二次离子质谱探针

岛津原位探针离子化质谱仪DPiMS-2020 是基于岛津单四极质谱分析仪LCMS-2020同时配备探针电喷雾离子源为一体的新型质谱分析仪。该仪器通过精密的探针取样式设计在无需样品制备的情况下实现快速便捷的样品分析。技术基于探针电喷雾离子化技术及原理（PESI）适用于化工领域，食品和生物制品领域中样品无样品制备条件下的快速质谱分析。 该仪器具有多项应用优势：1) 样品直接质谱分析，简化样品制备过程；2)容易氧化或讲解的化合物快速分析，分时段实时样品成分含量监测；3) 微量样品离子化能力，有效避免高浓度样品对质谱的污染。

仪器简介：EQS 是差式泵式二次离子质谱（SIMS-Secondary Ion Mass Spectrometer ‘Bolt-On’ probe），可分析来自固体样品的二次阴、阳离子和中性粒子。采用最新技术的SIMS 探针，便于连结到现有的UHV表面科学研究反应室。 技术参数：应用： 静态 /动态SIMS 一般目的的表面分析 整体的前端离子源，便于RGA和 SNMS 兼容的离子枪/ FAB 枪 成分/污染物分析 深度分析 泄漏检测 与Hiden SIMS 工作站兼容主要特点： 高灵敏度脉冲离子计数检测器，7个数量级的动态范围 SIMS 成像，分辨率在微米以下 光栅控制，增强深度分析能力 45°静电扇形分析器, 扫描能量增量 0.05 eV/ 0.25eV FWHM. 所有能量范围内，离子行程的最小扰动，及恒定离子传输 差式泵3级过滤四极杆，质量数范围至2500amu 灵敏度高 / 稳定的脉冲离子计数检测器 Penning规和互锁装置可提供过压保护 通过RS232、RS485或Ethernet LAN，软件 MASsoft控制

飞行时间二次离子质谱（TOF- SIMS）是一种表面敏感的技术，提供表面分子，元素及其同位素前几个原子层的组成图像。所有元素和同位素，包括氢气都可以用飞行时间二次离子质谱分析。在理论上，该仪器可以在一个无限大的质量范围内提供很高的质量分辨率（在实践中通常是大约 10000amu）。PHI TRIFT V nano飞行时间质谱仪（三次对焦飞行时间）是一种高传输、并行检测仪器，其目的是由主脉冲离子束轰击样品表面所产生的二次离子可以得到zui佳的收集状态，并可同时用于有机和无机表面特征分析。TRIFT分析仪的工作原理会把离子在光谱仪中不断的重新聚焦。使二次离子质谱允许更多重大的实验得以进行。主离子束zui先进的设计，允许经由计算机控制去同时达到高横向分辨率的成像和高质量的图谱分辨率。PHI TRIFT V nanoTOF是第五代SIMS仪器，该仪器具有独特的专利时间飞行（TOF）分析仪，它拥有市场上TOF-SIMS仪器中zui大的角度和能量接受标准，实现了高空间分辨率质量分辨率和使用具有优良离子传输能力的三重重点半球形静电分析器。PHI TRIFT V nanoTOF还具有很高的能力，可以图像具有非常复杂的几何形状的样本而没有阴影。

PHI nanoTOF3+ 特征先进的多功能TOF-SIMS具有更强大的微区分析能力，更加出色的分析精度 飞行时间二次离子质谱仪新一代 TRIFT 质量分析器，更好的质量分辨率 适用于绝缘材料的无人值守自动化多样品分析 独特的离子束技术 平行成像 MS/MS 功能，助力有机大分子结构分析 多功能选配附件TRIFT分析器适用于各种形状的样品 宽带通能量+宽立体接收角度宽带通能量、宽立体接受角-适用于各种形貌样品分析主离子束激发的二次离子会以不同角度和能量从样品表面飞 出，特别是对于有高度差异和形貌不规则的样品，即使相同 的二次离子在分析器中会存在飞行时间上的差异，因此导致 质量分辨率变差，并对谱峰形状和背景产生影响。 TRIFT质量分析器可以同时对二次离子发射角度和能量进行 校正， 保证相同二次离子的飞行时间一致， 所以TRIFT兼顾 了高质量分辨率和高检测灵敏度优势，而且对于不平整样品 的成像可以减少阴影效应。 实现高精度分析的一次离子设备先进的离子束技术实现更高质量分辨PHI nanoTOF3+ 能够提供高质量分辨和高空间分辨的TOF-SIMS分析:在高质量分辨模式下，其空间分辨率优于500nm 在高空间分辨模式下，其空间分辨模式优于50 nm。通过结合强度高离子源、高精度脉冲组件和高分辨率质量分析器，可以实现低噪声、高灵敏度和高质量分辨率的测量 在这两种模式下，只需几分钟的测试时间，均可完成采谱分析。前所未见的无人值守TOF-SIMS自动化多样品分析 -适用于绝缘材料PHI nanoTOF3+搭载全新开发的自动化多样品分析功能，程序可根据 样品导电性自动调整分析时所需的高度与样品台偏压， 可以对包括 绝缘材料在内的各类样品进行无人值守自动化TOF-SIMS分析。 整个分析过程非常简单， 只需三步即可对多个样品进行表面或深度 分析 ：①在进样室拍摄样品台照片 ；②在进样室拍摄的照片上指定 分析点 ；③按下分析键，设备自动开始分析。 过去，必须有熟练的操作人员专门操作仪器才能进行TOF-SIMS分析 ； 现在，无论操作人员是否熟练，都可以获得高质量的分析数据标配自动化传样系统PHI nanoTOF3+配置了在XPS上表现优异的全自动样品传送系 统 ：样品尺寸可达100mmx100 mm， 而且分析室标配内置 样品托停放装置 ；结合分析序列编辑器（Queue Editor），可以实现对大量样品的全自动连续测试。采用新开发的脉冲氲离子设备获得证书的自动荷电双束中和技术TOF-SIMS测试的大部分样品为绝缘样品，而绝缘样品表面 通常有荷电效应。PHI nanoTOF3+ 采用自动荷电双束中和 技术，通过同时发射低能量电子束和低能量氲离子束，可实现对任何类型和各种形貌的绝缘材料的真正自动荷电中和，无需额外的人为操作。 *需要选配Ar离子设备 远程访问实现远程控制仪器PHI nanoTOF3+允许通过局域网或互联网访问仪器。 只需将样品台放入进样室， 就可以对进样、换样、测试和分析等所有操作进行远程控制。我们的专业人员可以对仪器进行远程诊断。*如需远程诊断，请联系我们的客户服务人员。 从截面加工到截面分析： 只需一个离子源即可完成标配离子设备FIB(Focused lon Beam)功能在PHI nanoTOF3+中， 液态金属离子具设备备 FIB功能， 可以使用单个离子设备对样品进行 横截面加工和横截面TOF-SIMS分析。通过操 作计算机， 可以快速轻松地完成从FIB处理 到TOF-SIMS分析的全过程。此外，可在冷却 条件下进行FIB加工。 在选配Ga源进行FIB加工时，可以获得FIB加 工区域的3D影像 ；Ga源还可以作为第二分析 源进行TOF-SIMS分析。 通过平行成像MS/MS进行 分子结构分析[选配]MS/MS平行成像 同时采集MS1/MS2数据在TOF-SIMS测试中，MS1质量分析分析器接收从样品表面 产生的所有二次离子碎片，对于质量数接近的大分子离子， MS1谱图难以区分。通过安装串联质谱MS2，对于特定离子 进行碰撞诱导解离生产特征离子碎片，MS2谱图可以实现 对分子结构的进一步鉴定。PHI nanoTOF3+具备串联质谱MS/MS平行成像功能， 可以同时获取分析区域的MS1和MS2数据，为有机大分子结构解析提供了强有力的工具。 多样化配置充分发挥TOF-SIMS潜力可拆卸手套箱：可安装在样品导入室可以选配直接连接到样品进样室的可拆卸手套箱。 锂离子电池和有机 OLED等容易与大气发生反应的样品可以直接安装在样品台上。此外，在 冷却分析后更换样品时，可以防止样品表面结霜。 氩团簇离子源（Ar-GCIB）：有机材料深度剖析使用氩团簇离子源(Ar-GCIB)能够有效减少溅射过程中对有机材料的破坏，从而在刻蚀过程中保留有机大分子结构信息。Cs源和Ar/O2源：无机材料深度剖析可根据测试需求选择不同的离子源提高二次离子产额，使用Cs源可增强负离子产额 ；O2源可增强正 离子产额

多功能SIMS工具：高分析效率和全自动化的基准检测灵敏度IMS 7f-Auto是我们获得成功的IMS xf二次离子质谱仪（SIMS）产品系列的新型号。该仪器旨在提高高精度元素和同位素分析的易用性和生产率，已针对玻璃、金属、陶瓷、硅基，III-V和II-VI族化合物器件、散装物料、薄膜等一系列颇具挑战性的应用进行改良，可充分满足行业对高效器件开发和过程控制的要求。用于解决多种分析问题的关键分析功能IMS 7f-Auto提供了具有高深度分辨率和高动态范围的深度剖析功能。高透射质谱仪与两种反应性高密度离子源（O2+和Cs+）相结合，从而提供高溅射速率和极低的检出限。独特的光学设计可实现直接离子显微镜和扫描探针成像。 提高自动化和作业效率IMS 7f-Auto配有重新设计的同轴一次离子枪筒，可以更轻松、更快速地进行一次离子束调谐，并优化一次离子束流稳定性。新的自动化程序减少了由操作员引起的偏差并提高了易用性。带有自动装载/卸载样品架的电动储存室通过分析链和远程操作提高分析效率。 在高分析效率下实现高再现性借助新型电动储存室和样品转移，IMS 7f-Auto能够分析链式或远程模式下的多个样品。测量可以完全无人值守和自动化，具有高通量和可再现性。可实现很高的可再现性（RSD0.5％）、很低的检出限、高测试效率和高生产率（工具可每天24小时使用，几乎无需操作员干预）。

TOF-SIMS是一种非常灵敏的表面分析技术，适用于许多工业和研究应用。该技术通过对一次离子束轰击样品表面产生的二次离子进行质量分析，并行探测所有元素和化合物，具有极高的传输率（可达到100%），只需要一次轰击就可以得到研究点的完整质量谱图，从而提供有关样品表面、薄层、界面的详细元素和分子信息，并能提供全面的三维分析。其用途广泛，包括半导体，聚合物，涂料，涂层，玻璃，纸张，金属，陶瓷，生物材料，药品和有机组织领域。全新 M6 — — 飞行时间二次离子质谱（TOF-SIMS）先进科技M6 是 IONTOF 在 TOFSIMS 5 基础上开发的新一代高端飞行时间二次离子质谱（TOF-SIMS）仪器，对一次离子源（LMIG）和质量分析器（TOF Analyser）进行了突破性的改进。此外，在硬件方面还增加了 MS/MS 功能选项，重新设计了加热和冷却系统；在软件方面新增了多元统计分析（MVSA）软件包。其设计保证了 SIMS 应用在所有领域的卓越性能。新的突破性离子束和质量分析器技术使 M6 成为二次离子质谱（SIMS）仪器中的耀眼光芒、工业和学术研究的理想工具。全新 M6 具有以下突出优势：1 新型 Nanoprobe 50 具有高横向分辨率 ( 50 nm)2 质量分辨率 30,0003 独特的延迟提取模式可同时实现高传输，高横向质量4 广域的动态范围和检测限5 用于阐明分子结构具有 CID 片段功能的 TOF MS/MS6 先进智能的 SurfaceLab 7 软件，包括完全集成的多元统计分析 (MVSA) 软件包7 新型灵活按钮式闭环样品加热和冷却系统，可长期无人值守运行

仪器简介：1. 适合做多层薄膜的深度分析。2. 很好的、耐用的、普通目的的二次离子质谱仪。3. 方便使用。4. 样品可以手动转换，由于分析速度快所以每天可以分析一定数量的样品。5. 我们的系统可配置快速原子枪，使我们可以轻松处理绝缘的样品。6. 我们还可以做元素成像（就象化学地图）和混合模式扫描，自动测量正、负和中性粒子。7. 我们的系统是典型的超高真空工作台，很容易满足很多其它分析的使用。结构紧凑，但不损失性能。真正的高性价比。技术参数：质量数范围：300，510或1000amu分辨率：5%的谷，两个相连的等高峰。检测器：离子计数检测器，正、负离子检测检测限：1:10E7质量过滤器：三级过滤四极杆（9mm杆）主离子枪： A，氧离子或其它气体，能量到5KeV B，Ga离子枪，能量25KeV（选配）空间分辨率：A：100～150um B: 50nm取样深度：2个单分子层（静态） 不受限制（动态）主要特点：? 高灵敏度脉冲离子计数检测器，7个数量级的动态范围 ? SIMS 成像，分辨率在微米以下 ? 光栅控制，增强深度分析能力 ? 所有能量范围内，离子行程的最小扰动，及恒定离子传输 ? 差式泵3级过滤四极杆，质量数范围至1000amu ? 灵敏度高 / 稳定的脉冲离子计数检测器 ? Penning规和互锁装置可提供过压保护 ? 通过RS232、RS485或Ethernet LAN，软件 MASsoft控制

PHI nanoTOF3+特征先进的多功能TOF-SIMS具有更强大的微区分析能力，更加出色的分析精度飞行时间二次离子质谱仪最新一代 TRIFT 质量分析器，更好的质量分辨率 适用于绝缘材料的无人值守自动化多样品分析 独特的离子束技术 平行成像 MS/MS 功能，助力有机大分子结构分析 多功能选配附件TRIFT分析器适用于各种形状的样品 宽带通能量+宽立体接收角度宽带通能量、宽立体接受角-适用于各种形貌样品分析主离子束激发的二次离子会以不同角度和能量从样品表面飞 出，特别是对于有高度差异和形貌不规则的样品，即使相同 的二次离子在分析器中会存在飞行时间上的差异，因此导致 质量分辨率变差，并对谱峰形状和背景产生影响。 TRIFT质量分析器可以同时对二次离子发射角度和能量进行 校正， 保证相同二次离子的飞行时间一致， 所以TRIFT兼顾 了高质量分辨率和高检测灵敏度优势，而且对于不平整样品 的成像可以减少阴影效应。 实现高精度分析的一次离子枪先进的离子束技术实现更高质量分辨PHI nanoTOF3+ 能够提供高质量分辨和高空间分辨的TOF-SIMS分析:在高质量分辨模式下，其空间分辨率优于500nm 在高空间分辨模式下，其空间分辨模式优于50 nm。通过结合高强度离子源、高精度脉冲组件和高分辨率质量分析器，可以实现低噪声、高灵敏度和高质量分辨率的测量 在这两种模式下，只需几分钟的测试时间，均可完成采谱分析。前所未见的无人值守TOF-SIMS自动化多样品分析 -适用于绝缘材料PHI nanoTOF3+搭载全新开发的自动化多样品分析功能，程序可根据 样品导电性自动调整分析时所需的高度与样品台偏压， 可以对包括 绝缘材料在内的各类样品进行无人值守自动化TOF-SIMS分析。 整个分析过程非常简单， 只需三步即可对多个样品进行表面或深度 分析 ：①在进样室拍摄样品台照片 ；②在进样室拍摄的照片上指定 分析点 ；③按下分析键，设备自动开始分析。 过去，必须有熟练的操作人员专门操作仪器才能进行TOF-SIMS分析 ； 现在，无论操作人员是否熟练，都可以获得高质量的分析数据标配自动化传样系统PHI nanoTOF3+配置了在XPS上表现优异的全自动样品传送系 统 ：最大样品尺寸可达100mmx100 mm， 而且分析室标配内置 样品托停放装置 ；结合分析序列编辑器（Queue Editor），可以实现对大量样品的全自动连续测试。采用新开发的脉冲氲离子枪获得专利的自动荷电双束中和技术TOF-SIMS测试的大部分样品为绝缘样品，而绝缘样品表面 通常有荷电效应。PHI nanoTOF3+ 采用自动荷电双束中和 技术，通过同时发射低能量电子束和低能量氲离子束，可实现对任何类型和各种形貌的绝缘材料的真正自动荷电中和，无需额外的人为操作。 *需要选配Ar离子枪 远程访问实现远程控制仪器PHI nanoTOF3+允许通过局域网或互联网访问仪器。 只需将样品台放入进样室， 就可以对进样、换样、测试和分析等所有操作进行远程控制。我们的专业人员可以对仪器进行远程诊断。*如需远程诊断，请联系我们的客户服务人员。 从截面加工到截面分析： 只需一个离子源即可完成标配离子枪FIB(Focused lon Beam)功能在PHI nanoTOF3+中， 液态金属离子枪具备 FIB功能， 可以使用单个离子枪对样品进行 横截面加工和横截面TOF-SIMS分析。通过操 作计算机， 可以快速轻松地完成从FIB处理 到TOF-SIMS分析的全过程。此外，可在冷却 条件下进行FIB加工。 在选配Ga源进行FIB加工时，可以获得FIB加 工区域的3D影像 ；Ga源还可以作为第二分析 源进行TOF-SIMS分析。 通过平行成像MS/MS进行 分子结构分析[选配]MS/MS平行成像 同时采集MS1/MS2数据（专利）在TOF-SIMS测试中，MS1质量分析分析器接收从样品表面 产生的所有二次离子碎片，对于质量数接近的大分子离子， MS1谱图难以区分。通过安装串联质谱MS2，对于特定离子 进行碰撞诱导解离生产特征离子碎片，MS2谱图可以实现 对分子结构的进一步鉴定。PHI nanoTOF3+具备串联质谱MS/MS平行成像功能， 可以同时获取分析区域的MS1和MS2数据，为有机大分子结构解析提供了强有力的工具。 多样化配置充分发挥TOF-SIMS潜力可拆卸手套箱：可安装在样品导入室可以选配直接连接到样品进样室的可拆卸手套箱。 锂离子电池和有机 OLED等容易与大气发生反应的样品可以直接安装在样品台上。此外，在 冷却分析后更换样品时，可以防止样品表面结霜。 氩团簇离子源（Ar-GCIB）：有机材料深度剖析使用氩团簇离子源(Ar-GCIB)能够有效减少溅射过程中对有机材料的破坏，从而在刻蚀过程中保留有机大分子结构信息。Cs源和Ar/O2源：无机材料深度剖析可根据测试需求选择不同的离子源提高二次离子产额，使用Cs源可增强负离子产额 ；O2源可增强正 离子产额

应用于地球科学的大尺寸几何结构离子探针IMS 1300-HR3是一款大尺寸几何结构离子探针，可为广泛的地球科学应用提供无与伦比的分析性能：使用稳定同位素追踪地质过程，矿物定年，以及确定痕量元素的存在和分布。其高灵敏度和高横向分辨率也使其成为搜索和测量铀颗粒以用于核防护目的的必要工具。高空间分辨率和高质量分辨率下的高再现性的独特组合借助新型IMS 1300-HR3，CAMECA极大地提高了已占据市场领导地位的大尺寸几何结构SIMS的性能，现可在高空间分辨率和高质量分辨率下为地球科学界提供高重现性的独特组合。该工具可充分满足高精度和高生产率的小尺度原位同位素测量的需求，并拓展了广泛的研究方向——从稳定同位素、地质年代学和痕量元素到小颗粒等等。秉承了IMS 1280-HR和之前型号的主要优点：大尺寸几何结构设计可在高质量分辨率下提供高灵敏度应用于高精度同位素测量的多功能多接收器系统用于分析正负二次离子的双一次离子源卓越的离子成像能力（探针和显微镜模式）增强型磁场控制系统实现了高质量分辨率下的高再现性远程操作、全自动化、功能强大的应用专用软件IMS 1300-HR3的改进及优点：新型射频等离子体氧源显著增加了电子束密度和电流稳定性，极大地提高了空间分辨率、数据再现性和通量。具有自动化样品高度（Z）调节功能的新型电动储存室可显著提高分析精度、易用性和生产率。用于改善光学图像分辨率的紫外光显微镜，搭配专用软件实现简单的样品导览1012 Ω电阻法拉第杯：用于测量低计数率的低噪声电测系统

仪器简介：二次质谱仪（SIMS）是最前沿的表面分析技术。确立于40多年前，它揭示了极表面 和近表面的原子层的化学组成。这种信息远远超过了为鉴定有机组成部分的分子结 构所需的简单元素分析。 应用： 单分子层水平表面信息　　薄膜纵剖面分析 所有元素检测　　　　　　有机物质鉴定 表面污染鉴定 高灵敏度分析　　　　　　 快速化学组分成像等表面分析领域技术参数：■ There are three modes of detection： Static SIMS (surface analysis) High energy primary ions are used to dislodge secondary ions from the surface molecular layers. These ions are analysed by mass spectrometry, producing a spectrum to identify both organic and inorganic species. -------------------------------------------------------------------------------- Imaging SIMS (spatial analysis) Scanning the focused primary ion beam over the sample surface builds up an image showing the distribution of any species.This is ideal for analysing the uniformity of coatings or the composition of small features. -------------------------------------------------------------------------------- Dynamic SIMS (depth analysis) By concentrating the primary beam into a small area, the surface layers are progressively etched away. This produces an analysis of the subsurface region, monitoring the thickness and composition of thin films.主要特点：SIMS一个主要的特征是对表面（固定SIMS）的固定区域的原位分析。扫描聚焦探测 光束（影像SIMS）生成一个表面成分图仅需几秒钟（而不是几分钟）。延展的分析 通过深度刻蚀表面而显示表层下面变化的组成（动态SIMS）。所有这些能在只需少 量而不需任何样品准备的情形下操作成功，并且具有高灵敏度，同时可使分析时间 降至最短。 Millbrook MiniSIMS是在一个紧凑的半开式可移动仪器中开发的SIMS功能技术。 仅需一个标准的主电源以供操作，放置极为方便。完全的计算机控制使得操作简 便，并且自动获得数据。通过英特网的远距离控制使您使用SIMS更为方便。 MiniSIMS使得室内表面分析仪器，在很大范围的情形下成为一种操作简便经济实 用的方式，低成本的资金和维护费用以及高的样品产出，意味着每个样品的总费用 要比使用传统的SIMS仪器减少90%

仪器简介：全球最先进的动态TOF-SIMS系统，它使用直流主束的飞行时间分析仪，创建了成像质谱的新范式。直流一次离子束的使用允许快速成像和连续数据采集（即没有单独的蚀刻周期），同时提供高空间和质量分辨率。 独有的特点：离子束带来高分子量分析和高空间分辨率四种离子束可选择用气体团簇离子束SIMS，可以分析高达3000Da的分子量无“仅蚀刻”循环的深度剖面。快速、连续采集冷样品处理气敏和冷冻样品,可配置手套箱高级数据查看功能技术参数：腔室上最多可包括3种离子束。选择包括金，C60，气体团簇，和等离子体-每一个适合特定的样品类型或实验，如下所示。离子束能量束斑大小金25kV150nm最高的空间分辨率，导致明显的碎片。是硬质材料的理想选择。碳60 (C60)40kV300nm在任何材料上均匀溅射，碎裂度低，理想值可达1kDa。气体团簇（Ar/CO2/H2O）40kV, 70kV1um有机物的高溅射率，任何束流的最低碎片，是生物成像的理想选择。双等离子体发射源 (Ar/O2/N2/Cs)30kV300nm高亮度光源，是无机材料的理想选择。氧束提高正离子产率，Cs提高负离子产率。主要特点：深度剖面该 SIMS非常适合于样品的深度剖面分析。使用直流离子束进行分析的一个重要方面是，不需要将蚀刻离子束与分析离子束交错。为了能够在合理的时间尺度上生成3D图像，并去除受损的亚表面层，传统的TOF实验使用了交错成像和蚀刻循环，这些循环浪费了宝贵的样品。在使用C60+或（CO2）n/Arn+等连续分析离子束，分析和低损伤刻蚀是连续和并行的，因此没有数据丢失，所有材料都被采样，使我们 SIMS成为一个非常精确的深度剖面分析工具。温度和大气控制的多功能样品处理该 SIMS上的多功能样品处理系统可以分析多种样品类型。仪器配备液氮冷却装置，以便对挥发性样品进行分析——冷却装置适用于主样品阶段和样品插入锁。相反，样品台也可以加热到600 K。仪器配有手套箱，用于在干燥气体下制备和插入空气/水敏感样品，并防止冷却过程中结冰。由于小容量负载锁定和高泵送速度，样品插入很快。 半导体半导体分析的范围可以从浅结深度剖面到高分辨率3D成像。有五种不同的主离子束可供选择，可以针对不同的材料或实验类型进行定制。从 40kV C60 光束中进行选择，即使在混合材料上也能提供高分辨率成像和均匀的溅射率，是平面设备的理想选择。或 FLIG 5，超低能耗 O2/Cs 光束，具有无与伦比的电流密度，是浅结深度剖析的最佳选择。特征：IOG C60-40， FLIG 5， 深度剖析， 3D 成像 聚合物液态金属离子束会导致高水平的碎裂和对表面的损坏，然后必须通过GCIB将其去除。这会降低深度分辨率，并增加实验不必要的复杂性。GCIB是主光束，因此可确保低分段，不需要仅蚀刻循环，并保证高深度分辨率。GCIB SM 是市场上能量最高的 GCIB，能够以前所未有的速度和最小的损坏蚀刻聚合物等软质材料，从而实现比以往更大的 3D 分析量。特征：GCIB SM， 深度剖析， 3D 成像

MAXIM 二次离子溅射中性粒子质谱仪可分析二次阴、阳离子动态和中性粒子，所具备的的30°接受角可形成样品粒子平面，应用于SIMS和SNMS的光学采样。 光栅控制，增强深度分析能力 所有能量范围内，离子行程的最小扰动，及恒定离子传输 灵敏度高 / 稳定的脉冲离子计数检测器质量数范围： 300amu，500amu，1000amu 检测器： 离子计数探测器、正负离子探测器、107 cps 质量过滤器： 3F四级杆 杆直径： 9mm 最高加热： 250℃ 离子源： 电子轰击，可用于SNMS和RGA的单根灯丝

Alpha-Step D-500探针式轮廓仪支持台阶高度、粗糙度、翘曲度和应力的2D测量。 创新的光学杠杆传感器技术提供高分辨率测量，大垂直范围和低触力测量功能。探针测量技术的一个优点是它是一种直接测量，与材料特性无关。 可调节的触力以及探针的选择都使其可以对各种结构和材料进行精确测量。 通过测量粗糙度和应力，可以对工艺进行量化，确定添加或去除的材料量，以及结构的任何变化。主要功能 台阶高度：几纳米至1200μm 低触力：0.03至15mg 视频：500万像素高分辨率彩色摄像头 梯形失真校正：消除侧视光学系统引起的失真 圆弧校正：消除由于探针的弧形运动引起的误差 紧凑尺寸：最小占地面积的台式探针式轮廓仪 软件：用户友好的软件界面主要应用 台阶高度：2D台阶高度 纹理：2D粗糙度和波纹度 形式：2D翘曲和形状 应力：2D薄膜应力工业应用 大学，研究实验室和研究所 半导体和复合半导体 SIMS：二次离子质谱 LED：发光二极管 太阳能 MEMS：微电子机械系统 汽车 医疗设备 还有更多：请与我们联系并探讨您的要求

Alpha-Step D-600探针式轮廓仪支持台阶高度和粗糙度的2D及3D测量，以及翘曲度和应力的2D测量。 创新的光学杠杆传感器技术提供高分辨率测量，大垂直范围和低触力测量功能。探针测量技术的一个优点是它是一种直接测量，与材料特性无关。 可调节的触力以及探针的选择都使其可以对各种结构和材料进行精确测量。 通过测量粗糙度和应力，可以对工艺进行量化，确定添加或去除的材料量，以及结构的任何变化。主要功能 台阶高度：几纳米至1200μm 低触力：0.03至15mg 视频：500万像素高分辨率彩色摄像头 梯形失真校正：消除侧视光学系统引起的失真 圆弧校正：消除由于探针的弧形运动引起的误差 紧凑尺寸：最小占地面积的台式探针式轮廓仪 软件：用户友好的软件界面主要应用 台阶高度：2D台阶高度和3D台阶高度 纹理：2D粗糙度和波纹度 形式：2D翘曲和形状 应力：2D薄膜应力工业应用 大学，研究实验室和研究所 半导体和复合半导体 SIMS：二次离子质谱 LED：发光二极管 太阳能 MEMS：微电子机械系统 汽车 医疗设备 还有更多：请与我们联系并探讨您的要求

质谱分析TOF-SIMS 中，根据分子结构反映的质谱，能更详细的对化学结构进行分析。影像分析影像的分辨率，测量时有种可供选择: 256 x 256 ,512x512, 1024x1024 ，每个像素点都存贮着质谱的信息。测量之后，任伺区域的质谱都可以在後数据处理时提取出来。深度剖析TOF-SIMS 中，经过反复测量和溅射，得到深层的结构。这段期间内，所有的质谱都会被保存，完成测量后，任意深度的质谱都可以在後数据处理时提取出来。三维剖析深度概况的数据源于在深度改变时样品结构的变化，在进行完深度分析後不仅可以拥有内部的信息，三维构筑的信息也可以得到。多功能样品处理样晶托提供了两种类型的标准样晶托，有直径25mm ，样晶在样晶托背面安装并固定( Back-mount) ，能放个样品的样品托，方便对准样晶高度。也有直接在样晶托正面安装样晶，可放置和样晶托一般大小的样晶 (100mm ，方便制样。加热冷却样品托用液氮冷却和用加热器加热样晶台，在-150t 200t 之间可控。样晶托上配有温度感应装置，当样晶在进样室开始，软件即马上显示实时温度回读。另外也可以选配比较高可达600t只做加热的样晶托。

SIMS 工作站(SIMS Workstation－a complete SIMS Analysis Facility) ，综合UHV / SIMS 设备，进行高级的表面分析。可靠的、普遍适用的SIMS分析工作站。整合的离子源，便于RGA和SNMS 各类型样品的快速转向 阴、阳离子、中性粒子、自由基的质量、能量分析仪 整合的离子枪光栅控制和信号选通，进行深度分析 绝缘体研究中的电子流枪用于电荷中和 液氮冷井和真空室烘烤加热器 自动的SIMS 离子光学透镜调谐和质量数列表，使SIMS性能最佳 Hiden EQS SIMS 分析仪，运行于 MASsoft O/S 之下，检测限至ppb级 基本的激发源选择： 带差式泵的Hiden IG20 Ion，IFG200 FAB或高性能液态镓枪 快速样品传递，样品固定，负载锁定的操纵器 4 轴：X, Y, Z, θ UHV 操纵器，以最佳定位样品 加上ESM LabVIEW和SIMS 成像程序，进行SIMS元素成像 静态SIMS谱图库可用

PHI简介ULVAC-PHI为全球超高真空表面分析仪器供应商的ling导者，ULVAC-PHI创新的X射线光电子能谱技术（xps）、俄歇电子能谱技术（AES）、二次离子质谱技术等为客户在材料分析方面提供全面且du一无二的解决方案。所提供的仪器：X射线光电子能谱仪、俄歇电子能谱仪、动态二次离子质谱仪和飞行时间二次离子质谱仪，可解决客户端广泛的表面分析问题。主要应用在纳米技术、微机电、存储介质、生化材料、药物化学、家属、高分子、有机电子等领域。X射线光电子能谱分析（XPS）是用X射线照射固体表面，测定表面深约10nm激发的光电子能谱图，来获取表面组成及化学结合状态的分析方法。PHI X-tool产品特点：卓越的操作性并支持多国语言的分析软件： PHI X-tool软件支持简单直观的触摸屏操作，及全部的XPS测定操作； 用户可从手动操作到自动操作（自动定性、定量、分析及完成报告）； 操作性强，无论是否有经验，均可完成测定 另，采用平板电脑，实现了智能的操作环境自动测试及自动报告： 具备分析点的Auto-Z自动对中功能（高速自动的高度调整），绝缘样品的全自动中和功能 实现测定位置的设定，未知样品的测定及分析PHI独有的zui先进的硬件配置 独有的扫描微聚焦X射线源（专利），分析面积在20μm~1.4mm 采用低能电子和Ar离子同时作用绝缘体表面，实现自动电荷中和（专利） 高性能的浮动Ar离子枪实现了高速度低损伤的深度分析

探针式轮廓仪/台阶仪/Alpha-Step D-600 Stylus ProfilerAlpha-Step D-600探针式轮廓仪也叫台阶仪，能够测量从几纳米到1200微米的台阶高度测量，可选配三维测量功能。D-600型台阶仪还可以在研发与生产环境中支持粗糙度、翘曲度与薄膜应力的测量，配置200mm自动移动样品台与先进的弧形矫正的辅助光学系统。 产品描述Alpha-Step D-600探针式轮廓仪支持台阶高度和粗糙度的二维与三维测量，以及翘曲度和薄膜应力的测量。创新的光学杠杆传感器技术提供高分辨率测量，大范围测量与超微力测量于一体的功能。探针测量技术的一个优点是它是一种直接测量，与材料特性无关。可调节的探针压力以及探针的选择都使其可以对各种结构和材料进行精确测量。通过测量粗糙度和应力，可以对工艺进行量化，确定添加或去除的材料量，以及结构的任何变化。主要功能 台阶高度：几纳米至1200μm 低触力：0.03至15mg 视频：500万像素高分辨率彩色摄像头 梯形失真校正：消除侧视光学系统引起的失真 圆弧校正：消除由于探针的弧形运动引起的误差 紧凑尺寸：占地面积小 软件：用户友好的软件界面主要应用 台阶高度：2D台阶高度与3D台阶高度 纹理：2D粗糙度和波纹度 形式：2D翘曲和形状 应力：2D薄膜应力工业应用 大学，研究实验室和研究所 半导体和复合半导体 SIMS：二次离子质谱 LED：发光二极管 太阳能 MEMS：微电子机械系统 汽车 医疗设备 更多应用：请与我们联系并探讨您的需求

探针式轮廓仪/台阶仪/Alpha-Step D-500 Stylus ProfilerAlpha-Step D-500探针式轮廓仪能够测量从几纳米到1200微米的2D台阶高度。 D-500还可以在研发和生产环境中支持粗糙度、翘曲度和应力的2D测量。 D-500包括一个手动140毫米平台和先进的光学系统以及加强视频控制。产品描述Alpha-Step D-500探针式轮廓仪支持台阶高度、粗糙度、翘曲度和应力的2D测量。 创新的光学杠杆传感器技术提供高分辨率测量，大垂直范围和低触力测量功能。探针测量技术的一个优点是它是一种直接测量，与材料特性无关。 可调节的触力以及探针的选择都使其可以对各种结构和材料进行精确测量。 通过测量粗糙度和应力，可以对工艺进行量化，确定添加或去除的材料量，以及结构的任何变化。产品主要特点台阶高度：几纳米至1200μm低触力：0.03至15mg视频：500万像素高分辨率彩色摄像头梯形失真校正：消除侧视光学系统引起的失真圆弧校正：消除由于探针的弧形运动引起的误差紧凑尺寸：占地面积小的台式探针轮廓仪/台阶仪主要应用 台阶高度：2D台阶高度 纹理：2D粗糙度和波纹度 形式：2D翘曲和形状 应力：2D薄膜应力工业应用 大学，研究实验室和研究所 半导体和复合半导体 SIMS：二次离子质谱 LED：发光二极管 太阳能 MEMS：微电子机械系统 汽车 医疗设备 还有更多：请与我们联系并探讨您的要求

Alpha-Step D-600 Stylus Profiler Alpha-Step D-600探针式轮廓仪能够测量从几纳米到1200微米的2D和3D台阶高度。 D-600还可以在研发和生产环境中支持粗糙度、翘曲度和应力的2D和3D测量。 D-600包括一个电动200毫米样品卡盘和先进的光学系统以及加强视频控制。产品描述 Alpha-Step D-600探针式轮廓仪支持台阶高度和粗糙度的2D及3D测量，以及翘曲度和应力的2D测量。 创新的光学杠杆传感器技术提供高分辨率测量，大垂直范围和低触力测量功能。探针测量技术的一个优点是它是一种直接测量，与材料特性无关。 可调节的触力以及探针的选择都使其可以对各种结构和材料进行精确测量。 通过测量粗糙度和应力，可以对工艺进行量化，确定添加或去除的材料量，以及结构的任何变化。主要功能 台阶高度：几纳米至1200μm 低触力：0.03至15mg 视频：500万像素高分辨率彩色摄像头 梯形失真校正：消除侧视光学系统引起的失真 圆弧校正：消除由于探针的弧形运动引起的误差 紧凑尺寸：最小占地面积的台式探针式轮廓仪 软件：用户友好的软件界面主要应用 台阶高度：2D台阶高度和3D台阶高度 纹理：2D粗糙度和波纹度 形式：2D翘曲和形状 应力：2D薄膜应力工业应用 大学，研究实验室和研究所 半导体和复合半导体 SIMS：二次离子质谱 LED：发光二极管 太阳能 MEMS：微电子机械系统 汽车 医疗设备 还有更多：请与我们联系并探讨您的要求

Alpha-Step D-500 Stylus Profiler Alpha-Step D-500探针式轮廓仪能够测量从几纳米到1200微米的2D台阶高度。 D-500还可以在研发和生产环境中支持粗糙度、翘曲度和应力的2D测量。 D-500包括一个手动140毫米平台和先进的光学系统以及加强视频控制。产品描述Alpha-Step D-500探针式轮廓仪支持台阶高度、粗糙度、翘曲度和应力的2D测量。 创新的光学杠杆传感器技术提供高分辨率测量，大垂直范围和低触力测量功能。探针测量技术的一个优点是它是一种直接测量，与材料特性无关。 可调节的触力以及探针的选择都使其可以对各种结构和材料进行精确测量。 通过测量粗糙度和应力，可以对工艺进行量化，确定添加或去除的材料量，以及结构的任何变化。主要功能 台阶高度：几纳米至1200μm 低触力：0.03至15mg 视频：500万像素高分辨率彩色摄像头 梯形失真校正：消除侧视光学系统引起的失真 圆弧校正：消除由于探针的弧形运动引起的误差 紧凑尺寸：最小占地面积的台式探针式轮廓仪 软件：用户友好的软件界面主要应用 台阶高度：2D台阶高度 纹理：2D粗糙度和波纹度 形式：2D翘曲和形状 应力：2D薄膜应力工业应用 大学，研究实验室和研究所 半导体和复合半导体 SIMS：二次离子质谱 LED：发光二极管 太阳能 MEMS：微电子机械系统 汽车 医疗设备

Alpha-Step D-300 探针式轮廓仪支持台阶高度、粗糙度、翘曲度和应力的2D 测量。光学杠杆传感器技术提供高分辨率测量，大垂直范围和低触力测量功能。 探针测量技术的一个优点是它是一种直接测量，与材料特性无关。可调节的触力以及探针的选择都使其可以对各种结构和材料进行测量。通过测量粗糙度和应力，可以对工艺进行量化，确定添加或去除的材料量，以及结构的任何变化。 二、 功能 设备特点台阶高度：几纳米至1000μm低触力：0.5至15mg视频：500万像素率彩色摄像头梯形失真校正：消除侧视光学系统引起的失真圆弧校正：消除由于探针的弧形运动引起的误差紧凑尺寸：小占地面积的台式探针式轮廓仪 主要应用台阶高度：2D台阶高度纹理：2D粗糙度和波纹度形式：2D翘曲和形状应力：2D薄膜应力 应用领域半导体和复合半导体SIMS：二次离子质谱LED：发光二极管太阳能MEMS：微电子机械系统汽车医疗设备 三、应用案例 台阶高度 Alpha-Step D-300 探针式轮廓仪能够测量从几个纳米到1000μm的2D台阶高度。 这使其可以量化在蚀刻、溅射、SIMS、沉积、旋涂、CMP 和其他工艺期间沉积或去除的材料。 Alpha-Step系列具有低触力功能，可以测量如光刻胶的软性材料。 纹理：粗糙度和波纹度 Alpha-Step D-300 测量 2D 纹理，量化样品的粗糙度和波纹度。 软件过滤功能将测量值分离为粗糙度和波纹度的部分，并计算诸如均方根（RMS）粗糙度之类的参数。 外形：翘曲和形状 Alpha-Step D-300 可以测量表面的2D形状或翘曲。 这包括对晶圆翘曲的测量，例如在半导体或化合物半导体器件生产过程中，多层沉积层结构中层间不匹配是导致这类翘曲产生的原因。Alpha-Step 还可以量化包括透镜在内的结构高度和曲率半径。 应力：2D薄膜应力 Alpha-Step D-300 能够测量在生产包含多个工艺层的半导体或化合物半导体器件期间所产生的应力。 使用应力卡盘将样品支撑在中性位置测量样品翘曲。 然后通过应用Stoney方程，利用诸如薄膜沉积工艺的形状变化来计算应力。

半导体中的四极杆SIMS掺杂物深度剖析和薄层分析CAMECA SIMS 4550为光学器件中的硅、高k、硅锗以及III-V族化合物等复合材料的薄层提供超浅深度剖析、痕量元素和组分测量等一系列扩展功能。高深度分辨率和高通量随着器件尺寸不断缩小，当今半导体的注入物剖面和层厚度通常在1-10纳米的范围内。SIMS 4550通过提供碰撞能量可从5keV降至低于150eV的氧和铯高密度一次离子束进行优化，充分满足上述应用领域的需求。灵活性CAMECA的SIMS 4550是一款动态SIMS工具，可在溅射条件（碰撞角度、能量、物种）方面提供全面的灵活性。在样品溅射过程中，通过电荷补偿（电子枪、激光）专用选项可以轻松分析绝缘材料。SIMS 4550可测量层厚度、对准度、陡度、完整性、均匀性和化学计量。样品架可容纳多种样品：几毫米的薄片至直径100毫米的样品。高精度和自动化先进的四极杆分析仪的光路、峰噪比等都是降低痕量元素检出限的关键因素。凭借先进的特高真空设计以及低至E-10mbar（E-8Pa）范围内的主室压力，SIMS 4550可为氢、碳、氮和氧提供出色的灵敏度。超稳定的离子源和电子设备确保达到较高精度以及RSD小于0.2％的测量重复性。通过易于使用的软件、预定义方案、远程操作以及故障排除，充分考虑了人为因素对精度的影响。每次测量的所有仪器参数设置都存储在数据库中。因此重复测量只需点击几下鼠标即可完成。其他自动化功能

仪器简介：IMP离子蚀刻探针（Ion Milling Probe）,自带差式泵，坚固的二次离子质谱仪，适于分析离子蚀刻过程中的二次离子和中性粒子.独有的专业终点检测（End Point Detection）仪器，用于离子蚀刻控制以及过程质量最优化监测.技术参数：应用： • 终点检测（End Point Detection） • 靶的纯度鉴定 • 质量控制/ SPC. • 残余气体分析 • 泄漏监测主要特点：特点： • 高灵敏度的 SIMS/MS，带脉冲离子计数检测器 • 三级过滤四极杆，标准配置质量数为300 amu • 差式泵歧管，经连接法兰，接到过程室 • 离子光学器件，带能量分析器和内置离子源 • Penning规和互锁装置，以提供过压保护 • 数据系统与过程控制工具整合 • 稳定性(24h以上，峰高变化小于 ±0.5%) • 通过 RS232、RS485或以太网， 软件MASsoft控制 • 程控DDE, 平行数字式I/O, RS232通讯

Tencor P-7探针式轮廓仪产品描述Tencor P-7探针式轮廓仪以成功领先市场的Tencor P-17台式探针式轮廓仪系统为基础。它涵盖了P-17的卓越测量性能，为台式探针式轮廓仪提供了出色的性价比。Tencor P-7探针式轮廓仪支持对台阶高度、粗糙度、翘曲度和应力进行2D和3D测量，扫描范围可达150mm，无需拼接。特征台阶高度：纳米级到1000微米恒定力控制：0.03至15mg样品的全直径扫描，无需拼接视频：5MP高分辨率彩色相机弧形校正：可消除探针的弧形运动引起的误差软件：简单易用的软件界面生产能力：全自动测量，具有测序、图形识别和SECS/GEM功能应用台阶高度：2D和3D台阶高度纹理：2D和3D粗糙度和波纹度形状：2D和3D翘曲、形状应力：2D和3D薄膜应力缺陷检测：2D和3D缺陷表面形貌工业高校、实验室和研究所半导体和化合物半导体LED：发光二极管太阳能MEMS：微机电系统数据存储汽车医疗器械更多内容：请联系我们并告诉我们您的需求主要应用台阶高度Tencor P-7能够测量从纳米到1000µ m的二维(2D)和三维(3D)台阶高度。这能够对蚀刻、溅射、二次离子质谱、沉积、旋涂、化学机械研磨和其他工艺中沉积或去除的材料厚度进行量化。Tencor P-7具有恒定的力控制，可以不管台阶高度如何，动态调整以在样品表面施加相同的力。这能够保持良好的测量稳定性，能够精确测量软材料，例如光刻胶。纹理：粗糙度和波纹度Tencor P-7测量二维(2D)和三维(3D)纹理、量化样品的粗糙度和波纹度。软件过滤器将测量结果分为粗糙度和波纹度两部分，并计算出均方根、粗糙度等参数。形状：翘曲和形状Tencor P-7可以测量2D形状或表面的翘曲度。这包括元件制造过程中不同工艺层材料不匹配导致的晶圆翘曲的测量，例如半导体或化合物半导体器件生产中的多层沉积。Tencor P-7还可以测量弯曲结构（例如透镜）的高度和曲率半径。应力：二维(2D)和三维(3D)薄膜应力Tencor P-7能够测量在制造具有多个工艺层的器件（例如半导体或化合物半导体器件）期间产生的应力。使用应力载台将样品支撑在中间位置以精确测量表面的翘曲度。应力的计算是通过诸如薄膜沉积等工艺的形貌变化然后运用Stoney公式来得到的。2D应力是通过对样品直径进行单次扫描来测量的，样品直径可达150mm，无需拼接。3D应力是使用2D扫描的组合来实现的，其中样品台在多次扫描之间旋转以测量整个样品表面。缺陷检测缺陷检测可用于测量缺陷的表面形貌，例如划痕深度。缺陷检测工具可识别缺陷，并将位置坐标写到KLARF文件中。缺陷检测功能读取KLARF文件，对齐样本，并允许用户选择缺陷进行2D或3D测量。

TESCAN 电镜质谱 FIB-SEM-TOF-SIMS 联用系统电子显微分析是材料和生命科学微观分析中最重要的一环，而元素分析是其中最重要的表征手段之一，但标准的分析手段如能谱仪和波谱仪存在很多不足，例如因灵敏度不足、空间分辨率较差，无法进行轻元素、微量元素的分析，无法分辨同位素等等，普通的分析手段已不能满足现阶段应用的需求。TESCAN 提供的解决方案是将飞行时间二次离子质谱与 FIB-SEM 系统集成。这种组合能够为用户提供固体材料的 3D 化学表征和分子信息，高离子质量分辨率和高空间分辨率成像等，并可以进行原位 FIB 深度分析。 飞行时间-二次离子质谱（TOF-SIMS）TOF-SIMS(Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry) 是具有极高分辨率的质谱仪，工作原理是用聚焦离子束照射样品表面，从而在样品最上层的原子层激发出二次离子 (SI），再根据不同质量的二次离子飞行到探测器的时间不同来测定离子质量。与 EDX 相比，TOF-SIMS 可以实现更好的横向和纵向分辨率，还可以识别并定量样品表面层中存在的元素和分子物质，以及具有类似标称质量的同位素和其他物质等。 系统主要优势：ü 高灵敏度，Be，B和Li之类的轻元素检出限可达ppm级ü 优异的空间分辨率，横向分辨40nm，纵向分辨率15 nmü 正负离子均可检测，离子质量分辨率800ü 2维和3维快速、高离子质量分辨率和高空间分辨率成像，进行原位FIB深度分析ü 通过坐标转移，保证不同仪器分析位置的重合 应用案例：1. 轻元素及微量元素分析：Li 离子电池中 LI+ 面分布分析2. 通过低电压和小束流 FIB 逐层减薄，成功区分出厚度为 2.5 nm 的掺有 0~15% 的 In 元素的 GaN 层3. 金属复合材料中微量元素的晶界偏析测定，检出限可达 ppm 级4. 对铀矿石进行初期的同位素分析，快速得到 238U 和 235U 的分布信息 关于TESCANTESCAN发源于全球最大的电镜制造基地-捷克Brno，是电子显微镜及聚焦离子束系统领域全球知名的跨国公司，有超过60年的电子显微镜研发和制造历史，是扫描电子显微镜与拉曼光谱仪联用技术、聚焦离子束与飞行时间质谱仪联用技术以及氙等离子聚焦离子束技术的开拓者，也是行业领域的技术领导者。

用于半导体晶圆厂中成分测量的全自动 SIMSAKONIS SIMS 工具通过直接在半导体生产线中提供对注入分布、成分分析和界面数据的高产量、高精度检测，填补了半导体制造工艺中的重要空白。AKONIS 有非常高的自动化水平，确保了各种工具在晶圆厂工艺控制和工具之间匹配方面的可重复性。除传统的通过表征实验室为半导体行业提供支持的IMS Wf/SC Ultra和 SIMS 4550（四极杆 SIMS）系列外，AKONIS作为其 补充，可实现仪器设置和采集例程的完全自动化，从而可在分析灵敏度不受影响的情况下实现快速的厂内分析。AKONIS 受益于极低冲击能量（EXLIE）离子色谱柱技术（ 150 eV）的发展，与带高分辨率平台的整片晶圆处理系统相结合，可在最小 20 μm 的压焊点上进行测量。推动实现 N5 及后继制程的高产量SiGe 和 SiP 多层堆叠的高分辨率成分和快速掺杂物深度剖析无与伦比的最小 20 μm 在压焊点上的检测限将数据反馈到生产线的时间缩短了 97% 以上光片和图案化的整片晶圆测量图案识别引擎与高分辨率干涉测量平台相结合，可实现 2 μm 的位置精度基于独特材料数据库的直观recipe创建SEMI 认证（S2/S8、E4、E5、E39、E84...）低购置成本

适用于半导体应用的高性能低能量SIMSIMS Wf和SC Ultra经专门设计，可充分满足高级半导体对动态SIMS测量日益增长的需求该仪器可提供大范围的冲击能量（150 eV到13 keV），不影响质量分辨率和一次离子束密度，可确保在高通量条件下为具挑战性的应用提供卓越的分析性能：超浅能量和高能量注入物、超薄氮氧化物、高k金属栅极、硅锗掺杂层，Si:C:P结构、PV和LED器件及石墨烯等等。从标准到超浅深度剖析对半导体进行分析的首要条件是优化SIMS分析条件以进行超浅深度剖析，而无需舍弃标准深度剖析应用。CAMECA因此开发了独特的SIMS仪器设计，能够溅射具有大范围碰撞能量的样品：从用于厚结构的高能量（keV范围）到用于超薄结构的超低能量（≤150eV）。这种碰撞能量选择的灵活性适用于不同的控制良好的溅射条件（物种、入射角等）。CAMECAIMS Wf和SC Ultra可提供此类极限低碰撞能量（EXLIE）功能的SIMS仪器，且在高质量分辨率和高透过率方面毫不逊色。 高自动化水平随着SIMS技术的成熟，用户希望能够降低实现高再现性和高精度测量所需的专业知识要求。未来发展趋势显然是无人值守的自动分析。CAMECA IMS Wf和SC Ultra利用计算机自动化应对该挑战，确保完全控制所有分析参数（分析方案、仪器设置等）。气锁系统、样品台和分析室已进行了优化，最多可容纳300毫米的晶圆（IMS Wf型号），并可在一批次中装载大量样品——在IMS Wf型号中最多可装载100个样品，同时还提供气锁和分析室之间的完全电动化转移。 凭借高自动化水平，IMS Wf和SC Ultra可执行快速深度剖析，具有优化的样品通量和出色的测量稳定性，确保了SIMS工具生产率。

简介质谱成像（Mass Spectrometry Imaging）是一种新型的表面原位分析技术，它揭示了样品真正表面或近表面的化学组成，其信息量远远超过了简单的化学成分分析，可以用于表征、鉴定待测样品表面的化学成分。较之其他成像技术，如显微镜成像，基于质谱的成像方法不局限于特异的一种或者几种分子，分析物可以以其最初的形态被检测，不需要对待测物进行标记，大大节省了标记所带来的技术和时间成本。目前主要有三种离子化技术用于质谱成像：基质辅助激光解吸电离（MALDI）质谱、电喷雾解吸电离（Desorption Electrospray Ionization）质谱和二次离子质谱（Secondary Ion Mass Spectrometry）技术，其中MALDI是应用最为广泛的离子化技术。MALDI通过引入基质分子，使分子与基质形成共结晶，当用一定强度的激光照射样品与基质形成的共结晶薄膜，基质从激光中吸收能量而使分子解吸/电离。MALDI是一种软电离技术，待测分子不易产生碎片，解决了非挥发性和热不稳定性生物大分子解吸离子化的问题，是分析难挥发的有机物质的重要手段之一。在1994年，德国吉森大学（Justus Liebig University Giessen）的Bernhard Spengler教授首次将MALDI MS与成像方法结合用于分析多肽，此后质谱成像技术便受到了广泛的关注，不断的在疾病诊断，病理组织特征，药物代谢和植物代谢等研究中发挥着越来越重要的角色。一、仪器设备概况德国TransMIT AP-SMALDI 10是由世界知名质谱学家Bernhard Spengler教授研制成功并商品化的常压基质辅助激光解吸电离离子源，是目前MALDI质谱成像中分辨率很高的离子源（分辨率高达到1微米），突破了MALDI质谱成像空间分辨有效成像像素限制在50微米的瓶颈。与其他MALDI产品相比，该离子源在提高空间分辨率的同时保证了质谱信号的灵敏度，是检测生物样品中微量以及痕量成分的重要保障。TransMIT AP-SMALDI 10可与超高分辨质谱Orbitrap（Thermo Fisher Scientific）兼容，可同时获得高空间分辨率和高质量准确度和分辨率的二维离子密度图，实现了真正意义上的高分辨质谱成像。TransMIT AP-SMALDI 10与同领域其他设备，其具体优势体现在以下几个方面：1. 常压到中压的操作环境，大大简化了样品制备的方法，节约了成本。传统的MALDI样品分析是在真空条件下进行，操作要求高，且随着分析时间的延长，会导致基质在真空条件下挥发损失，造成分子离子峰的信号衰减和成像误差；2. 小于5微米的高空间分辨率，能够可视化生物组织内化合物在细胞水平上的空间分布，并且可用于单细胞质谱成像分析；3. 采用激光束和离子流的同轴设计，大大提高了样品表面分子离子的产率；4. 采用激光器，即无害免控激光器，在使用过程中对人体无任何危险；5. 配有专用于高分辨质谱成像的数据分析软件；6. 可与Thermo Scientific Q Exactive系列质谱仪兼容，拆装灵活。二、仪器设备应用及性能说明高空间分辨率TransMIT AP-SMALDI 10离子源问世后，已经在生命科学领域展示了自己的优势，受到了国际专家和同行的一致认可，多项研究成果发表在Angewandte Chemie，The Plant Journal, Analytical Chemistry，Analytical and Bioanalytical Chemistry，Rapid Communications in Mass Spectrometry, International Journal of Mass Spectrometry等知名期刊上。在了解生物组织特征，病理组织特征，药物疗效及发现生物标志物等方面表现突出。现对TransMIT AP-SMALDI 10主要优势特色做简要综述：1、 高空间分辨率 高空间分辨率是准确判断生物组织内化学物质分布的前提条件。以大鼠脑组织中的磷脂分布为例，在100×100 μm2像素下，我们仅可以得到脑组织中磷脂的低分辨轮廓图。当分辨率提高到35 μm时，图像清晰度显著提高，可以准确识别脑组织切片中不同功能区内化合物的分布。再次聚焦TransMIT AP-SMALDI 10激光束到3 μm，则可以得到更加精细、无毛刺的磷脂二维离子密度图，这样可以清晰识别大鼠脑组织中微小部位中的代谢产物分布。3×3 μm2二维离子密度图中红、蓝、绿分别代表不同的化合物，红色代表背景离子，蓝色代表phosphatidylcholine（38:1），绿色代表phosphatidylcholine （38:1）。 2、高质量准确度和高质谱分辨率 TransMIT AP-SMALDI 10的另一个优势是其基于Orbitrap设计的一款离子源。Orbitrap无疑是近20年来高分辨质谱技术上最重要的突破，该质谱是目前体积最小的高分辨质谱仪。Orbitrap分辨率可高达140000 @ 200 Da，可同时进行定性和定量分析，尤其能够针对复杂基质中痕量组分的高灵敏度定量分析。集成了TransMIT AP-SMALDI 10的Orbitrap可以为研究者提供超高分辨的二维离子密度图，解决了质谱成像技术中原位鉴定化合物的难点，全面提高了鉴定分子离子的准确率和效率。可同时实现全扫描和MS/MS扫描，获得RMS 2ppm的高质量准确度的二维离子密度图。如图所示，基于Orbitrap的AP-MALDI质谱成像可以分辨质量差仅为0.1Da的两个化合物。如果使用低分辨质谱，将无法区分平均质量同为m/z 726的两个化合物，致使得到的二维离子密度图（图d）实际上是两种离子信号叠加的结果。由此可见，AP-MALDI-Orbitrap技术结合了高空间分辨率和高质谱分辨率，是一种具有优势的质谱成像技术。 3、单细胞质谱成像分析 目前单细胞分析大多依靠显微镜技术，因此需要标记细胞中的分析物，但是细胞中绝大多数分子没有荧光，这不利于细胞中未知分子的检测 其次常用的荧光探针具有一定的波长宽度，在有限光窗下只能检测3-4种分子。单细胞质谱分析因为具有无需标记、多组分同时分析、相对和jue对定量、适于代谢组学和蛋白组分析的特点而受到研究者的青睐。在此基础上单细胞质谱成像成为了近期新的研究热点，常用的单细胞质谱成像技术为二次离子质谱仪（SIMS），虽然SIMS的空间分辨率通常高于MALDI，但其质量检测范围较小，质荷比超过1000时灵敏度显著降低。TransMIT AP-SMALDI 10可以提供1-10 μm的高分辨率，同时弥补了SIMS质量检测范围窄和灵敏度低的缺点，成功应用于磷脂、多肽以及蛋白质等活性物质在单细胞中的空间分布研究。下图展示了首次采用TransMIT AP-SMALDI 10获得的单细胞中化学物质的二维离子密度图，使用 7 μm的激光束可以成功捕获单个HeLa细胞（图a）中荧光标记物（图b）和磷脂（图c和d）的二维空间分布信息。 综上所述，TransMIT AP-SMALDI 10是一款性能优异、实用价值高的质谱成像离子源。整合后的AP-MALDI-Orbitrap在成像空间分辨率、质量准确度及质谱采集时间等方面得到了全面提升，配合其自主研发的数据处理软件 MIRION，更加提高了图像处理的速度和质量。AP-MALDI-Orbitrap在质谱成像领域中具有许多独特优势，势必在多学科交叉领域研究中成为重要的研究工具。

自20世纪60年代首创二次离子质谱仪以来，CAMECA已经开发了一套完整的SIMS产品系列。我们的每款高端仪器均确保为特定应用提供最佳性能。 CAMECA原子探针断层分析术产品系列包括LEAP 5000系列和 EIKOS APT系列。CAMECA原子探针是与法国鲁昂大学的GPM材料研究小组合作开发。CAMECA：SIMS及APT全球领导者 ：多功能SIMS工具：高通量和全自动化的基准检测灵敏度MS 7f-Auto是获得成功的IMS xf二次离子质谱仪(SIMS)产品系列的最新型号。旨在提高高精度元素和同位素分析的易用性和生产率，已针对玻璃、金属、陶瓷、硅基，III-V和II-VI族化合物器件、散装物料、薄膜等一系列颇具挑战性的应用进行改良，可充分满足行业对高效器件开发和过程控制的要求。用于解决各种分析问题的关键分析功能IMS 7f-Auto提供了具有高深度分辨率和高动态范围的无与伦比的深度剖析功能。高透射质谱仪与两种反应性高密度离子源（O2+和Cs+）相结合，从而提供高溅射速率和极低的检出限。独特的光学设计可实现直接离子显微镜和扫描探针成像。 提高自动化和作业效率IMS 7f-Auto配有重新设计的同轴一次离子枪筒，可以更轻松、更快速地进行一次离子束调谐，并优化一次离子束流稳定性。新的自动化程序最大限度地减少了由操作员引起的偏差并提高了易用性。带有自动装载/卸载样品架的电动储存室通过分析链和远程操作确保高通量。 在高通量下实现高再现性借助新型电动储存室和样品转移，IMS 7f-Auto能分析链式或远程模式下的多个样品。测量可完全无人值守和自动化，无与伦比的通量和可再现性。可实现极高可再现性(RSD0.5％)、极低的检出限、高通量和高生产率(工具可每天24小时使用，几乎无需操作员干预)。LEAP 5000三维原子探针显微镜具有无与伦比的三维亚纳米分析性能。LEAP 5000是CAMECA的尖端原子探针显微镜，可在各种金属、半导体和绝缘体上提供卓越的探测效率：每立方纳米的分析可探测到40％以上的额外原子。LEAP 5000能够在短短数小时内收集来自微型数据集的纳米级信息，同时提高组分准确度、精密度、检出限和样品通量，增加产量并实现最佳再现性。&bull 提高探测效率，实现无以伦比的灵敏度&bull 大视场和探测均质性——最佳三维空间分辨率&bull 出色的多重命中探测功能可以实现最精确的组分测量 &bull 用于超高速数据采集的快速和可变重复率 &bull 功能强大且符合人体工程学的平台可提高易用性并缩短熟悉时间 &bull 实时监测以确保每次测量都能获得最高质量的数据 &bull 先进的激光控制算法可显著提高样品收率 LEAP 5000 XS结合新飞行路径技术和优化探测器性能，提供更大视场，同时实现无可匹敌探测效率(约80％)，高于任何其他同类分析技术！此外，先进的激光脉冲模块能提供高达2 MHz重复率，使LEAP 5000 XS在效率和生产率方面达到最高水平。LEAP 5000 XR结合先进反射器设计和优化探测器性能(探测效率提高至约50％)，具备重复率高达500kHz先进激光脉冲优点。LEAP 5000 XR是众多研究和开发应用中功能最强大的原子探针。LEAP 5000 R凭借能增加40％的脉冲幅度并提供高达500 kHz脉冲重复率的改进电压脉冲系统，结合新型先进反射器设计和优化探测器性能，LEAP 5000 R已成为有史以来功能最强大的电压型原子探头。应用