多层膜型分析晶体

超大数值孔径(NA0.5)光纤--空气包层光子晶体光纤所属类别： ? 光纤/光纤器件 ? 光子晶体光纤 产品简介超大数值孔径光纤(NA0.5)--大芯径空气包层光子晶体光纤 超大数值孔径光纤（NA0.5）--大芯径（高达100 um）空气包层光子晶体光纤！ 石英光纤NA一般为0.12或者0.22， 更大数值孔径的光纤需要加大包层和纤芯的材料的折射率比，但往往也只能做到0.48（聚合物包层，非高功率光纤）。昊量光电公司推出超大数值孔径光纤P-ACF-XX-YYY。这是一款（高达0.6）、低损耗、大芯径空气包层光子晶体光纤，芯径为50、80、100 um；包层直径覆盖80-160 um。主要应用于功率传输、光谱学、仪器设备等领域。 超大数值孔径光纤、光子晶体光纤、大数值孔径光子晶体光纤、低损耗光子晶体光纤、大芯径光子晶体光纤，超大NA光纤 以上产品参数均为标准品，我们可以根据客户的实际需求实现产品定制化服务！ 主要特点：l大数值孔径（NA0.5） l低损耗（） l大芯径（50、80、100 um 可选） 主要应用：u功率传输 u光谱学；u仪器设备；参数指标：Product referenceP-ACF-XX-YYYCladding diameter(um)80 to 160(+/- 5 um)Core diameter(um)50, 80 and 100 (+/- 3 um)Core materialSilica F300Coating diameter(um)245(+/- 5 um)Coating materialDual coat acrylateNumerical aperture0.5Background losses(d B/km)@1310 nmBackground losses(d B/km)@1550 nmMinimal web thickness(nm)150 相关产品 宽波段单模光纤（350-1750 nm）---无截止单模光子晶体光纤 宽波段超连续谱产生光子晶体光纤（350-1800 nm） 宽温（-60-80 ℃）保偏光纤---保偏光子晶体光纤 高非线性光纤---柚子型光子晶体光纤

多层铝箔气体采样袋1、多层铝箔气体采样袋对低分子量化合物，如甲烷，一氧化碳，二氧化碳，和永久气体有良好的稳定性。2、多层铝箔气体采样袋防止光照和水分，具有良好的惰性。3、多层铝箔气体采样袋由于自身本底水平原因，不推荐用于采集ppm水平的挥发性有机化合物。4、多层铝箔气体采样袋5层的保护膜，最大限度地减少的气体渗透。- 60 号的尼龙（外层）- 铝金属层- 聚乙烯层- 0.0003" 铝箔层- 0.002" 聚乙烯（内层） 型号 包装量 货号#1 L 7" x 7" 5-pk. 22950* 3 L 10" x 10" 5-pk. 22951 5 L 12" x 12" 5-pk. 22952 10 L 12" x 22" 5-pk. 22953 12 L 13" x 24" 5-pk. 22966 25 L 18" x 24" 5-pk. 2296740 L 24" x 24.5" 5-pk. 22968可更换隔垫，表面是聚四氟乙烯硅胶，直径4毫米 10-pk. 22104

RephiQuik Max 多层膜复合滤器在过滤介质中加入了两层玻璃纤维预过滤膜，该过滤器将三层过滤介质结合在一个紧密的聚丙烯外壳中，包括两层玻璃纤维预过滤膜和一层精细过滤膜，大大减少了处理难以过滤的样品时需要多步过滤的时间，滤器被堵塞的可能性大大降低，因此增加了样品处理量及过滤速度。与传统过滤器相比，使用这些复合过滤器能够处理更多的样品体积，增加样品制备效率。PES(聚醚砜)膜是一种高通量，低蛋白质吸附性的材质。具有严格孔径分布，高流率等特点。适用于培养基，缓冲液和其他水溶液等的快速除菌过滤。尼龙（NYLON）滤膜是一种与各种溶剂都相容的亲水性材质。机械强度高，化学性能稳定，能耐受部分有机试剂(包括一些及性强的有机物如乙腈、DMSO等）和多数水溶液。 疏水性PTFE（聚四氟乙烯）膜带有高密度聚乙烯的支撑，具有广泛的化学相容性。适用于澄清酸、碱及有机溶剂，气体过滤等。更多选择，点击进入乐枫生物 订购信息滤膜材质直径（mm）孔径（µ m）数量/包装货号RephiQuik Max PTFE多层膜复合滤器聚四氟乙烯（PTFE）320.22100RJF3P22NH0.45100RJF3P45NHRephiQuik Max PES 多层膜复合滤器聚醚砜（PES）320.22100RJP3P22NH0.45100RJP3P45NHRephiQuik Max Nylon 多层膜复合滤器尼龙（Nylon）320.22100 RJN3P22NH 0.45100RJN3P45NH

产品简介 GaSe硒化镓晶体是一种暗棕色闪光的片状晶体。相对密度5.03，熔点(960±10)℃。GaSe和GaS一样是层状结构半导体，随着温度的降低，GaSe光电效应最大值向短波方向移动。硒化镓作为一种非线性晶体和光电导体，通常被应用于这些方面：于CO2激光器的二次谐波的产生，CO2激光器频率上转换至近红外或可见光，中红外波段的光学混频，以及5.5um-18.0um中红外波段的的不同频率的产生。同时GaSe晶体也可以被用来产生太赫兹辐射。GaSe（硒化镓晶体）的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe硒化钾晶体是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe硒化钾晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe硒化钾晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。注：GaSe硒化钾晶体的解理面为(001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎。GaSe 硒化钾晶体参数Structure62m a = 3.74 c = 15.89Density5.03 g/cm3Mohs hardness2Eg, eV2.02Refractive indices at 5.3 μmno= 2.8340 ne= 2.4599Refractive indices at 10.6 μmno= 2.8136 ne= 2.4389Refractive index at 0.633 μmno= 2.9365GaSe 硒化钾晶体透射谱GaSe硒化钾晶体产品Diameter/Width5-30 mm (can be elliptical)Thickness/Length0.1-40 mmOrientationX, Y, ZSurface qualityCleaved更多晶体相关产品碲化锌晶体ZnTe晶体铌酸锂晶体LiNbO3晶体硒化锌晶体ZnSe晶体硒化镓晶体GaSe晶体硫化锌晶体ZnS晶体磷化镓晶体GaP晶体有机晶体DAST晶体有机晶体DSTMS晶体有机晶体OH1晶体

产品特点：多层铝箔气体采样袋Multi-Layer Foil Gas Sampling Bags● 对小分子化合物具有良好的稳定性（如甲烷，CO，CO2和永久性气体）。● 具有一定的化学惰性，可避光防潮。● 由于背景干扰，不推荐用于低含量ppm级别的VOC分析。● 4层保护性屏障最大限度地减少透气性。- 60规格尼龙（外层）- 聚乙烯- 0.0003“铝箔- 0.002“ 聚乙烯（内层）● 最高工作温度：82°C（180°F）。注意：仅使用Point Style 5注射器。技术文献：● 气体采样袋：空气采样的经济型替代品采样袋是用于VOC和永久气体的低成本全空气采样设备。 针对各种应用的采样袋取样存在几种EPA，NIOSH和OSHA方法：固定源排放 工作场所气氛 环境，室内空气质量 和呼吸分析。 我们所有的多层铝箔袋都采用聚丙烯组合阀，软管连接，可安装3/16“内径管和注射器端口，可更换隔垫。单个孔眼提供便利的操作。成分：4层 - 60规格尼龙（外层），聚乙烯，0.0003“铝箔，0.002”聚乙烯（内层）厚度：0.004“抗拉强度： 19 lb/in最高使用温度： 82 °C (180 °F)比重： 1.09 g/mL透氧性： 0.0078 cc / m2 / day @ 0% RH, 23 °C水蒸汽渗透性： 0.0078 g / m2 / day @ 90% RH, 40 °C二氧化碳渗透率： 0.0078 cc / m2 / day订货信息：Multi-Layer Foil Gas Sampling BagsCatalog #VolumeSizeUnits229501 L7"x 7"5-pk.229513 L10"x 10"5-pk.229525 L12"x 12"5-pk.2295310 L12"x 22"5-pk.2296612 L13"x 24"5-pk.2296725 L18"x 24"5-pk.2296840 L24"x 24.5"5-pk.

青石棉晶体标样可很好的校正分辨率和放大倍率，晶面间距为0.9nm（020）和0.45nm（021）。其中石棉纤维轴向晶面间距为0.9nm，0.45nm的晶面间距出现在合适的晶体方向上约60°的角度上。为防止电镜被石棉纤维污染，采用一种三明治式的技术，将石棉置于碳层和方华膜之间。

多层铝箔气体采样袋对低分子量化合物，如甲烷，一氧化碳，二氧化碳，和永久气体有良好的稳定性。防止光照和水分，具有良好的惰性。由于自身本底水平原因，不推荐用于采集ppm水平的挥发性有机化合物。5层的保护膜，最大限度地减少的气体渗透。- 60 号的尼龙（外层）- 铝金属层- 聚乙烯层- 0.0003" 铝箔层- 0.002" 聚乙烯（内层）订货信息：型号尺寸包装货号1 L7" x 7" 5-pk.22950*3 L10" x 10"5-pk.229515 L12" x 12"5-pk.2295210 L12" x 22"5-pk.2295312 L13" x 24"5-pk.2296625 L18" x 24"5-pk.2296740 L24" x 24.5"5-pk.22968可更换隔垫，表面是聚四氟乙烯硅胶，直径4毫米10-pk.22104 隔垫

青石棉晶体标样可很好的校正分辨率和放大倍率，晶面间距为0.9nm（020）和0.45nm（021）。其中石棉纤维轴向晶面间距为0.9nm，0.45nm的晶面间距出现在合适的晶体方向上约60°的角度上。为防止电镜被石棉纤维污染，采用一种三明治式的技术，将石棉置于碳层和方华膜之间。

MultiDispo一次性多层取样器Disposable zone samplers for taking samples from multiple layers of the sample material. Suitable for free-flowing powders and smallgrain granulates. The representative all-layer sample can be emptieddirectly through the open handle into a sample container.1.Easy emptying through the opening in the handle (diameter 14 mm)2.HDPE3.Clean room manufactured, individually packaged4.Optionally sterilised by gamma rays5.diameter 25 mm / tip diameter 30 mmMultiDispo一次性多层取样器长度mm体积ml模式每包装数量起批量产品货号500100标准20105393-4440500100无菌20105393-44411000200标准20105393-44501000200无菌20105393-4451

基于SiO2/Si晶片的双层CVD石墨烯薄膜将两层单层CVD石墨烯膜转移 到285nm p掺杂的SiO 2 / Si晶片上尺寸：1cmx1cm 8片将每个石墨烯膜连续转移到晶片上我们的石墨烯薄膜的厚度和质量由拉曼光谱控制该产品的石墨烯覆盖率约为98％石墨烯薄膜是连续的，具有小孔和有机残留物每个石墨烯薄膜主要是单层（超过95％），偶尔有少量多层（低于5％的双层）由于没有A-B堆叠顺序。石墨烯薄膜彼此随机取向。薄层电阻：215-700Ω/平方硅/二氧化硅晶圆的特性：氧化层厚度：285nm颜色：紫罗兰色晶圆厚度：525微米电阻率：0.001-0.005欧姆 - 厘米型号/掺杂剂：P /硼方向：前表面：抛光背面：蚀刻应用：石墨烯电子和晶体管导电涂料航空航天工业应用支持金属催化剂微执行器MEMS和NEMS化学和生物传感器基于石墨烯的多功能材料石墨烯研究

基于SiO2/Si晶片的双层CVD石墨烯薄膜将两层单层CVD石墨烯膜转移 到285nm p掺杂的SiO 2 / Si晶片上尺寸：1cmx1cm 4片将每个石墨烯膜连续转移到晶片上我们的石墨烯薄膜的厚度和质量由拉曼光谱控制该产品的石墨烯覆盖率约为98％石墨烯薄膜是连续的，具有小孔和有机残留物每个石墨烯薄膜主要是单层（超过95％），偶尔有少量多层（低于5％的双层）由于没有A-B堆叠顺序。石墨烯薄膜彼此随机取向。薄层电阻：215-700Ω/平方硅/二氧化硅晶圆的特性：氧化层厚度：285nm颜色：紫罗兰色晶圆厚度：525微米电阻率：0.001-0.005欧姆 - 厘米型号/掺杂剂：P /硼方向：前表面：抛光背面：蚀刻应用：石墨烯电子和晶体管导电涂料航空航天工业应用支持金属催化剂微执行器MEMS和NEMS化学和生物传感器基于石墨烯的多功能材料石墨烯研究

基于SiO2/Si晶片的双层CVD石墨烯薄膜将两层单层CVD石墨烯膜转移 到285nm p掺杂的SiO 2 / Si晶片上 尺寸：1cmx1cm 8片将每个石墨烯膜连续转移到晶片上我们的石墨烯薄膜的厚度和质量由拉曼光谱控制该产品的石墨烯覆盖率约为98％石墨烯薄膜是连续的，具有小孔和有机残留物每个石墨烯薄膜主要是单层（超过95％），偶尔有少量多层（低于5％的双层）由于没有A-B堆叠顺序。石墨烯薄膜彼此随机取向。薄层电阻：215-700Ω/平方硅/二氧化硅晶圆的特性：氧化层厚度：285nm颜色：紫罗兰色晶圆厚度：525微米电阻率：0.001-0.005欧姆 - 厘米型号/掺杂剂：P /硼方向：100前表面：抛光背面：蚀刻应用：石墨烯电子和晶体管导电涂料航空航天工业应用支持金属催化剂微执行器MEMS和NEMS化学和生物传感器基于石墨烯的多功能材料石墨烯研究

基于SiO2/Si晶片的双层CVD石墨烯薄膜将两层单层CVD石墨烯膜转移 到285nm p掺杂的SiO 2 / Si晶片上 尺寸：1cmx1cm 4片将每个石墨烯膜连续转移到晶片上我们的石墨烯薄膜的厚度和质量由拉曼光谱控制该产品的石墨烯覆盖率约为98％石墨烯薄膜是连续的，具有小孔和有机残留物每个石墨烯薄膜主要是单层（超过95％），偶尔有少量多层（低于5％的双层）由于没有A-B堆叠顺序。石墨烯薄膜彼此随机取向。薄层电阻：215-700Ω/平方硅/二氧化硅晶圆的特性：氧化层厚度：285nm颜色：紫罗兰色晶圆厚度：525微米电阻率：0.001-0.005欧姆 - 厘米型号/掺杂剂：P /硼方向：100前表面：抛光背面：蚀刻应用：石墨烯电子和晶体管导电涂料航空航天工业应用支持金属催化剂微执行器MEMS和NEMS化学和生物传感器基于石墨烯的多功能材料石墨烯研究

硫硒化钼晶体 MoSSe(Molybdenum Sulfide Diselenide)晶体尺寸：~6毫米电学性能：半导体晶体结构：六边形晶胞参数：取决于合金成分：a = b = 0.31 -0.33 nm and c = 1.21 -1.29 nm, α = β = 90°, γ = 120°晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%X-ray diffraction on a MoSSe single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 5 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 2, 4, 6, 8, 10Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal MoSSe. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.Stoichiometric analysis of a single crystal MoSSe by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).Raman spectrum of a single crystal MoSSe. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.

产品特点：多层铝箔气体采样袋●对低分子量化合物（例如甲烷，CO，CO2和永久性气体）具有良好的稳定性。● 具有光和湿气保护作用的化学惰性。● 由于背景水平，不建议将其用于低ppm VOC。● 四层保护层可最大程度地减少气体渗透● 最外层：60号尼龙● 第二层：聚乙烯● 第三层：0.0003”铝箔● 最里层：0.002”聚乙烯● 最高使用温度：82°C（180°F）。注意：只能使用 Point Style 5 或 H 进样器针头。采样袋是用于 VOC 和永久性气体的低成本全空气采样设备。 现有多种EPA，NIOSH 和 OSHA 方法可用于各种应用的袋采样，包括工作场所的空气环境； 室内空气质量和呼吸测试。 我们所有的多层铝箔袋均配有一个带软管连接的聚丙烯组合阀，以适应 3/16 英寸内径管路和带可更换隔垫的注射器端口。物理规格：成分：4-layer— 60 gauge nylon (outer layer), Polyethylene, 0.0003" aluminum foil, 0.002" polyethylene (inner layer)厚度：0.004"拉伸强度：19 lb/in最高使用温度：82 °C (180 °F)比重：1.09 g/mL氧气渗透率：0.0078 cc / m2 / day 0% RH, 23 °C水蒸气渗透率：0.0078 g / m2 / day 90% RH, 40 °C二氧化碳渗透率：0.0078 cc / m2 / day订货信息：多层铝箔气体采样袋货号产品名称容积尺寸单位22950Multi-Layer Foil Gas Sampling Bag1 L7″ x 7″5-pk.22951Multi-Layer Foil Gas Sampling Bag3 L10″ x 10″5-pk.22952Multi-Layer Foil Gas Sampling Bag5 L12″ x 12″5-pk.22953Multi-Layer Foil Gas Sampling Bag10 L12″ x 22″5-pk.22966Multi-Layer Foil Gas Sampling Bag12 L13″ x 24″5-pk.22967Multi-Layer Foil Gas Sampling Bag25 L18″ x 24″5-pk.22968Multi-Layer Foil Gas Sampling Bag40 L24″ x 24.5″5-pk.‍

无限单模光子晶体光纤PCF 无限单模光子晶体光纤PCF光纤显示出无限的单模行为，并且不表现出高阶模式截止。因此，它们非常适合在可见光及以上范围内提供出色的模式传输：从 400 nm 到 1700 nm。 由于其特定二氧化硅的性质，在可见光范围内具有较低日光化的专用版本。F110 二氧化硅的高 OH 含量赋予这种光纤出色的抗辐射和高功率可见光传输能力。因此，这种光纤非常适合在可见光中实现出色的模式传输。产品特性：- 整个波长范围内单模- 标准和 PM 版本- 提供可见光版本 -VIS应用单模光传输IR无限单模光子晶体光纤PCF型号ESM-5-125ESM-5-125-PMESM-10-125ESM-10-225-PM光学参数1064 nm处的数值孔径0.20 +/- 0.020.20 +/- 0.020.1 +/- 0.020.1 +/- 0.02LP11截止波长（nm）无532 nm背景损耗（dB/km） 50 3840381060 nm背景损耗（dB/km） 20 2012151550nm背景损耗（dB/km） 15 305101064 nm模场直径（μm）4.6 +/- 0.34.5 +/- 0.38.8 +/- 0.48.7 +/- 0.41064 nm有效面积（μm2）14 +/- 216 +/- 260 +/- 659 +/- 6物理/材料参数材料F300二氧化硅芯径（μm）5 +/- 0.35 +/- 0.310 +/- 0.610 +/- 0.6包层直径（μm）125 +/- 2125 +/- 3125 +/- 5225 +/- 5涂层外径（μm）245 +/- 10240 +/- 10250 +/- 10355 +/- 10涂层类型双涂层高指数丙烯酸酯VIS无限单模光子晶体光纤PCF：型号ESM-10-125-VIS光学参数数值孔径@780 nm0.11 +/- 0.01LP11截止波长（nm）无背景损耗@ 400 nm (dB/km) 300背景损耗@ 532 nm (dB/km) 35背景损耗@780nm (dB/km) 35背景损耗@ 1060 nm (dB/km) 20780 nm模场直径（μm）7 +/- 0.5780 nm有效面积（μm2）35 +/- 10物理/材料参数材料F110二氧化硅OH含量（ppm）400芯径（μm）10.5 +/- 0.5包层直径（μm）126 +/- 3涂层外径（μm）248 +/- 5涂层类型双涂层高指数丙烯酸酯000

硒化钨钼晶体 MoWSe2(Molybdenum Tungsten Diselenide)晶体尺寸：6毫米电学性能：半导体晶体结构：六边形晶胞参数：取决于合金成分：a = b = 0.31 -0.33 nm and c = 1.21 -1.30 nm, α = β = 90°, γ = 120°晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%X-ray diffraction on a MoWSe2 single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 5 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 2, 4, 6, 8, 10Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal MoWSe2. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.Stoichiometric analysis of a single crystal MoWSe2 by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).Raman spectrum of a single crystal MoWSe2. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.

硅酸铋(Bi)12SiO20，bso)晶体是一种高效率的光导材料，暗导率低，允许大量的光诱导空间电荷的积累。巨大的光电导性和电光特性提高了BSO晶体的应用范围：空间光调制器、光开关、相位共轭混合器。Optogama用改进的Czochralski法生长了BSO晶体，其孔径可达3英寸。铌酸锂(LiNbO)3掺杂铁(Fe：LiNbO)的LN晶体3)具有高的光折变灵敏度、高的电光系数和衍射效率、化学力学性能，是一种很有吸引力的光折变材料。Fe：LiNbO3晶体采用Czochralsky法生长，尺寸大。广泛的可用掺杂剂和水平可以调整特定应用的材料性能。更重要的是，Fe：Linbo3晶体操作方便，成本低，适合批量生产。SBN晶体具有优良的光学和光折变性能。它们表面上是纯的，被Ce，Cr，Co或Fe掺杂。不同成分的SBN晶体在电光、声光、光折变、非线性光学等领域有着广泛的应用。包裹体和其它非均匀性SBN晶体，采用改进的Stepanov法生长，线性尺寸可达40 mm。锗酸铋（Bi12GeO20，BGO）晶体是具有低暗电导率的高效光电导体，可以积累大量光致空间电荷。硅酸铋晶体主要特点：-高电光系数(r41=5pm/v)-高相位共轭效率-可在3“以下的大尺寸元件或晶片中使用。-可根据要求定制 BSO晶体主要应用： -空间光调制器-光开关-相位共轭混合器。铌酸锂晶体主要特点：-高电光系数(r41=5pm/v)-高相位共轭效率-可在3“以下的大尺寸元件或晶片中使用。-可根据要求定制LiNbO3晶体的主要应用：-空间光调制器-光开关-全息记录-光波导SBN晶体的主要特点：-Ce，Cr，Co，Fe纯掺杂-有效相位共轭-定制尺寸，掺杂水平，无极化，减反射涂层和没有电极晶体可根据要求 SBN晶体的主要应用：-光学信息记录-热释电探测器-自泵浦自共轭镜-光学相关器BGO晶体的主要特点：-高电光系数(r41=3，5 pm/v)-低暗电导-大尺寸元件或晶片最多可达3“-可根据要求定制 BGO晶体的主要应用：-空间光调制器-光开关-光学相关器

Novartos Multi 多层取样器Novartos Multi 多层取样器有14 个样本容器，7个样本区以提取各层样本。 取样插入器是合适准确的，而且很容易更换插入器容量从0 到4.0 ml 插入深度可以从激光雕刻的深度刻度上读出不锈钢 V4A (1.4404 / 1.4571) 表面经手工打磨无刻痕25 mm直径Novartos Multi 多层取样器型号长度产品货号无插入器10005358-1000附件产品描述产品货号Novartos Multi插入器，容积0,0ml5358-0000Novartos Multi插入器，容积0,5ml5358-0005Novartos Multi插入器，容积1ml5358-0010Novartos Multi插入器，容积1,5ml5358-0015Novartos Multi插入器，容积2ml5358-0020

Microphotons推出一系列适用于中红外波段（1.5~10μm）的光子晶体光纤（PCF），包括单模、高非线性PCF等等，同时我们可以提供定制其他例如多模光子晶体光纤、保偏光子晶体光纤等（在其中，芯径、数值孔径将被改变）。可以加FC/PC连接头,3mm铠甲套管。除以下列出的不同种类光子晶体光纤之外， 我们还可为客户定制不同材料基质不同结构设计的PCF（硫化物、碲化物、硒化物等），例如保偏光子晶体光纤、锥形光子晶体光纤等等。产品特征：工作波段1.5~10μm低传输损耗极好的空间光束质量应用领域：中红外光束传输(QCL, OPO)非线性应用：超连续谱技术参数型号AsSe SM1AsSe SM2玻璃材料As32Se68Refractive Index@1.55μm2.81Nonlinear Refractive Index n2=1.1×10-17(m2/W) (=500×n2silica)工作波段范围(μm)3-91.5-8典型衰减值(dB/m)2.5@1.55μmαα纤芯直径(μm)=13包层直径(μm)=125典型数值孔径@5μm0.4零色散波长点(μm)=5各个波长处衰减度MP-ASSE-SM1 MP-ASSE-SM2订购型号：MP-AsSe-SM1中远红外全波段单模光子晶体光纤参数：工作波段范围(μm)3-9，典型衰减值(dB/m)2.5@1.55μm，α，纤芯直径(μm)=13，包层直径(μm)=125，典型数值孔径@5um:0.4,零色散波长点(μm)=5MP-AsSe-SM2 中远红外全波段单模光子晶体光纤参数：工作波段范围(μm)1.5-8，典型衰减值(dB/m)2.5@1.55μm，α，纤芯直径(μm)=13，包层直径(μm)=125，典型数值孔径@5um:0.4,零色散波长点(μm)=5有意者欢迎咨询我司！

二硒化钼晶体 2H-MoSe2(Molybdenum Diselenide)-P型晶体尺寸：~10毫米电学特性：P型半导体晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.329 nm, c = 1.289 nm, α = β = 90°, γ = 120°晶体类型：合成晶体纯度：99.995%X-ray diffraction on a MoSe2 single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 4 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 2, 4, 6, 8Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal MoSe2. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.Stoichiometric analysis of a single crystal MoSe2 by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).Raman spectrum of a single crystal MoSe2. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.

GaSe（硒化镓）晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。注：GaSe晶体的解理面为(001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎。技术参数主要特性复合物GaSe透光率, μm0.62 – 20非线性系数, pm/Vd22 = 54 @10.6 μm对称度六方晶系, 6m2 point group晶胞参数, ?a=3.74, c=15.89典型反射系数10.6 μm 5.3 μmno=2.6975, ne=2.3745 no=2.7233, ne=2.3966光学损伤阈值, MW/cm21064 nm (t=10 ns)30离散角, °5.3 μm4.1应用10.6 μm激光辐射二次谐波的产生中红外区域高达17μm的光学参量振荡器、光学参量放大器、DFG等 对于所有晶体，我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层，以及反射率曲线。

光子晶体光纤/微结构光纤(PCF）所属类别： ? 光纤/光纤器件 ? 其他特种光纤/光子晶体光纤 所属品牌： 产品简介 昊量光电提供各种定制型光子晶体光纤（PCF，微结构光纤）！光子晶体光纤(Photonic Crystal Fibers,PCF)又称为微结构光纤（Micro-Structured Fibers, MSF)，这种光线的横截面上有较复杂的折射率分布，通常含有不同排列形式的小孔，这些小孔的尺度与光波波长大致在同一量级且贯穿器件的整个长度，光波可以被限制在低折射率的光纤芯区传播。昊量光电提供各种光子晶体光纤。 关键词：光子晶体光纤，Photonic Crystal Fibers, PCF，微结构光纤，Micro-Structured Fibers， 结构光纤 光子晶体光纤(Photonic Crystal Fibers,PCF)又称为微结构光纤（Micro-Structured Fibers, MSF)，这种光线的横截面上有较复杂的折射率分布，通常含有不同排列形式的小孔，这些小孔的尺度与光波波长大致在同一量级且贯穿器件的整个长度，光波可以被限制在低折射率的光纤芯区传播。光子晶体光纤（微结构光纤）按照其导光机理可以分为两大类：折射率导光型（IG-PCF)和带隙引导型（PCF）。折射率引导型光子晶体光纤（微结构光纤，PCF）具有无截止单模特性 、大模场尺寸 /小模场尺寸和 色散可调特性等特性。广泛应用于色散控制 (色散平坦，零色散位移可以到800nm)，非线性光学 （高非线性，超连续谱产生），多芯光纤 ，有源光纤器件（双包层PCF有效束缚泵浦光）和光纤传感等领域。空隙带隙型光子晶体光纤（微结构光纤，PCF） 具有易耦合，无菲涅尔反射，低弯曲损耗、低非线性和特殊波导色散等特点被广泛应用于高功率导光，光纤传感和气体光纤等方面。光子晶体光纤的发展为光纤传感 开拓了广阔的空间，尤其是在生物传感和气体传感方面为光纤传感技术带来新的发展。昊量光电提供各种光子晶体光纤及光子晶体光纤的定制化服务，昊量可以提供的产品及服务：材料：石英或硫化物提供各种定制服务可提供各种套管，接头及相应光线器件各种解决方案设计及模拟主要产品：1，基于石英的各种有源及无源光纤：保偏型光子晶体光纤，定制色散型光子晶体光纤，光子晶体光纤预制棒空气包层、双包层光子晶体光纤，LMA空心光纤，光子带隙光纤掺杂光子晶体光纤多心光子晶体光纤2，基于硫化物的光子晶体光纤超高非线性光纤（50,000/W*km）中红外光子晶体光纤定制化服务3,各种解决方案基础研究传感激光器光谱学主要应用：高功率低损耗近红外激光传输脉冲整形脉冲压缩非线性光学光纤传感超连续激光产生可调谐光纤耦合器多波长激光器光纤耦合 指标参数： 常规产品： 相关产品 覆盖紫外波段超连续激光器(320~1750nm) FROG 超短脉冲测量仪 啁啾布拉格光栅

二硒化钼晶体 2H-MoSe2(Molybdenum Diselenide)-N型晶体尺寸：~10毫米电学特性：N型半导体晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.329 nm, c = 1.289 nm, α = β = 90°, γ = 120°晶体类型：合成晶体纯度：99.995%X-ray diffraction on a MoSe2 single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 4 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 2, 4, 6, 8Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal MoSe2. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.Stoichiometric analysis of a single crystal MoSe2 by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).Raman spectrum of a single crystal MoSe2. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.

产品说明NKT Photonics的LMA-5单模大模场面积光子晶体光纤是针对工作波长400nm-1700nm设计优化的，具有低损耗和几乎稳定不变的模场直径。与传统的单模光纤相比(当工作波长低于单模光纤的截止波长时，实际上是多模光纤)，单模光子晶体光纤是永久性的单模传输，是真正意义上的单模。该光纤具有标准的125um的包层直径，与大部分的光纤兼容。此系列光纤还包括一种单模保偏大模场面积光子晶体光纤LMA-PM-5。产品特性低损耗全波段单模传输纯二氧化硅纤芯光纤波长与模场直径无关高非线性阈值功率应用范围单模高功率传输模式滤波单模尾纤短脉冲传输产品性能曲线技术参数单模截止波长NA包层直径(OD)125±2um衰减＜20dB/km(@532nm)＜10dB/km(@632nm)＜5dB/km（@1064nm）模场直径4.5±0.5um（@532nm）4.7±0.5um（@1064nm）涂覆层直径245±10um涂覆层材料Acrylate数值孔径0.20±0.02@1064nm涂覆层同心度＜10.0um纤芯直径5.0±0.5um压力测试水平0.005纤芯材料纯石英纤芯

产品简介NKT Photonics的LMA-10单模大模场面积光子晶体光纤是针对工作波长400nm-1700nm设计优化的，具有低损耗和几乎稳定不变的模场直径。与传统的单模光纤相比(当工作波长低于单模光纤的截止波长时，实际上是多模光纤)，单模光子晶体光纤是永久性的单模传输，是真正意义上的单模。该光纤具有标准的125um的包层直径，与大部分的光纤兼容。此系列光纤还包括一种单模保偏大模场面积光子晶体光纤LMA-PM-10。产品特性低损耗全波段单模传输纯二氧化硅纤芯光纤波长与模场直径无关高非线性阈值功率应用范围单模高功率传输模式滤波单模尾纤产品性能曲线图技术参数单模截止波长NA涂覆层直径245±10um衰减＜40dB/km(@532nm)＜20dB/km(@632nm)＜5dB/km（@1064nm）模场直径8.4±1.0um（@532nm）8.8±1.0um（@1064nm）数值孔径0.11±0.02@1064nm涂覆层材料Acrylate纤芯直径10.1±0.5um涂覆层同心度＜10.0um纤芯材料纯石英纤芯压力测试水平0.005包层直径(OD)125±2um

产品说明NKT Photonics的LMA-15单模大模场面积光子晶体光纤是针对工作波长500nm-1700nm设计优化的，具有低损耗和几乎稳定不变的模场直径。与传统的单模光纤相比(当工作波长低于单模光纤的截止波长时，实际上是多模光纤)，单模光子晶体光纤是永久性的单模传输，是真正意义上的单模。该光纤具有标准的125um的包层直径，与大部分的光纤兼容。另外该光纤还具有低损耗和高损伤阈值功率，无非线性效应，可用在高功率传输，此系列光纤还包括一种单模保偏大模场面积光子晶体光纤LMA-PM-15。产品特性低损耗全波段单模传输纯二氧化硅纤芯光纤波长与模场直径无关高非线性阈值功率应用范围单模高功率传输模式滤波单模尾纤短脉冲传输产品性能曲线图技术参数衰减＜20dB/km(@532nm)＜10dB/km(@632nm)＜5dB/km（@1064nm）模场直径12.5±1.5um（@532nm）12.8±1.0um（@1064nm）数值孔径0.09±0.02@1064nm涂覆层直径350±10um纤芯直径15.1±0.5um涂覆层材料Acrylate纤芯材料纯石英纤芯涂覆层同心度＜10.0um包层直径(OD)230±5um压力测试水平0.005

二硫化钼晶体（2H-合成/99.995%/p 型） MoS2(Molybdenum Disulfide)-syn晶体尺寸:~10毫米电学性能：P型半导体晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.315 nm, c = 1.229 nm, α = β = 90°, γ = 120°晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%X-ray diffraction on a 2H-MoS2 single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 5 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 2, 4, 6, 8, 10Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal MoS2. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.Stoichiometric analysis of a single crystal MoS2 by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).Raman spectrum of a single crystal MoS2. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.

LISe 硒铟锂 (LilnSe2) NIR-IR近红外非线性晶体通过定向凝固生长单晶。典型的生长晶体长约 20 毫米，直径约 10 毫米，呈深红色。晶格常数被确定为a = 7.218 埃， b= 8.441 ?，c = 6.772 ?，粉末 X 射线衍射。通过差热分析确定熔点为904℃。LiInSe 的能带隙2在室温下，通过光传输测量估计为 1.88 eV。典型的室温电阻率为 2.67 × 1011 Ω cm 具有 n 型电导率。双轴硒化锂铟（LiInSe 2或 LISe）非线性光学晶体的光谱透明度范围和高双折射使人们能够实现所有广泛使用的中红外激光器的倍频。它们的效率与AgGaS 2 晶体的效率相同，是LiInS 2晶体的效率的两倍。LiInSe 2晶体的优势在于可以创建由近红外固态激光器（特别是 Nd:YAG 激光器）辐射泵浦的中红外参量光振荡器，其效率比 AgGaS 2高一倍以上和 LiInS使用了2个晶体。还值得注意的是，LiInSe 2 晶体在飞秒脉冲频率转换方面的潜在优势超过了所有已知晶体，无论是在中红外区域，还是在飞秒 Ti：蓝宝石和 Cr：镁橄榄石激光的辐射直接转换到中红外区域.技术参数主要特性复合物LilnSe2透光率, μm0.43– 13.2 非线性系数, pm/Vd31=11.78, d24=8.17 @2.3 μm 对称度斜方（晶系）, mm2 point group 晶胞参数, ?a=7.192, b=8.412, c=6.793 带隙, eV2.86典型反射系数10.0 μm 5.0 μmnx=2.2015, ny=2.2522, nz=2.2566 nx=2.2370, ny=2.2772, nz=2.2818用于SHG的基频x-y, Type II, eoe2.73 – 8.24x-z, Type I, ooe2.08 – 12.4y-z, Type II, oeo2.73 – 3.07y-z Type II, oeo7.66 – 8.24Total interval covered2.08 – 12.4光学损坏阈值, GW/cm21064 nm (t=10 ns)~40 热导率k, WM/M°Ckx=4.73 ± 0.3 ky=4.67 ± 0.3 kz=5.45 ± 0.3室温带隙, eVEg = 2.730.2透明度级别的远红外吸收边缘1.24 THz at 240 μm 光学元件参数定向精度, arc min 30平行度, arc sec 30平面度546 nmλ/4表面质量, scratch/dig30/20应用Ti: Sappire 激光泵浦下的光学参量振荡器 （范围 1 – 13 μm）中红外(2-13μm)的差频产生 对于所有晶体，我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层，以及反射率曲线。

AgGaSe2晶体,中文名硒镓银晶体,简称AGSe晶体。中红外激光倍频有效的晶体材料，对中红外激光的倍频效率高,是有效的非线性激光晶体之一.还同时具有三波非线性作用(OPO)的优良性能。 ' AGSe晶体透光范围为0.73-18μm,AgGaSe2晶体可用波段位于0.9-16μm。采用目前成熟的激光泵浦，AGSe晶体的OPO呈现宽阔的红外可调谐性能。用Ho:YLF2.05μm泵浦AgGaSe2晶体获得2.5-12μmOPO调谐光源 用1.4-1.55um调谐光源泵浦的非临界相位匹配OPO输出1.9-5.5um调谐光源 早在1982年,就已经实现了脉冲CO2激光的有效倍频 上述系统的输出波段还可以用和频或差频混频的方法(SF/DFM)予以扩充。AGSe晶体可用于光学参量放大和光学参量振荡以及差频产生，应用波长可达到中红外的17 μm。技术参数主要特性复合物AgGaSe2透光率, μm0.76 – 18单轴负晶no ne (at λ 0.804 μm ne no)非线性系数, pm/Vd36 = 39.5 @10,6 μm 对称度四方晶系, -42m point group典型反射系数10.6 μm5.3 μmno=2.5915, ne=2.5582 no=2.6138, ne=2.5811光学损坏阈值, MW/cm22000 nm (t=30 ns)13离散角, °5.3 μm0.68热导系数 k, WM/M°C1.1频带隙能量, eV1.8光活度 ρ = 7deg/mm 在各向同性点, μmn0= ne, λ = 0.804 光学元件参数定位精度, arc min 30平行度, arc sec 40平面度546 nmλ/4表面质量, scratch/dig30/20应用有效中红外辐射二次谐波的产生 中红外区域高达17μm的光学参量振荡器、光学参量放大器等各向同性点附近区域的光学窄带滤波器(300 K时为0.804 μm) 对于所有晶体，我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层，以及反射率曲线。