磁光克尔测量系统

磁光克尔效应测量系统JMTS-816磁光克尔效应测量系统产品概述：磁光克尔效应装置是一种基于磁光效应原理设计的超高灵敏度磁强计，是研究磁性薄膜、磁性微结构的理想测量工具。旋转磁光克尔效应（RotMOKE）是在磁光克尔效应测量基础上的一种类似于转矩测量各向异性的实验方法，可以定量的得到样品的磁各向异性的值。但由于电磁铁磁场大小的限制，只适合于测量磁各向异性的易轴在膜面内而且矫顽场不太大的磁性薄膜材料。结合源表可以进行样品的磁输运性能测量。RotMOKE具有以下特点：测量精度高、测量时间短；非接触式测量，是一种无损测量；测量范围为一个点，可以测量同一样品不同部位的磁化情况；可以产生平滑、稳定的受控磁场，并且磁场平滑过零。应用领域：广泛应用于诸如磁性纳米技术、自旋电子学、磁性薄膜、磁性随机存储器、GMR/TMR等磁学领域。可测试材料：记录磁头，磁性薄膜，特殊磁介质，磁场传感器 磁光克尔效应测量系统产品特点：1测量灵敏度高，稳定性好，噪音低2非接触式测量，是一种无损测量3可以测量同一样品厚度不等的楔形磁性薄膜4可以将样品放到真空中原位测量5可以测量同一样品不同部位的磁化情况6纵向、横向和极向克尔效应测试7三百六十度电动旋转样品，可测试样品各向异性8手动左右和上下位移样品，可测试样品表面不同点的克尔效应9样品座有电接口，可加入磁电耦合测试。磁光克尔效应测量系统技术指标:1 样品尺寸：大Φ10mm的圆 2 克尔角分辨率（δ）：0.001度；3椭偏率分辨率（ε）：0.1%；4小光斑（Φ）：10微米；5 大磁场：单维0.26特斯拉；6 样品电动角度步进0.1度，手动位移步进10微米；7噪音：1%。磁光克尔效应测量系统技术参数：1光学平台： 刚性隔震，不锈钢贴面，1200*800*800mm，M6螺孔，25mm阵距，150mm台板厚度，带脚轮。台面平整度0.1/1000mm，平台载荷300Kg，固有频率≤2.5Hz，阻尼比0.12~0.13R/S。2矢量电磁铁：锦正茂二维矢量电磁铁，每维大磁场0.26T，极面直径30mm，磁场间隙40mm，中心10mm正方体内均匀区1%。3电磁铁电源：锦正茂单相双极性恒流，大10A，小分辨率0.1mA，稳定性50ppm/h，对应小分辨率0.1Gauss。 4激光器： Newport 632.8nm，2mW，2%稳定度，噪音1% rms（30Hz~10MHz），通过聚焦透镜光斑小为10μm的圆。5起偏/检偏器：格兰-汤普森棱镜，外径25.4mm，通光孔径10mm，消光比5*10^-5，角度范围14~16°，波长范围350~2300nm。6聚焦透镜：K9双凸，设计波长633nm，外径25.4mm，焦距150mm，焦距误差±0.5%，面精度X方向λ/4，Y方向λ/2。7四分之一波片：?25.4mm，波长632.8nm，投射波前畸变λ/8，相位延迟精度λ/100。8光电传感器：15mm2感应面积，0.21A/W响应度，暗电流1nA，对430~900nm波长光敏感，分流电阻200Mohm。9电流放大器：1pA/V大增益，1MHz带宽，大输入±5mA，大输出±5V，增益精度为输出的±0.05% 10高精度电压表：六位半，小分辨率0.1μV，90天准确度达到0.002%，四位半精度下最快2000 readings/second11手动位移和电动旋转样品杆： XYZ三维位移，XY行程25mm，Z行程13mm，转动360度，样品座为直径11mm的圆，上有电接头。12计算机： 联想商用，集成多串口卡。

μ-Kerr Effect Measurement System磁光克尔效应系统优势1.基于微观局部磁性分析 极向和纵向克尔效应(非同步量测)2.适合敏感分析μm大小磁模式和磁性薄膜 规格测量的方向Magneto-Optical Kerr Effect(Polar and Longitudinal Kerr Effect) 主要功能Kerr Loop Measurement光源Diode Laser探测光斑φ2-5μm磁场Max. ±10kOe (1T)可选In-Plane Electromagnet μ-Kerr Effect Measurement and Magnetic Domain Observation System克尔效应测量和磁畴观测系统优势1．微观测量克尔效应和磁畴观测2.适合敏感分析μm大小磁模式和磁性薄膜 规格测量的方向Magneto-Optical Kerr Effect (Polar and Longitudinal Kerr Effect)主要功能Kerr Loop Measurement and Magnetic Domain Observation光源Diode Laser and Mercury Lamp探测光斑φ2-5μm观察分辨率1μm (Typ.) with x50 objective lens磁场Max. ±10kOe (1T)可选Cryostat and others Polar Kerr Effect Measurement System极向磁光克尔效应系统规格测量的方向Magneto-Optical Kerr Effect (Polar Kerr Effect)主要功能Kerr Loop Measurement光源Diode Laser探测光斑φ1mm (Typ.)磁场Max. ±20kOe (2T) Longitudinal Kerr Effect Measurement System纵向磁光克尔效应设备规格测量的方向Magneto-Optical Kerr Effect (Longitudinal Kerr Effect)主要功能Kerr Loop Measurement光源Diode Laser探测光斑φ1mm (Typ.)磁场Max. ±100 Oe (0.01T) Faraday Effect Measurement System法拉第磁光克尔效应设备规格测量的方向Faraday Effect主要功能Faraday Measurement光源Diode Laser探测光斑φ2mm (Typ.)法拉第角范围:45 degree磁场Max. ±10kOe (1T) Perpendicular Magnetic Anisotropy Analysis垂直磁各向异性分析优势1.磁光克尔效应与机动旋转电磁铁磁场应用于角度依赖性分析规格测量的方向Magneto-Optical Kerr Effect主要功能Kerr Loop Measurement光源Diode Laser探测光斑φ1mm (Typ.)磁场Max. ±25kOe (2.5T)磁场旋转范围-10-100 degree

多功能磁光克尔显微成像系统KMPL-Spin-X是利用磁光克尔效应，直接观测磁性材料和器件中的磁化状态的光学显微成像设备。与传统的电学测试相比，磁光克尔显微成像测试能清晰直观了解样品内的磁化状态空间分布和时间演化，适用于磁性材料和自旋电子器件的测试和产品研发。多功能探针台多功能磁光克尔显微成像系统KMPL-Spin-X能够提供面内、垂直磁场及多对直流/高频探针-磁光成像与自旋输运测试完美结合!最大1.4 T垂直磁场,1T面内磁场,4.2 K-835 K变温,可用于硬磁材料成像研究。多功能控制系统1、测试信号控制垂直/面内磁场/电流/微波等多路信号 μS级别同步施加各信号的波形、幅度、频率、相对延时等参数轻松调节2、图像处理实时作差消背底噪声自动纠正震动漂移等3、信号解析电流、磁场测试信号的实时显示基于克尔图像分析，对样品局域(220 nm)或全局做磁滞回线扫描磁场探针台 多功能磁光克尔显微成像系统KMPL-Spin-X面内磁场:最大1T,控制精度1 uT三路垂直磁铁任意切换:磁场1:最大1.4T,控制精度1 uT磁场2:最大30 mT,反应速度50 μs磁场3:最大50 mT,反应速度0.5 us最多可配置4个直流/高频探针，可配置6221/2182仪表,兼容电输运测试，配置输运与次成像同步软件其他功能分析全局或者局部(220 nm)克尔图像,获得磁滞回线磁滞回线的横轴可以为面内、垂直磁场或者电流等任意激励信号可配置变温系统:4.2 K-835K温度可调搭配磁电阻测量等输运测试系统和软件预留各种接口，可根据实验需求自主改装

晶圆级磁光克尔测量仪利用极向磁光克尔效应(MOKE)，快速全局检测晶圆膜堆的磁性。非接触式测量，避免了传统磁性表征对晶圆的破坏，可应用于图形化前后的样品检测。晶圆级垂直磁光克尔测量仪样品尺寸:最大支持12 英寸及以下晶圆碎片测试:磁场:最大垂直磁场优于2.5T,磁场分辨率1 μT 磁性检测灵敏度:克尔转角检出度优于0.3mdeg(RMS)，适用多层膜堆的磁性表征 样品重复定位精度:优于1um,静态抖动0.25 um。晶圆级面内磁光克尔测量仪样品尺寸:最大支持12 英寸及以下晶圆碎片测试，磁场:最大面内磁场优于1.4T,磁场分辨率1 μT 磁性检测灵敏度:克尔转角检出度优于0.3mdeg(RMS),适用多层膜堆的磁性表征 样品重复定位精度:优于1 um,静态抖动0.25 um 样品360°任意角度旋转。功能及应用场景垂直/面内MRAM磁性存储器、磁传感器膜堆的磁滞回线测量 自动提取磁滞回线信息,，如自由层和钉扎层Hc、Hex、Ms等 可自动进行连续逐点扫描，生成晶圆磁特性分布图 系统预置多点扫描模式:单点、阵列、径向分布,自定义位置列表 系统提供手动加载或全自动操作方式,满足研发/生产需求。

从当下主流的机械硬盘，到未来的磁性存储单元，磁滞回线测量都是评估薄膜性质的重要手段。相较于电学霍尔测量和震动磁强计，光磁克尔效应具有测量速度快，精度高，非侵入，且不需要对样品进行加工或切片等操作的特点。通过对磁滞回线的分析，用户不但可以得到矫顽力及相对磁化强度等信息，亦可了解磁性薄膜磁各向异性等性质。针对不同矫顽力的多层磁性薄膜结构，磁光克尔测量可以分析出逐层的磁滞回线信息。托托科技提供的标准系统按照性能优先，稳定性优先的设计思路，可以满足实验室研究及工业生产中各种磁性薄膜材料的测试需求。针对不同磁各向异性材料的光学响应，我们提供两种测试组件：PMA Checker 以及IMA Looper，两种系统共享一套数据采集系统，切换方便。“控制盒+光磁主体+电脑”的套装（如上图所示）即是完整的设备，无需任何外置仪表（电源，锁相放大器）客户即可快速完成磁滞回线的测量；此外，客户可以自主选择使用锁相放大器（SR830/810，Zurich MFLI）进行数据采集，该设备预留了与锁相放大器匹配的接口。该产品提供基于LabView的程序，方便客户快速上手。基于C，Python的控制程序也可应客户要求提供。【应用示例】1.自旋/磁电子学2.磁性纳米技术3.非易失性磁性随机存储器4.磁阻研究5.磁性薄膜6.磁性传感器【产品定位/推荐】该系统的定位是为客户提供稳定、快捷、超高性价比的磁滞回线测量设备，最简单的也是最可靠的。如需更多附加功能，例如：磁畴成像，微区测量，集成温控设备，集成电学测量设备，集成样品扫描成像等选项，我们建议客户考虑TTT-Mag-Kerr Microscope 系列产品。TTT-Mag-PMA Checker不具备空间分辨能力，光斑直径为1毫米。【敬告】1.精密设备，轻拿轻放。2.在恶劣环境中使用该产品可能会导致产品性能下降。3.擅自拆解模组视为放弃质保。

磁光克尔效应系统-NanoMOKE3英国Durham公司是依托于英国Durham大学的高科技企业。与Durham大学强大的磁光学研究相对应，Durham公司的Russell Cowburn教授（英国剑桥大学卡文迪许实验室主任，英国皇家科学院院士）设计并制造了灵敏度能到10-12emu且间距动态磁畴观测的磁光克尔效应系统——NanoMOKE3。NanoMOKE3是新一代超高灵敏度磁强计和克尔显微镜。在NanoMOKE2巨大成功的基础上，Nano-MOKE3在一套系统中集成了高品质激光磁强计和动态克尔显微镜。对于纵向、横向以及向磁光克尔效应都非常灵敏，使得NanoMOKE3成为研究磁性薄膜以及磁性微结构理想的测量工具。广泛应用于诸如磁性纳米技术、自旋电子学和磁性薄膜等磁学领域。NanoMOKE3具有高的灵敏度和强大的测量功能，同时系统灵巧的设计以及专用的操作软件让复杂的实验过程变得简单，使您能够快速的实现自己珍贵的研究思路、获得可靠实验数据。NanoMOKE3进行了全新的升，增加了超快速的CCD，更加方便您的测试。主要技术指标： 温度范围：4.2-500 K 大磁场： 5000 Oe 推荐样品大小：1-2.5 cm 小克尔转角检出角：0.5 mdeg 小反射率变化率检出量：0.02% 主要特点：1、非常高的灵敏度和稳定性，非常低的噪音，可以探测到低至 10-12 emu 的磁矩。2、高度聚焦的激光，激光束斑达到 2 μm，可以轻松进行样品的局部或单个结构的性能检测。3、先进的样品定位技术。光路中集成光学显微镜以观测激光束斑的聚焦点和大小；扫描克尔显微镜可以探测样品的交流磁化率图像以及反射率图像，帮助用户选择样品的精细测量区域。4、灵活开放的系统设计。所有的光学器件都安装在一个标准光学平台上，允许用户对光学器件进行调整，满足自己的科研需要。5、任意的磁场波形控制。可以选配多种电磁体：四磁体、偶磁体以及螺线管磁体，能够轻松地在样品表面产生各种复杂的磁场。6、简单易用的专用操作控制软件 LX Pro。该软件基于微软的 Windows 系统，能够自动完成所有实验以及实验数据的处理。几种不同测试手段对比： 测试手段SQUIDVSMMFMMOKE样品要求液体,粉末,块材,薄膜液体,粉末,块材,薄膜薄膜，表面抛光的块材薄膜，表面抛光的块体测量内容MT，MHMT，MH磁畴图像磁滞回线，磁畴图像，材质分布测试精度非常高较高较高M不可定量，灵敏度高，磁畴形貌不及MFM宏观/微观宏观磁性宏观磁性微观微观磁畴不能不能静态静态/动态磁畴各向异性可以转角测试不能测试不可以可以NanoMOKE3丰富的测试功能：单点loop功能区域mapping功能Rastering磁畴成像功能高速CCD磁畴成像功能反射率成像功能原理变化磁场下对单点快速进行向或纵向克尔信号扫描测量在变化磁场下，对待测区域内各点进行loop测量，然后对loop面积积分进而得出区域各点磁性性质，进而获得磁性分布图在固定磁场下以矩阵扫描的方式对区域内各点进行克尔信号测量在固定磁场下，用快速扫描的激光照在待测区域，通过光学CCD对整个待测区域的所有点的克尔信号测量在进行其他测的同时，获得样品表面的反射光强信号。获得同磁畴形貌同一区域的外观形貌特点不同温度下，直接获得克尔信号随磁场变化的Loop不同温度下，获得区域磁性分布信息，可以进行向或纵向克尔效应的测量不同温度下，获得区域磁畴分布信息，可以进行向或纵向克尔效应的测量不同温度下，快速获取磁畴分布信息，可以进行向或纵向克尔效应的测量无需时间专门测量，跟其他形貌图形同时获得应用可判断易/难磁化轴，矫顽力，磁学性质获得区域各点的磁性信息、可用于研究各向异性。变温测量区域静态磁畴、动态磁畴的测量。变温变场测量快速观测静态磁畴和动态磁畴与磁畴形貌做对比分析，进行光功率扰动磁畴图像修正，判断克尔信号的噪声等精度利用光电转换器测量，精度非常高利用光电转换器测量，精度非常高利用光电转换器测量，精度非常高利用CCD转换器利用光电转换器测量，精度非常高部分测试数据：Pattern，磁畴和动态磁畴的观测： ◆ 使用快速的rastering模式来探测样品表面的Pattern ◆ 通过测试Loop功能来检测样品的难/易轴 ◆ 不同的颜色代表不同的磁畴，利用NanoMOKE3可以观测动态磁畴 ◆ 不同的颜色代表不同的磁性能，从中我们可以检测样品的mapping各项异性 开放灵活的设计：我公司为客户提供多种拓展选件，预留光源输入窗，可使用其他光源；另外配备了低温和高磁场下的磁光克尔效应测试选件，下图为我公司为客户配备的Montana恒温器。在软件上的接口同样丰富，用户可以轻松的完成与其他实验设备的对接和控制。

磁光克尔效应系统-NanoMOKE3英国Durham公司是依托于英国Durham大学的高科技企业。与Durham大学强大的磁光学研究相对应，Durham公司的Russell Cowburn教授（英国剑桥大学卡文迪许实验室主任，英国皇家科学院院士）设计并制造了灵敏度能到10-12emu且间距动态磁畴观测的磁光克尔效应系统——NanoMOKE3。NanoMOKE3是新一代超高灵敏度磁强计和克尔显微镜。在NanoMOKE2巨大成功的基础上，Nano-MOKE3在一套系统中集成了高品质激光磁强计和动态克尔显微镜。对于纵向、横向以及向磁光克尔效应都非常灵敏，使得NanoMOKE3成为研究磁性薄膜以及磁性微结构理想的测量工具。广泛应用于诸如磁性纳米技术、自旋电子学和磁性薄膜等磁学领域。NanoMOKE3具有高的灵敏度和强大的测量功能，同时系统灵巧的设计以及专用的操作软件让复杂的实验过程变得简单，使您能够快速的实现自己珍贵的研究思路、获得可靠实验数据。NanoMOKE3进行了全新的升，增加了超快速的CCD，更加方便您的测试。主要技术指标： 温度范围：4.2-500 K 大磁场： 5000 Oe 推荐样品大小：1-2.5 cm 小克尔转角检出角：0.5 mdeg 小反射率变化率检出量：0.02% 主要特点：1、非常高的灵敏度和稳定性，非常低的噪音，可以探测到低至 10-12 emu 的磁矩。2、高度聚焦的激光，激光束斑达到 2 &mu m，可以轻松进行样品的局部或单个结构的性能检测。3、先进的样品定位技术。光路中集成光学显微镜以观测激光束斑的聚焦点和大小；扫描克尔显微镜可以探测样品的交流磁化率图像以及反射率图像，帮助用户选择样品的精细测量区域。4、灵活开放的系统设计。所有的光学器件都安装在一个标准光学平台上，允许用户对光学器件进行调整，满足自己的科研需要。5、任意的磁场波形控制。可以选配多种电磁体：四磁体、偶磁体以及螺线管磁体，能够轻松地在样品表面产生各种复杂的磁场。6、简单易用的专用操作控制软件 LX Pro。该软件基于微软的 Windows 系统，能够自动完成所有实验以及实验数据的处理。几种不同测试手段对比： 测试手段SQUIDVSMMFMMOKE样品要求液体,粉末,块材,薄膜液体,粉末,块材,薄膜薄膜，表面抛光的块材薄膜，表面抛光的块体测量内容MT，MHMT，MH磁畴图像磁滞回线，磁畴图像，材质分布测试精度非常高较高较高M不可定量，灵敏度高，磁畴形貌不及MFM宏观/微观宏观磁性宏观磁性微观微观磁畴不能不能静态静态/动态磁畴各向异性可以转角测试不能测试不可以可以NanoMOKE3丰富的测试功能：单点loop功能区域mapping功能Rastering磁畴成像功能高速CCD磁畴成像功能反射率成像功能原理变化磁场下对单点快速进行向或纵向克尔信号扫描测量在变化磁场下，对待测区域内各点进行loop测量，然后对loop面积积分进而得出区域各点磁性性质，进而获得磁性分布图在固定磁场下以矩阵扫描的方式对区域内各点进行克尔信号测量在固定磁场下，用快速扫描的激光照在待测区域，通过光学CCD对整个待测区域的所有点的克尔信号测量在进行其他测的同时，获得样品表面的反射光强信号。获得同磁畴形貌同一区域的外观形貌特点不同温度下，直接获得克尔信号随磁场变化的Loop不同温度下，获得区域磁性分布信息，可以进行向或纵向克尔效应的测量不同温度下，获得区域磁畴分布信息，可以进行向或纵向克尔效应的测量不同温度下，快速获取磁畴分布信息，可以进行向或纵向克尔效应的测量无需时间专门测量，跟其他形貌图形同时获得应用可判断易/难磁化轴，矫顽力，磁学性质获得区域各点的磁性信息、可用于研究各向异性。变温测量区域静态磁畴、动态磁畴的测量。变温变场测量快速观测静态磁畴和动态磁畴与磁畴形貌做对比分析，进行光功率扰动磁畴图像修正，判断克尔信号的噪声等精度利用光电转换器测量，精度非常高利用光电转换器测量，精度非常高利用光电转换器测量，精度非常高利用CCD转换器利用光电转换器测量，精度非常高部分测试数据：Pattern，磁畴和动态磁畴的观测： ◆ 使用快速的rastering模式来探测样品表面的Pattern ◆ 通过测试Loop功能来检测样品的难/易轴 ◆ 不同的颜色代表不同的磁畴，利用NanoMOKE3可以观测动态磁畴 ◆ 不同的颜色代表不同的磁性能，从中我们可以检测样品的mapping各项异性 开放灵活的设计：我公司为客户提供多种拓展选件，预留光源输入窗，可使用其他光源；另外配备了低温和高磁场下的磁光克尔效应测试选件，下图为我公司为客户配备的Montana恒温器。在软件上的接口同样丰富，用户可以轻松的完成与其他实验设备的对接和控制。

晶圆级磁光克尔测量仪利用极向磁光克尔效应(MOKE)，快速全局检测晶圆膜堆的磁性。非接触式测量，避免了传统磁性表征对晶圆的破坏，可应用于图形化前后的样品检测。晶圆级垂直磁光克尔测量仪样品尺寸:最大支持12 英寸及以下晶圆碎片测试:磁场:最大垂直磁场优于2.5T,磁场分辨率1 μT 磁性检测灵敏度:克尔转角检出度优于0.3mdeg(RMS)，适用多层膜堆的磁性表征 样品重复定位精度:优于1um,静态抖动0.25 um。晶圆级面内磁光克尔测量仪样品尺寸:最大支持12 英寸及以下晶圆碎片测试，磁场:最大面内磁场优于1.4T,磁场分辨率1 μT 磁性检测灵敏度:克尔转角检出度优于0.3mdeg(RMS),适用多层膜堆的磁性表征 样品重复定位精度:优于1 um,静态抖动0.25 um 样品360°任意角度旋转。功能及应用场景垂直/面内MRAM磁性存储器、磁传感器膜堆的磁滞回线测量 自动提取磁滞回线信息,，如自由层和钉扎层Hc、Hex、Ms等 可自动进行连续逐点扫描，生成晶圆磁特性分布图 系统预置多点扫描模式:单点、阵列、径向分布,自定义位置列表 系统提供手动加载或全自动操作方式,满足研发/生产需求。

多功能磁光克尔显微成像系统-综合测试平台是利用磁光克尔效应，直接观测磁性材料和器件中的磁化状态的光学显微成像设备。与传统的电学测试相比，磁光克尔显微成像测试能清晰直观了解样品内的磁化状态空间分布和时间演化，适用于磁性材料和自旋电子器件的测试和产品研发。多功能探针台多功能磁光克尔显微成像系统-综合测试平台能够提供面内、垂直磁场及多对直流/高频探针-磁光成像与自旋输运测试完美结合!最大1.4 T垂直磁场,1T面内磁场,4.2 K-835 K变温,可用于硬磁材料成像研究。多功能控制系统1、测试信号控制垂直/面内磁场/电流/微波等多路信号 μS级别同步施加各信号的波形、幅度、频率、相对延时等参数轻松调节2、图像处理实时作差消背底噪声自动纠正震动漂移等3、信号解析电流、磁场测试信号的实时显示基于克尔图像分析，对样品局域(220 nm)或全局做磁滞回线扫描磁场探针台 多功能磁光克尔显微成像系统-综合测试平台面内磁场:最大1T,控制精度1 uT三路垂直磁铁任意切换:磁场1:最大1.4T,控制精度1 uT磁场2:最大30 mT,反应速度50 μs磁场3:最大50 mT,反应速度0.5 us最多可配置4个直流/高频探针，可配置6221/2182仪表,兼容电输运测试，配置输运与次成像同步软件其他功能分析全局或者局部(220 nm)克尔图像,获得磁滞回线磁滞回线的横轴可以为面内、垂直磁场或者电流等任意激励信号可配置变温系统:4.2 K-835K温度可调搭配磁电阻测量等输运测试系统和软件预留各种接口，可根据实验需求自主改装

产品简介当前通用的磁光克尔测试方法主要分为两种，一种是以激光和光电探测为主的MOKE高精度磁滞回线扫描,另一种是将光学成像技术与磁光克尔效应结合,形成高分辨率磁光克尔显微镜。前者具有高精度优势,但不具备空间成像能力和微区定点探测能力 后者则具有高分辨率成像和微区探测能力，但由于采用相机作为信号采集单元，探测精度不如前者。低温强磁场激光克尔显微成像系统-二维铁磁材料表征利器是针对二维铁磁材料磁性弱样品尺寸小、部分样品不导电、矫顽场高、居里温度低等特性开发的一款功能强大的表征系统,低温强磁场激光克尔显微成像系统-二维铁磁材料表征利器磁性探测精度高、能够微区定点测量和光斑位置定位、具备较高磁场和宽温区变温，可以满足大部分维铁磁材料的磁特性表征需求。主要技术指标激光光斑:5 umMOKE测试:可测试面内和垂直磁各向异性样品，克尔转角分辨率优于1mdeg磁场范围：最大1.4T变温范围:5 K-800 K

多功能高分辨率磁光克尔显微成像系统——眼见为实：让磁学测试可视化！致真精密仪器(青岛)有限公司生产的多功能高分辨率磁光克尔显微成像系统，以自主设计的光路结构及奥林巴斯、索莱博光电元件为基础制造，适用于磁性材料/ 自旋电子器件的磁畴成像和动力学研究。★ 多功能探针台，能够提供面内、垂直磁场及多对直流/ 高频探针- 磁光成像与自旋输运测试结合！★ 高达1.8T 垂直磁场，1 T 面内磁场，4K-800K 变温，可用于硬磁材料成像研究。多功能控制系统测试信号控制- 垂直/ 面内磁场/ 电流/ 微波等多路信号 μs 别同步施加；- 各信号的波形、幅度、频率、相对延时等参数轻松调节。图像处理- 实时作差消背底噪声；- 自动纠正震动漂移等。信号解析- 电流、磁场测试信号的实时显示；- 基于克尔图像分析，对样品局域 （300 nm） 或全局做磁滞回线扫描。磁场探针台面内磁场★ 高达1 T，反应速度50 ms，度0.1 mT。三路垂直磁铁任意切换★ 磁场1：高达1.8 T，反应速度50 ms，度0.1 mT；★ 磁场2：高达30 mT，反应速度50 μs，度0.01 mT；★ 磁场3：高达50 mT，反应速度1 μs, 度0.01 mT；★ 可配置6 个直流/ 高频探针，配置10 V，20 MHz任意波形信号源。成像效果★ 克尔成像分辨率300 nm （100 倍物镜）；★ 视野：1.2 mm×1 mm （5 倍物镜）；★ 能检测2 个原子层薄膜的磁性变化。CoFeB(1.3 nm)/W(0.2)/CoFeB(0.5) 薄膜中的迷宫畴图像处理★ 以任意图像为背底，实时作差消噪声；★ 图像漂移校正，自动添加比例尺等功能。CoFeB(20 nm) 薄膜中，[ 面内磁场20mT] 驱动磁畴翻转CoTb 亚铁磁微米线中SOT 驱动的磁性翻转CoFeB/W/CoFeB薄膜中的微米大小的磁泡200 nm 宽的Ta/CoFeB/MgO 线中，[120 mT, 5 μs] 磁场脉冲驱动畴壁移动其他功能★ 分析全局或者局部 （300 nm） 克尔图像，获得磁滞回线；★ 磁滞回线的横轴可以为面内、垂直磁场或者电流等任意激励信号；★ 可配置变温系统：4K-800K 温度可调；★ 搭配ST-FMR，二次谐波等测试系统和软件；★ 预留各种接口，可根据实验需求自主改装。应用案例■ 局部磁本征参数表征克尔显微镜有一套表征几乎所有磁学本征参数的方法。与其它表征方法相比，优势是可以进行微小区域内（300 nm） 的局部性质表征，为各种磁性调控实验 （如辐照、压控、光控磁）、以及性质不均一的材料表征提供了可能性。局部饱和磁化强度MS表征由于偶作用，磁畴壁在靠近时会相互排斥。通过观察不同磁场下畴壁的距离，可以提取局部区域的饱和磁化强度MS。此方法由巴黎- 萨克雷大学Nicolas Vernier 教授（本公司技术顾问）在2014 年先提出并验证。与VSM 测量结果得到良好吻合[1]。局部各向异性能 K 的表征通过分析局域克尔图像明暗变化，可以获得磁滞回线，从而提取局部区域等效各向异性场强度。海森堡交换作用常数Aex用我们的磁场“自定义波形”功能，将样品震荡退磁，再将得到的迷宫畴图片进行傅里叶变换，能够得知磁畴宽度，从而提取海森堡交换作用刚度[2]。退磁状态下的薄膜材料的磁畴结构Dzyaloshinskii-Moriya 作用（ DMI） 的表征利用面内磁场和垂直磁场共同作用下的磁畴壁非对称性扩张，能够测量薄膜材料的DMI 作用强度。基于此款设备的得到的成果发表在Nanoscale 杂志[3]。 参考文献：[1] Yu Zhang et al. Phys. Rev. Appl. 9, 064027 (2018).[2] M. Yamanouchi et al., IEEE Magn. Lett. 2, 3000304 (2011). [3] Anni Cao et al., Nanoscale 10, 12062 (2018).■ 磁畴壁动力学研究磁场、电流或者其它激励下磁畴壁的移动速度测量方法：施加幅度为B, 宽度为t 的磁场/ 电流脉冲，在脉冲前后分别拍摄克尔图像并作差，获得畴壁移动距离d，则速度v=d/t。备注：有限视野范围内，超快畴壁运动的测量需要超短信号脉冲。本系统配置的 μs 反应速度的磁场可实现200m/s畴壁速度的测量。10ms 力波磁场脉冲4 μs 超快磁场脉冲磁畴壁张力效应的观测利用微秒别超快磁场脉冲，可在微小样品中创造出磁泡。利用此款高分辨率克尔显微镜，次观察到了磁畴壁在自身张力作用下的自发收缩过程[1-3]。磁畴壁Hall bar 处的钉扎作用利用磁场脉冲，我们控制磁畴壁在纳米线中的位置。观察磁畴壁的钉扎过程并测量解钉扎磁场[1]。参考文献：[1] Xueying Zhang et al., Phys. Rev. Appl. 9, 024032 (2018).[2] Xueying Zhang et al. Nanotechnology 29, 365502 (2018).[3] Anni Cao et al., IEEE Magn. Lett. 9, 1 (2018).■ 自旋输运性质测试+成像STT 电流驱动的磁畴壁运动通过配备的探针和主控系统的任意波形发生器，可向样品施加50 ns–s 别的方波，观察磁畴壁运动并测量速度。STT 电流与垂直磁场共同作用下的磁畴壁运动在某些材料中，无法观测到纯电流驱动的磁畴壁运动。这时，可以利用此设备μs 别的超快磁场脉冲与电流同步，观测垂直磁场+ 电流共同驱动的畴壁运动，从而解析多种物理效应，如重金属/ 铁磁体系的自旋化率由于自旋散射降低的效应[1]。微秒同步的磁场和电流方波脉冲电流与面内磁场共同作用下的磁畴壁运动Hall 自旋流与面内磁场共同作用，诱导磁矩翻转，即所谓的SOT 翻转。本设备配置的面内磁场和电学测试系统，不但可以实现这个过程的电学测试，还可以利用相机与信号采集卡同步的功能，逐点解析翻转曲线对应的磁畴状态[2]。参考文献：[1] Xueying Zhang et al., Phys. Rev. Appl. 11, 054041 (2019). [2] Xiaoxuan Zhao et al., Nanotechnology 30, 335707 (2019).测试数据1. 检测磁性材料质量MgO/Co/Pt 样品：MgO 晶格错位导致的Co 薄膜缺陷。在微小磁场作用下，缺陷周围即出现磁性翻转。质量不好磁性薄膜，磁性翻转过程中出现雪花状磁畴。质量优良的磁性薄膜，磁畴结构均匀，边缘光滑。2. 检测缺陷位置缺陷处，磁畴壁运动变形，形成钉扎效。利用高分辨率物镜，可以直接观察缺陷位置（红圈）。3. 自旋电子器件损伤检测自旋电子器件中，在微加工过程中，样品边缘出现损伤，导致在磁场作用下稳定性下降，边缘先出现翻转[1]。4. 解析磁滞回线结果磁光克尔显微镜由于具有空间分辨优势，可以解析磁滞回线对应的磁畴状态。如右图，由于偶作用比各向异性占优势，样品出现自发退磁。参考文献：[1] Yu Zhang et al. Phys. Rev. Appl. 9, 064027 (2018).

一, 克尔环路测量和域观测系统 BH-1071 系列用于动态（实时）磁畴观测和显微克尔环测量的组合系统。克尔环路测量和域观测系统 BH-1071 系列,克尔环路测量和域观测系统 BH-1071 系列通用参数光源二极管激光器（408nm 或 650nm）高亮度白光 LED目标克尔效应极向克尔效应纵向克尔效应空间分辨率φ2μm*带 x50 放大倍率，极地克尔效应可用放大倍率×20、×50*也可提供其他放大倍数。可用磁场平面外方向：Max. ±10kOe (±1T)面内方向：Max. ±10kOe (±1T)数据示例二, 微型克尔环路测量系统 BH-PI920 系列基于二极管激光器的克尔环路测量系统。可进行几微米尺度的显微局部测量。微型克尔环路测量系统 BH-PI920 系列,微型克尔环路测量系统 BH-PI920 系列通用参数光源二极管激光器 (408nm) *可提供其他波长。测量克尔效应极向克尔效应纵向克尔效应激光光斑直径φ2μm *带 x50 放大倍率，极坐标克尔测量可用放大倍率×20、×50 *也可提供其他放大倍数。可用磁场平面外方向：Max. ±20kOe (±2T)面内方向：Max. ±7kOe (±0.7T)测量示例克尔滞后环（带 x50 物镜）

磁光克尔显微镜综合测试设备，显微磁畴空间分辨率优于0.5微米，磁光克尔角分辨率优于0.1毫度，支持极向克尔、纵向克尔、横向克尔三种磁光克尔效应测量方式。在追踪平面内数百万点的磁畴动态信息的同时，可搭配探针台实现电学、磁学、光学同步观测。广泛应用于磁学和自旋电子学领域中磁光克尔效应，磁滞回线，磁畴翻转或扩展动态等观测。相较于传统的单点磁滞回线测量仪，磁光克尔综合测试平台，可以追踪平面内数百万点的实时磁性动态信息。结合该测试平台提供的直流探针，高频探针，样品的测试无比便捷。当下自旋电子学或磁学的研究，已经由磁性驱动的翻转，发展到了直流电流驱动、脉冲电流驱动、微波脉冲驱动、光驱动等一系列的激励源作用下的深度研究。托托科技（苏州）有限公司提供的标准系统按照性能优先，稳定性优先的设计思路，可以满足实验室研究及工业生产中各种相关材料的测试需求。标准设备中提供了磁场激励、电流激励等多种选项，是客户在自旋特性研究中的得力测试平台。更多的选项可以根据客户需求选择升级。

探秘磁性材料的神奇之光——磁光克尔01 磁光克尔效应的时代背景图1 光在不同维度的解析应用一个美妙的推论，h/p=λ，光具有粒子性和波动性。——德布罗意光具有波动性和粒子性，磁光克尔效应是利用光的波动性质。利用光作为媒介实现检测及检验，是生活和科学研究中常见的技术手段，例如利用光的散射原理，分析物体表面的微观纹理特征；利用不同波长的光强分布实现光学成像技术，将物体表面的细节和特征以图像的形式记录下来；利用光的干涉衍射，分析间隙或者薄膜的厚度以及形貌分析；利用光的空间分布调制，完成投影图像的放大或微缩。磁性材料一直以来都是科学家和工程师们的研究热点，因为它们在数据存储、传感器技术、电子设备等领域有着广泛的应用。而磁光克尔效应（MOKE）作为一种重要的表征和研究磁性材料的方法，推动着这一领域的发展。在这篇推文中，我们将简单介绍磁光克尔效应，探索它在科学和工程中的奇妙应用。本文中的磁光克尔效应，主要展现光在偏振方面的应用。 02 磁光克尔效应是什么？图2 偏振光被磁性介质反射后，其偏振方向发生一个小的角度变化磁光克尔效应是一种物理现象，它描述了光入射到介质材料后，其偏振相关的物理属性会发生的变化。这个效应是根据法国物理学家约翰克尔（John Kerr）于1877年首次观察到的，他发现当光线照射在铁磁体表面时，反射光的偏振状态会发生改变。这一现象后来被称为克尔效应，而磁光克尔效应则是一种使用偏振光来研究材料磁性质的技术。03 奇妙的MOKE技术及其应用领域MOKE技术的原理非常简单，但却异常强大。它使用带有偏振光束照射在磁性材料表面，然后检测反射光的偏振状态。根据反射光的偏振状态变化，我们可以获得关于材料磁性的丰富信息。MOKE技术的应用非常广泛，包括但不限于以下领域：1. 数据存储图3 大数据对逻辑器件高密度高速非易失的需求(图源合肥新闻中心)MOKE技术在硬盘驱动器等数据存储设备中发挥着重要作用。它可以帮助检测和控制磁性材料的磁翻转，从而实现高密度的数据存储。2. 材料研究磁光克尔效应被广泛用于研究磁性材料的性质和行为。科学家可以使用MOKE来测量材料的磁滞回线、磁导率和磁畴结构等信息，这对于开发新型磁性材料具有重要价值。图4 CuCrTe二维磁性材料磁场翻转(拍摄于托托科技的磁光克尔设备)3.磁性传感器MOKE技术还应用于制造高灵敏度的磁性传感器，用于测量磁场的强度和方向。这些传感器在导航、医学影像、矿业勘探等领域中都有广泛应用。图5 条形磁铁的磁场分布(来源于百度图片)4.磁性薄膜图6 磁性薄膜磁畴检测（拍摄于托托科技的磁光克尔设备）对于磁性薄膜的研究和应用，MOKE技术是不可或缺的工具。它可用于调查薄膜中的自旋结构和磁各向异性，这对于开发磁性储能器件和传感器至关重要。04 托托科技磁光克尔的发展路线托托科技(苏州)有限公司是一家快速成长的技术驱动型企业，是专注于光学显微加工及光学显微检测的光学仪器设备制造厂商。托托科技自主研发生产的磁光克尔综合测试平台具有高质量磁畴成像、多激励源/多功能测试平台以及高稳定性，操作便捷的优点。相较于传统的单点磁滞回线测量仪，托托科技的磁光克尔显微综合测试设备，可以追踪平面内数百万点的实时磁性动态信息。结合该成像系统提供的直流探针，高频探针，样品的测试无比便捷。实现在室温条件下测试垂直各向异性/面内各向异性材料，材料的磁畴反转过程，成像清晰，拍摄速度达到 30 帧/秒。 托托科技提供的标准系统按照性能优先，稳定性优先的设计思路，可以满足实验室研究及工业生产中各种相关材料的测试需求。标准设备中提供了磁场激励、电流激励等多种选项，是客户在自旋特性研究中的得力测试平台。05 托托科技磁光克尔综合测试平台图7 托托科技磁光克尔显微镜综合测试设备随着科技的不断进步，MOKE技术也在不断发展和演进。研究人员正在不断改进MOKE实验装置，以提高其灵敏度和分辨率。同时，MOKE技术也被应用于新兴领域，如自旋电子学和磁性拓扑材料研究。总而言之，磁光克尔效应（MOKE）是一项令人惊叹的技术，它为我们提供了深入研究和理解磁性材料的机会。通过MOKE技术，我们能够在磁性世界中揭示更多的奥秘，并将其应用于各种领域，从数据存储到磁性传感器，再到未来的科学探索。MOKE，是探索磁性世界的神奇之光。

磁光克尔显微镜综合测试设备，显微磁畴空间分辨率优于0.5微米，磁光克尔角分辨率优于0.1毫度，支持极向克尔、纵向克尔、横向克尔三种磁光克尔效应测量方式。在追踪平面内数百万点的磁畴动态信息的同时，可搭配探针台实现电学、磁学、光学同步观测。广泛应用于磁学和自旋电子学领域中磁光克尔效应，磁滞回线，磁畴翻转或扩展动态等观测。相较于传统的单点磁滞回线测量仪，磁光克尔综合测试平台，可以追踪平面内数百万点的实时磁性动态信息。结合该测试平台提供的直流探针，高频探针，样品的测试无比便捷。当下自旋电子学或磁学的研究，已经由磁性驱动的翻转，发展到了直流电流驱动、脉冲电流驱动、微波脉冲驱动、光驱动等一系列的激励源作用下的深度研究。托托科技（苏州）有限公司提供的标准系统按照性能优先，稳定性优先的设计思路，可以满足实验室研究及工业生产中各种相关材料的测试需求。标准设备中提供了磁场激励、电流激励等多种选项，是客户在自旋特性研究中的得力测试平台。更多的选项可以根据客户需求选择升级。【产品特点】l 智能照明系统l 光源稳定且均匀l 适配面内磁各向异性薄膜l 高亮度（4倍于市场上产品） (a)面内磁各向异性样品，纵向-磁光克尔测试装置示意图。(b)为样品Pt(4 nm)/Co (5 nm)/Ta(2 nm)在磁场的驱动实现磁畴运动和翻转，磁矩“1”和“0”信息状态清晰可见。(c)为样品的磁滞回线，纵坐标为归一化的磁光克尔信号，横坐标为面内扫描磁场。(a)为样品Ta(4 nm)/CoFeB (0.7 nm)/MgO(2 nm)/Ta(2 nm)在磁场的驱动实现磁畴运动和翻转，树枝状磁畴，磁矩“1”和“0”信息状态清晰可见。彩色环带表示磁畴壁，白色小箭头表示的是奈尔畴壁中磁矩方向，表示磁畴运动方向。(b)为样品CoTb(6 nm)/SiN(4 nm)在零磁场附近出现迷宫畴以及孤立斯格明子磁泡结构(Skyrmions Bubble)，图中单个稳定的Skyrmions Bubble的尺寸为1μm。为研究基于SK-RM赛道存储器提供光学无损伤探测支持。(a) M-H磁滞回线(b) VAHE-H 反常霍尔回线(c) Kerr-H 磁光克尔回线CoFeB(0.8 nm)/Ta 样品，枝晶状磁畴结构SiN/CoTb(6 nm)，迷宫畴，斯格明子磁泡结构

TTT-磁光克尔显微综合测试平台介绍Q: 什么是磁光克尔显微系统，其基本功能有哪些？A: 磁光克尔技术是唯一几种无损的探测磁性介质磁畴状态的方法托托科技（苏州）有限公司提供的标准系统按照性能优先，稳定性优先的设计思路，可以满足实验室研究及工业生产中各种相关材料的测试需求。标准设备中提供了磁场激励、电流激励等多种选项，是客户在自旋特性研究中的得力测试平台。2020年6月28日，Advanced Materials（《先进材料》）在线发表同济大学物理科学与工程学院丘学鹏教授课题组有关单层铁磁层电驱动存储器的最新研究成果。(a) FePt(10 nm)样品电输运表征与磁光克尔实现同步测试装置示意图。(b)和(c)电流驱动磁矩翻转和磁畴运动。沿FePt薄膜生长方向出现分层，呈现阶段式翻转，如同神经突触收到多个阈值信息产生信息传递。施加不同方向辅助场Hx，样品磁畴翻转极性发生转变，如上图(b)所示。磁畴成像辅助测量，有助于实现多角度解释电输运信号中的反常信号，以及阈值电流下的磁畴取向与状态。2022年9月6日，Nature Communications（《自然&bull 通讯》）在线发表武汉大学物理院何军教授课题组有关室温二维磁性半导体的最新研究成果。二维铁磁材料的发现为基础物理和下一代自旋电子学打开了大门，其单晶层状结构给磁性表征带来了极大的挑战，磁光克尔效应是表征其磁畴状态的高效技术手段。右图为120K下二维磁性材料CrTe2在磁场驱动下实现翻转，显著发现不同层数CrTe2的矫顽力场(Hc)存在较大差异。TTT-02-Kerr Microscope兼容低温，覆盖5K-500K范围的样品测试环境。

高分辨率磁光克尔显微镜产品负责人：姓名：谷工(Givin)电话：（微信同号）邮箱：当一束线偏振光照被磁性介质反射后，反射光的偏振面相对于入射光的偏振面有一个小的角度偏转（克尔旋转角），这一现象被称为磁光克尔效应。该效应与显微成像技术结合组成磁光克尔显微镜，被广泛应用于磁性材料磁性测量，磁畴观察等。 由于该设备可进行无损探测、灵敏度高、在极端环境下原位测量等优点是被越来越多的科研人员采用。为满足日益增长的市场需求昊量光电推出了高性价比的磁光克尔显微镜。其主要原理是：一束面光源经过起偏器，转变为线偏振光，照射到样品上，由于样品内磁畴的存在使样品各个区域内磁化强度和方向不同，因此不同区域对线偏振光，偏振面的改变各不相同。因此当反射光通过检偏器后光斑的强度分布不同，从而得到样品的磁畴结构。为了获得更高的灵敏度，优异的磁畴成像效果等该系统做了以下优化。1）采用高亮度窄带LED光源。尽管理论上磁光克尔效应的对比度可以无限高，但是多个波长偏振像差的组合通常会大大降低偏振的纯度。因此传统的克尔显微镜经常报道磁光克尔对比度几乎观察不到。一个主要的原因就是因为使用宽谱的照明光源。因为磁光效应引起的克尔旋转量与光源波长数量成反比，宽谱光源会产生相同宽谱的线偏振，也就是说，光偏振不是完美的线性，观察到的磁对比度也会降低。因此为了克服由于光源带来的相差，我们经过多组测试，选取了FWHM为50nm的超亮LED光源，可获得很强的对比度，并且拥有较高的使用寿命。2）图像自动校正功能通常为了获得较弱磁性材料的对比度，市面上磁畴观察设备通常会采用图像差分处理来获得较高对比度，即使用拍摄到的图像减去背底图片。该方法通常可以将信号增强10倍以上。但是由于在施加磁场的过程中样品的位置会发生偏移，会大大影响差分处理效果，甚至出现错误。为了消除样品的移动，设备会通过快速像素相位算法确定样品漂移，然后通过压电促动器实时校正位置。同时该帧位移的图像在软件中也会实时修正，校正后的图像位移量不大于0.2个像素（8nm）3）特殊设计的电磁铁通常磁畴观察显微镜中的电磁铁设计是一个具有挑战性的话题，必须要有一些取舍。为了获得较高的分辨率，因此要使用大倍率的物镜，放置在靠近样品的位置。这对电磁铁强加以一个空间限制，并限制了生产磁场的强度。其次，磁铁产生的磁通量会通过物镜，引起法拉第效应，从而降低成像对比度。我们通过革新的磁通量闭合式设计从而巧妙的解决了这两个问题。通过对电磁铁的磁场测量，我们可以发现，磁铁的磁场提高了4倍，但是通过物镜的磁场强度却降低了8倍。产生磁场的均匀性在4mm范围内也达到了0.5%的水平。4）高灵敏度，高分辨率成像相机对于磁光克尔显微镜，样品反射的光通过检偏器，仅仅只有百分之一的入射光达到相机传感器。因此对于磁畴成像系统，相机的灵敏度就体现的尤为重要。因此为了达到成像效果，我们选取了再该波段下量子效率高达78%，并且具有20兆像素的背照式相机。从而获得高分辨率，高信噪比的图像。此外该设备不但可以获得样品磁畴图片，还可以根据样品磁畴图像同时获得样品的磁滞回线分析。产品参数：Light source2200 Lumens ultrabright LED lampCamera6.4 Megapixel @ 60FPS 78% Quantum efficiencyResolution300nmMagnetic Field 1T(Perpendicular)/0.5T(Longitudina)Power Requirement230VAC ± 10%, 13Amp Single PhaseSize / WeightMain System: 60 x 50 x 1500px, 25kgPower Supply Tower: 60 x 60 x 750px, 10kg实例：1)1nm CoFeB磁性薄膜2）4种灰度：垂直磁化磁隧道结多级磁畴（4 shades of grey: Multilevel stripe domains on a perpendicularly magnetized magnetic tunnel junction stack）3）[Pt/Co/Fe/Ir]x2 堆栈手性磁畴（Chiral stripes (and skyrmions)on a [Pt/Co/Fe/Ir]x2 stack）4）Heusler 合金薄膜中的垂直磁化的磁畴反转（Domain reversal in a perpendicularly magnetized Heusler alloy thin film）5）同时施加磁场和电流6）电流诱导的磁畴远动的准实时观测7）CoFeB多层材料退磁过程的实时观测

--研究磁畴快速、有效的最佳方案 品牌：卡尔蔡司型号：Axio scope（偏光） + 电磁附件Axio Imager （偏光）+ 电磁附件制造商：德国卡尔蔡司公司经销商：北京普瑞赛司仪器有限公司产地：德国联系方式：显微镜部分要求： LED照明360°可旋转起偏带λ板检偏，且λ板及检偏均可调变倍器锥光高倍偏光物镜及油镜 特点n 最高配置卡尔蔡司偏光显微镜n 可调节大小并能控制入射光方向的孔径光栅滑尺（如下图）n 可调节的补偿器及偏光器n 外置可旋转、调节电磁场，磁场达800kA/m。n 交流、直流 ，用于研究动态及静态磁化过程n 可X、Y方向移动并可锁死的特殊样品载物台n 稳定高亮度的Colibri LED照明n 专业的磁畴采集分析控制软件 主要应用磁性材料的宏观性能取决于材料磁畴结构和变化方式，对磁畴结构和变化方式的观测是铁磁学、信息科学和磁性材料与器件等学科领域的基础性研究之一。磁畴观测不但可以使我们了解铁磁体内部磁畴分布，更重要的是可以为磁化动力学研究、材料改性、新器件的开发提供理论基础。观察磁性材料自发磁畴结构。蔡司磁畴显微镜就是利用了克尔磁光现象来研究磁畴变化的系统，具体应用如下：研究连续动态加磁场下磁畴结构变化；研究连续动态外加磁场下磁畴壁位移及磁畴壁测量；观察磁性材料在磁化和退磁过程中磁畴的形成、长大或合并，畴内磁矩的转动等；研究不同磁性材料的磁滞回线，如矫顽力的测定，磁饱和强度，剩磁等测定；退磁场能的研究；居里温度的测定，不同温度下磁畴结构的研究；磁致伸缩现象的研究； 蔡司克尔磁光显微镜基本原理克尔磁光效应法磁光效应是指当一束线偏振光穿过磁性材料或在磁性材料表面反射时，透射光或反射光的偏振面相对于入射光的偏振面偏转一定角度的现象。其中对于反射的情况，称为克尔效应；对于透射的情况，称为法拉第效应。优点：（1）材料的磁畴结构几乎没有影响，不受材料性能的限制，可在不同温度下进行测量。（2）有些材料的畴壁较厚，畴与畴壁间的界限不明显，表面散磁场很小，粉纹不易集中。对于这种情况，磁光效应法是一种有效的方法。（3）磁光效应也可以动态追踪磁畴结构在外磁场作用下的变化过程，因此在磁畴观测方面被广泛采用。 显微镜部分要求：LED照明360°可旋转起偏带λ板检偏，且λ板及检偏均可调变倍器锥光高倍偏光物镜及油镜n 电磁附件：（由德国Evico公司提供）大理石底板载物台及支架电磁场及支架电磁场各附件高速CCD软件可调节大小及入射光方向的孔径光阑

自旋电子学经过数十年的发展，在许多领域都有了卓著的表现。从传感器，到非易失性磁存储，再到新材料的特性研究，自旋电子学不仅是当前科学研究的热点，也被工业界广泛重视。磁畴的直接观测与记录，对于材料的研究有着重要的意义；对磁畴运动过程的剖析，不仅直观的展现了磁性翻转，而且有助于分析物理过程的机理。相较于传统的单点磁滞回线测量仪，磁光克尔显微综合测试设备，可以追踪平面内数百万点的实时磁性动态信息。结合该成像系统提供的直流探针，高频探针，样品的测试无比便捷。当下自旋电子学或磁学的研究，已经由磁性驱动的翻转，发展到了直流电流驱动、脉冲电流驱动、微波脉冲驱动、光驱动等一系列的激励源作用下的深度研究。实现在室温条件下测试垂直各向异性/面内各向异性材料材料的磁畴反转过程，成像清晰，拍摄速度达到30 帧/秒。赫智科技提供的标准系统按照性能优先，稳定性优先的设计思路，可以满足实验室研究及工业生产中各种相关材料的测试需求。标准设备中提供了磁场激励、电流激励等多种选项，是客户在自旋特性研究中的得力测试平台。

一, 基于激光的GHz声波振动观测系统 MLD-101系列基于激光的观测系统，专门设计用于显示基于电介质/压电的高频设备的表面声波 surface acoustic wave（SAW）和体声波 Bulk Acoustic Wave（BAW），如SAW滤波器（Interdigital Transducer 叉指换能器 IDT）和薄膜体声波谐振器（FBAR）基于激光的GHz声波振动观测系统 MLD-101系列,基于激光的GHz声波振动观测系统 MLD-101系列产品特点适用于不同频率下物理声波传播的分析短时间广域观测通用参数图像 FFT & IFFT 处理观察示例IDTFBAR参数振动检测方法基于Sagnac干涉仪的振动检测(峰值频率灵敏度:5GHz)振动观察法用激光光束探测的台控扫描观测(面外振动)观测光源二极管激光器(波长:650nm典型)，照明LED可用物镜×20、×50、×100 物镜 可观察到的频率500MHz ～ 6GHz (Typ.)驱动信号输入范围*1500MHz～6GHz (-120dBM～＋15dBM) *2Max. 可分析区域25mm × 25mm容许工作量Max. 8英寸晶圆片样品台电动X-Y型载物台主要软件功能基于采样阶段控制的预设区域扫描观测2维 &hArr 3维观察结果指示(in Movie)二维FFT&hArr FFT图象处理基于FFT结果的特定振动共振模式滤波面外轴倾角校正基于预设频率表的连续数据采集构造主体/电气单元/信号发生器/锁相放大器/级驱动器/ PC /软件*1 提供高频探测装置。(手动探测)*2 提供输入信号放大器。二, 用于晶圆的纵向克尔效应量测系统 BH-618SK用于8英寸或12英寸晶圆的硬盘磁头和磁传感器目标映射测量的非接触式评估系统。用于晶圆的纵向克尔效应量测系统 BH-618SK,用于晶圆的纵向克尔效应量测系统 BH-618SK通用参数光源二极管激光器（408nm 或 650nm）测量克尔效应纵向克尔效应激光光斑直径φ2mm磁场面内方向：Max. ±2kOe (±0.2T)晶圆尺寸8 英寸或 12 英寸晶圆测量示例

电光Q开关/普克尔盒姓名：吴工 (Sam)电话：（微信同号）邮箱：G&H是一家晶体生产商，拥有数十年的光电设备设计经验。生产一系列的普克尔盒，适用于从紫外线到红外线的各种波长。平均功率、重复频率和设计配置等因素决定了不同的设备组合。利用专有的晶体生长、制造和抛光技术，G&H在偏硼酸钡(BBO)、碲化镉(CdTe)、磷酸二氢钾(KDP)和磷酸二氘钾(KD*P)中制造纵向和横向电极结构的普克尔盒。G&H提供行业标准的QX系列KD*P型，经济型IMPACT系列KD*P型普克尔盒，LightGate系列BBO型普克尔盒，IRX系列CdTe型普克尔盒，以及大口径TX系列KD*P型普克尔盒。 KD * P普克尔盒当外加电压引起电光晶体(如KD*P和BBO)的双折射变化时，普克尔盒会改变通过它的光的偏振状态。当与偏振器一起使用时，这些普克尔盒可以起到光开关或激光q开关的作用。通常情况下，激光腔内会加入q开关以缩短输出脉冲，从而产生峰值强度增强的光束。普克尔盒有两种设计结构 横向和纵向。横向普克尔盒是在电场垂直于光束的情况下工作的。由于光不能通过电极，这些普克尔盒通常使用不透明的金属电极，工作电压依赖于晶体长度。G&H LiNbO3、BBO和CdTe 普克尔盒采用了这种设计。纵向普克尔盒使电场与光束平行。有些设计使用透明的导电氧化铟锡(ITO)面电极、金属栅极、中间有孔的金属电极(让光束通过)，甚至是导电等离子体。另一种方法是将电极置于圆柱形晶体的圆筒上，靠近抛光面。这样就可以将电极从光束路径中移除，而且如果设计合理，也不会降低性能。G&H在其KD*P 普克尔盒的产品中使用了这种方法。(QX, CQX, IMPACT, TX系列普克尔盒)BBO普克尔盒对于高平均功率和高重复率的应用，G&H的LightGate BBO 普克尔盒是KD*P 普克尔盒的替代品。LightGate系列BBO 普克尔盒采用双晶体横向电场几何结构，以极小的驱动电压(4毫米孔径LightGate 4的驱动电压为~2.9 kV 1/ 4波电压，@ 1064 nm)。BBO具有较低的压电响应、良好的热稳定性和较低的吸收能力。由于BBO的压电耦合系数较低，光开关的重复频率可达数百KHZ。LightGate系列BBO 普克尔盒有多种配置，适用于不同的应用领域。这些普克尔盒用于再生放大器、高脉冲重复率微加工激光器和用于材料加工和金属退火的高平均功率激光器。产品应用二氧化碳激光器，激光熔合，材料加工，医疗和美学激光系统，金属退火，微加工，光学开关，petawatt激光器，再生放大器。产品列表普克尔盒驱动系统ProductRise/Fall TimeVoltage OutputRepetition RateApplicationQ-Drive Benchtop KD*P Pockels Cell Driver4-7ns1.5-4.5KV1-4.5KHZLaboratory Q-switchingR200 OEM BBO Pockels Cell Driver4-7ns0-2.5KV0-200KHZ,1MHZ burst modeOEM regenerative amplifiers,Pulse selectionQ -Drive OEM KD*P Pockels Cell Driver4-7ns1.5-4.5KV1-4.5KHZOEM Q-switchingR200 System Rack Mount BBO Pockels Cell Driver4-7ns0-2.5KV0-200KHZ,Lab-based laser system development,Pulse selection ,Regenerative amplifiersQDP-50 OEM Q-Drive for Flash Lamp Pumped Lasers7-10ns1.2-4.0KV0-50KHZFlash-Lamp pumped lasers,OEM Q-switching HVR-Drive BBO Pocels Cell driver10-15ns0-7.5KV0-200KHZOEM regenerative amplifiers,Pulse selectionHVR-System Rack-Mount BBO Pocels Cell driver10-15ns1.0-7.5KV0-200KHZLab-based laser system development,Pulse selection ,Regenerative amplifiers普克尔盒ProductWavelengthVoltage Contrast RatioActive ApertureOptical MaterialChiron 3 BBO Pockels cell0.2-1.65um500:1@1064nm3.25mmBBOCdTe IRX Mid-IR Pockels Cell5-12um500:1@10.6um3-7.4*10mmCdTePockels Cell Alignment for Single Pass Systems200-1650nmN/AN/ABBO,KD*PIMPACT Pockels Cell Datasheet300-1100nm2000:1@1064nm8-13mmKD*PQX1014A Short Path Length Pockels Cell 300-1100nm450:1N/AKD*PQX Series Pockels Cell 300-1200nmvaries9.25-19.5mmKD*PTX Pockels Cell300-1300nmvaries19.5-99mmKD*PLightGate Series BBO Pockels Cell300-1600nm1000:1@1064nm2.6-7mmBBO详细信息请与我们联系！

KD*P普克尔斯盒§ 结构紧致§ 超低吸收§ 超宽透过400 nm to 1100 nm应用:§ Q开关§ 腔倒空普克尔斯盒输出光偏振态随着施加于其电光晶体(如KD*P)电极上的电压变化而变化。将其与偏振器件配合使用，则会非常轻易实现高速的光学开关。这方面的典型应用包括Q开关，激光腔倒空，光学斩波器，以及再生放大器的光耦合。KD*P普克尔斯盒常用于400nm到1100nm范围的电光调Q。当前商用的闪光灯泵浦Nd:YAG激光器和低重复频率的二极管泵浦全固态 Nd:YAG激光器中，大部分都配置了KD*P普克尔斯盒。我们在KD*P电光晶体镀有抗高功率损伤的介质膜，同时我们还对PC12SR和D-Compact系列普克尔斯盒附有AR镀膜的保护窗片，这样在保证性能的基础上，还大大的提高了产品的使用寿命，在各种极端环境中获得了大量成功应用

LINOS 普克尔盒LINOS提供基于KD*P晶体、BBO晶体、RTPC晶体和LN晶体的各类普克尔盒产品，适用用波长范围广，损伤域之高，消光比优良。标准产品如下表所示： Fig.1 Linos 普克尔盒KD*P普克尔盒特性：（1）高氘化率： 98% （2）波前畸变：λ/4 （3）损伤阈值 : 500 MW/cm2 @ 1064 nm, 10 ns, 1 Hz (下同)(典型值，非保证值)（4）普通型,水浸型 (IM) 或者溶胶型 (SG) 版本可选 可选项：λ/4 波片典型参数表：晶体类型通光孔径( mm )透过率 (%)消光比( 无外加电压 )λ/4 电压(kV)@1064nm电容值( pf ) KD*P? 3.5-? 15不同通光孔径84-99500:1-3000:13.2 4-8BBO普克尔盒特性：（1）带压电衰减器 （2）适合作为高重复率Q开关 （3）波前畸变：λ/4 （4）损伤阈值 300 MW/cm2BBO?2.6、?3.6、?4.6、?5.698 1000:11.8、2.4、3.0、3.6 3.6、4.8、6.0 4/8RTP普克尔盒特性：（1）波前畸变：λ/4 （2） 适合作高重复率Q开关（3）损伤阈值： 600 MW/cm2RTPC?2.6、?3.698200:10.5、1.3、0.653LiNbO3普克尔盒特性：（1）晶体波前畸变：λ/4 （2）损伤阈值： 100 MW/cm2LiNbO37.45 x 7.45、9 x 9、5 x 598、99100:13、4.5、1.9 (+15-10 %) @2 μm- 安装座?紧凑和稳定型设计?可轻松调整俯仰、偏航和旋转?拥有精细螺纹调节?可兼容上至 35 mm的普克尔盒?用于 OEM 的特殊结构也可提供

普克尔斯盒(Pockels Cells) 应用:高重复频率激光器Q-switching应用：1 kHz – 1 MHz高重复频率激光器脉冲选择器特性:与BBO普克尔斯盒相比，所需HV电压小两倍可在高负荷强度下连续工作超低压电振铃效应标准产品孔径：3×3，4×4，6×6，8×8EKSMA OPTICS的新型PCK系列KTP普克尔斯盒基于特殊生长的高抗性KTP晶体。与RTP相比，KTP晶体具有非常良好的光学均匀性和高损伤阈值。其卓越的性能可胜任高负荷强度工作，并能在高电压条件下长时间稳定运行。

迈克尔逊型干涉仪 特性偏振相关耦合比（PDCR）的波动最小带有源混叠的集成平衡型信号探测指示光束输入（660纳米）以辅助对准包含干涉仪电源 迈克尔逊型INT-MST-1300B干涉仪组件设计用于波长范围在1250到1350纳米内，带有平衡探测装置的光学相干层析成像系统中。为了使用更快的扫描激光器，集成探测器的带宽已经增大到高达100MHz。该模块包括用于迈克尔逊干涉仪的光纤耦合网络，输出为参考臂和样品臂。内部所用的耦合器已经进行优化，具有平坦的波长响应和非常低的偏振相关耦合损耗。光纤的长度是与干涉仪的两臂均匹配，误差在0.2毫米以内，同时为了提高系统的坚固性和易用性，还配有FC/APC带角度的光纤适配器。为了抑制数字条纹信号中降低成像质量的混频的产生，集成的高增益的平衡型探测器（带宽100MHz）包含了一个有源的混叠滤波器。 为了支持将INT-MST-1300B对准到光学系统中，在组件中包含了一个660纳米指示激光器的附加输入，和一个专门设计的组合了扫描激光光源（1300纳米）和准直激光器（660纳米）的WDM耦合器。Item #INT-MSI-1300BOpticalInterferometer Wavelength Range1250 - 1350 nmFiber TypeSMF-28e+Input/Output PortFC/APCInsertion Loss*from 1300 nm IN to Sample Armand to Reference Arm Insertion Loss*from 660 nm IN to Probe4.5 dB MaxPath Length Difference0.2 mm MaxElectricalDetector Material/TypeInGaAs/PINTypical Responsivity Max1.0 A/WOutput Bandwidth (3 dB)DC - 100 MHzTransimpedance Gain100 kV/ASaturation Power**35 µ WMaximum Input Power**250 mWElectrical OutputSMADC Offset Power Supply± 12 V, 200 mA(PICO M8 con.)General Size4.72" x 3.15" x 0.827"(120 mm x 80 mm x 21 mm)* 包括输入和输出尾纤的接头损耗，在中心波长处测量。** 使用高阻抗负载，半值为50欧的阻抗，来测量相对输出功率的跨阻抗增益。图1显示了在时域OCT系统中的INT-MSI-1300B的示例装置。中心波长为1300纳米的输入宽带光源，通过一个环形器和宽带50/50熔融耦合器。来自干涉仪样品臂和参考臂的背反射光在50/50熔融耦合器中合束，产生干涉条纹，经过环形器和WDM耦合器后输入到平衡探测器。平衡探测器的输出信号被数据采集装置获取，经过处理后得到重建的OCT图像。图2描述了通过将参考臂的移动反射镜替换为固定式反射镜，IN-MSI-1300B如何集成到频域OCT系统中。图1: 在时域OCT设计中的INT-MSI-1300B的示意图图2: 在示例傅里叶域OCT设计中的INT-MSI-1300B的示意图干涉仪两臂的内部光纤长度匹配在0.2毫米以内，同时50/50熔融耦合器和平衡探测器的输入之间的光程也经过匹配，以获得最佳的噪声抑制（即最大的共模抑制比CMRR）。内部耦合器已经进行了优化，具有平坦的波长响应和非常低的PDCR（偏振相关耦合比），这使得探测信号几乎与输入的偏振变化无关。图3显示了在参考臂端和样品臂端输入功率的百分比。在1300纳米（中心波长）测量的两个端口的功率相等。图 3： INT-MSI-1300B在1300纳米测量的IN端口到样品臂和参考臂端口的耦合效率

应用于闪光灯泵纳秒激光器的OEM DKDP普克尔斯盒套件● 坚固的设计● M2 –快速开关● 无需相位延迟片的快速调QEKSMA OPTICS为闪光灯泵浦纳秒激光器定制普克尔斯盒整套方案。通过驱动DQ-0.2-5，普克尔斯盒在高压脉冲关闭，抑制振荡，在低压脉冲时打开，恢复振荡OEM DKDP普克尔斯盒调Q套件包括●低频普克尔斯盒驱动● 高压电源● DKDP普克尔斯盒

拓普迈克尔逊干涉仪WMG-1型仪器介绍：WMG-1型迈克尔逊干涉仪是我公司新近研制开发的用于高等院校和科研所验证相关物理光学实验的仪器。该仪器采用平台式铸铁底座，有效地提高了仪器的稳定性。拓普迈克尔逊干涉仪WMG-1型可开设实验：观察点光源非定域干涉观察等倾干涉条纹观察等厚干涉条纹观察白光干涉现象测定光源或滤光片的波长（例：He-Ne激光、钠光）测定钠黄双线波长差测量透明介质薄片折射率测量透明气体折射率拓普迈克尔逊干涉仪WMG-1型规格参数：动镜移动精度（微调）：0.0004mm动镜移动精度（粗调）：0.01mm动镜移动距离（微调）：1mm动镜移动距离（粗调）：12mm分束板和补偿板平面度：&le 1/20&lambda 激光输出功率：0.8-1mW系统成套性：迈克尔逊干涉仪主机 He-Ne激光器 一维可调升降底座等可选附件：低压钠灯 白光源 气室部件（气室、压力表、压气球） 法布里珀罗标准具

应用于高重复频率激光器的BBO普克尔斯盒套件● 坚固的设计● 高达100 kHz的重复频率● 无需外部水冷● 快速高压上升时间EKSMA OPTICS 为高重复频率纳秒激光器和锁模激光器提供完整的BBO普克尔斯盒解决方案。BBO Pockels Cells套件包括:● 高重频普克尔斯盒驱动● 高压电源r● BBO 普克尔斯盒

LINOS 普克尔盒LINOS提供基于KD*P晶体、BBO晶体、RTPC晶体和LN晶体的各类普克尔盒产品，适用用波长范围广，损伤域之高，消光比优良。标准产品如下表所示： Fig.1 Linos 普克尔盒KD*P普克尔盒特性：（1）高氘化率： 98% （2）波前畸变：λ/4 （3）损伤阈值 : 500 MW/cm2 @ 1064 nm, 10 ns, 1 Hz (下同)(典型值，非保证值)（4）普通型,水浸型 (IM) 或者溶胶型 (SG) 版本可选 可选项：λ/4 波片典型参数表：晶体类型通光孔径( mm )透过率 (%)消光比( 无外加电压 )λ/4 电压(kV)@1064nm电容值( pf ) KD*P? 3.5-? 15不同通光孔径84-99500:1-3000:13.2 4-8BBO普克尔盒特性：（1）带压电衰减器 （2）适合作为高重复率Q开关 （3）波前畸变：λ/4 （4）损伤阈值 300 MW/cm2BBO?2.6、?3.6、?4.6、?5.698 1000:11.8、2.4、3.0、3.6 3.6、4.8、6.0 4/8RTP普克尔盒特性：（1）波前畸变：λ/4 （2） 适合作高重复率Q开关（3）损伤阈值： 600 MW/cm2RTPC?2.6、?3.698200:10.5、1.3、0.653LiNbO3普克尔盒特性：（1）晶体波前畸变：λ/4 （2）损伤阈值： 100 MW/cm2LiNbO37.45 x 7.45、9 x 9、5 x 598、99100:13、4.5、1.9 (+15-10 %) @2 μm- 安装座?紧凑和稳定型设计?可轻松调整俯仰、偏航和旋转?拥有精细螺纹调节?可兼容上至 35 mm的普克尔盒?用于 OEM 的特殊结构也可提供

一,Mach-Zehnder干涉仪 800-1700nmOL-MZI系列马赫曾德干涉仪是用于扫描OCT系统，它内部包含一个固定臂差的MZI以及低噪声光电平衡探测器。该模块内平衡探测器用来提供K时钟信号。可以根据客户不同需求，定制不同波长以及不同臂差。该模块进行了减震隔热设计，最大限度确保模块的稳定性。技术参数型号OL-MZI-1300波长1225-1375nm自由光谱范围MZI输出103.3GHz±5%MZI两臂差2mm(其余臂差可以定做)纤类型SMF-28（PM可选）光纤接口FC/APC探测器类型InGaAs / PIN探测器波长800 - 1700nm平衡探测器带宽200MHz饱和功率50mW@1300nm连接器SMA工作电压/电流5V/0.5A（max）外形尺寸120*100*25mm二,λ/1000 D7系列超高精度激光干涉仪 632.8nm爱沙尼亚Difrotec公司的激光干涉仪是市场上高精度干涉仪的标杆产品，测量精度可达0.6nm(λ/1000). 其标杆产品D7激光干涉仪采用点衍射技术，主要用于高精度的表面（平面,球面,非球面,自由曲面）检测及透射波前检测。Difrotec在光学测试领域有多项世界纪录。λ/1000 D7系列超高精度激光干涉仪 632.8nm,λ/1000 D7系列超高精度激光干涉仪 632.8nm产品特点● 超高的绝对精度λ/1000 (0.6 nm)● 数值孔径：0.55 (f# 0.91)● 重复准确性(simple RMS)： 0.06 nm● 基于工作波长：632.8nm产品应用● 光纤干涉仪● 光学表面测量● 光纤传感技术参数● 峰谷绝对精度：±0.6nm（λ/1000）● 峰谷分辨率：0.05 nm（λ/12000）● 波前均方根重复性：0.23nm（λ/2800）● 简单均方根重复性：0.06 nm（λ/10500）● 激光类型和波长：稳定He-Ne，632.8nm● 数值孔径 NA:0.55（f 0.91）● 数据采集：相移干涉法（psi）测试结构1. Spherical concave surfaces2. Spherical convex surfaces3. 水平表面4. 光学系统 (波前质量测量)光学测试测量结果光学测试和测量服务包括测试光学系统的凹面、凸面、角立方体、平面、非球面、自由曲面和透射波前的表面形状，以及曲率半径的测量。（测试您的光学系统）光学设计与制造基于在高精度光学系统计算机建模方面30多年的经验，我们建立了自己的合作伙伴关系来设计和制造高质量的光学系统。我们在光学制造领域的长期合作伙伴是韩国理工大学。产品尺寸图测试服务● 测试球面、平面、非球面和自由曲面● 光学系统传输波前的测试● 曲率半径测量● 光学设计与制造三, 水听器用法拉第旋转镜迈克尔逊干涉仪 1310/1550nm法拉第旋镜FRM (Faraday Rotator Mirror)法是抑制干涉型光纤传感系统偏振诱导信号衰落的一种重要方案,它在理论上可以完quan消除偏振衰落,但是由于所选FRM的旋转角度并非精确的45°,系统中会出现残余偏振诱导相位噪声.水听器用法拉第旋转镜迈克尔逊干涉仪可以控制两臂长度差再1mm以内，实现低成本小型化设计。水听器用法拉第旋转镜迈克尔逊干涉仪 1310/1550nm,水听器用法拉第旋转镜迈克尔逊干涉仪 1310/1550nm产品特点● 抗潮湿 ● 耐压力● 小型化 ● 专为水听器廓显著简化应用光学设计产品应用● 光纤传感● 光纤水听器技术参数结构单位1X2/2X2工作波长nm1310/1550工作带宽nm±20nm操作功率mW500插入损耗dB3.8偏振损耗dB0.1分光比偏差%3旋转角度Deg45臂长差误差mm1光纤型号SMF-28E+光纤直径um9/125封装尺寸mm2.4X25-2.4x12干涉光路极限测试条件高温贮存温度：+85P ±3,05000小时低温贮存温度：-55X) ±3t)5000小时咼温高湿温度：+85P ±2t) 湿度 2=85%2000小时局低温循环温度范围：-40P ~ +85Q 变温速率N 5t) /min保温时间(@-40,0, @85( ) : 30min1000个循环温度冲击温度范围：-551~ +85*0保温时间(@-55*0, @85*0) : 30min 高温与低温的转换时间w 5min10次机械冲击试验波形：半正弦波 实验方向：6个方向(3个轴)峰值加速度：1500g 脉冲持续时间：6 ~ 8ms毎个方向各5次机械振动试验波形：正弦波 试验方向：横向与纵向加速度峰值：20g 频率范围：20 ~ 2000Hz 持续时间：4min/次每个方向4次气密性检查起始压力：0.2MPa 氢示踪气体：95% ~ 100% 加压时间：2hrs漏率w 1.0x lO^Pa &bull m3/s高低温在线测试温度范围：-40 ~ +85P, 保温时间(@-40*0, @25七，@85*0) : 5min0.002dBTO四,Michelson 迈克尔逊PLX 单片干涉仪(NIR近红外 FTIR红外 )Michelson干涉仪能够永jiu对准，不需要调整，而且有着出色的光学稳定性和无与伦比的抗振能力。干涉仪与PLX中空后向回射器结合，能够为红外光谱仪(FTIR)提供基础。Michelson 迈克尔逊PLX 单片干涉仪(NIR近红外 FTIR红外 ),Michelson 迈克尔逊PLX 单片干涉仪(NIR近红外 FTIR红外 )产品特点灵活的光路紧凑的尺寸支持近红外中红外波段产品应用中红外光谱分析仪技术参数迈克尔逊干涉仪的基本原理：MOST基本结构:NIR干涉仪INT 05这个装置是坚固的，永不需调整。在一个臂上增加一个移动反光镜以完成干涉仪，并允许光路差在零OPD附近变化。坚固的结构和永jiu对准的特点，意味着 INT 05 系列干涉仪很适合您更高精度的近红外分析仪的应用。 INT05-N“INT05-N 单片Michelson干涉仪”提供给那些希望拥有专用“近红外FTIR光谱仪” 的公司，具有坚固的结构和永jiu对准的特点specificationsClear ApertureΦ 0.50in/ 12.7mmExiting Wavefront0.10 waves P.V. @ 633nmOperating Range2940-7700 cm-1Mass210 gramsOperating Temperature15° - 40°COperating Thermal Gradient2°C ABSOLUTE 2°C/ 100mm六,1060±60nm MZI 干涉仪1060±60nm MZI 干涉仪 (平衡探测器 带宽1G) Mach-Zehnder Interferometer1060±60nm MZI 干涉仪,1060±60nm MZI 干涉仪产品特点光学相干层析可定制不同波长可定制不同臂差MZI带平衡探测器输出减震隔热设计结构紧凑产品应用光学相干层析其他科研应用通用参数产品型号OL-MZI-1060 单位探测器类型InGaAs波长1000~1100nm平衡探测器带宽1GHzMZI 两臂差6.8@光纤（10mm@空气）mm连接器SMA光线类型HI1060光学输入FC/APC电源接口航空插头工作电压/电流12V/0.2A（max）外形尺寸120*100*25mm结构尺寸 单位：mm