超高温高速退火炉

前言碳化硅（SiC）是制作半导体器件及材料的理想材料之一，但其在工艺过程中，会不可避免的产生晶格缺陷等问题，而快速退火可以实现金属合金、杂质激活、晶格修复等目的。在近些年飞速发展的化合物半导体、光电子、先进集成电路等细分领域，快速退火发挥着无法取代的作用。01快速退火在化合物半导体上的应用碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，具有硬度高、热导率高、热稳定性好等优点，在半导体领域具有广泛的应用前景。由于碳化硅器件的部分工艺需要在高温下完成，这给器件的制造和封测带来了较大的难度。例如，在掺杂步骤中，传统硅基材料可以用扩散的方式完成掺杂，但由于碳化硅扩散温度远高于硅，所以需要采用高温离子注入的方式。而高能量的离子注入会破坏碳化硅材料原本的晶格结构，因此需要采用快速退火工艺修复离子注入带来的晶格损伤，消除或减轻晶体应力和缺陷，提高结晶质量。*退火工艺处理前后对比（图源：网络）02什么是快速退火炉（RTP SYSTEM）快速退火炉是利用卤素红外灯作为热源，通过极快的升温速率，将材料在极短的时间内从室温加热到300℃-1250℃，从而消除材料内部的一些缺陷，改善产品性能。*图源：网络03快速退火炉产品介绍 全自动双腔快速退火炉 RTP-DTS-8是一款全自动双腔快速退火设备，可兼容6-8英寸晶圆Wafer。产品优势✅ 全自动双腔设计，有效提升产能✅ 温度可达1250℃，具有超高温场均匀性✅ 具备稳定的温度重现性✅ 能够满足SIC量产化制程需求半自动快速退火炉RTP-SA-12是在保护气氛下的半自动立式快速退火系统，可兼容4-12英寸晶圆Wafer。产品优势✅ 采用红外卤素灯管加热，冷却采用风冷；✅ 快速PID温控，可控制温度升温，保证良好的重现性和温度均匀性；✅ 采用平行气路进气方式，气体进出口设置在晶圆表面，避免退火过程中冷点产生，保证良好的温度均匀性；✅ 大气与真空处理方式均可选择，实现进气前气体净化处理；✅ 标配两组工艺气体，可扩展至6组工艺气体。桌面型快速退火炉RTP-TABLE-6是一款桌面型快速退火设备，标配三组工艺气体，可兼容6英寸晶圆Wafer。产品优势✅ 红外卤素灯管加热，冷却采用风冷；✅ 采用快速PID温控，可控制温度升温，保证良好的重现性和温度均匀性；✅ 采用平行气路进气方式，气体进出口设置在晶圆表面，避免退火过程中冷点产生，保证良好的温度均匀性；✅ 大气与真空处理方式均可选择，实现进气前气体净化处理。

快速退火炉LRTP-1200，采用红外辐射加热技术，可实现大尺寸样品（4英寸）快速升温和降温，同时搭配超高精度温度控制系统，可达到极佳的温场均匀性，对材料的快速热处理(RTP)、快速退火(RTA)、快速热氧化(RTO)、快速热氮化(RTN)等研究工作起到重要作用。 快速退火炉应用案例l 快速热处理，快速退火，快速热氧化，快速热氮化l 离子注入/接触退火l SiAu, SiAl, SiMo合金化l 太阳能电池片键合l 电阻烧结l 低介电材料热处理l 晶体化，致密化l 其他热工艺需求 快速退火炉产品特点l 可测大尺寸样品 可测单晶片样品的最大尺寸为4英寸（100mm）。l 快速控温与高真空 最高升温速率可达100℃/s，真空度最高可达到10Pa。l 程序设定与气路扩展 最多可创建和存储32个程序、8个PID设定，实现不同温度段的精确测试。最多可扩展至4条工艺气路（MFC），应用不同气氛环境（真空、氮气、氩气、氧气、氢氮混合气体等）。l 全自动智能控制 采用全自动智能控制，包括温度、时间、气体流量、真空、气氛、冷却水等均可实现自动控制。l 超高安全系数 采用炉门安全温度开启保护、温控器开启权限保护以及设备急停安全保护三重安全措施，全方位保障仪器使用安全。 快速退火炉技术参数型号LRTP-1200最高温度1200℃最高升温速率100℃/s最快降温速度200℃/min(1000℃--400℃)控温精度≤0.1℃温场均匀性≤0.5%腔体冷却水冷方式，独立冷却源衬底冷却氮气吹扫工艺气路MFC控制，4路(可选氮气、氩气、氧气、氢氮混合气等)主机尺寸450×625×535，单位mm创新点：1.产品控温精度极高：可达± 0.5℃；2.采用红外加热技术，最高升温速率达150℃/s；3.全方位自动化，首次将真空及气路控制集成在软件中，一键操作方便快捷；4.打破行业内高精退火炉的进口设备长期垄断的局面；快速退火炉 LRTP

简介：快速退火炉是利用卤素红外灯做为热源，通过极快的升温速率，将晶圆或者材料在极短的时间内加热到300℃-1200℃，从而消除晶圆或者材料内部的一些缺陷，改善产品性能。快速退火炉采用先进的微电脑控制系统，采用PID闭环控制温度，可以达到极高的控温精度和温度均匀性，并且可配置真空腔体，也可根据用户工艺需求配置多路气体。行业背景：快速退火炉是现代大规模集成电路生产工艺过程中的关键设备。随着集成电路技术飞速发展，开展快速退火炉系统的创新研发对国内开发和研究具有自主知识产权的快速退火炉设备具有十分重大的战略意义和应用价值。目前快速退火炉的供应商主要集中在欧、美和台湾地区，大陆地区还没有可替代产品，市场都由进口设备主导，设备国产化亟待新的创新和突破。随着近两年中美贸易战的影响，国家越来越重视科技的创新发展与内需增长，政府出台了很多相关的产业政策，对于国产快速退火炉设备在相关行业产线上的占比提出了一定要求，给国内的半导体设备厂商带来了巨大机遇，预测未来几年时间国内退火炉设备市场会有快速的内需增长需求。技术特点：快速退火炉（芯片热处理设备）广泛应用在IC晶圆、LED晶圆、MEMS、化合物半导体和功率器件等多种芯片产品的生产。和欧姆接触快速合金、离子注入退火、氧化物生长、消除应力和致密化等工艺当中，通过快速热处理以改善晶体结构和光电性能，具有技术指标高、工艺复杂、专用性强的特点。一般参数：名称数值最高温度1200摄氏度升温速率150摄氏度/秒降温速率200摄氏度/分钟（1000摄氏度→300摄氏度）温度精度±0.5摄氏度温控均匀性≤0.5%设定温度加热方式红外卤素灯，顶部加热真空度10mTorr以下工艺应用：快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)；离子注入/接触退火；金属合金；热氧化处理；高温退火；高温扩散。应用领域：化合物合金（砷化镓、氮化物，碳化硅等）；多晶硅退火；太阳能电池片退火；IC晶圆；功率器件；MEMS；LED晶圆。设备说明：快速退火炉主要由真空腔室、加热室、进气系统、真空系统、温度控制系统、气冷系统、水冷系统等几部分组成。真空腔室：真空腔室是快速退火炉的工作空间，晶圆在这里进行快速热处理。加热室：加热室以多个红外灯管为加热元件，以耐高温合金为框架、高纯石英为主体。进气系统：真空腔室尾部有进气孔，精确控制的进气量用来满足一些特殊工艺的气体需求。真空系统：在真空泵和真空腔室之间装有高真空电磁阀，可以有效确保腔室真空度，同时避免气体倒灌污染腔室内的被处理工件。温度控制系统：温度控制系统由温度传感器、温度控制器、电力调整器、可编程控制器、PC及各种传感器等组成。气冷系统：真空腔室的冷却是通过进气系统向腔室内充入惰性气体，来加速冷却被热处理的工件，满足工艺使用要求。水冷系统：水冷系统主要包括真空腔室、加热室、各部位密封圈的冷却用水。硬件更换：1.加热灯管更换：加热灯管超过使用寿命或无法点亮时需进行更换。加热灯管的使用寿命为3000小时，高温状态下会降低其使用寿命。2.真空泵油更换：在使用过程中，请每季度固定观察1次真空油表，当油表显示油量低于1/3时请添加真空泵润滑油到油表一半以上。3.热电偶更换：当热电偶测温不正常或者损坏时需进行更换。热电偶的正常使用寿命为3个月，随环境因素降低其寿命。4.O型圈的更换：O型圈表面有明显破损或者无法气密时需进行更换，其寿命受外力以及温度因素影响。保养周期：项目检查周期零件或耗材加热灯管周IR灯管托盘表面擦拭周碳化硅材质热电偶固定状态周石英板清理季度O型圈检查更换季度真空泵油季度MR100M导向轴承季度使用润滑油产品推荐：全自动12英寸多腔体快速退火炉RTP设备规格:全自动操作模式，机械手臂自动上片取片；多腔体生产模式，单个腔体适应于 2英寸-12英寸 晶圆或者最大支持 300mmx300mm 样品；退火温度范围 300℃-1300℃；升温速率 ≦100℃/sec(裸片)；温度均匀性 ≦±1%；真空腔体（可选配常压腔体或正压腔体）；冷却方式包括水冷和氮气吹扫；MFC控制，3-5路制程气体。半自动12英寸快速退火炉RTP设备规格:适应于 2英寸-12英寸 晶圆或者最大支持 300mmx300mm 样品；退火温度范围 300℃-1300℃；升温速率 ≦100℃/sec(裸片)；温度均匀性 ≦±1%；真空腔体（可选配常压腔体或正压腔体）；冷却方式包括水冷和氮气吹扫；MFC控制，3-5路制程气体。桌上型4英寸快速退火炉RTP设备规格:桌上型小型快速退火炉；适应于 2英寸-4英寸 晶圆或者最大支持 100mmx100mm 样品；退火温度范围 300℃-1200℃；升温速率 ≦100℃/sec(裸片)；温度均匀性 ≦±1%；常压腔体（可选配真空腔体）；冷却方式包括水冷和氮气吹扫；MFC控制，1-4路制程气体。快速退火炉，RTA，RTP，合金炉，RTO，快速退火炉RTP，国产快速退火炉，自主研发，快速退火工艺，半导体设备，芯片退火设备

在半导体制造中，快速热处理(RTP)被认为是半导体制程的一个重要步骤。因为半导体材料在晶体生长和制造过程中，由于各种原因会出现缺陷、杂质、位错等结构性缺陷，导致晶格不完整，施加电场后的电导率较低。需要通过RTP快速退火炉进行退火处理，可以使材料得到修复，结晶体内部重新排列，可以消除硅片中的应力，激活或迁移杂质，使沉积或生长的薄膜更加致密化，并修复硅片加工中的离子注入损伤。RTP快速退火炉通常还用于离子注入退火、ITO镀膜后快速退火、氧化物和氮化物生长等应用。桌面型快速退火炉-RTP-Table-6RTP-Table-6为桌面型6英寸晶圆快速退火炉，使用上下两层红外卤素灯管 作为热源加热，内部石英腔体保温隔热，腔体外壳为水冷铝合金，使得制品加热均匀，且表面温度低。6英寸晶圆快速退火炉采用PID控制，系统能快速调节红外卤素灯管的输出功率，控温更加精准。桌面型快速退火炉的功能特点①极快的升温速率：RTP快速退火炉的裸片升温速率是150℃/s，大大缩短了热处理时间。②精确的温度控制：配备高精度的温度传感器和控制系统，确保温度的精确性和稳定性。③多样化的气氛选项：支持多种气体气氛，如氮气、氩气等，满足不同材料的热处理需求。④紧凑的桌面式设计：适合实验室和小型生产环境，节省空间，便于移动和部署。除了以上功能特点，在半导体制造的快速热退火工艺步骤中，测量晶圆的温度是关键。如果测量不准确，可能会出现过热和温度分布不均匀的情况，这两者都会影响工艺的效果。因此，晟鼎桌面型快速退火炉配置测温系统，硅片在升温、恒温及降温过程中精确地获取晶圆表面温度数据，误差范围控制在±1℃以内。桌面型快速退火炉的应用1. 晶体结构优化：在加热阶段，高温有助于晶体结构的再排列。这可以消除晶格缺陷，提高晶体的有序性，从而改善半导体材料的电子传导性能。2. 杂质去除：高温RTP快速退火可以促使杂质从半导体晶体中扩散出去，减少杂质的浓度。这有助于提高半导体器件的电子特性，减少杂质引起的能级或电子散射。3. 衬底去除：在CMOS工艺中，快速退火炉可用于去除衬底材料，如氧化硅或氮化硅，以形成超薄SOI（硅层上绝缘体）器件。4. 应力消除：高温退火还有助于减轻半导体器件中的内部应力，从而降低了晶体缺陷的形成，提高了材料的稳定性和可靠性。

在半导体制造中，快速热处理(RTP)被认为是半导体制程的一个重要步骤。因为半导体材料在晶体生长和制造过程中，由于各种原因会出现缺陷、杂质、位错等结构性缺陷，导致晶格不完整，施加电场后的电导率较低。需要通过RTP快速退火炉进行退火处理，可以使材料得到修复，结晶体内部重新排列，可以消除硅片中的应力，激活或迁移杂质，使沉积或生长的薄膜更加致密化，并修复硅片加工中的离子注入损伤。RTP快速退火炉通常还用于离子注入退火、ITO镀膜后快速退火、氧化物和氮化物生长等应用。桌面型快速退火炉-RTP-Table-6RTP-Table-6为桌面型6英寸晶圆快速退火炉，使用上下两层红外卤素灯管 作为热源加热，内部石英腔体保温隔热，腔体外壳为水冷铝合金，使得制品加热均匀，且表面温度低。6英寸晶圆快速退火炉采用PID控制，系统能快速调节红外卤素灯管的输出功率，控温更加精准。桌面型快速退火炉的功能特点①极快的升温速率：RTP快速退火炉的裸片升温速率是150℃/s，大大缩短了热处理时间。②精确的温度控制：配备高精度的温度传感器和控制系统，确保温度的精确性和稳定性。③多样化的气氛选项：支持多种气体气氛，如氮气、氩气等，满足不同材料的热处理需求。④紧凑的桌面式设计：适合实验室和小型生产环境，节省空间，便于移动和部署。除了以上功能特点，在半导体制造的快速热退火工艺步骤中，测量晶圆的温度是关键。如果测量不准确，可能会出现过热和温度分布不均匀的情况，这两者都会影响工艺的效果。因此，晟鼎桌面型快速退火炉配置测温系统，硅片在升温、恒温及降温过程中精确地获取晶圆表面温度数据，误差范围控制在±1℃以内。桌面型快速退火炉的应用1. 晶体结构优化：在加热阶段，高温有助于晶体结构的再排列。这可以消除晶格缺陷，提高晶体的有序性，从而改善半导体材料的电子传导性能。2. 杂质去除：高温RTP快速退火可以促使杂质从半导体晶体中扩散出去，减少杂质的浓度。这有助于提高半导体器件的电子特性，减少杂质引起的能级或电子散射。3. 衬底去除：在CMOS工艺中，快速退火炉可用于去除衬底材料，如氧化硅或氮化硅，以形成超薄SOI（硅层上绝缘体）器件。4. 应力消除：高温退火还有助于减轻半导体器件中的内部应力，从而降低了晶体缺陷的形成，提高了材料的稳定性和可靠性。

半导体快速退火炉（RTP）是一种特殊的加热设备，能够在短时间内将半导体材料迅速加热到高温，并通过快速冷却的方式使其达到非常高的温度梯度。快速退火炉在半导体材料制造中广泛应用，如CMOS器件后端制程、GaN薄膜制备、SiC材料晶体生长以及抛光后退火等。一、快速退火炉的原理半导体快速退火炉通过高功率的电热元件，如加热电阻来产生高温。在快速退火炉中，通常采用氢气或氮气作为气氛保护，以防止半导体材料表面氧化和污染。半导体材料在高温下快速退火后，会重新结晶和再结晶，从而使晶体缺陷减少，改善半导体的电学性能，提高设备的可靠性和使用寿命。1.1快速退火（RTA）与传统退火相比，快速退火具有更高的加热和冷却速度。通过快速加热和冷却，可以缩短退火时间，提高生产效率。1.2快速热处理（RTP）热处理是半导体制造中的一项关键技术，它可以改变材料的微观结构和性能。在热处理过程中，材料被加热到高温，然后进行保温和冷却。这个过程中，材料内部的原子会发生重新排列，从而改变材料的物理、化学和机械性质。二、半导体退火炉的应用领域1.封装工艺在封装工艺中，快速退火炉主要用于引线的切割和组装。引线经过切割和组装后，可能会产生内应力，影响封装的稳定性和可靠性。通过快速退火处理，可以消除引线内的应力，提高封装的稳定性和可靠性，保证产品的使用寿命。2.CMOS器件后端制程在CMOS器件后端制程中，快速退火炉可用于修复制程中产生的损伤和缺陷，增强器件的电学性能。通过快速退火处理，可以减少CMOS器件中的氧化物陷阱电荷和界面态密度，提高器件的可靠性和寿命。3.GaN薄膜制备GaN是一种重要的宽禁带半导体材料，具有优异的光电性能和稳定性。在GaN薄膜制备过程中，快速退火炉可用于提高薄膜的结晶质量和表面平滑度。通过快速退火处理，可以消除薄膜中的应力，减少缺陷，提高GaN薄膜的光电性能和稳定性。4.SiC材料晶体生长SiC是一种具有高热导率、高击穿电压、高饱和电子速度等优良特性的宽禁带半导体材料。在SiC材料晶体生长过程中，快速退火炉可用于提高晶体生长的质量和尺寸，减少缺陷和氧化。通过快速退火处理，可以消除晶体中的应力，提高SiC材料的晶体品质和性能。5.抛光后退火在半导体材料抛光后，表面会产生损伤和缺陷，影响设备的性能。快速退火炉可用于抛光后的迅速修复损伤和缺陷，使表面更加平滑，提高设备的性能。通过快速退火处理，可以减少表面粗糙度，消除应力，提高材料的电学性能和可靠性。

日本ADVANCE RIKO公司从上世纪70年代到现在50多年来，专业从事“热学”相关技术和设备的研究开发，并一直走在相关领域的前端。其开发生产的设备受到钢铁，汽车相关企业与科研单位的广泛关注，新日本制铁，JSW日本制铁所，上海宝钢，北京科技大学等国内外知名企业和高校均是其设备的用户。2017年下旬，Quantum Design中国子公司将日本ADVANCE RIKO公司的新先进热处理技术设备引进中国。连续退火实验与模拟系统 日本ADVANCE RIKO公司提供连续退火实验与模拟系统CAS-AYⅡ。这套系统可以地实现钢铁材料热处理过程的模拟，可以对钢板,不锈钢板,和磁性钢板等进行通用热处理实验以及热处理模拟。CAS-AYⅡ可以实现样品加热和冷却温度控制；钢板表面良好的温度均匀性；使用立的冷却腔实现急速冷却。CAS-AYⅡ可以用于薄钢板连续退火模拟实验；在各种气氛下退火实验，表面处理实验；在钢板时效过程中的热处理。超高温高速退火炉日本ADVANCE RIKO公司提供超高温高速退火炉。这个桌面型超高温高速退火炉的大功率点聚焦加热以及超高的反射效率可以在10s 内将15mm×15mm 的试样加热到1800℃，可以同时搭载水淬系统实现对金属材料的快速加热和热后急冷。红外线灯加热法可实现清洁加热，减少灰尘和气体的生成。可以运用于SiC氧化膜的生成和激活；可以作为热处理炉对高熔点材料进行热处理；也可以作为局部热处理冲击炉来使用。

作为新一代半导体的代表材料，氮化镓（GaN）具有大禁带宽度、高临界场强、高热导率、高载流子饱和速率等特性，是制造高功率、高频电子器件中重要的半导体材料。其中，GaN材料与金属电极的欧姆接触对器件性能有着重要的影响，器件利用金属电极与GaN间接触形成的欧姆接触来输入或输出电流。当欧姆接触电阻过高时会产生较多的焦耳热，缩短器件寿命，而良好的欧姆接触可使器件通态电阻低，电流输出大，具有更好的稳定性。退火温度影响欧姆接触质量氮化镓欧姆接触的制备通常需要进行退火处理，退火的目的是通过热处理改变材料的结构和性质，使金属电极与氮化镓之间形成低电阻接触。而金属与GaN之间形成欧姆接触的质量受退火条件的影响，良好的欧姆接触图形边缘应保持平整，电极之间不应存在导致短路的金属粘合，退火完成后不会出现金属的侧流。（a） 退火前欧姆接触形态 （b）退火后欧姆接触形态（图源网络）退火温度作为影响欧姆接触性能的重要参数，温度过高或过低都会导致电阻率的增加和电流的减小。一般来说，退火温度越高，金属电极与氮化镓之间的比接触电阻率则越低。比接触电阻率与退火温度的函数关系（图源：知网）然而，当退火温度过高则可能导致氮化镓材料的损伤或金属电极的熔化，不利于形成好的欧姆接触；当温度过低时会导致金属与半导体之间形成较高的势垒，阻碍载流子的传输。因此在对GaN欧姆接触进行退火处理时，对于退火温度的条件选择尤为重要。快速退火炉（RTP）原理：快速退火炉（RTP）是一种用于半导体器件制造和材料研究的设备，其工作原理是通过快速升温和降温来处理材料，以改变其性质或结构。RTP结构示意图（图源网络）晟鼎快速退火炉（RTP）优势RTP快速退火炉具有温度控制精确、升温速度快等优点，可以满足欧姆接触对温度敏感的材料和结构的需求。晟鼎快速退火炉制程范围覆盖200-1250℃，具有强大的温场管理系统，此外，还能灵活、快速地转换和调节工艺气体，使得其在同一个热处理过程中可以完成多段处理工艺。晟鼎快速退火炉RTP温度控制—1000℃制程半自动快速退火炉RTP-SA-12为半自动立式快速退火炉，工艺时间短，控温精度高，相对于传统扩散炉退火系统和其他RTP系统，其独特的腔体设计、先进的温度控制技术和独有的 RL900软件控制系统，确保了极好的热均匀性。产品优势◎红外卤素灯管加热，冷却采用风冷◎大气与真空处理方式均可选择，进气前气体净化处理◎灯管功率 PID 控温，可精准控制温度升温，保证良好的重现性与温度均匀性全自动双腔退火炉RTP-DTS-8相对于传统扩散炉退火系统和其他 RTP 系统，其独特的腔体设计、先进的温度控制技术和独有的RL900 软件控制系统，确保了极好的热均匀性。产品优势◎红外卤素灯管加热，冷却采用风冷 ◎灯管功率 PID 控温，可精准控制温度升温，保证良好的重现性与温度均匀性 ◎大气与真空处理方式均可选择，进气前气体净化处理 ◎标配两组工艺气体，最多可扩展至 6 组工艺气体桌面型快速退火炉RTP-Table-6 为桌面式 6 英寸晶圆快速退火炉，使用上下两层红外卤素灯管作为热源加热，内部石英腔体保温隔热，腔体外壳为水冷铝合金，使得制品加热 均匀，且表面温度低。 RTP-Table-6 采用 PID 控制，系统能快速调节红外卤素灯管的输出功率，控温更加精准。产品优势◎双层红外卤素灯管加热，氮气快速降温◎自主研发灯管分组排布，使温度均匀性更好 ◎采用PID 算法控制，实时调节灯管功率输出 ◎软件主界面能实时显示气体、温度、真空度等参数◎自动识别错误信息，出现异常时设备自动保护

&ldquo 把脉&rdquo 极端环境下的材料性能&mdash &mdash 中国建材检验认证集团首席科学家包亦望教授专访　　2000℃的环境下，铁已熔成液体，有人想到变通办法，在铁表面镀一层&ldquo 膜&rdquo &mdash &mdash 可以胜任高达2000℃以上超高温氧化环境的陶瓷材料。但问题接踵而至，现有试验机的夹具和压头材料本身难以承受1500℃以上的超高温氧化极端环境，如何评价材料的可靠性?这个问题曾经难倒了我国科研人员，也包括国际同行。　　如今，问号已经拉直。　　1月9日，在2014年度国家科技奖励大会上，中国建筑材料科学研究总院博导、中国建材检验认证集团(CTC)首席科学家包亦望教授和他的团队凭借&ldquo 结构陶瓷典型应用条件下力学性能测试与评价关键技术及应用&rdquo 捧得国家科技进步二等奖。包亦望在操作超高温极端环境力学测试系统　　缺失的极端环境下材料评价方法　　2003年，包亦望还在中科院金属所做&ldquo 百人计划&rdquo 研究，所里一位研究人员找到他，寻问有没有陶瓷复合构件界面强度的评价方法。这个问题来源于工程实践。　　之所以找到包亦望，不仅因为他是有名的&ldquo 点子王&rdquo ，更重要的是，解决这个世界性难题已经越来越迫切。　　结构陶瓷具有高强耐磨、抗腐蚀、耐高温等许多优异性能，因此被广泛应用于航空航天、机械、石油化工和建筑等高技术领域。　　但陶瓷本身是脆性的，具有&ldquo 宁碎不屈&rdquo 的特点，服役中的陶瓷及构件容易发生突发性灾难事故，故又成为最不安全的材料。　　时隔近30年，1986年的&ldquo 挑战者&rdquo 号航天飞机灾难仍被多次提及，刚起飞73秒，航天飞机发生解体，机上7名机组人员丧命。这次灾难性事故导致美国航天飞机飞行计划被冻结了长达32个月之久。最终调查发现，原因之一是陶瓷隔热瓦与母体界面脱粘后失去隔热能力，导致价值12亿美元的航天飞机被炸成碎片。　　如果能对结构陶瓷力学性能做出准确评价，不仅可以保证构件安全可靠，还能对其失效时间做出预测。　　但由于涂层与基体间难以剥离作为单质材料进行测试，如何评价材料的可靠性是一项国际难题。　　包亦望告诉记者，具体来说，难题体现在四个方面：界面问题：陶瓷复合构件界面强度和不同环境下的服役安全评价；异型件：管状或环形陶瓷构件的力学性能无法参照现有标准和检测技术；陶瓷涂层：热障涂层、耐磨涂层的模量或强度无法直接测试 极端环境：超高温氧化环境下陶瓷性能评价无技术，无标准，无测试设备 构件性能预测：通过表面痕迹和接触响应非破坏性的监测和预测构件可靠性。　　&ldquo 因为评价标准缺失，目前大多采用&lsquo 牺牲层&rsquo 的办法。&rdquo CTC研究中心副主任万德田解释，所谓&ldquo 牺牲层&rdquo ，是指本来只要10毫米的涂层，被加厚到了15&mdash 20毫米，这样虽然安全系数提高了，代价是飞行器重量也提高了，成本随之增加。　　随着航天、航空、航海、化工、冶金等工业的快速发展，准确评价涂层材料力学性能显得越来越紧迫和重要。　　中国工程院院士杜善义曾经说过，超高温试验是一个很复杂的技术问题，每一系统的建立难度都很大，但我国航空航天工业的发展需要建立超高温测试技术。　　&ldquo 雕虫小技&rdquo 解决大难题　　&ldquo 方法非常简单，在外行看来可能就是雕虫小技。&rdquo 但包亦望说，这其中最难的是首先要想到捅破那一层窗户纸的方法，而这得建立在大量分析计算基础上。　　随手翻开一本笔记本，除了看似简单的图示，就是密密麻麻的计算式。　　&ldquo 有时候为了一个小公式，花几个月推导都是正常的。&rdquo 经过长达十多年的研究，包亦望和团队不断试验，反复采集整理数据，发明了一系列评价新技术。　　陶瓷材料难以直接进行拉伸载荷试验，如何测得界面拉伸强度和界面剪切强度?传统的测试方法将试验样品叠加或者拼接，然后在叠加处或拼接处施力，但都无法获得界面拉伸强度。　　&ldquo 十字交叉法&rdquo 提出，将两根矩形截面短棒以十字交叉方式粘接成测试样品，设计专用带槽夹具和圆弧形压头，分别测得界面拉伸强度和界面剪切强度。　　这项技术适用任何固相材料之间的界面强度和疲劳性能评价，并可推广到各种高强粘接剂的强度和耐久性评价，此方法一经推广，受到国内外无机材料检测领域专家的赞赏。　　但新课题又来了。　　不是所有产品的样品都能加工成常规的矩形截面，而这类产品的应用范围又很广，如模拟核爆用石英玻璃管，光纤套管，火箭或导弹的尾喷管，石油化工用防腐内壁管等。　　&ldquo 缺口环法&rdquo 能简单、方便、快捷的评价管状和环状脆性材料的基础力学性能。　　&ldquo 无需特殊的夹具，节省了大量的试验经费和时间。&rdquo 包亦望说。　　&ldquo 相对法&rdquo 则是通过已知或容易测量的材料参数去计算出无法直接测量的未知参数。　　&ldquo 这就好比即使没有秤砣，只要知道一公斤白糖在杆秤的什么位置，就能称出同样质量的其他物质。&rdquo 包亦望说，这解决了陶瓷涂层的基础力学评价问题。此前涂层材料力学性能测试基本上空白，世界各国都在寻求测试技术。　　试验证明该方法简单、准确、可靠达到事半功倍的效果，解决了热障涂层、防腐涂层和耐磨涂层等力学性能测试的空白。　　&ldquo 局部受热同步加载法&rdquo 解决了超高温氧化环境下测试的国际难题。　　&ldquo 痕迹法&rdquo 则有点类似于&ldquo 中医号脉&rdquo ，通过分析试验后样品残余压痕痕迹的形貌和尺寸，推测出几乎全部的材料力学性能。该方法受到国内外专家的高度赞赏，国际评审专家认为&ldquo 这项工作确实是对纳米压痕技术的一个新贡献&rdquo ，并在国际综述文献里被称为&ldquo BWZ method&rdquo (其中B指包亦望)。　　主导制定国际标准提高话语权　　建立方法、发明技术，包亦望和团队不满足于此，近年来一直致力于将技术转化为国家标准和国际标准。　　&ldquo 国际标准的形成过程是一个博弈过程，体现了技术、产业乃至国家的综合影响力和话语权，是市场的竞争源头，为此国际上对标准的竞争极为激烈。&rdquo 包亦望印象深刻的是将&ldquo 相对法&rdquo 形成国际标准中的波折。　　2007年，包亦望将发明的&ldquo 相对法&rdquo 在国际刊物发表，受到国际同行的高度认可，实验证明该方法简单、准确、可靠。此前虽然国内外有用纳米压痕技术来评价陶瓷涂层的弹性模量，但反映的仅仅是局部甚至某晶粒的性能，只对理想均匀致密材料有效，而且设备昂贵，尚不能测量涂层的强度。　　2013年，ISO组织向全世界征求陶瓷涂层测试技术时, &ldquo 相对法&rdquo 评价技术与日本提出的类似国际标准草案形成竞争，最后交由ISO顾问Peter(皮特)先生仲裁，由于相对法具有原创性，适用范围更广泛，最后被成功立项。　　利用自主知识产权转化成的国际、国内及行业标准，已被用于1000多家陶瓷企业和军工企业的相关产品各项力学性能检测与分析，经济效益数亿元。　　包亦望认为，标准的社会效益意义更重大。大量性能检测方面的标准技术的制定，对于促进工程陶瓷和玻璃行业健康发展、无机非金属材料力学性能的学科发展、切实保障老百姓生命财产安全方面具有重要意义。　　2007年，包亦望向ISO组织提交的以&ldquo 十字交叉法&rdquo 技术为基础的国际标准获得一致通过，在此前的陈述环节中，他提出的创新性、实用性受到高度关注，与会的六七个国家代表找到包亦望，反映该标准简洁明了，并找他要PPT，提出在自己的国家先用。　　不将技术装在口袋里　　让科技成果落地开花，而不是将技术装在口袋里。　　有别于大多数科研工作者，包亦望不仅建立了很多创新的理论，还能将抽象的理论转化为可操作的方法与技术，并通过仪器设备这种载体来实现，反过来，自主研发的科学仪器设备又成为产生新观点的重要工具。　　在中国建筑材料科学研究总院的实验室里，庞大的超高温极端环境力学测试系统塞满了约40平米的屋子。　　&ldquo 该系统是国际上唯一针对陶瓷、复合材料的超高温力学性能测试仪器，温度最高可达2200℃，已经为多家合作单位进行了材料的超高温测试试验，解决了材料的超高温力学性能评价技术难题。&rdquo 万德田言语间透出自豪，他告诉记者，以近地空间用超高声速飞行器为例，该系统可为飞行器所用特种材料的服役安全和结构设计提供重要技术支撑，此外还有助于低成本选材。　　超高温氧化耦合极端环境下，航天、航空飞行器的外围材料，如发动机和喷火管等处材料的安全性性能评价和设计至关重要。现有试验机的夹具和压头材料本身难以承受1500℃以上的超高温极端环境，这样使得材料的力学性能试验样品无法测试。该系统就是包亦望和团队运用&ldquo 局部受热同步加载法&rdquo 生产出来的。　　包亦望教授率领他的团队不断攻克难题，从理论到技术、从实验到装置，发明了一套评价材料在极端超高温氧化环境下的力学性能测试方法与评价技术，开发了国际上首台&ldquo 材料超高温力学性能测试系统&rdquo ，并获得863计划和首批国家重大科学仪器设备开发专项的支持。　　这些年，包亦望和团队将取得的理论成果和新方法、新技术转化为一系列有特色的仪器设备，包括常温和高温固体材料弹性模量测试仪、安全玻璃冲击失效检测仪、多功能零能耗钢化玻璃检测器、钢化玻璃表面平整度测试仪、钢化玻璃缺陷和自爆风险检测仪、硬脆材料性能检测仪、幕墙松动脱落风险测试仪等，这些仪器设备有的已经进入国内多所高校和科研机构的实验室，成为科研工作者探索科学的有力工具。

超高温接触角测量仪原理介绍：接触角（Contact angle）是指在气、液、固三相交点处的气-液界面的切线，此切线在液体一方的与固-液交界线之间的夹角θ，是润湿程度的量度，是现今表面性能检测的主要方法。由主体支架、专用光源、远焦镜头、工业成像CCD、高温高真空炉体、水循环冷却系统、真空泵、专用分析软件等组成。超高温接触角测量仪的应用： 在高温真空条件下，通过视频光学原理，测试各种材料的润湿铺展性能；目前已经广泛应用于陶瓷材料研究、金属材料研究、钎焊研究、航空航天材料研究、钢铁冶炼研究、复合材料研究等众多高校院所及企业。研究材料在高温状态下熔体与其相应的基底材料间的接触角变化规律。对于高熔点材料能实现高真空或惰性气体保护气氛下的表界面性能测试，而对于低熔点材料能现实升降温过程中的收缩、变形、融化、润湿、铺展及凝固行为进行图像化、定量化表征。设备性价比高、加热稳定、真空度高、功能全面、可满足各种金属材料科研的需要。1、测量液态金属在高温真空状态下对基材的润湿性能,评估不同材质在高温真空状态下润湿过程及附着性能 2、研究金属与陶瓷复合材料间的润湿性能,测量金属材料在高温真空状态下熔融时，在陶瓷材料上的接触角 3、研究钎焊过程,钎料在基材上的润湿铺展过程,动态分析钎料在高温下的接触角、润湿过程 4、测量金属在不同的高温状态下,以及不同的气体保护环境下,对于不同基材的接触角变化及区别:5、分析涂层与基材的接触角,分析涂层与基材的润湿过程及铺展机理,并研究不同温度及不同气氛下,润湿性能的区别:6、研究液体与固体间的接触角,评估液体与固体的附着粘附性能，分析固体的表面自由能 7、分析焊料与焊接体的接触角值,从而有效地提升焊接强度 8、基于分析接触角及表面张力的基础,控制合理润湿范围，查找有效的去除冶炼过程中炉垢的办法。应用案例超高温接触角测量仪核心参数：型号CA600 腔内环境大气环境/真空/惰性/有氧气氛高温系统温度范围室温～1200℃/室温～1700℃长期使用温度室温～1100℃/室温～1600℃真空下温度1000/1500测温电偶1200°：N型电偶 1700°：B型国际铂铑热电偶测温精度±1℃温度控制30段程序温度设定实现复杂热处理工艺的分析升温速率常温-1000℃≤10℃/min1000℃-1600℃≤5℃/min加热体1200°HRE合金电阻丝/1700度U型硅钼棒恒温区尺寸长200mm加热管尺寸内直径50mm*长度700mm测温系统温度监控，测温材质美国钨铼合金，测量精度±0.1℃，可实时测量加热管内温度。进样方式具有快速样品制备专用工具，以及样品装载专用工具，确保样品快速定位视窗法兰专用同轴双视窗法兰，备双通道惰性保护装置，可同时或单独使用某种工艺气体对内部金属进行保护，带真空系统及保护气体管路、双水冷装置。采用进口石英材质并可快拆更换。炉膛材质1200°C内采用石英，1700°C以上采用高纯刚玉保温材料湿法真空抽滤成型制备的多晶无极氧化铝陶瓷纤维材料样品尺寸5*5*5mm真空系统真空度范围1*10-1Pa采用机械真空泵+数字流量计+真空法兰1*10-3Pa采用分子泵+复合全量程高精度真空计+真空法兰材质两级组合，在高温下达到高真空要求；泵体采用高纯度不锈钢；配置复合真空计；真空系统也可以通保护气体水冷系统温控范围温度范围：5-35℃外形尺寸约460mm（长）*380mm（宽）*590mm（高）水泵流量15L/min冷却系统容量≥11L实测制冷量1520W成像系统镜头Subpixel0.7-4.5倍超高温高清远焦距工业级连续变倍式显微镜、工作距离500mm相机日本SONY原装进口高速工业级芯片(Onsemi行曝光)传感器类型1/2.9 英寸逐行扫描CMOS分辨率1280× 1024镜头控制仰视角度：±10度，精度：1度，前后180mm（微调50mm）*左右200mm（微调50mm）帧率全局曝光高速400帧/s（最快2.5ms采集/次）视频录像功能可录制整个高温润湿过程连续测量测量间隔时间可调、实时记录、连续测量光源系统组合方式采用石英扩散膜与均光板使得亮度更均匀，液滴轮廓更清晰光源进口CCS工业级冷光源（有效避免因光源散发热量蒸发液滴），寿命可达5万小时 亮度调节PWM数字调节功率10W测量软件CA V2.0静/动态接触角测量软件+表面能测量软件操作系统要求windows 10(64位)测量方式自动与手动计算方法自动拟合法（ms级别一键全自动拟合，不存在人工误差）、三点拟合、五点拟合、自动测量（包括圆拟合法/斜圆拟合法（Circle method/ Oblique Circle）、椭圆拟合法/斜椭圆拟合法(Ellipse method /Oblique Ellipse)）、凹凸面测量等基线拟合自动与手动角度范围0°＜θ＜180°精度0.1°分辨率0.001°分析自动计算多组数据中接触角的最大接触角、最小接触角、平均接触角，左右接触角分别计算与比较功能表面能测量方法Fowks法，OWRK法，Zisman法，EOS法，Acid-Base Theory法,Wu harmonic mean法,Extended Fowkes法，得到固体表面能。表面能单位mN/m输入电源220V 50-60Hz仪器尺寸约1500mm（长）*405mm(宽)* 725mm(高)润湿性分析粘附功一键自动分析铺展系数一键自动分析粘附张力一键自动分析精度0.001 mN/m单位mN/m选配件1.机械真空泵，真空度：1*10-1Pa 2. FJ-110分子泵组一套，最大抽气速率110L/s (对空气)，真空度：1*10-3Pa 3.惰性气体气氛保护（Ar，N2，He或混合气体）4.冷浴装置：5℃-35°超高温接触角测量仪测试方法

记者9日从北京航空航天大学李宜彬教授团队获悉，该团队首次利用自主研发的紫外-数字图像（UV-DIC）系统在超高温极端环境应变场测量领域实现了3000℃环境下的成功测量。相关研究成果近日发表于国际无损检测领域的权威杂志《无损检测与评价国际》上。25℃-3000℃散斑图：（a）T=25℃；(b)T=1100℃；(c)T=1500℃；(d)T=1900℃；(e)T=2100℃；(f)T=2300℃；(g)T=2500℃；(h)T=2700℃；(i)T=2900℃；(j)T=3000℃；(k)在加热至3000℃后冷却至25℃的散斑此前，在超高温极端环境应变场测量领域一直缺乏有效测量表征手段，主要难点包括：一是超高温热辐射导致测量图像过度曝光，无法表征；二是使用中性密度、蓝光、偏振等多组滤光片，导致测量步骤繁琐，表征成像效果欠佳；三是作为变形信息载体的散斑在超高温中容易脱落，导致测量失败，无法表征。典型温度下应变场云图：(a)1100℃；(b)2100℃；(c)2500℃；(d)2700℃；(e)2900℃；(f)3000℃该文章通讯作者、北京航空航天大学、天目山实验室助理研究员董亚丽表示，研究人员利用紫外-数字图像（UV-DIC）系统，仅用单个紫外滤光片就有效抑制了3000℃热辐射，同时开发了以碳化铪粉末为散斑材料的超高温散斑制备工艺，最终在3000℃环境下成功测量了石墨热膨胀系数，并清晰记录了被测对象从室温到3000℃的高质量图像。该成果由北京航空航天大学、天目山实验室联合研发。“以上难点在紫外-数字图像相关的应变场测量方法中均被很好地解决，该测量方法能够有效、准确测量热端部件在超高温极端热力耦合条件下的热变形，对于助力我国航空航天技术发展具有积极意义。”李宜彬说。

聚丙烯简称PP，是指由丙烯通过加聚反应而成的聚合物，呈白色蜡状，外观透明而轻，具有无毒、比重低、易加工、耐化学腐蚀、电绝缘性好等诸多优良性能。被广泛应用于服装、毛毯等纤维制品、医疗器械、汽车、自行车等的机械部件，也可用于食品、药品等的包装，是今年来发展迅速的高分子材料之一。聚丙烯（PP）材料在过去更多用于编织袋、包装袋、捆扎绳等产品，约占总消费的30%。随着材料科学的发展，聚丙烯（PP）材料开始更多的应用于新能源部件，医用器材，光纤等高精尖领域，这也对聚丙烯（PP）材料的质量控制提出了更高的要求。GB/T 1632.3-2010中规定了使用毛细管粘度计测试聚丙烯稀溶液粘度的方法，借助相关辅助设备，在135℃下测定溶剂以及规定浓度的聚丙烯（PP）聚合物溶液的流出时间，根据这些测定的流出时间和聚丙烯（PP）聚合物的已知浓度计算比浓黏度和特性黏度。由于聚丙烯（PP）材料的粘度测定条件处于135℃的高温条件，操作危险性较大，对人员的素质要求较高，目前研究机构和聚丙烯材料生产厂家更多采用全自动超高温乌式粘度计来进行辅助测试，全自动超高温乌式粘度计具有操作方便，分子量适用范围广泛，数据重复性良好等优点，所以成为聚丙烯（PP）材料等高分子材料化验分析中的常用实验仪器。以杭州卓祥科技有限公司的IV6000H系列全自动超高温乌式粘度计，MSB系列多位溶样块、ZPQ智能配液器一整套黏度测试设备为例： 实验流程：1. 智能配液过程使用ZPQ智能配液器进行配液，点击配液功能后，直接输入浓度和质量（可通过连接天平直接获取），可直接计算出所需要的目标体积进行移液并且精度可达0.1%。可避免因手动配液方法导致的精度差、效率低及数据误差等问题。ZPQ智能配液器还具有密度计算功能，移取液体体积后，输入质量（可与天平通讯，直接获取），即可自动计算出密度值。2. 溶样过程MSB系列多位溶样块，采用金属浴的方式进行加热溶样并具有自动搅拌功能，同时最多可容纳15个样品。溶样效率快、转速可调、溶样时间可调、溶样温度可调、溶样温度最高可达180℃。3. 测试过程IV6000H系列超高温全自动乌氏粘度仪可实现自动连续测量，全程无需人员看管。并且采用的智能红外光电传感器，保证测量时间可精确到毫秒级，可有效确保实验数据的精度，避免人工实验导致误差。4. 测试结果：IV6000H系列全自动超高温乌式粘度计连接电脑端，得出结果可在计算机上直接显示，并有数据储存、多样化粘度分析报表等多种功能。5. 粘度管清洗干燥过程：仪器可自动排废液、自动加清洗液和干燥液，自动清洗并干燥粘度管，粘度管无需从浴槽中取出，粘度管不易损坏，减少耗材成本支出。清洗模式可多种选择，同时具有废液分类收集功能，减少废液回收成本及避免因多种废液混合导致的风险。IV6000H系列全自动超高温乌式粘度计可实现自动测试、自动排废液、自动加清洗液和干燥液，自动清洗，自动干燥，告别了粘度管是耗材的时代。

中国科学院金属研究所热结构复合材料团队采用高压辅助固化-常压干燥技术，并通过基体微结构控制、纤维-基体协同收缩、原位界面反应制备出耐超高温隔热-承载一体化轻质碳基复合材料。近日，《ACS Nano》在线发表了该项研究成果。 航天航空飞行器在发射和再入大气层时，因“热障”引起的极端气动加热，震动、冲击和热载荷引起的应力叠加，以及紧凑机身结构带来的空间限制，给机身热防护系统带来了异乎寻常的挑战，亟需发展耐超高温并兼具良好机械强度的新型隔热材料。碳气凝胶（CAs）因其优异的热稳定性和热绝缘性，有望成为新一代先进超高温轻质热防护系统设计的突破性解决方案。然而，CAs高孔隙以及珠链状颗粒搭接的三维网络结构致使其强度低、脆性大、大尺寸块体制备难，大大限制了其实际应用。国内外普遍采用碳纤维或陶瓷纤维作为增强体，以期提升CAs的强韧性及大尺寸成型能力。然而，由于碳纤维或陶瓷纤维与有机前驱体气凝胶炭化收缩严重不匹配，导致复合材料出现开裂甚至分层等问题，反而使材料的力学和隔热性能显著下降。目前，发展兼具耐超高温、高效隔热、高强韧的碳气凝胶材料及其大尺寸可控制备技术仍面临巨大挑战。 超临界干燥是碳气凝胶的主流制备技术，其工艺复杂、成本高、危险系数大。近年来，热结构复合材料团队相继发展了溶胶凝胶-水相常压干燥（小分子单体为反应原料）、高压辅助固化-常压干燥（线性高分子树脂为反应原料）2项碳气凝胶制备新技术。为了实现前驱体有机气凝胶和增强体的协同收缩，本团队设计了一种超低密度碳-有机混杂纤维增强体，其碳纤维盘旋扭曲呈“螺旋状”，有机纤维具有空心结构，单丝相互交叉呈“三维网状”，赋予其优异的超弹性。该超弹增强体的引入可大幅降低前驱体有机气凝胶干燥和炭化过程的残余应力，进而可获得低密度、无裂纹、大尺寸轻质碳基复合材料。该材料在已知文献报道的采用常压干燥法制备CAs材料领域处于领先水平，可实现大尺寸样件（300mm以上量级）的高效、低成本制备，并具有低密度（0.16g cm-3）、低热导率（0.03W m-1 K-1）和高压缩强度 (0.93MPa)等性能。相关工作在Carbon 2021，183上发表。 在此基础上，本团队以工业酚醛树脂为前驱体，采用高沸点醇类为造孔剂并辅以高压固化，促使有机网络的均匀生长及大接触颈、层次孔的生成，实现了骨架本征强度的提升，同时采用与前驱体有机气凝胶匹配性好的酚醛纤维作为增强体，通过纤维/基体界面原位反应，实现了炭化过程中基体和纤维的协同收缩及纤维/基体界面强的化学结合，最终获得了大尺寸、无裂纹的碳纤维增强类碳气凝胶复合材料。该材料密度为0.6g cm-3时，其压缩强度及面内剪切强度分别可达80MPa和20MPa、而热导率仅为0.32W m-1 K-1，其比压缩强度（133MPa g-1 cm3）远远高于已知文献报道的气凝胶材料和碳泡沫。材料厚度为7.5–12.0mm时，正面经1800°C、900s氧乙炔火焰加热考核，背面温度仅为778–685°C，且热考核后线收缩率小于0.3%，并具有更高的力学强度，表现出优异的耐超高温、隔热和承载性能。相关工作在ACS Nano 2022，16上发表。 此外，上述隔热-承载一体化轻质碳基复合材料还首次作为刚性隔热材料在多个先进发动机上装机使用，为型号发展提供了关键技术支撑。 上述工作得到了国家自然科学基金委重点联合基金、优秀青年基金、青年科学基金、科学中心以及中科院青促会会员等项目的支持。 图1. 轻质碳基复合材料表现出优异的承载能力、抗剪切能力以及大尺寸成型能力图2. 高压辅助固化-常压干燥可实现较大密度范围轻质碳基复合材料的制备，其压缩强度显著高于文献报道的气凝胶和碳泡沫

3月4日，当得知深地塔科1井钻探深度突破10000米大关时，马雪青激动不已。马雪青是中油测井制造公司一级工程师，也是深地塔科1井四开测井电成像仪器保障组组长。她主要负责200摄氏度、170兆帕超高温高压小井眼电成像测井仪的研发、试验和保障工作。为满足深地塔科1井的测井耐温耐压指标要求，该仪器提前一年就完成了研发。2023年底，两支样机经高温测试和标准井功能验证后，从西安奔波2800余公里，与马雪青同时抵达轮台基地。可万万没有想到，经过验证的仪器来到塔里木却“掉了链子”，出现主电流突增通信中断、极板电路供电电源微跳等问题。马雪青对自己说：“必须在一个月内完成所有整改工作。”她逐一分析原因、查找源头，很快就设计出工艺、算法、电路的改进方案，带领团队对仪器进行整改。不料，整改后的仪器在接受万米井验收井——满深11井的检验时，仪器极板图像依然欠佳，地质信息显示不全。满深11井与深地塔科1井的四开井况相似，只有过了这一关，仪器才能具备挺进万米深井的能力和实力。走路、吃饭、睡觉……马雪青脑子里想的都是这件事。一天中午吃饭时，她发现这里的饭菜比西安的咸一些，这激发了她的灵感：“与之前的试验井相比，塔里木的两口试验井泥浆矿化度高，仪器可能是‘水土不服’。”马雪青立刻返回厂房，用食用盐水模拟井下环境，将极板放置其中，终于发现了问题，找到了症结。随之，她带领团队改变了仪器下回路地线结构和极板内部地线安装方式，这一次，仪器终于在高对比度井眼环境中通过了验证。目前，中油测井自主研发的电成像、密度、能谱等6种12支测井仪器均已通过试验验证，准备就位、整装待发。

半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，常见的半导体材料有硅、锗以及化合物半导体，如砷化镓等 也可以通过掺杂硼、磷、锢和锑制成其它化合物半导体。其中硅是最常用的一种半导体材料。　　半导体广泛应用于集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域。半导体领域的科技竞争对于世界各国而言都具有重要的战略意义。仪器信息网特对半导体领域国家重点实验室仪器配置情况进行盘点。　　半导体领域国家重点实验室有哪些?半导体领域国家重点实验室半导体国家重点实验室依托单位实验室主任半导体照明联合创新国家重点实验室半导体照明产业技术创新战略联盟李晋闽半导体超晶格国家重点实验室中国科学院半导体研究所王开友高功率半导体激光国家级重点实验室长春理工大学马晓辉电子薄膜与集成器件国家重点实验室电子科技大学李言荣专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学严晓浪集成光电子学国家重点实验室清华大学、吉林大学、中国科学院半导体研究所罗毅硅材料国家重点实验室浙江大学钱国栋　　半导体照明联合创新国家重点实验室　　为培育战略性新兴产业，整合业内技术、人才、信息等资源，实现投入少、回报高、见效快的技术创新模式，提升我国半导体照明产业自主创新能力和速度，在科技部、财政部等六部门联合发布的《关于推动产业技术创新战略联盟构建的指导意见》指导下，根据科技部要求试点联盟积极探索整合资源，构建产业技术创新平台的精神，在基础司和政策法规司的共同推动下，于2012年1月正式批复依托半导体照明产业技术创新战略联盟建设半导体照明联合创新国家重点实验室。　　这是我国第一个依托联盟建立的国家重点实验室，是一个体制机制完全创新的公共研发平台，始终坚持以产业价值为核心价值的理念，以产业技术创新需求为基础，以完善技术创新链为目标，企业以项目资金投入，科研机构、大学和其他社会组织以研发人员和设备的使用权投入，充分利用和整合现有资源，探索形成多种形式的政产学研用协同创新模式，推动建立基础研究、应用研究、成果转化和产业化、先进技术标准研制紧密结合、协调发展机制探索持续性投入机制，逐步形成可持续发展的开放的、国际化的非营利研究实体，成为半导体照明的技术创新中心、人才培养中心、标准研制中心和产业化辐射中心。2013年1月实验室在荷兰设立其海外研发实体机构—“半导体照明联合创新国家重点实验室代尔夫特研究中心”，成为中国首个在海外建立分中心的国家重点实验室。半导体照明联合创新国家重点实验室仪器配置清单半导体照明联合创新国家重点实验室仪器配置五分类血液分析仪制备液相全自动生化分析仪激光共聚焦显微镜液相色谱/三重串联四极杆质谱联用系统分析液相圆二色谱仪LED照明灯具全部光通量在线加速测试设备部分光通量加速寿命在线测试评估系统高温试验箱LFC(LightFluxColor)光度色度测试系统半导体分立器件测试仪微波式打胶机化学清洗工作台感应耦合等离子刻蚀机ICP电子束蒸发台(金属)电子束蒸发台(ITO)电镀台快速合金炉石墨烯生长系统台阶仪激光晶圆划片设备裂片机激光剥离机键合机水平减薄机单面研磨机数控点胶机喷射式点胶机光学镀膜系统超声波金丝球压焊机LED全光功率测试系统LED自动分选机热特性测试设备半导体参数测试仪低温强磁场物性测试系统(EMMS)LED光电综合测试系统LED抗静电测试仪激光纳米粒度及Zeta电位测试仪LED照明产品光电热综合测试高频小信号测试系统紫外LED光谱功率测试系统手动共晶焊贴片机荧光光谱仪(PI)高速自动固晶机自动扩膜机全自动晶圆植球机倒装机高精度快速光谱辐射计近紫外-可见-红外光谱测试系统热电性能分析仪氢化物气相外延荧光光谱仪(PL)X射线衍射仪(XRD)扫描电子显微镜(SEM)手动共晶焊贴片机(UDB-141)激光晶圆划片设备电子束蒸发台(金属)等离子体增强化学气相沉积PECVD光刻机MOCVD数据定时脉冲发生器频谱分析仪光源光色电综合测试系统超声波扫描显微镜漏电流测试仪智能数字式灯头扭矩仪逻辑分析仪　　半导体超晶格国家重点实验室　　半导体超晶格国家重点实验室于1988年3月由国家计委组织专家论证并批准后开始筹建，1990年开始对外开放，1991年11月通过了由国家计委组织的验收委员会验收。现任实验室主任为王开友研究员。实验室学术委员会主任为高鸿钧院士。　　实验室以研究和探索半导体体系中的新现象和新效应为主要目标，通过对固体半导体中的电子、自旋和光子的调控，探索其在电子/自旋量子信息技术、光电子及光子器件中的潜在应用，从最基础的层面上提升我国电子、光电子、光子信息技术的创新能力，提升我国在半导体研究领域的国际竞争力。实验室先后有5位成长为中国科学院院士、12位成长为国家杰出青年基金获得者。为我国半导体科学技术的跨跃式发展做出重要贡献。　　实验室现有人员中包括研究员26人、高级工程师1人和管理人员1人，其中4位中国科学院院士、9位国家杰出青年基金获得者、3位优秀青年科学基金获得者、1位北京杰出青年基金获得者。　　自成立以来，实验室承担了近百个科技部、基金委和科学院的重大和重点项目，取得了可喜的科研成果，获得国家自然科学奖二等奖5项 黄昆先生获得2001年度国家最高科学技术奖。2004年半导体超晶格国家重点实验室被授予国家重点实验室计划先进集体称号。实验室具有良好的科研氛围、科研设备和环境条件，拥有雄厚的科研积累和奋发向上的科研团队，并多次获得国家自然基金委员会的创新研究群体科学基金。　　实验室每年可接收40名硕士、博士研究生和博士后。现有研究生和博士后100余人。　　*半导体超晶格国家重点实验室仪器配置情况未公布　　高功率半导体激光国家级重点实验室　　高功率半导体激光国家重点实验室成立于1997年，由原国防科工委和原兵器工业总公司投资建设，经过二十年的发展建设，实验室已经成为我国光电子领域的重要研究基地和人才培养基地之一。现有科研、办公面积3800平方米，超净实验室面积为1500平方米 生产开发平台面积为600平方米，其中超净实验室面积为200平方米。　　现有博士学位授权一级学科2个、硕士学位授权一级学科2个、国防特色学科1个、博士后科研流动站1个。实验室有研究人员36人，其中双聘院士1人、教授9人、副教授10人，博士生导师10人，科技部重点研发计划总体专家1人，国家奖评审专家1人，国防科学技术奖评审专家1人，吉林省长白山学者1人。实验室现有MBE、MOCVD等先进的半导体材料外延生长设备，SEM、XRD、PL等完善的材料分析检测手段，电子束蒸发、磁控溅射、芯片解理、贴片、激光焊接、平行封焊、综合测试等工艺设备，设备资产1.2亿元，为光电子领域的相关研究提供了一流的条件支撑。　　在半导体激光研究方向上，高功率半导体激光国家重点实验室代表着国家水平，研制的半导体激光器单管输出功率大于10瓦、光纤耦合模块大于100瓦、以及高频调制、脉冲输出等半导体激光器组件，技术处于国内领先水平 在基础研究领域，深入开展了GaSb材料的外延生长理论及技术研究，研究成果达到国际先进水平 在半导体激光应用基础技术研究领域，坚持以满足武器装备应用为目标，研制的驾束制导半导体激光发射器成功用于我军现役主战坦克武器系统，实现了驾束制导领域跨越式发展 研制的激光敏感器组件已经用于空军某型号末敏子弹药中，并将在多个武器平台上推广应用。近年来，实验室在国内外重要学术刊物上发表论文600余篇，出版专著7部，获国家、省部级奖励40余项，申请发明专利50余项，鉴定成果40余项，对我国的国防武器装备发展作出了重要贡献。高功率半导体激光国家级重点实验室仪器配置清单高功率半导体激光国家级重点实验室仪器配置感应耦合等离子体刻蚀扫描电子显微镜光刻机磁控溅射镀膜机等离子体增强化学气相沉积系统X射线双晶衍射仪光刻机快速图谱仪电化学C-V分布测试仪,PN4300,英国伯乐光荧光谱仪特种光纤熔接机丹顿电子束镀膜机SVT超高真空解理机光谱分析仪莱宝电子束镀膜机半导体激光器芯片贴片机金属有机化合物化学气相沉淀（MOCVD）磁控溅射台　　电子薄膜与集成器件国家重点实验室　　电子薄膜与集成器件国家重点实验室是以教育部新型传感器重点实验室、信息产业部电子信息材料重点实验室和功率半导体技术重点实验室为基础于2006年7月建立的。　　目前，实验室紧密围绕国家IT领域的战略目标，立足于电子信息材料与器件的发展前沿，坚持需求与发展并举、理论与实践并重，致力于新型电子薄膜材料与集成电子器件的研究和开发，促进材料—器件—微电子技术的交叉和集成。　　实验室现有研究人员80人，管理人员6人，技术人员3人 客座研究人员18人。在固定研究人员中已形成以陈星弼院士为带头人的一支以45岁左右为核心、35岁左右为主力的骨干研究队伍。队伍中包括了中国科学院院士1人，中国工程院院士1人，国家自然基金委创新团队2个，国防科技创新团队1人，教育部创新团队2人，博导58人。实验室拥有1个国家重点学科、5个博士点以及5个硕士点，已具备每年250名左右硕士生、40名左右博士生、20名左右博士后的人才培养规模。　　实验室覆盖了微电子学与固体电子学、电子材料与元器件、材料科学与工程、材料物理化学、材料学5个博士点学科，拥有电子科学与技术、材料科学与工程2个博士后流动站，其中微电子学与固体电子学为国家重点学科。实验室面积近4000m2，拥有仪器设备500余套，价值8000余万人民币。已初步建成具有国际水平的“材料与器件制造工艺平台”、“微细加工平台”、“电磁性能测试与微结构表征平台”和“集成电路设计平台”，具备承担国家重大基础研究项目的能力。　　近5年，实验室科研工作硕果累累。目前，实验室共承担包括国家自然基金、973、863等各类项目在内的民口纵向项目和校企合作项目等科技项目共约200余项，总经费达2亿元，其中，2009年的科研经费超过7000万元。科研成果获国家级奖励7项，省部级奖24项，市级奖5项，申请发明专利150余项，获得包括美国发明专利在内的专利授权40余项，发表学术论文1000余篇，出版学术专著和教材7部。取得了包括“新耐压层与全兼容功率器件”等一系列标志性成果。实验室坚持面向社会，服务社会，致力于科研成果的推广和应用，“半导体陶瓷电容器”、“功率铁氧体及宽频双性复合材料”、“集成电路系列产品”等科研成果的成功转化，企业取得4亿多元的直接经济效益及良好的社会效益。　　*电子薄膜与集成器件国家重点实验室仪器配置情况未公布　　专用集成电路与系统国家重点实验室　　专用集成电路与系统国家重点实验室(复旦大学)于1989年经国家计委批准建设，1995年9月正式通过国家验收。实验室依托复旦大学国家重点一级学科“电子科学与技术”，以及“微电子学与固体电子学”与“电路与系统”两个国家重点二级学科。　　实验室面向集成电路国际主流的学术前沿问题和国家集成电路产业发展的重大需求，聚焦高能效系统芯片及其核心IP设计，开展数字、射频与数模混合信号集成电路设计创新研究，同时进行新器件新工艺和纳米尺度集成电路设计方法学的研究。形成国际领先并满足国家战略需求的标志性创新成果，使实验室成为我国在集成电路设计方向上科学研究、技术创新与高层次人才培养具有国际重要影响力的基地，为我国集成电路产业尤其是集成电路设计产业的跨越式发展做出重大贡献。　　瞄准国际集成电路发展前沿，面向国家重大需求，面向国民经济主战场，紧紧围绕主要研究方向，实验室承担了大量国家863计划、973计划、国家科技重大专项、国家自然科学基金、国防预研项目、省部级项目以及各类国际合作项目，在国际重要刊物和国际会议上发表大量高质量学术论文，获得多项授权发明专利，荣获多项国家级二等奖、省部级一等奖、二等奖等奖项。　　实验室现有固定人员68人，其中，教授(研究员)43人，包括中国工程院院士1人，国家千人计划入选者5人，国家青年千人2人，国家杰出基金获得者4人，长江学者特聘教授2人、IEEEFellow1人。在实验室现有固定人员中，有多名国家和部委聘任的科技专家，包括1名国家“核心电子器件、高端通用芯片及基础软件产品”科技重大专项专家，2名国家“极大规模集成电路装备和成套工艺”科技重大专项专家，4名科技术“863”计划专家库专家。按照“创新团队+优秀研究小组”的建设思路，打造了实验室年轻化、团队化、国际化的研究队伍。　　实验室拥有器件与工艺子平台环境和集成电路设计环境。器件与工艺子平台现有千级净化面积约600平方米，百级净化面积100平方米，配备了价值近1亿元的设备，具有开展先进纳米CMOS器件和工艺的研发能力。集成电路设计环境已可提供Cadence、MentorGraphics、Synopsys、Altera、Xilinx等著名国际公司软件环境，提供相应的标准化仿真模型，支持教学、科研、产品设计与制造。实验室平台本着“集中、共享、升级、开放”的原则为实验室的科学研究服务。　　实验室积极开展多渠道学术交流，承办ICSICT、ASICON等多个重要国际会议，参加学术会议并做特邀报告，积极开展国际科技合作和交流。依托“重点实验室高级访问学者基金”和设立开放课题，吸引国内外高水平研究人员来实验室开展合作研究，加强了实验室研究的前瞻性和国际化程度。专用集成电路与系统国家重点实验室仪器配置清单专用集成电路与系统国家重点实验室仪器配置热阻蒸发镀膜设备化学气相沉积系统全自动探针台存储器参数测试系统半导体存储器参数测试仪扫描探针显微镜手动探针台电学测试系统台阶分析仪芯片测试系统柔性四件组装加工手套箱大面积柔性三维光刻柔性电子制造设备亚微米级贴片设备无线和微波频段测试系统激光键合设备台式扫描式电子显微镜柔性四件电化学加工测试平台高性能频谱分析仪高性能频谱分析仪等离子刻蚀系统实验室电路板快速系统（激光机）射频探针台原位纳米力学测试系统超低温手动探针台智能型傅立叶红外光谱分析仪显微喇曼/荧光光谱仪数字电视芯片测试系统气相沉积系统薄膜沉积系统化学气相沉积系统超高真空激光分子束系统原子层淀积系统矢量网络分析仪微波退火设备准分子气体激光器高精密电学测试探针台纳米热分析系统信号源分析仪频谱分析仪X射线衍射仪矢量网络分析仪矢量信号源实时示波器椭圆偏振光谱仪硬件加速仿真验证仪频谱分析仪矢量信号发生器矢量信号分析仪铜互连超薄籽晶层集成溅射和测试系统半导体晶片探针台互连铜导线成分分析仪化学气相沉积系统低介电常数介质电容（K值）测试设备微细加工ICP刻蚀机快速热退火系统探针测试台半导体参数分析仪白光干涉仪桌上型化学机械抛光设备纳米压印设备原子层淀积系统高精度探针台探针测试台纳米器件溅射仪存储薄膜溅射仪原子层化学气相沉淀系等离子反应离子刻蚀机物理气相淀积系统等离子体增强介质薄膜化学机械抛光系统铜电镀系统　　集成光电子学国家重点实验室　　集成光电子学国家重点实验室成立于1987年，1991年正式对外开放。现由吉林大学和中国科学院半导体研究所两个实验区联合组成。在1994年、2004年国家重点实验室建立十周年以及二十周年总结表彰大会上，被评为“国家重点实验室先进集体“，并获“金牛奖”。在2002年、2007年、2012年信息领域国家重点实验室评估中，连续三次被评为“优秀实验室”，2017年被评为“良好实验室”。　　研究方向包括有机光电器件、宽禁带半导体材料与器件、超快光电子、纳米光电子、能源光电技术五个研究方向。实验室重点研究基于半导体光电子材料、有机光电子材料、微纳光电子材料的各种新型光电子器件以及光子集成器件和芯片，研究上述器件及芯片在光纤通信系统与网络、信息处理与显示中的应用技术。研究内容为：半导体光电子材料(包括低维量子结构材料)、有机光电子材料、微纳光电子材料 新型光电子器件物理(包括器件结构设计与模拟) 基于上述材料的光电子集成器件的制作工艺及其功能芯片集成技术 光电子器件及芯片在光通信、光互连、光显示、光电传感方面应用技术研究。　　*集成光电子学国家重点实验室仪器配置情况未公布　　浙江大学硅材料国家重点实验室　　1985年，在浙江大学半导体材料研究所的基础上，由原国家计委批准建设硅材料国家重点实验室(原名高纯硅及硅烷国家重点实验室)，88年正式对外开放。是国内最早建立的国家重点实验室之一。以重点实验室为依托的浙江大学材料物理与化学学科(原半导体材料学科)一直是全国重点学科，1978年获批国内首批硕士点(半导体材料)，1985年获批国内第一个半导体材料工学博士点。　　从上世纪50年代开始，浙江大学在硅烷法制备多晶硅提纯技术、掺氮直拉硅单晶生长技术基础研究等取得系列重大成果，在国际上占有独特的地位 同时，实验室一直坚持“产、学、研”紧密结合，培育出浙江金瑞泓科技股份有限公司等国内硅材料的龙头企业，取得显著经济效益。自上世纪90年代以来，实验室研究方向不断拓宽。目前，实验室以硅为核心的半导体材料为重点，包括半导体硅材料、半导体薄膜材料、复合半导体材料以及微纳结构与材料物理等研究方向。　　2013年至2017年期间，实验室共获得国家自然科学二等奖2项，国家技术发明二等奖2项，浙江省科学技术(发明)一等奖5项，技术发明一等奖1项。江西、湖北省科学技术进步(技术发明)一等奖各1项(合作)，教育部自然科学二等奖1项，浙江省科学技术进步二等奖2项。发表SCI检索论文1996篇，获得授权国家发明专利492项，国际专利5项。已成为国家在本领域的科学研究、人才培养和国际交流的主要基地之一。　　浙江大学硅材料国家重点实验室仪器配置清单　　硅材料国家重点实验室仪器配置扫描探针显微镜周期式脉冲电场激活烧结系统振动样品磁强计针尖增强半导体材料光谱测试系统低维硅材料的原位扫描隧道显微分析系统热常数分析仪超高温井式冷壁气密罐式炉系统角分辨X射线光电子能谱仪原子力显微镜热台偏光显微系统近场光学显微镜光度式椭圆偏振光谱仪高真空热压烧结炉等离子体增强化学气相沉积法磁控溅射镀膜系统深能级瞬态谱仪傅里叶红外光谱仪微波光电导衰减寿命测试仪变温高磁场测试系统同步热分析仪铸造炉扫描电子显微镜高分辨透射电子显微镜　　　除了上述国家重点实验室，还有新型功率半导体国家实验室以及光伏技术国家重点实验室等企业国家重点实验室。　　此外，还有中科院半导体材料科学重点实验室、宽带隙半导体技术国家重点学科实验室、光电材料与技术国家重点实验室、发光材料与器件国家重点实验室、发光学及应用国家重点实验室等半导体领域相关的实验室等。中国科学院半导体材料科学重点实验室仪器配置清单中国科学院半导体材料科学重点实验室仪器配置1.量子点、量子级联工艺线分子束外延生长系统（MBE）掩膜对准曝光机表面轮廓测量系统双腔室PECVD/电子束蒸发镀膜真空蒸发台等离子体去胶机精密研磨抛光系统快速热处理设备高分辨光学显微镜清洁处理湿法腐蚀金丝球焊机高精度粘片机傅立叶变换远红外光谱仪拉曼光谱仪原子力显微镜数字源表（吉时利2601）电化学CV测试系统2.PIC工艺线仪器设备MOCVDICPPECVD光刻机蒸发台磁控溅射反应离子刻蚀设备台式扫描电子显微镜Maping微区荧光光谱仪X射线双晶衍射高分辨XRD测试系统解理烧结机镀铟管芯测试设备激光加工机PIC测试:探针座+探针变温测试频谱仪矢量网络分析测试自相关仪脉冲宽度测试FROG激光线宽测试Rin测试远场测试PIV测试传输损耗测量光纤光谱仪3.GaN基微电子器件工艺线MOCVD设备变温霍尔测试系统非接触方块电阻测试系统台阶仪表面平整度测试系统光学显微镜高分辨XRD测试系统光电效率测试系统高温恒温箱快速退火炉磁控溅射PECVDICP光刻系统4.材料生长与制备工艺线磁控溅射离子束溅射CVD系统旋涂机、热板、快速退火碳化硅外延设备原子层沉积分子束外延低压液氮灌装石墨烯外延炉分子束外延设备CBE快速热退火炉退火炉MOCVDHVPE快速退火炉真空烘烤MBEMP-CVD阻蒸电子束蒸发联合镀膜机箱式退火炉低维材料生长、器件制备平台分子束外延设备MBE5.材料测试与表征原子力显微镜傅里叶红外光谱量子效率测试电池I-V测试霍尔测试仪探针台四探针测试仪光栅光谱仪变温测试台半导体参数测试仪3000V、500A深能级缺陷测量系统霍尔测试深紫外光致发光光谱阴极荧光光谱近紫外－可见－近红外光致发光光谱变温霍尔半导体发光器件测试紫外可见分光光度计荧光光谱仪太阳能电池I-V测试系统电化学工作站四探针测试台偏振调制光谱测试系统(陈涌海)微区RDS测试系统光电流测试系统红外光栅光谱仪（0.8-5μm）激光参数测试系统傅立叶变换红外光谱仪傅立叶变换中红外光谱仪宽带隙半导体技术国家重点学科实验室仪器配置清单宽带隙半导体技术国家重点学科实验室仪器配置晶片生长系统MOCVD非接触迁移率测量系统霍尔效应测试系统非接触式方块电阻测试仪微波等离子化学气相沉积系统半导体器件分析仪光谱椭偏仪镜像显微镜.金属镀膜系统高分辨X射线衍射仪拉曼光谱仪脉冲激光沉淀系统电子束蒸发台磁控溅射镀膜机高速电子束蒸发台LED显微镜台阶仪快速热退火炉等离子去胶机高温快速退火炉反应离子刻蚀等离子增强原子层沉淀系统等离子增强化学气相淀积感应耦合等离子体刻蚀机研磨抛光机高低温烘胶机光刻机接触式紫外光刻机电子束直写光刻机探针台半导体参数测试仪微波测试探针台DRTS测试仪扫描式电子显微镜微波大功率晶体管老化系统微波功率测试系统分子束外延设备　　综合来看，光刻机、化学气相沉积设备、电镜（尤其是扫描电镜和原子力显微镜）、X射线衍射、磁控溅射仪、半导体参数测试仪、能谱仪、探针测试台、刻蚀设备、光谱测试设备、蒸发镀膜设备、椭偏仪、分子束外延设备等仪器配置频率较高。　　信息统计来源于各国家重点实验室官网，部分实验室罗列仪器设备较全，部分实验室仅罗列了最主要或特色的仪器设备，因此结果仅供参考。另外其中有些仪器类型可能存在并列或包含关系，并未进行详细区分。

日前，江苏省计量院三项计量标准装置获得国家质检总局2013年食品质量安全检(监)测能力提升专项批复，该院将以此为契机开展食品质量安全量值溯源研究，为食品安全把好仪器设备控制关。　　据了解，列入国家质检总局2013年食品质量安全检(监)测能力提升专项的三项计量标准装置，主要包含7套仪器设备，分别是自动热释光读出仪、程序退火炉、全自动气体活塞式压力计((7~70)MPa，0.0035级、(0.1~2.5)MPa，0.005级)、汞三相点(含支架)、低温槽、氩三相点复现装置。其中，自动热释光读出仪和程序退火炉用于用于食品辐射加工的质量控制设备热释光剂量计的检定。全自动气体活塞式压力计用于食品安全领域中高压、高温灭菌检测设备的量值溯源，实现同步校准，确保量值准确。汞三相点(含支架)、低温槽、氩三相点复现装置用于低温段温度检测仪表的温度测量和量值溯源，为食品监控提供解决方案。

7月8日，科晶联盟携全套材料样品制备和分析产品亮相2021年中国材料大会。“中国材料大会”是中国材料研究学会的最重要的系列会议，去年由于疫情取消，今年材料大会的参会人数再攀新高，总人数超过了12000人，可谓是材料界在2020年疫情过后的一场盛会。科晶联盟由深圳科晶、合肥科晶、沈阳科晶三家公司组成。在这场时隔两年的盛会中，科晶联盟全面展示了材料制备和加工设备产品线的多个型号产品，覆盖了混料球磨、压片、烧结、熔炼、切割、磨抛、清洗、镀膜、电池研究设备。双罐高速三维摆震球磨机曲线金刚石线切割机小型5英寸快速退火炉本次展会，科晶也带来了一些新品。最新的小型桌面曲线切割机可以实现各种异形切割。用户可在计算机上画成各种图形，设备即可根据图形加工。振动抛光机可用于消除抛光之后的表面应力，做一些测试。最新的20000转旋涂仪可用于溶胶凝胶法制备薄膜。此外，科晶还展出了最新的CMP（化学机械抛光机）。16工位高通量电动无油压机（左）和8通道管式炉（右）此外，科晶与上海大学材料基因组工程研究院联合研发了全流程高通量合金制备与表征系统。据介绍，这是国际和国内首套全流程块体合金高通量制备和表征设备，包括十余种配料、混料、压制、熔炼、热处理、成分分析、硬度测试等覆盖各工序的材料制备和表征设备，以及高通量线切割、镶嵌和研磨抛光等制样设备，整体实验效率可提高10-20倍以上。该高通量材料制备与表征设备已在上海大学、鞍钢北京研究院等高校和企业投入使用，助力低成本加速材料研发。高温蠕变测试仪除了材料样品制备外，目前科晶也涉足材料分析测试领域。科晶开发了高温蠕变剪切应力测试仪，可针对金属或陶瓷材料在高温下对其进行拉伸蠕变剪切测试，分析材料的力学性能。这款产品具有小型化和高温的特点，可升温到1350℃，升降温速率可设定。目前，科晶已经开发出硬度测试、X射线荧光光谱分析、热重分析等产品。据介绍，科晶不仅是一家立足新材料研发的仪器设备公司，也是一家晶体材料和靶材公司。科晶产品应用到先进关键战略材料如3D打印材料、石墨烯，超导材料、新型能源材料、新一代生物医用材料、电子陶瓷和人工晶体、稀土功能材料、先进半导体材料以及现代航空、高铁、汽车等交通业用的高温合金、轻合金材料，科晶始终重视研发，不断推陈出新，以半导体行业为例，产品包括半导体材料、清洗、退火、晶体生长设备。

一、项目基本情况项目编号：ZKGSF(ZB)-20220592项目名称：PPV法超高温制样粘度仪采购项目预算金额：120.0000000 万元（人民币）最高限价（如有）：120.0000000 万元（人民币）采购需求：详见附件合同履行期限：自合同签订之日起90日历天本项目( 不接受 )联合体投标。二、申请人的资格要求：1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定；2.落实政府采购政策需满足的资格要求：本项目属于专门面向中小企业采购项目。3.本项目的特定资格要求：3.1具有独立承担民事责任的能力，供应商须具有有效的营业执照。3.2具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度，供应商提供具有2020年度经财务审计机构出具的财务审计报告或具有基本开户银行出具的近三个月的资信证明。3.3具有履行合同所必需的设备和专业技术能力。（出具承诺，格式自拟）。3.4具有依法缴纳税收凭据和社会保障资金的证明材料，供应商应提供近一个月依法缴纳税收和社会保险的证明材料。3.5参加政府采购活动前三年内，在经营活动中没有重大违法记录（提供参加政府采购活动近三年内，在经营活动中没有重大违法记录的书面声明函，格式自拟，加盖单位公章）。3.6供应商须提供通过“信用中国”网站（www.creditchina.gov.cn）和“中国政府采购网（www.ccgp.gov.cn）”查询企业信用记录的网页复印件并加盖公章，列入“信用中国”网站的“失信被执行人”和“税收违法黑名单”、“中国政府采购”网站的“政府采购严重违法失信行为记录名单”不符合规定条件的供应商，不得参与本次采购活动。开标当天由采购代理机构或采购人对供应商查询内容进行查询，查询结果以代理机构或采购人在开标当天现场查询结果为准，并将查询网页、内容进行截图或拍照等方式进行信用信息查询记录证据留存。3.7单位负责人为同一人或者存在直接控股、管理关系的不同供应商，不得参加同一合同项下的政府采购活动（出具承诺，格式自拟）。三、获取招标文件时间：2022年05月23日 至 2022年05月27日，每天上午8:00至12:00，下午12:00至17:00。（北京时间，法定节假日除外）地点：/方式：有意参加本项目的投标人，请按照规定时间将“法定代表人身份证明或授权委托人持法定代表人授权书、法人身份证复印件、被授权人有效身份证复印件（联系方式）及营业执照”扫描件合并成一个PDF文件发送至邮箱zkgshn@163.com（邮件主题：项目名称+公司名称），我方收到邮件后，将会通过邮件或电话方式通知各投标人缴纳招标文件费用、发送招标文件。售价：￥500.0 元，本公告包含的招标文件售价总和四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点提交投标文件截止时间：2022年06月14日 14点30分（北京时间）开标时间：2022年06月14日 14点30分（北京时间）地点：郑州市郑东新区商务内环路9号龙湖大厦17层1709开标室五、公告期限自本公告发布之日起5个工作日。六、其他补充事宜公告内容以附件为准。七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。1.采购人信息名 称：中国地质科学院郑州矿产综合利用研究所     地址：河南省郑州市中原区陇海西路328号        联系方式：马老师、0371-68632018      2.采购代理机构信息名 称：中科高盛咨询集团有限公司            地 址：郑州市郑东新区商务内环路9号龙湖大厦17层            联系方式：许先生 0371-53626688、18037197779            3.项目联系方式项目联系人：许先生电 话：  0371-53626688、18037197779

中国真空学会2018学术年会，即将于北京时间8月16-19日在东北师范大学（长春）举办。武汉嘉仪通科技有限公司作为会员单位及薄膜物理性能分析领域的领跑者，受邀参加此次盛会。嘉仪通科技将在会议现场，为大家展示红外退火炉、便携式Seebeck系数测试仪PTM-3等多款自主研发的系列产品。届时，我们热诚欢迎各界同仁莅临嘉仪通展位参观指导！大会详情 每两年举办一届的中国真空学会学术年会是中国真空学会重要的学术交流品牌。中国真空学会（Chinese Vacuum Society， CVS）是一个全国性的学术组织，成立于1979年10月。学会是由来自真空科学与技术领域，分布于各大、专院校、研究所和公司企业的科学家、工程师和技术人员组成。学会已发展成拥有12个地方真空学会、约250个团体会员和5000多个个人会员的组织。学会为科学研究者之间的学术交流和企业界之间的技术转让提供了重要的论坛。会议信息会议时间：2018年8月16日-8月19日会议地址：长春东北师范大学主办单位：中国真空学会承办单位：紫外光发射材料与技术教育部重点实验室（东北师范大学）会议日程日期时间内容8月16日全天会议报到8月16日晚上中国真空学会第八届五次理事会8月17日上午开幕式、颁发“成就奖”、“创新奖”、大会特邀报告下午分会场学术报告8月18日上午分会场学术报告下午分会场学术报告8月19日上午 闭幕式、颁发“最佳张贴报告奖”、大会特邀报告 【便携式泽贝克系数测试仪】【便携式泽贝克系数测试仪】：便携式泽贝克系数测试仪PTM 是一款测试热电材料Seebeck系数（常温）的专业仪器。该仪器可用于快速测试薄膜、块体、纤维等不同形态热电材料的Seebeck系数，为热电材料科研及产业化提供更专业便携的测试新选择。【红外退火炉】【红外退火炉】：红外退火炉IRLA-1200，采用红外辐射加热技术同时搭配高精度温度控制系统，24秒内仪器可快速升温至1150℃,升温速率最快可达50℃/s，控温精度可达±0.1℃，可实现样品快速升温和退火，对新材料相关的RTP研究工作起到重要作用。

第十三届中美华人纳米论坛将于2018年6月29日-7月3日在成都环球中心天堂洲际大饭店举行。届时，嘉仪通将携手成都办事处——嘉瑞通科技，以及合作伙伴——颐光科技共同参加此次会议，并现场展示嘉仪通测试薄膜材料Seebeck系数和电阻率的“薄膜热电参数测试系统”以及用于多种材料的快速热处理的“红外退火炉”，我们热诚欢迎各界同仁莅临嘉仪通展位参观指导。 大会详情中美华人纳米论坛自2006年创办以来受到海内外广泛关注，影响力迅速扩大，被誉为“华人纳米年度顶级盛会”。本届论坛由西南交通大学和四川大学联合承办，主题为“纳米科学及前沿技术”。会议内容此次会议将国绕纳米创制与功能、纳米能源与环境纳米生物与医学、纳米材料及表征等议题开展学术交流；同时，安排纳米医疗应用、纳米能源和环境、量子点与钙钛矿等专题讨论和墙报展示。会议信息论坛时间：2018年6月29日-7月3日论坛地址：成都环球中心天堂洲际大饭店主办单位：中美华人纳米论坛组受会承办单位：西南交通大学、四川大学【薄膜热电参数测试系统】和【红外退火炉】【薄膜热电参数测试系统】：l薄膜热电参数测试系统MRS-3 ，专门针对薄膜材料的Seebeck系数和电阻率测量，采用动态法测量Seebeck系数,避免了静态测量在温差测量上的系统误差,采用四线法测量电阻率，测量更准确便捷。【红外退火炉】：红外退火炉IRLA-1200，采用红外辐射加热技术同时搭配高精度温度控制系统，24秒内仪器可快速升温至1150℃,升温速率最快可达50℃/s，控温精度可达±0.1℃，可实现样品快速升温和退火，对新材料相关的RTP研究工作起到重要作用。

德国Thermconcept马弗炉携手德祥首次亮相BCEIA 由中国分析测试协会主办，中华人民共和国科学技术部批准的第十三届北京分析测试学术报告会暨展览会(BCEIA2009)于2009年11月25日至28日在北京展览馆隆重举行. 德祥科技代理的德国Thermconcept马弗炉产品在2009 BCEIA展会上首次精彩亮相。图一: 德国Thermconcept KL05/11型马弗炉 德国Thermconcept公司总部设在德国不莱梅, 拥有丰富的研发、设计和生产的各种马弗炉和加热炉系统的经验，加热炉的温度范围从50℃到2000℃，体积从3L-130L, 尺寸多样, 产品种类丰富, 能够满足绝大多数用户的应用需求, 德国Thermconcept公司还能根据客户的特殊应用定制解决方案. 全线产品包括: 实验室通用型马弗炉, 管式炉, 高温箱式炉, 高温管式炉, 高温干燥箱, 退火炉, 升降炉, 干燥箱, 真空干燥箱等. 德祥科技作为国内科学仪器行业的领导供应商，专注服务于生命科学、工业、制药、政府、教育、石化、电子以及商业实验室等众多领域。作为德国Thermconcept中国区总代理，德祥科技将一如既往地为广大客户提供*产品和服务。 更多后续报道及产品信息，敬请关注www.tegent.com.cn 客服热线：4008 822 822

为优化政府采购营商环境，提升采购绩效，《财政部关于开展政府采购意向公开工作的通知》（财库〔2020〕10号）等有关规定要求各预算单位按采购项目公开采购意向，内容应包括采购项目名称、采购需求概况、预算金额、预计采购时间等。近两年来，各大高校、科研院所等纷纷在相关平台公布本单位政府采购意向。中国科学院微电子研究所（以下简称“微电子所”）是国内微电子领域学科方向布局最完整的综合研究与开发机构，是国家科技重大专项集成电路装备及工艺前瞻性研发牵头组织单位，是中国科学院大学微电子学院（国家示范性微电子学院）的依托单位，是中国科学院集成电路创新研究院的筹建依托单位。微电子所目前拥有2个基础研究类中国科学院重点实验室（微电子器件与集成技术重点实验室、硅器件技术重点实验室），5个行业服务类研发中心（EDA中心、集成电路先导技术研发中心、系统封装与集成研发中心、中科新芯三维存储器研发中心、光刻总体部），7个行业应用类研发中心（通信与信息工程研发中心、新能源汽车电子研发中心、健康电子研发中心、智能感知研发中心、智能制造电子研发中心、智能电子系统研发中心、电磁信息智能应用研究中心），4个核心产品类研发中心（硅器件与集成研发中心、高频高压器件与集成研发中心、微电子仪器设备研发中心、光电研发中心）。 微电子所与北京大学、清华大学、复旦大学等高校和武汉新芯、上海华力、华润微电子、北方微电子等企业结为战略合作伙伴，在北京、江苏、湖北、四川、广东、湖南等省市开展科技成果转移转化，在我国微电子领域拥有广泛的影响，为支撑我国微电子产业核心竞争力发挥了不可替代的重要作用。 成果的产出和人才的培养都离不开仪器的支持，微电子所每年都会投入一定的经费采购科学仪器，以建立具有国际先进水平的实验研究和测试平台。为方便仪器信息网用户及时了解仪器采购信息，本文特对微电子所2022年仪器设备类政府采购意向进行了整理汇总。共收集到21个采购项目，预算金额相加约1.5亿元，采购品目涉及示波器、探针台、ALD、键合机、清洗机、退火炉等多种仪器类型。中国科学院微电子所2022年政府采购意向汇总表序号采购项目名称采购品目预算金额(万元)预计采购日期项目详情15.7寸移动作业终端A021199-其他电子和通信测量仪器2003月详情链接2示波器A032199-其他电工、电子专用生产设备1343月详情链接3多通道高精度阻抗谱分析子系统A02100305-电子光学及离子光学仪器285.244月详情链接4直流-6GHz 多频段微弱电信号高性能分析测试平台A02100305-电子光学及离子光学仪器389.84月详情链接512英寸晶圆贴膜揭膜减薄一体机A032199-其他电工、电子专用生产设备12005月详情链接612英寸芯片至晶圆微米级混合键合一体机A032199-其他电工、电子专用生产设备49305月详情链接7PA-连续波/脉冲功率测试系统A02100305-电子光学及离子光学仪器4405月详情链接8精密电感耦合等离子刻蚀系统A032199-其他电工、电子专用生产设备3505月详情链接912吋晶圆底填机A032199-其他电工、电子专用生产设备1306月详情链接1012吋晶圆助焊剂清洗机A032199-其他电工、电子专用生产设备6006月详情链接1112英寸超薄晶圆划片机A032199-其他电工、电子专用生产设备1706月详情链接1212英寸晶圆化学机械抛光机A032199-其他电工、电子专用生产设备17006月详情链接1312英寸晶圆键合退火炉A032199-其他电工、电子专用生产设备2006月详情链接1412英寸晶圆清洗机A032199-其他电工、电子专用生产设备3006月详情链接15大功率快脉冲测试仪A032199-其他电工、电子专用生产设备215.236月详情链接16高精度靶点识别与成型设备A032199-其他电工、电子专用生产设备1406月详情链接17三维堆叠键合机A032199-其他电工、电子专用生产设备7006月详情链接18大功率高温探针台A032199-其他电工、电子专用生产设备250.37月详情链接19清洗设备研发A032199-其他电工、电子专用生产设备1257月详情链接20多场原位电子全息三维高分辨成像系统A02100305-电子光学及离子光学仪器163512月详情链接21多腔室新型高k金属栅ALD生长系统A032199-其他电工、电子专用生产设备85012月详情链接值得而注意的是，微电子所除了采购仪器设备外，还采购了总额超四千万的流片服务。在集成电路设计领域，“流片”指的是“试生产”，就是说设计完电路以后，先生产几片几十片，供测试用。如果测试通过，就照着这个样子开始大规模生产了。流片服务采购意向汇总序号采购项目名称采购品目预算金额(万元)预计采购日期项目详情1砷化镓流片和SOI流片加工C0908-其他专业技术服务8103月详情链接2流片加工C0908-其他专业技术服务1302月详情链接3新型存储器流片加工服务C0908-其他专业技术服务3003月详情链接4测试调试C0908-其他专业技术服务1205月详情链接5芯片流片C0908-其他专业技术服务1205月详情链接6小芯片加工制造C0908-其他专业技术服务1506月详情链接7芯片分析C0908-其他专业技术服务1506月详情链接8MPW投片费C0908-其他专业技术服务1707月详情链接9流片C0908-其他专业技术服务1957月详情链接10流片、制版C0908-其他专业技术服务1907月详情链接11流片、制版C0908-其他专业技术服务2557月详情链接12流片、制版C0908-其他专业技术服务50944743详情链接13封装加工服务C0908-其他专业技术服务25012月详情链接14流片费C0908-其他专业技术服务10012月详情链接15流片加工服务C0908-其他专业技术服务70012月详情链接

据合肥日报报道，国内首个专用于量子芯片生产的MLLAS-100激光退火仪（以下简称“激光退火仪”）已研制成功，可解决量子芯片位数增加时的工艺不稳定因素，像“手术刀”一样精准剔除量子芯片中的“瑕疵”，增强量子芯片在向多比特扩展时的性能，从而进一步提升量子芯片的良品率。报道显示，该激光退火仪由合肥本源量子计算科技有限责任公司完全自主研发，可达到百纳米级超高定位精度，对量子芯片中单个量子比特进行局域激光退火，从而定向控制修饰量子比特的频率参数，解决多比特扩展中比特频率拥挤的问题，助力量子芯片向多位数扩展。安徽省量子计算工程研究中心副主任贾志龙表示，这台激光退火仪拥有正向和负向两种激光退火方式，可以在生产过程中灵活调节多比特超导量子芯片中量子比特的关键参数。同时，该设备还可用于半导体集成电路芯片、材料表面局域改性处理等领域，目前已在国内第一条量子芯片生产线上投入使用。

热电材料能够实现热电转换，具有安全、节能、环保等优点，近年来备受关注，许多学者也围绕其开展了大量的研究工作。在本文，仪器信息网为大家盘点了热电材料研究实验室常用的制备与表征仪器清单。国内研究热电材料的课题组众多，在小编的雷达范围内，整理归纳了其中四个课题组的仪器展示表格：1.中国科学院上海硅酸盐研究所热电转换材料与器件研究课题组；2.中国科学院金属研究所热电材料与器件课题组；3.同济大学材料科学与工程学院热电课题组；4.哈尔滨工业大学（深圳）材料科学与工程学院热电材料课题组。一、中国科学院上海硅酸盐研究所热电转换材料与器件研究课题组（课题组长：史迅研究员；副组长：柏胜强高级工程师；科研队伍：陈立东研究员、姚琴副研究员、瞿三寅副研究员、仇鹏飞副研究员等）该课题组主要从事高性能热电材料的设计、制备与性能优化以及高性能热电器件的设计、制造与集成方面的研究，主要内容包括：1.声子液体电子晶体材料 (类液态材料)；2.类金刚石结构；3.笼状化合物；4.有机热电材料和有机/无机复合热电材料；5.热电薄膜与微型热电薄膜器件；6.高性能热电器件设计与制造技术；7.热电空调/发电系统设计与集成技术；8.热电材料与器件测量技术。课题组仪器设备展示Seebeck系数和电阻测试系统（ZEM-3）布劳恩手套箱RS50/500型管式炉纳博热（ Nabertherm）LH15/13型箱式炉 放电等离子体快速烧结设备激光导热仪 霍尔系数测试设备电导率及塞贝克系数测试设备 X射线广角/小角衍射设备MSP（Modified Small Punch）试验装置二、中国科学院金属研究所热电材料与器件课题组（课题组长：邰凯平研究员；小组成员：康斯清工程师）该课题组长期从事功能材料设计、制备和性能表征方面的研究工作，以界面性质对材料物理、化学性能调控作用的共性基础科学问题为研究主线，主要研究内容包括：低维热电材料；多物理外场耦合仿真环境原位透射电镜表征；纳米结构抗辐照损伤材料。在原位透射电镜技术领域的成果被Science（350，9886，2015）、Chem Rev（116，11061，2016）、Adv Mater（02519，2016）等期刊评述为近十年来纳米材料原位电镜表征技术领域的关键研究成果，并被编入电子显微学教科书“Transmission Electron Microscopy”（Page 48，Springer，Heidelberg，2016）。课题组仪器设备展示多靶磁控溅射沉积系统-1多靶磁控溅射沉积系统-2热电性能测试设备ALD原子层沉积系统等离子体处理/原位TEM样品杆预抽系统Hall测试系统AFM红外成像显微镜微束/飞秒激光微纳加工系统紫外光刻机电子束/热蒸发镀膜系统3Omega频域法热导率测试系统稳态法热导率测试系统球型焊线机高温管式炉红外快速退火炉自主研制的各种类型原位仿真环境（JEOL/FEI）TEM样品杆三、同济大学材料科学与工程学院热电课题组（课题组长：裴艳中教授；小组成员：李文副教授）该研究小组主要针对当前热电材料转换效率较低这一技术瓶颈，从热电材料所涉及的基本物理及化学问题出发，设计和开发出高转换效率热电材料和器件。立足于前期工作的基础之上，今后具体的研究对象主要集中在半导体材料，研究内容主要包括：1.先进的材料制备方法；2.电、热、光、磁及微观结构的表征方法；3.能源材料性能所隐含的基本物理及化学问题；4.理论指导下的新型能源材料设计和开发；5.其它应用背景的半导体新材料的研究与开发。课题组仪器设备展示自主研制设备霍尔系数/塞贝克系数/电阻率同步测试 2个样品同时测试，300~900K，磁场1.5T塞贝克系数/电阻率同步测试系统 2个样品同时测试，300~1100K室温塞贝克系数测试系统Oxford低温（1.5~400K）与强磁场（12T）综合物理性能（Nernst，Seebeck，Hall系数与电/热导率）测试系统电弧熔炼系统电弧熔炼系统高温热压系统（升温速率＞1000C/min）封装系统材料生长炉商业设备台式扫描电镜&能谱XRDFTIR红外光谱仪声速测定仪激光导热仪惰性气氛手套箱高温熔融炉四、哈尔滨工业大学（深圳）材料科学与工程学院热电材料课题组（课题组长张倩教授，学术顾问刘兴军教授）该课题组正式成立于2016年秋。主要研究方向为：热电半导体能源材料的电声输运调控、热电器件的设计与效率提升，柔性可穿戴发电与制冷器件。采用与相图工程和机器学习相结合的手段，优化传统热电材料，开发新型热电材料，促进热电发电与制冷的大规模商业应用进程。课题组仪器设备展示材料制备系统电弧熔炼炉高频悬浮熔炼炉立式真空管式炉微型金属熔炼炉双工位真空手套箱真空封管系统热压烧结系统放电等离子烧结SPS3D打印机多靶磁控溅射镀膜仪电子束蒸发镀膜仪高温箱式炉高能球磨机井式炉金相研磨抛光机金刚石线切割机性能测试系统激光导热仪-LFA 457差示扫描量热仪-DSC 404同步热分析仪-STA 2500热机械分析仪-TMA 457电阻率/温差电动势测试仪-CTAUV-vis-NIR变温霍尔测试系统变温红外光谱仪发电效率特性测定装置接触电阻测试平台焊接平台需要说明的是，以上仪器设备展示仅根据各课题组网站信息整理，并非各课题组实验室仪器的全部配置。因此，小编特整理了热电材料研究实验室常用的制备与表征仪器清单，供君参考。热电材料研究实验室仪器配置清单热电材料制备常用仪器电子天平马弗炉/电阻炉/管式炉/实验炉鼓风/真空干燥箱材料生长炉磁力搅拌器球磨机超声波清洗机放电等离子烧结SPS离心机悬浮熔炼炉/电弧熔炼炉石墨磨具原子层沉积系统真空/惰性气氛手套箱电子束/热蒸发镀膜设备恒温油浴/水浴锅退火炉游标卡尺3D打印机切割机研磨抛光机热电材料表征常用仪器X射线衍射仪赛贝克系数/电阻率测试系统X射线光电子能谱仪霍尔系数测试设备热重分析仪介电性能测试系统扫描电子显微镜热电转换效率测量系统透射电子显微镜电/热导率测试系统电子探针分析仪声速测定仪热膨胀仪红外光谱仪显微硬度仪热机械分析仪激光热导仪焊接平台差热扫描热量仪综合物理性能测试系统【近期网络会议推荐】3月23日“热电材料表征与检测技术”主题网络研讨会免费报名听会链接：https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/2021RD/

研究：暴露于中子和伽马辐射的熔融石英和蓝宝石的光学吸收以及同时热退火。图片来源：RHJPhtotos 通过同时和辐照后热退火研究了集成二氧化硅和蓝宝石的辐射诱导衰减 (RIA)。研究人员发现同时辐照热退火和辐照后热退火在二氧化硅和蓝宝石的光学行为方面存在重大差异。 该研究在选择和放置用于开发光学仪器应用(例如聚变或裂变反应堆)的光学材料方面具有广阔的潜力。它还帮助研究人员了解辐射对此类光学材料的影响。 熔融石英和蓝宝石等光学材料中的辐射引起的衰减通过减少核反应堆仪器检查停机的频率，可以显着提高核反应堆的辐射安全和经济性能，从而可以在线监测关键反应堆部件。 激光诱导击穿光谱 (LIBS) 可以通过在反应堆运行时对反应堆冷却剂的化学成分进行光谱研究来识别核反应堆部件的退化。 在适当的操作设置下了解光纤和透镜等光学材料的辐射效应至关重要，因为基于 LIBS 的仪器需要通过这些光学材料传输等离子体发射和高能激光脉冲。 二氧化硅和蓝宝石等普通光学材料具有光学特性，包括衰减和折射率，当暴露于核反应堆中的离子辐射效应时，这些特性会发生变化。 已经对集成二氧化硅和蓝宝石在受到中子和伽马射线照射然后进行热退火时的辐射诱导衰减 (RIA) 和辐射效应进行了多项研究。然而，由于辐照、检查和热退火之间的时间相当长，没有关于光学材料在同时高温和辐射效应下的原位行为的数据。 当前研究中的研究人员使用高羟基含量的 Heraeus Spectrosil 2000 集成二氧化硅 (S2000)、低羟基含量的 Heraeus Infrasil 302 集成二氧化硅 (I302) 和光学类蓝宝石进行了 220 nm 至 1100 nm 的 RIA 测量。这些光学材料在高达 800 C 的后辐照和同时辐照热退火下暴露于中子和伽马辐照下，以观察它们的辐射效应。 二氧化硅和蓝宝石光学吸收的实验装置第一个测量吸收的实验装置包括一个覆盖 220-1100 nm 光谱范围的 Ocean Insight HR4000 光谱仪和一个 Ocean Insight 卤素/氘光源。 第二个实验装置包括一个安装在60 Co 池干管上方的退火炉，用于光学材料的同步和后热退火。 目前的研究在俄亥俄州立大学核反应堆实验室的核反应堆和60 Co 辐照池中进行了辐照。在包含60 个Co 伽马源的圆柱形夹具的帮助下，一个 I302 样品在宾夕法尼亚州立大学辐射科学与工程中心暴露于 10Mrad 的辐照下。 使用具有二氧化硅-氧化铝绝缘的特制碳化硅线圈炉对样品进行干燥和空气中的退火。 这些熔炉被建造成适合60 Co 池和核反应堆干管内，以同时对样品进行热退火和辐照。 在辐照后退火实验中，在每次辐照剂量后将样品加热到指定的温度。 相反，在同时退火的情况下，样品在辐照过程中被连续加热到指定的温度，直到达到列出的剂量。 光学仪器在裂变和聚变应用中的发展潜力该研究展示了同时辐照和热退火的后果以及对光学渐变蓝宝石、I302 和 S2000 的辐射效应。 该团队观察到这些光学材料在同时和辐照后热退火条件下的行为的关键区别。 在 S2000 的情况下，对 n 剂量 1 和 2 进行辐照后 600 C 的热退火将材料恢复到未辐照的形式。在 800 C 时，具有相同剂量的同时辐照热退火样品保留了紫外线范围内的辐射诱导衰减。 在 n-Dose 1 和 n-Dose 2 的同时辐照热退火下，I302 还显示出 220 nm 至 900 nm 之间的平衡辐射诱导衰减光谱，这与 I302 主要恢复的辐照后热退火情况相反退火至 800 C 后变为未辐照状态。 与等效剂量辐照后热退火情况相比，在加热到 800 C 后样品几乎退火到其未辐照状态，蓝宝石在 n-Dose 1 和 2 的同时辐照热退火中显示出可能的平衡辐射诱导衰减范围退火条件。对于该光谱，在 260 nm 处获得了残余吸收峰，而在 300 nm 处获得了增加的吸收峰。 当前研究的最初目标是在高放射性和热环境中支持基于 LIBS 的仪器，以承受显着的辐射效应。 比较作为样品的光学材料的吸收光谱表明，S2000 是实现基于 LIBS 的仪器的最理想材料，最高退火温度为 800 C，中子注量为 1.7 x 10 17 n。厘米-2。 在 532 nm 和 1064 nm 的相关 LIBS 波长下，S2000 仅显示边缘辐射引起的衰减。在同时辐照热退火下，I3O2 产生了高达 900 nm 的相当大的辐射诱导衰减，这可能会限制 532 nm 的 LIBS 激光器。 与报道的 S2000 中没有明显的辐射诱导衰减相比，蓝宝石在 532 nm 或 1064 nm 处没有表现出同时辐照热退火的辐射诱导衰减。UV 范围内的残余辐射引起的衰减峰可能会干扰 LIBS 等离子体光谱。 参考BW Morgan、MP Van Zile、CM Petrie、P. Sabharwall、M. Burger、I. Jovanovic，暴露于中子和伽马辐射下的熔融石英和蓝宝石的光学吸收以及同时热退火。2022.核材料杂志。

7月4日，天津市发展和改革委员会发布了《关于天津工业大学高端分析测试平台设备更新项目可行性研究报告的批复》。经委托天津国际工程咨询集团有限公司组织专家评审，原则同意该项目可行性研究报告，项目建设主体为天津工业大学，项目代码：2405-120000-89-03-406182。该项目位于天津市西青区宾水西道399号天津工业大学现址内。主要建设内容及规模：主要购置设备238台（套），主要为基于USRP的大规模MIMO试验系统平台、低温强磁场扫描探针显微镜、纤维纳米红外光谱仪等设备；替换原有老旧设备132台（套），主要为低压透射电镜、真彩色共聚焦显微镜、冷场发射扫描电镜等设备（购置设备清单详见附件）。总投资金额为36675万元，通过申请中央资金和学校自筹等多种渠道解决。附件天津工业大学高端分析测试平台设备更新项目设备清单表序号仪器设备名称数量（台/套）1热电性能测试系统12光纤光栅解调仪13全息微观透视成像分析系统14全波段光学材料表征系统15多功能湿法纺丝制备及评价系统16阻抗分析仪17多物理场摩擦、磨损原位测试系统18人体步态体态分析系统19穿戴式身体姿态评估系统110便携式代谢测试系统111肌电与多通道生理信号测试系统112纳米级气溶胶粒子分选计数测试台113多通道薄膜压力测量及手持式自定位三维白光扫描系统114动态水蒸汽吸附分析仪115纺织材料界面风速流场测量仪116织物表面多功能电信号测量仪117多功能高分子材料成型仪118液相色谱仪119气相色谱仪120氧气透过率测试系统121可生物降解测试系统122流阻结构参数测试系统123纺丝-熔喷一体化试验机124霍尔效应测试仪125单向透湿膜材料制备及评价系统126耐高温、高精过滤材料评价系统127滤料测试及仿真模拟平台128热激励去极化电流测量系统129锥形量热仪130能源采集及测试系统131材料高频电磁参数测试系统132Materials Studio 模拟计算系统133全自动比表面积及微孔分析仪134高温燃料电池测试平台135纤维电学力学综合性能测试仪136功能材料电学综合测试系统137高温快速导热仪138头模压力及腕戴产品测试系统139红外运动分析测试系统140智能穿戴人因实体实时采集及综合分析系统141柔性电子原位测试系统142服装内热流场动态测量仪143功能纺织品润湿性评价系统144热界面材料分析仪145纺织元宇宙互动同步实训教学装置1 46纺织知识图谱与教学系统1 47柔性织物微带天线测试系统1 48纤维纳米红外光谱仪1 49基于运动学多参数生物力学采集和分析系统1 50双波长显微拉曼光谱仪1 51产业用纺织品及复合材料力学性能测试系统1 52应力动态分布可视化与裂纹预警测量系统153高性能纤维材料制备与理化环保性能测试系统15464通道无线脑电采集系统155多导睡眠／脑电监测系统156电脑测色及颜色信息管理系统157织物舒适性评价体系实验教学套装158功能纺织面料制备与性能分析实验教学套装159纤维着色与染料分散状态分析测试实验教学设备160机油滤清器流量阻力试验台161滤清器高低温脉冲试验台162滤清器效率和寿命试验台163数字化小样新型纺纱与纱线质量评定虚拟仿真系统164新型浆纱织造生产与质量检测设备系统165气囊式接触压力测试仪166纺织复合材料界面性能测试系统167热电性能分析系统168织物风格测试实验套装系统169转矩流变仪170旋转流变仪171原位X射线衍射仪172织物型水电解隔膜测试系统173纳米静电纺制备与测试系统174电极材料应力原位检测系统175落锤冲击试验机176动态和疲劳试验系统177无损检测仪器178飞秒瞬态吸收光谱系统179高低温万能材料试验机180VTC-600-3HD三靶磁控溅射仪181电动固体表面分析仪182Instron毛细管流变仪183低温强磁场扫描探针显微镜184差分式反射式高能电子衍射仪185激光解吸飞行时间质谱仪186双组份高速纺丝试验机187原位变温相位调制型光学性能分析仪188动态光散射粒度分析仪189光场耦合低温磁电输运测量仪190紫外光刻联用光学显微镜系统191高温真空磁场退火炉192激光测振仪193接触式振动试验台194纺织数据分析平台195自旋转移力矩-铁磁共振测量仪器196频谱分析仪197矢量网络分析系统198四探针测试仪199缺陷测试仪1100光谱椭偏仪1101键合丝推拉力测试机1102基于USRP的大规模MIMO试验系统平台1103高速误码率分析扫频仪1104高性能频谱仪1105故障电机系统测试台架1106电机定子测量仪1107高速电机测试平台1108电机系统振动检测设备1109电机系统局部放电检测设备1110高速高精度传感平台1111高性能多分踪录波平台1112先进电力电子器件动静态测试系统1113多通道高精度功率分析仪1114X射线CT层析仪1115功率磁件性能与损耗测试设备1116高电压局部放电测试系统1117高温栅极偏压测试系统1118高温高湿反偏测试系统1119多芯片智能贴装定位机1120器件封装强度测试仪1121热阻抗网络特性与老化测试机1122纤维面料扫描仪1123电工电子训练全过程智能检测及行为识别系统1124工业智能检测实验平台1125纺织智能制造用纱量检测及自动上纱系统1126彩色3D数据采集系统1127法学智能数据模拟分析平台1128虚实多人云协同测绘系统1129无人船载水域物理及水质分析系统1130水下三维建模系统1131空天地大尺度环境污染监测系统1132高光谱成像系统1133智慧城市实景三维测绘建模系统1134地质灾害实时监测系统1135河湖快速三维建模系统1136耕地质量野外快速监测系统1137环境专业综合训练系统1138纺织行业资源循环与污染控排分析系统1139快速金属元素分析系统1140总有机碳分析仪1141流式细胞仪1142全功能近红外光谱分析仪1143核磁共振变温分析仪1144钨灯丝扫描电子显微镜1145CGS-MTD智能材料光电气湿多场传感特性动态检测系统1146多靶位超高真空磁控溅射仪1147新型光电传感特性分析仪1148示波器1149中红外超短脉冲测量仪1150短波显微拉曼/荧光光谱仪1151柔性电子制备检测平台1152近红外超短脉冲测量仪1153脑电采集设备及运算服务器3154大规模图像数据处理设备4155极端环境医疗器械可靠性测试与评价平台1156脑电信号采集与调控平台1157动物活体成像系统平台1158三色多通道活体光纤记录系统平台1159脑重症无创快速成像系统平台1160生理教学显微成像平台1161分子束光电离飞行时间质谱仪1162发动机部件非线性振动测试系统1163叶片性能分析试验系统1164极端高压物性测试系统1165大数据智能分析实验平台1166眼动分析系统1167面部表情分析系统1168机器视觉图像处理实验平台1169小动物成像仪1170稳态瞬态荧光光谱仪1171单四级杆液相色谱质谱联用仪1172化学生物学专业实验室建设1173基础化学实验创新平台1174基础化学实验虚拟仿真系统1175高效液相色谱仪1176蛋白质纯化仪1177流式细胞仪1178全自动高通量高性能比表面及孔径分析仪1179超高速落地离心机1180高气密性自动在线光催化分析系统1181物理化学测试系统1182模块化智能高级流变仪1183综合化学实验创新平台1184细胞代谢呼吸动态分析仪1185生物分子成像仪1186在线原位光谱检测系统1187在线高通量气体吸脱附系统1188圆二色发光仪器1189手性气-质联用仪1190在线圆二色显微成像仪1191超分辨转盘共聚焦显微镜1192圆二色发光仪器1193药物在线原位分析系统1194药物质量监测与评价系统1195小角X射线散射仪1196低压透射电镜1197真彩色共聚焦显微镜1198冷场发射扫描电镜1199全自动气体吸附仪1200自动进样器的差示扫描量热仪2201Zeta电位及粒度分析仪1202X射线衍射仪1203综合热分析1204傅里叶变换红外光谱仪1205电子背散射衍射仪1206激光导热仪1207原子分辨率球差校正透射电镜1208电感耦合等离子体原子发射光谱仪1209单晶X射线衍射仪1210全自动元素分析仪1211凝胶渗透色谱仪1212与热裂解联用的气相质谱仪1213热电双倾原位透射电镜样品杆1214高效液相色谱-静电场轨道阱高分辨质谱联用仪1215透射电镜旋进电子衍射及纳米晶体分析系统1216原位电化学拉曼光谱仪1217电子万能试验机1218复合材料内部缺陷检测系统12194D显微原位CT系统1220高温RTM试验系统1221复合材料振动测试系统1222四自由度缠绕试验系统1223圆二色光谱仪（Circular Dichroism）1224台式吸收精细结构谱仪 （XAFS）1225微区电化学振幅测试系统1226比表面分析仪1227气质联用仪1228多晶合金制备系统1229蛋白质液相分析仪1230全自动耗散型压电界面分析仪1231多功能酶标仪1232高温偏光荧光显微镜1233原子力显微镜控制器及附件1合计238

2019年5月25-29日，由中国硅酸盐学会发起的第十一届先进陶瓷国际研讨会（CICC-11）于云南省昆明市完美落幕。此次会议邀请到了来自33个国家和地区的1450名代表参会，CICC已然发展成为亚洲最大、国际知名的陶瓷领域学术盛会。本届CICC-11设置了24个专题研讨会，交流范围基本涵盖了整个特种陶瓷领域及相关学科，汇集业内知名专家学者与会做大会报告、主旨报告及邀请报告。 弗尔德仪器作为陶瓷产品的仪器应用翘楚，应邀赞助第十一届先进陶瓷国际研讨会，为CICC-11的成功举办增砖添瓦。陶瓷领域研究离不开样品前处理、热处理以及理化分析等实验操作，弗尔德仪器应陶瓷行业所需，能够为陶瓷样品的研磨粉碎、热处理、氧/氮/氢/碳/硫元素分析提供先进完善的仪器解决方案。弗尔德仪器旗下产品包括德国Retsch（莱驰）粉碎研磨筛分设备、德国Retsch Technology（莱驰科技）粒度粒形分析仪、德国Eltra（埃尔特）元素分析仪、CarboliteGero（卡博莱特盖罗）烘箱、马弗炉。n 陶瓷制品的研磨粉碎处理对烧结陶瓷的半成品进行检验，需要先对半成品进行研磨粉碎处理。针对不同陶瓷原料、陶瓷粉末以及成品，行星式球磨仪PM 400可以实现陶瓷样品的细粉碎。高能水冷球磨仪Emax优于常规球磨仪能够在更短时间内实现陶瓷样品的纳米研磨。n 陶瓷制品的元素分析、热重分析熔点高达2700℃的碳化硅是陶瓷制品的重要原材料。德国Eltra（埃尔特）元素分析仪特别适用于含碳化硅的陶瓷制品的质量控制。ELEMENTRAC CS-i采用高频感应燃烧法能够对陶瓷样品中的碳含量进行精准测量。ELEMENTRAC ONH-p采用惰性保护气氛熔融技术对陶瓷制品中的氧氮氢元素进行精准可靠的测量。热重分析仪TGA Thermostep由可编程炉连内置天平，加热称重在同一台仪器上完成，大大简化了人工操作，能够一次测量出陶瓷样品的水分、灰分、挥发分。n 陶瓷制品的热处理工艺陶瓷粉末注射成型（CIM）是一种新型陶瓷成型技术，在成型形状复杂的零件和精确控制零件尺寸上有着其他工艺无可比拟的优势。陶瓷注射成型的整个过程主要包括原材料的混合，喂料的注射成型，生胚的排胶和烧结。在CIM工艺过程中，排胶过程最重要的使温度缓慢上升，大量的粘结剂才会析出。CarboliteGero（卡博莱特盖罗）热壁炉——GLO系列，能满足此应用。其加热元件位于炉膛外侧，整个炉膛相当于一个容器。加热元件直接加热炉膛外侧，并向内传导热量，整个炉膛壁是热的，所以叫做热壁炉，也可选配带氢气供气系统的全自动控制系统。退火炉GLO 烧结是CIM工件成形前的最后一个工艺，是一个把粉状物料转变为致密体的传统工艺过程。还有一种工艺是排胶和烧结使用同一台炉子，这样的炉子我们称之为“排胶烧结一体炉”。HTK陶瓷纤维炉，是排胶烧结一体炉，能够在空气环境下排胶和烧结，最高温度2200°C。排胶烧结一体炉HTKn 陶瓷粉末的粒度粒形分析陶瓷粉末注射成型（CIM）对粉末特殊的要求，以使喂料在达到高装载量的同时满足一定的流动性。较理想的粉末一般要求散装密度高、无团聚、颗粒形状为球形、平均粒径小、颗粒内全致密无内孔等。Retsch Technology（莱驰科技）干湿两用多功能粒径及形态分析仪CAMSIZER X2能够满足CIM工艺对陶瓷粉末粒度粒形的检测需求。采用所见即所得的双镜头（CCD）专利技术，能够对陶瓷颗粒的粒径、球形度、纵横比、对称性等粒径粒形参数进行测量与分析。干湿两用多功能粒径及形态分析仪CAMSIZER X2

3月5日，北方华创在互动平台表示，公司半导体设备均为100%自主研发，零部件来自全球供应商。作为A股半导体设备龙头，北方华创的主要产品包括集成电路刻蚀机、PVD、CVD、ALD、清洗机、立式炉、外延炉等，上述设备在先进工艺验证方面取得阶段性成果，部分工艺完成验证；成熟工艺设备在新工艺拓展方面继续突破，新工艺应用产品相继进入客户产线验证或量产，不断收获重复采购订单；光伏单晶炉、负压扩散炉、PECVD大尺寸、大产能产品相继研发完成，推向市场，受下游客户需求拉动，光伏设备业务实现快速增长；碳化硅（SiC）长晶炉、刻蚀机、PVD、PECVD等第三代半导体设备均已开始批量供应市场。受益产品线多路并举，北方华创去年也取得了可观的业绩。根据北方华创发布的2020年业绩预告，归属上市公司股东的净利润为4.6亿元-5.8亿元，同比增长48.85%-87.68%。北方华创表示，2020 年度，公司主营业务下游客户需求旺盛，同时公司积极应对新冠肺炎疫情影响及时复工复产，使公司生产运营及订单交付得以正常进行。随着北方华创经营业绩持续向好，其也在不断地扩大竞争优势和产能。据了解，北方华创高端集成电路装备研发及产业化项目在春节期间不停工，该项目预计今年6月初全部竣工，建设完成后，将具备年产刻蚀机、PVD、退火炉、立式炉、清洗机等设备150台以上的能力。

首先，让我们来了解一下什么是工程塑料？Whats”工程塑料，是指一类具有良好物理性质、机械性能、耐磨性、耐腐蚀性、绝缘性、耐热性、耐寒性、耐老化性等特点的高性能塑料材料。这些材料可以承受较高的温度和压力，具有较好的机械强度和耐用性，相对于传统的通用塑料具有更高的综合性能和更广泛的应用范围，相对于金属材料更轻、更薄、更能耐受高温，因此在工业和科技领域中被广泛应用并逐步成为发展趋势。例如常见的用于制造发动机内罩、轴承的聚醚酮（PEEK）、用于制造耐高温的薄膜、涂料，防火织物的聚酰亚胺（PI）、用于制造餐具、耐酸碱的管道阀门的聚苯硫醚（PPS）等。在工程和科研领域中，材料高温下性能的精确测定对材料研究和产品设计至关重要。如果工程塑料材料在实际使用中耐热性不好，就可能会出现以下问题：Question”1）部件变形或软化：在高温环境下，超级工程塑料可能会失去其结构稳定性，导致部件变形或软化，影响其性能和寿命。2）减弱耐久性：高温环境可能会导致超级工程塑料的分子结构发生变化，从而降低材料的耐久性和使用寿命。3）失去机械强度：高温环境可能会导致超级工程塑料的机械强度减弱，从而影响其承载能力和抗冲击性能。4）失效：如果超级工程塑料的耐热性能不好，那么在高温环境下，部件可能会失效，从而影响整个系统的性能和安全性。这些问题的出现会影响整个机械设备的性能和寿命。此外，还可能会对人员和环境造成安全隐患，例如部件失效引发事故、释放有害气体等。因而在使用工程塑料时，必须考虑其耐热性能，并根据实际使用情况选择适合的材料。表征高分子复合材料耐温性能的一个重要指标是热变形温度。但随着高性能聚酰亚胺塑料和各种纤维增强材料的研制和发展，由于其材料本身性能优越，通用仪器很难满足其测试要求。目前国内测定材料热变形的设备大多采用油介质加热，最高测定温度不超过300℃。同时由于加热时介质油的挥发和分解，产生大量的油烟，极易造成环境污染和人员中毒。通用热变形测试仪由金属材料加工制造，高温时，金属自身变形量增大，会对测试材料变形量产生影响，得到的材料热变形数据并不能反应材料的真实性能。而安田精机的高温热变形温度测定仪在测试材料的高温性能方面具有突出的优势。出色的高温稳定性和机械性能安田精机的高温热变形测试设备采用石英材质制作支架、测试台和压头等部位，该材质能够在高达500℃的极端温度下保持卓越的性能，设备最高测试温度可以达到500℃，同时可选择更换维卡测试头，支持维卡测试。【已知石英材质的热膨胀系数是5.6x10-7/℃，而SUS304不锈钢材质是17.3x10-6/℃，这意味着在同样高的温度下石英材质更不容易变形】精密的温度控制和实时监测加热方式放弃使用介质油加热，而选用更加环保安全、便捷经济的空气加热，为了保证温度分布均匀，各测试台的空气隔室是独立的，各自具备温控功能，能够均衡升温；防样条碳化功能为保护试样在高温下不发生碳化，测试过程中可以注入氮气保护，氮气可以将氧气排出，由于其自身具有惰性，可以降低塑料的氧化速度；安田精机的高温热变形温度测定仪可广泛应用于材料科学、汽车制造、航空航天和能源等领域。其卓越性能、高温范围、精密温度控制和广泛的应用领域为特种工程塑料高温性能分析提供了解决方案。感兴趣的朋友欢迎私信我们了解！更多精密物性设备，尽在仕家万联！

成立于2022年的华鑫微纳集成电路有限公司在安徽蚌埠正如火如荼的建设着8寸MEMS晶圆生产线，项目总投资高达50.6亿元，用于生产厂房、动力厂房、仓库等的建设，MEMS生产制造设备、公用设备等的采购，项目实施后将达到月产3万片晶圆的规模，在行业内颇具竞争力。就在近日，中国仪器进出口集团有限公司就华鑫微纳仪器采购发布相关招标信息。截至目前不完全统计，此次采购仪器设备数量达88台/套，种类达49种，涉及多个工艺段的建设，有显影机、金属刻蚀机等工艺设备，也有如套壳检测仪、膜厚检测仪等检测仪器，具体详情如下：序号采购项目数量招标状态截止时间项目详情0709-244035614017蒸发台3套招标中2024/5/30 9:30详情0664-2440SUMECF28/07匀喷一体机1台招标中2024/6/3 10:00详情0664-2440SUMECF18/01匀胶机2台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF28/06原位掺杂多晶硅生长炉1台招标中2024/6/3 10:00详情0664-2440SUMECF20/02有机去胶湿台1台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF20/02氧化清洗湿台1台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF20/03压膜机1台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF20/05线宽测试仪(非金属）3台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF20/06线宽测试仪1台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF18/01显影机2台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF20/04外延层厚度检测仪1台招标中2024/5/27 9:00详情07009-244035614005贴膜机2台招标中2024/5/31 9:30详情0664-2440SUMECF18/04套刻检测仪2台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF28/04探针台5台招标中2024/6/3 10:00详情0709-244035614024台阶仪2套招标中2024/5/31 9:30详情0664-2440SUMECF20/01四探针测试仪3台招标中2024/5/27 9:00详情4197-2440HXWN0001/01刷片机3台 招标中2024/5/30 9:00详情0664-2440SUMECF18/03扫描电镜1台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF18/05缺陷检测仪1台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF28/07喷胶机1台招标中2024/6/3 10:00详情0664-2440SUMECF28/03膜厚检测仪2台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF20/02硫酸去胶湿台1台招标中2024/5/27 9:00详情0709-244035614023离子束刻蚀机1套招标中2024/5/31 9:30详情0664-2440SUMECF28/02快速退火炉1台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF18/06颗粒度检测仪5台招标中2024/6/7 10:00详情0709-244035614019金属溅射机3套招标中2024/5/30 9:30详情07009-244035614006揭膜机2台招标中2024/5/31 9:30详情0709-244035614016键合对准机1套招标中2024/5/31 9:30详情0709-244035614020减薄机2套招标中2024/5/29 9:30详情07009-244035614004化学机械抛光系统1台招标中2024/5/31 9:30详情0709-244035614025多靶溅射机1套招标中2024/5/31 9:30详情0664-2440SUMECF28/06低应力氮化硅生长炉1台招标中2024/6/3 10:00详情07009-244035614003大束流离子注入机1台招标中2024/5/31 9:30详情0664-2440SUMECF28/01剥离机1台招标中2024/6/3 10:00详情0664-2440SUMECF20/02标准清洗湿台2台招标中2024/5/27 9:00详情0709-244035614009UV固胶机1套招标中2024/5/30 9:30详情0664-2440SUMECF28/05PECVD2台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF20/02BOE湿台1台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF18/02AOI设备4台招标中2024/5/27 9:00详情07009-244035614007氧化硅、氮化硅刻蚀机3套中标/详情07009-244035614015外延生长系统2套中标/详情07009-244035614022立式氧化炉2套中标/详情07009-244035614022立式退火炉2套中标/详情07009-244035614022立式合金炉1套中标/详情07009-244035614008金属刻蚀机1套中标/详情07009-244035614012多晶硅、硅刻蚀机1套中标/详情0709-244035614001电镀系统设备1套中标/详情07009-244035614011等离子去胶机5台中标/详情