低能量离子减薄仪

产品型号：EDX 4500产品名称：X荧光光谱仪测量元素范围：从钠（Na）到铀（U）元素含量分析范围： ppm—99.99%（不同元素，分析范围不同）同时分析元素：一次性可测几十种元素测量时间：60秒-200秒探测器能量分辨率为：125eV管压：5KV-50KV管流：50μA-1000μA测量对象状态：粉末、固体、液体输入电压：AC 110V/220V环境温度：15℃-30℃环境湿度：35%-70%外形尺寸：660mm×510mm×350mm样品腔体积：Φ320mm×100mm重量：65Kg性能特点超薄窗X光管，指标达到国际先进水平数字多道技术，让测试更快，计数率达到100000CPS，精度更高。在合金检测中效果更好FAST-SDD探测器，良好的能量线性、能量分辨率和能谱特性，较高的峰背比低能X射线激发待测元素，对Si、P等轻元素激发效果好智能抽真空系统，屏蔽空气的影响，大幅扩展测试的范围自动稳谱装置保证了仪器工作的一致性高信噪比的电子线路单元针对不同样品自动切换准直器和滤光片，免去手工操作带来的繁琐解谱技术使谱峰分解，使被测元素的测试结果具有相等的分析精度多参数线性回归方法，使元素间的吸收、增大效应得到明显的抑制内置高清晰摄像头液晶屏显示让仪器的重要参数（管压、管流、真空度）一目了然标准配置超薄窗X光管FAST-SDD探测器数字多道技术钢铁行业测试专用配件光路增强系统高信噪比电子线路单元内置高清晰摄像头自动切换型准直器和滤光片自动稳谱装置三重安全保护模式相互独立的基体效应校正模型多变量非线性回归程序整体钢架结构，力度可靠的保证90mm×70mm的液晶屏真空泵

低能量小型一体化OPO激光器主要优点：? 泵浦源和OPO 模组一体化密封设计，可靠性高，激光头尺寸：305*178*125mm，非常紧凑；? 信号光和闲置光同一出口输出，波长切换不需要加额外调节光路；? 1064nm、532nm、355nm 泵浦波长可选，最高频率可达100Hz，通过UV 附件得到210-410nm；? 信号光、闲置光通过偏振方式分光，同一个输出口输出，全波长扫描不需要改变光路；? 全自动软件控制波长调节、能量调节和频率调节，操作方便；低能量小型一体化OPO激光器主要应用? PIV? 生物激光超声成像；? 非线性材料、染料的荧光激光光谱? 激光质谱仪? 生物化学类的荧光成像性能指标 Opolette 355 输出曲线 Opolette 532 输出曲线 IR Opolette 输出曲线

低能离子散射谱 Qtac-100催化反应一般只发生在材料的最表层。低能离子散射谱（Low-Energy In Scattering ,LEIS)利用具有特定能量的惰性气体离子入射到样品表面，与样品表面的原子进行弹性碰撞。根据弹性散射理论，散射离子的能量分布与表面原子的原子量相关。通过对散射离子能量进行分析，就可以得到表面元素组分及表面结构的信息。低能离子散射谱所获得的信息来自样品的最表层，因而是研究表面成分、表面结构以及表面过程的强有力的手段。ION-TOF公司的Qtac-100型低能离子散射谱仪采用新型离子收集器。相比传统LEIS系统，灵敏度提高3000倍!主要特点如下：1、新型的全方位角离子收集器，可以收集样品表面特定区域的几乎全部反射离子。2、超高的表面灵敏度，信息深度一般在3个原子层之内。3、良好的定量特性。4、离子源可以工作在高束流模式和分析模式之间切换，可以对样品进行清洁和溅射。5、自动化的真空系统、完善的互锁装置，使操作更简单。6、最表层原子定量分析。低能离子散射谱(LEIS)的一个显著特点就是其超高的表面灵敏度和良好的定量性。相对于其他常见的表面分析手段，例如XPS 、 AES ，它最大的特点是可以把信息深度缩小到单原子层厚度。配合上深度剖析， 则可以实现从表面单原子层成分分布成像，到样品深度方向成分变化等多种测量。应用：1、可以与多种生长设备和其他分析设备集成；2、可用于单原子层沉积过程和生长动力学研究；3、可用于分析粗糙表面和绝缘材料分析；4、可用于于材料催化性能研究；5、可用于生物材料、半导体材料等性能研究。Q-tac 应用实例Qtac 系统实物

逆光电子光谱的低能量化实现了高精度 LUMO 水平（电子亲和力）的 测量。[样品损伤的显著减少] 辐照电子的动能应小于 5eV，这是有机分子的损伤阈值。 [高精度 LUMO 水平测量] 可测量与器件相同的薄膜样品。 &bull 将电子放松到与传导相关的水平，并直接测量。 实现与光电光谱 （XPS、UPS） 相同的精度。 能量分辨率 0.5eV 或更少。 可重复性 0.1eV 或更少。 测量的光谱反映了状态密度。 [简单设备操作] ● 超高真空规格（10-8Pa 台），通过简单的触摸屏操作自动进行样品输送、排气、测量的操作。● 通过储存 4 片样品基板 （ 缓冲室 ） ， 可实现高效的测量 。 [简单测量操作] 标准 LEIPS 软件允许通过简单的操作计算自动测量和电子亲和力。 [便利性和可扩展性] ● 与光电光谱 （XPS， UPS） 的对接，以及沉积设备的扩展，可作为标准进行处 理。● 可无大气暴露的样品基板搬运的载体箱标准设备 。 辐照电子的动能约为 5eV 或更少，作为近紫外光检测。 ● 避免 有机样品的损伤 ● 可采用高灵敏度的光电倍增管 。采用 Isochromat 模式，可实现高灵敏度、高能量分辨率的介电多层膜带通 滤波器进行光谱。

Unimill 离子减薄仪--用于 TEM/XTEM 样品制备的全自动离子束减薄系统Technoorg Linda UniMill 离子减薄仪专为快速地制备具备高减薄率的、高质量的 TEM/XTEM 样品而设计。 Unimill 既可以使用全球独家的超高能离子枪进行快速研磨，也可以使用专用的低能离子枪进行最终抛光和精修处理。产品特色：可直接使用同一台仪器进行快速减薄和抛光/精细处理支持全自动的离子枪参数设置和手动调节离子束研磨参数具备最广的离子枪能量范围： 低能离子枪与超高能离子枪结合，能量范围可达 100 eV ~ 16 keV具备极高的切削率可选择配备 LN2 液氮制冷离子枪优势UniMill 包括两支独立控制的离子枪：一支高能或超高能离子枪和一支低能离子枪。高能和超高能离子枪Unimill 的高能和超高能离子枪提供了最高的研磨率。高达 16 keV 的离子枪专为要求极低研磨速率的 TEM 样品制备而设计。低能离子枪离子枪的特殊结构可在整个制备过程中形成高束流密度。能量极低的离子束保证了表面损伤和离子束诱导非晶化效应的最小化。离子枪控制所有离子枪参数，如加速电压和离子束电流在内均由智能反馈回路控制，但始终可以在样品制备过程中进行手动调节。离子枪参数的初始值支持自动设置或手动调节，同时可在电脑上连续监控和显示。性能参数离子枪超高能离子枪（可选）：&bull 离子束能量：高达16 keV，连续可调&bull 离子束电流：高达 500 μA&bull 离子束直径：1.6 - 1.8 mm (FWHM)高能离子枪（标配）：&bull 离子束能量：高达10 keV，连续可调&bull 离子束电流：高达 300 μA&bull 离子束直径：0.9 - 1.3 mm (FWHM)低能离子枪：&bull 离子束能量：100 eV - 2 keV，连续可调&bull 离子束电流：7 - 80 μA&bull 离子束直径：1.5 - 2.2 mm (FWHM)样品台&bull 切削角度：0°- 40°，每 0.1° 连续可调&bull 电脑控制的平面内样品旋转和移动：&bull 360° 旋转&bull 从±10° 到±120° 移动，每 10° 连续可调&bull 可兼容的 TEM 样品厚度范围 (30 - 200 μm)成像系统&bull 用于全视觉控制和切削监控/终止的 CMOS 相机图像&bull 高分辨率彩色 CMOS 相机&bull 50 - 400 倍放大范围的手动变焦视频镜头电脑控制&bull 内置工业级计算机&bull 简单便捷的图形界面和图像分析模块&bull 支持用户手动调节离子枪参数，包括气流调节&bull 用于自动设置机械和切削参数的预编程方案（可以手动调整）&bull 自动样品加载&bull 自动终止：图像分析模块支持的切削过程的光学终止（ 通过检测薄区穿孔或监测表面形貌）供气系统&bull 99.999% 纯氩气，绝对压力为 1.3 - 1.7 bar&bull 带有电子出口压力监测功能的惰性气体专用压力调节器&bull 工作气体流量高精准控制真空系统&bull Pfeiffer 真空系统配备无油隔膜和涡轮分子泵，配备紧凑的全范围 Pirani/Penning 真空计电源要求&bull 100 - 120 V/10 A/ 50-60 Hz 或 220 - 240 V/5 A/ 50-60 Hz成像案例

法国Femto Easy公司是法国Center for Intense Lasers and Applications的衍生公司，致力于制造和研发超快激光的可靠稳定的测量设备，其产品包括自相关仪、FROG和倍频器。产品具有使用简单、小巧紧凑、便携、通用等特点，目前已服务于多个重点实验室。该公司也可以提供用于真空的超快测量设备以及超快方面的定制化产品。 Nano4th倍频器 Nano4th是一款非常紧凑的倍频器，可以将低能量（nJ量级）的红外飞秒激光（波长范围：1030-1064nm）以超快的转换效率转换为二次谐波和四次谐波。其工业级的设计，使其成为一个强大和可靠的解决方案，来扩展你的激光波长。此倍频器也可以用于高能量，如uJ或mJ。 产品特点：• 超紧凑，工业级平台：密封，氮气净化• 低能量脉冲转换效率高(nJ量级)• 在几秒内，即可实现3个不同波长输出的变换（基频、二倍频、四倍频）• 一体化的设计，激光器和倍频器可组合成一个稳定的整体• 无需对准，无需软件 产品参数： 输出波长1064nm532nm266nm功率2W1W750mW170mW重频80MHz转换效率n/a45%35%8%脉宽120fs120fs65fs60fs(估值)偏振态垂直偏振水平偏振垂直偏振 应用案例：已成功用于 Spark Lasers公司的Alcor 1064 激光器

技术优势：两支独立可调电磁聚焦离子枪同时具备高能量（快速抛光）和低能量（精细修复）超宽加速电压范围：100eV 到10kV，不同加速电压下，离子束束斑均保持理想束斑状态每支离子枪均配备对应法拉第杯进行离子束直接探测采用可调节10英寸触屏控制系统，人机界面友好，操作简洁减薄角度范围：-15°到+10°连续可调样品载台X-Y 可调，可根据需要调整样品减薄位置具备原位实时观察及记录减薄过程功能样品可360°连续旋转或摇摆，离子束自动避让样品夹可选液氮冷台配置，去除热效应对样品的损伤可选真空或惰性气体转移装置，隔绝样品与水氧接触

v 两支独立可调电磁聚焦离子枪v 同时具备高能量(快速抛光)和低能量(精细修复)v 超宽加速电压范围：100eV 到 10kV，不同加速电压下，离子束束斑均保持最细最优束斑状态v 每支离子枪均配备对应法拉第杯进行离子束直接探测v 采用可调节10英寸触屏控制系统，人机界面友好，操作简洁v 自动独立气源控制v 减薄角度范围：-15°~+10°连续可调v 样品载台X-Y可调，可根据需要调整样品减薄位置v 具备原位实时观察及记录减薄过程功能v 样品可360°连续旋转或摇摆，离子束自动避让样品夹v 可通过时间、温度以及透光性自动停止v 可选液氮冷台配置，去除热效应对样品的损伤可选真空或惰性气体转移装置，隔绝样品与水氧接触

激光高能量治疗仪国内厂家 高能量激光疗法是种非侵入性、无创式的物理因子治疗手法，其原理基于低能量激光（LLLT），但由于其能量高达15W（15000mW，比常规低能量激光疗法高出30-50倍），拥有许多低能量激光及其他传统理疗手段无法比拟的疗效及优势，是理疗技术的新突破。高能量激光治疗仪国内厂家近期价格？国产厂家，注册证件有效，公司资质齐全，技术参数有优势，好招标到医院。光生物调节疗法-适应证。1.疼痛性疾患:各种急慢性软组织损伤、关节痛、三叉神经痛、肋间神经痛、坐骨神经痛、中枢神经痛、交感神经相关性疼痛、带状疱疹后遗痛、神经损伤后疼痛、腰肌劳损、纤维及综合症、颈腰腿痛、偏头痛、术后疼痛等。2.炎症性疾患:肩周炎、网球肘、腱鞘炎、肌腱炎、面部神经炎、外伤后遗症、膝韧带症等3.伤口愈合性疾患:糖尿病足、皮肤溃疡及坏死、静脉炎、骨髓炎、烧烫伤、术后创面感染、骨折后促进愈合、褥疮等。治疗原理 ： 1、SAT-G30高能量激光通过光生物调节促进细胞ATP 的生成、生物酶及DNA、RNA 的合成，改变细胞膜内外离子的浓度，激活Melzack 闸门控制机制，改善组织的微循环，从而产生消炎、消肿、镇痛、加速组织的修复能力等系列生物作用。 2、激光治疗的生物机理 、激活Melzack 闸门控制机制–痛感抑制 、激活噬菌作用 3、激活细胞膜Na/K 泵 、激活细胞内的新陈代谢过程：部分是通过Na/K 泵和Ca 运送，部分是通过直接激活线粒体系统 、激活抗炎因子如组胺，列腺素类或内啡肽等，协助刺激增强免疫吞噬细胞作用。 4、改善组织的微循环 、增加细胞内多种酶的活性，尤其在克雷伯氏循环、促进糖类的利用，增加血液循环 、DNA 综合机理刺激（通过植物血球凝集素刺激）、 增加成纤维细胞活性（对于瘢痕，这些激活的成纤维细胞能够吞噬纤维蛋白） 、增加细胞ATP 的合成，促进组织的修复功能 设备特点及优势 1、高能量激光采用半导体二管激光（砷铝化镓），拥有更稳定且更耐用的光源。 2、设备采用位于理疗窗口（Therapy Window）内的980nm波长的光源作用深度12-15cm，既保证足够的穿透深度，也确保了组织对光子zui佳的吸收率。 3、单波长光功率高达15W是传统弱激光（0.5W）的30倍以上，高能量激光与传统弱激光（光功率500mW，即0.5W）相比，要达到相同激光剂量的治疗，高能量激光可以大大缩短治疗时间（如：剂量=光功率x时间，要达到1500J剂量，高能量激光使用15W功率，只需要100s即可达到所需治疗剂量；低能量激光使用0.5W功率，则需要3000s，即需要将近50分钟才能达到相同治疗剂量）。 4、功率越大、能量密度越高，有效治疗剂量越大；更多光子能有效地穿透到达更深靶组织进行治疗。 5、治疗时，自动计算传送的总能量，单位J。精确定位治疗区域。 6、可存储超过10000条自定义治疗处方，内部自带教学视频 7、安全性高，带紧急关闭按钮和安全联锁装置。提供多种安全功能提示，方便医生安全有效的使用。 8、有脉冲模式（镇痛模式）和连续模式（生物刺激模式） 9、探头符合人体工程学,轻便、可拆卸的激光治疗头，可方便安装多种不同尺寸的治疗头。 10、可以实现接触疗法、非接触性治疗。

上海伯东授权代理 Kaufman & Robinson, Inc (KRi) 美国考夫曼离子束与等离子源产品上海伯东为 Kaufman & Robinson, Inc (KRi) 美国考夫曼公司大中华总代理. 离子源发明人 Dr. Kaufman 考夫曼博士将此授权 VEECO 生产. 于1978年考夫曼博士在美国自行创立 Kaufman & Robinson, Inc. (KRi) 公司并历经40年离子源之改良及研发, KRI产品融合的一系列等离子技术提供了独一无二的操作与运行方式。这些技术使离子源与供电产品能够被正确的应用以便达到流程目标。此类技术基本上可以被分为几个类别：无栅式端部霍尔(eh)离子源 eH系列离子源可输出高离子流和低能源束。离子流达到高速运行需求的同时低能源束能够减少对设备外表面与内表面的伤害。有栅极射频感应耦合等离子体(RFICP)离子源 RFICP系列离子源可以在无灯丝的情况下提供高密度离子流.从离子流中提取的离子束能够被精确的控制以便提供设定的形状,电流密度以及离子能。有栅极KDC离子源 KDC系列离子源是根据典型的考夫曼离子源加强设计的。传统的离子源工艺使其能够输出高质、稳定的离子束。电源与控制器 我们的电源与控制器操作不同种类的离子、等离子以及电子源。这些产品能够为等离子流程中的动荷作用输出平稳、连续的电源。电子源与离子源中和器 这些电子源低能量、高电流源。它们一般应用于中和剂或阴极材料，以便控制离子源与等离子源的产量。PTIBEAMTM离子透镜 我们的离子束源采用耐融金属或石墨的多孔径网格。这些网格或是平的，或是中凹的，它们与多孔模式一同控制离子轨迹。离子轨迹的聚集产生了离子束，离子电流的分布塑造了该离子束的形状特征。上海伯东 主要经营产品 德国 Pfeiffer 涡轮分子泵, 干式真空泵, 罗茨真空泵, 旋片真空泵 应用于各种条件下的 真空测量(真空计, 真空规管) 氦质谱检漏仪；质谱分析仪；真空系统以及 Cryopump 冷凝泵/低温泵, HVA 真空阀门, Polycold 冷冻机和美国KRI Kaufman考夫曼离子源（离子枪）。 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请登录我们网站或与市场部罗女士联系。

伯东公司是美国考夫曼公司 Kuafman & Robinson,Inc（KRI) 中国总代理. KRI 考夫曼公司是由离子源发明人 Dr.Kaufman 考夫曼博士于 1978年在美国创立. KRI 考夫曼离子源历经 40 年改良及发展, 受到各领域的肯定.KRI 离子源离子枪系列产品融合一系列等离子技术,提供了独一无二的操作与运行方式。KRI 离子源主要分为以下几类：无栅式端部霍尔离子源 eheH 系列离子源离子枪可输出高离子流和低能源束。离子流达到高速运行需求的同时低能源束能够减少对设备外表面与内表面的伤害。有栅极射频感应耦合等离子体离子源 RFICPRFICP 系列离子源可以在无灯丝的情况下提供高密度离子流.从离子流中提取的离子束能够被精确的控制以便提供设定的形状,电流密度以及离子能。有栅极离子源 KDCKDC 系列离子源离子枪是根据典型的考夫曼离子源加强设计的。传统的离子源工艺使其能够输出高质、稳定的离子束。电源与控制器我们的电源与控制器操作不同种类的离子、等离子以及电子源。这些产品能够为等离子流程中的动荷作用输出平稳、连续的电源。电子源与离子源离子枪中和器这些电子源低能量、高电流源。它们一般应用于中和剂或阴极材料，以便控制离子源与等离子源的产量。PTIBEAMTM 离子透镜我们的离子束源采用耐融金属或石墨的多孔径网格。这些网格或是平的，或是中凹的，它们与多孔模式一同控制离子轨迹。离子轨迹的聚集产生了离子束，离子电流的分布塑造了该离子束的形状特征。KRI 考夫曼离子源 EH1010F , EH1020F …系列广泛用于镀膜之前处理 (ISSP) 及离子辅助镀膜 (IBAD)且有助于提高光学成膜之沉淀速率, 附着度, 可靠度, 增加折射率, 穿透率等. KRI 考夫曼离子源 整体设计低耗材, 安装简易, 维护简单广泛应用在生产企业和科研单位KRI 考夫曼离子源 EH1010F, EH1020F, EH3050F, EH5050F…系列, 目前被广泛应用于 AR, IR, 分光镜, 光学蒸镀镀膜制程, 多层膜光学镀膜制程, 低温度膜制, PVD 制程, 材料分析等等… KRI 考夫曼离子源 EH1020F 蒸镀制程设备应用伯东公司主要经营产品德国 Pfeiffer涡轮分子泵, 干式真空泵, 罗茨真空泵, 旋片真空泵 应用于各种条件下的真空测量(真空计, 真空规管) 氦质谱检漏仪；质谱分析仪；真空系统以及 Cryopump 冷凝泵/低温泵, HVA 真空阀门, Polycold 冷冻机和美国KRI Kaufman 考夫曼离子源离子枪若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请登录我们网站或与市场部罗女士联系。

主要优点? 泵浦源和OPO 模组一体化密封设计，可靠性高，激光头尺寸：305*178*93mm，非常紧凑? 信号光和闲置光同一出口输出，波长切换不需要加额外调节光路? 1064nm、532nm、355nm泵浦波长可选，最高频率可达100Hz，通过UV附件得到210-410nm? 信号光、闲置光通过偏振方式分光，同一个输出口输出，全波长扫描不需要改变光路? 全自动软件控制波长调节、能量调节和频率调节，操作方便主要应用? PIV? 生物激光超声成像? 非线性材料、染料的荧光激光光谱? 激光质谱仪? 生物化学类的荧光成像

LE-1低能级反光电子能谱仪以前没有一种合适的方法能够精确地测量LUMO的能级。ALS公司首次研发出一种能够精确测量LUMO能级的系统。LE-1系统是一个理想的有机电子研究解决方案。LE-1的特点和配置1. 降低电子辐照能量，就能够避免对有机样品的损伤2. 能够达到和用光电子能谱仪测量HOMO能级一样的测量精度3. 相当于X射线光电子能谱仪系统（XPS或UPS），LE-1能在相同条件下测量样品4. 即使在超真空条件下，样品、真空和测量也能轻易地自动转换5. 只要使用LEIPS标准软件，电子亲和性等就能很容易计算和得到简易的LEIPS标准软件使用说明 1. 输入测量参数后，开始测量。样品的电流谱和LEIPS光谱就能同时被测出来2. 只要通过简单的操作，就能在测量结果上计算出真空度和电子亲和性3. 在计算屏上，只要通过光标就能直接读出光谱任何一处的能量值4. 测量数据要被用来分析的话，就以csv文档格式保存

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准KRI 考夫曼离子源 KDC 10上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 10: 考夫曼型离子源 Gridded 系列最小型号的离子源. 适用于集成在小型的真空设备中, 例如预清洗, 离子溅射, 离子蚀刻. 在 1000eV 低能量, 通 Ar 氩气时离子蚀刻的能力显著提高.KDC 10 离子源低损伤, 宽束设计, 低成本等优点广泛应用在显微镜领域, 标准配置下 KDC 10 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 10mA. KRI 考夫曼离子源 KDC 10 技术参数型号KDC 10供电DC magnetic confinement - 阴极灯丝1 - 阳极电压0-100V DC - 栅极直径1cm中和器灯丝电源控制KSC 1202配置- - 阴极中和器Filament, Sidewinder Filament 或LFN 1000 - 架构移动或快速法兰 - 高度4.5' - 直径1.52' - 离子束集中平行散设 -加工材料金属电介质半导体 -工艺气体惰性活性混合 -安装距离2-12” - 自动控制控制4种气体KRI 考夫曼离子源 KDC 10 应用领域离子清洗, 显微镜抛光 IBP溅镀和蒸发镀膜 PC辅助镀膜(光学镀膜) IBAD表面改性, 激活 SM离子溅射沉积和多层结构 IBSD离子蚀刻 IBE若您需要进一步的了解上海伯东考夫曼离子源, 请查看官网或咨询叶女士上海伯东版权所有, 翻拷必究！

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准美国 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列 美国 KRI 霍尔离子源 eH 系列紧凑设计, 高电流低能量宽束型离子源, 提供原子等级的细微加工能力, 霍尔离子源 eH 可以有效地以纳米精度来处理薄膜及表面, 多种型号满足科研及工业, 半导体应用. 霍尔离子源高电流提高镀膜沉积速率, 低能量减少离子轰击损伤表面, 宽束设计有效提高吞吐量和覆盖沉积区. 整体易操作, 易维护. 霍尔离子源 eH 提供一套完整的方案包含离子源, 电子中和器, 电源供应器, 流量控制器 MFC 等等可以直接整合在各类真空设备中, 例如镀膜机, load lock, 溅射系统, 卷绕镀膜机等.美国 KRI 霍尔离子源 eH 特性 无栅极 高电流低能量 发散光束 45可快速更换阳极模块 可选 Cathode / Neutralize 中和器美国 KRI 霍尔离子源 eH 主要应用 辅助镀膜 IBAD溅镀&蒸镀 PC表面改性、激活 SM沉积 (DD)离子蚀刻 LIBE光学镀膜Biased target ion beam sputter deposition (BTIBSD) Ion Beam Modification of Material Properties (IBM)例如1. 离子辅助镀膜及电子枪蒸镀2. 线上式磁控溅射及蒸镀设备预清洗3. 表面处理4. 表面硬化层镀膜5. 磁控溅射辅助镀膜7. 偏压离子束磁控溅射镀膜霍尔离子源 eH 系列在售型号:型号eH400eH1000eH2000eH3000eH Linear中和器F or HCF or HCF or HCF or HCF阳极电压50-300 V50-300 V50-300 V50-250 V50-300 V离子束流5A10A10A20A根据实际应用散射角度4545454545气体流量2-25 sccm2-50 sccm2-75 sccm5-100 sccm根据实际应用本体高度3.0“4.0“4.0“6.0“根据实际应用直径3.7“5.7“5.7“9.7“根据实际应用水冷可选可选是可选根据实际应用F = Filament HC = Hollow Cathode xO2 = Optimized for O2 current 1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.若您需要进一步的了解 KRI 霍尔离子源, 请查看官网或咨询叶女士上海伯东版权所有, 翻拷必究！

Gentle Mill 离子精修仪--用于制备高质量 TEM/FIB 样品的离子束工作站Technoorg Gentle Mill 离子精修仪产品专为最终抛光、精修和改善 FIB 处理后的样品而设计。 Gentle Mill 型号非常适合要求样品无加工痕迹、表面几乎没有任何损坏的 XTEM、HRTEM 或 STEM 的用户。 同时，Gentle Mill 还适用于快速减薄凹坑或超薄平面 ( 25 μm) 以及机械抛光样品。 产品特色：&bull 快速、可靠地精修和处理 TEM 和 FIB 样品&bull 带有预编程的设置，可进行自动化操作&bull 可应用于工业环境中&bull 直接匹配日立 FIB-STEM/TEM 系统 3D 样品台性能参数低能离子枪（固定型）&bull 离子能量：100 - 2000 eV，连续可调&bull 离子电流密度：最大 10 mA/cm2&bull 离子束流：7 - 80 μA，连续可调&bull 离子束直径：750 - 1200 μm (FWHM)&bull 电控优化的工作气流&bull 在 2000 eV 离子能量和 30° 入射角下，c-Si 的研磨速率为 28 μm/h样品台&bull 切削角度：0° - 40°，每 0.1° 连续可调&bull 可进行计算机控制的平面内样品旋转和摆动（从 ±10° 到±120°，每 10° 连续可调）&bull 可适用的 TEM 样品的厚度范围 (30 -200 μm)样品处理&bull 用于快速样品交换的真空锁系统&bull 全机械、无胶装载&bull 专为 XTEM 样品设计的钛夹和封装技术真空系统&bull Pfeiffer 真空系统配备无油隔膜和涡轮分子泵，配备紧凑的全范围 Pirani/Penning 真空计供气系统&bull 99.999% 纯氩气，绝对压力为 1.3 - 1.7 bar&bull 带有电子出口压力监测功能的惰性气体专用压力调节器&bull 工作气体流量高精准控制成像系统&bull 用于全视觉控制和切削监控/终止的 CMOS 相机图像&bull 高分辨率彩色 CMOS 相机&bull 50 - 400 倍放大范围的手动变焦视频镜头电脑控制&bull 内置工业级计算机&bull 简单便捷的图形界面和图像分析模块&bull 通过鼠标点击或拖动轻松控制所有重要参数&bull 高度自动化的操作机制，最大限度地减少人工干预&bull 支持预编程或手动调节切削和抛光次数&bull 自动终止：图像分析模块支持的切削过程的光学终止（ 通过检测薄区穿孔或监测表面形貌）电源要求&bull 100 - 120 V/3.0 A/60 Hz 或 220 - 240 V/1.5 A/50 Hz ‒ 单相应用案例 01. Gentle Mill 对在各种 FIB 制备的样品进行低能量 Ar+ 氩离子研磨显着降低了受损的非晶表面层的厚度。可以实现对 65 nm 节点半导体器件进行原子级结构分析。 02. Si 中的晶面[110]。 使用 Gentle Mill 在 200 eV 离子能量和 3°入射角下通过 Ar+ 氩离子研磨对样品进行减薄。图片由劳伦斯伯克利实验室国家电子显微镜中心提供。03. GaSb/InAs 超晶格。 使用 Gentle Mill 制备样品：在 2000 eV 下减薄直至穿孔，然后在 1000 eV 下修整，最后在 300 eV 下精修。 图片由 Technion（以色列）提供。

XY-6010型便携式х、γ辐射检测仪品牌：青岛新业概述：　XY-6010型便携式х、γ辐射检测仪采用高灵敏的闪烁晶体作为探测器，反应速度快，用于监测各种放射性工作场所的高、低能X、γ射线,是辐射剂量率的专用仪器。该仪器选用彩色LCD液晶作为显示屏，具有背光亮度可调功能。该仪器具有超阈值报警功能，报警阈值在测量范围内可任意设置，有定时测量记录功能，可实现告警记录查询功能。主要应用：　　XY-6010型便携式х、γ辐射检测仪广泛用于医疗、疾控、环保、冶金、石油、化工、放射性试验室、工业探伤、辐射加工、矿山等各种需进行辐射环境与辐射防护检测的场合。功能特点：1. 高灵敏度，良好的能量响应特性。2. 高速低功耗微处理器单元。3. 中英文操作界面，操作简便。4. 彩色LCD液晶显示，背光亮度可调。5. 剂量率，累积剂量均可测量。6. 剂量率/累积剂量超阈值报警、定时测量记录功能。7. 电池欠压、剂量率过载、探测器故障报警功能。8. 电池电量实时显示。9. 剂量率/累积剂量告警记录查询功能。10. 铝合金外壳，适应野外作业。技术指标：1. 探测器：φ30×25mm NaI 闪烁晶体；2. 测量范围： 剂量率：0.01～200.00µ Sv/h； 累积剂量：0.00µ Sv～999.9Sv；3. 灵敏度： ≥350CPS/ μSv/h；4. 能量范围： 48Kev～3Mev；5. 测量时间： 5~120秒可设置；6. 报警阈值： 累积剂量和剂量率阈值均可任意设置；7. 测量方式： 实时测量和定时测量；8. 显示单位： 当量剂量率µ Sv/h、吸收剂量率µ Gy/h；累计剂量µ Sv；计数率CPS；9. 工作温度： -10℃～+50℃≤±10%；10. 电源： 2节标准1号电池；11. 功耗： 整机耗电≤200mW（不含显示器背光耗电）；12. 重量： 1.70Kg(含电池)；13. 尺寸： 420*180*88(mm)；

上海伯东美国考夫曼霍尔离子源于离子刻蚀 (IBE) 应用 Kaufman & Robinson,Inc (KRi) End Hall 上海伯东为美国考夫曼公司离子源 离子枪 Kaufman & Robinson, Inc (KRi) 大中华总代理.美国霍尔离子源 离子枪 EH200, EH400, EH1000, EH200, EH3000 系列不仅广泛应用于生产单位,且因离子抨击能量强, 蚀刻效率快, 可因应多种基材特性,单次使用长久, 耗材成本极低, 操作简易, 安装简易, 所以美国考夫曼霍尔离子源目前广泛应用于许多蚀刻制程及基板前处理制程. 客户案例: 国内某大学天文学系小尺寸刻蚀设备1. 系统功能: 对于 Fe, Se, Te , PCCO及多项材料刻蚀工艺.2. 样品尺寸: 2吋硅芯片.3. 实际安装:刻蚀设备: 小型刻蚀设备. 选用上海伯东美国考夫曼霍尔离子源 EH400HC 离子源 EH400HC 安装于刻蚀腔体内. 离子源 EH400HC 控制单元操作 离子源 EH400HC 实际点燃 (氩气) 对于 FeSeTe 刻蚀应用, 离子源 EH400HC 条件: 110V/1.5A, 刻蚀速率 20 A/Sec 对于 FeSeTe 刻蚀应用, 离子源 EH400HC 条件: 110V/1.5A, 刻蚀速率 17 ?/Sec霍尔离子源 EH400HC 优点:- 高离子浓度 (High density), 低能量(Low energy) - 离子束涵盖面积广 (high ion beam sharp) - 镀膜均匀性佳- 提高镀膜品质- 模块化设计, 保养快速方便- 增加光学膜后折射率 (Optical index) - 全自动控制设计, 超做简易- 低耗材成本,安装简易 KRI离子源简介： 美国考夫曼公司 离子源 离子枪发明人 Dr. Kaufman 考夫曼博士将此授权 VEECO 生产.于1978年考夫曼博士在美国自行创立 Kaufman & Robinson, Inc. (KRi) 美国考夫曼公司, 历经40年离子源 离子枪之改良及研发,目前已在光学镀膜 (Optical coating), IBAD (离子源助镀), IBSD (离子溅镀), IBE (离子刻蚀), DD(离子镀膜)等等应用大量使用.上海伯东为美国考夫曼公司离子源 离子枪 Kaufman & Robinson, Inc (KRi) 中国总代理 上海伯东主要经营产品德国 Pfeiffer涡轮分子泵, 干式真空泵, 罗茨真空泵, 旋片真空泵 应用于各种条件下的真空测量(真空计, 真空规管) 氦质谱检漏仪；质谱分析仪；真空系统以及 Cryopump 冷凝泵/低温泵, HVA 真空阀门, Polycold 冷冻机和美国KRI Kaufman 考夫曼离子源离子枪 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请登录我们网站或与市场部罗女士联系。

KRI 考夫曼离子源 RFICP 200 HOKRI Ion Source RFICP 200 HO 是一款大型的有栅极离子源，能够产生高密度的离子束，特别是在 1000 eV 或稍低的能量下获得极高密度的离子束，因此合适于像离子辅助沉积和离子束刻蚀这样的低能量的工艺。因为尺寸的大型化，使它更适用于较大覆盖区域和较高均匀性的要求，因此广泛应用在大型离子辅助的盒式镀膜机和较大尺寸 wafer 的离子刻蚀系统。KRI Ion Source 有栅极离子源RFICP 200 HO, Gridded RF Ion Source产品规格ModelRFICP 200 HODischargeRF inductiveFilamentlessYesRF power1 kWIon opticsOptiBeamTMGridsApplication specificAlignmentSelf-alignedNeutralizerYes (options)Power controllerRFICP ion Power PackOptionsBeam ShapeCollimated, convergent, divergentWater cooledYes 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生 台湾伯东 : 王女士T: T: F: F: M: M: 伯东版权所有, 翻拷必究!

一、产品介绍REN500A型智能化х、γ辐射仪采用高灵敏的闪烁晶体作为探测器，反应速度快，与国内同类仪器相比，该仪器具有更宽的剂量率测量范围。 该仪器除能测高能、低能γ射线外，还能对低能X射线进行准确的测量，具有良好的能量响应特性。此外通过配套的RenRiRate剂量率管理软件可将存储的数据读出后分析。该仪器广泛用于环保、冶金、石油化工、化工、卫生防疫、进出口商检、放射性试验室、废钢铁、商检、各种放射性工作场所等需进行辐射环境与辐射防护检测的场合。二、产品参数1、探 测 器： φ30×25mm,NaI(TL)闪烁晶体2、测量范围：剂量率：0.01～500.00μGy/h累积剂量：0.00μSv～9999μSv3、灵 敏 度： 1μSv/h≥350CPS4、能 量 阈： 35Kev5、能量响应：48Kev～3Mev6、相对误差：≤ ±15%7、测量时间：1～120秒可编程设置8、报 警 阈： 0.25、2.5、10、20（μSv/h）或自行设置9、显示单位: 剂 量 率：μSv/h、μGy/h；累计剂量：nSv；计数率：CPS10、通讯：USB通讯接口，仪器可存储800条数据，并可导出到RenriRate软件11、使用环境：温度-10℃～+50℃、相对湿度(在40℃温度下)≤95％12、电 源：2节标准1号电池13、功 耗：整机耗电≤150mW（不含显示器背光耗电）14、重量尺寸：1.8Kg(含电池)； 42×23×15(cm)15、RenriRate辐射剂量管理软件提供文字表格、曲线图形显示 三、产品特点1、高灵敏度，宽测量范围，良好的能量响应特性。2、高速微功耗微处理器单元。3、数字及标尺显示剂量率状态。4、中、英文双语菜单式操作界面。5、数字式LCD液晶显示，高亮背光功能。6、可存储800条剂量率，能随时查看，断电不丢失。7、USB数据接口，可将数据上传到计算机。8、剂量率，累计剂量均可测量。9、剂量率超阈值后声、光报警功能。10、超阈值报警、阻塞报警、探测器故障报警功能。11、电池电量实时显示。12、标配：RenRiRate软件。13、适合低量程、环境水平辐射检测

仪器简介：Hiden EQP是一台结合质量和能量分析的仪器（Mass and Energy Analyser for Plasma Diagnostics），用于分析等离子过程中阴、阳离子、中性粒子以及自由基。技术参数：应用： 蚀刻 / 沉积作用研究 离子植入 / 激光烧蚀 残余气体分析 / 泄漏检测 等离子体电感耦合，即在操作中遵从电极设定条件 通过视口、接地电极和驱动电极进行分析主要特点： 软件控制的离子汲取光学系统，以使等离子体扰动最小 45°静电扇区分析器，扫描能量增量 0.05 eV / 0.25eV FWHM 所有能量范围内，离子行程的最小扰动，及恒定离子传输 带差式泵的三级过滤四极杆，质量数范围至2500amu 高灵敏度 / 稳定的脉冲离子计数检测器，有7个数量级的动态范围 可调谐的离子源，用于电子附着选件的表观电势质谱分析 Penning规和互锁装置可提供过压保护 信号选通分辨率1μs，用于研究脉冲等离子体或能量、质量分布随时间的变化 1000eV 选配, 漂浮电压可选至10keV, Faraday 杯用于高密度等离子体 Mu-Metal, Radio-metal 屏蔽可选,高压操作可选 通过RS232、RS485或Ethernet LAN，控制软件MASsoft

GIB 精修离子束系统用于扫描电镜 / 双束电镜的氩离子束方案Technoorg Linda 的低能氩离子枪（GIB） 适用于表面减薄、其他表面处理后的后处理、清洁以及去除无定形和氧 化物表面层。 当低能氩离子枪集成到扫描电镜中时 ，其作用尤为明显。有了集成离子枪 ，就可以在研究之前对样品 进行精修。 实现高质量样品的另一个重要应用是在双束 SEM / FIB 系统中进行 FIB 样品制备后，对 TEM 样品进行最 终抛光和温和的表面清洁。可与扫描电镜集成带波纹管的传输系统可通过连接管安装到扫描电镜上。连 接管输出法兰的尺寸与相应的 SEM 端口尺寸相匹配。通 过线性传输系统提供的离子源流动性，可实现理想的工作 距离（15-30 mm）。低能量氩离子枪低能量离子枪的直径和长度均为 50mm。氩离子束的能 量范围：100eV - 2kV。 2kV 时的最大束流为 70µ A。离 子束为宽束，半最大全宽（FWHM）为 2mm。半管支架低能量离子枪安装在半管支架中。

PSM是一台差式泵质谱仪（In-Line Plasma Analysers for Neutrals, Radicals and Ion Analysis），分析等离子过程中的二次离子和中性粒子。 差式泵歧管，通过法兰与过程反应室连接 电子附着选件，具有可调谐的离子源，用于表观电势MS Penning规和互锁装置可提供过压保护 信号选通分辨率1μs，用于研究脉冲等离子体或能量、质量分布VS时间 标准分析中性粒子、自由基，+ve / -ve 离子分析可选 灵敏度高 / 极稳定的3级过滤四极杆 质量数范围： 0 ~ 2500amu 脉冲离子计数检测器，7个数量级的动态范围 能量分析选件，标准 ±100eV（1000eV可选 ） Mu-Metal, Radio-metal屏蔽可选， 高压操作可选 通过RS232、RS485或Ethernet LAN ，软件MASsoft 控制

一、产品介绍R-EGD型便携式辐射检测仪是一款用于测量x，γ射线的便携式辐射检测仪器，它采用G-M计数管作为探测器，反应速度快，和国内同类仪器相比，该仪器具有更宽的剂量率测量范围。该仪器除能测高能、低能γ射线外，还能对低能X射线进行准确的测量，具有良好的能量响应特性。R-EGD型便携式辐射检测仪可以广泛应用于环境监测、卫生防疫、进出口商检、放射医疗、建材、石油化工、地质普查、废钢铁、核实验室等领域的放射防护监测，以及机场、车站、港口的放射性安检等领域。 二、产品参数1、探测器：G-M计数管 。2、测量范围：剂量率：0.01μSv/h～15mSv/h；（可选0.01μSv/h～150mSv/h）累积剂量：0.00μSv～9.99Sv3、测量精度：0.01～1000μSv/h≤±5%4、能量响应：≤±30%（48Kev～3.0Mev,137Cs）5、灵敏度：35CPS/mR/h（相对60CO）6、角响应：仪器在0o～90o 时不超过校准方向上响应的25%7、能量范围： 35KeV～3.0MeV8、相对偏差：≤± 5% （137Cs）9、报警阈值：可自行设定10、报警声强度：＞80dB（50cm内）11、显示单位 : 剂量率：μSv/h，累计剂量：μSv12、电源：3.7V锂电池13、功耗：整机耗电≤120mW（不含显示器背光耗电）14、重量： 700.0g ( 含电池 ) ；尺寸 20×10×3.5(cm) 三、产品特点1、 高灵敏度，宽测量范围，良好的能量响应特性。2、 高速微功耗微处理器单元。3、 剂量、剂量率数字显示。4、 全中文菜单式操作界面。5、 LCD液晶屏显示，高亮背光。6、 告警记录查询：内置剂量、剂量率数据储存，可随时查看，断电不丢失。7、 可自定义设置剂量、剂量率报警阈值。8、 电池电量实时显示功能，欠压报警功能。9、 辐射源点追踪功能。

使用徕卡 EM RES102，使您的样品具备高水平的灵活性，具有轻薄、清洁、抛光、切割的坡度和结构。独特的离子束研磨系统结合了在一个单工作台面单元上制备TEM、SEM和LM样品的特点。各种样品架可以进行多元化应用。除了高能量的离子铣工艺，徕卡EM RES102也可适于采用低离子能量处理非常柔软的样本。高效并节约成本● TEM，SEM和LM应用功能集于一体● SEM样品制备可达25mm样品直径● TEM样品制备获得的薄区大，有效提高了TEM样品制备效率● 局域网功能方便远程操控安全离子源和样品运动马达驱动，程序化控制，因而可获得重复性制样结果保持样品原生态LN2样品台使得温度敏感型样品可在优化条件下进行离子研磨操作简便● 内置应用参数库 ● 帮助文件帮助初学者以及对设备进行维护

EGA-1012 / EGPS-1012能量范围： 5 eV 至 1k eV光束电流： 1 μA 至 2 mA光斑尺寸： 10 mm 至 25 mm（无聚焦能力）安装： 2?CF特性/选项：泛光光束、脉冲、双网格

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准KRI 霍尔离子源 eH 1000上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 1000, 低成本设计提供高离子电流, 特别适合中型真空系统. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5”放电电压 / 电流: 50-300V / 10A操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体 KRI 霍尔离子源 eH 1000 特性:&bull 可拆卸阳极组件 - 易于维护 维护时, 最大限度地减少停机时间 即插即用备用阳极&bull 宽波束高放电电流 - 高电流密度 均匀的蚀刻率 刻蚀效率高 高离子辅助镀膜 IAD 效率&bull 多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统 安装方便 无需水冷&bull 等离子转换和稳定的功率控制KRI 霍尔离子源 eH 1000 技术参数:型号eH1000 / eH1000L / eH1000x02/ eH1000LEHO供电DC magnetic confinement - 电压40-300V VDC - 离子源直径~ 5 cm - 阳极结构模块化电源控制eHx-30010A配置- - 阴极中和器Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode - 离子束发散角度 45° (hwhm) - 阳极标准或 Grooved - 水冷前板水冷 - 底座移动或快接法兰 - 高度4.0' - 直径5.7' - 加工材料金属电介质半导体 - 工艺气体Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors - 安装距离10-36” - 自动控制控制4种气体* 可选: 可调角度的支架 SidewinderKRI 霍尔离子源 eH 1000 应用领域:&bull 离子辅助镀膜 IAD&bull 预清洗 Load lock preclean&bull 预清洗 In-situ preclean&bull Direct Deposition&bull Surface Modification&bull Low-energy etching&bull III-V Semiconductors&bull Polymer Substrates 若您需要进一步的了解考夫曼离子源, 请联络上海伯东: 叶女士 上海伯东版权所有, 翻拷必究！

产品详情日本JEOL离子切片仪EM-09100IS 用于TEM 、STEM 、 SEM 、 EPMA 和 AUGER样品制备的创新方法 离子切片仪制备薄膜样品比传统制备工具快速、简单。低能量、低角度（0°到6°）的氩离子束通过遮光带照射样品，大大降低了离子束对样品的辐照损坏。即使是柔软的材料,制备的薄膜质量也极好，对不同成份的样品甚至含有多孔合成物也都能够有效制备。 产品规格EM-09100IS离子加速电压1 ～ 8kV倾斜角Up to 6°(0.1°/步)离子束直径500μm(FWHM)Milling rate5m/min (加速电压:8 kV, Si换算) 使用气体氩气最大样品尺寸2.8mm(长度)×0.5 mm(宽度)×0.1mm(厚度)压力测试潘宁规主抽真空系统涡轮分子泵CCD相机内置尺寸 重量主机500mm(W)×600mm(D)×542mm(H)、63kg机械泵150mm(W)×427mm(D)×230.5mm(H)、16kg液晶显示器326mm(W)×173mm(D)×380mm(H)、3.7kg 安装条件EM-09100IS电源单相, AC100 ～ 120V, 50/60Hz, 500 ～ 600VA接地线独立地线(100Ω以下)氩气使用压力: 0.15±0.05MPa(1.0 ～ 2.0kg/cm2)氩气流量：约0.2立方厘米纯度: 99.9999%以上 (氩气、气瓶及调压器由客户自备)金属配管连接口:JISB0203 RC1/8室温20 ～ 25℃(fluctuation: 1°C/hor less变动少于1°C/h)湿度60% 以下 *请提供安放设备的桌子。 *产品外观及技术规格可能未经预告而有所变更。 产品特点： 用于TEM 、STEM 、 SEM 、 EPMA 和 AUGER样品制备的创新方法 离子切片仪制备薄膜样品除了需要将样品切成矩形薄片外，不需要溶剂或化学试剂及前处理（打磨或凹坑研磨），比传统制备工具快速、简单。低能量、低角度（0°到6°）的氩离子束通过遮光带照射样品，大大降低了离子束对样品的辐照损坏。即使是柔软的材料,制备的薄膜质量也极好，对不同成份的样品甚至含有多孔合成物也都能够有效制备。 主要特点: 高质量的透射电镜样品的前处理 快速制备 无需复杂的前处理 最小限度的表面损伤

多功能离子减薄仪EM RES102Leica EM RES102 通过离子枪激发获得离子束，以一定入射角度对样品进行轰击，以去除样品表面原子，从而实现对样品的离子束加工。Leica EM RES102主要功能为：对无机薄片样品进行离子减薄，使得薄片样品可被透射电子穿过，从而适宜TEM透射电子显微镜观察；对无机块状样品进行离子束抛光、离子束刻蚀，样品表面离子清洗及斜坡切割，便于SEM扫描电子显微镜观察样品内部结构信息。* 具有2把离子枪，离子束能量为0.8keV-10keV，相对位置，可分别±45°倾斜，样品台倾斜角度-120°至 210°，离子束加工角度0°至90°，样品平面摆动角度360°， 垂直摆动距离±5mm。实际操作参数根据具体应用需要选择（系统备有参考参数，也可自行设置参数并存储）* 可选配样品台：TEM样品台（?3.0mm或?2.3mm），FIB样品清洗台，SEM样品台，斜坡切割样品台（对样品35°或90°斜坡切割）等* SEM样品台可容纳最大样品尺寸：直径25mm，高度12mm* 全无油真空系统，样品室带有预抽室，保证样品交换时间1分钟* 全电脑控制，触摸屏操作界面，内置视频观察系统，可实时观察样品处理过程

1、离子平面抛光和离子切割一体化技术，一套系统实现两种模式，无需复杂的切换流程，简洁方便。2、动态离子切割技术，实现样品的往复平移和旋转，最大切割长度达10mm，有效减少投影/遮挡效应。3、超大的平面抛光装载尺寸50X25mm(直径x高)，为原位实验等大尺寸样品提供可能。4、能量0.5-10kv连续可调，既可满足低能区减少非晶层，又可兼顾高能区大幅提高制样效率。粗校准 → 样品抛光 → 观察抛光结果01将样品装入切割样品台，放入粗校准仪中进行校准，使样品平面与挡板平行，样品待切割面比离子束挡板上沿高出 10-200𝜇 𝑚 。02校准成功后将样品放入工作仓中，选择切割模式，点击每个离子枪的“步骤设置”，设置电压、电流和持续时间；选择“线性距离”，数值为样品半径或半宽。各参数均确认无误后，开启离子枪。03待设置的时间结束后，样品抛光完成，点击“返回常压“，取出样品即可进行后续电镜实验观察。