等离子体监控系统

Avio™ 200 系统能处理难度最高的、未经稀释的高基体样品，为ICP 带来全新的性能及灵活性。而且，前所未有的性能还带来了无可比拟的易用性。独特的硬件特性与业界最直观易用的软件相结合，使多元素测量变得与单元素分析一样简单。作为市场上最小巧的 ICP，Avio 200 可通过以下性能，提供最高效的操作、最可靠的数据和最低的拥有成本：所有 ICP 中最低的氩气消耗最快的 ICP 启动（从关机状态启动，光谱仪在短短几分钟内即可准备就绪）对所有适用的元素都具有出色的灵敏度与分辨率具有双向观测技术的最宽线性范围性能可靠、功能强大、经济实惠、Avio 200 具备您所寻求的 ICP所具有的一切。既然可以成为开拓者，谁还愿意当操作者？Avio 200 ICP 专为满足最具挑战性的客户需求并超越此类需求而设计，凭借一系列专有独特的功能，可帮助您运行多个样品，所取得的成本效益远超以往任何时候。最低的运行成本借助获得专利的 Flat Plate™ (平板) 等离子体技术，Avio 仅需消耗其他系统一半的氩气量，即可生成强健、耐基体的等离子体，同时赋予您：所有 ICP 中最低的操作成本无需再进行与传统螺旋负载线圈有关的冷却和维护，提供出色的运行时间和生产力另外，为了提高效率，珀金埃尔默仪器具有获得专利的动态波长，稳定功能。可令您从关机状态启动，在短短几分钟内即可进行分析，因而您大可在仪器不使用时随意关掉。强大的双向观测功能与提供轴向和径向观测而牺牲性能的同步垂直双向观测 ICP 系统不同，Avio 200 系统获得专利的双向观测功能，可测量所有波长，不会造成光或灵敏度的损失。即使是波长大于 500 纳米或低于 200 纳米的元素也完全可以测量，即便是在 ppb 的含量水平。该 Avio 系统独特的双向观测设计也提供了可扩展的线性动态范围，确保实现：样品制备和稀释最小化高、低浓度可以在同一运行中进行测量更好的质量控制和更准确的结果减少重复运行集成等离子体观测相机可简化您的开发方法，同时借助 Avio 200 系统的 PlasmaCam™ 技术，尽享远程监控等离子体的便利。作为行业首创，彩色相机可帮助您：实时观测等离子体执行远程诊断查看进样部件革新性 PlasmaShear 系统，可实现无氩干扰消除为了消除轴向观测的干扰，需要消除等离子体的冷尾焰。没有其他同类仪器能比 Avio 200 更有效、更可靠或更经济。其他 ICP 消除尾焰需要消耗高达 4 升/分钟的氩气流量，Avio系统独特的 PlasmaShear™ 技术只需空气即可。无需高维护、高提取系统或锥体。就是一个完全集成的、完全自动化的、能提供无故障轴向分析的干扰消除系统。CCD 检测器，可实现无与伦比的准确度和精密度借助全波长功能，Avio 200 系统的强大电荷耦合器件（CCD）检测器能不断提供正确的答案。Avio 系统的 CCD 检测器可同时测量所选谱线及其谱线附近波长范围，实时扣背景，实现出色的检测精密度。在分析过程中，它还可以同时执行背景校正测量，进一步提高准确度和灵敏度。带有快速转换炬管底座的垂直等离子体，可实现无与伦比的基体灵活性即使 ICP 正在运行，Avio 200 系统的垂直炬管无需工具也能进行简便快捷的调节，可提供更大的样品灵活性并简化维护。炬管底座的设计与众不同，具有以下特点：一个可拆卸的、独立于炬管的中心管，旨在减少维护和破损的可能性自动自对准，即使在拆卸后也能提供一致的深度设置兼容各种雾化器和雾室，可提高灵活性友情提示：根据型号及配置不同，仪器价格会有不同，欲了解详情请与我司联系。

等离子体监控系统PlasCalc 等离子体监测控制仪，实现200nm-1100nm波段内的等离子体测量，通过高级过程控制系统及精密数据存取算法，只需3ms就可以获得测量结果。特点 1、光学分辨率1.0nm(FWHM)2、光谱范围 200-1100nm3、快速的建模及存储实验方法Recipe编辑器Recipe编辑器有助于简单快捷的配置、构建及存储实验方法。对一些困难的等离子体工序诸如膜沉积测量、等离子体蚀刻监测、表面洁度监测、等离子体室控制及异常污染、排放监测等，能够快速简单的构建模块过程控制。多种工具用于等离子体诊断随PlasCalc配置的操作软件，集成的程式编辑器能够容易实现多种数学算法功能。可选的波长发生器（可以单独购买）用于类型确认，而波长编辑器可以用于优化信噪比。双窗口界面用于显示实际光谱及所有过程控制信息。PlasCalc 配置说明光谱范围:200-1100 nm光学分辨率:1.0 nm (FWHM)D/A 转换:14 bit数字I/O:8 x TTL模拟输出:4 x [0-10V]接口:USB 1.1功耗:12 VDC @ 1.25 A

1、 设备组成：高压电源、气体控制系统、紫外诱变消毒系统、等离子体发生系统、交互式触摸LCD、自动控制系统、环境参数监控系统、照明系统。2、 设备使用器皿：专用的加样器、标准的90mm的玻璃培养皿3、 控制系统：工作温湿度监测显示、气体流量监测显示、参数设置、模式设置、启动/停止、软件版本升级、设备自检、环境消毒、照明控制。4、 等离子体观察窗尺寸：220mm x 150mm5、 安全防护等级：IP536、 诱变时间设定范围：0 – 3600s7、 报警：工作异常、设备部件异常会报警8、 提醒：正常启动、消毒结束、诱变结束会铃声提醒9、 自动控制诱变距离：0 – 25mm10、 气体流量自动控制范围：10 – 16 slpm11、 设备尺寸：465mm(H) x 420mm(W) x 465mm(D)12、 工作气体：99.999%高纯氮气13、 整机功率：300W（MAX）14、 电源：220VAC±10% 50Hz15、 等离子体最大功率：10W16、 氮气接口：6mm双卡套快速接口17、 工作温度：-10℃ - 40℃18、 工作湿度：≤ 70%

Aurora Z10冷等离子体种子处理仪统提供“Activated Air”活性气体，就像雷击周围的空气一样，可以改善种子健康，提高整体植物产量。冷等离子体种子活化过程的核心优势是提高发芽的一致性和发芽率以及幼苗的生长速度，这反过来又提高了种植者的产量和产量。该系统是移动的，需要外部电源和互联网连接。系统通过云连接，远程机器监控易于掌控整个活化过程。特点：&minus CEA的先进种子健康系统，冷等离子体促进种子健康和作物产量&minus 仅使用空气和电力，不添加化学物质&minus 低工作功耗（200W）&minus 专为垂直农场和温室设计规格：样品仓：10L处理量：2升（1公斤）的种子10.4英寸触摸显示屏远程监控控制超低功耗小于200w重量：143Kg

日本Advance Riko 公司致力于电弧等离子体沉积系统（APD）利用脉冲电弧放电将电导材料离子化，产生高能离子并沉积在基底上，制备纳米级薄膜镀层或纳米颗粒。电弧等离子体沉积系统利用通过控制脉冲能量，可以在1.5nm到6nm范围内精确控制纳米颗粒直径，活性好，产量高。多种靶材同时制备可生成新化合物。金属/半导体制备同时控制腔体气氛，可以产生氧化物和氮化物薄膜。高能量等离子体可以沉积碳和相关单质体如非晶碳，纳米钻石，碳纳米管 形成新的纳米颗粒催化剂。 主要应用领域： 1、制备新金属化合物，或制备氧化物和氮化物薄膜（氧气和氮气氛围）；2、制备非晶碳，纳米钻石以及碳纳米管的纳米颗粒；3、形成新的纳米颗粒催化剂（废气催化剂，挥发性有机化合物分解催化剂，光催化剂，燃料电池电极催化剂，制氢催化剂）；4、用热电材料靶材制备热电效应薄膜。 技术原理：1、在触发电极上加载高电压后，电容中的电荷充到阴极（靶材）上；2、真空中的阳极和阴极（靶材）间，电子形成了蠕缓放电，并产生放电回路，靶材被加热并形成等离子体；3、通过磁场控制等离子体照射到基底上，形成薄膜或纳米颗粒。 材料适用性：APD适用于元素周期表中大部分高导电性金属，合金以及半导体。所用原料为直径10mmX17mm长圆柱体或管状体，且电阻率小于0.01 ohm.cm。下面的元素周期表显示了可制备的材料，绿色代表完全适用，黄色代表在一定条件下适用。 设备特点： 1. 系统可以通过调节放电电容选择纳米颗粒直径在1.5nm到6nm范围内。2. 只要靶材是导电材料，系统就可以将其等离子体化。（电阻率小于0.01ohm.cm）。3. 改变系统的气氛氛围，可以制备氧化物或氮化物。石墨在氢气中放电能产生超纳米微晶钻石。4. 用该系统制备的活性催化剂效果优于湿法制备。5. Model APD-P支持将纳米颗粒做成粉末。Model APD-S适合在2英寸基片上制备均匀薄膜。 APD制备的Fe-Co纳米颗粒的SEM和EDS图谱 系统参数： 1. 真空腔尺寸：400X400X300长宽高2. 抽空系统：分子泵450L/s3. 电弧等离子体源:标配一个，最多3个4. 沉积气压：真空或者低气压气体（N2， H2，O2，Ar）5. 靶材：导电材料，外径10mm，长17mm6. 靶材电阻率：小于0.01欧姆厘米7. 电容：360uF X5 （可选）8. 脉冲速度：1,2,3,4,5 Pulse/s9. 操作界面：触摸屏10. 放电电压：70V-400V （1800uF下最大150V） APD-P 粉末容器：直径95mm 高30mm形成粉末的速度：13-20cc （随颗粒尺寸和密度变化）旋转速度：1-50rpm

FOR SURFACE MODIFICATION - CLEANING - ACTIVATION - ETCHING - DEPOSITION表面改性（亲水性和赤水性），等离子清洁，等离子活化，刻蚀以及反应离子刻蚀，等离子沉积等应用 GlowResearch是美国著名的真空系统解决方案供应商，其旗下的OptiGlow和AutoGlow全自动多功能等离子表面处理系统应用于小型生产及研发实验室的使用和发展历史已经超过了20年，随着研发提升及软硬件更新，现在的系统不但拥有使用的高稳定性和高效率外，其集成化设计和友好操作界面使得用户上手操作及参数调整都非常简易。其全球客户群已经超过了3000多套，遍布欧美各大著名的微纳米加工实验室及化学生物实验室，著名包括莱斯大学，麻省理工学院，哈佛大学，尤利希中心，法国生物化学与生物分子研究中心，法国应用光学研究所，德国生物技术研究所，德国航空航天研究所，德国马普所，英国国家工程实验室等等。射频等离子体是最广泛使用和通用性好的等离子体技术，它应用于医疗和半导体的宽广领域内。在通用工业/医疗行业，需要清洁、涂覆或化学改性的材料表面被浸入到射频等离子体的能量环境中，除了射频等离子体的强烈的化学作用外，其定向效应也起到了一个重要的作用。携带动量的粒子到达材料表面后可以物理地去除更加化学惰性的表面沉淀物（如金属氧化物和其它无机物沉淀）以及交联聚合物以锁定等离子体的处理。AutoGlow—高纯度石英样品室和石英样品托，3个气体流量质量控制器，150mm基底尺寸，13.56 MHz射频激发等离子体可变功率从10到300W，全自动协调校准，压力可读，氮气清洗，CE认证标识。电容耦合的，只需按一个按钮便可全自动操作整个处理流程。使用在等离子清洁，键合前处理包括活化胺化产生官能团, 刻蚀薄膜，去除有机物，光刻胶灰化等。桌面紧凑式设计，最低可在10W功率运行。 AutoGlow 200—可以处理200mm基底（8寸晶圆），和反应离子刻蚀RIE(可选ICP电感耦合等离子体源）和等离子体处理。3个气体流量质量控制器–氧气，氩气或氟化气体（CF4或SF6）, 13.56 MHz射频激发等离子体可变功率从10到600W，全自动协调校准，，压力可读，氮气清洗，CE认证标识，高品质铝样品室。使用在等离子清洁，键合前处理包括活化胺化产生官能团, 刻蚀薄膜，去除有机物，光刻胶灰化等。桌面紧凑式设计，最低可在10W功率运行。具有观察窗用来监控OES发射光谱和处理终点检测。 Rice University has an AutoGlow in the Halas Research Lab. The system is used for removal of polymer resists for applications in plasmonics and nanophotonics and prepare samples for surface-enhanced molecular spectroscopy. Harvard University’s AutoGlow system in the Gordon McKay lab. The system is used for organic removal, surface modification and serves the needs of several researchers working on DNA research and human genome sequencing. Pictured is the AutoGlow at the Microsystems Technology Lab at MIT. This AutoGlow is used for Photoresist removal, cleaning and surface modification. This lab does research in MEMS, BioMEMS, Nanotechnology and Photonics. 全自动控制系统可以使用户轻松进行操作处理样品, 一旦系统检测真空达到预设真空值后, 便自动开启并控制气体流量进入, 这个过程不需要任何其他操作因素. 系统也可配置两路或三路气源和同时使用不同比例的混合气源（比例可以任意调整）然后通过一个额外的阀门来自动调整任意比例两种不同混合气源.系统特别设计用于等离子体表面处理包括光刻胶灰化, 有机物去除, 清洗, 活化, 改性, 沉积和刻蚀, 具有功能多, 易操作性强, 全自动化无需调试, 可靠性高, 低成本等优点, 广泛应用于半导体制造, 微电子加工, 生命科学制造和前处理等. 可适用多种工艺气体, 如氩气Ar, 氧气, 空气及氟化合物如CF4或SF6, 通过两个气体质量流量控制气体以及特殊阀门控制任意气体混合比例. 除了结构紧凑和集成度高外, 出色的射频激发等离子体配合出色的工艺控制, 失效保护系统和数据采集系统使其很容易使用在实验室和生产环境中。 湿法刻蚀的缺点在于各向同性横向侧面刻蚀和垂直刻蚀是一致的速度。干法刻蚀的目的在于制作一个各向异性刻蚀-意味着刻蚀是定向的。一个各向异性刻蚀性能对于一个好的微纳图形转移是至关重要的。反应离子刻蚀RIE就是这种标准的干法刻蚀方式。RIE典型的反应气体是O2 和 CF4. 功能一：Plasma Cleaning等离子清洗： 应用于： - 金属表面超精细清洗 - 塑料与弹性体表面处理 - 一般玻璃表面陶瓷表面处理和清洗 - 去除样品表面氧化物和碳污染物 功能二：Plasma Surface Activation等离子表面活化功能三：Plasma Coating 等离子镀膜功能四：Plasma Surface Etching 等离子表面刻蚀-POM、PTFE、PEP、PFA -PTFE部件 -构建硅基结构 -光刻胶灰化

PlasmaDyne Pro 1000s Treating System 大气等离子体处理系统 采用大气等离子技术处理各种表面，如塑料，橡胶，玻璃，金属，纸板和复合材料。大气等离子体清洗去除杂质及表面有机污染物并改变基质分子结构，重新构造表面的化学性质，从而在基材与粘合剂，涂料，层压材料，涂料和油墨之间形成强大的粘合，提高表面能量。PlasmaDyne Pro 1000s采用大气等离子技术处理各种表面，如塑料，橡胶，玻璃，金属，纸板和复合材料。大气等离子体清洗去除杂质及表面有机污染物并改变基质分子结构，重新构造表面的化学性质，从而在基材与粘合剂，涂料，层压材料，涂料和油墨之间形成强大的粘合，提高表面能量。处理头内的高压电流通过加压将等离子体施加到基底上，针对各种应用调整功率及处理水平，固定处理头的宽度为10-12 mm。 可定制一个或多个固定或旋转头，可作为独立单元或合并到其他生产线中运行，先进的控制系统确保均匀的可重复性的表面处理工作。功能和特点：1．可调节的功率水平高达600W（以达到理想的处理水平 - 提高功率，提高抗性基板的表面能力，或降低精密基板的功率）。2.一个或多个固定处理头的标准独立单元包括紧凑，耐用的焊接和粉末涂层钢柜和控制系统，前门控制面板，侧面远程连接器，高压变压器，和处理头的空气供应系统。3.彩色触摸显示屏，用于监控所有系统参数，包括故障排除和提供故障日志并下载功能。4.结构紧凑，经济实惠。5.工作场所安全，不产生臭氧。6.紧凑的设计可轻松集成到新的或现有的生产线中。7.配备活动配件，可提供3/8“至1/2”的处理带或5/8“，1 1/2”，2的扩展宽度，带有旋转/宽喷嘴选项。8.独立的供气系统使用直流，低压的自动鼓风机，以避免其他系统产生的压缩空气污染。9.低/高等离子处理水平报警，以确保一致的质量结果。如果处理过程中受到损害，系统将停止运行。10.完全可定制，可满足您独特的表面处理应用，最多可配置20个处理头。PlasmaDyne易于使用，操作具有成本效益，可靠且安全。易于集成和操作 - 可轻松集成到机械臂或往复机上，更直观，提高生产率。减少停机时间和维护 - 最小元件和先进的组件相结合，意味着更平稳的操作和更长的系统寿命。专为快速更换应用而设计 - 轻松编程和调整配置可大限度地减少停机时间。环保 - 无需使用有毒的底漆和溶剂，减少VOC排放。便于使用紫外线技术。节省成本的耐用性和灵活性 - 这意味着对导电，半导电和非导电区域进行低维护和均匀处理。PlasmaDyne专为快速更换和产品定位而设计，可大限度地减少停机时间，同时提供一致的处理。 PlasmaDyne的旋转头可处理更广泛的区域，大气等离子体可为您的应用提供表面功能。有多种旋转头可供选择。 PlasmaDyne的固定头在机械臂的帮助下可处理狭窄的凹槽

PVA TePla 射频等离子体去胶机——PVA TePla 跨国型企业，50年等离子体设备经验PVA-TePla 射频等离子体去胶机（整机进口），性能稳定，均匀性好。PVA TePla 公司的IoN 40 等离子体设备是为实验室和生产领域设计的全功能的等离子体处理设备。IoN 40等离子体设备是PVA TePla公司推出的具有高性价比的真空等离子体设备。该设备外观简洁，系统高度集成化。其先进的性能提供了出色的工业控制、失效报警系统和数据采集软件。可满足科研、生产等领域严格的控制要求。PVA TePla公司的高品质、高性价比、操作简单的等离子体设备为各种不同应用领域提供了先进的创新解决方案，得到用户的广泛信赖。型号：IoN 40 ( M4L 升级版 )典型应用：光刻胶灰化去除残胶打底膜表面精密清洁去除氧化层去除氮化层表面活化提高表面粘合性改变表面亲水性/疏水性分子接枝涂层规格参数：阳极表面处理铝制腔体，水平抽卸极板/垂直极板/侧壁极板/水冷极板13.56MHz 风冷微波电源（0～600w可调,可选配0～300W，0～1000W），高灵敏快速自动匹配水平抽卸极板/水冷极板/垂直极板/料盒极板不锈钢防腐蚀MFC，多至6路工艺气体，两路辅助气路：回填保护气体，驱动气路兼容8英寸及以下晶圆模块化设计，维护保养简单PC工控机控制，运行数据自动存储，工艺数据严格监控，可自定义工艺警报范围分级密码权限管理图形化可视控制界面外形尺寸：775×723×781 mm重量：157KG可选配置：石英腔体液态单体操作装置可选配温控板可选配法拉第桶可选配压力控制系统认证：CE 认证EN 61010EN 61326Semi E95ISO 9001CISPR 55011NFPA79NFPA70

PVA TePla 射频等离子体去胶机——PVA TePla 跨国型企业，50年等离子体设备经验PVA-TePla 射频等离子体去胶机（整机进口），性能稳定，均匀性好。PVA TePla 公司的IoN 40 等离子体设备是为实验室和生产领域设计的全功能的等离子体处理设备。IoN 40等离子体设备是PVA TePla公司推出的具有高性价比的真空等离子体设备。该设备外观简洁，系统高度集成化。其先进的性能提供了出色的工业控制、失效报警系统和数据采集软件。可满足科研、生产等领域严格的控制要求。PVA TePla公司的高品质、高性价比、操作简单的等离子体设备为各种不同应用领域提供了先进的创新解决方案，得到用户的广泛信赖。型号：IoN 40 ( M4L 升级版 )典型应用：光刻胶灰化去除残胶打底膜表面精密清洁去除氧化层去除氮化层表面活化提高表面粘合性改变表面亲水性/疏水性分子接枝涂层规格参数：阳极表面处理铝制腔体，水平抽卸极板/垂直极板/侧壁极板/水冷极板13.56MHz 风冷微波电源（0～600w可调,可选配0～300W，0～1000W），高灵敏快速自动匹配水平抽卸极板/水冷极板/垂直极板/料盒极板不锈钢防腐蚀MFC，多至6路工艺气体，两路辅助气路：回填保护气体，驱动气路兼容8/12英寸及以下晶圆模块化设计，维护保养简单PC工控机控制，运行数据自动存储，工艺数据严格监控，可自定义工艺警报范围分级密码权限管理图形化可视控制界面外形尺寸：775×723×781 mm重量：157KG可选配置：石英腔体液态单体操作装置可选配温控板可选配法拉第桶可选配压力控制系统认证：CE 认证EN 61010EN 61326Semi E95ISO 9001CISPR 55011NFPA79NFPA70

电弧等离子体沉积系统日本ADVANCE RIKO公司致力于电弧等离子体沉积系统（APD）利用脉冲电弧放电将电导材料离子化，产生高能离子并沉积在基底上，制备纳米薄膜镀层或纳米颗粒。电弧等离子体沉积系统利用通过控制脉冲能量，可以在1.5nm到6nm范围内控制纳米颗粒直径，活性好，产量高。多种靶材同时制备可生成新化合物。金属/半导体制备同时控制腔体气氛，可以产生氧化物和氮化物薄膜。高能量等离子体可以沉积碳和相关单质体如非晶碳，纳米钻石，碳纳米管 形成新的纳米颗粒催化剂。主要应用领域制备新金属化合物，或制备氧化物和氮化物薄膜（氧气和氮气氛围）制备非晶碳，纳米钻石以及碳纳米管的纳米颗粒形成新的纳米颗粒催化剂（废气催化剂，挥发性有机化合物分解催化剂，光催化剂，燃料电池电催化剂，制氢催化剂）用热电材料靶材制备热电效应薄膜技术原理在触发电上加载高电压后，电容中的电荷充到阴（靶材）上。真空中的阳和阴（靶材）间，电子形成了蠕缓放电，并产生放电回路，靶材被加热并形成等离子体。通过磁场控制等离子体照射到基底上，形成薄膜或纳米颗粒。适用性APD适用于元素周期表中大部分高导电性金属，合金以及半导体。所用原料为直径10mmX17mm长圆柱体或管状体，且电阻率小于0.01 ohm.cm。下面的元素周期表显示了可制备的材料，绿色代表完全适用，黄色代表在一定条件下适用。 产品特点1. 系统可以通过调节放电电容选择纳米颗粒直径在1.5nm到6nm范围内。2. 只要靶材是导电材料，系统就可以将其等离子体化。（电阻率小于0.01ohm.cm）3. 改变系统的气氛氛围，可以制备氧化物或氮化物。石墨在氢气中放电能产生超纳米微晶钻石。4. 用该系统制备的活性催化剂效果优于湿法制备。5. Model APD-P支持将纳米颗粒做成粉末。Model APD-S适合在2英寸基片上制备均匀薄膜。APD制备的Fe-Co纳米颗粒的SEM和EDS图谱系统参数1. 真空腔尺寸：400X400X300长宽高2. 抽空系统：分子泵450L/s3. 电弧等离子体源:标配一个，多3个4. 沉积气压：真空或者低气压气体（N2， H2，O2，Ar）5. 靶材：导电材料，外径10mm，长17mm6. 靶材电阻率：小于0.01欧姆厘米7. 电容：360uF X5 （可选）8. 脉冲速度：1,2,3,4,5 Pulse/s9. 操作界面：触摸屏10. 放电电压：70V-400V （1800uF下大150V） APD-P 粉末容器：直径95mm 高30mm形成粉末的速度：13-20cc （随颗粒尺寸和密度变化）旋转速度：1-50rpm 产品对比测试数据■ 利用APD制备氧化铁纳米颗粒图1 三种不同碳基支撑物表面获得的氧化铁颗粒的HAADF-STEM图像及粒径分布统计图表1 铁负载量、纳米颗粒粒径与电弧脉冲次数的关系引用资料：Yumi Ida, et al. A useful preparation of ultrasmall iron oxide particles by using arc plasma deposition. RSC Adv., 2020, 10, 41523.■ 利用APD制备Fe-Co纳米颗粒APD制备的Fe-Co纳米颗粒的SEM和EDS图谱发表文章20211. Kamal Prasad Sharma, Aliza Khaniya Sharma, Toru Asaka, Takahiro Maruyama. Transmissible Plasma-Evolved Suspended Graphene for TEM Observation Window. ACS Appl. Nano Mater. 2021, XXXX, XXX, XXX-XXX.2. Ai Misaki, Takahiro Saida, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama. Effect of growth temperature and ethanol flow rate on synthesis of single-walled carbon nanotube by alcohol catalytic chemical vapor deposition using Ir catalyst in hot-wall reactor. Jpn. J. Appl. Phys., 2021, 60, 015003. 2020 1. Yumi Ida, Atsushi Okazawa, Kazutaka Sonobe, Hisanori Muramatsu, Tetsuya Kambe, Takane Imaoka, Wang-Jae Chun, Makoto Tanabe, Kimihisa Yamamoto. A useful preparation of ultrasmall iron oxide particles by using arc plasma deposition. RSC Adv., 2020, 10, 41523.2. K Miyazawa, T Nagai, K Kimoto, M Yoshitake, Y. Tanaka. HRTEM-EELS cross-sectional characterization of HOPG substrate with platinum nanoparticles deposited using a coaxial arc plasma gun. Diam. Relat. Mater., 2020, 101, 107623.3. Xiao Zhao, Yutaka Hamamura, Yusuke Yoshida, Takuma Kaneko, Takao Gunji, Shinobu Takao, Kotaro Higashi, Tomoya Uruga, Yasuhiro Iwasawa. Plasma-Devised Pt/C Model Electrodes for Understanding the Doubly Beneficial Roles of a Nanoneedle-Carbon Morphology and Strong Pt-Carbon Interface in the Oxygen Reduction Reaction. ACS Appl. Energy Mater. 2020, 3, 6, 5542–5551.4. Naoto Todoroki, Shuntaro Takahashi, Kotaro Kawaguchi, Yusuke Fugane, Toshimasa Wadayama, Dry synthesis of single-nanometer-scale Ptsingle bondSi fine particles for electrocatalysis. J. Electroanal. Chem., 2020, 876, 114492.5. Hiroshi Yoshida, Yusuke Kuzuhara, Tomoyo Koide, Junya Ohyama, Masato Machida. Pt-modified nanometric Rh overlayer as an efficient three-way catalyst under lean conditions. Catal. Today, (On line, in press).6. Takahiro Maruyama, Takuya Okada, Kamal Prasad Sharma, Tomoko Suzuki, Takahiro Saida, Shigeya Naritsuka, Yoko Iizumi, Toshiya Okazaki, Sumi Iijima. Vertically aligned growth of small-diameter single-walled carbon nanotubes by alcohol catalytic chemical vapor deposition with Ir catalyst. Appl. Surf. Sci., 2020, 509, 145340.7. Teppei Ikehara, Zhiyun Noda, Junko Matsuda, Masamichi Nishihara, Akari Hayashi, Kazunari Sasaki. Porous Metal Support for Gas Diffusion Electrode of PEFCs. ECS Trans., 2020, 98, 573.8. D. Kawachino, M. Yasutake, Z. Noda, J. Matsuda, S. M. Lyth, A. Hayashi, K. Sasaki. Surface-Modified Titanium Fibers as Durable Carbon-Free Platinum Catalyst Supports for Polymer Electrolyte Fuel Cells. J. Electrochem. Soc., 2020, 167, 104513.9. Masahiro Yasutake, Daiki Kawachino, Zhiyun Noda, Junko Matsuda, Stephen M. Lyth, Kohei Ito, Akari Hayashi, Kazunari Sasaki. Catalyst-Integrated Gas Diffusion Electrodes for Polymer Electrolyte Membrane Water Electrolysis: Porous Titanium Sheets with Nanostructured TiO2 Surfaces Decorated with Ir Electrocatalysts. J. Electrochem. Soc., 2020, 167, 124523.用户单位北海道大学日本产业技术综合研究所东北大学（Tohoku University）韩国科学技术研究院九州大学京都大学大阪大学山梨大学东京理科大学东京工业大学

双腔体等离子体原子层沉积系统 QBT-T 原子层沉积（Atomic layer deposition)是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应腔体内并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种技术，具有自限性和自饱和。原子层沉积技术主要应用是在各种尺寸和形状的基底上沉积高精度、无针孔、高保形的纳米薄膜。 等离子体增强原子层沉积 (PlasmaEnhancedAtomicLayerDeposition，PEALD)是对ALD技术的扩展，通过等离子体的引入，产生大量活性自由基，增强了前驱体物质的反应活性，从而拓展了ALD对前驱源的选择范围和应用要求，缩短了反应周期的时间，同时也降低了对样品沉积温度的要求，可以实现低温甚至常温沉积，特别适合于对温度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉积。主要技术参数QBT-A 技术参数 Technical Specifications （超导NbN, TiN以及 Al2O3, SiO2等制备)高真空HV腔体2个腔室，包括进样室和ALD，LoadLock极限真空 Ultimate Pressure9E-6Torr工艺腔极限真空 Ultimate Pressure5E-7Torr等离子体 Plasma最大600W RF自匹配电源最大基板尺寸Max Wafer SizeФ200mm，氧化铝均匀性1%高精准样品加热控制 Wafer HeatingRT-500±1oC前驱体 Max Precursor最大可包括3组等离子体反应气体 4组液态或固态反应前驱体臭氧发生器Ozone Generator可选配，生产效率15g/h传输高真空自动化传输人机界面 HMI全自动化人机操作界面安全Safety工业标准安全互锁Industry Safety Interlock，报警Alarm，EMO测试结果展示

等离子体增强型CVD设备 PD-220N研究开发用等离子体CVD设备概要PD-220N是用于沉积各种硅薄膜（SiO2、Si3N4等）的等离子体CVD系统。 PD-220N在提供薄膜沉积所需的全部功能的同时，占地面积比本公司的传统系统小40%。 从尖端研究到半大规模生产，它的应用范围很广。主要特点和优点可在ø 8英寸晶圆上沉积尽管设计紧凑，但该系统能够在5块ø 3英寸晶圆、3块ø 4英寸晶圆和1块ø 8英寸晶圆上同时沉积。TEOS-SiO2成膜系统可扩展可增加TEOS等温室装置。 (这是一个选项)应用各种硅基薄膜的形成可形成氮化硅膜、氧化硅膜、非晶硅膜。选项可以增加形成TEOS-SiO2薄膜的TEOS等温室装置。

产品应用等离子体火炬（亦称等离子体发生器或等离子体加热系统）就是依据这一原理研制的专门设备。等离子体火炬通过电弧来产生高温气体，可在氧化、还原或惰性环境下工作，可以为气化、裂解、反应、熔融和冶炼等各种功能的工业炉提供热源。微波等离子体炬就是以微波为激发能量的开放式等离子体技术。产品特点1、微波激发开放式等离子体火炬产品平台，用于等离子状态下，气固液态材料的反应2、支持多种气氛条件的等离子体，3、支持混气和送样4、支持等离子体强度调节5、智能化控制系统，工艺可控技术参数（一）、微波系统1.微波功率：额定功率1000W / 2450MHz，无级非脉冲式连续微波功率输出2.微波等离子体激发腔设计：①中央聚焦强电磁场密度微波腔②内置微波调配系统（二）、功能系统1.等离子体系统：①开放式石英管等离子体反应系统②等离子体强度和主焰高度可调2.温度控制：①温度范围：1000℃，；②采用红外测温方式（700～1700℃），支持选配光学测温系统；3.气氛控制：①支持多种气氛条件的等离子体，②支持混气和流量控制，支持流动送样③支持选配尾气收集系统（三）、控制系统①采用PLC自动化控制：功率、强度、流量、时间可控②支持选配内腔视频系统，进行动态观察（四）、安全系统1.腔体多重联锁结构，开门断电，保护操作人员2.开口采用λ/4高阻抗微波抗流抑制结构，保证操作人员的健康安全，微波泄漏量：5mW/cm2 （优于国标）（五）、整机说明1.设备供电：220Vac / 50Hz，整机能耗：1500W2.设备供水：水冷系统3.外观尺寸：主体约：1400×1600×700mm（宽×高×深）4.设备重量：80kg5.公司产品通过ISO9001质量认证体系　整机质保一年

产品应用适用于新材料（包括薄膜，纤维，粉末以及高性能复合材料等）的制备，金属制品的表面强化和防腐蚀，纺织品的后整理，高聚物聚合及其表面改性，微电子器件及高功率电子器件和光电子器件的制造，纳米材料的制备和器件的开发，高效照明光源和紫外光源的开发，有毒有害气体的分解净化及其它三废处理等多个工业技术领域。产品特点1、采用卧式高温管道式腔体结构，气路为左进右出，中间设置等离子观察口2、左侧设置2路混气气氛结构3、设置防漏波监视口，等离子激发状态，观察内部等离子体反应情况4、采用PLC程序控制模式，具有更智能的工艺控制模式。技术参数产品类型微波等离子体炉型号 / 品名MKP-T2HA 微波等离子体炉微波参数功率0～1600W / 2450MHz 无级可调微波腔体材质 / 密封不锈钢一体焊接成型，真空密封，极限真空-0.099MPa等离子腔体反应器卧式石英管结构，微波等离子产生区（40×400mm）观察口单观察口气流控制系统全密封，采用真空结构，进出气口，2路气氛操控系统温控～1700℃红外测温控制PLC智能控制，彩色触摸屏人机对话操作数据支持预制多个方案，多段记忆，数据导出；时间、温度曲线显示，即时监控安装尺寸宽*深*高1500×800×800mm，台式放置

PECVD沉积技术NPE-4000（M） PECVD等离子体化学气相沉积系统概述：NANO-MASTER PECVD系统能够沉积高质量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到最大可达12” 直径的基片上.该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子，具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压。并可以支持加热和循环冷却水的冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，腔体可以达到低至10-7 torr的真空。标准配置包含1路惰性气体、3路活性气体管路和4个MFC.带有独一无二气体分布系统的平面中空阴极等离子源使得系统可以满足广大范围的要求，无论是等离子强度、均匀度，还是要分别激活某些活性组份，这样系统可以覆盖最广的可能性来获得各种沉积参数。NPE-4000（M） PECVD等离子体化学气相沉积系统应用：等离子诱导表面改性：就是通常所说的用等离子实现表面改性(如亲水性、疏水性等)等离子清洗：去除有机污染物等离子聚合：对材料表面产生聚合反应沉积二氧化硅、氮化硅、DLC(类金刚石)，以及其它薄膜CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长：在需要的位置生长CNT或石墨烯。NPE-4000（M） PECVD等离子体化学气相沉积系统特点：独立型立式系统不锈钢或铝制腔体极限真空可达10-7TorrRF淋浴头，HCD或微波等离子源高达12”(300mm)直径的样品台RF射频偏压样品台水冷样品台可加热到的800 °C样品台加热的气体管路加热的液体传送单元抗腐蚀的涡轮分子泵组1路载体气体以及3路反应气体，带MFC基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动，4级密码访问保护完整的安全联锁

产品应用适用于新材料（包括薄膜，纤维，粉末以及高性能复合材料等）的制备，金属制品的表面强化和防腐蚀，纺织品的后整理，高聚物聚合及其表面改性，微电子器件及高功率电子器件和光电子器件的制造，纳米材料的制备和器件的开发，高效照明光源和紫外光源的开发，有毒有害气体的分解净化及其它三废处理等多个工业技术领域。产品特点1、采用井式高温管道式腔体结构，密封盖体可以自动升降，取放物料更方便2、密封盖体上设置4路气氛结构，2路喷雾接口，设置旋转电机，驱动内置托架和物料3、设置防漏波监视口，（1）平常状态下LED灯观察内部物料情况（2）等离子激发状态，观察内部等离子体反应情况4、采用PLC程序控制模式，具有更智能的工艺控制模式。技术参数产品类型微波等离子体炉型号 / 品名MKP-T4UA 微波等离子体炉微波参数功率0～3200W / 2450MHz 无级可调微波腔体材质 / 密封不锈钢一体焊接成型，真空密封，极限真空-0.099MPa等离子腔体反应器卧式石英管结构，微波等离子产生区（Φ300×400mm）观察口单观察口气流控制系统全密封，采用真空结构，进出气口，6路气氛操控系统温控～1700℃红外测温控制PLC智能控制，彩色触摸屏人机对话操作数据支持预制多个方案，多段记忆，数据导出；时间、温度曲线显示，即时监控安装尺寸宽*深*高1200×1000×1900mm，落地放置

ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-230iPC量产设备概要RIE-230iPC是以电感耦合等离子体为放电方式，高速进行各种材料的超精细加工的盒式ICP蚀刻系统。该系统通过采用独特的龙卷风式线圈电极，高效地产生稳定的高密度等离子体，实现了对硅、各种金属薄膜和化合物半导体的高精度各向异性蚀刻。此外，ø 230mm的托盘可同时处理多种化合物半导体。主要特点和优点龙卷风线圈电极　它能有效地产生稳定的高密度等离子体，使蚀刻具有高选择性、高精度和良好的均匀性。低损伤工艺　通过ICP产生高密度的等离子体，实现了低偏置、低损伤的工艺。温度控制　电调和He冷却的平台和反应室内侧壁的温度控制使蚀刻在稳定的条件下进行应用GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度加工。铁电材料和电极材料的加工。

ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-230iP多功能负载锁设备概要RIE-230iP是以电感耦合等离子体为放电方式，高速进行各种材料的超精细加工的负载锁定型ICP蚀刻系统。该系统通过采用独特的龙卷风式线圈电极，高效地产生稳定的高密度等离子体，可对硅及各种金属薄膜和化合物半导体进行高精度的各向异性蚀刻。此外，ø 230mm的托盘可同时处理多种化合物半导体。主要特点和优点龙卷风线圈电极　它能有效地产生稳定的高密度等离子体，使蚀刻具有高选择性、高精度和良好的均匀性。低损伤工艺　通过ICP产生高密度的等离子体，实现了低偏置、低损伤的工艺。温度控制　电调和He冷却的平台和反应室内侧壁的温度控制使蚀刻在稳定的条件下进行。应用GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度加工。铁电材料、电极材料等难蚀材料的加工。

ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-400iPfor III-V semiconductors (GaN, GaAs, InP)概要RIE-400iP是用于ø 4 "晶圆的负载锁定型蚀刻系统，可对各种半导体和绝缘膜进行高精度、高均匀性加工。采用独特的龙卷风线圈的电感耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma)作为放电形式，可产生均匀、高密度的等离子体。另外，可以根据加工材料和加工内容选择合适的等离子体源。主要特点和优点新的ICP源 "HSTC&trade : Hyper Symmetrical Tornado Coil"　可高效稳定地应用高射频功率（2千瓦以上），并实现良好的均匀性。大流量排气系统　排气系统直接连接到反应室，可以实现从小流量和低压范围到大流量和高压范围的广泛工艺窗口。端点监测　干涉法和发射光谱终点监测仪可用于目标薄膜厚度的终点检测。易于维护的设计　TMP(涡轮分子泵)已集成在一个单元中，便于更换应用GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度蚀刻。生产半导体激光器和光子晶体。选项干涉式端点监测器 可进行高精度的端点检测，并可将蚀刻深度控制在所需深度。

提升您的期望 — 新型 Agilent 7900 电感耦合等离子体质谱仪开启了 ICP-MS 的新纪元。新型 Agilent 7900 电感耦合等离子体质谱仪将再次重新定义 ICP-MS：与世界上最畅销的 7700 ICP-MS 系列相比，其高盐基质耐受能力增强了 10 倍，动态范围扩展了 10 倍，信噪比提高了 10 倍 ，而且功能强大的软件还可帮您编写方法。全球最强大的全自动 ICP-MS 具备业内最高效的氦气碰撞模式，具有无与伦比的干扰消除能力，无论什么样的应用，都能为您提供最优异的数据质量。Agilent 7900 电感耦合等离子体质谱仪的每个组件都经过精心设计，造就了卓越的性能和可靠性，为您开辟成功之路。特性1. 史无前例的高盐基质耐受能力 — Agilent 7900 电感耦合等离子体质谱仪的稳定等离子体和可选的超耐高盐进样系统（UHMI）可帮助您对高达 25% 总溶解固体（TDS）含量的样品进行常规测量，其高盐基质耐受能力比传统 ICP-MS 限量高 100 倍，远远超出了其他任何 ICP-MS。2. 最宽的动态范围 — 新型正交检测器系统（ODS）可提供高达 11 个数量级的动态范围，从亚 ppt 级到百分级浓度，用户可在同一次运行中同时测量痕量与常量元素。3. 痕量物质检测更胜一筹 — 新型的接口设计和优化的扩展级真空系统提高了离子传输效率，在 2% CeO 的条件下可提供 109 cps/ppm 的灵敏度，ODS 则可提高增益并降低背景，进而提高信噪比。4. 更快的瞬时信号分析 — Agilent 7900 电感耦合等离子体质谱仪每秒可完成 10000 次独立测量，可为瞬时信号的准确分析提供极短的积分时间5. 无可比拟的易用性 — 最新一代 ICP-MS MassHunter 软件提供了直观的控制面板设计，配备的小工具可指导您完成每一步分析。只需简单回答几个应用问题，或者对一个典型的样品进行分析，创新的方法设置向导即可自动为您创建方法。您还可以使用远程监控应用程序随时随地监测与控制您的 ICP-MS 仪器，增强了灵活性。6. 更高的分析效率 — 超耐高盐进样系统（UHMI）技术结合可选的集成样品引入系统 （ISIS 3）以及 ODS，可以在最宽的动态范围内分析并定量几乎任何样品，避免了因产生量程外结果而不得不重新分析所耗费的额外时间及成本。

SePdd（可扩展的增强型等离子体放电检测器）不仅仅是一个检测器，还是在增强型等离子体放电技术专利基础上，为OEM和系统集成商设计的可充分扩展的开发套件。用这个扩展平台可以针对目标应用的简单或复杂程度来选择所需要的模块和检测方式（发 散，示踪，能量平衡），从而配置一个定制化，低成本的检测器解决方案。检测器由光波长测量模块、增强等离子体放电发生器模块、数字信号处理器（DSP）组成。 “用氩做载气替代用氦气做载气的氦离子色谱”【产品特点】1、能够在载气是氩，氦，氮，氧，氢的载气情况下运行2、用于本底校正的差异化检测模式3、等离子体可以随时开／关，允许反应背景气流过而没有任何负面影响4、替代DID,PDID,ECD,FPD,FID和TCD检测器，多种检测模式5、ppb 到百分比检测范围6、简单而且容易和任何过程或实验室色谱集成在一起7、即插即用理念，RS-485 和USB 数字通讯8、以太网通讯端口 9、物联网

PlasmaProTM NGP80 – 下一代等离子体处理系统为等离子体刻蚀和沉积集合了开放式进样工具。多重处理技术：PlasmaPro NGP80在同一个平台上提供了通用的等离子体刻蚀和沉积技术解决方案，并且带有便利的开放式进样装置。系统集合了微足印（smallfootprint）技术，可方便地进行定位及使用，且不会对工艺质量产生不良影响。该设备是研发或小规模量产的理想工具，可处理从小块样品到直径200mm的晶片。开放式进样设计使晶片可以快速进片及退片，适合研究、原型开发及小量生产。PlasmaPro NGP80的优势：关键组建方便装卸有利于维护兼容Semi S2/S8安全标准新一代的总线控制系统可以极大地提升数据的检索、传送、重复匹配能力新的增强用户界面利用前端软件的错误及工具诊断功能实现快速的错误诊断自动的清洗功能可以清除管道内的有毒物质并对管道进行冲洗，通过前端软件实现安全且完全的自锁清洗控制工艺技术配置选项：PlasmaPro NGP80 RIEPlasmaPro NGP80 PECVDPlasmaPro NGP80 RIE/PE 牛津仪器具有广泛、可用的生长工艺。 有了在生长工艺发展上无比广泛的经验和我们应用工程师的支持， 牛津仪器向世界范围内的生产商和研发者提供生长工艺解决方案的经验为我们提供了世界上最强大的生长工艺库和工艺能力。以下是一些可供选择的关键工艺--请与我们联系，讨论您的需要，我们的专业销售和应用的工作人员将很高兴地帮助您选择合适的生长工艺和工具，以满足您的要求。请点击产品名，查看产品详细信息，谢谢Compound Semiconductors外延生长AlGaN&mdash 外延氮化铝镓外延生长InN&mdash 氮化铟外延材料外延生长InxGa1-xN&mdash 外延氮化铟镓 Nanotubes生长碳纳米管Nanowires生长Si纳米线&mdash 生长硅纳米线生长ZnO纳米线&mdash 生长氧化锌纳米线

Avio™ 200 系统能处理难度最高的、未经稀释的高基体样品，为ICP 带来全新的性能及灵活性。 而且，前所未有的性能还带来了无可比拟的易用性。独特的硬件特性与业界最直观易用的软件相结合，使多元素测量变得与单元素分析一样简单。 作为市场上最小巧的 ICP，Avio 200 可通过以下性能，提供最高效的操作、最可靠的数据和最低的拥有成本： 所有 ICP 中最低的氩气消耗 最快的 ICP 启动（从关机状态启动，光谱仪在短短几分钟内即可准备就绪） 对所有适用的元素都具有出色的灵敏度与分辨率 具有双向观测技术的最宽线性范围 性能可靠、功能强大、经济实惠、Avio 200 具备您所寻求的 ICP所具有的一切。 既然可以成为开拓者，谁还愿意当操作者？ Avio 200 ICP 专为满足最具挑战性的客户需求并超越此类需求而设计，凭借一系列专有独特的功能，可帮助您运行多个样品，所取得的成本效益远超以往任何时候。 最低的运行成本借助获得专利的 Flat Plate™ (平板) 等离子体技术，Avio 仅需消耗其他系统一半的氩气量，即可生成强健、耐基体的等离子体，同时赋予您： 所有 ICP 中最低的操作成本 无需再进行与传统螺旋负载线圈有关的冷却和维护，提供出色的运行时间和生产力 另外，为了提高效率，珀金埃尔默仪器具有获得专利的动态波长，稳定功能。可令您从关机状态启动，在短短几分钟内即可进行分析，因而您大可在仪器不使用时随意关掉。 强大的双向观测功能与提供轴向和径向观测而牺牲性能的同步垂直双向观测 ICP 系统不同，Avio 200 系统获得专利的双向观测功能，可测量所有波长，不会造成光或灵敏度的损失。即使是波长大于 500 纳米或低于 200 纳米的元素也完全可以测量，即便是在 ppb 的含量水平。该 Avio 系统独特的双向观测设计也提供了可扩展的线性动态范围，确保实现： 样品制备和稀释最小化 高、低浓度可以在同一运行中进行测量 更好的质量控制和更准确的结果 减少重复运行 集成等离子体观测相机可简化您的开发方法，同时借助 Avio 200 系统的 PlasmaCam™ 技术，尽享远程监控等离子体的便利。作为行业首创，彩色相机可帮助您： 实时观测等离子体 执行远程诊断 查看进样部件 革新性 PlasmaShear 系统，可实现无氩干扰消除为了消除轴向观测的干扰，需要消除等离子体的冷尾焰。没有其他同类仪器能比 Avio 200 更有效、更可靠或更经济。其他 ICP 消除尾焰需要消耗高达 4 升/分钟的氩气流量，Avio系统独特的 PlasmaShear™ 技术只需空气即可。无需高维护、高提取系统或锥体。就是一个完全集成的、完全自动化的、能提供无故障轴向分析的干扰消除系统。 CCD 检测器，可实现无与伦比的准确度和精密度借助全波长功能，Avio 200 系统的强大电荷耦合器件（CCD）检测器能不断提供正确的答案。Avio 系统的 CCD 检测器可同时测量所选谱线及其谱线附近波长范围，实时扣背景，实现出色的检测精密度。在分析过程中，它还可以同时执行背景校正测量，进一步提高准确度和灵敏度。 带有快速转换炬管底座的垂直等离子体，可实现无与伦比的基体灵活性即使 ICP 正在运行，Avio 200 系统的垂直炬管无需工具也能进行简便快捷的调节，可提供更大的样品灵活性并简化维护。炬管底座的设计与众不同，具有以下特点： 一个可拆卸的、独立于炬管的中心管，旨在减少维护和破损的可能性 自动自对准，即使在拆卸后也能提供一致的深度设置 兼容各种雾化器和雾室，可提高灵活性 友情提示：根据型号及配置不同，仪器价格会有不同，欲了解详情请与我司联系。

Avio™ 200 系统能处理难度高的、未经稀释的高基体样品，为ICP 带来全新的性能及灵活性。而且，前所未有的性能还带来了无可比拟的易用性。独特的硬件特性与业界直观易用的软件相结合，使多元素测量变得与单元素分析一样简单。作为市场上小巧的 ICP，Avio 200 可通过以下性能，提供高效的操作、可靠的数据和较低的拥有成本：所有 ICP 中较低的氩气消耗较快的 ICP 启动（从关机状态启动，光谱仪在短短几分钟内即可准备就绪）对所有适用的元素都具有出色的灵敏度与分辨率具有双向观测技术的宽线性范围性能可靠、功能强大、经济实惠、Avio 200 具备您所寻求的 ICP所具有的一切。既然可以成为开拓者，谁还愿意当操作者？Avio 200 ICP 专为满足具挑战性的客户需求并超越此类需求而设计，凭借一系列专有独特的功能，可帮助您运行多个样品，所取得的成本效益远超以往任何时候。较低的运行成本借助获得专利的 Flat Plate™ (平板) 等离子体技术，Avio 仅需消耗其他系统一半的氩气量，即可生成强健、耐基体的等离子体，同时赋予您：所有 ICP 中较低的操作成本无需再进行与传统螺旋负载线圈有关的冷却和维护，提供出色的运行时间和生产力另外，为了提高效率，珀金埃尔默仪器具有获得专利的动态波长，稳定功能。可令您从关机状态启动，在短短几分钟内即可进行分析，因而您大可在仪器不使用时随意关掉。强大的双向观测功能与提供轴向和径向观测而牺牲性能的同步垂直双向观测 ICP 系统不同，Avio 200 系统获得专利的双向观测功能，可测量所有波长，不会造成光或灵敏度的损失。即使是波长大于 500 纳米或低于 200 纳米的元素也完全可以测量，即便是在 ppb 的含量水平。该 Avio 系统独特的双向观测设计也提供了可扩展的线性动态范围，确保实现：样品制备和稀释较小化高、低浓度可以在同一运行中进行测量更好的质量控制和更准确的结果减少重复运行集成等离子体观测相机可简化您的开发方法，同时借助 Avio 200 系统的 PlasmaCam™ 技术，尽享远程监控等离子体的便利。作为行业首创，彩色相机可帮助您：实时观测等离子体执行远程诊断查看进样部件革新性 PlasmaShear 系统，可实现无氩干扰消除为了消除轴向观测的干扰，需要消除等离子体的冷尾焰。没有其他同类仪器能比 Avio 200 更有效、更可靠或更经济。其他 ICP 消除尾焰需要消耗高达 4 升/分钟的氩气流量，Avio系统独特的 PlasmaShear™ 技术只需空气即可。无需高维护、高提取系统或锥体。就是一个完全集成的、完全自动化的、能提供无故障轴向分析的干扰消除系统。CCD 检测器，可实现无与伦比的准确度和精密度借助全波长功能，Avio 200 系统的强大电荷耦合器件（CCD）检测器能不断提供正确的答案。Avio 系统的 CCD 检测器可同时测量所选谱线及其谱线附近波长范围，实时扣背景，实现出色的检测精密度。在分析过程中，它还可以同时执行背景校正测量，进一步提高准确度和灵敏度。带有快速转换炬管底座的垂直等离子体，可实现无与伦比的基体灵活性即使 ICP 正在运行，Avio 200 系统的垂直炬管无需工具也能进行简便快捷的调节，可提供更大的样品灵活性并简化维护。炬管底座的设计与众不同，具有以下特点：一个可拆卸的、独立于炬管的中心管，旨在减少维护和破损的可能性自动自对准，即使在拆卸后也能提供一致的深度设置兼容各种雾化器和雾室，可提高灵活性友情提示：根据型号及配置不同，仪器价格会有不同，欲了解详情请与我司联系。

ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-350iPC最大ø 350毫米的托架概要RIE-350iPC是一种盒式装载电感耦合等离子体(ICP)蚀刻设备，可处理多达ø 350毫米的载盘，用于多晶圆批量处理。该系统为各种蚀刻应用提供了坚固可靠的硬件和卓越的工艺控制，具有较高的生产率，如功率器件、微型LED、VCSEL、LD、电容器和射频滤波器。主要特点和优点最大加工范围：ø 350 mm (ø 3" x 12, ø 4" x 8, ø 12" x 1)先进的ICP源HSTC&trade （Hyper Symmetrical Tornado Coil）能有效地提供均匀的高密度等离子体，并在大面积上具有优异的蚀刻均匀性。对称的疏散设计与TMP相结合，形成了高效的流动。优化的气体歧管，提供工艺气体的均匀性。可选的光学/干涉式端点检测系统可实现对多个工艺运行的精确蚀刻深度控制。应用GaN、GaAs、InP和SiC的高精度蚀刻SiN和SiO2的蚀刻电介质和金属的蚀刻用于HBLED的PSS（图案化蓝宝石衬底）加工

Avio™ 200 系统能处理未经稀释的高基体样品，为ICP 带来新的性能及灵活性。 而硬件特性与直观易用的软件相结合，使多元素测量变得与单元素分析一样简单。 Avio 200 可通过以下性能，提供高效的操作、可靠的数据和低的拥有成本： l ICP 中低的氩气消耗 l 快的 ICP 启动（从关机状态启动，光谱仪在短短几分钟内即可准备就绪） l 对所有适用的元素都具有灵敏度与分辨率 l 具有双向观测技术的宽线性范围双向观测功能Avio 200 系统获得的双向观测功能。即使是波长大于 500 纳米或低于 200 纳米的元素也完全可以测量，即便是在 ppb 的含量水平。该 Avio 系统的双向观测设计也提供了可扩展的线性动态范围。可简化您的开发方法，同时借助 Avio 200 系统的 PlasmaCam™ 技术，便利远程监控等离子体。 PlasmaShear 系统，可实现无氩干扰消除为了消除轴向观测的干扰，需要消除等离子体的冷尾焰。 常规ICP消除尾焰需要消耗高达 4 升/分钟的氩气流量，Avio系统的 PlasmaShear™ 技术只需空气即可。无需高维护、高提取系统或锥体。就是一个集成的、自动化的、能提供轴向分析的干扰消除系统。CCD 检测器，可实现重现性和精密度借助全波长功能，Avio 200 系统的强大电荷耦合器件（CCD）检测器。CCD 检测器可同时测量所选谱线及其谱线附近波长范围，实时扣背景，实现检测精密度。在分析过程中，它还可以同时执行背景校正测量，进一步提高准确度和灵敏度。带有转换炬管底座的垂直等离子体，可实现基体灵活性即使 ICP 正在运行，Avio 200 系统的垂直炬管无需工具也能进行简便快捷的调节，可提供更大的样品灵活性并简化维护。

等离子体清洗好处,对PTFE进行等离子活化处理,蚀刻工艺,为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺,并得到了应用,等离子体清洗与其它清洗方式对比表.等离子体清洗好处：　１、其除去了有机层（含碳污染物），其会受到例如， 氧气 和空气的化 腐蚀，通过超压吹扫，将其从表面去除。　　　通过等离子体中的高能量粒子，脏污会转化为 稳定的小型分子 ，并借此将其移除，处理过程中脏污的厚度只允许达到 几百纳米 ，因为等离子的清除速度仅能够达到每次几 nm。　　　脂肪含有诸如锂化合物之类的成分。仅能够除去其 有机成分 。这一点同样适用于指纹。故此，建议戴手套。　２、还原氧化物　　　金属氧化物会和工艺气体发生化学反应。作为工艺气体，使用了氢气和氩气或氮气的混合物。等离子体射流的热效应可能会导致进一步的氧化。故此建议在惰性气体环境下进行处理。常压等离子激活处理主要用于哪些方面？　　这种技术非常适用于以下工艺过程：　１、在粘合之前对塑料进行局部的等离子活化处理　２、在粘合、植绒、印刷（例如，汽车行业中的橡胶型材）之前，对弹性体进行等离子活化处理　３、在粘合或者粘接之前，对金属和陶瓷表面进行局部的等离子活化处理　４、极为适合在直接于移印机中移印之前，对塑料零部件进行处理。用常压等离子体进行活化处理能够为我们带来哪些主要优势？　技术适用于在线工艺，例如，在对连续型橡胶型材、软管进行印刷、胶粘，植绒或者涂层之前进行等离子活化。　等离子体清洗与其它清洗方式对比表：应用用途和特性低压等离子体的优点低压等离子体的缺点常压等离子体的优点常压等离子体的缺点普通的等离子体生成在等离子腔体室中均匀分布等离子体，腔室体积可变复杂的真空技术，在线等离子处理应用受到一定的限制可以直接在输送带上进行等离子处理，适用于在线处理，无需任何真空技术由于等离子体激发原理的原因，等离子处理痕迹有限，处理较大的对象的时候，必须使用多个喷嘴对金属进行处理可对易氧化的对象进行等离子清洗进行微波激发的时候，对象上可能会相应产生能量，这会造成对象过热对铝进行等离子处理的时候，可以生成很薄的氧化层对易氧化的对象进行等离子清洗，受到一定的限制对聚合物弹性体进行处理无法对PTFE进行等离子活化处理，蚀刻工艺，为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺，并得到了应用某些材料需要用到较大型的泵，以便达到必须的工艺压力无法对连续型对象进行预处理，工艺时间很短等离子射流的温度为约 200 - 300 °C。必须对表面的工艺温度进行很好的调节，以防止着火（很薄的材料）3D对象对等离子体腔室中的所有对象进行均匀处理。即使是中空腔室也可以从内部进行处理（例如，点火线圈、水箱等）未知可进行局部表面处理（例如，粘结槽口）需要使用复杂的多关节型机器人技术。常压等离子体的间隙渗透性受到一定的限制散装部件通过转鼓法可以对散装部件进行均匀的等离子处理。零部件的件数和体积可以有所不同其仅能够使用转鼓的 1/3 体积（建议）可以直接在输送带上处理对象对象必须极为精确的定位在输送带上电子，半导体技术借助低压等离子体对电子元件、电路板和半导体部件进行等离子处理是先进的技术。未知金属或者 ITO 触点可在粘接处理之前进行等离子预处理（例如，LCD、TFT 和芯片的生产）涂层工艺生成均匀的涂层。研发了很多 PECVD 和 PVD 工艺，并得到了应用可能会造成等离子体腔室的污染具有很多的工业用途尚不具有任何的工业用途

ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-400iPC节省空间的生产设备概要高密度等离子体蚀刻系统采用电感耦合等离子体作为放电形式。该系统配备了真空盒室，是一个具有优良工艺重复性和稳定性的全规模生产系统。该系统是直径4英寸等小直径晶圆的专用系统，可以在最小的洁净室空间内安装。主要特点和优点新的ICP源 "HSTC&trade : Hyper Symmetrical Tornado Coil"　可高效稳定地应用高射频功率（2千瓦以上），并实现良好的均匀性。大流量排气系统　排气系统直接连接到反应室，可以实现从小流量和低压范围到大流量和高压范围的广泛工艺窗口。端点监测　干涉法和发射光谱终点监测仪可用于目标薄膜厚度的终点检测。易于维护的设计　TMP(涡轮分子泵)已集成在一个单元中，便于更换。应用GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度加工SiC、SiO₂ 的高速加工蚀刻铁电材料（PZT、BST、SBT、SBT）、电极材料（Pt、Au、Ru、Al）和其他难以蚀刻的材料

ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-800iP卓越的重复性和稳定性概要高密度等离子体蚀刻系统采用电感耦合等离子体作为放电形式。该系统配备了真空盒室，是一套完整的生产系统，具有优良的工艺重复性和稳定性。主要特点和优点新的ICP源 "HSTC&trade : Hyper Symmetrical Tornado Coil"。　可高效稳定地应用高射频功率（2千瓦以上），并实现良好的均匀性。大流量排气系统　排气系统直接连接到反应室，可以实现从小流量和低压范围到大流量和高压范围的广泛工艺窗口。下电极升降机构　晶片和等离子体之间的距离经过优化，以确保良好的平面内均匀性。易于维护的设计　TMP(涡轮分子泵)集成在设备中，便于更换应用GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度加工。SiC、SiO₂ 的高速加工。蚀刻铁电材料（PZT、BST、SBT、SBT）、电极材料（Pt、Au、Ru、Al）和其他难以蚀刻的材料。複合式半導體晶片的等離子切割和薄型化。

ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-800iPCExcellent process repeatability and stability概要高密度等离子体蚀刻系统采用电感耦合等离子体作为放电形式。该系统配备了真空盒室，是一套完整的生产系统，具有优良的工艺重复性和稳定性。主要特点和优点新的ICP源 "HSTC&trade : Hyper Symmetrical Tornado Coil"。　可高效稳定地应用高射频功率（2千瓦以上），并实现良好的均匀性。大流量排气系统　排气系统直接连接到反应室，可以实现从小流量和低压范围到大流量和高压范围的广泛工艺窗口。下电极升降机构　晶片和等离子体之间的距离经过优化，以确保良好的平面内均匀性。易于维护的设计　TMP(涡轮分子泵)集成在设备中，便于更换。应用GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度加工。SiC、SiO₂ 的高速加工。蚀刻铁电材料（PZT、BST、SBT、SBT）、电极材料（Pt、Au、Ru、Al）和其他难以蚀刻的材料。複合式半導體晶片的等離子切割和薄型化。