高功率台式单模泵

分布反馈（DFB）激光器具有结构紧凑、动态单模等特性，是高速光通信、大规模光子集成、激光雷达和微波光子学等应用的核心光源。特别是，以ChatGPT为代表的人工智能领域呈现爆发态势，亟需高算力、高集成、低功耗的光计算芯片作为物理支撑，对核心光源的温度稳定性、高温工作特性、光反馈稳定性、单模质量、体积成本等提出了更高要求。近期，中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室研究员杨涛-杨晓光团队与研究员陆丹，联合浙江大学兼之江实验室教授吉晨，在高功率、低噪声的量子点DFB单模激光器研究方面取得重要进展。该团队采用高密度、低缺陷的叠层InAs/GaAs量子点结构作为有源区，结合低损耗侧向耦合光栅作为高效选模结构，研制出宽温区内高功率、高稳定、低噪声、抗反馈的高性能O波段量子点DFB激光器。在25-85 °C范围内，激光器输出功率均大于100 mW，最大边模抑制比超过62 dB；最低的白噪声水平仅为515 Hz2 Hz-1，对应的本征线宽低至1.62 kHz；最小平均RIN仅为-166 dB/Hz（0.1-20 GHz）。此外，激光器的抗光反馈阈值高达-8 dB，满足无外部光隔离器下稳定工作的技术标准。该器件综合性能优异，兼具低成本、小体积的优势，在大容量光通信、高速片上光互连、高精度探测等领域具有规模应用前景。相关研究成果以High-Power, Narrow-Linewidth, and Low-Noise Quantum Dot Distributed Feedback Lasers为题，发表在Laser & Photonics Reviews上。研究工作得到国家重点研发计划和国家自然科学基金等的支持。图1. 量子点材料的形貌和荧光特性，以及器件与光栅结构图2. 器件的输出特性、光谱特性、光频率噪声特性和外部光反馈下的光谱稳定性

大体积、高精度、高均匀性，符合有机合成化学多样化要求和精确性要求。　　CEM Discover 环形聚焦单模微波微波合成系统已经成为全球最畅销的单模微波反应器，使传统的30mL单模技术扩展到300mL,使其完美定量耦合势阱效应，和11通道单模的Auto-Tunning高精度调节技术，实现了单模技术平台量和质的飞跃，不仅实现了合成反应边界条件的定量性和重复性，使其突破并扩展到更多样性的合成化学的要求。从低温到高温，从小样品到大样品，全系列各种功能的自由扩展，实现从小分子合成直至中药萃取的各种应用，帮助化学家们进行前沿性R&D研究。这是世界上其他同类单模微波合成产品都无法比拟的。300mL环形聚焦单模-大体积、高精度、高均匀性 2003年CEM推出大型环形单模合成反应器 Discover，实现了单模谐振腔从30mL到300mL的扩展，Auto-Tuning 自动改变多耦合（11通道）的专利技术，通过环形单模多通道进行聚焦辐射，行程能势阱效应，提高能量耦合均匀性，不受反应物体积尺寸和极性变化的影响，而且可提高大规模反应的转化率。确保体积变化时反应条件和结果的重复性和再现性。多通道能量耦合使控制精度提高10-40倍，自动调控密度0-900W/L。实现了单模技术量和质的突破，使单模的平台扩展到更适合多样性的合成化学，远胜于驻波型单通道单模微波。2003年7月经ACS推荐，荣获R&D100技术创新大奖。 300mL环形聚焦单模技术专利获2003年R&D100技术创新大奖传统30mL驻波单模的空间扩展性的限制 传统驻波单模技术已有30年的历史，其特点是单通道单向高密度耦合，市场上已有多家供应商。但单模能量界面直径为2.5cm，腔体体积只有30mL，只能放入10-15ml容器，大于20mL易失去微波场平衡，导致耦合位置排斥，影响单模耦合的一致性。另一个缺点是单模功率受腔体限制，因高密度小体积极易产生瞬间泄漏和过强量热耦合损坏反应物，从而造成研究失败。控制精度随功率提高迅速降低，单模精度± 3-9W。总之单模小腔体限制扩大反应、加气反应、机械搅拌、循环回流、连续流动和低温反应能力。微波消解 微波合成更多 有关CEM Discover 环形聚焦单模微波微波合成系统 详情请浏览 http://www.pynnco.com , 或咨询：电话：010-65528800，传真：010-65519722，邮件 sales@pynnco.com

近期，中国科学院上海光学精密机械研究所空间激光信息技术研究中心冯衍研究员领衔的课题组，在高功率拉曼光纤激光器研究中取得新进展。提出了一种镱-拉曼集成的光纤放大器结构，有效地解决了拉曼光纤激光器功率提升的主要技术瓶颈问题，在1120nm波长，首次获得580W的单横模线偏振拉曼光纤激光和1.3kW的近单模拉曼光纤激光输出。　　近年来，高功率光纤激光器发展迅速。1&mu m波段的掺镱光纤激光器，近衍射极限输出功率可达20kW，多横模输出功率可达100kW。尽管如此，稀土掺杂光纤激光器的输出波长，因稀土离子能级跃迁的限制，仅能覆盖有限的光谱范围，限制了其应用领域。基于光纤中受激拉曼散射效应的拉曼光纤激光器是拓展光纤激光器波长范围的有效手段。　　该项研究中，在一般的高功率掺镱光纤放大器中注入两个或多个波长的种子激光，波长间隔对应光纤的拉曼频移量。处于镱离子增益带宽中心的种子激光率先获得放大后，在后续光纤中作为泵浦激光对拉曼斯托克斯激光进行逐级放大。初步的演示实验获得了300 W的1120nm拉曼光纤激光输出 接着采用较大包层(400&mu m)的光纤，获得了580W的单横模线偏振拉曼光纤激光和1.3kW的近单模拉曼光纤激光输出。结果发表于《光学快报》(Optics Letters)和《光学快讯》(Optics Express) [Opt. Lett. 39, 1933-1936 (2014) Opt. Express 22, 18483 (2014)]。鉴于目前高功率掺镱光纤激光器均采用主振放大结构，新提出的光纤放大器结构可用于进一步提升拉曼光纤激光的输出功率。初步的数值计算也表明，该技术方法有望在1～2&mu m范围内任意波长获得千瓦级激光输出。　　该项研究得到了中国科学院百人计划、国家&ldquo 863&rdquo 计划、国家自然科学基金等项目的支持。　　 千瓦级掺镱-拉曼集成的光纤放大器结构示意图　　输出功率随976 nm二极管泵浦功率的变化曲线，其中的插图为最高输出时的光谱。

p style="text-align: justify text-indent: 2em "等离子体激光器由于其本身的亚波长金属腔而经受着低输出功率和光束发散的困扰。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "strong近日，里海大学（Lehigh University）的科研人员研制出一套方案，可以显著提高激光的发射效率和改善光束质量，研究人员称之为锁相的方案。通过该应用，可以实现目前为止最高高功率的太赫兹激光输出。他们研制出的激光可以产生迄今为止最高的发射效率，并且适用于任何单波长半导体激光量子级联激光器。/strong/pp style="text-align: center"strongimg style="max-width: 100% max-height: 100% width: 470px height: 530px " src="https://img1.17img.cn/17img/images/202007/uepic/13f65aca-5a4c-4d3c-b367-43abbfff42c9.jpg" title="截屏2020-07-01 下午5.15.13.png" alt="截屏2020-07-01 下午5.15.13.png" width="470" height="530"//strong/pp style="text-align: center text-indent: 0em "strong文章截图/strong/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "阵列的金属微腔穿过等离子体波而实现纵向地耦合，从而导致单个光谱模的发射和衍射局限在表面法线方向形成单瓣光束。研究人员将这一方案应用于太赫兹等离子体量子级联激光器（quantum-cascade lasers，QCLs）和测量峰值功率超过2 W的单模 3.3 THz QCL在窄单瓣光束时的发射，条件为运行温度为58K时的紧凑型斯特林制冷机。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "新的等离子体激光器锁相方案，与以往在半导体激光器方面的大量文献中对锁相激光器的研究截然不同，该方法利用电磁辐射的行波作为等离子体光腔锁相的工具。同早期的工作相比较，研究人员展示了在功率上可以有一个数量级的增加和至少30倍高的平均功率强度的单模太赫兹QCLs存在。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "该方法获得的太赫兹激光辐射效率是迄今为止任何单波长量子级联所能达到的最高水平，也是首次报道这种量子级联的辐射效率超过50%。这一高效率可以说超过了研究人员一开始的预期，这也是为什么他们研制的激光器的输出功率会显著的高出以前的激光器的原因。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "这项工作的主要创新在于光学腔的设计，它在某种程度上独立于半导体材料的特性。研究人员认为，在利哈伊大学的利哈伊大学光子学和纳米电子学中心，新获得的电感耦合等离子体（ICP）刻蚀工具在推动这些激光器的性能边界方面发挥了关键作用。这一研究报道可以说是单波长太赫兹激光的范式转变，窄的光束将会得到发展和在将来继续发展，同时研究者认为在将来太赫兹的前途非常光明。/p

近日，北京量子信息科学研究院（简称“量子院”）全光量子源团队开发完成了国内首台产品级高功率飞秒振荡器——Fermion-007。该产品弥补了国内瓦量级飞秒振荡器的产品空白，在国际上仅有立陶宛Light Conversion等少数几家公司具有相当技术指标的产品。Fermion-007采用了多项创新技术，仅一级振荡器即可输出大于7W、重频80MHz的飞秒脉冲激光，其指标、可靠性均达到国际先进水平。目前，研发团队已接到超快电镜应用领域的商业合作订单。作为产生飞秒脉冲激光的“种子”，超快飞秒振荡器（Ultrafast femtosecond oscillator）具有高重频、高光束质量等优势，但输出功率普遍较低，往往需要对其进行功率放大以满足应用需求。然而，这种“振荡器+放大器”的技术路线会大大增加系统复杂度，导致成本变高、可靠性变差，从而限制了飞秒激光的受众范围。此外，超快电镜、飞秒双光子显微成像等应用对激光重复频率也有较高要求，因此，高功率飞秒振荡器成为相关领域的急需产品。飞秒振荡器主要分为光纤和固体两大类。固体振荡器虽然技术难度较高，但最高输出功率比光纤高3个量级，且具有更高重频和更长的锁模器件寿命，是满足应用需求的最佳技术方案。二者的具体对比见表1。表1 光纤、固体飞秒振荡器参数对比光纤飞秒振荡器固体飞秒振荡器直接输出功率百pW至mW量级几十mW至W量级最高重复频率百MHz几GHz飞秒锁模方式/器件寿命SESAM/3个月1. SESAM/3个月2. 克尔透镜锁模/无寿命问题技术难度技术门槛较低。基于标准化光纤器件、光纤熔接机设计、生产。技术门槛较高。对于腔型设计、调试经验、工程化等均有要求较高。对于产品商业化而言，工程水平的高低起决定作用。定制化程度激光器结构、指标类似，激光表现主要依赖于光纤、熔接仪器等的上游器件的性能。结构灵活性好，适合针对应用定制功率、重频、脉宽、中心波长等指标国内商业化现状5-10家商业化公司目前尚无商业化公司基于上述应用需求和技术路线分析，北京量子院开发了Fermion系列高功率全固态（DPSS）飞秒振荡器。在不需要额外放大的情况下，Fermion-007可直接输出大于7W、80MHz的飞秒脉冲激光，脉冲宽度~120fs，中心波长1035nm。此外，输出激光还具有优异的光束质量和长期稳定性，两维M2小于1.2，12小时连续运转功率均方根值小于0.3%。图1 Fermion-007 光谱及脉冲宽度测量图2 Fermion-007 光束质量及长期稳定性工程化是激光器从实验样机蜕变成可用产品的核心环节。Fermion-007采用了低热阻晶体封装、一体化密封、温湿度负反馈控制等多项工程技术，并对腔体、冷却模组的设计进行了模拟优化，以降低高泵浦热量对激光器运行环境的不利影响。激光器采用克尔透镜锁模（Kerr-lens mode locking）作为飞秒脉冲产生、维持的机制，相比可饱和吸收体（SESAM）具有更长的寿命和更高的器件可靠性。此外，研发团队首次将新型“射频同步技术”应用到Fermion-007中，用以自启动及维持飞秒锁模状态，从根本上克服了克尔透镜锁模飞秒振荡器长期存在的“失锁”问题。图3 Fermion-007 机械热分布及水路的模拟高功率飞秒振荡器在双光子显微成像、光参量泵浦等领域应用广泛。近年来，随着相关技术的发展，超快电镜、超快电子衍射等标准化仪器对此类激光器的市场需求也在迅速提升。超快电子显微镜（Ultrafast electron microscopy(UEM)）是由传统电镜升级改造而成的高端分析仪器，“飞秒激光驱动光阴极”系统是其新增的核心模块。升级后的超快电镜除了拥有原子尺度的空间分辨率外，还具有飞秒-皮秒尺度的超高时间分辨率，由此成为研究材料动力学过程的有力工具。图4 Fermion系列产品在超快电镜中的应用研发团队与相关系统商开展了新型超快电镜开发的前沿合作，首次提出利用飞秒振荡器产生高重频的超快电子，以降低激光脉冲对光阴极造成的损伤风险。该方案有望从根本上解决此类仪器长期存在的光阴极可靠性问题，提高超快电镜产品的使用寿命和市场竞争力。据合作系统商的预估，超快电镜未来3年总市场需求量可达到50台/年。研发团队简介高功率飞秒振荡器是量子院全光量子源团队于子蛟助理研究员主导完成的研究项目。全光量子源团队于2020年由鲁巍教授组建，隶属于北京量子院技术产业开发中心。团队致力于打造支撑量子产业相关的关键激光设备，包括超快超强激光装置（TW-PW系统）、激光加速桌面光源及应用、新型高端科研飞秒激光器的前沿技术研究、产品研发及产业化落地。

近日，新加坡南洋理工大学电气与电子工程学院的Qi Jie Wang教授团队及其合作者们通过构建光子类马约拉纳零模（Majorana-like zero mode），在量子级联激光芯片中实现单模、柱状矢量光场输出的太赫兹量子级联激光器。相关成果以“Photonic Majorana quantum cascade laser with polarization-winding emission”为题发表于期刊《Nature Communications》上。新加坡南洋理工大学电气与电子工程学院博士后韩松(现为浙江大学杭州国际科创中心和浙江大学信电学院研究员)为论文第一作者，博士研究生Yunda Chua为共同第一作者；南洋理工大学电气与电子工程学院Qi Jie Wang教授为论文第一通讯作者，武汉大学信息电子学院曾永全教授为共同通讯作者。拓扑学研究的是几何物体或空间在连续形变下保持的全局性质，它只关注物体之间的空间关系而不考虑其大小和形状。对具有特殊拓扑性质的光子结构而言，空间上的缺陷和无序只会引起局部参数变化，不影响该空间的全局性质。拓扑光子结构的典型特征在于结构内部是绝缘体，而表面则能支持无带隙的界面（表面）态。受结构全局性质的规范，界面态可沿着有限光子绝缘系统的边缘或畴壁单向传输，并且能够有效地绕过结构拐角及制备误差引起的缺陷和无序而无后向散射（即拓扑保护）。因此，拓扑光子结构可用于实现高鲁棒性半导体激光器，即“拓扑激光器”。然而，拓扑激光器研究面临两大共性难题：1）需要光泵；2）需要外加磁场或者构建等效磁场来产生受拓扑保护的界面态激光模式。二者均显著增加了激光器系统的复杂程度、成本和功耗，降低了激光器的可靠性，阻碍了其实用化进程。针对上述难题，课题组前期利用量子能谷霍尔效应的原理，以太赫兹有源超晶格材料为增益介质，集成能谷光子晶体,通过简单的设计打破结构反对称性来产生“能谷-动量锁定”的边界传输模式，实现了拓扑界面态的片上单向传输和放大，从而首次研发出电泵浦拓扑激光器。然而该工作是多模激光器且其信噪比低，难以实现激光器出射光的光束控制。随后，来自南加州大学的科学家利用量子自旋霍尔效应，在室温条件下，实现近红外电泵浦单模激光。然而，该工作设计复杂的超大尺寸耦合环形谐振腔阵列实现拓扑边界态，其样品整体尺寸在200个波长以上，且需要耦合光栅增强激光输出和信噪比，难以实现光束调控、赋形、极化控制等高性能激光器。此外，两个工作均需要选择性地泵浦边界态，牺牲光子晶体体态增益材料，难以实现大面积集成的高功率激光器。因此，对电泵浦拓扑激光器性能的提升，如光束调控、赋形、极化控制、高功率输出等，亟待新的物理机制。团队创造性地将凝聚态中p波超导的马约拉纳零能模式引入到光子晶体体系，并利用光子类马约拉纳零能模式的辐射特性，实现了全动态范围单模输出（边模抑制比大于15dB，输出光率约1毫瓦）、柱状矢量光场调控、固态电泵浦、单片集成的太赫兹拓扑激光器。该成果的独特优势还有：（1）在不需要选择性泵浦的情况下，其发光腔体整体直径可以低至大约4个波长，是目前报道能保证毫瓦量级功率条件下最紧凑的太赫兹拓扑激光器（相对激光波长），这极大提升了该类半导体激光器在实际应用中的集成度。（2）光子马约拉纳微腔的自由光谱程(free spectral range)与腔体尺寸呈现二次方反比律[3]，这一特性使得光子马约拉纳微腔更容易在大面积条件下保持单模激光输出。团队也在电泵浦拓扑激光器体系中证实了该二次方反比律，并实现了大面积泵浦下高功率（大于9毫瓦）和单模激光输出，其功率是同等尺寸下脊形激光器的5.4倍。图1.光子马约拉纳激光器的示意图a和加工样品图b。图2.a.超胞（supercell）能带随Kekule调制相位的变化。b.类马约拉纳光子腔的相位分布及六方晶格位置与相位之间的关系。中心虚线圆包围的部分为非Kekule调制区域（non-Kekule modulated region），其半径标记为ζ，这里ζ=2a。图中显示马约拉纳光子腔的相位绕数为+1。c.相位绕数为+1的类马约拉纳光子腔的空气孔的大小分布。d,e.三维模拟的类马约拉纳光子腔的近场（Ez）与远场（Intensity）分布。图3. a，b实验测到的激光模式随泵浦电流密度变化，a.相位绕数+1，b.相位绕数-1。c.理论计算的净增益。d.实验测得的L-I-V曲线和在对应位置激光光谱。图4.远场测试。a.测试装置示意图。b,c.数值仿真和实验测试的远场光斑。d,e.加偏振片后的激光光谱和光斑。图5.大面积激光的L-I-V曲线，激光光谱，和单模性分析。

html,body{-webkit-user-select:text }*{padding:0 margin:0 }.web-box{width:100% text-align:center }.wenshang{margin:0auto width:80% text-align:center padding:20px10px010px }.wenshangh2{display:block color:#900 text-align:center padding-bottom:10px border-bottom:1pxdashed#ccc font-size:16px }.sitea{text-decoration:none }.content-box{text-align:left margin:0auto width:80% margin-top:25px text-indent:2em font-size:14px line-height:25px }.biaoge{margin:0auto /*width:643px */width:100% margin-top:25px }.table_content{border-top:1pxsolid#e0e0e0 border-left:1pxsolid#e0e0e0 font-family:Arial /*width:643px */width:100% margin-top:10px margin-left:15px }.table_contenttrtd{line-height:29px }.table_content.bg{background-color:#f6f6f6 }.table_contenttrtd{border-right:1pxsolid#e0e0e0 border-bottom:1pxsolid#e0e0e0 }.table-left{text-align:left padding-left:20px }基本信息关键内容：计量泵开标时间：2022-05-1809:00采购金额：199.50万元采购单位：海丝埃睿迪数字科技有限公司采购联系人：刘荣寅采购联系方式：立即查看招标代理机构：福建省江海工程管理有限公司代理联系人：苏工代理联系方式：立即查看详细信息海丝埃睿迪数字科技有限公司智慧水务技改服务项目公开招标公告福建省-泉州市-丰泽区状态：公告更新时间：2022-04-26海丝埃睿迪数字科技有限公司智慧水务技改服务项目公开招标公告2022年04月26日15:55公告信息：采购项目名称智慧水务技改服务项目品目货物/通用设备/电子和通信测量仪器/电子和通信测量仪器零部件采购单位海丝埃睿迪数字科技有限公司行政区域泉州市公告时间2022年04月26日15:55获取招标文件时间2022年04月28日至2022年05月07日每日上午:8:00至12:00下午:14:30至17:30（北京时间，法定节假日除外）招标文件售价￥300获取招标文件的地点泉州国资阳光集中采购平台（网址：http://www.qzgzcg.com)开标时间2022年05月18日09:00开标地点在泉州国资阳光集中采购平台（http://www.qzgzcg.com/）在线公开招标，同时在福建省泉州市丰泽区温陵南路48号泉州汽车站内船型楼设置在线开标会场预算金额￥199.500000万元（人民币）联系人及联系方式：项目联系人苏工项目联系电话18960289021采购单位海丝埃睿迪数字科技有限公司采购单位地址福建省泉州经济技术开发区玉狮路69号2.5产业园D栋5层采购单位联系方式刘荣寅、15959873841代理机构名称福建省江海工程管理有限公司代理机构地址泉州市丰泽区东湖街道东泽路泉州市水利水电总公司综合楼五楼代理机构联系方式苏工、18960289021项目概况智慧水务技改服务项目招标项目的潜在投标人应在泉州国资阳光集中采购平台（网址：http://www.qzgzcg.com)获取招标文件，并于2022年05月18日09点00分（北京时间）前递交投标文件。一、项目基本情况项目编号：FJJH-CG-2022006项目名称：智慧水务技改服务项目预算金额：199.5000000万元（人民币）最高限价（如有）：199.5000000万元（人民币）采购需求：采购一览表序号设备名称技术参数数量单位最高控制单价（元）合价（元）1旧取水泵房1.1取水真空系统技改1.1.1电动球阀SUA21、DN20，AC220V，阀体为黄铜或不锈钢3套45013501.1.2负压传感器量程：-100.0KPA～+100.0KPA精度：1级输出：4～20mA（二线制）供电：24VDc（15～30VDC）连接螺纹：M201.5锥度密封3套250075001.1.3补水管路PPR，20管路管件1项200020001.1.3.1PPR管道2050米1.1.3.2PPR弯头2010个1.1.3.3PPR三通204个1.1.3.4PPR直接镀锌角铁3套1.1.3.5管道支架镀锌角铁5个1.1.4泵房真空系统自动柜SUS304柜体，1000*800*250，配置触摸屏，主要电气元器件采用施耐德、ABB等品牌。可实现现场一键启停功能。1套35000350001.1.4.1不锈钢柜体SUS304柜体，1000*800*2501个1.1.4.2PLCDI48，DO24，AI12，PLC本体带有以太网口，支持TF卡更新程序，支持最多扩展1个通信模块和6个信号模块。1套1.1.4.3UPS额定容量：800W输入电压：（115-300）VAC输入频率：（40-70）Hz输入功率因素：》0.98切换时间：0ms时间切换电池：内置电池，备用时间》10min1套1.1.4.4柜内电气元器件断路器等1个1.1.4.5触摸屏显示屏尺寸：10英寸分辨率：1024*600CPU：600MHz内存：128MbDDR3接口：RJ45*1,USB2.0*11套1.1.4.6触摸屏防护罩与触摸屏配套1套1.1.4.7光纤收发器MOXA单模百兆2套1.1.4.8继电器DC24V30个1.1.4.9端子集成商配套300个1.1.4.10电源防雷模块安装方式：卡轨式最大放电电流：20KA标称放电电流：10KA1套1.1.4.11信号隔离模块隔离电压：独立供电，输入输出电源之间，1500VAC，1min电源保护：电源反接、过流、过压保护精度等级：0.15级信号类型：0/4-20ma4套1.1.4.12PLC应用软件开发包1套1.1.4.13触摸屏应用软件开发包1套1.1.5安装辅材辅料电线电缆、桥架等1项400040001.1.5.1电线RVV3*1.5100米1.1.5.2信号线缆RVVP3*1.0100米1.1.5.3电线RVV3*2.558米1.1.5.4单模光纤单模4芯100米1.1.5.5超五类网线2050米1.1.5.6PVC穿线管2080米1.1.5.7PE软管20100米1.1.6施工费用1项800080001.2电力系统技改1.2.1低压电力参数仪表基本功能：1、三相U、I、KW、kvar\kwh、Hz等，LED显示2、1*RS485，带可编程的modbusRTU3套40012001.2.2互感器额定工作电源：AC0.66KV变比：100/5、150/5、200/5精度：0.5级别外壳：阻燃ABS9个504501.2.3安装辅材辅料管材、线缆1项200020001.2.3.1电线BVR2.5100米1.2.3.2电线BVR1.050米1.2.3.3安装板定制，固定电力仪表3米1.2.3.4信号线缆RVVP4*1.0100米1.2.3.5PE软管2030米1.2.4施工费用1项350035001.3现场自控技改1.3.1现场中控台改造采用新式琴台柜，配置15寸触控屏，在触摸屏上可查看现场数据，可以启停现场设备。1套40000400001.3.1.1操作台碳钢喷塑，,1000*800*4501个1.3.1.2PLCDI48，DO24，AI6，AO2，PLC本体带有以太网口，支持TF卡更新程序，支持最多扩展1个通信模块和6个信号模块。1套1.3.1.3UPS额定容量：1600W输入电压：（115-300）VAC输入频率：（40-70）Hz输入功率因素：》0.98切换时间：0ms时间切换电池：内置电池，备用时间》10min1套1.3.1.4柜内电气元器件断路器等1项1.3.1.5触摸屏显示屏尺寸：15英寸分辨率：1024*600CPU：600MHz内存：128MbDDR3接口：RJ45*1,USB2.0*1，RS232*11套1.3.1.6触摸屏防护罩与触摸屏配套1套1.3.1.7光纤交换机2光6电，百兆单模，管理型1台1.3.1.8光纤收发器MOXA单模百兆2套1.3.1.9继电器DC24V20个1.3.1.10端子集成商配套400个1.3.1.11电源防雷模块安装方式：卡轨式最大放电电流：20KA标称放电电流：10KA1套1.3.1.12信号隔离模块隔离电压：独立供电，输入输出电源之间，1500VAC，1min电源保护：电源反接、过流、过压保护精度等级：0.15级信号类型：0/4-20ma10套1.3.1.13PLC应用软件开发包1套1.3.1.14触摸屏应用软件开发包1套1.3.2现场声光报警器额定工作电压：24VAC/DC蜂鸣器：持续，85db防护等级：IP421个4504501.3.3安装辅材辅料电线电缆、桥架等1项600060001.3.3.1超五类网线国际200米1.3.3.2光纤单模100米1.3.3.3信号线缆RVVP10*1.040米1.3.3.4桥架200*10050米1.3.3.5PE软管100米1.3.4施工费用1项10000100001.4泵组工况监控1.4.1轴温检测装置PT100，磁吸式3套50015001.4.2振动检测装置量程：4～500um精度：1级输出：4～20mA（二线制）供电：24VDc3套200060001.4.3漏水检测装置工作电源：DC24V误报率:输出方式：继电器静态功耗：3套2006001.4.4安装辅材辅料电线电缆、桥架等1项200020001.4.4.1超五类网线国标100米1.4.4.2PE软管20100米1.4.4.3传感器支架电机固定、定制1项1.4.5施工费用1项200020001.5泵站(新旧）综合安防监控系统1.5.1电子围栏四线网络脉冲电子围栏，200米，泵站内组成一个防区，包含报警主机等。1套230023001.5.1.1智能型脉冲电子围栏主机与电子围栏同一品牌1套1.5.1.2总线报警主机（2.0程序含LCD中文键盘）与电子围栏同一品牌1套1.5.1.316路多功能联动输出模块（联动模块）与电子围栏同一品牌1个1.5.1.4合金线与电子围栏同一品牌800米1.5.1.5铝合金等安装件与电子围栏同一品牌1套1.5.1.6围栏警示牌与电子围栏同一品牌30个1.5.1.7避雷接地桩与电子围栏同一品牌1套1.5.1.8避雷接地线与电子围栏同一品牌1套1.5.1.9厂界安防软件开发包，安防子系统1套1.5.2门禁系统新旧泵站大门，根据现场情况，在现有大门上进行改装。2套350070001.5.2.1门禁终端操作系统：嵌入式Linux操作系统显示屏：4.3英寸，480*272刷脸验证时间：《0.5S/人人脸容量：1000张存储容量：3000张卡，20000条事件记录通信方式：自适应网口物理接口：RS485*1，电锁*1，门磁*1，开门按钮*1摄像头：200万安装方式：明装2套1.5.2.2电磁锁最大拉力：280KG直线拉力输入电压：DC12V工作电流：340mA开锁方式：断电开门适用门型：木门、玻璃门、金属门、防火门2套1.5.3泵房内球机400万摄像机室内室外23倍光学变倍网线供电红外夜视网络球机2台350070001.5.4泵站外围球机400万摄像机室内室外23倍光学变倍网线供电红外夜视网络球机2台350070001.5.5枪机400万星光2K高清夜视摄像机可拾音室内室外网线供电2台55011001.5.6LED照明补光泵房内部以及厂界四周补光，具有远控功能1项450045001.5.7NVR及8T硬盘视频接入路数：8视频解码格式：H.265,smart265，解码能力：8*1080P网络接口：1个RJ45硬盘盘位：2个硬盘容量：4T*2电源：DC12V，40W1套450045001.5.8安装辅材辅料电线电缆、桥架等1项200020001.5.8.1电线RVV3*1.550米1.5.8.2超五类网线国标300米1.5.8.3监控支架现场定制1项1.5.9施工费用1项450045002新取水泵站2.1泵组工况监测2.1.1轴温检测装置PT100，磁吸式3套50015002.1.2振动检测装置量程：4～500um精度：1级输出：4～20mA（二线制）供电：24VDc3套200060002.1.3漏水检测装置工作电源：DC24V误报率:输出方式：继电器静态功耗：3套2006002.1.4安装辅材辅料电线电缆、桥架等1项300030002.1.4.1RVVP4*1.0500米2.1.4.2PE软管100米2.1.4.3传感器支架电机固定、定制1项2.1.5施工费用1项400040002.2电力系统技改2.2.1低压电力参数仪表基本功能：1、三相U、I、KW、kvar\kwh、Hz等，LED显示2、1*RS485，带可编程的modbusRTU3套40012002.2.2互感器额定工作电源：AC0.66KV变比：100/5、150/5、200/5精度：0.5级别外壳：阻燃ABS9个504502.2.3安装辅材辅料管材、线缆1项120012002.2.3.1电线50米2.2.3.2RVVP4*1.050米2.2.3.3PE软管2050米2.2.3.4安装板定制30项2.2.4施工费用1项350035003一期、二期工程3.1一期沉淀池3.1.1现场PLC控制站柜体采用仿威图琴台式机柜，高1080*宽620*深430，碳钢喷塑，内安装PLC控制系统，台面配有7寸触摸屏，主要电气元器件采用施耐德、西门子、欧姆龙品牌。该站实现对泵站内的数据采集并与平台交互。1套60000600003.1.1.1琴台式机柜机柜,1080*620*4801套3.1.1.2PLCDI64，DO36，AI8，PLC本体带有以太网口，支持TF卡更新程序，支持最多扩展1个通信模块和6个信号模块。1套3.1.1.3UPS额定容量：1600W输入电压：（115-300）VAC输入频率：（40-70）Hz输入功率因素：》0.98切换时间：0ms时间切换电池：内置电池，备用时间》10min1套3.1.1.4柜内电气元器件断路器等1套3.1.1.5触摸屏显示屏尺寸：10英寸分辨率：1024*600CPU：600MHz内存：128MbDDR3接口：RJ45*1,USB2.0*11套3.1.1.6触摸屏防护罩与触摸屏配套1套3.1.1.7光纤收发器MOXA单模百兆1套3.1.1.8继电器DC24V28套3.1.1.9端子集成商配套100套3.1.1.10电源防雷模块安装方式：卡轨式最大放电电流：20KA标称放电电流：10KA1套3.1.1.11信号隔离模块隔离电压：独立供电，输入输出电源之间，1500VAC，1min电源保护：电源反接、过流、过压保护精度等级：0.15级信号类型：0/4-20ma2套3.1.1.12PLC应用软件开发包1套3.1.1.13触摸屏应用软件开发包1项3.1.2排泥阀排水沟视频监控焦距：4mm像素：400万存储编码：H.265红外夜视距离：30m供电方式：网线供电探头个数：1个智能识别：移动识别适用面积：40-80㎡监控类型：枪机监控云存安全协议：ISO27001防水等级：IP66供网方式：网线存储方式：硬盘1套5505503.1.3安装辅材辅料管材、线缆1项14500145003.1.3.1超五类网线300米3.1.3.2光纤单模100米3.1.3.3信号线缆RVVP10*1.0300米3.1.3.4PE保护管20300米3.1.3.5电线BVR1.0600米3.1.3.6电线BVR2.5100米3.1.3.7阀门固定安装支架定制1项3.1.3.8振动、浸水传感器安装件定制1项3.1.4施工费用1项20000200003.2一期、二期絮凝沉淀池3.2.1游动电流仪SCD自动投加系统是建立在以原水浊度曲线和流量曲线为基础上，由ＰＬＣ控制变频计量泵进行前馈按比例投加，再由流动电流检测仪（ＳＣＤ）分析投加结果把数据反馈给ＰＬＣ，通过计算由ＰＬＣ对变频计量泵进行微调实现PAC自动投加。样本接触组件：不锈钢，UHMW，环氧树脂电源要求选项：1.6A时230VAC，50Hz3.2A时120VAC，60Hz操作温度：0到50C（32到122F）最大相对湿度：温度不超过50C(122F)时为95%存储温度：20至70C（4至158F）；相对湿度95%，不凝结海拔：最高2000m(6560ft)★响应速度：1秒钟至1分钟，可调节平均值样品流速：可变；建议24升/分钟样品温度：7到35C（45到95F）水连接件：½-in.BSP通信：RS485电隔离；数据速率：1200至9600波特率输出：双420mA输出；最大载荷500，电隔离双继电器；SPST、NO和NC终端，最大16VAC(35VDC)，5A（仅适用于电阻负载）输入：两个双位数字；光隔离；开关输入或5至24V输入3套1250003750003.2.2浊度检测仪1）传感器:(1)测量原理：1720E利用90散射光，内置气泡去除系统；可以通过对比做单点校准：（1-40NTU范围内任选一点）；(2)量程：0.001~100NTU；(3)精度：0~40NTU：读数的±2%或±0.015NTU，40~100NTU：读数的±5%；(4)分辨率：0~9.9999NTU：0.0001NTU，10.000~99.999NTU：0.001NTU；(5)重复性：优于读数的±1.0%或±0.002NTU；(6)信号平均时间：6、30、60、90秒可选；(7)样品流量：200~750mL/min；(8)操作温度：0~50℃（单探头）；0~40℃（双探头）；(9)水样温度：0~50℃；2）变送器:(1)显示：须有图形数据点阵LCD，带LED背景灯照明，半透明反射式；在任意光线下可读；(2)探头输入：单通道或双通道；(3)输出：两路模拟的0/4-20mA输出信号；(4)电气接口：1/2；(5)数据存储：须有多个数据记录仪，记录数据以XML的格式被下载到SD（4G）卡上；(6)外壳防护等级：IP66；(7)电源：100~240VAC±10%，50/60Hz；24Vdc-15%，+20%；(8)通讯协议：MODBUSRS232/RS485、ProfibusDPV1、Hart协议，可选；(9)安装方式：壁挂/面板/夹管式安装；3套30000900003.2.3浊度检测仪1）传感器:(1)测量原理：1720E利用90散射光，内置气泡去除系统；可以通过对比做单点校准：（1-40NTU范围内任选一点）；(2)量程：0.001~100NTU；(3)精度：0~40NTU：读数的±2%或±0.015NTU，40~100NTU：读数的±5%；(4)分辨率：0~9.9999NTU：0.0001NTU，10.000~99.999NTU：0.001NTU；(5)重复性：优于读数的±1.0%或±0.002NTU；(6)信号平均时间：6、30、60、90秒可选；(7)样品流量：200~750mL/min；(8)操作温度：0~50℃（单探头）；0~40℃（双探头）；(9)水样温度：0~50℃；2）变送器:(1)显示：须有图形数据点阵LCD，带LED背景灯照明，半透明反射式；在任意光线下可读；(2)探头输入：单通道或双通道；(3)输出：两路模拟的0/4-20mA输出信号；(4)电气接口：1/2；(5)数据存储：须有多个数据记录仪，记录数据以XML的格式被下载到SD（4G）卡上；(6)外壳防护等级：IP66；(7)电源：100~240VAC±10%，50/60Hz；24Vdc-15%，+20%；(8)通讯协议：MODBUSRS232/RS485、ProfibusDPV1、Hart协议，可选；(9)安装方式：壁挂/面板/夹管式安装；3套30000900003.2.4PLC电气控制柜包含计量泵变频器等1套75000750003.2.4.1电气控制柜碳钢喷塑，2000*800*6001套3.2.4.2变频器ACS5103套3.2.4.3PLCDI48，DO24，AI12，AO4，PLC本体带有以太网口，支持TF卡更新程序，支持最多扩展1个通信模块和6个信号模块。1套3.2.4.4柜内电气元器件断路器等1套3.2.4.5触摸屏显示屏尺寸：10英寸分辨率：1024*600CPU：600MHz内存：128MbDDR3接口：RJ45*1,USB2.0*11套3.2.4.6触摸屏防护罩与触摸屏配套1套3.2.4.7继电器DC24V10套3.2.4.8端子集成商配套200套3.2.4.9电源防雷模块安装方式：卡轨式最大放电电流：20KA标称放电电流：10KA1套3.2.4.10信号隔离模块隔离电压：独立供电，输入输出电源之间，1500VAC，1min电源保护：电源反接、过流、过压保护精度等级：0.15级信号类型：0/4-20ma5套3.2.4.11PLC应用软件开发包1套3.2.4.12触摸屏应用软件开发包1项3.2.5仪表柜定制包含管路3套10000300003.2.5.1仪表柜SUS304，带玻璃视窗3套3.2.5.2UPVC管路含弯头、直接等，现场定制3套3.2.5.3电气元器件断路器、端子等3套3.2.6安装辅材辅料管材、线缆1项15000150003.2.6.1超五类网线国标300米3.2.6.2仪表柜基座现场定制3套3.2.6.3仪表固定安装件不锈钢定制1项3.2.6.4加药一键启动控制箱现场定制2个3.2.7施工费用1项22000220003.3一期、二期滤池3.3.1滤池操作台柜体采用仿威图琴台式机柜，高1080*宽620*深430，碳钢喷塑，内安装PLC控制系统，台面配有7寸触摸屏，主要电气元器件采用施耐德、西门子、欧姆龙品牌。6套230001380003.3.1.1操作台碳钢喷塑1080*620*4806个3.3.1.2PLCDI48，DO16，AI8，AO2，PLC本体带有以太网口，支持TF卡更新程序，支持最多扩展1个通信模块和6个信号模块。6套3.3.1.3柜内电气元器件断路器等6项3.3.1.4触摸屏显示屏尺寸：7英寸分辨率：1024*600CPU：600MHz内存：128MbDDR3接口：RJ45*1,USB2.0*16套3.3.1.5触摸屏防护罩与触摸屏配套6套3.3.1.6工业交换机5口百兆6台3.3.1.7电源防雷模块安装方式：卡轨式最大放电电流：20KA标称放电电流：10KA6套3.3.1.8PLC应用软件开发包1套3.3.1.9触摸屏应用软件开发包1套3.3.2安装辅材辅料管材、线缆1项10000100003.3.2.1超五类网线国标300米3.3.2.2光纤单模100米3.3.2.3信号线缆RVVP10*1.0200米3.3.2.4PE保护管20300米3.3.2.5电线BVR1.01200米3.3.2.6电线BVR2.5100米3.3.3施工费用1项25000250003.4一期、二期送水泵房3.4.1电动阀门现场手动阀门改成电动调节阀，每个阀门配置一个现场控制箱5套14000700003.4.2PLC控制柜碳钢喷塑2000*800*600，主要电气元器件采用国际知名品牌，包含电动阀门、水泵控制。PLC具体参数：（1）负载存储器：集成的1M字节RAM以后，可扩展的存储卡RAM最多为2G字节；（2）内存：CPU应提供充足的内存以满足应用本身和未来扩充的需要。（3）处理速度：运算速度典型位执行时间应不高过0.08微秒，典型每千字节指令字运算时间不高过0.06毫秒。（4）所有模块均具有自动故障检测功能，并能通过上位机上的监控软件观察到其工作状态。（5）通讯能力：系统应具有强大的通讯功能，支持EtherNet/IP、ControlNet、DeviceNet、ProfibusDP、ModbusRTU等协议。支持灵活的网络结构，支持灵活的网络分段以及相应的隔离式桥接方（6）需保证系统的先进性和可靠性，需要支持DLR（设备级环网）技术和ADC（设备自动更换）技术。（7）CPU自带两个EtherNet/IP通讯口。1项75000750003.4.2.1PLC柜碳钢喷塑，2000*800*6001个3.4.2.2PLCDI96，DO32，AI16，AO8，以太网接口一个1套3.4.2.3直流电源与PLC配套1套3.4.2.4串口通信接口与PLC配套1套3.4.2.5机架导轨与PLC配套1套3.4.2.6UPS额定容量：1600W输入电压：（115-300）VAC输入频率：（40-70）Hz输入功率因素：》0.98切换时间：0ms时间切换电池：内置电池，备用时间》10min1套3.4.2.7柜内电气元器件断路器等1套3.4.2.8触摸屏显示屏尺寸：10英寸分辨率：1024*600CPU：600MHz内存：128MbDDR3接口：RJ45*1,USB2.0*11套3.4.2.9触摸屏防护罩与触摸屏配套1套3.4.2.10光纤收发器MOXA单模百兆1套3.4.2.11光纤交换机2光6电，百兆单模管理型1台3.4.2.12继电器C24V20套3.4.2.13端子集成商配套240套3.4.2.14电源防雷模块安装方式：卡轨式最大放电电流：20KA标称放电电流：10KA1套3.4.2.15信号隔离模块隔离电压：独立供电，输入输出电源之间，1500VAC，1min电源保护：电源反接、过流、过压保护精度等级：0.15级信号类型：0/4-20ma5套3.4.2.16PLC应用软件开发包1套3.4.2.17触摸屏应用软件开发包1项3.4.3轴温检测装置PT100，磁吸式5套50025003.4.4振动检测装置量程：4～500um精度：1级输出：4～20mA（二线制）供电：24VDc5套2000100003.4.5漏水检测装置工作电源：DC24V误报率:输出方式：继电器静态功耗：5套20010003.4.6安装辅材辅料管材、线缆1项10000100003.4.6.1超五类网线国标300米3.4.6.2光纤单模100米3.4.6.3信号线缆RVVP10*1.0300米3.4.6.4PE保护管20300米3.4.6.5电线BVR1.0600米3.4.6.6电线BVR2.5100米3.4.6.7阀门固定安装支架定制1项3.4.6.8振动、浸水传感器安装件定制1项3.4.7施工费用1项27000270003.5三期滤池、加氯消毒系统3.5.1光纤交换机现有PLC柜加装光纤交换机2套350070003.5.2安装辅材辅料管材、线缆1项300030003.5.2.1超五类网线国标200米3.5.2.2开关电源240W开关电源，交换机供电2套3.5.2.3支架现场定制2套3.5.2.4尾纤盒现场定制2套3.5.2.5电线RVV3*1.550米3.5.2.6PE保护管2050米3.5.3施工费用1项200020003.6三期沉淀池3.6.1PLC控制柜碳钢喷塑2000*800*600，主要电气元器件采用国际知名品牌，包含电动阀门、水泵控制。PLC具体参数：（1）负载存储器：集成的1M字节RAM以后，可扩展的存储卡RAM最多为2G字节；（2）内存：CPU应提供充足的内存以满足应用本身和未来扩充的需要。（3）处理速度：运算速度典型位执行时间应不高过0.08微秒，典型每千字节指令字运算时间不高过0.06毫秒。（4）所有模块均具有自动故障检测功能，并能通过上位机上的监控软件观察到其工作状态。（5）通讯能力：系统应具有强大的通讯功能，支持EtherNet/IP、ControlNet、DeviceNet、ProfibusDP、ModbusRTU等协议。支持灵活的网络结构，支持灵活的网络分段以及相应的隔离式桥接方（6）需保证系统的先进性和可靠性，需要支持DLR（设备级环网）技术和ADC（设备自动更换）技术。（7）CPU自带两个EtherNet/IP通讯口。1套75000750003.6.1.1PLC柜碳钢喷塑，2000*800*6001个3.6.1.2PLCDI96，DO32，AI16，AO4，PLC本体带有以太网口，支持TF卡更新程序，支持最多扩展1个通信模块和6个信号模块。1套3.6.1.3直流电源与PLC配套1套3.6.1.4串口通信接口与PLC配套1套3.6.1.5机架导轨与PLC配套1套3.6.1.6UPS额定容量：1600W输入电压：（115-300）VAC输入频率：（40-70）Hz输入功率因素：》0.98切换时间：0ms时间切换电池：内置电池，备用时间》10min1套3.6.1.7柜内电气元器件断路器等1套3.6.1.8触摸屏显示屏尺寸：10英寸分辨率：1024*600CPU：600MHz内存：128MbDDR3接口：RJ45*1,USB2.0*11套3.6.1.9触摸屏防护罩与触摸屏配套1套3.6.1.10光纤收发器MOXA单模百兆1套3.6.1.11光纤交换机单模光纤交换机1套3.6.1.12继电器DC24V18套3.6.1.13端子集成商配套260套3.6.1.14电源防雷模块安装方式：卡轨式最大放电电流：20KA标称放电电流：10KA1套3.6.1.15信号隔离模块隔离电压：独立供电，输入输出电源之间，1500VAC，1min电源保护：电源反接、过流、过压保护精度等级：0.15级信号类型：0/4-20ma5套3.6.1.16PLC应用软件开发包1套3.6.1.17触摸屏应用软件开发包1项3.6.2安装辅材辅料管材、线缆1项10000100003.6.2.1超五类网线国标300米3.6.2.2光纤单模100米3.6.2.3信号线缆RVVP10*1.0100米3.6.2.4PE保护管20100米3.6.2.5电线BVR1.0100米3.6.2.6电线BVR2.5100米3.6.2.7户外线管支架定制1项3.6.3施工费用1项10000100003.7厂区综合安防监控系统3.7.1电子围栏四线网络脉冲电子围栏，1400米，厂区内组成7个防区1套1038501038503.7.1.1智能型脉冲电子围栏主机与电子围栏同一品牌，厂家配套7套3.7.1.2总线报警主机（2.0程序含LCD中文键盘）与电子围栏同一品牌，厂家配套1套3.7.1.316路多功能联动输出模块（联动模块）与电子围栏同一品牌，厂家配套7个3.7.1.4合金线与电子围栏同一品牌，厂家配套5600米3.7.1.5铝合金等安装件与电子围栏同一品牌，厂家配套7套3.7.1.6围栏警示牌与电子围栏同一品牌，厂家配套160个3.7.1.7避雷接地桩与电子围栏同一品牌，厂家配套7套3.7.1.8避雷接地线与电子围栏同一品牌，厂家配套7套3.7.1.9厂界安防软件开发包，安防子系统1套3.7.2球机400万摄像机室内室外23倍光学变倍网线供电红外夜视网络球机DS-2DC4423IW-DE8套3500280003.7.3枪机400万星光2K高清夜视摄像机可拾音室内室外网线供电DS-2CD3T46WDV3-I34mm8套55044003.7.4门禁系统滤池、配电间、泵房等5套3500175003.7.4.1门禁终端操作系统：嵌入式Linux操作系统显示屏：4.3英寸，480*272刷脸验证时间：《0.5S/人人脸容量：1000张存储容量：3000张卡，20000条事件记录通信方式：自适应网口物理接口：RS485*1，电锁*1，门磁*1，开门按钮*1摄像头：200万安装方式：明装5套3.7.4.2电磁锁最大拉力：280KG直线拉力输入电压：DC12V工作电流：340mA开锁方式：断电开门适用门型：木门、玻璃门、金属门、防火门5套3.7.4.3门禁系统软件开发包1套3.7.5安装辅材辅料泵房内部以及厂界四周补光，具有远控功能1项600060003.7.5.1PVC线管20600米3.7.5.2超五类网线国标300米3.7.5.3光纤单模4芯400米3.7.5.4电线RVV3*1.5150米3.7.8施工费用1项22000220004中控系统及信息化平台4.1中控室4.1.1工程师站i5-104008G1T，独显，配置23.8寸显示器1套450045004.1.2操作员站i5-104008G1T，独显，配置23.8寸显示器1套450045004.1.3scada组态工程软件C/S+B/S架构定制开发，由通讯服务程序、数据库、实时监测客户端、WEB浏览系统、移动服务端这五部分组成，其中通信服务程序负责水厂监控终端的实时监测数据的接收、解析、存储及控制参数的设置；数据库负责数据的实时存储；实时监测客户端主要负责实时监控、报警显示、数据分析及远程控制指令的下达；WEB浏览系统实现WEB数据浏览、报表查询打印；移动服务端实现手机访问浏览水厂相关数据。包含两套运行。整合全厂一期、二期、三期原有及新增自控系统，实现完整的全厂全流程自控控制。1项1000001000004.1.3.1组态工程软件C/S+B/S架构定制开发，由通讯服务程序、数据库、实时监测客户端、WEB浏览系统、移动服务端这五部分组成，其中通信服务程序负责水厂监控终端的实时监测数据的接收、解析、存储及控制参数的设置；数据库负责数据的实时存储；实时监测客户端主要负责实时监控、报警显示、数据分析及远程控制指令的下达；WEB浏览系统实现WEB数据浏览、报表查询打印；移动服务端实现手机访问浏览水厂相关数据。包含两套运行。整合全厂一期、二期、三期原有及新增自控系统，实现完整的全厂全流程自控控制。1套4.1.3.2数据接口软件原有系统通信对接、协议转换1套4.1.3.3WEB软件系统WEB访问1套4.1.3.4底层数据库对传输的数据进行纠错处理，同时写入统一的数据库。1套4.1.4光纤通信架构厂区内各控制系统采用光纤进行通信，包含自控系统和视频监控，采用单模铠装6芯。1项20100201004.1.4.1光纤单模铠装光纤6芯3000米4.1.4.2光纤终端盒定制30个4.1.4.3光纤中转箱SUS304定制9个4.1.5图纸、程序等技术资料汇总对水厂现场电气及自控进行全方位梳理，形成完整的图纸、程序等技术资料。1项34000340005.1机房设施清单5.1.1前置服务器1.处理器：配置2颗处理器：主频2.4GHz，核心数12，最大2颗处理器，支持铂金、金牌、银牌、铜牌全系列级别；2.内存：配置32GBDDR4Registered内存，实现多通道内存交叉读取,配置24个内存插槽，最大可扩展3TB内存（当使用单条容量128GB的内存时）支持高级内存纠错、内存镜像、内存热备等高级功能，要求服务器所选内存采用内存ECC纠错技术；3.硬盘：3块2.5600GB10KEnterpriseSAS盘，前置支持25个2.5SATA/SAS/SSD硬盘或12个3.5SATA/SAS硬盘；后置支持2个2.5SATA/SAS/SSD硬盘；最大支持31个2.5寸热插拔SAS/SATA/SSD硬盘 4.RAID：支持RAID0,1,5,6,10,50,60；服务器系统硬盘采取有效技术加快RAID5恢复；5.I/O扩展槽：最大支持9个PCIe3.0插槽，最大支持4个双宽GPU，最大支持8个单宽GPU；支持GPU扩展柜最大扩展16个GPU 6.网络控制器：配置双口千兆网卡，支持虚拟化加速、网络加速、负载均衡、冗余等高级功能7.电源：标配2个550W标准电源，支持白金级电源，支持PMbus，支持NM3.0，支持1+1冗余8.集成I/O端口：6个USB接口，2个标准VGA接口和一个COM串口,1个独立管理网口1台46500465005.1.2应用服务器1.处理器：配置2颗处理器：主频2.4GHz，核心数12，最大2颗处理器，支持铂金、金牌、银牌、铜牌全系列级别；2.内存：配置32GBDDR4Registered内存，实现多通道内存交叉读取,配置24个内存插槽，最大可扩展3TB内存（当使用单条容量128GB的内存时）支持高级内存纠错、内存镜像、内存热备等高级功能，服务器所选内存采用内存ECC纠错技术；3.硬盘：3块2.5600GB10KEnterpriseSAS盘，前置支持25个2.5SATA/SAS/SSD硬盘或12个3.5SATA/SAS硬盘；后置支持2个2.5SATA/SAS/SSD硬盘；最大支持31个2.5寸热插拔SAS/SATA/SSD硬盘 4.RAID：支持RAID0,1,5,6,10,50,60；服务器系统硬盘采取有效技术加快RAID5恢复；5.I/O扩展槽：最大支持9个PCIe3.0插槽，最大支持4个双宽GPU，最大支持8个单宽GPU；支持GPU扩展柜最大扩展16个GPU6.网络控制器：配置双口千兆网卡，支持虚拟化加速、网络加速、负载均衡、冗余等高级功能7.电源：标配2个550W标准电源，支持白金级电源，支持PMbus，支持NM3.0，支持1+1冗余8.集成I/O端口：6个USB接口，2个标准VGA接口和一个COM串口,1个独立管理网口1台46500465005.1.3数据服务器1.处理器：配置2颗处理器：主频2.4GHz，核心数12，最大2颗处理器，支持铂金、金牌、银牌、铜牌全系列级别；2.内存：配置32GBDDR4Registered内存，实现多通道内存交叉读取,配置24个内存插槽，最大可扩展3TB内存（当使用单条容量128GB的内存时）支持高级内存纠错、内存镜像、内存热备等高级功能，要求服务器所选内存采用内存ECC纠错技术；3.硬盘：3块2.5600GB10KEnterpriseSAS盘，前置支持25个2.5SATA/SAS/SSD硬盘或12个3.5SATA/SAS硬盘；后置支持2个2.5SATA/SAS/SSD硬盘；最大支持31个2.5寸热插拔SAS/SATA/SSD硬盘 4.RAID：支持RAID0,1,5,6,10,50,60；服务器系统硬盘采取有效技术加快RAID5恢复；5.I/O扩展槽：最大支持9个PCIe3.0插槽，最大支持4个双宽GPU，最大支持8个单宽GPU；支持GPU扩展柜最大扩展16个GPU 6.网络控制器：配置双口千兆网卡，支持虚拟化加速、网络加速、负载均衡、冗余等高级功能7.电源：标配2个550W标准电源，支持白金级电源，支持PMbus，支持NM3.0，支持1+1冗余8.集成I/O端口：6个USB接口，2个标准VGA接口和一个COM串口,1个独立管理网口1台46500465005.1.4备份一体机最低配置：E-2124/16G/4T*4/BCM5720DP1GB/350W。1台26000260005.1.5服务器机柜42U600*1000*2000，网孔门含3个PDU插座1台800080005.1.6防火墙8口全千兆中小型桌面多功能企业级SSLVPN防火墙带机量50-701台220022005.1.7不间断电源UPS类型：在线式容量：6000VA输入电压范围：176-276V输出电压范围：220(1±1％)V输出电压波形：正弦波备用时间：满载1小时其他：（包含UPS电源柜）1套800080005.1.8安装调试包含服务器安装、部署、调试以及现场布线、网络搭建等工作1项40004000最高控制价1995000合同履行期限：详见招标文件本项目(不接受)联合体投标。二、申请人的资格要求：1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定；2.落实政府采购政策需满足的资格要求：无3.本项目的特定资格要求：（1）具有本次采购项目经营权的独立企业法人，投标人所投的货物或服务必须全部在投标人营业执照允许经营的范围内，投标产品、服务应符合国家和福建省的政府采购相关规定；（2）符合《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定条件、《中华人民共和国政府采购法实施条例》第十九条第二款规定条件（投标人应提供书面承诺）；（3）投标人不得被列入财政部政府采购严重违法失信行为记录名单（投标人应提供书面承诺）；（4）投标人须提供主要设备（指游动电流仪、浊度检测仪、组态软件、全网络报警主机、服务器）厂家或厂家区域总代出具的项目授权书或售后服务承诺函。（5）法律、行政法规规定的其他条件（6）本项目不接受联合体投标三、获取招标文件时间：2022年04月28日至2022年05月07日，每天上午8:00至12:00，下午14:30至17:30。（北京时间，法定节假日除外）地点：泉州国资阳光集中采购平台（网址：http://www.qzgzcg.com)方式：凡有意参加投标者，请于2022年4月28日08:00:00—2022年5月7日17:30:00前登录泉州国资阳光集中采购平台（网址：http://www.qzgzcg.com)下载有关招标文件并获取投标码。投标人并应于2022年4月28日08:00:00—2022年5月7日17:30：00前到招标代理公司报名，资料费：300元。投标人应将招标代理公司出具的交易登记卡作为投标文件的组成部分上传，否则为无效投标人，不得参与投标。报名联系电话：18059232376（18059232376@163.com）小张。资料费（300元）交至：开户行中国建设银行股份有限公司泉州鲤城支行账号35001656807052527067收款单位福建省江海工程管理有限公司售价：￥300.0元，本公告包含的招标文件售价总和四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点提交投标文件截止时间：2022年05月18日09点00分（北京时间）开标时间：2022年05月18日09点00分（北京时间）地点：在泉州国资阳光集中采购平台（http://www.qzgzcg.com/）在线公开招标，同时在福建省泉州市丰泽区温陵南路48号泉州汽车站内船型楼设置在线开标会场五、公告期限自本公告发布之日起5个工作日。六、其他补充事宜无七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。1.采购人信息名称：海丝埃睿迪数字科技有限公司地址：福建省泉州经济技术开发区玉狮路69号2.5产业园D栋5层联系方式：刘荣寅、159598738412.采购代理机构信息名称：福建省江海工程管理有限公司地址：泉州市丰泽区东湖街道东泽路泉州市水利水电总公司综合楼五楼联系方式：苏工、189602890213.项目联系方式项目联系人：苏工电话：18960289021×扫码打开掌上仪信通App查看联系方式$('.clickModel').click(function(){$('.modelDiv').show()})$('.closeModel').click(function(){$('.modelDiv').hide()})基本信息关键内容：计量泵开标时间：2022-05-1809:00预算金额：199.50万元采购单位：海丝埃睿迪数字科技有限公司采购联系人：点击查看采购联系方式：点击查看招标代理机构：福建省江海工程管理有限公司代理联系人：点击查看代理联系方式：点击查看详细信息海丝埃睿迪数字科技有限公司智慧水务技改服务项目公开招标公告福建省-泉州市-丰泽区状态：公告更新时间：2022-04-26海丝埃睿迪数字科技有限公司智慧水务技改服务项目公开招标公告2022年04月26日15:55公告信息：采购项目名称智慧水务技改服务项目品目货物/通用设备/电子和通信测量仪器/电子和通信测量仪器零部件采购单位海丝埃睿迪数字科技有限公司行政区域泉州市公告时间2022年04月26日15:55获取招标文件时间2022年04月28日至2022年05月07日每日上午:8:00至12:00下午:14:30至17:30（北京时间，法定节假日除外）招标文件售价￥300获取招标文件的地点泉州国资阳光集中采购平台（网址：http://www.qzgzcg.com)开标时间2022年05月18日09:00开标地点在泉州国资阳光集中采购平台（http://www.qzgzcg.com/）在线公开招标，同时在福建省泉州市丰泽区温陵南路48号泉州汽车站内船型楼设置在线开标会场预算金额￥199.500000万元（人民币）联系人及联系方式：项目联系人苏工项目联系电话18960289021采购单位海丝埃睿迪数字科技有限公司采购单位地址福建省泉州经济技术开发区玉狮路69号2.5产业园D栋5层采购单位联系方式刘荣寅、15959873841代理机构名称福建省江海工程管理有限公司代理机构地址泉州市丰泽区东湖街道东泽路泉州市水利水电总公司综合楼五楼代理机构联系方式苏工、18960289021项目概况智慧水务技改服务项目招标项目的潜在投标人应在泉州国资阳光集中采购平台（网址：http://www.qzgzcg.com)获取招标文件，并于2022年05月18日09点00分（北京时间）前递交投标文件。一、项目基本情况项目编号：FJJH-CG-2022006项目名称：智慧水务技改服务项目预算金额：199.5000000万元（人民币）最高限价（如有）：199.5000000万元（人民币）采购需求：采购一览表序号设备名称技术参数数量单位最高控制单价（元）合价（元）1旧取水泵房1.1取水真空系统技改1.1.1电动球阀SUA21、DN20，AC220V，阀体为黄铜或不锈钢3套45013501.1.2负压传感器量程：-100.0KPA～+100.0KPA精度：1级输出：4～20mA（二线制）供电：24VDc（15～30VDC）连接螺纹：M201.5锥度密封3套250075001.1.3补水管路PPR，20管路管件1项200020001.1.3.1PPR管道2050米1.1.3.2PPR弯头2010个1.1.3.3PPR三通204个1.1.3.4PPR直接镀锌角铁3套1.1.3.5管道支架镀锌角铁5个1.1.4泵房真空系统自动柜SUS304柜体，1000*800*250，配置触摸屏，主要电气元器件采用施耐德、ABB等品牌。可实现现场一键启停功能。1套35000350001.1.4.1不锈钢柜体SUS304柜体，1000*800*2501个1.1.4.2PLCDI48，DO24，AI12，PLC本体带有以太网口，支持TF卡更新程序，支持最多扩展1个通信模块和6个信号模块。1套1.1.4.3UPS额定容量：800W输入电压：（115-300）VAC输入频率：（40-70）Hz输入功率因素：》0.98切换时间：0ms时间切换电池：内置电池，备用时间》10min1套1.1.4.4柜内电气元器件断路器等1个1.1.4.5触摸屏显示屏尺寸：10英寸分辨率：1024*600CPU：600MHz内存：128MbDDR3接口：RJ45*1,USB2.0*11套1.1.4.6触摸屏防护罩与触摸屏配套1套1.1.4.7光纤收发器MOXA单模百兆2套1.1.4.8继电器DC24V30个1.1.4.9端子集成商配套300个1.1.4.10电源防雷模块安装方式：卡轨式最大放电电流：20KA标称放电电流：10KA1套1.1.4.11信号隔离模块隔离电压：独立供电，输入输出电源之间，1500VAC，1min电源保护：电源反接、过流、过压保护精度等级：0.15级信号类型：0/4-20ma4套1.1.4.12PLC应用软件开发包1套1.1.4.13触摸屏应用软件开发包1套1.1.5安装辅材辅料电线电缆、桥架等1项400040001.1.5.1电线RVV3*1.5100米1.1.5.2信号线缆RVVP3*1.0100米1.1.5.3电线RVV3*2.558米1.1.5.4单模光纤单模4芯100米1.1.5.5超五类网线2050米1.1.5.6PVC穿线管2080米1.1.5.7PE软管20100米1.1.6施工费用1项800080001.2电力系统技改1.2.1低压电力参数仪表基本功能：1、三相U、I、KW、kvar\kwh、Hz等，LED显示2、1*RS485，带可编程的modbusRTU3套40012001.2.2互感器额定工作电源：AC0.66KV变比：100/5、150/5、200/5精度：0.5级别外壳：阻燃ABS9个504501.2.3安装辅材辅料管材、线缆1项200020001.2.3.1电线BVR2.5100米1.2.3.2电线BVR1.050米1.2.3.3安装板定制，固定电力仪表3米1.2.3.4信号线缆RVVP4*1.0100米1.2.3.5PE软管2030米1.2.4施工费用1项350035001.3现场自控技改1.3.1现场中控台改造采用新式琴台柜，配置15寸触控屏，在触摸屏上可查看现场数据，可以启停现场设备。1套40000400001.3.1.1操作台碳钢喷塑，,1000*800*4501个1.3.1.2PLCDI48，DO24，AI6，AO2，PLC本体带有以太网口，支持TF卡更新程序，支持最多扩展1个通信模块和6个信号模块。1套1.3.1.3UPS额定容量：1600W输入电压：（115-300）VAC输入频率：（40-70）Hz输入功率因素：》0.98切换时间：0ms时间切换电池：内置电池，备用时间》10min1套1.3.1.4柜内电气元器件断路器等1项1.3.1.5触摸屏显示屏尺寸：15英寸分辨率：1024*600CPU：600MHz内存：128MbDDR3接口：RJ45*1,USB2.0*1，RS232*11套1.3.1.6触摸屏防护罩与触摸屏配套1套1.3.1.7光纤交换机2光6电，百兆单模，管理型1台1.3.1.8光纤收发器MOXA单模百兆2套1.3.1.9继电器DC24V20个1.3.1.10端子集成商配套400个1.3.1.11电源防雷模块安装方式：卡轨式最大放电电流：20KA标称放电电流：10KA1套1.3.1.12信号隔离模块隔离电压：独立供电，输入输出电源之间，1500VAC，1min电源保护：电源反接、过流、过压保护精度等级：0.15级信号类型：0/4-20ma10套1.3.1.13PLC应用软件开发包1套1.3.1.14触摸屏应用软件开发包1套1.3.2现场声光报警器额定工作电压：24VAC/DC蜂鸣器：持续，85db防护等级：IP421个4504501.3.3安装辅材辅料电线电缆、桥架等1项600060001.3.3.1超五类网线国际200米1.3.3.2光纤单模100米1.3.3.3信号线缆RVVP10*1.040米1.3.3.4桥架200*10050米1.3.3.5PE软管100米1.3.4施工费用1项10000100001.4泵组工况监控1.4.1轴温检测装置PT100，磁吸式3套50015001.4.2振动检测装置量程：4～500um精度：1级输出：4～20mA（二线制）供电：24VDc3套200060001.4.3漏水检测装置工作电源：DC24V误报率:输出方式：继电器静态功耗：3套2006001.4.4安装辅材辅料电线电缆、桥架等1项200020001.4.4.1超五类网线国标100米1.4.4.2PE软管20100米1.4.4.3传感器支架电机固定、定制1项1.4.5施工费用1项200020001.5泵站(新旧）综合安防监控系统1.5.1电子围栏四线网络脉冲电子围栏，200米，泵站内组成一个防区，包含报警主机等。1套230023001.5.1.1智能型脉冲电子围栏主机与电子围栏同一品牌1套1.5.1.2总线报警主机（2.0程序含LCD中文键盘）与电子围栏同一品牌1套1.5.1.316路多功能联动输出模块（联动模块）与电子围栏同一品牌1个1.5.1.4合金线与电子围栏同一品牌800米1.5.1.5铝合金等安装件与电子围栏同一品牌1套1.5.1.6围栏警示牌与电子围栏同一品牌30个1.5.1.7避雷接地桩与电子围栏同一品牌1套1.5.1.8避雷接地线与电子围栏同一品牌1套1.5.1.9厂界安防软件开发包，安防子系统1套1.5.2门禁系统新旧泵站大门，根据现场情况，在现有大门上进行改装。2套350070001.5.2.1门禁终端操作系统：嵌入式Linux操作系统显示屏：4.3英寸，480*272刷脸验证时间：《0.5S/人人脸容量：1000张存储容量：3000张卡，20000条事件记录通信方式：自适应网口物理接口：RS485*1，电锁*1，门磁*1，开门按钮*1摄像头：200万安装方式：明装2套1.5.2.2电磁锁最大拉力：280KG直线拉力输入电压：DC12V工作电流：340mA开锁方式：断电开门适用门型：木门、玻璃门、金属门、防火门2套1.5.3泵房内球机400万摄像机室内室外23倍光学变倍网线供电红外夜视网络球机2台350070001.5.4泵站外围球机400万摄像机室内室外23倍光学变倍网线供电红外夜视网络球机2台350070001.5.5枪机400万星光2K高清夜视摄像机可拾音室内室外网线供电2台55011001.5.6LED照明补光泵房内部以及厂界四周补光，具有远控功能1项450045001.5.7NVR及8T硬盘视频接入路数：8视频解码格式：H.265,smart265，解码能力：8*1080P网络接口：1个RJ45硬盘盘位：2个硬盘容量：4T*2电源：DC12V，40W1套450045001.5.8安装辅材辅料电线电缆、桥架等1项200020001.5.8.1电线RVV3*1.550米1.5.8.2超五类网线国标300米1.5.8.3监控支架现场定制1项1.5.9施工费用1项450045002新取水泵站2.1泵组工况监测2.1.1轴温检测装置PT100，磁吸式3套50015002.1.2振动检测装置量程：4～500um精度：1级输出：4～20mA（二线制）供电：24VDc3套200060002.1.3漏水检测装置工作电源：DC24V误报率:输出方式：继电器静态功耗：3套2006002.1.4安装辅材辅料电线电缆、桥架等1项300030002.1.4.1RVVP4*1.0500米2.1.4.2PE软管100米2.1.4.3传感器支架电机固定、定制1项2.1.5施工费用1项400040002.2电力系统技改2.2.1低压电力参数仪表基本功能：1、三相U、I、KW、kvar\kwh、Hz等，LED显示2、1*RS485，带可编程的modbusRTU3套40012002.2.2互感器额定工作电源：AC0.66KV变比：100/5、150/5、200/5精度：0.5级别外壳：阻燃ABS9个504502.2.3安装辅材辅料管材、线缆1项120012002.2.3.1电线50米2.2.3.2RVVP4*1.050米2.2.3.3PE软管2050米2.2.3.4安装板定制30项2.2.4施工费用1项350035003一期、二期工程3.1一期沉淀池3.1.1现场PLC控制站柜体采用仿威图琴台式机柜，高1080*宽620*深430，碳钢喷塑，内安装PLC控制系统，台面配有7寸触摸屏，主要电气元器件采用施耐德、西门子、欧姆龙品牌。该站实现对泵站内的数据采集并与平台交互。1套60000600003.1.1.1琴台式机柜机柜,1080*620*4801套3.1.1.2PLCDI64，DO36，AI8，PLC本体带有以太网口，支持TF卡更新程序，支持最多扩展1个通信模块和6个信号模块。1套3.1.1.3UPS额定容量：1600W输入电压：（115-300）VAC输入频率：（40-70）Hz输入功率因素：》0.98切换时间：0ms时间切换电池：内置电池，备用时间》10min1套3.1.1.4柜内电气元器件断路器等1套3.1.1.5触摸屏显示屏尺寸：10英寸分辨率：1024*600CPU：600MHz内存：128MbDDR3接口：RJ45*1,USB2.0*11套3.1.1.6触摸屏防护罩与触摸屏配套1套3.1.1.7光纤收发器MOXA单模百兆1套3.1.1.8继电器DC24V28套3.1.1.9端子集成商配套100套3.1.1.10电源防雷模块安装方式：卡轨式最大放电电流：20KA标称放电电流：10KA1套3.1.1.11信号隔离模块隔离电压：独立供电，输入输出电源之间，1500VAC，1min电源保护：电源反接、过流、过压保护精度等级：0.15级信号类型：0/4-20ma2套3.1.1.12PLC应用软件开发包1套3.1.1.13触摸屏应用软件开发包1项3.1.2排泥阀排水沟视频监控焦距：4mm像素：400万存储编码：H.265红外夜视距离：30m供电方式：网线供电探头个数：1个智能识别：移动识别适用面积：40-80㎡监控类型：枪机监控云存安全协议：ISO27001防水等级：IP66供网方式：网线存储方式：硬盘1套5505503.1.3安装辅材辅料管材、线缆1项14500145003.1.3.1超五类网线300米3.1.3.2光纤单模100米3.1.3.3信号线缆RVVP10*1.0300米3.1.3.4PE保护管20300米3.1.3.5电线BVR1.0600米3.1.3.6电线BVR2.5100米3.1.3.7阀门固定安装支架定制1项3.1.3.8振动、浸水传感器安装件定制1项3.1.4施工费用1项20000200003.2一期、二期絮凝沉淀池3.2.1游动电流仪SCD自动投加系统是建立在以原水浊度曲线和流量曲线为基础上，由ＰＬＣ控制变频计量泵进行前馈按比例投加，再由流动电流检测仪（ＳＣＤ）分析投加结果把数据反馈给ＰＬＣ，通过计算由ＰＬＣ对变频计量泵进行微调实现PAC自动投加。样本接触组件：不锈钢，UHMW，环氧树脂电源要求选项：1.6A时230VAC，50Hz3.2A时120VAC，60Hz操作温度：0到50C（32到122F）最大相对湿度：温度不超过50C(122F)时为95%存储温度：20至70C（4至158F）；相对湿度95%，不凝结海拔：最高2000m(6560ft)★响应速度：1秒钟至1分钟，可调节平均值样品流速：可变；建议24升/分钟样品温度：7到35C（45到95F）水连接件：½-in.BSP通信：RS485电隔离；数据速率：1200至9600波特率输出：双420mA输出；最大载荷500，电隔离双继电器；SPST、NO和NC终端，最大16VAC(35VDC)，5A（仅适用于电阻负载）输入：两个双位数字；光隔离；开关输入或5至24V输入3套1250003750003.2.2浊度检测仪1）传感器:(1)测量原理：1720E利用90散射光，内置气泡去除系统；可以通过对比做单点校准：（1-40NTU范围内任选一点）；(2)量程：0.001~100NTU；(3)精度：0~40NTU：读数的±2%或±0.015NTU，40~100NTU：读数的±5%；(4)分辨率：0~9.9999NTU：0.0001NTU，10.000~99.999NTU：0.001NTU；(5)重复性：优于读数的±1.0%或±0.002NTU；(6)信号平均时间：6、30、60、90秒可选；(7)样品流量：200~750mL/min；(8)操作温度：0~50℃（单探头）；0~40℃（双探头）；(9)水样温度：0~50℃；2）变送器:(1)显示：须有图形数据点阵LCD，带LED背景灯照明，半透明反射式；在任意光线下可读；(2)探头输入：单通道或双通道；(3)输出：两路模拟的0/4-20mA输出信号；(4)电气接口：1/2；(5)数据存储：须有多个数据记录仪，记录数据以XML的格式被下载到SD（4G）卡上；(6)外壳防护等级：IP66；(7)电源：100~240VAC±10%，50/60Hz；24Vdc-15%，+20%；(8)通讯协议：MODBUSRS232/RS485、ProfibusDPV1、Hart协议，可选；(9)安装方式：壁挂/面板/夹管式安装；3套30000900003.2.3浊度检测仪1）传感器:(1)测量原理：1720E利用90散射光，内置气泡去除系统；可以通过对比做单点校准：（1-40NTU范围内任选一点）；(2)量程：0.001~100NTU；(3)精度：0~40NTU：读数的±2%或±0.015NTU，40~100NTU：读数的±5%；(4)分辨率：0~9.9999NTU：0.0001NTU，10.000~99.999NTU：0.001NTU；(5)重复性：优于读数的±1.0%或±0.002NTU；(6)信号平均时间：6、30、60、90秒可选；(7)样品流量：200~750mL/min；(8)操作温度：0~50℃（单探头）；0~40℃（双探头）；(9)水样温度：0~50℃；2）变送器:(1)显示：须有图形数据点阵LCD，带LED背景灯照明，半透明反射式；在任意光线下可读；(2)探头输入：单通道或双通道；(3)输出：两路模拟的0/4-20mA输出信号；(4)电气接口：1/2；(5)数据存储：须有多个数据记录仪，记录数据以XML的格式被下载到SD（4G）卡上；(6)外壳防护等级：IP66；(7)电源：100~240VAC±10%，50/60Hz；24Vdc-15%，+20%；(8)通讯协议：MODBUSRS232/RS485、ProfibusDPV1、Hart协议，可选；(9)安装方式：壁挂/面板/夹管式安装；3套30000900003.2.4PLC电气控制柜包含计量泵变频器等1套75000750003.2.4.1电气控制柜碳钢喷塑，2000*800*6001套3.2.4.2变频器ACS5103套3.2.4.3PLCDI48，DO24，AI12，AO4，PLC本体带有以太网口，支持TF卡更新程序，支持最多扩展1个通信模块和6个信号模块。1套3.2.4.4柜内电气元器件断路器等1套3.2.4.5触摸屏显示屏尺寸：10英寸分辨率：1024*600CPU：600MHz内存：128MbDDR3接口：RJ45*1,USB2.0*11套3.2.4.6触摸屏防护罩与触摸屏配套1套3.2.4.7继电器DC24V10套3.2.4.8端子集成商配套200套3.2.4.9电源防雷模块安装方式：卡轨式最大放电电流：20KA标称放电电流：10KA1套3.2.4.10信号隔离模块隔离电压：独立供电，输入输出电源之间，1500VAC，1min电源保护：电源反接、过流、过压保护精度等级：0.15级信号类型：0/4-20ma5套3.2.4.11PLC应用软件开发包1套3.2.4.12触摸屏应用软件开发包1项3.2.5仪表柜定制包含管路3套10000300003.2.5.1仪表柜SUS304，带玻璃视窗3套3.2.5.2UPVC管路含弯头、直接等，现场定制3套3.2.5.3电气元器件断路器、端子等3套3.2.6安装辅材辅料管材、线缆1项15000150003.2.6.1超五类网线国标300米3.2.6.2仪表柜基座现场定制3套3.2.6.3仪表固定安装件不锈钢定制1项3.2.6.4加药一键启动控制箱现场定制2个3.2.7施工费用1项22000220003.3一期、二期滤池3.3.1滤池操作台柜体采用仿威图琴台式机柜，高1080*宽620*深430，碳钢喷塑，内安装PLC控制系统，台面配有7寸触摸屏，主要电气元器件采用施耐德、西门子、欧姆龙品牌。6套230001380003.3.1.1操作台碳钢喷塑1080*620*4806个3.3.1.2PLCDI48，DO16，AI8，AO2，PLC本体带有以太网口，支持TF卡更新程序，支持最多扩展1个通信模块和6个信号模块。6套3.3.1.3柜内电气元器件断路器等6项3.3.1.4触摸屏显示屏尺寸：7英寸分辨率：1024*600CPU：600MHz内存：128MbDDR3接口：RJ45*1,USB2.0*16套3.3.1.5触摸屏防护罩与触摸屏配套6套3.3.1.6工业交换机5口百兆6台3.3.1.7电源防雷模块安装方式：卡轨式最大放电电流：20KA标称放电电流：10KA6套3.3.1.8PLC应用软件开发包1套3.3.1.9触摸屏应用软件开发包1套3.3.2安装辅材辅料管材、线缆1项10000100003.3.2.1超五类网线国标300米3.3.2.2光纤单模100米3.3.2.3信号线缆RVVP10*1.0200米3.3.2.4PE保护管20300米3.3.2.5电线BVR1.01200米3.3.2.6电线BVR2.5100米3.3.3施工费用1项25000250003.4一期、二期送水泵房3.4.1电动阀门现场手动阀门改成电动调节阀，每个阀门配置一个现场控制箱5套14000700003.4.2PLC控制柜碳钢喷塑2000*800*600，主要电气元器件采用国际知名品牌，包含电动阀门、水泵控制。PLC具体参数：（1）负载存储器：集成的1M字节RAM以后，可扩展的存储卡RAM最多为2G字节；（2）内存：CPU应提供充足的内存以满足应用本身和未来扩充的需要。（3）处理速度：运算速度典型位执行时间应不高过0.08微秒，典型每千字节指令字运算时间不高过0.06毫秒。（4）所有模块均具有自动故障检测功能，并能通过上位机上的监控软件观察到其工作状态。（5）通讯能力：系统应具有强大的通讯功能，支持EtherNet/IP、ControlNet、DeviceNet、ProfibusDP、ModbusRTU等协议。支持灵活的网络结构，支持灵活的网络分段以及相应的隔离式桥接方（6）需保证系统的先进性和可靠性，需要支持DLR（设备级环网）技术和ADC（设备自动更换）技术。（7）CPU自带两个EtherNet/IP通讯口。1项75000750003.4.2.1PLC柜碳钢喷塑，2000*800*6001个3.4.2.2PLCDI96，DO32，AI16，AO8，以太网接口一个1套3.4.2.3直流电源与PLC配套1套3.4.2.4串口通信接口与PLC配套1套3.4.2.5机架导轨与PLC配套1套3.4.2.6UPS额定容量：1600W输入电压：（115-300）VAC输入频率：（40-70）Hz输入功率因素：》0.98切换时间：0ms时间切换电池：内置电池，备用时间》10min1套3.4.2.7柜内电气元器件断路器等1套3.4.2.8触摸屏显示屏尺寸：10英寸分辨率：1024*600CPU：600MHz内存：128MbDDR3接口：RJ45*1,USB2.0*11套3.4.2.9触摸屏防护罩与触摸屏配套1套3.4.2.10光纤收发器MOXA单模百兆1套3.4.2.11光纤交换机2光6电，百兆单模管理型1台3.4.2.12继电器C24V20套3.4.2.13端子集成商配套240套3.4.2.14电源防雷模块安装方式：卡轨式最大放电电流：20KA标称放电电流：10KA1套3.4.2.15信号隔离模块隔离电压：独立供电，输入输出电源之间，1500VAC，1min电源保护：电源反接、过流、过压保护精度等级：0.15级信号类型：0/4-20ma5套3.4.2.16PLC应用软件开发包1套3.4.2.17触摸屏应用软件开发包1项3.4.3轴温检测装置PT100，磁吸式5套50025003.4.4振动检测装置量程：4～500um精度：1级输出：4～20mA（二线制）供电：24VDc5套2000100003.4.5漏水检测装置工作电源：DC24V误报率:输出方式：继电器静态功耗：5套20010003.4.6安装辅材辅料管材、线缆1项10000100003.4.6.1超五类网线国标300米3.4.6.2光纤单模100米3.4.6.3信号线缆RVVP10*1.0300米3.4.6.4PE保护管20300米3.4.6.5电线BVR1.0600米3.4.6.6电线BVR2.5100米3.4.6.7阀门固定安装支架定制1项3.4.6.8振动、浸水传感器安装件定制1项3.4.7施工费用1项27000270003.5三期滤池、加氯消毒系统3.5.1光纤交换机现有PLC柜加装光纤交换机2套350070003.5.2安装辅材辅料管材、线缆1项300030003.5.2.1超五类网线国标200米3.5.2.2开关电源240W开关电源，交换机供电2套3.5.2.3支架现场定制2套3.5.2.4尾纤盒现场定制2套3.5.2.5电线RVV3*1.550米3.5.2.6PE保护管2050米3.5.3施工费用1项200020003.6三期沉淀池3.6.1PLC控制柜碳钢喷塑2000*800*600，主要电气元器件采用国际知名品牌，包含电动阀门、水泵控制。PLC具体参数：（1）负载存储器：集成的1M字节RAM以后，可扩展的存储卡RAM最多为2G字节；（2）内存：CPU应提供充足的内存以满足应用本身和未来扩充的需要。（3）处理速度：运算速度典型位执行时间应不高过0.08微秒，典型每千字节指令字运算时间不高过0.06毫秒。（4）所有模块均具有自动故障检测功能，并能通过上位机上的监控软件观察到其工作状态。（5）通讯能力：系统应具有强大的通讯功能，支持EtherNet/IP、ControlNet、DeviceNet、ProfibusDP、ModbusRTU等协议。支持灵活的网络结构，支持灵活的网络分段以及相应的隔离式桥接方（6）需保证系统的先进性和可靠性，需要支持DLR（设备级环网）技术和ADC（设备自动更换）技术。（7）CPU自带两个EtherNet/IP通讯口。1套75000750003.6.1.1PLC柜碳钢喷塑，2000*800*6001个3.6.1.2PLCDI96，DO32，AI16，AO4，PLC本体带有以太网口，支持TF卡更新程序，支持最多扩展1个通信模块和6个信号模块。1套3.6.1.3直流电源与PLC配套1套3.6.1.4串口通信接口与PLC配套1套3.6.1.5机架导轨与PLC配套1套3.6.1.6UPS额定容量：1600W输入电压：（115-300）VAC输入频率：（40-70）Hz输入功率因素：》0.98切换时间：0ms时间切换电池：内置电池，备用时间》10min1套3.6.1.7柜内电气元器件断路器等1套3.6.1.8触摸屏显示屏尺寸：10英寸分辨率：1024*600CPU：600MHz内存：128MbDDR3接口：RJ45*1,USB2.0*11套3.6.1.9触摸屏防护罩与触摸屏配套1套3.6.1.10光纤收发器MOXA单模百兆1套3.6.1.11光纤交换机单模光纤交换机1套3.6.1.12继电器DC24V18套3.6.1.13端子集成商配套260套3.6.1.14电源防雷模块安装方式：卡轨式最大放电电流：20KA标称放电电流：10KA1套3.6.1.15信号隔离模块隔离电压：独立供电，输入输出电源之间，1500VAC，1min电源保护：电源反接、过流、过压保护精度等级：0.15级信号类型：0/4-20ma5套3.6.1.16PLC应用软件开发包1套3.6.1.17触摸屏应用软件开发包1项3.6.2安装辅材辅料管材、线缆1项10000100003.6.2.1超五类网线国标300米3.6.2.2光纤单模100米3.6.2.3信号线缆RVVP10*1.0100米3.6.2.4PE保护管20100米3.6.2.5电线BVR1.0100米3.6.2.6电线BVR2.5100米3.6.2.7户外线管支架定制1项3.6.3施工费用1项10000100003.7厂区综合安防监控系统3.7.1电子围栏四线网络脉冲电子围栏，1400米，厂区内组成7个防区1套1038501038503.7.1.1智能型脉冲电子围栏主机与电子围栏同一品牌，厂家配套7套3.7.1.2总线报警主机（2.0程序含LCD中文键盘）与电子围栏同一品牌，厂家配套1套3.7.1.316路多功能联动输出模块（联动模块）与电子围栏同一品牌，厂家配套7个3.7.1.4合金线与电子围栏同一品牌，厂家配套5600米3.7.1.5铝合金等安装件与电子围栏同一品牌，厂家配套7套3.7.1.6围栏警示牌与电子围栏同一品牌，厂家配套160个3.7.1.7避雷接地桩与电子围栏同一品牌，厂家配套7套3.7.1.8避雷接地线与电子围栏同一品牌，厂家配套7套3.7.1.9厂界安防软件开发包，安防子系统1套3.7.2球机400万摄像机室内室外23倍光学变倍网线供电红外夜视网络球机DS-2DC4423IW-DE8套3500280003.7.3枪机400万星光2K高清夜视摄像机可拾音室内室外网线供电DS-2CD3T46WDV3-I34mm8套55044003.7.4门禁系统滤池、配电间、泵房等5套3500175003.7.4.1门禁终端操作系统：嵌入式Linux操作系统显示屏：4.3英寸，480*272刷脸验证时间：《0.5S/人人脸容量：1000张存储容量：3000张卡，20000条事件记录通信方式：自适应网口物理接口：RS485*1，电锁*1，门磁*1，开门按钮*1摄像头：200万安装方式：明装5套3.7.4.2电磁锁最大拉力：280KG直线拉力输入电压：DC12V工作电流：340mA开锁方式：断电开门适用门型：木门、玻璃门、金属门、防火门5套3.7.4.3门禁系统软件开发包1套3.7.5安装辅材辅料泵房内部以及厂界四周补光，具有远控功能1项600060003.7.5.1PVC线管20600米3.7.5.2超五类网线国标300米3.7.5.3光纤单模4芯400米3.7.5.4电线RVV3*1.5150米3.7.8施工费用1项22000220004中控系统及信息化平台4.1中控室4.1.1工程师站i5-104008G1T，独显，配置23.8寸显示器1套450045004.1.2操作员站i5-104008G1T，独显，配置23.8寸显示器1套450045004.1.3scada组态工程软件C/S+B/S架构定制开发，由通讯服务程序、数据库、实时监测客户端、WEB浏览系统、移动服务端这五部分组成，其中通信服务程序负责水厂监控终端的实时监测数据的接收、解析、存储及控制参数的设置；数据库负责数据的实时存储；实时监测客户端主要负责实时监控、报警显示、数据分析及远程控制指令的下达；WEB浏览系统实现WEB数据浏览、报表查询打印；移动服务端实现手机访问浏览水厂相关数据。包含两套运行。整合全厂一期、二期、三期原有及新增自控系统，实现完整的全厂全流程自控控制。1项1000001000004.1.3.1组态工程软件C/S+B/S架构定制开发，由通讯服务程序、数据库、实时监测客户端、WEB浏览系统、移动服务端这五部分组成，其中通信服务程序负责水厂监控终端的实时监测数据的接收、解析、存储及控制参数的设置；数据库负责数据的实时存储；实时监测客户端主要负责实时监控、报警显示、数据分析及远程控制指令的下达；WEB浏览系统实现WEB数据浏览、报表查询打印；移动服务端实现手机访问浏览水厂相关数据。包含两套运行。整合全厂一期、二期、三期原有及新增自控系统，实现完整的全厂全流程自控控制。1套4.1.3.2数据接口软件原有系统通信对接、协议转换1套4.1.3.3WEB软件系统WEB访问1套4.1.3.4底层数据库对传输的数据进行纠错处理，同时写入统一的数据库。1套4.1.4光纤通信架构厂区内各控制系统采用光纤进行通信，包含自控系统和视频监控，采用单模铠装6芯。1项20100201004.1.4.1光纤单模铠装光纤6芯3000米4.1.4.2光纤终端盒定制30个4.1.4.3光纤中转箱SUS304定制9个4.1.5图纸、程序等技术资料汇总对水厂现场电气及自控进行全方位梳理，形成完整的图纸、程序等技术资料。1项34000340005.1机房设施清单5.1.1前置服务器1.处理器：配置2颗处理器：主频2.4GHz，核心数12，最大2颗处理器，支持铂金、金牌、银牌、铜牌全系列级别；2.内存：配置32GBDDR4Registered内存，实现多通道内存交叉读取,配置24个内存插槽，最大可扩展3TB内存（当使用单条容量128GB的内存时）支持高级内存纠错、内存镜像、内存热备等高级功能，要求服务器所选内存采用内存ECC纠错技术；3.硬盘：3块2.5600GB10KEnterpriseSAS盘，前置支持25个2.5SATA/SAS/SSD硬盘或12个3.5SATA/SAS硬盘；后置支持2个2.5SATA/SAS/SSD硬盘；最大支持31个2.5寸热插拔SAS/SATA/SSD硬盘 4.RAID：支持RAID0,1,5,6,10,50,60；服务器系统硬盘采取有效技术加快RAID5恢复；5.I/O扩展槽：最大支持9个PCIe3.0插槽，最大支持4个双宽GPU，最大支持8个单宽GPU；支持GPU扩展柜最大扩展16个GPU 6.网络控制器：配置双口千兆网卡，支持虚拟化加速、网络加速、负载均衡、冗余等高级功能7.电源：标配2个550W标准电源，支持白金级电源，支持PMbus，支持NM3.0，支持1+1冗余8.集成I/O端口：6个USB接口，2个标准VGA接口和一个COM串口,1个独立管理网口1台46500465005.1.2应用服务器1.处理器：配置2颗处理器：主频2.4GHz，核心数12，最大2颗处理器，支持铂金、金牌、银牌、铜牌全系列级别；2.内存：配置32GBDDR4Registered内存，实现多通道内存交叉读取,配置24个内存插槽，最大可扩展3TB内存（当使用单条容量128GB的内存时）支持高级内存纠错、内存镜像、内存热备等高级功能，服务器所选内存采用内存ECC纠错技术；3.硬盘：3块2.5600GB10KEnterpriseSAS盘，前置支持25个2.5SATA/SAS/SSD硬盘或12个3.5SATA/SAS硬盘；后置支持2个2.5SATA/SAS/SSD硬盘；最大支持31个2.5寸热插拔SAS/SATA/SSD硬盘 4.RAID：支持RAID0,1,5,6,10,50,60；服务器系统硬盘采取有效技术加快RAID5恢复；5.I/O扩展槽：最大支持9个PCIe3.0插槽，最大支持4个双宽GPU，最大支持8个单宽GPU；支持GPU扩展柜最大扩展16个GPU6.网络控制器：配置双口千兆网卡，支持虚拟化加速、网络加速、负载均衡、冗余等高级功能7.电源：标配2个550W标准电源，支持白金级电源，支持PMbus，支持NM3.0，支持1+1冗余8.集成I/O端口：6个USB接口，2个标准VGA接口和一个COM串口,1个独立管理网口1台46500465005.1.3数据服务器1.处理器：配置2颗处理器：主频2.4GHz，核心数12，最大2颗处理器，支持铂金、金牌、银牌、铜牌全系列级别；2.内存：配置32GBDDR4Registered内存，实现多通道内存交叉读取,配置24个内存插槽，最大可扩展3TB内存（当使用单条容量128GB的内存时）支持高级内存纠错、内存镜像、内存热备等高级功能，要求服务器所选内存采用内存ECC纠错技术；3.硬盘：3块2.5600GB10KEnterpriseSAS盘，前置支持25个2.5SATA/SAS/SSD硬盘或12个3.5SATA/SAS硬盘；后置支持2个2.5SATA/SAS/SSD硬盘；最大支持31个2.5寸热插拔SAS/SATA/SSD硬盘 4.RAID：支持RAID0,1,5,6,10,50,60；服务器系统硬盘采取有效技术加快RAID5恢复；5.I/O扩展槽：最大支持9个PCIe3.0插槽，最大支持4个双宽GPU，最大支持8个单宽GPU；支持GPU扩展柜最大扩展16个GPU 6.网络控制器：配置双口千兆网卡，支持虚拟化加速、网络加速、负载均衡、冗余等高级功能7.电源：标配2个550W标准电源，支持白金级电源，支持PMbus，支持NM3.0，支持1+1冗余8.集成I/O端口：6个USB接口，2个标准VGA接口和一个COM串口,1个独立管理网口1台46500465005.1.4备份一体机最低配置：E-2124/16G/4T*4/BCM5720DP1GB/350W。1台26000260005.1.5服务器机柜42U600*1000*2000，网孔门含3个PDU插座1台800080005.1.6防火墙8口全千兆中小型桌面多功能企业级SSLVPN防火墙带机量50-701台220022005.1.7不间断电源UPS类型：在线式容量：6000VA输入电压范围：176-276V输出电压范围：220(1±1％)V输出电压波形：正弦波备用时间：满载1小时其他：（包含UPS电源柜）1套800080005.1.8安装调试包含服务器安装、部署、调试以及现场布线、网络搭建等工作1项40004000最高控制价1995000合同履行期限：详见招标文件本项目(不接受)联合体投标。二、申请人的资格要求：1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定；2.落实政府采购政策需满足的资格要求：无3.本项目的特定资格要求：（1）具有本次采购项目经营权的独立企业法人，投标人所投的货物或服务必须全部在投标人营业执照允许经营的范围内，投标产品、服务应符合国家和福建省的政府采购相关规定；（2）符合《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定条件、《中华人民共和国政府采购法实施条例》第十九条第二款规定条件（投标人应提供书面承诺）；（3）投标人不得被列入财政部政府采购严重违法失信行为记录名单（投标人应提供书面承诺）；（4）投标人须提供主要设备（指游动电流仪、浊度检测仪、组态软件、全网络报警主机、服务器）厂家或厂家区域总代出具的项目授权书或售后服务承诺函。（5）法律、行政法规规定的其他条件（6）本项目不接受联合体投标三、获取招标文件时间：2022年04月28日至2022年05月07日，每天上午8:00至12:00，下午14:30至17:30。（北京时间，法定节假日除外）地点：泉州国资阳光集中采购平台（网址：http://www.qzgzcg.com)方式：凡有意参加投标者，请于2022年4月28日08:00:00—2022年5月7日17:30:00前登录泉州国资阳光集中采购平台（网址：http://www.qzgzcg.com)下载有关招标文件并获取投标码。投标人并应于2022年4月28日08:00:00—2022年5月7日17:30：00前到招标代理公司报名，资料费：300元。投标人应将招标代理公司出具的交易登记卡作为投标文件的组成部分上传，否则为无效投标人，不得参与投标。报名联系电话：18059232376（18059232376@163.com）小张。资料费（300元）交至：开户行中国建设银行股份有限公司泉州鲤城支行账号35001656807052527067收款单位福建省江海工程管理有限公司售价：￥300.0元，本公告包含的招标文件售价总和四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点提交投标文件截止时间：2022年05月18日09点00分（北京时间）开标时间：2022年05月18日09点00分（北京时间）地点：在泉州国资阳光集中采购平台（http://www.qzgzcg.com/）在线公开招标，同时在福建省泉州市丰泽区温陵南路48号泉州汽车站内船型楼设置在线开标会场五、公告期限自本公告发布之日起5个工作日。六、其他补充事宜无七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。1.采购人信息名称：海丝埃睿迪数字科技有限公司地址：福建省泉州经济技术开发区玉狮路69号2.5产业园D栋5层联系方式：刘荣寅、159598738412.采购代理机构信息名称：福建省江海工程管理有限公司地址：泉州市丰泽区东湖街道东泽路泉州市水利水电总公司综合楼五楼联系方式：苏工、189602890213.项目联系方式项目联系人：苏工电话：18960289021

实验室就是战场搞科研也是打仗——国防科大光电学院创新纪实　　2013年3月，国防科技大学光电科学与工程学院某课题组突破了光纤后处理、光纤盘整体冷却、宽波段光纤色散特性测量和光纤模式控制技术等具有自主知识产权的核心关键技术，研制出“高平均功率近红外全光纤超连续谱光源”，平均功率超过了国际同类研究的3.6倍，入选“2012年中国光学重要成果”。　　该院院长秦石乔教授刚刚主持召开了一个项目阶段性报告会，又急匆匆地赶往某实验室，组织课题负责人现场会商某难题，他接受采访时说：“习主席要求我们牢记能打仗、打胜仗是强军之要，作为军队的科技工作者，就是要牢固树立实验室就是战场、搞科研也是打仗的理念。”　　在科研中啃硬骨头　　光纤激光代表了高能激光的发展方向和趋势，具有重要的应用价值。单根光纤单模到底能出多大功率的激光?美国的劳伦斯国家实验室断言最大可以达到36千瓦，该院高能激光技术研究所周朴副研究员愣是不信这个邪，他带领学员通过扎实的理论分析，作出了73千瓦的论断，论文发表后，引起国际光学界的高度关注。　　光纤激光相干合成是激光领域的一个研究热点，由于系统复杂、研制难度很大，此前国际上此类系统的最大输出功率仅为725瓦。该所刘泽金教授率领课题组从最基本的物理机制出发，发明了两种新的相位控制方法，研制出“千瓦级光纤激光相干合成试验系统”，各项技术指标均达到了该领域国际最高水平。　　“在战场上赢家只有第一，第二就意味着失败，我们在高能激光的研制领域要始终保持冲锋姿态，在核心关键技术上牢牢掌握主动权。”高能激光技术研究所所长许晓军研究员说。　　今天的丢脸是明天的光荣　　该院某研究所从事某激光器件研制已经40多年了，他们早在上世纪80年代就研制出了原理样机，但是能否真正在武器装备上发挥作用，当时大家心里都没有底。第一代学术带头人高伯龙院士鼓动大家：“我们研制的器件，只有能够在装备上得到应用，才算尽到了军人的职责。我们必须一直到研制出实用性强的器件为止。”最终在上世纪90年代研制出了实用化的激光器件。　　新世纪初，某新型器件由于性能优异，被海军部队选作核心导航部件，靶场试验屡获成功。海军某领导在试验现场夸奖道：“这是海军部队此类试验第一次取得百分百的成功，非常值得庆贺啊。”但是，研究所的科研人员生怕器件还存在问题影响作战性能，又组织了一次次严格的试验。果然发现器件光强不太稳定，会对若干年后的使用造成隐患。　　在党委会上，研究所的科研人员统一了思想：不能因为今天丢脸，就为明天的使用留下隐患。他们主动找到海军相关部门，说明了情况。海军领导对此很是理解，主动提出给他们半年时间查找解决问题的方法。最终，他们改进了该型器件，并使得某武器平台的打击精度有了较大的提高。海军领导高兴地说：“你们是干实事的人，武器装备由你们研制，我们上战场一百个放心。”　　不苦不累不科研　　2010年，上级把某重大设备研制的任务交给该所。院党委有意识锤炼年轻人，安排了一批平均年龄不到40岁的年轻干部担当技术负责人。当时，面对一些接近物理极限的技术指标，大家一筹莫展。所党委及时组织思想动员，邀请老领导老专家讲传统话使命。李传胪教授当年“挖地三尺干革命”的科研故事，激发了年轻一代的斗志。大家天天泡在郊外的试验外场，早上很早就赶去，晚上十一二点钟才拖着疲惫的身子回来。　　平时工作忙，没有时间交流，研究所就实行每周6天工作制，利用周六组织大家集中交流研讨。小袁和小张是一对夫妻，同在研究所。两人一个负责微波源部分的研制工作，一个负责天线部分的研制工作。为了完成任务，夫妻两人把小孩丢给老人，每天一起去外场试验，见面就讨论技术问题，在相互的启发中收获了很多灵感。这种定期开“诸葛亮会”的做法已经坚持了两年多，许多技术难题因而得到了解决。　　2012年，研制工作取得重要进展，顺利通过了上级部门组织的转阶段评审。该所政治协理员曹亮激动地说：“年轻的科技工作者面对不亚于战场的环境压力，表现得非常顽强，这一点非常值得骄傲和自豪。”　　质量过硬才能打得赢　　近年来，学院承担的装备型号研制任务越来越多。学院为此专门成立装备研制工程与质量管理办公室，从一线科研人员中抽调经验丰富的工程技术人员专职从事装备研制的工程与质量管理工作。　　办公室成立后，部门人员认真查阅了总部、工业部门几千份有关装备研制质量管理的文件规定，虚心向业内的专家请教，制订了一系列质量管理的规章制度，组织开展装备研制过程质量工作。某型号装备交付部队，一般保修期为1年，但是考虑到该装备属高新技术武器，装备使用部队对维修保养工作存在疑虑，学院主动提出将保修期延长1年。　　在采访中，该办公室主任表示：“我们虽然是院校，是装备承研单位，但是我们同样是军人，深知为部队提供管用、好用的高新装备的重要性。”就是抱着这样一颗心，前仆后继的光电人为铸造共和国利剑作出了重大的贡献。

随着材料科学的蓬勃发展，尤其是高水平的量子材料研究与应用对薄膜材料、二维材料的制备和高精度加工要求越来越高。一套完整流程的薄膜制备与加工设备购置成本通常要在几百万到上千万元。此外，大型设备操作繁复，存放空间大、日常维护成本高，给科研人员带来了很大挑战。依赖于共享方案的科研平台由于设备预约周期长，会大大减慢科研进度。为了快速、低成本的实现高质量的材料制备与加工，让科研计划进入快车道。英国Moorfield Nanotechnology公司与多所名校以及获得诺贝尔奖的课题组长期合作，推出了一系列高性能台式设备, 专门用于各种薄膜材料的高质量制备和加工。该系列产品具有体积小巧、快速制备样品、灵活配置方案等特点，一经推出即受到包括剑桥大学、帝国理工、英国物理实验室等科研单位的青睐。从多功能金属、缘材料溅射到有机物、金属热蒸发；从高质量石墨烯CVD快速制备到高质量碳纳米管CVD趋向生长；从样品、衬底的热处理到单层二维材料的软刻蚀与缺陷加工。Moorfield系列产品已经获得欧洲用户的广泛认可，产品质量与性能完全可以媲美大型设备，一些方面甚至远超大型设备。台式高性能多功能PVD薄膜制备系列—nanoPVD专为高水平学术研究研发的小型物理气相沉积设备。该系列产品包含磁控溅射、金属/有机物热蒸发系统。这些设备不仅体积小巧而且性能，能够快速实现高质量纳米薄膜、异质结的制备，通常在大型设备中才有的共溅射、反应溅射、共蒸发功能也可在该系列产品上实现。台式高性能多功能PVD薄膜制备系列—nanoPVD台式高性能CVD石墨烯/碳纳米管快速制备系列—nanoCVD系统采用低热容的样品台可在2分钟内升温至1000℃并控温，该装置采用了冷壁技术，样品生长完毕后可以快速降温，正是因为这些条件可以让用户在30分钟内即可获得高质量的石墨烯。nanoCVD具有压强自动控制系统，可以的控制石墨烯生长过程中的气氛条件。用户通过触屏进行操作，更有内置的标准石墨烯生长示例程序供用户参考。非常适合需要持续快速获取高质量石墨烯用于高质量学术研究的团队。目前，埃克塞特大学、哈德斯菲尔德大学、莱顿大学、亚森工业大学等很多全球著名的高校都是该系统的用户。台式高性能CVD石墨烯/碳纳米管快速制备系列—nanoCVD台式超二维材料等离子软刻蚀系统—nanoETCH石墨烯等二维材料的微纳加工与刻蚀需要很高的精度，而目前传统半导体刻蚀系统在面对单层材料的高精度刻蚀需求时显得力不从心。为了解决目前微纳加工中常用的刻蚀系统功率较大、难以精细控制的问题，nanoETCH系统对输出功率的分辨率可达毫瓦量，可实现二维材料超逐层刻蚀、层内缺陷制造，以及对石墨基材或衬底等的表面处理。台式超二维材料等离子软刻蚀系统—nanoETCH台式气氛\压力控制高温退火系统—ANNEALMoorfield专门为制备高质量的样品而推出的台式气氛\压力控制高温退火系统，不仅可以满足从高真空到各种气氛的退火需求，还能对气压和温度进行控制，从而为二维材料、基片等进行可控热处理提供重要保障。该系统颠覆了传统箱式、管式炉的粗放退火方式，开创了退火的新篇章。台式气氛\压力控制高温退火系统—ANNEAL多功能高磁控溅射喷金仪—nanoEMnanoEM是Moorfield Nanotechnology为SEM、TEM样品的表面导电处理以及普通样品的高质量电生长而设计的金属溅射系统。系统配备SEM样品托、TEM样品网、普通薄膜样品等多种专用样品台。虽然该系统主要为溅射金属而设计，但是该设备的性能已经达到了高质量薄膜样品的制备标准。通过选择不同的配置可以兼顾样品的表面导电处理、电制备与学术研究型薄膜样品的制备。多功能高磁控溅射喷金仪—nanoEMMoorfield高性能台式薄膜制备与加工设备以超高质量、亲民的价格快速实现您的科研方案，想获取更多详细信息吗？还等什么，现在就联系我们吧！

滨松光子学株式会社（静冈县滨松市，董事长：昼马 明 ，以下简称“滨松光子学（株）”）将传统泵浦用半导体激光器的功率提高了三倍，并优化了放大器的设计 ，成功开发了只有桌面尺寸大小，可以产生1焦耳（以下，j）的高能量、300赫兹（以下，hz）高重复频率的功率激光器。一般的激光器的输出功率与设备的尺寸、重复频率成正相关关系，而该课题实现了小型却高功率、高重复频率的激光器。本产品的诞生，通过去除细小的污垢的激光清洁来提高了传统加工的生产效率，同时，期待它在金属材料的激光成形、延长金属器件的使用寿命的激光喷丸等方面的新应用。该产品的开发是内阁办公室主导的综合科学技术与创新研发推进项目（impact）的一部分，是佐野雄二负责的“普及功率激光器以实现安全、安心、长寿社会”研发项目的一环，由滨松光子学（株）中央研究所产业开发研究中心副所长川嶋利幸等人开发，而且今后我们也将继续推进研究成果的产品化。此外，该新研发的产品将于11月1日（星期四）起连续3天在actcity滨松（滨松市中町区）举行的滨松光子综合展“2018photon fair”上展出。＜关于功率激光器＞功率激光器主要由振荡器和放大器组成。 振荡器由泵浦用半导体激光器、激光介质、全反射镜、输出镜和光开关组成，放大器由泵浦用半导体激光器和激光介质组成。 由振荡器发出的激光通过放大器时，从三种高能量状态（激发状态）的三段激光介质接收能量实现高功率输出。功率激光器的结构＜新产品概述＞该产品搭载了最新研发的泵浦用半导体激光器，虽然只有桌子尺寸大小，但却是可以产生1j的高脉冲能量且300hz的高重复频率的功率激光器。滨松光子学（株）已经开始制造并销售300hz的重复频率下输出功率为100w的泵浦用半导体激光器。此次，结合公司独有的晶体生长技术和镀膜技术，将传统泵浦用半导体激光的功率提高到世界最高水平300w，同时放大器在激光介质的长度和横截面积上下功夫，并采用具有提高冷却效率的放大器，解决了由于热问题导致激光介质损坏或破坏的问题，成功输出了传统放大器的3倍能量。这是因为放大器采用了新的散热设计，提高了激光的放大效率。此外，由于采用半导体激光器作为泵浦光源，具有高于市面上销售的氙灯泵浦脉冲激光器约10倍的光电转换效率，约100倍的泵浦光源的寿命。通过控制零部件的数量，成功实现了器件的稳定输出、小型以及低成本。一般激光器的功率与设备的尺寸、重复频率成正相关关系，但本产品却实现了小型而又高功率和高重复频率的特性。利用该产品，可以对附着于材料上的小污垢进行激光清洁，以提高传统加工的生产效率。此外，我们也期待脉冲激光器在工业领域的新应用，如飞机的金属材料等可以在不使用模具的情况下进行变形加工完成激光成形，以及通过激光喷丸来提高金属器件的使用寿命等。＜研发背景＞激光在金属材料的钻孔、焊接、切割等方面有着广泛地加工用途，为了提高生产效率，光纤激光器和co2激光器等各种各样的激光都在朝着高功率的方向发展。激光分连续输出一定强度激光的cw（continuous wave）激光和短时间内重复输出激光的脉冲激光，目前cw激光是激光加工领域的主流。另一方面，脉冲激光不同于cw激光，它正在朝着新型激光加工的应用方向发展。采用半导体激光器作为泵浦光源的功率激光器，它具有高功率、高重复频率的特性，但因为半导体激光器价格昂贵很难推向产品的实用化，而市场上销售的j级脉冲激光器上使用的泵浦光源多采用氙灯光源，对激光器内部有严重地热影响，因此重复频率只能限制在10hz左右。像这样，为了进一步提高生产效率，同时扩大用途，对小型且可以发出高功率、高重复频率脉冲激光的激光器的需求日益增加。主要规格＜委托研究信息＞此研究成果，是通过以下的科研课题项目得到的。内阁办公室创新研发推进项目（impact）项目负责人：佐野雄二研发项目：普及功率激光器以实现安全、安心、长寿社会研发课题：开发高功率小型功率激光器研究负责人：川鸠利幸（滨松光子学株式会社 中研研究所 产业开发研究中心 中心副主任）研发时间：2015年~2018年本研究开发课题是致力于开发桌子大小、高功率、高重复且稳定性高的脉冲输出的功率激光器。＜项目负责人佐野熊二的评论＞“普及功率激光器以实现安全、安心和长寿的社会”的impact计划，推动了大功率脉冲激光器的小型化、简化和高性能的发展，这对于探索最先进的科学和工业是不可缺的，同时，我们也正在推进相关基础技术和应用技术的开发，旨在提供可以随时随地使用，具有高稳定性的廉价激光器，向工业领域的创新努力。此次，滨松光子学（株）的开发团队采用了自有的先进半导体激光器作为泵浦高能脉冲激光器的光源，通过优化激光器件，以低价格实现前所未有的小型、高功率、高重复的激光设备。从限制成本和生产效率的角度来看，在我们之前放弃引入激光设备的领域，也期待会有更多的应用。功率激光器设备的结构 功率激光器设备外观

波长调谐范围覆盖6-20μm的高重复频率（10 MHz）、高平均功率（10 mW）飞秒激光源具有重要的应用，由于大量分子在这个波段具有振动跃迁，因此有望用于痕量气体检测以及对由气体、液体或固体组成的复合系统进行与物理、化学或生物学相关的非侵入性诊断。但由于增益介质的缺乏，这些中红外源通常利用高功率近红外飞秒激光器驱动光学差频产生（DFG）来实现：近红外激光脉冲的一部分用作泵浦脉冲，另一部分采用非线性波长转换产生波长可调的信号脉冲，泵浦脉冲和信号脉冲之间的DFG产生可调谐的中红外脉冲。利用传统非线性光学手段产生的信号光脉冲能量较低，限制了中红外光源的功率，导致长波中红外飞秒光源无法广泛应用。针对该难点，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心L07组在长期开展基于超快激光脉冲产生及波长转换的基础上，利用自相位调制的光谱旁瓣滤波（SPM-enabled spectral selection，SESS）技术，基于高功率掺铒光纤激光器在高非线性光纤中得到了波长范围覆盖1.6-1.94μm、功率高达300mW（~10nJ）的信号脉冲，再与1.55μm的泵浦脉冲在GaSe晶体中差频得到了波长覆盖7.7-17.3μm的中红外激光脉冲，最大平均功率可达58.3mW。图1. 实验装置图实验装置如图1所示，前端为自制的高功率掺铒光纤激光器系统，重复频率为32MHz，经过啁啾脉冲放大后得到平均功率为4W、脉冲能量为125nJ、宽度为 290fs的脉冲。将激光脉冲分成两份，一份作为泵浦脉冲，另一份耦合到SESS光纤中进行光谱展宽。光纤输出处的展宽光谱由二向色镜分离，长通滤波器（图中的LPF1）将最右边的光谱旁瓣过滤出来作为信号脉冲。泵浦脉冲经过时间延迟线与信号脉冲在时间上重合后聚焦到GaSe晶体上，光斑大小约为50μm。再通过另一个截止波长为4.5μm的长通滤波器，生成的中红外光束经焦距为75mm的90°离轴抛物面镜准直。利用校准的热敏功率计测量中红外脉冲的平均功率，傅里叶变换红外（FTIR）光谱仪来测量输出光谱。图2（a）为1mm-GaSe后输出光谱和功率，光谱范围为7.7-17.3μm，最大平均功率为30.4 mW。为了进一步提高输出功率，我们采用2mm厚的GaSe晶体，结果如图2（b）所示，整个光谱调谐范围内脉冲功率均大于10mW，最大平均功率达58.3mW。相比于以往基于掺镱光纤的中红外光源，本研究成果将DFG平均功率提高了一个数量级，并首次实验上观测到了工作在光参量放大机制下的高重频DFG过程。该高功率长波中红外光源基于结构紧凑的光纤激光器，可以用于实现中红外双光梳，从而推动中红外光梳在精密光谱学中的前沿应用。相关结果发表在最近的Optics Letters上（https://doi.org/10.1364/OL.482461），被选为Editor's Pick并成为当天下载量最多的5篇论文之一。图2. 在不同厚度GaSe后测量到的中红外光谱和功率:（a） 1mm-GaSe（b）2mm-GaSe。该工作得到了国家自然科学基金（批准号：No.62227822和62175255）、中国科学院国际交流项目（批准号：No. GJHZ1826）和国家重点研发计划（批准号：No. 2021YFB3602602）的支持。论文第一作者为物理所博士生刘洋，常国庆特聘研究员为通讯作者，赵继民、魏志义研究员也参与了该工作的设计和讨论。

p　　strong仪器信息网 /strong2020年4月17号，上海——近日，普发真空推出全新单级油封式旋片泵Hena 50 和 Hena 70。这两款泵专为质谱仪系统的高要求而设计，根据尺寸和转速的变化，抽速在 32 m³ /h和 59 m³ /h 之间，其集成的油雾分离器可确保排气清洁。泵本身同时配备变频器，能够在全球范围内以单相输入和相同的50和60 Hz额定功率使用。/pp style="text-align: center "img style="max-width:100% max-height:100% " src="https://img1.17img.cn/17img/images/202004/uepic/63eb4489-ba8f-4181-97e9-95e712987da1.jpg" title="图片 1.png" alt="图片 1.png"//pp/pp style="text-align: center "图片说明：Hena 普发真空旋片泵/pp　　Hena系列真空泵性能高且极为可靠，这源自于其在目标压力范围内的恒定的高流量、可调节抽速和低末端真空度。另外，泵中的高油量及低油温的运行方式也确保了较长的维护间隔和运行时间。/pp　　凭借自身出色的牢固性和可靠性，Hena 50 和 Hena 70 可以提高整体可利用性。同时，由于它们较低的噪声水平和高效的油分离器，也能轻松进行集成。Hena 50 和 Hena 70 已通过 UL（美国保险商试验所） 和 IEC（国际电工委员会） 61010 认证，多个世界化标准组织的认可表明了普发真空Hena 50和Hena 70单级油封式旋片泵的安全与可靠，是各类实验室的理想之选。/p

近年来，研究学者将导电金属有机框架 (MOFs)材料的孔隙率、分子可调谐性、导电性与软物质的优越物理性质相结合，显著提升了材料的化学可调性、高表面积和电荷传输特性。该研究中，实现材料元素价态及配位结构的解析对MOFs材料的性能及机理研究尤为重要。美国华盛顿大学Dianne J. Xiao团队利用台式X射线吸收精细结构谱仪easyXAFS，在实验室内获取了媲美同步辐射光源的XAFS谱图，研究了1D MOF自组装成π-堆叠材料过程中的磁性和电子相互作用的演变过程。图1. (a) 2D导电MOFs Cu3(HHTP)2的合成与结构。 (b) 截断Cu3(HHTP)2成为离散铜基大环CuTOTP-OR(R=C2、C4、C6、C18)的合成方案。 图1是共轭的铜基金属−有机大环CuTOTP-OR（TOTPn−=2, 3, 6, 7-四氧基三苯基，R=直链C2, C4, C6和C18烷基）的合成路径。作者将导电的三苯基二维MOFs降维为离散的六角形大环，通过大环间的强π−π堆积相互作用大提升了离面电荷传输和压片电导率。作者利用台式X射线吸收精细结构谱仪easyXAFS对近边区XANES及扩展边区EXAFS的化学结构进行了表征，为单个MOF层自组装成的π堆叠材料CuTOTP-OR提供了Cu元素价态和Cu原子邻近配位的指认。相关研究成果发表在J. Am. Chem. Soc. 2022, 144, 10, 4515–4521。图2. (a) CuTOTP-OR堆叠示意图。(b-c) CuTOTP-OR, Cu2O和Cu(acac)2的XANES光谱和(d)处理得到的一阶导数图像。(e) CuTOTP-OC4和Cu(acac)2（插图）的EXAFS拟合结果。 作者在铜基二维框架Cu3(HHTP)2和Cu3(HITP)2中观察到显着的 Cu(II)/Cu(I)混合价。为了确定在CuTOTP-OR中是否观察到类似的混合价，研究团队使用easyXAFS公司的实验室用台式X射线吸收精细结构谱仪探测了Cu K-edge X射线近边吸收谱（XANES）（图2b-2c）。Cu(I)化合物的吸收边（由一阶导数光谱的个峰定义）通常约为8981 eV，Cu(II)化合物约为8985 eV。所有四种CuTOTP-OR材料的XANES光谱几乎相同，边缘能量在8985和8986 eV之间（图2d），表明以Cu(II)形式存在，与XPS的数据结果保持一致。从扩展边区EXAFS拟合获得的平均Cu-O键长（dCu-O = 1.94 Å）与Cu(acac)2参考化合物同样非常相似（图2d-2e），印证了CuTOTP-OR的配位结构。在室温下对CuTOTP-OR进行两点电导率测量。尽管结构被截断，但CuTOTP-OC2（10-3 S cm-1）的颗粒几乎与Cu3(HHTP)2粉末（10-3-10-2 S cm-1）的压片导电率相同。图3. easyXAFS公司的台式XAFS/XES谱仪 实验室台式XAFS谱仪优势：1. 台式设计，可以在实验室内随时满足日常样品分析；2. Python软件脚本控制，附带8位自动样品轮，可以同时进行多个样品或样品参数条件下的测试；3. 可集成辅助设备，搭配原位池，可实现高压、气体氛围、电化学等条件下的测试（已辅助客户成功验证），实现原位表征测试；4. 台式XAFS/XES谱仪具有XAFS和XES两种工作模式，可快速切换，满足不同科研试验需求 5. 台式XAFS/XES谱仪测得的谱图效果可以媲美同步辐射数据，如图4所示，其测得的Ni元素的EXAFS，Ce和U元素的L3-edge的XANES谱图数据与同步辐射光源谱图效果完全一致； 图4. (a-b) 台式XAFS/XES谱仪与同步辐射光源测得的Ni EXAFS及傅里叶变换后R空间对比谱图，(c-d) Ce和U L3-edge XANES谱图数据对比图6. 多种型号和配置可选，满足不同科研要求；7. 操作便捷，维护成本低，安全可靠。 参考文献：[1] Zasada L B, Guio L, Kamin A A, et al. Conjugated Metal–Organic Macrocycles: Synthesis, Characterization, and Electrical Conductivity[J]. Journal of the American Chemical Society, 2022.

3月15日，苏州长光华芯光电技术股份有限公司（以下简称“长光华芯”）刊登《发行安排及初步询价公告》《招股意向书》等公告文件，这意味着该公司已经启动发行，即将登陆科创板，将成为A股第一家半导体激光芯片上市公司。 长光华芯本次IPO发行募集资金重点投向科技创新领域的项目为“高功率激光芯片、器件、模块产能扩充项目”“垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）及光通讯激光芯片产业化项目”及“研发中心建设项目”。 其中，高功率激光芯片、器件、模块产能扩充项目总投资5.99亿元，包括购置厂房、MOCVD （外延生长）、流片、巴条上盘预排机、激光划片、自动粘片机等相关设备，整体扩大公司高功率半导体激光芯片、器件、模块产品的产能规模。VCSEL及光通讯激光芯片产业化项目投资3.05亿元，项目有利于实现VCSEL芯片和光通讯芯片产业化，拓展至消费电子、汽车雷达、光通讯等更多应用领域，该项目的实施能够丰富公司原有产品结构，为公司提供新的增长点。借助登陆资本市场的契机，长光华芯将进一步加大研发投入，对半导体激光芯片及高效泵浦技术、光纤耦合半导体激光器泵浦源模块技术和大功率高可靠性半导体激光器封装技术等激光领域前沿技术进行研究，打造可持续领先的研发能力和新方向拓展能力，助力高功率激光技术的创新发展。据悉，长光华芯聚焦半导体激光行业，始终专注于半导体激光芯片、器件及模块等激光行业核心元器件的研发、制造及销售，紧跟下游市场发展趋势，不断创新生产工艺，布局产品线，已形成由半导体激光芯片、器件、模块及直接半导体激光器构成的四大类、多系列产品矩阵，为半导体激光行业的垂直产业链公司。得益于前期大量的研发投入，2021年长光华芯实现营业收入4.29亿元、净利润1.15亿元，较2020年增长率分别达到73.59%和340.49%。

从智慧供排水系统、智慧水表、智慧水务云平台、管网漏损，到供水及水质安全、市政水处理、分析仪器等众多领域，赛莱默抓住国内智慧水务领域的市场机遇，贯彻“智睿驭水、慧领全程”的治水理念，积极推动业务的高效、绿色、节能以及数字化、智慧化转型。“十四五”期间，这样的步伐更加坚定。得利特的水质分析仪器，顺应时代发展，发挥着智能化检测的优势。B1090台式浊度仪采用单片机控制系统，智能化程度高，采购国际通用的钨灯，测量精度高，配坚固的防水型外壳，广泛适用于电力、石油、造纸等行业。仪器特点1、采用当今先进的90°散射光测试原理，光源为国际通用的钨灯2、自主研发、处于的信号处理系统，灵敏度高、稳定可靠3、测量数据精确；操作简单、使用方便。使用220V交流电源，适用于化验室、实验室4、该型号浊度仪在原基础上再一次升级换代，改进后的浊度仪量程自动切换,快速显示测量结果，操作更简单5、连接计算机、自动切换、数字存储、分析技术参数测量范围：A型：0～100NTU，5/25/100三档； B型：0～500NTU，5/25/100/500四档； C型：0～1000NTU，5/25/250/1000四档； D型：0～1000NTU，1.888/18.88/188.8/1000四档；显示方式：LED数码显示分 辨 率：0.01NTU准确误差：±2%FS重现误差：±2%FS取 样 量：50 ml工作温度：0-50℃工作湿度：﹤80%RH电源电压：220V仪器功率：20VA仪器体积：300×240×120（mm）

工欲善其事，必先利其器。高功率全固态激光器技术就是先进制造领域的一把利器。长期以来，国外在高功率激光技术领域一直对我国实行严密的技术封锁，严重制约了我国先进制造领域工业关键激光成套装备的发展。为摆脱我国在这一技术领域的长期被动落后局面，抢占战略主动权，自&ldquo 十五&rdquo 开始，863计划持续对该项技术进行大力支持，经过多年攻关，相继突破3kW、4kW、6kW和8kW的激光输出，到&ldquo 十一五&rdquo 中期，成功研制了具有完全自主知识产权的工业级5KW全固态激光器，打破了国际禁运。　　为加速成果转化应用，&ldquo 十二五&rdquo 期间，863计划继续设立&ldquo 先进激光材料及全固态激光技术&rdquo 主题项目，中国科学院半导体研究所牵头承担，以工业应用需求为导向，研制系列化的高稳定、高可靠的工业级全固态激光器及其装备，并在激光焊接、表面处理等领域实现产业化应用。目前，在项目研究成果基础上，我国首个具有自主知识产权的高功率全固态激光器生产线已在江苏丹阳建成，并实现批量生产 在汽车零部件激光焊接领域，自主研制的全固态激光器成功打破国外垄断，实现了产业化应用突破，自2012年以来，已为奇瑞汽车焊接了超过10万套自动变速箱的核心部件，为北京奔驰汽车焊接了近3万套天窗 攻克无预热情况下的激光熔覆防微裂纹、微气孔等核心技术，为全球第三大石油装备制造商威德福公司成功研制出超高耐磨转井部件，实现威德福首次将该类高难度核心部件从英国的剑桥转移到亚洲进行生产。　　经过863计划长期的持续支持，我国的高功率全固态激光器产品已初步形成了从自主研制激光器到成套装备集成再到应用的完整产业链。随着我国激光技术的不断进步，更多的高功率全固态激光器产品走上成熟的工业化进程，将为提升我国先进制造产业核心竞争力，扭转关键成套装备基本依靠进口的被动局面，加强国防建设提供有力的装备保障和技术支撑。

1. 研究背景及意义碳化硅(SiC)是一种宽带隙(WBG)的半导体材料，目前已经显示出有能力满足前述领域中不断发展的电力电子的更高性能要求。在过去，硅(Si)一直是最广泛使用的功率开关器件的半导体材料。然而，随着硅基功率器件已经接近其物理极限，进一步提高其性能正成为一个巨大的挑战。我们很难将它的阻断电压和工作温度分别限制在6.5kV和175℃，而且相对于碳化硅器件它的开关速度相对较慢。另一方面，由SiC制成的器件在过去几十年中已经从不成熟的实验室原型发展成为可行的商业产品，并且由于其高击穿电压、高工作电场、高工作温度、高开关频率和低损耗等优势被认为是Si基功率器件的替代品。除了这些性能上的改进，基于SiC器件的电力电子器件有望通过最大限度地减少冷却要求和无源元件要求来实现系统的体积缩小，有助于降低整个系统成本。SiC的这些优点与未来能源转换应用中的电力电子器件的要求和方向非常一致。尽管与硅基器件相比SiC器件的成本较高，但SiC器件能够带来的潜在系统优势足以抵消增加的器件成本。目前SiC器件和模块制造商的市场调查显示SiC器件的优势在最近的商业产品中很明显，例如SiC MOSFETs的导通电阻比Si IGBT的导通电阻小四倍，并且在每三年内呈现出-30%的下降趋势。与硅同类产品相比，SiC器件的开关能量小10-20倍，最大开关频率估计高20倍。由于这些优点，预计到2022年，SiC功率器件的总市场将增长到10亿美元，复合年增长率(CAGR)为28%，预计最大的创收应用是在混合动力和电动汽车、光伏逆变器和工业电机驱动中。然而，从器件的角度来看，挑战和问题仍然存在。随着SiC芯片有效面积的减少，短路耐久时间也趋于减少。这表明在稳定性、可靠性和芯片尺寸之间存在着冲突。而且SiC器件的现场可靠性并没有在各种应用领域得到证明，这些问题直接导致SiC器件在电力电子市场中的应用大打折扣。另一方面，生产高质量、低缺陷和较大的SiC晶圆是SiC器件制造的技术障碍。这种制造上的困难使得SiC MOSFET的每年平均销售价格比Si同类产品高4-5倍。尽管SiC材料的缺陷已经在很大程度上被克服，但制造工艺还需要改进，以使SiC器件的成本更加合理。最近几年大多数SiC器件制造大厂已经开始使用6英寸晶圆进行生产。硅代工公司X-fab已经升级了其制造资源去适应6英寸SiC晶圆，从而为诸如Monolith这类无晶圆厂的公司提供服务。这些积极的操作将导致SiC器件的整体成本降低。图1.1 SiC器件及其封装的发展图1.1展示了SiC功率器件及其封装的发展里程碑。第一个推向市场的SiC器件是英飞凌公司在2001年生产的肖特基二极管。此后，其他公司如Cree和Rohm继续发布各种额定值的SiC二极管。2008年，SemiSouth公司生产了第一个SiC结点栅场效应晶体管（JFET），在那个时间段左右，各公司开始将SiC肖特基二极管裸模集成到基于Si IGBT的功率模块中，生产混合SiC功率模块。从2010年到2011年，Rohm和Cree推出了第一个具有1200V额定值的分立封装的SiC MOSFET。随着SiC功率晶体管的商业化，Vincotech和Microsemi等公司在2011年开始使用SiC JFET和SiC二极管生产全SiC模块。2013年，Cree推出了使用SiC MOSFET和SiC二极管的全SiC模块。此后，其他器件供应商，包括三菱、赛米控、富士和英飞凌，自己也发布了全SiC模块。在大多数情况下，SiC器件最初是作为分立元件推出的，而将这些器件实现为模块封装是在最初发布的几年后开发的。这是因为到目前为止分立封装的制造过程比功率模块封装要简单得多。另一个原因也有可能是因为发布的模块已经通过了广泛的标准JEDEC可靠性测试资格认证，这代表器件可以通过2000万次循环而不发生故障，因此具有严格的功率循环功能。而且分离元件在设计系统时具有灵活性，成本较低，而模块的优势在于性能较高，一旦有了产品就容易集成。虽然SiC半导体技术一直在快速向前发展，但功率模块的封装技术似乎是在依赖过去的惯例，这是一个成熟的标准。然而，它并没有达到充分挖掘新器件的潜力的速度。SiC器件的封装大多是基于陶瓷基底上的线接合方法，这是形成多芯片模块（MCM）互连的标准方法，因为它易于使用且成本相对较低。然而，这种标准的封装方法由于其封装本身的局限性，已经被指出是向更高性能系统发展的技术障碍。首先，封装的电寄生效应太高，以至于在SiC器件的快速开关过程中会产生不必要的损失和噪音。第二，封装的热阻太高，而热容量太低，这限制了封装在稳态和瞬态的散热性能。第三，构成封装的材料和元件通常与高温操作（200℃）不兼容，在升高的操作温度下，热机械可靠性恶化。最后，对于即将到来的高压SiC器件，承受高电场的能力是不够的。这些挑战的细节将在第二节进一步阐述。总之，不是器件本身，而是功率模块的封装是主要的限制因素之一，它阻碍了封装充分发挥SiC元件的优势。因此，应尽最大努力了解未来SiC封装所需的特征，并相应地开发新型封装技术去解决其局限性。随着社会的发展，环保问题与能源问题愈发严重，为了提高电能的转化效率，人们对于用于电力变换和电力控制的功率器件需求强烈[1, 2]。碳化硅（SiC）材料作为第三代半导体材料，具有禁带宽度大，击穿场强高、电子饱和速度大、热导率高等优点[3]。与传统的Si器件相比，SiC器件的开关能耗要低十多倍[4]，开关频率最高提高20倍[5, 6]。SiC功率器件可以有效实现电力电子系统的高效率、小型化和轻量化。但是由于SiC器件工作频率高，而且结电容较小，栅极电荷低，这就导致器件开关时，电压和电流变化很大，寄生电感就极易产生电压过冲和振荡现象，造成器件电压应力、损耗的增加和电磁干扰问题[7, 8]。还要考虑极端条件下的可靠性问题。为了解决这些问题，除了器件本身加以改进，在封装工艺上也需要满足不同工况的特性要求。起先，电力电子中的SiC器件是作为分立器件生产的，这意味着封装也是分立的。然而SiC器件中电压或电流的限制，通常工作在低功耗水平。当需求功率达到100 kW或更高时，设备往往无法满足功率容量要求[9]。因此，需要在设备中连接和封装多个SiC芯片以解决这些问题，并称为功率模块封装[10, 11]。到目前为止，功率半导体的封装工艺中，铝（Al）引线键合封装方案一直是最优的封装结构[12]。传统封装方案的功率模块采用陶瓷覆铜板，陶瓷覆铜板（Direct Bonding Copper，DBC）是一种具有两层铜的陶瓷基板，其中一层图案化以形成电路[13]。功率半导体器件底部一般直接使用焊料连接到DBC上，顶部则使用铝引线键合。底板（Baseplate）的主要功能是为DBC提供支撑以及提供传导散热的功能，并与外部散热器连接。传统封装提供电气互连（通过Al引线与DBC上部的Cu电路键合）、电绝缘（使用DBC陶瓷基板）、器件保护（通过封装材料）和热管理（通过底部）。这种典型的封装结构用于目前制造的绝大多数电源模块[14]。传统的封装方法已经通过了严格的功率循环测试（2000万次无故障循环），并通过了JEDEC标准认证[15]。传统的封装工艺可以使用现有的设备进行，不需要额外开发投资设备。传统的功率模块封装由七个基本元素组成，即功率半导体芯片、绝缘基板、底板、粘合材料、功率互连、封装剂和塑料外壳，如图1.2所示。模块中的这些元素由不同的材料组成，从绝缘体、导体、半导体到有机物和无机物。由于这些不同的材料牢固地结合在一起，为每个元素选择适当的材料以形成一个坚固的封装是至关重要的。在本节中，将讨论七个基本元素中每个元素的作用和流行的选择以及它们的组装过程。图1.2标准功率模块结构的横截面功率半导体是功率模块中的重要元素，通过执行电气开/关开关将功率从源头转换到负载。标准功率模块中最常用的器件类型是MOSFETs、IGBTs、二极管和晶闸管。绝缘衬底在半导体元件和终端之间提供电气传导，与其他金属部件（如底板和散热器）进行电气隔离，并对元件产生的热量进行散热。直接键合铜（DBC）基材在传统的电源模块中被用作绝缘基材，因为它们具有优良的性能，不仅能满足电气和热的要求，而且还具有机械可靠性。在各种候选材料中，夹在两层铜之间的陶瓷层的流行材料是Al2O3，AlN，Si2N4和BeO。接合材料的主要功能是通过连接每个部件，在半导体、导体导线、端子、基材和电源模块的底板之间提供机械、热和电的联系。由于其与电子组装环境的兼容性，SnPb和SnAgCu作为焊料合金是最常用的芯片和基片连接材料。在选择用于功率模块的焊料合金时，需要注意的重要特征是：与使用温度有关的熔化温度，与功率芯片的金属化、绝缘衬底和底板的兼容性，高机械强度，低弹性模量，高抗蠕变性和高抗疲劳性，高导热性，匹配的热膨胀系数（CTE），成本和环境影响。底板的主要作用是为绝缘基板提供机械支持。它还从绝缘基板上吸收热量并将其传递给冷却系统。高导热性和低CTE（与绝缘基板相匹配）是对底板的重要特性要求。广泛使用的底板材料是Cu，AlSiC，CuMoCu和CuW。导线键合的主要作用是在模块的功率半导体、导体线路和输入/输出终端之间进行电气连接。器件的顶面连接最常用的材料是铝线。对于额定功率较高的功率模块，重铝线键合或带状键合用于连接功率器件的顶面和陶瓷基板的金属化，这样可以降低电阻和增强热能力。封装剂的主要目的是保护半导体设备和电线组装的组件免受恶劣环境条件的影响，如潮湿、化学品和气体。此外，封装剂不仅在电线和元件之间提供电绝缘，以抵御电压水平的提高，而且还可以作为一种热传播媒介。在电源模块中作为封装剂使用的材料有硅凝胶、硅胶、聚腊烯、丙烯酸、聚氨酯和环氧树脂。塑料外壳（包括盖子）可以保护模块免受机械冲击和环境影响。因为即使电源芯片和电线被嵌入到封装材料中，它们仍然可能因处理不当而被打破或损坏。同时外壳还能机械地支撑端子，并在端子之间提供隔离距离。热固性烯烃（DAP）、热固性环氧树脂和含有玻璃填料的热塑性聚酯（PBT）是塑料外壳的最佳选择。传统电源模块的制造过程开始于使用回流炉在准备好的DBC基片上焊接电源芯片。然后，许多这些附有模具的DBC基板也使用回流焊工艺焊接到一个底板上。在同一块底板上，用胶水或螺丝钉把装有端子的塑料外壳连接起来。然后，正如前面所讨论的那样，通过使用铝线进行电线连接，实现电源芯片的顶部、DBC的金属化和端子之间的连接。最后，用分配器将封装材料沉积在元件的顶部，并在高温下固化。前面所描述的结构、材料和一系列工艺被认为是功率模块封装技术的标准，在目前的实践中仍被广泛使用。尽管对新型封装方法的需求一直在持续，但技术变革或采用是渐进的。这种对新技术的缓慢接受可以用以下原因来解释。首先，人们对与新技术的制造有关的可靠性和可重复性与新制造工艺的结合表示担忧，这需要时间来解决。因此，考虑到及时的市场供应，模块制造商选择继续使用成熟的、广为人知的传统功率模块封装技术。第二个原因是传统电源模块的成本效益。由于传统电源模块的制造基础设施与其他电子器件封装环境兼容，因此不需要与开发新材料和设备有关的额外成本，这就大大降低了工艺成本。尽管有这些理由坚持使用标准的封装方法，但随着半导体趋势从硅基器件向碳化硅基器件的转变，它正显示出局限性并面临着根本性的挑战。使用SiC器件的最重要的优势之一是能够在高开关频率下工作。在功率转换器中推动更高的频率背后的主要机制是最大限度地减少整个系统的尺寸，并通过更高的开关频率带来的显著的无源尺寸减少来提高功率密度。然而，由于与高开关频率相关的损耗，大功率电子设备中基于硅的器件的开关频率通常被限制在几千赫兹。图1.3中给出的一个例子显示，随着频率的增加，使用Si-IGBT的功率转换器的效率下降，在20kHz时已经下降到73%。另一方面，在相同的频率下，SiC MOSFET的效率保持高达92%。从这个例子中可以看出，硅基器件在高频运行中显示出局限性，而SiC元件能够在更高频率下运行时处理高能量水平。尽管SiC器件在开关性能上优于Si器件对应产品，但如果要充分利用其快速开关的优势，还需要考虑到一些特殊的因素。快速开关的瞬态效应会导致器件和封装内部的电磁寄生效应，这正成为SiC功率模块作为高性能开关应用的最大障碍。图1.3 Si和SiC转换器在全额定功率和不同开关频率下的效率图1.4给出了一个半桥功率模块的电路原理图，该模块由高低两侧的开关和二极管对组成，如图1.4所示，其中有一组最关键的寄生电感，即主开关回路杂散电感(Lswitch)、栅极回路电感(Lgate)和公共源电感(Lsource)。主开关回路杂散电感同时存在于外部电源电路和内部封装互连中，而外部杂散电感对开关性能的影响可以通过去耦电容来消除。主开关回路杂散电感(Lswitch)是由直流+总线、续流二极管、MOSFET(或IGBT)和直流总线终端之间的等效串联电感构成的。它负责电压过冲，在关断期间由于电流下降而对器件造成严重的压力，负反馈干扰充电和向栅极源放电的电流而造成较慢的di/dt的开关损失，杂散电感和半导体器件的输出电容的共振而造成开关波形的振荡增加，从而导致EMI发射增加。栅极环路电感(Lgate)由栅极电流路径形成，即从驱动板到器件的栅极接触垫，以及器件的源极到驱动板的连接。它通过造成栅极-源极电压积累的延迟而降低了可实现的最大开关频率。它还与器件的栅极-源极电容发生共振，导致栅极信号的震荡。结果就是当我们并联多个功率芯片模块时，如果每个栅极环路的寄生电感不相同或者对称，那么在开关瞬间将产生电流失衡。共源电感(Lsource)来自主开关回路和栅极回路电感之间的耦合。当打开和关闭功率器件时，di/dt和这个电感上的电压在栅极电路中作为额外的（通常是相反的）电压源，导致di/dt的斜率下降，扭曲了栅极信号，并限制了开关速度。此外，共源电感可能会导致错误的触发事件，这可能会通过在错误的时间打开器件而损坏器件。这些寄生电感的影响在快速开关SiC器件中变得更加严重。在SiC器件的开关瞬态过程中会产生非常高的漏极电流斜率di/dt，而前面讨论的寄生电感的电压尖峰和下降也明显大于Si器件的。寄生电感的这些不良影响导致了开关能量损失的增加和可达到的最大开关频率的降低。开关瞬态的问题不仅来自于电流斜率di/dt，也来自于电压斜率dv/dt。这个dv/dt导致位移电流通过封装的寄生电容，也就是芯片和冷却系统之间的电容。图1.5显示了半桥模块和散热器之间存在的寄生电容的简化图。这种不需要的电流会导致对变频器供电的电机的可靠性产生不利影响。例如，汽车应用中由放电加工(EDM)引起的电机轴承缺陷会产生很大的噪声电流。在传统的硅基器件中，由于dv/dt较低，约为3 kV/µs，因此流经寄生电容的电流通常忽略不记。然而，SiC器件的dv/dt比Si器件的dv/dt高一个数量级，最高可达50 kV/µs，使通过封装电容的电流不再可以忽略。对Si和SiC器件产生的电磁干扰(EMI)的比较研究表明，由于SiC器件的快速开关速度，传导和辐射的EMI随着SiC器件的使用而增加。除了通过封装进入冷却系统的电流外，电容寄也会减缓电压瞬变，在开关期间产生过电流尖峰，并通过与寄生电感形成谐振电路而增加EMI发射，这是我们不希望看到的。未来的功率模块封装应考虑到SiC封装中的寄生和高频瞬变所带来的所有复杂问题和挑战。解决这些问题的主要封装级需要做到以下几点。第一，主开关回路的电感需要通过新的互连技术来最小化，以取代冗长的线束，并通过优化布局设计，使功率器件接近。第二，由于制造上的不兼容性和安全问题，栅极驱动电路通常被组装在与功率模块分开的基板上。应通过将栅极驱动电路与功率模块尽可能地接近使栅极环路电感最小化。另外，在平行芯片的情况下，布局应该是对称的，以避免电流不平衡。第三，需要通过将栅极环路电流与主开关环路电流分开来避免共源电感带来的问题。这可以通过提供一个额外的引脚来实现，例如开尔文源连接。第四，应通过减少输出端和接地散热器的电容耦合来减轻寄生电容中流动的电流，比如避免交流电位的金属痕迹的几何重叠。图1.4半桥模块的电路原理图。三个主要的寄生电感表示为Lswitch、Lgate和Lsource。图1.5半桥模块的电路原理图。封装和散热器之间有寄生电容。尽管目前的功率器件具有优良的功率转换效率，但在运行的功率模块中，这些器件产生的热量是不可避免的。功率器件的开关和传导损失在器件周围以及从芯片到冷却剂的整个热路径上产生高度集中的热通量密度。这种热通量导致功率器件的性能下降，以及器件和封装的热诱导可靠性问题。在这个从Si基器件向SiC基器件过渡的时期，功率模块封装面临着前所未有的散热挑战。图1.6根据额定电压和热阻计算出所需的总芯片面积在相同的电压和电流等级下，SiC器件的尺寸可以比Si器件小得多，这为更紧凑的功率模块设计提供了机会。根据芯片的热阻表达式，芯片尺寸的缩小，例如芯片边缘的长度，会导致热阻的二次方增加。这意味着SiC功率器件的模块化封装需要特别注意散热和冷却。图1.6展示了计算出所需的总芯片面积减少，这与芯片到冷却剂的热阻减少有关。换句话说，随着芯片面积的减少，SiC器件所需的热阻需要提高。然而，即使结合最先进的冷却策略，如直接冷却的冷板与针状翅片结构，假设应用一个70kVA的逆变器，基于DBC和线束的标准功率模块封装的单位面积热阻值通常在0.3至0.4 Kcm2/W之间。为了满足研究中预测的未来功率模块的性能和成本目标，该值需要低于0.2 Kcm2/W，这只能通过创新方法实现，比如双面冷却法。同时，小的芯片面积也使其难以放置足够数量的线束，这不仅限制了电流处理能力，也限制了热电容。以前对标准功率模块封装的热改进大多集中在稳态热阻上，这可能不能很好地代表开关功率模块的瞬态热行为。由于预计SiC器件具有快速功率脉冲的极其集中的热通量密度，因此不仅需要降低热阻，还需要改善热容量，以尽量减少这些快速脉冲导致的峰值温度上升。在未来的功率模块封装中，应解决因采用SiC器件而产生的热挑战。以下是未来SiC封装在散热方面应考虑的一些要求。第一，为了降低热阻，需要减少或消除热路中的一些封装层；第二，散热也需要从芯片的顶部完成以使模块的热阻达到极低水平，这可能需要改变互连方法，比如采用更大面积的接头；第三，封装层接口处的先进材料将有助于降低封装的热阻。例如，用于芯片连接和热扩散器的材料可以分别用更高的导热性接头和碳基复合材料代替。第四，喷射撞击、喷雾和微通道等先进的冷却方法可以用来提高散热能力。SiC器件有可能被用于预期温度范围极广的航空航天应用中。例如用于月球或火星任务的电子器件需要分别在-180℃至125℃和-120℃至85℃的广泛环境温度循环中生存。由于这些空间探索中的大多数电子器件都是基于类似地球的环境进行封装的，因此它们被保存在暖箱中，以保持它们在极低温度下的运行。由于SiC器件正在评估这些条件，因此需要开发与这些恶劣环境兼容的封装技术，而无需使用暖箱。与低温有关的最大挑战之一是热循环引起的大的CTE失配对芯片连接界面造成的巨大压力。另外，在室温下具有柔性和顺应性的材料，如硅凝胶，在-180℃时可能变得僵硬，在封装内产生巨大的应力水平。因此，SiC封装在航空应用中的未来方向首先是开发和评估与芯片的CTE密切匹配的基材，以尽量减少应力。其次，另一个方向应该是开发在极低温度下保持可塑性的芯片连接材料。在最近的研究活动中，在-180℃-125℃的极端温度范围内，对分别作为基材和芯片附件的SiN和Indium焊料的性能进行了评估和表征。为进一步推动我国能源战略的实施，提高我国在新能源领域技术、装备的国际竞争力，实现高可靠性碳化硅 MOSFET 器件中试生产技术研究，研制出满足移动储能变流器应用的多芯片并联大功率MOSFET 器件。本研究将通过寄生参数提取、建模、仿真及测试方式研究 DBC 布局、多栅极电阻等方式对芯片寄生电感与均流特性的影响，进一步提高我国碳化硅器件封装及测试能力。2. SiC MOSFET功率模块设计技术2.1 模块设计技术介绍在MOSFET模块设计中引入软件仿真环节，利用三维电磁仿真软件、三维温度场仿真软件、三维应力场仿真软件、寄生参数提取软件和变流系统仿真软件，对MOSFET模块设计中关注的电磁场分布、热分布、应力分布、均流特性、开关特性、引线寄生参数对模块电特性影响等问题进行仿真，减小研发周期、降低设计研发成本，保证设计的产品具备优良性能。在仿真基础上，结合项目团队多年从事电力电子器件设计所积累的经验，解决高压大功率MOSFET模块设计中存在的多片MOSFET芯片和FRD芯片的匹配与均流、DBC版图的设计与芯片排布设计、电极结构设计、MOSFET模块结构设计等一系列难题，最终完成模块产品的设计。高压大功率MOSFET模块设计流程如下：图2.1高压大功率MOSFET模块设计流程在MOSFET模块设计中，需要综合考虑很多问题，例如：散热问题、均流问题、场耦合问题、MOSFET模块结构优化设计问题等等。MOSFET芯片体积小，热流密度可以达到100W/cm2~250W/cm2。同时，基于硅基的MOSFET芯片最高工作温度为175℃左右。据统计，由于高温导致的失效占电力电子芯片所有失效类型的50%以上。随电力电子器件设备集成度和环境集成度的逐渐增加，MOSFET模块的最高温升限值急剧下降。因此，MOSFET模块的三维温度场仿真技术是高效率高功率密度MOSFET模块设计开发的首要问题。模块散热能力与众多因素有关：MOSFET模块所用材料的物理和化学性质、MOSFET芯片的布局、贴片的质量、焊接的工艺水平等。如果贴片质量差，有效散热面积小，芯片与DBC之间的热阻大，在模块运行时易造成模块局部过热而损坏。另外，芯片的排布对热分布影响也很大。下图4.2是采用有限元软件对模块内部的温度场进行分析的结果：图2.2 MOSFET模块散热分布分析在完成结构设计和材料选取后，采用ANSYS软件的热分析模块ICEPAK，建立包括铜基板、DBC、MOSFET芯片、二极管芯片以及包括铝质键合引线在内的相对完整的数值模拟模型。模拟实际工作条件，施加相应的载荷，得到MOSFET的温度场分布，根据温度场分布再对MOSFET内部结构和材料进行调整，直至达到设计要求范围内的最优。2.2 材料数据库对一个完整的焊接式MOSFET模块而言，从上往下为一个 8层结构：绝缘盖板、密封胶、键合、半导体芯片层、焊接层 1、DBC、焊接层 2、金属底板。MOSFET模块所涉及的主要材料可分为以下几种类型：导体、绝缘体、半导体、有机物和无机物。MOSFET模块的电、热、机械等性能与材料本身的电导率、热导率、热膨胀系数、介电常数、机械强度等密切相关。材料的选型非常重要，为此有必要建立起常用的材料库。2.3 芯片的仿真模型库所涉及的MOSFET芯片有多种规格，包括：1700V 75A/100A/125A；2500V/50A；3300V/50A/62.5A；600V/100A；1200V/100A；4500V/42A；6500V/32A。为便于合理地进行芯片选型（确定芯片规格及其数量），精确分析多芯片并联时的均流性能，首先为上述芯片建立等效电路模型。在此基础上，针对实际电力电子系统中的滤波器、电缆和电机负载模型，搭建一个系统及的仿真平台，从而对整个系统的电气性能进行分析预估。2.4 MOSFET模块的热管理MOSFET模块是一个含不同材料的密集封装的多层结构，其热流密度达到100W/cm2--250W/cm2，模块能长期安全可靠运行的首要因素是良好的散热能力。散热能力与众多因素有关：MOSFET模块所用材料的物理和化学性质、MOSFET芯片的布局、贴片的质量、焊接的工艺水平等。如果贴片质量差，有效散热面积小，芯片与DBC之间的热阻大，在模块运行时易造成模块局部过热而损坏。芯片可靠散热的另一重要因素是键合的长度和位置。假设散热底板的温度分布均匀，而每个MOSFET芯片对底板的热阻有差异，导致在相同工况时，每个MOSFET芯片的结温不同。下图是采用有限元软件对模块内部的温度场进行分析的结果。图2.3MOSFET模块热分布在模块完成封装后，采用FLOTHERM软件的热分析模块，建立包括铜基板、DBC、MOSFET芯片、二极管芯片以及包括铝质键合引线在内的相对完整的数值模拟模型。模拟实际工作条件，施加相应的载荷，得到MOSFET的温度场分布的数值解，为MOSFET温度场分布的测试提供一定的依据。2.5. 芯片布局与杂散参数提取根据MOSFET模块不同的电压和电流等级，MOSFET模块所使用芯片的规格不同，芯片之间的连接方式也不同。因此，详细的布局设计放在项目实施阶段去完成。对中低压MOSFET模块和高压MOSFET模块，布局阶段考虑的因素会有所不同，具体体现在DBC与散热底板之间的绝缘、DBC上铜线迹之间的绝缘以及键合之间的绝缘等。2.6 芯片互联的杂散参数提取MOSFET芯片并联应用时的电流分配不均衡主要有两种：静态电流不均衡和动态电流不均衡。静态电流不均衡主要由器件的饱和压降VCE（sat）不一致所引起；而动态电流不均衡则是由于器件的开关时间不同步引起的。此外，栅极驱动、电路的布局以及并联模块的温度等因素也会影响开关时刻的动态均流。回路寄生电感特别是射极引线电感的不同将会使器件开关时刻不同步；驱动电路输出阻抗的不一致将引起充放电时间不同；驱动电路的回路引线电感可能引起寄生振荡；以及温度不平衡会影响到并联器件动态均流。2.7 模块设计专家知识库通过不同规格MOSFET模块的设计－生产－测试－改进设计等一系列过程，可以获得丰富的设计经验，并对其进行归纳总结，提出任意一种电压电流等级的MOSFET模块的设计思路，形成具有自主知识产权的高压大功率MOSFET模块的系统化设计知识库。3. SiCMOSFET封装工艺3.1 封装常见工艺MOSFET模块封装工艺主要包括焊接工艺、键合工艺、外壳安装工艺、灌封工艺及测试等。3.1.1 焊接工艺焊接工艺在特定的环境下，使用焊料，通过加热和加压，使芯片与DBC基板、DBC基板与底板、DBC基板与电极达到结合的方法。目前国际上采用的是真空焊接技术，保证了芯片焊接的低空洞率。焊接要求焊接面沾润好，空洞率小，焊层均匀，焊接牢固。通常情况下．影响焊接质量的最主要因素是焊接“空洞”，产生焊接空洞的原因，一是焊接过程中，铅锡焊膏中助焊剂因升温蒸发或铅锡焊片熔化过程中包裹的气泡所造成的焊接空洞，真空环境可使空洞内部和焊接面外部形成高压差，压差能够克服焊料粘度，释放空洞。二是焊接面的不良加湿所造成的焊接空洞，一般情况下是由于被焊接面有轻微的氧化造成的，这包括了由于材料保管的不当造成的部件氧化和焊接过程中高温造成的氧化，即使真空技术也不能完全消除其影响。在焊接过程中适量的加人氨气或富含氢气的助焊气体可有效地去除氧化层，使被焊接面有良好的浸润性．加湿良好。“真空+气体保护”焊接工艺就是基于上述原理研究出来的，经过多年的研究改进，已成为高功率，大电流，多芯片的功率模块封装的最佳焊接工艺。虽然干式焊接工艺的焊接质量较高，但其对工艺条件的要求也较高，例如工艺设备条件，工艺环境的洁净程度，工艺气体的纯度．芯片，DBC基片等焊接表面的应无沾污和氧化情况．焊接过程中的压力大小及均匀性等。要根据实际需要和现场条件来选择合适的焊接工艺。3.1.2 键合工艺引线键合是当前最重要的微电子封装技术之一，目前90％以上的芯片均采用这种技术进行封装。超声键合原理是在超声能控制下，将芯片金属镀层和焊线表面的原子激活，同时产生塑性变形，芯片的金属镀层与焊线表面达到原子间的引力范围而形成焊接点，使得焊线与芯片金属镀层表面紧密接触。按照原理的不同，引线键合可以分为热压键合、超声键合和热压超声键合3种方式。根据键合点形状，又可分为球形键合和楔形键合。在功率器件及模块中，最常见的功率互连方法是引线键合法，大功率MOSFET模块采用了超声引线键合法对MOSFET芯片及FRD芯片进行互连。由于需要承载大电流，故采用楔形劈刀将粗铝线键合到芯片表面或DBC铜层表面，这种方法也称超声楔键合。外壳安装工艺：功率模块的封装外壳是根据其所用的不同材料和品种结构形式来研发的，常用散热性好的金属封装外壳、塑料封装外壳，按最终产品的电性能、热性能、应用场合、成本，设计选定其总体布局、封装形式、结构尺寸、材料及生产工艺。功率模块内部结构设计、布局与布线、热设计、分布电感量的控制、装配模具、可靠性试验工程、质量保证体系等的彼此和谐发展，促进封装技术更好地满足功率半导体器件的模块化和系统集成化的需求。外壳安装是通过特定的工艺过程完成外壳、顶盖与底板结构的固定连接，形成密闭空间。作用是提供模块机械支撑，保护模块内部组件，防止灌封材料外溢，保证绝缘能力。外壳、顶盖要求机械强度和绝缘强度高，耐高温，不易变形，防潮湿、防腐蚀等。3.1.3 灌封工艺灌封工艺用特定的灌封材料填充模块，将模块内组件与外部环境进行隔离保护。其作用是避免模块内部组件直接暴露于环境中，提高组件间的绝缘，提升抗冲击、振动能力。灌封材料要求化学特性稳定，无腐蚀，具有绝缘和散热能力，膨胀系数和收缩率小，粘度低，流动性好，灌封时容易达到模块内的各个缝隙，可将模块内部元件严密地封装起来，固化后能吸收震动和抗冲击。3.1.4 模块测试MOSFET模块测试包括过程测试及产品测试。其中过程测试通过平面度测试仪、推拉力测试仪、硬度测试仪、X射线测试仪、超声波扫描测试仪等，对产品的入厂和过程质量进行控制。产品测试通过平面度测试仪、动静态测试仪、绝缘/局部放电测试仪、高温阻断试验、栅极偏置试验、高低温循环试验、湿热试验，栅极电荷试验等进行例行和型式试验，确保模块的高可靠性。3.2 封装要求本项目的SiC MOSFET功率模块封装材料要求如下：（1）焊料选用需要可靠性要求和热阻要求。（2）外壳采用PBT材料，端子裸露部分表面镀镍或镀金。（3）内引线采用超声压接或铝丝键合（具体视装配图设计而定），功率芯片采用铝线键合。（4）灌封料满足可靠性要求，Tg150℃，能满足高低温存贮和温度循环等试验要求。（5）底板采用铜材料。（6）陶瓷覆铜板采用Si3N4材质。（7）镀层要求：需保证温度循环、盐雾、高压蒸煮等试验后满足外观要求。3.3 封装流程本模块采用既有模块进行封装，不对DBC结构进行调整。模块封装工艺流程如下图3.1所示。图3.1模块封装工艺流程（1）芯片CP测试：对芯片进行ICES、BVCES、IGES、VGETH等静态参数进行测试，将失效的芯片筛选出来，避免因芯片原因造成的封装浪费。（2）划片&划片清洗：将整片晶圆按芯片大小分割成单一的芯片，划片后可从晶圆上将芯片取下进行封装；划片后对金属颗粒进行清洗，保证芯片表面无污染，便于后续工艺操作。（3）丝网印刷：将焊接用的焊锡膏按照设计的图形涂敷在DBC基板上，使用丝网印刷机完成，通过工装钢网控制锡膏涂敷的图形。锡膏图形设计要充分考虑焊层厚度、焊接面积、焊接效果，经过验证后最终确定合适的图形。（4）芯片焊接：该步骤主要是完成芯片与 DBC 基板的焊接，采用相应的焊接工装，实现芯片、焊料和 DBC 基板的装配。使用真空焊接炉，采用真空焊接工艺，严格控制焊接炉的炉温、焊接气体环境、焊接时间、升降温速度等工艺技术参数，专用焊接工装完成焊接工艺，实现芯片、DBC 基板的无空洞焊接，要求芯片的焊接空洞率和焊接倾角在工艺标准内，芯片周围无焊球或堆焊，焊接质量稳定，一致性好。（5）助焊剂清洗：通过超声波清洗去除掉助焊剂。焊锡膏中一般加入助焊剂成分，在焊接过程中挥发并残留在焊层周围，因助焊剂表现为酸性，长期使用对焊层具有腐蚀性，影响焊接可靠性，因此需要将其清洗干净，保证产品焊接汉城自动气相清洗机采用全自动浸入式喷淋和汽相清洗相结合的方式进行子单元键合前清洗，去除芯片、DBC 表面的尘埃粒子、金属粒子、油渍、氧化物等有害杂质和污染物，保证子单元表面清洁。（6） X-RAY检测：芯片的焊接质量作为产品工艺控制的主要环节，直接影响着芯片的散热能力、功率损耗的大小以及键合的合格率。因此，使用 X-RAY 检测机对芯片焊接质量进行检查，通过调整产生 X 射线的电压值和电流值，对不同的焊接产品进行检查。要求 X 光检查后的芯片焊接空洞率工艺要求范围内。（7）芯片键合：通过键合铝线工艺，完成 DBC 和芯片的电气连接。使用铝线键合机完成芯片与 DBC 基板对应敷铜层之间的连接，从而实现芯片之间的并联和反并联。要求该工序结合芯片的厚度参数和表面金属层参数，通过调整键合压力，键合功率，键合时间等参数，并根据产品的绝缘要求和通流大小，设置合适的键合线弧高和间距，打线数量满足通流要求，保证子单元的键合质量。要求键合工艺参数设定合理、铝线键合质量牢固，键合弧度满足绝缘要求、键合点无脱落，满足键合铝线推拉力测试标准。（8）模块焊接：该工序实现子单元与电极、底板的二次焊接。首先进行子单元与电极、底板的焊接装配，使用真空焊接炉实现焊接，焊接过程中要求要求精确控制焊接设备的温度、真空度、气体浓度。焊接完成后要求子单元 DBC 基板和芯片无损伤、无焊料堆焊、电极焊脚之间无连焊虚焊、键合线无脱落或断裂等现象。（9）超声波检测：该工序通过超声波设备对模块 DBC 基板与底板之间的焊接质量进行检查，模块扫描后要求芯片、DBC 无损伤，焊接空洞率低于 5%。（10）外壳安装：使用涂胶设备进行模块外壳的涂胶，保证模块安装后的密封性，完成模块外壳的安装和紧固。安装后要求外壳安装方向正确，外壳与底板粘连处在灌封时不会出现硅凝胶渗漏现象。（11）端子键合&端子超声焊接：该工序通过键合铝线工艺，实现子单元与电极端子的电气连接，形成模块整体的电气拓扑结构；可以通过超声波焊接实现子单元与电极端子的连接，超声波焊接是利用高频振动波传递到两个需焊接的物体表面，在加压的情况下，使两个物体表面相互摩擦而形成分子层之间的熔合。超声波焊接具有高机械强度，较低的热应力、焊接质量高等优点，使得焊接具有更好的可靠性，在功率模块产品中应用越来越广泛。（12）硅凝胶灌封&固化：使用自动注胶机进行硅凝胶的灌封，实现模块的绝缘耐压能力。胶体填充到指定位置，完成硅凝胶的固化。要求胶体固化充分，胶体配比准确，胶体内不含气泡、无分层或断裂纹。4. 极端条件下的可靠性测试4.1 单脉冲雪崩能量试验目的：考察的是器件在使用过程中被关断时承受负载电感能量的能力。试验原理：器件在使用时经常连接的负载是感性的，或者电路中不可避免的也会存在寄生电感。当器件关断时，电路中电流会突然下降，变化的电流会在感性负载上产生一个应变电压，这部分电压会叠加电源电压一起加载在器件上，使器件在瞬间承受一个陡增的电压，这个过程伴随着电流的下降。图4.1 a）的雪崩能量测试电路就是测试这种工况的，被测器件上的电流电压变化情况如图4.1 b）。图4.1 a)雪崩能量测试电路图；b)雪崩能量被测器件的电流电压特性示意图这个过程中，电感上储存的能量瞬时全部转移到器件上，可知电流刚开始下降时，电感储存的能量为1/2*ID2*L，所以器件承受的雪崩能量也就是电感包含的所有能量，为1/2*ID2*L。试验目标：在正向电流ID = 20A下，器件单脉冲雪崩能量EAS1J试验步骤：将器件放入测试台，给器件施加导通电流为20A。设置测试台电感参数使其不断增加，直至器件的单脉冲雪崩能量超过1J。通过/失效标准：可靠性试验完成后，按照下表所列的顺序测试（有些测试会对后续测试有影响），符合下表要求的可认为通过。测试项目通过条件IGSS USLIDSS or IDSX USLVGS(off) or VGS(th)LSL USLVDS(on) USLrDS(on) USL (仅针对MOSFET)USL: upper specification limit, 最高上限值LSL: lower specification limit, 最低下限值4.2 抗短路能力试验目的：把样品暴露在空气干燥的恒温环境中，突然使器件通过大电流，观测元器件在大电流大电压下于给定时间长度内承受大电流的能力。试验原理：当器件工作于实际高压电路中时，电路会出现误导通现象，导致在短时间内有高于额定电流数倍的电流通过器件，器件承受这种大电流的能力称为器件的抗短路能力。为了保护整个系统不受误导通情况的损坏，系统中会设置保护电路，在出现短路情况时迅速切断电路。但是保护电路的反应需要一定的时长，需要器件能够在该段时间内不发生损坏，因此器件的抗短路能力对整个系统的可靠性尤为重要。器件的抗短路能力测试有三种方式，分别对应的是器件在不同的初始条件下因为电路突发短路（比如负载失效）而接受大电流大电压时的反应。抗短路测试方式一，也称为“硬短路”，是指IGBT从关断状态（栅压为负）直接开启进入到抗短路测试中；抗短路测试方式二，是指器件在已经导通有正常电流通过的状态下（此时栅压为正，漏源电压为正但较低），进入到抗短路测试中；抗短路测试方式三是指器件处于栅电压已经开启但漏源电压为负（与器件反并联的二极管处于续流状态，所以此时器件的漏源电压由于续流二极管的钳位在-0.7eV左右，，栅压为正），进入到抗短路测试中。可知，器件的抗短路测试都是对应于器件因为电路的突发短路而要承受电路中的大电流和大电压，只是因为器件的初始状态不同而会有不同的反应。抗短路测试方法一电路如图4.2，将器件直接加载在电源两端，器件初始状态为关断，此时器件承受耐压。当给器件栅电极施加一个脉冲，器件开启，从耐压状态直接开始承受一个大电流及大电压，考量器件的“硬”耐短路能力。图4.2 抗短路测试方法一的测试电路图抗短路测试方法二及三的测试电路图如图4.2，图中L_load为实际电路中的负载电感，L_par为电路寄生电感，L_sc为开关S1配套的寄生电感。当进行第二种抗短路方法测试时，将L_load下端连接到上母线（Vdc正极），这样就使L_sc支路与L_load支路并联。初态时，S1断开，DUT开通，电流从L_load和DUT器件上通过，开始测试时，S1闭合，L_load瞬时被短路，电流沿着L_sc和DUT路线中流动，此时电流通路中仅包含L_sc和L_par杂散电感，因此会有大电流会通过DUT，考察DUT在导通状态时承受大电流的能力。当进行第三种抗短路方法测试时，维持图4.2结构不变，先开通IGBT2并保持DUT关断，此时电流从Vdc+沿着IGBT2、L_load、Vdc-回路流通，接着关断IGBT2，那么D1会自动给L_load续流，在此状态下开启DUT栅压，DUT器件处于栅压开启，但漏源电压被截止状态，然后再闭合S1，大电流会通过L_sc支路涌向DUT。在此电路中IGBT2支路的存在主要是给D1提供续流的电流。图4.3 抗短路测试方法二和方法三的测试电路图1） 抗短路测试方法一：图4.2中Vdc及C1大电容提供持续稳定的大电压，给测试器件DUT栅极施加一定时间长度的脉冲，在被试器件被开启的时间内，器件开通期间处于短路状态，且承受了较高的耐压。器件在不损坏的情况下能够承受的最长开启时间定义为器件的短路时长（Tsc），Tsc越大，抗短路能力越强。在整个短路时长器件，器件所承受的能量，为器件的短路能量（Esc）。器件的抗短路测试考察了器件瞬时同时承受高压、高电流的能力，也是一种器件的复合应力测试方式。图4.2测试电路中的Vdc=600V，C1、C2、C3根据器件的抗短路性能能力决定，C1的要求是维持Vdc的稳定，C1的要求是测试过程中释放给被测器件的电能不能使C1两端的电压下降过大（5%之内可接受）。C2，C3主要用于给器件提供高频、中频电流，不要求储存能量过大。对C2、C3的要求是能够降低被测器件开通关断时造成的漏源电压振幅即可。图4.4 抗短路能力测试方法一的测试结果波形图4.4给出了某款SiC平面MOSFET在290K下，逐渐增大栅极脉冲宽度（PW）的抗短路能力测试结果。首先需要注意的是在测试过程中，每测量一个脉冲宽度的短路波形，需要间隔足够长的时间，以消除前一次短路测试带来的器件温度上升对后一次测试的器件初始温度的影响，保证每次测试初始温度的准确。从图中可以看出，Id峰值出现在1 μs和2 μs之间，随着开通时间的增加，Id呈现出先增加后减小的时间变化趋势。Id的上升阶段，是因为器件开启时有大电流经过器件，在高压的共同作用下，器件温度迅速上升，因为此时MOSFET的沟道电阻是一个负温度系数，所以MOSFET沟道电阻减小，Id则上升，在该过程中电流上升的速度由漏极电压、寄生电感以及栅漏电容的充电速度所决定；随着大电流的持续作用，器件整体温度进一步上升，器件此时的导通电阻变成正温度系数，器件的整体电阻将随温度增加逐渐增大，这时器件Id将逐渐减小。所以，整个抗短路能力测试期间，Id先增加后下降。此外，测试发现，当脉冲宽度增加到一定程度，Id在关断下降沿出现拖尾，即器件关断后漏极电流仍需要一定的时间才能恢复到0A。在研究中发现当Id拖尾到达约12A左右之后，进一步增大脉冲宽度，器件将损坏，并伴随器件封装爆裂。所以针对这款器件的抗短路测试，定义Tsc为器件关断时漏极电流下降沿拖尾到达10A时的脉冲时间长度。Tsc越长，代表器件的抗短路能力越强。测试发现，低温有助于器件抗短路能力的提升，原因是因为，低的初始温度意味着需要更多的时间才能使器件达到Id峰值。仿真发现，器件抗短路测试失效模式主要有两种：1、器件承受高压大电流的过程中，局部高温引起漏电流增加，触发了器件内部寄生BJT闩锁效应，栅极失去对沟道电流的控制能力，器件内部电流局部集中发生热失效，此时的表现主要是器件的Id电流突然上升，器件失效；2、器件温度缓慢上升时，导致器件内部材料性能恶化，比如栅极电极或者SiO2/Si界面处性能失效，主要表现为器件测试过程中Vgs陡降，此时，器件的Vds若未发生进一步损坏仍能承受耐压，只是器件Vgs耐压能力丧失。上述两种失效模式都是由于温度上升引起，所以要提升器件的抗短路能力就是要控制器件内部温度上升。仿真发现导通时最高温区域主要集中于高电流密度区域（沟道部分）及高电场区域（栅氧底部漂移区）。因此，要提升器件的抗短路能力，要着重从器件的沟道及栅氧下方漂移区的优化入手，降低电场峰值及电流密度，此外改善栅氧的质量将起到决定性的作用。2） 抗短路测试方法二：图4.5 抗短路能力测试方法二的测试结果波形如图4.5，抗短路测试方法二的测试过程中DUT器件会经历三个阶段：（1）漏源电压Vds低，Id电流上升：当负载被短路时，大电流涌向DUT器件，此时电路中仅包含L_sc和L_par杂散电感，DUT漏源电压较低，Vdc电压主要分布在杂散电感上，所以Id电流以di/dt=Vdc/（L_sc+L_par）的斜率开始上升。随着Id增加，因为DUT器件的漏源之间的寄生电容Cgd，会带动栅压上升，此时更加促进Id电流的增加，形成一个正循环，Id急剧上升。（2）Id上升变缓然后开始降低，漏源电压Vds上升：Id上升过程中，Vds漏源电压开始增加，导致Vdc分压到杂散电感上的电压降低，导致电流上升率di/dt减小，Id上升变缓，当越过Id峰值后，Id开始下降，-di/dt使杂散电感产生一个感应电压叠加在Vds上导致Vds出现一个峰值。Vds峰值在Id峰值之后。（3）Id、Vds下降并恢复：Id，Vds均下降恢复到抗短路测试一的高压高电流应力状态。综上所述，抗短路测试方法一的条件比方法一的更为严厉和苛刻。3） 抗短路测试方法三：图4.6 抗短路能力测试方法二的测试结果波形如图4.6，抗短路测试方法三的波形与方法二的波形几乎一致，仅仅是在Vds电压上升初期有一个小的电压峰（如图4.6中红圈），这是与器件发生抗短路时的初始状态相关的。因为方法三中器件初始状态出于栅压开启，Vds为反偏的状态，所以器件内部载流子是耗尽的。此时若器件Vds转为正向开通则必然发生一个载流子充入的过程，引发一个小小的电压峰，这个电压峰值是远小于后面的短路电压峰值的。除此以外，器件的后续状态与抗短路测试方法二的一致。一般来说，在电机驱动应用中，开关管的占空比一般比续流二极管高，所以是二极管续流结束后才会开启开关管的栅压，这种情况下，只需要考虑仅开关管开通时的抗短路模式，则第二种抗短路模式的可能性更大。然而，当一辆机车从山上开车下来，电动机被用作发电机，能量从车送到电网。续流二极管的占空比比开关管会更高一点，这种操作模式下，如果负载在二极管续流且开关管栅压开启时发生短路，则会进行抗短路测试模式三的情况。改进抗短路失效模式二及三的方法，是通过给开关器件增加一个栅极前钳位电路，在Id上升通过Cgd带动栅极电位上升时，钳位电路钳住栅极电压，就不会使器件的Id上升陷入正反馈而避免电流的进一步上升。试验目标：常温下，令Vdc=600V，通过控制Vgs控制SiC MOSFET的开通时间，从2μs开通时间开始以1μs为间隔不断增加器件的开通时间，直至器件损坏，测试过程中保留测试曲线。需要注意的是，在测试过程中，每测量一个脉冲宽度的短路波形，需要间隔足够长的时间，以消除前一次短路测试带来的器件温度上升对后一次测试的器件初始温度的影响，保证每次测试初始温度的准确。试验步骤：搭建抗短路能力测试电路。将器件安装与测试电路中，保持栅压为0。通过驱动电路设置器件的开通时间，给器件一个t0=2μs时间的栅源脉冲电压，使器件开通t0时间，观察器件上的电流电压曲线，判断器件是否能够承受2μs的短路开通并不损坏；如未损坏，等待足够长时间以确保器件降温至常温状态，设置驱动电路使器件栅源电压单脉冲时间增加1us，再次开通，观察器件是否能够承受3μs的短路开通并不损坏。循环反复直至器件发生损坏。试验标准：器件被打坏前最后一次脉冲时间长度即为器件的短路时长Tsc。整个短路时长期间，器件所承受的能量为器件的短路能量Esc。4.3 浪涌试验目的：把样品暴露在空气干燥的恒温环境中，对器件施加半正弦正向高电流脉冲，使器件在瞬间发生损坏，观测元器件在高电流密度下的耐受能力。试验原理：下面以SiC二极管为例，给出了器件承受浪涌电流测试时的器件内部机理。器件在浪涌应力下的瞬态功率由流过器件的电流和器件两端的电压降的乘积所决定，电流和压降越高，器件功率耗散就越高。已知浪涌应力对器件施加的电流信号是固定的，因此导通压降越小的器件瞬态功率越低，器件承受浪涌的能力越强。当器件处于浪涌电流应力下，电压降主要由器件内部寄生的串联电阻承担，因此我们可以通过降低器件在施加浪涌电流瞬间的导通电阻，减小器件功率、提升抗浪涌能力。a）给出了4H-SiC二极管实际浪涌电流测试的曲线，图4.7 a）曲线中显示器件的导通电压随着浪涌电流的上升和下降呈现出“回滞”的现象。图4.7 a）二极管浪涌电流的实测曲线； b）浪涌时温度仿真曲线浪涌过程中，器件的瞬态 I-V 曲线在回扫过程中出现了电压回滞，且浪涌电流越高，器件在电流下降和上升过程中的压降差越大，该电压回滞越明显。当浪涌电流增加到某一临界值时，I-V 曲线在最高压降处出现了一个尖峰，曲线斜率突变，器件发生了失效和损坏。器件失效后，瞬态 I-V 曲线在最高电流处出现突然增加的毛刺现象，电压回滞也减小。引起SiC JBS二极管瞬态 I-V 曲线回滞的原因是，在施加浪涌电流的过程中，SiC JBS 二极管的瞬态功率增加，但散热能力有限，所以浪涌过程中器件结温增加，SiC JBS 二极管压降也发生了变化，产生了回滞现象。在每次对器件施加浪涌电流过程中，随着电流的增加，器件的肖特基界面的结温会增加，当电流降低接近于0时结温才逐渐回落。在浪涌电流导通的过程中，结温是在积累的。由于电流上升和下降过程中的结温的差异，导致了器件在电流下降过程的导通电阻高于电流在上升过程中导通电阻。这使得电流下降过程 I-V 曲线压降更大，从而产生了在瞬态 I-V 特性曲线电压回滞现象。浪涌电流越高，器件的肖特基界面处的结温越高，因此导通电阻就越大，而回滞现象也就越明显。为了分析器件在 40 A 以上浪涌电流下的瞬态 I-V 特性变化剧烈的原因，使用仿真软件模拟了肖特基界面处温度随电流大小的变化曲线，如图4.7 b)所示，在 40 A 以上浪涌电流下，结温随浪涌电流变化非常剧烈。器件在 40 A 浪涌电流下，最高结温只有 358 K。但是当浪涌电流增加到60 A 时，最高结温已达1119 K，这个温度足以对器件破坏表面的肖特基金属，引起器件失效。图4.7 b)中还可以得出，浪涌电流越高，结温升高的变化程度就越大，56 A 和 60 A 浪涌电流仅相差 4 A，最高结温就相差 543 K，最高结温的升高速度远比浪涌电流的增加速度快。结温的快速升高导致了器件的导通电阻迅速增大，正向压降快速增加。因此，电流上升和下降过程中，器件的导通压降会更快速地升高和下降，使曲线斜率发生了突变。器件结温随着浪涌电流的增大而急剧增大，是因为它们之间围绕着器件导通电阻形成了正反馈。在浪涌过程中，随着浪涌电流的升高，二极管的功率增加，产生的焦耳热增加，导致了结温上升；另一方面，结温上升，导致器件的导通电阻增大，压降进一步升高。导通电压升高，导致功率进一步增加，使得结温进一步升高。因此器件的结温和电压形成了正反馈，致使结温和压降的增加速度远比浪涌电流的增加速度快。当浪涌电流增加到某一临界值时，触发这个正反馈，器件就会发生失效和损坏。长时间的重复浪涌电流会在外延层中引起堆垛层错生长，浪涌电流导致的自热效应会引起顶层金属熔融，使得电极和芯片之间短路，还会导致导通压降退化和峰值电流退化，并破坏器件的反向阻断能力。金属Al失效是大多数情况下浪涌失效的主要原因，应该使用鲁棒性更高的材料替代金属Al，以改善SiC器件的高温特性。目前MOS器件中，都没有给出浪涌电流的指标。而二极管、晶闸管器件中有这项指标。如果需要了解本项目研发的MOSFET器件的浪涌能力，也可以搭建电路实现。但是存在的问题是，MOS器件的导通压降跟它被施加的栅压是相关的，栅压越大，导通电阻越低，耐浪涌能力越强。如何确定浪涌测试时应该给MOSFET施加的栅压，是一个需要仔细探讨的问题。试验目标：我们已知浪涌耐受能力与器件的导通压降有关，但目前无法得到明确的定量关系。考虑到目标器件也没有这类指标的参考，建议测试时，在给定栅压下（必须确保器件能导通），对器件从低到高依次施加脉冲宽度为10ms或8.3ms半正弦电流波，直到器件发生损坏。试验步骤：器件安装在测试台上后，器件栅极在给定栅压下保持开启状态。通过测试台将导通电流设置成10ms或8.3ms半正弦电流波，施加在器件漏源极间。逐次增加正弦波的上限值，直至器件被打坏。试验标准：器件被打坏前的最后一次通过的浪涌值即为本器件在特定栅压下的浪涌指标值。以上内容给出了本项目研发器件在复合应力及极端条件下的可靠性测试方法，通过这些方法都是来自于以往国际工程经验和鉴定意见，可以对被测器件的可靠性有一个恰当的评估。但是，上述方法都是对测试条件和测试原理的阐述，如何通过测试结果来评估器件的使用寿命，并搭建可靠性测试条件与可靠性寿命之间的桥梁，就得通过可靠性寿命评估模型来实现。

赛默飞世尔科技最新推出Thermo Scientific Multifuge X3和Thermo Scientific ST40系列高性能大容量通用台式离心机。这两个系列的离心机融合了众多创新的技术，在离心性能、离心容量上引领市场潮流。　　Thermo Scientific Multifuge X3和Thermo Scientific ST40系列使用专利的Auto-lock III 转头自锁系统，使得离心操作更方便、更安全。同时，这两个产品系列在台式机上全面引入Fiberlite碳纤转头。与传统铝合金转头相比，碳纤转头具有重量轻、可终生使用而不降低性能、机械强度高、耐高温、耐化学腐蚀等优点。由于碳纤转头重量轻，所以可以达到更高的转速，在台式离心机上实现了落地离心机的功能。重量轻还减少对离心机马达的耗损，延长了离心机的使用寿命。　　Thermo Scientific Multifuge X3和Thermo Scientific ST40系列可配4 750ml超大容量水平转头，一次可离心40根50ml尖底离心管、196根5/7采血管、或28块酶标板，一台机器抵得上其他型号两台离心机的离心量，是包括细胞培养的各种研究实验室、药筛实验室、临床检验实验室等最佳的选择。

必达泰克公司首席运营官（COO）Jack Zhou 博士前言：作为世界级的主营光电产品的高科技公司，美国必达泰克公司（B&W Tek）在CCD、InGaAs和PbS阵列光谱仪、拉曼光谱系统和其它光谱系统、高功率半导体激光器(HPDL)、半导体泵浦固体激光器(DPSS)、高功率光纤激光器(DPFLs)、高功率宽带光源（SLD）等方面均处于世界领先水平。值美国必达泰克公司（B&W Tek）成立十周年之际，公司首席运营官（COO）Jack Zhou博士接受了本网（以下简称：Instrument）的专访，就公司产品定位、技术创新、中国市场策略等方面发表了个人的看法。 Instrument：周先生，您好！首先感谢您百忙之中接受本网的专访。今年是贵公司成立十周年，能否首先请您简单介绍一下贵公司的发展历程？周先生：好的。必达泰克公司（B&W Tek）成立于1997年，位于特拉华大学城，公司创始初期以激光及光电子产品为主导。经过多年发展后，产品拓宽到光谱仪及其他光谱仪器产品，并设立了OEM制造部，成为从事研发及生产，包括医疗用光电子产品在内的综合型仪器公司。现在公司拥有多项专利和知识产权，并在多个光电子产品领域具有领先优势。 Instrument：贵公司的拉曼光谱和光纤光谱多集中在便携式产品上，请问为什么做这样的一个产品定位呢？周先生：我公司在过去多年的拉曼光谱仪的研发过程中间，通过多种市场渠道，了解到拉曼光谱仪具有很多的独到的应用优势，但其实际推广程度却远远低于人们的估计。究其原因很多应用，包括过程控制以及许多实地及野外应用，无法承受传统大型拉曼光谱仪的昂贵造价，高昂的维护成本，笨重体积及操作复杂性。因此高性价比、具有便携易操作、低维护成本特点的拉曼光谱仪就成为了市场的需要。正是在这种市场需求的推动下，我公司在多年提供相关OEM产品的基础上，独立研制开发了具有自主知识产权的拉曼光谱仪。在过程控制行业，我们就曾经碰到这样的客户，在以往的过程质量控制中，依赖于一台大型台式拉曼光谱仪，所有的过程控制采样点只能靠人工多次传递采集，然后进行离线检测。因此极易由于时间滞后造成废品损失。在使用了便携在线拉曼检测之后，这种先天劣势得到了彻底改变。也有客户应用我们的便携式拉曼光谱仪针对生产环境中的不定环节，把过去只能在中心实验室才能完成的分析测试工作推进到了现场。我认为随着高性价比拉曼光谱仪的应用和不断开发，在过程控制行业中会有很大的增长，这从上面的一些例子中是显而易见的。 Instrument：据了解，贵公司最近有一项技术获得了美国专利，能否请您向我们的广大读者介绍一下该技术及其应用？ 周先生：便携式拉曼光谱仪有三大核心：高性能的激光源、适于弱信号采集的光谱仪及高瑞利散射抑制比的探头。采用新型高性能、低价位激光器的拉曼光谱仪已经在拉曼光谱分析中得到了应用。新型激光器（Cleanlaze™ 系列）是一种窄带、稳频、低功耗、低成本、小体积、结构紧凑的激光激发光源（特别是在近红外波长范围内）。过去这种激发光源依赖于外腔型激光器，其成本和复杂程度往往令使用者望而生畏。我公司在与有关厂商的多年合作过程中，成功发展了数种高性能、低价位的稳频半导体激光器。该类激光器在拉曼光谱分析中的应用已经成功获得了美国专利（专利号7245369）。这款被我们称为Cleanlaze™ 系列激光产品，主要有785nm、830nm、980nm及其他客户所需波长。根据不同拉曼光谱分析的需求，我们提供了单模（0.02nm FWHM）及窄带多模（0.25nm FWHM）等不同规格。多模激光器最大可通过光纤输出大于1.2w的功率。单模目前已经可以达到输出100mw的要求。我们已与多家仪器厂商有密切合作，他们同样也成功地把这些激光器应用于他们的拉曼光谱仪器里面。 另外， 本公司的半导体泵浦固体激光器前不久也获得了美国专利。可用于可见光（532 nm）激光激发拉曼或者荧光应用。该激光器采用智能控制，具有使用寿命长和功率输出稳定等特点。 Instrument：请问PITTICON 2007盛会上，贵公司展出了哪些新推出的产品？与以往推出的同系列产品相比具有哪些突出优势？ 周先生：我们推出了MiniRam™ II便携式激光拉曼光谱仪。这款产品采用了上面提到的Cleanlaze™ 激光激发光源、致冷线性CCD光谱仪以及高性能光纤耦合探头，并集成了独立可充电电池和掌上电脑控制器。整个产品小巧紧凑，轻便便携，在内置电池的支持下可连续操作2.5小时以上。仪器展出时即受到多家研究机构及国外企业的浓厚兴趣。现在已有多家用户选定了这款仪器，并开始了应用开发。同时展出的还有i-Raman™ 系列便携式拉曼光谱仪，其突出的特点是在具有较高的分辨率（5cm-1）的同时，还具有较宽的光谱覆盖范围（175-3500cm-1）和增强的长波响应，这款拉曼光谱仪也已成功进入了研究室和应用开发现场。 Instrument：您对中国仪器市场是如何看待的？能否请您介绍一下贵公司在中国市场的经营策略和目前主要产品在中国市场的销售情况？未来，贵公司将会采取什么措施继续推动产品在中国市场的销售？是否有考虑在中国建厂以实现产品的本土化？周先生：我公司与许多同行都对中国市场一致看好。我们觉得中国市场的开发现在还处于起步阶段，但其势头我们可以窥见一斑。我公司基于技术型公司的特点，非常注重与相关用户的合作和应用支持，因此我们比较侧重于应用开发和潜在用户的开发。为了推动在中国的销售，我们很愿意与研究教学单位合作，普及有关的产品的使用和开发知识。积极推动相关技术在各个领域中的应用。结合这种推广的进程，在适当的时候我们也不排除本土化的可能性。 Instrument：中国用户对分析仪器的售后服务越来越重视，在我们的仪器论坛上也曾就此问题展开过激烈的争论。那么针对贵公司的终端用户，贵公司如何保证完善的售后服务？周先生：我们完全理解客户群及其他方面对售后服务的重视，我们在中国设立销售服务中心，其本意就是能提供快捷，有效的服务支持。我们会尽我们的一切努力来从各个方面提供我们服务质量和效率，以满足中国市场的需求。 Instrument：作为一个国际著名分析仪器企业的美籍华人首席运营官，您对中国的仪器国产化一定有自己的想法和见解，能否请您就此详细谈一谈？周先生：作为本人来说，我非常愿意在很多场合表明我是中国人，并关注中国分析仪器的发展。现代的分析仪器的发展趋势是集光机电和计算机技术为一体。我也看到了在中国有很多对先进的技术和产品的迫切需求。但是由于很多的局限性，完全本地研发生产国际水准的仪器尚有不少的路程要走。作为本人来说，非常愿意也很希望成为其中的一座桥梁，也希望在不久的将来能够在中国将我在先进的光谱仪器上的设计和设想转变成现实。在许多场合我接触到许多国产仪器设备，在这些仪器设备中体现出设计开发人员的智慧。但是这些产品还有一些美中不足的地方，比如在系统的集成上面，在功能的完善方面，在适合国际应用的习惯上面，在如何进入国际市场等方面都还有待与国际上的有识之士进行合作并提高。在另一方面中国具有包括制造业在内的很多优势，我会从这方面入手，利用国内的优势，做一些产品的部分国产化，向最终在本地实现研发和制造的全过程努力。 Jack Zhou 博士个人简介 B&W TEK首席运营官。早年毕业于上海交通大学，于 1989年赴美，攻读硕士及博士学位，主要从事激光与光谱研究，并获得化学硕士与博士学位。Jack曾担任CVI LASER仪器部经理近10年，并成功开发了一系列的阵列光谱仪及智能扫描单色仪等产品。在此之后，加盟于B&W TEK，并担任公司核心领导职务，与公司员工一起经过多年努力，将公司发展成为在多个领域内具有国际领先水平的跨国企业。现任美国Spectroscopy Letters编委，并被多家国内知名研究单位和大学聘为学术委员会委员。

苏州市莱顿科学仪器有限公司www.sepu17.cn www.laidun17.com www.labhc.cn 电话：0512-66325740 传真：0512-68027230TGL-16台式高速冷冻离心机（带NO.1角转子） 惊爆价：RMB10500.00促销，数量有限，欲购从速。。。。。。原价：RMB21800.00 TGL-16台式高速冷冻离心机产品的特点：· 体积小巧，节约实验室空间。 · 采用全钢结构，不锈钢离心腔。 · 直流无刷电机驱动，运行平稳，宁静。 · 触摸面板、大屏幕液晶屏显示。 · 运行中可随时更改参数，无需停机。 · 自动计算并同步显示离心力RCF值。 · 设有短时离心专用点动键。 · 10档加减速控制，最快升速25秒。 · 15组程序存储空间，用户可自由编程，调用。 · 电子门锁。 · 采用进口制冷压缩机组，确保最高转速下温度保持在4℃以下。 · 故障自诊断系统，运行中检测到超速、转速丢失、超温、门盖异常开启等故障，立即减速停机，提高仪器安全性能。TGL-16台式高速冷冻离心机技术参数型号TGL-16支持电源AC 220± 22V 50Hz 10A温度精度± 2℃最高转速16000r/min总功率600W最短加/减速时间30s/25s最大相对离心力17800xg整机噪声 57dB（A）转速精度± 50 r/min最大容量12× 5 ml外形尺寸（长× 宽× 高）630× 350× 300（mm）转子识别/定时范围1min～99min外包装尺寸（长× 宽× 高）820× 460× 440（mm）净重45 Kg温度设置范围?-20℃～+40℃离心腔直径Ф250mm毛重65 Kg压缩机组进口高性能压缩机组、无氟制冷剂 转子参数转子号转子订货号名称容量最高转速最大相对离心力挂杯、挂架、吊篮订货号名称规格适配器订货号名称规格NO.1809100角转子12x1.5ml16000r/min17800× g///805005适配器0.2ml805004适配器0.5ml TGL-16台式高速冷冻离心机

7月20日，由中国科学院空天信息创新研究院（以下简称“空天院”）牵头承担的国家重大装备研制项目“高功率纳秒激光器及精密探测仪器研制”通过验收。验收会由中国科学院条件保障与财务局组织，成立了由姜会林院士、罗毅院士、江碧涛院士等13位技术、财务、档案专家组成的验收专家组，罗毅院士任组长。会上，验收专家组听取了项目总体报告、空间碎片探测应用示范汇报、汤姆逊散射诊断应用示范汇报、技术测试情况报告、财务验收情况报告、档案验收情况报告，审查了相关文档资料，通过视频了解仪器设备运行情况。经质询和讨论，验收专家组认为，该项目完成了项目实施方案规定的全部任务，实现了仪器的全部技术指标，达到了预期目标；研制工作取得了丰硕的成果，攻克了高功率纳秒激光器、远距离空间碎片激光探测和高精度等离子体汤姆逊散射诊断等关键技术；项目研制的两类激光器、空间碎片探测仪器和汤姆逊散射诊断仪器指标先进、为国家急需，意义重大。专家组同意项目通过验收。该项目由空天院牵头，参研单位包括中国科学院光电技术研究所、中国科学院国家天文台、中国科学技术大学、北京工业大学、同济大学和北京国科世纪激光技术有限公司。研制过程中项目团队突破了高稳定单频种子源、大口径侧泵模块、大尺寸板条模块、相位共轭镜、高损伤阈值膜层和自适应光学等核心技术与器件工艺，基于大口径棒状放大器和大尺寸板条放大器分别研制了100Hz／3．3J／9．1ns／1．83DL和200Hz／5．2J／11．8ns／2．3DL两类高功率纳秒激光器。已经申请89项国家发明专利，其中获得授权46项，相关技术完全自主可控，国产化率达95％以上。中国科学院国家天文台利用空天院提供的100Hz／3．3J激光器，成功研制了空间碎片探测仪器，在云南天文台开展了1000km空间碎片探测技术研究，在轨道高度1075km＊1050km上（斜距1274．3－2080．8km）首次实现了直径36 cm的小目标激光探测。中国科学技术大学利用空天院提供的200Hz／5．2J激光器，成功研制了汤姆逊散射诊断仪器，在中国科学技术大学反场箍缩磁约束聚变试验装置上开展了等离子体温度诊断技术研究，实现了空间分辨率5mm、时间分辨率5ms、等离子体密度下限10＾13／cm＾3的等离子体温度诊断。验收会前期，中国科学院条件保障与财务局分别组织专家完成了100Hz激光器及空间碎片探测仪器技术验收、200Hz激光器及汤姆逊散射诊断仪器技术验收以及项目整体技术验收、财务验收和档案验收。

近期，日本Pulstec公司新发布了一款基于圆形全二维面探测器技术的新一代X射线单晶定向系统：s-Laue。该设备配备六轴样品台，具有功率小（30KV/1.5mA，因此辐射小）、操作简单、测试效率高（典型测试时间为60秒）等特点，可提供台式、便携式两种类型设备，即可满足实验室对小样品进行单晶定向的需求，也可以用于大型零件的现场晶体定向应用需求。制造商：日本Pulstec公司型号：s-Laue应用领域：可广泛应用于超导、铁电、铁磁、热电、介电、半导体、光学等物理、化学、材料相关学科的晶体定向适用材料：各种金属间化合物和氧化物晶体材料技术特点：功率小、操作简单、测试速度快、占地面积小（W:224mm,D:364mm,H:480mm）、质量轻（约24kg）相关产品1、新一代X射线单晶定向系统-s-Laue

TBP-T系列中压柱塞泵/色谱泵/恒流泵/化工泵(钛泵头)研制成功国内唯一 市场空白 技术领先 TBP-t系列恒流泵采用钛特种合金，具有耐腐蚀、耐高温、高强度等特点，用于强酸强碱性液体的恒压恒流精确输送，如：氨水，氯酸盐，电解铜镍的电解液，生产贵金属的强酸液，硝酸，硫酸，磷酸等。 钛元素描述： 　　具有金属光泽，有延展性。钛的主要特点是密度小，机械强度大，容易加工。钛的塑性主要依赖于纯度。钛越纯，塑性越大。有良好的抗腐蚀性能，不受大气和海水的影响。在常温下，不会被稀盐酸、稀硫酸、硝酸或稀碱溶液所腐蚀；只有氢氟酸、热的浓盐酸、热浓硫酸等才可对它作用。致密的表面光滑的钛对硝酸具有很好的稳定性，这是由于硝酸能快速在钛表面生成一层牢固的氧化膜,常温下，钛不与王水反应. www.tautobiotech.com/Products_03_03_10.htm 流路材料 纯钛、红宝石、氧化锆陶瓷 压力范围 0 － 2.0Mpa 流量范围 0.1-50.0ml/min 压力脉动 ≤ 0.08Mpa 压力准确度 ≤ 0.05Mpa 流量设定误差 ≤ 1% 流量精确度 RSD ≤ 1% 工作电压 220V±10%,50/60Hz 功率 75W 重量 12Kg 外形尺寸 360 mm × 255 mm × 160 mm

仪器信息网讯 6月7日，Cytek Biosciences宣布推出全新的台式高维细胞分选仪- Cytek Aurora CS。全新台式流式细胞分选仪发布，实现超高分辨细胞分析Cytek Aurora CS流式细胞分选系统据了解，该流式细胞分选仪采用Cytek独特的全光谱分析技术（Full Spectrum Profiling, FSP™ ），Aurora CS可在单细胞水平提供超高分辨率的数据结果，帮助科学家和研究人员将复杂实验简单化，轻松解决最具挑战性的细胞分析，如高自发荧光的细胞分析、或关键生物标志物表达水平低的细胞分析等。使用Aurora CS，研究人员可以从微孔板或试管中轻松分选活细胞或其他颗粒，用于下游分析实验，如单细胞RNA测序、蛋白质组学和细胞生物学研究等。Cytek于2017年首次推出了其旗舰级产品-Aurora流式细胞分析系统，Aurora系统利用突破性的Cytek FSP™ 技术，采集来自多个激光器激发的荧光素全光谱信号，轻松分辩单细胞上的多种荧光标记，显著提高了高参数细胞分析的灵敏度，极好的解决了流式检测受技术局限的问题。Aurora CS基于同样的FSP™ 技术，保持了与Aurora一致的优秀特性和强大功能。独特的光学设计和解析方法能让使用者体会到更高的灵活性， 不仅可广泛选择大量新的荧光染料，且无需为每个应用重新设置仪器。先进的光学系统和低噪音电子系统，带来超强灵敏度和卓越分辨率的细胞分析体验，包括分析那些高自发荧光或关键生物标志物表达水平低的细胞。Cytek Aurora分析系统和Aurora CS分选系统，利用Cytek独有的FSP™ 技术，可以检测标记在每个细胞上的多种荧光探针的全光谱信号，在单管样本中，即可完成高度复杂方案（40色方案）的分析和分选，使科学家们能够更深入更完整的了解生物系统。结合FSP™ 技术和高端分选特性，Aurora CS为研究人员提供了一个可应用于多种生物学场景和分选条件的解决方案。搭配SpectroFlo CS软件，在更短的设置时间下，即可轻松实现6路分选、自定义分选、自动液滴延迟和分选液流监控等操作，满足各种科学研究与应用的需求。网络会议预告 点击报名参会

氟是人类必需的14种微量元素之一，人体中的氟主要存在于骨骼、牙齿和软组织中。市面上大多数牙膏都含氟化物，《中国居民口腔健康指南》认为使用含氟牙膏刷牙是安全、有效的防龋措施，提倡使用含氟牙膏预防龋病，尤其适合有患龋倾向的儿童和老年人使用。但如果氟过量，危害也不小，轻者导致满嘴发黄、发花的氟斑牙，重者就是氟骨症，让患者关节疼痛、运动困难，失去劳动能力。市面上含氟牙膏中的氟主要以氟化亚锡、单氟磷酸钠或氟化钠形式存在。我国牙膏执行标准GB 8372-2008中标出：成人牙膏氟含量在0.05%—0.15%之间，儿童牙膏氟含量在0.05%—0.11%之间。目前牙膏生产厂家常用的测定方法有气相色谱法、离子色谱法、分光光度法，滴定法和氟离子选择性电极法等。氟离子选择性电极法是一种省时、环保又经济的测试方法。离子计通过测量由溶液、离子选择电极与参比电极构成的电池电动势，从而得到溶液中离子浓度。本次奥豪斯工程师选取市场上常见的六款牙膏：两面针、花王、云南白药、狮王、高露洁、中华牙膏进行含氟量测试。通过配制含有ISA溶液的浓度分别为1 mg/L、2 mg/L、3 mg/L、4 mg/L、5 mg/L的氟离子标准溶液，将复合氟离子选择性电极依次插入到上述标准溶液中，得出对应的电位mV和浓度值。选择奥豪斯ST5000i台式离子计，无需复杂公式换算即可直读浓度(例如pX，mol/L，mg/L等)经过几分钟的测试后，结果如下：通过上述测试数据可以看出这几款牙膏的氟含量都低于0.15%国标文件中限定值。而选择电极法准确度较高，作为牙膏氟含量的测量方法，操作简单、快捷、可靠。ST5000i台式离子计优点-设置便捷，功能强大数据存储量大，可储存多达1000条测试数据，多种校准与测试模式，校准提醒，多种终点判定模式，GLP测量功能等。-显示清晰，操作直观4.3寸超大彩色液晶屏，触摸操作即可进行测量和校准。-坚固耐用，创新设计IP54等级防水防尘仪表，标配透明保护罩可适用于严苛实验环境，创新独立电极支架可360°无死角轻松旋转，RS232接口打印输出和USB接口可轻松导出数据。友好的操作界面，大屏幕显示奥豪斯最新推出的ST5000i台式离子计集简单、快速、准确于一体，无需化学分离即可检测不同离子含量，是您智测的好帮手。欲了解更多产品信息，请与我们联系！

日立（Hitachi）首创了台式电镜这一类型产品，它一改已往扫描电镜体积大、安装环境苛刻、操作复杂等缺点，体积小巧可以在普通试验台上安装使用，同时操作简易，配置高灵敏度背散射电子探测器和低真空模式，样品基本不需要制备，可以直接观测。日立台式电镜的操作像数码相机一样自动操作，即使没有电镜知识和使用经验的人员也可以获得满意的高倍率、大景深电镜图像，另外还可以安装能谱仪，实现元素分析。日立第一代台式电镜TM-1000性能强大，操作维护简便，价格优惠，在材料、电子、半导体、食品和生命科学等领域的研发和品质保证应用方面，受到了使用者的一致好评，创造了单一型号销售过千台的记录。TM3000是日立第二代台式电镜，它继承了TM-1000的所有优点，同时性能又有了很大提高，观测倍率达到了3万倍。功能及特点：1、日立首创台式设计，一改以往扫描电镜体积大，安装环境苛刻等缺点，小巧轻便，占用空间小，安装环境要求低。2、TM3000是日立第二代台式电镜，它的性能优良，可应用于材料、电子、半导体、食品和生命科学等领域的研发。3、操作简单，自动聚焦、自动设置亮度对比，简单培训即可上手操作，也可获取满意的高倍率、大景深扫描电镜图像。4、导电样品可直接观测 ；非导电样品喷镀处理之后观测。5、观测倍率20倍至3万倍，观测倍率连续放大，全面优于光学显微镜 。6、图片存储格式：BMP、TIFF、JPG 。7、可对捕捉到的图片进行测量和标注。样品要求：1、样品表面必须处理干净2、样品必须干燥3、最大样品直径70mm，厚度50mm技术参数：项目技术参数观测倍率15~30,000倍加速电压5KV，15KV可调观测模式标准模式、减轻荷电模式、分析模式最大样品尺寸直径70mm最大样品厚度50mm样品可移动范围X：±17.5mm、Y: ±17.5mm图像存储像素640x480像素、1,280x960像素图像格式BMP、TIFF、JPEG真空系统涡轮分子泵：30升/秒 1台隔膜泵：1立方米/小时 1台主要特点：1、 操作简单，像数码相机一样自动聚焦、自动亮度对比度2、 台式设计，小巧轻便，占用空间小，安装环境要求低3、 不导电样品可直接观测4、 观测倍率20倍至3万倍，观测倍率连续放大，全面优于光学显微镜5、 图片存储格式：BMP、TIFF、JPG6、 可对捕捉到的图片进行测量和标注日立台式扫描电子显微镜 Hitachi TM3000信息由上海善福电子科技有限公司为您提供，如您想了解更多关于日立台式扫描电子显微镜 Hitachi TM3000报价、型号、参数等信息，欢迎来电或留言咨询。

近日，中国科学院上海光学精密机械研究所高功率激光单元技术实验室胡丽丽研究团队在超短脉冲大模场多组分玻璃光纤放大器方面取得重要进展。相关研究成果于5月在线发表于《中国激光》。 　　大能量、高峰值功率超短脉冲激光在远距离激光雷达、地震探测、主动照明等领域具有重要应用价值。主振荡脉冲放大系统(MOPA)是超短脉冲激光的主要运行方式，其中有源增益光纤是关键核心部件。目前，传统有源石英光纤存在稀土离子溶解度有限、难以保证低数值孔径(NA)纤芯制备的均匀性等问题，导致其使用长度较长(数米)，纤芯直径通常小于40μm，具有较低的非线性阈值，进而限制其输出的脉冲能量。相比之下，多组分氧化物玻璃具有稀土掺杂浓度高、光学均匀性好等优势，能够获得模场面积大、吸收系数高的大模场增益光纤，从而大幅提升大能量脉冲放大的非线性阈值。 　　然而，大模场光纤的制备难点在于降低数值孔径的同时保持极高的均匀性。例如，要实现NA为0.03的单模掺Yb光纤，则需要纤芯与包层玻璃的折射率差值小于3×10-4，这要求玻璃本身的光学均匀性达到10-5量级。 　　研究团队从大尺寸、高光学均匀性磷酸盐激光玻璃的制备工艺出发，采用光学均匀性约为1×10-6的高掺Yb磷酸盐玻璃作为光纤基质，在自研高掺Yb大模场磷酸盐光纤中实现了平均功率27.3W的脉冲激光放大输出。该系统采用掺Yb大模场磷酸盐双包层光纤(30/135/280μm)与匹配无源石英光纤(20/130μm)异质熔接的全光纤方案(熔点损耗为0.3 dB)，结构如图1所示。其中，信号光波长为1030nm、脉宽为30ps、重复频率为27MHz，掺Yb磷酸盐光纤的纤芯和内包层的NA分别为0.03和0.41，纤芯中Yb2O3质量分数为6%，背景损耗为0.61300nm，使用长度为30cm；采用976 nm包层泵浦，获得放大后脉冲激光的平均功率如图2所示，最大输出平均功率为27.3W，斜率效率为71.4%，同时未观察到受激布里渊散射等非线性效应。该结果体现出了磷酸盐玻璃在高掺杂能力、高光学均匀性以及高非线性阈值的优势。图 1. 掺Yb磷酸盐大模场光纤脉冲激光放大器结构图 　　Fig. 1. Structural diagram of pulsed laser amplifier using Yb-doped large-mode-area phosphate fiber图 2. 放大的脉冲激光的平均功率随泵浦功率的变化，插图是输出激光的光斑和光谱 　　Fig. 2. Average power of amplified pulsed laser versus pump power with spot and spectrum of output laser shown in inset

电化学分解水是一种将间歇性能源（如风能，太阳能）转化为氢能的有效途径，有利于推动碳中和。开发廉价高活性的氧析出（OER）电催化剂是该技术走向实际应用的关键之一。研究表明，过渡金属催化剂在OER过程中可重构形成具有更高活性的羟基氧化物，且杂原子的加入可促进这一表面重构反应。基于此，太原理工大学与新南威尔士大学合作提出一种原位重构策略，以FeB包覆的NiMoO作为预催化剂进行表面重构，获得了高活性的OER催化剂。作者利用美国easyXAFS公司研发的台式X射线吸收光谱仪XES150解析了催化剂的精细结构，并结合多种其他表征技术及理论计算，证明重构过程形成的稳定高价态Ni4+物种可促进晶格氧活化进而提升OER反应。该项工作揭示了催化活性的提升机理，并实现了1000mA/cm2级别的超高反应电流，以“Stable tetravalent Ni species generated by reconstruction of FeB-wrapped NiMoO pre-catalysts enable efficient water oxidation at large current densities”为题发表于期刊Applied Catalysis B: Environmental。 本文中使用的台式X射线吸收光谱仪XES150无需同步辐射光源，可以在实验室内测试XAFS和XES数据，谱图数据与同步辐射光源谱图数据完全一致。仪器推出至今，已在全球拥有100+用户群体，市场份额遥遥领先，久经时间考验，细节打磨更完善，稳定性可靠性更高。设备还可实现1wt %载量样品的XAFS、 0.1wt %载量样品的XES测试以及原位拓展测试，如原位的锂电池或电催化实验测试，监测电极/催化材料的结构变化等。凭借设备的上述优势，台式X射线吸收光谱仪XES150为本研究的电催化剂解析提供了重要的技术支撑。图1. 台式X射线吸收精细结构谱仪-XAFS/XES 图一展示了催化剂的合成示意图，NiMoO/FeB 预催化剂通过原位重构形成NiFeOOH，其中的准金属硼诱导形成纳米片/纳米棒结构。所得的催化剂的OER活性高于纯NiOOH和贵金属RuO2(图2a)。该催化剂仅需1.545 V vs. RHE即可驱动1000 mA/cm2电流，性能优于其他文献报道（图2b）。作者利用台式XES150 system (Easy XAFS LLC, USA)测试了样品X射线吸收谱。通过Ni-K边 X射线吸收近边结构 (XANES) 光谱分析Ni的电子态。白线峰与 1 s 到 4p 跃迁相关。在 NiFeOOH 的 XANES 光谱中白线峰峰值位于 8352.66 eV，高于 NiOOH（图 2c），这表明NiFeOOH中Ni的平均氧化态高于NiOOH中的平均氧化态，并且NiFeOOH中形成了更多的Ni4+物种。 同时，由于金属 4p 轨道的离域，NiFeOOH吸收边向较低能量移动，峰展宽且边缘跃迁强度增加（即 1 s→4p），这些对配体-金属共价性敏感的特征性变化表明Ni-O 共价键增加（图 2d）。作者进一步分析拟合了Ni K-边的傅立叶变换扩展X射线吸收精细结构（EXAFS）的k3χ数据，以探究局部原子结构（图2e-2h）。与NiOOH 相比，NiFeOOH 的 Ni-O 散射路径原子间距离从 1.98 &angst 减小到 1.85 &angst ，证明 Ni-O 键的共价性质的增加。 Ni-O 散射路径的偏移归因于NiOOH 和 NiFeOOH 中不同的局部配位环境，这是由于其中NiOOH 和 NiO2物相的比例不同。 上述结果表明，NiFeOOH 中的稳定态物种主要是 Fe 掺杂的 NiO2 物质，这是由 Fe 掺杂和重构过程（即中等高电位下的电化学极化）引起的。 Ni4+生成量的增加导致Ni-O共价性增大，从而促进晶格氧的活化，提升OER催化反应活性。图1. NiMoO/FeB 预催化剂与NiFeOOH 催化剂的合成示意图。图2. (a) 催化剂的LSV曲线。（b）本文催化剂过电势与其他文献报道对比图。（c）(d)Ni-K边XANES谱图。（e）Ni-K边EXAFS谱图。（f）NiO, (g) NiOOH，及 (h) NiFeOOH的EXAFS拟合结果。参考文献：[1]. Yijie Zhang et al., Stable tetravalent Ni species generated by reconstruction of FeB-wrapped NiMoO pre-catalysts enable efficient water oxidation at large current densities, Applied Catalysis B: Environmental, Volume 341, February 2024, 123297.相关产品1、台式X射线吸收精细结构谱仪-XAFS/XEShttps://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C327753.htm

p style="text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em "2020年5月20日，2019年度科学仪器“优秀新品奖”首次云端揭晓。共有22台新品仪器获此殊荣。科技部高技术研究发展中心研究员刘进长为盛典致开幕辞。国家生物医学分析中心医学工程室主任赵晓光公布了化学分析仪器类获奖榜单，其中，牛津仪器宽带多核台式核磁共振谱仪X-Pulse在列。/span/pp style="text-align: center"img style="max-width: 100% max-height: 100% width: 600px height: 193px " src="https://img1.17img.cn/17img/images/202006/uepic/b908625e-89e6-4928-8c64-3e9c07f6e6cb.jpg" title="" alt="" width="600" height="193" border="0" vspace="0"//pp style="text-indent: 2em "奖项揭晓后，仪器信息网第一时间采访了牛津仪器NMR中国区大区经理储岳森、牛津仪器NMR应用专家文祎，请两位分享了本次获奖X-Pulse的研发背景，牛津仪器为何选择切入台式核磁市场，以及相比高场核磁共振产品技术，台式核磁共振产品技术的市场优势、技术发展趋势与市场前景。/pp style="text-align: center"img style="max-width: 100% max-height: 100% width: 450px height: 300px " src="https://img1.17img.cn/17img/images/202006/uepic/b1b2a463-c3b8-4902-899c-dc85cb6f7e2f.jpg" title="" alt="" width="450" height="300" border="0" vspace="0"//pp style="text-indent: 0em text-align: center "a href="https://www.instrument.com.cn/netshow/C368934.htm" target="_blank" style="color: rgb(0, 176, 240) text-decoration: underline "span style="color: rgb(0, 176, 240) "宽带多核台式核磁共振谱仪X-Pulse/span/a/pp style="text-indent: 2em "span style="color: rgb(0, 112, 192) "“科学仪器优秀新品”评审委员会创新点评/span：与以往产品相比有显著改进，进步表现在：用户可根据需要轻松调整核（从29Si-31P)，适用于摄氏20度-60度之间的变温流动化学研究，以了解反应历程和反应动力学。总之，它既能为科研机构探索发现官能团、分子链和分子中原子核的化学环境等独特的结构信息提供支持，也可以满足高校老师现场教学的需求。/pp style="text-indent: 2em "strongspan style="background-color: rgb(112, 48, 160) color: rgb(255, 255, 255) "牛津仪器核磁共振业务近50年传承/span/strong/pp style="text-indent: 2em "早在20世纪七十年代，牛津仪器就已经是台式磁共振（NMR）开发的先驱，并在全球安装了上千台第一代连续波（CW）技术的磁共振仪器，许多这些早期的仪器至今仍然在用于巧克力的脂肪测量、油籽中含油检测以及航空燃料中的含氢检测等。/pp style="text-indent: 2em "随着脉冲核磁共振技术替代连续波磁共振技术上的进步，牛津仪器相应推出QP20、QP20+和MQA系列仪器始终走在行业发展的前列；随后结合实验室仪器不同用户需求，推出更高共振频率23MHz永磁体的MQC和多种不同规格的样品探头，新一代MQC+样品仓尺寸高达直径26mm；2013年，在英国推出台式磁共振波谱仪PulsarTM，将高端智能化核磁共振波谱技术带进常规实验室中。/pp style="text-indent: 2em "秉承近50年在台式磁共振行业的经验，本次获奖的X-Pulse则是在PulsarTM的基础上实现全面升级，真正在一台仪器上实现多核检测功能，同时具有流动在线、变温、常规数据库及毒品数据库等多种选择满足不同的用户需求。/pp style="text-align: center"img style="max-width: 100% max-height: 100% width: 600px height: 160px " src="https://img1.17img.cn/17img/images/202006/uepic/40383fee-c5d5-47cf-bed8-84346359388d.jpg" title="牛津仪器核磁产品系列.png" alt="牛津仪器核磁产品系列.png" width="600" height="160" border="0" vspace="0"//pp style="text-indent: 2em "截至目前，牛津仪器核磁共振业务产品组合包括：X-Pulse台式宽带核磁共振系统，食品、农业、聚合物和化工领域广泛使用的QC测量用MQC+系列台式分析仪，以及用于石油勘探领域样品检测的GeoSpec岩芯分析仪。/pp style="text-indent: 2em "span style="background-color: rgb(112, 48, 160) color: rgb(255, 255, 255) "strong牛津仪器为何切入台式核磁共振？/strong/span/pp style="text-indent: 2em "牛津仪器之所以选择切入台式核磁市场，主要有两方面原因：/pp style="text-indent: 2em "一方面，从用户采购、安装和使用成本来讲，高场核磁成本更高，也需要专门的安装场地及低温的维护等。而台式核磁也有许多应用领域，这些领域不需要很高的分辨率，更适合于成本更低的永磁型这种不需要低温超导技术的台式核磁。这些领域主要为工业质量控制等，而本次获奖产品X-Pulse则可以同时兼顾一些科研及教学领域。/pp style="text-indent: 2em "另一方面，台式核磁虽然不能替代高场超导核磁，但却是高场超导核磁一个很好的补充。比如，做一些流动在线检测，在高场超导核磁上是非常困难的，而台式核磁因为体积小巧，可以放在桌面上，实时在线监测化学反应。另外，高场核磁由于设备昂贵，高校院所等平台测试需要预约排队，而对于分辨率要求没那么高的实验及课题组，则可以方便的采购台式核磁，放在自己的反应器旁边，现场就可以完成对绝大多数化合物分子的快速检测。台式核磁可以作为高场超导核磁的一个补充，两者并不冲突。/pp style="text-indent: 2em "strongspan style="background-color: rgb(112, 48, 160) color: rgb(255, 255, 255) "X-Pulse研发背景：弥补高场核磁昂贵背景下广泛需求/span/strong/pp style="text-indent: 2em "台式核磁并不是一个很新的技术，该技术始于60余年前，实际上第一台商业核磁共振波谱仪就是采用永磁体，不过该技术后来被逐渐淘汰。主要是因为超导磁体技术的出现，可以提供更高的磁场强度，获得更高的分辨率。/pp style="text-indent: 2em "此后，核磁共振这项技术便一直朝着更高的磁场、更高的共振频率发展。就如同牛津仪器另一个低温超导业务部门，他们追求与技术竞争方向都是一直希望有一个更高的磁场强度，从而获得更高的共振频率。/pp style="text-indent: 2em "从上个世纪50年代，有了第一台的商业化的磁共振产品以后，相关技术就一直是朝着超导这个方向发展，这也就导致在有机四大谱分析仪器中，核磁共振仪的普及率是最低的。因为磁场强度越高，设备的成本随之增高，然后越少用户能够用得起。/pp style="text-indent: 2em "在此背景下，2008年，牛津仪器在高校院所用户中进行了系列调研，发现一直以来，核磁共振技术并没有被普及到本科生层面，甚至研究生也很少能够接触到核磁共振或直接的操作机会，可能整个学校只能配置一到两台高档的核磁共振仪。这种情况下，广大用户就急需一类成本没那么高、学生和广大的科研工作者都可以有机会接触的核磁共振波谱技术和产品。于是，牛津仪器便想到开发这种没有低温超导的、永磁型的台式核磁共振仪。/pp style="text-indent: 2em "span style="background-color: rgb(112, 48, 160) color: rgb(255, 255, 255) "strongX-Pulse产品创新点解读/strong/span/pp style="text-indent: 2em "X-Pulse在前一代产品PulsarTM的基础上，增加了许多创新功能，也解锁了一些高场核磁共振的功能，如梯度、形状脉冲等，从而可以做一些比较复杂的实验，比如压制水峰和溶剂峰，选择性激发，以及多线编辑的反相实验等。归结而言，X-Pulse的创新点主要包括四方面：多核、变温流动化学、高分辨率、高稳定性。/pp style="text-indent: 2em "strong宽带多核/strong——X-Pulse是一款带有宽带功能的台式核磁共振仪，即一台仪器就可以做不同原子核的各种核磁共振实验。这一特性大大拓展了台式核磁的应用领域。比如在浸润剂领域，，一些用户研究偶联剂时，需要同时观测H、C、Si谱，以往仪器上，只能做到H和C ，用户需要在一些高场核磁平台上做Si的测试。而X-Pulse则可以检测从Si到P的所有原子核，这对于偶联剂性能的评估、配方成分开发等都十分便利。/pscript src="https://p.bokecc.com/player?vid=BDA5850AE3630AE09C33DC5901307461&siteid=D9180EE599D5BD46&autoStart=false&width=600&height=350&playerid=621F7722C6B7BD4E&playertype=1" type="text/javascript"/scriptp style="text-indent: 2em "再如，在锂电池行业，液态电解质通常包含锂盐以及有机溶剂。X-Pulse可以同时检测Li、P、F、B等，可用于电解质的配方分析和质量控制。利用X-Pulse，用户可以测定Li离子的扩散系数，识别并定量降解产物，分析电解质的浓度和纯度等，在一台仪器上即可实现对所有成分的表征。/pp style="text-indent: 2em "strong变温流动化学/strong——独特的流动池和变温探头，可在20° C到60° C之间连续监测动态化学反应，帮助用户详细了解反应过程和动力学。尤其是在有机合成方面，可以帮助用户优化温度、浓度等条件参数，以达到更短时间获得更高的反应转化率。/pscript src="https://p.bokecc.com/player?vid=9890E8C5BEF3D0269C33DC5901307461&siteid=D9180EE599D5BD46&autoStart=false&width=600&height=350&playerid=621F7722C6B7BD4E&playertype=1" type="text/javascript"/scriptp style="text-indent: 2em "以往的仪器需要多次取样，多次检测，而X-Pulse只需要一个流动池，让这个反应在进行过程中不断的进入到我们这个仪器里面，实时检测，提高效率。/pp style="text-indent: 2em "strong高分辨率/strong——前一代产品分辨率是半峰宽0.5Hz，底部线形是20Hz。这款新品的分辨率有了显著提升，半峰宽小于0.35Hz，底部线形小于10 Hz。那么它意义在哪里？比如说一些化合物的分子量大一些、复杂一些，那么它的谱峰重叠的可能性就会比较大，这对表征结构会带来困难。当分辨率提升以后，谱峰更窄，裂分更清楚，将更有利于识别这些谱图。/pp style="text-indent: 2em "strong高稳定性/strong——X-Pulse采用了经典的磁体设计，具有高热容量的磁体，无论是检测静态还是流动的样品，对温度变化都不敏感，从而消除了样品温度假峰。/pp style="text-indent: 2em " 想要获得高质量的核磁谱图，对磁场稳定性要求是比较高的。如果磁场保持均一稳定的状态，谱峰信号会很尖锐，裂分峰型也会很漂亮。如果仪器稳定性不好，磁场漂移厉害，那么可能本来能看到的分裂峰，最后变成一个包，这样也会给用户带来一些误导信息。/pp style="text-indent: 2em "strongspan style="background-color: rgb(112, 48, 160) color: rgb(255, 255, 255) "台式核磁技术的一个发展趋势：追赶高场核磁的分辨率和灵敏度/span/strong/pp style="text-indent: 2em "与高场核磁一样，台式核磁技术的发展方向也是发展更高的磁场强度，以达到更高的分辨率和灵敏度。/pp style="text-indent: 2em "目前台式核磁共振而言，X-Pulse磁场强度是1.4Tesla，对应的氢共振频率是60M，即便与一般所讲高场核磁最低的200M相比，无论是分辨率还是灵敏度，都还有一定的差距，从这个角度讲，台式核磁的一个永远的发展方向就是追赶高场核磁的分辨率和灵敏度。/pp style="text-indent: 2em "磁场强度方面，台式核磁共振不能像高场核磁共振那样，通过低温超导磁体来不断提高磁场强度。而台式核磁对应永磁体提高磁场强度是有极限的，因为随着磁场强度提高会导致永磁体越来越重，而且到了一定程度也存在极限。/pp style="text-indent: 2em "分辨率方面，比如PulsarTM刚发布时分辨率是1.5Hz，随后提高到1.3Hz，后来又提高到1.0 Hz、0.7 Hz，然后是0.5 Hz，目前这款获奖新品X-Pulse的分辨率是0.35 Hz。虽然磁场强度一样，牛津仪器一直在通过其他技术手段来实现台式核磁的分辨率的不断提高。/pp style="text-indent: 2em "灵敏度方面，牛津仪器主要是在通过探头上下功夫，通过改进的探头技术和一些电子设计，能够把灵敏度不断提高。牛津仪器最早期产品，灵敏度只有大概20:1，后来提高到40:1，然后是100:1，目前可以做到120:1，单氢探头超过180:1。/pp style="text-indent: 2em "总之，在磁场方面牛津仪器将尽可能提高台式核磁共振的磁场强度，当然最终的目的还是提高分辨率和灵敏度，牛津仪器也将在今后不断实施开发和改进的计划。/p

阳离子无序岩盐 (DRS) 材料因具有优异的初始可逆性和较为容易的 Li+嵌入及较高速率的嵌入脱出结构，而被广泛应用和研究。然而，迄今为止，引入的所有 Li-rich氟氧化物都存在循环寿命短和严重的容量衰减等问题。在无序的岩盐结构中，锂离子的传输路径主要通过四面体位点的网络进行传输，在这个路径上没有过渡金属离子。没有过渡金属，就意味着没有静电排斥，有利于离子传输。而该类材料循环寿命短和严重的容量衰减等问题主要源于阴离子氧化还原问题。通过高价态Ti离子替代和F-离子替代，可有效的提升电池的循环寿命。基于此，德国卡尔斯鲁厄理工大学的Maximilian Fichtner教授及其他合作者成功的结合了利用高价Ti4+离子及部分F-离子取代O2等策略，使得该材料展现了长循环条件下更加优异的电化学性能和库伦效率。Ti4+离子的存在，使得正材料中无序岩盐结构的形成，而低价态F的存在可以实现电荷平衡（与Mn2+配位）。值得注意的是，该团队利用了台式X射线吸收精细结构谱仪-XAFS（台式easyXAFS300+，美国easyXAFS公司），成功的揭示了电化学反应中，Ti元素和Mn元素的价态变化，进一步验证了高价Ti离子和部分F离子替代后策略背后的作用机理，相关研究成果发表于Chemistry of Materials (https://doi.org/10.1021/acs.chemmater.1c02334)。图1. (a) 不同Ti含量样品的Ti k edge XANES对比谱图（b）XANES放大图谱（c）不同Ti含量样品的Mn k edge XANES对比谱图（d）XANES放大图谱先，该课题组通过利用高能球磨法，制备了一系列的Li2MnIIIO2F，Li2Mn1/3IIMn1/3IIITi1/3IVO2F，Li2Mn1/2IITi1/2IVO2F, 和Li2Mn1/3IITi1/3IIITi1/3IVO2F样品，分别标记为0%Ti，33% Ti，50% Ti和66% Ti样品。该团队利用X射线吸收谱（台式easyXAFS300+，美国easyXAFS公司）来进行表面化学分析。如图1所示，1a展示了Ti k edge吸收谱，通过与标样的指纹峰对比，可以发现33% Ti，50% Ti样品的吸收边位置与TiO2接近，而66% Ti样品的吸收边位置向低能的Ti2O3靠近，图1b展示的更为清楚仔细。以上数据证明，33% Ti，50% Ti样品中的Ti离子主要以Ti4+存在，而66% Ti样品主要以Ti3+/4+混合态存在，且Ti3+的含量不容忽视。而图1c和1d展示是Mn k edge XANES谱图。0%Ti样品Mn的吸收边位置与Mn2O3接近，而66%Ti样品的吸收边位置与MnO接近。证明0%Ti和66%Ti样品中Mn的价态分别为+3价和+2价。而33% Ti和50% Ti样品中的Mn主要为+3价和+2价的混合价态。其中50% Ti样品的吸收边位置向MnO靠近，说明Mn(II)在50% Ti样品中的占比比66%Ti样品中的大。以上这些数据证实了研究人员的猜想，原始样品中的Ti原子主要倾向于+4价，而对于高Ti含量的样品，部分Ti原子会以+3价存在。而+4价Ti的存在会导致材料中+2价Mn的存在，进而促使材料整体容量的提升。通过Ti的替代作用，提供了网格结构框架，不仅可以有效的提升结构的稳定性，还可以实现整体的优异电化学性能。由其他数据及电化学性能表征可以得出，Li2Mn2/3Ti1/3O2材料的形成在材料的结构稳定性中起关键作用。使用优化的 Ti含量替代的样品，其容量可以在100 次循环后，仍保持为 192 mAh g−1 (∼653 Wh kg−1)，200次循环后保持136 mAh g−1 (∼462 Wh kg−1)，这为今后开发同时兼具良好的能量和功率密度提供了良好的技术支持。图2. easyXAFS公司的台式XAFS/XES谱仪实验室台式XAFS谱仪优势：1. 台式设计，可以在实验室内随时满足日常样品分析；2. LabVIEW软件脚本控制，附带7位自动样品轮, 可以同时进行多个样品或样品参数条件下的测试；3. 可集成辅助设备，搭配原位池，可实现高压、气体氛围、电化学等条件下的测试（已辅助客户成功验证），实现原位表征测试。4. 台式XAFS/XES谱仪具有XAFS和XES两种工作模式，可快速切换，满足不同科研试验需求 5. 台式XAFS/XES谱仪测得的谱图效果可以媲美同步辐射数据，如图3所示，其测得的Ni元素的EXAFS，Ce和U元素的L3-edge的XANES谱图数据与同步辐射光源谱图效果完全一致；图3. （a, b）台式XAFS/XES谱仪与同步辐射光源测得的Ni EXAFS及傅里叶变换后R空间对比谱图, （c、d）Ce和U L3-edge XANES谱图数据对比图6. 多种型号和配置可选，满足不同科研要求；7. 操作便捷，维护成本低，安全可靠. 参考文献：[1] Shirazimoghadam Y , Kharbachi A E , Fichtner M . Towards Better Stability and Reversibility of Mn2+/Mn4+ Double Redox Activity in Disordered Rocksalt Oxyfluoride Cathode Materials[J]. ECS Meeting Abstracts, 2021, MA2021-01(4):251-251.