洗机的工艺处理时间可以在3-5分钟内完成，具体是3分钟还是5分钟取决于基片的尺寸以及附加的清洗配件的使用情况。NANO-MASTER的技术也适用于清洗背部以及带保护膜掩模版前面的对准标记，降低这些掩模版的不必要去除和重做保护膜的几率。它也可以用于去除薄膜胶黏剂的黏附性并准备表面以便再次覆膜。此外，带薄膜掩模版的全部正面的兆声清洗以及旋转甩干可以做到无损并且对薄膜无渗漏。SWC是一款带有小占地面积的理想设备，并且很容易安装在空间有限的超净间中。该系列设备都具有出众的清洗能力，并可用于非常广泛的基片。SWC-4000 (M) 兆声掩模板清洗机应用：带图案或不带图案的掩模版和晶圆片Ge, GaAs以及InP晶圆片清洗CMP处理后的晶圆片清洗晶圆框架上的切粒芯片清洗等离子刻蚀或光刻胶剥离后的清洗带保护膜的分划版清洗掩模版空白部位或接触部位清洗X射线及极紫外掩模版清洗光学镜头清洗ITO涂覆的显示面板清洗兆声辅助的剥离工艺SWC-4000 (M) 兆声掩模板清洗机的特点：支持12”直径的圆片或9”x9”方片独立系统无损兆声,试剂，毛刷清洗及旋转甩干微处理机自动控制化学试剂滴胶单元溶剂与酸分离排废热氮30”D x 26”W 的占地面积SWC-4000 (M) 兆声掩模板清洗机选配项：掩模板或晶圆片夹具臭氧清洗PVA软毛刷清洗高压DI清洗氮气离子发生器

兆声清洗技术SWC-3000 (M) 兆声掩模板清洗机概述：最新技术的兆声和清洗技术的发展，对MEMS和半导体等领域的晶圆和掩模版清洗提供了最新的水平，可以帮助用户获得最干净的晶圆片和掩模版。NANO-MASTER提供兆声单晶圆&掩模板清洗(SWC)系统，用于最先进的无损兆声清洗。可以适用于易受损的带图案或无图案的基片，包含带保护膜的掩模版。为了在确保不损伤基片的情况下达到最优化的清洗效果，兆声能量的密度必须保持在稍稍低于样片上任意位置上的损伤阈值。NANO-MASTER的专利技术确保了声波能量均匀分布到整个基片表面，通过分布能量的最大化支持最理想的清洗，同时保证在样片的损伤阈值范围内。SWC系统提供了可控的化学试剂滴胶能力，这使得颗粒从基片表面的去除能力得以进一步加强。SWC和LSC具备对点试剂滴胶系统，可以最大程度节省化学试剂的用量的。滴胶系统支持可编程的化学试剂混合能力，提供了可控的化学试剂在整个基片上的分布。通过联合使用化学试剂滴胶和NANO-MASTER的兆声清洗技术，系统去除颗粒的能力得到进一步优化。颗粒从表面被释放的能力也因此得到提升，从而被释放的颗粒在幅流的DI水作用下被扫除出去，而把回附的数量降到了最低水平。从基片表面被去除。如果没有使用幅流DI水的优势，最先进的静态可循环兆声清洗槽会有更大数量的颗粒回附，并且因此需要更多的去除这些颗粒。此外，NANO-MASTER的清洗机都还提供了一系列的选配功能。PVA软毛刷提供了机械的方式去除无图案基片上的污点和残胶。DI水臭氧化的选配项提供了有机物的去除，而无须腐蚀性的化学试剂。我们的氢化DI水系统跟兆声能量结合可以达到纳米级的颗粒去除。根据不同的应用，某些选配项将会进一步提高设备去除不想要的颗粒和残留物的能力。SWC系统能够就地实现热氮或异丙醇甩干。“干进干出” 一步工艺可以在我们的系统中以最低的投资和购置成本来实现。NANO-MASTER清洗机的工艺处理时间可以在3-5分钟内完成，具体是3分钟还是5分钟取决于基片的尺寸以及附加的清洗配件的使用情况。NANO-MASTER的技术也适用于清洗背部以及带保护膜掩模版前面的对准标记，降低这些掩模版的不必要去除和重做保护膜的几率。它也可以用于去除薄膜胶黏剂的黏附性并准备表面以便再次覆膜。此外，带薄膜掩模版的全部正面的兆声清洗以及旋转甩干可以做到无损并且对薄膜无渗漏。SWC是一款带有小占地面积的理想设备，并且很容易安装在空间有限的超净间中。该系列设备都具有出众的清洗能力，并可用于非常广泛的基片。SWC-3000 (M) 兆声掩模板清洗机应用：带图案或不带图案的掩模版和晶圆片Ge, GaAs以及InP晶圆片清洗CMP处理后的晶圆片清洗晶圆框架上的切粒芯片清洗等离子刻蚀或光刻胶剥离后的清洗带保护膜的分划版清洗掩模版空白部位或接触部位清洗X射线及极紫外掩模版清洗光学镜头清洗ITO涂覆的显示面板清洗兆声辅助的剥离工艺SWC-3000 (M) 兆声掩模板清洗机的特点：台式系统无损兆声掩模版或晶圆片清洗及旋转甩干支持12”直径的圆片或9”x9”方片微处理机自动控制IR红外灯SWC-3000 (M) 兆声掩模板清洗机选配项：掩模版或晶圆片夹具PVA软毛刷清洗化学试剂清洗(CDU)氮气离子发生器

兆声湿法去胶技术SWC-4000 (D)兆声湿法去胶系统概述：最新技术的兆声和清洗技术的发展，对MEMS和半导体等领域的晶圆和掩模版清洗提供了最新的水平，可以帮助用户获得最干净的晶圆片和掩模版。NANO-MASTER提供兆声单晶圆&掩模清洗(SWC)系统，用于最先进的无损兆声清洗。可以适用于易受损的带图案或无图案的基片，包含带保护膜的掩模版。为了在确保不损伤基片的情况下达到最优化的清洗效果，兆声能量的密度必须保持在稍稍低于样片上任意位置上的损伤阈值。NANO-MASTER的专利技术确保了声波能量均匀分布到整个基片表面，通过分布能量的最大化支持最理想的清洗，同时保证在样片的损伤阈值范围内。SWC系统提供了可控的化学试剂滴胶能力，这使得颗粒从基片表面的去除能力得以进一步加强。SWC和LSC具备对点试剂滴胶系统，可以最大程度节省化学试剂的用量的。滴胶系统支持可编程的化学试剂混合能力，提供了可控的化学试剂在整个基片上的分布。通过联合使用化学试剂滴胶和NANO-MASTER的兆声清洗技术，系统去除颗粒的能力得到进一步优化。颗粒从表面被释放的能力也因此得到提升，从而被释放的颗粒在幅流的DI水作用下被扫除出去，而把回附的数量降到了最低水平。从基片表面被去除。如果没有使用幅流DI水的优势，最先进的静态可循环兆声清洗槽会有更大数量的颗粒回附，并且因此需要更多的去除这些颗粒。此外，NANO-MASTER的清洗机都还提供了一系列的选配功能。PVA软毛刷提供了机械的方式去除无图案基片上的污点和残胶。DI水臭氧化的选配项提供了有机物的去除，而无须腐蚀性的化学试剂。我们的氢化DI水系统跟兆声能量结合可以达到纳米级的颗粒去除。根据不同的应用，某些选配项将会进一步提高设备去除不想要的颗粒和残留物的能力。SWC系统能够就地实现热氮或异丙醇甩干。“干进干出” 一步工艺可以在我们的系统中以最低的投资和购置成本来实现。NANO-MASTER清洗机的工艺处理时间可以在3-5分钟内完成，具体是3分钟还是5分钟取决于基片的尺寸以及附加的清洗配件的使用情况。NANO-MASTER的技术也适用于清洗背部以及带保护膜掩模版前面的对准标记，降低这些掩模版的不必要去除和重做保护膜的几率。它也可以用于去除薄膜胶黏剂的黏附性并准备表面以便再次覆膜。此外，带薄膜掩模版的全部正面的兆声清洗以及旋转甩干可以做到无损并且对薄膜无渗漏。SWC是一款带有小占地面积的理想设备，并且很容易安装在空间有限的超净间中。该系列设备都具有出众的清洗能力，并可用于非常广泛的基片。SWC-4000 (D)兆声湿法去胶系统应用：光刻胶去除，剥离带图案或不带图案的掩模版和晶圆片Ge, GaAs以及InP晶圆片清洗CMP处理后的晶圆片清洗晶圆框架上的切粒芯片清洗等离子刻蚀或光刻胶剥离后的清洗带保护膜的分划版清洗掩模版空白部位或接触部位清洗X射线及极紫外掩模版清洗光学镜头清洗ITO涂覆的显示面板清洗兆声辅助的剥离工艺SWC-4000 (D)兆声湿法去胶系统的特点：支持12”直径的圆片或9”x9”方片独立系统无损兆声,试剂，毛刷清洗及旋转甩干微处理机自动控制化学试剂滴胶单元溶剂与酸分离排废热氮30”D x 26”W 的占地面积SWC-4000 (D)兆声湿法去胶系统选配项：机械手自动上下载片掩模板或晶圆片夹具臭氧清洗PVA软毛刷清洗高压DI清洗氮气离子发生器

兆声辅助湿法去胶技术SWC-5000 (AD) 全自动兆声湿法去胶系统概述：最新技术的兆声和清洗技术的发展，对MEMS和半导体等领域的晶圆和掩模版清洗提供了最新的水平，可以帮助用户获得最干净的晶圆片和掩模版。NANO-MASTER提供兆声单晶圆&掩模清洗(SWC)系统，用于最先进的无损兆声清洗。可以适用于易受损的带图案或无图案的基片，包含带保护膜的掩模版。为了在确保不损伤基片的情况下达到最优化的清洗效果，兆声能量的密度必须保持在稍稍低于样片上任意位置上的损伤阈值。NANO-MASTER的专利技术确保了声波能量均匀分布到整个基片表面，通过分布能量的最大化支持最理想的清洗，同时保证在样片的损伤阈值范围内。SWC系统提供了可控的化学试剂滴胶能力，这使得颗粒从基片表面的去除能力得以进一步加强。SWC和LSC具备对点试剂滴胶系统，可以最大程度节省化学试剂的用量的。滴胶系统支持可编程的化学试剂混合能力，提供了可控的化学试剂在整个基片上的分布。通过联合使用化学试剂滴胶和NANO-MASTER的兆声清洗技术，系统去除颗粒的能力得到进一步优化。颗粒从表面被释放的能力也因此得到提升，从而被释放的颗粒在幅流的DI水作用下被扫除出去，而把回附的数量降到了最低水平。从基片表面被去除。如果没有使用幅流DI水的优势，最先进的静态可循环兆声清洗槽会有更大数量的颗粒回附，并且因此需要更多的去除这些颗粒。此外，NANO-MASTER的清洗机都还提供了一系列的选配功能。PVA软毛刷提供了机械的方式去除无图案基片上的污点和残胶。DI水臭氧化的选配项提供了有机物的去除，而无须腐蚀性的化学试剂。我们的氢化DI水系统跟兆声能量结合可以达到纳米级的颗粒去除。根据不同的应用，某些选配项将会进一步提高设备去除不想要的颗粒和残留物的能力。SWC系统能够就地实现热氮或异丙醇甩干。“干进干出” 一步工艺可以在我们的系统中以最低的投资和购置成本来实现。NANO-MASTER清洗机的工艺处理时间可以在3-5分钟内完成，具体是3分钟还是5分钟取决于基片的尺寸以及附加的清洗配件的使用情况。NANO-MASTER的技术也适用于清洗背部以及带保护膜掩模版前面的对准标记，降低这些掩模版的不必要去除和重做保护膜的几率。它也可以用于去除薄膜胶黏剂的黏附性并准备表面以便再次覆膜。此外，带薄膜掩模版的全部正面的兆声清洗以及旋转甩干可以做到无损并且对薄膜无渗漏。SWC是一款带有小占地面积的理想设备，并且很容易安装在空间有限的超净间中。该系列设备都具有出众的清洗能力，并可用于非常广泛的基片。SWC-5000 (AD) 全自动兆声湿法去胶系统应用：湿法去胶带图案或不带图案的掩模版和晶圆片Ge, GaAs以及InP晶圆片清洗CMP处理后的晶圆片清洗晶圆框架上的切粒芯片清洗等离子刻蚀或光刻胶剥离后的清洗带保护膜的分划版清洗掩模版空白部位或接触部位清洗X射线及极紫外掩模版清洗光学镜头清洗ITO涂覆的显示面板清洗兆声辅助的剥离工艺SWC-5000 (AD) 全自动兆声湿法去胶系统的特点：机械手全自动上下载片支持12”直径的圆片或9”x9”方片独立系统无损兆声,试剂，毛刷清洗及旋转甩干微处理机自动控制化学试剂滴胶单元溶剂与酸分离排废热氮30”D x 26”W 的占地面积SWC-5000 (AD) 全自动兆声湿法去胶系统选配项：多系统集成掩模板或晶圆片夹具臭氧清洗PVA软毛刷清洗高压DI清洗氮气离子发生器

兆声去胶技术SWC-3000 (D) 兆声辅助光刻胶剥离系统概述：最新技术的兆声和清洗技术的发展，对MEMS和半导体等领域的晶圆和掩模版清洗提供了最新的水平，可以帮助用户获得最干净的晶圆片和掩模版。NANO-MASTER提供兆声单晶圆&掩模板清洗(SWC)系统，用于最先进的无损兆声清洗。可以适用于易受损的带图案或无图案的基片，包含带保护膜的掩模版。为了在确保不损伤基片的情况下达到最优化的清洗效果，兆声能量的密度必须保持在稍稍低于样片上任意位置上的损伤阈值。NANO-MASTER的专利技术确保了声波能量均匀分布到整个基片表面，通过分布能量的最大化支持最理想的清洗，同时保证在样片的损伤阈值范围内。SWC系统提供了可控的化学试剂滴胶能力，这使得颗粒从基片表面的去除能力得以进一步加强。SWC和LSC具备对点试剂滴胶系统，可以最大程度节省化学试剂的用量的。滴胶系统支持可编程的化学试剂混合能力，提供了可控的化学试剂在整个基片上的分布。通过联合使用化学试剂滴胶和NANO-MASTER的兆声清洗技术，系统去除颗粒的能力得到进一步优化。颗粒从表面被释放的能力也因此得到提升，从而被释放的颗粒在幅流的DI水作用下被扫除出去，而把回附的数量降到了最低水平。从基片表面被去除。如果没有使用幅流DI水的优势，最先进的静态可循环兆声清洗槽会有更大数量的颗粒回附，并且因此需要更多的去除这些颗粒。此外，NANO-MASTER的清洗机都还提供了一系列的选配功能。PVA软毛刷提供了机械的方式去除无图案基片上的污点和残胶。DI水臭氧化的选配项提供了有机物的去除，而无须腐蚀性的化学试剂。我们的氢化DI水系统跟兆声能量结合可以达到纳米级的颗粒去除。根据不同的应用，某些选配项将会进一步提高设备去除不想要的颗粒和残留物的能力。SWC系统能够就地实现热氮或异丙醇甩干。“干进干出” 一步工艺可以在我们的系统中以最低的投资和购置成本来实现。NANO-MASTER清洗机的工艺处理时间可以在3-5分钟内完成，具体是3分钟还是5分钟取决于基片的尺寸以及附加的清洗配件的使用情况。NANO-MASTER的技术也适用于清洗背部以及带保护膜掩模版前面的对准标记，降低这些掩模版的不必要去除和重做保护膜的几率。它也可以用于去除薄膜胶黏剂的黏附性并准备表面以便再次覆膜。此外，带薄膜掩模版的全部正面的兆声清洗以及旋转甩干可以做到无损并且对薄膜无渗漏。SWC-3000是一款带有小占地面积的理想设备，并且很容易安装在空间有限的超净间中。该系列设备都具有出众的清洗能力，并可用于非常广泛的基片。SWC-3000 (D)兆声辅助光刻胶剥离系统应用：带图案或不带图案的掩模版和晶圆片Ge, GaAs以及InP晶圆片清洗CMP处理后的晶圆片清洗晶圆框架上的切粒芯片清洗等离子刻蚀或光刻胶剥离后的清洗带保护膜的分划版清洗掩模版空白部位或接触部位清洗X射线及极紫外掩模版清洗光学镜头清洗ITO涂覆的显示面板清洗兆声辅助的剥离工艺SWC-3000 (D)兆声辅助光刻胶剥离系统的特点：台式系统无损兆声掩模版或晶圆片清洗及旋转甩干支持12”直径的圆片或9”x9”方片微处理机自动控制IR红外灯 SWC-3000 (D)兆声辅助光刻胶剥离系统选配项：掩模版或晶圆片夹具PVA软毛刷清洗化学试剂清洗(CDU)氮气离子发生器

EVG301 超声波晶圆清洗机 研发型单晶圆清洗系统 一、简介 EVG301半自动单晶圆清洁系统采用一个清洁工作台，使用标准DI水冲洗以及超声波，刷子和稀释化学品清洁晶圆作为额外的清洁选项。通过手动加载和预对准，EVG301是一种多功能研发型系统，可实现灵活的清洁程序，支持300 mm晶圆。EVG301系统可与EVG的晶圆对准和键合系统结合使用，在晶圆键合之前清除任何颗粒。旋转夹头可用于不同的晶圆和基片尺寸，以便轻松配置不同的工艺。 二、特征使用1 MHz兆声波喷嘴或区域传感器进行高效清洁（可选）刷子擦洗，用于单面清洁（可选）用于晶圆清洗的稀释化学品防止从背面到正面的交叉污染完全由软件控制清洁过程 三、可选项 带IR检测的预键合台 用于非SEMI标准基片的工具 四、参数1、晶圆尺寸：200mm，100-300mm2、清洗系统：打开腔室，旋转器和清洁臂3、腔室：由PP或PFA制成（可选）4、清洁介质：去离子水（标准），其他清洁介质（可选）5、旋转夹头：真空夹头（标准）和边缘处理夹头（可选）由金属离子和清洁材料制成旋转：高达3000 rpm（5秒内） 6、超声波喷嘴：频率：1 MHz（3 MHz选项）输出功率：30 - 60 W去离子水流量：高达1.5升/分钟有效的清洁区域：?4.0mm材质：PTFE技术/销售热线：邮箱：

清洗标的：玻璃基板/光学玻璃主要材料:金属骨架+SUS304不锈钢壳体，槽体材质SUS316不锈钢基础工艺流程:超声→超声→兆声→鼓泡漂洗→热水漂洗→慢提拉（烘干）（可增减）设备类型：手动/半自动/全自动（定制）Footprint : 4000 (W) x 1150 (D) x1200(H) mm

产品详情美Nano-master 兆声晶圆清洗机SWC-3000 产品特点：SWC-3000兆声晶圆清洗机：Nano-Master兆声单晶圆及掩模版清洗机提供高可重复性、高均匀性及Z先进的兆声清洗。它可以在一个工艺步骤中包含了专利的无损兆声清洗、化学试剂清洗、刷子清洗以及干燥功能。 应用：。带图案或不带图案的掩模版和晶圆片。Ge, GaAs以及InP晶圆片清洗。CMP处理后的晶圆片清洗。晶圆框架上的切粒芯片清洗。等离子刻蚀或光刻胶剥离后的清洗。带保护膜的分划版清洗。掩模版空白部位或接触部位清洗。X射线及极紫外掩模版清洗。光学镜头清洗。ITO涂覆的显示面板清洗。兆声辅助的剥离工艺 特点：。台式系统。无损兆声掩模版或晶圆片清洗及旋转甩干。支持12"直径的圆片或9"x9"方片。微处理机自动控制。IR红外灯 选配项：。掩模版或晶圆片夹具。PVA软毛刷清洗。化学试剂清洗(CDU)。氮气离子发生器

产品详情美Nano-master兆声晶圆清洗机SWC-4000 产品特点：SWC-4000兆声晶圆清洗机：Nano-Master兆声单晶圆及掩模版清洗机提供高可重复性、高均匀性及Z先进的兆声清洗。它可以在一个工艺步骤中包含了专利的无损兆声清洗、化学试剂清洗、刷子清洗以及干燥功能。 SWC-4000兆声晶圆清洗机应用：。带图案或不带图案的掩模版和晶圆片。Ge, GaAs以及InP晶圆片清洗。CMP处理后的晶圆片清洗。晶圆框架上的切粒芯片清洗。等离子刻蚀或光刻胶剥离后的清洗。带保护膜的分划版清洗。掩模版空白部位或接触部位清洗。X射线及极紫外掩模版清洗。光学镜头清洗。ITO涂覆的显示面板清洗。兆声辅助的剥离工艺 特点：。支持12"直径的圆片或9"x9"方片。独立系统。无损兆声,试剂，毛刷清洗及旋转甩干。微处理机自动控制。化学试剂滴胶单元。溶剂与酸分离排废。热氮。30"D x 26"W 的占地面积 选配项：。掩模板或晶圆片夹具。臭氧清洗。PVA软毛刷清洗。高压DI清洗。氮气离子发生器

n产品简介 CHEMIXX 760系统是一款大尺寸湿法系统，支持最大样品达535X535mm(21寸方片)，更大的样品尺寸可定制，一台系统可实现清洗、蚀刻 、显影 ，干燥整个工艺过程。 n产品特色÷ 基板尺寸高达 535 x 535 mm/21 x 21 inch÷ 手动装载半自动系统÷ 两个用于化学液输送和机械清洗的电动输送臂÷ 提供多种喷嘴，spray,puddle,喷雾，5孔碰头等÷ 低接触或定制夹具÷ 化学液具有加热功能，最高 60°C (85°C) ÷ 集成三种不同化学液供液系统，外部液体罐可选÷ 手动灌装或通过批量灌装系统÷ 工艺室外的手动去离子水枪÷ 去离子水室冲洗÷ 系统前端的紧急停止按钮÷ 传感器控制的 3 路排水系统可通过配方进行编程。÷ 带有三个光区的信号灯，用于系统状态的可视化÷ 支持化学液清洗，兆声清洗，PVA刷洗，吹干等工艺÷ 满足洁净室等级 10 (ISO 4) 的一般设计 n技术数据÷ 衬底尺寸: 最大可达 535 x 535 mm / 21 x 21 inch÷ 电机转速: 最大 3.000 rpm, 步长 1 rpm÷ 电机加速: 最大 2.000 rpm/s,步长 1 rpm/s÷ 步进时间: 1 至 999.9 秒，步长为 0.1 秒÷ 工艺腔室材料: PP （可选 PVDF)

超声波清洗机是一种利用超声波在液体中产生的空化效应，对五金、塑胶零件表面进行高效、环保的清洗设备。它主要由超声波发生器、换能器及清洗槽组成，能够清洗复杂工件的每个缝隙和角落，实现无死角的清洗效果。超声波清洗机广泛应用于表面喷涂处理行业、机械行业、电子行业、医疗行业、半导体行业、钟表首饰行业、光学行业、纺织印染行业等多个领域。例如，在机械行业中，可用于清洗切削油、磨粒、铁屑、尘埃等附着物；在电子行业中，可用于清洗电子零件表面的尘埃、油污等。主要特点1.清洁无死角：超声波清洗设备可以容纳多个工件的批量清洗，且能清洗复杂工件的每个缝隙和角落，实现无死角的清洗效果。2.降低劳动强度：超声波具有快速而高效的清洁效果，能够降低工人的劳动强度，并创造一个洁净有序的清洗环境。3.清洗更环保：超声波清洗机内置高效的循环过滤系统，使用过的清洗溶剂能够通过过滤系统进性过滤后达到反复使用的目的，从而节约水资源和清洗溶剂，降低企业的清洗成本，提高环保形象。超声波频率，常规清洗，频率选择在20-40kHz和68-120kHz。低频率段，适合于去除3-5um的污物粒子。主要参数1.频率：≥20KHz，可分为低频、中频、高频三段。2.清洗介质：化学溶剂或水基清洗剂，化学作用与超声波清洗的物理作用相结合，以达到更好的清洗效果。3.功率密度：功率密度=发射功率（W）/发射面积（cm² ），通常≥0.3W/cm² ，超声波的功率密度越高，空化效果越强，速度越快，清洗效果越好。实际工作中粉末冶金件如磁芯、磁环、带有磨削磁粉类，选择频率20-25kHz；粗加工金属零部件，如汽车轮毂、气缸组件等大型零件，选择频率25-28kHz；对于钟表零件、精密冲压件，选择频率40kHz；对于光学玻璃、低档液晶器件，选择频率68-120kHz；对于半导体硅片、液晶玻璃基片的清洗，去除1-3um的污物粒子，选择0.8-1.0MHz的兆赫级。

基片镊子系列科晶提供各种科研实验工具，如真空储藏盒、基片包装盒，基片清洗无尘布，八大镊子系列。镊子系列（点击查看详情)：1.硅片镊子 ；2.光学元器件镊子；3.可换头防静电不锈钢镊子；4.国产超精细高精密镊子；5.进口超精细高精密镊子；6.防静电、耐酸碱镊子；7.SMD镊子；8.珠宝镊子；9.无铅竹镊子；

美Nano-master等离子清洗/灰化系统NPC-4000 独立式等离子清洗去胶系统NPC-3500 紧凑型独立式等离子清洗去胶系统NPC-3000 台式等离子清洗去胶系统NPC-1000 台式简化型等离子清洗去胶系统NANO-MASTER等离子清洗和灰化系统设计用于广泛的需求，从批处理和单晶圆的光刻胶剥离到晶圆表面改性都可以涵盖。这些系统通过计算机控制，可以配套不同的等离子源，加热和不加热的基片夹具，以及独一无二的从等离子刻蚀切换到RIE刻蚀模式的能力。特点：** 不锈钢、铝以及钟罩式腔体** 超净设计，兼容百级超净间使用** 淋浴头RF离子源** 旋转样品台** 260L/Sec抽速的涡轮分子泵** 极限真空5x10-7Torr** 偏压样品台可加热到300°C(PID精确控温)或冷却样品台** 自动或手动RF调谐器** 最多4路带电抛光不锈钢气体管路的MFC** 全自动计算机控制，菜单驱动** 基于LabVIEW的触摸屏友好用户界面** 计算机控制的气动阀** 基于计算机的全自动工艺控制，菜单驱动** LabView友好用户界面** EMO及安全联锁选配：** 前级泵升级为干泵** 自动上下片** 增加MFC升级为更高型号** 升级为ICP源或微波源应用：** 失效分析** 无残留去除有机和无机材料** 光刻胶剥离或灰化** 去残渣及深腐蚀** 清洗微电子元件，电路板上的钻孔或铜引线框架** 提高粘附性，消除键合问题** 塑料品表面改性：O2处理提高涂覆性能** 生成亲水或疏水表面

手動晶圓，基板，光罩清洗機Model SCSe124高效型 SCSe124 是晶圓和基板做亞微米清洗的理想解決方案。具有可靠和成本效益的系統及採用經過驗證的清洗技術。SCSe124 可以配置幾種不同的清潔選項，形成高壓去離子水，霧化噴霧噴嘴，刷子，超聲波噴嘴等等。快速有效的乾燥技術結合了可變旋轉速度，另可選配加熱去離子水，氮氣輔助或加熱燈。SCSe124 具有一個微處理器控制器，允許存儲器中最多 10 組清洗參數。特徵：&bull 可清潔 10 英寸直徑基板。&bull 主軸裝配有直流無刷馬達（可升級更多控制）。&bull 可調手臂速度和行程位置。&bull 獨立聚丙烯腔體。&bull 微處理器控制能夠中保留 10 清洗參數。&bull 內置安全控鎖。&bull 按鈕式上蓋 打開/關閉。&bull 觸控式圖形用戶界面（GUI），易於編程和螢幕顯示錯誤報告。&bull 最多可配置 2 個清潔手臂。另有：自動晶圓，基板，光罩清洗機可選。濕式清潔台/批量晶圓，基板，光罩清洗機可選。

产品名称：氮化镓(GaN)晶体基片产品简介：GaN易与AlN、InN等构成混晶，能制成各种异质结构，已经得到了低温下迁移率达到105cm2/Vs的2-DEG(因为2-DEG面密度较高，有效地屏蔽了光学声子散射、电离杂质散射和压电散射等因素).科晶公司将为您提供高品质低价位的氮化镓晶体和基片。技术参数：制作方法：HVPE（氢化物气象外延法）传导类型：N型；半绝缘型电阻率：R0.5 Ω.cm；R106Ω.cm表面粗糙度：0.5nm位错密度：5x106Ω.cm可用表面积：90%TTV:≤15umBow:≤20um 产品规格：晶体方向: 0001 常规尺寸：dia50.8mm±1mm x 0.35mm ±25um；注：可按照客户要求加工尺寸及方向。标准包装：1000级超净室100级超净袋或单片盒装相关产品： Thin Films A-ZCrystal wafer A-Z等离子清洗机基片包装盒系列切割机薄膜制备设备

超声波清洗机是一种利用超声波在液体中产生的空化效应，对五金、塑胶零件表面进行高效、环保的清洗设备。它主要由超声波发生器、换能器及清洗槽组成，能够清洗复杂工件的每个缝隙和角落，实现无死角的清洗效果。超声波清洗机广泛应用于表面喷涂处理行业、机械行业、电子行业、半导体行业、钟表首饰行业、光学行业、纺织印染行业等多个领域。例如，在机械行业中，可用于清洗切削油、磨粒、铁屑、尘埃等附着物；在电子行业中，可用于清洗电子零件表面的尘埃、油污等。主要特点1.清洁无死角：超声波清洗设备可以容纳多个工件的批量清洗，且能清洗复杂工件的每个缝隙和角落，实现无死角的清洗效果。2.降低劳动强度：超声波具有快速而高效的清洁效果，能够降低工人的劳动强度，并创造一个洁净有序的清洗环境。3.清洗更环保：超声波清洗机内置高效的循环过滤系统，使用过的清洗溶剂能够通过过滤系统进性过滤后达到反复使用的目的，从而节约水资源和清洗溶剂，降低企业的清洗成本，提高环保形象。超声波频率，常规清洗，频率选择在20-40kHz和68-120kHz。低频率段，适合于去除3-5um的污物粒子。主要参数1.频率：≥20KHz，可分为低频、中频、高频三段。2.清洗介质：化学溶剂或水基清洗剂，化学作用与超声波清洗的物理作用相结合，以达到更好的清洗效果。3.功率密度：功率密度=发射功率（W）/发射面积（cm² ），通常≥0.3W/cm² ，超声波的功率密度越高，空化效果越强，速度越快，清洗效果越好。实际工作中粉末冶金件如磁芯、磁环、带有磨削磁粉类，选择频率20-25kHz；粗加工金属零部件，如汽车轮毂、气缸组件等大型零件，选择频率25-28kHz；对于钟表零件、精密冲压件，选择频率40kHz；对于光学玻璃、低档液晶器件，选择频率68-120kHz；对于半导体硅片、液晶玻璃基片的清洗，去除1-3um的污物粒子，选择0.8-1.0MHz的兆赫级。

Tergeo Pro大尺寸台式等离子清洗机Tergeo-Pro 等离子系统将腔室直径增加到 9 英寸（230 毫米）。腔室的深度增加到 13.4 英寸（430 毫米）。Tergeo-Pro 等离子系统足够大，可以容纳 8 英寸晶圆，容纳一两个 25/50 槽 6" 或 4" 石英晶舟。Tergeo-Pro 等离子系统可以具有 150 瓦、300 瓦或 500 瓦的射频功率。射频功率可以 1 瓦的间隔进行调整。射频电源的频率为 13.56MHz，提供比 KHz 射频等离子系统更高的等离子生成效率。Tergeo 等离子系统不仅可以调整射频功率，还可以产生连续或脉冲等离子。脉冲比可以从 100% 调整到小于 1%。夸脱室壁结构可实现外部电容耦合射频电极设计。以下是典型应用案例：光刻胶灰化、除渣和硅片清洗；在引线键合、倒装芯片底部填充、PCB去污之前清洁芯片；生物医用涂层前表面处理，提高医用植入物的亲水性；环氧树脂粘合前的光学元件、玻璃、光纤头和基板清洁；PDMS、微流体、载玻片和芯片实验室；改善金属与金属或复合材料的粘合；改善塑料、聚合物和复合材料的粘合；Tergeo Pro等离子清洗机的产品特点：1.大型样品室专门针对大尺寸基片而研发设计，腔室足够大，可容纳8英寸晶圆，一个或两个 25片/50片 6"/4"晶圆 的石英舟。2.等离子传感器可实时监测等离子状态，并为用户提供不同配方条件下等离子强度的定量反馈，实时显示在液晶触摸屏显示器上。等离子传感器还可以监测等离子灰化过程的进程并用作终点指示器。3.连续或脉冲等离子脉冲比可以从100% 调整到小于1%。改变等离子体强度超过几个数量级。4.先进的过程控制功能压力传感器、温度传感器、MFC中的气体流量计、等离子强度传感器、自动阻抗匹配。Tergeo Pro等离子清洗机的技术参数：舱体大小内径230mm，外径240mm，深度340mm，可容纳一个8英寸晶圆，一个或两个 25片/50片 6"/4"晶圆的石英舟舱体材质标配为高纯度圆柱形石英舱样品架5mm厚高纯石英板，尺寸宽度220mm x 长度280mm常用气体空气，氧气，氢气，氩气，氮气和其他混合气体气路控制标配两路MFC；最多可选配三路MFC，0~100sccm之间精确控制气体流量控制系统7英寸电阻触摸屏操作界面程序控制可编程，总共有20个程序，每个程序有3个清洁步骤射频频率13.56MHz射频功率标配0~150W，以1瓦间隔连续可调，自动阻抗匹配；可选配300W或500W等离子源等离子强度探测器实时定量检测等离子状态；电阻耦合电离方式 电极设计外置电极设计，可实现更大、更均匀的等离子体体积，高压电极不和等离子接触以避免金属溅射造成的样品污染设备电源220 V/50Hz

产品名称：钪酸铽(TbScO3)晶体基片产品简介：与钙钛矿结构的超导体有很好的晶格匹配，极佳的铁电薄膜衬底材料技术参数： 晶体 结构(A) 熔点oC 密度g/cm3生长方法 DyScO3 正交a=5.54 b=5.71 c=7.89 2127 6.9 提拉法 GdScO3 正交a=5.45 b=5.75 c=7.93 2127 6.6 提拉法产品规格：110, 公差：+/-0.5度10x10x0.5mm, 5x5x0.5mm单抛，Ra5A标准包装：1000级超净室100级超净袋真空包装 相关产品：A-Z系列晶体列表清洗机 基片包装盒系列划片机旋转涂层机

产品名称：Ge晶体基片产品简介：化学符号为Ge ，主要用途有：制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等材料。技术参数：密度：5.765 g/cm3 ；熔点：937.4 ℃；热传导性：640；掺杂物质：不掺杂；掺Sb；掺In或Ga；类型：/；N；P； 电阻率W.cm：35；0.05；0.05-0.1；EPD： 4x103/cm2 4x103/cm2 4x103/cm2 常规尺寸：晶体方向: 111，100and110± 0.5° 或特殊的方向；标准抛光片尺寸:Ф1"x 0.3mm；Ф2"x0.5mm；（110 Ra5A，不化抛）注：也可根据客户需求提供特殊尺寸和方向的基片备注：1000级超净室100级超净袋单片盒或25片插盒封装相关产品： A-Z系列晶体列表清洗机 基片包装盒系列划片机旋转涂层机