数字逻辑电路实验

基于DNA碱基之间的互补配对原则，可以设计组装多种复杂的二级结构，进而开发出具有特定功能的DNA分子器件，包括分子开关、纳米机器、分子框架、逻辑电路等。这些分子器件不仅在生命科学研究领域内发挥着重要的作用，而且在能源、信息、生物计算等研究领域内都具有重要的意义。DNA逻辑门是将DNA等生物分子或其他外界信息作为输入(input)，通过DNA结构变化引发的各种表征结果作为输出(output)，布尔运算后可以使得各种输入之间的相互识别关联关系得以明确。此外，通过将前一个逻辑门的输出作为后一个逻辑门的输入，可以构建多个级联的逻辑门，即逻辑电路。逻辑电路的组合、信号输出方式具有多样化的特点，具有广泛的应用前景。近期苏州医工所缪鹏研究员课题组发展了一种基于DNA双足步行的电化学纳米机器，并通过级联链置换构建出一系列的DNA逻辑电路，用于研究复杂生物样本中多种生物分子的关联关系。首先在电极界面修饰茎环结构的轨道探针分子；在上游均相体系中引入目标触发的链置换聚合反应用于特定序列单链的大量合成；利用DNA三通结结构完成双足步行链的组装；在茎环结构驱动链的存在条件下使其在电极界面交替行走，完成电化学信号分子的富集探测（图1）。进一步地，利用不完整三通结及双链结构的设计，进行级联链置换反应构建出AND, OR门，并与NOT门联合发展出NAND, NOR, XOR, XNOR门。所构建的双输入逻辑电路表现出良好的逻辑运算、操作性能（图2）。随后，通过四通结及双链结构的设计完成了三输入AND, OR门的搭建。发展的一系列逻辑电路不仅可应用于超灵敏生物医学检验，也为生物分子信息控制、通信、生物计算机等领域的研究工作提供了新的思路。相关工作得到了国家重点研发计划（2017YFE0132300）、国家自然科学基金（81771929）等项目的资助。结果已发表ACS Cent. Sci. 2021, 7, 1036-1044 (IF=14.553)。　　论文链接：https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acscentsci.1c00277 图1 DNA双足步行器的示意图及结果 图2 双输入的逻辑电路示意图及结果 图3 三输入的逻辑电路示意图及结果

期刊：Nature communication IF 14.92文章DOI：https://doi.org/10.1038/s41467-021-26230-x 【引言】石墨烯的发现为人类打开了二维材料的大门，经历十多年的研究，二维材料表现出的各种优良性能越来越吸引科研学者。然而，在工业上大规模应用二维材料仍然存在着很多问题，所制成的器件不能符合工业标准。 【成果简介】近日，复旦大学包文中教授课题组利用机器学习 (ML) 算法优化了二维半导体（MoS2）栅场效应晶体管 (FET)的制备工艺，并采用工业标准设计流程和工艺进行了晶圆器件与电路的制造和测试。文章以《Wafer-scale functional circuits based on two dimensional semiconductors with fabrication optimized by machine learning》为题发表于Nature Communications。本文中，晶圆尺寸器件制备的优化是先利用机器学习指导制造过程，随后使用小型台式无掩膜光刻机MicroWriter ML3进行制备，优化了迁移率、阈值电压和亚阈值摆幅等性能。 【图文导读】图1. 制备MoS2 FETs的总流程图。（a）CVD法制备晶圆尺寸的MoS2。（b）MoS2场效应管的各种截面图。（c）晶体管的表现和各类参数的关系。（d）从材料制备到芯片制备和测试的优化反馈循环。图2. MoS2 FETs的逻辑电路图。（a），（b），（c）和（d）各类电压对器件的影响。（e）使用MicroWriter ML3无掩膜激光直写机制备的正反器和（f）相应实验结果（g）使用MicroWriter ML3无掩膜激光直写机制备的加法器和（h）相应的实验结果。图3. 利用MoS2 FETs制备的模拟，储存器和光电电路。（a）使用无掩膜光刻机制备的环形振荡器和（b）相应的实验结果。（c）基于MoS2 FETs制备的存储阵列和（d-f）相应的实验结果。（g）利用MicroWriter ML3制备的光电电路和（h-i）相应的表现结果。图4. 使用MicroWriter ML3无掩膜激光直写机在晶圆上制备MoS2场效应管。（a）在两寸晶圆上制备的基于MoS2场效应管的加法器。（b），（c）和（d）在晶圆上制备加法器的运算结果。 【结论】随着二维材料的应用和人工智能在各领域的迅速发展，如何快速开发出符合实验设计的原型芯片结构变得十分重要。由于实验过程中需要及时修改相应的参数，得到优化的实验结果，所以十分依赖灵活多变的光刻手段。从上文中可以看出，小型台式无掩膜光刻机MicroWriter ML3可以帮助用户快速实现各类逻辑结构的开发，助力微电子相关领域的研究。鉴于1套小型台式无掩膜光刻机ML3系统的优良性能和高成果产出，课题组相关研究团队继续紧追热点，把握时机再添置一套英国DMO公司新款小型台式无掩膜光刻机-ML3 Pro+0.4 μm专业版系统，力争更优的器件性能，图中所示是目前已交付正常使用的全新版系统。希望能够助力研究团队取得重要进展！

期刊：Nature communication IF 14.92文章DOI：https://doi.org/10.1038/s41467-021-26230-x 【引言】 石墨烯的发现为人类打开了二维材料的大门，经历十多年的研究，二维材料表现出的各种优良性能越来越吸引科研学者。然而，在工业上大规模应用二维材料仍然存在着很多问题，所制成的器件不能符合工业标准。 【成果简介】 近日，复旦大学包文中教授课题组利用机器学习 (ML) 算法优化了二维半导体（MoS2）栅场效应晶体管 (FET)的制备工艺，并采用工业标准设计流程和工艺进行了晶圆器件与电路的制造和测试。文章以《Wafer-scale functional circuits based on two dimensional semiconductors with fabrication optimized by machine learning》为题发表于Nature Communications。本文中，晶圆尺寸器件制备的优化是先利用机器学习指导制造过程，随后使用小型台式无掩膜光刻机MicroWriter ML3进行制备，优化了迁移率、阈值电压和亚阈值摆幅等性能。 【图文导读】图1. 制备MoS2 FETs的总流程图。（a）CVD法制备晶圆尺寸的MoS2。（b）MoS2场效应管的各种截面图。（c）晶体管的表现和各类参数的关系。（d）从材料制备到芯片制备和测试的优化反馈循环。图2. MoS2 FETs的逻辑电路图。（a），（b），（c）和（d）各类电压对器件的影响。（e）使用MicroWriter ML3无掩膜激光直写机制备的正反器和（f）相应实验结果（g）使用MicroWriter ML3无掩膜激光直写机制备的加法器和（h）相应的实验结果。图3. 利用MoS2 FETs制备的模拟，储存器和光电电路。（a）使用无掩膜光刻机制备的环形振荡器和（b）相应的实验结果。（c）基于MoS2 FETs制备的存储阵列和（d-f）相应的实验结果。（g）利用MicroWriter ML3制备的光电电路和（h-i）相应的表现结果。图4. 使用MicroWriter ML3无掩膜激光直写机在晶圆上制备MoS2场效应管。（a）在两寸晶圆上制备的基于MoS2场效应管的加法器。（b），（c）和（d）在晶圆上制备加法器的运算结果。 【结论】 随着二维材料的应用和人工智能在各领域的迅速发展，如何快速开发出符合实验设计的原型芯片结构变得十分重要。由于实验过程中需要及时修改相应的参数，得到优化的实验结果，所以十分依赖灵活多变的光刻手段。从上文中可以看出，小型台式无掩膜光刻机MicroWriter ML3可以帮助用户快速实现各类逻辑结构的开发，助力微电子相关领域的研究。 鉴于1套小型台式无掩膜光刻机ML3系统的优良性能和高成果产出，课题组相关研究团队继续紧追热点，把握时机再添置一套英国DMO公司新款小型台式无掩膜光刻机-ML3 Pro+0.4 μm专业版系统，力争更优的器件性能，图中所示是目前已交付正常使用的全新版系统。希望能够助力研究团队取得重要进展！

近日，财政部、海关总署和税务总局联合发布《财政部 海关总署 税务总局关于支持集成电路产业和软件产业发展进口税收政策的通知》(以下简称《通知》)。《通知》提出，对以下情况免征进口关税：（一）集成电路线宽小于65纳米（含,下同）的逻辑电路、存储器生产企业,以及线宽小于0.25微米的特色工艺（即模拟、数模混合、高压、射频、功率、光电集成、图像传感、微机电系统、绝缘体上硅工艺）集成电路生产企业，进口国内不能生产或性能不能满足需求的自用生产性（含研发用,下同）原材料、消耗品，净化室专用建筑材料、配套系统和集成电路生产设备（包括进口设备和国产设备）零配件。（二）集成电路线宽小于0.5微米的化合物集成电路生产企业和先进封装测试企业，进口国内不能生产或性能不能满足需求的自用生产性原材料、消耗品。（三）集成电路产业的关键原材料、零配件（即靶材、光刻胶、掩模版、封装载板、抛光垫、抛光液、8英寸及以上硅单晶、8英寸及以上硅片）生产企业，进口国内不能生产或性能不能满足需求的自用生产性原材料、消耗品。（四）集成电路用光刻胶、掩模版、8英寸及以上硅片生产企业，进口国内不能生产或性能不能满足需求的净化室专用建筑材料、配套系统和生产设备（包括进口设备和国产设备）零配件。（五）国家鼓励的重点集成电路设计企业和软件企业，以及符合本条第（一）、（二）项的企业（集成电路生产企业和先进封装测试企业）进口自用设备，及按照合同随设备进口的技术（含软件）及配套件、备件，但《国内投资项目不予免税的进口商品目录》、《外商投资项目不予免税的进口商品目录》和《进口不予免税的重大技术装备和产品目录》所列商品除外。上述进口商品不占用投资总额，相关项目不需出具项目确认书。此外，《通知》还提出，承建集成电路重大项目的企业自2020年7月27日至2030年12月31日期间进口新设备，除《国内投资项目不予免税的进口商品目录》、《外商投资项目不予免税的进口商品目录》和《进口不予免税的重大技术装备和产品目录》所列商品外，对未缴纳的税款提供海关认可的税款担保，准予在首台设备进口之后的6年（连续72个月）期限内分期缴纳进口环节增值税，6年内每年（连续12个月）依次缴纳进口环节增值税总额的0%、20%、20%、20%、20%、20%，自首台设备进口之日起已经缴纳的税款不予退还。在分期纳税期间，海关对准予分期缴纳的税款不予征收滞纳金。通知自2020年7月27日至2030年12月31日实施。自2020年7月27日，至第一批免税进口企业清单印发之日后30日内，已征的应免关税税款准予退还。

石油工业踏着改革开放的节拍，走得越来越从容自信。从能源“凛冬”到油气饭碗端在自己手里，我国石油工业一路高歌猛进。与石油工业一同加速的还有其检测行业。作为油品质量的“把关人”，油品检测作用日益凸显。 　　滚石上山、爬坡过坎。对得利特(北京)科技有限公司(以下简称“得利特”)技术经理王志强来说，油液分析与他共度半生。“油品检测产品要增强核心竞争力、迈出技术高水平自立自强坚实步伐。”王志强一语道出现阶段油品检测的动力，同时解读了得利特的发展逻辑和产业路径：挑战、创新、扩张与精进。 　　坚韧性挑战：研发力从“量变”到“质变” 　　“2000年离开无线电元件厂后，我进入了油分析仪器仪表行业。”王志强回忆。长久的钻研让王志强看到行业更多可能性，同时极具挑战性的科研工作强烈吸引着王志强。“我喜欢挑战，科研毫无疑问是属于这种工作。”科研成就感和价值感让王志强在油品分析仪器仪表路上越走越远、越走越深。 　　加入得利特后，王志强迎来了更多挑战机会，这得益于得利特的发展思路：注重原创技术攻关，走自主创新的可持续发展道路。在得利特创立初期，王志强秉持上述企业思路，与技术团队加大科技投入，专注核心技术研发，心无旁骛地啃技术“硬骨头”。 　　掌握核心技术绝非朝夕，需要年复一年技术积累。在王志强与技术团队的共同努力下，得利特推出精品润滑油分析检测仪器、燃料油分析检测仪器、润滑脂分析检测仪器等多款仪器。如今，适合采用库伦法测量微量水分的测定仪设备面世，实现企业研发力从量的积累迈向质的飞跃。 　　突破性创新：满足精确微量水分测定需求 　　水分含量分析是油液检测的重要项目。“石油产品中的水分蒸发时吸收热量，发热量降低；而在低温情况下，燃料中的水会结冰，堵塞燃料导管和滤清器，阻碍发电机燃料系统的燃料供给。此外，石油产品中有水会加速油品的氧化生胶，润滑油中有水时不但会引起发动机零件的腐蚀，而且水和高于100℃的金属零件接触时会变成水蒸气，破坏润滑油膜。”王志强解释。 　　轻质油品密度小、黏度小，油水容易分离，而重质油品则相反，不易分离。这一特性对微量水分检测仪器的自动化、便捷度提出更高要求。久居油品检测技术场，王志强察觉，相比其他水分检测方法，库伦法测量自动化、节省人工等优势备受青睐。基于该种方法的测量仪器能够在尽可能节省人工的同时得到更精确数据。 　　“微量水分检测数据的精度、便捷度大幅提高，这是得利特库伦法测量微量水分测定仪的突破性创新点。”王志强补充。基于两个核心优势，以及智能自检等新功能，该款微量水分的测定仪受众广泛，在油液水分含量分析市场中占达到了一定份额。下一步，得利特将侧重于设备测量时的自动化，脱离人工干预，并通过电子监测，更加准确地判断出油液中水的含量。 　　体系性扩张：产研结合扩充技术链条 　　挑战、创新让得利特尝到甜头。得利特微量水分的测定仪等多款产品广泛应用于石化、电力、环保、医药、军工、航空等领域，并得到用户充分认可。如何实现持续性研发，保持企业机动力？这是技术企业在“后创新时代”思考的问题。 　　在王志强看来，产学研结合能够及时丰富技术创新力量，扩充技术链条。这一想法不仅与得利特的技术班底相映照，更与产学研融合的政策相呼应。 　　实际上，得利特成立之初就整合石化科学研究院、中国计量科学研究院、北京铁道科学研究院、空军计量总站等单位的油品、仪器方面专家，将其作为企业技术班底，加速成果转化，优势互补、互惠互利。“我们正在与多家大学、电科院联合研发新产品。” 　　产学研融合为得利特建造了人才高地，推动预见性与实践性并存，调和国产仪器研、产不对等矛盾，解决油液水分析多个难题。同时，人才补充和研发合作鼓足得利特底气，其以北京为研发销售中心，开拓吉林、山东为生产加工中心，扩充企业链条。 　　精进性守业：精确性与智能化并进 　　技术跟上后，石油分析检测形势一片大好，但王志强直言：“国内对油液水含量的分析还能有很大的提升空间。**设备检测准确性高，但相对价格高；国产设备价格低，但稳定性、工艺水平有待提高。”基于上述难题，王志强带领团队提高优化电解液的配方，增强实验结果的广泛适用性、稳定性，提高关键部件工艺水平，在促进实验结果的重复性等方面下工夫，为油液水分含量分析的稳定性与工艺水平献力。 　　精确性技术攻克热火朝天。与此同时，更加长远、持久的计划箭在弦上。今年年初，多部门联合发布《关于“十四五”推动石化化工行业高质量发展的指导意见》，指出加快改造提升，实施智能制造，推进石化产业数字化转型。 　　提及石油化工检测技术发展方向，王志强说道：“强化检测技术的数字化，控制技术的智能化是我所期待重点的发展方向。” 　　他认为“十四五”高质量发展的主要目标是基本形成自主创新能力强、结构布局合理、绿色安全低碳的高质量发展格局，这一格局离不开数字变更。5G、大数据、人工智能等新一代信息技术与石化化工行业逐渐融合，检测过程数据获取能力不断增强，基于工业互联网的产业链监测、精益化服务系统正在完善。“高端油液检测产品还应提高智能化程度，增强核心竞争力，迈出高水平自立自强的坚实步伐。”王志强补充。 　　王志强透露，得利特将沿着自动化方向和智能化趋势，为国内企业提供高性能的自动化油品分析仪器和专业化的技术咨询、培训等服务，帮助企业以高效率、精细化管理、解决油品检测、设备润滑管理方面存在的问题。 　　后记：国产石油分析检测企业如何在产业扩张中顺势而为，与**品牌分庭抗礼，是摆在石油石化分析检测行业面前的一道必答题。面对错综复杂的行业形势，作为一股国产油液分析检测力量，得利特在王志强及技术团队把控下，按照四层增长逻辑和既定节奏，由高速转向高质量发展，积极构建创新型、智能化产业。 　　百尺竿头，更进一步。拥有突破性创新、体系性扩张，积极精益求精时，企业产能规模自然更上一层。这四层增长逻辑不仅带来良性增长，更难能可贵的是，其或将成为众多国产油液分析检测企业的范本。

p　　1947年，美国贝尔实验室发明了半导体点接触式晶体管，从而开创了人类的硅文明时代。/pp　　1956 年，我国提出“向科学进军”，根据国外发展电子器件的进程，提出了中国也要研究半导体科学，把半导体技术列为国家四大紧急措施之一。中国科学院应用物理所首先举办了半导体器件短期培训班。请回国的半导体专家黄昆、吴锡九、黄敞、林兰英、王守武、成众志等讲授半导体理论、晶体管制造技术和半导体线路。在五所大学――北京大学、复旦大学、吉林大学、厦门大学和南京大学联合在北京大学开办了半导体物理专业，共同培养第一批半导体人才。培养出了第一批著名的教授：北京大学的黄昆、复旦大学的谢希德、吉林大学的高鼎三。1957年毕业的第一批研究生中有中国科学院院士王阳元(北京大学微电子所所长)、工程院院士许居衍(华晶集团中央研究院院长)和电子工业部总工程师俞忠钰(北方华虹设计公司董事长)。/pp　　1957年，北京电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶。中国科学院应用物理研究所和二机部十局第十一所开发锗晶体管。当年，中国相继研制出锗点接触二极管和三极管(即晶体管)。/pp　　1958 年，美国德州仪器公司和仙童公司各自研制发明了半导体集成电路(IC)之后，发展极为迅猛，从SSI(小规模集成电路)起步，经过MSI(中规模集成电路)，发展到LSI(大规模集成电路)，然后发展到现在的VLSI(超大规模集成电路)及最近的ULSI(特大规模集成电路)，甚至发展到将来的 GSI(甚大规模集成电路)，届时单片集成电路集成度将超过10亿个元件。/pp　　1959年，天津拉制出硅(Si)单晶。/pp　　1960年，中科院在北京建立半导体研究所，同年在河北建立工业性专业化研究所――第十三所(河北半导体研究所)。/pp　　1962年，天津拉制出砷化镓单晶(GaAs)，为研究制备其他化合物半导体打下了基础。/pp　　1962年，我国研究制成硅外延工艺，并开始研究采用照相制版，光刻工艺。/pp　　1963年，河北省半导体研究所制成硅平面型晶体管。/pp　　1964年，河北省半导体研究所研制出硅外延平面型晶体管。/pp　　1965 年12月，河北半导体研究所召开鉴定会，鉴定了第一批半导体管，并在国内首先鉴定了DTL型(二极管――晶体管逻辑)数字逻辑电路。1966年底，在工厂范围内上海元件五厂鉴定了TTL电路产品。这些小规模双极型数字集成电路主要以与非门为主，还有与非驱动器、与门、或非门、或门、以及与或非电路等。标志着中国已经制成了自己的小规模集成电路。/pp　　1968年，组建国营东光电工厂(878厂)、上海无线电十九厂，至1970年建成投产，形成中国IC产业中的“两霸”。/pp　　1968年，上海无线电十四厂首家制成PMOS(P型金属-氧化物半导体)电路(MOSIC)。拉开了我国发展MOS电路的序幕，并在七十年代初，永川半导体研究所(现电子第24所)、上无十四厂和北京878厂相继研制成功NMOS电路。之后，又研制成CMOS电路。/pp　　七十年代初，IC价高利厚，需求巨大，引起了全国建设IC生产企业的热潮，共有四十多家集成电路工厂建成，四机部所属厂有749厂(永红器材厂)、 871(天光集成电路厂)、878(东光电工厂)、4433厂(风光电工厂)和4435厂(韶光电工厂)等。各省市所建厂主要有：上海元件五厂、上无七厂、上无十四厂、上无十九厂、苏州半导体厂、常州半导体厂、北京半导体器件二厂、三厂、五厂、六厂、天津半导体(一)厂、航天部西安691厂等等。/pp　　1972年，中国第一块PMOS型LSI电路在四川永川半导体研究所研制成功。/pp　　1973年，我国7个单位分别从国外引进单台设备，期望建成七条3英寸工艺线，最后只有北京878厂，航天部陕西骊山771所和贵州都匀4433厂。/pp　　1976年11月，中国科学院计算所研制成功1000万次大型电子计算机，所使用的电路为中国科学院109厂(现中科院微电子中心)研制的ECL型(发射极耦合逻辑)电路。/pp　　1982 年，江苏无锡的江南无线电器材厂(742厂)IC生产线建成验收投产，这是一条从日本东芝公司全面引进彩色和黑白电视机集成电路生产线，不仅拥有部封装，而且有3英寸全新工艺设备的芯片制造线，不但引进了设备和净化厂房及动力设备等“硬件”，而且还引进了制造工艺技术“软件”。这是中国第一次从国外引进集成电路技术。第一期742厂共投资2.7亿元(6600万美元)，建设目标是月投10000片3英寸硅片的生产能力，年产2648万块IC成品，产品为双极型消费类线性电路，包括电视机电路和音响电路。到1984年达产，产量达到3000万块，成为中国技术先进、规模最大，具有工业化大生产的专业化工厂。/pp　　1982年10月，国务院为了加强全国计算机和大规模集成电路的领导，成立了以万里副总理为组长的“电子计算机和大规模集成电路领导小组”，制定了中国IC发展规划，提出“六五”期间要对半导体工业进行技术改造。/pp　　1983年，针对当时多头引进，重复布点的情况，国务院大规模集成电路领导小组提出“治散治乱”，集成电路要“建立南北两个基地和一个点”的发展战略，南方基地主要指上海、江苏和浙江，北方基地主要指北京、天津和沈阳，一个点指西安，主要为航天配套。/pp　　1986年，电子部厦门集成电路发展战略研讨会，提出“七五”期间我国集成电路技术“531”发展战略，即普及推广5微米技术，开发3微米技术，进行1微米技术科技攻关。/pp　　1988年，871厂绍兴分厂，改名为华越微电子有限公司。/pp　　1988年9月，上无十四厂在技术引进项目，建了新厂房的基础上，成立了中外合资公司――上海贝岭微电子制造有限公司。/pp　　1988年，在上海元件五厂、上无七厂和上无十九厂联合搞技术引进项目的基础上，组建成中外合资公司――上海飞利浦半导体公司(现在的上海先进)。/pp　　1989年2月，机电部在无锡召开“八五”集成电路发展战略研讨会，提出了“加快基地建设，形成规模生产，注重发展专用电路，加强科研和支持条件，振兴集成电路产业”的发展战略。/pp　　1989年8月8日，742厂和永川半导体研究所无锡分所合并成立了中国华晶电子集团公司。/pp　　1990年10月，国家计委和机电部在北京联合召开了有关领导和专家参加的座谈会，并向党中央进行了汇报，决定实施九O八工程。/pp　　1991年，首都钢铁公司和日本NEC公司成立中外合资公司――首钢NEC电子有限公司。/pp　　1995年，电子部提出“九五”集成电路发展战略：以市场为导向，以CAD为突破口，产学研用相结合，以我为主，开展国际合作，强化投资，加强重点工程和技术创新能力的建设，促进集成电路产业进入良性循环。/pp　　1995年10月，电子部和国家外专局在北京联合召开国内外专家座谈会，献计献策，加速我国集成电路产业发展。11月，电子部向国务院做了专题汇报，确定实施九0九工程。/pp　　1997年7月17日，由上海华虹集团与日本NEC公司合资组建的上海华虹NEC电子有限公司组建，总投资为12亿美元，注册资金7亿美元，华虹NEC主要承担“九0九”工程超大规模集成电路芯片生产线项目建设。/pp　　1998年1月，华晶与上华合作生产MOS圆片合约签定，有效期四年，华晶芯片生产线开始承接上华公司来料加工业务。/pp　　1998年1月18日，“九0八” 主体工程华晶项目通过对外合同验收，这条从朗讯科技公司引进的0.9微米的生产线已经具备了月投6000片6英寸圆片的生产能力。/pp　　1998年1月，中国华大集成电路设计中心向国内外用户推出了熊猫2000系统，这是我国自主开发的一套EDA系统，可以满足亚微米和深亚微米工艺需要，可处理规模达百万门级，支持高层次设计。/pp　　1998年2月，韶光与群立在长沙签订LSI合资项目，投资额达2.4亿元，合资建设大规模集成电路(LSI)微封装，将形成封装、测试集成电路5200万块的生产能力。/pp　　1998年2月28日，我国第一条8英寸硅单晶抛光片生产线建成投产，这个项目是在北京有色金属研究总院半导体材料国家工程研究中心进行的。/pp　　1998年3月16日，北京华虹集成电路设计有限责任公司与日本NEC株式会社在北京长城-饭店举行北京华虹NEC集成电路设计公司合资合同签字仪式，新成立的合资公司其设计能力为每年约200个集成电路品种，并为华虹NEC生产线每年提供8英寸硅片两万片的加工订单。/pp　　1998 年4月，集成电路“九0八”工程九个产品设计开发中心项目验收授牌，这九个设计中心为信息产业部电子第十五研究所、信息产业部电子第五下四研究所、上海集成电路设计公司、深圳先科设计中心、杭州东方设计中心、广东专用电路设计中心、兵器第二一四研究所、北京机械工业自动化研究所和航天工业771研究所。这些设计中心是与华晶六英寸生产线项目配套建设的。/pp　　1998年6月，上海华虹NEC九0九二期工程启动。/pp　　1998年6月12日，深港超大规模集成电路项目一期工程――后工序生产线及设计中心在深圳赛意法微电子有限公司正式投产，其集成电路封装测试的年生产能力由原设计的3.18亿块提高到目前的7.3亿块，并将扩展的10亿块的水平。/pp　　1998年10月/pp　　，华越集成电路引进的日本富士通设备和技术的生产线开始验收试制投 片，-该生产线以双极工艺为主、兼顾Bi-CMOS工艺、2微米技术水平、年投5英寸硅片15万片、年产各类集成电路芯片1亿只能力的前道工序生产线及动力配套系统。/pp　　1998年3月，由西安交通大学开元集团微电子科技有限公司自行设计开发的我国第一个-CMOS微型彩色摄像芯片开发成功，我国视觉芯片设计开发工作取得的一项可喜的成绩。/pp　　1999年2月23日，上海华虹NEC电子有限公司建成试投片，工艺技术档次从计划中的0.5微米提升到了0.35微米，主导产品64M同步动态存储器(S-DRAM)。这条生产线的建-成投产标志着我国从此有了自己的深亚微米超大规模集成电路芯片生产线。/pp　strong　◎分立器件发展阶段(1956--1965)/strong/pp　　1956年中国提出“向科学进军”，国家制订了发展各门尖端科学的“十二年科学技术发展远景规划”，明确了目标。根据国外发展电子器件的进程，提出了中国也要研究发展半导体科学，把半导体技术列为国家四大紧急措施之一。从半导体材料开始，自力更生研究半导体器件。为了落实发展半导体规划，中国科学院应用物理所首先举行了半导体器件短期训练班。请回国的半导体专家内昆、吴锡九、黄敞、林兰英、王守武、成众志等讲授半导体理论、晶体管制技术和半导体线路。参加短训班的约100多人。/pp　　当时国家决定由五所大学-北京大学、复旦大学、吉林大学、厦门大学和南京大学联合在北京大学半导体物理专来，共同培养第一批半导体人才。五校中最出名的教授有北京大学的黄昆、复旦大学的谢希德和吉林大学的高鼎三。1957年就有一批毕业生，其中有现在成为中国科学院院士的王阳元(北京大学)、工程院院士的许居衍(华晶集团公司)和电子工业部总工程师俞忠钰等人。之后，清华大学等一批工科大学也先后设置了半导体专业。/pp　　中国半导体材料从锗(Ge)开始。通过提炼煤灰制备了锗材料。1957年北京电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶。中国科学院应用物理研究所和二机部十局第十一研究所开发锗晶体管。前者由王守武任半导体实验室主任，后者由武尔桢负责。1957可国依靠自己的技术开发，相继研制出锗点接触二极管和三极管(即晶体管)。 　　为了加强半导体的研究，中国科学院于1960年在北京建立了半导体研究所，同年在河北省石家庄建立了工业性专业研究所-第十三研究所，即现在的河北半导体研究所。到六十年代初，中国半导体器件开始在工厂生产。此时，国内搞半导体器件的已有十几个厂点。当时北方以北京电子管厂为代表，生产了II-6低频合金管和II401高频合金扩散管 南方以上海元件五厂为代表。/pp　　在锗之后，很快也研究出其他半导体材料。1959年天津拉制了硅(Si)单晶。　1962年又接制了砷化镓(GaAs)单晶，后来也研究开发了其他种化合物半导体。/pp　　硅器件开始搞的是合金管。1962年研究成外延工艺，并开始研究采用照相制版、光刻工艺，河北半导体研究所在1963年搞出了硅平面型晶体管，1964年搞出了硅外延平面型晶体管。在平面管之前不久，也搞过错和硅的台面扩散管，但一旦平面管研制出来后，绝大部分器件采用平面结构，因为它更适合于批量生产。/pp　　当时接制的单晶棒的直径很小，也不规则。一般将硅片切成方片的形状，如7*7、　10*10、15*15mm2。后来单晶直径拉大些后，就开始采用不规则的圆片，但直径一般在35-40mm之间。/pp　　在半导体器件批量生产之后，六十年代主要用来生产晶体管收音机，电子管收音机在体积上大为缩小，重量大为减轻。一般老百姓把晶体管收音机俗称为“半导体”。它在六十年代成为普通居民所要购买的“四大件”之一。(其他三大件为缝纫机、自行车和手表)另一方面，新品开发主要研究方向是硅高频大功率管，目的是要把部队所用的采用电子管的“八一”电台换装为采用晶体管的“小八一”电台，它曾是河北半导体所和北京电子管厂当年的主攻任务。/pp　　除了收讯放大管之外，之后也开发了开关管。中国科学院在半导体所之外建立了一所实验工厂，取名109厂。(后改建为微电子中心)它所生产的开关管，供中国科学院计算研究所研制成第二代计算机。随后在北京有线电厂等工厂批量生产了DJS-121型锗晶体管计算机，速度达到1万次以上。后来还研制出速度更快的108机，以及速度达28万次、容量更大的DJS-320型中型计算机，该机采用硅开关管。/pp　　总之，向科学进军的号如下，中国的知识分子、技术人员在外界封锁的环境下，在海外回国的一批半导体学者带领下，凭藉知识和实验室发展到实验性工厂和生产性工厂，开始建立起自己的半导体行业。这期间苏联曾派过半导体专家来指导，但很快因中苏关系恶化而撤走了。这一发展分立器件的阶段历时十年，与国外差距为十年。/pp　　strong◎IC初始发展阶段(1965-1980年)/strong/pp　　在有了硅平面工艺之后，中国半导体界也跟随世界半导体开始研究半导体集成电路，当时称为固体电路。国际上是在1958年由美国的得克萨斯仪器公司(TI)和仙兰公司各自分别发明了半导体集成电路。当初研制的是采用RTL(电阻一晶体管逻辑)型式的最基本的门电路，将单个的分立器件：电阻和晶体管，在同一个硅片上集合而成一个电路，故称之为“集成电路”(Integrated　Circrrit，简称IC)。中国第一块半导体集成电路究竟是由哪一个单位首先研制成功的?这一问题有过争议。在相差不远的时间里，有中国科学院半导体研究所，河北半导体研究所，它在1965年12月份召开的产品鉴定会上鉴定了一批半导体管，并在国内首先鉴定了DTL型(二极管-晶体管逻辑)数字逻辑电路。这是十室提交鉴定的，当时采用的还不是国外普遍使用的P-N结隔离，而是仅在国外文献中有所报导的Sio2介质隔离，通过反外延方法制备基片。/pp　　在研究单位之后，工厂在生产平面管的基础上也开始研制集成电路。北方为北京电子管厂，也采用介质隔离研制成DTL数字电路，南方为上海元件五厂，在华东计算机所的合作下，研制出采用P-N结隔离的TTL型(晶体管-晶体管逻辑)数字电路，并在1966年底，在工厂范围内首家召开了产品鉴定会鉴定了TTL电路。/pp　　DTL和TTL都是双极型数字集成电路，主要是逻辑计算电路，以基本的与非门为基础，当时都是小规模集成电路，还有与非驱动器、与门、或非门、或门、以及与或非电路等。主要用途是用于电子计算机。中国第一台第三代计算机是由位于北京的华北计算技术研究所研制成功的，采用DTL型数字电路，与非门是由北京电子管厂生产，与非驱动器是由河北半导体研究所生产，展出年代是1968年。/pp　　为了加速发展半导体集成电路，四机部(后来改名为电子工业部)决定筹建第一个专门从事半导体集成电路的专业化工厂，由北京电子管厂抽一部分技术力量，在1968年建立了国营东光电工厂(代号：878厂)，当时正处于动乱的十年“文革”初期，国家领导号召建设大三线，四机部新建工厂，采用“8”字头的都是在内地大三线，唯独878厂，为了加快建成专业化集成电路生产厂，破例地建在首都北京。与此同时，上海仪表局也将上海元件五厂生产TTL数字电路的五车间搬迁到近郊，建设了上海无线电十九厂(简称上无十九厂)。到1970年两厂均已建成投产。从此，七十年代形成了中国IC行业的“两霸”，南霸上无十九厂，北霸878厂。在国外实行对华封锁的年代里，集成电路属于高新技术产品，是禁止向中国出口的。因此，在封闭的自力更生、计划经济年代里，这两厂的IC一度成为每年召开两次电子元器件订货会上最走俏的产品。当时一块J-K触发器要想马上拿到手，得要部长的亲笔批条。在中国实行改革开放政策之前，IC在中国完全是卖方市场。七十年代上半期，一个工厂的IC年产量，只有几十万块，到七十年代末期，上无十九厂年产量才实破500万块，位居全国第一。/pp　　文化大革命开始后，陈伯达向毛泽东主席提出了“电子中心论”。一时间采用群众运动的方式“全民”大搞半导体.为了打破尖端迷信，报上宣传说城市里了道老太太在弄堂里拉一台扩散炉，也能做出半导体.批判878厂建厂时铺了水磨石地板为“大，洋，全”。这股风使工厂里不重视产品质量，这曾导致878厂为北京大学电子仪器厂生产TTL和S-TTL(肖特基二极管钳位的TTL)电路研制百万次大型电子计算机“推倒重来”。最后质量改进后的电路才使北大在/pp　　文化大革命开始后，陈伯达向毛泽东主席提出了“电子中心论”。一时间采用群众运动的方式“全民”大搞半导体.为了打破尖端迷信，报上宣传说城市里了道老太太在弄堂里拉一台扩散炉，也能做出半导体.批判878厂建厂时铺了水磨石地板为“大，洋，全”。这股风使工厂里不重视产品质量，这曾导致878厂为北京大学电子仪器厂生产TTL和S-TTL(肖特基二极管钳位的TTL)电路研制百万次大型电子计算机“推倒重来”。最后质量改进后的电路才使北大在1975年研制成中国第一台真正达到100万次运算速度的大型电子计算机-150机。(在此之前，由上无十九厂生产的TTL电路，供华东计算所研制出达到80多万次速度的大型计算机，号称“百万次”。)/pp　　随后，中国科学院109厂研制了ECL型(发射极藕合逻辑)电路，提供给中国科学院计算所，在1976年11月研制成功1000万次大型电子计算机。/pp　　总之，在中国IC初始发展阶段的十五年间，在开发集成电路方面，尽管国外实行对华封锁，中国还是能够依靠自己的技术力量，相继研制并生产了DTL、TTL、 ECL各种类型的双极型数字逻辑电路，支持了国内计算机行业，研制成百万次、千万次级的大型电子计算机。但这都是小规模集成电路。/pp　　在发展双极型电路(Bipolar　IC)之后，不久也开始研究MOS(金属--氧化物一一半导体)电路(MOS　IC)。 1968年研究出PMOS电路，这是上海无线电十四厂首家搞成的。到七十年代初期，永川半导体研究所，即24所，(它由石家庄13所十一室搬到四川水川扩大而建的)上无十四厂和北京878厂相继研制成NMOS电路。之后，又研制成CMOS电路。 　　在七十年代初期，由于受国外IC迅速发展和国内“电子中心论”的影响，加上当时IC的价格偏高(一块与非门电路不变价曾哀达500元，利润较大f销售利润率有的厂高达40%以上)，而货源又很紧张，因而造成各地IC厂点大量涌现，曾经形成过一股“IC热”。不少省市自治区，以及其他一些工业部门都兴建了自己的IC工厂，造成--哄而起的局面。 在这期间，全国建设了四十多家集成电路工厂。四机部直属厂有749厂(永红器材厂)、 871厂(天光集成电路厂)、 878厂(东光电工厂)、 4433厂(风光电工厂)和4435厂(韶光电工厂)等。各省市所建厂中有名的有：上海元件五厂、上无七厂、上无十四厂、上无十九厂、苏州半导体厂、常州半导体厂、北京市半导体器件二厂、三厂、五厂、六厂、天津半导体(一)厂、航天部西安691厂等等。/pp　　集成电路一经出现，随着设备和工艺的不断发展，集成度迅速提高。从小规模集成　　(SSI)，经过中规模集成(MSL)，很快发展到大规模集成(LSI)，这在美国用8年时间。而中国在初始发展阶段中出仅用7年时间走完这段路，与国外差距还不是很大。/pp　　1972年中国第一块PMOS型LST电路在四川永川半导体研究所研制成功，为了加速发展LSI，中国接连召开了三次全国性会议，第一次1974年在北京召开，第二次/pp　　1975年在上海召开 第三次1977年在大三线贵州省召开。/pp　　为了提高工艺设备的技术水平，并了解国外IC发展的状况，在1973年中日邦交恢复一周年之际，中国组织了由14人参加的电子工业考察团赴日本考察IC产业，参观了日本当时八大IC公司：日立、NEC、东芝、三菱、富士通、三洋、冲电气和夏普，以及不少设备制造厂。原先想与NEC谈成全线引进，因政治和资金原因没有成匀丢失了一次机迂。后来改为由七个单位从国外购买单位台设备，期望建成七条工艺线。最后成线的只有北京878厂，航天部陕西骊山771所和贵州都匀4433厂。/pp　　这一阶段15年，从研制小规模到大规模电路，在技术上中国都依靠自己的力量，只是从国外进口了一些水平较低的工艺设备，与国外差距逐渐加大。在这期间美国和日本已先后进入IC规模生产的阶段。/p

1、集成电路行业新技术发展情况①集成电路制造的新技术发展 A、集成电路制造逻辑工艺技术 集成电路制造需要在高度精密的设备下进行，经过光刻、刻蚀、离子注入等工艺步骤反复几十次甚至上百次的循环，最终实现从光掩模上复杂的电路结构到晶圆上集成电路图形的转移，在指甲盖大小的空间中集成了数公里长的导线和数以亿计的晶体管器件，这些图形的最小宽度甚至不到头发丝直径的千分之一。 集成电路行业在经历数十年的发展后，目前已经进入后摩尔时代，随着先进光刻技术、3D 封装技术等不断涌现，各种先进工艺不断改进和完善，集成电路已由本世纪初的 0.35 微米的 CMOS 工艺发展至纳米级FinFET工艺。 全球最先进的量产集成电路制造工艺已经达到7纳米至5纳米，3纳米技术有望在2022年前后进入市场。同时，作为集成电路的衬底，晶圆的直径已经由最初的 6 英寸、8 英寸增长到现在的12英寸。 B、集成电路制造特色工艺技术近年来，随着新兴应用的推陈出新，对除逻辑电路以外的其他集成电路和半导体器件类型都提出了更高的要求，举例如下： 高清电视、AMOLED 手机等设备上所搭载的愈发强大的显示面板技术，推动静态随机存储器的存储上限从早期的10Mb、64Mb不断演变至目前最先进的128Mb，驱动着工艺节点的不断升级，将静态随机存储器的工艺节点从早期的80纳米、55纳米、40纳米，升级至目前先进的28纳米。 高速非易失性存储在市场的驱动下快速演进，其从最早的8Mb快速成长至如今的48纳米工艺节点256Mb。嵌入式非挥发性存储芯片因广泛应用于汽车电子、消费电子、工业及无线通讯领域中，从 0.18微米迅速发展到40 纳米的工艺节点，向着面积更小、速度更快的方向前进。 ②设计服务与IP支持 集成电路技术的不断发展推动了设计服务领域的技术革新。随着 FinFET DTCO 技术的推出，设计服务可以与工艺开发深度协同，从设计的角度对工艺设计规则、后端布线规则、器件种类等进行优化，基于优化成果提供更好的设计服务，令其产品更具竞争力。 此外，由于传统静态随机存储器在功耗、速度和面积等方面存在技术瓶颈，设计服务厂商开始提供新一代存储 IP 解决方案（如 MRAM 等），以解决高性能计算对片内大容量高速度存储器的需求及物联网应用对非挥发存储器的需求。 FinFET 工艺持续发展所产生的晶体管线宽限制与日趋复杂的设计规则，也对模拟、混合信号电路的设计带来较大程度限制。在符合设计规则的前提下，市场推出了基于模板的设计服务技术与模块，使得客户设计如同搭积木式一般，而不用受制于复杂的设计规则，节约了电路设计和后端版图时间。 ③光掩模制造 光掩模作为集成电路制造中光刻环节必不可少的核心工具，其制造技术的发展随着光刻技术的发展而演变。光掩模的类型从早期的二元掩模发展成相位移掩模，其图形传递介质从金属铬进化成钼硅材料。近年来，随着极紫外光刻（EUV）技术的引入，光掩模从传统的透射型基材转变为反射型基材，结构的复杂程度和制造的难度成倍增加。 随着光掩模上所绘电路图形尺寸不断缩小，晶体管等器件的密集度不断提高，传统的电子束描画设备完成单张光掩模描画的时间不断增加，单张 EUV 掩模的描画时间甚至可达数日之久，对光掩模的研发和制造提出了极高的挑战。多重电子束描画技术的出现和日益成熟为解决上述难题提供了新途径，该技术运用数十万根电子束同时描画互不干扰，既能保证图形精度，又能将 EUV 掩模描画时间控制在可接受的范围之内，在很大程度上提高了先进技术节点的研发效率和商业量产能力。 ④凸块加工及测试 集成电路封装作为集成电路产业链中不可或缺的环节，一直伴随着集成电路工艺技术的不断发展而变化。 传统封装的作用包含对芯片的支撑与机械保护、电信号的互连与引出、电源的分配和热管理等。传统封装形式主要是利用引线框架或基板作为载体，采用引线键合互连的形式使电路与外部器件实现连接。 随着集成电路制造工艺技术的不断发展，对端口密度、信号延迟及封装体积等提出了越来越高的要求，促进了先进封装如凸块、倒装、硅穿孔、2.5D、3D等新封装工艺及封装形式的出现和发展。 相对于引线键合工艺，凸块工艺是通过高精密曝光、离子处理、电镀等设备和材料，基于定制的光掩模，在晶圆上实现重布线，允许芯片有更高的端口密度，缩短了信号传输路径，减少了信号延迟，具备了更优良的热传导性及可靠性。凸块工艺配合倒装技术带来封装体积的缩小，实现了芯片级封装。凸块工艺、三维芯片系统集成等先进封装工艺实现了各种晶圆级封装和系统级封装，成为拓展摩尔定律的另外一种实现方式。2、集成电路行业新产业发展情况 集成电路是信息产业的基础，涉及计算机、家用电器、数码电子、电气、通信、交通、医疗、航空航天等几乎所有电子设备领域。近年来，集成电路应用领域随着科技进步不断延展，5G、物联网、人工智能、智能驾驶、云计算和大数据、机器人和无人机等新兴领域蓬勃发展，为集成电路产业带来新的机遇。 ①5G 根据中国信通院《5G 经济社会影响白皮书》预测，5G 商用预计在 2020 年带动中国市场约 4,840 亿元的直接产出，并于 2030 年增长至 6.3 万亿元，年均复合增长率为 29%。5G 的正式商用化将为新型芯片的上市带来更多机遇和挑战。 ②物联网 强化的数据传输、边缘计算和云分析功能的综合要求将带动物联网的加速发展，并推动信息链接、收集、计算和处理等 4 个方面功能芯片的不断优化和升级。 ③人工智能 目前全球人工智能正在经历新的发展浪潮，基于云计算和大数据的人工智能采用深度学习算法，能拥有更强的计算能力进行数据分析。人工智能对数据运算、存储和传输的需求越来越高，推动芯片设计和制造水平的不断升级。 ④智能驾驶 汽车电子系统中，智能驾驶辅助系统和车联网系统很大程度上决定了汽车智能化的程度，其对车用芯片的技术水平提出了更高的要求。 ⑤云计算和大数据 云计算和大数据为人工智能和机器学习发展奠定了基础，云计算和大数据的持续发展对于高性能计算芯片和大容量存储芯片提出了新的要求。 ⑥机器人和无人机未来，全球机器人和无人机芯片市场将快速增长，相关应用将会深入到生产、生活等各个领域，为半导体市场带来多样化的需求。 3、集成电路行业新业态与新模式发展情况 集成电路行业在经过多年发展后已形成了相对固定的寡头竞争格局与相对稳定的业态和模式。伴随技术进步、行业竞争和市场需求的不断变化，集成电路产业在经历了多次结构调整后，已逐渐由集成电路设计、制造以及封装测试只能在公司内部一体化完成的垂直整合制造模式演变为垂直分工的多个专业细分产业，发展历程如下：集成电路制造企业的经营模式主要包括两种：一种是 IDM 模式，即垂直整合制造模式，其涵盖了产业链的集成电路设计、制造、封装测试等所有环节；另一种是 Foundry 模式，即晶圆代工模式，仅专注于集成电路制造环节。 垂直整合制造模式下的集成电路企业拥有集成电路设计部门、晶圆厂、封装测试厂，属于典型的重资产模式，对研发能力、资金实力和技术水平都有很高的要求，因而采用垂直整合制造模式的企业大多为全球芯片行业的传统巨头，包括英特尔、三星电子等。晶圆代工模式源于集成电路产业链的专业化分工，形成无晶圆厂设计公司、晶圆代工企业、封装测试企业。其中，无晶圆厂设计公司为市场需求服务，从事集成电路设计和销售业务。晶圆代工企业以及封装测试企业为这类设计公司服务。目前，世界领先的晶圆代工企业有台积电、格罗方德、联华电子和中芯国际等。自上世纪八十年代晶圆代工模式诞生以来，晶圆代工市场经过 30 多年发展，已成为全球半导体产业中不可或缺的核心环节。根据 IC Insights 统计，2018 年，全球晶圆代工行业市场规模为 576 亿美元，较 2017 年的 548 亿美元增长 5.11%，2013 年至 2018 年的年均复合增长率为 9.73%。通过与无晶圆厂设计公司等客户形成共生关系，晶圆代工企业能在第一时间受益于新兴应用的增长红利。中国大陆晶圆代工行业起步较晚，但发展速度较快。根据中国半导体行业协会统计，2018 年中国集成电路产业制造业实现销售额 1,818 亿元人民币，同比增长 25.55%，相较于 2013 年的 601 亿元人民币，复合增长率达 24.78%，实现高速稳定增长。（节选自《中芯国际集成电路制造有限公司首次公开发行人民币普通股（A 股）股票并在科创板上市招股说明书》）

“科学研究的竞争，往往也是科学仪器的竞争。”据统计，72%的物理学奖、81%的化学奖、95%的生理学或医学奖都是借助尖端科学仪器来完成的。2017年，诺贝尔化学奖被授予来自英国、美国、瑞士的三位科学家，理由是“研发冷冻电子显微镜，用于测定溶液中生物大分子高分辨率结构”，直接开启了生物化学的革命。诚然，虽然国家一直鼓励自主研发，但当前成果还是主要集中于中低端领域，高端仪器及技术进口依赖严重。国家科技基础资源数据显示，超50万高端仪器中，国产仪器占比仅为13.4%。仪器技术创新与革新的重要性不言而喻，原创性的科学设备往往会开辟新的学科领域，带来崭新的研究成果。小编关注到今年上半年以来，国内多个研发团队发表了亮眼的创新成果，这些前沿成果或将革新生命科学仪器研发，为行业带来较大影响，值得业内人士关注。今天，小编将带大家看看今年上半年科研领域亮眼的原创性成果。（1）突破二代测序难题 汤富酬课题组开发出单细胞基因组单分子测序新方法针对基于二代测序平台的单细胞基因组测序技术难以高效鉴定单个细胞中结构变异这一世界难题，北京未来基因诊断高精尖创新中心、北京大学生物医学前沿创新中心汤富酬课题组在国际上率先开发了基于三代测序（单分子测序）平台的单细胞基因组测序技术—SMOOTH-seq（Single-MOlecule real-time sequencing of LOng Fragments amplified THrough Transposon insertion）。使用优化后的Tn5转座反应，SMOOTH-seq能够从单个细胞中扩增出平均长度约6kb的基因组片段（测序读长比单细胞基因组二代测序技术长了20倍左右），通过引入与单分子测序平台兼容的细胞条形码使单细胞基因组DNA扩增子适用于Pacbio sequel II平台的HiFi测序模式。测序后的数据中，产生的环化测序（circular consensus sequencing, CCS）的读长平均在6kb左右, 最长可达43kb。点评：由于二代测序平台读长的限制，对于基因组中结构变异的检测具有很大的局限性。结构变异（包括插入、缺失、重复和易位等）是人类体细胞遗传变异的主要来源之一，对肿瘤的发生、发展和转移具有潜在的驱动作用，然而目前在单个细胞水平对基因组结构变异的研究却鲜有报道。单细胞全基因组测序技术（scWGS）可以有效揭示生物样品中不同细胞之间的异质性，并系统鉴定单个细胞的基因组中发生的遗传变化，例如拷贝数变异（CNV）和点突变（单核苷酸变异，SNV）等。（2）超灵敏生物医学检验！ 苏州医工所在DNA逻辑电路构建方面取得进展近期苏州医工所缪鹏研究员课题组发展了一种基于DNA双足步行的电化学纳米机器，并通过级联链置换构建出一系列的DNA逻辑电路，用于研究复杂生物样本中多种生物分子的关联关系。首先在电极界面修饰茎环结构的轨道探针分子；在上游均相体系中引入目标触发的链置换聚合反应用于特定序列单链的大量合成；利用DNA三通结结构完成双足步行链的组装；在茎环结构驱动链的存在条件下使其在电极界面交替行走，完成电化学信号分子的富集探测。进一步利用不完整三通结及双链结构的设计，进行级联链置换反应构建出AND, OR门，并与NOT门联合发展出NAND, NOR, XOR, XNOR门。所构建的双输入逻辑电路表现出良好的逻辑运算、操作性能。随后，通过四通结及双链结构的设计完成了三输入AND， OR门的搭建。点评：DNA逻辑门是将DNA等生物分子或其他外界信息作为输入(input)，通过DNA结构变化引发的各种表征结果作为输出(output)，布尔运算后可以使得各种输入之间的相互识别关联关系得以明确。此外，通过将前一个逻辑门的输出作为后一个逻辑门的输入，可以构建多个级联的逻辑门，即逻辑电路。逻辑电路的组合、信号输出方式具有多样化的特点，具有广泛的应用前景。发展的一系列逻辑电路不仅可应用于超灵敏生物医学检验，也为生物分子信息控制、通信、生物计算机等领域的研究工作提供了新的思路。（3）单细胞拉曼光谱-重水标记技术开发出快速药敏检测方法（FRAST） 三小时检出！近日，中国科学院苏州生物医学工程技术研究所的宋一之、复旦大学附属华山医院的王明贵和英国牛津大学的Wei Huang联合团队利用单细胞拉曼光谱-重水标记联用技术开发了一种适用于血液和尿液标本的快速药敏检测方法（FRAST），该方法将尿液和血液标本的药敏检测时间由3-4天分别缩短为3小时和21小时。FRAST方法基于拉曼光谱——重水标记联用技术，其主要原理为，细菌可通过重水（氘代水）培养可实现氘元素的标记，使拉曼光谱中的碳-氘峰成为单细胞水平细菌代谢活动的标记物。在抗生素作用下，易感菌代谢活性会受到抑制，而耐药菌则不受影响并产生明显的碳-氘峰，因此可以克服临床微生物试验对长时间培养的要求，使快速药敏成为可能。 FRAST方法的具体流程如图所示。FRAST用于临床尿液样本和血液样本的药敏试验流程图点评：世卫组织专家估计，到2050年，由于抗生素耐药导致的死亡人数可能从目前估计的每年70万人增加到每年1000万人，世界生产总值的损失将达到100万亿美元。导致耐药菌出现和蔓延的一个主要原因是在治疗感染类疾病时存在滥用和过度使用抗生素的情况。目前病原菌感染在临床的检验流程往往需要3-7天才能从病人标本中分析出病原菌鉴定和抗生素药敏的结果。快速检测感染细菌的药敏特性对确保有效抗生素的使用和减少对广谱药物的需求起着关键作用。（4）播放音乐即可驱动！ 厦大彭兴跃团队开发出低成本新型微流控泵技术厦门大学彭兴跃教授课题组在2021年第6期《先进材料与技术》杂志(Adv. Mater. Technol. )发表了两篇论文，介绍实验室开发的一种高性能、低成本及低功耗的磁控微泵技术，并运用这一技术设计出了可用手机歌曲播放列表编程控制的微流控培养皿。点评：微流控芯片是一种控制微米尺度液体流的芯片，是生命科学、医疗、化学，计算机等各领域所期待的关键技术。由于制造难度、使用难度、成本及性能等许多问题都未得到解决，微流控芯片一直无法广泛应用到生活与研究之中。彭兴跃教授课题组证明了微小振荡器具有稳定的流场，并基于该理论开发了一款结构简、成本低、能耗低、寿命长、运行可靠、适应性强的微流控泵。为该微泵配套研发了音乐编程操作系统，使用者仅需要一个MP3播放器，通过播放内含程序代码的MP3或WAV格式的歌曲即可驱动微流。该微流控泵在成本、功耗、便利性、使用寿命、生物相容性、尺寸、可靠性、简单性等方面具有显著优势，有望能够用在生命科学、医疗、化学、计算机等领域，如干细胞研究、癌症研究、野外及太空的即时检验（point-of-care testing等）。（5）非接触式超声移液 深圳先进院实现皮升级高精度液体控制超声移液技术是通过声操控技术将液滴从液面喷出，实现移液操作，是一种非接触式的移液方式。具体来讲是利用声波探头把电能转化为声波，并根据声波的反射来获得样品性质和液面高度的信息。声波探头根据所获得的声场信息，自动调整探头的位置和激发的阵列来精准地聚焦作用到液面，激发出液滴。液滴飞向上方的容器，并通过表面张力粘附于容器表面，或直接融入到反应体系中（如图a所示）。深圳先进院声操控小组近期通过研制高频高带宽聚焦超声探头、声辐射力精细可调声操控技术以及移液控制平台，实现了从皮升级到亚纳升级大动态范围可调的移液精度（如图b和c所示），使得移液操作效率更高，更加灵活、精细。该研究工作已发表于期刊IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control。 （a） 超声移液平台及移液过程示意图，（b）超声波操控液滴从液面喷出过程，（c）激发的不同精度移液液点评：对于快速发展的合成生物和药物化学等科学研究，为了高效快速并行处理大量实验样本与产生变参数的实验数据，增大实验反应通量、减小反应体系体积逐步成为重要的实验需求，但这种做法对移液设备的稳定性与精度提出了越来越高的要求。传统利用移液枪头的移液器是接触式的，存在样品交叉污染、移液精度低（通常微升级）、耗时长等缺点无法满足需求。非接触式的超声移液由于无需一次性吸头或喷嘴等第三方媒介辅助，具有无液体粘附及残留，无交叉污染，以及可以降低耗材费用，保证移液精准等优势，具有重要的应用前景和商业价值。（6）高速三维动态成像 苏州医工所在结构光照明超分辨显微成像仪器研制方面取得进展近期，苏州医工所李辉课题组围绕着结构光照明超分辨显微成像方法、高保真SIM重构算法、以及国产化的SIM显微镜研制等方面取得了一系列重要进展。 为了实现对厚样品的快速三维成像，李辉课题组发展了基于数字微镜阵列器件(DMD)和液体变焦透镜（ETL）的结构光照明层切显微技术，并开发了基于两张原始图像的层切成像算法。该方法将传统的三维层切成像的速度提高了数倍以上，课题组利用该技术对斑马鱼和大脑血管的心血管系统进行了高速动态成像，清晰地显示了心脏跳动期的收缩-舒张过程以及腹部血管的蠕动特性。基于两张正反图像的结构光照明层切算法（左）；斑马鱼心脏跳动过程的快速三维成像（右）。点评：对于生物医学研究，著名物理学家理查德费曼有句名言：“...很多基础生物学的问题是很容易被回答的；你只是需要看到它们就够了”。这句话一定程度上说明了直接观察的光学显微镜对于细胞生物学、发育生物学、免疫学、病理药理学等生物医学研究的重要性。但是受衍射极限的限制，传统光学显微镜的分辨率理论上只能达到光波长的一半。近20年来，超分辨荧光显微成像技术的出现有效打破了光学衍射极限的束缚。基于单分子定位技术的超分辨显微镜（SMLM）和受激发射损耗显微镜（STED）以及结构光照明超分辨显微镜（SIM）等技术在众多课题组的努力下都得到了长足发展，尤其是结构光照明显微镜由于成像速度快、光毒性小、无需特殊荧光标记等优势，已成为生命科学领域尤其是活细胞成像中最受欢迎的技术手段。三维成像方法因可以获取到更多的生物样品信息而备受关注。但是现有的三维成像不可避免的带来离焦模糊和时间分辨率差的问题，很难用于对样品的快速三维动态成像。（7）中科院能源所利用单细胞拉曼分选-测序耦合系统 首次精确到一个细菌细胞的环境菌群scRACS-Seq单细胞拉曼分选耦合测序（RACS-Seq）是剖析环境菌群功能机制的重要手段，但拉曼分选后单个细菌细胞基因组的覆盖度通常低于10%，极大限制了其应用。近日，中国科学院青岛生物能源与过程研究所单细胞中心基于星赛生物的RACS-Seq单细胞拉曼分选-测序耦合系统，以及相应的RAGE芯片和单细胞分析试剂盒（包括环境样品中微生物单细胞提取与制备、稳定同位素饲喂细胞、单细胞核酸裂解与扩增等环节），首次实现了精确到一个细菌细胞、全基因组覆盖度达93%的环境菌群scRACS-Seq，为环境微生物组原位代谢功能研究提供了一个强有力的新工具。从国际科学发展趋势来看，科学仪器对基础研究的发展起到越来越重要的推动作用，而原创性科研成果对自主研发科学仪器的依赖度更高。从量变到质变需要一个漫长的过程，对于正在快速发展中的生命科学仪器行业亦是如此。希望借助多方的力量，期待国内生命科学仪器领域能在5-8年出现质的飞跃。

经过数十年发展，半导体工艺制程已逐渐逼近亚纳米物理极限，传统硅基集成电路难以依靠进一步缩小晶体管面内尺寸来延续摩尔定律。发展垂直架构的多层互连CMOS逻辑电路以实现三维集成技术的突破，已成为国际半导体领域积极探寻的新方向。在2023年12月美国旧金山召开的国际电子器件会议（IEDM）中，三星、台积电等半导体公司争相发布相关研究计划。由于硅基晶体管的现代工艺采用单晶硅表面离子注入的方式，难以实现在一层离子注入的单晶硅上方再次生长或转移单晶硅。虽然可以通过三维空间连接电极、芯粒等方式提高集成度，但是关键的晶体管始终被限制在集成电路最底层，无法获得厚度方向的自由度。新材料或颠覆性原理因此成为备受关注的重要突破点。近日，中国科学院大学周武课题组与山西大学韩拯课题组、辽宁材料实验室王汉文课题组、中山大学候仰龙课题组、中国科学院金属所李秀艳课题组等合作，提出了一种全新的基于界面耦合的p型掺杂二维半导体方法。该方法采用界面效应的颠覆性路线，工艺简单、效果稳定，并且可以有效保持二维半导体本征的优异性能。在此基础上，该研究团队利用垂直堆叠的方式制备了由14层范德华材料组成、包含4个晶体管的互补型逻辑门NAND以及SRAM等器件（如下图所示）。这一创新方法打破了硅基逻辑电路的底层“封印”，基于量子效应获得了三维（3D）垂直集成多层互补型晶体管电路，为后摩尔时代未来二维半导体器件的发展提供了思路。据“ 中国科学院大学”介绍，该掺杂策略预期可广泛适用于TMD材料与具有高功函数的层状绝缘体之间的界面，有望推动半导体电路先进三维集成的进一步发展。目前，该项由中国科学家主导的半导体领域新成果以“Van der Waals polarity-engineered 3D integration of 2D complementary logic”为题于2024年5月29日在Nature杂志在线发表。原文链接： https://www.nature.com/articles/s41586-024-07438-5

近日，由中国科学院院士丁仲礼、张涛领衔，多位院士、专家共同撰写的《碳中和：逻辑体系与技术需求》一书由科学出版社正式出版。该书入选了中宣部2022年主题出版重点出版物。力争2060年前实现碳中和，是以习近平同志为核心的党中央经过深思熟虑作出的重大战略决策，是我们对国际社会的庄严承诺，也是当前社会各界普遍关心的热点问题。作为最大的发展中国家，我国实现这个宏伟目标时间紧、压力大、任务重。在此背景下，如何绘制具有较强前瞻性和可操作性的“碳中和”路线图，以利于我国在展现大国担当的同时顺利实现产业体系的绿色低碳化转型，是政策制定背后的重大科学问题。为此，中国科学院于2021年设立了“中国碳中和框架路线图研究”重大咨询项目，组织百余位院士专家，围绕“我国实现碳中和需要研发什么样的技术体系”这一主题，从固碳、能源、政策三个方面开展前瞻性研究，力求描绘出我国碳中和的框架路线图。项目对“为什么要实现碳中和”“怎样实现碳中和”等社会各界普遍关心的问题进行了深入解读，尤其是较为全面地列出了实现碳中和需要研发的技术需求清单，在国内外尚属首例。项目专家们在项目成果的基础上，补充必要的材料，最终形成了这本碳中和研究的权威著作。《碳中和：逻辑体系与技术需求》一书从实现碳中和的基本逻辑入手，追本溯源，系统阐述了碳中和的问题由来及相关概念，然后以技术需求清单的方式，从技术内涵、现状及发展趋势和需解决的关键科技问题等方面，立体化地展现了发电端构建新型电力系统的前沿技术、能源消费端的低碳技术、固碳端的生态系统固碳增汇技术以及碳排放与碳固定核查评估技术。此外，书中还简要介绍了世界主要国家设立的碳中和目标及技术、行政、财税、法规等措施，提出了对我国构建碳中和政策体系的启示。

“8月底，聚光科技公布拟1.95亿元收购水污染治理工程公司重庆三峡环保(集团)有限公司60%股权。”——这已是监测企业在本月披露的第四桩并购。　　今年以来，一连串的收购案，使环境监测企业消息披露不断。事实上，今年监测企业在环保并购市场的活跃度是空前的。如下图所示，今年截至8月底，4家主要监测企业的并购金额和案例数分别为7亿元和11个。这数字意味着，在只过了一大半的2015年，监测并购金额以及并购案例数都分别超过了过去三年的总和。　　并购潮兴起为何以下是2012年以来环境监测领域主要几家公司：聚光科技、先河环保、雪迪龙、天瑞仪器的并购动作梳理。　　从这些案例中，可以看出，有三个主要的并购逻辑为监测行业并购推波助澜：　　第一，掘金水行业。虽然离“水十条”出台已经过去了四个多月，但概念退烧并不意味着政策规划带来的真金白银退烧。水处理行业依然是带动环保行业上行的主要力量，水处理投资标的依然是业内业外企业感兴趣的目标。“水十条”中“地表水、地下水、陆地、海洋污染同时整治的，实施从源头到水龙头全过程严格监管的目标”“加强行政执法与刑事司法衔接，完善监督执法机制 健全水环境监测网络，形成跨部门、区域、流域、海域的污染防治协调机制”等内容毫无疑问利好水质及污染物监测业务。可以看到，在此利好之下，四家企业最新的并购标的全部和水业有关：两家水质监测仪器企业，两家水处理工程企业。　　第二，“环境监测+环境治理”。“进军环境治理业”已是各大环境监测企业在一两年前就开始念叨的战略目标。“公司考虑开展环境治理业务，不排除以并购方式进入相关市场。”“公司力争在外延扩张方面做到产业链纵向或横向的整合，如有合适的有关环境治理的项目，公司会考虑参股或并购。”̷̷直到今年3月聚光科技收购鑫佰利，转型的目标才逐渐开始落地。其后，“环境监测+环境治理”的风头渐劲：4月，天瑞仪器收购工业水处理运营企业苏州问鼎环保。8月，聚光科技再次收购三峡环保。至此，此类并购交易金额也已占今年监测企业并购花费的一半以上。此外，在两家还未有此布局的企业中，雪迪龙也多次表示对环境治理业感兴趣。　　第三，国际并购获取优质标的。随着国内环保企业标的溢价的节节升高(2014年80多个环保并购案平均溢价率超过300%)小而美的技术型并购标的在国内已十分稀缺。大多交易金额仅为数千万元的海外并购已成为有需求企业的理想选择。在监测领域，参股、控股国外监测仪器企业以获得国际技术、产品、品牌、渠道等资源已成为监测企业的优良传统。从往年的数据看，监测领域的国际并购性价比十足：2700万元控股美国CES之后的2014年，先河环保即已收获2428万元海外营收，占公司总收入5.5%。今年，除天瑞仪器之外的三家监测企业都有对国外企业的股权收购，目标分别为英国质谱仪制造公司Kore、气溶胶颗粒分析仪制造企业Sunset，以及意大利水质在线公司SysteaS.P.A。从交易金额上看，这些国外标的依然不贵。　　总结　　“气十条”“水十条”，乃至aroundthecorner的“土十条”等环保规划给予监测行业一波接一波的发展机遇和动力。在此动力的作用之下，几大监测企业都取得了让整个环保领域艳羡的业绩。如何借此机遇进行更加长远的布局是监测企业在盛世之下需要解决的问题。借由并购，各大监测企业给出了各自求同存异的答案。宇墨认为，监测领域的并购热还将沿着上述几个方向继续，随着各自发展战略的深入，几大企业也将在并购整合大潮之下更加分化，企业特色将进一步凸显。

经过数十年发展，半导体工艺制程不断逼近亚纳米物理极限，传统硅基集成电路难以依靠进一步缩小晶体管面内尺寸来延续摩尔定律。发展垂直架构的多层互连CMOS逻辑电路，从而获得三维集成技术的突破，是国际半导体领域积极探寻的新路径之一，多家半导体公司争相发布相关研究计划。由于硅基晶体管制备工艺采用单晶硅表面离子注入的方式，很难实现在一层离子注入的单晶硅上方再次生长或转移单晶硅。虽然可以通过三维空间连接电极、芯粒等方式提高集成度，但是关键的晶体管始终分布在最底层，无法获得z方向的自由度。新材料、或颠覆性原理因此成为备受关注的重要突破点。近日，在山西大学韩拯教授领衔下，中国科学院金属研究所李秀艳研究员、辽宁材料实验室王汉文副研究员、中山大学侯仰龙教授、中国科学院大学周武教授等参与合作，提出了一种全新的基于界面耦合（理论表明量子效应在其中起到关键作用）的p-掺杂二维半导体方法。该方法采用界面效应的颠覆性路线，工艺简单、效果稳定、并且可以有效保持二维半导体本征的优异性能。进一步，利用垂直堆叠的方式，制备了由14层范德华材料组成、包含4个晶体管的互补型逻辑门NAND以及SRAM等器件。这一创新方法打破了硅基逻辑电路的底层“封印”，基于量子效应获得了三维（3D）垂直集成多层互补型晶体管电路，为后摩尔时代未来二维半导体器件的发展提供了思路。该研究成果以“Van der Waals polarity-engineered 3D integration of 2D complementary logic”为题于2024年5月29日在Nature杂志在线发表。图片来源：中科院金属所

2022年12月15日，由CHC医疗咨询、IVD及精准医疗产业与投资联盟（以下简称“IVD联盟”）联合主办的“第九届中国IVD产业投资与并购CEO论坛暨IVD及精准医疗产业与投资联盟年会”在江苏苏州成功举办。会议得到了太仓市人民政府/太仓药谷/太仓生物港的大力支持。来自IVD产业、投资及科研机构的200余位嘉宾齐聚一堂，纵论IVD行业发展趋势，畅谈IVD领域投资逻辑，并就智慧诊断、分子诊断、高端器械、IVD原料等细分领域展开深入探讨。IVD联盟CEO、山蓝资本创始及执行合伙人刘道志博士，IVD联盟理事长、启明创投主管合伙人胡旭波等出席开幕式并致辞。大会主席、IVD联盟CEO、山蓝资本创始及执行合伙人刘道志博士首先代表主办方对各位嘉宾的莅临，对太仓市政府对本次大会的支持，表达了诚挚的感谢。他表示，过去一年由于大环境的整体低迷，资本进一步收缩，一级市场的融资变得极其困难，很多创业者都感受到了“寒意”。他强调，未来的一段时间内，创业者们要“打破过去的认知”，不能老想着去融资，或者融更多钱，而是要更注重现金流的健康，“活下来最重要”。刘道志，大会主席、IVD联盟CEO、山蓝资本创始及执行合伙人随后，从投资人的视角出发，刘道志博士接着作了主题为“体外诊断行业的投资机遇”的大会分享。他通过数据分析，介绍了我国IVD产业的基本概况、市场规模及发展趋势，他认为IVD领域是近5年来医疗健康产业中发展最快的领域之一，不过在市场新常态下，尤其是IVD集采拉开序幕的当下，企业应积极制定应对策略，要主动走出去，加快海外市场布局。同时，他还全面透析了IVD行业资本市场情况，认为“一级市场投资机构开始更加往早中期布局且对于估值更加敏感”，“二级市场赛道百花齐放，开始更关注IVD上游”。随后，刘道志博士着重解析了肿瘤早筛、生命科学仪器、POCT、质谱设备与试剂、IVD与AI技术/数据融合等行业细分领域的投资机会与逻辑。大会主席、IVD联盟理事长、启明创投主管合伙人胡旭波先生在开幕致辞中分享了对于新常态下IVD行业发展的切身感受。胡旭波表示，中国是全球两大单一大市场之一，中国市场的规模能培育和支持发展全球性的大公司；相信未来行业的重大创新会有很多发生在中国。另外，经过疫情的考验，有一批企业脱颖而出，无论是市场反应、内部运营还是出海能力，都有了长足进步。最后，正式进入后疫情时代，创业创新和经济发展将进入新的阶段，这些都是未来企业发展的利好机会。胡旭波相信，不论是投资还是创业，都需要乐观的态度，要能够在人们普遍彷徨或迷茫的时候，冷静观察，深度思考，看到更多的行业创新机会。胡旭波，大会主席、IVD联盟理事长、启明创投主管合伙人在主题为“当下体外诊断行业发展的机遇与挑战”的大会报告中，胡旭波从市场规模、抗疫贡献、行业趋势、未来前景、技术迭代等方面，全面解析了IVD产业和技术发展的现状。胡旭波表示，全球IVD市场正在蓬勃发展，中国的IVD公司增速很快，未来临床和技术创新、自动化等将成为IVD产业的新趋势，而中国企业已准备好与国际巨头同台竞技。而在资本市场方面，胡旭波认为IVD领域二级市场估值触底，业绩增长将推动反弹，而一级市场的融资事件和金额今年双降，大额融资轮次前移，未来将更加聚焦在临床应用和核心技术创新。未来，IVD行业国产替代加速、临床创新和全球化将是机遇所在。IVD联盟名誉理事长、中国医疗器械行业协会体外诊断分会理事长朱耀毅先生，聚焦IVD行业发展趋势，作了主题为“中国体外诊断行业发展趋势探讨”的大会报告。IVD联盟名誉理事长、中国医疗器械行业协会体外诊断分会理事长他通过对国内外IVD市场数据的解读，及宏观层面最新政策的分享，分析了IVD行业的最新发展情况，并从国家宏观政策、地方政府、市场需求、行业及企业、产品技术等层面探讨了IVD行业的未来发展趋势。朱耀毅认为，IVD行业及企业都上了新台阶，但竞争加剧、分化不断出现，未来创新、原创技术和产品空间相当大。IVD联盟名誉理事长、华大基因CEO赵立见先生，聚焦基因技术的应用与发展，作了主题为“基因科技助力医疗健康”的大会报告。赵立见，IVD联盟名誉理事长、华大基因CEO赵立见首先回顾了人类基因组计划，表示基因组学技术带动了产业飞速发展，而依赖于测序仪的快速发展，基因组学技术正在从人类基因组走向人人基因组。同时，他详细介绍了基因检测技术在生育健康、肿瘤防控、感染防控、科技服务四大领域的应用、发展及华大基因的产品布局，强调全基因组检测加速了精准医学的发展。对于基因检测的未来发展，赵立见认为LDT模式的实施利于行业整体发展，未来IVD+LDT模式合法合规有序开展，将加速基因检测在精准医学领域的应用。而从技术发展来看，未来时空组学可全面应用于意识起源、生老病死、万物生长、生命起源等重大问题的科学研究中。致力于通过数字化技术推动IVD行业创新发展，IVD联盟候任理事长、药明奥测董事长兼CEO刘釜均博士带来“精准医疗的未来—WINS算法驱动的整合诊断”主题演讲。刘釜均，IVD联盟候任理事长、药明奥测董事长兼CEO他首先抛出了一个问题：从IBM Watson、Google health开始，人工智能等数字化技术在诊疗领域的应用，虽然有一个激动人心的开始，为什么其发展与临床应用却不如预期？结合Mayo Clinic（妙佑医疗）聚焦数字化病理的探索，刘釜均博士给出了药明奥测的发展思路—融合多组学及临床数据，打造算法驱动的整合诊断系统，构建一个广泛覆盖、全周期管理的“诊-疗-药-险”新生态。随后，他介绍了药明奥测研发的多个国际、国内首创的WINS数字化诊疗平台，并总结了“未来医学的ABC：ALGORITHM（算法）+ BIG DATA（大数据 + CLOUD（云）”的新趋势。着眼于IVD产业的未来发展方向，IVD联盟副理事长，品峰医疗创始人丁伟先生作了“开辟智慧检验的新时代”的大会报告。丁伟，IVD联盟副理事长，品峰医疗创始人丁伟首先表示，中国IVD增速现已超过全球，成为世界第二大市场，发展空间巨大，国产IVD公司的定位应从“进口替代”向“进口升级”进化。他认为，在经过了开放试剂、仪器-试剂封闭体系、生免流水线的世代更迭后，结果更准确、报告时间更快、效率更高（成本更低）的智慧检验将成为IVD产业新世代的制高点。随后，丁伟重点介绍了品峰医疗通过运输机器人、助手机器人、智慧屏、云质控等产品打造出的智慧检验解决方案—无人值守实验室，具备极致自动化、信息管理一体化、临床辅助决策等优势。下午的会议精彩继续，首先由倍朝医疗副总经理高建先生，做了“医疗器械临床试验监查常见问题及预防措施”的主题分享。高建，倍朝医疗副总经理（视频分享）他从工作实践出发，详细阐述、罗列了医疗器械临床试验过程中存在的试验器械、实验室检查、知情同意等多个方面的40余个常见问题，并通过部分实践案例进行了深入讲解。他提醒，很多临床试验问题的出现，可能是前期培训不到位，企业在进行医疗器械临床试验的时候，一定要多关注细节，应做尽做，千万不能大意。太仓市招商局生物医药部何佳璨女士，作了“太仓市生物医药产业推介”。医疗健康产业是太仓重点发展的战略性新兴产业，近年来，太仓通过设立产业引导基金、研发创新奖励、项目投资奖励、企业创新奖励、人才扶持等一系列实实在在的举措，持续增强产业龙头“引力”、挖掘产业发展“潜力”、促进产业聚集“合力”，加快推进医疗健康产业高质量发展。何佳璨，太仓市招商局生物医药部推介分享中，何佳璨从地理区位、交通便利等方面，介绍了太仓的基础优势，从发展历程、产业部署、细分领域等方面，介绍了太仓市生物医药产业发展概况，从人才资源、教育及医疗配套、研发资源、产业生态链等介绍了太仓市生物医药产业生态系统，并着重介绍了太仓对于入驻企业的补贴、优惠政策，欢迎更多企业入驻太仓。未来五年，分子诊断企业增长新思维主持嘉宾：刘浩然：瑞凯集团执行董事兼中国区主管对话嘉宾：吴昊，IVD联盟执行副理事长，沃芬集团业务发展资深总监-中国；张勇，IVD联盟执行理事，源古纪联合创始人兼首席科学家；徐国伟，IVD联盟理事，泛因医学CEO刘浩然：由于疫情常态化，我国分子诊断市场迎来前所未有的发展机遇。同时，公众对于分子诊断的认知，以及资本市场对于分子诊断的关注，都得到极大的增强。吴昊：每一款产品都有成为爆款的潜力。市场上我们常看到，有些产品本身技术含量不高，但是卖得很好；有些产品技术充满想象力，但是叫好不叫座，其中的区别就是有没有真正解决临床需求。张勇：未来分子诊断爆款产品可能会出在这三个方面：第一是快检产品，这是当前临床上比较急迫的需求；第二是精准用药方面，尤其是在当前医保控费和精准医疗不断推进的当下；第三是新冠疫情背景下催生的远程诊断、检测等服务的整体解决方案。徐国伟：现在我们做体外诊断的企业，主要的客户都是医院的医生，我们首先要坐的肯定是要解决他在临床上的实际问题，而且要从成本、准确性和丰富度等方面得到认同。生命科学高端设备的创新发展主持嘉宾：顾胜寒，山蓝资本执行董事对话嘉宾：吴宏翔，IVD联盟副理事长，达科为生物副总经理兼董事会秘书；潘松，IVD联盟理事，契阔资本创始合伙人；陈兢，含光微纳总经理；杜林，迈迪克副总经理顾胜寒：生命科学设备，是生命科学研究临床诊疗，乃至于很多自然科学研究，甚至是工业生产的基础，在一个相对动荡的市场环境中，是比较具有确定性的细分赛道，既有明确下游的需求，同时又能产生稳定的现金流。吴宏翔：最近两年大家一直在说“卡脖子”和进口替代的问题，这也说明我国IVD行业到了转折的时间点。一是因为市场需求的爆发，对于原料和元器件需求随之暴涨，成本也就成为了主要的制约；另外就是，国外的供应链不管从时间还是量，都很难满足我们的市场需求。潘松：生命科学设备投资标的的选择，第一要看“天花板”高度，需要有足够大的市场需求规模；第二要看技术，要符合我们现在国产化替代需求的，或者是独创性的技术；第三看性价比，中国人要干哪个行业，基本上都可以把这个行业做成大宗商品。陈兢：多元化布局方面我们的战略很简单，就是服务好细分行业的龙头客户。不管是国内产品的市场空间，还是未来出海的市场空间，最重要的是基于自己的认知能力和我们的制造和供应的能力，然后选取好自己服务的对象，然后服务好细分行业的龙头企业。杜林：未来的挑战，首先就是人才，在中国的自动化领域，特别是医疗自动化的领域，长期以来是被国外厂商垄断，要想突破就需要更多的顶尖人才；二是国际化，国际市场才是更大的舞台，我们在稳定国内市场后，就必须要打开国际市场。从小众到热门，IVD 原料的大风口主持嘉宾：李文罡，IVD联盟执行理事，云锋基金董事总经理对话嘉宾：吴一飞，IVD联盟执行理事，引加生物创始人兼董事长；林苑，为度生物高级副总裁李文罡：从整个价值链的传递来说，下游试剂公司所面临的市场一定是大于原料公司所面临的市场。做原料要了解客户，我们不能光局限于原料这块，还知道客户的检测方法是什么，我的原料要匹配所有的检测方法。吴一飞：未来的5-10年，诊断原料的机遇非常大。因为在疫情和国际环境影响下，国外原料在货期和供应链稳定性上不足，很多过去用进口产品的公司在寻求进口替代，所以这时候是我们做高端原料非常好的机会。林苑：作为原料公司，很希望和下游有更多的交流，在做产品开发的时候就有交流，理解客户的需求，解决客户的痛点。做新的产品和客户开发的时候，第一时间从立项时间越早介入对我们来说越好。疫情后时代，企业产业化增长思维主持嘉宾：刘缨，IVD联盟副理事长，软银中国基金合伙人对话嘉宾：谭洪，IVD联盟理事，星童医疗创始人兼CEO；黄晓华，IVD联盟理事，浩欧博供应链副总裁；曹坚，IVD联盟理事，拾玉资本创始合伙人刘缨：后疫情时代，做投资的话，自己头部做调整的同时，也需要想我们应该投什么样的企业。高新技术一直是放在第一位的，其次我们深深感受到团队是很重要的，就是对疫情的应变能力，还有整个团队适配和调配能力。谭洪：新冠只是发展过程中打了个嗝，但是打得大了一点，最终还是会回到原来的发展轨迹上。所以未来中国的IVD市场，它会有一个整合的过程。因为很多的企业随着新的市场格局和法规，以及政策的变化，它的日子可能会越来越难过。黄晓华：正是因为新冠疫情，很多诊断知识才在人民群众中开始普及。我们很深刻的感受到我们的客户越来越专业了，包括临床的医生，最终端C端的病人也在熏陶下开始关注灵敏度、特异性这样的一些指标，科普教育还是非常有意义的。曹坚：我从事医疗投资18年，越来越不愿意讲宏观，越来越微观了。确实中国经济体量很大，发展很快，但每个行业的差异度很大。我们每进入一个行业，都要转变投资逻辑，去看到这个行业的机会。技术革新，单分子+单细胞加速精准医疗主持嘉宾：段云，山蓝资本执行董事对话嘉宾：马汉彬，奥素科技创始人兼CEO；张龙，新格元高级副总裁段云：作为一个投资人，我还是会比较关注在创新的东西上，开放式的平台是一个很好的商业模式。单细胞和单分子领域，不止是国内的发展，包括未来在全球的行业发展而言，都有一片非常广阔的蓝海。马汉彬：我们的平台有两个特点：1、对微量样本的分选和精准操控的能力；2、在平台上集成更多复杂的方法学和工作，在我们看来，无论是什么样的生命科学工具，最早的生物显微镜，还有核磁、质谱等，都是为科研服务的。所以我们还是希望从技术研发开始，慢慢向体外诊断和业务开发做逐步地迈进。同时也会更多的往系统集成方面去做尝试。张龙：单细胞测序是近几年非常火的领域，很多公司纷纷从不同赛道涌入，这也逐渐使得企业间的竞争日趋激烈。这是好事，也促使我们将产品从技术到转化，做得更加充分和扎实。对于未来而言，单细胞技术和单分子技术，都有可能变成常规的，在整个诊断领域应用广泛的技术。经过一天的观点分享和互动交流，与会的IVD从业人员纷纷表示，对于IVD产业的未来寄予了更深的肯定和希望，共同助力并且推动IVD产业的蓬勃发展。最后，也对因为各种原因未能出席本次论坛且一直支持与关注中国IVD产业的相关领导、业界同仁们致以衷心的感谢！期待明年再次相聚，共话创新。

改革的目标是把相同或相近的职能整合到同一个机构，为减少机构数量而&ldquo 拉郎配&rdquo 的做法没有道理。　　最近，我们在东部某省市场监管局局长培训班授课，课后一位县局局长把一叠基层监管现状材料给我，然后问道：&ldquo 现在连食药机构都没了，怎么就是加强监管了?&rdquo 　　可以听得出，基层监管者共同的担忧是工商、质监、食药合并的市场局模式对食品药品监管力量的影响，关注的核心是监管能力和专业性被削弱，监管任务则不断增加。结合今年以来我在全国17个省的调查研究，我发现各地争相效仿的市场局模式存在三个逻辑问题。　　基层监管表面上看缺编制，本质上是缺人才。　　现在有一种说法，认为市场局模式可以解决基层食药监管编制和人员不足问题，这犯了偷换概念的逻辑谬误。本轮机构改革的初衷，是要增加基层食药监管的专业人才和提升能力，但三合一补充进来的编制和人员来自其他部门，两者根本不是一回事。补编制原本是加强监管的手段，现在却异化为机构改革的目标，工具理性成为价值理性。　　有人可能会说，三合一之后大不了就是1+1+1=3。这种想法太天真，现实情况是1+1+11。有的市场监管部门人多、队伍庞大，搞巡查和处罚有一套，但这并不意味着其可以胜任工业产品生产锅炉、电梯、食品药品等专业性监管。例如，过去食品流通环节发证率很高，那是因为与食品生产和餐饮相比，流通环节的准入门槛和风险都低，可以用简单粗放的方式来管，所以才&ldquo 看起来很美&rdquo 。如果让这支队伍去监管专业化高风险的食品生产环节和药品生产经营，非但很难管好，恐怕连原来的市场巡查都没有精力做了。食品药品安全的风险在点上，但三合一的着力在面上，若过分强调用现有机构三合一来实现广覆盖，那就成了&ldquo 撒胡椒面&rdquo ，是一种不科学的资源配置方式。　　统一市场监管要统一的是职能，而不是机构。　　现在又有一种说法，认为市场局模式和综合执法就是要大幅减少机构数量，这就犯了倒置因果的逻辑谬误。正常逻辑是职能相同或相近的机构才整合，现在的做法却是为了减少机构数量而把不同职能的机构整合到一起。政府管理市场的目标有三个层次，一是秩序，二是活力，三是安全。市场监管部门的定位是维护市场秩序和公平竞争环境，但食药监管的目标是保障公共安全，两者的层次和定位截然不同。发达国家如美国、日本、英国的经验都是两类监管部门分别设置。在我国，这一理念不仅体现在十八届三中全会决定中，即&ldquo 统一市场监管体系&rdquo 与&ldquo 完善统一权威的食品药品监管机构&rdquo 是放在不同章节中强调 也体现在刚刚发布的十八届四中全会决定中，食品药品安全与质检工商被作为并列的行政执法类别分开提出来。　　改革开放以来，我国进行了七次行政管理体制改革，改革的重要目标是&ldquo 一事进一门&rdquo 。即把相同或相近的职能整合到同一个机构。比如一家企业在设立时既要到工商领营业执照，又要到质监办组织机构代码 企业设立后既要接受工商的检查，又要接受质监的检查。上述都是监管市场秩序的职能，分散在多个部门加重了企业负担也浪费了行政资源，不利于形成统一开放、竞争有序的市场，有必要整合。然而食药监管是区别于普通市场秩序监管的另一项职能，因为程序上遵守市场秩序的企业，其产品不一定是安全的，这是风险社会大工业生产的本质特征，典型例证是合法企业生产出符合国家标准的&ldquo 地沟油&rdquo 。可见，为了减少机构数量而&ldquo 拉郎配&rdquo 的做法没有道理。　　食品药品监管的特殊性既体现在政策制定层面，又表现为监督执法环节。　　现在还有一种说法，认为只要省以上食药监管部门单独设置，仅仅整合地市和县区监管机构不会影响食药监管的专业性、特殊性和重要性，这里就出现一个转移论证的逻辑谬误。食品药品安全的特殊性既体现为物的因素，更体现为人的因素。其表现形式包括恶性利益驱动行为，大工业生产的系统性风险以及新型产品的未知危害，也就是我们通常所说的无法、无良、无知并存，因此需要在各个环节、方方面面着力。食品药品监管在政策制定层面的特殊性自不待言，但这不能同时被用来论证监督执法就可以不特殊。　　以美国为例，其食品安全监管体制的特征是垂直管理与属地负责相结合，分为联邦总部、派出机构和地方监管部门三个层面，全部与一般市场监管部门分开设置。FDA总部的食品安全与营养中心负责产品上市前审批，包括审批食品添加剂和颜色添加剂。派出机构则根据地理区域设置，全美有5个地区办公室(中部、东北部、东南部、西南部和太平洋区)，管理20个辖区办公室和135个监督检查站，负责食品、膳食补充剂等生产企业日常监管。例如纽约辖区办公室在港口、机场和国内生产企业密集区设多个监督检查站。此外，美国FDA隶属健康和人类服务部，这一体制延伸到基层，各州和市的地方健康和人类服务部门负责餐馆和杂货店的审批和日常监管。可以看到，美国并没有因为联邦FDA单独设置而否定地方监管部门的特殊性。　　在上述分析基础上，提出几点建议。一是科学精细地测算基层监管队伍的规模、素质和硬件配备，提出明确标准。不能再由个别部门拍脑袋和分蛋糕。二是利用本轮机构改革契机，系统梳理目前各监管部门职能。到底哪些监管职能属于普通市场秩序，哪些与公共健康安全直接相关，例如饮用水、烟草、食盐和食品包材，争取一次性调整到位，以免将来再折腾。三是合理划分各级食药监管部门事权，做到能力、资源与权责相匹配。药品监管尽可能体现全国统一性，食品安全监管充分调动地方属地积极性，防止个别地方打着简政放权的幌子把监管事权压给基层。　　(作者胡颖廉为国家行政学院副教授，叶岚为清华大学公共管理学院博士候选人)

目前的科创板上市公司中，大都是各自领域的“领跑者”，即将正式登陆科创板的拓荆科技股份有限公司（以下简称“拓荆科技”、“公司”）就是典型代表。　　拓荆科技成立于2010年4月，是辽宁省及沈阳市重点培育的上市后备企业和中国半导体设备五强企业，主要从事高端半导体专用薄膜沉积设备的研发、生产以及技术服务，产品包括等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常压化学气相沉积（SACVD）设备三个产品系列，是目前国内唯一一家产业化应用的集成电路PECVD、SACVD设备厂商。公司产品已广泛应用于中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微电子等国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线，在不同种类芯片制造产线的多道工艺中得到商业化应用。同时已展开10nm及以下制程产品验证测试，在研产品已发往国际领先晶圆厂参与其先进制程工艺研发。　　薄膜沉积设备技术门槛高，研发难度大。拓荆科技立足自主创新，先后承担多项国家重大科技专项课题，在半导体薄膜沉积设备领域积累了多项研发及产业化的核心技术，并达到国际先进水平。其中，公司先进的薄膜工艺设备设计技术、反应模块架构布局技术、半导体制造系统高产能平台技术等核心技术，不仅解决了半导体制造中纳米级厚度薄膜均匀一致性、薄膜表面颗粒数量少、快速成膜、设备产能稳定高速等关键难题，还在保证实现薄膜工艺性能的同时，提升客户产线产能，减少客户产线的生产成本。　　拓荆科技的产品已基本全面实现了我国芯片制造产业在介质薄膜沉积设备领域摆脱对海外厂商的依赖，补强了我国在集成电路产业链关键环节的实力，为我国建立芯片体系贡献力量。　　公司聚焦的半导体薄膜沉积设备与光刻机、刻蚀机共同构成芯片制造三大主设备。拓荆科技经过十多年的技术积累，已形成覆盖二十余种工艺型号的薄膜沉积设备产品，可以适配国内最先进的28/14nm逻辑芯片、19/17nm DRAM芯片和64/128层3D NAND FLASH晶圆制造产线，满足下游集成电路制造客户对于不同材料、不同芯片结构薄膜沉积工序的设备需求。其中，PECVD设备已全面覆盖逻辑电路、DRAM存储、FLASH闪存集成电路制造各技术节点产线多种通用介质材料薄膜沉积工序，并研发了LokⅠ、LokⅡ、ACHM、ADCⅠ等先进介质材料工艺，一举打破了薄膜沉积设备长时间被欧美和日本厂商垄断的局面。凭借长期技术研发和工艺积累，拓荆科技已经成为可与国际巨头直接竞争的半导体高端设备制造厂商。　　作为注册制改革的“试验田”和定位于支持“硬科技”产业的融资板块，科创板成立近三年以来，基础制度不断完善，上市条件的包容度和适应性不断提升和增强，吸引了一大批硬科技企业选择到科创板发行融资，其中不乏大量尚未盈利、存在特殊股权结构的硬科技企业。在科创板这块“试验田”支持硬科技发展的示范引领作用下，拓荆科技选择到科创板发行股票上市获得融资支持，持续加大研发投入。　　拓荆科技在科创板发行上市主要是为开展配适10nm以下制程的PECVD产品研发、开发Thermal ALD和大腔室PE ALD，以及升级SACVD设备，研发12英寸满足28nm以下制程工艺需要的SACVD设备募集社会资金，并借助募集资金开发中国台湾市场。在加强产品技术研发的同时，拓荆科技上市后，还将逐步培育和完善国内相关产业链，通过与国内供应商的深度合作与磨合，推动设备关键部件的开发及验证，提高设备零部件的国产化率以及产品品质。同时，公司还将利用国产设备厂商的综合优势，为客户提供定向的技术开发与服务，以此助力半导体产业链发展，保障产业链的技术先进性。

编者按：作者通过QSense E-QCMD技术研究了半导体水凝胶电化学掺杂过程中的质量变化和稳定性。相比于传统的有机混合离子电子导体，骨架为阳离子的半导体聚合物呈现出独特的质量下降的行为。这是由于还原过程中部分阴离子离去以维持体系电中性，剩余的阴离子保证交连体系的稳定性。体系去掺杂后，质量得以恢复。雷霆研究员出生于1987年,目前为北京大学工学院材料科学与工程系特聘研究员，为国家青年学科项目的带头人，长期致力于发展新型有机高分子电子材料和柔性电子器件。近年在Nat. Energy , Nat. Comm. , PNAS , Sci. Adv. , Acc. Chem. Res. , J. Am. Chem. Soc. , Adv. Mater.等顶级学术期刊发表论文超过60篇，总引用超过7000次。研究成果被国内外多家媒体报道，被多篇综述评论为该领域的重要进展。目前申请中国和国际专利10项，已获授权5项。部分专利成果已实现规模化生产，并与国内外多家公司开展了合作和产业化研究。最新Science：N型半导体水凝胶水凝胶由三维交联的亲水聚合物网络构成，具备保留大量水分的能力。相较于刚性无机材料和干燥聚合物，水凝胶的机械性能可以广泛调整，适用于模仿软骨、皮肤、肌肉及大脑等多种生物组织。其结构多样且易于改性，在生物功能工程中展现出杰出的多功能性，包括刺激响应性和优异的界面特性，应用广泛于传感器、致动器、涂层、声探测器、光学和电子学领域。尽管具有这些优点，但由于缺乏半导体特性，它们在电子学中的应用一直受到限制，传统上只能用作绝缘体或导体。在此，北京大学雷霆研究员团队开发了基于水溶性 n 型半导体聚合物的单网络和多网络水凝胶，赋予传统水凝胶以半导体功能。这些水凝胶显示出良好的电子迁移率和高导通/关断比，可用于制造低功耗、高增益的互补逻辑电路和信号放大器。作者证明，具有良好生物粘附性和生物相容性界面的水凝胶电子器件可以感应和放大电生理信号，并提高信噪比。相关成果以“N-type semiconducting hydrogel”为题发表在《Science》上，第一作者为李佩雲，Wenxi Sun为共同一作。单网络半导体水凝胶的设计与制备作者设计了一种 n 型水溶性半导体聚合物 P(PyV)，它的阳离子骨架含有氯化物反离子，没有任何侧链（图 1B）。作者认为，无侧链聚合物设计可实现较高的电子性能，而离子骨架则为静电交联提供了可能性。通过密度泛函理论计算，发现苯磺酸离子与聚合物骨架的结合能优于氯离子，使热力学交换过程更为有利。作者选用1,3-苯二磺酸钠（DBS）作为体积小且对电子特性影响最小的交联剂。将P(PyV)和DBS混合后，形成不溶于水的亲水网络，显示出通过双离子静电交联形成的水凝胶结构。（图 1C，F）。利用旋涂和正交溶剂处理方法制备P(PyV)水凝胶薄膜，X射线光电子能谱（XPS）和紫外-可见-近红外光谱（UV-vis-NIR）结果证实了阴离子的完全交换和水凝胶的稳定性（图 1D ）。掠入射广角X射线散射（GIWAXS）和扫描电子显微镜（SEM）分析显示，交联后的P(PyV)-H形成了稳定的三维多孔网络结构，适于储水及离子和分子的高效运输（图1E）。通过喷涂和水洗的方法实现了P(PyV)-H的图案化，此技术分辨率约200微米，简化了大尺寸水凝胶基器件的制造。这种半导体水凝胶的开发为构建与传统半导体类似的电路提供了新的可能性，并与生物组织保持良好的界面兼容性。图1.基于P(PyV)的单网络半导体水凝胶P(PyV)-H的半导体特性为探索水凝胶的电化学特性，作者进行了光谱电化学研究。在电化学还原过程中，阴离子离开P(PyV)-H，形成n掺杂水凝胶，其吸收带发生显著变化，得到DFT计算和化学掺杂实验的验证。作者利用有机电化学晶体管（OECTs）评估P(PyV)-H的半导体特性（图 2），发现其电子迁移率和体积电容的乘积μC*值非常高，表明其优异的离子存储和传输能力。通过电化学阻抗谱测量了电容，进一步证实了水凝胶的高电容性能。作者还利用P(PyV)-H制作了互补逆变器和逻辑电路（图2A），展示了其在低电压下的高增益和低功耗性能，验证了其构建集成电路的潜力（图2F-H）。此外，该水凝胶逆变器可用于生物电信号的有效放大，显示出在可穿戴式监测设备中的应用前景。这些结果突显了半导体水凝胶在高性能电子设备中的应用潜力（图2J，K）。图2. P(PyV)-H的半导体特性多网络半导体水凝胶的制备及性能P(PyV)-H可以与其他开发成熟水凝胶混合，形成多网络水凝胶（MNH），这些MNH展示了增强的机械性能和良好的生物粘附性（图 3A,B）。这些MNH包括三种聚合物网络：长链聚合物（如聚丙烯酰胺或聚丙烯酸）、生物聚合物（如聚乙烯醇或明胶）和半导体聚合物（P(PyV)）。例如，MNH-1包含聚丙烯酰胺和聚乙烯醇，具有高拉伸强度和吸湿性；而MNH-2则包含聚丙烯酸和明胶，展现出良好的生物粘附性。MNH的含水量高达60%至70%，拉伸试验表明，MNHs 具有很高的拉伸性，断裂应变大于 100%。添加少量 P(PyV) 后，断裂应力急剧增加，因为 P(PyV) 比传统水凝胶更硬。随着 P(PyV) 的进一步增加，断裂应力基本保持不变，但断裂应变逐渐减小（图 3，C 和 D）。实验还表明，MNH在猪皮肤上显示出优异的界面韧性和剪切强度（图3E）。这些MNH在保持半导体性能的同时，能够与各种生物组织展示出更好的粘附（图3G,H），适合于制造电化学晶体管和逆变器，显示出稳定的电子性能和良好的信号放大功能，即使在受到物理应力的环境中也能保持性能稳定（图 3I,J）。图3.多重网络水凝胶的制备和性能用于生物信号扩增的半导体水凝胶半导体水凝胶的出色半导体性能促使作者探索其生物电子学应用。使用人类角质细胞进行的细胞活力测试表明，与传统聚合物相比，此水凝胶显示出较低的细胞毒性和出色的生物相容性（图4A），这可能得益于其高含水量和水可加工性。因此，这些水凝胶适合体内应用。利用P(PyV)-H的高容积容量，我们能够有效降低金电极的阻抗。作者还使用基于P(PyV)-H和MNH-2的放大器放大眼电图和心电图信号（图4B），与商用凝胶电极相比，基于水凝胶的放大器产生的信号强度高出40倍，显示出优异的信噪比。此外，此放大器在现场记录低电平生物信号如脑电图时（图4C），受到的噪声干扰极小，信噪比高。这些放大器被用于记录体内的皮层电图信号，展示了其在测量低频生物信号方面的巨大潜力，而P(PyV)-H则在测量较高频信号方面表现更佳（图4E-G）。研究表明，半导体水凝胶能够有效放大生物电子学中的各种电生理信号，具备优异的半导体特性、生物相容性、机械性能和生物粘附性，可用于构建逻辑电路和放大器。图 4. 半导体水凝胶放大器的应用原文链接： https://www.science.org/doi/10.1126/science.adj4397更多QSense E-QCMD技术详情请点击链接登录百欧林官网 查看。

p　　日前，国务院关于印发新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策的通知。针对符合条件的企业，国务院发布了包括财税、投融资、研究开发、进出口、知识产权、市场应用、国际合作等若干利好政策。/pp　　通知内容显示：聚焦高端芯片、集成电路装备和工艺技术、集成电路关键材料、集成电路设计工具、基础软件、工业软件、应用软件的关键核心技术研发，不断探索构建社会主义市场经济条件下关键核心技术攻关新型举国体制；在先进存储、先进计算、先进制造、高端封装测试、关键装备材料、新一代半导体技术等领域，结合行业特点推动各类创新平台建设；鼓励软件企业执行软件质量、信息安全、开发管理等国家标准。加强集成电路标准化组织建设，完善标准体系，加强标准验证，提升研发能力。提高集成电路和软件质量，增强行业竞争力。/pp style="text-align: center "strong新时期促进集成电路产业和软件产业/strong/pp style="text-align: center "strong高质量发展的若干政策/strong/pp　　集成电路产业和软件产业是信息产业的核心，是引领新一轮科技革命和产业变革的关键力量。《国务院关于印发鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策的通知》(国发〔2000〕18号)、《国务院关于印发进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策的通知》(国发〔2011〕4号)印发以来，我国集成电路产业和软件产业快速发展，有力支撑了国家信息化建设，促进了国民经济和社会持续健康发展。为进一步优化集成电路产业和软件产业发展环境，深化产业国际合作，提升产业创新能力和发展质量，制定以下政策。/pp　　一、财税政策/pp　　(一)国家鼓励的集成电路线宽小于28纳米(含)，且经营期在15年以上的集成电路生产企业或项目，第一年至第十年免征企业所得税。国家鼓励的集成电路线宽小于65纳米(含)，且经营期在15年以上的集成电路生产企业或项目，第一年至第五年免征企业所得税，第六年至第十年按照25%的法定税率减半征收企业所得税。国家鼓励的集成电路线宽小于130纳米(含)，且经营期在10年以上的集成电路生产企业或项目，第一年至第二年免征企业所得税，第三年至第五年按照25%的法定税率减半征收企业所得税。国家鼓励的线宽小于130纳米(含)的集成电路生产企业纳税年度发生的亏损，准予向以后年度结转，总结转年限最长不得超过10年。/pp　　对于按照集成电路生产企业享受税收优惠政策的，优惠期自获利年度起计算 对于按照集成电路生产项目享受税收优惠政策的，优惠期自项目取得第一笔生产经营收入所属纳税年度起计算。国家鼓励的集成电路生产企业或项目清单由国家发展改革委、工业和信息化部会同相关部门制定。/pp　　(二)国家鼓励的集成电路设计、装备、材料、封装、测试企业和软件企业，自获利年度起，第一年至第二年免征企业所得税，第三年至第五年按照25%的法定税率减半征收企业所得税。国家鼓励的集成电路设计、装备、材料、封装、测试企业条件由工业和信息化部会同相关部门制定。/pp　　(三)国家鼓励的重点集成电路设计企业和软件企业，自获利年度起，第一年至第五年免征企业所得税，接续年度减按10%的税率征收企业所得税。国家鼓励的重点集成电路设计企业和软件企业清单由国家发展改革委、工业和信息化部会同相关部门制定。/pp　　(四)国家对集成电路企业或项目、软件企业实施的所得税优惠政策条件和范围，根据产业技术进步情况进行动态调整。集成电路设计企业、软件企业在本政策实施以前年度的企业所得税，按照国发〔2011〕4号文件明确的企业所得税“两免三减半”优惠政策执行。/pp　　(五)继续实施集成电路企业和软件企业增值税优惠政策。/pp　　(六)在一定时期内，集成电路线宽小于65纳米(含)的逻辑电路、存储器生产企业，以及线宽小于0.25微米(含)的特色工艺集成电路生产企业(含掩模版、8英寸及以上硅片生产企业)进口自用生产性原材料、消耗品，净化室专用建筑材料、配套系统和集成电路生产设备零配件，免征进口关税 集成电路线宽小于0.5微米(含)的化合物集成电路生产企业和先进封装测试企业进口自用生产性原材料、消耗品，免征进口关税。具体政策由财政部会同海关总署等有关部门制定。企业清单、免税商品清单分别由国家发展改革委、工业和信息化部会同相关部门制定。/pp　　(七)在一定时期内，国家鼓励的重点集成电路设计企业和软件企业，以及第(六)条中的集成电路生产企业和先进封装测试企业进口自用设备，及按照合同随设备进口的技术(含软件)及配套件、备件，除相关不予免税的进口商品目录所列商品外，免征进口关税。具体政策由财政部会同海关总署等有关部门制定。/pp　　(八)在一定时期内，对集成电路重大项目进口新设备，准予分期缴纳进口环节增值税。具体政策由财政部会同海关总署等有关部门制定。/pp　　二、投融资政策/pp　　(九)加强对集成电路重大项目建设的服务和指导，有序引导和规范集成电路产业发展秩序，做好规划布局，强化风险提示，避免低水平重复建设。/pp　　(十)鼓励和支持集成电路企业、软件企业加强资源整合，对企业按照市场化原则进行的重组并购，国务院有关部门和地方政府要积极支持引导，不得设置法律法规政策以外的各种形式的限制条件。/pp　　(十一)充分利用国家和地方现有的政府投资基金支持集成电路产业和软件产业发展，鼓励社会资本按照市场化原则，多渠道筹资，设立投资基金，提高基金市场化水平。/pp　　(十二)鼓励地方政府建立贷款风险补偿机制，支持集成电路企业、软件企业通过知识产权质押融资、股权质押融资、应收账款质押融资、供应链金融、科技及知识产权保险等手段获得商业贷款。充分发挥融资担保机构作用，积极为集成电路和软件领域小微企业提供各种形式的融资担保服务。/pp　　(十三)鼓励商业性金融机构进一步改善金融服务，加大对集成电路产业和软件产业的中长期贷款支持力度，积极创新适合集成电路产业和软件产业发展的信贷产品，在风险可控、商业可持续的前提下，加大对重大项目的金融支持力度 引导保险资金开展股权投资 支持银行理财公司、保险、信托等非银行金融机构发起设立专门性资管产品。/pp　　(十四)大力支持符合条件的集成电路企业和软件企业在境内外上市融资，加快境内上市审核流程，符合企业会计准则相关条件的研发支出可作资本化处理。鼓励支持符合条件的企业在科创板、创业板上市融资，通畅相关企业原始股东的退出渠道。通过不同层次的资本市场为不同发展阶段的集成电路企业和软件企业提供股权融资、股权转让等服务，拓展直接融资渠道，提高直接融资比重。/pp　　(十五)鼓励符合条件的集成电路企业和软件企业发行企业债券、公司债券、短期融资券和中期票据等，拓宽企业融资渠道，支持企业通过中长期债券等方式从债券市场筹集资金。/pp　　三、研究开发政策/pp　　(十六)聚焦高端芯片、集成电路装备和工艺技术、集成电路关键材料、集成电路设计工具、基础软件、工业软件、应用软件的关键核心技术研发，不断探索构建社会主义市场经济条件下关键核心技术攻关新型举国体制。科技部、国家发展改革委、工业和信息化部等部门做好有关工作的组织实施，积极利用国家重点研发计划、国家科技重大专项等给予支持。/pp　　(十七)在先进存储、先进计算、先进制造、高端封装测试、关键装备材料、新一代半导体技术等领域，结合行业特点推动各类创新平台建设。科技部、国家发展改革委、工业和信息化部等部门优先支持相关创新平台实施研发项目。/pp　　(十八)鼓励软件企业执行软件质量、信息安全、开发管理等国家标准。加强集成电路标准化组织建设，完善标准体系，加强标准验证，提升研发能力。提高集成电路和软件质量，增强行业竞争力。/pp　　四、进出口政策/pp　　(十九)在一定时期内，国家鼓励的重点集成电路设计企业和软件企业需要临时进口的自用设备(包括开发测试设备)、软硬件环境、样机及部件、元器件，符合规定的可办理暂时进境货物海关手续，其进口税收按照现行法规执行。/pp　　(二十)对软件企业与国外资信等级较高的企业签订的软件出口合同，金融机构可按照独立审贷和风险可控的原则提供融资和保险支持。/pp　　(二十一)推动集成电路、软件和信息技术服务出口，大力发展国际服务外包业务，支持企业建立境外营销网络。商务部会同相关部门与重点国家和地区建立长效合作机制，采取综合措施为企业拓展新兴市场创造条件。/pp　　五、人才政策/pp　　(二十二)进一步加强高校集成电路和软件专业建设，加快推进集成电路一级学科设置工作，紧密结合产业发展需求及时调整课程设置、教学计划和教学方式，努力培养复合型、实用型的高水平人才。加强集成电路和软件专业师资队伍、教学实验室和实习实训基地建设。教育部会同相关部门加强督促和指导。/pp　　(二十三)鼓励有条件的高校采取与集成电路企业合作的方式，加快推进示范性微电子学院建设。优先建设培育集成电路领域产教融合型企业。纳入产教融合型企业建设培育范围内的试点企业，兴办职业教育的投资符合规定的，可按投资额30%的比例，抵免该企业当年应缴纳的教育费附加和地方教育附加。鼓励社会相关产业投资基金加大投入，支持高校联合企业开展集成电路人才培养专项资源库建设。支持示范性微电子学院和特色化示范性软件学院与国际知名大学、跨国公司合作，引进国外师资和优质资源，联合培养集成电路和软件人才。/pp　　(二十四)鼓励地方按照国家有关规定表彰和奖励在集成电路和软件领域作出杰出贡献的高端人才，以及高水平工程师和研发设计人员，完善股权激励机制。通过相关人才项目，加大力度引进顶尖专家和优秀人才及团队。在产业集聚区或相关产业集群中优先探索引进集成电路和软件人才的相关政策。制定并落实集成电路和软件人才引进和培训年度计划，推动国家集成电路和软件人才国际培训基地建设，重点加强急需紧缺专业人才中长期培训。/pp　　(二十五)加强行业自律，引导集成电路和软件人才合理有序流动，避免恶性竞争。/pp　　六、知识产权政策/pp　　(二十六)鼓励企业进行集成电路布图设计专有权、软件著作权登记。支持集成电路企业和软件企业依法申请知识产权，对符合有关规定的，可给予相关支持。大力发展集成电路和软件相关知识产权服务。/pp　　(二十七)严格落实集成电路和软件知识产权保护制度，加大知识产权侵权违法行为惩治力度。加强对集成电路布图设计专有权、网络环境下软件著作权的保护，积极开发和应用正版软件网络版权保护技术，有效保护集成电路和软件知识产权。/pp　　(二十八)探索建立软件正版化工作长效机制。凡在中国境内销售的计算机(含大型计算机、服务器、微型计算机和笔记本电脑)所预装软件须为正版软件，禁止预装非正版软件的计算机上市销售。全面落实政府机关使用正版软件的政策措施，对通用软件实行政府集中采购，加强对软件资产的管理。推动重要行业和重点领域使用正版软件工作制度化规范化。加强使用正版软件工作宣传培训和督促检查，营造使用正版软件良好环境。/pp　　七、市场应用政策/pp　　(二十九)通过政策引导，以市场应用为牵引，加大对集成电路和软件创新产品的推广力度，带动技术和产业不断升级。/pp　　(三十)推进集成电路产业和软件产业集聚发展，支持信息技术服务产业集群、集成电路产业集群建设，支持软件产业园区特色化、高端化发展。/pp　　(三十一)支持集成电路和软件领域的骨干企业、科研院所、高校等创新主体建设以专业化众创空间为代表的各类专业化创新服务机构，优化配置技术、装备、资本、市场等创新资源，按照市场机制提供聚焦集成电路和软件领域的专业化服务，实现大中小企业融通发展。加大对服务于集成电路和软件产业的专业化众创空间、科技企业孵化器、大学科技园等专业化服务平台的支持力度，提升其专业化服务能力。/pp　　(三十二)积极引导信息技术研发应用业务发展服务外包。鼓励政府部门通过购买服务的方式，将电子政务建设、数据中心建设和数据处理工作中属于政府职责范围，且适合通过市场化方式提供的服务事项，交由符合条件的软件和信息技术服务机构承担。抓紧制定完善相应的安全审查和保密管理规定。鼓励大中型企业依托信息技术研发应用业务机构，成立专业化软件和信息技术服务企业。/pp　　(三十三)完善网络环境下消费者隐私及商业秘密保护制度，促进软件和信息技术服务网络化发展。在各级政府机关和事业单位推广符合安全要求的软件产品和服务。/pp　　(三十四)进一步规范集成电路产业和软件产业市场秩序，加强反垄断执法，依法打击各种垄断行为，做好经营者反垄断审查，维护集成电路产业和软件产业市场公平竞争。加强反不正当竞争执法，依法打击各类不正当竞争行为。/pp　　(三十五)充分发挥行业协会和标准化机构的作用，加快制定集成电路和软件相关标准，推广集成电路质量评价和软件开发成本度量规范。/pp　　八、国际合作政策/pp　　(三十六)深化集成电路产业和软件产业全球合作，积极为国际企业在华投资发展营造良好环境。鼓励国内高校和科研院所加强与海外高水平大学和研究机构的合作，鼓励国际企业在华建设研发中心。加强国内行业协会与国际行业组织的沟通交流，支持国内企业在境内外与国际企业开展合作，深度参与国际市场分工协作和国际标准制定。/pp　　(三十七)推动集成电路产业和软件产业“走出去”。便利国内企业在境外共建研发中心，更好利用国际创新资源提升产业发展水平。国家发展改革委、商务部等有关部门提高服务水平，为企业开展投资等合作营造良好环境。/pp　　九、附则/pp　　(三十八)凡在中国境内设立的符合条件的集成电路企业(含设计、生产、封装、测试、装备、材料企业)和软件企业，不分所有制性质，均可享受本政策。/pp　　(三十九)本政策由国家发展改革委会同财政部、税务总局、工业和信息化部、商务部、海关总署等部门负责解释。/pp　　(四十)本政策自印发之日起实施。继续实施国发〔2000〕18号、国发〔2011〕4号文件明确的政策，相关政策与本政策不一致的，以本政策为准。/ppbr//p

文 | 丁仲礼在中国宣布“双碳”目标后，中国科学院设立了一个大型咨询项目，组织百余位来自多个学部的院士和专家，着重就此问题做了“清单式”的研究。本文将以这个研究为依据，从碳中和的概念和逻辑入手，重点介绍完成碳中和的“技术需求清单”，并在此基础上讨论几个公众比较关心的问题。碳中和的概念碳中和应从碳排放（碳源）和碳固定（碳汇）这两个侧面来理解。碳排放既可以由人为过程产生，又可以由自然过程产生。人为过程主要来自两大块，一是化石燃料的燃烧形成二氧化碳（CO2）向大气圈释放，二是土地利用变化（最典型者是森林砍伐后土壤中的碳被氧化成二氧化碳释放到大气中）；自然界也有多种过程可向大气中释放二氧化碳，比如火山喷发、煤炭的地下自燃等。但应该指出：近一个多世纪以来，自然界的碳排放比之于人为碳排放，对大气二氧化碳浓度变化的影响几乎可以忽略不计。碳固定也有自然固定和人为固定两大类，并且以自然固定为主。最主要的自然固碳过程来自陆地生态系统。陆地生态系统的诸多类型中，又以森林生态系统占大头。所谓的人为固定二氧化碳，一种方式是把二氧化碳收集起来后，通过生物或化学过程，把它转化成其他化学品，另一种方式则是把二氧化碳封存到地下深处和海洋深处。过去几十年中，人为排放的二氧化碳，大致有54%被自然过程所吸收固定，剩下的46%则留存于大气中。在自然吸收的54%中，23%由海洋完成，31%由陆地生态系统完成。比如最近几年，全球每年的碳排放量大约为400亿吨二氧化碳，其中的86%来自化石燃料燃烧，14%由土地利用变化造成。这400亿吨二氧化碳中的184亿吨（46%）加入到大气中，导致大约2ppmv的大气二氧化碳浓度增加。所谓碳中和，就是要使大气二氧化碳浓度不再增加。我们可以这样设想：我们的经济社会运作体系，即使到有能力实现碳中和的阶段，一定会存在一部分“不得不排放的二氧化碳”，对它们一方面还会有54%左右的自然固碳过程，余下的那部分，就得通过生态系统固碳、人为地将二氧化碳转化成化工产品或封存到地下等方式来消除。只有当排放的量相等于固定的量之后，才算实现了碳中和。由此可见，碳中和同碳的零排放是两个不同的概念，它是以大气二氧化碳浓度不再增加为标志。二氧化碳排放来源及实现碳中和的基本逻辑 我国当前二氧化碳年排放量大数在100亿吨左右，约为全球总排放量的四分之一。这样较大数量的排放主要由我国的能源消费总量和能源消费结构所决定。我国目前的能源消费总量约为50亿吨标准煤，其中煤炭、石油和天然气三者合起来占比接近85%，其他非碳能源的占比只有15%多一点。在煤、油、气三类化石能源中，碳排放因子最高的煤炭占比接近70%。我国能源消费结构中，煤炭占比如此之高，在世界主要国家中是绝无仅有的。约100亿吨二氧化碳的年总排放中，发电和供热约占45亿吨，建筑物建成后的运行（主要是用煤和用气）约占5亿吨，交通排放约占10亿吨，工业排放约占39亿吨。工业排放的四大领域是建材、钢铁、化工和有色，而建材排放的大头是水泥生产（水泥以石灰石（CaCO3）为原料，煅烧成氧化钙（CaO）后，势必形成二氧化碳排放）。电力/热力生产过程产生的二氧化碳排放，其“账”应该记到电力消费领域头上。根据进一步研究，发现这45亿吨二氧化碳中，约29亿吨最终也应记入工业领域排放，约12.6亿吨应记入建筑物建成后的运行排放。所以我们说，我国工业排放约占总排放量的68%，如此之高的占比在所有主要国家中，也是绝无仅有的，这是我国作为“世界工厂”、处在城镇化快速发展阶段、经济社会出现压缩式发展等因素所决定的。根据我国二氧化碳的排放现状，我们就非常容易作出这样的推断：中国的碳中和需要构建一个“三端共同发力体系”：第一端是电力端，即电力/热力供应端的以煤为主应该改造发展为以风、光、水、核、地热等可再生能源和非碳能源为主。第二端是能源消费端，即建材、钢铁、化工、有色等原材料生产过程中的用能以绿电、绿氢等替代煤、油、气，水泥生产过程把石灰石作为原料的使用量降到最低，交通用能、建筑用能以绿电、绿氢、地热等替代煤、油、气。能源消费端要实现这样的替代，一个重要的前提是全国绿电供应能力几乎处在“有求必应”的状态。第三端是固碳端，可以想见，不管前面两端如何发展，在技术上要达到零碳排放是不太可能的，比如煤、油、气化工生产过程中的“减碳”所产生的二氧化碳，又比如水泥生产过程中总会产生的那部分二氧化碳，还有电力生产本身，真正要做到“零碳电力”也只能寄希望于遥远的将来。因此，我们还得把“不得不排放的二氧化碳”用各种人为措施将其固定下来，其中最为重要的措施是生态建设，此外还有碳捕集之后的工业化利用，以及封存到地层和深海中。电力供应端的技术需求传统上，电力供应系统包括了发电、储能和输电三大部分，从现在业界经常谈到的“新型电力供应系统”的角度，还应把用户也统筹考虑在内。从实现碳中和的角度，我国未来的电力供应系统应该具备以下六方面特点：一是电力装机容量要成倍扩大。我国 目前的发电装机容量在24亿千瓦左右，如果考虑以下因素： （1）未来要实现能源消费端对化石能源的绿电替代和绿氢替代； （2）从世界大部分先发国家走过的历程看，人均GDP从一万美元到三四万美元之间，人均能源消费量还会有比较明显的增长； （3）风、光等波动性能源的“出工能力”只有传统火 电的三分之一左右，那么我国2060年前的装机容量至少需要60亿到80亿千瓦。二是风、光资源将逐步成为主力发电和供能资源。其 中西部风、光资源和沿海大陆架风力资源是主体，各地分散式 （尤其是农村） 光热资源是补充。三是“稳定电源”将从目前的火电为主逐步转化为以核电、水电以及综合互补的非碳能源为主。四是必须利用能量的存储、转化、调节等技术，弥补风、光资源波动性大的天然缺陷。五是火电还得有，但主要作为应急电源和一部分调节电源之用。与此同时，火电应完成清洁、低碳化改造，有条件的情况下，用天然气代替煤炭，以降低二氧化碳排放强度。六是在现有基础上，成倍扩大输电基础设施，把西部充沛的电力输送到中东部消纳区。与此同时，加强配电基础设施建设，增强对分布式能源的消纳能力。在这样的电力供应系统中，碳中和本身的目标要求未来电力的70%左右来自风、光发电，其他30%的稳定电源、调节电源和应急电源也要尽可能地减少火电的装机总量。正因为如此，未来需要促进发电技术、储能技术和输电技术这三方面的“革命性”进步。发电技术要为绿色低碳电力生产提供支撑。这里面需重点促进可再生能源发电技术的进步，特别是要注重发展以下技术：（1）光伏发电技术虽已发展到可平价上网的程度，但这类技术在降成本、增效率上还有潜力可挖；（2）太阳能热发电技术对电网友好，既可保证稳定输出，也可用于调峰，但目前发电成本过高，未来应在材料、装置上寻求突破；（3）风力发电技术也基本具备平价上网的条件，未来要在大功率风机制造、更高空间风力的利用、更远的海上风电站建设上下功夫；（4）地热分布广、总量大，但能量密度太低，如要将地热用于发电，还得重点突破从干热岩中提取热能的技术；（5）生物质能也是可再生能源，目前生物质能发电技术是成熟的，但其在总的电力供应上的占比较为有限；（6）海洋能和潮汐能的总量不小，但其利用技术有待进步；（7）传统的水电我国开发程度已经较高，未来在雅鲁藏布江、金沙江上游开发上还有较大潜力。除以上可再生能源发电以外，社会公众还得接受这样的现实：要达到碳中和，核电还得较大程度地发展，因为核电应作为“稳定电源”的重要组成部分。此外，火电还得在“稳定电源”“应急电源”“调节电源”方面发挥作用，正因为如此，“无碳电力”在很长时期内是难以实现的，除非我们把火电站排放出的二氧化碳收集起来再予以封存或利用。储能技术在未来的电力供应系统中将占有突出的位置，这是因为风、光发电具有天然波动性，用户端也有波动性，这就需要用储能技术作出调节。可以这样说，如果没有环保、可靠并相对廉价的储能技术，碳中和目标就会落空。储能是最重要的电力灵活性调节方式，包括物理储能、化学储能和电磁储能三大类，而灵活性调节还有火电机组的灵活性改造、车网互动、电转燃料、电转热等方式和技术。物理储能主要有四类：一是抽水蓄能电站，它是最成熟的技术，我国以东部山地为依托，已建、在建和规划中的抽水蓄能电站总量很大，但可再生能源丰富的西部如何建抽水蓄能电站还得探索。二是压缩空气储能，主要是利用地下盐穴、矿井等空间，该类技术在我国还处在起步阶段。三是重力储能，简单地说是利用悬崖、斜坡等地形，电力有余时把重物提起来，需要电力时把重物放下用势能做功，这类技术我国尚处在试验阶段。四是飞轮储能，这是成熟的技术，但其能量密度不高。化学储能就是利用各类电池，大家熟知的有锂电池、钠电池、铅酸（碳）电池、液流电池、液态金属电池、金属空气电池、燃料电池（氢、甲烷）等。不同的电池有不同的应用场景，它们在未来的电力供应系统中具有不可或缺的地位，但今后会遇到电池回收、环保处理、资源供应等问题。电磁储能主要是超级电容器和超导材料储能，目前看，它的作用还有待观察。现有火电机组的灵活性改造是指使其“出工能力”具备灵活性，用电高峰时机组可以发挥100%发电能力，用电低谷时只“出工”20%或30%。这个技术一旦成熟，应该非常管用，尤其在实现“双碳”目标的早中期阶段，应将其作为主打技术。车网互动是指电动汽车与电网的互动。简单地说，今后大量的电动汽车整合起来就是一个非常庞大的储能系统，如果在电网电力有余时，它们中的一部分集中充电，而电力不足时，它们中的一部分向电网输电，这样就起到了平滑峰谷的作用。这个想法很美好，也有点“浪漫”，但如何将理论上的可能性转化为实践中的可行性，估计还得创新商业模式。电转燃料就是把多余电力转化为氢气、甲烷等燃料，电力不足时再把燃料用于发电。电转热储能则是用水、油、陶瓷、熔盐等储热材料把多余的电转化为热储存，需要时再为用户放热。新型电力供应系统的第三个主要组成部分是输电网络。从实现碳中和的逻辑分析，我国未来的电网将有以下几个突出特点：（1）远距离的输电规模将在现有的基础上增加数倍，意味着要把西部的清洁电力输送到东部消纳区，输电基础设施建设的需求巨大；（2）为了统筹、引导大空间尺度上的发电资源和用户需求，大电网应是基本形态；（3）贴近终端用户（如工业园区、小城镇等）的分布式微电网建设将受到重视，并将成为大电网的有效补充；（4）为解决波动性强的可再生能源占比高、电力电子装置比例高的特点，需要在电网的智能化控制技术上实现质的飞跃。从上面的介绍可知，建立一个新型电力系统，其实是逐步“挤出”火电的过程，或者严格地说，是一个把火电装机量占比减到最小的过程，留下的火电也得作“清洁化”改造。我国具有充足的风能、太阳能，从理论上讲，资源绝对足够。但能不能把这些分布广、能量密度低的风、光资源利用起来，并保证电价相对便宜，研发出先进的技术，尤其是储能技术是关键中的关键！能源消费端的技术需求能源消费端的减碳有两个关键词，一是替代，二是重建。所谓替代就是用绿电、绿氢、地热等非碳能源替代传统的煤、油、气，而重建则强调在替代过程中，一系列工艺过程需要重新建立。对此，我们可分九个领域，对能源消费端的低碳化所需研发的技术或替代方式分别作出简单介绍：1、建筑部门应在三个方面发力。首先是对建筑本身作出节能化改造；其次是针对城市的建筑用能，包括取暖/制冷和家庭炊事等，均应以绿电和地热为主；农村的家庭用能，则可采用屋顶光伏+浅层地热+生活沼气+太阳能集热器+外来绿电的综合互补方式。2、交通部门可着眼于五个方面。未来私家车以纯电动车为主；重卡、长途客运可以氢燃料电池为主；铁路运输以电气化改造为主，特殊地形和路段可采用氢燃料电池，同时发展磁悬浮高速列车；船舶运输行业中的内河航运可用蓄电池，远航宜用氢燃料电池或以二氧化碳排放相对较少的液化天然气作为动力；航空则可用生物航空煤油达到低碳目标。3、钢铁行业碳排放主要来自炼焦和焦炭炼铁，它可分两阶段实现低碳化。第一阶段是对炼焦炉、高炉等的余热、余能作充分利用，同时用钢化联产的方式把炼钢高炉中的副产品充分利用起来。第二阶段是逐步用新的低碳化工艺取代传统工艺，研发和完善富氧高炉炼钢工艺，炼钢过程中以绿氢作还原剂取代焦炭，对废钢重炼用短流程清洁炼钢技术等。4、我国建材行业的排放主要来自水泥、陶瓷、玻璃的生产，其中80%来自水泥。建材行业低碳化应从三方面研发技术，一是用电石渣、粉煤灰、钢渣、硅钙渣、各类矿渣代替石灰石作为煅烧水泥的原料，从原料利用上减少碳排放的可能性；二是煅烧水泥时，尽可能用绿电、绿氢、生物质替代煤炭；三是用绿电作能源生产陶瓷和玻璃。5、化工排放来自两大方面，一是生产过程用煤、天然气作能源，二是用煤、油、气作原材料生产化工产品时的“减碳”，比如用煤生产乙烯，需要加氢减碳，其中加的氢如果不是绿氢，就会有碳排放，减的碳一般会作为二氧化碳排放到大气中。因此，化工行业的低碳化应从四个方面入手，一是蒸馏、焙烧等工艺过程用绿电、绿氢；二是对余热、余能作充分的利用；三是适当控制煤化工规模，条件许可时尽量用天然气作原料；四是对二氧化碳作捕集—利用处理。6、有色工业中的碳排放主要来自选矿、冶炼两个过程，在整个冶金行业排放中，铝工业排放占比在80%以上，因为电解铝工艺用碳素作阳极，碳素在电解过程中会被氧化成二氧化碳排放。因此，冶金工业的低碳化一是在选矿、冶炼过程中尽可能用绿电；二是研发绿色材料取代电解槽中的碳素阳极；三是对电解槽本身作出节能化改造；四是对铝废金属作回收再生利用。7、在其他工业领域中，食品加工业、造纸业、纤维制造业、纺织行业、医药行业等也有一定量的碳排放，其排放来源主要有两个方面：一是生产加工过程中用的煤、油、气，二是其废弃物产生的排放。这些行业的低碳化改造主要在于用绿电替代化石能源，同时做好废弃物的回收再利用。8、服务业是一个庞大的领域，但服务业以“间接排放”为主，即服务业用电一般被统计到电力系统碳排放中，运输过程中的用油一般被统计到交通排放中，建筑物中的用能（包括餐饮业的用气）则被统计到建筑排放中，似乎“直接排放”的量并不大。但这样说，并不是说服务业可以置身于低碳化之事外，恰恰相反，服务业亦有可以“主动作为”的地方，这一方面是大力做好节能工作，另一方面是尽可能用电能替代化石能源的使用。9、农业的碳排放主要来自农业机械的使用，与此同时，农业中的畜牧养殖业以及种植业是甲烷（CH4）、氧化亚氮（N2O）的主要排放源，而这二者的温室效应能力是同当量二氧化碳的数十倍至数百倍。从这样的前提出发，农业的低碳化一是农业机械用绿电、绿氢替代柴油作动力；二是从田间管理的角度，挖掘能减少甲烷和氧化亚氮排放但不影响作物产量的技术；三是研发出减少畜牧业碳排放的技术；四是尽可能增加农业土壤的碳含量。根据这九方面的介绍，我们可以看出：在能源消费端用绿电、绿氢等替代煤、油、气，从理论上讲是不难做到的，但工艺和设备的再造重建绝不是一件简单的事。同时我们也可以想象，这样的替代和重建一定会增加最终消费品的成本。所以说，替代和重建需要时间。固碳端的技术需求提起固碳，我们首先想到的是自然过程，即通过海洋和陆地表面把大气中的二氧化碳吸收固定。但这里必须指出，人类活动每年都向大气中排放二氧化碳，这其中的一部分可以被自然过程所吸收，余下部分如不通过人为手段予以固定，则大气中的二氧化碳浓度还会逐年增高。我们讲固碳，主要是指通过人为努力固定下的那部分，而地球自然固碳过程则属于“天帮忙”，很难归功于具体的国家或实体。“人努力”进行固碳一般可分两大途径，一是生态系统的保育与修复，二是把二氧化碳捕集起来后，或加工成工业产品，或封埋于地下或海底，这第二方面就是经常谈到的“碳捕获、利用与封存”——CCUS（Carbon Capture and Utilization-Storage）。公众对生态系统固碳都比较熟悉，它是利用植物光合作用吸收大气中的二氧化碳，所吸收的碳有一部分长久保存在植物本身之中（比如树干），也会有一部分凋落后（比如树叶）腐烂进入土壤中以有机碳的形式得到较为长期的保存，当然有机碳也会部分转化成无机碳并同地表系统中的钙离子结合形成石灰石沉积。地表生态系统尽管类型多样，但真正起主要作用的还是森林生态系统，这是因为森林中的各种树木都有很长的生长期，在树木适龄期内，固碳作用可持续进行；当树木进入成熟期，固碳能力就会减弱，但人们可以通过砍伐—再造林的方式继续保持正向固碳作用，而砍伐的木材可以做成家具等产品，不至于把多年来固定的碳快速返还给大气。因此，生态系统固碳的重点在于森林生态系统，森林生态系统的管理一在于保育，二在于扩大面积。我国有大量适宜森林生长的山地，这些地区过去生态受到过较大程度的破坏，最近几十年来，一直处在恢复之中，而这些人工次生林或乔/灌混杂林都很“年轻”，有进一步发育、固碳的潜力。同时，我国又有不少非农用地可作造林之用，包括近海的滩涂种植红树林，城市乡村的绿化用地种植树木。所以说，生态系统建设在我国实现碳中和过程中将起到至关重要的作用。人为固碳的另一条途径是CCUS，它包括碳捕集技术、捕集后的工业化利用技术（分为生物利用和化工利用两大类）、地质利用和封存技术。对这些技术，国内外尚处在研发阶段，真正大面积的应用尚未见到。碳捕集技术分三大类：一是化学吸收法 ，它用化学吸收剂同烟道气中的二氧化碳生成盐类，再加热或减压将二氧化碳释放并收集。二是吸附法 ，又细分为化学吸附法和物理吸附法。化学吸附法是用吸附材料同二氧化碳分子先作化学键合，再改变条件把二氧化碳分子解吸附并收集；物理吸附法是利用活性炭、天然沸石、分子筛、硅胶等对烟道气中的二氧化碳作选择性吸附后再解吸附回收。三是膜分离法 ，即利用膜对气体分子透过率的不同，达到分离、收集二氧化碳之目的。在具体操作上，碳捕集还可分为燃烧前捕集、燃烧后捕集、化学链燃烧捕集、生物质能碳捕集、从空气中直接捕集等技术。碳捕集后的工业化生物利用技术目前主要有四大类：一是利用二氧化碳在反应器中生产微藻，这些微藻再用作生产燃料、肥料、饲料、化学品的原料。二是将捕集到的二氧化碳注入温室中，用以增加温室中作物的光合作用，这个过程又可称为二氧化碳施肥。三是把二氧化碳同微生物发酵过程相结合，生成有机酸。四是把二氧化碳用于合成人工淀粉。碳捕集后的工业化化工利用又分两大类技术途径，一大类是把二氧化碳中的四价态碳还原后加甲烷、氢气等气体，再整合成甲醇、烯烃、成品油等产品。另一大类为非还原技术，有二氧化碳加氨气后制成尿素、加苯酚后合成水杨酸、加甲醇后合成有机酸酯等技术，也有合成可降解聚合物材料、各类聚酯材料等技术。地质利用技术也有很多类型，这些技术有的已在工业化示范中，有的尚停留在实验室探索阶段。比如利用收集起来的二氧化碳驱油、驱煤层气、驱天然气、驱页岩气等，这属于油气开采领域的应用，这类技术的一个共性是通过生产性钻孔把超临界的二氧化碳压到地层中，利用它驱动孔隙、裂隙中的油、气流出开采性钻孔，达到油气增产或增加油气采收率的目的，与此同时，二氧化碳则滞留在孔隙、裂隙中得以长期封存。该类技术国内外已有工业应用示范。而另一些技术则在探索过程中，比如用于开采干热岩中的地热。干热岩埋深在数千米，其内部基本没有流体存在，温度在180℃以上，开采干热岩中的热能需要打生产井并用压裂手段使岩石增加裂隙，然后在生产井中注入工作介质，让其流动并采集热量，最后从开采井中收集热量。一些研究表明：用二氧化碳作为工作介质，既起到开采干热岩热量的作用，又可把部分二氧化碳封存于地下。地质封存技术则是把二氧化碳收集后直接通过钻孔注入地下深处或灌入深部海水中。这里要特别指出：深海对二氧化碳的溶解保存能力是巨大的。总之，固碳的技术有多种，但这些技术不可避免地需要额外能量加入，因此有可能把最终产品的成本提高一大块。至于地质封存，尽管理论和实践上可行，但它似有“空转”之嫌。从现阶段看，只有生态固态才可兼顾经济效益和社会效益。碳中和的路线图规划实现碳中和，是一个长期过程，需要有一个指导全局性工作的规划，并根据形势的发展、技术的进步，能形成不断完善规划的工作机制。我国的目标是2060年前实现碳中和，显然在目前的认知水平下，要做一个能覆盖近40年时间长度的规划是不太现实的，但有一点我们是必须一开始就要做到心中有数的，那就是我国到时候还可以排放多少二氧化碳，或者说从目前约100亿吨的二氧化碳排放减少到多少才可以宣布完成了碳中和目标。这个问题不易确切回答，但寻找答案的思路是具备的，那就是“排放量=海洋吸收量+生态系统固碳量+人为固碳量+其他地表过程固碳量”这个公式。对此，我们可以逐项做出分析。过去几十年，海洋对人为排放二氧化碳的吸收比例为23%，这个过程还是比较稳定的，尽管我们很难预测未来是否会产生重大改变，但假定海洋将保持这个吸收比例不变，应该是有依据的。我国陆地生态系统固碳能力非常强。根据相关研究，2010—2020年间我国陆地生态系统每年的固碳量为10亿—13亿吨二氧化碳；一些专家根据这套数据并采用多种模型综合分析后，预测2060年我国陆地生态系统固碳能力为10.72亿吨二氧化碳/年，如果增强生态系统管理，还可新增固碳量2.46亿吨二氧化碳/年，即2060年我国陆地生态系统固碳潜力总量为13.18亿吨二氧化碳/年。此外，我国近海的生态系统固碳工程还没启动，这块儿也应该有较大潜力。至于把碳捕集后作工业化利用及封存的量有多大，这要取决于技术水平与经济效益，目前要对此作出估计是有难度的。但我们也可以作出这样的假定：如果届时实现碳中和有“缺口”，政府将对人为工业化固碳予以补贴，争取每年达到3亿—5亿吨二氧化碳的工业化固碳与地质封存。以中国的工业技术发展速度，这个假定还是相对“保守”的。其他地表过程固碳是指地下水系统把有机碳转化成石灰石沉淀、水土侵蚀作用把有机碳埋藏于河流—湖泊系统之中等地表过程，它一年能固定的碳总量目前没有系统研究数据，但粗略估计中位数在1亿吨二氧化碳左右。为此，我们可以做出这样的分析，假如我国2060年前后二氧化碳年排放量在25亿吨左右，那么海洋可吸收25×23%=5.75亿吨二氧化碳，陆地和近海生态系统固碳14亿吨二氧化碳，工业化固碳和地质封存4亿吨二氧化碳左右，基本上可以做到“净零排放”。当然，要从100亿吨的二氧化碳排放量降到25亿吨，难度亦是非常之大的，这需要我们先有一个宏观的粗线条规划。根据我国五年规划的惯例，可考虑以两个五年规划为一个阶段，分四个阶段，四十年时间实现碳中和目标：第一步为“控碳阶段”，争取到2030年把碳排放总量控制在100亿吨之内，即“十四五”期间可比目前增一点，“十五五”期间再减回来。在这第一个十年中，交通部门争取大幅度增加电动汽车和氢能运输占比，建筑部门的低碳化改造争取完成半数左右，工业部门利用煤+氢+电取代煤炭的工艺过程大部分完成研发和示范。这十年间电力需求的增长应尽量少用火电满足，而应以风、光为主，内陆核电完成应用示范，制氢和用氢的体系完成示范并有所推广。第二步为“减碳阶段”，争取到2040年把二氧化碳排放总量控制在85亿吨之内。在这个阶段，争取基本完成交通部门和建筑部门的低碳化改造，工业部门全面推广用煤/石油/天然气+氢+电取代煤炭的工艺过程，并在技术成熟领域推广无碳新工艺。这十年火电装机总量争取淘汰15%落后产能，用风、光资源制氢和用氢的体系完备及大幅度扩大产能。第三步为“低碳阶段”，争取到2050年把二氧化碳排放总量控制在60亿吨之内。在此阶段，建筑部门和交通部门达到近无碳化，工业部门的低碳化改造基本完成。这十年火电装机总量再削减25%，风、光发电及制氢作为能源主力，经济适用的储能技术基本成熟。据估计，我国对核废料的再生资源化利用技术在这个阶段将基本成熟，核电上网电价将有所下降，故用核电代替火电作为“稳定电源”的条件将基本具备。第四步为“中和阶段”，力争到2060年把二氧化碳排放总量控制在25亿—30亿吨。在此阶段，智能化、低碳化的电力供应系统得以建立，火电装机只占目前总量的30%左右，并且一部分火电用天然气替代煤炭，火电排放二氧化碳力争控制在每年10亿吨，火电只作为应急电力和一部分地区的“基础负荷”，电力供应主力为光、风、核、水。除交通和建筑部门外，工业部门也全面实现低碳化。尚有15亿吨的二氧化碳排放空间主要分配给水泥生产、化工、某些原材料生产和工业过程、边远地区的生活用能等“不得不排放”领域。其余5亿吨二氧化碳排放空间机动分配。“四阶段”路线图只是一个粗略表述，由于技术的进步具有非线性，所谓十年一时期也只是为表达方便而定。碳中和带来的机遇和挑战从前面的介绍可知，实现碳中和，可以理解为经济社会发展方式的一场大变革，对当今世界的任何一个国家来说，都是一场巨大的挑战。对我们来说，主要的挑战在以下六个方面：一是我国的能源禀赋以煤为主。在煤、油、气这三种化石能源中，释放同样的热量，煤炭排放的二氧化碳量大大高于天然气，也比石油高不少。我国的发电长期以煤为主，这同石油、天然气在火电中占比很高的那些欧美发达国家比，是资源性劣势。二是我国制造业的规模十分庞大。我们在前面的介绍中提到，我国接近70%的二氧化碳排放来自工业，这个占比高出欧美发达国家很多，这同我国制造业占比高、“世界工厂”的地位有关。三是我国经济社会还处于压缩式快速发展阶段，城镇化、基础设施建设、人民生活水平提升等方面的需求空间巨大。四是我国的能源需求还在增长，意味着我国的二氧化碳排放无论是总量还是人均都会继续增长。五是我国2030年达峰后到2060年中和，其间只有30年时间，而美国、法国、英国从人均碳排放量考察，在20世纪70年代就达峰了，它们从达峰到2050年中和，中间有80年的调整时间。为了更加清晰地阐明碳中和对我国的挑战性，我们下面用几组碳排放有关的数据，以国际比较的方式，来做进一步说明。第一组数据是从1900年到2020年间，不同国家的累计二氧化碳排放量（以亿吨二氧化碳为单位），美国为4047，欧盟27国为2751，中国为2307，俄罗斯为1152，日本为655，英国为618，印度为545，墨西哥为201，巴西为156。这个累计排放量可大略表明一个国家长期以来积累起来的“家底”。上述统计没有考虑人口基数，因此我们需要第二组数据，1900年到2020年间的人均累计排放，这套数据以国家为单位，把每年的全国排放除以人口，获得逐年人均排放，再把这120年来的人均排放加和即可得出（数据以吨二氧化碳为单位），具体为：美国2025，加拿大1522，英国1209，俄罗斯848，欧盟27国713，日本575，墨西哥295，中国190，巴西107，印度58，全球人均累计为375，中国迄今为止只有全球人均的一半，不到美国的十分之一。第三组数据是目前以国家为单位的排放量（以亿吨二氧化碳为单位），具体是：中国100，美国52，欧盟27国30，印度25，俄罗斯16，日本11。如果考虑人均，那么有第四组数据（2016年到2020年人均排放，以吨二氧化碳为单位），具体是：美国15.9，加拿大15.3，俄罗斯11.4，日本9，中国7.2，欧盟27国6.6，巴西2.3，印度1.9。从以上四组数据可知，我国最近几十年的发展具有压缩性特征，故目前的人均和国别排放数据比较高，这也是掌握话语权的西方媒体不断给我国戴上“最大排放国”，甚至是“最大污染国”帽子的所谓“理由”。但如果考察人均累计排放，我国对全球的“贡献”非常小。另外，我国的人均GDP已达全球平均水平，而人均累计排放只是全球的一半，这还是在我国能源以煤炭为主、每年净出口大量制造业产品的基础上达到的，由此说明我国绝不是如一些研究者所说的是“能源资源消耗型”经济体。第五组数据很有意思，它是由国际能源署、世界银行等建立的居民人均消费碳排放，它考虑了国家间通过进出口而产生的“碳排放转移”。2018年到2019年间的数据如下（单位为吨二氧化碳）：美国15.4，德国7.6，加拿大7.5，日本7.4，俄罗斯7.0，英国5.7，法国4.4，中国2.7，巴西1.5，印度1.1。这组数据说明，世界上一些国家只是“生存型碳排放”，而有的国家早已进入“奢侈型”或“浪费型”国家行列！前面我们谈了碳中和对中国的五方面挑战，下面再谈五点机遇：一是我国光伏发电技术在世界上已是“一骑绝尘”，风力发电技术处在国际第一方阵，核电技术也跨入世界先进行列，建水电站的水平更是无出其右者。二是我国西部有大量的风、光资源，尤其是西部的荒漠、戈壁地区，是建设光伏电站的理想场所，光伏电站建设还可带来生态效益；东部我们有大面积平缓的大陆架，可以为海上风电建设提供大量场所。三是我国的森林大都处在幼年期，还有不少可造林面积，加之草地、湿地、农田土壤的碳大都处在不饱和状态，因此生态系统的固碳潜力非常大。四是我们实现碳中和目标的过程，也是环境污染物排放大大减少的过程，这意味着我们将彻底解决大气污染问题，其他污染物排放也将实质性降低。此外，碳中和也意味着我们将实现能源独立，国内自产的原油、天然气将能满足化工原料之需要，进口油气将大为减少，所谓的“马六甲困境”将不再是一个实质性威胁。能源独立从某种程度上还会为粮食安全提供助力。五是我国的举国体制优势将在碳中和历程中发挥重大作用，因为碳中和涉及大量的国家规划、产业政策、金融税收政策等内容，需要真正下好全国一盘棋。这点我们从我国推动光伏产业的历程中就可以看出，并且诸如此类的经验未来还会不断被总结、深化。我们甚至可以预计，即使是坚持自由市场经济的那些国家，它们如想真正实现碳中和，也将在国家产业政策设计上获得助力。

p2020年8月7日，应用材料公司今天宣布为其大获成功的Centris® Sym3® 刻蚀产品系列再添新成员。现在，该系列产品能让芯片制造商在尖端存储器和逻辑芯片上以更加精细的尺寸成像和成型。/pp应用材料公司的Centris® Sym3® Y刻蚀系统能让芯片制造商在尖端存储器和逻辑芯片上以更加精细的尺寸成像和成型。/pp新型Centris Sym3® Y是应用材料公司最先进的导体刻蚀系统。该系统采用创新射频脉冲技术为客户提供极高的材料选择性、深度控制和剖面控制，使之能够在3D NAND、DRAM和逻辑节点（包括FinFET和新兴的环绕栅极架构）创建密集排列的高深宽比结构。/ppSym3系列成功的关键在于其独特技术特征：高电导反应腔架构能够提供特殊的刻蚀剖面控制，快速有效地排出每次晶圆工艺产生的刻蚀副产物。Sym3 Y系统采用保护关键腔体组件的专有新型涂层材料，扩大了该成功架构的优势，从而进一步减少缺陷并提高良率。/ppSym3刻蚀系统于2015年首次推出，如今已成为应用材料公司历史上最迅速大量占领市场的产品。时至今日，Sym3反应腔出货量达到了5000台大关。/pp应用材料公司的战略是为客户提供全新的材料成型和成像方法，以实现新型3D结构并开辟继续进行2D微缩的新途径，而Sym3系列正是实现这一战略的关键产品。应用材料公司采用独特的化学气相沉积（CVD）镀膜技术对Sym3系统进行协同优化，让客户能够增加3D NAND内存器件中的层数，并减少DRAM制造中四重成型所需的步骤数。应用材料公司会将上述技术与其电子束检测和审查技术一同部署，以加快研发并大规模实现行业最先进节点的产量爬坡，从而帮助客户改善芯片功耗、增强芯片性能、降低单位面积成本并加快上市时间（PPACt）。/pp应用材料公司半导体产品事业部副总裁兼总经理Mukund Srinivasan博士表示：“应用材料公司在2015年推出Sym3系统时采用了全新方法进行导体刻蚀，并解决了3D NAND和DRAM中一些最棘手的刻蚀难题。今天，在最先进的存储器和代工厂逻辑节点中，关键刻蚀和极紫外（EUV）图形化应用呈现出强劲的发展势头和增长。未来，我们将继续升级并助力业界向下一代芯片设计演进。”/pp每个Sym3 Y系统均包括多个刻蚀和等离子清洁晶圆工艺反应腔，并由智能系统控制可确保每个反应腔都拥有一致的性能，从而实现稳定的工艺和高生产力。全球多家领先的NAND、DRAM和代工厂逻辑节点客户都在使用这一新系统。/p

业内称白酒添塑化剂并非不可能，且塑料导管等可致塑化剂渗入，酒鬼酒今日起继续停牌　　昨日一则关于“酒鬼酒塑化剂含量超标260%”的新闻在网上传开，“塑化剂毒性比三聚氰胺毒20倍”的消息让国人再次惊恐起来。昨日酒鬼酒紧急停牌，其副总经理范震回应时表示，不承认检测机构资质，而且国标中无塑化剂检测一项，因此不存在超标问题，酿酒也无需添加塑化剂。对此，网上和业内均有人质疑其为“强盗逻辑”，难道没有该项检测就可含毒?　　因酒鬼酒塑化剂风波，昨日白酒板块被拖累，全线下跌。关于国内白酒增加塑化剂是潜规则的消息也不断传开。中国酒业协会昨日发布的一份《关于白酒产品塑化剂有关问题的说明》称，白酒产品中基本上都含有塑化剂成份，但已知白酒生产过程中自身发酵环节不产生塑化剂，白酒产品中的塑化剂属于特定迁移导致。　　酒鬼酒昨日盘后发布公告称，为核实媒体相关报道事宜，经公司申请，公司股票自2012年11月20日起继续停牌，待公司刊登相关核查公告后复牌。　　专家称塑化剂比三聚氰胺毒20倍　　根据媒体报道，第三方检测结果显示酒鬼酒塑化剂含量超标260%。该报告结果显示，酒鬼酒被检测出3种塑化剂成分，分别为邻苯二甲酸二(2-乙基)己酯(DEHP)、邻苯二甲酸二异丁酯(DIBP)和邻苯二甲酸二丁酯(DBP)。其中，邻苯二甲酸二丁酯(DBP)的含量为1.08㎎/㎏，而卫生部文件规定DBP的最大残留量为0.3㎎/㎏，酒鬼酒中的塑化剂DBP超标260%。　　该报道还称送检的样品为酒鬼酒实际控制人中糖集团的子公司北京中糖酒类有限公司所出售的438元/瓶的酒鬼酒，由上海天祥质量技术服务有限公司进行检测。　　此外，该报道还采访了台湾大学食品研究所教授孙璐西，其认为“塑化剂毒性比三聚氰胺毒20倍。长期食用塑化剂超标的食品，会损害男性生殖能力，促使女性性早熟以及对免疫系统和消化系统造成伤害，甚至会毒害人类基因”。　　酒鬼酒辩称：不是用塑料包装，用不上塑化剂?　　昨日上述报道一出，激起千层浪。酒鬼酒证券部人士对外称，“公司早上才知道网上曝出塑化剂的事，为了维护股民的利益及时申请了停牌。今天生产部门已经把产品送到相关部门核实、送检，结果出来后会通过公告的方式公布。”　　上述人士还表示，“公司的产品一向都是检验合格才出厂的，白酒本身是不含塑化剂的、也无需添加，是否包装方面的问题目前还不确定，因为酒鬼酒不是用塑料瓶包装的。”　　酒鬼酒副总经理范震昨日的回应，也与上述人士的大同小异。范震表示，首先，公司已经和报道这一事件的媒体进行了沟通，目前还不能确定媒体送检的就是酒鬼酒公司的产品，而且作出检测的上海天祥质量技术服务有限公司是一家商业检测机构，其检测标准、检测手段不具权威性。　　第二，白酒行业检验的国家标准里，没有塑化剂检验这一项，因此也就不存在所谓超标2.6倍的问题。由于国家检测没有这方面的要求，酒鬼酒公司也不具备塑化剂检验的手段。　　第三，酒鬼酒生产仍使用传统工艺，包括酒鬼酒在内的整个白酒行业，酿酒过程中都不需要添加任何塑化剂产品来多酿酒、酿好酒，没有利益驱动。　　专家称为提高品质酒企有添加塑化剂的可能　　不是用塑料瓶包装，就用不上塑化剂?没有国标，不用检验塑化剂，所以就不存在超标一说?　　面对酒鬼酒的回应，安徽高炉家酒董事长林劲峰昨日介绍说，目前塑化剂相关指标并不在国家检测标准的范畴，而且一般的仪器也检测不出来。但其也表示，在过去，酒的生产过程中，有一些跟塑料制品接触的环节，有可能会因此出现塑料溶解，导致出现塑化剂超标的问题。　　除了白酒可能接触塑料制品外，昨日有分析人士甚至表示，国内白酒增加塑化剂已经是公开的秘密，为了让年份不够的酒液看起来好看，增加各种增粘剂固化，伪造粮食酒内的糖分多粘杯挂杯的效果。　　北京大学人类营养运动医学专家李可基教授则表示，企业这么做可能是有意而为之，目的是让酒的品质看起来更好。他表示，塑化剂不是食品添加剂，国家严禁将其添加到食品当中，但在食品包装上可使用。食品中被检出塑化剂，也有可能是食品包装渗入微量塑化剂或者是在制作的过程中，设备管道上的塑化剂制品渗入所导致。　　一名不愿透露姓名的国家白酒酿造高级技师则表示，白酒里含有塑化剂不是企业特意加进去，更多原因是没有在流程管理上控制好。塑化剂主要存在在包装、罐装里。　　他还指出塑化剂对白酒的味道或者保持等并没有任何有利影响。有的企业会严重超标是因为，“劣质老化的塑料管更容易导致塑化剂含量偏高。建议白酒企业采用不锈钢软管来降低塑化剂含量。”　　中国酒业协会的说明指出，通过对全国白酒产品大量全面的测定，白酒产品中基本上都含有塑化剂成份，最高2.32mg/kg，最低0.495mg/kg，高档白酒含量较高。已知白酒生产过程中自身发酵环节不产生这些塑化剂主要源于塑料接酒桶、酒泵进出乳胶管、成品酒塑料瓶包装等。　　相关链接　　酒鬼酒被做空?汇添富两基金“踩雷”　　昨日，记者也翻查该公司三季报公布的前十大流通股东名单，发现汇添富旗下两基金持834万股，全国社保基金一一七组合持股843.22万股，山东省国际信托-泽熙瑞金1号持股313.41万股等均在其中。但上述机构或已经出逃，因为大智慧统计显示，酒鬼酒10月份以来主力资金净额流出2.7亿元，换手率85.34%，下跌13.02%。　　高换手率的背后是什么?其半年报显示，6个月时间酒鬼酒做到2011年近全年业绩。7-9月，公司净利润为1.97亿元，同比增长高达685.28%。　　但有终端市场调查显示，酒鬼酒在大众消费市场并不火爆。本报也在8月14日时报道《复兴OR做局，酒鬼酒超预期业绩的背后》，指出酒鬼酒：接待用酒+绑定经销商+行业红利造就业绩翻倍，也被爆经销商边卖酒边买股私募也边囤酒边加仓。更有市场人士爆料称，酒鬼酒的部分经销商在这场局中股市上赚的钱缓解了他们大肆压货的压力。　　如今酒鬼酒在股价年涨102%之际，突然遭遇利空袭击，更像是被做空，不知后市复牌，酒鬼酒的经销商、公司内部人员以及基金机构等各个利益相关方，会如何选择下一步路。

日前，日本ATE大厂爱德迈（Advantest）决定以每股12.15美元的现金收购其美国的竞争对手惠瑞捷（Verigy），总价达7.35亿美元。　　Verigy董事会审查了Advantest的建议书后，并表示它不会影响到Verigy与LTX-Credence之间未完成的兼并，这是Verigy在一份声明中的看法。Verigy董事会相信Advantest的建议可能会更有利于它的未完成的与LTX-Credence之间的兼并，但是需要进一步与Advantest讨论此事。所以未來不能保证对于Advantest的建议可能会提出补充。　　近几年来发生了许多大事，如Verigy斥资约4.244亿美元兼并了其竞争对手LTX-Credence，并且合并后的公司仍叫Verigy。众所周知，Veirgy的前身是安捷伦科技（Agilent Technologies Inc）。几年前Agilent把它的ATE部分剝离出来成立了Verigy，而几年前LTX公司又兼并了它的竞争对手Credence Systems Corp，组成LTX-Crdence公司。　　在测试仪ATE领域中，Agilent的通用测试测量仪器、ATE、半导体制程检测设备的销售总额超过30亿美元，不包括生物化学分析仪器的销售额，是业界最强势的公司。Advantest是同时销售通用仪器和ATE的公司，而且成长很快，近年来后来居上，攀升至第二位，遥遥领先其它对手。Teradyne是专营ATE设备的公司，曾多年在ATE业界领先，近五年来被Advantest赶上并超越。Verigy是在2006年从Agilent拆分出来的公司，原来是Agilent的半导体制造检测设备部。LTX-Credence的主要产品是ATE设备。　　现在出于竞争的需要，Advantest又兼并了Verigy，用来对抗它的老对手Teradyne。因为Advantest强在存储器测试，而在逻辑电路测试仪方面弱，而另一方面Teradyne在两个方面都很强。　　考虑到Advantest是主动出击兼并Verigy，因此相信Advantest是把兼并作为其未來发展策略的一部分。Barclays的分析师CJMuse认为，此次兼并可能会增加与LTX-Credence兼并的风险。Advantest的最后一搏是为了可以从Verigy或者LTX-Credence中获得数字及模拟的核心技术，不过Muse认为一旦Verigy及LTX-Credence的兼并完成，要考虑未来的反不正当竞争法问题。考虑到Advantest在SoC测试方面大大落后于Teradye、Verigy及LTX-Credence，所以此次主动兼并Verigy具策略意义，除此是外，由于日元强烈升值，无论对于Verigy及LTX-Credence都是有利的。　　未来对于LTX-Credenc会发生什么?从Verigy的观点看，LTX-Credenc的组合对于Verigy十分有利。因为Verigy缺乏在低端的数字与模拟测试仪。而从Advantest的观点看，现在把它们都综合在一起似乎十分有利，但是从反抗托拉斯法看，可能会阻碍三家公司的整合。因而LTX-Credence兼并完成可能会成为更大的风险。　　LTX-Credence认为，它相信Advantest兼并Verigy的任何建议可能应该让重要的客户进行有关的讨论，加上产品重迭可能导致增加风险，或者在几个国家内受到阻碍的风险。从愿望看，应当加速Verigy与LTX-Credence之间的兼并，而不应是Advantest与Verigy之间的兼并。LTX-Credence在它自己的一份声明中指出，认为Verigy与LTX-Credence合并对于公司、持股者、客户、包括员工是最有利的。　　背景介绍：　　在所有的电子元器件(Device)的制造工艺里面，存在着去伪存真的需要，这种需要实际上是一个试验的过程。为了实现这种过程，就需要各种试验设备，这类设备就是所谓的ATE(Automatic Test Equipment)。

“吸收合并一家公众公司，是否需要征得中小股东的同意?大股东固然有出售自有股份的权利，但此前向中小股东高价融资时，描绘的IPO蓝图就能一卖了之?”一位资深新三板PE机构人士向记者表示。　　银橙传媒并购案刚折戟，“飞行员都跳伞了，我还在机舱!”小股东的哀嚎尚在耳边，阿拉丁又来挑战公众公司并购底线。　　10月12日，中小板上市公司西陇科学(002584)公告，有意收购新三板创新层公司阿拉丁(830793)64%的股权。该收购引发市场的高度关注，若收购完成，阿拉丁的实控人便可以“成功退出、潇洒离去”，余下的近百名中小股东只能继续留守，而这些中小股东要么是阿拉丁登陆新三板后的4次融资中进入的，要么是从二级市场买入的。　　“这并非一家公司的私事，而是关系到投资者退出路径和投资逻辑，关系到新三板的根基，此前深交所11问金力泰(9.190, -0.08, -0.86%)并购银橙，核心是因为涉嫌借壳，但阿拉丁并没有借壳之忧，以目前的法规看并无违规之处，一旦通过将带来巨大的示范效应，成为实控人退出的新通道，让PE机构都傻眼的是，后面的新三板应该怎么玩儿?”一位长期研究新三板的业内人士表示。　　阿拉丁“神灯”将为投资者带来什么，承载中国多层次资本市场建设重任的新三板面临重要选择，如何在追求并购效率的同时兼顾公平对待中小投资者，这对监管层的智慧也是一场考验。　　财技高超登陆新三板两年已成功融资4轮　　10月13日，因筹划重大事项停牌一个月的阿拉丁突发公告称，公司董事会接实际控制人通知，西陇科学已与公司股东徐久振、招立萍、上海晶真投资管理中心(有限合伙)(以下简称晶真投资)、上海仕创投资有限公司(以下简称仕创投资)达成收购股权框架协议。　　这一说法在西陇科学的公告中得到印证。就在10月12日，因“筹划重大资产重组”同样停牌了一个月的西陇科学，首次披露重组交易对手为上述四位阿拉丁的股东，标的资产为阿拉丁的64%股权。　　值得注意的是，双方公告中均只明确了西陇科学收购阿拉丁股份的交易方式，初步拟定是发行股份以及支付现金。但具体收购价格是多少，其公告中并没有说明，称需要继续协商和确定。　　根据最新的股价计算，阿拉丁市值9.12亿元，去年收入1.01亿元，去年净利润2977万元 西陇科学市值92.9亿元，去年收入25亿元，去年净利润9079万元。　　新三板挂牌公司能被上市公司收购，那可真算是中了奖，一来收购的估值普遍比新三板高30%以上，二来换成上市公司股份享有退出的通道。那么有如此好运的四位股东究竟是什么来头?　　梳理一番发现，招立萍是阿拉丁的董事长兼总经理，徐久振、招立萍为夫妇关系，是阿拉丁的实际控制人，他们除了分别直接持有阿拉丁36.99%和19.82%的股权外，还通过100%控制的仕创投资，间接持有阿拉丁1.773%和0.197%的股权，夫妇俩合计掌控了阿拉丁 58.78%的股权。而晶真投资在阿拉丁前十大股东中排名第三，占股5.18%，真实身份是阿拉丁员工的持股平台，而执行事务合伙人为招立萍。这么看来，这真是大东家捎带创业团队跑步离场的节奏。　　阿拉丁，这家名字充满童话色彩的公司，其主营高端科研试剂和实验耗材仪器，产品定位高端，主要走进口替代路线，已实现几乎100%的电商销售，具有远高于行业的毛利率和净利率。　　当然，阿拉丁的吸金能力不仅体现在业绩上，其融资能力也同样不俗。阿拉丁2015年年报显示，从2014年11月到2015年9月，该公司先后发起了四次融资，成功募资1.28亿元。募资对象中，除了董监高和核心员工持股平台外，还有做市商、私募基金、信托，以及外部自然人。　　2016年1月13日，阿拉丁发布公告，称公司已经向上海证监局报送了首次公开发行股票并上市辅导备案材料，公司进入首次公开发行股票并上市辅导阶段。　　2015年5月8日起，阿拉丁开始做市，首日股价冲到了46.94元，涨幅达到622.15%，5天后一度涨到47.79元的高位，但此后便一路下滑，停牌前最后一个交易日，阿拉丁收盘价为24元。截至今年6月30日，阿拉丁共吸引来了101名股东。　　对比银橙案阿拉丁并购的四大不同　　大股东挥一挥手，留下了一脸蒙圈的中小股东。看到上述情况，大家也许觉得会很眼熟。在今年上半年的银橙传媒收购事件中，就出现过相似的剧情。　　今年6月2日，上市公司金力泰(300225)发布公告，称拟收购哈本信息、圭璋信息、逐光信息等7家公司100%股权。而这7家公司，正是银橙传媒董事长隋恒举、副董事长王宇等七位董事高管的持股平台，合计持有新三板公司银橙传媒(830999)63.57%的股权，如果交易完成，金力泰将实现间接控股银橙传媒。因为交易采用换股的方式，根据交易作价，7家公司也将合计持有金力泰26.43%的股权，超过了金力泰原实际控制人吴国政的持股比例。　　消息一出，业内一片哗然，媒体热议，深交所在重组问询函中连发11问̷̷在各种争议声中，7月上旬，金力泰和银橙传媒双双发布公告，宣布终止收购案，和平分手。虽然业内分析银橙传媒收购案失败的主因归结为涉嫌借壳，但当时公众的焦点更多的是放在大股东与中小股东的利益博弈上。　　乍一看，两桩收购有相似之处：大股东出让手中股份给上市公司，大股东借助上市公司的平台成功退出，但是一众中小股东只能“望船兴叹”。　　但是在具体细节上，两者还是有四大不同。　　第一，在交易主体上，银橙传媒出让的是七家持股平台的股权，而阿拉丁更多的是实控人作为自然人直接持有的股份，也就是说前者是出售三板公司大股东的股份，而后者是直接出售三板公司的股份 　　第二，在交易方式上，银橙传媒采用的是换股，而阿拉丁则是采用股份加现金 　　第三，在股权结构上，银橙传媒被收购的股权经换股后，已经超过上市公司金力泰实控人的股权，涉嫌借壳 而阿拉丁的市值仅为西陇科学的十分之一，两者之间体量悬殊，2016半年报显示，西陇科学实控人控股约49.69%，虽然目前收购的具体价格方案还未出炉，但在正常情况下，阿拉丁这64%的股权即使全部换成西陇科学的股份，也不可能对西陇科学实控人的控股地位构成威胁 　　第四，从行业上看，金力泰和银橙传媒主营业务相差甚远，一个做涂料，一个做互联网广告的精准投放，属于跨行业收购，而西陇科学和阿拉丁属于同一行业，都涉及化学试剂的研发、生产和销售。　　同业竞争如何规避相爱还是相杀　　公布接受IPO辅导9个月后，公司实控人突然宣布要走，其他中小股东该去哪里?　　“本是一条船上的大股东倒是把股份卖掉先跑了，谁还带着我们这些揣着股票的股东向IPO这个目标前进?公司变成上市公司的控股子公司了，相当于已经证券化了，多数资产已经上市，还怎么去IPO?”一名新三板投资者告诉《每日经济新闻》记者，他和许多投资者一样，揣着一个明确的投资预期来到新三板市场，就是指望投资的公司能成功IPO，实现手中股票价值的快速增长，“这是新三板的投资逻辑和其他市场不一样的地方。”　　这位投资者的担心不无道理。对此，有私募人士表示，现阶段上市公司控股子公司直接独立IPO上市的，在国内证券市场几乎不太可能。一是控股公司主观意愿不强，缺乏动力 另外，也和不少中介机构有过沟通，大家都觉得即使控股公司愿意，但是审核上可能也很难获得通过。　　那么分拆上市呢?证监会在2010年4月曾经表态，A股公司可以分拆子公司到创业板上市。但在当年11月，证监会官员在保荐人培训会议上重申，从严把握上市公司分拆子公司到创业板上市。　　再仔细看看证监会开出的六个必要条件，仅凭其中的“上市公司与发行人不存在同业竞争且出具未来不竞争承诺，上市公司及发行人股东或实际控制人与发行人之间不存在严重关联交易”，就会让阿拉丁的股东感到IPO之路希望渺茫。如果说，当初卖涂料的金力泰想收购做精准投放的银橙传媒，是追求“白富美” 的话，那么，现在西陇科学收购阿拉丁，就不知道是“相爱”还是“相杀”了。因为在阿拉丁的公开转让说明书中曾明确表示，在中国试剂行业市场中，西陇科学是阿拉丁国产试剂业务的主要竞争对手。若收购成行，今后两者的业务范畴是会重叠还是重新分工，新公司的治理结构如何确保对两家公众公司的中小股东都公平公允，谁来界定各自的权益边界，新的制约机制如何体现，这些都是摆在并购案面前的棘手问题，也将成为影响监管层判断的重要因素。　　应提供现金选择权或换股选择权　　银橙传媒收购案例中，最令投资者难忘的一课恐怕是：新三板市场并没有强制要约收购制度的安排。这是一场合法的“出逃”。　　《上市公司收购管理办法》第二十四条，规定了通过证券交易所的证券交易，收购人持有一个上市公司的股份达到该公司已发行股份的30%时，继续增持股份的，应当采取要约方式进行，发出全面要约或者部分要约。　　而《非上市公众公司收购管理办法》规定，公众公司应当在公司章程中约定在公司被收购时收购人是否需要向公司全体股东发出全面要约收购，并明确全面要约收购的触发条件以及相应制度安排。　　《每日经济新闻》记者了解到，因为没有作强制要求，目前多数的新三板挂牌公司在公司章程中都没有对全面要约收购做出明确说明，阿拉丁的公司章程中同样也没有，而新三板上至今没有完成过一例要约收购。北京市当代律师事务所李欣律师告诉记者，从法律的角度看，只要公司章程没有设定需要全面要约，那么大股东转让股份不要约的行为就是合法的。　　但也有业内人士提出，大股东更替后，三板公司64%的资产已经属于上市公司，那么IPO已经不是努力的方向，IPO的预期名存实亡，剩下的中小投资者退出路径堪忧，公司的估值会降低，虽然阿拉丁大股东和上市公司之间的交易行为合法，但是会对中小股东权益带来影响也是不争的事实。　　上海某私募机构投资总监告诉记者，他所在机构在对一家公司进行股权投资前，除了考虑行业、营业情况、可扩展性等众多因素外，还必须考虑退出是否有明确的方向或者时间点。　　“各种情况的出现，也是市场教育的一个过程，吃了亏的投资者，下一次肯定就会谨慎规避风险了。”某PE机构高层人士提醒中小投资者，在法律制度尚不健全的情况下，投资人一定要把相关规则了解清楚。　　另有券商新三板分析师表示，整个经济结构发展到现在，并购案例越来越多，上市公司并购新三板公司的趋势会越来越明显，中小股东同股同权的要求其实也是合理的，中小股东在面临公司控制权移转，在失去对投资的控制情况下，可以充分考虑收购方的收购条件，既然他们无法影响控制权的移转，应当允许他们有公平的机会以公平的价格撤回投资，也就是提供现金选择权，或者是提供换股选择权。借助强制性收购要约，让众多中小股东做出是否与新的控股者合作的选择，体现为一种机会的公平。只是关键在于现在制度还不健全。“新三板是个新生事物，发展得很快，很多东西没跟上，要推动它的发展，需要靠配套制度来解决。”　　一位全国性券商的投行总经理也持相同的看法，“中小股东应该享有平等交易的权利，在大股东转让股份给上市公司的时候，应该有权以相同的价格将股份出让给上市公司。”

5月10日，科学技术部发布国家重点研发计划“纳米前沿”等“十四五”重点专项2021年度项目申报指南。“十四五”国家重点研发计划深入贯彻落实党的十九届五中全会精神和“十四五”规划，坚持“四个面向”总要求，积极探索“揭榜挂帅”等科技管理改革举措，全面提升科研投入绩效。“纳米前沿”重点专项2021 年度项目申报指南本重点专项总体目标是：围绕物质在纳米尺度（1~100 纳米）上呈现出的新奇物理、化学和生物特性，开展单纳米尺度效应和机理、新型纳米材料和器件制备方法、纳米尺度表征新技术等方面的基础前沿探索和关键技术研究，催生更多新思想、新理论、 新方法和新技术等重大原创成果。同时，开展纳米科技与信息、能源、生物、医药、环境等领域的交叉研究，提升纳米科技对经济社会发展重点领域的支撑作用。2021年度指南围绕单纳米尺度等前沿科学探索、纳米尺度制备核心技术研究、纳米科技交叉融合创新等3个重点任务进行部署，拟支持23个项目，拟安排国拨经费概算4.5亿元。同时，拟支持10个青年科学家项目，拟安排国拨经费概算5000万元，每个项目500万元。本专项 2021 年度项目申报指南如下。1. 单纳米尺度等前沿科学探索1.1 纳米性能标准的计量溯源原理与方法面向纳米技术在能源环境、信息、生物医药等领域的应用，开展性能检测和质控特性标准研究，建立计量装置，探索纳米尺度能量转换效率、表面吸附、生物结合能力等功能特性的准确测量机制和溯源途径或溯源过程，研制功能特性纳米标准物质，制定规范标准。建立基于晶格常数的量值传递、纳米材料光电转换、纳米表面增强效应等普适性计量溯源方法3~5种；完成载药释放、发光效率等功能特性国家标准物质/标准样品10项以上；研究制定ISO/IEC国际标准15项以上。1.2 纳米尺度生物活性单分子与系综多模态表征新方法针对生物能量代谢及催化反应过程中的生物活性分子，发展能综合测量生物分子多模态物性的表征方法，在纳米尺度下开展生物活性分子的高灵敏电学（10fA）和单个电子转移测量，揭示其电子自旋分布、电子传递供体-受体-通路特性，以及在能量代谢、生物识别与解离等过程和生理功能中的物理化学机制；获取在单分子条件下生物活性分子的多模态本征指纹信息及系综条件下的平均信息，构筑指纹信息并提供相应的量化分析标准，实现对单个关键结构单元差异的分辨，生物力学操控及动态测量的空间分辨率达到0.1nm。1.3 非均匀纳米材料结构与力学行为的原位分析方法非均匀纳米材料通过微纳尺度与宏观构件尺度上的结构和成分的合理耦合实现材料高性能。通过从宏观构建与微观区域多尺度研究非均匀纳米材料微纳结构演化过程及建立结构-力学性能的关联规律，揭示整体与局域结构对宏观力学性能与变形机制的影响规律。原位研究材料在多场使役条件下组织与性能的耦合响应机制。实现对典型跨尺度非均匀纳米材料的结构演变与力学行为（包括10~1773K条件下）的原位测量；实现非均匀纳米材料的整体和局域结构与力学行为的原位表征与测量；为非均匀纳米材料的强韧化提供若干实现途径及理论基础，并 开展验证。1.4 太赫兹与中远红外波段极化激元二维原子晶体及其感放存微纳器件面向智能感知领域探测及其信号放大、存储一体化功能器件，聚焦太赫兹与中远红外波段的高效极化激元二维原子晶体及其新特性新结构，研究建立时空高分辨太赫兹与中远红外原位多模态物理特性表征技术，表征谱段 1~30THz、空间分辨率在亚10纳米尺度、时间分辨率在30飞秒以内，兼容光谱、光场、光电响应及形貌等成像；实现在亚10纳米尺度下观察极化激元和载流子自旋演化动力学机制；研制基于单纳米尺度二维原子晶体及其结构极化激元效应的太赫兹波及中远红外光探测及其信号放大、存储一体化微纳器件，在室温工作、谱段1~30THz、相频可选择。1.5 手性纳米结构的可控构筑、性能传递及功能调控发展新型刺激响应性手性纳米结构体系，研究手性纳米材料对多重刺激的响应调控、规律与机制。研究定向合成技术，实现手性纳米结构的独特光化学作用和光力学效应，发展分子构象和功能光调控的新方法。获得2~3类吸收、反射和发射的光学各向异性系数（g-factor）超过1.5的手性纳米结构；开发2~3类具有多重响应性能的手性纳米材料；构建具有生物调控功能的手性纳米结构；探索手性纳米材料的应用。 1.6 纳米限域超流的化学反应和信息传输开展纳米限域超流体的有序组装反应机理研究，发展高产率、高选择性和低能耗的化学反应技术，理解生物信息传输的原理。获得接近生物水通道中水分子输运的通量（109 molecules/s）和生物钾离子通道中钾离子输运的通量（108 ions/s），实现纳米 限域空间中分子和离子的高速输运；建立限域通道的尺寸、化学结 构、界面浸润性以及通道内的反应物分子流体流速等参数与速率、产率和立体选择性等性能的关系，构建接近100%反应产率、100%选择性和低能耗（40℃以下）的反应体系。2. 纳米尺度制备核心技术研究2.1 高迁移率超薄半导体材料与高性能器件集成围绕新型沟道材料的规模化制备、硅基兼容与器件性能提升的问题，研制200oC下电学性质稳定的超薄高迁移率沟道材料及高k栅介质的晶圆（直径大于两英寸）。研制短沟道场效应晶体管，沟道厚度小于3nm时，室温场效应迁移率高于125cm2/（Vs）；沟道长度小于12nm时，在0.7V驱动电压下的开态电流密度大于1mA/μm，开关比超过106。实现工作频率1.5GHz以上的环振电路演示。验证器件在柔性逻辑电路等领域的优势。2.2 围栅硅纳米结构器件与三维垂直集成技术针对3纳米及以下节点大规模集成电路制造问题，研究围栅（环绕栅）硅纳米结构（如纳米线/片）器件与三维垂直集成新工艺，探索构建不同功能典型电路的技术路径，研制至少四层硅纳米结构堆叠沟道的环绕栅器件，单层沟道厚度小于10nm；在N/PMOS器件上实现三种以上阈值调控（区间大于200mV）；N/P型源漏上的接触电阻率小于1×10-9Ωcm2；在0.7V驱动电压下的驱动电流密度大于400µA/µm，亚阈值摆幅小于70 mV/dec，电流开关比高于107；实现双层器件高密度三维垂直集成，同等设计规则条件下，新工艺的16K SRAM阵列面积相比传统电路缩小30%以上。2.3 晶圆级二维半导体集成电路针对二维材料器件的大规模集成电路制造和设计问题， 研究二维材料的低缺陷均匀生长方法、N/P型精准掺杂与界面调控、高性能互补MOS器件设计及工艺集成方法、器件物理精确解析模型。研制直径大于8英寸、薄膜厚度均一性大于99.9%的晶圆级高质量二维材料，获得高性能互补MOS器件， 室温下N/P型晶体管器件平均场迁移率大于50cm2/（Vs）、 电流开关比大于105；研制基于二维半导体材料的逻辑、模拟和射频电路的整套集成工艺，实现千门级逻辑电路功能展示； 建立器件模型和工艺库，获得大规模集成电路的SPICE电路 仿真结果。2.4 亚5纳米分辨率并行电子束集成电路芯片高通量检测装备关键技术面向亚10纳米节点集成芯片高通量检测装备的需求，研制快速响应的并行电子束源模组及其电子光学系统，研究多电子束信号串扰机制、形貌表征和电特性多维度检测方法、高通量数据采集与成像系统，研究上述功能协同驱动实现并行电子束同步检测的集成原理和技术。实现12束电子束同步并行检测和空间分辨小于5nm、景深不小于1mm的成像技术；电子发射端曲率半径小于5nm；单电子束的束流强度不小于200pA、亮度不小于5×108Am-2Sr-1V-1、能谱半高宽不大于1eV；12束电子 束流强度均匀性高于95%；研制出并行电子束集成芯片检测装备原型样机。2.5 纳尺度电畴调控的高灵敏光电感知器件及系统面向光电感知应用对高灵敏、快速响应探测器的需求，研究极化电畴调控的高速高灵敏光电探测器件原理，研究纳尺度电畴对器件势垒结构及其空间电荷区特征参数的调控机制，揭示其对器件光生载流子拆分、传输及收集的规律，研制采用极化材料与半导体异质结构的光电探测器件，研发集成技术。纳尺度电畴实现不同势垒类型调控，器件空间电荷区尺度调控范围2~120nm； 光电探测器件响应度0.5A/W, 响应时间1ns1012cmHz1/2W-1，响应波长400~1550nm；集成列阵规模≥128×128；实现探测和识别演示。2.6 二硫化钨半导体晶圆和可集成光源器件针对光子信息技术可集成光源性能难以满足需求的问题，聚焦高质量、高发光效率单层二硫化钨晶圆的研究，研制满足半导体器件制作用的单层二硫化钨晶圆（直径大于4英寸），载流子迁移率200cm2/（Vs），并拓展到其合金及其它过渡金属硫族化合物晶圆制备；研制室温工作二硫化钨的发光二极管，出光效率达到≥5%，同时发展二硫化钨掺杂及其合金材料制备工艺等，进而实现波长可调谐发光二极管，波长调谐范围100nm，驱动电压2V；实现连续光激发下受激辐射，发射谱线半高宽1nm、阈值0.5W/cm2，集成多层垂直器件；探索研发二维电泵浦激光器。2.7 大尺寸石墨烯单晶与高速光通信器件针对下一代高速光通信技术中的关键支撑材料和器件集成需求，开展面向硅基集成的石墨烯单晶精准合成及规模化制备技术，建立大尺寸石墨烯材料向硅衬底的洁净无损规模化转移方法， 研制与硅基光波导技术结合的片上集成石墨烯高速光通信器件。 石墨烯单晶尺寸达6英寸，平整度优于0.5nm，石墨烯层数为≥95%单层；石墨烯单晶转移至硅衬底的完整度≥99%，石墨烯室温载流子迁移率高于15000cm2/（Vs）；石墨烯集成光通信器件数据速度≥30Gbit/s。3. 纳米科技交叉融合创新3.1 纳米材料跨越生物屏障机制与效应调控方法为夯实纳米生物学理论基础，建立3~5类高生物相容纳米材料跨越多种生物屏障体内外过程的高灵敏、高特异、多尺度、高通量的原位动态研究方法；纳米颗粒跨越不同种类生物屏障的活体动态成像，实现活体组织深度1.5cm，分辨率0.2mm，帧数率100帧/秒；单细胞三维成像空间分辨率50nm、灵敏度fg/细胞。重点研究纳米材料和体内流体微环境表界面生物大分子形成的纳米蛋白冠和环境冠等对肠道微生物屏障、生殖屏障及对子代生长发育的影响及其分子机制；整合大数据和计算分析方法，系统揭示2~3类纳米材料跨越复杂生物屏障的基本过程；阐明纳米材料在不同生物屏障微环境的生物转化途径与作用机制。3.2 抗病毒高分子纳米药物针对重大疾病（如病毒引起的肿瘤、突发传染病等）靶向治疗药物的发展需求，研究高分子组装体和生物纳米材料构建纳米药物的普适性规律，发展基于高分子的高效功能定向新方法，利用这些纳米材料设计并合成新型药物（例如病毒中和抗体），研究揭示不同构象、组成、价态的纳米药物与靶标的作用规律和分子机制，完成3~5种体内靶向纳米药物偶联物和高效抗病毒中和抗体，针对新型病毒引起的传染病对真病毒半抑制浓度达到pM级， 其中至少1种获得临床批件进入临床试验。3.3 纳米体系或工程化细胞对重大疾病基因治疗药物递送发展副作用低而递送、转染、治疗效率高且构效关系明确的基因药物递送材料的制备新技术、新方法。创建仿生纳米体系或工程化细胞的制备技术，制定质控标准，开展其肿瘤治疗的临床前研究和临床研究。构建1~2 种针对肿瘤基因治疗具有特异性的、 靶向性的递送载体和新剂型，完成临床前研究；构建1~2种仿生纳米药物递送体系或1~2种工程化细胞，建立规模化制备工艺和质控标准，完成临床前研究，其中1~2种体系获得临床批件进入临床试验。3.4 微纳米智能系统的组装原理及其临床研究发展微纳米智能系统及其组件原位定向合成、可控组装、体内自主靶向及病灶智能识别技术；研发具有诊疗一体化功能、高组织穿透性以及智能型分子组装体系，应用于体内活检、肿瘤及栓塞疾病治疗，实现可控定点药物释放新功能；发展智能型微纳米机器人的体内过程分析及安全性评价方法。完成3~4种生物相容的新型微纳米自组装体系的构建，揭示对肿瘤微环境的响应机制。至少有1种微纳米智能系统完成临床前药效评价及其安全性 评价。3.5 诊疗、器官修复、体外防护用的纳米杂化纤维基于人体组织与材料相互作用机制，通过有机-无机杂化、高通量成形和仿生命体多场耦合调控等，研究功能一体化仿生设计，获得具有增强诊疗、组织修复、体外防护等功能的纤维聚集体复合材料。研制含水光导诊疗纤维，模量10-2~10MPa，衰减达0.1dBcm-1；研制肌肉/肌腱修复用可编织高强仿生杂化纤维，含水率0~70%，强度达50MPa，杨氏模量达200MPa，伸长率10~200%，磨损强度和扭转强度均不低于100万次；开发类人体软-硬组织一体化三维纳米支架，孔径20~100µm可调，杨氏模量200kPa至2GPa可调，强度5MPa，实现诱导成骨再生。开展2~3个产品的临床应用。3.6 用于电磁治疗的医用磁性微纳器件及技术面向若干难治性疾病，研制可体内驻留达完整疗程的、由磁性纳米颗粒组装构建的磁性微纳器件；研究磁场遥控微纳器件产生磁极化、磁热、磁力等电磁效应及与纳米尺度相关的新现象、新机制，以及对体内特定部位神经系统的调控规律；在动物或人体水平开展神经电磁调控对难治性疾病的治疗研究。开发2~3种在体内驻留时间不少于4个月的磁性微纳器件，及1套电磁治疗设备，针对不少于3种疾病（骨质疏松、骨关节炎、周围神经损伤等）验证治疗有效性和适用性；至少1种磁性微纳器件电磁治疗新技术获批临床试验，在2 家以上三甲医院开展研究。3.7 纳米结构光学功能设计及其高灵敏增强光谱应用针对光波长与分子之间尺寸失配导致光与物质相互作用微弱，难以获取有效信号的问题，设计和构筑新型纳米光学材料和结构实现将光波长压缩超过50倍，实现单分子水平光谱探测。建立具有光学功能的纳米材料和结构的理性设计方法；实现2~3类具有高局域光场增强的纳米结构（光强度增加105倍），频率范围直接覆盖分子振动指纹区（675~2000cm-1）；利用增强结构实现高光场局域结构与发光材料之间的强耦合；实现2~3种单分子 层有机物和无机半导体的增强光谱测量；实现含C-O、CH-O等化学键的2~3种催化反应中间体的化学成分检测，以及2~3种亚纳米级生物分子检测。3.8 大视野纳米数字显微芯片成像技术针对生物纳米尺度大视野高分辨成像的重要需求，研究超大规模纳米像素数字显微芯片的大规模集成工艺制程设计与成像串扰抑制方法；开展小体积、长时程、多模态大视野纳米数字显微芯片成像系统设计和研制；开展循环肿瘤细胞/肿瘤干细胞/微小残留灶等各种生物组织的探测与识别。单个纳米数字显微芯片的像素数目≥10 亿，显微芯片量子效率≥30%，响应波段为400~700nm，实现≥100mm2视野中全部活细胞动态监测，成像分 辨率优于500nm，帧频≥1帧/秒。3.9 收集水波能的纳米发电基础与应用水波和微风蕴藏着丰富而清洁的可再生能源。研究纳米固体之间、液体与纳米固体之间在分子与原子级的摩擦起电物理机制，开发用于收集水波能量的高性能纳米发电机的新材料和新结构，研制高输出功率和高效率的水波能摩擦纳米发电机网络；构筑海洋环境中基于水波能的自驱动应用系统，面向不同的应用需求，实现在水波激励下达到50W/m3以上的输出功率密度，构建海上可移动自供电系统。3.10 纳米铁—微生物处理有机废水的协同机制与智能化关键技术研究纳米铁界面的质子梯度效应、电子—质子协同传输与调控机制，揭示微生物利用纳米铁电子的分子机制；构建纳米铁—微生物协同技术工艺体系；开展纳米铁—微生物协同处理低可生化性与低碳氮比有机废水的技术实际应用验证。完成纳米铁规模化的生产工艺，研制出废水可生化性/碳氮比快速测定及智能化调控设备，验证纳米铁—微生物协同处理典型有机废水（处理量大于50吨/日）的技术有效性。4. 青年科学家项目4.1 手性软光子材料的纳米构筑、多元操控与光学应用针对纳米光子技术主动式、柔性化、功能集成化的需求，研究手性软光子材料在多元外束缚条件下的纳米尺度分子场效应、 特征光电效应及动态调控机制，探索提升纳米组装结构的稳定性、光谱动态域和工作波段范围的技术路径，发展多维度、超宽带、 高效率、自适应的纳米光学新思路、新技术。4.2 超低功耗场控自旋电子器件面向未来信息技术对超低功耗逻辑器件的需求，开展基于纳米尺度新材料与高效耦合界面的场效应控制自旋逻辑器件研究。探索自旋—轨道与自旋—电偶耦合的界面特性和基于场效应控制的自旋态传递机理，以及在无外加磁场情况下的多级器件输入输出级联技术途径。研制非易失性逻辑器件、布尔逻辑门电路，开展验证实验。4.3 纳米尺度铪基铁电材料与器件面向大数据时代对存储器高速、高密度和低功耗的需求，开展新型铪基铁电机理、存储单元与三维集成技术的研究。探索纳米尺度铪基铁电材料的极化机制与翻转动力学过程，研究掺杂浓度、工艺条件、薄膜厚度对极化的调控规律，构建高速、低功耗的存储器件结构，研究铁电存储器的三维集成技术。4.4 高性能金属空气电池相关的纳米器件发展高性能金属空气电池中正极氧还原/析出过程的关键功能纳米材料设计方法，筛选出5种以上下一代金属空气电池非贵金属纳米材料并探索宏量制备技术，研究金属空气电池关键功能纳米材料的结构与氧还原反应路径的关系，提出可以调控4电子转移或2电子转移的方法，开展在电池器件应用的验证研究。4.5 用于水中抗生素及抗性基因污染治理的纳米材料与技术针对我国水环境抗生素及抗性基因污染治理的重大需求，发展基于纳米材料与技术的抗生素及抗性基因废水深度处理技术与工艺。面向我国产量大及使用量大的几类典型抗生素的生产企业或使用场所，探索源头排放控制技术，验证技术实际应用能力。附件：“纳米前沿”重点专项2021年度项目申报指南.pdf形式审查条件要求.pdf指南编制专家名单.pdf

8月30日，据上交所科创板上市委2021年第59次审议会议结果公告显示，北京屹唐半导体科技股份有限公司（下称“屹唐半导体”）科创板IPO首发过会。屹唐半导体是一家总部位于中国，以中国、美国、德国三地为研发、制造基地，面向全球经营的半导体设备公司，主要从事集成电路制造过程中所需晶圆加工设备的研发、生产和销售，面向全球集成电路制造厂商提供包括干法去胶设备、快速热处理设备、干法刻蚀设备在内的集成电路制造设备及配套工艺解决方案。屹唐半导体的产品已被多家全球领先的存储芯片制造厂商、逻辑电路制造厂商等集成电路制造厂商所采用，服务的客户全面覆盖了全球前十大芯片制造商和国内行业领先芯片制造商。截至2020年12月31日，屹唐半导体产品全球累计装机数量已超过3,700台并在相应细分领域处于全球领先地位。根据Gartner统计数据，2020年公司干法去胶设备、快速热处理设备的市场占有率分别位居全球第一、第二。技术研发方面，屹唐半导体在集成电路制造使用的干法去胶、快速热处理、干法刻蚀设备领域掌握了双晶圆真空反应腔设计、双晶圆反应腔真空整合传输设备平台设计、电感耦合远程等离子体源设计、远程等离子体源电荷过滤装置、晶圆双面辐射加热快速热退火技术、晶圆表面局部温度均匀度调节技术等核心技术。截至2021年5月31日，屹唐半导体拥有发明专利309项，并承担国家重大科研项目/课题。屹唐半导体干法去胶设备、快速热处理设备主要可用于90纳米到5纳米逻辑芯片、1y到2x纳米系列DRAM芯片以及32层到128层3D闪存芯片制造中若干关键步骤的大规模量产；干法刻蚀设备主要可用于65纳米到5纳米逻辑芯片、1y到2x纳米系列DRAM芯片以及32层到128层3D闪存芯片制造中若干关键步骤的大规模量产。未来规划上，屹唐半导体表示，公司将致力于成为国际领先的集成电路设备公司，将持续为集成电路制造环节提供更先进处理能力和更高生产效率的集成电路专用设备。在未来的发展中，公司将持续践行实施国际化经营、注重研发投入、拓展产品和客户、优化供应链、注重人才培育和激励、完善公司知识产权保护、实施外延式并购等战略规划。

近日，“室温超导”热度持续走高。8月2日，天风国际证券分析师郭明錤表示，常温常压超导体的商业化尚无时间表，但是未来它将对消费电子领域的产品设计产生颠覆性影响，即便iPhone都能拥有匹敌量子计算机的运算能力。　　从二级市场来看，超导相关概念股表现活跃。东方财富Choice数据显示，8月2日，超导概念股集体高开，中孚实业、百利电气等个股涨停，板块指数创今年以来新高。　　“常温常压超导不需要特殊的温度和压力，是目前最有商用价值前景的超导体，如其落地则意味着可以为消费电子等更多产业带来巨大变革。”南京大学高性能计算中心高级工程师盛乐标在接受记者采访时表示，“常温常压超导材料将显著提升芯片的计算性能，促进量子计算、超导逻辑电路等发展，为计算机、手机等提供更高的电流密度和更低的能耗。”　　如果常温常压超导材料取得突破，将在能源、计算等诸多领域产生变革，如可用于构建量子计算机等。　　不过，目前室温超导体的相关研发工作仍在初期阶段。“从理论、实验，再到评审验证及量产，常温常压超导体的可行性落地仍有很长的路要走，同时其真正商业化还面临应用条件完善、技术路径变化、设计难度、成本等多重挑战。资本市场也要警惕过度炒作现象。”钧山董事总经理王浩宇对记者表示。　　科技部国家科技专家周迪认为，超导体是一种比常规导体更为优越的无损耗导电材料。目前，常温常压超导体落地的主要难点在于超导材料和制备适配难度较大，多个机理的未知问题也有待解决。　　对于“室温超导”的落地，相关上市公司虽集体持观望态度，但也将其视为重要的研发方向，并提前酝酿布局。　　鑫宏业在投资者互动平台上表示，超导技术（高温、低温、常温）是未来电力输送的重要发展方向，是特种线缆未来的重点研发方向，公司会积极关注。九洲集团表示，超导技术可以提高电能传输的效率，降低能源损耗，因此可能会对电力设备制造业带来积极的影响。广电电气称，公司保持对重要新兴技术及领域的密切关注。永鼎股份则表示，公司在等待相关验证的过程。　　根据贝哲斯咨询调研数据显示，2022年，全球超导体市场容量达405.93亿元，预测至2028年，全球超导体市场规模将会达到618.21亿元。　　“重大装备、AI智造等领域急需的半导体材料、超导材料等是新材料产业重点发展方向。在自主化创新的推动下，未来几年国内超导产业有望迎来迅猛增长。”看懂经济研究院研究员袁博认为。

p style="text-align: center "strong　　【会后新闻】前进的逻辑，P4精准医学探寻产学研资四方观点/strong/pp　　2018年12月1日，由中国生物工程学会及商图信息BMAP联合主办的P4 China第三届国际精准医疗大会在北京朗丽兹西山花园酒店盛大开启!/pp　　此次峰会以“通过大队列、大数据与多组学技术研究突破，革新肿瘤防诊治的全周期”为主题，联合政、产、学、研、资等多方资源，汇聚700多位行业同仁，通过集思广益与观点荟萃，助推精准医疗行业的发展。/pp style="text-align: center "img src="https://img1.17img.cn/17img/images/201812/uepic/8b7b3ccc-2f6b-477c-b8a0-bfa88f9628c3.jpg" title="image001.jpg" alt="image001.jpg"//pp style="text-align: center "　　会前签到/pp style="text-align: center "img src="https://img1.17img.cn/17img/images/201812/uepic/450f5e21-5338-434f-b782-d44008ba9184.jpg" title="image003.jpg" alt="image003.jpg"//pp style="text-align: center "　　大会现场/pp style="text-align: center "img src="https://img1.17img.cn/17img/images/201812/uepic/40f20c27-1b86-47b4-91d9-0757b3e7b8a3.jpg" title="image005.jpg" alt="image005.jpg"//pp style="text-align: center "　　大会精彩讲演/pp style="text-align: center "　　马树恒，中国生物工程学会副理事长兼秘书长/pp　　马树恒首先欢迎在座专家学者以及演讲嘉宾参加第三届国际精准医疗大会。随着基因检测价格下降，检测数据量成爆发性增长，精准医疗已经从早期的诊断、治疗发展成为保证人类健康的工具。/pp　　P4 China致力于精准医疗的国际化产学研建设，旨在将政策、资本、监管、技术、商业、应用相融合，助推精准医疗发展。P4 China将积极探索中国精准医疗发展之路，把握全球精准医疗动向，提升自身服务质量，为业界同仁打造综合型服务平台。/pp style="text-align: center "img src="https://img1.17img.cn/17img/images/201812/uepic/18b80fbc-124a-4343-985d-ba0de16dcad9.jpg" title="image006.jpg" alt="image006.jpg"//pp style="text-align: center "　　陈润生，中国科学院院士，中国科学院生物物理研究所核酸生物学院重点实验室学术委员会主任, 研究员,/pp　　strong话题：基因组、大数据、精准医学与人工智能/strong/pp　　大会的主旨报告来自中国科学院生物物理所的陈润生院士。他首先谈到对精准医学的定义，就是组学大数据+医学。这个市场非常大，包括了生物样本和数据采集，测序，分子诊断，以及个体化治疗。两年前中科院曾经预测，到2020年它的市场可能会达到1.89万亿美金。而与此同时，基因组测序的价格已经下降到100美元，这也推动了精准医疗的迅速发展。他同时指出，在精准医学中存在不小的挑战。首先是基因中的暗密码，其次是数据端的海量数据处理，最后是样品端的复杂网络分析与异质化数据的整合。/pp style="text-align: center "img src="https://img1.17img.cn/17img/images/201812/uepic/c4dbd213-4a73-4109-8e54-859e01259cc4.jpg" title="image008.jpg" alt="image008.jpg"//pp style="text-align: center "　　C. Thomas Caskey，美国科学院、美国医学院双院士 C. Thomas Caskey院士/pp　strong　话题：新型表型技术在精准医学中的应用 - 对1,400人的案列解析/strong/pp　　最为重磅的是，来自美国科学院、美国医学院的双院士C. Thomas Caskey教授现身P4 China大会，首度发表了他与团队长达十年，针对1190人大队列(平均年龄在54岁、66%男性)的最新研究成果。大量详实的数据与结论，为我们展示了新型表型技术在精准医学中的潜在应用。/pp style="text-align: center "img src="https://img1.17img.cn/17img/images/201812/uepic/d488b0d6-b860-4179-b852-fa7f89404d98.jpg" title="image010.jpg" alt="image010.jpg"//pp style="text-align: center "　　杨宏钧，阿斯利康精准医学与基因组学部前全球个体化治疗战略执行总监/pp　　strong话题：FDA伴随诊断的国际政策法规与未来趋势/strong/pp　　中国生物工程学会精准医疗与伴随诊断专业委员会共同主任杨宏钧向参会者介绍了FDA伴随诊断的国际政策法规与未来发展趋势。特别强调了法规第一是一门科学，科学在发展的同时，如何制定法律法规确保药物安全性和有效性就显得尤为重要，法律法规也要在科学发展的过程中同步发展。第二才能对科学创新技术创新起到保驾护航的作用。/pp　　strong了解更多查看杨宏钧博士专家访谈：行走在肿瘤诊断与治疗前沿的开拓者。/strong/pp style="text-align: center "strongimg src="https://img1.17img.cn/17img/images/201812/uepic/298fd268-7be9-467d-831a-70c59e845b27.jpg" title="image012.jpg" alt="image012.jpg"//strong/pp style="text-align: center "　　圆桌讨论：中国精准医疗产业的投融资机遇(从左到右依次为：刘晓磊、唐艳旻、杨磊、徐海)/pp　　上午场主旨论坛的最后，以圆桌讨论形式探讨了：中国精准医疗产业的投融资机遇。刘晓磊，光大控股医疗健康基金投资总监 唐艳旻，启明创投医疗健康投资合伙人 杨磊，鑫诺基因董事长 徐海，联新资本合伙人。/pp　　就1、如何给精准医疗的企业估值?是否认为当前市场过热存在泡沫? 2、怎么考虑精准医疗企业的投资退出，怎么看待港交所的创新板和上交所明年即将退出的科创板?3、如何看待CFDA对于精准医疗相关产品的注册和审批的政策，有什么评价或建议?4、精准医疗的创业项目的投后管理有哪些特点。进行了广泛讨论，让大家从宏观和微观层面上对上述问题有了更深的理解。/pp　　同期，12月1日下午至12月2日，队列与多组学研究转化论坛、肿瘤精准诊断与用药研究论坛、精准医疗产业技术开发论坛，三大分会场也有出彩内容不断碰撞产生。真正满足了精准医疗所需的产学研医资紧密交流的需求。/pp style="text-align: center "img src="https://img1.17img.cn/17img/images/201812/uepic/e3de5bfd-b96f-4f4f-81ca-88a307b6b1b5.jpg" title="image014.jpg" alt="image014.jpg"//pp style="text-align: center "　　嘉宾合影/pp style="text-align: center "img src="https://img1.17img.cn/17img/images/201812/uepic/acf4743e-2a23-46d3-8826-8dd4b9642c3d.jpg" title="image016.jpg" alt="image016.jpg"//pp style="text-align: center "　　会场精彩集锦/pp　　/p

屹唐股份科创板IPO申请近日获得上交所受理。屹唐股份是一家总部位于中国，以中国、美国、德国三地作为研发、制造基地，面向全球经营的半导体设备公司，主要从事晶圆加工设备的研发、生产和销售。2020年，屹唐股份干法去胶设备、快速热处理设备市占率分别为全球第一、第二。干法去胶设备市场份额全球第一屹唐股份的主打产品包括干法去胶设备、快速热处理设备、干法刻蚀设备。2018年-2020年（报告期），屹唐股份干法去胶设备和快速热处理设备的销售收入占比较大，尤其是干法去胶设备2020年实现销售收入同比增长82.12%至10.80亿元。屹唐股份主要产品已应用在多家国际知名集成电路制造商生产线，并实现大规模装机。公司干法去胶设备、快速热处理设备主要可用于90纳米到5纳米逻辑芯片、10纳米系列DRAM芯片以及32层到128层3D闪存芯片制造领域；干法刻蚀设备主要可用于65纳米到5纳米逻辑芯片、10纳米系列DRAM芯片以及32层到128层3D闪存芯片制造领域。公司服务的客户覆盖全球前十大芯片制造商和国内行业领先芯片制造商。截至2020年12月31日，公司产品全球累计装机数量超过3700台，并在相应细分领域处于全球领先地位。根据Gartner统计数据，2018年-2020年，干法去胶设备领域，屹唐股份分别处于全球第三、全球第二和全球第一的市场地位，市场占有率逐年提升。2020年，屹唐股份的市场占有率达到31.29%。2020年，存储芯片制造企业长江存储通过招投标方式采购27台去胶设备，其中24台由屹唐股份提供；逻辑电路制造企业华虹集团通过招投标方式采购11台去胶设备，其中10台由屹唐半导体提供。在快速热处理设备领域，根据Gartner统计数据，报告期内屹唐股份快速热处理设备市场占有率始终保持全球第二。屹唐股份的快速热处理设备客户覆盖台积电、三星电子、中芯国际、华虹集团、长江存储等国内外知名存储芯片、逻辑芯片、功率半导体、硅片制造厂商。干法（等离子体）刻蚀设备的壁垒相对较高。国际巨头如泛林半导体、东京电子、应用材料等拥有领先的技术工艺及客户资源，预计短期内较难被其他竞争对手超越。根据Gartner统计数据，2020年，前三大厂商泛林半导体、东京电子及应用材料合计占有全球干法刻蚀设备领域90.24%的市场份额，市场格局高度集中。屹唐股份、中微公司、北方华创等企业尚处于追赶阶段。目前，屹唐股份的刻蚀设备已被三星电子、长江存储等客户应用。向3纳米先进工艺迈进屹唐股份的核心子公司MTI成立于1988年，专注于集成电路设备研发和生产，原为美国纳斯达克证券交易所上市公司。2016年5月，屹唐股份完成对MTI的私有化收购。MTI的营业收入和利润占屹唐股份合并报表数据的比例较高。由于此次收购，屹唐股份商誉账面价值较高。截至2020年12月31日，屹唐股份合并资产负债表中商誉账面价值为8.96亿元，占报告期末净资产比例为21.29%。2018年以前，屹唐股份的生产制造基地主要位于美国、德国。为优化全球经营架构和布局、把握中国市场发展机遇，公司开始建设北京制造基地。报告期内，公司北京制造基地专用设备产量分别为4台、23台和54台。受益于半导体行业景气度提升，屹唐股份境内市场销售占比逐年提升。报告期内，公司来源于中国境内的收入分别为3.21亿元、4.94亿元、9.74亿元，复合增长率达74.27%，境内销售收入占公司营业收入比重由21.12%上升至42.12%。此外，通过组织架构调整、员工扩充等措施，屹唐股份实现了主要产品生产的本土化，形成了以中国为总部、国际化经营的业务布局及发展战略。公司于美国、德国、韩国、日本、中国香港、中国台湾等国家或地区设有控股子公司或分支机构。屹唐股份表示，随着集成电路关键尺寸缩小、芯片三维结构升级，光刻材料丰富与更新、晶圆退火时间缩短、刻蚀工艺步骤显著提升、晶圆表面处理技术进入原子层级时代等工艺发展，对于干法去胶设备、快速热处理设备、干法刻蚀设备等集成电路制造核心设备的性能提升需求不断增加。在干法去胶设备和快速热处理设备领域，屹唐股份根据行业领先集成电路制造厂商的需求，研发应用于3纳米及更先进逻辑芯片、先进10纳米系列DRAM芯片、176层到256层3D闪存芯片制造的干法去胶设备和工艺、快速热处理设备和工艺。在干法刻蚀设备领域，屹唐股份持续根据客户需求，研发可用于10纳米系列DRAM芯片、64层到256层3D闪存芯片的刻蚀设备和工艺。截至2021年5月31日，屹唐股份拥有发明专利309项，科研成果在全球主要半导体生产地区申请了专利保护。报告期内，公司的研发费用分别为2.54亿元、2.79亿元、3.28亿元，研发费用占营业收入比例分别达16.75%、17.75%、14.20%。亦庄国投为间接控股股东经营国际化，离不开国际化背景的高管团队。招股书显示，自屹唐股份完成对MTI的私有化收购以后，便形成了以HaoAllenLu（陆郝安）为CEO的核心管理团队，现任核心管理团队拥有应用材料、英特尔、阿斯麦、泛林半导体、东京电子等集成电路领域知名企业从业经验，兼具国际化视野和对行业的深刻理解。例如，HaoAllenLu（陆郝安）在应用材料、英特尔、SEMI均有任职经历。报告期内，屹唐股份的营业收入分别为15.18亿元、15.74亿元、23.13亿元，营业收入复合增长率达23.41%；归母净利润分别为2395.83万元、-8813.98万元、2476.16万元。对于2019年净利润为负的原因，屹唐股份解释称，主要系公司北京制造基地当年建成投产，生产效率及规模效应尚在逐步提升阶段。此外，中国区业务团队当年也在扩张以适配快速增长的国内客户需求，当年各项先行投入较大。随着公司业务拓展效果在2020年的显现，公司的盈利情况得到了恢复和改善。报告期内，屹唐股份的主营业务毛利率分别为40.09%、33.75%、32.79%。公司表示，报告期内干法去胶设备销售收入占比大幅度增加，产品结构变化导致专用设备平均单价有所降低，毛利率水平有所下降，但毛利金额占比逐年稳步提升。屹唐股份此次拟募资30亿元，投向屹唐半导体集成电路装备研发制造服务中心项目、高端集成电路装备研发项目以及发展和科技储备资金。股东结构方面，此次发行前，屹唐盛龙直接持有公司45.05%股份，为屹唐股份直接控股股东。亦庄国投通过亦庄产投和北京亦庄国际新兴产业投资中心（有限合伙）间接持有屹唐盛龙100%财产份额，并通过屹唐盛龙间接持有公司45.05%的股份，为公司间接控股股东。而北京经济技术开发区财政审计局持有亦庄国投100%股权，为屹唐股份实际控制人。此外，深创投、红杉资本、CPE投资基金均为屹唐股份的股东。

p style="text-indent: 2em "中国海关的统计数据显示，2019年我国芯片的进口总额高达3040亿美元，远超排名第二的原油进口金额。因为我国芯片自给率目前不到30%，尤其是高端芯片方面，对外依赖严重，而“缺芯”的一个重要原因，就是缺乏芯片的设计和制造人才。/pp style="text-indent: 2em "今年，华为创始人任正非造访东南大学、南京大学等高校时表示：“点燃未来灯塔的责任无疑是要落在高校上，而高校就是为社会输出人才的地方，中国芯片的崛起必然需要人才的努力。”/pp style="text-indent: 2em "那么，我国芯片产业和国际先进水平差距有多大？如何点亮我国芯片人才的“灯塔”？日前，由中国电子信息产业发展研究院、中国半导体行业协会、中国科学院微电子研究所等单位主办的2020第三届半导体才智大会在南京举行，记者就此采访了相关专家。/pp style="text-indent: 2em "三类芯片人才都紧缺，尤其缺高端人才/pp style="text-indent: 2em "据了解，芯片按照功能分三类：存储芯片、计算类芯片（逻辑电路）和模拟电路芯片。/pp style="text-indent: 2em "存储芯片可以说是大数据时代的基石，计算机中的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中，所以手机、平板、PC和服务器等产品都会用到存储芯片。报告显示，目前，存储芯片占半导体产业的比重为1/3，被韩国和美国三大存储器公司垄断，韩国三星、SK海力士、美光占据了全球市场份额的95%。/pp style="text-indent: 2em "计算类芯片（逻辑电路）按照产业链划分，有设备、材料、集成电路设计、晶圆代工和封装测试五大领域，我国大陆芯片公司只占5%的市场份额，且处于芯片产业链的低端，从芯片产业的基础软件、底层架构、光刻胶及配套试剂等芯片材料，再到高端显示芯片、基础操作系统、集成电路专用装备和高精度加工设备，我国都依赖进口。/pp style="text-indent: 2em "用来处理模拟信号的集成电路，也就是模拟电路芯片，在汽车电子领域和5G时代的物联网中得以广泛应用。但全球模拟电路芯片的高端市场主要由ADI、TI等美国厂商占据，我国在高端的核心模拟电路芯片，比如高速数模转换芯片、射频芯片等方面对外依赖度较高。/pp style="text-indent: 2em "“总的来看，当前我国各类芯片人才都很紧缺，尤其是缺乏高端人才。人才问题特别是高端人才团队短缺成为制约我国半导体产业可持续发展的关键因素。”湖南省中国特色社会主义理论体系研究中心特约研究员范东君说。/pp style="text-indent: 2em "到2022年我国芯片专业人才缺口仍将近25万/pp style="text-indent: 2em "近年来，我国加大了对各类芯片人才的培养力度，教育部也在主动布局集成电路等战略性新兴产业发展相关学科专业。7月30日，国务院学位委员会会议投票通过提案：集成电路专业成为一级学科，从电子科学与技术一级学科中独立出来，将为我国培养更多的芯片人才。/pp style="text-indent: 2em "在大会上，由中国电子信息产业发展研究院联合中国半导体行业协会、安博教育集团等单位编制的《中国集成电路产业人才白皮书（2019—2020年版）》发布。白皮书指出，我国集成电路人才在供给总量上仍显不足，到2022年，芯片专业人才缺口仍将近25万。/pp style="text-indent: 2em "根据白皮书的统计分析，虽然我国集成电路从业人数逐年增多，2019年就业人数在51.2万人左右，同比增长了11%，半导体全行业平均薪酬同比提升了4.75%，发展的环境逐步改善，但从当前产业发展态势来看，集成电路人才在供给总量上仍显不足，且存在结构性失衡问题。/pp style="text-indent: 2em "相关数据显示，2020年我国芯片人才缺口超过30万。在芯片相关人才学历方面，本科生占比73.76%，硕士及以上学历仅占6.53%。/pp style="text-indent: 2em "在清华大学微电子研究所教授王志华看来，我国芯片人才特别是高端人才的缺乏，一方面和国内高校对芯片研发和人才的培养不足有关；另一方面则与国内企业面临的市场环境有很大关系，研发基础相对薄弱。/pp style="text-indent: 2em "“芯片产业属于技术密集型产业，我们既要考虑从0到1的创新，也要考虑怎么提高工艺水平，把芯片产品质量做好，使之与国际领先水平相当。应用需求是创新的源泉，高层次的人才培养是创新的关键。”王志华说。/pp style="text-indent: 2em "加大半导体高端材料人才的培育与引进势在必行/pp style="text-indent: 2em "“芯片人才培养刻不容缓。相比于理论研究，当务之急是缩短芯片人才从培养阶段到投入科研与产业一线的周期。”国家专用集成电路系统工程技术研究中心主任、东南大学教授时龙兴介绍，东南大学微电子学院从成立之初就承担着国家集成电路人才培养基地的建设任务，如今正在探索如何围绕芯片产业链发展来培养高端人才。/pp style="text-indent: 2em "安博教育研究院院长黄钢表示，从中国半导体产业发展的背景来看，产教融合、协同育人是突破芯片人才培养瓶颈的有效之举，只有教育界与产业界深度融合，才能迎难而上、突破困境。/pp style="text-indent: 2em "成都信息工程大学通信工程学院院长李英祥教授也表示：“当前，校企联合是提升芯片人才培养质量的重要保障，学院在积极探索和企业联合培养各类芯片人才。”/pp style="text-indent: 2em "据了解，不少国内高校也在探索芯片创新人才的培养方式。其中，中国科学院大学“一生一芯”计划备受关注。中国科学院大学计算机科学与技术学院院长孙凝晖介绍，国科大开设了《芯片敏捷设计》课程，计划让大四本科生、一年级研究生学习并实践芯片设计方法，让学生带着自己设计的芯片实物毕业，力争3年后能在全国范围内每年培养500名毕业生，5年后实现每年培养1000名毕业生。/pp style="text-indent: 2em "“加快推动我国半导体高端材料产业人才的引进与培养势在必行。”范东君认为，可以半导体高端材料为试点实施关键领域核心技术紧缺博士人才自主培养专项，根据行业企业需要，依托高水平大学和国内骨干企业，有针对性地培养一批半导体材料高端人才。支持一批重点高校建设或筹建示范半导体材料学院，加快建设半导体材料产教融合协同育人平台，保障我国在高端半导体材料、芯片产业的可持续发展。/pp style="text-indent: 2em "“只要各方合力，相信中国的芯片产业最终会跟航天、核电产业一样，走向世界先进水平。”范东君建议，推动高校与区域内半导体材料领域骨干企业、国家公共服务平台、科技创新平台、产业化基地和地方政府等合作，通过借鉴海外企业的经验以及引进人才的办法，鼓励半导体材料科学重点实验室和科创中心招聘一批海内外优秀科研人才，推介筑巢引凤、引智育才政策，以最短的时间缩小与国外水平的差距。/ppbr//p

8月9日，广东省人民政府发布通知，《广东省制造业高质量发展“十四五”规划》（粤府〔2021〕53号，以下简称“《规划》”）正式印发。根据《规划》制定的主要发展目标，到2025年，全省制造强省建设迈上重要台阶，制造业整体实力达到世界先进水平，创新能力显著提升，产业结构更加优化，产业基础高级化和产业链现代化水平明显提高，部分领域取得战略性领先优势，培育形成若干世界级先进制造业集群，成为全球制造业高质量发展典范。展望2035年，制造强省地位更加巩固，关键核心技术实现重大突破，率先建成现代产业体系，制造业综合实力达到世界制造强国领先水平，成为全球制造业核心区和主阵地。《规划》提出巩固提升战略性支柱产业、前瞻布局战略性新兴产业、谋划发展未来产业三大重点发展方向，大力实施制造业高质量发展“强核”、“立柱”、“强链”、“优化布局”、“品质”、“培土”六大工程。其中，战略性支柱产业具体包括新一代电子信息、绿色石化、智能家电、汽车、先进材料、现代轻工纺织、软件与信息服务、超高清视频显示、生物医药与健康、现代农业与食品。新一代电子信息方面，着力突破核心电子元器件、高端通用芯片，提升高端电子元器件的制造工艺技术水平和可靠性，布局关键核心电子材料和电子信息制造装备研制项目，支持发展晶圆制造装备、芯片/器件封装装备3C自动化、智能化产线装备等。加快建设新一代信息通信基础设施，推进5G商用普及，推动5G产业集聚发展。加快触控、体感、传感等关键技术联合攻关，提升终端智能化水平。加速推动信息技术应用创新，推进计算机整机、外部设备及耗材产品的研发和产业化，强化协同攻关和适配合作。推进人工智能芯片、算法框架等基础软硬件产品研发及行业应用，构建数字经济自主可控技术底座。到2025年，新一代电子信息产业营业收入达到6.6万亿元，形成世界级新一代电子信息产业集群。新一代电子信息重点细分领域发展空间布局包括半导体元器件、新一代通信与网络、智能终端、信息技术应用创新硬件，其中半导体元器件方面，以广州、深圳、珠海为核心，打造涵盖设计、制造、封测等环节的半导体及集成电路全产业链。支持广州开展“芯火冶双创基地建设，建设制造业创新中心。支持深圳、汕头、梅州、肇庆、潮州建设新型电子元器件产业集聚区，推进粤港澳大湾区集成电路公共技术研究中心建设。推动粤东粤西粤北地区主动承接珠三角地区产业转移，发展半导体元器件配套产业。战略性新兴产业具体包括半导体及集成电路、高端装备制造、智能机器人、区块链与量子信息、前沿新材料、新能源、激光与增材制造、数字创意、安全应急与环保、精密仪器设备。其中半导体及集成电路方面，推进集成电路EDA底层工具软件国产化，支持开展EDA云上架构、应用AI技术、TCAD、封装EDA工具等研发。扩大集成电路设计优势，突破边缘计算芯片、储存芯片、处理器等高端通用芯片设计，支持射频、传感器、基带、交换、光通信、显示驱动、RISC-V(基于精简指令集原则的开源指令集架构)等专用芯片开发设计，前瞻布局化合物半导体、毫米波芯片、太赫兹芯片等专用芯片设计。布局建设较大规模特色工艺制程和先进工艺制程生产线，重点推进模拟及数模混合芯片生产制造，加快FDSOI(全耗尽型绝缘层上硅)核心技术攻关，支持氮化镓、碳化硅等化合物半导体器件和模块的研发制造。支持先进封装测试技术研发及产业化，重点突破氟聚酰亚胺、光刻胶等关键原材料以及高性能电子电路基材、高端电子元器件，发展光刻机、缺陷检测设备、激光加工设备等整机设备以及精密陶瓷零部件、射频电源等设备关键零部件研制。到2025年，半导体及集成电路产业营业收入突破4000亿元，打造我国集成电路产业发展第三极，建成具有国际影响力的半导体及集成电路产业聚集区。半导体及集成电路重点细分领域发展空间布局：1.芯片设计及底层工具软件。以广州、深圳、珠海、江门等市为核心，建设具有全球竞争力的芯片设计和软件开发聚集区。广州重点发展智能传感器、射频滤波器、第三代半导体，建设综合性集成电路产业聚集区。深圳集中突破CPU(中央处理器)/GPU(图形处理器)/FPGA(现场可编程逻辑门阵列)等高端通用芯片设计、人工智能专用芯片设计、高端电源管理芯片设计。珠海聚焦办公打印、电网、工业等行业安全领域提升芯片设计技术水平。江门重点推进工业数字光场芯片、硅基液晶芯片、光电耦合器芯片等研发制造。2.芯片制造。依托广州、深圳、珠海做大做强特色工艺制造，广州以硅基特色工艺晶圆代工线为核心，布局建设12英寸集成电路制造生产线；深圳定位28纳米及以下先进制造工艺和射频、功率、传感器、显示驱动等高端特色工艺，推动现有生产线产能和技术水平提升。珠海重点建设第三代半导体生产线，推动8英寸硅基氮化镓晶圆线及电子元器件等扩产建设。佛山依托季华实验室推动建设12英寸全国产半导体装备芯片试验验证生产线。3.芯片封装测试。以广州、深圳、东莞为依托，做大做强半导体与集成电路封装测试。广州发展器件级、晶圆级MEMS封装和系统级测试技术，鼓励封装测试企业向产业链的设计环节延伸。深圳集中优势力量，增强封测、设备和材料环节配套能力。东莞重点发展先进封测平台及工艺。4.化合物半导体。依托广州、深圳、珠海、东莞、江门等市大力发展氮化镓、碳化硅、氧化锌、氧化镓、氮化铝、金刚石等第三代半导体材料制造，支持氮化镓、碳化硅、砷化镓、磷化铟等化合物半导体器件和模块的研发制造，培育壮大化合物半导体IDM(集成器件制造)企业，支持建设射频、传感器、电力电子等器件生产线，推动化合物半导体产品的推广应用。5.材料与关键元器件。依托广州、深圳、珠海、东莞等市加快氟聚酰亚胺、光刻胶、高纯度化学试剂、电子气体、碳基、高密度封装基板等材料研发生产，大力支持纳米级陶瓷粉体、微波陶瓷粉体、功能性金属粉体、贱金属浆料等元器件关键材料的研发及产业化。依托广州、深圳、汕头、佛山、梅州、肇庆、潮州、东莞、河源、清远等市大力建设新型电子元器件产业集聚区，推动电子元器件企业与整机厂联合开展核心技术攻关，建设高端片式电容器、电感器、电阻器等元器件以及高端印制电路板生产线，提升国产化水平。6.特种装备及零部件配套。依托珠三角地区，加快半导体集成电路装备生产制造。支持深圳加大集成电路用的刻蚀设备、离子注入设备、沉积设备、检测设备以及可靠性和鲁棒性校验平台等高端设备研发和产业化。支持广州发展涂布机、电浆蚀刻、热加工、晶片沉积、清洗系统、划片机、芯片互连缝合机、芯片先进封装线、上芯机等装备制造业。支持佛山、惠州、东莞、中山、江门、汕尾、肇庆、河源等市依据各自产业基础，积极培育特种装备及零部件领域龙头企业及“隐形冠军冶企业，形成与广深珠联动发展格局。

p　　今日，国务院发布《国务院关于印发新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策的通知》，将从财税政策、投融资政策、研究开发政策、进出口政策、人才政策、知识产权政策、市场应用政策、国际合作政策八个方面给予集成电路产业和软件产业全力支持。此外，凡在中国境内设立的符合条件的集成电路企业(含设计、生产、封装、测试、装备、材料企业)和软件企业，不分所有制性质，均可享受该政策。该政策彰显出国家大力发展集成电路产业的决心和信心。可以预见，该政策不仅会推动集成电路产业的发展，同时也会带动半导体仪器设备的需求。/pp　　strong财税政策/strong方面，在一定时期内，国家鼓励的重点集成电路设计企业和软件企业，以及第(六)条中的集成电路生产企业和先进封装测试企业进口自用设备，及按照合同随设备进口的技术(含软件)及配套件、备件，除相关不予免税的进口商品目录所列商品外，免征进口关税。具体政策由财政部会同海关总署等有关部门制定。/pp　　strong投融资政策/strong方面，鼓励地方政府建立贷款风险补偿机制，支持集成电路企业、软件企业通过知识产权质押融资、股权质押融资、应收账款质押融资、供应链金融、科技及知识产权保险等手段获得商业贷款。充分发挥融资担保机构作用，积极为集成电路和软件领域小微企业提供各种形式的融资担保服务 鼓励商业性金融机构进一步改善金融服务，加大对集成电路产业和软件产业的中长期贷款支持力度，积极创新适合集成电路产业和软件产业发展的信贷产品，在风险可控、商业可持续的前提下，加大对重大项目的金融支持力度 引导保险资金开展股权投资 支持银行理财公司、保险、信托等非银行金融机构发起设立专门性资管产品。/pp　　strong研究开发政策/strong方面，聚焦高端芯片、集成电路装备和工艺技术、集成电路关键材料、集成电路设计工具、基础软件、工业软件、应用软件的关键核心技术研发，不断探索构建社会主义市场经济条件下关键核心技术攻关新型举国体制。科技部、国家发展改革委、工业和信息化部等部门做好有关工作的组织实施，积极利用国家重点研发计划、国家科技重大专项等给予支持。/pp　　strong进出口政策/strong方面，在一定时期内，国家鼓励的重点集成电路设计企业和软件企业需要临时进口的自用设备(包括开发测试设备)、软硬件环境、样机及部件、元器件，符合规定的可办理暂时进境货物海关手续，其进口税收按照现行法规执行。/pp　　strong人才政策/strong方面，进一步加强高校集成电路和软件专业建设，加快推进集成电路一级学科设置工作，紧密结合产业发展需求及时调整课程设置、教学计划和教学方式，努力培养复合型、实用型的高水平人才。加强集成电路和软件专业师资队伍、教学实验室和实习实训基地建设。教育部会同相关部门加强督促和指导。/pp　　strong知识产权/strongstrong政策/strong方面，鼓励企业进行集成电路布图设计专有权、软件著作权登记。支持集成电路企业和软件企业依法申请知识产权，对符合有关规定的，可给予相关支持。大力发展集成电路和软件相关知识产权服务。/pp　　strong市场应用/strongstrong政策/strong方卖弄，推进集成电路产业和软件产业集聚发展，支持信息技术服务产业集群、集成电路产业集群建设，支持软件产业园区特色化、高端化发展。/pp　strong　国际合作/strongstrong政策/strong方面，深化集成电路产业和软件产业全球合作，积极为国际企业在华投资发展营造良好环境。鼓励国内高校和科研院所加强与海外高水平大学和研究机构的合作，鼓励国际企业在华建设研发中心。加强国内行业协会与国际行业组织的沟通交流，支持国内企业在境内外与国际企业开展合作，深度参与国际市场分工协作和国际标准制定。/pp　　该政策体现了国家对于国内集成电路产业发展和自主创新的全力支持，对于国内集成电路的产业的迅速发展无疑将起到至关重要的推动作用，可以预见国内半导体产业将在未来几十年内迎来飞速发展的机遇期，而对于半导体仪器设备和检测的需求将大大增加，半导体仪器设备或将迎来新的爆发式增长。/pp　　strong《国务院关于印发新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策的通知》/strong全文如下：/pp style="text-align: center "　　国发〔2020〕8号/pp　　各省、自治区、直辖市人民政府，国务院各部委、各直属机构：/pp　　现将《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》印发给你们，请认真贯彻落实。/pp style="text-align: right "　　国务院/pp style="text-align: right "　　2020年7月27日/pp style="text-align: right "　　(此件公开发布)/pp　　strong新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策/strong/pp　　集成电路产业和软件产业是信息产业的核心，是引领新一轮科技革命和产业变革的关键力量。《国务院关于印发鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策的通知》(国发〔2000〕18号)、《国务院关于印发进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策的通知》(国发〔2011〕4号)印发以来，我国集成电路产业和软件产业快速发展，有力支撑了国家信息化建设，促进了国民经济和社会持续健康发展。为进一步优化集成电路产业和软件产业发展环境，深化产业国际合作，提升产业创新能力和发展质量，制定以下政策。/pp　　strong一、财税政策/strong/pp　　(一)国家鼓励的集成电路线宽小于28纳米(含)，且经营期在15年以上的集成电路生产企业或项目，第一年至第十年免征企业所得税。国家鼓励的集成电路线宽小于65纳米(含)，且经营期在15年以上的集成电路生产企业或项目，第一年至第五年免征企业所得税，第六年至第十年按照25%的法定税率减半征收企业所得税。国家鼓励的集成电路线宽小于130纳米(含)，且经营期在10年以上的集成电路生产企业或项目，第一年至第二年免征企业所得税，第三年至第五年按照25%的法定税率减半征收企业所得税。国家鼓励的线宽小于130纳米(含)的集成电路生产企业纳税年度发生的亏损，准予向以后年度结转，总结转年限最长不得超过10年。/pp　　对于按照集成电路生产企业享受税收优惠政策的，优惠期自获利年度起计算 对于按照集成电路生产项目享受税收优惠政策的，优惠期自项目取得第一笔生产经营收入所属纳税年度起计算。国家鼓励的集成电路生产企业或项目清单由国家发展改革委、工业和信息化部会同相关部门制定。/pp　　(二)国家鼓励的集成电路设计、装备、材料、封装、测试企业和软件企业，自获利年度起，第一年至第二年免征企业所得税，第三年至第五年按照25%的法定税率减半征收企业所得税。国家鼓励的集成电路设计、装备、材料、封装、测试企业条件由工业和信息化部会同相关部门制定。/pp　　(三)国家鼓励的重点集成电路设计企业和软件企业，自获利年度起，第一年至第五年免征企业所得税，接续年度减按10%的税率征收企业所得税。国家鼓励的重点集成电路设计企业和软件企业清单由国家发展改革委、工业和信息化部会同相关部门制定。/pp　　(四)国家对集成电路企业或项目、软件企业实施的所得税优惠政策条件和范围，根据产业技术进步情况进行动态调整。集成电路设计企业、软件企业在本政策实施以前年度的企业所得税，按照国发〔2011〕4号文件明确的企业所得税“两免三减半”优惠政策执行。/pp　　(五)继续实施集成电路企业和软件企业增值税优惠政策。/pp　　(六)在一定时期内，集成电路线宽小于65纳米(含)的逻辑电路、存储器生产企业，以及线宽小于0.25微米(含)的特色工艺集成电路生产企业(含掩模版、8英寸及以上硅片生产企业)进口自用生产性原材料、消耗品，净化室专用建筑材料、配套系统和集成电路生产设备零配件，免征进口关税 集成电路线宽小于0.5微米(含)的化合物集成电路生产企业和先进封装测试企业进口自用生产性原材料、消耗品，免征进口关税。具体政策由财政部会同海关总署等有关部门制定。企业清单、免税商品清单分别由国家发展改革委、工业和信息化部会同相关部门制定。/pp　　(七)在一定时期内，国家鼓励的重点集成电路设计企业和软件企业，以及第(六)条中的集成电路生产企业和先进封装测试企业进口自用设备，及按照合同随设备进口的技术(含软件)及配套件、备件，除相关不予免税的进口商品目录所列商品外，免征进口关税。具体政策由财政部会同海关总署等有关部门制定。/pp　　(八)在一定时期内，对集成电路重大项目进口新设备，准予分期缴纳进口环节增值税。具体政策由财政部会同海关总署等有关部门制定。/pp　　strong二、投融资政策/strong/pp　　(九)加强对集成电路重大项目建设的服务和指导，有序引导和规范集成电路产业发展秩序，做好规划布局，强化风险提示，避免低水平重复建设。/pp　　(十)鼓励和支持集成电路企业、软件企业加强资源整合，对企业按照市场化原则进行的重组并购，国务院有关部门和地方政府要积极支持引导，不得设置法律法规政策以外的各种形式的限制条件。/pp　　(十一)充分利用国家和地方现有的政府投资基金支持集成电路产业和软件产业发展，鼓励社会资本按照市场化原则，多渠道筹资，设立投资基金，提高基金市场化水平。/pp　　(十二)鼓励地方政府建立贷款风险补偿机制，支持集成电路企业、软件企业通过知识产权质押融资、股权质押融资、应收账款质押融资、供应链金融、科技及知识产权保险等手段获得商业贷款。充分发挥融资担保机构作用，积极为集成电路和软件领域小微企业提供各种形式的融资担保服务。/pp　　(十三)鼓励商业性金融机构进一步改善金融服务，加大对集成电路产业和软件产业的中长期贷款支持力度，积极创新适合集成电路产业和软件产业发展的信贷产品，在风险可控、商业可持续的前提下，加大对重大项目的金融支持力度 引导保险资金开展股权投资 支持银行理财公司、保险、信托等非银行金融机构发起设立专门性资管产品。/pp　　(十四)大力支持符合条件的集成电路企业和软件企业在境内外上市融资，加快境内上市审核流程，符合企业会计准则相关条件的研发支出可作资本化处理。鼓励支持符合条件的企业在科创板、创业板上市融资，通畅相关企业原始股东的退出渠道。通过不同层次的资本市场为不同发展阶段的集成电路企业和软件企业提供股权融资、股权转让等服务，拓展直接融资渠道，提高直接融资比重。/pp　　(十五)鼓励符合条件的集成电路企业和软件企业发行企业债券、公司债券、短期融资券和中期票据等，拓宽企业融资渠道，支持企业通过中长期债券等方式从债券市场筹集资金。/pp　　strong三、研究开发政策/strong/pp　　(十六)聚焦高端芯片、集成电路装备和工艺技术、集成电路关键材料、集成电路设计工具、基础软件、工业软件、应用软件的关键核心技术研发，不断探索构建社会主义市场经济条件下关键核心技术攻关新型举国体制。科技部、国家发展改革委、工业和信息化部等部门做好有关工作的组织实施，积极利用国家重点研发计划、国家科技重大专项等给予支持。/pp　　(十七)在先进存储、先进计算、先进制造、高端封装测试、关键装备材料、新一代半导体技术等领域，结合行业特点推动各类创新平台建设。科技部、国家发展改革委、工业和信息化部等部门优先支持相关创新平台实施研发项目。/pp　　(十八)鼓励软件企业执行软件质量、信息安全、开发管理等国家标准。加强集成电路标准化组织建设，完善标准体系，加强标准验证，提升研发能力。提高集成电路和软件质量，增强行业竞争力。/pp　strong　四、进出口政策/strong/pp　　(十九)在一定时期内，国家鼓励的重点集成电路设计企业和软件企业需要临时进口的自用设备(包括开发测试设备)、软硬件环境、样机及部件、元器件，符合规定的可办理暂时进境货物海关手续，其进口税收按照现行法规执行。/pp　　(二十)对软件企业与国外资信等级较高的企业签订的软件出口合同，金融机构可按照独立审贷和风险可控的原则提供融资和保险支持。/pp　　(二十一)推动集成电路、软件和信息技术服务出口，大力发展国际服务外包业务，支持企业建立境外营销网络。商务部会同相关部门与重点国家和地区建立长效合作机制，采取综合措施为企业拓展新兴市场创造条件。/pp　　strong五、人才政策/strong/pp　　(二十二)进一步加强高校集成电路和软件专业建设，加快推进集成电路一级学科设置工作，紧密结合产业发展需求及时调整课程设置、教学计划和教学方式，努力培养复合型、实用型的高水平人才。加强集成电路和软件专业师资队伍、教学实验室和实习实训基地建设。教育部会同相关部门加强督促和指导。/pp　　(二十三)鼓励有条件的高校采取与集成电路企业合作的方式，加快推进示范性微电子学院建设。优先建设培育集成电路领域产教融合型企业。纳入产教融合型企业建设培育范围内的试点企业，兴办职业教育的投资符合规定的，可按投资额30%的比例，抵免该企业当年应缴纳的教育费附加和地方教育附加。鼓励社会相关产业投资基金加大投入，支持高校联合企业开展集成电路人才培养专项资源库建设。支持示范性微电子学院和特色化示范性软件学院与国际知名大学、跨国公司合作，引进国外师资和优质资源，联合培养集成电路和软件人才。/pp　　(二十四)鼓励地方按照国家有关规定表彰和奖励在集成电路和软件领域作出杰出贡献的高端人才，以及高水平工程师和研发设计人员，完善股权激励机制。通过相关人才项目，加大力度引进顶尖专家和优秀人才及团队。在产业集聚区或相关产业集群中优先探索引进集成电路和软件人才的相关政策。制定并落实集成电路和软件人才引进和培训年度计划，推动国家集成电路和软件人才国际培训基地建设，重点加强急需紧缺专业人才中长期培训。/pp　　(二十五)加强行业自律，引导集成电路和软件人才合理有序流动，避免恶性竞争。/pp　　strong六、知识产权政策/strong/pp　　(二十六)鼓励企业进行集成电路布图设计专有权、软件著作权登记。支持集成电路企业和软件企业依法申请知识产权，对符合有关规定的，可给予相关支持。大力发展集成电路和软件相关知识产权服务。/pp　　(二十七)严格落实集成电路和软件知识产权保护制度，加大知识产权侵权违法行为惩治力度。加强对集成电路布图设计专有权、网络环境下软件著作权的保护，积极开发和应用正版软件网络版权保护技术，有效保护集成电路和软件知识产权。/pp　　(二十八)探索建立软件正版化工作长效机制。凡在中国境内销售的计算机(含大型计算机、服务器、微型计算机和笔记本电脑)所预装软件须为正版软件，禁止预装非正版软件的计算机上市销售。全面落实政府机关使用正版软件的政策措施，对通用软件实行政府集中采购，加强对软件资产的管理。推动重要行业和重点领域使用正版软件工作制度化规范化。加强使用正版软件工作宣传培训和督促检查，营造使用正版软件良好环境。/pp　strong　七、市场应用政策/strong/pp　　(二十九)通过政策引导，以市场应用为牵引，加大对集成电路和软件创新产品的推广力度，带动技术和产业不断升级。/pp　　(三十)推进集成电路产业和软件产业集聚发展，支持信息技术服务产业集群、集成电路产业集群建设，支持软件产业园区特色化、高端化发展。/pp　　(三十一)支持集成电路和软件领域的骨干企业、科研院所、高校等创新主体建设以专业化众创空间为代表的各类专业化创新服务机构，优化配置技术、装备、资本、市场等创新资源，按照市场机制提供聚焦集成电路和软件领域的专业化服务，实现大中小企业融通发展。加大对服务于集成电路和软件产业的专业化众创空间、科技企业孵化器、大学科技园等专业化服务平台的支持力度，提升其专业化服务能力。/pp　　(三十二)积极引导信息技术研发应用业务发展服务外包。鼓励政府部门通过购买服务的方式，将电子政务建设、数据中心建设和数据处理工作中属于政府职责范围，且适合通过市场化方式提供的服务事项，交由符合条件的软件和信息技术服务机构承担。抓紧制定完善相应的安全审查和保密管理规定。鼓励大中型企业依托信息技术研发应用业务机构，成立专业化软件和信息技术服务企业。/pp　　(三十三)完善网络环境下消费者隐私及商业秘密保护制度，促进软件和信息技术服务网络化发展。在各级政府机关和事业单位推广符合安全要求的软件产品和服务。/pp　　(三十四)进一步规范集成电路产业和软件产业市场秩序，加强反垄断执法，依法打击各种垄断行为，做好经营者反垄断审查，维护集成电路产业和软件产业市场公平竞争。加强反不正当竞争执法，依法打击各类不正当竞争行为。/pp　　(三十五)充分发挥行业协会和标准化机构的作用，加快制定集成电路和软件相关标准，推广集成电路质量评价和软件开发成本度量规范。/pp　　strong八、国际合作政策/strong/pp　　(三十六)深化集成电路产业和软件产业全球合作，积极为国际企业在华投资发展营造良好环境。鼓励国内高校和科研院所加强与海外高水平大学和研究机构的合作，鼓励国际企业在华建设研发中心。加强国内行业协会与国际行业组织的沟通交流，支持国内企业在境内外与国际企业开展合作，深度参与国际市场分工协作和国际标准制定。/pp　　(三十七)推动集成电路产业和软件产业“走出去”。便利国内企业在境外共建研发中心，更好利用国际创新资源提升产业发展水平。国家发展改革委、商务部等有关部门提高服务水平，为企业开展投资等合作营造良好环境。/pp　strong　九、附则/strong/pp　　(三十八)凡在中国境内设立的符合条件的集成电路企业(含设计、生产、封装、测试、装备、材料企业)和软件企业，不分所有制性质，均可享受本政策。/pp　　(三十九)本政策由国家发展改革委会同财政部、税务总局、工业和信息化部、商务部、海关总署等部门负责解释。/pp　　(四十)本政策自印发之日起实施。继续实施国发〔2000〕18号、国发〔2011〕4号文件明确的政策，相关政策与本政策不一致的，以本政策为准。/ppbr//p