导体电阻率测定仪

石化产业是国民经济重要的支柱产业，产品覆盖面广，资金技术密集，产业关联度高，对稳定经济增长、改善人民生活、保障国防安全具有重要作用。但仍存在产能结构性过剩、自主创新能力不强、产业布局不合理、安全环保压力加大等问题。石油化工产业作为高污染性产业，面临结构性改革的矛盾，国家政策引导对于促进石化产业持续健康发展具有重要意义。得利特顺应发展研发生产了系列石油产品分析仪器。最近技术人员仍然继续着研发工作并且将原来的产品做了部分升级改造。A1150液体介质体积电阻率测定仪符合DL/T421标准，适用于测定绝缘油和抗燃油体积电阻率，可广泛应用于电力、石油、化工、商检及科研等部门。仪器特点采用双CPU微型计算机控制。控温、检测、打印、冷却等自动进行。采用**转换器，实现体积电阻率的高精度测量。具有制冷和加热功能。整机结构合理，安全方便。技术参数测量范围：0.5×108～1×1014Ωcm分辨率：0.001×107Ωcm重复性： ≤15% 再现性： ≤25%控温范围：0～100℃ 控温精度：±0.5℃电极杯参数：极杯类型：Y－18　　　　　　极杯材料：不锈钢显示方式：液晶显示打印机：热敏型、36个字符、汉字输出环境温度：5℃～40℃ 环境湿度：≤85%工作电源：AC220V±10% ，50Hz功 率：500W外形尺寸：500mm×280mm×330mm重　　量：17.5kgA1151油体积电阻率测定仪按DL421.91《绝缘油体积电阻率测定法》的电力行业标准为依据，根据有源电桥的原理研制成功的一种新型电阻率测定专用仪器。具有结构简单、线性度好、灵敏度高、测试结果稳定、操作安全等优点，其性能远高于通常的电压电流法。仪器由参数测量系统、油杯加热控温系统两部分组成，具有自动计时、液晶显示功能。可测量绝缘油体积电阻率。 技术参数测试电压：500VDC测试范围： 10 7～10 13Ωcm重复性： ＞10 12Ωcm ≯25% ，＜10 12Ωcm ≯15% 加热功率： 100W 控温范围： 10℃～100℃ 控温精度： ±0.5℃ 测量误差： ≤±10%测试电极杯： 3个环境温度：0～40℃相对湿度：≤85% 工作电源： AC220V±10%，50Hz

石油产品质量分析在其生产、储运和市场流通环节起着重要作用，石油产品分析仪器现已广泛应用于油田、炼油厂、陆海空交通运输、海关及油品质量监督部门。作为中国仪器仪表行业重要组成部分的油品分析仪器，在疫情席卷全球的情况下，仍然在各大行业中起到必不可少的作用。随着各项技术工艺的发展，仪器仪表产品也在不断的更新换代。各大分析仪器品牌如雨后春笋，在市场中同台竞技，用户可选择的产品也更多了。企业不断推出自己的品牌产品。在刚刚过去的半年里，又有不少企业研发出多项仪器仪表新品。 得利特为了跟上油品分析仪器发展大潮，不断积累经验，创新技术，研发升级自产油品分析仪，近日，又有一款升级产品投入市场，它就是油体积电阻率测定仪。下面得利特为大家讲一下它的升级点在哪里？A1151油体积电阻率测定仪按DL421.91《绝缘油体积电阻率测定法》的电力行业标准为依据，根据有源电桥的原理研制成功的一种新型电阻率测定专用仪器。技术参数测试电压：500VDC测试范围： 10 7～10 13Ωcm重 复 性：＞10 12Ωcm ≯25% ，＜10 12Ωcm ≯15% 加热功率： 100W 控温范围： 10℃～100℃ 控温精度： ±0.5℃ 测量误差： ≤±10%测试电极杯： 3个环境温度：0～40℃相对湿度：≤85% 工作电源： AC220V±10%，50Hz 升级点：1.采用双CPU微型计算机控制。2.控温、检测、打印、冷却等自动进行。3.采用**转换器，实现体积电阻率的高精度测量。4.具有制冷和加热功能。5.整机结构合理，安全方便。

新品推荐——液体介质体积电阻率测定仪01产品介绍产品名称：液体介质体积电阻率测定仪型号：A1153执行标准：DL/T 421-2009《电力用油体积电阻率测定法》A1153液体介质体积电阻率测定仪适用于测定绝缘油和抗燃油体积电阻率。可广泛应用于电力、石油、化工、商检及科研等部门。02仪器特点1采用双CPU微型计算机控制。反应速度快，抗干扰强。2进样，控温、检测、打印、冷却，清洗自动进行，操作简便。3采用三电极双控温结构，控温精度高，温度波动≤0.5℃，避免因温度波动影响结果。4电极采用特殊工艺加工，表面光滑度Ra≤0.012μm，确保电极间隙2mm，从而使结果更准确。5电极杯绝缘材料选用PTFE高分子材料，受热不变型，且不吸水，既能保证空杯电容又有利于清洗油杯。6同时具有制冷和加热功能，既可以做绝缘油也可做抗燃油。一机两用经济实惠。7具有开盖防触电保护功能，开盖自动切断高压。03技术参数•测量范围：0.5×106～1×1015Ωｍ •分 辨 率：0.001×107Ωｍ•重 复 性：＞1010 Ωｍ，≯２５％ ＜1010 Ωｍ，≯１５％ •再 现 性：≤25%•控温范围：10～100℃ •控温精度：±0.5℃•空杯电容：30pF±1pF •实验电压：DC 500V•显示方式：液晶显示•打 印 机：热敏型、36个字符、汉字输出 •工作电源：AC220V±10%，50Hz•功 率：500W•外形尺寸：500mm×380mm×350mm•重 量：17.5kgEND

油介损及体积电阻率测定仪油杯清洗方法、常见故障A1170技术指导产品介绍产品名称：油介损及体积电阻率测定仪产品型号：A1170概 述：油介损及体积电阻率测定仪用于测定在试验温度下呈液态的绝缘材料的介质损耗因数及体积电阻率，包括变压器、电缆及其它电气设备内的绝缘液体。可广泛应用于电力、石油、化工、商检及科研等部门。适应标准：GB/T5654油杯三种清洗方法测量前，应对油杯进行清洗，这一步骤非常重要。因为绝缘油对极微小的污染都有极为敏感的反应。因此必须严格按照下述方法要点进行。方法一：⑴ 完全拆卸油杯电极；⑵ 用中性擦皂或洗涤剂清洗。磨料颗粒和磨擦动作不应损伤电极表面；⑶ 用清水将电极清洗几次；⑷ 用无水酒精浸泡各零件；⑸ 电极清洗后，要用丝绸类织物将电极各部件的表面擦拭干净，并注意将零件放置在清洁的容器内，不要使其表面受灰尘及潮气的污染；⑹ 将各零部件放入100℃左右的烘箱内，将其烘干。有时由于油样很多，所以在测试中往往会一个接一个油样进行测试。此时电极的清洗可简化。具体做法如下：⑴ 将仪器关闭，将整个油杯都从加热器中拿出，同时将内电极从油杯中取出；⑵ 将油杯中的油倒入废油容器内，用新油样冲洗油杯几次；⑶ 装入新油样；⑷ 用新油样冲洗油杯内电极几次，然后将内电极装入油杯。这种以油洗油的方式可大大提高了测量速度，但如遇到特别脏的油样或长时间不用时，应使用方法一。方法二：⑴ 将电极杯拆开（参见油杯示意图）。⑵ 用化学纯的石油醚和苯彻底清洗油杯的所有部件。⑶ 用丙酮再次清洗油杯，然后用中性洗涤剂漂洗干净。⑷ 用5%的磷酸钠蒸馏水溶液煮沸5分钟，然后，用蒸馏水洗几次。⑸ 用蒸馏水将所有部件清洗几次。⑹ 将部件在温度为105～110℃的烘箱中，烘干60～90分钟。⑺ 各部件洗净后，待温度降至常温时将其组装好。方法三：超声波清洗方法⑴ 拆开油杯。⑵ 用溶剂冲洗所有部件。⑶ 在超声波清洗器中用肥皂水将所有部件振荡20分钟；取出部件，有自来水及蒸馏水清洗；在用蒸馏水振荡20分钟。方法四：溶剂清洗法⑴ 拆开油杯。⑵ 用溶剂冲洗所有部件，更换二次溶剂。⑶ 先用丙酮，再用自来水洗涤所有部件。接着用蒸馏水清洗。⑷ 将部件在温度为105～110℃的烘箱中，烘干60～90分钟。 当试验一组同类没有使用过的液体样品时，只要上次试验过的样品的性能优于待测油的规定值，可使用同一个电极杯而无需中间清洗。如果试验过的前一样品的性能值劣于待测油的规定值，则在做下一个试验之前必须清洗电极杯。常见故障1、屏幕显示“电极杯短路”答：首先查看内电极与外电极的定位槽是否对准，再检查“内电极”安装是否有松动。2、屏幕显示“请进行【空杯校准】”答：空杯电容值不在60±5pF的范围内的时候，需要空杯校准；①油杯的内外电极未放好或内电极未组装好，有放电现象；②油杯不干净，在内外电极之间有杂质需要进行清洗 。3、蜂鸣器响5声后仪器返回到开机界面。答：①检查空杯电容值是否在60±5pF范围之内，②检查油杯是否放 好，有无放电现象。4、在做直流电阻率时，电化60秒时间不变化。答：检查仪器的时钟是否在运转，调整时钟。5、被设电压参数个位显示不为零时，怎么办？答：用【减小】键使被设电压值变为最小，再用【增加】键调整即可。

如今市场需求总体继续扩大，但增速下降。一方面，随着城镇化和基础设施建设的不断深入，基本原材料的需求还将保持一定增速，但增速会有所降低，人们日常生活用品也不会有太大的提高；另一方面，人们的消费升级以及生活方式和消费模式的改变，将提高或改变市场需求，促进与经济发展相配套的石化化工产品升级换代。因此，预计“十四五”期间，传统石化化工产品，如成品油、大宗化工产品等，在很长的一段时间内消费保持低速增长态势，甚至有些个别产品还会有略微下降；而在与智能制造、电子通信、中高生活消费品和医药保健等有关的化工产品，主要是电子化学品、纺织化学品、化妆品原材料、快餐用品、快递服务用品、个人防护和具备特殊功能的化工新材料等，都将会有很大增幅。同时安全生产、绿色发展的要求日益提高。石化化工生产“易燃、易爆、有毒、有害”特点突出，尤其是近几年，化工行业事故频发，特大恶性事故连续不断，给人们生命财产造成重大损失，在社会各界造成极其恶劣的影响。随着我国城镇化的快速推进，原来远离城市的石化化工企业已逐渐被新崛起的城镇包围，带来了许多隐患。“十四五”期间，社会各界将更加紧盯各地石化化工企业，石化化工企业进入化工园区，远离城镇布局将成为必然要求，安全生产也将是企业必须加强的一门必修课。绿色发展已经在社会上形成共识，坚持绿色发展是行业必须要强化的理念，一方面要补足以往的环保欠账；另一方面还要针对不断提高环保标准买单，这对行业来说，是一个巨大的挑战。A1170自动油介损及体积电阻率测定仪符合GB/T5654标准，用于测定在试验温度下呈液态的绝缘材料的介质损耗因数及体积电阻率，包括诸如变压器、电缆及其它电气设备内的绝缘液体。可广泛应用于电力、石油、化工、商检及科研等部门。仪器特点1、采用中频感应加热，室温加热至控温（90℃）并恒温自动测量仅需 15分钟。2、同时测量油介损及体积电阻率或任选一项。3、采用大屏幕液晶显示器，只需按照中文菜单提示，输入指令，仪器即可自动工作。4、具有通讯功能，可配置电脑进行实时监测，动态观察油介损值随油温变化并描绘成图。5、自动显示测量结果，并进行数据打印保存。6、具有过压、过流、短路保护，并具有高压指示，还具有报警提示功能。技术参数体积电阻率测量电压：DC500V±10%体积电阻率范围：2.5×106～2×1013Ω.m精度: 高于±10%电阻测量范围:2M～2TΩ介损测量范围：0.00001～1介损值分辨率：0.00001电容测量范围：10.0pF～200.0pF电容值分辨率：0.01pF空杯电容：60±5pF 介损值测量精度：±（1%读值+0.02%）电容值测量精度：±（1%读值+1pF）工作电源：AC220V±10%，50Hz测控温范围：室温～119.9℃测控温稳定度:±0.5 相对湿度：≤85%介损测量电压：1.5kV、2.0kV、2.5kV（常规使用2.0kV）(正接法) 环境温度：-5℃～50℃外形尺寸：480mm×400mm×420mm重　　量：25.7kg

绝缘电阻仪器体积电阻表面电阻测试仪使用前都要注意什么？绝缘电阻仪器体积电阻表面电阻测试仪使用前请仔细阅读以下内容，否则将造成仪器损坏或电击情况。1. ◇检查仪器后面板电压量程是否置于10V档，电流电阻量程是否置于104档。2. ◇接通电源调零，（注意此时主机不得与屏蔽箱线路连接）在“Rx”两端开路的情况下，调零使电流表的显示为0000。然后关机。3. ◇应在“Rx”两端开路时调零，一般一次调零后在测试过程中不需再调零。 4. ◇测体积电阻时测试按钮拨到Rv边，测表面电阻时测试按钮拨到Rs边，5. ◇将待测试样平铺在不保护电极正中央，然后用保护电极压住样品，再插入被保护电极（不保护电极、保护电极、被保护电极应同轴且确认电极之间无短路）。6. ◇电流电阻量程按钮从低档位逐渐拨，每拨一次停留1-2秒观察显示数字，当被测电阻大于仪器测量量程时，电阻表显示“1”，此时应继续将仪器拨到量程更高的位置。测量仪器有显示值时应停下，在1min的电化时间后测量电阻，当前的数字乘以档次即是被测电阻。7. ◇测试完毕先将量程拨至（104）档，然后将测量电压拨至10V档， 后将测试按钮拨到中央位置后关闭电源。然后进行下一次测试。8. ◇接好测试线，将测试线将主机与屏蔽箱连接好。量程置于104档，打开主机后面板电源开关按钮。从仪器后面板调电压按钮到所要求的测量电压。(比如：GBT 1692-2008 硫化橡胶 绝缘电阻率的测定 标准中注明要求在500V电压进行测定，那么电压就要升到500V)9. ◇禁止将“RX”两端短路，以免微电流放大器受大电流冲击。10. ◇不得在测试过程中不要随意改动测量电压。11. ◇测量时从低次档逐渐拨往高次档。12. ◇接通电源后，手指不能触及高压线的金属部分。13. ◇严禁在试测过程随意改变电压量程及在通电过程中打开主机。14. ◇在测量高阻时，应采用屏蔽盒将被测物体屏蔽。15. ◇不得测试过程中不能触摸微电流测试端。16. ◇严禁电流电阻量程未在104档及电压在10V档，更换试样。技术指标1、电阻测量范围 0.01×104Ω～1×1018Ω2、电流测量范围为 2×10-4A～1×10-16A3、仪器尺寸 285ｍｍ× 245ｍｍ× 120 mm4、内置测试电压 100V、250V、500V、1000V5、基本准确度 1% (*注)6、内置测试电压 100V、250、500、1000V7、质量 约2.5KG8、供电形式 AC 220V，50HZ，功耗约5W9、双表头显示 3.1/2位LED显示安全注意事项1. 使用前务必详阅此说明书，并遵照指示步骤，依次操作。2. 请勿使用非原厂提供之附件，以免发生危险。3. 进行测试时，本仪器测量端高压输出端上有直流高压输出，严禁人体接触 ，以免触电。4. 为避免测试棒本身绝缘泄漏造成误差，接仪器测量端输入的测试棒应尽可 能悬空，不与外界物体相碰。5. 当被测物绝缘电阻值高，且测量出现指针不稳现象时，可将仪器测量线屏 蔽端夹子接 上。 例如： 对电 缆测缆 芯与 缆壳的 绝缘 时，除 将被 测物两 端分 别接于 输入 端与高压 端， 再将电 缆壳 ，芯之 间的 内层绝 缘物 接仪器 “G”，以消 除因 表面漏 电而 引起的测 量误 差。也 可用 加屏蔽 盒的 方法， 即将 被测物 置于 金属屏 蔽盒 内，接 上测 量线。

哈希公司最新推出MP测定仪。无需使用探头，可以快速测试pH、ORP（氧化还原电位）、电导率、电阻率、总溶解固体（TDS）以及温度。该仪器内置的采样量杯，可进行高效的、高通量的测试。 简便、可实现单手操作 MP测定仪操作简便，单手即可完成操作。无论是在实验室、水厂或是远程的现场监测，只需两步即可完成测量：1. 灌满采样量杯。2. 按下参数键进行读数。 校准频率低 无需频繁校准即可获得准确可靠的读数。 优异的准确度 MP测定仪具有优异的性能，准确度可达到± 1%，这主要归功于使用了先进的四电极电导率电池技术一个独特的可更换的pH/ORP传感器以及强大的微处理器电路。此外，每台仪器中都有三个预置的常见盐剖面程序，在测量各种不同介质的水样电导率、电阻率和总溶解固体时，可为您提供优异的准确度。 关于产品详细情况，请点击了解

行业了解：某大型电厂5号机组抗燃油发生劣化，闪点、体积电阻率、泡沫特性超标。为找出劣化原因，按DL/T571- -2014 《电厂用磷酸酯抗燃油运行维护导则》，对该机组运行抗燃油(运行油)和库存新抗燃油(新油)进行了各项指标测试，结果显示运行油中氯、多种元素和矿物油含量等并无异常，因而难以判断劣化原因。后将漆膜倾向指数运用于抗燃油的劣化原因分析，发现该机组运行油的漆膜倾向指数为43.4,而库存新油的漆膜倾向指数仅为0.1 结合油的颜色变化，说明油品严重老化、急需处理，随即提出换油和加强抗燃油日常监督的建议。由此可见，漆膜倾向指数在油品分析中有重要作用。 因此，奔腾技术研究标准，从而研发了符合ASTM D7843标准的漆膜倾向指数测定仪。下面是该仪器的具体参数及特点表现：BT-1390漆膜倾向指数测定仪，依据ASTM D7843标准，适用于检测汽轮机油中带色不溶物的测定。监测评定汽轮机油生成油膜的倾向性，避免漆膜沉积影响设备散热，导致油液加速老化及润滑性能下降。仪器特点1、采用数字化光泽控制技术，搭载智能操作系统，配合液晶显示，一目了然，操作自如； 2、10000组标样10000组试样大容量的内存空间，实现完全记录，现场对比分析更加从容；3、3000mAh大容量高品质锂电池，轻松解决续航问题；4、内置通讯接口，可轻易完成与PC端的测量数据传输。5、轻便手持，便于在工厂和偏远地带进行测量技术参数测量几何图形: 45/0图像捕捉显示：4.5cm Color TFT光源: 立三方向25 LED (8可见波长 1 UV)色差公式：△E*ab重复行：△E0.07测量间隔：0.5秒重量：约800g尺寸：199mm*68mm*90mm

得利特（北京）科技有限公司专注油品分析仪器领域的开发研制销售，致力于为国内企业提供高性能的自动化油品分析仪器。公司推出系列精品润滑油分析检测仪器、燃料油分析检测仪器、润滑脂分析检测仪器等。垂询电话：010-80764046，807640561、什么叫做试油的机械杂质?答：试油中的机械杂质是指存在于油品中所有不溶于溶剂（汽油，苯）的沉淀状或悬浮状物质。这些杂质多由砂子，粘土、铁屑粒子等组成。现行方法测出的杂质也包括了一些不溶于溶剂的有机成份，如碳青质和碳化物等。2、油品中机械杂质对机组运行以下危害：（1）可引起调速系统卡涩和机组的转动部分磨损等潜在故障。（2）引起绝缘油的绝缘强度、介质损耗因数及体积电阻率等电气性 能下降。（3）影响汽轮机油的乳化性能和分离空气的性能。（4）堵塞滤油器和滤网，影响油箱油位的显示，磨损油泵齿轮。（5）影响变压器散热，引起局部过热故障。相关仪器ENDENDA1280机械杂质测定仪符合GB/T511标准,适用于测定石油产品中的各类轻、重质油、润滑油及添加剂的机械杂质的含量。可广泛应用于电力、石油、化工、商检及科研等部门。仪器特点1.数码显示，智能温控表控温2.外观美观，测试方便，性能稳定可靠3.实现按标准要求的升温速率4.仪器主要由玻璃器皿、恒温水浴、真空 泵、电子控温箱组成技术参数• 工作电源： AC 220V±10%，50Hz• 水浴加热功率： 1000W• 水浴控温范围： 室温～90℃内可调• 水浴温度显示： LED数字显示• 水浴控温精度： ±1℃• 漏斗控温范围： 室温∼90℃内可调• 漏斗控温显示： LED数字显示• 漏斗控温精度： ±2℃• 环境温度： 5℃∼45℃• 相对湿度： ≤85％• 整机功耗： ≤1200W• 外形尺寸： 400*380*600• 重 量： 7.5KG

当前， 我国在半导体领域面临着被“卡脖子”的问题。为了尽快发展国内半导体产业，鼓励自主创新，及早摆脱对进口的依赖，国家陆续出台免税、补贴多项政策大力支持国内半导体产业发展。中国的半导体产业近年来保持着20%以上的高速增长率，据估计2021年国内市场将达到677亿美元。科学仪器在半导体研发中起到关键作用，半导体的纯度、杂质、性能检测都离不开科学仪器，因此越来越多的科学仪器厂商对于半导体领域愈发重视。伴随着政策的支持、资本的注入，国内半导体市场必将成为最具发展潜力的产业之一；随着半导体研发项目的增加及产量的提升，对于科学仪器的需求必将增大，这将直接拉动科学仪器企业半导体领域的仪器销量和业绩，成为备受瞩目的盈利增长点。仪器信息网综合科学仪器在硅材料、光掩模、光刻材料、电子气体、工艺化学品、抛光材料、靶材、封装材料等领域的应用整理了一份仪器清单，近200类仪器或将在伴随着未来半导体行业发展的“黄金十年”而大展拳脚。（以下仪器可能存在并列或包含关系，未进行区分）序号仪器1高频红外碳硫分析仪2高阻仪3高速老化试验箱4高温试验箱5高效液相色谱6高压离子色谱系统7高低温湿热交变试验箱8高低温冲击试验箱9高低温交变湿热试验箱10飞行时间二次离子质谱仪11颗粒仪12频谱分析仪13顶空-气相色谱-质谱联用仪14顶空-气相色谱15非金属膜厚仪16阿贝闪点仪17阳离子色谱仪18针/锥入度仪19金相显微镜20金属膜厚仪21酸开封机22透射电子显微镜23透光率/雾度测定仪24辉光放电质谱仪25超高温差热分析仪26超纯水机27超景深显微系统28超声扫描显微镜29表面缺陷检测系统30表面张力仪31色谱仪32自动研磨机33自动电位滴定仪34自动滴定仪35能量色散型X射线荧光分析仪36聚焦离子束扫描电子显微镜37聚焦离子束场发射扫描电子显微镜38聚焦离子束39耐压测试仪40网络分析仪41维氏硬度计42纳米粒度仪43红外光谱仪44紫外老化箱45紫外/可见分光光度计46精密研磨机47精密切割机48粘着力测试仪49粘度计50等离子聚焦离子束51空气粒子计数器52离子色谱仪53离子研磨仪54磷检区熔炉55磨损测试系统56硝酸提纯仪57研磨机58矢量网络分析仪59矢量信号发生器60直读光谱仪61盐雾试验箱62界面材料热阻及热传导系数测量系统63电热鼓风干燥箱64电感耦合等离子质谱仪65电感耦合等离子发射光谱仪66电感耦合等离子光谱仪67电导率仪68电子天平69电子分析天平70电化学工作站71电位滴定仪72热风回流焊73热重分析仪74热机械分析仪75热常数分析仪76热导气相色谱77热导检测器气相色谱仪78热导分析仪79激光粒度仪80激光粒子计数器81激光散射粒径分布分析仪82激光开封机83激光导热仪84漏电起痕测试仪85温度循环试验箱86混合气体试验箱87液相色谱质谱联用仪88液相色谱仪89液体颗粒计数仪90液体颗粒仪91液体粒子传感器92流变仪93水氧分析仪94水分析仪95水分仪96氧氮氢分析仪97氧弹燃烧离子色谱仪98氧化物膜厚仪99氧分仪100氦离子化气相色谱仪101氦气氟油加压检漏装置102氦检漏仪103氢火焰离子化气相色谱仪104氙灯老化机105气相色谱仪106气相色谱-质谱联用仪107气相色用仪108气体分析仪109显微红外分析仪110数字式硅晶体少子寿命测试仪111放电氦离子化气相色谱仪112摆锤冲击试验机113接触角测量仪114拉力剪切仪115扫描电镜-电子背散射衍射116扫描电镜117扩展电阻测试仪118手动磨抛机119感应偶合等离子质谱仪120恒温恒湿箱121总有机碳检测仪122快速高低温湿热交变试验箱123微量水分仪124微量氧分析仪125微波消解仪126微机控制万能（拉力）试验机127微控数显电加热板128微探针台129影像仪130库伦法卡尔费休水分仪131库仑法卡氏水分测定仪132库仑水分滴定仪133差示扫描量热仪134少子寿命分析仪135导电型号测试仪136密度仪137多参数测量仪138多功能颗粒计数仪139塑料摆锤冲击试验机140场发射扫描电镜141四探针阻抗仪142台阶仪143台式BSE扫描电子显微镜144可编程晶体管曲线图示仪145可焊性测试仪146原子力显微镜147单面抛光机148半导体参数测试仪149动态热机械分析仪150凝胶渗透色谱151冷热冲击试验箱152冷场扫描电镜153关键尺寸扫描电子显微镜154全自动色度测试仪155光学金相显微镜156光学膜厚仪157傅立叶变换近红外光谱仪158傅立叶变换红外光谱仪159低温试验箱160低温傅立叶变换红外光谱仪161二维X射线检测仪162两探针电阻率测试仪163三重四极杆ICPMS164三维立体成像X射线显微镜165三维光学轮廓仪166三坐标测量机167万能试验机168万能推拉力试验机169α-粒子计数器170X射线检测仪171X光电子能谱仪172TOC仪173纳米粒度仪174PH计175EMI扫描台176单面抛光机177CNC视像测量系统(三次元)1788寸化学机械研磨机台1793D立体显微镜18012寸晶圆缺陷检测机18112寸化学机械研磨机台182三参数测定仪可预见的是，以上仪器必将在未来的半导体领域大有可为，同时仪器厂商对于半导体板块的竞争和细分市场争夺也必将更加激烈。

根据最近的一项估计，目前数据中心的耗能已高达全球电力的2％，这一数字在10年内有望攀升到8％。为逆转这种趋势，科学家们正考虑以全新的方式简化数据中心的微处理器。日本研究人员将这一想法发挥到了极致，创建了一种电阻为零的超导微处理器。基于AQFP的MANA微处理器。图片来源：IEEE频谱网站《IEEE固态电路》杂志报道，这种超导微处理器可为更高能效的计算能力提供潜在的解决方案，但新设计目前需要低于10开尔文（或—263℃）的超冷温度。研究人员创建的这种绝热超导微处理器，从原理上讲，在计算过程中不会从系统中获得或损失能量。这个新的微处理器原型称为MANA（单绝热集成体系结构），是世界上第一个绝热超导体微处理器。它由超导铌组成，并依赖于称为绝热量子通量参量电子（AQFP）的硬件组件。每个AQFP由几个快速作用的约瑟夫森结开关组成，这些结开关只需很少的能量即可支持超导体电子设备。MANA微处理器总共由2万多个约瑟夫森结（或1万多个AQFP）组成。研究人员解释说，用于构建微处理器的AQFP已经过优化，可以绝热运行，从而可在相对低的时钟频率（高达10GHz左右）下恢复从电源中汲取的能量。与传统超导电子产品数百吉赫兹的运行频率相比，这个数字要低得多。但这并不意味着MANA达到了10GHz的速度。实验显示，MANA的数据处理部分可在高达2.5GHz的时钟频率下运行，这使其与当今的计算技术相当。这种铌基微处理器的入门价格取决于低温和将系统冷却至超导温度的能源成本。不过，即使将冷却成本计算在内，与最先进的半导体电子设备（如7纳米鳍式场效应晶体管）相比，AQFP的能源效率仍然高出约80倍。由于MANA微处理器需要液氦水平的低温，因此它更适合于使用低温冷却系统的大规模计算基础架构，例如数据中心和超级计算机。

前道量检测根据测试目的可以细分为量测和检测。量测主要是对芯片的薄膜厚度、关键尺寸、套准精度等制成尺寸和膜应力、掺杂浓度等材料性质进行测量，以确保其符合参数设计要求；而检测主要用于识别并定位产品表面存在的杂质颗粒沾污、机械划伤、晶圆图案缺陷等问题。广义上的半导体检测设备，分为前道量测（又称半导体量测设备）和后道测试（又称半导体测试设备）。前道量检测主要用于晶圆加工环节，目的是检查每一步制造工艺后晶圆产品的加工参数是否达到设计的要求或者存在影响良率的缺陷，属于物理性的检测。仪器信息网近期特对一年内半导体前道检测用光学显微镜、聚焦离子束、电子显微镜、四探针和椭偏仪的中标讯息整理分析，供广大仪器用户参考。（注：本文搜集信息全部来源于网络公开招投标平台，不完全统计分析仅供读者参考。）各月中标量占比2019年10月至2020年9月，根据统计数据，检测设备的总中标数量为142台。2019年10月至2020年1月，平均中标量约15台每月。2020年2月，由于疫情影响，半导体量测仪器市场低迷。从2020年3月起，随着国内疫情稳定以及企业复产复工和高校复学的逐步推进，光刻设备市场逐渐回暖，其中9月产品中标量高达21台。招标单位地区分布本次盘点，招标单位地区分布共涉及25个省份、自治区及直辖市。其中，广东省采购量最多，达33台，远超其他地区。在广东省的采购中，以光学显微镜和四探针设备为主，采购单位多数为高校。采购单位性质分布从光刻设备的招标采购单位来看，高校是采购的主力军，采购量占比高达63%，企业和科研院所的采购量分别占比17%和20%。值得注意的是，企业和科研院所采购检测设备的平均价格较高。这表明，前道检测设备主要用户集中于研发领域。各类检测设备占比从各类前道检测设备占比来看，根据搜集到的中标数据可知，四探针、椭偏仪、电子显微镜和光学显微镜占比分别为32%、25%、22%和18%。这里的光学显微镜包含了金相显微镜和体视显微镜。值得注意的是，企业采购以电子显微镜为主，而高校采购则以四探针为主，科研院所各类设备采购数量差距不大。本次设备中标盘点，涉及椭偏仪品牌有颐光科技、SEMILAB、J.A.Woollam、海瑞克、HORIBA等；四探针品牌有广州四探针、瑞柯、苏州晶格、海瑞克、品鸿科技、海尔帕、普西工业、Napson Corporation、三菱等。其中，各品牌比较受欢迎的产品型号有：HORIBA UVISEL 研究 级经典型椭偏仪 这款仪器是HORIBA公司20多年技术积累和发展的结晶，是一款高准确性、高灵敏度、高稳定性的经典椭偏机型。即使在透明的基底上也能对超薄膜进行精确的测量。采用PEM相位调制技术，与机械旋转部件技术相比，能提供更好的稳定性和信噪比。同时，这款仪器提供多种光谱范围选择，还针对紫外、可见和近红外提供优化的PMT和IGA探测器。 FT-330 系列四 探针测试 仪 FT-330系列普通四探针方阻电阻率测试仪是按照硅片电阻率测量的国际标准（ASTM F84）及国家标准设计制造该仪器设计符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国 A.S.T.M 标准设计。本机配置232电脑接口及USB两种接口，采用范德堡测量原理能改善样品因几何尺寸、边界效应、探针不等距和机械游移等外部因素对测量结果的影响及误差，比市场上其他普通的四探针测试方法更加完善和进步,特别是方块电阻值较小的产品测量，更加准确。FT-341 双电测 电四探针 方阻电阻率测试仪 这款仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。同时，仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。点击此处进入【电子显微镜】【聚焦离子束】【四探针测试仪】和【椭偏仪】等专场，获取更多产品信息。更多资讯请扫描下方二维码，关注【材料说】

p style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em "半导体器件生产中，从半导体单晶片到制成最终成品，须经历数十甚至上百道工序。为了确保产品性能合格、稳定可靠，并有高的成品率，根据各种产品的生产情况,对所有工艺步骤都要有严格的具体要求。因而,在生产过程中必须建立相应的系统和精确的监控措施，首先要从半导体工艺检测着手。/span/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "半导体工艺检测的项目繁多，内容广泛，方法多种多样，可粗分为两类。第一类是半导体晶片在经历每步工艺加工前后或加工过程中进行的检测，也就是半导体器件和集成电路的半成品或成品的检测。第二类是对半导体单晶片以外的原材料、辅助材料、生产环境、工艺设备、工具、掩模版和其他工艺条件所进行的检测。第一类工艺检测主要是对工艺过程中半导体体内、表面和附加其上的介质膜、金属膜、多晶硅等结构的特性进行物理、化学和电学等性质的测定。其中许多检测方法是半导体工艺所特有的。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "工艺检测的目的不只是搜集数据，更重要的是要把不断产生的大量检测数据及时整理分析，不断揭示生产过程中存在的问题，向工艺控制反馈，使之不致偏离正常的控制条件。因而对大量检测数据的科学管理，保证其能够得到准确和及时的处理，是半导体工艺检测中的一项重要关键。同时半导体检测也涉及大量的科学仪器，针对于此，对一些半导体检测的仪器进行介绍。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "a href="https://www.instrument.com.cn/zc/537.html" target="_self"椭偏仪/a/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "椭偏仪是一种用于探测薄膜厚度、光学常数以及材料微结构的光学测量仪器。由于测量精度高，适用于超薄膜，与样品非接触，对样品没有破坏且不需要真空，使得椭偏仪成为一种极具吸引力的测量仪器。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "目前，椭偏仪是测量透明、半透明薄膜厚度的主流方法，它采用偏振光源发射激光，当光在样本中发生反射时，会产生椭圆的偏振。椭偏仪通过测量反射得到的椭圆偏振，并结合已知的输入值精确计算出薄膜的厚度，是一种非破坏性、非接触的光学薄膜厚度测试技术。在晶圆加工中的注入、刻蚀和平坦化等一些需要实时测试的加工步骤内，椭偏仪可以直接被集成到工艺设备上，以此确定工艺中膜厚的加工终点。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "a href="https://www.instrument.com.cn/zc/1677.html" target="_self"span style="text-indent: 2em "四探针测试仪/span/a/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "四探针测试仪是用来测量半导体材料（主要是硅单晶、锗单晶、硅片）电阻率，以及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶方块电阻等的测量仪器。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "测量半导体电阻率方法的测量方法主要根据掺杂水平的高低，半导体材料的电阻率可能很高。有多种因素会使测量这些材料的电阻率的任务复杂化，包括与材料实现良好接触的问题。特殊的探头设计用于测量半导体晶片和半导体棒的电阻率。这些探头通常由诸如钨的硬质金属制成，并接地到探头。在这种情况下，接触电阻很高，必须使用四点共线探针或四线绝缘探针。两个探针提供恒定电流，另外两个探针测量整个样品一部分的电压降。通过使用所测电阻的几何尺寸来计算电阻率。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em "薄膜应力测试仪/spanbr//h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "薄膜应力作为半导体制程、MEMS微纳加工、光电薄膜镀膜过程中性能测试的必检项，其测试的精度、重复性、效率等因素为业界所重点关注。对应产品目前业界有两种主流技术流派：1）以美国FSM、KLA、TOHO为代表的双激光波长扫描技术（线扫模式），尽管是上世纪90年代技术，但由于其简单高效，适合常规Fab制程中进行快速QC，至今仍广泛应用于相关工厂。2）以美国kSA为代表的MOS激光点阵技术，抗环境振动干扰，精于局部区域内应力测量，这在研究局部薄膜应力均匀分布具有特定意义。线扫模式主要测量晶圆薄膜整体平均应力，监控工序工艺的重复性有意义。但在监控或精细分析局部薄膜应力，激光点阵技术具有特殊优势，比如在MEMS压电薄膜的应力和缺陷监控。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em "热波系统/spanbr//h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "热播系统主要用来测量掺杂浓度。热波系统通过测量聚焦在硅片上同一点的两束激光在硅片表面反射率的变化量来计算杂质粒子的注入浓度。在该系统内，一束激光通过氩气激光器产生加热的波使硅片表面温度升高，热硅片会导致另一束氦氖激光的反射系数发生变化，这一变化量正比于硅片中由杂质粒子注入而产生的晶体缺陷点的数目。由此，测量杂质粒子浓度的热波信号探测器可以将晶格缺陷的数目与掺杂浓度等注入条件联系起来，描述离子注入工艺后薄膜内杂质的浓度数值。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em "ECV设备/span/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "ECV又名扩散浓度测试仪，结深测试仪等，即电化学CV法测扩散后的载流子浓度分布。电化学ECV可以用于太阳能电池、LED等产业，是化合物半导体材料研究或开发的主要工具之一。电化学ECV主要用于半导体材料的研究及开发，其原理是使用电化学电容-电压法来测量半导体材料的掺杂浓度分布。电化学ECV(CV-Profiler, C-V Profiler)也是分析或发展半导体光-电化学湿法蚀刻(PEC Etching)很好的选择。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em "少子寿命测试仪/span/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "载流子寿命就是指非平衡载流子的寿命。而非平衡载流子一般也就是非平衡少数载流子（因为只有少数载流子才能注入到半导体内部、并积累起来，多数载流子即使注入进去后也就通过库仑作用而很快地消失了），所以非平衡载流子寿命也就是指非平衡少数载流子寿命，即少数载流子寿命。例如，对n型半导体，非平衡载流子寿命也就是指的是非平衡空穴的寿命。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "少子寿命是半导体材料和器件的重要参数。它直接反映了材料的质量和器件特性。能够准确的得到这个参数，对于半导体器件制造具有重要意义。少子寿命测试仪可以直接获得长硅的质量参数。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "a href="https://www.instrument.com.cn/zc/34.html" target="_self"拉曼光谱/a/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "拉曼光谱是一种散射光谱。拉曼光谱分析法是基于印度科学家C.V.Raman在1928年所发现的拉曼散射效应，对与入射光频率不同的散射光谱进行分析以得到分子振动、转动方面信息并应用于分子结构研究的一种分析方法。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "拉曼光谱在材料科学中是物质结构研究的有力工具，在相组成界面、晶界等课题中可以做很多工作。半导体材料研究中，拉曼光谱可测出经离子注入后的半导体损伤分布，可测出半磁半导体的组分，外延层的质量，外延层混品的组分载流子浓度。span style="text-indent: 2em " /span/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "a href="https://www.instrument.com.cn/zc/31.html" target="_self"红外光谱仪/a/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "红外光谱仪是利用物质对不同波长的红外辐射的吸收特性，进行分子结构和化学组成分析的仪器。红外光谱仪通常由光源，单色器，探测器和计算机处理信息系统组成。根据分光装置的不同，分为色散型和干涉型。对色散型双光路光学零位平衡红外分光光度计而言，当样品吸收了一定频率的红外辐射后，分子的振动能级发生跃迁，透过的光束中相应频率的光被减弱，造成参比光路与样品光路相应辐射的强度差，从而得到所测样品的红外光谱。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "红外光谱法操作简单，不破坏样品，使其在半导体分析的应用日趋广泛。半导体材料的红外光谱揭示了晶格吸收、杂质吸收和自由载流子吸收的情况，直接反映了半导体的许多性质，如确定红外透过率和结晶缺陷，监控外延工艺气体组分分布，测载流子浓度，测半导体薄层厚度和衬底表面质量。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em "二次粒子质谱/span/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "二次粒子质谱是借助入射粒子的轰击功能，将样品表面原子溅出，由质谱仪测定二次粒子质量，根据质谱峰位的质量数，可以确定二次离子所属的元素和化合物，从而可精确测定表面元素的组成。这是一种常用的表面分析技术。其特点是高灵敏度和高分辨率。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "利用二次离子质谱对掺杂元素的极高灵敏度的特点，对样品的注入条件进行分析，在生产中可以进行离子注入机台的校验，并确定新机台的可以投入生产。同时，二次离子质谱对于CVD沉积工艺的质量监控尤其是硼磷元素的分布和生长比率等方面有不可替代的作用。通过二次离子质谱结果的分析帮助CVD工程师进行生长条件的调节，确定最佳沉积工艺条件。对于杂质污染的分析,可以对样品表面结构和杂质掺杂情况进行详细了解，保证芯片的有源区的洁净生长，对器件的电性质量及可靠性起到至关重要的作用。对掺杂元素退火后的形貌分析研究发现通过改变掺杂元素的深度分布，来保证器件的电学性能达到设计要求。可以帮助LTD进行新工艺的研究对于90nm/65nm/45nm新产品开发起到很大作用。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em "X射线光电子能谱仪/spanbr//h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "X射线光电子能谱仪以X射线为激发源。辐射固体表面或气体分子，将原子内壳层电子激发电离成光电子，通过分析样品发射出来的具有特征能量的光电子，进而分析样品的表面元素种类、化学状态和电荷分布等信息，是一种无损表面分析技术。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "这种技术分析范围较宽，原则上可以分析除氢以外的所有元素，但分析深度较浅，大约在25~100 Å 范围，不过其绝对灵敏度高，测量精度可达10 nm左右，主要用于分析表面元素组成和化学状态，原子周围的电子密度，特别是原子价态及表面原子电子云和能级结构。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "X射线衍射/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "当一束单色X射线入射到晶体时，由于晶体是由原子规则排列成的晶胞组成，这些规则排列的原子间距离与入射X射线波长有X射线衍射分析相同数量级，故由不同原子散射的X射线相互干涉，在某些特殊方向上产生强X射线衍射，衍射线在空间分布的方位和强度，与晶体结构密切相关，每种晶体所产生的衍射花样都反映出该晶体内部的原子分配规律。这就是X射线衍射的基本原理。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "半导体制造中的大部分材料是多晶材料，比如互连线和接触孔。XRD能够将多晶材料的一系列特性量化。这其中最重要的特性包括多晶相(镍单硅化物，镍二硅化物)，平均晶粒大小，晶体织构，残余应力。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "阴极荧光光谱/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "阴极荧光谱是利用电子束激发半导体样品，将价带电子激发到导带，之后由于导带能量高不稳定，被激发电子又重新跳回价带，并释放出能量E≤Eg（能隙）的特征荧光谱。CL谱是一种无损的分析方法，结合扫描电镜可提供与形貌相关的高空间分辨率光谱结果，是纳米结构和体材料的独特分析工具。利用阴极荧光谱，可以在进行表面形貌分析的同时，研究半导体材料的发光特性，尤其适合于各种半导体量子肼、量子线、量子点等纳米结构的发光性能的研究。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "例如，对于氮化镓单晶，由于阴极萤光显微镜具有高的空间分辨率并且具有无损检测的优点，因此将其应用于位错密度的检测已经是行业内广泛采用的方法。目前也制定了相应的标准。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "a href="https://www.instrument.com.cn/zc/1016.html" target="_self"轮廓仪/a/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "轮廓仪是一种两坐标测量仪器，仪器传感器相对被测工件表而作匀速滑行，传感器的触针感受到被测表而的几何变化，在X和Z方向分别采样，并转换成电信号，该电信号经放大和处理，再转换成数字信号储存在计算机系统的存储器中，计算机对原始表而轮廓进行数字滤波，分离掉表而粗糙度成分后再进行计算，测量结果为计算出的符介某种曲线的实际值及其离基准点的坐标，或放大的实际轮廓曲线，测量结果通过显示器输出，也可由打印机输出。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "而利用先进的3D轮廓仪可以实现对硅晶圆的粗糙度检测、晶圆IC的轮廓检测、晶圆IC减薄后的粗糙度检测。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em font-size: 16px "AOI （自动光学检测）/spanbr//h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "AOI的中文全称是自动光学检测，是基于光学原理来对焊接生产中遇到的常见缺陷进行检测的设备。AOI是新兴起的一种新型测试技术，但发展迅速，很多厂家都推出了AOI测试设备。当自动检测时，机器通过摄像头自动扫描PCB，采集图像，测试的焊点与数据库中的合格的参数进行比较，经过图像处理，检查出PCB上缺陷，并通过显示器或自动标志把缺陷显示/标示出来，供维修人员修整。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "运用高速高精度视觉处理技术自动检测PCB板上各种不同贴装错误及焊接缺陷。PCB板的范围可从细间距高密度板到低密度大尺寸板，并可提供在线检测方案，以提高生产效率，及焊接质量。通过使用AOI作为减少缺陷的工具，在装配工艺过程的早期查找和消除错误，以实现良好的过程控制。早期发现缺陷将避免将坏板送到随后的装配阶段，AOI将减少修理成本将避免报废不可修理的电路板。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em "ATE测试机/span/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "广义上的IC测试设备我们都称为ATE（AutomaticTest Equipment），一般由大量的测试机能集合在一起，由电脑控制来测试半导体芯片的功能性，这里面包含了软件和硬件的结合。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "在元器件的工艺流程中，根据工艺的需要，存在着各种需要测试的环节。目的是为了筛选残次品，防止进入下一道的工序，减少下一道工序中的冗余的制造费用。这些环节需要通过各种物理参数来把握，这些参数可以是现实物理世界中的光，电，波，力学等各种参量，但是，目前大多数常见的是电子信号的居多。ATE设计工程师们要考虑的最多的，还是电子部分的参数比如，时间，相位，电压电流，等等基本的物理参数。就是电子学所说的，信号处理。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "此外，原子力显微镜、俄歇电子能谱、电感耦合等离子体质谱仪、X光荧光分析、气相色谱等都可以用于半导体检测。而随着半导体制程工艺的进步，工艺过程中微小的沾污、晶格缺陷等都可能导致电路的失效等，半导体的工艺检测也凸显的越来越重要。/p

自中美贸易战以来，国家对于半导体行业的重视日渐提升。为避免关键技术被“卡脖子”，国家大力推动半导体行业的发展，先后发布了《国务院关于印发新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策的通知》、《关于促进集成电路产业和软件产业高质量发展企业所得税政策的公告》等政策，从财税政策、投融资政策、研究开发政策、进出口政策、人才政策、知识产权政策、市场应用政策、国际合作政策等多个层面支持国内半导体行业的自主创新。半导体材料主要包括第一代半导体材料（Si等）、第二代半导体材料（砷化镓GaAs、锑化铟InSb等）、第三代半导体材料（碳化硅SiC、氮化镓GaN、氧化锌ZnO、金刚石、氮化铝等），以及在半导体工艺环节必须用到的特种气体、靶材、光刻胶、显影液、抛光液和抛光垫、键合胶、电镀液、清洗液、刻蚀液、研磨材料、掩模版、光阻材料等。其中，大部分半导体材料依赖于对外进口，目前主要进口自美国、日本、韩国等。表1 热门半导体材料主要进口国家及地区主要半导体材料主要进口国家及地区硅片等日本、德国、韩国、美国、中国台湾砷化镓GaAs等日本碳化硅SiC等美国、欧洲特种气体美国、德国、法国、日本靶材美国、日本光刻胶中国台湾、日本、美国抛光液和抛光垫美国、日本、韩国研磨材料美国掩模版日本湿电子化学品德国、美国、日本、韩国、中国台湾光阻材料日本封装材料中国台湾半导体材料的晶体结构和缺陷杂质都将对半导体器件的性能产生较大的影响，因此半导体材料的检测对于成品质量具有至关重要的意义，以下整理了半导体检测中用到的主要科学仪器及其在半导体领域的应用。表 半导体检测仪器和用途半导体检测仪器与技术（点击下方仪器进入专场）在半导体领域的应用光学测量仪器外延层厚度测量、测定元素含量、用于高纯气体分析等电学测量仪器（四探针、三探针、扩展电阻、C-V法、霍尔测量）测量电阻率、载流子浓度、导电类型、迁移率、寿命及载流子浓度分布等X射线衍射仪缺陷及形貌观察（无损检测），检测二次缺陷的形成和消除等金相显微镜观察晶体缺陷等俄歇电子能谱表面层原子成分、含量、化学键合状态分析等二次离子质谱杂质检测等扫描电镜微区形貌观察，成分、结构分析，失效分析，缺陷检测等透射电镜半导体晶体缺陷分析等原子吸收分光光度痕量杂质检测等气相色谱气体分析高频电感耦合等离子体发射光谱微量成分分析等离子束用于分析离子注入层和外延层损伤、定位等离子探针用于薄层分析、微区分析、测量浓度分布，分析痕量杂质等电子探针成分分析等以上列举了半导体行业用到的热门半导体材料和检测仪器，日后仪器信息网也将对半导体检测解决方案进行盘点敬请期待。

p　　span硅基半导体材料是目前产量最大、应用最广的半导体材料，90%以上的半导体产品都离不开硅片。/spanspan硅片行业是资金和技术密集型行业，垄断度极高，目前前四厂商市场占有率占比超过80%，分别是/spanspan日本信越、日本SUMCO、台湾环球晶圆、德国世创。/span/pp　　硅元素是地壳中储量最丰富的元素之一，以二氧化硅和硅酸盐的形式大量存在于沙子、岩石、矿物中。硅从原料转变为半导体硅片要经过复杂的过程：首先硅原料和碳源在高温下获得纯度约98%的冶金级硅，再经氯化、蒸馏和化学还原生成纯度高达99.999999999%的电子级多晶硅。半导体材料的电学特性对杂质浓度非常敏感，而硅自身的导电性不佳，常通过掺杂硼、磷、砷和锑来精确控制其电阻率。一般，将掺杂后的多晶硅加热至熔点，然后用确定晶向的单晶硅接触其表面，以直拉生长法生长出硅锭，硅锭经过金刚石切割、研磨、刻蚀、清洗、倒角、抛光等工艺，即加工成为半导体硅片。根据制造工艺分类，半导体硅片主要可以分为抛光片、外延片、SOI 硅片等。根据半导体尺寸分类，半导体硅片的尺寸(直径)主要有 50mm(2 英寸)、75mm(3 英寸)、100mm(4 英寸)、150mm(6 英寸)、200mm(8 英寸)、 300mm(12英寸)等规格。目前硅片生产以8英寸和12英寸为主，其中8英寸硅片主要应用于电子、通信、计算、工业、汽车等领域，而12英寸硅片多用于PC、平板、手机等领域。/pp　　在生产环节中，半导体硅片需要尽可能地减少晶体缺陷，保持极高的平整度与表面洁净度，以保证集成电路或半导体器件的可靠性。硅片检测要检查直径、厚度、弯曲、翘曲、缺陷、晶面、表面污染(有机物)、电阻率、晶面取向、氧碳含量、表面平整度和粗糙度、微量元素含量、反射率等。使用到的仪器有测厚仪、显微镜、XRD、气相色谱、X射线荧光光谱、二次离子质谱、电阻率测试仪等。/pp style="text-align: center "strong硅片测试国家标准/strong/ptable border="1" cellspacing="0" cellpadding="0" style="border-collapse:collapse border:none" align="center"tbodytr style=" height:18px" class="firstRow"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pstrongspan style="font-family:宋体"标准编号/span/strong/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pstrongspan style="font-family:宋体"标准名称/span/strong/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T11073-2007/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"硅片径向电阻率变化的测量方法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T13388-2009/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"硅片参考面结晶学取向/spanspanX/spanspan style="font-family:宋体"射线测试方法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T14140-2009/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"硅片直径测量方法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T19444-2004/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"硅片氧沉淀特性的测定/spanspan-/spanspan style="font-family:宋体"间隙氧含量减少法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T19922-2005/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"硅片局部平整度非接触式标准测试方法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T24577-2009/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T24578-2015/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"硅片表面金属沾污的全反射/spanspanX/spanspan style="font-family:宋体"光荧光光谱测试方法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T26067-2010/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"硅片切口尺寸测试方法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T26068-2018/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"硅片和硅锭载流子复合寿命的测试非接触微波反射光电导衰减法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T29055-2019/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"太阳能电池用多晶硅片/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T29505-2013/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T30701-2014/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"表面化学分析硅片工作标准样品表面元素的化学收集方法和全反射/spanspanX/spanspan style="font-family:宋体"射线荧光光谱法/spanspan(TXRF)/spanspan style="font-family:宋体"测定/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T30859-2014/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"太阳能电池用硅片翘曲度和波纹度测试方法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T30860-2014/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"太阳能电池用硅片表面粗糙度及切割线痕测试方法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T30869-2014/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化测试方法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T32280-2015/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"硅片翘曲度测试自动非接触扫描法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T32281-2015/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的测定二次离子质谱法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T32814-2016/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"硅基/spanspanMEMS/spanspan style="font-family:宋体"制造技术基于/spanspanSOI/spanspan style="font-family:宋体"硅片的/spanspanMEMS/spanspan style="font-family:宋体"工艺规范/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T37051-2018/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T6616-2009/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T6617-2009/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"硅片电阻率测定扩展电阻探针法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T6618-2009/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"硅片厚度和总厚度变化测试方法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T6619-2009/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"硅片弯曲度测试方法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T6620-2009/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"硅片翘曲度非接触式测试方法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T6621-2009/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"硅片表面平整度测试方法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T29507-2013 /span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"硅片平整度、厚度及总厚度变化测试自动非接触扫描法/span/p/td/tr/tbody/tablep　　据 Gartner 预计，2017-2022 年半导体增速最快的应用领域是工业电子和汽车电子；预计2020年半导体发货总量将超过一万亿，其中增长率最高的半导体细分领域包括智能手机、汽车电子以及人工智能等。/pp　　需要相关标准，请到a href="https://www.instrument.com.cn/download/L_5DBC98DCC983A70728BD082D1A47546E.htm" target="_self"仪器信息网资料中心/a查找。/p

第三代半导体材料主要是以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)等为代表的宽禁带半导体材料。与第一、二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常又被称为宽禁带半导体材料(禁带宽度大于2.3eV)，亦被称为高温半导体材料。从目前第三代半导体材料及器件的研究来看，较为成熟的第三代半导体材料是碳化硅和氮化镓，而氧化锌、金刚石、氮化铝等第三代半导体材料的研究尚属起步阶段。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，被行业称为第三代半导体材料的双雄。基于第三代半导体的优良特性，其在通信、汽车、高铁、卫星通信、航空航天等应用场景中颇具优势。其中，碳化硅、氮化镓的研究和发展较为成熟。以SiC为核心的功率半导体，是新能源汽车充电桩、轨道交通系统等公共交通领域的基础性控件；射频半导体以GaN为原材料，是支撑5G基站建设的核心；第三代半导体在消费电子、工业新能源以及人工智能为代表的未来新领域，发挥着重要的基础作用。近年来，随着新能源汽车的兴起，碳化硅IGBT器件逐渐被应用于超级快充，展现出了强大的市场潜力，第三代半导体发展进入快车道。随着第三代半导体，特别是氮化镓和碳化硅的市场爆发，相关标准也逐渐出台。无规矩不成方圆，只有有了规矩，有了标准，这个世界才变得稳定有序！标准是科学、技术和实践经验的总结。为在一定的范围内获得最佳秩序，对实际的或潜在的问题制定共同的和重复使用的规则的活动，即制定、发布及实施标准的过程，称为标准化。为规范第三代半导体材料的发展，相关组织和机构也出台了一系列的标准。（以下第三代半导体标准只统计其作为宽禁带半导体材料的现行相关标准）碳化硅(SiC)碳化硅（SiC）材料是功率半导体行业主要进步发展方向，用于制作功率器件，可显着提高电能利用率。可预见的未来内，新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景。特斯拉作为技术先驱，已率先在Model 3中集成全碳化硅模块，其他一线车企亦皆计划扩大碳化硅的应用。随着碳化硅器件制造成本的日渐降低、工艺技术的逐步成熟，碳化硅功率器件行业未来可期。相关标准如下，标准号标准名称CASA 001-2018碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范CASA 003-2018p-IGBT器件用4H-SiC外延晶片CASA 004.1-20184H-SiC衬底及外延层缺陷 术语CASA 004.2-20184H-SiC衬底及外延层缺陷 图谱CASA 006-2020碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范CASA 007-2020电动汽车用碳化硅（SiC）场效应晶体管（MOSFET）模块评测规范CASA 009-2019半绝缘SiC材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法T/IAWBS 013-2019半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法T/IAWBS 012-2019碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法-共焦点微分干涉光学法T/IAWBS 011-2019导电碳化硅单晶片电阻率测量方法-非接触涡流法T/IAWBS 010-2019碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法T/IAWBS 008-2019SiC晶片的残余应力检测方法T/IAWBS 007-20184H碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法T/IAWBS 006-2018碳化硅混合模块测试方法T/IAWBS 005-20186英寸碳化硅单晶抛光片T/IAWBS 003-2017碳化硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法T/IAWBS 002-2017碳化硅外延片表面缺陷测试方法T/IAWBS 001-2017碳化硅单晶DB13/T 5118-2019 4H碳化硅N型同质外 延片通用技术要求DB61/T 1250-2019 SiC（碳化硅）材料半导体分立器件通用规范GB/T 32278-2015 碳化硅单晶片平整度测试方法GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法GB/T 30868-2014 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法SJ/T 11501-2015 碳化硅单晶晶型的测试方法SJ/T 11503-2015 碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法SJ/T 11504-2015 碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法SJ/T 11502-2015 碳化硅单晶抛光片规范SJ/T 11499-2015 碳化硅单晶电学性能的测试方法SJ/T 11500-2015碳化硅单晶晶向的测试方法GB/T 31351-2014碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法GB/T 30656-2014碳化硅单晶抛光片GB/T 30866-2014碳化硅单晶片直径测试方法氮化镓(SiC)氮化镓，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器的条件下，产生紫光（405nm）激光。GaN材料系列具有低的热产生率和高的击穿电场，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。目前，随着 MBE技术在GaN材料应用中的进展和关键薄膜生长技术的突破，成功地生长出了GaN多种异质结构。用GaN材料制备出了金属场效应晶体管（MESFET）、异质结场效应晶体管(HFET)、调制掺杂场效应晶体管（MODFET）等新型器件。标准号标准名称CASA 010-2019GaN材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法T/IAWBS 013—2019半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法T/GDC 69—2020氮化镓充电器GB/T 39144-2020 氮化镓材料中镁含量的测定 二次离子质谱法GB/T 37466-2019氮化镓激光剥离设备GB/T 37053-2018 氮化镓外延片及衬底片通用规范GB/T 36705-2018 氮化镓衬底片载流子浓度的测试 拉曼光谱法GB/T 32282-2015 氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法GB/T 32189-2015 氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法GB/T 32188-2015 氮化镓单晶衬底片x射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法GB/T 30854-2014 LED发光用氮化镓基外延片蓝宝石（Al2O3） 蓝宝石晶体属于人造宝石晶体，主要应用于制作LED灯的关键材料，也是应用于红外军事装置、卫星空间技术、高强度激光的重要窗口材料。蓝宝石晶体是一种氧化铝的单晶，又称为刚玉。蓝宝石已成为一种重要的半导体衬底材料。标准号标准名称SJ/T 11505-2015 蓝宝石单晶抛光片规范GB/T 35316-2017 蓝宝石晶体缺陷图谱GB/T 34612-2017 蓝宝石晶体X射线双晶衍射摇摆曲线测量方法GB/T 34504-2017 蓝宝石抛光衬底片表面残留金属元素测量方法GB/T 34213-2017 蓝宝石衬底用高纯氧化铝GB/T 34210-2017 蓝宝石单晶晶向测定方法GB/T 33763-2017 蓝宝石单晶位错密度测量方法SJ/T 11505-2015 蓝宝石单晶抛光片规范GB/T 31353-2014 蓝宝石衬底片弯曲度测试方法GB/T 31352-2014 蓝宝石衬底片翘曲度测试方法GB/T 31093-2014 蓝宝石晶锭应力测试方法GB/T 31092-2014 蓝宝石单晶晶锭GB/T 30858-2014 蓝宝石单晶衬底抛光片GB/T 30857-2014 蓝宝石衬底片厚度及厚度变化测试方法DB44/T 1328-2014 蓝宝石图形化衬底片测试技术规范GB/T 14015-1992 硅-蓝宝石外延片其他标准第三代半导体被广泛的应用于IGBT功率器件中和发光材料中，对此，我们盘点了宽禁带半导体、功率器件和光电子器件标准。标准号标准名称CASA 002-2021宽禁带半导体术语T/IAWBS 004-2017电动汽车用功率半导体模块可靠性试验通用要求及试验方法T/IAWBS 009-2019功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验GB/T 29332-2012半导体器件　分立器件　第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)GB/T 36360-2018 半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范GB/T 36358-2018 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范GB/T 36357-2018 中功率半导体发光二极管芯片技术规范GB/T 36356-2018 功率半导体发光二极管芯片技术规范GB/T 36359-2018 半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范SJ/T 11398-2009 功率半导体发光二极管芯片技术规范SJ/T 11400-2009 半导体光电子器件 小功率半导体发光二极管空白详细规范SJ/T 11393-2009 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范现行SJ/T 1826-2016 半导体分立器件 3DK100型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1834-2016 半导体分立器件 3DK104型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1839-2016 半导体分立器件 3DK108型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1833-2016 半导体分立器件 3DK103型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1831-2016 半导体分立器件 3DK28型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范现行SJ/T 1830-2016 半导体分立器件 3DK101型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1838-2016 半导体分立器件 3DK29型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1832-2016 半导体分立器件 3DK102型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范IEC 60747半导体器件QC/T 1136-2020 电动汽车用绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块环境试验要求及试验方法JB/T 8951.1-1999 绝缘栅双极型晶体管JB/T 8951.2-1999 绝缘栅双极型晶体管模块 臂和臂对需要注意的是，CASA和IAWBS属于团体标准、GB属于国家标准、DB是地方标准。仪器信息网为了更好地服务半导体行业用户，特邀请您参与问卷调研，麻烦大家动动小手完成问卷，参与即得10元话费！活动结束还将择优选择10名认真填写用户送出50元话费！！！http://a72wfu5hktu19jtx.mikecrm.com/zuXBhOy

LH-DDS3M 型电导率测定仪是连华科技依据环境监测技术规范要求，研发的一台涵盖了电导率、电阻率、盐度、溶解性总固体、温度多项测量指标的实验室多参数仪器，仪器符合新国标 《JJG 376-2007 电导率仪》检定规程 0.5 级指标，广泛适用于医疗、环保、科研、大专院校、工矿企业，是化学分析的必备的常规分析仪器。 外观精美 操作便捷LH-DDS3M 型电导率测定仪采用5.6吋触摸式液晶显示屏，纯中文操作界面，人性化的程序设计，显示直观，操作方便。检测时特色数据稳定图标，仪器测值基本稳定时自动点亮稳定图标，显示当前测量状况。仪器还具有校准、自动/手动温度补偿、自动/手动数据保存、定时测量、时间显示、功能设置等智能功能，极大提升用户检测工作体验。 五项全能 符合国标LH-DDS3M 型电导率测定仪集①电导率COND、②电阻率RES、③盐度SAL、④溶解性总固体TDS、⑤温度五种模式为一体，根据不同应用场景可选择多模式单位如μS/cm、mS/cm，MΩcm、KΩcm 、Ωcm，mg/L、g/L，盐度单位可选ppt、‰。仪器符合国标《JJG 376-2007 电导率仪检定规程》0.5级指标，可满足国标检测的各项技术指标。 三款电极 性能强大 LH-DDS3M 型电导率测定仪根据测量范围将为客户提供三种电极常数的电极，分别为K=0.1：0.05 ~ 300μS/cm；K=1.0：10 ~ 10000μS/cm；K=10.0：10000 ~ 200000μS/cm。其中K=1电极常规备货，K=0.1和K=10用户根据自身需求另行采购。在3款电极的加持下，各检测指标测定范围为：电导率COND（0~ 200）mS/cm，电阻率RES（5Ωcm ~ 100MΩcm），盐度SAL（0 ~ 100）ppt，溶解性总固体TDS（0 ~ 100）g/L，温度（-25 ~ 125℃），测值单位可自动切换。 精益求精 细节制胜LH-DDS3M 型电导率测定仪根据用户实际应用标准，在电导率模式内置两种标准溶液模式组：中国标准、欧美标准，和一组自定义模式，满足仪器使用的多样性。每个模式可数据储存 500 组，支持数据的查阅、删除和打印，断电后数据不丢失，可配置打印传输功能，打印或传输即时测量数据及历史数据。5G“心”服务 保驾护航专业客服 采购舒心线上线下业务渠道全覆盖，专业客服团队5*8小时线上多形式服务，解决采购问题。无忧退换 使用安心30天内无理由免费退换货，仪器产品享1年免费质保服务，终身检测维护、软件升级服务。快捷响应 业务省心凡客户提出需求，公司团队立即响应，快速处理，完成客户需求后再处理后续事宜。增值服务 温暖贴心提供免费样品检测服务，仪器维修养护期间免费用户提供备用机，保障客户日常工作。创新发展 匠人匠心创新研发二十余系列水质分析仪及丰富的专业化配件、试剂，全面满足客户需求。

《原棉水分测定仪型式评价大纲》将于3月21日实施确保棉花交易足斤足量　　本报讯 (记者杨 蕾)我国首部《原棉水分测定仪型式评价大纲》(以下简称《大纲》)将于3月21日起实施。业内专家表示，该部国家计量技术法规的发布和实施，将有助于确保进入市场的原棉水分测定仪的产品质量和对棉花回潮率的准确测量，对于棉花的公平贸易及纺织应用具有重要意义。　　原棉水分测定仪历来都是棉花收购、加工、纺织、质检等领域的一种专业特点非常突出的重要计量器具，属于国家强制检定的计量器具。国家纤维计量站工程师张保国是《大纲》的主要起草人，他告诉记者，原棉水分测定仪是利用棉纤维的电阻值与其回潮率呈负相关变化的规律，在一定的纤维量、压力、电压、温度和测试面积条件下，测量棉纤维的电阻，间接测得棉纤维回潮率的一种仪器。“回潮率是在规定条件下测得的原棉的水分含量，是棉花贸易结算时至关重要的一个参数。回潮率测量不准，就会导致不公平贸易。”　　据介绍，自上世纪60年代以来，我国的原棉水分测定仪就一直广泛应用于棉花贸易结算。数十年来，我国原棉水分测定仪的技术标准及生产、使用等方面的情况发生了很大的变化。但是，我国原棉水分测定仪产品研发于20世纪60年代，当时科技水平有限，因此早年间研发生产的棉花水分测定仪已不能适应新疆的气候条件，这就导致了回潮率测试准确与否成为棉花重量结算的焦点问题。　　在中国纤维检验局等单位的组织和协调下，国内原棉水分测定仪的主要生产厂家——陕西华斯特仪器有限公司与有关科研院所和厂家一起，用近两年时间完成了《温湿度对棉花回潮率测定影响及新型电测器的研制》项目。在该项目的基础上生产了新型原棉水分测定仪，新仪器全面改进了温湿度修正方法，提高了棉花回潮率测试精度。《原棉回潮率试验方法电阻法》国家标准也已修订完成并在全国应用。　　伴随着国家棉花标准和水分试验方法标准的修订，也必然带来原棉水分测定仪的改型和升级换代。然而，长期以来，原棉水分测定仪新产品的型式评价，一直没有全国统一的由国家计量主管部门权威发布的型式评价大纲用以指导和规范原棉水分测定仪新产品的型式鉴定。这一情况对控制进入市场的新产品的技术水准和质量要求都极为不利。“新的使用环境和国家标准，迫切需要有相应的型式评价大纲对原棉水分测定仪的定型进行规范。”长期从事纤维计量工作的张保国在2010年接受型式评价大纲编写任务时，深感这一工作已迫在眉睫。　　将于3月21日起实施的《大纲》对测定仪的标准电阻校验回潮率示值误差、棉花样品测试误差、温度示值误差等主要计量性能以及试验方法和条件等都做了要求。　　张保国介绍，目前我国使用中的原棉水分测定仪有近万台，广泛运用于棉花收购点、棉花加工厂以及检验实验室等。“《大纲》的发布实施，进一步规范了测定仪的研发和生产，让进入市场的原棉水分测定仪的产品质量更有保证。”

润滑油作为机械设备的润滑剂，其电气性能对设备的正常运行至关重要。击穿电压作为评价润滑油电气性能的重要指标之一，能够帮助工程师判断润滑油的电气性能是否达到设备要求。下面我们就来具体了解一下击穿电压在润滑油行业中的应用。1. 润滑油电气性能的表征润滑油的电气性能主要包括介电常数、介质损耗因数、电阻率等参数。其中，介电常数反映了润滑油在电场作用下的极化能力，介质损耗因数反映了电流通过润滑油时所消耗的能量，电阻率则反映了润滑油的导电性能。而击穿电压则可以进一步评价润滑油的电气绝缘性能，即当电压达到某一数值时，润滑油内部将产生放电现象，导致电流突然增加，这一电压值就是击穿电压。2. 击穿电压在润滑油选择中的应用在选择润滑油时，需要根据设备的运行工况和润滑油厂商提供的产品手册来选择合适的润滑油牌号在。产品手册中，通常会提供不同牌号润滑油的介电常数、介质损耗因数、电阻率和击穿电压等电气性能参数。在选择润滑油时，需要综合考虑这些参数，尤其是击穿电压，以确保设备在正常运转时，润滑油的电气性能能够满足设备要求。3. 击穿电压在润滑油品质控制中的应用在润滑油的生产过程中，由于原材料、生产工艺等因素的影响，润滑油的电气性能会发生一定的变化。为了确保生产出的润滑油符合产品要求，需要对润滑油的电气性能进行检测和监控。其中，击穿电压作为一项重要的检测指标之一，可以用于评估润滑油品质的稳定性。通过定期检测润滑油的击穿电压，可以对生产工艺和原材料进行及时调整，以确保生产的润滑油具有良好的电气性能。

作者：Coventor（泛林集团旗下公司）半导体工艺与整合团队成员Yu De Chen 介绍 由后段制程(BEOL)金属线寄生电阻电容(RC)造成的延迟已成为限制先进节点芯片性能的主要因素[1]。减小金属线间距需要更窄的线关键尺寸(CD)和线间隔，这会导致更高的金属线电阻和线间电容。图1对此进行了示意，模拟了不同后段制程金属的线电阻和线关键尺寸之间的关系。即使没有线边缘粗糙度(LER)，该图也显示电阻会随着线宽缩小呈指数级增长[2]。为缓解此问题，需要在更小的节点上对金属线关键尺寸进行优化并选择合适的金属材料。 除此之外，线边缘粗糙度也是影响电子表面散射和金属线电阻率的重要因素。图1(b)是典逻辑5nm后段制程M2线的扫描电镜照片，可以看到明显的边缘粗糙度。最近，我们使用虚拟工艺建模，通过改变粗糙度振幅(RMS)、相关长度、所用材料和金属线关键尺寸，研究了线边缘粗糙度对线电阻的影响。 图1：(a) 线电阻与线关键尺寸的关系；(b) 5nm M2的扫描电镜俯视图（图片来源：TechInsights） 实验设计与执行 在晶圆厂里，通过改变线关键尺寸和金属来进行线边缘粗糙度变化实验很困难，也需要花费很多时间和金钱。由于光刻和刻蚀工艺的变化和限制，在硅晶圆上控制线边缘粗糙度也很困难。因此，虚拟制造也许是一个更直接和有效的方法，因为它可以“虚拟地”生成具有特定线边缘粗糙度的金属线结构，进而计算出相应显粗糙度条件下金属的电阻率。图2(a)显示了使用虚拟半导体建模平台 (SEMulator3D®) 模拟金属线边缘粗糙度的版图设计。图2(b)和2(c)显示了最终的虚拟制造结构及其模拟线边缘粗糙度的俯视图和横截面图。通过设置具体的粗糙度振幅(RMS)和相关长度（噪声频率）值，可以在虚拟制造的光刻步骤中直接修改线边缘粗糙度。图2(d)显示了不同线边缘粗糙度条件的简单实验。图中不同RMS振幅和相关长度设置条件下，金属的线边缘展示出了不同的粗糙度。这些数据由SEMulator3D的虚拟实验仿真生成。为了系统地研究不同的关键尺寸和材料及线边缘粗糙度对金属线电阻的影响，使用了表1所示的实验条件进行结构建模，然后从相应结构中提取相应条件下的金属线电阻。需要说明的是，为了使实验更为简单，模拟这些结构时没有将内衬材料纳入考虑。图2：(a) 版图设计；(b) 生成的典型金属线俯视图；(c) 金属线的横截面图；(d) 不同RMS和相关长度下的线边缘粗糙度状态 表1: 实验设计分割条件 实验设计结果与分析 为了探究线边缘粗糙度对金属线电阻的影响，用表1所示条件完成了约1000次虚拟实验设计。从这些实验中，我们了解到： 1. 当相关长度较小且存在高频噪声时，电阻受到线边缘粗糙度的影响较大。2. 线关键尺寸较小时，电阻受线边缘粗糙度RMS振幅和相关长度的影响。3. 在所有线关键尺寸和线边缘粗糙度条件下，应选择特定的金属来获得最低的绝对电阻值。结论由于线边缘粗糙度对较小金属线关键尺寸下的电阻有较大影响，线边缘粗糙度控制在先进节点将变得越来越重要。在工艺建模分割实验中，我们通过改变金属线关键尺寸和金属线材料研究了线边缘粗糙度对金属线电阻的影响。在EUV（极紫外）光刻中，由于大多数EUV设备测试成本高且能量密度低，关键尺寸均匀性和线边缘粗糙度可能会比较麻烦。在这种情况下，可能需要对光刻显影进行改进，以尽量降低线边缘粗糙度。这些修改可以进行虚拟测试，以降低显影成本。新的EUV光刻胶方法（例如泛林集团的干膜光刻胶技术）也可能有助于在较低的EUV曝光量下降低线边缘粗糙度。在先进节点上，需要合适的金属线材料选择、关键尺寸优化和光刻胶显影改进来减小线边缘粗糙度，进而减少由于电子表面散射引起的线电阻升高。未来的节点上可能还需要额外的线边缘粗糙度改进工艺（光刻后）来减少线边缘粗糙度引起的电阻。

详细介绍产品简介ZR-1005型滤膜滤筒捕集效率及阻力测试仪是检测环境采样滤膜(滤筒)和固定污染源滤膜(滤筒)综合性能的专用设备，可对环境空气颗粒物和固定污染源采样滤膜(滤筒)的过滤效率/捕集效率进行检测，同时可对滤膜(滤筒)采样阻力进行检测。 执行标准GB/T6165-2008 高效过滤器性能试验方法 效率和阻力GB/T 16157-1996 固定污染源排气中颗粒物测定与气态污染物采样方法ISO 12141-2002 固定污染源的排放-在低浓度时颗粒物质(粉尘)的质量浓度的测定手工重量分析法HJ656-2013 环境空气颗粒物(PM2.5)手工监测方法(重量法)技术规范 技术特点配备专用盐性气溶胶发生器和油性气溶胶发生器，可发生特定粒径要求和浓度的气溶胶；配备多系列专用夹具，适用于各类滤膜(滤筒)的检测；内置高寿命光度计模块，采样时间累计，提示光路清洗；过滤效率/捕集效率和采样阻力模块采用整机设计，可分别进行检测；自动控制盐性气溶胶发生和油性气溶胶发生，自动计算捕集效率和采样阻力，减少人为干预；气溶胶无泄漏，高度人员防护；采用大屏幕彩色高亮触摸屏，方便操作；检测数据可通过U盘导出或蓝牙打印机打印。创新点：1、对环境空气颗粒物和固定污染源滤膜(滤筒)的过滤效率/捕集效率进行检测，同时可对滤膜(滤筒)采样阻力进行检测。3、配备专用盐性气溶胶发生器和油性气溶胶发生器，可发生特定粒径和浓度的气溶胶。3、配备多系列专用夹具，适用于各类滤膜(滤筒)的检测。4、内置高寿命光度计模块，采样时间累计，提示光路清洗。5、自动控制盐性气溶胶发生和油性气溶胶发生，自动计算捕集效率和采样阻力，减少人为干预。ZR-1005型 滤膜（滤筒）捕集效率及阻力测定仪

热电材料能够实现热电转换，具有安全、节能、环保等优点，近年来备受关注，许多学者也围绕其开展了大量的研究工作。在本文，仪器信息网为大家盘点了热电材料研究实验室常用的制备与表征仪器清单。国内研究热电材料的课题组众多，在小编的雷达范围内，整理归纳了其中四个课题组的仪器展示表格：1.中国科学院上海硅酸盐研究所热电转换材料与器件研究课题组；2.中国科学院金属研究所热电材料与器件课题组；3.同济大学材料科学与工程学院热电课题组；4.哈尔滨工业大学（深圳）材料科学与工程学院热电材料课题组。一、中国科学院上海硅酸盐研究所热电转换材料与器件研究课题组（课题组长：史迅研究员；副组长：柏胜强高级工程师；科研队伍：陈立东研究员、姚琴副研究员、瞿三寅副研究员、仇鹏飞副研究员等）该课题组主要从事高性能热电材料的设计、制备与性能优化以及高性能热电器件的设计、制造与集成方面的研究，主要内容包括：1.声子液体电子晶体材料 (类液态材料)；2.类金刚石结构；3.笼状化合物；4.有机热电材料和有机/无机复合热电材料；5.热电薄膜与微型热电薄膜器件；6.高性能热电器件设计与制造技术；7.热电空调/发电系统设计与集成技术；8.热电材料与器件测量技术。课题组仪器设备展示Seebeck系数和电阻测试系统（ZEM-3）布劳恩手套箱RS50/500型管式炉纳博热（ Nabertherm）LH15/13型箱式炉 放电等离子体快速烧结设备激光导热仪 霍尔系数测试设备电导率及塞贝克系数测试设备 X射线广角/小角衍射设备MSP（Modified Small Punch）试验装置二、中国科学院金属研究所热电材料与器件课题组（课题组长：邰凯平研究员；小组成员：康斯清工程师）该课题组长期从事功能材料设计、制备和性能表征方面的研究工作，以界面性质对材料物理、化学性能调控作用的共性基础科学问题为研究主线，主要研究内容包括：低维热电材料；多物理外场耦合仿真环境原位透射电镜表征；纳米结构抗辐照损伤材料。在原位透射电镜技术领域的成果被Science（350，9886，2015）、Chem Rev（116，11061，2016）、Adv Mater（02519，2016）等期刊评述为近十年来纳米材料原位电镜表征技术领域的关键研究成果，并被编入电子显微学教科书“Transmission Electron Microscopy”（Page 48，Springer，Heidelberg，2016）。课题组仪器设备展示多靶磁控溅射沉积系统-1多靶磁控溅射沉积系统-2热电性能测试设备ALD原子层沉积系统等离子体处理/原位TEM样品杆预抽系统Hall测试系统AFM红外成像显微镜微束/飞秒激光微纳加工系统紫外光刻机电子束/热蒸发镀膜系统3Omega频域法热导率测试系统稳态法热导率测试系统球型焊线机高温管式炉红外快速退火炉自主研制的各种类型原位仿真环境（JEOL/FEI）TEM样品杆三、同济大学材料科学与工程学院热电课题组（课题组长：裴艳中教授；小组成员：李文副教授）该研究小组主要针对当前热电材料转换效率较低这一技术瓶颈，从热电材料所涉及的基本物理及化学问题出发，设计和开发出高转换效率热电材料和器件。立足于前期工作的基础之上，今后具体的研究对象主要集中在半导体材料，研究内容主要包括：1.先进的材料制备方法；2.电、热、光、磁及微观结构的表征方法；3.能源材料性能所隐含的基本物理及化学问题；4.理论指导下的新型能源材料设计和开发；5.其它应用背景的半导体新材料的研究与开发。课题组仪器设备展示自主研制设备霍尔系数/塞贝克系数/电阻率同步测试 2个样品同时测试，300~900K，磁场1.5T塞贝克系数/电阻率同步测试系统 2个样品同时测试，300~1100K室温塞贝克系数测试系统Oxford低温（1.5~400K）与强磁场（12T）综合物理性能（Nernst，Seebeck，Hall系数与电/热导率）测试系统电弧熔炼系统电弧熔炼系统高温热压系统（升温速率＞1000C/min）封装系统材料生长炉商业设备台式扫描电镜&能谱XRDFTIR红外光谱仪声速测定仪激光导热仪惰性气氛手套箱高温熔融炉四、哈尔滨工业大学（深圳）材料科学与工程学院热电材料课题组（课题组长张倩教授，学术顾问刘兴军教授）该课题组正式成立于2016年秋。主要研究方向为：热电半导体能源材料的电声输运调控、热电器件的设计与效率提升，柔性可穿戴发电与制冷器件。采用与相图工程和机器学习相结合的手段，优化传统热电材料，开发新型热电材料，促进热电发电与制冷的大规模商业应用进程。课题组仪器设备展示材料制备系统电弧熔炼炉高频悬浮熔炼炉立式真空管式炉微型金属熔炼炉双工位真空手套箱真空封管系统热压烧结系统放电等离子烧结SPS3D打印机多靶磁控溅射镀膜仪电子束蒸发镀膜仪高温箱式炉高能球磨机井式炉金相研磨抛光机金刚石线切割机性能测试系统激光导热仪-LFA 457差示扫描量热仪-DSC 404同步热分析仪-STA 2500热机械分析仪-TMA 457电阻率/温差电动势测试仪-CTAUV-vis-NIR变温霍尔测试系统变温红外光谱仪发电效率特性测定装置接触电阻测试平台焊接平台需要说明的是，以上仪器设备展示仅根据各课题组网站信息整理，并非各课题组实验室仪器的全部配置。因此，小编特整理了热电材料研究实验室常用的制备与表征仪器清单，供君参考。热电材料研究实验室仪器配置清单热电材料制备常用仪器电子天平马弗炉/电阻炉/管式炉/实验炉鼓风/真空干燥箱材料生长炉磁力搅拌器球磨机超声波清洗机放电等离子烧结SPS离心机悬浮熔炼炉/电弧熔炼炉石墨磨具原子层沉积系统真空/惰性气氛手套箱电子束/热蒸发镀膜设备恒温油浴/水浴锅退火炉游标卡尺3D打印机切割机研磨抛光机热电材料表征常用仪器X射线衍射仪赛贝克系数/电阻率测试系统X射线光电子能谱仪霍尔系数测试设备热重分析仪介电性能测试系统扫描电子显微镜热电转换效率测量系统透射电子显微镜电/热导率测试系统电子探针分析仪声速测定仪热膨胀仪红外光谱仪显微硬度仪热机械分析仪激光热导仪焊接平台差热扫描热量仪综合物理性能测试系统【近期网络会议推荐】3月23日“热电材料表征与检测技术”主题网络研讨会免费报名听会链接：https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/2021RD/

近日，上海优睿谱半导体设备有限公司（以下简称“优睿谱半导体”）完成新一轮数千万元融资，本轮融资由君子兰资本领投，境成资本、琢石投资、南通海鸿金粟等跟投。本轮融资将用于晶圆边缘检测设备SICE200、晶圆电阻率量测设备SICV200、晶圆位错及微管检测设备SICD200、多种半导体材料膜厚测量设备Eos200DSR等多款设备的量产，新布局产品的研发以及团队的扩充。值得一提的是，优睿谱半导体成立于2021年，两年时间内其完成了5轮融资，披露融资金额超1.3亿元，并获评国家级高新技术企业和科技型中小企业01 半导体老兵创业，致力于打造高品质的半导体前道量测设备优睿谱半导体的创始人，是技术出身的余先育。余先育毕业于武汉科技大学材料学院，2006年4月获上海交通大学微电子学与固体电子学硕士学位；2006年至2009年担任美国应用材料（以色列PDC总部）全球技术支持工程师；2010至2021年担任睿励科学仪器（上海）有限公司市场总监。在半导体行业深耕15年，让他积累了丰富的技术与市场的经验。2021年9月，余先育创立上海优睿谱半导体设备有限公司，并担任董事长，总部位于上海浦东新区张江高科技园区，同时在浦东金桥设有研发中心，在无锡高新区设有技术中心。公司由长期从事于半导体行业的海归博士领衔和国内专业的IC前道制程量测设备技术团队共同发起成立。团队人员均为长年深耕在半导体前道量测设备行业，在国内具有深厚的产业背景、产业资源以及设备制造的产业链资源。据了解，公司集研发、设计、制造、销售与服务于一体，主要产品为半导体前道量测设备，如面向硅基晶圆的量测设备、面向碳化硅晶圆的量测设备、晶圆位错及微管检测设备、晶圆边缘及表面外观缺陷检测设备等。简而言之，优睿谱半导体致力于打造高品质的半导体前道量测设备。据了解，半导体量测设备主要用于半导体制造工艺中缺陷检测和参数测量，广泛用于硅片制造、芯片制造、先进封装领域，如关键尺寸测量设备、薄膜厚度测量设备、缺陷检测设备等。 02 推出4个系列半导体检测设备目前，公司推出了FTIR系列、SICD系列、SICV系列和SICE系列产品，覆盖谱外延膜厚度和元素浓度自动测量系统、基于光学方案的碳化硅晶圆缺陷检测全自动设备、对碳化硅晶圆和SI晶圆的电阻率的量测设备和为硅基以及化合物半导体衬底及外延晶圆边缘及外观表面缺陷检测而设计的光学检测全自动设备等半导体设备。在FTIR系列产品方面，共有Eos200、Eos200lite、Eos300+、Eos200DSR四款设备，它们采用先进的GEM/SECS以太网通信设计，适用于标准清洁环境操作，优势在于利用FTIR技术实现外延厚度的非接触测量，同时具备高运行产能；能够确定无图案或有图案的晶圆上的外延厚度，并可测量生长了多层的外延层；测量可追溯至内部黄金标准；友好的用户界面，方便快捷的程序设置。在SICD系列方面，有SICD200、SICD200s两款产品，其基于光学方案的碳化硅晶圆缺陷检测全自动设备，可对碳化硅晶圆的位错、微管进行检测。其中，SICD200可兼容6&8寸SiC衬底位错和微管缺陷检测；高分辨率实时对焦高速线扫描成像技术；采用深度学习算法（AI），有效提高位错检测准确度，同时实现位错分类；可对接碳化硅衬底厂家的MES系统，实现工厂自动化生产；设备提供的晶体内应力检测功能，可用于碳化硅的籽晶筛选。SICD200s产品优势在于采用超高频光学显微成像系统，结合实时高精度焦距补偿运动控制系统；实现对WAFER缺陷的高速高分辨检测，大幅缩短检测时间；通过高分辨率图像处理技术，实现缺陷高精度定位。SICV200主要是对碳化硅晶圆和SI晶圆的电阻率的量测设备。它能够根据客户的需求可灵活地定制半自动方案以及符合SEMI标准的全自动方案；自主开发CRT40电容表具备良好的稳定性和精度；变频分析支持 20kHz to1MHz；支持各种不同尺寸晶圆。 SICE200是一款专为硅基以及化合物半导体衬底及外延晶圆边缘及外观表面缺陷检测而设计的光学检测全自动设备。其兼容6&8寸SiC&Si衬底和外延晶圆边缘检测，也适用于其他化合物衬底及外延晶圆的边缘缺陷检测；可同时实现对晶圆360°检测和对晶圆倒角和直径精确测量；自主知识产权的光机系统可实现高分辨率、高检出率及高检测速率；还能够完成晶圆厚度、TTV/Warp/Bow等参数测量。 03 两年完成5轮融资，获评国家高新技术企业和科技型中小企业跟国外竞品相比，优睿谱半导体开发的Eos200/300及Selene200/300均为全自动测量设备，采用模块化设计理念，在核心部件、整机、软件等多个方面均进行了大幅创新设计，使得整机测量性能在达到国外竞品同等水平的情况下，还大幅降低了客户的使用及维护成本。得益于强劲的研发实力，优睿谱半导体频获资本认可，两年内获5轮融资，还先后获评国家高新技术企业和科技型中小企业。2022年7月，成立不到一年的优睿谱半导体拿到一轮战略融资，本轮融资由上海季华科技发展有限公司投资完成；2022年8月，拿到数千万元Pre-A轮融资，由弘卓资本领投，银珠资本、上海季华科技发展有限公司、南京信达诚惠企业管理合伙企业（有限合伙）、芜湖众余股权投资合伙企业（有限合伙）跟投完成；2023年7月，完成约亿元融资，由基石资本领投，泓湖投资、中南创投、星河控股、浑璞投资、景宁灵岸企业管理合作企业（有限合伙）、杭州盟合创业投资合伙企业（有限合伙）跟投；2023年12月，完成A轮融资，由曦晨资本、上海采邑投资完成。近日完成的数千万元B轮融资，将用于多款设备的量产、新布局产品的研发以及团队扩充。对于本轮融资，君子兰资本、境成资本等投资方看好优睿谱半导体的未来发展，并表示：“随着半导体制程技术、碳化硅等新材料的发展，半导体前道量检测设备的市场规模持续增长、重要性日益凸显，本土量检测设备厂商的市场前景广阔。优睿谱成立还不足3年就已推出多款设备，实现了供应链本土化，还快速打造了系列化设备及解决方案，积极扩展产品线，展现出显著的竞争优势和广阔的发展前景。”优睿谱总经理唐德明博士则表示：“在公司成立即将满三周年之际，优睿谱本轮融资意义重大，不仅意味着公司多款设备即将进入量产，还意味着公司获得越来越多投资者和合作伙伴的认可。公司和团队将一如既往，更加努力，以加快现有设备量产及新产品研发。”

成果名称材料变温电阻特性测试仪(EL RT-800)单位名称北京科大分析检验中心有限公司联系人王立锦联系邮箱13260325821@163.com成果成熟度□研发阶段 □原理样机 □通过小试 &radic 通过中试 &radic 可以量产合作方式□技术转让 &radic 技术入股 &radic 合作开发 □其他成果简介：本仪器专门为材料电阻特性变温测试而设计，采用专用高精度电阻和温度测量仪以及四端测量法减小接触电阻对测量的影响从而提高测量精度，样品采用氮气保护可连续测量-100℃~500 ℃条件下样品电阻随温度的变化。采用流行的USB接口将高精度的数据采集器与计算机相连，数据采集迅速准确；用户界面直观友好，能极大方便用户的使用。主要技术参数:一、信号源模式：大电流模式；小电流模式；脉冲电流模式。二、电阻测量范围: 1&mu &Omega ~3M&Omega 。三、电阻测量精度: ± 0.1％FS。四、变温范围：液氮温度~900 ℃。五、温度测量精度：热电阻0.1%± 0.1℃；热电偶0.5%± 0.5℃。 六、供电电源：220 VAC。七、额定功率：500W。八、数据采集软件在Windows XP、Windows 7操作系统均兼容。应用前景：本仪器可用于金属、合金及半导体材料的电阻变温测量。适合于高校科研院所科研测试及开设专业实验。知识产权及项目获奖情况：本仪器拥有完全自主知识产权和核心技术，曾在全国高校自制实验仪器设备评选活动中获得优秀奖。

LK-99材料有一个边缘呈悬浮状态。图片来源：Hyun-Tak Kim et al. (2023)一个研究小组声称已经创造出第一种在室温和环境压力下完美导电的材料，但许多物理学家对此持高度怀疑态度。美国威廉与玛丽学院的Hyun-Tak Kim表示，他将支持任何试图复制其团队工作的人。超导体是一种可以使电流在没有任何阻力的情况下移动的材料，因此可以显著降低电子设备的能源成本。但一个多世纪以来，研究人员一直无法让它们在极端条件下工作，比如极低的温度和极高的压力。现在，Kim和同事声称已经制造出一种在室温和压力下具有超导性的材料。为了制造这种被称为LK-99的新材料，Kim和同事制造出混合了铅、氧、硫、磷的粉末状化合物，然后将其在高温下加热几个小时。这使得粉末发生化学反应，变成深灰色固体。研究人员随后测量了一毫米大小的LK-99样品在不同温度下的电阻，发现其电阻率从105℃的相当大的正值急剧下降到30℃的接近零。超导体会驱逐磁场是迈斯纳效应现象的一部分，为此，研究人员还测试了这种材料在一定温度下对磁场的反应。结果显示，在电阻接近于零的温度范围内，它确实表现出这种效应。由于迈斯纳效应，超导体放置在传统磁体上时会呈漂浮状态，研究人员也记录了这种悬浮的测试。在他们的视频中，他们将一块LK-99放在磁铁上方，磁铁表面明显升起。然而，这种扁平的硬币状的材料只有一个边缘完全悬浮，另一边似乎与磁铁保持接触。Kim说，这是由于样品还不完美，意味着只有部分样品具有超导性，并表现出迈斯纳效应。目前，两篇关于k -99的论文已在预印本服务arXiv上公布，但不进行同行评审，相关研究已在4月份发表于《韩国晶体生长与晶体技术杂志》。Kim只是其中一篇论文的合著者，另一篇论文则是由他在韩国量子能量研究中心的同事撰写，他们中的一些人也在2022年8月申请了LK-99的专利。这两篇论文都提出了类似的测量方法，但Kim说第二篇论文存在“许多缺陷”，并且未经他的许可就被上传到arXiv。在那篇论文中，这项工作被描述为开启了“人类的新时代”。社交媒体上的一些评论员称赞这一发现是一代人的突破，但超导专业研究人员在很大程度上持怀疑态度。英国牛津大学的Susannah Speller和Chris Grovenor说，当一种材料成为超导材料时，在许多测量中应该有明确的特征。Speller说，对于其中两个，即对磁场的响应和一个称为热容的量，数据中都没有给予证明。“因此，现在说我们已经在这些样品中获得了令人信服的超导性证据还为时过早。”Kim已经意识到这种怀疑，但他认为其他研究人员应该尝试复制他团队的工作来解决这个问题。一旦研究结果发表在同行评议的期刊上，他将支持任何想要自己创造和测试LK-99的人。与此同时，他和同事还将继续完善奇迹超导体样品，并向大规模生产迈进。

成果名称磁电阻特性测试仪(EL MR系列)单位名称北京科大分析检验中心有限公司联系人王立锦联系邮箱13260325821@163.com成果成熟度□研发阶段 □原理样机 □通过小试 &radic 通过中试 &radic 可以量产合作方式□技术转让 &radic 技术入股 &radic 合作开发 □其他成果简介：本仪器专门为材料磁电阻特性测试而设计的，采用流行的USB接口将高精度的数据采集器与计算机相连，数据采集迅速准确；用户界面直观友好，极大地方便了用户的使用。MR-150型采用电磁铁产生强磁场，高精度名牌仪表采集数据，精度高稳定性好适合科研中各类样品的磁电阻特性测试。MR-4型采用亥姆霍兹线圈产生磁场，无剩磁。采用高精度名牌仪表采集数据，精度高稳定性好适合科研中AMR、GMR、TMR各类样品的磁电阻特性测试。MR-2型采用集成化主机和多通道USB接口数据采集卡采集数据，稳定性好适合科研教学中性能较好的磁电阻样品测试。MR-1型采用手动调节磁场和人工读数，适合与大中专院校本科生研究生的专业实验中使用。主要技术参数:一、系统控制主机：内含可1路可调恒流源（0.3mA~50mA）、2路4 1/2数字电压表和1块USB接口24bit数据采集卡；功耗50W。二、自动扫描电源：0~± 5A，扫描周期8~80s。三、亥姆霍兹线圈：0~± 160Gs。四、测量专用检波与放大电路技术参数：输入信号动态范围为± 30 dB；输出电平灵敏度为30mV / dB；,输出电流为8mA；转换速率为25 V /&mu s；相位测量范围为0~180° ；相位输出时转换速率为30MHz；响应时间为40 ns～500 ns；测量夹头间隔10mm。五、计算机为PC兼容机，Windows XP或Windows 7操作系统。 六、数据采集软件在Windows XP和Windows 7操作系统均兼容。应用前景：本仪器可用于金属、合金及半导体材料的电阻变温测量。适合于高校科研院所科研测试及开设专业实验。目前该仪器已经应用在北京科技大学材料学院及哈尔滨工业大学深圳研究生院的研究生实验教学及课题组科研测量中，取得良好的成效。知识产权及项目获奖情况：本仪器拥有完全自主知识产权和核心技术，曾在全国高校自制实验仪器设备评选活动中获得优秀奖。

近日，意法半导体和Soitec宣布就SiC晶圆制造技术合作达成协议。意法半导体表示，通过此次合作，意法半导体未来200mm晶圆生产将采用Soitec的SmartSiC技术，旨在通过中期量产增加器件和模块产量，认证工作将在未来18个月内开展。　　Soitec拥有专利技术SmartSiC，可以剥离出高质量的碳化硅供体晶圆薄层，并将其键合到低电阻率的多晶硅晶圆上，助力改进器件的性能和生产良率。此外，优质的碳化硅晶圆可被多次重复利用，进而大幅降低生产的总能耗。　　Soitec首席运营官安世鹏表示：“电动汽车正在颠覆汽车行业的发展。通过将我们专利的SmartCut工艺与碳化硅半导体相结合，SmartSiC技术将加速碳化硅在电动车市场的应用。Soitec的SmartSiC优化衬底与意法半导体行业领先的碳化硅技术、专业知识相结合，将推动汽车芯片制造领域的重大变革，并树立新的行业标准。”　　扩产方面，记者从意法半导体方面了解到，意法半导体将于意大利兴建一座整合式碳化硅衬底制造厂，以满足意法半导体客户对汽车及工业碳化硅组件与日俱增的需求。根据官方信息，该新厂预计2023年开始投产，以实现碳化硅衬底的供应在对内采购及行业供货间达到平衡。　　产品方面，12月14日，意法半导体发布了新的碳化硅功率模块，可提高电动汽车性能和续航里程。现在该功率模块已用于现代汽车公司的E-GMP电动汽车平台，以及共享该平台的起亚EV6等多款车型。

很长时间以来，生命科学领域的科学家大多依靠**仪器开展科学研究。在中国制造品质改革的背景下，中国生命科学研究使用“中国造”仪器成为迫在眉睫的需要。当前，应加快推进仪器国产化，进而推动我国原创性科研成果产出，保障我国科学仪器行业的持续高速增长，并助力国家产业转型升级和跨越发展。石油产品分析仪器质量正在不断提高、老旧产品正在不断淘汰、各类高质量新品不断涌现。得利特减压馏程测定仪新品首发，来具体了解一下吧！A2004自动减压蒸馏测定仪适用标准GB9168-1997《石油产品减压蒸馏测定法》(等效ASTM D1160标准），用于检测部分或全部蒸发的石油产品沸点的专用仪器。仪器特点1、智能加热管理系统，确保蒸馏速率符合实验方法要求。 记录点用户自行设定：　用户可设定记录对应温度的回收体积　用户可设定记录对应回收体积的温度　自动记录国标规定的记录点五种实验结束方式：　①终点结束：检测到终馏点时结束实验②干点结束：检测到干点时结束实验③温度结束：根据用户设定的温度值结束实验，并打印输出。④体积结束：根据用户设定的体积值结 束实验，并打印输出。⑤键盘结束：按退出键结束实验，并打印输出2、配备内部时钟，无需输入实验日期,有效使用年限95年技术参数显示方式：6寸256色彩色液晶屏幕中英文显示试验范围：室温～400℃ 分辨率：0.1℃温度检测：特制铂电阻（Pt100）传感器馏出速度：2～9mL/min冷 凝 管：控温范围：室温～90℃任意设定接 受 室：控温范围：室温～80℃任意设定液体测试：红外光电检测冷 阱：制冷温度：-40℃ 制冷方式：压缩机制冷（丹佛斯压缩机）减压控压：范围：130Pa～6.7kPa任意设定 精度：（kPa±0.01）1kPa 1%功 率：2200W 蒸馏功率：1000W 炉体冷却：强制性风冷电 源：AC220V 50/60Hz 外形尺寸：850mm×980mm×500mm使用环境：-10℃~+30℃，相对湿度≯70升级点：本仪器采用MCS-51系列单片机作为系统控制核心，彩色液晶显示屏幕，中文菜单人机对话，向导式操作，测定过程全部自动化。根据测定需要设置循环冷却水和接受室的恒温温度及所需的减压压力，自动控制蒸馏速度和恒定的蒸汽减压压力、冷却循环水温度和接受室温度。

在社会和经济发展的大背景下，由于我国的人口数量在逐渐递增，导致人们生产、生活所需的能源量也在逐渐递增，从而推动了我国石油行业的稳定发展以及石油产品的多样化。通过对石油相关产品的分析，能够了解石油以及石油产品的理化性质和成分组成。目前，我国常用的石油检测技术会浪费大量的检测时间，并且会降低检测结果的精zhun性。随着科学技术的发展，仪器分析技术也得到了技术的创新和改革，从而提高相关检测工作人员的工作效率。 得利特（北京）科技有限公司紧追科技发展步伐,不断创新研发油品分析仪器,近日我公司新升级一款燃料油检测仪器-自动减压馏程测定仪. A2004自动减压蒸馏测定仪适用标准GB9168-1997《石油产品减压蒸馏测定法》(等效ASTM D1160标准），用于检测部分或全部蒸发的石油产品沸点的专用仪器。仪器特点 1、智能加热管理系统，确保蒸馏速率符合实验方法要求。记录点用户自行设定：　用户可设定记录对应温度的回收体积　用户可设定记录对应回收体积的温度　自动记录国标规定的记录点五种实验结束方式：　① 终点结束：检测到终馏点时结束实验②干点结束：检测到干点时结束试验③温度结束：根据用户设定的温度值结束实验，并打印输出。④体积结束：根据用户设定的体积值结 束实验，并打印输出。⑤键盘结束：按退出键结束实验，并打印输出2、配备内部时钟，无需输入实验日期,有效使用年限95年。技术参数• 显示方式：6寸256色彩色液晶屏幕中英文显示• 试验范围：室温～400℃ 分辨率：0.1℃• 温度检测：特制铂电阻（Pt100）传感器• 馏出速度：2～9mL/min• 冷凝管：控温范围：室温～90℃任意设定• 接受室：控温范围：室温～80℃任意设定• 液体测试：红外光电检测• 冷 阱：制冷温度：-40℃ • 制冷方式：压缩机制冷（丹佛斯压缩机）• 减压控压：范围：130Pa～6.7kPa任意设定 　 精度：（kPa±0.01）1kPa 1%• 功 率：2200W • 蒸馏功率：1000W • 炉体冷却：强制性风冷• 电 源：AC220V 50/60Hz • 外形尺寸：850mm×980mm×500mm• 使用环境：-10℃~+30℃，相对湿度≯70升级点: 仪器采用MCS-51系列单片机作为系统控制核心，彩色液晶显示屏幕，中文菜单人机对话，向导式操作，测定过程全部自动化。根据测定需要设置循环冷却水和接受室的恒温温度及所需的减压压力，自动控制蒸馏速度和恒定的蒸汽减压压力、冷却循环水温度和接受室温度。

使用红外快速水分测定仪测定固体水分是快速而稳定的水分测定方法，在农业生产，经济作物，化学品，食品工业质量监控和中间体质控中应用广泛，塞多利斯MA系列产品是此类仪器的典型代表，在世界范围内得到了广泛的应用，但是，由于半固体和固体物质加热过程中容易结块，挥发不完全，所以，膏状物和液体的水分测定使用红外快速水分测定仪就不太方便，现在，这个问题已经成功解决，东南科仪引进一种玻璃纤维海绵状薄膜，可以将液体比如：牛奶，豆奶，巧克力等均匀吸附，借助表面张力完美分散，有利于水分的挥发，对测定膏状物质：比如：巧克力，酸奶，奶酪等产品的水分也非常方便。这种玻璃纤维片本身含水量在0.1%以下，性质惰性，只产生表面粘附和径向分散作用，不会永久吸附，不会对测定结果造成不利影响，切割直径为~90mm，可满足赛多利斯MA系列和其他品牌的水分测定仪的使用需要。包装：100片/包（销售和价格咨询： 13380008123）相关链接：[赛多利斯产品简介]德国赛多利斯电子称量器具和红外快速水分测定仪，其先进的超级单体传感器, 优质可靠的集成电路和显示器件技术, 精湛的制造工艺,使其能长年稳定可靠地工作而勿须特别维护, 与其它同类产品相比, 可以一当十, 由东南科仪向用户推荐并经销的MA系列红外快速水份测定仪正在烟草行业数十家企业和质监站中应用, 积累了丰富的使用经验, 被使用者誉为 "是对该行业的一大贡献"。德国赛多利斯MA系列红外水分测定仪是先进的红外干燥器(模拟电烘箱)和精密电子天平及数据处理技术相结合的智能型产品, 其测定水分的原理基于干燥失重法, 与国标方法测定水分的过程具有原始的相关性, 因此, 与重现性和准确度均无法保证的电容法, 电阻法相比, 其测定结果准确, 可靠, 快速, 操作简便, 仪器本身勿须标定，测定结果勿须修正。为保证测定精度, MA-45，MA-50, MA-100均采用电子反馈系统自动调整加热功率, 使干燥加热的温度波动能够控制在± 1℃内。 赛多利斯全部中高端产品内置标准的RS-232C数据传输接口和打印驱动程序, 配打印机或电脑可不需要硬件改动实现结果的输出和统计数据，对数据进行集中统一管理, 实现测定与数据管理现代化。