等离子薄膜溅射仪

富阳精密仪器厂电话:0571-63253615 传真:0571-63259015地址：浙江富阳新登南四葛溪南路26号 邮编：311404联系人：温先生电话：13968165189Email:manbbb@sina.com网址：www.jingmiyiqi.net 石英管式微波等离子体装置是我厂专门为大学和研究机构设计的小型化产品，可用于薄膜材料的制备和等离子体物理等方面的研究工作，并且特别适宜于大中专学校的材料、化学工程与工艺、物理等专业的学生实验。该装置利用微波能激励稀薄气体放电在石英管中产生稳态等离子体，通过通入不同的工作气体，可进行功能薄膜材料的制备、化学合成、表面刻蚀、等离子体诊断等多方面的实验。1 主要配置 1. 2.45GHz，0~500W微波功率连续可调，可满足不同实验的要求； 2. ф50mm的石英管真空室，带有一个观察窗和一个诊断窗口，保证各种实验方便进行； 3. 石英管采用水冷却，可保证装置在高功率条件下安全运行； 4. 配置了3路气体管路，气体流量控制方便； 真空测量系统及控制阀门可保证真空室所需的真空环境。2 典型实验 1. 等离子体化学[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp]气相[/url]沉积 A（气）+B（气）→ C（固）+D（气） 反应气体A、B被激发为等离子体状态， 其活性基团发生反应生成所需要的固态物沉积在基片上，可广泛用于薄膜或纳米材料的合成。如金刚石薄膜氮化碳薄膜、碳纳米材料等。 2. 等离子体表面刻蚀 A（气）+B（固）→ C（气） 反应气体A 被激发为等离子体状态与固体B表面原子发生反应生成气态物C，可用于集成电路的刻蚀实验。 3. 等离子体催化反应 利用等离子体中丰富的活性成分，如紫外和可见光子、电子、离子、自由基；高反应性的中性成分，如活性原子，受激原子态，从而引发在常规化学反应中不能或很难实现的化学反应。 4. 等离子体表面改性 A（气）+B（固）→ C（固） 反应气体A 被激发为等离子体状态与固体B表面发生反应生成新的化合物从而达到改变B物质表面性质的目的。可广泛用于高分子材料、金属材料及生物医用材料的表面改性实验。[em28] [em28] [em28] [em28]

请问有人做过这方面的工作吗？就是用等离子磁控溅射设备在硅基片上制备CN薄膜，并利用付里叶红外光谱仪测量该薄膜的红外光谱，利用该光谱可以得到薄膜的消光系数，再根据KK关系可以从消光系数得到红外区域的折射率。我看在国外有著名的John Bertie再做这方面的研究，并在自己的网站上提供了该计算方法的程序及其源代码。但是他这个程序是针对放在液体池中的液体样品来计算的。我的是固体薄膜，很多参数对应不上。比如他要求输入"pathlength"和“windows material refractive indices". 而我们的样品是用两个夹片夹住中间露个孔测量的。请问国内有在这方面的专家吗？或者有人做过吗？

各位大侠帮忙解答:1. 我看文献上有的说xrd掠入射看薄膜物象鉴定，常规的θ/2θ扫瞄看薄膜的择优取向。薄膜xrd掠入射能看薄膜的择优取向吗？2. 我做常规的θ/2θ扫瞄时只有衬底峰没有薄膜信息，所以只能做掠入射，我是在单晶SiC片子上磁控溅射AlN薄膜（约500nm厚），但是我要对比不同参数下薄膜的择优取向，我该怎么测呢？3. 我用的设备是日本理学D/MAX 2500PC X射线粉末衍射仪，做掠入射时加了薄膜附件，采用2θ扫瞄模式，θ角固定（2.5、3、5、8、15、30度），不管θ角多大都没出现衬底峰只有薄膜峰，但是随着θ角的增大，AlN （0002）峰强也增大，而.（10-13）峰强则减小直到消失，这是为什么？另外，掠入射时θ角越小x线在薄膜中的光程应该越大，反应的薄膜信息应该越丰富对吗？为什么我做θ角0.5度和1度时什么峰都没有呢？

这些是不是算作等离子体还请高手指正！1、等离子体清洗机/刻蚀/灰化/减薄 通过等离子体与固体表面的相互作用，消除固体表面的有机污染物，或者与样品表面的材料反应生成相应的气体，由真空系统排出反应腔，整个过程在样品表面不产生残留物，固体如： 金属、陶瓷、玻璃、硅片等等，同时可以用等离子处理系统对样品表面进行 处理，改善样品表面的特性，如亲水/疏水特性，表面自由能，以及表面的 吸附/粘附特性等等。 2、离子溅射：氩气充入已被低真空泵抽真空的样品室里。多次充入氩气，使不需要的气体排出，特别是水蒸汽。这样，样品室内充满了尽可能多的纯的氩气。然后调节样品室内工作压力为0.05－0.1mbar，这样就可以开始溅射了。 开始溅射时，在靶（阴极）加上高压，在靶和样品台（阳极）之间产生了一个高压区。空间内的自由电子在磁场作用下进入旋转轨道，与空间内的氩原子碰撞。每次碰撞把氩原子外层中的一个电子撞出，使中性的氩原子带正电。这个雪崩效应激发了辉光放电。 带正电的氩离子被阴极吸引撞向阴极靶，撞出阴极靶上的金属原子。释放的金属原子之间以及金属原子与真空室内的其它气体分子之间的碰撞使金属原子四处发散，形成雾状。这样金属原子从各个方向撞击样品表面然后均匀地凝聚在样品表面，在即使是非常多裂缝的样品表面也能覆盖一层均匀的、有足够导电性的金属薄膜。 由于金和银原子表面的高度扩散性，它们容易在样品表面形成岛状，这样，除非金属镀层有10nm厚，否则达不到所需导电性。白金能产生最细腻的镀层。 溅射镀层的细腻程度取决于靶材、工作距离、气体压力和溅射电流以及反应持续时间3、磁控溅射：电子枪发射的电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞，电离出大量的氩离子和电子，电子飞向基片。氩离子在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉积在基片上成膜。二次电子在加速飞向基片的过程中受到磁场洛仑磁力的影响，被束缚在靠近靶面的等离子体区域内，该区域内等离子体密度很高，二次电子在磁场的作用下围绕靶面作圆周运动，该电子的运动路径很长，在运动过程中不断的与氩原子发生碰撞电离出大量的氩离子轰击靶材，经过多次碰撞后电子的能量逐渐降低，摆脱磁力线的束缚，远离靶材，最终沉积在基片上。4、等离子切割机：等离子切割是利用高温等离子电弧的热量使工件切口处的金属　　等离子切割机标准图片部份局熔化(和蒸发)，并借高速等离子的动量排除熔融金属以形成切口的一种加工方法。等离子切割机配合不同的工作气体可以切割各种氧气切割难以切割的金属，尤其是对于有色金属（不锈钢、铝、铜、钛、镍）切割效果更佳；其主要优点在于切割厚度不大的金属的时候，等离子切割速度快，尤其在切割普通碳素钢薄板时，速度可达氧切割法的5~6倍、切割面光洁、热变形小、几乎没有热影响区。

请问专家，实验用的溅射磁性薄膜的靶材，哪里有卖？例如稀土永磁材料方面。

我用离子束溅射沉积的纳米薄膜，由于在试样切割和测试时表面不小心印上了手印，还有其他的一些类似尘土之类的东西，不知道用什么试剂擦洗一下可以不破坏和污染薄膜表面？薄膜厚度在100nm以内，实在不敢做传统的金相处理，请大家帮忙！

在单面抛光的C-Si上溅射制备的非晶a-GaAsN薄膜，能做红外光谱分析吗？想要知道薄膜的组成，及组分含量，膜厚度约0.5微米，应该怎样做呢，做透射还是反射、还是傅里叶？ 对红外光谱一无所知，请指教啊？

我比较熟的产品有MBE，磁控溅射，电子束蒸发，PLD，PECVD，等离子刻蚀RIE,ICP.如果大家在这方面有什么问题，非常愿意与大家交流，如果想采购这类产品和组件，或这方面的任何需求，我都可以向你推荐，可以发mail给我，lhm115011@gmail.com

大家好，群中有没有人做过 用 ICP-MS（电感耦合等离子体质谱仪）测试 CIGS（铜铟镓硒太阳能电池）薄膜的组分。我想要做这方面的测试，我用10%的硝酸 溶解 CIGS 薄膜，但是CIGS薄膜好像不溶解， 只是呈片状 悬浮于溶液中。对于 用 ICP-MS（电感耦合等离子体质谱仪）测试 CIGS薄膜的组分， 大家有没有什么建议，希望大家 踊跃发言！

大家好，群中有没有人做过 用 ICP-MS（电感耦合等离子体质谱仪）测试 CIGS（铜铟镓硒太阳能电池）薄膜的组分。我想要做这方面的测试，我用10%的硝酸 溶解 CIGS 薄膜，但是CIGS薄膜好像不溶解， 只是呈片状 悬浮于溶液中。对于 用 ICP-MS（电感耦合等离子体质谱仪）测试 CIGS薄膜的组分， 大家有没有什么建议，希望大家 踊跃发言！CIGS薄膜 分别有 铜Cu 铟In 镓Ga 硒Se 四种元素

[b]与[/b][color=red]微波等离子体[/color][b]相关的历史事件[/b] 2001年周健等开展了微波等离子体化学[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp]气相[/url]沉积金刚石膜研究阁。 2000年，陈栋梁、李庆等人进行了甲烷和氮气在低压微波等离子体下的转化研究，其生成的主要产物是HCN和乙炔，以及少量的含氰化合物，更高级的烃类以及氨或胺类没有检测到[1996年，海光与吉林大学金钦汉教授联合申报“微波等离子体炬发射光谱仪”获得成功。从1983年以来,加茂睦和和瀚高信雄等人’-用微波等离子体 CVD法在更温和的条件下合成了几毫米厚的微晶金刚石薄膜。 1983年日本的加茂睦和等人采用氢气和甲烷气体,用微波等离子体在硅片和石英片上沉积出金刚石膜”留校一直参加微波及电子线路方面的教学和科研工作，１９８２年以后开始从事微波等离子体方面的研究和有关设备的研制工作，作为主要完成人的“微波等离子体源及沉积设备”于１９８８年获电子工业部科技进步一等奖，微波等离子体ＣＶＤ设备”于１９９２年获国家科技进步三等奖，１９９２年开始参与太阳能利用方面的工作。从1979年起,科研方向转变到更广泛的领域,提出“广义微波”的概念,即波长与器件尺寸可以相比拟或略小于器件尺寸的波动现象,其理论基础都是微波理论的发展,从而确定了微波声学、导波光学、静磁波及微波等离子体微细加工等方面属于“广义微波”研究课题。1976年,Beenakker研制成功了一种可以得到常压氦微波等离子体的微波谐振腔,情况才开始有所改善。1975年Mosian等发明了一种表面波器件 1976年Beenakker提出了Tmoio谐振腔并获得了常压氦微波等离子体。因此有人于1965年提出了[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp]气相色谱[/url]和微波等离子体发射光谱联用的方法(以下简称色-光法)经过几年的发展于1973年已基本上仪器化。 自1965年Mccoroark提出微波等离子体应用与检测器达到阻抗匹配。金刚石具有高热导率、优异的耐磨性和低的摩擦因数、介电性好等优异的性能’自从１９６２年采用化学[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp]气相[/url]沉积法（ＣＶＤ）合成金刚石至今，已发展了许许多多合成金刚石膜的方法，如直流电弧等离子体喷射法、微波等离子体法。1960年代以后，微波等离子体也用于合成化学。[color=blue]来源：中国知网[/color]

测试薄膜的透射率是怎么测量的？用分光光度计测试的透射率包含基体的透射率吗？我在不同的实验室做薄膜透射率时，有的老师告诉我可以在参比池放一个空白的基板作参考，这样可以测出透射率为薄膜的透射率，有的老师告诉我不可以这样做，因为对于高反膜这样的后果是薄膜的透射率将高于1。我想问一下大家是怎么测试薄膜的透射率的！

哪里能测量透明薄膜的光学常数（折射率n和消光系数k）？样品做在超白玻璃上，单面溅射镀膜。

哪里能测量透明薄膜的光学常数（折射率n和消光系数k）？样品做在超白玻璃上，单面溅射镀膜。

哪里能测量透明薄膜的光学常数（折射率n和消光系数k）？样品做在超白玻璃上，单面溅射镀膜。

最近想做X射线衍射来看聚噻吩的结构，涉及到用薄膜做衍射或粉末做衍射，我个人认为两者的区别就是：薄膜的可以看出一定的取向的，在某些衍射峰比较强，除此之外在没有任何区别了。但师兄不同意我的观点，不知道各位大侠是怎么看待这一问题的，请赐教

怎么由薄膜的反射谱得到薄膜的吸收系数？

我们那的粉晶衍射仪是岛津7000，没带小角附件。我们想做薄膜，一直没做出来，可是工程师说能做，操作说明也说能，但没提在不在小角附件上作。我想知道，没有小角附件是否能测薄膜？

各位大侠帮忙解答:1. 我看文献上有的说xrd掠入射看薄膜物象鉴定，常规的θ/2θ扫瞄看薄膜的择优取向。薄膜xrd掠入射能看薄膜的择优取向吗？2. 我做常规的θ/2θ扫瞄时只有衬底峰没有薄膜信息，所以只能做掠入射，我是在单晶SiC片子上磁控溅射AlN薄膜（约500nm厚），但是我要对比不同参数下薄膜的择优取向，我该怎么测呢？3. 我用的设备是日本理学D/MAX 2500PC X射线粉末衍射仪，做掠入射时加了薄膜附件，采用2θ扫瞄模式，θ角固定（2.5、3、5、8、15、30度），不管θ角多大都没出现衬底峰只有薄膜峰，但是随着θ角的增大，AlN （0002）峰强也增大，而.（10-13）峰强则减小直到消失，这是为什么？另外，掠入射时θ角越小x线在薄膜中的光程应该越大，反应的薄膜信息应该越丰富对吗？为什么我做θ角0.5度和1度时什么峰都没有呢？

我想做一下薄膜里面的几个元素的纵向成份分布。请问那位做过薄膜的二次离子质谱？

大概有十多层，薄的有几十纳米，厚的几百纳米，半导体量子井结构，薄膜之间因掺杂或载流子密度有所不同，载流子振荡可能会产生等离子激元与晶格震动的耦合，这样有没有可能分别测出每一层的拉曼光谱，或在拉曼光谱中找出每一层的特征峰？以前没做过拉曼测量，刚要接触，很多都不懂，谢谢回答！

薄膜抑制器的离子交换膜是什么材料？

怎么由薄膜的反射谱得到薄膜的吸收系数？求解答，求不灌水，求实事求是，我真的着急，真的不明白了，50万的设备，测得东西完全不对路数。

我想做一下薄膜(100nm左右)里面的几个元素的纵向成份分布。请问那位做过薄膜的二次离子质谱？

硅上用磁控溅射的方法镀的氧化锌薄膜，厚度在80个纳米左右，用renishaw rm2000 做测试，只能得到硅基体的峰，是不是因为薄膜的厚度太薄了呢？可是看到一些文献上拉曼甚至还可以检测30个纳米的薄膜，他们又是怎么做出来的呢？初学拉曼，期待提高，希望各位高手多多指教，万分感谢了

我想做一下薄膜里面的几个元素的纵向成份分布。请问那位做过薄膜的二次离子质谱？

有用过微波等离子体发射光谱仪MP-AES的嘛？觉得怎么样