大面积功率探测器

200,000 cps 典型分辨率MnKa 125eV 可探测Be SDD晶体真空封装提高氧的探测性能 单一脉冲处理器 自动收缩

正比计数器proportional counter　　用气体作为工作物质，输出脉冲幅度与初始电离有正比关系的粒子探测器，可以用来计数单个粒子，并根据输出信号的脉冲高度来确定入射辐射的能量。这种探测器的结构大多采用圆柱形，中心是阳极细丝，圆柱筒外壳是阴极，工作气体一般是隋性气体和少量负电性气体的混合物。入射粒子与筒内气体原子碰撞使原子电离，产生电子和正离子。在电场作用下，电子向中心阳极丝运动，正离子以比电子慢得多的速度向阴极漂移。电子在阳极丝附近受强电场作用加速获得能量可使原子再电离。从阳极丝引出的输出脉冲幅度较大，且与初始电离成正比。正比计数器具有较好的能量分辨率和能量线性响应，探测效率高，寿命长，广泛应用于核物理和粒子物理实验。　　1-50keV的X射线经常用正比计数器进行探测。要求是具有较薄的入射窗口，以获得较低的低能端探测下限，较大的观测面积，以及良好的气密性。常用的是铍窗正比计数器。当代X射线探测器多采用正比计数器阵列和装有多根阳极丝和阴极丝的多丝正比室，以获得更大的有效观测面积。　　近年来制作的气体闪烁正比计数器，能量分辨率比一般气态正比计数器约高一倍。为了观测较弱的X射线源，需要高灵敏度的探测器，为此制作了大面积窗口正比计数器，如小型天文卫星-A携带的窗口面积为840厘米的铍窗正比计数器，采用的是正比计数器组合的方法。此外，确定X射线源的位置需要有高分辨率的探测器；而为了制造这种探测器，就相应地需要制作对测定位置灵敏度高的正比计数器。

雷达式微波探测器是一种将微波收、发设备合置的探测器，工作原理基于多普勒效应。微波的波长很短，在1mm～1000mm之间，因此很容易被物体反射。微波信号遇到移动物体反射后会产生多普勒效应，即经 反射后的微波信号与发射波信号的频率会产生微小的偏移。此时可认为报警产生。 　　雷达式微波探测器采用多普勒雷达的原理，将微波发射天线与接收天线装在一起。使用体效应管作微波固态振荡源，通过与波导的组合，形成一个小型的发射微波信号的发射源。探头中的肖基特检波管与同一波导组成单管波导混频器作为接收机与发射源耦合回来的信号混频，从而得到一个频率差，再送到低频放大器处理后控制报警的输出。微波段的电磁波由于波长较短，穿透力强，玻璃、木板、砖墙等非金属材料都可穿透。所以在安装时不要面对室外，以免室外有人通过引起误报。金属物体对微波反射较强，在探测器防范区域内不要有大面积（或体积较大）物体存在，如铁柜等。否则在其后阴影部分会形成探测盲区，造成防范漏洞。多个微波探测器安装在一起时，发射频率应该有所差异，防止交叉干扰产生误报。另外，如日光灯、水银灯等气体放电光源产生的100Hz调制信号由于在闪烁灯内的电离气体容易成为微波的运动反射体而引起误报。使用微波入侵探测器灵敏度不要过高，调节到2/3时较为合适。过高误报会增多。与超声波一样家庭也可以使用。 雷达式微波探测器对警戒区域内活动目标的探测范围是一个立体防范空间，范围比较大，可以覆盖60°至90°的水平辐射角，控制面积可达几十到几百平方米。雷达式微波探测器的发射能图与所采用的天线结构有关，采用全向天线（如1/4波长的单极天线）可产生近乎圆球形或椭圆形的发射范围，这种能场适合保护大面积的房间或仓库等处。而采用定向天线（如喇叭天线）可以产生宽泪滴形或又窄又长的泪滴形能图，适合保护狭长的地点，如走廊或通道等。

D*=（A*f）^0.5/NEP,其中A是探测器光敏元面积，f是电子学带宽，NEP是噪声等效功率。相信大家都知道，光谱成像在探测器光敏元上不可能只占一个像元，而是有一定面积的，请问此时计算D*，A 是用一个像元的面积还是光谱所占的面积？

象山港大面积赤潮,赤潮仍将持续　　8月12日，象山港海洋环境监测站发现，浙江船厂邻近海域一带，暴发了面积约170平方公里，水体呈红色的赤潮。　海水浑浊不堪，整片海水呈褐色　 8月14日，赤潮面积扩大至整个象山港海域，面积高达390平方公里，水体颜色呈深褐色。 讨论造成大面积赤潮原因及危害.

一般实验室需要配置多大面积？

最近要做有关物质了，想问问各位，多大面积的峰可以不算杂质？这个有标准么？？急急....

安置一台GCMS要多大面积的实验室好啊，包括附属设备。谢谢大家。

谁知道 X-Max----超大面积SDD电制冷能谱是个啥子东西？我们目前用的是液氮冷却的普通EDS，看一些资料都说SDD如何的好，但它也应该有自己的不足，请专家指点一二，看看新型的SDD能谱仪到底好在哪里呢？记得几年前曾经就SDD探头有过激烈的争论，不知到现在这个技术又有什么新的进展了。

我公司正在研发个人辐射剂量仪和荧光光谱仪产品，需采购一批不同面积的sipin探测器样品做测试，不知道大家有什么好的推荐。我公司倾向于使用国产产品，如果有相关产品，希望大家帮忙推荐一下。这个店里的国产探测器，联系过卖家，卖家说量太小。不知道大家对这家产品有什么了解。

紫外消毒的范围是多少！多大面积安装一根紫外灯是合适的。

电镜上现在用的SDD探测器，一般情况下窗厚度和面积是多少？是铍窗还是聚合物窗？晶体厚度是300u(从10Kev，效率锐减）还是450u？耐压力差能达到多少Pa/S?

[img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2010/04/201004010843_209330_1611705_3.gif[/img]广西、云南和贵州等省区，去冬今春以来，遭遇了百年未遇的旱灾，百姓生活用水、农业生产、牲畜饮水受到严重威胁，并且旱情至今没有任何缓解的迹象。当政府、社会团体和广大百姓在积极投入抗灾之时，笔者想向所有民众问询一个问题，那就是这场旱灾是否与这几个省区近年来生态林大规模被砍伐，然后大面积种上速生桉，是否有无联系？这几个省区近年来为了发展经济，相继引进了金光和斯道拉恩索纸业巨头，而这两家公司为了保证纸业生产所需的原材料，大力在广西、云南、贵州等西南省区发展和种植速生桉，这些地区原有的生态林遭到大规模的破坏。金光集团和斯道拉恩索两家公司在全球破坏生态林的行为，已经遭到众多国际组织的谴责，可谓臭名昭著。这两家企业为了自身的发展，就把目光瞄准了只顾经济发展，不惜牺牲环境的中国。在当地政府的默认和保护下，这两家企业在中国南方大面积推广和种植速生桉。大面积种植速生桉，一般对环境会产生如下危害：[b]1、速生桉是“抽水机”[/b]速生桉对土壤的水分需求极大，大面积种植会导致地下水位下降，保持水的能力很差，土地表面板结，还出现土地沙化现象。据报道，广州市花都区赤坭镇10年前种植了大量速生桉。10年过去，树间流淌的小溪流接二连三地干涸了，山脚下的水井越取越深；一些村子里以往甘甜的泉水还变得苦涩了。[b]2、速生桉是“抽肥机” [/b]速生桉对土壤的肥料和养分需求极大，凡种植了速生桉的地方，土地肥力下降乃至枯竭，原始植被因为得不到足够的肥料和养分而受到严重破坏，引发土地退化，水土保持情况恶化，土地贫瘠，以后再引进种植其他植物根本无法存活。土壤强度侵蚀比例逐年升高，山体滑坡和洪涝灾害增多。[b]3、速生桉是“霸王树”[/b]速生桉对当地乡土的原产、原生物种具有极大的抑制性。它生长了，其他物种就会慢慢地萎缩，最后造成速生桉种植地都是地表光秃秃的，地上没有草、灌木，也没有小乔木及各种中草药材等。速生桉林中动物十分稀少甚至绝迹，生物多样性水平极低，生物食物链断裂，生态十分脆弱，缺少天敌对虫害进行控制，很易感染虫灾，容易导致小气候变化等严重的生态危机。[b]4、速生桉施用的化工产品毒性强、毒效长[/b]种植速生桉时施用某些毒性、毒效长的化工产品，该产品一旦施加在土地里，将很难清除干净，对水质污染极大。另外，速生桉发出的气味对人体有刺激和毒害作用。虽然目前对速生按是否危害生态环境还众说纷纭，未有定论，但可以肯定的是大规模发展速生桉的确存在潜在危险。正如第4条所讲，“虽然目前对速生按是否危害生态环境还众说纷纭，未有定论，但可以肯定的是大规模发展速生桉的确存在潜在危险。”官方对于西南省区的旱灾至今没有说明形成的原因，但这些地区生态林遭到严重破坏和大规模种植速生桉是不争的事实。速生桉对于植被和水源的破坏，已经是获得了一致的共识，在诸如日本、澳大利亚和越南、柬埔寨这样的小国，都禁止大规模、大面积种植速生桉，避免由此而引起的环境灾难和生态灾难。笔者对于这次旱灾诱发的原因，仅仅也是基于生态林被破坏和大规模种植速生桉的一种猜测。一个地方追求经济的发展是没有错，但是在追求经济发展的同时，一定要评估这些产业是否产生严重的后果，不要为了眼前的二两猪肉钱，放弃了长远的子孙利益。任何事物都必须遵循自然规律这一法则，一旦违背这一规则，必将受到自然界的严惩。————————————————————————————————————————————————————————————————————————进入2010年，西南地区的人们陷入与干旱的鏖战中。持续高温少雨天气，导致云南、贵州、四川、广西、重庆的旱情持续加重。云南大部分地区干旱等级升至百年以上一遇。近日，记者深入云南旱灾最严重的地方之一文山州，今年以来，文山平均降雨量只有4.6毫米。砚山县是文山州旱情最重的四个县之一。在那里，河水枯竭、水井见底、土地龟裂，灾情触目惊心。[b]水成最珍贵的礼物 [/b]位于群山顶峰、海拔1800米的文山州砚山县阿猛镇水塘村大榔树组，是云南最干旱的村落之一。山山相连，峰峰相接是砚山县阿猛镇的地理概貌。阿猛镇地处广西和云南两地三县交界处的边缘地带，是一个苗族、壮族、白族等少数民族聚集的乡镇。和众多山脚下的村落不同，大榔树组居民简陋的黑瓦土房都修建在山顶，稀稀落落散布着。87户居民中，50户为苗族，37户为白族。因距离阿猛镇40公里，且不通公路，当地政府的“爱心水”一度无法送到这里。断水20多天后，村领导徒步半天来到镇里汇报灾情，方才引起重视。3月18日是水塘村村支书李少中的母亲50岁生日，李少中的大姐夫用牛车拉了100公斤水给岳母祝寿。因送水有功，大姐夫被安排坐在上席。李少中为表示对大姐夫的感激之情，特意敬了一杯酒。“现在谁家办红白喜事，水是最珍贵的礼物。”大榔树组小组长李振勇这样说。[b]一周洗一次碗筷节水 [/b]60岁的彭文仙，看到几个陌生人来到自家门前，有些激动。“感谢你们呀，不是你们我们都要渴死了。”老人误把记者当做送水的乡镇干部。在她背后，是3个10岁左右的男孩。见到陌生人，孩子们有些局促地躲在老人身后，黑乎乎的脸和乱糟糟的头发，表明他们已经很久没有洗脸和洗头了。“洗澡？”听到记者询问，老人不好意思地笑起来。村支书李少中说，为了节约用水，村民几乎一周洗一次脸，洗一次衣服，洗一次碗筷。记者在一个村子里看到一位大妈在洗衣服，晾衣绳上挂了二三十件衣服。“我们家快一个月没洗衣服了，衣服都是穿脏了就在太阳下面晒晒，然后再穿，再脏再晒，一般穿了三遍我们才洗一次，这样就攒了这么一大堆。”[b]3个月没吃到新鲜蔬菜 [/b]干旱让蔬菜成了奢侈品。村民李大友开始从山上采野菜“饿羊菜”吃，这是羊饿急了才肯吃的植物，需要用水泡六七天才能除掉菜里的涩味。除了“饿羊菜”，李大友家的一日三餐就是盐水伴着干菜下饭。“3个月没有新鲜蔬菜了，很多村民都到山里去找一点野菜。”村干部说，因为天旱，找到一点野菜先留给孩子和老人，壮劳力吃腌肉凑合。文山州翁达村村民林光德也说，家里不怎么吃青菜，只有每星期一次的集市上可以买点。但是很贵，以前两三毛钱一斤，现在都要一块多。这里的人一星期能吃上一次青菜就很了不起了。平时都是吃咸菜、腐乳来下饭，差不多忘记青菜的味道了。[b]村支书哭劝村民外出打工 [/b]“连吃的水都没有，哪来的水种庄稼。”几个月来，水塘村村支书李少中最主要的工作就是帮助村民找水源，但在多次努力失败后，他失去了耐心，开始一家一户上门，劝村民外出打工，要不投靠亲戚渡过难关。“出去吧，难道在这里等着渴死吗？”李少中和村干部这样劝村民。在大榔树组，目前除了几个村干部坚守外，其他村民都外出寻找生路去了。其中外出打工的有50多人，占到村里人口的六分之一。“我对他们说，你们出去吧。家里剩下老人和孩子，我们帮着照看。”李少中说。不少村民有些犹豫，他甚至哭着劝他们离开。

【作者】：刘瑞鹏 刘桥 祁志美【题名】：基于散射光功率比值测量的抗扰浊度探测器【期刊】：光学精密工程. 2011,19(06)【年、卷、期、起止页码】：【全文链接】：https://kns.cnki.net/kcms/detail/detail.aspx?filename=GXJM201106008&dbcode=CJFD&dbname=CJFD2011&v=kfGrYPMOsJwiGI70aX40NWzVG0Vqecrw4sx1J48FIETofQr2lmbh4LPTl6W99RJL

同样是Si(Li)晶体的探测器仪器，如何选择？主要是看晶体的面积，晶体面积越大，探测效率越高，灵敏度越高，性能越好，价格越贵。目前国际市场的上晶体面积从5mm2 8mm2,10mm2.,15mm2 30mm2……都有一般认为15mm2以上的晶体为高灵敏度晶体。同时需要注意分辨率指标，一般来说晶体面积越小，分辨率越好。晶体面积越大，分辨率数会越大。当分辨率满足170eV内时，应选择较大的晶体，已获得较好的灵敏度和分析效率。当然晶体面积与价格成正比。SDD 晶体与Si(Li) 晶体在技术上有何不同？SDD晶体技术是一种新的技术，出现在市场上约6-7年时间。国内市场常见到的有晶体面积　5mm2 8mm2,10mm2 由于该晶体的厚度仅有0.3mm., 因此对高能端的元素探测器效率较低。而对低能端的元素具有较好的探测器效率。因此，该种晶体的探测器适用于11-29号Ka线范围和其它La线元素的分析。目前这种技术仍在完善中。一般常用于扫描电镜能谱仪上使用。在荧光能谱仪上不适合多元素同时分析的工作Si(Li) 晶体具有较长时间的生产历史，（20世纪60年开始面试）具有稳定的性能，分析元素范围可达 4号Be -- 92号 U 晶体厚度达3mm以上。可满足高能端元素的分析要求。适合多元素同时分析要求 Si(Li)晶体 丨 SDD 晶体晶体面积 10mm2,15mm2,30mm2 50mm2 丨 5mm2 8mm2,10mm2,30mm2晶体厚度 3mm 丨 0.3mmMn Ka 分辨率129-155eV 丨 149eV --165eVKa 分析元素范围0.3mm 丨 0.3mmMn Ka 分辨率260eV 149eV --165eVKa 分析元素范围 10 KeV 丨 10KeV历史 2001 丨2002国际市场价格2000USD-4000USD 丨12000USD-20000USD由于该探测器分辨率较差，因此不能分析相邻的元素，如Ni,Cu, Zn 不能同时分析

看书时有几句话不理解。 1，为什么探测器面积愈小，分辨率愈好？ 2，面积固定情况下，时间常数增加，光子测量量得更准，相应的分辨率也更好，为什么？ 求高手指点下！ 不胜感激！

高速响应的中波红外探测器在自由空间光通信和频率梳光谱学等新兴领域的需求逐渐增加。中长波XB?n势垒型红外光探测器对暗电流等散粒噪声具有抑制作用。近期，由中国科学院半导体研究所、昆明物理研究所、中国科学院大学和陆装驻重庆军代局驻昆明地区第一军代室组成的科研团队在《红外与毫米波学报》期刊上发表了以“非制冷势垒型InAsSb基高速中波红外探测器”为主题的文章。该文章第一作者为贾春阳，通讯作者为赵俊总工程师和张逸韵研究员。本工作制备了不同直径的nBn和pBn结构的中波InAsSb/AlAsSb红外接地-信号-接地（GSG）探测器。对制备的探测器进行了变温暗电流特性，结电容特性和室温射频响应特性的表征。[align=center][size=18px][back=#ffff00][b]材料生长、器件制备和测试[/b][/back][/size][/align]通过固态源分子束外延装置在2英寸的n型Te-GaSb衬底上外延生长nBn和pBn器件。势垒型器件的生长过程如下所示：先在衬底上生长GaSb缓冲层来平整表面以及减少应力和位错，接着生长重掺杂（101? cm?3）n型InAsSb接触层，然后生长2.5 μm厚的非故意掺杂（101? cm?3）InAsSb体材料吸收层。之后生长了150 nm厚的AlAsSb/AlSb数字合金电子势垒层，通过插入超薄的AlSb层实现了吸收区和势垒层的价带偏移的显著减少，有助于空穴向接触电极的传输，同时有效阻止电子以减小暗电流。最后分别生长300 nm厚的重掺杂（101? cm?3）n型InAsSb和p型GaSb接触层用于形成nBn和pBn器件结构。其中，Si和Be分别被用作n型和p型掺杂源。生长后，通过原子力显微镜（D3100，Veeco，USA）和高分辨X射线衍射仪（Bede D1，United Kingdom）对晶片进行表征以确保获得高质量的材料质量。通过激光划片将2英寸的外延片划裂为1×1 cm2的样片。样片经过标准工艺处理，包括台面定义、钝化和金属蒸镀工艺，制成直径从10 μm到100 μm的圆形台面单管探测器。台面定义工艺包括通过电感耦合等离子体（ICP）和柠檬酸基混合溶液进行的干法刻蚀和湿法腐蚀工艺，以去除器件侧壁上的离子诱导损伤和表面态。器件的金属电极需要与射频探针进行耦合来测试器件的射频响应特性，因此包括三个电极分别为Ground（接地）、Signal（信号）和Ground，其中两个Ground电极相连，与下接触层形成欧姆接触，Signal电极与上接触层形成欧姆接触，如图1（c）和（f）所示。通过低温探针台和半导体参数分析仪（Keithley 4200，America）测试器件77 K-300 K范围的电学特性。器件的光学响应特性在之前的工作中介绍过，在300 K下光电探测器截止波长约为4.8 μm，与InAsSb吸收层的带隙一致。在300 K和反向偏置为450 mV时，饱和量子效率在55%-60%。通过探针台和频率响应范围10 MHz-67 GHz的矢量网络分析仪（Keysight PNA-XN5247B，America）对器件进行射频响应特性测试。[align=center][size=18px][back=#ffff00][b]结果与讨论[/b][/back][/size][/align][b]材料质量表征[/b]图1（a）和（d）的X射线衍射谱结果显示，从左到右的谱线峰分别对应于InAsSb吸收层和GaSb缓冲层/衬底。其中，nBn和pBn外延片的InAsSb吸收区的峰值分别出现在60.69度和60.67度，GaSb衬底的峰值则出现在60.72度。因此，InAsSb吸收层与GaSb 衬底的晶格失配分别为-108 acsec和-180 acsec，符合预期，表明nBn和pBn器件的InAsSb吸收区和GaSb衬底几乎是晶格匹配的生长条件。因此，nBn和pBn外延片都具有良好的材料质量。原子力显微镜扫描的结果在图1的（b）和（e）中，显示出生长后的nBn和pBn外延片具有良好的表面形貌。在一个5×5 μm2的区域内，nBn和pBn外延片的均方根粗糙度分别为1.7 ?和2.1 ?。[align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/92230b98-4dac-4ee0-aeaa-282dcd342995.jpg[/img][/align][align=center][color=#0070c0]图1 （a）和（a）分别为nBn和pBn外延片的X射线衍射谱；（b）和（e）分别为nBn和pBn外延片的原子力显微扫描图；（c）和（f）分别为制备的圆形GSG探测器的光学照片和扫描电子照片[/color][/align][b]器件的变温暗电流特性[/b]图2（a）显示了器件直径90 μm的nBn和pBn探测器单管芯片的温度依赖暗电流密度-电压曲线，通过在连接到Keithley 4200半导体参数分析仪的低温探针台上进行测量。图2（b）显示了件直径90 μm的nBn和pBn探测器在77 K-300 K下的微分电阻和器件面积的乘积R?A随反向偏压的变化曲线，温度下降的梯度（STEP）为25 K。图2（c）显示了在400 mV反向偏压下，nBn和pBn探测器表现出的从77 K到300 K的R?A与温度倒数（1000/T）之间的关系，温度变化的梯度（STEP）为25 K。[align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/a8f8001f-cd03-42f4-a32f-8b1acc94131d.jpg[/img][/align][align=center][color=#0070c0]图2 从77K到300K温度下直径90 μm的nBn和pBn探测器单管芯片（a）暗电流密度-电压曲线；（b）微分电阻和器件面积的乘积R?A随反向偏压的变化曲线；（c）R?A随温度倒数变化曲线[/color][/align][b]器件暗电流的尺寸效应[/b]由于势垒型红外探测器对于体内暗电流可以起到较好的抑制作用，因此研究人员关注与台面周长和面积有关的表面泄露暗电流，进一步抑制表面漏电流可以进一步提高探测器的工作性能。图3（a）显示了从20 μm到100 μm直径的nBn和pBn器件于室温工作的暗电流密度和电压关系，尺寸变化的梯度（STEP）为10 μm。图3（b）显示从20 μm-100 μm的nBn和pBn探测器的微分电阻和台面面积的乘积R?A随反向偏压的变化曲线。图3（d）中pBn器件的相对平缓的拟合曲线说明了具有较高的侧壁电阻率，根据斜率的倒数计算出约为1.7×10? Ωcm。[align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/e7fba8aa-eabe-40a4-a863-6ebcdd264744.jpg[/img][/align][align=center][color=#0070c0]图3 从20 μm到100 μm直径的nBn和pBn器件于室温下的（a）暗电流密度和电压变化曲线和（b）R?A随反向偏压的变化曲线；（c）在400 mV反偏时，pBn和nBn器件R?A随台面直径的变化；（d）（R?A）?1与周长对面积（P/A）变化曲线[/color][/align][b]器件的结电容[/b]图4（a）显示了使用Keithley 4200 CV模块在室温下不同直径的nBn和pBn探测器的结电容随反向偏压的变化曲线，器件直径从20 μm到100 μm按照10 μm梯度（STEP）变化。对于势垒层完全耗尽的pBn探测器，预期器件电容将由AlAsSb/AlSb势垒层电容和InAsSb吸收区耗尽层电容的串联组合给出，其中包括势垒层和上接触层侧的InAsSb耗尽区。[align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/c09b63df-6442-42f2-b548-df4f539db6eb.jpg[/img][/align][align=center][color=#0070c0]图4 （a）在室温下不同直径的nBn和pBn探测器的结电容随反向偏压的变化曲线；（b）反偏400 mV下结电容与台面直径的变化曲线。[/color][/align][b]器件的射频响应特性[/b]通过Keysight PNA-X N5247B矢量网络分析仪、探针台和飞秒激光光源，在室温和0-3 V反向偏压下，对不同尺寸的nBn和pBn探测器在10 MHz至67 GHz之间进行了射频响应特性测试。根据图5推算出在3V反向偏压下的40 μm、50 μm、70 μm、80 μm、90 μm、100 μm直径的圆形nBn和pBn红外探测器的3 dB截止频率（f3dB）。势垒型探测器内部载流子输运过程类似光电导探测器，表面载流子寿命对响应速度会产生影响。[align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/95acbbf7-8557-4619-b4cd-5829d636aced.jpg[/img][/align][align=center][color=#0070c0]图5 在300 K下施加-3V偏压的40 μm、50 μm、70 μm、80 μm、90 μm、100 μm直径的nBn和pBn探测器的归一化频率响应图[/color][/align][align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/541829b0-a336-4b7e-a75b-0a15f8dfd06a.jpg[/img][/align][align=center][color=#0070c0]图6 不同尺寸的nBn和pBn探测器（a）3 dB截止频率随反向偏压变化曲线；（b）在3 V反向偏压下的3 dB截止频率随台面直径变化曲线[/color][/align]图6（a）展示了对不同尺寸的nBn和pBn探测器，在0-3 V反向偏压范围内的3 dB截止频率的结果。随着反向偏压的增大，不同尺寸的器件的3 dB带宽也随之增大。因此，在图6（a）中观察到在低反向偏压下nBn和pBn器件的响应较慢，nBn探测器的截止频率落在60 MHz-320 MHz之间而pBn探测器的截止频率落在70 MHz-750 MHz之间；随着施加偏压的增加，截止频率增加，nBn和pBn器件最高可以达到反向偏压3V下的2.02 GHz和2.62 GHz。pBn器件的响应速度相较于nBn器件提升了约29.7%。[align=center][size=18px][back=#ffff00][b]结论[/b][/back][/size][/align]通过分子束外延法在锑化镓衬底上生长了两种势垒型结构nBn和pBn的InAsSb/AlAsSb/AlSb基中波红外光探测器，经过台面定义、工艺钝化工艺和金属蒸镀工艺制备了可用于射频响应特性测试的GSG探测器。XRD和AFM的结果表示两种结构的外延片都具有较好的晶体质量。探测器的暗电流测试结果表明，在室温和反向偏压400 mV工作时，直径90 μm的pBn器件相较于nBn器件表现出更低的暗电流密度0.145 A/cm2，说明了该器件在室温非制冷环境下表现出低噪声。不同台面直径的探测器的暗电流测试表明，pBn器件的表面电阻率约为1.7×10? Ωcm，对照的nBn器件的表面电阻率为3.1×103 Ωcm，而pBn和nBn的R?A体积项的贡献分别为16.60 Ωcm2和5.27 Ωcm2。探测器的电容测试结果表明，可零偏压工作的pBn探测器具有完全耗尽的势垒层和部分耗尽的吸收区，nBn的吸收区也存在部分耗尽。探测器的射频响应特性表明，直径90 μm的pBn器件的响应速度在室温和3 V反向偏压下可达2.62 GHz，对照的nBn器件的响应速度仅为2.02 GHz，相比提升了约29.7%。初步实现了在中红外波段下可快速探测的室温非制冷势垒型光探测器，对室温中波高速红外探测器及光通讯模块提供技术路线参考。[b]论文链接：[/b][url]http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/article/abstract/2023157[/url][来源：MEMS][align=right][/align]

今天惊悉，国内有传言，说海水被日本核污染，于是乎大家开始疯抢食盐，于是乎政府也开始出来辟谣，可怜的广大老百姓啊，为啥不动动脑筋呢？海洋那么大，一点点核泄漏合一污染那么大面积的海洋吗？中国的沿海所路径的洋流是从日本来的吗？海盐的加工工序那么多，即使沿海的海水有污染，最终在食盐里的有多少呢？为什么呀，可怜的广大老百姓，要被奸商的一些谣言所迷惑，疯狂抢购食盐？！把自己辛辛苦苦挣在口袋那点银子奉献给奸商啊？！

我公司最近想上个人剂量仪这个产品，感觉个人剂量仪产品需求在未来几年会有个井喷的过程。现在正在进行研发，关于个人剂量仪中的探测器的选择，我还是拿不准，是用计数管还是用硅半导体呢？各有什么特点？另外，我发现硅半导体探测器好像都是进口的。前两天在论坛里发现一个提供国产sipin探测器的帖子，里面贴的是一种国产sipin探测器，不知道大家对这个有没有了解？性能方面怎么样？请大家帮忙给鉴定鉴定，谢谢了！国产sipin探测器地址：http://chensc1103.cn.alibaba.com/,这个站我打开过，是阿里巴巴的。万分感谢！

中国科技网讯 据物理学家组织网5月16日（北京时间）报道，西班牙塞西斯光学技术研究所用石墨烯结合量子点成功研发出一种混合型光电探测器，灵敏度是其同类探测器的10亿倍。研究人员指出，该研究预示了石墨烯在光学传感器和太阳能电池领域的新应用。相关论文发表在最新一期《自然·纳米技术》上。 石墨烯在光电子学和光电探测应用领域极有潜力，具有光谱带宽广、响应迅速的优点，但缺点是光吸收能力弱，缺乏产生多倍载荷子的增益机制。目前的石墨烯光电探测器响应度（一定波长的光在入射功率作用下的输出电流）在0.01A/W以下。 研究人员解释说，所需要的是一种迫使更多光被吸收的方法，石墨烯吸收光的效率仅为3%。为了提高光吸收率，他们转向了量子点。量子点是一种纳米晶体，能根据自身大小吸收不同波长的光。从本质上讲，光电探测器是一种把少量光转化为微小电流的设备，通过检测电流来确定有多少光进入了设备，或者直接用该电流产生其他反应，比如辅助产生摄影图像。 为了制造光电探测器，研究小组首先用标准的胶带法剥离出一层石墨烯作底片，用纳米印刷术在上面印上微小的黄金电极，然后用喷雾瓶将硫化铅晶体喷在上面。这些胶状晶体包含了各种大小的颗粒，几乎能吸收所有波长的光。他们用不同波长的光来照射探测器，检测其电阻和电量。 在制造量子点时，要保证在量子点和石墨烯之间实现配位体交换最大化，最大困难是找到合适的材料组合。研究人员说，他们经多次试验，终于使内量子效率达到了25%。在探测器中，量子点层中的光强烈而且可调，生成的电荷传导到石墨烯，在此电流多次巡回，响应度达到了107A/W。 研究人员还指出，在这种光电探测器基础上，还能造出更多新设备，如数字摄像机、夜视镜以及其他多种传感器设备。（记者 常丽君） 总编辑圈点 石墨烯极高的导电性着实令科学家着迷，也因此激发了科学家利用石墨烯来设计超高速光电探测器。传统的硅基光电探测器不能折叠，也不便宜，而且不够灵敏。多年来，一种便宜、可折叠的光电探测器一直是科学家们的梦想。单层石墨烯似乎可以胜任。然而单层石墨烯吸收光子的能力比硅还差，仅有3%的光子被吸收。而当量子点附着在其表面时，其吸收光子的能力可神奇地提高到50%。这样一来，可以穿在身上的电子产品或许真的不再是梦了。 《科技日报》（2012-05-17 一版）

我平时做的是儿童玩具产品中的增塑剂检测，最近处理了一些玩具滑板车的把手部位（软材料，材质为EVA、TPE等），处理方法按照GB/T 22048-2015，采用二氯甲烷索氏提取回流，回流液经浓缩后发现有粘稠固体出现，经冲洗干净后过滤上机，[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp]气相色谱[/url]质谱联用仪，参数都与标准相同，样品打出来的色谱图出现了大面积的鼓包（基本覆盖整个色谱图），请问有什么方法可以减少这种干扰呢

最近因为实验室要买XRF做调研，顺便就了解了一下关键器件的一些知识，发现一个问题向大家请教一下。就是关于探测器和X射线管的Be窗的问题。探测器和射线管的Be有什么不一样吗？为什么探测器的那么薄？（很多厂家上面说的甚至有几个微米） 而射线管我看到最低的就是75微米。如果这些数据都是真实的话，那为什么不用做探测器的Be窗来做X射线管呢？是个新手，什么都不大懂，希望有大虾帮我解释一下。

主动红外探测器由红外发射机、红外接收机和报警控制器组成。分别置于收、发端的光学系统一般采用的是光学透镜，起到将红外光束聚焦成较细的平行光束的作用，以使红外光的能量能够集中传送。红外光在人眼看不见的光谱范围，有人经过这条无形的封锁线，必然全部或部分遮挡红外光束。接收端输出的电信号的强度会因此产生变化，从而启动报警控制器发出报警信号。主动式红外探测器遇到小动物、树叶、沙尘、雨、雪、雾遮挡则不应报警，人或相当体积的物品遮挡将发生报警。由于光束较窄，收发端安装要牢固可靠，不应受地面震动影响，而发生位移引起误报，光学系统要保持清洁，注意维护保养。因此主动式探测器所探测的是点到点，而不是一个面的范围。其特点是探测可靠性非常高。但若对一个空间进行布防，则需有多个主动式探测器，价格昂贵。主动式探测器常用于博物馆中单体贵重文物展品的布防以及工厂仓库的门窗封锁、购物中心的通道封锁、停车场的出口封锁、家居的阳台封锁等等。

[color=#333333]全二维面探测器残余应力仪与传统一维点,线探测器残余应力仪比较区别：[/color][color=#333333]（1）传统一维点，线探测器残余应力仪——sin2Ψ 1）通过测量应力引起的衍射角偏移，从而算出应力大小。测量时需要多次（一般5-7次）变X射线的入射角，并且调整一维探测器的位置找到相应入射角的衍射角 2）施加应力后，通过测角仪得到衍射角发生变化的角度，从而计算得到应力数据（2）圆形全二维面探测器残余应力仪——基于cosα方法 1）单角度一次入射后，利用二维探测器获得完整德拜环。通过比较没有应力时的德拜环和有应力状态下的变形德拜环的差别来计算应力下晶面间距的变化以及对应的应力 2）施加应力后，分析单次入射前后德拜环的变化，即可获得全部残余应力信息 世界首款基于二维探测器和cosα分析方法的新一代X射线残余应力分析仪，将利用X射线研究残余应力的测量速度和精度推到了一个全新的高度，总体说来它比传统方法具有如下优点：1，圆形全二维面探测器残余应力仪优点： 更快： 二维探测器获取完整德拜环，单角度一次入射测量即可完成测量，全过程平均约90秒 更精确：一次测量最多可获得500个数据点，用于拟合计算应力。无应力铁粉残余应力测定的精度为±2MPa（欧美标准无应力铁粉残余应力测定的精度要求为正常±6.9MPa,最大±14MPa.） 更轻松：无需测角仪，单角度一次入射即可，复杂形状和狭窄空间的测量不再困难 更方便：测量精度高， 无需冷却水、野外工作无需外部供电 更强大：有区域应力分布测量成像（Mapping）功能，软件有晶粒大小、材料织构、残余奥氏体信息分析功能2，传统一维点，线探测器残余应力仪： 1，设备笨重，不适合检测比较大的工件或设备 2，需要测角仪，每次摄入，要多点d-sin2Ψ曝光模式，互相关法计算峰位移。增加仪器成本 3，需要水冷系统，冷却液温度过高或其它流动不畅通时机器不能工作，增加仪器使用成本。 4，操作复杂，必须专业长时间培训或有经验的人员才能操作。检测时间长，每次测量必须转角，人工误差大。 5，设备故障率高，不管是，测角仪，冷却系统或测角角度有一处故障，设备就不能正常工作。 6，价格昂贵，测角仪和冷却系统大大增加了设备成本，维修费用及高。[/color]

[b]SANTIS 0804双能、多能混合光子计数X射线探测器[/b]目前市场有极少数量的双能X射线探测器，多能X射线探测器刚刚进入中国市场，下面是我推荐的一款多能探测器，请同行们指导，多提宝贵建议。[b][img]http://img1.17img.cn/17img/images/201801/uepic/6f25d67a-b728-49cd-88e9-f0780582d383.jpg[/img][/b] SANTIS 0804多能X射线探测器是由DECTRIS公司设计和生产的双能、多能混合光子计数(HPC)探测器。该探测器的无噪声、无暗电流和高计数能力给一切用户提供无与伦比的的成像效果 SANTIS 0804多能X射线探测器和传统探测器相比，SANTIS 0804图像质量更高、帧速率更高、探测能力更强。同时，SANTIS 0804可以实现双能和多能状态下的优质图像信息。 [b]测器技术参数:[/b][table=578][tr][td=1,1,125][b]版本[/b][/td][td=1,1,217][b]高分辨率(HR)[/b][/td][td=1,1,236][b]多能量(ME)[/b][/td][/tr][tr][td=1,1,125]传感器[/td][td=1,1,217]碘化铬 0.75 mm[/td][td=1,1,236]碘化铬 1.0 mm[/td][/tr][tr][td=1,1,125]有效面积[/td][td=1,1,217]8 x 4 cm[sup]2[/sup][/td][td=1,1,236]8 x 4 cm[sup]2[/sup][/td][/tr][tr][td=1,1,125]像素矩阵[/td][td=1,1,217]1030 x 514[/td][td=1,1,236]515 x 257[/td][/tr][tr][td=1,1,125]像素尺寸[/td][td=1,1,217]75 μ㎡[/td][td=1,1,236]150 μ㎡[/td][/tr][tr][td=1,1,125]MTF在1 IP /毫米[/td][td=1,1,217] 90%[/td][td=1,1,236] 90%[/td][/tr][tr][td=1,1,125]能量范围[/td][td=1,1,217]最大至 120 kVp[/td][td=1,1,236]最大至160 kVp[/td][/tr][tr][td=1,1,125]阈值能量的数量[/td][td=1,1,217]2[/td][td=1,1,236]4[/td][/tr][tr][td=1,1,125]能量分辨率[/td][td=1,1,217]1.9 at 22 keV (FWHM)[/td][td=1,1,236]1.9 at 22 keV (FWHM)[/td][/tr][tr][td=1,1,125]填充因子[/td][td=1,1,217]100%[/td][td=1,1,236]100%[/td][/tr][tr][td=1,1,125]动态范围[/td][td=1,1,217]32 bit[/td][td=1,1,236]32 bit[/td][/tr][tr][td=1,1,125]帧速率[/td][td=1,1,217]up to 40 Hz[/td][td=1,1,236]up to 40 Hz[/td][/tr][tr][td=1,1,125]最大输入计数率[/td][td=1,1,217]1.5 * 10[sup]9[/sup] photons/s/mm2[/td][td=1,1,236]0.4 * 10[sup]9[/sup] photons/s/ mm2[/td][/tr][tr][td=3,1,578]所有规格如有变更，恕不另行通知。[/td][/tr][/table]

我准备用尼高利的FTIR测量1-2.5微米的光致发光光谱，在别的实验室比较了多款探测器的性能，已经知道必须用制冷的扩展型InGaAs探测器才能测量到我的样品的微弱的荧光信号（尼高利只提供电制冷的探测器，灵敏度达不到我的要求，我需要的是液氮制冷，这样探测率可以提高一个数量级）。现在我想请教大家，这种类型的InGaAs探测器除了日本的滨松公司HAMAMATSU，还有那家公司提供？那家公司的探测器的性能最好？是买探测面积1毫米的，还是3毫米的好？探测器同光谱仪连接的时候，有哪些参数比较关键？