多功能离子溅射仪

多功能高磁控溅射喷金仪—nanoEMnanoEM是Moorfield Nanotechnology推出的一款高精度的磁控溅射喷金仪。该系统可配备SEM样品托、TEM网、普通样品等多种专用样品台，满足各种高精度的喷金或电生长需求。除了溅射金属电外，nanoEM还具有大的拓展空间，虽然作为台式设备，nanoEM配备了输出功率可达300W的溅射源，系统还可选择样品台旋转、样品倾斜、自动压强控制等多种功能。丰富的选件和配置可以满足学术研究的多种样品生长需求，可升成为一台多功能的磁控溅射薄膜制备系统。该设备作为灵活的高精度金属溅射仪备受各大实验室的青睐。主要特点：◎ 能够达到学术研究的多功能喷金仪◎ SEM托、TEM网、普通样品多种专用样品台可选◎ 可安装两个2英寸溅射源◎ 通用的溅射靶材◎ 本底真空5×10-7 mbar◎ 流量计控制生长气氛◎ 可调式DC溅射源，输出功率可达300W◎ 全自动，引导式触屏控制◎ 完备的安全性设计◎ 易于维护◎ 兼容超净室◎ 稳定的性能表现系统选件：◎ 腔体视窗◎ 真空泵型号可选◎ 气压全自动控制系统◎ 溅射源挡板◎ 等离子体辉光电◎ 样品台旋转与倾斜◎ 晶振膜厚监测系统

多功能磁控溅射仪（ 高真空磁控溅射镀膜机）是用磁控溅射的方法，制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等；适用于镀制各种单层膜、多层膜、掺杂膜系及合金膜；可镀制磁性材料和非磁性材料。设备关键技术特点秉承设备为工艺实现提供实现手段的理念，我们做了如下设计和工程实现，实际运行效果良好，为用户的专用工艺实现提供了精*准的工艺设备方案。靶材背面和溅射靶表面的结合处理-靶材和靶面直接做到面接触是很难的，如果做不到面接触，接触电阻将增大，导致离化电场的幅值不够（接触电阻增大，接触面的电场分压增大），导致镀膜效果不好；电阻增大导致靶材发热升温，降低镀膜质量。-靶材和靶面接触不良，导致水冷效果不好，降低镀膜质量。-增加一层特殊导电导热的软薄的物质，保证面接触。采用计算机＋PLC 两级控制系统角度、距离可调磁控溅射靶头可调角度，以便针对不同尺寸基片的均匀性，做精*准调控。基片和靶材之间的距离可调整，以适应不同靶材的成膜工艺的距离要求。 集成一体化柜式结构一体化柜式结构优点：安全性好（操作者不会触碰到高压部件和旋转部件）占地面积小，尺寸约为：长1100mm×宽780mm（标准办公室门是800mm宽）（传统设备大约为2200mm×1000mm），相同面积的工作场地，可以放两台设备。安全性-电力系统的检测与保护-设置真空检测与报警保护功能-温度检测与报警保护-冷却循环水系统的压力检测和流量-检测与报警保护匀气技术工艺气体采用匀气技术，气场更均匀，镀膜更均匀。基片加热技术采用铠装加热丝，由于通电加热的金属丝不暴露在真空室内，所以高温加热过程中不释放杂质物质，保证薄膜的纯净度。铠装加热丝放入均温器里，保证温常的均匀，然后再对基片加热。真空度更高、抽速更快真空室内外，全部电化学抛光，完全去除表面微观毛刺丛林（在显微镜下可见），没有微观藏污纳垢的地方，腔体内表面积减少一倍以上，镀膜更纯净，真空度更高，抽速更快。高真空磁控溅射仪（磁控溅射镀膜机）设备详情设备结构及性能1、单镀膜室、双镀膜室、单镀膜室＋进样室、镀膜室+手套箱2、磁控溅射靶数量及类型：1 ～ 6 靶，圆形平面靶、矩形靶3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装4、磁控溅射靶：射频、中频、直流脉冲、直流兼容5、基片可旋转、可加热6、通入反应气体，可进行反应溅射镀膜7、操作方式：手动、半自动、全自动7、样品传递采用折叠式超高真空机械手工作条件类型 参数 备注 供电 ～ 380V 三相五线制 功率 根据设备规模配置 冷却水循环根据设备规模配置 水压 1.5 ～ 2.5×105Pa 制冷量 根据扇热量配置 水温 18～25℃ 气动部件供气压力 0.5～0.7MPa 质量流量控制器供气压力 0.05～0.2MPa 工作环境温度 10℃～40℃ 工作湿度 ≤50%设备主要技术指标-基片托架：根据供件大小配置。-基片加热器温度：根据用户供应要求配置，温度可用电脑编程控制，可控可调。-基片架公转速度 ：2 ～100 转 / 分钟，可控可调；基片自转速度：2 ～20 转 / 分钟。-基片架可加热、可旋转、可升降。-靶面到基片距离： 30 ～ 140mm 可调。-Φ2 ～Φ4 英寸平面圆形靶 2 ～ 3 支，配气动靶控板，靶可摆头调角度。-镀膜室的极限真空：6X10-5Pa~6X10-6Pa，恢复工作背景真空 7X10-4Pa ，30 分钟左右（新设备充干燥氮气）。-设备总体漏放率：关机 12 小时真空度≤10Pa。关于鹏城半导体鹏城半导体技术（深圳）有限公司（简称：鹏城半导体），由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）|OLED中试设备（G1、G2.5）|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备（PECVD+磁控溅射）团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年 与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。

三靶大面积溅射系统之高分辨涡轮泵版本，CPU程序全自动控制，触膜屏用户界面，标配有挡板和靶材预清洁程序，既适合贵金属、也适合易氧化金属等多种靶材镀膜。 Q300T T镀膜仪是为薄膜应用而设计的多功能离子溅射镀膜仪，也是钨灯丝和场发射电镜观察之大样品制备的理想镀膜仪。为了确保精细沉积，Q300系列镀膜仪设有旋转样品台和三只相同的磁控靶组件，这也将提高采用低电压溅射的工作效率。该系统之高分辨涡轮泵版本Q300T T镀膜仪标配有挡板，作用是在保持真空条件下使易氧化金属靶材先进行清洁处理，然后再执行镀膜循环。所以，它既适合使用不氧化的贵金属如金（Au）、铂（Pt）等靶材镀膜，也适合易氧化金属如铬（Cr）、铝（Al）、钛（Ti）、锌（Zn）或氧化铟锡（ITO）、铱（Ir）等多种靶材镀膜。 和极其成功的Q150系列溅射仪、蒸镀仪一样，Q300T T型镀膜仪装在一个符合人机工程学设计的、坚固的整体成型机箱中，并且集成有触摸屏控制，对有经验的熟手和第一次使用的用户都适合的简单操作，从而可提供卓越的镀膜质量。 主要特点： &bull Large format chamber.The Q300T T sputter coaters incorporate a 300mm x 127mm work chamber and the sample stage accepts substrates up to 8&rdquo in diameter. An extended height glass chamber is available as an option to enable coating of larger format samples.大腔室。Q300T T型溅射镀膜仪设有尺寸为300mm x 127mm的工作腔室和适用于最大直径达8&rdquo 样品的样品台。可选配加长高腔室，以便于大且高的样品镀膜。 &bull Triple sputter head 三靶大面积溅射 &bull High resolution turbo pumped system高分辨涡轮泵版本；抽速5 m3/hr的涡卷泵或隔膜泵(隔膜泵仅用于Q300T T)可很好地替代普通的前级旋转机械泵，适合于无油或无尘室环境质量要求高的抽真空场合。 &bull Fully automated touch screen control 全自动触摸屏控制 &bull Coater logging option 镀膜仪日志（选项） &bull Customer defined coating protocols 用户自定义镀膜方案 &bull Film thickness monitor option 膜厚监控（选项），可通过腔室内的晶振片装置测量镀膜厚度，也可预设厚度去控制材料沉积在样品上的膜厚度，达到需要的镀膜厚度时，镀膜仪可自动停止镀膜 &bull Vacuum shutdown 真空闭锁功能 &bull Emergency stop switch 紧急停止开关

EMS 离子溅射仪EMS 150/300是一款多功能紧凑型镀膜系统, 对于SEM, FESEM,TEM样品制备及其它镀膜应用非常理想, 直径为165mm/300mm的腔室可容纳多种需要镀导电膜的样品, 尤其在配套电镜应用中提高成像质量提供6个版本的仪器EMS150R S Plus 机械泵抽真空喷金仪/离子溅射镀膜仪，适于给样品镀制不氧化金属膜（即贵金属膜），如金、银、铂和钯。（真空喷镀非氧化型金属, Au, Pt, Pd等）EMS150R E Plus 机械泵抽真空喷碳仪/蒸发镀碳仪，使用碳丝或碳绳为SEM样品镀膜。（真空喷镀碳膜, 特别适用于EDS,EBSD）EMS150R ES Plus真空镀膜仪，集150R S Plus 和150R E Plus两者的功能于一体，结构紧凑，节省空间。这个双重用途、结构紧凑、机械泵抽真空的镀膜系统标配有溅射插入头和碳丝蒸发插入头 – 可提供无与伦比的多用途镀膜。 此外，辉光放电选项也是可用的（仅150R S Plus和150R ES Plus版本），它可实现样品表面改性（如疏水表面改为亲水表面）。 EMS150T S Plus高真空离子溅射仪（分子泵超高真空, 多靶材, Cr, W, Cu, Pt等） EMS150T E Plus高真空碳蒸镀仪（分子泵超高真空适用于TEM/Cs-TEM使用） EMS150T ES Plus高真空镀膜仪（ 集150T S和150T E功能于一体, 结构紧凑） EMS300R T超大样品室多溅射头镀膜仪（ 300mm超大样品室，3个溅射头保证大面积均匀镀膜效果）产品特点：快速简便：快速、易更换的镀膜插入头，能在同一个紧凑设计中实现金属溅射、碳蒸镀和辉光放电三者之间的快速转换。 采用全自动触摸屏控制,可快速输入数据。与镀膜处理方法及镀膜材料相适配的镀膜参数方案可通过触摸按键实现预设并储存。自动放气控制功能确保了溅射期间最佳的真空状态，可提供良好的一致性和可重复性。 易使用：智能识别系统可自动探测安装了何种类型的镀膜插入头，以便立即运行相应的镀膜方案。可存储多个用户自定义的镀膜方案 – 这对于需更改镀膜参数实现不同应用的多用户实验室非常理想。多种样品台组件适用于各种尺寸和类型的样品；所有样品台都带有快速、易更换及落入式设计的特点。 功能强大、可重复镀膜及高可靠性：可预编程的镀膜参数及方案能确保一致且可重复的结果。需要沉积厚膜时，本系统提供长达60分钟且无需破真空的溅射时间。设计先进的碳蒸镀插入头操作简单,具有对蒸发电流参数的完全控制，确保了SEM应用中一致的和可重复的碳沉积。可选的膜厚监控附件用于可重复的膜厚控制。 适配性强且用途广：溅射、碳蒸镀、辉光放电插入头及多种可选件，使Q150R对于多用户实验室应用非常理想。可溅射一系列不氧化金属，如金、银、铂和钯。碳丝蒸镀插入头处理样品速度非常快。也可选用碳棒蒸发。还可应用于金属薄膜研究及电极的应用。新款改进● 触摸屏更换成便于操作的电容触摸屏 ● 固件更新，新版操作界面类似安卓系统，便于客户上手 ● 新的彩色LED可视状态指示灯 ● USB接口可以用于固件更新，并可将镀膜方案文件备份/复制到USB存储设备 ● 可以通过USB端口以.csv格式导出过程日志文件，以便统计分析技术参数仪器尺寸585mm W x 470mm D x 410mm H (打开镀膜头时总高 650mm)重量28.4kg包装尺寸725mm W x 660mm D x 680mm H (36.8kg)工作腔硼硅酸盐玻璃，152mm ? (内) x 127mm H安全钟罩PET材质显示145mm 320 x 240 彩色图形TFT (Thin Film Transistor)显示用户界面直观全图形界面，触摸屏控制溅射头标配 57mm ?、0.1mm厚金靶（Q150R S，Q150R ES）样品台50mm ?旋转样品台，带6个15mm、10mm、6.5mm或1/8”钉形样品座孔，旋转速度8-20 rpm真空机械泵Edwards RV3 50L/s双程机械泵真空测量标配Pirani规极限真空2 x 10-2mbar工作真空3 x 10-2 mbar与5 x 10-1mbar之间操作过程溅射0-80mA，最大溅射时间60 min碳蒸镀电流脉冲：碳绳，1-60 A；1.4mm ?碳棒，1-90 A辉光放电0-80mA，DC+及DC-模式其它工作气体Ar气，99.999%，N2为排放气体（选件）电源90-250V ~ 50/60 Hz 1400 VA认证CE

EMS 150/300是一款多功能紧凑型镀膜系统, 对于SEM, FESEM,TEM样品制备及其它镀膜应用非常理想, 直径为165mm/300mm的腔室可容纳多种需要镀导电膜的样品, 尤其在配套电镜应用中提高成像质量提供6个版本的仪器：EMS150R S Plus – 喷金仪/离子溅射仪（真空喷镀非氧化型金属, Au, Pt, Pd等）EMS150R E Plus – 喷碳仪/碳蒸镀仪（真空喷镀碳膜, 特别适用于EDS,EBSD）EMS150R ES Plus–真空镀膜仪（ 集150R S和150R E功能于一体, 结构紧凑）EMS150T S Plus– 高真空离子溅射仪（分子泵高真空, 多靶材, Cr, W, Cu, Pt等）EMS150T E Plus– 高真空碳蒸镀仪（分子泵高真空适用于TEM/Cs-TEM使用）EMS150T ES Plus–高真空镀膜仪（ 集150T S和150T E功能于一体, 结构紧凑）EMS300R T–大样品室多溅射头镀膜仪（ 300mm大样品室，3个溅射头保证大面积均匀镀膜效果）150R是一款多功能紧凑型机械泵抽真空镀膜系统，对于SEM样品制备及其它镀膜应用非常理想。直径为165mm/6.5”的腔室可容纳多种需要镀导电膜的样品 – 尤其用于在SEM应用中提高成像质量。150R S Plus机械泵抽真空离子溅射镀膜仪，适于给样品镀制不氧化金属膜（即贵金属膜），如金、银、铂和钯。150R E Plus机械泵抽真空蒸发镀碳仪，使用碳丝或碳绳为SEM样品镀膜。150R ES Plus集150R S Plus 和150R E Plus两者的功能于一体，节省空间。这个双重用途、结构紧凑、机械泵抽真空的镀膜系统标配有溅射插入头和碳丝蒸发插入头 – 可提供多用途镀膜。此外，辉光放电选项也是可用的（仅150R S Plus和150R ES Plus版本），它可实现样品表面改性（如疏水表面改为亲水表面）。快速简便：快速、易更换的镀膜插入头，能在同一个紧凑设计中实现金属溅射、碳蒸镀和辉光放电三者之间的快速转换。采用全自动触摸屏控制,可快速输入数据。与镀膜处理方法及镀膜材料相适配的镀膜参数方案可通过触摸按键实现预设并储存。自动放气控制功能确保了溅射期间真空状态，可提供良好的一致性和可重复性。易使用：智能识别系统可自动探测安装了何种类型的镀膜插入头，以便立即运行相应的镀膜方案。可存储多个用户自定义的镀膜方案 – 这对于需更改镀膜参数实现不同应用的多用户实验室非常理想。多种样品台组件适用于各种尺寸和类型的样品；所有样品台都带有快速、易更换及落入式设计的特点。功能强大、可重复镀膜及高可靠性：可预编程的镀膜参数及方案能确保一致且可重复的结果。需要沉积厚膜时，本系统提供长达60分钟且无需破真空的溅射时间。设计先进的碳蒸镀插入头操作简单,具有对蒸发电流参数的完全控制，确保了SEM应用中一致的和可重复的碳沉积。可选的膜厚监控附件用于可重复的膜厚控制。适配性强且用途广：溅射、碳蒸镀、辉光放电插入头及多种可选件，使Q150R对于多用户实验室应用非常理想。可溅射一系列不氧化金属，如金、银、铂和钯。碳丝蒸镀插入头处理样品速度非常快。也可选用碳棒蒸发。还可应用于金属薄膜研究及电极的应用。

GVC-2000P磁控离子溅射仪采用平面磁控溅射靶头进行靶材溅射，以确保工作过程样品不会发生热损伤；采用ARM作为处理器，全自主知识产权，扩展性好，可选配。一.GVC-2000P磁控离子溅射仪（镀金仪）主要特点1、一键操作，具备工作完成提示音；2、镀膜颗粒小，无热损伤；3、靶材更换非常简单；4、特殊密封结构，玻璃不易损坏；5、内置操作向导，无需培训即可熟练操作；二、GVC-2000P磁控离子溅射仪（镀金仪）技术参数外形尺寸420（L）×330（D）×335（H）溅射靶头平面磁控靶可用靶材Au、Pt、Ag、Cu等靶材尺寸φ57×0.12mm真空室高硅硼玻璃 ~φ200×130mm工作介质空气或氩气样品台φ125mm样品台转速4-20rpm可调真空泵旋片泵（可选配干泵）抽速1.1L/s真空测量皮拉尼式真空规管工作真空4-20Pa极限真空≤1Pa工作电流0-100mA连续可调显示屏7英寸 800×480 彩色触摸屏工作时间1-999s连续可调进气自动放气自动金颗粒尺寸（硅片喷金）电池隔膜10万倍（喷铂）三、GVC-2000P磁控离子溅射仪技术方案1、采用平面磁控溅射靶头进行靶材溅射，以确保工作过程样品不会发生热损伤；2、采用ARM作为处理器，全自主知识产权，扩展性好，可选配：（1）膜厚监控组件：可预设期望镀膜厚度，在工作过程中精确控制镀膜厚度；（2）样品台加热组件：可通过加热提高膜层的致密性以及与基地的结合力。3、7英寸触摸式液晶显示屏，分辨率为800×480，全数字显示。3.1）可设定：（1）溅射电流；（2）溅射时间；（3）靶材种类；（4）工作真空度；（5）工作气体；（6）屏幕亮度等参数；3.2）可显示：（1）溅射电流；（2）溅射剩余时间；（3）工作真空度；（4）靶材累计使用时间；（5）设备累计使用时间等参数。4、溅射电流：2-100mA连续可调，最小步长为1mA；5、溅射时长：1-999s连续可调，最小步长为1s 6.溅射真空：4-20Pa连续可调，最小步长为0.1Pa 7、溅射靶材：标配为高纯铂靶（纯度4N9），规格为φ57×0.12mm；也可使用金、银、铜、金钯合金等金属作为溅射靶材；8、真空室：采用高透光性的高硅硼玻璃，尺寸约为φ200×130mm；9、样品台：可自转的不锈钢样品台，直径为φ125mm，转速4-20rpm可调；10、靶材参数：系统提供金、铂、银、铜对于空气和氩气的工作参数，可直接使用。同时提供4种自定义靶材，用户可根据自己需求设定工作参数；11、预溅射：具有全自动控制的预溅射挡板，确保工作过程稳定可靠；12、一键操作：系统可自动完成抽气、充气、参数调整、预溅射、溅射镀膜等工作过程；溅射完成后，关闭真空泵，系统自动充气使真空室内外压力平衡；13、具备溅射电流和真空度双重互锁，安全可靠，任一条件触发，系统即可停止工作，防止因为误操作导致设备损坏；14、系统采用皮拉尼真空规作为真空测量元件；15、极限真空优于1Pa，真空泵抽速为1.1L/s；16、具备实时曲线显示溅射电流和真空度功能非常方便用户了解系统工作状态；17、采用独特的靶材更换结构，无需任何工具，即可实现快速更换靶材；18、仪器供电：AC220±10%V，额定功率500W、

仪器简介： JS-600小型离子溅射仪采用二极（DC）直流溅射原理设计，操作简单方便，适用于扫描电子显微镜（SEM）样品制备,非导体材料实验电极的制作。 用户可以根据自己的需要自行选择不同的真空条件，溅射电流。大尺寸的真空腔体设计，满足大样品的溅射需求。标配一片金靶，纯度为99.999%，为获得高质量的金膜提供了良好的基础。技术参数：1.靶（上部电极）：材料：金，直径：50mm，厚度：0.1mm　纯度：99.999%2、真空样品室：直径：160mm，高：110mm3.样品台（下部电极）：溅射面积：直径：50mm4．工作真空： 2×10-1—10-1 mbar5.离子电流表：0-50mA6.计时器：根据溅射习惯设定单次溅射时间。7.溅射电压：-1600DVC8.飞越真空泵（VRD-4）：1.1L/S9.工作室工作媒介气体：空气或氩气等多种气体10．针阀： 配有进气口，微量充气调节，可连接φ4*2.5mm软管。主要特点： 1.轻便、溅射面积大 2.靶材可按用户要求加工制作备注：JS-600小型离子溅射仪可适用的靶材：金、铂、银

GVC-1000 全自动离子溅射仪主要应用于配套扫描电镜的样品制备工作，同时可以满足不同用户对样品涂层的制备要求。拥有优秀的溅射系统，可以更换不同的金属靶材（金，铂，银，铱，铬，铜等），实现高要求的细粒涂层。GVC-1000 全自动离子溅射仪(射频磁控溅射镀膜仪)主要应用于配套扫描电镜的样品制备工作，同时可以满足不同用户对样品涂层的制备要求。拥有优秀的溅射系统，可以更换不同的金属靶材（金，铂，银，铱，铬，铜等），实现高要求的细粒涂层。GVC系列为您提供优质的样品制备，轻松助您取得更好地材料研究样品， 获得高质量的显微镜观测效果。GVC-1000 全自动离子溅射仪(射频磁控溅射镀膜仪)性能参数1、离子溅射仪工作原理：磁控溅射2、可选靶材：金，铂，金钯合金，铅，银，铜，铬，锑等3、真空室：φ128×100高硅硼玻璃4、全自动操作，简单易用，非常适用钨灯丝、台式扫描电镜等（1）溅射电流自动调整——设定溅射电流后，系统自动调节真空度，从而达到设定的溅射电流，调整时间＜5s，波动范围＜±5%；（2）无需按“实验”键调整溅射电流、无需操作“进气阀”。（3）溅射时间自动记忆——同类样品一次设定即可；（4）参数改变自动调整——溅射过程中可以随时调整溅射电流和溅射时长，系统自动计算叠加，无需终止溅射过程；（5）工作完成自动放气；（6）样品台高度调节1秒完成；（7）溅射过程可以利用曲线显示，清晰直观。（8）极限真空：小于1Pa5、软硬件互锁，防误操作，安全可靠（1）真空度高于100Pa，启动真空保护，无法溅射；（2）溅射电流高于50mA，停止溅射过程；（3）真空泵工作时，系统无法进行放气操作；6、镀层均匀，导电性良好。

GSEM专注于高性能真空镀膜产品的小型化研发设计，是专业的离子溅射仪生产厂家。其产品在小型化、易用性和经济性方面具有竞争力。 离子溅射喷金仪产品是为不导电或者导电性差的样品专门设计, 利用离子溅射的方式, 使样品表面形成一层薄膜?扫描电镜（SEM）观察样品表面或者进行样品成分分析时, 非导电性物体容易形成荷电效应, 从而产生图像变形, 不能进行正常 的检测分析。 在扫描电镜检测前, 为便于分析 因为不导电样品在电子束作用下, 样品表面会聚集荷电 , 从而使其图像歪曲变形, 所以要在样品表面镀金产品主要采用黄金或者白金靶材, 在样品表面镀膜, 根据样品的特性调节电压及喷金涂层的厚度? 产品说明● Current:1mA为单位(1 to 10mA)● Times : 以秒为单位 (1 to 600sec)● Library : 最多可以储存10个喷金条件● Selective Plasma : 根据设定好的次数分配溅射时间 (减轻热敏感的样品损伤)通过点Start键机械泵自动开始抽真空工作? (抽真空时间约1分钟)到达设定的真空度, 按照设置的喷金厚度开始工作?喷金完成后5秒左右, 可以打开样品仓上盖, 取出样品?对物体镀金属层可以利用溅射镀层法, 镀层黄金, 白金的金属膜半导体配件, 陶瓷, 金属, 粉末等材料和产品的细微构造分析/破裂面故障分析 G10溅射仪相关参数：

全自动知识产品没有热损伤，效率更高，颗粒度更细，更适合高分辨电镜镀金仪应用领域1、高分辨扫描电镜样品制备（实际放大倍数≥100K）2、电极制备-可制备各种金属电极、ITO电极高真空磁控离子溅射仪(镀金仪)配置与技术参数名称&型号高真空磁控离子溅射仪GVC-2000T真空系统涡轮分子泵（进口 ）：德国莱宝90i （单磁悬浮分子泵，抽速为90L/s）旋片式真空泵：浙江飞越VRD-4 （抽速为 1 .1L/s）真空测量全量程复合真空规（进口）：1.0E5Pa-1E-4Pa系统极限真空≤5E-3Pa溅射电源磁控溅射电源,最大功率150W可用靶材所有金属靶材，ITO靶材溅射电压300-600V,根据选择靶材、控制参数不同而变化溅射电流0-200mA连续可调,步长5mA溅射时间0-9999s, 连续可调步长1s操作界面7英寸TFT彩色液晶触摸屏,分辨率800×480操作方式一键操作抽气节拍＜15分钟控制方式只需设定溅射电流和时间即可，全自动控制具备预溅射挡板（预溅射时间可设定),全自动控制保护功能软硬件互锁、防止误操作，具备电流、真空保护等样品台直径φ125mm，可自转，可自动手动控制，转速4-40rpm可调真空室高硅硼玻璃，规格尺寸约φ200×130mm电源供电220V 50Hz 最大功率800W尺寸&重量重量 424（长) ×345（深) ×420mm（高）、 25 kg （净重)冷却方式内部风冷选配样品台选择、膜厚控制、温度监测等镀膜样品示例： 靶材-银 靶材-钨 靶材-铬 靶材-镍 靶材-钒 靶材-锡 靶材-铜 靶材-钽 靶材-贴 靶材-钛 靶材-铅 靶材-钼 靶材-铝 靶材-铂 靶材-金 靶材-锆 靶材-铒 靶材-ITO

真空离子溅射仪为扫描电镜用户在制样过程中提供了更广泛的选择，以便适用支持扫描电子显微镜所需的涂层要求。在结构设计秉承人体工学设计理念设计,紧凑及经典的外观设计和更小的桌面占用面积为您大大节约了实验室空间.人机界面方面更加注重人性，简单智能,触摸屏,一键控制。 对于S E M样品常规适用黄金溅射，G V C - 1 0 0 0提供了一个低成本的解决方案，同时可以通过更换不同的靶材（金、铂、铱、银、铜等），以达到更细颗粒的涂层。同时通过智能的人机界面精确、简单、方便控制仪器，同时具有估算镀层厚度，实时显示真空度，溅射电流。设定溅射时间。以及靶材的剩余情况G V C - 1 0 0 0是专用于扫描电镜（S E M）的样品喷金仪器,能够极为有效的提供样品的导电性及导热性,确保恒沉积速率,减少等离子体对样品的热影响和离子轰击损伤.显著提供扫描电镜观测结果.

GVC-2000磁控离子溅射仪（镀金仪）特点1.基本无温升、样品表面无热损失 GVC-2000制样效果图 其他制样设备效果图上面两张图片为滤膜类样品的电镜图片，左侧图片为GVC-2000喷金后的电镜观测图，可以看出，样品形貌真实完整，右侧图片为其他设备喷金后的电镜观测图片，可以看出，热损伤严重，几乎无法识别为同种样品。2.颗粒更小，更适宜于高倍图像观测，适配场发射/高分辨场发射电镜 金颗粒尺寸：6~10nm 陶瓷膜，镀层材料Pt，10万倍图片，无颗粒感 滤膜材料，镀层材料Pt，20万倍图片，无颗粒感3.GVC-2000磁控离子溅射仪低压大电流溅射，效率更高。

单靶等离子溅射镀膜仪是我公司自主研发的一款高性价比等离子溅射镀膜设备，具有结构紧凑，简单易用，集成度高，设计感强的优势。等离子溅射靶为2英寸的标准尺寸，客户可以根据需要选择1~3个靶的不同配置，以满足镀单层膜或者多种材料多层膜的不同实验需求。仪器所配电源为150W直流高压电源，可用于金属溅射镀膜，尤其适合金银铜等贵金属的镀膜。镀膜仪配有通气接口，可以通入保护性气体，若客户需要通入混合气体，可以联系工作人员自行配置高精度质量流量计以满足实验需要。 单靶等离子溅射镀膜仪适用范围：可用于金属溅射镀膜，尤其适合金银铜等金属的镀膜。主要技术参数样品台尺寸Φ138mm加热温度最高500℃控温精度±1℃转速1-20rpm可调等离子溅射头1支2寸等离子靶真空腔体腔体尺寸Φ180mm×150mm 腔体材料高纯石英观察窗口全向透明开启方式顶盖拆卸式前极泵VRD-4抽气速率旋片泵：1.1L/S 极限真空1.0E-1Pa抽气接口KF16排气接口KF16真空测量数字真空计其他供电电压AC220V,50Hz整机功率800W溅射真空20Pa整机尺寸长360mm宽300mm高470mm整机重量30Kg

三靶等离子溅射镀膜仪是我公司自主研发的一款高性价比等离子溅射镀膜设备，等离子溅射靶为2英寸的标准尺寸，客户可以根据需要选择1~3个靶的不同配置，以满足镀单层膜或者多种材料多层膜的不同实验需求。仪器所配电源为150W直流高压电源，可用于金属溅射镀膜，尤其适合金银铜等贵金属的镀膜。镀膜仪配有通气接口，可以通入保护性气体。仪器采用触摸屏控制，简单直观易于上手，能够一键实现镀膜启停、切换靶位、挡板旋转等操作，十分适合实验室选购。本镀膜仪标配为双极旋片真空泵，其具有体积小，抽真空快，操作简单的优势，若客户有进一步提升真空度的需要，可以联系技术人员选配分子泵组组成高真空系统。三靶等离子溅射镀膜仪适用范围： 可用于金属溅射镀膜，尤其适合金银铜等金属的镀膜。三靶等离子溅射镀膜仪技术参数：三靶等离子溅射镀膜仪样品台尺寸φ138mm控温精度±1℃加热温度*高500℃转速1-20rpm可调直流溅射头数量2"×1 （1~3个靶可选）真空腔体腔体尺寸φ180mm × 150mm观察窗口全向透明腔体材料高纯石英开启方式顶盖上翻式真空系统机械泵旋片泵抽气接口KF16真空测量电阻规排气接口KF16极限真空1.0E-1Pa供电电源AC 220V 50/60Hz抽气速率旋片泵：1.1L/S电源配置数量直流电源 x1*大输出功率150W其他供电电压AC220V,50Hz整机尺寸360mm × 300mm × 470mm整机功率800W整机重量40kg

GSEM专注于高性能真空镀膜产品的小型化研发设计，是专业的离子溅射仪生产厂家。其产品在小型化、易用性和经济性方面具有竞争力。 离子溅射喷金仪产品是为不导电或者导电性差的样品专门设计, 利用离子溅射的方式, 使样品表面形成一层薄膜?扫描电镜（SEM）观察样品表面或者进行样品成分分析时, 非导电性物体容易形成荷电效应, 从而产生图像变形, 不能进行正常 的检测分析。 在扫描电镜检测前, 为便于分析 因为不导电样品在电子束作用下, 样品表面会聚集荷电 , 从而使其图像歪曲变形, 所以要在样品表面镀金产品主要采用黄金或者白金靶材, 在样品表面镀膜, 根据样品的特性调节电压及喷金涂层的厚度? 产品说明● Current:1mA为单位(1 to 10mA)● Times : 以秒为单位 (1 to 600sec)● Library : 最多可以储存10个喷金条件● Selective Plasma : 根据设定好的次数分配溅射时间 (减轻热敏感的样品损伤)通过点Start键机械泵自动开始抽真空工作? (抽真空时间约1分钟)到达设定的真空度, 按照设置的喷金厚度开始工作?喷金完成后5秒左右, 可以打开样品仓上盖, 取出样品?对物体镀金属层可以利用溅射镀层法, 镀层黄金, 白金的金属膜半导体配件, 陶瓷, 金属, 粉末等材料和产品的细微构造分析/破裂面故障分析 G20溅射仪相关参数：

2 0 8HR 高分辨离子溅射仪是场发射扫描电子显微镜（FESEM）样品表面导电处理的理想设备。FESEM制样要求导电镀层在保持连续均匀的条件下，镀层粒子的粒径尽量的小，进而不会影响样品表面精细微观结构的观察。为了得到高质量的镀层， 208HR提供了所需的溅射沉积条件。其中，208HR的真空系统配备了前级机械旋片式真空泵或者无油隔膜泵，二级真空为涡轮分子泵作来提高样品室的真空度，从而使溅射镀层的粒度均匀细小，满足FESEM的制样要求。此外，自动智能的控制系统，使得操作更加简单容易，并且有很好的重复性。常用的溅射镀膜材料：Pt/Pd: 多用途的高质量的非导电样品的溅射镀膜材料Cr: 半导体材料和高分辨背散射电子成像的理想材料Ir:高性能、粒径均一的镀膜材料主要特点：1、配合不同的靶材可溅射多种材质的薄膜2、高精度的膜厚控制（选配MTM-20 膜厚监控仪）3、多角度的旋转样品台支架，使得成膜更加均匀4、多孔样品台支架行星式旋转样品台5、高度可变的真空腔，使得成膜速率在1.0nm/sec到0.002nm/sec之间可调。6、0.2 - 0.005 mbar大范围的工作气压7、紧凑、现代、桌式设计节省了空间8、操作简单安全，抽气、溅射、放气智能一体化程序设计 Specifications 溅射磁头Sputter head低电压平面磁控管Low voltage planar magnetron快速方便靶材装卸Quick target change环绕暗场保护Wrap-around dark-space shield遮板调试靶材Shutter for target conditioning靶材Targets标配：Cr, Pt/Pdor IR (Iridium coater)选配： Au, Au/Pd, Cu, Ni, Pd, Pt, Ta, Ti and W 溅射配套系统Sputter supply微程序处理器Microprocessor based安全联锁装置Safety interlock不受真空度影响的恒电流控制系统Constantcurrentcontrol independent of vacuum数显可选电流Digitally selectable current (20, 40, 60 or 80mA) 样品台Sample stage行星式0-90°手动旋转样品台Non-repetitive rotary, planetary motion with manual tilt 0-90°转速可调Variable speed rotation4样品台支架Crystal head 4 sample holders仪表Analog metering真空度：大气压-0.001mbVacuum Atm - .001mb工作电流：0-100mACurrent 0-100mA 控制模式Control method自动抽放气Automatic operation of gas purge and leak functions全自动溅射操作Automatic process sequencing可暂停数显时间设置 Digital timer(0-300 sec) with pause自动放气 Automatic venting真空系统Pumping System涡轮分子泵和旋片式机械真空泵Turbo drag / rotary pump combination抽气速率Pumping speed300 l/min at 0.1mb抽气时间Pumpdown Time1 min to 1 x 10-3mb极限真空Ultimate pressure1 x 10-5mb

仪器简介：典型应用是氩离子溅射清洗表面(中科院物理所配置多套IG2型离子源)溅射清洗 /表面准备，用于表面科学， MBE ，高真空溅射过程离子辅助沉积离子束溅射镀膜反应离子刻蚀高性价比IG2溅射离子枪套件是低成本离子束蚀刻和溅射清洁样品的完美解决方案，用于表面分析、清洁STM尖端、一般真空科学和纳米技术应用。如果您只想清洁样品或 STM 吸头的表面，为什么要支付超出您需要的费用？这种操作简单且可靠的溅射离子枪和控制构成了当今市场上价格最低的封装！IG2 还可以使用惰性气体（如氩气和氧气）运行。操作理论IG2离子源产生高能惰性气体离子束，用于溅射蚀刻固体表面。该源需要使用惰性气体（如氩气）的静压为 5x10-5 torr（有关兼容气体列表，请参见数据表）。离子在离子源的双丝电离室内由电子撞击产生，然后以高达2 kV的能量聚焦在目标上。通过使用离轴灯丝几何形状，离子束的杂质含量最小化。聚焦透镜允许在给定的工作压力和源到样品距离下获得高离子电流密度。双钨丝组件允许在第根灯丝打开时继续运行。在推荐的工作条件下，灯丝组件的预期寿命在正常使用下为数年。灯丝组件在现场很容易更换。32-165 型 2 kV 离子源控制器提供操作 04-165 2 kV IG2型离子源所需的所有必要电压和电流。光束电压可以手动、远程或使用内置定时器激活。此外，阳极（离子）和灯丝电流以及光束和聚焦电压可以在外部进行监控，以确保溅射条件的准确再现。

VTC-5RF是一款5靶头的等离子射频磁控溅射仪，针对于高通量MGI（材料基因组计划）薄膜的研究。特别适合用于探索固态电解质材料，通过5种元素，按16种不同配比组合。 技术参数概念5个溅射头安装5种不同材料通过不同的溅射时间，5种材料可以溅射出不同组分的产物，选择5个等离子射频电源，可在同一时间溅射5种材料真空腔体中安装有旋转样品台，可以制作16个样品电源单相220 VAC, 50 / 60 Hz射频电源一个13.5MHz,300W自动匹配的射频电源安装在仪器上，并与靶头相连接一个旋转开关可一次激活一个溅射头。溅射头可以在真空或等离子体环境中自动切换可选购多个射频电源，同一时间溅射多个靶材。所有的溅射参数，都可由电脑设置直流电源（可选）可选购直流电源，来溅射金属靶材可配置5个直流或射频电源，来同时溅射5中靶材磁控溅射头 5个1英寸的磁控溅射头，带有水冷夹层可在本公司额外购买射频线电动挡板安装在溅射腔体内设备中配有一循环水冷机，水流量为10L/min (1) (2) (3) (4)溅射靶材所要求靶材尺寸：直径为25.4mm,最大厚度3mm溅射距离: 50 – 80 mm（可调）溅射角度: 0 – 25°（可调）配有铜靶和 Al2O3 靶，用于样品测试用可在本公司购买各种靶材实验时，需要将靶材和铜片粘合，可通过导电银浆粘合（可在本公司购买导电银浆）真空腔体 真空腔体采用304不锈钢制作腔体内部尺寸: 470mm L×445mm D×522mm H (~ 105 L)铰链式腔门，直径为Φ380mm,上面安装有Φ150mm的玻璃窗口真空度: 4E-5 torr （采用分子泵）样品台直径为150mm的样品台，上面覆盖一旋转台，带有10mm的孔洞，每次露出一个样品接收溅射成膜。样品台尺寸：Φ150mm,可通过程序控制来旋转，可制作16种不同组分的薄膜样品台可以加热，最高温度可达600℃真空泵设备中配有一小型涡旋分子泵真空泵接口为KF40石英振荡测厚仪（可选）可选购精密石英振荡测厚仪，安装在真空腔体内，实时测量薄膜的厚度，精确度为0.1 ?（需水冷）净重60kg质量认证CE认证质保一年质保期，终生维护应用注意事项此款设备设置主要是在单晶基片上制作氧化物薄膜，所以不需要高真空的环境所用气瓶上必须安装减压阀（可在本公司购买），所用Ar气纯度为5N为了得到较好质量的薄膜，可以对基片进行清洗用超声波清洗机，用丙酮或乙醇作为清洗介质，清除基片表面的油脂，然后在N2气或真空环境下对基片干燥等离子清洗机，可使基片表面粗糙化，改变基片表面化学活性，清除表面污染物可在基片表面镀上缓冲层，如Cr, Ti, Mo, Ta,，可改善金属或合金膜的粘附性溅射一些非导电靶材，其靶材背后必须附上铜垫片本公司实验室成功地在Al2O3基片上成功生长出ZnO外延膜因为溅射头连接着高电压，所以用户在放入样品或更换靶材时，必须切断电源不可用自来水作为冷却水，以防水垢堵塞水管。应该用等离子水，或专用冷却介质

JY-S100磁控离子溅射仪是一款结构紧凑的桌面小型镀膜系统，特别适用于扫描电镜成像中非导电样品高质量镀膜。在扫描电子显微镜（SEM）样品制备中，JY-S100磁控离子溅射仪在不同类型的样品，如生物标本和材料样品制备中发挥着至关重要的作用。对于生物标本，JY-S100磁控离子溅射仪有助于在样品表面形成一层导电层，防止荷电效应并减少电子束对样品表面的损伤。这种导电层使得在不影响其完整性的情况下更好地成像细胞、组织和纤维等微妙的生物结构。高质量的镀膜还能增强二次电子信号，从而提高图像分辨率和对比度。对于材料样品，JY-S100磁控离子溅射仪在给样品镀上均匀且薄的导电层方面至关重要，使得样品的表面形貌和成分能够进行高分辨率成像。这对于非导电材料（如陶瓷、聚合物和复合材料）尤为重要，因为荷电效应可能导致成像伪像和失真。JY-S100提供的精确且一致的镀膜确保了SEM图像准确地反映了样品的表面特征，使研究人员能够深入了解材料的性能和性能。主要特性通过高效低压直流磁控头进行冷态精细的喷镀过程，避免样品表面受损。操作容易快捷，控制的参数包括放气以及氩气换气控制。数字化的喷镀电流控制不受样品室内气压影响，可得到一致的镀膜速率和高质量的镀膜效果。可使用多种金属靶材：Au， Au/Pd,，Pt,，Pt/Pd（Au靶为标配），靶材更换快速方便。技术参数溅射系统靶材Au 靶为标配，可选 Pt，直径 57mm x 0.1mm 厚标准样品台可以装载 12 个 SEM 样品座，高度可调范围为 60mm※旋转倾斜样品台（选配）旋转速度：0~60rpm 连续可调，倾斜角度：-90°~ 90°连续可调；不锈钢腔体：直径 120mm X 高 75mm；观察窗：直径 120mm X 高 45mm；标配旋转台直径 40mm，可放 4 个标准样品台，其它规格可订做；具有双重锁紧装置，可确保样品在旋转倾斜时不会松动脱落。溅射电流微处理器控制，安全互锁，可调，电流 5~30mA，程序化数字控制计量表真空： Atm - 1*10-3mbar，电流：0~99mA控制方法带有“开始”“暂停”按钮的微处理控制器（1－999s），自动抽气、溅射、关机后自动放气。真空系统抽气速率133L/MIN极限真空10-4 mbar 级噪音56dB

产品描述 LJ-16离子溅射仪由裕隆时代公司精心设计制造，是专用于扫描电镜（SEM）的样品喷金镀膜系统，能够极为有效的提高电镜观测效果。 产品特点： 操作简便，性能优越，质量稳定，功能丰富相比上一代产品，LJ-16离子溅射仪有大幅度的性能提升： ◆换装新一代真空泵，大幅降低仪器噪音和废气污染。◆配置高质量真空系统和微调阀，结合自动控制电路，预置工作真空和电流，无需反复调节，操作简洁。可自选电离气体（空气或氩气），以获取理想镀膜效果。◆棱角成型工艺制成高强度真空玻璃室，防止轻易磕碰破损及“崩边”。◆标配Φ58mm x 0.1mm 大尺寸纯金靶，溅射范围更大，靶材使用时间更长。◆高级铝制机箱，机身小巧，坚实美观，模块化设计，便于安装检修。◆预设参数，一键操作即可完成溅射功能。工作状态喷镀效果应用案例：喷金前后图像对比样品为水泥，由于导电性不好，可以看到，（上图）喷金前5000倍的图像已经略显模糊。在相同的实验条件下，样品用LJ-16小型离子溅射仪喷金后，图像轻松放大45000倍（下图），并可见非常清晰的水泥晶体结构。 可见LJ-16离子溅射仪能够极为有效的提高扫描电镜图像质量，为您的科研工作提供极大帮助。技术参数名称规格名称规格玻璃工作室外径Ф125mm x 高度125mm真空保护20Pa，配有微量气体调节阀控制工作真空试样台尺寸内径Ф 40mm, 可同时放6个样品台工作媒介气体空气或氩气，配有氩气专用进气和微量充气调节金靶尺寸Ф58mm X 0.12mm波段开关控制溅射时间，范围为10～110S真空系统直联旋片真空泵 2L/S可用靶材金靶，铂靶，镍靶真空检测皮拉尼真空计主机尺寸375mm X 300mm X 178mm工作电源220 VAC 50Hz

SD-160型离子溅射仪是采用二级（DC）直流溅射原理设计而成的离子溅射镀膜设备。二极（DC）直流溅射是一种最简单、可靠、经济的镀膜技术，是许多厂商提供的离子溅射仪的基础。除了具有通常的基本结构外，它的特点是：配置有样品溅室，真空显示表、溅射电流指示表、溅射电流调整控制器、微型真空阀、定时器。工作时结合内部自动控制电路很容易控制真空室压强、电离电流及选择所需的电离气体，获得最佳镀膜效果。特殊设计的钟罩边缘橡胶密封圈，可保证长期使用不会出现影响样品溅射室真空度的玻璃钟罩“崩边”现象；陶瓷密封高压头比通常采用的橡胶密封更经久耐用。根据电场中气体电离特性，采用大容量样品溅射真空室和相应面积溅射靶，使溅射镀层更均匀洁净。此外SD-160应用高稳定性、高灵敏 度电磁阀，采用双气路自动控制系统，更 易实现对样品的保护以及对样品成膜品质 的保证。特别适用于电镜实验室的SEM样品制备和新材料研究的电极制作。 配有高位定性的飞跃真空泵"The SD-160 type ion sputtering apparatus is designed by means of the two stage (DC) DC sputtering principle. DC (DC) sputtering is the simplest, reliable and economical coating technology, and is the foundation of many manufacturers.In addition to its usual basic structure, SD-160 is characterized by the configuration of a sample splash, a vacuum display table, a sputtering current indicator, a sputtering current adjustment controller, a miniature vacuum valve, and a timer. It is easy to control the vacuum chamber pressure, ionization current and choose the required ionization gas when working in conjunction with the internal automatic control circuit, so as to achieve the best coating effect. Specially designed bell ring rubber seal ring,It is guaranteed that the long term use of glass clocks, which will not affect the vacuum of the sample sputter room, is "disintegrating" the ceramic sealing high pressure head is more durable than the usual rubber seal. According to the ionization characteristics of the gas in the electric field, the large volume sample sputtering chamber and the corresponding area sputtering target are used to make the sputtering coating more uniform and clean.In addition, SD-160 uses high stability, high sensitivity solenoid valve and dual gas automatic control system. It is easier to protect the sample and guarantee the quality of film forming. It is especially suitable for SEM sample preparation in electron microscope laboratory and electrode preparation for new material research.High qualitative jump vacuum pump"溅射气体溅射靶材溅射电流溅射速率样品仓尺寸样品台尺寸工作电压根据实验目的可添加氩气，氮气等多种气体。标配靶材为金靶，厚度为50mm*0.1mm。也可根据实际情况配备银靶、铂靶等。最大电流50mA,最大工作电流30mA优于4nm/min直径160mm，高120mm样品台尺寸可安装直径50mm和直径70mm的样品台，也可根据自身要求定制样品台220V(可做110V),50HZ 需要镀膜的样品 电子束敏感的样品非导电的样品新材料主要包括生物样品，塑料样品等。S EM中的电子束具有较高能量，在与样品的相互作用过程中，它以热的形式将部分能量传递给样品。如果样品是对电子束敏感的材料，那这种相互作用会破坏部分甚至整个样品结构。这种情况下，用一种非电子束敏感材料制备的表面镀层就可以起到保护层的作用，防止此类损伤；由于样品不导电，其表面带有“电子陷阱”，这种表面上的电子积累被称为“充电”。为了消除荷电效应，可在样品表面镀一层金属导电层，镀层作为一个导电通道，将充电电子从材料表面转移走，消除荷电效应。在扫描电镜成像时，溅射材料增加信噪比，从而获得更好的成像质量。非导电材料实验电极制作观察导电特性

MiniQS 作为一款高性价比离子溅射镀膜仪，能够提供可重复且操作简单的镀膜效果，其采用一个磁控溅射头及圆形靶材设计。

ETD-2000 型离子溅射仪外观沉稳大气，采用真空自动控制和真空保护电路，使操作和应用更加安全可靠。为扩大应用领域，可同时手动调整溅射仪的电离电流或手动调整其真空微调针阀，改变电离室的压强，获得最佳的喷镀效果。独特的真空橡胶压边密封结构，保证长期使用不会使钟罩边缘出现毛边而影响真空室中的真空度，陶瓷密封高压插头经久耐用。 工作时结合内部自动控制电路很容易控制真空室压强、电离电流及选择所需的电离气体，获得最佳镀膜效果。 ETD-2000型是一款最常用的离子溅射仪，是一切溅射仪的基础。是以金属靶材和样品台分别作为阴阳两极，在真空状态下产生辉光放电，使金原子与残存的气体不断碰撞而沉积成薄膜。可以使用Au，Pt，Cr、Al、Cu等靶材。 具有成膜均匀，操作简单，所需时间短，过程可控等优点。 配有高位定性真空泵 参数：主机规格：305mm×365mm×325mm（W×D×H）靶（上部电极）：金：50mm×0.1mm（D×H）靶材：Au（标配），也可根据实际情况配备银靶、铂靶等样品室：硼硅酸盐玻璃160mm×120mm（D×H）靶材尺寸：Ф50mm 真空指示表： 最高真空度：≤ 4X10-2 mbar离子电流表： 最大电流：50mA定时器： 最长时间：3600s微型真空气阀：可连接φ3mm软管可通入气体： 多种最高电压： -1600 DCV 输入电压：220V(可做110V),50HZ机械泵：标准配置2L/S（国产VRD-8） 特点：1、简单、经济、可靠。2、可调节溅射电流和真空室压强以控制镀膜的速率和颗粒的大小。4、真空保护可避免真空过低造成设备短路。5、同时可以通过更换不同的靶材（金、铂、铱、银、铜等），以达到更细颗粒的涂层。6、通过通入不同的惰性气体以达到更纯净的涂层。7、数字计时器定时自由方便。8、计时器可随时停止，观察样品涂层，并可继续工作。9、可调节样品台，适用于多种样品。需要镀膜的样品1、电子束敏感的样品:主要包括生物样品，塑料样品等。S EM中的电子束具有较高能量，在与样品的相互作用过程中，它以热的形式将部分能量传递给样品。如果样品是对电子束敏感的材料，那这种相互作用会破坏部分甚至整个样品结构。这种情况下，用一种非电子束敏感材料制备的表面镀层就可以起到保护层的作用，防止此类损伤；2、非导电的样品:由于样品不导电，其表 面带有“电子陷阱”， 这种表面上的电子积累 被称为“充电”。为了 消除荷电效应，可在样 品表面镀一层金属导电 层，镀层作为一个导电 通道，将充电电子从材 料表面转移走，消除荷 电效应。在扫描电镜成 像时，溅射材料增加信 噪比，从而获得更好的成像质量。3、新材料:非导电材料和半导体材料

溅射离子枪主要用途:溅射清洗/表面科学中样品表面处理, MBE and HV 溅射过程离子辅助沉积离子束溅射镀膜反应离子刻蚀技术指标:离子能量25eV - 5keV总的离子束电流1mA (at 5kV with Argon)High Current Version: up to 4mA (at 5kV with Argon)电流密度120μA/cm2 at 100mm working distance离子束发散角Ion energy dependant (typically 15°)工作距离100 mm (typically)等离子体杯Alumina (superior than other dielectric materials due to highest yield of secondary electrons)气体进气口径CF-16 (1.33“OD)气体流速1 - 5 sccm (1,5 sccm typical, gas dependant)工作真空度10-6mbar - 10-3mbar (1x10-5mbar typical in chamber with 300l/s pimp). Low 10-6 mbar range possible - beam current then 140μA max.激发模式微波放电等离子体 (无灯丝)安装口径CF-35 (2.75“OD)枪直径34mm (真空端)泄露阀需要气体质量流量计第二代等离子体源，可以提供离子源，原子源，离子/原子混合源原子源主要用途：制备氮化物， e.g. GaN, AlN, GaAsN, SiN etc.氢原子清洗，氢原子辅助MBE.制备氧化物， e.g. ZnO, Superconductors, Optical coatings, Dielectrics. 掺杂， e.g. ZnSe离子源用途:离子束辅助沉积(IBAD) for both UHV and HV processes溅射沉积，双离子束溅射，Sputter deposition and dual ion beam sputtering溅射清洗/表面科学中的样品表面处理，Sputter cleaning / surface preparation in surface science, MBE and HV sputter processes.原位刻蚀， e.g. Chlorine 技术参数：真空兼容性：完全UHV兼容可烘烤：200°C微波功率：最大250W，2.45GHz磁铁类型：永久稀土。可在不破坏真空的情况下进行烘烤安装：NW63CF（4.5“OD）真空长度：300mm（可定制长度）：真空直径最大值=57mm光束直径：源处约25mm（较窄的光束也容易产生）等离子杯：氧化铝孔径：氧化铝或氮化硼气体流速：0.01-100sccm，取决于所选孔径工作压力：约10-7托至5x10-3托，取决于孔径、泵和应用-请联系tectra讨论您的应用。提供差动泵选项工作距离：50mm-300mm。150mm（典型值）冷却：全水冷（包括磁控管）电源：微波炉电网供电**仅限离子源和混合源19“机架安装。3U高度。230VAC，50Hz或115VAC，60Hz19“机架安装。3U高度。230VAC，50Hz或115VAC，60Hz主要特点：无灯丝适用于大多数气体，包括反应性气体，如氧气、氯气、氢气、氮气等。无微波调谐出厂设置，只需打开和关闭等离子。用户可配置提取光学器件设计为可快速方便地更换，允许用户自定义其来源，以适应样本大小、工作压力和电流密度的特定组合。易于更换的孔径使光束直径、气体负载和原子通量得以优化。简单烘烤制备新的可烘烤ECR磁体只需松开4个螺钉，即可进行简单的烘烤准备。磁体不需要移除，但仍位于封闭冷却回路的空气侧。因此，没有烧结材料暴露在真空中。Al2O3等离子区氧化铝等离子杯作为标准，具有更高的二次电子产量、更好的抗腐蚀性气体（如氧气）和理想的等离子打击能力从法兰（刀口侧）到外壳端，空气侧环境坡度的最小值仅为258mm

仪器简介：ETD-2000型离子溅射仪，采用真空自动控制和真空保护电路，使操作和应用更加安全可靠。为扩大应用领域，可同时手动调整溅射仪的电离电流或手动调整其真空微调针阀，改变电离室的压强，获得最佳的喷镀效果。独特的真空橡胶压边密封结构，保证长期使用不会使钟罩边缘出现毛边而影响真空室中的真空度，陶瓷密封高压插头经久耐用。技术参数：技术规格:1.仪器整体尺寸：长：300mm 宽：360mm 高：400mm2.靶（上部电极）：材料：金，直径：50mm，厚度：0.10mm(大约)3.真空室：直径：160mm，高：120mm4.样品台（下部电极）：溅射面积：直径：50mm，可以根据需要上下调节。5.最高真空度：&le 10-2Torr6.最长定时时间：900S7.最高电压：0-1600V（标配）/0-3000V（选配）8.机械泵：2升/每秒，AC220V可选配:冷台小型冷水机三靶溅射头(在进行特殊涂层的应用时，不需要打开真空即可进行三层沉积溅镀)。主要特点：本仪器主要适用于扫描电子显微镜样品镀膜导电膜(金膜),仪器操作简单方便,是配合中小型扫描电子显微镜制样必备的仪器。主要特点轻便、溅射面积大靶材可按用户要求加工制作

SD-3000型离子溅射仪外观亮丽做工精致，旋钮式定时器档位清晰，手感舒适； 特殊定制的真空指示和电流指示表头沉稳大； 前面板上的微泄漏气阀门可以连接多种气体； 调节溅射电流大小，成膜速度快，质量好； 高压输出可使成膜更加牢固快速。 功能控制和定时皆由CPU调度，使用范围广。 工作时结合内部自动控制电路很容易控制真空室压强、电离电流及选择所需的电离气体，获得最佳镀膜效果。 配有高位定性的飞跃真空泵。 SD-3000型是一款针对做电极研究和半导体研究的仪器，相对于基础型溅射仪，SD-3000型的镀层和样品之间更贴合，更有附着力，以便后续的研究。需要镀膜的样品1、电子束敏感的样品:主要包括生物样品，塑料样品等。S EM中的电子束具有较高能量，在与样品的相互作用过程中，它以热的形式将部分能量传递给样品。如果样品是对电子束敏感的材料，那这种相互作用会破坏部分甚至整个样品结构。这种情况下，用一种非电子束敏感材料制备的表面镀层就可以起到保护层的作用，防止此类损伤；2、非导电的样品:由于样品不导电，其表 面带有“电子陷阱”， 这种表面上的电子积累 被称为“充电”。为了 消除荷电效应，可在样 品表面镀一层金属导电 层，镀层作为一个导电 通道，将充电电子从材 料表面转移走，消除荷 电效应。在扫描电镜成 像时，溅射材料增加信 噪比，从而获得更好的成像质量。3、新材料:非导电材料和半导体材料参数：?主机规格：340mm×390mm×300mm（W×D×H）?靶（上部电极）：金：50mm×0.1mm（D×H）?靶材：Au（标配）?样品室：硼硅酸盐玻璃160mm×120mm（D×H）?靶材尺寸：Ф50mm ?真空指示表： 最高真空度：≤ 4X10-2 mbar?离子电流表： 最大电流：50mA?定时器： 最长时间：1-360s?微型真空气阀：可连接φ3mm软管?可通入气体： 多种?最高电压： -2800 DCV?机械泵：标准配置2L/S（国产VRD-8）特点：1、简单、经济、可靠、外观精美。2、可调节溅射电流和真空室压强以控制镀膜的速率和颗粒的大小。3、SETPLASMA手动启动按钮可预先设置好压强和溅射电流避免对膜造成不必要的损伤。4、真空保护可避免真空过低造成设备短路。5、同时可以通过更换不同的靶材（金、铂、铱、银、铜等），以达到更细颗粒的涂层。6、通过通入不同的惰性气体以达到更纯净的涂层。7、涂层牢固，特别适用于非导体材料实验电极制作和半导体材料的研究。

ETD-2000III型三靶离子溅射仪是依据二极（DC）直流溅射原理设计而成的最简单、可靠、经济的镀膜设备。本机特别之处是在一个真空室内安装了三个靶，旋转样品台可依次在同一样品上涂覆三种材料。因此，适用于实验室各种复合膜样品的制备，以及非导体材料实验电极的制作。 工作时结合内部自动控制电路很容易控制真空室压强、电离电流及选择所需的电离气体，获得最佳镀膜效果。 配有高位定性的飞跃真空泵The ETD-2000III type three target ion sputtering apparatus is the simplest, reliable and economical coating equipment designed on the basis of DC (DC) sputtering principle. This machine is specially designed to install three targets in a vacuum chamber. The rotating sample stage can be coated with three materials on the same sample in turn. Therefore, it is suitable for the preparation of various composite membrane samples and the fabrication of experimental electrodes for non conductor materials.It is easy to control the vacuum chamber pressure, ionization current and choose the required ionization gas when working in conjunction with the internal automatic control circuit, so as to achieve the best coating effect.High qualitative jump vacuum pump 溅射气体溅射靶材溅射电流溅射速率样品仓尺寸样品台尺寸工作电压根据实验目的可添加氩气，氮气等多种气体。标配靶材为金靶，厚度为50mm*0.1mm。也可根据实际情况配备银靶、铂靶等。最大电流50mA,最大工作电流30mA优于40nm/min直径160mm，高120mm样品台尺寸可安装直径50mm和直径70mm的样品台，也可根据自身要求定制样品台220V(可做110V),50HZ 需要镀膜的样品 电子束敏感的样品非导电的样品新材料主要包括生物样品，塑料样品等。S EM中的电子束具有较高能量，在与样品的相互作用过程中，它以热的形式将部分能量传递给样品。如果样品是对电子束敏感的材料，那这种相互作用会破坏部分甚至整个样品结构。这种情况下，用一种非电子束敏感材料制备的表面镀层就可以起到保护层的作用，防止此类损伤；由于样品不导电，其表面带有“电子陷阱”，这种表面上的电子积累被称为“充电”。为了消除荷电效应，可在样品表面镀一层金属导电层，镀层作为一个导电通道，将充电电子从材料表面转移走，消除荷电效应。在扫描电镜成像时，溅射材料增加信噪比，从而获得更好的成像质量。非导电材料实验电极制作观察导电特性

产品名称：等离子薄膜溅射仪 GSL-1100X-SPC-12产品简介：GSL-1100X-SPC-12型等离子薄膜溅射仪是为扫描电镜和电子探针等进行试样制备的设备，可进行真空蒸碳、真空镀膜和离子溅射，它也可以在高纯氩气的保护之下进行多种离子处理。用本设备处理的试样既可用于样品的外貌观察又可以进行成分分析，尤其是成分的定量分析更为适宜。本仪器装有分子泵，分子泵系统特别适用于对真空要求高、真空环境好的用户选用。 我公司供应的产品符合国家有关环保法律法规的规定（含采购商ISO14000环境体系要求），不会造成环境污染； 该产品符合采购商OHSMS18000职业安全健康管理体系标准的要求，不会对接触产品的人员健康造成损害！主要特点：抽速快，操作简便，真空度高，安全可靠技术参数：●试样处理室 （1）钟罩：内径250mm× 高度340mm （2）玻璃处理室： 玻璃罩 A：内径88mm× 高度140mm 玻璃罩 B：内径88mm× 高度57mm （3）试样台：直径40mm（最大） （4）试样旋转：电动 （5）挡板：电动 （6）蒸发加热器：可同时安装两个加热器 ●真空系统 （1）抽气系统：由分子泵、机械泵组成的高真空机组 （2）真空检测：热偶计、冷规 （3）常用真空度：1.3× 10-2 ~6× 10-3Pa （4）操作：手动 ●处理电源 （1）高压电源：DC3千伏10mA连续可变，用表指示。 （2）低压电源：AC10V100A连续可变，电流用表指示。 （3）电源要求：AC220V 50HZ 10A ●气体要求 氩气纯度99.9%（对样品有特殊要求时可使用） ●冷却要求 本系统采用F100/110F―普通轴承风冷涡轮分子泵，其冷却方式为风扇强制风冷和通水冷却两种，当工作环境低于32℃时，可采用风冷冷却，当工作环境温度高于32℃时，则必须采用水冷。重量：约150公斤 体积：L800mm× W560mm× H1340mm可选配件：氧化铝坩埚，石英坩埚，真空泵等具体信息请点击查看：

英国Agar Scientific：B7340手动型离子溅射仪易于使用的基本溅射涂布机，用于SEM样品的金涂层这是一种易于使用的基本仪器，用于SEM样品的金涂层。它具有完全可变的电流控制，带暂停选项的数字处理计时器，可变高度的样品台，铰接顶板和O形密封真空室。该控制允许溅射电流独立于气体压力设定，气体压力可通过手动泄漏阀单独调节。覆盖率和粒度针对任何样品进行了优化。具有57mm直径目标的冷磁控管型头可以在*小的加热下实现高效溅射。涂布时间由带有数字读数的定时器设定并存储在存储器中。真空状态和溅射电流显示在面板仪表上。模块化桌面设计将溅射控制单元，泵送系统和厚度监视器组合在一个仅400 x 600mm的区域内。它采用快速释放全金属耦合系统完全集成。可调节高度的样品台*多可接受12针型短柱，也可用作其他类型短柱和样品的平台。为可选的膜厚监控器提供真空馈通。Agar手动喷金仪（离子溅射仪）为英国进口设备，操作简单，适用于扫描电镜样品制备，可喷金、铂、金/钯、铂/钯、银等。喷金仪使用小贴士：1）需要溅射喷金的样品a)一类样品是电子束敏感的样品，主要包括生物样品，塑料样品等。SEM中的电子束具有较高能量，在与样品的相互作用过程中，它以热的形式将部分能量传递给样品。如果样品是对电子束敏感的材料，那这种相互作用会破坏部分甚至整个样品结构。这种情况下，用一种非电子束敏感材料制备的表面镀层就可以起到保护层的作用，防止此类损伤；b)另一类样品是非导电的样品，由于样品不导电，其表面带有“电子陷阱”，这种表面上的电子积累被称为“充电”。为了消除荷电效应，可在样品表面镀一层金属导电层，镀层作为一个导电通道，将充电电子从材料表面转移走，消除荷电效应。在扫描电镜成像时，溅射材料可以增加信噪比，从而获得更好的成像质量。2)溅射材料常用的溅射材料为金，导电性高。喷金仪的真空度越高，所溅射的金属颗粒越小，可以减少样品表面形貌失真的情况。当需要超高分辨率成像时，选择高真空喷金仪，同时还可以选用其他溅射材料，如：铬，铱等，溅射的晶粒更细小。规格 室大小 120mm?x120mm高（4.75“x 4.75”）溅射头 低压平面磁控管 快速改变目标 环绕式暗空间护罩溅射目标 金标配（Au / Pd或Pt可选） 57毫米直径x 0.1毫米厚溅射供应 基于微处理器 安全联锁 电流控制独立于真空 可变10 - 40mA外形尺寸 W 420mm（16.5“），D 295mm（11.6”），H 287mm（11.3“）重量 10公斤（22.1磅）功率 *大40VA（不包括旋转泵）

ISC150离子溅射仪升级版本，采用无油隔膜泵+分子泵获得高真空环境，保证样品喷金处理过程不会产生二次污染。特别适用于追求高分辨率FE-SEM样品的喷金喷铂，光电薄膜制备，电极材料制备及其他金属镀膜用途。 本离子溅射仪主要的特点就是“无油，高真空”，制备薄膜纯度更高，薄膜质量更优；并且能够在超净间内使用。 另外附加原位等离子清洗选配模块，针对SEM样品清除碳氢污染（有机物积碳污染），实现样品表面活化和亲水化处理。注：对于医疗器械类产品，请先查证核实企业经营资质和医疗器械产品注册证情况