薄膜应力测量系统

薄膜太阳电池QE测试专用系统 SCS10-Film适用范围： 非晶硅薄膜电池、CIGS 薄膜电池、CdTe 薄膜电池、非晶/ 微晶双结薄膜电池、非晶/ 微晶/微晶锗硅三结薄膜电池等光谱范围：300~1700nm电池结构：单结、多结太阳电池可测参数：光谱响应度、外量子效率、反射率、透射率、内量子效率、短路电流密度可测样品面积：300mm×300mm● 集成一体化turnkey系统● 大面积薄膜电池测试专用● 超大样品室，光纤传导● 背面电极快速连接● 反射率、内外量子效率同步测试● 快速高效售后服务 SCS10-Film系统规格 光源150W高稳定性氙灯，光学稳定度≤0.4%，光纤传导测试光斑尺寸2mm~10mm可调单色仪三光栅DSP扫描单色仪波长范围300nm~1700nm波长准确度±0.2nm（@1200g/mm,500nm)扫描间隔最小可达0.1nm，默认设置10nm输出波长带宽0.1nm~10nm可调，默认设置5nm多级光谱滤除装置根据波长自动切换，消除多级光谱的影响光调制频率4~400Hz标准探测器进口Si光电探测器，含校正测试报告数据采集装置灵敏度直流模式：100nA；交流模式：2nV测量重复精度0.6%( 400~1000nm范围0.3%)测量速度单次光谱响应扫描 1min 完整流程扫描 5min(扫描间隔10nm）样品加持探针样品台，156mm×156mm，特殊样品台可定制*Mapping扫描速度：20点/s（@0.5mm step）分辨率：0.5mm仪器尺寸主机：；样品室：控制机柜：800mm×600mm×1300mm计算机及软件系统含工控计算机、显示器、鼠标、键盘，正版windows 7操作系统，系统软件安装光盘

太阳能电池量子效率测试系统——SolarCellScan100系列系统功能系统可以实现测试太阳电池的：光谱响应度、外量子效率、内量子效率、反射率、透射率、短路电流密度、量子效率Mapping、反射率Mapping。系统适用范围1、适用于各种材料的太阳电池包括：单晶硅Si、多晶硅mc-Si、非晶硅α-Si、砷化镓GaAs、镓铟磷GaInP、磷化铟InP、锗Ge、碲化镉CdTe、铜铟硒CIS、铜铟镓硒CIGS、染料敏化DSSC、有机太阳电池Organic Solar Cell、聚合物太阳电池Polymer Solar Cell 等2、适用于多种结构的太阳电池包括：单结Single junction、多结multi junction、异质结HIT、薄膜thin film、高聚光HPV 等不同材料或不同结构的太阳电池，在测试过程中会有细节上的差异。比如说：有机太阳电池的测试范围主要集中在可见光波段，而GaAs 太阳电池的测试范围则很可能扩展到红外1.4um 甚至更长波段；单晶硅电池通常需要测内量子效率，而染料敏化太阳电池通常只需要测外量子效率；有机太阳电池测试通常不需要加偏置光，而多结非晶硅薄膜电池则需要加偏置光……SolarCellScan100 通过主机与各种附件的搭配，可以实现几乎所有种类电池的测试。这种模块化搭配的方式，适合科研用户建立测试平台。 选型列表：型号名称和说明主机SCS1011太阳能电池量子效率测量系统，含直流、交流测量模式，氙灯光源SCS1012太阳能电池量子效率测量系统，含直流测量模式，氙灯光源SCS1013太阳能电池量子效率测量系统，含直流、交流测量模式，溴钨灯光源SCS1014太阳能电池量子效率测量系统，含直流测量模式，溴钨灯光源SCS1015太阳能电池量子效率测量系统，含直流、交流测量模式，氙灯溴钨灯双光源SCS1016太阳能电池量子效率测量系统，含直流测量模式，氙灯溴钨灯双光源附件QE-A1偏置光附件，150W氙灯QE-A2偏置光附件，50W溴钨灯QE-B1标准太阳电池（单晶硅）QE-B1-SP标准太阳电池QE-B2标准铟镓砷探测器(800-1700nm，含标定证书）QE-B3标准硅探测器(300-1100nm，含标定证书)QE-B4标准铟镓砷探测器(800-2500nm，含标定证书）QE-B7透过率测试附件(300-1100nm)QE-B8透过率测试附件(800-1700nm)QE-BVS偏置电压源（±10V可调）QE-C2漫反射率测试附件（300-1700nm）QE-C7标准漫反射板QE-D1二维电动调整台QE-D2手动三维调整台QE-IV-Convertor短路电流放大器专用机型介绍系统功能部分太阳能应用方向的研究人员需要测量量子效率，但本身却不是光电测量方面的行家，卓立汉光在测量平台SolarCellScan100的基础上，进一步开发出以下几套极具针对性的专用机型配置，方便客户使用。以下的专用配置也适合产业化的工业客户使用。1、通用型太阳电池QE测试系统SCS100-Std系统特点符合IEC60904-8国际标准；测量结果高重复性；内外量子效率测量功能；快速导入参数功能；适用于科研级别小样品测试适用范围： 晶体硅电池、非晶硅薄膜电池、染料敏化电池、CdTe薄膜电池、CIGS薄膜电池等； 光谱范围： 300~1100nm； 电池结构： 单结太阳电池； 可测参数： 光谱响应度、外量子效率、内量子效率、反射率、短路电流密度； 可测样品面积： 30mm×30mm 2.通用型太阳电池QE测试系统SCS100-Exp系统特点符合IEC60904-8国际标准；测量结果高重复性；高度自动化测量；双光源设计；红外光谱范围扩展；薄膜透过率测试功能；小面积、大面积样品测试均适用；适用范围： 晶体硅电池、非晶硅薄膜电池、染料敏化电池、有机薄膜电池、CdTe薄膜电池、CIGS薄膜电池、三结砷化镓GaAs电池、非晶/微晶薄膜电池等； 光谱范围： 300~1700nm； 电池结构： 单结、多结太阳电池； 可测参数： 光谱响应度、外量子效率、内量子效率、反射率、透射率、短路电流密度； 可测样品面积： 156mm×156mm以下 3.晶体硅太阳电池测试专用系统 SCS100-Silicon系统特点集成一体化turnkey系统晶体硅电池测试专用内外量子效率测试快速Mapping扫描功能快速高效售后服务适用范围： 单晶硅电池、多晶硅电池 光谱范围： 300~1100nm 电池结构： 单结太阳电池 可测参数： 光谱响应度、外量子效率、反射率、内量子效率、短路电流密度、*量子效率Mapping、*反射率mapping 可测样品面积： 156mm×156mm 4.薄膜太阳电池QE测试专用系统 SCS100-Film系统特点集成一体化turnkey系统；大面积薄膜电池测试专用；超大样品室，光纤传导；背面电极快速连接；反射率、内外量子效率同步测试；快速高效售后服务。适用范围： 非晶硅薄膜电池、CIGS薄膜电池、CdTe薄膜电池、非晶/微晶双结薄膜电池、非晶/微晶/微晶锗硅三结薄膜电池等； 光谱范围： 300~1700nm ； 电池结构： 单结、多结太阳电池； 可测参数： 光谱响应度、外量子效率、反射率、透射率、内量子效率、短路电流密度； 可测样品面积： 300mm×300mm 5.光电化学太阳电池测试专用系统 SCS100-PEC系统特点光电化学类太阳电池专用配置方案；直流测量模式；低杂散光暗箱；电解池样品测试附件；经济型价格适用范围： 染料敏化太阳电池； 光谱范围： 300~1100nm； 电池结构： 光电化学相关的纳米晶太阳电池； 可测参数： IPCE； 可测样品面积： 50mm×50mm

仪器简介：kSA MOS ThermalScan 薄膜热应力测量系统（薄膜应力仪，薄膜应力计，薄膜应力测试仪），测量光学设计MOS传感器，同时kSA公司荣获2008 Innovation of the Year Awardee！系统采用非接触MOS激光技术；不但可以对薄膜的应力、表面曲率和翘曲进行准确的测量，而且还可二维应力Mapping成像统计分析；同时可准确测量应力、曲率随温度变化的关系；部分参考用户：中国计量科学研究院电学与量子所、中国科学院上海微系统与信息技术研究所、中国科学院上海光学精密机械研究所、中国科学院长春光学精密机械与物理研究所、中国科学院上海技术物理研究所、北京航空材料研究院、苏州大学、中国科学院成都光电技术研究所中国科学院力学所、华南理工大学材料学院、中国空间技术研究院、阿里巴巴达摩院、清华大学、天津理工大学、上海大学、中国科学院兰州空间技术物理研究所、中国航空制造技术研究院、深圳瑞华泰薄膜科技股份有限公司；Harvard University ，Stanford University，Johns Hopkins University，Brown University ， Karlsruhe Research Center，Max Planck Institute，IBM.，Seagate Research Center, Phillips Semiconductor, NEC，Nissan ARC, Nich ia Glass Corporation等。同类设备：*薄膜应力测试仪（薄膜应力测量系统，薄膜应力计）；*薄膜残余应力测试仪；*实时原位薄膜应力测量系统；技术参数： Film Stress Tester, Film Stress Measurement System，Film Stress Mapping System 1.变温设计：采用真空和低压气体保护，温度范围RT~1000°C； 2.曲率分辨率：100km； 3.XY双向程序控制扫描平台扫描范围：up to 300mm（可选）； 4.XY双向扫描速度：可达20mm/s； 5.XY双向扫描平台扫描步进分辨率：2 μm ； 6.样品holder兼容：50mm, 75mm, 100mm, 150mm, 200mm, and 300mm直径样品； 7.程序化控制扫描模式：选定区域、多点线性扫描、全面积扫描； 8.成像功能：样品表面2D曲率、应力成像，及3D成像分析； 9.测量功能：曲率、曲率半径、应力强度、应力、Bow和翘曲等； 10.温度均匀度：优于±2摄氏度； 主要特点： 1.MOS多光束技术（二维激光阵列）； 2.变温设计：采用真空和低压气体保护，温度范围RT~1000°C； 3.样品快速热处理功能； 4.样品快速冷却处理功能； 5.温度闭环控制功能，保证优异的温度均匀性和精度 6.实时应力VS.温度曲线； 7.实时曲率VS.温度曲线； 8.程序化控制扫描模式：选定区域、多点线性扫描、全面积扫描； 9.成像功能：样品表面2D曲率成像，定量薄膜应力成像分析； 10.测量功能：曲率、曲率半径、薄膜应力、薄膜应力分布和翘曲等； 11.气体（氮气、氩气和氧气等）Delivery系统；实际应用：

日本TOHO FLX系列 薄膜应力量测设备FLX系列设备是由日本TOHO公司所生产的，广泛应用于半导体行业薄膜应力的量测。测试原理 在硅晶圆或者其他材料基地上附着薄膜，由于衬底于薄膜的物理常数不同，将会产生应力而导致衬底基板形变。由于均匀附着的薄膜引起的形变表现为基板翘曲，因此，可依据翘曲（曲率半径）的变化量计算应力。本薄膜应力测量设备用下述方法测量附着表面上的薄膜引起的基板曲率半径变化量。设备特点 （1）双光源扫描（可见光激光源及不可见光激光源），系统可自动选择zui佳匹配之激光源；（2）系统内置升温、降温模拟系统，便于量测不同温度下薄膜的应力，温度调节范围为-65℃至500℃；（3）自带常用材料的弹性系数数据库，并可根据客户需要添加新型材料相关信息至数据库，便于新材料研究；（4）形象的软件分析功能，用于不同测量记录之间的比较，且测量记录可导出成Excel等格式的文档；（5）具有薄膜应力3D绘图功能；主要规格 型号FLX-2320-SFLX-2320-RFLX-3300-TFLX-3300-R温度温度范围室温～50O°C（可选： -65'C~500'C)室温室温～50O°C（可选： －65'C~500'C)室温升温速度~25'C／分钟 (Max.)------~25'C／分钟 (Max.)------调节功能内置调零机构------内置调零机构------样品尺寸75-200mm75-200mm300mm300mm扫描范围200mm200mm300mm300mm晶圆绘图手动自动手动自动测量重现性1.3MPa晶圆输送方式手动脱附气体N2或者Ar气体(1.5L／分钟/0.3kg/cm2）------N2或者Ar气体(1.5L／分钟/0.3kg/cm2）------

原位薄膜应力测量系统，又名原位薄膜应力计或原位薄膜应力仪！MOS美国技术（US 7,391,523 B1）！曾荣获2008 Innovation of the Year Awardee！ 采用非接触激光MOS技术；不但可以准确的对样品表面应力分布进行统计分析，而且还可以进行样品表面二维应力、曲率成像分析；客户可自行定义选择使用任意一个或者一组激光点进行测量；并且这种设计可以保证所有阵列的激光光点一直在同一频率运动或扫描，从而有效的避免了外界振动对测试结果的影响；同时提高测试分辨率；适合各种材质和厚度薄膜应力分析； 该设备已经广泛被各个学府（如：Harvard University 2套，Stanford University，Johns Hopkins University，Brown University 2套，Karlsruhe Research Center,Max Planck Institute，西安交通大学，中国计量科学院等）、半导体制和微电子造商（如IBM.，Seagate Research Center,Phillips Semiconductor,NEC，Nissan ARC,Nichia Glass Corporation）等所采用； 相关产品： 薄膜应力仪（薄膜应力测量仪）：为独立测量系统，同样采用先进的MOS技术，详细信息请与我们联系。设备名称：薄膜应力测量系统，薄膜应力测试仪，薄膜应力计，薄膜应力仪，Film Stress Tester, Film Stress Measurement System 主要特点： 1.自主专用技术：MOS 多光束传感器技术； 2.单Port(样品正上方)和双Port(对称窗口)系统设计； 3.适合MOCVD, MBE, Sputter，PLD、蒸収系统等各种真空薄膜沉积系统以及热处理设备等； 4.薄膜应力各向异性测试和分析功能； 5.生长速率和薄膜厚度测量；（选件） 6.光学常数n&k 测量；（选件） 7.多基片测量功能；（选件） 8.基片旋转追踪测量功能；（选件） 9.实时光学反馈控制技术，系统安装时可设置多个测试点； 10.专业设计免除了测量受真空系统振动影响；测试功能： 1. 实时原位薄膜应力测量 2.实时原位薄膜曲率测量 3.实时原位应力薄膜厚度曲线测量 4.实时原位薄膜生长全过程应力监控等 实时原位测量功能实例：曲率、曲率半径、薄膜应力、应力—薄膜厚度曲线、多层薄膜应力测量分析等；

kSA MOS UltraScan采用非接触MOS（多光束光学传感）激光技术；不但可以对薄膜的应力、表面曲率和翘曲进行准确的测量，而且还可二维应力 Mapping成像统计分析；同时准确测量应力、曲率随温度变化的关系。基于kSA MOS，kSA MOS Ultra Scan使用二维激光阵列扫描绘制半导体晶圆、光学镜面、玻璃、透镜等各种抛光表面的二维曲率、翘曲度和薄膜应力分布图。kSA MOS Ultra Scan适用于室温条件下测量需求，实现晶元全自动2D扫描测量，同时获得3D图。部分参考用户：中国计量科学研究院电学与量子所、中国科学院上海微系统与信息技术研究所、中国科学院上海光学精密机械研究所、中国科学院长春光学精密机械与物理研究所、中国科学院上海技术物理研究所、北京航空材料研究院、苏州大学、中国科学院成都光电技术研究所中国科学院力学所、华南理工大学材料学院、中国空间技术研究院、阿里巴巴达摩院、清华大学、天津理工大学、上海大学、中国科学院兰州空间技术物理研究所、中国航空制造技术研究院、深圳瑞华泰薄膜科技股份有限公司；Harvard University ，Stanford University，Johns Hopkins University，Brown University ， Karlsruhe Research Center，Max Planck Institute，IBM.，Seagate Research Center, Phillips Semiconductor, NEC，Nissan ARC, Nich ia Glass Corporation等。相关产品： *实时原位薄膜应力仪（kSA MOS Film Stress Tester）：同样采用先进的MOS技术，可装在各种真空沉积设备上（如：MBE, MOCVD, sputtering, PLD, PECVD, and annealing chambers ects），对于薄膜生长过程中的应力变化进行实时原位测量和二维成像分析； *薄膜热应力测量系统（kSA MOS Thermal-Scan Film Stress Tester） 技术参数：1.XY双向程序控制扫描平台扫描范围：300mm；2m（可选）；二维应力分析2.扫描速度：可达20mm/s（x,y）；3.XY双向扫描平台扫描步进/分辨率：1 μm；4.平均曲率分辨率：20km，5×10-5 1/m (1-sigma)；5.薄膜应力测量范围：3.2×106到7.8×1010dynes/cm2（或者3.2×105Pa to7.8×109Pa）(1-sigma)；6.应力测量分辨率：优于0.32MPa或1% (1-sigma) 7.应力测量重复性：0.02MPa(1-sigma)；8.平均曲率重复性：5×10-5 1/m (1 sigma) (1-sigma)；9.程序化控制扫描模式：选定区域、多点线性扫描、全样品扫描；10.成像功能：样品表面2D曲率成像，定量薄膜应力成像分析；11.测量功能：曲率、曲率半径、应力强度、应力和翘曲等；12.二维激光阵列测量技术：不但可以对样品表面进行二维曲率成像分析；而且这种设计能保证所有阵列的激光光点一直在同一频率运动或扫描，从而有效避免外界振动对测试结果的影响；同时提高测试分辨率；主要特点： 1.MOS多光束技术（二维激光阵列）； 2.自动光学追踪技术； 3.程序化控制扫描模式：选定区域、多点线性扫描、面积扫描； 4.成像扫描功能：样品表面2D曲率成像，定量薄膜应力成像分析； 5.测量功能：曲率、曲率半径、薄膜应力、薄膜应力分布和翘曲等； 6.适用于各种薄膜应力测量，及半导体晶圆、光学镜面、玻璃、透镜等表面曲率、面型测量。测试实例：

FSM薄膜应力与晶圆翘曲度测量仪薄膜应力测量仪广泛应用于半导体行业薄膜应力的量测。在硅晶圆或者其他材料基底上附着薄膜，由于衬底与薄膜的物理常数不同，将会产生应力而导致衬底基板形变。由均匀附着的薄膜引起的形变表现为基板翘曲，因此，可依据翘曲（曲率半径）的变化量来计算应力。薄膜应力仪用下述方法测量附着表面上的薄膜引起的基底曲率半径的变化量。由于是根据在基板上扫描的激光反射角度进行计算，因此，通过测量薄膜附着前后的曲率半径变化，计算其差值，求出曲率半径变化量，用斯托尼公式，依据基板曲率半径计算薄膜应力S。FSM薄膜应力测量仪的特点:1）自动切换双波段激光具有专利的自动激光切换扫描技术.当样品反射率不好时，系统会自动切换到不同波长的另外一只激光进行扫描。这使客户可以测量包括Nitride，Polyimides, Low K，High K,金属等几乎所有的薄膜而不会遇到无法测量的问题。FSM500加热到500℃进行应力测量，可在加热循环过程中进行薄膜的热稳定性计算2）2-D & 3-D Map配备有马达驱动的可旋转载片台，可以快速生成2-D&3D Map图帮助用户可以看到整片晶圆的曲率和应力变化分布，并准确反映出工艺和均匀性有问题的区域。3）薄膜厚度可以整合介电材料薄膜的厚度测量功能，使设备变成一台可以在研发和生产环境下灵活使用强大的设备。产品优势&bull 薄膜整体应力与晶圆翘曲测试&bull 半导体/LED/太阳能/数据存储/液晶面板产业&bull 适用于多种晶圆,基板尺寸&bull 桌上型/站立式&bull 手动/自动/半自动&bull 500℃&bull 快速&非接触激光扫描&bull 适用生产和研发使用&bull 全球销售及客户支持产品应用&bull 新工艺的测试或新生产设备的校准 。化学气相沉积镀膜工艺（CVD), 物理气相沉积镀膜工艺(PVD)&bull 工艺的质量控制&bull 故障诊断&bull 新技术的研究与开发&bull 半导体新工艺的研究与开发&bull 半导体晶圆薄膜生产: 氮化物, 氧化物, 硅化物, 金属, 低介电常数材料等&bull 晶圆碗型翘曲: 晶圆工艺检查或晶圆生产原料检查&bull 其他的集成电路工艺: 平板显示器 微机电系统

1.测试原理基于经典基片弯曲法Stoney公式测量原理，采用先进的激光扫描方式和探测技术，以及智能化的操作，使得FST5000薄膜应力仪特别适合于晶圆类光电薄膜样品的弓高、轮廓形貌、曲率半径和薄膜应力测量。2.为什么检测薄膜应力？薄膜应力作为半导体制程、MEMS微纳加工、光电薄膜镀膜过程中性能测试的必检项，直接影响着薄膜器件的稳定性和可靠性，薄膜应力过大会引起以下问题：1.膜裂2.膜剥离3.膜层皱褶4.空隙检测薄膜应力是半导体制程、MEMS微纳加工、光电薄膜品检及改进工艺的有效手段！

具备三维翘曲（平整度）、薄膜应力、纳米轮廓、宏观缺陷成像等检测功能，适用于半导体晶圆生产、半导体制程工艺开发、玻璃及陶瓷晶圆生产.优势对各种晶圆的表面进行一次性非接触全口径均匀采样测量简单、准确、快速、可重复的测量方式，多功能强大的附加模块：晶圆加热循环模块（高达400度）；表面粗糙度测量模块；粗糙表面晶圆平整度测量模块适用对象2 寸- 8 寸/12 寸抛光晶圆（硅、砷化镓、碳化硅等）、图形化晶圆、键合晶圆、封装晶圆等；液晶基板玻璃；各类薄膜工艺处理的表面适用领域半导体及玻璃晶圆的生产和质量检查半导体薄膜工艺的研究与开发半导体制程和封装减薄工艺的过程控制和故障分析检测原理晶圆制程中会在晶圆表面反复沉积薄膜，基板与薄膜材料特性的差异导致晶圆翘曲，翘曲和薄膜应力会对工艺良率产生重要影响。采用结构光反射成像方法测量晶圆的三维翘曲分布，通过翘曲曲率半径测量来推算薄膜应力分布，具有非接触、免机械扫描和高采样率特点，12英寸晶圆全口径测量时间低于30s。通过Stoney公式及相关模型计算晶圆应力分布。三维测量分析软件易用性强，具有丰富分析功能，包括：三维翘曲图、晶圆翘曲参数统计（BOW，WARP，GFIR，SFLR等），薄膜应力及分布，模拟加热循环，曲率，各种多项式拟合、空间滤波和各类数据导出。

kSA MOS US采用非接触MOS（多光束光学传感）激光技术；不但可以对薄膜的应力、表面曲率和翘曲进行准确的测量，而且还可二维应力 Mapping成像统计分析；同时准确测量应力、曲率随温度变化的关系。基于kSA MOS ，kSA MOS Ultra Scan使用二维激光阵列扫描绘制半导体晶圆、光学镜面、玻璃、透镜等各种抛光表面的二维曲率、翘曲度和薄膜应力分布图。kSA MOS Ultra Scan适用于室温条件下测量需求，实现晶元全自动2D扫描测量，同时获得3D图。部分参考用户：中国计量科学研究院电学与量子所、中国科学院上海微系统与信息技术研究所、中国科学院上海光学精密机械研究所、中国科学院长春光学精密机械与物理研究所、中国科学院上海技术物理研究所、北京航空材料研究院、苏州大学、中国科学院成都光电技术研究所中国科学院力学所、华南理工大学材料学院、中国空间技术研究院、阿里巴巴达摩院、清华大学、天津理工大学、上海大学、中国科学院兰州空间技术物理研究所、中国航空制造技术研究院、深圳瑞华泰薄膜科技股份有限公司；Harvard University ，Stanford University，Johns Hopkins University，Brown University ， Karlsruhe Research Center，Max Planck Institute，IBM.，Seagate Research Center, Phillips Semiconductor, NEC，Nissan ARC, Nich ia Glass Corporation等。 相关产品： *实时原位薄膜应力仪（kSA MOS Film Stress Tester）：同样采用先进的MOS技术，可装在各种真空沉积设备上（如：MBE, MOCVD, sputtering, PLD, PECVD, and annealing chambers ects），对于薄膜生长过程中的应力变化进行实时原位测量和二维成像分析； *薄膜热应力测量系统（kSA MOS Thermal-Scan Film Stress Tester） 技术参数：1.XY双向程序控制扫描平台扫描范围：300mm；2m（可选）；二维应力分析2.扫描速度：可达20mm/s（x,y）；3.XY双向扫描平台扫描小步进/分辨率：1 μm；4.平均曲率分辨率：20km，5×10-5 1/m (1-sigma)；5.薄膜应力测量范围：3.2×106到7.8×1010dynes/cm2（或者3.2×105Pa to7.8×109Pa）(1-sigma)；6.应力测量分辨率：优于0.32MPa或1% (1-sigma) 7.应力测量重复性：0.02MPa(1-sigma)；8.平均曲率重复性：5×10-5 1/m (1 sigma) (1-sigma)；9.程序化控制扫描模式：选定区域、多点线性扫描、全样品扫描；10.成像功能：样品表面2D曲率成像，定量薄膜应力成像分析；11.测量功能：曲率、曲率半径、应力强度、应力和翘曲等；12.二维激光阵列测量技术：不但可以对样品表面进行二维曲率成像分析；而且这种设计能保证所有阵列的激光光点一直在同一频率运动或扫描，从而有效的避免了外界振动对测试结果的影响；同时提高了测试的分辨率；主要特点： 1.MOS多光束技术（二维激光阵列）； 2.自动光学追踪技术； 3.程序化控制扫描模式：选定区域、多点线性扫描、全面积扫描； 4.成像扫描功能：样品表面2D曲率成像，定量薄膜应力成像分析； 5.测量功能：曲率、曲率半径、薄膜应力、薄膜应力分布和翘曲等； 6.适用于各种薄膜应力测量，及半导体晶圆、光学镜面、玻璃、透镜等表面曲率、面型测量。实际应用：

FSM 128 薄膜应力及基底翘曲测试设备 如果您对该产品感兴趣的话，可以给我留言！ 产品名称：FSM 128 薄膜应力及基底翘曲测试设备产品型号：FSM 128， 500TC, 900TC1. 简单介绍 FSM 128 薄膜应力及基底翘曲测试设备:美国Frontier Semiconductor(FSM)成立于1988年，总部位于圣何塞，多年来为半导体行业等高新行业提供各式精密的测量设备，客户遍布全世界, 主要产品包括:光学测量设备: 三维轮廓仪、拉曼光谱、 薄膜应力测量设备、 红外干涉厚度测量设备、电学测量设备:高温四探针测量设备、非接触式片电阻及 漏电流测量设备、金属污染分析、等效氧化层厚度分析 (EOT)1. 产品简介：FSM128 薄膜应力及基底翘曲测试设备 在衬底镀上不同的薄膜后, 因为两者材质不一样，以及不同的材料不同温度下特性不一样, 所以会引起应力。 如应力太大会引起薄膜脱落, zui终引致组件失效或可靠性不佳的问题。 薄膜应力激光测量仪利用激光测量样本的形貌,透过比较镀膜前后衬底曲率半径的变化, 以Stoney’s Equation计算出应力, 是品检及改进工艺的有效手段。 1) 快速、非接触式测量 2) 128型号适用于3至8寸晶圆 128L型号适用于12寸晶圆 128G 型号适用于470 X 370mm样品， 另可按要求订做不同尺寸的样品台 3) 专利双激光自动转换技术 如某一波长激光在样本反射度不足，系统会自动使用 另一波长激光进行扫瞄，满足不同材料的应用 4) 全自动平台，可以进行2D及3D扫瞄（可选) 5) 可加入更多功能满足研发的需求 电介质厚度测量 光致发光激振光谱分析 （III-V族的缺陷研究） 6) 500 及 900°C高温型号可选 7) 样品上有图案亦适用1. 规格: 1) 测量方式: 非接触式(激光扫瞄) 2) 样本尺寸: FSM 128NT: 75 mm to 200 mm FSM 128L: 150 mm/ 200 mm/ 300mm FSM 128G: *大550×650 mm 3) 扫瞄方式: 高精度单次扫瞄、2D/ 3D扫瞄(可选) 4) 激光强度: 根据样本反射度自动调节 5) 激光波长: 650nm及780nm自动切换(其它波长可选) 6) 薄膜应力范围: 1 MPa — 4 GPa(硅片翘曲或弯曲度变化大于1 micron) 7) 重复性: 1% (1 sigma)* 8) 准确度: ≤ 2.5% 使用20米半径球面镜 9) 设备尺寸及重量: FSM 128: 14″(W)×22″(L)×15″(H)/ 50 lbs FSM128L:14″(W)×26″(L)×15″/ 70 lbs FSM128G:37″(W)×48″(D)×19″(H)/ 200 lbs 电源 : 110V/220V, 20A********************************************************************************FSM413 红外干涉测量设备如果您对该产品感兴趣的话，可以给我留言！ 产品名称：FSM 413 红外干涉测量设备产品型号：FSM 413EC, FSM 413MOT，FSM 413SA DP FSM 413C2C, FSM 8108 VITE C2C1. 简单介绍FSM 128 薄膜应力及基底翘曲测试设备:美国Frontier Semiconductor(FSM)成立于1988年，总部位于圣何塞，多年来为半导体行业等高新行业提供各式精密的测量设备，客户遍布全世界, 主要产品包括:光学测量设备: 三维轮廓仪、拉曼光谱、 薄膜应力测量设备、 红外干涉厚度测量设备、电学测量设备:高温四探针测量设备、非接触式片电阻及 漏电流测量设备、金属污染分析、等效氧化层厚度分析 (EOT)1. 产品简介：FSM 413 红外干涉测量设备1) 专利红外干涉测量技术, 非接触式测量 2) 适用于所有可让红外线通过的材料硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石 英、聚合物… 2. 应用: 衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响) 平整度 厚度变化 (TTV) 沟槽深度 过孔尺寸、深度、侧壁角度 粗糙度 薄膜厚度 环氧树脂厚度 衬底翘曲度 晶圆凸点高度(bump height) MEMS 薄膜测量 TSV 深度、侧壁角度… TSV应用Total Thickness Variation (TTV) 应用1. 规格: 1) 测量方式: 红外干涉(非接触式) 2) 样本尺寸: 50、75、100、200、300 mm， 也可以订做客户需要的产品尺寸 3) 测量厚度: 15 — 780 μm (单探头) 3 mm (双探头总厚度测量)4) 扫瞄方式: 半自动及全自动型号, 另2D/3D扫瞄(Mapping)可选5) 衬底厚度测量: TTV、平均值、*小值、*大值、公差。。。 6) 粗糙度: 20 — 1000? (RMS) 7) 重复性: 0.1 μm (1 sigma)单探头* 0.8 μm (1 sigma)双探头*8) 分辨率: 10 nm 9) 设备尺寸: 413-200: 26”(W) x 38” (D) x 56” (H) 413-300: 32”(W) x 46” (D) x 66” (H) 10) 重量: 500 lbs11) 电源 : 110V/220VAC 12) 真空: 100 mm Hg13) 样本表面光滑（一般粗糙度小于0.1μm RMS) 150μm厚硅片（没图案、双面抛光并没有掺杂）技术/销售热线：邮箱：

仪器简介：应用： ◆各种材质及薄膜应力分析。 ◆ 其他型号：FLX-3300 (适用于12&rdquo 样片)技术参数：Toho FLX-2320-S薄膜应力计精确测量多种衬底材料、金属和电介质等薄膜应力。主要特点：◆双光源扫描（可见光激光源及不可见光激光源），系统可自动选择最佳匹配之激光源； ◆系统内置升温、降温模拟系统，便于量测不同温度下薄膜的应力，温度调节范围为-65℃至500℃； ◆自带常用材料的弹性系数数据库，并可根据客户需要添加新型材料相关信息至数据库，便于新材料的研究实验； ◆形象的软件分析功能，用于不同测量记录之间的比较，且测量记录可导出成Excel等格式的文档； ◆具有薄膜应力3D绘图功能。

日本TOHO FLX系列 薄膜应力量测设备FLX系列设备是由日本TOHO公司所生产的，广泛应用于半导体行业薄膜应力的量测。测试原理 在硅晶圆或者其他材料基地上附着薄膜，由于衬底于薄膜的物理常数不同，将会产生应力而导致衬底基板形变。由于均匀附着的薄膜引起的形变表现为基板翘曲，因此，可依据翘曲（曲率半径）的变化量计算应力。本薄膜应力测量设备用下述方法测量附着表面上的薄膜引起的基板曲率半径变化量。设备特点 （1）双光源扫描（可见光激光源及不可见光激光源），系统可自动选择zui佳匹配之激光源；（2）系统内置升温、降温模拟系统，便于量测不同温度下薄膜的应力，温度调节范围为-65℃至500℃；（3）自带常用材料的弹性系数数据库，并可根据客户需要添加新型材料相关信息至数据库，便于新材料研究；（4）形象的软件分析功能，用于不同测量记录之间的比较，且测量记录可导出成Excel等格式的文档；（5）具有薄膜应力3D绘图功能；主要规格 型号FLX-2320-SFLX-2320-RFLX-3300-TFLX-3300-R温度温度范围室温～50O°C（可选：-65'C~500'C)室温室温～50O°C（可选： －65'C~500'C)室温升温速度~25'C／分钟 (Max.)------~25'C／分钟 (Max.)------调节功能内置调零机构------内置调零机构------样品尺寸75-200mm75-200mm300mm300mm扫描范围200mm200mm300mm300mm晶圆绘图手动自动手动自动测量重现性1.3MPa晶圆输送方式手动脱附气体N2或者Ar气体(1.5L／分钟/0.3kg/cm2）------N2或者Ar气体(1.5L／分钟/0.3kg/cm2）------

1.测试原理基于经典基片弯曲法Stoney公式测量原理，采用先进的激光扫描方式和探测技术，以及智能化的操作，使得FST5000薄膜应力仪特别适合于晶圆类光电薄膜样品的弓高、轮廓形貌、曲率半径和薄膜应力测量。2.为什么检测薄膜应力？薄膜应力作为半导体制程、MEMS微纳加工、光电薄膜镀膜过程中性能测试的必检项，直接影响着薄膜器件的稳定性和可靠性，薄膜应力过大会引起以下问题：1.膜裂2.膜剥离3.膜层皱褶4.空隙检测薄膜应力是半导体制程、MEMS微纳加工、光电薄膜品检及改进工艺的有效手段！

日本TOHO FLX系列 薄膜应力量测设备FLX系列设备是由日本TOHO公司所生产的，广泛应用于半导体行业薄膜应力的量测。测试原理 在硅晶圆或者其他材料基地上附着薄膜，由于衬底于薄膜的物理常数不同，将会产生应力而导致衬底基板形变。由于均匀附着的薄膜引起的形变表现为基板翘曲，因此，可依据翘曲（曲率半径）的变化量计算应力。本薄膜应力测量设备用下述方法测量附着表面上的薄膜引起的基板曲率半径变化量。设备特点 （1）双光源扫描（可见光激光源及不可见光激光源），系统可自动选择zui佳匹配之激光源；（2）系统内置升温、降温模拟系统，便于量测不同温度下薄膜的应力，温度调节范围为-65℃至500℃；（3）自带常用材料的弹性系数数据库，并可根据客户需要添加新型材料相关信息至数据库，便于新材料研究；（4）形象的软件分析功能，用于不同测量记录之间的比较，且测量记录可导出成Excel等格式的文档；（5）具有薄膜应力3D绘图功能；主要规格 型号FLX-2320-SFLX-2320-RFLX-3300-TFLX-3300-R温度温度范围室温～50O°C（可选：-65'C~500'C)室温室温～50O°C（可选： －65'C~500'C)室温升温速度~25'C／分钟 (Max.)------~25'C／分钟 (Max.)------调节功能内置调零机构------内置调零机构------样品尺寸75-200mm75-200mm300mm300mm扫描范围200mm200mm300mm300mm晶圆绘图手动自动手动自动测量重现性1.3MPa晶圆输送方式手动脱附气体N2或者Ar气体(1.5L／分钟/0.3kg/cm2）------N2或者Ar气体(1.5L／分钟/0.3kg/cm2）------

基于经典基片弯曲法Stoney公式测量原理，采用先进控制技术和傻瓜化的操作，使得FST1000薄膜应力测量仪特别适合于要求快速测量常规薄膜内应力。

中图仪器CP系列柔性电子器件薄膜测量台阶仪是一款超精密接触式微观轮廓测量仪器，可以对微米和纳米结构进行膜厚和薄膜高度、表面形貌、表面波纹和表面粗糙度等的测量。CP系列柔性电子器件薄膜测量台阶仪对测量工件的表面反光特性、材料种类、材料硬度都没有特别要求，样品适应面广，数据复现性高、测量稳定、便捷、高效，是微观表面测量中使用非常广泛的微纳样品测量手段。 产品功能1.参数测量功能1）台阶高度：能够测量纳米到330μm或1050μm的台阶高度，可以准确测量蚀刻、溅射、SIMS、沉积、旋涂、CMP等工艺期间沉积或去除的材料。2）粗糙度与波纹度：能够测量样品的粗糙度和波纹度，分析软件通过计算扫描出的微观轮廓曲线，可获取粗糙度与波纹度相关的Ra、RMS、Rv、Rp、Rz等数十项参数。3）应力测量：可测量多种材料的表面应力。2.测量模式与分析功能1）单区域测量模式：完成Focus后根据影像导航图设置扫描起点和扫描长度，即可开始测量。2）多区域测量模式：完成Focus后，根据影像导航图完成单区域扫描路径设置，可根据横向和纵向距离来阵列形成若干到数十数百项扫描路径所构成的多区域测量模式，一键即可完成所有扫描路径的自动测量。3）3D测量模式：完成Focus后根据影像导航图完成单区域扫描路径设置，并可根据所需扫描的区域宽度或扫描线条的间距与数量完成整个扫描面区域的设置，一键即可自动完成整个扫描面区域的扫描和3D图像重建。4）SPC统计分析：支持对不同种类被测件进行多种指标参数的分析，针对批量样品的测量数据提供SPC图表以统计数据的变化趋势。3.双导航光学影像功能在CP200-D型号中配备了正视或斜视的500W像素的彩色相机，在正视导航影像系统中可精确设置扫描路径，在斜视导航影像系统中可实时跟进扫描轨迹。4.快速换针功能CP系列柔性电子器件薄膜测量台阶仪采用了磁吸式测针，当需要执行换针操作时，可现场快速更换扫描测针，并根据软件中的标定模块进行快速标定，确保换针后的精度和重复性，减少维护烦恼。典型应用部分技术参数型号CP200测量技术探针式表面轮廓测量技术探针传感器超低惯量，LVDC传感器平台移动范围X/Y电动X/Y(150mm*150mm)(可手动校平)样品R-θ载物台电动，360°连续旋转单次扫描长度55mm样品厚度50mm载物台晶圆尺寸150mm（6吋）,200mm（8吋）尺寸（L×W×H）mm640*626*534重量40kg仪器电源100-240 VAC，50/60 Hz，200W使用环境相对湿度：湿度 （无凝结）30-40% RH温度：16-25℃ (每小时温度变化小于2℃)地面振动：6.35μm/s（1-100Hz）音频噪音：≤80dB空气层流：≤0.508 m/s（向下流动）恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。如有疑问或需要更多详细信息，请随时联系中图仪器咨询。

Mprobe 20 薄膜测量系统 (单点测量)姓名：魏工(David)电话：（微信同号）邮箱：MProbe 20是一款用于薄膜厚度测量的桌面系统，在世界范围内有成千上万的应用。它测量薄膜厚度和折射率只需鼠标点击。厚度从1nm 1mm，包括多层膜层，可以快速和可靠地测量。不同的MProbe 20模型主要由光谱仪的波长范围和分辨率来区分，这又决定了可以测量的材料的厚度范围和类型。该测量技术基于光谱反射率，具有快速、可靠、无损等特点。Mprobe 20 产品实图：Mprobe 20 不同配置与厚度范围：包括：主单元(包括光谱仪、光源、光控制器、微处理器)SH200A样品台，带对焦镜头，可微调光导纤维反射探头TFCompanion -RA软件、USB适配器(授权密钥)、USB记忆棒附带软件发行、用户指南等资料根据型号和黑色吸收体的不同，校准装置(裸硅片和/或石英板和/或铝镜)测试样品200nm的氧化硅或PET薄膜，视型号而定USB或LAN线(用于连接主机和PC)24VDC电源适配器(110/220V)核心指标:精度:0.01nm或0.01%(在200nm的氧化物上测量100次)精度:1nm或0.2%(依赖于filmstack)稳定性: 0.02nm或0.2%(每天测量20天)光斑大小: 1毫米样本尺寸:= 10mm参见下面小册子中MProbe 20薄膜厚度测量系统可用配置的详细规格波长选配清单：MProbe 20 波长范围规格厚度范围VIS400nm -1100nmF3 Ariel Spectrometer, 2048/4096 pix cmos, 16 bit ADC, 5W Tungsten-Halogen lamp10nm – 75 μmUVVISSR200nm -1100nmF4 Spectrometer, 2048 pix (backthinned),16 bit ADC 20W TH lamp, 30W Deuterium short-ark lamp1nm -75μmVISHR700nm-1700nmF4 Spectrometer, 2048 pix (backthinned),16 bit ADC, 5W TH lamp 1μm-400μmNIR900nm-1700nmF4 spectrometer, InGaAs detector 512 pix., 16 bit ADC, 5W TH lamp50nm – 85μmUVVisF200nm -800nmF4 spectrometer, Si detector 2048 pixels ccd, 16 bit ADC, 10W Xe flash lamp1nm – 5μmUVVISNIR200nm-1700nmF4 Spectrometer, 2048pix (backthinned),16 bit ADC 20W TH lamp, 30W Deuterium short-ark lamp. F4spectrometer, InGaAs detector 512 pix., 16 bit ADC, 5W TH lamp1nm -75μmNIRHR200nm -1100nmF4 spectrometer, InGaAs detector 512 pix., 16 bit ADC, 5W TH lamp or SLDoption 10μm-1800μm (glass)4μm-400μm (Si)

薄膜的光学特性主要有反射和干涉.NanoCalc薄膜反射测量系统可以用来进行10nm~250µ m的膜厚分析测量，对单层膜的分辨率为0.1nm。根据测量软件的不同，可以分析单层或多层膜厚。产品特点 1、可分析单层或多层薄膜2、分辨率达0.1nm3、适合于在线监测操作理论最常用的两种测量薄膜的特性的方法为光学反射和透射测量、椭圆光度法测量。NanoCalc利用反射原理进行膜厚测量。查找n和k值可以进行多达三层的薄膜测量，薄膜和基体测量可以是金属、电介质、无定形材料或硅晶等。NanoCalc软件包含了大多数材料的n和k值数据库，用户也可以自己添加和编辑。应用NanoCalc薄膜反射材料系统适合于在线膜厚和去除率测量，包括氧化层、中氮化硅薄膜、感光胶片及其它类型的薄膜。NanoCalc也可测量在钢、铝、铜、陶瓷、塑料等物质上的抗反射涂层、抗磨涂层等。

UV3 CMOS 紫外光谱系统， （紫外氙灯+紫外光谱仪+探头）它结合了CMOS紫外光谱仪和氙气光源，以实现经济高效的解决方案。CMOS紫外光谱仪组合氙光源来自JPN的CMOS探测器来自美国/德国的硬件1.集成的紫外光谱系统，它提供了一个完整的解决方案，将CMOS光谱仪与氙灯相结合，方便用户测量2.稳定的紫外线测量，高性能氙气闪烁灯，特别是在紫外线区域，使其测量稳定3.低成本，整个集成系统降低复杂性, 是一个完整的紫外测量方案.UVS3系列亮点CMOS探测器在UV紫外段性能良好高灵敏度在紫外线区域波长范围180-500nm，200-400nm信噪比800:1 *snr=(信号-噪声)/偏差集成氙气光源降低系统复杂度具成本效益的紫外线光谱系统支持扩展SDK，支持二次开发SMA905光接口完整的UVS3系统测量附件，如流通池USB接口用途紫外分光光度计紫外光谱测量紫外光谱仪紫外吸收光谱法紫外吸光度，吸光度测量透射率，透射系数测量水质，总氮测量吸光度计算，浓度计算使用朗伯比尔定律，可以计算液体的浓度或者含量蛋白质浓度测量定量分析测量应用举例一：膜厚测量薄膜干涉测厚是一种非接触式测量薄膜厚度的方法。它利用光的干涉原理，通过测量干涉光的波长变化来确定薄膜的厚度。薄膜干涉色测量法:薄膜受到入射光的照射后，反射光根据薄膜的厚度和折射率的不同而产生干涉色。利用干涉色的变化可以确定薄膜的厚度。测试步骤软件控制氙灯关闭，采集光谱设备电子噪声软件控制氙灯打开，用反射探头采集光谱信号，通过测量反射光的强度变化，并利用干涉公式计算薄膜的厚度薄膜干涉测厚方法具有测量快速、高精度、非接触等优点，广泛应用于半导体制造、光学材料、涂层工艺等领域.

产品简介：TF200薄膜厚度测量系统利用薄膜干涉光学原理，对薄膜进行厚度测量及分析。用从深紫外到近红外可选配的宽光谱光源照射薄膜表面，探头同位接收反射光线。TF200根据反射回来的干涉光，用反复校准的算法快速反演计算出薄膜的厚度。测量范围1nm-3mm，可同时完成多层膜厚的测试。对于100nm以上的薄膜，还可以测量n和k值。产品型号TF200-VISTF200-EXRTF200-DUVTF200-XNIR主要特点快速、准确、无损、灵活、易用、性价比高应用领域半导体（SiO2/SiNx、光刻胶、MEMS，SOI等）LCD/TFT/PDP(液晶盒厚、聚亚酰胺ITO等)LED (SiO2、光刻胶ITO等）触摸屏(ITO AR Coating反射/穿透率测试等)汽车(防雾层、Hard Coating DLC等）医学（聚对二甲苯涂层球囊/导尿管壁厚药膜等） 波长范围380-1050nm380-1700nm190-1100nm900-1700nm厚度范围50nm-40um50nm-300um1nm-30um10um-3mm准确度（取决于材料0.4%或2nm之间取较大者）2nm2nm1nm10nm精度0.2nm0.2nm0.2nm3nm入射角90°90°90°90°样品材料透明或半透明透明或半透明透明或半透明透明或半透明测量模式反射/透射反射/透射反射/透射反射/透射光斑尺寸（可选微光斑附件。）2mm2mm2mm2mm是否能在线是是是是扫描选择XY可选XY可选XY可选XY可选

美国FSM应力仪-----应力测试专家，为行业优选应力仪！ Semi-Auto（半自动） Fully-Auto（全自动） * 自动切换的双光路波长：650纳米和780纳米* 测量方式：直径方向的扫描，可提供形貌图* 扫描范围：对于200mm的硅晶圆为194mm* 3-D形貌图：测量台有旋转功能，可通过控制软件中的参数输入来旋转测量台，以完成形貌图的测量（至少需要测量6个方向的扫描）* 测量的硅晶圆尺寸： 200mm* 应力测量的范围：1X107 dynes/cm2 至 4X1010 dynes/cm2（对于典型的硅晶圆）* 测量数据输出：测量数据表格为客户提供的参数包括，料盒的编号、晶圆的编号、测量次数的编号、应力数值、晶圆曲率半径的数值、晶圆基片的厚度和镀膜的厚度，以及测量时间。测量数据可选择输出为Excel格式，文本文档格式，同时可以输出样品形貌图* 客户包括Intel,Samsung,LG IBM等等。 有任何需要请联系赛伦科技（上海，北京都有办事处）

太阳能电池量子效率测试系统——SolarCellScan100系列系统功能系统可以实现测试太阳电池的：光谱响应度、外量子效率、内量子效率、反射率、透射率、短路电流密度、量子效率Mapping、反射率Mapping。系统适用范围1、适用于各种材料的太阳电池包括：单晶硅Si、多晶硅mc-Si、非晶硅α-Si、砷化镓GaAs、镓铟磷GaInP、磷化铟InP、锗Ge、碲化镉CdTe、铜铟硒CIS、铜铟镓硒CIGS、染料敏化DSSC、有机太阳电池Organic Solar Cell、聚合物太阳电池Polymer Solar Cell 等2、适用于多种结构的太阳电池包括：单结Single junction、多结multi junction、异质结HIT、薄膜thin film、高聚光HPV 等不同材料或不同结构的太阳电池，在测试过程中会有细节上的差异。比如说：有机太阳电池的测试范围主要集中在可见光波段，而GaAs 太阳电池的测试范围则很可能扩展到红外1.4um 甚至更长波段；单晶硅电池通常需要测内量子效率，而染料敏化太阳电池通常只需要测外量子效率；有机太阳电池测试通常不需要加偏置光，而多结非晶硅薄膜电池则需要加偏置光……SolarCellScan100 通过主机与各种附件的搭配，可以实现几乎所有种类电池的测试。这种模块化搭配的方式，适合科研用户建立测试平台。 选型列表：型号名称和说明主机SCS1011太阳能电池量子效率测量系统，含直流、交流测量模式，氙灯光源SCS1012太阳能电池量子效率测量系统，含直流测量模式，氙灯光源SCS1013太阳能电池量子效率测量系统，含直流、交流测量模式，溴钨灯光源SCS1014太阳能电池量子效率测量系统，含直流测量模式，溴钨灯光源SCS1015太阳能电池量子效率测量系统，含直流、交流测量模式，氙灯溴钨灯双光源SCS1016太阳能电池量子效率测量系统，含直流测量模式，氙灯溴钨灯双光源附件QE-A1偏置光附件，150W氙灯QE-A2偏置光附件，50W溴钨灯QE-B1标准太阳电池（单晶硅）QE-B1-SP标准太阳电池QE-B2标准铟镓砷探测器(800-1700nm，含标定证书）QE-B3标准硅探测器(300-1100nm，含标定证书)QE-B4标准铟镓砷探测器(800-2500nm，含标定证书）QE-B7透过率测试附件(300-1100nm)QE-B8透过率测试附件(800-1700nm)QE-BVS偏置电压源（±10V可调）QE-C2漫反射率测试附件（300-1700nm）QE-C7标准漫反射板QE-D1二维电动调整台QE-D2手动三维调整台QE-IV-Convertor短路电流放大器专用机型介绍系统功能部分太阳能应用方向的研究人员需要测量量子效率，但本身却不是光电测量方面的行家，卓立汉光在测量平台SolarCellScan100的基础上，进一步开发出以下几套极具针对性的专用机型配置，方便客户使用。以下的专用配置也适合产业化的工业客户使用。1、通用型太阳电池QE测试系统SCS100-Std系统特点符合IEC60904-8国际标准；测量结果高重复性；内外量子效率测量功能；快速导入参数功能；适用于科研级别小样品测试适用范围： 晶体硅电池、非晶硅薄膜电池、染料敏化电池、CdTe薄膜电池、CIGS薄膜电池等； 光谱范围： 300~1100nm； 电池结构： 单结太阳电池； 可测参数： 光谱响应度、外量子效率、内量子效率、反射率、短路电流密度； 可测样品面积： 30mm×30mm 2.通用型太阳电池QE测试系统SCS100-Exp系统特点符合IEC60904-8国际标准；测量结果高重复性；高度自动化测量；双光源设计；红外光谱范围扩展；薄膜透过率测试功能；小面积、大面积样品测试均适用；适用范围： 晶体硅电池、非晶硅薄膜电池、染料敏化电池、有机薄膜电池、CdTe薄膜电池、CIGS薄膜电池、三结砷化镓GaAs电池、非晶/微晶薄膜电池等； 光谱范围： 300~1700nm； 电池结构： 单结、多结太阳电池； 可测参数： 光谱响应度、外量子效率、内量子效率、反射率、透射率、短路电流密度； 可测样品面积： 156mm×156mm以下 3.晶体硅太阳电池测试专用系统 SCS100-Silicon系统特点集成一体化turnkey系统晶体硅电池测试专用内外量子效率测试快速Mapping扫描功能快速高效售后服务适用范围： 单晶硅电池、多晶硅电池 光谱范围： 300~1100nm 电池结构： 单结太阳电池 可测参数： 光谱响应度、外量子效率、反射率、内量子效率、短路电流密度、*量子效率Mapping、*反射率mapping 可测样品面积： 156mm×156mm 4.薄膜太阳电池QE测试专用系统 SCS100-Film系统特点集成一体化turnkey系统；大面积薄膜电池测试专用；超大样品室，光纤传导；背面电极快速连接；反射率、内外量子效率同步测试；快速高效售后服务。适用范围： 非晶硅薄膜电池、CIGS薄膜电池、CdTe薄膜电池、非晶/微晶双结薄膜电池、非晶/微晶/微晶锗硅三结薄膜电池等； 光谱范围： 300~1700nm ； 电池结构： 单结、多结太阳电池； 可测参数： 光谱响应度、外量子效率、反射率、透射率、内量子效率、短路电流密度； 可测样品面积： 300mm×300mm 5.光电化学太阳电池测试专用系统 SCS100-PEC系统特点光电化学类太阳电池专用配置方案；直流测量模式；低杂散光暗箱；电解池样品测试附件；经济型价格适用范围： 染料敏化太阳电池； 光谱范围： 300~1100nm； 电池结构： 光电化学相关的纳米晶太阳电池； 可测参数： IPCE； 可测样品面积： 50mm×50mm

FR-pOrtable:一款精准&性价比高的薄膜表征设备 FR-pOrtable（便携式FR） 是一款独特设备，为精准测试单层或者 多层的透明和半透明的薄膜的光学特性提供了关键解决方案。使用 者可以在350nm-1000nm的特殊光谱范围内完成薄膜反射比的测试。 特征分析： FR-pOrtable是由一个微型3648像素16位分辨率的光谱仪和一个 高稳定的白炽灯和LED组成的混合光源组成的，光源的平均寿命 20000h。其紧凑型的设计和定制的反射探头保证了性能测试的高精准性以及可重复性。并且，既可以安装在台面上，又可以转化为手持式的厚度测试仪，轻松实现便携实时操作。性能分析：1、 USB接口供电，无需电源线。2、 真正的便携，用探头检测样品。3、 采用软塑料头，适合野外应用。4、 占地小，可以在办公室内表征薄膜特性。5、 市场最低价。软件：FR-Monitor软件系统提供了多种应用和多种功能的能力。它不但能够实时的监测吸光率，透射率和反射率光谱，而且也包含了用于精准测试独立的薄膜厚度（10nm到100μm）和光学常数（n&k）的白光反射光谱法（WLRS）运算（ThetaMetrisis TM），支持（在透明或者部分透明或者全反射的衬底上）多层薄膜（10层）的测试。不需要高深的光学知识，只要有基本的电脑技巧、一台电脑，轻松实现膜厚测量！用户评论暂无评论发评论问商家白光干涉测厚FR-pOrtable的工作原理介绍白光干涉测厚FR-p

厂家正式授权代理商：岱美有限公司联系电话：，（贾先生）联系地址：北京市房山区启航国际3期5号楼801公司网址：ThetaMetrisis是一家私有公司，成立于2008年12月，位于希腊雅典，是NCSR' Demokritos' 的微电子研究所的第一家衍生公司。ThetaMetrisis的核心技术是白光反射光谱（WLRS），它可以在几埃到几毫米的超宽范围内，准确而同时地测量堆叠的薄膜和厚膜的厚度和折射率。 FR-Mic: 微米级薄膜表征-厚度，反射率，折射率及消光系数测量仪一、产品简介： FR-Mic 是一款快速、准确测量薄膜表征应用的模块化解决方案，要求的光斑尺寸小到几个微米，如微图案表面，粗糙表面及许多其他表面。它可以配备一台专用计算机控制的 XY 工作台，使其快速、方便和准确地描绘样品的厚度和光学特性图。o 实时光谱测量o 薄膜厚度，光学特性，非均匀性测量，厚度映射o 使用集成的， USB 连接高品质彩色摄像机（CCD）进行成像 二、应用领域 o 大学 & 科研院所o 半导体（氧化物、氮化物、硅、电阻等）o MEMS 元器件 (光刻胶、硅薄膜等)o LEDo 数据存储元件o 弯曲基材（衬底）上的硬/软涂层o 聚合物涂层、粘合剂等o 生物医学（ parylene—— 派瑞林,气泡壁厚,等等 )o 其他更多 … (如有需求，请与我们取得联系) 三、产品特点o 单点分析(无需预设值）o 动态快速测量o 包括光学参数(n和k，颜色)o 为演示保存视频o 600 多种的预存材料o 离线分析o 免费软件更新 四、技术参数 FR-Scanner 自动化超高速精准薄膜厚度测量仪 一、产品简介： FR-Scanner 是一种紧凑的台式工具，适用于自动测绘晶圆片上的涂层厚度。FR-Scanner 可以快速和准确测量薄膜特性:厚度，折射率，均匀性，颜色等。真空吸盘可应用于任何直径或其他形状的样片。 独特的光学模块可容纳所有光学部件:分光计、复合光源(寿命10000小时)、高精度反射探头。因此，在准确性、重现性和长期稳定性方面保证了优异的性能。FR-Scanner 通过高速旋转平台和光学探头直线移动扫描晶圆片(极坐标扫描)。通过这种方法，可以在很短的时间内记录具有高重复性的精确反射率数据，这使得FR-Scanner 成为测绘晶圆涂层或其他基片涂层的理想工具。测量 8” 样片 625 点数据60 秒 二、应用领域o 弯曲基材（衬底）上的硬/软涂层o 聚合物涂层、粘合剂等o 生物医学（ parylene—— 派瑞林,气泡壁厚,等等 )o 半导体生产制造：(光刻胶, 电介质,光子多层结构， poly-Si,Si, DLC )o 光伏产业o 液晶显示o 光学薄膜o 聚合物o 微机电系统和微光机电系统o 基底: 透明 (玻璃, 石英, 等等) 和半透明 三、产品特点o 单点分析(无需预设值）o 动态快速测量o 包括光学参数(n和k，颜色)o 为演示保存视频o 600 多种的预存材料o 离线分析o 免费软件更新 四、技术参数FR-Scanner: 自动化超高速薄膜厚度测量仪 FR-pOrtable:一款USB驱动的薄膜表征工具 一、产品简介： FR-pOrtable 是 一 款独 特 的 便 携 式 测 量 仪器 ， 可 对 透 明 和 半 透明 的 单 层 或 多 层 堆 叠薄 膜 进 行 精 确 的 无 损（非接触式）表征。使用 FR-pOrtable，用户可以在 380-1020nm 光谱范围内进行反射率和透射率测量及薄膜厚度测量。二、应用领域o 大学 & 科研院所o 半导体（氧化物、氮化物、硅、电阻等）o MEMS 元器件 (光刻胶、硅薄膜等)o LEDo 数据存储元件o 弯曲基材（衬底）上的硬/软涂层o 聚合物涂层、粘合剂等o 生物医学（ parylene—— 派瑞林,气泡壁厚,等等 )o 其他更多 … (如有需求，请与我们取得联系) 三、应用领域 FR-pOrtable的紧凑尺寸以及定制设计的反射探头以及宽带长寿命光源确保了高精度和可重复的便携式测量。 FR-Portable既可以安装在提供的载物台上，也可以轻松转换为手持式厚度测量工具。放置在待表征的样品上方即可进行测量。 FR-Portable是用于工业环境（如R2R、带式输送机等）中涂层实时表征的可靠而精确的测厚仪。四、产品特点o 一键分析 (无需初始化操作)o 动态测量o 测量光学参数(n & k, 颜色)，膜厚o 自动保存演示视频o 可测量 600 多种不同材料o 用于离线分析的多个设置o 免费软件更新服务 五、技术参数FR-pRo: 按需可灵活搭建的薄膜特性表征工具一、产品简介： FR-pRo 是一个模块化和可扩展平台的光学测量设备，用于表征厚度范围为1nm-1mm 的涂层.FR-pRo 是为客户量身定制的，并广泛应用于各种不同的应用 。 FR-pRo 可由用户按需选择装配模块，核心部件包括光源，光谱仪（适用于 200nm-2500nm 内的任何光谱系统）和控制单元，电子通讯模块此外，还有各种各种配件，比如:? 用于测量吸收率/透射率和化学浓度的薄膜/试管架,? 用于表征涂层特性的薄膜厚度工具,? 用于控制温度或液体环境下测量的加热装置或液体试剂盒,? 漫反射和全反射积分球通过不同模块组合，最终的配置可以满足任何终端用户的需求 二、应用领域o 弯曲基材（衬底）上的硬/软涂层o 聚合物涂层、粘合剂等o 生物医学（ parylene—— 派瑞林,气泡壁厚,等等 )O 半导体生产制造：(光刻胶, 电介质,光子多层结构， poly-Si,Si, DLC )o 光伏产业o 液晶显示o 光学薄膜o 聚合物o 微机电系统和微光机电系统o 基底: 透明 (玻璃, 石英, 等等) 和半透明 三、产品特点o 单点分析(无需预设值）o 动态快速测量o 包括光学参数(n和k，颜色)o 为演示保存视频o 600 多种的预存材料o 离线分析o 免费软件更新 四、技术参数

用于非接触式测量的薄膜表征系统我们提供完整的薄膜厚度测量系统系列，可测量 5 nm 至 200 µ m 的厚度，用于分析单层和/或多层薄膜在不到一秒的时间内完成。 StellarNet 薄膜反射测量系统由与反射探头和光源耦合的紧凑型 USB 光谱仪组成。光学特性通过反射获得，厚度通过检测样品镜面反射率的正弦条纹图案来测量。有多种薄膜系统可满足您的薄膜和/或光学测量要求。TF-VIS –（厚度范围：10nm-75um 波长范围：400nm -1000 nm）大多数半透明或微吸收薄膜都可以快速可靠地测量：氧化物、氮化物、光刻胶、聚合物、半导体（Si、aSi、polySi）、硬质涂层（SiC、DLC）、聚合物涂层（Paralene、PMMA、聚酰胺）、金属薄膜等等。应用包括 LCD、FPD：ITO、单元间隙、聚酰胺。光学涂层：介质滤光片、硬度涂层、减反射涂层半导体和电介质：氧化物、氮化物、OLED 堆栈。TF-UVVIS-SR –（厚度范围：1nm- 75um 波长范围：200nm -1000nm）允许测量低至 1nm 的更薄薄膜用紫外-可见光。 UV-VIS 光谱仪和 UV-VIS 光源的硬件升级。光纤必须通过 -SR（耐日晒性）来增强，以便传输和收集额外的紫外线信号。

Trion Orion III PECVD薄膜沉积系统可以在紧凑的平台上生产高品质的薄膜。独特的反应器设计可以在在极低的功率生产具有优异台阶覆盖的低应力薄膜。该系统可以满足实验室和中试生产环境中的所有安全，设施和工艺标准要求。Trion Orion III PECVD薄膜沉积系统具有许多标准的需求功能，而且是这样一个如此合理价格，这就是为什么许多世界各地的用户已经作出了Trion Orion III PECVD薄膜沉积系统的选择。特征：沉积薄膜：氧化物、氮化物、氧氮化物，非晶硅。工艺气体：＜20%硅烷、氨气、正硅酸乙酯、二乙基硅烷、氧化亚氮、氧、氮应用：MEMS, 固态照明，失效分析，研发，试验线.客户留言：“相比较实验室的其他设备，我发现该设备（Orion III PECVD薄膜沉积系统和 Phantom RIE 刻蚀系统）是非常强大的。”–Lee M. Fischer，国家纳米技术研究所，艾伯塔大学“I’ve found both machines (Orion PECVD and Phantom RIE) to be quite robust, indestructible by comparison to some other lab equipment.” – Lee M. Fischer, National Institute for Nanotechnology, University of Alberta

总部位于德国柏林科技园区的SENTECH仪器公司，已成为光伏生产设备世界市场之 一.我们是一家快速发展的中型公司，拥有60多名员工，他们是我们有价值的资产我们団 队的每个成员都为公司的成功做出贡献，我们总是在寻找与我们志同道合的新工作伙伴，我 们诚挚期待您的加入。薄膜测量仪器反射膜厚仪RM 1000和RM 2000扩展折射率指数测量极限我们的反射仪的特点是通过样品的高度和倾斜调整进行精确的单光束反射率测量，光学布局的高光导允许对n和kffl 行重复测量，对粗糙表面进行测量以及对非常薄的薄膜进行厚度测量. 紫外-近红外光谱葩围 RM 1000 430 nm-930 nm RM 2000 200 nm - 930 nm 高分辨率自动扫描 反射仪RM 1000和RM 2000可以选配x-y自动扫描台和自动扫描软件、用于小光斑尺寸的物镜和摄像机。综合薄膜测量软件FTPadv Expert宽光谱范围和高光谱精度 SENresearch4.0光谱椭偏仪覆盖宽的光谱范围，从190 nm（深紫外）到3500 nm（近红外）。 傅立叶红外光谱仪FTIR提供了高光谱分辨率用以分析厚度高达200|jm的厚膜。 没有光学器件运动（步进扫描分析器原理） 为了获得测量结果,在数据采集过程中没有光学器件运动。步进扫描分析器（SSA）原理是SENrsearch4.0光谱椭偏仪的一个独特特性。 双补偿器2C全穆勒矩阵测量 通过创新的双补偿器2C设计扩展了步进扫描分析器SSAJ京理，允许测量全穆勒矩阵。该设计是可现场升 级和实 现成本效益的附件。 SpectraRay/4综合椭偏仪软件 SpectraRay/4是用于先进材料分析的全功能软件包,SpectraRay/4包括用于与引导图形用户界面进 行研究的交互 模式和用于常规应用的配方模式.激光椭偏仪SE400adv亚埃精度稳定的氣氤激光器保证了 0.1埃精度的超薄单层薄膜厚度测量。 扩展激光欄偏仪的极限 性能优异的多角度手动角度计和角度精度优越的激光椭偏仪允许测量单层薄膜和层叠膜的折 射率、消光系数和膜厚. 高速测量 我们的激光椭偏仪SE 400adv的高速测量速度使得用户可以监控单层薄膜的生长和终点检 测，或者做样品均匀性的自动扫描。综合薄膜测量软件FTPadvExp测量n, k,和膜厚 该软件包是为R（入）和T（入）测量的高级分析而设计的。 查层膜分析 可以测量单个薄膜和层畳膜的每一层的薄膜厚度和折射率. 大量色散模型 集成的色散模型用于描述所有常用材料的光学特性。利用快速拟合算法，通过改变模型参数 将计算得到的光谱调整到实测光谱。

薄膜拉伸剥离顶破刺破强度试验机功能需求 该设备可以选择配置不同工装夹具，主要用于农用薄膜力性能试验材料力学性能测试分析研究， 具有应力、应变、位移三种闭环控制方式，可求出大力、抗拉强度、弹性模量、屈服强度等参数。薄膜拉伸剥离顶破刺破强度试验机设备构造要求 1.主机采用单臂式(单立柱式)设计，可以做拉伸、剥离、顶破、刺破等试验，主机部分主要由工作台、立柱支撑架、一根滚珠丝杠、试验夹具构成。工作台内置调速系统。 2.合理的设计:确保横梁线性运动,使十字接头精确对齐，保证良好的整体精度 确保设备长期零间隙运行，保证试验结果精准，重复性好 3.精密行星齿轮减速机，传动效率高，噪音低，免保养，无须更换润滑油，使用寿命长。 4.伺服控制系统可以达到满速满量程的试验要求。 薄膜拉伸剥离顶破刺破强度试验机满足标准 生产标准：GB/T 16491-2008 《电子试验机》 计量检定标准：JJG 139-2014 《拉力、压力和能试验机》JJG 475-2008 《电子式能试验机检定规程》 GB 13735-2017 《农用薄膜力学性能试验》 薄膜拉伸剥离顶破刺破强度试验机 技术参数 1. 产品规格： HY-0580(DB)2． 精度等级： 0.5级3． 负荷： 1N 5N 10N 20N 50N 100N 200N 500N 1000N 2000N 5000N4． 有效测力范围：0.1/100-99.999% 5． 试验力分辨率，负荷±500000码；内外不分档，且全程分辨率不变。6. 位移分辨率：0.0001mm7. 变形分辨率：0.0001mm6． 有效试验宽度：120mm7． 有效试验空间：1000mm8． 试验速度:：0.001~500mm/min(任意调)9. 速度精度：示值的±0.5%以内；10．位移测量精度：示值的±0.5%以内；11．变形测量精度：示值的±0.5%以内；12．应力控速率范围： 0.005%～6％FS/S13．应力控速率精度： 速率＜0.05％FS/S时，为设定值的±1%以内；速率≥0.05％FS/S时，为设定值的±0.5%以内；14．应变控速率范围： 0.002%～6％FS/S15．应变控速率精度： 速率＜0.05％FS/S时，为设定值的±2%以内；速率≥0.05％FS/S时，为设定值的±0.5%以内；16. 恒力/位移/变形测量范围：0.5％～99.999％FS17．恒力/位移/变形测量精度：设定值＜10％FS时, 为设定值的±1%以内； 设定值≥10％FS时, 为设定值的±0.1%以内；18．试台升降装置：快/慢两种速度控制，可点动；19．试台安全装置：电子限位保护20．试台返回：手动可以高速度返回试验初始位置，自动可在试验结束后自动返回；21．试验定时间自动停车,试验定变形自动停车,试验定负荷自动停车22．超载保护：超过大负荷10%时自动保护；23. 自动诊断功能，定时对测量系统、驱动系统进行过载、过压、过流、超负荷等检查，出现异常情况立即进行保护23．电源功率： 750W24．主机重量： 95kg25. 电源电压: 220V（单相）26. 主机尺寸：470*400*1710mm

锂电池薄膜穿刺强度试验机用于各种热固性、热塑性塑料的拉伸弹性模量、弯曲弹性模量、压缩模量、屈服强度、拉伸强度、断裂强度、断裂伸长率、压缩应力、压缩应变、剪切、剥离、撑口、撕裂、穿透等力学性能的测定,适用于工程塑料、增强尼龙、改性塑料、塑料异型材、塑料管材、塑料片材及薄膜等行业的材料分析及检验。锂电池薄膜穿刺强度试验机的传动部分采用全数字交流伺服系统、高刚度框架结构，并采用分段线性校正的方法保证力值检测部分的高精度，高稳定性，可选配双轴大变形引伸计及小变形引伸计；精确测量试样标线间距内的变形量。主机机架自身独有的减震功能，无需安装地基。该试验机造型美观、精度高、噪音小、操作方便，准确度可达到0.5级，提供多种夹具供用户选择.锂电池薄膜穿刺强度试验机适用于金属或非金属（含复合材料）、橡胶塑料、胶粘剂材料的拉伸、压缩、弯曲、剪切、剥离、撕裂、保载、等项的静态力学性能测试分析研究，具有应力、应变、位移三种闭环控制方式，要求可求出大力、抗拉强度、抗剥离强度、弯曲强度、压缩强度、弹性模量、断裂延伸率、屈服强度等参数。采用计算机控制windows操作系统使试验数据曲线动态显示, 能自动求取大力、大变形、弯曲应力、弯曲强度、压缩强度、压缩力、屈服、弹性模量、伸长率等参数（根据用户要求需要哪种试验以便配备相应夹具）。 试验曲线和数据结果可以在电脑上动态显示并任意设定,对曲线操作更加简便.轻松.随时随地都可以进行曲线编缉、.叠加、分离、缩放、打印等全电子显示监控。锂电池薄膜穿刺强度试验机设备用途：该机广泛应用于建筑建材、航空航天、机械制造、电线电缆、橡胶塑料、汽车制造等行业的材料检验分析，是科研院校、大专院校、工矿企业、技术监督、商检仲裁等部门的理想测试设备。锂电池薄膜穿刺强度试验机技术参数Mainspecifications1、负荷Maxcapacity：5000N以内（任意选）2、荷重元精度拉力机LoadAccuracy：0.01%3、测试精度Measuringaccuracy：±0.5%4.位移示值误差：示值的±0.5％以内5、操作方式Control：全电脑控制6.测试软件：中英转换，还有一款八国语言的软件。7、操作方式Control：全电脑控制8、有效宽度Validwidth：150mm9、有效拉伸空间Stroke：800mm（根据需要可加高）10、试验速度Tetxingspeed：0.001~500mm/min（任意调），也可达到1000mm/min。11、速度精度SpeedAccuracy：±0.5%以内；12、位移测量精度StrokeAccuracy：±0.5%以内；13、变形测量精度DisplacementAccuracy：±0.5%以内14、安全装置Safetydevice：电子限位保护，紧急停止键Safeguardstroke15. 系统：试验遥控或仪器本身的液晶显示屏控制16.夹具配置:根据用户产品试样要求定制夹具壹付17、机台重量MainUnitWeight：约100kg　　18. 电源电压: 220V19. 主机尺寸：590*355*1640mm