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便携式高纯锗谱仪

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便携式高纯锗谱仪相关的仪器

  • 便携式高纯锗伽马能谱仪、手持式核素识别DETECTIVE便携式高纯锗伽马能谱仪该产品是一款采用机械制冷的新型便携式高纯锗γ谱仪。它集中采用了当今先进与潮流的核探测器、机械制冷与通讯技术,体现了当今半导体核探测技术的最高水平,并达到相当程度的智能化。仪器设计用于国土安全、核应急、反恐、进出口管控与源项调查等,也可作为现场高纯锗谱仪用途。 仪器主要依赖于高纯锗优异的分辨率,同时集成GM管和He-3中子管(可选),因之能提供多种核测量信息,并由此快速而可靠地识别各种核素,再由软件给出完整的核素分类报告。在开放环境下,一次测量与“甄别”的过程通常在几秒到几十秒的时间。探测器:HPGe探测器:同轴P型高纯锗,效率≥40% 分辨率(FWHM)<2.2keV@1.33MeV; <1.2keV@1.33MeV;制冷器设计连续工作寿命大于6万小时。电池供电情况下可持续工作至少4小时;25℃时从常温冷却至工作温度的典型时间小于10小时。g-剂量率探测器: 补偿型GM (Geiger Mueller)管:最大剂量率10mSv/h; 剂量率10mSv/h时指示“超量程”并连续报警。中子探测器(可选项):1个3He计数管 。 功能模式:剂量模式:仪表盘显示实时剂量率,报警效果。搜索模式:界面显示计数率波动状态。核素识别:可按照预设模式(累积模式、定长模式)进行核素识别,显示识别结果,核素名称、分类、置信度、活度等信息。电子学: 状态显示:屏幕上实时显示仪器电池剩余量、探测器高压、探测器温度、系统运行时长、机内温度等。 系统变换增益:32K、16K、8K道可选。 仪器尺寸与重量:尺寸:16 kg,L440mm×H385mm×W185mm 工作环境:温度:-20℃ ~ 55℃;湿度:不大于90%(35℃时)
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  • Detective系列便携式高纯锗谱仪产品特征:集成采用了高纯锗、GM管和He-3中子(可选项)探测器微型斯特林压缩机制冷,设计连续工作寿命5年可在数秒到数十秒内对测量对象的所有核素做出**准确的鉴别操作十分简捷方便,系统具有相当程度的智能化水平多种供电模式:内部电池、外部电池组和外接电源的充电器技术参数:探测器:同轴P型高纯锗、GM管和He-3计数管显示:4英寸TFT240×320点阵64K像素彩色触摸显示屏,屏幕上实时显示仪器电池剩余寿命、系统DC电压、HPGe和GM探测器偏压和HPGe晶体温度处理器:Intel P X A 263,400MHz
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  • 高效率手持核素识别仪便携式高纯锗伽马能谱仪该产品是一款采用机械制冷的新型便携式高纯锗γ谱仪。它集中采用了当今先进与潮流的核探测器、机械制冷与通讯技术,体现了当今半导体核探测技术的最高水平,并达到相当程度的智能化。仪器设计用于国土安全、核应急、反恐、进出口管控与源项调查等,也可作为现场高纯锗谱仪用途。 仪器主要依赖于高纯锗优异的分辨率,同时集成GM管和He-3中子管(可选),因之能提供多种核测量信息,并由此快速而可靠地识别各种核素,再由软件给出完整的核素分类报告。在开放环境下,一次测量与“甄别”的过程通常在几秒到几十秒的时间。探测器:HPGe探测器:同轴P型高纯锗,效率≥40% 分辨率(FWHM)<2.2keV@1.33MeV; <1.2keV@1.33MeV;制冷器设计连续工作寿命大于6万小时。电池供电情况下可持续工作至少4小时;25℃时从常温冷却至工作温度的典型时间小于10小时。g-剂量率探测器: 补偿型GM (Geiger Mueller)管:最大剂量率10mSv/h; 剂量率10mSv/h时指示“超量程”并连续报警。中子探测器(可选项):1个3He计数管 。 功能模式:剂量模式:仪表盘显示实时剂量率,报警效果。搜索模式:界面显示计数率波动状态。核素识别:可按照预设模式(累积模式、定长模式)进行核素识别,显示识别结果,核素名称、分类、置信度、活度等信息。电子学: 状态显示:屏幕上实时显示仪器电池剩余量、探测器高压、探测器温度、系统运行时长、机内温度等。 系统变换增益:32K、16K、8K道可选。 仪器尺寸与重量:尺寸:16 kg,L440mm×H385mm×W185mm 工作环境:温度:-20℃ ~ 55℃;湿度:不大于90%(35℃时)
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  • Aegis便携式高纯锗谱仪产品特征:无LN2冷 却器无热循环低温恒温器IP65防护等级冷 却后,在-20℃至+ 50℃(-4°F至122°F)的环境温度下工作实验室级能 量分辨率可选择大型40%和50%HPGe晶体,有或没有RDCRDC选项支持反向屏 蔽易于部署一体 化设计无线或有线遥 控 器内置热插拔电池,可实现电池不间断运行通过Genie™ 2000软件进行系统控制通过基于Web的用户界面的常规和详细硬件状态通用ISOCS™ 特性无需维护
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  • Trans-SPEC系列便携式高纯锗谱仪技术参数:对Micro-Trans-SPEC:相对探测效率∶13%分辨率∶≤1.45keV@122keV,≤2.15keV@1332keV峰形(FWTM/TWHM):≤1.9对Trans-SPEC-100T∶相对探测效率∶40%分辨率∶≤1.6keV@122keV,2.3keV@1332keV峰形(FWTM/TWHM):≤1.9
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  • 便携式高纯锗伽马能谱仪、手持式核素识别便携式高纯锗探测器该产品是一款采用机械制冷的新型便携式高纯锗γ谱仪。它集中采用了当今先进与潮流的核探测器、机械制冷与通讯技术,体现了当今半导体核探测技术的最高水平,并达到相当程度的智能化。仪器设计用于国土安全、核应急、反恐、进出口管控与源项调查等,也可作为现场高纯锗谱仪用途。 仪器主要依赖于高纯锗优异的分辨率,同时集成GM管和He-3中子管(可选),因之能提供多种核测量信息,并由此快速而可靠地识别各种核素,再由软件给出完整的核素分类报告。在开放环境下,一次测量与“甄别”的过程通常在几秒到几十秒的时间。探测器:HPGe探测器:同轴P型高纯锗,效率≥40% 分辨率(FWHM)<2.2keV@1.33MeV; <1.2keV@1.33MeV;制冷器设计连续工作寿命大于6万小时。电池供电情况下可持续工作至少4小时;25℃时从常温冷却至工作温度的典型时间小于10小时。g-剂量率探测器: 补偿型GM (Geiger Mueller)管:最大剂量率10mSv/h; 剂量率10mSv/h时指示“超量程”并连续报警。中子探测器(可选项):1个3He计数管 。 功能模式:剂量模式:仪表盘显示实时剂量率,报警效果。搜索模式:界面显示计数率波动状态。核素识别:可按照预设模式(累积模式、定长模式)进行核素识别,显示识别结果,核素名称、分类、置信度、活度等信息。电子学: 状态显示:屏幕上实时显示仪器电池剩余量、探测器高压、探测器温度、系统运行时长、机内温度等。 系统变换增益:32K、16K、8K道可选。 仪器尺寸与重量:尺寸:16 kg,L440mm×H385mm×W185mm 工作环境:温度:-20℃ ~ 55℃;湿度:不大于90%(35℃时)
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  • DETECTIVE便携式高纯锗伽马能谱仪高纯锗手持式核素识别仪该产品是一款采用机械制冷的新型便携式高纯锗γ谱仪。它集中采用了当今先进与潮流的核探测器、机械制冷与通讯技术,体现了当今半导体核探测技术的最高水平,并达到相当程度的智能化。仪器设计用于国土安全、核应急、反恐、进出口管控与源项调查等,也可作为现场高纯锗谱仪用途。 仪器主要依赖于高纯锗优异的分辨率,同时集成GM管和He-3中子管(可选),因之能提供多种核测量信息,并由此快速而可靠地识别各种核素,再由软件给出完整的核素分类报告。在开放环境下,一次测量与“甄别”的过程通常在几秒到几十秒的时间。探测器:HPGe探测器:同轴P型高纯锗,效率≥40% 分辨率(FWHM)<2.2keV@1.33MeV; <1.2keV@1.33MeV;制冷器设计连续工作寿命大于6万小时。电池供电情况下可持续工作至少4小时;25℃时从常温冷却至工作温度的典型时间小于10小时。g-剂量率探测器: 补偿型GM (Geiger Mueller)管:最大剂量率10mSv/h; 剂量率10mSv/h时指示“超量程”并连续报警。中子探测器(可选项):1个3He计数管 。 功能模式:剂量模式:仪表盘显示实时剂量率,报警效果。搜索模式:界面显示计数率波动状态。核素识别:可按照预设模式(累积模式、定长模式)进行核素识别,显示识别结果,核素名称、分类、置信度、活度等信息。电子学: 状态显示:屏幕上实时显示仪器电池剩余量、探测器高压、探测器温度、系统运行时长、机内温度等。 系统变换增益:32K、16K、8K道可选。 仪器尺寸与重量:尺寸:16 kg,L440mm×H385mm×W185mm 工作环境:温度:-20℃ ~ 55℃;湿度:不大于90%(35℃时)
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  • 高分辨率高纯锗γ相机 GeGI-5高分辨率高纯锗γ相机是最新一代的高纯锗谱仪探测系统,它即具有γ射线成像能力又能够提供高分辨率的γ能谱。GeGI-5结合高空间和能谱分辨率,在确定γ源位置和时识别核素方面具有独特的测量优势。 GeGI-5高分辨率高纯锗γ相机由高纯锗锗探测器和斯特林制冷系统构成,它们整合在一个便携箱内。系统还可以连接另外一台电脑,可在1.5Km之外进行远程控制系统。系统配备彩色CCD相机,相机的“鱼眼”镜头能够提供180°视野。 GeGI-5测到的γ热点和核素信息一起被添加到视频图像上。GeGI-5既可以在康普顿数据采集模式下形成4π康普顿图像,也可以针孔视野模式提供一个校准过的小视图,便于更加细致的观察图像。 GeGI-5内置NIMH电池能够为短时间断电提供电源,应急供电时长约3h。可选额外的电池延长供电约5h。1、 技术性能: 高灵敏、高精确、高分辨 小型斯特林制冷高纯锗γ谱仪 斯特林制冷寿命长(超过5年) 4π康普顿视野γ图像 可针孔狭缝成像 核素识别、图像和定位U-235及Pu-239等 内置电池,可选额外电池 可选带铅针孔准直器的升降车 用户友好界面,平板操作 可无线操作 电源接头符合军用标准 2、性能参数: 尺寸:26 × 14 × 20 cm 重量:6.8 kg 电源:10~240 VAC,50~60 Hz,内置电池可用3h,外接电池可用5h 探测器:90mm直径×11mm厚高纯锗探测器 有效探测体积:60 cm3 灵敏度(10 μCi 137Cs源在1m处(33 nSv/h): 识别时间≤ 3.7s ± 1s 定位时间≤ 30s ± 13s 能量分辨率(FWHM):<2.1keV (0.3%) @662keV 能量范围:30 keV~3 MeV 康普顿成像能量范围:140 keV~3 MeV 针孔成像能量范围:30 keV~662 KeV 最大剂量:250 kcps 核素库:400种,可添加 制冷时间:2.5h 探测器视野: 4π(360°)康普顿视图 2π(185°)光学前视视场 60°针孔成像视野 点源定位角度:±1° 相机:带广角鱼眼镜头的HD彩色CCD,可提供2π 185°光学前视视场 现场操作:在GeGI-5上现场控制和显示 遥控操作:GeGI-5可通过一台耐用的工业笔记本在150米外远程控制,笔记本与GeGI-5使用单线相连。 安装:GeGI-5可以便携式使用,或者安装在移动的升降车上。也可以安装在云台架、墙上和天花板或者ROV上。
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  • 综述: 随着非动力核技术广泛的应用在各行各业。对于人们来说,放射性核素再也不是遥不可及的神秘物质。近年来,核与辐射事故频发,核反恐形势不断加剧,高性能手持式核素识别仪器成了各领域的需求热点。 在应用需求的推动下,手持式核素识别仪器技术领域有了突飞猛进的发展。尤其高纯锗核素识别仪器(HPGe)的小型化,彻底改变了放射性核数识别长期依赖碘化钠(NaI)探测器的局面。使得基于高纯锗的核素识别成为该类型设备的黄金标准“Golden standard”。 作为放射性物质扩散及国土安全防护的重要职能部门——出入境检验检疫,国家辐射管理部门等。对设备也提出了更高的要求。基于HPGe的手持式核素识别仪,在小型化,电制冷化方便的不断发展,完全克服了传统HPGe谱仪使用上的限制。真真正正的成为了一种巡查利器,使得过去的不可能变成了现在的可能。核素识别的基本原理: 不同的放射性核素衰变时,产生具有“指纹”特征的Gamma射线。核数识别仪通过对发射出的Gamma射线进行测量,数据获取。最终形成能谱,通过对能谱的分析,根据能谱中所展示的特征能量与核素库(核素指纹库)中的能量进行对比,从而准确识别出对应的放射性核素。面临的问题:环境水平下的低活度有害放射性物质筛查带有伪装的特殊核材料走私“脏弹”威胁重大集会的核反恐 核材料扩散等 放射性核辐射因为其看不见,摸不着的特性。手持式核素识别仪成了唯一能够发现威胁的核心设备。但在面对这些不确定的,复杂的威胁的时候。传统的基于闪烁体探测器(NaI,Labr)的手持式核素识别仪,因为较差的核素识别能力,通过一些简单的手段就能够被有效欺骗。所以传统的基于闪烁体探测器的手持式核素识别仪已经远远的不能应付我们需要面对的威胁。核心性能—核素识别能力: 作为该类仪器最重要的性能指标——能量分辨率(FWHM:全能峰半高宽),它表征了 探测器对于不同能量射线的分辨能力,也代表了核素识别的准确性。是基于能谱分析核素识别仪器最重要的性能指标。对于目前广泛采用的探测器类型来讲:LaBr(溴化镧)闪烁体探测器分辨率好于NaI(碘化钠)探测器,提升分辨率一倍。HPGe(高纯锗)探测器分辨率好于LaBr探测器,提升20倍以上。因为HPGe探测器无与伦比的分辨率性能,使其成为手持式核素识别仪器的黄金标准“Golden Standard“。性能的提升: 以Ba133为例,Ba133是一种较为常见的工业用放射性核素。如果我们用NaI谱仪和HPGe谱仪去测量Ba133核素发射的射线,我们可以得到如右图所示的两个能谱,采用NaI谱仪时,只能看到两个峰,而HPGe可以将所有能峰清晰展示。使我们可以准确的分辨目标核素为Ba133. 做为特殊核材料走私的惯用手段之一,对特殊核材料进行伪装,已达到欺骗识别设备的目的。我们在Ba133放射性核素中混入需要携带会运输的特殊核材料Pu。 而基于HPGe的核素识别仪可以精确 的识别高风险材料Pu。真真正正的做到让任何威胁都无处遁形。设备应该具备的特性:精准的核素识别能力(超高的能量分辨率)高灵敏度体积小巧,重量轻可独立工作,无需任何外部辅助优秀先进的自动分析能力,对操作人员无要求能够适应各种环境及应用的要求Detective 100——手持式放射性核素识别仪: 大晶体: 直径65mm,厚度50mm晶体类型:P型同轴高纯锗晶体强大的通讯能力 — 支持802.11 a/b/g无线网络,USBHe3中子探测器选项支持大容量存储卡可完全脱离计算机工作工作温度范围:-10度 到 40度开机自动运行运行模式:搜寻模式特殊核材料识别模式核素识别模式谱测量模式
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  • 超纯水是经多种工艺深度净化所得,深度净化之后的超纯水对于材料和CO2具有极强的溶解力和析出能力,超纯水是一种极端不稳定的暂态,离线超纯水电阻率测量是公认的不可能完成的使命,即便是在线测量同样有着严格的约束,一直以来超纯水设备调试中对其产水电阻率的认定是一项充满着争议的无奈。RCP-6100便携式高、超纯水比对仪是我公司集数十年在电阻率开发研究实践开发的便携式超纯水高、超纯水比对仪,其数学模型同国际超纯水电阻率精度相媲美。本仪器选择一体化密闭、流通、精密电导池、稳流措施、数据采集、温度补偿、超纯水工程材料、流速管理等考究的技术成就,是迄今国内外超纯水鉴定鲜见的工具化便携仪器。仪器采用高强度便携式密封仪器箱做载体保障内部仪器的稳固性,内部还集成了电池管理、无线透传等物联网技术,支持移动PC和APP程序界面下的设置和操作,掘弃仪表技术所带来的许多不确定性,是高、超纯水处理行业的伙伴工具、对于设备工程调试、产水验收起到重要的作用,填补了当今超纯水制备定准的空白,尤其是解决了业主方或仲裁方对于高纯水设备或仪器作假争议的问题。
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  • 便携式高纯锗伽马能谱仪手持式高纯锗核素识别仪 DETECTIVE便携式高纯锗伽马能谱仪高纯锗手持式核素识别仪该产品是一款采用机械制冷的新型便携式高纯锗γ谱仪。它集中采用了当今先进与潮流的核探测器、机械制冷与通讯技术,体现了当今半导体核探测技术的最高水平,并达到相当程度的智能化。仪器设计用于国土安全、核应急、反恐、进出口管控与源项调查等,也可作为现场高纯锗谱仪用途。 仪器主要依赖于高纯锗优异的分辨率,同时集成GM管和He-3中子管(可选),因之能提供多种核测量信息,并由此快速而可靠地识别各种核素,再由软件给出完整的核素分类报告。在开放环境下,一次测量与“甄别”的过程通常在几秒到几十秒的时间。探测器:HPGe探测器:同轴P型高纯锗,效率≥40% 分辨率(FWHM)<2.2keV@1.33MeV; <1.2keV@1.33MeV;制冷器设计连续工作寿命大于6万小时。电池供电情况下可持续工作至少4小时;25℃时从常温冷却至工作温度的典型时间小于10小时。g-剂量率探测器: 补偿型GM (Geiger Mueller)管:最大剂量率10mSv/h; 剂量率10mSv/h时指示“超量程”并连续报警。中子探测器(可选项):1个3He计数管 。 功能模式:剂量模式:仪表盘显示实时剂量率,报警效果。搜索模式:界面显示计数率波动状态。核素识别:可按照预设模式(累积模式、定长模式)进行核素识别,显示识别结果,核素名称、分类、置信度、活度等信息。电子学: 状态显示:屏幕上实时显示仪器电池剩余量、探测器高压、探测器温度、系统运行时长、机内温度等。 系统变换增益:32K、16K、8K道可选。 仪器尺寸与重量:尺寸:16 kg,L440mm×H385mm×W185mm 工作环境:温度:-20℃ ~ 55℃;湿度:不大于90%(35℃时)
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  • GeGI-5高分辨率高纯锗γ相机是最新一代的高纯锗谱仪探测系统,它即具有γ射线成像能力又能够提供高分辨率的γ能谱。GeGI-5结合高空间和能谱分辨率,在确定γ源位置和时识别核素方面具有独特的测量优势。 高分辨率高纯锗γ相机由高纯锗锗探测器和斯特林制冷系统构成,它们整合在一个便携箱内。系统还可以连接另外一台电脑,可在1.5Km之外进行远程控制系统。系统配备彩色CCD相机,相机的“鱼眼”镜头能够提供180°视野。 GeGI-5测到的γ热点和核素信息一起被添加到视频图像上。GeGI-5既可以在康普顿数据采集模式下形成4π康普顿图像,也可以针孔视野模式提供一个校准过的小视图,便于更加细致的观察图像。 GeGI-5内置NIMH电池能够为短时间断电提供电源,应急供电时长约3h。可选额外的电池延长供电约5h。1、 技术性能: 高灵敏、高精确、高分辨 小型斯特林制冷高纯锗γ谱仪 斯特林制冷寿命长(超过5年) 4π康普顿视野γ图像 可针孔狭缝成像 核素识别、图像和定位U-235及Pu-239等 内置电池,可选额外电池 可选带铅针孔准直器的升降车 用户友好界面,平板操作 可无线操作 电源接头符合军用标准 2、性能参数: 尺寸:26 × 14 × 20 cm 重量:6.8 kg 电源:10~240 VAC,50~60 Hz,内置电池可用3h,外接电池可用5h 探测器:90mm直径×11mm厚高纯锗探测器 有效探测体积:60 cm3 灵敏度(10 μCi 137Cs源在1m处(33 nSv/h)): 识别时间≤ 3.7s ± 1s 定位时间≤ 30s ± 13s 能量分辨率(FWHM):<2.1keV (0.3%) @662keV 能量范围:30 keV~3 MeV 康普顿成像能量范围:140 keV~3 MeV 针孔成像能量范围:30 keV~662 KeV 最大剂量:250 kcps 核素库:400种,可添加 制冷时间:2.5h 探测器视野: 4π(360°)康普顿视图 2π(185°)光学前视视场 60°针孔成像视野 点源定位角度:±1° 相机:带广角鱼眼镜头的HD彩色CCD,可提供2π 185°光学前视视场 现场操作:在GeGI-5上现场控制和显示 遥控操作:GeGI-5可通过一台耐用的工业笔记本在150米外远程控制,笔记本与GeGI-5使用单线相连。 安装:GeGI-5可以便携式使用,或者安装在移动的升降车上。也可以安装在云台架、墙上和天花板或者ROV上。
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  • 高纯锗手持式核素识别仪 DETECTIVE便携式高纯锗伽马能谱仪高纯锗手持式核素识别仪该产品是一款采用机械制冷的新型便携式高纯锗γ谱仪。它集中采用了当今先进与潮流的核探测器、机械制冷与通讯技术,体现了当今半导体核探测技术的最高水平,并达到相当程度的智能化。仪器设计用于国土安全、核应急、反恐、进出口管控与源项调查等,也可作为现场高纯锗谱仪用途。 仪器主要依赖于高纯锗优异的分辨率,同时集成GM管和He-3中子管(可选),因之能提供多种核测量信息,并由此快速而可靠地识别各种核素,再由软件给出完整的核素分类报告。在开放环境下,一次测量与“甄别”的过程通常在几秒到几十秒的时间。探测器:HPGe探测器:同轴P型高纯锗,效率≥40% 分辨率(FWHM)<2.2keV@1.33MeV; <1.2keV@1.33MeV;制冷器设计连续工作寿命大于6万小时。电池供电情况下可持续工作至少4小时;25℃时从常温冷却至工作温度的典型时间小于10小时。g-剂量率探测器: 补偿型GM (Geiger Mueller)管:最大剂量率10mSv/h; 剂量率10mSv/h时指示“超量程”并连续报警。中子探测器(可选项):1个3He计数管 。 功能模式:剂量模式:仪表盘显示实时剂量率,报警效果。搜索模式:界面显示计数率波动状态。核素识别:可按照预设模式(累积模式、定长模式)进行核素识别,显示识别结果,核素名称、分类、置信度、活度等信息。电子学: 状态显示:屏幕上实时显示仪器电池剩余量、探测器高压、探测器温度、系统运行时长、机内温度等。 系统变换增益:32K、16K、8K道可选。 仪器尺寸与重量:尺寸:16 kg,L440mm×H385mm×W185mm 工作环境:温度:-20℃ ~ 55℃;湿度:不大于90%(35℃时)
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  • 超长效埋地铜/硫酸铜参比电极简介常用的Cu/CuSO4参比电极采用微孔陶瓷作为液接界面,寿命一般可以达到5-8年左右,但随着国内管道储运行业的飞速发展,大型储罐和长输管道的建设越来越多,一般大型储罐和长输管道阴极保护系统的设计寿命都达到30-50年,而作为控制信号源的参比电极的寿命却始终无法满足阴极保护系统的要求,无法和其匹配使用。尤其是对大型储罐,参比电极大都预埋在基础中,等参比电极失效时很难更换也没有找到非常好的补救措施,这就给阴极保护设计和使用者带来了很多麻烦。针对这种情况,我公司组织科研力量,研究国内和国际上产品的优缺点结合目前国内产品的使用情况,开发出了双陶型长效参比电极。该产品采用双陶瓷罐体结构,也就是分内罐和外罐,内外罐采用不同微孔直径和孔隙率的陶瓷罐体。螺旋状的电解紫铜丝放置在内罐体内,内罐充满高纯硫酸铜晶体,内罐和外罐之间充填特制填料。通过上述处理,一方面保证了硫酸铜的渗透以及离子交换,也就是保证了参比电极的电位稳定性;另一方面又有效控制了有限硫酸铜晶体的流失速度,大大延长了参比电极的使用寿命。在阴极保护中,参比电极是阴极保护系统中重要的组成部分之一,它可用来测量被保护构筑物的电位,又可作为恒电位仪自动控制的讯号源。我公司可以根据客户要求提供各种参比电极。河南汇龙合金材料有限公司座落在经济蓬勃发展的黄河沿岸、中原腹地---河南省原阳县,是一家合金材料多元化延伸产品深加工、电气技术研发、工程承包为一体的高新企业。公司创办以来本着科技领先、专注行业的经营理念,在部队、石油、化工、天然气、铁路、市政等大型企业项目中树立起了良好的企业形象和数以千计的成熟业绩;在电化学防腐蚀、阴极保护材料开发、防雷及接地领域,汇龙品牌产品已畅销海内外并得到了客户的普遍好评和认可。 汇龙公司拥有一支长期从事特种合金升降杆、阴极保护材料研发、防雷及接地材料行业具有丰富经验的专家团队,在阴极保护防腐蚀领域采用新技术、新工艺不断改革创新使我们的产品与技术更具有市场竞争力,一直走在同行业的前列。 汇龙公司自主研发设计的主要产品有:手动升降杆、电动升降杆、气动升降杆、镁合金阳极、锌合金阳极、铝合金阳极、镁带、锌带、长效硫酸铜参比电极、便携式参比电极、高纯锌参比电极、锌接地电池、阴极保护测试桩、防爆接线箱、高硅铸铁阳极、钛基氧化物阳极、预包装深井阳极、浅埋式预包装阳极、固态去耦合器、等电位连接器、恒电位仪、电位传送器、智能测试桩、火花间隙保护器、防雷器、非金属接地模块、离子接地极、石墨接地线、合金接地极、铜包钢接地极、铜包钢绞线、放热焊接模具、铝热焊剂等。 愿我们的产品、技术和服务能为广大用户提供更多的放心和实惠,欢迎国内外各界朋友光临河南汇龙。联系地址:河南省原阳县黄河大道9号院
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  • 高纯锗γ能谱仪 400-860-5168转3524
    高纯锗γ伽马能谱仪第一部分:高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率,是核测量最精密和最先进的工具,在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定, 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理:高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级,是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极,在该两种电极上加反向偏压后,由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度,其内部将工作在全耗尽状态,此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集,形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体,在 其外表面为 N+电极,在其内部电极孔内部为 P+电极, 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚,P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放,性能优异,长期稳 定性好,除适配威视系列数字谱仪外,还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指,并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计,同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率,探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性:能量响应范围:30keV 至 10MeV;相对探测效率 10% 至 80%; 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求; 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标; 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标:型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比(≥)效率(≥)直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分:谱仪(多道分析仪) 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善,其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求,结合软件,谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性:全数字化控制,保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能(shutdown)多种滤波模式,可根据特定环境配置滤波参数,具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复,自动极零,零死时间校正,弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps,对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能: 基础参数显示:系统的电源开启状态,高压开启状态,高压目标值,高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载:用户根据探测器参数选定高压后,系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载,直到满足探测器要求。异常处理功能:当系统意外掉电,设备自动启动 UPS 功能,并按异常处理逻辑,进 行高压缓降,以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能:基于 FPGA 的硬件算法,利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标: 系统非线性:积分非线性:≤ 0.01%;微分非线性:≤±0.28最大通过率:成形时间设置为上升时间 500ns,平顶时间 500ns时,系统等效的死时间约为 2.79μs,此时,最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益::由计算机选定为 1,2,4,8细调增益:由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量:376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件:0 C 到 50 C(包括 LCD 显示)。操作系统:Windows 7/ Windows10。显示/接口:320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子,USB3.0接口。高压输出接口,探测器电源接口,探测器信号输入端子。第三部分:液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机,运行寿命长于 10 年; 25L 液氮容器,不断电条件下可连续工作两年以上; 对探测器分辨率无影响; 可匹配垂直、水平与弯头型冷指; 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息; 可选购基于无线技术的遥控器,远程控制制冷系统或显示运行状态; 配有自动式液氮填充接口,可自动加注液氮; 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警; 外形尺寸:64.5cm 高 x 45.6cm 直径(不含探测器); 功耗:运行时小于 150W,启动时最大 250W; 工作环境:0 - 35℃,相对湿度 20%至 80%(无冷凝); 噪声:1m 处小于 60 分贝。第四部分:伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪,除了高纯锗探测器这一核心部件之外,还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢,目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包,只需一次安装,用户即可实现如下功能: 系统的参数设置与硬件控制,包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时,软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能,以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果,以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点: 设计有可切换的操作员(operator)与专家(expert)两种使用权限,以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时, 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品,可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性: 刻度:支持能量、峰形、效率刻度,可人工刻度,也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件,并支持三种拟合方法:单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”(Knee)的多项式拟合。 寻峰:支持 Mariscotti 法寻峰,可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法:自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库: 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询,和对母子核的编辑。 核素识别的方法: 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法,具体执行程序如下: 使用广义二阶差分方法初步寻峰,根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底,扣除本底后,在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上,方便查看。 谱分析中的校正:母子核衰变校正;样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算:Currie 算法,后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告:报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容,支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面:默认 office 风格,可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容,并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统:Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分:实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包:基于 Geant4 软件程序包,能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型:支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围:10keV-7000keV; 刻度角度:支持任意角度刻度。探测效率:支持真实物理级别的级联符合校正,通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库:内置 9 种常见的容器库,支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具:内置 40 余种常见材料,允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验:提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义,提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析:提供输入参数敏感性分析工具,方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具:允许用户自主完成探测器表征,无需返厂,确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式:允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统:Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分:铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室,用于高纯锗γ能谱仪系统,屏蔽环 境本底对探测过程的干扰,提高测量的准确性。具体参数: 外层材料:1cm 低碳钢;中层材料:10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽;内层材料:3 mm 无氧铜;结构:压杆式顶部平移开门设计; 承重桌材料:低碳钢;占地面积:65cm x 65cm;内腔尺寸:Φ310mm x 409mm;重量:大于 1.1 吨; 铅室说明:分三个型号,TKLBS-G1,TKLBS-G2,和TKLBS-U,TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写,G1代表Grad1等级1,使用铅材料厚度为10cm,本底保 证<3.0cps,常规值<2.8cps;G2代表Grad1等级2,使用铅材料厚度为15cm,本 底保证<2.0cps,常规值<1.6cps;U代表Ultra超级,使用铅材料厚度为15cm, 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气,使之降低空气中氡的影响,本底保证<1.0cps。按照约定俗称,以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室,用于高纯锗γ能谱仪系统,屏蔽环境本底 对探测过程的干扰,提高测量的准确性。本底指标:本底指标:在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps(40%效率), 典型值约 1cps 左右。具体参数: 高度 682.1 mm (26.9 in.); 直径 558.8 mm (22.0 in.); 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.); 深度:355.6 mm (14 in.);最外层:9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢; 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅; 内衬:1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度:68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬:2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。
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  • 高分辨率高纯锗γ相机 GeGI-5高分辨率高纯锗γ相机是最新一代的高纯锗谱仪探测系统,它即具有γ射线成像能力又能够提供高分辨率的γ能谱。GeGI-5结合高空间和能谱分辨率,在确定γ源位置和时识别核素方面具有独特的测量优势。 GeGI-5高分辨率高纯锗γ相机由高纯锗锗探测器和斯特林制冷系统构成,它们整合在一个便携箱内。系统还可以连接另外一台电脑,可在1.5Km之外进行远程控制系统。系统配备彩色CCD相机,相机的“鱼眼”镜头能够提供180°视野。 GeGI-5测到的γ热点和核素信息一起被添加到视频图像上。GeGI-5既可以在康普顿数据采集模式下形成4π康普顿图像,也可以针孔视野模式提供一个校准过的小视图,便于更加细致的观察图像。 GeGI-5内置NIMH电池能够为短时间断电提供电源,应急供电时长约3h。可选额外的电池延长供电约5h。1、 技术性能: 高灵敏、高精确、高分辨 小型斯特林制冷高纯锗γ谱仪 斯特林制冷寿命长(超过5年) 4π康普顿视野γ图像 可针孔狭缝成像 核素识别、图像和定位U-235及Pu-239等 内置电池,可选额外电池 可选带铅针孔准直器的升降车 用户友好界面,平板操作 可无线操作 电源接头符合军用标准 2、性能参数: 尺寸:26 × 14 × 20 cm 重量:6.8 kg 电源:10~240 VAC,50~60 Hz,内置电池可用3h,外接电池可用5h 探测器:90mm直径×11mm厚高纯锗探测器 有效探测体积:60 cm3 灵敏度(10 μCi 137Cs源在1m处(33 nSv/h): 识别时间≤ 3.7s ± 1s 定位时间≤ 30s ± 13s 能量分辨率(FWHM):<2.1keV (0.3%) @662keV 能量范围:30 keV~3 MeV 康普顿成像能量范围:140 keV~3 MeV 针孔成像能量范围:30 keV~662 KeV 最大剂量:250 kcps 核素库:400种,可添加 制冷时间:2.5h 探测器视野: 4π(360°)康普顿视图 2π(185°)光学前视视场 60°针孔成像视野 点源定位角度:±1° 相机:带广角鱼眼镜头的HD彩色CCD,可提供2π 185°光学前视视场 现场操作:在GeGI-5上现场控制和显示 遥控操作:GeGI-5可通过一台耐用的工业笔记本在150米外远程控制,笔记本与GeGI-5使用单线相连。 安装:GeGI-5可以便携式使用,或者安装在移动的升降车上。也可以安装在云台架、墙上和天花板或者ROV上。
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  • 实验室高纯锗(HPGe)伽马γ能谱仪第一部分:高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率,是核测量最精密和最先进的工具,在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定, 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理:高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级,是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极,在该两种电极上加反向偏压后,由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度,其内部将工作在全耗尽状态,此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集,形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体,在 其外表面为 N+电极,在其内部电极孔内部为 P+电极, 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚,P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放,性能优异,长期稳 定性好,除适配威视系列数字谱仪外,还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指,并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计,同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率,探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性:能量响应范围:30keV 至 10MeV;相对探测效率 10% 至 80%; 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求; 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标; 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标:型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比(≥)效率(≥)直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分:谱仪(多道分析仪) 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善,其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求,结合软件,谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性:全数字化控制,保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能(shutdown)多种滤波模式,可根据特定环境配置滤波参数,具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复,自动极零,零死时间校正,弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps,对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能: 基础参数显示:系统的电源开启状态,高压开启状态,高压目标值,高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载:用户根据探测器参数选定高压后,系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载,直到满足探测器要求。异常处理功能:当系统意外掉电,设备自动启动 UPS 功能,并按异常处理逻辑,进 行高压缓降,以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能:基于 FPGA 的硬件算法,利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标: 系统非线性:积分非线性:≤ 0.01%;微分非线性:≤±0.28最大通过率:成形时间设置为上升时间 500ns,平顶时间 500ns时,系统等效的死时间约为 2.79μs,此时,最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益::由计算机选定为 1,2,4,8细调增益:由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量:376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件:0 C 到 50 C(包括 LCD 显示)。操作系统:Windows 7/ Windows10。显示/接口:320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子,USB3.0接口。高压输出接口,探测器电源接口,探测器信号输入端子。第三部分:液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机,运行寿命长于 10 年; 25L 液氮容器,不断电条件下可连续工作两年以上; 对探测器分辨率无影响; 可匹配垂直、水平与弯头型冷指; 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息; 可选购基于无线技术的遥控器,远程控制制冷系统或显示运行状态; 配有自动式液氮填充接口,可自动加注液氮; 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警; 外形尺寸:64.5cm 高 x 45.6cm 直径(不含探测器); 功耗:运行时小于 150W,启动时最大 250W; 工作环境:0 - 35℃,相对湿度 20%至 80%(无冷凝); 噪声:1m 处小于 60 分贝。第四部分:伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪,除了高纯锗探测器这一核心部件之外,还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢,目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包,只需一次安装,用户即可实现如下功能: 系统的参数设置与硬件控制,包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时,软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能,以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果,以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点: 设计有可切换的操作员(operator)与专家(expert)两种使用权限,以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时, 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品,可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性: 刻度:支持能量、峰形、效率刻度,可人工刻度,也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件,并支持三种拟合方法:单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”(Knee)的多项式拟合。 寻峰:支持 Mariscotti 法寻峰,可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法:自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库: 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询,和对母子核的编辑。 核素识别的方法: 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法,具体执行程序如下: 使用广义二阶差分方法初步寻峰,根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底,扣除本底后,在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上,方便查看。 谱分析中的校正:母子核衰变校正;样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算:Currie 算法,后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告:报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容,支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面:默认 office 风格,可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容,并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统:Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分:实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包:基于 Geant4 软件程序包,能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型:支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围:10keV-7000keV; 刻度角度:支持任意角度刻度。探测效率:支持真实物理级别的级联符合校正,通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库:内置 9 种常见的容器库,支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具:内置 40 余种常见材料,允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验:提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义,提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析:提供输入参数敏感性分析工具,方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具:允许用户自主完成探测器表征,无需返厂,确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式:允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统:Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分:铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室,用于高纯锗γ能谱仪系统,屏蔽环 境本底对探测过程的干扰,提高测量的准确性。具体参数: 外层材料:1cm 低碳钢;中层材料:10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽;内层材料:3 mm 无氧铜;结构:压杆式顶部平移开门设计; 承重桌材料:低碳钢;占地面积:65cm x 65cm;内腔尺寸:Φ310mm x 409mm;重量:大于 1.1 吨; 铅室说明:分三个型号,TKLBS-G1,TKLBS-G2,和TKLBS-U,TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写,G1代表Grad1等级1,使用铅材料厚度为10cm,本底保 证<3.0cps,常规值<2.8cps;G2代表Grad1等级2,使用铅材料厚度为15cm,本 底保证<2.0cps,常规值<1.6cps;U代表Ultra超级,使用铅材料厚度为15cm, 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气,使之降低空气中氡的影响,本底保证<1.0cps。按照约定俗称,以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室,用于高纯锗γ能谱仪系统,屏蔽环境本底 对探测过程的干扰,提高测量的准确性。本底指标:本底指标:在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps(40%效率), 典型值约 1cps 左右。具体参数: 高度 682.1 mm (26.9 in.); 直径 558.8 mm (22.0 in.); 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.); 深度:355.6 mm (14 in.);最外层:9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢; 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅; 内衬:1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度:68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬:2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。
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  • 实验室高纯锗(HPGe)伽马γ能谱仪第一部分:高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率,是核测量最精密和最先进的工具,在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定, 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理:高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级,是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极,在该两种电极上加反向偏压后,由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度,其内部将工作在全耗尽状态,此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集,形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体,在 其外表面为 N+电极,在其内部电极孔内部为 P+电极, 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚,P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放,性能优异,长期稳 定性好,除适配威视系列数字谱仪外,还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指,并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计,同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率,探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性:能量响应范围:30keV 至 10MeV;相对探测效率 10% 至 80%; 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求; 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标; 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标:型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比(≥)效率(≥)直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分:谱仪(多道分析仪) 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善,其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求,结合软件,谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性:全数字化控制,保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能(shutdown)多种滤波模式,可根据特定环境配置滤波参数,具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复,自动极零,零死时间校正,弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps,对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能: 基础参数显示:系统的电源开启状态,高压开启状态,高压目标值,高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载:用户根据探测器参数选定高压后,系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载,直到满足探测器要求。异常处理功能:当系统意外掉电,设备自动启动 UPS 功能,并按异常处理逻辑,进 行高压缓降,以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能:基于 FPGA 的硬件算法,利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标: 系统非线性:积分非线性:≤ 0.01%;微分非线性:≤±0.28最大通过率:成形时间设置为上升时间 500ns,平顶时间 500ns时,系统等效的死时间约为 2.79μs,此时,最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益::由计算机选定为 1,2,4,8细调增益:由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量:376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件:0 C 到 50 C(包括 LCD 显示)。操作系统:Windows 7/ Windows10。显示/接口:320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子,USB3.0接口。高压输出接口,探测器电源接口,探测器信号输入端子。第三部分:液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机,运行寿命长于 10 年; 25L 液氮容器,不断电条件下可连续工作两年以上; 对探测器分辨率无影响; 可匹配垂直、水平与弯头型冷指; 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息; 可选购基于无线技术的遥控器,远程控制制冷系统或显示运行状态; 配有自动式液氮填充接口,可自动加注液氮; 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警; 外形尺寸:64.5cm 高 x 45.6cm 直径(不含探测器); 功耗:运行时小于 150W,启动时最大 250W; 工作环境:0 - 35℃,相对湿度 20%至 80%(无冷凝); 噪声:1m 处小于 60 分贝。第四部分:伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪,除了高纯锗探测器这一核心部件之外,还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢,目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包,只需一次安装,用户即可实现如下功能: 系统的参数设置与硬件控制,包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时,软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能,以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果,以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点: 设计有可切换的操作员(operator)与专家(expert)两种使用权限,以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时, 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品,可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性: 刻度:支持能量、峰形、效率刻度,可人工刻度,也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件,并支持三种拟合方法:单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”(Knee)的多项式拟合。 寻峰:支持 Mariscotti 法寻峰,可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法:自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库: 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询,和对母子核的编辑。 核素识别的方法: 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法,具体执行程序如下: 使用广义二阶差分方法初步寻峰,根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底,扣除本底后,在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上,方便查看。 谱分析中的校正:母子核衰变校正;样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算:Currie 算法,后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告:报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容,支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面:默认 office 风格,可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容,并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统:Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分:实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包:基于 Geant4 软件程序包,能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型:支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围:10keV-7000keV; 刻度角度:支持任意角度刻度。探测效率:支持真实物理级别的级联符合校正,通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库:内置 9 种常见的容器库,支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具:内置 40 余种常见材料,允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验:提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义,提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析:提供输入参数敏感性分析工具,方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具:允许用户自主完成探测器表征,无需返厂,确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式:允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统:Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分:铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室,用于高纯锗γ能谱仪系统,屏蔽环 境本底对探测过程的干扰,提高测量的准确性。具体参数: 外层材料:1cm 低碳钢;中层材料:10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽;内层材料:3 mm 无氧铜;结构:压杆式顶部平移开门设计; 承重桌材料:低碳钢;占地面积:65cm x 65cm;内腔尺寸:Φ310mm x 409mm;重量:大于 1.1 吨; 铅室说明:分三个型号,TKLBS-G1,TKLBS-G2,和TKLBS-U,TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写,G1代表Grad1等级1,使用铅材料厚度为10cm,本底保 证<3.0cps,常规值<2.8cps;G2代表Grad1等级2,使用铅材料厚度为15cm,本 底保证<2.0cps,常规值<1.6cps;U代表Ultra超级,使用铅材料厚度为15cm, 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气,使之降低空气中氡的影响,本底保证<1.0cps。按照约定俗称,以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室,用于高纯锗γ能谱仪系统,屏蔽环境本底 对探测过程的干扰,提高测量的准确性。本底指标:本底指标:在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps(40%效率), 典型值约 1cps 左右。具体参数: 高度 682.1 mm (26.9 in.); 直径 558.8 mm (22.0 in.); 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.); 深度:355.6 mm (14 in.);最外层:9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢; 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅; 内衬:1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度:68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬:2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。
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  • BSI实验室高纯锗γ能谱仪 高纯锗探测器:晶体:可选P型同轴、平面型、井型、P型优化型等多种晶体能量响应范围:根据所选探测器不同,低至3keV,高达10MeV相对效率:10%-160%可选 制冷方式:两种可选 液氮制冷方式:35升杜瓦瓶电制冷方式:斯特林压缩机制冷,几乎零维护 数字化谱仪彩色触摸显示屏,可设置和控制所有参数谱仪状态显示,谱测量软件及显示USB接口,RJ-45接口系统变换增益:16K道死时间校正,脉冲抗堆积小于500ns 解谱软件:能量,分辨率,峰值形态校准自动识别和活度计算多谱同时处理,自动校准 铅屏蔽室:厚度:10cm(可选15cm超低本底)高纯度低本底电解铅,整体浇筑国产、进口铅室可选
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  • 高纯锗伽马γ谱仪HPGe 400-860-5168转3524
    高纯锗γ伽马能谱仪器第一部分:高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率,是核测量最精密和最先进的工具,在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定, 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理:高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级,是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极,在该两种电极上加反向偏压后,由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度,其内部将工作在全耗尽状态,此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集,形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体,在 其外表面为 N+电极,在其内部电极孔内部为 P+电极, 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚,P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放,性能优异,长期稳 定性好,除适配威视系列数字谱仪外,还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指,并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计,同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率,探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性:能量响应范围:30keV 至 10MeV;相对探测效率 10% 至 80%; 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求; 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标; 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标:型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比(≥)效率(≥)直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分:谱仪(多道分析仪) 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善,其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求,结合软件,谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性:全数字化控制,保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能(shutdown)多种滤波模式,可根据特定环境配置滤波参数,具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复,自动极零,零死时间校正,弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps,对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能: 基础参数显示:系统的电源开启状态,高压开启状态,高压目标值,高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载:用户根据探测器参数选定高压后,系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载,直到满足探测器要求。异常处理功能:当系统意外掉电,设备自动启动 UPS 功能,并按异常处理逻辑,进 行高压缓降,以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能:基于 FPGA 的硬件算法,利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标: 系统非线性:积分非线性:≤ 0.01%;微分非线性:≤±0.28最大通过率:成形时间设置为上升时间 500ns,平顶时间 500ns时,系统等效的死时间约为 2.79μs,此时,最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益::由计算机选定为 1,2,4,8细调增益:由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量:376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件:0 C 到 50 C(包括 LCD 显示)。操作系统:Windows 7/ Windows10。显示/接口:320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子,USB3.0接口。高压输出接口,探测器电源接口,探测器信号输入端子。第三部分:液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机,运行寿命长于 10 年; 25L 液氮容器,不断电条件下可连续工作两年以上; 对探测器分辨率无影响; 可匹配垂直、水平与弯头型冷指; 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息; 可选购基于无线技术的遥控器,远程控制制冷系统或显示运行状态; 配有自动式液氮填充接口,可自动加注液氮; 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警; 外形尺寸:64.5cm 高 x 45.6cm 直径(不含探测器); 功耗:运行时小于 150W,启动时最大 250W; 工作环境:0 - 35℃,相对湿度 20%至 80%(无冷凝); 噪声:1m 处小于 60 分贝。第四部分:伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪,除了高纯锗探测器这一核心部件之外,还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢,目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包,只需一次安装,用户即可实现如下功能: 系统的参数设置与硬件控制,包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时,软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能,以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果,以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点: 设计有可切换的操作员(operator)与专家(expert)两种使用权限,以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时, 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品,可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性: 刻度:支持能量、峰形、效率刻度,可人工刻度,也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件,并支持三种拟合方法:单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”(Knee)的多项式拟合。 寻峰:支持 Mariscotti 法寻峰,可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法:自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库: 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询,和对母子核的编辑。 核素识别的方法: 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法,具体执行程序如下: 使用广义二阶差分方法初步寻峰,根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底,扣除本底后,在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上,方便查看。 谱分析中的校正:母子核衰变校正;样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算:Currie 算法,后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告:报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容,支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面:默认 office 风格,可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容,并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统:Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分:实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包:基于 Geant4 软件程序包,能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型:支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围:10keV-7000keV; 刻度角度:支持任意角度刻度。探测效率:支持真实物理级别的级联符合校正,通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库:内置 9 种常见的容器库,支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具:内置 40 余种常见材料,允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验:提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义,提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析:提供输入参数敏感性分析工具,方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具:允许用户自主完成探测器表征,无需返厂,确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式:允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统:Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分:铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室,用于高纯锗γ能谱仪系统,屏蔽环 境本底对探测过程的干扰,提高测量的准确性。具体参数: 外层材料:1cm 低碳钢;中层材料:10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽;内层材料:3 mm 无氧铜;结构:压杆式顶部平移开门设计; 承重桌材料:低碳钢;占地面积:65cm x 65cm;内腔尺寸:Φ310mm x 409mm;重量:大于 1.1 吨; 铅室说明:分三个型号,TKLBS-G1,TKLBS-G2,和TKLBS-U,TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写,G1代表Grad1等级1,使用铅材料厚度为10cm,本底保 证<3.0cps,常规值<2.8cps;G2代表Grad1等级2,使用铅材料厚度为15cm,本 底保证<2.0cps,常规值<1.6cps;U代表Ultra超级,使用铅材料厚度为15cm, 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气,使之降低空气中氡的影响,本底保证<1.0cps。按照约定俗称,以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室,用于高纯锗γ能谱仪系统,屏蔽环境本底 对探测过程的干扰,提高测量的准确性。本底指标:本底指标:在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps(40%效率), 典型值约 1cps 左右。具体参数: 高度 682.1 mm (26.9 in.); 直径 558.8 mm (22.0 in.); 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.); 深度:355.6 mm (14 in.);最外层:9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢; 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅; 内衬:1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度:68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬:2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。
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  • 高纯锗(HPGe)γ能谱仪 400-860-5168转3524
    高纯锗γ伽马能谱仪第一部分:高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率,是核测量最精密和最先进的工具,在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定, 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理:高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级,是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极,在该两种电极上加反向偏压后,由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度,其内部将工作在全耗尽状态,此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集,形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体,在 其外表面为 N+电极,在其内部电极孔内部为 P+电极, 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚,P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放,性能优异,长期稳 定性好,除适配威视系列数字谱仪外,还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指,并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计,同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率,探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性:能量响应范围:30keV 至 10MeV;相对探测效率 10% 至 80%; 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求; 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标; 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标:型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比(≥)效率(≥)直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分:谱仪(多道分析仪) 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善,其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求,结合软件,谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性:全数字化控制,保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能(shutdown)多种滤波模式,可根据特定环境配置滤波参数,具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复,自动极零,零死时间校正,弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps,对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能: 基础参数显示:系统的电源开启状态,高压开启状态,高压目标值,高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载:用户根据探测器参数选定高压后,系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载,直到满足探测器要求。异常处理功能:当系统意外掉电,设备自动启动 UPS 功能,并按异常处理逻辑,进 行高压缓降,以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能:基于 FPGA 的硬件算法,利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标: 系统非线性:积分非线性:≤ 0.01%;微分非线性:≤±0.28最大通过率:成形时间设置为上升时间 500ns,平顶时间 500ns时,系统等效的死时间约为 2.79μs,此时,最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益::由计算机选定为 1,2,4,8细调增益:由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量:376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件:0 C 到 50 C(包括 LCD 显示)。操作系统:Windows 7/ Windows10。显示/接口:320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子,USB3.0接口。高压输出接口,探测器电源接口,探测器信号输入端子。第三部分:液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机,运行寿命长于 10 年; 25L 液氮容器,不断电条件下可连续工作两年以上; 对探测器分辨率无影响; 可匹配垂直、水平与弯头型冷指; 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息; 可选购基于无线技术的遥控器,远程控制制冷系统或显示运行状态; 配有自动式液氮填充接口,可自动加注液氮; 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警; 外形尺寸:64.5cm 高 x 45.6cm 直径(不含探测器); 功耗:运行时小于 150W,启动时最大 250W; 工作环境:0 - 35℃,相对湿度 20%至 80%(无冷凝); 噪声:1m 处小于 60 分贝。第四部分:伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪,除了高纯锗探测器这一核心部件之外,还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢,目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包,只需一次安装,用户即可实现如下功能: 系统的参数设置与硬件控制,包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时,软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能,以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果,以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点: 设计有可切换的操作员(operator)与专家(expert)两种使用权限,以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时, 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品,可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性: 刻度:支持能量、峰形、效率刻度,可人工刻度,也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件,并支持三种拟合方法:单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”(Knee)的多项式拟合。 寻峰:支持 Mariscotti 法寻峰,可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法:自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库: 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询,和对母子核的编辑。 核素识别的方法: 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法,具体执行程序如下: 使用广义二阶差分方法初步寻峰,根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底,扣除本底后,在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上,方便查看。 谱分析中的校正:母子核衰变校正;样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算:Currie 算法,后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告:报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容,支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面:默认 office 风格,可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容,并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统:Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分:实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包:基于 Geant4 软件程序包,能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型:支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围:10keV-7000keV; 刻度角度:支持任意角度刻度。探测效率:支持真实物理级别的级联符合校正,通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库:内置 9 种常见的容器库,支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具:内置 40 余种常见材料,允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验:提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义,提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析:提供输入参数敏感性分析工具,方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具:允许用户自主完成探测器表征,无需返厂,确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式:允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统:Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分:铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室,用于高纯锗γ能谱仪系统,屏蔽环 境本底对探测过程的干扰,提高测量的准确性。具体参数: 外层材料:1cm 低碳钢;中层材料:10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽;内层材料:3 mm 无氧铜;结构:压杆式顶部平移开门设计; 承重桌材料:低碳钢;占地面积:65cm x 65cm;内腔尺寸:Φ310mm x 409mm;重量:大于 1.1 吨; 铅室说明:分三个型号,TKLBS-G1,TKLBS-G2,和TKLBS-U,TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写,G1代表Grad1等级1,使用铅材料厚度为10cm,本底保 证<3.0cps,常规值<2.8cps;G2代表Grad1等级2,使用铅材料厚度为15cm,本 底保证<2.0cps,常规值<1.6cps;U代表Ultra超级,使用铅材料厚度为15cm, 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气,使之降低空气中氡的影响,本底保证<1.0cps。按照约定俗称,以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室,用于高纯锗γ能谱仪系统,屏蔽环境本底 对探测过程的干扰,提高测量的准确性。本底指标:本底指标:在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps(40%效率), 典型值约 1cps 左右。具体参数: 高度 682.1 mm (26.9 in.); 直径 558.8 mm (22.0 in.); 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.); 深度:355.6 mm (14 in.);最外层:9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢; 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅; 内衬:1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度:68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬:2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。
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  • CANBERRA高纯锗γ 谱仪 400-860-5168转3688
    CANBERRA高纯锗γ谱仪产品特征:能量范围从3 keV到3 MeV,组合低能和同轴HPGe探测器的谱学优点探测效率和能量分辨率在3 keV到662 keV能区作了优化,以处理其中大量相近的能量线采用冷指偏心设计,将冷指移至侧边,进一步降低本底扁平和非弹丸化的晶体对接近探测器计数样品提供优化的效率系统配置:宽能(BEGe)锗探测器覆盖3keV到3MeV的能量范围的独特功能。它在低能区的分辨率相当于低能锗探测器,在高能区的分辨率相当于高质量的同轴探测器。
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  • 【 产品介绍 】ATAGO(爱拓)便携式数显折光仪PAL-福,也称为数显糖度仪,数显浓度仪,ATAGO(爱拓)PAL系列的折光仪新产品。产品型号取名为“福”。在中国,"福字寓意"幸福"、"福气"、"福运",一直以来,"福"字寄托了中国人们对幸福生活的向往,也是对美好未来的祝愿。ATAGO(爱拓)日本研发部设计和取名这款仪器,充分地体现ATAGO(爱拓)对中国市场的重视,带着共创美好未来的向往,蒸蒸日上,更上一层楼的祝愿。ATAGO(爱拓)便携式数显折光仪PAL-福,具有广泛的测量范围(糖度 Brix0.0 至 88.0%), PAL-福几乎适用于任何果汁、食品与饮料的可溶性固形物Brix测量,例如:汤、调味酱、蕃茄酱、低糖果酱或带皮果酱,也可用于某些化学品或工业溶液,如切削油(液),水溶性清洁剂和防冻剂等。 【 用途 】 ATAGO(爱拓)便携式数显折光仪PAL-福,也称为数显糖度仪,数显浓度仪,0-88折射仪测量蜂蜜糖度,检测蜂蜜的质量测量水果果汁,助力判断水果的采摘时期评估和水果等级评价参考测量切削油或者工业溶液,防冻液等,帮助评估基浓度配比或调配参考测量其它高糖度高浓度样品,如:果酱、馅料等 【 特点 】PAL-福便携式数显折光仪,也称为数显糖度仪,数显浓度仪,0-88折射仪 1、测量迅速,只需3秒钟2、测量误差±0.2%3、防水等级IP65,测量液体之后,只需用纯水或者蒸馏水直接冲洗棱镜即可。4、ELI防强光系统,可以防止强烈光照射对测量结果的干扰5、可直接用纯水或者蒸馏水归零,3秒钟即可完成校准【 优势 】 ATAGO(爱拓)便携式数显折光仪PAL-福,也称为数显糖度仪,数显浓度仪,0-88折射仪1、测量快速,只需3秒钟2、ELI防强光干扰系统,避免因强光照射造成的读数不准确3、仪器棱镜部分可用纯水冲洗,避免因黏度较高的样品粘在折射仪棱镜上不好清除,不得不用水冲洗,但是纯水冲洗会造成普通手持刻度式折射仪内部受潮,潮气会附着在目镜上,对仪器造成损害,PAL-福 数显折射仪的棱镜是IP65防水设计,测量之后可直接用纯水或者蒸馏水冲洗,不会受潮,且可以用纯水校准,更加方便快捷4、测量范围:Brix 0.0-88.0% ,宽量程 【 测量方法 】:ATAGO(爱拓)便携式数显折光仪PAL-福,也称为数显糖度仪,数显浓度仪,0-88折射仪滴2-3滴样品至折射仪棱镜表面→按下START(开始)键→测量值及温度将在3秒内显示型号PAL-福货号3844测量范围Brix 0.0 至88.0%温度10.0 至 100°C分辨率Brix 0.1%温度 0.1°C测量准确度糖度( Brix ) ±0.2 %温度 ±1°C环境温度10 至 40°C测量温度10 至 100°C (自动温度补偿)样品量0.3毫升测量时间3 秒电源2 ×AAA 电池国际保护等级IP65 无尘且对喷射水柱具防护作用尺寸重量55(W)×31(D)×109(H)毫米, 100公克(不含零件的重量)
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  • 实验室低本底宽能高纯锗HPGE伽马γ能谱仪第一部分:高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率,是核测量最精密和最先进的工具,在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定, 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理:高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级,是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极,在该两种电极上加反向偏压后,由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度,其内部将工作在全耗尽状态,此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集,形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体,在 其外表面为 N+电极,在其内部电极孔内部为 P+电极, 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚,P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放,性能优异,长期稳 定性好,除适配威视系列数字谱仪外,还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指,并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计,同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率,探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性:能量响应范围:30keV 至 10MeV;相对探测效率 10% 至 80%; 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求; 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标; 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标:型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比(≥)效率(≥)直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分:谱仪(多道分析仪) 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善,其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求,结合软件,谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性:全数字化控制,保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能(shutdown)多种滤波模式,可根据特定环境配置滤波参数,具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复,自动极零,零死时间校正,弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps,对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能: 基础参数显示:系统的电源开启状态,高压开启状态,高压目标值,高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载:用户根据探测器参数选定高压后,系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载,直到满足探测器要求。异常处理功能:当系统意外掉电,设备自动启动 UPS 功能,并按异常处理逻辑,进 行高压缓降,以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能:基于 FPGA 的硬件算法,利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标: 系统非线性:积分非线性:≤ 0.01%;微分非线性:≤±0.28最大通过率:成形时间设置为上升时间 500ns,平顶时间 500ns时,系统等效的死时间约为 2.79μs,此时,最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益::由计算机选定为 1,2,4,8细调增益:由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量:376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件:0 C 到 50 C(包括 LCD 显示)。操作系统:Windows 7/ Windows10。显示/接口:320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子,USB3.0接口。高压输出接口,探测器电源接口,探测器信号输入端子。第三部分:液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机,运行寿命长于 10 年; 25L 液氮容器,不断电条件下可连续工作两年以上; 对探测器分辨率无影响; 可匹配垂直、水平与弯头型冷指; 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息; 可选购基于无线技术的遥控器,远程控制制冷系统或显示运行状态; 配有自动式液氮填充接口,可自动加注液氮; 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警; 外形尺寸:64.5cm 高 x 45.6cm 直径(不含探测器); 功耗:运行时小于 150W,启动时最大 250W; 工作环境:0 - 35℃,相对湿度 20%至 80%(无冷凝); 噪声:1m 处小于 60 分贝。第四部分:伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪,除了高纯锗探测器这一核心部件之外,还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢,目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包,只需一次安装,用户即可实现如下功能: 系统的参数设置与硬件控制,包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时,软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能,以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果,以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点: 设计有可切换的操作员(operator)与专家(expert)两种使用权限,以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时, 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品,可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性: 刻度:支持能量、峰形、效率刻度,可人工刻度,也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件,并支持三种拟合方法:单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”(Knee)的多项式拟合。 寻峰:支持 Mariscotti 法寻峰,可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法:自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库: 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询,和对母子核的编辑。 核素识别的方法: 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法,具体执行程序如下: 使用广义二阶差分方法初步寻峰,根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底,扣除本底后,在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上,方便查看。 谱分析中的校正:母子核衰变校正;样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算:Currie 算法,后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告:报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容,支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面:默认 office 风格,可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容,并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统:Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分:实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包:基于 Geant4 软件程序包,能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型:支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围:10keV-7000keV; 刻度角度:支持任意角度刻度。探测效率:支持真实物理级别的级联符合校正,通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库:内置 9 种常见的容器库,支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具:内置 40 余种常见材料,允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验:提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义,提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析:提供输入参数敏感性分析工具,方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具:允许用户自主完成探测器表征,无需返厂,确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式:允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统:Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分:铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室,用于高纯锗γ能谱仪系统,屏蔽环 境本底对探测过程的干扰,提高测量的准确性。具体参数: 外层材料:1cm 低碳钢;中层材料:10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽;内层材料:3 mm 无氧铜;结构:压杆式顶部平移开门设计; 承重桌材料:低碳钢;占地面积:65cm x 65cm;内腔尺寸:Φ310mm x 409mm;重量:大于 1.1 吨; 铅室说明:分三个型号,TKLBS-G1,TKLBS-G2,和TKLBS-U,TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写,G1代表Grad1等级1,使用铅材料厚度为10cm,本底保 证<3.0cps,常规值<2.8cps;G2代表Grad1等级2,使用铅材料厚度为15cm,本 底保证<2.0cps,常规值<1.6cps;U代表Ultra超级,使用铅材料厚度为15cm, 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气,使之降低空气中氡的影响,本底保证<1.0cps。按照约定俗称,以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室,用于高纯锗γ能谱仪系统,屏蔽环境本底 对探测过程的干扰,提高测量的准确性。本底指标:本底指标:在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps(40%效率), 典型值约 1cps 左右。具体参数: 高度 682.1 mm (26.9 in.); 直径 558.8 mm (22.0 in.); 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.); 深度:355.6 mm (14 in.);最外层:9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢; 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅; 内衬:1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度:68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬:2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。
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  • TK-GEM高纯锗γ能谱仪 400-860-5168转3524
    高纯锗γ伽马能谱仪第一部分:高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率,是核测量最精密和最先进的工具,在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定, 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理:高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级,是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极,在该两种电极上加反向偏压后,由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度,其内部将工作在全耗尽状态,此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集,形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体,在 其外表面为 N+电极,在其内部电极孔内部为 P+电极, 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚,P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放,性能优异,长期稳 定性好,除适配威视系列数字谱仪外,还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指,并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计,同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率,探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性:能量响应范围:30keV 至 10MeV;相对探测效率 10% 至 80%; 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求; 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标; 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标:型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比(≥)效率(≥)直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分:谱仪(多道分析仪) 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善,其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求,结合软件,谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性:全数字化控制,保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能(shutdown)多种滤波模式,可根据特定环境配置滤波参数,具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复,自动极零,零死时间校正,弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps,对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能: 基础参数显示:系统的电源开启状态,高压开启状态,高压目标值,高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载:用户根据探测器参数选定高压后,系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载,直到满足探测器要求。异常处理功能:当系统意外掉电,设备自动启动 UPS 功能,并按异常处理逻辑,进 行高压缓降,以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能:基于 FPGA 的硬件算法,利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标: 系统非线性:积分非线性:≤ 0.01%;微分非线性:≤±0.28最大通过率:成形时间设置为上升时间 500ns,平顶时间 500ns时,系统等效的死时间约为 2.79μs,此时,最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益::由计算机选定为 1,2,4,8细调增益:由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量:376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件:0 C 到 50 C(包括 LCD 显示)。操作系统:Windows 7/ Windows10。显示/接口:320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子,USB3.0接口。高压输出接口,探测器电源接口,探测器信号输入端子。第三部分:液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机,运行寿命长于 10 年; 25L 液氮容器,不断电条件下可连续工作两年以上; 对探测器分辨率无影响; 可匹配垂直、水平与弯头型冷指; 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息; 可选购基于无线技术的遥控器,远程控制制冷系统或显示运行状态; 配有自动式液氮填充接口,可自动加注液氮; 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警; 外形尺寸:64.5cm 高 x 45.6cm 直径(不含探测器); 功耗:运行时小于 150W,启动时最大 250W; 工作环境:0 - 35℃,相对湿度 20%至 80%(无冷凝); 噪声:1m 处小于 60 分贝。第四部分:伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪,除了高纯锗探测器这一核心部件之外,还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢,目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包,只需一次安装,用户即可实现如下功能: 系统的参数设置与硬件控制,包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时,软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能,以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果,以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点: 设计有可切换的操作员(operator)与专家(expert)两种使用权限,以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时, 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品,可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性: 刻度:支持能量、峰形、效率刻度,可人工刻度,也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件,并支持三种拟合方法:单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”(Knee)的多项式拟合。 寻峰:支持 Mariscotti 法寻峰,可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法:自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库: 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询,和对母子核的编辑。 核素识别的方法: 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法,具体执行程序如下: 使用广义二阶差分方法初步寻峰,根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底,扣除本底后,在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上,方便查看。 谱分析中的校正:母子核衰变校正;样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算:Currie 算法,后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告:报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容,支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面:默认 office 风格,可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容,并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统:Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分:实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包:基于 Geant4 软件程序包,能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型:支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围:10keV-7000keV; 刻度角度:支持任意角度刻度。探测效率:支持真实物理级别的级联符合校正,通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库:内置 9 种常见的容器库,支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具:内置 40 余种常见材料,允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验:提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义,提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析:提供输入参数敏感性分析工具,方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具:允许用户自主完成探测器表征,无需返厂,确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式:允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统:Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分:铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室,用于高纯锗γ能谱仪系统,屏蔽环 境本底对探测过程的干扰,提高测量的准确性。具体参数: 外层材料:1cm 低碳钢;中层材料:10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽;内层材料:3 mm 无氧铜;结构:压杆式顶部平移开门设计; 承重桌材料:低碳钢;占地面积:65cm x 65cm;内腔尺寸:Φ310mm x 409mm;重量:大于 1.1 吨; 铅室说明:分三个型号,TKLBS-G1,TKLBS-G2,和TKLBS-U,TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写,G1代表Grad1等级1,使用铅材料厚度为10cm,本底保 证<3.0cps,常规值<2.8cps;G2代表Grad1等级2,使用铅材料厚度为15cm,本 底保证<2.0cps,常规值<1.6cps;U代表Ultra超级,使用铅材料厚度为15cm, 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气,使之降低空气中氡的影响,本底保证<1.0cps。按照约定俗称,以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室,用于高纯锗γ能谱仪系统,屏蔽环境本底 对探测过程的干扰,提高测量的准确性。本底指标:本底指标:在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps(40%效率), 典型值约 1cps 左右。具体参数: 高度 682.1 mm (26.9 in.); 直径 558.8 mm (22.0 in.); 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.); 深度:355.6 mm (14 in.);最外层:9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢; 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅; 内衬:1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度:68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬:2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。
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  • 高纯锗γ伽马能谱仪器第一部分:高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率,是核测量最精密和最先进的工具,在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定, 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理:高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级,是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极,在该两种电极上加反向偏压后,由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度,其内部将工作在全耗尽状态,此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集,形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体,在 其外表面为 N+电极,在其内部电极孔内部为 P+电极, 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚,P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放,性能优异,长期稳 定性好,除适配威视系列数字谱仪外,还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指,并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计,同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率,探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性:能量响应范围:30keV 至 10MeV;相对探测效率 10% 至 80%; 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求; 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标; 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标:型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比(≥)效率(≥)直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分:谱仪(多道分析仪) 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善,其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求,结合软件,谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性:全数字化控制,保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能(shutdown)多种滤波模式,可根据特定环境配置滤波参数,具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复,自动极零,零死时间校正,弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps,对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能: 基础参数显示:系统的电源开启状态,高压开启状态,高压目标值,高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载:用户根据探测器参数选定高压后,系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载,直到满足探测器要求。异常处理功能:当系统意外掉电,设备自动启动 UPS 功能,并按异常处理逻辑,进 行高压缓降,以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能:基于 FPGA 的硬件算法,利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标: 系统非线性:积分非线性:≤ 0.01%;微分非线性:≤±0.28最大通过率:成形时间设置为上升时间 500ns,平顶时间 500ns时,系统等效的死时间约为 2.79μs,此时,最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益::由计算机选定为 1,2,4,8细调增益:由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量:376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件:0 C 到 50 C(包括 LCD 显示)。操作系统:Windows 7/ Windows10。显示/接口:320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子,USB3.0接口。高压输出接口,探测器电源接口,探测器信号输入端子。第三部分:液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机,运行寿命长于 10 年; 25L 液氮容器,不断电条件下可连续工作两年以上; 对探测器分辨率无影响; 可匹配垂直、水平与弯头型冷指; 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息; 可选购基于无线技术的遥控器,远程控制制冷系统或显示运行状态; 配有自动式液氮填充接口,可自动加注液氮; 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警; 外形尺寸:64.5cm 高 x 45.6cm 直径(不含探测器); 功耗:运行时小于 150W,启动时最大 250W; 工作环境:0 - 35℃,相对湿度 20%至 80%(无冷凝); 噪声:1m 处小于 60 分贝。第四部分:伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪,除了高纯锗探测器这一核心部件之外,还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢,目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包,只需一次安装,用户即可实现如下功能: 系统的参数设置与硬件控制,包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时,软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能,以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果,以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点: 设计有可切换的操作员(operator)与专家(expert)两种使用权限,以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时, 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品,可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性: 刻度:支持能量、峰形、效率刻度,可人工刻度,也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件,并支持三种拟合方法:单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”(Knee)的多项式拟合。 寻峰:支持 Mariscotti 法寻峰,可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法:自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库: 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询,和对母子核的编辑。 核素识别的方法: 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法,具体执行程序如下: 使用广义二阶差分方法初步寻峰,根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底,扣除本底后,在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上,方便查看。 谱分析中的校正:母子核衰变校正;样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算:Currie 算法,后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告:报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容,支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面:默认 office 风格,可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容,并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统:Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分:实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包:基于 Geant4 软件程序包,能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型:支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围:10keV-7000keV; 刻度角度:支持任意角度刻度。探测效率:支持真实物理级别的级联符合校正,通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库:内置 9 种常见的容器库,支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具:内置 40 余种常见材料,允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验:提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义,提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析:提供输入参数敏感性分析工具,方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具:允许用户自主完成探测器表征,无需返厂,确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式:允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统:Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分:铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室,用于高纯锗γ能谱仪系统,屏蔽环 境本底对探测过程的干扰,提高测量的准确性。具体参数: 外层材料:1cm 低碳钢;中层材料:10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽;内层材料:3 mm 无氧铜;结构:压杆式顶部平移开门设计; 承重桌材料:低碳钢;占地面积:65cm x 65cm;内腔尺寸:Φ310mm x 409mm;重量:大于 1.1 吨; 铅室说明:分三个型号,TKLBS-G1,TKLBS-G2,和TKLBS-U,TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写,G1代表Grad1等级1,使用铅材料厚度为10cm,本底保 证<3.0cps,常规值<2.8cps;G2代表Grad1等级2,使用铅材料厚度为15cm,本 底保证<2.0cps,常规值<1.6cps;U代表Ultra超级,使用铅材料厚度为15cm, 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气,使之降低空气中氡的影响,本底保证<1.0cps。按照约定俗称,以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室,用于高纯锗γ能谱仪系统,屏蔽环境本底 对探测过程的干扰,提高测量的准确性。本底指标:本底指标:在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps(40%效率), 典型值约 1cps 左右。具体参数: 高度 682.1 mm (26.9 in.); 直径 558.8 mm (22.0 in.); 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.); 深度:355.6 mm (14 in.);最外层:9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢; 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅; 内衬:1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度:68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬:2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。
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  • 高纯锗γ伽马能谱仪第一部分:高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率,是核测量最精密和最先进的工具,在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定, 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理:高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级,是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极,在该两种电极上加反向偏压后,由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度,其内部将工作在全耗尽状态,此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集,形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体,在 其外表面为 N+电极,在其内部电极孔内部为 P+电极, 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚,P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放,性能优异,长期稳 定性好,除适配威视系列数字谱仪外,还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指,并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计,同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率,探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性:能量响应范围:30keV 至 10MeV;相对探测效率 10% 至 80%; 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求; 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标; 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标:型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比(≥)效率(≥)直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分:谱仪(多道分析仪) 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善,其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求,结合软件,谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性:全数字化控制,保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能(shutdown)多种滤波模式,可根据特定环境配置滤波参数,具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复,自动极零,零死时间校正,弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps,对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能: 基础参数显示:系统的电源开启状态,高压开启状态,高压目标值,高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载:用户根据探测器参数选定高压后,系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载,直到满足探测器要求。异常处理功能:当系统意外掉电,设备自动启动 UPS 功能,并按异常处理逻辑,进 行高压缓降,以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能:基于 FPGA 的硬件算法,利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标: 系统非线性:积分非线性:≤ 0.01%;微分非线性:≤±0.28最大通过率:成形时间设置为上升时间 500ns,平顶时间 500ns时,系统等效的死时间约为 2.79μs,此时,最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益::由计算机选定为 1,2,4,8细调增益:由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量:376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件:0 C 到 50 C(包括 LCD 显示)。操作系统:Windows 7/ Windows10。显示/接口:320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子,USB3.0接口。高压输出接口,探测器电源接口,探测器信号输入端子。第三部分:液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机,运行寿命长于 10 年; 25L 液氮容器,不断电条件下可连续工作两年以上; 对探测器分辨率无影响; 可匹配垂直、水平与弯头型冷指; 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息; 可选购基于无线技术的遥控器,远程控制制冷系统或显示运行状态; 配有自动式液氮填充接口,可自动加注液氮; 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警; 外形尺寸:64.5cm 高 x 45.6cm 直径(不含探测器); 功耗:运行时小于 150W,启动时最大 250W; 工作环境:0 - 35℃,相对湿度 20%至 80%(无冷凝); 噪声:1m 处小于 60 分贝。第四部分:伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪,除了高纯锗探测器这一核心部件之外,还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢,目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包,只需一次安装,用户即可实现如下功能: 系统的参数设置与硬件控制,包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时,软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能,以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果,以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点: 设计有可切换的操作员(operator)与专家(expert)两种使用权限,以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时, 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品,可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性: 刻度:支持能量、峰形、效率刻度,可人工刻度,也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件,并支持三种拟合方法:单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”(Knee)的多项式拟合。 寻峰:支持 Mariscotti 法寻峰,可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法:自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库: 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询,和对母子核的编辑。 核素识别的方法: 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法,具体执行程序如下: 使用广义二阶差分方法初步寻峰,根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底,扣除本底后,在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上,方便查看。 谱分析中的校正:母子核衰变校正;样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算:Currie 算法,后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告:报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容,支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面:默认 office 风格,可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容,并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统:Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分:实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包:基于 Geant4 软件程序包,能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型:支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围:10keV-7000keV; 刻度角度:支持任意角度刻度。探测效率:支持真实物理级别的级联符合校正,通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库:内置 9 种常见的容器库,支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具:内置 40 余种常见材料,允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验:提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义,提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析:提供输入参数敏感性分析工具,方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具:允许用户自主完成探测器表征,无需返厂,确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式:允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统:Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分:铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室,用于高纯锗γ能谱仪系统,屏蔽环 境本底对探测过程的干扰,提高测量的准确性。具体参数: 外层材料:1cm 低碳钢;中层材料:10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽;内层材料:3 mm 无氧铜;结构:压杆式顶部平移开门设计; 承重桌材料:低碳钢;占地面积:65cm x 65cm;内腔尺寸:Φ310mm x 409mm;重量:大于 1.1 吨; 铅室说明:分三个型号,TKLBS-G1,TKLBS-G2,和TKLBS-U,TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写,G1代表Grad1等级1,使用铅材料厚度为10cm,本底保 证<3.0cps,常规值<2.8cps;G2代表Grad1等级2,使用铅材料厚度为15cm,本 底保证<2.0cps,常规值<1.6cps;U代表Ultra超级,使用铅材料厚度为15cm, 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气,使之降低空气中氡的影响,本底保证<1.0cps。按照约定俗称,以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室,用于高纯锗γ能谱仪系统,屏蔽环境本底 对探测过程的干扰,提高测量的准确性。本底指标:本底指标:在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps(40%效率), 典型值约 1cps 左右。具体参数: 高度 682.1 mm (26.9 in.); 直径 558.8 mm (22.0 in.); 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.); 深度:355.6 mm (14 in.);最外层:9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢; 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅; 内衬:1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度:68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬:2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。
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  • 高纯锗γ伽马能谱仪器第一部分:高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率,是核测量最精密和最先进的工具,在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定, 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理:高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级,是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极,在该两种电极上加反向偏压后,由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度,其内部将工作在全耗尽状态,此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集,形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体,在 其外表面为 N+电极,在其内部电极孔内部为 P+电极, 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚,P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放,性能优异,长期稳 定性好,除适配威视系列数字谱仪外,还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指,并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计,同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率,探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性:能量响应范围:30keV 至 10MeV;相对探测效率 10% 至 80%; 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求; 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标; 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标:型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比(≥)效率(≥)直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分:谱仪(多道分析仪) 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善,其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求,结合软件,谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性:全数字化控制,保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能(shutdown)多种滤波模式,可根据特定环境配置滤波参数,具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复,自动极零,零死时间校正,弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps,对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能: 基础参数显示:系统的电源开启状态,高压开启状态,高压目标值,高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载:用户根据探测器参数选定高压后,系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载,直到满足探测器要求。异常处理功能:当系统意外掉电,设备自动启动 UPS 功能,并按异常处理逻辑,进 行高压缓降,以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能:基于 FPGA 的硬件算法,利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标: 系统非线性:积分非线性:≤ 0.01%;微分非线性:≤±0.28最大通过率:成形时间设置为上升时间 500ns,平顶时间 500ns时,系统等效的死时间约为 2.79μs,此时,最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益::由计算机选定为 1,2,4,8细调增益:由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量:376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件:0 C 到 50 C(包括 LCD 显示)。操作系统:Windows 7/ Windows10。显示/接口:320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子,USB3.0接口。高压输出接口,探测器电源接口,探测器信号输入端子。第三部分:液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机,运行寿命长于 10 年; 25L 液氮容器,不断电条件下可连续工作两年以上; 对探测器分辨率无影响; 可匹配垂直、水平与弯头型冷指; 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息; 可选购基于无线技术的遥控器,远程控制制冷系统或显示运行状态; 配有自动式液氮填充接口,可自动加注液氮; 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警; 外形尺寸:64.5cm 高 x 45.6cm 直径(不含探测器); 功耗:运行时小于 150W,启动时最大 250W; 工作环境:0 - 35℃,相对湿度 20%至 80%(无冷凝); 噪声:1m 处小于 60 分贝。第四部分:伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪,除了高纯锗探测器这一核心部件之外,还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢,目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包,只需一次安装,用户即可实现如下功能: 系统的参数设置与硬件控制,包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时,软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能,以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果,以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点: 设计有可切换的操作员(operator)与专家(expert)两种使用权限,以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时, 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品,可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性: 刻度:支持能量、峰形、效率刻度,可人工刻度,也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件,并支持三种拟合方法:单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”(Knee)的多项式拟合。 寻峰:支持 Mariscotti 法寻峰,可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法:自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库: 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询,和对母子核的编辑。 核素识别的方法: 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法,具体执行程序如下: 使用广义二阶差分方法初步寻峰,根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底,扣除本底后,在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上,方便查看。 谱分析中的校正:母子核衰变校正;样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算:Currie 算法,后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告:报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容,支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面:默认 office 风格,可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容,并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统:Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分:实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包:基于 Geant4 软件程序包,能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型:支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围:10keV-7000keV; 刻度角度:支持任意角度刻度。探测效率:支持真实物理级别的级联符合校正,通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库:内置 9 种常见的容器库,支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具:内置 40 余种常见材料,允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验:提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义,提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析:提供输入参数敏感性分析工具,方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具:允许用户自主完成探测器表征,无需返厂,确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式:允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统:Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分:铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室,用于高纯锗γ能谱仪系统,屏蔽环 境本底对探测过程的干扰,提高测量的准确性。具体参数: 外层材料:1cm 低碳钢;中层材料:10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽;内层材料:3 mm 无氧铜;结构:压杆式顶部平移开门设计; 承重桌材料:低碳钢;占地面积:65cm x 65cm;内腔尺寸:Φ310mm x 409mm;重量:大于 1.1 吨; 铅室说明:分三个型号,TKLBS-G1,TKLBS-G2,和TKLBS-U,TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写,G1代表Grad1等级1,使用铅材料厚度为10cm,本底保 证<3.0cps,常规值<2.8cps;G2代表Grad1等级2,使用铅材料厚度为15cm,本 底保证<2.0cps,常规值<1.6cps;U代表Ultra超级,使用铅材料厚度为15cm, 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气,使之降低空气中氡的影响,本底保证<1.0cps。按照约定俗称,以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室,用于高纯锗γ能谱仪系统,屏蔽环境本底 对探测过程的干扰,提高测量的准确性。本底指标:本底指标:在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps(40%效率), 典型值约 1cps 左右。具体参数: 高度 682.1 mm (26.9 in.); 直径 558.8 mm (22.0 in.); 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.); 深度:355.6 mm (14 in.);最外层:9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢; 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅; 内衬:1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度:68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬:2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。
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  • 高纯锗γ伽马能谱仪第一部分:高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率,是核测量最精密和最先进的工具,在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定, 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理:高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级,是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极,在该两种电极上加反向偏压后,由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度,其内部将工作在全耗尽状态,此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集,形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体,在 其外表面为 N+电极,在其内部电极孔内部为 P+电极, 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚,P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放,性能优异,长期稳 定性好,除适配威视系列数字谱仪外,还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指,并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计,同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率,探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性:能量响应范围:30keV 至 10MeV;相对探测效率 10% 至 80%; 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求; 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标; 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标:型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比(≥)效率(≥)直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分:谱仪(多道分析仪) 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善,其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求,结合软件,谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性:全数字化控制,保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能(shutdown)多种滤波模式,可根据特定环境配置滤波参数,具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复,自动极零,零死时间校正,弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps,对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能: 基础参数显示:系统的电源开启状态,高压开启状态,高压目标值,高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载:用户根据探测器参数选定高压后,系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载,直到满足探测器要求。异常处理功能:当系统意外掉电,设备自动启动 UPS 功能,并按异常处理逻辑,进 行高压缓降,以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能:基于 FPGA 的硬件算法,利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标: 系统非线性:积分非线性:≤ 0.01%;微分非线性:≤±0.28最大通过率:成形时间设置为上升时间 500ns,平顶时间 500ns时,系统等效的死时间约为 2.79μs,此时,最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益::由计算机选定为 1,2,4,8细调增益:由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量:376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件:0 C 到 50 C(包括 LCD 显示)。操作系统:Windows 7/ Windows10。显示/接口:320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子,USB3.0接口。高压输出接口,探测器电源接口,探测器信号输入端子。第三部分:液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机,运行寿命长于 10 年; 25L 液氮容器,不断电条件下可连续工作两年以上; 对探测器分辨率无影响; 可匹配垂直、水平与弯头型冷指; 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息; 可选购基于无线技术的遥控器,远程控制制冷系统或显示运行状态; 配有自动式液氮填充接口,可自动加注液氮; 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警; 外形尺寸:64.5cm 高 x 45.6cm 直径(不含探测器); 功耗:运行时小于 150W,启动时最大 250W; 工作环境:0 - 35℃,相对湿度 20%至 80%(无冷凝); 噪声:1m 处小于 60 分贝。第四部分:伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪,除了高纯锗探测器这一核心部件之外,还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢,目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包,只需一次安装,用户即可实现如下功能: 系统的参数设置与硬件控制,包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时,软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能,以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果,以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点: 设计有可切换的操作员(operator)与专家(expert)两种使用权限,以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时, 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品,可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性: 刻度:支持能量、峰形、效率刻度,可人工刻度,也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件,并支持三种拟合方法:单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”(Knee)的多项式拟合。 寻峰:支持 Mariscotti 法寻峰,可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法:自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库: 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询,和对母子核的编辑。 核素识别的方法: 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法,具体执行程序如下: 使用广义二阶差分方法初步寻峰,根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底,扣除本底后,在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上,方便查看。 谱分析中的校正:母子核衰变校正;样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算:Currie 算法,后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告:报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容,支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面:默认 office 风格,可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容,并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统:Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分:实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包:基于 Geant4 软件程序包,能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型:支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围:10keV-7000keV; 刻度角度:支持任意角度刻度。探测效率:支持真实物理级别的级联符合校正,通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库:内置 9 种常见的容器库,支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具:内置 40 余种常见材料,允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验:提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义,提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析:提供输入参数敏感性分析工具,方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具:允许用户自主完成探测器表征,无需返厂,确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式:允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统:Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分:铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室,用于高纯锗γ能谱仪系统,屏蔽环 境本底对探测过程的干扰,提高测量的准确性。具体参数: 外层材料:1cm 低碳钢;中层材料:10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽;内层材料:3 mm 无氧铜;结构:压杆式顶部平移开门设计; 承重桌材料:低碳钢;占地面积:65cm x 65cm;内腔尺寸:Φ310mm x 409mm;重量:大于 1.1 吨; 铅室说明:分三个型号,TKLBS-G1,TKLBS-G2,和TKLBS-U,TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写,G1代表Grad1等级1,使用铅材料厚度为10cm,本底保 证<3.0cps,常规值<2.8cps;G2代表Grad1等级2,使用铅材料厚度为15cm,本 底保证<2.0cps,常规值<1.6cps;U代表Ultra超级,使用铅材料厚度为15cm, 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气,使之降低空气中氡的影响,本底保证<1.0cps。按照约定俗称,以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室,用于高纯锗γ能谱仪系统,屏蔽环境本底 对探测过程的干扰,提高测量的准确性。本底指标:本底指标:在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps(40%效率), 典型值约 1cps 左右。具体参数: 高度 682.1 mm (26.9 in.); 直径 558.8 mm (22.0 in.); 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.); 深度:355.6 mm (14 in.);最外层:9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢; 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅; 内衬:1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度:68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬:2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。
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  • 高纯锗γ伽马能谱仪器第一部分:高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率,是核测量最精密和最先进的工具,在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定, 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理:高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级,是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极,在该两种电极上加反向偏压后,由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度,其内部将工作在全耗尽状态,此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集,形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体,在 其外表面为 N+电极,在其内部电极孔内部为 P+电极, 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚,P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放,性能优异,长期稳 定性好,除适配威视系列数字谱仪外,还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指,并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计,同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率,探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性:能量响应范围:30keV 至 10MeV;相对探测效率 10% 至 80%; 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求; 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标; 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标:型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比(≥)效率(≥)直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分:谱仪(多道分析仪) 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善,其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求,结合软件,谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性:全数字化控制,保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能(shutdown)多种滤波模式,可根据特定环境配置滤波参数,具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复,自动极零,零死时间校正,弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps,对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能: 基础参数显示:系统的电源开启状态,高压开启状态,高压目标值,高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载:用户根据探测器参数选定高压后,系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载,直到满足探测器要求。异常处理功能:当系统意外掉电,设备自动启动 UPS 功能,并按异常处理逻辑,进 行高压缓降,以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能:基于 FPGA 的硬件算法,利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标: 系统非线性:积分非线性:≤ 0.01%;微分非线性:≤±0.28最大通过率:成形时间设置为上升时间 500ns,平顶时间 500ns时,系统等效的死时间约为 2.79μs,此时,最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益::由计算机选定为 1,2,4,8细调增益:由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量:376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件:0 C 到 50 C(包括 LCD 显示)。操作系统:Windows 7/ Windows10。显示/接口:320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子,USB3.0接口。高压输出接口,探测器电源接口,探测器信号输入端子。第三部分:液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机,运行寿命长于 10 年; 25L 液氮容器,不断电条件下可连续工作两年以上; 对探测器分辨率无影响; 可匹配垂直、水平与弯头型冷指; 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息; 可选购基于无线技术的遥控器,远程控制制冷系统或显示运行状态; 配有自动式液氮填充接口,可自动加注液氮; 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警; 外形尺寸:64.5cm 高 x 45.6cm 直径(不含探测器); 功耗:运行时小于 150W,启动时最大 250W; 工作环境:0 - 35℃,相对湿度 20%至 80%(无冷凝); 噪声:1m 处小于 60 分贝。第四部分:伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪,除了高纯锗探测器这一核心部件之外,还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢,目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包,只需一次安装,用户即可实现如下功能: 系统的参数设置与硬件控制,包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时,软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能,以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果,以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点: 设计有可切换的操作员(operator)与专家(expert)两种使用权限,以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时, 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品,可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性: 刻度:支持能量、峰形、效率刻度,可人工刻度,也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件,并支持三种拟合方法:单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”(Knee)的多项式拟合。 寻峰:支持 Mariscotti 法寻峰,可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法:自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库: 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询,和对母子核的编辑。 核素识别的方法: 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法,具体执行程序如下: 使用广义二阶差分方法初步寻峰,根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底,扣除本底后,在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上,方便查看。 谱分析中的校正:母子核衰变校正;样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算:Currie 算法,后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告:报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容,支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面:默认 office 风格,可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容,并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统:Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分:实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包:基于 Geant4 软件程序包,能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型:支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围:10keV-7000keV; 刻度角度:支持任意角度刻度。探测效率:支持真实物理级别的级联符合校正,通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库:内置 9 种常见的容器库,支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具:内置 40 余种常见材料,允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验:提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义,提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析:提供输入参数敏感性分析工具,方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具:允许用户自主完成探测器表征,无需返厂,确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式:允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统:Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分:铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室,用于高纯锗γ能谱仪系统,屏蔽环 境本底对探测过程的干扰,提高测量的准确性。具体参数: 外层材料:1cm 低碳钢;中层材料:10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽;内层材料:3 mm 无氧铜;结构:压杆式顶部平移开门设计; 承重桌材料:低碳钢;占地面积:65cm x 65cm;内腔尺寸:Φ310mm x 409mm;重量:大于 1.1 吨; 铅室说明:分三个型号,TKLBS-G1,TKLBS-G2,和TKLBS-U,TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写,G1代表Grad1等级1,使用铅材料厚度为10cm,本底保 证<3.0cps,常规值<2.8cps;G2代表Grad1等级2,使用铅材料厚度为15cm,本 底保证<2.0cps,常规值<1.6cps;U代表Ultra超级,使用铅材料厚度为15cm, 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气,使之降低空气中氡的影响,本底保证<1.0cps。按照约定俗称,以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室,用于高纯锗γ能谱仪系统,屏蔽环境本底 对探测过程的干扰,提高测量的准确性。本底指标:本底指标:在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps(40%效率), 典型值约 1cps 左右。具体参数: 高度 682.1 mm (26.9 in.); 直径 558.8 mm (22.0 in.); 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.); 深度:355.6 mm (14 in.);最外层:9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢; 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅; 内衬:1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度:68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬:2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。
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