反应式离子蚀刻机

反应式离子蚀刻机 性能特点 Capability Features: 用于失效分析的剥层分析解决方案群，世界顶尖反应式离子蚀刻机，物理沉移系统，原子层化学气相沉积系统.RIE/PE and RIE-ICP FA system这些灵活的失效分析工具可以实现从钝化层的去除到各项异性的氧化物的去除，从小管芯或已封装的器件到300mm直径的晶片整个范围的工艺. 去除氮化物钝化层后 刻蚀金属间介质后 四层金属暴露 金属间介质后的失效分析优点:- 工艺灵活，既可采用RIE/PE，也可采用ICP- 先进的管芯工艺：采用等离子体加速器的刻蚀速率比标准的RIE工艺快20倍产品范围：- 可以处理300mm晶片的RIE/PE双模式设备- 快速低损伤的模具刻蚀装置- 处理200mm晶片的双模式设备- 填充用的正硅酸乙酯（TEOS）工艺应用:- 各向同性的聚酰亚胺的去除（RIE或ICP模式）- 各向同性的氮化物（钝化层）的去除（PE或ICP模式）- 各向异性的氧化物（金属间介质/层间介质）的去除（RIE或ICP模式）- 各向异性的低K值氧化物的去除（RIE或ICP模式）- 金属支架的去除（RIE或ICP模式）- 多晶硅的去除（RIE模式）- 铝或铜的去除（ICP模式）

产品详情美国Trion 反应式离子刻蚀(RIE/ICP)系统及沉积(PECVD)系统:Orion III,Oracle III,Minilock-Orion III,Phantom III,Minilock-Phantom III,SirueT2Trion始于一九八九年的等离子刻蚀与沉积系统制造商，Trion为化合物半导体、MEMS(微机电系统)、光电器件以及其他半导体市场提供多种设备。我们的产品在业内以系统占地面积最小、成本低而著称，且设备及工艺的可靠性和稳定性久经考验。从整套的批量生产用设备，到简单的实验室研发用系统，尽在Trion。 Trion提供升级及回收方案给现有Matrix客户。 批量生产用设备:去胶系统- 低损伤去胶系统 新式去胶系统的成本已攀升到不合理水平，但Trion已通过两套价格低廉、紧凑的多功能系统使这一关键问题得到解决：Gemini和Apollo。利用ICP(电感耦合等离子)、微波和射频偏置功率，可以在低温条件下将难于消除的光刻胶去除。根据应用要求，每套系统可以结合SST-Lightning 微波源(既可靠又没有任何常见的微波调谐问题) 或ICP 技术。• 刻蚀速率高达6微米/分 • 高产量• 等离子损伤低 • 自动匹配单元• 适用于100mm 到300mm 基片 • 设备占地面积小• 价格具竞争性 刻蚀/沉积Titan是一套用于半导体生产的十分紧凑、全自动化、带预真空室的等离子系统。Titan具有反应离子刻蚀(RIE)配置、高密度电感耦合等离子沉积(HDICP)或等离子增强型化学汽相沉积(PECVD)配置。可对单个基片或带承片盘的基片(3”-300mm)进行处理。它还具有多尺寸批量处理功能。价格适宜且占地面积小。 刻蚀应用范围： 砷化镓、砷化铝镓、氮化镓、磷化镓、磷化铟、铝、硅化物、铬以及其他要求腐蚀性和非腐蚀性化学刻蚀的材料。 沉积应用范围：二氧化硅、氮化硅、氮氧化物和其他各种材料。 具有ICP选件的Titan系统Oracle III由中央真空传输系统(CVT)、真空盒升降机和最多四个工艺反应室构成。这些工艺反应室与中央负载锁对接，既能够以生产模式运行，也能够作为单个系统独立作业。 Oracle III是市场上最灵活的系统，既可以为实验室环境进行配置(使用单基片装卸)，也可以为批量生产进行配置(使用真空盒升降机进行基片传送)。 由于Oracle III 最多可容纳四个独立的工艺室，其可以有多种不同的工艺组合，其中包括RIE/ICP (反应离子刻蚀机/电感耦合等离子)刻蚀和PECVD 沉积。多个室可以同时工作。鉴于所有工艺室均有真空负载锁，工艺运行安全且没有大气污染。 Oracle III是市场上最小的批量生产用集成系统。 深硅刻蚀:- 5μm/min的刻蚀速率- 小于6%的不均匀性- 刻蚀深度可达300μm- 相对于光刻胶15:1的选择率- 垂直光滑的壁面- 纵横比可达12:15 um wide Si trench etch200um Si trench etch120um Si Trench etch40um wide x 320um deepSlope approx. 88 degreesEtching of GaAs/AlGaAs HeterostructuresInP Lens Etch 5.2 micron lens height with PR maskGaN LED Etch 2.6 micron depth with PR 小批量生产用设备: 沉积 (PECVD)Minilock-Orion III是一套最先进的等离子增强型化学汽相沉积(PECVD)系统。 系统的下电极尺寸可为200mm或300mm，且根据电极配置，可以处理单个基片或带承片盘的基片(3” - 300mm尺寸)，或者多尺寸批量处理基片(4x3” 3x4” 7x2”)。可沉积的薄膜包括：氧化物、氮氧化物、无定形硅和碳化硅。可以使用的反应气体包括：100%硅烷、氨、TEOS、二乙基硅烷、氧化亚氮、氧、氮、三甲基硅烷和甲烷。该系统可选配一个三极管(Triode)或电感耦合等离子(ICP)源。其中三极管使得用户可以创建高密度等离子，从而控制薄膜应力。基片通过预真空室装入工艺室，其避免了与工艺室以及任意残余沉积副产品接触，从而提高了用户的安全性。预真空室还使得工艺室始终保持在真空下，从而保持反应室与大气隔绝。 Minilock-Orion III PECVD 刻蚀 (RIE)Minilock-Phantom III 具有预真空室的反应离子刻蚀机。适用于单个基片或带承片盘的基片(3” - 300mm尺寸)，为实验室和试制线生产环境提供最先进的刻蚀能力。它也具有多尺寸批量处理(4x3” 3x4” 7x2”)。系统有多达七种工艺气体可以用于刻蚀各种薄膜，如氧化硅、氮化硅、多晶硅、铝、砷化镓、铬、铜、磷化铟和钛。该反应室还可以用于去除光刻胶和有机材料。可选配静电吸盘(E-chuck)，以便更有效地在刻蚀工艺中让基片保持冷却。该E-chuck使用氦压力控制器，及在基片背面保持一个氦冷却层，从而达到控制基片温度的作用。该设备可选配一个电感耦合等离子(ICP)源，其使得用户可以创建高密度等离子，从而提高刻蚀速率和各向异性等刻蚀性能。 Minilock-Phantom III具有ICP(感应耦合等离子)选项的刻蚀系统 实验室/研发/芯片失效分析用设备: 沉积Orion III 等离子增强型化学汽相沉积(PECVD)系统适用于单个基片、碎片或带承片盘的基片(2” - 300mm尺寸)，为实验室和试制线生产提供最先进的沉积能力。Orion III系统用于非发火PECVD工艺。沉积薄膜：氧化物、氮氧化物、氮化物和无定形硅。工艺气体 ：20% 硅烷、氨、TEOS、二乙基硅烷、氧化亚氮、氧和氮。该设备可选配一个ICP或三极管(Triode)源。 Orion III 刻蚀Phantom III反应离子蚀刻(RIE)系统适用于单个基片、碎片或带承片盘的基片300mm尺寸，为实验室和试制线生产提供最先进的等离子蚀刻能力。系统有多达七种工艺气体可以用于蚀刻氮化物、氧化物以及任何需要氟基化学刻蚀的薄膜或基片(如碳、环氧树脂、石墨、铟、钼、氮氧化物、聚酰亚胺、石英、硅、氧化物、氮化物、钽、氮化钽、氮化钛、钨以及钨钛) Phantom III Sirus T2 台面式反应离子刻蚀机(RIE)可用于介质以及其它要求氟化基化学的薄膜刻蚀。用於对矽、 二氧化矽、 氮化矽、石英、聚亚醯胺、钽、钨、钨钛以及其他要求特徵控制，高度选择性和良好一致性的材料进行蚀刻。 本机包含200mm下电极, 系统控制器(含电脑主机及触控介面)，13.56MHz, 300/600W 射频发生器及自动调谐，最大四路/六路工艺气体及自动压力控制模块等。占地面积小且坚固耐用，非常适合用於研发，实验室环境及失效分析。 Sirus T2 - 台面式反应离子刻蚀机

AXIC IsoLokICP等离子体系统经济实惠的高性能驱动器和低温等离子体处理系统AXIC公司的AXIC IsoLok电感耦合等离子体(ICP)负载锁定处理系统定义了深度反应离子蚀刻(DRIE)和低温低损伤等离子体增强化学气相沉积(ICP- pecvd)等离子体处理的新概念。该系统基于模块化设计，从通用腔室和机柜单元开始，具有ICP蚀刻或沉积底部电极，可轻松安装到腔室单元并结合负载锁。我们相信您会发现易用性，各种等离子工艺，可维护性和有吸引力的价格是市场上任何其他等离子产品所无法超越的。系统描述在等离子体加工的研究和开发中，一直对高通用性和可靠的负载锁定工具有很大的需求。随着等离子体研究需求的不断变化，任何系统都必须提供最广泛的工艺参数和高度的可重复性，以进行工艺验证。它还必须易于修改以适应新的工艺要求。我们相信我们的IsoLokICP蚀刻/沉积等离子体系统可以满足这些非常苛刻的要求。IsoLokICP系统是一种等离子体工具，可用于研究，工艺开发或小批量生产，可在直径达8″的基板上进行精确蚀刻和沉积。该系统还可以容纳片晶圆或基板与适当的夹具。在设计IsoLokICP工具时，主要目标是创建一个包含负载锁定分段区域的系统，同时保持质量和可靠性。保留专用生产导向系统的过程控制，同时大幅降低成本和维护以及占地面积，是关键要求。IsoLok负载锁定ICP系统独特的机柜和电极设计可以轻松安装在层流模块或洁净室中。经过验证的高质量组件，模块化组件，多功能腔室和电极设计，紧凑的尺寸，自动化和现场验证的工艺配方使IsoLokICP系统成为工程师的“首选系统”。负载锁模块该系统配备了一个真空负载锁定模块，由阳极氧化铝构造。负载锁定系统是大气到真空样品的分级和进入模块。它们是一种方便实用的方法，用于在真空系统中进出样品，而无需将腔室排放到大气中。这大大提高了效率和吞吐量，减少了周期时间，更重要的是减少了污染。负载锁允许在受控的环境条件下交换样品。负载锁可容纳直径从4“到8”的晶圆，具有特定的末端执行器。在负载锁和工艺室之间提供一个隔离阀，以隔离被转移的样品。

Hakuto 离子蚀刻机 伯东公司日本原装设计制造离子蚀刻机 IBE. 提供微米级刻蚀, 均匀性: ≤±5%, 满足所有材料的刻蚀, 即使对磁性材料, 黄金 Au, 铂 Pt, 合金等金属及复合半导体材料, 这些难刻蚀的材料也能提供蚀刻. 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料. 自 1970年至今, 伯东公司已累计交付约 500套离子刻蚀机.伯东公司超过 50年的刻蚀 IBE 市场经验, 拥有庞大的安装基础和经过市场验证的刻蚀技术! 离子刻蚀机 4IBE 离子刻蚀机 20IBE 全自动蚀刻机 MEL 3100离子蚀刻机 IBE 主要型号 伯东提供用于研究分析的小尺寸离子刻蚀机, 用于生产制造的大尺寸离子蚀刻机以及全自动蚀刻机.配置美国 KRI 考夫曼离子源和德国 Pfeiffer 分子泵.型号4 IBE7.5 IBE16 IBE20 IBE-CMEL 3100样品数量尺寸4”φ, 1片4”φ, 1片6”φ, 1片4”φ, 6片6”φ, 4片3”φ-6”φ,1片离子束入射角度0～± 900～± 900～± 900～± 90-考夫曼离子源KDC 40KDC 75KDC 160考夫曼型-极限真空度 Pa≦1x10-4≦1x10-4≦1x10-4≦1x10-4≦8x10-5Pfeiffer 分子泵抽速 l/s35035012501250-均匀性≤±5%≤±5%≤±5%≤±5%≤±5%离子蚀刻机特性:1. 采用美国 KRI 考夫曼型离子源, 保障蚀刻速率和均匀性2. 干式制程, 物理蚀刻的特性3. 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状.4. 基板直接加装在直接冷却装置上, 所以可以在低温环境下蚀刻.5. 配置公转自转传输机构 ”Dry Chuck Planet ”, 使得样品可以得到比较均匀平滑的表面.通 Ar 时, 对各种材料的刻蚀速率NS 离子刻蚀机 20IBE-J 视频离子刻蚀机 3-4inch 20IBE 视频离子蚀刻机应用 薄膜磁头 Thin film Magnetic Head, 自旋电子学 Spintronics, MR Sencer微电子机械系统 MEMS Micro-electromechanical Systems射频设备 RF Devices, 光学组件 Optical Component, 超导电性 Super Conductivity Hakuto 日本原装设计制造离子刻蚀机 IBE, 提供微米级刻蚀, 满足所有材料的刻蚀, 即使对磁性材料,黄金 Au, 铂 Pt, 合金等金属及复合半导体材料, 这些难刻蚀的材料也能提供蚀刻. 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料. 自 1970年至今, Hakuto 伯东已累计交付约 500套离子蚀刻机. 蚀刻机可配置德国 Pfeiffer 涡轮分子泵和美国 KRI 考夫曼离子源!若您需要进一步的了解离子蚀刻机详细信息, 请联络上海伯东叶女士,分机109

离子蚀刻机 4 IBE伯东公司日本原装进口小型离子蚀刻机, 适用于科研院所, 实验室研究, 干式制程的微细加工装置, 特别适用于磁性材料, 金, 铂及各种合金的铣削加工.离子蚀刻机 4 IBE 技术规格型号4 IBE样品数量尺寸4”φ, 1片离子束入射角度0～± 90考夫曼离子源KDC 40极限真空度 Pa≦1x10-4Pfeiffer 分子泵抽速 l/s350均匀性≤±5%伯东离子蚀刻机主要优点1. 干式制程的微细加工装置, 使得在薄膜磁头, 半导体元件, MR sensor 等领域的开发研究及量产得以广泛应用.2. 物理蚀刻的特性, 无论使用什么材料都可以用来加工, 所以各种领域都可以被广泛应用.3. 配置使用美国考夫曼离子源4. 射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状.5. 基板直接加装在直接冷却装置上, 所以可以在低温环境下蚀刻.6. 配置公转自转传输机构, 使得被蚀刻物可以得到比较均匀平滑的表面.7. 机台设计使用自动化的操作流程, 所以可以有非常友好的使用生产过程.离子蚀刻机通不同气体的蚀刻速率Hakuto 日本原装设计制造离子刻蚀机 IBE, 提供微米级刻蚀, 满足所有材料的刻蚀, 即使对磁性材料,黄金 Au, 铂 Pt, 合金等金属及复合半导体材料, 这些难刻蚀的材料也能提供蚀刻. 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料. 自 1970年至今, Hakuto 伯东已累计交付约 500套离子蚀刻机. 蚀刻机可配置德国 Pfeiffer 涡轮分子泵和美国 KRI 考夫曼离子源!若您需要进一步的了解离子蚀刻机详细信息, 请联络上海伯东叶女士,分机109上海伯东版权所有, 翻拷必究！

离子蚀刻机 10-M/NS-5上海伯东日本NS进口离子蚀刻机 10-M/NS-5，适合小规模生产使用和实验室研究用的离子刻蚀机。离子蚀刻机 10-M/NS-5 主要技术参数：基片尺寸直径 6英寸 X 1片样品台直接冷却，单独冷却离子源10cm 考夫曼离子源电源WELL-2000(可更换为国内电源上海伯东是日本NS离子蚀刻机中国总代理，NS离子蚀刻机对磁性材料、黄金、铂和合金金属提供最佳蚀刻技术，很容易做各种材料的蚀刻，主要应用于薄膜磁头 (Thin film Magnetic Head)，自旋电子学 (Spintronics)，MR Sencer，微电子机械系统 (MEMS Micro-electromechanical Systems)，射频设备 (RF Devices)，光学组件 (Optical Component)，超导电性 (Super Conductivity)等。可依据客户实际需要，提供客制化服务。NS离子蚀刻机主要优点：干式制程的微细加工装置，使得在薄膜磁头，半导体元件， MR sensor 等领域的开发研究及量产得以广泛应用。物理蚀刻的特性，无论使用什么材料都可以用来加工，所以各种领域都可以被广泛应用。配置使用美国考夫曼公司制造的原装离子源。射频角度可以任意调整，蚀刻可以根据需要做垂直，斜面等等加工形状。基板直接加装在直接冷却装置上，所以可以在低温环境下蚀刻。配置公转自转传输机构，使得被蚀刻物可以得到比较均匀平滑的表面。机台设计使用自动化的操作流程，所以可以有非常友好的使用生产过程。上海伯东主营产品：德国普发 Pfeiffer 涡轮分子泵，干式真空泵，罗茨真空泵，旋片真空泵；应用于各种真空环境下的真空计，氦质谱检漏仪，质谱分析仪以及美国考夫曼公司 KRI 离子源 离子枪 霍尔源，美国 HVA 真空阀门，Polycold 冷冻机，离子刻蚀机等。

等离子体清洗好处,对PTFE进行等离子活化处理,蚀刻工艺,为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺,并得到了应用,等离子体清洗与其它清洗方式对比表.等离子体清洗好处：　１、其除去了有机层（含碳污染物），其会受到例如， 氧气 和空气的化 腐蚀，通过超压吹扫，将其从表面去除。　　　通过等离子体中的高能量粒子，脏污会转化为 稳定的小型分子 ，并借此将其移除，处理过程中脏污的厚度只允许达到 几百纳米 ，因为等离子的清除速度仅能够达到每次几 nm。　　　脂肪含有诸如锂化合物之类的成分。仅能够除去其 有机成分 。这一点同样适用于指纹。故此，建议戴手套。　２、还原氧化物　　　金属氧化物会和工艺气体发生化学反应。作为工艺气体，使用了氢气和氩气或氮气的混合物。等离子体射流的热效应可能会导致进一步的氧化。故此建议在惰性气体环境下进行处理。常压等离子激活处理主要用于哪些方面？　　这种技术非常适用于以下工艺过程：　１、在粘合之前对塑料进行局部的等离子活化处理　２、在粘合、植绒、印刷（例如，汽车行业中的橡胶型材）之前，对弹性体进行等离子活化处理　３、在粘合或者粘接之前，对金属和陶瓷表面进行局部的等离子活化处理　４、极为适合在直接于移印机中移印之前，对塑料零部件进行处理。用常压等离子体进行活化处理能够为我们带来哪些主要优势？　技术适用于在线工艺，例如，在对连续型橡胶型材、软管进行印刷、胶粘，植绒或者涂层之前进行等离子活化。　等离子体清洗与其它清洗方式对比表：应用用途和特性低压等离子体的优点低压等离子体的缺点常压等离子体的优点常压等离子体的缺点普通的等离子体生成在等离子腔体室中均匀分布等离子体，腔室体积可变复杂的真空技术，在线等离子处理应用受到一定的限制可以直接在输送带上进行等离子处理，适用于在线处理，无需任何真空技术由于等离子体激发原理的原因，等离子处理痕迹有限，处理较大的对象的时候，必须使用多个喷嘴对金属进行处理可对易氧化的对象进行等离子清洗进行微波激发的时候，对象上可能会相应产生能量，这会造成对象过热对铝进行等离子处理的时候，可以生成很薄的氧化层对易氧化的对象进行等离子清洗，受到一定的限制对聚合物弹性体进行处理无法对PTFE进行等离子活化处理，蚀刻工艺，为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺，并得到了应用某些材料需要用到较大型的泵，以便达到必须的工艺压力无法对连续型对象进行预处理，工艺时间很短等离子射流的温度为约 200 - 300 °C。必须对表面的工艺温度进行很好的调节，以防止着火（很薄的材料）3D对象对等离子体腔室中的所有对象进行均匀处理。即使是中空腔室也可以从内部进行处理（例如，点火线圈、水箱等）未知可进行局部表面处理（例如，粘结槽口）需要使用复杂的多关节型机器人技术。常压等离子体的间隙渗透性受到一定的限制散装部件通过转鼓法可以对散装部件进行均匀的等离子处理。零部件的件数和体积可以有所不同其仅能够使用转鼓的 1/3 体积（建议）可以直接在输送带上处理对象对象必须极为精确的定位在输送带上电子，半导体技术借助低压等离子体对电子元件、电路板和半导体部件进行等离子处理是先进的技术。未知金属或者 ITO 触点可在粘接处理之前进行等离子预处理（例如，LCD、TFT 和芯片的生产）涂层工艺生成均匀的涂层。研发了很多 PECVD 和 PVD 工艺，并得到了应用可能会造成等离子体腔室的污染具有很多的工业用途尚不具有任何的工业用途

离子蚀刻机 20-M/NS-8上海伯东日本 NS 进口离子蚀刻机 20-M/NS-8，适合中等规模量产使用的离子刻蚀机。离子蚀刻机 20-M/NS-8 主要技术参数：基片尺寸直径 3英寸 X 8片直径 4英寸 X 6片样品台直接冷却离子源20cm 考夫曼离子源电源WELL-5000(可更换为国内电源 上海伯东是日本NS离子蚀刻机中国总代理，NS离子蚀刻机对磁性材料、黄金、铂和合金金属提供蚀刻技术，很容易做各种材料的蚀刻，主要应用于薄膜磁头 (Thin film Magnetic Head)，自旋电子学 (Spintronics)，MR Sencer，微电子机械系统 (MEMS Micro-electromechanical Systems)，射频设备 (RF Devices)，光学组件 (Optical Component)，超导电性 (Super Conductivity)等。可依据客户实际需要，提供客制化服务。NS离子蚀刻机主要优点：干式制程的微细加工装置，使得在薄膜磁头，半导体元件， MR sensor 等领域的开发研究及量产得以广泛应用。物理蚀刻的特性，无论使用什么材料都可以用来加工，所以各种领域都可以被广泛应用。配置使用美国考夫曼公司制造的原装离子源。射频角度可以任意调整，蚀刻可以根据需要做垂直，斜面等等加工形状。基板直接加装在直接冷却装置上，所以可以在低温环境下蚀刻。配置公转自转传输机构，使得被蚀刻物可以得到比较均匀平滑的表面。机台设计使用自动化的操作流程，所以可以有非常友好的使用生产过程。上海伯东主营产品：德国普发 Pfeiffer 涡轮分子泵，干式真空泵，罗茨真空泵，旋片真空泵；应用于各种真空环境下的真空计，氦质谱检漏仪，质谱分析仪以及美国考夫曼公司 KRI 离子源 离子枪 霍尔源，美国 HVA 真空阀门，Polycold 冷冻机，离子刻蚀机等。 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请登录我们网站或与市场部罗女士联系。伯东版权所有, 翻拷必究!

TRYMAX 等离子除胶机型号：NEO系列TRYMAX该公司主要提供半导体等离子清洗、去胶、活化设备。Trymax目前拥有半自动、全自动系列设备供用户选择，目前已有上百台设备安装在世界各地，被广泛地应用于MEMS微机电系统、微流体器件、SOI基片制造、先进封装、化合物半导体器件、功率器件和光电显示等领域。 一、设备工作原理 等离子体是物质的一种存在状态，该状态中存在下列物质：处于高速运动状态的电子；处于激活状态的中性原子、分子、原子团（自由基）；离子化的原子、分子；未反应的分子、原子等，但物质在总体上仍保持电中性状态。Trymax NEO Series就是通过利用这些活性组分的性质来处理样品表面，通过射频/微波电源在一定的真空条件下起辉产生高能量的无序的等离子体，通过等离子体轰击被清洗产品表面，从而实现清洁、改性、光刻胶灰化等目的。 二、Trymax NEO Series 应用 前道：Light Etching；Descum strip；PR Ashing；离子注入后，光刻后，镀膜前等工艺过程； 后道/先进封装/3D IC：Descum Bumping；MEMS；Plasma Treatment；Wafer Cleaning等。Trymax 先进等离子灰化和蚀刻 NEO300A/NEO200A系列平台 NEO300A系列平台是Trymax半导体设备行业领先的NEO系列先进等离子灰化和蚀刻产品的最新成员之一。 它是一个全自动的单室系统，可配置任何现有的Trymax NEO工艺模块，并与直径达300mm的基板兼容。占地面积小的NEO300A配置有单个装载端口。 • 特征 - 最大300毫米晶圆尺寸/基板尺寸 - 桥梁工具能力200-300mm - 单个SMIF装载端口-3轴双臂机器人处理-4个不同的处理模块：• 下游微波（2.45 GHz）• 射频偏压（13.56MHz）• 双源（微波，射频偏压）• DCP（RF偏置，直接耦合等离子） - 优异的均匀性和可重复性 - 机械吞吐量 100wph - 紧凑的足迹 - 非常低的拥有成本 - 完全数字控制，Devicenet以太网 - 基于窗口的工业计算机 • 应用程序 - 阻挡条带-Descum处理 - 去除聚合物 - 邮寄高剂量植入带 - 氮化硅蚀刻应用-MEMS应用程序 - 封装加工（PR，PI，BCB，PBO） NEO200A系列平台是Trymax半导体设备行业领先的NEO系列先进灰化和蚀刻产品的最新成员。 它是一个全自动的单室系统，可配置任何现有的Trymax NEO工艺模块，并与直径达200mm的基板兼容。占地面积小的NEO200A配置有双盒式磁带。 • 特征 - 最大200 mm晶圆尺寸/基板尺寸 - 双盒式平台-3轴双臂机器人处理-4个不同的处理模块：• 下游微波（2.45 GHz）• 射频偏压（13.56MHz）• 双源（微波，射频偏压）• DCP（RF偏置，直接耦合等离子） - 优异的均匀性和可重复性 - 机械吞吐量 100wph - 紧凑的足迹 - 非常低的拥有成本 - 完全数字控制，Devicenet以太网 - 基于窗口的工业计算机 • 应用程序 - 阻挡条带-Descum处理 - 去除聚合物 - 邮寄高剂量植入带 - 氮化硅蚀刻应用-MEMS应用程序 - 封装加工（PR，PI，BCB，PBO）Trymax Semiconductor Equipment的NEO200系列先进等离子灰化/蚀刻系统是最新的光刻胶和蚀刻设备，以惊人的价格提供卓越的性能。专为最大200 mm基板应用而设计。 它配备了一个灵活的装载站，可配置用于处理最大200 mm的所有不同尺寸的基板。 NEO200系列集成了研究和设备制造商紧凑设计的所有要求，可实现最低的拥有成本。 • 特征 - 最大200 mm晶圆尺寸/基板尺寸 - 用于半自动晶圆传输的单个装载平台。-4个不同的处理模块：• 下游微波（2.45 GHz）• 射频偏压（13.56MHz）• 双源（微波，射频偏压）• DCP（RF偏置，直接耦合等离子） - 优异的均匀性和可重复性 - 紧凑的足迹 - 非常低的拥有成本 - 完全数字控制，Devicenet以太网 - 基于窗口的工业计算机 • 应用程序 - 阻挡条带-Descum处理 - 去除聚合物 - 邮寄高剂量植入带 - 氮化硅蚀刻应用-MEMS应用程序 - 封装加工（PR，PI，BCB，PBO）

离子蚀刻机 10-M / NS-5:适合小规模量产使用和实验室研究基片尺寸直径 6英寸 X 1片样品台直接冷却，单独冷却离子源10cm 考夫曼离子源电源可更换为国内电源伯东离子蚀刻机主要优点：1. 干式制程的微细加工装置，使得在薄膜磁头，半导体元件， MR sensor 等领域的开发研究及量产得以广泛应用。2. 物理蚀刻的特性，无论使用什么材料都可以用来加工，所以各种领域都可以被广泛应用。3. 配置使用美国考夫曼公司原装制造的离子源。4. 射频角度可以任意调整，蚀刻可以根据需要做垂直，斜面等等加工形状。5. 基板直接加装在直接冷却装置上，所以可以在低温环境下蚀刻。6. 配置公转自转传输机构，使得被蚀刻物可以得到比较均匀平滑的表面。7. 机台设计使用自动化的操作流程，所以可以有非常友好的使用生产过程。离子蚀刻机 10-M / NS-5: 图片： 通不同气体的蚀刻速率 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗女士

离子蚀刻机 20-M / NS-8上海伯东 NS适合中等规模量产使用的离子刻蚀机基片尺寸直径 3英寸 X 8片直径 4英寸 X 6片基台直接冷却样品台20cm 考夫曼离子源电源可更换为国内电源伯东离子蚀刻机主要优点：1. 干式制程的微细加工装置，使得在薄膜磁头，半导体元件， MR sensor 等领域的开发研究及量产得以广泛应用。2. 物理蚀刻的特性，无论使用什么材料都可以用来加工，所以各种领域都可以被广泛应用。3. 配置使用美国考夫曼公司原装制造的离子源。4. 射频角度可以任意调整，蚀刻可以根据需要做垂直，斜面等等加工形状。5. 基板直接加装在直接冷却装置上，所以可以在低温环境下蚀刻。6. 配置公转自转传输机构，使得被蚀刻物可以得到比较均匀平滑的表面。7. 机台设计使用自动化的操作流程，所以可以有非常友好的使用生产过程。离子蚀刻机 20-M / NS-8 图片： 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗女士

RIE，全称是Reactive Ion Etching，反应离子刻蚀，是一种微电子干法腐蚀工艺。RIE是干蚀刻的一种，这种蚀刻的原理是，当在平板电极之间施加10～100MHZ的高频电压（RF，radio frequency）时会产生数百微米厚的离子层（ion sheath），在其中放入试样，离子高速撞击试样而完成化学反应蚀刻，此即为RIE（Reactive Ion Etching）。因此为了得到高速而垂直的蚀刻面，经加速的多数离子不能与其他气体分子等碰撞，而直接向试样撞击。为达到此目的，必须对真空度，气体流量，离子加速电压等进行最佳调整，同时，为得到高密度的等离子体，需用磁控管施加磁场，以提高加工能力。我司提供多型号的RIE刻蚀系统，满足国内客户研究和生产的需要。 RIE 反应离子蚀刻设备参数: 1.铝材腔体或不锈钢腔体；2.不锈钢盒；3.可以刻蚀硅化物(~400 A/min)或金属； 典型硅刻蚀速率 400 A/min；4.射频源: 最大12”阳极化射频平板(RF)；5.真空度:大约20分钟内达到1E-6Torr,极限真空5E-7Torr；6.双刻蚀容量：RIE和等离子刻蚀；7.气动升降盖；8.手动/全自动装卸样品；9.预抽真空室；10.电脑控制11.选配ICP源和平台的低温冷却实现深硅刻蚀。 反应离子蚀刻系统可选配：1. 最高700W的高密度等离子源进行各向同性蚀刻(isotropic etching)；2. ICP等离子源，2KW射频电源及调谐器；3. 低温基底冷却(Cryogenic substrate cooling)；4. 终点探测(End point detection) ；5. 兰缪尔探针；6. 静电卡盘(Electrostatic chuck)；7. 附加MFC’s；8. 1KW射频电流源及调谐器；9. 低频电流源及调谐器； 深反应离子蚀刻系统(Deep Reactive Ion Etching System) RE系列反应离子蚀刻系统带有淋浴头式样的气体分配系统及水冷射频压盘，柜体为不锈钢材质。反应腔体为13英寸铝制、从顶端打开方便晶片装载取出，最大可进行8英寸直径样品实验，带有两个舱门：一个舱门带有2英寸视窗，另一个舱门用于终点探测及其他诊断。腔体可达到10-6 Torr压力或更高，自直流偏置连续监控、最大可达到500伏偏电压(各向异性蚀刻)。该反应离子蚀刻系统为完全由计算机控制的全自动设备。DRIE系列深反应离子蚀刻系统带有低温晶片冷却及偏置压盘，设备使用2kw 8英寸ICP源，使用500L/秒的涡轮泵，在10-3Torr压力范围运行。

用途：表面清洗活化表面蚀刻Tetra 8 RIE 产品特点：适用于8”以下样品的处理等离子蚀刻机，可实现快速且一致的样品表面刻蚀全局的工艺气体通过气浴进气实现了均匀的气体分布电极水冷确保了样品的温度不会偏高工业Windows控制系统，多段程序控制功能，实现一键蚀刻功能适合于研究院、高校、研发中心等使用，也可小批量生产

ICP 刻蚀机 ：高密度等离子蚀刻装置NE-550 特点：等离子密度与向基板入射的能量能够单独控制，因此Process window宽。均一性好。离子性蚀刻到radical性蚀刻都能都大幅度控制。构造简单，维护性能优越。来自半导体技术研究所的工艺支持体制。CS（Customer’s Support ）解决方案的综合服务体制。可选Cassette室，提高生产量。 丰富的Process Application：1.ISM: Inductively Super Magnetron有磁场ICP型2.ISM是可以由低电源得到稳定均一的放电，达到Damage最少的蚀刻。3.使用不挥发性材料的次时代memory‐Al2O3,磁性体，Pt, Ir, PZT, SBTO 等4.超高频率器件，光器件。‐绝缘膜，GaAs/AlGaAs(In),AlGaInP,InP,SiC,ZnSe, Sapphire，GaN，STO/Pt, Au/Pt, W, WSi, Ti, Mo, Ta, BCB, Polyimide，BST, STO5.各种传感器器件等Photo Nic结晶。6.MEMS(micromachine）

TRYMAX 等离子除胶机型号：NEO系列TRYMAX该公司主要提供半导体等离子清洗、去胶、活化设备。Trymax目前拥有半自动、全自动系列设备供用户选择，目前已有上百台设备安装在世界各地，被广泛地应用于MEMS微机电系统、微流体器件、SOI基片制造、先进封装、化合物半导体器件、功率器件和光电显示等领域。 一、设备工作原理 等离子体是物质的一种存在状态，该状态中存在下列物质：处于高速运动状态的电子；处于激活状态的中性原子、分子、原子团（自由基）；离子化的原子、分子；未反应的分子、原子等，但物质在总体上仍保持电中性状态。Trymax NEO Series就是通过利用这些活性组分的性质来处理样品表面，通过射频/微波电源在一定的真空条件下起辉产生高能量的无序的等离子体，通过等离子体轰击被清洗产品表面，从而实现清洁、改性、光刻胶灰化等目的。 二、Trymax NEO Series 应用 前道：Light Etching；Descum strip；PR Ashing；离子注入后，光刻后，镀膜前等工艺过程； 后道/先进封装/3D IC：Descum Bumping；MEMS；Plasma Treatment；Wafer Cleaning等。Trymax 先进等离子灰化和蚀刻 NEO300A/NEO200A系列平台 NEO200A系列平台是Trymax半导体设备行业领先的NEO系列先进灰化和蚀刻产品的最新成员。 它是一个全自动的单室系统，可配置任何现有的Trymax NEO工艺模块，并与直径达200mm的基板兼容。占地面积小的NEO200A配置有双盒式磁带。 • 特征 - 最大200 mm晶圆尺寸/基板尺寸 - 双盒式平台-3轴双臂机器人处理-4个不同的处理模块：• 下游微波（2.45 GHz）• 射频偏压（13.56MHz）• 双源（微波，射频偏压）• DCP（RF偏置，直接耦合等离子） - 优异的均匀性和可重复性 - 机械吞吐量 100wph - 紧凑的足迹 - 非常低的拥有成本 - 完全数字控制，Devicenet以太网 - 基于窗口的工业计算机 • 应用程序 - 阻挡条带-Descum处理 - 去除聚合物 - 邮寄高剂量植入带 - 氮化硅蚀刻应用-MEMS应用程序 - 封装加工（PR，PI，BCB，PBO）Trymax Semiconductor Equipment的NEO200系列先进等离子灰化/蚀刻系统是最新的光刻胶和蚀刻设备，以惊人的价格提供卓越的性能。专为最大200 mm基板应用而设计。 它配备了一个灵活的装载站，可配置用于处理最大200 mm的所有不同尺寸的基板。 NEO200系列集成了研究和设备制造商紧凑设计的所有要求，可实现最低的拥有成本。 • 特征 - 最大200 mm晶圆尺寸/基板尺寸 - 用于半自动晶圆传输的单个装载平台。-4个不同的处理模块：• 下游微波（2.45 GHz）• 射频偏压（13.56MHz）• 双源（微波，射频偏压）• DCP（RF偏置，直接耦合等离子） - 优异的均匀性和可重复性 - 紧凑的足迹 - 非常低的拥有成本 - 完全数字控制，Devicenet以太网 - 基于窗口的工业计算机 • 应用程序 - 阻挡条带-Descum处理 - 去除聚合物 - 邮寄高剂量植入带 - 氮化硅蚀刻应用-MEMS应用程序 - 封装加工（PR，PI，BCB，PBO）

美国Trion Technology等离子刻蚀、等离子刻蚀机反应式离子刻蚀(RIE/ICP)系统及沉积(PECVD)系统Trion始于一九八九年的等离子刻蚀与沉积系统制造商，Trion为化合物半导体、MEMS(微机电系统)、光电器件以及其他半导体市场提供多种设备。我们的产品在业内以系统占地面积小、成本低而著称，且设备及工艺的可靠性和稳定性久经考验。从整套的批量生产用设备，到简单的实验室研发用系统，尽在Trion等离子刻蚀机、等离子去胶机、RIE等离子刻蚀机、微波等离子去胶机、plasma stripper 等离子刻蚀机- 低损伤去胶系统新式去胶系统的成本已攀升到不合理水平，但Trion已通过两套价格低廉、紧凑的多功能系统使这一关键问题得到解决：Gemini和Apollo。利用ICP(电感耦合等离子)、微波和射频偏置功率，可以在低温条件下将难于消除的光刻胶去除。根据应用要求，每套系统可以结合SST-Lightning 微波源(既可靠又没有任何常见的微波调谐问题) 或ICP 技术。等离子刻蚀机刻蚀速率高达6微米/分 高产量等离子损伤低 自动匹配单元适用于100mm 到300mm 基片 设备占地面积小价格具竞争性 等离子刻蚀刻蚀/沉积　Titan是一套用于半导体生产的十分紧凑、全自动化、带预真空室的等离子系统包含：等离子刻蚀机、等离子去胶机、RIE等离子刻蚀机、微波等离子去胶机、plasma stripper

产品简介：PERI-RIE是韩国ULtech公司生产的一款基于反应离子刻蚀（RIE）技术的干法刻蚀系统。RIE是一项应用于精密加工的刻蚀技术，相比湿法刻蚀具有不同的优势。 主要参数：应用金属及介电材料刻蚀刻蚀材料SiO2, Si3N4, Si, Al, GaN, HfO2, Al2O3,石墨烯,…基底尺寸最大12英寸产能1 wafer/次源注入类型双离子束供电射频功率最大值2Kw@13.56MHz(带射频匹配网络)极限压力 5.0E-3 Torr压力控制自动压力控制(节流阀，气压计)气体输送SF6, CHF3, CF4, C4F8, BCl3,Cl2O2, Ar, He,…真空泵干泵或旋转泵控制器PC控制(UPRO软件)选项TMP,前置样品传送腔体（Loadlock chamber）系统尺寸(宽*深*高)800mm × 880mm × 1200mm 应用案例：Si3N4,Si,SiO2 etching Process data(RIE)

RIE反应离子刻蚀 SI 591 反应离子刻蚀机SI 591采用模块化设计，可满足III/V半导体和Si加工工艺领域的的灵活应用。 SENTECH SI 591可应用于各种领域的蚀刻工艺中，能够完成多种刻蚀加工。主要特点: 高均匀性和优重复性的蚀刻工艺 预真空锁loadlock 电脑控制操作 SENTECH高级等离子设备操作软件 数据资料记录 穿墙式安装方式 刻蚀终点探测 系统配置:平行板式反应线圈，13.56 MHz (600 W) 喷淋头式进气 预真空锁loadlock， 带有取放机械手 绝缘、冷却和加热电极(-25℃至80℃)，基底4"-8"直径，基底托架可支持小片材料和多晶圆。 PLC控制, PC

反应离子刻蚀机SAMCO RIE-10NR 简介：RIE-10NR是一种新型的低成本、高性能、全自动反应离子刻蚀系统，能够满足非腐蚀性气体化学最苛刻的工艺要求。计算机化触摸屏为工艺配方编程和存储提供了用户友好的界面。该系统可以实现精确的侧壁轮廓控制和材料之间的高蚀刻选择性。凭借其圆滑、紧凑的设计，RIE-10NR只需要很小的洁净室空间。 应用:硅、二氧化硅、氮化硅、多晶硅、砷化镓、钼、铂、聚酰亚胺等材料的腐蚀失效分析中的选择性层腐蚀。 主要功能和优点：1、加工至ø 220 mm（ø 3“x 5，ø 4”x 3，ø 8”x 1）。2、高选择性各向异性蚀刻满足严格的工艺要求全自动“一键式”操作。3、自动压力控制，允许独立于气流干泵和系统布局的过程压力精确控制，便于维护。4、于Windows的用户界面，丰富的配方和内置的数据记录功能，是一个可靠和持久的系统，全球安装了400多个系统。 主要参数规格：基板220 mm（ø 3“x 5，ø 4”x 3，ø 8”x 1）负载开放式上下电极ø 240 mm射频功率300瓦@13.56兆赫，自动匹配（500瓦为选项）可切换射频供电电极（阳极/阴极模式）为选项气体管道内部2条MFC控制的气体管道（最多6条）泵干泵（500升/分钟）操作系统触摸屏操作（可选择基于Windows的用户界面）、配方管理端点检测光学发射光谱（OES）作为一种选择尺寸500 mm（宽）x 920 mm（深）x 1501 mm（高）

RIE反应离子刻蚀 SI 591 反应离子刻蚀机SI 591采用模块化设计，可满足III/V半导体和Si加工工艺领域的的灵活应用。 SENTECH SI 591可应用于各种领域的蚀刻工艺中，能够完成多种刻蚀加工。主要特点: 高均匀性和优重复性的蚀刻工艺 预真空锁loadlock 电脑控制操作 SENTECH高级等离子设备操作软件 数据资料记录 穿墙式安装方式 刻蚀终点探测 系统配置:平行板式反应线圈，13.56 MHz (600 W) 喷淋头式进气 预真空锁loadlock， 带有取放机械手 绝缘、冷却和加热电极(-25℃至80℃)，基底4"-8"直径，基底托架可支持小片材料和多晶圆。 PLC控制, PC SENTECH高级等离子设备操作软件特性: 全自动/手动过程控制 Recipe控制刻蚀过程 智能过程控制，包括跳转、循环]调用recipe。 多用户权限设置 数据资料记录 LAN网络接口 Windows NT 操作软件选项: 增加气路 PE电极 外部反应腔加热 下电极温度控制(+20oC ... +80oC) 循环冷却器(5oC ... 40oC) CS化学尾气净化 Cassette到cassette操作方式 穿墙式安装 干涉式终点探测和刻蚀深度测量系统 在线椭偏测量(SE 401, SE 801)

TRYMAX 等离子除胶机型号：NEO系列TRYMAX该公司主要提供半导体等离子清洗、去胶、活化设备。Trymax目前拥有半自动、全自动系列设备供用户选择，目前已有上百台设备安装在世界各地，被广泛地应用于MEMS微机电系统、微流体器件、SOI基片制造、先进封装、化合物半导体器件、功率器件和光电显示等领域。 一、设备工作原理 等离子体是物质的一种存在状态，该状态中存在下列物质：处于高速运动状态的电子；处于激活状态的中性原子、分子、原子团（自由基）；离子化的原子、分子；未反应的分子、原子等，但物质在总体上仍保持电中性状态。Trymax NEO Series就是通过利用这些活性组分的性质来处理样品表面，通过射频/微波电源在一定的真空条件下起辉产生高能量的无序的等离子体，通过等离子体轰击被清洗产品表面，从而实现清洁、改性、光刻胶灰化等目的。 二、Trymax NEO Series 应用 前道：Light Etching；Descum strip；PR Ashing；离子注入后，光刻后，镀膜前等工艺过程； 后道/先进封装/3D IC：Descum Bumping；MEMS；Plasma Treatment；Wafer Cleaning等。Trymax 先进等离子灰化和蚀刻 NEO300A/NEO200A系列平台 NEO300A系列平台是Trymax半导体设备行业领先的NEO系列先进等离子灰化和蚀刻产品的最新成员之一。 它是一个全自动的单室系统，可配置任何现有的Trymax NEO工艺模块，并与直径达300mm的基板兼容。占地面积小的NEO300A配置有单个装载端口。 • 特征 - 最大300毫米晶圆尺寸/基板尺寸 - 桥梁工具能力200-300mm - 单个SMIF装载端口-3轴双臂机器人处理-4个不同的处理模块：• 下游微波（2.45 GHz）• 射频偏压（13.56MHz）• 双源（微波，射频偏压）• DCP（RF偏置，直接耦合等离子） - 优异的均匀性和可重复性 - 机械吞吐量 100wph - 紧凑的足迹 - 非常低的拥有成本 - 完全数字控制，Devicenet以太网 - 基于窗口的工业计算机 • 应用程序 - 阻挡条带-Descum处理 - 去除聚合物 - 邮寄高剂量植入带 - 氮化硅蚀刻应用-MEMS应用程序 - 封装加工（PR，PI，BCB，PBO）

产品详情德国Sentech 经济型反应离子刻蚀机(可升级)Etchlab200 经济型等离子刻蚀设备EtchLab 200 具备低成本效益高的特点，并且支持揭盖直接放置样片。EtchLab 200 允许通过载片器，实现多片工艺样品的快速装载，也可以直接快速地把样品装载在电极上。RIE等离子体刻蚀设备具备占地面积小，模块化和灵活性等设计特点。 商品描述： 低成本效益高RIE等离子蚀刻机Etchlab 200结合平行板等离子体源设计与直接置片。 升级扩展性根据其模块化设计，等离子蚀刻机Etchlab 200可升级为更大的真空泵组，预真空室和更多的气路。 SENTECH控制软件该等离子刻蚀机配备了用户友好的强大软件，具有模拟图形用户界面，参数窗口，工艺编辑窗口，数据记录和用户管理。 Etchlab 200 RIE等离子刻蚀机代表了直接置片等离子刻蚀机家族，它结合了RIE的平行板电极设计和直接置片的成本效益设计的优点。Etchlab 200的特征是简单和快速的样品加载，从零件到直径为200mm或300mm的晶片直接加载到电极或载片器上。灵活性、模块性和占地面积小是Etchlab 200 的设计特点。位于顶部电极和反应腔体的诊断窗口可以方便地容纳SENTECH激光干涉仪或OES和RGA系统。椭偏仪端口可用于SENTECH原位椭偏仪进行原位监测。 Etchlab 200等离子蚀刻机可以配置成用于刻蚀直接加载的材料，包括但不限于硅和硅化合物，化合物半导体，介质和金属。 Etchlab 200通过先进的SENTECH控制软件操作，使用远程现场总线技术和用户友好的通用用户界面。 Etchlab 200 RIE等离子蚀刻机开盖设计适用于200mm的晶片用于激光干涉仪和OES的诊断窗口选配椭偏仪接口 带真空室的 Etchlab 200 带预真空室的RIE刻蚀机适用于4英寸到8英寸的晶片小片或碎片的载片器氯基刻蚀气体更大的真空泵组 Etchlab 200-300 RIE等离子蚀刻机开盖设计适用于300mm的晶片用于激光干涉仪和OES的诊断窗口

上海伯东日本 Atonarp Aston™ 质谱分析仪无等离子体设计,可以实现快速, 化学特定的原位定量气体分析, 与光学发射光谱 OES 对比, Aston™ 质谱仪 的 OA% 灵敏度显示为 0.25%, 适用于半导体工艺中蚀刻计量控制, ALD, 3D-NAND 和新兴的堆叠式 DRAM.半导体蚀刻工艺挑战日益增加蚀刻是半导体制造中常用的工艺之一. 介电蚀刻用于形成绝缘结构, 触点和通孔, 多晶硅蚀刻用于在晶体管中创建栅极, 金属蚀刻去除材料以显示电路连接图案并钻穿硬掩模.连续蚀刻铝 Al, 钨, 铜 Cu,钛 Ti 和氮化钛 TiN 等工艺金属具有挑战性, 因为许多金属会形成非挥发性金属卤化物副产品（例如六氯化钨 WCl6）, 这些副产品会重新沉积在蚀刻侧壁上, 导致成品率降低（通过微粒污染或沉积材料导致短路）.随着半导体行业不断缩小关键特征尺寸并采用垂直扩展 (如 3D-NAND 存储器和全环绕栅极先进技术节点), 各种新的蚀刻挑战已经出现. 这些包括在晶圆上蚀刻更小的特征, 高展弦比 HAR 沟槽蚀刻 (具有小的开放面积百分比- OA%), 以及在新兴的非挥发性存储器和高 k介质中蚀刻金属闸极, 稀土金属等新材料. 对于先进的纳米级工艺, 如蚀刻到硅介质和金属薄膜, 选择性处理, 如原子层蚀刻 ALE 一次去除材料的几个原子层. ALE 提供了比传统蚀刻技术更多的控制. 对于 3D-NAND 和先进 DRAM 来说, 向批量生产过渡的重大挑战包括解决导体蚀刻困难的要求, 满足积极的生产斜坡和实现所需的吞吐量, 以推动成本效益.上海伯东日本 Atonarp Aston™ 质谱分析仪提供高性能, 嵌入式和可靠的原位定量分子气体计量已经成为验证工艺室和持续监测工艺化学过程的关键工具, 确保生产环境中的高产率和更大吞吐量.Aston™ 质谱分析仪提供全腔室解决方案使用上海伯东 Atonarp Aston™ 质谱仪通过实时, 定量和精确的分子传感器来解决半导体新兴蚀刻工艺技术相关的关键挑战. 通过解决传感器耐久性, 灵敏度, 匹配, 系统集成和易用性等方面的挑战, 日本 Atonarp Aston™ 质谱仪升级了传统的气体分析计量方法. Aston 是一种全室解决方案, 用于在各种工艺步骤中实时监测前体, 反应物和副产物.这些包括基准室和过程指证, 腔室清洁, 过程监测 (包括存在腐蚀性气体), 颗粒沉积和气体污染物凝结. 小的占地面积和灵活的通信接口允许在室内安装和集成到过程设备控制系统. 为了集成到半导体工艺工具中, Aston 质谱分析仪的高性能和可靠性设计用于生产晶圆的大批量生产过程控制.Aston™ 质谱分析仪半导体蚀刻计量控制半导体行业正从二维结构的扩展转向复杂三维结构的挑战性要求. 传统的离线晶圆测量已不足以实现性能和良率目标, 原位蚀刻测量传统上缺乏生产所需的鲁棒性和可重复性. Aston™ 质谱分析仪的结构中嵌入了专利技术, 使其具有卓越的分析和操作性能. 为了满足过程控制和跨工厂生产工具匹配的严格要求, Aston 从头开始设计, 高运行时间和低维护的吞吐量, 长期信号稳定性和可重复性.为了承受腐蚀和沉积过程的恶劣环境, Aston™ 引入了两个的功能: 等离子电离和自清洁 (ReGen™模式). 等离子体电离消除了由于与腐蚀性气体(如NF3, CF4, Cl2)的反应而导致的灯丝降解. 此外, 除去(正硅酸四乙酯) TEOS 等颗粒和蒸汽污染物沉积, 同时定期进行室内清洁循环, 延长了 Aston™ 质谱仪的使用寿命. ReGenTM 模式使仪器能够使用高能等离子离子清洗自身, 通过去除在膜沉积过程中可能发生在传感器和腔室壁上的沉积. 结合这两个功能, 传感器的灵敏度可维持在数百个RF(射频)小时的操作. Aston质谱仪支持的基于测量的控制, 有可能延长清洗间隔 MTBC 的平均时间. MTBC 的增加意味着工具可用性和长期吞吐量的增加. 除了等离子电离器(用于工艺), 传感器还配备了传统的电子冲击 EI 灯丝电离器, 用于基线和校准.分子传感器的分析级是使用微米级精密双曲电极的四极杆. 由高度线性射频(RF)电路驱动, Aston 质谱的HyperQuad 传感器在 2到300 amu的质量范围内具有更高的分析性能.Aston™ 质谱分析仪技术参数参数值质量分辨率0.8u质量数稳定性0.1u灵敏度(FC / SEM)5x10-6 / 5x10-4 A/Torr最低可检测的部分压力(FC / SEM)10-9 / 10-11 Torr检测极限10 ppb最大工作压力1X10-3 Torr每 u 停留时间40 ms每u扫描更新率37 ms发射电流0.4 mA发射电流精度0.05 %启动时间5mins离子电流稳定 ±1%浓度的准确性 1%浓度稳定±0.5%电力消耗350w重量13.7kg尺寸400 x 297 x 341mm高展弦比 HAR 3D 蚀刻随着多模式技术和 3D器件结构的出现, 高度密集的蚀刻和沉积过程驱动了计量需求. 3D多层膜栈, 如 NAND 存储架构, 代表复杂的, 具有挑战性的蚀刻过程, 具有关键的蚀刻角度, 统一的通道直径和形状要求, 尽管高蚀刻纵横比通道 100:1 是常见的. 对于 3D-NAND, 关键导体蚀刻过程包括阶梯蚀刻(下图)和用于垂直通道和狭缝的 HAR 掩模打开. 通过硝酸硅和氧化硅交替层蚀刻需要高速定量终点检测. 对于 DRAM, 蚀刻过程包括 HAR 门, HAR 沟槽和金属隐窝. 对于阶梯蚀刻, 关键是在整个 3D堆栈的每个介质膜对的边缘创建等宽的“步骤”, 以形成阶梯形状的结构. 在器件加工过程中, 这些步骤的大量重复要求蚀刻高吞吐量和严格的过程控制.多功能现场气体计量需要在一个工具中执行多种监测功能:• 检测和量化污染, 交叉污染, 气体杂质和工艺室内的工艺化学• 评估已开发的蚀刻过程在生产工具 / 运行的复杂功能上的性能• 测量刻蚀后的清洁 (包括先进的无晶圆自动清洁 WAC) 作为腔条件对于消除工艺漂移和确保可重复性性能是至关重要的• 快速准确的蚀刻端点检测 EPD, 通过等离子体或气体监测, 因为这是一个关键的控制功能. 举例包括一氧化碳 CO 副产物在介电蚀刻中下降或氯 Cl 反应物在多晶硅和金属蚀刻端点上升.• 全面的实时计量数据, 允许过程等离子体和反应物的动态腐蚀控制, 以管理要求的腐蚀剖面Aston™ 质谱分析仪无等离子体终点检测虽然光学发射光谱 OES 已被广泛用于蚀刻 EPD, 但低开放面积 OA 和 HAR 设计的趋势使其在许多蚀刻任务中无效. OES 技术需要等离子体'开'和发光物种. 随着昏暗和远程等离子体越来越多地用于 3D设备和原子水平蚀刻 ALE 工艺, 需要更多敏感的数据和分析技术来实现迅速和确定的 EPD. 此外, 脉冲等离子体通常用于管理 HAR 和 低 OA% 工艺的蚀刻剖面, 这使得 OES 对于 EPD 来说是一个不切实际的解决方案. 在3D 结构中, 多层薄膜和多个接触深度阻碍了每一行触点到达底部时端点的光学发射信号的急剧步进变化其他 OES 限制包括:• 在电介质蚀刻中, 在 OA 5% 的模式上进行 EPD一直具有挑战性, 因为 OES 在低浓度下具有低信噪比.在高压Si深蚀刻(例如博世工艺)中, 要求 OA% 的 EPD低于 0.3%, OES 中较大的背景噪声水平抑制了对发射种数量的任何变化的检测.• 在金属蚀刻中, OA% 可能低于10%, 这取决于所涉及的互连尺寸. 对于接触和通过蚀刻, OA 可以在0.1-0.5%之间或更低, 这取决于所涉及的特征的大小. 在钨 W 蚀刻的情况下, 随着 OA的减小, 氯 Cl 反应物的消耗减少, 由于材料运输到 HAR 蚀刻特征, 蚀刻趋于放缓. 这两个因素都降低了反应气的消耗率. 因此, 由于等离子体中反应物的耗尽, 很难看到在终点处 OES信号的显著变化.Aston™ 质谱仪可以利用蚀刻反应物和 EPD 的副产物. 此外, Aston 能够在小的, 有限体积的传感器上运行周期性清洗, 以保持其性能(灵敏度), 在延长晶圆运行次数的情况下获得更大的正常运行时间. 然而, OES 要求在腔室上有一个需要保持清洁的访问窗口，以获得足够强度的稳定信号。通常，加热石英窗用于减缓工艺产品的堆积. 使用 Aston™质谱分析仪，在低浓度下的检测不受等离子体发射的背景光谱的影响, 也不受射频功率脉冲期间等离子体强度波动的影响.图 3a/3b 显示了 CO+和 SiF3 +的副产物 OA%下降到0.25%的电介质腐蚀EPD数据数据清楚地显示了线性行为和在低浓度下的检测不受等离子体发射的背景光谱影响. Aston 质谱的 ppb 灵敏度是针对 0.1%以下的 OA性能.原子级蚀刻 ALE在三维结构中, ALE 过程中的逐层去除需要脉冲射频电源来控制自由基密度和较低的离子能量, 以减少表面损伤和保持方向性. 在这样的光源中, 等离子体的整体光强较低, 并表现出波动幅度. 通常等离子体离晶圆区很远(距晶圆区25厘米), 而且等离子体激发的副产物很少, 使得光学测量不切实际.在 ALE中, 由于每个周期都是自我限制的, 端点检测可能不那么重要. 然而, 在缺乏气体分析的情况下, 工艺工程师对监测腔室和工艺健康状况“视而不见”, 因为无法看到化学状态, 特别是在工艺步骤 (吸附/净化/反应/净化) 之间过渡时的动态状态, ALE 的自限性并不能使它不受过程漂移的影响. 此外, 由于 ALE 不是基于等离子体的, 因此过程中的化学变化不一定可以通过等离子体监测检测到.有一种误解, 认为 ALE 技术实际上是一次一个原子层 相反, 它们每循环的去除/沉积量可能比单分子膜多一点(或少一点). 由于真空泵性能, 晶圆温度或离子轰击能量 (电压) 的变化分别导致表面饱和度和表面反应性的变化, 工艺移位(Å/周期的变化)可能发生.在 ALE (下图)中,由于等离子体的使用不一致, 化学监测方面的差距就不那么明显了. 在这种情况下, Aston™ 质谱仪具有以下优点:• 在每个工艺步骤中建立一个腔室化学状态的指证. 这可以参照其自身的正常行为, 也可以参照标准腔• 描述和监控与化学变化相关的动态过程中, 从一个步骤过渡到下一个步骤• 监测在 ALE 循环第一步之后从系统中清除吸附物质的时间. 等离子体通常用于产生吸附物质(自由基), 但它是在远离晶圆片的地方产生的• 监测 ALE 循环第二步反应产物的变化. 等离子体光强通常较低, 因为它使用了低占空比的脉冲射频• 监测反应产物和反应物在ALE循环第二步后被净化的时间结论原子级蚀刻只能使用像上海伯东日本 Atonarp Aston™ 质谱仪这样的分子传感器进行真正的测量和监测. 它的高灵敏度, 速度和对等离子体强度变化的低敏感性产生可靠的定量测量, 即使在低浓度的反应物和副产物, 具有低于1% 水平的高精度, 可以监测微妙的过程漂移和过程变化效应, 提供了可用于机器学习模型的见解.利用其高扫描速度, 通过监测反应产物减少的时间来实现步进时间优化, 因为它是表面反应活性变化的指示, 增加了总体吞吐量.ALE 是先进的蚀刻技术, 上海伯东 Aston 质谱仪为 ALE 提供了先进的化学计量技术, 可以测量和控制反应及其持续时间, 为大批量生产提供了可靠的解决方案.若您需要进一步的了解 Atonarp Aston™ 在线质谱分析仪详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：上海伯东: 罗先生

CIF推出RIE反应离子刻蚀机，采用RIE反应离子诱导激发方式，实现对材料表面各向异性的微结构刻蚀。特别适合于大学，科研院所、微电子、半导体企业实验室进行介质刻蚀、硅刻蚀、金属刻蚀等方面研究。使用成本低，性价比高，易维护，处理快速高效。适用于所有的基材及复杂的几何构形进行RIE反应离子刻蚀。具体包括：u 介电材料（SiO2、SiNx等）u 硅基材料（Si，a-Si，poly Si）u III-V材料（GaAs、InP、GaN等）u 溅射金属（Au、Pt、Ti、Ta、W等）u 类金刚石（DLC） 产品特点：u PLC工控机控制整个清洗过程，全自动进行。u 7寸彩色触摸屏互动操作界面，图形化操作界面显示，自动监测工艺参数状态，0~99配方程序，可存储、输出、追溯工艺数据，机器运行、停止提示。u 手动、自动两种工作模式。u 全真空管路系统采用316不锈钢材质，耐腐蚀无污染。u 采用防腐数字流量计控制，标配双路气体输送系统，可选多气路气体输送系统，气体分配均匀。可输入氧气、氩气、氮气、四氟化碳、氢气或混合气等气体。u 具备HEPA高效过滤气体返填吹扫功能。u 符合人体功能学的60度倾角操作界面设计，操作方便，界面友好。u 316不锈钢、航空铝真空仓选择。u 采用顶置真空仓，上开盖设计，下压式铰链开关方式。上置式360度水平取放样品设计，符合人体功能学，操作更方便。u 有效处理面积大，可处理z大直径200mm晶元硅片。u 安全保护，仓门打开，自动关闭电源。技术参数型号RIE200RIE200plus舱体内尺寸H38xΦ260mmH38xΦ260mm舱体容积2L2L射频电源40KHz13.56MHz电极不锈钢气浴RIE电极，Φ200mm不锈钢气浴RIE电极，Φ200mm匹配器自动匹配自动匹配刻蚀方式RIERIE射频功率10-300W可调（可选10-1000W）10-300W可调（可选10-600W）气体控制质量流量计（MFC）（标配双路，可选多路）流量范围0-500SCCM（可调）工艺气体Ar、N?、O?、H?、CF4、CF4+ H2、CHF3或其他混合气体等（可选）z大处理尺寸≤Φ200mm时间设定1-99分59秒真空泵抽速约8m3/h气体稳定时间1分钟极限真空≤1Pa电 源AC220V 50-60Hz，所有配线符合《低压配电设计规范 GB50054-95》、《低压配电装置及线路设计规范》等国标标准相关规定。 当等离子蚀刻应用涉及使用氧气作为工艺气体时，出于安全原因，强烈建议使用Edwards爱德华真空泵 RV3双级旋片泵或类似的合成油旋转机械泵。因为Edwards爱德华RV3双级旋片泵在泵科学应用方面已成为行业标准。当然，在需要避免使用油基旋转机械泵的地方，也可选择干式真空泵。

AXIC基准800蚀刻和沉积具有成本效益的等离子体处理系统，用于反应离子蚀刻和/或等离子体增强化学气相沉积Axic公司的基准800等离子体处理系统在RIE和PECVD等离子体处理系统中定义了一个新概念。该系统基于模块化设计，从通用腔室和机柜单元开始，具有Planar, RIE和PECVD电极模块，可轻松安装到腔室单元中。我们相信您会发现基准800-II的易用性，各种等离子工艺，可维护性和有吸引力的价格是市场上任何其他等离子产品所无法超越的。系统描述在等离子体加工的研究和发展中，一直非常需要一种高度通用和可靠的工具。随着等离子体研究需求的不断变化，所选择的系统必须提供最广泛的工艺参数，工艺验证的高度可重复性，并且必须易于修改以满足新的工艺要求。我们相信BenchMark 800系列干法处理系统可以满足这些非常苛刻的要求。BenchMark 800是一种等离子体工具，用于研究、工艺开发或小批量生产，可在直径达8英寸的基板上进行精确蚀刻和沉积。该系统可以在批处理或单片模式下运行。在设计基准800时，主要指令是创建一个系统，该系统结合了专用生产导向系统的质量，可靠性，可重复性和过程控制能力，同时大大降低了成本，维护和占地面积要求。BenchMark 800-II独特的机柜和电极设计可以轻松安装在层流模块或洁净室中。经过验证的高质量组件、模块化子组件、通用腔室和电极设计、紧凑的尺寸、自动化和经过现场验证的工艺配方，使Axic公司的BenchMark 800成为等离子工程师的“首选系统”。特性单件式室结构原位电极间距(PECVD版本)可更换的气体淋浴喷头经过验证的工艺配方战地组件端点检测(选项)多种电极配置自动射频匹配下游压力控制(可选)计算机控制与Windows编程多种泵送选择:机械，机械/鼓风机，涡轮单室和双室版本

这款蚀刻和清洁系统专为满足当今晶圆、光掩模和基板的前沿应用的特殊工艺需求而设计。这款高效的蚀刻和清洁系统CESx124、126、128或133是理想选择，可满足不同大小尺寸的晶片、光掩模和衬底，不论是从小直径还是非常大直径。CESx可以配置多种工艺分配选项，Megasonic喷嘴对DI H20或化学药品的处理分配选项；用于化学制剂的低压喷嘴；化学加热器和DI-H20；用于表面搅拌以加快反应的刷子，和/或DI H20等。特点：• 专为重要控制和安全而设计的系统。• 多达9x9英寸/ 300mm直径的基板兼容性。• 主轴组件具有直流无刷伺服电机，可实现精确的速度控制和分度。• 特氟龙涂层不锈钢臂可调节臂速度和行进位置。• 径向排气腔，用于最大层流，盖子顶部有N2进料。• DI-H20加热器，用于清洁和干燥辅助。• 过程中包含化学相容性材料PVDF或可选的PTFE。• 独立式聚丙烯柜。• 微处理器控制功能可以在存储器中保留三十（30）步的配方，每个配方有三十（30）步。配方和步骤的数量均可根据要求扩展。• 内置安全联锁和双重控制。• 用联锁装置冲洗整个工艺区域和基材的pH值，以禁止进入工艺区域并控制排放和主轴转速直到安全。• 按钮盖打开/关闭。• 触摸屏图形用户界面（GUI），易于编程和安全锁定，并带有屏幕错误报告。• 用于化学和房屋排水的排水分流阀。• 设计符合SEMI S2 / S8准则。技术参数：• 产品：蚀刻和剥离系统• 型号：CESx124• 可用机械臂：4• 最大基板尺寸：13英寸直径• 最大主轴速度：2500• 配方：高达30• 分配管路：12主营产品：Laurell匀胶机Harrick等离子清洗机Thetametrisis膜厚仪Microxact探针台ALD原子层沉积系统TRION反应离子刻蚀机Uvitron紫外固化箱NXQ紫外曝光光刻机Novascan紫外臭氧清洗机Nilt纳米压印机Wenesco/EMS/Unitemp/NDA加热板Annealsys高温退火炉Kinematic程序剪切仪Laurell EDC系统，湿站系统Wabash/Carver自动压片机

这款蚀刻和清洁系统专为满足当今晶圆、光掩模和基板的前沿应用的特殊工艺需求而设计。这款高效的蚀刻和清洁系统CESx124、126、128或133是理想选择，可满足不同大小尺寸的晶片、光掩模和衬底，不论是从小直径还是非常大直径。CESx可以配置多种工艺分配选项，Megasonic喷嘴对DI H20或化学药品的处理分配选项；用于化学制剂的低压喷嘴；化学加热器和DI-H20；用于表面搅拌以加快反应的刷子，和/或DI H20等。特点：• 专为重要控制和安全而设计的系统。• 多达9x9英寸/ 300mm直径的基板兼容性。• 主轴组件具有直流无刷伺服电机，可实现精确的速度控制和分度。• 特氟龙涂层不锈钢臂可调节臂速度和行进位置。• 径向排气腔，用于最大层流，盖子顶部有N2进料。• DI-H20加热器，用于清洁和干燥辅助。• 过程中包含化学相容性材料PVDF或可选的PTFE。• 独立式聚丙烯柜。• 微处理器控制功能可以在存储器中保留三十（30）步的配方，每个配方有三十（30）步。配方和步骤的数量均可根据要求扩展。• 内置安全联锁和双重控制。• 用联锁装置冲洗整个工艺区域和基材的pH值，以禁止进入工艺区域并控制排放和主轴转速直到安全。• 按钮盖打开/关闭。• 触摸屏图形用户界面（GUI），易于编程和安全锁定，并带有屏幕错误报告。• 用于化学和房屋排水的排水分流阀。• 设计符合SEMI S2 / S8准则。 技术参数：• 产品：蚀刻和剥离系统• 型号：CESx124• 可用机械臂：4• 最大基板尺寸：13英寸直径• 最大主轴速度：2500• 配方：高达30• 分配管路：12 主营产品： Laurell匀胶机 Harrick等离子清洗机Thetametrisis膜厚仪 Microxact探针台ALD原子层沉积系统TRION反应离子刻蚀机Uvitron紫外固化箱NXQ紫外曝光光刻机 Novascan紫外臭氧清洗机Nilt纳米压印机Wenesco/EMS/Unitemp/NDA加热板Annealsys高温退火炉Kinematic程序剪切仪Laurell EDC系统，湿站系统 Wabash/Carver自动压片机

Diener等离子表面处理设备 德国原装进口德国Diener是专门生产经济、可靠的等离子清洗和等离子刻蚀设备的公司, 是世界上材料处理低温等离子体设备的市场和技术领先者。Diener采用先进的集成化技术开发生产射频频率为40KHz 、80KHz、13.56MHz，以及代表等离子应用先进技术的2.45GHz的等离子清洗机。目前设备广泛应用于：等离子清洗、刻蚀、灰化、涂镀和表面处理。产品主要分布在真空电子、LED、太阳能光伏、集成电路、生命科学、半导体科研、半导体封装、芯片制造、MEMS器件等领域。其设备生产零件均选用其零件行业的优质产品，以保证性能技术稳定。 德国diener等离子表面处理设备特点：等离子清洗机清洗效果好，效率高，应用范围广。对清洗样品，没有任何材质、外观尺寸等要求 等离子清洗过程中，温升很小，基本可达到常温处理。射频功率无极连续可调。 高效的特制电极，是产生均匀等离子体的保证。特制电极和托盘结构，可充分利用真空舱体内部空间，使处理效率最大化，同时也可保证样品可得到全面有效的清洗。 特有的过载、短路和过热保护电路，可保证射频电源的稳定和安全。设备整体模块化设计，安装与维护极为简单。德国diener等离子表面处理设备的应用范围： 清洗电子元件、光学器件、激光器件、镀膜基片、芯片。 清洗光学镜片、电子显微镜片等多种镜片和载片。 移除光学元件、半导体元件等表面的光阻物质。 清洗ATR元件、各种形状的人工晶体、天然晶体和宝石。 清洗半导体元件、印刷线路板。 清洗生物芯片、微流控芯片。 清洗沉积凝胶的基片。 高分子材料表面修饰。 牙科材料、人造移植物、医疗器械的消毒和杀菌。 改善粘接光学元件、光纤、生物医学材料、宇航材料等所用胶水的粘和力。 煤、石棉灰化。 Diener Plasma 低压/真空等离子表面处理/清洗/蚀刻机 Tetra100 主要技术参数：基本配置：根据具体组件/选装件，外壳规格会有所不同腔室容积：根据具体版本，分为 80 - 100 升供电电源： 230 V 或者 400 V / 3 相位气源质量流量控制器 (MFCs)真空腔室圆形不锈钢件，配有铰链的门（约 ? 400 mm、长 625 mm）矩形不锈钢件，配有铰链的门（约宽 400 mm x 高 400 mm x 深 625 mm）装载件产品支架（选项：水冷型）、石英玻璃舟皿、粉末转鼓、散装件转鼓、铝板、不锈钢板、硼硅玻璃、石英玻璃电极单层或多层具有气体喷淋的 RIE 电极控制系统PCCE 控制系统 (MicrosoftWindows CE)PC 控制系统 (Microsoft Windows POS Ready 2009)压力测量PiraniBaratron（适用于腐蚀性气体版本）计时器数字型发生器频率： 40 kHz: 功率 0 - 1000 W；0 - 1500 W；0 - 2500 W13.56 MHz: 功率 0 - 300 W；0 - 600 W；0 - 1000 W2.45 GHz: 功率 0 - 1200 W所有发生器均为 0 - 100% 无级可调型真空泵规格和制造商均各有不同（按照活性炭过滤器的需要）其他选项备件套件、压力计、腐蚀性气体设计结构、气瓶、减压器、加热板、温度显示器、加热型腔室、Faraday Box、等离子体聚合配件、测试墨水、 氧气发生器、慢速通风装置、慢速抽吸装置、TEM样品架法兰、维护/服务、当地语言的文件、现场安装，包括培训。可应要求提供的其他选项。 上海尔迪仪器科技有限公司 中国总代理

1.新品反应时测定仪/反应时检测仪/亚欧反应时测定仪 型号H17847 心理 从刺激呈现到反应开始之间的时间间隔叫反应时。反应时是心理学测验的一个重要指标，可以反映出心理过程简单或复杂的程度，也可以反映出不同的熟练程度及记忆、遗忘程度，也是思维敏捷性的一种表现。反应时测定可作为技能训练和人才选材的一种测量方法。 反应时测定仪可进行选择反应时、辨别反应时、简单反应时的测定工作。其不仅可用于心理学教学科研实验，也可广泛应用于多种行业的职业能力测定和人员培训。仪器采用计算机技术，刺激按程序自动呈现，操作简便，主要技术指标：1. 反应时间: 0.0001--9.9999 秒, 五位数字显示；2. 刺激:(7) 简单反应时: 声音、红光、黄光、绿光、蓝光任选一种；(8) 辨别反应时: 红光、黄光、绿光、蓝光任选一种；(9) 选择反应时：红光、黄光、绿光、蓝光 随机自动呈现；3. 彩色光源:四种不同颜色光出自后面板中央同一个孔, 其直径: 35mm；4. 刺激呈现最大时间: 1 秒；5. 反应键: 红、黄、绿、蓝四个键组成被试反应键键盘，简单反应时仅用红键；6. 反应错误或过早反应, 错误警告声响, 并计错误次数, 最大错误次数 99 次，2 位数字显示；7. 反应休息间隔：选择反应时、辨别反应时测定: 1.5 秒；简单反应时测定: 2--7 秒随机变化；8. 实验次数设定:10--90 次（每档 10 次）或者不限，最大反应次数: 255 次；9. 实验结束，显示平均反应时，对于选择反应时可分别显示４种刺激光的平均反应时；10. 测试结果数据输出接口：串口，波特率 1200。可选购微型打印机或数据采集软件或 U 盘数据采集器。2.金属相图（步冷曲线）实验装置 金属相图实验装置 型号HAD-X3D8 1.热电偶测温范围/分辨率：室温~1200℃/0.1℃2.加热功率：2000W，保温功率：50W3.升温速率：0~50℃/分钟可调*4.加热选择：2/4/6/8路，测量选择1-8路任意5.显示：8通道液晶全部显示6.倒计时100秒可调记时显示，声音报警*7.配套专业正版软件*8.自动拐点识别功能 3.片剂硬度仪/片剂硬度测试仪 型号:HAD-YD1标准：JB/T20104 片剂硬度仪是用于测量片剂的压碎硬度。适用标准：JB/T20104-2007 技术指标:△ 硬度测试范围：2-200N 0.2KG-20KG △ 分辨率：0.1N 0.01Kg△ 硬度测量精度：量程±0.5%△ 片剂测试直径：2-20mm△ 整机功率：10W△ 外形尺寸：长*宽*高（280mm *180mm *110mm） 4.便携式静态电阻应变仪 型号：HAD-2101A4 HAD-2101A4概述该仪器属于智能型仪表。内部含单片微处理系统。具有峰值保持功能、测试数据存储功能、调用显示功能；可广泛应用于土木工程、桥梁、机械结构的实验应力分析，结构及材料任意点变形的应力分析。配接压力、拉力、扭矩、位移和温度传感器，可对上述物理量进行测试。因此该系列仪器在材料研究、机械制造、水利工程、铁路运输、土木建筑及船舶制造等行业得到了广泛应用。 HAD-2101A4优点1．本仪器具有很高的输入抗阻，直流电桥供电，适配以微弱信号输出的应变式各种传感器，特别适合放大应变电桥输出。目前建筑工程检测，质量控制中所使用的力、应力、位移、温度等传感器，正是这种弱信号输出的传感器。用本仪器计量正相匹配。也适合其他行业用于此目的的计量检测。 2．本仪器采用 ARM处理器，高密度贴片元件及锂电供电方式，使仪器更加轻便、可靠、省电，室内，室外都可使用，特别适合野外没有电源的工地现场进行工程质量检测。3．本仪器采用超低漂移和超低失调集成电路线性放大器，具有自动稳定零点和极低的温度效应特点，从而保证仪器有千分之一的测量精度。即使在长期或恶劣的环境条件下，也能使测量结果稳定、可靠，保证很高的重复性。4．本仪器 可根据实验要求对仪器各测点的参数进行单独设定或统一设置，并且能够同时实现应变（应力）、拉压力、位移三种物理量（με/kN/mm）的测试，测量窗口直接显示测量值无需进行折算。配套采集分析软件，具有数据采集、T-Y图、X-Y图、棒图显示、应变花应变分析等强大的软件分析功能。本仪器操作简便，短时间即可掌握使用技术，采用全铝合金机箱，美观大方；信号输入使用高性能、高可靠性接线端子和专用航空接插件。 HAD-2101A4技术指标1、主机测点：4点2、测量单位：με，kN，mm3、测量范围：应变 0~±38000με；位移 10~±500mm；拉压力 适配1~10000kN测量范围的拉压力应变传感器4、零点不平衡范围：±38000με5、分辨率：应变：1με；拉压力及位移：0.01%/F.S6、平衡方式：自动扫描平衡7、扫描速度：4点/20毫秒8、灵敏度设置范围：应变片灵敏系数设定范围 0.01~9.99；传感器灵敏度系数设定范围1000-9999με∕FS（单点设置，统一设置）9、供桥电压：DC 2V10、适用桥路电阻：60~1KΩ11、显示窗口：112、显示方式：8位LED——2位测点序号、6位测量值13、组桥方式：1/4桥、半桥、全桥14、零点漂移：±3με/4小时；±1με/℃15、峰值保持：有16、精度：0.1%17、非线性：±0.02%F.S18、测量功能：峰值保持、数据存储、数据回放19、数据存储容量：100页（4通道数据∕页）20、工作模式：本机自控/计算机外控21、计算机接口：USB2.022、工作环境：温度-15~45℃；湿度小于85%（不结露）23、电源：内置高容量锂电池（DC 7.4V工作约8小时）24、机箱：高强度铝合金屏蔽便携式机箱（配机箱包）25、外形尺寸(mm): 116×200×36(宽×深×高)26、重量：约1. 5kg 5.磁导率指示器 磁导率指示仪 磁导率检测仪 型号：HAD-8磁导率检测仪器时一款简单易弄且在实验室广泛应用的仪器。“GO”和NO-GO”型菜单在不锈钢、锰钢和各种焊接材料得磁性可以即时检测。该仪器无需调整无需专业学习且读数不受环境使用环境影响。在各类板材片材等各种形状产品产品上测量均能达到较好测量效果。在测量各种高低磁导率的产品都有较好的效果。该仪器广泛应用于实验室产品研发和现场测试。操作和使用说明：产品重3oz，5英寸机身让操作者感觉非常舒适。各种接口配置放置在一个美观的木箱子里。测量数据符合SEV-ENG-96001和 MIL-I-17214B规格。产品设计由一个互相吸引的一种永久性磁铁棒和一个标准磁型校准片。在使用方面，样品就被吸引到探头通过一定压力粘结在一起，最后样品的测量从箱体底部到再次接触探头从而被测量。指针指示从一个数值到稳定当接口垂直于接触样品表面。如果这个样品的磁导率高于校准产品的磁导率，探头会脱离样品，磁导率指针会反向拨动。如果被测材料的渗透率较低，磁铁将脱离接触材料，磁导率仪器指针会正向拨动。产品的磁导率根据此原理被测量。各种已知磁导率的校准磁导体可以被选择购买，已知磁导率校准磁导体包括1.01 Mu1.02 Mu1.03 Mu1.04 Mu1.05 Mu1.06 Mu1.08 Mu1.09 Mu1.10 Mu1.15 Mu1.20 Mu1.30 Mu1.40 Mu1.50 Mu1.60 Mu1.80 Mu1.90 Mu2.00 Mu2.20 Mu2.50 Mu3.00 Mu3.50 Mu4.00 Mu4.50 Mu5.00 Mu5.50 Mu6.00 Mu。每个标准磁导率测试仪包括2-4个已知数值校准磁导体。额外订购校准磁导体需要付费，所有磁导体需要结合主机进行校准，当需要订购相关数值磁导体时，请确认该磁导体符合实际使用需求。仪器发货时候会附一份校准报告，显示出厂校准数值和客户需要得数值，已经购买得磁导体测试仪配合新得接口需要重新校准。 6. 标准：GB/T 13255结晶点仪 型号：HAD-13255一、产品执行标准：GB/T 13255-2009。二、技术条件1．工作电源：AC220V±10%；50Hz。2．工作冷槽：双层真空玻璃杜瓦瓶。3．冷槽控温：+80℃～-30℃。4．显示精度：±0.1℃。5．测量精度：±0.1℃。6．试样搅拌：60r/min7．浴液搅拌：搅拌电机自动搅拌，功率6W，1200r/min。8．制冷系统：压缩机制冷。9．环境温度：≤30℃；相对湿度：≤85%。10．整机功耗：不大于2000W。11．数码控温7.人体形体测量尺/人体形态测量尺/马丁测量仪 型号:HAD-LI人体形态测量尺适用于人体各肢体长度、宽度、围度等形态指标的测量。包括：长马丁尺、中马丁尺、短马丁尺、直脚规、指间距尺、游标卡尺、围度尺和足长测量仪。长马丁尺规格：130厘米。精度：±0.1厘米。用于测量下肢长等。 中马丁规格：100厘米。精度：±0.1厘米。用于测量上肢长、上臂长、前臂长和手长等 短马丁尺规格：70厘米。精度：±0.1厘米。用于测量大腿长、小腿长和跟腱长等。直脚规规格：70厘米。精度：±0.1厘米。用于测量肩宽、骨盆宽、胸宽和胸厚等。游标卡尺规格：20厘米。精度：±0.1豪米。用于测量手宽、足宽、肱骨和股骨的远端宽等。围度尺规格：150厘米。精度：±0.1厘米。用于测量胸围、腰围、臀围、上下肢体围度等。足长测量仪规格：40×16×6厘米。精度：±0.1厘米。用于测量足长等指间距尺规格：最大测量长度110厘米，加上加长杆后最大测量长度220厘米。精度：±0.1厘米。测量臂伸，身长、指间距（臂展）包装箱：137×28×15cm 10公斤 8.土壤腐蚀野外组合测试仪/土壤腐蚀性测试仪 型号:HAD-TFY-2 一、仪器特点 该测试仪根据土壤腐蚀与防护野外测试工作多年的经验，将所需要用的三十种五十六个各类仪表、电极、试剂、用具等加以重新设计和组合，使之小型化，并且处于随时可用的工作状态，组装在两只小型测试箱中。便于携带到野外，现场完成与土壤腐蚀与防护有关的十个项目的分析和测试。方法合理，数据可靠，灵活便捷。二、性能指标 土壤电化学测定： 1、土壤电阻率的测定： 精度 0.1 Ω/m 2、土壤中金属腐蚀电位的测定： 精度 ± 1 mV 3、土壤电位梯度的测定： 精度 ± 0.1 mV/m 4、土壤氧化还原电位的测定： 精度 ± 2 mV 5、土壤pH的测定： 精度 0.02 pH 土壤理化性质测定： 6、土壤含水量的测定： 精度 0.1 ％ 7、土壤容重的测定： 精度 0.02 g/m3 8、土壤总孔隙度的测定： 精度 0.6 ％ 9、土壤含气率的测定： 精度 0.6 ％ 10、土壤硫化物的测定： 精度 0.1 ppm 另：土壤质地的现场鉴别；野外土壤剖面描述及样品采集。 9.微生物气溶胶发生器 型号:H27661雾化室、喷雾嘴、喷雾帽 H27661 微生物气溶胶发生器 特点：发生器其结构是一盛有液体的雾化室、喷雾嘴、喷雾帽。在喷嘴上端有一微型喷孔，气流经此速度变快，利用喷射气流将液体喷射出，形成微生物气溶胶由上部的弯管向外散出。主机采用的活塞式压缩机，具有免维护、噪声低、寿命长、操作方便、雾化强劲、雾化微粒超细、更容易气溶胶扩散等特点。H27661 微生物气溶胶发生器 应用： 微生物气溶胶发生器适用于实验空气微生物学中的微生物气溶胶发生。常用于微生物气溶胶动物感染的剂量，微生物气溶胶存活的回收率，气溶胶示踪剂的研究，人体气雾免疫的剂量，空气消毒剂和消毒器的灭菌效果，滤材和滤器的阻留效果等实验中的微生物气溶胶产生。H27661 微生物气溶胶发生器 组成： 微生物气溶胶发生器是由发生器、主机及三角架组成。 H27661 微生物气溶胶发生器 技术参数： 储液量：20 ml 雾化量：0.3 ml/min 雾化颗粒：3.2 μm 电源：~220V 50HZ 输入功率：100VA 10快速水分仪，红外水分仪,水分测定仪 型号:MA35 产品属性 方法 IR-烘干/ 金属弯管加热器量程 35 g可读性 1 mg 通用技术条件 最大量程 35 g称重系统精度 1 mg带EC型式批准证书 否初始样品重量大约1g +/- 0,2初始样品重量大约5g +/- 0,05可读性 0.01 %测量结果显示模式 % 水份，%干重（固体），% 比值，g 残渣加热温度范围和设定 40°C - 160°C, 增量 1℃加热模式 标准加热分析方法 全自动，定时 1x0.1-99 min 以上参数资料与图片相对应

英国Oxford 反应离子刻蚀机PlasmaPro 800 RIE 概述：PlasmaPro 800系列是结构紧凑、且使用方便的直开式系统，该系统为大批量晶圆和300mm晶圆上的反应离子蚀刻（RIE）工艺提供了灵活的解决方案。大尺寸的晶圆平台能够处理量产级别的批量以及300mm晶圆的工艺。 高性能工艺准确的衬底温度控制准确的工艺控制成熟的300mm单晶圆失效分析工艺 选项PlasmaPro 800 PECVD旨在生产高质量的均匀介质薄膜。PECVD 中的应力控制是由可选的或者混合的高/低频等离子体源提供的, 使通过调整工艺得到具有张应力，压应力或者低应力的沉积薄膜成为可能。PlasmaPro 800 RIE/PE：在同一设备上结合了RIE的各向异性和 PE模式刻蚀的高选择性。PlasmaPro 800 RIE：成熟的干法刻蚀广泛应用于整个工业领域。 特征：为化合物半导体、光电子和光子学应用提供了大的工艺灵活性，PlasmaPro 800 可提供：大型下电极 - 低成本刻蚀终点监测 - 可靠性和可维护性俱佳通过激光干涉仪与/或发射光谱进行终点监测 - 增强刻蚀控制可选择带有4-、8-或12-条气路的气柜 - 可提供灵活的工艺和工艺气体，可以与主机分离，放置在远端服务区近距离耦合涡轮泵 - 提供优越的泵送速度加快气体的流动速度数据记录 - 追溯腔室的历史状态以及工艺条件液体冷却和/或电加热电极 - 出色的电极温度控制和稳定性 应用：使用我们的具有特殊配置的失效分析设备进行干法刻蚀解剖工艺 —— 具有RIE和 PE两种模式RIE／PE工艺涵盖了从封装好的芯片和裸芯片到整片300mm晶圆刻蚀高质量的PECVD 沉积的SiNx和SiO2薄膜 ，适用于光子学、介电层钝化和诸多其它领域SiO2，SiNx和石英刻蚀金属和聚酰亚胺有机物刻蚀用于高亮度LED生产的钝化沉积III-V族刻蚀工艺