改性等离子蚀刻机

TRYMAX 等离子除胶机型号：NEO系列TRYMAX该公司主要提供半导体等离子清洗、去胶、活化设备。Trymax目前拥有半自动、全自动系列设备供用户选择，目前已有上百台设备安装在世界各地，被广泛地应用于MEMS微机电系统、微流体器件、SOI基片制造、先进封装、化合物半导体器件、功率器件和光电显示等领域。 一、设备工作原理 等离子体是物质的一种存在状态，该状态中存在下列物质：处于高速运动状态的电子；处于激活状态的中性原子、分子、原子团（自由基）；离子化的原子、分子；未反应的分子、原子等，但物质在总体上仍保持电中性状态。Trymax NEO Series就是通过利用这些活性组分的性质来处理样品表面，通过射频/微波电源在一定的真空条件下起辉产生高能量的无序的等离子体，通过等离子体轰击被清洗产品表面，从而实现清洁、改性、光刻胶灰化等目的。 二、Trymax NEO Series 应用 前道：Light Etching；Descum strip；PR Ashing；离子注入后，光刻后，镀膜前等工艺过程； 后道/先进封装/3D IC：Descum Bumping；MEMS；Plasma Treatment；Wafer Cleaning等。Trymax 先进等离子灰化和蚀刻 NEO300A/NEO200A系列平台 NEO300A系列平台是Trymax半导体设备行业领先的NEO系列先进等离子灰化和蚀刻产品的最新成员之一。 它是一个全自动的单室系统，可配置任何现有的Trymax NEO工艺模块，并与直径达300mm的基板兼容。占地面积小的NEO300A配置有单个装载端口。 • 特征 - 最大300毫米晶圆尺寸/基板尺寸 - 桥梁工具能力200-300mm - 单个SMIF装载端口-3轴双臂机器人处理-4个不同的处理模块：• 下游微波（2.45 GHz）• 射频偏压（13.56MHz）• 双源（微波，射频偏压）• DCP（RF偏置，直接耦合等离子） - 优异的均匀性和可重复性 - 机械吞吐量 100wph - 紧凑的足迹 - 非常低的拥有成本 - 完全数字控制，Devicenet以太网 - 基于窗口的工业计算机 • 应用程序 - 阻挡条带-Descum处理 - 去除聚合物 - 邮寄高剂量植入带 - 氮化硅蚀刻应用-MEMS应用程序 - 封装加工（PR，PI，BCB，PBO） NEO200A系列平台是Trymax半导体设备行业领先的NEO系列先进灰化和蚀刻产品的最新成员。 它是一个全自动的单室系统，可配置任何现有的Trymax NEO工艺模块，并与直径达200mm的基板兼容。占地面积小的NEO200A配置有双盒式磁带。 • 特征 - 最大200 mm晶圆尺寸/基板尺寸 - 双盒式平台-3轴双臂机器人处理-4个不同的处理模块：• 下游微波（2.45 GHz）• 射频偏压（13.56MHz）• 双源（微波，射频偏压）• DCP（RF偏置，直接耦合等离子） - 优异的均匀性和可重复性 - 机械吞吐量 100wph - 紧凑的足迹 - 非常低的拥有成本 - 完全数字控制，Devicenet以太网 - 基于窗口的工业计算机 • 应用程序 - 阻挡条带-Descum处理 - 去除聚合物 - 邮寄高剂量植入带 - 氮化硅蚀刻应用-MEMS应用程序 - 封装加工（PR，PI，BCB，PBO）Trymax Semiconductor Equipment的NEO200系列先进等离子灰化/蚀刻系统是最新的光刻胶和蚀刻设备，以惊人的价格提供卓越的性能。专为最大200 mm基板应用而设计。 它配备了一个灵活的装载站，可配置用于处理最大200 mm的所有不同尺寸的基板。 NEO200系列集成了研究和设备制造商紧凑设计的所有要求，可实现最低的拥有成本。 • 特征 - 最大200 mm晶圆尺寸/基板尺寸 - 用于半自动晶圆传输的单个装载平台。-4个不同的处理模块：• 下游微波（2.45 GHz）• 射频偏压（13.56MHz）• 双源（微波，射频偏压）• DCP（RF偏置，直接耦合等离子） - 优异的均匀性和可重复性 - 紧凑的足迹 - 非常低的拥有成本 - 完全数字控制，Devicenet以太网 - 基于窗口的工业计算机 • 应用程序 - 阻挡条带-Descum处理 - 去除聚合物 - 邮寄高剂量植入带 - 氮化硅蚀刻应用-MEMS应用程序 - 封装加工（PR，PI，BCB，PBO）

等离子表面处理技术的应用领域包括橡胶、复合材料、玻璃、布料、金属等，涉及各行各业，这篇文章中我们主要介绍其在橡胶、塑料领域一些行业的具体应用。我们在工业应用中发现一些橡胶塑料件在进行表面连接的时候会出现粘接困难的问题，这是因为聚丙烯、PTFE等橡胶塑料材料是没有极性的，这些材料在未经过表面处理的状态下进行的印刷、粘合、涂覆等效果非常差，甚至无法进行。有些工艺用一些化学药剂对这些橡塑表面进行处理，这样能改变材料的粘接效果，但这种方法不易掌握，化学药剂本身具有毒性，操作非常麻烦，成本也较高，而且化学药剂对橡塑材料原有的优良性能也有影响。利用等离子技术对这些材料进行表面处理，在高速高能量的等离子体的轰击下，这些材料结构表面得以大化，同时在材料表面形成一个活性层，这样橡胶、塑料就能够进行印刷、粘合、涂覆等操作。应用等离子技术对橡塑表面处理，其操作简单，处理前后没有有害物质产生，处理效果好，效率高，运行成本低。折叠在橡胶、塑料行业等离子表面处理技术的应用领域包括橡胶、复合材料、玻璃、布料、金属等，涉及各行各业，这篇文章中我们主要介绍其在橡胶、塑料领域一些行业的具体应用。

TRYMAX 等离子除胶机型号：NEO系列TRYMAX该公司主要提供半导体等离子清洗、去胶、活化设备。Trymax目前拥有半自动、全自动系列设备供用户选择，目前已有上百台设备安装在世界各地，被广泛地应用于MEMS微机电系统、微流体器件、SOI基片制造、先进封装、化合物半导体器件、功率器件和光电显示等领域。 一、设备工作原理 等离子体是物质的一种存在状态，该状态中存在下列物质：处于高速运动状态的电子；处于激活状态的中性原子、分子、原子团（自由基）；离子化的原子、分子；未反应的分子、原子等，但物质在总体上仍保持电中性状态。Trymax NEO Series就是通过利用这些活性组分的性质来处理样品表面，通过射频/微波电源在一定的真空条件下起辉产生高能量的无序的等离子体，通过等离子体轰击被清洗产品表面，从而实现清洁、改性、光刻胶灰化等目的。 二、Trymax NEO Series 应用 前道：Light Etching；Descum strip；PR Ashing；离子注入后，光刻后，镀膜前等工艺过程； 后道/先进封装/3D IC：Descum Bumping；MEMS；Plasma Treatment；Wafer Cleaning等。Trymax 先进等离子灰化和蚀刻 NEO300A/NEO200A系列平台 NEO200A系列平台是Trymax半导体设备行业领先的NEO系列先进灰化和蚀刻产品的最新成员。 它是一个全自动的单室系统，可配置任何现有的Trymax NEO工艺模块，并与直径达200mm的基板兼容。占地面积小的NEO200A配置有双盒式磁带。 • 特征 - 最大200 mm晶圆尺寸/基板尺寸 - 双盒式平台-3轴双臂机器人处理-4个不同的处理模块：• 下游微波（2.45 GHz）• 射频偏压（13.56MHz）• 双源（微波，射频偏压）• DCP（RF偏置，直接耦合等离子） - 优异的均匀性和可重复性 - 机械吞吐量 100wph - 紧凑的足迹 - 非常低的拥有成本 - 完全数字控制，Devicenet以太网 - 基于窗口的工业计算机 • 应用程序 - 阻挡条带-Descum处理 - 去除聚合物 - 邮寄高剂量植入带 - 氮化硅蚀刻应用-MEMS应用程序 - 封装加工（PR，PI，BCB，PBO）Trymax Semiconductor Equipment的NEO200系列先进等离子灰化/蚀刻系统是最新的光刻胶和蚀刻设备，以惊人的价格提供卓越的性能。专为最大200 mm基板应用而设计。 它配备了一个灵活的装载站，可配置用于处理最大200 mm的所有不同尺寸的基板。 NEO200系列集成了研究和设备制造商紧凑设计的所有要求，可实现最低的拥有成本。 • 特征 - 最大200 mm晶圆尺寸/基板尺寸 - 用于半自动晶圆传输的单个装载平台。-4个不同的处理模块：• 下游微波（2.45 GHz）• 射频偏压（13.56MHz）• 双源（微波，射频偏压）• DCP（RF偏置，直接耦合等离子） - 优异的均匀性和可重复性 - 紧凑的足迹 - 非常低的拥有成本 - 完全数字控制，Devicenet以太网 - 基于窗口的工业计算机 • 应用程序 - 阻挡条带-Descum处理 - 去除聚合物 - 邮寄高剂量植入带 - 氮化硅蚀刻应用-MEMS应用程序 - 封装加工（PR，PI，BCB，PBO）

TRYMAX 等离子除胶机型号：NEO系列TRYMAX该公司主要提供半导体等离子清洗、去胶、活化设备。Trymax目前拥有半自动、全自动系列设备供用户选择，目前已有上百台设备安装在世界各地，被广泛地应用于MEMS微机电系统、微流体器件、SOI基片制造、先进封装、化合物半导体器件、功率器件和光电显示等领域。 一、设备工作原理 等离子体是物质的一种存在状态，该状态中存在下列物质：处于高速运动状态的电子；处于激活状态的中性原子、分子、原子团（自由基）；离子化的原子、分子；未反应的分子、原子等，但物质在总体上仍保持电中性状态。Trymax NEO Series就是通过利用这些活性组分的性质来处理样品表面，通过射频/微波电源在一定的真空条件下起辉产生高能量的无序的等离子体，通过等离子体轰击被清洗产品表面，从而实现清洁、改性、光刻胶灰化等目的。 二、Trymax NEO Series 应用 前道：Light Etching；Descum strip；PR Ashing；离子注入后，光刻后，镀膜前等工艺过程； 后道/先进封装/3D IC：Descum Bumping；MEMS；Plasma Treatment；Wafer Cleaning等。Trymax 先进等离子灰化和蚀刻 NEO300A/NEO200A系列平台 NEO300A系列平台是Trymax半导体设备行业领先的NEO系列先进等离子灰化和蚀刻产品的最新成员之一。 它是一个全自动的单室系统，可配置任何现有的Trymax NEO工艺模块，并与直径达300mm的基板兼容。占地面积小的NEO300A配置有单个装载端口。 • 特征 - 最大300毫米晶圆尺寸/基板尺寸 - 桥梁工具能力200-300mm - 单个SMIF装载端口-3轴双臂机器人处理-4个不同的处理模块：• 下游微波（2.45 GHz）• 射频偏压（13.56MHz）• 双源（微波，射频偏压）• DCP（RF偏置，直接耦合等离子） - 优异的均匀性和可重复性 - 机械吞吐量 100wph - 紧凑的足迹 - 非常低的拥有成本 - 完全数字控制，Devicenet以太网 - 基于窗口的工业计算机 • 应用程序 - 阻挡条带-Descum处理 - 去除聚合物 - 邮寄高剂量植入带 - 氮化硅蚀刻应用-MEMS应用程序 - 封装加工（PR，PI，BCB，PBO）

等离子体清洗好处,对PTFE进行等离子活化处理,蚀刻工艺,为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺,并得到了应用,等离子体清洗与其它清洗方式对比表.等离子体清洗好处：　１、其除去了有机层（含碳污染物），其会受到例如， 氧气 和空气的化 腐蚀，通过超压吹扫，将其从表面去除。　　　通过等离子体中的高能量粒子，脏污会转化为 稳定的小型分子 ，并借此将其移除，处理过程中脏污的厚度只允许达到 几百纳米 ，因为等离子的清除速度仅能够达到每次几 nm。　　　脂肪含有诸如锂化合物之类的成分。仅能够除去其 有机成分 。这一点同样适用于指纹。故此，建议戴手套。　２、还原氧化物　　　金属氧化物会和工艺气体发生化学反应。作为工艺气体，使用了氢气和氩气或氮气的混合物。等离子体射流的热效应可能会导致进一步的氧化。故此建议在惰性气体环境下进行处理。常压等离子激活处理主要用于哪些方面？　　这种技术非常适用于以下工艺过程：　１、在粘合之前对塑料进行局部的等离子活化处理　２、在粘合、植绒、印刷（例如，汽车行业中的橡胶型材）之前，对弹性体进行等离子活化处理　３、在粘合或者粘接之前，对金属和陶瓷表面进行局部的等离子活化处理　４、极为适合在直接于移印机中移印之前，对塑料零部件进行处理。用常压等离子体进行活化处理能够为我们带来哪些主要优势？　技术适用于在线工艺，例如，在对连续型橡胶型材、软管进行印刷、胶粘，植绒或者涂层之前进行等离子活化。　等离子体清洗与其它清洗方式对比表：应用用途和特性低压等离子体的优点低压等离子体的缺点常压等离子体的优点常压等离子体的缺点普通的等离子体生成在等离子腔体室中均匀分布等离子体，腔室体积可变复杂的真空技术，在线等离子处理应用受到一定的限制可以直接在输送带上进行等离子处理，适用于在线处理，无需任何真空技术由于等离子体激发原理的原因，等离子处理痕迹有限，处理较大的对象的时候，必须使用多个喷嘴对金属进行处理可对易氧化的对象进行等离子清洗进行微波激发的时候，对象上可能会相应产生能量，这会造成对象过热对铝进行等离子处理的时候，可以生成很薄的氧化层对易氧化的对象进行等离子清洗，受到一定的限制对聚合物弹性体进行处理无法对PTFE进行等离子活化处理，蚀刻工艺，为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺，并得到了应用某些材料需要用到较大型的泵，以便达到必须的工艺压力无法对连续型对象进行预处理，工艺时间很短等离子射流的温度为约 200 - 300 °C。必须对表面的工艺温度进行很好的调节，以防止着火（很薄的材料）3D对象对等离子体腔室中的所有对象进行均匀处理。即使是中空腔室也可以从内部进行处理（例如，点火线圈、水箱等）未知可进行局部表面处理（例如，粘结槽口）需要使用复杂的多关节型机器人技术。常压等离子体的间隙渗透性受到一定的限制散装部件通过转鼓法可以对散装部件进行均匀的等离子处理。零部件的件数和体积可以有所不同其仅能够使用转鼓的 1/3 体积（建议）可以直接在输送带上处理对象对象必须极为精确的定位在输送带上电子，半导体技术借助低压等离子体对电子元件、电路板和半导体部件进行等离子处理是先进的技术。未知金属或者 ITO 触点可在粘接处理之前进行等离子预处理（例如，LCD、TFT 和芯片的生产）涂层工艺生成均匀的涂层。研发了很多 PECVD 和 PVD 工艺，并得到了应用可能会造成等离子体腔室的污染具有很多的工业用途尚不具有任何的工业用途

用途：表面清洗活化表面蚀刻Tetra 8 RIE 产品特点：适用于8”以下样品的处理等离子蚀刻机，可实现快速且一致的样品表面刻蚀全局的工艺气体通过气浴进气实现了均匀的气体分布电极水冷确保了样品的温度不会偏高工业Windows控制系统，多段程序控制功能，实现一键蚀刻功能适合于研究院、高校、研发中心等使用，也可小批量生产

ICP 刻蚀机 ：高密度等离子蚀刻装置NE-550 特点：等离子密度与向基板入射的能量能够单独控制，因此Process window宽。均一性好。离子性蚀刻到radical性蚀刻都能都大幅度控制。构造简单，维护性能优越。来自半导体技术研究所的工艺支持体制。CS（Customer’s Support ）解决方案的综合服务体制。可选Cassette室，提高生产量。 丰富的Process Application：1.ISM: Inductively Super Magnetron有磁场ICP型2.ISM是可以由低电源得到稳定均一的放电，达到Damage最少的蚀刻。3.使用不挥发性材料的次时代memory‐Al2O3,磁性体，Pt, Ir, PZT, SBTO 等4.超高频率器件，光器件。‐绝缘膜，GaAs/AlGaAs(In),AlGaInP,InP,SiC,ZnSe, Sapphire，GaN，STO/Pt, Au/Pt, W, WSi, Ti, Mo, Ta, BCB, Polyimide，BST, STO5.各种传感器器件等Photo Nic结晶。6.MEMS(micromachine）

微波等离子体刻蚀机VP-Q5等离子激发频率2.45GHz，真空腔体石英玻璃材料，腔体容积5升，中英文操作系统，触摸屏控制，频率2.45GHz有强的化学作用，适用于芯片微波刻蚀、晶圆去胶、半导体光刻胶去除、金属油污去除、半导体、塑料、PP、高分子等材料清洗，活化，蚀刻和改性。

等离子表面改性机品牌：诚峰智造喷射型AP等离子处理系统CRF-APO-R＆D-XXXD名称（Name）喷射型AP等离子处理系统（Jet type plasma processing system）等离子电源型号（Plasma power model）CRF-APO-R＆D-XXXD电源（Power supply）220V/AC,50/60Hz功率（Power）600W/25KHz（Option）功率因素（Power factor）0.8处理高度（Processing height）5-15mm处理宽幅（Processing width）直喷式（Direct jet type）：1-6mm（Option）旋喷式（Potary jet type）：20mm~80mm内部控制模式（Internal control mode）数字控制（Digital control）外部控制模式（External conteol mode）启停I/O（ON/OFF I/O）工作气体（Gas）Compressed Air （0.4mpa）/N2（0.2mpa）电源重量（Power weight）8kg产品特点： 可选配多种类型等离子喷枪和喷嘴，使用于不同场合，满足各种不同产品和处理环境；设备尺寸小巧，方便携带和移动，节省客户使用空间；可In-Line式安装于客户设备产线中，减少客户投入成本；使用寿命长，保养维修成本低，便于客户成本控制。应用范围：主要应用于电子行业的手机壳印刷、涂覆、点胶等前处理，手机屏幕的表面处理；国防工业的航空航天电连接器表面清洗；通用行业的丝网印刷、转移印刷前处理等。

Diener等离子表面处理设备 德国原装进口德国Diener是专门生产经济、可靠的等离子清洗和等离子刻蚀设备的公司, 是世界上材料处理低温等离子体设备的市场和技术领先者。Diener采用先进的集成化技术开发生产射频频率为40KHz 、80KHz、13.56MHz，以及代表等离子应用先进技术的2.45GHz的等离子清洗机。目前设备广泛应用于：等离子清洗、刻蚀、灰化、涂镀和表面处理。产品主要分布在真空电子、LED、太阳能光伏、集成电路、生命科学、半导体科研、半导体封装、芯片制造、MEMS器件等领域。其设备生产零件均选用其零件行业的优质产品，以保证性能技术稳定。 德国diener等离子表面处理设备特点：等离子清洗机清洗效果好，效率高，应用范围广。对清洗样品，没有任何材质、外观尺寸等要求 等离子清洗过程中，温升很小，基本可达到常温处理。射频功率无极连续可调。 高效的特制电极，是产生均匀等离子体的保证。特制电极和托盘结构，可充分利用真空舱体内部空间，使处理效率最大化，同时也可保证样品可得到全面有效的清洗。 特有的过载、短路和过热保护电路，可保证射频电源的稳定和安全。设备整体模块化设计，安装与维护极为简单。德国diener等离子表面处理设备的应用范围： 清洗电子元件、光学器件、激光器件、镀膜基片、芯片。 清洗光学镜片、电子显微镜片等多种镜片和载片。 移除光学元件、半导体元件等表面的光阻物质。 清洗ATR元件、各种形状的人工晶体、天然晶体和宝石。 清洗半导体元件、印刷线路板。 清洗生物芯片、微流控芯片。 清洗沉积凝胶的基片。 高分子材料表面修饰。 牙科材料、人造移植物、医疗器械的消毒和杀菌。 改善粘接光学元件、光纤、生物医学材料、宇航材料等所用胶水的粘和力。 煤、石棉灰化。 Diener Plasma 低压/真空等离子表面处理/清洗/蚀刻机 Tetra100 主要技术参数：基本配置：根据具体组件/选装件，外壳规格会有所不同腔室容积：根据具体版本，分为 80 - 100 升供电电源： 230 V 或者 400 V / 3 相位气源质量流量控制器 (MFCs)真空腔室圆形不锈钢件，配有铰链的门（约 ? 400 mm、长 625 mm）矩形不锈钢件，配有铰链的门（约宽 400 mm x 高 400 mm x 深 625 mm）装载件产品支架（选项：水冷型）、石英玻璃舟皿、粉末转鼓、散装件转鼓、铝板、不锈钢板、硼硅玻璃、石英玻璃电极单层或多层具有气体喷淋的 RIE 电极控制系统PCCE 控制系统 (MicrosoftWindows CE)PC 控制系统 (Microsoft Windows POS Ready 2009)压力测量PiraniBaratron（适用于腐蚀性气体版本）计时器数字型发生器频率： 40 kHz: 功率 0 - 1000 W；0 - 1500 W；0 - 2500 W13.56 MHz: 功率 0 - 300 W；0 - 600 W；0 - 1000 W2.45 GHz: 功率 0 - 1200 W所有发生器均为 0 - 100% 无级可调型真空泵规格和制造商均各有不同（按照活性炭过滤器的需要）其他选项备件套件、压力计、腐蚀性气体设计结构、气瓶、减压器、加热板、温度显示器、加热型腔室、Faraday Box、等离子体聚合配件、测试墨水、 氧气发生器、慢速通风装置、慢速抽吸装置、TEM样品架法兰、维护/服务、当地语言的文件、现场安装，包括培训。可应要求提供的其他选项。 上海尔迪仪器科技有限公司 中国总代理

RIE等离子蚀刻设备 RIE-10NR新型低成本和高性能概要RIE-10NR是一种新型的低成本、高性能的全自动反应离子蚀刻系统，它能满足非腐蚀性气体化学最苛刻的工艺要求。计算机化的触摸屏为参数控制和存储提供了一个用户友好的界面。该系统可实现精确的侧壁轮廓控制和材料间的高蚀刻选择性。RIE-10NR具有时尚、紧凑的设计，需要最小的洁净室空间。主要特点和优点最大加工范围：ø 220 mm (ø 3" x 5, ø 4" x 3, ø 8" x 1)高选择性各向异性蚀刻满足苛刻的工艺要求。全自动 "一键式 "操作，可完全手动操作。计算机触摸屏为参数控制和存储提供了一个用户友好的界面。自动压力控制，可精确控制工艺压力，不受气体流量影响。干式泵和系统布局便于维护。可靠和耐用的系统，全球安装了400多个系统应用Si、SiO2、SiN、Poly-Si、GaAs、Mo、Pt、Polyimide等各种材料的蚀刻。故障分析中的选择性层蚀刻光阻剂的灰化、剥离和除尘。表面改性（润湿性和附着力的改善）

等离子体清洗好处,对PTFE进行等离子活化处理,蚀刻工艺,为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺,并得到了应用,等离子体清洗与其它清洗方式对比表.等离子体清洗好处：　１、其除去了有机层（含碳污染物），其会受到例如， 氧气 和空气的化 腐蚀，通过超压吹扫，将其从表面去除。　　　通过等离子体中的高能量粒子，脏污会转化为 稳定的小型分子 ，并借此将其移除，处理过程中脏污的厚度只允许达到 几百纳米 ，因为等离子的清除速度仅能够达到每次几 nm。　　　脂肪含有诸如锂化合物之类的成分。仅能够除去其 有机成分 。这一点同样适用于指纹。故此，建议戴手套。　２、还原氧化物　　　金属氧化物会和工艺气体发生化学反应。作为工艺气体，使用了氢气和氩气或氮气的混合物。等离子体射流的热效应可能会导致进一步的氧化。故此建议在惰性气体环境下进行处理。常压等离子激活处理主要用于哪些方面？　　这种技术非常适用于以下工艺过程：　１、在粘合之前对塑料进行局部的等离子活化处理　２、在粘合、植绒、印刷（例如，汽车行业中的橡胶型材）之前，对弹性体进行等离子活化处理　３、在粘合或者粘接之前，对金属和陶瓷表面进行局部的等离子活化处理　４、极为适合在直接于移印机中移印之前，对塑料零部件进行处理。用常压等离子体进行活化处理能够为我们带来哪些主要优势？　技术适用于在线工艺，例如，在对连续型橡胶型材、软管进行印刷、胶粘，植绒或者涂层之前进行等离子活化。　等离子体清洗与其它清洗方式对比表：应用用途和特性低压等离子体的优点低压等离子体的缺点常压等离子体的优点常压等离子体的缺点普通的等离子体生成在等离子腔体室中均匀分布等离子体，腔室体积可变复杂的真空技术，在线等离子处理应用受到一定的限制可以直接在输送带上进行等离子处理，适用于在线处理，无需任何真空技术由于等离子体激发原理的原因，等离子处理痕迹有限，处理较大的对象的时候，必须使用多个喷嘴对金属进行处理可对易氧化的对象进行等离子清洗进行微波激发的时候，对象上可能会相应产生能量，这会造成对象过热对铝进行等离子处理的时候，可以生成很薄的氧化层对易氧化的对象进行等离子清洗，受到一定的限制对聚合物弹性体进行处理无法对PTFE进行等离子活化处理，蚀刻工艺，为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺，并得到了应用某些材料需要用到较大型的泵，以便达到必须的工艺压力无法对连续型对象进行预处理，工艺时间很短等离子射流的温度为约 200 - 300 °C。必须对表面的工艺温度进行很好的调节，以防止着火（很薄的材料）3D对象对等离子体腔室中的所有对象进行均匀处理。即使是中空腔室也可以从内部进行处理（例如，点火线圈、水箱等）未知可进行局部表面处理（例如，粘结槽口）需要使用复杂的多关节型机器人技术。常压等离子体的间隙渗透性受到一定的限制散装部件通过转鼓法可以对散装部件进行均匀的等离子处理。零部件的件数和体积可以有所不同其仅能够使用转鼓的 1/3 体积（建议）可以直接在输送带上处理对象对象必须极为精确的定位在输送带上电子，半导体技术借助低压等离子体对电子元件、电路板和半导体部件进行等离子处理是先进的技术。未知金属或者 ITO 触点可在粘接处理之前进行等离子预处理（例如，LCD、TFT 和芯片的生产）涂层工艺生成均匀的涂层。研发了很多 PECVD 和 PVD 工艺，并得到了应用可能会造成等离子体腔室的污染具有很多的工业用途尚不具有任何的工业用途

ø 300毫米RIE等离子蚀刻设备 RIE-300NR最大可达ø 300 mm（12")概要RIE-300NR是一种理想的反应离子蚀刻系统，适用于加工ø 300mm晶圆和多晶圆（ø 3"×12，ø 4"×8等），具有优异的均匀性。该系统的设计旨在最大限度地减少工厂空间需求，提高产量，最大限度地延长正常运行时间，并通过可靠的硬件和便捷的服务降低拥有成本。主要特点和优点最大加工范围：ø 350 mm (ø 3" x 12, ø 4" x 8, ø 12" x 1)用户友好的触摸屏界面全自动 "一键式 "操作，可完全手动操作。优化的喷淋头可提供工艺气体的均匀性。减少停留时间的近距离耦合气体输送箱。对称的疏散设计与TMP相结合，形成了有效的流动。自动压力控制，可精确控制工艺压力，不受气体流量影响。干式泵和系统布局便于维护。应用去除夹层膜，用于ø 300mm的失效分析。蚀刻Si、SiO2、SiN和聚硅氧烷。树脂的蚀刻和脱胶光阻剂的灰化、剥离和除尘。表面改性（润湿性和粘附性的改善

反应式离子蚀刻机 性能特点 Capability Features: 用于失效分析的剥层分析解决方案群，世界顶尖反应式离子蚀刻机，物理沉移系统，原子层化学气相沉积系统.RIE/PE and RIE-ICP FA system这些灵活的失效分析工具可以实现从钝化层的去除到各项异性的氧化物的去除，从小管芯或已封装的器件到300mm直径的晶片整个范围的工艺. 去除氮化物钝化层后 刻蚀金属间介质后 四层金属暴露 金属间介质后的失效分析优点:- 工艺灵活，既可采用RIE/PE，也可采用ICP- 先进的管芯工艺：采用等离子体加速器的刻蚀速率比标准的RIE工艺快20倍产品范围：- 可以处理300mm晶片的RIE/PE双模式设备- 快速低损伤的模具刻蚀装置- 处理200mm晶片的双模式设备- 填充用的正硅酸乙酯（TEOS）工艺应用:- 各向同性的聚酰亚胺的去除（RIE或ICP模式）- 各向同性的氮化物（钝化层）的去除（PE或ICP模式）- 各向异性的氧化物（金属间介质/层间介质）的去除（RIE或ICP模式）- 各向异性的低K值氧化物的去除（RIE或ICP模式）- 金属支架的去除（RIE或ICP模式）- 多晶硅的去除（RIE模式）- 铝或铜的去除（ICP模式）

价格货期电议Europlasma 等离子表面亲水改性活化设备 CD 1200 PLC上海伯东比利时 Europlasma 等离子表面处理设备 CD 1200 PLC, 使用 Nanofics@ 技术, 实现材料表面水接触角 WCA 10°, 满足产品表面等离子活化改性, 高分子材料亲水, 细胞培养皿活化, TC 处理等工艺. Europlasma 等离子设备操作简单, 等离子腔容积 490 L, 标配 8个托盘, 整机原装进口.Europlasma 等离子表面亲水改性设备 CD 1200 PLC 技术参数真空腔室材料: 铝有效尺寸: 700 x 700 x 1200 mm.容积：490L舱门: 装有可视窗口标准样品托盘: 8个 标准尺寸: 620 * 675 mm亲水涂层厚度 10-50 nm真空度测量皮拉尼真空计真空泵干式真空泵泵组, 抽速 480 立方米每小时频射发生器根据客户应用需求定制控制系统PLC 可实现下列功能1. 17 英寸触摸屏, 自动控制反应过程 2. 根据处理材料设定不同的处理工艺参数 3. 测定真空泵压力, 抽真空时间, 充气速度, 工作压力, 处理时间. 温度. 频射发生器输入电压等指标 4. 监测所有的运行指标, 保证各项参数在设定范围之内 5. 设定操作进入密码.6. 可定制 ERP, SAP 系统接口电源380V AC, 三相, 50Hz, 40A反应气体气体输入端口, 含气体流量控制器 (MFC), 最多可以 5个 MFC, 可多种工艺气体混合气体输入直径1/4英寸（6.45mm） 管道, 输入压力:1Bar尾气排放直径 28mm 输出端口, VOC 尾气处理装置性能急停开关 真空泵保护锁 高温保护锁 CE认证.Europlasma 等离子表面亲水改性设备适用于 针座活化 细胞培养瓶 / 皿 / 板活化, 48孔, 96孔深孔板等活化 人体植入, 医用辅料, 微流量芯片, 过滤装置等 高分子材料亲水细胞培养瓶表面活化案例1. 对产品表面预清洁: O2 等离子体可以吸附附着在产品表面的微小颗粒物及其他污染物, 通过真空泵把混合气体抽出真空腔, 达到预清洁的效果2. 减小产品表面张力, 使得产品的水接触角明显减小, 匹配合适的等离离子能量和浓度, 可以做到产品表面水接触角 WCA＜10°, 3. O2 等离子体在产品表面发生化学反应, 产品表面可以增加很多功能性官能团, 包括羟基 (-OH ), 羧基 ( -COOH ), 羰基 ( -CO- ）, 氢过氧基 (-OOH ) 等, 这些活性官能团在细胞培养过程中可以提高反应速度和活性.表面活化前, 水接触角较大, 液体团聚 表面活化后, 水接触角变小, 液体扩散使用上海伯东 Europlasma 表面活化处理后测试：1. 样品经过 CD 1200 PLC 处理完后, 立即测试, 表面水接触角 WCA ＜28°, 满足客户要求2. 之后每天测试一次被处理样品的水接触角, 并记录水接触角的变化曲线和衰减, 连续检测一个月3. 测试一个月后, 最终的样品表面水接触角 WCA ＜42°, 满足客户要求, 且远远小于其他活化工艺结果！ 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请联络上海伯东罗先生上海伯东版权所有, 翻拷必究！

价格货期电议Europlasma 聚丙烯 PP膜等离子表面亲水改性PP 膜单纯的表面活化亲水效果一般只能维持几分钟到几小时, 随着工业的发展, 需要 PP 膜材料表面能达到持久亲水的效果. 已满足过滤介质, 电池隔膜等应用. 上海伯东 Europlasma 等离子机通过多种混合气体进行等离子处理来达到 PP膜持久表面亲水改性的目的. 这些混合气体为碳氢化合物和激活气体, 如 O2 或 N2O, 并提供卷对卷等离子设备. Europlasma 等离子表面处理是一种干式处理方法, 不会产生污染物和废弃物, 不需要消耗水资源, 符合各行各业当下对于环保的要求！聚丙烯 PP膜等离子表面亲水改性 使用设备: Europlasma CD 400 PC Roll 单片和卷绕处理设备集成 在卷对卷等离子处理设备上处理聚丙烯 PP 或聚对苯二甲酸丁二醇酯 PBT, 可以得到持久的亲水性表面, 广泛应用于血液过滤介质或电池隔板材料.聚丙烯材质 PP 电池隔板膜在自然状态下有明显的拒水性, 采用上海伯东 Europlasma 等离子处理工艺使其持久亲水性显著提高. 对处理过的样品进行虹吸实验, 未处理的材料无虹吸作用, 而处理过的材料在 2个月以后, 在 200mm 长度的样品上碱液（30%KOH无离子水溶液）的虹吸高度达到 40mm, 证明材料具有持久的亲水特性, 说明用 Europlasma 工艺处理的材料其虹吸效果比用其他任何化学方法处理更为有效.若您需要进一步的了解 Europlasma 等离子机详细信息或讨论, 请查看官网或咨询叶女士上海伯东版权所有, 翻拷必究！

AXIC IsoLokICP等离子体系统经济实惠的高性能驱动器和低温等离子体处理系统AXIC公司的AXIC IsoLok电感耦合等离子体(ICP)负载锁定处理系统定义了深度反应离子蚀刻(DRIE)和低温低损伤等离子体增强化学气相沉积(ICP- pecvd)等离子体处理的新概念。该系统基于模块化设计，从通用腔室和机柜单元开始，具有ICP蚀刻或沉积底部电极，可轻松安装到腔室单元并结合负载锁。我们相信您会发现易用性，各种等离子工艺，可维护性和有吸引力的价格是市场上任何其他等离子产品所无法超越的。系统描述在等离子体加工的研究和开发中，一直对高通用性和可靠的负载锁定工具有很大的需求。随着等离子体研究需求的不断变化，任何系统都必须提供最广泛的工艺参数和高度的可重复性，以进行工艺验证。它还必须易于修改以适应新的工艺要求。我们相信我们的IsoLokICP蚀刻/沉积等离子体系统可以满足这些非常苛刻的要求。IsoLokICP系统是一种等离子体工具，可用于研究，工艺开发或小批量生产，可在直径达8″的基板上进行精确蚀刻和沉积。该系统还可以容纳片晶圆或基板与适当的夹具。在设计IsoLokICP工具时，主要目标是创建一个包含负载锁定分段区域的系统，同时保持质量和可靠性。保留专用生产导向系统的过程控制，同时大幅降低成本和维护以及占地面积，是关键要求。IsoLok负载锁定ICP系统独特的机柜和电极设计可以轻松安装在层流模块或洁净室中。经过验证的高质量组件，模块化组件，多功能腔室和电极设计，紧凑的尺寸，自动化和现场验证的工艺配方使IsoLokICP系统成为工程师的“首选系统”。负载锁模块该系统配备了一个真空负载锁定模块，由阳极氧化铝构造。负载锁定系统是大气到真空样品的分级和进入模块。它们是一种方便实用的方法，用于在真空系统中进出样品，而无需将腔室排放到大气中。这大大提高了效率和吞吐量，减少了周期时间，更重要的是减少了污染。负载锁允许在受控的环境条件下交换样品。负载锁可容纳直径从4“到8”的晶圆，具有特定的末端执行器。在负载锁和工艺室之间提供一个隔离阀，以隔离被转移的样品。

广东达因特等离子表面处理机,通过对物体表面进行等离子活化处理,可以达到对物体表面的蚀刻,活化,清洗等目的,通过等离子体用常压等离子体进行表面改性功能.提高表面附着力.一、 等离子表面处理机原理介绍等离子体是由带正电的正粒子、负粒子（其中包括正离子、负离子、电子、自由基和各种活性基团等）组成的集合体，其中正电菏和负电菏电量相等故称等离子体，是除固态、液态、气态之外物质存在的第四态－等离子态。等离子的自然形式是闪电，或者是南北两极出现的极光。日食发生的时候，可以在太阳周围观察到一个明亮的光环（日冕），这也是等离子的一种存在形式。随着能量输入的增加，物质的状态会发生变化，从固态到液态，再到气态。如果采用放电的方式再向气体增加能量，气体将转变为等离子体。二、等离子表面处理机的技术应用通过对物体表面进行等离子轰击，可以达到对物体表面的蚀刻、活化、清洗等目的。可以显著加强这些表面的粘性及焊接强度，等离子表面处理系统现正应用于LCD、LED、LC、PCB、SMT、BGA，引线框架，平板显示器的清洗和蚀刻。等离子清洗过的IC可显著提高焊线强度，减少电路故障的可能性。残余的感光阻剂、树脂、溶液残渣及其他有机污染物暴露于等离子体区，短时间内就能清楚。PCB制造商用等离子蚀刻系统进行去污和蚀刻来带走钻孔中的绝缘物。对许多产品，不论它们是应用于工业、电子、航空、健康等行业，可靠性都依靠于两个表面之间的粘接强度。不管表面是金属、陶瓷、聚合物、塑料或是其中的复合物， 等离子体都有潜能改经粘接力，提高最终产品质量。等离子体改变任何表面的能力是安全的、环保的、经济的。它是许多行业面临的挑战问题可行性的解决方案。三、通过等离子体用常压等离子进行表面改性功能？1.如何借助常压等离子体喷射法进行涂层？为了用等离子体喷射法（常压等离子体）进行涂层，单体会借助载体气体以气体的形式直接通入等离子射流中。 这样，单体便可以借助等离子体集中于表面上，并发生聚合反应。2.通过常压等离子体可生成哪些涂层，以及分别为此使用了哪些单体？常压等离子体主要适合用于生成亲水性、粘合促进性以及防腐性涂层。作为单体，主要使用含硅和含碳的物质。其中包括了，例如，各种丙烯酸酯和 HMDSO 型的常见含硅单体。四、等离子表面处理机活化性能决定性因素：等离子表面处理机活化性能决定性因素1结构件、钣金件表面是否有划伤2结构部件均进行倒角处理3各线缆、气管是否有破损、漏气情况4接线是否良好，各部位螺丝固定是否牢固5旋转部分是否有摩擦，螺丝紧固部分是否牢固6电极固定螺丝是否压牢固电缆7高压电缆连接电极处是够削成椎体利于气流通过8检查陶瓷护套是否在中空轴的正中心9开关按键、旋钮是否正常10气路通气输出是否正常，是否漏气11变压器工作是否正常12功率调节、气压调节是否正常13老化测试正常＞24h14频繁启动＞8000次是否有断喷现象15无气压保护是否正常16有无可靠接地17接线、走线是否良好、整洁美观18线径及颜色是否选择正确19固定螺丝是否缺少或是否牢固可靠20单一接线的端子是否焊接牢固21压线端子是否压线牢固22机箱内是否清洁无杂物23测试时是否有异音、异响24与合同部件清单一致25各种连接线、操作说明、合格证齐全26其它额外物品齐全27枪头高压线长度是否和订单一致28喷枪选型、枪嘴和订单是否一致

产地：美国，韩国；型号：PS-100, EURA-100 等离子去胶机主要用于光刻胶的剥离或灰化，也可用于： 1. 有机及无机残留物的去除 2. 去除残胶以及等离子刻蚀的应用 3. 清洗微电子元件、电路板上的钻孔或铜线框架4. 提高黏附性，消除键合问题 5. 塑料的表面改性：O2处理以改进涂覆性能 6. 产生亲水或疏水表面等主要配置： 1. 载片(Wafers)：直径不大于100 mm(或200mm)的各种基片 2. 工艺气体(Gas lines)：O2, N2 3. 射频源(Source)：50 ～ 500W(13.56 MHz)连续可调，全自动匹配 4. 气体流量(Gas flow)：MFC精确调控 5. 产能：每次20片，每个循环约5分钟（辉光1分钟） 6. 可升级到反应离子蚀刻(RIE)功能参考用户：广东工业大学等；

AXIC PlasmaSTAR桶状等离子体处理的独特模块化方法Axic公司的PlasmaSTAR系列等离子体处理系统定义了桶状等离子体处理的新概念。该系统基于模块化设计概念。从通用基础单元开始，多个电极模块可轻松插入基础单元。您会发现易用性，各种等离子工艺，可维护性和有吸引力的价格是任何其他等离子无法超越的。可互换电极模块多种电极配置:笼，托盘，RIE，下游经过验证的工艺配方经过现场验证的组件端点检测(可选)自动射频匹配下游压力控制(可选)计算机控制触摸屏操作多种泵送方案PlasmaSTAR 100系统描述在等离子体加工的研究、工艺开发和生产中，对高度通用和可靠的工具的需求一直是相当大的。随着等离子体研究需求的不断变化，所选择的系统必须能够提供最广泛的工艺参数，最高程度的可重复性，以验证工艺，并易于修改以满足新的工艺要求。PlasmaSTAR系列干法处理系统将满足执行这些任务所需的苛刻要求。PlasmaSTAR是一种等离子体工具，用于光刻胶的研究、工艺开发和批量生产，可用于各向同性和各向同性蚀刻、有机灰化、混合电路清洗、印刷电路板去屑、失效分析、塑料的表面处理和改性、聚合物沉积以及广泛的其他等离子体应用。PlasmaSTAR产品线为桶状等离子体系统提供了一种独特的新型模块化方法。PlasmaSTAR可加工200毫米或更小的基板。(用于300mm晶圆的单晶圆RIE加工)选择经过验证的高质量组件，模块化子组件，通用腔室电极设计，紧凑的尺寸，自动化和现场验证的工艺配方将使PlasmaSTAR成为等离子工艺工程师的“首选系统”。PlasmaSTAR 200

TRYMAX 等离子除胶机型号：NEO系列TRYMAX该公司主要提供半导体等离子清洗、去胶、活化设备。Trymax目前拥有半自动、全自动系列设备供用户选择，目前已有上百台设备安装在世界各地，被广泛地应用于MEMS微机电系统、微流体器件、SOI基片制造、先进封装、化合物半导体器件、功率器件和光电显示等领域。 一、设备工作原理 等离子体是物质的一种存在状态，该状态中存在下列物质：处于高速运动状态的电子；处于激活状态的中性原子、分子、原子团（自由基）；离子化的原子、分子；未反应的分子、原子等，但物质在总体上仍保持电中性状态。Trymax NEO Series就是通过利用这些活性组分的性质来处理样品表面，通过射频/微波电源在一定的真空条件下起辉产生高能量的无序的等离子体，通过等离子体轰击被清洗产品表面，从而实现清洁、改性、光刻胶灰化等目的。 二、Trymax NEO Series 应用 前道：Light Etching；Descum strip；PR Ashing；离子注入后，光刻后，镀膜前等工艺过程； 后道/先进封装/3D IC：Descum Bumping；MEMS；Plasma Treatment；Wafer Cleaning等。NEO 200A产品是最小的单一产品用于高级灰化和蚀刻的腔室平台Trymax Semiconductor Equipment的产品。这是一个完全自动化的单室系统使用任何当前可用的Trymax NEO进行配置流程模块。它与底物兼容直径200mm。 NEO 200A占地面积小配置有双盒式磁带。

RIE等离子刻蚀机Etchlab 200 低成本效益高RIE等离子蚀刻机Etchlab 200结合平行板等离子体源设计与直接置片。升级扩展性根据其模块化设计，等离子蚀刻机Etchlab 200可升级为更大的真空泵组，预真空室和更多的气路。SENTECH控制软件该等离子刻蚀机配备了用户友好的强大软件，具有模拟图形用户界面，参数窗口，工艺编辑窗口，数据记录和用户管理。 Etchlab 200 RIE等离子刻蚀机代表了直接置片等离子刻蚀机家族，它结合了RIE的平行板电极设计和直接置片的成本效益设计的优点。Etchlab 200的特征是简单和快速的样品加载，从零件到直径为200mm或300mm的晶片直接加载到电极或载片器上。灵活性、模块性和占地面积小是Etchlab 200 的设计特点。位于顶部电极和反应腔体的诊断窗口可以方便地容纳SENTECH激光干涉仪或OES和RGA系统。椭偏仪端口可用于SENTECH原位椭偏仪进行原位监测。Etchlab 200等离子蚀刻机可以配置成用于刻蚀直接加载的材料，包括但不限于硅和硅化合物，化合物半导体，介质和金属。Etchlab 200通过先进的SENTECH控制软件操作，使用远程现场总线技术和用户友好的通用用户界面。Etchlab 200 RIE等离子蚀刻机 开盖设计 适用于200mm的晶片 用于激光干涉仪和OES的诊断窗口 选配椭偏仪接口 带预真空室Etchlab 200 带预真空室的RIE刻蚀机 适用于4英寸到8英寸的晶片 小片或碎片的载片器 氯基刻蚀气体 更大的真空泵组 Etchlab 200-300 RIE等离子蚀刻机 开盖设计 适用于300mm的晶片 用于激光干涉仪和OES的诊断窗口

微波等离子体去胶机VP-Q10等离子激发频率2.45GHz，真空腔体石英玻璃材料，腔体容积10升，中英文操作系统，触摸屏控制，频率2.45GHz有强的化学作用，适用于芯片去胶、晶圆去胶、半导体光刻胶去除、金属油污去除、半导体、塑料、PP、高分子等材料清洗，活化，蚀刻和改性。

美国Trion Technology等离子刻蚀、等离子刻蚀机反应式离子刻蚀(RIE/ICP)系统及沉积(PECVD)系统Trion始于一九八九年的等离子刻蚀与沉积系统制造商，Trion为化合物半导体、MEMS(微机电系统)、光电器件以及其他半导体市场提供多种设备。我们的产品在业内以系统占地面积小、成本低而著称，且设备及工艺的可靠性和稳定性久经考验。从整套的批量生产用设备，到简单的实验室研发用系统，尽在Trion等离子刻蚀机、等离子去胶机、RIE等离子刻蚀机、微波等离子去胶机、plasma stripper 等离子刻蚀机- 低损伤去胶系统新式去胶系统的成本已攀升到不合理水平，但Trion已通过两套价格低廉、紧凑的多功能系统使这一关键问题得到解决：Gemini和Apollo。利用ICP(电感耦合等离子)、微波和射频偏置功率，可以在低温条件下将难于消除的光刻胶去除。根据应用要求，每套系统可以结合SST-Lightning 微波源(既可靠又没有任何常见的微波调谐问题) 或ICP 技术。等离子刻蚀机刻蚀速率高达6微米/分 高产量等离子损伤低 自动匹配单元适用于100mm 到300mm 基片 设备占地面积小价格具竞争性 等离子刻蚀刻蚀/沉积　Titan是一套用于半导体生产的十分紧凑、全自动化、带预真空室的等离子系统包含：等离子刻蚀机、等离子去胶机、RIE等离子刻蚀机、微波等离子去胶机、plasma stripper

低成本效益高RIE等离子蚀刻机Etchlab 200结合平行板等离子体源设计与直接置片。升级扩展性根据其模块化设计，等离子蚀刻机Etchlab 200可升级为更大的真空泵组，预真空室和更多的气路。SENTECH控制软件该等离子刻蚀机配备了用户友好的强大软件，具有模拟图形用户界面，参数窗口，工艺编辑窗口，数据记录和用户管理。Etchlab 200 RIE等离子刻蚀机代表了直接置片等离子刻蚀机家族，它结合了RIE的平行板电极设计和直接置片的成本效益设计的优点。Etchlab 200的特征是简单和快速的样品加载，从零件到直径为200mm或300mm的晶片直接加载到电极或载片器上。灵活性、模块性和占地面积小是Etchlab 200 的设计特点。位于顶部电极和反应腔体的诊断窗口可以方便地容纳SENTECH激光干涉仪或OES和RGA系统。椭偏仪端口可用于SENTECH原位椭偏仪进行原位监测。Etchlab 200等离子蚀刻机可以配置成用于刻蚀直接加载的材料，包括但不限于硅和硅化合物，化合物半导体，介质和金属。Etchlab 200通过先进的SENTECH控制软件操作，使用远程现场总线技术和用户友好的通用用户界面。

RIE等离子刻蚀机SI 591 工艺灵活性RIE蚀刻机SI 591 特别适用于氯基和氟基等离子蚀刻工艺占地面积小且模块化程度高SI 591 可配置为单个反应腔或作为片盒到片盒装载的多腔设备。SENTECH控制软件我们的等离子蚀刻设备包括用功能强大的用户友好软件与模拟图形用户界面，参数窗口，工艺窗口，数据记录和用户管理。 预真空室和计算机控制的等离子体刻蚀工艺条件，使得SI 591 具有优异的工艺再现性和等离子体蚀刻工艺灵活性。灵活性、模块性和占地面积小是SI 591的设计特点。样品直径大可达200mm，通过载片器加载。SI 591可以配置为穿墙式操作或具有更多选项的小占地面积操作。位于顶部电极和反应腔体的更大诊断窗口可以轻易地容纳SENTECH激光干涉仪或OES和RGA系统。椭偏仪端口可用于SENTECH椭偏仪进行原位监测。SI 591结合了计算机控制的RIE平行板电极设计的优点和预真空室系统。SI 591可配置用于各种材料的刻蚀。在SENTECH，我们提供不同级别的自动化程度，从真空片盒载片到一个工艺腔室或多六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，目标是高灵活性或高产量。SI 591也可用作多腔系统中的一个工艺模块。 SI 591 compact 占地面积小的RIE等离子刻蚀 预真空室 卤素和氟基气体 适用于200mm的晶片 用于激光干涉仪和OES的诊断窗口

TRYMAX 等离子除胶机型号：NEO系列TRYMAX该公司主要提供半导体等离子清洗、去胶、活化设备。Trymax目前拥有半自动、全自动系列设备供用户选择，目前已有上百台设备安装在世界各地，被广泛地应用于MEMS微机电系统、微流体器件、SOI基片制造、先进封装、化合物半导体器件、功率器件和光电显示等领域。 一、设备工作原理 等离子体是物质的一种存在状态，该状态中存在下列物质：处于高速运动状态的电子；处于激活状态的中性原子、分子、原子团（自由基）；离子化的原子、分子；未反应的分子、原子等，但物质在总体上仍保持电中性状态。Trymax NEO Series就是通过利用这些活性组分的性质来处理样品表面，通过射频/微波电源在一定的真空条件下起辉产生高能量的无序的等离子体，通过等离子体轰击被清洗产品表面，从而实现清洁、改性、光刻胶灰化等目的。 二、Trymax NEO Series 应用 前道：Light Etching；Descum strip；PR Ashing；离子注入后，光刻后，镀膜前等工艺过程； 后道/先进封装/3D IC：Descum Bumping；MEMS；Plasma Treatment；Wafer Cleaning等。NEO2400系列是Trymax半导体设备行业领先的NEO系列先进等离子灰化和蚀刻产品的最新成员之一。 NEO 2400系统可配置任何现有的处理模块，并与直径达200mm的基板兼容。 • 特征 - 最大200mm晶圆尺寸/基板尺寸-4个集成的SMIF索引器或4个开放式卡带站-4轴双臂机器人用横臂搬运 - 可选的冷却站和切口对准器-2或4个处理室-4种不同的处理室技术：• 下游微波（2.45 GHz）• RF偏压（13.56 MHz）• 双源（微波，射频偏压）• DCP（RF偏压，直接耦合等离子） - 优异的均匀性和可重复性 - 机械吞吐量 300wph - 紧凑的足迹 - 非常低的拥有成本 - 完全数字控制的Devicenet，以太网 - 基于窗口的工业计算机 • 应用程序 - 阻挡条带-Descum处理 - 去除聚合物 - 邮寄高剂量植入带 - 氮化硅蚀刻应用-MEMS应用程序 - 先进的包装加工（PR，PI，BCB，PBO）

TRYMAX 等离子除胶机型号：NEO系列TRYMAX该公司主要提供半导体等离子清洗、去胶、活化设备。Trymax目前拥有半自动、全自动系列设备供用户选择，目前已有上百台设备安装在世界各地，被广泛地应用于MEMS微机电系统、微流体器件、SOI基片制造、先进封装、化合物半导体器件、功率器件和光电显示等领域。 一、设备工作原理 等离子体是物质的一种存在状态，该状态中存在下列物质：处于高速运动状态的电子；处于激活状态的中性原子、分子、原子团（自由基）；离子化的原子、分子；未反应的分子、原子等，但物质在总体上仍保持电中性状态。Trymax NEO Series就是通过利用这些活性组分的性质来处理样品表面，通过射频/微波电源在一定的真空条件下起辉产生高能量的无序的等离子体，通过等离子体轰击被清洗产品表面，从而实现清洁、改性、光刻胶灰化等目的。 二、Trymax NEO Series 应用 前道：Light Etching；Descum strip；PR Ashing；离子注入后，光刻后，镀膜前等工艺过程； 后道/先进封装/3D IC：Descum Bumping；MEMS；Plasma Treatment；Wafer Cleaning等。NEO3000产品系列是Trymax半导体设备行业领先的NEO系列先进等离子灰化和蚀刻产品的最新成员之一。 它可以满足最高产量，适应每个生产阶段和预算。 NEO 3000系统可配置任何现有的Trymax NEO工艺模块，并与直径达300mm的基板兼容。小尺寸和模块化设计可根据您的需要灵活配置。 • 特征 - 最大300毫米晶圆尺寸/基板尺寸-2或3个SMIF装载机-5轴双臂机器人处理-4个不同的处理模块：• 下游微波（2.45 GHz）• 射频偏压（13.56MHz）• 双源（微波，射频偏压）• DCP（RF偏置，直接耦合等离子） - 优异的均匀性和可重复性 - 机械吞吐量 220wph - 紧凑的足迹 - 非常低的拥有成本 - 完全数字控制，Devicenet以太网 - 基于窗口的工业计算机 • 应用程序 - 阻挡条带-Descum处理 - 去除聚合物 - 邮寄高剂量植入带 - 氮化硅蚀刻应用-MEMS应用程序 - 封装加工（PR，PI，BCB，PBO）

TRYMAX 等离子除胶机型号：NEO系列TRYMAX该公司主要提供半导体等离子清洗、去胶、活化设备。Trymax目前拥有半自动、全自动系列设备供用户选择，目前已有上百台设备安装在世界各地，被广泛地应用于MEMS微机电系统、微流体器件、SOI基片制造、先进封装、化合物半导体器件、功率器件和光电显示等领域。 一、设备工作原理 等离子体是物质的一种存在状态，该状态中存在下列物质：处于高速运动状态的电子；处于激活状态的中性原子、分子、原子团（自由基）；离子化的原子、分子；未反应的分子、原子等，但物质在总体上仍保持电中性状态。Trymax NEO Series就是通过利用这些活性组分的性质来处理样品表面，通过射频/微波电源在一定的真空条件下起辉产生高能量的无序的等离子体，通过等离子体轰击被清洗产品表面，从而实现清洁、改性、光刻胶灰化等目的。 二、Trymax NEO Series 应用 前道：Light Etching；Descum strip；PR Ashing；离子注入后，光刻后，镀膜前等工艺过程； 后道/先进封装/3D IC：Descum Bumping；MEMS；Plasma Treatment；Wafer Cleaning等。NEO3400系列是Trymax半导体设备行业领先的NEO系列先进等离子灰化和蚀刻产品的最新成员之一。 它可以满足最高产量，适应每个生产阶段和预算。 NEO 3000系统可配置任何现有的Trymax NEO工艺模块，并与直径达300mm的基板兼容。小尺寸和模块化设计可根据您的需要灵活配置。 • 特征 - 最大300毫米晶圆尺寸/基板尺寸-3或4个装载端口-4轴双臂机器人用横臂搬运-2或4个处理室。-4种不同的处理室技术：• 下游微波（2.45 GHz）• 射频偏压（13.56MHz）• 双源（微波，射频偏压）• DCP（RF偏置，直接耦合等离子） - 优异的均匀性和可重复性 - 机械吞吐量 300wph - 紧凑的足迹 - 非常低的拥有成本 - 完全数字控制，Devicenet以太网 - 基于窗口的工业计算机 • 应用程序 - 阻挡条带-Descum处理 - 去除聚合物 - 邮寄高剂量植入带 - 氮化硅蚀刻应用-MEMS应用程序 - 先进的包装加工（PR，PI，BCB，PBO）

产品详情SENTECH RIE SI591 平板电容式反应离子刻蚀机 SI 591特别适用于采用氟基和氯基气体的工艺，可以通过预真空室和电脑控制的等离子工艺系统实现。SI 591的特点是占地空间小，高度灵活性，例如，SI 591可作为单一反应腔系统集成在多腔系统中。 工艺灵活性RIE蚀刻机SI 591 特别适用于氯基和氟基等离子蚀刻工艺 占地面积小且模块化程度高SI 591 可配置为单个反应腔或作为片盒到片盒装载的多腔设备。 SENTECH控制软件我们的等离子蚀刻设备包括用功能强大的用户友好软件与模拟图形用户界面，参数窗口，工艺窗口，数据记录和用户管理。 预真空室和计算机控制的等离子体刻蚀工艺条件，使得SI 591 具有优异的工艺再现性和等离子体蚀刻工艺灵活性。灵活性、模块性和占地面积小是SI 591的设计特点。样品直径大可达200mm，通过载片器加载。SI 591可以配置为穿墙式操作或具有更多选项的小占地面积操作。 位于顶部电极和反应腔体的更大诊断窗口可以轻易地容纳SENTECH激光干涉仪或OES和RGA系统。椭偏仪端口可用于SENTECH椭偏仪进行原位监测。 SI 591结合了计算机控制的RIE平行板电极设计的优点和预真空室系统。SI 591可配置用于各种材料的刻蚀。在SENTECH，我们提供不同级别的自动化程度，从真空片盒载片到一个工艺腔室或多六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，目标是高灵活性或高产量。SI 591也可用作多腔系统中的一个工艺模块。 SI 591 compact 可配置为至多6端口传输结合RIE, ICP-RIE和PECVD腔体手动预真空室置片或片盒装载用于研发和高产量的多腔系统SENTECH控制软件 SI 591 cluster可配置为至多6端口传输结合RIE, ICP-RIE和PECVD腔体手动预真空室置片或片盒装载用于研发和高产量的多腔系统SENTECH控制软件